KR101779622B1 - Method for grinding piece to be processed - Google Patents

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Abstract

본 발명은 피가공물을 서포트 기판 상에 접합시킨 상태로 연삭함에 있어서, 종래보다도 연삭 후의 피가공물을 고정밀도로 평탄화하는 것을 목적으로 한다.
서포트 기판(20)에 접착제(30)를 통해 웨이퍼(피가공물)(10)를 접착시켜, 서포트 기판이 부착된 웨이퍼(1)를 형성하고, 계속해서, 서포트 기판(20)에 점착 시트(40)를 접착시켜 피가공물 유닛(2)을 형성하며, 계속해서, 웨이퍼(10)측을 절삭 장치의 유지 수단(51)의 유지면(52)으로 유지하고, 계속해서, 유지면(52)과 평행한 면에서 회전하는 절삭날(58b)을 갖는 바이트 가공 수단(55)으로 점착 시트(40)를 절삭하여 평탄화한다. 이 상태에서 피가공물 유닛(2)은 두께가 균일하게 되어 평탄화되고, 계속해서 웨이퍼(10)를 연삭함으로써 평탄한 웨이퍼(10)를 얻는다. 이 후, 서포트 기판(20)으로부터 점착 시트(40)를 박리하고, 웨이퍼(10)로부터 서포트 기판(20)을 박리하여 서포트 기판(20)을 재이용 가능하게 한다.
An object of the present invention is to flatten a workpiece after grinding with high precision in a grinding process in a state where a workpiece is bonded on a support substrate.
The wafer 10 to be processed is adhered to the support substrate 20 through the adhesive 30 to form the wafer 1 with the support substrate and the adhesive sheet 40 The wafer 10 is held on the holding surface 52 of the holding means 51 of the cutting apparatus and then the holding surface 52 The adhesive sheet 40 is cut and planarized by a cutting tool 55 having a cutting edge 58b rotating on a parallel plane. In this state, the workpiece unit 2 is flattened with uniform thickness, and subsequently the wafer 10 is ground to obtain a flat wafer 10. Thereafter, the adhesive sheet 40 is peeled from the support substrate 20, and the support substrate 20 is peeled off from the wafer 10 to make the support substrate 20 reusable.

Description

피가공물의 연삭 방법{METHOD FOR GRINDING PIECE TO BE PROCESSED}METHOD FOR GRINDING PIECE TO BE PROCESSED BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001]
본 발명은 반도체 디바이스나 광 디바이스 등의 제조 과정에 있어서 디바이스 웨이퍼 등의 박판형 피가공물을 서포트 기판 상에 접합시킨 상태로 박화 가공할 때의 피가공물의 연삭 방법에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to a grinding method of a workpiece when a thin plate type workpiece such as a device wafer is thinned in a state where it is bonded on a support substrate in the manufacturing process of a semiconductor device or an optical device.
예컨대 반도체 디바이스의 제조 공정에서는, 실리콘이나 갈륨비소 등의 반도체 재료로 이루어진 웨이퍼의 표면에, 격자형의 분할 예정 라인이 설정되고, 이 분할 예정 라인으로 둘러싸인 다수의 직사각 형상 영역에, IC나 LSI 등의 전자 회로를 갖는 디바이스가 형성된다. 그리고 이 웨이퍼는, 이면이 연삭되어 설정 두께로 박화되는 등의 정해진 공정을 거치고 나서, 분할 예정 라인을 따라 절단됨으로써, 다수의 칩형의 디바이스로 분할된다. 이와 같이 하여 얻어진 디바이스는 수지나 세라믹으로 패키징되어 각종 전자기기에 실장된다.For example, in the manufacturing process of a semiconductor device, a lattice-type dividing line is set on the surface of a wafer made of a semiconductor material such as silicon or gallium arsenide, and a plurality of rectangular regions surrounded by the dividing line A device having an electronic circuit of the present invention is formed. The wafer is cut along the line to be divided after being subjected to a predetermined process such as back grinding and thinning to a predetermined thickness, thereby dividing the wafer into a plurality of chip type devices. The device thus obtained is packaged in resin or ceramic and mounted on various electronic apparatuses.
최근에는, 전자기기의 소형화·경량화에 따라, 이러한 종류의 웨이퍼는 두께가 예컨대 100 ㎛ 이하, 나아가서는 50 ㎛ 이하와 같이 매우 얇게 가공되는 경우가 있다. 그 때문에, 연삭 후의 얇은 웨이퍼의 핸들링성을 향상시키거나, 휨이나 파손을 방지할 목적으로, 연삭 전의 웨이퍼를 다른 웨이퍼(이하, 서포트 기판) 상에 접착제 등을 이용하여 접합시키고, 그 상태에서 웨이퍼의 이면을 연삭하는 기술이 알려져 있다(특허문헌 1).In recent years, with the miniaturization and light weight of electronic devices, this type of wafer may be processed to a very thin thickness, for example, 100 탆 or less, and further, 50 탆 or less. Therefore, in order to improve the handling properties of a thin wafer after grinding, or to prevent warpage or breakage, the wafer before grinding is bonded to another wafer (hereinafter, referred to as a support substrate) with an adhesive or the like, (Refer to Patent Document 1).
