TWI826183B - 觸控顯示器及感測方法 - Google Patents

Abstract

觸控顯示器及感測方法。觸控顯示器包括基板、顯示陣 列、觸碰感測器及控制器。顯示陣列設置於基板上，顯示陣列的上層包含有屏蔽金屬層。觸碰感測器設置於顯示陣列的上方。控制器耦接顯示陣列及觸碰感測器。控制器用以在第一時間區間中，致能顯示陣列以進行顯示，並由觸碰感測器獲得第一感測結果。在第二時間區間中，禁能顯示陣列，並由觸碰感測器獲得第二感測結果。依據第一感測結果以及第二感測結果產生觸控顯示器是否接收到使用者觸碰的觸碰判斷結果。

Description

觸控顯示器及感測方法

本發明是有關於一種電子裝置及方法，且特別是有關於一種觸控顯示器及感測方法。

現有的觸控顯示器在進行觸控操作時，由於觸控顯示器需同時進行顯示及觸控感測，導致觸控顯示器中的觸碰感測器很容易受到雜訊影響而判斷錯誤。

本發明的觸控顯示器及感測方法可改善觸碰感測器的誤判。

本發明的觸控顯示器包括基板、顯示陣列、觸碰感測器及控制器。顯示陣列，設置於基板上，顯示陣列的上層包含有屏蔽金屬層。觸碰感測器設置於顯示陣列的上方。控制器耦接顯示陣列及觸碰感測器。控制器用以在第一時間區間中，致能顯示陣列以進行顯示，並由觸碰感測器獲得第一感測結果。在第二時間區間中，禁能顯示陣列，並由觸碰感測器獲得第二感測結果。依據第一感測結 果以及第二感測結果產生觸控顯示器是否接收到使用者觸碰的觸碰判斷結果。

本發明的感測方法，應用於觸控顯示器，其中觸控顯示器包括顯示陣列及觸碰感測器。顯示陣列包含有位於顯示陣列上層且位於觸碰感測器的下方的屏蔽金屬層。感測方法包括在第一時間區間中，致能顯示陣列以進行顯示，並控制觸碰感測器獲得第一感測結果；在第二時間區間中，禁能顯示陣列，並控制觸碰感測器獲得第二感測結果；以及依據第一感測結果以及第二感測結果產生觸控顯示器是否接收到使用者觸碰的觸碰判斷結果。

