KR20200030157A - 유기 전계 발광 소자 및 유기 전계 발광 소자용 아민 화합물 - Google Patents

유기 전계 발광 소자 및 유기 전계 발광 소자용 아민 화합물 Download PDF

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Abstract

일 실시예의 유기 전계 발광 소자는 제1 전극, 제1 전극 상에 배치되고 하기 화학식 1로 표시되는 아민 화합물을포함하는 정공 수송 영역, 정공 수송 영역 상에 배치된 발광층, 발광층 상에 배치된 전자 수송 영역 및 전자 수송 영역 상에 배치된 제2 전극을 포함하여, 개선된 소자 효율과 수명 특성을 나타낼 수 있다.
[화학식 1]
Figure pat00176

Description

유기 전계 발광 소자 및 유기 전계 발광 소자용 아민 화합물{ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE DEVICE AND AMINE COMPOUND FOR ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE DEVICE}
본 발명은 아민 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자에 대한 것이며, 보다 상세하게는 정공 수송 영역에 사용되는 아민 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자에 대한 것이다.
최근, 영상 표시 장치로서, 유기 전계 발광 표시 장치(Organic Electroluminescence Display)의 개발이 왕성하게 이루어져 왔다. 유기 전계 발광 표시 장치는 액정 표시 장치 등과는 다르고, 제1 전극 및 제2 전극으로부터 주입된 정공 및 전자를 발광층에 있어서 재결합시킴으로써, 발광층에 있어서 유기 화합물을 포함하는 발광 재료를 발광시켜서 표시를 실현하는 소위 자발광형의 표시 장치이다.
유기 전계 발광 소자를 표시 장치에 응용함에 있어서는, 유기 전계 발광 소자의 저 구동 전압화, 고 발광 효율화 및 장수명화가 요구되고 있으며, 이를 안정적으로 구현할 수 있는 유기 전계 발광 소자용 재료 개발이 지속적으로 요구되고 있다.
또한, 고효율 유기 전계 발광 소자를 구현하기 위해 발광층의 엑시톤 에너지의 확산 등을 억제하기 위한 정공 수송층의 재료에 대한 개발이 진행되고 있다.
본 발명의 목적은 발광 효율 및 소자 수명을 개선할 수 있는 유기 전계 발광 소자용 재료인 아민 화합물을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 페나자실린(phenazasiline)을 포함한 아민 화합물을 포함하여 발광 효율 및 수명 특성이 개선된 유기 전계 발광 소자를 제공하는 것이다.
일 실시예는 하기 화학식 1로 표시되는 아민 화합물을 제공한다.
[화학식 1]
Figure pat00001
상기 화학식 1에서, R1은 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 6 이상 40 이하의 아릴기이고, R2 및 R3은 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 6 이상 40 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 2 이상 40 이하의 헤테로아릴기이며, R4 내지 R11은 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 6 이상 40 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 40 이하의 헤테로아릴기이거나, 또는 인접하는 기와 서로 결합하여 고리를 형성한다. 화학식 1에서, Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 6 이상 40 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 2 이상 40 이하의 헤테로아릴기이고, L은 직접 결합, 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴렌기이며, n은 0 이상 4 이하의 정수이다.
상기 화학식 1은 하기 화학식 1-1 또는 화학식 1-2로 표시될 수 있다.
[화학식 1-1]
Figure pat00002
[화학식 1-2]
Figure pat00003
상기 화학식 1-1 및 화학식 1-2에서, R1 내지 R11, Ar1, Ar2, L, 및 n은 상기 화학식 1에서 정의한 바와 동일하다.
상기 화학식 1은 하기 화학식 2-1 또는 화학식 2-2로 표시될 수 있다.
[화학식 2-1]
Figure pat00004
[화학식 2-2]
Figure pat00005
상기 화학식 2-1 및 화학식 2-2에서, X 및 Y는 각각 독립적으로, 고리형성 탄소수 6 이상 40 이하의 탄화수소 고리, 또는 고리형성 탄소수 2 이상 40 이하의 헤테로 고리이고, R12 및 R13은 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 40 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 40 이하의 헤테로아릴기이며, p 및 q는 각각 독립적으로, 0 이상 3 이하의 정수이고, R1 내지 R11, Ar1, Ar2, L, 및 n은 상기 화학식 1에서 정의한 바와 동일하다.
상기 화학식 2-1 및 상기 화학식 2-2는 각각 하기 화학식 2-1A 및 하기 화학식 2-2A로 표시될 수 있다.
[화학식 2-1A]
Figure pat00006
[화학식 2-2A]
Figure pat00007
상기 화학식 2-1A 및 화학식 2-2A에서, R12 및 p는 상기 화학식 2-1에서 정의한 바와 동일하고, R13 및 q는 상기 화학식 2-2에서 정의한 바와 동일하며, R1 내지 R11, Ar1, Ar2, L, 및 n은 상기 화학식 1에서 정의한 바와 동일하다
화학식 1에서, R1은 비치환된 페닐기일 수 있다.
화학식 1에서, R2 및 R3은 각각 독립적으로, 비치환된 페닐기, 비치환된 디벤조퓨라닐기, 또는 비치환된 디벤조티오페닐기일 수 있다.
상기 화학식 1에서, R2 및 R3은 동일한 것일 수 있다.
화학식 1에서, Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 나프닐기, 치환 또는 비치환된 페난트렌기, 치환 또는 비치환된 비페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 벤조퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 벤조티오페닐기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐기, 치환 또는 비치환된 피리디닐기, 치환 또는 비치환된 퀴노리닐기, 또는 치환 또는 비치환된 플루오레닐기일 수 있다.
화학식 1에서, L은 직접 결합, 치환 또는 비치환된 페닐렌기, 치환 또는 비치환된 2가의 디벤조퓨란일 수 있다.
다른 실시예는 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 배치되고 상술한 일 실시예의아민 화합물을 포함하는 정공 수송 영역; 상기 정공 수송 영역 상에 배치된 발광층; 상기 발광층 상에 배치된 전자 수송 영역; 및 상기 전자 수송 영역 상에 배치된 제2 전극; 을 포함하는 유기 전계 발광 소자를 제공한다.
상기 정공 수송 영역은 상기 제1 전극과 상기 발광층 사이에 배치된 정공 주입층 및 상기 정공 주입층과 상기 발광층 사이에 배치된 정공 수송층을 포함하고, 상기 정공 수송층은 상술한 일 실시예의 아민 화합물을 포함할 수 있다.
상기 발광층은 하기 화학식 3으로 표시되는 안트라센 유도체를 포함할 수 있다.
[화학식 3]
Figure pat00008
상기 화학식 3에서, R21 내지 R30은 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이거나, 또는 인접하는 기와 서로 결합하여 고리를 형성하고, c 및 d는 각각 독립적으로 0 이상 5 이하의 정수이다.
일 실시예의 아민 화합물은 유기 전계 발광 소자의 발광 효율 및 소자 수명을 개선할 수 있다.
일 실시예의 유기 전계 발광 소자는 정공 수송 영역에 일 실시예의 아민 화합물을 포함하여 고효율 및 장수명 특성을 나타낼 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "상에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
본 명세서에서, -* 는 연결되는 위치를 의미한다.
본 명세서에서, "치환 또는 비치환된"은 중수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 실릴기, 붕소기, 포스핀 옥사이드기, 포스핀 설파이드기, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 아릴옥시기, 알킬티오기, 아릴티오기, 탄화수소 고리기, 아릴기 및 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택되는 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 것을 의미할 수 있다. 또한, 상기 예시된 치환기 각각은 치환 또는 비치환된 것일 수 있다. 예를 들어, 비페닐기는 아릴기로 해석될 수도 있고, 페닐기로 치환된 페닐기로 해석될 수도 있다.
본 명세서에서, 할로겐 원자의 예로는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자 또는 요오드 원자가 있다.
본 명세서에서, 알킬기는 직쇄, 분지쇄 또는 고리형일 수 있다. 알킬기의 탄소수는 1 이상 50 이하, 1 이상 30 이하, 1 이상 20 이하, 1 이상 10 이하 또는 1 이상 6 이하이다. 알킬기의 예로는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, s-부틸기, t-부틸기, i-부틸기, 2- 에틸부틸기, 3, 3-디메틸부틸기, n-펜틸기, i-펜틸기, 네오펜틸기, t-펜틸기, 시클로펜틸기, 1-메틸펜틸기, 3-메틸펜틸기, 2-에틸펜틸기, 4-메틸-2-펜틸기, n-헥실기, 1-메틸헥실기, 2-에틸헥실기, 2-부틸헥실기, 시클로헥실기, 4-메틸시클로헥실기, 4-t-부틸시클로헥실기, n-헵틸기, 1-메틸헵틸기, 2,2-디메틸헵틸기, 2-에틸헵틸기, 2-부틸헵틸기, n-옥틸기, t-옥틸기, 2-에틸옥틸기, 2-부틸옥틸기, 2-헥실옥틸기, 3,7-디메틸옥틸기, 시클로옥틸기, n-노닐기, n-데실기, 아다만틸기, 2-에틸데실기, 2-부틸데실기, 2-헥실데실기, 2-옥틸데실기, n-운데실기, n-도데실기, 2-에틸도데실기, 2-부틸도데실기, 2-헥실도데실기, 2-옥틸도데실기, n-트리데실기, n-테트라데실기, n-펜타데실기, n-헥사데실기, 2-에틸헥사데실기, 2-부틸헥사데실기, 2-헥실헥사데실기, 2-옥틸헥사데실기, n-헵타데실기, n-옥타데실기, n-노나데실기, n-이코실기, 2-에틸이코실기, 2-부틸이코실기, 2-헥실이코실기, 2-옥틸이코실기, n-헨이코실기, n-도코실기, n-트리코실기, n-테트라코실기, n-펜타코실기, n-헥사코실기, n-헵타코실기, n-옥타코실기, n-노나코실기, 및 n-트리아콘틸기 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에서, 탄화수소 고리는 지방족 탄화수소 고리 또는 방향족 탄화수소 고리를 의미하는 것일 수 있다. 탄화수소 고리는 헤테로 원자를 포함하지 않으며 고리형성 탄소수 5 이상 60 이하의 고리일 수 있다. 탄화수소 고리는 단환 고리 또는 다환 고리일 수 있다.
본 명세서에서, 헤테로고리는 지방족 헤테로고리 및 방향족 헤테로고리를 포함한다. 헤테로고리는 단환 또는 다환 고리일 수 있다. 헤테로고리는 적어도 하나의 헤테로 원자를 고리형성 원자로 포함하며, 헤테로고리의 고리 형성 탄소수 2 이상 60 이하일 수 있다.
본 명세서에서, 아릴기는 방향족 탄화수소 고리로부터 유도된 임의의 작용기 또는 치환기를 의미한다. 아릴기는 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있다. 아릴기의 고리 형성 탄소수는 6 이상 30 이하, 6 이상 20 이하, 또는 6 이상 15 이하일 수 있다. 아릴기의 예로는 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 안트라세닐기, 페난트릴기, 바이페닐기, 터페닐기, 쿼터페닐기, 퀸크페닐기, 섹시페닐기, 트리페닐에닐기, 피레닐기, 벤조 플루오란테닐기, 크리세닐기 등을 예시할 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에서, 플루오레닐기는 치환될 수 있고, 치환기 2개가 서로 결합하여 스피로 구조를 형성할 수도 있다. 플루오레닐기가 치환되는 경우의 예시는 하기와 같다. 다만, 이에 의하여 한정되는 것은 아니다.
Figure pat00009
Figure pat00010
Figure pat00011
Figure pat00012