일본 특허 공개 제2004-111434호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-111434
상기 웨이퍼와 같은 박판형의 피가공물을 서포트 기판 상에 접합시켜 피가공물을 연삭하는 경우에 있어서는, 서포트 기판의 두께나, 접착제에 의한 접착층의 두께 편차 등에 기인하여, 연삭 후의 피가공물이 평탄화되지 않는(두께가 균일하게 되지 않는)다고 하는 문제가 발생하였다. 특히, 피가공물이 큰 경우에는 접착제를 균일 두께로 도포하는 것이 어렵기 때문에, 연삭 후의 평탄도가 보다 저하되는 경향이 있었다.In the case of grinding a workpiece by bonding a thin plate workpiece such as the wafer to a support substrate, the workpiece after grinding is not planarized due to the thickness of the support substrate, the thickness of the adhesive layer caused by the adhesive, and the like The thickness is not uniform). In particular, when the workpiece is large, it is difficult to apply the adhesive agent with a uniform thickness, so that the flatness after grinding tends to be further lowered.
본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 그 주된 기술적 과제는 피가공물을 서포트 기판 상에 접합시킨 상태로 연삭함에 있어서, 종래보다도 연삭 후의 피가공물을 고정밀도로 평탄화시킬 수 있는 피가공물의 연삭 방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and it is a main object of the present invention to provide a grinding method of a workpiece capable of flattening a workpiece after grinding with high precision in grinding in a state where a workpiece is bonded on a support substrate .
본 발명의 피가공물 연삭 방법은 서포트 기판의 표면에 배치된 피가공물의 연삭 방법으로서, 서포트 기판의 표면에 접착 부재를 통해 피가공물을 접착시켜 서포트 기판이 부착된 피가공물을 형성하는 피가공물 접착 단계와, 이 피가공물 접착 단계를 실시한 후, 상기 서포트 기판의 이면에 점착 시트를 접착시키는 점착 시트 접착 단계와, 이 점착 시트 접착 단계를 실시한 후, 상기 서포트 기판이 부착된 피가공물의 피가공물측을 유지하는 유지면을 가진 유지 수단으로 이 서포트 기판이 부착된 피가공물을 유지하여 상기 점착 시트를 노출시킨 상태로 하는 유지 단계와, 이 유지 단계를 실시한 후, 상기 유지면과 평행한 면에서 회전하는 절삭날을 갖는 바이트 가공 수단으로 상기 점착 시트를 절삭하여 평탄화하는 점착 시트 평탄화 단계와, 이 점착 시트 평탄화 단계를 실시한 후, 상기 서포트 기판이 부착된 피가공물의 상기 점착 시트측을 유지 수단으로 유지하고, 피가공물을 노출시킨 상태로 하여 피가공물을 연삭하는 연삭 단계와, 이 연삭 단계를 실시한 후, 상기 점착 시트를 상기 서포트 기판으로부터 박리하는 점착 시트 박리 단계와, 상기 연삭 단계를 실시한 후, 상기 점착 시트 박리 단계를 실시하기 전 또는 후에, 피가공물로부터 상기 서포트 기판을 박리하는 서포트 기판 박리 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.A method of grinding a workpiece according to the present invention is a grinding method for a workpiece disposed on a surface of a support substrate, comprising: a workpiece bonding step of bonding a workpiece to a surface of a support substrate through an adhesive member to form a workpiece A step of adhering an adhesive sheet to the back surface of the support substrate after the step of adhering the workpiece is performed; and a step of adhering the adhesive sheet to the back side of the support substrate, A holding step of holding a workpiece to which the support substrate is attached by a holding means having a holding surface for holding the adhesive sheet so as to expose the adhesive sheet; An adhesive sheet flattening step for cutting and flattening the adhesive sheet with a cutting tool having a cutting edge, A grinding step of grinding the workpiece in a state in which the workpiece is held in the holding means by holding the side of the workpiece to which the support substrate is attached after performing the planarization step and grinding the workpiece; And a support substrate peeling step of peeling off the support substrate from the workpiece before or after the peeling step of peeling off the adhesive sheet after the grinding step is performed .
본 발명에 따르면, 점착 시트 평탄화 단계에서 점착 시트를 절삭하여 평탄화함으로써, 서포트 기판이나 접착제층의 두께에 편차가 있어도, 서포트 기판이 부착된 피가공물에 점착 시트가 접착된 것 전체적으로는 두께가 균일하게 되어 평탄화된다. 따라서, 이 이후의 연삭 단계에서는, 피가공물은 두께가 균일한 평탄한 상태가 유지되면서 연삭된다. 또한, 본 발명 방법은, 서포트 기판은 절삭하지 않고 점착 시트를 절삭하는 것으로서, 더구나 피가공물의 연삭 시에 서포트 기판은 점착 시트에 의해 보호되기 때문에, 서포트 기판이 손상되는 것이 방지된다. 그 결과, 서포트 기판을 재이용할 수 있다. According to the present invention, the pressure-sensitive adhesive sheet is cut and planarized in the pressure-sensitive adhesive sheet flattening step, so that even if the thickness of the support substrate or the adhesive layer varies, the pressure-sensitive adhesive sheet is adhered to the workpiece And flattened. Therefore, in the subsequent grinding step, the workpiece is ground while maintaining a flat and uniform thickness. Further, in the method of the present invention, the support substrate is cut without cutting and the support substrate is protected by the adhesive sheet at the time of grinding the workpiece, so that the support substrate is prevented from being damaged. As a result, the support substrate can be reused.
본 발명에 따르면, 피가공물을 서포트 기판 상에 접합시킨 상태로 연삭함에 있어서, 종래보다도 연삭 후의 피가공물을 고정밀도로 평탄화시킬 수 있는 피가공물의 연삭 방법이 제공된다고 하는 효과를 발휘한다.According to the present invention, there is provided an effect of providing a grinding method of a workpiece capable of flattening a workpiece after grinding more precisely than in the prior art, when grinding the workpiece in a state bonded on a support substrate.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 연삭 방법에 의해 연삭 가공이 행해지는 웨이퍼의 (a) 사시도, (b) 단면도이다.
