KR20200009737A - System and Method For Cleaning Dummy Wafer - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a system for cleaning a wafer. The system for cleaning a wafer of the present invention, which cleans dummy wafers for monitoring a wafer processing process, includes: a first cleaning block formed to wipe residues of a clamped portion by rotating the dummy wafer in a state of clamping an upper surface edge, a lower surface edge and a side surface portion of the dummy wafer; a second cleaning block cleaning the residues remaining on a surface of the dummy wafer by immersing the dummy wafer into deionized water; and a dehumidifying device provided in the second cleaning block and formed to dry the dummy wafer after cleaning completion by the deionized water.

Description

더미 웨이퍼 세정 시스템 및 방법{System and Method For Cleaning Dummy Wafer}Dummy Wafer Cleaning System and Method {System and Method For Cleaning Dummy Wafer}

본 발명은 반도체 제조 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는, 공정 모니터링용 더미 웨이퍼(dummy wafer)를 세정하는 시스템 및 세정 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus and method, and more particularly, to a system and a cleaning method for cleaning a dummy wafer for process monitoring.

도체 디바이스를 제작하기 위한 웨이퍼 처리 공정 이전 또는 이후에, 공정 모니터링을 위해, 더미 웨이퍼를 이용하여 사전 또는 사후 웨이퍼 처리 공정을 진행할 수 있다. Before or after the wafer processing process for fabricating the conductor device, the dummy wafer may be used to carry out a pre or post wafer processing process for process monitoring.

그런데, 상기 사전 또는 사후 웨이퍼 처리 공정을 수 차례 이상 진행하는 경우, 더미 웨이퍼의 뒷면(backside) 및 상면 가장자리에 이물질이 잔류될 수 있다. 상기 이물질들을 제거하지 않은 채로, 더미 웨이퍼를 이용하여 웨이퍼 처리 공정을 진행하는 경우, 상기 이물질들이 웨이퍼 처리 장치 내부로 이탈될 수 있다. 이와 같이 웨이퍼 처리 장치 내부로 이탈된 이물질들은, 후속의 메인 웨이퍼 처리 공정 시 결함 요소로 작용된다. However, when the pre or post wafer processing process is performed several times or more, foreign matter may remain on the backside and the top edge of the dummy wafer. When the wafer processing process is performed using the dummy wafer without removing the foreign matters, the foreign matters may be separated into the wafer processing apparatus. In this way, the foreign substances separated into the wafer processing apparatus serve as a defect element in the subsequent main wafer processing process.

또한, 이물질이 이탈되지 않고, 더미 웨이퍼 표면에 잔류하는 경우, 더미 웨이퍼는 이물질이 존재하는 상태에서 다음 공정이 진행되므로, 더미 웨이퍼 상의 결과물을 통하여, 웨이퍼 처리 장치내의 공정 결과를 정확히 모니터링하기 어렵다. In addition, when foreign matter does not escape and remains on the surface of the dummy wafer, since the next process proceeds while the foreign matter is present, it is difficult to accurately monitor the process result in the wafer processing apparatus through the result on the dummy wafer.

현재, 더미 웨이퍼는 일반 웨이퍼와 달리, 임계 회수만큼의 처리 공정이 수행되면, 이물질 제거 공정 없이 폐기 처분하고 있다. 이로 인해, 제조비용이 상승될 수 있다. Currently, dummy wafers are disposed of without a foreign material removal process when a critical number of processing steps are performed, unlike ordinary wafers. As a result, the manufacturing cost can be increased.

본 발명의 실시예들은 효과적으로 더미 웨이퍼의 가장자리의 이물질을 제거할 수 있는 더미 웨이퍼 세정 시스템 및 방법을 제공하는 것이다. Embodiments of the present invention provide a dummy wafer cleaning system and method that can effectively remove foreign substances on the edge of a dummy wafer.

본 발명의 실시예에 따른, 웨이퍼 처리 공정을 모니터링하기 위한 더미 웨이퍼들을 세정하는 시스템으로서, 상기 더미 웨이퍼의 상면 가장자리, 하면 가장자리 및 측면 부위를 기계적으로 세정하기 위한 제 1 세정 블록, 상기 더미 웨이퍼를 화학적으로 세정하는 제 2 세정 블록, 및 상기 제 1 세정 블록과 상기 제 2 세정 블록 사이에 위치되어, 상기 더미 웨이퍼를 이동시키는 이송 블록을 포함한다. A system for cleaning dummy wafers for monitoring a wafer processing process according to an embodiment of the present invention, comprising: a first cleaning block for mechanically cleaning an upper surface edge, a lower surface edge, and a side portion of the dummy wafer; And a second cleaning block chemically cleaned, and a transfer block positioned between the first cleaning block and the second cleaning block to move the dummy wafer.

본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 처리 공정을 모니터링하기 위한 더미 웨이퍼들을 세정하는 시스템으로서, 상기 더미 웨이퍼의 상면 가장자리, 하면 가장자리 및 측면 부분을 클램핑한 상태로, 상기 더미 웨이퍼를 회전시켜, 클램핑된 부분의 잔류물을 와이핑하도록 구성되는 제 1 세정 블록; 상기 더미 웨이퍼를 탈이온수에 침지시켜, 상기 더미 웨이퍼 표면에 잔류하는 잔류물을 세정하는 제 2 세정 블록; 및 상기 제 2 세정 블록내에 구비되어, 상기 탈이온수에 의한 세정 완료 후, 상기 더미 웨이퍼를 건조시키도록 구성되는 제습 장치를 포함한다. A system for cleaning dummy wafers for monitoring a wafer processing process according to an embodiment of the present invention, wherein the dummy wafer is rotated by clamping the top edge, bottom edge, and side portions of the dummy wafer, thereby clamping the clamped portion. A first cleaning block configured to wipe the residue of; A second cleaning block immersing the dummy wafer in deionized water to clean residues remaining on the dummy wafer surface; And a dehumidifying apparatus provided in the second cleaning block and configured to dry the dummy wafer after completion of cleaning with the deionized water.

본 발명의 일 실시예에 따른 더미 웨이퍼 세정 방법은, 웨이퍼 카세트에 수납된 더미 웨이퍼들 중 하나를 인출하여, 인출된 상기 더미 웨이퍼들의 상부 및 하부 가장자리 부분 및 측부의 잔류물을 와이핑(wiping)에 의해 1차 세정하는 단계; 상기 1차 세정이 완료된 상기 더미 웨이퍼를 상기 웨이퍼 카세트에 수납되도록 이송하는 단계; 상기 웨이퍼 카세트 채로 탈이온수에 침지시켜, 2차 세정하는 단계; 상기 2차 세정 이후, 상기 웨이퍼 카세트를 건조시키는 단계를 포함한다. 상기 이송하는 단계시 상기 더미 웨이퍼에 에어를 분사하는 단계를 포함할 수 있다.In the dummy wafer cleaning method according to an embodiment of the present invention, one of the dummy wafers stored in the wafer cassette is taken out to wipe the residues of the upper and lower edge portions and sides of the extracted dummy wafers. Primary cleaning by; Transferring the dummy wafer having the primary cleaning completed in the wafer cassette; Immersing in deionized water with the wafer cassette to perform secondary cleaning; After the secondary cleaning, drying the wafer cassette. Injecting the air to the dummy wafer during the transfer step may include.

