KR101853365B1 - Apparatus for treating substrate - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라즈마를 이용한 기판 처리 장치에 관한 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 내부에 처리 공간을 가지는 챔버; 상기 챔버 내에 배치되며 기판을 지지하는 지지유닛; 상기 처리 공간 내로 가스를 공급하는 가스공급유닛; 상기 챔버의 상부에 제공되며, 고주파 전력이 인가되어 상기 처리공간내에서 상기 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 안테나 유닛을 포함하되; 상기 안테나 유닛은 수평 방향으로 이동 가능하도록 상기 챔버에 결합될 수 있다. The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus using plasma.
A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes: a chamber having a processing space therein; A support unit disposed in the chamber and supporting the substrate; A gas supply unit for supplying gas into the process space; An antenna unit provided at an upper portion of the chamber and adapted to generate a plasma from the gas in the processing space by applying a high frequency power; The antenna unit may be coupled to the chamber so as to be movable in a horizontal direction.

Figure R1020160083456
Figure R1020160083456

Description

기판 처리 장치{Apparatus for treating substrate}[0001] Apparatus for treating substrate [0002]

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라즈마를 이용한 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus using plasma.

플라즈마 발생장치에는 박막증착을 위한 플라즈마 장치(Plasma Enhanced Chemical Vaper Deposition, PECVD), 증착된 박막을 식각하여 패터닝하는 식각장치, 스퍼터(Sputter), 애싱(Ashing) 장치 등이 있다.Plasma generating devices include Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) for depositing thin films, etching devices for patterning and depositing deposited thin films, sputtering devices, and ashing devices.

또한, 이러한 플라즈마 장치는 RF전력의 인가방식에 따라 용량결합형(Capacitively Coupled Plasma, CCP) 장치와 유도결합형(Inductively Coupled Plasma, ICP) 장치로 구분된다. 용량결합형 장치는 서로 대향되는 평행판과 전극에 RF전력을 인가하여 전극 사이에 수직으로 형성되는 RF전기장을 이용하여 플라즈마를 발생시키는 방식이다. 유도결합형 장치는 안테나에 의하여 유도되는 유도전기장을 이용하여 소스물질을 플라즈마로 변환시키는 방식이다.In addition, such a plasma apparatus is divided into a capacitively coupled plasma (CCP) apparatus and an inductively coupled plasma (ICP) apparatus according to an RF power application method. The capacitive coupled device generates plasma by applying RF power to parallel plates and electrodes facing each other and using an RF electric field formed vertically between the electrodes. An inductively coupled device converts a source material to a plasma using an induced electric field induced by an antenna.

종래 유도결합형 장치는 안테나가 챔버 상부에 고정된 상태로 설치되며, 주로 좌우 대칭 형상을 갖는 안테나는 이론적으로 안테나의 반경 방향을 따라 플라스마 밀도 분포가 대칭되도록 플라스마를 발생하여야 한다. Conventionally, an inductively coupled device is installed with the antenna fixed on the upper part of the chamber. Generally, the antenna having a symmetrical shape should theoretically generate plasma so that the plasma density distribution is symmetrical along the radial direction of the antenna.

그러나, 실제 공정에서는 여러 요인에 의해 플라스마 밀도 분포가 대칭되도록 발생하지 않는다. 이러한 플라스마 밀도 분포는 기판 처리를 불균일하게 한다.However, in the actual process, the plasma density distribution does not occur symmetrically due to various factors. This plasma density distribution causes non-uniform substrate processing.

본 발명의 실시예들은 플라즈마의 비대칭 형상에 따라 안테나의 위치를 가변시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공하고자 한다.Embodiments of the present invention provide a substrate processing apparatus capable of varying the position of an antenna according to an asymmetrical shape of a plasma.

본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved by the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and the problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the description and the accompanying drawings will be.

본 발명의 일 측면에 따르면, 내부에 처리 공간을 가지는 챔버; 상기 챔버 내에 배치되며 기판을 지지하는 지지유닛; 상기 처리 공간 내로 가스를 공급하는 가스공급유닛; 상기 챔버의 상부에 제공되며, 고주파 전력이 인가되어 상기 처리공간내에서 상기 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 안테나 유닛을 포함하되; 상기 안테나 유닛은 수평 방향으로 이동 가능하도록 상기 챔버에 결합되는 기판 처리 장치를 제공하는데 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a plasma processing apparatus comprising: a chamber having a processing space therein; A support unit disposed in the chamber and supporting the substrate; A gas supply unit for supplying gas into the process space; An antenna unit provided at an upper portion of the chamber and adapted to generate a plasma from the gas in the processing space by applying a high frequency power; And the antenna unit is coupled to the chamber so as to be movable in a horizontal direction.

또한, 상기 안테나 유닛은 슬롯 형상의 홀이 형성되며, 상기 슬롯 형상의 홀을 따라 수평 방향으로 위치 조정된 후 결합부재에 의해 상기 챔버의 상벽에 고정될 수 있다.The antenna unit may have a slot-like hole, and may be horizontally aligned along the slot-like hole and then fixed to the upper wall of the chamber by a coupling member.

또한, 상기 슬롯 형상의 홀은 십자형태로 제공될 수 있다.In addition, the slot-like holes may be provided in a cross shape.

또한, 상기 챔버의 상벽은 경사지게 제공되고, 상기 안테나 유닛은 안테나; 및 상기 안테나를 지지하는 그리고 상기 챔버의 상벽에 고정되는 안테나 베이스를 포함하되; 상기 안테나 베이스는 상기 안테나가 위치되고 지면과 수평한 상면; 및 상기 챔버의 경사진 상벽과 동일한 경사각을 갖는 저면을 갖고, 상기 저면이 상기 챔버의 경사진 상벽에 고정될 수 있다.Further, the upper wall of the chamber is provided obliquely, and the antenna unit includes an antenna; And an antenna base supporting the antenna and fixed to a top wall of the chamber; Wherein the antenna base has a top surface on which the antenna is positioned and is horizontal with respect to the ground; And a bottom surface having the same inclination angle as the inclined upper wall of the chamber, the bottom surface being fixed to an inclined upper wall of the chamber.

