KR20200101282A - Processing method of a wafer - Google Patents

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KR20200101282A
KR20200101282A KR1020200008309A KR20200008309A KR20200101282A KR 20200101282 A KR20200101282 A KR 20200101282A KR 1020200008309 A KR1020200008309 A KR 1020200008309A KR 20200008309 A KR20200008309 A KR 20200008309A KR 20200101282 A KR20200101282 A KR 20200101282A
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processing
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고지 아라키
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가부시기가이샤 디스코
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Abstract

The present invention provides a method of processing a wafer capable of easily peeling a protective tape from a surface of a wafer. The method comprises: a protective tape arranging and forming process of arranging and forming a protective tape (10) on a surface (2a) of a wafer (2); a back surface processing process of holding the protective tape (10) of the wafer (2) on a chuck table (14) and processing a back surface (2b) of the wafer (2); and a protective tape peeling process of peeling the protective tape (10) from the surface (2a) of the wafer (2). In the protective tape peeling process, a tape for peeling (30) is pressed against the protective tape (10) in a region where a notch (8) is formed, and the protective tape (10) is peeled from the surface (2a) of the wafer (2) with the tape for peeling (30).

Description

웨이퍼의 가공 방법{PROCESSING METHOD OF A WAFER}Wafer processing method {PROCESSING METHOD OF A WAFER}

본 발명은 복수의 디바이스가 분할 예정 라인에 의해 구획되고 표면에 형성됨과 함께 결정 방위를 나타내는 노치가 외주에 형성된 웨이퍼를 가공하는 웨이퍼의 가공 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer processing method for processing a wafer in which a plurality of devices are partitioned by a line to be divided and formed on a surface and a notch indicating a crystal orientation is formed on the outer periphery.

IC, LSI 등의 복수의 디바이스가 분할 예정 라인에 의해 구획되고 표면에 형성된 웨이퍼는, 이면이 연삭 수단에 의해 연삭되어 소정의 두께로 가공된 후, 다이싱 장치 등에 의해 개개의 디바이스 칩으로 분할되고, 분할된 각 디바이스 칩은 휴대 전화, 퍼스널 컴퓨터 등의 전기 기기에 이용된다.A plurality of devices such as ICs and LSIs are partitioned by a line to be divided and a wafer formed on the surface is divided into individual device chips by a dicing device or the like after the back surface is ground by a grinding means and processed to a predetermined thickness. Each of the divided device chips is used in electric devices such as mobile phones and personal computers.

또, 웨이퍼의 이면을 연삭할 때, 연삭 장치의 척 테이블에서 웨이퍼의 표면을 유지할 필요로부터, 웨이퍼의 표면을 보호하기 위해 웨이퍼의 표면에 보호 테이프가 첩착 (貼着) 된다.In addition, when grinding the back surface of the wafer, since it is necessary to hold the surface of the wafer on the chuck table of the grinding device, a protective tape is adhered to the surface of the wafer to protect the surface of the wafer.

그리고, 연삭 가공이 실시된 후, 웨이퍼를 수용하는 개구부를 갖는 프레임의 개구부에 웨이퍼를 위치시켜 웨이퍼의 이면과 프레임을 다이싱 테이프에 첩착하고, 그 후, 웨이퍼의 표면으로부터 보호 테이프를 박리하고 있다 (예를 들어 특허문헌 1 참조).Then, after the grinding process is performed, the wafer is placed in the opening of the frame having the opening for accommodating the wafer, the back surface of the wafer and the frame are adhered to the dicing tape, and then the protective tape is peeled from the surface of the wafer. (See, for example, Patent Document 1).

일본 공개특허공보 2005-86074호Japanese Unexamined Patent Publication No. 2005-86074

그러나, 보호 테이프가 웨이퍼에 비교적 강고하게 첩착되어 있어, 웨이퍼의 표면으로부터 보호 테이프를 용이하게 박리할 수 없다는 문제가 있다.However, since the protective tape is relatively firmly adhered to the wafer, there is a problem that the protective tape cannot be easily peeled off the surface of the wafer.

상기한 문제는, 분할 예정 라인에 디바이스 칩의 마무리 두께에 대응한 깊이의 홈을 형성하고, 그 후, 웨이퍼의 표면에 보호 테이프를 첩착하고 웨이퍼의 이면에 분할 홈을 표출시켜 개개의 디바이스 칩으로 분할하는 선 (先) 다이싱 가공 (예를 들어 일본 특허공보 평5-54262호 참조), 웨이퍼의 이면을 연마하는 연마 가공, 웨이퍼의 이면으로부터 레이저 광선을 조사하여 웨이퍼에 가공을 실시하는 레이저 가공 등에 있어서도 일어날 수 있다.The problem described above is that a groove having a depth corresponding to the finished thickness of the device chip is formed in the line to be divided, and after that, a protective tape is affixed to the surface of the wafer, and the divided groove is exposed on the back surface of the wafer, so that individual device chips Dividing line dicing (refer to Japanese Patent Publication No. Hei 5-54262, for example), polishing to polish the back surface of the wafer, laser processing to process the wafer by irradiating a laser beam from the back surface of the wafer It can also happen on the back.

상기 사실을 감안하여 이루어진 본 발명의 과제는, 웨이퍼의 표면으로부터 보호 테이프를 용이하게 박리할 수 있는 웨이퍼의 가공 방법을 제공하는 것이다.An object of the present invention made in view of the above facts is to provide a wafer processing method capable of easily peeling a protective tape from the wafer surface.

상기 과제를 해결하기 위해 본 발명이 제공하는 것은 이하의 웨이퍼의 가공 방법이다. 즉, 복수의 디바이스가 분할 예정 라인에 의해 구획되고 표면에 형성됨과 함께 결정 방위를 나타내는 노치가 외주에 형성된 웨이퍼를 가공하는 웨이퍼의 가공 방법으로서, 웨이퍼의 표면에 보호 테이프를 배치 형성하는 보호 테이프 배치 형성 공정과, 척 테이블에서 웨이퍼의 보호 테이프측을 유지하고, 웨이퍼의 이면에 가공을 실시하는 이면 가공 공정과, 웨이퍼의 표면으로부터 보호 테이프를 박리하는 보호 테이프 박리 공정을 포함하고, 그 보호 테이프 박리 공정에 있어서, 노치가 형성된 영역의 보호 테이프에 대해 박리용 테이프를 압착하고 박리용 테이프에 의해 보호 테이프를 웨이퍼의 표면으로부터 박리하는 웨이퍼의 가공 방법이다.In order to solve the above problems, the present invention provides the following wafer processing method. In other words, as a wafer processing method in which a plurality of devices are divided by a line to be divided and formed on the surface and a notch indicating a crystal orientation is formed on the outer circumference, a protective tape is placed on the surface of the wafer. Including a forming step, a back surface processing step of holding the protective tape side of the wafer on the chuck table and processing the back surface of the wafer, and a protective tape peeling step of peeling the protective tape from the surface of the wafer, and peeling the protective tape In the step, a peeling tape is pressed against a protective tape in a region in which a notch is formed, and the protective tape is peeled from the surface of the wafer with the peeling tape.

바람직하게는, 그 이면 가공 공정에는, 연삭 가공, 연마 가공, 레이저 가공이 포함된다. 그 보호 테이프 박리 공정에 있어서, 웨이퍼를 수용하는 개구부를 갖는 프레임의 그 개구부에 웨이퍼를 위치시켜 웨이퍼의 이면과 프레임을 다이싱 테이프에 첩착하고, 그 후, 웨이퍼의 표면으로부터 보호 테이프를 박리하는 것이 바람직하다.Preferably, the back surface processing step includes grinding processing, polishing processing, and laser processing. In the protective tape peeling step, the wafer is placed in the opening of a frame having an opening for receiving the wafer, and the back surface of the wafer and the frame are adhered to the dicing tape, and then the protective tape is peeled from the surface of the wafer. desirable.

본 발명이 제공하는 웨이퍼의 가공 방법은, 웨이퍼의 표면에 보호 테이프를 배치 형성하는 보호 테이프 배치 형성 공정과, 척 테이블에서 웨이퍼의 보호 테이프측을 유지하고, 웨이퍼의 이면에 가공을 실시하는 이면 가공 공정과, 웨이퍼의 표면으로부터 보호 테이프를 박리하는 보호 테이프 박리 공정을 포함하고, 그 보호 테이프 박리 공정에 있어서, 노치가 형성된 영역의 보호 테이프에 대해 박리용 테이프를 압착하고 박리용 테이프에 의해 보호 테이프를 웨이퍼의 표면으로부터 박리하기 때문에, 노치를 덮는 보호 테이프는 웨이퍼로부터 박리된 상태로 되어 있고, 노치를 덮는 보호 테이프가 박리의 계기가 되어, 웨이퍼의 표면으로부터 보호 테이프를 용이하게 박리할 수 있다.The wafer processing method provided by the present invention includes a protective tape arrangement forming process in which a protective tape is arranged and formed on the surface of the wafer, and a back surface processing in which the protective tape side of the wafer is held in the chuck table and processing is performed on the back surface of the wafer. Including a step and a protective tape peeling step of peeling the protective tape from the surface of the wafer, in the protective tape peeling step, the peeling tape is pressed against the protective tape in the area where the notch is formed, and the protective tape with the peeling tape The protective tape covering the notch is peeled off from the wafer, and the protective tape covering the notch serves as a trigger for peeling, and the protective tape can be easily peeled from the surface of the wafer.

도 1 은 보호 테이프 배치 형성 공정을 실시하고 있는 상태를 나타내는 사시도이다.
도 2 의 (a) 는 이면 가공 공정을 실시하고 있는 상태를 나타내는 사시도이고, (b) 는 이면 가공 공정에 의해 웨이퍼의 이면에 연삭흔이 발생된 상태를 나타내는 사시도이다.
도 3 의 (a) 는 보호 테이프에 박리용 테이프를 첩착하는 상태를 나타내는 사시도이고, (b) 는 보호 테이프에 박리용 테이프가 첩착된 상태를 나타내는 사시도이고, (c) 는 보호 테이프가 웨이퍼로부터 박리되고 있는 상태를 나타내는 사시도이고, (d) 는 보호 테이프가 웨이퍼로부터 박리된 상태를 나타내는 사시도이다.
도 4 의 (a) 는 프레임에 지지된 웨이퍼의 보호 테이프에 박리용 테이프를 첩착하는 상태를 나타내는 사시도이고, (b) 는 보호 테이프에 박리용 테이프가 첩착된 상태를 나타내는 사시도이고, (c) 는 보호 테이프가 웨이퍼로부터 박리되고 있는 상태를 나타내는 사시도이고, (d) 는 보호 테이프가 웨이퍼로부터 박리된 상태를 나타내는 사시도이다.1 is a perspective view showing a state in which a protective tape arrangement forming step is performed.
Fig. 2(a) is a perspective view showing a state in which the back surface processing step is performed, and (b) is a perspective view illustrating a state in which grinding marks are generated on the back surface of the wafer by the back surface processing step.
Fig. 3(a) is a perspective view showing a state in which a peeling tape is affixed to a protective tape, (b) is a perspective view illustrating a state in which a peeling tape is affixed to the protective tape, and (c) is a protective tape is a wafer It is a perspective view showing a state being peeled from and (d) is a perspective view showing a state where the protective tape is peeled from the wafer.
Fig. 4(a) is a perspective view showing a state in which a peeling tape is affixed to a protective tape of a wafer supported on a frame, (b) is a perspective view illustrating a state in which a peeling tape is affixed to the protective tape, (c ) Is a perspective view showing a state in which the protective tape is peeled from the wafer, and (d) is a perspective view illustrating a state in which the protective tape is peeled from the wafer.

이하, 본 발명의 웨이퍼의 가공 방법의 바람직한 실시형태에 대해 도면을 참조하면서 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the wafer processing method of the present invention will be described with reference to the drawings.

도 1 에는, 본 발명의 웨이퍼의 가공 방법에 의해 가공이 실시되는 웨이퍼 (2) 가 나타나 있다. 원반상의 웨이퍼 (2) 의 표면 (2a) 은, 격자상의 분할 예정 라인 (4) 에 의해 복수의 사각형 영역으로 구획되고, 복수의 사각형 영역의 각각에는 디바이스 (6) 가 형성되어 있다. 또, 웨이퍼 (2) 의 외주에는, 웨이퍼 (2) 의 결정 방위를 나타내는 노치 (8) 가 형성되어 있다. 그리고, 도시된 실시형태의 웨이퍼의 가공 방법에서는, 먼저, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 (2) 의 표면 (2a) 에, 디바이스 (6) 를 보호하기 위한 보호 테이프 (10) 를 배치 형성하는 보호 테이프 배치 형성 공정을 실시한다.In Fig. 1, a wafer 2 to be processed by the wafer processing method of the present invention is shown. The surface 2a of the disk-shaped wafer 2 is divided into a plurality of rectangular regions by a grid-shaped division scheduled line 4, and a device 6 is formed in each of the plurality of rectangular regions. Further, a notch 8 indicating a crystal orientation of the wafer 2 is formed on the outer periphery of the wafer 2. And, in the wafer processing method of the illustrated embodiment, first, as shown in FIG. 1, a protective tape 10 for protecting the device 6 is disposed on the surface 2a of the wafer 2. A protective tape batch forming process is performed.

보호 테이프 배치 형성 공정을 실시한 후, 척 테이블에서 웨이퍼 (2) 의 보호 테이프 (10) 측을 유지하고, 웨이퍼 (2) 의 이면 (2b) 에 가공을 실시하는 이면 가공 공정을 실시한다. 도시된 실시형태의 이면 가공 공정에서는, 도 2 에 일부를 나타내는 연삭 장치 (12) 를 사용하여 이면 연삭 가공을 실시한다. 또한, 이면 가공 공정에서는, 연마 장치 (도시하지 않음) 를 사용하여 웨이퍼 (2) 의 이면 (2b) 을 연마하는 이면 연마 가공이나, 레이저 가공 장치 (도시하지 않음) 를 사용하여 웨이퍼 (2) 의 이면 (2b) 으로부터 레이저 광선을 조사하여 웨이퍼 (2) 에 가공을 실시하는 레이저 가공을 실시해도 된다.After performing the protective tape arrangement forming step, a back surface processing step of holding the protective tape 10 side of the wafer 2 on the chuck table and processing the back surface 2b of the wafer 2 is performed. In the back surface processing step of the illustrated embodiment, the back surface grinding processing is performed using the grinding device 12 partially illustrated in FIG. 2. In addition, in the back surface processing step, the back surface polishing processing in which the back surface 2b of the wafer 2 is polished using a polishing device (not shown), or a laser processing device (not shown) is used to remove the wafer 2 You may perform laser processing in which the wafer 2 is processed by irradiating a laser beam from the back surface 2b.

도 2 를 참조하여 연삭 장치 (12) 에 대해 설명한다. 연삭 장치 (12) 는, 웨이퍼 (2) 를 흡인 유지하는 회전 가능한 원 형상의 척 테이블 (14) 과, 척 테이블 (14) 에 유지된 웨이퍼 (2) 의 이면 (2b) 을 연삭하는 연삭 수단 (16) 을 구비한다.The grinding device 12 will be described with reference to FIG. 2. The grinding device 12 includes a rotatable circular chuck table 14 that sucks and holds the wafer 2, and a grinding means for grinding the back surface 2b of the wafer 2 held on the chuck table 14 ( 16).

척 테이블 (14) 의 상단 부분에는, 흡인 수단 (도시하지 않음) 에 접속된 다공질의 흡착 척 (도시하지 않음) 이 배치되고, 척 테이블 (14) 에 있어서는, 흡인 수단에 의해 흡착 척의 상면에 흡인력을 생성함으로써 흡착 척의 상면에 실린 웨이퍼 (2) 를 흡인 유지하도록 되어 있다. 또, 척 테이블 (14) 은, 척 테이블 (14) 의 직경 방향 중심을 지나 상하 방향으로 연장되는 축선을 회전 중심으로 하여 척 테이블용 모터 (도시하지 않음) 에 의해 회전된다.At the upper end of the chuck table 14, a porous adsorption chuck (not shown) connected to a suction means (not shown) is disposed, and in the chuck table 14, a suction force is applied to the upper surface of the adsorption chuck by a suction means. The wafer 2 loaded on the upper surface of the suction chuck is suction-held by generating. Moreover, the chuck table 14 is rotated by a chuck table motor (not shown) with an axis extending in the vertical direction passing through the radial center of the chuck table 14 as a rotation center.

연삭 수단 (16) 은, 스핀들용 모터 (도시하지 않음) 에 연결되고, 또한 상하 방향으로 연장되는 스핀들 (18) 과, 스핀들 (18) 의 하단에 고정된 원판상의 휠 마운트 (20) 를 포함한다. 휠 마운트 (20) 의 하면에는 볼트 (22) 에 의해 환상의 연삭 휠 (24) 이 고정되어 있다. 연삭 휠 (24) 의 하면의 외주 가장자리부에는, 둘레 방향으로 간격을 두고 환상으로 배치된 복수의 연삭 지석 (26) 이 고정되어 있다.The grinding means 16 includes a spindle 18 connected to a spindle motor (not shown) and extending in the vertical direction, and a disk-shaped wheel mount 20 fixed to the lower end of the spindle 18. . An annular grinding wheel 24 is fixed to the lower surface of the wheel mount 20 by bolts 22. A plurality of grinding grindstones 26 arranged annularly at intervals in the circumferential direction are fixed to the outer peripheral edge of the lower surface of the grinding wheel 24.

도 2 를 참조하여 설명을 계속하면, 이면 가공 공정에서는, 먼저, 웨이퍼 (2) 의 이면 (2b) 을 위를 향하게 함과 함께 보호 부재 (10) 측을 아래를 향하게 하여, 척 테이블 (14) 의 상면에서 웨이퍼 (2) 를 흡인 유지한다. 이어서, 상방에서 보아 반시계 방향으로 소정의 회전 속도 (예를 들어 300 rpm) 로 척 테이블 (14) 을 척 테이블용 모터로 회전시킨다. 또, 상방에서 보아 반시계 방향으로 소정의 회전 속도 (예를 들어 6000 rpm) 로 스핀들 (18) 을 스핀들용 모터로 회전시킨다. 이어서, 연삭 장치 (12) 의 승강 수단 (도시하지 않음) 에 의해 스핀들 (18) 을 하강시켜, 웨이퍼 (2) 의 이면 (2b) 에 연삭 지석 (26) 을 접촉시킨다. 웨이퍼 (2) 의 이면 (2b) 에 연삭 지석 (26) 을 접촉시킨 후에는 소정의 연삭 이송 속도 (예를 들어 1.0 ㎛/s) 로 스핀들 (18) 을 하강시킨다. 이로써, 웨이퍼 (2) 의 이면 (2b) 을 연삭하여 웨이퍼 (2) 를 원하는 두께로 박화 (薄化) 할 수 있다. 또한, 도 2(b) 에는, 이면 가공 공정을 실시한 것에 의해, 웨이퍼 (2) 의 이면 (2b) 에 있어서, 웨이퍼 (2) 의 직경 방향 중심으로부터 방사상으로 복수의 호상 (弧狀) 연삭흔 (28) 이 발생된 상태가 나타나 있다.Continuing the description with reference to FIG. 2, in the back surface processing step, first, the back surface 2b of the wafer 2 is turned upward, and the protective member 10 side is turned downward, and the chuck table 14 The wafer 2 is suction-held from the upper surface of. Next, the chuck table 14 is rotated by the chuck table motor at a predetermined rotational speed (for example, 300 rpm) counterclockwise as viewed from above. Further, the spindle 18 is rotated by a spindle motor at a predetermined rotational speed (for example, 6000 rpm) in a counterclockwise direction as viewed from above. Subsequently, the spindle 18 is lowered by the lifting means (not shown) of the grinding device 12, and the grinding grindstone 26 is brought into contact with the back surface 2b of the wafer 2. After the grinding grindstone 26 is brought into contact with the back surface 2b of the wafer 2, the spindle 18 is lowered at a predetermined grinding feed rate (for example, 1.0 µm/s). Thereby, the back surface 2b of the wafer 2 can be ground and the wafer 2 can be thinned to a desired thickness. In addition, in FIG. 2(b), a plurality of arc-shaped grinding marks radially from the center in the radial direction of the wafer 2 in the back surface 2b of the wafer 2 by performing the back surface processing step ( 28) The state in which this occurred is shown.

이면 가공 공정을 실시한 후, 웨이퍼 (2) 의 표면 (2a) 으로부터 보호 테이프 (10) 를 박리하는 보호 테이프 박리 공정을 실시한다. 보호 테이프 박리 공정에서는, 먼저, 도 3(a) 에 나타내는 바와 같이, 노치 (8) 가 형성된 영역의 보호 테이프 (10) 에 대해, 장방 형상의 박리용 테이프 (30) 의 길이 방향 일단측을 압착한다. 이어서, 도 3(b) 에 나타내는 바와 같이, 박리용 테이프 (30) 의 길이 방향 타단측을 파지하여, 박리용 테이프 (30) 를 도 3(b) 에 화살표 A 로 나타내는 방향 (웨이퍼 (2) 의 직경 방향 중심과 노치 (8) 를 연결하는 웨이퍼 (2) 의 직경 방향) 으로 박리용 테이프 (30) 를 잡아당긴다. 그렇게 하면, 노치 (8) 를 덮는 보호 테이프 (10) 는 웨이퍼 (2) 로부터 박리된 상태로 되어 있기 때문에, 노치 (8) 를 덮는 보호 테이프 (10) 가, 웨이퍼 (2) 의 표면 (2a) 으로부터 보호 테이프 (10) 를 박리하는 계기가 되어, 도 3(c) 및 도 3(d) 에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 (2) 의 표면 (2a) 으로부터 보호 테이프 (10) 를 용이하게 박리할 수 있다.After performing the back surface processing step, the protective tape peeling step of peeling the protective tape 10 from the surface 2a of the wafer 2 is performed. In the protective tape peeling step, first, as shown in Fig. 3(a), one end in the longitudinal direction of the rectangular peeling tape 30 is pressed against the protective tape 10 in the region where the notch 8 is formed. do. Next, as shown in FIG. 3(b), the other end side in the longitudinal direction of the peeling tape 30 is gripped, and the peeling tape 30 in the direction indicated by arrow A in FIG. 3(b) (wafer 2) The peeling tape 30 is pulled in the radial direction of the wafer (2) connecting the notch 8 with the center of the radial direction. In doing so, since the protective tape 10 covering the notch 8 is in a state of being peeled off from the wafer 2, the protective tape 10 covering the notch 8 becomes the surface 2a of the wafer 2 As an opportunity to peel the protective tape 10 from the surface, as shown in Figs. 3(c) and 3(d), the protective tape 10 can be easily peeled off from the surface 2a of the wafer 2 have.

또, 보호 테이프 박리 공정에 있어서는, 도 4(a) 에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 (2) 를 수용하는 원형의 개구부 (32a) 를 갖는 환상의 프레임 (32) 의 개구부 (32a) 에 웨이퍼 (2) 를 위치시켜, 웨이퍼 (2) 의 이면 (2b) 과 프레임 (32) 을 원형의 다이싱 테이프 (34) 에 첩착하고, 그 후, 도 4(b) 내지 도 4(d) 에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 (2) 의 표면 (2a) 으로부터 보호 테이프 (10) 를 박리하도록 해도 된다.In addition, in the protective tape peeling step, as shown in Fig. 4(a), the wafer 2 is placed in the opening 32a of the annular frame 32 having a circular opening 32a accommodating the wafer 2 Is positioned, the back surface 2b of the wafer 2 and the frame 32 are adhered to the circular dicing tape 34, and thereafter, as shown in FIGS. 4(b) to 4(d), The protective tape 10 may be peeled off from the surface 2a of the wafer 2.

2 : 웨이퍼
2a : 웨이퍼의 표면
2b : 웨이퍼의 이면
4 : 분할 예정 라인
6 : 디바이스
8 : 노치
10 : 보호 테이프
30 : 박리용 테이프
32 : 프레임
32a : 개구부
34 : 다이싱 테이프2: wafer
2a: the surface of the wafer
2b: the back side of the wafer
4: Line to be divided
6: device
8: notch
10: protective tape
30: peeling tape
32: frame
32a: opening
34: dicing tape

Claims (3)

복수의 디바이스가 분할 예정 라인에 의해 구획되고 표면에 형성됨과 함께 결정 방위를 나타내는 노치가 외주에 형성된 웨이퍼를 가공하는 웨이퍼의 가공 방법으로서,
웨이퍼의 표면에 보호 테이프를 배치 형성하는 보호 테이프 배치 형성 공정과,
척 테이블에서 웨이퍼의 보호 테이프측을 유지하고, 웨이퍼의 이면에 가공을 실시하는 이면 가공 공정과,
웨이퍼의 표면으로부터 보호 테이프를 박리하는 보호 테이프 박리 공정을 포함하고,
그 보호 테이프 박리 공정에 있어서, 노치가 형성된 영역의 보호 테이프에 대해 박리용 테이프를 압착하고 박리용 테이프에 의해 보호 테이프를 웨이퍼의 표면으로부터 박리하는, 웨이퍼의 가공 방법.A wafer processing method for processing a wafer in which a plurality of devices are partitioned by a line to be divided and formed on a surface and a notch indicating a crystal orientation is formed on an outer circumference thereof,
A protective tape batch forming process of placing and forming a protective tape on the surface of the wafer,
A back surface processing step of holding the protective tape side of the wafer on the chuck table and processing the back surface of the wafer;
Including a protective tape peeling step of peeling the protective tape from the surface of the wafer,
In the protective tape peeling step, the peeling tape is pressed against the protective tape in the notched region, and the protective tape is peeled off the surface of the wafer with the peeling tape. 제 1 항에 있어서,
그 이면 가공 공정에는, 연삭 가공, 연마 가공, 레이저 가공이 포함되는, 웨이퍼의 가공 방법.The method of claim 1,
The processing method of a wafer includes grinding processing, polishing processing, and laser processing in the back surface processing step. 제 1 항에 있어서,
그 보호 테이프 박리 공정에 있어서, 웨이퍼를 수용하는 개구부를 갖는 프레임의 그 개구부에 웨이퍼를 위치시켜 웨이퍼의 이면과 프레임을 다이싱 테이프에 첩착하고, 그 후, 웨이퍼의 표면으로부터 보호 테이프를 박리하는, 웨이퍼의 가공 방법.The method of claim 1,
In the protective tape peeling step, the wafer is placed in the opening of the frame having the opening for receiving the wafer, the back surface of the wafer and the frame are adhered to the dicing tape, and then the protective tape is peeled from the surface of the wafer, Wafer processing method.
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