더미 웨이퍼를 세정하여 재사용함으로써, 반도체 제조 비용을 절감할 수 있다.By cleaning and reusing the dummy wafers, semiconductor manufacturing costs can be reduced.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 더미 웨이퍼 세정 시스템을 나타내는 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 제 1 세정 블록을 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 제 1 세정 블록의 지지부의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 제 1 세정 블록의 세정 클램핑부의 사시도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 제 2 세정 블록을 보여주는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 제습 장치의 구조를 보여주는 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 제 2 세정 블록의 구동 방법을 설명하기 위한 플로우 챠트이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 이송 블록을 보여주는 사시도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 더미 웨이퍼 세정 시스템의 동작을 설명하기 위한 플로우 챠트이다.1 is a perspective view illustrating a dummy wafer cleaning system according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view showing a first cleaning block according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view of a support of a first cleaning block according to an embodiment of the present invention.
4 is a perspective view of a cleaning clamping part of a first cleaning block according to an embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view illustrating a second cleaning block according to an embodiment of the present invention.
6 is a cross-sectional view showing the structure of a dehumidifying apparatus according to an embodiment of the present invention.
7 is a flowchart illustrating a method of driving a second cleaning block according to an embodiment of the present invention.
8 is a perspective view showing a transfer block according to an embodiment of the present invention.
9 is a flowchart illustrating an operation of a dummy wafer cleaning system according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 도면에서 층 및 영역들의 크기 및 상대적인 크기는 설명의 명료성을 위해 과장된 것일 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Advantages and features of the present invention, and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but may be implemented in various forms, and only the present embodiments make the disclosure of the present invention complete, and those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs. It is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the present invention is defined only by the scope of the claims. In the drawings, the sizes and relative sizes of layers and regions may be exaggerated for clarity. Like reference numerals refer to like elements throughout.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 더미 웨이퍼 세정 시스템을 나타내는 사시도이다. 1 is a perspective view illustrating a dummy wafer cleaning system according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 더미 웨이퍼 세정 시스템(100)은 제 1 세정 블록(110), 제 2 세정 블록(150), 이송 블록(170) 및 웨이퍼 카세트 구조체(190)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 1, the dummy wafer cleaning system 100 may include a first cleaning block 110, a second cleaning block 150, a transfer block 170, and a wafer cassette structure 190.

제 1 세정 블록(110)은 각각의 더미 웨이퍼(W1)의 가장자리 부분을 클램핑하여, 클램핑된 더미 웨이퍼(W1)의 가장자리 부분의 이물질을 세정하도록 구성될 수 있다. The first cleaning block 110 may be configured to clamp the edge portion of each dummy wafer W1 to clean the foreign matter of the edge portion of the clamped dummy wafer W1.

제 2 세정 블록(150)은 제 1 세정 블록(110)에서 세정이 완료된 더미 웨이퍼들(W1)을 탈이온수에 의해 화학적으로 세정 처리하도록 구성될 수 있다. The second cleaning block 150 may be configured to chemically clean the dummy wafers W1 which have been cleaned in the first cleaning block 110 with deionized water.

이송 블록(170)은 제 1 세정 블록(110) 및 제 2 세정 블록(150) 사이에서 더미 웨이퍼(W1)를 이동하도록 구성될 수 있다. 즉, 제 1 세정 블록(110)내의 더미 웨이퍼(W1)를 제 2 세정 블록(150)으로 이송시키고, 제 2 세정 블록(150)의 더미 웨이퍼(W1)를 제 1 세정 블록(110)으로 이송시킬 수 있다. The transfer block 170 may be configured to move the dummy wafer W1 between the first cleaning block 110 and the second cleaning block 150. That is, the dummy wafer W1 in the first cleaning block 110 is transferred to the second cleaning block 150, and the dummy wafer W1 of the second cleaning block 150 is transferred to the first cleaning block 110. You can.

웨이퍼 카세트 구조체(190)는 복수의 더미 웨이퍼(W1)가 수납되는 웨이퍼 카세트(WC) 및 상기 웨이퍼 카세트(WC)가 체결되어 상기 웨이퍼 카세트(WC)를 승, 하강시키는 리프터(lifter: 193)를 포함할 수 있다. The wafer cassette structure 190 includes a wafer cassette WC in which a plurality of dummy wafers W1 are accommodated, and a lifter 193 to which the wafer cassette WC is coupled to lift and lower the wafer cassette WC. It may include.

웨이퍼 카세트(WC)는 복수의 더미 웨이퍼(W1)가 수납될 공간을 구획하는 복수의 슬롯(195)을 포함할 수 있다. 복수의 슬롯들(195)은 웨이퍼 카세트(WC) 상부에 설치되는 록킹부(197)에 의해 고정된다. 록킹부(197)에 의해 복수의 슬롯들(195)이 고정됨에 따라, 웨이퍼 카세트(WC)에 수납된 상태로 더미 웨이퍼(W1)가 세정 공정 중, 더미 웨이퍼(W1)의 이탈을 방지할 수 있다. The wafer cassette WC may include a plurality of slots 195 that define a space in which the plurality of dummy wafers W1 are to be accommodated. The plurality of slots 195 is fixed by the locking unit 197 installed on the wafer cassette WC. As the plurality of slots 195 are fixed by the locking unit 197, the dummy wafer W1 may be prevented from being separated during the cleaning process while the dummy wafer W1 is stored in the wafer cassette WC. have.

리프터(193)는 웨이퍼 카세트(WC)를 하강시켜 제 2 세정 블록(150) 내부로 인입시킬 수 있도록, 제 2 세정 블록(150)의 일측에 구비될 수 있다. 또한, 리프터(193)는 웨이퍼 카세트(WC) 내에 수납된 더미 웨이퍼(W1)들이 이송 블록(170)에 의해 인출될 수 있도록 웨이퍼 카세트(WC)를 승강시킬 수 있다. The lifter 193 may be provided at one side of the second cleaning block 150 so as to lower the wafer cassette WC and lead it into the second cleaning block 150. In addition, the lifter 193 may lift and lower the wafer cassette WC so that the dummy wafers W1 stored in the wafer cassette WC may be drawn out by the transfer block 170.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 제 1 세정 블록을 나타낸 단면도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 제 1 세정 블록의 지지부의 단면도이고, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 제 1 세정 블록의 세정 클램핑부의 사시도이다. 2 is a cross-sectional view showing a first cleaning block according to an embodiment of the present invention, Figure 3 is a cross-sectional view of the support of the first cleaning block according to an embodiment of the present invention, Figure 4 is an embodiment of the present invention Is a perspective view of the cleaning clamping portion of the first cleaning block.

도 2 및 도 3을 참조하면, 제 1 세정 블록(110)은 더미 웨이퍼(W1)를 지지하는 지지부(120) 및 더미 웨이퍼(W)의 가장자리를 클램핑하는 세정 클램핑부(130)를 포함할 수 있다. 2 and 3, the first cleaning block 110 may include a support 120 supporting the dummy wafer W1 and a cleaning clamping unit 130 clamping the edge of the dummy wafer W. FIG. have.

지지부(120)는 상부 유닛(121), 하부 유닛(122), 회전축(123), 스테이지(125) 및 구동 유닛(127)을 포함할 수 있다. The support part 120 may include an upper unit 121, a lower unit 122, a rotation shaft 123, a stage 125, and a driving unit 127.

상부 유닛(121)은 상부 플레이트(1211), 포스트(1212), 가이드 축(1213), 흡착 플레이트(1215) 및 완충 부재(1217)를 포함할 수 있다. The upper unit 121 may include an upper plate 1211, a post 1212, a guide shaft 1213, an adsorption plate 1215, and a buffer member 1217.

상부 플레이트(1211)는 하부 유닛(122)과 일정 거리 이격된 위치에 배치될 수 있다. 포스트(1212)는 상부 플레이트(1211)의 각 모서리 부분에 구비되며, 하부 플레이트(122)를 향해 연장되어, 상부 플레이트(1211)와 하부 유닛(122)간의 간격을 유지할 수 있다. The upper plate 1211 may be disposed at a position spaced apart from the lower unit 122 by a predetermined distance. The post 1212 is provided at each corner of the upper plate 1211 and extends toward the lower plate 122 to maintain a gap between the upper plate 1211 and the lower unit 122.

상부 플레이트(1211)는 상기 가이드 축(1213)이 관통되는 중앙 홀(도시되지 않음)을 포함하고, 상기 가이드 축(1213)은 상부 플레이트(1211)의 외측으로부터 중앙 홀을 관통하여 하부 유닛(122)을 향하도록 삽입될 수 있다. 상기 가이드 축(1213)은 상기 상부 플레이트(1211)와 슬라이드 부싱(도시되지 않음)에 의해 체결될 수 있다. The upper plate 1211 includes a central hole (not shown) through which the guide shaft 1213 penetrates, and the guide shaft 1213 penetrates through the central hole from the outside of the upper plate 1211 to lower the unit 122. It can be inserted so as to face ()). The guide shaft 1213 may be fastened to the upper plate 1211 by a slide bushing (not shown).

