KR20200003561A - A substrate processing apparatus for mechanically controlling plasma density - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a substrate processing apparatus for mechanically controlling plasma density. The substrate processing apparatus comprises: a chamber processing a substrate with plasma therein; an antenna coil generating plasma by radiating a high frequency to a process gas supplied inside the chamber; an interlocking unit connected to the antenna coil and moving together with the antenna coil; a horizontal drive unit providing driving force to move the interlocking unit in a horizontal direction; and a driving control unit controlling the driving of the horizontal drive unit. The driving control unit controls a formation position the plasma by the antenna coil by adjusting an amount of driving of the horizontal drive unit to be corresponded to a movement direction and movement distance to a position where the antenna coil should be moved from a current position of the antenna coil.

Description

기계적으로 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치{A substrate processing apparatus for mechanically controlling plasma density}A substrate processing apparatus for mechanically controlling plasma density

본 발명은 기계적으로 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치로서, 상세하게는 안테나 코일의 위치를 조절하여 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus for mechanically controlling plasma density, and more particularly, to a substrate processing apparatus for controlling plasma density by adjusting a position of an antenna coil.

기판 처리 장치는 반도체 공정을 수행하는 장치로서, 상세하게는 기판(10)을 플라즈마(P)로 처리하는 장치이다.The substrate processing apparatus is a device for performing a semiconductor process, and in detail, is a device for processing the substrate 10 with plasma P.

이때, 기판(10)은 웨이퍼 또는 웨이퍼가 장착된 트레이를 의미할 수 있다.In this case, the substrate 10 may mean a wafer or a tray on which the wafer is mounted.

또한, 기판 처리 장치는 플라즈마(P)로 식각, 증착 및 에싱 중 하나 이상을 수행하는 장치일 수 있다.In addition, the substrate processing apparatus may be an apparatus that performs one or more of etching, deposition, and ashing with the plasma P.

기판 처리 장치는 챔버(100) 내부에 공급된 공정 가스에 안테나 코일이 고주파(High-frequency)를 방사하여 플라즈마(P)를 발생한다.In the substrate processing apparatus, an antenna coil radiates high frequency to a process gas supplied into the chamber 100 to generate plasma P.

이때, 발생된 플라즈마(P) 밀도는 기판(10)의 처리 속도에 영향을 미친다.At this time, the generated plasma P density affects the processing speed of the substrate 10.

예를 들어, 플라즈마(P) 밀도가 높으면 기판(10)의 처리 속도가 빨라지고, 플라즈마(P) 밀도가 낮으면 기판(10)의 처리 속도가 느려진다.For example, if the plasma P density is high, the processing speed of the substrate 10 is high. If the plasma P density is low, the processing speed of the substrate 10 is slow.

일반적으로 기판(10)의 처리 속도를 조절하기 위한 플라즈마(P) 밀도 제어는 고주파 전원부(20)로부터 안테나 코일(200)에 공급되는 고주파 전력(High-frequency power)을 증가 또는 감소시켜 제어한다.In general, plasma (P) density control for adjusting the processing speed of the substrate 10 is controlled by increasing or decreasing high-frequency power supplied from the high frequency power supply unit 20 to the antenna coil 200.

예를 들어, 기판(10)의 처리 속도가 느리면 안테나 코일(200)에 공급되는 고주파 전력을 증가시키고, 기판(10)의 처리 속도가 빠르면 안테나 코일(200)에 공급되는 고주파 전력을 감소시켜 기판의 처리 속도를 조절한다.For example, if the processing speed of the substrate 10 is low, the high frequency power supplied to the antenna coil 200 is increased. If the processing speed of the substrate 10 is high, the high frequency power supplied to the antenna coil 200 is reduced to reduce the substrate. To adjust the processing speed.

이러한 방법은 안테나 코일(200)이 방사하는 고주파를 제어하기 위해 간접적으로 고주파 전력을 제어하는 것이다.This method is to control the high frequency power indirectly to control the high frequency radiated by the antenna coil 200.

그러나 고주파는 고주파 전원부(20)에서 안테나 코일(200)로 공급되는 과정에서 환경 요인에 많은 영향을 받으므로 안테나 코일(200)이 방사하는 고주파가 의도한 바와 같이 효율적으로 제어되지 않아 결과적으로 플라즈마(P) 밀도가 효율적으로 제어되지 않는 문제점이 있다.However, since the high frequency is highly influenced by environmental factors in the process of supplying the high frequency power supply unit 20 to the antenna coil 200, the high frequency radiated by the antenna coil 200 is not effectively controlled as intended. P) There is a problem that the density is not controlled efficiently.

또한, 고주파 전력을 제어하기 위해서는 다수의 전기/전자 구성이 추가되므로 관리 항목이 증가하고, 이에 따른 교환 주기가 빨라지는 문제점이 있다.In addition, in order to control the high frequency power, a plurality of electric / electronic configurations are added, thereby increasing management items, thereby resulting in a faster replacement cycle.

이러한 문제점은 기판 처리 장치가 처리하는 기판(10)의 면적이 커질수록 더욱 증가한다.This problem increases as the area of the substrate 10 processed by the substrate processing apparatus increases.

도 1에 도시된 바와 같이, 대면적의 기판(10)을 처리하는 기판 처리 장치는, 기판(10) 내측 및 외측 플라즈마 밀도가 균일하지 못하므로 내측 안테나 코일(210) 및 외측 안테나 코일(220)을 통해 기판 내측 및 외측 플라즈마 밀도를 각각 제어한다.As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus for processing the large-area substrate 10 may not have uniform inner and outer plasma densities of the substrate 10, so that the inner antenna coil 210 and the outer antenna coil 220 may not be uniform. The inner and outer plasma densities of the substrates are controlled through the respective layers.

일반적으로 기판(10) 내측 플라즈마 밀도 제어는 제1 고주파 전원부(21)로부터 내측 안테나 코일(210)에 공급되는 고주파 전력을 증가 또는 감소시켜 제어하고, 기판(10) 외측 플라즈마 밀도 제어는 제2 고주파 전원부(22)로부터 외측 안테나 코일(220)에 공급되는 고주파 전력을 증가 또는 감소시켜 제어한다.In general, the plasma density control inside the substrate 10 is controlled by increasing or decreasing the high frequency power supplied from the first high frequency power supply 21 to the inner antenna coil 210, and the plasma density control outside the substrate 10 is controlled by the second high frequency. The high frequency power supplied from the power supply unit 22 to the outer antenna coil 220 is controlled to increase or decrease.

예를 들어, 기판(10) 내측의 처리 속도가 느리면 내측 안테나 코일(210)에 공급되는 고주파 전력을 증가시키고, 기판(10) 내측의 처리 속도가 빠르면 내측 안테나 코일(210)에 공급되는 고주파 전력을 감소시켜 기판(10) 내측의 처리 속도를 제어한다.For example, when the processing speed inside the substrate 10 is slow, the high frequency power supplied to the inner antenna coil 210 is increased. When the processing speed inside the substrate 10 is fast, the high frequency power is supplied to the inner antenna coil 210. Is reduced to control the processing speed inside the substrate 10.

또한, 기판(10) 외측의 처리 속도가 느리면 외측 안테나 코일(220)에 공급되는 고주파 전력을 증가시키고, 기판(10) 외측의 처리 속도가 빠르면 외측 안테나 코일(220)에 공급되는 고주파 전력을 감소시켜 기판(10) 외측의 처리 속도를 제어한다.In addition, when the processing speed outside the substrate 10 is slow, the high frequency power supplied to the outer antenna coil 220 is increased, and when the processing speed outside the substrate 10 is fast, the high frequency power supplied to the outer antenna coil 220 is reduced. The processing speed of the substrate 10 outside is controlled.

앞서 설명한 안테나 코일(200)의 문제점과 동일하게 내측 안테나 코일(210) 및 외측 안테나 코일(220)이 방사하는 고주파가 의도한 바와 같이 효율적으로 제어되지 않아 결과적으로 플라즈마 밀도가 효율적으로 제어되지 않는 문제점이 있다.Similarly to the problem of the antenna coil 200 described above, the high frequency radiated by the inner antenna coil 210 and the outer antenna coil 220 is not effectively controlled as intended, and as a result, the plasma density is not efficiently controlled. There is this.

또한, 내측 안테나 코일(210) 및 외측 안테나 코일(220)에 공급되는 고주파 전력을 각각 제어하기 위해서는 제1 고주파 전원부(21) 및 제2 고주파 전원부(22)를 포함한 다수의 전기/전자 구성이 추가되므로 관리 항목은 더욱 증가하고, 이에 따른 교환 주기는 더욱 빨라지는 문제점이 있다.In addition, in order to control the high frequency power supplied to the inner antenna coil 210 and the outer antenna coil 220, a plurality of electric / electronic configurations including the first high frequency power supply unit 21 and the second high frequency power supply unit 22 are added. Therefore, there is a problem that the management item is further increased, and thus the replacement cycle is faster.

상기한 배경기술로서 설명된 사항들은 본 발명의 배경에 대한 이해 증진을 위한 것일 뿐, 이 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 이미 알려진 종래기술에 해당함을 인정하는 것으로 받아들여져서는 안 될 것이다.The matters described as the background art are only for the purpose of improving the understanding of the background of the present invention and should not be taken as acknowledging that they correspond to the related art already known to those skilled in the art.

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앞서 설명한 문제점을 해결하고자 하는 것이 본 발명의 과제이다.It is a problem of the present invention to solve the problems described above.

본 발명은 기계적으로 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus for mechanically controlling plasma density.

