KR20200060366A - 포지티브형 감방사선성 수지 조성물 - Google Patents
포지티브형 감방사선성 수지 조성물 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20200060366A KR20200060366A KR1020207007652A KR20207007652A KR20200060366A KR 20200060366 A KR20200060366 A KR 20200060366A KR 1020207007652 A KR1020207007652 A KR 1020207007652A KR 20207007652 A KR20207007652 A KR 20207007652A KR 20200060366 A KR20200060366 A KR 20200060366A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- resin composition
- sensitive resin
- positive radiation
- film
- radiation sensitive
- Prior art date
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 131
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 title claims abstract description 105
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 114
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 114
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 56
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract description 29
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 claims abstract description 27
- -1 cyclic olefin Chemical class 0.000 claims description 59
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 37
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 22
- 125000005577 anthracene group Chemical group 0.000 claims description 5
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 claims description 5
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 60
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 abstract description 2
- 150000003460 sulfonic acids Chemical class 0.000 abstract description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 64
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 59
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 35
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 18
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 11
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 10
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 10
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 10
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 9
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 9
- 102100033806 Alpha-protein kinase 3 Human genes 0.000 description 8
- 101710082399 Alpha-protein kinase 3 Proteins 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 7
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 7
- LWHOMMCIJIJIGV-UHFFFAOYSA-N (1,3-dioxobenzo[de]isoquinolin-2-yl) trifluoromethanesulfonate Chemical compound C1=CC(C(N(OS(=O)(=O)C(F)(F)F)C2=O)=O)=C3C2=CC=CC3=C1 LWHOMMCIJIJIGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 6
- PHCKFVVLVZFFLU-UHFFFAOYSA-N dodec-4-ene Chemical group CCCCCCCC=CCCC PHCKFVVLVZFFLU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 5
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 5
- 125000005462 imide group Chemical class 0.000 description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 5
- 125000004203 4-hydroxyphenyl group Chemical group [H]OC1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 4
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 4
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 description 4
- 125000000219 ethylidene group Chemical group [H]C(=[*])C([H])([H])[H] 0.000 description 4
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 4
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 4
- KZNICNPSHKQLFF-UHFFFAOYSA-N succinimide Chemical compound O=C1CCC(=O)N1 KZNICNPSHKQLFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- WTVXIBRMWGUIMI-UHFFFAOYSA-N trifluoro($l^{1}-oxidanylsulfonyl)methane Chemical group [O]S(=O)(=O)C(F)(F)F WTVXIBRMWGUIMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QYGBYAQGBVHMDD-XQRVVYSFSA-N (z)-2-cyano-3-thiophen-2-ylprop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C(\C#N)=C/C1=CC=CS1 QYGBYAQGBVHMDD-XQRVVYSFSA-N 0.000 description 3
- KETQAJRQOHHATG-UHFFFAOYSA-N 1,2-naphthoquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C(=O)C=CC2=C1 KETQAJRQOHHATG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229940105324 1,2-naphthoquinone Drugs 0.000 description 3
- LIKMAJRDDDTEIG-UHFFFAOYSA-N 1-hexene Chemical compound CCCCC=C LIKMAJRDDDTEIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BVQVLAIMHVDZEL-UHFFFAOYSA-N 1-phenyl-1,2-propanedione Chemical compound CC(=O)C(=O)C1=CC=CC=C1 BVQVLAIMHVDZEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229940126062 Compound A Drugs 0.000 description 3
- NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N Heterophylliin A Natural products O1C2COC(=O)C3=CC(O)=C(O)C(O)=C3C3=C(O)C(O)=C(O)C=C3C(=O)OC2C(OC(=O)C=2C=C(O)C(O)=C(O)C=2)C(O)C1OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 3
- BGYHLZZASRKEJE-UHFFFAOYSA-N [3-[3-(3,5-ditert-butyl-4-hydroxyphenyl)propanoyloxy]-2,2-bis[3-(3,5-ditert-butyl-4-hydroxyphenyl)propanoyloxymethyl]propyl] 3-(3,5-ditert-butyl-4-hydroxyphenyl)propanoate Chemical compound CC(C)(C)C1=C(O)C(C(C)(C)C)=CC(CCC(=O)OCC(COC(=O)CCC=2C=C(C(O)=C(C=2)C(C)(C)C)C(C)(C)C)(COC(=O)CCC=2C=C(C(O)=C(C=2)C(C)(C)C)C(C)(C)C)COC(=O)CCC=2C=C(C(O)=C(C=2)C(C)(C)C)C(C)(C)C)=C1 BGYHLZZASRKEJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 3
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 3
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 3
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 3
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 3
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N n-(3-trimethoxysilylpropyl)aniline Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNC1=CC=CC=C1 KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 3
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- YRHRIQCWCFGUEQ-UHFFFAOYSA-N thioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3SC2=C1 YRHRIQCWCFGUEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PAPBSGBWRJIAAV-UHFFFAOYSA-N ε-Caprolactone Chemical compound O=C1CCCCCO1 PAPBSGBWRJIAAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QPCMKVGYDGXROK-UHFFFAOYSA-N (10-octanoyloxyanthracen-9-yl) octanoate Chemical compound C(CCCCCCC)(=O)OC=1C2=CC=CC=C2C(=C2C=CC=CC=12)OC(CCCCCCC)=O QPCMKVGYDGXROK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GGAUUQHSCNMCAU-ZXZARUISSA-N (2s,3r)-butane-1,2,3,4-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C[C@H](C(O)=O)[C@H](C(O)=O)CC(O)=O GGAUUQHSCNMCAU-ZXZARUISSA-N 0.000 description 2
- XWJBRBSPAODJER-UHFFFAOYSA-N 1,7-octadiene Chemical compound C=CCCCCC=C XWJBRBSPAODJER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AFFLGGQVNFXPEV-UHFFFAOYSA-N 1-decene Chemical compound CCCCCCCCC=C AFFLGGQVNFXPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CRSBERNSMYQZNG-UHFFFAOYSA-N 1-dodecene Chemical compound CCCCCCCCCCC=C CRSBERNSMYQZNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GQEZCXVZFLOKMC-UHFFFAOYSA-N 1-hexadecene Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCC=C GQEZCXVZFLOKMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWKAKUADMBZCLK-UHFFFAOYSA-N 1-octene Chemical compound CCCCCCC=C KWKAKUADMBZCLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HFDVRLIODXPAHB-UHFFFAOYSA-N 1-tetradecene Chemical compound CCCCCCCCCCCCC=C HFDVRLIODXPAHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 1755-01-7 Chemical compound C1[C@H]2[C@@H]3CC=C[C@@H]3[C@@H]1C=C2 HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 0.000 description 2
- DECTVMOFPJKFOZ-UHFFFAOYSA-N 2,6-bis(hydroxymethyl)phenol Chemical compound OCC1=CC=CC(CO)=C1O DECTVMOFPJKFOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JESXATFQYMPTNL-UHFFFAOYSA-N 2-ethenylphenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1C=C JESXATFQYMPTNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VTWDKFNVVLAELH-UHFFFAOYSA-N 2-methylcyclohexa-2,5-diene-1,4-dione Chemical compound CC1=CC(=O)C=CC1=O VTWDKFNVVLAELH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WLTSXAIICPDFKI-UHFFFAOYSA-N 3-dodecene Chemical compound CCCCCCCCC=CCC WLTSXAIICPDFKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WXYSZTISEJBRHW-UHFFFAOYSA-N 4-[2-[4-[1,1-bis(4-hydroxyphenyl)ethyl]phenyl]propan-2-yl]phenol Chemical compound C=1C=C(C(C)(C=2C=CC(O)=CC=2)C=2C=CC(O)=CC=2)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 WXYSZTISEJBRHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WSSSPWUEQFSQQG-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-1-pentene Chemical compound CC(C)CC=C WSSSPWUEQFSQQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KSMGAOMUPSQGTB-UHFFFAOYSA-N 9,10-dibutoxyanthracene Chemical compound C1=CC=C2C(OCCCC)=C(C=CC=C3)C3=C(OCCCC)C2=C1 KSMGAOMUPSQGTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 2
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000012824 chemical production Methods 0.000 description 2
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N cyclopentadiene Chemical compound C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LPIQUOYDBNQMRZ-UHFFFAOYSA-N cyclopentene Chemical compound C1CC=CC1 LPIQUOYDBNQMRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 2
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- CCCMONHAUSKTEQ-UHFFFAOYSA-N octadec-1-ene Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCC=C CCCMONHAUSKTEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 2
- YWAKXRMUMFPDSH-UHFFFAOYSA-N pentene Chemical compound CCCC=C YWAKXRMUMFPDSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 229960002317 succinimide Drugs 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 description 2
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 2
- BKQXXLVXLSREHB-UHFFFAOYSA-N (1,3-dioxobenzo[de]isoquinolin-2-yl) 4-methylbenzenesulfonate Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1S(=O)(=O)ON(C1=O)C(=O)C2=C3C1=CC=CC3=CC=C2 BKQXXLVXLSREHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYXAHUXQRATWDV-UHFFFAOYSA-N (1,3-dioxoisoindol-2-yl) trifluoromethanesulfonate Chemical compound C1=CC=C2C(=O)N(OS(=O)(=O)C(F)(F)F)C(=O)C2=C1 GYXAHUXQRATWDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RLLFCCPTQOZGOL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxo-3,4-diphenylpyrrol-1-yl) trifluoromethanesulfonate Chemical compound O=C1N(OS(=O)(=O)C(F)(F)F)C(=O)C(C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 RLLFCCPTQOZGOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZRDYULMDEGRWRC-UHFFFAOYSA-N (4-hydroxyphenyl)-(2,3,4-trihydroxyphenyl)methanone Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(O)C(O)=C1O ZRDYULMDEGRWRC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WBUSZOLVSDXDOC-UHFFFAOYSA-M (4-methoxyphenyl)-diphenylsulfanium;trifluoromethanesulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.C1=CC(OC)=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 WBUSZOLVSDXDOC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- AWOATHYNVXCSGP-UHFFFAOYSA-M (4-methylphenyl)-diphenylsulfanium;trifluoromethanesulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.C1=CC(C)=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 AWOATHYNVXCSGP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- JBVMSEMQJGGOFR-FNORWQNLSA-N (4e)-4-methylhexa-1,4-diene Chemical compound C\C=C(/C)CC=C JBVMSEMQJGGOFR-FNORWQNLSA-N 0.000 description 1
