KR20190137094A - 판금 스택으로 판금부들을 결합시키기 위한 장치 및 방법 - Google Patents

판금 스택으로 판금부들을 결합시키기 위한 장치 및 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 판금 스택(3)으로 판금부들(2)을 결합시키기 위한 장치(1) 및 방법에 관한 것으로, 상기 판금부들(2)은, 자체 하나 이상의 평면 측(6, 7)에서 핫멜트 바니시 층(hotmelt varnish layer)(8, 9)에 의해 코팅된 전기 스트립(5)으로부터 펀치아웃(puch out)되고, 상기 펀치아웃된 판금부들(2)은 적층되고 상기 핫멜트 바니시 층(8, 9)의 열적 활성화에 의해 복수의 판금 스택(3)으로 재료 결합 방식으로 결합하며, 이때 상기 판금부들(2)의 펀치아웃 공정 이전에 상기 전기 스트립(5)은 상기 핫멜트 바니시 층(8, 9)의 부분 영역(23, 43) 내에서, 사전 준비된 이와 같은 부분 영역(23, 43)을 포함하는 판금부(2)의 펀치아웃 공정 이후에 이와 같은 판금부(2)가 판금 스택들(3)로 상기 적층된 판금부들(2)의 분리를 수월하게 하도록 사전 준비된다. 판금 스택들로 상기 재료 결합 방식으로 결합한 판금부들의 간단하고도 정확한 분리를 달성하기 위해, 상기 부분 영역(23, 43)을 생성할 목적으로, 전기 스트립(5)의 사전 준비시 상기 전기 스트립(5)의 핫멜트 바니시 층(8, 9)이 자체 층 두께(29, 49)에서 레이저 광(20, 40)을 이용한 제거에 의해 적어도 감소하도록 제안된다.

Description

판금부들을 판금 스택으로 결합하기 위한 장치 및 방법
본 발명은 판금 스택으로 판금부들을 결합시키기 위한 장치 및 방법에 관한 것으로, 상기 판금부들은, 자체 하나 이상의 평면 측에서 핫멜트 바니시 층(hotmelt varnish layer)에 의해 코팅된 전기 스트립으로부터 펀치아웃(puch out)되고, 상기 펀치아웃된 판금부들은 적층되고 상기 핫멜트 바니시 층의 열적 활성화에 의해 복수의 판금 스택으로 재료 결합 방식으로 결합하며, 이때 상기 판금부들의 펀치아웃 공정 이전에 상기 전기 스트립은 상기 핫멜트 바니시 층의 부분 영역 내에서, 사전 준비된 이와 같은 부분 영역을 포함하는 판금부의 펀치아웃 공정 이후에 이와 같은 판금부가 판금 스택들로 상기 적층된 판금부들의 분리를 수월하게 하도록 사전 준비된다.
펀치 스태킹(punch stacking)에서 사전- 또는 심지어 최종 접착된 판금부들을 판금 스택들로 분리할 수 있기 위해, 선행 기술(WO2014/089593A1)로부터, 판금 스택들로 적층된 판금부들의 분리를 수월하게 할 목적으로 점진적 펀칭 공구 이전에 전기 스트립 상으로 분리막을 국부적으로 적층하는 것이 공지되어 있다. 그에 따라 상기 판금부들의 펀치아웃 공정 이전에 상기 전기 스트립은 핫멜트 바니시 층의 부분 영역 내에서, 사전 준비된 이와 같은 부분 영역을 포함하는 판금부의 펀치아웃 공정 이후에 후속하는 판금부와의 재료 결합 방식의 결합이 발생하지 않도록 사전 준비된다.
상기 분리막의 적용시에, 스택 브레이크 내에서 판금 스택의 종료점 또는 시작점으로서 판금 스택들의 분리를 표시하는, 분리될 판금부의 관점에서 매우 정확한 위치 설정을 요구한다. 형태 정확한 판금 스택들을 얻기 위해서는 이러한 방법이 비교적 복잡하거나, 또는 높은 재생 가능성이 달성될 수 없다.
따라서 본 발명은, 판금 스택들로 재료 결합 방식으로 결합한 판금부들의 분리가 방법 기술적으로 간단하고도 재생 가능하게 달성될 수 있도록, 도입부에 전술된 유형의 방법을 개선하는 과제를 제기했다.
