KR20200078406A - 제어된 임피던스 로우 컨덕터들을 갖는 매트릭스 어레이 검출기 - Google Patents

제어된 임피던스 로우 컨덕터들을 갖는 매트릭스 어레이 검출기 Download PDF

Info

Publication number
KR20200078406A
KR20200078406A KR1020190172401A KR20190172401A KR20200078406A KR 20200078406 A KR20200078406 A KR 20200078406A KR 1020190172401 A KR1020190172401 A KR 1020190172401A KR 20190172401 A KR20190172401 A KR 20190172401A KR 20200078406 A KR20200078406 A KR 20200078406A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
impedance
row
low
pixels
modules
Prior art date
Application number
KR1020190172401A
Other languages
English (en)
Inventor
시몽 마레쇼
다비 블랑숑
마르땡 시오
Original Assignee
트릭셀
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 트릭셀 filed Critical 트릭셀
Publication of KR20200078406A publication Critical patent/KR20200078406A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
    • H01L27/14658—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/74—Circuitry for scanning or addressing the pixel array
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/745—Circuitry for generating timing or clock signals
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N5/00—Details of television systems
    • H04N5/30—Transforming light or analogous information into electric information
    • H04N5/32—Transforming X-rays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14692—Thin film technologies, e.g. amorphous, poly, micro- or nanocrystalline silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/40—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
    • H04N25/44—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled by partially reading an SSIS array
    • H04N25/441—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled by partially reading an SSIS array by reading contiguous pixels from selected rows or columns of the array, e.g. interlaced scanning
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/75—Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array

Abstract

제어된 임피던스 로우 컨덕터들을 갖는 매트릭스 어레이 검출기
본 발명은:
Figure pat00007
물리적 효과에 민감하고 로우들 및 다운 컬럼들을 따른 매트릭스로 배열된 픽셀들의 어레이 (10) 로서, 각각의 픽셀은 물리적 효과에 따라 신호를 생성하는, 상기 픽셀들의 어레이 (10);
Figure pat00008
각각 하나의 로우의 픽셀들이 구동되게 하는 로우 컨덕터들;
Figure pat00009
선택 신호들을 로우 컨덕터들에 전달하는 드라이버 모듈들 (16) 로서, 상기 드라이버 모듈들은 2 개의 레벨들에 따라 신호들을 전달하도록 구성되고, 일 레벨은 픽셀들의 로우들 중 하나가 선택되게 하는 고레벨이고, 다른 레벨은 로우가 선택되지 않게 하는 저레벨인, 드라이버 모듈 (16) 들
을 포함하는 매트릭스 어레이 검출기에 관한 것이다.
본 발명에 따르면, 검출기는 추가로 임피던스 모듈들 (22) 을 포함하고, 상기 임피던스 모듈들 (22) 은 로우 컨덕터들의 각각에 접속되고, 각각의 로우 컨덕터의 임피던스를 감소시키고 대응하는 선택 신호가 저레벨이라면 픽셀들의 어레이 (10) 를 판독하는 단계에서 각각의 로우 컨덕터의 임피던스를 낮게 유지하도록 구성되며, 상기 임피던스 모듈들 (22) 은 드라이버 모듈들 (16) 과 분리된다.