基於上述，本發明的觸控顯示器及感測方法可在禁能顯示操作的時候進行觸碰感測來獲得感測訊號，以有效排除顯示操作時所產生雜訊的干擾。

1:觸控顯示器

10:透明片

11:觸碰感測器

12:顯示陣列

13:基板

14:控制器

60:驅動電路

60~64:電晶體

70:陣列上閘極電路

71:觸控顯示驅動電路

120:屏蔽金屬層

121:顯示單元層

122:電路層

C1:電容

VDD:操作電壓

VSS:接地電壓

SEM、STX、SVBI:訊號

FR1、FR2、FR1’、FR2’:畫框時間

T11~T14、T21、T22、T11’~T14’、T21’:時間區間

S30~S32、S50~S55:步驟

EM1~EMn、EMm:激光訊號

EMO1~EMOn、EMOm:輸出激光訊號

PX:畫素電路

MUX:多工器電路

圖1為本發明實施例一觸控顯示器的示意圖。

圖2為圖1的觸控顯示器的操作波型示意圖。

圖3為本發明實施例一感測方法的流程圖。

圖4為圖1的觸控顯示器的另一操作波型示意圖。

圖5為本發明實施例一感測方法的流程圖。

圖6A為驅動圖的顯示陣列的其中一種實施例的電路示意圖。

圖6B為圖6A中畫素電路的電路圖。

圖7為驅動圖的顯示陣列的其中另一種實施例的電路示意圖。

圖8為用來驅動圖6A、7中顯示陣列的驅動訊號波型示意圖。

圖1為本發明實施例一觸控顯示器1的示意圖。圖1中所繪示的觸控顯示器1包含有部分結構的剖面側視圖，以及部分電路的方塊示意圖，用來概念性的說明觸控顯示器1整體的結構與連接關係。觸控顯示器1包括透明片10、觸碰感測器11、顯示陣列12、基板13及控制器14。就結構上來說，顯示陣列12是設置於基板13上。顯示陣列12中還包含有屏蔽金屬層120、顯示單元層121及電路層122，且屏蔽金屬層120是設置在整體顯示陣列12的上方。進一步，顯示陣列12的上方覆蓋有透明片10，而觸碰感測器11則設置在透明片10的下方。如此一來，顯示陣列12及觸碰感測器11被設置在基板13及透明片10之間，以顯示陣列12設置在基板13上且觸碰感測器11設置在透明片10之下的方式而設置，使觸碰感測器11鄰近於顯示陣列12的屏蔽金屬層120而設置。

就操作上而言，控制器14耦接於觸碰感測器11及顯示陣列12。顯示陣列12可依據控制器14的控制來顯示畫面。另一方面，觸控感測器11還可依據控制器14的控制來針對使用者的觸碰進行感測，並將感測結果提供給控制器14。在一些實施例中，在第一時間區間中，控制器14可致能顯示陣列12以進行顯示， 並在顯示陣列12進行顯示的第一時間區間中，控制觸碰感測器11進行感測以獲得第一感測結果。進一步，在第一時間之後的第二時間區間中，控制器14可禁能顯示陣列12，並在顯示陣列12未進行顯示的第二時間區間中，控制器14控制觸碰感測器11進行感測以獲得第二感測結果。在第一時間區間及第二時間區間之後，控制器14可依據第一感測結果以及第二感測結果來產生觸控顯示器1是否接收到使用者觸碰的觸碰判斷結果。

在一實施例中，透明片10是玻璃片，而設置在透明片10下方的觸碰感測器11與屏蔽金屬層120之間的距離相當接近。舉例來說，碰感測器11與屏蔽金屬層120之間的距離可小於5微米。在此情況下，顯示陣列12在操作時所產生的雜訊會透過空氣(即電容C1)耦合至觸碰感測器11，使觸碰感測器11產生錯誤的感測結果。雖然在圖1中所繪示的觸碰感測器11是設置在透明片10的下方，但觸碰感測器11的各種設置位置應屬於本實施例的變化範疇內。舉例來說，透明片10也可以是可撓式軟性基板，而觸碰感測器11是設置在透明片10的上方，而透明片10的厚度亦可導致觸碰感測器11被屏蔽金屬層120上的雜訊所影響即可。

在一些實施例中，為了屏蔽顯示陣列12所產生的雜訊，設置在顯示陣列12上層的屏蔽金屬層120可接收具有固定電壓準位的參考電壓，進而維持觸碰感測器11在操作時的訊號完整性(signal integrity)。舉例來說，屏蔽金屬層120可以接收顯示單元層121及電路層122的接地電壓VSS來做為參考電壓，以屏蔽雜 訊。但在屏蔽金屬層120所接收的參考電壓是顯示單元層121及電路層122所共用的接地電壓VSS的情況下，顯示陣列12在進行顯示時產生的電路擾動反而會使接地電壓VSS的固定電壓準位產生變動，進而透過電容C1耦合至觸碰感測器11。在另一例中，屏蔽金屬層120亦低於接地電壓VSS的負電壓來產生屏蔽效果。更具體來說，在顯示陣列12進行顯示時，部分發光元件或驅動電路可能會使用到低於接地電壓VSS的負電壓來進行操作，而屏蔽金屬層120亦可接收顯示陣列12中顯示單元層121及/或電路層122所使用的負電壓來進行屏蔽。

