JPH09115863A - Method and apparatus for adhering surface protective tape - Google Patents

Method and apparatus for adhering surface protective tape

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JPH09115863A
JPH09115863A JP27421095A JP27421095A JPH09115863A JP H09115863 A JPH09115863 A JP H09115863A JP 27421095 A JP27421095 A JP 27421095A JP 27421095 A JP27421095 A JP 27421095A JP H09115863 A JPH09115863 A JP H09115863A
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JP
Japan
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wafer
protection tape
surface protection
tape
cutter
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JP27421095A
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Japanese (ja)
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Isao Honma
勇夫 本間
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Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To surely peel a surface protective tape adhered to a semiconductor element forming face of a wafer, cut along the shape of the wafer, and pasted to a peel tape after polishing the back face of the wafer in the wafer back face polishing step, without exerting any excessive force on the wafer. SOLUTION: According to the polishing method and apparatus, in a back face polishing step of a wafer 1, a surface protective tape 3 having an adhesive face is laid on a semiconductor element forming face 2 on the front face of the wafer 1, pressed to adhere and cut along the shape of the wafer to prepare for polishing the back face of the wafer. In this case, the tape 3 is cut so that a part or entire thereof may remain as an extruded region 10 at the outside of the wafer 1.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体素子が形
成されたウエハの裏面研削工程の際の表面保護テープ貼
り付け方法およびその装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method and apparatus for applying a surface protection tape in the step of grinding the back surface of a wafer on which semiconductor elements are formed.

【0002】[0002]

【従来の技術】図5は従来のウエハ裏面研削工程フロー
図である。図において、1は片面に半導体素子を形成し
たウエハを示しており、ここではオリエンテーションフ
ラットウエハを用いた場合で説明する。この図の(a)
に示すように、そのウエハ1の半導体素子形成面2に、
例えばポリエステル等からなり片面に水溶性の糊が塗布
された表面保護テープ3を置き、図示しないローラー等
で圧接・接着させる。
2. Description of the Related Art FIG. 5 is a flowchart of a conventional wafer back surface grinding process. In the figure, reference numeral 1 denotes a wafer having a semiconductor element formed on one surface thereof, and a case of using an orientation flat wafer will be described here. (A) of this figure
As shown in, on the semiconductor element formation surface 2 of the wafer 1,
For example, the surface protection tape 3 made of polyester or the like and coated with water-soluble glue on one side is placed, and is pressed and adhered by a roller or the like not shown.

【0003】そして、図5の(b)に示すように、円周
用カッター4をウエハ1の端に接触させながら、ウエハ
1の円周部を切る。その後、直線用カッター5でオリエ
ンテーションフラット部を同様にウエハ1の端に接触さ
せて切ることにより、ウエハ1上にウエハ1と同じ大き
さの表面保護テープ6を残すことができる。この状態を
図5の(c)に示す。
Then, as shown in FIG. 5B, the circumferential portion of the wafer 1 is cut while the circumferential cutter 4 is in contact with the end of the wafer 1. After that, the orientation flat portion is similarly brought into contact with the edge of the wafer 1 by the straight line cutter 5 and cut, whereby the surface protection tape 6 having the same size as the wafer 1 can be left on the wafer 1. This state is shown in FIG.

【0004】次に、バックグラインダ等の装置でウエハ
1の裏面側7を研磨して、図5の(d)に示すように、
200μm〜400μmの所定の厚さのウエハ8を形成
する。その後、テープ剥離装置において、ウエハ8を真
空チャックで固定した状態で、表面保護テープ6上に、
この表面保護テープ6を剥離させるための剥離用テープ
9を接着させ、この剥離テープ9を剥離し、純水または
有機溶剤でウエハを洗浄し乾燥させて裏面研削工程が完
了する。
Next, the back side 7 of the wafer 1 is polished by an apparatus such as a back grinder, and as shown in FIG.
A wafer 8 having a predetermined thickness of 200 μm to 400 μm is formed. Then, in the tape peeling device, with the wafer 8 fixed with a vacuum chuck,
A peeling tape 9 for peeling off the surface protection tape 6 is adhered, the peeling tape 9 is peeled off, the wafer is washed with pure water or an organic solvent and dried to complete the back surface grinding step.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来の技術では、ウエハ裏面研削後の表面保護テープ剥
離工程において、表面保護テープが剥離できないトラブ
ルが多発していた。つまり、図5の(e)に示すように
剥離テープを引き上げても、表面保護テープがウエハか
ら剥がれなかったり、剥離テープの幅でのみ保護テープ
がちぎれて剥がれる現象が殆どであった。
However, in the above-mentioned conventional technique, there are many troubles in which the surface protection tape cannot be peeled off in the surface protection tape peeling step after the back surface of the wafer is ground. That is, as shown in (e) of FIG. 5, even if the peeling tape is pulled up, the surface protection tape is not peeled off from the wafer, or the protection tape is torn and peeled off only in the width of the peeling tape.

