KR20200008443A - 플라즈마 전해 산화 장치 및 방법 - Google Patents

플라즈마 전해 산화 장치 및 방법 Download PDF

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    • C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/10—Electrodes, e.g. composition, counter electrode

Abstract

본 발명은 샤워 헤드 등 미세홀들이 형성된 대상물의 표면을 골고루 코팅할 수 있게 하는 플라즈마 전해 산화 장치 및 방법에 관한 것으로서, 대상물에 형성된 미세홀의 내면에 코팅 재료가 양극 산화하여 코팅될 수 있도록 상기 미세홀들의 일측을 각각 관통할 수 있는 복수개의 제 1 전극핀; 및 상기 대상물의 전방에 배치되고, 상기 제 1 전극핀들의 일단부를 지지하며, 상기 제 1 전극핀들을 전기적으로 연결시키는 제 1 전극판;을 포함할 수 있다.

Description

플라즈마 전해 산화 장치 및 방법{Plasma electrolytic oxidation apparatus and method}
본 발명은 플라즈마 전해 산화 장치 및 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 샤워 헤드 등 미세홀들이 형성된 대상물의 표면을 골고루 코팅할 수 있게 하는 플라즈마 전해 산화 장치 및 방법에 관한 것이다.
반도체 기판이나 디스플레이 장치를 제조하는 과정에 있어서, 진공 환경에서 기판 등의 대상물에 에칭, 성막 등의 각종 기판 처리 공정이 실시될 수 있다.
예컨대, 플라즈마를 이용해서 상기 기판 처리 공정을 수행하기 위해서, 챔버나, 샤워 헤드 등 다양한 형태의 플라즈마 처리 장치가 사용될 수 있다.
일반적으로, 이러한 플라즈마 처리 장치의 재질로 보통 알루미늄이 적용될 수 있다. 이 때, 플라즈마 처리 공정시, 플라즈마나 부식성 가스의 작용에 의해 플라즈마 처리 장치의 내면이 손상을 받아 부식될 가능성이 높다.
따라서, 종래에는 이러한 플라즈마 처리 장치의 알루미늄제의 플라즈마 처리 장치의 표면에 양극 산화 코팅층을 형성하여 내식성을 향상시키고 있다.
종래의 양극 산화 처리 장치는, 통상적으로 대상물을 황산이나 수산을 포함하는 전해액에 침지하고 전기장을 형성하여 수행될 수 있다.
최근 기판 등 대형화 추세에 따라 대형 기판을 처리하는 양극 산화 기술로는, 일본 특허 공개 제2000-26999에 기재된 바와 같이, 통형상체(내연기관의 실린더 블럭에 삽입되는 슬리브)의 내면에 따라 막대 형상의 전극을 삽입하고, 통형상체를 양극으로 하고, 막대 형상의 전극을 음극으로 해서 통형상체의 내부에 전해액을 흘려서 양극 산화 처리를 실행하는 방법이 제안되어 있다.
그러나, 이러한 종래의 양극 산화 장치들은 샤워 헤드와 같이, 대상물에 미세홀들이 형성된 경우, 미세홀의 내경에 충분한 코팅이 이루어지지 않아서 이로 인하여 샤워 헤드에서 이상 방전 형상이 발생되거나, 심하게 부식되거나 파티클 발생의 원인이 되는 등 많은 문제점들이 있었다.
