KR20200066491A - 대구경 단결정 성장장치 및 대구경 단결정 성장방법 - Google Patents

Abstract

탄화규소 분말이 장입된 반응기 내에 종자정을 배치시키고, 상기 탄화규소 분말 상에 탄화규소 재질의 마스크를 배치시키는 단계; 상기 반응기 내의 온도를 승온하여 상기 마스크를 열분해시키는 단계; 및 상기 종자정에 탄화규소 단결정을 성장시키는 단계;를 포함하는 대구경 단결정 성장방법이 소개된다.

Description

대구경 단결정 성장장치 및 대구경 단결정 성장방법{Apparatus for growing large diameter single crystal and method for growing using the same}

본 발명은 대구경 단결정 성장장치 및 대구경 단결정 성장방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 품질의 탄화규소 단결정을 성장시키는 것이 가능한 대구경 단결정 성장장치 및 대구경 단결정 성장방법에 관한 것이다.

대표적인 반도체 소자 재료로 사용된 규소(Si)가 물리적 한계를 보이게 됨에 따라 차세대 반도체 소자 재료로서 탄화규소(SiC), 질화갈륨(GaN) 및 질화알루미늄(AlN) 등의 광대역 반도체 재료가 각광을 받고 있다.

여기에서, 질화갈륨, 질화알루미늄에 비해 탄화규소는 열적 안정성이 우수하고, 내산화성이 우수한 특징을 가지고 있다. 또한, 탄화규소는 4.6W/Cm℃ 정도의 우수한 열 전도도를 가지고 있으며, 직경 6인치 이상의 대구경 기판으로서 생산 가능하다는 장점이 있어, 질화갈륨, 질화알루미늄등의 기판에 비해 각광을 받고 있다.

탄화규소 단결정 성장방법으로 PVT 법(Physical Vapor Transport)이 높은 수율과 고품질화된 실리콘 카바이드를 제작할 수 있는 장점이 있어 현재 널리 통용 되고 있다. PVT법은 탄화규소(SiC)로 이루어진 종자정을 종자정 받침대에 부착하고, 이를 성장 장치 내부에 장입한다. 그리고 흑연 반응기 내부에 장입된 원료 물질 즉, 탄화규소 분말을 가열하고 이를 승화시켜 종자정에 단결정을 성장시킨다.

분말 승화특성은 단결정 품질에 있어서 큰 영향을 미친다. 고품질 탄화규소 단결정은 2000℃이상의 온도에서 실리콘과 탄소가 1:1로 결합하여 형성된다. 하지만 실리콘의 증기압이 탄소보다 상대적으로 높기 때문에 1500℃ 이상, 즉 승온 구간에서 이미 승화현상이 일어난다.

따라서 초기 성장 구간에 실리콘 과잉 분위기가 형성 되고, 시간이 지날수록 평형 상태로 변하게 된다. 따라서 초기 성장 시, 과잉 된 실리콘 분위기에서는 탄소와 1:1 결합을 하지 못한 상태로 종자정에 재결정화되어 격자 불일치 즉, 적층결함이(Stacking faults)이 생성 된다. 적층결함은 전위 에너지를 크게 하는 불필요한 층으로 다형혼입, 마이크로 파이프, 크랙 등의 여러가지 결함을 야기하는 문제를 가지고 있다.

탄화규소 단결정 성장 시 결함의 대부분은 초기 성장 시 발생한다. 즉, 단결정 성장을 위한 온도 및 압력에 도달하기 전 단계에서는 종자정 표면의 열분해(thermal decomposition)로 인한 식각(etching)이 발생할 수 있다.

동시에 탄화규소 분말로부터 승화된 화학 종(Si. SiC₂, Si₂C 등)들이 종자정 표면에서 핵생성(nucleation growth)이 발생하게 된다. 이때, 공정 조건이 제어되지 않으면 전위(dislocation)가 발생하며, 고품질의 탄화규소 단결정을 얻을 수 없다.

반응기 내부 탄화규소 분말과 탄화규소 종자정 사이에 동종(homo-structure)의 탄화규소 마스크를 삽입하고, 온도가 2000℃이상으로 승온되는 공정에 의해 마스크가 열분해 되는 효과를 활용하여 고품질의 탄화규소 단결정을 성장시키는 법을 제공한다.

본 발명의 일 실시예에 의한 대구경 단결정 성장방법은 탄화규소 분말이 장입된 반응기 내에 종자정을 배치시키고, 상기 탄화규소 분말의 상방에 탄화규소 재질의 마스크를 배치시키는 단계; 상기 반응기 내의 온도를 승온하여 상기 마스크를 열분해시키는 단계; 및 상기 종자정에 탄화규소 단결정을 성장시키는 단계;를 포함한다.

상기 마스크를 배치시키는 단계에서, 상기 마스크는 상기 탄화규소 분말과 동종의 재질일 수 있다.

상기 마스크는 2mm 이하의 두께를 가질 수 있다.

상기 반응기 내의 온도를 승온하는 단계는, 대기압하에서 상기 가열기를 2000℃ 이상의 온도로 가열하는 단계; 및 2200℃ 이상의 온도에서 상기 마스크의 열분해가 이루어지는 단계;를 포함할 수 있다.

상기 가열기를 2000℃ 이상의 온도로 가열하는 단계에서, 상기 탄화규소 분말로부터 Si, Si₂C 및 SiC₂의 승화가 이루어지며, 상기 마스크의 두께가 점차로 감소할 수 있다.

상기 종자정에 탄화규소 단결정을 성장시키는 단계는, 상기 반응기의 온도를 유지하되, 0.2 내지 20torr의 압력으로 감압하는 단계; 및 0.2 내지 20torr의 압력으로 유지하는 단계;를 포함할 수 있다,

상기 마스크를 배치시키는 단계 이후, 상기 반응기를 가열하여 상기 반응기 내에 존재하는 불순물을 제거하는 단계;를 더 포함할 수 있다.

상기 반응기 내에 존재하는 불순물을 제거하는 단계에서, 진공 압력 하에서, 1000℃ 이하의 온도로 상기 반응기를 가열할 수 있다.

상기 반응기 내에 존재하는 불순물을 제거하는 단계에서, 2 내지 3시간 동안 상기 반응기를 가열할 수 있다.

상기 반응기 내에 존재하는 불순물을 제거하는 단계에서, 상기 반응기 내부로 불활성 가스를 주입할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 의한 대구경 단결정 성장장치는 내측 하부에 탄화규소 분말이 장입되며, 내측 상부에 종자정이 배치되는 반응기; 상기 반응기 외측을 둘러싸는 형태로 연결된 단열수단; 상기 단열수단의 외측에 배치되는 석영관; 상기 반응기를 유도가열 방식으로 가열하는 가열수단; 및 상기 반응기 내측에서 상기 탄화규소 분말의 상방에 배치되고, 탄화규소 재질로 형성된 마스킹수단;을 포함한다.

상기 마스킹수단은, 상기 반응기의 단면과 동일한 형상의 시트 형태로 형성될 수 있다.

상기 마스킹수단은, 두께가 2mm 이하일 수 있다.

상기 마스킹수단은, 상기 탄화규소 분말과 동종의 재질로 형성될 수 있다.

상기 가열수단은, 코일 형태로서, 상기 석영관의 외측에 감겨진 형태로 연결된 제1가열기; 및 상기 석영관의 내부에 배치되며, 상기 단열수단 하방에 위치하는 제2가열기;를 포함할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 의한 대구경 단결정 성장장치 및 대구경 단결정 성장방법에 따르면 반응기 내부 탄화규소 분말과 탄화규소 종자정 사이에 탄화규소 마스크를 삽입함으로써 성장이 진행됨에 따라 열분해에 의해 마스크가 자연적으로 분해되도록 한다. 이에 따라 초기성장 실리콘 과잉 분위기를 억제하여 종자정 표면에 핵생성이 균일하게 일어날 수 있으며, 전위발생 빈도를 낮춰 고품질의 탄화규소를 얻는 효과를 기대할 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 대구경 단결정 성장방법에서 반응기가 가열됨에 따라 탄화규소 분말 중에서 화학종이 승화되고, 마스크의 두께가 얇아지다가 완전히 열분해되는 과정을 모식도로 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 대구경 단결정 성장장치를 나타낸 도면이다.
도 3은 비교예(좌) 및 실시예(우)에 따라 재결정화된 종자정의 표면을 현미경으로 관찰한 사진이다.