도 2는 그 연삭 방법에서 이용되는 서포트 기판의 (a) 사시도, (b) 단면도이다.
도 3은 이 연삭 방법의 피가공물 접착 단계를 도시한 (a) 사시도, (b) 측면도이다.
도 4는 피가공물 접착 단계에서 서포트 기판에 접착제를 도포하는 방법의 일례로서 든 스핀 코트법을 도시한 사시도이다.
도 5는 이 연삭 방법의 점착 시트 접착 단계를 도시한 측면도이다.
도 6은 점착 시트의 구성을 도시한 단면도이다.
도 7은 이 연삭 방법의 유지 단계를 도시한 측면도이다.
도 8은 이 연삭 방법의 점착 시트 평탄화 단계를 도시한 측면도로서, (a) 점착 시트 절삭 전의 상태, (b) 점착 시트 절삭 후의 상태이다.
도 9는 도 8의 (a)의 평면도이다.
도 10은 이 연삭 방법의 연삭 단계를 도시한 측면도이다.
도 11은 도 10의 평면도이다.
도 12는 이 연삭 방법의 점착 시트 박리 단계를 도시한 측면도이다.
도 13은 이 연삭 방법의 서포트 기판 박리 단계를 도시한 측면도이다.
BRIEF DESCRIPTION OF DRAWINGS FIG. 1 is a perspective view and (b) sectional view of a wafer on which a grinding process is performed by a grinding method according to an embodiment of the present invention; FIG.
2 is a perspective view, (b) is a cross-sectional view of the support substrate used in the grinding method.
Fig. 3 (a) is a perspective view, and Fig. 3 (b) is a side view showing a step of adhering a workpiece in this grinding method.
4 is a perspective view showing a spin coating method as an example of a method of applying an adhesive to a support substrate in a workpiece adhering step.
Fig. 5 is a side view showing the adhesive sheet adhering step of this grinding method.
6 is a cross-sectional view showing the structure of a pressure-sensitive adhesive sheet.
Fig. 7 is a side view showing the maintenance step of this grinding method.
Fig. 8 is a side view showing the step of planarizing the adhesive sheet of this grinding method. Fig. 8 (a) shows the state before cutting the adhesive sheet, and Fig. 8 (b) shows the state after cutting the adhesive sheet.
Fig. 9 is a plan view of Fig. 8 (a).
10 is a side view showing the grinding step of this grinding method.
11 is a plan view of Fig.
12 is a side view showing the step of peeling the adhesive sheet of this grinding method.
13 is a side view showing the support substrate peeling step of this grinding method.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시형태를 설명한다.Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
처음에, 일 실시형태의 연삭 방법에 의해 이면 연삭되는 웨이퍼(피가공물)와, 그 연삭 방법에서 이용하는 서포트 기판을 설명한다.First, a wafer (workpiece) to be back-grounded by the grinding method of one embodiment and a support substrate used in the grinding method will be described.
(1) 웨이퍼(1) Wafer
도 1의 (a)는 일 실시형태의 연삭 방법에 의해 이면 연삭되어 박화되는 원판형의 웨이퍼(10)의 사시도이고, (b)는 웨이퍼(10)의 단면도이다. 웨이퍼(10)는 실리콘이나 갈륨비소 등의 반도체 재료에 의해 두께가 균일하게 형성된 전자 디바이스용 기판 웨이퍼로서, 두께가 예컨대 500 ㎛∼700 ㎛ 정도인 것이다. 웨이퍼(10)의 표면(10a)에는 격자형의 분할 예정 라인(11)이 설정되고, 이 분할 예정 라인(11)으로 둘러싸인 다수의 직사각 형상 영역에, IC나 LSI 등의 전자 회로를 갖는 디바이스(12)가 형성되어 있다.Fig. 1 (a) is a perspective view of a disk-shaped wafer 10 which is back-ground and thinned by a grinding method according to an embodiment, and Fig. 1 (b) is a sectional view of the wafer 10. Fig. The wafer 10 is a substrate wafer for an electronic device in which the thickness is uniformly formed by a semiconductor material such as silicon or gallium arsenide, and has a thickness of, for example, about 500 탆 to 700 탆. A grid-like dividing line 11 is set on the surface 10a of the wafer 10 and a device having an electronic circuit such as IC or LSI is mounted on a large number of rectangular regions surrounded by the line 11 to be divided 12 are formed.
(2) 서포트 기판(2) Support substrate
도 2의 (a)는 서포트 기판(20)의 사시도이고, (b)는 서포트 기판(20)의 측면도이다. 서포트 기판(20)은 웨이퍼(10)와 직경이 대략 같은 정도이고, 두께는 웨이퍼(10)와 동등하거나 혹은 큰 원판형의 것이다. 이 경우, 서포트 기판(20)의 표면(20a)과 이면(20b)은 평활하지만 평행하지 않고, 따라서 서포트 기판(20)은 두께가 균일하지 않고 전체적으로는 평탄하지 않은 것이 된다. 서포트 기판(20)은 핸들링성이 용이한 정해진 강성을 갖는 재료로 구성되며, 예컨대 웨이퍼(10)와 동일한 반도체 재료, 혹은 유리 등에 의해 형성된 것이 이용된다.Fig. 2 (a) is a perspective view of the support substrate 20, and Fig. 2 (b) is a side view of the support substrate 20. Fig. The support substrate 20 has a disk-like shape with a diameter approximately equal to that of the wafer 10 and a thickness equal to or larger than that of the wafer 10. [ In this case, the front surface 20a and back surface 20b of the support substrate 20 are smooth but not parallel to each other, so that the thickness of the support substrate 20 is not uniform and is not entirely flat. The support substrate 20 is made of a material having a predetermined rigidity that facilitates handling and is made of, for example, the same semiconductor material as the wafer 10, or formed of glass or the like.