Description

제어된 임피던스 로우 컨덕터들을 갖는 매트릭스 어레이 검출기{MATRIX-ARRAY DETECTOR WITH CONTROLLED-IMPEDANCE ROW CONDUCTORS}
본 발명은 매트릭스 어레이 검출기에 관한 것이다. 본 발명은 가시적인 이미지를 생성하는데 사용되지만, 그 분야에 제한되지는 않는다. 예를 들어, 화학적 또는 전기적 퍼텐셜의 압력 또는 온도 맵 또는 2 차원 표현을 생성할 수 있다. 이 맵 또는 표현들은 물리량의 이미지를 형성한다. 본 발명은 특히, TFT 플레이트와 같은, 전리 방사선, 예를 들어 x-선을 채용하는 이미징 디바이스들에서 검출 목적으로 사용되는 능동 매트릭스 어레이 검출기에 인가되며, 여기서 TFT 는 "박막 트랜지스터" 를 의미한다.
매트릭스 어레이 검출기에서, 픽셀은 검출기의 기본 감지 엘리먼트를 나타낸다. 각 픽셀은 물리적 효과를 그 대상이 되는 전기적 신호로 변환한다. 다양한 픽셀들로부터의 전기 신호는 매트릭스 어레이 판독 단계에서 수집된 다음, 이미지를 형성하기 위해 프로세싱되고 저장될 수 있도록 디지털화된다. 픽셀들은 물리적 효과에 민감한 구역에 의해 형성되고, 예를 들어 전하의 전류를 전달한다. 물리적 효과는 광자들의 스트림을 전달하는 전자기 방사일 수도 있으며, 결과적으로, 본 발명은 이러한 유형의 방사에 의해 설명될 것이며, 충전 전류는 민감한 구역에 의해 수신된 광자들의 스트림에 의존한다. 임의의 매트릭스 어레이 검출기로 일반화하는 것은 간단하다.
매트릭스 어레이 이미지 검출기는, 각각 하나의 동일한 로우의 픽셀을 연결하는 로우 컨덕터, 및 각각 하나의 동일한 컬럼의 픽셀을 연결하는 컬럼 컨덕터를 포함한다. 컬럼 컨덕터는 일반적으로 매트릭스 어레이의 에지에 배열되는 컨버터 회로에 연결되며, 이는 "컬럼의 풋" 으로 지칭될 수도 있다.
각각의 픽셀은 일반적으로, 예를 들어 포토 다이오드, 포토 레지스터 또는 포토 트랜지스터일 수도 있는 감광성 엘리먼트 또는 광검출기를 포함한다. 로우들 및 컬럼들로 배열된 수백만 픽셀들을 가질 수도 있는 큰 사이즈의 감광성 매트릭스 어레이가 존재한다. 각각의 픽셀은 또한 예를 들어 스위치, 커패시터 및 저항기로 구성된 전자 회로로 구성되며, 그 다운스트림에는 액추에이터가 존재한다. 감광성 엘리먼트와 전자 회로로 구성된 어셈블리는 전하가 생성되고 수집되게 한다. 전자 회로는 일반적으로 각 픽셀에서 수집된 전하가 전하 전송 후에 리셋되게 한다. 액추에이터의 역할은 회로에 의해 수집된 전하를 컬럼 컨덕터로 전송하거나 복사하는 것이다. 이 전송은 액추에이터가 로우 컨덕터로부터 이를 수행하기 위한 명령을 수신할 때 수행된다. 액추에이터의 출력은 픽셀의 출력에 대응한다. "로우 컨덕터" 및 "컬럼 컨덕터" 라는 용어는 완전히 임의적이다. 물론 이러한 용어를 전환하는 것도 가능하다.
이러한 유형의 검출기에서, 픽셀은 2 개의 단계, 즉 픽셀의 전자 회로가 감광성 엘리먼트에 의해 생성된 전하를 축적하는 이미지 캡처 단계, 및 수집된 전하가 액추에이터에 의해 컬럼 컨덕터 내로 전송 또는 복사되는 판독 단계로 동작한다.
판독 단계에서, 판독 명령은 로우 컨덕터에 의해 매트릭스 어레이의 하나의 동일한 로우의 모든 액추에이터들로 송신된다. 이 로우의 각 픽셀은 전기 정보, 예를 들면 전하, 전압, 전류, 주파수 등을, 그 정보가 연관된 컬럼 컨덕터로 전송함으로써 판독된다.
하나의 이미지 프레임에 대해, 픽셀들의 로우들은 프레임 지속기간의 일부에 대응하는 로우 선택 시간에 걸쳐 매트릭스 어레이의 로우들을 스캔하는 방향에서 순차적으로, 즉 차례로 선택될 수도 있으며, 이는 적절한 신호들, 예를 들어 전압들이 해당 로우의 픽셀에 인가되게 한다. 따라서, 로우를 선택하는 것은 대응하는 로우 선택 시간 동안, 픽셀들의 대응하는 로우의 스위칭 디바이스들의 온 상태를 제어하는 고레벨 신호를 인가하는 것에 대응한다. 로우 선택 시간 이외에, 적절한 저레벨 신호를 인가함으로써 스위칭 디바이스는 오프 상태로 유지된다. 예를 들어, 스위칭 디바이스가 트랜지스터이고 인가될 신호들이 전압인 경우, 고레벨 및 따라서 스위칭 트랜지스터의 온 상태에 대응하는 전압을 나타내기 위해 VGon 을 사용하고, 저레벨 및 스위칭 트랜지스터의 오프 상태에 대응하는 전압을 나타내기 위해 VGoff 를 사용하는 것은 일반적이다.
로우들은 직렬로 하나 이상의 쉬프트 레지스터를 포함하는 제어 회로에 의해 제어될 수 있고, 각각의 쉬프트 레지스터는 복수의 캐스케이드 스테이지를 포함하며, 각 스테이지는 로우 선택 동작, 예를 들어 수직 스캐닝의 시퀀싱에 따라 매트릭스 어레이의 대응하는 로우의 픽셀들에 대해 액추에이터에 인가되는 신호의 고레벨 및 저레벨을 스위칭하는데 적합하다. 제어 회로는 집적 회로로 구현될 수도 있으며, 하나의 동일한 집적 회로는 예를 들어, 매트릭스 어레이의 복수의 로우들에 대해 복수의 제어 회로를 가질 수 있다. 집적 회로는, 예를 들어 매트릭스 어레이의 외부에 있을 수도 있고, 유선 수단에 의해, 예를 들어 가요성 리본 케이블에 의해 접속될 수도 있다. 제어 회로는 또한 본 출원인에 의해 출원된 특허 출원 WO 2012/152836 에 기술된 바와 같이 픽셀을 지지하는 플레이트 상에 설치될 수도 있다.
