KR20200081918A - 터치 디스플레이 패널 및 터치 디스플레이 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 실시예들은, 터치 디스플레이 패널과 장치에 관한 것으로서, 터치 라인과 데이터 라인 사이에 터치 전극으로 이용되는 공통 전극으로 이루어진 실딩 패턴을 배치하고 실딩 패턴의 경계 영역에서 터치 라인과 데이터 라인이 중첩되지 않게 배치되도록 함으로써, 터치 라인과 데이터 라인 사이의 기생 캐패시턴스를 저감시켜 터치 센싱의 성능을 개선할 수 있도록 한다. 또한, 실딩 패턴의 경계 영역에서의 터치 라인과 데이터 라인의 배치 구조가 일정한 간격으로 반복되도록 함으로써, 실딩 패턴의 경계 영역에서의 신호 라인의 구조로 인해 화상 이상이 발생하는 것을 방지할 수 있도록 한다.

Description

터치 디스플레이 패널 및 터치 디스플레이 장치{TOUCH DISPLAY PANEL AND TOUCH DISPLAY DEVICE}
본 발명의 실시예들은, 터치 디스플레이 패널과 터치 디스플레이 장치에 관한 것이다.
정보화 사회가 발전함에 따라, 화상을 표시하는 디스플레이 장치에 대한 요구가 증가하고 있으며, 액정 디스플레이 장치, 유기발광 디스플레이 장치 등과 같은 다양한 유형의 디스플레이 장치가 활용되고 있다.
이러한 디스플레이 장치는 사용자에게 보다 다양한 기능을 제공하기 위하여, 디스플레이 패널에 대한 사용자의 터치를 인식하고 인식된 터치를 기반으로 입력 처리를 수행하는 기능을 제공하고 있다.
터치 인식이 가능한 디스플레이 장치는, 일 예로, 디스플레이 패널 상에 배치되거나 내장된 다수의 터치 전극으로 터치 구동 신호를 인가하고, 사용자의 터치에 의해 발생하는 캐패시턴스의 변화를 센싱하여 터치 유무와 터치 좌표 등을 검출할 수 있다.
이때, 터치 인식 기능을 제공하는 디스플레이 패널에는, 디스플레이 구동을 위한 각종 전압, 신호 등이 인가되는 전극, 신호 라인 등이 배치되어 있어, 디스플레이 구동을 위한 전극, 라인과 터치 센싱을 위한 전극, 라인 간의 기생 캐패시턴스에 의해 터치 센싱의 성능이 저하될 수 있는 문제점이 존재한다.
본 발명의 실시예들의 목적은, 터치 센싱을 위한 전극, 라인과 디스플레이 구동을 위한 전극, 라인 간의 기생 캐패시턴스를 저감시켜 터치 라인을 통해 검출되는 터치 센싱 신호의 노이즈를 감소시킬 수 있는 터치 디스플레이 패널과 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 실시예들의 목적은, 터치 센싱 신호의 노이즈를 감소시킬 수 있는 구조에서, 화상 이상이 발생하지 않도록 하는 터치 디스플레이 패널과 장치를 제공하는 데 있다.
일 측면에서, 본 발명의 실시예들은, 다수의 데이터 라인들과, 적어도 일부분이 데이터 라인과 중첩되는 다수의 터치 라인들과, 데이터 라인과 터치 라인 사이에 배치된 다수의 실딩 패턴들을 포함하고, 다수의 실딩 패턴들 중 전기적으로 분리되고 인접하게 배치된 제1 실딩 패턴과 제2 실딩 패턴 사이의 영역에서, 터치 라인은 데이터 라인이 배치된 영역과 중첩된 영역을 제외한 영역에 배치되고, 터치 라인의 양측 경계 중 데이터 라인과 인접한 경계는 데이터 라인의 경계와 중첩되거나 데이터 라인의 경계의 외측에 위치하는 터치 디스플레이 패널을 제공한다.
다른 측면에서, 본 발명의 실시예들은, 데이터 라인과, 데이터 라인 상에 배치된 평탄화층과, 평탄화층 상에 배치된 공통 전극과, 공통 전극 상에 배치된 터치 로드 저감층과, 터치 로드 저감층 상에 배치된 터치 라인을 포함하고, 터치 라인이 공통 전극과 중첩된 부분은 적어도 일부분이 데이터 라인과 중첩되고, 터치 라인이 공통 전극 중 인접한 공통 전극 사이에 배치된 부분은 데이터 라인과 중첩된 영역을 제외한 영역에 배치되고 터치 라인의 양측 경계 중 데이터 라인과 인접한 경계는 데이터 라인의 경계와 중첩되거나 데이터 라인의 경계의 외측에 위치하는 터치 디스플레이 패널을 제공한다.
다른 측면에서, 본 발명의 실시예들은, 패널에 내장된 다수의 터치 전극들과, 다수의 터치 전극들 각각과 전기적으로 연결된 다수의 터치 라인들과, 일부분이 터치 라인과 중첩되는 다수의 데이터 라인들과, 터치 라인과 데이터 라인 사이에 배치된 다수의 실딩 패턴들을 포함하고, 다수의 실딩 패턴들 중 전기적으로 분리되고 인접하게 배치된 제1 실딩 패턴과 제2 실딩 패턴 사이의 영역에서, 터치 라인은 데이터 라인이 배치된 영역과 중첩된 영역을 제외한 영역에 배치되고, 터치 라인의 양측 경계 중 데이터 라인과 인접한 경계는 데이터 라인의 경계와 중첩되거나 데이터 라인의 경계의 외측에 위치하는 터치 디스플레이 장치를 제공한다.
다른 측면에서, 본 발명의 실시예들은, 제1 데이터 라인과, 제1 터치 라인과, 제1 터치 전극을 포함하는 제1 터치 전극 블록과, 제2 터치 전극을 포함하고 제1 터치 전극 블록과 인접하여 배치된 제2 터치 전극 블록을 포함하고, 제1 터치 라인 및 제1 데이터 라인은 제1 터치 전극 블록 및 제2 터치 전극 블록과 중첩되어 배치되며, 제1 터치 라인과 제1 데이터 라인은 서로 중첩되지 않는 영역보다 서로 중첩되는 영역이 더 넓은 다수의 제1 영역을 포함하고, 제1 터치 라인과 제1 데이터 라인은 서로 중첩되는 영역보다 서로 중첩되지 않는 영역이 더 넓은 다수의 제2 영역을 포함하고, 제1 영역과 제2 영역은 제1 터치 라인과 제2 데이터 라인이 배치된 방향을 따라 반복 배치되며, 제1 터치 전극 블록 및 제2 터치 전극 블록의 경계 영역에는 제2 영역만 배치되는 터치 디스플레이 장치를 제공한다.
본 발명의 실시예들에 의하면, 터치 라인과 데이터 라인 사이에 터치 라인으로 인가되는 터치 구동 신호와 대응되는 신호가 인가되는 실딩 패턴을 배치함으로써, 터치 라인과 데이터 라인 사이의 기생 캐패시턴스가 형성되는 것을 방지할 수 있도록 한다.
또한, 실딩 패턴의 경계 영역에서, 터치 라인과 데이터 라인이 중첩되지 않도록 배치함으로써, 실딩 패턴이 배치되지 않는 영역에서 터치 라인과 데이터 라인 사이의 기생 캐패시턴스를 저감시킬 수 있도록 한다.
또한, 터치 라인이 실딩 패턴과 중첩된 부분에서, 실딩 패턴의 경계 영역에서의 터치 라인의 구조가 일정한 간격으로 반복되도록 함으로써, 터치 라인의 배치 구조에 의한 화상 이상이 발생하지 않도록 한다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치의 개략적인 구성을 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치에 포함된 터치 전극의 배치 구조의 예시를 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치의 디스플레이 구동과 터치 센싱의 타이밍의 예시를 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치의 디스플레이 구동과 터치 센싱의 타이밍의 다른 예시를 나타낸 도면이다.
도 5는 도 4에 도시된 디스플레이 구동과 터치 센싱 타이밍에 따른 핑거 센싱과 펜 센싱의 다양한 타이밍의 예시를 나타낸 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치에서 터치 라인과 데이터 라인 사이의 기생 캐패시턴스를 저감시키기 위한 실딩 패턴을 개념적으로 나타낸 도면이다.
도 7은 본 발명의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치에서 실딩 패턴이 배치된 평면 구조의 예시를 나타낸 도면이다.
도 8은 도 7에 도시된 A-A' 부분의 단면 구조의 예시를 나타낸 도면이다.
도 9는 도 7에 도시된 실딩 패턴의 내측 영역에서 터치 라인과 데이터 라인이 배치된 구조의 예시를 나타낸 도면이다.
도 10은 도 7에 도시된 실딩 패턴의 경계 영역에서 터치 라인과 데이터 라인이 배치된 구조의 예시를 나타낸 도면이다.
도 11은 도 7에 도시된 실딩 패턴의 경계 영역에서 터치 라인과 데이터 라인이 배치된 구조의 다른 예시를 나타낸 도면이다.
도 12a 내지 도 12d는 도 11에 도시된 실딩 패턴의 경계 영역에서 터치 라인과 데이터 라인이 배치된 구조의 다양한 예시를 나타낸 도면이다.
도 13은 본 발명의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치에서 터치 전극 블록의 내부와 경계 영역에서 터치 라인과 데이터 라인이 배치된 평면 구조의 예시를 나타낸 도면이다.
도 14는 도 13에 도시된 터치 전극 블록의 내부와 경계 영역에서 터치 라인과 데이터 라인이 배치된 평면 구조를 확대해서 나타낸 도면이다.
이하, 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 수 있다.