(3) 연삭 방법(3) Grinding method
이하, 웨이퍼(10)의 이면(10b)을 연삭하는 일 실시형태의 연삭 방법을 설명한다.Hereinafter, a grinding method of one embodiment for grinding the back surface 10b of the wafer 10 will be described.
처음에, 도 3의 (a), (b)에 도시된 바와 같이, 서포트 기판(20)의 표면(20a)에, 접착제(접착 부재)(30)를 통해 웨이퍼의 표면(10a)측을 동심형으로 접착하여 일체화시키고, 서포트 기판이 부착된 웨이퍼(서포트 기판이 부착된 피가공물)(1)를 형성한다(피가공물 접착 단계). 접착제(30)로는, 나중에 웨이퍼(10)로부터 박리 가능한 UV 경화형이나 열경화형 등의 수지제 접착제 등이 적합하게 이용된다. 또한, 도 3의 (a)에서는, 하면이 웨이퍼(10)의 표면(10a), 상면이 웨이퍼(10)의 이면(10b)으로 되어 있다.3 (a) and 3 (b), the surface 20a of the support substrate 20 is bonded to the surface 10a side of the wafer through an adhesive (bonding member) 30 concentrically (A workpiece to which a support substrate is attached) 1 (a workpiece adhering step). As the adhesive 30, a resin adhesive such as a UV curable or thermosetting resin which can be peeled off from the wafer 10 later is suitably used. 3 (a), the lower surface is the surface 10a of the wafer 10, and the upper surface is the back surface 10b of the wafer 10. In FIG.
접착제(30) 도포는, 예컨대 도 4에 도시된 바와 같이, 자전시킨 서포트 기판(20)(화살표는 자전의 방향을 나타냄)의 표면(20a)의 중심에 접착제 공급 노즐(31)로부터 접착제(30)를 적하하고, 원심력에 의해 접착제(30)를 표면(20a) 전면(全面)에 널리 퍼지게 하는 스핀 코트법에 의해 실시할 수 있다. 또한, 표면(20a)에 접착제(30)를 롤러 등으로 압박하면서 도포하는 방법을 채용하여도 좋다. 이와 같이 하여 서포트 기판(20)의 표면(20a)에 접착제(30)를 도포한 후에, 그 도포면에 웨이퍼(10)의 표면(10a)이 접착된다. 이 경우, 접착제(30)의 층 두께는 균일하고 평탄하게 형성되는 것으로 한다.4, the adhesive 30 is applied to the center of the surface 20a of the rotated support substrate 20 (the arrow indicates the direction of rotation) from the adhesive supply nozzle 31 to the adhesive 30 And the adhesive 30 is spread over the entire surface of the surface 20a by the centrifugal force. A method of applying the adhesive 30 to the surface 20a while pressing it with a roller or the like may be employed. After the adhesive agent 30 is applied to the surface 20a of the support substrate 20 in this way, the surface 10a of the wafer 10 is bonded to the coated surface. In this case, the layer thickness of the adhesive 30 is assumed to be uniform and flat.
다음에, 도 5에 도시된 바와 같이, 서포트 기판(20)이 노출되어 있는 이면(20b)에, 점착 시트(40)를 접착시킨다(점착 시트 접착 단계). 점착 시트(40)는 도 6에 도시된 바와 같이, 정해진 두께를 갖는 시트형 기재(41)의 한 면에 점착층(42)이 형성된 것으로서, 점착층(42)이 서포트 기판(20)의 이면(20b)에 접착된다. 기재(41)는, 예컨대 두께가 100 ㎛∼200 ㎛ 정도의 폴리올레핀 등으로 이루어진 수지제 시트가 이용되며, 점착층(42)은 나중에 서포트 기판(20)으로부터 박리 가능한 감압식 수지나 UV 경화형 등의 수지제 점착제 등으로 형성된다. 이하의 설명에서는, 서포트 기판이 부착된 웨이퍼(1)의 서포트 기판(20)의 이면(20b)에 점착 시트(40)가 접착된 것을, 피가공물 유닛(2)이라 칭한다.Next, as shown in Fig. 5, the adhesive sheet 40 is adhered to the back surface 20b on which the support substrate 20 is exposed (adhesive sheet adhering step). 6, an adhesive layer 42 is formed on one surface of a sheet-like base material 41 having a predetermined thickness, and the adhesive layer 42 is provided on the back surface (the upper surface) of the support substrate 20 20b. The base material 41 is made of a resin sheet made of polyolefin or the like having a thickness of, for example, about 100 m to 200 m. The adhesive layer 42 is made of a resin such as a pressure sensitive resin or a UV curable resin which can be peeled off from the support substrate 20 An adhesive agent or the like. In the following description, the adhesive sheet 40 adhered to the back surface 20b of the support substrate 20 of the wafer 1 to which the support substrate is attached is referred to as the processing unit 2.
점착 시트 접착 단계를 거쳐 피가공물 유닛(2)을 얻은 후에는, 도 7에 도시된 바와 같이, 절삭 장치의 유지 수단(51)에 웨이퍼(10)의 이면(10b) 측을 맞추어 유지하고, 점착 시트(40)의 기재(41)로 구성되는 이면(40b) 측을 위쪽으로 노출시킨 상태로 한다(유지 단계).After the work piece unit 2 is obtained through the adhesive sheet adhering step, the back side 10b of the wafer 10 is held and held on the holding means 51 of the cutting apparatus as shown in Fig. 7, The side of the back surface 40b constituted by the base material 41 of the sheet 40 is exposed upward (the holding step).
