JP2020067766A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】タッチ検出精度が向上されたタッチセンサ付きの表示装置を提供する。【解決手段】表示装置１は、各々が画素を構成する複数の発光素子２２０が２次元配列された画素電極層２００と、タッチセンサを構成する複数のタッチセンサ電極が２次元配列されたタッチセンサ層５００と、画素電極層２００とタッチセンサ層５００の間に配置され、画素電極層２００とタッチセンサ層５００の間に画素電極層２００とタッチセンサ層５００とを容量結合する状態で配置された光学的に透明なタッチバッファ層４００とを備える。タッチバッファ層４００は、ベース材料及びベース材料に分散された中空粒子４０５を含む。【選択図】図４

Description

本発明は、概略として表示装置に関し、特にタッチセンサ付きの表示装置に関する。

従来のタッチセンサ付きの表示装置では、画素基板上に表示機能のための画素電極層が形成され、センサ基板上にタッチセンサ機能のためのタッチセンサ層が形成され、これらの基板が相互に貼り合わされる。具体的には、センサ基板の背面、すなわちタッチセンサ層が配置されない側の基板面と、画素基板の前面、すなわち画素電極層が形成される側の面とが接着剤により貼り合わされる。このような構成においては、タッチセンサ層と画素電極層の間に低誘電率のセンサ基板が介在するため、両層が容量結合されることがなく、相互の動作は干渉しない。しかし、この構成では、両基板の接着工程のために製造コストが増加してしまう。このセンサ基板の接着工程を省略するために、特許文献１は、画素基板上において画素電極層の上部にタッチバッファ層を介してタッチセンサ層を形成する構成を開示する。

米国特許出願公開第２０１８／００６１８９９号明細書

しかし、特許文献１の表示装置では、詳細を後述するように、タッチセンサ層と画素電極層とがタッチバッファ層によって容量結合されるため、タッチバッファ層の容量成分に起因してタッチ検出におけるノイズが発生し得る。この検出ノイズは、タッチセンサのタッチ検出性能、すなわちタッチ検出精度を低下させ得る。

そこで、本発明は、タッチ検出精度が向上されたタッチセンサ付きの表示装置を提供することを目的とする。

本開示の表示装置は、各々が画素を構成する複数の発光素子が２次元配列された画素電極層と、タッチセンサを構成する複数のタッチセンサ電極が２次元配列されたタッチセンサ層と、画素電極層とタッチセンサ層の間に画素電極層とタッチセンサ層とを容量結合する状態で配置された光学的に透明なタッチバッファ層であってベース材料及び前記ベース材料に分散された中空粒子を含むタッチバッファ層とを備える。

本発明の表示装置によると、タッチ検出精度が向上されたタッチセンサ付きの表示装置が実現される。

図１は、第１の実施形態による表示装置の模式分解上面図である。 図２は、第１の実施形態による表示装置の画素の等価回路図である。 図３は、タッチセンサに関する動作を説明する等価回路図である。 図４は、第１の実施形態による表示装置の模式断面図である。 図５は、第１の実施形態の効果の評価方法を説明する図である。 図６は、第１の実施形態の効果の評価結果を示すグラフである。 図７は、第２の実施形態による表示装置の模式断面図である。 図８は、第３の実施形態によるタッチセンサの概略的な平面図である。 図９は、第３の実施形態によるタッチセンサの概略的な平面拡大図である。 図１０は、第３の実施形態によるタッチセンサの第１電極層の概略的な平面図である。 図１１は、第３の実施形態によるタッチセンサの第２電極層の概略的な平面図である。 図１２は、第３の実施形態によるタッチセンサの概略的な端面図である。 図１３は、第３の実施形態によるタッチセンサの概略的な端面図である。

［第１の実施形態］
図１に、本発明の第１の実施形態による表示装置１のアクティブ領域の模式分解上面図を示す。なお、本開示において、各図面は説明のための模式図であり、寸法通りではない。特に、反復される多数の構成要素は、図示の明瞭化のためにその数量を大幅に減少して図示する。

表示装置１は、基板１００、画素電極層２００、封止層３００、タッチバッファ層４００及びタッチセンサ層５００を有し、例えば、スマートフォン、タブレットコンピュータなどのタッチセンサ機能付きの端末の表示画面を構成する。画素電極層２００、封止層３００、タッチバッファ層４００及びタッチセンサ層５００は、この順で基板１００上に積層され、図１には各層の一部が示される。なお、以降の説明において、表示装置１の表示面を画定する２辺の方向をそれぞれＸ方向及びＹ方向といい、表示面に垂直な方向（すなわち、Ｘ−Ｙ平面に垂直な方向）をＺ方向という。また、本開示において、「上（又は上層）」又は「下（又は下層）」という表現は、現実の使用における位置関係を限定するものではない。ただし、説明の便宜上、「上」方向とは、基板１００からタッチセンサ層５００に向かう方向を意味し、「下」方向とは、タッチセンサ層５００から基板１００に向かう方向を意味する。

画素電極層２００は、基板１００上に２次元配列された複数の画素ＰＸを有する画素面を構成する。複数の画素ＰＸは、赤色（Ｒ）画素、緑色（Ｇ）画素、青色（Ｂ）画素及び白色（Ｗ）画素を含み、所定の配列規則で行列状に配列される。詳細を後述するように、本実施形態では、画素電極層２００の各画素ＰＸは、有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）を利用した有機発光素子である有機発光ダイオード（以下、「ＯＬＥＤ」という）で構成される。各画素ＰＸは、そのＯＬＥＤの駆動制御のための駆動制御回路（不図示）に接続される。

封止層３００は、画素電極層２００への水分、酸素などの侵入を遮断する多層の保護層である。すなわち、封止層３００は、画素電極層２００に対する封止機能を有する。また、封止層３００は、画素電極層２００の上面の凹凸を平坦化する平坦化機能を有していてもよい。

タッチセンサ層５００は、投影型静電容量方式のタッチセンサを構成する。すなわち、タッチセンサ層５００は、２次元配列された複数のタッチセンサ電極からなるタッチセンサ面を構成し、ユーザによるタッチ操作を検出する。タッチセンサは、複数のＸ電極列５１０及び複数のＹ電極列５２０を備える。複数のＸ電極列５１０はＸ方向に平行に配列され、複数のＹ電極列５２０はＹ方向に平行に配列される。各Ｘ電極列５１０はＹ方向にブリッジ５１２を介して接続された複数のＸ電極５１１（タッチセンサ電極）を含み、各Ｙ電極列５２０はＸ方向にブリッジ５２２を介して接続された複数のＹ電極５２１（タッチセンサ電極）を含む。複数のＸ電極５１１と複数のＹ電極５２１とは、Ｘ−Ｙ平面視において、アクティブ領域の異なる部分を交番的態様で覆うように配置される。ブリッジ５１２とブリッジ５２２とは、Ｘ−Ｙ平面視において交差し、Ｚ方向において絶縁膜（不図示）を介して相互に絶縁されている。言い換えると、複数のＸ電極列５１０を含むＸ層と、複数のＹ電極列５２０を含むＹ層とは、所定の静電容量を有する絶縁膜を介して相互に絶縁された２つの層を形成する。各Ｘ電極列５１０及び各Ｙ電極列５２０は、各行又は各列の一端部に接続された各配線Ｗを介してタッチ操作検出用の検出処理回路（不図示）に接続される。なお、画素電極層２００、タッチセンサ層５００等の含まれる電極は、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯなどの透明導電膜であり得る。

タッチバッファ層４００は、封止層３００の凹部を充填してタッチセンサ層５００との界面を平坦化する平坦化層として機能するとともに、封止層３００とタッチセンサ層５００の間に生じ得る応力を吸収する緩衝層としても機能する。すなわち、タッチバッファ層４００は、平坦化機能及び緩衝機能を備える。タッチバッファ層４００は、画素電極層２００及びタッチセンサ層５００が（独立した別個の基板ではなく）同一の基板１００上に形成されることに伴って必要となる層である。なお、封止層３００、タッチバッファ層４００及びタッチセンサ層５００は、それぞれ光学的に実質的に透明な層を形成する。

図２に、本実施形態の画素ＰＸ（画素電極層２００）の等価回路を示す。各画素ＰＸは、選択トランジスタＴｒ１、駆動トランジスタＴｒ２、容量Ｃｓ及び発光素子２２０を有する。また、画素ＰＸはデータラインＤＬ、走査ラインＳＬ、高電位側の電源電圧ＶＤＤ及び低電位側の電源電圧ＶＳＳに接続され、これらは駆動制御回路２５０に接続される。発光素子２２０は、ＯＬＥＤからなり、本実施形態では画素面を構成する赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）又は白色（Ｗ）のいずれかの発光色を有する。発光素子２２０のアノードは駆動トランジスタＴｒ２を介して電源電圧ＶＤＤに接続され、発光素子２２０のカソードは電源電圧ＶＳＳに接続される。選択トランジスタＴｒ１はＭＯＳＦＥＴ（酸化金属半導体電界効果トランジスタ）からなり、そのドレインはデータラインＤＬに接続され、ゲートは走査ラインＳＬに接続され、ソースは駆動トランジスタＴｒ２のゲートに接続される。駆動トランジスタＴｒ２はＭＯＳＦＥＴからなり、そのゲートは選択トランジスタＴｒ１のソースに接続され、ドレインは電源電圧ＶＤＤに接続され、ソースは発光素子２２０のアノードに接続される。容量Ｃｓは、駆動トランジスタＴｒ２のゲート−ソースに並列接続される。

走査ラインＳＬのレベルによって発光素子２２０の駆動又は停止が決定され、発光素子２２０が駆動される場合にはデータラインＤＬの電圧によってその輝度が決定される。発光素子２２０が走査（駆動）される場合に走査ラインＳＬのレベルはハイレベルとなり、それ以外の場合には走査ラインＳＬのレベルはローレベルとなる。走査ラインＳＬのレベルがハイレベルとなると、選択トランジスタＴｒ１がオンされ、データラインＤＬの電圧に基づく電圧が容量Ｃｓに充電される。容量Ｃｓの電圧が駆動トランジスタＴｒ２のオン閾値を超えると、駆動トランジスタＴｒ２がオンされる。オン状態の駆動トランジスタＴｒ２は、ゲート電圧、すなわち、データラインＤＬの電圧に応じたドレイン電流を電源電圧ＶＤＤから発光素子２２０に供給する。このドレイン電流に応じて、発光素子２２０が発光する。容量Ｃｓは、いわゆるストレージキャパシタとして機能し、ある走査フレームにおける駆動トランジスタＴｒ２のゲート−ソース電圧を次の走査フレームまで保持して発光素子２２０の発光状態又は消灯状態を維持する。

図３に、タッチセンサに関する動作を説明する等価回路図を示す。図３は、第ｉ行のＸ電極列５１０ｉのうちのＸ電極５１１及び第ｊ列のＹ電極列５２０ｊのうちのＹ電極５２１の部分（すなわち、アクティブ領域の座標点（ｉ，ｊ））の等価回路である。Ｘ電極５１１とＹ電極５２１の間の電位差をＶ０、Ｘ電極５１１とＹ電極５２１の間の静電容量をＣ０とする。増幅器ＡＭＰ及び容量Ｃｆが、静電容量Ｃ０に接続される。具体的には、増幅器ＡＭＰにおいて、一方の入力端子が静電容量Ｃ０に接続され、他方の入力端子が基準電位（例えば電源電圧ＶＳＳ）に接続され、一方の入力端子と出力端子との間に容量Ｃｆが接続される。一例として、増幅器ＡＭＰは、差動増幅回路であり、この場合、上述の一方の入力端子は反転入力端子であり、上述の他方の入力端子は非反転入力端子である。増幅器ＡＭＰの出力端子における出力電圧Ｖｏｕｔは、検出処理回路５５０に接続される。概略として、検出処理回路５５０は、パルス状の電圧Ｖ０をＸ電極列５１０ｉ（Ｘ電極５１１）に供給しつつ、出力電圧Ｖｏｕｔの変化を検出する。静電容量Ｃ０の変化に起因して出力電圧Ｖｏｕｔが変化した場合に、検出処理回路５５０は、座標点（ｉ，ｊ）にタッチ操作があったものと判定する。なお、タッチ操作に伴う静電容量Ｃ０の変化は、人体に起因する容量成分が等価的に静電容量Ｃ０に並列接続されることによって発生する。

ここで、例えば、タッチセンサ層５００が基板１００から独立した別基板上に形成されている場合、すなわち、タッチバッファ層４００の代わりに極めて低い誘電率の基板が配置された場合など、理想的な場合には、出力電圧Ｖｏｕｔは、以下の式で表される。
Ｖｏｕｔ＝（Ｃ０／Ｃｆ）×Ｖ０

しかし、タッチセンサ層５００と画素電極層２００との間に、基板などの低誘電率材料が介在せずに容量結合される場合、すなわち、タッチバッファ層４００が介在する場合には、画素電極層２００の電位変化が出力電圧Ｖｏｕｔに影響を及ぼし得る。画素電極層２００の電位がＶ１であり、画素電極層２００とタッチセンサ層５００の間の容量がＣ１である場合、出力電圧Ｖｏｕｔは、以下の式で表される。
Ｖｏｕｔ＝（Ｃ０／Ｃｆ）×Ｖ０＋（Ｃ１／Ｃｆ）×Ｖ１
このため、第２項の（Ｃ１／Ｃｆ）×Ｖ１がタッチ操作検出における検出ノイズとして作用し、これにより、タッチセンサとしての検出精度又は検出性能が低下し得る。

したがって、上記第２項の影響を抑制するために、容量Ｃ１を低減することが望ましい。一般に、コンデンサなどの容量要素において、電極間材料の比誘電率をε_Ｓ、電極面積をＳ、電極間距離をｄ、真空の誘電率をε_０とすると、コンデンサの容量Ｃは、Ｃ＝ε_０×ε_Ｓ×Ｓ／ｄで表される。したがって、封止層３００又はタッチバッファ層４００の厚さ（Ｚ方向距離）を増大させれば容量Ｃ１を低下させることにはなるが、これは表示装置１の全体の厚さの増加をもたらすため、好ましくない。そこで、本発明では、詳細を後述するように、タッチバッファ層４００が、その誘電率を低減する機能を備えるように構成される。これにより、容量Ｃ１が低減される。

図４に、本実施形態の表示装置１の一部模式断面図を示す。上述したように、表示装置１は、基板１００上に順に積層された画素電極層２００、封止層３００、タッチバッファ層４００及びタッチセンサ層５００を備える。図４において、画素電極層２００については駆動トランジスタＴｒ２及び発光素子２２０付近を示し（図２参照）、タッチセンサ層５００についてはＹ電極５２１、ブリッジ５１２及びブリッジ５２２付近を示す（図１参照）。

画素電極層２００は、駆動素子２１０及び発光素子２２０（ＯＬＥＤ）を含む。
駆動素子２１０において、シリコン系基板などの基板１００上に、ゲート電極２１１、及びゲート電極２１１を覆うようにゲート絶縁膜２１２が形成される。ゲート絶縁膜２１２上において、ゲート電極２１１を覆う所定の領域に半導体層２１３が形成される。半導体層２１３上には保護膜２１４が形成され、保護膜２１４上から保護膜２１４を貫通して半導体層２１３に達するドレイン電極２１５及びソース電極２１６が形成される。保護膜２１４、ドレイン電極２１５及びソース電極２１６を覆う保護膜２１７が形成される。

発光素子２２０において、保護膜２１７上にアノード電極２２１が形成され、ソース電極２１６上において、アノード電極２２１が保護膜２１７を貫通してソース電極２１６に接続される。アノード電極２２１上に有機発光層２２２（有機ＥＬ層）が形成され、有機発光層２２２上にカソード電極２２３が形成される。なお、有機発光層２２２において、アノード電極２２１とカソード電極２２３の間には、部分的にスペーサとしてのバンク２２４が形成される。

封止層３００は、カソード電極２２３上に、下層から無機材料層３１０、有機材料層３２０及び無機材料層３３０を含み、表示装置１の外部の水分、酸素などが発光素子２２０（特に有機発光層２２２）に到達するのを防止する。無機材料層３１０は、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、酸化窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）などの低温での蒸着が可能な無機絶縁材料で形成される。この無機材料の選択は、耐熱性の低い有機発光層２２２に熱的影響を与えない工程によって封止層３００を形成可能とするためのものである。有機材料層３２０は、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド、ポリエチレン、シリコンオキシカーボン（ＳｉＯＣ）などの有機材料で形成される。比較的柔軟な有機材料層３２０は、無機材料層３１０と無機材料層３３０の間に生じ得る応力を緩和する役割を担う。無機材料層３３０は、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、酸化窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）などの無機材料で形成される。

タッチバッファ層４００は、無機材料層３３０上に形成される。タッチバッファ層４００は、本実施形態では、透明性の高いアクリル系有機材料樹脂のベース材料で構成され、そのベース材料中にナノサイズの中空粒子４０５を含む。なお、ベース材料に使用される有機材料は、高い平坦化機能を有しかつ光学的に透明な有機絶縁材料であり、アクリル系樹脂以外でも、エポキシ系樹脂、シロキサン（ｓｉｌｏｘａｎｅ）系樹脂などで形成されてもよい。中空粒子４０５の誘電率は、その内部が中空であるため、ベース材料の誘電率よりも充分に低い。したがって、タッチバッファ層４００が中空粒子４０５を含むことにより、タッチバッファ層４００が中空粒子４０５を含まない場合と比較して、タッチバッファ層４００の誘電率が低下する。そして、中空粒子４０５の含有態様によって、タッチバッファ層４００の誘電率が可変となる。

タッチバッファ層４００の視覚的な光学特性を保持するために、中空粒子４０５の粒径は、可視光波長域の実質的な下限値４００ｎｍ程度以下であり、より好ましくは確実な下限値３６０ｎｍ程度以下であり、さらに好ましくは３００ｎｍ以下である。タッチバッファ層４００がこのようなナノサイズの中空粒子４０５を含むことにより、タッチバッファ層４００の透明性を維持しつつ、その誘電率を低減させることができる。なお、中空粒子４０５の粒径を可視光波長以下とするのは、可視光の散乱を回避するためである。

さらに、中空粒子４０５は、有機シェルを有する。この有機シェルは、透明性、耐久性の観点から、アクリル系樹脂（ＰＭＭＡ）で形成されることが好ましい。中空粒子４０５が有機シェルを有することにより、有機材料からなるベース材料内での中空粒子４０５の樹脂分散性が確保される。さらに、中空粒子４０５が有機シェルを有することにより、タッチバッファ層４００における低ヘイズ性が保持される。中空粒子４０５の適切な配合などについては後述する。

また、タッチバッファ層４００のベース材料を有機樹脂材料で形成することにより、そのフレキシブル性が確保され、ユーザのタッチ操作に起因してタッチセンサ層５００から画素電極層２００に作用し得る応力を軽減することができる。なお、タッチバッファ層４００のフレキシブル性が確保される限り、又は高いフレキシブル性が不要である場合には、ベース材料は無機材料であってもよい。また、ベース材料が有機材料である場合には、相互の反応を回避する観点などから、封止層３００の最上層は無機材料層であることが望ましい（本実施形態では、無機材料層３３０が封止層３００の最上層となる）。また逆に、ベース材料が無機材料である場合には、封止層３００の最上層は有機材料層であることが望ましい。

タッチセンサ層５００は、タッチバッファ層４００上に形成される。絶縁膜５０６及びブリッジ５２２がタッチバッファ層４００上に形成され、ブリッジ５１２がブリッジ５２２上に絶縁膜５０７を介して形成される。Ｙ電極５２１が、絶縁膜５０６上に絶縁膜５０７及びブリッジ５１２を挟んで形成され、絶縁膜５０７の側部のコンタクトホールを介してブリッジ５２２に接続される。タッチ保護膜５３０が、Ｙ電極５２１、絶縁膜５０７及びブリッジ５１２上に形成される。

上述したように、中空粒子４０５の含有量に応じてタッチバッファ層４００の誘電率が可変となる。ここで、タッチバッファ層４００のサンプルを作製し、各サンプルの誘電率などについて評価を行った。図５に、測定方法を説明する図を示す。各サンプルにおいて、ガラス基板１０上にＩＴＯ電極１２が形成され、ＩＴＯ電極１２上にタッチバッファ層と同等のサンプル層１４が形成され、サンプル層１４上にアルミニウム電極１６が形成された。サンプル層１４のベース材料にはアクリル系ポリマー（熱硬化性樹脂）が使用され、中空粒子にはアクリル系樹脂（ＰＭＭＡ樹脂）のシェルを有する粒径８０ｎｍの粒子が使用された。なお、サンプル層１４のベース材料には熱硬化性樹脂が用いられるが、現実の実施におけるタッチバッファ層４００のベース材料にはＵＶ硬化樹脂が採用され得る。サンプル層１４は、スピンコーティングによりＩＴＯ電極１２上に形成された。その後、サンプル層１４は熱硬化され、アルミニウム電極１６がサンプル層１４上に蒸着された。そして、ＩＴＯ電極１２とアルミニウム電極１６の間の容量が容量法によって測定器１８を用いて測定され、測定された容量に基づいてサンプル層１４の誘電率の算出及び比較が行われた。

測定サンプルとして、サンプル層１４の中空粒子の添加量が０ｗｔ％の（すなわち、中空粒子を含まない）比較サンプル、サンプル層１４の中空粒子の添加量が３０ｗｔ％のサンプル１、及びサンプル層１４の中空粒子の添加量が５０ｗｔ％のサンプル２を準備した。測定は、比較サンプル、サンプル１及びサンプル２について、それぞれ周波数１ｋＨｚ、１０ｋＨｚ及び１００ｋＨｚにおいて実施された。

図６に、比較サンプル、サンプル１及びサンプル２の誘電率の測定結果を、比較サンプルの誘電率に対する規格化誘電率として示す。図６に示すように、比較サンプルの誘電率を１とした場合に、サンプル１の規格化誘電率は各周波数において約０．８５（比較サンプルに対して約１５％減）となり、サンプル２の規格化誘電率は各周波数において約０．８０（比較サンプルに対して約２０％減）となった。すなわち、サンプル層１４に中空粒子を含有させることによってサンプル層１４の誘電率が低減されることが確認された。なお、測定結果として明記していないが、図６からも分かるように、所望の誘電率（例えば、比較サンプルの誘電率に対する規格化誘電率０．９程度）は、サンプル層１４の中空粒子の添加量が約２０ｗｔ％以上である場合に得られることが確認された。また、サンプル層１４の中空粒子の添加量が８０ｗｔ％である場合に、サンプル層１４の白濁が観察された。

したがって、タッチバッファ層４００において、ベース材料に対する中空粒子の添加量は、誘電率低減効果の確保の観点から２０ｗｔ％以上であることが好ましく、透明性の確保の観点から８０ｗｔ％未満であることが好ましい。さらに、ベース材料に対する中空粒子の添加量は、誘電率低減効果の確保と透明性の確保の観点のバランスを考慮して、３０ｗｔ％以上５０ｗｔ％以下であることがより好ましい。

また、比較サンプル、サンプル１及びサンプル２について、光学特性（透過率、ヘイズ及び色度）の評価も行った。サンプル１及びサンプル２の光学特性については、比較サンプルに対して大幅な変化がなければ良判定となる。表１に、光学特性の評価結果を示す。なお、各光学特性の測定において、光学測定装置として、分光測色計ＣＭ３６００Ａ（コニカミノルタ製）が用いられた。

表１に示すように、透過率は、比較サンプルにおいて８９．９％、サンプル１において８９．０％、サンプル２において８９．７％となり、中空粒子の添加は透過率に影響しないことが確認された。また、ヘイズは、比較サンプルにおいて０．２２、サンプル１において０．６０、サンプル２において０．４５となり、中空粒子の添加とヘイズとの間に相関は確認されなかった。すなわち、中空粒子の添加がヘイズに影響せずに、低ヘイズ性が保持されることが確認された。色度（Ｄ６５）の座標は、比較サンプルにおいて（０．３１７，０．３３３）、サンプル１において（０．３１８，０．３３６）、サンプル２において（０．３１９，０．３３７）となり、中空粒子の添加が色度に影響しないことが確認された。すなわち、中空粒子４０５はナノサイズであることから、中空粒子４０５の添加がタッチバッファ層４００の光学特性に悪影響を及ぼさないことが上記結果から確認された。

以上のように、本実施形態の表示装置１は、基板１００上に形成され、各々が画素ＰＸを構成する複数の発光素子２２０が２次元配列された画素電極層２００と、タッチセンサを構成する複数のタッチセンサ電極（Ｘ電極５１１、Ｙ電極５２１）が２次元配列されたタッチセンサ層５００と、画素電極層２００とタッチセンサ層５００の間に画素電極層２００とタッチセンサ層５００とを容量結合する状態で配置された光学的に透明なタッチバッファ層４００とを備え、タッチバッファ層４００は、ベース材料に分散された中空粒子４０５を含む。

すなわち、画素電極層２００とタッチセンサ層５００の間に両層を容量結合する状態で配置された光学的に透明なタッチバッファ層４００に、その容量結合の領域における誘電率を低減可能な中空粒子４０５が含まれる。これにより、画素電極層２００及びタッチセンサ層５００を同一基板１００上に形成することに起因して生じ得る検出ノイズを抑制し、低コスト性と高いタッチ検出精度とを両立できるタッチセンサ付きの表示装置１が実現される。また、別の観点として、タッチバッファ層４００の容量が許容範囲となる範囲で、タッチバッファ層４００の厚さを減少させることが可能となる。この場合、タッチバッファ層４００の薄型化によって、表示装置１の薄型化及び軽量化が可能となる。例えば、タッチバッファ層４００の厚さを２〜３μｍ程度とすることができる。

また、上述したように、タッチバッファ層４００のベース材料が有機材料であり、中空粒子４０５が有機シェルを有することが好ましい。これにより、ベース材料内での中空粒子４０５の樹脂分散性が確保される。さらに、中空粒子４０５が有機シェルを有することにより、タッチバッファ層４００における低ヘイズ性が保持される。特に、有機シェルは、透明性などの観点から、アクリル系樹脂からなることが好ましい。

また、タッチバッファ層４００において、中空粒子４０５の添加量は、２０ｗｔ％以上８０ｗｔ％未満であることが好ましい。中空粒子４０５の添加量が２０ｗｔ％以上であればタッチバッファ層４００における所望の誘電率低減効果が確保され、中空粒子４０５の添加量が８０ｗｔ％未満であればタッチバッファ層４００の透明性が確保される。特に、タッチバッファ層４００において、中空粒子４０５の添加量は、３０ｗｔ％以上５０ｗｔ％以下であることがより好ましい。これにより、タッチバッファ層４００における誘電率低減効果と透明性とが確実に両立される。

中空粒子４０５の粒径は、４００ｎｍ以下であり、より好ましくは３６０ｎｍ以下であり、さらに好ましくは３００ｎｍ以下である。このように、中空粒子４０５の粒径が可視光波長域以下であることにより、タッチバッファ層４００の視覚的な光学特性（散乱回避）が保持される。

また、タッチバッファ層４００は、画素電極層２００の形状に起因する凹部を充填するように形成された平坦化膜としても機能する。このように、平坦化膜としてのタッチバッファ層４００が、画素電極層２００とタッチセンサ層５００の間の誘電率低減のための層を兼ねることにより、誘電率低減のための別途の層の追加が不要となり、これは表示装置１の薄型化、軽量化、低コスト化などに貢献し得る。

また、表示装置１は、画素電極層２００とタッチバッファ層４００の間に、積層された無機材料層３１０、３３０及び有機材料層３２０を含む封止層３００をさらに備える。これにより、画素電極層２００についての、外部環境に対する封止効果が確実に得られる。

さらに、画素電極層２００の発光素子２２０がＯＬＥＤからなり、ＯＬＥＤが有機発光層２２２並びに有機発光層２２２を挟んで積層されるアノード電極２２１及びカソード電極２２３を含み、画素電極層２００が、発光素子２２０と基板１００の間に、アノード電極２２１とカソード電極２２３の間に所定の電圧を印加するための駆動素子２１０を含む。このように、本実施形態は、ＯＬＥＤを用いる表示装置１に好適に適用することができる。

［第２の実施形態］
上記第１の実施形態では、タッチバッファ層が中空粒子を含む構成を示したが、第２の実施形態では、タッチバッファ層だけでなく封止層を構成する層の一部も中空粒子を含む構成を示す。

図７に、本実施形態の表示装置１の一部模式断面図を示す。なお、本実施形態の表示装置１において、第１実施形態の表示装置１のものと同様の構成要素には同じ符号を付し、その説明を省略又は簡略化する。表示装置１は、基板１００上に順に積層された画素電極層２００、封止層３５０、タッチバッファ層４００及びタッチセンサ層５００を備える。本実施形態の表示装置１では、封止層３５０が、第１実施形態の表示装置１の封止層３００と異なる。

封止層３５０は、画素電極層２００のカソード電極２２３上に、下層から無機材料層３１０、有機材料層３６０及び無機材料層３３０を含む。封止層３５０は、第１の実施形態の封止層３００と同様に、表示装置１の外部の水分、酸素などが発光素子２２０に到達するのを防止する封止機能を有する。有機材料層３６０は、アクリル系有機材料樹脂のベース材料で構成され、そのベース材料中にナノサイズの中空粒子３６５を含む。なお、有機材料層３６０のベース材料に使用される有機材料は、アクリル系樹脂以外でも、エポキシ系樹脂、シロキサン系樹脂などであってもよい。中空粒子３６５の誘電率は、有機材料層３６０のベース材料の誘電率よりも充分に低い。したがって、有機材料層３６０が中空粒子３６５を含むことにより、有機材料層３６０が中空粒子３６５を含まない場合と比較して、封止層３５０全体の誘電率が低下する。なお、封止層３５０は、所望の封止性能（例えば、封止層３００とほぼ同等の封止性能）を実現可能なものとする。

また、タッチバッファ層４００の中空粒子４０５と同様に、中空粒子３６５の粒径は、可視光波長域の実質的な下限値４００ｎｍ程度以下であり、より好ましくは確実な下限値３６０ｎｍ程度以下であり、さらに好ましくは３００ｎｍ以下である。封止層３５０（有機材料層３６０）がこのようなナノサイズの中空粒子３６５を含むことにより、封止層３５０の透明性を維持しつつ、その誘電率を低減させることができる。また、中空粒子４０５と同様に、中空粒子３６５は、有機シェルを有する。

また、中空粒子の誘電率は、無機材料層３１０及び３３０の誘電率よりも低い。したがって、本実施形態では、有機材料層３６０が中空粒子３６５を含む構成を示すが、所望の封止効果が得られる範囲において、無機材料層３１０又は３３０が中空粒子を含んでいてもよい。すなわち、本実施形態は、封止層３５０を構成する層のうちの少なくとも一層が、中空粒子３６５を含む層であることを要件とする。

以上のように、本実施形態の表示装置１においては、封止層３５０のうちの少なくとも１つの所定層が、ベース材料に分散された中空粒子３６５を含む。これにより、第１の実施形態の各効果が得られることに加えて、画素電極層２００とタッチセンサ層５００との容量結合に対する誘電率低減効果が一層高められ得る。

特に、本実施形態では、上記所定層が有機材料層３６０であり、中空粒子３６５が有機シェルを有する。これにより、ベース材料内での中空粒子３６５の樹脂分散性が確保される。さらに、中空粒子３６５が有機シェルを有することにより、封止層３５０における低ヘイズ性が保持される。特に、有機シェルは、透明性などの観点から、アクリル系樹脂からなることが好ましい。

また、タッチバッファ層４００の構成と同様の観点から、有機材料層３６０における中空粒子３６５の添加量は、２０ｗｔ％以上８０ｗｔ％未満であることが好ましい。これにより、中空粒子４０５に対する条件と同様に、中空粒子３６５の添加量が２０ｗｔ％以上であれば封止層３５０における所望の誘電率低減効果が確保され、中空粒子３６５の添加量が８０ｗｔ％未満であれば封止層３５０の透明性が確保される。特に、封止層３５０において、中空粒子３６５の添加量は、３０ｗｔ％以上５０ｗｔ％以下であることがより好ましい。これにより、封止層３５０における誘電率低減効果と透明性とが確実に両立される。

中空粒子３６５の粒径は、４００ｎｍ以下であり、より好ましくは３６０ｎｍ以下であり、さらに好ましくは３００ｎｍ以下である。中空粒子４０５に対する条件と同様に、中空粒子３６５の粒径が可視光波長域以下であることにより、封止層３５０の視覚的な光学特性（散乱回避）が保持される。

なお、上記所定層（本実施形態では有機材料層３６０）は、タッチバッファ層４００と同一の材料で形成されることが好ましい。このように上記所定層（有機材料層３６０）の材料及びタッチバッファ層４００の材料を標準化することにより、当該材料の調達、作製などのコストが低減される。

［第３の実施形態］
図８は、本発明の第３の実施形態に係る表示装置に含まれるタッチセンサの概略的な平面図である。図８に示すように、本発明の第３の実施形態に係るタッチセンサは、複数のＸ電極列１５１０及び複数のＹ電極列１５２０を備える。複数のＸ電極列１５１０は、Ｘ方向に離隔して平行に配列され、複数のＹ電極列１５２０は、Ｙ方向に離隔して平行に配列される。各Ｘ電極列１５１０は、Ｙ方向に第１ブリッジ１５１２を介して接続された複数のＸ電極１５１１（タッチセンサ電極又は第１電極）を含み、各Ｙ電極列１５２０は、Ｘ方向に第２ブリッジ１５２２を介して接続された複数のＹ電極１５２１（タッチセンサ電極又は第２電極）を含む。複数のＸ電極１５１１及び複数のＹ電極１５２１は、Ｘ−Ｙ平面視において、アクティブ領域の互いに異なる部分を交番的態様で覆うように配置される。各Ｘ電極列１５１０及び各Ｙ電極列１５２０は、各行又は各列の端部に接続された各配線Ｗｒを介して、タッチ操作検出用の検出処理回路（不図示）に接続される。ここで、各配線Ｗｒの端部には、感知処理回路との接続のための端子ＴＰが形成される。

ここで、複数のＸ電極１５１１と複数のＹ電極１５２１は、同一の材料により同一の層に形成される。また、第２ブリッジ１５２２は、複数のＹ電極１５２１と同一の材料により同一の層に形成されている。すなわち、第２ブリッジ１５２２と、これを介して接続される複数のＹ電極１５２１は、一体の電極である。

一方、第１ブリッジ１５１２は、複数のＸ電極１５１１とは異なる層に形成される。このとき、Ｚ方向において、第１ブリッジ１５１２と複数のＸ電極１５１１との間にはタッチ絶縁膜（不図示）が形成され、複数のＸ電極１５１１は、タッチ絶縁膜に形成されたコンタクトホール（不図示）を介して第１ブリッジ１５１２に接続される。また、第１ブリッジ１５１２と第２ブリッジ１５２２とは、互いに交差しており、第１ブリッジ１５１２と第２ブリッジ１５２２との間にはタッチ絶縁膜が配されている。

一方、各配線Ｗｒは、第１ブリッジ１５１２と同一の材料により同一の層に形成され、タッチ絶縁膜に形成されたコンタクトホール（不図示）を介して、各Ｘ電極列１５１０及び各Ｙ電極列１５２０の端部に接続される。これとは異なり、各配線Ｗｒは、複数のＸ電極１５１１及び複数のＹ電極１５２１と同一の材料により同一の層に形成されてもよい。
なお、本発明の第３の実施形態において、各Ｘ電極１５１１及び各Ｙ電極１５２１は、メッシュ形状であってもよい。かかる本発明の第３の実施形態に係るタッチセンサの構成について、図面を参照しながら詳細に説明する。

図９は、本発明の第３の実施形態に係るタッチセンサの概略的な拡大平面図であって、図８のＡ１領域を拡大した図面であり、図１０は、本発明の第３の実施形態に係るタッチセンサの第１電極層の概略的な平面図である。図１１は、本発明の第３の実施形態に係るタッチセンサの第２電極層の概略的な平面図であり、図１２は、本発明の第３の実施形態に係るタッチセンサの概略的な端面図であって、図９のＸＩＩ−ＸＩＩ線に対応し、図１３は、本発明の第３の実施形態に係るタッチセンサの概略的な端面図であって、図９のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線に対応する。

図９乃至図１３に示すように、タッチバッファ層１４００上には、第１電極層として第１ブリッジ１５１２が形成される。ここで、タッチバッファ層１４００は、第１の実施形態のタッチバッファ層（図４の４００）と同一の構成を有することができるが、これに限定されるものではない。また、タッチバッファ層１４００の下部には、第１実施形態と同じ構成の画素電極層（図４の２００）及び封止層（図４の３００）を形成することができる。

第１ブリッジ１５１２は、少なくとも１つのパターンを含むことができる。図９乃至図１１に示した例では第１ブリッジ１５１２は直線状であるが、第１ブリッジ１５１２は、少なくとも１つの屈曲部を有する折れ線型あるいはジグザグ型であってもよい。また、図９乃至図１１に示した例では第１ブリッジ１５１２は１つであるが、第１ブリッジ１５１２は複数であってもよい。第１ブリッジ１５１２は、金属材料からなり、多層構造を有することができる。一例に、第１ブリッジ１５１２は、第１層ａ１、第２層ａ２及び第３層ａ３を含む３層構造を有するが、これに限定されるものではない。第２層ａ２は、第１層ａ１及び第３層ａ３とは異なる材料からなり、第１層ａ１と第３層ａ３とは、同一の材料からなり得る。第２層ａ２の材料は、第１層ａ１の材料及び第３層ａ３の材料より低い比抵抗を有することができる。一例として、第２層ａ２は、アルミニウム（Ａｌ）又はアルミニウム合金（Ａｌ ａｌｌｏｙ）からなり、第１層ａ１および第３層ａ３は、チタン（Ｔｉ）又はチタン合金（Ｔｉ ａｌｌｏｙ）からなり得るが、これに限定されるものではない。第２層ａ２の厚さは、第１層ａ１及び第３層ａ３のそれぞれの厚さより大きくてもよく、第２層ａ２の厚さは、第１層ａ１の厚さと第３層ａ３の厚さの合計より大きくてもよい。そのとき、第１層ａ１の厚さは、第３層ａ３の厚さと同一であってもよい。

第１ブリッジ１５１２の上部には、タッチ絶縁膜１５０６が形成される。タッチ絶縁膜１５０６は、無機絶縁材料からなり得る。一例に、タッチ絶縁膜１５０６は、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）からなり得るが、これに限定されるものではない。

タッチ絶縁膜１５０６は、第１ブリッジ１５１２の両端の上面を露出するコンタクトホールＣＨを有する。第１ブリッジ１５１２の一端は、少なくとも１つのコンタクトホールＣＨによって露出される。一例に、第１ブリッジ１５１２の一端は、２つのコンタクトホールＣＨによって露出され得るが、これに限定されるものではない。

タッチ絶縁膜１５０６の上部には、第２電極層として、Ｘ電極１５１１、Ｙ電極１５２１及び第２ブリッジ１５２２が形成される。Ｘ電極１５１１、Ｙ電極１５２１及び第２ブリッジ１５２２のそれぞれは、複数の線部が互いに交差してなるメッシュ形状を有する。これと異なり、第２ブリッジ１５２２は、Ｘ方向に伸びた単一線からなってもよく、複数の線からなってもよい。

Ｘ電極１５１１、Ｙ電極１５２１及び第２ブリッジ１５２２の各線部は、バンク（図４の２２４）に対応して位置する。ここで、メッシュ形状の１つの開口部は、少なくとも１つの画素（図１のＰＸ）に対応することができるが、これに限定されるものではない。

Ｙ方向に隣接した２つのＸ電極１５１１は、タッチ絶縁膜１５０６に形成されたコンタクトホールＣＨを介して第１ブリッジ１５１２の両端とそれぞれ接続される。また、Ｘ方向に隣接した２つのＹ電極１５２１は、第２ブリッジ１５２２と一体となり、第２ブリッジ１５２２の両端とそれぞれ接続される。ここで、Ｙ電極１５２１の線部は、第１ブリッジ１５１２のパターンと重なって位置する。

Ｘ電極１５１１、Ｙ電極１５２１及び第２ブリッジ１５２２のそれぞれは、金属材料からなり、多層構造を有することができる。一例に、Ｘ電極１５１１、Ｙ電極１５２１及び第２ブリッジ１５２２のそれぞれは、第１層ｂ１、第２層ｂ２及び第３層ｂ３を含む３層構造であるが、これに限定されるものではない。第２層ｂ２は、第１層ｂ１及び第３層ｂ３とは異なる材料からなり、第１層ｂ１及び第３層ｂ３は、同一の材料からなり得る。第２層ｂ２の材料は、第１層ｂ１の材料及び第３層ｂ３の材料より低い比抵抗を有することができる。一例に、第２層ｂ２は、アルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金（Ａｌ ａｌｌｏｙ）からなり、第１層ｂ１及び第３層ｂ３は、チタン（Ｔｉ）やチタン合金（Ｔｉ ａｌｌｏｙ）からなり得るが、これに限定されるものではない。第２層ｂ２の厚さは、第１層ｂ１及び第３層ｂ３のそれぞれの厚さより大きくてもよく、第２層ｂ２の厚さは、第１層ｂ１の厚さと第３層ｂ３の厚さの合計より大きくてもよい。そのとき、第１層ｂ１の厚さは、第３層ｂ３の厚さと同一であってもよい。

タッチ保護膜１５３０は、Ｘ電極１５１１、Ｙ電極１５２１及び第２ブリッジ１５２２の上部に形成される。

本発明の第３実施形態では、第１ブリッジ１５１２が、複数のＸ電極１５１１とは異なる層に形成され、第２ブリッジ１５２２が、複数のＹ電極１５２１と同じ層に形成されるものと説明したが、これに限定されるものではない。すなわち、第１ブリッジ１５１２が複数のＸ電極１５１１と同じ層に形成されて、複数のＸ電極１５１１と一体となり、第２ブリッジ１５２２が複数のＹ電極１５２１と異なる層に形成され、複数のＹ電極１５２１がコンタクトホールを介して第２ブリッジ１５２２に接続されてもよい。

本実施形態のＸ電極１５１１、Ｙ電極１５２１、第１ブリッジ１５１２、第２ブリッジ１５２２は、上述のようにメッシュ状にパターニングされた金属材料によるものであり得るが、これ以外の構成であってもよい。例えば、Ｘ電極１５１１、Ｙ電極１５２１、第１ブリッジ１５１２、第２ブリッジ１５２２のうちの少なくとも１つは、第１実施形態のように透明導電膜を用いた板状（プレート状）の電極であってもよい。あるいは、Ｘ電極１５１１、Ｙ電極１５２１、第１ブリッジ１５１２、第２ブリッジ１５２２のうちの少なくとも１つは、板状の透明導電膜とメッシュ状の金属膜を積層したものであってもよい。

［変形例］
以上に本発明の好適な実施形態を示したが、本発明を適用しうるいくつかの態様を例示したものに過ぎず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜修正や変形を行うことを妨げるものではない。また、上述の異なる実施形態の構成を適宜組み合わせ、実施してもよい。本発明は、例えば以下に示すように種々の態様に変形可能である。

（１）表示装置１の方式に関する変形
上記各実施形態では、ＯＬＥＤを用いる画素電極層２００及び投影型静電容量方式のタッチセンサ層５００を採用する表示装置１を示したが、画素電極層２００及びタッチセンサ層５００の形式はこれに限られない。本発明は、画素電極層とタッチセンサ層との容量結合部分の誘電率の低減を課題とする種々の表示装置に適用可能である。例えば、マイクロＬＥＤ及びその駆動回路を備える画素電極層などの他の発光構造を有する表示装置にも本発明は適用可能である。また、表面型静電容量方式のタッチセンサ層を有する表示装置にも本発明は適用可能である。

（２）発光素子２２０（画素ＰＸ）に関する変形
上記各実施形態では、画素ＰＸについて、発光色が赤色の発光素子２２０、発光色が緑色の発光素子２２０、発光色が青色の発光素子２２０及び発光色が白色の発光素子２２０が設けられる構成を示したが、画素ＰＸの発光素子構造はこれに限られない。例えば、全ての発光素子２２０が同じ発光色（例えば白色又は青色）であり、画素ＰＸ毎に必要なカラーフィルタが付加された構成が採用されてもよい。また、各画素ＰＸにおいて、発光素子２２０として、赤色発光有機ＥＬ層、緑色発光有機ＥＬ層及び青色発光有機ＥＬ層が保護層を介して積層されたＳＯＬＥＤ（ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ Ｓｔａｃｋｅｄ ＯＬＥＤ）構成が採用されてもよい。この場合、発光素子２２０の駆動回路の構成も適宜変更される。

（３）封止層３００又は３５０及びタッチバッファ層４００の物性に関する変形
上記各実施形態では、封止層３００又は３５０からタッチバッファ層４００に掛けて、無機材料層（３１０）、有機材料層（３２０、３６０）、無機材料層（３３０）及び有機材料層（４００）の順に配列された。一方、有機材料及び無機材料の配列はこれに限られない。例えば、封止層３００又は３５０は、有機材料層と無機材料層とが合計４層以上にわたって積層された層であってもよい。あるいは、封止層３００又は３５０は、１層の有機材料層と１層の無機材料層の２層で構成されていてもよい。いずれの場合であっても、タッチバッファ層４００が有機材料層の場合には、封止層３００又は３５０の最上層（すなわち、タッチバッファ層４００と接する層）は無機材料層であることが望ましい。また、タッチバッファ層４００が無機材料層の場合には、封止層３００又は３５０の最上層は有機材料層であることが望ましい。

（４）封止層３００又は３５０及びタッチバッファ層４００の配置に関する変形
上記各実施形態では、封止層３００又は３５０とタッチバッファ層４００とを区分けし、封止層３００又は３５０上にタッチバッファ層４００が積層される構成を示したが、封止層３００又は３５０とタッチバッファ層４００とが混在配置されてもよい。すなわち、画素電極層２００とタッチセンサ層５００の間に交番的態様で積層される多数の有機材料層及び無機材料層のうちの少なくとも一層がタッチバッファ層４００であると定義されてもよい。言い換えると、封止層３００又は３５０及びタッチバッファ層４００が全体として上述の封止機能、平坦化機能、緩衝機能及び誘電率低減機能を備える限り、相互が混在配置されてもよい。

（５）中空粒子４０５又は３６５の粒径に関する変形
上記各実施形態では、中空粒子４０５の粒径は、可視光の散乱回避の観点から可視光波長下限値以下であるものとした。一方、タッチバッファ層４００の厚さが比較的大きく、かつ所望の光学特性が得られることを条件として、中空粒子４０５の粒径は可視光波長上限値（約７６０〜８３０ｎｍ）以上であってもよい。封止層３５０における中空粒子３６５についても同様のことがいえる。

１ 表示装置
１００ 基板
２００ 画素電極層
２１０ 駆動素子
２２０ 発光素子
２２１ アノード電極
２２２ 有機発光層
２２３ カソード電極
３００ 封止層
３１０ 無機材料層
３２０ 有機材料層
３３０ 無機材料層
３５０ 封止層
３６０ 有機材料層
３６５ 中空粒子
４００ タッチバッファ層
４０５ 中空粒子
５００ タッチセンサ層
５１１ Ｘ電極（タッチセンサ電極）
５２１ Ｙ電極（タッチセンサ電極）
ＰＸ 画素

Claims (18)

1. 表示装置であって、
   各々が画素を構成する複数の発光素子が２次元配列された画素電極層と、
   タッチセンサを構成する複数のタッチセンサ電極が２次元配列されたタッチセンサ層と、
   前記画素電極層と前記タッチセンサ層の間に前記画素電極層と前記タッチセンサ層とを容量結合する状態で配置された光学的に透明なタッチバッファ層であって、ベース材料及び前記ベース材料に分散された中空粒子を含むタッチバッファ層と
   を備える表示装置。
2. 前記タッチバッファ層の前記ベース材料が有機材料であり、前記中空粒子が有機シェルを有する、請求項１に記載の表示装置。
3. 前記有機シェルがアクリル系樹脂からなる、請求項２に記載の表示装置。
4. 前記タッチバッファ層において、前記中空粒子の添加量が２０ｗｔ％以上８０ｗｔ％未満である、請求項１から３のいずれか一項に記載の表示装置。
5. 前記タッチバッファ層において、前記中空粒子の添加量が３０ｗｔ％以上５０ｗｔ％以下である、請求項１から３のいずれか一項に記載の表示装置。
6. 前記中空粒子の粒径が４００ｎｍ以下である、請求項１から５のいずれか一項に記載の表示装置。
7. 前記画素電極層と前記タッチバッファ層の間に、有機材料層及び無機材料層が積層された封止層をさらに備える請求項１から６のいずれか一項に記載の表示装置。
8. 前記封止層の前記有機材料層又は前記無機材料層の少なくとも１つの所定層が、ベース材料及び前記ベース材料に分散された中空粒子を含む、請求項７に記載の表示装置。
9. 前記所定層が前記有機材料層であり、前記所定層に含まれる中空粒子が有機シェルを有する、請求項８に記載の表示装置。
10. 前記所定層の前記中空粒子の有機シェルがアクリル系樹脂からなる、請求項９に記載の表示装置。
11. 前記所定層における前記中空粒子の添加量が２０ｗｔ％以上８０ｗｔ％未満である、請求項８から１０のいずれか一項に記載の表示装置。
12. 前記所定層における前記中空粒子の添加量が３０ｗｔ％以上５０ｗｔ％以下である、請求項８から１０のいずれか一項に記載の表示装置。
13. 前記所定層の前記中空粒子の粒径が４００ｎｍ以下である、請求項８から１２のいずれか一項に記載の表示装置。
14. 前記所定層が、前記タッチバッファ層と同じ材料で形成された、請求項８に記載の表示装置。
15. 前記タッチバッファ層は、前記画素電極層の形状に起因する凹部を充填するように形成された平坦化膜である、請求項１から１４のいずれか一項に記載の表示装置。
16. 前記画素電極層の前記発光素子が有機発光素子を含み、
    前記有機発光素子が有機発光層並びに前記有機発光層を挟んで積層されるアノード電極及びカソード電極を含み、
    前記画素電極層が、前記アノード電極と前記カソード電極の間に所定の電圧を印加するための駆動素子を含む、請求項１から１５のいずれか一項に記載の表示装置。
17. 前記複数のタッチセンサ電極は、板状の透明電極及びメッシュ状の金属電極のうちの少なくとも１つを含む、請求項１から１６のいずれか一項に記載の表示装置。
18. 前記複数のタッチセンサ電極は、
    複数の第１電極と、
    複数の第２電極と、
    前記複数の第１電極を互いに電気的に接続する第１ブリッジと、
    前記複数の第２電極を互いに電気的に接続する第２ブリッジと、
    を含み、
    前記第１ブリッジと前記第２ブリッジは互いに異なる層に配置されており、
    前記第１ブリッジと前記第２ブリッジは、平面視において、互いに交差するように配置されている、請求項１から１７のいずれか一項に記載の表示装置。

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