또한, 상기 안테나 베이스는 회동 각도에 따라 상기 상면에 위치한 상기 안테나의 기울기가 조절될 수 있다.In addition, the inclination of the antenna located on the upper surface of the antenna base may be adjusted according to the rotation angle.

또한, 상기 안테나 유닛은 원주방향을 따라 형성되는 호형상의 홀이 형성되며, 상기 호형상의 홀을 따라 회동 방향을 조정한 후 결합부재에 의해 상기 챔버의 상벽에 고정될 수 있다.In addition, the antenna unit may have an arc-shaped hole formed along the circumferential direction, and may be fixed to the upper wall of the chamber by a joining member after the rotation direction is adjusted along the arc-shaped hole.

본 발명의 일 실시예에 의하면 플라즈마의 비대칭 형상에 따라 안테나 유닛의 위치를 가변시켜 반응공간에서 형성되는 플라즈마내의 전자에 전달되는 에너지를 변화시켜 플라즈마 밀도의 균일도를 향상시킬 수 있는 효과가 있다.According to an embodiment of the present invention, the position of the antenna unit is changed according to the asymmetric shape of the plasma, and the energy transferred to the electrons in the plasma formed in the reaction space is changed to improve the uniformity of the plasma density.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and the effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the present specification and attached drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는 도 1의 챔버를 보여주는 사시도이다.
도 3은 도 1의 챔버에 장착된 안테나 유닛을 보여주는 평면도이다.
도 4는 본 발명에서 안테나 유닛의 다른 장착 구조를 보여주는 사시도이다.
도 5는 도 4에 도시된 안테나 유닛의 장착 예를 보여주는 측면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a perspective view showing the chamber of FIG. 1; FIG.
3 is a plan view showing the antenna unit mounted in the chamber of FIG.
4 is a perspective view showing another mounting structure of the antenna unit in the present invention.
5 is a side view showing an example of mounting the antenna unit shown in Fig.

이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified into various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Thus, the shape of the elements in the figures has been exaggerated to emphasize a clearer description.

본 발명의 실시예에서는 플라즈마를 이용하여 기판을 식각하는 기판처리장치 에 대해 설명한다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 챔버 내에 플라즈마를 공급하여 공정을 수행하는 다양한 종류의 장치에 적용 가능하다.In an embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus for etching a substrate using plasma will be described. However, the present invention is not limited to this, and is applicable to various kinds of apparatuses that perform a process by supplying a plasma into a chamber.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이고, 도 2는 도 1의 챔버(100)를 보여주는 사시도이며, 도 3은 도 1의 챔버에 장착된 안테나 유닛을 보여주는 평면도이다. FIG. 1 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a perspective view showing a chamber 100 of FIG. 1, and FIG. 3 is a plan view showing an antenna unit mounted in the chamber of FIG. 1 .

도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 플라즈마를 이용하여 기판(W)을 처리한다. 예를 들어, 기판 처리 장치(10)는 기판(W)에 대하여 식각 공정을 수행할 수 있다. 기판 처리 장치(10)는 챔버(100), 지지 유닛(200), 가스 공급 유닛(300), 플라즈마 소스(400) 그리고 배플 유닛(500)을 포함한다. Referring to Fig. 1, a substrate processing apparatus 10 processes a substrate W using a plasma. For example, the substrate processing apparatus 10 may perform an etching process on the substrate W. [ The substrate processing apparatus 10 includes a chamber 100, a support unit 200, a gas supply unit 300, a plasma source 400, and a baffle unit 500.

챔버(100)는 기판 처리 공정이 수행되는 공간을 제공한다. 챔버(100)는 하우징(110), 유전체 어셈블리(120), 그리고 라이너(130)를 포함한다. The chamber 100 provides a space in which the substrate processing process is performed. The chamber 100 includes a housing 110, a dielectric assembly 120, and a liner 130.

하우징(110)은 내부에 상면이 개방된 공간을 가진다. 하우징(110)의 내부 공간은 기판 처리 공정이 수행되는 공간으로 제공된다. 하우징(110)은 금속 재질로 제공된다. 일 예로, 하우징(110)은 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 하우징(110)은 접지될 수 있다. 하우징(110)의 바닥면에는 배기홀(102)이 형성된다. 배기홀(102)은 배기 라인(151)과 연결된다. 공정 과정에서 발생한 반응 부산물 및 하우징의 내부 공간에 머무르는 가스는 배기 라인(151)을 통해 외부로 배출될 수 있다. 배기 과정에 의해 하우징(110) 내부는 소정 압력으로 감압된다. The housing 110 has a space in which an upper surface is opened. The inner space of the housing 110 is provided in a space where the substrate processing process is performed. The housing 110 is made of a metal material. For example, the housing 110 may be made of aluminum. The housing 110 may be grounded. An exhaust hole 102 is formed in the bottom surface of the housing 110. The exhaust hole 102 is connected to the exhaust line 151. The reaction by-products generated in the process and the gas staying in the inner space of the housing can be discharged to the outside through the exhaust line 151. The inside of the housing 110 is decompressed to a predetermined pressure by the exhaust process.