또한, 본 발명의 구성요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성요소의 본질, 차례, 순서 또는 개수 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성요소 사이에 다른 구성요소가 "개재"되거나, 각 구성요소가 다른 구성요소를 통해 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치(100)의 개략적인 구성을 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치(100)는, 터치 디스플레이 패널(110)과, 게이트 구동 회로(120), 데이터 구동 회로(130) 및 컨트롤러(140)를 포함할 수 있다. 그리고, 터치 디스플레이 패널(110)에 대한 터치를 센싱하기 위한 터치 구동 회로(150)를 포함할 수 있다.
터치 디스플레이 패널(110)에는, 다수의 게이트 라인(GL)과 다수의 데이터 라인(DL)이 배치되고, 게이트 라인(GL)과 데이터 라인(DL)이 교차하는 영역에 다수의 서브픽셀(SP)이 배치된다.
또한, 터치 디스플레이 패널(110)에는, 다수의 터치 전극(TE)이 배치되거나 내장될 수 있으며, 터치 전극(TE)과 터치 구동 회로(150)를 서로 전기적으로 연결하는 다수의 터치 라인(TL)이 배치될 수 있다.
이러한 터치 디스플레이 장치(100)에서 디스플레이 구동을 위한 구성을 먼저 설명하면, 게이트 구동 회로(120)가 터치 디스플레이 패널(110)에 배치된 서브픽셀(SP)의 구동 타이밍을 제어한다. 그리고, 데이터 구동 회로(130)가 영상 데이터에 대응하는 데이터 전압(Vdata)을 서브픽셀(SP)로 공급하여, 서브픽셀(SP)이 영상 데이터의 계조에 해당하는 밝기를 나타내도록 함으로써 이미지를 표시한다.
구체적으로, 게이트 구동 회로(120)는, 컨트롤러(140)에 의해 제어되며, 터치 디스플레이 패널(110)에 배치된 다수의 게이트 라인(GL)으로 스캔 신호를 순차적으로 출력하여 다수의 서브픽셀(SP)의 구동 타이밍을 제어한다.
게이트 구동 회로(120)는, 하나 이상의 게이트 드라이버 집적 회로(GDIC, Gate Driver Integrated Circuit)를 포함할 수 있으며, 구동 방식에 따라 터치 디스플레이 패널(110)의 일 측에만 위치할 수도 있고 양 측에 위치할 수도 있다.
각 게이트 드라이버 집적 회로(GDIC)는, 테이프 오토메티드 본딩(TAB: Tape Automated Bonding) 방식 또는 칩 온 글래스(COG: Chip On Glass) 방식으로 터치 디스플레이 패널(110)의 본딩 패드에 연결되거나, GIP(Gate In Panel) 타입으로 구현되어 터치 디스플레이 패널(110)에 직접 배치될 수도 있으며, 경우에 따라, 터치 디스플레이 패널(110)에 집적화되어 배치될 수도 있다. 또한, 각 게이트 드라이버 집적 회로(GDIC)는, 터치 디스플레이 패널(110)에 연결된 필름 상에 실장되는 칩 온 필름(COF: Chip On Film) 방식으로 구현될 수도 있다.
데이터 구동 회로(130)는, 컨트롤러(140)로부터 영상 데이터(또는 입력 데이터)를 수신하고, 영상 데이터를 아날로그 형태의 데이터 전압으로 변환한다. 그리고, 게이트 라인(GL)을 통해 스캔 신호가 인가되는 타이밍에 맞춰 데이터 전압을 각각의 데이터 라인(DL)으로 출력하여 각각의 서브픽셀(SP)이 영상 데이터에 따른 밝기를 표현하도록 한다.
데이터 구동 회로(130)는, 하나 이상의 소스 드라이버 집적 회로(SDIC, Source Driver Integrated Circuit)를 포함할 수 있다.
각 소스 드라이버 집적 회로(SDIC)는, 시프트 레지스터, 래치 회로, 디지털 아날로그 컨버터, 출력 버퍼 등을 포함할 수 있다.
그리고, 각 소스 드라이버 집적 회로(SDIC)는, 테이프 오토메티드 본딩(TAB) 방식 또는 칩 온 글래스(COG) 방식으로 터치 디스플레이 패널(110)의 본딩 패드에 연결되거나, 터치 디스플레이 패널(110)에 직접 배치될 수 있으며, 경우에 따라, 터치 디스플레이 패널(110)에 집적화되어 배치될 수도 있다. 또한, 각 소스 드라이버 집적 회로(SDIC)는, 칩 온 필름(COF) 방식으로 구현될 수 있으며, 이 경우, 각 소스 드라이버 집적 회로(SDIC)는, 터치 디스플레이 패널(110)에 연결된 필름 상에 실장되고, 필름 상의 배선들을 통해 터치 디스플레이 패널(110)과 전기적으로 연결될 수 있다.
컨트롤러(140)는, 게이트 구동 회로(120)와 데이터 구동 회로(130)로 각종 제어 신호를 공급하며, 게이트 구동 회로(120)와 데이터 구동 회로(130)의 동작을 제어한다.
컨트롤러(140)는, 각 프레임에서 구현하는 타이밍에 따라 게이트 구동 회로(120)가 스캔 신호를 출력하도록 하며, 외부에서 수신한 영상 데이터를 데이터 구동 회로(130)에서 사용하는 데이터 신호 형식에 맞게 변환하여 변환된 영상 데이터를 데이터 구동 회로(130)로 출력한다.
컨트롤러(140)는, 영상 데이터와 함께 수직 동기 신호(VSYNC), 수평 동기 신호(HSYNC), 입력 데이터 인에이블 신호(DE, Data Enable), 클럭 신호(CLK) 등을 포함하는 각종 타이밍 신호를 외부(예, 호스트 시스템)로부터 수신한다.
컨트롤러(140)는, 외부로부터 수신한 각종 타이밍 신호를 이용하여 각종 제어 신호를 생성하고 게이트 구동 회로(120) 및 데이터 구동 회로(130)로 출력할 수 있다.
일 예로, 컨트롤러(140)는, 게이트 구동 회로(120)를 제어하기 위하여, 게이트 스타트 펄스(GSP, Gate Start Pulse), 게이트 시프트 클럭(GSC, Gate Shift Clock), 게이트 출력 인에이블 신호(GOE, Gate Output Enable) 등을 포함하는 각종 게이트 제어 신호(GCS)를 출력한다.
여기서, 게이트 스타트 펄스(GSP)는 게이트 구동 회로(120)를 구성하는 하나 이상의 게이트 드라이버 집적 회로(GDIC)의 동작 스타트 타이밍을 제어한다. 게이트 시프트 클럭(GSC)은 하나 이상의 게이트 드라이버 집적 회로(GDIC)에 공통으로 입력되는 클럭 신호로서, 스캔 신호의 시프트 타이밍을 제어한다. 게이트 출력 인에이블 신호(GOE)는 하나 이상의 게이트 드라이버 집적 회로(GDIC)의 타이밍 정보를 지정하고 있다.
또한, 컨트롤러(140)는, 데이터 구동 회로(130)를 제어하기 위하여, 소스 스타트 펄스(SSP, Source Start Pulse), 소스 샘플링 클럭(SSC, Source Sampling Clock), 소스 출력 인에이블 신호(SOE, Source Output Enable) 등을 포함하는 각종 데이터 제어 신호(DCS)를 출력한다.
여기서, 소스 스타트 펄스(SSP)는 데이터 구동 회로(130)를 구성하는 하나 이상의 소스 드라이버 집적 회로(SDIC)의 데이터 샘플링 스타트 타이밍을 제어한다. 소스 샘플링 클럭(SSC)은 소스 드라이버 집적 회로(SDIC) 각각에서 데이터의 샘플링 타이밍을 제어하는 클럭 신호이다. 소스 출력 인에이블 신호(SOE)는 데이터 구동 회로(130)의 출력 타이밍을 제어한다.
이러한 터치 디스플레이 장치(100)는, 터치 디스플레이 패널(110), 게이트 구동 회로(120), 데이터 구동 회로(130) 및 터치 구동 회로(150) 등으로 각종 전압 또는 전류를 공급해주거나, 공급할 각종 전압 또는 전류를 제어하는 전원 관리 집적 회로(미도시)를 더 포함할 수 있다.
각각의 서브픽셀(SP)은, 게이트 라인(GL)과 데이터 라인(DL)의 교차에 의해 정의되며, 터치 디스플레이 장치(100)의 유형에 따라 액정이 배치되거나 발광 소자가 배치될 수 있다.
일 예로, 터치 디스플레이 장치(100)가 액정 디스플레이 장치인 경우, 터치 디스플레이 패널(110)로 광을 조사하는 백라이트 유닛과 같은 광원 장치를 포함하고, 터치 디스플레이 패널(110)의 서브픽셀(SP)에는 액정이 배치된다. 그리고, 각각의 서브픽셀(SP)로 데이터 전압(Vdata)이 인가됨에 따라 형성되는 전계에 의해 액정의 배열을 조정함으로써, 영상 데이터에 따른 밝기를 나타내며 이미지를 표시할 수 있다.
다른 예로, 터치 디스플레이 장치(100)가 유기발광 디스플레이 장치인 경우, 각각의 서브픽셀(SP)에는 유기발광다이오드(OLED)가 배치되고, 서브픽셀(SP)로 공급되는 데이터 전압에 따라 유기발광다이오드(OLED)에 흐르는 전류를 제어하며 영상 데이터에 따른 밝기를 나타낼 수 있다.
또는, 경우에 따라, 각각의 서브픽셀(SP)에 발광다이오드(LED)가 배치되어 영상을 표시할 수도 있다.
한편, 본 발명의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치(100)는, 터치 디스플레이 패널(110)에 포함된 터치 전극(TE)과 터치 구동 회로(150)를 이용하여 터치 디스플레이 패널(110)에 대한 사용자의 터치를 검출할 수 있다.