이를 통해 플레이트에 인가되는 신호들의 수 및 따라서 플레이트를 주변 전자기기에 접속하는데 사용되는 가요성 커넥터의 사이즈와 수를 감소시키는 것이 가능하다. 이 집적된 제어 회로 아키텍처는 컴포넌트들의 수를 감소시키고 제조 공정을 단순화함으로써 검출기 아키텍처를 상당히 단순화한다. 그러나, 특허 출원 WO 2012/152836 에 기술된 회로는 모든 선택되지 않은 로우들을 "고 임피던스" 상태로 두는 단점을 갖는다. 구체적으로, 매트릭스 어레이 판독 사이클 동안, 제어 회로는 전압 VGon 및 VGoff 를 연속적으로 로우에 인가한 다음, 외부 간섭의 경우에 이러한 전위가 유지되거나 안정화되는 것을 보장하지 않고 이들 로우들을 레벨 VGoff 로 유지한다. 따라서, 인접한 로우 및 컬럼의 전압의 변화는 고 임피던스 상태에서 레벨 VGoff 로 유지되는 로우들과, 그 전위가 판독 사이클에 따라 변화하는 이웃하는 엘리먼트들 간의 용량성 결합을 통해 크로스토크 (crosstalk) 효과를 야기할 수도 있다. 픽셀들을 지지하는 플레이트 상에 제어 회로를 통합하는 것은 크로스토크를 증가시키고 검출기로부터의 이미지 품질을 감소시키는 경향이 있다.
로우 컨덕터들의 "고 임피던스" 상태는 또한, 로우가 중단될 경우, 간섭을 초래한다. 보다 구체적으로, 큰 사이즈의 매트릭스 어레이에서, 특정 제조 결함을 수용하여 몇몇 행의 픽셀들이 작동하지 않게 하는 것이 가능하다. 예를 들어, 제어 회로들 중 하나가 작동하지 않는 경우 하나의 로우가 중단될 수도 있다. 인접한 중단되지 않은 로우들로부터 추정함으로써 이미지를 정정할 수 있다. 그러나, 중단된 로우는 인접한 로우들을 간섭할 수도 있다. 이 간섭은 로우의 일부가 처리되지 않고 판독 단계 전체에서 고 임피던스 상태가 영구적으로 유지된다는 사실과 관련이 있다.
본 발명은 로우 컨턱터가 고 임피던스 상태로 유지되는 것을 방지하는 매트릭스 어레이 검출기를 제공함으로써 상기 언급된 모든 또는 일부 문제를 극복하는 것을 목표로 한다.
이를 위해, 본 발명의 일 요지는 다음을 포함하는 매트릭스 어레이 검출기이며:
Figure pat00001
물리적 효과에 민감하고 로우들 및 다운 컬럼들을 따른 매트릭스로 배열된 픽셀들의 어레이로서, 각각의 픽셀은 물리적 효과에 따라 신호를 생성하는, 상기 픽셀들의 어레이;
Figure pat00002
각각 하나의 로우의 픽셀들이 구동되게 하는 로우 컨덕터들;
Figure pat00003
선택 신호들을 로우 컨덕터들에 전달하는 드라이버 모듈들로서, 상기 드라이버 모듈들은 2 개의 레벨들에 따라 신호들을 전달하도록 구성되고, 일 레벨은 픽셀들의 로우들 중 하나가 선택되게 하는 고레벨이고, 다른 레벨은 로우가 선택되지 않게 하는 저레벨인, 드라이버 모듈들
을 포함한다.
본 발명에 따르면, 디바이스는 추가로 임피던스 모듈들을 포함하고, 상기 임피던스 모듈들은 로우 컨덕터들의 각각에 접속되고, 각각의 로우 컨덕터의 임피던스를 감소시키고 대응하는 선택 신호가 저레벨이라면 픽셀들의 어레이를 판독하는 단계에서 각각의 로우 컨덕터의 임피던스를 낮게 유지하도록 구성되며, 임피던스 모듈들은 드라이버 모듈들과 분리된다.
각 로우 컨덕터는 2 개의 단부들을 포함한다. 드라이버 모듈들은 제 1 단부에서 로우 컨덕터들에 접속되고, 임피던스 모듈은 제 2 단부에서 로우 컨덕터들의 각각 유리하게 접속된다.
픽셀들의 어레이, 드라이버 모듈들 및 임피던스 모듈들은 유리하게, 동일한 기판 상에 형성된다.
임피던스 모듈들은 유리하게 각각, 대응하는 로우를, 그 로우가 선택되지 않을 때 선택 신호의 저레벨에 대응하는 전압원에 접속할 수 있는 트랜지스터를 포함하며, 따라서 트랜지스터를 통한 로우의 임피던스를 감소시킨다.
픽셀들의 어레이, 드라이버 모듈들 및 임피던스 모듈들은 유리하게 박막 트랜지스터를 포함한다.
검출기는 유리하게, 로우 컨덕터 당 2 개의 임피던스 모듈들을 포함하며, 2 개의 임피던스 모듈들은 교대로 사용될 수 있다.
첨부 도면에 의해 기재가 설명되는, 예시로서 제공되는 일 실시형태의 상세한 설명을 읽으면 발명이 더 잘 이해될 것이고 추가 이점들이 명백해질 것이다.
도 1 은 본 발명에 따른 검출기에서 채용될 수도 있는 픽셀들의 예시적인 매트릭스 어레이를 도시한다.
도 2 는 본원에 따른 예시적인 검출기를 도시한다.
도 3 은 검출기의 로우 컨덕터들이 중단될 때 본 발명의 하나의 이점을 도시한다.
도 4 는 본 발명에 따른 검출기에서 채용될 수도 있는 예시적인 임피던스 모듈을 도시한다.
도 5 는 도 4 의 임피던스 모듈의 동작을 타이밍도의 형태로 도시한다.
도 6 은 본 발명에 따른 검출기에서 채용될 수도 있는 가변 임피던스 모듈을 도시한다.
명료함을 위해, 동일한 엘리먼트는 다양한 도면들에서 동일한 참조 번호를 가질 것이다.
이하의 설명은 각각이 물리량에 민감한 엘리먼트를 포함하는, 픽셀들로 지칭되는 복수의 기본 전자 회로들을 포함하는 매트릭스-어레이 검출기를 참조하여 제공된다. 설명된 예에서, 기본 전자 회로는 광 방사선에 민감한 픽셀들이다. 본 발명은 임의의 형태의 물리량에 민감한 다른 검출기에 채용될 수도 있으며, 예를 들어 압력 또는 온도 맵들이 생성되게 하는 것이 명백하다.
도 1 은 매트릭스 어레이 검출기의 검출 구역 (10) 을 개략적으로 도시한다. 이 구역은 이해를 돕기 위해 2 개의 로우들과 2 개의 컬럼들의 매트릭스를 포함한다. 각각 하나의 로우와 하나의 컬럼의 교차점에 있는 4 개의 픽셀들 (P) 이 형성된다. 물론, 실제 매트릭스 어레이는 일반적으로 훨씬 더 크고 많은 수의 로우들과 컬럼들을 특징으로 한다. 픽셀의 매트릭스 어레이는 디지털화된 이미지가 생성되게 하는 매트릭스 어레이 검출기 (12) 에 속한다.
각각의 픽셀 (P) 은 여기에서 포토 다이오드 (D) 로 저 임피던스 감광성 구역, 및 도 1 의 예에서 단일 트랜지스터 (T) 로 형성된 전자 프로세싱 회로를 포함한다. 컴포넌트들 D 및 T 에 대한 레퍼런스들 다음에는 각각 로우, i 및 i+1 의 랭크와 컬럼 j, j+1 의 랭크를 명시하는 2 개의 좌표들이 뒤따른다. 도시된 픽셀들은 그들이 각각 하나의 트랜지스터를 소유하기 때문에 1T 픽셀로도 알려져 있으며, 그 기능은 아래에서 추가로 설명될 것이다.
