KR20200115148A - 유기 전계 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 - Google Patents

유기 전계 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 Download PDF

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Abstract

본원은 유기 전계 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자에 관한 것이다. 본원에 따른 유기 전계 발광 화합물을 포함함으로써 낮은 증착온도에서 증착할 수 있고/있거나 클로깅 현상이 감소된 유기 전계 발광 소자를 제공할 수 있다.

Description

유기 전계 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자{ORGANIC ELECTROLUMINESCENT COMPOUND AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE COMPRISING THE SAME}
본원은 유기 전계 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자에 관한 것이다.
이스트만 코닥 사 Tang 등이 1987년에 발광층과 전하 전달층으로 이루어진 TPD/Alq3 이중층 저분자 녹색 유기 전계 발광 소자(OLED)를 처음으로 개발한 이후, 유기 전계 발광 소자에 대한 연구가 급속도로 빠르게 이루어져 현재 상용화에 이르렀다. 유기 전계 발광 소자(organic electroluminescent device; OLED)는 유기 발광 재료에 전기를 가해 전기 에너지를 빛으로 바꾸는 소자로서, 통상 양극(애노드) 및 음극(캐소드)과 이들 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 유기 전계 발광 소자의 유기물층은 정공주입층, 정공전달층, 정공보조층, 발광보조층, 전자차단층, 발광층(호스트 및 도판트 재료 포함), 전자버퍼층, 정공차단층, 전자전달층, 전자주입층 등을 포함할 수 있다. 상기 유기물층에 사용되는 재료는 기능에 따라 정공주입 재료, 정공전달 재료, 정공보조 재료, 발광보조 재료, 전자차단 재료, 발광 재료, 전자버퍼 재료, 정공차단 재료, 전자전달 재료, 전자주입 재료 등으로 나뉠 수 있다.
업계에서 유기 전계 발광 소자의 발광효율, 수명특성, 전력효율 등을 개선할 수 있는 유기 전계 발광 재료의 연구가 이루어지고 있다. 이와 함께, 유기 전계 발광 재료의 열적 특성을 개선함으로써, 고온증착 시의 재료 손상을 방지하거나, 소자 제조시의 공정 흐름을 개선하려는 노력들도 이루어지고 있다.
한국 특허공개공보 제2018-0099510호는 아자아줄렌을 포함하는 융합 구조의 화합물을 개시하나, 본원 화합물의 구조와 동일한 화합물은 구체적으로 개시하고 있지 않다.
한국 특허공개공보 제2018-0099510호 (2018.09.05 공개)
유기 전계 발광 화합물을 증착하려면 고온이 요구되는데, 그러한 높은 온도에서 화합물이 열화되는 문제가 종종 발생한다. 또, 증착시 유기 전계 발광 재료를 담는 일종의 도가니인 소스(source)에 화합물을 담는데, 소스에 열이 불균일하게 전달되어 소스의 입구 부분이 증착재료에 의하여 막히는 현상(clogging; 클로깅)이 발생하기도 한다.
본원의 목적은 다음 중 적어도 하나를 포함한다. 첫째, 본원은 비교적 낮은 온도에서 증착될 수 있어 증착시 화합물의 열화가 감소된 유기 전계 발광 화합물을 제공한다. 둘째, 본원은 클로깅 현상을 감소시킬 수 있는 유기 전계 발광 소자를 제공한다. 셋째, 본원은 상기 유기 전계 발광 화합물로 제조된 유기 전계 발광 소자를 제공한다.
본 발명자들은 하기 화학식 1로 표시되는 유기 전계 발광 화합물이 상술한 목적을 달성함을 발견하여 본 발명을 완성하였다.
[화학식 1]
Figure pat00001
상기 화학식 1에서,
X1 내지 X12는 각각 독립적으로 N 또는 CR1이고;
T1 내지 T4는 각각 독립적으로 N 또는 CR2이며;
Y1 내지 Y3은 각각 독립적으로 N 또는 CR3이고, 이 중 하나 이상은 N이고;
L1은 단일결합, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴렌, 또는 치환 또는 비치환된 (3-30원)헤테로아릴렌이며;
Ar1, Ar2 및 R1 내지 R3은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 시아노, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴, 치환 또는 비치환된 (3-30원)헤테로아릴, 치환 또는 비치환된 (C3-C30)시클로알킬, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알콕시, 치환 또는 비치환된 트리(C1-C30)알킬실릴, 치환 또는 비치환된 디(C1-C30)알킬(C6-C30)아릴실릴, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬디(C6-C30)아릴실릴, 치환 또는 비치환된 트리(C6-C30)아릴실릴, 치환 또는 비치환된 모노- 또는 디- (C1-C30)알킬아미노, 치환 또는 비치환된 모노- 또는 디- (C6-C30)아릴아미노, 또는 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬(C6-C30)아릴아미노이거나; 인접한 치환기와 연결되어 고리를 형성할 수 있고, R1 내지 R3이 각각 복수인 경우 각각의 R1, 각각의 R2 및 각각의 R3는 서로 같거나 다를 수 있다.
본원에 따르면, 낮은 증착온도에서 증착할 수 있고/있거나 클로깅 현상이 감소된 유기 전계 발광 화합물을 얻을 수 있다. 또, 위와 같은 유기 전계 발광 화합물을 이용함으로써 제조된 유기 전계 발광 소자의 성능 저하를 예방할 수 있고/있거나 유기 전계 발광 소자를 제조하는 공정을 개선할 수 있다.
도 1은 본원의 유기 전계 발광 화합물의 대표적인 화학식이다.
도 2는 본원의 유기 전계 발광 화합물과 종래의 유기 전계 발광 화합물의 3차원 구조를 나타낸 도이다.
이하에서 본원을 더욱 상세히 설명하나, 이는 설명을 위한 것으로 본원의 범위를 제한하도록 해석되어서는 안 된다.
본원에서 "유기 전계 발광 화합물"은 유기 전계 발광 소자에 사용될 수 있는 화합물을 의미하며, 필요에 따라 유기 전계 발광 소자를 구성하는 임의의 층에 포함될 수 있다.
본원에서 "유기 전계 발광 재료"는 유기 전계 발광 소자에 사용될 수 있는 재료를 의미하고, 1종 이상의 화합물을 포함할 수 있으며, 필요에 따라 유기 전계 발광 소자를 구성하는 임의의 층에 포함될 수 있다. 예를 들면, 상기 유기 전계 발광 재료는 정공 주입 재료, 정공 전달 재료, 정공 보조 재료, 발광 보조 재료, 전자 차단 재료, 발광 재료, 전자 버퍼 재료, 정공 차단 재료, 전자 전달 재료, 전자 주입 재료일 수 있다.
본원의 유기 전계 발광 재료는 상기 화학식 1로 표시되는 1종 이상의 화합물을 포함할 수 있다. 이에 한정되는 것은 아니지만, 상기 화학식 1의 화합물은 발광층, 전자 전달층 및/또는 전자 버퍼층 등에 포함될 수 있다. 발광층에 포함되는 경우 화학식 1의 화합물은 호스트 재료로 포함될 수 있다. 여기서, 호스트 재료는 녹색 또는 적색 발광 유기 전계 발광 소자의 호스트 재료일 수 있다. 또한, 전자 전달층에 포함되는 경우 화학식 1의 화합물은 전자 전달 재료로 포함될 수 있고, 전자 버퍼층에 포함되는 경우 화학식 1의 화합물은 전자 버퍼 재료로 포함될 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물에 대해 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
본원에서 "(C1-C30)알킬"은 쇄를 구성하는 탄소수가 1 내지 30개인 직쇄 또는 분지쇄 알킬을 의미하고, 여기에서 탄소수는 바람직하게는 1 내지 20개, 더 바람직하게는 1 내지 10개이다. 상기 알킬의 구체적인 예로서, 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, 이소부틸 및 tert-부틸 등이 있다. 본원에서 "(C2-C30)알케닐"은 쇄를 구성하는 탄소수가 2 내지 30개인 직쇄 또는 분지쇄 알케닐을 의미하고, 여기에서 탄소수는 바람직하게는 2 내지 20개, 더 바람직하게는 2 내지 10개이다. 상기 알케닐의 구체적인 예로서, 비닐, 1-프로페닐, 2-프로페닐, 1-부테닐, 2-부테닐, 3-부테닐, 2-메틸부트-2-에닐 등이 있다. 본원에서 "(C2-C30)알키닐"은 쇄를 구성하는 탄소수가 2 내지 30개인 직쇄 또는 분지쇄 알키닐을 의미하고, 여기에서 탄소수는 바람직하게는 2 내지 20개, 더 바람직하게는 2 내지 10개이다. 상기 알키닐의 예로서, 에티닐, 1-프로피닐, 2-프로피닐, 1-부티닐, 2-부티닐, 3-부티닐, 1-메틸펜트-2-이닐 등이 있다. 본원에서 "(C3-C30)시클로알킬"은 환 골격 탄소수가 3 내지 30개인 단일환 또는 다환 탄화수소를 의미하고, 상기 탄소수는 바람직하게는 3 내지 20개, 더 바람직하게는 3 내지 7개이다. 상기 시클로알킬의 예로서, 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸, 시클로헥실 등이 있다. 본원에서 "(3-7원)헤테로시클로알킬"은 환 골격 원자수가 3 내지 7개, 바람직하게는 5 내지 7개이고, B, N, O, S, Si 및 P로 이루어진 군, 바람직하게는 O, S 및 N로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 시클로알킬을 의미하고, 예를 들어, 테트라하이드로푸란, 피롤리딘, 티올란, 테트라하이드로피란 등이 있다. 본원에서 "(C6-C30)아릴(렌)"은 환 골격 탄소수가 6 내지 30개인 방향족 탄화수소에서 유래된 단일환 또는 융합환계 라디칼을 의미하고, 부분적으로 포화될 수도 있다. 상기 환 골격 탄소수는 바람직하게는 6 내지 25개, 더 바람직하게는 6 내지 18개이다. 상기 아릴은 스피로 구조를 가진 것을 포함한다. 상기 아릴의 예로서, 페닐, 비페닐, 터페닐, 나프틸, 비나프틸, 페닐나프틸, 나프틸페닐, 페닐터페닐, 플루오레닐, 페닐플루오레닐, 벤조플루오레닐, 디벤조플루오레닐, 페난트레닐, 페닐페난트레닐, 안트라세닐, 인데닐, 트리페닐레닐, 피레닐, 테트라세닐, 페릴레닐, 크라이세닐, 나프타세닐, 플루오란테닐, 스피로비플루오레닐, 아쥴레닐 등이 있다. 더욱 구체적으로, 상기 아릴의 예로는 페닐, 1-나프틸, 2-나프틸, 1-안트릴, 2-안트릴, 9-안트릴, 벤즈안트릴, 1-페난트릴, 2-페난트릴, 3-페난트릴, 4-페난트릴, 9-페난트릴, 나프타세닐, 피레닐, 1-크리세닐, 2-크리세닐, 3-크리세닐, 4-크리세닐, 5-크리세닐, 6-크리세닐, 벤조[c]페난트릴, 벤조[g]크리세닐, 1-트리페닐레닐, 2-트리페닐레닐, 3-트리페닐레닐, 4-트리페닐레닐, 1-플루오레닐, 2-플루오레닐, 3-플루오레닐, 4-플루오레닐, 9-플루오레닐, 벤조플루오레닐, 디벤조플루오레닐, 2-비페닐일, 3-비페닐일, 4-비페닐일, o-터페닐, m-터페닐-4-일, m-터페닐-3-일, m-터페닐-2-일, p-터페닐-4-일, p-터페닐-3-일, p-터페닐-2-일, m-쿼터페닐, 3-플루오란테닐, 4-플루오란테닐, 8-플루오란테닐, 9-플루오란테닐, 벤조플루오란테닐, o-톨릴, m-톨릴, p-톨릴, 2,3-자일릴, 3,4-자일릴, 2,5-자일릴, 메시틸, o-쿠멘일, m-쿠멘일, p-쿠멘일, p-t-부틸페닐, p-(2-페닐프로필)페닐, 4'-메틸비페닐일, 4"-t-부틸-p-터페닐-4-일, 9,9-디메틸-1-플루오레닐, 9,9-디메틸-2-플루오레닐, 9,9-디메틸-3-플루오레닐, 9,9-디메틸-4-플루오레닐, 9,9-디페닐-1-플루오레닐, 9,9-디페닐-2-플루오레닐, 9,9-디페닐-3-플루오레닐, 9,9-디페닐-4-플루오레닐 등을 들 수 있다.