라이너(130)는 하우징(110) 내부에 제공된다. 라이너(130)는 상면 및 하면이 개방된 공간이 내부에 형성된다. 일 예로, 라이너(130)는 원통 형상으로 제공될 수 있다. 라이너(130)는 하우징(110)의 내측면에 상응하는 반경을 가질 수 있다. 라이너(130)는 하우징(110)의 내측면을 따라 제공된다. 라이너(130)의 상단에는 지지 링(131)이 형성된다. 지지 링(131)은 링 형상의 판으로 제공되며, 라이너(130)의 둘레를 따라 라이너(130)의 외측으로 돌출된다. 지지 링(131)은 하우징(110)의 상단에 놓이며, 라이너(130)를 지지한다. 라이너(130)는 하우징(110)과 동일한 재질로 제공될 수 있다. 일 예로, 라이너(130)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 라이너(130)는 하우징(110) 내측면을 보호한다. 공정 가스가 여기되는 과정에서 챔버(100) 내부에는 아크(Arc) 방전이 발생될 수 있다. 아크 방전은 주변 장치들을 손상시킨다. 라이너(130)는 하우징(110)의 내측면을 보호하여 하우징(110)의 내측면이 아크 방전으로 손상되는 것을 방지한다. 또한, 기판 처리 공정 중에 발생한 불순물이 하우징(110)의 내측벽에 증착되는 것을 방지한다. 라이너(130)는 하우징(110)에 비하여 비용이 저렴하고, 교체가 용이하다. 따라서, 아크 방전으로 라이너(130)가 손상될 경우, 작업자는 새로운 라이너(130)로 교체할 수 있다.The liner 130 is provided inside the housing 110. The liner 130 has a space in which the upper surface and the lower surface are opened. In one example, the liner 130 may be provided in a cylindrical shape. The liner 130 may have a radius corresponding to the inner surface of the housing 110. The liner 130 is provided along the inner surface of the housing 110. At the upper end of the liner 130, a support ring 131 is formed. The support ring 131 is provided in the form of a ring and projects outwardly of the liner 130 along the periphery of the liner 130. The support ring 131 rests on the top of the housing 110 and supports the liner 130. The liner 130 may be provided in the same material as the housing 110. As an example, the liner 130 may be made of aluminum. The liner 130 protects the inside surface of the housing 110. An arc discharge may be generated in the chamber 100 during the process gas excitation. Arc discharge damages peripheral devices. The liner 130 protects the inner surface of the housing 110 to prevent the inner surface of the housing 110 from being damaged by the arc discharge. Also, impurities generated during the substrate processing process are prevented from being deposited on the inner wall of the housing 110. The liner 130 is less expensive than the housing 110 and is easier to replace. Thus, if the liner 130 is damaged by an arc discharge, the operator can replace the new liner 130.

하우징(110)의 내부에는 지지 유닛(200)이 위치한다. 지지 유닛(200)은 기판(W)을 지지한다. 지지 유닛(200)은 정전기력을 이용하여 기판(W)을 흡착하는 정전 척(210)을 포함할 수 있다. 이와 달리, 지지 유닛(200)은 기계적 클램핑과 같은 다양한 방식으로 기판(W)을 지지할 수도 있다. 이하에서는 정전 척(210)을 포함하는 지지 유닛(200)에 대하여 설명한다.The support unit 200 is located inside the housing 110. The support unit 200 supports the substrate W. [ The support unit 200 may include an electrostatic chuck 210 for attracting the substrate W using an electrostatic force. Alternatively, the support unit 200 may support the substrate W in various manners, such as mechanical clamping. Hereinafter, the supporting unit 200 including the electrostatic chuck 210 will be described.

지지 유닛(200)은 정전 척(210), 절연 플레이트(250) 그리고 하부 커버(270)를 포함한다. 지지 유닛(200)은 챔버(100) 내부에서 하우징(110)의 바닥면에서 상부로 이격되어 위치된다. The support unit 200 includes an electrostatic chuck 210, an insulating plate 250, and a lower cover 270. The support unit 200 is spaced upwardly from the bottom surface of the housing 110 inside the chamber 100.

정전 척(210)은 지지판(220), 전극(223), 히터(225), 베이스판(230), 그리고 포커스 링(240)을 포함한다.The electrostatic chuck 210 includes a support plate 220, an electrode 223, a heater 225, a base plate 230, and a focus ring 240.

지지판(220)은 정전 척(210)의 상단부에 위치한다. 지지판(220)은 원판 형상의 유전체(dielectric substance)로 제공될 수 있다. 지지판(220)의 상면에는 기판(W)이 놓인다. 지지판(220)의 상면은 기판(W)보다 작은 반경을 갖는다. 때문에, 기판(W) 가장자리 영역은 지지판(220)의 외측에 위치한다. The support plate 220 is located at the upper end of the electrostatic chuck 210. The support plate 220 may be provided as a dielectric substance. A substrate W is placed on the upper surface of the support plate 220. The upper surface of the support plate 220 has a smaller radius than the substrate W. [ Therefore, the edge region of the substrate W is located outside the support plate 220.

지지판(220)에는 제1 공급 유로(221)가 형성된다. 제1 공급 유로(221)는 지지판(210)의 상면으로부터 저면으로 제공된다. 제1 공급 유로(221)는 서로 이격하여 복수개 형성되며, 기판(W)의 저면으로 열전달 매체가 공급되는 통로로 제공된다.A first supply passage 221 is formed in the support plate 220. The first supply passage 221 is provided from the upper surface to the lower surface of the support plate 210. A plurality of first supply passages 221 are formed to be spaced from each other and are provided as passages through which the heat transfer medium is supplied to the bottom surface of the substrate W.

지지판(220)의 내부에는 하부 전극(223)과 히터(225)가 매설된다. 하부 전극(223)은 히터(225)의 상부에 위치한다. 하부 전극(223)은 제1 하부 전원(223a)과 전기적으로 연결된다. 제1 하부 전원(223a)은 직류 전원을 포함한다. 하부 전극(223)과 제1 하부 전원(223a) 사이에는 스위치(223b)가 설치된다. 하부 전극(223)은 스위치(223b)의 온/오프(ON/OFF)에 의해 제1 하부 전원(223a)과 전기적으로 연결될 수 있다. 스위치(223b)가 온(ON) 되면, 하부 전극(223)에는 직류 전류가 인가된다. 하부 전극(223)에 인가된 전류에 의해 하부 전극(223)과 기판(W) 사이에는 정전기력이 작용하며, 정전기력에 의해 기판(W)은 지지판(220)에 흡착된다.A lower electrode 223 and a heater 225 are buried in the support plate 220. The lower electrode 223 is located above the heater 225. The lower electrode 223 is electrically connected to the first lower power source 223a. The first lower power source 223a includes a DC power source. A switch 223b is provided between the lower electrode 223 and the first lower power source 223a. The lower electrode 223 may be electrically connected to the first lower power source 223a by ON / OFF of the switch 223b. When the switch 223b is turned on, a direct current is applied to the lower electrode 223. [ An electrostatic force is applied between the lower electrode 223 and the substrate W by the current applied to the lower electrode 223 and the substrate W is attracted to the support plate 220 by the electrostatic force.

