KR20200016848A

KR20200016848A - 육각판상 산화아연의 제조 방법

Info

Publication number: KR20200016848A
Application number: KR1020197035240A
Authority: KR
Inventors: 료헤이 요시다; 미츠오 하시모토; 가즈타카 무라이
Original assignee: 사카이 가가쿠 고교 가부시키가이샤
Priority date: 2017-06-12
Filing date: 2018-06-08
Publication date: 2020-02-17
Also published as: CA3063323A1; EP3640214A4; US11203530B2; US20200172407A1; WO2018230472A1; JP6451912B1; KR102502534B1; JPWO2018230472A1; CN110740975A; EP3640214A1

Abstract

본 발명은 두께가 얇고, 또한 입자의 크기의 편차가 적은 육각판상 산화아연을 제조할 수 있는 방법을 제공한다. 본 발명은 육각판상 산화아연을 제조하는 방법으로서, 그 제조 방법은, 원료 산화아연 입자와 아세트산아연 용액과, 염화물을 포함하는 혼합 슬러리를 조제하는 공정 (1) 및 공정 (1) 에서 얻어진 혼합 슬러리를 60 ℃ ∼ 100 ℃ 에서 가열 숙성하는 공정 (2) 를 포함하는 육각판상 산화아연의 제조 방법이다.

Description

육각판상 산화아연의 제조 방법

본 발명은, 육각판상 산화아연의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 화장품 등의 용도에 바람직하게 사용할 수 있는 육각판상 산화아연의 제조 방법에 관한 것이다.

최근, 태양광선 등에 포함되는 자외선이나 적외선으로부터 피부를 지키기 위한 성분이 화장료에 배합되는 경우가 많아지고 있고, 자외선이나 적외선을 흡수 또는 반사하는 성분으로서 여러 가지 성분이 사용되고 있다. 그 중 하나로 산화아연이 있고, 부정형의 산화아연 입자에 비해 우수한 자외선이나 적외선의 반사능을 갖는 육각판상 산화아연 입자나, 박편상 산화아연을 화장료의 성분으로서 사용하는 것이 개시되어 있다 (특허문헌 1 ∼ 4 참조).

국제 공개 제2012/147886호 국제 공개 제2015/118777호 일본 공개특허공보 2015-182892호 일본 공개특허공보 2012-176860호

화장료에 배합되는 산화아연에는, 자외선이나 적외선의 차폐능에 더하여, 사용했을 때의 감촉이 우수한 것도 요구된다. 감촉이 우수한 것으로 하기 위해서는, 산화아연 입자를 가능한 한 얇은 판상의 형상으로 하고, 또, 입자의 크기의 편차가 적은 것으로 하는 것이 바람직하지만, 종래의 육각판상 산화아연의 제조 방법에서는, 얻어지는 입자에 두께가 있고, 또 시판되는 박편상 산화아연은 입자의 균일성이 떨어진다. 이 때문에, 두께가 얇고, 또한 입자의 크기의 편차가 적고, 사용했을 때의 감촉이 우수한 육각판상 산화아연 입자를 제조할 수 있는 방법을 개발할 여지가 있었다.

본 발명은, 상기 현상황을 감안하여 이루어진 것으로, 두께가 얇고, 또한 입자의 크기의 편차가 적은 육각판상 산화아연을 제조할 수 있는 방법을 제공하는 것도 목적으로 한다.

본 발명자는, 두께가 얇고, 또한 입자의 크기의 편차가 적은 육각판상 산화아연의 제조 방법에 대해 검토한 결과, 원료 산화아연 입자와 아세트산아연 용액과, 염화물을 포함하는 혼합 슬러리를 조제하는 공정과, 그 공정에서 얻어진 혼합 슬러리를 60 ℃ ∼ 100 ℃ 에서 가열 숙성하는 공정을 포함하는 제조 방법을 사용하면, 두께가 얇고, 또한 입자의 크기의 편차가 적은 육각판상 산화아연 입자가 얻어지는 것을 알아내어, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.

즉 본 발명은, 육각판상 산화아연을 제조하는 방법으로서, 그 제조 방법은, 원료 산화아연 입자와 아세트산아연 용액과, 염화물을 포함하는 혼합 슬러리를 조제하는 공정 (1) 및 공정 (1) 에서 얻어진 혼합 슬러리를 60 ℃ ∼ 100 ℃ 에서 가열 숙성하는 공정 (2) 를 포함하는 육각판상 산화아연의 제조 방법이다.

상기 공정 (1) 에서 얻어진 혼합 슬러리 중의 염화물의 함유량은, 공정 (1) 에서 사용하는 원료 산화아연 입자에 대하여, 0.3 몰％ 이상이 되는 비율인 것이 바람직하다.

상기 염화물은, 염화나트륨, 염화암모늄, 염화리튬에서 선택되는 적어도 1 종인 것이 바람직하다.

상기 제조 방법은, 추가로 공정 (2) 에서 얻어진 반응 슬러리로부터 얻어진 고형분을, 70 ℃ ∼ 100 ℃ 미만의 물로 세정하는 공정 (3) 을 포함하는 것이 바람직하다.

본 발명은 또, 에스펙트비가 4.5 이상, 또한, D90/D10 이 2.5 이하인 육각판상 산화아연이기도 하다.

본 발명의 육각판상 산화아연의 제조 방법은, 두께가 얇고, 또한 입자의 크기의 편차가 적은 육각판상 산화아연을 제조할 수 있기 때문에, 화장료 등의, 사용했을 때의 감촉이 우수한 것이 요구되는 용도에 사용하는 육각판상 산화아연의 바람직한 제조 방법이다.

도 1 은 실시예 1 에서 얻은 육각판상 산화아연 입자의 전자 현미경 사진이다.
도 2 는 실시예 2 에서 얻은 육각판상 산화아연 입자의 전자 현미경 사진이다.
도 3 은 실시예 4 에서 얻은 육각판상 산화아연 입자의 전자 현미경 사진이다.
도 4 는 비교예 1 에서 얻은 육각판상 산화아연 입자의 전자 현미경 사진이다.
도 5 는 비교예 2 에서 얻은 육각판상 산화아연 입자의 전자 현미경 사진이다.
도 6 은 비교예 3 에서 얻은 육각판상 산화아연 입자의 전자 현미경 사진이다.
도 7 은 비교예 4 에서 얻은 육각판상 산화아연 입자의 전자 현미경 사진이다.
도 8 은 비교예 5 에서 얻은 육각판상 산화아연 입자의 전자 현미경 사진이다.

