KR20200011700A - Revolver type deposition apparatus - Google Patents

Revolver type deposition apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR20200011700A
KR20200011700A KR1020180086475A KR20180086475A KR20200011700A KR 20200011700 A KR20200011700 A KR 20200011700A KR 1020180086475 A KR1020180086475 A KR 1020180086475A KR 20180086475 A KR20180086475 A KR 20180086475A KR 20200011700 A KR20200011700 A KR 20200011700A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
deposition
revolver
chamber
plate
deposition apparatus
Prior art date
Application number
KR1020180086475A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
이형진
안주일
Original Assignee
주식회사 선익시스템
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 선익시스템 filed Critical 주식회사 선익시스템
Priority to KR1020180086475A priority Critical patent/KR20200011700A/en
Publication of KR20200011700A publication Critical patent/KR20200011700A/en

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/12—Organic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/243—Crucibles for source material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
    • H01L51/001—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition

Abstract

According to an embodiment of the present invention, disclosed is a revolver type deposition apparatus which can deposit a deposition material on a surface of a substrate. The deposition apparatus according to the embodiment can comprise: a chamber provided with a chamber plate; at least one revolver installed in the chamber and rotated in one direction; a plurality of deposition sources disposed in the revolver and configured to evaporate the deposition material to the substrate; a deposition prevention plate disposed in an upper portion of the revolver; and a location checking means configured to check a location of the deposition source.

Description

리볼버 타입의 증착장치{REVOLVER TYPE DEPOSITION APPARATUS}Revolver type deposition apparatus {REVOLVER TYPE DEPOSITION APPARATUS}

본 발명은 반도체 또는 디스플레이 장치를 생산하기 위한 증착공정에 사용되는 증착장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 리볼버 타입의 증착장치에 관한 것이다.The present invention relates to a deposition apparatus used in a deposition process for producing a semiconductor or display device, and more particularly to a revolver type deposition apparatus.

유기 발광 소자(OLED: Organic Light Emitted Device) 등의 유기 소자를 제작하는데 있어서, 가장 중요한 공정은 유기 박막을 형성하는 공정이며, 이러한 유기 박막을 형성하기 위해서는 진공 증착이 주로 사용된다.In manufacturing an organic device such as an organic light emitting device (OLED), the most important process is a process of forming an organic thin film, and vacuum evaporation is mainly used to form such an organic thin film.

진공 증착은 챔버 내에 글라스(Glass)와 같은 기판과 파우더(Powder) 형태의 증착물질이 담긴 증착원을 대향 배치하고, 증착원 내에 담긴 파우더 형태의 증착물질을 증발시킴으로써 기판의 일면에 유기 박막을 형성할 수 있다.In vacuum deposition, an organic thin film is formed on one surface of a substrate by arranging a deposition source containing a glass-like substrate and a powder-like deposition material in a chamber and evaporating the powder-like deposition material contained in the deposition source. can do.

증착물질을 수용하는 용기인 증착원(Deposition source)은 전류가 벽들을 통과할 때 온도가 증가되는 전기적 저항 재료로 만들어진다. 이때, 증착원에 전류가 인가되면 내부의 증착물질이 증착원의 벽으로부터 발생하는 방사열과 벽과의 접촉으로부터 발생하는 전도열에 의하여 가열된다.Deposition source, which is a container containing the deposition material, is made of an electrically resistive material that increases in temperature as current passes through the walls. At this time, when a current is applied to the deposition source, the deposition material therein is heated by radiant heat generated from the walls of the deposition source and conductive heat generated from contact with the walls.

증착 공정이 진행됨에 따라 증착원 내부의 증착물질의 양이 적정량 이하로 줄어들면 새로운 증착원으로 교체해야 한다. 그런데 증착원을 교체할 때마다 챔버 내의 진공 상태를 해제한 후, 새로운 증착원을 장착하고 다시 챔버 내부를 진공 상태로 조성하여야 하므로 증착원의 교체 및 충진에 의한 증착 설비의 가동 중지가 불가피하다.As the deposition process proceeds, if the amount of deposition material in the deposition source decreases below an appropriate amount, it must be replaced with a new deposition source. However, every time the deposition source is replaced, the vacuum state in the chamber is released, and a new deposition source must be installed and the inside of the chamber must be vacuumed again.