히터(225)는 제2 하부 전원(225a)과 전기적으로 연결된다. 히터(225)는 제2 하부 전원(225a)에서 인가된 전류에 저항함으로써 열을 발생시킨다. 발생된 열은 지지판(220)을 통해 기판(W)으로 전달된다. 히터(225)에서 발생된 열에 의해 기판(W)은 소정 온도로 유지된다. 히터(225)는 나선 형상의 코일을 포함한다. The heater 225 is electrically connected to the second lower power source 225a. The heater 225 generates heat by resisting the current applied from the second lower power supply 225a. The generated heat is transferred to the substrate W through the support plate 220. The substrate W is maintained at a predetermined temperature by the heat generated in the heater 225. The heater 225 includes a helical coil.

지지판(220)의 하부에는 베이스판(230)이 위치한다. 지지판(220)의 저면과 베이스판(230)의 상면은 접착제(236)에 의해 접착될 수 있다. 베이스판(230)은 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 베이스판(230)의 상면은 중심 영역이 가장자리 영역보다 높게 위치되도록 단차질 수 있다. 베이스판(230)의 상면 중심 영역은 지지판(220)의 저면에 상응하는 면적을 가지며, 지지판(220)의 저면과 접착된다. 베이스판(230)에는 제1 순환 유로(231), 제2 순환 유로(232), 그리고 제2 공급 유로(233)가 형성된다.A base plate 230 is positioned below the support plate 220. The bottom surface of the support plate 220 and the top surface of the base plate 230 may be adhered by an adhesive 236. [ The base plate 230 may be made of aluminum. The upper surface of the base plate 230 may be stepped so that the central region is located higher than the edge region. The upper surface central region of the base plate 230 has an area corresponding to the bottom surface of the support plate 220 and is adhered to the bottom surface of the support plate 220. A first circulation channel 231, a second circulation channel 232, and a second supply channel 233 are formed in the base plate 230.

제1 순환 유로(231)는 열전달 매체가 순환하는 통로로 제공된다. 제1 순환 유로(231)는 베이스판(230) 내부에 나선 형상으로 형성될 수 있다. 또는, 제1 순환 유로(231)는 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 유로들이 동일한 중심을 갖도록 배치될 수 있다. 각각의 제1 순환 유로(231)들은 서로 연통될 수 있다. 제1 순환 유로(231)들은 동일한 높이에 형성된다.The first circulation channel 231 is provided as a passage through which the heat transfer medium circulates. The first circulation flow path 231 may be formed in a spiral shape inside the base plate 230. Alternatively, the first circulation flow path 231 may be arranged so that the ring-shaped flow paths having different radii have the same center. Each of the first circulation flow paths 231 can communicate with each other. The first circulation flow paths 231 are formed at the same height.

제2 순환 유로(232)는 냉각 유체가 순환하는 통로로 제공된다. 제2 순환 유로(232)는 베이스판(230) 내부에 나선 형상으로 형성될 수 있다. 또한, 제2 순환 유로(232)는 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 유로들이 동일한 중심을 갖도록 배치될 수 있다. 각각의 제2 순환 유로(232)들은 서로 연통될 수 있다. 제2 순환 유로(232)는 제1 순환 유로(231)보다 큰 단면적을 가질 수 있다. 제2 순환 유로(232)들은 동일한 높이에 형성된다. 제2 순환 유로(232)는 제1 순환 유로(231)의 하부에 위치될 수 있다.The second circulation flow passage 232 is provided as a passage through which the cooling fluid circulates. The second circulation flow path 232 may be formed in a spiral shape inside the base plate 230. Further, the second circulation flow path 232 may be arranged so that the ring-shaped flow paths having different radii have the same center. And each of the second circulation flow paths 232 can communicate with each other. The second circulation channel 232 may have a larger cross-sectional area than the first circulation channel 231. The second circulation flow paths 232 are formed at the same height. The second circulation flow passage 232 may be positioned below the first circulation flow passage 231.

제2 공급 유로(233)는 제1 순환 유로(231)부터 상부로 연장되며, 베이스판(230)의 상면으로 제공된다. 제2 공급 유로(243)는 제1 공급 유로(221)에 대응하는 개수로 제공되며, 제1 순환 유로(231)와 제1 공급 유로(221)를 연결한다.The second supply passage 233 extends upward from the first circulation passage 231 and is provided on the upper surface of the base plate 230. The second supply passage 243 is provided in a number corresponding to the first supply passage 221 and connects the first circulation passage 231 to the first supply passage 221.

제1 순환 유로(231)는 열전달 매체 공급라인(231b)을 통해 열전달 매체 저장부(231a)와 연결된다. 열전달 매체 저장부(231a)에는 열전달 매체가 저장된다. 열전달 매체는 불활성 가스를 포함한다. 실시예에 의하면, 열전달 매체는 헬륨(He) 가스를 포함한다. 헬륨 가스는 공급 라인(231b)을 통해 제1 순환 유로(231)에 공급되며, 제2 공급 유로(233)와 제1 공급 유로(221)를 순차적으로 거쳐 기판(W) 저면으로 공급된다. 헬륨 가스는 플라즈마에서 기판(W)으로 전달된 열이 정전 척(210)으로 전달되는 매개체 역할을 한다.The first circulation channel 231 is connected to the heat transfer medium storage unit 231a through the heat transfer medium supply line 231b. The heat transfer medium is stored in the heat transfer medium storage unit 231a. The heat transfer medium includes an inert gas. According to an embodiment, the heat transfer medium comprises helium (He) gas. The helium gas is supplied to the first circulation channel 231 through the supply line 231b and is supplied to the bottom surface of the substrate W through the second supply channel 233 and the first supply channel 221 in sequence. The helium gas serves as a medium through which the heat transferred from the plasma to the substrate W is transferred to the electrostatic chuck 210.

제2 순환 유로(232)는 냉각 유체 공급 라인(232c)을 통해 냉각 유체 저장부(232a)와 연결된다. 냉각 유체 저장부(232a)에는 냉각 유체가 저장된다. 냉각 유체 저장부(232a) 내에는 냉각기(232b)가 제공될 수 있다. 냉각기(232b)는 냉각 유체를 소정 온도로 냉각시킨다. 이와 달리, 냉각기(232b)는 냉각 유체 공급 라인(232c) 상에 설치될 수 있다. 냉각 유체 공급 라인(232c)을 통해 제2 순환 유로(232)에 공급된 냉각 유체는 제2 순환 유로(232)를 따라 순환하며 베이스판(230)을 냉각한다. 베이스판(230)은 냉각되면서 지지판(220)과 기판(W)을 함께 냉각시켜 기판(W)을 소정 온도로 유지시킨다.The second circulation channel 232 is connected to the cooling fluid storage 232a through the cooling fluid supply line 232c. The cooling fluid is stored in the cooling fluid storage part 232a. A cooler 232b may be provided in the cooling fluid storage portion 232a. The cooler 232b cools the cooling fluid to a predetermined temperature. Alternatively, the cooler 232b may be installed on the cooling fluid supply line 232c. The cooling fluid supplied to the second circulation channel 232 through the cooling fluid supply line 232c circulates along the second circulation channel 232 and cools the base plate 230. The base plate 230 cools the support plate 220 and the substrate W together while cooling the substrate W to maintain the substrate W at a predetermined temperature.

포커스 링(240)은 정전 척(210)의 가장자리 영역에 배치된다. 포커스 링(240)은 링 형상을 가지며, 지지판(220)의 둘레를 따라 배치된다. 포커스 링(240)의 상면은 외측부(240a)가 내측부(240b)보다 높도록 단차질 수 있다. 포커스 링(240)의 상면 내측부(240b)는 지지판(220)의 상면과 동일 높이에 위치된다. 포커스 링(240)의 상면 내측부(240b)는 지지판(220)의 외측에 위치된 기판(W)의 가장자리 영역을 지지한다. 포커스 링(240)의 외측부(240a)는 기판(W)의 가장자리 영역을 둘러싸도록 제공된다. 포커스 링(240)은 챔버(100) 내에서 플라즈마가 기판(W)과 마주하는 영역으로 집중되도록 한다.The focus ring 240 is disposed in the edge region of the electrostatic chuck 210. The focus ring 240 has a ring shape and is disposed along the periphery of the support plate 220. The upper surface of the focus ring 240 may be stepped so that the outer portion 240a is higher than the inner portion 240b. The upper surface inner side portion 240b of the focus ring 240 is positioned at the same height as the upper surface of the support plate 220. [ The upper side inner side portion 240b of the focus ring 240 supports an edge region of the substrate W positioned outside the support plate 220. [ The outer side portion 240a of the focus ring 240 is provided so as to surround the edge region of the substrate W. [ The focus ring 240 allows the plasma to be concentrated within the chamber 100 in a region facing the substrate W. [

베이스판(230)의 하부에는 절연 플레이트(250)가 위치한다. 절연 플레이트(250)는 베이스판(230)에 상응하는 단면적으로 제공된다. 절연 플레이트(250)는 베이스판(230)과 하부 커버(270) 사이에 위치한다. 절연 플레이트(250)는 절연 재질로 제공되며, 베이스판(230)과 하부 커버(270)를 전기적으로 절연시킨다.An insulating plate 250 is disposed under the base plate 230. The insulating plate 250 is provided in a cross-sectional area corresponding to the base plate 230. The insulating plate 250 is positioned between the base plate 230 and the lower cover 270. The insulating plate 250 is made of an insulating material and electrically insulates the base plate 230 and the lower cover 270.

하부 커버(270)는 지지 유닛(200)의 하단부에 위치한다. 하부 커버(270)는 하우징(110)의 바닥면에서 상부로 이격되어 위치한다. 하부 커버(270)는 상면이 개방된 공간이 내부에 형성된다. 하부 커버(270)의 상면은 절연 플레이트(250)에 의해 덮어진다. 따라서 하부 커버(270)의 단면의 외부 반경은 절연 플레이트(250)의 외부 반경과 동일한 길이로 제공될 수 있다. 하부 커버(270)의 내부 공간에는 반송되는 기판(W)을 외부의 반송 부재로부터 정전 척(210)으로 이동시키는 리프트 핀 모듈(미도시) 등이 위치할 수 있다. The lower cover 270 is located at the lower end of the support unit 200. The lower cover 270 is spaced upwardly from the bottom surface of the housing 110. The lower cover 270 has a space in which an upper surface is opened. The upper surface of the lower cover 270 is covered with an insulating plate 250. The outer radius of the cross section of the lower cover 270 may be provided with a length equal to the outer radius of the insulating plate 250. [ A lift pin module (not shown) for moving the substrate W to be transferred from an external carrying member to the electrostatic chuck 210 may be positioned in the inner space of the lower cover 270.

하부 커버(270)는 연결 부재(273)를 갖는다. 연결 부재(273)는 하부 커버(270)의 외측면과 하우징(110)의 내측벽을 연결한다. 연결 부재(273)는 하부 커버(270)의 외측면에 일정한 간격으로 복수개 제공될 수 있다. 연결 부재(273)는 지지 유닛(200)을 챔버(100) 내부에서 지지한다. 또한, 연결 부재(273)는 하우징(110)의 내측벽과 연결됨으로써 하부 커버(270)가 전기적으로 접지(grounding)되도록 한다. 제1 하부 전원(223a)과 연결되는 제1 전원라인(223c), 제2 하부 전원(225a)과 연결되는 제2 전원라인(225c), 열전달 매체 저장부(231a)와 연결된 열전달 매체 공급라인(231b) 그리고 냉각 유체 저장부(232a)와 연결된 냉각 유체 공급 라인(232c)등은 연결 부재(273)의 내부 공간을 통해 하부 커버(270) 내부로 연장된다. The lower cover 270 has a connecting member 273. The connecting member 273 connects the outer side surface of the lower cover 270 and the inner side wall of the housing 110. A plurality of connecting members 273 may be provided on the outer surface of the lower cover 270 at regular intervals. The connecting member 273 supports the support unit 200 inside the chamber 100. Further, the connecting member 273 is connected to the inner wall of the housing 110, so that the lower cover 270 is electrically grounded. A first power supply line 223c connected to the first lower power supply 223a, a second power supply line 225c connected to the second lower power supply 225a, a heat transfer medium supply line 233b connected to the heat transfer medium storage 231a And a cooling fluid supply line 232c connected to the cooling fluid reservoir 232a extend into the lower cover 270 through the inner space of the connection member 273. [

가스 공급 유닛(300)은 챔버(100) 내부에 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 유닛(300)은 가스 공급 노즐(310), 가스 공급 라인(320), 그리고 가스 저장부(330)를 포함한다. 일 예로, 가스 공급 노즐(310)은 유전체 어셈블리(120)의 중앙부에 설치될 수 있다. 가스 공급 노즐(310)의 저면에는 분사구가 형성된다. 분사구는 밀폐 커버(120)의 하부에 위치하며, 챔버(100) 내부로 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 라인(320)은 가스 공급 노즐(310)과 가스 저장부(330)를 연결한다. 가스 공급 라인(320)은 가스 저장부(330)에 저장된 공정 가스를 가스 공급 노즐(310)에 공급한다. 가스 공급 라인(320)에는 밸브(321)가 설치된다. 밸브(321)는 가스 공급 라인(320)을 개폐하며, 가스 공급 라인(320)을 통해 공급되는 공정 가스의 유량을 조절한다. 또 다른 예로, 가스 공급 노즐(310)은 유전체 어셈블리(120)의 중앙이 아닌 하우징(110)의 상단 테두리를 따라 제공될 수 있다. The gas supply unit 300 supplies the process gas into the chamber 100. The gas supply unit 300 includes a gas supply nozzle 310, a gas supply line 320, and a gas storage unit 330. For example, the gas supply nozzle 310 may be installed at the center of the dielectric assembly 120. A jetting port is formed on the bottom surface of the gas supply nozzle 310. The injection port is located at the bottom of the sealing cover 120 and supplies the process gas into the chamber 100. The gas supply line 320 connects the gas supply nozzle 310 and the gas storage unit 330. The gas supply line 320 supplies the process gas stored in the gas storage unit 330 to the gas supply nozzle 310. A valve 321 is installed in the gas supply line 320. The valve 321 opens and closes the gas supply line 320 and regulates the flow rate of the process gas supplied through the gas supply line 320. As another example, the gas supply nozzle 310 may be provided along the upper edge of the housing 110, not the center of the dielectric assembly 120.

배플 유닛(500)은 하우징(110)의 내측벽과 지지 유닛(200)의 사이에 위치된다. 배플 유닛(500)은 관통홀들이 형성된 몸체를 포함한다. 배플 유닛(500)의 몸체는 환형의 링 형상으로 제공된다. 하우징(110) 내에 제공된 공정가스는 배플 유닛(500)의 관통홀들을 통과하여 배기홀(102)로 배기된다. 배플 유닛(500)의 형상 및 관통홀들의 형상에 따라 공정가스의 흐름이 제어될 수 있다. The baffle unit 500 is positioned between the inner wall of the housing 110 and the support unit 200. The baffle unit 500 includes a body formed with through holes. The body of the baffle unit 500 is provided in an annular ring shape. The process gas provided in the housing 110 passes through the through holes of the baffle unit 500 and is exhausted to the exhaust hole 102. The flow of the process gas can be controlled according to the shape of the baffle unit 500 and the shape of the through holes.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 유전체 어셈블리(120)는 하우징(110)의 개방된 상면을 덮는다. 유전체 어셈블리(120)는 판 형상으로 제공되며, 하우징(110)의 내부공간을 밀폐시킨다. 유전체 어셈블리(120)는 분리 가능하도록 제공될 수 있다. 즉, 유전체 어셈블리(120)는 챔버의 상벽에 해당될 수 있다. Referring to Figures 1-3, the dielectric assembly 120 covers the open top surface of the housing 110. The dielectric assembly 120 is provided in a plate-like shape to seal the inner space of the housing 110. The dielectric assembly 120 may be provided to be removable. That is, the dielectric assembly 120 may correspond to the top wall of the chamber.

본 발명의 일 실시예에 의한 유전체 어셈블리(120)는 플라즈마 전원(430)으로부터 안테나(422)로 공급되는 알에프(RF, Radio-Frequency) 파워가 투과될 수 있도록 유전체 윈도우(Dielectric Window, 122)를 포함한다. The dielectric assembly 120 according to an embodiment of the present invention includes a dielectric window 122 for allowing RF (Radio Frequency) power to be supplied from the plasma power source 430 to the antenna 422 to pass therethrough. .

유전체 윈도우(122)는 석영 유리, 또는 질화알루미늄과 같은 세라믹 절연체로 마련될 수 있다. 유전체 윈도우(122)의 상부에는 코일 구조의 유도 결합형 플라즈마(Inductively Coupled Plasma, ICP) 안테나 유닛(420)이 위치된다. 유전체 윈도우(122)는 하우징(110)과 동일한 직경을 갖는다. The dielectric window 122 may be provided with a ceramic insulator such as quartz glass, or aluminum nitride. An inductively coupled plasma (ICP) antenna unit 420 is placed on top of the dielectric window 122. The dielectric window 122 has the same diameter as the housing 110.

유전체 윈도우(122)의 가장자리에는 안테나 유닛(420)을 고정하는데 사용하는 체결공(124)들이 제공된다. At the edge of the dielectric window 122, fastening holes 124 are used to secure the antenna unit 420.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 플라즈마 소스(400)는 챔버(100) 내에 공정가스를 플라즈마 상태로 여기시킨다. 플라즈마 소스(400)로는 유도결합형 플라즈마(ICP: inductively coupled plasma) 소스가 사용될 수 있다. 플라즈마 소스(400)는 안테나 실(410), 안테나 유닛(420), 그리고 플라즈마 전원(430)을 포함할 수 있다. Referring to FIGS. 1-3, a plasma source 400 excites the process gas into a plasma state within the chamber 100. As the plasma source 400, an inductively coupled plasma (ICP) source may be used. The plasma source 400 may include an antenna chamber 410, an antenna unit 420, and a plasma power source 430.

안테나 실(410)은 하부가 개방된 원통 형상으로 제공될 수 있다. 안테나 실(410)은 내부에 공간이 제공된다. 안테나 실(410)은 챔버(100)와 대응되는 직경을 가지도록 제공된다. 안테나 실(410)의 하단은 유전체 어셈블리(120)에 탈착 가능하도록 제공된다. The antenna chamber 410 may be provided in a cylindrical shape with its bottom opened. The antenna chamber 410 is provided with a space therein. The antenna chamber 410 is provided so as to have a diameter corresponding to the chamber 100. The lower end of the antenna chamber 410 is detachably provided to the dielectric assembly 120.

안테나 유닛(420)은 안테나 실(410)의 내부에 배치된다. 안테나 유닛(420)은 안테나(422)와, 안테나(422)를 지지하는 안테나 베이스(424)를 포함할 수 있다. The antenna unit 420 is disposed inside the antenna chamber 410. The antenna unit 420 may include an antenna 422 and an antenna base 424 that supports the antenna 422.

일 예로, 안테나(422)는 복수 회 감기는 나선 형상의 코일로 제공될 수 있고, 플라즈마 전원(430)과 연결된다. 안테나(422)는 플라즈마 전원(430)으로부터 전력을 인가받는다. 플라즈마 전원(430)은 챔버(100) 외부에 위치할 수 있다. 전력이 인가된 안테나(422)는 챔버(100)의 처리공간에 전자기장을 형성할 수 있다. 공정가스는 전자기장에 의해 플라즈마 상태로 여기된다.In one example, the antenna 422 may be provided in a spirally wound coil of a plurality of turns, and is connected to the plasma power source 430. The antenna 422 receives power from the plasma power supply 430. The plasma power source 430 may be located outside the chamber 100. The powered antenna 422 may form an electromagnetic field in the processing space of the chamber 100. The process gas is excited into a plasma state by an electromagnetic field.

안테나 베이스는 알에프(RF, Radio-Frequency) 파워가 투과될 수 있도록 유전체로 제공될 수 있다. 안테나 베이스(424)는 원형의 플레이트 형상으로 제공되며, 가장자리에는 슬롯홀(426)들이 형성되고, 유전체 어셈블리(120)에 형성된 체결공(124)에 볼트(428)와 같은 결합유닛에 의해 고정될 수 있다. 본 실시예에서 슬롯홀(426)은 안테나 베이스를 전후좌우 수평 이동이 가능하도록 십자 형태로 제공될 수 있다. 여기서, 슬롯홀(426)의 형상은 이에 한정되는 것은 아니며 원주방향을 따라 형성되는 호 형상과 같이 다양한 형태로 제공될 수 도 있다. The antenna base may be provided as a dielectric so that RF (Radio Frequency) power can be transmitted. The antenna base 424 is provided in the shape of a circular plate with slot holes 426 formed at the edges and secured to the fastening holes 124 formed in the dielectric assembly 120 by a coupling unit such as a bolt 428 . In this embodiment, the slot hole 426 may be provided in a cross shape so that the antenna base can horizontally move back and forth, right and left. Here, the shape of the slot hole 426 is not limited to this, but may be provided in various shapes such as arc shapes formed along the circumferential direction.

즉, 안테나 유닛(420)은 유전체 어셈블리에 볼트 방식으로 고정되되, 안테나 베이스(424)에 형성된 슬롯홀(426)의 간격만큼 수평 방향으로 이동 가능하도록 유전체 어셈블리에 고정될 수 있다. That is, the antenna unit 420 may be fixed to the dielectric assembly so as to be movable in the horizontal direction by an interval of the slot holes 426 formed in the antenna base 424, while being fixed to the dielectric assembly in a bolt manner.

따라서, 본 발명은 안테나 유닛(420)을 한 위치에만 고정하지 않는 것이 아니라 플라즈마의 비대칭 형상에 따라 안테나 유닛(420)의 위치를 가변할 수 있다. 이렇게 안테나의 위치 가변을 통해 플라즈마의 형상 및 위치 컨트롤이 가능하며, 산포를 개선시킬 수 있다. Therefore, the present invention does not fix the antenna unit 420 at only one position, but can change the position of the antenna unit 420 according to the asymmetric shape of the plasma. Thus, the shape and position of the plasma can be controlled by varying the position of the antenna, and scattering can be improved.

도 4는 본 발명에서 안테나 유닛의 다른 장착 구조를 보여주는 사시도이고, 도 5는 도 4에 도시된 안테나 유닛의 장착 예를 보여주는 측면도이다.FIG. 4 is a perspective view showing another mounting structure of the antenna unit in the present invention, and FIG. 5 is a side view showing an example of mounting the antenna unit shown in FIG.

도 4 및 도 5에서와 같이, 챔버(100)의 상벽에 해당되는 유전체 어셈블리(120)의 유전체 윈도우(122) 상면(123)은 소정각도 경사지게 제공된다. 유전체 윈도우(122)의 상면에는 체결공(124)들이 제공된다. 4 and 5, the upper surface 123 of the dielectric window 122 of the dielectric assembly 120 corresponding to the upper wall of the chamber 100 is provided at a predetermined angle inclination. On the upper surface of the dielectric window 122, fastening holes 124 are provided.

안테나 유닛(450)은 안테나(452)와 안테나 베이스(454)를 포함하며, 안테나 베이스(454)는 저면(455)이 유전체 윈도우(122)의 상면(123)과 동일한 경사각을 갖는다. 안테나 베이스(454)의 상면은 지면과 수평하게 제공된다. 안테나 베이스(454)의 가장자리에는 슬롯홀(456)이 제공된다. 슬롯홀(456)들은 안테나 베이스(454)의 중심을 기준으로 동심원상에 호형상으로 제공될 수 있다. 안테나 베이스(454)는 볼트와 같은 결합유닛(428)이 슬롯홀(456)을 통해 체결공(124)에 결합됨으로써 유전체 윈도우(122)의 상면(123)에 고정될 수 있다. The antenna unit 450 includes an antenna 452 and an antenna base 454 and the antenna base 454 has a bottom surface 455 having the same tilt angle as the top surface 123 of the dielectric window 122. The upper surface of the antenna base 454 is provided horizontally with the ground. A slot hole 456 is provided at the edge of the antenna base 454. The slot holes 456 may be provided in an arc shape concentrically with respect to the center of the antenna base 454. The antenna base 454 may be secured to the top surface 123 of the dielectric window 122 by a coupling unit 428 such as a bolt coupled to the fastening hole 124 through the slot hole 456.

