KR20200073957A - 투명전도막의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 투명전도막의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 실시 예를 따르는 투명전도막의 제조방법은, 기판 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계; 상기 기판의 일부가 외부로 노출되도록 상기 포토레지스트층의 일부를 제거하여 패턴을 형성하는 단계; 상기 일부가 외부로 노출된 기판 및 포토레지스트층 상에 씨드층을 형성하는 단계; 상기 씨드층의 표면 중 적어도 일부를 개질하는 단계; 상기 포토레스트층 상에 형성된 씨드층을 제거하는 단계; 무전해도금을 수행하여 상기 일부가 외부로 노출된 기판 상에 형성된 씨드층 상에 제 1 도금막을 형성하는 단계; 및 상기 포토레지스트층을 제거하는 단계;를 포함한다.
Description
본 발명은 투명전도막의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 실시 예를 따르는 제조방법에 의해 제조된 투명전도막은 터치패널, 전자파 차폐막, 태양전지 및 창호 등의 분야에 광범위하게 적용이 가능하다. 또한, 상기 투명전도막은 대면적을 갖는 제품의 생산이 가능하며, 높은 투과성 및 응답 속도를 가질 수 있다.
투명전도막이란 빛이 투과되면서 동시에 전기 전도성을 갖는 막을 의미한다. 최근 스마트폰 등의 전자기기가 발달함에 따라 다양한 분야에 적용되고 있다. 상기 투명전도막은 상부의 접촉에 따라 전기적 성질(저항 등)의 변화를 감지할 수 있기 때문에 터치 패널, 센서 등으로 적용이 가능하며, 이를 응용한 디스플레이에 적용이 가능하다. 또한, 빛의 투과가 요구되는 태양전지 및 창호(窓 戶)에 적용이 가능하며, 최근에는 전자파를 차단하는 전자파 차폐막으로 그 용도가 확장되고 있다.
이러한 투명전도막 분야에서 인듐 주석 산화물 (ITO, Indium Tin Oxide)가 주요 재료로 많이 사용되어 오고 있으나, ITO는 면저항이 높기 때문에 세밀한 감지가 어렵고 빠른 응답 속도를 기대하기 어려운 문제점이 있다.
이러한 문제점을 해결하기 위해 현재 높은 투과율 및 전기 전도성을 갖는 투명전도막에 대한 연구가 진행되고 있다. 하기의 선행기술문헌(한국특허공개공보 제10-2013-0102998호)은 절연층에 패턴을 형성한 후 금속용액을 코팅하여 투명도전막을 형성하는 기술을 개시하고 있다.
본 발명은 넓은 면적을 갖는 투명전도막을 제조할 수 있는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 높은 투과도를 가지면서 동시에 높은 응답속도를 가지는 투명 전도막을 제공할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시 예를 따르는 투명전도막의 제조방법은 포토레지스트층 상의 씨드층을 효과적으로 제거할 수 있는 수단을 제공한다. 이를 통해 기판 상의 불필요한 부분에 씨드층이 잔존하는 것을 방지할 수 있고, 무전해도금 공정을 안정적으로 수행할 수 있어, 공정 수율 및 효율을 향상시킬 수 있다. 또한 무전해도금 공정으로 구리 박막을 형성한 다음, 이를 기반으로 전해도금 공정을 구리 박막을 보다 손쉽게 형성함으로써 생산성을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따르는 투명전도막의 제조방법은, 기판 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계; 상기 기판의 일부가 외부로 노출되도록 상기 포토레지스트층의 일부를 제거하여 패턴을 형성하는 단계; 상기 일부가 외부로 노출된 기판 및 포토레지스트층 상에 씨드층을 형성하는 단계; 상기 씨드층의 표면 중 적어도 일부를 개질하는 단계; 무전해도금을 수행하여 상기 일부가 외부로 노출된 기판 상에 형성된 씨드층 상에 제 1 도금막을 형성하는 단계; 및 상기 포토레지스트층을 제거하는 단계;를 포함한다.
본 발명의 다른 실시 예를 따르는 투명전도막의 제조방법은, 기판 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계; 상기 기판의 일부가 외부로 노출되도록 상기 포토레지스트층의 일부를 제거하여 패턴을 형성하는 단계; 상기 일부가 외부로 노출된 기판 및 포토레지스트층 상에 제 1 씨드층을 형성하는 단계; 상기 제 1 씨드층의 표면 중 적어도 일부를 개질하는 단계; 상기 일부가 외부로 노출된 기판 상에 형성된 제 1 씨드층 상에 제 2 씨드층을 형성하는 단계; 무전해도금을 수행하여 상기 제 2 씨드층상에 제 1 도금막을 형성하는 단계; 및 상기 포토레지스트층을 제거하는 단계;를 포함한다.
본 발명의 또 다른 실시 예를 따르는 투명전도막의 제조방법은, 기판 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계; 상기 기판의 일부가 외부로 노출되도록 상기 포토레지스트층의 일부를 제거하여 패턴을 형성하는 단계; 상기 일부가 외부로 노출된 기판 및 포토레지스트층 상에 씨드층을 형성하는 단계; 상기 씨드층의 표면 중 적어도 일부를 개질하는 단계; 상기 포토레지스트층을 제거하는 단계; 및 무전해도금을 수행하여 상기 일부가 외부로 노출된 기판 상에 형성된 상기 씨드층 상에 제 1 도금막을 형성하는 단계;를 포함한다.
본 발명의 또 다른 실시 예를 따르는 투명전도막의 제조방법은, 기판 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계;
상기 기판의 일부가 외부로 노출되도록 상기 포토레지스트층의 일부를 제거하여 패턴을 형성하는 단계;
상기 일부가 외부로 노출된 기판 및 포토레지스트층 상에 제 1 씨드층을 형성하는 단계;
상기 제 1 씨드층의 표면 중 적어도 일부를 개질하는 단계;
상기 일부가 외부로 노출된 기판 상에 형성된 제 1 씨드층 상에 제 2 씨드층을 형성하는 단계;
상기 포토레지스트층을 제거하는 단계; 및
무전해도금을 수행하여 상기 제 2 씨드층상에 제 1 도금막을 형성하는 단계; 를 포함한다.
