KR101853363B1 - Apparatus and method for treating substrate - Google Patents

Apparatus and method for treating substrate Download PDF

Info

Publication number
KR101853363B1
KR101853363B1 KR1020160083314A KR20160083314A KR101853363B1 KR 101853363 B1 KR101853363 B1 KR 101853363B1 KR 1020160083314 A KR1020160083314 A KR 1020160083314A KR 20160083314 A KR20160083314 A KR 20160083314A KR 101853363 B1 KR101853363 B1 KR 101853363B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
antenna
chamber
processing
plasma
Prior art date
Application number
KR1020160083314A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20180004344A (en
Inventor
이백주
이기영
강민구
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020160083314A priority Critical patent/KR101853363B1/en
Publication of KR20180004344A publication Critical patent/KR20180004344A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101853363B1 publication Critical patent/KR101853363B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/02312—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
    • H01L21/02315—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a gas or vapour treatment by exposure to a plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
    • H01L21/02337—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
    • H01L21/0234—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a gas or vapour treatment by exposure to a plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
    • H01L21/32135—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only
    • H01L21/32136—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only using plasmas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy

Abstract

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는, 기판을 처리하는 처리 공간을 가지는 챔버와; 상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛과; 상기 처리 공간으로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과; 상기 공정 가스로부터 플라스마를 발생시키도록 상기 챔버의 외부에 제공되는 플라스마 소스를 포함하되, 상기 플라스마 소스는, 상기 챔버의 상부에 제공되고, 상기 처리 공간 내에 전자기장을 형성하는 안테나를 가지는 안테나 유닛과; 상기 안테나를 상기 지지 유닛에 지지된 기판의 상면에 대해 경사지도록 지지하는 경사 부재;를 포함한다.The present invention relates to a substrate processing apparatus. A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes: a chamber having a processing space for processing a substrate; A support unit for supporting the substrate in the processing space; A gas supply unit for supplying a process gas into the process space; A plasma source provided outside the chamber to generate a plasma from the process gas, the plasma source comprising: an antenna unit provided at an upper portion of the chamber and having an antenna for forming an electromagnetic field in the processing space; And an inclined member which supports the antenna so as to be inclined with respect to the upper surface of the substrate supported by the support unit.

Figure R1020160083314
Figure R1020160083314

Description

기판 처리 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE}[0001] APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE [0002]

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라스마를 이용한 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus using plasma.

반도체소자를 제조하기 위해서, 기판을 포토리소그라피, 식각, 애싱, 이온주입, 박막증착, 그리고 세정 등 다양한 공정을 수행하여 기판 상에 원하는 패턴을 형성한다. 이 중 식각 공정은 기판 상에 형성된 막 중 선택된 가열 영역을 제거하는 공정으로 습식식각과 건식식각이 사용된다.In order to manufacture a semiconductor device, a substrate is subjected to various processes such as photolithography, etching, ashing, ion implantation, thin film deposition, and cleaning to form a desired pattern on the substrate. Among them, the wet etching and the dry etching are used for removing the selected heating region from the film formed on the substrate.

이 중 건식식각을 위해 플라스마를 이용한 식각 장치가 사용된다. 일반적으로 플라스마를 형성하기 위해서는 챔버의 내부공간에 전자기장을 형성하고, 전자기장은 챔버 내에 제공된 처리 가스를 플라스마 상태로 여기시킨다.Among them, an etching apparatus using a plasma is used for dry etching. Generally, in order to form a plasma, an electromagnetic field is formed in an inner space of a chamber, and an electromagnetic field excites a process gas provided in the chamber into a plasma state.

플라스마는 이온이나 전자, 라디칼 등으로 이루어진 이온화된 가스 상태를 말한다. 플라스마는 매우 높은 온도나, 강한 전계 혹은 고주파 전자계(RF Electromagnetic Fields)에 의해 생성된다. 반도체 소자 제조 공정은 플라스마를 사용하여 식각 공정을 수행한다. 식각 공정은 플라스마에 함유된 이온 입자들이 기판과 충돌함으로써 수행된다.Plasma is an ionized gas state composed of ions, electrons, radicals, and so on. Plasma is generated by very high temperatures, strong electric fields, or RF electromagnetic fields. The semiconductor device fabrication process employs a plasma to perform the etching process. The etching process is performed by colliding the ion particles contained in the plasma with the substrate.

일반적으로 기판의 균등한 처리를 위해, 기판 상의 영역별 전자기장의 세기를 조절하는 것이 요구된다. 도 1은 일반적인 기판 처리 장치(1)를 나타낸 단면도이다. 도 1을 참고하면, 일반적으로, 플라스마를 형성하기 위한 전자기장을 인가하는 안테나(2)는 내부 안테나(3) 및 외부 안테나(4)로 구성되고, 내부 안테나(3) 및 외부 안테나(4)로 인가되는 전류의 세기를 서로 상이하게 조절하거나, 안테나(2)의 구조를 변경함으로써, 기판 상의 영역별 전자기장의 세기를 조절하였다. 그러나 이것 만으로는 기판 상의 영역별 전기장의 세기의 조절은 용이하지 않다.In general, for equal treatment of the substrate, it is required to regulate the intensity of the electromagnetic field for each region on the substrate. 1 is a cross-sectional view showing a general substrate processing apparatus 1. 1, an antenna 2 for applying an electromagnetic field for forming a plasma is generally composed of an internal antenna 3 and an external antenna 4, and an internal antenna 3 and an external antenna 4 The intensity of the applied electromagnetic field is adjusted by adjusting the intensity of the applied electric current to be different from each other or by changing the structure of the antenna 2. However, it is not easy to control the intensity of the electric field by the area on the substrate alone.

본 발명은 기판 상의 영역별 전기장의 세기를 조절할 수 있는 장치 및 방법을 제공하기 위한 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is directed to an apparatus and method that can control the intensity of an electric field by region on a substrate.

또한, 본 발명은 기판 상의 영역별 플라스마의 밀도를 조절할 수 있는 장치 및 방법을 제공하기 위한 것이다.In addition, the present invention is intended to provide an apparatus and a method that can control the density of plasma by region on a substrate.

또한, 본 발명은 기판을 균일하게 처리할 수 있는 장치 및 방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention also provides an apparatus and a method for uniformly treating a substrate.

본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved by the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and the problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the description and the accompanying drawings will be.