이하, 본 발명의 일례에 대해 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이하의 기재에만 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 요지를 변경하지 않는 범위에서 적절히 변경하여 적용할 수 있다.

＜육각판상 산화아연의 제조 방법＞

본 발명의 육각판상 산화아연의 제조 방법은, 원료 산화아연 입자와 아세트산아연 용액과, 염화물을 포함하는 혼합 슬러리를 조제하는 공정 (1) 과, 공정 (1) 에서 얻어진 혼합 슬러리를 60 ℃ ∼ 100 ℃ 에서 가열 숙성하는 공정 (2) 를 포함하는 것을 특징으로 한다.

공정 (1) 은, 원료 산화아연 입자와 아세트산아연 용액과 염화물을 포함하는 혼합 슬러리가 조제되게 되는 한, 이들을 혼합하는 순번은 특별히 제한되지 않고, 원료 산화아연 입자와 아세트산아연 용액을 먼저 혼합한 후에 염화물을 혼합해도 되고, 원료 산화아연 입자 또는 아세트산아연 용액 중 어느 것과 염화물을 먼저 혼합한 후에 원료 산화아연 입자 또는 아세트산아연 용액 중 나머지 일방을 혼합해도 된다. 또, 이들 3 개를 동시에 혼합해도 된다.

혼합할 때에는, 원료 산화아연 입자, 아세트산아연 용액, 염화물 중 어느 하나의 성분에 대해 다른 성분을 첨가함으로써 혼합해도 되고, 용매에 대해 이들 3 개의 성분 중 2 개 또는 3 개를 첨가함으로써 혼합해도 된다.

또, 혼합할 때에는, 이들 성분을 일괄로 첨가해도 되고, 분할하여 첨가해도 된다.

공정 (1) 에 있어서, 원료 산화아연 입자와 아세트산아연 용액과 염화물을 포함하는 혼합 슬러리를 조제하기 위한 이들 성분의 혼합은 교반하여 실시하는 것이 바람직하다. 교반하는 방법은 특별히 제한되지 않는다.

공정 (1) 에 있어서, 원료 산화아연 입자나 염화물은, 혼합할 때, 분말로 혼합해도 되고, 슬러리나 용액의 상태로 하여 혼합해도 되는데, 얻어지는 육각판상 산화아연의 입도 분포를 작게 하는 점에서, 슬러리나 용액의 상태로 하여 혼합하는 것이 바람직하다.

슬러리나 용액의 상태로 하는 경우에 사용하는 용매는, 물이 바람직하다.

또, 원료 산화아연 입자, 아세트산아연 용액, 염화물의 3 개의 성분 중 2 개 또는 3 개를 용매에 대해 첨가함으로써 혼합하는 경우에 사용하는 용매도, 물이 바람직하다.

원료 산화아연 입자나 염화물을 슬러리나 용액의 상태로 하여 혼합하는 경우, 사용하는 용매의 양은 특별히 제한되지 않지만, 원료 산화아연 입자나 염화물 1 g 에 대하여, 1 ∼ 500 ㎖ 인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, 5 ∼ 100 ㎖ 이다.

공정 (1) 에 있어서 사용되는 아세트산아연 용액은, 아세트산아연을 용해한 용액이면 용매는 특별히 제한되지 않지만, 물인 것이 바람직하다. 즉, 공정 (1) 에 있어서 아세트산아연 수용액이 사용되는 것이 바람직하다.

공정 (1) 에 있어서 사용되는 아세트산아연 용액의 농도는, 0.1 ∼ 4 ㏖/ℓ 인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, 0.3 ∼ 3 ㏖/ℓ 이고, 더욱 바람직하게는, 0.5 ∼ 2 ㏖/ℓ 이다.

공정 (1) 에 있어서 사용되는 원료 산화아연 입자는, 비표면적 환산 입자경이 0.001 ∼ 1 ㎛ 인 것이 바람직하다. 이와 같은 입자경인 것을 사용함으로써, 제조되는 육각판상 산화아연이 자외선이나 적외선의 차폐성이 보다 우수한 것이 되어, 화장료 등의 각종 용도에 보다 바람직하게 사용할 수 있는 것이 된다. 상기 원료 산화아연 입자의 입자경은, 보다 바람직하게는, 0.002 ∼ 0.1 ㎛ 이다.

상기 원료 산화아연 입자의 비표면적 환산 입자경은, BET 법에 의해 구해지는 비표면적과 동일한 표면적을 갖는 구의 직경에 상당한다. 즉, 비표면적 환산 입자경은, 전자동 BET 비표면적 측정 장치 Macsorb Model HM-1200 (Mountech 사 제조) 에 의해 측정하여 구한 비표면적 : Sg 와, 산화아연의 진비중 : ρ 로부터, 하기 계산식에 의해 구한 값이다.

원료 산화아연 입자의 비표면적 환산 입자경 (㎛) = [6/(Sg × ρ)]

(Sg (㎡/g) : 비표면적, ρ (g/㎤) : 입자의 진비중)

또한, 입자의 진비중 : ρ 는, 산화아연의 진비중의 값인 5.6 을 상기 계산에 사용하였다.

공정 (1) 에 있어서, 원료 산화아연 입자와 아세트산아연 용액과 염화물을 포함하는 혼합 슬러리를 조제하기 위해서 사용되는 아세트산아연 용액의 양은, 원료 산화아연 입자 1 ㏖ 에 대해 아세트산아연 용액에 포함되는 아세트산아연이 0.1 ∼ 3 ㏖ 이 되는 양인 것이 바람직하다. 이와 같은 비율로 아세트산아연 용액을 사용함으로써, 균일한 육각 형상의 입자가 얻어진다. 보다 바람직하게는, 아세트산아연이 0.2 ∼ 1 ㏖ 가 되는 양이다.

공정 (1) 에 있어서 사용되는 염화물은, 육각판상 산화아연이 제조되게 되는 한 특별히 제한되지 않지만, 염화알루미늄, 염화나트륨, 염화암모늄, 염화리튬 등의 1 종 또는 2 종 이상을 사용할 수 있다. 이 중에서도, 염화물로는, 염화나트륨, 염화암모늄, 염화리튬에서 선택되는 적어도 1 종인 것이 바람직하다.