본 발명은 제기된 상기 과제를 상기 방법과 관련하여, 부분 영역을 생성하기 위해, 전기 스트립의 사전 준비시 상기 전기 스트립의 핫멜트 바니시 층이 자체 층 두께에서 레이저 광을 이용한 제거에 의해 적어도 감소하도록 함으로써 해결한다.
부분 영역을 생성하기 위해, 전기 스트립의 사전 준비시 상기 전기 스트립의 핫멜트 바니시 층이 자체 층 두께에서 레이저 광을 이용한 제거에 의해 감소하면, 우선 판금 스택들로 펀치아웃되어 결합한 판금부들의 분리를 수월하게 하기 위한 방법 기술적으로 간단한 해결책이 제공될 수 있다.
본 발명에 따르면, 이와 같은 방식으로 특히 바람직하게, 사전 준비된 이와 같은 부분 영역을 포함하는 판금부의 펀치아웃 공정 이후에 이와 같은 판금부가 판금 스택들로 적층된 판금부들의 분리를 수월하게 하는 상황이 달성된다. 상기 핫멜트 바니시 층의 제거에 의해 말하자면 인접하는 판금부들 사이의 감소한 또는 불충분한 접착 작용이 예상될 수 있으며, 이는 일종의 목표-파괴 위치로서 정확한 판금 스택들로 상기 판금부들의 분리를 보장할 수 있다. 이와 같은 방식으로 무엇보다 상기 방법의 신뢰성이 증가할 수 있다. 일반적으로, 핫멜트 바니시 층이 자체 층 두께에서 부분적으로 또는 완전히 제거되는데, 다시 말해 단지 감소하거나, 또는 완전히 제거될 수 있다는 사실이 언급된다.
그뿐 아니라 레이저 광을 이용한 전기 스트립의 이러한 사전 준비는 재생 가능성의 관점에서 바람직할 수 있는데, 그 이유는 이와 같은 제거가 예를 들어 제어- 또는 조절 기술적인 조치들에 의해 펀치아웃 공정의 좁은 허용 오차 요구들을 만족시킬 수 있기 때문이다. 그에 따라 판금 스택들로 재료 결합 방식으로 결합한 판금부들의 재생 가능한 분리가 구현될 수 있으며, 이는 상기 판금 스택들의 높은 형태 정확성을 보장한다.
따라서 상기 유형의 판금 스택들은 전기 기계들 혹은 전기 또는 전자기 적용예들에 특히 우수하게 적합하다. 이러한 사실은 특수하게 전기 판금 스택들에도 적용된다.
일반적으로, 전기 스트립으로 강철로 이루어진 반제품이 고려될 수 있고, 이는 예를 들어 최종 열처리 상태의 냉간 압연 된, 비방향성 전기 스트립(DIN EN10106) 또는 최종 열처리 상태의 방향성 전기 스트립(DIN EN10107)일 수 있다는 사실이 언급된다.
일반적으로 또한, 레이저 광은 하나 또는 복수의 레이저의 방사선으로 이해된다는 사실이 언급된다. 이 경우, 예를 들어 CO2-레이저 등이 이용될 수 있다.
일반적으로 또한, 형태 안정적인 판금 스택들로 판금부들의 재료 결합 방식의 결합을 지원하기 위해, 전기 스트립은 자체 하나 또는 두 개의 평면 측에서 핫멜트 층에 의해, 다시 말해 경화 가능한, 폴리머 접착층에 의해 코팅되어 있다는 사실이 분명해진다. 핫멜트 층으로서 바람직하게 베이킹 바니시 층(baking varnish layer)이 적합할 수 있고, 이때 고온 경화되는 베이킹 바니시 층이 특히 바람직할 수 있다. 이 경우, 이용되는 레이저는 전기 스트립의 상부 평면 측 및 하부 평면 측에 배치될 수 있거나, 또는 두 개의 평면 측에 배치될 수 있다.