따라서, 증착원의 교체 및 충진에 의한 증착 설비의 가동 중지를 최대한 줄이기 위해 다수개의 증착원을 내부에 배치한 리볼버(Revolver)가 사용된 리볼버 타입의 증착장치가 제안되고 있다.Accordingly, a revolver type deposition apparatus using a revolver having a plurality of deposition sources disposed therein has been proposed in order to minimize downtime of the deposition facility by replacing and filling deposition sources.

리볼버 타입 증착장치에서는 회전 가능한 리볼버 내부에 다수의 증착원을 배치하고, 하나의 증착원이 증착위치로 위치하여 증착물질이 소진된 경우, 리볼버가 회전하여 대기 상태에 있는 증착원을 증착위치로 회전시켜 해당 증착원의 증발 작업을 수행하게 된다.In a revolver type deposition apparatus, a plurality of deposition sources are disposed inside a rotatable revolver, and when one deposition source is positioned at the deposition position and the deposition material is exhausted, the revolver rotates to rotate the deposition source in the atmospheric state to the deposition position. To perform the evaporation of the deposition source.

그러나 종래의 리볼버 타입 증착장치의 경우, 증착위치로의 해당 증착원의 회전 이동 후에, 증착원의 증발 정위치 확인을 위해서는 작업자가 일일이 해당 위치를 수작업으로 확인하여 정확하게 증발 정위치에 배치되어 있는 지를 확인해야 하므로 매우 번거로운 점이 있었다.However, in the conventional revolver type deposition apparatus, after the rotational movement of the corresponding deposition source to the deposition position, in order to check the evaporation exact position of the deposition source, the operator manually checks the position manually to determine whether it is correctly positioned at the evaporation position. It was very cumbersome to check.

한국공개특허 제10-2011-0082418호Korean Patent Publication No. 10-2011-0082418

본 발명의 실시예는 리볼버에 증착원의 세팅 시 세팅 시간의 단축화 및 세팅의 정확성을 확보할 수 있는 리볼버 타입의 증착장치를 제공한다.An embodiment of the present invention provides a revolver type deposition apparatus capable of shortening the setting time and ensuring accuracy of setting when setting the deposition source in the revolver.

본 발명의 목적은 전술한 바에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 본 발명의 다른 목적 및 장점들은 하기의 설명에 의해서 이해될 수 있다.The object of the present invention is not limited to the above, and other objects and advantages of the present invention which are not mentioned may be understood by the following description.

본 발명의 실시예에 의한 리볼버 타입의 증착장치는, 챔버 플레이트를 구비한 챔버; 상기 챔버에 설치되며, 일 방향으로 회전하는 적어도 하나 이상의 리볼버; 상기 리볼버에 복수 구비되며, 상기 기판에 증착물질을 증발시키는 증착원; 상기 리볼버의 상부에 구비되는 방착판; 상기 증착원의 위치를 확인하는 위치확인수단;을 포함할 수 있다.Revolver type deposition apparatus according to an embodiment of the present invention, the chamber provided with a chamber plate; At least one revolver installed in the chamber and rotating in one direction; A plurality of deposition sources provided in the revolver and evaporating deposition materials on the substrate; Anti-stick plate provided on the revolver; Positioning means for confirming the position of the deposition source; may include.

본 발명의 실시예에서, 상기 위치확인수단은, 상기 방착판 상에 설치되는 플래그; 상기 챔버 플레이트에 설치되어 상기 플래그의 위치를 감지하는 감지센서;를 포함할 수 있다.In an embodiment of the present invention, the positioning means, the flag is installed on the anti-stick plate; And a sensing sensor installed at the chamber plate to detect a position of the flag.

