JP2012129425A - マトリクス基板、検出装置、検出システム、及び、検出装置の駆動方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 画素101が行列状に複数配置され、駆動線104が列方向に複数配置され、接続用端子110が駆動線104の数よりも少ない数で設けられ、接続用端子110と駆動線104との間に配置されたデマルチプレクサ111が、第1多結晶半導体薄膜トランジスタ112と、第1制御配線116と、を有するマトリクス基板であって、デマルチプレクサ111は、一つの接続用端子110と2以上の駆動線104との間に画素を非選択状態とするための非選択電圧に駆動線104を維持するための第2多結晶半導体薄膜トランジスタ113と、第2制御配線115と、を更に有する。
【選択図】 図1
Description
図1(a)に示すように、本実施形態の検出装置用のマトリクス基板及び検出装置は、支持基板100上に行列状に配置された複数の画素101を含む有効画素領域(画素アレイ)を有している。画素101は放射線又は光に応じた電気信号を出力するためのものであり、夫々が放射線又は光を電荷に変換する変換素子102が発生した電荷に応じた電気信号を出力するスイッチ素子103を含む。また、画素101は夫々、放射線又は光を電荷に変換する変換素子102を含む。ここで、本実施形態では、変換素子102として、放射線を光に変換するシンチレータと、その光を電荷に変換する光電変換素子と、を含むものであるが、本発明はそれに限定されるものではない。変換素子102として、放射線を直接電荷に変換する直接型変換素子を用いてもよい。また、スイッチ素子103として、非晶質シリコン又は多結晶シリコンの薄膜トランジスタ(TFT)を含む。ここで、半導体材料としてシリコンを用いたが、本発明はこれに限定されるものではなく、ゲルマニウム等の他の半導体材料を用いてもよい。より好ましくは、スタガ型の多結晶シリコンのTFTをスイッチ素子102として用いることである。変換素子102の第1電極には、スイッチ素子102の第1主電極が電気的に接続され、変換素子102の第2電極には、バイアス線106が電気的に接続される。バイアス線106は、列方向に配列された複数の変換素子102の第2電極に共通に接続される。行方向に配列された複数のバイアス線106が共通線107で結合されて共通バイアス線108となり、接続用端子109を介して外部の電源用回路(不図示)に電気的に接続される。スイッチ素子103の第2主電極には、信号線105が電気的に接続される。信号線105は、列方向に配列された複数のスイッチ素子105の第2主電極に共通に接続され、行方向に複数配置され、接続用端子119を介して外部の読出用回路(不図示)に電気的に接続される。接続用端子109及び119は、支持基板101のある辺の端部と有効画素領域の間の支持基板101上に配置されている。接続用端子119と複数の信号線105の間に、マルチプレクサ120が配置されている。このマルチプレクサ120は、ある列(例えば奇数列)の信号線105と接続用端子119とを接続を制御するスイッチ121と、他の列(例えば偶数列)の信号線105と接続用端子119との接続を制御するスイッチ122と、を含む。スイッチ121の制御電極は制御線123により共通に接続され、接続用端子125を介して外部の制御用回路(不図示)により制御される。スイッチ122の制御電極は制御線124により共通に接続され、接続用端子126を介して外部の制御用回路(不図示)により制御される。
次に、図3(a)及び(b)を用いて本発明の第2の実施形態を説明する。なお、以下では、第1の実施形態との相違点についてのみ詳細に説明し、第1の実施形態と同様のものは同じ番号を付与して詳細な説明は割愛する。
なお、第2の実施形態は、同位相の制御信号が供給される制御端子及び制御配線をまとめて行ったが、本発明はそれに限定されるものではなく、接続用端子を共通化できるものであればよい。図4を用いて本発明の第3の実施形態を説明する。なお、以下では、第1の実施形態との相違点についてのみ詳細に説明し、第1の実施形態と同様のものは同じ番号を付与して詳細な説明は割愛する。
次に、図5(a)及び(b)を用いて本発明の第4の実施形態を説明する。なお、以下では、第1〜3の各実施形態との相違点についてのみ詳細に説明し、第1〜3のいずれかの実施形態と同様のものは同じ番号を付与して詳細な説明は割愛する。
次に、図6を用いて本発明の第5の実施形態を説明する。なお、以下では、第1〜4の各実施形態との相違点についてのみ詳細に説明し、第1〜4のいずれかの実施形態と同様のものは同じ番号を付与して詳細な説明は割愛する。
次に、図7を用いて、本発明の放射線検出装置を用いた放射線検出システムへの応用例を説明する。
101 画素
102 変換素子
103 スイッチ素子
104 駆動線
105 信号線
106 バイアス線
107 共通線
108 共通バイアス線
109〜110、118〜119、125〜126 接続用端子
110 接続用端子
111 デマルチプレクサ
112 第1多結晶半導体TFT
113 第2多結晶半導体TFT
114 第1制御配線
115 第2制御配線
116 第1接続用端子
117 第2接続用端子
120 マルチプレクサ
121〜122 スイッチ
123〜124 制御線
Claims (11)
- 画素が行列状に複数配置され、行方向の複数の画素に共通に接続された駆動線が列方向に複数配置され、複数の前記画素を駆動するための駆動用回路と複数の前記駆動線とを接続するための接続用端子が複数の前記駆動線の数よりも少ない数で設けられ、前記接続用端子と複数の前記駆動線との間にデマルチプレクサが配置されており、前記デマルチプレクサが、前記駆動線の夫々に1対1で対応して設けられ前記駆動線に前記画素を選択状態とするための第1電圧を供給するための複数の第1多結晶半導体薄膜トランジスタと、前記複数の第1多結晶半導体薄膜トランジスタの制御電極に前記第1多結晶半導体薄膜トランジスタの導通電圧及び非導通電圧を供給する第1制御配線と、を有するマトリクス基板であって、
前記デマルチプレクサは、前記接続用端子と複数の前記駆動線との間に前記駆動線の夫々に1対1で対応して設けられ前記画素を非選択状態とする第2電圧に前記駆動線を維持するための複数の第2多結晶半導体薄膜トランジスタと、前記複数の第2多結晶半導体薄膜トランジスタの制御電極に前記第2多結晶半導体薄膜トランジスタの導通電圧及び非導通電圧を供給する第2制御配線と、を更に有することを特徴とするマトリクス基板。 - 前記第1制御配線と電気的に接続された第1接続用端子と、前記第2制御配線と電気的に接続された第2接続用端子と、を更に有し、
前記デマルチプレクサは、複数の前記接続用端子が配置されている場合、複数の前記接続用端子のうちの一つの接続用端子と複数の前記駆動線のうちの2以上の駆動線との間に配置された、前記複数の第1多結晶半導体薄膜トランジスタのうちの2以上の第1多結晶半導体薄膜トランジスタと、前記複数の第2多結晶半導体薄膜トランジスタのうちの2以上の第2多結晶半導体薄膜トランジスタとを含む単位ブロックを含むことを特徴とする請求項1に記載のマトリクス基板。 - 前記単位ブロックは、前記複数の第1多結晶半導体薄膜トランジスタのうちの2つの第1多結晶半導体薄膜トランジスタと前記複数の第2多結晶半導体薄膜トランジスタのうちの2つの第1多結晶半導体薄膜トランジスタとを有して1対2のデマルチプレックス動作が可能な構成であり、
前記単位ブロックに接続される複数の前記駆動線のうちの1行目の駆動線に接続される前記2つの第1多結晶半導体薄膜トランジスタのうちの一方の第1多結晶半導体薄膜トランジスタの制御電極に接続される前記第1接続用端子は、前記単位ブロックに接続される複数の前記駆動線のうちの2行目の駆動線に接続される前記2つの第2多結晶半導体薄膜トランジスタのうちの他方の第2多結晶半導体薄膜トランジスタの制御電極に電気的に接続されることを特徴とする請求項2に記載のマトリクス基板。 - 前記単位ブロックは、前記複数の第1多結晶半導体薄膜トランジスタのうちの2つの第1多結晶半導体薄膜トランジスタと前記複数の第2多結晶半導体薄膜トランジスタのうちの2つの第1多結晶半導体薄膜トランジスタとを有して1対2のデマルチプレックス動作が可能な構成であり、
前記単位ブロックに接続される複数の前記駆動線のうちの1行目の駆動線に接続される前記2つの第1多結晶半導体薄膜トランジスタのうちの一方の第1多結晶半導体薄膜トランジスタの制御電極に接続される前記第1接続用端子は、前記単位ブロックに接続される複数の前記駆動線のうちの1行目の駆動線に接続される前記2つの第2多結晶半導体薄膜トランジスタのうちの一方の第2多結晶半導体薄膜トランジスタの制御電極にインバータを介して電気的に接続されることを特徴とする請求項2に記載のマトリクス基板。 - 前記デマルチプレクサは、前記接続用端子と複数の前記駆動線との間に、前記複数の第1多結晶半導体薄膜トランジスタと並列に設けられた複数の第3多結晶半導体薄膜トランジスタを更に有し、
前記複数の第3多結晶半導体薄膜トランジスタの制御電極に共通に、加算モードにおいて前記複数の第3多結晶半導体薄膜トランジスタの導通電圧が供給される接続用端子に電気的に接続されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のマトリクス基板。 - 前記デマルチプレクサは、前記複数の第1多結晶半導体薄膜トランジスタ及び前記複数の第2多結晶半導体薄膜トランジスタの上方を囲うように設けられ、固定電位が供給される接続用端子と電気的に接続されたシールド部を更に含むことを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載のマトリクス基板。