공정 (1) 에서 얻어진 혼합 슬러리 중의 염화물의 함유량은, 공정 (1) 에서 사용하는 원료 산화아연 입자에 대하여, 0.3 몰％ 이상이 되는 비율인 것이 바람직하다. 이와 같은 비율로 사용됨으로써, 얻어지는 육각판상 산화아연 입자를 보다 두께가 얇고, 입자의 크기가 가지런한 것으로 할 수 있다. 보다 바람직하게는, 공정 (1) 에서 사용하는 원료 산화아연 입자에 대하여, 0.4 몰％ 이상이고, 더욱 바람직하게는, 0.5 몰％ 이상이다. 또, 불순물을 줄이는 것과 생산성의 점에서, 공정 (1) 에서 얻어진 혼합 슬러리 중의 염화물의 함유량은, 공정 (1) 에서 사용하는 원료 산화아연 입자에 대하여, 300 몰％ 이하인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, 250 몰％ 이하이고, 더욱 바람직하게는, 200 몰％ 이하이다.

공정 (1) 에 있어서 조제되는, 원료 산화아연 입자와 아세트산아연 용액과 염화물을 포함하는 혼합 슬러리에 있어서의 아세트산아연의 농도는, 0.1 ∼ 3 ㏖/ℓ 인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, 0.2 ∼ 1 ㏖/ℓ 이다.

공정 (1) 에 있어서, 원료 산화아연 입자와 아세트산아연 용액과 염화물을 포함하는 슬러리의 혼합 온도는, 특별히 제한되지 않지만, 3 ∼ 50 ℃ 인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, 10 ∼ 40 ℃ 이다.

공정 (1) 에 있어서, 원료 산화아연 입자와 아세트산아연 용액과 염화물을 포함하는 슬러리의 혼합 시간은 특별히 제한되지 않고, 원료의 양 등에 따라 적절히 설정하면 되는데, 1 ∼ 480 분 동안 실시하는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, 30 ∼ 360 분이다.

공정 (1) 을, 미리 아세트산아연 용액에 염화물을 첨가하고, 얻어진 용액과 원료 산화아연 입자를 혼합함으로써 실시하는 경우의, 아세트산아연 용액에 염화물을 첨가한 용액과 원료 산화아연 입자를 혼합하는 공정의 시간도 특별히 제한되지 않지만, 10 ∼ 420 분 동안 실시하는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, 30 ∼ 300 분이다.

공정 (2) 는, 공정 (1) 에서 얻어진 혼합 슬러리를 60 ∼ 100 ℃ 에서 가열 숙성하는 공정이다. 가열 숙성을 함으로써, 입자 형상이 육각판상으로 갖추어진 입자를 얻을 수 있다. 가열 온도는, 60 ∼ 100 ℃ 이면 되는데, 70 ∼ 100 ℃ 인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, 80 ∼ 100 ℃ 이고, 더욱 바람직하게는, 90 ∼ 100 ℃ 이다. 또한, 가열 숙성은 혼합 슬러리를 교반하면서 실시해도 되고, 정치 (靜置) 하고 있어도 되는데, 교반하면서 실시하는 것이 바람직하다.

공정 (2) 에 있어서의 가열 숙성의 시간은 특별히 제한되지 않지만, 육각판상 산화아연의 수율과 생산성을 고려하면, 10 ∼ 540 분인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, 20 ∼ 420 분이고, 더욱 바람직하게는, 30 ∼ 300 분이다.

공정 (1) 에서 얻어진 혼합 슬러리를 60 ∼ 100 ℃ 로 가열할 때의 승온 속도는, 10 ℃/분 이하인 것이 바람직하다. 이와 같은 승온 속도로 함으로써, 충분한 결정 성장의 시간을 취할 수 있어, 균일하고 입경의 편차가 적은 알루미늄 도프 육각판상 산화아연을 얻을 수 있다. 보다 바람직하게는, 5 ℃/분 이하이고, 더욱 바람직하게는, 3 ℃/분 이하이다.

본 발명의 육각판상 산화아연의 제조 방법은 추가로 공정 (2) 에서 얻어진 반응 슬러리로부터 얻어진 고형분을 70 ℃ ∼ 100 ℃ 미만의 물로 세정하는 공정 (3) 을 포함하는 것이 바람직하다. 이와 같은 공정 (3) 은, 공정 (2) 에서 얻어진 반응 슬러리를 여과하여 얻어진 고형분 (케이크) 을, 70 ℃ ∼ 100 ℃ 미만의 수중에서 교반하는 방법으로 실시할 수 있다. 이와 같은 공정을 실시함으로써, 미반응의 아세트산아연 등의 여분의 염류를 보다 충분히 제거하여, 균일하고 입경의 편차가 적은 육각판상 산화아연을 얻을 수 있다.

공정 (3) 의 온도는, 70 ℃ ∼ 100 ℃ 미만이면 되는데, 80 ℃ ∼ 100 ℃ 미만인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, 90 ℃ ∼ 100 ℃ 미만이다.

본 발명의 육각판상 산화아연의 제조 방법에서는, 공정 (2) 의 후에 (공정 (2) 와 공정 (3) 사이에), 또는 공정 (3) 후에, 여과, 세정 (수세) 을 실시해도 된다. 이로써, 미반응의 원료 등의 여분의 염류를 제거하여, 얻어지는 육각판상 산화아연의 순도를 높일 수 있다. 또, 여과 전에 액을 냉각시키는 공정을 실시해도 된다.

공정 (2) 의 후나 공정 (3) 의 후의 세정 및 공정 (3) 에 있어서의 세정에 사용하는 물의 양은, 세정하는 고형분 100 질량％에 대하여, 1000 질량％ 이상인 것이 바람직하다. 이로써, 고형분 중에 포함되는 여분의 염류를 보다 충분히 제거할 수 있다.

공정 (3) 을 실시하는 시간은, 고형분의 양이나 사용하는 물의 양에 따라 적절히 설정하면 되는데, 10 ∼ 540 분인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, 30 ∼ 480 분이다.

본 발명의 육각판상 산화아연의 제조 방법은, 추가로 육각판상 산화아연을 건조시키는 공정을 포함하고 있어도 된다.