본원에서 "(3-30원)헤테로아릴(렌)"은 환 골격 원자수가 3 내지 30개이고, B, N, O, S, Si 및 P로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 아릴기를 의미한다. 헤테로원자수는 바람직하게는 1 내지 4개이고, 단일 환계이거나 하나 이상의 벤젠환과 축합된 융합환계일 수 있으며, 부분적으로 포화될 수도 있다. 또한, 본원에서 상기 헤테로아릴은 하나 이상의 헤테로아릴 또는 아릴기가 단일 결합에 의해 헤테로아릴기와 연결된 형태도 포함하며, 스피로 구조를 가진 것도 포함한다. 상기 헤테로아릴의 예로서, 푸릴, 티오펜일, 피롤릴, 이미다졸릴, 피라졸릴, 티아졸릴, 티아디아졸릴, 이소티아졸릴, 이속사졸릴, 옥사졸릴, 옥사디아졸릴, 트리아진일, 테트라진일, 트리아졸릴, 테트라졸릴, 푸라잔일, 피리딜, 피라진일, 피리미딘일, 피리다진일 등의 단일 환계 헤테로아릴, 벤조푸란일, 벤조티오펜일, 이소벤조푸란일, 디벤조푸란일, 디벤조티오펜일, 벤조이미다졸릴, 벤조티아졸릴, 벤조이소티아졸릴, 벤조이속사졸릴, 벤조옥사졸릴, 이소인돌릴, 인돌릴, 벤조인돌릴, 인다졸릴, 벤조티아디아졸릴, 퀴놀릴, 이소퀴놀릴, 신놀리닐, 퀴나졸리닐, 벤조퀴나졸리닐, 퀴녹살리닐, 벤조퀴녹살리닐, 나프티리디닐, 카바졸릴, 벤조카바졸릴, 디벤조카바졸릴, 페녹사진일, 페노티아진일, 페난트리딘일, 벤조디옥솔릴, 디하이드로아크리디닐 등의 융합 환계 헤테로아릴 등이 있다. 더욱 구체적으로, 상기 헤테로아릴의 예로는, 1-피롤릴, 2-피롤릴, 3-피롤릴, 피라지닐, 2-피리디닐, 2-피리미디닐, 4-피리미디닐, 5-피리미디닐, 6-피리미디닐, 1,2,3-트리아진-4-일, 1,2,4-트리아진-3-일, 1,3,5-트리아진-2-일, 1-이미다졸릴, 2-이미다졸릴, 1-피라졸릴, 1-인돌리디닐, 2-인돌리디닐, 3-인돌리디닐, 5-인돌리디닐, 6-인돌리디닐, 7-인돌리디닐, 8-인돌리디닐, 2-이미다조피리디닐, 3-이미다조피리디닐, 5-이미다조피리디닐, 6-이미다조피리디닐, 7-이미다조피리디닐, 8-이미다조피리디닐, 3-피리디닐, 4-피리디닐, 1-인돌릴, 2-인돌릴, 3-인돌릴, 4-인돌릴, 5-인돌릴, 6-인돌릴, 7-인돌릴, 1-이소인돌릴, 2-이소인돌릴, 3-이소인돌릴, 4-이소인돌릴, 5-이소인돌릴, 6-이소인돌릴, 7-이소인돌릴, 2-푸릴, 3-푸릴, 2-벤조푸라닐, 3-벤조푸라닐, 4-벤조푸라닐, 5-벤조푸라닐, 6-벤조푸라닐, 7-벤조푸라닐, 1-이소벤조푸라닐, 3-이소벤조푸라닐, 4-이소벤조푸라닐, 5-이소벤조푸라닐, 6-이소벤조푸라닐, 7-이소벤조푸라닐, 2-퀴놀릴, 3-퀴놀릴, 4-퀴놀릴, 5-퀴놀릴, 6-퀴놀릴, 7-퀴놀릴, 8-퀴놀릴, 1-이소퀴놀릴, 3-이소퀴놀릴, 4-이소퀴놀릴, 5-이소퀴놀릴, 6-이소퀴놀릴, 7-이소퀴놀릴, 8-이소퀴놀릴, 2-퀴녹살리닐, 5-퀴녹살리닐, 6-퀴녹살리닐, 1-카르바졸릴, 2-카르바졸릴, 3-카르바졸릴, 4-카르바졸릴, 9-카르바졸릴, 아자카르바졸릴-1-일, 아자카르바졸릴-2-일, 아자카르바졸릴-3-일, 아자카르바졸릴-4-일, 아자카르바졸릴-5-일, 아자카르바졸릴-6-일, 아자카르바졸릴-7-일, 아자카르바졸릴-8-일, 아자카르바졸릴-9-일, 1-페난트리디닐, 2-페난트리디닐, 3-페난트리디닐, 4-페난트리디닐, 6-페난트리디닐, 7-페난트리디닐, 8-페난트리디닐, 9-페난트리디닐, 10-페난트리디닐, 1-아크리디닐, 2-아크리디닐, 3-아크리디닐, 4-아크리디닐, 9-아크리디닐, 2-옥사졸릴, 4-옥사졸릴, 5-옥사졸릴, 2-옥사디아졸릴, 5-옥사디아졸릴, 3-푸라자닐, 2-티에닐, 3-티에닐, 2-메틸피롤-1-일, 2-메틸피롤-3-일, 2-메틸피롤-4-일, 2-메틸피롤-5-일, 3-메틸피롤-1-일, 3-메틸피롤-2-일, 3-메틸피롤-4-일, 3-메틸피롤-5-일, 2-t-부틸피롤-4-일, 3-(2-페닐프로필)피롤-1-일, 2-메틸-1-인돌릴, 4-메틸-1-인돌릴, 2-메틸-3-인돌릴, 4-메틸-3-인돌릴, 2-t-부틸-1-인돌릴, 4-t-부틸-1-인돌릴, 2-t-부틸-3-인돌릴, 4-t-부틸-3-인돌릴, 1-디벤조푸라닐, 2-디벤조푸라닐, 3-디벤조푸라닐, 4-디벤조푸라닐, 1-디벤조티오페닐, 2-디벤조티오페닐, 3-디벤조티오페닐, 4-디벤조티오페닐, 1-실라플루오레닐, 2-실라플루오레닐, 3-실라플루오레닐, 4-실라플루오레닐, 1-게르마플루오레닐, 2-게르마플루오레닐, 3-게르마플루오레닐, 4-게르마플루오레닐 등을 들 수 있다. 본원에서 "할로겐"은 F, Cl, Br 및 I 원자를 포함한다.
또한, "오르토(ortho; o-)", "메타(meta; m-)", 및 "파라(para; p-)"는 각각 치환기의 상대적인 위치를 나타내는 접두어이다. 오르토(ortho)는 2개의 치환기가 서로 이웃하는 것을 나타내고, 일 예로 벤젠 치환체에서 치환기가 1, 2 위치에 있을 때, 오르토 위치라고 한다. 메타(meta)는 2개의 치환기가 1, 3 위치에 있는 것을 나타내며, 일 예로 벤젠 치환체에서 치환기가 1, 3 위치에 있을 때 메타 위치라고 한다. 파라(para)는 2개의 치환기가 1, 4 위치에 있는 것을 나타내며, 일 예로 벤젠 치환체에서 치환기가 1, 4 위치에 있을 때 파라 위치라고 한다.
또한, 본원에 기재되어 있는 "치환 또는 비치환"이라는 기재에서 "치환"은 어떤 작용기에서 수소 원자가 다른 원자 또는 다른 작용기 (즉, 치환기)로 대체되는 것을 뜻한다. 본원에서 치환된 (C1-C30)알킬, 치환된 (C6-C30)아릴(렌), 치환된 (3-30원)헤테로아릴(렌), 치환된 (C3-C30)시클로알킬, 치환된 (C1-C30)알콕시, 치환된 트리(C1-C30)알킬실릴, 치환된 디(C1-C30)알킬(C6-C30)아릴실릴, 치환된 (C1-C30)알킬디(C6-C30)아릴실릴, 치환된 트리(C6-C30)아릴실릴, 치환된 모노- 또는 디- (C1-C30)알킬아미노, 치환된 모노- 또는 디- (C6-C30)아릴아미노 및 치환된 (C1-C30)알킬(C6-C30)아릴아미노의 치환기는 각각 독립적으로 중수소; 할로겐; 시아노; 카르복실; 니트로; 히드록시; (C1-C30)알킬; 할로(C1-C30)알킬; (C2-C30)알케닐; (C2-C30)알키닐; (C1-C30)알콕시; (C1-C30)알킬티오; (C3-C30)시클로알킬; (C3-C30)시클로알케닐; (3-7원)헤테로시클로알킬; (C6-C30)아릴옥시; (C6-C30)아릴티오; (C6-C30)아릴로 치환 또는 비치환된 (5-30원)헤테로아릴; (5-30원)헤테로아릴로 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴; 트리(C1-C30)알킬실릴; 트리(C6-C30)아릴실릴; 디(C1-C30)알킬(C6-C30)아릴실릴; (C1-C30)알킬디(C6-C30)아릴실릴; 아미노; 모노- 또는 디- (C1-C30)알킬아미노; (C1-C30)알킬로 치환 또는 비치환된 모노- 또는 디- (C6-C30)아릴아미노; (C1-C30)알킬(C6-C30)아릴아미노; (C1-C30)알킬카보닐; (C1-C30)알콕시카보닐; (C6-C30)아릴카보닐; 디(C6-C30)아릴보로닐; 디(C1-C30)알킬보로닐; (C1-C30)알킬(C6-C30)아릴보로닐; (C6-C30)아르(C1-C30)알킬; 및 (C1-C30)알킬(C6-C30)아릴로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상이고, 본원의 일양태에 따르면, 상기 치환기는 각각 독립적으로 하나 이상의, 중수소, (C1-C6)알킬 및/또는 (C6-C12)아릴이다. 구체적으로, 상기 치환기는 각각 독립적으로 하나 이상의 중수소, 메틸 및/또는 페닐 등일 수 있다.
상기 화학식 1은 하기 화학식 2 또는 3으로 표시될 수 있다.
[화학식 2] [화학식 3]
Figure pat00002
Figure pat00003
상기 화학식 2 및 3에서,
a 및 b는 각각 독립적으로 1 내지 6의 정수이고, a 및 b가 2 이상의 정수인 경우, 각각의 R2는 서로 동일하거나 상이할 수 있고;
Y'는 CR4R5, O 또는 S이며;
R4 및 R5은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬, 또는 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴이고;
X1 내지 X12, Y1 내지 Y3, L1, Ar1 및 Ar2는 화학식 1에서 정의된 바와 같다.
상기 화학식 1에서, X1 내지 X12는 각각 독립적으로 N 또는 CR1이고, 본원의 일 양태에 따르면, 각각 독립적으로 CR1이다.
상기 화학식 1에서, T1 내지 T4는 각각 독립적으로 N 또는 CR2이다.
상기 화학식 1에서, Y1 내지 Y3은 각각 독립적으로 N 또는 CR3이고, 이 중 하나 이상은 N이다.
상기 화학식 1에서, L1은 단일결합, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴렌, 또는 치환 또는 비치환된 (3-30원)헤테로아릴렌이고, 본원의 일 양태에 따르면, 단일결합, 치환 또는 비치환된 (C6-C12)아릴렌, 또는 치환 또는 비치환된 (5-15원)헤테로아릴렌이며, 본원의 다른 일 양태에 따르면, 단일결합, 비치환된 (C6-C12)아릴렌, 또는 비치환된 (5-15원)헤테로아릴렌이다. 상기 헤테로아릴렌은 질소, 산소 및 황 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 예를 들어, L1은 단일결합, 페닐렌, 피리딜렌 등일 수 있다.