- 前記画素は、放射線又は光を電荷に変換する変換素子によって発生した電荷に応じた電気信号を出力するスイッチ素子を含み、前記第1電圧は前記スイッチ素子の導通電圧であり、前記第2電圧は前記スイッチ素子の非導通電圧であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載のマトリクス基板。
- 前記変換素子は、放射線を光に変換するシンチレータと、前記光を電荷に変換する光電変換素子と、を含み、
前記スイッチ素子は、スタガ型の多結晶半導体薄膜トランジスタであり、前記第1多結晶半導体薄膜トランジスタと前記第2多結晶半導体薄膜トランジスタは、スタガ型の多結晶半導体薄膜トランジスタであることを特徴とする請求項7に記載のマトリクス基板。 - 請求項1から8のいずれか1項に記載のマトリクス基板と、
前記駆動用回路と、
前記第1制御配線に前記第1多結晶半導体薄膜トランジスタの導通電圧及び非導通電圧を供給し、前記第2制御配線に前記第2多結晶半導体薄膜トランジスタの導通電圧及び非導通電圧を供給する制御用回路と、
を有する検出装置であって、
前記駆動線に前記第1電圧を供給するための電圧が前記接続用端子に供給されたとき、前記制御回路が、前記複数の第1多結晶半導体薄膜トランジスタのうちの前記接続用端子と所定の駆動線との間に設けられた第1多結晶半導体薄膜トランジスタを導通状態とし、前記複数の第2多結晶半導体薄膜トランジスタのうちの前記接続用端子と前記所定の駆動線との間に設けられた第2多結晶半導体薄膜トランジスタを非導通状態とすることにより、前記所定の駆動線に第1電圧が供給され、前記複数の第1多結晶半導体薄膜トランジスタのうちの前記接続用端子と前記所定の駆動線と異なる駆動線との間に設けられた第1多結晶半導体薄膜トランジスタを非導通状態とし、前記複数の第2多結晶半導体薄膜トランジスタのうちの前記接続用端子と前記異なる駆動線との間に設けられた第2多結晶半導体薄膜トランジスタを導通状態に維持することにより、前記異なる駆動線が第2電圧に維持されることを特徴とする検出装置。 - 請求項9に記載の検出装置と、
前記検出装置からの信号を処理する信号処理手段と、
前記信号処理手段からの信号を記録するための記録手段と、
前記信号処理手段からの信号を表示するための表示手段と、
前記信号処理手段からの信号を伝送するための伝送処理手段と、を具備することを特徴とする検出システム。 - 放射線又は光に応じた電気信号を出力するための画素が行列状に複数配置され、行方向の複数の画素に共通に接続された駆動線が列方向に複数配置され、複数の前記画素を駆動するための駆動用回路と複数の前記駆動線とを接続するための接続用端子が複数の前記駆動線の数よりも少ない数で設けられ、前記接続用端子と複数の前記駆動線との間にデマルチプレクサが配置されており、前記デマルチプレクサが、前記接続用端子と複数の前記駆動線との間に前記駆動線の夫々に1対1で対応して設けられ前記駆動線に前記画素を選択状態とするための第1電圧を供給するための複数の第1多結晶半導体薄膜トランジスタと、前記接続用端子と複数の前記駆動線との間に前記駆動線の夫々に1対1で対応して設けられ前記画素を非選択状態とする第2電圧に前記駆動線を維持するための複数の第2多結晶半導体薄膜トランジスタと、を有する検出装置の駆動方法であって、
前記駆動線に前記第1電圧を供給するための電圧が前記接続用端子に供給されたとき、前記複数の第1多結晶半導体薄膜トランジスタのうちの前記接続用端子と所定の駆動線との間に設けられた第1多結晶半導体薄膜トランジスタを導通状態とし、前記複数の第2多結晶半導体薄膜トランジスタのうちの前記接続用端子と前記所定の駆動線との間に設けられた第2多結晶半導体薄膜トランジスタを非導通状態とすることにより、前記所定の駆動線に第1電圧が供給され、前記複数の第1多結晶半導体薄膜トランジスタのうちの前記接続用端子と前記所定の駆動線と異なる駆動線との間に設けられた第1多結晶半導体薄膜トランジスタを非導通状態とし、前記複数の第2多結晶半導体薄膜トランジスタのうちの前記接続用端子と前記異なる駆動線との間に設けられた第2多結晶半導体薄膜トランジスタを導通状態に維持することにより、前記異なる駆動線が第2電圧に維持されることを特徴とする駆動方法。
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