일반적으로, "박막 트랜지스터" 에 대하여 TFT 로 알려진 박막 전계 효과 트랜지스터를 포함하는 픽셀의 매트릭스 어레이를 생성하는 것이 일반적이다. TFT 는 예를 들어, 약어 IGZO 로 알려진 비정질 또는 결정질 인듐, 갈륨 및 산화 아연에 기초한 트랜지스터와 같은 금속 산화물에 기초할 수도 있다. 예를 들어, 유기 TFT, 비정질 실리콘 TFT 또는 다결정 실리콘 TFT 와 같은 다른 TFT 계열이 채용될 수도 있다. 이 마지막 유형의 TFT 에서, 일부는 저온에서 합성되었다. 이들은 "저온 다결정 실리콘" 에 대해 약어 LTPS 로 알려져 있다.
본 발명은 이러한 유형의 트랜지스터로 제한되지 않는다. 이는 예를 들어, CMOS 트랜지스터를 포함하는 매트릭스 어레이에 채용될 수도 있으며, 여기서 CMOS 는 "상보적 금속-산화물 반도체" 를 의미한다.
하나의 동일한 컬럼의 픽셀 (P) 은 컬럼 컨덕터 (Col) 에 접속된다. 이 컨덕터는 그에 접속된 픽셀로부터의 정보가 수집되게 한다. 하나의 동일한 로우의 픽셀 (P) 은 픽셀들의 대응하는 로우가 제어되도록 하는 신호 (VG) 를 전달하는 로우 컨덕터 (L) 에 접속된다.
리셋 동작 후에 발생하는 이미지 캡처 단계에서, 포토 다이오드 (D) 에 의해 수신된 조명은 그 캐소드 상의 전위를 감소시킨다. 이 이미지 캡처 단계 다음에 포토 다이오드 (D) 의 전위가 판독되는 판독 단계가 뒤따른다. 이를 위해, 트랜지스터 (T) 는 턴 온되며, 따라서 게이트에 인가된 제어 신호 (VG) 에 의해 제어되는 스위치로서 작용한다.
컬럼 컨덕터 (Col) 는 신호 (VG) 에 의해 선택될 때 대응하는 컬럼의 픽셀로부터 정보를 수집하는데 사용된다.
특히 신호 (VG) 에 의해 턴 온되는 간단한 다이오드로 트랜지스터 (T) 를 교체함으로써, 픽셀이 더 간단한 검출기에서 본 발명을 구현할 수 있다. 픽셀이 복수의 트랜지스터를 포함하는 검출기에서 본 발명을 구현하는 것이 또한 가능하다. 특히, 상술된 판독 트랜지스터 이외에, 포토 다이오드용 리셋 트랜지스터 및 팔로워 트랜지스터를 포함하는 3T 픽셀을 채용하는 것이 알려져 있다. 이러한 유형의 3T 픽셀에서, 제 2 로우 컨덕터는 리셋 트랜지스터가 제어되게 하는 리셋 신호를 전달한다.
도 2 는 전체 검출기 (12) 를 개략적으로 도시한다. 검출기 (12) 는 검출 구역 (10) 의 컴포넌트들이 생성되는 기판을 형성하는 플레이트 (14) 를 포함한다. 모든 로우 컨덕터들 (L) 에 제어 신호를 전달하는 드라이버 모듈 (16) 이 또한 이 동일한 플레이트 (14) 상에 배열된다. 드라이버 모듈 (16) 은 제어 신호가 생성되게 하는 예시적인 시프트 레지스터를 포함한다. 대안적으로, 드라이버 모듈 (16) 은 플레이트 (14) 와 별개의 기판 상에 생성될 수도 있다. 그러나, 픽셀 (P) 과 동일한 기판 상에 드라이버 모듈 (16) 을 생성하는 것은, 플레이트 (14) 를 그 주변부로 접속하는 접속부들을 제한하는 것을 가능하게 한다.
검출기 (12) 는 컬럼 컨덕터 (Col) 에 접속된 판독 회로들 (18) 을 포함한다. 판독 회로 (18) 는 일반적으로 플레이트 (14) 와는 별개의 기판 상에 생성된다. 판독 회로 (18) 는 리본 케이블에 의해 플레이트 (14) 에 접속된다.
검출기 (12) 는 드라이버 모듈 (16) 이 구동되게 하고 판독 회로 (18) 로부터의 신호들을 특히 그 신호들을 멀티플렉싱하기 위해 취출되게 하는 회로 (20) 를 포함한다.
본 발명에 따르면, 검출기 (12) 는 로우 컨덕터들 (L) 의 각각에 접속된 임피던스 모듈 (22) 을 포함한다. 드라이버 모듈 (16) 과 마찬가지로, 임피던스 모듈 (22) 은 플레이트 (14) 로의 외부 접속을 제한하기 위해 플레이트 (14) 상에 유리하게 생성된다.
본 발명은 픽셀 로우당 단 하나의 컨덕터 (L) 를 갖는 1T 픽셀의 매트릭스 어레이를 참조하여 설명된다. 특히 3T 픽셀로 형성되고 픽셀들의 로우당 복수의 제어 컨덕터들을 갖는 매트릭스 어레이에 대해 본 발명을 구현하는 것이 또한 가능하다. 이 경우에, 임피던스 모듈은 모든 로우 컨덕터들과 연관될 수 있다.
판독 트랜지스터 (T) 를 구동하기 위해, 드라이버 모듈 (16) 은 픽셀 로우가 판독되게 하는 고레벨 및 로우가 판독되게 하는 저레벨을 포함하는 이진 신호를 생성한다. "고레벨" 및 "저레벨"이라는 용어는 완전히 임의적이며 오직 로우 컨덕터에 인가된 전압을 구별하기 위해서만 사용된다. 이 용어들은 물론 전환될 수도 있다. 드라이버 모듈 (16) 은 트랜지스터와 같은 컴포넌트들을 채용하고, 로우 (L) 에 저레벨이 인가될 때보다 로우 (L) 에 고레벨이 인가될 때, 더 낮은 임피던스를 나타낸다. 위에서 언급한 바와 같이, 고레벨 임피던스는 그 로우 상의 전위에서 국부적인 변화들을 초래할 수도 있다. 이들 변화들은 검출기 (12) 로부터의 이미지에서 간섭 소스일 수도 있다.
임피던스 모듈 (22) 은 저레벨 신호의 송신 동안 로우 컨덕터 (L) 의 임피던스를 감소시키도록 구성된다. 보다 구체적으로, 각각의 로우 (i) 에 대해, 대응하는 드라이버 모듈 (16) 이 저레벨에서 로우 선택 신호를 송신하는 한, 임피던스 모듈 (22) 은 대응하는 로우를 저 임피던스로 유지한다. 임피던스 모듈 (22) 은 드라이버 모듈과 분리된다.
임피던스 모듈 (22) 은 유리하게, 드라이버 모듈 (16) 이 점유하는 것에 대하여 대향 측에 배열된다. 즉, 각각의 로우 컨덕터 (L) 는 2 개의 단부를 갖는다. 드라이버 모듈들 (16) 은 제 1 단부에서 로우 컨덕터들 (L) 에 접속되고, 임피던스 모듈들 (22) 은 제 2 단부에서 로우 컨덕터들의 각각 접속된다.
도 3 은 상기 배열 및 그 장점을 도시한다. 보다 구체적으로, 도 3 은 6 개의 로우 및 8 개의 컬럼인 픽셀 (P) 을 포함하는 검출기를 도시한다. 드라이버 모듈 (16) 은 픽셀 (P) 이 배열되고 임피던스 모듈 (22) 이 우측 부분에 위치되는, 검출 구역 (10) 의 좌측 부분에 위치된다. 검출기를 제조 또는 사용하는 동안, 로우 (L) 브레이크들이 나타날 수도 있다.
이러한 브레이크들은 제조 결함의 경우, 의도하지 않은 것일 수도 있거나, 또는 브레이크들이 결함을 수리하거나 또는 검출기 (12) 로부터의 이미지의 전체 품질에 미치는 영향을 최소화하기 위해 사용될 때 의도적일 수도 있다. 도 3 에서, 3 개의 브레이크들이 도시된다. 제 1 브레이크 (24) 는 드라이버 모듈 (16) 과 검출 구역 (10) 사이의 제 1 로우에 나타난다. 검출 구역 (10) 내부에 브레이크들 (26 및 28) 이 나타난다.
임피던스 모듈 (22) 이 없는 경우, 드라이버 모듈 (16) 에 대향하는 중단된 로우 부분은 전기적으로 플로팅하며 그 전위는 고정되지 않는다. 이 플로팅 부분의 전위는 차례로 용량성 결합을 통한 인접한 로우들, 컬럼들 및 픽셀들의 전위를 간섭할 수도 있고, 따라서 검출기로부터의 이미지 품질에 부정적인 영향을 줄 수도 있다. 드라이버 모듈 (16) 의 대향 측에 임피던스 모듈 (22) 이 배열되면, 드라이버 모듈 (16) 로부터 분리된 로우 부분은 더 이상 플로팅하지 않으며, 그 전위는 임피던스 모듈 (22) 에 의해 결정된 값, 예를 들어 로우 선택의 부재에 대응하는 값으로 고정된다. 이는 이러한 플로팅 부분과 이웃하는 엘리먼트들, 예컨대 픽셀들의 로우들, 픽셀들 간의 결합 위험으로 인한 아티팩트들의 감소를 통해 검출기로부터 이미지 품질을 개선시킨다. 결과적으로, 중단된 로우에서의 픽셀은 로우 컨덕터와 연관된 드라이버 모듈 (16) 에 의해 구동되거나 또는 로우를 따른 브레이크의 위치에 관계없이 로우와 연관된 임피던스 모듈 (22) 에 의해 저 임피던스로 설정된다.
도 2 는 픽셀들 외에, 드라이버 모듈 (16) 및 임피던스 모듈 (22) 이 통합되는 플레이트 (14) 를 포함하는 검출기에서의 본 발명의 구현을 도시한다. 이러한 통합 레벨은 픽셀 (P) 에 대해 및 드라이버 (16) 및 임피던스 (22) 모듈 양자에 대해 동일한 트랜지스터 기술의 사용을 지시한다.
드라이버 모듈 (16) 이 플레이트 (14) 상에 통합되지 않은 경우에도 본 발명을 구현하는 것이 가능하다. 이 변형에서, 상이한 트랜지스터 기술을 사용하여 2 개의 신호 레벨 VGon 및 VGoff 에 대하여 저 임피던스 유지 기능을 포함하는 드라이버 모듈 (16) 을 생성하는 것이 가능하다. 이 변형은 다수의 픽셀을 특징으로 하는 검출기에서 일반적으로 발생하는 중단된 행의 임피던스를 안정화시키는데 관심이 있다.
도 2 에서, 임피던스 모듈 (22) 은 드라이버 모듈 (16) 이 점유하는 것에 대하여 대향 측에 배열된다. 대안적으로, 임피던스 모듈 (22) 은 드라이버 모듈 (16) 의 부근, 즉 검출 구역 (10) 의 동일 측 및 더 구체적으로 드라이버 모듈 (16) 과 검출 구역 (10) 사이에 위치될 수도 있다. 이 배열은 검출기 (12) 의 하나의 동일한 에지에서 모든 드라이버 및 임피던스 컴포넌트들을 함께 그룹화하는 장점을 갖는다. 중단된 로우들의 임피던스를 유지하는 것과 관련된 장점은 손실된다. 그러나, 유방 촬영 또는 비파괴 검사와 같은 특정 애플리케이션들의 경우, 픽셀들의 최종 컬럼을 위치시키는 것은 유리할 수도 있으며, 검출기 (12) 의 외부 에지에 근접하는 것이 가능하기 때문에, 하나의 픽셀은 드라이버 모듈 (16) 로부터 가장 멀다.
도 4 는 3 개의 박막 트랜지스터 (T1, T2 및 T3) 에 기초하여 형성된 임피던스 모듈 (22) 의 예를 도시한다. 트랜지스터 (T1) 의 드레인은 로우 (L) 에 접속되고, 그 소스는 신호 (VG) 의 저레벨 (VGoff) 에 대응하는 전압 소스 (Voff) 에 접속된다.
검출기의 판독 단계에서, 드라이버 모듈 (16) 은 로우 (L) 가 선택될 때 고레벨 (VGon) 에서 또는 로우 (L) 가 선택되지 않을 때 저레벨 (VGoff) 에서 로우 (L) 에 신호 (VG) 를 인가한다. 드라이버 모듈 (16) 은 특히 플레이트 (14) 상에 형성될 때, 신호 (VG) 를 인가하기 위해 박막 트랜지스터를 채용할 수도 있다. 저레벨 (VGon) 이 로우 (L) 를 저 임피던스로 위치시키는 트랜지스터를 통해 인가되는 반면, 저레벨 (VGoff) 은 이러한 동일한 트랜지스터를 턴 오프하여 로우 (L) 를 고 임피턴스로 위치시키는 것에 의해 인가된다.
임피던스 모듈 (22) 은 로우 (L) 가 선택되지 않은 경우 로우 (L) 를 전압 (Voff) 에 접속하여, 트랜지스터 (T1) 를 통해 로우 컨덕터 (L) 의 임피던스를 낮춘다.
트랜지스터들 (T2 및 T3) 은 트랜지스터 (T1) 가 구동되게 한다. 트랜지스터 (T2 및 T3) 의 드레인은 임피던스 모듈 (22) 내부에 노드 (A) 를 형성하는 트랜지스터 (T1) 의 게이트에 접속된다. 로우 (L) 는 트랜지스터 (T2) 의 게이트에 접속된다. 트랜지스터 (T2) 의 소스는 전압 소스 (Voff) 에 접속된다. 트랜지스터 (T3) 의 소스는 노드 (A) 의 레벨이 설정되게 하는 커맨드 (LZA) 에 접속된다. 트랜지스터 (T3) 의 게이트는 노드 (A) 가 커맨드 (LZA) 에 접속되게 하는 커맨드 (CMDLZ) 에 접속된다.
