KR20200045951A - 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 과제는, 터치 검출 정밀도가 향상된 터치 센서가 장착된 표시 장치를 제공하는 것이다.
표시 장치(1)는, 각각이 화소(PX)를 구성하는 복수의 발광 소자(220)가 2차원 배열된 화소 전극층(200)과, 터치 센서를 구성하는 복수의 터치 센서 전극(511, 521)이 2차원 배열된 터치 센서층(500)과, 화소 전극층(200)과 터치 센서층(500) 사이에 배치되고, 화소 전극층(200)과 터치 센서층(500) 사이에 화소 전극층(200)과 터치 센서층(500)을 용량 결합하는 상태로 배치된, 광학적으로 투명한 터치 버퍼층(400)을 구비하며, 터치 버퍼층(400)은, 베이스 재료 및 베이스 재료에 분산된 중공 입자(405)를 포함한다.

Description

표시 장치{Display Device}
본 발명은, 개략적으로 표시 장치에 관한 것이며, 특히 터치 센서가 장착된 표시 장치에 관한 것이다.
종래의 터치 센서가 장착된 표시 장치에서는, 화소 기판 상에 표시 기능을 위한 화소 전극층이 형성되고, 센서 기판 상에 터치 센서 기능을 위한 터치 센서층이 형성되며, 이들 기판이 서로 부착된다. 구체적으로는 센서 기판의 배면, 즉 터치 센서층이 배치되지 않은 측의 기판면과, 화소 기판의 전면, 즉 화소 전극층이 형성되는 측의 면이 접착제에 의해 부착된다. 이와 같은 구성에 있어서는, 터치 센서층과 화소 전극층 사이에 낮은 유전율의 센서 기판이 개재되기 때문에 양 층이 용량 결합되지 않고, 상호 동작은 간섭되지 않는다. 그러나 이 구성에서는, 양 기판의 접착 공정 때문에 제조 비용이 증가된다. 이 센서 기판의 접착 공정을 생략하기 위해서 특허문헌 1은, 화소 기판 상에 있어서 화소 전극층의 상부에 터치 버퍼층을 통하여 터치 센서층을 형성하는 구성을 개시한다.
특허문헌 1: 미국특허출원공개 제2018/0061899 호 명세서
그러나 특허문헌 1의 표시 장치에서는, 후술하는 상세한 내용과 같이 터치 센서층과 화소 전극층이 터치 버퍼층에 의해 용량 결합되기 때문에 터치 버퍼층의 용량 성분에 기인하여 터치 검출에 있어서 노이즈가 발생될 수 있다. 이 검출 노이즈는, 터치 센서의 터치 검출 성능, 즉 터치 검출 정밀도를 저하시킬 수 있다.
그래서 본 발명은, 터치 검출 정밀도가 향상된 터치 센서가 장착된 표시 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 개시의 표시 장치는, 각각이 화소를 구성하는 복수의 발광 소자가 2차원 배열된 화소 전극층과, 터치 센서를 구성하는 복수의 터치 센서 전극이 2차원 배열된 터치 센서층과, 화소 전극층과 터치 센서층 사이에 화소 전극층과 터치 센서층을 용량 결합하는 상태로 배치된, 광학적으로 투명한 터치 버퍼층으로서, 베이스 재료 및 상기 베이스 재료에 분산된 중공 입자를 포함하는 터치 버퍼층을 구비한다.
본 발명의 표시 장치에 의하면, 터치 검출 정밀도가 향상된 터치 센서가 장착된 표시 장치가 실현된다.
도 1은, 제 1 실시형태에 의한 표시 장치의 모식 분해 상면도이다.
도 2는, 제 1 실시형태에 의한 표시 장치의 화소의 등가 회로도이다.
도 3은, 터치 센서에 관한 동작을 설명하는 등가 회로도이다.
도 4는, 제 1 실시형태에 의한 표시 장치의 모식 단면도이다.
도 5는, 제 1 실시형태의 효과의 평가 방법을 설명하는 도면이다.
도 6은, 제 1 실시형태의 효과의 평가 결과를 도시한 그래프이다.
도 7은, 제 2 실시형태에 의한 표시 장치의 모식 단면도이다.
도 8은, 제 3 실시형태에 의한 터치 센서의 개략적인 평면도이다.
도 9는, 제 3 실시형태에 의한 터치 센서의 개략적인 평면 확대도이다.
도 10은, 제 3 실시형태에 의한 터치 센서의 제 1 전극층의 개략적인 평면도이다.
도 11은, 제 3 실시형태에 의한 터치 센서의 제 2 전극층의 개략적인 평면도이다.
도 12는, 제 3 실시형태에 의한 터치 센서의 개략적인 단면도이다.
도 13은, 제 3 실시형태에 의한 터치 센서의 개략적인 단면도이다.
<제 1 실시형태>
도 1에, 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 표시 장치(1)의 액티브 영역의 모식 분해 상면도를 도시한다. 또한 본 개시에 있어서, 각 도면은 설명을 위한 모식도이며, 치수대로는 아니다. 특히 반복되는 다수의 구성 요소는, 도시의 명료화를 위해서 그 수량을 대폭 감소하여 도시한다.
표시 장치(1)는 기판(100), 화소 전극층(200), 봉지층(300), 터치 버퍼층(400) 및 터치 센서층(500)을 가지고, 예를 들면 스마트폰, 태블릿 컴퓨터 등 터치 센서 기능이 장착된 단말의 표시 화면을 구성한다. 화소 전극층(200), 봉지층(300), 터치 버퍼층(400) 및 터치 센서층(500)은, 이 순서대로 기판(100) 상에 적층되며, 도 1에는 각 층의 일부가 도시된다. 또한 이후의 설명에 있어서, 표시 장치(1)의 표시면을 정의하는 2변의 방향을 각각 X 방향 및 Y 방향이라 하고, 표시면에 수직인 방향(즉, X-Y 평면에 수직인 방향)을 Z 방향이라고 한다. 또한 본 개시에 있어서 '상(또는 상층)' 또는 '하(또는 하층)'라는 표현은, 현실 사용에 있어서의 위치 관계를 한정하는 것은 아니다. 단, 설명의 편의상, '상' 방향은, 기판(100)으로부터 터치 센서층(500)을 향하는 방향을 의미하고, '하' 방향은, 터치 센서층(500)으로부터 기판(100)을 향하는 방향을 의미한다.
화소 전극층(200)은, 기판(100) 상에 2차원 배열된 복수의 화소(PX)를 가진 화소면을 구성한다. 복수의 화소(PX)는 적색(R) 화소, 녹색(G) 화소, 청색(B) 화소 및 백색(W) 화소를 포함하고, 소정의 배열 규칙으로 행렬상으로 배열된다. 후술하는 상세한 내용과 같이, 본 실시형태에서는, 화소 전극층(200)의 각 화소(PX)는, 유기 일렉트로 루미네선스(유기 EL)를 이용한 유기 발광 소자인 유기 발광 다이오드(이하, 'OLED'라고 한다)로 구성된다. 각 화소(PX)는, 그 OLED의 구동 제어를 위한 구동 제어 회로(미도시)에 접속된다.
봉지층(300)은, 화소 전극층(200)으로 수분, 산소 등이 침입하는 것을 차단하는 다층의 보호층이다. 즉, 봉지층(300)은, 화소 전극층(200)에 대한 봉지 기능을 가진다. 또한 봉지층(300)은, 화소 전극층(200)의 상면 요철을 평탄화하는 평탄화 기능을 가지고 있어도 된다.
터치 센서층(500)은, 투영형 정전 용량 방식의 터치 센서를 구성한다. 즉, 터치 센서층(500)은, 2차원 배열된 복수의 터치 센서 전극으로 이루어지는 터치 센서면을 구성하고, 유저에 의한 터치 조작을 검출한다. 터치 센서는, 복수의 X 전극열(510) 및 복수의 Y 전극열(520)을 구비한다. 복수의 X 전극열(510)은 X 방향으로 평행하게 배열되고, 복수의 Y 전극열(520)은 Y 방향으로 평행하게 배열된다. 각 X 전극열(510)은 Y 방향으로 브릿지(512)를 통하여 접속된 복수의 X 전극(511, 터치 센서 전극)을 포함하고, 각 Y 전극열(520)은, X 방향으로 브릿지(522)를 통하여 접속된 복수의 Y 전극(521, 터치 센서 전극)을 포함한다. 복수의 X 전극(511)과 복수의 Y 전극(521)은, X-Y 평면으로부터 봤을 때 액티브 영역의 다른 부분을 교번적 형태로 덮도록 배치된다. 브릿지(512)와 브릿지(522)는, X-Y 평면으로부터 봤을 때 교차하고, Z 방향에 있어서 절연막(미도시)을 통하여 상호 절연되어 있다. 다시 말하면 복수의 X 전극열(510)을 포함하는 X층과, 복수의 Y 전극열(520)을 포함하는 Y층은, 소정의 정전 용량을 가진 절연막을 통하여 상호 절연된 2개의 층을 형성한다. 각 X 전극열(510) 및 각 Y 전극열(520)은, 각 행 또는 각 열의 일단부에 접속된 각 배선(W)을 통하여 터치 조작 검출용 검출 처리 회로(미도시)에 접속된다. 또한 화소 전극층(200), 터치 센서층(500) 등이 포함되는 전극은, 예를 들면 ITO, IZO 등의 투명 도전막일 수 있다.
터치 버퍼층(400)은, 봉지층(300)의 오목부를 충전하여 터치 센서층(500)과의 계면을 평탄화하는 평탄화층으로서 기능하는 한편 봉지층(300)과 터치 센서층(500) 사이에 발생할 수 있는 응력을 흡수하는 완충층으로서도 기능한다. 즉, 터치 버퍼층(400)은, 평탄화 기능 및 완충 기능을 구비한다. 터치 버퍼층(400)은, 화소 전극층(200) 및 터치 센서층(500)이 (독립된 별개의 기판이 아니라) 동일 기판(100) 상에 형성되는 것에 수반되어 필요해지는 층이다. 또한 봉지층(300), 터치 버퍼층(400) 및 터치 센서층(500)은, 각각 광학적으로, 실질적으로 투명한 층을 형성한다.
도 2에, 본 실시형태의 화소(PX, 화소 전극층(200))의 등가 회로를 도시한다. 각 화소(PX)는 선택 트랜지스터(Tr1), 구동 트랜지스터(Tr2), 용량(Cs) 및 발광 소자(220)를 가진다. 또한 화소(PX)는 데이터 라인(DL), 주사 라인(SL), 고전위측 전원 전압(VDD) 및 저전위측 전원 전압(VSS)에 접속되고, 이들은 구동 제어 회로(250)에 접속된다. 발광 소자(220)는, OLED로부터 이루어지고, 본 실시형태에서는 화소면을 구성하는 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 또는 백색(W) 중 어느 발광색을 가진다. 발광 소자(220)의 애노드는, 구동 트랜지스터(Tr2)를 통하여 전원 전압(VDD)에 접속되고, 발광 소자(220)의 캐소드는, 전원 전압(VSS)에 접속된다. 선택 트랜지스터(Tr1)는 MOSFET(산화 금속 반도체 전계 효과 트랜지스터)로부터 이루어지고, 드레인은 데이터 라인(DL)에 접속되며, 게이트는 주사 라인(SL)에 접속되고, 소스는 구동 트랜지스터(Tr2)의 게이트에 접속된다. 구동 트랜지스터(Tr2)는 MOSFET로부터 이루어지고, 게이트는 선택 트랜지스터(Tr1)의 소스에 접속되며, 드레인은 전원 전압(VDD)에 접속되고, 소스는 발광 소자(220)의 애노드에 접속된다. 용량(Cs)은, 구동 트랜지스터(Tr2)의 게이트-소스에 병렬 접속된다.
주사 라인(SL)의 레벨에 따라서 발광 소자(220)의 구동 또는 정지가 결정되고, 발광 소자(220)가 구동되는 경우에는 데이터 라인(DL)의 전압에 따라서 그 휘도가 결정된다. 발광 소자(220)가 주사(구동)되는 경우에 주사 라인(SL)의 레벨은 하이 레벨이 되고, 그 이외의 경우, 주사 라인(SL)의 레벨은 로우 레벨이 된다. 주사 라인(SL)의 레벨이 하이 레벨이 되면 선택 트랜지스터(Tr1)가 ON이 되고, 데이터 라인(DL)의 전압을 바탕으로 한 전압이 용량(Cs)에 충전된다. 용량(Cs)의 전압이 구동 트랜지스터(Tr2)의 ON 문턱값을 초과하면 구동 트랜지스터(Tr2)가 ON이 된다. ON 상태의 구동 트랜지스터(Tr2)는 게이트 전압, 즉 데이터 라인(DL)의 전압에 따른 드레인 전류를 전원 전압(VDD)으로부터 발광 소자(220)에 공급한다. 이 드레인 전류에 따라서 발광 소자(220)가 발광한다. 용량(Cs)은, 이른바 스토리지 캐패시터로서 기능하며, 어느 주사 프레임에 있어서의 구동 트랜지스터(Tr2)의 게이트-소스 전압을 다음 주사 프레임까지 유지하여 발광 소자(220)의 발광 상태 또는 소등 상태를 유지한다.
도 3에, 터치 센서에 관한 동작을 설명하는 등가 회로도를 도시한다. 도 3은, 제 i 행의 X 전극열(510i) 중 X 전극(511) 및 제 j 열의 Y 전극열(520j) 중 Y전극(521) 부분(즉, 액티브 영역의 좌표점 (i, j))의 등가 회로이다. X 전극(511)과 Y 전극(521) 사이의 전위차를 V0, X 전극(511)과 Y 전극(521) 사이의 정전 용량을 C0로 한다. 증폭기(AMP) 및 용량(Cf)이, 정전 용량(C0)에 접속된다. 구체적으로는 증폭기(AMP)에 있어서, 일방 입력 단자가 정전 용량(C0)에 접속되고, 타방 입력 단자가 기준 전위(예를 들면 전원 전위, VSS)에 접속되며, 일방 입력 단자와 출력 단자 사이에 용량(Cf)이 접속된다. 일례로서, 증폭기(AMP)는 차동 증폭 회로이며, 이 경우, 상술한 일방 입력 단자는 반전 입력 단자이고, 상술한 타방 입력 단자는 비반전 입력 단자이다. 증폭기(AMP)의 출력 단자에 있어서의 출력 전압(Vout)은, 검출 처리 회로(550)에 접속된다. 개략적으로, 검출 처리 회로(550)는, 퍼즐상의 전압(V0)을 X 전극열(510i, X 전극(511))에 공급하면서 출력 전압(Vout)의 변화를 검출한다. 정전 용량(C0)의 변화에 기인하여 출력 전압(Vout)이 변화된 경우, 검출 처리 회로(550)는 좌표점 (i, j)에 터치 조작이 있었던 것으로 판정한다. 또한 터치 조작에 수반되는 정전 용량(C0)의 변화는, 인체에 기인하는 용량 성분이 등가적으로 정전 용량(C0)에 병렬 접속됨으로써 발생된다.
여기서 예를 들면, 터치 센서층(500)이 기판(100)으로부터 독립된 별개 기판 상에 형성되어 있는 경우, 즉 터치 버퍼층(400)을 대신하여 매우 낮은 유전율의 기판이 배치된 경우 등 이상적인 경우에는, 출력 전압(Vout)은, 이하의 식으로 표현된다.
Vout = (C0/Cf) x V0
그러나 터치 센서층(500)과 화소 전극층(200) 사이에, 기판 등 낮은 유전율 재료가 개재되지 않고 용량 결합되는 경우, 즉 터치 버퍼층(400)이 개재되는 경우에는, 화소 전극층(200)의 전위 변화가 출력 전압(Vout)에 영향을 미칠 수 있다. 화소 전극층(200)의 전위가 V1이고, 화소 전극층(200)과 터치 센서층(500) 사이의 용량이 C1인 경우, 출력 전압(Vout)은, 이하의 식으로 표현된다.
Vout = (C0/Cf) x V0 + (C1/Cf) x V1
그렇기 때문에 제 2 항의 (C1/Cf) x V1이 터치 조작 검출에 있어서의 검출 노이즈로서 작용하고, 이로써 터치 센서로서의 검출 정밀도 또는 검출 성능이 저하될 수 있다.
따라서 상기 제 2 항의 영향을 억제하기 위해서 용량(C1)을 저감하는 것이 바람직하다. 일반적으로 컨덴서 등의 용량 요소에 있어서, 전극간 재료의 비유전율을 εs, 전극 면적을 S, 전극간 거리를 d, 진공 유전율을 εo라고 하면, 컨덴서의 용량(C)은 C = εo x εs x S/d로 표현된다. 따라서 봉지층(300) 또는 터치 버퍼층(400)의 두께(Z 방향 거리)를 증대시키면 용량(C1)은 저하시키게 되지만, 이는 표시 장치(1)의 전체 두께의 증가를 초래하므로 바람직하지 않다. 그래서 본 발명은, 후술하는 상세한 내용과 같이 터치 버퍼층(400)이, 그 유전율을 저감하는 기능을 구비하도록 구성된다. 이로써 용량(C1)이 저감된다.
도 4에, 본 실시형태의 표시 장치(1)의 일부 모식 단면도를 도시한다. 상술한 것과 같이 표시 장치(1)는, 기판(100) 상에 순서대로 적층된 화소 전극층(200), 봉지층(300), 터치 버퍼층(400) 및 터치 센서층(500)을 구비한다. 도 4에 있어서, 화소 전극층(200)에 대해서는 구동 트랜지스터(Tr2) 및 발광 소자(220) 부근을 도시하고(도 2 참조), 터치 센서층(500)에 대해서는 Y 전극(521), 브릿지(512) 및 브릿지(522) 부근을 도시한다(도 1 참조).
화소 전극층(200)은, 구동 소자(210) 및 발광 소자(220, OLED)를 포함한다.
구동 소자(210)에 있어서, 실리콘계 기판 등의 기판(100) 상에, 게이트 전극(211) 및 게이트 전극(211)을 덮도록 게이트 절연막(212)이 형성된다. 게이트 절연막(212) 상에 있어서, 게이트 전극(211)을 덮는 소정의 영역에 반도체층(213)이 형성된다. 반도체층(213) 상에는 보호막(214)이 형성되고, 보호막(214) 상으로부터 보호막(214)을 관통하여 반도체층(213)에 도달하는 드레인 전극(215) 및 소스 전극(216)이 형성된다. 보호막(214), 드레인 전극(215) 및 소스 전극(216)을 덮는 보호막(217)이 형성된다.
발광 소자(220)에 있어서, 보호막(217) 상에 애노드 전극(221)이 형성되고, 소스 전극(216) 상에 있어서, 애노드 전극(221)이 보호막(217)을 관통하여 소스 전극(216)에 접속된다. 애노드 전극(221) 상에 유기 발광층(222, 유기 EL층)이 형성되고, 유기 발광층(222) 상에 캐소드 전극(223)이 형성된다. 또한 유기 발광층(222)에 있어서, 애노드 전극(221)과 캐소드 전극(223) 사이에는, 부분적으로 스페이서로서 뱅크(224)가 형성된다.
봉지층(300)은, 캐소드 전극(223) 상에, 하층으로부터 무기 재료층(310), 유기 재료층(320) 및 무기 재료층(330)을 포함하고, 표시 장치(1)의 외부 수분, 산소 등이 발광 소자(220, 특히 유기 발광층(222))에 도달하는 것을 방지한다. 무기 재료층(310)은, 질화 실리콘(SiNx), 산화 실리콘(SiOx), 산화 질화 실리콘(SiON), 산화 알루미늄(Al2O3) 등 저온에서의 증착이 가능한 무기 절연 재료로 형성된다. 이 무기 재료의 선택은, 내열성이 낮은 유기 발광층(222)에 열적 영향을 미치지 않는 공정에 의해 봉지층(300)을 형성 가능하게 하기 위한 것이다. 유기 재료층(320)은 아크릴 수지, 에폭시 수지, 폴리이미드, 폴리에틸렌, 실리콘옥시카본(SiOC) 등의 유기 재료로 형성된다. 비교적 유연한 유기 재료층(320)은, 무기 재료층(310)과 무기 재료층(330) 사이에 발생할 수 있는 응력을 완화하는 역할을 한다. 무기 재료층(330)은, 질화 실리콘(SiNx), 산화 실리콘(SiOx), 산화 질화 실리콘(SiON), 산화 알루미늄(Al2O3) 등의 무기 재료로 형성된다.
터치 버퍼층(400)은, 무기 재료층(330) 상에 형성된다. 터치 버퍼층(400)은, 본 실시형태에서는, 투명성이 높은 아크릴계 유기 재료 수지의 베이스 재료로 구성되고, 그 베이스 재료 중에 나노 사이즈의 중공 입자(405)를 포함한다. 또한 베이스 재료로 사용되는 유기 재료는, 높은 평탄화 기능을 가지는 동시에 또한 광학적으로 투명한 유기 절연 재료이며, 아크릴계 수지 이외에도 에폭시계 수지, 실록산(siloxane)계 수지 등으로 형성되어도 된다. 중공 입자(405)의 유전율은, 그 내부가 중공이기 때문에 베이스 재료의 유전율보다 충분히 낮다. 따라서 터치 버퍼층(400)이 중공 입자(405)를 포함함으로써, 터치 버퍼층(400)이 중공 입자(405)를 포함하지 않는 경우와 비교해서, 터치 버퍼층(400)의 유전율이 저하된다. 그리고 중공 입자(405)의 함유 형태에 따라서 터치 버퍼층(400)의 유전율이 가변화 된다.
터치 버퍼층(400)의 시각적인 광학 특성을 유지하기 위해서 중공 입자(405)의 입경은, 가시광 파장 영역의 실질적인 하한값 400nm 정도 이하이고, 보다 바람직하게는 확실한 하한값 360nm 정도 이하이며, 더욱 바람직하게는 300nm 이하이다. 터치 버퍼층(400)이 이와 같은 나노 사이즈의 중공 입자(405)를 포함함으로써, 터치 버퍼층(400)의 투명성을 유지하면서 그 유전율을 저감시킬 수 있다. 또한 중공 입자(405)의 입경을 가시광 파장 이하로 하는 것은, 가시광의 산란을 방지하기 위해서다.
더욱이 중공 입자(405)는, 유기 쉘을 가진다. 이 유기 쉘은 투명성, 내구성의 관점에서, 아크릴계 수지(PMMA)로 형성되는 것이 바람직하다. 중공 입자(405)가 유기 쉘을 가짐으로써, 유기 재료로부터 이루어지는 베이스 재료 내에서의 중공 입자(405)의 수지 분산성이 확보된다. 더욱이 중공 입자(405)가 유기 쉘을 가짐으로써, 터치 버퍼층(400)에 있어서의 낮은 헤이즈 특성이 유지된다. 중공 입자(405)의 적절한 배합 등에 대해서는 후술한다.
또한 터치 버퍼층(400)의 베이스 재료를 유기 수지 재료로 형성함으로써, 플렉서블 특성이 확보되고, 유저의 터치 조작에 기인하여 터치 센서층(500)으로부터 화소 전극층(200)에 작용할 수 있는 응력을 경감할 수 있다. 또한 터치 버퍼층(400)의 플렉서블 특성이 확보되는 한 또는 높은 플렉서블 특성이 불필요한 경우에는, 베이스 재료는 무기 재료여도 된다. 또한 베이스 재료가 유기 재료인 경우에는, 상호 반응을 방지하는 관점 등에서, 봉지층(300)의 최상층은 무기 재료층인 것이 바람직하다(본 실시형태에서는, 무기 재료층(330)이 봉지층(300)의 최상층이 된다). 또한 반대로 베이스 재료가 무기 재료인 경우에는, 봉지층(300)의 최상층은 유기 재료층인 것이 바람직하다.
터치 센서층(500)은, 터치 버퍼층(400) 상에 형성된다. 절연막(506) 및 브릿지(522)가 터치 버퍼층(400) 상에 형성되고, 브릿지(512)가 브릿지(522) 상에 절연막(507)을 개재하여 형성된다. Y 전극(521)이, 절연막(506) 상에 절연막(507) 및 브릿지(512)를 개재하여 형성되고, 절연막(507) 측부의 컨택 홀을 통하여 브릿지(522)에 접속된다. 터치 보호막(530)이 Y 전극(521), 절연막(507) 및 브릿지(512) 상에 형성된다.
상술한 것과 같이 중공 입자(405)의 함유량에 따라서 터치 버퍼층(400)의 유전율이 가변화 된다. 여기서 터치 버퍼층(400)의 샘플을 제작하고, 각 샘플의 유전율 등에 대해서 평가했다. 도 5에, 측정 방법을 설명하는 도면을 도시한다. 각 샘플에 있어서, 유리 기판(10) 상에 ITO 전극(12)이 형성되고, ITO 전극(12) 상에 터치 버퍼층과 동등한 샘플층(14)이 형성되며, 샘플층(14) 상에 알루미늄 전극(16)이 형성되었다. 샘플층(14)의 베이스 재료로는 아크릴계 폴리머(열경화성 수지)가 사용되고, 중공 입자로는 아크릴계 수지(PMMA 수지)의 쉘을 가진 입경 80nm의 입자가 사용되었다. 또한 샘플층(14)의 베이스 재료로는 열경화성 수지가 사용되지만, 현실적인 실시에 있어서의 터치 버퍼층(400)의 베이스 재료로는, UV 경화 수지가 채용될 수 있다. 샘플층(14)은, 스핀 코팅에 의해 ITO 전극(12) 상에 형성되었다. 그 후 샘플층(14)은 열경화되고, 알루미늄 전극(16)이 샘플층(14) 상에 증착되었다. 그리고 ITO 전극(12)과 알루미늄 전극(16) 사이의 용량이, 용량법에 의해 측정기(18)를 이용하여 측정되고, 측정된 용량을 바탕으로 샘플층(14)의 유전율 산출 및 비교가 이루어졌다.
측정 샘플로서, 샘플층(14)의 중공 입자 첨가량이 0wt%인 (즉, 중공 입자를 포함하지 않는) 비교 샘플, 샘플층(14)의 중공 입자 첨가량이 30wt%인 샘플 1 및 샘플 층(14)의 중공 입자 첨가량이 50wt%인 샘플 2를 준비했다. 측정은, 비교 샘플, 샘플 1 및 샘플 2에 대해서, 각각 주파수 1kHz, 10kHz 및 100kHz에서 실시되었다.
도 6에, 비교 샘플, 샘플 1 및 샘플 2의 유전율 측정 결과를, 비교 샘플의 유전율에 대한 규격화 유전율로서 도시한다. 도 6에 도시한 것과 같이 비교 샘플의 유전율을 1로 한 경우, 샘플 1의 규격화 유전율은 각 주파수에 있어서 약 0.85(비교 샘플에 비해서 약 15% 감소)이 되었고, 샘플 2의 규격화 유전율은 각 주파수에 있어서 약 0.80(비교 샘플에 비해서 약 20% 감소)이 되었다. 즉, 샘플층(14)에 중공 입자를 함유시킴으로써, 샘플층(14)의 유전율이 저감되는 것이 확인되었다. 또한 측정 결과로서 명기하지 않았지만, 도 6으로부터도 알 수 있듯이 소망하는 유전율(예를 들면, 비교 샘플의 유전율에 대한 규격화 유전율 0.9 정도)은, 샘플층(14)의 중공 입자 첨가량이 약 20wt% 이상인 경우에 얻어지는 것이 확인되었다. 또한 샘플층(14)의 중공 입자 첨가량이 80wt%인 경우, 샘플층(14)의 백탁이 관찰되었다.
따라서 터치 버퍼층(400)에 있어서, 베이스 재료에 대한 중공 입자 첨가량은, 유전율 저감 효과 확보의 관점에서 20wt% 이상인 것이 바람직하고, 투명성 확보의 관점에서 80wt% 미만인 것이 바람직하다. 더욱이 베이스 재료에 대한 중공 입자 첨가량은, 유전율 저감 효과 확보와 투명성 확보라는 관점의 균형을 고려하여, 30wt% 이상 50wt% 이하인 것이 보다 바람직하다.
또한 비교 샘플, 샘플 1 및 샘플 2에 대해서, 광학 특성(투과율, 헤이즈 및 색도) 평가도 수행했다. 샘플 1 및 샘플 2의 광학 특성에 대해서는, 비교 샘플에 비해서 대폭적인 변화가 없으면 양호로 판정된다. 표 1에, 광학 특성의 평가 결과를 나타낸다. 또한 각 광학 특성의 측정에 있어서, 광학 측정 장치로서, 분광 측색계 CM3600A(Konica Minolta제)가 사용되었다.
<표 1>
Figure pat00001
표 1에 도시한 것과 같이 투과율은, 비교 샘플에 있어서 89.9%, 샘플 1에 있어서 89.0%, 샘플 2에 있어서 89.7%가 되었고, 중공 입자 첨가는 투과율에 영향을 미치지 않는 것이 확인되었다. 또한 헤이즈는, 비교 샘플에 있어서 0.22, 샘플 1에 있어서 0.60, 샘플 2에 있어서 0.45가 되었고, 중공 입자 첨가와 헤이즈 사이의 관련은 확인되지 않았다. 즉, 중공 입자 첨가가 헤이즈에 영향을 미치지 않고 낮은 헤이즈 특성이 유지되는 것이 확인되었다. 색도(D65)의 좌표는, 비교 샘플에 있어서 (0.317, 0.333), 샘플 1에 있어서 (0.318, 0.336), 샘플 2에 있어서 (0.319, 0.337)이 되었고, 중공 입자 첨가가 색도에 영향을 미치지 않는 것이 확인되었다. 즉, 중공 입자(405)는 나노 사이즈인 점으로부터, 중공 입자(405) 첨가가 터치 버퍼층(400)의 광학 특성에 악영향을 미치지 않는 것이 상기 결과로부터 확인되었다.
이상과 같이 본 실시형태의 표시 장치(1)는, 기판(100) 상에 형성되고, 각각이 화소(PX)를 구성하는 복수의 발광 소자(220)가 2차원 배열된 화소 전극층(200)과, 터치 센서를 구성하는 복수의 터치 센서 전극(X 전극(511), Y 전극(521))이 2차원 배열된 터치 센서층(500)과, 화소 전극층(200)과 터치 센서층(500) 사이에 화소 전극층(200)과 터치 센서층(500)을 용량 결합하는 상태로 배치된, 광학적으로 투명한 터치 버퍼층(400)을 구비하고, 터치 버퍼층(400)은, 베이스 재료에 분산된 중공 입자(405)를 포함한다.
즉, 화소 전극층(200)과 터치 센서층(500) 사이에 양 층을 용량 결합하는 상태로 배치된, 광학적으로 투명한 터치 버퍼층(400)에, 그 용량 결합 영역에 있어서의 유전율을 저감 가능한 중공 입자(405)가 포함된다. 이로써 화소 전극층(200) 및 터치 센서층(500)을 동일 기판(100) 상에 형성하는 것에 기인하여 발생할 수 있는 검출 노이즈를 억제하여, 낮은 코스트 특성과 높은 터치 검출 정밀도를 양립시킬 수 있는 터치 센서가 장착된 표시 장치(1)가 실현된다. 또한 다른 관점으로서, 터치 버퍼층(400)의 용량이 허용 범위가 되는 범위에서, 터치 버퍼층(400)의 두께를 감소시키는 것이 가능해진다. 이 경우, 터치 버퍼층(400)의 박형화에 의해, 표시 장치(1)의 박형화 및 경량화가 가능해진다. 예를 들면 터치 버퍼층(400)의 두께를 2 ~ 3μm 정도로 할 수 있다.
또한 상술한 것과 같이 터치 버퍼층(400)의 베이스 재료가 유기 재료이며, 중공 입자(405)가 유기 쉘을 가지는 것이 바람직하다. 이로써 베이스 재료 내에서의 중공 입자(405)의 수지 분산성이 확보된다. 더욱이 중공 입자(405)가 유기 쉘을 가짐으로써, 터치 버퍼층(400)에 있어서의 낮은 헤이즈 특성이 유지된다. 특히 유기 쉘은 투명성 등의 관점에서 아크릴계 수지로부터 이루어지는 것이 바람직하다.
또한 터치 버퍼층(400)에 있어서, 중공 입자(405)의 첨가량은, 20wt% 이상 80wt% 미만인 것이 바람직하다. 중공 입자(405)의 첨가량이 20wt% 이상이면 터치 버퍼층(400)에 있어서의 소망하는 유전율 저감 효과가 확보되고, 중공 입자(405)의 첨가량이 80wt% 미만이면 터치 버퍼층(400)의 투명성이 확보된다. 특히 터치 버퍼층(400)에 있어서, 중공 입자(405)의 첨가량은, 30wt% 이상 50wt% 이하인 것이 보다 바람직하다. 이로써 터치 버퍼층(400)에 있어서의 유전율 저감 효과와 투명성이 확실히 양립된다.
중공 입자(405)의 입경은, 400nm 이하이고, 보다 바람직하게는 360nm 이하이며, 더욱 바람직하게는 300nm 이하이다. 이와 같이 중공 입자(405)의 입경이 가시광 파장 영역 이하인 것에 의해, 터치 버퍼층(400)의 가시적인 광학 특성(산란 방지)이 유지된다.
또한 터치 버퍼층(400)은, 화소 전극층(200)의 형상에 기인하는 오목부를 충전하도록 형성된 평탄화막으로서도 기능한다. 이와 같이 평탄화막으로서의 터치 버퍼층(400)이, 화소 전극층(200)과 터치 센서층(500) 사이의 유전율 저감을 위한 층을 겸함으로써, 유전율 저감을 위한 별도의 층을 추가하는 것이 불필요해지며, 이는 표시 장치(1)의 박형화, 경량화, 저코스트화 등에 공헌할 수 있다.
또한 표시 장치(1)는, 화소 전극층(200)과 터치 버퍼층(400) 사이에, 적층된 무기 재료층(310, 330) 및 유기 재료층(320)을 포함하는 봉지층(300)을 더욱 구비한다. 이로써 화소 전극층(200)에 대해서, 외부 환경에 대한 봉지 효과가 확실히 얻어진다.
더욱이 화소 전극층(200)의 발광 소자(220)가 OLED로부터 이루어지고, OLED가 유기 발광층(222)과, 유기 발광층(222)을 개재하여 적층되는 애노드 전극(221) 및 캐소드 전극(223)을 포함하며, 화소 전극층(200)이, 발광 소자(220)와 기판(100) 사이에, 애노드 전극(221)과 캐소드 전극(223) 사이에 소정의 전압을 인가하기 위한 구동 소자(210)를 포함한다. 이와 같이 본 실시형태는, OLED를 사용하는 표시 장치(1)에 적절히 적용할 수 있다.
<제 2 실시형태>
상기 제 1 실시형태에서는, 터치 버퍼층이 중공 입자를 포함하는 구성을 도시했지만, 제 2 실시형태에서는, 터치 버퍼층뿐만 아니라 봉지층을 구성하는 층의 일부도 중공 입자를 포함하는 구성을 도시한다.
도 7에, 본 실시형태의 표시 장치(1)의 일부 모식 단면도를 도시한다. 또한 본 실시형태의 표시 장치(1)에 있어서, 제 1 실시형태의 표시 장치(1)와 동일한 구성 요소에는 동일 부호를 부여하고, 그 설명을 생략하거나 또는 간략화한다. 표시 장치(1)는, 기판(100) 상에 순서대로 적층된 화소 전극층(200), 봉지층(350), 터치 버퍼층(400) 및 터치 센서층(500)을 구비한다. 본 실시형태의 표시 장치(1)에서는, 봉지층(350)이, 제 1 실시형태의 표시 장치(1)의 봉지층(300)과 다르다.
봉지층(350)은, 화소 전극층(200)의 캐소드 전극(223) 상에, 하층으로부터 무기 재료층(310), 유기 재료층(360) 및 무기 재료층(330)을 포함한다. 봉지층(350)은, 제 1 실시형태의 봉지층(300)과 동일하게 표시 장치(1)의 외부 수분, 산소 등이 발광 소자(220)에 도달하는 것을 방지하는 봉지 기능을 가진다. 유기 재료층(360)은, 아크릴계 유기 재료 수지의 베이스 재료로 구성되고, 그 베이스 재료 중에 나노 사이즈의 중공 입자(365)를 포함한다. 또한 유기 재료층(360)의 베이스 재료로 사용되는 유기 재료는, 아크릴계 수지 이외에도 에폭시계 수지, 실록산계 수지 등이어도 된다. 중공 입자(365)의 유전율은, 유기 재료층(360)의 베이스 재료의 유전율보다 충분히 낮다. 따라서 유기 재료층(360)이 중공 입자(365)를 포함함으로써, 유기 재료층(360)이 중공 입자(365)를 포함하지 않는 경우와 비교해서, 봉지층(350) 전체의 유전율이 저하된다. 또한 봉지층(350)은, 소망하는 봉지 성능(예를 들면 봉지층(300)과 거의 동등한 봉지 성능)을 실현 가능한 것으로 한다.
또한 터치 버퍼층(400)의 중공 입자(405)와 동일하게 중공 입자(365)의 입경은, 가시광 파장 영역의 실질적인 하한값 400nm 정도 이하이고, 보다 바람직하게는 확실한 하한값 360nm 정도 이하이며, 더욱 바람직하게는 300nm 이하이다. 봉지층(350, 유기 재료층(360))이 이와 같은 나노 사이즈의 중공 입자(365)를 포함함으로써, 봉지층(350)의 투명성을 유지하면서 그 유전율을 저감시킬 수 있다. 또한 중공 입자(405)와 동일하게 중공 입자(365)는 유기 쉘을 가진다.
또한 중공 입자의 유전율은, 무기 재료층(310 및 330)의 유전율보다 낮다. 따라서 본 실시형태에서는, 유기 재료층(360)이 중공 입자(365)를 포함하는 구성을 도시하지만, 소망하는 봉지 효과가 얻어지는 범위에서, 무기 재료층(310 또는 330)이 중공 입자를 포함하고 있어도 된다. 즉, 본 실시형태는, 봉지층(350)을 구성하는 층 중에서 적어도 1층이 중공 입자(365)를 포함하는 층인 것을 요건으로 한다.
이상과 같이 본 실시형태의 표시 장치(1)에 있어서는, 봉지층(350) 중에서 적어도 1개의 소정 층이, 베이스 재료에 분산된 중공 입자(365)를 포함한다. 이로써 제 1 실시형태의 각 효과가 얻어지는 것에 더하여, 화소 전극층(200)과 터치 센서층(500)의 용량 결합에 대한 유전율 저감 효과가 한층 향상될 수 있다.
특히 본 실시형태에서는, 상기 소정 층이 유기 재료층(360)이고, 중공 입자(365)가 유기 쉘을 가진다. 이로써 베이스 재료 내에서의 중공 입자(365)의 수지 분산성이 확보된다. 더욱이 중공 입자(365)가 유기 쉘을 가짐으로써, 봉지층(350)에 있어서의 낮은 헤이즈 특성이 유지된다. 특히 유기 쉘은, 투명성 등의 관점에서 아크릴계 수지로부터 이루어지는 것이 바람직하다.
또한 터치 버퍼층(400)의 구성과 동일한 관점에서, 유기 재료층(360)에 있어서의 중공 입자(365)의 첨가량은, 20wt% 이상 80wt% 미만인 것이 바람직하다. 이로써 중공 입자(405)에 대한 조건과 동일하게 중공 입자(365)의 첨가량이 20wt% 이상이면 봉지층(350)에 있어서 소망하는 유전율 저감 효과가 확보되고, 중공 입자(365)의 첨가량이 80wt% 미만이면 봉지층(350)의 투명성이 확보된다. 특히 봉지층(350)에 있어서, 중공 입자(365)의 첨가량은, 30wt% 이상 50wt% 이하인 것이 보다 바람직하다. 이로써 봉지층(350)에 있어서의 유전율 저감 효과와 투명성이 확실히 양립된다.
중공 입자(365)의 입경은, 400nm 이하이고, 보다 바람직하게는 360nm 이하이며, 더욱 바람직하게는 300nm 이하이다. 중공 입자(405)에 대한 조건과 동일하게 중공 입자(365)의 입경이 가시광 파장 영역 이하인 것에 의해, 봉지층(350)의 시각적인 광학 특성(산란 방지)이 유지된다.
또한 상기 소정 층(본 실시형태에서는 유기 재료층, 360)은, 터치 패널층(400)과 동일한 재료로 형성되는 것이 바람직하다. 이와 같이 상기 소정 층(유기 재료층, 360)의 재료 및 터치 버퍼층(400)의 재료를 표준화함으로써, 상기 재료의 조달, 제작 등의 비용이 저감된다.
<제 3 실시형태>
도 8은, 본 발명의 제 3 실시형태에 따른 표시 장치에 포함되는 터치 센서의 개략적인 평면도이다. 도 8에 도시한 것과 같이, 본 발명의 제 3 실시형태에 따른 터치 센서는, 복수의 X 전극열(1510) 및 복수의 Y 전극열(1520)을 구비한다. 복수의 X 전극열(1510)은, X 방향으로 이격되어 평행하게 배열되고, 복수의 Y 전극열(1520)은, Y 방향으로 이격되어 평행하게 배열된다. 각 X 전극열(1510)은, Y 방향으로 제 1 브릿지(1512)를 통하여 접속된 복수의 X 전극(1511, 터치 센서 전극 또는 제 1 전극)을 포함하고, 각 Y 전극열(1520)은, X 방향으로 제 2 브릿지(1522)를 통하여 접속된 복수의 Y 전극(1521, 터치 센서 전극 또는 제 2 전극)을 포함한다. 복수의 X 전극(1511) 및 복수의 Y 전극(1521)은, X-Y 평면으로부터 봤을 때 액티브 영역의 서로 다른 부분을 교번적 형태로 덮도록 배치된다. 각 X 전극열(1510) 및 각 Y 전극열(1520)은, 각 행 또는 각 열의 단부에 접속된 각 배선(Wr)을 통하여, 터치 조작 검출용 검출 처리 회로(미도시)에 접속된다. 여기서 각 배선(Wr)의 단부에는, 감지 처리 회로와의 접속을 위한 단자(Tp)가 형성된다.
여기서 복수의 X 전극(1511)과 복수의 Y 전극(1521)은, 동일한 재료에 의해 동일한 층에 형성된다. 또한 제 2 브릿지(1522)는, 복수의 Y 전극(1521)과 동일한 재료에 의해 동일한 층에 형성되어 있다. 즉, 제 2 브릿지(1522)와, 이를 통하여 접속되는 복수의 Y 전극(1521)은, 일체화된 전극이다.
한편 제 1 브릿지(1512)는, 복수의 X 전극(1511)과는 다른 층에 형성된다. 이 때 Z 방향에 있어서, 제 1 브릿지(1512)와 복수의 X 전극(1511) 사이에는 터치 절연막(미도시)이 형성되고, 복수의 X 전극(1511)은, 터치 절연막에 형성된 컨택 홀(미도시)을 통하여 제 1 브릿지(1512)에 접속된다. 또한 제 1 브릿지(1512)와 제 2 브릿지(1522)는, 서로 교차되어 있으며, 제 1 브릿지(1512)와 제 2 브릿지(1522) 사이에는 터치 절연막이 배치되어 있다.
한편 각 배선(Wr)은, 제 1 브릿지(1512)와 동일한 재료에 의해 동일한 층에 형성되고, 터치 절연막에 형성된 컨택 홀(미도시)을 통하여, 각 X 전극열(1510) 및 각 Y 전극열(1520)의 단부에 접속된다. 이와 달리, 각 배선(Wr)은, 복수의 X 전극(1511) 및 복수의 Y 전극(1521)과 동일한 재료에 의해 동일한 층에 형성되어도 된다. 또한 본 발명의 제 3 실시형태에 있어서, 각 X 전극(1511) 및 각 Y 전극(1521)은, 메쉬 형상이어도 된다. 이러한 본 발명의 제 3 실시형태에 따른 터치 센서의 구성에 대하여, 도면을 참조하면서 상세히 설명한다.
도 9는, 본 발명의 제 3 실시형태에 따른 터치 센서의 개략적인 확대 평면도로서, 도 8의 A1 영역을 확대한 도면이고, 도 10은, 본 발명의 제 3 실시형태에 따른 터치 센서의 제 1 전극층의 개략적인 평면도이다. 도 11은, 본 발명의 제 3 실시형태에 따른 터치 센서의 제 2 전극층의 개략적인 평면도이고, 도 12는, 본 발명의 제 3 실시형태에 따른 터치 센서의 개략적인 단면도로서, 도 9의 XII-XII선에 대응하며, 도 13은, 본 발명의 제 3 실시형태에 따른 터치 센서의 개략적인 단면도로서, 도 9의 XIII-XIII선에 대응한다.
도 9 내지 도 13에 도시한 것과 같이, 터치 버퍼층(1400) 상에는 제 1 전극층으로서 제 1 브릿지(1512)가 형성된다. 여기서 터치 버퍼층(1400)은, 제 1 실시형태의 터치 버퍼층(도 4의 400)과 동일한 구성을 가질 수 있지만, 여기에 한정되는 것은 아니다. 또한 터치 버퍼층(1400)의 하부에는, 제 1 실시형태와 동일한 구성의 화소 전극층(도 4의 200) 및 봉지층(도 4의 300)을 형성할 수 있다.
제 1 브릿지(1512)는, 적어도 1개의 패턴을 포함할 수 있다. 도 9 내지 도 11에 도시한 예에서는, 제 1 브릿지(1512)는 직선 형상이지만, 제 1 브릿지(1512)는, 적어도 1개의 굴곡부를 가진 꺾은선형 또는 지그재그형이어도 된다. 또한 도 9 내지 도 11에 도시한 예에서는, 제 1 브릿지(1512)는 1개이지만, 제 1 브릿지(1512)는 복수여도 된다. 제 1 브릿지(1512)는 금속 재료로 이루어지고, 다층 구조를 가질 수 있다. 일례로 제 1 브릿지(1512)는, 제 1 층(a1), 제 2 층(a2) 및 제 3 층(a3)을 포함하는 3층 구조를 가지지만, 여기에 한정되는 것은 아니다. 제 2 층(a2)은, 제 1 층(a1) 및 제 3 층(a3)과는 다른 재료로부터 이루어지고, 제 1 층(a1)과 제 3 층(a3)은, 동일한 재료로부터 이루어질 수 있다. 제 2 층(a2)의 재료는, 제 1 층(a1)의 재료 및 제 3 층(a3)의 재료보다 낮은 비저항을 가질 수 있다. 일례로서 제 2 층(a2)은, 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금(Al alloy)으로부터 이루어지고, 제 1 층(a1) 및 제 3 층(a3)은, 티탄(Ti) 또는 티탄 합금(Ti alloy)으로부터 이루어질 수 있지만, 여기에 한정되는 것은 아니다. 제 2 층(a2)의 두께는, 제 1 층(a1) 및 제 3 층(a3)의 각각의 두께보다 커도 되고, 제 2 층(a2)의 두께는, 제 1 층(a1)의 두께와 제 3 층(a3)의 두께의 합계보다 커도 된다. 이 때, 제 1 층(a1)의 두께는, 제 3 층(a3)의 두께와 동일해도 된다.
제 1 브릿지(1512)의 상부에는, 터치 절연막(1506)이 형성된다. 터치 절연막(1506)은, 무기 절연 재료로부터 이루어질 수 있다. 일례로 터치 절연막(1506)은, 질화 실리콘(SiNx)으로부터 이루어질 수 있지만, 여기에 한정되는 것은 아니다.
터치 절연막(1506)은, 제 1 브릿지(1512)의 양 단부의 상면을 노출하는 컨택 홀(CH)을 가진다. 제 1 브릿지(1512)의 일단은, 적어도 1개의 컨택 홀(CH)에 의해 노출된다. 일례로 제 1 브릿지(1512)의 일단은, 2개의 컨택 홀(CH)에 의해 노출될 수 있지만, 여기에 한정되는 것은 아니다.
터치 절연막(1506)의 상부에는, 제 2 전극층으로서 X 전극(1511), Y 전극(1521) 및 제 2 브릿지(1522)가 형성된다. X 전극(1511), Y 전극(1521) 및 제 2 브릿지(1522)의 각각은, 복수의 선부가 서로 교차해서 이루어지는 메쉬 형상을 가진다. 이와 달리, 제 2 브릿지(1522)는, X 방향으로 연장된 단일선으로부터 이루어져도 되고, 복수의 선으로부터 이루어져도 된다.
X 전극(1511), Y 전극(1521) 및 제 2 브릿지(1522)의 각 선부는, 뱅크(도 4의 224)에 대응하여 위치한다. 여기서 메쉬 형상의 1개의 개구부는, 적어도 1개의 화소(도 1의 PX)에 대응할 수 있지만, 여기에 한정되는 것은 아니다.
Y 방향으로 인접한 2개의 X 전극(1511)은, 터치 절연막(1506)에 형성된 컨택 홀(CH)을 통하여 제 1 브릿지(1512)의 양 단부와 각각 접속된다. 또한 X 방향으로 인접한 2개의 Y 전극(1521)은, 제 2 브릿지(1522)와 일체화되고, 제 2 브릿지(1522)의 양 단부와 각각 접속된다. 여기서 Y 전극(1521)의 선부는, 제 1 브릿지(1512)의 패턴과 중첩되어 위치한다.
X 전극(1511), Y 전극(1521) 및 제 2 브릿지(1522)의 각각은, 금속 재료로부터 이루어지고, 다층 구조를 가질 수 있다. 일례로 X 전극(1511), Y 전극(1521) 및 제 2 브릿지(1522)의 각각은, 제 1 층(b1), 제 2 층(b2) 및 제 3 층(b3)을 포함한 3층 구조이지만, 여기에 한정되는 것은 아니다. 제 2 층(b2)은, 제 1 층(b1) 및 제 3 층(b3)과는 다른 재료로부터 이루어지고, 제 1 층(b1) 및 제 3 층(b3)은, 동일한 재료로부터 이루어질 수 있다. 제 2 층(b2)의 재료는, 제 1 층(b1)의 재료 및 제 3 층(b3)의 재료보다 낮은 비저항을 가질 수 있다. 일례로 제 2 층(b2)은, 알루미늄(Al)과 알루미늄 합금(Al alloy)으로부터 이루어지고, 제 1 층(b1) 및 제 3 층(b3)은, 티탄(Ti)과 티탄 합금(Ti alloy)으로부터 이루어질 수 있지만, 여기에 한정되는 것은 아니다. 제 2 층(b2)의 두께는, 제 1 층(b1) 및 제 3 층(b3)의 각각의 두께보다 커도 되고, 제 2 층(b2)의 두께는, 제 1 층(b1)의 두께와 제 3 층(b3)의 두께의 합계보다 커도 된다. 이 때, 제 1 층(b1)의 두께는, 제 3 층(b3)의 두께와 동일해도 된다.
터치 보호막(1530)은, X 전극(1511), Y 전극(1521) 및 제 2 브릿지(1522)의 상부에 형성된다.
본 발명의 제 3 실시형태에서는, 제 1 브릿지(1512)가, 복수의 X 전극(1511)과는 다른 층에 형성되고, 제 2 브릿지(1522)가, 복수의 Y 전극(1521)과 동일한 층에 형성되는 것으로 설명했지만, 여기에 한정되는 것은 아니다. 즉, 제 1 브릿지(1512)가 복수의 X 전극(1511)과 동일한 층에 형성되어 복수의 X 전극(1511)과 일체화 되고, 제 2 브릿지(1522)가 복수의 Y 전극(1521)과 다른 층에 형성되어 복수의 Y 전극(1521)이 컨택 홀을 통하여 제 2 브릿지(1522)에 접속되어도 된다.
본 실시형태의 X 전극(1511), Y 전극(1521), 제 1 브릿지(1512), 제 2 브릿지(1522)는, 상술과 같이 메쉬 형상으로 패터닝된 금속 재료에 의한 것일 수 있지만, 이 이외의 구성이어도 된다. 예를 들면 X 전극(1511), Y 전극(1521), 제 1 브릿지(1512), 제 2 브릿지(1522) 중 적어도 1개는, 제 1 실시형태와 같이 투명 도전막을 사용한 판 형상(플레이트 형상) 전극이어도 된다. 혹은 X 전극(1511), Y 전극(1521), 제 1 브릿지(1512), 제 2 브릿지(1522) 중 적어도 1개는, 판 형상의 투명 도전막과 메쉬 형상의 금속막을 적층한 것이어도 된다.
<변형예>
이상으로 본 발명의 바람직한 실시형태를 도시했지만, 본 발명을 적용할 수 있는 몇 가지 형태를 예시한 것에 불과하며, 본 발명의 취지를 벗어나지 않는 범위에서 적의 수정하거나 변경하는 것을 방해하는 것은 아니다. 또한 상술한 다른 실시형태의 구성을 적의 조합하여 실시해도 된다. 본 발명은, 예를 들면 이하에 게재한 것과 같이 여러 가지 형태로 변형 가능하다.
(1) 표시 장치(1)의 방식에 관한 변형
상기 각 실시형태에서는, OLED를 사용한 화소 전극층(200) 및 투영형 정전 용량 방식의 터치 센서층(500)을 채용한 표시 장치(1)를 도시했지만, 화소 전극층(200) 및 터치 센서층(500)의 형식은 여기에 제한되지 않는다. 본 발명은, 화소 전극층과 터치 센서층의 용량 결합 부분의 유전율 저감을 과제로 하는 여러 가지 표시 장치에 적용 가능하다. 예를 들면 마이크로 LED 및 그 구동 회로를 구비한 화소 전극층 등 다른 발광 구조를 가진 표시 장치에도 본 발명은 적용 가능하다. 또한 표면형 정전 용량 방식의 터치 센서층을 가진 표시 장치에도 본 발명은 적용 가능하다.
(2) 발광 소자(220, 화소(PX))에 관한 변형
상기 각 실시형태에서는, 화소(PX)에 대해서, 발광색이 적색인 발광 소자(220), 발광색이 녹색인 발광 소자(220), 발광색이 청색인 발광 소자(220) 및 발광색이 백색인 발광 소자(220)가 설치된 구성을 도시했지만, 화소(PX)의 발광 소자 구조는 여기에 제한되지 않는다. 예를 들면 모든 발광 소자(220)가 동일한 발광색(예를 들면 백색 또는 청색)이고, 화소(PX)마다 필요한 컬러 필터가 부가된 구성이 채용되어도 된다. 또한 각 화소(PX)에 있어서, 발광 소자(220)로서, 적색 발광 유기 EL층, 녹색 발광 유기 EL층 및 청색 발광 유기 EL층이 보호층을 개재하여 적층된 SOLED(transparent Stacked OLED) 구성이 채용되어도 된다. 이 경우, 발광 소자(220)의 구동 회로의 구성도 적의 변경된다.
(3) 봉지층(300 또는 350) 및 터치 버퍼층(400)의 물성에 관한 변형
상기 각 실시형태에서는, 봉지층(300 또는 350)부터 터치 버퍼층(400)에 걸쳐서, 무기 재료층(310), 유기 재료층(320, 360), 무기 재료층(330) 및 유기 재료층(400)의 순서대로 배열되었다. 한편 유기 재료 및 무기 재료의 배열은 여기에 제한되지 않는다. 예를 들면 봉지층(300 또는 350)은, 유기 재료층과 무기 재료층이 합계 4층 이상에 걸쳐서 적층된 층이어도 된다. 혹은 봉지층(300 또는 350)은, 1층의 유기 재료층과 1층의 무기 재료층인, 2층으로 구성되어 있어도 된다. 어느 경우라도 터치 버퍼층(400)이 유기 재료층인 경우에는, 봉지층(300 또는 350)의 최상층(즉, 터치 버퍼층(400)과 접하는 층)은 무기 재료층인 것이 바람직하다. 또한 터치 버퍼층(400)이 무기 재료층인 경우에는, 봉지층(300 또는 350)의 최상층은 유기 재료층인 것이 바람직하다.
(4) 봉지층(300 또는 350) 및 터치 버퍼층(400)의 배치에 관한 변형
상기 각 실시형태에서는, 봉지층(300 또는 350)과 터치 버퍼층(400)을 구분하고, 봉지층(300 또는 350) 상에 터치 버퍼층(400)이 적층되는 구성을 도시했지만, 봉지층(300 또는 350)과 터치 버퍼층(400)이 혼재하여 배치되어도 된다. 즉, 화소 전극층(200)과 터치 센서층(500) 사이에 교번적 형태로 적층되는 다층의 유기 재료층 및 무기 재료층 중에서 적어도 1층이 터치 버퍼층(400)으로 정의되어도 된다. 다시 말하면 봉지층(300 또는 350) 및 터치 버퍼층(400)이 전체적으로 상술한 봉지 기능, 평탄화 기능, 완충 기능 및 유전율 저감 기능을 구비하는 한, 상호 혼재하여 배치되어도 된다.
(5) 중공 입자(405 또는 365)의 입경에 관한 변형
상기 각 실시형태에서는, 중공 입자(405)의 입경은, 가시광의 산란 방지 관점에서, 가시광 파장의 하한값 이하인 것으로 했다. 한편 터치 버퍼층(400)의 두께가 비교적 큰 동시에 또한 소망하는 광학 특성이 얻어지는 것을 조건으로서, 중공 입자(405)의 입경은 가시광 파장의 상한값(약 760 ~ 830nm) 이상이어도 된다. 봉지층(350)에 있어서의 중공 입자(365)에 대해서도 동일하다고 할 수 있다.
1: 표시 장치
100: 기판
200: 화소 전극층
210: 구동 소자
220: 발광 소자
221: 애노드 전극
222: 유기 발광층
223: 캐소드 전극
300: 봉지층
310: 무기 재료층
320: 유기 재료층
330: 무기 재료층
350: 봉지층
360: 유기 재료층
365: 중공 입자
400: 터치 버퍼층
405: 중공 입자
500: 터치 센서층
511: X 전극(터치 센서 전극)
521: Y 전극(터치 센서 전극)
PX: 화소

Claims (18)

  1. 표시 장치로서,
    각각이 화소를 구성하는 복수의 발광 소자가 2차원 배열된 화소 전극층과,
    터치 센서를 구성하는 복수의 터치 센서 전극이 2차원 배열된 터치 센서층과,
    상기 화소 전극층과 상기 터치 센서층 사이에, 상기 화소 전극층과 상기 터치 센서층을 용량 결합하는 상태로 배치된, 광학적으로 투명한 터치 버퍼층으로서, 베이스 재료 및 상기 베이스 재료에 분산된 중공 입자를 포함하는 터치 버퍼층을 구비하는 표시 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 터치 버퍼층의 상기 베이스 재료가 유기 재료이고, 상기 중공 입자가 유기 쉘을 가지는 표시 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 유기 쉘이 아크릴계 수지로부터 이루어지는 표시 장치.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 터치 버퍼층에 있어서, 상기 중공 입자의 첨가량이 20wt% 이상 80wt% 미만인 표시 장치.
  5. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 터치 버퍼층에 있어서, 상기 중공 입자의 첨가량이 30wt% 이상 50wt% 이하인 표시 장치.
  6. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 중공 입자의 입경이 400nm 이하인 표시 장치.
  7. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 화소 전극층과 상기 터치 버퍼층 사이에, 유기 재료층 및 무기 재료층이 적층된 봉지층을 더욱 구비하는 표시 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 봉지층의 상기 유기 재료층 또는 상기 무기 재료층 중 적어도 1개의 소정 층이, 베이스 재료 및 상기 베이스 재료에 분산된 중공 입자를 포함하는 표시 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 소정 층이 상기 유기 재료층이고, 상기 소정 층에 포함되는 중공 입자가 유기 쉘을 가지는 표시 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 소정 층의 상기 중공 입자의 유기 쉘이 아크릴계 수지로부터 이루어지는 표시 장치.
  11. 제 8 항에 있어서,
    상기 소정 층에 있어서의 상기 중공 입자의 첨가량이 20wt% 이상 80wt% 미만인 표시 장치.
  12. 제 8 항에 있어서,
    상기 소정 층에 있어서의 상기 중공 입자의 첨가량이 30wt% 이상 50wt% 이하인 표시 장치.
  13. 제 8 항에 있어서,
    상기 소정 층의 상기 중공 입자의 입경이 400nm 이하인 표시 장치.
  14. 제 8 항에 있어서,
    상기 소정 층이, 상기 터치 버퍼층과 동일한 재료로 형성된 표시 장치.
  15. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 터치 버퍼층은, 상기 화소 전극층의 형상에 기인하는 오목부를 충전하도록 형성된 평탄화막인 표시 장치.
  16. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 화소 전극층의 상기 발광 소자가 유기 발광 소자를 포함하고,
    상기 유기 발광 소자가, 유기 발광층과, 상기 유기 발광층을 개재하여 적층되는 애노드 전극 및 캐소드 전극을 포함하며,
    상기 화소 전극층이, 상기 애노드 전극과 상기 캐소드 전극 사이에 소정의 전압을 인가하기 위한 구동 소자를 포함하는 표시 장치.
  17. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 터치 센서 전극은, 판 형상의 투명 전극 및 메쉬 형상의 금속 전극 중에서 적어도 1개를 포함하는 표시 장치.
  18. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 터치 센서 전극은, 복수의 제 1 전극과, 복수의 제 2 전극과, 상기 복수의 제 1 전극을 서로 전기적으로 접속하는 제 1 브릿지와, 상기 복수의 제 2 전극을 서로 전기적으로 접속하는 제 2 브릿지를 포함하고,
    상기 제 1 브릿지와 상기 제 2 브릿지는 서로 다른 층에 배치되어 있으며,
    상기 제 1 브릿지와 상기 제 2 브릿지는, 평면에서 봤을 때 서로 교차하도록 배치되어 있는 표시 장치.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210070457A (ko) * 2019-12-04 2021-06-15 삼성디스플레이 주식회사 입력 감지 유닛 및 이를 포함한 표시장치
KR20220022528A (ko) * 2020-08-18 2022-02-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170081002A (ko) * 2015-12-31 2017-07-11 엘지디스플레이 주식회사 내열성이 향상된 어레이 기판 및 이를 포함하는 표시장치
KR20170121904A (ko) * 2016-04-26 2017-11-03 엘지디스플레이 주식회사 압력 센서 일체형 유기 발광 표시 장치 및 터치 스크린 일체형 유기 발광 표시 장치
KR20180061899A (ko) 2016-11-30 2018-06-08 현대엠엔소프트 주식회사 내비게이션의 경로 탐색 장치 및 방법

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5446426B2 (ja) * 2009-04-24 2014-03-19 パナソニック株式会社 位置検出装置
WO2012011232A1 (ja) * 2010-07-22 2012-01-26 パナソニック株式会社 プラズマディスプレイパネル用ガラスペーストおよびプラズマディスプレイパネル
JP2017021631A (ja) * 2015-07-13 2017-01-26 アルプス電気株式会社 静電容量式入力装置
JP6666181B2 (ja) * 2016-03-25 2020-03-13 マクセルホールディングス株式会社 粘着性組成物、粘着性部材及びその製造方法、粘着性シート及びその製造方法、並びに粘着性部材を含む電子機器
KR101834792B1 (ko) * 2016-08-31 2018-03-06 엘지디스플레이 주식회사 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170081002A (ko) * 2015-12-31 2017-07-11 엘지디스플레이 주식회사 내열성이 향상된 어레이 기판 및 이를 포함하는 표시장치
KR20170121904A (ko) * 2016-04-26 2017-11-03 엘지디스플레이 주식회사 압력 센서 일체형 유기 발광 표시 장치 및 터치 스크린 일체형 유기 발광 표시 장치
KR20180061899A (ko) 2016-11-30 2018-06-08 현대엠엔소프트 주식회사 내비게이션의 경로 탐색 장치 및 방법

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