본 발명의 사상은, 이러한 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 대상물의 미세홀을 관통할 수 있는 복수개의 전극핀들을 구비하고, 이러한 전극핀들이 대상물과 이격될 수 있도록 위치를 정렬시키는 안내 절연 부재를 설치하여 균질한 양극 산화를 가능하게 하고, 미세홀 양극 산화와 전체 양극 산화를 단계적으로 수행하여 균일하고 우수한 막질의 코팅층을 견고하게 형성할 수 있게 하는 플라즈마 전해 산화 장치 및 방법을 제공함에 있다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로서, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 사상에 따른 플라즈마 전해 산화 장치는, 대상물에 형성된 미세홀의 내면에 코팅 재료가 양극 산화하여 코팅될 수 있도록 상기 미세홀들의 일측을 각각 관통할 수 있는 복수개의 제 1 전극핀; 및 상기 대상물의 전방에 배치되고, 상기 제 1 전극핀들의 일단부를 지지하며, 상기 제 1 전극핀들을 전기적으로 연결시키는 제 1 전극판;을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 상기 대상물은, 공정 가스를 균일하게 분사할 수 있도록 복수개의 미세홀들이 형성되는 샤워 헤드이고, 상기 제 1 전극핀은 상기 미세홀에 삽입되어 상기 미세홀과 이격될 수 있도록 상기 미세홀의 내경 보다 작은 직경일 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 플라즈마 전해 산화 장치는, 상기 제 1 전극핀이 정위치로 안내되어 상기 미세홀과 이격될 수 있도록 안내 경사면을 이용하여 상기 제 1 전극핀의 위치를 정렬시키고, 절연 재질로 이루어지는 안내 절연 부재;를 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 플라즈마 전해 산화 장치는, 상기 대상물이 상기 제 1 전극판에 의해 양극 산화되는 것을 방지할 수 있도록 상기 제 1 전극판에 형성되는 보호 절연 부재;를 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 플라즈마 전해 산화 장치는, 상기 대상물의 후방에 배치되고, 상기 제 1 전극핀들의 타단부와 체결되며, 상기 제 1 전극핀들을 전기적으로 연결시키는 제 2 전극판;을 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 상기 제 2 전극판에 상기 제 1 전극핀들의 타단부가 수용될 수 있는 수용홈부가 형성될 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 플라즈마 전해 산화 장치는, 상기 대상물에 형성된 상기 미세홀의 내면에 코팅 재료가 양극 산화하여 코팅될 수 있도록 상기 미세홀들의 타측을 각각 관통할 수 있고, 상기 제 1 전극핀과 전기적으로 연결될 수 있는 복수개의 제 2 전극핀; 및 상기 대상물의 후방에 배치되고, 상기 제 2 전극핀들의 일단부를 지지하며, 상기 제 2 전극핀들을 전기적으로 연결시키는 제 2 전극판;을 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 플라즈마 전해 산화 장치는, 상기 대상물의 전면 또는 후면을 양극 산화시킬 수 있도록 형성되는 상기 대상물의 전방 또는 후방에 설치되는 제 3 전극판 또는 제 4 전극판;을 더 포함할 수 있다.
한편, 상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 사상에 따른 플라즈마 전해 산화 방법은, 미세홀이 형성된 대상물의 플라즈마 전해 산화 방법에 있어서, 상기 대상물에 형성된 상기 미세홀의 내면에 코팅 재료가 양극 산화하여 코팅될 수 있도록 상기 미세홀들의 일측을 각각 관통할 수 있는 복수개의 제 1 전극핀; 및 상기 대상물의 전방에 배치되고, 상기 제 1 전극핀들의 일단부를 지지하며, 상기 제 1 전극핀들을 전기적으로 연결시키는 제 1 전극판;을 이용하여 상기 미세홀을 양극 산화시키는 미세홀 양극 산화 단계; 및 상기 미세홀 양극 산화 단계 이후 또는 이전에, 상기 대상물의 전면 또는 후면을 양극 산화시킬 수 있도록 상기 대상물의 전방 또는 후방에 설치되는 제 3 전극판 또는 제 4 전극판;을 이용하여 상기 대상물의 전면 또는 후면을 전체적으로 양극 산화시키는 전체 양극 산화 단계;를 포함할 수 있다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일부 실시예들에 따르면, 대상물의 미세홀을 관통할 수 있는 복수개의 전극핀들을 구비하고, 이러한 전극핀들이 대상물과 이격될 수 있도록 위치를 정렬시키는 안내 절연 부재를 설치하여 균질한 양극 산화를 가능하게 하고, 미세홀 양극 산화와 전체 양극 산화를 단계적으로 수행하여 균일하고 우수한 막질의 코팅층을 견고하게 형성할 수 있는 효과를 갖는 것이다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 플라즈마 전해 산화 장치를 개략적으로 나타내는 개략도이다.