본 발명에 따른 기계적으로 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치에 있어서, 내부에서 플라즈마로 기판을 처리하는 챔버; 상기 챔버 내부에 공급된 공정가스에 고주파를 방사하여 플라즈마를 발생하는 안테나 코일; 상기 안테나 코일이 연결되고, 상기 안테나 코일과 함께 이동하는 연동부; 상기 연동부가 수평 방향으로 이동하도록 구동력을 제공하는 수평 구동부; 및 상기 수평 구동부의 구동을 제어하는 구동 제어부; 를 포함하되, 상기 구동 제어부는, 상기 안테나 코일의 현재 위치에서 상기 안테나 코일이 이동되어야 할 위치로의 이동 방향과 이동 거리에 상응하도록 상기 수평 구동부의 구동량을 조절하여 상기 안테나 코일에 의한 플라즈마의 형성 위치를 제어하는 것을 특징으로 한다.A substrate processing apparatus for mechanically controlling plasma density in accordance with the present invention, comprising: a chamber for processing a substrate with plasma therein; An antenna coil for generating a plasma by radiating high frequency to the process gas supplied inside the chamber; An interlocking part connected to the antenna coil and moving together with the antenna coil; A horizontal drive unit providing a driving force to move the linkage unit in a horizontal direction; And a driving controller for controlling driving of the horizontal driver. To include, wherein the drive control unit, by adjusting the drive amount of the horizontal drive unit to correspond to the moving direction and the moving distance from the current position of the antenna coil to the position to be moved to the position of the plasma by the antenna coil It is characterized by controlling the formation position.

상기 수평 구동부는, 상기 연동부가 수평 방향의 좌우로 이동하도록 구동력을 제공하는 제1 수평 구동부; 상기 제1 수평 구동부에 연동되어 좌우로 이동되고, 상기 상기 연동부가 수평 방향의 전후로 이동하도록 구동력을 제공하는 제2 수평 구동부; 를 포함한다.The horizontal driving unit may include a first horizontal driving unit configured to provide a driving force to move the interlocking unit in the horizontal direction; A second horizontal driver connected to the first horizontal driver to move from side to side, and providing a driving force to move the linkage back and forth in a horizontal direction; It includes.

상기 제1 수평 구동부는 회전하는 모터이고, 상기 제2 수평 구동부는 상기 제1 수평 구동부에 연동되어 회전하는 볼스크류에 의해 이동되는 너트 하우징에 연결되어 좌우 이동되는 것을 특징으로 한다.The first horizontal drive unit is a rotating motor, and the second horizontal drive unit is connected to the nut housing moved by the ball screw rotates in conjunction with the first horizontal drive unit is characterized in that the left and right move.

상기 제1 수평 구동부는 신축하는 실린더이고, 상기 제2 수평 구동부는 상기 제1 수평 구동부에 연동되어 신축하는 실린더바에 의해 이동되는 너트 하우징에 연결되어 좌우 이동되는 것을 특징으로 한다.The first horizontal drive unit is a stretchable cylinder, the second horizontal drive unit is connected to the nut housing moved by the cylinder bar to expand and contract with the first horizontal drive unit is characterized in that the left and right move.

본 발명에 따른 기계적으로 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치에 있어서, 상기 연동부는, 상기 안테나 코일과 결합하는 연결부; 및 다수의 상기 연결부가 상기 수평 구동부의 구동력을 일괄적으로 제공 받도록 다수의 상기 연결부와 결합하는 통합부; 를 포함한다.In the substrate processing apparatus for controlling the plasma density mechanically in accordance with the present invention, The interlocking portion, The connecting portion coupled to the antenna coil; And an integrated unit coupled to the plurality of connection units such that the plurality of connection units collectively receive the driving force of the horizontal driver. It includes.

상기 연결부는 상기 안테나 코일에 간섭되는 것을 최소화하기 위해 상기 안테나 코일에 접촉하는 부위를 포함하는 일정 부분은 비전도성 물질로 구성되는 것을 특징으로 한다.In order to minimize interference with the antenna coil, the connection part may be formed of a non-conductive material, including a portion contacting the antenna coil.

본 발명에 따른 기계적으로 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치에 있어서, 상기 수평 구동부가 수직 이동하도록 구동력을 제공하는 수직 구동부; 를 포함하고, 상기 수평 구동부는 상기 연동부와 연동되어 상기 연동부를 수직 이동하는 것을 특징으로 한다.A substrate processing apparatus for mechanically controlling plasma density according to the present invention, comprising: a vertical driving unit providing a driving force to vertically move the horizontal driving unit; It includes, wherein the horizontal drive unit is interlocked with the linkage unit, characterized in that for moving the linkage vertically.

상기 수평 구동부와 상기 연동부 사이에 위치하고, 상기 연동부가 수직 이동하도록 구동력을 제공하는 수직 구동부; 를 포함하고, 상기 수평 구동부는 상기 수직 구동부와 연동되어 상기 수직 구동부를 수평 이동하는 것을 특징으로 한다.A vertical driving unit positioned between the horizontal driving unit and the linking unit and providing a driving force to vertically move the linking unit; It includes, wherein the horizontal drive unit is linked with the vertical drive unit, characterized in that for moving the vertical drive unit horizontally.

본 발명에 따른 기계적으로 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치에 있어서, 상기 안테나 코일은, 상기 기판 내측의 플라즈마 밀도를 제어하는 내측 안테나 코일; 및 상기 기판 외측의 플라즈마 밀도를 제어하는 외측 안테나 코일; 을 포함하고, 상기 연동부는, 상기 내측 안테나 코일과 연동되어 상기 내측 안테나 코일을 수평 이동하는 내측 연동부; 를 포함하고, 상기 내측 연동부가 수평 이동하도록 구동력을 제공하는 내측 수평 구동부; 를 포함한다.A substrate processing apparatus for mechanically controlling plasma density according to the present invention, wherein the antenna coil comprises: an inner antenna coil for controlling a plasma density inside the substrate; And an outer antenna coil for controlling the plasma density outside the substrate. It includes, The interlocking portion, Inner linkage for interlocking with the inner antenna coil to move the inner antenna coil horizontally; An inner horizontal driving part including a driving force to horizontally move the inner linking part; It includes.

상기 내측 수평 구동부는, 상기 연동부를 좌우로 이동하는 내측 제1 수평 구동부; 및 상기 연동부를 앞뒤로 이동하는 내측 제2 수평 구동부; 를 포함한다.The inner horizontal driving unit may include: an inner first horizontal driving unit which moves the interlocking part from side to side; And an inner second horizontal driving unit moving the linkage unit back and forth; It includes.

상기 내측 제2 수평 구동부는 상기 내측 제1 수평 구동부에 연동되어 좌우 이동되고, 상기 연동부는 상기 내측 제2 수평 구동부에 연동되어 전후 이동되는 것을 특징으로 한다.The inner second horizontal driving unit may move left and right in association with the inner first horizontal driving unit, and the interlocking unit may move back and forth in conjunction with the inner second horizontal driving unit.

상기 내측 수평 구동부가 수직 이동하도록 구동력을 제공하는 내측 수직 구동부; 를 포함하고, 상기 내측 수평 구동부는 상기 연동부와 연동되어 상기 연동부를 수직 이동하는 것을 특징으로 한다.An inner vertical driving part providing a driving force to vertically move the inner horizontal driving part; It includes, wherein the inner horizontal driving unit is linked with the linking unit, characterized in that for moving the linkage vertically.

상기 외측 안테나 코일과 연동되어 상기 외측 안테나 코일을 수평 이동하는 외측 연동부; 및 상기 외측 연동부가 수평 이동하도록 구동력을 제공하는 외측 수평 구동부; 를 포함한다.An outer interlocking portion interlocked with the outer antenna coil to horizontally move the outer antenna coil; And an outer horizontal driving unit providing a driving force to horizontally move the outer linking unit. It includes.

본 발명에 따른 기계적으로 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치에 있어서, 상기 외측 수평 구동부는, 상기 연동부를 좌우로 이동하는 외측 제1 수평 구동부; 및 상기 연동부를 전후로 이동하는 외측 제2 수평 구동부; 를 포함한다.A substrate processing apparatus for mechanically controlling plasma density according to the present invention, wherein the outer horizontal driving unit comprises: an outer first horizontal driving unit which moves the linking unit left and right; And an outer second horizontal driving unit moving the interlocking unit forward and backward. It includes.

본 발명에 따른 기계적으로 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치에 있어서, 상기 외측 제2 수평 구동부는 상기 외측 제1 수평 구동부에 연동되어 좌우 이동되고, 상기 연동부는 상기 외측 제2 수평 구동부에 연동되어 전후 이동되는 것을 특징으로 한다.In the substrate processing apparatus for mechanically controlling the plasma density according to the present invention, the outer second horizontal drive unit is moved left and right in conjunction with the outer first horizontal drive unit, the linkage unit is interlocked with the outer second horizontal drive unit It is characterized in that it is moved.

상기 외측 수평 구동부가 수직 이동하도록 구동력을 제공하는 외측 수직 구동부; 를 포함하고, 상기 외측 수평 구동부는 상기 연동부와 연동되어 상기 연동부를 수직 이동하는 것을 특징으로 한다.An outer vertical driving unit providing a driving force to vertically move the outer horizontal driving unit; It includes, wherein the outer horizontal driving unit is interlocked with the linking unit, characterized in that for moving the linkage vertically.

안테나 코일의 위치를 조절하면 안테나 코일이 방사하는 고주파가 직접적으로 제어되므로 플라즈마 밀도 분포가 효율적으로 제어되는 이점이 있다.Adjusting the position of the antenna coil has an advantage in that the plasma density distribution is efficiently controlled because the high frequency radiated by the antenna coil is directly controlled.

고주파 전력을 제어하기 위한 전기/전자 구성이 불필요한 이점이 있다.An advantage is that the electrical / electronic configuration for controlling high frequency power is unnecessary.

안테나 코일을 수직 및/또는 수평 이동하여 플라즈마 밀도 분포를 제어하는 이점이 있다.There is an advantage in controlling the plasma density distribution by vertically and / or horizontally moving the antenna coil.