흡착 플레이트(1215)는 하부 유닛(122) 측의 가이드 축(1213)의 단부에 고정되어, 더미 웨이퍼(W1)를 흡착, 지지할 수 있다. 가이드 축(1213)의 외주에 완충 부재(1217)가 구비된다. 이에 따라, 흡착 플레이트(121)에 흡착된 더미 웨이퍼(W1)가 스테이지(123) 상에 안착될 때, 상기 완충 부재(1217)의 텐션(tension)에 의해, 더미 웨이퍼(W1)가 스테이지(123)에 안정적으로 안착될 수 있다. The suction plate 1215 is fixed to the end of the guide shaft 1213 on the lower unit 122 side, and can adsorb and support the dummy wafer W1. A buffer member 1217 is provided on the outer circumference of the guide shaft 1213. Accordingly, when the dummy wafer W1 adsorbed on the suction plate 121 is seated on the stage 123, the dummy wafer W1 is moved to the stage 123 by the tension of the buffer member 1217. ) Can be stably seated.

하부 유닛(122)은 하부 플레이트(1221) 및 고정 부재(1223)를 포함할 수 있다. 하부 플레이트(1221)는 상기 상부 플레이트(1211)와 일정 간격 이격되어 마주하도록 배치될 수 있다. The lower unit 122 may include a lower plate 1221 and a fixing member 1223. The lower plate 1221 may be disposed to face the upper plate 1211 at a predetermined interval.

고정 부재(1223)는 제 1 고정 부재(1223a) 및 제 2 고정 부재(1223b)를 포함할 수 있다. 제 1 고정 부재(1223a)는 하나의 하부 플레이트(1221) 상에 한 쌍이 제공되어, 하부 플레이트(1221)의 양측에 각각 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 포스트(1212) 중 적어도 하나가 상기 제 1 고정 부재(1223a)에 의해 고정될 수 있다. 제 2 고정 부재(1223b)는 한 쌍의 제 1 고정 부재(1223a) 사이에 연결될 수 있다. 예를 들어, 제 2 고정 부재(1223b)는 중심에 홀이 구비된 블레이드(blade) 형태로 구성될 수 있으며, 양측 가장자리 하부면이 상기 제 1 고정 부재(1223a)에 고정될 수 있다. 제 2 고정 부재(1223b)는 회전축(123)의 동작시, 회전축(123)의 이탈을 방지하기 위하여 제공될 수 있다. The fixing member 1223 may include a first fixing member 1223a and a second fixing member 1223b. A pair of first fixing members 1223a may be provided on one lower plate 1221, and may be disposed on both sides of the lower plate 1221. For example, at least one of the posts 1212 may be fixed by the first fixing member 1223a. The second fixing member 1223b may be connected between the pair of first fixing members 1223a. For example, the second fixing member 1223b may be configured in the form of a blade having a hole in the center thereof, and lower edges of both sides of the second fixing member 1223b may be fixed to the first fixing member 1223a. The second fixing member 1223b may be provided to prevent separation of the rotating shaft 123 during the operation of the rotating shaft 123.

회전축(123)은 상기 제 2 고정 부재(1223b)의 중심에 위치된 홀(도시되지 않음)을 관통하도록 설치된다. 회전축(125)의 동작이 용이하도록, 제 2 고정 부재(1223b)의 홀은 회전축의 직경보다 큰 직경을 갖도록 구성될 수 있다. The rotating shaft 123 is installed to penetrate a hole (not shown) located at the center of the second fixing member 1223b. In order to facilitate the operation of the rotating shaft 125, the hole of the second fixing member 1223b may be configured to have a diameter larger than the diameter of the rotating shaft.

스테이지(125)는 회전축(123)상에 결합되며, 상기 흡착 플레이트(1215)와 마주하도록 설치될 수 있다. 스테이지(125)의 표면에 적어도 하나의 진공 흡착부(1251)가 구비된다. 진공 흡착부(1251)는 스테이지(125) 내부에 위치한 진공 펌프와 같은 진공 제공부(도시되지 않음)로부터 진공을 제공받아, 흡착 플레이트(1251)에 부착된 더미 웨이퍼(W1)를 상기 스테이지(125) 상부에 고정시킬 수 있다. The stage 125 is coupled to the rotating shaft 123 and may be installed to face the suction plate 1215. At least one vacuum suction unit 1251 is provided on the surface of the stage 125. The vacuum suction unit 1251 receives a vacuum from a vacuum providing unit (not shown), such as a vacuum pump, located inside the stage 125, and supplies the dummy wafer W1 attached to the suction plate 1251 to the stage 125. ) Can be fixed on top.

구동 유닛(127)은 상기 회전축(123)에 구동력을 제공하도록 구성될 수 있다. 구동 유닛(127)은 구동 모터(1271), 풀리(1273) 및 벨트(1275)와 같은 일반적인 구성을 가질 수 있다. The driving unit 127 may be configured to provide a driving force to the rotation shaft 123. Drive unit 127 may have a general configuration such as drive motor 1271, pulley 1273 and belt 1275.

도 4를 참조하면, 세정 클램핑부(130)는 지지부(120)의 주변에 위치될 수 있다. 이와 같은 세정 클램핑부(130)는 상기 지지부(120)에 더미 웨이퍼(W1)가 로딩되는 경우, 지지부(120)의 방향으로 전진 가능하도록 설계될 수 있다. 보다 구체적으로, 세정 클램핑부(130)는 지지부(120)에 더미 웨이퍼(W1) 안착시, 상기 더미 웨이퍼(W1)의 가장자리를 클램핑할 수 있도록, 상기 지지부 방향으로 이동할 수 있다. 본 도면에 도시되지는 않았지만, 제 1 세정 블록(110)은 세정 클램핑부(130)를 이동시키기 위한 부재를 추가적으로 포함할 수 있다. Referring to FIG. 4, the cleaning clamping part 130 may be positioned around the support part 120. The cleaning clamping unit 130 may be designed to be advanced in the direction of the support 120 when the dummy wafer W1 is loaded on the support 120. More specifically, the cleaning clamping unit 130 may move in the direction of the support so that the edge of the dummy wafer W1 may be clamped when the dummy wafer W1 is seated on the support 120. Although not shown in the figure, the first cleaning block 110 may further include a member for moving the cleaning clamping unit 130.

이와 같은 세정 클램핑부(130)는 상부 클램핑 유닛(131), 하부 클램핑 유닛(133) 및 측부 클램핑 유닛(135)을 포함할 수 있다. The cleaning clamping unit 130 may include an upper clamping unit 131, a lower clamping unit 133, and a side clamping unit 135.

상부 클램핑 유닛(131)은 더미 웨이퍼(W1)의 상부 가장자리에 발생될 수 있는 이물질을 마찰력을 이용하여 제거할 수 있다. 이와 같은 상부 클램핑 유닛(131)은 더미 웨이퍼(W1)의 상부 가장자리 면과 대응되는 상부 클램퍼(1310), 및 상부 클램퍼(1310)와 체결되어 상부 클램퍼(1310)의 동작을 제어하는 상부 클램핑 제어부(1315)를 포함할 수 있다. 더미 웨이퍼(W1)와 접촉되는 상부 클램퍼(1310) 표면에, 더미 웨이퍼(W1) 표면에 발생될 수 있는 이물질을 제거할 수 있도록, 세정 패드(1311)가 더 부착될 수 있다. The upper clamping unit 131 may remove foreign substances that may be generated at the upper edge of the dummy wafer W1 by using frictional force. The upper clamping unit 131 is connected to the upper clamper 1310 and the upper clamper 1310 corresponding to the upper edge surface of the dummy wafer W1, and the upper clamping controller 1310 controls the operation of the upper clamper 1310 ( 1315). The cleaning pad 1311 may be further attached to the surface of the upper clamper 1310 in contact with the dummy wafer W1 so as to remove foreign substances that may be generated on the surface of the dummy wafer W1.

상부 클램핑 제어부(1315)는 가이드축(1315a), 슬라이드 부싱(slide bushing:1315b) 및 완충 부재(1315c)를 구비할 수 있다. 이에 따라, 상부 클램핑 제어부(1315)는 상기 상부 클램퍼(1310)를 더미 웨이퍼(W1) 상부 표면에 콘택시킬 수 있도록 상부 클램퍼(1310)의 위치를 변경시킬 수 있다. 즉, 상부 클램핑 제어부(1315)의 구동에 의해, 상기 상부 클램퍼(1310)가 하부 클램핑 유닛(133) 방향으로 하강할 수 있다. 이때, 상기 완충 부재(1315c)에 의해 더미 웨이퍼(W1)와 상부 클램퍼(1310)는 충격 없이 부드럽게 콘택될 수 있다. The upper clamping control unit 1315 may include a guide shaft 1315a, a slide bushing: 1315b, and a shock absorbing member 1315c. Accordingly, the upper clamping control unit 1315 may change the position of the upper clamper 1310 so that the upper clamper 1310 may contact the upper surface of the dummy wafer W1. That is, the upper clamper 1310 may descend in the direction of the lower clamping unit 133 by driving the upper clamping control unit 1315. In this case, the dummy wafer W1 and the upper clamper 1310 may be smoothly contacted without impact by the buffer member 1315c.