在一些實施例中，為了使觸控顯示器1產生正確的觸碰判斷結果，觸碰感測器11除了在顯示陣列12進行顯示時會進行感測以獲得第一感測結果之外，也會在顯示陣列12整體未進行顯示時進行感測來獲得第二感測結果。而控制器14可由觸碰感測器11接收第一感測結果以及該第二感測結果來產生觸碰判斷結果，以指出觸控顯示器1是否接收到使用者觸碰。具體來說，控制器14可在第一時間區間中，致能顯示陣列12以進行顯示，並由觸碰感測器11獲得第一感測結果。並且，控制器14可在第二時間區間中，禁能顯示陣列12，並由觸碰感測器11獲得第二感測結果。如此一來，控制器14即可依據第一感測結果以及第二感測結果來觸碰判斷結果。

在一些實施例中，觸控顯示器1可例如是筆記型電腦、網路型電腦、工作站、個人數位助理(personal digital assistant， PDA)、個人電腦(personal computer，PC)、平板電腦、可撓式顯示器、穿戴式電子裝置、智慧手錶等。

在一些實施例中，控制器14可例如是中央處理單元(Central Processing Unit，CPU)，或是其他可程式化之一般用途或特殊用途的微控制單元(Micro Control Unit，MCU)、微處理器(Microprocessor)、數位信號處理器(Digital Signal Processor，DSP)、可程式化控制器、特殊應用積體電路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)、圖形處理器(Graphics Processing Unit，GPU)、算數邏輯單元(Arithmetic Logic Unit，ALU)、複雜可程式邏輯裝置(Complex Programmable Logic Device，CPLD)、現場可程式化邏輯閘陣列(Field Programmable Gate Array，FPGA)、任何其他種類的積體電路、狀態機、基於進階精簡指令集機器(Advanced RISC Machine，ARM)的處理器、或其他類似元件或上述元件的組合。又或者是，控制器14可以是透過硬體描述語言(Hardware Description Language,HDL)或是其他任意本領域具通常知識者所熟知的數位電路的設計方式來進行設計，並透過現場可程式邏輯門陣列(Field Programmable Gate Array,FPGA)、複雜可程式邏輯裝置(Complex Programmable Logic Device,CPLD)或是特殊應用積體電路(Application-specific Integrated Circuit,ASIC)的方式來實現的硬體電路。

在一些實施例中，顯示單元層121可例如是包含可例如包括有機發光二極體(organic light emitting diode，OLED)、次毫米 發光二極體(mini LED)、微發光二極體(micro LED)或量子點發光二極體(quantum dot,QD，可例如為QLED、QDLED)，螢光(fluorescence)、磷光(phosphor)或其他適合之材料且其材料可任意排列組合，但不以此為限。

圖2為圖1的觸控顯示器1的操作波型示意圖。圖2繪示了垂直空白訊號SVBI、觸控掃描訊號STX以及激光切換訊號SEM的波型。垂直空白訊號SVBI可定義出畫框時間FR1、FR2及垂直空白時間(vertical blanking interval,VBI)區間T11、T13。雖然圖1未繪示，不過垂直空白訊號SVBI是被提供至顯示陣列12，使顯示陣列12整體可在垂直空白時間區間T11、T13不進行顯示操作。

更具體來說，畫框時間FR1、FR2中可被垂直空白訊號SVBI分別區分為垂直空白時間區間T11、T13及顯示時間區間T12、T14。在顯示時間區間T12、T14中，顯示陣列12中的每一列會被控制依序進行顯示。進一步，每個顯示時間區間之間會被對應的垂直空白時間區間隔開，且顯示陣列12整體不會在垂直空白時間區間T11、T13中進行顯示。在本實施例中，垂直空白時間區間T11、T13可被用來做為第二時間區間，用以感測並取得第二感測結果，而顯示時間區間T12、T14則可被用來做為第一時間區間，用以感測並取得第一感測結果。