본 명세서에서, 헤테로아릴기는 이종 원소로 O, N, P, Si 및 S 중 1개 이상을 포함하는 헤테로아릴기일 수 있다. 헤테로아릴기의 고리 형성 탄소수는 2 이상 30 이하 또는 2 이상 20 이하이다. 헤테로아릴기는 단환식 헤테로아릴기 또는 다환식 헤테로아릴기일 수 있다. 다환식 헤테로아릴기는 예를 들어, 2환 또는 3환 구조를 갖는 것일 수 있다. 헤테로아릴기의 예로는　티오펜기,　퓨란기,　피롤기,　이미다졸기,　티아졸기,　옥사졸기,　옥사디아졸기,　트리아졸기,　피리딘기,　비피리딘기,　피리미딘기,　트리아진기,　트리아졸기,　아크리딜기,　피리다진기,　피라지닐기, 퀴놀린기,　퀴나졸린기,　퀴녹살린기,　페녹사진기,　프탈라진기,　피리도 피리미딘기,　피리도 피라진기,　피라지노 피라진기,　이소퀴놀린기,　인돌기,　카바졸기, N-아릴카바졸기, N-헤테로아릴카바졸기, N-알킬카바졸기,　벤조옥사졸기,　벤조이미다졸기,　벤조티아졸기,　벤조카바졸기,　벤조티오펜기,　디벤조티오펜기,　티에노티오펜기,　벤조퓨란기,　페난트롤린기,　티아졸기,　이소옥사졸기,　옥사디아졸기,　티아디아졸기,　페노티아진기,　디벤조실롤기 및 디벤조퓨란기 등이 있으나,　이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에서, 실릴기는 알킬실릴기 및 아릴실릴기를 포함한다. 실릴기의 예로는 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, t-부틸디메틸실릴기, 비닐디메틸실릴기, 프로필디메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 디페닐실릴기, 페닐실릴기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에서, 옥시기는 알콕시기 및 아릴옥시기를 포함할 수 있다. 알콕시기는 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄일 수 있다. 알콕시기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어 1 이상 20 이하 또는 1 이상 10 이하인 것일 수 있다. 알콕시기의 예로는 메톡시, 에톡시, n-프로폭시, 이소프로폭시, 부톡시, 펜틸옥시, 헥실옥시, 옥틸옥시, 노닐옥시, 데실옥시 등이 있으나, 이들에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에서, 아릴 옥시기 중에서, 아릴기는 전술한 아릴기의 예시와 같다. 아릴 옥시기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어 고리형성 탄소수 6 이상 30 이하인 것일 수 있다. 예를 들어, 아릴 옥시기는 벤질옥시기일 수 있다.
본 명세서에서, "인접하는 기와 서로 결합하여 고리를 형성"한다는 인접하는 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄화수소 고리, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로 고리를 형성하는 것을 의미할 수 있다. 탄화수소 고리는 지방족 탄화수소 고리 및 방향족 탄화수소 고리를 포함한다. 헤테로 고리는 지방족 헤테로 고리 및 방향족 헤테로 고리를 포함한다. 인접하는 기와 서로 결합하여 형성된 고리는 단환 또는 다환일 수 있다. 또한, 서로 결합하여 형성된 고리는 다른 고리와 연결되어 스피로 구조를 형성하는 것일 수도 있다.
본 명세서에서, "인접하는 기"는 해당 치환기가 치환된 원자와 직접 연결된 원자에 치환된 치환기, 해당 치환기가 치환된 원자에 치환된 다른 치환기 또는 해당 치환기와 입체구조적으로 가장 인접한 치환기를 의미할 수 있다. 예컨대, 1,2-디메틸벤젠(1,2-dimethylbenzene)에서 2개의 메틸기는 서로 "인접하는 기"로 해석될 수 있고, 1,1-디에틸시클로펜테인(1,1-diethylcyclopentene)에서 2개의 에틸기는 서로 "인접하는 기"로 해석될 수 있다.
이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자 및 이에 포함된 일 실시예의 아민 화합물에 대하여 설명한다.
도 1 내지 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 도 1 내지 도 3을 참조하면, 일 실시의 유기 전계 발광 소자(10)는 순차적으로 적층된 제1 전극(EL1), 정공 수송 영역(HTR), 발광층(EML), 전자 수송 영역(ETR), 및 제2 전극(EL2)을 포함할 수 있다.
제1 전극(EL1)과 제2 전극(EL2)은 서로 마주하고 배치되며, 제1 전극(EL1)과 제2 전극(EL2) 사이에는 복수의 유기층들이 배치될 수 있다. 복수의 유기층들은 정공 수송 영역(HTR), 발광층(EML), 및 전자 수송 영역(ETR)을 포함할 수 있다.
일 실시예의 유기 전계 발광 소자(10)는 제1 전극(EL1)과 제2 전극(EL2) 사이에 배치된 정공 수송 영역(HTR)에 일 실시예의 아민 화합물을 포함할 수 있다.
도 2는 도 1과 비교하여, 정공 수송 영역(HTR)이 정공 주입층(HIL) 및 정공 수송층(HTL)을 포함하고, 전자 수송 영역(ETR)이 전자 주입층(EIL) 및 전자 수송층(ETL)을 포함하는 일 실시예의 유기 전계 발광 소자(10)의 단면도를 나타낸 것이다. 또한, 도 3은 도 1과 비교하여 정공 수송 영역(HTR)이 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 및 전자 저지층(EBL)을 포함하고, 전자 수송 영역(ETR)이 전자 주입층(EIL), 전자 수송층(ETL), 및 정공 저지층(HBL)을 포함하는 일 실시예의 유기 전계 발광 소자(10)의 단면도를 나타낸 것이다. 한편, 일 실시예의 유기 전계 발광 소자(10)에서 정공 수송층(HTL)은 후술하는 일 실시예의 아민 화합물을 포함할 수 있다.
한편, 도면에 도시되지는 않았으나 일 실시예의 유기 전계 발광 소자(10)에서 정공 수송층(HTL)은 복수의 서브 정공 수송층들(미도시)을 포함할 수 있으며, 서브 정공 수송층들(미도시) 중 발광층(EML)에 인접한 서브 정공 수송층에 후술하는 일 실시예의 아민 화합물을 포함할 수 있다.
제1 전극(EL1)은 도전성을 갖는다. 제1 전극(EL1)은 금속 합금 또는 도전성 화합물로 형성될 수 있다. 제1 전극(EL1)은 애노드(anode)일 수 있다. 또한, 제1 전극(EL1)은 화소 전극일 수 있다. 제1 전극(EL1)은 투과형 전극, 반투과형 전극 또는 반사형 전극일 수 있다. 제1 전극(EL1)이 투과형 전극인 경우, 제1 전극(EL1)은 투명 금속 산화물, 예를 들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등을 포함할 수 있다. 제1 전극(EL1)이 반투과형 전극 또는 반사형 전극인 경우, 제1 전극(EL1)은 Ag, Mg, Cu, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Mo, Ti 또는 이들의 화합물이나 혼합물(예를 들어, Ag와 Mg의 혼합물)을 포함할 수 있다. 또는 상기 물질로 형성된 반사막이나 반투과막 및 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등으로 형성된 투명 도전막을 포함하는 복수의 층 구조일 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(EL1)은 ITO/Ag/ITO의 3층 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 전극(EL1)의 두께는 약 1000Å 내지 약 10000Å, 예를 들어, 약 1000Å 내지 약 3000Å일 수 있다.
정공 수송 영역(HTR)은 제1 전극(EL1) 상에 제공된다. 정공 수송 영역(HTR)은 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 정공 버퍼층(미도시), 및 전자 저지층(EBL) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
정공 수송 영역(HTR)은 단일 물질로 이루어진 단일층, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층 또는 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다.
예를 들어, 정공 수송 영역(HTR)은 정공 주입층(HIL) 또는 정공 수송층(HTL)의 단일층의 구조를 가질 수도 있고, 정공 주입 물질 및 정공 수송 물질로 이루어진 단일층 구조를 가질 수도 있다. 또한, 정공 수송 영역(HTR)은, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층의 구조를 갖거나, 제1 전극(EL1)로부터 차례로 적층된 정공 주입층(HIL)/정공 수송층(HTL), 정공 주입층(HIL)/정공 수송층(HTL)/정공 버퍼층(미도시), 정공 주입층(HIL)/정공 버퍼층(미도시), 정공 수송층(HTL)/정공 버퍼층, 또는 정공 주입층(HIL)/정공 수송층(HTL)/전자 저지층(EBL)의 구조를 가질 수 있으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
정공 수송 영역(HTR)은, 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법(Langmuir-Blodgett), 잉크젯 프린팅법, 레이저 프린팅법, 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging, LITI) 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 형성될 수 있다.
일 실시예의 유기 전계 발광 소자(10)에서 정공 수송 영역(HTR)은 하기 화학식 1로 표시되는 아민 화합물을 포함할 수 있다.
[화학식 1]
Figure pat00013
일 실시예의 아민 화합물은 페나자실린(
Figure pat00014
) 부분 및 아릴 아민 부분(
Figure pat00015
)을 포함하는 것일 수 있다.
화학식 1에서 R1은 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 6 이상 40 이하의 아릴기이고, R2 및 R3은 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 6 이상 40 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 2 이상 40 이하의 헤테로아릴기일 수 있다.
예를 들어, 화학식 1에서 R1은 치환 또는 비치환된 페닐기일 수 있다. 구체적으로, R1은 비치환된 페닐기일 수 있다.
화학식 1로 표시되는 일 실시예의 아민 화합물에서, R2 및 R3은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨라닐기, 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐기일 수 있다. 예를 들어, R2 및 R3은 각각 독립적으로 비치환된 페닐기, 비치환된 디벤조퓨라닐기, 또는 비치환된 디벤조티오페닐기일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
일 실시예의 아민 화합물에서, R2 및 R3은 동일한 것일 수 있다. 예를 들어, R2 및 R3은 모두 비치환된 페닐기이거나, R2 및 R3이 모두 비치환된 디벤조퓨라닐기이거나, 또는 R2 및 R3이 모두 비치환된 비치환된 디벤조티오페닐기일 수 있다. 한편, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 R2 및 R3은 서로 상이한 것일 수 있다.
화학식 1에서, R4 내지 R11은 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 6 이상 40 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 40 이하의 헤테로아릴기이거나, 또는 인접하는 기와 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다.
예를 들어, 화학식 1에 있어서, R4 내지 R11 중 이웃하는 기들은 서로 결합하여 탄화수소 고리 또는 헤테로고리를 형성할 수 있다. R4 내지 R11 중 이웃하는 기들은 페나자실린(
Figure pat00016
) 부분과 결합하여 축합환을 형성할 수 있다.
또한, 일 실시예에서 화학식 1의 R4 내지 R11는 수소 원자일 수 있다.
화학식 1로 표시되는 아민 화합물에서 Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 6 이상 40 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 2 이상 40 이하의 헤테로아릴기일 수 있다. 일 실시예의 아민 화합물에서 Ar1 및 Ar2는 동일하거나 서로 상이한 것일 수 있다.
예를 들어, 일 실시예의 아민 화합물에서 Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 나프닐기, 치환 또는 비치환된 페난트렌기, 치환 또는 비치환된 비페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 벤조퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 벤조티오페닐기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐기, 치환 또는 비치환된 피리디닐기, 치환 또는 비치환된 퀴노리닐기, 또는 치환 또는 비치환된 플루오레닐기일 수 있다.
구체적으로, Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로, 비치환된 페닐기, 할로겐 원자로 치환된 페닐기, 나프틸기로 치환된 페닐기, 카바졸기로 치환된 페닐기, 비치환된 나프닐기, 비치환된 페난트렌기, 비치환된 비페닐기, 페닐기로 치환된 비페닐기, 비치환된 터페닐기, 비치환된 디벤조퓨라닐기, 비치환된 디벤조티오페닐기, 또는 페닐기로 치환된 플루오레닐기일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 화학식 1에서 L은 직접 결합(direct linkage), 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴렌기이며, n은 0 이상 4 이하의 정수일 수 있다. 일 실시예에서, L은 직접 결합일 수 있으며, 본 명세서에서 직접 결합은 단일 결합일 수 있다.
예를 들어, L은 치환 또는 비치환된 페닐렌기, 치환 또는 비치환된 2가의 디벤조퓨란기일 수 있다. 구체적으로, L은 직접 결합, 비치환된 페닐렌기, 또는 비치환된 2가의 디벤조퓨란기일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
n은 0 또는 1일 수 있다. n이 2 이상의 정수인 경우 복수 개의 L은 동일하거나 서로 상이한 것일 수 있다.
화학식 1로 표시되는 일 실시예의 아민 화합물은 하기 화학식 1-1 또는 화학식 1-2로 표시될 수 있다.
[화학식 1-1]
Figure pat00017
[화학식 1-2]
Figure pat00018
화학식 1-1과 화학식 1-2는 페나자실린 부분에 결합하는 아민 부분의 결합위치가 서로 상이한 것에서 차이가 있다. 화학식 1-1은 아민 부분이 화학식 1의 페나자실린의 R10의 위치에 결합한 것을 나타낸 것이고, 화학식 1-2는 아민 부분이 화학식 1의 페나자실린의 R9의 위치에 결합한 것을 나타낸 것이다.
한편, 화학식 1-1 및 화학식 1-2에서 R1 내지 R11, Ar1, Ar2, L, 및 n에 대하여는 상술한 화학식 1에서 설명한 내용과 동일한 내용이 적용될 수 있다.
또한, 화학식 1은 하기 화학식 2-1 또는 화학식 2-2로 표시될 수 있다.
[화학식 2-1]
Figure pat00019
[화학식 2-2]
Figure pat00020
화학식 2-1 및 화학식 2-2는 치환기인 R4 내지 R11 중 이웃하는 치환기들이 서로 결합하여 고리를 형성한 경우를 나타낸 것으로, R4 내지 R11 중 이웃하는 치환기들이 서로 결합하여 페나자실린과 축합환을 형성한 경우를 나타낸 것이다.
화학식 2-1은 화학식 1에서 R9 및 R10이 결합하여 페나자실린과 축합환을 형성하는 경우를 나타낸 것이고, 화학식 2-2는 화학식 1에서 R5 및 R6이 결합하여 페나자실린과 축합환을 형성하는 경우를 나타낸 것이다.
화학식 2-1에서, X는 고리형성 탄소수 6 이상 40 이하의 탄화수소 고리, 또는 고리형성 탄소수 2 이상 40 이하의 헤테로고리일 수 있다. 예를 들어, X는 고리형성 탄소수 6 이상 40 이하의 아릴기, 또는 고리형성 탄소수 2 이상 40 이하의 헤테로 아릴기일 수 있다.
화학식 2-1에서, R12는 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 40 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 40 이하의 헤테로아릴기일 수 있다. 또한, 화학식 2-1에서 p는 0 이상 3 이하의 정수일 수 있다.
화학식 2-1에서 p가 2 이상의 정수인 경우 복수 개의 R12는 동일하거나 서로 상이한 것일 수 있다.
한편, 화학식 2-1에서 R1 내지 R8, R11, Ar1, Ar2, L, 및 n에 대하여는 상술한 화학식 1에서 설명한 내용과 동일한 내용이 적용될 수 있다.
화학식 2-1은 하기 화학식 2-1A로 표시될 수 있다.
[화학식 2-1A]
Figure pat00021
화학식 2-1A는 화학식 2-1에서 X가 헤테로고리를 형성한 경우를 나타낸 것이다. 하지만, 실시예가 이에 한정된 것은 아니며 화학식 2-1에서 X는 페나자실린과 결합하는 탄화수소 고리일 수 있다.
화학식 2-2에서, Y는 고리형성 탄소수 6 이상 40 이하의 탄화수소 고리, 또는 고리형성 탄소수 2 이상 40 이하의 헤테로고리일 수 있다. 예를 들어, Y는 고리형성 탄소수 6 이상 40 이하의 아릴기, 또는 고리형성 탄소수 2 이상 40 이하의 헤테로 아릴기일 수 있다.
화학식 2-2에서, R13은 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 40 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 40 이하의 헤테로아릴기일 수 있다. 또한, 화학식 2-2에서 q는 0 이상 3 이하의 정수일 수 있다.
화학식 2-2에서 q가 2 이상의 정수인 경우 복수 개의 R13은 동일하거나 서로 상이한 것일 수 있다.
한편, 화학식 2-2에서 R1 내지 R4, R7 내지 R11, Ar1, Ar2, L, 및 n에 대하여는 상술한 화학식 1에서 설명한 내용과 동일한 내용이 적용될 수 있다.
화학식 2-2는 하기 화학식 2-2A로 표시될 수 있다.
[화학식 2-2A]
Figure pat00022
화학식 2-2A는 화학식 2-2에서 Y가 탄화수소 고리를 형성한 경우를 나타낸 것이다. 하지만, 실시예가 이에 한정된 것은 아니며 화학식 2-2에서 Y는 페나자실린과 결합하는 헤테로고리일 수 있다.
일 실시예의 아민 화합물은 페나자실린 부분을 포함하는 것일 수 있다. 일 실시예의 아민 화합물은 페나자실린 부분을 포함하는 축합환을 치환기로 갖는 모노아민 화합물일 수 있다.
일 실시예의 아민 화합물은 페나자실린 부분과 아릴아민 부분을 모두 포함하여 장수명 특성과 고발광 효율 특성을 모두 나타낼 수 있다.
일 실시예의 아민 화합물은 장수명 특성을 갖는 아릴아민 부분에 열 및 전하 내성이 우수한 페나자실린 부분을 도입하여 고온 및 전하에 대한 내성을 개선시킴으로써 소자 수명을 더욱 향상시키는 유기 전계 발광 소자용 재료로 사용될 수 있다. 또한, 페나자실린 부분에 포함된 질소 원자가 아민 화합물 분자 전체의 정공 수송 능력을 보다 향상시켜 유기 전계 발광 소자의 발광층 내에서의 정공과 전자의 재결합 확률을 증가시킴으로서 일 실시예의 아민 화합물은 유기 전계 발광 소자가 개선된 발광 효율을 나타내도록 할 수 있다.
화학식 1로 표시되는 일 실시예의 아민 화합물은 하기 화합물군 A 및 화합물군 B에 표시된 화합물들 중 어느 하나로 표시되는 것일 수 있다. 즉, 일 실시예의 유기 전계 발광 소자는 정공 수송 영역(HTR)에 하기 화합물군 A 및 화합물군 B에 표시된 화합물들 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다.
화합물군 A는 화학식 1의 R10 부분에 아민 부분이 결합된 것을 나타낸 것이다. 또한, 화합물군 B는 화학식 1의 R9 부분에 아민 부분이 결합된 것을 나타낸 것이다.
[화합물군 A]
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[화합물군 B]
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도 1 내지 도 3에 도시된 일 실시예의 유기 전계 발광 소자(10)에서, 정공 수송 영역(HTR)은 화합물군 A 및 화합물군 B에서 표시된 아민 화합물을 1종 또는 2종 이상 포함할 수 있다. 한편, 정공 수송 영역(HTR)은 화합물군 A 또는 화합물군 B의 아민 화합물 이외에 공지의 물질을 더 포함할 수 있다.
또한, 일 실시예의 유기 전계 발광 소자(10)에서 정공 수송 영역(HTR)이 복수의 층을 포함하는 경우 정공 수송 영역(HTR)에 포함되는 복수의 층 중 적어도 하나의 층은 상술한 일 실시예의 아민 화합물을 포함하는 것일 수 있다. 예를 들어, 정공 수송 영역(HTR)에 포함되는 복수의 층 중 발광층(EML)에 인접한 층에 상술한 일 실시예의 아민 화합물을 포함하는 것일 수 있다. 한편, 복수의 층 중 일 실시예의 아민 화합물을 포함하지 않는 층은 공지의 정공 주입 재료, 또는 공지의 정공 수송 재료를 포함할 수 있다. 또한, 일 실시예의 아민 화합물을 포함하는 층에서도 공지의 정공 주입 재료, 또는 공지의 정공 수송 재료를 더 포함할 수 있다.
예를 들어, 일 실시예의 아민 화합물은 정공 수송 영역(HTR)의 정공 수송층(HTL)에 포함될 수 있다. 또한, 정공 수송층(HTL)이 복수 개의 유기층들을 포함하는 경우 일 실시예의 아민 화합물은 복수 개의 유기층들 중 발광층(EML)에 인접한 층에 포함될 수 있다.
구체적으로, 일 실시예의 유기 전계 발광 소자(10)의 정공 수송 영역(HTR)이 정공 주입층(HIL)과 정공 수송층(HTL)을 포함하는 경우 일 실시예의 아민 화합물은 정공 수송층(HTL)에 포함될 수 있으며, 일 실시예의 유기 전계 발광 소자의 정공 수송 영역(HTR)이 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 및 전자 저지층(EBL)을 포함하는 경우 일 실시예의 아민 화합물은 전자 저지층(EBL)에 포함될 수 있다.
일 실시예의 유기 전계 발광 소자(10)에서 정공 수송층(HTL)이 일 실시예의 아민 화합물을 포함하는 경우, 정공 주입층(HIL)은 공지의 정공 주입 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어, 정공 주입층(HIL)은 트리페닐아민 함유 폴리에테르케톤(TPAPEK), 4-이소프로필-4'-메틸디페닐요오드늄테트라키스(펜타플루오로페닐)붕산염(PPBI), N, N'-디페닐-N, N'-비스-[4-(페닐-m-톨릴-아미노)-페닐]-페닐-4, 4'-디아민(DNTPD), 구리 프탈로시아닌 등의 프탈로시아닌 화합물, 4, 4', 4"트리스(3-메틸 페닐 페닐아미노)트리페닐아민(m-MTDATA), N, N'-디(1-나프틸)-N,N'-디페닐벤지딘(NPB), N,N'-비스(1-나프틸)-N,N'-디페닐-4,4'-디아민(α-NPD), 4,4',4"트리스{N,N 디페닐 아미노} 트리페닐아민(TDATA), 4,4',4"트리스(N,N-2-나프틸 페닐아미노)트리페닐아민(2-TNATA), 폴리아닐린/도데실 벤젠 설폰산(PANI/DBSA), 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(4-스티렌설포네이트)(PEDOT/PSS), 폴리아닐린/캄퍼설폰산(PANI/CSA), 폴리아닐린/폴리(4-스티렌설포네이트)(PANI/PSS), 또는 HAT-CN(dipyrazino[2,3-f: 2',3'-h] quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile), 4,4',4''-트리스(N-(1-나프틸)-N-페닐아미노)-트리페닐아민(1-TNATA) 등을 포함할 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
한편, 일 실시예의 유기 전계 발광 소자(10)의 정공 수송층(HTL)은 일 실시예의 아민 화합물 이외에 공지의 정공 수송 재료를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 정공 수송층(HTL)은 1,1-비스[(디-4-트릴아미노)페닐]시클로헥산(TAPC), N-페닐카르바졸(N-Phenyl carbazole), 폴리비닐카르바졸(Polyvinyl carbazole) 등의 카르바졸 유도체, 플루오렌(fluorine)계 유도체, TPD(N,N'-bis(3-methylphenyl)-N,N'-diphenyl-[1,1-biphenyl]-4,4'-diamine), TCTA(4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine) 등과 같은 트리페닐아민계 유도체, NPB(N,N'-di(naphthalene-l-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine), TAPC(4,4′-Cyclohexylidene bis[N,N-bis(4-methylphenyl)benzenamine]), HMTPD(4,4'-Bis[N,N'-(3-tolyl)amino]-3,3'-dimethylbiphenyl), mCP(1,3-Bis(N-carbazolyl)benzene) 등을 더 포함할 수도 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
앞서 언급한 바와 같이, 일 실시예의 유기 전계 발광 소자(10)에서 정공 수송 영역(HTR)은 정공 주입층(HIL) 및 정공 수송층(HTL) 외에, 정공 버퍼층 및 전자 저지층(EBL) 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다. 정공 버퍼층은 발광층(EML)에서 방출되는 광의 파장에 따른 공진 거리를 보상하여 광 방출 효율을 증가시킬 수 있다. 정공 버퍼층에 포함되는 물질로는 정공 수송 영역(HTR)에 포함될 수 있는 물질이 사용될 수 있다.
한편, 정공 수송 영역(HTR)이 정공 수송층(HTL)과 발광층(EML) 사이에 배치된 전자 저지층(EBL)을 더 포함하는 경우 전자 저지층(EBL)은 전자 수송 영역(ETR)으로부터 정공 수송 영역(HTR)으로의 전자 주입을 방지하는 역할을 할 수 있다.