본 발명은 기판을 처리하는 기판 처리 장치를 제공한다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는, 기판을 처리하는 처리 공간을 가지는 챔버와; 상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛과; 상기 처리 공간으로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과; 상기 공정 가스로부터 플라스마를 발생시키도록 상기 챔버의 외부에 제공되는 플라스마 소스를 포함하되, 상기 플라스마 소스는, 상기 챔버의 상부에 제공되고, 상기 처리 공간 내에 전자기장을 형성하는 안테나를 가지는 안테나 유닛과; 상기 안테나를 상기 지지 유닛에 지지된 기판의 상면에 대해 경사지도록 지지하는 경사 부재;를 포함한다.The present invention provides a substrate processing apparatus for processing a substrate. A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes: a chamber having a processing space for processing a substrate; A support unit for supporting the substrate in the processing space; A gas supply unit for supplying a process gas into the process space; A plasma source provided outside the chamber to generate a plasma from the process gas, the plasma source comprising: an antenna unit provided at an upper portion of the chamber and having an antenna for forming an electromagnetic field in the processing space; And an inclined member which supports the antenna so as to be inclined with respect to the upper surface of the substrate supported by the support unit.

상기 경사 부재는 상부에서 바라볼 때, 링 형상으로 제공되고, 측면에서 바라볼 때, 일단에서 타단으로 갈수록 두께가 두꺼워지도록 제공된다.The inclined member is provided in a ring shape when viewed from above, and is provided so as to be thicker from one end to the other end when viewed from the side.

상기 안테나 유닛은 상기 안테나를 지지하는 지지 부재를 더 포함하고, 상기 지지 부재는 상기 경사 부재와 상기 안테나 사이에 제공될 수 있다.The antenna unit may further include a support member for supporting the antenna, and the support member may be provided between the inclined member and the antenna.

상기 지지 부재는 상기 안테나의 직경보다 큰 직경을 가지는 원판 형상으로 제공되고, 상기 경사 부재는 상면이 상기 지지 부재의 가장자리 영역에 대향되게 제공될 수 있다.The support member may be provided in a disc shape having a diameter larger than the diameter of the antenna, and the inclined member may be provided with an upper surface facing the edge region of the support member.

상기 경사 부재에는 상하면을 관통하는 볼트 홀이 형성되고, 상기 플라스마 소스는 상기 지지 부재, 상기 볼트 홀 및 상기 챔버의 상벽을 관통하여 고정시키는 볼트 부재를 더 포함할 수 있다.The inclined member may be formed with a bolt hole passing through the upper and lower surfaces thereof. The plasma source may further include a bolt member for fixing the support member, the bolt hole, and the upper wall of the chamber.

상기 볼트 홀은 그 길이 방향이 상기 경사 부재의 둘레 방향을 따라 제공된다.The bolt hole is provided along the circumferential direction of the inclined member in its longitudinal direction.

상기 볼트 부재 및 상기 볼트 홀은 상기 경사 부재의 둘레 방향을 따라 복수개로 제공될 수 있다.The bolt member and the bolt hole may be provided in plural along the circumferential direction of the inclined member.

또한, 본 발명은 기판을 처리하는 기판 처리 방법을 제공한다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법은, 상기 경사 부재를 둘레 방향을 따라 회전 이동 시킴으로써, 상기 안테나의 경사 방향을 변경시키는 경사 방향 변경 단계; 및 이 후, 상기 처리 공간 내에서 기판에 대한 공정을 수행하는 공정 단계;를 포함한다.The present invention also provides a substrate processing method for processing a substrate. According to an embodiment of the present invention, there is provided a method of processing a substrate, comprising: a slanting direction changing step of changing the slanting direction of the antenna by rotating the slanting member along a circumferential direction; And then performing a process on the substrate in the processing space.

본 발명의 일 실시 예에 따른 장치 및 방법은 기판 상의 영역별 전기장의 세기를 조절할 수 있다.The apparatus and method according to an embodiment of the present invention can control the intensity of the electric field per area on the substrate.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 따른 장치 및 방법은 기판 상의 영역별 플라스마의 밀도를 조절할 수 있다.In addition, the apparatus and method according to an embodiment of the present invention can control the density of plasma by region on the substrate.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 따른 장치 및 방법은 기판을 균일하게 처리할 수 있다.Further, an apparatus and a method according to an embodiment of the present invention can uniformly process a substrate.

도 1은 일반적인 기판 처리 장치를 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 3은 도 2의 경사 부재를 보여주는 사시도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른, 기판 처리 방법을 보여주는 순서도이다.1 is a sectional view showing a general substrate processing apparatus.
2 is a cross-sectional view illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a perspective view showing the inclined member of FIG. 2. FIG.
4 is a flow diagram illustrating a substrate processing method, in accordance with an embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Thus, the shape of the elements in the figures has been exaggerated to emphasize a clearer description.

본 발명의 실시 예에서는 플라스마를 이용하여 기판을 식각하는 기판 처리 장치에 대해 설명한다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 기판 상의 영역별 전자기장의 세기를 조절하여, 기판을 균일하게 처리하는 것이 요구되는 다양한 종류의 장치에 적용 가능하다.In an embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus for etching a substrate using plasma will be described. However, the present invention is not limited to this, and is applicable to various kinds of apparatuses required to uniformly process the substrate by adjusting the intensity of the electromagnetic field for each region on the substrate.

또한 본 발명의 실시 예에서는 지지 유닛으로 정전 척을 예로 들어 설명한다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 지지 유닛은 기계적 클램핑에 의해 기판을 지지하거나, 진공에 의해 기판을 지지할 수 있다. In the embodiment of the present invention, an electrostatic chuck is described as an example of a supporting unit. However, the present invention is not limited to this, and the support unit can support the substrate by mechanical clamping or support the substrate by vacuum.

도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치(10)를 보여주는 단면도이다. 도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 플라스마를 이용하여 기판(W)을 처리한다. 예를 들어, 기판 처리 장치(10)는 기판(W)에 대하여 식각 공정을 수행할 수 있다. 기판 처리 장치(10)는 챔버(100), 지지 유닛(200), 가스 공급 유닛(300), 플라스마 소스(400) 및 배기 유닛(500) 을 포함한다.2 is a sectional view showing a substrate processing apparatus 10 according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 2, the substrate processing apparatus 10 processes the substrate W using a plasma. For example, the substrate processing apparatus 10 may perform an etching process on the substrate W. [ The substrate processing apparatus 10 includes a chamber 100, a support unit 200, a gas supply unit 300, a plasma source 400, and an exhaust unit 500.

챔버(100)는 기판을 처리하는 처리 공간을 가진다. 챔버(100)는 하우징(110), 커버(120), 그리고 라이너(130)를 포함한다. The chamber 100 has a processing space for processing the substrate. The chamber 100 includes a housing 110, a cover 120, and a liner 130.