제1, 제2 및 제3 등의 용어들은 다양한 부분, 성분, 영역, 층 및/또는 섹션들을 설명하기 위해 사용되나 이들에 한정되지 않는다. 이들 용어들은 어느 부분, 성분, 영역, 층 또는 섹션을 다른 부분, 성분, 영역, 층 또는 섹션과 구별하기 위해서만 사용된다. 따라서, 이하에서 서술하는 제1 부분, 성분, 영역, 층 또는 섹션은 본 발명의 범위를 벗어나지 않는 범위 내에서 제2 부분, 성분, 영역, 층 또는 섹션으로 언급될 수 있다.

여기서 사용되는 전문 용어는 단지 특정 실시예를 언급하기 위한 것이며, 본 발명을 한정하는 것을 의도하지 않는다. 여기서 사용되는 단수 형태들은 문구들이 이와 명백히 반대의 의미를 나타내지 않는 한 복수 형태들도 포함한다. 명세서에서 사용되는 “포함하는”의 의미는 특정 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소 및/또는 성분을 구체화하며, 다른 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소 및/또는 성분의 존재나 부가를 제외시키는 것은 아니다.

어느 부분이 다른 부분의 "위에" 또는 "상에" 있다고 언급하는 경우, 이는 바로 다른 부분의 위에 또는 상에 있을 수 있거나 그 사이에 다른 부분이 수반될 수 있다. 대조적으로 어느 부분이 다른 부분의 "바로 위에" 있다고 언급하는 경우, 그 사이에 다른 부분이 개재되지 않는다.

다르게 정의하지는 않았지만, 여기에 사용되는 기술용어 및 과학용어를 포함하는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 일반적으로 이해하는 의미와 동일한 의미를 가진다.

보통 사용되는 사전에 정의된 용어들은 관련기술문헌과 현재 개시된 내용에 부합하는 의미를 가지는 것으로 추가 해석되고, 정의되지 않는 한 이상적이거나 매우 공식적인 의미로 해석되지 않는다.

이하, 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.

대구경 단결정 성장방법

본 발명의 일 실시예에 의한 대구경 단결정 성장방법은 탄화규소 분말이 장입된 반응기 내에 종자정을 배치시키고, 탄화규소 분말의 상방에 탄화규소 재질의 마스크를 배치시키는 단계, 반응기 내의 온도를 승온하여 마스크를 열분해시키는 단계 및 종자정에 탄화규소 단결정을 성장시키는 단계를 포함한다.

마스크를 배치시키는 단계 이후, 반응기를 가열하여 반응기 내에 존재하는 불순물을 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.

먼저, 반응기 내에 종자정을 배치시키는 단계에서는 반응기 내에 탄화규소 분말을 장입시키고, 탄화규소 분말 상방에 위치하는 종자정 홀더에 종자정을 배치시키되, 종자정 성장면이 하방을 향하도록 배치할 수 있다.

구체적으로, 종자정은 4H-SiC 종자정 또는 6H-SiC 종자정일 수 있다. 또한, 탄화규소 분말의 평균 입경(D₅₀)은 150 내지 250㎛일 수 있다.

탄화규소 분말의 상방에 탄화규소 재질의 마스크를 배치시킨다. 구체적으로, 마스크는 탄화규소 분말과 동종의 재질로 형성될 수 있으며. 2mm 이하의 두께를 가질 수 있다. 마스크의 두께가 너무 두꺼울 경우, 마스크의 열분해가 완전히 일어나지 않을 수 있다.

종래와 같이, 다공성 흑연(porous graphite)소재의 마스크를 사용한 것이 아니라 탄화규소 분말과 동종의 재질로 이루어졌기 때문에 완전히 열분해가 이루어짐에 따라 단결정 내 탄소혼입(Carbon inclusion)으로 인한 결함 발생 현상을 방지할 수 있다.

마스크는 반응기의 단면과 동일한 형상의 시트 형태로 형성될 수 있다. 이에 따라 2000℃ 부근에서 탄화규소 분말이 화학종으로 승화되어도 마스크에 의해 종자정으로 이동될 수 없다.

탄화규소 재질의 마스크는 단결정 또는 다결정 형태로 구성될 수 있다.

다음으로, 반응기 내에 존재하는 불순물을 제거하는 단계에서는 반응기를 가열하여 반응기에 존재하는 불순물을 제거할 수 있다. 구체적으로, 진공압력으로 1000℃ 이하의 온도에서 2 내지 3시간 동안 가열될 수 있다.

이후, 불활성 가스인 아르곤 가스를 주입함으로써 반응기와 단열재 사이에 존재하는 공기를 제거할 수 있다. 불활성 가스를 이용한 퍼징(purging) 공정을 2 내지 3회 반복할 수 있다.

다음으로, 도 1을 참고할 때, 반응기 내의 온도를 승온하는 단계에서는 반응기를 가열하여 승온시킴으로써 마스크의 열분해가 이루어지도록 한다. 이 과정에서 탄화규소 분말로부터 화학종의 승화가 이루어지나 마스크의 열분해가 완전히 이루어지기 전까지 마스크에 의해 종자정으로 이동이 이루어질 수 없다.

구체적으로, 반응기 내의 온도를 승온하는 단계는 대기압하에서 가열기를 2000℃ 이상의 온도로 가열하는 단계 및 2200℃ 이상의 온도에서 마스크의 열분해가 이루어지는 단계를 포함할 수 있다.

가열기를 2000℃ 이상의 온도로 가열하는 단계에서는 탄화규소 분말로부터 Si, Si₂C 및 SiC₂의 승화가 이루어지며, 마스크의 두께가 점차로 감소할 수 있다. 구체적으로, 1500℃ 부근 탄화규소 분말에서 Si 가스가 먼저 승화될 수 있다. 2000℃ 부근 탄화규소 분말에서 모든 화학종(Si, Si₂C, SiC₂)들이 승화되고, 이때, 탄화규소 마스크도 열분해가 일어나서 두께가 얇아지게 될 수 있다.

대기압하에서 가열기를 2000℃ 이상의 온도로 가열하는 것은 결정 성장 초기에 원하지 않는 결정 다형의 발생을 방지하기 위함이다. 즉, 대기압을 유지하며, 탄화규소 분말을 성장 온도까지 승온시킬 수 있다.

마스크의 열분해가 이루어지는 단계에서는 목적 온도인 2200℃ 부근에서 탄화규소 마스크는 완전하게 열분해가 일어나게 되고, 모든 화학 종들이 확산, 이동하여 종자정에 재결정화된다. 이때, 반응기 내부 가스 분위기는 Si 과잉 현상을 피할 수 있고, 분해된 마스크 또한 탄화규소이기 때문에 불순물 혼입과 같은 영향을 주지 않을 수 있다.

다음으로, 종자정에 탄화규소 단결정을 성장시키는 단계에서는 마스크의 열분해가 이루어진 온도로 반응기 내부의 온도를 유지하여 종자정에 탄화규소 단결정을 성장시킨다. 반응기 내의 온도는 2000℃ 내지 2300℃의 온도일 수 있다.

구체적으로, 종자정에 탄화규소 단결정을 성장시키는 단계는 반응기의 온도를 유지하되, 0.2 내지 20torr의 압력으로 감압하는 단계 및 0.2 내지 20torr의 압력으로 유지하는 단계를 포함할 수 있다.

대구경 단결정 성장장치

본 발명의 일 실시예에 의한 대구경 단결정 성장장치는 도 2와 같이, 내측 하부에 탄화규소 분말(10)이 장입되며, 내측 상부에 종자정(20)이 배치되는 반응기(100), 반응기(100) 외측을 둘러싸는 형태로 연결된 단열수단(200), 단열수단(200)의 외측에 배치되는 석영관(300), 반응기(100)를 유도가열 방식으로 가열하는 가열수단(400) 및 반응기(100) 내측에서 탄화규소 분말(10)의 상방에 배치되고, 탄화규소 재질로 형성된 마스킹수단(500)을 포함한다.

반응기(100)는 내부에 공간이 마련되며, 반응기(100) 하부에는 탄화규소 분말(10)이 장입되고, 반응기(100) 상부에는 종자정(20) 홀더가 배치되어 종자정(20)이 위치한다.

단열수단(200)은 단열이 가능한 재질로 형성되어 반응기(100)의 외측을 둘러싸는 형태로 연결됨으로써 외부와의 단열 기능을 수행할 수 있다.

석영관(300)은 관 형태로 형성되어 그 내부에 단열수단(200)에 둘러싸인 반응기(100)를 위치시킨다.

가열수단(400)은 유도가열 방식으로 반응기(100)를 가열하여 내부의 온도를 승온시킬 수 있다. 구체적으로, 가열수단(400)은 코일 형태로서, 석영관(300)의 외측에 감겨진 형태로 연결된 제1가열기(410) 및 석영관(300)의 내부에 배치되며, 단열수단(200) 하방에 위치하는 제2가열기(420)를 포함할 수 있다.

제1가열기(410)는 석영관(300)의 외측에 감겨진 형태로 연결되어 반응기(100)를 유도가열 방식으로 가열할 수 있다. 제2가열기(420)는 석영관(300) 내 단열수단(200)의 하방에 배치됨으로써 수평 온도차를 차단할 수 있다.

마스킹수단(500)은 탄화규소 분말(10)과 동종의 재질로 형성되며, 반응기(100)의 단면과 동일한 형상의 시트(sheet) 형태로 형성될 수 있으며. 2mm 이하의 두께를 가질 수 있다. 마스킹수단(500)의 두께가 너무 두꺼울 경우, 마스킹수단(500)의 열분해가 완전히 일어나지 않을 수 있다.

마스킹수단(500)은 탄화규소 분말(10)과 동종의 재질로 이루어졌기 때문에 반응기(100) 내부에서 완전히 열분해가 이루어짐에 따라 단결정 내 탄소혼입(Carbon inclusion)으로 인한 결함 발생 현상을 방지할 수 있다.

이하 본 발명의 구체적인 실시예를 기재한다. 그러나 하기 실시예는 본 발명의 구체적인 일 실시예일뿐 본 발명이 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.

실시예

(1) 대구경 단결정의 성장

(실시예) 탄화규소 분말이 장입된 반응기 내에 종자정을 배치시키고, 탄화규소 분말의 상방에 탄화규소 재질의 마스크를 배치시켰다.

마스크는 탄화규소 분말과 동종의 재질이고, 반응기의 단면과 동일한 형상의 시트로서, 두께가 2mm 이하였다.

대기압하에서 가열기를 2200℃까지 가열하였다. 이후, 2200℃의 온도를 유지하되, 10torr의 압력으로 감압하였고, 2200℃의 온도 및 10torr의 압력을 일정 시간 동안 유지하여 종자정 표면에 대구경 단결정을 성장시켰다.

(비교예) 상기의 실시예와 동일한 조건으로 대구경 단결정을 성장시키되, 마스크의 재질이 탄화규소 분말과 동종의 탄화규소 재질이 아니라 다공성 흑연(porous graphite)소재를 사용하였다.

(2) 성능 등 시험결과

성장 전 단계, 즉, 목적온도까지 승온 과정을 거친 후, 냉각시켰다. 이후, 실시예와 비교예에 따른 재결정화된 종자정 표면을 현미경으로 관찰하였다.

비교예의 경우, 도 3의 왼쪽 사진에서와 같이, 초기 성장 시, 과잉된 실리콘 분위기에서는 탄소와 1:1 결합을 하지 못한 상태이기 성장이 활발하게 일어나지 않았고, 오히려 종자정에서 카본이 빠져나와 카본 기공(vacancy)이 일부 생성되었음을 확인할 수 있었다.

반면, 실시예의 경우, 실리콘과 탄소가 1:1 결합된 가스종 비율이 높기 때문에 성장이 활발이 일어나서 종자정 표면에 스텝(step)이 관찰됨을 확인할 수 있었다.

본 발명은 상기 구현예 및/또는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 구현예 및/또는 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.

10: 탄화규소 분말 20: 종자정
100: 반응기 200: 단열수단
300: 석영관 400: 가열수단
410: 재1가열기 420: 제2가열기
500: 마스킹수단

Claims (15)

1. 탄화규소 분말이 장입된 반응기 내에 종자정을 배치시키고, 상기 탄화규소 분말의 상방에 탄화규소 재질의 마스크를 배치시키는 단계;
   상기 반응기 내의 온도를 승온하여 상기 마스크를 열분해시키는 단계; 및
   상기 종자정에 탄화규소 단결정을 성장시키는 단계;를 포함하는 대구경 단결정 성장방법.
2. 제1항에 있어서,
   상기 마스크를 배치시키는 단계에서,
   상기 마스크는 상기 탄화규소 분말과 동종의 재질인 대구경 단결정 성장방법.
3. 제1항에 있어서,
   상기 마스크는 2mm 이하의 두께를 갖는 대구경 단결정 성장방법.
4. 제1항에 있어서,
   상기 반응기 내의 온도를 승온하는 단계는,
   대기압하에서 상기 가열기를 2000℃ 이상의 온도로 가열하는 단계; 및
   2200℃ 이상의 온도에서 상기 마스크의 열분해가 이루어지는 단계;를 포함하는 대구경 단결정 성장방법.
5. 제4항에 있어서,
   상기 가열기를 2000℃ 이상의 온도로 가열하는 단계에서,
   상기 탄화규소 분말로부터 Si, Si₂C 및 SiC₂의 승화가 이루어지며, 상기 마스크의 두께가 점차로 감소하는 대구경 단결정 성장방법.
6. 제1항에 있어서,
   상기 종자정에 탄화규소 단결정을 성장시키는 단계는,
   상기 반응기의 온도를 유지하되, 0.2 내지 20torr의 압력으로 감압하는 단계; 및
   0.2 내지 20torr의 압력으로 유지하는 단계;를 포함하는 대구경 단결정 성장방법.
7. 제1항에 있어서,
   상기 마스크를 배치시키는 단계 이후,
   상기 반응기를 가열하여 상기 반응기 내에 존재하는 불순물을 제거하는 단계;를 더 포함하는 대구경 단결정 성장방법.
8. 제7항에 있어서,
   상기 반응기 내에 존재하는 불순물을 제거하는 단계에서,
   진공 압력 하에서, 1000℃ 이하의 온도로 상기 반응기를 가열하는 대구경 단결정 성장방법.
9. 제7항에 있어서,
   상기 반응기 내에 존재하는 불순물을 제거하는 단계에서,
   2 내지 3시간 동안 상기 반응기를 가열하는 대구경 단결정 성장방법.
10. 제7항에 있어서,
    상기 반응기 내에 존재하는 불순물을 제거하는 단계에서,
    상기 반응기 내부로 불활성 가스를 주입하는 대구경 단결정 성장방법.
11. 내측 하부에 탄화규소 분말이 장입되며, 내측 상부에 종자정이 배치되는 반응기;
    상기 반응기 외측을 둘러싸는 형태로 연결된 단열수단;
    상기 단열수단의 외측에 배치되는 석영관;
    상기 반응기를 유도가열 방식으로 가열하는 가열수단; 및
    상기 반응기 내측에서 상기 탄화규소 분말의 상방에 배치되고, 탄화규소 재질로 형성된 마스킹수단;을 포함하는 대구경 단결정 성장장치.
12. 제11항에 있어서,
    상기 마스킹수단은,
    상기 반응기의 단면과 동일한 형상의 시트 형태로 형성된 대구경 단결정 성장장치.
13. 제12항에 있어서,
    상기 마스킹수단은,
    두께가 2mm 이하인 대구경 단결정 성장장치.
14. 제11항에 있어서,
    상기 마스킹수단은,
    상기 탄화규소 분말과 동종의 재질로 형성된 대구경 단결정 성장장치.
15. 제11항에 있어서,
    상기 가열수단은,
    코일 형태로서, 상기 석영관의 외측에 감겨진 형태로 연결된 제1가열기; 및
    상기 석영관의 내부에 배치되며, 상기 단열수단 하방에 위치하는 제2가열기;를 포함하는 대구경 단결정 성장장치.
    

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