본 발명의 실시예에서, 상기 방착판 상에는 상기 방착판의 중심을 기준으로 상기 증착원들을 각각 등각도로 구획하도록 복수의 구획판이 구비될 수 있다.In an embodiment of the present invention, a plurality of partition plates may be provided on the barrier plate to partition the deposition sources at equal angles with respect to the center of the barrier plate.

본 발명의 실시예에서, 상기 플래그는 상기 구획판들 중 어느 하나의 단부에 구비될 수 있다.In an embodiment of the present invention, the flag may be provided at an end of any one of the partition plates.

본 발명의 실시예에서, 상기 감지센서는 발광부 및 수광부를 갖는 포토센서일 수 있다.In an embodiment of the present invention, the sensing sensor may be a photosensor having a light emitting unit and a light receiving unit.

본 발명의 실시예에 따르면, 증착원들로부터 증착물질이 모두 소진되어 교체가 필요할 경우, 위치확인수단에 의해 즉시 증착원의 위치를 확인할 수 있으므로 세팅 시간을 단축할 수 있으며, 또한 항상 동일한 위치에 정확한 세팅이 가능하게 된다.According to an embodiment of the present invention, when the deposition material is exhausted from the deposition sources and needs to be replaced, the position of the deposition source can be immediately confirmed by the positioning means, so that the setting time can be shortened and also always in the same position. Accurate setting is possible.

본 발명의 효과는 상기한 효과로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 상세한 설명 또는 특허청구범위에 기재된 발명의 구성으로부터 추론 가능한 모든 효과를 포함하는 것으로 이해되어야 한다.The effects of the present invention are not limited to the above-described effects, but should be understood to include all the effects deduced from the configuration of the invention described in the detailed description or claims of the present invention.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 증착장치를 도시한 평면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 증착장치의 리볼버를 도시한 사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 증착장치의 리볼버를 도시한 평면도이다.1 is a plan view showing a deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a perspective view showing a revolver of a deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a plan view illustrating a revolver of a deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail an embodiment of the present invention. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention.

본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 본 발명의 본질과 관계없는 부분은 그에 대한 상세한 설명을 생략할 수 있으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 부여할 수 있다.In order to clearly describe the present invention, parts irrelevant to the essence of the present invention may be omitted, and the same reference numerals may be assigned to the same or similar elements throughout the specification.

또한, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 여기서 사용되는 전문 용어는 단지 특정 실시 예를 언급하기 위한 것이며, 본 발명을 한정하도록 의도되지 않으며, 본 명세서에서 다르게 정의되지 않는 한 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 이해되는 개념으로 해석될 수 있다.In addition, when a part is said to "include" a certain component, this means that it may further include other components, except to exclude other components unless otherwise stated. The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention, unless otherwise defined herein, as understood by one of ordinary skill in the art to which the invention pertains. It can be interpreted as a concept.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 증착장치를 도시한 평면도이다.1 is a plan view showing a deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참고하면, 일 실시예에 의한 증착장치는 챔버(100), 챔버(100) 내에 구비되는 리볼버(200)를 포함한다. 리볼버(200)는 챔버(100)에 설치된 챔버 플레이트(110)에 적어도 하나 이상 배치될 수 있다. 각각의 리볼버(200)는 구동수단에 의해 회전 가능하게 구성될 수 있다.Referring to FIG. 1, a deposition apparatus according to an embodiment includes a chamber 100 and a revolver 200 provided in the chamber 100. At least one revolver 200 may be disposed on the chamber plate 110 installed in the chamber 100. Each revolver 200 may be rotatably configured by a driving means.

리볼버(200)에는 복수의 증착원(210)들이 구비된다. 증착원(210)들은 리볼버(200)의 상부에 결합된 방착판(220)의 중심을 기준으로 등거리 상에 일정 간격으로 배치된다. 방착판(220)은 원판 형태로 형성될 수 있다.The revolver 200 is provided with a plurality of deposition sources 210. The deposition sources 210 are disposed at regular intervals on the equidistant basis with respect to the center of the deposition plate 220 coupled to the upper portion of the revolver 200. The antifouling plate 220 may be formed in a disc shape.