상기 표면 중 적어도 일부를 개질하는 단계는, 상기 포토레지스트층 상의 씨드층 또는 제 1 씨드층을 선택적으로 제거하는 것일 수 있다. 또한, 상기 표면 중 적어도 일부를 개질하는 단계는, 상기 포토레지스트층 상의 씨드층 또는 제 1 씨드층에 질량체를 분사하여 수행될 수 있다.
상기 질량체를 분사하는 방법은, 상기 포토레이지스층에 수직인 방향으로부터 소정의 각도를 갖도록 상기 질량체를 분사하는 것일 수 있다.
상기 질량체는 승화(sublimation) 물질일 수 있고, 바람직하게 상기 승화 물질은 드라이아이스, 나프탈렌 및 아이오딘 중 어느 하나일 수 있다.
상기 제 2 씨드층은 팔라듐(Pd)를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 예를 따르는 투명전도막의 제조방법은, 전해도금 공정을 수행하여 상기 제 1 도금막 상에 제 2 도금막을 형성하는 단계;를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 예를 따르는 투명전도막의 제조방법은 넓은 면적을 갖는 투명전도막을 제조할 수 있는 방법을 제공할 수 있다. 또한, 높은 투과도를 가지면서 동시에 높은 응답속도를 가지는 투명전도막을 제공할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시 예를 따르는 투명전도막의 제조방법은 포토레지스트층 상의 씨드층을 효과적으로 제거할 수 있는 수단을 제공한다. 이를 통해 기판 상의 불필요한 부분에 씨드층이 잔존하는 것을 방지할 수 있고, 무전해도금 공정을 안정적으로 수행할 수 있어, 공정 수율 및 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 무전해도금 공정을 효율적이고 경제적으로 수행할 수 있다.
또한 무전해도금 공정으로 도금막을 형성한 다음, 이를 기반으로 전해도금 공정을 수행하여, 원하는 두께의 도금막을 빠르게 형성할 수 있어, 생산성을 향상시킬 수 있다. 또한, 이종의 물질을 포함하는 도금막을 형성할 수 있다.
도 1 내지 도 6은 본 발명의 실시 예를 따르는 투명전도막의 제조방법을 도시한 것이다.
도 7 내지 도 13은 본 발명의 다른 실시 예를 따르는 투명전도막의 제조방법을 도시한 것이다.
도 14 및 도 15는 무전해도금 공정을 도시한 것이다.
도 16 및 도 17은 본 발명의 또 다른 실시 예를 따르는 투명전도막의 제조방법을 도시한 것이다.
도 7 내지 도 13은 본 발명의 다른 실시 예를 따르는 투명전도막의 제조방법을 도시한 것이다.
도 14 및 도 15는 무전해도금 공정을 도시한 것이다.
도 16 및 도 17은 본 발명의 또 다른 실시 예를 따르는 투명전도막의 제조방법을 도시한 것이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태들을 다음과 같이 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시 형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시 형태는 당해 기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면 상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다. 또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용한다. 덧붙여, 명세서 전체에서 어떤 구성요소를 "포함"한다는 것은 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다.
도 1 내지 도 6은 본 발명의 실시 예를 따르는 투명전도막의 제조방법을 도시한 것이다. 도 1 내지 도 6을 참조하면, 본 발명의 실시 예를 따르는 투명전도막의 제조방법은, 기판(110) 상에 포토레지스트층(120)을 형성하는 단계; 상기 기판(110)의 일부가 외부로 노출되도록 상기 포토레지스트층(120)의 일부를 제거하여 패턴을 형성하는 단계; 상기 일부가 외부로 노출된 기판(110) 및 포토레지스트층(120) 상에 씨드층(130)을 형성하는 단계; 상기 씨드층(130)의 표면 중 적어도 일부를 개질하는 단계; 무전해도금을 수행하여 상기 일부가 외부로 노출된 기판(110) 상에 제 1 도금막(150)을 형성하는 단계; 및 상기 포토레지스트층(120)을 제거하는 단계;를 포함한다.
기판(110)은 상부에 전도성 배선(도전막)을 배치할 수 있는 것이면 특별히 제한되지 않으며, 빛이 투과할 수 있는 재료로 형성될 수 있다. 상기 기판(110)은 유리, 사파이어 또는 실리콘 웨이퍼 등의 경질 기판(110)일 수 있고, 폴리이미드(Polyimide), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 프로필렌 글리콜(propylene glycol) 폴리 카보네이트(PC) 등의 플라스틱을 포함하는 연성 기판(110)일 수 있다.
기판(110) 상에 포토레지스트층(120)을 형성하는 단계는 감광성 물질인 포토레지스트를 상기 기판(110) 상에 도포하여 수행될 수 있다. 상기 도포 방법은 액상의 포토레지스트를 용액 코팅하는 것일 수 있으며 특별히 제한되지 않는다. 상기 포토레지스트는 방향족 비스아지드(Bis-azide), 메타크릴산 에스테르(Methacrylic acid ester), 계피산 에스테르(Cinnamic acid ester), 폴리메틸메타크릴레이트(Poly(methyl methacrylate)), 나프토퀴논 디아지드(Naphthoquinonediazide), 폴리부텐-1 술폰(Polybutene-1 sulfone) 및 다이아조나프토퀴논(diazonaphthoquinone)-노볼락 수지(DNQ/NR) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
다음으로, 상기 기판(110)의 일부가 외부로 노출되도록 상기 포토레지스트층(120)의 일부를 제거하여 패턴을 형성하는 단계를 수행한다(도 1 참조). 본 단계는 상기 포토레지스트층(120) 상에 마스크를 배치하는 단계, 상기 마스크 상에 특정 파장의 빛을 비춰 상기 포토레지스트층(120)의 일부를 반응하는 단계(노광 단계) 및 상기 포토레지스트층(120) 중 반응된 부분을 제거하는 단계(현상 단계)를 포함한다. 상기 마스크는 전도성 배선이 형성되는 부분이 뚫려 있는 패턴 홈을 포함할 수 있다. 상기 노광 단계에서 사용하는 빛은 UV 파장의 것일 수 있으며, 포토레지스트에 적합한 것으로 선택될 수 있다. 상기 현상 단계에서 포토레지스트층(120)을 제거하는 방법은 상기 반응된 포토레지스트층(120)을 현상액으로 처리하여 수행할 수 있다. 상기 현상액은 현상제, 조성제 및 산화억제제를 포함할 수 있다. 노광 단계에서 상기 현상제는 할로겐화은을 환원시키는 기능을 수행할 수 있다. 현상액 사용 후 현상 반응을 억제하기 위해 묽은 산으로 후 처리하는 단계를 더 포함할 수 있다. 본 공정을 수행함으로써 상기 기판(110) 중 상기 마스크의 패턴 홈에 대응하는 영역이 상기 포토레지스트층(120) 사이에서 외부로 노출되도록 음각 패턴이 형성될 수 있다.
상기 음각 패턴은 격자 형상 또는 매쉬 형상일 수 있으며, 특별히 제한되지 않는다. 상기 음각 패턴의 깊이는 필요에 따라 2 내지 50μm, 바람직하게는 5 내지 30 μm일 수 있고, 음각 패턴의 폭은 2 내지 50μm, 바람직하게는 5 내지 30μm일 수 있고, 음각 패턴 사이의 간격은 50 내지 1000μm, 바람직하게는 200 내지 800μm일 수 있다.
다음으로, 상기 일부가 외부로 노출된 기판(110) 및 포토레지스트층(120) 상에 씨드층(130)을 형성하는 단계를 수행한다(도 2 참조). 상기 씨드층(130)은 이후 제 1 도금막(150)을 형성하기 위한 기초가 되는 것으로, 상기 제 1 도금막(150)이 안정적으로 형성될 수 있는 도전성 물질로 형성될 수 있다. 바람직하게, 상기 씨드층(130)은 TiN, TiW 및 Cu 중 어느 하나의 도전성 물질을 포함할 수 있다.
상기 씨드층(130)을 형성하는 방법은 스퍼터링(sputtering) 법, 화학기상증착(CVD) 법, 스핀코팅(Spin Coating) 법, 무전해도금법 등이 있다. 예를 들어, 스퍼터링 법을 사용하여 씨드층(130)을 형성함으로써, 박막의 두께를 정확하게 제어하고 얇은 막을 형성할 수 있으며, 바람직하게는, 무전해도금법을 사용하여 Cu를 씨드층(130)으로 형성함으로써, 이후, 무전해도금 수행시 촉매 물질을 추가하지 않고도 제 1 도금막 형성을 원활히 수행할 수 있다.
다음으로 상기 씨드층(130)의 표면 중 적어도 일부를 개질하는 단계를 수행한다(도 3 참조). 상기 "표면 중 적어도 일부를 개질"이란 씨드층(130)의 표면의 특성을 물리적 또는 화학적으로 변경하는 것을 의미하며, 상기 씨드층(130)의 일부에 크랙이나 포토레지스트층(120)과의 분리 등의 현상이 발생한 것을 의미할 수 있다. 이를 통해 상기 포토레지스트층(120) 상의 씨드층(130)을 선택적으로 제거하는 것일 수 있다.
상기 표면 중 적어도 일부를 개질하는 단계는, 상기 포토레지스트층(120) 상의 씨드층(130) 또는 씨드층(130)에 질량체(140)를 분사하여 수행될 수 있다. 상기 질량체(140)를 분사하는 방법은, 상기 포토레지스트층에 수직인 방향으로부터 소정의 각도를 갖도록 상기 질량체(140)를 분사하는 것일 수 있다. 도 3을 참조하면, 질량체(140)가 포토레지스트층(120)에 수직인 방향(점선)에 대하여 소정의 각도(θ)로 경사진 방향으로 분사됨을 알 수 있다. 이를 통해 상기 질량체(140)가 포토레지스트층(120) 상에 배치된 씨드층(130)에 충돌하되, 기판(110) 상에 배치된 씨드층(130)에는 충돌하지 않도록 제어할 수 있다. 상기 질량체(140)가 입사되는 각도는 포토레지스트층(120)에 수직인 방향에 대하여 20 내지 70°일 수 있다. 상기 질량체(140)가 입사되는 각도가 20°미만인 경우에는 질량체(140)가 기판(110) 상의 씨드층(130)에 충돌하는 문제가 발생할 수 있다. 상기 질량체(140)가 입사되는 각도가 70°초과인 경우에는 질량체(140)가 씨드층(130)에 충분한 충격량을 전달하지 못하기 때문에 씨드층(130)의 표면 개질이 충분히 일어나지 않을 수 있다.
상기 질량체(140)는 씨드층(130)의 표면이 개질될 수 있을 정도의 충격량을 전달할 수 있는 질량을 가질 수 있고, 소정의 각도로 입사하는 경우 포토레지스트층(120)에 형성된 패턴 사이로 유입되지 않을 정도의 크기를 가지는 것이 바람직하다. 이를 위해 본 단계에서 씨드층(130)으로 입사되는 질량체(140)의 평균 지름은 5μm 이상, 보다 바람직하게는 10μm 이상일 수 있다.
상기 질량체(140)는 승화(sublimation) 물질일 수 있고, 바람직하게 상기 승화 물질은 드라이아이스, 나프탈렌 및 아이오딘 중 어느 하나일 수 있다. 상기 질량체(140)로 승화 물질을 사용하는 경우, 질량체(140)가 씨드층(130)과 충돌한 후 기화되므로 씨드층(130) 상에 부산물이 존재하지 않을 수 있다. 따라서, 간단한 공정으로 포토레지스트층(120) 상의 씨드층(130)만을 개질할 수 있고, 부산물 발생에 의한 추가 세정 공정이 불필요하다.
상기 질량체(140)를 입사하는 방법은 분말 상태의 질량체(140)를 캐리어 기체를 통해 운반하여 노즐로 방사하는 방법일 수 있다.
다른 실시 예에서, 상기 표면 중 적어도 일부를 개질하는 단계는, 플라즈마 처리를 통해 수행될 수 있다. 일 예로, 상기 플라즈마는 O2를 이용한 것일 수 있다.
다음으로 포토레지스트층(120) 상에 형성된 개질된 씨드층(130)을 제거하는 단계를 수행할 수 있다. 본 단계는 상기 포토레지스트층(120) 상에 형성된 개질된 씨드층(130)에 식각용액을 접촉하여 수행될 수 있다. 이를 위해 식각용액에 개질된 씨드층(130) 및 포토레지스트층(120)의 일부만을 담가 기판 상에 배치된 씨드층(130)이 제거되는 것을 방지할 수 있다. 이때, 상기 식각용액은 암모니아, 과산화수소, 불산 염산, 질산 및 황산 중 어느 하나일 수 있으나 이에 제한된 것은 아니며, 습식 식각을 위해 사용되는 용액이 사용될 수 있다. 상기 포토레지스트층(120) 상에 배치된 개질된 씨드층(130)을 제거하는 단계를 수행함으로써, 이후 포토레지스트를 보다 용이하게 제거할 수 있다.
다음으로, 상기 무전해도금 공정을 통해 상기 씨드층(130) 상에 제 1 도금막(150)을 형성하는 단계를 수행할 수 있다(도 4 참조).
무전해도금법을 통해 패턴이 형성된 영역에 제 1 도금막(150)(배선)을 형성할 수 있다. 종래의 스퍼터링 법에 의해 도전성 배선을 형성하는 경우, 식각을 통해 불필요한 부분을 제거해야 했으나, 비용 및 시간이 많이 소요되고 기술적으로 난이도가 높아 실현성이 낮은 문제가 있었다. 본 발명의 실시 예는 무전해도금법을 이용하여 패턴이 형성된 영역에 제 1 도금막을 형성하기 때문에, 종래의 스퍼터링 법 등을 이용하여 도전성 배선을 형성한 것에 비하여 빠르고 경제적으로 제 1 도금막(150)을 형성할 수 있다.
상기 무전해도금법을 통해 형성된 제 1 도금막(150)은 도전성 물질을 포함하며, 바람직하게는 구리를 포함할 수 있다.
상기 무전해도금법은 상기 씨드층(130) 상에 도금액(170)을 공급하여 수행될 수 있다. 상기 무전해도금법은 금속층을 형성하기 위해 수행되는 통상적인 방법으로 수행될 수 있다. 형성되는 제 1 도금막(150)이 구리막인 경우, 무전해도금을 위해 사용되는 도금액은 황산구리 등의 금속염, 포르말린 등의 산화제, 롯셀염 등의 착화제 및 수산화나트륨을 포함할 수 있다.
상기 무전해도금법은 2가지 방법으로 수행될 수 있다.
먼저, 상기 씨드층(130)과의 접합(adhesion)이 우수한 제1 도금막을 형성하기 위해 1차 무전해도금을 수행할 수 있다. 상기 1차 무전해도금은 상기 씨드층(130)과 접합(adhesion) 특성이 우수한 방법으로 상기 제1 도금막(150)의 일부를 형성할 수 있다.
이후 상기 제 1 도금막(150)의 두께를 증가시키기 위해 2차 무전해도금을 수행할 수 있다. 상기 2차 무전해도금은 빠른 도금속도를 구현할 수 있는 방법으로 상기 제1 도금막의 두께를 빠르게 증가시킬 수 있다. 즉, 상기 1차 무전해도금은 접합이 우수한 방법인 반면, 도금 속도가 느려 두꺼운 도금막을 형성하려 할 경우생산효율이 저하될 수 있다. 이에, 상기 2차 무전해도금을 수행함으로써 생산효율을 향상시킬 수 있다.
다음으로, 전해도금을 수행하여 상기 제1 도금막(150)상에 제 2 도금막(180)을 형성하는 단계;를 더 포함할 수 있다(도 6 참조).
상기 제 2 도금막(180)은 상기 제1 도금막(150)과 동일한 물질이거나 또는 다른 물질일 수 잇다.
상기 제 2 도금막(180)은 상기 제1 도금막(150)과 동일한 물질일 경우, 본 단계는 원하는 두께의 도금막을 형성하는데 걸리는 시간을 줄여 생산 효율성을 높일 수 있다.
무전해도금의 경우, 금속 이온이 환원될 수 있는 촉매표면을 갖는 다양한 기판상에 형성될 수 있고, 치밀하고 균일하게 막을 형성할 수 있는 반면, 도금 속도가 느릴 수 있다. 이에, 무전해 도금 공정을 통해 일정 두께 예를 들어, 100 내지 1000 Å의 두께의 제1 도금막(150)을 형성한 후, 상기 제 1 도금막과 동일한 물질의 제 2 도금막을 전해도금을 통해 형성하여 빠르게 도금막을 형성할 수 있다.
이를 통해, 5 이상 또는 100ｕm 이상의 두께운 도금막(배선)도 보다 빠르게 형성할 수 있다.
상기 제 2 도금막(180)이 상기 제1 도금막(150)과 다른 물질일 경우, 본 단계를 통해 이종의 물질을 포함하는 도금막을 형성할 수 있다.
예를 들어, 무전해도금 공정을 통해 구리 도금막을 형성한 후, 상기 구리 도금막상에 전해도금을 통해 니켈을 도금하여 구리 및 니켈을 포함하는 도금막을 형성할 수 있다.
이때, 상기 전해도금은 전기를 공급하여 금속표면에 금속층을 형성하는 통상의 전해도금 방법으로 수행될 수 있다.
다음으로, 상기 포토레지스트층(120)을 제거하는 단계를 수행한다(도 5 참조). 본 단계는 통상적으로 포토레지스트층(120)을 제거하는 리프트오프 법에 의할 수 있으며 특별히 제한되지 않는다. 일 예에서, 본 단계는 습식 방식에 의해 수행될 수 있고, 포토레지스트층(120)을 제거하기 위한 습식 박리액은 아민계열의 용액이 사용될 수 있다.