하부 클램핑 유닛(133)은 더미 웨이퍼(W1)의 뒷면 가장자리에 발생될 수 있는 이물질을 마찰력을 이용하여 제거할 수 있다. The lower clamping unit 133 may remove foreign substances that may be generated on the rear edge of the dummy wafer W1 by using frictional force.

이와 같은 하부 클램핑 유닛(133)은 상부 클램핑 유닛(131)과 대칭되는 형태를 가질 수 있다. 예를 들어, 하부 클램핑 유닛(133)은 더미 웨이퍼(W1)의 뒷면 가장자리 부분과 대응되는 하부 클램퍼(1330), 및 상기 하부 클램퍼(1330)와 체결되어 하부 클램퍼(1330)의 동작을 제어하는 하부 클램핑 제어부(1335)를 포함할 수 있다. 하부 클램퍼(1330) 역시, 더미 웨이퍼(W1)와 접촉될 부분에 세정 패드(1331)가 더 구비될 수 있다. The lower clamping unit 133 may have a form symmetrical with the upper clamping unit 131. For example, the lower clamping unit 133 is coupled to the lower clamper 1330 corresponding to the rear edge portion of the dummy wafer W1 and the lower clamper 1330 to control the operation of the lower clamper 1330. The clamping control unit 1335 may be included. The lower clamper 1330 may further include a cleaning pad 1331 at a portion to be in contact with the dummy wafer W1.

하부 클램핑 제어부(1335)는 상기 상부 클램핑 제어부(1315)와 마찬가지로, 가이드축(1335a), 슬라이드 부싱(1335b) 및 완충 부재(1335c)를 구비할 수 있으며, 하부 클램핑 제어부(1335)의 구동에 의해 상기 하부 클램퍼(1330)를 더미 웨이퍼(W1)의 하부 표면에 콘택시킬 수 있다. 즉, 하부 클램핑 제어부(1335)는 상기 하부 클램퍼(1330)를 상기 상부 클램핑 유닛(131) 방향으로 승강시킬 수 있다. The lower clamping control unit 1335 may include a guide shaft 1335a, a slide bushing 1335b, and a shock absorbing member 1335c, like the upper clamping control unit 1315, and is driven by the lower clamping control unit 1335. The lower clamper 1330 may contact the lower surface of the dummy wafer W1. That is, the lower clamping control unit 1335 may lift the lower clamper 1330 in the direction of the upper clamping unit 131.

상부 클램퍼(1310) 및 하부 클램퍼(1330)의 크기(예컨대, 더미 웨이퍼(W1)와의 접촉되는 면적)는 더미 웨이퍼(W1)의 이물질 발생 면적을 고려하여 자유롭게 설정 가능하다. 더미 웨이퍼(W1)는 일반 반도체 웨이퍼와 다르게 표면에 소자가 형성되지 않기 때문에, 상부 클램퍼(1310) 및 하부 클램퍼(1330)와 더미 웨이퍼(W1)간의 접촉 면적의 설정에 자유롭다. The size of the upper clamper 1310 and the lower clamper 1330 (for example, the area in contact with the dummy wafer W1) may be freely set in consideration of the foreign matter generation area of the dummy wafer W1. Since the dummy wafer W1 does not have an element formed on its surface unlike a general semiconductor wafer, the contact area between the upper clamper 1310 and the lower clamper 1330 and the dummy wafer W1 is free to set.

측부 클램핑 유닛(135)은 더미 웨이퍼(W1)의 측면에 잔류하는 이물질을 제거할 수 있도록, 예를 들어, 상부 클램핑 유닛(131) 및 하부 클램핑 유닛(133) 사이에 위치될 수 있다. 측부 클램핑 유닛(135) 역시, 더미 웨이퍼(W1)의 측면에 위치하는 이물질을 마찰력에 의해 제거할 수 있다. The side clamping unit 135 may be positioned between, for example, the upper clamping unit 131 and the lower clamping unit 133 to remove foreign matter remaining on the side of the dummy wafer W1. The side clamping unit 135 may also remove the foreign matter located on the side of the dummy wafer W1 by the frictional force.

측부 클램핑 유닛(135)은 더미 웨이퍼(W1)의 측면과 대응되는 측부 클램퍼(1350) 및 측부 클램퍼(1350)와 체결되어 측부 클램퍼(1350)의 동작을 제어하는 측부 클램핑 제어부(1355)를 포함할 수 있다.The side clamping unit 135 may include a side clamper 1350 corresponding to the side of the dummy wafer W1 and a side clamping controller 1355 that is engaged with the side clamper 1350 to control an operation of the side clamper 1350. Can be.

측부 클램퍼(1350)는 더미 웨이퍼(W1)의 측면과 대응되는 부분에 세정 패드(1351)를 더 구비할 수 있다. 더미 웨이퍼(W1)와 대응되는 측부 클램퍼(1350)의 면적은 더미 웨이퍼(W1)의 측면 두께와 같거나 크게 설정될 수 있다. The side clamper 1350 may further include a cleaning pad 1351 at a portion corresponding to the side surface of the dummy wafer W1. The area of the side clamper 1350 corresponding to the dummy wafer W1 may be set equal to or larger than the side thickness of the dummy wafer W1.

측부 클램핑 제어부(1355)는 상기 상부 클램핑 제어부(1315) 및 하부 클램핑 제어부(1335)와 마찬가지로, 가이드축(1355a), 슬라이드 부싱(1355b) 및 완충 부재(1355c)를 구비할 수 있다. 측부 클램핑 제어부(1355)의 구동에 의해 상기 측부 클램퍼(1330)를 더미 웨이퍼(W1)의 측벽면에 콘택시킬 수 있다. 즉, 측부 클램핑 제어부(1355)는 상기 측부 클램퍼(1350)를 더미 웨이퍼(W1) 방향으로 전진시킬 수 있다. The side clamping control unit 1355 may include a guide shaft 1355a, a slide bushing 1355b, and a shock absorbing member 1355c similarly to the upper clamping control unit 1315 and the lower clamping control unit 1335. The side clamper 1330 may contact the sidewall surface of the dummy wafer W1 by driving the side clamping control unit 1355. That is, the side clamping control unit 1355 may advance the side clamper 1350 in the direction of the dummy wafer W1.

도 1 내지 도 4를 참조하면, 이송 블록(170)에 의해 더미 웨이퍼(W1)가 제 1 세정 블록(110)에 인입되면, 흡착 플레이트(1215)는 이송 블록(170)에 탑재된 더미 웨이퍼(W1)를 흡착하여 상기 스테이지(125) 상에 안착시킬 수 있다. 더미 웨이퍼(W1)가 스테이지(125) 상에 안착되면, 세정 클램핑부(130)의 클램퍼들(1310,1330,1350)들이 더미 웨이퍼(W1)의 가장자리 부분에 대응될 수 있도록, 세정 클램핑부(130)가 이동된다. 1 to 4, when the dummy wafer W1 is introduced into the first cleaning block 110 by the transfer block 170, the suction plate 1215 may be a dummy wafer (mounted on the transfer block 170). W1) may be adsorbed and seated on the stage 125. When the dummy wafer W1 is seated on the stage 125, the cleaning clamping part 130 may be formed such that the clampers 1310, 1330, and 1350 of the cleaning clamping part 130 may correspond to edge portions of the dummy wafer W1. 130 is moved.

