KR20220036341A - Sputtering Apparatus and Method for Depositing Film - Google Patents

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캐논 톡키 가부시키가이샤
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Abstract

타겟으로부터 이물질을 제거하는 작업성을 향상시키고, 동시에, 제거 시간의 단축화를 도모하는 것을 가능하게 하는 스퍼터 장치 및 성막 방법을 제공한다.
기판이 배치되는 챔버(10)와, 챔버(10)내에서, 타겟(110)을 기판과 대향하는 대향 영역 S2과 기판과 대향하지 않는 비대향 영역 S1로 이동시키는 이동 기구이동 기구(230)과, 타겟(110)이 비대향 영역 S1에 배치된 상태에서, 타겟(110)에 퇴적된 이물질을 제거하는 제거 부재로서의 이물질 제거 롤러(331, 332)를 구비하는 것을 특징으로 한다.
A sputtering device and a film forming method are provided that improve the workability of removing foreign substances from a target and simultaneously shorten the removal time.
A chamber 10 in which a substrate is placed, a moving mechanism 230 that moves the target 110 within the chamber 10 to an opposing area S2 that faces the substrate and a non-opposing area S1 that does not face the substrate; , It is characterized in that it is provided with foreign matter removal rollers 331 and 332 as removal members for removing foreign matter deposited on the target 110 in a state in which the target 110 is disposed in the non-opposing area S1.

Description

스퍼터 장치 및 성막 방법{Sputtering Apparatus and Method for Depositing Film}Sputtering Apparatus and Method for Depositing Film}

본 발명은, 스퍼터링에 의해 기판에 박막을 형성하는 스퍼터 장치 및 성막 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a sputtering device and a film forming method for forming a thin film on a substrate by sputtering.

스퍼터 장치에 있어서, 스퍼터링 시에 회전하는 원통 형상의 타겟(로타리 캐소드라고도 불린다)을 사용해서 스퍼터링을 행하는 기술이 알려져 있다. 이러한 기술에 있어서는, 타겟 중, 스퍼터링에 기여하지 않는 부분(통상, 양단)인 비침식(non-erosion)부에 경시적으로 이물질이 퇴적된다. 이러한 이물질은, 이상 방전이나 성막부에 이물질이 혼입되어 버리는 등의 원인이 되기 때문에, 챔버를 개방하고, 수작업 등에 의해 제거할 필요가 있다. 따라서, 이물질을 제거하는 작업에 수고와 시간이 소요된다.In a sputtering device, a technique is known to perform sputtering using a cylindrical target (also called a rotary cathode) that rotates during sputtering. In this technology, foreign substances are deposited over time on the non-erosion portion of the target, which is the portion that does not contribute to sputtering (usually both ends). Since these foreign substances can cause abnormal discharge or contamination of the film forming part, it is necessary to open the chamber and remove them manually. Therefore, removing foreign substances takes effort and time.

일본 특허공개 제2013-234375호 공보Japanese Patent Publication No. 2013-234375 일본 특허공개 제2019-94548호 공보Japanese Patent Publication No. 2019-94548

본발명의 목적은, 타겟으로부터 이물질을 제거하는 작업성을 향상시키고, 동시에, 제거 시간의 단축화를 도모하는 것을 가능하게 하는 스퍼터 장치 및 성막 방법을 제공하는 것에 있다.The purpose of the present invention is to provide a sputtering device and a film forming method that improve the workability of removing foreign substances from a target and simultaneously shorten the removal time.

상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명의 스퍼터 장치는, In order to solve the above problems, the sputtering device of the present invention,

스퍼터링에 의해, 스퍼터링 시에 회전하는 원통 형상의 타겟의 구성 원자에 의한 박막을 기판상에 형성하는 스퍼터 장치로서, A sputtering device that forms a thin film on a substrate by sputtering from constituent atoms of a cylindrical target that rotates during sputtering,

상기 기판이 배치되는 챔버와, a chamber in which the substrate is placed,

상기 챔버내에 있어서, 상기 타겟을 상기 기판과 대향하는 대향 영역과 상기 기판과 대향하지 않는 비대향 영역으로 이동시키는 이동 기구와, a moving mechanism that moves the target within the chamber to an opposing area that faces the substrate and a non-opposing area that does not face the substrate;

상기 타겟이 상기 비대향 영역에 이동한 상태에서, 상기 타겟에 퇴적된 이물질을 제거하는 제거 부재를 구비하는 것을 특징으로 한다. A removal member is provided to remove foreign substances deposited on the target when the target moves to the non-opposing area.

본 발명에 의하면, 제거 부재에 의해, 타겟에 퇴적된 이물질이 제거되므로, 챔버를 개방하지 않고, 이물질의 제거가 가능해진다.According to the present invention, foreign matter deposited on the target is removed by the removal member, making it possible to remove the foreign matter without opening the chamber.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 타겟으로부터 이물질을 제거하는 작업성을 향상시키고, 동시에, 제거 시간의 단축화를 도모할 수 있다.As described above, according to the present invention, the workability of removing foreign substances from a target can be improved and the removal time can be shortened.

도 1은 본 발명의 실시예 1에 관한 스퍼터 장치의 내부구성을 상방으로부터 본 개략구성도이다.
도 2는 본 발명의 실시예 1에 관한 스퍼터 장치의 내부구성을 단면적으로 본 개략구성도이다.
도 3은 본 발명의 실시예 1에 관한 스퍼터 장치의 내부구성을 단면적으로 본 개략구성도이다.
도 4는 본 발명의 실시예 1에 관한 타겟 유닛의 개략구성도이다.
도 5는 본 발명의 실시예 2에 관한 스퍼터 장치의 내부구성을 단면적으로 본 개략구성도에서 특징적인 구성을 중심으로 나타낸 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시예 3에 관한 스퍼터 장치의 내부구성을 단면적으로 본 개략구성도에서 특징적인 구성을 중심으로 나타낸 도면이다.
도 7은 전자 디바이스의 일 예를 제시하는 모식적 단면도이다.
Figure 1 is a schematic diagram of the internal structure of a sputtering device according to Example 1 of the present invention as seen from above.
Figure 2 is a schematic cross-sectional view of the internal structure of the sputtering device according to Example 1 of the present invention.
Figure 3 is a schematic cross-sectional view of the internal structure of the sputtering device according to Example 1 of the present invention.
Figure 4 is a schematic configuration diagram of a target unit according to Embodiment 1 of the present invention.
Figure 5 is a schematic cross-sectional view of the internal structure of the sputtering device according to Example 2 of the present invention, focusing on the characteristic features.
Figure 6 is a schematic cross-sectional view of the internal structure of the sputtering device according to Example 3 of the present invention, focusing on the characteristic features.
Figure 7 is a schematic cross-sectional view showing an example of an electronic device.