도 7 내지 도 13은 본 발명의 다른 실시 예를 따르는 투명전도막의 제조방법을 도시한 것이다. 도 7 내지 도 13을 참조하면, 본 발명의 다른 실시 예를 따르는 투명전도막의 제조방법은, 기판(110) 상에 포토레지스트층(120)을 형성하는 단계; 상기 기판(110)의 일부가 외부로 노출되도록 상기 포토레지스트층(120)의 일부를 제거하여 패턴을 형성하는 단계; 상기 일부가 외부로 노출된 기판(110) 및 포토레지스트층(120) 상에 제 1 씨드층(130a)을 형성하는 단계; 상기 제 1 씨드층(130a)의 표면 중 적어도 일부를 개질하는 단계; 상기 일부가 외부로 노출된 기판(110) 상에 형성된 제 1 씨드층(130a) 상에 제 2 씨드층(130b)을 형성하는 단계; 무전해도금을 수행하여 상기 제 2 씨드층(130b)으로부터 제 1 도금막(150)을 형성하는 단계; 및 상기 포토레지스트층(120)을 제거하는 단계;를 포함한다. 본 실시 예에서는, 앞선 실시 예와 달리 상기 제 1 씨드층(130a)의 표면 중 적어도 일부를 개질하는 단계 이후에, 상기 일부가 외부로 노출된 기판(110) 상에 형성된 제 1 씨드층(130a) 상에 제 2 씨드층(130b)을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 제 1 도금막(150)을 형성하는 단계는, 상기 제 2 씨드층(130b) 상에 제 1 도금막(150)을 형성하는 것을 특징으로 한다.
기판(110)은 상부에 전도성 배선을 배치할 수 있는 것이면 특별히 제한되지 않으며, 빛이 투과할 수 있는 재료로 형성될 수 있다. 상기 기판(110)은 유리, 사파이어 또는 실리콘 웨이퍼 등의 경질 기판(110)일 수 있고, 폴리이미드(Polyimide), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 프로필렌 글리콜(propylene glycol) 폴리 카보네이트(PC) 등의 플라스틱을 포함하는 연성 기판(110)일 수 있다.
기판(110) 상에 포토레지스트층(120)을 형성하는 단계는 감광성 물질인 포토레지스트를 상기 기판(110) 상에 도포하여 수행될 수 있다. 상기 도포 방법은 액상의 포토레지스트를 용액 코팅하는 것일 수 있으며 특별히 제한되지 않는다. 상기 포토레지스트는 방향족 비스아지드(Bis-azide), 메타크릴산 에스테르(Methacrylic acid ester), 계피산 에스테르(Cinnamic acid ester), 폴리메틸메타크릴레이트(Poly(methyl methacrylate)), 나프토퀴논 디아지드(Naphthoquinonediazide), 폴리부텐-1 술폰(Polybutene-1 sulfone) 및 다이아조나프토퀴논(diazonaphthoquinone)-노볼락 수지(DNQ/NR) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
다음으로, 상기 기판(110)의 일부가 외부로 노출되도록 상기 포토레지스트층(120)의 일부를 제거하여 패턴을 형성하는 단계를 수행한다(도 7 참조). 본 단계는 상기 포토레지스트층(120) 상에 마스크를 배치하는 단계, 상기 마스크 상에 특정 파장의 빛을 비춰 상기 포토레지스트층(120)의 일부를 반응하는 단계(노광 단계) 및 상기 포토레지스트층(120) 중 반응된 부분을 제거하는 단계(현상 단계)를 포함한다. 상기 마스크는 전도성 배선이 형성되는 부분이 뚫려 있는 패턴 홈을 포함할 수 있다. 상기 노광 단계에서 사용하는 빛은 UV 파장의 것일 수 있으며, 포토레지스트에 적합한 것으로 선택될 수 있다. 상기 현상 단계에서 포토레지스트층(120)을 제거하는 방법은 상기 반응된 포토레지스트층(120)을 현상액으로 처리하여 수행할 수 있다. 상기 현상액은 현상제, 조성제 및 산화억제제를 포함할 수 있다. 노광 단계에서 상기 현상제는 할로겐화은을 환원시키는 기능을 수행할 수 있다. 현상액 사용 후 현상 반응을 억제하기 위해 묽은 산으로 후 처리하는 단계를 더 포함할 수 있다. 본 공정을 수행함으로써 상기 기판(110) 중 상기 마스크의 패턴 홈에 대응하는 영역이 상기 포토레지스트층(120) 사이에서 외부로 노출되도록 음각 패턴이 형성될 수 있다.
상기 음각 패턴은 격자 형상 또는 매쉬 형상일 수 있으며, 특별히 제한되지 않는다. 상기 음각 패턴의 깊이는 필요에 따라 2 내지 50μm, 바람직하게는 5 내지 30 μm일 수 있고, 음각 패턴의 폭은 2 내지 50μm, 바람직하게는 5 내지 30μm일 수 있고, 음각 패턴 사이의 간격은 50 내지 1000μm, 바람직하게는 200 내지 800μm일 수 있다.
다음으로, 상기 일부가 외부로 노출된 기판(110) 및 포토레지스트층(120) 상에 제 1 씨드층(130a)을 형성하는 단계를 수행한다(도 8 참조). 상기 제 1 씨드층(130a)은 이후 제 2 씨드층(130b)을 형성하기 위한 기초가 되는 것으로, 상기 제 2 씨드층(130b)이 안정적으로 형성될 수 있는 도전성 물질로 형성될 수 있다. 바람직하게, 상기 제 1 씨드층(130a)은 TiN, TiW 및 Cu 중 어느 하나의 도전성 물질을 포함할 수 있다. 상기 제 1 씨드층(130a)을 형성하는 방법은 스퍼터링(sputtering) 법, 화학기상증착(CVD) 법, 스핀코팅(Spin Coating) 법 등이 있다. 바람직하게는 스퍼터링 법을 사용하여 제 1 씨드층(130a)을 형성함으로써, 박막의 두께를 정확하게 제어하고 얇은 막을 형성할 수 있다.
다음으로 상기 제 1 씨드층(130a)의 표면 중 적어도 일부를 개질하는 단계를 수행한다(도 9 참조). 상기 "표면 중 적어도 일부를 개질"이란 제 1 씨드층(130a)의 표면의 특성을 물리적 또는 화학적으로 변경하는 것을 의미하며, 상기 제 1 씨드층(130a)의 일부에 크랙이나 포토레지스트층(120)과의 분리 등의 현상이 발생한 것을 의미할 수 있다. 이를 통해 상기 포토레지스트층(120) 상의 제 1 씨드층(130a)을 선택적으로 제거하는 것일 수 있다.
상기 표면 중 적어도 일부를 개질하는 단계는, 상기 포토레지스트층(120) 상의 씨드층(130) 또는 제 1 씨드층(130a)에 질량체(140)를 분사하여 수행될 수 있다. 상기 질량체(140)를 분사하는 방법은, 상기 포토레이지스층에 수직인 방향으로부터 소정의 각도를 갖도록 상기 질량체(140)를 분사하는 것일 수 있다. 도 8을 참조하면, 질량체(140)가 포토레지스트층(120)에 수직인 방향(점선)에 대하여 소정의 각도(θ)로 경사진 방향으로 분사됨을 알 수 있다. 이를 통해 상기 질량체(140)가 포토레지스트층(120) 상에 배치된 제 1 씨드층(130a)에 충돌하되, 기판(110) 상에 배치된 제 1 씨드층(130a)에는 충돌하지 않도록 제어할 수 있다. 상기 질량체(140)가 입사되는 각도는 포토레지스트층(120)에 수직인 방향에 대하여 20 내지 70°일 수 있다. 상기 질량체(140)가 입사되는 각도가 20°미만인 경우에는 질량체(140)가 기판(110) 상의 제 1 씨드층(130a)에 충돌하는 문제가 발생할 수 있다. 상기 질량체(140)가 입사되는 각도가 70°초과인 경우에는 질량체(140)가 제 1 씨드층(130a)에 충분한 충격량을 전달하지 못하기 때문에 제 1 씨드층(130a)의 표면 개질이 충분히 일어나지 않을 수 있다.
상기 질량체(140)는 제 1 씨드층(130a)의 표면이 개질될 수 있을 정도의 충격량을 전달할 수 있는 질량을 가질 수 있고, 소정의 각도로 입사하는 경우 포토레지스트층(120)에 형성된 패턴 사이로 유입되지 않을 정도의 크기를 가지는 것이 바람직하다. 이를 위해 본 단계에서 제 1 씨드층(130a)으로 입사되는 질량체(140)의 평균 지름은 5μm 이상, 보다 바람직하게는 10μm 이상일 수 있다.
상기 질량체(140)는 승화(sublimation) 물질일 수 있고, 바람직하게 상기 승화 물질은 드라이아이스, 나프탈렌 및 아이오딘 중 어느 하나일 수 있다. 상기 질량체(140)로 승화 물질을 사용하는 경우, 질량체(140)가 제 1 씨드층(130a)과 충돌한 후 기화되므로 제 1 씨드층(130a) 상에 부산물이 존재하지 않을 수 있다. 따라서, 간단한 공정으로 포토레지스트층(120) 상의 제 1 씨드층(130a)만을 개질할 수 있고, 부산물 발생에 의한 추가 세정 공정이 불필요하다.
상기 질량체(140)를 입사하는 방법은 분말 상태의 질량체(140)를 캐리어 기체를 통해 운반하여 노즐로 방사하는 방법일 수 있다.
다른 실시 예에서, 본 단계는 플라즈마 처리를 통해 수행될 수 있다. 일 예로, 상기 플라즈마는 O2를 이용한 것일 수 있다.
다음으로 포토레지스트층(120) 상에 배치된 개질된 제 1 씨드층(130a)을 제거하는 단계를 수행할 수 있다. 본 단계는 상기 포토레지스트층(120) 상에 배치된 개질된 제 1 씨드층(130a)에 식각용액을 접촉하여 수행될 수 있다. 이를 위해 식각용액에 개질된 제 1 씨드층(130a) 및 포토레지스트층(120)의 일부만을 담가 기판 상에 배치된 제 1 씨드층(130a)이 제거되는 것을 방지할 수 있다. 이때, 상기 식각용액은 암모니아, 과산화수소, 불산 염산, 질산 및 황산 중 어느 하나일 수 있으나 이에 제한된 것은 아니며, 습식 식각을 위해 사용되는 용액이 사용될 수 있다. 상기 포토레지스트층(120) 상에 배치된 개질된 제 1 씨드층(130a)을 제거하는 단계를 수행함으로써, 이후 포토레지스트를 보다 용이하게 제거할 수 있다.
다음으로, 상기 일부가 외부로 노출된 기판(110) 상에 형성된 제 1씨드층(130a) 상에 제 2 씨드층(130b)을 형성하는 단계를 수행한다(도 10 참조). 상기 제 2 씨드층(130b)은 무전해도금 공정을 이용하여 도전막을 형성하기 위한 씨앗층으로서 역할을 수행한다. 상기 도전막이 효율적으로 형성될 수 있는 도전성 물질로 형성될 수 있고, 무전해도금의 효율을 개선하기 위해 촉매를 포함할 수 있다. 바람직하게, 상기 촉매는 팔라듐(Pd) 원소(160)를 포함할 수 있다.
상기 제 2 씨드층(130b)을 형성하는 방법은 스퍼터링(sputtering) 법, 화학기상증착(CVD) 법, 스핀코팅(Spin Coating) 법, 무전해도금법 등이 있다.
바람직하게는 상기 제 2 씨드층(130b)은 무전해도금법으로 수행될 수 있으며, 예를 들어, 무전해도금법으로 팔라듐(Pd)을 포함하는 제2 씨드층을 형성할 수 있다. 이때 팔라듐(Pd)은 작은 입자 형태로 형성될 수 있다.
앞선 단계에서 포토레지스트층(120) 상의 제 1 씨드층(130a)을 개질하여 제거하였으므로 상기 제 2 씨드층(130b)은 상기 기판(110) 상의 제 1 씨드층(130a) 상에만 형성될 수 있다.
다음으로, 상기 무전해도금 공정을 통해 상기 제 2 씨드층(130b) 상에 제 1 도금막(150)을 형성하는 단계를 수행할 수 있다(도 11 참조).
무전해도금법을 통해 패턴이 형성된 영역에 제 1 도금막(150) (배선)을 형성할 수 있다. 종래의 스퍼터링 법에 의해 도전성 배선을 형성하는 경우, 식각을 통해 불필요한 부분을 제거해야 했으나, 비용 및 시간이 많이 소요되고 기술적으로 난이도가 높아 실현성이 낮은 문제가 있었다. 본 발명의 실시 예는 무전해도금법을 이용하여 패턴이 형성된 영역에 제 1 도금막(150) (배선)을 형성하기 때문에, 종래의 스퍼터링 법 등을 이용하여 도전성 배선을 형성한 것에 비하여 빠르고 경제적으로 제 1 도금막(150)을 형성할 수 있다.
상기 무전해도금법을 통해 형성된 제 1 도금막(150)은 도전성 물질을 포함하며, 바람직하게는 구리를 포함할 수 있다.
상기 무전해도금법은 상기 제 1 씨드층(130a) 또는 상기 제 2 씨드층(130b) 상에 도금액(170)을 공급하여 수행될 수 있다. 상기 무전해도금법은 금속층을 형성하기 위해 수행되는 통상적인 방법으로 수행될 수 있다. 형성되는 제 1 도금막(150)이 구리막인 경우, 무전해도금을 위해 사용되는 도금액은 황산구리 등의 금속염, 포르말린 등의 산화제, 롯셀염 등의 착화제 및 수산화나트륨을 포함할 수 있다.
도 14 및 도 15는 무전해도금 공정을 도시한 것이다. 도 14 및 도 15를 참조하면, 도금액(170) 내에서 제 2 씨드층(130b)에 포함된 팔라듐(Pd)이 촉매로서 작용하여 구리 제 1 도금막(150)의 성장 효율이 개선됨을 알 수 있다.
즉, 무전해구리도금시, 팔라듐(Pd)이 환원제 역할을 수행하여 구리도금용액상의 구리이온이 환원하여 상기 제 2 씨드층상에 제 1 도금막을 형성되고, 구리가 도금되면 구리 표면 자체가 팔라듐(Pd)을 대신해서 전자를 제공하는 환원제 역할을 할 수 있다.
상기 무전해도금법은 2가지 방법으로 수행될 수 있다.
먼저, 상기 씨드층(130)과의 접합(adhesion)이 우수한 제1 도금막을 형성하기 위해 1차 무전해도금을 수행할 수 있다. 상기 1차 무전해도금은 상기 씨드층(130)과 접합(adhesion) 특성이 우수한 방법으로 상기 제1 도금막(150)의 일부를 형성할 수 있다.
이후 상기 제 1 도금막(150)의 두께를 증가시키기 위해 2차 무전해도금을 수행할 수 있다. 상기 2차 무전해도금은 빠른 도금속도를 구현할 수 있는 방법으로 상기 제1 도금막의 두께를 빠르게 증가시킬 수 있다. 즉, 상기 1차 무전해도금은 접합이 우수한 방법인 반면, 도금 속도가 느려 두꺼운 도금막을 형성하려 할 경우생산효율이 저하될 수 있다. 이에, 상기 2차 무전해도금을 수행함으로써 생산효율을 향상시킬 수 있다.
다음으로, 전해도금을 수행하여 상기 제1 도금막(150)상에 제 2 도금막(180)을 형성하는 단계;를 더 포함할 수 있다(도 13 참조).
상기 제 2 도금막(180)은 상기 제1 도금막(150)과 동일한 물질이거나 또는 다른 물질일 수 잇다.
상기 제 2 도금막(180)은 상기 제1 도금막(150)과 동일한 물질일 경우, 본 단계는 원하는 두께의 도금막을 형성하는데 걸리는 시간을 줄여 생산 효율성을 높일 수 있다.
무전해도금의 경우, 금속 이온이 환원될 수 있는 촉매표면을 갖는 다양한 기판상에 형성될 수 있고, 치밀하고 균일하게 막을 형성할 수 있는 반면, 도금 속도가 느릴 수 있다. 이에, 무전해 도금 공정을 통해 일정 두께 예를 들어, 100 내지 1000 Å의 두께의 제1 도금막(150)을 형성한 후, 상기 제 1 도금막과 동일한 물질의 제 2 도금막을 전해도금을 통해 형성하여 빠르게 도금막을 형성할 수 있다.
이를 통해, 5 이상 또는 100ｕm 이상의 두께운 도금막(배선)을 보다 빠르게 형성할 수 있다.
상기 제 2 도금막(180)이 상기 제1 도금막(150)과 다른 물질일 경우, 본 단계를 통해 이종의 물질을 포함하는 도금막을 형성할 수 있다.
예를 들어, 무전해도금 공정을 통해 구리 도금막을 형성한 후, 상기 구리 도금막상에 전해도금을 통해 니켈을 도금하여 구리 및 니켈을 포함하는 도금막을 형성할 수 있다.
이때, 상기 전해도금은 전기를 공급하여 금속표면에 금속층을 형성하는 통상의 전해도금 방법으로 수행될 수 있다.
다음으로, 상기 포토레지스트층(120)을 제거하는 단계를 수행한다(도 12 참조). 본 단계는 통상적으로 포토레지스트층(120)을 제거하는 리프트오프 법에 의할 수 있으며 특별히 제한되지 않는다. 일 예에서, 본 단계는 습식 방식에 의해 수행될 수 있고, 포토레지스트층(120)을 제거하기 위한 습식 박리액은 아민계열의 용액이 사용될 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시 예를 따르는 투명전도막의 제조방법은 기판 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계; 상기 기판의 일부가 외부로 노출되도록 상기 포토레지스트층의 일부를 제거하여 패턴을 형성하는 단계; 상기 일부가 외부로 노출된 기판 및 포토레지스트층 상에 씨드층을 형성하는 단계; 상기 씨드층의 표면 중 적어도 일부를 개질하는 단계; 상기 포토레지스트층을 제거하는 단계; 및 무전해도금을 수행하여 상기 씨드층 상에 제 1 도금막을 형성하는 단계;를 포함한다.
본 실시 예에서는, 앞선 실시 예와 달리 포토레지스트층을 제거한 후 무전해도금을 수행하여 상기 씨드층 상에 제 1 도금막을 형성하는 것을 특징으로 한다.
본 실시 예에서는 포토레스지스트층을 제거함으로써, 포토레지스트층 상에 일부 잔존해있을 수 있는 씨드층이 같이 제거됨으로써 기판상의 형성된 씨드층만 남아 있을 수 있다(도 16 참조). 이후 무전해도금을 수행하여, 상기 씨드층 상에 제1 도금막을 형성할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시 예를 따르는 투명전도막의 제조방법은 기판 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계; 상기 기판의 일부가 외부로 노출되도록 상기 포토레지스트층의 일부를 제거하여 패턴을 형성하는 단계; 상기 일부가 외부로 노출된 기판 및 포토레지스트층 상에 제 1 씨드층을 형성하는 단계; 상기 제 1 씨드층의 표면 중 적어도 일부를 개질하는 단계; 상기 일부가 외부로 노출된 기판 상에 형성된 제 1 씨드층 상에 제 2 씨드층을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트층을 제거하는 단계; 및 무전해도금을 수행하여 상기 제 2 씨드층상에 제 1 도금막을 형성하는 단계; 를 포함한다.
본 실시 예에서는, 포토레지스트층을 제거한 후 무전해도금을 수행하여 상기 제2 씨드층 상에 제 1 도금막을 형성하는 것을 특징으로 한다.
본 실시 예에서는 포토레스지스트층을 제거함으로써, 포토레지스트층 상에 일부 잔존해있을 수 있는 제 1 씨드층 또는 제 2 씨드층이 같이 제거되고, 기판상의 형성된 제1 씨드층 및 제 2 씨드층만 남아 있을 수 있다(도 17 참조). 이후 무전해도금을 수행하여, 상기 제 1 씨드층 또는 제 2 씨드층 상에 제1 도금막을 형성할 수 있다.
본 발명은 상술한 실시 형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
110: 기판
120: 포토레지스트층
130: 씨드층
130a: 제 1 씨드층
130b: 제 2 씨드층
140: 질량체
150: 제 1 도금막
160: 팔라듐(Pd) 원소
170: 도금액
180: 제 2 도금막
120: 포토레지스트층
130: 씨드층
130a: 제 1 씨드층
130b: 제 2 씨드층
140: 질량체
150: 제 1 도금막
160: 팔라듐(Pd) 원소
170: 도금액
180: 제 2 도금막
Claims (12)
- 기판 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계;
상기 기판의 일부가 외부로 노출되도록 상기 포토레지스트층의 일부를 제거하여 패턴을 형성하는 단계;
상기 일부가 외부로 노출된 기판 및 포토레지스트층 상에 씨드층을 형성하는 단계;
상기 씨드층의 표면 중 적어도 일부를 개질하는 단계;
무전해도금을 수행하여 상기 일부가 외부로 노출된 기판 상에 형성된 씨드층 상에 제 1 도금막을 형성하는 단계; 및
상기 포토레지스트층을 제거하는 단계;를 포함하는,
투명전도막의 제조방법.
- 기판 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계;
상기 기판의 일부가 외부로 노출되도록 상기 포토레지스트층의 일부를 제거하여 패턴을 형성하는 단계;
상기 일부가 외부로 노출된 기판 및 포토레지스트층 상에 제 1 씨드층을 형성하는 단계;
상기 제 1 씨드층의 표면 중 적어도 일부를 개질하는 단계;
상기 일부가 외부로 노출된 기판 상에 형성된 제 1 씨드층 상에 제 2 씨드층을 형성하는 단계;
무전해도금을 수행하여 상기 제 2 씨드층상에 제 1 도금막을 형성하는 단계; 및
상기 포토레지스트층을 제거하는 단계;를 포함하는,
투명전도막의 제조방법.
- 기판 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계;
상기 기판의 일부가 외부로 노출되도록 상기 포토레지스트층의 일부를 제거하여 패턴을 형성하는 단계;
상기 일부가 외부로 노출된 기판 및 포토레지스트층 상에 씨드층을 형성하는 단계;
상기 씨드층의 표면 중 적어도 일부를 개질하는 단계;
상기 포토레지스트층을 제거하는 단계; 및
무전해도금을 수행하여 상기 씨드층 상에 제 1 도금막을 형성하는 단계;를 포함하는,
투명전도막의 제조방법.
- 기판 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계;
상기 기판의 일부가 외부로 노출되도록 상기 포토레지스트층의 일부를 제거하여 패턴을 형성하는 단계;
상기 일부가 외부로 노출된 기판 및 포토레지스트층 상에 제 1 씨드층을 형성하는 단계;
상기 제 1 씨드층의 표면 중 적어도 일부를 개질하는 단계;
상기 일부가 외부로 노출된 기판 상에 형성된 제 1 씨드층 상에 제 2 씨드층을 형성하는 단계;
상기 포토레지스트층을 제거하는 단계; 및
무전해도금을 수행하여 상기 제 2 씨드층상에 제 1 도금막을 형성하는 단계; 를 포함하는,
투명전도막의 제조방법.
- 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 표면 중 적어도 일부를 개질하는 단계는,
상기 포토레지스트층 상의 씨드층 또는 제 1 씨드층을 선택적으로 제거하는 것인,
투명전도막의 제조방법.
- 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 표면 중 적어도 일부를 개질하는 단계는,
상기 포토레지스트층 상의 씨드층 또는 제 1 씨드층에 질량체를 분사하여 수행되는,
투명전도막의 제조방법.
- 제 6 항에 있어서,
상기 질량체를 분사하는 방법은,
상기 포토레이지스층에 수직인 방향으로부터 소정의 각도를 갖도록 상기 질량체를 분사하는 것인,
투명전도막의 제조방법.
- 제 6 항에 있어서,
상기 질량체는 승화(sublimation) 물질인,
투명전도막의 제조방법.
- 제 8 항에 있어서,
상기 승화 물질은 드라이아이스, 나프탈렌 및 아이오딘 중 어느 하나인,
투명전도막의 제조방법.
- 제 2 항 또는 제 4항에 있어서,
상기 제 2 씨드층은 팔라듐(Pd)를 포함하는,
투명전도막의 제조방법.
- 제 1 항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 투명전도막의 제조방법은,
상기 씨드층 또는 제1 씨드층의 표면 중 적어도 일부를 개질하는 단계 이후,
상기 포토레스트층 상에 형성된 개질된 씨드층 또는 제 1 씨드층을 제거하는 단계;를 더 포함하는,
투명전도막의 제조방법.
- 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 투명전도막의 제조방법은,
전해도금 공정을 수행하여 상기 제 1 도금막 상에 제 2 도금막을 형성하는 단계;를 더 포함하는,
투명전도막의 제조방법.
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