육각판상 산화아연을 건조시키는 공정의 온도는, 육각판상 산화아연이 건조되는 한 특별히 제한되지 않지만, 100 ∼ 200 ℃ 인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, 110 ∼ 150 ℃ 이다.

또 건조시키는 시간도 특별히 제한되지 않지만, 6 ∼ 200 시간인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, 12 ∼ 170 시간이다.

본 발명의 육각판상 산화아연의 제조 방법은, 상기 공정 (1) ∼ (3), 세정 공정, 여과 공정, 건조 공정 이외의 그 밖의 공정을 포함하고 있어도 된다. 그 밖의 공정으로는, 필요에 따라 실시되는 표면 처리 공정이 포함된다. 그 밖의 공정은, 공정 (1) ∼ (3) 중 어느 공정의 전 또는 후에 실시해도 된다.

본 발명의 육각판상 산화아연의 제조 방법에 있어서, 상기 공정 (1) ∼ (3), 세정 공정, 여과 공정, 건조 공정 및 그 밖의 공정을 실시하는 횟수는 1 회여도 되고, 2 회 이상이어도 된다.

＜육각판상 산화아연＞

본 발명의 육각판상 산화아연은, 에스펙트비가 4.5 이상, 또한, D90/D10 이 2.5 이하인 것을 특징으로 한다.

본 발명의 육각판상 산화아연은, 이와 같은 에스펙트비, 또한, D90/D10 을 가짐으로써, 형상에서 유래하는 우수한 미끄러짐성이나 감촉을 갖는 것이 된다.

본 발명의 육각판상 산화아연은, 에스펙트비가 4.5 이상이면 되는데, 4.7 이상인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, 5.0 이상이고, 더욱 바람직하게는, 5.2 이상이다. 에스펙트비에 상한은 없지만, 육각판상 산화아연의 에스펙트비는 통상 100 이하이다.

본 발명의 육각판상 산화아연은, D90/D10 이 2.5 이하이면 되는데, 2.3 이하인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, 2.2 이하이다.

본 발명의 육각판상 산화아연은, 메디안 직경이 0.05 ∼ 5 ㎛ 인 것이 바람직하다. 이와 같은 메디안 직경인 것이면, 육각판상 산화아연이 자외선이나 적외선의 차폐 효과에도 우수한 것이 된다. 육각판상 산화아연의 메디안 직경은, 보다 바람직하게는, 0.07 ∼ 4 ㎛ 이고, 더욱 바람직하게는, 0.08 ∼ 3.5 ㎛ 이다. 본 발명에 있어서의 메디안 직경은, 개수 기준에서의 50 ％ 적산 입경 (D50) 이고, 실시예에 기재된 방법으로 측정한 것이다.

본 발명의 육각판상 산화아연은, BET 비표면적이 1.1 ㎡/g 이상인 것이 바람직하다. 이와 같은 BET 비표면적을 갖는 것이면, 자외선 차폐능이나 은폐성이 바람직한 범위가 된다.

BET 비표면적은, 보다 바람직하게는, 2.2 ㎡/g 이상이고, 더욱 바람직하게는, 2.3 ㎡/g 이상이다.

본 발명의 육각판상 산화아연은, 파장 350 ㎚ 에 있어서의 전광선 투과율이 60 ％ 이하인 것이 바람직하다. 이와 같은 값이면, 우수한 자외선 차폐능을 가질 수 있다. 보다 바람직하게는, 파장 350 ㎚ 에 있어서의 전광선 투과율이 58 ％ 이하인 것이고, 더욱 바람직하게는, 57 ％ 이하이다.

본 발명의 육각판상 산화아연은, 파장 400 ㎚ 에 있어서의 평행광 투과율이 35 ％ 이하인 것이 바람직하다. 이와 같은 값이면, 육각판상 산화아연 입자의 은폐성이 높아져, 화장료 등의 색조가 중요한 용도에 보다 바람직한 것이 된다. 보다 바람직하게는, 파장 400 ㎚ 에 있어서의 평행광 투과율이 33 ％ 이하인 것이고, 더욱 바람직하게는, 32 ％ 이하이다.

본 발명의 육각판상 산화아연은, 이원소가 도프되어 있는 것이어도 되고, 필요에 따라 표면 처리를 실시한 것이어도 된다. 표면 처리로는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 실리카층, 알루미나층, 지르코니아층, 티타니아층 등의 무기 산화물층을 형성하는 무기 표면 처리나, 유기 규소 화합물, 유기 알루미늄 화합물, 유기 티탄 화합물, 고급 지방산, 금속 비누, 다가 알코올, 알칸올아민 등의 유기 표면 처리를 들 수 있다. 또, 복수 종의 표면 처리를 실시한 것이어도 된다.

본 발명의 육각판상 산화아연은, 두께가 얇고, 또한 입자의 크기의 편차가 적은 입자인 것에서 기인하여, 우수한 미끄러짐성이나 감촉을 갖는 것으로, 화장료의 원료로서 바람직하게 사용할 수 있지만, 그 이외에도, 방열성 필러, 방열성 수지 조성물, 방열성 그리스, 고무의 가황 촉진제, 도료·잉크용 안료, 페라이트나 바리스터 등의 전자 부품, 의약품, 필름 등의 용도에 바람직하게 사용할 수 있다.

실시예

본 발명을 상세하게 설명하기 위해서 이하에 실시예를 들지만, 본 발명은 이들 예에만 한정되는 것은 아니다. 특별히 언급이 없는 한, 「％」는 「질량％ (중량％)」를, 「부」는 「질량부 (중량부)」를, 각각 의미한다.

실시예 1

원료 산화아연 입자 (사카이 화학 공업사 제조 FINEX-50 비표면적 환산 입자경 0.02 ㎛) 78.4 g 을 399 ㎖ 의 물에 리펄프하여 슬러리를 얻었다. 또, 아세트산아연으로서의 농도가 1.30 ㏖/ℓ 인 아세트산아연 수용액 601 ㎖ 를 조제하고, 거기에 염화나트륨 1.15 g (원료 산화아연 입자에 대해 2 ㏖％) 을 첨가하였다. 상기 서술한 슬러리와 아세트산아연 수용액을, 30 ℃ 로 제어한 물 200 ㎖ 중에 동시 첨가하고 120 분 동안 전체량 첨가하여, 아세트산아연으로서의 농도가 0.65 ㏖/ℓ 인 아세트산아연 수용액과 원료 산화아연 입자와 염화나트륨의 혼합 슬러리로 하였다. 계속해서, 그 혼합 슬러리를 교반하면서 65 분 동안에 95 ℃ 로 승온시키고, 교반하면서 95 ℃ 에서 2 시간 숙성하였다. 숙성 후, 즉시 급랭한 후, 여과, 세정하고, 얻어진 케이크를 추가로 물에 리펄프하고, 95 ℃ 로 가열하여 2 시간 교반한 후, 여과, 세정 (수세) 하고, 20 ℃ 에서 16 시간 건조시킴으로써, 육각판상 산화아연 입자를 얻었다.