觸控掃描訊號STX包含有多個脈衝，並且被提供至觸碰感測器11，使觸碰感測器11依據觸控掃描訊號STX的電壓準位 進行感測。舉例來說，觸碰感測器11可例如是自容式感測器，而在觸控掃描訊號STX為高電壓準位時，可控制觸碰感測器11進行充電操作，而在觸控掃描訊號STX為低電壓準位時，可控制觸碰感測器11進行電荷轉移操作，使觸碰感測器11在觸控掃描訊號STX的每次脈衝結束時，可依據電荷轉移量來判斷感測到的電容值是否有改變，進而產生出對應的感測結果，並將感測結果提供至控制器14。當然，其他驅動觸碰感測器11來取得感測結果的方式亦屬於變化實施例的範疇中，於此不加以限制。

激光切換訊號SEM可在每個垂直空白時間區間T11、T13中定義出激光切換時間區間T21、T22。雖然圖1未繪示，不過激光切換訊號SEM是被提供至顯示陣列12，使顯示陣列12整體在激光切換訊號SEM為禁能電壓準位(例如是高電壓準位)時被禁能而不進行顯示，並使顯示陣列12整體在激光切換訊號SEM為致能電壓準位(例如是低電壓準位)時被致能而正常進行顯示。

如此一來，在垂直空白時間區間T11、T13的激光切換時間區間T21、T22中，控制器14可將禁能電壓準位(例如是高電壓準位)的激光切換訊號SEM提供至顯示陣列12，使顯示陣列12整體被禁能。在顯示陣列12被禁能的同時，控制器14還會同時在觸控掃描訊號STX中產生一或多個脈衝，因而使觸碰感測器11可在垂直空白時間區間T11、T13中進行感測並產生相對應的第二感測結果。

進一步，在顯示時間區間T12、T14中，控制器14可將 致能電壓準位的激光切換訊號SEM提供至顯示陣列12，使顯示陣列12被致能而正常進行顯示。同時，由於控制器14控制激光切換訊號SEM為致能電壓準位(例如是低電壓準位)，並且在觸控掃描訊號STX中產生一或多個脈衝。因此，在顯示時間區間T12、T14中，顯示陣列12在進行顯示的同時，觸碰感測器11亦會同時進行感測以產生第一感測結果。

控制器14可依據第二感測結果及第一感測結果來判斷出觸控顯示器1是否接收到使用者觸碰的觸碰判斷結果。在一實施例中，在第二感測結果及第一感測結果皆顯示出觸控顯示器1接收到使用者觸碰時，控制器14才會產生出觸控顯示器1接收到使用者觸碰的觸碰判斷結果。如果只有第一感測結果顯示出觸控顯示器1接收到使用者觸碰，但第二感測結果卻相反時，控制器14則會產生出觸控顯示器1未接收到使用者觸碰的觸碰判斷結果。詳細而言，由於第一感測結果是在顯示陣列12進行顯示時所同時進行感測而獲得的，因此第一感測結果可能會被顯示陣列12的雜訊所影響。據此，控制器14可參考在未受到干擾的垂直空白時間區間T11、T13中所獲得的第二感測結果，並在第二感測結果及第一感測結果皆顯示出觸控顯示器1接收到使用者觸碰時，產生出觸控顯示器1接收到使用者觸碰的觸碰判斷結果。如此一來，觸控顯示器1可有效排除觸碰感測器11被顯示陣列12干擾而產生出判斷錯誤的情況。

圖3為本發明實施例一感測方法的流程圖。大致而言， 上述在圖2中關於觸控顯示器1的操作敘述可歸納為圖3的感測方法，並可應用於圖1中的觸控顯示器1。

詳細來說，圖3所繪示的感測方法包括步驟S30~S32。在步驟S30中，在第一時間區間中，顯示陣列被致能以進行顯示，且觸碰感測器被控制來進行感測以獲得第一感測結果。也就是說，觸控顯示器1可透過控制器14控制顯示陣列12在進行顯示的同時來獲得第一感測結果。

在步驟S31中，在第二時間區間中，顯示陣列被禁能，且觸碰感測器被控制進行感測以獲得第二感測結果。也就是說，控制器14可控制觸碰感測器11在控制顯示陣列12未進行顯示的同時來感測並獲得第二感測結果。由於第二感測結果是在顯示陣列12未進行顯示的同時獲得的，故第二感測結果可用來作為輔助判斷使用者是否觸碰的依據。

在步驟S32中，依據第一感測結果以及第二感測結果產生觸控顯示器是否接收到使用者觸碰的觸碰判斷結果。因此，觸控顯示器1的控制器14可在第一感測結果及第二感測結果皆顯示出觸控顯示器1皆接收到使用者觸碰時，據此產生對應的觸碰判斷結果。

圖4為圖1的觸控顯示器1的另一操作波型示意圖。大致來說，圖4與圖2中所繪示的訊號是相同的，包含有垂直空白訊號SVBI、觸控掃描訊號STX以及激光切換訊號SEM的波型，因此關於這些訊號是如何被提供且控制觸控顯示器1及其內部電 路的說明，請參考上方段落中關於圖2的相關敘述。

在圖4中，垂直空白訊號SVBI可定義出畫框時間FR1’、FR2’、垂直空白時間區間T11’、T13’及顯示時間區間T12’、T14’。在本實施例中，當控制器14判斷在畫框時間FR1’之前，觸控顯示器1並未接收到使用者觸碰時，控制器14可在垂直空白時間區間T11’中維持激光切換訊號SEM在致能電壓準位(例如是低電壓準位)，並控制觸控掃描訊號STX在固定的電壓準位，且不具有脈衝。因此，觸控顯示器1在畫框時間FR1’只會在顯示時間區間T12’進行觸碰感測，並取得相對應的第一感測結果。

進一步，當控制器14判斷觸碰感測器11在顯示時間區間T12’提供的第一感測結果顯示出觸控顯示器1接收到使用者觸碰時，控制器14才會據此控制激光切換訊號SEM在垂直空白時間區間T13’中切換至禁能電壓準位(例如是高電壓準位)，以區分出激光切換時間區間T21’。此外，在垂直空白時間區間T13’的激光切換時間區間T21’中，控制器14還會控制以在觸控掃描訊號STX中產生一或多個脈衝，進而控制觸碰感測器11進行感測而獲得第二感測結果。如此一來，當控制器14判斷觸碰感測器11在垂直空白時間區間T13’所感測到的第二感測結果也顯示出觸控顯示器1接收到使用者觸碰時，控制器14可據此來產生觸控顯示器1接收到使用者觸碰的觸碰判斷結果。

圖5為本發明實施例一感測方法的流程圖。大致而言，上述在圖5中關於觸控顯示器1的操作敘述可歸納為圖5的感測 方法，並可應用於圖1中的觸控顯示器1。

詳細而言，圖5中的感測方法包括步驟S50~S55。在步驟S50中，在第一時間區間中，顯示陣列被致能以進行顯示，且觸碰感測器被控制來進行感測以獲得第一感測結果。也就是說，觸控顯示器1可透過控制器14控制顯示陣列12在進行顯示的同時來獲得第一感測結果。

在步驟S51中，判斷第一感測結果是否為掌壓觸碰。詳細而言，判斷第一感測結果是否為掌壓觸碰的用意在於判斷第一感測結果是否有可能受到雜訊干擾。在觸控顯示器1中，由於屏蔽金屬層120是以大面積鋪設，故當雜訊是透過屏蔽金屬層120耦合至觸碰感測器11而影響感測結果時，會導致觸碰感測器11感測到類似於接收到使用者掌壓觸碰的感測結果。因此，在本實施例中，感測方法可透過判斷第一感測結果是否顯示接收到使用者掌壓觸碰，來衡量是否進一步控制觸控顯示器1來感測以獲得第二感測結果。

當在步驟S51中的判斷結果為否的時候，表示觸碰感測器11所接收到的第一感測結果並未受到來自屏蔽金屬層120的雜訊影響，因而感測方法回到步驟S50，以持續進行感測。

當在步驟S51中的判斷結果為是的時候，表示觸碰感測器11所接收到的第一感測結果受到了來自屏蔽金屬層120的雜訊影響，因而感測方法進入步驟S52，以控制觸控顯示器1來感測以獲得第二感測結果。

在步驟S52中，在第二時間區間中，顯示陣列被禁能，且觸碰感測器被控制進行感測以獲得第二感測結果。也就是說，控制器14可控制觸碰感測器11在控制顯示陣列12未進行顯示的同時來感測並獲得第二感測結果。由於第二感測結果是在顯示陣列12未進行顯示的同時獲得的，故第二感測結果可用來作為輔助判斷使用者是否觸碰的依據。

在步驟S53中，判斷第二感測結果是否為掌壓觸碰。當第二感測結果也同樣顯示出觸控顯示器1接收到使用者掌壓時，則感測方法可進入步驟S54，產生出確認觸控顯示器1接收到使用者掌壓觸碰的觸碰判斷結果。若第二感測結果並未顯示出觸控顯示器1接收到使用者掌壓時，則感測方法可進入步驟S55，產生出第一感測結果中具有雜訊的觸碰判斷結果。

圖6A為驅動圖1的顯示陣列12的其中一種實施例的電路示意圖。大致來說，顯示陣列12的俯視圖被呈現在圖6A中。並且為了方便說明，部分顯示陣列12的結構或構件在圖6A中被省略。顯示陣列12包括多個以陣列形式設置的畫素電路PX，而各個激光訊號EM1~EMn被提供至顯示陣列12中的對應列，使同一列上的畫素電路PX可被激光訊號EM1~EMn的其中相對應一者所驅動而進行顯示。另外，顯示陣列12除了被激光訊號EM1~EMn驅動之外，激光切換訊號SEM也被提供到顯示陣列12的所有畫素電路PX，使所有的畫素電路PX亦可依據激光切換訊號SEM來進行顯示操作。

圖6B為圖6A中畫素電路PX的電路圖。在本實施例中，觸控顯示器1還包括多工器電路MUX，並設置在每個畫素電路PX中。詳細來說，畫素電路PX包括電晶體61、62、發光二極體D1及驅動電路60。電晶體61、62及發光二極體D1串聯連接於操作電壓VDD及接地電壓VSS之間。驅動電路60耦接電晶體61的閘極，藉以接收顯示資料來控制流過電晶體61的電流大小，進而調整二極體D1的亮度。電晶體62則接收激光訊號的控制以操作在導通或截止，以作為整體畫素電路PX的開關。進一步，多工器電路MUX耦接於電晶體62的閘極，用以由接收控制器14所提供的激光切換訊號SEM，以選擇性地將激光訊號EM或禁能訊號VGH提供至電晶體62的閘極。

詳細來說，由於電晶體62為P型金氧半場效電晶體(P-type metal oxide silicon field effect transistor,PMOSFET)，因此電晶體62會被高電壓準位截止，並且被低電壓準位時導通。進一步，多工器電路MUX包括電晶體63、64。其中電晶體63、64分別為P型與N型電晶體。在電晶體63、64的源極共同耦接至電晶體62的閘極，且電晶體63、64的閘汲共同接收激光切換訊號SEM的情況下，電晶體63、64可作用為兩開關，並依據激光切換訊號SEM的控制以將電晶體63汲極接收的激光訊號EMm或電晶體64汲極接收的禁能訊號VGH的其中一者作為輸出激光訊號EMO傳遞至電晶體62的閘極。

當激光切換訊號SEM為高電壓準位時，多工器電路 MUX即可選擇禁能訊號VGH作為輸出激光訊號EMO並提供至電晶體62，使畫素電路PX中的電晶體62被截止，因而禁能激光切換訊號SEM的顯示操作。另一方面，當激光切換訊號SEM為低電壓準位時，多工器電路MUX即可選擇激光訊號EM作為輸出激光訊號EMO並提供至電晶體62，使畫素電路PX中的電晶體62可依據激光訊號EM的控制來進行顯示操作。

圖7為驅動圖1的顯示陣列12的其中另一種實施例的電路示意圖。大致來說，除了顯示陣列12的俯視圖被呈現在圖7中，且觸控顯示器1在本實施例中所包含的陣列上閘極電路(gate circuit on array,GOA)70以及觸控顯示驅動電路(touch display driver ic,TDDI)71也被以方塊圖的方式表現在圖7中，用以呈現陣列12、陣列上閘極電路70及觸控顯示驅動電路71的連接關係。並且為了方便說明，部分顯示陣列12的結構或構件在圖7中被省略。

詳細而言，陣列上閘極電路70可驅動並提供輸出激光訊號EMO1~EMOn至顯示陣列12的分別列。進一步，觸控顯示驅動電路71中則可包含多個多工器電路MUX，以依據激光選擇訊號SEM的控制選擇性的將激光訊號EM或禁能訊號VGH提供至陣列上閘極電路70來進行驅動。如此一來，觸控顯示器1所需的多工器電路MUX數量即可有效地被減少。

圖8為用來驅動圖6A、7中顯示陣列12的驅動訊號波型示意圖。圖8中繪示有觸控掃描訊號STX、輸出激光訊號EMO1 ~EMOn及激光切換訊號SEM的波型圖。

詳細來說，觸控掃描訊號STX是控制觸碰感測器11的驅動訊號，每次的脈衝可控制觸碰感測器11進行充電及電荷轉移操作，進而獲得感測結果。輸出激光訊號EMO1~EMOn分別代表顯示陣列12中第一列到第n列的畫素電路PX所接收到的激光訊號。而激光切換訊號SEM則是將顯示陣列12中所有的畫素電路PX控制在禁能的驅動訊號。

如圖8所示，當激光切換訊號SEM在致能電壓準位(例如是低電壓準位)時，顯示陣列12中的畫素電路PX會被輸出激光訊號EMO1~EMOn依照列順序驅動。另外，當激光切換訊號SEM切換至禁能電壓準位(例如是高電壓準位)時，則所有的輸出激光訊號EMO1~EMOn也會相對應的被切換至禁能電壓準位(例如是高電壓準位)，導致顯示陣列12中所有的畫素電路PX被禁能而不進行顯示。

綜上所述，上述實施例中的觸控顯示器及感測方法可在禁能顯示操作的時候進行觸碰感測來獲得感測訊號，以有效排除顯示操作時所產生雜訊的干擾，導致感測器的誤判。

1:觸控顯示器

10:透明片

11:觸碰感測器

12:顯示陣列

13:基板

14:控制器

120:屏蔽金屬層

121:顯示單元層

122:電路層

C1:電容

VDD:操作電壓

VSS:接地電壓

Claims (15)

1. 一種觸控顯示器，包括： 一基板； 一顯示陣列，設置於該基板上，該顯示陣列的上層包含有一屏蔽金屬層； 一觸碰感測器，設置於該顯示陣列的上方；以及 一控制器，耦接該顯示陣列及該觸碰感測器，該控制器用以： 在一第一時間區間中，致能該顯示陣列以進行顯示，並由該觸碰感測器獲得一第一感測結果； 在一第二時間區間中，禁能該顯示陣列，並由該觸碰感測器獲得一第二感測結果；以及 依據該第一感測結果以及該第二感測結果產生該觸控顯示器是否接收到使用者觸碰的一觸碰判斷結果。
2. 如請求項1所述的觸控顯示器，其中該顯示陣列還包括一電路層以及一顯示單元層，該屏蔽金屬層設置於該電路層以及該顯示單元層的上方，且於該觸碰感測器的下方。
3. 如請求項1所述的觸控顯示器，其中該第一時間區間為一顯示時間區間，該第二時間區間為一垂直空白時間區間（vertical blanking interval, VBI）。
4. 如請求項1所述的觸控顯示器，其中在該第一感測結果及該第二感測結果皆顯示出該觸控顯示器接收到使用者觸碰時，該控制器產生出該觸控顯示器接收到使用者觸碰的該觸碰判斷結果。
5. 如請求項1所述的觸控顯示器，其中在該第一感測結果顯示出該觸控顯示器接收到使用者的掌壓觸碰之後，該控制器才在該第二時間區間中禁能該顯示陣列，並由該觸碰感測器獲得該第二感測結果。
6. 如請求項1所述的觸控顯示器，其中該顯示陣列包括多個以陣列形式排列的畫素電路，各該畫素電路包括： 一發光二極體（light emitting diode, LED）；以及 一第一電晶體，串聯連接該發光二極體，該第一電晶體用以接收一第一激光訊號來控制提供至該發光二極體的電流； 其中該觸控顯示器還包括： 一多工器電路，用以由接收該控制器所提供的一激光切換訊號，以選擇性地將一第二激光訊號或一禁能訊號提供至該第一電晶體的閘極。
7. 如請求項6所述的觸控顯示器，其中各該畫素電路中的該第一電晶體為一第一P型金氧半場效電晶體（P-type metal oxide silicon field effect transistor, PMOSFET），該多工器電路包括： 一第二P型電晶體，該第二P型電晶體的汲極接收該第二激光訊號，該第二P型電晶體的源極耦接該第一P型電晶體的閘極，該第二P型電晶體的閘極接收該激光切換訊號；以及 一第一N型電晶體（N-type metal oxide silicon field effect transistor, NMOSFET），該第一N型電晶體的汲極接收該禁能訊號，該第一N型電晶體的源極耦接該第一P型電晶體的閘極，該第一N型電晶體的閘極接收該激光切換訊號。
8. 如請求項7所述的觸控顯示器，其中在該第二時間區間中，該控制器提供具有一禁能電壓準位的該激光切換訊號，使該顯示陣列中的所有畫素電路接收到該禁能訊號而被禁能。
9. 如請求項6所述的觸控顯示器，其中該多工器電路是設置在各該畫素電路內，或者該多工器電路是設置在該顯示陣列外的一觸控顯示驅動電路中。
10. 一種感測方法，應用於一觸控顯示器，其中該觸控顯示器包括一顯示陣列及一觸碰感測器，該顯示陣列包含有一屏蔽金屬層位於該顯示陣列的上層且位於該觸碰感測器的下方，該感測方法包括： 在一第一時間區間中，致能該顯示陣列以進行顯示，並控制該觸碰感測器獲得一第一感測結果； 在一第二時間區間中，禁能該顯示陣列，並控制該觸碰感測器獲得一第二感測結果；以及 依據該第一感測結果以及該第二感測結果產生該觸控顯示器是否接收到使用者觸碰的一觸碰判斷結果。
11. 如請求項10所述的感測方法，其中該第一時間區間為一顯示時間區間，該第二時間區間為一垂直空白時間區間（vertical blanking interval, VBI）。
12. 如請求項10所述的感測方法，還包括： 在該第一感測結果及該第二感測結果皆顯示出該觸控顯示器接收到使用者觸碰時，產生出該觸控顯示器接收到使用者觸碰的該觸碰判斷結果。
13. 如請求項10所述的感測方法，還包括： 在該第一感測結果顯示出該觸控顯示器接收到使用者的掌壓觸碰之後，才在該第二時間區間中禁能該顯示陣列，並控制該觸碰感測器獲得該第二感測結果。
14. 如請求項10所述的感測方法，其中該顯示陣列包括多個以陣列形式排列的畫素電路，其中該感測方法還包括： 提供一激光切換訊號，以選擇性地將一第二激光訊號或一禁能訊號提供至該顯示陣列的各該畫素電路。
15. 如請求項14所述的感測方法，還包括： 在該第二時間區間中，將該激光切換訊號控制在一禁能電壓準位，使該顯示陣列中的所有畫素電路接收到該禁能訊號而被禁能。

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