일 실시예의 유기 전계 발광 소자(10)에서 정공 수송 영역(HTR)이 전자 저지층(EBL)을 포함하는 경우 전자 저지층(EBL)은 일 실시예의 아민 화합물을 포함할 수 있다. 또한, 전자 저지층(EBL)은 일 실시예의 아민 화합물 이외에 당 기술분야에 알려진 일반적인 재료를 더 포함할 수 있다. 전자 저지층(EBL)은 예를 들어, N-페닐카바졸, 폴리비닐카바졸 등의 카바졸계 유도체, 플루오렌(fluorine)계 유도체, TPD(N,N'-bis(3-methylphenyl)-N,N'-diphenyl-[1,1-biphenyl]-4,4'-diamine), TCTA(4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine) 등과 같은 트리페닐아민계 유도체, NPD(N,N'-di(naphthalene-l-yl)-N,N'-diplienyl-benzidine), TAPC(4,4′-Cyclohexylidene bis[N,N-bis(4-methylphenyl)benzenamine]), HMTPD(4,4'-Bis[N,N'-(3-tolyl)amino]-3,3'-dimethylbiphenyl) 또는 mCP 등을 포함할 수 있다.
즉, 일 실시예의 유기 전계 발광 소자(10)에서 정공 수송 영역(HTR)이 단일층인 경우 정공 수송 영역(HTR)은 상술한 일 실시예의 아민 화합물을 포함하는 것일 수 있다. 이때, 정공 수송 영역(HTR)은 공지의 정공 주입 재료, 또는 공지의 정공 수송 재료를 더 포함할 수 있다.
정공 수송 영역(HTR)의 두께는 약 100Å 내지 약 10000Å, 예를 들어, 약 100Å 내지 약 5000Å일 수 있다. 정공 주입층(HIL)의 두께는, 예를 들어, 약 30Å 내지 약 1000Å이고, 정공 수송층(HTL)의 두께는 약 30Å 내지 약 1000Å 일 수 있다. 예를 들어, 전자 저지층(EBL)의 두께는 약 10Å 내지 약 1000Å일 수 있다. 정공 수송 영역(HTR), 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL) 및 전자 저지층(EBL)의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승 없이 만족스러운 정도의 정공 수송 특성을 얻을 수 있다.
정공 수송 영역(HTR)은 앞서 언급한 물질 외에, 도전성 향상을 위하여 전하 생성 물질을 더 포함할 수 있다. 전하 생성 물질은 정공 수송 영역(HTR) 내에 균일하게 또는 불균일하게 분산되어 있을 수 있다. 전하 생성 물질은 예를 들어, p-도펀트(dopant)일 수 있다. p-도펀트는 퀴논(quinone) 유도체, 금속 산화물 및 시아노(cyano)기 함유 화합물 중 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, p-도펀트의 비제한적인 예로는, TCNQ(Tetracyanoquinodimethane) 및 F4-TCNQ(2,3,5,6-tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane) 등과 같은 퀴논 유도체, 텅스텐 산화물 및 몰리브덴 산화물 등과 같은 금속 산화물 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
발광층(EML)은 정공 수송 영역(HTR) 상에 제공된다. 발광층(EML)의 두께는 예를 들어, 약 100Å 내지 약 300Å인 것일 수 있다. 발광층(EML)은 단일 물질로 이루어진 단일층, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층 또는 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다.
발광층(EML)은 적색광, 녹색광, 청색광, 백색광, 황색광, 시안광 중 하나를 발광하는 것일 수 있다. 발광층(EML)은 형광 발광 물질 또는 인광 발광 물질을 포함할 수 있다.
일 실시예의 유기 전계 발광 소자(10)에서 발광층(EML)은 안트라센 유도체, 피렌 유도체, 플루오란텐 유도체, 크리센 유도체, 디하이드로벤즈안트라센 유도체, 또는 트리페닐렌 유도체를 포함하는 것일 수 있다. 구체적으로, 발광층(EML)은 안트라센 유도체 또는 피렌 유도체를 포함하는 것일 수 있다.
발광층(EML)은 하기 화학식 3으로 표시되는 안트라센 유도체를 포함하는 것일 수 있다.
[화학식 3]
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화학식 3에서, R21 내지 R30은 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이거나, 인접하는 기와 서로 결합하여 고리를 형성하는 것일 수 있다. 한편, R21 내지 R30은 인접하는 기와 서로 결합하여 포화탄화수소 고리 또는 불포화탄화수소 고리를 형성할 수 있다.
화학식 3에서 c 및 d는 각각 독립적으로 0 이상 5 이하의 정수일 수 있다.
화학식 3은 하기 화합물 3-1 내지 화합물 3-12 중 어느 하나로 표시되는 것일 수 있다.
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도 1 내지 도 3에 도시된 일 실시예의 유기 전계 발광 소자(10)에서 발광층(EML)은 호스트 및 도펀트를 포함할 수 있고, 발광층(EML)은 상술한 화학식 3으로 표시되는 화합물을 호스트 재료로 포함할 수 있다.
발광층(EML)은 호스트 물질로 당 기술분야에 알려진 일반적인 재료를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 발광층(EML)은 호스트 물질로 DPEPO(Bis[2-(diphenylphosphino)phenyl] ether oxide), CBP(4,4'-Bis(carbazol-9-yl)biphenyl), mCP(1,3-Bis(carbazol-9-yl)benzene), PPF (2,8-Bis(diphenylphosphoryl)dibenzo[b,d]furan), TcTa(4,4',4''-Tris(carbazol-9-yl)-triphenylamine) 및 TPBi(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazole-2-yl)benzene) 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다. 다만, 이에 의하여 한정되는 것은 아니며, 예를 들어, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), CBP(4,4'-bis(N-carbazolyl)-1,1'-biphenyl), PVK(poly(n-vinylcabazole), ADN(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene), TCTA(4,4',4''-Tris(carbazol-9-yl)-triphenylamine), TPBi(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazole-2-yl)benzene), TBADN(3-tert-butyl-9,10-di(naphth-2-yl)anthracene), DSA(distyrylarylene), CDBP(4,4′-bis(9-carbazolyl)-2,2′-dimethyl-biphenyl), MADN(2-Methyl-9,10-bis(naphthalen-2-yl)anthracene), DPEPO(bis[2-(diphenylphosphino)phenyl]ether oxide), CP1(Hexaphenyl cyclotriphosphazene), UGH2 (1,4-Bis(triphenylsilyl)benzene), DPSiO3 (Hexaphenylcyclotrisiloxane), DPSiO4 (Octaphenylcyclotetra siloxane), PPF(2,8-Bis(diphenylphosphoryl)dibenzofuran) 등을 호스트 재료로 사용할 수 있다.
일 실시예에서 발광층(EML)은 공지의 도펀트 재료로, 스티릴 유도체(예를 들어, 1, 4-bis[2-(3-N-ethylcarbazoryl)vinyl]benzene(BCzVB), 4-(di-p-tolylamino)-4'-[(di-p-tolylamino)styryl]stilbene(DPAVB), N-(4-((E)-2-(6-((E)-4-(diphenylamino)styryl)naphthalen-2-yl)vinyl)phenyl)-N-phenylbenzenamine(N-BDAVBi), 페릴렌 및 그 유도체(예를 들어, 2, 5, 8, 11-Tetra-t-butylperylene(TBP)), 피렌 및 그 유도체(예를 들어, 1, 1-dipyrene, 1, 4-dipyrenylbenzene, 1, 4-Bis(N, N-Diphenylamino)pyrene) 등의 2,5,8,11-Tetra-t-butylperylene(TBP)) 등을 포함할 수 있다.
발광층(EML)이 적색광을 발광할 때, 발광층(EML)은 예를 들어, PBD:Eu(DBM)3(Phen)(tris(dibenzoylmethanato)phenanthoroline europium) 또는 퍼릴렌(Perylene)을 포함하는 형광 물질을 더 포함할 수 있다. 발광층(EML)이 적색을 발광할 때, 발광층(EML)에 포함되는 도펀트는 예를 들어, PIQIr(acac)(bis(1-phenylisoquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(acac)(bis(1-phenylquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(tris(1-phenylquinoline)iridium) 및 PtOEP(octaethylporphyrin platinum)과 같은 금속 착화합물(metal complex) 또는 유기 금속 착체(organometallic complex), 루브렌(rubrene) 및 그 유도체 및 4-디시아노메틸렌-2-(p-디메틸아미노스티릴)-6-메틸-4H-피란(DCM) 및 그 유도체에서 선택할 수 있다.
발광층(EML)이 녹색광을 발광할 때, 발광층(EML)은 예를 들어, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)을 포함하는 형광 물질을 더 포함할 수 있다. 발광층(EML)이 녹색을 발광할 때, 발광층(EML)에 포함되는 도펀트는 예를 들어, Ir(ppy)3(fac-tris(2-phenylpyridine)iridium)와 같은 금속 착화합물(metal complex) 또는 유기 금속 착체(organometallic complex) 및 쿠머린(coumarin) 및 그 유도체에서 선택할 수 있다.
발광층(EML)이 청색광을 발광할 때, 발광층(EML)은 예를 들어, 스피로-DPVBi(spiro-DPVBi), 스피로-6P(spiro-6P), DSB(distyryl-benzene), DSA(distyryl-arylene), PFO(Polyfluorene)계 고분자 및 PPV(poly(p-phenylene vinylene)계 고분자로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 형광 물질을 더 포함할 수 있다. 발광층(EML)이 청색을 발광할 때, 발광층(EML)에 포함되는 도펀트는 예를 들어, (4,6-F2ppy)2Irpic와 같은 금속 착화합물(metal complex) 또는 유기 금속 착체(organometallic complex), 페릴렌(perlene) 및 그 유도체에서 선택할 수 있다.
한편, 일 실시예의 유기 전계 발광 소자(10)의 발광층(EML)은 청색광 또는녹색광을 방출하는 것일 수 있다. 발광층(EML)은 450nm 이상 480nm 이하의 파장 영역의 청색광을 방출하는 것이거나, 490nm 이상 560nm 이하의 파장 영역의 녹색광을 방출하는 것이거나 일 수 있다.
일 실시예의 유기 전계 발광 소자(10)에서 전자 수송 영역(ETR)은 발광층(EML) 상에 제공된다. 전자 수송 영역(ETR)은, 정공 저지층(HBL), 전자 수송층(ETL) 및 전자 주입층(EIL) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
전자 수송 영역(ETR)은 단일 물질로 이루어진 단일층, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층 또는 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다.
예를 들어, 전자 수송 영역(ETR)은 전자 주입층(EIL) 또는 전자 수송층(ETL)의 단일층의 구조를 가질 수도 있고, 전자 주입 물질과 전자 수송 물질로 이루어진 단일층 구조를 가질 수도 있다. 또한, 전자 수송 영역(ETR)은, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층의 구조를 갖거나, 발광층(EML)으로부터 차례로 적층된 전자 수송층(ETL)/전자 주입층(EIL), 정공 저지층(HBL)/전자 수송층(ETL)/전자 주입층(EIL) 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 전자 수송 영역(ETR)의 두께는 예를 들어, 약 100Å 내지 약 1500Å인 것일 수 있다.
전자 수송 영역(ETR)은, 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법(Langmuir-Blodgett), 잉크젯 프린팅법, 레이저 프린팅법, 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging, LITI) 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 형성될 수 있다.
전자 수송 영역(ETR)이 전자 수송층(ETL)을 포함할 경우, 예를 들어 전자 수송 영역(ETR)은 Alq3(Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum), , 1,3,5-tri[(3-pyridyl)-phen-3-yl]benzene, 2,4,6-tris(3'-(pyridin-3-yl)biphenyl-3-yl)-1,3,5-triazine, 2-(4-(N-phenylbenzoimidazolyl-1-ylphenyl)-9,10-dinaphthylanthracene, TPBi(1,3,5-tri(1-phenyl-1H-benzo[d]imidazol-2-yl)benzene), BCP(2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline), Bphen(4,7-Diphenyl-1,10-phenanthroline), TAZ(3-(4-Biphenylyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole), NTAZ(4-(Naphthalen-1-yl)-3,5-diphenyl-4H-1,2,4-triazole), tBu-PBD(2-(4-Biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole), BAlq(Bis(2-methyl-8-quinolinolato-N1,O8)-(1,1'-Biphenyl-4-olato)aluminum), Bebq2(berylliumbis(benzoquinolin-10-olate), ADN(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene) 및 이들의 혼합물을 포함할 수 있으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
전자 수송 영역(ETR)이 전자 수송층(ETL)을 포함하는 경우 전자 수송층(ETL)들의 두께는 약 100Å 내지 약 1000Å, 예를 들어 약 150Å 내지 약 500Å일 수 있다. 전자 수송층(ETL)들의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승 없이 만족스러운 정도의 전자 수송 특성을 얻을 수 있다.
전자 수송 영역(ETR)이 전자 주입층(EIL)을 포함할 경우, 전자 수송 영역(ETR)은 예를 들어, LiF, LiQ(8-hydroxyquinolinolato-lithium), Li2O, BaO, NaCl, CsF, Yb와 같은 란타넘족 금속, 또는 RbCl, RbI, KI와 같은 할로겐화 금속 등이 사용될 수 있으나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 전자 주입층(EIL)은 또한 전자 수송 물질과 절연성의 유기 금속염(organo metal salt)이 혼합된 물질로 이루어질 수 있다. 유기 금속염은 에너지 밴드 갭(energy band gap)이 대략 4eV 이상의 물질이 될 수 있다. 구체적으로 예를 들어, 유기 금속염은 금속 아세테이트(metal acetate), 금속 벤조에이트(metal benzoate), 금속 아세토아세테이트(metal acetoacetate), 금속 아세틸아세토네이트(metal acetylacetonate) 또는 금속 스테아레이트(stearate)를 포함할 수 있다.
전자 수송 영역(ETR)이 전자 주입층(EIL)을 포함하는 경우 전자 주입층(EIL)들의 두께는 약 1Å 내지 약 100Å, 약 3Å 내지 약 90Å일 수 있다. 전자 주입층(EIL)들의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승 없이 만족스러운 정도의 전자 주입 특성을 얻을 수 있다.
전자 수송 영역(ETR)은 앞서 언급한 바와 같이, 정공 저지층(HBL)을 포함할 수 있다. 정공 저지층(HBL)은 예를 들어, BCP(2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline) 및 Bphen(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
제2 전극(EL2)은 전자 수송 영역(ETR) 상에 제공된다. 제2 전극(EL2)은 도전성을 갖는다. 제2 전극(EL2)은 금속 합금 또는 도전성 화합물로 형성될 수 있다. 제2 전극(EL2)은 캐소드(cathode)일 수 있다. 제2 전극(EL2)은 투과형 전극, 반투과형 전극 또는 반사형 전극일 수 있다. 제2 전극(EL2)DL 투과형 전극인 경우, 제2 전극(EL2)은 투명 금속 산화물, 예를 들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등으로 이루어질 수 있다.
제2 전극(EL2)이 반투과형 전극 또는 반사형 전극인 경우, 제2 전극(EL2)은 Ag, Mg, Cu, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Mo, Ti 또는 이들의 화합물이나 혼합물(예를 들어, Ag와 Mg의 혼합물)을 포함할 수 있다. 또는 상기 예시된 물질로 형성된 반사막이나 반투과막 및 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등으로 형성된 투명 도전막을 포함하는 복수의 층 구조일 수 있다.
도시하지는 않았으나, 제2 전극(EL2)은 보조 전극과 연결될 수 있다. 제2 전극(EL2)이 보조 전극과 연결되면, 제2 전극(EL2)의 저항을 감소 시킬 수 있다.
유기 전계 발광 소자(10)에서, 제1 전극(EL1)과 제2 전극(EL2)에 각각 전압이 인가됨에 따라 제1 전극(EL1)으로부터 주입된 정공(hole)은 정공 수송 영역(HTR)을 거쳐 발광층(EML)으로 이동되고, 제2 전극(EL2)으로부터 주입된 전자가 전자 수송 영역(ETR)을 거쳐 발광층(EML)으로 이동된다. 전자와 정공은 발광층(EML)에서 재결합하여 엑시톤을 생성하며, 여기자가 여기 상태에서 바닥 상태로 떨어지면서 발광하게 된다.
유기 전계 발광 소자(10)가 전면 발광형일 경우, 제1 전극(EL1)은 반사형 전극이고, 제2 전극(EL2)은 투과형 전극 또는 반투과형 전극일 수 있다. 유기 전계 발광 소자(10)가 배면 발광형일 경우, 제1 전극(EL1)은 투과형 전극 또는 반투과형 전극이고, 제2 전극(EL2)은 반사형 전극일 수 있다.
한편, 도면에 도시되지는 않았으나, 일 실시예의 유기 전계 발광 소자(10)의 제2 전극(EL2) 상에는 캡핑층(미도시)이 더 배치될 수 있다. 캡핑층(미도시)은 예를 들어, α-NPD, NPB, TPD, m-MTDATA, Alq3, CuPc, TPD15(N4,N4,N4',N4'-tetra (biphenyl-4-yl) biphenyl-4,4'-diamine), TCTA(4,4',4"- Tris (carbazol sol-9-yl) triphenylamine), N, N'-bis (naphthalen-1-yl) 등을 포함하는 것일 수 있다.
상술한 일 실시예의 아민 화합물은 정공 수송 영역(HTR) 이외의 유기층에서 유기 전계 발광 소자(10)용 재료로 포함될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자(10)는 상술한 아민 화합물을 제1 전극(EL1) 및 제2 전극(EL2) 사이에 배치된 적어도 하나의 유기층 또는 제2 전극(EL2) 상에 배치된 캡핑층(미도시)에 포함할 수도 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자(10)는 상술한 아민 화합물을 정공 수송 영역(HTR)에 포함하여 높은 발광 효율과 개선된 수명 특성을 나타낼 수 있다.
구체적으로, 일 실시예의 유기 전계 발광 소자는 일 실시예의 아민 화합물을 정공 수송 영역의 복수의 유기층들 중 발광층에 인접한 유기층에 포함하여 정공 수송 영역이 높은 정공 수송 능력을 유지하면서 전자의 이동을 억제하여 개선된 발광 효율을 나타낼 수 있다.
특히, 일 실시예의 아민 화합물은 페나자실린 부분과 아릴아민 부분을 모두 포함하여 양호한 신뢰성을 가질 수 있다. 또한, 일 실시예의 유기 전계 발광 소자는 페나자실린 부분과 아릴아민 부분을 모두 포함하는 아민 화합물을 정공 수송 영역에 포함함으로써 양호한 수명 특성을 나타낼 수 있다. 또한, 페나자실린 부분에 포함된 질소 원자가 아민 화합물 분자 전체의 정공 수송 능력을 보다 향상시켜 유기 전계 발광 소자의 발광층 내에서의 정공과 전자의 재결합 확률을 증가시킴으로서 일 실시예의 유기 전계 발광 소자가 개선된 발광 효율과 저구동 전압 특성을 나타내도록 할 수 있다.
이하에서는, 실시예 및 비교예를 참조하면서, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 아민 화합물 및 일 실시예의 아민 화합물을 포함하는 일 실시예의 유기 전계 발광 소자에 대해서 구체적으로 설명한다. 또한, 이하에 나타내는 실시예는 본 발명의 이해를 돕기 위한 일 예시이며, 본 발명의 범위가 이에 한정되는 것은 아니다.
[실시예]
1. 아민 화합물의 합성
먼저, 본 실시 형태에 따른 아민 화합물의 합성 방법에 대해서, 화합물군 A의 화합물 A4, 화합물 A15, 화합물 A45, 화합물 A53 및 화합물군 B의 화합물 B4, 화합물 B15, 화합물 B53의 합성 방법을 예시하여 구체적으로 설명한다. 또한, 이하에 설명하는 아민 화합물의 합성법은 일 실시예로서, 본 발명의 실시형태에 따른 아민 화합물의 합성법이 하기의 실시예에 한정되지 않는다.
(화합물 A4의 합성)
일 실시예에 따른 아민 화합물 A4는 예를 들어 하기 반응식 1에 의해 합성될 수 있다.
[반응식 1]
Figure pat00066
<중간체 A-1의 합성>
아르곤(Ar) 분위기하, 500 mL의 3구 플라스크에 2,5-dibromoaniline (25.1 g, 100 mmol), t-BuONa(14.4 g, 150 mmol), 톨루엔(Toluene) 250 ml를 추가하여 상온으로 30분 동안 교반하였다. 이후, 반응액에 2-iodobenzene (28.3 g, 100 mmol), Pd2(dba)3 (0.46 g, 0.5 mmol), 1,1'-bis(diphenylphosphino)ferrocene (dppf, 0.54 g, 1.0 mmol)을 순차적으로 추가하고, 6시간 동안 가열 환류 교반하였다. 이후 상온까지 공랭 후, 반응액을 셀라이트(celite)로 여과하여 불용성 잔류물을 여과하고, 여과액을 농축하였다. 얻어진 조생성물을 실리카겔 컬럼크로마토그래피(실리카겔 컬럼크로마토그래피)(전개층 Hexane/CH2Cl2=9：1)로 정제하여, 백색 고체의 화합물인 중간체 A-1(33.3 g, 수율 82%)을 얻었다. FAB－MS 측정으로, 질량수 m/z = 406이 분자 이온 피크로 관측된 것에 의해 중간체 A-1인 것을 확인하였다.
<중간체 A-2의 합성>
아르곤 분위기하, 500 mL의 3구 플라스크에 중간체 A-1(30.8 g, 75.8 mmol), iodobenzene (77.3 g, 379 mmol), CuI (14.4 g, 75.8 mmol), 및 K2CO3(21.0 g, 151.6 mmol)를 순차적으로 추가하여 190℃에서　72시간 동안 가열 교반하였다. 이후 상온까지 공랭 후, 반응 용매를 유거(留去)하고, 얻어진 조생성물을 실리카겔 컬럼크로마토그래피)(전개층 Hexane/CH2Cl2=9：1)로 정제하여, 백색 고체 화합물인 중간체 A-2(0.39 g, 수율 80%)를 얻었다. FAB－MS 측정으로, 질량수 m/z =482가 분자 이온 피크로 관측된 것에 의해 중간체 A-2인 것을 확인하였다.
<중간체 A-3의 합성>
아르곤 분위기하, 500 mL의 3구 플라스크에, 중간체 A-2(28.00 g, 58.0 mmol), THF　290ml을 추가하여 －78℃까지 냉각한 후, n-butyllithium (1.6 M, 72.5 mL, 31.8 mmol)을 적하하여, －78℃에서 30분 동안 교반하였다. 여기에 30 ml의 THF에 녹인 Dichlorodiphenylsilane을 적하하여, 1 시간 동안 연속 교반 후, 상온까지 공랭하고, 추가로 2시간 교반하였다. 이후 1 시간 동안 가열 환류 교반 하였다. 다음으로, 상온까지 공랭 후, 반응 용매에 물을 추가하여 유기층을 분취하였다. 수층에 톨루엔을 추가하여 유기층을 한층 더 추출한 후, 추출한 유기층을 합하여, MgSO4로 건조시켰다. MgSO4의 여과 및 유기층의 농축을 실시하여, 얻어진 조생성물을 실리카겔 컬럼크로마토그래피(전개층 Hexane/CH2Cl2=9：1)로 정제하여, 백색 고체의 화합물인 중간체 A-3(16.10 g, 수율 55%)을 얻었다. FAB－MS 측정으로, 질량수 m/z = 504가 분자 이온 피크로 관측된 것에 의해서 화합물 3인 것을 확인하였다.
<화합물 A4의 합성>
아르곤 분위기하, 500 mL의 3구 플라스크에, 중간체 A-3(8.02 g, 15.9 mmol), Pd(dba)2 0.27 g(0.03 equiv, 0.5 mmol), NaOtBu　3.05 g (2 equiv, 31.8 mmol), 톨루엔 80 mL, bis(4-biphenyl)amine 5.62 g (1.1 equiv, 17.5 mmol) 및 tBu3P　0.32 g (0.1 equiv, 1.6 mmol)을 순차적으로 추가하고, 6시간 동안 가열 환류 교반하였다. 상온까지 공랭 후, 반응 용매에 물을 추가하여 유기층을 분취하였다. 수층에 톨루엔을 추가하여 유기층을 한층 더 추출한 후, 추출한 유기층들을 합하여 식염수로 세정한 후, MgSO4로 건조시켰다. MgSO4의 여과 및 유기층의 농축을 실시하여, 얻어진 조생성물을 실리카겔 컬럼크로마토그래피(전개층으로 헥산과 톨루엔의 혼합 용매 사용)로 정제하여, 백색 고체 화합물 A4 (9.48 g, 수율 80%)를 얻었다. FAB－MS 측정으로, 질량수 m/z = 745가 분자 이온피크로관측된 것에 의해서 화합물 A4인 것을 확인하였다.
(화합물 A15의 합성)
일 실시예에 따른 아민 화합물 A15는 예를 들어 하기 반응식 2에 의해 합성될 수 있다.
[반응식 2]
Figure pat00067
아르곤 분위기하, 500 mL의 3구 플라스크에, 중간체 A-3(8.02 g, 15.9 mmol), Pd(dba)2 0.27 g (0.03 equiv, 0.5 mmol), NaOtBu　3.05 g (2 equiv, 31.8 mmol), 톨루엔 80 mL, N-(4-(naphthalen-1-yl)phenyl)-[1,1'-biphenyl]-4-amine 6.50 g (1.1 equiv, 17.5 mmol) 및 tBu3P　0.32 g (0.1 equiv, 1.6 mmol)을 순차적으로 추가하여 6시간 동안 가열 환류 교반하였다. 상온까지 공랭 후, 반응 용매에 물을 추가하여 유기층을 분취하였다. 수층에 톨루엔을 추가하여 유기층을 한층 더 추출한 후, 유기층을 합하여 식염수로 세정하고, MgSO4로 건조시켰다. MgSO4의 여과 및 유기층의 농축을 실시하여, 얻어진 조생성물을 실리카겔 컬럼크로마토그래피(전개층으로 헥산과 톨루엔의 혼합 용매 사용)로 정제하여, 백색 고체 화합물 A15 (10.75 g, 수율 85%)를 얻었다. FAB－MS 측정으로, 질량수 m/z = 795가 분자 이온피크로 관측된 것에 의해서 화합물 A15인 것을 확인하였다.
(화합물 A45의 합성)
일 실시예에 따른 아민 화합물 A45는 예를 들어 하기 반응식 3에 의해 합성될 수 있다.
[반응식 3]
Figure pat00068
아르곤 분위기하, 500 mL의 3구 플라스크에, 중간체 A-3(6.91 g, 13.7 mmol), Pd(dba)2 0.24 g (0.03 equiv, 0.4 mmol), NaOtBu　2.63 g (2 equiv, 27.4 mmol), 톨루엔 69 mL, N-[4-(1-naphthalenyl)phenyl]-4-dibenzothiophenyl-4-amine 6.05 g (1.1 equiv, 15.1 mmol)및 tBu3P　 　0.28 g (0.1 equiv, 1.4 mmol)을 순차적으로 추가하여, 6시간 가열 환류 교반하였다. 상온까지 공랭 후, 반응 용매에 물을 추가하여 유기층을 분취 하였다. 수층에 톨루엔을 추가하여 유기층을 한층 더 추출한 후, 추출한 유기층을 합하여 식염수로 세정하고, MgSO4로 건조시켰다. MgSO4의 여과 및 유기층의 농축을 실시하여 얻어진 조생성물을 실리카겔 컬럼크로마토그래피(전개층으로 헥산과 톨루엔의 혼합 용매 사용)로 정제하여, 백색 고체 화합물 A45(8.93 g, 수율 79%)를 얻었다. FAB－MS 측정으로, 질량수 m/z = 825가 분자 이온피크로 관측된 것에 의해서 화합물 A45인 것을 확인하였다.
(화합물 A53의 합성)
일 실시예에 따른 아민 화합물 A53은 예를 들어 하기 반응식 4에 의해 합성될 수 있다.
[반응식 4]
Figure pat00069
아르곤 분위기하, 300 mL의 3구 플라스크에, 중간체 A-3(8.02 g, 15.9 mmol), N,N-Di(4-biphenylyl)-4-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)aniline　9.15 g (1.1 equiv, 17.5 mmol), K2CO3　6.59 g (3 equiv, 47.7 mmol), Pd(PPh3)4 0.92 g (0.05 equiv, 0.8 mmol) 및 톨루엔/에탄올(EtOH)/물(4/2/1)의 혼합 용액 110 mL를 순차적으로 추가하여 80℃에서 5시간 동안 가열 교반 하였다. 상온까지 공랭 후, 반응 용액을 톨루엔으로 추출하였다. 수층을 제거해, 유기층을 포화 식염수로 세정한 후, MgSO4로 건조시켰다. MgSO4의 여과 및 유기층의 농축을 실시하여, 얻어진 조생성물을 실리카겔 컬럼크로마토그래피(전개층으로 헥산과 톨루엔의 혼합 용매 사용)로 정제하여, 백색 고체의 화합물 A53 (11.3 g, 수율 87%)을 얻었다. FAB－MS 측정으로, 질량수 m/z = 821이 분자 이온피크로 관측된 것에 의해서 화합물 A53인 것을 확인하였다.
(화합물 B4의 합성)
일 실시예에 따른 아민 화합물 B4는 예를 들어 하기 반응식 5에 의해 합성될 수 있다.
[반응식 5]
Figure pat00070
출발 원료로 2,5-dibromoaniline 대신하여 2,4-dibromoaniline 이용한 것을 제외하고는 화합물 A4의 합성 방법과 동일한 방법으로 화합물 B4를 합성하였다. FAB－MS 측정으로, 질량수 m/z = 745 가 분자 이온피크로 관측된 것에 의해 화합물 B4인 것을 확인하였다.
(화합물 B15의 합성)
일 실시예에 따른 아민 화합물 B15는 예를 들어 하기 반응식 6에 의해 합성될 수 있다.
[반응식 6]
Figure pat00071
출발 물질로 중간체 B-3을 이용한 것을 제외하고는 화합물 A15의 합성 방법과 동일한 방법으로 화합물 B15를 합성하였다. FAB－MS 측정으로, 질량수 m/z = 795가 분자 이온피크로 관측된 것에 의해 화합물 B15인 것을 확인하였다.
(화합물 B53의 합성)
일 실시예에 따른 아민 화합물 B53은 예를 들어 하기 반응식 7에 의해 합성될 수 있다.
[반응식 7]
Figure pat00072
출발 물질로 중간체 B-3을 이용한 것을 제외하고는 화합물 A53의 합성 방법과 동일한 방법으로 화합물 B53을 합성 하였다. FAB－MS 측정으로, 질량수 m/z = 821이 분자 이온피크로 관측된 것에 의해 화합물 B53인 것을 확인하였다.
2. 아민 화합물을 포함하는 유기 전계 발광 소자의 제작 및 평가
(유기 전계 발광 소자의 제작)
일 실시예의 아민 화합물을 정공 수송층에 포함하는 일 실시예의 유기 전계 발광 소자를 아래의 방법으로 제조하였다. 상술한 화합물 A4, 화합물 A15, 화합물 A45, 화합물 A53, 화합물 B4, 화합물 B15, 및 화합물 B53의 아민 화합물을 정공 수송층 재료로 사용하여 실시예 1 내지 7의 유기 전계 발광 소자를 제작하였다. 비교예 1 내지 5는 하기 비교예 화합물 R1 내지 R5를 정공 수송층 재료로 각각 사용하여 유기 전계 발광 소자를 제작하였다.
실시예 1 내지 실시예 7 및 비교예 1 내지 비교예 5에서 정공 수송층에 사용한 화합물들은 아래 표 1에 나타내었다.
화합물 A4
Figure pat00073
 화합물 A15
Figure pat00074
화합물 A45
Figure pat00075
 화합물 A53
Figure pat00076
화합물 B4
Figure pat00077
 화합물 B15
Figure pat00078
화합물 B53
Figure pat00079
 비교예화합물
R1
Figure pat00080
비교예화합물R2
Figure pat00081
 비교예화합물
R3
Figure pat00082
비교예화합물R4
Figure pat00083
 비교예화합물
R5
Figure pat00084
유리 기판 상에 두께 1500Å의 ITO를 패터닝한 후, 초순수로 세척하고 UV 오존 처리를 10분간 실시하였다. 그 후, 600Å 두께로 1-TNATA를 증착하여 정공 주입층을 형성하였다. 다음으로 실시예 화합물 또는 비교예 화합물을 300Å 두께로 증착하여 정공 수송층을 형성하였다.
이후, ADN에 TBP를 3% 도프한 250 Å 두께의 발광층을 형성하였다. 다음으로, Alq3을 250 Å 두께로 증착하여 전자 수송층을 형성하고, LiF를 10 Å 두께로 증착하여 전자 주입층을 형성하였다.
다음으로, Al을 1000Å의 두께로 제공하여 제2 전극을 형성하였다.
실시예에서, 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 및 제2 전극은 진공 증착 장치를 이용하여 형성하였다.
(유기 전계 발광 소자의 특성 평가)
표 2에서는 실시예 1 내지 실시예 7 및 비교예 1 내지 비교예 5에 대한 유기 전계 발광 소자의 평가 결과를 나타내었다. 표 2에서는 제작된 유기 전계 발광 소자의 구동 전압, 발광 효율 및 소자 수명을 비교하여 나타내었다. 표 2에 나타낸 실시예 및 비교예에 대한 특성 평가 결과에서는 발광 효율은 10mA/cm2의 전류 밀도에서의 효율 값을 나타낸 것이고, 소자 수명은 1000 cd/m2에서의 휘도 반감 수명을 나타낸 것이다.
실시예 및 비교예의 유기 전계 발광 소자의 전류 밀도, 전압, 발광 효율은 키슬리 인스트루먼트(Keithley Instrument)사의 2400시리즈 소스 미터(Source Meter), 코니카 미놀타(Konica Minolta)사 제품인 색체휘도계 CS-200, 주식회사 일본 내셔널 인스트루먼트사 제품인 측정용 PC Program LabVIEW 2.0을 이용하여 암실에서 실시하였다.
소자 작성예 정공 수송층 물질 전압
(V)		 발광 효율 (cd/A) 소자 수명[LT50]
(hrs)
실시예 1 화합물 A4 5.7 8.1 2000
실시예 2 화합물 A15 5.8 7.7 2200
실시예 3 화합물 A45 5.6 7.6 2250
실시예 4 화합물 A53 5.7 7.6 2200
실시예 5 화합물 B4 5.6 7.9 2050
실시예 6 화합물 B15 5.8 7.8 2250
실시예 7 화합물 B53 5.8 7.8 2250
비교예 1 비교예 화합물 R1 6.0 6.2 1200
비교예 2 비교예 화합물 R2 6.0 6.0 1150
비교예 3 비교예 화합물 R3 5.9 6.1 1000
비교예 4 비교예 화합물 R4 5.9 6.5 1100
비교예 5 비교예 화합물 R5 6.1 6.0 1050
표 2의 결과를 참조하면, 본 발명의 일 실시예의 아민 화합물을 정공 수송층 재료로 사용한 유기 전계 발광 소자의 실시예들의 경우 낮은 구동 전압, 우수한 소자 효율 및 양호한 소자 수명 특성을 나타내는 것을 알 수 있다. 실시예 1 내지 실시예 7의 경우 비교예 1 내지 비교예 5와 비교하여 낮은구동 전압과 높은 발광 효율을 나타내며 수명 특성에 있어서도 반감 수명이 현저히 개선된 것을 확인할 수 있다.
실시예들에 사용된 아민 화합물들은 Si, 및 N 원자를 축합환에 모두 포함하는 페나자실린 구조를 포함하고 있어 고효율 및 장수명 특성을 나타내었다. 또한, 실시예에 사용된 아민 화합물들은 페나자실린 부분의 일측에 아민기를 도입하여 분자 전체의 대칭성이 무너져 결정성이 억제되어 아모포스(amorphous)성이 증가됨으로써 비교예 화합물들과 비교하여 높은 발광 효율과 소자수명을 나타내는 것으로 판단된다. 또한, 실시예들에 사용된 아민 화합물은 페나자실린 부분인 축합환에 질소 원자를 포함하여 정공 수송성이 보다 개선되었으며 이에 따라 발광층 내에서의 정공과 전자의 재결합 확률을 향상시켜 실시예의 유기 전계 발광 소자의 발광 효율을 보다 개선하는 것으로 판단된다.
비교예 1 내지 비교예 3에 사용된 비교예 화합물들은 Si 원자를 포함한 헤테로 축합환을 갖는 아민 화합물들에 해당하나, 실시예에 사용된 아민 화합물들과 비교하여 축합환에 질소 원자를 포함하고 있지 않다. 이에 따라, 비교예 1 내지 비교예 3의 경우 실시예들과 비교하여 발광 효율 및 수명 특성이 모두 낮게 나타났다. 이는 실시예들에서 사용된 아민 화합물들의 경우 축합환에 포함되는 질소 원자가 정공 수송성 향상에 기여하고 있기 때문으로 판단된다.
또한, 비교예 4 및 비교예 5는 페나자실린 부분에 카바졸 또는 벤조티에노피리딘 등의 헤테로아릴기가 치환되어 있는 구조를 갖는다. 비교예 4 및 비교예 5 역시 실시예들과 비교하여 낮은 발광 효율과 짧은 수명 특성을 나타내었다.
표 2의 결과를 참조하면, 일 실시예의 아민 화합물을 정공 수송층 재료로 사용할 경우, 비교예 화합물들을 정공 수송층 재료로 사용한 경우와 비교하여 장수명 및 고효율 특성을 나타내는 것을 확인할 수 있다. 즉, 일 실시예의 아민 화합물은 축합환인 페나자실린 부분과 아릴 아민 부분을 모두 포함하여, 아민의 특성을 유지하면서 페나자실린 부분에 의해 개선된 전자 내성과 열안정성을 가지고 막질을 개선할 수 있어 고효율 특성 및 장수명 특성을 동시에 나타내는 것을 알 수 있다.
일 실시예의 아민 화합물은 페나자실린 부분과 아릴아민 부분을 모두 포함하여 장수명 특성과 고발광 효율 특성을 모두 나타낼 수 있다.
일 실시예의 아민 화합물은 장수명 특성을 갖는 아릴아민 부분에 열 및 전하 내성이 우수한 페나자실린 부분을 도입하여 고온 및 전하에 대한 내성을 개선시킴으로써 소자 수명을 더욱 향상시키는 유기 전계 발광 소자용 재료로 사용될 수 있다. 또한, 페나자실린 부분에 포함된 질소 원자가 아민 화합물 분자 전체의 정공 수송 능력을 보다 향상시켜 유기 전계 발광 소자의 발광층 내에서의 정공과 전자의 재결합 확률을 증가시킴으로서 일 실시예의 아민 화합물은 정공 수송 영역에 포함되어 일 실시예의 유기 전계 발광 소자가 개선된 발광 효율을 나타내도록 할 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
10 : 유기 전계 발광 소자 EL1 : 제1 전극
EL2 : 제2 전극 HTR : 정공 수송 영역
EML : 발광층 ETR : 전자 수송 영역

Claims (20)

  1. 제1 전극;
    상기 제1 전극 상에 배치되고 하기 화학식 1로 표시되는 아민 화합물을 포함하는 정공 수송 영역;
    상기 정공 수송 영역 상에 배치된 발광층;
    상기 발광층 상에 배치된 전자 수송 영역; 및
    상기 전자 수송 영역 상에 배치된 제2 전극; 을 포함하는 유기 전계 발광 소자:
    [화학식 1]
    Figure pat00085

    상기 화학식 1에서,
    R1은 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 6 이상 40 이하의 아릴기이고,
    R2 및 R3은 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 6 이상 40 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 2 이상 40 이하의 헤테로아릴기이며,
    R4 내지 R11은 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 6 이상 40 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 40 이하의 헤테로아릴기이거나, 또는 인접하는 기와 서로 결합하여 고리를 형성하고,
    Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 6 이상 40 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 2 이상 40 이하의 헤테로아릴기이고,
    L은 직접 결합, 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴렌기이며,
    n은 0 이상 4 이하의 정수이다.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 정공 수송 영역은 상기 제1 전극과 상기 발광층 사이에 배치된 정공 주입층 및 상기 정공 주입층과 상기 발광층 사이에 배치된 정공 수송층을 포함하고,
    상기 정공 수송층은 상기 화학식 1로 표시되는 아민 화합물을 포함하는 유기 전계 발광 소자.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 화학식 1은 하기 화학식 1-1 또는 화학식 1-2로 표시되는 유기 전계 발광 소자:
    [화학식 1-1]
    Figure pat00086

    [화학식 1-2]
    Figure pat00087

    상기 화학식 1-1 및 화학식 1-2에서, R1 내지 R11, Ar1, Ar2, L, 및 n은 상기 화학식 1에서 정의한 바와 동일하다.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 화학식 1은 하기 화학식 2-1 또는 화학식 2-2로 표시되는 유기 전계 발광 소자:
    [화학식 2-1]
    Figure pat00088

    [화학식 2-2]
    Figure pat00089

    상기 화학식 2-1 및 화학식 2-2에서,
    X 및 Y는 각각 독립적으로, 고리형성 탄소수 6 이상 40 이하의 탄화수소 고리, 또는 고리형성 탄소수 2 이상 40 이하의 헤테로고리이고,
    R12 및 R13은 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 40 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 40 이하의 헤테로아릴기이며,
    p 및 q는 각각 독립적으로, 0 이상 3 이하의 정수이고,
    R1 내지 R11, Ar1, Ar2, L, 및 n은 상기 화학식 1에서 정의한 바와 동일하다.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 화학식 2-1 및 상기 화학식 2-2는 각각 하기 화학식 2-1A 및 하기 화학식 2-2A로 표시되는 유기 전계 발광 소자:
    [화학식 2-1A]
    Figure pat00090

    [화학식 2-2A]
    Figure pat00091

    상기 화학식 2-1A 및 화학식 2-2A에서,
    R12 및 p는 상기 화학식 2-1에서 정의한 바와 동일하고,
    R13 및 q는 상기 화학식 2-2에서 정의한 바와 동일하며,
    R1 내지 R11, Ar1, Ar2, L, 및 n은 상기 화학식 1에서 정의한 바와 동일하다.
  6. 제 1항에 있어서,
    R1은 비치환된 페닐기인 유기 전계 발광 소자.
  7. 제 1항에 있어서,
    R2 및 R3은 각각 독립적으로, 비치환된 페닐기, 비치환된 디벤조퓨라닐기, 또는 비치환된 디벤조티오페닐기인 유기 전계 발광 소자.
  8. 제 1항에 있어서,
    Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 나프닐기, 치환 또는 비치환된 페난트렌기, 치환 또는 비치환된 비페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 벤조퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 벤조티오페닐기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐기, 치환 또는 비치환된 피리디닐기, 치환 또는 비치환된 퀴노리닐기, 또는 치환 또는 비치환된 플루오레닐기인 유기 전계 발광 소자.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 발광층은 하기 화학식 3으로 표시되는 안트라센 유도체를 포함하는 유기 전계 발광 소자:
    [화학식 3]
    Figure pat00092

    상기 화학식 3에서,
    R21 내지 R30은 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이거나, 또는 인접하는 기와 서로 결합하여 고리를 형성하고,
    c 및 d는 각각 독립적으로 0 이상 5 이하의 정수이다.
  10. 제 1항에 있어서, 상기 정공 수송 영역은 하기 화합물군 A 및 화합물군 B의 화합물들 중 적어도 하나를 포함하는 유기 전계 발광 소자:
    [화합물군 A]
    Figure pat00093
    Figure pat00094
    Figure pat00095
    Figure pat00096
    Figure pat00097
    Figure pat00098
    Figure pat00099
    Figure pat00100
    Figure pat00101
    Figure pat00102
    Figure pat00103
    Figure pat00104
    Figure pat00105
    Figure pat00106
    Figure pat00107
    Figure pat00108
    Figure pat00109
    Figure pat00110
    Figure pat00111
    Figure pat00112
    Figure pat00113
    Figure pat00114
    Figure pat00115

    [화합물군 B]
    Figure pat00116
    Figure pat00117
    Figure pat00118
    Figure pat00119
    Figure pat00120
    Figure pat00121
    Figure pat00122
    Figure pat00123
    Figure pat00124
    Figure pat00125
    Figure pat00126
    Figure pat00127
    Figure pat00128
    Figure pat00129
    Figure pat00130
    .
  11. 하기 화학식 1로 표시되는 아민 화합물:
    [화학식 1]
    Figure pat00131

    상기 화학식 1에서,
    R1은 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 6 이상 40 이하의 아릴기이고,
    R2 및 R3은 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 6 이상 40 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 2 이상 40 이하의 헤테로아릴기이며,
    R4 내지 R11은 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 6 이상 40 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 40 이하의 헤테로아릴기이거나, 또는 인접하는 기와 서로 결합하여 고리를 형성하고,
    Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 6 이상 40 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 2 이상 40 이하의 헤테로아릴기이고,
    L은 직접 결합, 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴렌기이며,
    n은 0 이상 4 이하의 정수이다.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 화학식 1은 하기 화학식 1-1 또는 화학식 1-2로 표시되는 아민 화합물:
    [화학식 1-1]
    Figure pat00132

    [화학식 1-2]
    Figure pat00133

    상기 화학식 1-1 및 화학식 1-2에서, R1 내지 R11, Ar1, Ar2, L, 및 n은 상기 화학식 1에서 정의한 바와 동일하다.
  13. 제 11항에 있어서,
    상기 화학식 1은 하기 화학식 2-1 또는 화학식 2-2로 표시되는 아민 화합물:
    [화학식 2-1]
    Figure pat00134

    [화학식 2-2]
    Figure pat00135

    상기 화학식 2-1 및 화학식 2-2에서,
    X 및 Y는 각각 독립적으로, 고리형성 탄소수 6 이상 40 이하의 탄화수소 고리, 또는 고리형성 탄소수 2 이상 40 이하의 헤테로 고리이고,
    R12 및 R13은 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 40 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 40 이하의 헤테로아릴기이며,
    p 및 q는 각각 독립적으로, 0 이상 3 이하의 정수이고,
    R1 내지 R11, Ar1, Ar2, L, 및 n은 상기 화학식 1에서 정의한 바와 동일하다.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 화학식 2-1 및 상기 화학식 2-2는 각각 하기 화학식 2-1A 및 하기 화학식 2-2A로 표시되는 아민 화합물:
    [화학식 2-1A]
    Figure pat00136

    [화학식 2-2A]
    Figure pat00137

    상기 화학식 2-1A 및 화학식 2-2A에서,
    R12 및 p는 상기 화학식 2-1에서 정의한 바와 동일하고,
    R13 및 q는 상기 화학식 2-2에서 정의한 바와 동일하며,
    R1 내지 R11, Ar1, Ar2, L, 및 n은 상기 화학식 1에서 정의한 바와 동일하다
  15. 제 11항에 있어서,
    R1은 비치환된 페닐기인 아민 화합물.
  16. 제 11항에 있어서,
    R2 및 R3은 각각 독립적으로, 비치환된 페닐기, 비치환된 디벤조퓨라닐기, 또는 비치환된 디벤조티오페닐기인 아민 화합물.
  17. 제 11항에 있어서, R2 및 R3은 동일한 아민 화합물
  18. 제 11항에 있어서,
    Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 나프닐기, 치환 또는 비치환된 페난트렌기, 치환 또는 비치환된 비페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 벤조퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 벤조티오페닐기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐기, 치환 또는 비치환된 피리디닐기, 치환 또는 비치환된 퀴노리닐기, 또는 치환 또는 비치환된 플루오레닐기인 아민 화합물.
  19. 제 11항에 있어서,
    L은 직접 결합, 치환 또는 비치환된 페닐렌기, 치환 또는 비치환된 2가의 디벤조퓨란인 아민 화합물.
  20. 제 11항에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 아민 화합물은 하기 화합물군 A 및 화합물군 B에 표시된 화합물들 중 어느 하나인 아민 화합물:
    [화합물군 A]
    Figure pat00138
    Figure pat00139
    Figure pat00140
    Figure pat00141
    Figure pat00142
    Figure pat00143
    Figure pat00144
    Figure pat00145
    Figure pat00146
    Figure pat00147
    Figure pat00148
    Figure pat00149
    Figure pat00150
    Figure pat00151
    Figure pat00152
    Figure pat00153
    Figure pat00154
    Figure pat00155
    Figure pat00156
    Figure pat00157
    Figure pat00158
    Figure pat00159
    Figure pat00160

    [화합물군 B]
    Figure pat00161
    Figure pat00162
    Figure pat00163
    Figure pat00164
    Figure pat00165
    Figure pat00166
    Figure pat00167
    Figure pat00168
    Figure pat00169
    Figure pat00170
    Figure pat00171
    Figure pat00172
    Figure pat00173
    Figure pat00174
    Figure pat00175
    .
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4700442B2 (ja) 2004-08-19 2011-06-15 ケミプロ化成株式会社 フェナザシリン誘導体、それよりなるホール輸送材料、ホール注入材料、発光層ホスト材料およびそれを含む有機ｅｌ素子。
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US9502672B2 (en) 2012-06-21 2016-11-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US8927749B2 (en) 2013-03-07 2015-01-06 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
JP6530318B2 (ja) 2013-11-28 2019-06-12 株式会社Ｋｙｕｌｕｘ 発光材料、有機発光素子および化合物
JP2015119055A (ja) * 2013-12-18 2015-06-25 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
KR101769764B1 (ko) 2014-12-17 2017-08-22 경상대학교산학협력단 신규한 유기반도체 화합물 및 이를 이용한 유기전계발광소자
KR102360504B1 (ko) 2014-12-24 2022-02-11 솔루스첨단소재 주식회사 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
JP2016136581A (ja) * 2015-01-23 2016-07-28 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 有機電界発光素子用材料、これを用いた有機電界発光素子及びアミン誘導体
CN106966955A (zh) 2017-04-21 2017-07-21 瑞声光电科技(常州)有限公司 联苯化合物及发光器件
KR102504131B1 (ko) * 2017-04-27 2023-02-28 삼성디스플레이 주식회사 헤테로시클릭 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자

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