도 2는 본 발명의 일부 다른 실시예들에 따른 플라즈마 전해 산화 장치를 개략적으로 나타내는 개략도이다.
도 3은 도 2의 플라즈마 전해 산화 장치를 확대하여 나타내는 확대 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 플라즈마 전해 산화 장치를 확대하여 나타내는 확대 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 플라즈마 전해 산화 장치를 나타내는 부품 분해 사시도이다.
도 6은 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 플라즈마 전해 산화 장치를 나타내는 부품 분해 사시도이다.
도 7은 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 플라즈마 전해 산화 장치를 나타내는 개략도이다.
도 8은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 플라즈마 전해 산화 방법을 나타내는 순서도이다.
도 9는 본 발명의 일부 다른 실시예들에 따른 플라즈마 전해 산화 방법을 나타내는 순서도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 여러 실시예들을 상세히 설명하기로 한다.
본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려 이들 실시예들은 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다. 또한, 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이다.
본 명세서에서 사용된 용어는 특정 실시예를 설명하기 위하여 사용되며, 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 단수 형태는 문맥상 다른 경우를 분명히 지적하는 것이 아니라면, 복수의 형태를 포함할 수 있다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 경우 "포함한다(comprise)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급한 형상들, 숫자, 단계, 동작, 부재, 요소 및/또는 이들 그룹의 존재를 특정하는 것이며, 하나 이상의 다른 형상, 숫자, 동작, 부재, 요소 및/또는 그룹들의 존재 또는 부가를 배제하는 것이 아니다.
이하, 본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들을 개략적으로 도시하는 도면들을 참조하여 설명한다. 도면들에 있어서, 예를 들면, 제조 기술 및/또는 공차(tolerance)에 따라, 도시된 형상의 변형들이 예상될 수 있다. 따라서, 본 발명 사상의 실시예는 본 명세서에 도시된 영역의 특정 형상에 제한된 것으로 해석되어서는 아니 되며, 예를 들면 제조상 초래되는 형상의 변화를 포함하여야 한다.
이하, 본 발명의 여러 실시예들에 따른 플라즈마 전해 산화 장치 및 방법을 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 플라즈마 전해 산화 장치(100)를 개략적으로 나타내는 개략도이다.
먼저, 도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 플라즈마 전해 산화 장치(100)는, 대상물(1)이 전해조(2) 내부에 수용된 전해액(3)에 침지되는 것으로서, 상기 플라즈마 전해 산화 장치(100)는, 상기 대상물(1)에 형성된 미세홀(1a)의 내면에 코팅 재료가 양극 산화하여 코팅될 수 있도록 상기 미세홀(1a)들의 일측을 각각 관통할 수 있는 복수개의 제 1 전극핀(10) 및 상기 대상물(1)의 전방에 배치되고, 상기 제 1 전극핀(10)들의 일단부를 지지하며, 상기 제 1 전극핀(10)들을 전기적으로 연결시키는 제 1 전극판(20)을 포함할 수 있다.
여기서, 예컨대, 상기 대상물(1)은, 공정 가스를 균일하게 분사할 수 있도록 복수개의 미세홀(1a)들이 형성되는 샤워 헤드 또는 샤워 헤드와 유사한 형태의 판형상 또는 망형상의 구조체일 수 있다.
여기서, 상기 제 1 전극핀(10)은 상기 미세홀(1a)의 내경과 접촉되지 않도록 미세하게 이격될 수 있는 가는 와이어 형상의 전극체로서, 상기 미세홀(1a)의 형상과 대응되도록 길이 방향으로 길게 형성될 수 있다.
