KR102330281B1 - Electrostatic chuck and substrate treating apparatus including the chuck - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 기판을 지지하는 지지 유닛을 포함하고, 지지 유닛은 상부에서 바라볼 때, 영역별 유전율을 상이하게 제공할 수 있는 지지판을 포함한다. The present invention relates to a substrate processing apparatus. A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a support unit for supporting a substrate, and the support unit includes a support plate capable of providing different dielectric constants for each region when viewed from above.

Figure R1020150084053
Figure R1020150084053

Description

정전 척 및 이를 포함하는 기판 처리 장치{ELECTROSTATIC CHUCK AND SUBSTRATE TREATING APPARATUS INCLUDING THE CHUCK}Electrostatic chuck and substrate processing apparatus including same

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로 보다 상세하게는 플라스마를 이용한 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus using plasma.

반도체소자를 제조하기 위해서, 기판을 포토리소그라피, 식각, 애싱, 이온주입, 박막증착, 그리고 세정 등 다양한 공정을 수행하여 기판 상에 원하는 패턴을 형성한다. 이 중 식각 공정은 기판 상에 형성된 막 중 선택된 가열 영역을 제거하는 공정으로 습식식각과 건식식각이 사용된다.In order to manufacture a semiconductor device, various processes such as photolithography, etching, ashing, ion implantation, thin film deposition, and cleaning are performed on the substrate to form a desired pattern on the substrate. Among them, the etching process is a process of removing a selected heating region from among the films formed on the substrate, and wet etching and dry etching are used.

이 중 건식식각을 위해 플라스마를 이용한 식각 장치가 사용된다. 일반적으로 플라스마를 형성하기 위해서는 챔버의 내부공간에 전자기장을 형성하고, 전자기장은 챔버 내에 제공된 공정가스를 플라스마 상태로 여기시킨다.Among them, an etching apparatus using plasma is used for dry etching. In general, in order to form a plasma, an electromagnetic field is formed in the inner space of the chamber, and the electromagnetic field excites a process gas provided in the chamber into a plasma state.

플라스마는 이온이나 전자, 라디칼등으로 이루어진 이온화된 가스 상태를 말한다. 플라스마는 매우 높은 온도나, 강한 전계 혹은 고주파 전자계(RF Electromagnetic Fields)에 의해 생성된다. 반도체 소자 제조 공정은 플라스마를 사용하여 식각 공정을 수행한다. 식각 공정은 플라스마에 함유된 이온 입자들이 기판과 충돌함으로써 수행된다.Plasma refers to an ionized gas state composed of ions, electrons, and radicals. Plasma is generated by very high temperatures, strong electric fields or RF Electromagnetic Fields. In a semiconductor device manufacturing process, an etching process is performed using plasma. The etching process is performed when ion particles contained in plasma collide with the substrate.

도 1은 일반적인 기판 처리 장치(1)를 나타낸 단면도이다. 도 1을 참고하면, 챔버 내에 공급된 가스를 플라스마로 여기 시키기 위해 기판의 상부 및/또는 하부에 고주파 전력이 인가된다. 기판의 균일한 처리를 위해 챔버 내 플라스마 밀도를 균일하게 제공하여야 하고, 플라스마 밀도를 조절하기 위해 일반적으로 기판이 놓이는 지지판(3)의 하부에 제공되고 전계를 발생시키는 전극(4)에 인가되는 전원의 전력 및 주파수를 조절하는 방식을 이용하나, 이것만으로는 플라스마 밀도의 조절이 용이하지 않다.1 is a cross-sectional view showing a general substrate processing apparatus 1 . Referring to FIG. 1 , high-frequency power is applied to the upper and/or lower portions of the substrate to excite the gas supplied into the chamber with plasma. For uniform processing of the substrate, it is necessary to provide a uniform plasma density in the chamber, and to control the plasma density, a power applied to the electrode 4 that is provided under the support plate 3 on which the substrate is generally placed and generates an electric field It uses a method of controlling the power and frequency of

본 발명은 챔버 내에 균일한 전계를 발생시킬 수 있는 장치를 제공하기 위한 것이다.An object of the present invention is to provide an apparatus capable of generating a uniform electric field in a chamber.

또한, 본 발명은 챔버 내에 균일한 밀도의 플라스마를 발생시킬 수 있는 장치를 제공하기 위한 것이다.Another object of the present invention is to provide an apparatus capable of generating plasma of uniform density in a chamber.

또한, 본 발명은 기판을 균일하게 처리할 수 있는 장치를 제공하기 위한 것이다.Another object of the present invention is to provide an apparatus capable of uniformly processing a substrate.

본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problem to be solved by the present invention is not limited to the above-mentioned problems, and the problems not mentioned can be clearly understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs from the present specification and the accompanying drawings. will be.

본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 내부에 처리 공간을 가지는 챔버와; 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛과; 상기 처리 공간 내로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과; 상기 처리 공간 내의 공정 가스로부터 플라스마를 생성하는 플라스마 소스;를 포함하되, 상기 지지 유닛은, 기판이 놓이는 지지판;과 고주파 전력이 인가되고, 상기 지지판의 하부에 제공된 하부 전극;을 포함하고, 상기 지지판은 상부에서 바라볼 때, 영역별로 서로 상이한 유전율을 가지도록 제공된다.The present invention provides a substrate processing apparatus. A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes: a chamber having a processing space therein; a support unit for supporting a substrate in the processing space; a gas supply unit supplying a process gas into the processing space; a plasma source generating plasma from the process gas in the processing space, wherein the support unit includes a support plate on which a substrate is placed, and a lower electrode to which high-frequency power is applied and provided under the support plate, the support plate comprising: is provided to have a different permittivity for each region when viewed from the top.

상기 지지판은 상부에서 바라볼 때, 영역별로 서로 상이한 재질로 제공된다.When viewed from the top, the support plate is provided with different materials for each area.

상기 영역은, 상기 지지판의 중앙 영역에 원형으로 제공된 제 1 영역; 및 상기 제 1 영역을 둘러싸는 링 형상으로 하나 또는 복수개로 제공된 제 2 영역을 포함한다.The region may include a first region provided in a circular shape in a central region of the support plate; and one or a plurality of second regions provided in a ring shape surrounding the first region.

상기 지지판은 중앙 영역에서 가장자리 영역으로 갈수록 유전율이 작게 제공된다.The support plate is provided with a lower dielectric constant from the center region to the edge region.