실시예 2

원료 산화아연 입자 (사카이 화학 공업사 제조 FINEX-50 비표면적 환산 입자경 0.02 ㎛) 78.4 g 을 399 ㎖ 의 물에 리펄프하여 슬러리를 얻었다. 또, 아세트산아연으로서의 농도가 1.30 ㏖/ℓ 인 아세트산아연 수용액 601 ㎖ 를 조제하고, 거기에 염화암모늄 1.05 g (원료 산화아연 입자에 대해 2 ㏖％) 을 첨가하였다. 상기 서술한 슬러리와 아세트산아연 수용액을, 30 ℃ 로 제어한 물 200 ㎖ 중에 동시 첨가하고 120 분 동안 전체량 첨가하여, 아세트산아연으로서의 농도가 0.65 ㏖/ℓ 인 아세트산아연 수용액과 원료 산화아연 입자와 염화암모늄의 혼합 슬러리로 하였다. 계속해서, 그 혼합 슬러리를 교반하면서 65 분 동안에 95 ℃ 로 승온시키고, 교반하면서 95 ℃ 에서 2 시간 숙성하였다. 숙성 후, 즉시 급랭한 후, 여과, 세정하고, 얻어진 케이크를 추가로 물에 리펄프하고, 95 ℃ 로 가열하여 2 시간 교반한 후, 여과, 세정 (수세) 하고, 120 ℃ 에서 16 시간 건조시킴으로써, 육각판상 산화아연 입자를 얻었다.

실시예 3

원료 산화아연 입자 (사카이 화학 공업사 제조 FINEX-50 비표면적 환산 입자경 0.02 ㎛) 76.8 g 을 399 ㎖ 의 물에 리펄프하여 슬러리를 얻었다. 또, 아세트산아연으로서의 농도가 1.30 ㏖/ℓ 인 아세트산아연 수용액 601 ㎖ 를 조제하고, 거기에 염화나트륨 2.30 g (원료 산화아연 입자에 대해 4.2 ㏖％) 을 첨가하였다. 상기 서술한 슬러리와 아세트산아연 수용액을, 30 ℃ 로 제어한 물 200 ㎖ 중에 동시 첨가하고 120 분 동안 전체량 첨가하여, 아세트산아연으로서의 농도가 0.65 ㏖/ℓ 인 아세트산아연 수용액과 원료 산화아연 입자와 염화나트륨의 혼합 슬러리로 하였다. 계속해서, 그 혼합 슬러리를 교반하면서 65 분 동안에 95 ℃ 로 승온시키고, 교반하면서 95 ℃ 에서 2 시간 숙성하였다. 숙성 후, 즉시 급랭한 후, 여과, 세정하고, 얻어진 케이크를 추가로 물에 리펄프하고, 95 ℃ 로 가열하여 2 시간 교반한 후, 여과, 세정 (수세) 하고, 120 ℃ 에서 16 시간 건조시킴으로써, 육각판상 산화아연 입자를 얻었다.

실시예 4

원료 산화아연 입자 (사카이 화학 공업사 제조 FINEX-50 비표면적 환산 입자경 0.02 ㎛) 64 g 을 399 ㎖ 의 물에 리펄프하여 슬러리를 얻었다. 또, 아세트산아연으로서의 농도가 1.30 ㏖/ℓ 인 아세트산아연 수용액 601 ㎖ 를 조제하고, 거기에 염화나트륨 11.49 g (원료 산화아연 입자에 대해 25 ㏖％) 을 첨가하였다. 상기 서술한 슬러리와 아세트산아연 수용액을, 30 ℃ 로 제어한 물 200 ㎖ 중에 동시 첨가하고 120 분 동안 전체량 첨가하여, 아세트산아연으로서의 농도가 0.65 ㏖/ℓ 인 아세트산아연 수용액과 원료 산화아연 입자와 염화나트륨의 혼합 슬러리로 하였다. 계속해서, 그 혼합 슬러리를 교반하면서 65 분 동안에 95 ℃ 로 승온시키고, 교반하면서 95 ℃ 에서 2 시간 숙성하였다. 숙성 후, 즉시 급랭한 후, 여과, 세정하고, 얻어진 케이크를 추가로 물에 리펄프하고, 95 ℃ 로 가열하여 2 시간 교반한 후, 여과, 세정 (수세) 하고, 120 ℃ 에서 16 시간 건조시킴으로써, 육각판상 산화아연 입자를 얻었다.

실시예 5

원료 산화아연 입자 (사카이 화학 공업사 제조 FINEX-50 비표면적 환산 입자경 0.02 ㎛) 76.8 g 을 399 ㎖ 의 물에 리펄프하여 슬러리를 얻었다. 또, 아세트산아연으로서의 농도가 1.30 ㏖/ℓ 인 아세트산아연 수용액 601 ㎖ 를 조제하고, 거기에 염화리튬 1.67 g (원료 산화아연 입자에 대해 4.2 ㏖％) 을 첨가하였다. 상기 서술한 슬러리와 아세트산아연 수용액을, 30 ℃ 로 제어한 물 200 ㎖ 중에 동시 첨가하고 120 분 동안 전체량 첨가하여, 아세트산아연으로서의 농도가 0.65 ㏖/ℓ 인 아세트산아연 수용액과 원료 산화아연 입자와 염화리튬의 혼합 슬러리로 하였다. 계속해서, 그 혼합 슬러리를 교반하면서 65 분 동안에 95 ℃ 로 승온시키고, 교반하면서 95 ℃ 에서 2 시간 숙성하였다. 숙성 후, 즉시 급랭한 후, 여과, 세정하고, 얻어진 케이크를 추가로 물에 리펄프하고, 95 ℃ 로 가열하여 2 시간 교반한 후, 여과, 세정 (수세) 하고, 120 ℃ 에서 16 시간 건조시킴으로써, 육각판상 산화아연 입자를 얻었다.