증착원(210)은 기판 상에 증착시킬 증착물질을 증발시키는 것으로서, 유기물 등의 증착물질을 담는 용기 및 용기를 가열시키는 히터(도시 생략)를 포함한다.The deposition source 210 evaporates the deposition material to be deposited on the substrate, and includes a container containing a deposition material such as an organic material and a heater (not shown) for heating the container.

증착원(210)의 용기는 알루미나 또는 파이롤리틱 질화붕소 등의 세라믹이나, 티타늄 등의 금속 재질 또는 탄소 등으로 형성될 수 있다. 용기는 상면에 개구부를 가지며, 용기 내에는 고순도의 분말 또는 팰릿 형태로 증발될 유기물이 수용된다. 히터는 용기의 외주를 따라 구비되는 열선일 수 있다. 따라서, 히터는 전원이 인가되면 용기를 가열하고, 용기가 가열되면 증착물질은 용기의 개구부를 통해 증발된다.The container of the deposition source 210 may be formed of a ceramic such as alumina or pyrolytic boron nitride, a metal material such as titanium, or carbon. The vessel has an opening on its top surface, in which the organic substance to be evaporated in the form of powder or pallet of high purity is contained. The heater may be a heating wire provided along the outer circumference of the container. Thus, the heater heats the vessel when power is applied, and when the vessel is heated, the deposition material evaporates through the opening of the vessel.

리볼버(200)가 회전하면 증착원(210)들은 리볼버(200)의 중심에 대하여 동일 반경으로 회전을 하게 된다. 리볼버(200)의 회전에 의해서 증착원(210)들은 소정 각도만큼 회전함으로써 적어도 하나 이상의 증착원(210)은 선택적으로 증착위치에 위치하게 된다. 즉, 증착원(210)을 교체하여 증착공정을 계속적으로 진행시킬 수 있도록 다음 순번의 증착원(210)을 증착위치에 위치시키면, 증착위치에 위치한 증착원(210)으로부터 증발활성화가 이루어진다.When the revolver 200 rotates, the deposition sources 210 rotate with the same radius with respect to the center of the revolver 200. The deposition sources 210 are rotated by a predetermined angle by the rotation of the revolver 200 so that at least one deposition source 210 is selectively positioned at the deposition position. That is, when the deposition source 210 of the next order is positioned at the deposition position so that the deposition process 210 can be continued by replacing the deposition source 210, evaporation activation is performed from the deposition source 210 located at the deposition position.

여기서, 증발활성화는 증착원(210) 내에 수용된 증착물질에 대한 증발이 이루어지는 것을 지칭한다. 증착위치는 증착물질이 증발되는 증발활성화가 이루어지는 특정위치를 말한다. 그리고 활성증착원은 복수 개의 증착원(210)들 중에서 증발활성화가 이루어지는 증착원(210)을 지칭한다.Here, the evaporation activation refers to the evaporation of the deposition material contained in the deposition source 210. The deposition location refers to a specific location where evaporation activation is performed in which the deposition material is evaporated. The active evaporation source refers to a deposition source 210 in which evaporation activation is performed among the plurality of deposition sources 210.

예컨대, 제1증착원의 위치(S1)를 증착위치로 가정하면, 제2 내지 제5증착원의 위치는 증착물질을 증발시키지 않고 대기하는 대기위치일 수 있다.For example, assuming that the position S1 of the first deposition source is a deposition position, the positions of the second to fifth deposition sources may be standby positions without evaporating the deposition material.

제1증착원으로부터 증착물질이 다 증발되어 소모되면 리볼버(200)는 시계 방향 또는 시계 반대 방향으로 회전한다. 일 실시예에서는 리볼버(200)가 시계 방향으로 회전하는 것으로 가정한다.When the deposition material is exhausted and consumed from the first deposition source, the revolver 200 rotates clockwise or counterclockwise. In one embodiment, it is assumed that the revolver 200 rotates clockwise.