클램핑 제어부들(1315,1335,1355)의 구동에 의해, 클램퍼들(1310,1330,1350) 표면에 위치한 세정 패드들(1311,1331,1351)이 더미 웨이퍼(W1)의 상면, 하면 및 측면과 콘택되도록 구동된다. 구동 유닛(127)으로 부터 지지부(120)의 회전축(123)에 구동력이 제공되면, 상기 더미 웨이퍼(W1)가 회전되면서, 세정 패드들(1311,1331,1351)이 더미 웨이퍼(W1) 표면을 빠르게 와이핑(wiping)한다. 이에 따라, 클램퍼들(1310,1330,1350)과 대응되는 더미 웨이퍼(W1) 표면의 이물질들은 상기 세정 패드(1311,1331,1351)와의 마찰에 의해, 제거된다.By the driving of the clamping controllers 1315, 1335, and 1355, the cleaning pads 1311, 1331, 1351 located on the surfaces of the clampers 1310, 1330, and 1350 are formed on the top, bottom, and side surfaces of the dummy wafer W1. Driven to contact. When a driving force is provided from the driving unit 127 to the rotation shaft 123 of the support part 120, the dummy wafer W1 is rotated so that the cleaning pads 1311, 1331, and 1351 may move on the surface of the dummy wafer W1. Wiping quickly Accordingly, foreign matters on the surface of the dummy wafer W1 corresponding to the clampers 1310, 1330, and 1350 are removed by friction with the cleaning pads 1311, 1331 and 1351.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 제 2 세정 블록을 보여주는 단면도이다. 5 is a cross-sectional view illustrating a second cleaning block according to an embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 제 2 세정 블록(150)은 세정조(1510), 히터(1520), 수위 감지 센서(1530), 제습 장치(1540) 및 습도 감지 센서(1550)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 5, the second cleaning block 150 may include a cleaning tank 1510, a heater 1520, a water level sensor 1530, a dehumidifier 1540, and a humidity sensor 1550.

세정조(1510)는 웨이퍼 카세트(WC)를 수용할 수 있는 크기를 가질 수 있다. 세정조(1510) 내부에 세정액, 예컨대, 탈이온수가 충전될 수 있다. 도면에 도시되지 않았지만, 세정조(1510)의 일측에 상기 탈이온수를 공급할 수 있는 급수관이 구비될 수 있고, 타측부에 탈이온수를 배출시킬 수 있는 드레인(1512)이 구비될 수 있다. The cleaning tank 1510 may be sized to accommodate the wafer cassette WC. The cleaning solution 1510 may be filled with a cleaning liquid, for example, deionized water. Although not shown in the drawings, a water supply pipe for supplying the deionized water may be provided at one side of the washing tank 1510, and a drain 1512 may be provided for discharging the deionized water at the other side.

히터(1520)는 세정조(1510) 내부에 구비될 수 있다. 예를 들어, 히터(1520)는 세정조(1510) 바닥부에 구비되어, 세정조(1510) 내부에 충전된 탈이온수를 60 내지 70℃로 가열할 수 있다. 승온된 탈이온수에 의해, 더미 웨이퍼(W1)의 세정 효율이 개선될 수 있다. The heater 1520 may be provided inside the cleaning tank 1510. For example, the heater 1520 may be provided at the bottom of the washing tank 1510 to heat the deionized water filled in the washing tank 1510 to 60 to 70 ° C. By the heated deionized water, the cleaning efficiency of the dummy wafer W1 can be improved.

수위 감지 센서(1530)는 세정조(1510)의 내부에 설치될 수 있다. 수위 감지 센서(1530)는 탈이온수의 수위를 감지하여, 상기 제습 장치(1540)의 구동 타이밍을 결정할 수 있다. 이와 같은 수위 감지 센서(1530)는 세정조(1510) 하부, 예컨대, 전체 세정조(1510)의 높이 1 내지 10%에 해당하는 부분에 위치될 수 있다. The water level sensor 1530 may be installed in the cleaning tank 1510. The water level sensor 1530 may detect the level of deionized water and determine a driving timing of the dehumidifying apparatus 1540. The water level sensor 1530 may be located under the cleaning tank 1510, for example, at a portion corresponding to 1 to 10% of the height of the entire cleaning tank 1510.

제습 장치(1540)는 세정조(1510)의 습기를 제거하여, 세정조(1510) 내부를 건조시킬 수 있다. The dehumidifier 1540 may remove moisture from the cleaning tank 1510 and dry the inside of the cleaning tank 1510.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 제습 장치의 구조를 보여주는 단면도이다. 6 is a cross-sectional view showing the structure of a dehumidifying apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 제습 장치(1540)는 팬 필터(1542), 증발기(1544), 응축기(1546) 및 집수부(1548)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 6, the dehumidifier 1540 may include a fan filter 1542, an evaporator 1544, a condenser 1546, and a water collecting unit 1548.

팬 필터(1542)는 그것을 구성하는 팬(fan)의 회전에 의해 세정조(1510) 내부의 습한 공기를 흡입하여, 증발기(1544)에 제공할 수 있다. 증발기(1544)는 공지된 바와 같이, 냉매를 포함하고 있으며, 팬 필터(1542)로부터 제공된 습한 공기는 증발기(121)의 냉매에 의해 온도가 낮아진다. 온도가 낮아진 공기는 압축기(122)로 이동되어, 상기 공기가 이슬점에 도달되는 경우, 공기 중 수증기가 물로 액화되어, 집수부(1548)에 물이 고이게 된다. 상기와 같은 원리에 의해 세정조(1510) 내부의 습기가 제거된다. The fan filter 1542 may suck the moist air inside the cleaning tank 1510 by the rotation of a fan constituting the fan filter 1542 and provide the humidified air to the evaporator 1544. The evaporator 1544 contains a refrigerant, as is known, and the humid air provided from the fan filter 1542 is lowered in temperature by the refrigerant in the evaporator 121. When the temperature is lowered, the air is moved to the compressor 122, and when the air reaches the dew point, water vapor in the air liquefies with water, causing water to accumulate in the water collecting unit 1548. By the above principle, the moisture in the cleaning tank 1510 is removed.

습도 감지 센서(1550)는 세정조(1510) 내부의 습기량을 감지하여, 제습 장치(1540)의 정지 타이밍을 결정할 수 있다. The humidity sensor 1550 may detect an amount of moisture in the cleaning tank 1510 and determine a stop timing of the dehumidifying apparatus 1540.

도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 제 2 세정 블록의 구동 방법을 설명하기 위한 플로우 챠트이다. 7 is a flowchart illustrating a method of driving a second cleaning block according to an embodiment of the present invention.

도 7을 참조하면, 상기 급수관을 통해, 세정조(1510) 내부에 탈이온수를 충전한다(S1). Referring to FIG. 7, deionized water is charged into the cleaning tank 1510 through the water supply pipe (S1).

세정조(1510)내에 탈이온수 충전이 완료되면, 히터(1520)를 동작시켜, 세정이 활발히 진행될 수 있는 온도로 상기 탈이온수를 가열한다(S2). 상술한 바와 같이, 히터(1520)는 60 내지 70℃ 범위로 탈이온수를 가열할 수 있다. When the deionized water filling is completed in the washing tank 1510, the heater 1520 is operated to heat the deionized water to a temperature at which cleaning can be actively performed (S2). As described above, the heater 1520 may heat deionized water in the range of 60 to 70 ℃.

탈이온수가 적정 온도로 가열되면, 세정조(1510)내에 더미 웨이퍼(W1)를 딥핑(dipping)한다(S3). 더미 웨이퍼(W1)는 웨이퍼 카세트(WC)에 수납된 상태로 세정조(1510)내에 딥핑될 수 있다. 이때, 웨이퍼 카세트(WC)는 리프터(193)의 하강 동작에 의해 세정조(1510)내로 진입될 수 있다. 상기 웨이퍼 카세트(WC)는 복수의 더미 웨이퍼(W1)를 수용할 수 있기 때문에, 제 2 세정 블록(150)에서의 세정 공정은 배치(batch) 타입으로 진행될 수 있다. When the deionized water is heated to an appropriate temperature, the dummy wafer W1 is dipped in the cleaning tank 1510 (S3). The dummy wafer W1 may be dipped into the cleaning tank 1510 in a state of being accommodated in the wafer cassette WC. In this case, the wafer cassette WC may enter the cleaning tank 1510 by the lowering operation of the lifter 193. Since the wafer cassette WC may accommodate the plurality of dummy wafers W1, the cleaning process in the second cleaning block 150 may be performed in a batch type.

그 후, 더미 웨이퍼(W1)는 탈이온수에 의해 습식 세정된다(S4). 습식 세정 공정은 약 60 내지 100분 동안 진행될 수 있다. Thereafter, the dummy wafer W1 is wet-cleaned by deionized water (S4). The wet clean process may proceed for about 60 to 100 minutes.