- PRBHEGAFLDMLAL-GQCTYLIASA-N (4e)-hexa-1,4-diene Chemical compound C\C=C\CC=C PRBHEGAFLDMLAL-GQCTYLIASA-N 0.000 description 1
- LNNZBTQMEMKVJL-UHFFFAOYSA-M 1,1,2,2,3,3,4,4,4-nonafluorobutane-1-sulfonate;tris(4-methylphenyl)sulfanium Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F.C1=CC(C)=CC=C1[S+](C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 LNNZBTQMEMKVJL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- FMZITCJWMYHQFG-UHFFFAOYSA-N 1,2,3,4,4a,5,8,8a-octahydro-2-methyl-1,4:5,8-dimethanonaphthalene Chemical compound C1C(C23)C=CC1C3C1CC2CC1C FMZITCJWMYHQFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OUPZKGBUJRBPGC-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-tris(oxiran-2-ylmethyl)-1,3,5-triazinane-2,4,6-trione Chemical compound O=C1N(CC2OC2)C(=O)N(CC2OC2)C(=O)N1CC1CO1 OUPZKGBUJRBPGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PRBHEGAFLDMLAL-UHFFFAOYSA-N 1,5-Hexadiene Natural products CC=CCC=C PRBHEGAFLDMLAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QDHMRCIPRUVBQC-UHFFFAOYSA-N 1-[3,5-bis(methoxymethyl)phenyl]-3,5-bis(methoxymethyl)benzene Chemical compound COCC1=CC(COC)=CC(C=2C=C(COC)C=C(COC)C=2)=C1 QDHMRCIPRUVBQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYQQFWWMZYBCIB-UHFFFAOYSA-N 1-[diazo-(4-methylphenyl)sulfonylmethyl]sulfonyl-4-methylbenzene Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1S(=O)(=O)C(=[N+]=[N-])S(=O)(=O)C1=CC=C(C)C=C1 GYQQFWWMZYBCIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRXWFTYEJYEOGW-UHFFFAOYSA-N 1-methyl-4-(4-methylphenyl)sulfanylbenzene Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1SC1=CC=C(C)C=C1 NRXWFTYEJYEOGW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HTQNYBBTZSBWKL-UHFFFAOYSA-N 2,3,4-trihydroxbenzophenone Chemical compound OC1=C(O)C(O)=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 HTQNYBBTZSBWKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DVPBWLLOGOINDW-UHFFFAOYSA-N 2-(5-bromo-1h-indol-3-yl)acetamide Chemical compound C1=C(Br)C=C2C(CC(=O)N)=CNC2=C1 DVPBWLLOGOINDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQWMNVOVQZIPJC-UHFFFAOYSA-N 2-(trifluoromethoxy)phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1OC(F)(F)F GQWMNVOVQZIPJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOQOPXVJANRGJZ-UHFFFAOYSA-N 2-(trifluoromethyl)phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1C(F)(F)F ZOQOPXVJANRGJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SYEWHONLFGZGLK-UHFFFAOYSA-N 2-[1,3-bis(oxiran-2-ylmethoxy)propan-2-yloxymethyl]oxirane Chemical compound C1OC1COCC(OCC1OC1)COCC1CO1 SYEWHONLFGZGLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SEFYJVFBMNOLBK-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[2-(oxiran-2-ylmethoxy)ethoxy]ethoxymethyl]oxirane Chemical compound C1OC1COCCOCCOCC1CO1 SEFYJVFBMNOLBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SHKUUQIDMUMQQK-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(oxiran-2-ylmethoxy)butoxymethyl]oxirane Chemical compound C1OC1COCCCCOCC1CO1 SHKUUQIDMUMQQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PPEASEWKOGNDKZ-UHFFFAOYSA-N 2-[[2,6-bis(oxiran-2-ylmethyl)phenoxy]methyl]oxirane Chemical compound C1OC1COC(C(=CC=C1)CC2OC2)=C1CC1CO1 PPEASEWKOGNDKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WZKPOAWBXHEIKH-UHFFFAOYSA-N 2-[[4-[1,3-bis[4-(oxiran-2-ylmethoxy)phenyl]propyl]phenoxy]methyl]oxirane Chemical compound C=1C=C(OCC2OC2)C=CC=1C(C=1C=CC(OCC2OC2)=CC=1)CCC(C=C1)=CC=C1OCC1CO1 WZKPOAWBXHEIKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical class CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003858 2-ethylbutoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(C([H])([H])O*)C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- HFHFGHLXUCOHLN-UHFFFAOYSA-N 2-fluorophenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1F HFHFGHLXUCOHLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RFRBGLIRLVDHBN-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-2-(4-methylphenyl)sulfonyl-1-(4-methylsulfanylphenyl)propan-1-one Chemical compound C1=CC(SC)=CC=C1C(=O)C(C)(C)S(=O)(=O)C1=CC=C(C)C=C1 RFRBGLIRLVDHBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZRTWIJKGTUGZJY-UHFFFAOYSA-N 3,4,5-trifluorophenol Chemical compound OC1=CC(F)=C(F)C(F)=C1 ZRTWIJKGTUGZJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UWLJERQTLRORJN-UHFFFAOYSA-N 3-(trifluoromethoxy)phenol Chemical compound OC1=CC=CC(OC(F)(F)F)=C1 UWLJERQTLRORJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UGEJOEBBMPOJMT-UHFFFAOYSA-N 3-(trifluoromethyl)phenol Chemical compound OC1=CC=CC(C(F)(F)F)=C1 UGEJOEBBMPOJMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YPVPQMCSLFDIKA-UHFFFAOYSA-N 3-ethylpent-1-ene Chemical compound CCC(CC)C=C YPVPQMCSLFDIKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJTBRFHBXDZMPS-UHFFFAOYSA-N 3-fluorophenol Chemical compound OC1=CC=CC(F)=C1 SJTBRFHBXDZMPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YHQXBTXEYZIYOV-UHFFFAOYSA-N 3-methylbut-1-ene Chemical compound CC(C)C=C YHQXBTXEYZIYOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LDTAOIUHUHHCMU-UHFFFAOYSA-N 3-methylpent-1-ene Chemical compound CCC(C)C=C LDTAOIUHUHHCMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SUJVAMIXNUAJEY-UHFFFAOYSA-N 4,4-dimethylhex-1-ene Chemical compound CCC(C)(C)CC=C SUJVAMIXNUAJEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KLCNJIQZXOQYTE-UHFFFAOYSA-N 4,4-dimethylpent-1-ene Chemical compound CC(C)(C)CC=C KLCNJIQZXOQYTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PTMWZRGVTOZISQ-UHFFFAOYSA-N 4-(4-tetracyclo[6.2.1.13,6.02,7]dodec-9-enyl)phenol Chemical compound Oc1ccc(cc1)C1CC2CC1C1C3CC(C=C3)C21 PTMWZRGVTOZISQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BGQWVIOOEFRPOV-UHFFFAOYSA-N 4-[1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2-[4-hydroxy-3,5-bis(hydroxymethyl)phenyl]propan-2-yl]-2,6-bis(hydroxymethyl)phenol Chemical compound OCC1=C(O)C(CO)=CC(C(C=2C=C(CO)C(O)=C(CO)C=2)(C(F)(F)F)C(F)(F)F)=C1 BGQWVIOOEFRPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FIGVNZUQNIUGPD-UHFFFAOYSA-N 4-[1,1-bis(4-hydroxy-3-methylphenyl)ethyl]-2-methylphenol Chemical compound C1=C(O)C(C)=CC(C(C)(C=2C=C(C)C(O)=CC=2)C=2C=C(C)C(O)=CC=2)=C1 FIGVNZUQNIUGPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHUUGQDYCYKQTC-UHFFFAOYSA-N 4-[2,2,2-tris(4-hydroxyphenyl)ethyl]phenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC(C=1C=CC(O)=CC=1)(C=1C=CC(O)=CC=1)C1=CC=C(O)C=C1 UHUUGQDYCYKQTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CJBUQOXMWGPKGP-UHFFFAOYSA-N 4-[3,3-bis(4-hydroxy-2,5-dimethylphenyl)-1-phenylpropyl]-2,5-dimethylphenol Chemical compound C1=C(O)C(C)=CC(C(CC(C=2C(=CC(O)=C(C)C=2)C)C=2C(=CC(O)=C(C)C=2)C)C=2C=CC=CC=2)=C1C CJBUQOXMWGPKGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FAUAZXVRLVIARB-UHFFFAOYSA-N 4-[[4-[bis(oxiran-2-ylmethyl)amino]phenyl]methyl]-n,n-bis(oxiran-2-ylmethyl)aniline Chemical compound C1OC1CN(C=1C=CC(CC=2C=CC(=CC=2)N(CC2OC2)CC2OC2)=CC=1)CC1CO1 FAUAZXVRLVIARB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFCQTAXSWSWIHS-UHFFFAOYSA-N 4-[bis(4-hydroxyphenyl)methyl]phenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C(C=1C=CC(O)=CC=1)C1=CC=C(O)C=C1 WFCQTAXSWSWIHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WTQZSMDDRMKJRI-UHFFFAOYSA-N 4-diazoniophenolate Chemical compound [O-]C1=CC=C([N+]#N)C=C1 WTQZSMDDRMKJRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OPMUAJRVOWSBTP-UHFFFAOYSA-N 4-ethyl-1-hexene Chemical compound CCC(CC)CC=C OPMUAJRVOWSBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RHMPLDJJXGPMEX-UHFFFAOYSA-N 4-fluorophenol Chemical compound OC1=CC=C(F)C=C1 RHMPLDJJXGPMEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SUWJESCICIOQHO-UHFFFAOYSA-N 4-methylhex-1-ene Chemical compound CCC(C)CC=C SUWJESCICIOQHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JKZAJYUMZDPHSF-UHFFFAOYSA-N 4-methyltetracyclo[6.2.1.13,6.02,7]dodec-9-ene-4-carbonitrile Chemical compound C1C(C23)C=CC1C3C1CC2CC1(C)C#N JKZAJYUMZDPHSF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OECTYKWYRCHAKR-UHFFFAOYSA-N 4-vinylcyclohexene dioxide Chemical compound C1OC1C1CC2OC2CC1 OECTYKWYRCHAKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DZQQBMOSBPOYFX-UHFFFAOYSA-N 5-chlorosulfonyl-2-diazonionaphthalen-1-olate Chemical compound C1=CC=C2C([O-])=C([N+]#N)C=CC2=C1S(Cl)(=O)=O DZQQBMOSBPOYFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VSQLAQKFRFTMNS-UHFFFAOYSA-N 5-methylhexa-1,4-diene Chemical compound CC(C)=CCC=C VSQLAQKFRFTMNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MHKWUJKXTNTRFC-UHFFFAOYSA-N 5-oxo-6H-naphthalene-1-sulfonyl chloride Chemical compound C1(CC=CC=2C(=CC=CC1=2)S(=O)(=O)Cl)=O MHKWUJKXTNTRFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NHJIDZUQMHKGRE-UHFFFAOYSA-N 7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl 2-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)acetate Chemical compound C1CC2OC2CC1OC(=O)CC1CC2OC2CC1 NHJIDZUQMHKGRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GJNKQJAJXSUJBO-UHFFFAOYSA-N 9,10-diethoxyanthracene Chemical compound C1=CC=C2C(OCC)=C(C=CC=C3)C3=C(OCC)C2=C1 GJNKQJAJXSUJBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CSRQAJIMYJHHHQ-UHFFFAOYSA-N 9-ethylidenetetracyclo[6.2.1.13,6.02,7]dodec-4-ene Chemical compound C1C(C23)C=CC1C3C1CC2CC1=CC CSRQAJIMYJHHHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YBDYLROECWPRDH-UHFFFAOYSA-N 9-methylidenetetracyclo[6.2.1.13,6.02,7]dodec-4-ene Chemical compound C1C(C23)C=CC1C3C1CC2CC1=C YBDYLROECWPRDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LUZRCAIWLRPMQK-UHFFFAOYSA-N 9-phenyltetracyclo[6.2.1.13,6.02,7]dodec-4-ene Chemical compound C1C(C23)C=CC1C3C1CC2CC1C1=CC=CC=C1 LUZRCAIWLRPMQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002126 Acrylic acid copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 1
- LCFVJGUPQDGYKZ-UHFFFAOYSA-N Bisphenol A diglycidyl ether Chemical compound C=1C=C(OCC2OC2)C=CC=1C(C)(C)C(C=C1)=CC=C1OCC1CO1 LCFVJGUPQDGYKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VWMKUZYJGUVNJX-UHFFFAOYSA-L C(C1=CC=CC=C1)=[Ru](Cl)Cl.C1(=C(C(=CC(=C1)C)C)N1C(N(CC1)C1=C(C=C(C=C1C)C)C)=C1C(CCCC1)P(C1CCCCC1)C1CCCCC1)C Chemical compound C(C1=CC=CC=C1)=[Ru](Cl)Cl.C1(=C(C(=CC(=C1)C)C)N1C(N(CC1)C1=C(C=C(C=C1C)C)C)=C1C(CCCC1)P(C1CCCCC1)C1CCCCC1)C VWMKUZYJGUVNJX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- APQJRJLAJMKHPW-UHFFFAOYSA-N C1C(C23)C=CC1C3C1CC2CC1C=C Chemical compound C1C(C23)C=CC1C3C1CC2CC1C=C APQJRJLAJMKHPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MAOGOJRJEJTKSC-UHFFFAOYSA-N C1C(C23)C=CC1C3C1CC2CC1C=CC Chemical compound C1C(C23)C=CC1C3C1CC2CC1C=CC MAOGOJRJEJTKSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KSMZUSCSXFGCIV-UHFFFAOYSA-N CC1(C2C3C4C=CC(C3C(C1)C2)C4)Cl Chemical compound CC1(C2C3C4C=CC(C3C(C1)C2)C4)Cl KSMZUSCSXFGCIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical compound C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AQCJNHXIXWDJRR-UHFFFAOYSA-N FC(COC(=O)C1C2C3C4C=CC(C3C(C1)C2)C4)(F)F Chemical compound FC(COC(=O)C1C2C3C4C=CC(C3C(C1)C2)C4)(F)F AQCJNHXIXWDJRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVDRREOUMKACNJ-BKMJKUGQSA-N N-[(2R,3S)-2-(4-chlorophenyl)-1-(1,4-dimethyl-2-oxoquinolin-7-yl)-6-oxopiperidin-3-yl]-2-methylpropane-1-sulfonamide Chemical group CC(C)CS(=O)(=O)N[C@H]1CCC(=O)N([C@@H]1c1ccc(Cl)cc1)c1ccc2c(C)cc(=O)n(C)c2c1 LVDRREOUMKACNJ-BKMJKUGQSA-N 0.000 description 1
- OHLUUHNLEMFGTQ-UHFFFAOYSA-N N-methylacetamide Chemical compound CNC(C)=O OHLUUHNLEMFGTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical class CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZMIGBWNVUSOGIL-UHFFFAOYSA-N [[cyano-(4-methoxyphenyl)methylidene]amino] trifluoromethanesulfonate Chemical compound COC1=CC=C(C(=NOS(=O)(=O)C(F)(F)F)C#N)C=C1 ZMIGBWNVUSOGIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GLGXSTXZLFQYKJ-UHFFFAOYSA-N [cyclohexylsulfonyl(diazo)methyl]sulfonylcyclohexane Chemical compound C1CCCCC1S(=O)(=O)C(=[N+]=[N-])S(=O)(=O)C1CCCCC1 GLGXSTXZLFQYKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YJOLYFYTSAVBML-UHFFFAOYSA-N ac1l4f97 Chemical compound C1C(C23)C=CC1C3C1CC2CC1CC YJOLYFYTSAVBML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004018 acid anhydride group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003647 acryloyl group Chemical group O=C([*])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 150000001260 acyclic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 125000004453 alkoxycarbonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005161 aryl oxy carbonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000004556 brain Anatomy 0.000 description 1
- JVOCWUZGKVURAV-UHFFFAOYSA-N butyl 4-methyltetracyclo[6.2.1.13,6.02,7]dodec-9-ene-4-carboxylate Chemical compound C1C(C23)C=CC1C3C1CC2CC1(C)C(=O)OCCCC JVOCWUZGKVURAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AJVSSYFQWYBQMV-UHFFFAOYSA-N butyl tetracyclo[6.2.1.13,6.02,7]dodec-9-ene-4-carboxylate Chemical compound C1C(C23)C=CC1C3C1CC2CC1C(=O)OCCCC AJVSSYFQWYBQMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- HIPQYVJOMHDTRF-UHFFFAOYSA-N deca-2,7-diene Chemical compound CCC=CCCCC=CC HIPQYVJOMHDTRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 150000001991 dicarboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001993 dienes Chemical class 0.000 description 1
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical class OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N diglycidyl ether Chemical group C1OC1COCC1CO1 GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CZSCUCRXCBAAGX-UHFFFAOYSA-M diphenyl-(2,4,6-trimethylphenyl)sulfanium;4-methylbenzenesulfonate Chemical compound CC1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1.CC1=CC(C)=CC(C)=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 CZSCUCRXCBAAGX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 229940069096 dodecene Drugs 0.000 description 1
- 125000006232 ethoxy propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])OC([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- HSYKJCVXJHCKEB-UHFFFAOYSA-N ethyl 4-methyltetracyclo[6.2.1.13,6.02,7]dodec-9-ene-4-carboxylate Chemical compound C1C(C23)C=CC1C3C1CC2CC1(C)C(=O)OCC HSYKJCVXJHCKEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- CGXYLLNYPIBZSE-UHFFFAOYSA-N ethyl tetracyclo[6.2.1.13,6.02,7]dodec-9-ene-4-carboxylate Chemical compound C1C(C23)C=CC1C3C1CC2CC1C(=O)OCC CGXYLLNYPIBZSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000457 gamma-lactone group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 150000008282 halocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PYGSKMBEVAICCR-UHFFFAOYSA-N hexa-1,5-diene Chemical compound C=CCCC=C PYGSKMBEVAICCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002596 lactones Chemical class 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229920003145 methacrylic acid copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229940117841 methacrylic acid copolymer Drugs 0.000 description 1
- ZDFOSSPNFAQIOM-UHFFFAOYSA-N methyl 8-tetracyclo-[4.4.0.12,5.17,10]dodecene-3-carboxylate Chemical compound C1C(C23)C=CC1C3C1CC2CC1C(=O)OC ZDFOSSPNFAQIOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N n-Octanol Natural products CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 125000005375 organosiloxane group Chemical group 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- WNBDFALPKHFDJO-UHFFFAOYSA-N pentadec-3-ene Chemical compound CCCCCCCCCCCC=CCC WNBDFALPKHFDJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OHVKVVAUWQFKQY-UHFFFAOYSA-N pentadeca-2,7,9,11-tetraene Chemical compound CCCC=CC=CC=CCCCC=CC OHVKVVAUWQFKQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LTBKJTHWKYUMTA-UHFFFAOYSA-N pentadeca-3,10-diene Chemical compound CCCCC=CCCCCCC=CCC LTBKJTHWKYUMTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N pentaerythritol Chemical compound OCC(CO)(CO)CO WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RGSFGYAAUTVSQA-UHFFFAOYSA-N pentamethylene Natural products C1CCCC1 RGSFGYAAUTVSQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 229920002577 polybenzoxazole Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- MDRSNFPBVFZYPI-UHFFFAOYSA-N propan-2-yl 4-methyltetracyclo[6.2.1.13,6.02,7]dodec-9-ene-4-carboxylate Chemical compound C1C(C23)C=CC1C3C1CC2CC1(C)C(=O)OC(C)C MDRSNFPBVFZYPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPUOIWGUZZSFBB-UHFFFAOYSA-N propan-2-yl tetracyclo[6.2.1.13,6.02,7]dodec-9-ene-4-carboxylate Chemical compound C1C(C23)C=CC1C3C1CC2CC1C(=O)OC(C)C RPUOIWGUZZSFBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XPWCPKAPHLQSKF-UHFFFAOYSA-N propyl 4-methyltetracyclo[6.2.1.13,6.02,7]dodec-9-ene-4-carboxylate Chemical compound C1C(C23)C=CC1C3C1CC2CC1(C)C(=O)OCCC XPWCPKAPHLQSKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IYJVDXMMWSPICZ-UHFFFAOYSA-N propyl tetracyclo[6.2.1.13,6.02,7]dodec-9-ene-4-carboxylate Chemical compound C1C(C23)C=CC1C3C1CC2CC1C(=O)OCCC IYJVDXMMWSPICZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000013772 propylene glycol Nutrition 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 230000002285 radioactive effect Effects 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 230000001235 sensitizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 125000001174 sulfone group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 1
- 125000001302 tertiary amino group Chemical group 0.000 description 1
- XBFJAVXCNXDMBH-UHFFFAOYSA-N tetracyclo[6.2.1.1(3,6).0(2,7)]dodec-4-ene Chemical compound C1C(C23)C=CC1C3C1CC2CC1 XBFJAVXCNXDMBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KFWJXQDORLWKBB-UHFFFAOYSA-N tetracyclo[6.2.1.13,6.02,7]dodec-9-ene-4-carboxylic acid Chemical compound C1C(C23)C=CC1C3C1CC2CC1C(=O)O KFWJXQDORLWKBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PPPHYGCRGMTZNA-UHFFFAOYSA-M trifluoromethyl sulfate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)OC(F)(F)F PPPHYGCRGMTZNA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QXJQHYBHAIHNGG-UHFFFAOYSA-N trimethylolethane Chemical compound OCC(C)(CO)CO QXJQHYBHAIHNGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004711 α-olefin Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
본 발명은, 현상 밀착성이 우수한 패턴을 형성 가능하고, 또한, 저온에서 열처리한 경우라도 내약품성이 우수한 수지막을 형성 가능한 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 제공한다. 본 발명의 포지티브형 감방사선성 수지 조성물은, 알칼리 가용성 수지와, 방사선이 조사되면 카르복실산을 생성하는 제1 산 발생제와, 방사선이 조사되면 술폰산을 생성하는 제2 산 발생제와, 불소 함유 페놀성 화합물을 함유한다.
Description
본 발명은, 포지티브형 감방사선성 수지 조성물에 관한 것으로서, 특히, 전자 부품에 사용되는 평탄화막, 보호막 및 절연막 등의 형성에 호적하게 사용할 수 있는 포지티브형 감방사선성 수지 조성물에 관한 것이다.
액정 표시 장치, 유기 EL 표시 장치, 집적 회로 소자, 고체 촬상 소자 등의 전자 부품에는, 평탄화막, 보호막, 절연막 등으로서 여러 수지막이 형성되어 있다.
구체적으로는, 예를 들어, 유기 EL 표시 장치나 액정 표시 장치 등에서는, 패턴 형성된 층간 절연막(패시베이션막)을 사용하여 재배선층을 형성하고 있다. 그리고, 패턴 형성된 층간 절연막은, 예를 들어, 기판 상에 도포한 감방사선성 수지 조성물을 프리베이크하고, 얻어진 도막을 노광 및 현상하여 패턴을 형성한 후, 패턴 형성된 도막을 노광 및 포스트베이크하여 경화시킴으로써 형성되어 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조).
또한, 패턴 형성된 층간 절연막 등의 수지막의 형성에 사용되는 수지 조성물로는, 예를 들어, 알칼리 가용성 수지와, 퀴논디아지드 화합물과, 퀴논디아지드 화합물의 극대 흡수 파장보다 짧은 극대 흡수 파장을 갖는 광산 발생제를 함유하는 포지티브형 감방사선성 수지 조성물 등이 제안되어 있다(예를 들어, 특허문헌 2 참조).
그러나, 상기 종래의 포지티브형 감방사선성 수지 조성물에는, 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 사용하여 기판 상에 패턴을 형성하였을 때의 패턴과 기판의 밀착성(현상 밀착성)을 향상시킨다는 점에 있어서 개선의 여지가 있었다.
또한, 근년에는, 수지막을 형성하는 기판으로서 내열성이 낮은 기판도 사용할 수 있게 하는 관점에서, 포스트베이크 등의 열처리를 저온에서 행하여도 수지막(경화막)을 양호하게 형성할 수 있는 포지티브형 감방사선성 수지 조성물이 요구되고 있다.
그러나, 상기 종래의 포지티브형 감방사선성 수지 조성물에서는, 저온(예를 들어 150℃ 이하, 바람직하게는 130℃ 이하)에서 열처리하면, 얻어지는 수지막의 내약품성이 저하되는 경우가 있었다.
이에, 본 발명은, 현상 밀착성이 우수한 패턴을 형성 가능하고, 또한, 저온에서 열처리한 경우라도 내약품성이 우수한 수지막을 형성 가능한 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자는, 상기 과제를 해결하는 것을 목적으로 하여 예의 검토를 행하였다. 그리고, 본 발명자는, 알칼리 가용성 수지와, 소정의 산 발생제와, 불소 함유 페놀성 화합물을 함유하는 포지티브형 감방사선성 수지 조성물에 의하면, 현상 밀착성이 우수한 패턴의 형성 및 내약품성이 우수한 수지막의 저온 조건 하에서의 형성이 가능하게 되는 것을 알아내어, 본 발명을 완성시켰다.
즉, 이 발명은, 상기 과제를 유리하게 해결하는 것을 목적으로 하는 것으로, 본 발명의 포지티브형 감방사선성 수지 조성물은, 알칼리 가용성 수지와, 방사선이 조사되면 카르복실산을 생성하는 제1 산 발생제와, 방사선이 조사되면 술폰산을 생성하는 제2 산 발생제와, 불소 함유 페놀성 화합물을 함유하는 것을 특징으로 한다. 이와 같이, 제1 산 발생제 및 불소 함유 페놀성 화합물을 함유시키면, 현상 밀착성이 우수한 패턴의 형성이 가능하게 된다. 또한, 제1 산 발생제 및 제2 산 발생제를 함유시키면, 저온에서 열처리한 경우라도 내약품성이 우수한 수지막을 형성할 수 있다.
여기서, 본 발명의 포지티브형 감방사선성 수지 조성물은, 상기 알칼리 가용성 수지가, 프로톤성 극성기를 갖는 고리형 올레핀계 수지인 것이 바람직하다. 알칼리 가용성 수지로서 프로톤성 극성기를 갖는 고리형 올레핀계 수지를 사용하면, 패턴의 현상 밀착성 및 수지막의 내약품성을 더욱 향상시킬 수 있는 동시에, 투명성이 높고, 또한, 흡수성이 낮은 수지막을 형성할 수 있기 때문이다.
또한, 본 발명의 포지티브형 감방사선성 수지 조성물은, 다관능 에폭시 화합물을 더 함유하는 것이 바람직하다. 다관능 에폭시 화합물을 함유시키면, 수지막의 내약품성을 더욱 향상시킬 수 있기 때문이다.
또한, 본 발명의 포지티브형 감방사선성 수지 조성물은, 증감제를 더 함유하는 것이 바람직하다. 증감제를 함유시키면, 수지막의 내약품성을 더욱 향상시킬 수 있기 때문이다.
한편, 상기 증감제는, 안트라센 구조를 갖는 화합물인 것이 바람직하다. 증감제로서 안트라센 구조를 갖는 화합물을 사용하면, 수지막의 내약품성을 한층 더 향상시킬 수 있기 때문이다.
본 발명의 포지티브형 감방사선성 수지 조성물에 의하면, 현상 밀착성이 우수한 패턴을 형성할 수 있는 동시에, 내약품성이 우수한 수지막을 저온 조건 하에서도 형성할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시형태에 대하여 상세하게 설명한다.
(포지티브형 감방사선성 수지 조성물)
여기서, 본 발명의 포지티브형 감방사선성 수지 조성물은, 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 액정 표시 장치, 유기 EL 표시 장치, 집적 회로 소자, 고체 촬상 소자 등의 전자 부품이 갖는 수지막(예를 들어, 평탄화막, 보호막 및 절연막 등)을 형성할 때에 사용할 수 있다. 그 중에서도, 본 발명의 포지티브형 감방사선성 수지 조성물은, 절연막을 형성할 때에 호적하게 사용할 수 있고, 재배선층(Re-Distribution Layer; RDL)을 배치 형성할 때에 사용하는 재배선용 절연막을 형성할 때에 특히 호적하게 사용할 수 있다.
그리고, 본 발명의 포지티브형 감방사선성 수지 조성물은, 알칼리 가용성 수지와, 방사선이 조사되면 카르복실산을 생성하는 제1 산 발생제와, 방사선이 조사되면 술폰산을 생성하는 제2 산 발생제와, 불소 함유 페놀성 화합물을 함유하고, 임의로, 다관능 에폭시 화합물, 증감제, 첨가제 및 용제로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 더 함유할 수 있다.
한편, 본 발명의 포지티브형 감방사선성 수지 조성물은, 제1 산 발생제 및 불소 함유 페놀성 화합물을 함유하고 있으므로, 본 발명의 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 사용하면, 현상 밀착성이 우수한 패턴을 형성할 수 있다. 또한, 본 발명의 포지티브형 감방사선성 수지 조성물은, 제1 산 발생제 및 제2 산 발생제를 함유하고 있으므로, 저온에서 열처리한 경우라도 내약품성이 우수한 수지막을 형성할 수 있다.
<알칼리 가용성 수지>
알칼리 가용성 수지는, 알칼리 현상이 가능한 수지이면, 특별히 한정되지 않는다. 알칼리 가용성 수지로는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 노볼락 수지, 폴리비닐알코올 수지, 아크릴 수지, 폴리이미드 수지, 폴리벤조옥사졸 수지, 비닐페놀 수지, 및 고리형 올레핀 단량체 단위를 포함하는 수지인 고리형 올레핀계 수지 등을 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로, 혹은 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
한편, 본 명세서에 있어서, 수지 또는 중합체가 「단량체 단위를 포함한다」는 것은, 「그 단량체를 사용하여 얻은 수지 또는 중합체 중에 단량체 유래의 구조 단위가 포함되어 있는」 것을 의미한다.
그 중에서도, 패턴의 현상 밀착성 및 수지막의 내약품성을 충분히 향상시키면서, 투명성이 높고 흡수성이 낮은 수지막을 형성할 수 있게 하는 관점에서는, 알칼리 가용성 수지로는, 고리형 올레핀계 수지를 사용하는 것이 바람직하고, 프로톤성 극성기를 갖는 고리형 올레핀계 수지를 사용하는 것이 보다 바람직하다.
여기서, 알칼리 가용성 수지로서 호적한 프로톤성 극성기를 갖는 고리형 올레핀계 수지는, 주쇄에, 고리형 올레핀 단량체에서 유래하는 고리형 구조(지환 또는 방향고리)와 프로톤성 극성기를 갖는, 고리형 올레핀 단량체의 단독 중합체 또는 공중합체이다.
한편, 「프로톤성 극성기」란, 주기율표의 제15족 또는 제16족에 속하는 원자에 수소가 직접 결합하고 있는 원자단을 말한다. 수소가 직접 결합하는 원자는, 바람직하게는 주기율표의 제15족 또는 제16족의 제1 주기 혹은 제2 주기에 속하는 원자이고, 보다 바람직하게는 산소 원자, 질소 원자 또는 황 원자이며, 특히 바람직하게는 산소 원자이다.
프로톤성 극성기를 갖는 고리형 올레핀계 수지를 구성하기 위한 단량체로는, 프로톤성 극성기를 갖는 고리형 올레핀 단량체(a), 프로톤성 극성기 이외의 극성기를 갖는 고리형 올레핀 단량체(b), 극성기를 갖지 않는 고리형 올레핀 단량체(c), 및 고리형 올레핀 단량체 이외의 단량체(d)(이하, 이들 단량체를 간단히 「단량체(a)~(d)」라고 한다.)를 들 수 있다. 여기서 단량체(b), (c), (d)는, 특성에 영향이 없는 범위에서 사용 가능하다.
한편, 프로톤성 극성기를 갖는 고리형 올레핀계 수지의 전체 구조 단위 중, 프로톤성 극성기를 갖는 고리형 올레핀 단량체 단위의 비율은, 통상 30 질량% 이상 100 질량% 이하, 바람직하게는 50 질량% 이상 100 질량% 이하이다. 그리고, 프로톤성 극성기를 갖는 고리형 올레핀계 수지는, 단량체(a)와, 단량체(b) 및/또는 단량체(c)로 구성되는 것이 바람직하고, 단량체(a)와 단량체(b)로 구성되는 것이 더욱 바람직하다.
단량체(a)의 구체예로는, 5-하이드록시카르보닐비시클로[2.2.1]헵토-2-엔, 5-메틸-5-하이드록시카르보닐비시클로[2.2.1]헵토-2-엔, 5-카르복시메틸-5-하이드록시카르보닐비시클로[2.2.1]헵토-2-엔, 5,6-디하이드록시카르보닐비시클로[2.2.1]헵토-2-엔, 4-하이드록시카르보닐테트라시클로[6.2.1.13,6.02, 7]도데카-9-엔, 9-메틸-9-하이드록시카르보닐테트라시클로[6.2.1.13,6.02,7]도데카-4-엔, 9,10-디하이드록시카르보닐테트라시클로[6.2.1.13,6.02,7]도데카-4-엔 등의 카르복시기 함유 고리형 올레핀; 5-(4-하이드록시페닐)비시클로[2.2.1]헵토-2-엔, 5-메틸-5-(4-하이드록시페닐)비시클로[2.2.1]헵토-2-엔, 9-(4-하이드록시페닐)테트라시클로[6.2.1.13,6.02, 7]도데카-4-엔, 9-메틸-9-(4-하이드록시페닐)테트라시클로[6.2.1.13,6.02, 7]도데카-4-엔 등의 수산기 함유 고리형 올레핀 등을 들 수 있고, 그 중에서도, 단량체(a)로는 카르복시기 함유 고리형 올레핀이 바람직하다. 이들 프로톤성 극성기를 갖는 고리형 올레핀 단량체(a)는, 각각 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
프로톤성 극성기 이외의 극성기를 갖는 고리형 올레핀 단량체(b)가 갖는, 프로톤성 극성기 이외의 극성기의 구체예로는, 에스테르기(알콕시카르보닐기 및 아릴옥시카르보닐기를 총칭하여 말한다.), N-치환 이미드기, 에폭시기, 할로겐 원자, 시아노기, 카르보닐옥시카르보닐기(디카르복실산의 산 무수물 잔기), 알콕시기, 카르보닐기, 제3급 아미노기, 술폰기, 아크릴로일기 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 프로톤성 극성기 이외의 극성기로는, 에스테르기, N-치환 이미드기 및 시아노기가 바람직하고, 에스테르기 및 N-치환 이미드기가 보다 바람직하며, N-치환 이미드기가 특히 바람직하다.
그리고, 단량체(b)의 구체예로는, 이하와 같은 고리형 올레핀을 들 수 있다.
에스테르기를 갖는 고리형 올레핀으로는, 예를 들어, 5-아세톡시비시클로[2.2.1]헵토-2-엔, 5-메톡시카르보닐비시클로[2.2.1]헵토-2-엔, 5-메틸-5-메톡시카르보닐비시클로[2.2.1]헵토-2-엔, 9-아세톡시테트라시클로[6.2.1.13,6.02, 7]도데카-4-엔, 9-메톡시카르보닐테트라시클로[6.2.1.13,6.02, 7]도데카-4-엔, 9-에톡시카르보닐테트라시클로[6.2.1.13,6.02,7]도데카-4-엔, 9-n-프로폭시카르보닐테트라시클로[6.2.1.13,6.02,7]도데카-4-엔, 9-이소프로폭시카르보닐테트라시클로[6.2.1.13,6.02,7]도데카-4-엔, 9-n-부톡시카르보닐테트라시클로[6.2.1.13,6.02, 7]도데카-4-엔, 9-메틸-9-메톡시카르보닐테트라시클로[6.2.1.13,6.02, 7]도데카-4-엔, 9-메틸-9-에톡시카르보닐테트라시클로[6.2.1.13,6.02,7]도데카-4-엔, 9-메틸-9-n-프로폭시카르보닐테트라시클로[6.2.1.13,6.02,7]도데카-4-엔, 9-메틸-9-이소프로폭시카르보닐테트라시클로[6.2.1.13,6.02,7]도데카-4-엔, 9-메틸-9-n-부톡시카르보닐테트라시클로[6.2.1.13,6.02,7]도데카-4-엔, 9-(2,2,2-트리플루오로에톡시카르보닐)테트라시클로[6.2.1.13,6.02,7]도데카-4-엔, 9-메틸-9-(2,2,2-트리플루오로에톡시카르보닐)테트라시클로[6.2.1.13,6.02,7]도데카-4-엔 등을 들 수 있다.
N-치환 이미드기를 갖는 고리형 올레핀으로는, 예를 들어, N-페닐비시클로[2.2.1]헵토-5-엔-2,3-디카르복시이미드, N-(2-에틸헥실)-1-이소프로필-4-메틸비시클로[2.2.2]옥토-5-엔-2,3-디카르복시이미드, N-(2-에틸헥실)-비시클로[2.2.1]헵토-5-엔-2,3-디카르복시이미드, N-[(2-에틸부톡시)에톡시프로필]-비시클로[2.2.1]헵토-5-엔-2,3-디카르복시이미드, N-(엔도-비시클로[2.2.1]헵토-5-엔-2,3-디일디카르보닐)아스파라긴산디메틸 등을 들 수 있다.
시아노기를 갖는 고리형 올레핀으로는, 예를 들어, 9-시아노테트라시클로[6.2.1.13,6.02,7]도데카-4-엔, 9-메틸-9-시아노테트라시클로[6.2.1.13,6.02,7]도데카-4-엔, 5-시아노비시클로[2.2.1]헵토-2-엔 등을 들 수 있다.
할로겐 원자를 갖는 고리형 올레핀으로는, 예를 들어, 9-클로로테트라시클로[6.2.1.13,6.02,7]도데카-4-엔, 9-메틸-9-클로로테트라시클로[6.2.1.13,6.02,7]도데카-4-엔 등을 들 수 있다.
이들 프로톤성 극성기 이외의 극성기를 갖는 고리형 올레핀 단량체(b)는, 각각 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
극성기를 갖지 않는 고리형 올레핀 단량체(c)의 구체예로는, 비시클로[2.2.1]헵토-2-엔(「노르보르넨」이라고도 한다.), 5-에틸-비시클로[2.2.1]헵토-2-엔, 5-부틸-비시클로[2.2.1]헵토-2-엔, 5-에틸리덴-비시클로[2.2.1]헵토-2-엔, 5-메틸리덴-비시클로[2.2.1]헵토-2-엔, 5-비닐-비시클로[2.2.1]헵토-2-엔, 트리시클로[5.2.1.02,6]데카-3,8-디엔(관용명: 디시클로펜타디엔), 테트라시클로[10.2.1.02,1104,9]펜타데카-4,6,8,13-테트라엔, 테트라시클로[6.2.1.13,6.02,7]도데카-4-엔(「테트라시클로도데센」이라고도 한다.), 9-메틸-테트라시클로[6.2.1.13,6.02,7]도데카-4-엔, 9-에틸-테트라시클로[6.2.1.13,6.02,7]도데카-4-엔, 9-메틸리덴-테트라시클로[6.2.1.13,6.02,7]도데카-4-엔, 9-에틸리덴-테트라시클로[6.2.1.13,6.02,7]도데카-4-엔, 9-비닐-테트라시클로[6.2.1.13,6.02,7]도데카-4-엔, 9-프로페닐-테트라시클로[6.2.1.13,6.02,7]도데카-4-엔, 펜타시클로[9.2.1.13,9.02,10]펜타데카-5,12-디엔, 시클로펜텐, 시클로펜타디엔, 9-페닐-테트라시클로[6.2.1.13,6.02,7]도데카-4-엔, 테트라시클로[9.2.1.02,10.03,8]테트라데카-3,5,7,12-테트라엔, 펜타시클로[9.2.1.13,9.02,10]펜타데카-12-엔 등을 들 수 있다.
이들 극성기를 갖지 않는 고리형 올레핀 단량체(c)는, 각각 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
고리형 올레핀 이외의 단량체(d)의 구체예로는, 사슬형 올레핀을 들 수 있다. 사슬형 올레핀으로는, 예를 들어, 에틸렌, 프로필렌, 1-부텐, 1-펜텐, 1-헥센, 3-메틸-1-부텐, 3-메틸-1-펜텐, 3-에틸-1-펜텐, 4-메틸-1-펜텐, 4-메틸-1-헥센, 4,4-디메틸-1-헥센, 4,4-디메틸-1-펜텐, 4-에틸-1-헥센, 3-에틸-1-헥센, 1-옥텐, 1-데센, 1-도데센, 1-테트라데센, 1-헥사데센, 1-옥타데센, 1-에이코센 등의 탄소수 2~20의 α-올레핀; 1,4-헥사디엔, 4-메틸-1,4-헥사디엔, 5-메틸-1,4-헥사디엔, 1,7-옥타디엔 등의 비공액 디엔 등을 들 수 있다.
이들 고리형 올레핀 이외의 단량체(d)는, 각각 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
본 발명에서 사용하는 프로톤성 극성기를 갖는 고리형 올레핀계 수지는, 단량체(a)를, 소망에 따라 단량체(b)~(d)에서 선택되는 1종 이상의 단량체와 함께 중합함으로써 얻어진다. 중합에 의해 얻어진 중합체를 추가로 수소화해도 된다. 본 발명에서는, 수소 첨가된 중합체도, 프로톤성 극성기를 갖는 고리형 올레핀계 수지에 포함된다.
한편, 본 발명에서 사용하는 프로톤성 극성기를 갖는 고리형 올레핀계 수지는, 프로톤성 극성기를 갖지 않는 고리형 올레핀계 수지에, 공지의 변성제를 이용하여 프로톤성 극성기를 도입하고, 소망에 따라 수소 첨가를 행하는 방법에 의해서도 얻을 수 있다. 여기서, 수소 첨가는, 프로톤성 극성기 도입 전의 중합체에 대하여 행하여도 된다.
또한, 본 발명에서 사용하는 프로톤성 극성기를 갖는 고리형 올레핀계 수지는, 프로톤성 극성기를 갖는 고리형 올레핀계 수지에, 재차 프로톤성 극성기를 도입하는 방법에 의해 얻어도 된다.
<제1 산 발생제>
제1 산 발생제는, 방사선이 조사되면 분해되어 카르복실산을 생성하는 화합물이다. 그리고, 제1 산 발생제를 포함하는 본 발명의 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 사용하여 형성한 도막은, 방사선이 조사되면, 방사선 조사부의 알칼리 용해성이 증가한다.
여기서, 방사선으로는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 가시광선; 자외선; X선; g선, h선, i선 등의 단일 파장의 광선; KrF 엑시머 레이저광, ArF 엑시머 레이저광 등의 레이저 광선; 전자선 등의 입자선; 등을 들 수 있다.
그리고, 제1 산 발생제로는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 퀴논디아지드 화합물 등의 아지드 화합물을 사용할 수 있다.
또한, 퀴논디아지드 화합물로는, 예를 들어, 퀴논디아지드술폰산할라이드와 페놀성 수산기를 갖는 화합물의 에스테르 화합물을 사용할 수 있다. 여기서, 퀴논디아지드술폰산할라이드의 구체예로는, 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산클로라이드, 1,2-나프토퀴논디아지드-4-술폰산클로라이드, 1,2-벤조퀴논디아지드-5-술폰산클로라이드 등을 들 수 있다. 또한, 페놀성 수산기를 갖는 화합물의 구체예로는, 1,1,3-트리스(2,5-디메틸-4-하이드록시페닐)-3-페닐프로판, 4,4'-[1-[4-[1-[4-하이드록시페닐]-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀, 2,3,4-트리하이드록시벤조페논, 2,3,4,4'-테트라하이드록시벤조페논, 2-비스(4-하이드록시페닐)프로판, 트리스(4-하이드록시페닐)메탄, 1,1,1-트리스(4-하이드록시-3-메틸페닐)에탄, 1,1,2,2-테트라키스(4-하이드록시페닐)에탄, 노볼락 수지의 올리고머, 페놀성 수산기를 1개 이상 갖는 화합물과 디시클로펜타디엔을 공중합하여 얻어지는 올리고머 등을 들 수 있다.
그 중에서도, 제1 산 발생제로는, 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산클로라이드와 4,4'-[1-[4-[1-[4-하이드록시페닐]-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀의 에스테르 화합물이 바람직하다.
한편, 제1 산 발생제는, 1종 단독으로, 혹은 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
여기서, 포지티브형 감방사선성 수지 조성물 중의 제1 산 발생제의 양은, 알칼리 가용성 수지 100 질량부당, 10 질량부 이상인 것이 바람직하고, 20 질량부 이상인 것이 보다 바람직하며, 60 질량부 이하인 것이 바람직하고, 50 질량부 이하인 것이 보다 바람직하다. 제1 산 발생제의 양이 상기 하한값 이상이면, 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 사용하여 형성한 도막을 현상하였을 때에, 잔막률을 충분히 확보할 수 있다. 또한, 제1 산 발생제의 양이 상기 상한값 이하이면, 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 사용하여 형성한 도막을 패터닝하였을 때에, 해상도의 저하나 잔사의 발생이 일어나는 것을 억제할 수 있다.
<제2 산 발생제>
제2 산 발생제는, 방사선이 조사되면 분해되어 술폰산을 생성하는 화합물이다. 그리고, 본 발명의 포지티브형 감방사선성 수지 조성물은, 상술한 제1 산 발생제에 더하여 제2 산 발생제를 함유하고 있으므로, 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 사용하여 형성한 패터닝되어 있어도 되는 도막에 대하여 방사선의 조사 및 열처리를 실시하여 수지막을 조제할 때에 열처리를 저온(예를 들어 150℃ 이하, 바람직하게는 130℃ 이하)에서 행한 경우라도, 내약품성이 우수한 수지막을 형성할 수 있다.
여기서, 방사선으로는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 가시광선; 자외선; X선; g선, h선, i선 등의 단일 파장의 광선; KrF 엑시머 레이저광, ArF 엑시머 레이저광 등의 레이저 광선; 전자선 등의 입자선; 등을 들 수 있다.
그리고, 제2 산 발생제로는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 디페닐-4-메틸페닐술포늄트리플루오로메탄술포네이트, 디페닐-2,4,6-트리메틸페닐술포늄-p-톨루엔술포네이트, 디페닐(4-메톡시페닐)술포늄트리플루오로메탄술포네이트, 트리스(4-메틸페닐)술포늄노나플루오로부탄술포네이트, 비스(시클로헥실술포닐)디아조메탄, 2-메틸-2-[(4-메틸페닐)술포닐]-1-[4-(메틸티오)페닐]-1-프로파논, 비스(4-메틸페닐술포닐)디아조메탄, N-(트리플루오로메틸술포닐옥시)숙신이미드, N-(트리플루오로메틸술포닐옥시)프탈이미드, N-(트리플루오로메틸술포닐옥시)디페닐말레이미드, N-(트리플루오로메틸술포닐옥시)비시클로[2.2.1]헵토-5-엔-2,3-디카르복실이미드, N-(트리플루오로메틸술포닐옥시)-7-옥사비시클로[2.2.1]헵토-5-엔-2,3-디카르복실이미드, N-(트리플루오로메틸술포닐옥시)비시클로[2.2.1]헵탄-5,6-옥시-2,3-디카르복실이미드, N-(트리플루오로메틸술포닐옥시)나프틸디카르복실이미드, N-(캠퍼술포닐옥시)숙신이미드, 1,8-나프탈이미딜트리플레이트(미도리 화학 제조, 제품명 「NAI-105」), 4-메틸페닐술포닐옥시이미노-α-(4-메톡시페닐)아세토니트릴(미도리 화학 제조, 제품명 「PAI-101」), 트리플루오로메틸술포닐옥시이미노-α-(4-메톡시페닐)아세토니트릴(미도리 화학 제조, 제품명 「PAI-105」), 9-캠퍼술포닐옥시이미노-α-4-메톡시페닐아세토니트릴(미도리 화학 제조, 제품명 「PAI-106」), 1,8-나프탈이미딜부탄술포네이트(미도리 화학 제조, 제품명 「NAI-1004」), 1,8-나프탈이미딜토실레이트(미도리 화학 제조, 제품명 「NAI-101」), 1,8-나프탈이미딜노나플루오로부탄술포네이트(미도리 화학 제조, 제품명 「NAI-109」), 1,8-나프탈이미딜 9-캠퍼술포네이트(미도리 화학 제조, 제품명 「NAI-106」), N-술포닐옥시이미드 유도체(산아프로사 제조, 제품명 「NT-1TF」) 등을 사용할 수 있다.
그 중에서도, 용제로의 용해성, 보존 안정성 및 내약품성 등의 관점에서, 제2 산 발생제로는, 1,8-나프탈이미딜트리플레이트 및 N-술포닐옥시이미드 유도체가 바람직하다.
한편, 제2 산 발생제는, 1종 단독으로, 혹은 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
여기서, 포지티브형 감방사선성 수지 조성물 중의 제2 산 발생제의 양은, 알칼리 가용성 수지 100 질량부당, 0.1 질량부 이상인 것이 바람직하고, 0.3 질량부 이상인 것이 보다 바람직하며, 10 질량부 이하인 것이 바람직하고, 5 질량부 이하인 것이 보다 바람직하다. 제2 산 발생제의 양이 상기 하한값 이상이면, 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 사용하여 형성한 수지막에 대하여, 내약품성을 충분히 높일 수 있다. 또한, 제2 산 발생제의 양이 상기 상한값 이하이면, 수지막의 흡수성이 높아지는 것을 억제하여, 절연 신뢰성을 확보할 수 있다.
또한, 포지티브형 감방사선성 수지 조성물 중의 제2 산 발생제의 양은, 통상, 제1 산 발생제의 양보다 적고, 제1 산 발생제의 양의 0.01배 이상 0.03배 이하인 것이 바람직하다. 제2 산 발생제의 양이 상기 하한값 이상이면, 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 사용하여 형성한 수지막에 대하여, 내약품성을 충분히 높일 수 있다. 또한, 제2 산 발생제의 양이 상기 상한값 이하이면, 수지막의 흡수성이 높아지는 것을 억제하여, 절연 신뢰성을 확보할 수 있다.
<불소 함유 페놀성 화합물>
불소 함유 페놀성 화합물은, 1 분자 중에, 1개 이상의 불소 원자와, 벤젠고리에 하이드록실기가 직접 결합한 구조를 갖는 화합물이다. 한편, 불소 원자는, 벤젠고리에 직접 결합하고 있어도 되고, 간접적으로 결합하고 있어도 된다. 그리고, 본 발명의 포지티브형 감방사선성 수지 조성물은, 상술한 제1 산 발생제에 더하여 불소 함유 페놀성 화합물을 함유하고 있으므로, 현상 밀착성이 우수한 패턴을 형성할 수 있다.
여기서, 불소 함유 페놀성 화합물로는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 2-플루오로페놀, 3-플루오로페놀, 4-플루오로페놀, 3,4,5-트리플루오로페놀 등의 불소 원자가 벤젠고리에 직접 결합하고 있는 불소 함유 페놀성 화합물; 그리고, 2-트리플루오로메틸페놀, 3-트리플루오로메틸페놀, 2-트리플루오로메톡시페놀, 3-트리플루오로메톡시페놀, 5,5'-[2,2,2-트리플루오로-1-(트리플루오로메틸)에틸리덴]비스[2-하이드록시-1,3-벤젠디메탄올](혼슈 화학 공업 제조, 제품명 「TML-BPAF-MF」) 등의 불소 원자가 벤젠고리에 간접적으로 결합하고 있는 불소 함유 페놀성 화합물; 등을 사용할 수 있다.
그 중에서도, 현상 밀착성을 더욱 향상시키는 관점에서, 불소 함유 페놀성 화합물로는, 1 분자 중에 불소 원자를 2개 이상 갖는 불소 함유 페놀성 화합물이 바람직하고, 2개 이상의 불소 원자가 벤젠고리에 간접적으로 결합하고 있는 불소 함유 페놀성 화합물이 보다 바람직하며, 5,5'-[2,2,2-트리플루오로-1-(트리플루오로메틸)에틸리덴]비스[2-하이드록시-1,3-벤젠디메탄올]이 더욱 바람직하다.
한편, 불소 함유 페놀성 화합물은, 1종 단독으로, 혹은 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
그리고, 포지티브형 감방사선성 수지 조성물 중의 불소 함유 페놀성 화합물의 양은, 알칼리 가용성 수지 100 질량부당, 1 질량부 이상 10 질량부 이하인 것이 바람직하다. 불소 함유 페놀성 화합물의 양이 상기 하한값 이상이면, 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 사용하여 형성한 패턴에 대하여, 현상 밀착성을 충분히 높일 수 있다. 또한, 불소 함유 페놀성 화합물의 양이 상기 상한값 이하이면, 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 사용하여 형성한 도막을 현상하였을 때에, 잔막률을 충분히 확보할 수 있다.
<다관능 에폭시 화합물>
본 발명의 포지티브형 감방사선성 수지 조성물이 임의로 함유할 수 있는 다관능 에폭시 화합물은, 1 분자 중에 에폭시기를 2개 이상 갖는 화합물이면 특별히 한정되지 않는다. 그리고, 본 발명의 포지티브형 감방사선성 수지 조성물에 다관능 에폭시 화합물을 함유시키면, 도막의 가요성을 향상시킬 수 있는 동시에, 다관능 에폭시 화합물을 통한 가교 반응에 의해 수지막의 내약품성을 더욱 향상시킬 수 있다.
여기서, 다관능 에폭시 화합물로서 사용할 수 있는, 에폭시기를 2개 이상 갖는 화합물로는, 예를 들어, 트리스(2,3-에폭시프로필)이소시아누레이트, 1,4-부탄디올디글리시딜에테르, 1,2-에폭시-4-(에폭시에틸)시클로헥산, 글리세롤트리글리시딜에테르, 디에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 2,6-디글리시딜페닐글리시딜에테르, 1,1,3-트리스[p-(2,3-에폭시프로폭시)페닐]프로판, 1,2-시클로헥산디카르복실산디글리시딜에스테르, 4,4'-메틸렌비스(N,N-디글리시딜아닐린), 3,4-에폭시시클로헥실메틸-3,4-에폭시시클로헥산카르복실레이트, 트리메틸올에탄트리글리시딜에테르, 비스페놀 A 디글리시딜에테르, 및 펜타에리트리톨폴리글리시딜에테르 등을 들 수 있다. 또한, 다관능 에폭시 화합물의 시판품으로는, 예를 들어, 에포리드 GT401, 에포리드 GT403, 에포리드 GT301, 에포리드 GT302, 에포리드 PB3600, 에포리드 PB4700, 셀록사이드 2021, 셀록사이드 3000(이상, 다이셀사 제조); jER1001, jER1002, jER1003, jER1004, jER1007, jER1009, jER1010, jER828, jER871, jER872, jER180S75, jER807, jER152, jER154(이상, 미츠비시 화학사 제조); EPPN201, EPPN202, EOCN-102, EOCN-103S, EOCN-104S, EOCN-1020, EOCN-1025, EOCN-1027(이상, 닛폰 카야쿠사 제조); 에피클론 200, 에피클론 400(이상, DIC사 제조); 데나콜 EX-611, 데나콜 EX-612, 데나콜 EX-614, 데나콜 EX-622, 데나콜 EX-411, 데나콜 EX-512, 데나콜 EX-522, 데나콜 EX-421, 데나콜 EX-313, 데나콜 EX-314, 데나콜 EX-321(이상, 나가세 켐텍스사 제조); 등을 들 수 있다.
그 중에서도, 수지막의 내약품성을 양호하게 향상시키는 관점에서, 다관능 에폭시 화합물은, 에포리드 GT401(물질명: 에폭시화 부탄테트라카르복실산테트라키스(3-시클로헥세닐메틸) 수식 ε-카프로락톤) 등의 지환식 구조를 갖는 다관능 에폭시 화합물, 및 에포리드 PB4700 등의 말단 H의 에폭시화 폴리부타디엔으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는 것이 바람직하고, 에포리드 GT401 등의 지환식 구조를 갖는 다관능 에폭시 화합물, 및 에포리드 PB4700 등의 주쇄 중에 글리시딜에테르 구조를 갖는 말단 H의 에폭시화 폴리부타디엔으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는 것이 보다 바람직하며, 적어도 에폭시화 부탄테트라카르복실산테트라키스(3-시클로헥세닐메틸) 수식 ε-카프로락톤을 포함하는 것이 더욱 바람직하다.
한편, 다관능 에폭시 화합물은, 1종 단독으로, 혹은 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
그리고, 포지티브형 감방사선성 수지 조성물 중의 다관능 에폭시 화합물의 양은, 알칼리 가용성 수지 100 질량부당, 50 질량부 이상 90 질량부 이하인 것이 바람직하고, 70 질량부 이상 90 질량부 이하인 것이 보다 바람직하다. 다관능 에폭시 화합물의 양이 상기 하한값 이상이면, 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 사용하여 형성한 수지막의 내약품성을 충분히 높일 수 있다. 또한, 다관능 에폭시 화합물의 양이 상기 상한값 이하이면, 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 사용하여 형성한 도막을 현상하였을 때에, 잔막률을 충분히 확보할 수 있다.
<증감제>
본 발명의 포지티브형 감방사선성 수지 조성물이 임의로 함유할 수 있는 증감제로는, 조사된 방사선의 에너지를 다른 물질에 넘길 수 있는 물질이면 특별히 한정되지 않고, p-톨루퀴논, 티오크산톤, 1-페닐-1,2-프로판디온, 안트라센 구조를 갖는 화합물 등의 임의의 증감제를 사용할 수 있다.
한편, 증감제는, 1종 단독으로, 혹은 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
그 중에서도, 방사선 분해율 및 증감 작용이 높다는 관점에서, 증감제로는, 안트라센 구조를 갖는 화합물이 바람직하고, 하기 일반식(I)으로 나타내어지는 화합물이 보다 바람직하다.
[화학식 1]
〔식(I) 중, R은 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 10 이하의 알킬기를 나타낸다.〕
여기서, 상기 식(I)의 R은, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 2 이상 8 이하의 알킬기인 것이 바람직하고, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 3 이상 8 이하의 알킬기인 것이 보다 바람직하다. 그리고, R의 알킬기는, 직쇄 알킬기인 것이 바람직하다.
또한, R의 알킬기가 가질 수 있는 치환기로는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 카르보닐기, 알콕시기를 들 수 있고, 그 중에서도 카르보닐기가 바람직하다.
그리고, 상기 일반식(I)으로 나타내어지는 화합물로는, 예를 들어, 9,10-디부톡시안트라센(카와사키 화성사 제조, 제품명 「UVS-1331」), 9,10-디에톡시안트라센(카와사키 화성사 제조, 제품명 「UVS-1101」), 9,10-비스(옥타노일옥시)안트라센(카와사키 화성사 제조, 제품명 「UVS-581」) 등을 들 수 있다.
한편, 포지티브형 감방사선성 수지 조성물 중의 증감제의 양은, 알칼리 가용성 수지 100 질량부당, 0.5 질량부 이상 3 질량부 이하인 것이 바람직하다. 증감제의 양이 상기 하한값 이상이면, 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 사용하여 형성한 수지막의 내약품성을 충분히 높일 수 있다. 또한, 다관능 에폭시 화합물의 양이 상기 상한값 이하이면, 수지막의 투명성의 저하 및 흡수성의 증가를 억제할 수 있다.
<첨가제>
본 발명의 포지티브형 감방사선성 수지 조성물이 임의로 함유할 수 있는 첨가제로는, 실란 커플링제, 산화 방지제, 계면 활성제 등을 들 수 있다.
여기서, 실란 커플링제는, 본 발명의 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 사용하여 얻어지는 도막 또는 수지막과, 도막 또는 수지막이 형성된 기재 사이의 밀착성을 높이도록 기능한다. 그리고, 실란 커플링제로는, 특별히 한정되지 않고, 공지의 것을 사용할 수 있다(예를 들어, 일본 공개특허공보 2015-94910호 참조).
또한, 산화 방지제는, 본 발명의 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 사용하여 얻어지는 도막 또는 수지막의 내광성, 내열성을 향상시킬 수 있다. 산화 방지제로는, 특별히 한정되지 않고, 공지의 페놀계 산화 방지제, 인계 산화 방지제, 황계 산화 방지제, 아민계 산화 방지제, 및 락톤계 산화 방지제 등을 사용할 수 있다(예를 들어, 국제 공개 제2015/033901호 참조).
또한, 계면 활성제는, 본 발명의 포지티브형 감방사선성 수지 조성물의 도공성을 향상시킬 수 있다. 계면 활성제로는, 특별히 한정되지 않고, 공지의 실리콘계 계면 활성제, 불소계 계면 활성제, 폴리옥시알킬렌계 계면 활성제, 메타크릴산 공중합체계 계면 활성제, 및 아크릴산 공중합체계 계면 활성제 등을 사용할 수 있다(예를 들어, 국제 공개 제2015/033901호 참조).
한편, 이들 첨가제는, 1종 단독으로, 혹은 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 또한, 포지티브형 감방사선성 수지 조성물에 배합하는 첨가제의 양은, 임의로 조정할 수 있다.
<용제>
본 발명의 포지티브형 감방사선성 수지 조성물이 임의로 함유할 수 있는 용제로는, 특별히 한정되지 않고, 수지 조성물의 용제로서 공지의 용제를 사용할 수 있다. 그러한 용제로는, 예를 들어, 직쇄의 케톤류, 알코올류, 알코올에테르류, 에스테르류, 셀로솔브에스테르류, 프로필렌글리콜류, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 등의 디에틸렌글리콜류, 포화 γ-락톤류, 할로겐화 탄화수소류, 방향족 탄화수소류, 그리고, 디메틸아세트아미드, 디메틸포름아미드 및 N-메틸아세트아미드 등의 극성 용매 등을 들 수 있다(예를 들어, 국제 공개 제2015/033901호 참조).
한편, 이들 용제는, 1종 단독으로, 혹은 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
그리고, 포지티브형 감방사선성 수지 조성물 중의 용제의 양은, 특별히 한정되지 않고, 알칼리 가용성 수지 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 10 질량부 이상, 보다 바람직하게는 50 질량부 이상이고, 바람직하게는 10000 질량부 이하, 보다 바람직하게는 5000 질량부 이하, 더욱 바람직하게는 1000 질량부 이하이다.
<포지티브형 감방사선성 수지 조성물의 제조 방법>
본 발명의 포지티브형 감방사선성 수지 조성물은, 상술한 성분을 기지의 방법에 의해 혼합하고, 임의로 여과함으로써 조제할 수 있다. 여기서, 혼합에는, 스터러, 볼 밀, 샌드 밀, 비즈 밀, 안료 분산기, 뇌궤기, 초음파 분산기, 호모게나이저, 플래네터리 믹서, 필 믹스 등의 기지의 혼합기를 사용할 수 있다. 또한, 혼합물의 여과에는, 필터 등의 여과재를 사용한 일반적인 여과 방법을 채용할 수 있다.
<도막 및 수지막의 형성>
본 발명의 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 사용한 수지막은, 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 수지막을 형성하는 기판 상에 본 발명의 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 사용하여 도막을 형성한 후, 도막에 방사선을 조사하고, 나아가 방사선 조사 후의 도막을 가열함으로써 형성할 수 있다. 한편, 기판 상에 형성하는 도막은, 패터닝되어 있어도 된다.
또한, 수지막을 형성하는 기판 상으로의 도막의 배치 형성은, 특별히 한정되지 않고, 도포법이나 필름 적층법 등의 방법을 이용하여 기판 상에 도막을 형성한 후, 임의로 도막을 패터닝함으로써 행할 수 있다.
[도막의 형성]
여기서, 도포법에 의한 도막의 형성은, 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 기판 상에 도포한 후, 가열 건조(프리베이크)함으로써 행할 수 있다. 한편, 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 도포하는 방법으로는, 예를 들어, 스프레이 코트법, 스핀 코트법, 롤 코트법, 다이 코트법, 닥터 블레이드법, 회전 도포법, 바 도포법, 스크린 인쇄법, 잉크젯법 등의 각종 방법을 채용할 수 있다. 가열 건조 조건은, 포지티브형 감방사선성 수지 조성물에 포함되어 있는 성분의 종류나 배합 비율에 따라 다르지만, 가열 온도는, 통상 30~150℃, 바람직하게는 60~120℃이고, 가열 시간은, 통상 0.5~90분간, 바람직하게는 1~60분간, 보다 바람직하게는 1~30분간이다.
또한, 필름 적층법에 의한 도막의 형성은, 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 수지 필름이나 금속 필름 등의 B 스테이지 필름 형성용 기재 상에 도포하고, 가열 건조(프리베이크)함으로써 B 스테이지 필름을 얻은 후, 이어서, 이 B 스테이지 필름을 기판 상에 적층함으로써 행할 수 있다. 한편, B 스테이지 필름 형성용 기재 상으로의 포지티브형 감방사선성 수지 조성물의 도포 및 포지티브형 감방사선성 수지 조성물의 가열 건조는, 상술한 도포법에 있어서의 포지티브형 감방사선성 수지 조성물의 도포 및 가열 건조와 동일하게 하여 행할 수 있다. 또한, 적층은, 가압 라미네이터, 프레스, 진공 라미네이터, 진공 프레스, 롤 라미네이터 등의 압착기를 사용하여 행할 수 있다.
기판 상에 형성한 도막의 패터닝은, 예를 들어, 패터닝 전의 도막에 방사선을 조사하여 잠상 패턴을 형성한 후, 잠상 패턴을 갖는 도막에 현상액을 접촉시켜 패턴을 현재화시키는 방법 등의 공지의 패터닝 방법을 이용하여 행할 수 있다.
여기서, 방사선으로는, 제1 산 발생제를 분해시켜 카르복실산을 생성시킴으로써 방사선 조사부의 현상액에 대한 용해성을 향상시킬 수 있는 것이면 특별히 한정되지 않고, 임의의 방사선을 사용할 수 있다. 구체적으로는, 예를 들어, 가시광선; 자외선; X선; g선, h선, i선 등의 단일 파장의 광선; KrF 엑시머 레이저광, ArF 엑시머 레이저광 등의 레이저 광선; 전자선 등의 입자선; 등을 사용할 수 있다. 한편, 이들 방사선은, 1종 단독으로, 혹은 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
또한, 방사선을 패턴상으로 조사하여 잠상 패턴을 형성하는 방법으로는, 축소 투영 노광 장치를 사용하여, 원하는 마스크 패턴을 통해 방사선을 조사하는 방법 등의 공지의 방법을 이용할 수 있다.
그리고, 방사선의 조사 조건은, 사용하는 방사선에 따라 적당히 선택되는데, 예를 들어, 방사선의 파장은 365 nm 이상 436 nm 이하의 범위 내로 할 수 있고, 또한, 조사량은 500 mJ/cm2 이하로 할 수 있다.
또한, 현상액으로는, 국제 공개 제2015/141719호에 기재된 알칼리성 화합물의 수성 용액 등의 기지의 알칼리 현상액을 사용할 수 있다.
그리고, 도막에 현상액을 접촉시키는 방법 및 조건으로는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 국제 공개 제2015/141719호에 기재된 방법 및 조건을 채용할 수 있다.
한편, 상술한 바와 같이 하여 패턴 형성된 도막은, 필요에 따라, 현상 잔사를 제거하기 위하여, 린스액으로 린스할 수 있다. 린스 처리 후, 잔존하고 있는 린스액을 압축 공기나 압축 질소에 의해 더 제거해도 된다.
[수지막의 형성]
수지막은, 도막에 방사선을 조사한 후, 도막을 가열(포스트베이크)하여 경화시킴으로써 형성할 수 있다.
여기서, 수지막을 형성할 때의 도막으로의 방사선의 조사는, 통상, 도막의 전체면에 대하여 행한다.
그리고, 방사선으로는, 제2 산 발생제를 분해시켜 술폰산을 생성시킴으로써, 도막을 저온에서 가열한 경우라도 수지막의 내약품성을 향상시킬 수 있는 것이면 특별히 한정되지 않고, 임의의 방사선을 사용할 수 있다. 구체적으로는, 예를 들어, 가시광선; 자외선; X선; g선, h선, i선 등의 단일 파장의 광선; KrF 엑시머 레이저광, ArF 엑시머 레이저광 등의 레이저 광선; 전자선 등의 입자선; 등을 사용할 수 있다. 한편, 이들 방사선은, 1종 단독으로, 혹은 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
그리고, 방사선의 조사 조건은, 사용하는 방사선에 따라 적당히 선택되는데, 예를 들어, 방사선의 파장은 365 nm 이상 436 nm 이하의 범위 내로 할 수 있고, 또한, 조사량은 750 mJ/cm2 이상으로 할 수 있다.
도막의 가열은, 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 핫 플레이트, 오븐 등을 사용하여 행할 수 있다. 한편, 가열은, 필요에 따라 불활성 가스 분위기 하에서 행하여도 된다. 불활성 가스로는, 예를 들어, 질소, 아르곤, 헬륨, 네온, 크세논, 크립톤 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 질소와 아르곤이 바람직하고, 특히 질소가 바람직하다.
여기서, 도막을 가열할 때의 온도는, 예를 들어, 150℃ 이하로 할 수 있고, 100℃ 이상 130℃ 이하로 하는 것이 바람직하다. 본 발명의 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 사용하면, 도막을 가열할 때의 온도가 상기 상한값 이하여도, 내약품성이 우수한 수지막을 얻을 수 있다. 또한, 도막을 가열할 때의 온도를 상기 하한값 이상으로 하면, 수지막의 내약품성을 충분히 향상시킬 수 있다.
한편, 도막을 가열하는 시간은, 도막의 면적이나 두께, 사용 기기 등에 따라 적당히 선택할 수 있고, 예를 들어 10~60분간으로 할 수 있다.
실시예
이하, 본 발명에 대하여 실시예에 기초하여 구체적으로 설명하는데, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다. 한편, 이하의 설명에 있어서, 양을 나타내는 「%」 및 「부」는, 특별히 언급하지 않는 한, 질량 기준이다.
실시예 및 비교예에 있어서, 도막의 현상 밀착성 및 수지막의 내약품성은, 각각 이하의 방법을 사용하여 평가하였다.
<현상 밀착성>
조제한 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 실리콘 웨이퍼 기판 상에 스핀 코트법에 의해 도포하고, 핫 플레이트를 사용해 110℃에서 2분간 가열 건조(프리베이크)하여, 막두께 2.7 μm의 도막을 형성하였다. 이어서, 도막을 패터닝하기 위하여, 10 μm 라인 앤드 스페이스 패턴을 형성 가능한 마스크를 사용해, 조사량 180 mJ/cm2로 방사선(g, h, i선, 파장: 365~436 nm)을 도막에 조사하여, 잠상 패턴을 형성하였다.
이어서, 잠상 패턴을 형성한 도막에 대하여, 농도 2.38 질량%의 테트라메틸암모늄하이드록시드 수용액을 현상액으로서 사용하여, 25℃에서 30초 현상 처리를 행하고, 초순수로 20초간 린스를 함으로써, 10 μm 라인 앤드 스페이스를 갖는 도막(패턴 형성된 도막)과 실리콘 웨이퍼로 이루어지는 적층체를 얻었다.
그리고, 얻어진 적층체의 라인 및 스페이스의 형성 부분을, 광학 현미경을 사용하여 관찰하고, 패턴이 벗겨져 있지 않은 경우를 「○(양호)」, 벗겨져 있는 경우를 「×(불량)」로 하여 현상 밀착성을 평가하였다.
<내약품성>
조제한 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 실리콘 웨이퍼 기판 상에 스핀 코트법에 의해 도포하고, 핫 플레이트를 사용해 110℃에서 2분간 가열 건조(프리베이크)하여, 막두께 2.7 μm의 도막을 형성하였다.
이어서, 형성한 도막에 대하여, 농도 2.38 질량%의 테트라메틸암모늄하이드록시드 수용액을 현상액으로서 사용하여, 25℃에서 30초 현상 처리를 행하고, 초순수로 20초간 린스를 행하였다.
그 후, 린스 후의 도막에 대하여, 조사량 1000 mJ/cm2로 방사선(g, h, i선, 파장: 365~436 nm)을 조사하고, 이어서 오븐을 사용하여, 대기 분위기 하, 130℃에서 20분간 가열(포스트베이크)함으로써, 수지막과 실리콘 웨이퍼 기판으로 이루어지는 적층체를 얻었다.
다음으로, 수지막의 내약품성을 평가하기 위하여, 얻어진 적층체를, 항온조에서 25℃ 또는 60℃로 유지한 레지스트 박리액(제품명 「ST106」; 모노에탄올아민(MEA)/디메틸술폭시드(DMSO) = 7/3(질량비)의 혼합액) 200 mL에 5분간 침지하였다. 그리고, 침지 전후에서의 수지막의 막두께를 광 간섭식 막두께 측정 장치(람다 에이스)로 측정하고, 수지막의 막두께 변화율(=(침지 후의 수지막의 막두께/침지 전의 수지막의 막두께) × 100%)을 산출하였다. 각 침지 온도(25℃, 60℃)에 대하여, 수지막의 막두께 변화율이 절대값으로 5% 이하인 경우를 「○(양호)」, 5% 초과 10% 이하인 경우를 「△(허용 가)」, 10% 초과인 경우를 「×(불량)」로 하였다.
(합성예 1)
<알칼리 가용성 수지의 조제>
N-치환 이미드기를 갖는 고리형 올레핀으로서의 N-페닐비시클로[2.2.1]헵토-5-엔-2,3-디카르복시이미드(NBPI) 40 몰%와, 프로톤성 극성기를 갖는 고리형 올레핀으로서의 4-하이드록시카르보닐테트라시클로[6.2.1.13,6.02, 7]도데카-9-엔(TCDC) 60 몰%로 이루어지는 단량체 혼합물 100 부, 1,5-헥사디엔 2.8 부, (1,3-디메시틸이미다졸린-2-일리덴)(트리시클로헥실포스핀)벤질리덴루테늄디클로라이드(Org. Lett., 제1권, 953페이지, 1999년에 기재된 방법으로 합성) 0.02 부, 및 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 200 부를 질소 치환한 유리제 내압 반응기에 충전하고, 교반하면서 80℃에서 4시간 반응시켜 중합 반응액을 얻었다.
얻어진 중합 반응액을 오토클레이브에 넣고, 150℃, 수소압 4 MPa의 조건으로 5시간 교반해 수소화 반응을 실시하여, 프로톤성 극성기를 갖는 고리형 올레핀계 수지로서의 수첨 중합체를 포함하는 중합체 용액을 얻었다. 얻어진 수첨 중합체의 중합 전화율은 99.9%, 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량은 5550, 수평균 분자량은 3630, 분자량 분포는 1.53, 수소 전화율은 99.9%였다. 또한, 얻어진 중합체 용액의 고형분 농도는 32.4%였다.
(실시예 1)
합성예 1에서 얻어진 프로톤성 극성기를 갖는 고리형 올레핀계 수지 100 부, 제1 산 발생제로서의 4,4'-[1-[4-[1-[4-하이드록시페닐]-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀과 6-디아조-5,6-디하이드로-5-옥소-1-나프탈렌술폰산클로라이드(1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산클로라이드)의 에스테르체(미원 상사사 제조, 제품명 「TPA-525」, 2.5 몰체) 36.3 부, 제2 산 발생제로서의 1,8-나프탈이미딜트리플레이트(미도리 화학 제조, 제품명 「NAI-105」) 0.5 부, 증감제로서의 9,10-비스(옥타노일옥시)안트라센(카와사키 화성사 제조, 제품명 「UVS-581」) 1 부, 다관능 에폭시 화합물로서의 에폭시화 부탄테트라카르복실산테트라키스(3-시클로헥세닐메틸) 수식 ε-카프로락톤(다이셀사 제조, 제품명 「에포리드 GT401」) 60 부 및 말단 H의 에폭시화 폴리부타디엔(다이셀사 제조, 제품명 「에포리드 PB4700」) 20 부, 불소 함유 페놀성 화합물로서의 5,5'-[2,2,2-트리플루오로-1-(트리플루오로메틸)에틸리덴]비스[2-하이드록시-1,3-벤젠디메탄올](혼슈 화학 공업 제조, 제품명 「TML-BPAF-MF」) 3 부, 실란 커플링제로서의 글리시독시프로필트리메톡시실란(XIAMETER사 제조, 제품명 「OFS6040」) 2 부 및 3-(페닐아미노)프로필트리메톡시실란(신에츠 화학사 제조, 제품명 「KBM-573」) 3 부, 산화 방지제로서의 펜타에리트리톨테트라키스[3-(3,5-디-tert-부틸-4-하이드록시페닐)프로피오네이트(BASF사 제조, 제품명 「Irganox1010」) 2 부, 계면 활성제로서의 오르가노실록산 폴리머(신에츠 화학사 제조, 제품명 「KP341」) 300 ppm, 그리고, 용제로서의 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르(토호 화학사 제조, 제품명 「EDM」) 100 부를 혼합하고, 용해시킨 후, 공경(孔徑) 0.45 μm의 폴리테트라플루오로에틸렌제 필터로 여과하여, 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 조제하였다.