이러한 방식으로 리볼버(200)의 회전에 의해 증착원의 위치교환이 이루어지며, 증착위치에 위치한 새로운 활성증착원은 증발활성화를 하게 된다.In this way, the position of the deposition source is changed by the rotation of the revolver 200, and the new active deposition source located at the deposition position is activated by evaporation.

도 2 및 도 3은 각각 본 발명의 일 실시예에 의한 증착장치의 리볼버를 도시한 것이다.2 and 3 respectively show a revolver of a deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2 및 도 3을 참고하면, 일 실시예에 의한 리볼버(200)는 5개의 증착원(210)을 구비한다.2 and 3, the revolver 200 according to an embodiment includes five deposition sources 210.

리볼버(200) 내에 배치된 증착원(210)들 중에서 방착판(220)의 개구부 하부에 위치한 제1증착원(S1)이 가동(히터의 가동)하면 증착물질은 증발하여 기판에 증착된다.Among the deposition sources 210 disposed in the revolver 200, when the first deposition source S1 located below the opening of the deposition plate 220 is operated (operation of the heater), the deposition material is evaporated and deposited on the substrate.

제1증착원(S1)의 증착물질이 모두 증발되면, 리볼버(200)가 소정 각도 회전하여 인접한 제2증착원(S2)이 증착위치로 이송되어 증착물질의 증발이 이루어진다. 이후, 이와 같은 동작이 반복되어 제3 내지 제5증착원(S3 내지 S5) 내의 모든 증착물질의 증발이 이루어진다.When all of the deposition material of the first deposition source (S1) is evaporated, the revolver 200 is rotated by a predetermined angle and the adjacent second deposition source (S2) is transferred to the deposition position to evaporate the deposition material. Thereafter, the above operation is repeated to evaporate all the deposition materials in the third to fifth deposition sources S3 to S5.

기판에 대한 증착 공정이 완료되면, 증착막이 형성된 기판은 외부로 이송되고, 새로운 기판이 투입된다.When the deposition process for the substrate is completed, the substrate on which the deposition film is formed is transferred to the outside, and a new substrate is introduced.

이때, 증착물질이 소진된 증착원(210)을 교체하게 되며, 이 경우 교체되는 증착원(210)의 세팅 위치에 대한 정확한 재현성이 요구된다. 이를 위해 일 실시예에서는 챔버(100) 및/또는 리볼버(200)에 위치확인수단(300)이 설치된다.At this time, the deposition source 210 is used to replace the deposition source, in this case, accurate reproducibility of the setting position of the deposition source 210 to be replaced is required. To this end, in one embodiment, the positioning means 300 is installed in the chamber 100 and / or the revolver 200.

구체적으로, 리볼버(200)의 상부에는 방착판(220)이 구비된다. 방착판(220)은 증착원(210)의 증착물질이 외부로 전달되는 것을 차단하는 기능을 수행할 수 있다. 방착판(220)의 일 부분에는 증착물질의 증기를 기판으로 유동시키기 위한 개구부가 형성된다.Specifically, the upper portion of the revolver 200 is provided with a protective plate 220. The deposition plate 220 may serve to block the deposition material of the deposition source 210 from being transferred to the outside. A portion of the deposition plate 220 is formed with an opening for flowing the vapor of the deposition material to the substrate.

방착판(220)의 중앙에는 포스트(230)가 상 방향으로 돌출되고, 방착판(220) 상에는 포스트(230)로부터 방사상으로 복수의 구획판(240)이 구비된다. 구획판(240)들은 각각 증착원(210)들 사이에 배치된다. 구획판(240)들은 증착원(210)들의 정확한 위치 세팅을 위하여 포스트(230)를 중심으로 등각으로 배치된다.Post 230 is protruded in the upper direction in the center of the mounting plate 220, a plurality of partition plates 240 are provided radially from the post 230 on the mounting plate 220. The partition plates 240 are disposed between the deposition sources 210, respectively. The partition plates 240 are disposed conformally about the posts 230 for accurate positioning of the deposition sources 210.