실시예 6

원료 산화아연 입자 (사카이 화학 공업사 제조 FINEX-50 비표면적 환산 입자경 0.02 ㎛) 79.2 g 을 399 ㎖ 의 물에 리펄프하여 슬러리를 얻었다. 또, 아세트산아연으로서의 농도가 1.30 ㏖/ℓ 인 아세트산아연 수용액 601 ㎖ 를 조제하고, 거기에 염화알루미늄 6 수화물 2.37 g (원료 산화아연 입자에 대해 염화알루미늄이 1 ㏖％) 을 첨가하였다. 상기 서술한 슬러리와 아세트산아연 수용액을, 30 ℃ 로 제어한 물 200 ㎖ 중에 동시 첨가하고 120 분 동안 전체량 첨가하여, 아세트산아연으로서의 농도가 0.65 ㏖/ℓ 인 아세트산아연 수용액과 원료 산화아연 입자와 염화알루미늄의 혼합 슬러리로 하였다. 계속해서, 그 혼합 슬러리를 교반하면서 65 분 동안에 95 ℃ 로 승온시키고, 교반하면서 95 ℃ 에서 2 시간 숙성하였다. 숙성 후, 즉시 급랭한 후, 여과, 세정하고, 얻어진 케이크를 추가로 물에 리펄프하고, 95 ℃ 로 가열하여 2 시간 교반한 후, 여과, 세정 (수세) 하고, 120 ℃ 에서 16 시간 건조시킴으로써, 육각판상 산화아연 입자를 얻었다.

실시예 7

원료 산화아연 입자 (사카이 화학 공업사 제조 FINEX-50 비표면적 환산 입자경 0.02 ㎛) 79.6 g 을 399 ㎖ 의 물에 리펄프하여 슬러리를 얻었다. 또, 아세트산아연으로서의 농도가 1.30 ㏖/ℓ 인 아세트산아연 수용액 601 ㎖ 를 조제하고, 염화알루미늄 6 수화물 1.19 g (원료 산화아연 입자에 대해 염화알루미늄이 0.5 ㏖％) 을 첨가하였다. 상기 서술한 슬러리와 아세트산아연 수용액을, 30 ℃ 로 제어한 물 200 ㎖ 중에 동시 첨가하고 120 분 동안 전체량 첨가하여, 아세트산아연으로서의 농도가 0.65 ㏖/ℓ 인 아세트산아연 수용액과 원료 산화아연 입자와 염화알루미늄의 혼합 슬러리로 하였다. 계속해서, 그 혼합 슬러리를 교반하면서 65 분 동안에 95 ℃ 로 승온시키고, 교반하면서 95 ℃ 에서 2 시간 숙성하였다. 숙성 후, 즉시 급랭한 후, 여과, 세정하고, 얻어진 케이크를 추가로 물에 리펄프하고, 95 ℃ 로 가열하여 2 시간 교반한 후, 여과, 세정 (수세) 하고, 120 ℃ 에서 16 시간 건조시킴으로써, 육각판상 산화아연 입자를 얻었다.

실시예 8

원료 산화아연 입자 (사카이 화학 공업사 제조 FINEX-50 비표면적 환산 입자경 0.02 ㎛) 78.4 g 을 399 ㎖ 의 물에 리펄프하여 슬러리를 얻었다. 또, 아세트산아연으로서의 농도가 1.30 ㏖/ℓ 인 아세트산아연 수용액 601 ㎖ 를 조제하고, 거기에 염화알루미늄 6 수화물 4.75 g (원료 산화아연 입자에 대해 염화알루미늄이 2 ㏖％) 을 첨가하였다. 상기 서술한 슬러리와 아세트산아연 수용액을, 30 ℃ 로 제어한 물 200 ㎖ 중에 동시 첨가하고 120 분 동안 전체량 첨가하여, 아세트산아연으로서의 농도가 0.65 ㏖/ℓ 인 아세트산아연 수용액과 원료 산화아연 입자와 염화알루미늄의 혼합 슬러리로 하였다. 계속해서, 그 혼합 슬러리를 교반하면서 65 분 동안에 95 ℃ 로 승온시키고, 교반하면서 95 ℃ 에서 2 시간 숙성하였다. 숙성 후, 즉시 급랭한 후, 여과, 세정하고, 얻어진 케이크를 추가로 물에 리펄프하고, 95 ℃ 로 가열하여 2 시간 교반한 후, 여과, 세정 (수세) 하고, 120 ℃ 에서 16 시간 건조시킴으로써, 육각판상 산화아연 입자를 얻었다.

실시예 9

원료 산화아연 입자 (사카이 화학 공업사 제조 FINEX-50 비표면적 환산 입자경 0.02 ㎛) 80 g 을 399 ㎖ 의 물에 리펄프하여 슬러리를 얻었다. 또, 아세트산아연으로서의 농도가 1.30 ㏖/ℓ 인 아세트산아연 수용액 601 ㎖ 를 조제하고, 거기에 염화나트륨 11.49 g (원료 산화아연 입자에 대해 염화나트륨이 20 ㏖％), 염화알루미늄 6 수화물 0.07 g (원료 산화아연 입자에 대해 염화알루미늄이 0.03 ㏖％) 을 첨가하였다. 상기 서술한 슬러리와 아세트산아연 수용액을, 30 ℃ 로 제어한 물 200 ㎖ 중에 동시 첨가하고 120 분 동안 전체량 첨가하여, 아세트산아연으로서의 농도가 0.65 ㏖/ℓ 인 아세트산아연 수용액과 원료 산화아연 입자와 염화알루미늄의 혼합 슬러리로 하였다. 계속해서, 그 혼합 슬러리를 교반하면서 65 분 동안에 95 ℃ 로 승온시키고, 교반하면서 95 ℃ 에서 2 시간 숙성하였다. 숙성 후, 즉시 급랭한 후, 여과, 세정하고, 얻어진 케이크를 추가로 물에 리펄프하고, 95 ℃ 로 가열하여 2 시간 교반한 후, 여과, 세정 (수세) 하고, 120 ℃ 에서 16 시간 건조시킴으로써, 육각판상 산화아연 입자를 얻었다.