탈이온수에 의한 습식 세정이 완료된 후, 탈이온수가 드레인(1512)을 통해 배출된다(S5). 탈이온수의 배출이 시작되면, 수위 감지 센서(1530)가 동작된다. 수위 감지 센서(1530)는 지속적으로 탈이온수의 수위를 감지하다가, 수위 감지 센서(1530)에 의해 탈이온수가 감지되지 않는 경우, 다시 말해, 수위 감지 센서(1530)의 위치 이하로 탈이온수가 잔류되는 경우(S6), 제습 장치(1540)를 구동시키기 위한 명령을 출력한다. 반면, 수위 감지 센서(1530)에 의해 탈이온수가 감지되는 경우, 탈이온수 배출 동작(S5)을 계속 실시한다. After the wet cleaning with deionized water is completed, the deionized water is discharged through the drain 1512 (S5). When the discharge of the deionized water starts, the water level sensor 1530 is operated. The level sensor 1530 continuously detects the level of deionized water, and when deionized water is not detected by the level sensor 1530, that is, the deionized water remains below the position of the level sensor 1530. In operation S6, a command for driving the dehumidifier 1540 is output. On the other hand, when deionized water is detected by the water level sensor 1530, the deionized water discharge operation S5 is continued.

제습 장치(1540)는 수위 감지 센서(1530)의 감지 결과에 따라 구동되어, 세정조(1510) 내부를 건조시킨다(S7).The dehumidifier 1540 is driven according to the detection result of the water level sensor 1530 to dry the inside of the cleaning tank 1510 (S7).

습도 감지 센서(1550)는 제습 장치(1540)와 동시에 구동되어, 세정조(1510) 내부의 습도를 감지한다. 제습 장치(1540)의 구동에 의해 세정조(1510) 내부의 습도가 습도 감지 센서(1550)의 타겟 습도 범위에 도달했다고 판단되면(S8), 습도 감지 센서(1550)는 제습 장치(1540)를 정지시키기 위한 신호를 출력한다(S9). 반면, 세정조(1510) 내부의 습도가 타겟 습도 범위에 이르지 못하면, 지속적으로 제습 장치(1540)를 구동시킨다. The humidity sensor 1550 is driven at the same time as the dehumidifier 1540 to sense the humidity inside the cleaning tank 1510. When it is determined that the humidity in the cleaning tank 1510 reaches the target humidity range of the humidity sensor 1550 by the operation of the dehumidifier 1540 (S8), the humidity sensor 1550 may operate the dehumidifier 1540. A signal for stopping is output (S9). On the other hand, if the humidity inside the cleaning tank 1510 does not reach the target humidity range, the dehumidifying apparatus 1540 is continuously driven.

그 후, 제습 장치(1540)의 구동이 완료되면, 웨이퍼 카세트(WC)를 승강시켜, 제 2 세정 블록(150)에서의 세정 공정을 완료한다(S10). Thereafter, when driving of the dehumidifying apparatus 1540 is completed, the wafer cassette WC is lifted and completed, and the cleaning process in the second cleaning block 150 is completed (S10).

도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 이송 블록을 보여주는 사시도이다. 8 is a perspective view showing a transfer block according to an embodiment of the present invention.

도 8을 참조하면, 이송 블록(170)은 슬라이더(172), 콘베이어 조립체(174) 및 에어 노즐(176)을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 8, the transfer block 170 may include a slider 172, a conveyor assembly 174, and an air nozzle 176.

슬라이더(172)는 콘베이어 조립체(174)에 의해, 제 1 세정 블록(110)과 웨이퍼 카세트(WC) 사이를 이동할 수 있다. 슬라이더(172)는 웨이퍼 카세트(WC)의 슬롯(195) 사이에 삽입되어 더미 웨이퍼(W1)를 인출 및 로딩할 수 있다. 웨이퍼 카세트(WC)에서 인출된 더미 웨이퍼(W1)는 슬라이더(172)에 탑재된 상태로 콘베이어 조립체(174)에 의해 이동되어, 제 1 세정 블록(110)의 지지부(120) 상에 로딩될 수 있다. 또한, 슬라이더(172)는 제 1 세정 블록(110)에서 세정 공정이 완료된 더미 웨이퍼(W1)를 로딩하여, 웨이퍼 카세트(WC)의 각 슬롯에 각각 삽입할 수 있다. 이때, 각 슬롯(195)당 낱장의 더미 웨이퍼(W1)가 삽입될 수 있도록, 다시말해, 상기 슬롯(195)과 상기 슬라이더(172)가 대응될 수 있도록, 상기 리프터(193)는 상기 웨이퍼 카세트(WC)의 위치를 소정 높이만큼 상승 또는 하강시킬 수 있다. The slider 172 may be moved between the first cleaning block 110 and the wafer cassette WC by the conveyor assembly 174. The slider 172 may be inserted between the slots 195 of the wafer cassette WC to extract and load the dummy wafer W1. The dummy wafer W1 withdrawn from the wafer cassette WC may be moved by the conveyor assembly 174 while mounted on the slider 172 and loaded on the support 120 of the first cleaning block 110. have. In addition, the slider 172 may load the dummy wafer W1 in which the cleaning process is completed in the first cleaning block 110, and insert the dummy wafer W1 into each slot of the wafer cassette WC. In this case, the lifter 193 is the wafer cassette so that a single dummy wafer W1 may be inserted into each slot 195, that is, the slot 195 and the slider 172 may correspond to each other. The position of the WC can be raised or lowered by a predetermined height.

에어 노즐(176)은 콘베이어 조립체(174)에 고정되어 슬라이더(172)의 상부면 및 하부면에 에어를 분사하도록 구성될 수 있다. 에어 노즐(176)은 제 2 세정 블록(150)의 입구부, 다시 말해, 웨이퍼 카세트(WC)와 인접 영역에 위치될 수 있으며, 슬라이더(172) 상부에 로딩된 더미 웨이퍼(W1) 표면에 에어를 분사하여 이물질을 제거할 수 있다. 이에 따라, 더미 웨이퍼(W1)는 세정 블록간의 이송 중에도 이물질을 제거할 수 있다. The air nozzle 176 may be secured to the conveyor assembly 174 and configured to inject air to the top and bottom surfaces of the slider 172. The air nozzle 176 may be located at an inlet of the second cleaning block 150, that is, at an area adjacent to the wafer cassette WC, and may be disposed on the surface of the dummy wafer W1 loaded on the slider 172. Foreign matter can be removed by spraying. Accordingly, the dummy wafer W1 can remove foreign substances even during the transfer between the cleaning blocks.

도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 더미 웨이퍼 세정 시스템의 동작을 설명하기 위한 플로우 챠트이다. 9 is a flowchart illustrating an operation of a dummy wafer cleaning system according to an embodiment of the present invention.

도 9를 참조하면, 공정 모니터링 등을 위한 사전 또는 사후 웨이퍼 처리 공정을 일정 회수 이상 진행된 더미 웨이퍼들(W1)이 웨이퍼 카세트(WC)에 로딩된다(S11).Referring to FIG. 9, dummy wafers W1 that have undergone a predetermined number of times of pre or post wafer processing for process monitoring or the like are loaded into the wafer cassette WC (S11).

웨이퍼 카세트(WC)상에 로딩된 더미 웨이퍼들(W1)은 이송 블록(170)에 의해 한 장씩 인출되어, 제 1 세정 블록(110)으로 이송된다(S12). 더미 웨이퍼(W1)는 제 1 세정 블록(110)의 지지부(120)에 안착된 상태에서 그것의 가장자리부가 세정 클램핑부(130)에 클램핑된다. 지지부(120)의 회전에 의해 더미 웨이퍼(W1)가 일정 rpm으로 회전됨에 따라, 더미 웨이퍼(W1)의 상면 및 하면의 잔류물이 마찰에 의해 기계적으로 1차 세정된다(S13). The dummy wafers W1 loaded on the wafer cassette WC are taken out one by one by the transfer block 170 and transferred to the first cleaning block 110 (S12). The dummy wafer W1 is clamped to the cleaning clamping part 130 at an edge thereof in a state in which the dummy wafer W1 is seated on the support part 120 of the first cleaning block 110. As the dummy wafer W1 is rotated at a constant rpm by the rotation of the support 120, residues of the upper and lower surfaces of the dummy wafer W1 are mechanically first cleaned by friction (S13).