위치확인수단(300)은 각 증착원(210)들의 정위치를 검지하기 위한 것이다. 위치확인수단(300)은 구획판(240) 중 적어도 어느 하나의 단부에 구비된 플래그(310)(Flag), 플래그(310)의 위치를 감지하는 감지센서(320)를 포함할 수 있다.Positioning means 300 is for detecting the exact position of each deposition source (210). The positioning unit 300 may include a flag 310 provided at at least one end of the partition plate 240 and a detection sensor 320 for detecting a position of the flag 310.

플래그(310)는 구획판(240)의 단부에 고정되며, 그 끝단이 외측 방향으로 돌출될 수 있다.The flag 310 is fixed to an end of the partition plate 240, the end of which may protrude outward.

감지센서(320)는 포토센서일 수 있다. 감지센서(320)가 포토센서일 경우, 플래그(310)를 기준으로 그 상측 및 하측에 각각 발광부(321) 및 수광부(322)가 배치될 수 있다. 발광부(321) 및 수광부(322)는 각각 챔버 플레이트(110) 상에 설치될 수 있다.The detection sensor 320 may be a photosensor. When the detection sensor 320 is a photosensor, the light emitting unit 321 and the light receiving unit 322 may be disposed above and below the flag 310, respectively. The light emitter 321 and the light receiver 322 may be installed on the chamber plate 110, respectively.

따라서, 리볼버(200)의 회전에 따라 방착판(220) 역시 회전하게 되며, 방착판(220)이 회전하면 구획판(240) 역시 회전하게 되며, 구획판(240)들 중 하나에 구비된 플래그(310) 역시 회전하게 된다. 이때, 플래그(310)가 챔버 플레이트(110)에 구비된 감지센서(320)를 통과하면서 제1증착원의 위치(S1)가 감지될 수 있다.Therefore, as the revolver 200 rotates, the barrier plate 220 also rotates, and when the barrier plate 220 rotates, the partition plate 240 also rotates, and the flag provided in one of the partition plates 240. 310 also rotates. In this case, while the flag 310 passes through the detection sensor 320 provided in the chamber plate 110, the position S1 of the first deposition source may be detected.

따라서, 제1증착원 뿐만 아니라 그 외의 모든 증착원들에 대한 교체 및 정확한 포지션 세팅이 가능함은 물론 세팅 시간이 단축될 수 있다.Accordingly, replacement and accurate position setting for not only the first deposition source but all other deposition sources are possible, as well as the setting time can be shortened.

본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있으므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해해야만 한다.As those skilled in the art to which the present invention pertains may implement the present invention in other specific forms without changing the technical spirit or essential features, the embodiments described above should be understood as illustrative and not restrictive in all respects. Should be.

본 발명의 범위는 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The scope of the present invention is shown by the appended claims rather than the detailed description, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be construed as being included in the scope of the present invention. .

100; 챔버 110; 챔버 플레이트
200; 리볼버 210; 증착원
220; 방착판 230; 포스트
240; 구획판
300; 위치확인수단 310; 플래그
320; 감지센서100; Chamber 110; Chamber plate
200; Revolver 210; Vapor deposition
220; Barrier plate 230; Post
240; Partition plate
300; Positioning means 310; flag
320; Sensor

Claims (5)

기판의 표면에 증착물질을 증착시키는 증착장치로서,
챔버 플레이트를 구비한 챔버;
상기 챔버에 설치되며, 일 방향으로 회전하는 적어도 하나 이상의 리볼버;
상기 리볼버에 복수 구비되며, 상기 기판에 증착물질을 증발시키는 증착원;
상기 리볼버의 상부에 구비되는 방착판;
상기 증착원의 위치를 확인하는 위치확인수단;
을 포함하는 리볼버 타입의 증착장치.
A deposition apparatus for depositing a deposition material on the surface of a substrate,
A chamber having a chamber plate;
At least one revolver installed in the chamber and rotating in one direction;
A plurality of deposition sources provided in the revolver and evaporating deposition materials on the substrate;
Anti-stick plate provided on the revolver;
Positioning means for checking the position of the deposition source;
Revolver type deposition apparatus comprising a.
제1항에 있어서,
상기 위치확인수단은,
상기 방착판 상에 설치되는 플래그;
상기 챔버 플레이트에 설치되어 상기 플래그의 위치를 감지하는 감지센서;
를 포함하는 리볼버 타입의 증착장치.
The method of claim 1,
The positioning means,
A flag installed on the barrier plate;
A detection sensor installed at the chamber plate to detect a position of the flag;
Revolver type deposition apparatus comprising a.
제2항에 있어서,
상기 방착판 상에는 상기 방착판의 중심을 기준으로 상기 증착원들을 각각 등각도로 구획하도록 복수의 구획판이 구비되는 리볼버 타입의 증착장치.
The method of claim 2,
And a plurality of partition plates are provided on the barrier plate to partition the deposition sources at equal angles with respect to the center of the barrier plate.
제3항에 있어서,
상기 플래그는 상기 구획판들 중 어느 하나의 단부에 구비되는 리볼버 타입의 증착장치.
The method of claim 3,
The flag is a revolver type deposition apparatus is provided at the end of any one of the partition plates.
제2항에 있어서,
상기 감지센서는 발광부 및 수광부를 갖는 포토센서인 리볼버 타입의 증착장치.The method of claim 2,
The detection sensor is a revolver type deposition apparatus is a photosensor having a light emitting portion and a light receiving portion.
KR1020180086475A 2018-07-25 2018-07-25 Revolver type deposition apparatus KR20200011700A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180086475A KR20200011700A (en) 2018-07-25 2018-07-25 Revolver type deposition apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180086475A KR20200011700A (en) 2018-07-25 2018-07-25 Revolver type deposition apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20200011700A true KR20200011700A (en) 2020-02-04

Family

ID=69570915

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180086475A KR20200011700A (en) 2018-07-25 2018-07-25 Revolver type deposition apparatus

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20200011700A (en)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110082418A (en) 2010-01-11 2011-07-19 삼성모바일디스플레이주식회사 Apparatus for thin layer deposition

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110082418A (en) 2010-01-11 2011-07-19 삼성모바일디스플레이주식회사 Apparatus for thin layer deposition

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100805531B1 (en) Evaporation source
JP4889607B2 (en) Supply device, vapor deposition device
TW201414041A (en) Deposition apparatus
JP4478113B2 (en) Heating vessel support and vapor deposition apparatus equipped with the same
KR100974041B1 (en) Apparatus for depositing film and methdod for measureing film thickness
KR20200011700A (en) Revolver type deposition apparatus
JP4584105B2 (en) Vapor deposition method and vapor deposition apparatus therefor
JP4216522B2 (en) Evaporation source and thin film forming apparatus using the same
KR102022449B1 (en) Apparatus for measuring deposition rate and deposition apparatus having the same
JP4909742B2 (en) Evaporation source and vapor deposition equipment
KR100684739B1 (en) Apparatus for sputtering organic matter
KR20190129368A (en) Multi-nozzle evaporating apparatus for deposition process
JP2014065942A (en) Vacuum evaporation device
KR101851734B1 (en) Deposition apparatus
KR101615357B1 (en) Multi Layer Deposition Apparatus and Deposition Method Using Thereof
KR100889762B1 (en) Method of vacuum evaporation and apparatus the same
KR101980280B1 (en) Thin film deposition processing apparatus
JP6815153B2 (en) Film deposition equipment
JP3736938B2 (en) Organic EL element manufacturing method, organic thin film forming apparatus
KR20200048410A (en) Deposition apparatus for multiple evaporation
KR101258252B1 (en) Apparatus for depositing chemical layers
KR101839999B1 (en) Deposition material detecting device having improved service life
KR101958190B1 (en) Vacuum deposition apparatus capable of deposition at large coating product
KR20150012383A (en) Thin film deposition processing apparatus
KR20140123313A (en) Thin film deposition processing apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application