비교예 1

원료 산화아연 입자 (사카이 화학 공업사 제조 FINEX-50 비표면적 환산 입자경 0.02 ㎛) 80 g 을 399 ㎖ 의 물에 리펄프하여 슬러리를 얻었다. 또, 아세트산아연으로서의 농도가 1.30 ㏖/ℓ 인 아세트산아연 수용액 601 ㎖ 를 조제하였다. 상기 서술한 슬러리와 아세트산아연 수용액을, 30 ℃ 로 제어한 물 200 ㎖ 중에 동시 첨가하고 120 분 동안 전체량 첨가하여, 아세트산아연으로서의 농도가 0.65 ㏖/ℓ 인 아세트산아연 수용액과 원료 산화아연의 혼합 슬러리로 하였다. 계속해서, 그 혼합 슬러리를 교반하면서 65 분 동안에 95 ℃ 로 승온시키고, 교반하면서 95 ℃ 에서 2 시간 숙성하였다. 숙성 후, 즉시 급랭한 후, 여과, 세정하고, 얻어진 케이크를 추가로 물에 리펄프하고, 95 ℃ 로 가열하여 2 시간 교반한 후, 여과, 세정 (수세) 하고, 120 ℃ 에서 16 시간 건조시킴으로써, 육각판상 산화아연 입자를 얻었다.

비교예 2

원료 산화아연 입자 (사카이 화학 공업사 제조 FINEX-50 비표면적 환산 입자경 0.02 ㎛) 78.4 g 을 399 ㎖ 의 물에 리펄프하여 슬러리를 얻었다. 또, 아세트산아연으로서의 농도가 1.30 ㏖/ℓ 인 아세트산아연 수용액 601 ㎖ 를 조제하고, 거기에 황산나트륨 2.79 g (원료 산화아연 입자에 대해 황산나트륨이 2 ㏖％) 을 첨가하였다. 상기 서술한 슬러리와 아세트산아연 수용액을, 30 ℃ 로 제어한 물 200 ㎖ 중에 동시 첨가하고 120 분 동안 전체량 첨가하여, 아세트산아연으로서의 농도가 0.65 ㏖/ℓ 인 아세트산아연 수용액과 원료 산화아연 입자와 황산나트륨의 혼합 슬러리로 하였다. 계속해서, 그 혼합 슬러리를 교반하면서 65 분 동안에 95 ℃ 로 승온시키고, 교반하면서 95 ℃ 에서 2 시간 숙성하였다. 숙성 후, 즉시 급랭한 후, 여과, 세정하고, 얻어진 케이크를 추가로 물에 리펄프하고, 95 ℃ 로 가열하여 2 시간 교반한 후, 여과, 세정 (수세) 하고, 120 ℃ 에서 16 시간 건조시킴으로써, 육각판상 산화아연 입자를 얻었다.

비교예 3

원료 산화아연 입자 (사카이 화학 공업사 제조 FINEX-50 비표면적 환산 입자경 0.02 ㎛) 78.4 g 을 399 ㎖ 의 물에 리펄프하여 슬러리를 얻었다. 또, 아세트산아연으로서의 농도가 1.30 ㏖/ℓ 인 아세트산아연 수용액 601 ㎖ 를 조제하고, 거기에 황산암모늄 2.60 g (원료 산화아연 입자에 대해 황산암모늄이 2 ㏖％) 을 첨가하였다. 상기 서술한 슬러리와 아세트산아연 수용액을, 30 ℃ 로 제어한 물 200 ㎖ 중에 혼합하면서 120 분 동안 전체량 첨가하고, 아세트산아연으로서의 농도가 0.65 ㏖/ℓ 인 아세트산아연 수용액과 원료 산화아연 입자와 황산암모늄의 혼합 슬러리로 하였다. 계속해서, 그 혼합 슬러리를 교반하면서 65 분 동안에 95 ℃ 로 승온시키고, 교반하면서 95 ℃ 에서 2 시간 숙성하였다. 숙성 후, 즉시 급랭한 후, 여과, 세정하고, 얻어진 케이크를 추가로 물에 리펄프하고, 95 ℃ 로 가열하여 2 시간 교반한 후, 여과, 세정 (수세) 하고, 120 ℃ 에서 16 시간 건조시킴으로써 육각판상 산화아연 입자를 얻었다.

비교예 4

원료 산화아연 입자 (사카이 화학 공업사 제조 FINEX-50 비표면적 환산 입자경 0.02 ㎛) 78.4 g 을 399 ㎖ 의 물에 리펄프하여 슬러리를 얻었다. 또, 아세트산아연으로서의 농도가 1.30 ㏖/ℓ 인 아세트산아연 수용액 601 ㎖ 를 조제하고, 거기에 질산나트륨 1.67 g (원료 산화아연 입자에 대해 질산나트륨이 2 ㏖％) 을 첨가하였다. 상기 서술한 슬러리와 아세트산아연 수용액을, 30 ℃ 로 제어한 물 200 ㎖ 중에 동시 첨가하고 120 분 동안 전체량 첨가하여, 아세트산아연으로서의 농도가 0.65 ㏖/ℓ 인 아세트산아연 수용액과 원료 산화아연 입자와 질산나트륨의 혼합 슬러리로 하였다. 계속해서, 그 혼합 슬러리를 교반하면서 65 분 동안에 95 ℃ 로 승온시키고, 교반하면서 95 ℃ 에서 2 시간 숙성하였다. 숙성 후, 즉시 급랭한 후, 여과, 세정하고, 얻어진 케이크를 추가로 물에 리펄프하고, 95 ℃ 로 가열하여 2 시간 교반한 후, 여과, 세정 (수세) 하고, 120 ℃ 에서 16 시간 건조시킴으로써 육각판상 산화아연 입자를 얻었다.