도 5 는 임피던스 모듈 (22) 의 동작을 타이밍도의 형태로 도시한다. i-2 에서 i+2 까지 5 개의 연속하는 로우들에 대한 로우 선택 신호 (VG) 가 도시된다. 신호 VG(i-2) 는 시간 t0 과 t1 사이에서 고레벨 (VGon) 에 있다. 시간 t1 이후에, 신호 VG(i-2) 는 저레벨 (VGoff) 에 있다. 그 다음 동일한 방식으로 다음 로우들이 차례로 선택된다. 신호 VG(i-1) 는 시간 t2 과 t3 사이에서 고레벨 (VGon) 에 있다. 신호 VG(i) 는 시간 t4 과 t5 사이에서 고레벨 (VGon) 에 있다. 신호 VG(i+1) 는 시간 t6 과 t7 사이에서 고레벨 (VGon) 에 있다. 최종적으로, 신호 VG(i+2) 는 시간 t8 과 t9 사이에서 고레벨 (VGon) 에 있다. 신호 (CMDLZ) 는 각 로우 (L) 의 선택 전에, 특히 로우 (i) 에 대한 시간 t3 과 t4 사이에서 짧은 지속기간 동안 고레벨로 트랜지션한다. 판독 단계 전체에서, 즉 시간 t0 과 t11 사이에서, 신호 (LZA) 는 고레벨에 있다. 판독 단계 외에, 도시된 예에서 시간 t11 이후에, 신호 (LZA) 는 저레벨에 있다.
로우 (i) 가 선택되지 않으면, 노드 A 는 하이 상태로 유지되고, 트랜지스터 (T1) 는 온이고, 임피던스 모듈 (22) 은 로우 컨덕터 (L(i)) 를 저 임피던스로 유지하며, 이는 전압 (Voff) 로 유지된다.
로우 (i) 를 선택하기 전에 신호 (CMDLZ) 가 고레벨로 트랜지션할 때, 시간 t3 과 t4 사이에서, 트랜지스터 (T3) 는 턴 오프되어, 노드 (A) 를 고 임피던스로 위치시킨다.
로우 (i) 가 선택되면, 전압 (VGon) 이 로우 컨덕터 (L(i)) 에 인가되어 트랜지스터 (T2) 를 턴 온하고, 이는 노드 (A) 가 저레벨로 하강하게 한다. 시간 t4 와 t5 사이에서 트랜지스터 (T1) 가 턴 오프된다. 임피던스 모듈 (22) 은 더 이상 로우 컨덕터 (L(i)) 의 임피던스를 수정하지 않는다.
신호 (CMDLZ) 는 모든 로우들에 공통일 수도 있고, 각각의 로우 선택 전에 고레벨로 상승할 수도 있다. 로우의 트랜지스터 (T1) 의 턴 오프는 오직 해당 로우의 컨덕터가 하이 상태에서 신호 (VG) 를 수신할 때에만 유효하다.
판독 단계가 종료되면, 시간 t11 이후에, 검출기의 포착 단계에서, 신호 (LZA) 는 저레벨로 유지된다. 시간 t11 과 t12 사이에서 고레벨을 통한 신호 (CMDLZ) 의 최종 트랜지션은 저레벨의 노드 A 가 고 임피던스에 위치되도록 하여 3 개의 트랜지스터들 T1, T2 및 T3 이 전압 (Voff) 에 위치되게 한다.
전술한 바와 같이, 동일한 플레이트 (14) 상에 픽셀 (P), 드라이버 모듈 (16) 및 임피던스 모듈 (22) 의 어셈블리 (10) 를 생성하여 그 플레이트 (14) 로부터 주변부로의 연결들을 제한하는 것이 유리하다. 도 4 의 예시적인 임피던스 모듈 (22) 에서, 픽셀의 로우당 하나의 모듈이 필요하다. 모든 임피던스 모듈 (22) 은 회로 (20) 에 의해 구동될 수도 있다. 따라서, 모든 임피던스 모듈 (22) 을 구동하기 위해, 오직 3 개의 신호 (Voff, CMDLZ 및 LZA) 만이 회로 (20) 를 통해 플레이트 (14) 를 통과해야 하며, 이는 플레이트 (14) 로부터의 연결을 단순화시킨다.
픽셀 및 2 가지 유형의 모듈 (16 및 22) 은 단 하나의 트랜지스터 기술, 특히 TFT (박막 트랜지스터) 를 사용함으로써 하나의 동일한 플레이트 (14) 상에 유리하게 생성된다. 유리판에서 생성된 TFT 는 오랫동안 온 상태를 유지하기가 어렵다는 것을 알게 된다. 이로 인해 임계 전압이 드리프트되어 검출기가 조기에 노화된다. 이러한 이유로, 판독 단계 중, 트랜지스터는 전압 (Voff) 에 위치된다. x-레이 이미징용의 검출기를 사용하는 경우, 검출기의 모든 픽셀을 판독하는 단계는 검출기의 서비스 수명의 약 1% 또는 그 이하를 차지한다. 이 비율은 TFT 의 스위칭으로 인한 검출기의 조기 노화를 회피하기에 충분할 수도 있다.
임피던스 모듈 (22) 의 수를 2 배로 함으로써 TFT 의 사용 레이트를 추가로 감소시킬 수 있다. 도 6 은 2 개의 임피던스 모듈 (22a 및 20b) 이 하나의 동일한 로우 컨덕터 (L) 에 접속되는 예를 도시한다. 2 개의 모듈들 (22a 및 22b) 은 교대로 사용된다. 예를 들어, 모듈 (22a) 은 하나의 이미지의 판독에 사용되고, 모듈 (22b) 은 다음 이미지의 판독에 사용된다. 이 실시형태는 트랜지스터가 온 상태인 시간을 2 로 나누게 한다. 따라서, 검출기의 서비스 수명이 그에 대응하여 증가된다.
도 4 및 도 6 에 도시된 임피던스 모듈 (22) 은 검출 구역 (10) 과 동일한 TFT 플레이트 상에 생성되기에 매우 적합하다. 물론, 다른 트랜지스터 기술을 사용하여 본 발명을 구현하거나 또는 상이한 플레이트 상에 검출 구역 (10) 및 임피던스 모듈 (22) 을 생성하는 것이 가능하다.
임피던스 모듈 (22) 은 예를 들어 신호 (CMDLZ), 신호 (VG) 및 가능하게는 신호 (LZA) 를 수신하는 AND 논리 게이트를 사용하여 생성될 수도 있다. 신호 (VG) 가 고레벨에 있고 신호 (CMDLZ) 가 저레벨에 있을 때, 대응하는 로우를 저 임피던스로 위치하는 동작의 종료를 제어하는 임피던스 모듈 (22) 의 출력이 획득된다. 임피던스 모듈 (22) 이 예를 들어 시프트 레지스터들을 채용함으로써 생성될 수도 있는 다른 방식들이 물론 가능하다.

Claims (6)

  1. 매트릭스 어레이 검출기로서,
    Figure pat00004
    물리적 효과에 민감하고 로우들 및 다운 컬럼들을 따른 매트릭스로 배열된 픽셀들 (P) 의 어레이 (10) 로서, 각각의 픽셀 (P) 은 상기 물리적 효과에 따라 신호를 생성하는, 상기 픽셀들 (P) 의 어레이 (10);
    Figure pat00005
    각각 하나의 로우의 픽셀 (P) 들이 구동되게 하는, 로우 컨덕터들 (L);
    Figure pat00006
    선택 신호들 (VG) 을 상기 로우 컨덕터들 (L) 에 전달하는 드라이버 모듈들 (16) 로서, 상기 드라이버 모듈들 (16) 은 2 개의 레벨들 중 어느 하나에 따라 신호들을 전달하도록 구성되고, 일 레벨은 픽셀들의 로우들 중 하나가 선택되게 하는 고레벨 (VGon) 이고, 다른 레벨은 로우가 선택되지 않게 하는 저레벨 (VGoff) 인, 상기 드라이버 모듈들 (16) 을 포함하며,
    상기 로우 컨덕터들 (L) 의 각각에 접속되고, 각각의 로우 컨덕터 (L) 의 임피던스를 감소시키고 대응하는 선택 신호 (VG) 가 상기 저레벨 (VGoff) 이라면 상기 픽셀들 (P) 의 어레이 (10) 를 판독하는 단계에서 각각의 로우 컨덕터 (L) 의 임피던스를 낮게 유지하도록 구성되는 임피던스 모듈들 (22) 을 더 포함하고, 상기 임피던스 모듈들 (22) 은 상기 드라이버 모듈들 (16) 과 분리되는 것을 특징으로 하는 매트릭스 어레이 검출기.
  2. 제 1 항에 있어서,
    각각의 로우 컨덕터 (L) 는 2 개의 단부들을 포함하고, 상기 드라이버 모듈들 (16) 은 제 1 단부에서 상기 로우 컨덕터들 (L) 에 접속되고, 상기 임피던스 모듈 (22) 은 제 2 단부에서 상기 로우 컨덕터들 (L) 의 각각에 접속되는 것을 특징으로 하는 매트릭스 어레이 검출기.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 픽셀들 (P) 의 어레이 (10), 상기 드라이버 모듈들 (16) 및 상기 임피던스 모듈들 (22) 은 동일한 기판 (14) 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 매트릭스 어레이 검출기.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 임피던스 모듈들 (22) 각각은 트랜지스터 (T1) 를 포함하고, 상기 트랜지스터 (T) 는 대응하는 로우를, 로우 (L) 가 선택되지 않을 경우의 상기 선택 신호의 상기 저레벨 (VGoff) 에 대응하는 전압 소스 (Voff) 에 접속할 수 있고, 따라서 상기 트랜지스터 (T1) 를 통한 상기 로우 (L) 의 임피던스를 감소시키는 것을 특징으로 하는 매트릭스 어레이 검출기.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 픽셀들 (P) 의 어레이 (10), 상기 드라이버 모듈들 (16) 및 상기 임피던스 모듈들 (22) 은 박막 트랜지스터들을 포함하는 것을 특징으로 하는 매트릭스 어레이 검출기.
  6. 제 5 항에 있어서,
    로우 컨덕터 (L) 당 2 개의 임피던스 모듈들 (22a, 22b) 을 포함하고, 상기 2 개의 임피던스 모듈 (22a, 22b) 은 교대로 사용될 수 있는 것을 특징으로 하는 매트릭스 어레이 검출기.
KR1020190172401A 2018-12-21 2019-12-20 제어된 임피던스 로우 컨덕터들을 갖는 매트릭스 어레이 검출기 KR20200078406A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR1873891 2018-12-21
FR1873891A FR3091113B1 (fr) 2018-12-21 2018-12-21 Détecteur matriciel à conducteurs de ligne d’impédance maitrisée

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20200078406A true KR20200078406A (ko) 2020-07-01

Family

ID=67107585

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190172401A KR20200078406A (ko) 2018-12-21 2019-12-20 제어된 임피던스 로우 컨덕터들을 갖는 매트릭스 어레이 검출기

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10999547B2 (ko)
EP (1) EP3672230B1 (ko)
JP (1) JP2020102847A (ko)
KR (1) KR20200078406A (ko)
CN (1) CN111355908A (ko)
FR (1) FR3091113B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR3119708B1 (fr) 2021-02-11 2023-08-25 Trixell Détecteur numérique à étages de conversion superposés

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5619223A (en) * 1994-04-14 1997-04-08 Prime View Hk Limited Apparatus for increasing the effective yield of displays with integregated row select driver circuit
WO1996007173A1 (en) * 1994-09-01 1996-03-07 Philips Electronics N.V. Liquid crystal display panel
US6157375A (en) * 1998-06-30 2000-12-05 Sun Microsystems, Inc. Method and apparatus for selective enabling of addressable display elements
US6809767B1 (en) * 1999-03-16 2004-10-26 Kozlowski Lester J Low-noise CMOS active pixel sensor for imaging arrays with high speed global or row reset
US20060132452A1 (en) * 2003-02-13 2006-06-22 Koninklijke Philips Electronics N.V. Optically addressable matrix display
FR2855326B1 (fr) * 2003-05-23 2005-07-22 Atmel Grenoble Sa Capteur d'image matriciel en technologie cmos
JP4337779B2 (ja) * 2004-07-01 2009-09-30 ソニー株式会社 物理情報取得方法および物理情報取得装置並びに物理量分布検知の半導体装置
JP4358125B2 (ja) * 2005-02-04 2009-11-04 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 クロストークノイズ低減回路を備えた半導体装置
JP2006314025A (ja) * 2005-05-09 2006-11-16 Sony Corp 撮像装置と撮像装置用の電源供給方法
JP4701975B2 (ja) * 2005-10-05 2011-06-15 パナソニック株式会社 固体撮像装置および撮像装置
JP4792934B2 (ja) 2005-11-17 2011-10-12 ソニー株式会社 物理情報取得方法および物理情報取得装置
JP4192980B2 (ja) * 2006-09-01 2008-12-10 エプソンイメージングデバイス株式会社 電気光学装置、駆動回路および電子機器
JP4349446B2 (ja) * 2007-07-10 2009-10-21 エプソンイメージングデバイス株式会社 電気光学装置、駆動回路および電子機器
JP4673396B2 (ja) * 2007-09-14 2011-04-20 キヤノン株式会社 撮像装置及び撮像システム
FR2965440B1 (fr) * 2010-09-29 2013-08-23 Commissariat Energie Atomique Dispositif d'imagerie a chute ohmique nulle dans un bus de donnee
JP2012129425A (ja) * 2010-12-16 2012-07-05 Canon Inc マトリクス基板、検出装置、検出システム、及び、検出装置の駆動方法
FR2975213B1 (fr) * 2011-05-10 2013-05-10 Trixell Sas Dispositif d'adressage de lignes d'un circuit de commande pour matrice active de detection
JP2013090139A (ja) * 2011-10-18 2013-05-13 Sony Corp 撮像素子およびカメラシステム
TWI643500B (zh) * 2014-03-31 2018-12-01 日商新力股份有限公司 攝像元件、攝像方法及電子機器
JP2016042664A (ja) * 2014-08-18 2016-03-31 キヤノン株式会社 センサアレー装置及びその制御方法、放射線撮影装置
JP2018113615A (ja) * 2017-01-12 2018-07-19 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像素子、駆動方法、および電子機器
JP2018180414A (ja) * 2017-04-19 2018-11-15 三菱電機株式会社 液晶表示装置
US10873716B2 (en) * 2018-11-05 2020-12-22 SmartSens Technology (HK) Co., Ltd. Dual row control signal circuit for reduced image sensor shading

Also Published As

Publication number Publication date
CN111355908A (zh) 2020-06-30
JP2020102847A (ja) 2020-07-02
EP3672230A1 (fr) 2020-06-24
FR3091113B1 (fr) 2021-03-05
FR3091113A1 (fr) 2020-06-26
US10999547B2 (en) 2021-05-04
EP3672230B1 (fr) 2021-02-24
US20200204754A1 (en) 2020-06-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20190179036A1 (en) Radiation imaging apparatus and radiation imaging system
US20130342514A1 (en) Detection apparatus, detection system, and detection apparatus drive method
US9165960B2 (en) Pixel circuit, active sensing array, sensing device and driving method thereof
EP3275176B1 (en) Apparatus and method using a dual gate tft structure
US9018590B2 (en) Device for addressing lines of a control circuit for an active detection matrix
KR20050026897A (ko) 반도체 장치와, 그 구동 제어 방법 및 장치
US9197824B2 (en) Image pickup unit, method of driving image pickup unit, and image pickup display system
CN105282462A (zh) 图像传感器及其驱动方法
JPS6161586B2 (ko)
US20140263952A1 (en) High performance digital imaging system
US8822939B2 (en) Matrix substrate, detection device, detection system, and method for driving detection device
CN105745919B (zh) 对图像探测器的两列像素的池化
US8884238B2 (en) X-ray matrix imager
US9029794B2 (en) X-ray matrix imager based on a multiple-gate-line driving scheme and a shared-gate-line driving scheme
EP2648404B1 (en) Floating diffusion pre-charge
KR20200078406A (ko) 제어된 임피던스 로우 컨덕터들을 갖는 매트릭스 어레이 검출기
US7723695B2 (en) Imaging apparatus and radiation imaging system
US20130187837A1 (en) Matrix substrate, detecting device, and detecting system
US9040894B2 (en) Imager with column readout
CN101536487A (zh) 用于有源像素传感器阵列的暗行抑制系统及方法
JP2001074551A (ja) 光電変換装置及びその駆動方法
US11522003B2 (en) Matrix-array detector with a plurality of groups of driver modules are interlaced according to the order of the rows of pixels and method for implementing the detector
JP7257299B2 (ja) 撮像システム及び撮像システム応用機器
JP3053721B2 (ja) 固体撮像装置
US20230125228A1 (en) Radiation imaging apparatus, radiation imaging system, method of controlling radiation imaging apparatus, and storage medium

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application