KR20200036683A - Film formation apparatus, film formation method, and manufacturing method of electronic device - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은, 성막 장치, 성막 방법 및 전자 디바이스의 제조 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a film forming apparatus, a film forming method, and a method for manufacturing an electronic device.
기판 등의 성막 대상물에 성막하는 성막 장치로서, 성막 대상물과 성막원을 대향시켜 배치하고, 성막원과 성막 대상물을 상대 이동시키면서 성막을 행하는 성막 장치가 알려져 있다. 특허문헌 1에는, 타겟의 스퍼터면을 스퍼터링함으로써 타겟으로부터 스퍼터링 입자(성막 재료)를 방출시키고, 이 스퍼터링 입자를 기판 상에 퇴적시켜 박막을 형성하는 성막 장치(스퍼터 장치)가 기재되어 있다. 이 성막 장치에서는, 타겟으로부터 스퍼터링 입자를 방출시키면서, 타겟을 구비한 캐소드 유닛을 기판과 평행하게 이동시켜 성막을 행한다. 성막에 있어서는, 기판이 스퍼터면과 대면하지 않는 영역(성막 대기 영역)에 캐소드 유닛이 있는 상태에서 스퍼터링 입자의 방출이 개시된다.As a film-forming apparatus for forming a film-forming object on a substrate or the like, a film-forming device for arranging a film-forming object and a film-forming source opposite to each other and moving the film-forming source and the film-forming object relative to each other is known.
성막 대기 영역에 있는 성막원으로부터의 성막 재료의 성막 대상물로의 의도하지 않은 퇴적이 생기면, 성막되는 막의 막 두께나 막질의 균일성을 저하시킨다. 특허문헌 1에서는, 타겟의 주위에 차폐판(차폐 부재)을 설치함과 함께, 성막 대기 위치와 기판과의 사이의 거리를 일정 이상 떨어뜨리도록 구성하고 있다. 이에 의해, 성막 대기 위치에 있는 캐소드 유닛의 타겟으로부터 방출되는 스퍼터링 입자가 기판에 도달하기 어렵게 하고 있다.When unintended deposition of a film-forming material from a film-forming source in a film-forming atmosphere area into a film-forming object occurs, the film thickness of the film to be formed and the uniformity of film quality are reduced. In
그러나, 타겟과 기판과의 사이의 거리를 크게 한 경우, 장치의 풋프린트(설치 면적)가 증대하거나, 챔버의 대형화에 의해 진공 설비가 대규모화하는 등의 과제가 있었다. 또한, 예를 들어, 스퍼터링을 행할 때에는 불활성 가스 등의 가스를 도입하여 행하기 때문에, 분위기 중에는 가스 분자가 존재하고, 방출된 스퍼터링 입자는 분위기 중의 가스 분자와 충돌하여 산란한다. 이 때문에, 스퍼터링 입자 등의 성막 재료는 반드시 직선적으로 비상하는 것은 아니고, 타겟과 기판과의 사이의 거리를 크게 하는 것만으로는, 기판으로의 스퍼터링 입자의 입사의 억제는 충분하지 못하다.However, when the distance between the target and the substrate is increased, there have been problems such as an increase in the footprint (installation area) of the apparatus or a large-scale vacuum installation due to the enlargement of the chamber. Further, for example, when sputtering is performed, a gas such as an inert gas is introduced and gas molecules are present in the atmosphere, and the sputtered particles emitted collide with the gas molecules in the atmosphere and scatter. For this reason, film-forming materials, such as sputtering particles, do not necessarily fly linearly, and it is not sufficient to suppress the incidence of sputtering particles into the substrate by simply increasing the distance between the target and the substrate.
이에 본 발명은, 상술한 과제를 감안하여, 성막 대기 영역에서 성막원으로부터 방출되는 성막 재료가 성막 영역 측으로 비상하는 것을 억제하여, 성막 대상물에 부착되는 것을 억제하는 것을 목적으로 한다.Accordingly, in view of the above-described problems, the present invention aims to suppress the formation of materials to be deposited from a film formation source from the film formation source from being deposited in the film formation waiting area toward the film formation region, and to prevent adhesion to the film formation object.
본 발명의 일 측면으로서의 성막 장치는, 성막 대상물과, 당해 성막 대상물을 향해 성막 재료를 비상시켜 당해 성막 대상물에 성막하는 성막원이 배치되는 챔버와, The film-forming apparatus as one aspect of the present invention includes a chamber in which a film-forming object and a film-forming source that causes a film-forming material to fly into the film-forming object to be deposited on the film-forming object are arranged,
상기 챔버 내의 소정의 성막 대기 영역과 성막 영역의 사이에서, 상기 성막원을 상기 성막 대상물에 대해 상대적으로 이동시키는 이동 수단을 갖는 성막 장치로서, A film forming apparatus having moving means for moving the film forming source relative to the film forming object between a predetermined film forming waiting area and a film forming region in the chamber,
상기 성막 영역과 상기 성막 대기 영역의 사이를 구획하는 구획 위치와, 상기 성막 영역과 상기 성막 대기 영역을 개방하는 개방 위치와의 사이를 이동 가능한 셔터 부재를 갖는 것을 특징으로 한다.It is characterized by having a shutter member movable between a partition position for partitioning between the film formation area and the film formation waiting area and an open position for opening the film formation area and the film formation waiting area.
또한, 본 발명의 다른 측면으로서의 성막 방법은, 성막원을 챔버 내의 성막 대기 영역에 대기시키고, 상기 성막원으로부터 성막 재료가 비상하는 상태로 하는 준비 공정과, 상기 성막 대기 영역으로부터 상기 챔버 내의 성막 영역으로, 상기 준비 공정에서 상기 성막 재료가 비상하는 상태로 된 상기 성막원을 상기 성막 대상물에 대해 상대적으로 이동시켜, 상기 성막원으로부터 비상하는 성막 재료를 상기 성막 대상물에 퇴적시켜 성막하는 성막 공정을 갖는 성막 방법으로서, 상기 성막 영역과 상기 성막 대기 영역의 사이를 구획하는 구획 위치와, 상기 성막 영역과 상기 성막 대기 영역을 개방하는 개방 위치와의 사이를 이동 가능한 셔터 부재를 설치하여, 상기 준비 공정에서는, 상기 셔터 부재를 상기 구획 위치에 위치시켜 상기 성막 영역과 상기 성막 대기 영역을 구획하고, 상기 성막 공정에서는, 상기 셔터 부재를 개방 위치에 위치시켜, 상기 성막 대기 영역으로부터 상기 성막 영역으로 상기 성막원을 상기 성막 대상물에 대해 상대적으로 이동시키는 것을 특징으로 한다.In addition, a method of forming a film as another aspect of the present invention includes a preparation process in which a film forming source is placed in a film forming waiting area in a chamber, and a film forming material is brought into an emergency state from the film forming source, and a film forming area in the chamber is formed from the film forming waiting area. In the preparation step, the film forming source in which the film forming material is in an emergency state is moved relative to the film forming object, and the film forming process is performed by depositing the film forming material flying from the film forming source onto the film forming object. As a method of forming a film, a shutter member that is movable between a partitioning position for partitioning between the film forming area and the film forming waiting area and an open position for opening the film forming area and the film forming waiting area is provided, and in the preparation step, , The shutter member is positioned at the partition position to form the film formation region and the castle. A film waiting area is partitioned, and in the film forming step, the shutter member is positioned in an open position, and the film forming source is moved relative to the film forming object from the film waiting area to the film forming area.
또한, 본 발명의 다른 측면으로서의 전자 디바이스의 제조 방법은, 성막원을 챔버 내의 성막 대기 영역에 대기시키고, 상기 성막원으로부터 성막 재료가 비상 하는 상태로 하는 준비 공정과, 상기 성막 대기 영역으로부터 상기 챔버 내의 성막 영역으로, 상기 준비 공정에서 상기 성막 재료가 비상하는 상태로 된 상기 성막원을 상기 성막 대상물에 대해 상대적으로 이동시켜, 상기 성막원으로부터 비상하는 성막 재료를 상기 성막 대상물에 퇴적시켜 성막하는 성막 공정을 갖는 전자 디바이스의 제조 방법으로서, 상기 성막 영역과 상기 성막 대기 영역의 사이를 구획하는 구획 위치와, 상기 성막 영역과 상기 성막 대기 영역을 개방하는 개방 위치와의 사이를 이동 가능한 셔터 부재를 설치하여, 상기 준비 공정에서는, 상기 셔터 부재를 상기 구획 위치에 위치시켜 상기 성막 영역과 상기 성막 대기 영역을 구획하고, 상기 성막 공정에서는, 상기 셔터 부재를 개방 위치에 위치시켜, 상기 성막 대기 영역으로부터 상기 성막 영역으로 상기 성막원을 상기 성막 대상물에 대해 상대적으로 이동시키는 것을 특징으로 한다.In addition, a method of manufacturing an electronic device as another aspect of the present invention includes a preparation process in which a film formation source is placed in a film formation waiting area in a chamber, and a film forming material is brought into flight from the film forming source, and the chamber is formed from the film formation waiting area. In the inner film forming region, the film forming source in which the film forming material is in a flying state in the preparation step is moved relative to the film forming object, and the film forming material is deposited by depositing the film forming material flying from the film forming source onto the film forming object. A method for manufacturing an electronic device having a process, the shutter member is movable between a partition position for partitioning between the film formation region and the film formation standby region and an open position for opening the film formation region and the film formation standby region. Thus, in the preparation step, the shutter member is placed in the partition position. Position to partition the film formation region and the film formation waiting area, and in the film forming process, the shutter member is positioned in an open position to move the film forming source from the film forming waiting area to the film forming region relative to the film forming object. It is characterized by letting.
본 발명에 의하면, 성막 대기 영역에서 성막원으로부터 방출되는 성막 재료가 성막 영역 측으로 비상하는 것을 억제하여, 성막 대상물에 부착하는 것을 억제할 수 있다.ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the film-forming material discharged from a film-forming source in a film-forming waiting area can be suppressed from flying toward the film-forming area, and can be suppressed from adhering to a film-forming object.
[도 1] (A)은 실시형태 1의 성막 장치의 구성을 나타내는 모식도, (B)는 (A)의 제1 성막 대기 영역의 확대도, (C)는 (A)의 셔터 부재의 개략 확대 사시도.
[도 2] (A)는 도 1(A)의 평면도, (B)는 회전 캐소드의 자석 유닛을 나타내는 사시도.
[도 3] 본 발명의 실시형태 2의 성막 장치의 구성을 나타내는 모식도.
[도 4] (A) 및 (B)는 본 발명의 실시형태 3의 성막 장치의 구성을 나타내는 모식도, (C)는 셔터 부재를 모식적으로 나타내는 사시도.
[도 5] (A) 및 (B)는 본 발명의 실시형태 4의 성막 장치의 구성을 나타내는 모식도.
[도 6] (A)는 본 발명의 실시형태 5의 성막 장치의 구성을 나타내는 모식도, (B)는 셔터 부재의 구동 기구를 모식적으로 나타내는 사시도.
[도 7] 본 발명의 실시형태 6의 성막 장치의 구성을 나타내는 모식도.
[도 8] 유기 EL 소자의 일반적인 층 구성을 나타내는 도면.(A) (A) is a schematic diagram showing the configuration of the film forming apparatus of the first embodiment, (B) is an enlarged view of the first film formation waiting area in (A), and (C) is a schematic enlarged view of the shutter member in (A). Perspective view.
[Fig. 2] (A) is a plan view of Fig. 1 (A), and (B) is a perspective view showing a magnet unit of a rotating cathode.
3 is a schematic diagram showing the configuration of a film forming apparatus according to a second embodiment of the present invention.
4] (A) and (B) are schematic views showing the configuration of a film forming apparatus according to
[Fig. 5] (A) and (B) are schematic diagrams showing the configuration of the film forming apparatus of
6 is a schematic diagram showing the configuration of a film forming apparatus according to a fifth embodiment of the present invention, and (B) is a perspective view schematically showing a driving mechanism of a shutter member.
7 is a schematic diagram showing the configuration of a film forming apparatus according to Embodiment 6 of the present invention.
Fig. 8 is a diagram showing a general layer structure of an organic EL device.
이하, 본 발명의 실시형태에 대해 상세히 설명한다. 다만, 이하의 실시형태는 본 발명의 바람직한 구성을 예시적으로 나타내는 것에 지나지 않고, 본 발명의 범위는 이들 구성으로 한정되지 않는다. 또한, 이하의 설명에 있어서의 장치의 하드웨어 구성 및 소프트웨어 구성, 처리 플로우, 제조 조건, 치수, 재질, 형상 등은, 특히 특정적인 기재가 없는 한, 본 발명의 범위를 이들만으로 한정하는 취지의 것은 아니다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail. However, the following embodiments are merely illustrative of preferred structures of the present invention, and the scope of the present invention is not limited to these structures. In addition, the hardware configuration and software configuration of the apparatus in the following description, processing flow, manufacturing conditions, dimensions, materials, shapes, and the like, unless otherwise specified, are intended to limit the scope of the present invention to these only. no.
[실시형태 1][Embodiment 1]
우선, 도 1(A), (B) 및 도 2(A)를 참조하여, 실시형태 1의 성막 장치(1)의 기본적인 구성에 대해 설명한다. 본 실시형태와 관련되는 성막 장치(1)는, 반도체 디바이스, 자기 디바이스, 전자 부품 등의 각종 전자 디바이스나, 광학 부품 등의 제조에 있어서 성막 대상물(2)(기판 상에 적층체가 형성되어 있는 것도 포함함) 상에 박막을 퇴적 형성하기 위해 이용된다. 보다 구체적으로는, 성막 장치(1)는, 발광 소자나 광전 변환 소자, 터치 패널 등의 전자 디바이스의 제조에 있어서 바람직하게 사용된다. 그 중에서도, 본 실시형태와 관련되는 성막 장치(1)은, 유기 EL(ErectroLuminescence) 소자 등의 유기 발광 소자나, 유기 박막 태양전지 등의 유기 광전 변환 소자의 제조에 있어서 특히 바람직하게 적용 가능하다. 또한, 본 발명에 있어서의 전자 디바이스는, 발광 소자를 구비한 표시 장치(예를 들어, 유기 EL 표시장치)나 조명 장치(예를 들어, 유기 EL 조명 장치), 광전 변환 소자를 구비한 센서(예를 들어, 유기 CMOS 이미지 센서)도 포함하는 것이다.First, with reference to FIGS. 1 (A), (B), and 2 (A), the basic configuration of the
도 8은, 유기 EL 소자의 일반적인 층 구성을 모식적으로 나타내고 있다. 도 8에 도시한 바와 같이, 유기 EL 소자는, 기판에 양극, 정공 주입층, 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층, 음극의 순으로 성막되는 구성이 일반적이다. 본 실시형태와 관련되는 성막 장치(1)는, 유기막 상에, 스퍼터링에 의해, 전자 주입층이나 전극(음극)에 사용되는 금속이나 금속 산화물 등의 적층 피막을 성막할 때에 매우 적합하게 이용된다. 또한, 유기막 상으로의 성막에 한정되지 않고, 금속 재료나 산화물 재료 등의 스퍼터로 성막 가능한 재료의 조합이면, 다양한 면에 적층 성막이 가능하다.8 schematically shows the general layer structure of the organic EL element. As shown in Fig. 8, the organic EL element is generally configured such that an anode, a hole injection layer, a hole transport layer, an organic light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and a cathode are formed on the substrate in this order. The
성막 장치(1)는, 도 1(A)에 도시한 바와 같이, 챔버(10)와, 구동 기구(직선 구동 기구(12))를 가진다. 챔버(10)의 내부에는, 성막 대상물(2)과, 성막 대상물(2)를 향해 성막 재료인 스퍼터 입자를 비상시켜 성막 대상물(2)에 성막하는 성막원으로서의 회전 캐소드 유닛(3)(이하, 단순히 "캐소드 유닛(3)"이라고 칭함)이 배치된다. 구동 기구는, 캐소드 유닛(3)이 성막 대상물(2)에 대해 상대 이동하도록, 캐소드 유닛(3) 및 성막 대상물(2)의 적어도 일방을 구동한다. 본 실시형태에서는, 구동 기구인 직선 구동 기구(12)가 캐소드 유닛(3)을 구동한다. 캐소드 유닛(3)은, 직선 구동 기구(12)에 의해, 성막 대상물(2)과 대향하고, 성막 대상물(2)에 성막하는 성막 영역(A)과, 성막 대상물(2)과 대향하지 않고, 성막 대상물(2)에 성막하지 않는 성막 대기 영역(B)의 사이에서 이동 가능하도록 되어 있다. 즉, 본 실시형태에 있어서, 직선 구동 기구(12)는, 성막원을 성막 대기 영역(B)과 성막 영역(A)의 사이에서 성막 대상물(2)에 대해 상대적으로 이동시키는 이동 수단이다. 성막 대기 영역(B)은, 성막 영역(A)에 대해 상류측과 하류측의 2개소에 있으나, 이하의 설명에서는, 캐소드 유닛(3)이, 도면 중 우측의 일방의 성막 대기 영역(B)에 대기하고, 성막 영역(A)을 도면 중 좌측으로 이동하여 성막 대상물(2)에 성막하는 것으로 하여 설명한다. 본 발명은 이동 방향(F)에 대해 직교하는 제1 방향(G)으로 이동 가능한, 성막 영역(A)과 성막 대기 영역(B)의 사이를 구획하는 셔터 부재(7)를 설치한 것이다.The
챔버(10)에는, 도시하지 않은 가스 도입 수단 및 배기 수단이 접속되고, 내부를 소정의 압력으로 유지할 수 있는 구성으로 되어 있다. 즉, 챔버(10)의 내부에는, 스퍼터 가스(아르곤 등의 불활성 가스나 산소나 질소 등의 반응성 가스)가, 가스 도입 수단에 의해 도입되고, 또한, 챔버(10)의 내부로부터는, 진공 펌프 등의 배기 수단에 의해 배기가 행해져, 챔버(10) 내부의 압력은 소정의 압력으로 압력 조정된다.A gas introducing means and an exhaust means (not shown) are connected to the
성막 대상물(2)은, 홀더(21)에 보유 지지되고, 챔버(10)의 천정벽(10d) 측에 수평으로 배치되고 있다. 성막 대상물(2)은, 예를 들어, 챔버(10)의 측벽에 설치된 도시하지 않은 게이트 밸브로부터 반입되어 성막되고, 성막 후, 게이트 밸브로부터 배출된다. 도시된 예에서는, 성막 대상물(2)의 성막면(2a)이 중력 방향 하방을 향한 상태로 성막이 행해지는, 이른바 상향 성막(depo-up)의 구성으로 되어 있으나, 이에 한정되지는 않는다. 예를 들어, 성막 대상물(2)이 챔버(10)의 저면 측에 배치되고, 그 상방에 캐소드 유닛(3)이 배치되어, 성막 대상물(2)의 성막면(2a)이 중력 방향 상방을 향한 상태로 성막이 행해지는, 이른바 하향 성막(depo-down)의 구성이어도 된다. 또는, 성막 대상물(2)이 수직으로 세워진 상태, 즉, 성막 대상물(2)의 성막면이 중력 방향과 평행한 상태로 성막이 행해지는 구성이어도 된다.The film-forming
캐소드 유닛(3)은, 이동 방향으로 소정 간격을 두고 병렬로 배치된 한 쌍의 회전 캐소드(3A, 3B)를 구비하고 있다. 2개의 회전 캐소드(3A, 3B)는, 도 2(A)에 도시한 바와 같이, 양단이 이동대(230) 상에 고정된 서포트 블록(210)과 엔드 블록(220)에 의해 지지되고 있다. 또한, 회전 캐소드(3A, 3B)는, 원통 형상의 타겟(35)과 그 내부에 배치되는 자석 유닛(30)을 갖는다. 서포트 블록(210)과 엔드 블록(220)에 의해 타겟(35)은 회전 자유롭게 지지되고 있고, 자석 유닛(30)은 고정 상태로 지지되고 있다. 또한, 여기에서는 자석 유닛(30)은 회전하지 않는 것으로 하였으나, 이에 한정되지는 않고, 자석 유닛(30)도 회전 또는 요동하여도 된다. 이동대(230)는, 리니어 베어링 등의 반송 가이드를 거쳐 한 쌍의 안내 레일(250)을 따라 성막 대상물(2)의 성막면(2a)과 평행한 방향(여기에서는 수평 방향)으로 이동 자유롭게 지지되어 있다. 도면 중, 안내 레일(250)과 평행한 방향을 X축, 수직인 방향을 Z축, 수평면에서 안내 레일(250)과 직교하는 방향을 Y축이라 하면, 캐소드 유닛(3)은, 그 회전축은 Y축 방향을 향한 상태로, 회전축을 중심으로 회전하면서, 성막 대상물(2)에 대해 평행하게, 즉, XY 평면 상을 X축 방향으로 이동한다.The
회전 캐소드(3A, 3B)의 타겟(35)은, 이 실시형태에서는 원통 형상이고, 성막 대상물(2)에 성막을 행하는 성막 재료의 공급원으로서 기능한다. 타겟(35)의 재질은 특히 한정은 되지 않지만, 예를 들어, Cu, Al, Ti, Mo, Cr, Ag, Au, Ni 등의 금속 단체, 또는, 이들 금속 원소를 포함하는 합금 또는 화합물을 들 수 있다. 타겟(35)의 재질로서는, ITO, IZO, IWO, AZO, GZO, IGZO 등의 투명 도전 산화물이어도 된다. 타겟(35)은, 이들 성막 재료가 형성된 층의 내측에, 다른 재료로 이루어지는 백킹 튜브(35a)의 층이 형성되어 있다. 이 백킹 튜브(35a)에는, 전원(13)이 전기적으로 접속되어, 전원(13)으로부터 바이어스 전압이 인가되는 캐소드로서 기능한다. 바이어스 전압은 타겟 그 자체에 인가하여도 되고, 백킹 튜브가 없어도 된다. 또한, 챔버(10)는 접지되어 있다. 또한, 타겟(35)은 원통형의 타겟이지만, 여기서 말하는 "원통형"은 수학적으로 엄밀한 원통형만을 의미하는 것이 아니라, 모선이 직선이 아닌 곡선인 것이나, 중심 축에 수직인 단면이 수학적으로 엄밀한 "원"이 아닌 것도 포함한다. 즉, 본 발명에 있어서의 타겟(2)은, 중심축을 축으로 회전 가능한 원통 형상의 것이면 된다.The
자석 유닛(30)은, 성막 대상물(2)을 향하는 방향으로 자장을 형성하는 것으로, 도 2(B)에 도시한 바와 같이, 회전 캐소드(3A)의 회전축과 평행 방향으로 연장되는 중심 자석(31)과, 중심 자석(31)을 둘러싸는 중심 자석(31)과는 다른 극의 주변 자석(32)과, 요크판(33)을 구비하고 있다. 주변 자석(32)은, 중심 자석(31)과 평행하게 연장되는 한 쌍의 직선부(32a, 32b)와, 직선부(32a, 32b)의 양단을 연결하는 회전부(32c, 32d)에 의해 구성되어 있다. 자석 유닛(3)에 의해 형성되는 자장은, 중심 자석(31)의 자극으로부터, 주변 자석(32)의 직선부(32a, 32b)를 향해 루프 형상으로 돌아오는 자력선을 갖고 있다. 이에 의해, 타겟(35)의 표면 근방에는, 타겟(35)의 긴 길이 방향으로 연장되는 토로이달형의 자장의 터널이 형성된다. 이 자장에 의해, 전자가 포착되고, 타겟(35)의 표면 근방에 플라즈마를 집중시켜, 스퍼터링의 효율을 높일 수 있다.The
타겟(35)은, 회전 구동 장치인 타겟 구동 장치(11)에 의해 회전 구동된다. 타겟 구동 장치(11)는, 특별히 도시하고 있지는 않지만, 모터 등의 구동원을 갖고, 동력 전달 기구를 거쳐 타겟(35)에 동력이 전달되는 일반적인 구동 기구가 적용되며, 예를 들어, 서포트 블록(210) 또는 엔드 블록(220) 등에 탑재되고 있다. 한편, 이동대(230)는, 직선 구동 기구(12)에 의해, X축 방향으로 직선 구동된다. 직선 구동 기구(12)에 대해서도, 특별히 도시하고 있지 않지만, 회전 모터의 회전 운동을 직선 운동으로 변환하는 볼 나사 등을 이용한 나사 이송 기구, 리니어 모터 등의 공지의 다양한 직선 운동 기구를 이용할 수 있다.The
또한, 이동대(230)에는 대기 박스가 짜 넣어져, 직선 운동에 추종하는 링크 기구에 의해 구성되는 대기 암 기구(60)의 일단이 연결되고 있다. 대기 암 기구(60)는, 내부가 대기압으로 보유 지지된 중공(中空)의 복수의 암(61, 62)를 갖고, 이들 암(61, 62)는 관절부(63)에서 서로 회전 자유롭게 연결되어 있다. 한쪽의 암(61)의 단부는 챔버(10)의 바닥벽(10a)의 장착부에 회전 자유롭게 연결되어 있고, 다른 쪽의 암(62)의 단부는 이동대(230)의 장착부에 회전 자유롭게 연결되어 있다. 대기 암 기구(60)의 내부에는, 직선 구동 기구(12)나 타겟 구동 장치(11)의 모터에 접속하는 전력 케이블이나 제어 신호용의 신호 케이블, 냉각수를 흘리기 위한 튜브 등이 수납되고 있다.In addition, one end of the
성막 대기 영역(B)에는, 이 성막 대기 영역(B)에 대기하는 캐소드 유닛(3)과 대향하는 대향 부재(4)가, 챔버(10)에 대해 고정되어 있다. 대향 부재(4)는, 캐소드 유닛(3)과 소정 간격을 두고 대향하는 수평(XY 평면)으로 연장되는 수평판부(4a)와, 수평판부(4a)의 반 성막 영역 측(이동 방향 상류측)의 단부로부터 챔버의 바닥벽 측을 향해 수직(YZ 평면)으로 연장되는 수직판부(4b)를 갖고 있다. 챔버(10)의 바닥벽(10a)를 기준으로 하여, 수평판부(4a)의 높이는, 성막 영역(A)에 위치하는 성막 대상물(2)과 거의 같은 높이에 배치되고 있다. 수평판부(4a)의 성막 영역(A)측의 단부는, 성막 대상물(2)의 홀더(21)와의 사이에, 셔터 부재(7)가 통과하는 정도의 간극이 설치되어 있다.In the film formation waiting area B, a
또한, 캐소드 유닛(3)의 성막 영역(A)측 및 성막 영역(A)과 반대측에는, 제1 캐소드 유닛(3)과 함께 성막 대상물(2)에 대해 이동하는 제1 차폐 부재(51) 및 제2 차폐 부재(52)가 배치되어 있다. 이 제1 차폐 부재(51)와 제2 차폐 부재(52)는, 이동대(230)에 고정된 바닥판부(53)에서 연결되어 있다. 또한, 제1 차폐 부재(51)와 제2 차폐 부재(52)의 높이는, 캐소드 유닛(3)의, 각 캐소드의 타겟(35)의 정상부의 높이 정도로 되어 있다.In addition, the first shielding
캐소드 유닛(3)이 성막 대기 영역(B)에 위치하는 상태에서는, 제2 차폐 부재(52)가 대향 부재(4)의 수직판부(4b)에 근접하고, 제1 차폐 부재(51)의 위치가, 대향 부재(4)의 수평판부(4a)의 성막 영역(A)측의 단부와, X축 방향으로 거의 동일 위치에 있다. 이 대향 부재(4)의 수평판부(4a)와 제1 차폐 부재(51)의 사이에, 성막 영역(A)과 성막 대기 영역(B)을 연통하는 개구(C)가 형성되고, 이 개구(C)를 셔터 부재(7)로 막음으로써, 성막 영역(A)과 성막 대기 영역(B)이 구획되도록 되어 있다.In the state where the
셔터 부재(7)는, 이 실시형태 1에서는, 대략 장방형의 판 형상 부재이고, 장변이 Y축 방향으로 연장되고, 단변이 Z축 방향으로 연장되며, 제1 차폐 부재(51)의 성막 영역 측의 측면을 따라, Z축과 평행한 제1 방향(G)으로 직선적으로 왕복 이동 자유롭게 조립되어 있다. 셔터 부재(7)는, 성막 영역(A)과 성막 대기 영역(B) 사이를 구획하는 구획 위치(G1)와, 성막 영역(A)과 성막 대기 영역(B) 사이를 개방하는 개방 위치(G2)와의 사이를 이동 가능하도록 되어 있다. 여기에서는, 구획 위치(G1) 및 개방 위치(G2)는, 셔터 부재(7)가 구획하는 방향으로 이동하는 측의 선단(7a)의 위치로 한다. 도시된 예에서는, 구획 위치(G1)는, 셔터 부재(7)의 선단(7a)이 챔버(10)의 천정벽(10d) 측으로 이동하고, 대향 부재(4)의 단부와 성막 대상물(2)의 홀더(21) 간의 간극(H)으로 진입하여 천정벽(10d) 측에 도달한 위치이다. 이 구획 위치(G1)에서는, 도시된 예에서는, 간극(H)을 소정 량 관통하고 있지만, 간극(H)의 도중까지이어도 된다. 또한, 개방 위치(G2)는, 셔터 부재(7)의 선단(7a)이 제1 차폐 부재(51)의 대향 단부(5a) 부근까지 이동한 위치이다. 개방 위치(G2)에 관하여는, 셔터 부재(7)의 선단(7a)이 간극(H)으로부터 하방으로 빠져, 개구(C)의 도중까지이어도 좋다. 셔터 부재(7)를 구획 위치(G1)와 개방 위치(G2)의 사이를 이동 가능하게 구성하고, 성막원이 성막 대기 영역(B)에 있을 때 셔터 부재(7)를 구획 위치(G1)에 위치시킨다. 이에 의해, 성막원을 성막 영역(A)과 성막 대기 영역(B)의 사이에서 이동 가능하게 하면서, 장치의 대형화를 피하고, 성막 대기 영역(B)에 있는 성막원으로부터 방출된 성막 재료가 성막 영역(A) 측으로 비상하는 것을 억제할 수 있다.In the first embodiment, the
셔터 부재(7)는, 구동용의 공기압 실린더 등의 액추에이터(8)에 의해 직선적으로 왕복 구동된다. 도 1(C)는, 액추에이터(8)를 2점 쇄선으로 모식적으로 나타낸 것으로, 예를 들어, 공기압 실린더의 경우에는, 압축 공기가 온인 경우 공기압 실린더가 신장하여 셔터 부재(7)를 구획 위치(G1)까지 이동시키고, 압축 공기가 오프인 경우 공기압 실린더가 수축하여 개방 위치(G2)로 이동시킨다. 액추에이터로서는, 공기압 실린더 등의 유체압을 이용한 액추에이터로 한정되지 않고, 예를 들어, 모터의 회전을 직선 운동으로 변환하는 나사 이송 기구를 이용해도 되고, 리니어 모터를 이용할 수도 있으며, 다양한 직선 구동 기구를 이용할 수 있다.The
다음으로, 성막 장치(1)에 의한 성막 방법에 대해 설명한다. 우선, 캐소드 유닛(3)을 성막 대기 영역(B)에서 대기시킨다. 이 상태에서는, 액추에이터(8)에 의해, 셔터 부재(7)가 구획 위치(G1)에 있고, 셔터 부재(7)에 의해, 성막 영역(A)과 성막 대기 영역(B)이 구획되고 있다. 이 성막 대기 영역(B)에서, 성막 공정(본 스퍼터링 구성)에 앞서, 캐소드 유닛(3)을 구동하여, 제1 회전 캐소드(3A) 및 제2 회전 캐소드(3B)에 바이어스 전위를 부여한다. 이에 의해, 각 타겟(35)를 회전시키고 스퍼터 입자를 방출시켜 프리 스퍼터링(준비 공정)를 행한다. 프리 스퍼터링은, 각 타겟(35)의 주위에 형성되는 플라즈마의 생성이 안정될 때까지 행해지는 것이 바람직하다.Next, a film forming method by the
이 프리 스퍼터링 공정에 있어서, 각 타겟(35)로부터 방출되는 스퍼터 입자 중, 챔버(10)의 천정벽(10d)을 향해 비상하는 스퍼터 입자는, 대향 부재(4)의 수평판부(4a)로 차폐되고, 또한, 성막 영역(A)을 향해 이동 방향으로 비상하는 스퍼터 입자는, 제1 차폐 부재(51) 및 셔터 부재(7)에서 차폐된다. 나아가, 성막 영역(A)과 반대측으로 비상하는 스퍼터 입자는 제2 차폐 부재(52) 및 대향 부재(4)의 수직판부(4b)에 의해 차폐된다. 이와 같이, 프리 스퍼터링 공정에 있어서는 셔터 부재(7)에 의해 성막 대기 영역(B)과 성막 영역(A)이 구획되고 있기 때문에, 프리 스퍼터링에서 발생하는 성막 재료가 성막 영역(A)으로 비상하여, 성막 영역(A)에 배치되어 있는 성막 대상물(2)에 부착되는 것을 억제할 수 있다.In this pre-sputtering process, among the sputter particles emitted from each
일정 시간 프리 스퍼터링을 행한 후, 본 스퍼터링 공정으로 이행한다. 본 스퍼터링 공정으로의 이행 시에는, 우선, 셔터 부재(7)를 구획 위치(G1)로부터 개방 위치(G2)로 이동시킨다. 그 후, 캐소드 유닛(3)의 타겟(35)을 회전 구동시켜 스퍼터링을 행하면서, 직선 구동 기구(12)를 구동하여 성막 영역(A)으로 진입시킨다. 그리고, 성막 영역(A) 내에서, 캐소드 유닛(3)을 성막 대상물(2)에 대해 소정 속도로 이동시킨다. 이 동안, 자석 유닛(30)에 의해, 성막 대상물(2)에 면하는 타겟(35)의 표면 근방에 플라즈마가 집중하여 생성되고, 플라즈마 중의 양이온 상태의 가스 이온이 타겟(35)을 스퍼터링하여, 비산한 스퍼터 입자가 성막 대상물(2)에 퇴적한다. 캐소드 유닛(3)의 이동에 수반하여, 캐소드 유닛(3)의 이동 방향 상류측으로부터 하류측을 향해, 순차로, 스퍼터 입자가 퇴적되어 감으로써 성막된다. 성막 영역(A)을 통과하면, 캐소드 유닛(3)이 반대측의 성막 대기 영역(B)으로 진입하고, 직선 구동 기구(12)를 정지시킴과 함께, 캐소드 유닛(3)의 구동을 정지시킨다. 또한, 필요에 따라, 왕복 이동시켜, 성막을 실행하도록 하여도 되고, 그 경우, 좌측의 성막 대기 영역(B)에 대해서도, 우측의 성막 대기 영역(B)와 마찬가지로, 셔터 부재(7)을 설치하도록 하여도 된다.After pre-sputtering for a certain period of time, the process proceeds to the present sputtering process. At the time of transition to the sputtering step, first, the
다음으로, 본 발명의 성막 장치의 다른 실시형태에 대해 설명한다. 이하의 설명에서는, 주로, 실시형태 1과 다른 점에 대해서만 설명하고, 동일한 구성 부분에 대해서는, 동일한 부호를 부여하고 설명을 생략한다.Next, another embodiment of the film forming apparatus of the present invention will be described. In the following description, mainly only the differences from the first embodiment will be described, and the same reference numerals will be used for the same components and the description will be omitted.
[실시형태 2][Embodiment 2]
도 3(A)은, 본 발명의 실시형태 2의 성막 장치(201)를 나타내고 있다. 상기 실시형태에서는, 셔터 부재(7)가 캐소드 유닛(3)에 설치되어 있었지만, 이 실시형태 2에서는, 셔터 부재(27)는 챔버(10) 측에 설치되어 있고, 챔버(10)의 외측으로부터 구동되도록 되어 있다. 즉, 셔터 부재(27)가 구획 위치(G1)로 이동하는 방향의 선단(27a)은 챔버(10)의 바닥벽(10a) 측의 단부(도면 중, 하단)이고, 구획 위치(G1)는 제1 차폐 부재(51)의 단부(51a)보다 기단부(51b) 측으로 이동한 위치로 되어 있다. 또한, 도시된 예에서는, 셔터 부재(27)가 개방 위치(G2)인 경우, 셔터 부재(27)가, 챔버(10)의 천정벽(10d)을 관통하도록 기재하고 있지만, 모식적으로 나타낸 것으로서, 예를 들어, 셔터 부재(27)가 관통하지 않도록 천정벽(10d)과의 사이에 충분한 공간을 설치하도록 하여도 되고, 천정벽(10d)에 셔터 부재(27)가 슬라이딩 이동 자유롭게 안내되는 가이드 부재를 설치하고, 슬라이딩 이동부에 시일 부재를 장착하도록 하여도 되며, 다양한 구성을 채용할 수 있다. 셔터 부재(27)를 구동하는 액추에이터(28)는, 챔버(10)의 외측에 위치하고, 구동용의 로드(281)가, 챔버(10)의 천정벽(10d)을 관통하는 관통 구멍에 시일 부재를 거쳐 슬라이딩 이동 자유롭게 삽통된다. 액추에이터로서는, 실시형태 1과 마찬가지로, 공기압 실린더 등의 유체압을 이용한 액추에이터로 한정되지 않고, 예를 들어, 모터의 회전을 직선 운동으로 변환하는 나사 이송 기구를 이용해도 되고, 리니어 모터를 이용할 수도 있고, 다양한 직선 구동 기구를 이용할 수 있다.3 (A) shows a
[실시형태 3][Embodiment 3]
도 4는, 본 발명의 실시형태 3과 관련되는 성막 장치(301)을 나타내고 있다. 도 4(A)는 셔터 부재(37)가 구획 위치, 도 4(B)는 셔터 부재(37)가 개방 위치인 상태를 나타내고, 도 4(C)는 셔터 부재의 개략 구성을 나타내는 사시도이다. 상기 실시형태 1 및 2는, 셔터 부재(7, 27)를, 제1 방향(G)으로, 구획 위치(G1)와 개방 위치(G2) 간에 직선적으로 슬라이드시키는 구성이었지만, 이 실시형태 3은, 셔터 부재(37)을 제1 방향(G)에 원호 상으로 요동시키도록 되어 있다.4 shows a
즉, 셔터 부재(37)는, 셔터 본체(371)와 셔터 본체(371)를 지지하는 요동 암(372)을 갖는 구성이고, 요동 암(372)의 일단이 대향 부재(4)의 수평 부재(4a)에 지지되고 있다. 셔터 본체(371)의 단면 형상(XZ 면의 단면)은, 이 지점(O)을 중심으로 하여 그린 원의 일부인 원호 형상이고, 구획 위치(G1)에서, 그 하단에 위치하는 선단(37a)이 제1 차폐 부재(51)의 성막 영역(A)측의 측면의 단부에 가까운 위치에 접촉하고, 반대측의 단부(37b)가 성막 대상물(2)의 홀더(21)와 대향 부재(4)의 수평판부(4a)의 선단과의 간극(H)에 위치하며, 셔터 본체(371)가 개구(C)를 덮도록 되어 있다(도 4(A) 참조). 또한, 개방 위치(G2)에 있어서는, 셔터 본체(371)의 구획 방향의 선단(37a)이 제1 차폐 부재(51)으로부터 이격되어, 성막 대상물(2)의 홀더(21)와 대향 부재(4)의 수평판부(4a)와의 간극(H) 근방에 위치하고, 셔터 본체(371)의 반대측의 단부(37b)가 챔버(10)의 천정벽(10d)에 접촉하고 있다(도 4(B) 참조). 셔터 부재(37)를 회전 구동하는 회전 액추에이터(38)는, 도 4(C)에 나타내는 바와 같이, 모터 등의 회전 동작 기구를 갖는 기구이면 되고, 예를 들어, 요동 암(372)의 지점 위치에 설치한 축(373)에 작동 연결된다. That is, the
[실시형태 4][Embodiment 4]
도 5는, 본 발명의 실시형태 4와 관련되는 성막 장치(401)를 나타내고 있다. 도 5(A)는 셔터 부재(47)가 구획 위치, 도 5(B)는 셔터 부재(47)가 개방 위치인 상태를 나타내고 있다. 이 실시형태 4도, 상기 실시형태 3과 마찬가지로, 셔터 부재(47)의 이동 궤적이 대략 구획 위치(G1)와 개방 위치(G2)의 사이를 원호 형상으로 요동시키도록 되어 있으나, 실시형태 3과 다른 점은, 셔터 부재(47)가 캐소드 유닛(3)에 요동 자유롭게 지지되고 있는 점이 상이하다.5 shows a
즉, 셔터 부재(47)는, 셔터 본체(471)와 셔터 본체(471)를 지지하는 요동 암(472)를 갖는 구성이고, 요동 암(472)의 일단이 제1 차폐 부재(51)에 회전 자유롭게 지지되고 있다. 도시된 예에서는 제1 차폐 부재(51)의 단부(5a)에 지지축(473)에 회전 자유롭게 지지되고 있다. 셔터 본체(471)의 단면 형상(XZ 면의 단면)은, 이 지지축(473)을 중심으로 하여 그린 원의 일부인 원호 형상으로, 구획 위치(G1)에서, 그 상단에 위치하는 선단(47a)이 대향 부재(4)의 수평판부(4a)의 성막 영역 측의 단부(4c)에 접촉하지만, 반대측의 단부(47b)가 제1 차폐 부재(51)로부터는 소정 간격을 두고 떨어져 있다.That is, the
따라서, 구획 위치에 있어서는, 개구(C)를 완전하게 차폐하는 것이 아니라, 하단측이 개방된 상태로 되어 있어, 성막 대기 영역(B)에서 발생한 스퍼터 입자가 하단측으로부터 성막 영역 측으로 돌아 들어갈 가능성이 있지만, 셔터 본체(471)에 의해 성막 대상물(2)과 면하는 측은 구획되고 있기 때문에, 성막 대기 영역에서 생긴 스퍼터 입자가 성막 대상물(2)에 부착할 가능성이 낮게 되어 있다(도 5(A) 참조). 또한, 개방 위치(G2)에 있어서는, 셔터 본체(471)의 구획 방향의 선단(47a)은 수평판부(4a)의 성막 영역 측의 단부(4c)로부터 멀어지고, 반대측의 단부(47b)가 챔버(10)의 바닥벽(10a) 측으로 이동하여, 제1 차폐 부재(51)에 접촉한다(도 5(B) 참조).Therefore, in the compartment position, the opening C is not completely shielded, but the lower side is in an open state, so that the sputter particles generated in the film formation waiting area B may return from the lower side to the film forming region side. However, since the side facing the film-forming
셔터 부재(37)를 회전 구동하는 회전 액추에이터에 대해서는, 특별히 도시하지 않지만, 실시형태 3과 마찬가지로, 모터 등의 회전 동작 기구를 갖는 기구가 요동 암(472)의 지지축(473)에 작동 연결된다.The rotary actuator for rotationally driving the
[실시형태 5][Embodiment 5]
도 6은, 본 발명의 실시형태 5와 관련되는 성막 장치(501)를 나타내고 있다. 도 6(A)은 셔터 부재(57)가 구획 위치인 상태를 나타내고 있다. 상기 실시형태 3 및 4에서는, 셔터 부재(37, 47)를 요동시키는 구성으로 되어 있었지만, 이 실시형태 5는, 셔터 부재(57)를 권취함으로써 구획 위치(G1)와 개방 위치(G2)로 전환하도록 한 것이다. 즉, 도 6(B)에 나타내는 바와 같이, 셔터 부재(57)는, Y축 방향으로 연장되는 가늘고 긴 강성 판부가, Z축 방향으로 굴곡 자유로이 다수 연결된 셔터 본체(571)와, 이 셔터 본체(571)를 권취하는 권취축(572)을 구비하고, 권취축(572)이 챔버(10) 측에 고정되고 있다. 이 권취축(572)은, 간극(H)에 대해 대향 부재(4)의 수평판부(4a)에 설치되고, 성막 대상물(2)의 홀더(21)에는, 감기, 되감기 시의 셔터 본체(571)를 안내하는 원호 형상의 가이드(573)가 설치되어 있다.6 shows a
셔터 부재(57)는, 구획 위치(G1)에서, 셔터 부재(57)가 간극(H)을 통해 되감아져 신장되고, 그 선단(57a)이 제1 차폐 부재(51)의 성막 영역(A) 측의 측면 근방에 위치하고 있다. 따라서, 이 실시형태 5에 있어서도, 실시형태 4와 마찬가지로, 구획 위치에 있어서, 개구(C)를 완전하게 차폐하는 것이 아니라, 하단측이 개방된 상태로 되어 있다.The
따라서, 성막 대기 영역에서 발생한 스퍼터 입자가 하단측으로부터 성막 영역 측으로 돌아 들어올 가능성이 있지만, 셔터 부재(57)에 의해 성막 대상물(2)과 면하는 측은 구획되고 있기 때문에, 성막 대기 영역(B)에서 생긴 스퍼터 입자가 성막 대상물(2)에 부착할 우려가 작다. 또한, 개방 위치(G2)에 있어서는, 셔터 부재(57)의 선단(57a)은 간극(H)의 위치까지 이동하여 개방된다. 셔터 부재(57)을 감는 회전 액추에이터에 대해서는, 특별히 도시하지 않지만, 모터 등의 회전 동작 기구를 갖는 기구가 권취축(9)에 작동 연결된다.Therefore, there is a possibility that sputtered particles generated in the film formation waiting area return from the lower side to the film forming area side, but since the side facing the
[실시형태 6][Embodiment 6]
도 7은, 본 발명의 실시형태 6과 관련되는 성막 장치(601)를 나타내고 있다. 상기 실시형태 5에서는, 셔터 부재(57)가 챔버(10) 측에 설치한 권취축(672)에 권취되는 구성으로 되어 있었지만, 이 실시형태 6은, 셔터 부재(67)를, 캐소드 유닛(3) 측에 설치한 것이다. 즉, 권취축(672)은, 제1 차폐 부재(51)의 성막 영역(A)측의 측면에 회전 자유로이 장착되어 있고, 이 권취축(69)에 셔터 부재(67)의 단부가 연결되고 있다. 그리고, 구획 측의 선단(67a)이 간극(H)을 통과하여, 가이드(673)를 거쳐, 대향 부재(4)의 수평판부(4a)의 상면으로 안내되고 있다. 홀더(21)에는, 원호 형상의 가이드(673)가 설치되고 있다.7 shows a
셔터 본체(671)는, 구획 위치(G1)에서, 개구(C)가 완전히 차폐되고, 또한, 개방 위치(G2)에 있어서는, 셔터 본체(671)의 선단(67a)은 간극(H)의 위치까지 이동하여 개방된다. 셔터 부재(67)을 권취하는 회전 액추에이터에 대해서는, 특별히 도시하지 않지만, 실시형태 5와 마찬가지로, 모터 등의 회전 동작 기구가 제1 차폐 부재(51)에 설치되고, 권취축(69)에 작동 연결된다.In the
[그 외의 실시형태][Other embodiments]
또한, 상기 실시형태에서는, 캐소드 유닛(3)이, 2개의 회전 캐소드(3A, 3B)를 2연 배치하고 있지만, 3개 이상이어도 되고, 1개이어도 된다. 또한, 캐소드 유닛(3)이 아니고, 타겟이 평판 상의 플래너 캐소드 유닛이어도 된다. 또한, 본 발명은, 스퍼터 성막 장치로 한정되는 것은 아니고, 스퍼터링을 이용하지 않는 증착 방식의 성막원에 대해서도 적용 가능하다. Further, in the above-described embodiment, the
1: 성막 장치
2: 성막 대상물
3: 회전 캐소드 유닛(성막원)
7, 27, 37, 47, 57, 67: 셔터 부재
10: 챔버
12: 직선 구동 기구(성막원 구동 기구)
A: 성막 영역, B: 성막 대기 영역
F: 이동 방향
G; 제1 방향, G1: 구획 위치, G2: 개방 위치1: film forming apparatus
2: Object to be formed
3: Rotating cathode unit (Team Tabernacle)
7, 27, 37, 47, 57, 67: no shutter
10: chamber
12: linear driving mechanism (film forming source driving mechanism)
A: deposition area, B: deposition waiting area
F: direction of movement
G; First direction, G1: compartment position, G2: open position
Claims (17)
상기 챔버 내의 소정의 성막 대기 영역과 성막 영역의 사이에서, 상기 성막원을 상기 성막 대상물에 대해 상대적으로 이동시키는 이동 수단을 구비하는 성막 장치로서,
상기 성막 영역과 상기 성막 대기 영역의 사이를 구획하는 구획 위치와, 상기 성막 영역과 상기 성막 대기 영역을 개방하는 개방 위치와의 사이를 이동 가능한 셔터 부재를 갖는 것을 특징으로 하는 성막 장치.A chamber in which a film-forming object and a film-forming source that causes a film-forming material to fly toward the film-forming object to be deposited on the film-forming object are disposed;
A film forming apparatus comprising moving means for moving the film forming source relative to the film forming object between a predetermined film forming waiting area and a film forming region in the chamber,
And a partition member for partitioning between the film formation area and the film formation waiting area, and a shutter member movable between the film formation area and the open position for opening the film formation waiting area.
상기 성막 대기 영역은 상기 성막원과 상기 성막 대상물이 대향하는 영역이며, 상기 성막 대기 영역은 상기 성막원과 상기 성막 대상물이 대향하지 않는 영역인 것을 특징으로 하는 성막 장치.According to claim 1,
The film formation waiting area is a region where the film forming source and the film forming object face each other, and the film forming waiting area is a region where the film forming source and the film forming object do not face each other.
상기 성막 대기 영역과 상기 성막 영역은, 상기 성막 대상물의 성막면으로 직행하는 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 나란히 있는 것을 특징으로 하는 성막 장치.The method according to claim 1 or 2,
The film forming apparatus is characterized in that the film forming standby region and the film forming region are arranged in a second direction that intersects a first direction that goes directly to the film forming surface of the film forming object.
상기 이동 수단은, 상기 성막원을 상기 제2 방향으로 상기 성막 대상물에 대해 상대적으로 이동시킴으로써 상기 성막원을 상기 성막 대기 영역으로부터 상기 성막 영역으로 이동시키고,
상기 성막 영역 내에서, 상기 이동 수단이, 상기 성막원을 상기 제2 방향으로 상기 성막 대상물에 대해 상대적으로 이동시킴으로써 상기 성막 대상물에 성막하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.According to claim 3,
The moving means moves the film forming source from the film forming waiting area to the film forming area by moving the film forming source relative to the film forming object in the second direction,
In the film forming region, the film forming apparatus is characterized in that the moving means deposits the film forming object by moving the film forming source in the second direction relative to the film forming object.
상기 셔터 부재의, 상기 구획 위치와 상기 개방 위치는, 상기 성막 대상물의 성막면으로 직행하는 제1 방향에 있어서의 위치가 다른 것을 특징으로 하는 성막 장치.The method according to any one of claims 1 to 4,
The film forming apparatus, characterized in that the position of the shutter member in the first direction directly to the film forming surface of the film forming object is different between the partition position and the open position.
상기 셔터 부재는, 상기 챔버 내의 공간을 부분적으로 구획함으로써, 상기 성막 영역과 상기 성막 대기 영역을 구획하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.The method according to any one of claims 1 to 5,
The shutter member, by partially partitioning the space in the chamber, the film forming apparatus, characterized in that to partition the film formation region and the film formation waiting area.
상기 셔터 부재는, 상기 성막 대상물의 성막면으로 직행하는 제1 방향으로 이동함으로써, 상기 구획 위치와 상기 개방 위치와의 사이를 이동하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.The method according to any one of claims 1 to 6,
The film forming apparatus, characterized in that the shutter member moves between the partition position and the open position by moving in a first direction that goes directly to the film forming surface of the film forming object.
상기 셔터 부재는, 상기 구획 위치와 상기 개방 위치의 사이에서, 직선적으로 이동하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.The method according to any one of claims 1 to 7,
The film forming apparatus characterized in that the shutter member moves linearly between the partition position and the open position.
상기 셔터 부재는, 지점을 중심으로 하여 요동하는 구성으로 되어 있는 것을 특징으로 하는 성막 장치.The method according to any one of claims 1 to 8,
The film forming apparatus is characterized in that the shutter member is configured to swing around a point.
상기 셔터 부재는, 권취축에 감기 및 되감기함으로써 이동하는 구성으로 되어 있는 성막 장치.The method according to any one of claims 1 to 9,
The film forming apparatus is configured such that the shutter member moves by winding and rewinding the winding shaft.
상기 셔터 부재는, 상기 챔버 측에 지지되어 있고, 상기 이동 수단에 의한 상기 성막원과 상기 성막 대상물의 상대 이동 시에, 상기 성막원에 대해 상대적으로 이동하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.The method according to any one of claims 1 to 10,
The film forming apparatus is characterized in that the shutter member is supported on the chamber side and moves relative to the film forming source during the relative movement of the film forming source and the film forming object by the moving means.
상기 셔터 부재는, 상기 성막원 측에 지지되어 있고, 상기 이동 수단에 의한 상기 성막원과 상기 성막 대상물의 상대 이동 시에, 상기 성막원과 함께 상기 성막 대상물에 대해 상대 이동하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.The method according to any one of claims 1 to 10,
The shutter member is supported on the film forming source side, and when the film forming source and the film forming object are moved relative to each other by the moving means, the film forming source is moved relative to the film forming object. Device.
상기 성막원은, 스퍼터링 캐소드인 것을 특징으로 하는 성막 장치.The method according to any one of claims 1 to 12,
The film forming source is a film forming apparatus, characterized in that the sputtering cathode.
상기 성막원은, 상기 챔버 내에 배치되는 타겟을 거쳐 상기 성막 대상물과 대향하는 위치에 배치되는 자장 발생 수단을 갖는 것을 특징으로 하는 성막 장치.The method according to any one of claims 1 to 13,
The film forming source has a magnetic field generating means disposed at a position facing the film forming object via a target disposed in the chamber.
상기 성막 대상물로의 성막 전에, 상기 성막 대기 영역에 있어서, 상기 성막원의 주위에 플라즈마를 생성시키는 것을 특징으로 하는 성막 장치.The method of claim 13 or 14,
A film-forming apparatus characterized in that plasma is generated around the film-forming source in the film formation waiting area before film-forming to the film-forming object.
상기 성막 대기 영역으로부터 상기 챔버 내의 성막 영역으로, 상기 준비 공정에서 상기 성막 재료가 비상하는 상태로 된 상기 성막원을 상기 성막 대상물에 대해 상대적으로 이동시켜, 상기 성막원으로부터 비상하는 성막 재료를 상기 성막 대상물에 퇴적시켜 성막하는 성막 공정을 갖는 성막 방법으로서,
상기 성막 영역과 상기 성막 대기 영역의 사이를 구획하는 구획 위치와, 상기 성막 영역과 상기 성막 대기 영역을 개방하는 개방 위치와의 사이를 이동 가능한 셔터 부재를 설치하여,
상기 준비 공정에서는, 상기 셔터 부재를 상기 구획 위치에 위치시켜 상기 성막 영역과 상기 성막 대기 영역을 구획하고,
상기 성막 공정에서는, 상기 셔터 부재를 개방 위치에 위치시켜, 상기 성막 대기 영역으로부터 상기 성막 영역으로 상기 성막원을 상기 성막 대상물에 대해 상대적으로 이동시키는 것을 특징으로 하는 성막 방법.A preparation step in which a film formation source is placed in a film formation waiting area in a chamber, and a film forming material is brought into emergency from the film formation source;
The film-forming source in which the film-forming material is in a flying state in the preparation step is moved relative to the film-forming object from the film-forming waiting area to the film-forming area in the chamber, so that the film-forming material flying from the film-forming source is formed into the film-forming. A film forming method comprising a film forming step of depositing and depositing on an object,
A shutter member is provided to move between a partition position for partitioning between the film formation region and the film formation standby region and an open position for opening the film formation region and the film formation standby region,
In the preparatory step, the shutter member is positioned at the partition position to partition the film formation region and the film formation standby region,
In the film forming step, the film forming method is characterized in that the shutter member is placed in an open position to move the film forming source from the film forming waiting area to the film forming area relative to the film forming object.
상기 성막 대기 영역으로부터 상기 챔버 내의 성막 영역으로, 상기 준비 공정에서 상기 성막 재료가 비상하는 상태로 된 상기 성막원을 상기 성막 대상물에 대해 상대적으로 이동시켜, 상기 성막원으로부터 비상하는 성막 재료를 상기 성막 대상물에 퇴적시켜 성막하는 성막 공정을 갖는 전자 디바이스의 제조 방법으로서,
상기 성막 영역과 상기 성막 대기 영역의 사이를 구획하는 구획 위치와, 상기 성막 영역과 상기 성막 대기 영역을 개방하는 개방 위치와의 사이를 이동 가능한 셔터 부재를 설치하여,
상기 준비 공정에서는, 상기 셔터 부재를 상기 구획 위치에 위치시켜 상기 성막 영역과 상기 성막 대기 영역을 구획하고,
상기 성막 공정에서는, 상기 셔터 부재를 개방 위치에 위치시켜, 상기 성막 대기 영역으로부터 상기 성막 영역으로 상기 성막원을 상기 성막 대상물에 대해 상대적으로 이동시키는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스의 제조 방법.A preparation step in which a film formation source is placed in a film formation waiting area in a chamber, and a film forming material is brought into emergency from the film formation source;
The film-forming source in which the film-forming material is in a flying state in the preparation step is moved relative to the film-forming object from the film-forming waiting area to the film-forming area in the chamber, so that the film-forming material flying from the film-forming source is formed into the film-forming. A method of manufacturing an electronic device having a film forming step of depositing and depositing on an object,
A shutter member is provided to move between a partition position for partitioning between the film formation region and the film formation standby region and an open position for opening the film formation region and the film formation standby region,
In the preparatory step, the shutter member is positioned at the partition position to partition the film formation region and the film formation standby region,
In the film forming step, the method of manufacturing an electronic device, characterized in that the shutter member is placed in an open position to move the film forming source from the film formation waiting area to the film forming area relative to the film forming object.
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Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP5384002B2 (en) * | 2007-10-31 | 2014-01-08 | 株式会社ライク | Film forming apparatus and film forming method |
JP4858492B2 (en) * | 2008-06-16 | 2012-01-18 | 住友金属鉱山株式会社 | Sputtering equipment |
KR101073557B1 (en) * | 2009-11-24 | 2011-10-14 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | Sputtering Apparatus |
JP2012229479A (en) * | 2011-04-27 | 2012-11-22 | Toshiba Corp | Film forming apparatus and shield member |
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E902 | Notification of reason for refusal |