내측 안테나 코일 및 외측 안테나 코일 중 어느 하나 이상을 수직 및/또는 수평 이동하여 기판 내측 및 외측 중 어느 하나 이상에 대한 플라즈마 밀도 분포를 제어하는 이점이 있다.There is an advantage in controlling the plasma density distribution for any one or more of the inside and outside of the substrate by vertically and / or horizontally moving any one or more of the inner and outer antenna coils.

기판 처리 장치에 있어서 CCP 외에도 다양한 기판 처리 장치에 적용할 수 있는 이점이 있다.In the substrate processing apparatus, there is an advantage that can be applied to various substrate processing apparatuses in addition to the CCP.

제어부(600)가 안테나 코일(200)의 위치를 조절함으로써, 챔버(100)의 개방없이 안테나 코일(200)의 위치를 조절할 수 있으므로, 기판 처리 장치의 동작 중단 시간을 최소화하여, 생산성을 높이는 이점이 있다.By controlling the position of the antenna coil 200 by the control unit 600, the position of the antenna coil 200 can be adjusted without opening the chamber 100, thereby minimizing the downtime of the substrate processing apparatus, thereby increasing productivity. There is this.

기계적으로 위치를 조절함으로써, 사용자가 직접적으로 공구로 안테나 코일(200)을 분해하여 위치 조정 후 다시 조립하는 것보다 정밀하게 위치를 조절할 수 있어, 정밀하게 위치가 조절되어 불량을 최소화하는 이점이 있다.By adjusting the position mechanically, the user can directly adjust the position rather than disassembling and reassembling the antenna coil 200 with a tool directly, there is an advantage that the position is precisely adjusted to minimize the defect .

도 1은 종래기술을 설명하기 위한 도면
도 2는 수직 구동부가 실린더인 경우를 설명하기 위한 도면
도 3은 수직 구동부가 실린더인 경우 안테나 코일의 상승을 설명하기 위한 도면
도 4는 수직 구동부가 실린더인 경우 안테나 코일의 하강을 설명하기 위한 도면
도 5는 수직 구동부가 모터인 경우를 설명하기 위한 도면
도 6은 수직 구동부가 모터인 경우 안테나 코일의 상승을 설명하기 위한 도면
도 7은 수직 구동부가 모터인 경우 안테나 코일의 하강을 설명하기 위한 도면
도 8 내지 도 14는 안테나 코일의 수직 이동을 설명하기 위한 도면
도 15 내지 도 21은 안테나 코일의 수평 이동을 설명하기 위한 도면
도 22 내지 도 29는 안테나 코일의 수직 및 수평 이동을 설명하기 위한 도면1 is a view for explaining the prior art
2 is a view for explaining a case where the vertical drive unit is a cylinder;
3 is a view for explaining the rise of the antenna coil when the vertical drive unit is a cylinder;
4 is a view for explaining the lowering of the antenna coil when the vertical drive unit is a cylinder;
5 is a diagram for explaining a case where the vertical driving unit is a motor.
6 is a view for explaining the rise of the antenna coil when the vertical drive unit is a motor;
7 is a view for explaining the lowering of the antenna coil when the vertical drive unit is a motor;
8 to 14 are views for explaining the vertical movement of the antenna coil
15 to 21 are diagrams for explaining the horizontal movement of the antenna coil
22 to 29 are views for explaining the vertical and horizontal movement of the antenna coil

도 2 내지 도 29에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 기계적으로 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치는, 챔버(100), 척(110) 및 안테나 코일(200)을 포함한다.2 to 29, the substrate processing apparatus for mechanically controlling the plasma density according to the present invention includes a chamber 100, a chuck 110, and an antenna coil 200.

챔버(100)는 내부에서 플라즈마로 기판(10)을 처리한다.The chamber 100 treats the substrate 10 with plasma therein.

이때, 기판(10)은 웨이퍼 또는 웨이퍼가 장착된 트레이를 의미할 수 있다.In this case, the substrate 10 may mean a wafer or a tray on which the wafer is mounted.

또한, 기판 처리 장치는 플라즈마로 식각, 증착 및 에싱 중 하나 이상을 수행하는 장치일 수 있다.In addition, the substrate processing apparatus may be an apparatus that performs one or more of etching, deposition, and ashing with plasma.

척(110)은 기판(10)이 안착되고, 챔버(100) 내부에 설치된다.The chuck 110 has a substrate 10 mounted thereon and is installed in the chamber 100.

척(110)은 챔버(10) 구조에 따라 챔버(10) 내부 상부 또는 하부에 설치될 수 있다.The chuck 110 may be installed above or below the chamber 10 according to the structure of the chamber 10.

안테나 코일(200)은 챔버(100) 외부에 기판(10)을 사이에 두고 척(110)과 대응되는 위치에 설치된다.The antenna coil 200 is installed at a position corresponding to the chuck 110 with the substrate 10 interposed outside the chamber 100.

안테나 코일(200)은 챔버(100) 내부에 공급된 공정 가스에 고주파(High-frequency)를 방사하여 플라즈마를 발생한다.The antenna coil 200 emits high frequency to a process gas supplied into the chamber 100 to generate plasma.

안테나 코일(200)은 수직 및 수평 중 어느 하나 이상으로 이동되어 플라즈마 밀도 분포를 제어한다.The antenna coil 200 is moved to at least one of vertical and horizontal to control the plasma density distribution.

안테나 코일(200)이 수직 이동하는 경우 안테나 코일(200)이 상승되어 척(110)과의 이격 거리가 멀어지면 플라즈마 밀도가 낮아지고, 안테나 코일(200)이 하강되어 척(110)과의 이격 거리가 가까워지면 플라즈마 밀도가 높아진다.When the antenna coil 200 moves vertically, if the antenna coil 200 is raised and the separation distance from the chuck 110 is far, the plasma density is lowered, and the antenna coil 200 is lowered to be spaced apart from the chuck 110. The closer the distance is, the higher the plasma density.

예를 들어, 기판(10)의 처리 속도가 빠른 경우 안테나 코일(200)이 상승되어 기판(10)의 처리 속도를 느리게 하고, 기판(10)의 처리 속도가 느린 경우 안테나 코일(200)을 하강하여 기판(10)의 처리 속도를 빠르게 할 수 있다.For example, when the processing speed of the substrate 10 is high, the antenna coil 200 is raised to slow down the processing speed of the substrate 10, and when the processing speed of the substrate 10 is low, the antenna coil 200 is lowered. In this way, the processing speed of the substrate 10 can be increased.

플라즈마는 안테나 코일(200)을 중심으로 발생하므로 플라즈마 밀도는 안테나 코일(200)을 중심으로 분포된다.Since the plasma is generated around the antenna coil 200, the plasma density is distributed around the antenna coil 200.

안테나 코일(200)이 수평 이동하는 경우 안테나 코일(200)의 수평 이동된 위치를 중심으로 플라즈마 밀도가 분포된다.When the antenna coil 200 is horizontally moved, the plasma density is distributed around the horizontally moved position of the antenna coil 200.

즉, 플라즈마 밀도 분포가 안테나 코일(200)의 수평 이동에 따라 수평으로 이동되어 플라즈마 형성 위치가 제어된다.That is, the plasma density distribution is moved horizontally according to the horizontal movement of the antenna coil 200 to control the plasma formation position.

예를 들어, 기판(10)의 중심을 기준으로 기판(10)이 처리되지 않고, 좌측으로 치우쳐서 처리되는 경우 안테나 코일(200)을 우측으로 이동하면 플라즈마 밀도 분포가 우측으로 이동되므로 기판(10)의 중심을 기준으로 기판(10)이 처리되도록 재조정할 수 있다.For example, when the substrate 10 is not processed based on the center of the substrate 10 and is processed to the left side, when the antenna coil 200 is moved to the right side, the plasma density distribution is moved to the right side of the substrate 10. The substrate 10 may be readjusted based on the center of the substrate 10.

이와 같이, 안테나 코일(200)의 위치를 조절하면 안테나 코일(200)이 방사하는 고주파가 직접적으로 제어되므로 플라즈마 밀도 분포가 효율적으로 제어되는 이점이 있다.As such, when the position of the antenna coil 200 is adjusted, since the high frequency radiated by the antenna coil 200 is directly controlled, the plasma density distribution may be efficiently controlled.

또한, 고주파 전력을 제어하기 위한 전기/전자 구성이 불필요한 이점이 있다.In addition, there is an advantage that the electrical / electronic configuration for controlling the high frequency power is unnecessary.

이하에서는 안테나 코일(200)의 이동 방식에 따른 다양한 실시예들을 도면을 참고하여 설명한다.Hereinafter, various embodiments according to the moving method of the antenna coil 200 will be described with reference to the drawings.

<안테나 코일(200)의 수직 이동에 따른 실시예><Example according to vertical movement of antenna coil 200>

도 2 내지 도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 기계적으로 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치는, 챔버(100), 안테나 코일(200), 연동부(300) 및 수직 구동부(400)를 포함한다.2 to 7, the substrate processing apparatus for mechanically controlling the plasma density according to the present invention includes a chamber 100, an antenna coil 200, an interlocking part 300, and a vertical driving part 400. Include.

연동부(300)는 안테나 코일(200)과 연동되어 안테나 코일(200)을 수직 이동한다.The interlock 300 interlocks with the antenna coil 200 to vertically move the antenna coil 200.

수직 구동부(400)는 연동부(300)가 수직 이동하도록 구동력을 제공한다.The vertical driving unit 400 provides a driving force to vertically move the linking unit 300.

이때, 수직 구동부(400)는 실린더 또는 모터일 수 있다.In this case, the vertical driving unit 400 may be a cylinder or a motor.

또한, 실린더는 압력 또는 전기로 신축하는 실린더를 의미할 수 있다.In addition, the cylinder may mean a cylinder that is stretched by pressure or electricity.

도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 수직 구동부(400)가 신축하는 실린더인 경우, 연동부(300)는 수직 구동부(400)에 연동되어 신축하는 실린더바(SB)에 의해 이동되는 너트 하우징(NH)에 연결되어 수직 이동될 수 있다.As illustrated in FIGS. 2 to 4, when the vertical drive unit 400 is a stretchable cylinder, the linkage unit 300 is moved by a cylinder bar SB interlocked with the vertical drive unit 400 to expand and contract. (NH) can be vertically moved.

도 5 내지 도 7에 도시된 바와 같이, 수직 구동부(400)가 회전하는 모터인 경우, 연동부(300)는 수직 구동부(400)에 연동되어 회전하는 볼스크류(BS)에 의해 이동되는 너트 하우징(NH)에 연결되어 수직 이동될 수 있다.5 to 7, when the vertical drive unit 400 is a rotating motor, the interlocking unit 300 is moved by the ball screw (BS) rotating in conjunction with the vertical drive unit 400, the nut housing (NH) can be vertically moved.

연동부(300)는 안테나 코일(200)과 결합하는 연결부(301) 및 다수의 연결부(301)가 수직 구동부(400)의 구동력을 일괄적으로 제공 받도록 다수의 연결부(301)와 결합하는 통합부(302)를 포함할 수 있다.The interlocking part 300 is an integrating part that couples with the plurality of connecting parts 301 so that the connecting part 301 coupled with the antenna coil 200 and the plurality of connecting parts 301 receive the driving force of the vertical driving part 400 collectively. 302 may be included.

연결부(301)는 안테나 코일(200)에 간섭되는 것을 최소화하기 위해 안테나 코일(200)에 접촉하는 부위를 포함하는 일정 부분은 비전도성 물질로 구성될 수 있고, 바람직하게는 유전체로 구성될 수 있다.In order to minimize interference with the antenna coil 200, the connection part 301 may be formed of a non-conductive material, and preferably of a dielectric material, including a portion contacting the antenna coil 200. .

연결부(301)가 안테나 코일(200)에 접촉하는 부위는 안테나 코일(200)의 둘레를 전부 감싸는 형상이거나, 안테나 코일(200)의 하부가 거치되도록 일부 감싸는 형상일 수 있다.The portion where the connection part 301 contacts the antenna coil 200 may be shaped to completely surround the periphery of the antenna coil 200 or may be partially wrapped to cover the lower portion of the antenna coil 200.

연결부(301)는 통합부(302)에 연장 또는 부착되어 형성되거나, 분리가 원할하도록 나사 등 체결수단을 통해 고정될 수 있다.The connection part 301 may be formed by extending or attached to the integrating part 302, or may be fixed through a fastening means such as a screw so that separation may be desired.

안테나 코일(200)이 상승되어 척(110)과의 이격 거리가 멀어지면 플라즈마 밀도가 낮아져 기판(10) 처리 속도가 느려지고, 안테나 코일(200)이 하강되어 척(110)과의 이격 거리가 가까워지면 플라즈마 밀도가 높아져 기판(10) 처리 속도가 빨라진다.When the antenna coil 200 is raised and the separation distance from the chuck 110 becomes far, the plasma density is lowered, thereby lowering the processing speed of the substrate 10, and the antenna coil 200 is lowered, so that the separation distance from the chuck 110 is close. The ground plasma density is increased to increase the processing speed of the substrate 10.

이와 같이, 안테나 코일(200)을 수직 이동하여 플라즈마 밀도를 제어하는 이점이 있다.As such, there is an advantage of controlling the plasma density by vertically moving the antenna coil 200.

도 8 내지 도 14에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 기계적으로 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치는, 챔버(100), 척(110), 내측 안테나 코일(210), 외측 안테나 코일(220), 내측 연동부(310), 외측 연동부(320), 내측 수직 구동부(410)를 및 외측 수직 구동부(420) 포함한다.8 to 14, the substrate processing apparatus for mechanically controlling the plasma density according to the present invention includes a chamber 100, a chuck 110, an inner antenna coil 210, and an outer antenna coil 220. , An inner linking unit 310, an outer linking unit 320, an inner vertical driving unit 410, and an outer vertical driving unit 420.

앞서 설명한 안테나 코일(200)은 기판(10)을 기준으로 기판(10) 내측의 플라즈마 밀도를 제어하는 내측 안테나 코일(210) 및 기판(10) 외측의 플라즈마 밀도를 제어하는 외측 안테나 코일(220)을 포함할 수 있다.The antenna coil 200 described above includes an inner antenna coil 210 that controls the plasma density inside the substrate 10 and an outer antenna coil 220 that controls the plasma density outside the substrate 10 based on the substrate 10. It may include.

내측 안테나 코일(210)을 수직 이동하기 위한 구성으로 내측 연동부(310) 및 내측 수직 구동부(410)를 포함한다.A configuration for vertically moving the inner antenna coil 210 includes an inner linking unit 310 and an inner vertical driving unit 410.

내측 연동부(310)는 내측 안테나 코일(210)과 연동되어 내측 안테나 코일(210)을 수직 이동한다.The inner interlocking portion 310 interlocks with the inner antenna coil 210 to vertically move the inner antenna coil 210.

내측 수직 구동부(410)는 내측 연동부(310)가 수직 이동되도록 구동력을 제공한다.The inner vertical driving unit 410 provides a driving force so that the inner linking unit 310 moves vertically.

도 9에 도시된 바와 같이, 기판(10) 내측의 처리 속도를 느리게 할 때는 내측 안테나 코일(210)을 상승한다.As shown in FIG. 9, when the processing speed inside the substrate 10 is slowed down, the inner antenna coil 210 is raised.

도 10에 도시된 바와 같이, 기판(10) 내측의 처리 속도를 빠르게 할 때는 내측 안테나 코일(210)을 하강한다.As shown in FIG. 10, when the processing speed inside the substrate 10 is increased, the inner antenna coil 210 is lowered.

외측 안테나 코일(220)을 수직 이동하기 위한 구성으로 외측 연동부(320) 및 외측 수직 구동부(420)를 포함한다.In order to vertically move the outer antenna coil 220 includes an outer linkage 320 and the outer vertical driving unit 420.

외측 연동부(320)는 외측 안테나 코일(220)과 연동되어 외측 안테나 코일(220)을 수직 이동 한다.The outer interlocking part 320 interlocks with the outer antenna coil 220 to vertically move the outer antenna coil 220.

외측 수직 구동부(420)는 외측 연동부(320)가 수직 이동되도록 구동력을 제공한다.The outer vertical driving unit 420 provides a driving force so that the outer linking unit 320 is vertically moved.

도 11에 도시된 바와 같이, 기판(10) 외측의 처리 속도를 느리게 할 때는 외측 안테나 코일(220)을 상승한다.As shown in FIG. 11, when the processing speed outside the substrate 10 is slowed down, the outer antenna coil 220 is raised.

도 12에 도시된 바와 같이, 기판(10) 외측의 처리 속도를 빠르게 할 때는 외측 안테나 코일(220)을 하강한다.As shown in FIG. 12, when increasing the processing speed outside the substrate 10, the outer antenna coil 220 is lowered.

내측 안테나 코일(210) 및 외측 안테나 코일(220) 중 어느 하나가 수직 이동되어 기판(10) 내측 및 외측 중 어느 하나의 처리 속도를 조절할 수 있다.One of the inner antenna coil 210 and the outer antenna coil 220 may be vertically moved to adjust the processing speed of any one of the inside and the outside of the substrate 10.

또한, 안테나 코일(200) 및 외측 안테나 코일(220)이 모두 수직 이동되어 기판(10) 내측 및 외측의 처리 속도를 동시에 조절할 수 있다.In addition, both the antenna coil 200 and the outer antenna coil 220 may be vertically moved to simultaneously adjust the processing speeds inside and outside the substrate 10.

예를 들어, 내측 안테나 코일(210)은 상승하여 기판(10) 내측의 처리 속도를 느리게하고, 외측 안테나 코일(220)은 하강하여 기판(10) 외측의 처리 속도를 빠르게 할 수 있다.For example, the inner antenna coil 210 may be raised to slow down the processing speed inside the substrate 10, and the outer antenna coil 220 may be lowered to increase the processing speed outside the substrate 10.

내측 안테나 코일(210) 및 외측 안테나 코일(220)을 모두 수직 이동되도록 구성할 수 있다.Both the inner antenna coil 210 and the outer antenna coil 220 may be configured to move vertically.

또한, 내측 안테나 코일(210) 및 외측 안테나 코일(220) 중 어느 하나만을 수직 이동되도록 구성할 수 있다.In addition, only one of the inner antenna coil 210 and the outer antenna coil 220 may be configured to move vertically.

예를 들어, 내측 안테나 코일(210)은 수직 이동되도록 구성하고, 외측 안테나 코일(220)은 고정되도록 구성하여 기판(10) 외측의 처리 속도를 기준으로 내측 안테나 코일(210)을 수직 이동하여 기판(10) 내측의 처리 속도를 조절할 수 있다.For example, the inner antenna coil 210 is configured to be vertically moved, and the outer antenna coil 220 is configured to be fixed so that the inner antenna coil 210 is vertically moved based on the processing speed of the substrate 10 outside the substrate. (10) The processing speed inside can be adjusted.

이때, 외측 안테나 코일(220)에 공급되는 고주파 전력을 고정하여 기판(10) 외측의 처리 속도를 고정하거나, 외측 안테나 코일(220)에 공급되는 고주파 전력을 조절하여 기판(10) 외측의 처리 속도를 조절할 수 있다.At this time, by fixing the high-frequency power supplied to the outer antenna coil 220 to fix the processing speed of the outside of the substrate 10, or by adjusting the high-frequency power supplied to the outer antenna coil 220, the processing speed of the outside of the substrate 10 Can be adjusted.