상기 화학식 1에서, Ar1, Ar2 및 R1 내지 R3은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 시아노, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴, 치환 또는 비치환된 (3-30원)헤테로아릴, 치환 또는 비치환된 (C3-C30)시클로알킬, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알콕시, 치환 또는 비치환된 트리(C1-C30)알킬실릴, 치환 또는 비치환된 디(C1-C30)알킬(C6-C30)아릴실릴, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬디(C6-C30)아릴실릴, 치환 또는 비치환된 트리(C6-C30)아릴실릴, 치환 또는 비치환된 모노- 또는 디- (C1-C30)알킬아미노, 치환 또는 비치환된 모노- 또는 디- (C6-C30)아릴아미노, 또는 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬(C6-C30)아릴아미노이거나; 인접한 치환기와 연결되어 고리를 형성할 수 있고, R1 내지 R3이 각각 복수인 경우 각각의 R1, 각각의 R2 및 각각의 R3는 서로 같거나 다를 수 있다.
본원의 일 양태에 따르면, Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 (C6-C18)아릴, 또는 치환 또는 비치환된 (5-15원)헤테로아릴이고, 본원의 다른 일 양태에 따르면, Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 중수소로 치환 또는 비치환된 (C6-C18)아릴, 또는 비치환된 (5-15원)헤테로아릴이다. 또한, Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 다를 수 있다. 예를 들어, Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 페닐, 나프틸, 비페닐, 페난트레닐, 하나 이상의 중수소로 치환된 페닐, 디벤조푸라닐, 디벤조티오페닐 등일 수 있다.
본원의 일 양태에 따르면, R1 내지 R3은 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 (C6-C12)아릴, 또는 치환 또는 비치환된 (5-15원)헤테로아릴이거나; 인접한 치환기와 연결되어 고리를 형성할 수 있고, 본원의 다른 일 양태에 따르면, R1 내지 R3은 각각 독립적으로 수소, 비치환된 (C6-C12)아릴, 또는 비치환된 (5-15원)헤테로아릴이거나; 인접한 치환기와 연결되어 고리를 형성할 수 있다. 예를 들어, R1은 각각 독립적으로 수소, 페닐 등이거나, 인접한 치환기와 연결되어 벤젠 고리를 형성할 수 있다. 예를 들어, R2는 각각 독립적으로 수소, 페닐, 피리딜 등이거나, 인접한 치환기와 연결되어 벤젠 고리, 피리딘 고리, 하나 이상의 메틸로 치환된 인덴 고리, 하나 이상의 페닐로 치환된 인덴 고리, 벤조푸란 고리, 벤조티오펜 고리 등을 형성할 수 있다. 예를 들어, R3는 각각 독립적으로 수소일 수 있다.
본원의 일양태에 따르면, X1 내지 X12는 각각 독립적으로 N 또는 CR1이고; T1 내지 T4는 각각 독립적으로 N 또는 CR2이며; Y1 내지 Y3은 각각 독립적으로 N 또는 CR3이고, 이 중 하나 이상은 N이고; L1은 단일결합, 치환 또는 비치환된 (C6-C12)아릴렌, 또는 치환 또는 비치환된 (5-15원)헤테로아릴렌이며; Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 (C6-C18)아릴, 또는 치환 또는 비치환된 (5-15원)헤테로아릴이고; R1 내지 R3은 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 (C6-C12)아릴, 또는 치환 또는 비치환된 (5-15원)헤테로아릴이거나, 인접한 치환기와 연결되어 고리를 형성할 수 있다.
본원의 다른 일양태에 따르면, X1 내지 X12는 각각 독립적으로 CR1이고; T1 내지 T4는 각각 독립적으로 N 또는 CR2이며; Y1 내지 Y3은 각각 독립적으로 N 또는 CR3이고, 이 중 하나 이상은 N이고; L1은 단일결합, 비치환된 (C6-C12)아릴렌, 또는 비치환된 (5-15원)헤테로아릴렌이며; Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 중수소로 치환 또는 비치환된 (C6-C18)아릴, 또는 비치환된 (5-15원)헤테로아릴이고; R1 내지 R3은 각각 독립적으로 수소, 비치환된 (C6-C12)아릴, 또는 비치환된 (5-15원)헤테로아릴이거나; 인접한 치환기와 연결되어 고리를 형성할 수 있다.
본원 화학식에서, 인접한 치환기와 서로 연결되어 고리를 형성하는 경우, 상기 고리는 치환 또는 비치환된 (3-30원) 단일환 또는 다환의 지환족, 방향족 또는 이들의 조합의 고리일 수 있다. 또한, 형성된 고리는 B, N, O, S, Si 및 P로부터 선택되는 하나 이상의 헤테로원자, 바람직하게는 질소, 산소 및 황으로부터 선택되는 하나 이상의 헤테로원자를 포함할 수 있다. 본원의 일 양태에 따르면, 상기 환 골격 원자수는 (5-20원)이고, 본원의 다른 일 양태에 따르면, 상기 환 골격 원자수는 (5-15원)이다. 예를 들면, 상기 융합된 고리는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜 고리, 치환 또는 비치환된 디벤조푸란 고리, 치환 또는 비치환된 나프탈렌 고리, 치환 또는 비치환된 페난트렌 고리, 치환 또는 비환된 플루오렌 고리, 치환 또는 비치환된 벤조티오펜 고리, 치환 또는 비치환된 벤조푸란 고리, 치환 또는 비치환된 인돌 고리, 치환 또는 비치환된 인덴 고리, 치환 또는 비치환된 벤젠 고리, 또는 치환 또는 비치환된 카바졸 고리 형태일 수 있다.
본원 화학식에서, 헤테로아릴(렌)은 각각 독립적으로, B, N, O, S, Si 및 P로부터 선택된 하나 이상의 헤테로원자를 포함할 수 있다. 또한, 상기 헤테로원자는 수소, 중수소, 할로겐, 시아노, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴, 치환 또는 비치환된 (5-30원)헤테로아릴, 치환 또는 비치환된 (C3-C30)시클로알킬, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알콕시, 치환 또는 비치환된 트리(C1-C30)알킬실릴, 치환 또는 비치환된 디(C1-C30)알킬(C6-C30)아릴실릴, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬디(C6-C30)아릴실릴, 치환 또는 비치환된 트리(C6-C30)아릴실릴, 치환 또는 비치환된 모노- 또는 디- (C1-C30)알킬아미노, 치환 또는 비치환된 모노- 또는 디- (C6-C30)아릴아미노, 및 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬(C6-30)아릴아미노로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 치환기가 결합될 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 구체적으로 하기의 화합물로서 예시될 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
Figure pat00004
Figure pat00005
Figure pat00006
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Figure pat00024
본원에 따른 화학식 1의 화합물은 당업자에게 공지된 합성 방법으로 제조할 수 있으며, 예를 들면 하기 반응식에 나타난 바와 같이 제조할 수 있다.
[반응식 1]
Figure pat00025
상기 반응식 1에서 X1 내지 X12, T1 내지 T4, Y1 내지 Y3, L1, Ar1 및 Ar2는 화학식 1에서의 정의와 동일하다.
상기 화합물 A는 특허문헌 1(한국 특허공개공보 제2018-0099510호)에 개시된 방법을 참조하여 제조할 수 있다. 상기에서 화학식 1로 표시되는 본 발명의 예시적 합성예를 설명하였지만, 이들은 모두 Buchwald-Hartwig cross coupling 반응, N-arylation 반응, Suzuki cross-coupling 반응, Intramolecular acid-induced cyclization 반응, Pd(II)-catalyzed oxidative cyclization 반응, SN1 치환 반응, SN2 치환 반응, 및 Phosphine-mediated reductive cyclization 반응 등에 기초한 것으로 구체적 합성예에 명시된 치환기 이외에 화학식 1에 정의된 다른 치환기가 결합되더라도 상기 반응이 진행된다는 것을 당업자라면 쉽게 이해할 수 있을 것이다.
본원은 화학식 1의 유기 전계 발광 화합물을 포함하는 유기 전계 발광 재료 및 상기 재료를 포함하는 유기 전계 발광 소자를 제공한다.
상기 재료는 본원의 유기 전계 발광 화합물 단독으로 이루어질 수 있고, 유기 전계 발광 재료에 포함되는 통상의 물질들을 추가로 포함할 수도 있다.
본원의 화학식 1의 유기 전계 발광 화합물은 상기 발광층, 정공 주입층, 정공 전달층, 정공 보조층, 발광 보조층, 전자 전달층, 전자 버퍼층, 전자 주입층, 계면층(interlayer), 정공 차단층 및 전자 차단층 중 어느 하나의 층 이상에 포함될 수 있다. 경우에 따라 바람직하게는, 발광층에 포함될 수 있다. 발광층에 사용될 경우, 본원의 화학식 1의 유기 전계 발광 화합물은 호스트 재료로서 포함될 수 있다. 바람직하게는, 상기 발광층은 하나 이상의 도판트를 추가로 더 포함할 수 있다. 필요한 경우, 본원의 유기 전계 발광 화합물은 코호스트(co-host) 재료로 사용될 수 있다. 즉, 발광층은 본원의 화학식 1 의 유기 전계 발광 화합물(제1 호스트 재료) 이외의 다른 유기 전계 발광 화합물을 제2 호스트 재료로 추가로 포함할 수 있다. 이 때, 제1 호스트 재료와 제2 호스트 재료의 중량비는 1:99 내지 99:1 범위이다. 2종 이상의 재료가 하나의 층에 포함되는 경우, 혼합 증착되어 층을 형성할 수도 있고, 별도로 동시에 공증착되어 층을 형성할 수 있다.
상기 제2 호스트 재료는 공지된 호스트라면 어느 것이든 사용 가능하며, 하기 화학식 11 내지 화학식 16으로 표시되는 화합물로 구성된 군으로부터 선택되는 것이 바람직할 수 있다.
[화학식 11]
H-(Cz-L4)h-M
[화학식 12]
H-(Cz)i-L4-M
[화학식 13]
Figure pat00026
[화학식 14]
Figure pat00027
[화학식 15]
Figure pat00028
상기 화학식 11 내지 15에서,
Cz는 하기 구조이며,
Figure pat00029
A는 -O- 또는 -S-이고;
R21 내지 R24는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴, 치환 또는 비치환된 (5-30원)헤테로아릴 또는 -SiR25R26R27이며, R25 내지 R27은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬, 또는 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴이고; L4는 단일결합, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴렌, 또는 치환 또는 비치환된 (5-30원)헤테로아릴렌이고; M은 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴, 또는 치환 또는 비치환된 (5-30원)헤테로아릴이며; Y4 및 Y5는 각각 독립적으로 -O-, -S-, -N(R31)-, 또는 -C(R32)(R33)-이고, Y4와 Y5가 동시에 존재하지는 않으며; R31 내지 R33은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴, 또는 치환 또는 비치환된 (5-30원)헤테로아릴이고, R32 및 R33 은 동일하거나 상이할 수 있으며; h 및 i는 각각 독립적으로 1 내지 3의 정수이고, j, k, l 및 m은 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수이며, q는 1 내지 3의 정수이고, h, i, j, k, l, m 또는 q가 2 이상의 정수인 경우 각각의 (Cz-L4), 각각의 (Cz), 각각의 R21, 각각의 R22, 각각의 R23 또는 각각의 R24는 동일하거나 상이할 수 있다.
[화학식 16]
Figure pat00030
상기 화학식 16에서,
Y6 내지 Y8은 각각 독립적으로 CR34 또는 N이고;
R34는 수소, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴, 또는 치환 또는 비치환된 (5-30원)헤테로아릴이고;
B1 및 B2는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴, 또는 치환 또는 비치환된 (5-30원)헤테로아릴이고;
B3은 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴, 또는 치환 또는 비치환된 (5-30원)헤테로아릴이고;
L5는 단일결합, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴렌, 또는 치환 또는 비치환된 (5-30원)헤테로아릴렌이다.
구체적으로, 상기 제2 호스트 재료의 예는 다음과 같으나, 이에 한정되지는 않는다.
Figure pat00031
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[여기서, TPS는 트리페닐실릴(triphenylsilyl)기이다]
본원의 유기 전계 발광 소자에 포함되는 도판트로는 하나 이상의 인광 또는 형광 도판트를 사용할 수 있고, 인광 도판트가 바람직하다. 본원의 유기 전계 발광 소자에 적용되는 인광 도판트 재료는 특별히 제한되지는 않으나, 이리듐(Ir), 오스뮴(Os), 구리(Cu) 및 백금(Pt)으로부터 선택되는 금속 원자의 착체 화합물일 수 있고, 경우에 따라 바람직하게는, 이리듐(Ir), 오스뮴(Os), 구리(Cu) 및 백금(Pt)으로부터 선택되는 금속 원자의 오르토 메탈화 착체 화합물일 수 있으며, 경우에 따라 더 바람직하게는, 오르토 메탈화 이리듐 착체 화합물일 수 있다.
본원의 유기 전계 발광 소자에 포함되는 도판트로 하기 화학식 101로 표시되는 화합물을 예로 들 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
[화학식 101]
Figure pat00060
상기 화학식 101에서,
L은 하기 구조 1 내지 3에서 선택되고;
[구조1] [구조2] [구조3]
Figure pat00061
R100 내지 R103은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 할로겐으로 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬, 치환 또는 비치환된 (C3-C30)시클로알킬, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴, 시아노, 치환 또는 비치환된 (3-30원)헤테로아릴, 또는 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알콕시이거나; R100 내지 R103은 인접 치환기가 서로 연결되어 피리딘과 함께 치환 또는 비치환된 융합고리를 형성할 수 있고, 예를 들면 치환 또는 비치환된 퀴놀린, 치환 또는 비치환된 이소퀴놀린, 치환 또는 비치환된 벤조푸로피리딘, 치환 또는 비치환된 벤조티에노피리딘, 치환 또는 비치환된 인데노피리딘, 치환 또는 비치환된 벤조푸로퀴놀린, 치환 또는 비치환된 벤조티에노퀴놀린, 또는 치환 또는 비치환된 인데노퀴놀린 형성이 가능하며;
R104 내지 R107은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 할로겐으로 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬, 치환 또는 비치환된 (C3-C30)시클로알킬, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴, 치환 또는 비치환된 (3-30원)헤테로아릴, 시아노, 또는 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알콕시이거나; R104 내지 R107은 인접 치환기가 서로 연결되어 벤젠과 함께 치환 또는 비치환된 융합고리를 형성할 수 있고, 예를 들면 치환 또는 비치환된 나프틸, 치환 또는 비치환된 플루오렌, 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜, 치환 또는 비치환된 디벤조푸란, 치환 또는 비치환된 인데노피리딘, 치환 또는 비치환된 벤조푸로피리딘, 또는 치환 또는 비치환된 벤조티에노피리딘 형성이 가능하며;
R201 내지 R220은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 할로겐으로 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬, 치환 또는 비치환된 (C3-C30)시클로알킬, 또는 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴이거나; R201 내지 R220은 인접 치환기가 서로 연결되어 치환 또는 비치환된 융합고리를 형성할 수 있으며;
s는 1 내지 3의 정수이다.
구체적으로, 상기 도판드 화합물의 구체적인 예는 다음과 같으나, 이에 한정되지는 않는다.
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본원에 따른 유기 전계 발광 소자는 제1 전극; 제2 전극; 및 상기 제1 전극 및 제2 전극 사이에 개재되는 1층 이상의 유기물층을 갖는다.
상기 제1 전극과 제2 전극 중 하나는 애노드이고 다른 하나는 캐소드일 수 있다. 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 정공 주입층, 정공 전달층, 정공 보조층, 발광 보조층, 전자 전달층, 전자 버퍼층, 전자 주입층, 계면층(interlayer), 정공 차단층 및 전자 차단층에서 선택되는 1층 이상을 더 포함할 수 있다. 상기 각각의 층은 여러 층으로 추가 구성될 수 있다.
상기 제1 전극 및 제2 전극은 각각 투명한 도전성 물질로 형성되거나, 반투과형 또는 반사형 도전성 물질로 형성될 수 있다. 상기 제1 전극 및 제2 전극을 형성하는 물질의 종류에 따라, 유기 전계 발광 소자는 전면 발광형, 배면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다. 또한, 상기 정공 주입층은 p-도판트로 추가로 도핑될 수 있으며, 전자 주입층은 n-도판트로 추가로 도핑될 수 있다.
본원의 일 양태에 따르면, 본원의 유기 전계 발광 소자는 본원의 유기 전계 발광 화합물 이외에 아진계 화합물을 전자 전달 재료, 전자 주입 재료, 전자 버퍼 재료 및 정공 차단 재료 중 하나 이상으로 더 포함할 수 있다.
상기 유기물층에 아릴아민계 화합물 및 스티릴아릴아민계 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 화합물을 추가로 포함할 수도 있다.
또한, 본원의 유기 전계 발광 소자에 있어서, 유기물층은 1족, 2족, 4주기 전이금속, 5주기 전이금속, 란탄계열금속 및 d-전이원소의 유기금속으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 금속, 또는 이러한 금속을 포함하는 하나 이상의 착체화합물을 추가로 포함할 수도 있다.
또한, 본원의 상기 유기 전계 발광 소자는 본원의 화합물 이외에 당업계에 알려진 청색, 적색 또는 녹색 발광 화합물을 포함하는 발광층 하나 이상을 더 포함함으로써 백색 발광을 할 수 있다. 또한, 필요에 따라, 황색 또는 오렌지색 발광층을 더 포함할 수도 있다.
본원의 유기 전계 발광 소자에 있어서, 한 쌍의 전극의 적어도 한쪽의 내측표면에, 칼코제나이드(chalcogenide)층, 할로겐화 금속층 및 금속 산화물층으로부터 선택되는 하나 이상의 층(이하, 이들을 "표면층"이라고 지칭함)을 배치하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 발광 매체층 측의 애노드 표면에 규소 및 알루미늄의 칼코제나이드(산화물을 포함한다)층을, 또한 발광 매체층 측의 캐소드 표면에 할로겐화 금속층 또는 금속 산화물층을 배치하는 것이 바람직하다. 상기 표면층에 의해 유기 전계 발광 소자의 구동 안정화를 얻을 수 있다. 상기 칼코제나이드의 바람직한 예로는 SiOX(1≤X≤2), AlOX(1≤X≤1.5), SiON, SiAlON 등이 있고, 할로겐화 금속의 바람직한 예로는 LiF, MgF2, CaF2, 불화 희토류 금속 등이 있으며, 금속 산화물의 바람직한 예로는 Cs2O, Li2O, MgO, SrO, BaO, CaO 등이 있다.