상기 고주파 전력은 공정 진행에 따라 주파수 또는 전력의 크기가 상이하게 인가된다.The high-frequency power is applied with different frequencies or magnitudes according to the progress of the process.

또한, 본 발명은 정전 척을 제공한다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 정전 척은 기판이 놓이는 지지판;과 상기 지지판의 내부에 제공되며, 전류가 인가되어 정전기력을 발생시켜 상기 기판을 상기 지지판에 흡착시키는 정전 전극;과 고주파 전력이 인가되고, 상기 지지판의 하부에 제공된 하부 전극;을 포함하고, 상기 지지판은 상부에서 바라볼 때, 영역별로 서로 상이한 유전율을 가지도록 제공된다.The present invention also provides an electrostatic chuck. An electrostatic chuck according to an embodiment of the present invention includes: a support plate on which a substrate is placed; an electrostatic electrode that is provided inside the support plate, an electric current is applied to generate an electrostatic force to adsorb the substrate to the support plate; and high frequency power is applied; , a lower electrode provided under the support plate; and the support plate is provided to have a different permittivity for each region when viewed from the top.

상기 지지판은 상부에서 바라볼 때, 영역별로 서로 상이한 재질로 제공된다.When viewed from the top, the support plate is provided with different materials for each area.

상기 영역은, 상기 지지판의 중앙 영역에 원형으로 제공된 제 1 영역; 및 상기 제 1 영역을 둘러싸는 링 형상으로 하나 또는 복수개로 제공된 제 2 영역을 포함한다.The region may include a first region provided in a circular shape in a central region of the support plate; and one or a plurality of second regions provided in a ring shape surrounding the first region.

상기 지지판은 중앙영역에서 가장자리 영역으로 갈수록 유전율이 작게 제공된다.The support plate is provided with a lower dielectric constant from the center region to the edge region.

또한, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치는, 내부에 처리 공간을 가지는 챔버와; 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛과; 상기 처리 공간 내로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과; 상기 처리 공간 내의 공정 가스로부터 플라스마를 생성하는 플라스마 소스;를 포함하되, 상기 지지 유닛은, 기판이 놓이는 지지판;과 고주파 전력이 인가되고, 상기 지지판의 하부에 제공된 하부 전극;을 포함하고, 상기 지지판은 상부에서 바라볼 때, 영역별로 상이한 두께로 제공된다.In addition, a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention includes: a chamber having a processing space therein; a support unit for supporting a substrate in the processing space; a gas supply unit supplying a process gas into the processing space; a plasma source generating plasma from the process gas in the processing space, wherein the support unit includes a support plate on which a substrate is placed, and a lower electrode to which high-frequency power is applied and provided under the support plate, the support plate comprising: is provided in different thicknesses for each region when viewed from the top.

상기 지지판은 하면이 영역별로 상기 하부 전극 과의 거리가 상이하게 제공된다.A lower surface of the support plate is provided with a different distance from the lower electrode for each area.

상기 지지판의 하면은 단차지도록 제공된다.A lower surface of the support plate is provided to be stepped.

상기 지지판의 하면의 중앙 영역은 상기 하부 전극과 접촉되고, 상기 지지판의 하면의 가장자리 영역은 상기 하부 전극과 이격되게 제공된다.A central region of the lower surface of the support plate is provided in contact with the lower electrode, and an edge region of the lower surface of the support plate is provided to be spaced apart from the lower electrode.

상기 지지판은 상기 하부 전극과 이격되게 제공된다.The support plate is provided to be spaced apart from the lower electrode.

상기 지지판 및 상기 하부 전극 사이에는 빈 공간이 형성된다.An empty space is formed between the support plate and the lower electrode.

상기 지지판은 상부에서 바라볼 때, 영역별로 서로 상이한 재질로 제공된다.When viewed from the top, the support plate is provided with different materials for each area.

상기 영역은, 상기 지지판의 중앙 영역에 원형으로 제공된 제 1 영역; 및 상기 제 1 영역을 둘러싸는 링 형상으로 하나 또는 복수개로 제공된 제 2 영역을 포함한다.The region may include a first region provided in a circular shape in a central region of the support plate; and one or a plurality of second regions provided in a ring shape surrounding the first region.

상기 지지판은 중앙 영역에서 가장자리 영역으로 갈수록 얇게 제공된다.The support plate is provided thinner from the central region toward the edge region.

상기 고주파 전력은 공정 진행에 따라 주파수 또는 전력의 크기가 상이하게 인가된다.The high-frequency power is applied with different frequencies or magnitudes according to the progress of the process.

또한, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 정전 척은, 기판이 놓이는 지지판;과 상기 지지판의 내부에 제공되며, 전류가 인가되어 정전기력을 발생시켜 상기 기판을 상기 지지판에 흡착시키는 정전 전극;과 고주파 전력이 인가되고, 상기 지지판의 하부에 제공된 하부 전극;을 포함하고, 상기 지지판은 상부에서 바라볼 때, 영역별로 상이한 두께로 제공된다.In addition, an electrostatic chuck according to another embodiment of the present invention includes: a support plate on which a substrate is placed; and an electrostatic electrode provided inside the support plate, to which a current is applied to generate an electrostatic force to adsorb the substrate to the support plate; and high-frequency power and a lower electrode provided under the support plate, wherein the support plate has a different thickness for each region when viewed from the top.

상기 지지판은 하면이 영역별로 상기 하부 전극과의 거리가 상이하게 제공된다.A lower surface of the support plate is provided with a different distance from the lower electrode for each area.

상기 지지판의 하면은 단차지도록 제공된다.A lower surface of the support plate is provided to be stepped.

상기 영역은, 상기 지지판의 중앙 영역에 원형으로 제공된 제 1 영역; 및 상기 제 1 영역을 둘러싸는 링 형상으로 하나 또는 복수개로 제공된 제 2 영역을 포함한다.The region may include a first region provided in a circular shape in a central region of the support plate; and one or a plurality of second regions provided in a ring shape surrounding the first region.

상기 지지판은 중앙 영역에서 가장자리 영역으로 갈수록 얇게 제공된다.The support plate is provided thinner from the central region toward the edge region.

본 발명의 일 실시 예에 따른 장치는 챔버 내에 균일한 전계를 발생시킬 수 있다.The apparatus according to an embodiment of the present invention may generate a uniform electric field in the chamber.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 따른 장치는 챔버 내에 균일한 밀도의 플라스마를 발생시킬 수 있다.In addition, the apparatus according to an embodiment of the present invention may generate a plasma having a uniform density in the chamber.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 따른 장치는 기판을 균일하게 처리할 수 있다.In addition, the apparatus according to an embodiment of the present invention can process a substrate uniformly.

도 1은 일반적인 기판 처리 장치를 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 3은 도 2의 지지판을 상부에서 바라본 도면이다.
도 4는 도 2의 지지 유닛의 일부를 보여주는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 지지 유닛의 일부를 보여주는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a general substrate processing apparatus.
2 is a cross-sectional view illustrating a substrate processing apparatus according to an exemplary embodiment.
3 is a view of the support plate of FIG. 2 viewed from the top.
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a part of the support unit of FIG. 2 .
5 is a cross-sectional view illustrating a part of a support unit of a substrate processing apparatus according to another exemplary embodiment.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. Embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those of ordinary skill in the art. Accordingly, the shapes of elements in the drawings are exaggerated to emphasize a clearer description.

본 발명의 실시 예에서는 플라스마를 이용하여 기판을 식각하는 기판 처리 장치 에 대해 설명한다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 챔버 내부에 플라스마를 발생시켜 기판을 처리하는 다양한 종류의 장치에 적용 가능하다.In an embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus for etching a substrate using plasma will be described. However, the present invention is not limited thereto, and may be applied to various types of apparatuses for processing substrates by generating plasma inside the chamber.

또한 본 발명의 실시예에서는 지지 유닛으로 정전 척을 예로 들어 설명한다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 지지 유닛은 기계적 클램핑에 의해 기판을 지지하거나, 진공에 의해 기판을 지지할 수 있다. In addition, in the embodiment of the present invention, an electrostatic chuck is described as an example of the support unit. However, the present invention is not limited thereto, and the support unit may support the substrate by mechanical clamping or support the substrate by vacuum.

도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 플라스마를 이용하여 기판(W)을 처리한다. 예를 들어, 기판 처리 장치(10)는 기판(W)에 대하여 식각 공정을 수행할 수 있다. 기판 처리 장치(10)는 챔버(100), 지지 유닛(200), 가스 공급 유닛(300), 플라스마 소스(400) 및 배기 유닛(500) 을 포함한다.2 is a cross-sectional view illustrating a substrate processing apparatus according to an exemplary embodiment. Referring to FIG. 2 , the substrate processing apparatus 10 processes the substrate W using plasma. For example, the substrate processing apparatus 10 may perform an etching process on the substrate W. The substrate processing apparatus 10 includes a chamber 100 , a support unit 200 , a gas supply unit 300 , a plasma source 400 , and an exhaust unit 500 .

챔버(100)는 기판을 처리하는 처리 공간을 가진다. 챔버(100)는 하우징(110), 커버(120), 그리고 라이너(130)를 포함한다. The chamber 100 has a processing space for processing a substrate. The chamber 100 includes a housing 110 , a cover 120 , and a liner 130 .

하우징(110)은 내부에 상면이 개방된 공간을 가진다. 하우징(110)의 내부 공간은 기판 처리 공정이 수행되는 처리 공간으로 제공된다. 하우징(110)은 금속 재질로 제공된다. 하우징(110)은 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 하우징(110)은 접지될 수 있다. 하우징(110)의 바닥면에는 배기홀(102)이 형성된다. 배기홀(102)은 배기 라인(151)과 연결된다. 공정 과정에서 발생한 반응 부산물 및 하우징의 내부 공간에 머무르는 가스는 배기 라인(151)을 통해 외부로 배출될 수 있다. 배기 과정에 의해 하우징(110) 내부는 소정 압력으로 감압된다. The housing 110 has an open upper surface therein. The inner space of the housing 110 is provided as a processing space in which a substrate processing process is performed. The housing 110 is provided with a metal material. The housing 110 may be made of an aluminum material. The housing 110 may be grounded. An exhaust hole 102 is formed in the bottom surface of the housing 110 . The exhaust hole 102 is connected to the exhaust line 151 . Reaction by-products generated during the process and gas remaining in the inner space of the housing may be discharged to the outside through the exhaust line 151 . The inside of the housing 110 is decompressed to a predetermined pressure by the exhaust process.

커버(120)는 하우징(110)의 개방된 상면을 덮는다. 커버(120)는 판 형상으로 제공되며, 하우징(110)의 내부공간을 밀폐시킨다. 커버(120)는 유전체(dielectric substance) 창을 포함할 수 있다.The cover 120 covers the open upper surface of the housing 110 . The cover 120 is provided in a plate shape, and seals the inner space of the housing 110 . The cover 120 may include a dielectric substance window.

라이너(130)는 하우징(110) 내부에 제공된다. 라이너(130)는 상면 및 하면이 개방된 내부 공간을 가진다. 라이너(130)는 원통 형상으로 제공될 수 있다. 라이너(130)는 하우징(110)의 내측면에 상응하는 반경을 가질 수 있다. 라이너(130)는 하우징(110)의 내측면을 따라 제공된다. 라이너(130)의 상단에는 지지 링(131)이 형성된다. 지지 링(131)은 링 형상의 판으로 제공되며, 라이너(130)의 둘레를 따라 라이너(130)의 외측으로 돌출된다. 지지 링(131)은 하우징(110)의 상단에 놓이며, 라이너(130)를 지지한다. 라이너(130)는 하우징(110)과 동일한 재질로 제공될 수 있다. 라이너(130)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 라이너(130)는 하우징(110)의 내측면을 보호한다. 공정 가스가 여기되는 과정에서 챔버(100) 내부에는 아크(Arc) 방전이 발생될 수 있다. 아크 방전은 주변 장치들을 손상시킨다. 라이너(130)는 하우징(110)의 내측면을 보호하여 하우징(110)의 내측면이 아크 방전으로 손상되는 것을 방지한다. 또한, 기판 처리 공정 중에 발생한 반응 부산물이 하우징(110)의 내측벽에 증착되는 것을 방지한다. 라이너(130)는 하우징(110)에 비하여 비용이 저렴하고, 교체가 용이하다. 따라서, 아크 방전으로 라이너(130)가 손상될 경우, 작업자는 새로운 라이너(130)로 교체할 수 있다.The liner 130 is provided inside the housing 110 . The liner 130 has an inner space in which the upper and lower surfaces are open. The liner 130 may be provided in a cylindrical shape. The liner 130 may have a radius corresponding to the inner surface of the housing 110 . The liner 130 is provided along the inner surface of the housing 110 . A support ring 131 is formed on the upper end of the liner 130 . The support ring 131 is provided as a ring-shaped plate, and protrudes to the outside of the liner 130 along the circumference of the liner 130 . The support ring 131 is placed on the top of the housing 110 and supports the liner 130 . The liner 130 may be made of the same material as the housing 110 . The liner 130 may be made of an aluminum material. The liner 130 protects the inner surface of the housing 110 . An arc discharge may be generated inside the chamber 100 while the process gas is excited. Arc discharge damages peripheral devices. The liner 130 protects the inner surface of the housing 110 to prevent the inner surface of the housing 110 from being damaged by arc discharge. In addition, the reaction by-product generated during the substrate processing process is prevented from being deposited on the inner wall of the housing 110 . The liner 130 has a lower cost than the housing 110 and is easy to replace. Accordingly, when the liner 130 is damaged by arc discharge, an operator may replace the liner 130 with a new one.