【0006】剥離テープの仕様を変えて、繊維入りで粘
着力の強いテープで行えば何とか剥離することができる
が、剥離テープの価格が高い(例えば5倍程度にな
る。)うえ、ウエハに加わる力が大きくなるため、テー
プ剥離装置でのウエハを固定させる真空チャックの真空
度を上げなければならず、ウエハに加わるストレスによ
り素子特性の劣化が発生するという問題がある。また、
工場等の中で通常使用している真空度よりもさらに高い
真空度を確保するためには、この工程専用の設備等を用
意する必要があり、ユーティリティーコストの上昇を招
くという問題があった。
The peeling tape can be peeled off by changing the specification of the peeling tape and using a tape containing fibers and having a strong adhesive force. However, the price of the peeling tape is high (for example, about 5 times) and added to the wafer. Since the force becomes large, the vacuum degree of the vacuum chuck for fixing the wafer in the tape peeling device has to be raised, and there is a problem that the element characteristics are deteriorated due to the stress applied to the wafer. Also,
In order to secure a higher degree of vacuum than that normally used in factories and the like, it is necessary to prepare equipment dedicated to this process, which causes a problem of increasing utility cost.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明は、ウエハの裏面
研削工程の際に、粘着面を有する表面保護テープを、そ
のウエハ表面側の半導体素子形成面に置き、加圧して貼
り付け、そのウエハの形にあわせて表面保護テープを切
り取ってウエハ裏面の研磨に備える表面保護テープ貼り
付け方法およびその装置において、表面保護テープを切
り取る時に、この表面保護テープの一部または全部がウ
エハの外側にはみ出し領域として残るように切り取るこ
とを特徴とする。
According to the present invention, a surface protection tape having an adhesive surface is placed on a semiconductor element forming surface on the front surface side of a wafer and affixed under pressure during a back surface grinding step of a wafer. In preparation for polishing the back surface of the wafer by cutting the surface protection tape in accordance with the shape of the wafer, and in the apparatus for bonding the surface protection tape, when the surface protection tape is cut off, part or all of this surface protection tape is placed outside the wafer. It is characterized in that it is cut out so as to remain as a protruding area.

【0008】[0008]

【発明の実施の形態】以下に図を用いて本発明の実施の
形態について説明する。 第1の実施の形態 図1は本実施の形態のウエハ裏面研削工程フロー図であ
る。この図において、1は片面に半導体素子を形成した
ウエハを示している。本実施の形態ではウエハの一例と
して、円周部とオリエンテーションフラット部からなる
オリエンテーションフラットウエハを用いた場合を挙げ
て説明している。この図の(a)に示すように、そのウ
エハ1の半導体素子形成面2に、例えばポリエステル等
からなり片面に水溶性の糊が塗布された表面保護テープ
3を置き、図示しないローラー等でウエハ表面に接着さ
せる。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. First Embodiment FIG. 1 is a flowchart of a wafer back surface grinding process according to the present embodiment. In this figure, 1 indicates a wafer having a semiconductor element formed on one surface. In the present embodiment, as an example of the wafer, the case where an orientation flat wafer including a circumferential portion and an orientation flat portion is used is described. As shown in (a) of this figure, a semiconductor element forming surface 2 of the wafer 1 is provided with a surface protection tape 3 made of, for example, polyester or the like and a water-soluble adhesive applied to one surface thereof, and a wafer (not shown) or the like is used for the wafer Adhere to the surface.

【0009】そして、図1の(b)に示すように、円周
用カッター4をウエハ1の端に接触させながら、ウエハ
1の円周部を切る。その後、直線用カッター12でオリ
エンテーションフラット部の表面保護テープを切るが、
この時、カッターをウエハエッジから例えば0.2〜
0.7mm程度離して切ることにより、ウエハ端部より
はみだした領域であるはみ出し領域10を有するように
表面保護テープ11をウエハ1に残すようにする。この
状態を図1の(c)に示す。
Then, as shown in FIG. 1B, the circumferential portion of the wafer 1 is cut while the circumferential cutter 4 is in contact with the end of the wafer 1. After that, cut the surface protection tape of the orientation flat part with the straight line cutter 12,
At this time, move the cutter from the wafer edge to, for example, 0.2 to
The surface protection tape 11 is left on the wafer 1 so as to have a protruding region 10 which is a region protruding from the end of the wafer by cutting the wafer 1 about 0.7 mm apart. This state is shown in FIG.

【0010】なお、はみ出し領域10をあまり大きくす
ると、裏面研削時に研削面側にテープが捲り上がって研
削砥石に絡まってしまい、ウエハ割れや砥石の劣化の問
題が発生することがあるので、例えば上記範囲の程度に
はみ出し領域10を形成するとよい。次に、図1の
(d)に示すように、バックグラインダ等の装置でウエ
ハ1の裏面側7から研磨して、例えば200μm〜40
0μmの所定の厚さのウエハ8を形成する。
If the protrusion area 10 is too large, the tape may roll up on the ground surface side during back grinding and become entangled with the grinding wheel, which may cause problems such as wafer cracking and wheel deterioration. The protruding region 10 may be formed to the extent of the range. Next, as shown in FIG. 1D, the back surface 7 of the wafer 1 is polished by an apparatus such as a back grinder to, for example, 200 μm to 40 μm.
A wafer 8 having a predetermined thickness of 0 μm is formed.

【0011】その後、テープ剥離装置でウエハ8を真空
チャックで固定した状態で、表面保護テープ11上に剥
離テープ9を接着させ、図1の(e)に示すように、オ
リエンテーションフラット部側より剥離テープ9を図の
上方に引き上げて表面保護テープ11をウエハ8から剥
離する。この時、保護テープのオリエンテーションフラ
ット部でのはみ出し領域10がウエハ8に接着されてい
ないため、その部分から剥離が開始され、ウエハ8全体
に渡って軽い力で表面保護テープ11を剥離することが
できる。
Thereafter, while the wafer 8 is fixed by a vacuum chuck with a tape peeling device, a peeling tape 9 is adhered onto the surface protection tape 11 and peeled from the orientation flat portion side as shown in FIG. 1 (e). The tape 9 is pulled up in the drawing to peel the surface protection tape 11 from the wafer 8. At this time, since the protruding area 10 in the orientation flat portion of the protective tape is not adhered to the wafer 8, the peeling is started from that portion, and the surface protective tape 11 can be peeled with a light force over the entire wafer 8. it can.

【0012】このように処理したウエハ8を、純水また
は有機溶剤で洗浄し乾燥させて裏面研削工程が完了す
る。上述のような工程を実行するための装置の一例とし
て、以下に本実施の形態の表面保護テープ貼り付け装置
について説明する。図2は本実施の形態の表面保護テー
プ貼り付け装置の説明図であり、この図の(a)は平面
図、(b)は正面図、(c)はテープカッターの動作説
明図をそれぞれ示している。
The wafer 8 thus treated is washed with pure water or an organic solvent and dried to complete the back surface grinding step. As an example of a device for executing the above-described steps, the surface protection tape sticking device of the present embodiment will be described below. 2A and 2B are explanatory views of the surface protection tape sticking apparatus of the present embodiment, in which FIG. 2A is a plan view, FIG. 2B is a front view, and FIG. 2C is an operation explanatory view of a tape cutter. ing.

【0013】まず、図2の(a)および(b)を用いて
表面保護テープ貼り付け装置の構成を説明する。13は
ローダー用ウエハキャリアであり、14は処理前のウエ
ハを示している。また、15はアンローダー用キャリア
であり、16は処理済のウエハを示している。17はウ
エハ搬送用ロボットである。18はウエハを固定する固
定手段であるチャックテーブルを示し、19はそのチャ
ックテーブル上のウエハである。4は円周カット用のカ
ッター、12はオリエンテーションフラット部のための
直線用カッターをそれぞれ示している。
First, the structure of the surface protection tape sticking apparatus will be described with reference to FIGS. 2 (a) and 2 (b). Reference numeral 13 is a loader wafer carrier, and 14 is a wafer before processing. Reference numeral 15 is an unloader carrier, and 16 is a processed wafer. Reference numeral 17 is a wafer transfer robot. Reference numeral 18 denotes a chuck table which is a fixing means for fixing the wafer, and 19 is a wafer on the chuck table. Reference numeral 4 denotes a cutter for cutting the circumference, and 12 denotes a cutter for a straight line for the orientation flat portion.

【0014】20は処理前の表面保護テープのロール、
21はそのロールから引き出された表面保護テープ、2
2は表面保護テープから剥がされたベーステープ、23
はテープをウエハに接着させる圧接手段であるローラ
ー、24はカット後のテープのロールをそれぞれ示して
いる。本実施の形態の装置は、オリエンテーションフラ
ット部の直線部のテープを切る直線用カッター12の位
置を、自由に設定できるようにしてあることを特徴とし
ている。
Reference numeral 20 denotes a roll of surface protection tape before treatment,
21 is a surface protection tape pulled out from the roll, 2
2 is the base tape peeled from the surface protection tape, 23
Is a roller which is a pressure contact means for adhering the tape to the wafer, and 24 is a roll of the tape after cutting. The apparatus of the present embodiment is characterized in that the position of the straight line cutter 12 that cuts the tape in the straight line portion of the orientation flat portion can be freely set.

【0015】以下に上記の装置の動作を説明する。ま
ず、ローダー側のウエハキャリア13から処理前のウエ
ハ14を1枚、ロボット17で取り出し、チャックテー
ブル18上にウエハ表面を上にし、かつオリエンテーシ
ョンフラット部が図の右側に来るようにセットした後、
真空チャック等でそのウエハを固定する(ウエハ19と
して示している。)。
The operation of the above apparatus will be described below. First, one unprocessed wafer 14 is taken out by the robot 17 from the wafer carrier 13 on the loader side, set on the chuck table 18 with the surface of the wafer facing upward, and the orientation flat portion is located on the right side of the drawing.
The wafer is fixed by a vacuum chuck or the like (shown as wafer 19).

【0016】表面保護テープのロール20より引き出さ
れた表面保護テープ21から、ベーステープ22を剥が
し、その表面保護テープ21の粘着面である糊面を露出
させてウエハ19の上に置き、ローラ23でそのウエハ
19に接着させる。その後、円周用カッター4でウエハ
19の円周領域のテープをそのウエハ19の端に沿って
切る。次に、直線用カッター12でオリエンテーション
フラット部のテープを切るが、図2の(c)に示すよう
に、直線用カッター12の取付け位置が図の左右に移動
可能としてあることを利用して、オリエンテーションフ
ラット部のテープがウエハ19より例えば0.4mm程
度はみ出すように切る。
The base tape 22 is peeled off from the surface protection tape 21 pulled out from the roll 20 of the surface protection tape, the adhesive surface of the surface protection tape 21 which is an adhesive surface is exposed and placed on the wafer 19, and the roller 23 is used. Then, it is adhered to the wafer 19. After that, the tape in the circumferential region of the wafer 19 is cut along the edge of the wafer 19 by the circumferential cutter 4. Next, the tape of the orientation flat portion is cut by the straight line cutter 12, but as shown in (c) of FIG. 2, by utilizing the fact that the mounting position of the straight line cutter 12 can be moved left and right in the figure, The tape of the orientation flat portion is cut so as to protrude from the wafer 19 by, for example, about 0.4 mm.

【0017】そして、表面保護テープが貼られたウエハ
を搬送用ロボット17でチャックテーブル18から取り
出してアンローダー用キャリア15に収納する。ウエハ
形状に切り取られた穴があいた表面保護テープはロール
24として巻き取られる。上述のように、保護テープを
ウエハ周辺に沿ってカッターで切り取る際に、オリエン
テーションフラット部のカッティング位置を少しずらし
てはみ出し領域10を形成することにより、工程を追加
することなく、裏面研削後の表面保護テープ剥離を簡単
かつ確実に実行できるようになる。
Then, the wafer to which the surface protection tape is attached is taken out from the chuck table 18 by the transfer robot 17 and stored in the unloader carrier 15. The surface protection tape having a hole cut into a wafer shape is wound as a roll 24. As described above, when the protective tape is cut along the periphery of the wafer with the cutter, the protruding position 10 is formed by slightly shifting the cutting position of the orientation flat portion, so that the surface after backside grinding can be performed without adding steps. The protective tape can be peeled easily and surely.

【0018】第2の実施の形態 本実施の形態は、ウエハの一例として、オリエンテーシ
ョンフラット部のないノッチウエハを用いる場合に関す
る。図3は本実施の形態のウエハ裏面研削工程フロー図
を示し、この図において、25は片面に半導体素子を形
成した面を持つノッチウエハを示している。この図の
(a)に示すように、そのウエハ25の素子形成面2
に、例えばポリエステル等からなり片面に水溶性の糊が
塗布された表面保護テープ3を置き、図示しないローラ
ー等でウエハ表面に接着させる。
Second Embodiment This embodiment relates to the case where a notch wafer having no orientation flat portion is used as an example of the wafer. FIG. 3 shows a flow chart of the wafer backside grinding process of this embodiment. In this figure, reference numeral 25 denotes a notch wafer having a surface on which a semiconductor element is formed. As shown in (a) of this figure, the element forming surface 2 of the wafer 25
Then, a surface protection tape 3 made of, for example, polyester or the like and having a water-soluble adhesive applied to one surface thereof is placed and adhered to the wafer surface by a roller or the like not shown.

【0019】そして、図3の(b)に示すように、円周
用カッター26でウエハ25の全周部の表面保護テープ
3を切るが、例えば円周部の7割〜8割程度は従来と同
様に、図の左側に示すように、円周用カッター26の刃
面を垂直またはウエハ内側にやや傾けてウエハ端面に沿
ってカットすることにより、ウエハ25上の表面保護テ
ープをウエハと同一形状で同一寸法またはやや内側に入
り込んだ状態になるように切る。
Then, as shown in FIG. 3B, the surface protection tape 3 on the entire peripheral portion of the wafer 25 is cut by the peripheral cutter 26. For example, about 70% to 80% of the peripheral portion is conventional. Similarly, as shown on the left side of the figure, the surface protection tape on the wafer 25 is made the same as the wafer by cutting the blade surface of the circumferential cutter 26 along the wafer end face by vertically or slightly inclining it toward the inside of the wafer. Cut so that the shape is the same size or slightly inside.

【0020】その後、残りの円周部については、図の右
側に示すように、円周用カッター26の刃面をウエハ2
5の外側に傾けた状態でウエハ端部に沿って動かすこと
により、ウエハ端部よりはみだした領域であるはみ出し
領域27を有するように表面保護テープ28をウエハ2
5に残すようにする。この状態を図3の(c)に示す。
After that, as for the remaining circumferential portion, as shown on the right side of the drawing, the blade surface of the circumferential cutter 26 is placed on the wafer 2.
5 is moved along the wafer edge while being tilted to the outside of the wafer 5, so that the surface protection tape 28 has a protrusion area 27 that is an area protruding from the wafer edge.
Try to leave it at 5. This state is shown in FIG.

【0021】このはみ出し領域27は、円滑な剥離に必
要かつ十分なだけ(例えば0.2〜0.7mm程度)ウ
エハからはみ出すようにし、領域27の長さは剥離テー
プ9の幅よりも長くとっておくとよい。次に、図3の
(d)に示すように、バックグラインダ等の装置でウエ
ハ25の裏面側29から研磨して、例えば200μm〜
400μmの所定の厚さのウエハ30を形成する。
The protruding area 27 is set to be necessary and sufficient for smooth separation (for example, about 0.2 to 0.7 mm) to protrude from the wafer, and the area 27 is longer than the width of the peeling tape 9. You should keep it. Next, as shown in FIG. 3D, the back surface 29 of the wafer 25 is polished by a device such as a back grinder, and is polished to, for example, 200 μm or more.
A wafer 30 having a predetermined thickness of 400 μm is formed.

【0022】その後、テープ剥離装置でウエハ30を真
空チャックで固定した状態で、表面保護テープ28上に
剥離テープ9を接着させ、図3の(e)に示すように、
はみ出し領域27の側より剥離テープ9を図の上方に引
き上げて表面保護テープ28をウエハ30から剥離す
る。この時、表面保護テープ28のはみ出し領域27が
ウエハ30に接着されていないため、その部分から剥離
が開始され、ウエハ30全体に渡って軽い力で表面保護
テープ28を剥離することができる。
Thereafter, while the wafer 30 is fixed by the vacuum chuck with the tape peeling device, the peeling tape 9 is adhered onto the surface protection tape 28, and as shown in FIG.
The peeling tape 9 is pulled up from the protruding area 27 side in the drawing to peel the surface protection tape 28 from the wafer 30. At this time, since the protruding area 27 of the surface protection tape 28 is not adhered to the wafer 30, peeling is started from that portion, and the surface protection tape 28 can be peeled off with a light force over the entire wafer 30.

【0023】このように処理したウエハ30を、純水ま
たは有機溶剤で洗浄し乾燥させて裏面研削工程が完了す
る。上述のような工程を実行するための装置の一例とし
て、以下に本実施の形態の表面保護テープ貼り付け装置
について説明する。図4は本実施の形態の表面保護テー
プ貼り付け装置の説明図であり、この図の(a)は平面
図、(b)は正面図、(c)はテープカッターの動作説
明図をそれぞれ示している。
The wafer 30 thus treated is washed with pure water or an organic solvent and dried to complete the back surface grinding step. As an example of a device for executing the above-described steps, the surface protection tape sticking device of the present embodiment will be described below. 4A and 4B are explanatory views of the surface protection tape sticking apparatus according to the present embodiment. FIG. 4A is a plan view, FIG. 4B is a front view, and FIG. 4C is an operation explanatory view of a tape cutter. ing.

【0024】まず、図4の(a)および(b)を用いて
表面保護テープ貼り付け装置の構成を説明する。13は
ローダー用ウエハキャリアであり、31は処理前のウエ
ハを示している。また、15はアンローダー用キャリア
であり、32は処理済のウエハを示している。17はウ
エハ搬送用ロボットである。18はウエハを固定する固
定手段であるチャックテーブルを示し、33はチャック
テーブル上のウエハである。
First, the structure of the surface protection tape sticking device will be described with reference to FIGS. 4 (a) and 4 (b). Reference numeral 13 is a loader wafer carrier, and 31 is a wafer before processing. Further, 15 is an unloader carrier, and 32 is a processed wafer. Reference numeral 17 is a wafer transfer robot. Reference numeral 18 denotes a chuck table which is a fixing means for fixing the wafer, and 33 is a wafer on the chuck table.

【0025】26は円周部分をカットするための円周用
カッターであり、切る位置により角度を変更できるよう
になっている。20は処理前の表面保護テープのロー
ル、21はそのロールから引き出された表面保護テー
プ、22は表面保護テープから剥がされたベーステー
プ、23は表面保護テープをウエハに接着させる圧接手
段であるローラー、24はカット後の表面保護テープの
ロールをそれぞれ示している。
Reference numeral 26 is a circumferential cutter for cutting the circumferential portion, and the angle can be changed depending on the cutting position. Reference numeral 20 is a roll of surface protection tape before treatment, 21 is a surface protection tape pulled out from the roll, 22 is a base tape peeled from the surface protection tape, and 23 is a roller which is a pressure-bonding means for adhering the surface protection tape to a wafer. , 24 are rolls of the surface protection tape after cutting.

【0026】本実施の形態の装置は、円周用カッター2
6の角度を自由に変えることができるようにしたことを
特徴としている。以下に上記の装置の動作を説明する。
まず、ローダー側のウエハキャリア13から処理前のウ
エハ31を1枚、ロボット17で取り出し、チャックテ
ーブル18上にウエハ表面を上にしてセットした後、真
空チャック等でそのウエハを固定する(ウエハ33とし
て示している。)。この時、ノッチの位置は自由である
が、ここでは図の右側としている。
The apparatus according to the present embodiment has a cutter 2 for the circumference.
The feature is that the angle of 6 can be freely changed. The operation of the above device will be described below.
First, one unprocessed wafer 31 is taken out by the robot 17 from the wafer carrier 13 on the loader side, set on the chuck table 18 with the surface of the wafer facing up, and then fixed by a vacuum chuck or the like (wafer 33 It is shown as.). At this time, the position of the notch is free, but here it is on the right side of the drawing.

【0027】表面保護テープのロール20より引き出さ
れたテープ21から、ベーステープ22を剥がし、その
テープ21の粘着面である糊面を露出させてウエハ33
の上に置き、ローラ23でそのウエハ33に接着させ
る。その後、図4の(c)に示すように、円周用カッタ
ー26でウエハ33の円周領域のテープをそのウエハ3
3の端に沿って切るが、この時、例えば円周の1/4〜
1/5の領域についてはカッター26を外側に大きく傾
けることにより、ウエハ33よりはみ出した部分である
はみ出し領域27を形成することができる。
The base tape 22 is peeled from the tape 21 pulled out from the roll 20 of the surface protection tape, and the adhesive surface, which is the adhesive surface of the tape 21, is exposed to expose the wafer 33.
And then adhere it to the wafer 33 with the roller 23. After that, as shown in FIG. 4C, the tape in the circumferential region of the wafer 33 is removed by the circumferential cutter 26.
Cut along the edge of 3, but at this time, for example, 1/4 of the circumference
With respect to the ⅕ region, the protruding region 27, which is a portion protruding from the wafer 33, can be formed by inclining the cutter 26 largely outward.

【0028】なお、はみ出し領域27の部分では、テー
プが例えば0.4mm程度はみ出すようにカッターの傾
き角度を設定しておく。また、本実施の形態ではカッタ
ーの傾き角度を可変としてあるが、この傾き角を固定
し、常にはみ出し領域を形成するようにした場合には、
ウエハの全周に渡ってはみ出し領域を形成させる装置を
得ることになる。
In the protruding area 27, the inclination angle of the cutter is set so that the tape protrudes, for example, about 0.4 mm. Further, although the inclination angle of the cutter is variable in the present embodiment, when the inclination angle is fixed and the protruding area is always formed,
An apparatus for forming a protruding area over the entire circumference of the wafer is obtained.

【0029】そして、表面保護テープが貼られたウエハ
を搬送用ロボット17でチャックテーブル18から取り
出してアンローダー用キャリア15に収納する。ウエハ
形状に切り取られた穴があいたテープはロール24とし
て巻き取られる。上述のように、表面保護テープをウエ
ハ周辺に沿ってカッターで切り取る際に、円周部の一部
でカッター26を傾け、表面保護テープのはみ出し領域
27を形成することにより、工程を追加することなく、
裏面研削後の表面保護テープ剥離を簡単かつ確実に実行
できるようになる。
Then, the wafer to which the surface protection tape is attached is taken out from the chuck table 18 by the transfer robot 17 and stored in the unloader carrier 15. The perforated tape cut into a wafer shape is wound up as a roll 24. As described above, when the surface protection tape is cut along the periphery of the wafer with the cutter, the cutter 26 is tilted at a part of the circumferential portion to form the protrusion area 27 of the surface protection tape, thereby adding a step. Without
It becomes possible to easily and surely peel the surface protection tape after the back surface is ground.

【0030】なお、上記第1および第2の実施の形態で
は、シリコン等の円形ウエハを例として挙げて説明して
いるが、この他にも例えば化合物半導体等の円形でない
ウエハにも、本発明を適用することができる。
In the first and second embodiments, a circular wafer made of silicon or the like has been described as an example. However, in addition to this, a non-circular wafer made of, for example, a compound semiconductor, the present invention is also applicable. Can be applied.

【0031】[0031]

【発明の効果】以上詳細に説明したように、ウエハに貼
り付けた表面保護テープを切り取る際に、その表面保護
テープにはみ出し領域を形成しておくことにより、工程
を追加することなく、裏面研削後の表面保護テープ剥離
を簡単かつ確実に実行可能となる効果を有する。
As described above in detail, when the surface protection tape attached to the wafer is cut off, a protruding area is formed in the surface protection tape, so that the back surface grinding can be performed without adding steps. This has the effect that the subsequent surface protection tape peeling can be performed easily and reliably.

【0032】また、剥離テープとして特別な仕様の高価
なものを使う必要がなく、低価格の通常のもので、確実
に保護テープ剥離が可能となる効果を有する。さらに、
表面保護テープを剥離する際の真空チャックの真空度を
上げることなく、確実に保護テープの剥離ができるの
で、ウエハに加わる力が弱くなり、素子特性に悪影響を
与えることがなくなり、テープ剥離工程での真空チャッ
クの真空度も通常のものでよいのでユーティリティーコ
ストを抑えることができる。
Further, it is not necessary to use an expensive stripping tape having a special specification as a stripping tape, and it is a low-priced ordinary stripping tape, which has the effect of reliably stripping the protective tape. further,
When the surface protection tape is peeled off, the protection tape can be reliably peeled off without raising the vacuum degree of the vacuum chuck, so the force applied to the wafer is weakened and the device characteristics are not adversely affected. The vacuum chuck may have a normal vacuum degree, so that the utility cost can be suppressed.

【0033】その上、テープ剥離工程が円滑に進行する
ため、設備稼働率が向上し、作業性が向上する効果を有
する。
In addition, since the tape peeling process proceeds smoothly, there is an effect that the equipment operating rate is improved and the workability is improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】第1の実施の形態のウエハ裏面研削工程フロー
FIG. 1 is a flowchart of a wafer back surface grinding process according to the first embodiment.

【図2】第1の実施の形態の表面保護テープ貼り付け装
置の説明図
FIG. 2 is an explanatory view of the surface protection tape sticking device according to the first embodiment.

【図3】第2の実施の形態のウエハ裏面研削工程フロー
FIG. 3 is a flowchart of a wafer back surface grinding process according to the second embodiment.

【図4】第2の実施の形態の表面保護テープ貼り付け装
置の説明図
FIG. 4 is an explanatory diagram of a surface protection tape sticking device according to a second embodiment.

【図5】従来のウエハ裏面研削工程フロー図FIG. 5 is a flowchart of a conventional wafer backside grinding process.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ウエハ 2 半導体素子形成面 3 表面保護テープ 8 ウエハ 9 剥離テープ 10 はみ出し領域 11 表面保護テープ 12 直線用カッター 18 固定手段 19 ウエハ 21 表面保護テープ 23 圧接手段 25 ウエハ 26 円周用カッター 27 はみ出し領域 28 表面保護テープ 30 ウエハ 33 ウエハ 1 Wafer 2 Semiconductor Element Forming Surface 3 Surface Protecting Tape 8 Wafer 9 Peeling Tape 10 Overhanging Area 11 Surface Protecting Tape 12 Straight Line Cutter 18 Fixing Means 19 Wafer 21 Surface Protecting Tape 23 Pressing Means 25 Wafer 26 Circular Cutter 27 Overhanging Area 28 Surface protection tape 30 wafer 33 wafer

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 表面側に半導体素子形成面を有するウエ
ハの裏面研削工程の際に、粘着面を有する表面保護テー
プを、そのウエハの半導体素子形成面に置き、加圧して
貼り付け、そのウエハの形にあわせて前記表面保護テー
プを切り取ってウエハ裏面の研磨に備える表面保護テー
プ貼り付け方法において、 表面保護テープを切り取る時に、該表面保護テープの一
部または全部がウエハの外側にはみ出し領域として残る
ように切り取ることを特徴とする表面保護テープ貼り付
け方法。
1. A wafer, which has a semiconductor element forming surface on the front surface side, is subjected to a back surface grinding process by placing a surface protection tape having an adhesive surface on the semiconductor element forming surface of the wafer, and applying pressure to the wafer. In the method of attaching the surface protection tape to prepare for polishing the back surface of the wafer by cutting the surface protection tape in accordance with the shape of the above, when cutting the surface protection tape, a part or all of the surface protection tape is formed as an area protruding outside the wafer. A method for applying a surface protection tape, which is characterized by cutting so that it remains.
【請求項2】 請求項1において、オリエンテーション
フラットウエハに貼り付けた表面保護テープを、その円
周部では前記ウエハの端に沿って切り、前記表面保護テ
ープが前記ウエハと同じ大きさとなるかあるいはやや小
さくなってそのウエハ上に残るようにし、 オリエンテーションフラット部では、前記表面保護テー
プを前記ウエハの端よりも外側で切り、はみ出し領域を
形成させるように切り取ることを特徴とする表面保護テ
ープ貼り付け方法。
2. The surface protection tape affixed to an orientation flat wafer according to claim 1, wherein the circumference of the surface protection tape is cut along the edge of the wafer so that the surface protection tape has the same size as the wafer. A little smaller so that it remains on the wafer, and at the orientation flat part, cut the surface protection tape outside the edge of the wafer and cut it so as to form a protruding area. Method.
【請求項3】 請求項1において、ノッチウエハに貼り
付けた表面保護テープを、そのウエハ端の円周の一部ま
たは全部ではみ出し領域を形成させるように切り取るこ
とを特徴とする表面保護テープ貼り付け方法。
3. The surface protection tape attachment according to claim 1, wherein the surface protection tape attached to the notch wafer is cut out so as to form a protruding region on a part or all of the circumference of the wafer edge. Method.
【請求項4】 表面側を半導体素子形成面としたウエハ
を固定する固定手段と、そのウエハ上に置いた粘着面を
有する表面保護テープをそのウエハに圧接・接着させる
圧接手段と、前記ウエハの半導体素子形成面に接着した
表面保護テープをそのウエハの形状にあわせて切り取る
カッターとを有する表面保護テープ貼り付け装置におい
て、 カッターがウエハの形状よりも外側に表面保護テープの
はみ出し領域を残すように移動して表面保護テープを切
り取ることができるようにしたことを特徴とする表面保
護テープ貼り付け装置。
4. A fixing means for fixing a wafer having a semiconductor element forming surface on the front side, a pressure contact means for pressing and adhering a surface protection tape having an adhesive surface on the wafer, to the wafer, In a surface protection tape sticking device having a cutter that cuts the surface protection tape adhered to the semiconductor element formation surface according to the shape of the wafer, in order for the cutter to leave the protruding area of the surface protection tape outside the shape of the wafer A surface protection tape sticking device, characterized in that the surface protection tape can be cut off when moved.
【請求項5】 請求項4において、オリエンテーション
フラットウエハに貼り付けた表面保護テープを、その円
周部で前記ウエハの端にそって切り、前記表面保護テー
プが前記ウエハと同じ大きさとなるかあるいはやや小さ
くなってそのウエハ上に残るようにする円周用カッター
と、 オリエンテーションフラット部で、前記表面保護テープ
を前記ウエハの端よりも外側で切り、はみ出し領域を形
成させるようにする直線用カッターとを設けたことを特
徴とする表面保護テープ貼り付け装置。
5. The surface protection tape adhered to an orientation flat wafer according to claim 4, wherein the surface protection tape is cut along the edge of the wafer at the circumference thereof, and the surface protection tape has the same size as the wafer, or A cutter for the circumference that makes it slightly smaller and remains on the wafer, and a cutter for the straight that cuts the surface protection tape outside the edge of the wafer at the orientation flat portion to form a protruding area. A surface protection tape sticking device, which is provided with.
【請求項6】 請求項4において、ノッチウエハに貼り
付けた表面保護テープを、そのウエハ端の円周の一部ま
たは全部ではみ出し領域を形成させるように切り取るこ
とができるように、前記ノッチウエハとカッターの刃面
との角度を可変としたことを特徴とする表面保護テープ
貼り付け装置。
6. The notch wafer and the cutter according to claim 4, wherein the surface protection tape attached to the notch wafer can be cut so as to form a protruding region on a part or the whole of the circumference of the wafer end. The surface protection tape sticking device is characterized in that the angle with the blade surface of the is variable.
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