애노드와 발광층 사이에 정공 주입층, 정공 전달층 또는 전자 차단층, 또는 이들의 조합이 사용될 수 있다. 정공 주입층은 애노드에서 정공 전달층 또는 전자 차단층으로의 정공 주입 장벽(또는 정공 주입 전압)을 낮출 목적으로 복수의 층이 사용될 수 있으며, 각 층은 2개의 화합물이 동시에 사용될 수 있다. 정공 전달층 또는 전자 차단층도 복수의 층이 사용될 수 있다.
발광층과 캐소드 사이에 전자 버퍼층, 정공 차단층, 전자 전달층 또는 전자 주입층, 또는 이들의 조합이 사용될 수 있다. 전자 버퍼층은 전자 주입을 조절하고 발광층과 전자 주입층 사이의 계면 특성을 향상시킬 목적으로 복수의 층이 사용될 수 있으며, 각 층은 2개의 화합물이 동시에 사용될 수 있다. 정공 차단층 또는 전자 전달층도 복수의 층이 사용될 수 있고, 각 층에 복수의 화합물이 사용될 수 있다.
발광 보조층은 애노드와 발광층 사이에 위치하거나, 캐소드와 발광층 사이에 위치하는 층으로서, 상기 애노드와 발광층 사이에 위치할 경우, 정공의 주입 및/또는 전달을 원활하게 하거나 전자의 오버플로우를 차단하는 용도로 사용되거나, 상기 캐소드와 발광층 사이에 위치할 경우, 전자의 주입 및/또는 전달을 원활하게 하거나 정공의 오버플로우를 차단하는 용도로 사용될 수 있다. 또한, 상기 정공 보조층은 정공 전달층(또는 정공 주입층)과 발광층 사이에 위치하고, 정공의 전달 속도(또는 주입 속도)를 원활하게 하거나 블록킹하는 효과를 나타낼 수 있으며, 이에 따라 전하 밸런스(charge balance)를 조절할 수 있는 층이다. 또한, 상기 전자 차단층은 정공 전달층(또는 정공 주입층)과 발광층 사이에 위치하고, 발광층으로부터의 전자의 오버플로우를 차단하여 엑시톤을 발광층 내에 가두어 발광 누수를 방지하는 층이다. 상기 정공 전달층을 2층 이상 포함할 경우, 추가로 포함되는 층을 상기 정공 보조층 또는 상기 전자 차단층의 용도로 사용할 수 있다. 상기 정공 보조층과 전자 차단층은 유기 전계 발광 소자의 효율 및/또는 수명의 개선효과를 갖는다.
또한, 본원의 유기 전계 발광 소자에 있어서, 한 쌍의 전극의 적어도 한쪽의 표면에 전자 전달 화합물과 환원성 도판트의 혼합 영역 또는 정공 전달 화합물과 산화성 도판트의 혼합 영역을 배치하는 것도 바람직하다. 이러한 방식에 의해 전자 전달 화합물이 음이온으로 환원되므로 혼합 영역으로부터 발광 매체에 전자를 주입 및 전달하기 용이해진다. 또한, 정공 전달 화합물은 산화되어 양이온으로 되므로 혼합 영역으로부터 발광 매체에 정공을 주입 및 전달하기 용이해진다. 바람직한 산화성 도판트로서는 각종 루이스산 및 억셉터(acceptor) 화합물을 들 수 있고, 바람직한 환원성 도판트로는 알칼리 금속, 알칼리 금속 화합물, 알칼리 토류 금속, 희토류 금속 및 이들의 혼합물을 들 수 있다. 또한 환원성 도판트층을 전하생성층으로 사용하여 두 개 이상의 발광층을 가진 백색 발광을 하는 유기 전계 발광 소자를 제조할 수 있다.
본원의 일 예에 따른 유기 전계 발광 재료는 백색 유기 전계 발광 소자(White Organic Light Emitting Device)를 위한 발광 재료로서 사용될 수 있다. 상기 백색 유기 전계 발광 소자는 R(적색), G(녹색) 또는 YG(황녹색), B(청색) 발광부들의 배열 형태에 따라 병렬 배치(side-by-side) 방식, 적층(stacking) 방식, 또는 색 변환 물질(color conversion material, CCM) 방식 등 다양한 구조들이 제안되고 있다. 또한, 본 원의 일 예에 따른 유기 전계 발광 물질은 양자점(QD)을 포함하는 유기 전계 발광 소자에도 사용 될 수 있다.
본원의 유기 전계 발광 소자의 각층의 형성은 진공증착, 스퍼터링, 플라즈마, 이온플레이팅 등의 건식 성막법이나 잉크 젯 프린팅(ink jet printing), 스핀 코팅, 침지 코팅(dip coating), 플로우 코팅 등의 습식 성막법 중의 어느 하나의 방법을 적용할 수 있다. 본원의 제1 호스트 화합물과 제2 호스트 화합물을 성막할 때, 공증착 또는 혼합증착으로 공정한다.
습식 성막법의 경우, 각 층을 형성하는 재료를 에탄올, 클로로포름, 테트라하이드로푸란, 디옥산 등의 적절한 용매에 용해 또는 분산시켜 박막을 형성하는데, 그 용매는 각 층을 형성하는 재료가 용해 또는 분산될 수 있고, 성막성에 문제가 없는 것이라면 어느 것이어도 된다.
또한, 본원의 유기 전계 발광 소자를 이용하여 디스플레이 장치, 예를 들면, 스마트폰, 태블릿, 노트북, PC, TV 또는 차량용의 디스플레이 장치, 또는 조명 장치, 예를 들면, 옥외 또는 옥내용 조명 장치를 제조하는 것이 가능하다.
이하에서, 본원의 상세한 이해를 위하여 본원의 대표 화합물을 들어 본원에 따른 화합물의 제조방법 및 이의 물성을 나타내었다. 그러나, 본 발명은 하기의 예들에 한정되는 것은 아니다.
[ 실시예 1] 화합물 A-1의 제조
Figure pat00090
플라스크에 화합물 1-1 (20.0 g, 69 mmol), 화합물 1-2 (29.3 g, 76 mmol), 황산구리 (4.4 g, 27.6 mmol), 탄산칼륨 (19.0 g, 137 mmol) 및 오르토-이염화벤젠 343 mL를 넣고 18시간 동안 환류하였다. 상온으로 식힌 반응용액은 메탄올 4 L에 적가하여 고체 생성물을 얻었다. 얻어진 고체 화합물을 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 노란색의 고체 화합물 A-1 (14.4 g, 35%)을 얻었다. (M.P.= (M.P.= 210℃, 증착온도(DT)= 300℃)
[ 실시예 2] 화합물 A-2의 제조
Figure pat00091
플라스크에 화합물 1-1 (16.4 g, 56 mmol), 화합물 1-3 (22.1 g, 56 mmol), 황산구리 (3.6 g, 22.4 mmol), 탄산칼륨 (15.6 g, 112 mmol) 및 오르토-이염화벤젠 282 mL를 넣고 18시간 동안 환류하였다. 상온으로 식힌 반응용액은 메탄올 4 L에 적가하여 고체 생성물을 얻었다. 얻어진 고체 화합물을 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 노란색의 고체 화합물 A-2 (6.1 g, 18%)을 얻었다. (M.P.= 214℃, 증착온도(DT)= 300℃)
[ 실시예 3] 화합물 A-3의 제조
Figure pat00092
플라스크에 화합물 1-1 (7.5 g, 25.8 mmol), 화합물 1-4 (12.0 g, 25.8 mmol), 황산구리 (2.0 g, 12.8 mmol), 탄산칼륨 (7.1 g, 51.4 mmol) 및 오르토-이염화벤젠 258 mL를 넣고 18시간 동안 환류하였다. 상온으로 식힌 반응용액은 메탄올 4 L에 적가하여 고체 생성물을 얻었다. 얻어진 고체 화합물을 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 노란색의 고체 화합물 A-3 (8 g, 44%)을 얻었다. (M.P.= 230℃, 증착온도(DT)= 343℃)
[ 실시예 4] 화합물 A-4의 제조
Figure pat00093
플라스크에 화합물 1-1 (6.0 g, 20.5 mmol), 화합물 1-5 (9.5 g, 20.5 mmol), 황산구리 (1.6 g, 10.2 mmol), 탄산칼륨 (5.6 g, 40.9 mmol) 및 오르토-이염화벤젠 105 mL를 넣고 18시간 동안 환류하였다. 상온으로 식힌 반응용액은 메탄올 4 L에 적가하여 고체 생성물을 얻었다. 얻어진 고체 화합물을 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 노란색의 고체 화합물 A-4 (1.8 g, 12%)을 얻었다. (M.P.= 137℃, 증착온도(DT)= 330℃)
[ 실시예 5] 화합물 A-5의 제조
Figure pat00094
플라스크에 화합물 1-1 (12.9 g, 44.3 mmol), 화합물 1-6 (14.6 g, 33.2 mmol), 황산구리 (3.5 g, 22.1 mmol), 탄산칼륨 (12.2 g, 88.6 mmol) 및 오르토-이염화벤젠 342 mL를 넣고 18시간 동안 환류하였다. 상온으로 식힌 반응용액은 메탄올 4 L에 적가하여 고체 생성물을 얻었다. 얻어진 고체 화합물을 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 노란색의 고체 화합물 A-5 (9.5 g, 33%)을 얻었다. (M.P.= 223℃, 증착온도(DT)= 330℃)
[ 실시예 6] 화합물 A-7의 제조
Figure pat00095
플라스크에 화합물 1-1 (8.3 g, 28.6 mmol), 화합물 1-7 (12.0 g, 28.6 mmol), 황산구리 (2.3 g, 14.3 mmol), 탄산칼륨 (7.7 g, 57.2 mmol) 및 오르토-이염화벤젠 150 mL를 넣고 18시간 동안 환류하였다. 상온으로 식힌 반응용액은 메탄올 4 L에 적가하여 고체 생성물을 얻었다. 얻어진 고체 화합물을 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 노란색의 고체 화합물 A-7 (4.4 g, 22%)을 얻었다. (M.P.= 242℃,증착온도(DT)= 320℃)
[ 실시예 7] 화합물 A-9의 제조
Figure pat00096
플라스크에 화합물 1-1 (2.8 g, 9.6 mmol), 화합물 1-8 (5.0 g, 14.5 mmol), 4,5-비스(디페닐포스피노)-9,9-디메틸크산텐 (xantphos) 리간드 (0.8 g, 1.4 mmol), 소듐터트부톡사이드 (2.8 g, 29.0 mmol), 아세트산팔라듐(Pd(OAc)2) (0.15 g, 0.6 mmol) 및 오르토-자일렌 48 mL를 넣고 18시간 동안 환류하였다. 상온으로 식힌 반응용액을 물과 에틸아세테이트로 추출한 후 진공 건조하여 고체 생성물을 얻었다. 얻어진 고체 화합물을 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 노란색의 고체 화합물 A-9 (1.5 g, 26%)을 얻었다. (M.P.= 240℃, 증착온도(DT)= 306℃)
[ 실시예 8] 화합물 A-21의 제조
Figure pat00097
플라스크에 화합물 1-1 (9.0 g, 30.9 mmol), 화합물 1-9 (12.2 g, 30.9 mmol), 황산구리 (2.5 g, 15.4 mmol), 탄산칼륨 (8.5 g, 61.8 mmol) 및 오르토-이염화벤젠 150 mL를 넣고 18시간 동안 환류하였다. 상온으로 식힌 반응용액은 메탄올 4 L에 적가하여 고체 생성물을 얻었다. 얻어진 고체 화합물을 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 노란색의 고체 화합물 A-21 (13.1 g, 65%)을 얻었다. (M.P.= 258℃, 증착온도(DT)= 331℃)
[ 실시예 9] 화합물 A-61의 제조
Figure pat00098
플라스크에 화합물 1-10 (5.0 g, 13.6 mmol), 화합물 1-2 (5.8 g, 15.0 mmol), 황산구리 (0.87 g, 5.4 mmol), 탄산칼륨 (3.76 g, 27.2 mmol) 및 오르토-이염화벤젠 70 mL를 넣고 18시간 동안 환류하였다. 상온으로 식힌 반응용액은 메탄올 4 L에 적가하여 고체 생성물을 얻었다. 얻어진 고체 화합물을 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 노란색의 고체 화합물 A-61 (3.0 g, 33%)을 얻었다. (M.P.= 266℃, 증착온도(DT)= 319℃)
[ 실시예 10] 화합물 A-71의 제조
Figure pat00099
플라스크에 화합물 1-1 (7.2 g, 24.7 mmol), 화합물 1-11 (10.3 g, 24.7 mmol), 플로오르화세슘 (18.8 g, 123.4 mmol), 4-디메틸아미노피리딘(DMAP) (0.15 g, 1.23 mmol) 및 1-메틸-2-피롤리디논(NMP) 125 mL를 넣고 18시간 동안 환류하였다. 상온으로 식힌 반응용액은 메탄올 4 L에 적가하여 고체 생성물을 얻었다. 얻어진 고체 화합물을 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 노란색의 고체 화합물 A-71 (7.7 g, 45%)을 얻었다. (M.P.= 153℃, 증착온도(DT)= 317℃)
[ 실시예 11] 화합물 A-82의 제조
Figure pat00100
플라스크에 화합물 1-1 (5.2 g, 17.7 mmol), 화합물 1-12 (6.0 g, 14.9 mmol), 탄산세슘 (12.1 g, 37.2 mmol) 및 디메틸술폭시드(DMSO) 100 mL를 넣고 18시간 동안 환류하였다. 상온으로 식힌 반응용액은 메탄올 4 L에 적가하여 고체 생성물을 얻었다. 얻어진 고체 화합물을 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 노란색의 고체 화합물 A-82 (1.8 g, 18%)을 얻었다. (M.P.= 271℃, 증착온도(DT)= 318℃)
[ 실시예 12] 화합물 A-84의 제조
Figure pat00101
플라스크에 화합물 1-1 (5.2 g, 17.7 mmol), 화합물 1-13 (6.0 g, 14.9 mmol), 탄산세슘 (14.5 g, 44.6 mmol) 및 디메틸술폭시드 100 mL를 넣고 18시간 동안 환류하였다. 상온으로 식힌 반응용액은 메탄올 4 L에 적가하여 고체 생성물을 얻었다. 얻어진 고체 화합물을 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 노란색의 고체 화합물 A-84 (1.4 g, 14%)을 얻었다. (M.P.= 177℃, 증착온도(DT)= 354℃)
[ 실시예 13] 화합물 A-101의 제조
Figure pat00102
플라스크에 화합물 1-1 (4.5 g, 15.4 mmol), 화합물 1-14 (6.6 g, 15.4 mmol), 플로오르화세슘 (11.7 g, 77.2 mmol), 4-디메틸아미노피리딘 (0.1 g, 0.77 mmol) 및 1-메틸-2-피롤리디논 80 mL를 넣고 18시간 동안 환류하였다. 상온으로 식힌 반응용액은 메탄올 4 L에 적가하여 고체 생성물을 얻었다. 얻어진 고체 화합물을 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 노란색의 고체 화합물 A-101 (6.4 g, 59%)을 얻었다. (M.P.= 156℃, 증착온도(DT)= 332℃)
[ 실시예 14] 화합물 A-102의 제조
Figure pat00103
플라스크에 화합물 1-1 (6.8 g, 23.3 mmol), 화합물 1-15 (12.8 g, 19.4 mmol), 황산구리 (1.5 g, 9.7 mmol), 제삼인산칼륨 (8.2 g, 38.8 mmol) 및 오르토-이염화벤젠 100 mL를 넣고 18시간 동안 환류하였다. 상온으로 식힌 반응용액은 메탄올 4 L에 적가하여 고체 생성물을 얻었다. 얻어진 고체 화합물을 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 노란색의 고체 화합물 A-102 (3.0 g, 24%)을 얻었다. (M.P.= 159℃, 증착온도(DT)= 324℃)
[ 실시예 15] 화합물 A-103의 제조
Figure pat00104
플라스크에 화합물 1-10 (13.4 g, 36.5 mmol), 화합물 1-15 (20.0 g, 30.4 mmol), 황산구리 (2.4 g, 15.2 mmol), 제삼인산칼륨 (12.9 g, 60.8 mmol) 및 오르토-이염화벤젠 160 mL를 넣고 18시간 동안 환류하였다. 상온으로 식힌 반응용액은 메탄올 4 L에 적가하여 고체 생성물을 얻었다. 얻어진 고체 화합물을 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 노란색의 고체 화합물 A-103 (3 g, 14%)을 얻었다. (M.P.= 325℃, 증착온도(DT)= 349℃)
[ 실시예 16] 화합물 A-104의 제조
Figure pat00105
플라스크에 화합물 1-1 (12.0 g, 40.9 mmol), 화합물 1-16 (25.0 g, 34.1 mmol), 황산구리 (2.7 g, 17.1 mmol), 제삼인산칼륨 (14.5 g, 68.2 mmol) 및 오르토-이염화벤젠 230 mL를 넣고 18시간 동안 환류하였다. 상온으로 식힌 반응용액은 메탄올 5 L에 적가하여 고체 생성물을 얻었다. 얻어진 고체 화합물을 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 노란색의 고체 화합물 A-104 (7.5 g, 28%)을 얻었다. (M.P.= 238℃, 증착온도(DT)= 350℃)
[ 실시예 17] 화합물 A-105의 제조
Figure pat00106
플라스크에 화합물 1-17 (17.0 g, 49.8 mmol), 화합물 1-2 (19.3 g, 49.8 mmol), 황산구리 (4.0 g, 24.9 mmol), 탄산칼륨 (13.8 g, 99.6 mmol) 및 오르토-이염화벤젠 250 mL를 넣고 18시간 동안 환류하였다. 상온으로 식힌 반응용액은 메탄올 5 L에 적가하여 고체 생성물을 얻었다. 얻어진 고체 화합물을 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 노란색의 고체 화합물 A-105 (8.4 g, 26%)을 얻었다. (M.P.= 267℃, 증착온도(DT)= 302℃)
[ 비교예 ] 호스트로서 비교 화합물을 증착한 OLED 소자의 제조
비교 화합물을 포함하는 OLED 소자를 제조하였다. 우선, OLED 용 글래스(지오마텍사 제조) 기판 상의 투명 전극 ITO 박막(10Ω/□)을 아세톤, 에탄올 및 증류수를 순차적으로 사용하여 초음파 세척을 실시한 후, 이소프로필 알코올에 넣어 보관한 후 사용하였다. 다음으로 진공 증착 장비의 기판 홀더에 ITO 기판을 장착한 후, 진공 증착 장비 내의 셀에 화합물 HI-1을 넣고 챔버 내의 진공도가 10-6 torr에 도달할 때까지 배기시킨 후, 셀에 전류를 인가하여 증발시켜 ITO 기판 위에 80 nm 두께의 제1 정공 주입층을 증착하였다. 이어서, 진공 증착 장비 내의 다른 셀에 화합물 HI-2를 넣고, 셀에 전류를 인가하여 증발시켜 제1 정공 주입층 위에 5 nm 두께의 제2 정공 주입층을 증착하였다. 이어서, 진공 증착 장비 내의 셀에 화합물 HT-1을 넣고, 셀에 전류를 인가하여 증발시켜 제2 정공 주입층 위에 10 nm 두께의 제1 정공 전달층을 증착하였다. 이어서, 진공 증착 장비 내의 다른 셀에 화합물 HT-2를 넣고, 셀에 전류를 인가하여 증발시켜 제1 정공 전달층 위에 60 nm 두께의 제2 정공 전달층을 증착하였다. 정공 주입층과 정공 전달층을 형성시킨 후, 그 위에 발광층을 다음과 같이 증착시켰다. 진공 증착 장비 내의 한쪽 셀에 호스트로서 표 1의 화합물을 넣고, 또 다른 셀에는 도판트로서 화합물 D-39를 넣은 후, 두 물질을 다른 속도로 증발시켜 호스트와 도판트의 합계량에 대해 도판트를 3 중량%의 양으로 도핑함으로써 상기 제2 정공 전달층 위에 40 nm 두께의 발광층을 증착하였다. 이어서, 또 다른 셀 두 군데에 화합물 ET-1과 화합물 EI -1을 1:1의 속도로 증발시켜 발광층 위에 35 nm 두께의 전자 전달층을 증착하였다. 이어서, 전자 주입층으로 화합물 EI -1을 상기 전자 전달층 위에 2 nm 두께로 증착한 후, 다른 진공 증착 장비를 이용하여 Al 캐소드를 상기 전자 주입층 위에 80 nm의 두께로 증착하여 OLED 소자를 제조하였다.
상기 제조공정에서 사용한 호스트 화합물의 녹는점(M.P.)과 증착온도(DT)는 각각 285℃와 350℃였다.
[소자 제조예 1 내지 5] 호스트로서 본원에 따른 화합물을 증착한 OLED 소자의 제조
발광층의 호스트로서 하기 표 1의 화합물을 사용한 것 외에는 비교예와 동일한 방법으로 OLED 소자를 제조하였다.
이상과 같이 제조된 비교예 및 소자 제조예 1 내지 5의 유기 전계 발광 소자의 1,000 nit 휘도 기준의 구동 전압, 발광 효율, CIE 색좌표 및 사용된 화합물의 증착온도(DT)를 하기 표 1에 나타내었다.
[표 1]
Figure pat00107
본원에 따른 유기 전계 발광 화합물을 호스트로 사용한 유기 전계 발광 소자가 비교예의 화합물을 사용한 유기 전계 발광 소자보다 증착온도가 낮고, 발광효율이 우수함을 확인할 수 있다.
이론으로 한정하려는 것은 아니나, 아자아줄렌을 포함하는 융합 구조와 질소 함유 6원 헤테로환 구조가 링커를 통해 결합된 화합물에서, 링커가 페닐렌 또는 융합된 페닐렌이고, 여기에 아자아줄렌을 포함하는 융합 구조와 질소 함유 6원 헤테로환 구조가 서로 오르토로 연결되면 상기 두 구조의 평면이 어긋나 HOMO와 LUMO 값이 증가할 수 있다. 이에 따라, 메타 또는 파라로 연결되는 경우에 비하여 전자와 정공을 도판트에 보다 효과적으로 전달해줄 수 있는 것으로 이해된다.
또, 이론으로 한정하려는 것은 아니나, 유기 전계 발광 화합물의 분자 내에서 상기 두 구조의 평면이 어긋남에 따라 분자들 간의 상호작용이 줄어들어 결정성이 낮아질 수 있다. 그에 따라 화합물의 녹는점이 낮아져 화합물 증착시 클로깅 현상을 감소시킬 수 있는 것으로 이해된다.
또, 호스트 화합물의 증착 온도의 감소로 낮은 온도에서 재료의 증착이 가능하여 증착시 화합물이 분해되는 현상이 줄어들 수 있다. 즉, 유기 전계 발광 소자의 제조공정 상 열적 안정성이 증가할 수 있다. 도 2는 본원의 유기 전계 발광 화합물과 종래의 유기 전계 발광 화합물의 3차원 구조를 나타낸 도이다.
[표 2]
Figure pat00108
Figure pat00109

Claims (9)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 유기 전계 발광 화합물:
    [화학식 1]
    Figure pat00110

    상기 화학식 1에서,
    X1 내지 X12는 각각 독립적으로 N 또는 CR1이고;
    T1 내지 T4는 각각 독립적으로 N 또는 CR2이며;
    Y1 내지 Y3은 각각 독립적으로 N 또는 CR3이고, 이 중 하나 이상은 N이고;
    L1은 단일결합, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴렌, 또는 치환 또는 비치환된 (3-30원)헤테로아릴렌이며;
    Ar1, Ar2 및 R1 내지 R3은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 시아노, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴, 치환 또는 비치환된 (3-30원)헤테로아릴, 치환 또는 비치환된 (C3-C30)시클로알킬, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알콕시, 치환 또는 비치환된 트리(C1-C30)알킬실릴, 치환 또는 비치환된 디(C1-C30)알킬(C6-C30)아릴실릴, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬디(C6-C30)아릴실릴, 치환 또는 비치환된 트리(C6-C30)아릴실릴, 치환 또는 비치환된 모노- 또는 디- (C1-C30)알킬아미노, 치환 또는 비치환된 모노- 또는 디- (C6-C30)아릴아미노, 또는 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬(C6-C30)아릴아미노이거나; 인접한 치환기와 연결되어 고리를 형성할 수 있고, R1 내지 R3이 각각 복수인 경우 각각의 R1, 각각의 R2 및 각각의 R3는 서로 같거나 다를 수 있다.
  2. 제1항에 있어서, 상기 L1, Ar1, Ar2 및 R1 내지 R3에서 치환된 (C1-C30)알킬, 치환된 (C6-C30)아릴(렌), 치환된 (3-30원)헤테로아릴(렌), 치환된 (C3-C30)시클로알킬, 치환된 (C1-C30)알콕시, 치환된 트리(C1-C30)알킬실릴, 치환된 디(C1-C30)알킬(C6-C30)아릴실릴, 치환된 (C1-C30)알킬디(C6-C30)아릴실릴, 치환된 트리(C6-C30)아릴실릴, 치환된 모노- 또는 디- (C1-C30)알킬아미노, 치환된 모노- 또는 디- (C6-C30)아릴아미노 및 치환된 (C1-C30)알킬(C6-C30)아릴아미노의 치환기는 각각 독립적으로 중수소; 할로겐; 시아노; 카르복실; 니트로; 히드록시; (C1-C30)알킬; 할로(C1-C30)알킬; (C2-C30)알케닐; (C2-C30)알키닐; (C1-C30)알콕시; (C1-C30)알킬티오; (C3-C30)시클로알킬; (C3-C30)시클로알케닐; (3-7원)헤테로시클로알킬; (C6-C30)아릴옥시; (C6-C30)아릴티오; (C6-C30)아릴로 치환 또는 비치환된 (5-30원)헤테로아릴; (5-30원)헤테로아릴로 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴; 트리(C1-C30)알킬실릴; 트리(C6-C30)아릴실릴; 디(C1-C30)알킬(C6-C30)아릴실릴; (C1-C30)알킬디(C6-C30)아릴실릴; 아미노; 모노- 또는 디- (C1-C30)알킬아미노; (C1-C30)알킬로 치환 또는 비치환된 모노- 또는 디- (C6-C30)아릴아미노; (C1-C30)알킬(C6-C30)아릴아미노; (C1-C30)알킬카보닐; (C1-C30)알콕시카보닐; (C6-C30)아릴카보닐; 디(C6-C30)아릴보로닐; 디(C1-C30)알킬보로닐; (C1-C30)알킬(C6-C30)아릴보로닐; (C6-C30)아르(C1-C30)알킬; 및 (C1-C30)알킬(C6-C30)아릴로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상인, 유기 전계 발광 화합물.
  3. 제1항에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 2 또는 3으로 표시되는, 유기 전계 발광 화합물:
    [화학식 2] [화학식 3]
    Figure pat00111
    Figure pat00112

    상기 화학식 2 및 3에서,
    a 및 b는 각각 독립적으로 1 내지 6의 정수이고, a 및 b가 2 이상의 정수인 경우, 각각의 R2는 서로 동일하거나 상이할 수 있고;
    Y'는 CR4R5, O 또는 S이며;
    R4 및 R5은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬, 또는 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴이고;
    X1 내지 X12, Y1 내지 Y3, L1, Ar1 및 Ar2는 제1항에서 정의된 바와 같다.
  4. 제1항에 있어서,
    X1 내지 X12는 각각 독립적으로 N 또는 CR1이고;
    T1 내지 T4는 각각 독립적으로 N 또는 CR2이며;
    Y1 내지 Y3은 각각 독립적으로 N 또는 CR3이고, 이 중 하나 이상은 N이고;
    L1은 단일결합, 치환 또는 비치환된 (C6-C12)아릴렌, 또는 치환 또는 비치환된 (5-15원)헤테로아릴렌이며;
    Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 (C6-C18)아릴, 또는 치환 또는 비치환된 (5-15원)헤테로아릴이고;
    R1 내지 R3은 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 (C6-C12)아릴, 또는 치환 또는 비치환된 (5-15원)헤테로아릴이거나; 인접한 치환기와 연결되어 고리를 형성할 수 있는, 유기 전계 발광 화합물.
  5. 제1항에 있어서,
    X1 내지 X12는 각각 독립적으로 CR1이고;
    T1 내지 T4는 각각 독립적으로 N 또는 CR2이며;
    Y1 내지 Y3은 각각 독립적으로 N 또는 CR3이고, 이 중 하나 이상은 N이고;
    L1은 단일결합, 비치환된 (C6-C12)아릴렌, 또는 비치환된 (5-15원)헤테로아릴렌이며;
    Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 하나 이상의 중수소로 치환 또는 비치환된 (C6-C18)아릴, 또는 비치환된 (5-15원)헤테로아릴이고;
    R1 내지 R3은 각각 독립적으로 수소, 비치환된 (C6-C12)아릴, 또는 비치환된 (5-15원)헤테로아릴이거나; 인접한 치환기와 연결되어 고리를 형성할 수 있는, 유기 전계 발광 화합물.
  6. 제1항에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화합물들로부터 선택되는 것인, 유기 전계 발광 화합물.
    Figure pat00113

    Figure pat00114

    Figure pat00115

    Figure pat00116

    Figure pat00117

    Figure pat00118

    Figure pat00119

    Figure pat00120

    Figure pat00121

    Figure pat00122

    Figure pat00123

    Figure pat00124

    Figure pat00125

    Figure pat00126

    Figure pat00127

    Figure pat00128

    Figure pat00129

    Figure pat00130

    Figure pat00131

    Figure pat00132

    Figure pat00133
  7. 제1항에 기재된 유기 전계 발광 화합물을 포함하는, 유기 전계 발광 재료.
  8. 제1항에 기재된 유기 전계 발광 화합물을 포함하는, 유기 전계 발광 소자.
  9. 제8항에 있어서, 상기 유기 전계 발광 화합물을 발광층에 포함하는, 유기 전계 발광 소자.
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KR20210020843A (ko) * 2019-08-16 2021-02-24 주식회사 엘지화학 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자

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