지지 유닛(200)은 챔버(100) 내부의 처리 공간 내에서 기판을 지지한다. 예를 들면, 지지 유닛(200)은 챔버 하우징(110)의 내부에 배치된다. 지지 유닛(200)은 기판(W)을 지지한다. 지지 유닛(200)은 정전기력(electrostatic force)을 이용하여 기판(W)을 흡착하는 정전 척으로 제공될 수 있다. 이와 달리, 지지 유닛(200)은 기계적 클램핑과 같은 다양한 방식으로 기판(W)을 지지할 수도 있다. 이하에서는 정전 척으로 제공된 지지 유닛(200)에 대하여 설명한다.The support unit 200 supports the substrate in the processing space inside the chamber 100 . For example, the support unit 200 is disposed inside the chamber housing 110 . The support unit 200 supports the substrate W. The support unit 200 may be provided as an electrostatic chuck for adsorbing the substrate W using an electrostatic force. Alternatively, the support unit 200 may support the substrate W in various ways such as mechanical clamping. Hereinafter, the support unit 200 provided as an electrostatic chuck will be described.

도 3은 도 2의 지지판(220)을 상부에서 바라본 도면이다. 도 4는 도 2의 지지 유닛(200)의 일부를 나타낸 단면도이다. 도 3 및 도 4를 참고하면, 지지 유닛(200)은 지지판(220), 하부 전극(230), 포커스 링(240), 절연 플레이트(250), 하부 커버(270) 및 정전 전극(280)을 포함한다. 지지 유닛(200)은 챔버(100) 내부에서 챔버 하우징(110)의 바닥면에서 상부로 이격되어 제공될 수 있다.3 is a view of the support plate 220 of FIG. 2 viewed from the top. 4 is a cross-sectional view illustrating a part of the support unit 200 of FIG. 2 . 3 and 4 , the support unit 200 includes a support plate 220 , a lower electrode 230 , a focus ring 240 , an insulating plate 250 , a lower cover 270 , and an electrostatic electrode 280 . include The support unit 200 may be provided to be spaced apart from the bottom surface of the chamber housing 110 to the top inside the chamber 100 .

지지판(220)에는 기판이 놓인다. 지지판(220)은 지지 유닛(200)의 상부에 위치한다. 지지판(220)은 원판 형상의 유전체(dielectric substance)로 제공된다. 지지판(220)의 상면에는 기판(W)이 놓인다. 지지판(220)의 상면은 기판(W)보다 작은 반경을 가질 수 있다. A substrate is placed on the support plate 220 . The support plate 220 is located above the support unit 200 . The support plate 220 is provided with a disk-shaped dielectric substance. A substrate W is placed on the upper surface of the support plate 220 . The upper surface of the support plate 220 may have a smaller radius than the substrate W.

지지판(220)은 상부에서 바라볼 때, 영역별로 서로 상이한 유전율을 가지도록 제공된다. 일 실시 예에 의하면, 지지판(220)은 상부에서 바라볼 때, 영역별로 상이한 재질로 제공된다. 지지판(220)은 중앙 영역에서 가장자리 영역으로 갈수록 유전율이 작게 제공될 수 있다. 예를 들면, 지지판(220)의 영역은 제 1 영역(221) 및 제 2 영역(222)을 포함한다. 제 1 영역(221)은 지지판(220)의 중앙 영역에 원형으로 제공된다. 제 2 영역(222)은 제 1 영역(221)을 둘러싸는 링 형상으로 하나 또는 복수개 제공될 수 있다. 지지판(220)은 제 1 영역(221)에서 제 2 영역(222) 중 제 1 영역(221)과 인접한 영역 및 제 2 영역(222) 중 제 1 영역(221)과 이격된 영역으로 갈수록 유전율이 작게 제공된다. 이와 달리, 지지판(220)의 영역은 다양한 형태로 제공될 수 있다. 또한, 유전율의 크기는 지지판(220)의 영역별로 상술한 경우와 상이하게 설정될 수 있다.When viewed from the top, the support plate 220 is provided to have a different permittivity for each region. According to an embodiment, the support plate 220 is provided with a different material for each region when viewed from the top. The support plate 220 may be provided with a lower dielectric constant from the central region toward the edge region. For example, the region of the support plate 220 includes a first region 221 and a second region 222 . The first region 221 is provided in a circular shape in the central region of the support plate 220 . One or a plurality of second regions 222 may be provided in a ring shape surrounding the first region 221 . The dielectric constant of the support plate 220 increases from the first region 221 to a region adjacent to the first region 221 among the second regions 222 and to a region spaced apart from the first region 221 among the second regions 222 . provided small. Alternatively, the region of the support plate 220 may be provided in various forms. In addition, the magnitude of the dielectric constant may be set differently from the above-described case for each region of the support plate 220 .

지지판(220)에는 기판(W)의 저면으로 열 전달 가스가 공급되는 통로가 형성될 수 있다. 지지판(220) 내에는 정전 전극(280)과 히터(미도시)가 매설된다. A passage through which a heat transfer gas is supplied to the bottom surface of the substrate W may be formed in the support plate 220 . An electrostatic electrode 280 and a heater (not shown) are embedded in the support plate 220 .