절삭 장치는 유지 수단(51)과 바이트 가공 수단(55)(도 8에 도시됨)을 구비하고 있다. 유지 수단(51)은 다공질 재료에 의해 다공성으로 형성된 수평한 유지면(52)에, 공기 흡인에 의한 부압 작용에 의해 피가공물을 흡착하여 유지하는 부압척식의 것이다. 유지면(52)은 웨이퍼(10)와 같은 정도의 직경을 갖는 원 형상이고, 유지 수단(51)은 도시하지 않은 이동 기구에 의해 X 방향으로 왕복 이동 가능하게 설치되어 있다.The cutting apparatus has a holding means 51 and a bite processing means 55 (shown in Fig. 8). The holding means 51 is of a negative pressure type in which a workpiece is sucked and held by a negative pressure action by air suction on a horizontal holding surface 52 made porous by a porous material. The holding surface 52 is circular in shape with a diameter similar to that of the wafer 10 and the holding means 51 is provided so as to reciprocate in the X direction by a moving mechanism not shown.
피가공물 유닛(2)은, 웨이퍼(10)의 이면(10b)을 유지면(52)에 맞추고, 또한, 점착 시트(40)의 이면(40b)을 위쪽으로 노출시킨 상태에서 유지면(52)에 동심형으로 배치되며, 부압 작용으로 유지면(52)에 흡착하여 유지된다. 이 유지 상태에서는, 서포트 기판(20)이 평탄하지 않기 때문에, 위쪽으로 노출되는 점착 시트(40)의 이면(40b)은 수평한 유지면(52)과 평행하지 않고, 경사진 상태가 된다.The work piece unit 2 is placed on the holding surface 52 in such a state that the back surface 10b of the wafer 10 is aligned with the holding surface 52 and the back surface 40b of the adhesive sheet 40 is exposed upward, And is adsorbed and held on the holding surface 52 by a negative pressure action. In this holding state, since the support substrate 20 is not flat, the back surface 40b of the pressure sensitive adhesive sheet 40 exposed upward is not in parallel with the horizontal holding surface 52 and is inclined.
피가공물 유닛(2)을 유지 수단(51)에 유지하면, 계속해서, 도 8에 도시된 절삭 장치의 바이트 가공 수단(55)으로 점착 시트(40)의 이면(40b)을 절삭하여 평탄화한다(점착 시트 평탄화 단계). 바이트 가공 수단(55)은 수직 방향으로 연장되고, 도시하지 않은 모터에 의해 회전 구동되는 스핀들 샤프트(56)의 선단의 플랜지(57)의 하면에, 절삭날(58b)을 갖는 원판형의 절삭 공구(58)가 고정된 것으로, 스핀들 샤프트(56)는 상하 이동 가능하게 설치되어 있다.When the work piece unit 2 is held by the holding means 51, the back surface 40b of the adhesive sheet 40 is subsequently cut and planarized by the cutting tool 55 of the cutting apparatus shown in Fig. 8 Adhesive sheet flattening step). The cutting tool 55 extends in the vertical direction and is provided on the lower surface of the flange 57 at the tip of the spindle shaft 56 that is rotationally driven by a motor (58) is fixed, and the spindle shaft (56) is provided so as to be movable up and down.
도 9에 도시된 바와 같이, 바이트 가공 수단(55)은 스핀들 샤프트(56)의 회전 축심(56c)이 유지 수단(51)의 유지면(52)의 중심(52c)을 통과하는 X축선: X1 상에 위치하도록 배치되어 있고, 유지 수단(51)은 X 방향을 따라 바이트 가공 수단측으로 이동함으로써, 절삭 공구(58)의 아래쪽으로 들어가는 것이 가능하게 되어 있다.9, the bite machining means 55 is provided so that the rotational axis 56c of the spindle shaft 56 is inclined with respect to the X axis X1 passing through the center 52c of the holding surface 52 of the holding means 51 And the holding means 51 moves to the side of the bite processing means along the X direction so as to be able to enter the lower side of the cutting tool 58. [
절삭 공구(58)는, 도 8에 도시된 바와 같이, 플랜지(57)의 하면에 착탈 가능하게 고정되는 원판형의 절삭 휠(58a)의 하면의 외주부에, 날끝이 아래쪽으로 향하는 상태로 절삭날(58b)이 고착된 것으로, 절삭날(58b)은 스핀들 샤프트(56)가 회전함으로써, 수평, 즉 유지 수단(51)의 유지면(52)과 평행한 면에서 회전한다. 도 9에 도시된 바와 같이, 바이트 가공 수단(55)의 절삭 외경[절삭날(58b)의 회전 궤적의 직경]은 웨이퍼(10)의 직경과 같은 정도이거나 혹은 약간 크게 설정되어 있다.8, the cutting tool 58 is attached to the outer periphery of a bottom surface of a disk-shaped cutting wheel 58a detachably fixed to the lower surface of the flange 57, The cutting edge 58b is rotated by the rotation of the spindle shaft 56 in a plane parallel to the holding surface 52 of the holding means 51. [ 9, the cutting outer diameter of the cutting tool 55 (the diameter of the rotation locus of the cutting edge 58b) is set to be the same as or slightly larger than the diameter of the wafer 10, as shown in Fig.
점착 시트 평탄화 단계에서는, 바이트 가공 수단(55)의 스핀들 샤프트(56)를 상하 이동시켜 절삭날(58b)의 날끝을 점착 시트(40)의 전면이 절삭될 수 있는 높이 위치로 조정하고, 스핀들 샤프트(56)를 회전 구동하여 절삭날(58b)을 회전시킨 상태로부터, 피가공물 유닛(2)을 유지한 유지 수단(51)을 바이트 가공 수단(55)의 방향을 향해 X 방향을 따라 이동시킨다[도 8의 (a)→(b)].In the adhesive sheet flattening step, the spindle shaft 56 of the cutting tool 55 is moved up and down to adjust the edge of the cutting edge 58b to a height position at which the front face of the adhesive sheet 40 can be cut, The holding means 51 holding the workpiece unit 2 is moved along the X direction toward the direction of the cutting tool 55 from the state in which the cutting edge 58b is rotated by rotating the workpiece 56 8 (a) - > (b)).