1차 세정이 완료된 제 1 세정 블록(110)내의 더미 웨이퍼(W1)는 이송 블록(170)에 의해 웨이퍼 카세트(WC)에 다시 이송된다. 상기 이송 중, 에어 노즐(176)을 통해, 에어가 분사됨으로써, 더미 웨이퍼(W1) 이송 중, 더미 웨이퍼(W1) 표면의 잔류 불순물을 추가적으로 제거할 수 있다. 웨이퍼 카세트(WC)내에 1차 세정이 완료된 더미 웨이퍼(W1)들로 채워지면, 웨이퍼 카세트(WC)는 리프터(193)의 구동에 의해, 제 2 세정 블록(150) 내부로 하강된다(S14). The dummy wafer W1 in the first cleaning block 110 in which the primary cleaning is completed is transferred back to the wafer cassette WC by the transfer block 170. During the transfer, air is injected through the air nozzle 176 to further remove residual impurities on the surface of the dummy wafer W1 during the transfer of the dummy wafer W1. When the wafer cassette WC is filled with the dummy wafers W1 in which the first cleaning is completed, the wafer cassette WC is lowered into the second cleaning block 150 by driving of the lifter 193 (S14). .

웨이퍼 카세트(WC)내의 더미 웨이퍼(W1)는 제 2 세정 블록(150)의 세정조(1510)내에서 탈이온수에 의해 화학정 세정이 진행된다(S15). 화학적 세정이 완료되면, 세정조(1510)내의 탈이온수가 배출된다. 탈이온수가 대부분 배출되면, 제습 장치(1540)가 동작되어, 웨이퍼 카세트(WC)내의 더미 웨이퍼(W1)를 효과적으로 건조시킬 수 있다. The dummy wafer W1 in the wafer cassette WC is chemically cleaned by deionized water in the cleaning tank 1510 of the second cleaning block 150 (S15). When the chemical cleaning is completed, the deionized water in the cleaning tank 1510 is discharged. When most of the deionized water is discharged, the dehumidifying apparatus 1540 is operated to effectively dry the dummy wafer W1 in the wafer cassette WC.

이상에서 자세히 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 기존 폐기 처분하던 복수의 공정이 진행된 더미 웨이퍼를 기계적 세정 및 화학적 세정을 통해 재생시킬 수 있어, 공정 비용을 감소시킬 수 있다. As described in detail above, according to the present invention, a dummy wafer subjected to a plurality of previously disposed disposal processes can be regenerated through mechanical cleaning and chemical cleaning, thereby reducing process costs.

이상 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 변형이 가능하다.Although the present invention has been described in detail with reference to preferred embodiments, the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications may be made by those skilled in the art within the scope of the technical idea of the present invention. Do.

110 : 제 1 세정 블록 150 : 제 2 세정 블록
170 : 이송 블록 190 : 웨이퍼 카세트 구조체110: first cleaning block 150: second cleaning block
170 transfer block 190 wafer cassette structure

Claims (20)

웨이퍼 처리 공정을 모니터링하기 위한 더미 웨이퍼들을 세정하는 시스템으로서,
상기 더미 웨이퍼의 상면 가장자리, 하면 가장자리 및 측면 부위를 기계적으로 세정하기 위한 제 1 세정 블록;
상기 더미 웨이퍼를 화학적으로 세정하는 제 2 세정 블록; 및
상기 제 1 세정 블록과 상기 제 2 세정 블록 사이에 위치되어, 상기 더미 웨이퍼를 이동시키는 이송 블록을 포함하는 더미 웨이퍼 세정 시스템. A system for cleaning dummy wafers for monitoring a wafer processing process,
A first cleaning block for mechanically cleaning an upper surface edge, a lower surface edge, and a side portion of the dummy wafer;
A second cleaning block chemically cleaning the dummy wafer; And
And a transfer block positioned between the first cleaning block and the second cleaning block to move the dummy wafer. 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 세정 블록은,
상기 더미 웨이퍼를 지지하는 지지부; 및
상기 지지부의 일측에 위치되고, 상기 더미 웨이퍼의 상부, 하부 및 측부 가장자리 면을 마찰에 의해 세정하도록 구성되는 세정 클램핑부를 포함하는 더미 웨이퍼 세정 시스템. The method of claim 1,
The first cleaning block,
A support for supporting the dummy wafer; And
And a cleaning clamping portion located on one side of the support portion and configured to frictionally clean the upper, lower and side edge surfaces of the dummy wafer. 제 2 항에 있어서,
상기 지지부는,
상기 이송 블록에 의해 제공되는 상기 더미 웨이퍼의 상면을 흡착하는 흡착 플레이트를 구비하는 상부 유닛;
상기 흡착 플레이트와 대향하는 위치에 구비되는 스테이지를 포함하는 하부 유닛; 및
상기 스테이지를 회전시키는 구동 유닛을 포함하는 더미 웨이퍼 세정 시스템. The method of claim 2,
The support portion,
An upper unit having an adsorption plate for adsorbing an upper surface of the dummy wafer provided by the transfer block;
A lower unit including a stage provided at a position facing the suction plate; And
And a drive unit rotating the stage. 제 3 항에 있어서,
상기 상부 유닛은,
상부 플레이트;
상기 상부 플레이트에 체결 고정되며, 단부에 상기 흡착 플레이트가 부착된 가이드 축; 및
상기 가이드 축 외주에 구비되는 완충 부재를 더 포함하며,
상기 완충 부재는 상기 흡착 플레이트에 흡착된 더미 웨이퍼를 상기 스테이지상에 안정적으로 안착시키도록 구성되는 더미 웨이퍼 세정 시스템. The method of claim 3, wherein
The upper unit,
Upper plate;
A guide shaft fixed to the upper plate and having the suction plate attached to an end thereof; And
Further comprising a buffer member provided on the outer periphery of the guide shaft,
And the buffer member is configured to stably seat the dummy wafer adsorbed on the suction plate on the stage. 제 3 항에 있어서,
상기 하부 유닛은,
상기 스테이지 상면에 구비되어 상기 흡착 플레이트상에 흡착된 상기 더미 웨이퍼를 상기 스테이지상에 흡착, 고정시키는 진공 흡착부를 더 포함하는 더미 웨이퍼 세정 시스템. The method of claim 3, wherein
The lower unit,
And a vacuum adsorption unit provided on the stage and adsorbing and fixing the dummy wafer adsorbed on the adsorption plate onto the stage. 제 2 항에 있어서,
상기 세정 클램핑부는,
상기 더미 웨이퍼의 상부 가장자리 부분과 콘택되는 상부 클램퍼를 포함하는 상부 클램핑 유닛;
상기 더미 웨이퍼의 하부 가장자리 부분과 콘택되는 하부 클램퍼를 포함하는 하부 클램핑 유닛; 및
상기 더미 웨이퍼의 측면 부분과 콘택되는 측부 클램퍼를 포함하는 측부 클램핑 유닛을 포함하며,
상기 상부 클램핑 유닛, 상기 하부 클램핑 유닛 및 상기 측부 클램핑 유닛은 상기 더미 웨이퍼의 회전시, 상기 상부 클램퍼, 상기 하부 클램퍼 및 상기 측부 클램퍼와 각각 콘택된 상기 더미 웨이퍼 부분을 와이핑(wiping)하도록 구성되는 더미 웨이퍼 세정 시스템. The method of claim 2,
The cleaning clamping unit,
An upper clamping unit including an upper clamper in contact with an upper edge portion of the dummy wafer;
A lower clamping unit including a lower clamper contacting a lower edge portion of the dummy wafer; And
A side clamping unit including a side clamper in contact with a side portion of the dummy wafer,
The upper clamping unit, the lower clamping unit and the side clamping unit are configured to wipe the dummy wafer portion contacted with the upper clamper, the lower clamper and the side clamper, respectively, when the dummy wafer is rotated. Dummy Wafer Cleaning System. 제 1 항에 있어서,
상기 더미 웨이퍼들이 수납되는 웨이퍼 카세트를 더 포함하는 더미 웨이퍼 세정 시스템. The method of claim 1,
And a wafer cassette in which the dummy wafers are housed. 제 7 항에 있어서,
상기 웨이퍼 카세트가 체결 고정되며, 상기 웨이퍼 카세트를 승강 및 하강시키도록 구성되는 리프터(lifter)를 더 포함하며,
상기 리프터는 상기 웨이퍼 카세트가 상기 제 2 세정 블록에 인입될 수 있도록, 상기 제 2 세정 블록의 일측에 구비되는 더미 웨이퍼 세정 시스템.The method of claim 7, wherein
And a lifter to which the wafer cassette is fastened and fixed, and configured to lift and lower the wafer cassette,
The lifter is a dummy wafer cleaning system provided on one side of the second cleaning block, so that the wafer cassette can be inserted into the second cleaning block. 제 7 항에 있어서,
상기 제 2 세정 블록은,
상기 웨이퍼 카세트를 수용할 수 있으며 세정액이 공급되는 세정조;
상기 세정조 내부에 구비되며, 상기 세정액을 가열하는 히터; 및
상기 세정조 내부에 구비되어, 상기 웨이퍼 카세트내의 상기 더미 웨이퍼를 건조시키도록 구성되는 제습 장치를 포함하는 더미 웨이퍼 세정 시스템. The method of claim 7, wherein
The second cleaning block,
A cleaning tank for accommodating the wafer cassette and supplied with a cleaning liquid;
A heater provided in the cleaning tank and heating the cleaning liquid; And
And a dehumidifying apparatus provided in the cleaning tank and configured to dry the dummy wafer in the wafer cassette. 제 9 항에 있어서,
상기 제 2 세정 블록은,
상기 세정조 내부에 위치되며 상기 세정조내의 세정액의 수위를 감지하여, 상기 세정액의 수위에 따라 상기 제습 장치를 가동시키는 수위 감지 센서를 더 포함하는 더미 웨이퍼 세정 시스템. The method of claim 9,
The second cleaning block,
And a level sensor configured to be located inside the cleaning tank to sense the level of the cleaning liquid in the cleaning tank and to operate the dehumidifying device according to the level of the cleaning liquid. 제 10 항에 있어서,
상기 수위 감지 센서는 상기 세정조 높이의 1 내지 10% 에 해당하는 위치에 설치되는 더미 웨이퍼 세정 시스템.The method of claim 10,
And the level sensor is installed at a position corresponding to 1 to 10% of the height of the cleaning tank. 제 9 항에 있어서,
상기 제 2 세정 블록은,
상기 세정조 내부에 위치되어, 상기 세정조 내부의 습도를 감지하고, 감지 결과에 따라, 상기 제습 장치의 동작을 중지시키는 습도 감지 센서를 더 포함하는 더미 웨이퍼 세정 시스템. The method of claim 9,
The second cleaning block,
The dummy wafer cleaning system further comprises a humidity sensor located inside the cleaning tank to sense the humidity inside the cleaning tank and stop the operation of the dehumidifier according to the detection result. 제 9 항에 있어서,
상기 히터는 상기 세정액의 온도가 60 내지 70℃가 되도록 가열하는 더미 웨이퍼 세정 시스템. The method of claim 9,
The heater is a dummy wafer cleaning system for heating so that the temperature of the cleaning liquid is 60 to 70 ℃. 제 9 항에 있어서,
상기 세정액은 탈이온수인 더미 웨이퍼 세정 시스템. The method of claim 9,
And the cleaning liquid is deionized water. 제 1 항에 있어서,
상기 이송 블록은,
상기 웨이퍼 카세트내의 상기 더미 웨이퍼를 인출 및 로딩하는 슬라이더;
상기 슬라이더를 이동시키는 콘베이어 조립체; 및
상기 콘베이어 조립체에 연결되어, 상기 슬라이더 상부 및 하부에 에어를 분사하도록 구성되는 에어 노즐을 포함하는 더미 웨이퍼 세정 시스템. The method of claim 1,
The transfer block,
A slider for withdrawing and loading the dummy wafer in the wafer cassette;
A conveyor assembly for moving the slider; And
And an air nozzle coupled to the conveyor assembly, the air nozzle configured to spray air above and below the slider. 제 15 항에 있어서,
상기 에어 노즐은 상기 제 2 세정 블록의 입구부 주변에 설치되어, 상기 슬라이더에 로딩된 상기 더미 웨이퍼의 상부 및 하부에 에어를 분사하는 더미 웨이퍼 세정 시스템. The method of claim 15,
The air nozzle is installed around the inlet of the second cleaning block, the dummy wafer cleaning system for injecting air to the upper and lower portions of the dummy wafer loaded on the slider. 웨이퍼 처리 공정을 모니터링하기 위한 더미 웨이퍼들을 세정하는 시스템으로서,
상기 더미 웨이퍼의 상면 가장자리, 하면 가장자리 및 측면 부분을 클램핑한 상태로, 상기 더미 웨이퍼를 회전시켜, 클램핑된 부분의 잔류물을 와이핑하도록 구성되는 제 1 세정 블록;
상기 더미 웨이퍼를 탈이온수에 침지시켜, 상기 더미 웨이퍼 표면에 잔류하는 잔류물을 세정하는 제 2 세정 블록; 및
상기 제 2 세정 블록내에 구비되어, 상기 탈이온수에 의한 세정 완료후, 상기 더미 웨이퍼를 건조시키도록 구성되는 제습 장치를 포함하는 더미 웨이퍼 세정 시스템. A system for cleaning dummy wafers for monitoring a wafer processing process,
A first cleaning block configured to rotate the dummy wafer to wipe the residue of the clamped portion while clamping the top, bottom and side portions of the dummy wafer;
A second cleaning block immersing the dummy wafer in deionized water to clean residues remaining on the dummy wafer surface; And
And a dehumidifying apparatus provided in said second cleaning block and configured to dry said dummy wafer after completion of cleaning with said deionized water. 제 17 항에 있어서,
상기 제 2 세정 블록은,
상기 탈 이온수가 충전되는 세정조;
상기 세정조내의 수위를 감지하여 상기 제습 장치의 구동을 결정하는 수위 감지 센서; 및
상기 세정조내의 습도를 감지하여, 상기 제습 장치의 동작 정지를 결정하는 습도 감지 센서를 더 포함하는 더미 웨이퍼 세정 시스템. The method of claim 17,
The second cleaning block,
A washing tank filled with the deionized water;
A water level sensor for sensing the water level in the cleaning tank to determine the driving of the dehumidifying apparatus; And
And a humidity sensor for sensing a humidity in the cleaning tank and determining an operation stop of the dehumidifying device. 제 17 항에 있어서,
상기 제 1 세정 블록과 상기 제 2 세정 블록 사이에 위치되어, 상기 더미 웨이퍼를 이동시키도록 구성되며, 상기 더미 웨이퍼 이송 중 상기 더미 웨이퍼의 상부 및 하부에 에어를 분사하도록 구성되는 이송 블록을 더 포함하는 더미 웨이퍼 세정 시스템. The method of claim 17,
A transfer block positioned between the first cleaning block and the second cleaning block, the transfer block configured to move the dummy wafer, and configured to eject air to upper and lower portions of the dummy wafer during the transfer of the dummy wafer; Dummy wafer cleaning system. 웨이퍼 카세트에 수납된 더미 웨이퍼들 중 하나를 인출하여, 인출된 상기 더미 웨이퍼들의 상부 및 하부 가장자리 부분 및 측부의 잔류물을 와이핑(wiping)에 의해 1차 세정하는 단계;
상기 1차 세정이 완료된 상기 더미 웨이퍼를 상기 웨이퍼 카세트에 수납되도록 이송하는 단계;
상기 웨이퍼 카세트 채로 탈이온수에 침지시켜, 2차 세정하는 단계;
상기 2차 세정 이후, 상기 웨이퍼 카세트를 건조시키는 단계를 포함하며,
상기 이송하는 단계시 상기 더미 웨이퍼에 에어를 분사하는 단계를 더 포함하는 더미 웨이퍼 세정 방법.Extracting one of the dummy wafers stored in the wafer cassette, and first cleaning the residue of the upper and lower edge portions and sides of the extracted dummy wafers by wiping;
Transferring the dummy wafer having the primary cleaning completed in the wafer cassette;
Immersing in deionized water with the wafer cassette to perform secondary cleaning;
After the secondary cleaning, drying the wafer cassette;
And injecting air into the dummy wafer during the transferring step.
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