한편, 안테나 베이스(454)는 플라즈마의 비대칭 형상에 따라 안테나 유닛(450)의 위치를 가변할 수 있다. 즉, 안테나 베이스(454)는 회동 각도에 따라 상면에 위치한 안테나의 기울기가 조절될 수 있다. 이렇게 안테나의 기울기 조절을 통해 플라즈마의 형상 및 위치 컨트롤이 가능하며, 산포를 개선시킬 수 있다. Meanwhile, the antenna base 454 can change the position of the antenna unit 450 according to the asymmetrical shape of the plasma. That is, the slope of the antenna positioned on the upper surface of the antenna base 454 can be adjusted according to the rotation angle. By controlling the tilt of the antenna, it is possible to control the shape and position of the plasma, and the scattering can be improved.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the foregoing is intended to illustrate and explain the preferred embodiments of the present invention, and the present invention may be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, it is possible to make changes or modifications within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, within the scope of the disclosure, and / or within the skill and knowledge of the art. The embodiments described herein are intended to illustrate the best mode for implementing the technical idea of the present invention and various modifications required for specific applications and uses of the present invention are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. It is also to be understood that the appended claims are intended to cover such other embodiments.

10: 기판 처리 장치 100 : 챔버
200 : 지지유닛 300 : 가스 공급 유닛
400 : 플라즈마 소스 500 : 배플 유닛
120 : 유전체 어셈블리 122 : 유전체 윈도우10: substrate processing apparatus 100: chamber
200: support unit 300: gas supply unit
400: plasma source 500: baffle unit
120: dielectric assembly 122: dielectric window

Claims (6)

기판 처리 장치에 있어서:
내부에 처리 공간을 가지는 챔버;
상기 챔버 내에 배치되며 기판을 지지하는 지지유닛;
상기 처리 공간 내로 가스를 공급하는 가스공급유닛;
상기 챔버의 상부에 제공되며, 고주파 전력이 인가되어 상기 처리공간내에서 상기 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 안테나 유닛을 포함하되;
상기 안테나 유닛은
수평 방향으로 연장되는 슬롯 형상의 홀이 형성되고,
상기 슬롯 형상의 홀을 관통하는 결합부재에 의해 상기 챔버에 고정되며,
상기 슬롯 형상의 홀을 따라 수평 방향으로 위치 조절이 가능한 기판 처리 장치.A substrate processing apparatus comprising:
A chamber having a processing space therein;
A support unit disposed in the chamber and supporting the substrate;
A gas supply unit for supplying gas into the process space;
An antenna unit provided at an upper portion of the chamber and adapted to generate a plasma from the gas in the processing space by applying a high frequency power;
The antenna unit
A slot-shaped hole extending in the horizontal direction is formed,
And a fixing member fixed to the chamber by a coupling member passing through the slot-
And the position of the substrate can be adjusted in the horizontal direction along the slot-like holes. 제1항에 있어서,
상기 슬롯 형상의 홀은 상기 안테나 유닛의 가장자리에 위치하고, 원주방향을 따라 형성되는 호 형상으로 마련되고,
상기 안테나 유닛은 상기 슬롯 형상의 홀을 따라 원주 방향으로 위치 조절이 가능한 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the slot-like hole is formed in a shape of arc formed at an edge of the antenna unit and formed along a circumferential direction,
Wherein the antenna unit is adjustable in a circumferential direction along the slot-like hole. 제1항에 있어서,
상기 슬롯 형상의 홀은 십자형태를 포함하도록 제공되고,
상기 안테나 유닛은 상기 슬롯 형상의 홀을 따라 상하좌우 방향으로 위치 조절이 가능한 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the slot-shaped hole is provided so as to include a cross shape,
Wherein the antenna unit is adjustable in the vertical and horizontal directions along the slot-like holes. 기판 처리 장치에 있어서,
내부에 처리 공간을 가지는 챔버;
상기 챔버 내에 배치되며 기판을 지지하는 지지유닛;
상기 처리 공간 내로 가스를 공급하는 가스공급유닛;
상기 챔버의 상부에 제공되며, 고주파 전력이 인가되어 상기 처리공간내에서 상기 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 안테나 유닛을 포함하되;
상기 챔버의 상벽은 경사지게 제공되고,
상기 안테나 유닛은
안테나; 및
상기 안테나를 지지하는 그리고 상기 챔버의 상벽에 고정되는 안테나 베이스를 포함하되;
상기 안테나 베이스는
상기 안테나가 위치되고 지면과 수평한 상면; 및
상기 챔버의 경사진 상벽과 동일한 경사각을 갖는 저면을 갖고,
상기 저면이 상기 챔버의 경사진 상벽에 고정되는 기판 처리 장치.In the substrate processing apparatus,
A chamber having a processing space therein;
A support unit disposed in the chamber and supporting the substrate;
A gas supply unit for supplying gas into the process space;
An antenna unit provided at an upper portion of the chamber and adapted to generate a plasma from the gas in the processing space by applying a high frequency power;
The top wall of the chamber is provided obliquely,
The antenna unit
antenna; And
And an antenna base supporting the antenna and fixed to a top wall of the chamber;
The antenna base
A top surface on which the antenna is positioned and which is horizontal to the ground; And
And a bottom surface having the same inclination angle as the inclined upper wall of the chamber,
Wherein the bottom surface is fixed to an inclined upper wall of the chamber. 제4항에 있어서,
상기 안테나 베이스는
회동 각도에 따라 상기 상면에 위치한 상기 안테나의 기울기가 조절되는 기판 처리 장치.5. The method of claim 4,
The antenna base
And the tilt of the antenna positioned on the upper surface is adjusted according to a rotation angle. 제4항에 있어서,
상기 안테나 유닛은
원주방향을 따라 형성되는 호형상의 홀이 형성되며,
상기 호형상의 홀을 따라 회동 방향을 조정한 후 결합부재에 의해 상기 챔버의 상벽에 고정되는 기판 처리 장치. 5. The method of claim 4,
The antenna unit
An arc-shaped hole formed along the circumferential direction is formed,
Wherein the substrate is fixed to the upper wall of the chamber by a joining member after adjusting the direction of rotation along the arc-shaped hole.
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