비교예 5

원료 산화아연 입자 (사카이 화학 공업사 제조 FINEX-50 비표면적 환산 입자경 0.02 ㎛) 76.8 g 을 399 ㎖ 의 물에 리펄프하여 슬러리를 얻었다. 또, 아세트산아연으로서의 농도가 1.30 ㏖/ℓ 인 아세트산아연 수용액 601 ㎖ 를 조제하고, 탄산나트륨 4.17 g (원료 산화아연 입자에 대해 탄산나트륨이 4.2 ㏖％) 을 첨가하였다. 상기 서술한 슬러리와 아세트산아연 수용액을, 30 ℃ 로 제어한 물 200 ㎖ 중에 동시 첨가하고 120 분 동안 전체량 첨가하여, 아세트산아연으로서의 농도가 0.65 ㏖/ℓ 인 아세트산아연 수용액과 원료 산화아연 입자와 탄산나트륨의 혼합 슬러리로 하였다. 계속해서, 그 혼합 슬러리를 교반하면서 65 분 동안에 95 ℃ 로 승온시키고, 교반하면서 95 ℃ 에서 2 시간 숙성하였다. 숙성 후, 즉시 급랭한 후, 여과, 세정하고, 얻어진 케이크를 추가로 물에 리펄프하고, 95 ℃ 로 가열하여 2 시간 교반한 후, 여과, 세정 (수세) 하고, 120 ℃ 에서 16 시간 건조시킴으로써, 육각판상 산화아연 입자를 얻었다.

산화아연 입자의 물성 평가

실시예 1 ∼ 9, 비교예 1 ∼ 5 에서 제조된 산화아연 입자의 각종 물성을 이하의 방법으로 측정하고, 결과를 표 1 에 나타냈다.

또한, 실시예 1, 2, 4, 비교예 1 ∼ 5 에서 제조된 산화아연 입자에 대하여, 주사형 전자 현미경 JSM-6510A (니혼 전자사 제조) 관찰로 얻어진 전자 현미경 사진을 도 1 ∼ 8 에 나타냈다.

＜입자의 형상＞

입자의 형상은 주사형 전자 현미경 JSM-6510A (니혼 전자사 제조) 로 관찰하여 확인하였다.

＜에스펙트비＞

주사형 전자 현미경 JSM-6510A (니혼 전자사 제조) 로 촬영한 사진의 2000 ∼ 50000 배의 시야에 있어서, 육각판상 산화아연 입자의 육각판상면이 바로 정면을 향하고 있는 입자의 그 대각선 직경 (육각판상 산화아연 입자의 육각판상면의 3 개의 대각선 중 임의의 1 개의 대각선의 길이) 으로 정의되는 입자경 (㎛) 을 입자 100 개분 계측한 평균값을 L, 육각판상 산화아연 입자의 측면이 바로 정면을 향하고 있는 입자 (장방형으로 보이는 입자) 의 그 두께 (㎛) (장방형의 짧은 쪽의 변의 길이) 를 입자 100 개분 계측한 평균값을 T 로 했을 때, 그들 값의 비 ; L/T 로서 구한 값을 에스펙트비로 하였다.

＜D10, D50 (메디안 직경), D90＞

주사형 전자 현미경 JSM-6510A (니혼 전자사 제조) 로 촬영한 사진의 2000 ∼ 50000 배의 시야에서의 대각선 직경 (육각판상 산화아연 입자의 육각판상면의 3 개의 대각선 중 임의의 1 개의 대각선의 길이) 으로 정의되는 입자경 (㎛) 으로서, SEM 사진 내에서 입자 100 개분의 대각선 직경을 계측하여, 그 누적 분포를 산출하였다.

개수 기준에서의 10 ％, 50 ％, 90 ％ 의 적산 입경을 각각 D10, D50, D90 으로 하였다.

＜BET 비표면적＞

BET 비표면적 (㎡/g) 은, 전자동 BET 비표면적 측정 장치 Macsorb (Mountech 사 제조) 에 의해 측정하였다.

＜350 ㎚ 전광 투과율, 400 ㎚ 평행광 투과율＞

350 ㎚ 전광 투과율, 400 ㎚ 평행광 투과율은 분광 광도계 (니혼 분광사 제조 V-570 형) 에 의해 측정한 값이다. 실시예 및 비교예에서 얻어진 산화아연 입자 2 g, 아크릴폴리올 수지 10 g, 자일렌 5 g, 아세트산부틸 5 g, 1.5 ㎜φ 유리 비드 38 g 을 75 ㎖ 마요네이즈병에 넣고, 페인트 컨디셔너로 90 분 진탕하여 분산액을 얻었다. 얻어진 분산액을 슬라이드 유리에 바 코터 ＃6 으로 도포하고, 분광 광도계 (니혼 분광사 제조 V-570 형) 를 사용하여 파장 350 ㎚ 에 있어서의 전광 투과율 및 파장 400 ㎚ 에 있어서의 평행광 투과율을 측정하였다.

＜감촉＞

소량의 분체를 피부 위에 두고, 손가락으로 분체를 잡아늘였을 때에 느끼는 감촉에 있어서, 분체의 미끄러짐성과 거칠기를 나타내는 지표이다. 미끄러짐성이 좋고 거칠기를 느낄 수 없는 것일수록 점수가 높고, 미끄러짐성이 나쁘고 거칠기를 느끼는 것일수록 점수가 낮은 것으로 하고, 비교예 1 의 분체를 기준 (5 점) 으로 하여, 각 시료에 대하여 1 점 ∼ 10 점의 10 단계로 점수를 매겼다.

Claims

육각판상 산화아연을 제조하는 방법으로서,
그 제조 방법은, 원료 산화아연 입자와 아세트산아연 용액과, 염화물을 포함하는 혼합 슬러리를 조제하는 공정 (1) 및
공정 (1) 에서 얻어진 혼합 슬러리를 60 ℃ ∼ 100 ℃ 에서 가열 숙성하는 공정 (2) 를 포함하는 것을 특징으로 하는 육각판상 산화아연의 제조 방법.
제 1 항에 있어서,
상기 공정 (1) 에서 얻어진 혼합 슬러리 중의 염화물의 함유량은, 공정 (1) 에서 사용하는 원료 산화아연 입자에 대하여, 0.3 몰％ 이상이 되는 비율인 것을 특징으로 하는 육각판상 산화아연의 제조 방법.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 염화물은, 염화나트륨, 염화암모늄, 염화리튬에서 선택되는 적어도 1 종인 것을 특징으로 하는 육각판상 산화아연의 제조 방법.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
추가로 공정 (2) 에서 얻어진 반응 슬러리로부터 얻어진 고형분을, 70 ℃ ∼ 100 ℃ 미만의 물로 세정하는 공정 (3) 을 포함하는 것을 특징으로 하는 육각판상 산화아연의 제조 방법.
에스펙트비가 4.5 이상, 또한, D90/D10 이 2.5 이하인 것을 특징으로 하는 육각판상 산화아연.