하우징(110)은 내부에 상면이 개방된 공간을 가진다. 하우징(110)의 내부 공간은 기판 처리 공정이 수행되는 처리 공간으로 제공된다. 하우징(110)은 금속 재질로 제공된다. 하우징(110)은 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 하우징(110)은 접지될 수 있다. 하우징(110)의 바닥면에는 배기홀(102)이 형성된다. 배기홀(102)은 배기 라인(151)과 연결된다. 공정 과정에서 발생한 반응 부산물 및 하우징의 내부 공간에 머무르는 가스는 배기 라인(151)을 통해 외부로 배출될 수 있다. 배기 과정에 의해 하우징(110) 내부는 소정 압력으로 감압된다. The housing 110 has a space in which an upper surface is opened. The inner space of the housing 110 is provided to the processing space where the substrate processing process is performed. The housing 110 is made of a metal material. The housing 110 may be made of aluminum. The housing 110 may be grounded. An exhaust hole 102 is formed in the bottom surface of the housing 110. The exhaust hole 102 is connected to the exhaust line 151. The reaction by-products generated in the process and the gas staying in the inner space of the housing can be discharged to the outside through the exhaust line 151. The inside of the housing 110 is decompressed to a predetermined pressure by the exhaust process.

커버(120)는 하우징(110)의 개방된 상면을 덮는다. 커버(120)는 판 형상으로 제공되며, 하우징(110)의 내부공간을 밀폐시킨다. 커버(120)는 유전체(dielectric substance) 창을 포함할 수 있다.The cover 120 covers the open upper surface of the housing 110. The cover 120 is provided in a plate shape to seal the inner space of the housing 110. The cover 120 may include a dielectric substance window.

라이너(130)는 하우징(110) 내부에 제공된다. 라이너(130)는 상면 및 하면이 개방된 내부 공간을 가진다. 라이너(130)는 원통 형상으로 제공될 수 있다. 라이너(130)는 하우징(110)의 내측면에 상응하는 반경을 가질 수 있다. 라이너(130)는 하우징(110)의 내측면을 따라 제공된다. 라이너(130)의 상단에는 지지 링(131)이 형성된다. 지지 링(131)은 링 형상의 판으로 제공되며, 라이너(130)의 둘레를 따라 라이너(130)의 외측으로 돌출된다. 지지 링(131)은 하우징(110)의 상단에 놓이며, 라이너(130)를 지지한다. 라이너(130)는 하우징(110)과 동일한 재질로 제공될 수 있다. 라이너(130)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 라이너(130)는 하우징(110) 내측면을 보호한다. 공정 가스가 여기되는 과정에서 챔버(100) 내부에는 아크(Arc) 방전이 발생될 수 있다. 아크 방전은 주변 장치들을 손상시킨다. 라이너(130)는 하우징(110)의 내측면을 보호하여 하우징(110)의 내측면이 아크 방전으로 손상되는 것을 방지한다. 또한, 기판 처리 공정 중에 발생한 반응 부산물이 하우징(110)의 내측벽에 증착되는 것을 방지한다. 라이너(130)는 하우징(110)에 비하여 비용이 저렴하고, 교체가 용이하다. 따라서, 아크 방전으로 라이너(130)가 손상될 경우, 작업자는 새로운 라이너(130)로 교체할 수 있다.The liner 130 is provided inside the housing 110. The liner 130 has an inner space with open top and bottom surfaces. The liner 130 may be provided in a cylindrical shape. The liner 130 may have a radius corresponding to the inner surface of the housing 110. The liner 130 is provided along the inner surface of the housing 110. At the upper end of the liner 130, a support ring 131 is formed. The support ring 131 is provided in the form of a ring and projects outwardly of the liner 130 along the periphery of the liner 130. The support ring 131 rests on the top of the housing 110 and supports the liner 130. The liner 130 may be provided in the same material as the housing 110. The liner 130 may be made of aluminum. The liner 130 protects the inside surface of the housing 110. An arc discharge may be generated in the chamber 100 during the process gas excitation. Arc discharge damages peripheral devices. The liner 130 protects the inner surface of the housing 110 to prevent the inner surface of the housing 110 from being damaged by the arc discharge. In addition, reaction byproducts generated during the substrate processing process are prevented from being deposited on the inner wall of the housing 110. The liner 130 is less expensive than the housing 110 and is easier to replace. Thus, if the liner 130 is damaged by an arc discharge, the operator can replace the new liner 130.

지지 유닛(200)은 챔버(100) 내부의 처리 공간 내에서 기판을 지지한다. 예를 들면, 지지 유닛(200)은 챔버 하우징(110)의 내부에 배치된다. 지지 유닛(200)은 기판(W)을 지지한다. 지지 유닛(200)은 정전기력(electrostatic force)을 이용하여 기판(W)을 흡착하는 정전 척을 포함할 수 있다. 이와 달리, 지지 유닛(200)은 기계적 클램핑과 같은 다양한 방식으로 기판(W)을 지지할 수도 있다. 이하에서는 정전 척을 포함하는 지지 유닛(200)에 대하여 설명한다.The support unit 200 supports the substrate within the processing space inside the chamber 100. For example, the support unit 200 is disposed inside the chamber housing 110. The support unit 200 supports the substrate W. [ The support unit 200 may include an electrostatic chuck for attracting the substrate W using an electrostatic force. Alternatively, the support unit 200 may support the substrate W in various manners, such as mechanical clamping. Hereinafter, the support unit 200 including the electrostatic chuck will be described.

지지 유닛(200)은 정전 척 및 하부 커버(270)를 포함한다. 지지 유닛(200)은 챔버(100) 내부에서 챔버 하우징(110)의 바닥면에서 상부로 이격되어 제공될 수 있다.The support unit 200 includes an electrostatic chuck and a lower cover 270. The support unit 200 may be provided in the chamber 100 and spaced upward from the bottom surface of the chamber housing 110.

정전 척은 바디 및 절연 플레이트(250)를 가진다. 바디는 내부 유전판(220), 전극(223), 히터(225), 지지판(230), 그리고 포커스 링(240)을 포함한다.The electrostatic chuck has a body and an insulating plate (250). The body includes an inner dielectric plate 220, an electrode 223, a heater 225, a support plate 230, and a focus ring 240.

내부 유전판(220)은 정전 척의 상단부에 위치한다. 내부 유전판(220)은 원판 형상의 유전체(dielectric substance)로 제공된다. 내부 유전판(220)의 상면에는 기판(W)이 놓인다. 내부 유전판(220)의 상면은 기판(W)보다 작은 반경을 갖는다. 내부 유전판(220)에는 기판(W)의 저면으로 열 전달 가스가 공급되는 통로로 이용되는 제1 공급 유로(221)가 형성된다. 내부 유전판(220) 내에는 전극(223)과 히터(225)가 매설된다. The inner dielectric plate 220 is located at the upper end of the electrostatic chuck. The inner dielectric plate 220 is provided as a dielectric substance. A substrate W is placed on the upper surface of the inner dielectric plate 220. The upper surface of the inner dielectric plate 220 has a smaller radius than the substrate W. [ A first supply passage 221 is formed in the inner dielectric plate 220. The first supply passage 221 is used as a passage through which the heat transfer gas is supplied to the bottom surface of the substrate W. An electrode 223 and a heater 225 are buried in the inner dielectric plate 220.

전극(223)은 히터(225)의 상부에 위치한다. 전극(223)은 제1 하부 전원(223a)과 전기적으로 연결된다. 전극(223)에 인가된 전류에 의해 전극(223)과 기판(W) 사이에는 정전기력이 작용하며, 정전기력에 의해 기판(W)은 내부 유전판(220)에 흡착된다. The electrode 223 is located above the heater 225. The electrode 223 is electrically connected to the first lower power source 223a. An electrostatic force is applied between the electrode 223 and the substrate W by the current applied to the electrode 223 and the substrate W is attracted to the internal dielectric plate 220 by the electrostatic force.

히터(225)는 제2 하부 전원(225a)과 전기적으로 연결된다. 히터(225)는 제2 하부 전원(225a)에서 인가된 전류에 저항함으로써 열을 발생시킨다. 발생된 열은 내부 유전판(220)을 통해 기판(W)으로 전달된다. 히터(225)에서 발생된 열에 의해 기판(W)은 소정 온도로 유지된다. 히터(225)는 나선 형상의 코일을 포함한다. 내부 유전판(220)의 하부에는 지지판(230)이 위치한다. 내부 유전판(220)의 저면과 지지판(230)의 상면은 접착제(236)에 의해 접착될 수 있다.The heater 225 is electrically connected to the second lower power source 225a. The heater 225 generates heat by resisting the current applied from the second lower power supply 225a. The generated heat is transferred to the substrate W through the inner dielectric plate 220. The substrate W is maintained at a predetermined temperature by the heat generated in the heater 225. The heater 225 includes a helical coil. A support plate 230 is positioned below the inner dielectric plate 220. The bottom surface of the inner dielectric plate 220 and the top surface of the support plate 230 may be adhered by an adhesive 236. [

지지판(230)에는 제1 순환 유로(231), 제2 순환 유로(232), 그리고 제2 공급 유로(233)가 형성된다. 제1 순환 유로(231)는 열 전달 가스가 순환하는 통로로 제공된다. 제2 순환 유로(232)는 냉각 유체가 순환하는 통로로 제공된다. 제2 공급 유로(233)는 제1 순환 유로(231)와 제1 공급 유로(221)를 연결한다. 제1 순환 유로(231)는 열 전달 가스가 순환하는 통로로 제공된다. 제1 순환 유로(231)는 지지판(230) 내부에 나선 형상으로 형성될 수 있다. 또는, 제1 순환 유로(231)는 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 유로들이 동일한 중심을 갖도록 배치될 수 있다. 각각의 제1 순환 유로(231)들은 서로 연통될 수 있다. 제1 순환 유로(231)들은 동일한 높이에 형성된다.A first circulation channel 231, a second circulation channel 232, and a second supply channel 233 are formed in the support plate 230. The first circulation passage 231 is provided as a passage through which the heat transfer gas circulates. The second circulation flow passage 232 is provided as a passage through which the cooling fluid circulates. The second supply passage 233 connects the first circulation passage 231 with the first supply passage 221. The first circulation passage 231 is provided as a passage through which the heat transfer gas circulates. The first circulation flow path 231 may be formed in a spiral shape inside the support plate 230. Alternatively, the first circulation flow path 231 may be arranged so that the ring-shaped flow paths having different radii have the same center. Each of the first circulation flow paths 231 can communicate with each other. The first circulation flow paths 231 are formed at the same height.

제1 순환 유로(231)는 열전달 매체 공급라인(231b)을 통해 열전달 매체 저장부(231a)와 연결된다. 열전달 매체 저장부(231a)에는 열전달 매체가 저장된다. 열전달 매체는 불활성 가스를 포함한다. 실시예에 의하면, 열전달 매체는 헬륨(He) 가스를 포함한다. 헬륨 가스는 공급 라인(231b)을 통해 제1 순환 유로(231)에 공급되며, 제2 공급 유로(233)와 제1 공급 유로(221)를 순차적으로 거쳐 기판(W) 저면으로 공급된다. 헬륨 가스는 기판(W)과 정전 척(210) 간에 열 교환을 돕는 매개체 역할을 한다. 따라서 기판(W)은 전체적으로 온도가 균일하게 된다.The first circulation channel 231 is connected to the heat transfer medium storage unit 231a through the heat transfer medium supply line 231b. The heat transfer medium is stored in the heat transfer medium storage unit 231a. The heat transfer medium includes an inert gas. According to an embodiment, the heat transfer medium comprises helium (He) gas. The helium gas is supplied to the first circulation channel 231 through the supply line 231b and is supplied to the bottom surface of the substrate W through the second supply channel 233 and the first supply channel 221 in sequence. The helium gas serves as a medium for assisting heat exchange between the substrate W and the electrostatic chuck 210. Therefore, the temperature of the substrate W becomes uniform throughout.

제2 순환 유로(232)는 냉각 유체 공급 라인(232c)을 통해 냉각 유체 저장부(232a)와 연결된다. 냉각 유체 저장부(232a)에는 냉각 유체가 저장된다. 냉각 유체 저장부(232a) 내에는 냉각기(232b)가 제공될 수 있다. 냉각기(232b)는 냉각 유체를 소정 온도로 냉각시킨다. 이와 달리, 냉각기(232b)는 냉각 유체 공급 라인(232c) 상에 설치될 수 있다. 냉각 유체 공급 라인(232c)을 통해 제2 순환 유로(232)에 공급된 냉각 유체는 제2 순환 유로(232)를 따라 순환하며 지지판(230)을 냉각한다. 지지판(230)은 냉각되면서 내부 유전판(220)과 기판(W)을 함께 냉각시켜 기판(W)을 소정 온도로 유지시킨다.The second circulation channel 232 is connected to the cooling fluid storage 232a through the cooling fluid supply line 232c. The cooling fluid is stored in the cooling fluid storage part 232a. A cooler 232b may be provided in the cooling fluid storage portion 232a. The cooler 232b cools the cooling fluid to a predetermined temperature. Alternatively, the cooler 232b may be installed on the cooling fluid supply line 232c. The cooling fluid supplied to the second circulation channel 232 through the cooling fluid supply line 232c circulates along the second circulation channel 232 to cool the support plate 230. The support plate 230 cools the internal dielectric plate 220 and the substrate W together while keeping the substrate W at a predetermined temperature.

포커스 링(240)은 정전 척의 가장자리 영역에 배치된다. 포커스 링(240)은 링 형상을 가지며, 내부 유전판(220)의 둘레를 따라 배치되어 기판(W)의 가장자리 영역을 지지한다. 포커스 링(240)은 상부 가장자리 영역이 링 형상으로 돌출되게 제공됨으로써, 플라스마가 기판(W)상으로 집중되도록 유도한다. 포커스 링(240)의 표면은 유전체 재질로 제공된다. 예를 들면, 포커스 링(240)의 표면은 산화이트륨(Y2O3) 재질로 코팅되어 제공될 수 있다. 공정 시간이 증가 될수록 포커스 링(240)의 표면은 식각되어 표면의 유전체 재질로 제공된 층의 두께가 변화된다. 변화된 포커스 링(240)의 표면의 유전체 층의 두께는 공정에 영향을 미친다. 예를 들면, 기판 처리 장치(10)가 플라스마를 이용하여 기판을 식각하는 장치인 경우, 포커스 링(240)의 표면의 유전체 층의 두께가 얇아지면 애칭률이 감소될 수 있다. 따라서, 포커스 링(240)은 표면의 유전체 층의 두께가 일정 두께 이하가 되는 경우, 새로운 포커스 링(240)으로 교체된다.The focus ring 240 is disposed in the edge region of the electrostatic chuck. The focus ring 240 has a ring shape and is disposed along the periphery of the inner dielectric plate 220 to support the edge region of the substrate W. [ The focus ring 240 is provided so that the upper edge region protrudes in a ring shape, thereby inducing the plasma to be concentrated onto the substrate W. [ The surface of the focus ring 240 is provided with a dielectric material. For example, the surface of the focus ring 240 may be coated with a yttrium oxide (Y 2 O 3) material. As the process time increases, the surface of the focus ring 240 is etched to change the thickness of the layer provided with the dielectric material of the surface. The thickness of the dielectric layer on the surface of the modified focus ring 240 affects the process. For example, in the case where the substrate processing apparatus 10 is an apparatus for etching a substrate using plasma, the nicking rate can be reduced if the thickness of the dielectric layer on the surface of the focus ring 240 is reduced. Therefore, the focus ring 240 is replaced with a new focus ring 240 when the thickness of the dielectric layer on the surface becomes less than a certain thickness.

지지판(230)의 하부에는 절연 플레이트(250)가 위치한다. 절연 플레이트(250)는 절연 재질로 제공되며, 지지판(230)과 하부 커버(270)를 전기적으로 절연시킨다. An insulating plate 250 is disposed under the support plate 230. The insulating plate 250 is made of an insulating material and electrically insulates the supporting plate 230 and the lower cover 270.

하부 커버(270)는 지지 유닛(200)의 하단부에 위치한다. 하부 커버(270)는 하우징(110)의 바닥면에서 상부로 이격되어 위치한다. 하부 커버(270)는 상면이 개방된 공간이 내부에 형성된다. 하부 커버(270)의 상면은 절연 플레이트(250)에 의해 덮어진다. 따라서 하부 커버(270)의 단면의 외부 반경은 절연 플레이트(250)의 외부 반경과 동일한 길이로 제공될 수 있다. 하부 커버(270)의 내부 공간에는 반송되는 기판(W)을 외부의 반송 부재로부터 정전 척으로 이동시키는 리프트 핀 모듈(미도시) 등이 위치할 수 있다.The lower cover 270 is located at the lower end of the support unit 200. The lower cover 270 is spaced upwardly from the bottom surface of the housing 110. The lower cover 270 has a space in which an upper surface is opened. The upper surface of the lower cover 270 is covered with an insulating plate 250. The outer radius of the cross section of the lower cover 270 may be provided with a length equal to the outer radius of the insulating plate 250. [ A lift pin module (not shown) for moving the substrate W to be transferred from an external conveying member to the electrostatic chuck may be positioned in the inner space of the lower cover 270.

하부 커버(270)는 연결 부재(273)를 갖는다. 연결 부재(273)는 하부 커버(270)의 외측면과 하우징(110)의 내측벽을 연결한다. 연결 부재(273)는 하부 커버(270)의 외측면에 일정한 간격으로 복수개 제공될 수 있다. 연결 부재(273)는 지지 유닛(200)을 챔버(100) 내부에서 지지한다. 또한, 연결 부재(273)는 하우징(110)의 내측벽과 연결됨으로써 하부 커버(270)가 전기적으로 접지(grounding)되도록 한다. 제1 하부 전원(223a)과 연결되는 제1 전원라인(223c), 제2 하부 전원(225a)과 연결되는 제2 전원라인(225c), 열전달 매체 저장부(231a)와 연결된 열전달 매체 공급라인(231b) 그리고 냉각 유체 저장부(232a)와 연결된 냉각 유체 공급 라인(232c)등은 연결 부재(273)의 내부 공간을 통해 하부 커버(270) 내부로 연장된다.The lower cover 270 has a connecting member 273. The connecting member 273 connects the outer side surface of the lower cover 270 and the inner side wall of the housing 110. A plurality of connecting members 273 may be provided on the outer surface of the lower cover 270 at regular intervals. The connecting member 273 supports the support unit 200 inside the chamber 100. Further, the connecting member 273 is connected to the inner wall of the housing 110, so that the lower cover 270 is electrically grounded. A first power supply line 223c connected to the first lower power supply 223a, a second power supply line 225c connected to the second lower power supply 225a, a heat transfer medium supply line 233b connected to the heat transfer medium storage 231a And a cooling fluid supply line 232c connected to the cooling fluid reservoir 232a extend into the lower cover 270 through the inner space of the connection member 273. [

가스 공급 유닛(300)은 챔버(100) 내부의 처리 공간에 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 유닛(300)은 가스 공급 노즐(310), 가스 공급 라인(320), 그리고 가스 저장부(330)를 포함한다. 가스 공급 노즐(310)은 커버(120)의 중앙부에 설치된다. 가스 공급 노즐(310)의 저면에는 분사구가 형성된다. 분사구는 커버(120)의 하부에 위치하며, 챔버(100) 내부로 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 라인(320)은 가스 공급 노즐(310)과 가스 저장부(330)를 연결한다. 가스 공급 라인(320)은 가스 저장부(330)에 저장된 공정 가스를 가스 공급 노즐(310)에 공급한다. 가스 공급 라인(320)에는 밸브(321)가 설치된다. 밸브(321)는 가스 공급 라인(320)을 개폐하며, 가스 공급 라인(320)을 통해 공급되는 공정 가스의 유량을 조절한다.The gas supply unit 300 supplies the process gas to the processing space inside the chamber 100. The gas supply unit 300 includes a gas supply nozzle 310, a gas supply line 320, and a gas storage unit 330. The gas supply nozzle 310 is installed at the center of the cover 120. A jetting port is formed on the bottom surface of the gas supply nozzle 310. The injection port is located at the bottom of the cover 120 and supplies the process gas into the chamber 100. The gas supply line 320 connects the gas supply nozzle 310 and the gas storage unit 330. The gas supply line 320 supplies the process gas stored in the gas storage unit 330 to the gas supply nozzle 310. A valve 321 is installed in the gas supply line 320. The valve 321 opens and closes the gas supply line 320 and regulates the flow rate of the process gas supplied through the gas supply line 320.

플라스마 소스(400)는 처리 공간 내에 공급된 공정가스를 플라스마 상태로 여기시킨다. 플라스마 소스(400)는 챔버(100)의 외부에 제공된다. 플라스마 소스(400)로는 유도결합형 플라스마(ICP: inductively coupled plasma) 소스가 사용될 수 있다. 플라스마 소스(400)는 안테나 실(410), 안테나 유닛(420) 그리고 경사 부재(430)를 포함한다. The plasma source 400 excites the process gas supplied in the process space into a plasma state. A plasma source (400) is provided outside the chamber (100). As the plasma source 400, an inductively coupled plasma (ICP) source may be used. The plasma source 400 includes an antenna chamber 410, an antenna unit 420, and an inclined member 430.

안테나 실(410)은 하부가 개방된 원통 형상으로 제공된다. 안테나 실(410)은 내부에 공간이 제공된다. 안테나 실(410)은 챔버(100)와 대응되는 직경을 가지도록 제공된다. 안테나 실(410)의 하단은 커버(120)의 상부에 탈착 가능하도록 제공된다. The antenna chamber 410 is provided in a cylindrical shape with its bottom opened. The antenna chamber 410 is provided with a space therein. The antenna chamber 410 is provided so as to have a diameter corresponding to the chamber 100. The lower end of the antenna chamber 410 is detachably provided on the upper portion of the cover 120.

일 실시 예에 따르면, 안테나 유닛(420)은 안테나(421) 및 지지 부재(422)를 포함한다.According to one embodiment, the antenna unit 420 includes an antenna 421 and a support member 422.

안테나(421)는 챔버(100)의 상부에 제공된다. 일 실시 예에 따르면, 안테나(421)는 안테나 실(410)의 내부에 배치된다. 안테나(421)는 복수 회 감기는 나선 형상의 코일로 제공되고, 플라스마 전원(423)과 연결된다. 안테나(421)는 플라스마 전원(423)으로부터 전력을 인가 받는다. 플라스마 전원(423)은 챔버(100) 외부에 위치할 수 있다. 전력이 인가된 안테나(421)는 챔버(100)의 처리 공간에 전자기장을 형성한다. 공정 가스는 안테나(421)에 의한 전자기장에 의해 플라스마 상태로 여기 된다.An antenna 421 is provided at an upper portion of the chamber 100. According to one embodiment, the antenna 421 is disposed inside the antenna chamber 410. The antenna 421 is provided with a helical coil having a plurality of turns, and is connected to the plasma power source 423. The antenna 421 receives power from the plasma power source 423. The plasma power source 423 may be located outside the chamber 100. The powered antenna 421 forms an electromagnetic field in the process space of the chamber 100. The process gas is excited into a plasma state by an electromagnetic field generated by the antenna 421.

지지 부재(422)는 안테나(421)를 지지한다. 지지 부재(422)는 경사 부재(430)와 안테나(421) 사이에 제공된다. 일 실시 예에 따르면, 지지 부재(422)는 안테나(421)의 직경보다 큰 직경을 가지는 원판 형상으로 제공된다. The support member 422 supports the antenna 421. A support member 422 is provided between the inclined member 430 and the antenna 421. According to one embodiment, the support member 422 is provided in the shape of a disk having a diameter larger than the diameter of the antenna 421. [

도 3은 도 2의 경사 부재(430)를 보여주는 사시도이다. 도 2 및 도 3을 참조하면, 경사 부재(430)는 안테나(421)를 지지 유닛(200)에 지지된 기판(W)의 상면에 대해 경사지도록 지지한다. 일 실시 예에 따르면, 경사 부재(430)는 상부에서 바라볼 때, 링 형상으로 제공된다. 그리고, 경사 부재(430)는 측면에서 바라볼 때, 일단에서 타단으로 갈수록 두께가 두꺼워지도록 제공된다. 경사 부재(430)는 상면이 원판 형상으로 제공된 지지 부재(422)의 가장자리 영역에 대향되게 제공된다. 3 is a perspective view showing the inclined member 430 of FIG. 2 and 3, the inclined member 430 supports the antenna 421 so as to be inclined with respect to the upper surface of the substrate W supported by the support unit 200. [ According to one embodiment, the angled member 430 is provided in a ring shape when viewed from above. The inclined member 430 is provided so as to be thicker from one end to the other end when viewed from the side. The inclined member 430 is provided so as to face the edge region of the support member 422 whose upper surface is provided in a disc shape.

경사 부재(430)에는 상하 면을 관통하는 볼트 홀이 형성된다. 플라스마 소스(400)는 볼트 부재(432)를 더 포함할 수 있다. 볼트 부재(432)는 지지 부재(422), 볼트 홀(431) 및 챔버(100)의 상벽을 관통하여 고정시킨다. 챔버(100)의 상벽은 도 2의 경우, 커버(120)로 제공된다. 볼트 홀(431)은 길이 방향이 경사 부재(430)의 둘레 방향을 따라 제공된다. 볼트 부재(432) 및 볼트 부재(432)는 복수개가 서로 이격되게 경사 부재(430)의 둘레 방향을 따라 제공될 수 있다. 볼트 홀(431)의 너비는 볼트 부재(432)의 직경보다 크게 제공된다. 예를 들면, 볼트 홀(431)의 너비는 경사 부재(430)가 정위치에서 허용 범위 이상 벗어나지 않는 크기로 제공된다. 챔버(100)의 상벽에는 볼트 부재(432)의 하부의 나사와 맞물리도록 내측면이 나사 형상으로 제공되는 볼트 홈(121)이 제공된다. The inclined member 430 is formed with bolt holes passing through upper and lower surfaces thereof. The plasma source 400 may further include a bolt member 432. The bolt member 432 penetrates and fixes the support member 422, the bolt hole 431, and the upper wall of the chamber 100. The upper wall of the chamber 100 is provided to the cover 120 in the case of FIG. The bolt hole 431 is provided along the circumferential direction of the inclined member 430 in the longitudinal direction. The bolt member 432 and the bolt member 432 may be provided along the circumferential direction of the inclined member 430 such that a plurality of the bolt members 432 and the bolt member 432 are spaced apart from each other. The width of the bolt hole 431 is larger than the diameter of the bolt member 432. [ For example, the width of the bolt hole 431 is provided in such a size that the inclined member 430 does not deviate more than the allowable range in the correct position. On the upper wall of the chamber 100, there is provided a bolt groove 121 in which an inner side is provided in a screw shape so as to engage with a screw of a lower portion of the bolt member 432.

따라서, 상술한 바와 같이, 경사 부재(430)에 볼트 홀(431)이 형성되고, 볼트 부재(432)가 제공됨으로써, 경사 부재(430)의 경사 방향을 용이하게 변경시킬 수 있다. 경사 부재(430)의 경사 방향은 시험 가동 또는 시뮬레이션에 따라 결정될 수 있다. 이와 달리, 경사 부재(430) 및 경사 부재를 고정시키는 구성은 경사 부재를 그 중심을 축으로 회전 이동시킨 후 고정시킬 수 있는 다양한 구성 및 구조로 제공될 수 있다. Therefore, as described above, the inclined member 430 is provided with the bolt hole 431 and the bolt member 432 is provided, so that the inclination direction of the inclined member 430 can be easily changed. The oblique direction of the inclined member 430 may be determined according to a test operation or a simulation. Alternatively, the configuration for fixing the slant member 430 and the slant member may be provided in various configurations and structures that can fix the slant member by rotating the center of the slant member about its axis.

배기 유닛(500)은 하우징(110)의 내측벽과 지지 유닛(200)의 사이에 위치된다. 배기 유닛(500)은 관통홀(511)이 형성된 배기판(510)을 포함한다. 배기판(510)은 환형의 링 형상으로 제공된다. 배기판(510)에는 복수의 관통홀(511)들이 형성된다. 하우징(110) 내에 제공된 공정가스는 배기판(510)의 관통홀(511)들을 통과하여 배기홀(102)로 배기된다. 배기판(510)의 형상 및 관통홀(511)들의 형상에 따라 공정가스의 흐름이 제어될 수 있다.The exhaust unit 500 is positioned between the inner wall of the housing 110 and the support unit 200. The exhaust unit 500 includes an exhaust plate 510 having a through-hole 511 formed therein. The exhaust plate 510 is provided in an annular ring shape. A plurality of through holes 511 are formed in the exhaust plate 510. The process gas provided in the housing 110 passes through the through holes 511 of the exhaust plate 510 and is exhausted to the exhaust hole 102. The flow of the process gas can be controlled according to the shape of the exhaust plate 510 and the shape of the through holes 511. [

이 하, 상술한 기판 처리 장치를 이용하여 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 설명한다. 도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른, 기판 처리 방법을 보여주는 순서도이다. 도 2 및 도 4를 참조하면, 기판 처리 방법은 경사 방향 변경 단계(S10) 및 공정 단계(S20)를 포함한다.Hereinafter, a substrate processing method according to an embodiment of the present invention will be described using the above-described substrate processing apparatus. 4 is a flow diagram illustrating a substrate processing method, in accordance with an embodiment of the present invention. Referring to Figs. 2 and 4, the substrate processing method includes an inclining direction changing step S10 and a processing step S20.

경사 방향 변경 단계(S10)에서는 경사 부재(430)를 둘레 방향을 따라 회전 이동시킴으로써, 안테나(421)의 경사 방향을 변경시킨다. 예를 들면, 볼트 부재(432)를 회전시켜 볼트 홈(121)으로부터 이탈시킨다. 이 경우, 경사 부재(430)에는 볼트 홈(121)이 제공되므로, 볼트 부재(432)를 경사 부재(430)로부터 완전히 이탈 시키는 것이 요구되지 않는다. 볼트 부재(432)를 볼트 홈(121)으로부터 이탈 시킨 상태에서 경사 부재(430)를 원하는 각도만큼 회전 이동시키고, 이후, 볼트 부재(432)를 다시 지지 부재(422), 경사 부재(430) 및 커버(120)를 관통하여 고정시킨다. In the oblique direction changing step S10, the oblique direction of the antenna 421 is changed by rotating the oblique member 430 along the circumferential direction. For example, the bolt member 432 is rotated to disengage from the bolt groove 121. In this case, since the inclined member 430 is provided with the bolt groove 121, it is not required to completely disengage the bolt member 432 from the inclined member 430. The inclined member 430 is rotated by a desired angle in a state where the bolt member 432 is disengaged from the bolt groove 121 and then the bolt member 432 is moved back to the support member 422, The cover 120 is passed through and fixed.

공정 단계(S20)는 경사 방향 변경 단계(S10)가 완료된 이 후 수행된다. 공정 단계(S20)에서는 챔버(100) 내의 처리 공간 내에서 기판에 대한 공정이 수행된다. 공정 단계(S20)에서는 플라스마를 이용하여 기판을 식각하는 공정이 수행될 수 있다. 예를 들면, 지지 유닛(200)에 기판(W)이 공급되고, 가스 공급 유닛(300)은 공정 가스를 처리 공간으로 공급하고, 플라스마 소스에는 전력이 인가되어 전자기장을 형성시킴으로써, 공급된 공정 가스를 플라스마로 여기시킨다. The process step S20 is performed after the slant direction changing step S10 is completed. In process step S20, a process is performed on the substrate within the processing space within the chamber 100. [ In the process step S20, a process of etching the substrate using plasma may be performed. For example, the substrate W is supplied to the support unit 200, the gas supply unit 300 supplies the process gas to the process space, and electric power is applied to the plasma source to form an electromagnetic field, Into the plasma.

상술한 바와 같이, 본 발명의 장치 및 방법은 경사 부재(430)를 이용하여 안테나(421)의 경사 방향을 조절함으로써, 기판 상의 영역별 전기장의 세기를 조절할 수 있다. 따라서, 기판 상의 영역별 플라스마의 밀도를 조절하여, 기판을 균일하게 처리할 수 있다.As described above, the apparatus and method of the present invention can adjust the intensity of the electric field for each region on the substrate by adjusting the inclination direction of the antenna 421 using the inclined member 430. Thus, by controlling the density of the plasma by region on the substrate, the substrate can be treated uniformly.

10: 기판 처리 장치 W: 기판
100: 챔버 200: 지지 유닛
300: 가스 공급 유닛 400: 플라스마 소스
420: 안테나 유닛 421: 안테나
430: 경사 부재 431: 볼트 홀
432: 볼트 부재 500: 배기 유닛10: substrate processing apparatus W: substrate
100: chamber 200: support unit
300: gas supply unit 400: plasma source
420: antenna unit 421: antenna
430: inclined member 431: bolt hole
432: bolt member 500: exhaust unit

Claims (8)

기판을 처리하는 장치에 있어서,
기판을 처리하는 처리 공간을 가지는 챔버와;
상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛과;
상기 처리 공간으로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과;
상기 공정 가스로부터 플라스마를 발생시키도록 상기 챔버의 외부에 제공되는 플라스마 소스를 포함하되,
상기 플라스마 소스는,
상기 챔버의 상부에 제공되고, 상기 처리 공간 내에 전자기장을 형성하는 안테나를 가지는 안테나 유닛과;
상기 안테나를 상기 지지 유닛에 지지된 기판의 상면에 대해 경사지도록 지지하는 경사 부재;를 포함하며,
상기 경사 부재는, 상부에서 바라볼 때, 링 형상으로 제공되고, 측면에서 바라 볼 때, 일단에서 타단으로 갈수록 두께가 두꺼워지도록 제공되고,
상기 경사 부재에는, 상기 경사 부재의 이탈을 방지하고 회전을 가이드할 수 있도록, 복수의 결합 부재 홀이 상하면을 관통해 형성되고,
상기 플라스마 소스는 상기 결합 부재 홀을 관통하고 상기 챔버의 상부에 고정되는 복수의 결합 부재를 더 포함하고,
상기 복수의 결합 부재 홀은 상기 경사 부재의 둘레 방향을 따라 연장되어 제공된, 기판 처리 장치.An apparatus for processing a substrate,
A chamber having a processing space for processing the substrate;
A support unit for supporting the substrate in the processing space;
A gas supply unit for supplying a process gas into the process space;
And a plasma source provided outside the chamber to generate a plasma from the process gas,
Wherein the plasma source comprises:
An antenna unit provided on an upper portion of the chamber and having an antenna for forming an electromagnetic field in the processing space;
And an inclined member which supports the antenna so as to be inclined with respect to the upper surface of the substrate supported by the supporting unit,
The inclined member is provided in a ring shape when viewed from above, and is provided so as to be thicker from one end toward the other end when viewed from the side,
A plurality of engaging member holes are formed in the inclined member so as to penetrate the upper and lower surfaces thereof so as to prevent the inclining member from departing and to guide the rotation,
Wherein the plasma source further comprises a plurality of engaging members penetrating the engaging member holes and being secured to the upper portion of the chamber,
And the plurality of engagement member holes are provided extending along the circumferential direction of the inclined member. 제 1 항에 있어서,
상기 챔버는 내부에 상기 처리 공간을 형성하는 하우징과 상기 하우징의 개방된 상면을 덮는 커버를 더 포함하고,
상기 경사 부재는 상기 커버의 상면에 지지되고,
상기 복수의 결합 부재는 상기 커버의 상면에 결합되는 기판 처리 장치. The method according to claim 1,
The chamber further including a housing defining the processing space therein and a cover covering an open top surface of the housing,
The inclined member is supported on the upper surface of the cover,
And the plurality of engaging members are coupled to the upper surface of the cover. 제 1 항에 있어서,
상기 안테나 유닛은 상기 안테나를 지지하는 지지 부재를 더 포함하고,
상기 지지 부재는 외측 둘레가 상기 경사 부재에 지지되고, 상기 결합 부재에 의해 관통되는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the antenna unit further comprises a support member for supporting the antenna,
Wherein the support member is supported on the inclined member at an outer periphery thereof and penetrated by the engagement member. 제 3 항에 있어서,
상기 지지 부재는 상기 안테나의 직경보다 큰 직경을 가지는 원판 형상으로 제공되고,
상기 경사 부재는 상면이 상기 지지 부재의 가장자리 영역에 대향되게 제공되는 기판 처리 장치.The method of claim 3,
Wherein the support member is provided in a disc shape having a diameter larger than the diameter of the antenna,
Wherein the inclined member is provided with an upper surface facing the edge region of the support member. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 하나의 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서,
상기 경사 부재를 둘레 방향을 따라 회전 이동 시킴으로써, 상기 안테나의 경사 방향을 변경시키는 경사 방향 변경 단계; 및
이 후, 상기 처리 공간 내에서 기판에 대한 공정을 수행하는 공정 단계;를 포함하는 기판 처리 방법.A method of processing a substrate using a substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 4,
An oblique direction changing step of changing the oblique direction of the antenna by rotationally moving the oblique member along the circumferential direction; And
And then performing a process on the substrate in the processing space.
KR1020160083314A 2016-07-01 2016-07-01 Apparatus and method for treating substrate KR101853363B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160083314A KR101853363B1 (en) 2016-07-01 2016-07-01 Apparatus and method for treating substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160083314A KR101853363B1 (en) 2016-07-01 2016-07-01 Apparatus and method for treating substrate

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180004344A KR20180004344A (en) 2018-01-11
KR101853363B1 true KR101853363B1 (en) 2018-05-02

Family

ID=61004051

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160083314A KR101853363B1 (en) 2016-07-01 2016-07-01 Apparatus and method for treating substrate

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101853363B1 (en)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009085708A1 (en) * 2007-12-19 2009-07-09 Applied Materials, Inc. Method of correcting baseline skew by a novel motorized source coil assembly

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009085708A1 (en) * 2007-12-19 2009-07-09 Applied Materials, Inc. Method of correcting baseline skew by a novel motorized source coil assembly

Also Published As

Publication number Publication date
KR20180004344A (en) 2018-01-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102039969B1 (en) Supporting unit and substrate treating apparatus including the same
KR101927936B1 (en) Substrate treating apparatus
US10236194B2 (en) Supporting unit and substrate treatment apparatus
KR101791871B1 (en) Electrostatic chuck and substrate treating apparatus including the same
KR20190033672A (en) Substrate treating apparatus and substrate treating method
KR102330281B1 (en) Electrostatic chuck and substrate treating apparatus including the chuck
KR102278077B1 (en) Supporting unit and apparatus and method for treating substrate comprising the same
KR102323320B1 (en) Apparatus and method for treating substrate comprising the same
KR102568804B1 (en) Support unit and apparatus for treating a substrate with the support unit
KR101955611B1 (en) Substrate treating apparatus and cleaning method for substrate treating apparatus
KR101853363B1 (en) Apparatus and method for treating substrate
KR101853365B1 (en) Apparatus for treating substrate
KR102186071B1 (en) Apparatus and method for treating substrate
KR101569886B1 (en) Substrate supporting unit and substrate treating apparatus including the same
US20210035782A1 (en) Substrate supporting device and substrate treating apparatus including the same
KR101408787B1 (en) Apparatus for treating substrate
KR101885569B1 (en) Apparatus for treating substrate
KR20130037525A (en) Apparatus for treating substrate
KR101995762B1 (en) Substrate treating apparatus and substrate treating method
KR101955584B1 (en) Apparatus for treating substrate
KR101979599B1 (en) Apparatus and method for treating substrate comprising the same
KR102323078B1 (en) Apparatus for treating substrate
KR101502853B1 (en) Supporting unit and apparatus for treating substrate
KR102072996B1 (en) Substrate treating apparatus and substrate treating method
KR101543686B1 (en) Method and apparatus for treating substrate

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant