KR20200113182A - 원자층을 증착하는 증착 장치 - Google Patents

원자층을 증착하는 증착 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20200113182A
KR20200113182A KR1020200123336A KR20200123336A KR20200113182A KR 20200113182 A KR20200113182 A KR 20200113182A KR 1020200123336 A KR1020200123336 A KR 1020200123336A KR 20200123336 A KR20200123336 A KR 20200123336A KR 20200113182 A KR20200113182 A KR 20200113182A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
block
substrate
deposition
hole
heater
Prior art date
Application number
KR1020200123336A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102252797B1 (ko
Inventor
안지환
이성제
계승현
심상일
조소라
양병찬
고도현
최학영
Original Assignee
서울과학기술대학교 산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020180057550A external-priority patent/KR20190132712A/ko
Application filed by 서울과학기술대학교 산학협력단 filed Critical 서울과학기술대학교 산학협력단
Priority to KR1020200123336A priority Critical patent/KR102252797B1/ko
Publication of KR20200113182A publication Critical patent/KR20200113182A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102252797B1 publication Critical patent/KR102252797B1/ko

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/503Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using dc or ac discharges
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52Controlling or regulating the coating process

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

원자층을 증착하는 증착 장치는 처리 챔버 및 증착 샘플을 증착하는 기판, 기판의 하부에 배치되며 기판에 증착된 증착 샘플의 온도를 조절하는 히터 및 기판의 상부에 배치되며 증착 샘플을 고정하는 커버를 포함하도록 처리 챔버의 내부에 설치된 블록부를 포함하고, 블록부는 복수 개로 구성되고, 복수 개의 블록부는 각 블록부가 블록 형식으로 조립이 가능하도록 구성될 수 있다.

Description

원자층을 증착하는 증착 장치{DEPOSITION DEVICE DEPOSITING ATOMIC LAYER}
본 발명은 원자층을 증착하는 증착 장치에 관한 것이다.
원자층 증착 방법(Atomic Layer Deposition; ALD)은 증착을 필요로 하는 물질에 기체상태의 전구체(Precursor)와 산화제인 반응제(Reactant)의 순차적인 반응 과정을 통하여 박막을 증착하는 방법이다. 이러한, 원자층 증착 방법은 자기 포화 반응(Self-Saturated Reaction) 특성 때문에 원자 단위의 증착 두께 조절이 용이하고, 다면적의 균일성 및 증착 정밀성을 가질 수 있다.
하지만, 원자층 증착 방법은 공정온도에 따라 예민하게 반응한다는 단점이 있다. 원자층 증착 방법 공정이 이루어지기 적합한 온도 범위를 ALD 공정온도 범위(ALD Window)라고 하는데, 이 범위 보다 온도가 높거나, 낮으면 정상적으로 박막이 성장 되지 않는다.
한편, 플라즈마 기반의 원자 증착 방법(Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition; PEALD)는 기존 원자층 증착 방법의 장점들과 더불어 낮은 공정 온도 범위에서도 고품질의 박막을 증착할 수 있으며 박막의 물리적, 화학적 특성을 제어 할 수 있다.
또한, 플라즈마 기반의 원자층 증착 방법은 바이어싱(Biasing) 기술을 이용하여 플라즈마의 특성(이온 밀도(Ion density), 이온 플럭스(Ion Flux))을 조절하고, 증착되는 박막의 특성 조건을 설정할 수 있다.
종래의 증착 장치는 원자층 증착 방법의 특성이 반영되지 않은 기판을 포함하고, 반응 챔버(Chamber) 전체 또는 기판 전체의 온도만을 조절할 수 있는 공정 온도 조절 컨트롤러를 포함하고 있다. 이러한, 종래의 박막 증착 장치는 원자층 증착 방법을 이용한 초기 공정 연구에 있어서 다양한 조건을 설정하기 어렵기 때문에 실험의 효율성과 신뢰성을 확보하는 것이 힘들다.
한국공개특허공보 제2017-0053320호 (2017.05.16. 공개)
본 발명은 상술한 종래의 증착 장치의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 처리 챔버 내에 설치된 복수의 블록부를 포함하는 증착 장치를 제공하고자 한다. 또한, 증착 장치의 각 블록부는 증착 샘플을 증착하는 기판의 하부에 배치된 히터를 통해 각 기판에 증착된 증착 샘플의 온도를 조절하고자 한다. 또한, 각 기판 각각에 형성된 바이어스 전극을 통해 플라즈마의 특성을 조절하고자 한다. 다만, 본 실시예가 이루고자 하는 기술적 과제는 상기된 바와 같은 기술적 과제들로 한정되지 않으며, 또 다른 기술적 과제들이 존재할 수 있다.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 기술적 수단으로서, 본 발명의 제 1 측면에 따른 원자층을 증착하는 증착 장치는 처리 챔버 및 증착 샘플을 증착하는 기판, 상기 기판의 하부에 배치되며 상기 기판에 증착된 증착 샘플의 온도를 조절하는 히터 및 상기 기판의 상부에 배치되며 상기 증착 샘플을 고정하는 커버를 포함하도록 상기 처리 챔버의 내부에 설치된 블록부를 포함하고, 상기 블록부는 복수 개로 구성되고, 상기 복수 개의 블록부는 각 블록부가 블록 형식으로 조립이 가능하도록 구성될 수 있다.
일예에 있어서, 상기 증착 장치는 상기 히터와 연결하여 상기 증착 샘플의 온도를 제어하는 제어부를 더 포함하고, 상기 제어부는 상기 복수 개의 블록부의 각 기판에 증착된 증착 샘플의 온도를 독립적으로 조절할 수 있다.
일예에 있어서, 상기 각 블록부는 상기 기판, 상기 히터 및 상기 커버를 지지하는 홀더를 더 포함하고, 상기 홀더는 상기 히터의 하부에 형성된 홀부를 포함할 수 있다. 상기 홀부는 상기 각 기판에 대응하는 히터로 파워를 공급하도록 형성될 수 있다.
일예에 있어서, 상기 증착 장치는 상기 복수 개의 블록부를 재치하는 마운트 본체를 더 포함하고, 상기 마운트 본체는 상기 복수 개의 블록부 간의 열전도를 예방하기 위해 상기 복수 개의 블록부와 인접한 부분이 코팅되어 있다.
상술한 과제 해결 수단은 단지 예시적인 것으로서, 본 발명을 제한하려는 의도로 해석되지 않아야 한다. 상술한 예시적인 실시예 외에도, 도면 및 발명의 상세한 설명에 기재된 추가적인 실시예가 존재할 수 있다.
전술한 본 발명의 과제 해결 수단 중 어느 하나에 의하면, 처리 챔버 내에 설치된 복수의 블록부를 포함하는 증착 장치를 제공할 수 있다. 또한, 증착 장치의 각 블록부는 증착 샘플을 증착하는 기판의 하부에 배치된 히터를 통해 각 기판에 증착된 증착 샘플의 온도를 개별적으로 조절할 수 있다. 또한, 각 기판 각각에 형성된 바이어스 전극을 통해 플라즈마의 특성을 조절하고, 증착되는 물리적, 화학적인 막질을 조절할 수 있다.
이를 통해 동일한 환경 내에서 다양한 조건들의 실험을 진행할 수 있기 때문에 실험에 대한 신뢰성을 증가시킬 수 있다.
또한, 원자층 증착 방법에서 중요한 변수들을 다양하게 변경함으로써 공정 연구의 유연성을 증가시킬 수 있다.
또한, 처리 챔버의 온도와 별개로 각 기판의 하부에 배치된 히터를 통해 각 기판의 증착 샘플의 공정 온도를 조절할 수 있기 때문에 증착 장치 전체의 단열과 O-ring 등의 낮은 구동 온도 범위를 가지는 한계를 극복할 수 있는 시스템 구축 비용을 줄일 수 있다. 또한, 증착 장치의 복수 개의 블록부와 인접한 부분이 코팅되어 있으므로 블록부 간의 열전도를 예방할 수 있다.
또한, 증착 장치의 복수의 블록부는 블록 형식으로 조립가능하도록 구성되어 있으므로 언제든지 공정 조건의 다양화를 이룰 수 있다.
또한, 증착 장치의 복수의 블록부는 블록 형식으로 조립가능하도록 구성되어 있는 모듈형 장치로서, 사용자가 기존에 사용하고 있는 원자층 증착 시스템에 부착함으로써 전반적인 시스템 디자인의 수정 없이 경제적으로 언제든지 공정 조건의 다양화를 이룰 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른, 증착 장치를 나타낸 도면이다.
도 2a 내지 2c는 본 발명의 일 실시예에 따른, 증착 장치의 구성 요소를 설명하기 위한 도면이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
본 명세서에 있어서 '부(部)'란, 하드웨어에 의해 실현되는 유닛(unit), 소프트웨어에 의해 실현되는 유닛, 양방을 이용하여 실현되는 유닛을 포함한다. 또한, 1 개의 유닛이 2 개 이상의 하드웨어를 이용하여 실현되어도 되고, 2 개 이상의 유닛이 1 개의 하드웨어에 의해 실현되어도 된다.
본 명세서에 있어서 단말 또는 디바이스가 수행하는 것으로 기술된 동작이나 기능 중 일부는 해당 단말 또는 디바이스와 연결된 서버에서 대신 수행될 수도 있다. 이와 마찬가지로, 서버가 수행하는 것으로 기술된 동작이나 기능 중 일부도 해당 서버와 연결된 단말 또는 디바이스에서 수행될 수도 있다.
이하, 첨부된 구성도 또는 처리 흐름도를 참고하여, 본 발명의 실시를 위한 구체적인 내용을 설명하도록 한다.
도 1 내지 2c을 참조하여, 본 발명에 따른 원자층 증착을 이용한 증착 장치(10)를 설명한다.
증착 장치(10)는 처리 챔버(미도시), 복수 개의 블록부(100), 마운트 본체(110), 제어부(200) 및 DC 파워 공급부(202)를 포함할 수 있다.
마운트 본체(110)는 복수 개의 블록부(100)를 재치할 수 있고, 처리 챔버(미도시)의 내부에 설치될 수 있다. 여기서, 처리 챔버(미도시)는 원자층 증착 방법(ALD) 등과 같은 화학기상증착방법에 의해 증착 샘플을 코팅하기 위하여 고진공의 내부 반응 공간을 갖을 수 있다.
마운트 본체(110)는 복수의 블록부(100)를 재치할 수 있도록 각 블록부(100)의 형상에 대응하는 복수의 홈부를 가질 수 있다. 예를 들면, 복수 개의 블록부(100)가 원형 형상인 경우, 마운트 본체(110)는 복수 개의 블록부(100)를 재치할 수 있도록 원통 형상의 복수의 홈부를 가질 수 있다. 또는, 복수 개의 블록부(100)가 직사각형 형상인 경우, 마운트 본체(110)는 직육면체 형상의 복수의 홈부를 가질 수 있다.
이를 통해 각 블록부(100)는 마운트 본체(110)에 형성된 각 홈부에 안착될 수 있으며, 실험자는 증착 실험에 따라 원하는 블록부(100)의 갯수 만큼 마운트 본체(110)의 홈부에 블록부(100)를 안착시킬 수 있다. 상기 구성에 의해, 본원 발명은 변수가 서로 다른 피실험군에 따라 요구되는 만큼의 블록부를 사용할 수 있으므로 실험의 유연성을 제공할 수 있다.
복수 개의 블록부(100) 각각은 마운트 본체(110)의 각 홈부에 안착됨으로써 블록 형식으로 조립이 가능하도록 구성되어 있다.
각 블록부(100)는 기판(206), 히터(208) 및 커버(204)를 포함할 수 있다. 여기서, 기판(206)은 증착 샘플을 증착하는 부재로서, 예를 들면, 액정표시소자(Liquid Crystal Display), 플라즈마 디스플레이소자(Plasma Display Panel), 유기발광소자(Organic Light Emitting Diodes) 등기판 처리면에 증착 샘플의 증발에 의하여 박막을 형성할 수 있는 부재이면 어떠한 대상도 가능할 수 있다.
바이어스 전극(미도시)은 DC 파워 공급부(202)에 의해 홀더(210)를 통해 기판(206)에 바이어스 전압을 인가함으로써, 기판(206)에 형성될 수 있다. 이 때, 바이어스 전극(미도시)은 홀더(210)와 전기적으로 연결되어 있다. 여기서, 홀더(210)는 각 블록부(100)에 포함되어 있으며 기판(206), 히터(208) 및 커버(206)를 지지할 수 있다. 홀더(210)는 히터(208)의 하부에 형성된 홀부(212)를 포함할 수 있다. 홀부(212)는 히터(208)와 연결된 제어부(200)에 의해 조절된 파워를 각 기판(206)에 대응하는 히터(208)로 공급하도록 형성되어 있다.
히터(208)는 기판(206)의 하부에 배치되며 기판(206)에 증착된 증착 샘플을 가열하기 위하여 소정의 공정 온도를 제공할 수 있다. 또한, 히터(208)는 각 기판(206)에 증착된 증착 샘플의 온도를 조절할 수 있다. 예를 들면, 각 히터(208)는 각 히터(208) 마다 설정된 온도값에 기초하여 각 기판(206)에 증착된 증착 샘플의 온도를 조절할 수 있다.
히터(208)는 플라즈마 특성(내성)과 전기적으로 절연되는 질화 알루미늄으로 구성될 수 있다.
커버(204)는 기판(206)의 상부에 배치되며 증착 샘플을 고정할 수 있다.
여기서, 홀더(210) 및 커버(204)는 예를 들면, 열전도율이 낮은 스테인리스 스틸의 재질로 코팅되어 구성될 수 있다.
제어부(200)는 각 히터(208)와 연결하여 증착 샘플의 온도를 제어할 수 있다. 또한, 제어부(200)는 각 기판에 형성된 바이어스 전극을 개별적으로 제어할 수 있다. 구체적으로, 제어부(200)는 복수 개의 블록부(100)의 각 기판(206)에 증착된 증착 샘플의 온도 및 각 기판(206)에 형성된 바이어스 전극을 독립적으로 조절할 수 있다. 예를 들면, 제어부(200)는 각 기판(206)에 대응하는 각 히터(208)에 인가되는 전원, 전력, 발열량을 독립적으로 제어할 수 있다.
DC 파워 공급부(202)는 복수 개의 블록부(100)의 각 기판(206)으로 바이어스 전압을 제공할 수 있다. 이 때, DC 파워 공급부(202)는 각 기판(206)에 형성된 바이어스 전극(미도시)에 대하여 개별적으로 바이어스 전압을 조절 및 제어할 수 있다. 예를 들면, DC 파워 공급부(202)는 기판(206)의 구조에 기초하여 바이어스 전압을 조절할 수 있다.
마운트 본체(110)에는 복수 개의 블록부(100) 간의 열전도를 예방하기 위해 복수 개의 블록부(100)와 인접한 부분이 코팅되어 있다. 예를 들면, 마운트 본체(110)는 높은 열 내구성을 갖고 있으면서 열전도를 막는 지르코니아(Zirconia) 세라믹으로 코팅될 수 있다. 복수 개의 블록부(110)와 인접한 부분에 지르코니아 세라믹이 코팅되면, 각 블록부(110)가 전기적으로 절연되고, 처리 챔버(미도시)와도 전기적으로 연결되는 것을 차단할 수 있다.
마운트 본체(110)에 형성된 각 홈부의 하면에는 각 블록부(100)에 대응하도록 제 1 홀(120) 및 제 2 홀(130)이 형성되어 있다. 구체적으로, 마운트 본체(110)에 형성된 각 홈부의 하면에는 각 블록부(100)의 기판으로 바이어스 전압을 공급하도록 연결하는 제 1 홀(120)과, 히터(208)로 파워를 공급하도록 연결하는 제 2 홀(130)이 형성되어 있다. 제어부(200)는 제 2 홀(130)을 통해 증착 샘플의 온도를 제어하는 파워를 각 히터(208)로 전달할 수 있다. DC 파워 공급부(202)는 제 1 홀(120)을 통해 각 기판(206)에 바이어스 전극(미도시)을 형성하기 위해 바이어스 전압을 인가시킬 수 있다.
전술한 본 발명의 설명은 예시를 위한 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.
본 발명의 범위는 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
10: 증착 장치
100: 블록부
110: 마운트 본체
120: 제 1 홀
130: 제 2 홀
200: 제어부
202: DC 파워 공급부
204: 커버
206: 기판
208: 히터
210: 홀더
212: 홀부

Claims (4)

  1. 원자층을 증착하는 증착 장치에 있어서,
    처리 챔버 및
    증착 샘플을 증착하는 기판, 상기 기판의 하부에 배치되며 상기 기판에 증착된 증착 샘플의 온도를 조절하는 히터 및 상기 기판의 상부에 배치되며 상기 증착 샘플을 고정하는 커버를 포함하도록 상기 처리 챔버의 내부에 설치된 블록부
    를 포함하고,
    상기 블록부는 복수 개로 구성되고, 상기 복수 개의 블록부는 각 블록부가 블록 형식으로 조립이 가능하도록 구성되되,
    상기 증착 장치는 상기 복수 개의 블록부를 재치하는 마운트 본체를 더 포함하고,
    증착 실험에 따라 사용되는 블록부의 개수에 기초하여 상기 마운트 본체의 홈부에 블록부를 안착시켜 조립이 가능하도록 구성되고,
    상기 마운트 본체의 각 홈부의 하면에는 상기 각 블록부에 대응하도록 제 1 홀 및 제 2 홀이 형성되고,
    상기 제 1 홀을 통해 상기 각 블록부의 기판에 바이어스 전극을 위한 바이어스 전압을 제공하는 DC 파워 공급부 및
    상기 제 2 홀을 통해 상기 복수 개의 블록부의 각 기판에 증착된 증착 샘플의 온도를 제어하는 제어부를 더 포함하고,
    상기 제어부는 상기 제 1 홀 및 상기 제 2 홀을 통해 상기 각 기판에 증착된 증착 샘플의 온도 및 상기 기판에 형성된 바이어스 전극을 독립적으로 조절하고,
    상기 제어부는 상기 각 기판에 대응하는 각 히터에 인가되는 발열량을 독립적으로 제어하고, 상기 각 기판의 구조에 기초하여 상기 바이어스 전압을 독립적으로 조절하는 것인, 증착 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 각 블록부는 상기 기판, 상기 히터 및 상기 커버를 지지하는 홀더를 더 포함하고,
    상기 홀더는 상기 히터의 하부에 형성된 홀부를 포함하는 것인, 증착 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 홀부는 상기 각 기판에 대응하는 히터로 파워를 공급하도록 형성된 것인, 증착 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 마운트 본체에는 상기 복수 개의 블록부 간의 열전도를 예방하기 위해 상기 복수 개의 블록부와 인접한 부분이 코팅되어 있는 것인, 증착 장치.
KR1020200123336A 2018-05-21 2020-09-23 원자층을 증착하는 증착 장치 KR102252797B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200123336A KR102252797B1 (ko) 2018-05-21 2020-09-23 원자층을 증착하는 증착 장치

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180057550A KR20190132712A (ko) 2018-05-21 2018-05-21 원자층을 증착하는 증착 장치
KR1020200123336A KR102252797B1 (ko) 2018-05-21 2020-09-23 원자층을 증착하는 증착 장치

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180057550A Division KR20190132712A (ko) 2018-05-21 2018-05-21 원자층을 증착하는 증착 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200113182A true KR20200113182A (ko) 2020-10-06
KR102252797B1 KR102252797B1 (ko) 2021-05-17

Family

ID=72826208

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200123336A KR102252797B1 (ko) 2018-05-21 2020-09-23 원자층을 증착하는 증착 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102252797B1 (ko)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090118676A (ko) * 2008-05-14 2009-11-18 (주)퓨전에이드 기판처리장치
KR20170053320A (ko) 2015-11-06 2017-05-16 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 패키지 제조용 지그 장치 및 이를 이용한 반도체 칩 부착 방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090118676A (ko) * 2008-05-14 2009-11-18 (주)퓨전에이드 기판처리장치
KR20170053320A (ko) 2015-11-06 2017-05-16 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 패키지 제조용 지그 장치 및 이를 이용한 반도체 칩 부착 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR102252797B1 (ko) 2021-05-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20210156030A1 (en) Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
JP4653089B2 (ja) Oledを製造するためのペレットを使用する蒸着源
JP4454606B2 (ja) 蒸発源
JP2004143521A (ja) 薄膜形成装置
KR102109108B1 (ko) 독립형 가열 엘리먼트
WO2001031081A1 (en) Method and apparatus for coating a substrate in a vacuum
JP2015519477A (ja) 事前に安定させたプラズマによるプロセスのためのスパッタリング方法
CN102703866A (zh) 线性蒸发源装置及具有该装置的蒸发速率精控式蒸发设备
TW200532037A (en) Vapor deposition source with minimized condensation effects
KR20140133438A (ko) 원자층 증착 장치 및 원자층 증착 방법
KR20200034773A (ko) Pecvd 마그네트론 방법에 의한 다이아몬드상 탄소 코팅
KR102110749B1 (ko) 진공 증착 프로세스에서 기판을 홀딩하기 위한 장치, 기판 상의 층 증착을 위한 시스템, 및 기판을 홀딩하기 위한 방법
KR102252797B1 (ko) 원자층을 증착하는 증착 장치
US20050160979A1 (en) Method and apparatus for applying a polycrystalline film to a substrate
CN110923668A (zh) 薄膜沉积设备
KR20150113742A (ko) 증발원 및 이를 포함하는 증착장치
KR20190132712A (ko) 원자층을 증착하는 증착 장치
EP3428312B1 (en) Chemical vapor deposition apparatus and method of manufacturing display apparatus using the same
KR101573689B1 (ko) 원자층 증착장치
KR20130028410A (ko) 열증착 장치
US20100028534A1 (en) Evaporation unit, evaporation method, controller for evaporation unit and the film forming apparatus
KR101592250B1 (ko) 가스공급장치
KR20150071445A (ko) 증발원 및 이를 포함하는 증착장치
JP6620234B2 (ja) 基板を保持するためのキャリア、処理システムでのキャリアの使用、キャリアを用いる処理システム、及び基板の温度を制御するための方法
CN202482418U (zh) 线性蒸发源机构及具有该机构的精控蒸发装置

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant