KR20200040850A - 나노구조 기반 디스플레이 디바이스들 - Google Patents
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Abstract
디스플레이 디바이스는 광 소스를 갖는 백라이트 유닛 및 액정 디스플레이 (LCD) 모듈을 포함한다. 광 소스는 제 1 파장 영역에서 프라이머리 광을 방출하도록 구성된다. LCD 모듈은 제 1 서브픽셀, 제 2 서브픽셀, 및 제 3 서브픽셀을 갖는 픽셀을 포함한다. 제 1 서브-픽셀은 제 2 파장 영역에서 제 1 광을 방출하도록 구성된 제 1 방출 표면을 포함한다. 제 2 서브-픽셀은 제 3 파장 영역에서 제 2 광을 방출하도록 구성된 제 2 방출 표면을 포함한다. 제 3 서브-픽셀은 제 1 파장 영역에서 제 3 광을 방출하도록 구성된 제 3 방출 표면을 포함한다. 제 3 휘도는 제 1 휘도 및 제 2 휘도보다 더 크다. 제 3 방출 표면의 면적은 제 1 방출 표면의 면적 및 제 2 방출 표면의 면적보다 더 작다.
Description
본 발명은 양자 도트들 (QD들) 과 같은 발광성 나노구조들을 갖는 포스퍼 (phosphor) 필름들을 포함하는 디스플레이 디바이스들에 관한 것이다.
양자 도트들 (QD들) 과 같은 발광성 나노구조들 (NS들) 은, 좁은 라인 폭으로 단일 스펙트럼 피크에서 광을 방출하여, 고포화 컬러들을 생성하는 능력을 갖는 포스퍼들의 클래스를 나타낸다. NS들의 사이즈에 기초하여 방출 파장을 튜닝하는 것이 가능하다. NS들은 NS 필름을 생성하는데 사용된다. 그것은 디스플레이 디바이스들 (예를 들어, 액정 디스플레이 (LCD) 디바이스, 유기 발광 다이오드 (OLED) 디스플레이 디바이스) 에서 컬러 하향 변환 층으로서 사용될 수도 있다. 발광 디스플레이 (emissive display) 들에서의 컬러 하향 변환 층의 사용은 백색 광, 청색 광, 또는 자외선 (UV) 광을, 그 광이 컬러 필터를 통과하기 전에 더 붉은색을 띤 광, 녹색을 띤 광, 또는 양자 모두로 하향 변환함으로써 시스템 효율을 개선시킬 수 있다. 컬러 하향 변환 층의 이러한 사용은 필터링으로 인한 광 에너지의 손실을 감소시킬 수도 있다.
NS들은 그들의 광범위한 흡수 및 좁은 방출 스펙트럼들로 인해 변환 재료로서 사용될 수도 있다. 그러한 적용을 위해 요구된 NS들의 밀도는 약 3 ㎛ - 6 ㎛ 의 매우 얇은 컬러 하향 변환 층에서 매우 높기 때문에, 현재의 방법들을 사용하여 제조된 NS들은, NS들이 얇은 NS 필름에서 서로 바로 옆에 밀접하게 팩킹될 경우 그들의 광학 특성들의 퀀칭 (quenching) 을 겪는다. 이로써, 컬러 하향 변환 층들로서 NS 필름들을 사용한 현재의 NS 기반 디스플레이 디바이스들은 낮은 양자 수율 (QY) 을 겪는다.
디스플레이 디바이스의 이미지 품질을 정의하는데 사용된 팩터들 중 하나는 디스플레이 디바이스에 의해 제공된 Rec. 2020, Rec. 709, DCI P3, NTSC, 또는 sRGB 와 같은 표준 RGB 컬러 공간들의 색 영역 커버리지 (color gamut coverage) 이다. 도 1 은 디스플레이 디바이스의 색 영역 커버리지의 정의를 예시한다. 도 1 에서, 1976 CIE 컬러 좌표들 (101a-101c) 사이에 형성된 영역 (101) 은 1976 CIE u'-v'색도도 (100) 상의 표준 RGB 컬러 공간 (예를 들어, Rec. 2020) 의 색 영역을 나타낸다. 1976 CIE 컬러 좌표들 (102a-102c) 사이에 형성된 영역 (102) 은 1976 CIE u'-v'색도도 (100) 상의 디스플레이 디바이스의 색 영역을 나타낸다. 디스플레이 디바이스의 색 영역 커버리지는 영역들 (101 및 102) 사이의 오버랩하는 영역 (103) 대 영역 (101) 의 비율로서 정의될 수도 있다. 디스플레이 디바이스의 색 영역 커버리지가 넓을수록, 디스플레이 디바이스에 의해 렌더링되는 (즉, 가시 스펙트럼과 같은) 인간의 눈에 의해 식별가능한 컬러들의 범위가 더 넓고, 따라서, 이미지 품질에 기여하는 다른 팩터들이 최적화됨을 가정하여 디스플레이 디바이스의 이미지 품질이 개선된다.
현재의 디스플레이 디바이스들은 원하는 밝기 (예를 들어, 고 동적 범위 (high dynamic range; HDR) 이미징 표준들에 의해 요구된 밝기) 및 표준 RGB 컬러 공간들의 원하는 색 영역 커버리지 (예를 들어, 85 % 초과) 를 달성하는 것 사이의 트레이드-오프를 겪는다. 예를 들어, 일부 디스플레이 디바이스들은 90 % 이상의 DCI P3 색 영역 커버리지를 달성하기 위해 밝기에서 약 30 % 의 손실을 겪는다. 따라서, 현재의 기술로는, 디스플레이 디바이스들에서의 밝기의 손실이 DCI P3 (예를 들어, Rec. 2020) 보다 훨씬 더 넓은 컬러 공간들의 색 영역 커버리지를 달성하기 위해 상당히 더 높을 것이다.
현재의 디스플레이 디바이스들이 겪는 다른 단점은 디스플레이 디바이스들의 색 영역 커버리지에 부정적인 영향을 미치는 디스플레이 디바이스들의 변환 재료들 (예를 들어, NS 필름들) 을 통한 변환되지 않은 광의 누출이다. 예를 들어, 일부 디스플레이 디바이스들은 그들의 녹색 및/또는 적색 픽셀들을 통해 원하지 않는 청색 광의 누출을 겪는다. 이는 청색 광 소스로부터 변환 재료에 입사하는 청색 광이 완전히 흡수되지 않고 변환 재료에 의해 녹색 및/또는 적색 광으로 변환되지 않을 경우에 발생할 수도 있다.
이에 따라, 색 영역 커버리지가 개선되고 넓은 RGB 컬러 공간들의 원하는 색 영역 커버리지 및 원하는 밝기를 달성하는 것 사이의 트레이드-오프가 더 적은 디스플레이 디바이스들이 필요하다.
일 실시형태에 따르면, 디스플레이 디바이스는 광 소스를 갖는 백라이트 유닛 및 액정 디스플레이 (LCD) 모듈을 포함한다. 광 소스는 전자기 (EM) 스펙트럼의 제 1 파장 영역에서 프라이머리 광을 방출하도록 구성된다. LCD 모듈은 제 1, 제 2, 및 제 3 서브-픽셀들을 갖는 픽셀을 포함한다. 제 1 서브-픽셀은 EM 스펙트럼의 제 2 파장 영역에서, 총 휘도의 제 1 양을 갖는 제 1 광을 방출하도록 구성된 제 1 방출 표면 (emissive surface) 을 포함한다. 제 2 서브-픽셀은 EM 스펙트럼의 제 3 파장 영역에서, 총 휘도의 제 2 양을 갖는 제 2 광을 방출하도록 구성된 제 2 방출 표면을 포함한다. 제 3 서브-픽셀은 EM 스펙트럼의 제 1 파장 영역에서, 총 휘도의 제 3 양을 갖는 제 3 광을 방출하도록 구성된 제 3 방출 표면을 포함한다. 제 1, 제 2, 및 제 3 파장 영역들은 서로 상이하다. 제 3 휘도는 제 1 휘도 및 제 2 휘도보다 더 크다. 제 3 방출 표면의 면적은 제 1 방출 표면의 면적 및 제 2 방출 표면의 면적보다 더 작다.
일 실시형태에 따르면, 디스플레이 디바이스는 제 1, 제 2, 및 제 3 서브-픽셀들을 포함한다. 제 1 서브-픽셀은 EM 스펙트럼의 제 1 파장 영역에서, 총 휘도의 제 1 양을 갖는 제 1 광을 방출하도록 구성된 제 1 방출 표면을 포함한다. 제 2 서브-픽셀은 EM 스펙트럼의 제 2 파장 영역에서, 총 휘도의 제 2 양을 갖는 제 2 광을 방출하도록 구성된 제 2 방출 표면을 포함한다. 제 3 서브-픽셀은 EM 스펙트럼의 제 3 파장 영역에서, 총 휘도의 제 3 양을 갖는 제 3 광을 방출하도록 구성된 제 3 방출 표면을 포함한다. 제 1, 제 2, 및 제 3 파장 영역들은 서로 상이하다. 제 3 휘도는 제 1 휘도 및 제 2 휘도보다 더 크다. 제 3 방출 표면의 면적은 제 1 방출 표면의 면적 및 제 2 방출 표면의 면적보다 더 작다.
일 실시형태에 따르면, 디스플레이 디바이스는 제 1, 제 2, 및 제 3 방출 표면들을 포함한다. 제 1 방출 표면은 EM 스펙트럼의 제 1 파장 영역에서, 총 휘도의 제 1 양을 갖는 제 1 광을 방출하도록 구성된다. 제 2 방출 표면은 EM 스펙트럼의 제 2 파장 영역에서, 총 휘도의 제 2 양을 갖는 제 2 광을 방출하도록 구성된다. 제 3 방출 표면은 EM 스펙트럼의 제 3 파장 영역에서, 총 휘도의 제 3 양을 갖는 제 3 광을 방출하도록 구성된다. 제 1, 제 2, 및 제 3 파장 영역들은 서로 상이하다. 제 3 휘도는 제 1 휘도 및 제 2 휘도보다 더 크다. 제 3 방출 표면의 면적은 제 1 방출 표면의 면적 및 제 2 방출 표면의 면적보다 더 작다.
본 발명의 추가의 피처들 및 이점들 뿐만 아니라 본 발명의 다양한 실시형태들의 구조 및 동작은 첨부 도면들을 참조하여 이하에 상세히 설명된다. 본 발명은 본 명세서에서 설명된 특정 실시형태들에 한정되지 않음에 유의한다. 그러한 실시형태들은 본 명세서에서 오직 예시적인 목적들을 위해 제시된다. 추가적인 실시형태들은 본 명세서에 포함된 교시들에 기초하여 당업자에게 자명할 것이다.
본 명세서에 통합되고 명세서의 부분을 형성하는 첨부 도면들은, 본 실시형태들을 예시하고, 그리고, 그 설명과 함께, 추가로, 본 실시형태들의 원리들을 설명하도록 그리고 당업자로 하여금 본 실시형태들을 제조 및 이용할 수 있게 하도록 제공된다.
도 1 은 디스플레이 디바이스의 색 영역 및 Rec. 2020 색 영역의 CIE 1976 u'v' 색도도이다.
도 2 의 A 및 B, 및 도 3 은 일 실시형태에 따른, 액정 디스플레이 (LCD) 디바이스들의 분해 단면도들이다.
도 4 는 일 실시형태에 따른, 유기 발광 다이오드 (OLED) 디스플레이 디바이스의 분해 단면도이다.
도 5a 및 도 5b 는 일 실시형태에 따른, OLED 디스플레이 디바이스의 픽셀들의 분해 단면도들이다.
도 6 은 일 실시형태에 따른, 나노구조의 단면도의 스키매틱이다.
도 7 은 일 실시형태에 따른, 나노구조 필름의 스키매틱이다.
본 발명의 피처들 및 이점들은 도면들과 함께 취해질 경우에 이하에 기재된 상세한 설명으로부터 더 자명하게 될 것이며, 도면들에 있어서 동일한 참조 부호들은 전반에 걸쳐 대응하는 엘리먼트들을 식별한다. 도면들에 있어서, 동일한 참조 번호들은 일반적으로 동일한, 기능적으로 유사한, 및/또는 구조적으로 유사한 엘리먼트들을 표시한다. 엘리먼트가 처음 나타나는 도면은 대응하는 참조 번호에서 최좌측 디지트(들)에 의해 표시된다. 달리 표시되지 않는 한, 본 개시 전반에 걸쳐 제공된 도면들은 일정한 비율의 도면들로서 해석되어서는 안 된다.
도 1 은 디스플레이 디바이스의 색 영역 및 Rec. 2020 색 영역의 CIE 1976 u'v' 색도도이다.
도 2 의 A 및 B, 및 도 3 은 일 실시형태에 따른, 액정 디스플레이 (LCD) 디바이스들의 분해 단면도들이다.
도 4 는 일 실시형태에 따른, 유기 발광 다이오드 (OLED) 디스플레이 디바이스의 분해 단면도이다.
도 5a 및 도 5b 는 일 실시형태에 따른, OLED 디스플레이 디바이스의 픽셀들의 분해 단면도들이다.
도 6 은 일 실시형태에 따른, 나노구조의 단면도의 스키매틱이다.
도 7 은 일 실시형태에 따른, 나노구조 필름의 스키매틱이다.
본 발명의 피처들 및 이점들은 도면들과 함께 취해질 경우에 이하에 기재된 상세한 설명으로부터 더 자명하게 될 것이며, 도면들에 있어서 동일한 참조 부호들은 전반에 걸쳐 대응하는 엘리먼트들을 식별한다. 도면들에 있어서, 동일한 참조 번호들은 일반적으로 동일한, 기능적으로 유사한, 및/또는 구조적으로 유사한 엘리먼트들을 표시한다. 엘리먼트가 처음 나타나는 도면은 대응하는 참조 번호에서 최좌측 디지트(들)에 의해 표시된다. 달리 표시되지 않는 한, 본 개시 전반에 걸쳐 제공된 도면들은 일정한 비율의 도면들로서 해석되어서는 안 된다.
특정 구성들 및 배열들이 논의될 수도 있지만, 이는 오직 예시적인 목적들을 위해 수행됨이 이해되어야 한다. 당업자는, 다른 구성들 및 배열들이 본 발명의 사상 및 범위로부터 일탈함 없이 사용될 수 있음을 인식할 것이다. 이 발명은 또한 본 명세서에서 구체적으로 언급된 것들을 넘어서는 다양한 다른 애플리케이션들에서 채용될 수 있음이 당업자에게 자명할 것이다. 본 명세서에서 도시 및 설명된 특정 구현들은 예들이고 어떠한 방식으로든 애플리케이션의 범위를 달리 한정하도록 의도되지 않음을 이해해야 한다.
"하나의 실시형태", "일 실시형태", "예시적인 실시형태" 등에 대한 명세서에서의 언급들은, 설명된 실시형태가 특정 피처, 구조, 또는 특성을 포함할 수도 있음을 나타내지만, 모든 실시형태가 그 특정 피처, 구조, 또는 특성을 반드시 포함하는 것은 아닐 수도 있음에 유의한다. 더욱이, 그러한 어구들이 동일한 실시형태를 반드시 지칭하는 것은 아니다. 추가로, 특정 피처, 구조 또는 특성이 일 실시형태와 관련하여 설명될 경우, 그것은 명시적으로 설명되든 안되든 간에 다른 실시형태들과 관련하여 그러한 피처, 구조 또는 특성을 달성하기 위한 당업자의 지식 내일 것이다.
재료들의 양들, 비율들, 재료들의 물리적 특성들, 및/또는 사용을 나타내는 이 설명에서의 모든 수치들은, 달리 명시적으로 표시되는 경우를 제외하고 단어 "약" 에 의해 수식되는 것으로서 이해되어야 한다.
실시형태들에 있어서, 용어 "디스플레이 디바이스" 는 디스플레이 스크린 상에서의 데이터의 가시적인 표현을 허용하는 엘리먼트들의 배열을 지칭한다. 적합한 디스플레이 스크린들은 다양한 평면형, 곡면형 또는 달리 형상화된 스크린들, 필름들, 시트들, 또는 정보를 사용자에게 시각적으로 디스플레이하기 위한 다른 구조들을 포함할 수도 있다. 본 명세서에서 설명된 디스플레이 디바이스들은, 예를 들어, 액정 디스플레이 (LCD) 를 포괄하는 디스플레이 시스템들, 텔레비전들, 컴퓨터들, 모바일 폰들, 스마트 폰들, 개인 디지털 보조기들 (PDA들), 게이밍 디바이스들, 전자 판독 디바이스들, 디지털 카메라들, 태블릿들, 웨어러블 디바이스들, 카 내비게이션 시스템들 등에 포함될 수도 있다.
본 명세서에서 사용된 바와 같은 용어 "약" 은 주어진 양의 값이 그 값의 ± 10% 만큼 가변하는 것을 나타낸다. 예를 들어, "약 100 nm" 는 90 nm 부터 110 nm 까지의 사이즈들의 범위를 포괄한다.
본 명세서에서 사용된 바와 같은 용어 "실질적으로" 는 주어진 양의 값이 그 값의 ±1 % 내지 ±5 % 만큼 가변하는 것을 나타낸다.
실시형태들에서, 용어 "반응 혼합물을 형성하는 것" 또는 "혼합물을 형성하는 것" 은 성분들이 서로 반응하여 제 3 성분을 형성하기에 적합한 조건들 하에서 적어도 2 개의 성분들을 용기에서 결합하는 것을 지칭한다.
실시형태에서, 용어들 "도광판 (light guide plate)", "도광부 (light guide)" 및 "도광 패널 (light guide panel)" 은 상호교환가능하게 사용되며 전자기 방사 (광) 를 하나의 포지션으로부터 다른 포지션으로 향하게 하기에 적합한 광학 컴포넌트를 지칭한다.
실시형태들에서, 용어 "광학적으로 커플링된" 은, 광이 실질적인 간섭 없이 하나의 컴포넌트로부터 다른 컴포넌트로 전달될 수 있도록 컴포넌트들이 포지셔닝됨을 의미한다.
본 명세서에서 사용된 바와 같은 용어 "나노구조" 는 약 500 nm 미만의 치수를 가진 적어도 하나의 영역 또는 특성 치수 (characteristic dimension) 를 갖는 구조를 지칭한다. 일부 실시형태들에서, 나노구조는 치수가 약 200 nm 미만, 약 100 nm 미만, 약 50 nm 미만, 약 20 nm 미만, 또는 약 10 nm 미만이다. 통상적으로, 영역 또는 특성 치수는 구조의 가장 작은 축을 따라 있을 것이다. 그러한 구조들의 예들은, 나노와이어들, 나노로드들, 나노튜브들, 분기된 나노구조들, 나노테트라포드들, 트리포드들, 바이포드들, 나노결정들, 나노도트들, QD들, 나노입자들 등을 포함한다. 나노구조들은, 예를 들면, 실질적으로 결정질, 실질적으로 단결정질, 다결정질, 비정질, 또는 이들의 조합일 수 있다. 일부 실시형태들에서, 나노구조의 3 개의 치수들의 각각은 치수가 약 500 nm 미만, 약 200 nm 미만, 약 100 nm 미만, 약 50 nm 미만, 약 20 nm 미만, 또는 약 10 nm 미만이다.
본 명세서에서 사용된 바와 같은 용어 "QD" 또는 "나노결정" 은 실질적으로 단결정질인 나노구조들을 지칭한다. 나노결정은 약 500 nm 미만의 그리고 약 1 nm 미만의 정도에 이르기까지의 치수를 가진 적어도 하나의 영역 또는 특성 치수를 갖는다. 용어들 "나노결정", "QD", "나노도트 (nanodot)", 및 "도트" 는 당업자에 의해 동일한 구조들을 나타내는 것으로 용이하게 이해되고 본 명세서에서 상호교환가능하게 사용된다. 본 발명은 또한 다결정질 또는 비정질 나노결정들의 사용을 포괄한다.
나노구조들을 참조하여 사용될 때 용어 "헤테로구조" 는 적어도 2 개의 상이한 및/또는 구별가능한 재료 타입들을 특징으로 하는 나노구조들을 지칭한다. 통상적으로, 나노구조의 하나의 영역은 제 1 재료 타입을 포함하는 한편, 나노구조의 제 2 영역은 제 2 재료 타입을 포함한다. 소정의 실시형태들에서, 나노구조는 제 1 재료의 코어 및 제 2 (또는 제 3 등) 재료의 적어도 하나의 쉘을 포함하고, 여기서 상이한 재료 타입들은, 예를 들어, 나노와이어의 장축, 분기된 나노와이어의 아암의 장축, 또는 나노결정의 중심에 대해 방사상으로 분포된다. 쉘은, 쉘로 고려되도록 또는 나노구조가 헤테로구조로 고려되도록 인접 재료들을 커버할 수 있지만 완전히 커버할 필요는 없다; 예를 들어, 제 2 재료의 소도 (small island) 들로 커버된 하나의 재료의 코어를 특징으로 하는 나노결정이 헤테로구조이다. 다른 실시형태들에서, 상이한 재료 타입들이 나노구조 내의 상이한 위치들에; 예를 들면, 나노와이어의 주 (major) (장) 축을 따라 또는 분기된 나노와이어의 아암의 장축을 따라 분포된다. 헤테로구조 내의 상이한 영역들은 완전히 상이한 재료들을 포함할 수 있거나, 또는 상이한 영역들은, 상이한 도펀트들 또는 동일한 도펀트의 상이한 농도들을 갖는 베이스 재료 (예를 들어, 실리콘) 를 포함할 수 있다.
본 명세서에서 사용된 바와 같이, 나노구조의 용어 "직경" 은 나노구조의 제 1 축에 직각인 단면의 직경을 지칭하고, 여기서 제 1 축은 제 2 축 및 제 3 축에 대하여 길이에 있어서 가장 큰 차이를 갖는다 (제 2 축 및 제 3 축은 길이들이 서로 거의 동일한 2 개의 축들이다). 제 1 축이 반드시 나노구조의 가장 긴 축일 필요는 없다; 예를 들어, 디스크 형상 나노구조의 경우, 그 단면은 디스크의 짧은 길이방향 축에 직각인 실질적으로 원형의 단면일 것이다. 그 단면이 원형이 아닌 경우, 직경은 그 단면의 주축 및 부 (minor) 축의 평균이다. 나노와이어와 같은, 세장형 (elongated) 또는 고 애스펙트비 나노구조의 경우, 직경은 나노와이어의 가장 긴 축에 수직인 단면에 걸쳐 측정된다. 구형 나노구조의 경우, 직경은 구의 중심을 통해 한쪽에서 다른 쪽으로 측정된다
용어들 "결정질" 또는 "실질적으로 결정질" 은, 나노구조들에 대해 사용될 때, 나노구조들이 통상적으로 그 구조의 하나 이상의 치수들에 걸쳐 장범위 규칙성 (long-range ordering) 을 나타낸다는 사실을 지칭한다. 용어 "장범위 규칙성" 은, 단결정에 대한 규칙성이 결정의 경계들을 넘어 확장될 수 없으므로, 특정 나노구조들의 절대 사이즈에 의존할 것이라는 것이 당업자에 의해 이해될 것이다. 이 경우에, "장범위 규칙성" 은 나노구조의 치수의 적어도 대부분에 걸친 실질적인 규칙성을 의미할 것이다. 일부 인스턴스들에서, 나노구조는 산화물 또는 다른 코팅을 지닐 수 있거나, 또는 코어 및 적어도 하나의 쉘로 구성될 수 있다. 그러한 인스턴스들에서, 산화물, 쉘(들), 또는 다른 코팅은 그러한 규칙성을 나타낼 수 있지만 그럴 필요는 없다 (예를 들어, 그것은 비정질, 다결정질, 또는 다른 것일 수 있다) 는 것을 이해할 것이다. 그러한 인스턴스들에서, 어구 "결정질", 실질적으로 결정질", "실질적으로 단결정질", 또는 "단결정질" 은 (코팅 층들 또는 쉘들을 제외한) 나노구조의 중심 코어를 지칭한다. 본 명세서에서 사용된 바와 같은 용어들 "결정질" 또는 "실질적으로 결정질" 은, 구조가 실질적인 장범위 규칙성 (예를 들면, 나노구조 또는 그의 코어의 적어도 하나의 축의 길이의 적어도 약 80 % 에 대한 규칙성) 을 나타내는 한, 다양한 결함 (defect) 들, 스태킹 폴트 (stacking fault) 들, 원자 치환 (atomic substitution) 들 등을 포함하는 구조들을 또한 포괄하도록 의도된다. 또한, 코어와 나노구조의 외측 사이 또는 코어와 인접한 쉘 사이 또는 쉘과 제 2 인접한 쉘 사이의 계면은 비-결정질 영역들을 포함할 수도 있고 심지어 비정질일 수도 있음을 이해할 것이다. 이것은, 본 명세서에서 정의된 바와 같이 나노구조가 결정질 또는 실질적으로 결정질인 것을 방지하지 못한다.
용어 "단결정질" 은 나노구조에 대해 사용될 때, 나노구조가 실질적으로 결정질이고 실질적으로 단결정을 포함한다는 것을 나타낸다. 코어 및 하나 이상의 쉘들을 포함하는 나노구조 헤테로구조에 대해 사용될 경우, "단결정질" 은 코어가 실질적으로 결정질이고 실질적으로 단결정을 포함한다는 것을 나타낸다.
본 명세서에서 사용된 바와 같은 용어 "리간드" 는, 예를 들어, 나노구조의 표면과의 공유, 이온, 반 데르 발스, 또는 다른 분자 상호작용들을 통해, 나노구조의 하나 이상의 면들과 (약하게든 또는 강하게든) 상호작용할 수 있는 분자를 지칭한다.
본 명세서에서 사용된 바와 같은 용어 "양자 수율 (QY)" 은, 예를 들어, 나노구조 또는 나노구조들의 개체군 (population) 에 의해, 방출된 광자들 대 흡수된 광자들의 비율을 지칭한다. 당업계에 알려진 바와 같이, 양자 수율은 통상적으로, 알려진 양자 수율 값들을 가진 잘 특성화된 표준 샘플들을 사용하는 비교 방법에 의해 결정된다.
본 명세서에서 사용된 바와 같은 용어 "프라이머리 방출 피크 파장" 은 방출 스펙트럼이 최고 강도를 나타내는 파장을 지칭한다.
본 명세서에서 사용된 바와 같은 용어 "반치전폭" (FWHM) 은 스펙트럼 폭의 측정치 (measure) 를 지칭한다. 방출 스펙트럼의 경우에, FWHM 은 피크 강도 값의 절반에서의 방출 스펙트럼의 폭을 지칭할 수 있다.
본 명세서에서 사용된 용어 포스터 (Forster) 반경은 또한 당업계에서 포스터 거리로 지칭된다.
용어들 "휘도" 및 "밝기" 는 본 명세서에서 상호교환가능하게 사용되고, 조명된 표면 또는 광 소스의 단위 면적 당 광도의 광도계 측정치를 지칭한다.
본 명세서에서 사용된 바와 같은 용어 "래디언스" 는 조명된 표면 또는 광 소스의 단위 면적 당 방사 강도의 방사선 측정치를 지칭한다.
용어들 "정반사기들", "정반사 표면들", 및 "반사 표면들" 은 본 명세서에서 정반사가 가능한 엘리먼트들, 재료들, 및/또는 표면들을 지칭하는데 사용된다.
용어 "정반사" 는 본 명세서에서, 입사 광이 표면과 부딪칠 경우, 표면으로부터 광의 (또는 다른 종류들의 파의) 거울형 반사를 지칭하는데 사용된다.
용어 "나노구조 (NS) 필름" 은 본 명세서에서 발광성 나노구조들을 갖는 필름을 지칭하는데 사용된다.
용어 "적색 서브-픽셀" 은 본 명세서에서, 가시 스펙트럼의 적색 파장 영역에서 프라이머리 방출 피크 파장을 갖는 광을 방출하는 픽셀의 영역을 지칭하는데 사용된다. 일부 실시형태들에서, 적색 파장 영역은 약 620 nm 내지 약 750 nm 의 범위에 이르는 파장들을 포함할 수도 있다.
용어 "녹색 서브-픽셀" 은 본 명세서에서, 가시 스펙트럼의 녹색 파장 영역에서 프라이머리 방출 피크 파장을 갖는 광을 방출하는 픽셀의 영역을 지칭하는데 사용된다. 일부 실시형태들에서, 녹색 파장 영역은 약 495 nm 내지 약 570 nm 의 범위에 이르는 파장들을 포함할 수도 있다.
용어 "청색 서브-픽셀" 은 본 명세서에서, 가시 스펙트럼의 청색 파장 영역에서 프라이머리 방출 피크 파장을 갖는 광을 방출하는 픽셀의 영역을 지칭하는데 사용된다. 일부 실시형태들에서, 청색 파장 영역은 약 435 nm 에서 약 495 nm 의 범위에 이르는 파장들을 포함할 수도 있다.
용어 "서브-픽셀의 방출 표면" 은 본 명세서에서, 광이 디스플레이 디바이스의 디스플레이 스크린을 향해 방출되는 서브-픽셀의 최상위 층의 표면을 지칭하는데 사용된다.
용어 "휘도" 는 본 명세서에서 방출 표면의 단위 면적 당 광 세기를 지칭하는데 사용된다.
용어 "서브-픽셀로부터의 총 휘도" 는 본 명세서에서, 서브-픽셀의 방출 표면의 총 면적 x 서브-픽셀의 방출 표면의 단위 면적 당으로부터의 광 세기를 지칭하는데 사용된다.
본 명세서에서 언급된 공개 특허들, 특허 출원들, 웹사이트들, 회사 명칭들, 및 과학 논문은, 각각이 구체적으로 그리고 개별적으로 참조에 의해 통합되는 것으로 표시된 것과 동일한 정도로 그들의 전체가 참조에 의해 본 명세서에 통합된다. 본 명세서에 인용된 임의의 참조문헌과 이 명세서의 특정 교시들 사이의 임의의 충돌은 후자에게 유리하게 해석될 것이다. 유사하게, 단어 또는 어구의 기술분야에서 이해되는 정의와 이 명세서에서 구체적으로 교시된 바와 같은 그 단어 또는 어구의 정의 사이의 임의의 충돌은 후자에게 유리하게 해석될 것이다.
본 명세서에서 사용된 기술적 및 과학적 용어들은, 달리 정의되지 않는 한, 본원이 속하는 기술분야에서의 통상의 기술자에 의해 통상적으로 이해되는 의미를 갖는다. 당업자에게 알려진 다양한 방법들 및 재료들에 대한 참조가 본 명세서에서 행해진다.
개관
본 개시는 디스플레이 디바이스들에서 원하는 밝기와 원하는 색 영역을 달성하는 것 사이의 기존의 트레이드-오프들을 개선 또는 제거하는 것을 돕는 나노구조 기반 디스플레이 디바이스들의 다양한 실시형태들을 제공한다. 이들 다양한 실시형태들은 또한, 디스플레이 디바이스들의 하나 이상의 픽셀들을 통해 원하지 않는 광의 누출을 감소 또는 실질적으로 제거함으로써 나노구조 기반 디스플레이 디바이스들의 색 영역 커버리지와 같은 디스플레이 성능을 개선시키는 것을 돕는다.
액정 디스플레이 (LCD) 디바이스의 예시적인 실시형태들
도 2 의 A 는 일 실시형태에 따른, LCD 디스플레이 디바이스 (200) 의 분해 단면도의 스키매틱을 예시한다. 당업자는 도 2 의 A 에서의 디스플레이 디바이스의 도면이 예시 목적들을 위해 도시되고 일정한 비율로 그려지지 않을 수도 있음을 인식할 것이다. LCD 디스플레이 디바이스 (200) 는 일 실시형태에 따라, 백라이트 유닛 (BLU) (202) 및 LCD 모듈 (204) 을 포함할 수도 있다.
BLU (202) 는 광학 캐비티 (212), 및 광학 캐비티 (212) 에 커플링된 LED들 (210) (예를 들어, 백색 LED들, 청색 LED들, UV LED들, 또는 이들의 조합) 의 어레이를 포함할 수도 있다. 광학 캐비티 (212) 는 상부측 (203), 저부측 (205), 측벽들 (207), 및 상부측 (203), 저부측 (205), 및 측벽들 (207) 에 의해 한정되는 폐쇄 용적을 포함할 수도 있다. LED들 (210) 은 폐쇄 용적 내의 저부측 (205) 의 상부 표면 (205a) 에 커플링될 수도 있다. LED들 (210) 은 LCD 모듈 (204) 을 통해 프로세싱되고 후속적으로 LCD 디스플레이 디바이스 (200) 의 디스플레이 스크린 (230) 에 전달되고 이에 걸쳐 분포될 수도 있는 프라이머리 광 (예를 들어, UV 광, 청색 광, 또는 백색 광) 을 제공하도록 구성될 수도 있다. 일부 실시형태들에서, LED들 (210) 은 약 440 nm 내지 약 470 nm 의 범위에서 방출하는 청색 LED들을 포함할 수도 있다. 일부 실시형태들에서, LED들 (210) 은 약 440 nm 내지 약 700 nm 의 범위 또는 다른 가능한 광 파장 범위들에서 방출하는 백색 LED들을 포함할 수도 있다. 일 실시형태에서, LED들 (210) 의 어레이는, 상부 표면 (205a) 의 영역에 걸쳐 확산되는 LED들의 2 차원 어레이를 포함할 수도 있으며, 그 영역은 디스플레이 스크린 (230) 의 표면적과 동일할 수도 있다.
도 2 의 A 에는 2 개의 측벽들 (207) 이 도시되지만, 당업자는, 광학 캐비티 (212) 가 다양한 실시형태들에 따라, 임의의 수의 측벽들 (207) 을 포함할 수도 있음을 이해할 것임에 유의해야 한다. 예를 들어, 광학 캐비티 (212) 는 입방체 형상을 가질 수도 있고, 측벽들 (207) 과 유사한 4 개의 측벽들을 포함할 수도 있다. 광학 캐비티 (212) 는 형상이 입방체인 것 또는 다른 각형 (straight-sided) 형상들을 갖는 것으로 한정되지 않는다. 광학 캐비티 (212) 는, 본 발명의 사상 및 범위로부터 일탈함 없이, 다양한 실시형태들에 따라, 원통형, 사다리꼴형, 구형, 또는 타원형과 같지만 이에 한정되지 않는 임의의 타입의 기하학적 형상이도록 구성될 수도 있다. 도 2 의 A 에 예시된 바와 같은, 광학 캐비티 (212) 의 직사각형 단면 형상은 예시적인 목적들을 위한 것이고 제한하는 것이 아님에 또한 유의해야 한다. 광학 캐비티 (212) 는, 본 발명의 사상 및 범위로부터 일탈함 없이, 다양한 실시형태들에 따라, 다른 단면 형상들 (예를 들어, 사다리꼴, 장타원형, 장사방형) 을 가질 수도 있다.
광학 캐비티 (212) 의 상부측 (203) 은 LED들 (210) 로부터의 광이 상부측 (203) 의 상부 표면 (203a) 에 걸친 밝기의 실질적으로 균일한 분포로 상부측 (203) 을 통해 광학 캐비티 (212) 를 출사할 수도 있도록 광학적 확산성 및 투과성 층이도록 구성될 수도 있다. 일 실시형태에서, 상부측 (203) 은, 상부측 (203) 을 출사하는 광 밝기에서의 실질적으로 균일한 분포를 제공하도록 LED들 (210) 위에 전략적으로 배열되는 광학 반투명 영역들 및 광학 투명 영역들을 포함할 수도 있다. 다른 실시형태에서, 상부측 (203) 은, 직경들이 가변 사이즈들인 공극들 및 상부측 (203) 을 출사하는 광 밝기에서의 실질적으로 균일한 분포를 제공하도록 전략적으로 배열되는 광학 반투명 영역들을 포함할 수도 있다.
저부측 (205) 및/또는 측벽들 (207) 은 정반사 상부 표면 (205a) 및/또는 정반사 측벽 내부 표면들 (207a) 을 각각 갖도록 구성되는 하나 이상의 재료들 (예를 들어, 금속들, 비-금속들, 및/또는 합금들) 로부터 구성될 수도 있다. 예를 들어, 상부 표면 (205a) 및/또는 측벽 내부 표면들 (207a) 은 거울형 반사 특성들을 갖는 거울형 표면들일 수도 있다. 일부 실시형태들에서, 상부 표면 (205a) 및/또는 측벽 내부 표면들 (207a) 은 완전 정반사 또는 부분 정반사 및 부분 산란일 수도 있다.
대체 실시형태들에서, 광학 캐비티 (212) 는 측벽 내부 표면들 (207a) 에 커플링된 정반사기 (specular reflector) 들 (209) 을 포함할 수 있다. 정반사기들 (209) 은 광학 투명 접착제를 사용하여 측벽 내부 표면들 (207a) 에 커플링될 수도 있다. 광학 투명 접착제는 테이프, 다양한 아교들, 폴리머 조성물들, 이를 테면 실리콘들 (silicones) 등을 포함할 수도 있다. 추가적인 광학 투명 접착제는, 다양한 예들에 따라, 폴리(비닐 부티랄), 폴리(비닐 아세테이트), 에폭시들, 및 우레탄들을 포함하지만 이에 한정되지 않는 다양한 폴리머들; 폴리페닐메틸실록산, 폴리페닐알킬실록산, 폴리디페닐실록산, 폴리디알킬실록산, 플루오르화 실리콘들 및 비닐 및 하이드라이드 치환된 실리콘들을 포함하지만 이에 한정되지 않는 실리콘 및 실리콘의 유도체들; 메틸메타크릴레이트, 부틸메타크릴레이트, 및 라우릴메타크릴레이트를 포함하지만 이에 한정되지 않는 모노머들로부터 형성된 아크릴 폴리머들 및 코폴리머들; 스티렌계 폴리머들; 및 디비닐벤젠과 같은 이관능성 모노머들과 가교된 폴리머들을 포함할 수도 있다.
정반사 상부 표면 (205a) 및 측벽 내부 표면들 (207a) 및 정반사기들 (209) 은 저부측 (205) 및/또는 측벽들 (207) 을 통한 LED들 (210) 로부터의 광의 흡수를 실질적으로 최소화하고, 따라서 광학 캐비티 (212) 내의 휘도의 손실을 실질적으로 최소화하고 BLU (202) 의 광 출력 효율을 증가시킬 수도 있다.
대체 실시형태들에서, BLU (202) 는 광학 캐비티 (212) 와 LCD 모듈 (204) 사이에 배치된 하나 이상의 밝기 향상 필름들 (brightness enhancement films; BEF들) (미도시) 을 더 포함할 수도 있다. 하나 이상의 BEF들은 반사 및/또는 굴절 필름들, 반사 편광 필름들, 광 추출 피처들, 광 리사이클링 피처들, 프리즘 필름들, 그루브 필름들, 그루브된 프리즘 필름들, 프리즘들, 피치들, 그루브들, 또는 다른 적합한 밝기 향상 피처들을 가질 수도 있다. BEF들의 밝기 향상 피처들은 프라이머리 광 (예를 들어, 광학 캐비티 (212) 로부터의 청색 또는 UV 광) 의 일 부분을 다시 광학 캐비티 (212) 를 향해 반사하고, 이에 의해 프라이머리 광의 리사이클링을 제공하도록 구성될 수도 있다.
LCD 모듈 (204) 은 BLU (202) 로부터 수신된 광을 디스플레이 스크린 (230) 으로의 전달 및 디스플레이 스크린 (230) 에 걸친 분포를 위한 원하는 특성들로 프로세싱하도록 구성될 수도 있다. 일부 실시형태들에서, LCD 모듈 (204) 은 제 1 및 제 2 편광 필터들 (214 및 222) 과 같은 하나 이상의 편광 필터들, 제 1 및 제 2 광학 투명 기판들 (216 및 228) 과 같은 하나 이상의 광학 투명 기판들, 제 1 기판 (216) 상에 2-D 어레이로 배열된 스위칭 디바이스들 (218.1 내지 218.6), 액정 (LC) 용액 층 (220), 2-D 어레이로 배열된 픽셀들 (224.1 및 224.2) 과 같은 복수의 픽셀들, 및 디스플레이 스크린 (230) 을 포함할 수도 있다.
일부 실시형태들에서, 픽셀 (224.1) 은 서브-픽셀들 (226.1 내지 226.3) 을 포함할 수도 있고, 픽셀 (224.2) 은 서브-픽셀들 (226.4 내지 226.6) 을 포함할 수도 있다. 일부 실시형태들에서, 픽셀들 (224.1 및 224.2) 의 각각은, 예를 들어, 적색 서브-픽셀들 (226.1 및 226.4), 녹색 서브-픽셀들 (226.2 및 226.5), 및 청색 서브-픽셀들 (226.3 및 226.6) 을 각각 갖는 3 색 (tri-chromatic) 일 수도 있다.
용어 "적색 서브-픽셀" 은 본 명세서에서, 가시 스펙트럼의 적색 파장 영역에서 프라이머리 방출 피크 파장을 갖는 광을 방출하는 픽셀의 영역을 지칭하는데 사용된다. 일부 실시형태들에서, 적색 파장 영역은 약 620 nm 내지 약 750 nm 의 범위에 이르는 파장들을 포함할 수도 있다. 용어 "녹색 서브-픽셀" 은 본 명세서에서, 가시 스펙트럼의 녹색 파장 영역에서 프라이머리 방출 피크 파장을 갖는 광을 방출하는 픽셀의 영역을 지칭하는데 사용된다. 일부 실시형태들에서, 녹색 파장 영역은 약 495 nm 내지 약 570 nm 의 범위에 이르는 파장들을 포함할 수도 있다. 용어 "청색 서브-픽셀" 은 본 명세서에서, 가시 스펙트럼의 청색 파장 영역에서 프라이머리 방출 피크 파장을 갖는 광을 방출하는 픽셀의 영역을 지칭하는데 사용된다. 일부 실시형태들에서, 청색 파장 영역은 약 435 nm 내지 약 495 nm 의 범위에 이르는 파장들을 포함할 수도 있다.
개별의 픽셀들 (224.1 및 224.2) 에서의 적색, 녹색, 및 청색 서브-픽셀들 (226.1 내지 226.6) 의 배열 순서는 예시적이며 제한하는 것이 아니다. 픽셀들 (224.1 및 224.2) 의 각각에서의 적색, 녹색, 및 청색 서브-픽셀들은 서로에 대해 임의의 순서로 배열될 수도 있다. 일부 실시형태들에서, 픽셀들 (224.1 및/또는 224.2) 은 적색, 녹색, 또는 청색 서브-픽셀들 (226.1 내지 226.6) 중 어느 하나를 갖는 단색일 수도 있다. 도 1 에 도시된 픽셀들 및 스위칭 디바이스들의 수는 예시적이며 제한하는 것이 아니다. LCD 모듈 (204) 은 본 개시의 사상 및 범위로부터 일탈함 없이 임의의 수의 스위칭 디바이스들 및 픽셀들을 가질 수도 있다.
BLU (202) 로부터의 광은 제 1 편광 필터 (214) 를 통해 편광될 수도 있고, 편광된 광은 LC 용액 층 (220) 으로 투과될 수도 있다. LC 용액 층 (220) 은 LC 용액 층 (220) 으로부터의 광 투과의 양을 제어하기 위해 셔터들로서 작용할 수도 있는 로드형 (rod-shaped) 분자들을 갖는 LC들 (232) 을 포함할 수도 있다. 일부 실시형태들에서, LC들 (232) 은 3-D 어레이로 배열될 수도 있다. LC들의 3-D 어레이의 열들 (234.1 내지 234.6) 은 개별의 스위칭 디바이스들 (218.1 내지 218.6) 에 의해 독립적으로 제어될 수도 있다. 일부 실시형태들에서, 스위칭 디바이스들 (218.1 내지 218.6) 은 예를 들어 박막 트랜지스터들 (TFT) 과 같은 트랜지스터들을 포함할 수도 있다. LC들 (232) 을 제어함으로써, 열들 (234.1 내지 234.6) 로부터 개별의 서브-픽셀들 (226.1 내지 226.6) 로 이동하는 광의 양이 제어될 수도 있고, 결과적으로 서브-픽셀들 (226.1 내지 226.6) 로부터 투과되는 광의 양이 제어된다.
LC들 (232) 은 개별의 스위칭 디바이스들 (218.1 내지 218.6) 에 의해 열들 (234.1 내지 234.6) 에 인가된 전압에 의존하여 다양한 정도로 뒤틀릴 수도 있다. LC들 (232) 의 뒤틀림을 제어함으로써, LC 용액 층 (220) 을 통과하는 광의 편광각이 제어될 수도 있다. LC 용액 층 (220) 을 떠나는 광은 그 후 제 1 편광 필터 (214) 에 대해 90 도로 포지셔닝될 수도 있는 제 2 편광 필터 (222) 를 통과할 수도 있다. LC 용액 층 (220) 을 떠나고 제 2 편광 필터 (222) 에 들어가는 광의 편광각은 얼마나 많은 광이 제 2 편광 필터 (222) 를 통과하고 제 2 편광 필터 (222) 로부터 출사 가능한지를 결정할 수도 있다. 제 2 편광 필터 (222) 는 그의 편광각에 기초하여 광을 감쇠시키거나, 광을 차단하거나, 또는 광이 감쇠 없이 통과하게 할 수도 있다.
LC들의 열들 (234.1 내지 234.6) 을 통해 이동하고 제 2 편광 필터 (222) 에서 출사하는 광의 부분들은 그 후 서브-픽셀들 (226.1 내지 226.6) 중 개별의 서브-픽셀들에 들어갈 수도 있다. 광의 이들 부분들은 디스플레이 스크린 (230) 에 걸친 광 분포를 위한 원하는 광학 특성들을 달성하기 위해 서브-픽셀들 (226.1 내지 226.6) 중 개별의 서브-픽셀들을 통한 컬러 필터링의 스테이지를 거칠 수도 있다. 일부 실시형태들에서, 서브-픽셀들 (226.1 내지 226.6) 의 각각은 서브-픽셀들 (226.1 내지 226.6) 에 들어가는 광의 부분들을 필터링할 수도 있는 포스퍼 필름 (236) 을 포함할 수도 있다.
포스퍼 필름들 (236) 은, 일부 실시형태들에 따라, QD들 (예를 들어, 도 6 을 참조하여 설명된 QD (600)) 과 같은 발광성 나노구조들을 포함할 수도 있다. 포스퍼 필름들 (236) 은 하향 변환기들일 수도 있고, 여기서 서브-픽셀들 (226.1 내지 226.6) 중 개별의 서브-픽셀들에 들어가는 광 (프라이머리 광으로도 또한 지칭됨) 의 부분들은, 예를 들어, 포스퍼 필름들 (236) 에서의 발광성 나노구조들에 의해 흡수되고 프라이머리 광보다 더 낮은 에너지 또는 더 긴 파장을 갖는 세컨더리 광으로서 재방출될 수도 있다.
일부 실시형태들에서, 적색 서브-픽셀들 (226.1 및 226.4) 의 포스퍼 필름들 (236) 은 프라이머리 광을 흡수하고 가시 스펙트럼 광의 적색 파장 영역에서 프라이머리 방출 피크 파장을 갖는 제 1 세컨더리 광을 방출하는 발광성 나노구조들을 포함할 수도 있다. 일부 실시형태들에서, 녹색 서브-픽셀들 (226.2 및 226.5) 의 포스퍼 필름들 (236) 은 프라이머리 광을 흡수하고 가시 스펙트럼 광의 녹색 파장 영역에서 프라이머리 방출 피크 파장을 갖는 제 2 세컨더리 광을 방출하는 발광성 나노구조들을 포함할 수도 있다.
일부 실시형태들에서, BLU (202) 가 UV LED들 (210) 을 가질 경우, 청색 서브-픽셀들 (226.3 및 226.6) 의 포스퍼 필름들 (236) 은 프라이머리 광을 흡수하고 가시 스펙트럼 광의 청색 파장 영역에서 프라이머리 방출 피크 파장을 갖는 제 3 세컨더리 광을 방출하는 발광성 나노구조들을 포함할 수도 있다.
일부 실시형태들에서, 포스퍼 필름들 (236) 은 제 2 편광 필터 (222) 상에 또는 광학 투명 기판 (미도시) 상에 서로 인접하게 배치되는 세그먼트화된 필름들일 수도 있다. 세그먼트화된 포스퍼 필름들 (236) 은 계면들을 통한 프라이머리 광의 누출을 방지하기 위해 인접한 포스퍼 필름들 (236) 사이의 계면들에 무시해도 될 정도의 갭이 있도록 하는 식으로 배치될 수도 있다. 대체 실시형태들에서, 포스퍼 필름들 (236) 의 각각은 연속적인 포스퍼 필름의 상이한 영역들일 수도 있다.
추가적으로, 서브-픽셀들 (226.1 내지 226.6) 의 각각은 일부 실시형태들에 따라, 포스퍼 필름 (236) 상에 배치된 차광 엘리먼트 (238) 를 포함할 수도 있다. 포스퍼 필름들 (236) 로부터 방출된 세컨더리 광은 디스플레이 스크린 (230) 으로 이동하기 전에 차광 엘리먼트들 (238) 중 대응하는 차광 엘리먼트들을 통해 필터링될 수도 있다.
차광 엘리먼트들 (238) 은 포스퍼 필름들 (236) 에 의해 흡수되지 않고 세컨더리 광으로 하향 변환되지 않은 프라이머리 광 (예를 들어, 청색 광 또는 UV 광) 의 부분들을, 세컨더리 광 (예를 들어, 상기 논의된 제 1, 제 2, 및/또는 제 3 세컨더리 광) 이 통과 및 차단하게 하도록 구성될 수도 있다. 포스퍼 필름들 (236) 밖으로 누출될 수도 있는 프라이머리 광의 원하지 않는 부분들은 그들을 흡수 및/또는 산란시킴으로써 차단될 수도 있다. 포스퍼 필름들 (236) 로부터 디스플레이 스크린 (230) 으로의 변환되지 않은 프라이머리 광의 누출은 LCD 디스플레이 디바이스 (200) 의 색 영역 커버리지에 악영향을 줄 수도 있다. 그러한 누출을 방지하기 위한 차광 엘리먼트들 (238) 의 사용은 또한, 포스퍼 필름들 (236) 에 포함된 발광성 나노구조들의 밀도를 감소시킴으로써 LCD 디스플레이 디바이스 (200) 의 제조 비용을 감소시키는 것을 도울 수도 있다. 발광성 나노구조들의 밀도는, 프라이머리 광의 실질적으로 모든 부분들을 흡수하기 위해 발광성 나노구조들을 사용하는 대신, 포스퍼 필름들 (236) 에서 흡수되지 않은 프라이머리 광의 임의의 부분들이 차광 엘리먼트들 (238) 에 의해 필터링될 수도 있기 때문에 감소될 수도 있다.
차광 엘리먼트들 (238) 은 또한, LCD 디스플레이 디바이스 (200) 의 원하는 색 영역 커버리지를 달성하기 위해 세컨더리 광 (예를 들어, 상기 논의된 제 1, 제 2, 및/또는 제 3 세컨더리 광) 의 스펙트럼 방출 폭들 (방출 스펙트럼의 폭으로도 또한 지칭됨) 을 튜닝하도록 구성될 수도 있다. 스펙트럼 방출 폭들의 튜닝은 밝기의 상당한 감소 없이 원하는 색 영역 커버리지를 달성하기 위해 세컨더리 광으로부터의 하나 이상의 파장들을 흡수하여 그들의 스펙트럼 방출 폭들을 좁힐 것을 요구할 수도 있다. 예를 들어, 차광 엘리먼트들 (238) 이 없는 디스플레이 디바이스들과 비교하여, 이 튜닝 프로세스로 인한 밝기의 감소는 10 % 미만 (예를 들어, 약 8 %, 약 5 %, 약 3 %, 또는 약 1 %) 일 수도 있다. QD들과 같은 발광성 나노구조들을 갖는 포스퍼 필름들 (236) 로부터의 세컨더리 광은 통상적으로 좁은 스펙트럼 방출 폭들을 나타내기 때문에, 튜닝 프로세스는 유사한 색 영역 커버리지를 달성하기 위해 현재의 비-QD 기반 디스플레이 디바이스들에서 요구된 바와 같이, 원하는 색 영역 커버리지를 달성하기 위해 넓은 범위의 파장들의 흡수를 요구하지 않을 수도 있다.
넓은 스펙트럼 방출 폭은 예를 들어, Rec. 2020 컬러 공간의 넓은 색 영역 커버리지를 달성함에 있어서의, 현재의 비-QD 기반 디스플레이 디바이스들 (예를 들어, YAG-포스퍼 기반 디스플레이 디바이스들) 에서의 한계들 중 하나이다. 현재의 비-QD 기반 디스플레이 디바이스들에서의 차광 엘리먼트들 (238) 과 같은 흡수 엘리먼트들의 사용은 넓은 색 영역 커버리지 (예를 들어, 80-90 % Rec. 2020 색 영역 커버리지) 를 달성할 수도 있지만, 밝기의 상당한 감소를 희생시킬 수도 있다. 그러한 밝기의 감소는 현재의 디스플레이 디바이스들의 이미지 품질에 악영향을 줄 뿐만 아니라 HDR 이미징 표준들 하에서 요구된 밝기 레벨을 충족시키지 못할 수도 있다.
차광 엘리먼트들 (238) 은 하나 이상의 비-포스퍼 재료들을 포함할 수도 있다. 즉, 하나 이상의 비-포스퍼 재료들은 광학 흡수 특성들 및/또는 광학 산란 특성들을 나타내지만, 광학 방출 특성들을 나타내지는 않는다. 하나 이상의 비-포스퍼 재료들은 상기 설명된 차단 및 튜닝 프로세스들 동안 흡수 및/또는 산란을 요구하는 하나 이상의 파장들 또는 파장들의 범위만을, 흡수하는 그들의 광학 흡수 특성들 및/또는 산란하는 그들의 산란 특성들에 기초하여 선택될 수도 있다. 일부 실시형태들에서, 하나 이상의 비-포스퍼 재료들은 동일한 흡수 특성을 포함할 수 있다. 일부 실시형태에서, 하나 이상의 비-포스퍼 재료들의 각각은 서로 상이한 흡수 특성을 포함한다.
하나 이상의 비-포스퍼 재료들은 차광 엘리먼트들 (238) 을 형성하기 위해 포스퍼 필름들 (236) 또는 LCD 디스플레이 디바이스 (200) 의 임의의 다른 층/구조 상에 저가로 배치될 수도 있도록 선택될 수도 있다. 예를 들어, 하나 이상의 비-포스퍼 재료들은 염료 (예를 들어, 협대역 유기 엑시톤 P491 염료), 잉크, 페인트, 폴리머 재료, 및/또는 스프레이되거나, 페인트되거나, 스핀 코팅되거나, 프린팅되거나, 또는 임의의 다른 적합한 저온 (예를 들어, 100 ℃ 미만) 디포지션 방법에 의한 것일 수도 있는 임의의 재료일 수도 있다. 프린팅은 예를 들어 플로터, 잉크젯 프린터, 또는 스크린 프린터를 사용하여 수행될 수도 있다. 일부 실시형태들에서, 하나 이상의 비-포스퍼 재료들은 포스퍼 필름들 (238) 상에 직접 배치될 수도 있다. 일부 실시형태들에서, 하나 이상의 비-포스퍼 재료들은 티타늄 산화물, 아연 산화물, 아연 황화물, 실리콘, 또는 이들의 조합의 필름들 또는 입자들 (예를 들어, 약 100 nm 내지 약 500 ㎛ 의 범위에 이르는 직경들을 갖는 입자들) 을 포함하는 산란 재료들일 수도 있다. 일부 실시형태들에서, 차광 엘리먼트들 (238) 은 그 위에 배치된 하나 이상의 비-포스퍼 재료들을 갖는 기판을 포함할 수도 있다.
일부 실시형태들에서, 차광 엘리먼트들 (238) 은 포스퍼 필름들 (236) 상에 또는 광학 투명 기판 (미도시) 상에 서로 인접하게 배치되는 세그먼트화된 필름들일 수도 있다. 세그먼트화된 차광 엘리먼트들 (238) 은 인접한 차광 엘리먼트들 (238) 사이의 계면들에 무시해도 될 정도의 갭이 있도록 하는 식으로 배치될 수도 있다. 대체 실시형태들에서, 차광 엘리먼트들 (238) 의 각각은 포스퍼 필름들 (236) 상에 배치된 연속적인 필름의 상이한 영역들일 수도 있다. 따라서, 도 2 의 A 는 일정한 비율로 그려지지 않는다.
일부 실시형태들에서, 차광 엘리먼트들 (238) 은 도 2 의 A 에 도시된 바와 같이 별도의 구조가 아닐 수도 있고, 포스퍼 필름들 (236) 에 포함될 수도 있다. 즉, 포스퍼 필름들 (236) 은 차광 엘리먼트들 (238) 과 함께, 상기 설명된 바와 같은, 발광성 나노구조들을 포함하는 복합 필름일 수도 있다. 염료, 잉크, 페인트, 폴리머 재료, 산란 재료들 (예를 들어, 약 100 nm 내지 약 500 ㎛ 의 범위에 이르는 직경들을 갖는 입자들), 또는 이들의 조합과 같은 차광 엘리먼트들 (238) 의 하나 이상의 비-포스퍼 재료들은 포스퍼 필름들 (236) 의 매트릭스에 통합 또는 매립될 수도 있다. 하나 이상의 비-포스퍼 재료들은 포스퍼 필름들 (236) 의 매트릭스에 분산될 수도 있는 나노구조화된 재료들을 포함할 수도 있다. 이들 나노구조화된 재료들은 광학 흡수 특성들 및/또는 광학 산란 특성들을 나타낼 수도 있고 어떠한 광학 방출 특성들도 나타내지 않을 수도 있다. 일부 실시형태들에서, 차광 엘리먼트들 (238) 은, LCD 모듈 (204) 및/또는 BLU (202) 의 기저 층들 및/또는 구조들에 환경적 밀봉을 제공하도록 또한 구성될 수도 있는 광학 투명 기판 (228) 에 포함될 수도 있다. 대체 실시형태들에서, 차광 엘리먼트들 (238) 은 제 2 편광 필터 (222) 에 포함될 수도 있으며, 이는 기판 (228) 과 포스퍼 필름들 (236) 사이에 포지셔닝될 수도 있다.
디스플레이 스크린 (230) 은 이미지들을 생성하도록 구성될 수도 있다. 디스플레이 스크린 (230) 은, 일 실시형태에 따라, 터치 스크린 디스플레이일 수도 있다. LCD 디스플레이 디바이스 (200) 는 LCD 디스플레이 디바이스 (200) 에서의 인접한 엘리먼트들 중 임의의 것들 사이에, 예를 들어, 광학 캐비티 (212) 와 LCD 모듈 (204) 사이에, LC 용액 층 (220) 의 양편에, 또는 LCD 디스플레이 디바이스 (200) 의 임의의 다른 엘리먼트들 사이에 배치된 하나 이상의 매개 재료들 (미도시) 을 더 포함할 수도 있다. 하나 이상의 매개 재료들은 기판들, 진공, 공기, 가스, 광학 재료들, 접착제들, 광학 접착제들, 유리, 폴리머들, 고체들, 액체들, 겔들, 경화된 재료들, 광학 커플링 재료들, 인덱스 매칭 또는 인덱스 미스매칭 재료들, 인덱스-그래디언트 재료들, 클래딩 또는 안티-클래딩 재료들, 스페이서들, 에폭시, 실리카 겔, 실리콘들, 밝기 향상 재료들, 산란 또는 확산 재료들, 반사 또는 반사방지 재료들, 파장 선택적 재료들, 파장 선택적 반사방지 재료들, 또는 다른 적합한 매개 재료를 포함할 수도 있지만 이에 한정되지 않는다. 적합한 재료들은 실리콘들, 실리콘 겔들, 실리카 겔, 에폭시들 (예를 들어, Loctite™ 에폭시 E-30CL), 아크릴레이트들 (예를 들어, 3M™ 접착제 2175) 을 포함할 수도 있다. 하나 이상의 매개 재료들은 경화성 겔 또는 액체로서 도포되고, 디포지션 동안 또는 그 후에 경화되거나, 또는 디포지션 이전에 미리 형성 및 미리 경화될 수도 있다. 경화 방법들은 UV 경화, 열 경화, 화학적 경화, 또는 당업계에 알려진 다른 적합한 경화 방법들을 포함할 수도 있다. 인덱스 매칭 매개 재료들은 LCD 모듈 (204) 과 BLU (204) 의 엘리먼트들 사이의 광학 손실들을 최소화하도록 선택될 수도 있다.
LCD 디스플레이 디바이스 (200) 는, 본 발명의 사상 및 범위로부터 일탈함 없이, 다양한 실시형태들에 따라, 원통형, 사다리꼴형, 구형, 또는 타원형과 같지만 이에 한정되지 않는 기하학적 형상을 가질 수도 있다. LCD 디스플레이 디바이스 (200) 는 형상이 입방체인 것 또는 다른 각형 형상들을 갖는 것으로 한정되지 않는다. LCD 디스플레이 디바이스 (200) 의 직사각형 단면 형상은 예시적인 목적들을 위한 것이고 제한하는 것이 아님에 또한 유의해야 한다. LCD 디스플레이 디바이스 (200) 는, 본 발명의 사상 및 범위로부터 일탈함 없이, 다양한 실시형태들에 따라, 다른 단면 형상들 (예를 들어, 사다리꼴, 장타원형, 장사방형) 을 가질 수도 있다. X 축을 따라 유사한 치수들을 갖도록 도 2 의 A 에는 광학 캐비티 (212), 기판들 (216 및 228), 편광 필터 (214 및 222), 및 디스플레이 스크린 (230) 이 도시되지만, 당업자는, 이들 컴포넌트들의 각각이 다양한 실시형태들에 따라, 하나 이상의 방향들에서 서로 상이한 치수들을 가질 수도 있다는 것을 이해할 것임에 또한 유의해야 한다.
도 2 의 B 는 LCD 디스플레이 디바이스 (200) 의 대체 실시형태인 LCD 디스플레이 디바이스 (200*) 를 예시한다. LCD 디스플레이 디바이스 (200*) 는 청색 LED들을 갖는 LED들 (210) 을 포함할 수도 있다. LCD 디스플레이 디바이스 (200*) 는 상기 설명된 포스퍼 필름들 (236) 및 차광 엘리먼트들 (238) 대신 필름 엘리먼트들 (236* 및 238*) 을 갖는 청색 서브-픽셀들 (226.3* 및 226.6*) 을 더 포함할 수도 있다. 필름 엘리먼트들 (236* 및 238*) 은 QD들과 같은 발광성 나노구조들을 배제할 수도 있고 청색 LED들 (210) 로부터의 청색 광에 대해 광학적으로 투명할 수도 있다. 그러한 배제 및 투명성은, 청색 LED들 (210) 로부터의 프라이머리 청색 광의 하향 변환 및/또는 청색 광의 차단이 청색 서브-픽셀들 (226.3* 및 226.6*) 에 필요하지 않을 수도 있기 때문에 가능할 수도 있다. 일부 실시형태들에서, 필름 엘리먼트들 (236* 및 238*) 은 청색 서브-픽셀들 (226.3* 및 226.6*) 로부터의 광의 각분포가 녹색 서브-픽셀들 (226.2 및 226.5) 및 적색 서브-픽셀들 (226.1 및 226.4) 로부터의 것에 매칭하도록 청색 LED들 (210) 로부터의 청색 광을 산란시키기 위한 산란 컴포넌트들을 포함한다.
디스플레이 디바이스 (200), LCD 모듈 (204), 픽셀들 (224.1 및 224.2), 및 서브-픽셀들 (226.3 및 226.6) 의 상기 논의는, 달리 언급되지 않는 한, 디스플레이 디바이스 (200*), LCD 모듈 (204*), 픽셀들 (224.1* 및 224.2*), 및 서브-픽셀들 (226.3* 및 226.6) 에 적용된다. 도 2 의 A 의 엘리먼트들과 동일한 주석들을 가진 도 2 의 B 의 엘리먼트들이 상기 설명된다. 서브-픽셀들 (226.1, 226.2, 및 226.3*) 은 일부 실시형태들에 따라, 구조, 조성물, 및 기능에 있어서, 개별의 서브-픽셀들 (226.4, 226.5, 및 226.6*) 과 유사할 수도 있다. 서브-픽셀들 (226.1, 226.2, 및 226.3*) 의 설명은 달리 언급되지 않는 한, 서브-픽셀들 (226.4, 226.5, 및 226.6*) 에 각각 적용된다.
일부 실시형태들에서, 서브-픽셀들 (226.1, 226.2, 및 226.3*) 은 이들 서브-픽셀들로부터의 광이 분포되는 디스플레이 스크린 (230) 의 평면에 실질적으로 평행할 수도 있는 평면 (예를 들어, XY 평면) 을 따라 방출 표면들을 가질 수도 있다. 용어 "서브-픽셀의 방출 표면" 은 본 명세서에서, 광이 디스플레이 디바이스의 디스플레이 스크린을 향해 방출되는 서브-픽셀의 최상위 층의 표면을 지칭하는데 사용된다.
일부 실시형태들에서, 차광 엘리먼트들 (238) 및 필름 (238*) 의 상부 표면들 (238.1s, 238.2s, 및 238.3s*) 은 서브-픽셀들 (226.1, 226.2, 및 226.3*) 의 방출 표면들을 각각 형성할 수도 있다. 유사하게, 상부 표면들 (238.4s, 238.5s, 238.6s*) 은 서브-픽셀들 (226.4, 226.5 및 226.6*) 의 방출 표면들을 각각 형성할 수도 있다.
대체 실시형태들에서, 서브-픽셀들 (226.1, 226.2, 226.3*, 226.4, 226.5, 및 226.6*) 은 차광 엘리먼트들 (238) 및 필름 (238*) 을 배제할 수도 있고, 포스퍼 필름들 (236) 및 필름 엘리먼트들 (236*) 을 이들 서브-픽셀들에서의 최상위 층들로서 가질 수도 있다. 이 실시형태에서, 상부 표면들 (236.1s, 236.2s, 236.3s*, 236.4s, 236.5s, 및 236.6s*) 은 이들 서브-픽셀들의 방출 표면들을 형성할 수도 있다.
일부 실시형태들에서, 서브-픽셀들 (226.1, 226.2, 및 226.3*) 의 방출 표면들의 면적들 (방출 표면적들로도 또한 지칭됨) 은 서브-픽셀들 (226.1, 226.2, 및 226.3*) 의 각각으로부터 방출된 총 광이 원하는 백색 점을 생성하도록 한다. 예를 들어, 서브-픽셀들 (226.1, 226.2, 및 226.3*) 의 각각의 방출 표면적은 적색, 녹색, 및 청색 서브-픽셀들 (226.1, 226.2, 및 226.3*) 의 각각으로부터의 총 휘도가 각각 고 동적 범위 (HDR) 이미징 표준들에 의해 요구된 디스플레이 스크린 (230) 상에서 원하는 백색 점 값 및 밝기를 달성하도록 선택될 수도 있다.
서브-픽셀들 (226.1, 226.2, 및 226.3*) 의 방출 표면들의 상대 면적들은 각각 서브-픽셀들 (226.1, 226.2, 및 226.3*) 로부터 방출된 적색, 녹색, 및 청색 광들의 상대 휘도에 기초할 수도 있다. 용어 "휘도" 는 본 명세서에서 방출 표면의 단위 면적 당 광 세기를 지칭하는데 사용된다. 이들 적색, 녹색, 및 청색 광들의 상대 휘도는 적색 및 녹색 서브-픽셀들 (226.1 및 226.2) 의 포스퍼 필름들 (236) 에서의 QD들 (예를 들어, 도 6 의 QD들 (600)) 과 같은 발광성 나노구조들의 하향 변환 효율에 그리고 청색 LED들 (210) 로부터의 청색 광의 휘도에 의존할 수도 있다.
서브-픽셀들 (226.1, 226.2, 및 226.3*) 의 각각의 방출 표면적이 실질적으로 동일한 예에서, 청색 LED들 (210) 로부터의 프라이머리 청색 광의 휘도는 적색 및/또는 녹색 서브-픽셀들 (226.1 및 226.2) 로부터 방출된 적색 및/또는 녹색 광의 휘도보다 더 강할 수도 있다. 청색 광의 이 더 높은 휘도는, 서브-픽셀 (226.3*) 로부터의 청색 광이 프라이머리 청색 광의 하향 변환으로부터가 아닌 청색 LED들 (210) 로부터의 프라이머리 청색 광이기 때문일 수도 있다. 프라이머리 광의 하향 변환은 방출된 적색 및/또는 녹색 광들의 경우에서처럼 프라이머리 광의 휘도의 일부를 손실시킬 수도 있는데, 이는 개별의 서브-픽셀들 (226.1 및 226.2) 에서의 프라이머리 청색 광의 하향 변환으로부터 발생한다. 따라서, 서브-픽셀들 (226.1, 226.2, 및 226.3*) 의 방출 표면들의 상대 면적들은 적색 및 녹색 서브-픽셀들 (226.1 및 226.2) 의 포스퍼 필름들 (236) 에서의 발광성 나노구조들의 하향 변환 효율에 그리고 청색 LED들 (210) 로부터의 프라이머리 청색 광의 휘도에 의존할 수도 있다.
일부 실시형태들에서, 청색 서브-픽셀 (226.3*) 의 방출 표면적은 적색 서브-픽셀 (226.1) 및/또는 녹색 서브-픽셀 (226.2) 의 방출 표면적들보다 더 작을 수도 있다. 일부 실시형태들에서, 서브-픽셀들 (226.1, 226.2, 및 226.3*) 의 방출 표면적들 간의 제 1 비율 및 서브-픽셀들 (226.4, 226.5, 및 226.6*) 의 방출 표면적들 간의 제 2 비율은 각각 약 2:2:1 내지 약 6:6:1 의 범위 (예를 들어, 약 2:3:1, 약 3:2:1, 약 3:3:1, 약 4:3:1, 약 3:4:1, 약 4:4:1, 약 5:4:1, 약 4:5:1, 약 5:5:1, 약 6:5:1, 약 5:6:1, 또는 약 6:6:1) 에 이를 수도 있다. 서브-픽셀들 (226.1, 226.2, 및 226.3*) 의 그러한 치수들은 픽셀 당 동일한 사이즈의 적색, 녹색, 및 청색 서브-픽셀들을 갖는 LCD 디스플레이 디바이스들과 비교하여 백색 점 값에 대해 LCD 디스플레이 디바이스 (200*) 에서 60 % 이상의 (예를 들어, 약 70 %, 약 80 %, 또는 약 90 %) 밝기의 증가를 달성할 수도 있다.
일부 실시형태들에서, 서브-픽셀들 (226.1, 226.2, 및 226.3*) 의 결합된 방출 표면적들은 픽셀 (224.1) 의 방출 표면적을 형성할 수도 있고 서브-픽셀들 (226.4, 226.5, 및 226.6*) 의 결합된 방출 표면적들은 픽셀 (224.2) 의 방출 표면적을 형성할 수도 있다. 일부 실시형태들에서, 픽셀들 (224.1* 및 224.2*) 의 방출 표면적들은, 개별의 제 1 및 제 2 비율들이 서로 상이하더라도, 실질적으로는 서로 동일할 수도 있다.
본 명세서에서의 개시에 기초하여, 당업자는, 제 1 및 제 2 비율들에 대한 다른 비율들이 본 개시의 범위 및 사상 내에 있음을 인식할 것이다.
도 3 은 일 실시형태에 따른, 에지-릿 (edge-lit) LCD 디스플레이 디바이스 (300) 의 분해 단면도의 스키매틱을 예시한다. LCD 디스플레이 디바이스 (300) 는 BLU (302) 및 LCD 모듈 (204) 을 포함할 수도 있다. 도 2 의 A 의 엘리먼트들과 동일한 주석들을 가진 도 3 의 엘리먼트들이 상기 설명된다.
BLU (302) 는 LED (310) (예를 들어, 청색 LED 또는 UV LED), 도광판 (LGP) (312), 및 반사기 (308) 를 포함할 수도 있다. BLU (302) 는 LCD 모듈 (204) 을 통해 프로세싱되고 후속적으로 디스플레이 스크린 (230) 에 전달되고 이에 걸쳐 분포될 수도 있는 프라이머리 광 (예를 들어, 청색 광 또는 UV 광) 을 제공하도록 구성될 수도 있다. 청색 LED 는 약 440 nm 내지 약 470 nm 의 범위에서 방출할 수도 있다. 일 실시형태에 따르면, 청색 LED 는 예를 들어, 450 nm 의 파장에서 청색 광을 방출하는 GaN LED 일 수도 있다.
LGP (312) 는 일부 실시형태들에 따라, 광섬유 케이블들, 폴리머 또는 유리 고체 바디들, 이를 테면 플레이트들, 필름들, 용기들, 또는 다른 구조들을 포함할 수도 있다. LGP (312) 의 사이즈는 LED (310) 의 궁극적인 적용 및 특성들에 의존할 수도 있다. LGP (312) 의 두께는 LED (310) 의 두께와 양립가능할 수도 있다. LGP (312) 의 다른 치수들은 LED (310) 의 치수들을 넘어 확장하도록 설계될 수도 있고, 대략 수십 밀리미터 내지 수십 내지 수백 센티미터일 수도 있다.
일부 실시형태들에서, LGP (312) 의 재료들은 폴리카보네이트 (PC), 폴리 메틸 메타크릴레이트 (PMMA), 메틸 메타크릴레이트, 스티렌, 아크릴 폴리머 수지, 유리, 또는 다른 적합한 LGP 재료들을 포함할 수도 있다. LGP (312) 에 적합한 제조 방법들은 사출 몰딩, 압출, 또는 다른 적합한 실시형태들을 포함할 수도 있다. LGP (312) 는 LCD 모듈 (204) 에 들어가는 프라이머리 광이 균일한 컬러 및 밝기일 수도 있도록, 균일한 프라이머리 광 방출을 제공하도록 구성될 수도 있다. LGP (312) 는 전체 LGP (512) 표면에 걸쳐 실질적으로 균일한 두께를 포함할 수도 있다. 대안적으로, LGP (312) 는 쐐기형 형상을 가질 수도 있다. 일부 실시형태들에서, LGP (312) 는 LED (310) 에 광학적으로 커플링될 수도 있고 LED (310) 에 물리적으로 연결되거나 또는 그로부터 분리될 수도 있다. LGP (312) 를 LED (310) 에 물리적으로 연결하기 위해, 광학 투명 접착제가 사용될 수도 있다 (미도시).
일부 실시형태들에서, BLU (302) 는, 각각이 구조 및 기능에 있어서 LED (310) 와 유사할 수도 있는, LED들의 어레이 (미도시) 를 포함할 수도 있다. LED들의 어레이는 LGP (312) 에 인접할 수도 있고 도 2 의 A 를 참조하여 논의된 바와 같이 프로세싱을 위해 및 디스플레이 스크린 (230) 으로의 후속 전달을 위해 LCD 모듈 (204) 에 프라이머리 광을 제공하도록 구성될 수도 있다.
일부 실시형태들에서, 반사기 (308) 는 LGP (512) 로부터 방출되는 광의 양을 증가시키도록 구성될 수도 있다. 반사기 (308) 는 적합한 재료, 이를 테면, 반사경, 반사 입자들의 필름, 반사성 금속 필름, 또는 다른 적합한 종래의 반사기들을 포함할 수도 있다. 일부 실시형태들에서, 반사기 (308) 는 백색 필름을 포함할 수도 있다. 일부 실시형태들에서, 반사기 (308) 는 추가적인 기능성 또는 피처들, 이를 테면 산란, 확산, 또는 밝기 향상 피처들을 포함할 수도 있다.
다른 실시형태들에서, LCD 디스플레이 디바이스 (300) 는 도 2 의 A 에 도시된 바와 같은 LCD 모듈 (204) 대신에 도 2 의 B 에 도시된 바와 같은 LCD 모듈 (204*) 을 가질 수도 있다.
유기 발광 다이오드 (OLED) 디스플레이 디바이스의 예시적인 실시형태들
도 4 는 일 실시형태에 따른, 유기 발광 다이오드 (OLED) 디스플레이 디바이스 (400) 의 분해 단면도의 스키매틱을 예시한다. OLED 디스플레이 디바이스 (400) 는 일 실시형태에 따라, 후면 플레이트 (418), 후면 플레이트 (418) 상에 2-D 어레이로 배열된 복수의 픽셀들 (424), 및 투과형 커버 플레이트 (430) 를 포함할 수도 있다. 도 4 에 도시된 픽셀들의 수는 예시적이며 제한하는 것이 아니다. OLED 디스플레이 디바이스 (400) 는 본 개시의 사상 및 범위로부터 일탈함 없이 임의의 수의 픽셀들을 가질 수도 있다.
커버 플레이트 (430) 는 이미지들을 생성하기 위한 디스플레이 스크린으로서 기능할 수도 있고 및/또는 OLED 디스플레이 디바이스 (400) 의 기저 구조들에 환경적 밀봉을 제공하도록 구성될 수도 있다. 커버 플레이트 (430) 는 OLED 디스플레이 디바이스 (400) 의 다른 컴포넌트들 (예를 들어, 전극) 이 배치될 수도 있는 광학 투명 기판이도록 또한 구성될 수도 있다. 일부 실시형태들에서, 픽셀들 (424) 은 적색, 녹색, 및 청색 서브-픽셀들을 갖는 3 색일 수도 있다. 일부 실시형태들에서, 픽셀들 (424) 은 적색, 녹색, 및 청색 서브-픽셀들 중 어느 하나를 갖는 단색일 수도 있다. 일부 실시형태들에서, OLED 디스플레이 디바이스 (400) 는 3 색 및 단색 픽셀들 (424) 양자 모두의 조합을 가질 수도 있다.
OLED 디스플레이 디바이스 (400) 는 픽셀들 (424) 의 제어 회로부 (미도시) 를 더 포함할 수도 있다. 픽셀들 (424) 은 예를 들어 박막 트랜지스터들 (TFT들) 과 같은 스위칭 디바이스들에 의해 독립적으로 제어될 수도 있다. OLED 디스플레이 디바이스 (400) 는, 본 발명의 사상 및 범위로부터 일탈함 없이, 다양한 실시형태들에 따라, 원통형, 사다리꼴형, 구형, 또는 타원형과 같지만 이에 한정되지 않는 기하학적 형상을 가질 수도 있다. X 축을 따라 유사한 치수들을 갖도록 도 4 에는 후면 플레이트 (418), 픽셀들 (424) 의 어레이, 및 커버 플레이트 (430) 가 도시되지만, 당업자는, 이들 컴포넌트들의 각각이 다양한 실시형태들에 따라, 하나 이상의 방향들에서 서로 상이한 치수들을 가질 수도 있다는 것을 이해할 것임에 유의해야 한다.
도 5a 는 일 실시형태에 따른, OLED 디스플레이 디바이스의 3 색 픽셀 (524) 의 분해 단면도를 예시한다. 도 4 의 OLED 디스플레이 디바이스 (400) 의 픽셀들 (424) 중 하나 이상은 픽셀 (524) 과 유사한 구성을 가질 수도 있다. 픽셀 (524) 은 적색 서브-픽셀 (540), 녹색 서브-픽셀 (542), 및 청색 서브-픽셀 (544) 을 포함할 수도 있다. 적색, 녹색, 및 청색 서브-픽셀들 (540, 542, 및 544) 의 배열 순서는 예시적이며 제한하는 것이 아니다. 적색, 녹색, 및 청색 서브-픽셀들 (540, 542, 및 544) 은 서로에 대해 임의의 순서로 배열될 수도 있다.
적색, 녹색 및 청색 서브-픽셀들 (540, 542, 및 544) 의 각각은 광 소스 (546) (예를 들어, 청색 OLED 또는 UV OLED) 및 차광 엘리먼트 (548) 를 포함할 수도 있다. 차광 엘리먼트들 (238) 의 상기 논의는 달리 언급되지 않는 한 차광 엘리먼트들 (548) 에 적용된다.
적색 서브-픽셀 (540) 은 적색 서브-픽셀 (540) 의 광 소스 (546) 의 방출 표면 상에 배치된 포스퍼 필름 (550) 을 더 포함할 수도 있다. 포스퍼 필름 (550) 은 적색 서브-픽셀 (540) 의 광 소스 (546) 로부터의 프라이머리 광을 흡수하고 가시 스펙트럼의 적색 파장 영역에서 프라이머리 방출 피크 파장을 갖는 적색 광을 방출하는 QD들 (예를 들어, 도 6 을 참조하여 설명된 QD (600)) 과 같은 발광성 나노구조들을 가질 수도 있다.
녹색 서브-픽셀 (542) 은 녹색 서브-픽셀 (542) 의 광 소스 (546) 의 방출 표면 상에 배치된 포스퍼 필름 (552) 을 더 포함할 수도 있다. 포스퍼 필름 (552) 은 녹색 서브-픽셀 (542) 의 광 소스 (546) 로부터의 프라이머리 광을 흡수하고 가시 스펙트럼의 녹색 파장 영역에서 프라이머리 방출 피크 파장을 갖는 녹색 광을 방출하는 QD들 (예를 들어, 도 6 을 참조하여 설명된 QD (600)) 과 같은 발광성 나노구조들을 가질 수도 있다.
청색 서브-픽셀 (544) 은 일 실시형태에 따라, 광 소스 (546) 가 UV OLED 를 가질 경우 청색 서브-픽셀 (544) 의 광 소스 (546) 의 방출 표면 상에 배치된 포스퍼 필름 (554) 을 더 포함할 수도 있다. 포스퍼 필름 (554) 은 UV OLED 로부터의 프라이머리 광을 흡수하고 가시 스펙트럼의 청색 파장 영역에서 프라이머리 방출 피크 파장을 갖는 청색 광을 방출하는 QD들 (예를 들어, 도 6 을 참조하여 설명된 QD (600)) 과 같은 발광성 나노구조들을 가질 수도 있다.
차광 엘리먼트들 (548) 은 도 4 의 커버 플레이트 (430) 와 같은 커버 플레이트로 이동하기 전에 개별의 포스퍼 필름들 (550, 552, 및 554) 로부터 방출된 적색, 녹색, 및 청색 광들을 필터링하도록 구성될 수도 있다. 차광 엘리먼트들 (548) 은 포스퍼 필름들 (550, 552, 및 554) 에 의해 흡수되지 않고 적색, 녹색, 및 청색 광으로 각각 하향 변환되지 않은 광 소스 (546) 로부터의 프라이머리 광의 부분들을, 개별의 포스퍼 필름들 (550, 552, 및 554) 로부터의 적색, 녹색, 및 청색 광들이 통과 및 차단하게 하도록 구성될 수도 있다. 포스퍼 필름들 (550, 552, 및 554) 밖으로 누출될 수도 있는 프라이머리 광의 원하지 않는 부분들은 그들을 흡수 및/또는 산란시킴으로써 차단될 수도 있다. 차광 엘리먼트들 (548) 은 또한, OLED 디스플레이 디바이스 (400) 의 원하는 색 영역 커버리지를 달성하기 위해 개별의 포스퍼 필름들 (550, 552, 및 554) 로부터 방출된 적색, 녹색, 및 청색 광의 스펙트럼 방출 폭들 (방출 스펙트럼의 폭으로도 또한 지칭됨) 을 튜닝하도록 구성될 수도 있다.
일부 실시형태들에서, 차광 엘리먼트들 (548) 은 도 5a 에 도시된 바와 같이 별도의 구조가 아닐 수도 있고, 포스퍼 필름들 (550, 552, 및 554) 에 포함될 수도 있다. 즉, 포스퍼 필름들 (550, 552, 및 554) 은 차광 엘리먼트들 (548) 과 함께, 상기 설명된 바와 같은, 발광성 나노구조들을 포함하는 복합 필름들일 수도 있다. 염료, 잉크, 페인트, 폴리머 재료, 산란 재료들 (예를 들어, 약 100 nm 내지 약 500 ㎛ 의 범위에 이르는 직경들을 갖는 입자들), 또는 이들의 조합과 같은 차광 엘리먼트들 (548) 의 하나 이상의 비-포스퍼 재료들은 포스퍼 필름들 (550, 552, 및 554) 의 매트릭스에 통합 또는 매립될 수도 있다. 하나 이상의 비-포스퍼 재료들은 포스퍼 필름들 (550, 552, 및 554) 의 매트릭스들에 분산될 수도 있는 나노구조화된 재료들을 포함할 수도 있다. 이들 나노구조화된 재료들은 광학 흡수 특성들 및/또는 광학 산란 특성들을 나타낼 수도 있고 어떠한 광학 방출 특성들도 나타내지 않을 수도 있다.
도 5b 는 도 5a 에 도시된 OLED 기반 픽셀 (524) 의 대체 실시형태인 픽셀 (524*) 을 예시한다. 픽셀 (524*) 은 청색 OLED 를 갖는 광 소스 (546) 를 포함할 수도 있다. 픽셀 (524*) 은 상기 설명된 포스퍼 필름 (554) 및 차광 엘리먼트 (548) 대신 광학 투명 필름들 (554* 및 548*) 을 더 포함할 수도 있다. 광학 투명 필름들 (554* 및 548*) 은 QD들과 같은 발광성 나노구조들을 배제할 수도 있고 청색 OLED (546) 로부터의 청색 광에 대해 광학적으로 투명할 수도 있다. 그러한 배제 및 투명성은, 청색 OLED (546) 로부터의 프라이머리 청색 광의 하향 변환 및/또는 청색 광의 차단이 청색 서브-픽셀 (544*) 에 필요하지 않을 수도 있기 때문에 가능할 수도 있다.
청색 서브-픽셀 (544) 의 상기 논의는, 달리 언급되지 않는 한, 청색 서브-픽셀 (544*) 에 적용된다. 도 5a 의 엘리먼트들과 동일한 주석들을 가진 도 5b 의 엘리먼트들이 상기 설명된다.
일부 실시형태들에서, 서브-픽셀들 (540, 542, 및 544*) 은 이들 서브-픽셀들로부터의 광이 분포되는 디스플레이 스크린 (예를 들어, 디스플레이 스크린 (430)) 의 평면에 실질적으로 평행할 수도 있는 평면 (예를 들어, XY 평면) 을 따라 방출 표면들을 가질 수도 있다. 일부 실시형태들에서, 차광 엘리먼트들 (548) 및 필름 (548*) 의 상부 표면들 (540s, 542s, 및 548*) 은 서브-픽셀들 (540, 542, 및 544*) 의 방출 표면들을 각각 형성할 수도 있다.
대체 실시형태들에서, 서브-픽셀들 (540, 542, 및 544*) 은 차광 엘리먼트들 (548) 및 필름 (548*) 을 배제할 수도 있고, 포스퍼 필름들 (550 및 552) 및 필름 (554*) 을 이들 서브-픽셀들에서의 최상위 층들로서 가질 수도 있다. 이 실시형태에서, 상부 표면들 (550s, 552s, 및 554*) 은 이들 서브-픽셀들의 방출 표면들을 형성할 수도 있다.
일부 실시형태들에서, 서브-픽셀들 (540, 542, 및 544*) 의 방출 표면들의 면적들은 서브-픽셀들 (540, 542, 및 544*) 의 각각으로부터 방출된 총 휘도가 원하는 백색 점을 생성하도록 한다. 이들 방출 표면들의 상대 면적들은 각각 서브-픽셀들 (540, 542, 및 544*) 로부터 방출된 적색, 녹색, 및 청색 광들의 상대 휘도에 기초할 수도 있다. 이들 적색, 녹색, 및 청색 광들의 상대 휘도는 개별의 적색 및 녹색 서브-픽셀들 (540 및 542) 의 포스퍼 필름들 (550 및 552) 에서의 QD들 (예를 들어, 도 6 의 QD들 (600)) 과 같은 발광성 나노구조들의 하향 변환 효율에 그리고 청색 OLED (546) 로부터의 청색 광의 휘도에 의존할 수도 있다. 따라서, 서브-픽셀들 (540, 542, 및 544*) 의 방출 표면들의 상대 면적들은 적색 및 녹색 서브-픽셀들 (540 및 542) 의 발광성 나노구조들의 하향 변환 효율에 그리고 청색 OLED (546) 로부터의 프라이머리 청색 광의 휘도에 의존할 수도 있다.
일부 실시형태들에서, 청색 서브-픽셀 (544*) 의 방출 표면적은 적색 서브-픽셀 (542) 및/또는 녹색 서브-픽셀 (542) 의 방출 표면적들보다 더 작을 수도 있다. 일부 실시형태들에서, 서브-픽셀들 (540, 542, 및 544*) 의 방출 표면적들 간의 비율은 약 3:3:1 내지 약 6:6:1 의 범위 (예를 들어, 약 4:3:1, 약 3:4:1, 약 4:4:1, 약 5:4:1, 약 4:5:1, 약 5:5:1, 약 6:5:1, 약 5:6:1, 또는 6:6:1) 에 이를 수도 있다.
일부 실시형태들에서, 서브-픽셀들 (540, 542, 및 544*) 의 결합된 방출 표면적들은 픽셀 (524*) 의 방출 표면적을 형성할 수도 있다. 일부 실시형태들에서, 인접한 픽셀들 (예를 들어, 한 쌍의 픽셀 (524*)) 의 방출 표면적들은, 인접한 픽셀들의 개별의 픽셀에 포함된 서브-픽셀들의 방출 표면적들 간의 비율들이 서로 상이하더라도, 실질적으로는 서로 동일할 수도 있다.
배리어 층 코팅된 나노구조의 예시적인 실시형태들
도 6 은 일 실시형태에 따른, 배리어 층 코팅된 발광성 나노구조 (NS) (600) 의 단면 구조를 예시한다. 일부 실시형태들에서, NS (600) 의 개체군은 포스퍼 필름들 (236, 550, 552, 및/또는 554) 에 포함될 수도 있다. 배리어 층 코팅된 NS (600) 는 NS (601) 및 배리어 층 (606) 을 포함한다. MS (601) 는 코어 (602) 및 쉘 (604) 을 포함한다. 코어 (602) 는 더 높은 에너지들의 흡수 시 광을 방출하는 반도체 재료를 포함한다. 코어 (602) 를 위한 반도체 재료의 예들은 인듐 포스파이드 (InP), 카드뮴 셀레나이드 (CdSe), 아연 설파이드 (ZnS), 납 설파이드 (PbS), 인듐 비소화물 (InAs), 인듐 갈륨 포스파이드 (InGaP), 카드뮴 아연 셀레나이드 (CdZnSe), 아연 셀레나이드 (ZnSe) 및 카드뮴 텔루라이드 (CdTe) 를 포함한다. 다이렉트 밴드 갭을 나타내는 임의의 다른 II-VI, III-V, 3 차 또는 4 차 반도체 구조들도 물론 사용될 수도 있다. 일 실시형태에서, 코어 (602) 는 또한 일부 예들을 제공하기 위해 금속들, 합금들과 같은 하나 이상의 도펀트들을 포함할 수도 있다. 금속 도펀트의 예들은 아연 (Zn), 구리 (Cu), 알루미늄 (Al), 백금 (Pt), 크롬 (Cr), 텅스텐 (W), 팔라듐 (Pd), 또는 이들의 조합을 포함할 수도 있지만 이들로 한정되지 않는다. 코어 (602) 에서의 하나 이상의 도펀트들의 존재는 도핑되지 않은 NS들과 비교하여 NS (601) 의 구조적 및 광학적 안정성 및 QY 를 개선시킬 수도 있다.
코어 (602) 는 일 실시형태에 따라, 직경이 20 nm 미만인 사이즈를 가질 수도 있다. 다른 실시형태에서, 코어 (602) 는 직경이 약 1 nm 와 약 5 nm 사이의 사이즈를 가질 수도 있다. 나노미터 범위에 코어 (602) 의 사이즈 및 결과적으로 NS (601) 의 사이즈를 맞추는 능력은 전체 광학 스펙트럼에서의 광방출 커버리지를 가능하게 한다. 일반적으로, 더 큰 NS들은 스펙트럼의 적색 단부를 향해 광을 방출하는 한편, 더 작은 NS들은 스펙트럼의 청색 단부를 향해 광을 방출한다. 이 효과는 더 큰 NS들이 더 작은 NS들보다 더 밀접하게 이격되는 에너지 레벨들을 가질 때 발생한다. 이는 NS 가 적은 에너지를 포함하는 광자들, 즉 스펙트럼의 적색 단부에 더 가까운 것들을 흡수하게 한다.
쉘 (604) 은 코어 (602) 를 둘러싸고 코어 (602) 의 외부 표면 상에 배치된다. 쉘 (604) 은 카드뮴 설파이드 (CdS), 아연 카드뮴 설파이드 (ZnCdS), 아연 셀레나이드 설파이드 (ZnSeS), 및 아연 설파이드 (ZnS) 를 포함할 수도 있다. 일 실시형태에서, 쉘 (604) 은 두께 (604t), 예를 들어 하나 이상의 단층들을 가질 수도 있다. 다른 실시형태들에서, 쉘 (604) 은 약 1 nm 와 약 5 nm 사이의 두께 (604t) 를 가질 수도 있다. 쉘 (604) 은 코어 (602) 와의 격자 미스매치를 감소시키고 NS (601) 의 QY 를 개선시키는 것을 돕도록 활용될 수도 있다. 쉘 (604) 은 또한 NS (601) 의 QY 를 증가시키기 위해 코어 (602) 상의 댕글링 본드들과 같은 표면 트랩 상태들을 부동태화 및 제거하는 것을 도울 수도 있다. 표면 트랩 상태들의 존재는 비-방사 재결합 센터들을 제공하고 NS (601) 의 저감된 방출 효율에 기여할 수도 있다.
대체 실시형태들에서, NS (601) 는 본 발명의 사상 및 범위로부터 일탈함 없이, 쉘 (604) 상에 배치된 제 2 쉘, 또는 코어 (602) 를 둘러싸는 2 초과의 쉘들을 포함할 수도 있다. 일 실시형태에서, 제 2 쉘은 대략 2 개의 단층들 두께일 수도 있고 필수는 아니지만, 통상적으로, 또한 반도체 재료이다. 제 2 쉘은 코어 (602) 에 보호를 제공할 수도 있다. 제 2 쉘 재료는 아연 설파이드 (ZnS) 일 수도 있지만, 본 발명의 범위 또는 사상으로부터 일탈함 없이 다른 재료들도 물론 사용될 수도 있다.
배리어 층 (606) 은 NS (601) 상의 코팅을 형성하도록 구성된다. 일 실시형태에서, 배리어 층 (606) 은 쉘 (604) 의 외부 표면 (604a) 상에 배치되고 그 외부 표면 (604a) 과 실질적으로 접촉한다. 하나 이상의 쉘들을 갖는 NS (601) 의 실시형태들에서, 배리어 층 (606) 은 NS (601) 의 최외각 쉘 상에 배치되고 그 최외각 쉘과 실질적으로 접촉할 수도 있다. 예시적인 실시형태에서, 배리어 층 (606) 은 NS (601) 와, 예를 들어 복수의 NS들을 갖는 용액, 조성물, 및/또는 필름에서의 하나 이상의 NS들 사이의 스페이서로서 작용하도록 구성되며, 여기서 복수의 NS들은 NS (601) 및/또는 배리어 층 코팅된 NS (600) 와 유사할 수도 있다. 그러한 NS 용액들, NS 조성물들, 및/또는 NS 필름들에서, 배리어 층 (606) 은 인접한 NS들과의 NS (601) 의 응집을 방지하는 것을 도울 수도 있다. 인접한 NS들과의 NS (601) 의 응집은 NS (601) 의 사이즈의 증가 및 NS (601) 를 포함하는 응집된 NS (미도시) 의 광학 방출 특성들의 결과적인 감소 또는 퀀칭으로 이어질 수 있다. 추가의 실시형태들에서, 배리어 층 (606) 은 예를 들어, NS (601) 의 구조적 및 광학적 특성들에 악영향을 줄 수도 있는 습기, 공기, 및/또는 열악한 환경들 (예를 들어, NS들의 리소그래피 프로세싱 동안 및/또는 NS 기반 디바이스들의 제조 프로세스 동안 사용되는 고온 및 화학 물질들) 로부터 NS (601) 에 대한 보호를 제공한다.
배리어 층 (606) 은 비정질이고, 광학적으로 투명하고 및/또는 전기적으로 비활성인 하나 이상의 재료들을 포함한다. 적합한 배리어 층들은 무기 산화물들 및/또는 질화물들과 같지만, 이에 한정되지 않는 무기 재료들을 포함한다. 배리어 층 (606) 을 위한 재료들의 예들은 다양한 실시형태들에 따라, Al, Ba, Ca, Mg, Ni, Si, Ti, 또는 Zr 의 산화물들 및/또는 질화물들을 포함한다. 배리어 층 (606) 은 다양한 실시형태들에서 약 8 nm 내지 약 15 nm 의 범위에 이르는 두께 (606t) 를 가질 수도 있다.
도 6 에 예시된 바와 같이, 배리어 층 코팅된 NS (600) 는, 일 실시형태에 따라, 복수의 리간드들 또는 계면활성제들 (608) 을 추가적으로 또는 선택적으로 포함할 수도 있다. 리간드들 또는 계면활성제들 (608) 은 일 실시형태에 따라, 배리어 층 (606) 의 외부 표면 상과 같은 배리어 층 코팅된 NS (600) 의 외부 표면에 흡착 또는 바인딩될 수도 있다. 복수의 리간드들 또는 계면활성제들 (608) 은 친수성 또는 극성 헤드들 (608a) 및 소수성 또는 비-극성 테일들 (608b) 을 포함할 수도 있다. 친수성 또는 극성 헤드들 (608a) 은 배리어 층 (606) 에 바인딩될 수 있다. 리간드들 또는 계면활성제들 (608) 의 존재는, 예를 들어, 그들의 형성 동안, 용액, 조성물, 및/또는 필름에서의 다른 NS들로부터 NS (600) 및/또는 NS (601) 를 분리하는 것을 도울 수도 있다. NS들이 그들의 형성 동안 응집하도록 허용되면, NS (600) 및/또는 NS (601) 와 같은 NS들의 양자 효율이 떨어질 수도 있다. 리간드들 또는 계면활성제들 (608) 은 또한, 비-극성 용매들에 혼화성을 제공하기 위해 또는 다른 화합물들이 바인딩하는 반응 사이트들 (예를 들어, 역 교질입자 시스템들) 을 제공하기 위해 소수성과 같은, 소정의 특성들을 배리어 층 코팅된 NS (600) 에 부여하는데 사용될 수도 있다.
리간드들 (608) 로서 사용될 수도 있는 매우 다양한 리간드들이 존재한다. 일부 실시형태들에서, 리간드는 라우르 산, 카프로 산, 미리스트 산, 팔미트 산, 스테아르 산, 및 올레산으로부터 선택된 지방산이다. 일부 실시형태들에서, 리간드는 트리옥틸포스핀 산화물 (TOPO), 트리옥틸포스핀 (TOP), 디페닐포스핀 (DPP), 트리페닐포스핀 산화물, 및 트리부틸포스핀 산화물로부터 선택된 유기 포스핀 또는 유기 포스핀 산화물이다. 일부 실시형태들에서, 리간드는 도데실아민, 올레일아민, 헥사데실아민, 및 옥타데실아민으로부터 선택된 아민이다. 일부 실시형태들에서, 리간드는 트리옥틸포스핀 (TOP) 이다. 일부 실시형태들에서, 리간드는 올레일아민이다. 일부 실시형태에서, 리간드는 디페닐포스핀이다.
계면활성제들 (608) 로서 사용될 수도 있는 매우 다양한 계면활성제들이 존재한다. 일부 실시형태들에서 비이온성 계면활성제들이 계면활성제들 (608) 로서 사용될 수도 있다. 비이온성 계면활성제들의 일부 예들은 폴리옥시에틸렌 (5) 노닐페닐에테르 (상품명 IGEPAL CO-520), 폴리옥시에틸렌 (9) 노닐페닐에테르 (IGEPAL CO-630), 옥틸페녹시 폴리(에틸렌옥시)에탄올 (IGEPAL CA-630), 폴리에틸렌 글리콜 올레일 에테르 (Brij 93), 폴리에틸렌 글리콜 헥사데실 에테르 (Brij 52), 폴리에틸렌 글리콜 옥타데실 에테르 (Brij S10), 폴리옥시에틸렌 (10) 이소옥틸시클로헥실 에테르 (Triton X-100), 및 폴리옥시에틸렌 분기된 노닐시클로헥실 에테르 (Triton N-101) 를 포함한다.
일부 실시형태들에서 음이온성 계면활성제들이 계면활성제들 (608) 로서 사용될 수도 있다. 음이온성 계면활성제들의 일부 예들은 나트륨 디옥틸 설포숙시네이트, 나트륨 스테아레이트, 나트륨 라우릴 설페이트, 나트륨 모노도데실 포스페이트, 나트륨 도데실벤젠설포네이트, 및 나트륨 미리스틸 설페이트를 포함한다.
일부 실시형태들에서, NS들 (601 및/또는 600) 은 하나 이상의 다양한 컬러 범위들, 이를 테면, 적색, 주황색, 및/또는 황색 범위에서 광을 방출하도록 합성될 수도 있다. 일부 실시형태들에서, NS들 (601 및/또는 600) 은 녹색 및/또는 황색 범위에서 광을 방출하도록 합성될 수도 있다. 일부 실시형태들에서, NS들 (601 및/또는 600) 은 청색, 남색, 자색, 및/또는 자외선 범위에서 광을 방출하도록 합성될 수도 있다. 일부 실시형태들에서, NS들 (601 및/또는 600) 은 약 605 nm 와 약 650 nm 사이, 약 510 nm 와 약 550 nm 사이, 또는 약 300 nm 와 약 480 nm 사이의 프라이머리 방출 피크 파장을 갖도록 합성될 수도 있다.
NS들 (601 및/또는 600) 은 높은 QY 를 디스플레이하도록 합성될 수도 있다. 일부 실시형태들에서, NS들 (601 및/또는 600) 은 80 % 와 95 % 사이 또는 85% 와 90% 사이의 QY 를 디스플레이하도록 합성될 수도 있다.
따라서, 다양한 실시형태들에 따르면, NS들 (600) 은 NS들 (601) 상의 배리어 층 (606) 의 존재가 NS들 (601) 의 광학 방출 특성들을 실질적으로 변경 또는 퀀칭하지 않도록 합성될 수도 있다.
나노구조 필름의 예시적인 실시형태들
도 7 은 일 실시형태에 따른, NS 필름 (700) 의 단면도를 예시한다. 일부 실시형태들에서, 포스퍼 필름들 (236, 550, 552, 및/또는 554) 은 NS 필름 (700) 과 유사할 수도 있다.
NS 필름 (700) 은 일 실시형태에 따라, 복수의 배리어 층 코팅된 코어-쉘 NS들 (600) (도 6) 및 매트릭스 재료 (710) 를 포함할 수도 있다. NS들 (600) 은 일부 실시형태들에 따라, 매트릭스 재료 (710) 에 매립되거나 또는 달리 배치될 수도 있다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 용어 "매립된" 은 매트릭스의 주요 성분을 구성하는 매트릭스 재료 (710) 내에 NS들이 인클로징 또는 인케이싱됨을 나타내는데 사용된다. NS들 (600) 은 일 실시형태에서 매트릭스 재료 (710) 전반에 걸쳐 균일하게 분포될 수도 있지만, 다른 실시형태들에서, NS들 (600) 은 애플리케이션-특정 균일성 분포 함수에 따라 분포될 수도 있음에 유의해야 한다. NS들 (600) 이 직경이 동일한 사이즈를 갖는 것으로 도시되지만, 당업자는 NS들 (600) 이 사이즈 분포를 가질 수도 있다는 것을 이해할 것임에 유의해야 한다.
일 실시형태에서, NS들 (600) 은 청색 가시 파장 스펙트럼, 녹색 가시 파장 스펙트럼, 또는 적색 가시 파장 스펙트럼에서 방출하는 사이즈들을 갖는 NS들의 균질 개체군을 포함할 수도 있다. 다른 실시형태들에서, NS들 (600) 은 청색 가시 파장 스펙트럼에서 방출하는 사이즈들을 갖는 NS들의 제 1 개체군, 녹색 가시 파장 스펙트럼에서 방출하는 사이즈들을 갖는 NS들의 제 2 개체군, 또는 적색 가시 파장 스펙트럼에서 방출하는 NS들의 제 3 개체군을 포함할 수도 있다.
매트릭스 재료 (710) 는 NS들 (600) 을 하우징할 수 있는 임의의 적합한 호스트 매트릭스 재료일 수도 있다. 적합한 매트릭스 재료들은 NS 필름 (700) 을 디바이스들에 적용하는데 사용되는 임의의 주변 패키징 재료들 또는 층들 및 NS들 (600) 과 화학적 및 광학적으로 양립가능할 수도 있다. 적합한 매트릭스 재료들은 프라이머리 및 세컨더리 광 양자 모두에 대해 투명한 비-황색 광학 재료들을 포함할 수도 있고, 이에 의해 프라이머리 및 세컨더리 광 양자 모두가 매트릭스 재료를 통해 투과하게 할 수도 있다. 일 실시형태에서, 매트릭스 재료 (710) 는 NS들 (600) 의 각각을 완전히 둘러쌀 수도 있다. 매트릭스 재료 (710) 는 가요성 또는 몰딩가능한 NS 필름 (700) 이 요망되는 애플리케이션들에서 유연할 수도 있다. 대안적으로, 매트릭스 재료 (710) 는 고강도, 비가요성 재료를 포함할 수도 있다.
매트릭스 재료 (710) 는 폴리머들 및 유기 및 무기 산화물들을 포함할 수도 있다. 매트릭스 재료 (710) 에서의 사용에 적합한 폴리머들은, 그러한 목적을 위해 사용될 수 있는 당업자에게 알려진 임의의 폴리머일 수도 있다. 폴리머는 실질적으로 반투명하거나 또는 실질적으로 투명할 수도 있다. 매트릭스 재료 (710) 는 에폭시들, 아크릴레이트들, 노보넨 (norbornene), 폴리에틸렌, 폴리(비닐 부티랄):폴리(비닐 아세테이트), 폴리우레아, 폴리우레탄들; 아미노 실리콘 (AMS), 폴리페닐메틸실록산, 폴리페닐알킬실록산, 폴리디페닐실록산, 폴리디알킬실록산, 실세스퀴옥산들, 플루오르화 실리콘들, 및 비닐 및 하이드라이드 치환된 실리콘들을 포함하지만 이에 한정되지 않는 실리콘들 및 실리콘 유도체들; 메틸메타크릴레이트, 부틸메타크릴레이트, 및 라우릴메타크릴레이트를 포함하지만 이에 한정되지 않는 모노머들로부터 형성된 아크릴 폴리머들 및 코폴리머들; 폴리스티렌, 아미노 폴리스티렌 (APS), 및 폴리(아크릴로니트릴 에틸렌 스티렌) (AES) 과 같은 스티렌계 폴리머들; 디비닐벤젠과 같은 이관능성 모노머들과 가교된 폴리머들; 리간드 재료들을 가교시키는데 적합한 가교제들, 에폭시를 형성하기 위해 리간드 아민들 (예를 들어, APS 또는 PEI 리간드 아민들) 과 결합하는 에폭시드들 등을 포함할 수도 있지만 이에 한정되지 않는다.
일부 실시형태들에서, 매트릭스 재료 (710) 는 NS 필름 (700) 의 광 변환 효율을 개선시킬 수도 있는 TiO2 마이크로비드들, ZnS 마이크로비드들, 또는 유리 마이크로비드들과 같은 산란 마이크로비드들을 포함한다. 일부 실시형태들에서, 매트릭스 재료 (710) 는 도 2-도 3 및 도 5 를 참조하여 상기 설명된 차광 엘리먼트들 (238 및/또는 548) 과 같은 차광 엘리먼트들을 포함할 수도 있다.
다른 실시형태에서, 매트릭스 재료 (710) 는 낮은 산소 및 습기 투과성을 갖고, 높은 광- 및 화학적-안정성을 나타내고, 양호한 굴절률을 나타내고, NS들 (600) 의 외부 표면들에 달라붙을 수도 있고, 따라서 NS들 (600) 을 보호하는 기밀 밀봉을 제공할 수도 있다. 다른 실시형태에서, 매트릭스 재료 (710) 는 롤-투-롤 프로세싱을 용이하게 하기 위해 UV 또는 열 경화 방법들로 경화가능할 수도 있다.
일부 실시형태들에 따르면, NS 필름 (700) 은 폴리머 (예를 들어, 포토레지스트) 에서 NS들 (600) 을 혼합하고 기판 상에 NS-폴리머 혼합물을 주조하는 것, NS들 (600) 을 모노머들과 혼합하고 이를 함께 중합하는 것, NS들 (600) 을 졸-겔에서 혼합하여 산화물을 형성하는 것, 또는 당업자에게 알려진 임의의 다른 방법에 의해 형성될 수도 있다.
일부 실시형태들에 따르면, NS 필름 (700) 의 형성은 필름 압출 프로세스를 포함할 수도 있다. 필름 압출 프로세스는 매트릭스 재료 (710) 와 NS (600) 와 같은 배리어 층 코팅된 코어-쉘 NS들의 균질 혼합물을 형성하는 것, 균질 혼합물을 압출기에 공급되는 상부 장착 호퍼에 도입하는 것을 포함할 수도 있다. 일부 실시형태들에서, 균질 혼합물을 펠릿들의 형태일 수도 있다. 필름 압출 프로세스는 슬롯 다이로부터 NS 필름 (700) 을 압출하는 것 및 압출된 NS 필름 (700) 을 냉각 롤들을 통해 통과시키는 것을 더 포함할 수도 있다. 일부 실시형태들에서, 압출된 NS 필름 (700) 은 약 75 ㎛ 미만의, 예를 들어 약 70 ㎛ 내지 약 40 ㎛, 약 65 ㎛ 내지 약 40 ㎛, 약 60 ㎛ 내지 약 40 ㎛, 또는 약 50 ㎛ 내지 약 40 ㎛ 의 범위의 두께를 가질 수도 있다. 일부 실시형태들에서, NS 필름 (700) 은 약 10 ㎛ 미만의 두께를 갖는다. 일부 실시형태들에서, NS 필름 (700) 의 형성은 필름 압출 프로세스가 후속되는 이차 프로세스를 선택적으로 포함할 수도 있다. 이차 프로세스는 NS 필름 (700) 의 상부 표면에 텍스처를 제공하기 위해 공압출, 열성형, 진공 성형, 플라즈마 처리, 몰딩, 및/또는 엠보싱과 같은 프로세스를 포함할 수도 있다. 텍스처링된 상부 표면 NS 필름 (700) 은 예를 들어 NS 필름 (700) 의 정의된 광학 확산 특성 및/또는 정의된 각도 광학 방출 특성을 개선시키는 것을 도울 수도 있다.
발광성 나노구조들의 예시적인 실시형태들
본 명세서에서는 발광성 나노구조들 (NS들) 을 갖는 다양한 조성물들이 설명된다. 흡수 특성들, 방출 특성들 및 굴절률 특성들을 포함하는, 발광성 나노구조들의 다양한 특성들이 다양한 적용들을 위해 맞춰지고 조정될 수도 있다.
NS들의 재료 특성들은 실질적으로 균질성일 수도 있거나, 또는 소정의 실시형태들에서, 이질성일 수도 있다. NS들의 광학 특성들은 그들의 입자 사이즈, 화학적 또는 표면 조성물에 의해 결정될 수도 있다. 약 1 nm 와 약 15 nm 사이의 범위에 발광성 NS 사이즈를 맞추는 능력은 전체 광학 스펙트럼에서의 광방출 커버리지가 컬러 렌더링에 있어서 큰 다면성을 제공할 수 있게 할 수도 있다. 입자 캡슐화는 화학적 및 UV 열화제들에 대한 강인성을 제공할 수도 있다.
본 명세서에서 설명된 실시형태들에서의 사용을 위한 발광성 NS들은, 당업자에게 알려진 임의의 방법을 사용하여 생성될 수도 있다. 적합한 방법들 및 예시적인 나노결정들은 미국 특허 제7,374,807호; 2004년 3월 10일자로 출원된 미국 특허 출원 제10/796,832호; 미국 특허 제6,949,206호; 및 2004년 6월 8일자로 출원된 미국 가특허 출원 제60/578,236호에 개시되어 있으며, 이들의 각각의 개시들은 본 명세서에 전부 참조로 통합된다.
본 명세서에서 설명된 실시형태들에서의 사용을 위한 발광성 NS들은 무기 재료, 및 더 적합하게는 무기 전도성 또는 반전도성 재료를 포함하는 임의의 적합한 재료로부터 생성될 수도 있다. 적합한 반도체 재료들은 미국 특허 출원 제10/796,832호에 개시된 것들을 포함할 수도 있고, 그룹 II-VI, 그룹 III-V, 그룹 IV-VI, 및 그룹 IV 반도체들을 포함하는 임의의 타입의 반도체를 포함할 수도 있다. 적합한 반도체 재료들은 Si, Ge, Sn, Se, Te, B, C (다이아몬드 포함), P, BN, BP, BAs, AlN, AlP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InN, InP, InAs, InSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, HgS, HgSe, HgTe, BeS, BeSe, BeTe, MgS, MgSe, GeS, GeSe, GeTe, SuS, SnSe, SnTe, PbO, PbS, PbSe, PbTe, CuF, CuCl, CuBr, CuI, Si3N4, Ge3N4, Al2O3, (Al,Ga,In)2 (S,Se,Te)3, Al2CO, 및 2 이상의 그러한 반도체들의 적절한 조합을 포함할 수도 있지만 이에 한정되지 않는다.
소정의 실시형태들에 있어서, 발광성 NS들은 p 타입 도펀트 또는 n 타입 도펀트로 이루어진 그룹으로부터의 도펀트를 포함할 수도 있다. NS들은 또한 II-VI 또는 III-V 반도체들을 가질 수도 있다. II-VI 또는 III-V 반도체 NS들의 예들은 주기율표의 Zn, Cd 및 Hg 와 같은 그룹 II 로부터의 엘리먼트와 S, Se, Te 및 Po 와 같은 그룹 VI 으로부터의 임의의 엘리먼트의 임의의 조합; 및 주기율표의 B, Al, Ga, In, 및 Tl 와 같은 그룹 III 으로부터의 엘리먼트와 N, P, As, Sb 및 Bi 와 같은 그룹 V 로부터의 임의의 엘리먼트의 임의의 조합을 포함할 수도 있다.
본 명세서에서 설명된 발광성 NS들은 또한, 그들의 표면에 공액된, 협력된, 연관된 또는 부착된 리간드들을 더 포함할 수도 있다. 적합한 리간드들은 미국 특허 제8,283,412호; 미국 특허 공개 제2008/0237540호; 미국 특허 공개 제2010/0110728호; 미국 특허 제8,563,133호; 미국 특허 제7,645,397호; 미국 특허 제7,374,807호; 미국 특허 제6,949,206호; 미국 특허 제7,572,393호; 및 미국 특허 제7,267,875호에 개시된 것들을 포함하여 당업자에게 알려진 임의의 그룹을 포함할 수 있으며, 이들의 각각의 개시들은 본 명세서에 참조로 통합된다. 그러한 리간드들의 사용은, 폴리머들을 포함하는 다양한 용매들 및 매트릭스들에 통합하기 위한 발광성 NS들의 능력을 향상시킬 수도 있다. 다양한 용매들 및 매트릭스들에서의 발광성 NS들의 혼화성 (즉, 분리 없이 혼합되는 능력) 을 증가시키는 것은, NS들이 함께 응집되지 않고 따라서 광을 산란시키지 않도록 폴리머 조성물 전반에 걸쳐 분포되게 할 수도 있다. 그러한 리간드들은 본 명세서에서 "혼화성 향상" 리간드들로서 설명된다.
소정의 실시형태들에서, 매트릭스 재료에 분포되거나 또는 매립된 발광성 NS들을 갖는 조성물들이 제공된다. 적합한 매트릭스 재료들은 폴리머 재료들, 유기 및 무기 산화물들을 포함하는, 당업자에게 알려진 임의의 재료일 수도 있다. 본 명세서에서 설명된 조성물들은 층들, 캡슐화제들, 코팅들, 시트들 또는 필름들일 수도 있다. 층, 폴리머 층, 매트릭스, 시트 또는 필름에 대한 언급이 이루어지는 본 명세서에서 설명된 실시형태들에 있어서, 이들 용어들은 상호교환가능하게 사용되고, 그렇게 설명된 실시형태는 임의의 하나의 타입의 조성물로 제한되지 않고, 본 명세서에서 설명되거나 당업계에 알려진 임의의 매트릭스 재료 또는 층을 포괄하는 것임이 이해되어야 한다.
하향 변환 NS들 (예를 들어, 미국 특허 제7,374,807호에 개시된 바와 같음) 은 특정 파장의 광을 흡수하고 그 후 제 2 파장에서 방출하고, 그에 의해 활성 소스들 (예를 들어, LED들) 의 향상된 성능 및 효율을 제공하도록 맞춰지는 발광성 나노구조들의 방출 특성들을 활용한다.
당업자에게 알려진 임의의 방법이 발광성 NS들을 생성하는데 사용될 수도 있지만, 무기 나노재료 포스퍼들의 제어된 성장을 위한 용액상 콜로이드법이 사용될 수도 있다. Alivisatos, A. P., "Semiconductor clusters, nanocrystals, and quantum dots", Science 271:933 (1996); X. Peng, M. Schlamp, A. Kadavanich, A. P. Alivisatos, "Epitaxial growth of highly luminescent CdSe/CdS Core/Shell nanocrystals with photostability and electronic accessibility", J. Am. Chem. Soc. 30:7019-7029 (1997); 및 C. B. Murray, D. J. Norris, M. G. Bawendi, "Synthesis and characterization of nearly monodisperse CdE (E=sulfur, selenium, tellurium) semiconductor nanocrystallites", J Am. Chem. Soc. 115:8706 (1993) 을 참조, 이들의 개시들은 본 명세서에 전부 참조로 통합된다.
일 실시형태에 따르면, CdSe 가, 이 재료의 합성의 상대적인 성숙으로 인해, 하나의 예에서, 가시 광 하향 변환을 위해, NS 재료로서 사용될 수도 있다. 일반적 표면 화학의 사용으로 인해, 비-카드뮴 함유 NS들을 치환하는 것이 또한 가능할 수도 있다.
반도체 NS들에 있어서, 광-유도 방출이 NS 의 밴드 에지 상태들로부터 발생한다. 발광성 NS들로부터의 밴드-에지 방출은 표면 전자 상태들로부터 발생하는 방사 및 비-방사 붕괴 채널들과 경합한다. X. Peng 등의, J Am. Chem. Soc. 30:7019-7029 (1997). 결과적으로, 댕글링 본드들과 같은 표면 결함들의 존재는 비-방사 재결합 센터들을 제공하고 저감된 방출 효율에 기여한다. 표면 트랩 상태들을 부동태화 및 제거하기 위한 효율적이고 영구적인 방법은 NS 의 표면 상에 무기 쉘 재료를 에피택셜로 성장시키는 것일 수도 있다. X. Peng 등의, J. Am. Chem. Soc. 30:7019-7029 (1997). 쉘 재료는, 전자 레벨들이 (예를 들어, 코어에 대해 전자 및 정공을 국부화하는 포텐셜 스텝을 제공하기 위한 보다 큰 밴드갭으로) 코어 재료에 대해 타입 1 이도록 선택될 수도 있다. 결과적으로, 비-방사 재결합의 확률이 감소될 수도 있다.
코어-쉘 구조들은 쉘 재료들을 함유하는 유기금속 전구체들을 코어 NS들을 함유하는 반응 혼합물에 첨가함으로써 획득될 수도 있다. 이 경우에, 핵형성 이벤트 다음에 성장하기 보다는, 코어들은 핵들로서 작용하고, 쉘들은 그들의 표면으로부터 성장할 수도 있다. 반응의 온도는, 쉘 재료들의 나노결정들의 독립적인 핵형성을 방지하면서, 코어 표면에 대한 쉘 재료 모노머들의 첨가를 돕기 위해 낮게 유지된다. 반응 혼합물에서의 계면활성제들은 쉘 재료의 제어된 성장을 지향하고 용해성을 보장하기 위해 존재한다. 균일한 그리고 에피택셜로 성장된 쉘은, 그 2 개의 재료들 사이에 낮은 격자 미스매치가 존재할 경우 획득될 수도 있다.
코어-쉘 발광성 NS들을 준비하기 위한 예시적인 재료들은 Si, Ge, Sn, Se, Te, B, C (다이아몬드 포함), P, Co, Au, BN, BP, BAs, AlN, AlP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InN, InP, InAs, InSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, HgS, HgSe, HgTc, BeS, BcSe, BcTe, MgS, MgSe, GeS, GeSe, GeTe, SnS, SnSe, SnTe, PbO, PbS, PbSe, PbTe, CuP, CuCl, CuBr, CuI, Si3N4, Ge3N4, Al2O3, (Al,Ga,In)2 (S,Se,Te)3, AlCO 를 포함할 수도 있지만 이에 한정되지 않고, 본 발명의 실시에서의 사용을 위한 쉘 발광성 NS들은 (코어/쉘로서 표현됨), CdSe/ZnS, InP/ZnS, InP/ZnSe, PbSe/PbS, CdSe/CdS, CdTe/CdS, CdTe/ZnS, 및 기타 등등을 포함하지만 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에서 설명된 실시형태들에서의 사용을 위한 발광성 NS들은 사이즈가 약 100 nm 미만일 수도 있고, 사이즈가 약 2 nm 미만에 이르기까지일 수도 있으며 가시광을 흡수할 수도 있다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 가시광은 인간의 눈에 보일 수 있는 약 380 나노미터와 약 780 나노미터 사이의 파장들을 가진 전자기 방사이다. 가시광은 적색, 주황색, 황색, 녹색, 청색, 남색 및 자색과 같은 스펙트럼의 다양한 컬러들로 분리될 수 있다. 파장에 있어서 청색 광은 약 435 nm 와 약 495 nm 사이의 광을 포함할 수도 있고, 녹색 광은 약 495 nm 와 570 nm 사이의 광을 포함할 수도 있으며, 적색 광은 약 620 nm 와 약 750 nm 사이의 광을 포함할 수도 있다.
다양한 실시형태들에 따르면, 발광성 NS들은, 자외선, 근적외선, 및/또는 적외선 스펙트럼들에 있는 광자들을 흡수하도록 하는 사이즈 및 조성물을 가질 수도 있다. 파장에 있어서 자외선 스펙트럼은 약 100 nm 내지 약 400 nm 사이의 광을 포함할 수도 있고 근적외선 스펙트럼은 약 750 nm 내지 약 100 ㎛ 사이의 광을 포함할 수도 있으며, 적외선 스펙트럼은 파장에서 약 750 nm 내지 약 300 ㎛ 사이의 광을 포함할 수도 있다.
다른 적합한 재료의 발광성 NS들이 본 명세서에서 설명된 다양한 실시형태들에서 사용될 수도 있지만, 소정의 실시형태들에 있어서, NS들은 본 명세서에서 설명된 실시형태들에서의 사용을 위해 나노결정들의 개체군을 형성하도록 ZnS, InAs, CdSe, 또는 이들의 임의의 조합일 수도 있다. 상기 논의된 바와 같이, 추가의 실시형태들에 있어서, 발광성 NS들은 CdSe/ZnS, InP/ZnSe, CdSe/CdS 또는 InP/ZnS 와 같은 코어/쉘 나노결정들일 수도 있다.
다양한 용해성 향상 리간드들의 첨가를 포함하는, 적합한 발광성 나노구조들, 발광성 나노구조들을 준비하는 방법들은 발행된 미국 특허 공개 제2012/0113672호에서 발견될 수 있고, 이것의 개시는 본 명세서에 전부 참조로 통합된다.
소정의 실시형태들이 본 명세서에서 예시되고 설명되었지만, 청구항들은 설명 및 도시된 부분들의 특정 형태들 또는 배열로 한정되지 않음이 이해되어야 한다. 본 명세서에서, 예시적인 실시형태들이 개시되었고, 비록 특정 용어들이 채용되지만, 그 용어들은 오직 일반적이고 설명적인 의미에서만 사용되고 제한의 목적들을 위한 것은 아니다. 실시형태들의 수정들 및 변동들이 상기 교시들의 관점에서 가능하다. 따라서, 실시형태들은 구체적으로 설명된 것과 달리 실시될 수도 있음이 이해되어야 한다.
Claims (44)
- 디스플레이 디바이스로서,
전자기 (EM) 스펙트럼의 제 1 파장 영역에서 프라이머리 광을 방출하도록 구성된 광 소스를 포함하는 백라이트 유닛; 및
픽셀을 포함하는 액정 디스플레이 (LCD) 모듈로서,
상기 픽셀은,
상기 EM 스펙트럼의 제 2 파장 영역에서, 제 1 휘도를 갖는 제 1 광을 방출하도록 구성된 제 1 방출 표면을 갖는 제 1 서브-픽셀;
상기 EM 스펙트럼의 제 3 파장 영역에서, 제 2 휘도를 갖는 제 2 광을 방출하도록 구성된 제 2 방출 표면을 갖는 제 2 서브-픽셀로서, 상기 제 1 파장 영역, 상기 제 2 파장 영역, 및 상기 제 3 파장 영역은 서로 상이한, 상기 제 2 서브-픽셀; 및
상기 EM 스펙트럼의 상기 제 1 파장 영역에서, 제 3 휘도를 갖는 제 3 광을 방출하도록 구성된 제 3 방출 표면을 갖는 제 3 서브-픽셀로서, 상기 제 3 휘도는 상기 제 1 휘도 및 상기 제 2 휘도보다 더 큰, 상기 제 3 서브-픽셀을 갖고,
상기 제 3 방출 표면의 면적은 상기 제 1 방출 표면의 면적 및 상기 제 2 방출 표면의 면적보다 더 작은, 상기 LCD 모듈을 포함하는, 디스플레이 디바이스. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 방출 표면의 면적, 상기 제 2 방출 표면의 면적, 및 상기 제 3 방출 표면의 면적 간의 비율은 약 2:2:1 내지 약 6:6:1 의 범위에 이르는, 디스플레이 디바이스. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 방출 표면의 면적, 상기 제 2 방출 표면의 면적, 및 상기 제 3 방출 표면의 면적 간의 비율은 약 4:4:1 인, 디스플레이 디바이스. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 제 1 방출 표면의 면적, 상기 제 2 방출 표면의 면적, 및 상기 제 3 방출 표면의 면적은 서로 상이한, 디스플레이 디바이스. - 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 3 광은 상기 프라이머리 광의 일 부분을 포함하는, 디스플레이 디바이스. - 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 서브-픽셀은,
상기 제 1 광을 방출하기 위해 상기 프라이머리 광의 제 1 부분을 변환도록 구성된 제 1 포스퍼 (phosphor) 필름; 및
상기 제 1 포스퍼 필름에 광학적으로 커플링된 제 1 필터 엘리먼트로서, 상기 제 1 광이 상기 제 1 필터 엘리먼트를 통과하게 하고 상기 프라이머리 광의 변환되지 않은 부분이 상기 제 1 필터 엘리먼트를 통과하지 못하게 차단하도록 구성된, 상기 제 1 필터 엘리먼트를 포함하는, 디스플레이 디바이스. - 제 6 항에 있어서,
상기 제 1 필터 엘리먼트의 표면은 상기 제 1 방출 표면을 포함하는, 디스플레이 디바이스. - 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 서브-픽셀은 상기 제 1 광을 방출하기 위해 상기 프라이머리 광의 제 1 부분을 변환하도록 구성된 제 1 포스퍼 필름을 포함하고; 그리고
상기 제 1 포스퍼 필름의 표면은 상기 제 1 방출 표면을 포함하는, 디스플레이 디바이스. - 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 2 서브-픽셀은,
상기 제 2 광을 방출하기 위해 상기 프라이머리 광의 제 2 부분을 변환하도록 구성된 제 2 포스퍼 필름; 및
상기 제 2 포스퍼 필름에 광학적으로 커플링된 제 2 필터 엘리먼트로서, 상기 제 2 광이 상기 제 2 필터 엘리먼트를 통과하게 하고 상기 프라이머리 광의 변환되지 않은 부분이 상기 제 2 필터 엘리먼트를 통과하지 못하게 차단하도록 구성된, 상기 제 2 필터 엘리먼트를 포함하는, 디스플레이 디바이스. - 제 9 항에 있어서,
상기 제 2 필터 엘리먼트의 표면은 상기 제 2 방출 표면을 포함하는, 디스플레이 디바이스. - 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
상기 제 1 포스퍼 필름 및 상기 제 2 포스퍼 필름은 제 1 매트릭스 및 제 2 매트릭스를 각각 포함하고; 그리고
상기 제 1 필터 엘리먼트 및 상기 제 2 필터 엘리먼트는 상기 제 1 매트릭스 및 상기 제 2 매트릭스에 각각 매립되는, 디스플레이 디바이스. - 제 9 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 필터 엘리먼트 및 상기 제 2 필터 엘리먼트의 각각은 티타늄 산화물, 아연 산화물, 아연 황화물, 실리콘, 또는 이들의 조합을 갖는 산란 입자들을 포함하는, 디스플레이 디바이스. - 제 9 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 포스퍼 필름은 약 620 nm 내지 약 750 nm 의 범위에 이르는 파장 영역에서 상기 제 1 광을 방출하도록 구성된 발광성 나노구조들의 제 1 개체군을 포함하고; 그리고
상기 제 2 포스퍼 필름은 약 495 nm 내지 약 570 nm 의 범위에 이르는 파장 영역에서 상기 제 2 광을 방출하도록 구성된 발광성 나노구조들의 제 2 개체군을 포함하는, 디스플레이 디바이스. - 제 1 항 내지 제 8 항 및 제 11 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 2 서브-픽셀은 상기 제 2 광을 방출하기 위해 상기 프라이머리 광의 제 2 부분을 변환하도록 구성된 제 2 포스퍼 필름을 포함하고; 그리고
상기 제 2 포스퍼 필름의 표면은 상기 제 2 방출 표면을 포함하는, 디스플레이 디바이스. - 제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 3 서브-픽셀은 상기 프라이머리 광에 대해 광학적으로 투명한 제 1 필름 및 제 2 필름을 포함하는, 디스플레이 디바이스. - 제 1 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 3 서브-픽셀은 발광성 나노구조들을 배제하는, 디스플레이 디바이스. - 제 1 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 LCD 모듈은,
상기 프라이머리 광을 편광시키도록 구성된 제 1 편광 필터;
편광된 상기 프라이머리 광의 편광각을 조정하도록 구성된 액정 용액 층; 및
상기 액정 용액 층과, 상기 제 1 서브-픽셀, 상기 제 2 서브-픽셀, 및 상기 제 3 서브-픽셀 사이에 배치된 제 2 편광 필터로서, 상기 액정 용액 층으로부터 상기 제 1 서브-픽셀, 상기 제 2 서브-픽셀, 및 상기 제 3 서브-픽셀로의 상기 편광된 프라이머리 광의 투과를 제어하도록 구성된, 상기 제 2 편광 필터를 더 포함하는, 디스플레이 디바이스. - 제 1 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
광학 캐비티를 더 포함하고, 상기 광 소스는 상기 광학 캐비티 내에 포지셔닝되는, 디스플레이 디바이스. - 제 1 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 있어서,
도광판을 더 포함하고, 상기 광 소스는 상기 도광판에 외부적으로 커플링되는, 디스플레이 디바이스. - 디스플레이 디바이스로서,
전자기 (EM) 스펙트럼의 제 1 파장 영역에서, 제 1 휘도를 갖는 제 1 광을 방출하도록 구성된 제 1 방출 표면을 갖는 제 1 서브-픽셀;
상기 EM 스펙트럼의 제 2 파장 영역에서, 제 2 휘도를 갖는 제 2 광을 방출하도록 구성된 제 2 방출 표면을 갖는 제 2 서브-픽셀;
상기 EM 스펙트럼의 제 3 파장 영역에서, 제 3 휘도를 갖는 제 3 광을 방출하도록 구성된 제 3 방출 표면을 갖는 제 3 서브-픽셀로서, 상기 제 3 휘도는 상기 제 1 휘도 및 상기 제 2 휘도보다 더 큰, 상기 제 3 서브-픽셀을 포함하고,
상기 제 1 파장 영역, 상기 제 2 파장 영역, 및 상기 제 3 파장 영역은 서로 상이하고, 그리고
상기 제 3 방출 표면의 면적은 상기 제 1 방출 표면의 면적 및 상기 제 2 방출 표면의 면적보다 더 작은, 디스플레이 디바이스. - 제 20 항에 있어서,
상기 제 1 서브-픽셀은 상기 제 3 파장 영역에서 제 1 프라이머리 광을 방출하도록 구성된 제 1 광 소스를 더 포함하고;
상기 제 2 서브-픽셀은 상기 제 3 파장 영역에서 제 2 프라이머리 광을 방출하도록 구성된 제 2 광 소스를 더 포함하고; 그리고
상기 제 3 서브-픽셀은 상기 제 3 파장 영역에서 제 3 프라이머리 광을 방출하도록 구성된 제 3 광 소스를 더 포함하는, 디스플레이 디바이스. - 제 21 항에 있어서,
상기 제 1 광 소스, 상기 제 2 광 소스, 및 상기 제 3 광 소스의 각각은 유기 발광 다이오드 (OLED) 를 포함하는, 디스플레이 디바이스. - 제 20 항 내지 제 22 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 방출 표면의 면적, 제 2 방출 표면의 면적, 및 상기 제 3 방출 표면의 면적 간의 비율은 약 2:2:1 내지 약 6:6:1 의 범위에 이르는, 디스플레이 디바이스. - 제 20 항 내지 제 22 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 방출 표면의 면적, 상기 제 2 방출 표면의 면적, 및 상기 제 3 방출 표면의 면적 간의 비율은 약 4:4:1 인, 디스플레이 디바이스. - 제 20 항 내지 제 23 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 방출 표면의 면적, 상기 제 2 방출 표면의 면적, 및 상기 제 3 방출 표면의 면적은 서로 상이한, 디스플레이 디바이스. - 제 20 항 내지 제 25 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 3 광은 상기 프라이머리 광의 일 부분을 포함하는, 디스플레이 디바이스. - 제 20 항 내지 제 26 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 서브-픽셀은,
상기 제 1 광을 방출하기 위해 상기 제 1 프라이머리 광의 일 부분을 변환하도록 구성된 제 1 포스퍼 필름; 및
상기 제 1 포스퍼 필름에 광학적으로 커플링된 제 1 필터 엘리먼트로서, 상기 제 1 광이 상기 제 1 필터 엘리먼트를 통과하게 하고 상기 제 1 프라이머리 광의 변환되지 않은 부분이 상기 제 1 필터 엘리먼트를 통과하지 못하게 차단하도록 구성된, 상기 제 1 필터 엘리먼트를 더 포함하는, 디스플레이 디바이스. - 제 27 항에 있어서,
상기 제 1 필터 엘리먼트의 표면은 상기 제 1 방출 표면을 포함하는, 디스플레이 디바이스. - 제 20 항 내지 제 26 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 서브-픽셀은 상기 제 1 광을 방출하기 위해 상기 제 1 프라이머리 광의 일 부분을 변환하도록 구성된 제 1 포스퍼 필름을 더 포함하고; 그리고
상기 제 1 포스퍼 필름의 표면은 상기 제 1 방출 표면을 포함하는, 디스플레이 디바이스. - 제 20 항 내지 제 29 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 2 서브-픽셀은,
상기 제 2 광을 방출하기 위해 상기 제 2 프라이머리 광의 일 부분을 변환하도록 구성된 제 2 포스퍼 필름; 및
상기 제 2 포스퍼 필름에 광학적으로 커플링된 제 2 필터 엘리먼트로서, 상기 제 2 광이 상기 제 2 필터 엘리먼트를 통과하게 하고 상기 제 2 프라이머리 광의 변환되지 않은 부분이 상기 제 2 필터 엘리먼트를 통과하지 못하게 차단하도록 구성된, 상기 제 2 필터 엘리먼트를 더 포함하는, 디스플레이 디바이스. - 제 30 항에 있어서,
상기 제 2 필터 엘리먼트의 표면은 상기 제 2 방출 표면을 포함하는, 디스플레이 디바이스. - 제 30 항 또는 제 31 항에 있어서,
상기 제 1 포스퍼 필름은 약 620 nm 내지 약 750 nm 의 범위에 이르는 파장 영역에서 상기 제 1 광을 방출하도록 구성된 발광성 나노구조들의 제 1 개체군을 포함하고; 그리고
상기 제 2 포스퍼 필름은 약 495 nm 내지 약 570 nm 의 범위에 이르는 파장 영역에서 상기 제 2 광을 방출하도록 구성된 발광성 나노구조들의 제 2 개체군을 포함하는, 디스플레이 디바이스. - 제 20 항 내지 제 29 항 및 제 32 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 2 서브-픽셀은 상기 제 2 광을 방출하기 위해 상기 제 2 프라이머리 광의 일 부분을 변환하도록 구성된 제 2 포스퍼 필름을 더 포함하고; 그리고
상기 제 2 포스퍼 필름의 표면은 상기 제 2 방출 표면을 포함하는, 디스플레이 디바이스. - 제 20 항 내지 제 33 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 3 서브-픽셀은 상기 제 3 프라이머리 광에 대해 광학적으로 투명한 제 1 필름 및 제 2 필름을 포함하는, 디스플레이 디바이스. - 제 20 항 내지 제 34 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 3 서브-픽셀은 발광성 나노구조들을 배제하는, 디스플레이 디바이스. - 디스플레이 디바이스로서,
전자기 (EM) 스펙트럼의 제 1 파장 영역에서 제 1 휘도를 갖는 제 1 광을 방출하도록 구성된 제 1 방출 표면;
상기 EM 스펙트럼의 제 2 파장 영역에서 제 2 휘도를 갖는 제 2 광을 방출하도록 구성된 제 2 방출 표면; 및
상기 EM 스펙트럼의 제 3 파장 영역에서 제 3 휘도를 갖는 제 3 광을 방출하도록 구성된 제 3 방출 표면으로서, 상기 제 3 휘도는 상기 제 1 휘도 및 상기 제 2 휘도보다 더 큰, 상기 제 3 방출 표면을 포함하고,
상기 제 1 파장 영역, 상기 제 2 파장 영역, 및 상기 제 3 파장 영역은 서로 상이하고, 그리고
상기 제 3 방출 표면의 면적은 상기 제 1 방출 표면의 면적 및 상기 제 2 방출 표면의 면적보다 더 작은, 디스플레이 디바이스. - 제 36 항에 있어서,
상기 제 1 방출 표면의 면적, 상기 제 2 방출 표면의 면적, 및 상기 제 3 방출 표면의 면적 간의 비율은 약 2:2:1 내지 약 6:6:1 의 범위에 이르는, 디스플레이 디바이스. - 제 36 항에 있어서,
상기 제 1 방출 표면의 면적, 상기 제 2 방출 표면의 면적, 및 상기 제 3 방출 표면의 면적 간의 비율은 약 4:4:1 인, 디스플레이 디바이스. - 제 36 항 또는 제 37 항에 있어서,
상기 제 1 방출 표면의 면적, 상기 제 2 방출 표면의 면적, 및 상기 제 3 방출 표면의 면적은 서로 상이한, 디스플레이 디바이스. - 제 36 항 내지 제 39 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 방출 표면을 포함하는 제 1 표면을 갖는 제 1 포스퍼 필름;
상기 제 2 방출 표면을 포함하는 제 2 표면을 갖는 제 2 포스퍼 필름; 및
상기 제 3 방출 표면을 포함하는 제 3 표면을 갖는 비-포스퍼 필름을 더 포함하는, 디스플레이 디바이스. - 제 36 항 내지 제 39 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 방출 표면, 상기 제 2 방출 표면, 및 상기 제 3 방출 표면은 상기 디스플레이 디바이스의 픽셀의 상이한 영역들인, 디스플레이 디바이스. - 제 36 항 내지 제 41 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 3 파장 영역에서 프라이머리 광을 방출하도록 구성된 광 소스를 더 포함하는, 디스플레이 디바이스. - 제 36 항 내지 제 42 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 파장 영역은 약 620 nm 내지 약 750 nm 의 범위에 이르고;
상기 제 2 파장 영역은 약 495 nm 내지 약 570 nm 의 범위에 이르고; 그리고
상기 제 3 파장 영역은 약 435 nm 내지 약 495 nm 의 범위에 이르는, 디스플레이 디바이스. - 제 36 항 내지 제 43 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 방출 표면을 포함하는 제 1 표면을 갖는 제 1 필터 엘리먼트; 및
상기 제 2 방출 표면을 포함하는 제 2 표면을 갖는 제 2 필터 엘리먼트를 더 포함하는, 디스플레이 디바이스.
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|---|---|---|---|---|
| US11428988B2 (en) * | 2018-08-31 | 2022-08-30 | Nanosys, Inc. | Increasing color gamut performance and efficiency in quantum dot color conversion layers |
| JP2022531290A (ja) * | 2019-05-08 | 2022-07-06 | ナノシス・インク． | 光抽出効率を向上させたナノ構造ベースの表示装置 |
| KR20210152067A (ko) * | 2020-06-05 | 2021-12-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 색 제어 부재 및 이를 포함하는 표시 장치 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101717654B1 (ko) * | 2015-10-30 | 2017-03-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 |
| KR20170051764A (ko) * | 2015-10-30 | 2017-05-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR20170087091A (ko) * | 2016-01-19 | 2017-07-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
Family Cites Families (40)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11329742A (ja) * | 1998-05-18 | 1999-11-30 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子および発光装置 |
| US20030117423A1 (en) | 2001-12-14 | 2003-06-26 | Brown Elliott Candice Hellen | Color flat panel display sub-pixel arrangements and layouts with reduced blue luminance well visibility |
| WO2004020549A1 (ja) * | 2002-08-27 | 2004-03-11 | Fujitsu Limited | 有機金属錯体、有機ｅｌ素子及び有機ｅｌディスプレイ |
| US7572393B2 (en) | 2002-09-05 | 2009-08-11 | Nanosys Inc. | Organic species that facilitate charge transfer to or from nanostructures |
| EP1537187B1 (en) | 2002-09-05 | 2012-08-15 | Nanosys, Inc. | Organic species that facilitate charge transfer to or from nanostructures |
| US9470826B2 (en) | 2003-02-12 | 2016-10-18 | Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. | Color filter and display panel using same |
| JP4127654B2 (ja) * | 2003-02-26 | 2008-07-30 | 京セラ株式会社 | 半透過型液晶貼り合せ体および半透過型液晶表示装置 |
| US7645397B2 (en) | 2004-01-15 | 2010-01-12 | Nanosys, Inc. | Nanocrystal doped matrixes |
| EP1733077B1 (en) | 2004-01-15 | 2018-04-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nanocrystal doped matrixes |
| US8563133B2 (en) | 2004-06-08 | 2013-10-22 | Sandisk Corporation | Compositions and methods for modulation of nanostructure energy levels |
| TW201341440A (zh) | 2004-06-08 | 2013-10-16 | Sandisk Corp | 奈米結構之沉積後包封：併入該包封體之組成物、裝置及系統 |
| WO2006095553A1 (ja) * | 2005-03-04 | 2006-09-14 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、液晶表示装置及び照明装置 |
| US20060261732A1 (en) | 2005-05-23 | 2006-11-23 | Eastman Kodak Company | Color organic light-emitting diode display with improved lifetime |
| KR20070029526A (ko) * | 2005-09-10 | 2007-03-14 | 삼성전자주식회사 | 자발광형 액정 표시장치 |
| US20100110728A1 (en) | 2007-03-19 | 2010-05-06 | Nanosys, Inc. | Light-emitting diode (led) devices comprising nanocrystals |
| US20080237540A1 (en) | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Nanosys, Inc. | Methods for encapsulating nanocrystals |
| JP2009115925A (ja) * | 2007-11-02 | 2009-05-28 | Sony Corp | カラー液晶表示装置組立体 |
| KR100965253B1 (ko) * | 2008-06-03 | 2010-06-22 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기발광 표시장치 |
| JP4760920B2 (ja) * | 2009-01-26 | 2011-08-31 | ソニー株式会社 | カラー表示装置 |
| KR101783487B1 (ko) | 2009-05-01 | 2017-10-23 | 나노시스, 인크. | 나노구조의 분산을 위한 기능화된 매트릭스 |
| KR101094298B1 (ko) | 2009-08-18 | 2011-12-19 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| US9046728B2 (en) * | 2010-01-29 | 2015-06-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
| KR20200039806A (ko) | 2010-11-10 | 2020-04-16 | 나노시스, 인크. | 양자 도트 필름들, 조명 디바이스들, 및 조명 방법들 |
| KR101228885B1 (ko) | 2011-12-21 | 2013-02-01 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 그 제조방법 |
| US20160116646A1 (en) * | 2013-06-04 | 2016-04-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device |
| TWI574055B (zh) * | 2013-08-14 | 2017-03-11 | 鴻海精密工業股份有限公司 | 顯示面板 |
| US9348175B2 (en) * | 2014-03-31 | 2016-05-24 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd | Liquid crystal device and the liquid crystla panel thereof |
| KR102179011B1 (ko) * | 2014-04-03 | 2020-11-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR102171599B1 (ko) * | 2014-05-27 | 2020-10-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| JP2016046266A (ja) * | 2014-08-19 | 2016-04-04 | デクセリアルズ株式会社 | 波長変換デバイス、照明ユニット、液晶モジュール及び照明方法 |
| US10365407B2 (en) * | 2014-09-25 | 2019-07-30 | Prysm, Inc. | Optically excited phosphor display screens having coloring filtering pigments embedded in phosphor mixtures |
| JP2016091953A (ja) | 2014-11-10 | 2016-05-23 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| CN104330918A (zh) * | 2014-11-28 | 2015-02-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
| KR102373200B1 (ko) * | 2015-07-14 | 2022-03-17 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이 패널 및 상기 디스플레이 패널을 이용하는 디스플레이 장치 |
| KR102609932B1 (ko) * | 2015-09-09 | 2023-12-04 | 이노럭스 코포레이션 | 디스플레이 디바이스 |
| KR102474201B1 (ko) * | 2015-11-26 | 2022-12-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 양자점 컬러 필터 및 이를 구비하는 표시 장치 |
| US10620478B2 (en) * | 2016-05-30 | 2020-04-14 | Maven Optronics Co., Ltd. | Photoluminescent display device and method for manufacturing the same |
| CN106200103A (zh) * | 2016-09-19 | 2016-12-07 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 彩膜基板及制造方法、显示面板和显示装置 |
| KR20180052805A (ko) * | 2016-11-10 | 2018-05-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR102582059B1 (ko) * | 2016-12-30 | 2023-09-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이를 이용한 멀티 스크린 표시 장치 |
-
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101717654B1 (ko) * | 2015-10-30 | 2017-03-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 |
| KR20170051764A (ko) * | 2015-10-30 | 2017-05-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR20170087091A (ko) * | 2016-01-19 | 2017-07-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
Also Published As
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