이에 따라 피가공물 유닛(2)은 바이트 가공 수단(55)의 아래쪽으로 보내져 바이트 가공 수단(55)의 아래쪽을 통과하는 동안에, 점착 시트(40)의 이면(40b) 전면이 회전하는 절삭날(58b)에 의해 절삭된다. 이 경우, 점착 시트(40)는 기재(41)가 연삭된다. 점착 시트(40)는 이면(40b)이 평활하게 절삭되도록 바이트 가공 수단(55)의 아래쪽을 적어도 1회 통과시킬 수 있지만, 필요에 따라 왕복 통과에 의한 2회 통과, 혹은 그 이상의 횟수를 통과시킬 수 있다.The workpiece unit 2 is sent to the lower side of the cutting tool 55 and passes under the cutting tool 55 so that the cutting edge 58b on which the entire front surface 40b of the adhesive sheet 40 rotates ). In this case, the adhesive sheet 40 is ground with the base material 41. The adhesive sheet 40 can pass the lower side of the bobbin processing means 55 at least once so that the back surface 40b is cut smoothly. However, if necessary, the adhesive sheet 40 may be passed twice, .
이와 같이 하여 바이트 가공 수단(55)에 의해 절삭된 점착 시트(40)는 절삭날(58b)이 유지 수단(51)의 유지면(52)과 평행한 면에서 회전하기 때문에, 도 8의 (b)에 도시된 바와 같이, 절삭면인 이면(40b)이 유지면(52)과 평행하게 가공되어 평탄화된다. 즉, 점착 시트(40)의 이면(40b)과 유지면(52)에 밀착되는 웨이퍼(10)의 이면(10b)은 평행해지고, 피가공물 유닛(2) 전체적으로는 두께가 균일하게 되어 평탄화되게 된다.The adhesive sheet 40 cut by the cutting means 55 in this way rotates about the cutting edge 58b on the surface parallel to the holding surface 52 of the holding means 51. Therefore, , The back surface 40b, which is the cutting surface, is processed and planarized in parallel with the holding surface 52, as shown in Fig. That is, the back surface 10b of the wafer 10 which is in close contact with the back surface 40b of the adhesive sheet 40 and the holding surface 52 becomes parallel, and the thickness of the entire workpiece unit 2 becomes uniform and planarized .
점착 시트 평탄화 단계를 종료하면, 피가공물 유닛(2)을 절삭 장치의 유지 수단(51)으로부터 반출하고, 도 10에 도시된 연삭 장치를 이용하여 웨이퍼(10)의 이면(10b)을 연삭하여 웨이퍼(10)를 정해진 두께로 박화한다(연삭 단계).The workpiece unit 2 is taken out of the holding means 51 of the cutting apparatus and the back surface 10b of the wafer 10 is ground using the grinding apparatus shown in Fig. (10) is thinned to a predetermined thickness (grinding step).
연삭 장치는 피가공물 유닛(2)을 유지하는 회전 가능한 유지 수단(61)과, 연삭 수단(65)을 구비하고 있다. 유지 수단(61)은 다공질 재료에 의해 다공성으로 형성된 원 형상의 수평한 유지면(62)에 공기 흡인에 의한 부압 작용에 의해 피가공물을 흡착하여 유지하는 부압척식의 것으로, 도시하지 않은 회전축을 중심으로 도시하지 않은 회전 구동 기구에 의해 회전된다.The grinding apparatus is provided with a rotatable holding means 61 for holding the workpiece unit 2 and a grinding means 65. The holding means 61 is of a negative pressure type which adsorbs and holds the workpiece by a negative pressure action by air suction on a circular horizontal holding surface 62 formed of a porous material by porous material, And is rotated by a rotation drive mechanism (not shown).
연삭 수단(65)은, 수직 방향으로 연장되고, 도시하지 않은 모터에 의해 회전 구동되는 스핀들 샤프트(66)의 선단의 플랜지(67)의 하면에, 다수의 지석(68b)을 갖는 원판형의 연삭 공구(68)가 고정된 것으로, 스핀들 샤프트(66)는 유지 수단(61)의 위쪽에 상하 이동 가능하게 배치되어 있다.The grinding means 65 is provided with a grinding means 65 for grinding a grinding wheel 65 having a plurality of grindstones 68b in the form of a circular plate on the lower surface of the flange 67 at the tip of the spindle shaft 66, The tool 68 is fixed, and the spindle shaft 66 is arranged above the holding means 61 so as to be movable up and down.
연삭 공구(68)는 플랜지(67)에 착탈 가능하게 고정되는 원반 형상의 연삭 휠(68a)의 하면의 외주부에, 다수의 지석(68b)이 환형으로 배열되어 고착된 것이다. 지석(68b)은 웨이퍼(10)의 재질에 따른 것이 이용되며, 예컨대, 다이아몬드 지립을 메탈 본드나 레진 본드 등의 결합제로 굳혀 성형한 다이아몬드 지석 등이 이용된다. 연삭 공구(68)는 스핀들 샤프트(66)와 일체로 회전 구동된다.The grinding tool 68 is a plurality of grindstones 68b annularly arranged and fixed to the outer periphery of a lower surface of a disc-shaped grinding wheel 68a which is detachably fixed to the flange 67. The grindstone 68b is made of a material according to the material of the wafer 10. For example, a diamond grindstone formed by hardening diamond abrasive grains with a bonding agent such as a metal bond or a resin bond is used. The grinding tool 68 is rotationally driven integrally with the spindle shaft 66.