또한, 내측 안테나 코일(210)은 고정되도록 구성하고, 외측 안테나 코일(220)은 수직 이동하도록 구성하여 기판(10) 내측의 처리 속도를 기준으로 외측 안테나 코일(220)을 수직 이동하여 기판(10) 외측의 처리 속도를 조절할 수 있다.In addition, the inner antenna coil 210 is configured to be fixed, the outer antenna coil 220 is configured to move vertically to move the outer antenna coil 220 vertically based on the processing speed inside the substrate 10 to the substrate 10 The outside processing speed can be adjusted.

이때, 내측 안테나 코일(210)에 공급되는 고주파 전력을 고정하여 기판(10) 내측의 처리 속도를 고정하거나, 내측 안테나 코일(210)에 공급되는 고주파 전력을 조절하여 기판(10) 내측의 처리 속도를 조절할 수 있다.At this time, the high frequency power supplied to the inner antenna coil 210 is fixed to fix the processing speed inside the substrate 10, or the high speed power supplied to the inner antenna coil 210 is adjusted to adjust the processing speed inside the substrate 10. Can be adjusted.

도 8 내지 도 12에 도시된 바와 같이, 내측 수직 구동부(410) 및 외측 수직 구동부(420)는 모두 신축하는 실린더일 수 있다.As illustrated in FIGS. 8 to 12, both the inner vertical driving unit 410 and the outer vertical driving unit 420 may be a contracting cylinder.

또한, 내측 수직 구동부(410) 및 외측 수직 구동부(420)는 모두 회전하는 모터일 수 있다.In addition, both the inner vertical driver 410 and the outer vertical driver 420 may be a rotating motor.

또한, 도 13 및 14에 도시된 바와 같이, 내측 수직 구동부(410)는 신축하는 실린더이고, 외측 수직 구동부(420)는 회전하는 모터일 수 있다.In addition, as shown in FIGS. 13 and 14, the inner vertical driver 410 may be a contracting cylinder, and the outer vertical driver 420 may be a rotating motor.

또한, 내측 수직 구동부(410)는 회전하는 모터이고, 외측 수직 구동부(420)는 신축하는 실린더일 수 있다.In addition, the inner vertical driving unit 410 may be a rotating motor, and the outer vertical driving unit 420 may be a contracting cylinder.

내측 연동부(310)는 내측 안테나 코일(210)과 결합하는 내측 연결부(311) 및 다수의 내측 연결부(311)가 내측 수직 구동부(410)의 구동력을 일괄적으로 제공 받도록 다수의 내측 연결부(311)와 결합하는 내측 통합부(312)를 포함할 수 있다.The inner interlocking portion 310 has a plurality of inner connecting portions 311 such that the inner connecting portion 311 and the plurality of inner connecting portions 311 coupled with the inner antenna coil 210 receive the driving force of the inner vertical driving portion 410 collectively. ) May include an inner integrating portion 312.

내측 연결부(311)는 내측 안테나 코일(210)에 간섭되는 것을 최소화하기 위해 내측 안테나 코일(210)에 접촉하는 부위를 포함하는 일정 부분은 비전도성 물질로 구성될 수 있고, 바람직하게는 유전체로 구성될 수 있다.In order to minimize interference with the inner antenna coil 210, the inner connection part 311 may include a portion of the inner contact portion that is in contact with the inner antenna coil 210, which may be made of a non-conductive material. Can be.

내측 통합부(312)에 내측 연결부(311)는 연장 또는 부착되어 형성되거나, 분리가 원할하도록 나사 등 체결수단을 통해 고정될 수 있다.The inner connecting portion 311 may be formed to extend or be attached to the inner integrating portion 312, or may be fixed through a fastening means such as a screw to facilitate separation.

외측 연동부(320)는 외측 안테나 코일(220)과 결합하는 외측 연결부(321) 및 다수의 외측 연결부(321)가 외측 수평 구동부의 구동력을 일괄적으로 제공 받도록 다수의 외측 연결부(321)와 결합하는 외측 통합부(322)를 포함할 수 있다.The outer linker 320 is coupled to the outer connector 321 and the outer connector 321 coupled to the outer antenna coil 220, so that the outer connector 321 receives the driving force of the outer horizontal driving unit collectively. It may include an outer integration unit 322 to.

외측 연결부(321)는 외측 안테나 코일(220)에 간섭되는 것을 최소화하기 위해 외측 안테나 코일(220)에 접촉하는 부위를 포함하는 일정 부분은 비전도성 물질로 구성될 수 있고, 바람직하게는 유전체로 구성될 수 있다.In order to minimize interference with the outer antenna coil 220, the outer connection part 321 may be formed of a non-conductive material, and preferably, a portion including a portion contacting the outer antenna coil 220. Can be.

외측 통합부(322)에 외측 연결부(321)는 연장 또는 부착되어 형성되거나, 분리가 원할하도록 나사 등 체결수단을 통해 고정될 수 있다.The outer connecting portion 321 may be formed to extend or attach to the outer integrating portion 322, or may be fixed through a fastening means such as a screw so as to facilitate separation.

이와 같이, 내측 안테나 코일(210) 및 외측 안테나 코일(220) 중 어느 하나 이상을 수직 이동하여 기판(10) 내측 및 외측 플라즈마 밀도 중 어느 하나 이상을 제어하는 이점이 있다.As such, there is an advantage of controlling any one or more of the inner and outer plasma densities of the substrate 10 by vertically moving any one or more of the inner antenna coil 210 and the outer antenna coil 220.

<안테나 코일(200)의 수평 이동에 따른 실시예><Example according to the horizontal movement of the antenna coil 200>

도 15 내지 도 21에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 기계적으로 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치는, 챔버(100), 안테나 코일(200), 연동부(300) 및 수평 구동부(500)를 포함한다.15 to 21, the substrate processing apparatus for mechanically controlling the plasma density according to the present invention includes a chamber 100, an antenna coil 200, an interlocking part 300, and a horizontal driving part 500. Include.

연동부(300)는 안테나 코일(200)과 연동되어 안테나 코일(200)을 수평 이동시킨다.The interlock 300 interlocks with the antenna coil 200 to horizontally move the antenna coil 200.

수평 구동부(500)는 연동부(300)가 수평 이동하도록 구동력을 제공한다.The horizontal driver 500 provides a driving force for the interlock 300 to move horizontally.

수평 구동부(500)는 연동부(300)를 좌우로 이동하는 제1 수평 구동부(501) 및 연동부(300)를 전후로 이동하는 제2 수평 구동부(502)를 포함할 수 있다.The horizontal driver 500 may include a first horizontal driver 501 for moving the interlock 300 to the left and a second horizontal driver 502 for moving the interlock 300 back and forth.

도 16에 도시된 바와 같이, 제1 수평 구동부(501)가 회전하는 모터인 경우, 제2 수평 구동부(502)는 제1 수평 구동부(501)에 연동되어 회전하는 볼스크류(BS)에 의해 이동되는 너트 하우징(NH)에 연동되어 좌우 이동될 수 있다.As shown in FIG. 16, when the first horizontal drive unit 501 is a rotating motor, the second horizontal drive unit 502 is moved by a ball screw BS that rotates in association with the first horizontal drive unit 501. It may be moved left and right in conjunction with the nut housing NH.

또한, 제1 수평 구동부(501)가 신축하는 실린더인 경우, 제2 수평 구동부(502)는 제1 수평 구동부(501)에 연동되어 신축하는 실린더바(SB)에 의해 이동되는 너트 하우징(NH)에 연동되어 좌우 이동될 수 있다.In addition, when the first horizontal drive unit 501 is a stretchable cylinder, the second horizontal drive unit 502 is moved to the nut housing (NH) moved by the cylinder bar (SB) stretched in conjunction with the first horizontal drive unit 501. It can be moved left and right in conjunction with.

도 17에 도시된 바와 같이, 제2 수평 구동부(502)가 회전하는 모터인 경우, 연동부(300)는 제2 수평 구동부(502)에 연동되어 회전하는 볼스크류(BS)에 의해 이동되는 너트 하우징(NH)에 연동되어 전후 이동될 수 있다.As shown in FIG. 17, when the second horizontal drive unit 502 is a rotating motor, the linkage unit 300 is moved by a ball screw BS that rotates in association with the second horizontal drive unit 502. It may be moved back and forth in conjunction with the housing NH.

또한, 제2 수평 구동부(502)가 신축하는 실린더인 경우, 제2 수평 구동부(502)에 연동되어 신축하는 실린더바(SB)에 의해 이동되는 너트 하우징(NH)에 연동되어 전후 이동될 수 있다.In addition, when the second horizontal drive unit 502 is a stretchable cylinder, the second horizontal drive unit 502 may be moved back and forth in conjunction with the nut housing (NH) moved by the cylinder bar (SB) that is linked to the second horizontal drive unit (502). .

앞서 설명한 바와 반대로, 제1 수평 구동부(501)가 제2 수평 구동부(502)에 연동되어 전후 이동될 수 있다.As described above, the first horizontal driver 501 may be moved back and forth in conjunction with the second horizontal driver 502.

또한, 연동부(300)는 제1 수평 구동부(501)에 연동되어 좌우로 이동될 수 있다.In addition, the interlock 300 may be moved to the left and right in conjunction with the first horizontal driver 501.

앞서 설명한 좌우 이동 및 전후 이동은 조합되어, 도 18에 도시된 바와 같이, 안테나 코일(200)을 원하는 위치로 수평 이동할 수 있다.The left-right movement and the forward-backward movement described above may be combined to horizontally move the antenna coil 200 to a desired position, as shown in FIG. 18.

도 19에 도시된 바와 같이, 제2 수평 구동부(502)의 볼스크류(BS)는 제1 수평 구동부(501)의 너트 하우징(NH)에 결합되고, 제1 수평 구동부(501)는 제2 수평 구동부(502)의 볼스크류(BS)를 좌우 이동하여 제2 수평 구동부(502)가 좌우 이동되며, 연동부(300)는 제2 수평 구동부(502)에 연동되어 좌우 이동할 수 있다.As shown in FIG. 19, the ball screw BS of the second horizontal drive unit 502 is coupled to the nut housing NH of the first horizontal drive unit 501, and the first horizontal drive unit 501 is connected to the second horizontal drive unit 501. The second horizontal driving unit 502 is moved left and right by moving the ball screw BS of the driving unit 502 to the left and right, and the linkage unit 300 may be moved to the left and right in association with the second horizontal driving unit 502.

도 20에 도시된 바와 같이, 제2 수평 구동부(502)는 제1 수평 구동부(501)의 너트 하우징(NH)에 결합되고, 제1 수평 구동부(501)는 제1 수평 구동부(501)의 너트 하우징(NH)을 좌우 이동 하여 제2 수평 구동부(502)가 좌우 이동되며, 연동부(300)는 제2 수평 구동부(502)에 연동되어 좌우 이동할 수 있다.As shown in FIG. 20, the second horizontal drive unit 502 is coupled to the nut housing NH of the first horizontal drive unit 501, and the first horizontal drive unit 501 is a nut of the first horizontal drive unit 501. The second horizontal drive unit 502 is moved left and right by moving the housing NH, and the linkage unit 300 may move left and right in association with the second horizontal drive unit 502.

도 21에 도시된 바와 같이, 제2 수평 구동부(502)는 지지부(503)에 결합되고, 제1 수평 구동부(501)은 지지부(503)를 좌우 이동하여 제2 수평 구동부(502)가 좌우 이동되며, 연동부(300)는 제2 수평 구동부(502)에 연동되어 좌우 이동할 수 있다.As shown in FIG. 21, the second horizontal driver 502 is coupled to the support part 503, and the first horizontal driver 501 moves the support part 503 to the left and right to move the second horizontal driver 502 to the left and right. The linkage unit 300 may move left and right in cooperation with the second horizontal drive unit 502.

기판(10)의 처리가 일측으로 편향되어 처리되는 경우 안테나 코일(200)을 편향된 위치와 반대되는 위치로 수평 이동하여 기판(10)의 처리가 중앙에서 처리되도록 할 수 있다.When the processing of the substrate 10 is deflected to one side, the antenna coil 200 may be horizontally moved to a position opposite to the deflected position so that the processing of the substrate 10 may be processed at the center.

이와 같이, 안테나 코일(200)을 수평 이동하여 플라즈마 형성 위치를 제어하는 이점이 있다.As such, there is an advantage of controlling the plasma formation position by horizontally moving the antenna coil 200.

도 15 내지 도 21에 도시된 바와 같이, 안테나 코일(200)은 내측 안테나 코일(210) 및 외측 안테나 코일(220)을 포함한다.As shown in FIGS. 15 to 21, the antenna coil 200 includes an inner antenna coil 210 and an outer antenna coil 220.

내측 안테나 코일(210)은, 앞서 설명한 안테나 코일(200)을 수평 이동하는 구성인 연동부(300), 수평 구동부(500), 제1 수평 구동부(501) 및 제 2 수평 구동부(502)의 구성과 마찬가지로, 내측 연동부, 내측 수평 구동부, 내측 제1 수평 구동부 및 내측 제 2 수평 구동부를 포함하는 구성에 의하여 수평 이동될 수 있다.The inner antenna coil 210 includes a configuration of an interlocking part 300, a horizontal driving part 500, a first horizontal driving part 501, and a second horizontal driving part 502, which are horizontal moving parts of the antenna coil 200 described above. Similarly, it may be horizontally moved by a configuration including an inner interlocking portion, an inner horizontal driving portion, an inner first horizontal driving portion, and an inner second horizontal driving portion.

외측 안테나 코일(220)은 위치가 고정되거나, 내측 안테나 코일(210)과 동일한 수평 이동 구성인 외측 연동부, 외측 수평 구동부, 외측 제1 수평 구동부 및 외측 제 2 수평 구동부 포함한 구성에 의하여 수평 이동될 수 있다.The outer antenna coil 220 is fixed in position or horizontally moved by a configuration including an outer interlocking portion, an outer horizontal driving portion, an outer first horizontal driving portion, and an outer second horizontal driving portion which are the same horizontal movement configuration as the inner antenna coil 210. Can be.

이와 같이, 내측 안테나 코일(210) 및 외측 안테나 코일(220) 중 어느 하나 이상을 수평 이동하여 기판(10) 내측 및 외측 플라즈마 밀도 중 어느 하나 이상을 제어하는 이점이 있다.As such, there is an advantage of controlling any one or more of the inner and outer plasma densities of the substrate 10 by horizontally moving any one or more of the inner antenna coil 210 and the outer antenna coil 220.

<안테나 코일(200)의 수직 및 수평 이동에 따른 실시예>Embodiment according to vertical and horizontal movement of the antenna coil 200

본 발명에 따른 기계적으로 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치는, 앞서 안테나 코일(200)의 수직 이동 및 수평 이동을 설명한 바와 같이 안테나 코일(200)의 수직 이동 및 수평 이동이 각각 실시되거나, 도 22 내지 26에 도시된 바와 같이, 안테나 코일(200)의 수직 및 수평 이동이 함께 실시될 수 있다.In the substrate processing apparatus for controlling plasma density mechanically according to the present invention, as described above, the vertical movement and the horizontal movement of the antenna coil 200 are performed, respectively, or the horizontal movement of the antenna coil 200 is performed, or FIG. 22. As illustrated in FIGS. 26 through 26, vertical and horizontal movements of the antenna coil 200 may be performed together.

도 22 내지 24에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 기계적으로 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치는, 챔버(100), 안테나 코일(200), 연동부(300), 수직 구동부(400) 및 수평 구동부(500)를 포함한다.22 to 24, the substrate processing apparatus for controlling the plasma density mechanically according to the present invention includes a chamber 100, an antenna coil 200, an interlocking unit 300, a vertical driving unit 400, and a horizontal unit. It includes a driver 500.

수직 이동 및 수평 이동에 따른 구성은 앞서 설명한 내용과 동일하므로 결합구성에 따른 차이점을 위주로 설명한다.Since the configuration according to the vertical movement and the horizontal movement is the same as described above, the differences according to the coupling configuration will be mainly described.

연동부(300)는 안테나 코일(200)과 연동되어 안테나 코일(200)을 수직 및 수평 이동한다.The interlock 300 interlocks with the antenna coil 200 to vertically and horizontally move the antenna coil 200.

수평 구동부(500)는 연동부(300)가 수평 이동되도록 구동력을 제공한다.The horizontal driver 500 provides a driving force so that the interlock 300 moves horizontally.

수직 구동부(400)는 수평 구동부(500)가 수직 이동하도록 구동력을 제공한다.The vertical driver 400 provides a driving force to vertically move the horizontal driver 500.

즉, 수평 구동부(500)는 연동부(300)를 수평 이동하고, 수직 구동부(400)는 수평 구동부(500)를 수직 이동하여 연동부(300)가 수평 구동부(500)와 함께 수직 이동되도록 하므로 안테나 코일(200)은 수직 및 수평 이동된다.That is, the horizontal driving unit 500 horizontally moves the linking unit 300, and the vertical driving unit 400 moves the horizontal driving unit 500 vertically so that the linking unit 300 moves vertically together with the horizontal driving unit 500. Antenna coil 200 is moved vertically and horizontally.

앞서 설명한 바와 반대로, 도 25에 도시된 바와 같이, 수직 구동부(400)는 연동부(300)를 수직 이동하고, 수평 구동부(500)는 수직 구동부(400)를 수평 이동하여 연동부(300)가 수직 구동부(400)와 함께 수평 이동되도록 하므로 안테나 코일(200)이 수직 및 수평 이동될 수 있다.As described above, as illustrated in FIG. 25, the vertical driving unit 400 vertically moves the linking unit 300, and the horizontal driving unit 500 moves the vertical driving unit 400 horizontally so that the linking unit 300 is moved. The antenna coil 200 may be vertically and horizontally moved along with the vertical driver 400.

도 22 및 도 24에 도시된 바와 같이, 내측 안테나 코일(210)을 수직 및 수평 이동 가능하도록 구성하여 기판(10) 내측의 처리 속도를 조절할 수 있다.As shown in FIGS. 22 and 24, the inner antenna coil 210 may be configured to be vertically and horizontally movable to adjust a processing speed inside the substrate 10.

또한, 외측 안테나 코일(220)을 수직 및 수평 이동 가능하도록 구성하여 기판(10) 외측의 처리 속도를 조절할 수 있다.In addition, by configuring the outer antenna coil 220 to be movable vertically and horizontally, the processing speed of the outside of the substrate 10 can be adjusted.

또한, 내측 안테나 코일(210) 및 외측 안테나 코일(220)을 수직 및 수평 이동 가능하도록 구성하여 기판(10) 내측 및 외측 처리 속도를 조절할 수 있다.In addition, the inner and outer antenna coils 210 and 220 may be configured to move vertically and horizontally, thereby controlling processing speeds of the inner and outer substrates 10.

도 22 및 도 25에 도시된 바와 같이, 수직 구동부(400)는 실린더이고, 수평 구동부(500)는 모터일 수 있다.As shown in FIGS. 22 and 25, the vertical driver 400 may be a cylinder, and the horizontal driver 500 may be a motor.

또한, 수직 구동부(400)는 모터이고, 수평 구동부(500)는 실린더일 수 있다.In addition, the vertical driver 400 may be a motor, and the horizontal driver 500 may be a cylinder.