또한, 상기 제 1 전극판(20)은 일측에 복수개의 상기 제 1 전극핀(10)들이 상기 미세홀(1a)과 대응되도록 설치되는 것으로서, 복수개의 상기 제 1 전극핀(10)들과 전기적으로 연결될 수 있는 판 형상일 수 있다.
따라서, 도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 플라즈마 전해 산화 장치(100)의 동작 과정을 설명하면, 예컨대, 상기 대상물(1)을 양극으로 하고, 상기 제 1 전극판(20)과 상기 제 1 전극핀(10)들을 음극으로 하여 전위차를 발생시키면서 상기 전해액(3)을 교반하거나, 처리 온도나, 전류 밀도 등의 조건을 조정하여 상기 대상물(1)의 표면, 특히, 상기 대상물(1)의 미세홀(1a)의 내경부분에서 미세 표면 아크가 발생되어 산화층이 균질하고 견고하게 코팅될 수 있다.
여기서, 예컨대, 이러한 상기 대상물(1)은 알루미늄 재질의 플라즈마 처리용 샤워 헤드일 수 있고, 양극 처리되는 표면은 플라즈마 환경에 대응할 수 있도록 산화 알루미늄층이 형성될 수 있다.
도 2는 본 발명의 일부 다른 실시예들에 따른 플라즈마 전해 산화 장치(200)를 개략적으로 나타내는 개략도이고, 도 3은 도 2의 플라즈마 전해 산화 장치(200)를 확대하여 나타내는 확대 단면도이다.
예컨대, 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 다른 실시예들에 따른 플라즈마 전해 산화 장치(200)는, 상기 대상물(1)의 후방에 배치되고, 상기 제 1 전극핀(10)들의 타단부와 체결되며, 상기 제 1 전극핀(10)들을 전기적으로 연결시키는 제 2 전극판(30)을 더 포함할 수 있다.
더욱 구체적으로 예를 들면, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 제 2 전극판(30)에 상기 제 1 전극핀(10)들의 타단부가 수용될 수 있는 수용홈부(H)가 형성될 수 있다.
여기서, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 전극핀(10)은 상기 미세홀(1a)에 삽입되어 상기 미세홀(1a)과 이격될 수 있도록 상기 미세홀(1a)의 내경(D2) 보다 작은 직경(D1)일 수 있다.
또한, 예컨대, 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 다른 실시예들에 따른 플라즈마 전해 산화 장치(200)는, 상기 제 1 전극핀(10)이 정위치로 안내되어 상기 미세홀(1a)과 이격될 수 있도록 안내 경사면(G)을 이용하여 상기 제 1 전극핀(10)의 위치를 정렬시키고, 절연 재질로 이루어지는 안내 절연 부재(40) 및 상기 대상물(1)이 상기 제 1 전극판(20)에 의해 양극 산화되는 것을 방지할 수 있도록 상기 제 1 전극판(20)에 형성되는 보호 절연 부재(50)를 더 포함할 수 있다.
따라서, 상기 제 1 전극핀(10)을 상기 미세홀(1a)에 삽입할 때, 상기 안내 절연 부재(40)의 상기 안내 경사면(G)이 상기 제 1 전극핀(10)의 위치를 정위치로 정렬시킬 수 있다.
즉, 상기 제 1 전극핀(10)은 상기 미세홀(1a)의 가운데에 위치되는 것이 바람직한데, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 전극핀(10)의 일단부는 상기 안내 절연 부재(40)의 상기 안내 경사면(G)에 의해 정위치로 안내되고, 상기 제 1 전극핀(10)의 타단부는 상기 제 2 전극판(30)의 상기 수용홈부(H)에 삽입되어 정위치로 안내될 수 있다.
여기서, 상기 수용홈부(H) 역시 경사면이 형성되어 상기 제 1 전극핀(10)의 타단부를 정위치로 경사 안내할 수 있게 하는 것이 바람직하다.
이 때, 상기 안내 절연 부재(40)에 의해 상기 미세홀(1a)의 입구부에 양극 산화 처리가 다소 부족할 수 있으나, 이는 후술될 2차 양극 처리 과정에 의해 견고하게 양극 산화 처리가 보강될 수 있다.
또한, 상기 보호 절연 부재(50)를 이용하여 상기 미세홀(1a)의 내경면을 제외한 나머지 부분의 양극 처리를 방지하게 할 수 있다. 따라서, 상기 미세홀(1a)의 내경면을 제외한 나머지 부분의 양극 처리 산화층이 너무 비대해지는 것을 방지하고, 양극 처리가 상기 미세홀(1a)의 취약한 내경면 부분에 집중되도록 유도할 수 있다.
그러므로, 상기 대상물(1)의 상기 미세홀(1a)을 관통할 수 있는 복수개의 상기 전극핀(10)들을 구비하고, 이러한 상기 전극핀(10)들이 상기 대상물(1)과 이격될 수 있도록 위치를 정렬시키는 안내 절연 부재(40)를 설치하여 균질한 양극 산화를 가능하게 하고, 미세홀 양극 산화와 전체 양극 산화를 단계적으로 2차에 걸쳐 수행하여 균일하고 우수한 막질의 코팅층을 견고하게 형성할 수 있다.
도 4는 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 플라즈마 전해 산화 장치(300)를 확대하여 나타내는 확대 단면도이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 플라즈마 전해 산화 장치(300)는, 상술된 상기 제 1 전극핀(10)과 상기 제 1 전극판(20)과 대응될 수 있도록 상기 대상물(1)에 형성된 상기 미세홀(1a)의 내면에 코팅 재료가 양극 산화하여 코팅될 수 있도록 상기 미세홀(1a)들의 타측을 각각 관통할 수 있고, 상기 제 1 전극핀(10)과 전기적으로 연결될 수 있는 복수개의 제 2 전극핀(60) 및 상기 대상물(1)의 후방에 배치되고, 상기 제 2 전극핀(60)들의 일단부를 지지하며, 상기 제 2 전극핀(60)들을 전기적으로 연결시키는 제 2 전극판(70)을 더 포함할 수 있다.
따라서, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 전극핀(10)의 일단부는 상기 안내 절연 부재(40)의 상기 안내 경사면(G)에 의해 정위치로 안내되고, 상기 제 1 전극핀(10)의 타단부는, 상기 제 2 전극핀(60)과 맞물림되고, 상기 제 2 전극핀(60)의 일단부는 상기 안내 절연 부재(40)의 상기 안내 경사면(G)에 의해 정위치로 안내되고, 상기 제 2 전극핀(60)의 타단부는, 상기 제 1 전극핀(10)과 맞물림될 수 있다.
여기서, 상기 제 1 전극핀(10)과 상기 제 2 전극핀(60)의 맞물림부 역시 경사면이 형성되어 상기 제 1 전극핀(10)과 상기 제 2 전극핀(60)을 정위치로 경사 안내할 수 있게 하는 것이 바람직하다.
도 5는 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 플라즈마 전해 산화 장치(400)를 나타내는 부품 분해 사시도이고, 도 6은 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 플라즈마 전해 산화 장치(500)를 나타내는 부품 분해 사시도이다.
도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 플라즈마 전해 산화 장치(400)는 상기 대상물(1)의 형상이 원판 형상인 경우, 이에 맞추어서 상기 제 1 전극판(20)과 상기 제 2 전극판(30) 역시 원판 형상일 수 있고, 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 플라즈마 전해 산화 장치(500)는 상기 대상물(1)의 형상이 사각판 형상인 경우, 이에 맞추어서 상기 제 1 전극판(20)과 상기 제 2 전극판(30) 역시 사각판 형상일 수 있다.
그러나, 이러한 상기 제 1 전극판(20)과 상기 제 2 전극판(30)의 형상은 상기 대상물(1)의 형태에 따라 매우 다양하게 형성될 수 있는 것으로서, 반드시 도면에 국한되지 않는다.
도 7은 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 플라즈마 전해 산화 장치(600)를 나타내는 개략도이다.
도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 플라즈마 전해 산화 장치(600)는, 상기 대상물(1)의 전면 또는 후면을 양극 산화시킬 수 있도록 형성되는 상기 대상물(1)의 전방 또는 후방에 설치되어 상기 대상물(1)의 전면 또는 후면과 대응되는 형상으로 형성되는 제 3 전극판(80) 또는 제 4 전극판(90)을 더 포함할 수 있다.
따라서, 이러한 상기 제 3 전극판(80)과 상기 제 4 전극판(90)을 이용하여 상기 대상물(1)의 상기 미세홀(1a)을 제외한 나머지 부분에 양극 산화 처리를 할 수 있다.
그러므로, 미세홀 양극 산화 과정과 전체 양극 산화 과정을 단계적으로 2차에 걸쳐 수행하여 균일하고 우수한 막질의 코팅층을 견고하게 형성할 수 있다.
도 8은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 플라즈마 전해 산화 방법을 나타내는 순서도이다.
도 1 내지 도 8에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 플라즈마 전해 산화 방법은, 미세홀(1a)이 형성된 대상물(1)의 플라즈마 전해 산화 방법에 있어서, 상기 대상물(1)에 형성된 상기 미세홀(1a)의 내면에 코팅 재료가 양극 산화하여 코팅될 수 있도록 상기 미세홀(1a)들의 일측을 각각 관통할 수 있는 복수개의 제 1 전극핀(10) 및 상기 대상물(1)의 전방에 배치되고, 상기 제 1 전극핀(10)들의 일단부를 지지하며, 상기 제 1 전극핀(10)들을 전기적으로 연결시키는 제 1 전극판(20)을 이용하여 상기 미세홀(1a)을 양극 산화시키는 미세홀 양극 산화 단계(S1); 및 상기 미세홀 양극 산화 단계(S1) 이후에, 상기 대상물(1)의 전면 또는 후면을 양극 산화시킬 수 있도록 상기 대상물(1)의 전방 또는 후방에 설치되는 제 3 전극판(80) 또는 제 4 전극판(90);을 이용하여 상기 대상물(1)의 전면 또는 후면을 전체적으로 양극 산화시키는 전체 양극 산화 단계(S2);를 포함할 수 있다.
도 9는 본 발명의 일부 다른 실시예들에 따른 플라즈마 전해 산화 방법을 나타내는 순서도이다.
도 1 내지 도 9에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 플라즈마 전해 산화 방법은, 미세홀(1a)이 형성된 대상물(1)의 플라즈마 전해 산화 방법에 있어서, 상기 대상물(1)에 형성된 상기 미세홀(1a)의 내면에 코팅 재료가 양극 산화하여 코팅될 수 있도록 상기 미세홀(1a)들의 일측을 각각 관통할 수 있는 복수개의 제 1 전극핀(10) 및 상기 대상물(1)의 전방에 배치되고, 상기 제 1 전극핀(10)들의 일단부를 지지하며, 상기 제 1 전극핀(10)들을 전기적으로 연결시키는 제 1 전극판(20)을 이용하여 상기 미세홀(1a)을 양극 산화시키는 미세홀 양극 산화 단계(S1); 및 상기 미세홀 양극 산화 단계(S1) 이전에, 상기 대상물(1)의 전면 또는 후면을 양극 산화시킬 수 있도록 상기 대상물(1)의 전방 또는 후방에 설치되는 제 3 전극판(80) 또는 제 4 전극판(90);을 이용하여 상기 대상물(1)의 전면 또는 후면을 전체적으로 양극 산화시키는 전체 양극 산화 단계(S2);를 포함할 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
1: 대상물
1a: 미세홀
2: 전해조
3: 전해액
10: 제 1 전극핀
20: 제 1 전극판
G: 안내 경사면
30, 70: 제 2 전극판
40: 안내 절연 부재
50: 보호 절연 부재
60: 제 2 전극핀
80: 제 3 전극판
90: 제 4 전극판
100: 플라즈마 전해 산화 장치

Claims (9)

  1. 대상물에 형성된 미세홀의 내면에 코팅 재료가 양극 산화하여 코팅될 수 있도록 상기 미세홀들의 일측을 각각 관통할 수 있는 복수개의 제 1 전극핀; 및
    상기 대상물의 전방에 배치되고, 상기 제 1 전극핀들의 일단부를 지지하며, 상기 제 1 전극핀들을 전기적으로 연결시키는 제 1 전극판;
    을 포함하는, 플라즈마 전해 산화 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 대상물은, 공정 가스를 균일하게 분사할 수 있도록 복수개의 미세홀들이 형성되는 샤워 헤드이고,
    상기 제 1 전극핀은 상기 미세홀에 삽입되어 상기 미세홀과 이격될 수 있도록 상기 미세홀의 내경 보다 작은 직경인, 플라즈마 전해 산화 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 전극핀이 정위치로 안내되어 상기 미세홀과 이격될 수 있도록 안내 경사면을 이용하여 상기 제 1 전극핀의 위치를 정렬시키고, 절연 재질로 이루어지는 안내 절연 부재;
    를 더 포함하는, 플라즈마 전해 산화 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 대상물이 상기 제 1 전극판에 의해 양극 산화되는 것을 방지할 수 있도록 상기 제 1 전극판에 형성되는 보호 절연 부재;
    를 더 포함하는, 플라즈마 전해 산화 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 대상물의 후방에 배치되고, 상기 제 1 전극핀들의 타단부와 체결되며, 상기 제 1 전극핀들을 전기적으로 연결시키는 제 2 전극판;
    을 더 포함하는, 플라즈마 전해 산화 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제 2 전극판에 상기 제 1 전극핀들의 타단부가 수용될 수 있는 수용홈부가 형성되는, 플라즈마 전해 산화 장치.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 대상물에 형성된 상기 미세홀의 내면에 코팅 재료가 양극 산화하여 코팅될 수 있도록 상기 미세홀들의 타측을 각각 관통할 수 있고, 상기 제 1 전극핀과 전기적으로 연결될 수 있는 복수개의 제 2 전극핀; 및
    상기 대상물의 후방에 배치되고, 상기 제 2 전극핀들의 일단부를 지지하며, 상기 제 2 전극핀들을 전기적으로 연결시키는 제 2 전극판;
    을 더 포함하는, 플라즈마 전해 산화 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 대상물의 전면 또는 후면을 양극 산화시킬 수 있도록 형성되는 상기 대상물의 전방 또는 후방에 설치되는 제 3 전극판 또는 제 4 전극판;
    을 더 포함하는 플라즈마 전해 산화 장치.
  9. 미세홀이 형성된 대상물의 플라즈마 전해 산화 방법에 있어서,
    상기 대상물에 형성된 상기 미세홀의 내면에 코팅 재료가 양극 산화하여 코팅될 수 있도록 상기 미세홀들의 일측을 각각 관통할 수 있는 복수개의 제 1 전극핀; 및 상기 대상물의 전방에 배치되고, 상기 제 1 전극핀들의 일단부를 지지하며, 상기 제 1 전극핀들을 전기적으로 연결시키는 제 1 전극판;을 이용하여 상기 미세홀을 양극 산화시키는 미세홀 양극 산화 단계; 및
    상기 미세홀 양극 산화 단계 이후 또는 이전에,
    상기 대상물의 전면 또는 후면을 양극 산화시킬 수 있도록 상기 대상물의 전방 또는 후방에 설치되는 제 3 전극판 또는 제 4 전극판;을 이용하여 상기 대상물의 전면 또는 후면을 전체적으로 양극 산화시키는 전체 양극 산화 단계;
    를 포함하는, 플라즈마 전해 산화 방법.
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