도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치(100)에서 터치 디스플레이 패널(110)에 배치되는 터치 전극(TE)과 이러한 터치 전극(TE)을 구동하는 터치 구동 회로(150)의 예시를 나타낸 도면이다.
도 2를 참조하면, 터치 디스플레이 패널(110)에는 다수의 터치 전극(TE)과, 터치 전극(TE)을 터치 구동 회로(150)와 연결하는 다수의 터치 라인(TL)이 배치될 수 있다.
이러한 터치 전극(TE)은 터치 디스플레이 패널(110) 상에 배치되거나, 내장될 수 있다. 그리고, 터치 전극(TE)은 디스플레이 구동을 위해 이용되는 전극이거나, 터치 센싱을 위해 별도로 배치된 전극일 수 있다. 또한, 터치 전극(TE)은, 오픈된 영역이 없는 투명한 통전극 형태이거나, 불투명한 메시 형태일 수 있다. 또는, 터치 전극(TE)은, 오픈된 영역이 일부 존재하는 투명한 전극 형태일 수도 있다.
일 예로, 터치 디스플레이 장치(100)가 액정 디스플레이 장치인 경우, 터치 전극(TE)은 터치 디스플레이 패널(110)에 내장되어 디스플레이 구동 시 공통 전압(Vcom)이 인가되는 공통 전극(COM)일 수 있다.
즉, 공통 전극(COM)이 터치 디스플레이 패널(110)에 분할된 구조로 배치되어, 터치 센싱을 위한 터치 전극(TE)으로 이용될 수 있다. 따라서, 각각의 터치 전극(TE)은 다수의 서브픽셀(SP)과 중첩되어 배치될 수 있다.
본 발명의 실시예들은, 설명의 편의를 위해, 터치 디스플레이 장치(100)가 액정 디스플레이 장치인 경우를 예시로 설명하나, 이에 한정되지 아니한다.
이러한 터치 전극(TE)은 터치 디스플레이 패널(110)에 배치된 터치 라인(TL)을 통해 터치 구동 회로(150)와 전기적으로 연결될 수 있다.
터치 구동 회로(150)는, 터치 전극(TE)으로 터치 구동 신호(TDS)를 출력하고 터치 전극(TE)으로부터 터치 센싱 신호(TSS)를 수신하는 증폭기와, 증폭기의 출력 신호를 적분하는 적분기와, 적분기의 출력 신호를 디지털 신호로 변환하는 아날로그 디지털 컨버터 등을 포함할 수 있다.
이러한 터치 구동 회로(150)는, 경우에 따라, 데이터 구동 회로(130)와 일체로 구현될 수도 있다.
이러한 터치 구동 회로(150)는, 터치 전극(TE)과 일대일로 연결되어 터치 센싱 신호(TSS)를 수신할 수 있다. 즉, 터치 구동 회로(150)는, 터치 라인(TL)을 통해 터치 전극(TE)으로 터치 구동 신호(TDS)를 출력하고 터치 센싱 신호(TSS)를 수신하며, 터치에 의해 발생하는 자기 정전 용량의 변화를 센싱할 수 있다.
또는, 터치 전극(TE)이 구동 전극과 센싱 전극으로 구분되어 배치되고, 터치 구동 회로(150)는 구동 전극 및 센싱 전극과 각각 연결될 수 있다. 이러한 경우, 터치 구동 회로(150)는 구동 전극으로 터치 구동 신호(TDS)를 출력하고 센싱 전극으로부터 터치 센싱 신호(TSS)를 수신하며, 터치에 의해 발생하는 구동 전극과 센싱 전극 사이의 상호 정전 용량의 변화를 센싱할 수 있다.
터치 구동 회로(150)는, 수신된 터치 센싱 신호(TSS)를 디지털 형태의 센싱 데이터로 변환하고 변환된 센싱 데이터를 터치 컨트롤러로 전송한다.
터치 컨트롤러는, 터치 구동 회로(150)의 구동을 제어하며 터치 구동 회로(150)로부터 센싱 데이터를 수신하고, 수신된 센싱 데이터를 기반으로 터치 디스플레이 패널(110)에 대한 사용자의 터치를 검출할 수 있다.
즉, 터치 컨트롤러는, 센싱 데이터로부터 자기 정전 용량의 변화 또는 상호 정전 용량의 변화를 검출하고, 검출된 정전 용량의 변화에 기초하여 터치 유무와, 터치 좌표 등을 검출할 수 있다.
그리고, 터치 구동 회로(150)는, 디스플레이 구동 기간과 시분할된 기간에 터치 센싱을 수행할 수도 있고, 디스플레이 구동 기간과 동시에 터치 센싱을 수행할 수도 있다.
도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치(100)의 디스플레이 구동과 터치 센싱의 타이밍의 예시를 나타낸 도면으로서, 시간적으로 분할된 기간에 디스플레이 구동과 터치 센싱이 수행되는 경우를 나타낸다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치(100)는, 디스플레이 구동 기간 사이의 기간(예, 블랭크 기간)에 터치 디스플레이 패널(110)에 포함된 터치 전극(TE)을 구동하여 터치 센싱을 수행할 수 있다.
일 예로, 터치 디스플레이 장치(100)는, 하나의 영상 프레임마다 존재하는 수직 블랭크 기간에 터치 센싱을 수행할 수 있다. 또는, 하나의 영상 프레임 내에 존재하는 다수의 수평 블랭크 기간 중 일부 수평 블랭크 기간에 터치 센싱을 수행할 수 있다.
터치 디스플레이 패널(110)에 포함된 공통 전극(COM)을 터치 전극(TE)으로 이용하는 경우, 디스플레이 구동 기간에 각각의 터치 전극(TE)과 연결된 터치 라인(TL)을 통해 터치 전극(TE)으로 공통 전압(Vcom)이 인가되고, 터치 센싱 기간에 각각의 터치 전극(TE)과 연결된 터치 라인(TL)을 통해 터치 전극(TE)으로 터치 구동 신호(TDS)가 인가될 수 있다.
이러한 터치 구동 신호(TDS)는 시간에 따라 전압의 크기가 변화하는 펄스 형태의 신호일 수 있다.
여기서, 터치 센싱 기간에 디스플레이 구동이 수행되지 않으므로, 디스플레이 구동을 위한 전극, 신호 라인 등에는 전압이 인가되지 않거나 정전압 상태일 수 있다. 따라서, 터치 구동 신호(TDS)가 인가된 터치 전극(TE)과 게이트 라인(GL), 데이터 라인(DL) 등의 사이에 기생 캐패시턴스가 형성될 수 있으며, 이러한 기생 캐패시턴스로 인해 터치 센싱 신호(TSS)의 검출 성능이 저하될 수 있다.
이러한 터치 전극(TE)과 게이트 라인(GL), 데이터 라인(DL) 사이에 형성되는 기생 캐패시턴스를 방지하기 위하여, 터치 센싱 기간에 터치 전극(TE)으로 인가되는 터치 구동 신호(TDS)와 대응되는 신호를 게이트 라인(GL), 데이터 라인(DL) 등으로 공급할 수 있다.
즉, 도 3에 도시된 예시와 같이, 데이터 라인(DL)으로 터치 구동 신호(TDS)와 동일한 진폭, 위상을 갖는 데이터 전압(Vdata)을 공급할 수 있다. 그리고, 터치 센싱 기간에 게이트 라인(GL)은 게이트 로우 전압(VGL)이 인가된 상태이므로, 게이트 로우 전압(VGL)으로 터치 구동 신호(TDS)와 동일한 진폭, 위상을 갖는 신호를 출력하여 게이트 라인(GL)으로 터치 구동 신호(TDS)와 동일한 진폭, 위상을 갖는 신호가 공급되도록 할 수 있다..
이와 같이, 터치 센싱 기간에 터치 구동 신호(TDS)와 동일한 진폭, 위상을 갖는 신호를 게이트 라인(GL), 데이터 라인(DL) 등으로 공급함으로써, 터치 전극(TE)과 신호 라인 사이의 기생 캐패시턴스가 형성되지 않도록 하여 터치 센싱 신호(TSS)의 검출 성능을 향상시킬 수 있다.
한편, 본 발명의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치(100)는 디스플레이 구동과 터치 센싱을 동시에 수행할 수도 있다.
도 4는 본 발명의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치(100)의 디스플레이 구동과 터치 센싱의 타이밍의 다른 예시를 나타낸 도면으로서, 디스플레이 구동과 터치 센싱이 동시에 수행되는 경우를 나타낸다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치(100)는, 디스플레이 구동 기간과 동시에 터치 센싱을 수행할 수 있다.
여기서, 터치 센싱 기간은 디스플레이 구동 기간과 동일할 수도 있고 디스플레이 구동 기간 사이의 블랭크 기간일 수도 있다. 즉, 터치 센싱은 디스플레이 구동과 관계없이 독립적으로 수행될 수 있으며, 이에 따라 디스플레이 구동과 동시에 터치 센싱이 수행될 수도 있다.
터치 센싱이 디스플레이 구동과 동시에 수행되는 경우, 터치 전극(TE)으로 터치 구동 신호(TDS)가 인가된다. 그리고, 디스플레이 구동을 위해 데이터 전압(Vdata)이 데이터 라인(DL)으로 공급되고, 게이트 라인(GL)으로 게이트 하이 전압(VGH), 게이트 로우 전압(VGL)을 이용하여 생성된 스캔 신호가 출력될 수 있다.
이때, 터치 디스플레이 패널(110)에 포함된 공통 전극(COM)이 터치 전극(TE)으로 이용되는 경우, 터치 전극(TE)에 터치 구동 신호(TDS)가 인가되므로 공통 전극(COM)과 데이터 전압(Vdata)이 인가되는 픽셀 전극(PXL) 사이에 영상 데이터에 대응하는 전압 차가 형성되지 않을 수 있다.
즉, 터치 구동 신호(TDS)는 시간에 따라 전압이 변화하므로, 터치 구동 신호(TDS)가 인가된 공통 전극(COM)과 픽셀 전극(PXL) 사이에 영상 데이터에 대응하는 전압 차가 형성되지 않아 서브픽셀(SP)이 영상 데이터에 해당하는 밝기를 나타내지 못할 수 있다.
따라서, 데이터 라인(DL)으로 터치 구동 신호(TDS)에 기초하여 변조된 데이터 전압(Vdata)을 공급해줌으로써, 터치 구동 신호(TDS)가 인가된 공통 전극(COM)과 픽셀 전극(PXL) 사이에 영상 데이터에 대응하는 전압 차가 형성될 수 있도록 한다.
이러한 데이터 전압(Vdata)의 변조는, 일 예로, 데이터 구동 회로(130)에서 데이터 전압(Vdata)을 생성하기 위해 이용되는 감마 전압을 변조하는 방식을 통해 수행될 수 있다. 또는, 터치 디스플레이 패널(110)에 배치된 그라운드 전압을 변조시켜줌으로써 변조된 데이터 전압(Vdata)이 데이터 라인(DL)으로 공급되도록 할 수도 있다.
또한, 게이트 로우 전압(VGL)을 터치 구동 신호(TDS)에 기초하여 변조함으로써, 게이트 라인(GL)으로 변조된 스캔 신호가 인가되어 게이트 라인(GL)이 정상적으로 구동되도록 할 수 있다.
이와 같이, 데이터 라인(DL)으로 인가되는 데이터 전압(Vdata)과 게이트 라인(GL)으로 인가되는 스캔 신호를 터치 구동 신호(TDS)에 기초하여 변조해줌으로써, 디스플레이 구동과 터치 센싱을 동시에 수행하도록 할 수 있다.
도 5는 도 4에 도시된 디스플레이 구동과 터치 센싱의 타이밍에 따라 핑거 센싱 또는 펜 센싱을 수행하는 방식의 다양한 예시를 나타낸 도면이다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치(100)는, 디스플레이 구동만 수행할 수도 있고, 디스플레이 구동과 동시에 터치 센싱을 수행할 수도 있다. 그리고, 디스플레이 구동 기간 중 일부 기간 동안만 터치 센싱을 수행할 수도 있으며, 핑거 센싱(F/S)과 펜 센싱(P/S)을 서로 다른 기간에 수행하거나 동일한 기간에 수행할 수도 있다.
일 예로, 터치 디스플레이 장치(100)는, p번째 프레임에서와 같이, 한 프레임 동안 핑거 센싱(F/S) 및 펜 센싱(P/S)과 같은 터치 센싱을 수행하지 않고 디스플레이 구동만 수행할 수 있다.
또는, 터치 디스플레이 장치(100)는, q번째 프레임에서와 같이, 디스플레이 구동을 수행하는 기간 중 터치 센싱이 필요한 일부 기간 동안 핑거 센싱(F/S)이나 펜 센싱(P/S)과 같은 터치 센싱을 수행할 수 있다. 여기서, 핑거 센싱(F/S)과 펜 센싱(P/S)은 서로 중첩되지 않는 기간에 수행될 수도 있다.
또는, 터치 디스플레이 장치(100)는, r번째 프레임에서와 같이, 디스플레이 구동 기간에 터치 센싱을 수행할 수 있으며, 핑거 센싱(F/S)과 펜 센싱(P/S)을 중첩된 기간 동안 수행할 수도 있다. 이러한 경우, 핑거 센싱(F/S)과 펜 센싱(P/S) 각각의 센싱 결과는, 터치 컨트롤러에 의해 정해진 알고리즘이나 센싱 위치에 따른 신호 분석을 통해 구분될 수 있다.
이러한 예시들뿐만 아니라, 디스플레이 구동과 터치 센싱(핑거 센싱, 펜 센싱)은 독립적으로 다양한 타이밍에 수행될 수 있다.
따라서, 터치 센싱을 디스플레이 구동과 독립적으로 수행함으로써 터치 센싱 기간을 충분히 확보하며 터치 센싱의 성능을 향상시켜줄 수 있으나, 디스플레이 구동과 동시에 수행함에 따라 디스플레이 구동에 따른 기생 캐패시턴스가 터치 센싱 신호(TSS)의 노이즈를 발생시킬 수 있다.
본 발명의 실시예들은, 터치 라인(TL)과 디스플레이 구동을 위한 신호 라인 사이의 기생 캐패시턴스를 저감시켜 터치 센싱의 성능을 개선할 수 있는 방안을 제공한다.
도 6은 본 발명의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치(100)에서, 터치 라인(TL)과 데이터 라인(DL) 사이에 실딩 패턴(Shielding PTN)이 배치되는 개념을 나타낸 도면이다.
도 6을 참조하면, 터치 디스플레이 패널(110)에 배치된 터치 라인(TL)은 적어도 일부분이 디스플레이 구동을 위한 신호 라인과 중첩되어 배치될 수 있으며, 일 예로, 터치 디스플레이 패널(110)에 배치된 데이터 라인(DL)과 중첩되어 배치될 수 있다.
그리고, 디스플레이 구동 기간에 데이터 라인(DL)으로 데이터 전압(Vdata)이 인가될 수 있다. 또한, 디스플레이 구동 기간 중 적어도 일부 기간에 터치 센싱을 위한 터치 구동 신호(TDS)가 터치 라인(TL)으로 인가될 수 있다.
여기서, 설명의 편의를 위해, 터치 라인(TL)으로 인가되는 터치 구동 신호(TDS)가 정전압인 경우를 예시로 나타내나, 터치 구동 신호(TDS)는 펄스 형태의 교류 전압일 수 있다.
데이터 라인(DL)으로 인가되는 데이터 전압(Vdata)과 터치 라인(TL)으로 인가된 터치 구동 신호(TDS) 사이에 전위 차가 존재하므로, 데이터 라인(DL)과 터치 라인(TL) 사이에 기생 캐패시턴스 Cp가 형성될 수 있다.
따라서, 터치 라인(TL)으로 인가된 터치 구동 신호(TDS)가 데이터 라인(DL)으로 인가된 데이터 전압(Vdata)과 커플링되어, 데이터 전압(Vdata)의 변동에 따라 터치 구동 신호(TDS)에 크로스토크(DTX)가 발생할 수 있다. 그리고, 이러한 크로스토크(DTX)로 인해, 터치 센싱 신호(TSS)의 노이즈가 발생할 수 있다.
본 발명의 실시예들은, 터치 라인(TL)과 데이터 라인(DL) 사이에 실딩 패턴(Shielding PTN)을 배치함으로써, 데이터 라인(DL)에 의한 기생 캐패시턴스에 의해 터치 센싱 신호(TSS)의 노이즈가 발생하는 것을 방지할 수 있도록 한다.
일 예로, 실딩 패턴(Shielding PTN)은, 터치 라인(TL)과 데이터 라인(DL)이 중첩되는 영역에 배치될 수 있다. 또한, 중첩되는 영역을 포함하는 영역에 배치될 수 있다.
실딩 패턴(Shielding PTN)이, 터치 라인(TL)과 데이터 라인(DL)이 서로 중첩되는 영역에 배치되므로, 터치 라인(TL)과 데이터 라인(DL) 사이에 직접적인 기생 캐패시턴스가 형성되지 않도록 할 수 있다.
또한, 실딩 패턴(Shielding PTN)으로 터치 라인(TL)으로 인가되는 터치 구동 신호(TDS)와 대응되는 신호가 인가될 수 있다. 일 예로, 터치 구동 신호(TDS)와 진폭, 위상이 동일한 신호가 실딩 패턴(Shieling PTN)으로 인가될 수 있다.
따라서, 터치 라인(TL)과 실딩 패턴(Shielding PTN) 사이에 기생 캐패시턴스가 형성되지 않으므로, 실딩 패턴(Shieling PTN)과 데이터 라인(DL) 사이에 기생 캐패시턴스 Cp가 형성되더라도 터치 라인(TL)으로 검출되는 터치 센싱 신호(TSS)에 영향이 주지 않도록 할 수 있다.
즉, 디스플레이 구동 기간에 터치 센싱을 수행하더라도, 터치 라인(TL)을 통해 검출되는 터치 센싱 신호(TSS)에 크로스토크(DTX)가 발생하지 않도록 하여 터치 센싱의 성능을 개선할 수 있다.
전술한 예시는, 실딩 패턴(Shielding PTN)이, 터치 라인(TL)과 데이터 라인(DL) 사이에 배치되는 경우를 예시로 설명하고 있으나, 경우에 따라, 실딩 패턴(Shielding PTN)은 터치 라인(TL)과 디스플레이 구동을 위한 다른 신호 라인(예, 게이트 라인 등) 사이에 배치될 수도 있다.
그리고, 실딩 패턴(Shielding PTN)은, 터치 라인(TL)과 데이터 라인(DL) 사이에 별도의 메탈층을 형성하여 배치될 수도 있으나, 터치 디스플레이 패널(110)에 배치된 메탈층을 이용하여 배치될 수도 있다.
일 예로, 실딩 패턴(Shielding PTN)은, 터치 디스플레이 패널(110)에 배치되는 픽셀 전극(PXL)을 형성하는 메탈을 이용하여 배치될 수 있다.
또는, 실딩 패턴(Shielding PTN)은, 터치 디스플레이 패널(110)에 배치되는 공통 전극(COM)을 형성하는 메탈을 이용하여 배치될 수도 있다.
이러한 경우, 실딩 패턴(Shielding PTN)을 공통 전극(COM)과 일체로 형성함으로써, 실딩 패턴(Shielding PTN)으로 터치 구동 신호(TDS)와 대응되는 신호를 인가해주기 위한 구조를 별도로 형성하지 않아도 되는 이점을 제공할 수 있다.
이하에서는, 터치 라인(TL)과 데이터 라인(DL) 사이에 배치된 실딩 패턴(Shielding PTN)이 터치 전극(TE)으로 이용되는 공통 전극(COM)과 일체로 형성되는 경우를 예시로 설명한다.
즉, 실딩 패턴(Shieling PTN)은, 공통 전극(COM)과 일체로 형성된 것으로 볼 수도 있고, 공통 전극(COM)의 일부가 실딩 패턴(Shieling PTN)의 기능을 제공하는 것으로 볼 수도 있다.
도 7은 본 발명의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치(100)에서 실딩 패턴(Shielding PTN)이 배치된 평면 구조의 예시를 나타낸 도면이고, 도 8은 도 7에 도시된 A-A' 부분의 단면 구조의 예시를 나타낸 도면이다.
도 7과 도 8을 참조하면, 기판(SUB) 상에 게이트 전극(GAT)이 배치되고, 게이트 전극(GAT) 상에 게이트 절연층(GI)이 배치될 수 있다. 그리고, 경우에 따라, 기판(SUB)과 게이트 전극(GAT) 사이에 버퍼층과 같은 별도의 절연층이 추가로 배치될 수도 있다.
게이트 절연층(GI) 상에 액티브층(ACT)이 배치되고, 액티브층(ACT) 상에 데이터 라인(DL)과 소스드레인 전극(S/D)이 배치될 수 있다. 데이터 라인(DL)과 소스드레인 전극(S/D) 상에 제1 보호층(PAS1)과 평탄화층(PAC)이 배치되고, 평탄화층(PAC) 상에 공통 전극(COM)이 배치될 수 있다.
그리고, 공통 전극(COM) 상에 배치되는 픽셀 전극(PXL)은, 제2 보호층(PAS2)을 사이에 두고 공통 전극(COM)과 중첩되어 배치될 수 있으며, 컨택홀(CH)을 통해 소스드레인 전극(S/D)과 연결될 수 있다.
여기서, 공통 전극(COM)은, 터치 구동 신호(TDS)가 인가되는 터치 전극(TE)일 수 있다. 그리고, 공통 전극(COM) 상에 터치 라인(TL)이 배치될 수 있다.
즉, 공통 전극(COM)이 데이터 라인(DL)과 터치 라인(TL) 사이에 배치되어 실딩 패턴(Shielding PTN)의 기능을 제공할 수 있다.
이때, 공통 전극(COM)과 터치 라인(TL) 사이에 일정한 높이를 갖는 터치 로드 저감층(Hill)이 배치될 수 있다. 이러한 터치 로드 저감층(Hill)은, 공통 전극(COM) 상에서 공통 전극(COM)과 픽셀 전극(PXL)이 중첩되는 영역을 제외한 영역에 배치될 수 있으며, 공통 전극(COM)과 터치 라인(TL) 사이에 배치되어 터치 라인(TL)의 로드를 저감시켜줄 수 있다.
터치 라인(TL)이 공통 전극(COM)과 연결되는 부분에서는, 터치 로드 저감층(Hill)에 형성된 컨택홀을 통해 터치 라인(TL)과 공통 전극(COM)이 전기적으로 연결될 수 있으며, 도 8에 도시된 예시는, 터치 라인(TL)과 공통 전극(COM)이 연결되지 않는 부분의 단면을 나타낸다.
또한, 경우에 따라, 터치 로드 저감층(Hill)과 터치 라인(TL) 사이에 절연층이 추가로 배치되어, 터치 라인(TL)이 터치 로드 저감층(Hill)의 하부에 배치된 공통 전극(COM)과 쇼트가 발생하는 것을 방지해줄 수도 있다.
그리고, 공통 전극(COM) 상에서 터치 라인(TL)이 배치되지 않는 영역에는, 보상 패턴(MVC)을 배치하여 공통 전극(COM)의 저항을 감소시켜줄 수 있다.
여기서, 공통 전극(COM)은 일부분이 개구된 구조일 수 있다.
일 예로, 도 7에 도시된 예시와 같이, 공통 전극(COM) 상에 터치 라인(TL)이 배치되지 않은 부분 중 데이터 라인(DL)과 중첩된 부분의 일부나 게이트 전극(GAT), 소스드레인 전극(S/D) 등과 중첩된 부분이 개구된 구조일 수 있다.
즉, 공통 전극(COM)이 픽셀 전극(PXL)과 전계를 형성하는 부분을 제외한 부분의 일부를 개구된 구조로 배치함으로써, 공통 전극(COM)의 로드를 저감시켜줄 수 있다.
이와 같이, 공통 전극(COM)을 이용하여 터치 라인(TL)과 데이터 라인(DL) 사이에 실딩 패턴(Shielding PTN)이 배치되도록 함으로써, 터치 라인(TL)과 데이터 라인(DL) 사이에 기생 캐패시턴스가 형성되는 것을 방지하고 데이터 라인(DL)의 전압 변동에 의한 터치 센싱 신호(TSS)의 노이즈가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 공통 전극(COM) 상에 보상 패턴(MVC)를 배치하거나, 공통 전극(COM)의 일부를 개구된 구조로 형성함으로써, 공통 전극(COM)의 로드를 저감시켜줄 수 있다.
이때, 공통 전극(COM)이 터치 전극(TE)으로 이용되므로, 공통 전극(COM)은 터치 전극 블록 단위로 분리된 구조로 배치될 수 있다. 따라서, 공통 전극(COM)의 경계 영역에서 실딩 패턴(Shielding PTN)이 배치되지 않은 영역이 존재할 수 있다.
도 9는 도 7에 도시된 실딩 패턴(Shielding PTN)의 내측 영역에서 터치 라인(TL)과 데이터 라인(DL)이 배치된 구조의 예시를 나타낸 도면이다. 그리고, 도 10은 도 7에 도시된 실딩 패턴(Shielding PTN)의 경계 영역에서 터치 라인(TL)과 데이터 라인(DL)이 배치된 구조의 예시를 나타낸 도면이다.
도 9를 참조하면, 실딩 패턴(Shielding PTN)의 내측 영역, 즉, 터치 전극 블록의 내부에 터치 라인(TL)과 데이터 라인(DL)이 배치된 구조를 나타낸다.
여기서, 평면 구조는 설명의 편의를 위해, 데이터 라인(DL)의 하부에 배치된 구조를 제외하고 나타낸다.
터치 전극 블록의 내부에서 터치 라인(TL)과 데이터 라인(DL)은 적어도 일부분이 서로 중첩되어 배치될 수 있다.
그리고, 터치 라인(TL)과 데이터 라인(DL) 사이에 공통 전극(COM)으로 이루어진 실딩 패턴(Shielding PTN)이 배치될 수 있다. 따라서, 터치 라인(TL)과 데이터 라인(DL) 사이에 기생 캐패시턴스가 형성되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 실딩 패턴(Shielding PTN)이 공통 전극(COM)의 일부로 이루어짐에 따라, 실딩 패턴(Shielding PTN)으로 터치 구동 신호(TDS)에 대응되는 신호를 인가하기 위한 별도의 구조가 배치되지 않아도 되는 이점을 제공한다.
반면, 도 10을 참조하면, 터치 전극 블록의 경계 영역에서, 공통 전극(COM)은 서로 분리된 구조로 배치될 수 있다.
따라서, 공통 전극(COM)이 터치 라인(TL)과 데이터 라인(DL)이 중첩된 영역에 배치되지 않을 수 있어, 실딩 패턴(Shielding PTN)의 기능을 제공하지 못할 수 있다.
본 발명의 실시예들은, 터치 전극 블록의 경계 영역에서, 터치 라인(TL)과 데이터 라인(DL)의 회피 구조를 적용함으로써, 실딩 패턴(Shielding PTN)이 배치되지 않은 영역에서도 기생 캐패시턴스로 인한 터치 센싱 신호(TSS)의 노이즈가 발생하는 것을 방지할 수 있는 방안을 제공한다.
도 11은 도 7에 도시된 실딩 패턴(Shielding PTN)의 경계 영역에서 터치 라인(TL)과 데이터 라인(DL)이 배치된 구조의 예시를 나타낸 도면이다.
도 11을 참조하면, 인접한 공통 전극(COM) 사이의 영역에서, 데이터 라인(DL) 상에 제1 보호층(PAS1), 평탄화층(PAC) 등이 배치된다. 그리고, 평탄화층(PAC) 상에 터치 로드 저감층(Hill)과 터치 라인(TL)이 배치될 수 있다.
즉, 데이터 라인(DL) 상에 공통 전극(COM)이 배치되지 않을 수 있다.
이때, 데이터 라인(DL) 상에 위치하는 터치 라인(TL)은, 인접한 공통 전극(COM) 사이의 영역에서, 데이터 라인(DL)이 배치된 영역과 중첩된 영역을 제외한 영역에 배치될 수 있다.
일 예로, 터치 라인(TL)은, 인접한 공통 전극(COM) 사이의 영역에서, 일 방향으로 돌출되도록 꺾어진 구조로 배치될 수 있다.
즉, 터치 라인(TL)이 데이터 라인(DL)과 중첩되는 영역을 회피하도록 우회하는 구조로 배치될 수 있다.
또한, 터치 라인(TL)이 데이터 라인(DL)과 중첩되는 영역을 우회하도록 배치됨에 따라, 터치 라인(TL)의 하부에 배치되는 터치 로드 저감층(Hill)도 인접한 공통 전극(COM) 사이의 영역에서 꺾어진 구조로 배치될 수 있다.
그리고, 인접한 공통 전극(COM) 사이의 영역에서, 터치 라인(TL)의 경계는, 데이터 라인(DL)의 경계와 중첩되거나 데이터 라인(DL)의 경계의 외측에 위치할 수 있다.
터치 라인(TL)의 경계가 데이터 라인(DL)의 경계와 중첩되더라도, 터치 라인(TL)이 데이터 라인(DL)과 중첩되지 않도록 배치되므로, 터치 라인(TL)과 데이터 라인(DL) 사이에 형성되는 기생 캐패시턴스를 저감시켜줄 수 있다.
또한, 도 11에 도시된 예시와 같이, 터치 라인(TL)의 경계와 데이터 라인(DL)의 경계가 일정한 간격 d만큼 이격되도록 터치 라인(TL)이 배치될 수도 있다. 따라서, 터치 라인(TL)과 데이터 라인(DL) 사이에 수평 방향이나 사선 방향으로 형성되는 기생 캐패시턴스도 저감시켜줄 수 있다.
또는, 터치 라인(TL)의 경계와 데이터 라인(DL)의 경계가 중첩되도록 터치 라인(TL)이 배치될 수도 있다. 또한, 경우에 따라, 터치 라인(TL)의 일부분이 데이터 라인(DL)과 중첩되도록 배치될 수도 있다. 이러한 경우, 터치 라인(TL)과 데이터 라인(DL)이 중첩된 부분의 면적이 터치 라인(TL)과 데이터 라인(DL)이 중첩되지 않는 부분의 면적보다 작도록 하여 터치 라인(TL)과 데이터 라인(DL) 사이에 형성되는 기생 캐패시턴스를 저감시켜줄 수 있다.
이와 같이, 실딩 패턴(Shielding PTN)의 기능을 제공하는 공통 전극(COM)이 배치되지 않은 터치 전극 블록의 경계 영역에서, 터치 라인(TL)과 데이터 라인(DL)이 중첩되지 않게 배치되도록 함으로써 기생 캐패시턴스에 의한 터치 센싱 신호(TSS)의 노이즈가 발생하지 않도록 할 수 있다.
이러한 터치 라인(TL)의 회피 구조는 터치 라인(TL)이 우회하는 구조를 통해 형성될 수도 있으나, 데이터 라인(DL)이 우회하는 구조를 통해 형성될 수도 있다.
도 12a 내지 도 12d는 도 11에 도시된 실딩 패턴(Shielding PTN)의 경계 영역에서 터치 라인(TL)과 데이터 라인(DL)이 배치된 구조의 다양한 예시를 나타낸 도면이다.
도 12a를 참조하면, 인접한 공통 전극(COM) 사이의 영역에서, 터치 라인(TL)은 제1 방향으로 돌출되도록 꺾어진 구조로 배치될 수 있다. 또는, 경우에 따라, 터치 라인(TL)은 제2 방향으로 돌출되도록 꺾어진 구조로 배치될 수도 있다.
즉, 터치 라인(TL)은, 데이터 라인(DL)이 배치된 방향과 교차하는 방향으로 돌출되도록 꺾어진 구조로 배치되어 데이터 라인(DL)과 중첩되지 않게 배치될 수 있다.
그리고, 터치 라인(TL)의 하부에 배치된 터치 로드 저감층(Hill)도 터치 라인(TL)의 배치 구조에 따라 꺾어진 구조로 배치될 수 있다.
따라서, 인접한 공통 전극(COM) 사이의 영역에서, 터치 라인(TL)과 데이터 라인(DL) 사이에 형성되는 기생 캐패시턴스를 저감시켜줄 수 있다.
또는, 데이터 라인(DL)이 터치 라인(TL)이 배치된 영역을 회피하는 구조로 배치될 수도 있다.
도 12b를 참조하면, 인접한 공통 전극(COM) 사이의 영역에서, 데이터 라인(DL)은 제2 방향으로 돌출되도록 꺾어진 구조로 배치될 수 있다. 또는, 경우에 따라, 데이터 라인(DL)은 제1 방향으로 돌출되도록 꺾어진 구조로 배치될 수도 있다.
즉, 터치 라인(TL)과 중첩된 영역에 위치하는 데이터 라인(DL)이 터치 라인(TL)과 교차하는 방향으로 돌출되도록 꺾어진 구조로 배치되도록 함으로써, 인접한 공통 전극(COM) 사이의 영역에서, 터치 라인(TL)과 데이터 라인(DL)이 중첩되지 않게 배치되도록 할 수도 있다.
따라서, 인접한 공통 전극(COM) 사이의 영역에서, 터치 라인(TL)과 데이터 라인(DL) 사이에 형성되는 기생 캐패시턴스를 저감시켜 터치 센싱의 성능을 개선할 수 있다.
또한, 데이터 라인(DL)의 우회 구조를 적용함으로써, 터치 로드 저감층(Hill)이 인접한 공통 전극(COM) 사이의 영역에서, 꺾어진 구조로 배치되지 않도록 할 수 있다.
또는, 인접한 공통 전극(COM) 사이의 영역에서, 터치 라인(TL)과 데이터 라인(DL)이 모두 꺾어진 구조로 배치되도록 할 수도 있다.
도 12c를 참조하면, 인접한 공통 전극(COM) 사이의 영역에서, 터치 라인(TL)은 제1 방향으로 돌출되도록 꺾어진 구조로 배치될 수 있다. 또한, 인접한 공통 전극(COM) 사이의 영역에 배치된 터치 로드 저감층(Hill)도 터치 라인(TL)의 배치 구조에 따라 꺾어진 구조로 배치될 수 있다.
그리고, 인접한 공통 전극(COM) 사이의 영역에서, 데이터 라인(DL)은, 제2 방향으로 돌출되도록 꺾어진 구조로 배치될 수 있다.
즉, 터치 라인(TL)이 돌출된 방향과 반대 방향으로 데이터 라인(DL)이 돌출되도록 배치될 수 있다.
이와 같이, 인접한 공통 전극(COM) 사이의 영역에서, 터치 라인(TL)과 데이터 라인(DL)이 서로 반대 방향으로 해당 영역을 우회하는 구조로 배치됨에 따라, 터치 라인(TL)과 데이터 라인(DL)의 경계 사이의 간격을 증가시켜줄 수 있다.
따라서, 터치 라인(TL)과 데이터 라인(DL) 사이에 형성되는 기생 캐패시턴스를 더욱 저감시켜줄 수 있다.
또는, 경우에 따라, 인접한 공통 전극(COM) 사이의 영역에 배치되는 터치 라인(TL)이나 데이터 라인(DL)의 폭을 조정하여 터치 라인(TL)과 데이터 라인(DL) 사이에 기생 캐패시턴스가 형성되는 것을 방지해줄 수도 있다.
도 12d를 참조하면, 인접한 공통 전극(COM) 사이의 영역에서, 터치 라인(TL)의 폭은 터치 라인(TL)이 공통 전극(COM)과 중첩된 부분의 폭보다 좁을 수 있다.
또한, 인접한 공통 전극(COM) 사이의 영역에서, 데이터 라인(DL)의 폭은 데이터 라인(DL)이 공통 전극(COM)과 중첩된 부분의 폭보다 좁을 수 있다.
그리고, 터치 라인(TL)의 폭이 좁은 부분과 데이터 라인(DL)의 폭이 좁은 부분은 서로 중첩되지 않게 배치될 수 있다.
즉, 공통 전극(COM)이 배치되지 않은 영역에서, 터치 라인(TL)과 데이터 라인(DL)의 폭을 조정하여 터치 라인(TL)과 데이터 라인(DL)이 중첩되지 않도록 함으로써, 해당 영역에서 터치 라인(TL)과 데이터 라인(DL) 사이에 기생 캐패시턴스가 형성되는 것을 방지할 수 있다.
이와 같이, 공통 전극(COM)과 일체로 이루어진 실딩 패턴(Shielding PTN)이 배치될 수 없는 터치 전극 블록의 경계 영역에서, 터치 라인(TL)과 데이터 라인(DL)이 중첩되지 않게 배치되도록 함으로써, 기생 캐패시턴스로 인한 터치 센싱 신호(TSS)의 노이즈를 감소시켜줄 수 있다.
따라서, 디스플레이 구동과 동시에 수행하는 터치 센싱의 감도를 향상시켜, 터치 센싱의 성능을 개선할 수 있도록 한다.
또한, 전술한 터치 라인(TL)과 데이터 라인(DL)의 회피 구조는 예시이므로, 인접한 공통 전극(COM) 사이의 영역에서, 터치 라인(TL)과 데이터 라인(DL)은 서로 중첩되지 않는 다양한 구조로 구현될 수도 있다.
한편, 본 발명의 실시예들은, 터치 전극 블록의 경계 영역에서 터치 라인(TL)과 데이터 라인(DL)의 회피 구조를 적용함에 따라, 터치 전극 블록 내부 영역에서 터치 전극 블록 경계 영역에서의 구조가 동일하게 적용되도록 할 수도 있다.
도 13은 본 발명의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치(100)에서 터치 전극 블록의 내부와 경계 영역에서 터치 라인(TL)과 데이터 라인(DL)이 배치된 평면 구조의 예시를 나타낸 도면이다. 그리고, 도 14는 도 13에 도시된 터치 전극 블록의 내부와 경계 영역에서 터치 라인(TL)과 데이터 라인(DL)이 배치된 평면 구조를 확대해서 나타낸 도면이다.
도 13과 도 14를 참조하면, 터치 디스플레이 패널(110)에서 다수의 데이터 라인(DL)이 일 방향으로 배치되고, 데이터 라인(DL) 상에 다수의 터치 라인(TL)이 데이터 라인(DL)이 배치된 방향과 동일한 방향으로 배치될 수 있다. 여기서, 터치 라인(TL)은 적어도 일부분이 데이터 라인(DL)과 중첩될 수 있다.
그리고, 데이터 라인(DL)과 터치 라인(TL) 사이에 다수의 공통 전극(COM)이 배치될 수 있다.
이러한 공통 전극(COM)은, 터치 디스플레이 패널(110)에서 서로 분리된 구조로 배치됨으로써, 터치 전극(TE)으로 이용될 수 있다.
즉, 공통 전극(COM)은, 터치 전극 블록 단위로 분리된 구조로 배치될 수 있다.
그리고, 전술한 바와 같이, 공통 전극(COM)이 픽셀 전극(PXL)과 전계는 형성하는 영역을 제외한 영역 중 일부 영역은 개구된 구조일 수 있다.
이때, 터치 라인(TL)과 데이터 라인(DL) 사이에 배치된 공통 전극(COM)은, 터치 라인(TL)과 데이터 라인(DL) 사이의 기생 캐패시턴스 형성을 방지하는 실딩 패턴(Shielding PTN)의 기능을 제공할 수 있다. 또는, 공통 전극(COM)의 일부를 실딩 패턴(Shielding PTN)으로 볼 수도 있다.
여기서, 터치 전극 블록의 경계 영역, 즉, 공통 전극(COM)이 배치되지 않은 영역에서, 터치 라인(TL)은, 데이터 라인(DL)과 중첩된 영역을 우회하는 구조로 배치될 수 있다. 그리고, 터치 라인(TL)의 우회 구조에 따라 터치 라인(TL)의 하부에 배치된 터치 로드 저감층(Hill)도 우회하는 구조로 배치될 수 있다.
또는, 전술한 예시와 같이, 데이터 라인(DL)이 우회하는 구조이거나, 터치 라인(TL)과 데이터 라인(DL)이 모두 우회하는 구조이거나, 터치 라인(TL)과 데이터 라인(DL)의 폭이 조정된 구조일 수도 있다.
따라서, 터치 전극 블록 사이에 배치된 터치 라인(TL)과 데이터 라인(DL) 사이에 형성되는 기생 캐패시턴스를 저감시켜줄 수 있다.
또한, 터치 전극 블록의 내부 영역에 배치된 터치 라인(TL)과 데이터 라인(DL)은, 터치 전극 블록의 경계 영역에서의 터치 라인(TL)과 데이터 라인(DL)의 구조가 일정한 간격으로 반복될 수 있다. 일 예로, 도 13에 도시된 예시와 같이, 제1 터치 전극 블록의 내부 및 제2 터치 전극 블록의 내부에서, 터치 라인(TL)들은 적어도 일부 구조가 꺾이는 형태로 배치될 수 있다. 이때, 데이터 라인(DL)들은 거의 일직선 형태로 배치될 수 있으며, 또한, 데이터 라인(DL)들은 적어도 일부 구조가 꺾이는 형태로 배치될 수 있다. 그러한 경우, 데이터 라인(DL)들은 터치 라인(TL)들보다 상대적으로 덜 꺾인 구조로 배치될 수 있다. 또한, 다른 실시예로서, 제1 터치 전극 블록의 내부 및 제2 터치 전극 블록의 내부에서, 데이터 라인(DL)들은 적어도 일부 구조가 꺾이는 형태로 배치될 수 있다. 이때, 터치 라인(TL)들은 거의 일직선 형태로 배치될 수 있으며, 또한, 터치 라인(TL)들은 적어도 일부 구조가 꺾이는 형태로 배치될 수 있다. 그러한 경우, 터치 라인(TL)들은 데이터 라인(DL)들보다 상대적으로 덜 꺾인 구조로 배치될 수 있다.
즉, 도 13과 도 14에 도시된 예시와 같이, 터치 전극 블록의 경계 영역에서 터치 라인(TL)이 우회하는 구조인 경우, 터치 전극 블록의 내부 영역에서 터치 라인(TL)이 우회하는 구조가 동일하게 반복될 수 있다. 또한, 터치 전극 블록의 내부 영역에서 터치 로드 저감층(Hill)의 우회하는 구조도 동일하게 반복될 수 있다.
또는, 터치 전극 블록의 경계 영역에서 데이터 라인(DL)이 우회하는 구조인 경우, 터치 전극 블록의 내부 영역에서 데이터 라인(DL)이 우회하는 구조가 동일하게 반복될 수 있다.
즉, 터치 전극 블록의 경계 영역에서 터치 라인(TL)과 데이터 라인(DL)이 중첩되지 않게 배치된 구조와 동일한 패턴으로 터치 전극 블록의 내부 영역에 터치 라인(TL)과 데이터 라인(DL)이 배치될 수 있다.
또한, 도 13에서, 제1 터치 라인(TL1)과 제1 데이터 라인(DL1)은 서로 중첩되지 않는 영역보다 서로 중첩되는 영역이 더 넓은 다수의 제1 영역(Area1)을 포함할 수 있다. 또한, 제1 터치 라인(TL1)과 제1 데이터 라인(DL1)은 서로 중첩되는 영역보다 서로 중첩되지 않는 영역이 더 넓은 다수의 제2 영역(Area2)을 포함할 수 있다. 여기서, 제2 영역(Area2)에서, 터치 라인(TL)의 일부 구간은 데이터 라인(DL)과 중첩되지 않도록 배치될 수 있다. 또는, 터치 라인(TL)의 일부 구간은 데이터 라인(DL)과 중첩되지 않으면서, 터치 라인(TL)의 경계와 데이터 라인(DL)의 경계가 중첩되도록 배치될 수도 있다. 또한, 터치 라인(TL)의 일부 구간은 일부분이 데이터 라인(DL)과 중첩되되, 터치 라인(TL)과 데이터 라인(DL)이 중첩된 부분의 면적이 터치 라인(TL)과 데이터 라인(DL)이 중첩되지 않는 부분의 면적보다 작을 수 있다.
또한, 제1 영역(Area1)과 제2 영역(Area2)은 제1 터치 라인(TL1)과 제1 데이터 라인(DL1)이 배치된 방향을 따라 반복 배치될 수 있으며, 제1 터치 전극 블록 및 제2 터치 전극 블록의 경계 영역에는 제2 영역(Area2)만 배치될 수 있다. 왜냐하면, 2개의 터치 전극 블록의 경계 영역에는, 공통 전극(COM) 또는 실딩 패턴(Shielding PTN)이 없기 때문에, 터치 라인(TL)과 데이터 라인(DL)의 오버랩 캐패시턴스를 줄이기 위해, 터치 라인(TL)과 데이터 라인(DL)의 중첩 영역이 적은 제2 영역(Area2)이 2개의 터치 전극 블록의 경계 영역에 배치될 수 있다.
또한, 제1 터치 전극 블록의 제1 터치 전극은 제1 터치 전극 블록 및 제2 터치 전극 블록의 경계 영역으로 제1 터치 전극의 일부가 돌출된 돌출부(1300)를 포함하며, 돌출부(1300)는 제1 터치 라인(TL1) 및 제1 데이터 라인(DL1) 중 적어도 하나와 중첩될 수 있다.
또한, 제1 터치 라인(TL1)의 하부에서 제1 터치 라인(TL1)이 배치된 방향을 따라 배치된 제1 터치 로드 저감층(Hill)이 배치될 수 있다.
또한, 제1 터치 라인(TL1)의 꺾임 구조는 제1 데이터 라인(DL1)의 꺾임 구조보다 더 많을 수 있다. 또는, 제1 데이터 라인(DL1)의 꺾임 구조는 제1 터치 라인(TL1)의 꺾임 구조보다 더 많을 수 있다.
또한, 제3 터치 전극을 포함하는 제3 터치 전극 블록을 더 포함할 수 있으며, 제1 터치 라인(TL1)은 제3 터치 전극 블록의 제3 터치 전극과 전기적으로 연결될 수 있다.
이와 같이, 터치 전극 블록의 경계 영역에서의 터치 라인(TL)과 데이터 라인(DL)의 구조가 일정한 간격으로 반복되어 배치되도록 함으로써, 터치 라인(TL)이나 데이터 라인(DL)의 우회 구조로 인한 화상 이상이 발생하는 것을 방지할 수 있도록 한다.
전술한 본 발명의 실시예들은, 터치 전극(TE)으로 이용되는 공통 전극(COM)의 일부가 터치 라인(TL)과 데이터 라인(DL) 사이에 배치되도록 함으로써, 터치 라인(TL)과 데이터 라인(DL) 사이의 기생 캐패시턴스를 저감시켜줄 수 있도록 한다.
또한, 터치 전극 블록의 경계 영역에서, 터치 라인(TL)과 데이터 라인(DL)이 중첩되지 않게 배치되도록 함으로써, 공통 전극(COM)이 배치되지 않은 영역에서도 터치 라인(TL)과 데이터 라인(DL) 사이의 기생 캐패시턴스가 발생하지 않도록 할 수 있다.
또한, 터치 전극 블록의 내부 영역에서, 터치 전극 블록의 경계 영역에서의 터치 라인(TL) 및 데이터 라인(DL)의 구조가 일정한 간격으로 반복되도록 함으로써, 터치 전극 블록의 경계 영역에서의 터치 라인(TL)과 데이터 라인(DL)의 구조로 인한 화상 이상이 발생하지 않도록 한다.
이와 같이, 디스플레이 구동을 위한 신호 라인과 터치 라인(TL) 간의 기생 캐패시턴스를 저감시켜 터치 센싱 신호(TSS)의 노이즈를 방지함으로써, 디스플레이 구동과 동시에 수행하는 터치 센싱의 감도를 향상시켜 터치 센싱의 성능을 개선할 수 있도록 한다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 또한, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이므로 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 터치 디스플레이 장치 110: 터치 디스플레이 패널
120: 게이트 구동 회로 130: 데이터 구동 회로
140: 컨트롤러 150: 터치 구동 회로

Claims (24)

  1. 다수의 데이터 라인들;
    적어도 일부분이 상기 데이터 라인과 중첩되는 다수의 터치 라인들; 및
    상기 데이터 라인과 상기 터치 라인 사이에 배치된 다수의 실딩 패턴들을 포함하고,
    상기 다수의 실딩 패턴들 중 전기적으로 분리되고 인접하게 배치된 제1 실딩 패턴과 제2 실딩 패턴 사이의 영역에서,
    상기 터치 라인은 상기 데이터 라인이 배치된 영역과 중첩된 영역을 제외한 영역에 배치되고, 상기 터치 라인의 양측 경계 중 상기 데이터 라인과 인접한 경계는 상기 데이터 라인의 경계와 중첩되거나 상기 데이터 라인의 경계의 외측에 위치하는 터치 디스플레이 패널.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 실딩 패턴과 상기 제2 실딩 패턴 사이의 영역에서, 상기 터치 라인 또는 상기 데이터 라인은 상기 터치 라인 또는 상기 데이터 라인이 배치된 방향과 교차하는 방향으로 돌출되도록 꺾어진 구조인 터치 디스플레이 패널.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 실딩 패턴과 상기 제2 실딩 패턴 사이의 영역에서, 상기 터치 라인은 일 방향으로 돌출되도록 꺾어진 구조이고, 상기 데이터 라인은 상기 터치 라인이 돌출된 방향과 반대 방향으로 돌출되도록 꺾어진 구조인 터치 디스플레이 패널.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 실딩 패턴과 상기 제2 실딩 패턴 사이의 영역에 배치된 상기 터치 라인 및 상기 데이터 라인 중 적어도 하나의 폭은, 상기 실딩 패턴과 중첩된 부분의 폭보다 좁은 터치 디스플레이 패널.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 터치 라인 및 상기 데이터 라인이 상기 실딩 패턴과 중첩된 부분은, 상기 제1 실딩 패턴과 상기 제2 실딩 패턴 사이의 영역에서의 구조가 일정한 간격으로 반복되는 터치 디스플레이 패널.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 터치 라인과 전기적으로 연결된 다수의 공통 전극들을 더 포함하고,
    상기 실딩 패턴은 상기 공통 전극과 동일한 층에 배치되고, 상기 다수의 공통 전극들 중 하나의 공통 전극과 일체로 이루어진 터치 디스플레이 패널.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 공통 전극 상에 배치된 다수의 픽셀 전극들; 및
    상기 공통 전극과 상기 픽셀 전극이 중첩된 영역을 제외한 영역 중 적어도 일부 영역에 배치되고, 상기 실딩 패턴과 상기 터치 라인 사이에 배치된 터치 로드 저감층을 더 포함하는 터치 디스플레이 패널.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 실딩 패턴과 일체로 이루어진 상기 공통 전극은 일부분이 개구된 터치 디스플레이 패널.
  9. 제1항에 있어서,
    디스플레이 구동 기간 중 적어도 일부 기간에 상기 다수의 터치 라인들 중 적어도 하나의 터치 라인으로 터치 구동 신호가 인가되고, 상기 다수의 데이터 라인들 중 적어도 하나의 데이터 라인으로 상기 터치 구동 신호에 기초하여 변조된 데이터 전압이 인가되는 터치 디스플레이 패널.
  10. 데이터 라인;
    상기 데이터 라인 상에 배치된 평탄화층;
    상기 평탄화층 상에 배치된 공통 전극;
    상기 공통 전극 상에 배치된 터치 로드 저감층; 및
    상기 터치 로드 저감층 상에 배치된 터치 라인을 포함하고,
    상기 터치 라인이 상기 공통 전극과 중첩된 부분은, 적어도 일부분이 상기 데이터 라인과 중첩되고,
    상기 터치 라인이 상기 공통 전극 중 인접한 공통 전극 사이에 배치된 부분은, 상기 데이터 라인과 중첩된 영역을 제외한 영역에 배치되고, 상기 터치 라인의 양측 경계 중 상기 데이터 라인과 인접한 경계는 상기 데이터 라인의 경계와 중첩되거나 상기 데이터 라인의 경계의 외측에 위치하는 터치 디스플레이 패널.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 인접한 공통 전극 사이의 영역에서, 상기 터치 라인 또는 상기 데이터 라인은 상기 터치 라인 또는 상기 데이터 라인이 배치된 방향과 교차하는 방향으로 돌출되도록 꺾어진 구조인 터치 디스플레이 패널.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 인접한 공통 전극 사이의 영역에서, 상기 터치 라인은 일 방향으로 돌출되도록 꺾어진 구조이고, 상기 데이터 라인은 상기 터치 라인이 돌출된 방향과 반대 방향으로 돌출되도록 꺾어진 구조인 터치 디스플레이 패널.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 인접한 공통 전극 사이의 영역에 배치된 상기 터치 라인 및 상기 데이터 라인 중 적어도 하나의 폭은, 상기 공통 전극과 중첩된 부분의 폭보다 좁은 터치 디스플레이 패널.
  14. 제10항에 있어서,
    상기 터치 라인 및 상기 데이터 라인이 상기 공통 전극과 중첩된 부분은, 상기 인접한 공통 전극 사이의 영역에서의 구조가 일정한 간격으로 반복되는 터치 디스플레이 패널.
  15. 패널에 내장된 다수의 터치 전극들;
    상기 다수의 터치 전극들 각각과 전기적으로 연결된 다수의 터치 라인들;
    일부분이 상기 터치 라인과 중첩되는 다수의 데이터 라인들; 및
    상기 터치 라인과 상기 데이터 라인 사이에 배치된 다수의 실딩 패턴들을 포함하고,
    상기 다수의 실딩 패턴들 중 전기적으로 분리되고 인접하게 배치된 제1 실딩 패턴과 제2 실딩 패턴 사이의 영역에서,
    상기 터치 라인은 상기 데이터 라인이 배치된 영역과 중첩된 영역을 제외한 영역에 배치되고, 상기 터치 라인의 양측 경계 중 상기 데이터 라인과 인접한 경계는 상기 데이터 라인의 경계와 중첩되거나 상기 데이터 라인의 경계의 외측에 위치하는 터치 디스플레이 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 터치 라인과 상기 데이터 라인이 상기 실딩 패턴과 중첩된 부분은, 상기 제1 실딩 패턴과 상기 제2 실딩 패턴 사이의 영역에서의 구조가 일정한 간격으로 반복되는 터치 디스플레이 장치.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 다수의 실딩 패턴들은 상기 터치 전극과 동일한 층에 배치되고, 상기 다수의 터치 전극들 중 하나의 터치 전극과 일체로 이루어진 터치 디스플레이 장치.
  18. 제15항에 있어서,
    상기 다수의 터치 전극들 중 적어도 하나의 터치 전극으로 터치 구동 신호가 인가되는 기간 중 적어도 일부 기간에 상기 다수의 데이터 라인들 중 적어도 하나의 데이터 라인으로 상기 터치 구동 신호에 기초하여 변조된 데이터 전압이 인가되는 터치 디스플레이 장치.
  19. 제1 데이터 라인;
    제1 터치 라인;
    제1 터치 전극을 포함하는 제1 터치 전극 블록; 및
    제2 터치 전극을 포함하고, 상기 제1 터치 전극 블록과 인접하여 배치된 제2 터치 전극 블록을 포함하고,
    상기 제1 터치 라인 및 상기 제1 데이터 라인은 상기 제1 터치 전극 블록 및 상기 제2 터치 전극 블록과 중첩되어 배치되며,
    상기 제1 터치 라인과 상기 제1 데이터 라인은 서로 중첩되지 않는 영역보다 서로 중첩되는 영역이 더 넓은 다수의 제1 영역을 포함하고,
    상기 제1 터치 라인과 상기 제1 데이터 라인은 서로 중첩되는 영역보다 서로 중첩되지 않는 영역이 더 넓은 다수의 제2 영역을 포함하고,
    상기 제1 영역과 상기 제2 영역은 상기 제1 터치 라인과 상기 제1 데이터 라인이 배치된 방향을 따라 반복 배치되며,
    상기 제1 터치 전극 블록 및 상기 제2 터치 전극 블록의 경계 영역에는 상기 제2 영역만 배치되는 터치 디스플레이 장치.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 제1 터치 전극 블록의 상기 제1 터치 전극은 상기 제1 터치 전극 블록 및 상기 제2 터치 전극 블록의 경계 영역으로 상기 제1 터치 전극의 일부가 돌출된 돌출부를 포함하며, 상기 돌출부는 상기 제1 터치 라인 및 상기 제1 데이터 라인 중 적어도 하나와 중첩되는 터치 디스플레이 장치.
  21. 제19항에 있어서,
    상기 제1 터치 라인의 하부에서 상기 제1 터치 라인이 배치된 방향을 따라 배치된 제1 터치 로드 저감층을 더 포함하는 터치 디스플레이 장치.
  22. 제19항에 있어서,
    상기 제1 터치 라인의 꺾임 구조는 상기 제1 데이터 라인의 꺾임 구조보다 더 많은 터치 디스플레이 장치.
  23. 제19항에 있어서,
    상기 제1 데이터 라인의 꺾임 구조는 상기 제1 터치 라인의 꺾임 구조보다 더 많은 터치 디스플레이 장치.
  24. 제19항에 있어서,
    제3 터치 전극을 포함하는 제3 터치 전극 블록을 더 포함하고,
    상기 제1 터치 라인은 상기 제3 터치 전극 블록의 상기 제3 터치 전극과 전기적으로 연결된 터치 디스플레이 장치.
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