도 26에 도시된 바와 같이, 수직 구동부(400) 및 수평 구동부(500)는 모터일 수 있다.As shown in FIG. 26, the vertical driver 400 and the horizontal driver 500 may be motors.

또한, 수직 구동부(400) 및 수평 구동부(500)는 실린더일 수 있다.In addition, the vertical driver 400 and the horizontal driver 500 may be a cylinder.

이와 같이, 내측 안테나 코일(210) 및 외측 안테나 코일(220) 중 어느 하나 이상을 수직 및 수평 이동하여 기판(10) 내측 및 외측 중 어느 하나 이상의 처리 속도를 조절하는 이점이 있다.As such, there is an advantage of controlling the processing speed of any one or more of the inside and the outside of the substrate 10 by vertically and horizontally moving one or more of the inner antenna coil 210 and the outer antenna coil 220.

<플라즈마 발생 구조에 따른 실시예><Example according to the plasma generating structure>

기판 처리 장치에 있어서 전기장을 이용하여 플라즈마를 발생하는 CCP(capacitive coupled plasma)의 경우 안테나 코일(200)은 챔버(100)의 상부에 형성되므로, 도 2 내지 도 26에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 기계적으로 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치는, 안테나 코일(200)의 이동범위가 챔버(100)의 상부에 형성된다.In the case of a capacitive coupled plasma (CCP) generating a plasma by using an electric field in the substrate processing apparatus, the antenna coil 200 is formed on the upper part of the chamber 100, as shown in FIGS. 2 to 26. In the substrate processing apparatus for controlling the plasma density mechanically, the moving range of the antenna coil 200 is formed on the upper portion of the chamber 100.

만일, 안테나 코일(200)이 챔버(100)의 하부에 형성되는 경우 안테나 코일(200)의 이동범위가 챔버(100)의 하부에 형성된다.If the antenna coil 200 is formed below the chamber 100, the moving range of the antenna coil 200 is formed below the chamber 100.

즉, 안테나 코일(200)이 형성된 챔버(100)의 위치에 따라 안테나 코일(200)의 이동범위가 형성된다.That is, the moving range of the antenna coil 200 is formed according to the position of the chamber 100 in which the antenna coil 200 is formed.

기판 처리 장치에 있어서 자기장을 이용하여 플라즈마를 발생하는 ICP(inductive coupled plasma)의 경우 안테나 코일(200)은 챔버(100)의 둘레에 형성될 수도 있으므로, 도 27 내지 29에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 기계적으로 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치는, 안테나 코일(200)의 이동범위가 챔버(100)의 둘레에 형성될 수도 있다.In the case of an inductive coupled plasma (ICP) that generates plasma using a magnetic field in the substrate processing apparatus, the antenna coil 200 may be formed around the chamber 100, as shown in FIGS. 27 to 29. In the substrate processing apparatus for mechanically controlling the plasma density according to the present invention, the moving range of the antenna coil 200 may be formed around the chamber 100.

이와 같이, 기판 처리 장치에 있어서 CCP 외에도 다양한 기판 처리 장치에 적용할 수 있는 이점이 있다.As described above, there is an advantage that the substrate processing apparatus can be applied to various substrate processing apparatuses in addition to the CCP.

<안테나 코일(200)의 이동 구성의 제어에 따른 실시예><Example according to the control of the movement configuration of the antenna coil 200>

본 발명에 따른 기계적으로 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치는, 도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 안테나 코일(200)을 수직 방향으로 이동하도록 구동력을 제공하는 수직 구동부(400)의 구동량을 제어하는 제어부(600)를 포함하거나, 도 15 내지 도 18에 도시된 바와 같이, 안테나 코일(200)을 수평 방향으로 이동하도록 구동력을 제공하는 수평 구동부(500)의 구동량을 제어하는 제어부(600)를 포함할 수 있다.In the substrate processing apparatus for mechanically controlling the plasma density according to the present invention, as shown in FIGS. 2 to 4, the driving amount of the vertical driving unit 400 which provides a driving force to move the antenna coil 200 in the vertical direction. 15 to 18, or as illustrated in FIGS. 15 to 18, the controller for controlling the driving amount of the horizontal driver 500 to provide a driving force to move the antenna coil 200 in the horizontal direction ( 600).

이때, 제어부(600)는 수직 구동부(400) 및 수평 구동부(500)를 제어할 수 있다.In this case, the controller 600 may control the vertical driver 400 and the horizontal driver 500.

제어부(600)는 구동량 제어를 통해 안테나 코일(200)의 이동 거리를 제어하여 안테나 코일(200)에 의한 플라즈마(P)의 형성 위치를 제어한다.The controller 600 controls the movement distance of the antenna coil 200 by controlling the driving amount to control the position of the plasma P formed by the antenna coil 200.

이에 따른, 제어부의 상세한 동작 구성은 다음과 같다.Accordingly, the detailed operation configuration of the control unit is as follows.

먼저, 플라즈마(P) 처리된 기판(10)을 검사하여 처리 속도의 편차가 발생한 영역을 확인한다.First, the plasma 10 treated substrate 10 is inspected to identify a region in which a variation in the processing speed occurs.

이때, 편차 영역의 확인은 기판을 직접적으로 검사하여 확인하거나, 프라즈마의 밀도 등을 통해 간접적으로 확인할 수 있다.At this time, the confirmation of the deviation region can be confirmed by directly inspecting the substrate or indirectly through the density of the plasma or the like.

다음, 기판(10)의 편차 영역에 대한 정보를 제어부(600)에 입력한다.Next, information about the deviation area of the substrate 10 is input to the controller 600.

다음, 제어부(600)는 입력된 정보를 기초로 안테나 코일(200)의 이동 방향 및 이동 거리를 계산하여 안테나 코일(200)의 위치 제어값을 산출한다.Next, the controller 600 calculates a position control value of the antenna coil 200 by calculating a moving direction and a moving distance of the antenna coil 200 based on the input information.

이때, 제어부(600)에는 기판(10)의 편차 영역에 대한 정보 입력 대신 안테나 코일(200)의 위치 제어값을 직접적으로 입력할 수 있다.In this case, the control unit 600 may directly input the position control value of the antenna coil 200 instead of inputting information on the deviation region of the substrate 10.

다음, 제어부(600)는 안테나 코일(200)의 위치 제어값을 기초로 수직 구동부(400)의 구동량을 조절하여 안테나 코일의 수직 위치를 조절하거나, 수평 구동부(500)의 구동량을 조절하여 안테나 코일의 수평 위치를 조절함으로써 플라즈마 밀도 분포를 제어한다.Next, the controller 600 adjusts the vertical position of the antenna coil by adjusting the driving amount of the vertical driver 400 based on the position control value of the antenna coil 200 or by adjusting the driving amount of the horizontal driver 500. Plasma density distribution is controlled by adjusting the horizontal position of the antenna coil.

이와 같이, 제어부(600)가 안테나 코일(200)의 위치를 조절함으로써, 챔버(100)의 개방없이 안테나 코일(200)의 위치를 조절할 수 있으므로, 기판 처리 장치의 동작 중단 시간을 최소화하여, 생산성을 높이는 이점이 있다.As such, the control unit 600 may adjust the position of the antenna coil 200, thereby adjusting the position of the antenna coil 200 without opening the chamber 100, thereby minimizing the operation downtime of the substrate processing apparatus and thus improving productivity. There is an advantage to increase.

또한, 기계적으로 위치를 조절함으로써, 사용자가 직접적으로 공구로 안테나 코일(200)을 분해하여 위치 조정 후 다시 조립하는 것보다 정밀하게 위치를 조절할 수 있어, 정밀하게 위치가 조절되어 불량을 최소화하는 이점이 있다.In addition, by mechanically adjusting the position, the user can precisely adjust the position rather than disassembling and reassembling the antenna coil 200 with a tool directly, thereby precisely adjusting the position to minimize defects. There is this.

P 플라즈마 10 기판
100 챔버 110 척
200 안테나 코일 210 내측 안테나 코일
220 외측 안테나 코일 300 연동부
301 연결부 302 통합부
303 지지부 310 내측 연동부
311 내측 연결부 312 내측 통합부
400 수직 구동부 410 내측 수직 구동부
420 외측 수직 구동부 500 수평 구동부
501 제1 수평 구동부 502 제2 수평 구동부
510 내측 수평 구동부 511 내측 제1 수평 구동부
512 내측 제2 수평 구동부 520 외측 수평 구동부
BS 볼스크류 SB 실린더바
NH 너트 하우징 600 제어부P plasma 10 substrate
100 chamber 110 chuck
200 antenna coil 210 inner antenna coil
220 External antenna coil 300 linkage
301 Connection 302 Integral
303 Support 310 Inner Interlock
311 Inner Connection 312 Inner Integration
400 Vertical Drive 410 Inside Vertical Drive
420 Vertical drive outside 500 Horizontal drive
501 First horizontal drive unit 502 Second horizontal drive unit
510 inner horizontal drive unit 511 inner first horizontal drive unit
512 Inside second horizontal drive 520 Outside horizontal drive
BS Ball Screw SB Cylinder Bar
NH nut housing 600 control unit

Claims (16)

내부에서 플라즈마로 기판을 처리하는 챔버;
상기 챔버 내부에 공급된 공정가스에 고주파를 방사하여 플라즈마를 발생하는 안테나 코일;
상기 안테나 코일이 연결되고, 상기 안테나 코일과 함께 이동하는 연동부;
상기 연동부가 수평 방향으로 이동하도록 구동력을 제공하는 수평 구동부; 및
상기 수평 구동부의 구동을 제어하는 구동 제어부; 를 포함하되,
상기 구동 제어부는, 상기 안테나 코일의 현재 위치에서 상기 안테나 코일이 이동되어야 할 위치로의 이동 방향과 이동 거리에 상응하도록 상기 수평 구동부의 구동량을 조절하여 상기 안테나 코일에 의한 플라즈마의 형성 위치를 제어하는 것을 특징으로 하는,
기계적으로 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치.A chamber for treating the substrate with a plasma therein;
An antenna coil for generating a plasma by radiating high frequency to the process gas supplied inside the chamber;
An interlocking part connected to the antenna coil and moving together with the antenna coil;
A horizontal drive unit providing a driving force to move the linkage unit in a horizontal direction; And
A drive controller which controls driving of the horizontal driver; Including,
The driving controller controls the position of the plasma formed by the antenna coil by adjusting the driving amount of the horizontal driver to correspond to the moving direction and the moving distance from the current position of the antenna coil to the position where the antenna coil should be moved. Characterized by
A substrate processing apparatus for controlling plasma density mechanically. 청구항 1에 있어서,
상기 수평 구동부는,
상기 연동부가 수평 방향의 좌우로 이동하도록 구동력을 제공하는 제1 수평 구동부;
상기 제1 수평 구동부에 연동되어 좌우로 이동되고, 상기 상기 연동부가 수평 방향의 전후로 이동하도록 구동력을 제공하는 제2 수평 구동부; 를 포함하는,
기계적으로 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
The horizontal drive unit,
A first horizontal driving part providing a driving force to move the linkage part in the horizontal direction;
A second horizontal driver connected to the first horizontal driver to move from side to side and providing a driving force to move the linkage back and forth in a horizontal direction; Including,
A substrate processing apparatus for controlling plasma density mechanically. 청구항 2에 있어서,
상기 제1 수평 구동부는 회전하는 모터이고,
상기 제2 수평 구동부는 상기 제1 수평 구동부에 연동되어 회전하는 볼스크류에 의해 이동되는 너트 하우징에 연결되어 좌우 이동되는 것을 특징으로 하는,
기계적으로 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치.The method according to claim 2,
The first horizontal drive is a rotating motor,
The second horizontal drive unit is connected to the nut housing which is moved by the ball screw rotates in conjunction with the first horizontal drive unit, characterized in that the left and right movements,
A substrate processing apparatus for controlling plasma density mechanically. 청구항 2에 있어서,
상기 제1 수평 구동부는 신축하는 실린더이고,
상기 제2 수평 구동부는 상기 제1 수평 구동부에 연동되어 신축하는 실린더바에 의해 이동되는 너트 하우징에 연결되어 좌우 이동되는 것을 특징으로 하는,
기계적으로 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치.The method according to claim 2,
The first horizontal drive unit is a stretching cylinder,
The second horizontal drive unit is connected to the nut housing which is moved by the expansion and contraction cylinder bar in conjunction with the first horizontal drive unit, characterized in that the left and right movements,
A substrate processing apparatus for controlling plasma density mechanically. 청구항 2에 있어서,
상기 연동부는,
상기 안테나 코일과 결합하는 연결부; 및
다수의 상기 연결부가 상기 수평 구동부의 구동력을 일괄적으로 제공 받도록 다수의 상기 연결부와 결합하는 통합부; 를 포함하는,
기계적으로 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치.The method according to claim 2,
The linkage unit,
A connection part coupled to the antenna coil; And
An integration unit for coupling the plurality of connection units with a plurality of the connection units to collectively receive the driving force of the horizontal driving unit; Including,
A substrate processing apparatus for controlling plasma density mechanically. 청구항 5에 있어서,
상기 연결부는 상기 안테나 코일에 간섭되는 것을 최소화하기 위해 상기 안테나 코일에 접촉하는 부위를 포함하는 일정 부분은 비전도성 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는,
기계적으로 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치.The method according to claim 5,
In order to minimize interference with the antenna coil, the connection part may include a portion including a portion contacting the antenna coil, which is made of a non-conductive material.
A substrate processing apparatus for controlling plasma density mechanically. 청구항 1에 있어서,
상기 수평 구동부가 수직 이동하도록 구동력을 제공하는 수직 구동부; 를 포함하고,
상기 수평 구동부는 상기 연동부와 연동되어 상기 연동부를 수직 이동하는 것을 특징으로 하는,
기계적으로 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
A vertical driving unit providing a driving force to vertically move the horizontal driving unit; Including,
The horizontal driving unit is interlocked with the linkage, characterized in that for moving the linkage vertically,
A substrate processing apparatus for controlling plasma density mechanically. 청구항 1에 있어서,
상기 수평 구동부와 상기 연동부 사이에 위치하고, 상기 연동부가 수직 이동하도록 구동력을 제공하는 수직 구동부; 를 포함하고,
상기 수평 구동부는 상기 수직 구동부와 연동되어 상기 수직 구동부를 수평 이동하는 것을 특징으로 하는,
기계적으로 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
A vertical driving unit positioned between the horizontal driving unit and the linking unit and providing a driving force to vertically move the linking unit; Including,
The horizontal driving unit is interlocked with the vertical driving unit, characterized in that for moving the vertical drive unit,
A substrate processing apparatus for controlling plasma density mechanically. 청구항 1에 있어서,
상기 안테나 코일은,
상기 기판 내측의 플라즈마 밀도를 제어하는 내측 안테나 코일; 및
상기 기판 외측의 플라즈마 밀도를 제어하는 외측 안테나 코일; 을 포함하고,
상기 연동부는,
상기 내측 안테나 코일과 연동되어 상기 내측 안테나 코일을 수평 이동하는 내측 연동부; 를 포함하고,
상기 내측 연동부가 수평 이동하도록 구동력을 제공하는 내측 수평 구동부; 를 포함하는,
기계적으로 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
The antenna coil,
An inner antenna coil for controlling the plasma density inside the substrate; And
An outer antenna coil for controlling a plasma density outside the substrate; Including,
The linkage unit,
An inner interlocking portion interlocked with the inner antenna coil to horizontally move the inner antenna coil; Including,
An inner horizontal driving unit providing a driving force to horizontally move the inner linking unit; Including,
A substrate processing apparatus for controlling plasma density mechanically. 청구항 9에 있어서,
상기 내측 수평 구동부는,
상기 연동부를 좌우로 이동하는 내측 제1 수평 구동부; 및
상기 연동부를 앞뒤로 이동하는 내측 제2 수평 구동부; 를 포함하는,
기계적으로 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치.The method according to claim 9,
The inner horizontal drive unit,
An inner first horizontal driving unit moving the linkage to the left and right; And
An inner second horizontal driving unit moving the linkage unit back and forth; Including,
A substrate processing apparatus for controlling plasma density mechanically. 청구항 10에 있어서,
상기 내측 제2 수평 구동부는 상기 내측 제1 수평 구동부에 연동되어 좌우 이동되고,
상기 연동부는 상기 내측 제2 수평 구동부에 연동되어 전후 이동되는 것을 특징으로 하는,
기계적으로 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치.The method according to claim 10,
The inner second horizontal drive unit is moved left and right in conjunction with the inner first horizontal drive unit,
The interlocking portion is moved back and forth in conjunction with the inner second horizontal drive,
A substrate processing apparatus for controlling plasma density mechanically. 청구항 11에 있어서,
상기 내측 수평 구동부가 수직 이동하도록 구동력을 제공하는 내측 수직 구동부; 를 포함하고,
상기 내측 수평 구동부는 상기 연동부와 연동되어 상기 연동부를 수직 이동하는 것을 특징으로 하는,
기계적으로 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치.The method according to claim 11,
An inner vertical driving part providing a driving force to vertically move the inner horizontal driving part; Including,
The inner horizontal driving unit is interlocked with the linkage, characterized in that for moving the linkage vertically,
A substrate processing apparatus for controlling plasma density mechanically. 청구항 9에 있어서,
상기 외측 안테나 코일과 연동되어 상기 외측 안테나 코일을 수평 이동하는 외측 연동부; 및
상기 외측 연동부가 수평 이동하도록 구동력을 제공하는 외측 수평 구동부; 를 포함하는,
기계적으로 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치.The method according to claim 9,
An outer interlocking portion interlocked with the outer antenna coil to horizontally move the outer antenna coil; And
An outer horizontal driving unit providing a driving force to horizontally move the outer linking unit; Containing,
A substrate processing apparatus for controlling plasma density mechanically. 청구항 13에 있어서,
상기 외측 수평 구동부는,
상기 연동부를 좌우로 이동하는 외측 제1 수평 구동부; 및
상기 연동부를 전후로 이동하는 외측 제2 수평 구동부; 를 포함하는,
기계적으로 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치.The method according to claim 13,
The outer horizontal driving unit,
An outer first horizontal driving unit moving the linkage left and right; And
An outer second horizontal driving unit moving the interlocking unit back and forth; Including,
A substrate processing apparatus for controlling plasma density mechanically. 청구항 14에 있어서,
상기 외측 제2 수평 구동부는 상기 외측 제1 수평 구동부에 연동되어 좌우 이동되고,
상기 연동부는 상기 외측 제2 수평 구동부에 연동되어 전후 이동되는 것을 특징으로 하는,
기계적으로 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치.The method according to claim 14,
The outer second horizontal drive unit is moved left and right in conjunction with the outer first horizontal drive unit,
The interlocking unit is moved back and forth in conjunction with the outer second horizontal drive unit,
A substrate processing apparatus for controlling plasma density mechanically. 청구항 15에 있어서,
상기 외측 수평 구동부가 수직 이동하도록 구동력을 제공하는 외측 수직 구동부; 를 포함하고,
상기 외측 수평 구동부는 상기 연동부와 연동되어 상기 연동부를 수직 이동하는 것을 특징으로 하는,
기계적으로 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치.The method according to claim 15,
An outer vertical driving unit providing a driving force to vertically move the outer horizontal driving unit; Including,
The outer horizontal driving unit is interlocked with the linkage, characterized in that for moving the linkage vertically,
A substrate processing apparatus for controlling plasma density mechanically.
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