부분 영역 내에서 상기 핫멜트 바니시 층이 잔여 층 두께까지 제거되면, 상기 방법의 재생 가능성은 추가로 증가할 수 있다. 상기 방식으로 말하자면 전기 스트립 또는 펀치아웃된 판금부에 남아있는 잔여 층 두께에 의해, 판금 스택을 예를 들어 부식에 대해 보호하기 위해, 판금 재료 위에 보호층이 보장될 수 있다. 또한, 잔여 층 두께까지 상기 핫멜트 바니시 층의 제거시에, 판금 스택들로 재료 결합 방식으로 결합한 판금부들의 간단한 분리를 위해, 접착 특성들의 이미 충분한 감소가 달성될 수 있다. 이와 같은 장점들의 조합에 의해 레이저 광은 대단히 바람직한 것으로 판명될 수 있다.
앞에서 언급된 장점들과 관련해서 특히, 상기 핫멜트 바니시 층이 1㎛ 이상의 잔여 층 두께까지 제거되는 경우가 바람직할 수 있다. 이 경우, 1.5㎛ 이상의 잔여 층 두께까지 제거되는 것이 적합한 것으로 입증된다.
상기 방법은 또한, 부분 영역 내에서 상기 핫멜트 바니시 층이 레이저 광에 의해 열적으로 활성화되는 경우에 자체 재생 가능성에서 개선될 수 있다. 이와 같은 방식으로 상기 핫멜트 바니시 층의 제거 동안에 예를 들어 상기 핫멜트 바니시 층은 자체 잔여 층 두께에 걸쳐서 가열될 수 있고, 그에 따라 핫멜트 층은 열적으로 활성화되거나, 또는 경화될 수 있다. 그에 따라, 판금 스택들로 서로 연결된 판금부들의 확실한 분리를 구현하기 위해, 상기 핫멜트 바니시 층의 접착력을 감소시키거나, 또는 이와 같은 접착력을 비활성화할 수 있다.
전기 스트립의 하부 및 상부 평면 측에서 부분 영역들을 생성하기 위해, 서로 마주 놓인 두 개의 평면 측에서 각각 핫멜트 바니시 층에 의해 코팅된 상기 전기 스트립의 핫멜트 바니시 층들이 레이저 광에 의해 적어도 부분적으로 자체 개별적인 층 두께에서 제거되면, 무엇보다 방법 진행이 가속화될 수 있다. 또한, 상기 방법이 자체 재생 가능성에서 개선될 수 있는데, 그 이유는 판금 스택들의 간단한 분리를 구현하기 위해, 상기 방식으로 양측이 핫멜트 바니시에 의해 코팅된 전기 스트립의 경우, 서로 인접하는 두 개의 판금 스택에서 서로를 향해 있는 두 개의 핫멜트 바니시 층이 각각 상응하게 제거될 수 있기 때문이다. 이 경우, 서로 마주 놓인 평면 측들에서 핫멜트 바니시 층의 제거는, 펀치아웃 공정 이후에 각각 두 개의 판금부가 자체 적어도 부분적으로 제거된 핫멜트 바니시 층들에 의해 서로 연결되도록 교대로 이루어질 수 있다.
일반적으로, 전기 스트립의 하부 및 상부 평면 측에서 핫멜트 바니시 층의 제거가 동시에 발생할 수 있다는 사실이 분명해진다.
하부 부분 영역들이 전기 스트립의 전진 방향으로 상기 전기 스트립의 평면 측의 상부 부분 영역들에 대해 변위 되어 배치되어 있으면, 판금부들이 펀치아웃 공정 이후에 스택 디바이스 내에서 자체 제거된 부분 영역들에 의해 서로를 향하도록 적층되는 것이 간단한 방식으로 가능하다. 그럼으로써 판금 스택들로 특히 간단한 추후 분리가 이루어질 수 있고, 그에 따라 더 신뢰할 만한 방법이 제공될 수 있다.
특히 재생 가능성의 관점에서 이와 같은 장점들은 본 발명에 따라 심지어, 판금부들이 전기 스트립으로부터 점진적으로 펀칭 되는 경우에도 높이 평가될 수 있으며, 본 발명에 따르면 무엇보다 선행 기술의 분리 수단의 복잡한 위치 설정이 더는 중요하지 않다.
판금부가 핫멜트 바니시 층의 제거된 부분 영역 내에서 펀치아웃되면, 결과적으로 펀치아웃된 판금부들에서 제거된 부분 영역들의 높은 피팅 정확성(fitting precision)이 주어질 수 있다. 그에 따라, 특히 신뢰할 만한 방법이 제조될 수 있다.
레이저 광이 전기 스트립의 전진 방향에 대해 횡 방향으로 편향됨으로써, 본 발명에 따른 방법은 방법 기술적인 간단함에서 바람직할 수 있다. 이와 관련해서, 상기 레이저 광이 진동하면서 상기 전기 스트립의 전진 방향에 대해 횡 방향으로 편향되는 경우가 적합한 것으로 입증된다. 판금 스트립의 전진과 관련해서 핫멜트 바니시 층의 제거는 상기 전기 스트립의 모든 방향으로 구현될 수 있다.
그 밖에 본 발명은, 형태 정확한 판금 스택들을 제조하기 위해, 판금 스택들로 재료 결합 방식으로 결합한 판금부들의 분리가 안정적으로 이루어질 수 있도록, 판금 스택으로 판금부들을 결합시키기 위한 장치를 구조적으로 개선하는 과제를 제기했다. 또한, 상기 장치는 구조적으로 단순하게 설계되어야 한다.
본 발명은 제기된 상기 과제를 상기 장치와 관련하여, 디바이스가 펀칭 스텝(punching step) 앞에서 레이저의 레이저 광을 이용한 제거에 의해 부분 영역 내에서 핫멜트 바니시 층의 층 두께를 적어도 감소시킬 목적으로 편향 장치를 구비한 하나 이상의 레이저를 포함하도록 함으로써 해결한다.
디바이스가 펀칭 스텝 이전에 레이저의 레이저 광을 이용한 제거에 의해 부분 영역 내에서 핫멜트 바니시 층의 층 두께를 적어도 감소시킬 목적으로 편향 장치를 구비한 하나 이상의 레이저를 포함함으로써, 이미 상기 펀칭 스텝 이전에 상기 핫멜트 바니시 층의 정확하고도 국부적인 제거가 실시될 수 있고, 그럼으로써 어떤 경우에도 치수 정확한 판금 스택들로 적층된 판금부들의 형태 정확하고 간단한 분리가 이루어질 수 있다. 이와 같은 방식으로 특히 안정적이고 구조적으로 단순한 장치가 주어질 수 있다. 이미 언급된 것처럼, 상기 핫멜트 바니시 층이 자체 층 두께에서 부분적으로 또는 완전히 제거되는데, 다시 말해 단지 감소하거나, 또는 완전히 제거된다는 사실을 고려할 수 있다. 전기 스트립 또는 펀치아웃된 판금부에 남아있는 잔여 층 두께는, 예를 들어 판금 스택을 부식에 대해 보호하기 위해, 판금 재료 위에 언급된 보호 층을 보장할 수 있다.
일반적으로, 양측이 핫멜트 바니시 층에 의해 코팅된 전기 스트립들의 경우, 각각 편향 장치를 구비한 하나 이상의 레이저가 전기 스트립의 각각의 평면 측에 제공될 수 있다는 사실이 분명해진다. 그에 따라 상기 전기 스트립의 두 개의 평면 측에서 핫멜트 바니시 층의 상호 무관한 제거가 구현된다.
도면들에는 예를 들어 본 발명의 대상이 실시 변형예에 의해 도시되어 있다.
도 1은 판금 스태킹을 위한 장치의 개략도이고,
도 2는 도 1에 따른 장치의 점진적 펀칭 공구의 평면도이며,
도 3은 도 1의 스택 브레이크의 분해 상세도이고, 그리고
도 4는 전기 스트립의 분해 횡단면도이다.
도 1의 실시예에 따르면, 본 발명에 따른 방법을 실시하기 위한 장치(1)가 개략적으로 도시된다. 이와 같은 장치(1)는 판금 스택들(3)로 펀치아웃된 판금부들(2)의 스태킹을 위해 이용된다. 이를 위해, 코일(4)로부터 전기 스트립(5)이 풀리고, 상기 전기 스트립은 자체 하나 또는 두 개의 평면 측(6, 7)에 전체 표면적에 걸쳐서 핫멜트 바니시 층(8, 9), 말하자면 고온 경화된 베이킹 바니시를 포함하며, 상기 핫멜트 바니시 층(8, 9)은 예를 들어 도 3에서 확인된다.
베이킹 바니시 코팅된 상기 전기 스트립(5)으로부터 점진적 펀칭 공구(10)를 이용하여 복수의 판금부(2)가 펀치아웃된다. 이러한 펀치아웃 공정은 일반적으로, 컷아웃(cutout), 컷오프(cutoff), 노칭(notching), 트리밍(trimming), 스퀴징(squeezing)에 의한 분할 등으로 언급될 수 있다.
그 밖에 도 1로부터 알 수 있는 것처럼, 펀칭 공구(10), 예를 들어 본 도면에서 점진적 펀칭 공구(10)는 복수의 스트로크(stroke)에 의한 절단을 실시하고, 이때 자체 상부 공구(11)가 자체 하부 공구(12)와 상호작용한다. 상기 상부 공구(11)의 제1 절단날(13)에 의해 상기 전기 스트립(5)은 펀치아웃 공정에 대해 사전 준비되고, 그런 다음 상기 상부 공구(11)의 제2 절단날(14)에 의해 상기 전기 스트립(5)으로부터 판금부(2)가 펀치아웃되거나, 또는 그에 따라 분리된다. 이를 위해, 상기 절단날들(13, 14)은 상기 하부 공구(12)의 각각의 오목형 주형들(15, 16)과 상호작용하고, 그에 따라 상기 펀칭 공구(10) 내에 두 개의 펀칭 스텝(17, 18)을 형성한다.
도 1에서 이러한 점진적 절단은, 상기 전기 스트립(5)을 판금부(2)의 펀치아웃 공정에 대해 사전 준비하기 위해, 사전 처리시 일부분(30)이 상기 전기 스트립(5)으로부터 제거됨으로써 확인된다. 그런 다음 펀칭 스텝(18)을 이용하여 판금부들(2)이 펀치아웃되고, 상기 상부 공구(11)의 압력에 의해 스택 디바이스(19) 내로 밀려 들어가며, 그곳에서 적층되는데, 상기 스택 디바이스는 상기 하부 공구(12) 내에서 부분적으로 가늘어지는 가이드부(31)를 포함한다. 상기 하부 공구(12) 내에서 이와 같은 가이드부(31)(도 3 참조)는 판금부들(2) 상으로 스택 브레이크 작용을 가하고, 그럼으로써 상기 판금부들(2)은 상기 상부 공구(11)의 압력하에, 그리고 상기 판금부들(2) 사이에 존재하는 핫멜트 층(8, 9)을 이용하여 물리적으로, 그리고/또는 화학적으로 단단한 결합을 형성한다. 일반적으로, 판금부들(2)의 재료 결합 방식의 결합을 개선하기 위해, 스택 디바이스(19)가 능동적으로 가열될 수도 있다는 사실이 언급된다.
그 밖에 상기 판금부들(2) 사이의 재료 결합 방식의 결합을 보강하기 위해, 판금 스택들(3)은 도시되지 않은 추가 경화 단계들을 거칠 수 있다. 계속해서, 예를 들어 서로 나란히 배치되고 서로 겹쳐서 적층된 복수의 판금부(2)를 구비한 층들로 이루어진 세그먼트화된 판금 스택들(3)을 형성하기 위해, 상기 스택 디바이스(19)를 회전하는 가능성이 존재하며, 이는 마찬가지로 도시되어 있지 않다. 일반적으로, 가이드부 내에서 협착부 대신에 카운터 홀더가 고려될 수 있고(도시되지 않음), 상기 카운터 홀더는 상기 판금부들(2)의 재료 결합 방식의 결합에 대해 상응하는 역압을 가한다는 사실이 언급된다.
상기 스택 디바이스(19)를 벗어나는 판금 스택들(3)을 더 수월하게 서로 분리할 수 있기 위해, 상기 전기 스트립(5)의 평면 측들(6, 7)에서 하나 이상의 핫멜트 바니시 층(8, 9) 또는 두 개의 핫멜트 바니시 층(8, 9)은 펀칭 공구(10) 내에서 펀치아웃 공정 이전에, 상기 펀칭 공구(10) 앞에 배치된 하나 이상의 레이저(21, 41)에 의해 생성되는 레이저 광(20, 40)을 이용한 제거에 의해 자체 층 두께(29, 49)에서 감소함으로써, 결과적으로 판금 스택들(3)로 적층된 판금부들(2)의 분리가 구현된다. 다시 말해 본 실시예에서는 상기 핫멜트 바니시 층들(8, 9)의 층 두께(29, 49)의 단지 일부만이 제거된다.
상기 레이저 광(20, 40)의 작용 및 상기 핫멜트 바니시 층(8, 9)의 부분적인 제거에 의해, 도 4에서 확인 가능한 것처럼, 판금부(2)에서 부분 영역(23, 43)이 생성된다. 이 경우, 이와 같은 부분 영역(23)은 추후 펀치아웃될 판금부(2)의 영역 내에 제공됨으로써(도 2 참조), 결과적으로 상기 판금부(2)는 추후에 상기 부분 영역(23) 내에서 펀치아웃된다. 다시 말해 제거된 상기 부분 영역(23, 43)은 상기 판금부(2)가 펀치아웃되는 영역에 상응한다.
상응하는 정확성은 상기 부분 영역들(23, 43)의 본 발명에 따른 사전 준비에 의해 달성될 수 있다. 상기 사전 준비는 방법 간소화를 나타낼 뿐만 아니라, 부분 영역(23, 43)에 연결되는 판금부들(2)의 특히 정확한 분리도 구현한다. 이는 특히, 레이저 광(20, 40)에 의해 생성된 상기 부분 영역(23, 43)이 펀치아웃될 판금부(2)보다 더 큰 경우에도 달성될 수 있지만, 이는 도면들에 도시되어 있지 않다. 그에 따라 정확한 판금 스택들(3)로 적층되고 재료 결합 방식으로 결합한 판금부들(2)의 신뢰할 만한 분리가 가능한데, 특히 상기 판금부들(2)이 스택 디바이스(19)를 벗어나고 이와 같은 판금부들이 예를 들어 추가 이송을 위해 컨베이어 벨트(22) 상에 제공되는 곳에서도 마찬가지이다.
도 3 및 도 4는, 자체 두 개의 평면 측(6, 7)에서 각각 핫멜트 바니시 층(8, 9)에 의해 코팅되어 있는 전기 스트립(5)을 보여준다. 그러나 상기 핫멜트 바니시 층(8, 9)이 상기 전기 스트립(5)의 단 하나의 평면 측(6, 7)에 제공되어 있고 생성된 부분 영역(23, 43)이 마찬가지로 이와 같은 평면 측(6, 7)에서 상기 핫멜트 바니시 층(8, 9)의 제거에 의해 제공되는 것도 가능하다. 이 경우, 도 4에 도시된 것처럼, 핫멜트 바니시 층(8, 9) 양측의 제거는 바람직하게, 부분 영역들(23, 43)이 상기 전기 스트립(5)의 전진 방향(26)으로 서로 변위 되어 배치되어 있도록 이루어진다. 판금부들(2)은 펀치아웃 공정 이후에 스택 디바이스(19) 내에서 자체 부분 영역들(23, 43)에 의해 서로를 향하도록 적층되고, 그럼으로써 판금 스택들(3)로 특히 간단한 추후 분리가 이루어질 수 있다. 후자의 내용은 도 3으로부터 알 수 있다.
본 실시예에서 상기 전기 스트립(5)의 핫멜트 바니시 층(8, 9)은 단지 부분적으로만 제거되는데, 특히 말하자면 잔여 층 두께(24, 44)의 위치까지 제거되고, 그에 따라 부분 영역(23, 43)이 생성되는데, 이는 특히 도 4로부터 알 수 있다. 상기 잔여 층 두께(24, 44)는 바람직하게 1㎛인데, 그 이유는 이와 같은 잔여 층 두께(24, 44)에서, 상기 핫멜트 바니시 층(8, 9)이 어떤 위치에서도 상기 전기 스트립(5)까지 제거되지 않는다는 사실이 보장될 수 있기 때문이며, 전기 스트립까지의 핫멜트 바니시 층 제거는 판금부(2)를 외부 영향들, 특히 부식에 대해 노출시키고, 그에 따라 판금 스택(3)의 수명을 강하게 단축시킨다. 언급된 장점들은 특수하게 1.5㎛의 잔여 층 두께(24, 44)에서도 달성된다. 레이저 광(20, 40)의 작용에 의해 상기 핫멜트 바니시 층(8, 9)은 제거될 뿐만 아니라 열적으로 활성화되고, 그럼으로써 이와 같은 핫멜트 바니시 층은 자체 접착력에서 비활성화된다. 그럼으로써 판금 스택들(3)로 판금부들(2)의 분리가 추가로 간단해질 수 있고 상기 방법이 더 신뢰할 만하게 설계될 수 있다.
또한, 레이저(21, 41)는 편향 장치(25, 45)를 포함하고, 상기 편향 장치는 상기 레이저(21, 41)를 전기 스트립(5)의 전진 방향(26)에 대해 횡 방향(27)으로 상기 전기 스트립(5)의 전체 폭에 걸쳐서 편향시킨다. 그럼으로써 상기 전기 스트립(5)의 전진과 함께 상기 전기 스트립(5)의 모든 방향으로 핫멜트 바니시 층(8, 9)의 신뢰할 만하고 신속한 제거가 이루어질 수 있다. 또한, 이러한 구성은 구조적으로 특히 단순하게 실현될 수 있다. 이 경우, 상기 핫멜트 바니시 층(8, 9)을 부분적으로, 바람직하게 잔여 층 두께(24, 44)까지 제거하기 위해, 상기 레이저(21, 41)는 특히 진동 운동으로 상기 전기 스트립(5)의 폭에 걸쳐서 상기 편향 장치(25, 45)에 의해 이동할 수 있다. 자체 두 개의 평면 측(6, 7)에서 핫멜트 바니시 층(8, 9)에 의해 코팅되어 있는 전기 스트립들(5)의 경우, 도 1에서 확인 가능한 것처럼, 바람직한 방식으로 각각 하나 이상의 레이저(21, 41)가 전기 스트립(5)의 각각의 평면 측(6, 7)에 제공된다. 따라서, 상기 핫멜트 바니시 층들(8, 9)의 제거가 각각의 평면 측(6, 7)에 대해 상호 무관하게, 그에 따라 동시에 이루어질 수 있으며, 이는 상기 방법을 현저히 가속화한다.

Claims (12)

  1. 판금 스택(3)으로 판금부들(2)을 결합시키기 위한 방법으로서,
    상기 판금부들(2)을, 자체 하나 이상의 평면 측(6, 7)에서 핫멜트 바니시 층(hotmelt varnish layer)(8, 9)에 의해 코팅된 전기 스트립(5)으로부터 펀치아웃(puch out)하고, 상기 펀치아웃된 판금부들(2)을 적층하고 상기 핫멜트 바니시 층(8, 9)의 열적 활성화에 의해 복수의 판금 스택(3)으로 재료 결합 방식으로 결합하며, 상기 판금부들(2)의 펀치아웃 공정 이전에 상기 전기 스트립(5)을 상기 핫멜트 바니시 층(8, 9)의 부분 영역(23, 43) 내에서, 사전 준비된 이와 같은 부분 영역(23, 43)을 포함하는 판금부(2)의 펀치아웃 공정 이후에 이와 같은 판금부(2)가 판금 스택들(3)로 상기 적층된 판금부들(2)의 분리를 수월하게 하도록 사전 준비하는 상기 판금 스택으로 판금부들을 결합시키기 위한 방법에 있어서,
    상기 부분 영역(23, 43)을 생성하기 위해, 상기 전기 스트립(5)의 사전 준비시 상기 전기 스트립(5)의 핫멜트 바니시 층(8, 9)이 자체 층 두께(29, 49)에서 레이저 광(20, 40)을 이용한 제거에 의해 적어도 감소하는 것을 특징으로 하는, 판금 스택으로 판금부들(2)을 결합시키기 위한 방법.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 부분 영역(23, 43) 내에서 상기 핫멜트 바니시 층(8, 9)을 잔여 층 두께(24, 44)까지 제거하는 것을 특징으로 하는, 판금 스택으로 판금부들(2)을 결합시키기 위한 방법.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 핫멜트 바니시 층(8, 9)을 1㎛ 이상의 잔여 층 두께(24, 44)까지 제거하는 것을 특징으로 하는, 판금 스택으로 판금부들(2)을 결합시키기 위한 방법.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 핫멜트 바니시 층(8, 9)을 1.5㎛ 이상의 잔여 층 두께(24, 44)까지 제거하는 것을 특징으로 하는, 판금 스택으로 판금부들(2)을 결합시키기 위한 방법.
  5. 제1 항 내지 제4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 부분 영역(23, 43) 내에서 상기 핫멜트 바니시 층(8, 9)을 레이저 광(20, 40)에 의해 열적으로 활성화하는 것을 특징으로 하는, 판금 스택으로 판금부들(2)을 결합시키기 위한 방법.
  6. 제1 항 내지 제5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전기 스트립(5)의 하부 및 상부 평면 측(6, 7)에서 부분 영역들(23, 43)을 생성하기 위해, 서로 마주 놓인 두 개의 평면 측(6, 7)에서 각각 핫멜트 바니시 층(8, 9)에 의해 코팅된 상기 전기 스트립(5)의 상기 핫멜트 바니시 층들(8, 9)을 레이저 광(20, 40)에 의해 적어도 부분적으로 자체 개별적인 층 두께(29, 49)에서 제거하는 것을 특징으로 하는, 판금 스택으로 판금부들(2)을 결합시키기 위한 방법.
  7. 제6 항에 있어서,
    하부 부분 영역들(23, 43)을 상기 전기 스트립(5)의 전진 방향(26)으로 상기 전기 스트립(5)의 평면 측(6, 7)의 상부 부분 영역들(23, 43)에 대해 변위 되어 배치하는 것을 특징으로 하는, 판금 스택으로 판금부들(2)을 결합시키기 위한 방법.
  8. 제1 항 내지 제7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 판금부들(2)을 상기 전기 스트립(5)으로부터 점진적으로 펀칭하는 것을 특징으로 하는, 판금 스택으로 판금부들(2)을 결합시키기 위한 방법.
  9. 제1 항 내지 제8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 판금부(2)를 상기 핫멜트 바니시 층(8, 9)의 제거된 부분 영역(23, 43) 내에서 펀치아웃하는 것을 특징으로 하는, 판금 스택으로 판금부들(2)을 결합시키기 위한 방법.
  10. 제1 항 내지 제9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 레이저 광(20)을 상기 전기 스트립의 전진 방향(26)에 대해 횡 방향(27)으로 편향시키는 것을 특징으로 하는, 판금 스택으로 판금부들(2)을 결합시키기 위한 방법.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 레이저 광(20)을 진동시키면서 상기 전기 스트립의 전진 방향(26)에 대해 횡 방향(27)으로 편향시키는 것을 특징으로 하는, 판금 스택으로 판금부들(2)을 결합시키기 위한 방법.
  12. 판금 스택(3)으로 판금부들(2)을 결합시키기 위한 장치로서,
    자체 하나 이상의 평면 측(6, 7)에서 핫멜트 바니시 층(8, 9)에 의해 코팅된 전기 스트립(5)으로부터 판금부(2)를 펀치아웃하기 위한 펀칭 스텝(punching step)(18)을 포함하는 펀칭 공구(10), 복수의 판금 스택(3)으로 펀치아웃된 판금부들(2)을 적층하기 위한, 그리고 적어도 핫멜트 바니시(8)의 열적 활성화에 의해 재료 결합 방식으로 결합시키기 위한 스택 디바이스(19) 및 판금부(2)를 펀치아웃하기 위한 펀칭 스텝 앞에 있는 디바이스(28)를 구비하고, 상기 디바이스는 상기 전기 스트립(5)이 상기 핫멜트 바니시 층(8)의 부분 영역(23, 43) 내에서, 사전 준비된 이와 같은 부분 영역(23, 43)을 포함하는 판금부(2)의 펀치아웃 공정 이후에 판금 스택들(3)로 상기 적층된 판금부들(2)의 분리가 수월해지도록 사전 준비되는 방식으로 형성되어 있는 상기 판금 스택으로 판금부들을 결합시키기 위한 장치에 있어서,
    상기 디바이스(28)는 펀칭 스텝(10) 앞에서 레이저(21)의 레이저 광(20, 40)을 이용한 제거에 의해 상기 부분 영역(23, 43) 내에서 상기 핫멜트 바니시 층(8, 9)의 층 두께(29, 49)를 적어도 감소시키기 위해 편향 장치(25)를 구비한 하나 이상의 레이저(21)를 포함하는 것을 특징으로 하는, 판금 스택으로 판금부들을 결합시키기 위한 장치.
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