히터는 기판(W)을 소정 온도로 유지시킨다. 히터는 나선 형상의 코일을 포함할 수 있다. The heater maintains the substrate W at a predetermined temperature. The heater may include a spiral-shaped coil.

지지판(220)의 하부에는 하부 전극(230)이 위치한다. 지지판(220)의 저면과 하부 전극(230)의 상면은 접착제(236)에 의해 접착될 수 있다. 하부 전극(230)에는 고주파 전력이 인가된다. 고주파 전력은 주파수 또는 전력의 크기가 공정 진행에 따라 하부 전극(230)에 상이하게 인가될 수 있다. 따라서, 고주파 전력의 주파수 또는 전력의 크기를 조절함으로써, 처리공간의 전자기장을 제어하여 공정 진행 중 플라스마를 균일하게 생성시키도록 조절할 수 있다.A lower electrode 230 is positioned under the support plate 220 . The lower surface of the support plate 220 and the upper surface of the lower electrode 230 may be adhered by an adhesive 236 . High-frequency power is applied to the lower electrode 230 . The high frequency power may be applied to the lower electrode 230 differently according to the process progress of the frequency or the magnitude of the power. Accordingly, by controlling the frequency or the magnitude of the high-frequency power, it is possible to control the electromagnetic field of the processing space to uniformly generate plasma during the process.

하부 전극(230)에는 기판(W)의 저면으로 공급될 열 전달 가스가 순환하는 통로 및 냉각 유체가 순환하는 통로가 형성될 수 있다. 열 전달 가스는 기판(W)과 지지판(220) 간에 열 교환을 돕는 매개체 역할을 한다. 따라서 기판(W)은 전체적으로 온도가 균일하게 된다. 냉각 유체는 하부 전극(230)을 냉각한다. 하부 전극(230)은 냉각되면서 지지판(220)과 기판(W)을 함께 냉각시켜 기판(W)을 소정 온도로 유지시킨다.A passage through which a heat transfer gas to be supplied to the lower surface of the substrate W circulates and a passage through which a cooling fluid circulates may be formed in the lower electrode 230 . The heat transfer gas serves as a medium that helps heat exchange between the substrate W and the support plate 220 . Accordingly, the temperature of the substrate W becomes uniform as a whole. The cooling fluid cools the lower electrode 230 . As the lower electrode 230 is cooled, the support plate 220 and the substrate W are cooled together to maintain the substrate W at a predetermined temperature.

정전 전극(280)은 지지판(220)의 내부에 매설된다. 정전 전극(280)에는 직류 전원이 연결된다. 정전 전극(280)에 인가된 전류에 의해 정전 전극(280)과 기판(W) 사이에는 정전기력이 작용하며, 정전기력에 의해 기판(W)은 지지판(220)에 흡착된다.The electrostatic electrode 280 is embedded in the support plate 220 . A DC power is connected to the electrostatic electrode 280 . An electrostatic force acts between the electrostatic electrode 280 and the substrate W by the current applied to the electrostatic electrode 280 , and the substrate W is adsorbed to the support plate 220 by the electrostatic force.

도 5는 본 발명의 기판 처리 장치의 다른 실시 예에 따른 지지 유닛(200)의 일부를 보여주는 단면도이다. 도 5를 참고하면, 지지판(220)은 상부에서 바라볼 때, 영역별로 상이한 두께로 제공된다. 지지판(220)은 하면이 영역별로 하부 전극(230)과의 거리가 상이하게 제공된다. 지지판(220)은 중앙 영역에서 가장자리 영역으로 갈수록 얇게 제공될 수 있다. 지지판(220)의 하면은 단차지도록 제공될 수 있다. 예를 들면, 지지판(220)의 영역은 도 3 및 도 4의 경우와 동일하게 제공된 제 1 영역(221) 및 제 2 영역(222)을 포함하고, 지지판(220)은 제 1 영역(221)에서 제 2 영역(222) 중 제 1 영역(221)과 인접한 영역 및 제 2 영역(222) 중 제 1 영역(221)과 이격된 영역으로 갈수록 순차적으로 얇게 제공된다. 따라서, 지지판(220)의 하면의 중앙 영역은 하부 전극과 접촉되고, 지지판(220)의 하면의 가장자리 영역은 하부 전극(230)과 이격되게 제공될 수 있다. 이와 달리, 지지판(220) 하면 전체가 하부 전극(230)과 이격되게 제공될 수 있다. 그러므로, 지지판(220) 및 하부 전극(230) 사이에는 빈공간이 형성되거나, 지지판(220)과 상이한 유전율을 가지는 재질로 채워질 수 있다. 지지판(220) 하면 전체가 하부 전극(230)과 이격되게 제공되고, 지지판(220) 및 하부 전극(230) 사이에는 빈공간이 형성된 경우에는 지지판(220)은 그 측면에 돌기가 형성되어 포커스 링(240)에 지지되거나, 지지판(220) 및 하부 전극(230)의 사이에 지지판(220)을 지지하는 복수개의 지지대가 제공될 수 있다. 또한, 도 5의 경우와 달리, 지지판(220)의 영역은 다양한 형태로 제공될 수 있다. 또한, 지지판(220)의 두께는 지지판(220)의 영역별로 상술한 경우와 상이하게 설정될 수 있다. 또한, 본 실시 예에 따른 지지판(220)은 상부에서 바라볼 때, 영역별로 서로 상이한 재질로 제공될 수 있다. 상술한 바와 같이, 지지판(220)의 두께가 영역별로 서로 상이하게 제공됨으로써, 기판(W)의 상면 및 하부 전극(230) 사이의 각 영역별 평균 유전율의 크기를 각각 설정할 수 있다. 그 외 기판 처리 장치의 구성, 구조 및 기능 등은 도 4의 지지 유닛(200)이 제공된 기판 처리 장치와 유사하다.5 is a cross-sectional view showing a part of the support unit 200 according to another embodiment of the substrate processing apparatus of the present invention. Referring to FIG. 5 , the support plate 220 is provided with a different thickness for each region when viewed from the top. The support plate 220 is provided with a different distance from the lower electrode 230 for each area of the lower surface. The support plate 220 may be provided thinner from the central region toward the edge region. A lower surface of the support plate 220 may be provided to be stepped. For example, the region of the support plate 220 includes the first region 221 and the second region 222 provided in the same manner as in the cases of FIGS. 3 and 4 , and the support plate 220 includes the first region 221 . In the second region 222 , the thin portions are sequentially provided toward a region adjacent to the first region 221 and a region spaced apart from the first region 221 among the second regions 222 . Accordingly, the central region of the lower surface of the support plate 220 may be in contact with the lower electrode, and the edge region of the lower surface of the support plate 220 may be provided to be spaced apart from the lower electrode 230 . Alternatively, the entire lower surface of the support plate 220 may be provided to be spaced apart from the lower electrode 230 . Therefore, an empty space may be formed between the support plate 220 and the lower electrode 230 or may be filled with a material having a dielectric constant different from that of the support plate 220 . When the entire lower surface of the support plate 220 is provided to be spaced apart from the lower electrode 230 , and an empty space is formed between the support plate 220 and the lower electrode 230 , the support plate 220 has protrusions formed on the side thereof to form a focus ring A plurality of supports for supporting the support plate 220 may be provided between the support plate 220 and the lower electrode 230 or supported on the 240 . Also, unlike the case of FIG. 5 , the region of the support plate 220 may be provided in various shapes. In addition, the thickness of the support plate 220 may be set differently from the above-described case for each region of the support plate 220 . In addition, the support plate 220 according to the present embodiment may be provided with different materials for each region when viewed from the top. As described above, since the thickness of the support plate 220 is provided to be different for each region, the size of the average dielectric constant for each region between the upper surface and the lower electrode 230 of the substrate W may be set, respectively. Other structures, structures, functions, etc. of the substrate processing apparatus are similar to the substrate processing apparatus provided with the support unit 200 of FIG. 4 .

상술한 도 4 및 도 5의 지지판(220)의 재질 및/또는 두께에 따라 상부에서 바라볼 때, 지지판(220)의 상면 및 하부 전극(230) 사이의 각 영역별 평균 유전율의 크기는 시뮬레이션 또는 시험 가동을 통해 설정될 수 있다. When viewed from the top according to the material and/or thickness of the support plate 220 of FIGS. 4 and 5 described above, the magnitude of the average dielectric constant for each region between the upper surface of the support plate 220 and the lower electrode 230 is simulated or It can be set through a test run.

포커스 링(240)은 지지 유닛(200)의 가장자리 영역에 배치된다. 포커스 링(240)은 링 형상을 가지며, 지지판(220)을 둘러싸도록 제공된다. 예를 들면, 포커스 링(240)은 지지판(220)의 둘레를 따라 배치되어 기판(W)의 가장자리 영역을 지지한다. 포커스 링(240)은 상부 가장자리 영역이 링 형상으로 돌출되게 제공됨으로써, 플라스마가 기판(W)상으로 집중되도록 유도한다. The focus ring 240 is disposed on an edge region of the support unit 200 . The focus ring 240 has a ring shape and is provided to surround the support plate 220 . For example, the focus ring 240 is disposed along the circumference of the support plate 220 to support an edge region of the substrate W. The focus ring 240 is provided so that the upper edge region protrudes in a ring shape, thereby guiding the plasma to be concentrated on the substrate W. As shown in FIG.

하부 전극(230)의 하부에는 절연 플레이트(250)가 위치한다. 절연 플레이트(250)는 절연 재질로 제공되며, 하부 전극(230)과 하부 커버(270)를 전기적으로 절연시킨다. An insulating plate 250 is positioned under the lower electrode 230 . The insulating plate 250 is made of an insulating material and electrically insulates the lower electrode 230 and the lower cover 270 .

하부 커버(270)는 지지 유닛(200)의 하단부에 위치한다. 하부 커버(270)는 하우징(110)의 바닥면에서 상부로 이격되어 위치한다. 하부 커버(270)는 상면이 개방된 공간이 내부에 형성된다. 하부 커버(270)의 상면은 절연 플레이트(250)에 의해 덮어진다. 따라서 하부 커버(270)의 단면의 외부 반경은 절연 플레이트(250)의 외부 반경과 동일한 길이로 제공될 수 있다. 하부 커버(270)의 내부 공간에는 반송되는 기판(W)을 외부의 반송 부재로부터 전달받아 지지판으로 안착시키는 리프트 핀 등이 위치할 수 있다.The lower cover 270 is located at the lower end of the support unit 200 . The lower cover 270 is positioned to be spaced apart from the bottom surface of the housing 110 upwardly. The lower cover 270 has an open upper surface therein. The upper surface of the lower cover 270 is covered by the insulating plate 250 . Accordingly, the outer radius of the cross-section of the lower cover 270 may be the same length as the outer radius of the insulating plate 250 . In the inner space of the lower cover 270 , a lift pin for receiving the transferred substrate W from an external transfer member and mounting it on the support plate may be positioned.

하부 커버(270)는 연결 부재(273)를 갖는다. 연결 부재(273)는 하부 커버(270)의 외측면과 하우징(110)의 내측벽을 연결한다. 연결 부재(273)는 하부 커버(270)의 외측면에 일정한 간격으로 복수개 제공될 수 있다. 연결 부재(273)는 지지 유닛(200)을 챔버(100) 내부에서 지지한다. 또한, 연결 부재(273)는 하우징(110)의 내측벽과 연결됨으로써 하부 커버(270)가 전기적으로 접지(grounding)되도록 한다. 지지판(220) 내부의 전극, 유로, 하부 전극(230) 및 하부 전극 내부의 유로 등과 외부의 전원, 유체 저장장치 등을 연결하는 라인 등은 연결 부재(273)의 내부 공간을 통해 하부 커버(270) 내부로 연장된다.The lower cover 270 has a connecting member 273 . The connecting member 273 connects the outer surface of the lower cover 270 and the inner wall of the housing 110 . A plurality of connection members 273 may be provided on the outer surface of the lower cover 270 at regular intervals. The connection member 273 supports the support unit 200 in the chamber 100 . In addition, the connection member 273 is connected to the inner wall of the housing 110 so that the lower cover 270 is electrically grounded. The electrode, the flow path, the lower electrode 230 and the line connecting the external power source, the fluid storage device, etc. inside the support plate 220 are connected to the lower cover 270 through the inner space of the connection member 273 . ) extends inward.

가스 공급 유닛(300)은 챔버(100) 내부의 처리 공간에 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 유닛(300)은 가스 공급 노즐(310), 가스 공급 라인(320), 그리고 가스 저장부(330)를 포함한다. 가스 공급 노즐(310)은 커버(120)의 중앙부에 설치된다. 가스 공급 노즐(310)의 저면에는 분사구가 형성된다. 분사구는 커버(120)의 하부에 위치하며, 챔버(100) 내부로 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 라인(320)은 가스 공급 노즐(310)과 가스 저장부(330)를 연결한다. 가스 공급 라인(320)은 가스 저장부(330)에 저장된 공정 가스를 가스 공급 노즐(310)에 공급한다. 가스 공급 라인(320)에는 밸브(321)가 설치된다. 밸브(321)는 가스 공급 라인(320)을 개폐하며, 가스 공급 라인(320)을 통해 공급되는 공정 가스의 유량을 조절한다.The gas supply unit 300 supplies a process gas to the processing space inside the chamber 100 . The gas supply unit 300 includes a gas supply nozzle 310 , a gas supply line 320 , and a gas storage unit 330 . The gas supply nozzle 310 is installed in the center of the cover 120 . An injection hole is formed on the bottom surface of the gas supply nozzle 310 . The injection hole is located under the cover 120 , and supplies the process gas into the chamber 100 . The gas supply line 320 connects the gas supply nozzle 310 and the gas storage unit 330 . The gas supply line 320 supplies the process gas stored in the gas storage unit 330 to the gas supply nozzle 310 . A valve 321 is installed in the gas supply line 320 . The valve 321 opens and closes the gas supply line 320 and controls the flow rate of the process gas supplied through the gas supply line 320 .

플라스마 소스(400)는 챔버(100) 내부의 처리 공간 내에 공급된 공정가스로부터 플라스마를 생성한다. 일 실시 예에 따르면, 플라스마 소스(400)는 챔버(100)의 처리 공간의 외부에 제공된다. 플라스마 소스(400)로는 유도결합형 플라스마(ICP: inductively coupled plasma) 소스가 사용될 수 있다. 플라스마 소스(400)는 안테나 실(410), 안테나(420), 그리고 플라스마 전원(430)을 포함한다. 안테나 실(410)은 하부가 개방된 원통 형상으로 제공된다. 안테나 실(410)은 내부에 공간이 제공된다. 안테나 실(410)은 챔버(100)와 대응되는 직경을 가지도록 제공된다. 안테나 실(410)의 하단은 커버(120)에 탈착 가능하도록 제공된다. 안테나(420)는 안테나 실(410)의 내부에 배치된다. 안테나(420)는 복수 회 감기는 나선 형상의 코일로 제공되고, 플라스마 전원(430)과 연결된다. 안테나(420)는 플라스마 전원(430)으로부터 전력을 인가 받는다. 플라스마 전원(430)은 챔버(100) 외부에 위치할 수 있다. 전력이 인가된 안테나(420)는 챔버(100)의 처리 공간에 전자기장을 형성할 수 있다. 공정가스는 전자기장에 의해 플라스마 상태로 여기 된다. 이와 달리, 플라스마 소스로는 용량결합형 플라스마(CCP: Conductively coupled plasma) 소스 등 다양한 종류의 플라스마 소스가 제공될 수 있다.The plasma source 400 generates plasma from the process gas supplied into the processing space inside the chamber 100 . According to an embodiment, the plasma source 400 is provided outside the processing space of the chamber 100 . As the plasma source 400 , an inductively coupled plasma (ICP) source may be used. The plasma source 400 includes an antenna chamber 410 , an antenna 420 , and a plasma power source 430 . The antenna chamber 410 is provided in a cylindrical shape with an open bottom. The antenna chamber 410 is provided with a space therein. The antenna chamber 410 is provided to have a diameter corresponding to that of the chamber 100 . The lower end of the antenna chamber 410 is provided to be detachably attached to the cover 120 . The antenna 420 is disposed inside the antenna chamber 410 . The antenna 420 is provided as a spiral coil wound a plurality of times, and is connected to the plasma power source 430 . The antenna 420 receives power from the plasma power source 430 . The plasma power source 430 may be located outside the chamber 100 . The antenna 420 to which power is applied may form an electromagnetic field in the processing space of the chamber 100 . The process gas is excited into a plasma state by an electromagnetic field. Alternatively, various types of plasma sources such as a capacitively coupled plasma (CCP) source may be provided as the plasma source.

배기 유닛(500)은 하우징(110)의 내측벽과 지지 유닛(200)의 사이에 위치된다. 배기 유닛(500)은 관통홀(511)이 형성된 배기판(510)을 포함한다. 배기판(510)은 환형의 링 형상으로 제공된다. 배기판(510)에는 복수의 관통홀(511)들이 형성된다. 하우징(110) 내에 제공된 공정가스는 배기판(510)의 관통홀(511)들을 통과하여 배기홀(102)로 배기된다. 배기판(510)의 형상 및 관통홀(511)들의 형상에 따라 공정가스의 흐름이 제어될 수 있다.The exhaust unit 500 is positioned between the inner wall of the housing 110 and the support unit 200 . The exhaust unit 500 includes an exhaust plate 510 in which a through hole 511 is formed. The exhaust plate 510 is provided in an annular ring shape. A plurality of through holes 511 are formed in the exhaust plate 510 . The process gas provided in the housing 110 passes through the through holes 511 of the exhaust plate 510 and is exhausted to the exhaust hole 102 . The flow of the process gas may be controlled according to the shape of the exhaust plate 510 and the shape of the through holes 511 .

상술한 바와 같이, 본 발명의 실시 예들에 따른 지지 유닛 및 기판 처리 장치는 상부에서 바라볼 때, 지지판(220)의 재질 및/또는 두께에 따라 상부에서 바라볼 때, 지지판(220)의 상면 및 하부 전극(230) 사이의 영역별 평균 유전율의 크기를 각각 설정할 수 있다. 따라서, 상기 유전율에 영향을 받는 챔버 내의 전계를 균일하게 발생시킴으로써, 챔버 내에 균일한 밀도의 플라스마를 발생시켜 기판을 균일하게 처리할 수 있다.As described above, when viewed from the top, the support unit and the substrate processing apparatus according to embodiments of the present invention, when viewed from the top according to the material and/or thickness of the support plate 220, the upper surface of the support plate 220 and The size of the average dielectric constant for each region between the lower electrodes 230 may be set, respectively. Accordingly, by uniformly generating an electric field in the chamber affected by the dielectric constant, a plasma having a uniform density is generated in the chamber to uniformly process the substrate.

10: 기판 처리 장치 W: 기판
100: 챔버 200: 지지 유닛
220: 지지판 230: 하부 전극
280: 정전 전극 300: 가스 공급 유닛
400: 플라스마 소스 500: 배기 유닛10: substrate processing apparatus W: substrate
100: chamber 200: support unit
220: support plate 230: lower electrode
280: electrostatic electrode 300: gas supply unit
400: plasma source 500: exhaust unit

Claims (24)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 기판을 처리하는 장치에 있어서,
내부에 처리 공간을 가지는 챔버와;
상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛과;
상기 처리 공간 내로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과;
상기 처리 공간 내의 공정 가스로부터 플라스마를 생성하는 플라스마 소스;를 포함하되,
상기 지지 유닛은,
기판이 놓이는 지지판;과
고주파 전력이 인가되고, 상기 지지판의 하부에 제공된 하부 전극;을 포함하고,
상기 지지판은 상부에서 바라볼 때, 영역별로 상이한 두께로 제공되고,
상기 지지판의 하면 전체는 상기 하부 전극과 이격되게 제공되며, 상기 지지판과 상기 하부 전극 사이에는 빈 공간이 형성되고,
상기 빈 공간에는 상기 지지판과 상이한 유전율을 가진 재질로 채워지는 기판 처리 장치.An apparatus for processing a substrate, comprising:
a chamber having a processing space therein;
a support unit for supporting a substrate in the processing space;
a gas supply unit supplying a process gas into the processing space;
a plasma source for generating a plasma from a process gas in the processing space;
The support unit is
a support plate on which the substrate is placed; and
A lower electrode to which high-frequency power is applied and provided under the support plate;
When viewed from the top, the support plate is provided with a different thickness for each area,
The entire lower surface of the support plate is provided to be spaced apart from the lower electrode, and an empty space is formed between the support plate and the lower electrode,
The empty space is filled with a material having a dielectric constant different from that of the support plate. 제 10 항에 있어서,
상기 지지판은 하면이 영역별로 상기 하부 전극과의 거리가 상이하게 제공된 기판 처리 장치.11. The method of claim 10,
A substrate processing apparatus provided with a lower surface of the support plate having a different distance from the lower electrode for each region. 제 10 항에 있어서,
상기 지지판의 하면은 단차지도록 제공된 기판 처리 장치.11. The method of claim 10,
A substrate processing apparatus provided such that a lower surface of the support plate is stepped. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제 10 항에 있어서,
상기 지지판은 상부에서 바라볼 때, 영역별로 서로 상이한 재질로 제공된 기판 처리 장치.11. The method of claim 10,
When the support plate is viewed from above, the substrate processing apparatus is provided with different materials for each region. 제 10 항에 있어서,
상기 영역은,
상기 지지판의 중앙 영역에 원형으로 제공된 제 1 영역; 및
상기 제 1 영역을 둘러싸는 링 형상으로 하나 또는 복수개로 제공된 제 2 영역을 포함하는 기판 처리 장치.11. The method of claim 10,
The area is
a first region provided in a circular shape in a central region of the support plate; and
and one or a plurality of second regions provided in a ring shape surrounding the first region. 제 10 항 내지 제 12 항 및 제 16 항 내지 제 17 항 중 어느 하나에 있어서,
상기 지지판은 중앙 영역에서 가장자리 영역으로 갈수록 얇게 제공된 기판 처리 장치.18. The method according to any one of claims 10 to 12 and 16 to 17,
The support plate is provided to be thinner from the central region toward the edge region. 제 10 항 내지 제 12 항 및 제 16 항 내지 제 17 항 중 어느 하나에 있어서,
상기 고주파 전력은 공정 진행에 따라 주파수 또는 전력의 크기가 상이하게 인가되는 기판 처리 장치.18. The method according to any one of claims 10 to 12 and 16 to 17,
A substrate processing apparatus in which the high frequency power is applied at a different frequency or level according to the progress of the process. 기판이 놓이는 지지판;과
상기 지지판의 내부에 제공되며, 전류가 인가되어 정전기력을 발생시켜 상기 기판을 상기 지지판에 흡착시키는 정전 전극;과
고주파 전력이 인가되고, 상기 지지판의 하부에 제공된 하부 전극;을 포함하고,
상기 지지판은 상부에서 바라볼 때, 영역별로 상이한 두께로 제공되고,
상기 지지판의 하면 전체는 상기 하부 전극과 이격되게 제공되며, 상기 지지판과 상기 하부 전극 사이에는 빈 공간이 형성되고,
상기 빈 공간에는 상기 지지판과 상이한 유전율을 가진 재질로 채워지는 정전 척.a support plate on which the substrate is placed; and
an electrostatic electrode provided inside the support plate, to which an electric current is applied to generate an electrostatic force to adsorb the substrate to the support plate; and
a lower electrode to which high-frequency power is applied and provided under the support plate; and
When viewed from the top, the support plate is provided with a different thickness for each area,
The entire lower surface of the support plate is provided to be spaced apart from the lower electrode, and an empty space is formed between the support plate and the lower electrode,
The empty space is filled with a material having a dielectric constant different from that of the support plate. 제 20 항에 있어서,
상기 지지판은 하면이 영역별로 상기 하부 전극과의 거리가 상이하게 제공되는 정전 척.21. The method of claim 20,
In the support plate, a lower surface of the electrostatic chuck is provided with a different distance from the lower electrode for each area. 제 20 항에 있어서,
상기 지지판의 하면은 단차지도록 제공된 정전 척.21. The method of claim 20,
An electrostatic chuck provided such that a lower surface of the support plate is stepped. 제 20 항에 있어서,
상기 영역은,
상기 지지판의 중앙 영역에 원형으로 제공된 제 1 영역; 및
상기 제 1 영역을 둘러싸는 링 형상으로 하나 또는 복수개로 제공된 제 2 영역을 포함하는 정전 척.21. The method of claim 20,
The area is
a first region provided in a circular shape in a central region of the support plate; and
and one or a plurality of second regions provided in a ring shape surrounding the first region. 제 20 항 내지 제 23 항 중 어느 하나에 있어서,
상기 지지판은 중앙 영역에서 가장자리 영역으로 갈수록 얇게 제공된 정전 척.
24. The method according to any one of claims 20 to 23,
The support plate is provided to be thinner from the central region toward the edge region of the electrostatic chuck.
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