KR20240048079A - 표시장치 및 이의 제조방법 - Google Patents

표시장치 및 이의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20240048079A
KR20240048079A KR1020220127363A KR20220127363A KR20240048079A KR 20240048079 A KR20240048079 A KR 20240048079A KR 1020220127363 A KR1020220127363 A KR 1020220127363A KR 20220127363 A KR20220127363 A KR 20220127363A KR 20240048079 A KR20240048079 A KR 20240048079A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
sensing
wires
sensing wires
display device
electrode
Prior art date
Application number
KR1020220127363A
Other languages
English (en)
Inventor
윤가연
강봉일
김태준
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020220127363A priority Critical patent/KR20240048079A/ko
Priority to US18/344,550 priority patent/US20240122019A1/en
Priority to CN202311261724.7A priority patent/CN117858541A/zh
Publication of KR20240048079A publication Critical patent/KR20240048079A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0416—Control or interface arrangements specially adapted for digitisers
    • G06F3/0418—Control or interface arrangements specially adapted for digitisers for error correction or compensation, e.g. based on parallax, calibration or alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H10K59/1315—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0416—Control or interface arrangements specially adapted for digitisers
    • G06F3/04164—Connections between sensors and controllers, e.g. routing lines between electrodes and connection pads
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0416—Control or interface arrangements specially adapted for digitisers
    • G06F3/0418—Control or interface arrangements specially adapted for digitisers for error correction or compensation, e.g. based on parallax, calibration or alignment
    • G06F3/04182—Filtering of noise external to the device and not generated by digitiser components
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0443—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a single layer of sensing electrodes
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0446—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a grid-like structure of electrodes in at least two directions, e.g. using row and column electrodes
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/046—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by electromagnetic means
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0421—Structural details of the set of electrodes
    • G09G2300/0426—Layout of electrodes and connections
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
    • G09G2320/0223—Compensation for problems related to R-C delay and attenuation in electrodes of matrix panels, e.g. in gate electrodes or on-substrate video signal electrodes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)

Abstract

본 발명의 표시장치는 표시패널, 입력센서, 및 회로기판을 포함한다. 상기 입력센서는 제1 방향으로 배열되고 각각이 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되는 제1 감지 전극들, 상기 제2 방향으로 배열되고 각각이 상기 제1 방향으로 연장되는 제2 감지 전극들, 상기 제1 감지 전극들에 각각 연결된 제1 감지 배선들, 및 상기 제2 감지 전극들에 각각 연결된 제2 감지 배선들을 포함한다. 상기 제1 감지 배선들의 저항 값들은 대응되는 제1 감지 전극이 내측에 배치될수록 감소하고, 상기 제2 감지 배선들의 저항 값들은 대응되는 제2 감지 전극이 상기 회로기판과 멀어질수록 증가하며, 서로 인접한 제2 감지 배선들의 저항 값들의 차이는 상기 대응되는 제2 감지 전극이 상기 회로기판과 멀어질수록 증가한다.

Description

표시장치 및 이의 제조방법{DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME}
본 발명은 표시장치 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 상세하게는 감지 신뢰도가 개선된 표시장치 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 사용자에게 영상을 제공하는 스마트폰, 디지털 카메라, 노트북 컴퓨터, 네비게이션, 및 스마트 텔레비젼 등의 전자기기는 영상을 표시하기 위한 표시장치를 포함한다. 표시장치는 영상을 생성하고, 생성된 영상을 표시 화면을 통해 사용자에게 제공한다.
표시장치는 영상을 생성하는 표시패널 및 표시패널 상에 배치되어 외부 입력을 감지하기 위한 입력센서를 포함한다. 표시패널은 영상을 생성하기 위한 복수 개의 화소들을 포함하고, 입력센서는 외부 입력을 감지하기 위한 복수 개의 감지 전극들을 포함한다.
감지 전극들을 구동시키기 위한 구동 신호들이 감지 전극들에 제공될 때, 표시패널과 발생된 노이즈가 구동 신호들에 영향을 미칠 수 있고, 구동 신호들이 왜곡될 수 있다.
본 발명의 일 목적은, 전기적인 신뢰도가 개선된 입력센서를 포함함으로써, 감지 신뢰도가 개선된 표시장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 목적은, 전기적인 신뢰도가 개선된 입력센서를 형성하여, 감지 신뢰도가 개선된 표시장치의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 따른 표시장치는, 화소를 포함하는 표시패널; 제1 방향으로 배열되고 각각이 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되는 제1 감지 전극들, 상기 제2 방향으로 배열되고 각각이 상기 제1 방향으로 연장되는 제2 감지 전극들, 상기 제1 감지 전극들에 각각 연결된 제1 감지 배선들, 및 상기 제2 감지 전극들에 각각 연결된 제2 감지 배선들을 포함하고, 상기 표시패널 상에 배치되는 입력센서; 및 상기 표시패널의 상기 제1 방향으로 연장되는 끝단에 인접하게 배치되고, 상기 제1 및 제2 감지 배선들과 전기적으로 연결된 회로기판을 포함한다. 상기 제1 감지 배선들의 저항 값들은 상기 제1 감지 전극들 중 대응되는 제1 감지 전극이 내측에 배치될수록 감소하고, 상기 제2 감지 배선들의 저항 값들은 상기 제2 감지 전극들 중 대응되는 제2 감지 전극이 상기 회로기판과 멀어질수록 증가하며, 서로 인접한 제2 감지 배선들의 저항 값들의 차이는 상기 대응되는 제2 감지 전극이 상기 회로기판과 멀어질수록 증가한다.
상기 표시패널은 상기 화소가 배치된 액티브 영역 및 상기 액티브 영역과 인접한 주변영역을 포함하고, 상기 화소는 적어도 하나의 트랜지스터를 포함하는 구동회로 및 상기 구동회로와 전기적으로 연결되는 제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 및 제2 전극들 사이에 배치된 발광층을 포함하는 발광소자를 포함할 수 있다. 상기 제2 전극에서 발생되는 노이즈는 상기 제1 방향에 대하여 상기 액티브 영역의 중앙 부분에 가까워질수록 감소하고, 상기 제2 방향에 대하여 상기 회로기판과 멀어질수록 증가하며, 상기 제2 전극에서 발생되는 노이즈의 상기 제2 방향에서의 증가율은 상기 회로기판과 멀어질수록 감소하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제1 감지 전극들 각각의 상기 제2 방향에서의 길이는 상기 제2 감지 전극들 각각의 상기 제1 방향에서의 길이보다 긴 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제1 감지 배선들은 상기 제1 감지 전극들의 일단들에 각각 연결되고, 상기 제2 감지 배선들은 상기 제2 감지 전극들의 일단들에 각각 연결되며, 상기 제1 감지 전극들의 상기 일단들은 상기 회로기판에 인접한 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 표시패널은, 상기 화소에 전기적으로 연결된 적어도 하나의 신호 라인; 및 상기 적어도 하나의 신호 라인이 연결된 표시 패드부를 더 포함하고, 상기 입력센서는, 상기 제1 및 제2 감지 배선들이 연결된 입력 패드부를 더 포함할 수 있다. 상기 적어도 하나의 신호 라인은 상기 표시 패드부를 통해 상기 회로기판과 전기적으로 연결되며, 상기 제1 및 제2 감지 배선들은 상기 입력 패드부를 통해 상기 회로기판과 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 감지 패드부는 상기 표시 패드부로부터 일 측에 이격하여 배치되는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 감지 패드부는 상기 표시 패드로부터 양 측에 각각 이격하여 배치되는 제1 부분 및 제2 부분을 포함하고, 상기 제1 감지 배선들의 일부는 상기 제1 부분에 연결되고 상기 제1 감지 배선들의 나머지 일부는 상기 제2 부분에 연결되며, 상기 제2 감지 배선들은 모두 상기 제1 부분에 연결되는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 입력센서는 상기 제1 감지 전극들의 타단들에 각각 연결되는 제3 감지 배선들을 더 포함하고, 상기 제3 감지 배선들의 저항 값들은 상기 제1 감지 전극들 중 대응되는 제1 감지 전극이 내측에 배치될수록 감소하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제1 및 제2 감지 배선들 각각은 단층 구조 및 복층 구조 중 어느 하나를 갖는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 입력센서는, 가드 배선; 및 상기 가드 배선보다 외측에 배치된 차폐 배선을 더 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명에 따른 표시장치 제조방법은, 표시패널 및 상기 표시패널 상에 배치된 기준 입력센서를 포함하는 기준 표시장치를 이용하여, 상기 기준 입력센서에서의 노이즈를 측정하는 단계; 및 상기 표시패널 및 제1 방향으로 배열된 제1 감지 전극들, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 배열된 제2 감지 전극들, 상기 제1 감지 전극들에 각각 연결된 제1 감지 배선들, 및 상기 제2 감지 전극들에 각각 연결된 제2 감지 배선들을 포함하며 상기 표시패널 상에 배치된 입력센서를 포함하는 표시장치를 형성하는 단계를 포함한다. 상기 표시장치를 형성하는 단계는, 측정된 노이즈를 근거로 상기 제1 감지 배선들의 저항을 설정하는 단계; 측정된 노이즈를 근거로 상기 제2 감지 배선들의 저항을 설정하는 단계; 및 상기 표시패널 상에 상기 입력센서를 형성하는 단계를 포함한다.
상기 제1 감지 배선들의 저항 값들은 상기 제1 감지 전극들 중 대응되는 제1 감지 전극이 내측에 배치될수록 감소되는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 표시장치는 상기 표시패널의 상기 제1 방향으로 연장되는 끝단에 인접하게 배치되고, 상기 제1 및 제2 감지 배선들과 전기적으로 연결된 회로기판을 더 포함하고, 상기 제2 감지 배선들의 저항 값들은 상기 제2 감지 전극들 중 대응되는 제2 감지 전극이 상기 회로기판과 멀어질수록 증가하며, 서로 인접한 제2 감지 배선들의 저항 값들의 차이는 상기 대응되는 제2 감지 전극이 상기 회로기판과 멀어질수록 증가하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 기준 표시장치는 상기 표시패널의 상기 제1 방향으로 연장되는 끝단에 인접하게 배치되는 회로기판을 더 포함할 수 있다. 상기 기준 입력센서는, 상기 제1 방향으로 배열된 제1 기준 감지 전극들; 상기 제2 방향으로 배열된 제2 기준 감지 전극들; 상기 제1 감지 전극들에 각각 연결된 제1 기준 감지 배선들; 및 상기 제2 감지 전극들에 각각 연결된 제2 기준 감지 배선들을 포함할 수 있다. 상기 제1 기준 감지 배선들의 저항 값들은 실질적으로 동일하며, 상기 회로기판과 멀어지는 방향으로 배열된 상기 제2 감지 전극들에 각각 연결된 상기 제2 감지 배선들의 저항 값들은 일정 비율로 증가하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제1 기준 감지 배선들에 발생되는 노이즈는 상기 제1 기준 감지 전극들 중 대응되는 제1 기준 감지 전극이 내측에 배치될수록 증가하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제1 감지 배선들의 저항 값들을 설정하는 단계는, 상기 제1 기준 감지 배선들에 발생되는 노이즈 경향성을 근거로 상기 제1 감지 배선들의 저항 값들의 경향성을 설정하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제2 기준 감지 배선들에 발생되는 노이즈는 상기 제2 기준 감지 전극들 중 대응되는 제2 기준 감지 전극이 상기 회로기판과 멀어질수록 증가하며, 서로 인접한 제2 기준 감지 배선들 간 노이즈 증가율은 상기 대응되는 제2 기준 감지 전극이 상기 회로기판과 멀어질수록 감소하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제2 감지 배선들의 저항 값들을 설정하는 단계는, 상기 제2 기준 감지 배선들에 발생되는 노이즈 경향성을 근거로 상기 제2 감지 배선들의 저항 값들의 경향성을 설정하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 기준 입력센서에서의 노이즈를 측정하는 단계는, 상기 제1 기준 감지 배선들 및 상기 제2 기준 감지 배선들 각각의 전압 변화를 측정하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 입력센서를 형성하는 단계에서, 상기 제1 기준 감지 배선들 각각의 길이 및 폭을 기준으로 상기 제1 감지 배선들 각각의 길이 및 폭 중 적어도 하나를 제어하여, 각각이 설정된 저항을 갖는 상기 제1 감지 배선들을 형성하고, 상기 제2 기준 감지 배선들 각각의 길이 및 폭을 기준으로 상기 제2 감지 배선들 각각의 길이 및 폭 중 적어도 하나를 제어하여, 각각이 설정된 저항을 갖는 상기 제2 감지 배선들을 형성하는 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명에 따르면, 표시패널에 발생되는 노이즈의 경향성을 고려하여, 입력센서의 감지 배선들의 저항 값들을 설정할 수 있다. 이를 통해, 표시패널로부터 전기적 간섭을 받아 입력센서에 노이즈가 발생되더라도, 위치에 따른 노이즈의 편차를 감소시킬 수 있다. 이를 통해, 입력센서의 전기적인 신뢰도가 개선될 수 있고, 감지 신뢰도가 개선된 표시장치를 제공할 수 있다.
본 발명에 따르면, 기준 입력센서 내의 기준 감지 배선들의 노이즈를 측정하여, 기준 감지 배선들의 노이즈 경향성을 근거로 입력센서의 감지 배선들의 저항 값들의 경향성을 설정할 수 있다. 이를 통해, 전기적인 신뢰도가 개선된 입력센서를 형성할 수 있고, 감지 신뢰도가 개선된 표시장치 제조방법을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시모듈의 단면도이다.
도 4a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 일부 구성의 평면도이다.
도 4b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 일부 영역을 확대한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시모듈의 일부 구성을 확대한 단면도이다.
도 6는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력센서의 평면도이다.
도 7a는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 감지 배선들의 저항 값들을 나타낸 그래프이다.
도 7b는 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 감지 배선들의 저항 값들을 나타낸 그래프이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 일부 영역들 내에 지점들을 표시한 평면도이다.
도 9a 내지 도 9c는 도 8에 도시한 표시패널의 일부 지점들에서의 전압 파형을 나타낸 그래프들이다.
도 10a 및 도 10b는 도 8에 도시한 표시패널의 일부 지점들에서의 최대 전압값들을 나타낸 그래프들이다.
도 11a 및 도 11b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시모듈의 일부 구성들의 확대 단면도들이다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력센서의 평면도이다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 입력센서의 평면도이다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치 제조방법을 나타낸 순서도이다.
도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 기준 입력센서의 평면도이다.
도 16a는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 기준 감지 배선들의 저항 값들을 나타낸 그래프이다.
도 16b는 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 기준 감지 배선들의 저항 값들을 나타낸 그래프이다.
도 17a는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 기준 감지 배선들 각각의 최대 전압을 나타낸 그래프이다.
도 17b는 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 감지 배선들 각각의 최대 전압을 나타낸 그래프이다.
도 18a는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 기준 감지 배선들 및 제1 감지 배선들 각각의 저항을 나타낸 그래프이다.
도 18b는 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 기준 감지 배선들 및 제2 감지 배선들 각각의 저항을 나타낸 그래프이다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소(또는 영역, 층, 부분 등)가 다른 구성요소 "상에 있다", "연결된다", 또는 "결합된다"고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 배치/연결/결합될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 구성요소가 배치될 수도 있다는 것을 의미한다.
동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 지칭한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께, 비율, 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. "및/또는"은 연관된 구성요소들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수 개의 표현을 포함한다.
또한, "아래에", "하측에", "상에", "상측에" 등의 용어는 도면에 도시된 구성요소들의 연관관계를 설명하기 위해 사용된다. 상기 용어들은 상대적인 개념으로, 도면에 표시된 방향을 기준으로 설명된다.
"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 모든 용어 (기술 용어 및 과학 용어 포함)는 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 또한, 일반적으로 사용되는 사전에서 정의된 용어와 같은 용어는 관련 기술의 맥락에서 갖는 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하고, 여기서 명시적으로 정의되지 않는 한 너무 이상적이거나 지나치게 형식적인 의미로 해석되어서는 안 된다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 사시도이다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 단면도이다. 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시모듈의 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(DD)는 제1 방향(DR1)으로 연장하는 장변들을 갖고, 제1 방향(DR1)과 교차하는 제2 방향(DR2)으로 연장하는 단변들을 갖는 직사각형 형상을 가질 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고, 표시장치(DD)는 원형 또는 다각형 등 다양한 형상들을 가질 수 있다.
이하, 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)에 의해 정의된 평면과 실질적으로 수직하게 교차하는 방향은 제3 방향(DR3)으로 정의된다. 또한, 본 명세서에서, 평면상에서 봤을 때의 의미는 제3 방향(DR3)에서 바라본 상태로 정의된다.
표시장치(DD)의 상면은 표시면(DS)으로 정의될 수 있으며, 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)에 의해 정의된 평면을 가질 수 있다. 표시면(DS)을 통해 표시장치(DD)에서 생성된 영상(IM)이 사용자에게 제공될 수 있다.
표시면(DS)은 표시영역(DA) 및 표시영역(DA) 주변의 비표시영역(NDA)을 포함할 수 있다. 표시영역(DA)은 영상을 표시하고, 비표시영역(NDA)은 영상을 표시하지 않을 수 있다. 비표시영역(NDA)은 표시영역(DA)을 둘러싸고, 소정의 색으로 인쇄되는 표시장치(DD)의 테두리를 정의할 수 있다.
표시장치(DD)는 텔레비전, 모니터, 또는 외부 광고판과 같은 대형 전자장치들에 사용될 수 있다. 또한, 표시장치(DD)는 퍼스널 컴퓨터, 노트북 컴퓨터, 개인 디지털 단말기, 자동차 내비게이션, 게임기, 스마트폰, 태블릿, 또는 카메라와 같은 중소형 전자장치들에 사용될 수도 있다. 그러나, 이것들은 단지 예시적인 실시예로서 제시된 것이며, 본 발명의 개념에서 벗어나지 않은 이상 다른 전자 기기들에도 사용될 수 있다.
도 2는 도 1에 도시된 표시장치(DD)의 단면을 예시적으로 도시한 도면이다. 도 3은 도 2에 도시된 표시모듈(DM)의 단면을 예시적으로 도시한 도면이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 표시장치(DD)는 표시모듈(DM), 반사방지층(RPL), 윈도우(WIN), 패널 보호필름(PPF), 및 제1 내지 제3 접착층들(AL1~AL3)을 포함할 수 있다. 표시모듈(DM)은 영상(IM, 도 1 참조)을 표시하고 외부 입력을 감지할 수 있다. 표시모듈(DM)은 표시패널(DP) 및 입력센서(ISL)를 포함할 수 있다.
표시패널(DP)은 실질적으로 영상(IM, 도 1 참조)을 생성하는 구성일 수 있다. 표시패널(DP)은 발광형 표시패널일 수 있고, 특별히 제한되지 않는다. 예를 들어, 표시패널(DP)은 유기 발광 표시패널 또는 퀀텀닷 발광 표시패널일 수 있다. 유기 발광 표시패널의 발광층은 유기 발광 물질을 포함할 수 있다. 퀀텀닷 발광 표시패널의 발광층은 퀀텀닷 및 퀀텀로드 등을 포함할 수 있다. 이하, 표시패널(DP)은 유기 발광 표시패널로 설명된다.
일 실시예에서, 표시패널(DP)은 가요성 표시패널일 수 있다. 예를 들어, 표시패널(DP)은 가요성 기판 상에 배치된 복수 개의 전자 소자들을 포함할 수 있다.
본 실시예에서, 표시패널(DP)은 베이스층(BL), 베이스층(BL) 상에 배치된 회로 소자층(DP-CL), 회로 소자층(DP-CL) 상에 배치된 표시 소자층(DP-OLED), 및 표시 소자층(DP-OLED) 상에 배치된 박막 봉지층(TFE)을 포함할 수 있다.
베이스층(BL)은 액티브 영역(AA) 및 액티브 영역(AA) 주변의 주변영역(NAA)을 포함할 수 있다. 표시 소자층(DP-OLED)은 액티브 영역(AA) 상에 배치될 수 있다. 베이스층(BL)은 폴리 이미드(PI:polyimide)와 같은 가요성 플라스틱 물질을 포함할 수 있다.
회로 소자층(DP-CL) 및 표시 소자층(DP-OLED)에 복수 개의 화소들이 배치될 수 있다. 화소들 각각은 회로 소자층(DP-CL)에 배치된 트랜지스터 및 표시 소자층(DP-OLED)에 배치되어 트랜지스터에 연결된 발광소자를 포함할 수 있다. 화소의 구성은 이하 상세히 설명될 것이다.
박막 봉지층(TFE)은 표시 소자층(DP-OLED)을 덮을 수 있다. 박막 봉지층(TFE)은 순차적으로 적층된 무기층, 유기층, 및 무기층을 포함할 수 있다. 무기층들은 무기 물질을 포함하고, 수분/산소로부터 화소들을 보호할 수 있다. 유기층은 유기 물질을 포함하고, 먼지 입자와 같은 이물질로부터 화소들을 보호할 수 있다.
입력센서(ISL)는 표시패널(DP) 상에 배치될 수 있다. 입력센서(ISL)는 외부에서 인가되는 외부 입력을 센싱할 수 있다. 외부 입력은 표시장치(DD, 도 1 참조)의 외부에서 제공되는 다양한 형태의 입력들을 포함할 수 있다. 외부 입력은 외부에서 인가되는 입력은 다양한 형태로 제공될 수 있다. 예를 들어, 외부 입력은 사용자의 손 등 신체의 일부에 의한 접촉은 물론 표시장치(DD)와 근접하거나, 소정의 거리로 인접하여 인가되는 외부 입력(예를 들어, 호버링)을 포함할 수 있다. 또한, 힘, 압력, 광 등 다양한 형태를 가질 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다. 입력센서(ISL)는 정전 용량 방식으로 외부의 입력을 감지하기 위한 복수 개의 센서부들(미 도시됨)을 포함할 수 있다.
입력센서(ISL)는 표시패널(DP)의 제조 시, 표시패널(DP) 상에 바로 제조될 수 있다. 이에 따라, 입력센서(ISL)는 박막 봉지층(TFE) 상에 배치될 수 있고, 입력센서(ISL)는 연속 공정을 통해 박막 봉지층(TFE) 상에 형성된 것일 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고, 입력센서(ISL)는 표시패널(DP)과는 별도의 패널로 제조되어, 접착층에 의해 표시패널(DP)에 부착될 수도 있다.
반사방지층(RPL)은 입력센서(ISL) 상에 배치될 수 있다. 반사방지층(RPL)은 표시장치(DD) 위에서부터 표시패널(DP)을 향해 입사되는 외부광의 반사율을 감소시킬 수 있다. 예시적으로 반사방지층(RPL)은 위상 지연자(retarder) 및/또는 편광자(polarizer)를 포함할 수 있다.
윈도우(WIN)는 반사방지층(RPL) 상에 배치될 수 있다. 윈도우(WIN)는 외부의 스크래치 및 충격으로부터 표시모듈(DM) 및 반사방지층(RPL)을 보호할 수 있다.
패널 보호필름(PPF)은 표시패널(DP)의 하부에 배치될 수 있다. 패널 보호필름(PPF)은 표시패널(DP)의 하부를 보호할 수 있다. 패널 보호필름(PPF)은 폴리에틸렌테레프탈레이트(Polyethyleneterephthalate, PET)와 같은 가요성 플라스틱 물질을 포함할 수 있다.
제1 접착층(AL1)은 표시패널(DP)과 패널 보호필름(PPF) 사이에 배치되어 표시패널(DP)과 패널 보호필름(PPF)을 서로 합착시킬 수 있다. 제2 접착층(AL2)은 반사방지층(RPL)과 입력센서(ISL) 사이에 배치되어 반사방지층(RPL)과 입력센서(ISL)를 서로 합착시킬 수 있다. 제3 접착층(AL3)은 윈도우(WIN)와 반사방지층(RPL) 사이에 배치되어 윈도우(WIN)와 반사방지층(RPL)을 서로 합착시킬 수 있다.
도 4a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 일부 구성의 평면도이다. 도 4b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 일부 영역을 확대한 단면도이다.
도 4a를 참조하면, 표시장치(DD)는 표시패널(DP), 주사 구동부(SDV)(scan driver), 데이터 구동부(DDV)(data driver), 발광 구동부(EDV)(emission driver), 회로기판(PCB), 타이밍 컨트롤러(T-CON), 및 감지 제어부(S-CON)를 포함할 수 있다.
표시패널(DP)은 제1 방향(DR1)으로 연장하는 단변들 및 제2 방향(DR2)으로 연장하는 장변들을 갖는 직사각형 형상을 가질 수 있다. 표시패널(DP)은 액티브 영역(AA) 및 액티브 영역(AA)에 인접한 주변영역(NAA)으로 구분될 수 있다. 일 실시예에서, 주변영역(NAA)은 액티브 영역(AA)을 둘러쌀 수 있다. 표시패널(DP)의 액티브 영역(AA) 및 주변영역(NAA)은 각각 도 1에서 상술한 표시장치(DD)의 표시영역(DA) 및 비표시영역(NDA)에 대응될 수 있다.
표시패널(DP)은 복수 개의 화소들(PX), 복수 개의 주사 라인들(SL1~SLm), 복수 개의 데이터 라인들(DL1~DLn), 복수 개의 발광 라인들(EL1~ELm), 제1 및 제2 제어 라인들(CSL1, CSL2), 제1 및 제2 전원 라인들(PL1, PL2), 연결 라인들(CNL), 및 표시 패드부(PDP)을 포함할 수 있다. m 및 n은 자연수이다.
화소들(PX)은 액티브 영역(AA)에 배치될 수 있다. 주사 구동부(SDV) 및 발광 구동부(EDV)는 표시패널(DP)의 장변들에 각각 인접한 주변영역(NAA)에 배치될 수 있다. 데이터 구동부(DDV)는 표시패널(DP)의 단변들 중 어느 하나의 단변에 인접한 주변영역(NAA)에 배치될 수 있다. 평면상에서 봤을 때, 데이터 구동부(DDV)는 표시패널(DP)의 하단에 인접할 수 있다. 데이터 구동부(DDV)는 집적 회로 칩 형태로 제작되어 표시패널(DP) 상에 실장될 수 있다.
주사 라인들(SL1~SLm)은 제2 방향(DR2)으로 연장되어 화소들(PX) 및 주사 구동부(SDV)에 연결될 수 있다. 데이터 라인들(DL1~DLn)은 제2 방향(DR2)으로 연장되어 화소들(PX) 및 데이터 구동부(DDV)에 연결될 수 있다. 발광 라인들(EL1~ELm)은 제1 방향(DR1)으로 연장되어 화소들(PX) 및 발광 구동부(EDV)에 연결될 수 있다.
제1 전원 라인(PL1)은 제2 방향(DR2)으로 연장하여 주변영역(NAA)에 배치될 수 있다. 제1 전원 라인(PL1)은 액티브 영역(AA)과 발광 구동부(EDV) 사이에 배치될 수 있으나, 이에 한정되지 않고, 제1 전원 라인(PL1)은 액티브 영역(AA)과 주사 구동부(SDV) 사이에 배치될 수 있다.
연결 라인들(CNL)은 제1 방향(DR1)으로 연장하고 제2 방향(DR2)으로 배열될 수 있다. 연결 라인들(CNL)은 제1 전원 라인(PL1) 및 화소들(PX)에 연결될 수 있다. 서로 연결된 제1 전원 라인(PL1) 및 연결 라인들(CNL)을 통해 제1 전압이 화소들(PX)에 인가될 수 있다.
제2 전원 라인(PL2)은 주변영역(NAA)에 배치될 수 있다. 제2 전원 라인(PL2)은 표시패널(DP)의 장변들 및 데이터 구동부(DDV)가 배치되지 않은 표시패널(DP)의 다른 하나의 단변을 따라 연장할 수 있다. 제2 전원 라인(PL2)은 주사 구동부(SDV) 및 발광 구동부(EDV)보다 외곽에 배치될 수 있다.
제2 전원 라인(PL2)은 액티브 영역(AA)을 향해 연장되어 화소들(PX)에 연결될 수 있다. 제2 전원 라인(PL2)을 통해 제1 전압보다 낮은 레벨을 갖는 제2 전압이 화소들(PX)에 인가될 수 있다.
제1 제어 라인(CSL1)은 주사 구동부(SDV)에 연결되고, 평면 상에서 봤을 때, 표시패널(DP)의 하단을 향해 연장될 수 있다. 제2 제어 라인(CSL2)은 발광 구동부(EDV)에 연결되고, 평면 상에서 봤을 때, 표시패널(DP)의 하단을 향해 연장될 수 있다. 데이터 구동부(DDV)는 제1 제어 라인(CSL1) 및 제2 제어 라인(CSL2) 사이에 배치될 수 있다.
표시패널(DP)의 하단에 인접한 주변영역(NAA)에 표시 패드부(PDP)가 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 표시 패드부(PDP)는 표시패널(DP)의 하단에 인접한 주변영역(NAA) 중 중앙 부분에 배치될 수 있다.
표시 패드부(PDP)는 표시 패드들(PD)을 포함할 수 있다. 데이터 구동부(DDV), 제1 전원 라인(PL1), 제2 전원 라인(PL2), 제1 제어 라인(CSL1), 및 제2 제어 라인(CSL2)은 표시 패드들(PD)에 연결될 수 있다. 데이터 라인들(DL1~DLn)은 데이터 구동부(DDV)에 연결되고, 데이터 구동부(DDV)는 데이터 라인들(DL1~DLn)에 대응하는 표시 패드들(PD)에 연결될 수 있다.
회로기판(PCB)은 표시 패드들(PD)에 연결될 수 있다. 타이밍 컨트롤러(T-CON) 및 감지 제어부(S-CON)는 집적 회로 칩으로 제조되어 회로기판(PCB) 상에 실장될 수 있다. 타이밍 컨트롤러(T-CON)는 회로기판(PCB)을 통해 데이터 구동부(DDV) 및 제1 및 제2 제어 라인들(CSL1, CSL2)에 연결된 표시 패드들(PD)에 연결될 수 있다.
제1 및 제2 전압들을 생성하기 위한 전압 생성부가 회로기판(PCB) 상에 배치되고, 전압 생성부는 제1 및 제2 전원 라인들(PL1, PL2)에 연결된 표시 패드들(PD)에 연결될 수 있다.
타이밍 컨트롤러(T-CON)는 주사 제어 신호, 데이터 제어 신호, 및 발광 제어 신호를 생성할 수 있다. 주사 제어 신호는 제1 제어 라인(CSL1)을 통해 주사 구동부(SDV)에 제공될 수 있다. 발광 제어 신호는 제2 제어 라인(CSL2)을 통해 발광 구동부(EDV)에 제공될 수 있다. 데이터 제어 신호는 데이터 구동부(DDV)에 제공될 수 있다. 타이밍 컨트롤러(T-CON)는 영상 신호들을 데이터 구동부(DDV)에 제공할 수 있다.
주사 구동부(SDV)는 주사 제어 신호에 응답하여 복수 개의 주사 신호들을 생성하고, 주사 신호들은 주사 라인들(SL1~SLm)을 통해 화소들(PX)에 인가될 수 있다.
데이터 구동부(DDV)는 데이터 제어 신호에 응답하여 영상 신호들에 대응하는 복수 개의 데이터 전압들을 생성할 수 있다. 데이터 전압들은 데이터 라인들(DL1~DLn)을 통해 화소들(PX)에 인가될 수 있다.
발광 구동부(EDV)는 발광 제어 신호에 응답하여 복수 개의 발광 신호들을 생성하고, 발광 신호들은 발광 라인들(EL1~ELm)을 통해 화소들(PX)에 인가될 수 있다.
화소들(PX)은 주사 신호들에 응답하여 데이터 전압들을 제공받을 수 있다. 화소들(PX)은 발광 신호들에 응답하여 데이터 전압들에 대응하는 휘도의 광을 발광함으로써 영상을 표시할 수 있다. 화소들(PX)의 발광 시간은 발광 신호들에 의해 제어될 수 있다.
도 4a에는 입력센서(ISL, 도 2 참조)에 배치된 입력 패드부(PDP-I)을 함께 도시하였으며, 입력 패드부(PDP-I)는 이하 설명될 감지 배선들이 연결되는 입력 패드들이 배치되는 영역일 수 있다. 본 실시예에서, 입력 패드부(PDP-I)는 평면 상에서 표시 패드부(PDP)으로부터 일 측에 이격되어 배치될 수 있다.
감지 제어부(S-CON)는 회로기판(PCB)을 통해 이하 설명될 입력센서(ISL, 도 2 참조)의 입력 패드들에 연결될 수 있다. 감지 제어부(S-CON)는 입력센서(ISL, 도 2 참조)를 구동시키기 위한 신호들을 입력센서(ISL, 도 2 참조)에 제공할 수 있다. 입력 패드부(PDP-I) 및 입력 패드들에 대한 자세한 설명은 후술한다.
도 4b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 일부 영역을 확대하여 도시한 단면도이다. 도 4b는 도 4a에 도시된 어느 한 화소(PX)가 배치된 표시패널의 단면을 예시적으로 도시한 도면이다.
도 4b를 참조하면, 화소(PX)는 트랜지스터(TR) 및 발광소자(OLED)를 포함할 수 있다. 발광소자(OLED)는 제1 전극(AE), 제2 전극(CE), 정공 제어층(HCL), 전자 제어층(ECL), 및 발광층(EML)을 포함할 수 있다. 제1 전극(AE)은 애노드 전극일 수 있으며, 제2 전극(CE)은 캐소드 전극일 수 있다.
트랜지스터(TR) 및 발광소자(OLED)는 베이스층(BL) 상에 배치될 수 있다. 예시적으로 하나의 트랜지스터(TR)가 도시되었으나, 실질적으로, 화소(PX)는 발광소자(OLED)를 구동하기 위한 복수 개의 트랜지스터들 및 적어도 하나의 커패시터를 포함할 수 있다.
액티브 영역(AA)은 화소들(PX) 각각에 대응하는 발광영역(PA) 및 발광영역(PA)에 인접한 비발광영역(NPA)을 포함할 수 있다. 발광소자(OLED)는 발광영역(PA)에 배치될 수 있다.
베이스층(BL) 상에 버퍼층(BFL)이 배치되며, 버퍼층(BFL)은 무기층일 수 있다. 버퍼층(BFL) 상에 반도체 패턴이 배치될 수 있다. 반도체 패턴은 폴리 실리콘을 포함할 수 있다. 그러나 이에 제한되지 않고, 반도체 패턴은 비정질 실리콘 또는 금속 산화물을 포함할 수도 있다.
반도체 패턴은 N형 도판트 또는 P형 도판트로 도핑될 수 있다. 반도체 패턴은 고 도핑 영역과 저 도핑 영역을 포함할 수 있다. 고 도핑 영역의 전도성은 저 도핑 영역보다 크고, 실질적으로 트랜지스터(TR)의 소스 전극 및 드레인 전극 역할을 할 수 있다. 저 도핑 영역은 실질적으로 트랜지스터의 액티브(또는 채널)에 해당할 수 있다.
트랜지스터(TR)의 소스(S), 액티브(A), 및 드레인(D)은 반도체 패턴으로부터 형성될 수 있다. 반도체 패턴 상에 제1 절연층(INS1)이 배치될 수 있다. 제1 절연층(INS1) 상에 트랜지스터(TR)의 게이트(G)가 배치될 수 있다. 게이트(G) 상에 제2 절연층(INS2)이 배치될 수 있다. 제2 절연층(INS2) 상에 제3 절연층(INS3)이 배치될 수 있다.
연결 전극들(CNE)은 트랜지스터(TR)와 발광소자(OLED) 사이에 배치되어 트랜지스터(TR)와 발광소자(OLED)를 연결할 수 있다. 연결 전극들(CNE)은 제1 연결 전극(CNE1) 및 제2 연결 전극(CNE2)을 포함할 수 있다.
제1 연결 전극(CNE1)은 제3 절연층(INS3) 상에 배치되고, 제1 내지 제3 절연층들(INS1 내지 INS3)에 정의된 제1 컨택홀(CH1)을 통해 드레인(D)에 연결될 수 있다. 제4 절연층(INS4)은 제1 연결 전극(CNE1) 상에 배치될 수 있다. 제4 절연층(INS4) 상에 제5 절연층(INS5)이 배치될 수 있다. 제2 연결 전극(CNE2)은 제5 절연층(INS5) 상에 배치될 수 있다. 제2 연결 전극(CNE2)은 제4 및 제5 절연층들(INS4, INS5)에 정의된 제2 컨택홀(CH2)을 통해 제1 연결 전극(CNE1)에 연결될 수 있다.
제2 연결 전극(CNE2) 상에 제6 절연층(INS6)이 배치될 수 있다. 버퍼층(BFL)부터 제6 절연층(INS6)까지의 층은 회로 소자층(DP-CL)으로 정의될 수 있다. 제1 내지 제6 절연층들(INS1 내지 INS6)은 무기층 또는 유기층일 수 있다.
제6 절연층(INS6) 상에 제1 전극(AE)이 배치될 수 있다. 제1 전극(AE)은 제6 절연층(INS6)에 정의된 제3 컨택홀(CH3)을 통해 제2 연결 전극(CNE2)에 연결될 수 있다. 제1 전극(AE) 및 제6 절연층(INS6) 상에 제1 전극(AE)의 소정의 부분을 노출시키는 화소 정의막(PDL)이 배치될 수 있다. 화소 정의막(PDL)에는 제1 전극(AE)의 소정의 부분을 노출시키기 위한 개구부(PX_OP)가 정의될 수 있다.
정공 제어층(HCL)은 제1 전극(AE) 및 화소 정의막(PDL) 상에 배치될 수 있다. 정공 제어층(HCL)은 발광영역(PA)과 비발광영역(NPA)에 공통으로 배치될 수 있다. 정공 제어층(HCL)은 정공 수송층 및 정공 주입층을 포함할 수 있다.
발광층(EML)은 정공 제어층(HCL) 상에 배치될 수 있다. 발광층(EML)은 개구부(PX_OP)에 대응하는 영역에 배치될 수 있다. 발광층(EML)은 유기 물질 및/또는 무기 물질을 포함할 수 있다. 발광층(EML)은 적색, 녹색, 및 청색 중 어느 하나의 광을 생성할 수 있다.
전자 제어층(ECL)은 발광층(EML) 및 정공 제어층(HCL) 상에 배치될 수 있다. 전자 제어층(ECL)은 발광영역(PA)과 비발광영역(NPA)에 공통으로 배치될 수 있다. 전자 제어층(ECL)은 전자 수송층 및 전자 주입층을 포함할 수 있다.
제2 전극(CE)은 전자 제어층(ECL) 상에 배치될 수 있다. 제2 전극(CE)은 화소들(PX)에 공통으로 배치될 수 있다. 발광소자(OLED)가 배치된 층은 표시 소자층(DP-OLED)으로 정의될 수 있다.
박막 봉지층(TFE)은 제2 전극(CE) 상에 배치되어 발광소자(OLED)를 덮을 수 있다. 박막 봉지층(TFE)은 제2 전극(CE) 상에 배치된 제1 봉지층(EN1), 제1 봉지층(EN1) 상에 배치된 제2 봉지층(EN2), 및 제2 봉지층(EN2) 상에 배치된 제3 봉지층(EN3)을 포함할 수 있다.
제1 및 제3 봉지층들(EN1, EN3)은 무기층일 수 있고, 제2 봉지층(EN2)은 유기층일 수 있다. 제1 및 제3 봉지층들(EN1, EN3)은 수분/산소로부터 발광소자(OLED)를 보호할 수 있다. 제2 봉지층(EN2)은 먼지 입자와 같은 이물질로부터 발광소자(OLED)를 보호할 수 있다.
제1 전압이 트랜지스터(TR)를 통해 제1 전극(AE)에 인가되고, 제2 전압이 제2 전극(CE)에 인가될 수 있다. 발광층(EML)에 주입된 정공과 전자가 결합하여 여기자(exciton)가 형성되고, 여기자가 바닥 상태로 전이하면서, 발광소자(OLED)가 발광할 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시모듈의 일부 구성을 확대한 단면도이다. 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 입력센서의 평면도이다. 도 2 내지 도 4b에서 설명한 구성과 동일/유사한 구성에 대해 동일/유사한 참조 부호를 사용하며, 중복된 설명은 생략한다.
도 5를 참조하면, 입력센서(ISL)는 박막 봉지층(TFE) 상에 배치될 수 있다. 입력센서(ISL)는 제1 감지 절연층(TIL1), 제1 감지 도전층(TML1), 제2 감지 절연층(TIL2), 제2 감지 도전층(TML2), 및 제3 감지 절연층(TIL3)을 포함할 수 있다.
제1 감지 절연층(TIL1)은 박막 봉지층(TFE) 상에 직접 배치될 수 있다. 한편, 입력센서(ISL)의 일 실시예에 따라 제1 감지 절연층(TIL1)은 생략될 수 있다.
제1 감지 도전층(TML1) 및 제2 감지 도전층(TML2) 각각은 단층 구조를 갖거나, 다층 구조를 가질 수 있다. 다층 구조의 도전층은 투명 도전층과 금속층 중 적어도 하나로 구성될 수 있다. 다층 구조의 도전층은 서로 다른 금속을 포함하는 금속층들을 포함할 수 있다.
제1 및 제2 감지 도전층들(TML1, TML2) 각각은 투명 도전층으로 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide), PEDOT, 금속 나노 와이어, 및 그래핀 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 제1 및 제2 감지 도전층들(TML1, TML2) 각각은 금속층으로 몰리브덴, 은, 티타늄, 구리, 알루미늄, 및 이들의 합금을 포함할 수 있다.
예를 들어, 제1 및 제2 감지 도전층들(TML1, TML2) 각각은 티타늄/알루미늄/티타늄으로 구성된 3층 구조를 가질 수 있다. 상대적으로 내구성이 높고 반사율이 낮은 금속을 도전층의 외층에 적용할 수 있고, 전기전도율이 높은 금속을 도전층의 내층에 적용할 수 있다.
제1 내지 제3 감지 절연층들(TIL1, TIL2, TIL3) 각각은 무기막 또는 유기막을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 및 제2 감지 도전층들(TML1, TML2) 각각은 무기막을 포함할 수 있다. 무기막은 알루미늄 옥사이드, 티타늄 옥사이드, 실리콘 옥사이드 실리콘옥시나이트라이드, 지르코늄옥사이드, 및 하프늄 옥사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 제3 감지 절연층(TIL3)은 유기막을 포함할 수 있다. 유기막은 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지, 실록산계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지 및 페릴렌계 수지 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
도 6을 참조하면, 입력센서(ISL)는 감지 전극들(TE1, TE2), 감지 전극들(TE1, TE2)에 각각 연결되는 감지 배선들(TL1, TL2), 적어도 하나의 입력 패드부(PDP-I), 적어도 하나의 접지 배선(GNL), 및 적어도 하나의 가드 배선(GDL)을 포함할 수 있다.
입력센서(ISL)는 제1 방향(DR1)으로 연장하는 단변들 및 제2 방향(DR2)으로 연장하는 장변들을 갖는 직사각형 형상을 가질 수 있다. 입력센서(ISL)는 액티브 영역(AA-I) 및 액티브 영역(AA-I)에 인접한 주변영역(NAA-I)으로 구분될 수 있다. 입력센서(ISL)의 액티브 영역(AA-I) 및 주변영역(NAA-I)은 각각 도 4a에서 상술한 표시패널(DP)의 액티브 영역(AA) 및 주변영역(NAA)과 대응될 수 있다.
감지 전극들(TE1, TE2)은 액티브 영역(AA-I)에 배치될 수 있다. 감지 전극들(TE1, TE2)은 제1 감지 전극들(TE1) 및 제2 감지 전극들(TE2)을 포함할 수 있다.
제1 감지 전극들(TE1) 각각은 제2 방향(DR2)으로 연장되고, 제1 감지 전극들(TE1)은 제1 방향(DR1)을 따라 배열될 수 있다.
제1 감지 전극들(TE1) 각각은 제1 감지 패턴들(SP1) 및 적어도 하나의 제1 도전 패턴(BP1)을 포함할 수 있다. 제1 감지 패턴들(SP1)은 제1 방향(DR1)을 따라 배열될 수 있다. 적어도 하나의 제1 도전 패턴(BP1)은 서로 인접한 두 개의 제1 감지 패턴들(SP1)에 연결될 수 있다.
제2 감지 전극들(TE2) 각각은 제1 방향(DR1)으로 연장되고, 제2 감지 전극들(TE2)은 제1 방향(DR1)을 따라 배열될 수 있다.
제2 감지 전극들(TE2)은 제2 감지 패턴들(SP2) 및 적어도 하나의 제2 도전 패턴(BP2)을 포함할 수 있다. 제2 감지 패턴들(SP2)은 제2 방향(DR2)을 따라 배열될 수 있다. 적어도 하나의 제2 도전 패턴(BP2)은 서로 인접한 두 개의 제2 감지 패턴들(SP2) 사이에 배치될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제2 감지 패턴들(SP2) 및 제2 도전 패턴들(BP2)은 동일 공정에 의해 패터닝 되는 일체 형상의 패턴일 수 있다.
일 실시예에 따르면, 제1 도전 패턴(BP1)은 도 5에서 설명한 제1 감지 도전층(TML1)에 포함될 수 있고, 제1 감지 패턴들(SP1), 제2 감지 패턴들(SP2), 및 제2 도전 패턴(BP2)은 도 5에서 설명한 제2 감지 도전층(TML2)에 포함될 수 있다.
입력센서(ISL)의 하단에 인접한 주변영역(NAA-I)에 입력 패드부(PDP-I)가 배치될 수 있다. 입력 패드부(PDP-I)는 복수 개의 입력 패드들(PD-I)을 포함할 수 있다. 입력 패드들(PD-I)은 상술한 회로기판(PCB, 도 4a 참조)에 연결될 수 있다. 상술한 감지 제어부(S-CON, 도 4a 참조)는 회로기판(PCB, 도 4a 참조)을 통해 입력 패드들(PD-I)에 연결될 수 있다.
설명의 편의를 위해, 도 6에는 표시패널(DP, 도 4a 참조)의 표시 패드부(PDP)를 함께 도시하였다. 본 실시예에서, 입력 패드부(PDP-I)는 평면 상에서 표시 패드부(PDP)로부터 제1 방향(DR1)의 반대 방향으로 이격되어 배치될 수 있고, 입력 패드부(PDP-I)는 입력센서(ISL)의 좌측 끝 단에 인접하게 배치될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 입력 패드부(PDP-I)는 표시 패드부(PDP, 도 4a 참조)로부터 제1 방향(DR1)으로 이격되어 배치되어, 입력센서(ISL)의 우측 끝 단에 인접하게 배치될 수 있다.
본 발명의 다른 일 실시예에서, 입력 패드들(PD-I)은 표시패널(DP, 도 4a 참조)에 배치될 수도 있다. 구체적으로, 감지 배선들(TL1, TL2)이 제1 및 제2 감지 절연층들(TIL1, TIL2, 도 5 참조) 및 표시패널(DP, 도 4a 참조) 내의 일부 절연층들을 관통하는 컨택홀을 통해 표시패널(DP, 도 4a 참조)에 배치된 별도의 배선들에 연결되어, 표시패널(DP, 도 4a 참조)에서 연결된 배선들을 통해 표시패널(DP, 도 4a 참조)에 배치된 입력 패드들(PD-I)에 연결될 수도 있다.
감지 배선들(TL1, TL2)은 주변영역(NAA-I)에 배치될 수 있다. 감지 배선들(TL1, TL2)은 제1 감지 배선들(TL1) 및 제2 감지 배선들(TL2)을 포함할 수 있다.
본 실시예에서, 제1 감지 배선들(TL1) 각각은 제1 감지 전극들(TE1) 중 대응되는 제1 감지 전극(TE1)의 일단에 연결될 수 있다. 제1 감지 배선들(TL1) 각각은 대응되는 제1 감지 전극(TE1)의 양 끝단들 중 입력 패드부(PDP-I)에 인접한 끝단에 연결될 수 있다.
본 실시예에서, 제2 감지 배선들(TL2) 각각은 제2 감지 전극들(TE2) 중 대응되는 제2 감지 전극(TE2)의 일단에 연결될 수 있다. 도 6에는 제2 감지 배선들(TL2) 각각이 대응되는 제2 감지 전극(TE2)의 양 끝단들 중 좌측 끝단에 연결된 것을 예시적으로 도시하였다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 입력 패드부(PDP-I)가 입력센서(ISL)의 우측 끝 단에 인접하게 배치되는 경우, 제2 감지 배선들(TL2) 각각은 대응되는 제2 감지 전극(TE2)의 우측 끝단에 연결될 수도 있다.
일 실시예에서, 제2 감지 전극들(TE2)은 입력 감지 전극들로 정의되고, 제1 감지 전극들(TE1)은 출력 감지 전극들로 정의될 수 있다. 입력센서(ISL)는 상호 감지 모드로 구동될 수 있다. 예를 들어, 제2 감지 배선들(TL2)을 통해 제2 감지 전극들(TE2)에 구동 신호들이 인가되고, 제1 감지 전극들(TE1)로부터 제1 감지 배선들(TL1)을 통해 센싱 신호들이 출력될 수 있다. 전술한 감지 제어부가 구동 신호들을 출력하고, 센싱 신호를 수신할 수 있다.
다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 감지 전극들(TE1)이 입력 감지 전극들로 정의되고, 제2 감지 전극들(TE2)이 출력 감지 전극들로 정의되어, 제1 감지 배선들(TL1)을 통해 제1 감지 전극들(TE1)에 구동 신호들이 인가되고, 제2 감지 전극들(TE2)로부터 제2 감지 배선들(TL2)을 통해 센싱 신호들이 출력될 수도 있다.
제1 감지 배선들(TL1) 각각의 타단은 입력 패드들(PD-I) 중 대응되는 입력 패드(PD-I)에 연결될 수 있다. 제2 감지 배선들(TL2) 각각의 타단은 입력 패드들(PD-I) 중 대응되는 입력 패드(PD-I)에 연결될 수 있다. 즉, 제1 감지 배선들(TL1) 각각은 대응되는 제1 감지 전극(TE1)의 일단으로부터 대응되는 입력 패드(PD-I)까지 연장되고, 제2 감지 배선들(TL2) 각각은 대응되는 제2 감지 전극(TE2)의 일단으로부터 대응되는 입력 패드(PD-I)까지 연장될 수 있다.
일 실시예에서, 제1 감지 배선들(TL1)의 길이는 제1 방향(DR1)으로 갈수록 증가될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 감지 배선들(TL1) 중 최 좌측에 배치된 제1 감지 배선보다 내측에 배치된 제1 감지 배선이 가장 짧은 길이를 가질 수도 있다.
일 실시예에서, 제2 감지 배선들(TL2)의 길이는 연결되는 제2 감지 전극(TE2)이 입력 패드부(PDP-I)(또는, 회로기판(PCB, 도 4a 참조))와 멀어질수록 증가될 수 있다.
본 발명에 따르면, 제1 감지 배선들(TL1) 각각의 길이 및/또는 폭을 제어함으로써, 제1 감지 배선들(TL1)의 저항 값들을 설정할 수 있다. 마찬가지로, 제2 감지 배선들(TL2) 각각의 길이 및/또는 폭을 제어함으로써, 제2 감지 배선들(TL2)의 저항 값들을 설정할 수 있다. 이를 통해, 제1 및 제2 감지 전극들(TE1, TE2)에 발생되는 노이즈의 편차를 줄일 수 있다. 이에 대한 자세한 설명은 후술한다.
본 실시예에서, 입력센서(ISL)는 적어도 하나의 접지 배선(GNL) 및 적어도 하나의 가드 배선(GDL)을 더 포함할 수 있다.
적어도 하나의 접지 배선(GNL)은 주변영역(NAA-I)에 배치될 수 있다. 접지 배선(GNL)은 제1 및 제2 감지 배선들(TL1, TL2)보다 외곽에 배치될 수 있다. 접지 배선(GNL)은 최외곽에 배치될 수 있다. 접지 배선(GNL)은 대응되는 입력 패드(PD-I)에 연결될 수 있다. 접지 배선(GNL)은 입력 패드(PD-I)를 통해 표시장치(DD, 도 1 참조)의 접지 단자에 연결될 수 있다. 이를 통해, 입력센서(ISL)에 인가되는 외부의 정전기는 접지 배선(GNL)을 통해 접지 단자로 방출될 수 있다. 이에 따라, 입력센서(ISL)는 접지 배선(GNL)에 의해 외부의 정전기로부터 보호될 수 있다.
본 실시예에서, 액티브 영역(AA-I)은 서로 연결되어 사각형 형상을 이루는 제1 측(S1), 제2 측(S2), 제3 측(S3), 및 제4 측(S4)을 포함할 수 있다. 제1 측(S1) 및 제2 측(S2)은 제1 방향(DR1)으로 연장하고 제2 방향(DR2)에서 서로 마주할 수 있다. 제1 측(S1)은 감지 전극들(TE1, TE2)을 기준으로 하측에 대응되고, 제2 측(S2)은 감지 전극들(TE1, TE2)을 기준으로 상측에 대응될 수 있다. 제3 측(S3) 및 제4 측(S4)은 제2 방향(DR2)으로 연장하고, 제1 방향(DR1)에서 서로 마주할 수 있다. 제3 측(S3)은 감지 전극들(TE1, TE2)을 기준으로 좌측에 대응되고, 제4 측(S4)은 감지 전극들(TE1, TE2)을 기준으로 우측에 대응될 수 있다. 제1 내지 제4 측들(S1, S2, S3, S4)에 관한 설명은 표시패널(DP, 도 4a 참조)의 액티브 영역(AA, 도 4a 참조)에도 동일하게 적용될 수 있다.
본 실시예에서, 적어도 하나의 접지 배선(GNL)은 제1 접지 배선(GNL1) 및 제2 접지 배선(GNL2)을 포함할 수 있다. 제1 접지 배선(GNL1)은 입력 패드들(PD-I) 중 대응되는 입력 패드(PD-I)로부터 제1, 제4, 및 제2 측들(S1, S4, S2)을 따라 연장되어 배치될 수 있다. 제2 접지 배선(GNL2)은 대응되는 입력 패드(PD-I)로부터 제3 측을 따라 연장되어 배치될 수 있다. 제1 및 제2 접지 배선들(GNL1, GNL2)은 각각 입력 패드들(PD-I) 중 최외곽에 배치된 입력 패드들(PD-I)에 연결될 수 있다.
적어도 하나의 가드 배선(GDL)은 주변영역(NAA)에 배치될 수 있다. 가드 배선(GDL)은 제1 및 제2 감지 배선들(TL1, TL2)보다 외곽에 배치되고, 접지 배선(GNL)의 내측에 배치될 수 있다. 가드 배선(GDL)은 대응되는 입력 패드(PD-I)에 연결될 수 있다. 가드 배선(GDL)은 감지 제어부(S-CON, 도 4a 참조)에 연결될 수 있다. 감지 제어부(S-CON, 도 4a 참조)는 입력 패드들(PD-I)을 통해 소정의 레벨을 갖는 신호를 가드 배선(GDL)에 인가할 수 있다.
접지 배선(GNL)과 제1 및 제2 감지 배선들(TL1, TL2) 사이의 전위차로 인해 접지 배선(GNL)과 제1 및 제2 감지 배선들(TL1, TL2) 사이에서 커플링(coupling) 현상이 발생할 수 있다. 즉, 상호 간의 신호 간섭으로 인해 노이즈가 발생할 수 있다. 이러한 현상을 감소시키기 위해, 소정의 레벨을 갖는 신호가 가드 배선(GDL)에 인가될 수 있다. 가드 배선(GDL)은 접지 배선(GNL)과 제1 및 제2 감지 배선들(TL1, TL2) 사이에 배치되어, 접지 배선(GNL)과 제1 및 제2 감지 배선들(TL1, TL2) 사이의 커플링 현상을 감소시킬 수 있다.
본 실시예에서, 적어도 하나의 가드 배선은 제1 가드 배선(GDL1), 제2 가드 배선(GDL2), 및 제3 가드 배선(GDL3)을 포함할 수 있다.
제1 가드 배선(GDL1)은 입력 패드들(PD-I) 중 대응되는 입력 패드(PD-I)로부터 액티브 영역(AA-I)의 제1, 제4, 및 제2 측들(S1, S4, S2)을 따라 연장되어 배치될 수 있다. 제1 가드 배선(GDL1)은 액티브 영역(AA-I)의 제1, 제4, 및 제2 측들(S1, S4, S2)과 제1 접지 배선(GNL1) 사이에 배치되며, 제1 가드 배선(GDL1)은 제1 접지 배선(GNL1)의 연장 방향을 따라 연장된 것일 수 있다.
제2 가드 배선(GDL2)은 대응되는 입력 패드(PD-I)로부터 제2 측(S2)을 따라 연장되어 배치될 수 있다. 제2 가드 배선(GDL2)은 제2 접지 배선(GNL2)의 연장 방향을 따라 연장된 것일 수 있다. 제1 및 제2 접지 배선들(GNL1, GNL2)은 입력 패드들(PD-I) 중 최 외곽에 배치된 입력 패드들(PD-I)에 각각 연결될 수 있다.
제3 가드 배선(GDL3)은 제1 감지 배선들(TL1) 및 제2 감지 배선들(TL2) 중 서로 인접한 제1 감지 배선 및 제2 감지 배선 사이에 배치될 수 있다.
도 7a는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 감지 배선들의 저항 값들을 나타낸 그래프이다. 도 7b는 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 감지 배선들의 저항 값들을 나타낸 그래프이다. 도 7a는 5개의 제1 감지 배선들(TL1, 도 6 참조) 각각의 저항 값을 예시적으로 도시하였으며, 도 7b는 7개의 제2 감지 배선들(TL2, 도 6 참조) 각각의 저항 값을 예시적으로 도시하였다.
도 6 및 도 7a를 함께 참조하면, 제1 감지 배선들(TL1)은 제1 번째 내지 제5 번째 제1 감지 배선들(TL1_1, TL1_2, TL1_3, TL1_4, TL1_5)을 포함할 수 있다. 제1 번째 내지 제5 번째 제1 감지 배선들(TL1_1, TL1_2, TL1_3, TL1_4, TL1_5)은 제1 방향(DR1)으로 순차적으로 배열될 수 있다.
제1 번째 및 제2 번째 제1 감지 배선들(TL1_1, TL1_2)은 각각 제1-1 및 제1-2 저항 값들(R1_1, R1_2)을 가질 수 있다. 제3 번째 제1 감지 배선(TL1_3)은 제1-3 저항 값(R1_3)을 가질 수 있다. 제4 번째 및 제5 번째 제1 감지 배선들(TL1_4, TL1_5)은 제1-2 및 제1-1 저항 값들(R1_2, R1_1)을 가질 수 있다.
일 실시예에서, 제1 번째 및 제5 번째 제1 감지 배선들(TL1_1, TL1_5)은 서로 실질적으로 동일한 저항 값을 가질 수 있고, 제2 번째 및 제4 번째 제1 감지 배선들(TL1_2, TL1_4)은 서로 실질적으로 동일한 저항 값을 가질 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 번째 및 제5 번째 제1 감지 배선들(TL1_1, TL1_5) 및 제2 번째 및 제4 번째 제1 감지 배선들(TL1_2, TL1_4) 중 적어도 하나는 서로 다른 값의 저항을 가질 수도 있다.
예를 들어, 제1 번째 내지 제5 번째 제1 감지 배선들(TL1_1, TL1_2, TL1_3, TL1_4, TL1_5) 중 중앙에 배치된 제1 감지 배선은 제3 번째 제1 감지 배선(TL1_3)에 대응될 수 있다. 제1 번째 제1 감지 배선(TL1_1)으로부터 제3 번째 제1 감지 배선(TL1_3)으로 갈수록 저항 값은 점진적으로 감소할 수 있다. 제5 번째 제1 감지 배선(TL1_5)으로부터 제3 번째 제1 감지 배선(TL1_3)으로 갈수록 저항 값은 점진적으로 감소할 수 있다.
즉, 제1-1 내지 제1-3 저항 값들(R1_1, R1_2, R1_3)은 점진적으로 감소되는 경향을 가질 수 있다. 이에 따라, 제3 번째 제1 감지 배선(TL1_3)은 가장 작은 값의 저항을 가질 수 있고, 제1-3 저항 값(R1_3)은 제1-1 내지 제1-3 저항 값들(R1_1, R1_2, R1_3) 중 최솟값에 대응될 수 있다.
다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 이하에서 설명되는 표시패널(DP, 도 4a 참조)에서 발생되는 노이즈의 크기 및 경향성에 따라 최소 저항 값을 가지는 제1 감지 배선은 달라질 수 있다. 또는, 제1 감지 배선들이 짝수 개로 제공되는 경우, 중앙 부분에 배치된 두 개의 제1 감지 배선들이 최소 저항 값을 가질 수도 있다.
본 실시예에서는, 제1 감지 배선들(TL1)은 연결되는 제1 감지 전극(TE1, 또는, 대응되는 제1 감지 전극)이 액티브 영역(AA-I)의 중앙 부분에 인접하게 배치될수록 제1 감지 배선들(TL1)의 저항 값이 감소되도록 제공될 수 있다. 다시 말해, 제1 감지 배선들(TL1)의 저항 값들은 제1 감지 전극들(TE1) 중 연결되는 제1 감지 전극이 내측에 배치될수록 감소될 수 있다. 이를 통해, 입력센서(ISL)의 액티브 영역(AA-I)에 있어서, 제1 방향(DR1)에서의 노이즈 편차를 줄일 수 있다. 이에 대한 자세한 설명은 후술한다.
도 6 및 도 7b를 함께 참조하면, 제2 감지 배선들(TL2)은 제1 번째 내지 제7 번째 제2 감지 배선들(TL2_1, TL2_2, TL2_3, TL2_4, TL2_5, TL2_6, TL2_7)을 포함할 수 있다. 제1 번째 내지 제7 번째 제2 감지 배선들(TL2_1, TL2_2, TL2_3, TL2_4, TL2_5, TL2_6, TL2_7)은 제2 감지 전극들(TE2)과 연결된 일단들이 제2 방향(DR2)으로 순차적으로 배열될 수 있다.
제1 번째 내지 제7 번째 제2 감지 배선들(TL2_1, TL2_2, TL2_3, TL2_4, TL2_5, TL2_6, TL2_7)은 각각 제2-1 내지 제2-7 저항 값들(R2_1, R2_2, R2_3, R2_4, R2_5, R2_6, R2_7)을 가질 수 있다.
예를 들어, 제1 번째 제2 감지 배선(TL2_1)으로부터 제7 번째 제2 감지 배선(TL2_7)으로 갈수록 저항 값은 점진적으로 증가할 수 있다. 제2 감지 배선들(TL2) 중 입력 패드부(PDP-I)로부터 가장 멀리까지 연장되며 최 외측에 배치된 제7 번째 제2 감지 배선(TL2_7)은 가장 큰 저항을 가질 수 있다. 또한, 인접한 제2 감지 배선들(TL2) 간의 저항 증가율, 즉, 서로 인접한 제2 감지 배선들(TL2)의 저항 차이는 제7 번째 제2 감지 배선(TL2_7)으로 갈수록 점진적으로 증가할 수 있다.
본 실시예에서는, 제2 감지 배선들(TL2)은 연결되는 제2 감지 전극(TE2)이 입력 패드부(PDP-I, 또는, 회로기판(PCB, 도 4a 참조))와 멀어질수록 증가되는 저항 값을 가질 수 있다. 이때, 연결되는 제2 감지 전극(TE2)이 입력 패드부(PDP-I)와 멀어질수록, 인접한 제2 감지 배선들(TL2) 사이의 저항 증가율이 커질 수 있다. 다시 말해, 서로 인접한 제2 감지 배선들(TL2)의 저항 차이는 연결되는 제2 감지 전극(TE2)이 입력 패드부(PDP-I)로부터 멀어질수록 증가할 수 있다. 이를 통해, 입력센서(ISL)의 액티브 영역(AA-I)에 있어서, 제2 방향(DR2)에서의 노이즈 편차를 줄일 수 있다. 이에 대한 자세한 설명은 후술한다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널에 일부 지점들을 표시한 평면도이다. 도 9a 내지 도 9c는 도 8에 도시한 표시패널의 일부 지점들에서의 전압 파형을 나타낸 그래프들이다. 도 10a 및 도 10b는 도 8에 도시한 표시패널의 일부 지점들에서의 최대 전압값들을 나타낸 그래프들이다.
도 9a 내지 도 9c는 액티브 영역(AA) 내에서 위치를 달리하여 표시패널(DP)의 제2 전극(CE, 도 4b 참조)에서의 전압 변화를 측정한 결과를 그래프로 나타낸 것이다. 본 실시예에서, 제2 전극(CE, 도 4b 참조)에서의 전압 변화는 오실로스코프를 사용하여 측정하였다.
도 9a는 도 8에 도시된 표시패널(DP)의 액티브 영역(AA) 중 제1 측(S1, 즉, 하단 부분)에 인접하게 배치된 AA' 영역 내의 일부 지점들에서 측정한 전압 파형들을 나타내었다. 도 9b는 도 8에 도시된 표시패널(DP)의 액티브 영역(AA) 중 제2 측(S2, 즉, 상단 부분)에 인접하게 배치된 BB' 영역 내의 일부 지점들에서 측정한 전압 파형들을 나타내었다. AA' 영역 및 BB' 영역 각각은 제1 방향(DR1)으로 연장된 영역일 수 있다. 도 9c는 표시패널(DP)의 액티브 영역(AA)의 중앙 부분에 배치된 CC' 영역 내의 일부 지점들에서 측정한 전압 파형들을 나타내었다. CC' 영역은 액티브 영역(AA)의 중앙 부분에서 제2 방향(DR2)으로 연장된 영역일 수 있다.
도 8 및 도 9a를 참조하면, AA' 영역 내의 제1 지점(P1), 제2-1 지점(P2a), 및 제2-2 지점(P2b)에 대해 전압 변화를 측정하였다. 제1 방향(DR1)에서 제2-1 지점(P2a), 제1 지점(P1), 및 제2-2 지점(P2b)이 순차적으로 배열되며, 제1 지점(P1)은 AA' 영역 내에서 중앙 지점에 해당한다. 제2-1 및 제2-2 지점들(P2a, P2b)은 실질적으로 동일한 값의 전압 값이 측정되었으므로, 도 9a에는 제2-1 지점(P2a)의 그래프만 나타내었다.
도 9a에 도시된 바와 같이, 제1 지점(P1)에서의 전압 변화 그래프를 참조하면, 제1-1 전압(VM_P1)에서 최대 전압값(Vpeak에 대응됨)을 갖고, 제1-2 전압(Vm_P1)에서 최소 전압값을 가질 수 있다. 제2-1 지점(P2a)에서의 전압 변화 그래프를 참조하면, 제2-1 전압(VM_P2a)에서 최대 전압값(Vpeak에 대응됨)을 갖고, 제2-2 전압(Vm_P2a)에서 최소 전압값을 가질 수 있다.
제1-1 전압(VM_P1)은 제2-1 전압(VM_P2a)보다 크며, 제1-2 전압(Vm_P1)의 절댓값은 제2-2 전압(Vm_P2a)의 절댓값보다 클 수 있다. 즉, 표시패널(DP)의 제2 전극(CE, 도 4b 참조)에서의 노이즈 값은 제2-1 및 제2-2 지점들(P2a, P2b)보다 제1 지점(P1)에서 더 큰 것을 확인할 수 있고, 이를 통해, 제2 전극(CE, 도 4b 참조)에서의 노이즈는 표시패널(DP)의 중앙 부분에 인접할수록 커지는 것을 확인할 수 있다.
도 8 및 도 9b를 참조하면, BB' 영역 내의 제3 지점(P3), 제4-1 지점(P4a), 및 제4-2 지점(P4b)에 대해 전압 변화를 측정하였다. 제1 방향(DR1)에서 제4-1 지점(P4a), 제3 지점(P3), 및 제4-2 지점(P4b)이 순차적으로 배열되며, 제3 지점(P3)은 BB' 영역 내에서 중앙 지점에 해당한다. 제4-1 및 제4-2 지점들(P4a, P4b)은 실질적으로 동일한 값의 전압 값이 측정되었으므로, 도 9b에는 제4-1 지점(P4a)의 그래프만 나타내었다.
도 9b에 도시된 바와 같이, 제3 지점(P3)에서의 전압 변화 그래프를 참조하면, 제3-1 전압(VM_P3)에서 최대 전압값(Vpeak에 대응됨)을 갖고, 제3-2 전압(Vm_P3)에서 최소 전압값을 가질 수 있다. 제4-1 지점(P4a)에서의 전압 변화 그래프를 참조하면, 제4-1 전압(VM_P4a)에서 최대 전압값(Vpeak에 대응됨)을 갖고, 제4-2 전압(Vm_P4a)에서 최소 전압값을 가질 수 있다.
제3-1 전압(VM_P3)은 제4-1 전압(VM_P4a)보다 크며, 제3-2 전압(Vm_P3)의 절댓값은 제4-2 전압(Vm_P4a)의 절댓값보다 클 수 있다. 즉, 표시패널(DP)의 제2 전극(CE, 도 4b 참조)에서의 노이즈 값은 제4-1 및 제4-2 지점들(P4a, P4b)보다 제3 지점(P3)에서 더 큰 것을 확인할 수 있고, 이를 통해, 제2 전극(CE, 도 4b 참조)에서의 노이즈는 표시패널(DP)의 중앙 부분에 인접할수록 커지는 것을 확인할 수 있다.
도 8 및 도 9c를 참조하면, CC' 영역 내의 제1 지점(P1), 제3 지점(P3), 및 제5 지점(P5)에 대해 전압 변화를 측정하였다. 제1 지점(P1), 제3 지점(P3), 및 제5 지점(P5)은 제2 방향(DR2)에서 순차적으로 배열되며, 제3 지점(P3)은 CC' 영역 내에서 지점에 해당한다.
도 9c에 도시된 제1 지점(P1)에서의 전압 변화 그래프는 도 9a에 도시된 제1 지점(P1)에서의 전압 변화 그래프와 동일하며, 도 9c에 도시된 제3 지점(P3)에서의 전압 변화 그래프는 도 9b에 도시된 제3 지점(P3)에서의 전압 변화 그래프와 동일하므로, 자세한 설명은 생략한다.
제5 지점(P5)에서의 전압 변화 그래프를 참조하면, 제5-1 전압(VM_P5)에서 최대 전압값(Vpeak에 대응됨)을 갖고, 제5-2 전압(Vm_P5)에서 최소 전압값을 가질 수 있다. 제5-1 전압(VM_P5)은 제1-1 전압(VM_P1)보다 크며, 제3-1 전압(VM_P3)보다 작을 수 있다. 제5-2 전압(Vm_P5)의 절댓값은 제1-2 전압(Vm_P1)의 절댓값보다 크며, 제3-2 전압(Vm_P3)의 절댓값보다 작을 수 있다. 즉, 표시패널(DP)의 제2 전극(CE, 도 4b 참조)에서의 노이즈 값은 제1 지점(P1)보다 제3 지점(P3)에서 더 큰 노이즈가 발생하고, 제3 지점(P3)보다 제5 지점(P5)에서 더 큰 노이즈가 발생하는 것을 확인할 수 있다. 이를 통해, 제2 전극(CE, 도 4b 참조)에서의 노이즈는 회로기판(PCB, 도 4a 참조)으로부터 멀어질수록 커지는 것을 확인할 수 있다.
도 10a 및 도 10b는 표시패널(DP)의 액티브 영역(AA) 내 도 8 내지 도 9c에서 상술한 제1 내지 제5 지점들(P1 내지 P5) 및 그 외의 다른 지점들에서의 위치에서, 제2 전극(CE, 도 4b 참조)에서의 전압 변화를 측정하고, 위치 별 최대 전압값들(즉, Vpeak 값들)을 그래프로 나타낸 것이다. 다른 지점들에서의 전압 변화는 도 9a 내지 도 9c에서 상술한 바와 동일하게 오실로스코프를 사용하여 측정하였다.
도 10a는 표시패널(DP)의 액티브 영역(AA) 내의 AA' 영역, BB' 영역, 및 DD' 영역 내에서 일부 지점들에서의 최대 전압값들을 나타낸 그래프이다. 액티브 영역(AA) 내에서 위치 별 최대 전압값의 경향성 파악이 용이하도록, 선 그래프 형태로 도시하였다.
도 8 및 도 10a를 참조하면, AA' 영역 및 BB' 영역에 관한 설명은 도 9a 및 도 9b에서 상술한 설명이 동일하게 적용될 수 있고, DD' 영역은 표시패널(DP)의 액티브 영역(AA)의 중앙 부분에 배치되며 제1 방향(DR1)으로 연장된 영역일 수 있다.
도 10a에서 도 8의 AA' 영역 내 제1, 제2-1, 제2-2 지점들(P1, P2a, P2b)과 제2-3 및 제2-4 지점들(P2c, P2d)에서의 최대 전압값들을 나타내었다. 제2-3 지점(P2c)은 제1 및 제2-1 지점들(P1, P2a) 사이에 위치하고, 제2-4 지점(P2d)은 제1 및 제2-2 지점들(P1, P2b) 사이에 위치할 수 있다.
제2-1, 제2-3, 제1, 제2-4, 및 제2-2 지점들(P2a, P2c, P1, P2d, P2b)은 제1 방향(DR1)에서 순차적으로 배열될 수 있고, 도 10a의 AA' 그래프는 제1 방향(DR1)으로 배열된 지점들을 순차적으로 나타내었다.
AA' 영역에서의 최대 전압값 그래프를 참조하면, 제2-1 지점(P2a)으로부터 제1 지점(P1)으로 갈수록 최대 전압값이 증가되고, 제2-2 지점(P2b)으로부터 제1 지점(P1)으로 갈수록 최대 전압값이 증가될 수 있다. 즉, AA' 영역 내에서, 최대 전압값은 중앙 부분에 인접할수록 증가되는 것을 확인할 수 있다.
도 10a에서 도 8의 BB' 영역 내 제3, 제4-1, 및 제4-2 지점들(P3, P4a, P4b)과 제4-3 및 제4-4 지점들(P4c, P4d)에서의 최대 전압값들을 나타내었다. 제4-3 지점(P4c)은 제3 및 제4-1 지점들(P3, P4a) 사이에 위치하고, 제4-4 지점(P4d)은 제3 및 제4-2 지점들(P3, P4b) 사이에 위치할 수 있다.
제4-1, 제4-3, 제3, 제4-4, 및 제4-2 지점들(P4a, P4c, P3, P4d, P4b)은 제1 방향(DR1)에서 순차적으로 배열될 수 있고, 도 10a의 BB' 그래프는 제1 방향(DR1)으로 배열된 지점들을 순차적으로 나타내었다.
BB' 영역에서의 최대 전압값 그래프를 참조하면, 제4-1 지점(P4a)으로부터 제3 지점(P3)으로 갈수록 최대 전압값이 증가되고, 제4-2 지점(P4b)으로부터 3 지점(P3)으로 갈수록 최대 전압값이 증가될 수 있다. 즉, BB' 영역 내에서, 최대 전압값은 중앙 부분에 인접할수록 증가되는 것을 확인할 수 있다.
도 10a에서 도 8의 DD' 영역 내 제5 지점(P5) 및 제6-1 내지 제6-4 지점들(P6a, P6b, P6c, P6d)에서의 최대 전압값들을 나타내었다. 제6-1 지점(P6a), 제6-2 지점(P6b), 제5 지점(P5), 제6-3 지점(P6c), 및 제6-2 지점(P6b)은 제1 방향(DR1)에서 순차적으로 배열되며, 제5 지점(P5)은 DD' 영역 내에서 중앙 지점에 해당한다. 도 10b의 DD' 그래프는 제1 방향(DR1)으로 배열된 지점들을 순차적으로 나타내었다.
DD' 영역에서의 최대 전압값 그래프를 참조하면, 제6-1 지점(P6a)으로부터 제5 지점(P5)으로 갈수록 최대 전압값이 증가되고, 제6-4 지점(P6b)으로부터 제5 지점(P5)으로 갈수록 최대 전압값이 증가될 수 있다. 즉, DD' 영역 내에서, 최대 전압값은 중앙 부분에 인접할수록 증가되는 것을 확인할 수 있다.
즉, AA' 영역, BB' 영역, 및 DD' 영역에서의 최대 전압값 그래프들을 참조하면, 표시패널(DP)의 제2 전극(CE, 도 4b 참조)에서의 노이즈는 제1 방향(DR1)을 기준으로 중앙 부분으로 갈수록 증가되는 것을 확인할 수 있다. 화소들(PX, 도 4a 참조)이 중앙 부분에 인접하게 배치될수록, 제2 전압 배선(PL2, 도 4a 참조)으로부터 대응되는 화소의 제2 전극(CE, 도 4b 참조)에 제2 전압이 제공되는 경로가 길어짐에 따라 저항 값이 커짐으로써, 제2 전극(CE, 도 4b 참조)에서의 노이즈 또한 커질 수 있다.
도 10b는 표시패널(DP)의 액티브 영역(AA) 내의 CC' 영역 내에서 일부 지점들에서의 최대 전압값들을 나타낸 그래프이다. 액티브 영역(AA) 내에서 위치 별 최대 전압값의 경향성 파악이 용이하도록, 선 그래프 형태로 도시하였다.
도 8 및 도 10b를 참조하면, CC' 영역은 도 9c에서 상술한 설명이 동일하게 적용될 수 있고, CC' 영역 내의 제1, 제3, 및 제5 지점들(P1, P3, P5)과 제7-1, 제7-2, 제7-3, 및 제7-4 지점들(P7a, P7b, P7c, P7d)에서의 최대 전압값들을 측정하였다.
제7-1 및 제7-2 지점들(P7a, P7b)은 제1 및 제5 지점들(P1, P5) 사이에 위치할 수 있다. 제7-1 지점(P7a)은 제1 지점(P1)에 더 인접하고, 제7-2 지점(P7b)은 제5 지점(P5)에 더 인접하여 위치할 수 있다. 제7-3 및 제7-4 지점들(P7c, P7d)은 제3 및 제5 지점들(P3, P5) 사이에 위치할 수 있다. 제7-3 지점(P7c)은 제5 지점(P5)에 더 인접하고, 제7-4 지점(P7d)은 제3 지점(P3)에 더 인접하여 위치할 수 있다.
제1, 제7-1, 제7-2, 제5, 제7-3, 제7-4, 및 제3 지점들(P1, P7a, P7b, P5, P7c, P7d, P3)은 제2 방향(DR2)에서 순차적으로 배열될 수 있고, 도 10b의 CC' 그래프는 제1 방향(DR1)으로 배열된 지점들을 순차적으로 나타내었다.
CC' 영역에서의 최대 전압값 그래프를 참조하면, 제1 지점(P1)으로부터 제3 지점(P3)으로 갈수록 최대 전압값이 증가될 수 있다. 이때, 인접한 지점들 간 최대 전압값의 증가율은 제1 지점(P1)으로부터 제3 지점(P3)으로 갈수록 감소될 수 있다. 다시 말해, 인접한 지점들 사이의 최대 전압값의 차이는 제1 지점(P1)으로부터 제3 지점(P3)으로 갈수록 감소될 수 있다.
즉, CC' 영역 내에서, 최대 전압값은 액티브 영역(AA)의 제1 측(S1)으로부터 제2 측(S2)(즉, 하측 부분으로부터 상측 부분)으로 갈수록 증가되며, CC' 영역 내에서, 최대 전압값의 증가율은 액티브 영역(AA)의 제1 측(S1)으로부터 제2 측(S2)으로 갈수록 감소되는 것을 확인할 수 있다.
이에 따라, 제2 전극(CE, 도 4b 참조)에서의 노이즈는 제2 방향(DR2)을 기준으로 회로기판(PCB, 도 4a 참조)과 멀어질수록 증가되며, 노이즈의 증가율은 제2 방향(DR2)을 기준으로 회로기판(PCB, 도 4a 참조)과 멀어질수록 감소되는 것을 확인할 수 있다.
화소들(PX, 도 4a 참조)이 회로기판(PCB, 도 4a 참조)으로부터 멀리 배치될수록, 회로기판(PCB, 도 4a 참조) 내의 전압 생성부로부터 대응되는 화소의 제2 전극(CE, 도 4b 참조)에 제2 전압이 제공되는 경로가 길어짐에 따라 저항 값이 커짐으로써, 제2 전극(CE, 도 4b 참조)에서의 노이즈 또한 커질 수 있다.
최근 표시장치(DD, 도 1 참조)의 두께를 감소시키는 실정에 따라, 표시패널(DP) 내의 제2 전극(CE, 도 4b 참조)과 입력센서(ISL, 도 5 참조) 사이의 거리가 짧아지고 있다. 이에 따라, 입력센서(ISL, 도 5 참조)는 제2 전극(CE, 도 4b 참조)에서 발생되는 노이즈에 의해 표시패널(DP)로부터 전기적 간섭을 받게 되어, 입력센서(ISL, 도 5 참조)에도 노이즈가 발생될 수 있다.
도 6, 도 7a, 및 도 10a를 함께 참조하면, 본 실시예에서, 제1 감지 배선들(TL1)의 저항 값들은 연결된 제1 감지 전극(TE1)이 중앙 부분과 인접하게 배치될수록 감소되는 경향을 가짐으로써, 제2 전극(CE, 도 4b 참조)에서의 노이즈가 제1 방향(DR1)을 기준으로 중앙 부분과 인접할수록 증가되더라도, 입력센서(ISL)의 액티브 영역(AA-I) 내에서 제1 방향(DR1)에 대한 노이즈 편차를 최소화할 수 있다.
또한, 도 6, 도 7b, 및 도 10b를 함께 참조하면, 본 실시예에서, 인접한 제2 감지 배선들(TL2) 간 저항 증가율이 연결된 제2 감지 전극(TE2)이 입력 패드부(PDP-I)로부터 멀어질수록 감소되는 경향을 가짐으로써, 제2 전극(CE, 도 4b 참조)에서의 노이즈 증가율이 제2 방향(DR2)을 기준으로 입력 패드부(PDP-I)와 멀어질수록 증가되더라도, 입력센서(ISL)의 액티브 영역(AA-I) 내에서 제2 방향(DR2)에 대한 노이즈 편차를 최소화할 수 있다.
즉, 본 발명에 따르면, 표시패널(DP)의 제2 전극(CE, 도 4b 참조)에서 발생하는 노이즈의 경향성을 고려하여, 제1 및 제2 감지 배선들(TL1, TL2)의 저항 값들을 제어할 수 있다. 제1 방향(DR1)에서의 노이즈 편차는 제1 감지 배선들(TL1)의 저항 값들을 제어함으로써 저감시킬 수 있고, 제2 방향(DR2)에서의 노이즈 편차는 제2 감지 배선들(TL2)의 저항 값들을 제어함으로써 저감시킬 수 있다. 제1 및 제2 감지 배선들(TL1, TL2)의 저항 값들을 제어하는 방법에 관한 자세한 설명은 후술한다.
도 11a 및 도 11b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시모듈의 일부 구성들의 확대 단면도들이다. 도 11a 및 도 11b는 제1 감지 배선들(TL1a)의 일부 및 제2 감지 배선들(TL2b)의 일부의 단면 구조를 도시한 것이다.
도 11a는 제1 감지 배선들(TL1a) 중 두 개의 제1 감지 배선들(이하, 각각 제1-1 감지 배선(TL1_1a) 및 제1-2 감지 배선(TL1_2a)으로 지칭)과 제2 감지 배선들(TL2b) 중 두 개의 제2 감지 배선들(이하, 각각 제2-1 감지 배선(TL2_1a) 및 제2-2 감지 배선(TL2_2b)으로 지칭)의 단면을 예시적으로 도시하였다.
도 11a를 참조하면, 본 실시예에 따른 제1 감지 배선들(TL1a) 및 제2 감지 배선들(TL2a) 각각은 단층 구조를 가질 수 있다. 제1 및 제2 감지 배선들(TL1a, TL2a) 각각은 제2 감지 절연층(TIL2) 상에 배치되며 제3 감지 절연층(TIL3)에 의해 커버될 수 있다. 즉, 제1 및 제2 감지 배선들(TL1a, TL2a)은 도 5에서 전술한 제2 감지 도전층(TML2)에 포함되는 구성들일 수 있다.
한편, 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 및 제2 감지 배선들(TL1a, TL2a) 각각은 제1 감지 절연층(TIL1) 상에 배치되며 제2 감지 절연층(TIL2)에 의해 커버될 수 있다. 즉, 제1 및 제2 감지 배선들(TL1a, TL2a)은 제1 감지 도전층(TML1)에 포함될 수도 있다.
제1-1 및 제1-2 감지 배선들(TL1_1a, TL1_2a)은 각각 연장 방향에서 바라볼 때, 제1 및 제2 배선폭들(W1, W2)을 가질 수 있다. 제2-1 및 제2-2 감지 배선들(TL2_1a, TL2_2a)은 각각 연장 방향에서 바라볼 때, 제3 및 제4 배선폭들(W3, W4)을 가질 수 있다. 도 11a에는 제1 내지 제4 배선폭들(W1, W2, W3, W4)이 실질적으로 동일한 것을 예시적으로 도시하였으나, 이에 한정되지 않고, 제1 내지 제4 배선폭들(W1, W2, W3, W4) 중 적어도 일부는 서로 다른 배선폭들을 가질 수도 있다.
본 발명에 따르면, 감지 배선들(TL1a, TL2a)의 저항 값들을 제어하기 위해, 감지 배선들(TL1a, TL2a)의 배선폭들(W1, W2, W3, W4)을 제어할 수 있다. 즉, 노이즈 편차 저감을 위해 일 감지 배선의 저항 값을 감소시켜야 하는 경우, 상기 일 감지 배선의 배선폭은 노이즈 편차를 고려하기 전의 기준 배선폭보다 작게 설계할 수 있다. 또는, 노이즈 편차 저감을 위해 일 감지 배선의 저항 값을 증가시켜야 하는 경우, 상기 일 감지 배선의 배선폭은 노이즈 편차를 고려하기 전의 기준 배선폭보다 크게 설계할 수 있다.
도 11b는 제1 감지 배선들(TL1b) 중 두 개의 제1 감지 배선들(이하, 각각 제1-1 감지 배선(TL1_1b) 및 제1-2 감지 배선(TL1_2b)으로 지칭)과 제2 감지 배선들(TL2b) 중 두 개의 제2 감지 배선들(이하, 각각 제2-1 감지 배선(TL2_1b) 및 제2-2 감지 배선(TL2_2b)으로 지칭)의 단면을 예시적으로 도시하였다.
도 11b를 참조하면, 본 실시예에 따른 제1 감지 배선들(TL1b) 및 제2 감지 배선들(TL2b) 각각은 다층 구조를 가질 수 있다.
제1-1 감지 배선(TL1_1b)은 제1-1 하부 배선(L1_1) 및 제1-1 상부 배선(U1_1)을 포함하고, 제1-2 감지 배선(TL1_2b)은 제1-2 하부 배선(L1_2) 및 제1-2 상부 배선(U1_2)을 포함할 수 있다. 제2-1 감지 배선(TL2_1b)은 제2-1 하부 배선(L2_1) 및 제2-1 상부 배선(U2_1)을 포함하고, 제2-2 감지 배선(TL2_2b)은 제2-2 하부 배선(L2_2) 및 제2-2 상부 배선(U2_2)을 포함할 수 있다.
제1-1, 제1-2, 제2-1, 및 제2-2 하부 배선들(L1_1, L1_2, L2_1, L2_2) 각각은 제1 감지 절연층(TIL1) 상에 배치되며 제2 감지 절연층(TIL2)에 의해 커버될 수 있다. 즉, 제1-1, 제1-2, 제2-1, 및 제2-2 하부 배선들(L1_1, L1_2, L2_1, L2_2)은 제1 감지 도전층(TML1, 도 5 참조)에 포함될 수 있다.
제1-1, 제1-2, 제2-1, 및 제2-2 상부 배선들(U1_1, U1_2, U2_1, U2_2) 각각은 제2 감지 절연층(TIL2) 상에 배치되며 제3 감지 절연층(TIL3)에 의해 커버될 수 있다. 즉, 제1-1, 제1-2, 제2-1, 및 제2-2 상부 배선들(U1_1, U1_2, U2_1, U2_2)은 제2 감지 도전층(TML2, 도 5 참조)에 포함될 수 있다.
제1-1, 제1-2, 제2-1, 및 제2-2 하부 배선들(L1_1, L1_2, L2_1, L2_2)은 각각 연장 방향에서 바라볼 때 제1 내지 제4 하부 배선폭들(W1_L, W2_L, W3_L, W4_L)을 가질 수 있다. 제1-1, 제1-2, 제2-1, 및 제2-2 상부 배선들(U1_1, U1_2, U2_1, U2_2)은 각각 연장 방향에서 바라볼 때 제1 내지 제4 상부 배선폭들(W1_U, W2_U, W3_U, W4_U)을 가질 수 있다.
도 11b에는 제1 내지 제4 하부 배선폭들(W1_L, W2_L, W3_L, W4_L) 및 제1 내지 제4 상부 배선폭들(U1_1, U1_2, U2_1, U2_2)이 실질적으로 동일한 것을 예시적으로 도시하였으나, 이에 한정되지 않고, 제1 내지 제4 하부 배선폭들(W1_L, W2_L, W3_L, W4_L) 및 제1 내지 제4 상부 배선폭들(W1_U, W2_U, W3_U, W4_U) 중 적어도 일부는 서로 다른 배선폭들을 가질 수도 있다.
본 발명에 따르면, 감지 배선들(TL1b, TL2b)의 저항 값들을 제어하기 위해, 감지 배선들(TL1b, TL2b)의 배선폭들(W1_L 내지 W4_L, W1_U 내지 W4_U)을 제어할 수 있고, 본 실시예에서는, 제1 감지 절연층(TIL1) 상에 배치되어 제1 감지 도전층(TML1)에 포함되는 배선들(즉, 하부 배선들(L1_1, L1_2, L2_1, L2_2))의 배선폭들(즉, 하부 배선폭들(W1_L, W2_L, W3_L, W4_L))을 제어하거나, 또는, 제2 감지 절연층(TIL2) 상에 배치되어 제2 감지 도전층(TML2)에 포함되는 배선들(즉, 상부 배선들(U1_1, U1_2, U2_1, U2_2))의 배선폭들(즉, 상부 배선폭들(W1_U, W2_U, W3_U, W4_U))을 제어할 수 있다. 또는, 하부 배선들의 하부 배선폭들 및 상부 배선들의 상부 배선폭들을 모두 제어할 수도 있다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력센서의 평면도이다.
도 12를 참조하면, 입력센서(ISL)는 복수의 감지 전극들(TE1, TE2), 감지 전극들(TE1, TE2)에 각각 연결되는 복수의 감지 배선들(TL1, TL2, TL3), 입력 패드부(PDP-I), 적어도 하나의 접지 배선(GNL), 및 적어도 하나의 가드 배선(GDL)을 포함할 수 있다. 도 6a에서 설명한 구성과 동일/유사한 구성에 대해 동일/유사한 참조 부호를 사용하며, 중복된 설명은 생략한다.
본 실시예에서, 감지 배선들(TL1, TL2, TL3)은 제1 감지 배선들(TL1), 제2 감지 배선들(TL2), 및 제3 감지 배선들(TL3)을 포함할 수 있다. 제1 및 제2 감지 배선들(TL1, TL2)에 대한 설명은 도 6에서 상술한 설명이 동일하게 적용될 수 있으므로, 이하, 생략한다.
제3 감지 배선들(TL3) 각각은 제1 감지 전극들(TE1) 중 대응되는 제1 감지 전극의 타단에 연결될 수 있다. 제1 감지 전극(TE1)의 양 끝단들 중 입력 패드부(PDP-I)에 인접한 일단은 제1 감지 배선(TL1)에 연결되고, 일단에 대향되는 타단은 제3 감지 배선(TL3)에 연결될 수 있다.
제3 감지 배선들(TL3)은 제1 감지 배선들(TL1)의 저항 값들과 유사한 경향성을 보이는 저항 값들을 갖도록 설계될 수 있다. 즉, 연결되는 제1 감지 전극(TE1)이 액티브 영역(AA-I)의 중앙 부분에 인접하게 배치될수록, 제3 감지 배선들(TL3)의 저항이 감소되도록 설계될 수 있다. 이를 통해, 제2 전극(CE, 도 4b 참조)에서 발생되는 노이즈가 제1 방향(DR1)을 기준으로 액티브 영역(AA-I)의 중앙 부분에 가까워질수록 증가되더라도, 입력센서(ISL)에 발생되는 노이즈의 편차를 줄일 수 있고, 감지 신뢰도를 개선할 수 있다.
본 실시예에서, 적어도 하나의 가드 배선(GDL)은 제1 가드 배선(GDL1), 제2 가드 배선(GDL2), 제3 가드 배선(GDL3), 및 제4 가드 배선(GDL4)을 포함할 수 있다. 제1 내지 제3 가드 배선들(GDL1, GDL2, GDL3)에 대한 설명은 도 6에서 상술한 설명이 동일하게 적용될 수 있으므로, 이하, 생략한다.
제4 가드 배선(GDL4)은 입력 패드들(PD-I) 중 대응되는 입력 패드로부터 제1 및 제4 측들(S1, S4)을 따라 연장되어 배치될 수 있다. 제4 가드 배선(GDL4)은 액티브 영역(AA-I)의 제1 측(S1)을 따라 연장되는 부분에서 제1 및 제3 감지 배선들(TL1, TL3) 중 서로 인접한 제1 및 제3 감지 배선들 사이에 배치될 수 있다. 제4 가드 배선(GDL4)은 액티브 영역(AA-I)의 제4 측(S4)을 따라 연장되는 부분에서 액티브 영역(AA-I)과 제3 감지 배선들(TL3) 사이에 배치될 수 있다. 본 실시예에서, 제1 가드 배선(GDL1)은 제3 감지 배선들(TL3)의 외측에 배치되고, 제4 가드 배선(GDL4)은 제3 감지 배선들(TL3)의 내측에 배치될 수 있다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 입력센서의 평면도이다.
도 13을 참조하면, 입력센서(ISL)는 복수의 감지 전극들(TE1, TE2), 감지 전극들(TE1, TE2)에 각각 연결되는 복수의 감지 배선들(TL1, TL2), 입력 패드부(PDP-I), 적어도 하나의 접지 배선(GNL), 및 적어도 하나의 가드 배선(GDL)을 포함할 수 있다. 도 6a 참조에서 설명한 구성과 동일/유사한 구성에 대해 동일/유사한 참조 부호를 사용하며, 중복된 설명은 생략한다.
본 실시예에서, 감지 배선들(TL1, TL2)은 제1 감지 배선들(TL1) 및 제2 감지 배선들(TL2)을 포함할 수 있다. 제2 감지 배선들에 대한 설명은 도 6에서 상술한 설명이 동일하게 적용될 수 있으므로, 이하, 생략한다.
제1 감지 배선들(TL1) 각각은 제1 감지 전극들(TE1) 중 대응되는 제1 감지 전극의 일단에 연결될 수 있고, 대응되는 제1 감지 전극(TE1)의 일단은 제1 감지 전극(TE1)의 양 끝단들 중 입력 패드부(PDP-I)에 인접한 끝단에 대응될 수 있다.
본 실시예에서, 입력 패드부(PDP-I)는 제1 패드부(PP1) 및 제2 패드부(PP2)를 포함할 수 있다. 제1 패드부(PP1)는 표시 패드부(PDP)로부터 일 측으로 이격하여 배치되고 제2 패드부(PP2)는 표시 패드부(PDP)로부터 타 측으로 이격하여 배치된 부분일 수 있다. 즉, 제1 및 제2 패드부들(PP1, PP2)은 표시 패드부(PDP)를 사이에 두고 서로 이격하여 배치될 수 있다. 제1 패드부(PP1)는 제1 그룹 입력 패드들(PD1)을 포함하고, 제2 패드부(PP2)는 제2 그룹 입력 패드들(PD2)을 포함할 수 있다.
제1 감지 배선들(TL1)은 제1 그룹 배선들(TL1-1) 및 제2 그룹 배선들(TL1-2)을 포함할 수 있다. 제1 그룹 배선들(TL1-1)은 제1 패드부(PP1)에 연결되고, 제2 그룹 배선들(TL1-2)은 제2 패드부(PP2)에 연결될 수 있다. 제1 그룹 배선들(TL1-1)은 각각 제1 그룹 입력 패드들(PD1)에 연결되고, 제2 그룹 배선들(TL1-2)은 각각 제2 그룹 입력 패드들(PD2)에 연결될 수 있다.
일 실시예에서, 제1 감지 배선들(TL1) 중 제1 패드부(PP1)에 연결된 제1 그룹 배선들(TL1-1)은 제1 방향(DR1)으로 갈수록 길어지고, 제1 감지 배선들(TL1) 중 제2 패드부(PP2)에 연결된 제2 그룹 배선들(TL1-2)은 제1 방향(DR1)으로 갈수록 짧아질 수 있다.
한편, 다른 일 실시예에 따르면, 감지 배선들은 제3 감지 배선들을 더 포함할 수도 있다. 제3 감지 배선들 각각은 제1 감지 전극들(TE1) 중 대응되는 제1 감지 전극의 타단 및 제2 패드부(PP2)에 연결될 수 있다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치 제조방법을 나타낸 순서도이다.
도 14를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시장치 제조방법은, 기준 표시장치를 이용하여 기준 입력센서의 노이즈 측정 단계 및 표시장치를 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 기준 표시장치를 이용하여 기준 입력센서의 노이즈 측정 단계는, 기준 표시장치 제공 단계(S1) 및 기준 입력센서의 노이즈 측정 단계(S2)를 포함할 수 있고, 표시장치를 형성하는 단계는 제1 감지 배선들의 저항 설정 단계(S3), 제2 감지 배선들의 저항 설정 단계(S4), 및 입력센서 형성 단계(S5)를 포함할 수 있다. 이하, 도 15 내지 도 18b을 참조하여, 각 단계들에 대하여 자세히 설명한다.
도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 기준 입력센서의 평면도이다. 도 16a는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 기준 감지 배선들의 저항 값들을 나타낸 그래프이다. 도 16b는 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 기준 감지 배선들의 저항 값들을 나타낸 그래프이다. 이하, 도 15 내지 도 16b를 참조하여, 기준 표시장치 제공 단계(S1)에 대해 설명한다.
본 실시예에서, 기준 표시장치는 표시패널(DP, 도 4a 참조) 및 표시패널(DP, 도 4a 참조) 상에 배치된 기준 입력센서(ISL_S)를 포함할 수 있다. 표시패널(DP, 도 4a 참조)에 관한 설명은 도 2 내지 도 4b에서 상술한 설명이 동일하게 적용될 수 있다.
기준 입력센서(ISL_S)는 도 6, 도 13, 및 도 14에서 상술한 입력센서(ISL) 중 어느 하나의 입력센서의 구성들을 포함할 수 있다. 본 실시예에서, 기준 입력센서(ISL_S)는 복수의 감지 전극들(TE1, TE2), 복수의 기준 감지 배선들(TL1_S, TL2_S), 입력 패드부(PDP-I), 적어도 하나의 접지 배선(GNL), 및 적어도 하나의 가드 배선(GDL)을 포함할 수 있다.
복수의 감지 전극들(TE1, TE2)은 제1 방향(DR1)에서 배열된 제1 감지 전극들(TE1, 또는, 제1 기준 감지 전극들) 및 제2 방향(DR2)에서 배열된 제2 감지 전극들(TE2, 또는, 제2 기준 감지 전극들)을 포함할 수 있다.
이하에서, 기준 감지 배선들(TL1_S, TL2_S)은 도 6의 감지 배선들(TL1, TL2)의 형태로 제공되는 것을 예시적으로 설명하나, 이에 한정되지 않고, 제조하고자 하는 감지 배선들에 따라 기준 감지 배선들은 도 13의 감지 배선들(TL1, TL2, TL3) 및 도 14의 감지 배선들(TL1, TL2)의 형태로도 제공될 수 있다.
본 실시예에서, 복수의 기준 감지 배선들(TL1_S, TL2_S)은 제1 기준 감지 배선들(TL1_S) 및 제2 기준 감지 배선들(TL2_S)을 포함할 수 있다.
도 16a에 도시된 바와 같이, 제1 기준 감지 배선들(TL1_1S, TL1_2S, TL1_3S, TL1_4S, TL1_5S)은 실질적으로 동일한 저항 값들을 갖도록 제공된 것일 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제1 기준 감지 배선들(TL1_1S, TL1_2S, TL1_3S, TL1_4S, TL1_5S)은 제1 방향(DR1)으로 갈수록 증가되는 길이를 가지며, 제1 방향(DR1)으로 갈수록 좁아지는 폭을 가지는 형태로 제공될 수 있다.
도 16b에 도시된 바와 같이, 제2 기준 감지 배선들(TL2_1S, TL2_2S, TL2_3S, TL2_4S, TL2_5S, TL2_6S, TL2_7S)은 연결되는 제2 감지 전극(TE2)이 입력 패드부(PDP-I)와 멀어질수록 점진적으로 증가되는 저항 값들을 갖도록 제공된 것일 수 있다. 이때, 서로 인접한 제2 기준 감지 배선들(TL2_1S, TL2_2S, TL2_3S, TL2_4S, TL2_5S, TL2_6S, TL2_7S)에 대한 저항 증가율은 모든 제2 기준 배선들(TL2_1S, TL2_2S, TL2_3S, TL2_4S, TL2_5S, TL2_6S, TL2_7S)에서 일정할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 제2 기준 감지 배선들(TL2_1S, TL2_2S, TL2_3S, TL2_4S, TL2_5S, TL2_6S, TL2_7S)은 연결되는 제2 감지 전극(TE2)이 입력 패드부(PDP-I)와 멀어질수록 증가되는 길이를 가지며, 실질적으로 동일한 폭을 가지는 형태로 제공될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 인접한 제2 기준 감지 배선들(TL2_1S, TL2_2S, TL2_3S, TL2_4S, TL2_5S, TL2_6S, TL2_7S)의 저항 증가율에 따라, 제2 기준 감지 배선들(TL2_1S, TL2_2S, TL2_3S, TL2_4S, TL2_5S, TL2_6S, TL2_7S)이 갖는 폭의 경향성은 달라질 수 있다.
도 17a는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 기준 감지 배선들 각각의 최대 전압을 나타낸 그래프이다. 도 17b는 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 감지 배선들 각각의 최대 전압을 나타낸 그래프이다. 이하, 도 15와 도 17a 및 도 17b를 함께 참조하여, 기준 입력센서(ISL_I)의 노이즈 측정 단계(S2)에 대해 설명한다.
본 실시예에서, 기준 입력센서(ISL_I)의 제1 및 제2 기준 감지 배선들(TL1_S, TL2_S) 각각에 대해 전압 변화를 측정함으로써, 제1 기준 감지 배선들(TL1_S)의 노이즈 경향성 및 제2 기준 감지 배선들(TL2_S)의 노이즈 경향성을 판단할 수 있다.
예를 들어, 제1 기준 감지 배선들(TL1_S) 각각에 동일 전압을 인가한 후 제1 기준 감지 배선들(TL1_S) 각각의 전압 변화를 측정하고, 제2 기준 감지 배선들(TL2_S) 각각에 동일 전압을 인가한 후 제2 기준 감지 배선들(TL2_S) 각각의 전압 변화를 측정할 수 있다. 제1 및 제2 기준 감지 배선들(TL1_S, TL2_S)의 전압 변화는 오실로스코프를 사용하여 측정할 수 있다.
제1 기준 감지 배선들(TL1_S) 각각의 전압 파형 그래프에서 도출되는 최대 전압값을 통해, 제1 기준 감지 배선들(TL1_S)의 노이즈 경향성을 파악할 수 있다. 즉, 최대 전압값이 큰 제1 기준 감지 배선들(TL1_S)에는 비교적 큰 노이즈가 발생되고, 최대 전압값이 작은 제1 기준 감지 배선들(TL1_S)에는 비교적 작은 노이즈가 발생된 것으로 볼 수 있다. 이에 대한 설명은 제2 기준 감지 배선들(TL2_S)에도 동일하게 적용될 수 있다.
도 17a은 제1 기준 감지 배선들(TL1_S)의 최대 전압값들을 나타낸 그래프이며, 제1 기준 감지 배선들(TL1_S)은 제1 번째 내지 제5 번째 제1 기준 감지 배선들(TL1_1S, TL1_2S, TL1_3S, TL1_4S, TL1_5S)을 포함하는 것을 예시적으로 도시하였다. 제1 번째 내지 제5 번째 제1 기준 감지 배선들(TL1_1S, TL1_2S, TL1_3S, TL1_4S, TL1_5S)은 제1 방향(DR1)으로 순차적으로 배열된 것이며, 도 7a에서 상술한 제1 번째 내지 제5 번째 제1 감지 배선들(TL1_1, TL1_2, TL1_3, TL1_4, TL1_5)과 각각 대응되어 기준을 제공할 수 있다.
제1 번째 제1 기준 감지 배선(TL1_1S)으로부터 제3 번째 제1 기준 감지 배선(TL1_3S)으로 갈수록 최대 전압값이 증가되며, 제5 번째 제1 기준 감지 배선(TL1_5S)으로부터 제3 번째 제1 기준 감지 배선(TL1_S3)으로 갈수록 최대 전압값이 증가될 수 있다. 즉, 제1 기준 감지 배선들(TL1_S)의 최대 전압값은 연결된 제1 감지 전극(TE1)이 액티브 영역(AA-I)의 중앙 부분에 가까워질수록 증가되는 것을 확인할 수 있다. 또한, 제1 기준 감지 배선들(TL1_S)의 노이즈 경향성은 표시패널(DP)의 제2 전극(CE, 도 4b 참조)에서의 제1 방향(DR1)에 대한 노이즈 경향성과 유사한 것을 확인할 수 있다.
도 17b는 제2 기준 감지 배선들(TL2_S)의 최대 전압값들을 나타낸 그래프이며, 제2 기준 감지 배선들(TL2_S)은 제1 번째 내지 제7 번째 제2 기준 감지 배선들(TL2_1S, TL2_2S, TL2_3S, TL2_4S, TL2_5S, TL2_6S, TL2_7S)을 포함하는 것을 예시적으로 도시하였다. 제1 번째 내지 제7 번째 제2 기준 감지 배선들(TL2_1S, TL2_2S, TL2_3S, TL2_4S, TL2_5S, TL2_6S, TL2_7S)은 제2 감지 전극들(TE2)과 연결된 일단들이 제2 방향(DR2)으로 순차적으로 배열된 것이며, 도 7b에서 상술한 제1 번째 내지 제7 번째 제2 감지 배선들(TL2_1, TL2_2, TL2_3, TL2_4, TL2_5, TL2_6, TL2_7)과 각각 대응되어 기준을 제공할 수 있다.
제1 번째 제2 기준 감지 배선(TL2_1S)으로부터 제7 번째 제2 기준 감지 배선(TL2_7S)으로 갈수록, 최대 전압값이 증가되며 인접한 제2 기준 감지 배선들(TL2_S) 간 최대 전압값의 증가율은 감소될 수 있다. 즉, 제2 기준 감지 배선들(TL2_S)의 최대 전압값은 연결된 제2 감지 전극(TE2)이 입력 패드부(PDP-I)로부터 멀어질수록 증가되고, 최대 전압값의 증가율은 감소될 수 있다.
이에 따라, 제2 기준 감지 배선들(TL2_S)에 발생되는 노이즈는 연결되는 제2 감지 전극(TE2)이 입력 패드부(PDP-I)와 멀어질수록 증가되며, 노이즈의 증가율은 감소되는 것을 확인할 수 있다. 또한, 제2 기준 감지 배선들(TL2_S)의 노이즈 경향성은 표시패널(DP, 도 4b 참조)의 제2 전극(CE, 도 4b 참조)에서의 제2 방향(DR2)에 대한 노이즈 경향성과 유사한 것을 확인할 수 있다.
도 18a는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 감지 배선들의 저항을 나타낸 그래프이다. 도 18b는 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 감지 배선들의 저항을 나타낸 그래프이다. 이하, 도 6 및 도 15와 도 18a 및 도 18b를 함께 참조하여, 제1 감지 배선들의 저항 설정 단계(S3), 제2 감지 배선들의 저항 설정 단계(S4), 및 입력센서 형성 단계(S5)에 대해 설명한다.
도 18a에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치 제조방법은 제1 감지 배선들(TL1)의 저항 설정 단계를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 기준 감지 배선들(TL1_S)의 노이즈 경향성을 고려하여, 제1 감지 배선들(TL1)의 저항 값들을 설정할 수 있다. 도 18a에는 제1 감지 배선들(TL1)의 저항 값들을 실선으로 도시하고, 설명의 편의를 위해 도 16a의 제1 기준 감지 배선들(TL1_S)의 저항 값들을 점선으로 함께 도시하였다.
제1 기준 감지 배선들(TL1_S)에 발생되는 노이즈가 중앙 부분으로 갈수록 커지는 경향성을 고려하여, 서로 동일한 저항 값을 갖는 제1 기준 감지 배선들(TL1_S)을 포함할 때 발생되는 제1 방향(DR1)에서의 노이즈 편차를 줄이기 위해, 제1 감지 배선들(TL1)은 중앙 부분에 인접할수록 작아지는 저항 값을 갖도록 설계할 수 있다.
도 18a에는 제1 번째 및 제5 번째 제1 감지 배선들(TL1_1, TL1_5)의 저항 값들은 각각 제1 번째 및 제5 번째 제1 기준 감지 배선들(TL1_1S, TL1_5S)의 저항 값들보다 낮게 설정하고, 제2 번째 내지 제4 번째 제1 감지 배선들(TL1_2, TL1_4)의 저항 값들은 각각 제2 번째 내지 제4 번째 제1 기준 감지 배선들(TL1_2S, TL1_4S)의 저항 값들보다 높게 설정한 것을 예시적으로 도시하였다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 번째 내지 제5 번째 제1 감지 배선들(TL1_1, TL1_2, TL1_3, TL1_4, TL1_5)의 저항 값들은 각각 제1 번째 내지 제5 번째 제1 기준 감지 배선(TL1_1S, TL1_2S, TL1_3S, TL1_4S, TL1_5S)의 저항 값들보다 높게 설정할 수도 있고, 낮게 설정할 수도 있다.
도 18b에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치 제조방법은 제2 감지 배선들(TL2)의 저항 설정 단계를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제2 기준 감지 배선들(TL2_S)의 노이즈 경향성을 고려하여, 제2 감지 배선들(TL2)의 저항 값들을 설정할 수 있다. 도 18b에는 제2 감지 배선들(TL2)의 저항 값들을 실선으로 도시하고, 설명의 편의를 위해 도 16b의 제2 기준 감지 배선들(TL2_S)의 저항 값들을 점선으로 함께 도시하였다.
제2 기준 감지 배선들(TL2_S)에 발생되는 노이즈가 연결되는 제2 감지 전극(TE2)이 입력 패드부(PDP-I)로부터 멀어질수록 커지며, 노이즈 증가율이 연결되는 제2 감지 전극(TE2)이 입력 패드부(PDP-I)로부터 멀어질수록 작아지는 경향성을 고려하여, 제2 방향(DR2)에서의 노이즈 편차를 줄이기 위해, 제2 감지 배선들(TL2)의 저항 값들을 설정할 수 있다.
노이즈 증가율이 비교적 낮은 부분에서는 노이즈 편차가 비교적 적게 발생하고, 노이즈 증가율이 비교적 높은 부분에서는 노이즈 편차가 비교적 크게 발생할 수 있다. 따라서, 본 실시예에서는, 제2 감지 배선들(TL2)에 발생되는 노이즈에 있어서, 일단에 연결된 제2 감지 전극(TE2)이 입력 패드부(PDP-I)와 가까워질수록 증가율이 높아지는 경향성을 고려하여, 일정 비율로 증가되는 저항 값들을 갖는 제2 기준 감지 배선들(TL2_S)을 포함할 때 발생되는 제2 방향(DR2)에서의 노이즈 편차를 줄이기 위해, 제2 감지 배선들(TE2)은 일단에 연결되는 제2 감지 전극(TE2)이 입력 패드부(PDP-I)로부터 가까워질수록 증가율이 감소되는 저항 값들을 갖도록 설계할 수 있다.
도 18b에는 제1 번째 내지 제3 번째 제2 감지 배선들(TL2_1, TL2_2, TL2_3)의 저항 값들은 각각 제1 번째 내지 제3 번째 제2 기준 감지 배선들(TL2_1S, TL2_2S, TL2_3S)의 저항 값들보다 높게 설정하고, 제4 번째 내지 제7 번째 제2 감지 배선들(TL2_4, TL2_5, TL2_6, TL2_7)의 저항 값들은 각각 제4 번째 내지 제7 번째 제2 기준 감지 배선들(TL2_4S, TL2_5S, TL2_6S, TL2_7S)의 저항 값들보다 낮게 설정될 수 있다. 이에 따라, 비교적 낮은 노이즈가 발생되는 부분에서 저항 값을 높이고 비교적 높은 노이즈가 발생되는 부분에서 저항 값은 낮춤으로써, 제2 방향(DR2)에서의 노이즈 편차를 줄일 수 있다.
다만, 제1 번째 내지 제7 번째 제2 감지 배선들(TL2_1, TL2_2, TL2_3, TL2_4, TL2_5, TL2_6, TL2_7)의 저항 값들은 각각 제1 번째 내지 제7 번째 제2 기준 감지 배선들(TL2_1S, TL2_2S, TL2_3S, TL2_4S, TL2_5S, TL2_6S, TL2_7S)의 저항 값들보다 높게 설정될 수도 있고, 낮게 설정될 수도 있다.
이후, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치 제조방법은 입력센서 형성 단계(S5)를 포함할 수 있다. 입력센서 형성 단계(S5)에서, 감지 배선들(TL1, TL2)이 설정된 저항 값들을 갖도록 감지 배선들(TL1, TL2)을 설계할 수 있고, 설계된 감지 배선들(TL1, TL2)을 포함하는 입력센서(ISL)를 형성할 수 있다. 기준 감지 배선들(TL1_S, TL2_S)로부터 폭을 변경하거나, 길이를 변경하거나, 폭과 길이를 같이 변경함으로써, 설정된 저항 값을 갖는 감지 배선들(TL1, TL2)을 설계할 수 있다.
표시패널(DP, 도 2 참조) 상에 설계된 제1 및 제2 감지 배선들(TL1, TL2)을 포함하는 입력센서(ISL)를 형성하여 표시장치(DD, 도 2 참조)를 제공할 수 있다. 이때, 입력센서(ISL)를 제작한 후 반사방지층(RPL, 도 2 참조), 패널 보호필름(PPF, 도 2 참조), 및 윈도우(WM, 도 2 참조)의 부착 단계를 더 진행함으로써, 표시장치(DD, 도 2 참조)를 완성할 수 있다.
본 발명에 따르면, 제조 과정에서 노이즈 경향성을 미리 파악한 후, 노이즈 편차를 줄이기 위해 감지 배선들의 저항 값들을 설정함으로써, 전기적 신뢰도가 개선된 입력센서를 제공하고 감지 신뢰도가 개선된 표시장치를 제공할 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
DD: 표시장치 DP: 표시패널
ISL: 입력센서 TE1: 제1 감지 전극들
TE2: 제2 감지 전극들 TL1: 제1 감지 배선들
TL2: 제2 감지 배선들 ISL_S: 기준 입력센서
TL1_S: 제1 기준 감지 배선들 TL2_S: 제2 기준 감지 배선들

Claims (20)

  1. 화소를 포함하는 표시패널;
    제1 방향으로 배열되고 각각이 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되는 제1 감지 전극들, 상기 제2 방향으로 배열되고 각각이 상기 제1 방향으로 연장되는 제2 감지 전극들, 상기 제1 감지 전극들에 각각 연결된 제1 감지 배선들, 및 상기 제2 감지 전극들에 각각 연결된 제2 감지 배선들을 포함하고, 상기 표시패널 상에 배치되는 입력센서; 및
    상기 표시패널의 상기 제1 방향으로 연장되는 끝단에 인접하게 배치되고, 상기 제1 및 제2 감지 배선들과 전기적으로 연결된 회로기판을 포함하고,
    상기 제1 감지 배선들의 저항 값들은 상기 제1 감지 전극들 중 대응되는 제1 감지 전극이 내측에 배치될수록 감소하고,
    상기 제2 감지 배선들의 저항 값들은 상기 제2 감지 전극들 중 대응되는 제2 감지 전극이 상기 회로기판과 멀어질수록 증가하며, 서로 인접한 제2 감지 배선들의 저항 값들의 차이는 상기 대응되는 제2 감지 전극이 상기 회로기판과 멀어질수록 증가하는 표시장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 표시패널은 상기 화소가 배치된 액티브 영역 및 상기 액티브 영역과 인접한 주변영역을 포함하고,
    상기 화소는 적어도 하나의 트랜지스터를 포함하는 구동회로 및 상기 구동회로와 전기적으로 연결되는 제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 및 제2 전극들 사이에 배치된 발광층을 포함하는 발광소자를 포함하며,
    상기 제2 전극에서 발생되는 노이즈는 상기 제1 방향에 대하여 상기 액티브 영역의 중앙 부분에 가까워질수록 감소하고, 상기 제2 방향에 대하여 상기 회로기판과 멀어질수록 증가하며,
    상기 제2 전극에서 발생되는 노이즈의 상기 제2 방향에서의 증가율은 상기 회로기판과 멀어질수록 감소하는 표시장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 감지 전극들 각각의 상기 제2 방향에서의 길이는 상기 제2 감지 전극들 각각의 상기 제1 방향에서의 길이보다 긴 표시장치.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 감지 배선들은 상기 제1 감지 전극들의 일단들에 각각 연결되고,
    상기 제2 감지 배선들은 상기 제2 감지 전극들의 일단들에 각각 연결되며,
    상기 제1 감지 전극들의 상기 일단들은 상기 회로기판에 인접한 표시장치.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 표시패널은,
    상기 화소에 전기적으로 연결된 적어도 하나의 신호 라인; 및
    상기 적어도 하나의 신호 라인이 연결된 표시 패드부를 더 포함하고,
    상기 입력센서는,
    상기 제1 및 제2 감지 배선들이 연결된 입력 패드부를 더 포함하고,
    상기 적어도 하나의 신호 라인은 상기 표시 패드부를 통해 상기 회로기판과 전기적으로 연결되며, 상기 제1 및 제2 감지 배선들은 상기 입력 패드부를 통해 상기 회로기판과 전기적으로 연결되는 표시장치.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 감지 패드부는 상기 표시 패드부로부터 일 측에 이격하여 배치되는 표시장치.
  7. 제5 항에 있어서,
    상기 감지 패드부는 상기 표시 패드로부터 양 측에 각각 이격하여 배치되는 제1 부분 및 제2 부분을 포함하고,
    상기 제1 감지 배선들의 일부는 상기 제1 부분에 연결되고 상기 제1 감지 배선들의 나머지 일부는 상기 제2 부분에 연결되며,
    상기 제2 감지 배선들은 모두 상기 제1 부분에 연결되는 표시장치.
  8. 제4 항에 있어서,
    상기 입력센서는 상기 제1 감지 전극들의 타단들에 각각 연결되는 제3 감지 배선들을 더 포함하고,
    상기 제3 감지 배선들의 저항 값들은 상기 제1 감지 전극들 중 대응되는 제1 감지 전극이 내측에 배치될수록 감소하는 표시장치.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 감지 배선들 각각은 단층 구조 및 복층 구조 중 어느 하나를 갖는 표시장치.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 입력센서는,
    가드 배선; 및
    상기 가드 배선보다 외측에 배치된 차폐 배선을 더 포함하는 표시장치.
  11. 표시패널 및 상기 표시패널 상에 배치된 기준 입력센서를 포함하는 기준 표시장치를 이용하여, 상기 기준 입력센서에서의 노이즈를 측정하는 단계; 및
    상기 표시패널 및 제1 방향으로 배열된 제1 감지 전극들, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 배열된 제2 감지 전극들, 상기 제1 감지 전극들에 각각 연결된 제1 감지 배선들, 및 상기 제2 감지 전극들에 각각 연결된 제2 감지 배선들을 포함하며 상기 표시패널 상에 배치된 입력센서를 포함하는 표시장치를 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 표시장치를 형성하는 단계는,
    측정된 노이즈를 근거로 상기 제1 감지 배선들의 저항을 설정하는 단계;
    측정된 노이즈를 근거로 상기 제2 감지 배선들의 저항을 설정하는 단계; 및
    상기 표시패널 상에 상기 입력센서를 형성하는 단계를 포함하는 표시장치 제조방법.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 제1 감지 배선들의 저항 값들은 상기 제1 감지 전극들 중 대응되는 제1 감지 전극이 내측에 배치될수록 감소되는 표시장치 제조방법.
  13. 제11 항에 있어서,
    상기 표시장치는 상기 표시패널의 상기 제1 방향으로 연장되는 끝단에 인접하게 배치되고, 상기 제1 및 제2 감지 배선들과 전기적으로 연결된 회로기판을 더 포함하고,
    상기 제2 감지 배선들의 저항 값들은 상기 제2 감지 전극들 중 대응되는 제2 감지 전극이 상기 회로기판과 멀어질수록 증가하며, 서로 인접한 제2 감지 배선들의 저항 값들의 차이는 상기 대응되는 제2 감지 전극이 상기 회로기판과 멀어질수록 증가하는 표시장치 제조방법.
  14. 제11 항에 있어서,
    상기 기준 표시장치는 상기 표시패널의 상기 제1 방향으로 연장되는 끝단에 인접하게 배치되는 회로기판을 더 포함하고,
    상기 기준 입력센서는,
    상기 제1 방향으로 배열된 제1 기준 감지 전극들;
    상기 제2 방향으로 배열된 제2 기준 감지 전극들;
    상기 제1 감지 전극들에 각각 연결된 제1 기준 감지 배선들; 및
    상기 제2 감지 전극들에 각각 연결된 제2 기준 감지 배선들을 포함하고,
    상기 제1 기준 감지 배선들의 저항 값들은 실질적으로 동일하며,
    상기 회로기판과 멀어지는 방향으로 배열된 상기 제2 감지 전극들에 각각 연결된 상기 제2 감지 배선들의 저항 값들은 일정 비율로 증가하는 표시장치 제조방법.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 제1 기준 감지 배선들에 발생되는 노이즈는 상기 제1 기준 감지 전극들 중 대응되는 제1 기준 감지 전극이 내측에 배치될수록 증가하는 표시장치 제조방법.
  16. 제14 항에 있어서,
    상기 제1 감지 배선들의 저항 값들을 설정하는 단계는,
    상기 제1 기준 감지 배선들에 발생되는 노이즈 경향성을 근거로 상기 제1 감지 배선들의 저항 값들의 경향성을 설정하는 표시장치 제조방법.
  17. 제14 항에 있어서,
    상기 제2 기준 감지 배선들에 발생되는 노이즈는 상기 제2 기준 감지 전극들 중 대응되는 제2 기준 감지 전극이 상기 회로기판과 멀어질수록 증가하며,
    서로 인접한 제2 기준 감지 배선들 간 노이즈 증가율은 상기 대응되는 제2 기준 감지 전극이 상기 회로기판과 멀어질수록 감소하는 표시장치 제조방법.
  18. 제14 항에 있어서,
    상기 제2 감지 배선들의 저항 값들을 설정하는 단계는,
    상기 제2 기준 감지 배선들에 발생되는 노이즈 경향성을 근거로 상기 제2 감지 배선들의 저항 값들의 경향성을 설정하는 표시장치 제조방법.
  19. 제14 항에 있어서,
    상기 기준 입력센서에서의 노이즈를 측정하는 단계는,
    상기 제1 기준 감지 배선들 및 상기 제2 기준 감지 배선들 각각의 전압 변화를 측정하는 표시장치 제조방법.
  20. 제14 항에 있어서,
    상기 입력센서를 형성하는 단계에서,
    상기 제1 기준 감지 배선들 각각의 길이 및 폭을 기준으로 상기 제1 감지 배선들 각각의 길이 및 폭 중 적어도 하나를 제어하여, 각각이 설정된 저항을 갖는 상기 제1 감지 배선들을 형성하고,
    상기 제2 기준 감지 배선들 각각의 길이 및 폭을 기준으로 상기 제2 감지 배선들 각각의 길이 및 폭 중 적어도 하나를 제어하여, 각각이 설정된 저항을 갖는 상기 제2 감지 배선들을 형성하는 표시장치 제조방법.
KR1020220127363A 2022-10-05 2022-10-05 표시장치 및 이의 제조방법 KR20240048079A (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020220127363A KR20240048079A (ko) 2022-10-05 2022-10-05 표시장치 및 이의 제조방법
US18/344,550 US20240122019A1 (en) 2022-10-05 2023-06-29 Display device having detection wires with varied resistance values and manufacturing method of the same
CN202311261724.7A CN117858541A (zh) 2022-10-05 2023-09-26 显示装置和用于制造显示装置的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020220127363A KR20240048079A (ko) 2022-10-05 2022-10-05 표시장치 및 이의 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20240048079A true KR20240048079A (ko) 2024-04-15

Family

ID=90535453

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020220127363A KR20240048079A (ko) 2022-10-05 2022-10-05 표시장치 및 이의 제조방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20240122019A1 (ko)
KR (1) KR20240048079A (ko)
CN (1) CN117858541A (ko)

Also Published As

Publication number Publication date
US20240122019A1 (en) 2024-04-11
CN117858541A (zh) 2024-04-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102553530B1 (ko) 터치 디스플레이 패널, 터치 디스플레이 장치 및 그 구동 방법
KR20160087981A (ko) 표시 장치
CN110931541A (zh) 显示面板和显示装置
US11467692B2 (en) Electronic device
KR20220023891A (ko) 표시 장치
US20220158129A1 (en) Display device
US11392230B2 (en) Display device
KR20240048079A (ko) 표시장치 및 이의 제조방법
CN115084196A (zh) 显示装置
KR20220117372A (ko) 표시 장치
KR20210005368A (ko) 표시장치
CN218456645U (zh) 显示装置
US11903280B2 (en) Display device
US11500501B2 (en) Touch display device
US20240069670A1 (en) Touch detection module and display device including the same
KR20240011919A (ko) 표시장치 및 이의 제조방법
KR20240050553A (ko) 표시 장치
KR20240049760A (ko) 입력센서 및 이를 포함하는 전자장치
KR20210115084A (ko) 표시 장치
KR20220106892A (ko) 표시 장치
KR20240015228A (ko) 표시장치
KR20220062194A (ko) 표시 장치
KR20220091649A (ko) 표시장치
KR20230168257A (ko) 표시 장치
KR20230146693A (ko) 입력 센싱부 및 그것을 포함하는 표시 장치