연삭 단계에서는, 피가공물 유닛(2)의 점착 시트(40)측을 유지 수단(61)의 유지면(62)에 맞추고, 웨이퍼(10)의 이면(10b)을 위쪽으로 노출시킨 상태로 하여 피가공물 유닛(2)을 유지면(62)에 동심형으로 배치하고, 부압 작용에 의해 유지면(62)에 흡착하여 유지한다. 그리고, 유지 수단(61)을 정해진 속도로 한 방향으로 회전시킨 상태에서 스핀들 샤프트(66)를 하강시키고, 회전하는 연삭 공구(68)의 지석(68b)을 웨이퍼(10)의 이면(10b)에 정해진 하중으로 압착시켜 이면(10b)을 연삭한다.In the grinding step, the side of the adhesive sheet 40 of the workpiece unit 2 is aligned with the holding surface 62 of the holding means 61, and the back surface 10b of the wafer 10 is exposed upward, The workpiece unit 2 is concentrically arranged on the holding surface 62 and held on the holding surface 62 by negative pressure action. The spindle shaft 66 is lowered while the holding means 61 is rotated at a predetermined speed in one direction and the grindstone 68b of the rotating grinding tool 68 is placed on the back surface 10b of the wafer 10 And the back surface 10b is ground by pressing under a predetermined load.
이 경우, 도 11에 도시된 바와 같이 연삭 수단(65)의 연삭 외경[지석(68b)의 회전 궤적의 최대 외경]은 웨이퍼(10)의 직경과 같은 정도이거나 혹은 약간 크고, 연삭 수단(65)에 의한 가공 위치는 지석(68b)의 하면인 날끝이, 자전하는 웨이퍼(10)의 회전 중심(10c)을 통과하는 위치에 설정된다. 유지 수단(61)의 회전에 의해 웨이퍼(10)를 자전시키면서 연삭 공구(68)의 지석(68b)을 웨이퍼(10)의 이면(10b)에 압착시킴으로써, 이면(10b)의 전면이 연삭된다.11, the grinding outer diameter of the grinding means 65 (the maximum outer diameter of the locus of rotation of the grinding wheel 68b) is equal to or slightly larger than the diameter of the wafer 10, Is set at a position where the blade tip, which is the lower surface of the grindstone 68b, passes through the rotation center 10c of the rotating wafer 10. The front surface of the back surface 10b is ground by pressing the grindstone 68b of the grinding tool 68 against the back surface 10b of the wafer 10 while rotating the wafer 10 by the rotation of the holding means 61. [
이면(10b)이 연삭되어 웨이퍼(10)가 목적 두께까지 박화되면, 연삭 단계를 끝내고, 피가공물 유닛(2)을 유지 수단(61)으로부터 반출한다. 그리고, 도 12에 도시된 바와 같이, 서포트 기판(20)으로부터 점착 시트(40)를 박리하고(점착 시트 박리 단계), 계속해서, 도 13에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(10)로부터 서포트 기판(20)을 박리한다(서포트 기판 박리 단계). 이에 따라, 목적 두께까지 박화된 웨이퍼(10)를 얻는다.When the back surface 10b is ground and the wafer 10 is thinned to the desired thickness, the grinding step is finished and the work piece unit 2 is taken out of the holding means 61. [ 12, the adhesive sheet 40 is peeled off from the support substrate 20 (adhesive sheet peeling step), and then the wafer 10 is removed from the support substrate 20 20) are peeled off (support substrate peeling step). Thereby, the wafer 10 thinned to the target thickness is obtained.
또한, 상기 연삭 단계에서는 웨이퍼(10)의 이면(10b)만을 연삭하는 것을 설명하고 있지만, 필요에 따라 연삭 후에 이면(10b)을 연마하는 경우가 있다. 연마를 포함하는 경우에는, 연마 후에 점착 시트 박리 단계를 실시한다. 또한, 서포트 기판 박리 단계는 연삭 단계 후, 점착 시트 박리 단계를 실시하기 전에 실시하여도 좋다. 그 경우에는, 연삭 단계→서포트 기판 박리 단계→점착 시트 박리 단계의 순서가 된다.In the grinding step, only the back surface 10b of the wafer 10 is grinded. However, the back surface 10b may be polished after grinding if necessary. In the case of including polishing, the peeling step of the adhesive sheet is performed after polishing. The support substrate peeling step may be performed after the grinding step and before the peeling step of the adhesive sheet. In this case, the order of grinding step → support substrate peeling step → peeling step of adhesive sheet is performed.
(4) 일 실시형태의 작용 효과(4) Effects of the embodiment
상기 본 발명에 따른 일 실시형태에 의하면, 점착 시트 평탄화 단계에서 점착 시트(40)를 절삭하여 평탄화함으로써, 서포트 기판(20)의 두께에 편차가 있어도, 서포트 기판이 부착된 웨이퍼(1)에 점착 시트(40)를 접착시킨 피가공물 유닛(2) 전체적으로는 두께가 균일하게 되어 평탄화된다. 따라서, 이후의 연삭 단계에서 웨이퍼(10)를 연삭하면, 두께가 균일하고 평탄한 웨이퍼(10)를 얻을 수 있다.According to the embodiment of the present invention, in the step of planarizing the adhesive sheet, the adhesive sheet 40 is cut and planarized, so that even if there is a variation in the thickness of the support substrate 20, The entirety of the workpiece unit 2 to which the sheet 40 is adhered becomes uniform in thickness and is flattened. Therefore, when the wafer 10 is ground in the subsequent grinding step, the wafer 10 having a uniform and flat thickness can be obtained.
또한, 서포트 기판(20)은 절삭하지 않고 점착 시트(40)를 절삭하고, 더구나 웨이퍼(10)의 연삭 시에 서포트 기판(20)은 점착 시트(40)에 의해 보호되기 때문에, 서포트 기판(20)이 손상되는 것이 방지된다. 그 결과, 서포트 기판(20)을 재이용할 수 있다.Further, since the support substrate 20 is protected by the adhesive sheet 40 at the time of grinding the wafer 10, the support substrate 20 is not cut, and the support substrate 20 Is prevented from being damaged. As a result, the support substrate 20 can be reused.
또한, 상기 실시형태에서는, 접착제(30)가 평탄하고 서포트 기판(20)에 두께 편차가 있는 경우여도 웨이퍼(10)를 평탄하게 연삭할 수 있는 예이지만, 본 발명은 이 형태에 한정되지 않고, 서포트 기판(20)이 평탄하고 접착제(30)에 두께 편차가 있는 경우, 혹은, 서포트 기판(20)과 접착제(30)의 양쪽에 두께 편차가 있음으로써 서포트 기판이 부착된 웨이퍼(1) 전체가 평탄하지 않은 경우에도 적용할 수 있다. 특히 웨이퍼(10)가 비교적 대직경인 경우에는, 접착제(30)를 평탄하게 도포하는 것이 어렵기 때문에 본 발명 방법은 유효하다.In the above embodiment, the wafer 10 can be evenly ground even when the adhesive 30 is flat and there is a thickness variation in the support substrate 20. However, the present invention is not limited to this configuration, When the support substrate 20 is flat and the thickness of the adhesive 30 is varied or the thickness of the support substrate 20 and the adhesive 30 are different from each other, It can be applied even when it is not flat. In particular, when the wafer 10 has a relatively large diameter, the method of the present invention is effective because it is difficult to apply the adhesive 30 smoothly.
1: 서포트 기판이 부착된 웨이퍼(서포트 기판이 부착된 피가공물)
2: 피가공물 유닛 10: 웨이퍼(피가공물)
20: 서포트 기판 20a: 서포트 기판의 표면
20b: 서포트 기판의 이면 30: 접착제(접착 부재)
40: 점착 시트 51: 절삭 장치의 유지 수단
52: 유지면 55: 바이트 가공 수단
58b: 절삭날 61: 연삭 장치의 유지 수단
1: A wafer with a support substrate (a workpiece to which a support substrate is attached)
2: work piece unit 10: wafer (work piece)
20: Support substrate 20a: Surface of the support substrate
20b: back surface of support substrate 30: adhesive (adhesive member)
40: adhesive sheet 51: holding means of cutting device
52: holding surface 55:
58b: cutting edge 61: means for holding the grinding device

Claims (1)

  1. 서포트 기판의 표면에 배치된 피가공물의 연삭 방법으로서,
    서포트 기판의 표면에 접착 부재를 통해 피가공물을 접착시켜, 서포트 기판이 부착된 피가공물을 형성하는 피가공물 접착 단계와,
    이 피가공물 접착 단계를 실시한 후, 상기 서포트 기판의 이면에 점착 시트를 접착시키는 점착 시트 접착 단계와,
    이 점착 시트 접착 단계를 실시한 후, 상기 서포트 기판이 부착된 피가공물의 피가공물측을 유지하는 유지면을 가진 유지 수단으로 이 서포트 기판이 부착된 피가공물을 유지하여 상기 점착 시트를 노출시킨 상태로 하는 유지 단계와,
    이 유지 단계를 실시한 후, 상기 유지면과 평행한 면에서 회전하는 절삭날을 갖는 바이트 가공 수단으로 상기 점착 시트를 절삭하여 평탄화하는 점착 시트 평탄화 단계와,
    이 점착 시트 평탄화 단계를 실시한 후, 상기 서포트 기판이 부착된 피가공물의 상기 점착 시트측을 유지 수단으로 유지하고, 피가공물을 노출시킨 상태로 하여 피가공물을 연삭하는 연삭 단계와,
    이 연삭 단계를 실시한 후, 상기 점착 시트를 상기 서포트 기판으로부터 박리하는 점착 시트 박리 단계와,
    상기 연삭 단계를 실시한 후, 상기 점착 시트 박리 단계를 실시하기 전 또는 후에, 피가공물로부터 상기 서포트 기판을 박리하는 서포트 기판 박리 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 피가공물의 연삭 방법.
    A grinding method for a workpiece disposed on a surface of a support substrate,
    A workpiece adhering step of adhering a workpiece to the surface of the support substrate through an adhesive member to form a workpiece to which the support substrate is attached;
    An adhesive sheet adhering step of adhering an adhesive sheet to the back surface of the support substrate after the step of adhering the workpiece,
    After carrying out the step of adhering the adhesive sheet, the workpiece to which the support substrate is attached is held by holding means having a holding surface for holding the workpiece side of the workpiece to which the support substrate is attached, ,
    An adhesive sheet flattening step of cutting and planarizing the adhesive sheet with a cutting tool having a cutting edge rotating on a plane parallel to the holding surface after performing the holding step,
    A grinding step of grinding the workpiece while keeping the workpiece side with the workpiece held by the holding means after performing the step of planarizing the adhesive sheet,
    An adhesive sheet peeling step of peeling the adhesive sheet from the support substrate after performing the grinding step;
    And a support substrate peeling step of peeling the support substrate from the workpiece before or after the peeling step of the adhesive sheet after the grinding step is performed.
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