이하에 도면을 참조하여, 이 발명을 실시하기 위한 형태를, 실시예에 기초하여 예시적으로 상세하게 설명한다. 단, 본 실시예에 기재되고 있는 구성부품의 치수, 재질, 형상, 그 상대 배치 등은, 특정적인 기재가 없는 한, 본 발명의 범위를 이들에만 한정하려는 취지의 것은 아니다. EMBODIMENT OF THE INVENTION Below, with reference to drawings, the form for carrying out this invention will be described in detail by way of example based on examples. However, the dimensions, materials, shapes, relative arrangements, etc. of the components described in this embodiment are not intended to limit the scope of the present invention to these only, unless specifically stated.

(실시예1) (Example 1)

도 1∼도 4를 참조하여, 본 발명의 실시예 1에 관한 스퍼터 장치 및 성막 방법에 대해서 설명한다. 도 1은 본 발명의 실시예 1에 관한 스퍼터 장치의 내부구성을 상방으로부터 본 개략구성도이다. 도 2는, 도 1에 있어서, 화살표(V1) 방향으로 본 단면도이다. 도 3은, 도 1에 있어서, 화살표(V2) 방향으로 본 단면도이다. 도 4는 본 발명의 실시예 1에 관한 타겟 유닛의 개략구성도이며, 동 도면의 (a)는 타겟 유닛의 부근을 정면에서 본 개략구성도이며, 동 도면의 (b)는 동 도면의 (a)중의 AA단면도이다 With reference to FIGS. 1 to 4, the sputtering device and film forming method according to Example 1 of the present invention will be described. Figure 1 is a schematic diagram of the internal structure of a sputtering device according to Example 1 of the present invention as seen from above. FIG. 2 is a cross-sectional view seen in the direction of arrow V1 in FIG. 1. FIG. 3 is a cross-sectional view seen in the direction of arrow V2 in FIG. 1. Figure 4 is a schematic configuration diagram of a target unit according to Embodiment 1 of the present invention, (a) in the figure is a schematic configuration diagram viewed from the front near the target unit, and (b) in the figure is a ( This is a cross-sectional view of AA in a).

<스퍼터 장치의 전체구성> <Overall configuration of sputter device>

도 1∼도 3을 참조하여, 본 실시예에 관한 스퍼터 장치의 전체 구성에 대해서 설명한다. 본 실시예에 관한 스퍼터 장치(1)는, 내부가 진공분위기로 되는 챔버(10)와, 챔버(10)내에 구비되는 타겟 유닛(100)과, 타겟 유닛(100)을 이동시키는 이동 기구(230)를 가지는 구동장치(200)를 구비하고 있다. With reference to FIGS. 1 to 3, the overall structure of the sputtering device according to this embodiment will be described. The sputtering device 1 according to this embodiment includes a chamber 10 whose interior is in a vacuum atmosphere, a target unit 100 provided in the chamber 10, and a moving mechanism 230 for moving the target unit 100. It is provided with a driving device 200 having ).

챔버(10)내에는, 기판(P)을 보유지지하는 기판 보유지지기구(11)와, 마스크(M)를 보유지지하는 마스크 보유지지기구(12)가 구비되어 있다. 이 보유지지기구에 의해, 기판(P)와 마스크(M)는, 성막 동작중 (스퍼터링 동작 중)은 정지한 상태가 유지된다. 챔버(10)는 기밀용기이며, 배기 펌프(20)에 의해, 그 내부는 진공상태(또는 감압 상태)로 유지된다. 가스 공급 밸브(30)를 열고, 챔버(10)내에 가스를 공급함으로써, 처리에 대한 적절한 가스 분위기(또는 압력대)로 적당히 변경을 할 수 있다. 챔버(10) 전체는 접지 회로(40)에 의해 전기적으로 접지되어 있다. The chamber 10 is provided with a substrate holding mechanism 11 that holds the substrate P and a mask holding mechanism 12 that holds the mask M. By this holding mechanism, the substrate P and the mask M are maintained in a stationary state during the film forming operation (during the sputtering operation). The chamber 10 is an airtight container and is operated by the exhaust pump 20. , the interior is maintained in a vacuum state (or a reduced pressure state) by opening the gas supply valve 30 and supplying gas into the chamber 10 to appropriately change the gas atmosphere (or pressure zone) for processing. The entire chamber 10 is electrically grounded by the ground circuit 40.

구동장치(200)는, 대기 박스(210)와, 대기 박스(210)의 이동 방향을 안내하는 한 쌍의 가이드 레일(221, 222)과, 대기 박스(210)를 이동시키는 이동 기구(230)와, 대기 박스(210)의 이동에 따라 종동하는 대기 아암(240)을 구비하고 있다. 대기 박스(210)는, 그 내부가 공동으로 되어 있고, 대기 아암(240)의 내부를 통해서, 챔버(10)의 외부와 연통하게 구성되어 있다. 그 때문에, 대기 박스(210)의 내부는 대기에 노출된 상태로 되어 있다. 이러한 구성을 채용함으로써, 챔버(10)의 외부에 설치된 전원(50)에 접속된 배선(51, 52)을 타겟 유닛(100)에 접속할 수 있다. 한편, 타겟 유닛(100)은, 대기 박스(210)에 고정되어 있다. The driving device 200 includes a waiting box 210, a pair of guide rails 221 and 222 that guide the moving direction of the waiting box 210, and a moving mechanism 230 that moves the waiting box 210. It is provided with a standby arm 240 that follows the movement of the standby box 210. The waiting box 210 has a hollow interior and is configured to communicate with the outside of the chamber 10 through the inside of the waiting arm 240. Therefore, the inside of the atmospheric box 210 is exposed to the atmosphere. By adopting this configuration, the wirings 51 and 52 connected to the power source 50 installed outside the chamber 10 can be connected to the target unit 100. Meanwhile, the target unit 100 is fixed to the waiting box 210.

대기 박스(210)는, 이동 기구(230)에 의해, 한 쌍의 가이드 레일(221, 222)을 따라, 왕복 이동하게 구성되어 있다. 이동 기구(230)는, 볼나사 기구를 채용하고 있어, 볼나사(231)와, 볼나사(231)를 회전시키는 모터 등의 구동원(232)을 구비하고 있다. 단, 대기 박스(210)를 왕복 이동시키기 위한 구동기구에 대해서는, 볼나사 기구에 한정되지 않고, 랙피니언 기구 등, 각종 공지기술을 채용할 수 있다. 이동 기구(230)에 랙피니언 기구를 채용할 경우는, 반송 가이드 부분에 설치할 수 있다. The waiting box 210 is configured to move back and forth along a pair of guide rails 221 and 222 by a moving mechanism 230. The moving mechanism 230 employs a ball screw mechanism and includes a ball screw 231 and a drive source 232 such as a motor that rotates the ball screw 231. However, the drive mechanism for reciprocating the waiting box 210 is not limited to the ball screw mechanism, and various known technologies such as the rack and pinion mechanism can be adopted. When a rack and pinion mechanism is used as the moving mechanism 230, it can be installed in the conveyance guide portion.

대기 아암(240)은, 이동하는 대기 박스(210)의 공동내에, 챔버(10)의 외부에 설치된 전원(50)에 접속된 배선(51, 52)을 배치하기 위해 설치되고 있다. 즉, 대기 아암(240)은, 그 내부가 공동으로 되어 있고, 동시에, 대기 박스(210)의 이동에 추종해서 동작하게 구성되어 있다. 보다 구체적으로는, 대기 아암(240)은, 제1 아암(241)과 제2 아암(242)을 구비하고 있다. 제1 아암(241)은, 그 일단이 챔버(10)의 저판에 대하여 회동 가능하게 구성되어 있다. 그리고, 제2 아암(242)은, 그 일단이 제1 아암(241)의 타단에 대하여 회동 가능하게 축지지 되고, 그 타단이 대기 박스(210)에 대하여 회동 가능하게 축지지 되어 있다. The standby arm 240 is installed in the cavity of the moving standby box 210 for arranging wires 51 and 52 connected to the power source 50 installed outside the chamber 10. That is, the standby arm 240 has a hollow interior and is configured to operate in accordance with the movement of the standby box 210. More specifically, the standby arm 240 is provided with a first arm 241 and a second arm 242. One end of the first arm 241 is configured to be rotatable with respect to the bottom plate of the chamber 10. One end of the second arm 242 is pivotably supported with respect to the other end of the first arm 241, and the other end is pivotably supported with respect to the waiting box 210.

이상과 같이 구성되는 구동장치(200)에 의해, 대기 박스(210)에 고정된 타겟 유닛(100)을, 대기 박스(210)와 함께 왕복 이동시키는 것이 가능해진다. 이에 의해, 왕로 및 귀로 중 적어도 어느 일방의 이동중에, 타겟 유닛(100)을 가동시키는 것에 의해, 기판(P)에 대하여, 성막 동작(스퍼터링)을 행할 수 있다. 따라서, 대형의 기판(P)에 성막을 형성할 경우에도, 구동장치(200)에 의해, 타겟 유닛(100)을 이동시키면서 성막 동작을 행함으로써, 기판(P)의 일단측에서 타단측을 향해서 연속적으로 박막을 형성할 수 있다. The drive device 200 configured as described above makes it possible to reciprocate the target unit 100 fixed to the waiting box 210 together with the waiting box 210. As a result, a film forming operation (sputtering) can be performed on the substrate P by operating the target unit 100 during at least one of the outbound and return journeys. Therefore, even when forming a film on a large-sized substrate P, the film forming operation is performed while moving the target unit 100 using the driving device 200, so that the film is formed from one end of the substrate P toward the other end. A thin film can be formed continuously.

<타겟 유닛> <Target unit>

도 4를 참조하여, 본 실시예에 관한 스퍼터 장치(1)에 적용가능한 타겟 유닛(100)의 일 예를 설명한다. 타겟 유닛(100)은, 타겟(110)과, 타겟(110)의 양단을 지지하는 서포트 블록(120) 및 엔드 블록(130)을 구비하고 있다. 한편, 본 실시예에 있어서는, 타겟(110)은, 2개 설치되어 있고, 이들 2개의 타겟(110)의 양단을 지지하는 서포트 블록(120) 및 엔드 블록(130)도, 2개의 타겟(110)에 각각 하나씩 설치되고 있다. 단, 본 발명에 관한 스퍼터 장치에 있어서, 타겟의 개수는 한정되지 않는다. 타겟(110)은, 스퍼터링 시에 회전하는 원통 형상의 부재이며, 로타리 캐소드라고도 불린다. 서포트 블록(120) 및 엔드 블록(130)은, 대기 박스(210)의 상면에 고정되어 있다. 타겟(110)은, 원통 형상의 타겟 본체(111)와, 그 내주에 배치되는 전극인 캐소드(112)를 구비하고 있다. 또한, 타겟(110)은, 서포트 블록(120) 및 엔드 블록(130)에 의해 회전 가능하게 지지되어 있고, 엔드 블록(130)내에 구비되는 미도시의 모터 등의 구동원에 의해, 스퍼터링 시에 회전하도록 구성되어 있다. 한편, 마그네트론 스퍼터링 방식의 스퍼터 장치의 경우에는, 타겟(110)과 기판(P)과의 사이에 자장(누설 자장)을 발생시키기 위해서, 캐소드(112)의 내부에 자석이 설치된다. With reference to FIG. 4, an example of a target unit 100 applicable to the sputtering device 1 according to this embodiment will be described. The target unit 100 includes a target 110, a support block 120 that supports both ends of the target 110, and an end block 130. Meanwhile, in this embodiment, two targets 110 are installed, and a support block 120 and an end block 130 that support both ends of the two targets 110 are also provided with two targets 110. ) are installed one by one. However, in the sputtering device according to the present invention, the number of targets is not limited. The target 110 is a cylindrical member that rotates during sputtering, and is also called a rotary cathode. The support block 120 and the end block 130 are fixed to the upper surface of the waiting box 210. The target 110 includes a cylindrical target body 111 and a cathode 112, which is an electrode disposed on the inner periphery of the target. In addition, the target 110 is rotatably supported by the support block 120 and the end block 130, and rotates during sputtering by a drive source such as a motor (not shown) provided in the end block 130. It is structured to do so. Meanwhile, in the case of a magnetron sputtering type sputtering device, a magnet is installed inside the cathode 112 to generate a magnetic field (leakage magnetic field) between the target 110 and the substrate P.

이상과 같이 구성되는 타겟 유닛(100)에 있어서는, 타겟(110)과 애노드인 챔버(10)과의 사이에 일정 이상의 전압을 인가하는 것에 의해, 이 사이에 플라즈마가 발생한다. 그리고, 플라즈마 중의 양 이온이 타겟(110)에 충돌함으로써, 타겟(110)(타겟 본체(111))으로부터 타겟 재료의 입자가 방출된다. 타겟(110)으로부터 방출된 입자는, 충돌을 반복하면서, 방출된 입자 가운데 타겟 물질의 중성 원자가 기판(P)에 퇴적되어 간다. 이에 의해, 기판(P)에는, 타겟(110)의 구성 원자에 의한 박막이 형성된다. 또한, 마그네트론 스퍼터링 방식의 경우에는, 상기의 누설 자장에 의해, 타겟(110)과 기판(P)과의 사이의 소정 영역에 플라즈마를 집중시킬 수 있다. 이에 의해, 효율적으로 스퍼터링이 행하여지기 때문에, 기판(P)에의 타겟 물질의 퇴적 속도를 향상시킬 수 있다. 나아가, 본 실시예에 관한 타겟 유닛(100)에 있어서는, 스퍼터링 도중에 타겟(110)이 회전하게 구성되어 있다. 이에 의해, 타겟(110)의 소모 영역(이로젼에 의한 침식 영역)이 일부에 집중하지 않고, 타겟(110)의 이용 효율을 높일 수 있다. In the target unit 100 configured as described above, plasma is generated between the target 110 and the anode chamber 10 by applying a voltage above a certain level between them. Then, when positive ions in the plasma collide with the target 110, particles of the target material are emitted from the target 110 (target body 111). Particles emitted from the target 110 repeatedly collide, and neutral atoms of the target material among the emitted particles are deposited on the substrate P. As a result, a thin film made of the constituent atoms of the target 110 is formed on the substrate P. Additionally, in the case of the magnetron sputtering method, plasma can be concentrated in a predetermined area between the target 110 and the substrate P by the leakage magnetic field. As a result, sputtering is performed efficiently, so the deposition rate of the target material on the substrate P can be improved. Furthermore, in the target unit 100 according to this embodiment, the target 110 is configured to rotate during sputtering. As a result, the consumption area (eroded area due to erosion) of the target 110 is not concentrated in one part, and the use efficiency of the target 110 can be increased.

이상과 같이 구성되는 타겟(110)을 구비하는 타겟 유닛(100)은, 대기 박스(210)와 함께, 이동 기구(230)를 구비하는 구동장치(200)에 의해 반송된다. 도 1에서, 범위 S0는, 타겟(110)의 이동 범위를 나타내고 있어, 타겟(110)은, 챔버(10)내에 있어서, 기판(P)과 대향하는 대향 영역 S2로부터 기판(P)과 대향하지 않는 비대향 영역 S1에 이르기까지 이동하게 구성되어 있다. 스퍼터링은, 타겟(110)이 대향 영역 S2을 이동하는 중에 행하여진다. 한편, 비대향 영역 S1과 대향 영역 S2과의 경계부근에, 예를 들면, 도 2에 나타낸 바와 같이, 격벽(60)을 설치함으로써, 타겟(110)의 이동 범위를 길게 하지 않아도, 비대향 영역 S1에 있어서 타겟(110)과 기판(P)이 대향하지 않도록 할 수 있다. 즉, 타겟(110)이 비대향 영역 S1에 위치하고 있는 동안은, 기판(P)에 박막이 형성되지 않도록 할 수 있다. The target unit 100 provided with the target 110 configured as above is transported by the drive device 200 provided with the moving mechanism 230 together with the waiting box 210. In FIG. 1, the range S0 represents the movement range of the target 110, and the target 110 does not face the substrate P from the opposing area S2 that faces the substrate P in the chamber 10. It is configured to move up to the non-opposing area S1. Sputtering is performed while the target 110 moves through the opposing area S2. On the other hand, by providing a partition wall 60 near the boundary between the non-opposing area S1 and the opposing area S2, for example, as shown in FIG. 2, the non-opposing area can be moved without lengthening the movement range of the target 110. In S1, the target 110 and the substrate P may not face each other. That is, while the target 110 is located in the non-opposing area S1, a thin film can be prevented from being formed on the substrate P.

그리고, 본 실시예에 관한 스퍼터 장치(1)에 있어서는, 챔버(10)내에, 타겟(110)에 있어서의 스퍼터에 기여하지 않는 비침식부에 퇴적된 이물질을 제거하는 제거 장치(300)가 설치되어 있다. 이 제거 장치(300)는, 모터 등을 구비하는 구동원(310)과, 구동원(310)에 의해 일정 범위내에서 회전하게 구성되는 보유지지부재(320)와, 보유지지부재(320)에 의해 회전 가능하게 축지지 되는 제거 부재로서의 이물질 제거 롤러(331, 332)을 구비하고 있다. 이물질 제거 롤러(331, 332)의 재료로서는, PEEK, 세라믹 재료, 바이톤 등의 고무 재료, 아크릴계의 점착제 등을 바람직하는 예로서 들 수 있다. In the sputtering device 1 according to the present embodiment, a removal device 300 is installed in the chamber 10 to remove foreign substances deposited in the non-eroding portion that does not contribute to sputtering in the target 110. there is. This removal device 300 includes a driving source 310 including a motor, etc., a holding member 320 configured to rotate within a certain range by the driving source 310, and rotating by the holding member 320. It is provided with foreign matter removal rollers 331 and 332 as removal members that can be axially supported. Preferred materials for the foreign matter removal rollers 331 and 332 include PEEK, ceramic materials, rubber materials such as Viton, and acrylic adhesives.

이상과 같이 구성되는 제거 장치(300)에 의해, 타겟(110)이 비대향 영역S1에 배치된 상태에서, 이물질 제거 롤러(331, 332)에 의해, 타겟(110)에 있어서의 비침식부에 퇴적된 이물질을 제거할 수 있다. 보다 구체적으로는, 이물질 제거시에는, 2개의 타겟(110)이 각각 회전하는 상태에서, 구동원(310)에 의해 보유지지부재(320)가 회전하고, 이물질 제거 롤러(331, 332)가 2개의 타겟(110)의 중일방과 타방에 각각 접촉한다. 이물질 제거 롤러(331, 332)는, 각각의 타겟(110)의 회전에 종동 회전하게 구성되고 있어, 타겟(110)과 이물질 제거 롤러(331, 332)와의 접촉 부분에서, 타겟(110)에 퇴적된 이물질이 깎여 떨어진다. By the removal device 300 configured as described above, with the target 110 disposed in the non-opposing area S1, foreign matter is deposited on the non-eroded portion of the target 110 by the removal rollers 331 and 332. Foreign substances can be removed. More specifically, when removing foreign matter, the holding member 320 is rotated by the drive source 310 while the two targets 110 are each rotating, and the foreign matter removal rollers 331 and 332 are rotated by the two targets 110. It contacts one middle side and the other side of the target 110, respectively. The foreign matter removal rollers 331 and 332 are configured to rotate in accordance with the rotation of each target 110, and deposited on the target 110 at the contact portion between the target 110 and the foreign matter removal rollers 331 and 332. The foreign matter is cut off and falls off.

한편, 이물질 제거 롤러(331, 332)는, 타겟(110)의 회전으로부터 조금 늦게(조금 느린 회전속도로) 종동 회전하게 구성함으로써, 이물질 제거 롤러(331, 332)의 표면과 타겟(110)의 표면과의 사이에서 마찰을 생기게 할 수 있고, 효과적으로 이물질을 제거할 수 있다. 또한, 이물질 제거 롤러(331, 332)에 대해서는, 타겟(110)의 회전에 종동시키는 것이 아니고, 모터 등을 사용하여, 능동적으로 회전시키는 구성을 채용할 수도 있다. 이 경우, 타겟(110)과 이물질 제거 롤러(331, 332)와의 접촉 부분으로 있어서, 타겟(110)이 이동하는 방향과 이물질 제거 롤러(331, 332)이 이동하는 방향이 반대가 되도록 함으로써, 이물질 제거 효과를 향상시킬 수 있다. 나아가, 이물질 제거 롤러(331, 332)의 표면에 복수의 요철을 설치함으로써, 이물질 제거 효과를 높일 수도 있다. Meanwhile, the foreign matter removal rollers 331 and 332 are configured to follow the rotation of the target 110 a little later (at a slightly slower rotation speed), so that the surfaces of the foreign matter removal rollers 331 and 332 and the target 110 are connected to each other. It can create friction between surfaces and effectively remove foreign substances. In addition, the foreign matter removal rollers 331 and 332 may be configured to actively rotate using a motor or the like, rather than being driven by the rotation of the target 110. In this case, at the contact portion between the target 110 and the foreign matter removal rollers 331 and 332, the direction in which the target 110 moves and the direction in which the foreign matter removal rollers 331 and 332 move are opposite, thereby removing the foreign matter. The removal effect can be improved. Furthermore, the foreign matter removal effect can be increased by providing a plurality of irregularities on the surfaces of the foreign matter removal rollers 331 and 332.

이물질 제거 동작후에는, 구동원(310)에 의해 보유지지부재(320)가 역방향에 회전하고, 이물질 제거 롤러(331, 332)는 2개의 타겟(110)로부터 떨어진 상태가 된다. 이렇게, 제거 장치(300)는, 이물질 제거 롤러(331, 332)를 타겟(110)에 대하여 접근·이격 시키는 접근 이격 기구를 구비하는 장치이다. 한편, 도 1, 2에 있어서는, 타겟(110)과 이물질 제거 롤러(331, 332)에 대해서, 양자가 이격한 상태를 실선으로 나타내고, 양자가 접한 상태를 점선으로 나타내고 있다. After the foreign matter removal operation, the holding member 320 is rotated in the reverse direction by the drive source 310, and the foreign matter removal rollers 331 and 332 are separated from the two targets 110. In this way, the removal device 300 is a device equipped with an approach and separation mechanism that moves the foreign matter removal rollers 331 and 332 toward and away from the target 110. Meanwhile, in FIGS. 1 and 2, the state in which the target 110 and the foreign matter removal rollers 331 and 332 are spaced apart is shown with a solid line, and the state in which they are in contact with each other is shown with a dotted line.

본 실시예에 관한 타겟(110)에 있어서는, 그 회전중심 축선방향의 양단이 비침식부가 되고 있다. 이물질 제거시에는, 이물질 제거 롤러(331, 332)가 양단의 비침식부에 접촉함으로써, 이들 양단의 비침식부에 퇴적된 이물질이 제거된다. In the target 110 according to this embodiment, both ends in the direction of the rotation center axis are non-eroded areas. When removing foreign matter, the foreign matter removal rollers 331 and 332 contact the non-eroded portions at both ends, so that the foreign substances deposited on the non-eroded portions at both ends are removed.

<성막 방법> <Method of tabernacle>

스퍼터 장치(1)에 의한 성막 방법(스퍼터링)에 대해서 공정순으로 설명한다. 먼저, 챔버(10)내에서, 구동장치(200)에 의해, 타겟(110)을 대향 영역 S2안으로 이동시키면서 스퍼터링이 행하여진다. 그리고, 이물질을 제거하는 때는, 구동장치(200)에 의해, 타겟(110)을 비대향 영역 S1로 이동시킨다. 그 후, 비대향 영역 S1에서, 챔버(10)내에 배치된 제거 장치(300)에 설치된 이물질 제거 롤러(331, 332)에 의해, 2개의 타겟(110)에 있어서의 스퍼터에 기여하지 않는 비침식부에 퇴적된 이물질이 제거된다. 한편, 일련의 동작은, 스퍼터 장치(1)의 동작을 제어하는 제어장치(미도시)에 의해 행하여진다. 단, 제거 장치(300)에 있어서의 보유지지부재(320)를 회전시키는 동작 등에 대해서는, 챔버(10)의 외부에서 작업자가 수동으로 행하게 구성할 수도 있다. 또한, 이물질의 제거는, 타겟(110)이 1왕복할 때마다 행하도록 해도 되고, 소정 회수 왕복할 때마다 행하도록 해도 되고, 제거를 행하는 빈도는 적당히 설정할 수 있다. The film forming method (sputtering) using the sputtering device 1 will be explained in process order. First, sputtering is performed within the chamber 10 while moving the target 110 into the opposing area S2 by the driving device 200. Then, when removing foreign substances, the target 110 is moved to the non-opposing area S1 by the driving device 200. Thereafter, in the non-opposing area S1, the non-eroded portions that do not contribute to sputtering in the two targets 110 are removed by the foreign matter removal rollers 331 and 332 installed in the removal device 300 disposed in the chamber 10. Foreign matter deposited in is removed. Meanwhile, a series of operations are performed by a control device (not shown) that controls the operation of the sputtering device 1. However, the operation of rotating the holding member 320 in the removal device 300 may be performed manually by an operator outside the chamber 10. In addition, the removal of foreign matter may be performed each time the target 110 reciprocates, or may be performed every predetermined number of reciprocations, and the frequency of removal can be set appropriately.

본 실시예에 관한 스퍼터 장치(1)에 의하면, 제거 부재로서의 이물질 제거 롤러(331, 332)에 의해, 타겟(110)에 있어서의 비침식부에 퇴적된 이물질이 제거된다. 이에 의해, 챔버(10)을 개방하지 않고, 이물질의 제거가 가능해진다. 따라서, 타겟(110)로부터 이물질을 제거하는 작업성을 향상시키고, 동시에, 제거 시간의 단축화를 도모할 수 있다. According to the sputtering device 1 according to this embodiment, foreign matter deposited in the non-eroded portion of the target 110 is removed by the foreign matter removal rollers 331 and 332 as removal members. This makes it possible to remove foreign substances without opening the chamber 10. Accordingly, the workability of removing foreign substances from the target 110 can be improved, and at the same time, the removal time can be shortened.

(실시예2) (Example 2)

도 5에는, 본 발명의 실시예 2가 나타내어져 있다. 본 실시예에 있어서는, 타겟 및 제거 장치의 구성이 상기 실시예 1과는 다른 구성을 나타낸다. 기타의 구성 및 작용에 대해서는 실시예 1과 동일하므로, 동일한 구성 부분에 대해서는 동일한 부호를 붙이고, 그 설명은 적당히 생략한다. Figure 5 shows Example 2 of the present invention. In this embodiment, the configuration of the target and removal device is different from that of Embodiment 1 above. Since the other structure and operation are the same as those of Example 1, the same reference numerals are given to the same components, and the description thereof is omitted as appropriate.

도 5는 본 발명의 실시예 2에 관한 스퍼터 장치의 내부구성을 단면적으로 본 개략구성도 중 특징적인 구성을 중심으로 나타낸 도이며, 실시예 1과 다른 구성을 중심으로 나타내며, 실시예 1과 동일한 구성에 대해서는, 일부의 구성을 제외하고, 생략해서 나타내고 있다. Figure 5 is a cross-sectional schematic diagram showing the internal configuration of the sputtering device according to Example 2 of the present invention, focusing on the characteristic configuration, focusing on the configuration different from Example 1, and showing the same configuration as Example 1. The configuration is omitted except for some configurations.

본 실시예에 관한 스퍼터 장치(1A)에 있어서는, 타겟 유닛(100A)을 구성하는 타겟(110A)은, 그 회전 중심축선 방향으로 늘어서게 설치되는 복수의 타겟편(111A)을 구비하고 있다. In the sputtering device 1A according to the present embodiment, the target 110A constituting the target unit 100A is provided with a plurality of target pieces 111A arranged in a line in the rotation center axis direction.

그리고, 본 실시예에 관한 제거 장치(300A)는, 모터 등을 구비하는 구동원(310A)와, 구동원(310A)에 의해 일정 범위내에서 회전하게 구성되는 보유지지부재(320A)와, 보유지지부재(320A)에 의해 회전 가능하게 축지지 되는 제거 부재로서의 이물질 제거 롤러(330A)를 구비하고 있다. 이물질 제거 롤러(330A)는, 타겟(110A)의 회전중심 축선방향의 양단 비침식부에 퇴적된 이물질을 제거하는 제거부(331A)와, 복수의 타겟편(111A)에 있어서의 이웃하는 타겟편(111A)끼리의 간극(112A)에 퇴적하는 이물질을 제거하는 보조 제거부(332A)를 구비하고 있다. And, the removal device 300A according to the present embodiment includes a drive source 310A including a motor, a holding member 320A configured to rotate within a certain range by the driving source 310A, and a holding member 320A. It is provided with a foreign matter removal roller 330A as a removal member rotatably supported by 320A. The foreign matter removal roller 330A includes a removal unit 331A for removing foreign matter deposited on non-eroded portions at both ends in the rotation center axial direction of the target 110A, and adjacent target pieces in the plurality of target pieces 111A ( An auxiliary removal unit 332A is provided to remove foreign substances deposited in the gap 112A between 111A).

이상과 같이, 복수의 타겟편(111A)을 구비하는 타겟(110A)이 채용될 경우에는, 본 실시예에서 나타낸 이물질 제거 롤러(330A)를 채용함으로써, 이웃하는 타겟편(111A)끼리의 간극(112A)에 퇴적되는 이물질도 제거할 수 있다. 한편, 본실시예에 있어서도, 상기 실시예 1과 마찬가지의 효과가 얻어진다. As described above, when the target 110A having a plurality of target pieces 111A is adopted, the foreign matter removal roller 330A shown in this embodiment is adopted, so that the gap between the neighboring target pieces 111A ( Foreign substances deposited in 112A) can also be removed. On the other hand, also in this embodiment, the same effect as in Example 1 is obtained.

(실시예3)(Example 3)

도 6에는, 본 발명의 실시예 3이 나타내어져 있다. 본실시예에 있어서는, 제거 장치의 구성이 상기 실시예 1과는 다른 구성을 나타낸다. 기타의 구성 및 작용에 대해서는 실시예 1과 동일하므로, 동일한 구성 부분에 대해서는 동일한 부호를 붙이고, 그 설명은 적당히 생략한다. Figure 6 shows Example 3 of the present invention. In this embodiment, the configuration of the removal device is different from that of Embodiment 1 above. Since the other structure and operation are the same as those of Example 1, the same reference numerals are given to the same components, and the description thereof is omitted as appropriate.

도 6은 본 발명의 실시예 3에 관한 스퍼터 장치의 내부구성을 단면적으로 본 개략구성도 중 특징적인 구성을 중심으로 나타낸 도면이며, 실시예 1과 다른 구성을 중심으로 나타내고, 실시예 1과 동일한 구성에 대해서는, 일부의 구성을 제외하고, 생략해서 나타내고 있다. Figure 6 is a cross-sectional schematic diagram showing the internal structure of the sputtering device according to Example 3 of the present invention, focusing on the characteristic configuration, focusing on the configuration different from Example 1, and showing the same configuration as Example 1. The configuration is omitted except for some configurations.

상기 실시예에 있어서는, 제거 장치(300)가, 타겟(110)의 이동 범위 S0의 외측에 배치되고, 이물질 제거 롤러(331, 332)을 보유지지하는 보유지지부재(320)는, 타겟(110)의 회전 중심축선과 평행한 축을 중심으로 회전하게 구성될 경우를 나타내었다. 이에 대하여, 본 실시예에 관한 스퍼터 장치(1B)에 있어서, 제거 장치(300B)는, 타겟(110)이 비대향 영역 S1에 위치한 상태에서, 타겟(110)의 양측 위치에 설치되게 구성되어 있다. 본 실시예에 관한 제거 장치(300B)에 있어서도, 모터 등을 구비하는 구동원(310B)와, 구동원(310B)에 의해 일정 범위내에서 회전하게 구성되는 보유지지부재(320B)와, 보유지지부재(320B)에 의해 회전 가능하게 축지지 되는 제거 부재로서의 이물질 제거 롤러(330B)를 구비하고 있다. 본 실시예에 관한 보유지지부재(320B)는, 타겟(110)의 왕복 이동 방향과 평행한 축을 중심으로 회전하게 구성되어 있다. In the above embodiment, the removal device 300 is disposed outside the movement range S0 of the target 110, and the holding member 320 holding the foreign matter removal rollers 331 and 332 is positioned at the target 110. ) shows a case where it is configured to rotate around an axis parallel to the central axis of rotation. In contrast, in the sputtering device 1B according to this embodiment, the removal device 300B is configured to be installed at positions on both sides of the target 110 with the target 110 located in the non-opposing area S1. . Also in the removal device 300B according to this embodiment, a drive source 310B including a motor, etc., a holding member 320B configured to rotate within a certain range by the drive source 310B, and a holding member ( It is provided with a foreign matter removal roller 330B as a removal member that is rotatably supported by 320B). The holding member 320B according to this embodiment is configured to rotate around an axis parallel to the reciprocating movement direction of the target 110.

이렇게 구성되는 제거 장치(300B)를 채용했을 경우에 있어서도, 상기 실시예 1과 마찬가지의 효과가 얻어진다. Even when the removal device 300B configured in this way is adopted, the same effect as in Example 1 is obtained.

<전자 디바이스의 제조 장치> <Electronic device manufacturing equipment>

상기 각 실시예에서 나타낸 스퍼터 장치(1, 1A, 1B)는, 전자 디바이스를 제조하기 위한 제조 장치로서 이용가능하다. 이하, 전자 디바이스의 제조 장치,및, 전자 디바이스의 제조 장치에 의해 제조되는 전자 디바이스에 대해서, 도 7을 참조해서 설명한다. 스퍼터 장치(1, 1A, 1B)는, 반도체디바이스, 자기 디바이스, 전자 부품 등의 각종 전자 디바이스나, 광학 부품 등의 제조에 있어서 기판(P)상 (기판(P)의 표면에 적층체가 형성되어 있는 것도 포함한다)에 박막(유기막, 금속막, 금속산화물 막 등)을 퇴적 형성하기 위해서 사용할 수 있다. 보다 구체적으로는, 스퍼터 장치(1, 1A, 1B)는, 발광소자나 광전변환소자, 터치 패널 등의 전자 디바이스의 제조에 있어서 바람직하게 사용된다. 그 중에서도, 본 실시예에 관한 스퍼터 장치(1, 1A, 1B)는, 유기 EL(ElectroLuminescence)소자 등의 유기 발광 소자나, 유기 박막태양전지 등의 유기 광전 변환소자의 제조에 있어서 특히 바람직하게 적용가능하다. 한편, 전자 디바이스는, 발광소자를 구비한 표시장치 (예를 들면 유기 EL 표시장치)이나 조명 장치 (예를 들면 유기 EL 조명 장치), 광전변환소자를 구비한 센서 (예를 들면 유기CMOS이미지 센서)도 포함하는 것이다. The sputtering devices 1, 1A, and 1B shown in each of the above embodiments can be used as manufacturing equipment for manufacturing electronic devices. Hereinafter, the electronic device manufacturing apparatus and the electronic device manufactured by the electronic device manufacturing apparatus will be described with reference to FIG. 7. The sputtering devices 1, 1A, 1B are used on a substrate P (a laminate is formed on the surface of the substrate P) in the manufacture of various electronic devices such as semiconductor devices, magnetic devices, electronic components, optical components, etc. It can be used to deposit and form a thin film (organic film, metal film, metal oxide film, etc.) (including existing ones). More specifically, the sputtering devices 1, 1A, and 1B are preferably used in the manufacture of electronic devices such as light-emitting elements, photoelectric conversion elements, and touch panels. Among them, the sputtering devices 1, 1A, and 1B according to this embodiment are particularly preferably applied in the production of organic light-emitting devices such as organic EL (ElectroLuminescence) devices and organic photoelectric conversion devices such as organic thin-film solar cells. possible. On the other hand, electronic devices include display devices (for example, organic EL display devices) or lighting devices (for example, organic EL lighting devices) with light-emitting elements, and sensors (for example, organic CMOS image sensors) with photoelectric conversion elements. ) also includes.

전자 디바이스의 제조 장치에 의해 제조되는 유기 EL 소자의 일 예를 도 7에 나타내고 있다. 도시의 유기 EL 소자는, 기판(P)위에, 양극(F1), 정공주입층(F2), 정공수송층(F3), 유기발광층(F4), 전자수송층(F5), 전자주입층(F6), 음극(F7)의 순서대로 성막되어 있다. 본 실시예에 관한 스퍼터 장치(1, 1A, 1B)는, 특히, 유기막상에, 스퍼터링에 의해, 전자주입층이나 전극(음극이나 양극)에 사용되는 금속막이나 금속산화물 등의 적층 피막을 성막할 때에 바람직하게 사용된다. 또한, 유기막상에의 성막에 한정되지 않고, 금속재료나 산화물재료 등의 스퍼터에서 성막가능한 재료의 조합이라면, 다양한 면에 적층 성막이 가능하다. An example of an organic EL element manufactured by an electronic device manufacturing apparatus is shown in FIG. 7. The organic EL device shown has an anode (F1), a hole injection layer (F2), a hole transport layer (F3), an organic light-emitting layer (F4), an electron transport layer (F5), an electron injection layer (F6), and an anode (F1) on a substrate (P). The film is formed in the order of the cathode (F7). The sputtering device 1, 1A, 1B according to the present embodiment, in particular, forms a laminated film of a metal film or metal oxide used for an electron injection layer or an electrode (cathode or anode) on an organic film by sputtering. It is preferably used when In addition, it is not limited to film formation on an organic film, and lamination film formation on various surfaces is possible as long as it is a combination of materials that can be filmed by sputtering, such as metal materials and oxide materials.

(기타) (etc)

상기 각 실시예에 있어서는, 이물질을 제거하는 제거 부재가 이물질 제거 롤러인 경우를 나타내었다. 그러나, 본 발명에 관한 제거 부재는, 이물질 제거 롤러에 한하지 않고, 브러쉬 형상의 부재 등, 각종의 구성을 채용할 수 있다.In each of the above examples, the case where the removal member for removing foreign matter is a foreign matter removal roller is shown. However, the removal member according to the present invention is not limited to a foreign matter removal roller, and various structures such as a brush-shaped member can be adopted.

1 스퍼터 장치
10 챔버
100 타겟 유닛
110 타겟
200 구동장치
230 이동 기구
300 제거 장치
331, 332 이물질 제거 롤러
S1 비대향 영역
S2 대향 영역
1 Sputter device
10 chamber
100 target units
110 target
200 driving device
230 mobile device
300 removal device
331, 332 Foreign matter removal roller
S1 non-opposed region
S2 opposing area

Claims (8)

스퍼터링에 의해, 스퍼터링 시에 회전하는 원통 형상의 타겟의 구성 원자에 의한 박막을 기판상에 형성하는 스퍼터 장치로서,
상기 기판이 배치되는 챔버와,
상기 챔버내에서, 상기 타겟을 상기 기판과 대향하는 대향 영역과 상기 기판과 대향하지 않는 비대향 영역으로 이동시키는 이동 기구와,
상기 타겟이 상기 비대향 영역으로 이동한 상태에서, 상기 타겟에 퇴적된 이물질을 제거하는 제거 부재를 구비하는 것을 특징으로 하는 스퍼터 장치.
A sputtering device that forms a thin film on a substrate by sputtering from constituent atoms of a cylindrical target that rotates during sputtering,
a chamber in which the substrate is placed,
a moving mechanism that moves the target within the chamber to an opposing area that faces the substrate and a non-opposing area that does not face the substrate;
A sputtering device comprising a removal member that removes foreign substances deposited on the target when the target moves to the non-opposing area.
제1항에 있어서,
이물질 제거시에는, 상기 타겟이 회전하는 상태에서, 상기 제거 부재가 상기 타겟에 접촉되어 있는 것을 특징으로 하는 스퍼터 장치.
According to paragraph 1,
When removing foreign matter, a sputtering device wherein the removal member is in contact with the target while the target is rotating.
제2항에 있어서,
상기 제거 부재는, 상기 타겟의 회전에 종동 회전하는 롤러인 것을 특징으로 하는 스퍼터 장치.
According to paragraph 2,
The sputtering device is characterized in that the removal member is a roller that rotates in response to the rotation of the target.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제거 부재를 상기 타겟에 대하여 접근·이격시키는 접근 이격 기구를 구비하는 것을 특징으로 하는 스퍼터 장치.
According to any one of claims 1 to 3,
A sputtering device comprising an approach and separation mechanism that approaches and separates the removal member from the target.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 타겟에 있어서의 회전중심 축선방향의 양단이 비침식부로 되어 있고, 이물질 제거시에는, 상기 제거 부재가 양단의 상기 비침식부에 접촉하고 있는 것을 특징으로 하는 스퍼터 장치.
According to any one of claims 1 to 3,
A sputtering device, wherein both ends of the target in the direction of the rotation center axis are non-eroded portions, and when removing foreign matter, the removal member is in contact with the non-eroded portions at both ends.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 타겟은, 상기 타겟의 회전중심 축선 방향으로 늘어서게 설치되는 복수의 타겟편을 구비하고,
상기 제거 부재는, 상기 복수의 타겟편에 있어서의 이웃하는 타겟편끼리의 간극에 퇴적하는 이물질을 제거하는 보조 제거부를 구비하는 것을 특징으로 하는 스퍼터 장치.
According to any one of claims 1 to 3,
The target has a plurality of target pieces arranged in a row in the direction of the rotation center axis of the target,
A sputtering device characterized in that the removal member includes an auxiliary removal part that removes foreign matter deposited in gaps between neighboring target pieces in the plurality of target pieces.
스퍼터링에 의해, 스퍼터링 시에 회전하는 원통 형상의 타겟의 구성 원자에 의한 박막을 기판상에 형성하는 성막 방법으로서,
챔버내에서, 상기 타겟을 상기 기판과 대향하는 대향 영역내에서 이동시키면서 스퍼터링을 행하는 공정과,
상기 챔버내에서, 상기 타겟을 상기 기판과 대향하지 않는 비대향 영역으로 이동시키는 공정과,
상기 비대향 영역에서, 상기 챔버내에 설치된 제거 부재에 의해, 상기 타겟에 퇴적된 이물질을 제거하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 성막 방법.
A film formation method for forming a thin film on a substrate by sputtering from constituent atoms of a cylindrical target that rotates during sputtering, comprising:
In a chamber, sputtering is performed while moving the target in an opposing area facing the substrate;
A process of moving the target within the chamber to a non-facing area that does not face the substrate;
and removing foreign matter deposited on the target in the non-opposing area using a removal member installed in the chamber.
제7항에 있어서,
상기 타겟을 회전시키면서 상기 제거 부재를 상기 타겟에 접촉시킴으로써, 이물질을 제거하는 것을 특징으로 하는 성막 방법.
In clause 7,
A film forming method characterized in that foreign substances are removed by rotating the target and bringing the removal member into contact with the target.
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