그리고, 얻어진 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 사용하여 도막의 현상 밀착성 및 수지막의 내약품성을 평가하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 2)
증감제로서 UVS-581 대신에 9,10-디부톡시안트라센(카와사키 화성사 제조, 제품명 「UVS-1331」) 1 부를 사용하고, 다관능 에폭시 화합물로서의 에포리드 GT401의 양을 50 부로 변경한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 조제하였다.
그리고, 얻어진 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 사용하여 도막의 현상 밀착성 및 수지막의 내약품성을 평가하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 3)
다관능 에폭시 화합물로서 에포리드 GT401 및 에포리드 PB4700 대신에 에포리드 GT401을 80 부만 사용한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 조제하였다.
그리고, 얻어진 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 사용하여 도막의 현상 밀착성 및 수지막의 내약품성을 평가하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 4)
제1 산 발생제로서 TPA-525 대신에 4,4'-[1-[4-[1-[4-하이드록시페닐]-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀과 6-디아조-5,6-디하이드로-5-옥소-1-나프탈렌술폰산클로라이드(1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산클로라이드)의 에스테르체(2.0 몰체)(미원 상사사 제조, 제품명 「TPA-520」) 36.3 부를 사용한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 조제하였다.
그리고, 얻어진 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 사용하여 도막의 현상 밀착성 및 수지막의 내약품성을 평가하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 5)
제2 산 발생제로서의 NAI-105의 양을 2 부로 변경한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 조제하였다.
그리고, 얻어진 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 사용하여 도막의 현상 밀착성 및 수지막의 내약품성을 평가하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 6)
증감제를 배합하지 않고, 다관능 에폭시 화합물로서 에포리드 GT401 및 에포리드 PB4700 대신에 에포리드 GT401을 50 부만 사용하고, 실란 커플링제로서 OFS6040 및 KBM-573 대신에 OFS6040을 1.5 부만 사용하고, 제2 산 발생제로서의 NAI-105의 양을 1 부로 변경하고, 산화 방지제로서의 Irganox1010의 양을 1.5 부로 변경한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 조제하였다.
그리고, 얻어진 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 사용하여 도막의 현상 밀착성 및 수지막의 내약품성을 평가하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 7~9)
증감제로서 UVS-581 대신에 p-톨루퀴논 1 부(실시예 7), 티오크산톤 1 부(실시예 8) 및 1-페닐-1,2-프로판디온 1 부(실시예 9)를 각각 사용한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 조제하였다.
그리고, 얻어진 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 사용하여 도막의 현상 밀착성 및 수지막의 내약품성을 평가하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 10)
제2 산 발생제로서 NAI-105 대신에 N-술포닐옥시이미드 유도체(산아프로사 제조, 제품명 「NT-1TF」) 0.5 부를 사용한 것 이외에는 실시예 9와 동일하게 하여, 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 조제하였다.
그리고, 얻어진 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 사용하여 도막의 현상 밀착성 및 수지막의 내약품성을 평가하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(비교예 1)
제2 산 발생제를 배합하지 않은 것 이외에는 실시예 6과 동일하게 하여, 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 조제하였다.
그리고, 얻어진 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 사용하여 도막의 현상 밀착성 및 수지막의 내약품성을 평가하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(비교예 2)
제1 산 발생제를 배합하지 않고, 제2 산 발생제로서의 NAI-105의 양을 0.5 부로 변경한 것 이외에는 실시예 6과 동일하게 하여, 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 조제하였다.
그리고, 얻어진 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 사용하여 도막의 현상 밀착성 및 수지막의 내약품성을 평가하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(비교예 3)
불소 함유 페놀성 화합물을 배합하지 않은 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 조제하였다.
그리고, 얻어진 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 사용하여 도막의 현상 밀착성 및 수지막의 내약품성을 평가하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(비교예 4)
불소 함유 페놀성 화합물로서의 TML-BPAF-MF 대신에 불소 비함유 페놀성 화합물인 3,3',5,5'-테트라키스(메톡시메틸)-[1,1'-비페닐]-4,4'-디올(혼슈 화학 공업 제조, 제품명 「TMOM-BP-MF」) 3 부를 사용한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 조제하였다.
그리고, 얻어진 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 사용하여 도막의 현상 밀착성 및 수지막의 내약품성을 평가하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(비교예 5)
불소 함유 페놀성 화합물로서의 TML-BPAF-MF 대신에 불소 함유 비고리식 화합물인 2,2'-(2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7-도데카플루오로옥탄-1,8-디일)비스(옥시란) 3 부를 사용한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 조제하였다.
그리고, 얻어진 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 사용하여 도막의 현상 밀착성 및 수지막의 내약품성을 평가하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
표 1로부터, 알칼리 가용성 수지와, 제1 산 발생제와, 제2 산 발생제와, 불소 함유 페놀성 화합물을 함유하는 포지티브형 감방사선성 수지 조성물에 의하면, 현상 밀착성이 우수한 패턴을 형성할 수 있는 동시에, 내약품성이 우수한 수지막을 저온 조건 하에서도 형성할 수 있는 것을 알 수 있다.
또한, 표 1로부터, 제2 산 발생제를 함유하지 않는 비교예 1의 포지티브형 감방사선성 수지 조성물에서는 저온 조건 하에서 형성한 수지막의 내약품성이 저하되고, 제1 산 발생제를 함유하지 않는 비교예 2의 포지티브형 감방사선성 수지 조성물에서는 패턴의 현상 밀착성이 저하되는 동시에 저온 조건 하에서 형성한 수지막의 내약품성이 저하되고, 불소 함유 페놀성 화합물을 함유하지 않는 비교예 3~5의 포지티브형 감방사선성 수지 조성물에서는 패턴의 현상 밀착성이 저하되는 것을 알 수 있다.
산업상 이용가능성
본 발명의 포지티브형 감방사선성 수지 조성물에 의하면, 현상 밀착성이 우수한 패턴을 형성할 수 있는 동시에, 내약품성이 우수한 수지막을 저온 조건 하에서도 형성할 수 있다.
Claims (5)
- 알칼리 가용성 수지와,
방사선이 조사되면 카르복실산을 생성하는 제1 산 발생제와,
방사선이 조사되면 술폰산을 생성하는 제2 산 발생제와,
불소 함유 페놀성 화합물
을 함유하는, 포지티브형 감방사선성 수지 조성물. - 제1항에 있어서,
상기 알칼리 가용성 수지가, 프로톤성 극성기를 갖는 고리형 올레핀계 수지인, 포지티브형 감방사선성 수지 조성물. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
다관능 에폭시 화합물을 더 함유하는, 포지티브형 감방사선성 수지 조성물. - 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
증감제를 더 함유하는, 포지티브형 감방사선성 수지 조성물. - 제4항에 있어서,
상기 증감제가, 안트라센 구조를 갖는 화합물인, 포지티브형 감방사선성 수지 조성물.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JPJP-P-2017-190288 | 2017-09-29 | ||
| JP2017190288 | 2017-09-29 | ||
| PCT/JP2018/033932 WO2019065262A1 (ja) | 2017-09-29 | 2018-09-13 | ポジ型感放射線性樹脂組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20200060366A true KR20200060366A (ko) | 2020-05-29 |
| KR102669089B1 KR102669089B1 (ko) | 2024-05-23 |
Family
ID=65901804
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020207007652A KR102669089B1 (ko) | 2017-09-29 | 2018-09-13 | 포지티브형 감방사선성 수지 조성물 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7192775B2 (ko) |
| KR (1) | KR102669089B1 (ko) |
| CN (1) | CN110998442A (ko) |
| TW (1) | TWI776957B (ko) |
| WO (1) | WO2019065262A1 (ko) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW202146372A (zh) * | 2020-03-30 | 2021-12-16 | 日商日產化學股份有限公司 | 阻劑下層膜形成組成物 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030023462A (ko) * | 2001-06-29 | 2003-03-19 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 산발생제, 술폰산, 술폰산 유도체 및 감방사선성 수지조성물 |
| JP2008309885A (ja) * | 2007-06-12 | 2008-12-25 | Hitachi Chem Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物、レジストパターンの製造方法及び電子デバイス |
| KR20110017825A (ko) * | 2009-08-14 | 2011-02-22 | 아사히 가세이 이-매터리얼즈 가부시키가이샤 | 알칼리 가용성 중합체, 그것을 포함하는 감광성 수지 조성물, 및 그 용도 |
| JP2013167781A (ja) * | 2012-02-16 | 2013-08-29 | Fujifilm Corp | 感光性樹脂組成物、硬化膜の製造方法、硬化膜、有機ｅｌ表示装置および液晶表示装置 |
| WO2014030441A1 (ja) | 2012-08-23 | 2014-02-27 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜の製造方法、硬化膜、有機ｅｌ表示装置および液晶表示装置 |
| JP2016042127A (ja) | 2014-08-15 | 2016-03-31 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物、表示素子の層間絶縁膜、その形成方法及び表示素子 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009251538A (ja) * | 2008-04-11 | 2009-10-29 | Nippon Zeon Co Ltd | 感放射線樹脂組成物 |
| JP6140508B2 (ja) * | 2013-02-08 | 2017-05-31 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法 |
| JP6298022B2 (ja) * | 2015-08-05 | 2018-03-20 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物、ポジ型レジスト組成物、積層体、及びレジストパターン形成方法 |
-
2018
- 2018-09-13 WO PCT/JP2018/033932 patent/WO2019065262A1/ja active Application Filing
- 2018-09-13 JP JP2019544560A patent/JP7192775B2/ja active Active
- 2018-09-13 KR KR1020207007652A patent/KR102669089B1/ko active IP Right Grant
- 2018-09-13 CN CN201880054622.9A patent/CN110998442A/zh active Pending
- 2018-09-19 TW TW107132998A patent/TWI776957B/zh active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030023462A (ko) * | 2001-06-29 | 2003-03-19 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 산발생제, 술폰산, 술폰산 유도체 및 감방사선성 수지조성물 |
| JP2008309885A (ja) * | 2007-06-12 | 2008-12-25 | Hitachi Chem Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物、レジストパターンの製造方法及び電子デバイス |
| KR20110017825A (ko) * | 2009-08-14 | 2011-02-22 | 아사히 가세이 이-매터리얼즈 가부시키가이샤 | 알칼리 가용성 중합체, 그것을 포함하는 감광성 수지 조성물, 및 그 용도 |
| JP2013167781A (ja) * | 2012-02-16 | 2013-08-29 | Fujifilm Corp | 感光性樹脂組成物、硬化膜の製造方法、硬化膜、有機ｅｌ表示装置および液晶表示装置 |
| WO2014030441A1 (ja) | 2012-08-23 | 2014-02-27 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜の製造方法、硬化膜、有機ｅｌ表示装置および液晶表示装置 |
| JP2016042127A (ja) | 2014-08-15 | 2016-03-31 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物、表示素子の層間絶縁膜、その形成方法及び表示素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPWO2019065262A1 (ja) | 2020-09-10 |
| JP7192775B2 (ja) | 2022-12-20 |
| TWI776957B (zh) | 2022-09-11 |
| KR102669089B1 (ko) | 2024-05-23 |
| TW201915043A (zh) | 2019-04-16 |
| WO2019065262A1 (ja) | 2019-04-04 |
| CN110998442A (zh) | 2020-04-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI662363B (zh) | Radiation-sensitive resin composition and electronic component | |
| TWI689561B (zh) | 樹脂組合物、樹脂膜及電子元件 | |
| TWI650357B (zh) | 放射線感應性樹脂組合物以及電子元件 | |
| TWI664501B (zh) | Radiation-sensitive resin composition and electronic component | |
| KR102473325B1 (ko) | 감방사선 수지 조성물 및 전자 부품 | |
| JP6248561B2 (ja) | 感放射線性樹脂組成物、及び積層体 | |
| JP2016139030A (ja) | 感光性樹脂組成物 | |
| TWI770011B (zh) | 樹脂組合物、樹脂膜以及電子元件 | |
| TW201716511A (zh) | 樹脂組合物 | |
| KR102669089B1 (ko) | 포지티브형 감방사선성 수지 조성물 | |
| WO2020262205A1 (ja) | 樹脂組成物、電子部品、及び、樹脂膜の製造方法 | |
| TWI715748B (zh) | 感放射線樹脂組合物以及電子元件 | |
| JP2013222170A (ja) | 永久膜および永久膜の形成方法 | |
| TWI805898B (zh) | 樹脂組成物、樹脂膜及電子零件 | |
| WO2022080195A1 (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
| JP2010072217A (ja) | 感放射線樹脂組成物、樹脂膜及び電子部品 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |