KR20190130980A - 포토레지스트 층에 의해 둘러싸인 전도성 구조 요소들의 두께 측정 - Google Patents

포토레지스트 층에 의해 둘러싸인 전도성 구조 요소들의 두께 측정 Download PDF

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Abstract

대상물의 복수의 전도성 구조 요소들에 관련된 두께를 추정하는 방법으로서, 상기 방법은, 복수의 높이 차이들을 제공하기 위하여 전도성 구조 요소의 상부 표면과 상기 전도성 구조 요소를 둘러싸는 포토레지스트 층 부분의 상부 표면 사이의 높이 차이를 추정하는 동작; 적어도 방출된 방사선의 제2 부분에 기초하여 상기 복수의 포토레지스트 층 부분들의 두께들을 추정하는 동작; 및 상기 복수의 전도성 구조 요소들에 관련된 두께 값들을 계산하는 동작을 포함하되, 여기에서 상기 계산하는 동작은 적어도 상기 복수의 높이 차이들 및 상기 복수의 포토레지스트 층 부분들의 상기 추정된 두께에 기초한다.

Description

포토레지스트 층에 의해 둘러싸인 전도성 구조 요소들의 두께 측정{THICKNESS MEASUREMENTS OF CONDUCTIVE STRUCTURAL ELEMENTS THAT ARE SURROUNDED BY A PHOTORESIST LAYER}
본 출원은 2018년 5월 15일 출원된 미국 가출원 제62/671,496호로부터 우선권을 주장한다.
범프 및/또는 필러(pillar) 같은 전도성 구조 요소들은 포토레지스트 층에 의해 둘러싸일 수 있다.
전도성 구조 요소들의 두께를 정확하고 효율적으로 측정할 필요성이 증대되고 있다.
본 발명은 도면과 관련하여 취해진 후속하는 상세한 설명으로부터 보다 잘 이해되고 인식될 것이다.
도 1은 방법의 일 예를 도시한다.
도 2는 포토레지스트 층의 영역으로 둘러싸인 필러 도금(pillar plating)의 일 예를 도시한다.
도 2는 포토레지스트 층의 영역으로 둘러싸인 필러 도금(pillar plating)의 일 예를 도시한다.
도 3은 포토레지스트 층의 영역으로 둘러싸인 범프의 일 예를 도시한다.
도 4는 높이맵의 일 예를 도시한다.
도 5는 시스템의 일 예를 도시한다.
도 6은 두께들의 상이한 측정들을 도시한다.
도 7은 방법의 일 예를 도시한다.
도 8은 방법의 일 예를 도시한다.
본 발명을 구현하는 장치는 대부분 광학적 구성 요소들 및 통상의 기술자에게 공지된 회로들로 구성되므로, 본 발명의 기본 개념에 대한 이해와 인식, 및 본 발명의 교시를 혼란스럽게 하거나 흐트러뜨리지 않기 위해, 회로의 상세한 부분은 상기 설명된 바와 같이 필요한 것으로 고려되는 것보다 더 큰 범위로 설명되지 않을 것이다.
다음의 명세서에서, 본 발명은 본 발명의 실시 예에 대한 특정 예들을 참조하여 설명될 것이다. 그러나, 첨부된 청구 범위에 명시된 바와 같이 본 발명의 더 넓은 사상 및 범위로부터 벗어나지 않는 다양한 수정 및 변경이 이루어질 수 있음이 명백 할 것이다.
"포함하는"이라는 단어는 청구항에 나열된 요소들 또는 동작들의 존재를 배제하지 않는다. 그렇게 사용되는 용어들은 예를 들어, 본 명세서에 기술된 본 발명의 실시 예가 여기에 설명되거나 달리 표현된 것 이외의 다른 방향으로 작동할 수 있도록 적절한 상황 아래에서 상호 교환 가능하다는 것으로 이해된다.
포토레지스트 층의 보이드(void) 또는 트렌치(trench) 내에 형성된 전도성 구조 요소의 두께를 추정하는 방법 및 시스템이 제공될 수 있다.
이 방법은 웨이퍼에 국한되지 않으며, 범프 및/또는 필러 등을 포함하는 어떤 종류의 반도체 물체 또는 다른 물체에도 적용될 수 있다. 상기 범프 및/또는 필러는 미세한 스케일까지 밀리미터가 될 수 있다.
도 1은 방법(100)의 일 예를 도시한다.
방법(100)은 동작들(110, 120, 130 및 140)을 포함할 수 있다.
동작(110)은 복수의 전도성 구조 요소(conductive structural element)들 중 각각의 전도성 구조 요소에 대해 상기 전도성 구조 요소와 상기 전도성 구조 요소를 둘러싸는 포토레지스트 영역 사이의 높이 차이를 측정하는 동작을 포함할 수 있다.
상기 복수의 전도성 구조 요소들은 다이(die)의 모든 전도성 구조 요소들, 웨이퍼의 모든 전도성 구조 요소들, 상기 다이의 전도성 구조 요소들 중 일부, 또는 상기 웨이퍼의 전도성 구조 요소들 중 일부일 수 있다.
전도성 구조 요소의 높이는 전도성 구조 요소의 꼭대기(top)의 높이로 간주될 수 있다. 대안적으로, 상기 높이는 반드시 전도성 구조 요소의 꼭대기인 전도성 구조 요소의 지점(point)의 높이를 고려할 수 있다.
동작(110)은 대상물의 전체의 어느 곳에서나 위치한 전도성 구조 요소에 대한 높이 측정을 제공하기 위해 대상물 표면의 100%를 검사하는 데 사용될 수 있다. 또한, 사용자 또는 다른 당사자는 높이 측정을 위해서 어떤 전도성 구조 요소들이 동작(110)에서 측정되어야 하는 지를 결정할 수 있다. 따라서, 동작(110)은 대상물의 전도성 구조 요소의 단지 일부에 대한 높이 측정을 제공하는 동작을 포함할 수 있다.
동작(110)은 삼각측량 시스템일 수도 있고 아닐 수도 있는 높이 측정 시스템에 의해 실행될 수 있다.
예를 들어, 각측량 시스템의 비 제한적인 예시가 미국 특허번호 제8363229호, 제9756313호, 제9759555호에 개시되어 있다.
삼각측량 시스템과는 다른 기타의 삼각측량 시스템과 높이 측정 시스템이 사용될 수 있다.
예를 들어, 적어도 동작(110)을 실행하는 높이 측정 시스템은 복수의 전도성 층들 및 상기 복수의 전도성 층들을 둘러싸는 포토레지스트의 영역을 스캔하는 레이저 기반의 삼각측량 시스템을 포함할 수 있다.
높이 측정(예를 들어, 스캐닝)은 포토레지스트 층까지 침투하지 않는 방사선으로 적어도 전도성 구조 요소를 조사함으로써 실행될 수 있다. 예를 들어, 하나 이상의 자외선(UV) 빔이 사용될 수 있다.
삼각측량은 매우 빠르고 정확할 수 있다.
예를 들어, Camtek 삼각측량 센서(CTS)와 같은 삼각측량 시스템을 사용하여 포토레지스트 층 및 전도성 구조 요소를 UV 빔으로 조사하도록 구성할 수 있다.
CTS는 빠르고 정확하며, 복수의 전도성 구조 요소들의 각각의 높이 및 상기 복수의 전도성 구조 요소들을 둘러싸는 포토레지스트 층의 영역들의 높이들을 정확하게 측정하는데 사용될 수 있고, 포토레지스트 층들의 영역들의 높이들과 전도성 구조 요소의 높이들을 비교하여 그 높이 차이를 계산할 수 있다.
동작(120)은 반사계(reflectometer)로 한정되지는 않지만 반사계와 같은 층 두께 센서(layer thickness sensors)를 사용하여 복수의 (샘플링) 위치들에서 포토레지스트 층의 두께를 측정하는 동작을 포함할 수 있다.
상기 두께 측정은 (단일의 측정 당) CTS 측정보다 느리며, 따라서 여러 위치들을 샘플링하지만, 포토레지스트 층의 각 픽셀의 두께는 측정하지는 않는다.
이러한 여러 위치들의 샘플링 지점들은 대상물 전체에 균일하게 분산될 수 있다. 이러한 샘플링 지점들은 동작(110) 동안에 수백만의 신속하게 측정된 범프들의 높이 대신에, 예를 들어 대상물 또는 검사된 다이 상의 50 개의 서로 다른 지점들일 수 있다.
사용자 또는 임의의 다른 당사자는 층 두께 측정을 위해 어느 전도성 구조 요소가 동작(120)에서 측정되어야 하는 지를 결정할 수 있다.
복수의 두께 측정들은 각 전도성 구조 요소를 둘러싸는 각 영역의 두께를 (예를 들어 외삽법, 내삽법 등에 의해) 추정하는 데 사용될 수 있다.
동작(120)은 포토레지스트 층의 추정된 높이맵을 생성하는 동작을 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 4의 예시 맵(50)을 참조하면, 상이한 색상(그레이 레벨)은 포토레지스트 층의 서로 다른 높이를 나타낸다. 이 동작은 높이맵을 생성하는 동작을 대신할 수 있는 높이 측정의 가중 평균의 계산을 포함할 수 있다.
동작(130)은 동작(110) 및 동작(120)의 결과에 기초하여 복수의 전도성 구조 요소들의 각 전도성 구조 요소의 두께를 계산하는 동작을 포함할 수 있다.
전도성 구조 요소의 꼭대기가 포토레지스트 층의 꼭대기보다 낮은 경우(예를 들어, 전도성 필러에서)에 - 동작(130)은 (i) 상기 전도성 구조 요소를 둘러싸는 상기 포토레지스트 층의 영역과 상기 전도성 구조 요소의 높이 차를 (ii) 상기 전도성 구조 요소를 둘러싸는 포토레지스트 층의 영역의 두께에서 뺌으로써 각 전도성 구조 요소의 두께를 계산하는 동작을 포함할 수 있다.
예를 들어, 도 2의 필러(10)를 참조하면, 필러(10)는 포토레지스트 층(20)에 의해 둘러싸여 있다. 필러의 두께(c)는 (필러를 둘러싸는 영역에서의) 포토레지스트 층의 두께(b)에서 (필러를 둘러싸는 영역에서의) 포토레지스트 층의 꼭대기와 필러의 꼭대기의 높이 차이(a)를 뺀 값과 동일하다. 두께(b)는 동작(120) 동안 계산된다. 높이 차이(a)는 동작(110) 동안 계산된다.
전도성 구조 요소의 꼭대기가 포토레지스트 층의 꼭대기보다 높은 경우(예를 들어, 범프에서) - 각각의 전도성 구조 요소의 두께는 (i) 전도성 구조 요소를 둘러싸는 포토레지스트 층의 영역 및 상기 전도성 구조 요소 사이의 높이 차이를 (ii) 상기 전도성 구조 요소를 둘러싸는 포토레지스트 층 영역의 높이에 더함으로써 구해진다.
예를 들어, 도 3의 범프(40)를 참조하면, 범프(40)는 포토레지스트 층(20)에 의해 둘러싸여 있지만 포토레지스트 층의 외부로 연장된다. 범프의 두께(c)는 (범프를 둘러싸는 영역에서의) 포토레지스트 층의 두께(b)와 (범프를 둘러싸는 영역에서의) 포토레지스트 층의 꼭대기 및 상기 범프의 꼭대기 사이의 높이 차이(a)를 합한 값과 동일하다. 상기 포토레지스트 층의 두께(b)는 동작(120) 동안 계산된다. 상기 높이 차(a)는 동작(110) 동안 계산된다.
방법(100)은 또한 동작(130)의 결과에 응답하는 동작(140)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 동작(140)은 전도성 구조 요소의 품질 (또는 전도성 구조 요소의 제조 공정의 품질)에 대한 표시를 제공하는 동작, 상기 전도성 구조 요소의 높이가 허용 범위를 벗어날 때 경보를 발생시키는 동작 등을 포함할 수 있다. 동작(140)은 임의의 공정 제어 측정을 수행하는 동작을 포함할 수 있다.
도 5는 Z 축을 따라 이동할 수 있는 획득 모듈(예를 들어, 광학 헤드(94))을 포함하는 시스템(90)의 일 예를 도시한다.
획득 모듈은 삼각측량 센서(96), 층 두께 센서(95) 또는 간섭계, 웨이퍼(10)를 지지하는 척(92), 척을 이동시키는 척 이동 요소(93)(예를 들어, 임의의 방향으로 척을 이동시킬 수 있다.), 베이스(91) 및 하나 이상의 처리 회로를 포함한다.
상기 하나 이상의 처리 회로는 하나 이상의 집적 회로, 하나 이상의 그래픽 처리 장치(GPU), 하나 이상의 중앙 처리 장치(CPU), 하나 이상의 주문형 집적 회로(ASIC), 하나 이상의 필드 프로그래머블 게이트 어레이(FPGA) 등을 포함할 수 있다.
시스템(90)은 다른 센서(카메라와 같은 그러나 이에 한정되지 않는)를 또한 포함할 수 있다.
도 5는 제1 측정 유닛, 제2 측정 유닛 및 하나 이상의 처리 회로를 포함할 수 있는 시스템의 비 제한적인 예이다. 상기 하나 이상의 처리 회로는 하나의 측정 유닛 또는 두 개의 측정 유닛 모두에 포함될 수 있으며, 또는 상기 측정 유닛 중 어느 하나의 외부에 위치될 수도 있다.
상기 제1 측정 유닛은 삼각측량 센서(96)를 포함할 수 있다. 상기 제2 측정 유닛은 층 두께 센서(95)를 포함할 수 있다.
상기 제1 측정 유닛은 (i) 제1 조명 방사선으로, 대상물의 포토레지스트 층에 속하는 복수의 포토레지스트 층 부분들 및 복수의 전도성 구조 요소들을 조사하고; 여기에서 상기 복수의 포토레지스트 층 부분들은 상기 복수의 전도성 요소들을 둘러싸고; (ii) 제1 방출된 방사선을 검출하고, 여기에서 상기 제1 방출된 방사선은 상기 복수의 포토레지스트 층 부분들의 상부 표면들로부터 방출되고 상기 복수의 전도성 구조 요소들의 상부 표면들로부터 방출되며; 및 (iii) 복수의 높이 차이들을 제공하기 위해, 각각의 전도성 구조 요소에 대해 그리고 상기 제1 방출된 방사선에 기초하여, 상기 전도성 구조 요소의 상부 표면과 상기 전도성 구조 요소를 둘러싸는 포토레지스트 층 부분의 상부 표면 사이의 높이 차이를 추정하도록 구성될 수 있다.
상기 제2 측정 유닛은 (i) 상기 포토레지스트 층 부분들의 제1 복수의 지점들을 제2 조명 방사선으로 조사하고; 여기에서, 상기 제2 조명 방사선은 상기 제1 조명 방사선과 적어도 파장의 차이가 있으며; (ii) 적어도 상기 복수의 포토레지스트 층 부분들의 바닥들로부터 방출된 제2 방출된 방사선을 검출하고; 및 (iii) 적어도 상기 제2 방출된 방사선에 기초하여 상기 복수의 포토레지스트 층 부분들의 두께들을 추정하도록 구성될 수 있다.
하나 이상의 처리 회로는 복수의 전도성 구조 요소와 관련된 두께 값을 계산하도록 구성될 수 있으며, 상기 계산은 적어도 복수의 높이 차이들 및 복수의 포토레지스트 층 부분들의 추정된 두께에 기초할 수 있다.
임의의 유형의 조명 및/또는 검출이 사용될 수 있다.
도 6은 동작(110)(페이지의 꼭대기) 동안 획득된 부정확한 측정(a로 표시됨) 및 동작(120)(페이지의 바닥) 동안 취해진 정확한 측정(b로 표시됨)을 도시한다. 도 6은 또한 전도성 구조 요소(10)의 두 가지 가능한 두께 측정(c 및 c')을 도시한다.
도 7은 방법(102)를 도시한다. 방법(102)는 대상물의 복수의 전도성 구조 요소와 관련된 두께를 추정하기 위한 것이다.
방법(102)는 동작(112, 122, 132, 142, 152, 162, 172 및 182)를 포함할 수 있다.
동작(112)는 대상물의 포토레지스트 층에 속하는 복수의 포토레지스트 층 부분들 및 복수의 전도성 구조 요소들을 제1 조명 방사선으로 조사하는 동작을 포함할 수 있다. 여기에서, 상기 복수의 포토레지스트 층 부분들은 상기 복수의 전도성 요소들을 둘러쌀 수 있다.
동작(122)는 제1 방출된 방사선을 검출하는 동작을 포함할 수 있으며, 여기에서 상기 제1 방출된 방사선은 복수의 포토레지스트 층 부분들의 상부 표면들로부터 방출되고 복수의 전도성 구조 요소들의 상부 표면들로부터 방출된다.
동작(132)는 복수의 높이 차이들을 제공하기 위해, 각각의 전도성 구조 요소에 대해 그리고 상기 제1 방출된 방사선에 기초하여 상기 전도성 구조 요소의 상부 표면 및 상기 전도성 구조 요소를 둘러싸는 포토레지스트 층 부분의 상부 표면 사이의 높이 차이를 추정하는 동작을 포함할 수 있다.
동작(142)는 상기 포토레지스트 층 부분들의 제1 복수의 지점들을 제2 조명 방사선으로 조사하는 동작을 포함할 수 있다. 여기에서, 상기 제2 조명 방사선은 상기 제1 조명 방사선과 적어도 파장에서 차이가 있을 수 있다.
동작(152)는 적어도 복수의 포토레지스트 층 부분들의 바닥들로부터 방출된 제2 방출된 방사선을 검출하는 동작을 포함할 수 있다.
동작(162)는 적어도 상기 제2 방출된 방사선에 기초하여 복수의 포토레지스트 층 부분들의 두께들을 추정하는 동작을 포함할 수 있다.
동작(172)는 복수의 전도성 구조 요소들에 관련된 두께 값들을 계산하는 동작을 포함할 수 있으며, 상기 계산은 적어도 복수의 높이 차이들 및 복수의 포토레지스트 층 부분들의 추정된 두께에 기초한다.
동작(182)는 동작(172)의 결과에 응답하는 동작을 포함할 수 있다. 예를 들어 동작(182)는 전도성 구조 요소의 품질 (또는 전도성 구조 요소의 제조 공정의 품질)에 관한 표시를 제공하는 동작과, 전도성 구조 요소의 높이가 허용 범위를 벗어날 때 경보를 발생시키는 동작 등을 포함할 수 있다. 동작(182)는 임의의 공정 제어 측정을 수행하는 동작을 포함할 수 있다.
제1 조명 방사선은 자외선 방사선일 수 있다.
제1 조명 방사선은 포토레지스트 층을 통해 전파되지 않을 수 있다. 이것은 동작(112, 122 및 132)가 포토레지스트 층의 상부 표면에 관한 측정을 얻게 하고 포토레지스트 층 내에서 원하지 않는 방사선의 전파로 인한 높이 측정 오차를 유발하는 것을 방지하게 한다.
제2 조명 방사선은 포토레지스트 층을 통해 전파할 수 있다.
동작(142, 152 및 162)는 반사계에 의해 실행될 수 있다.
동작(112, 122 및 132)는 상기 반사계와 다른 장치에 의해 실행될 수 있다.
동작(112, 122 및 132)는 제1 공정에 의해 실행될 수 있고, 동작(142, 152 및 162)는 제2 공정에 의해 실행될 수 있다.
측정 당 상기 제1 공정은 상기 제2 공정보다 빠를 수 있다. 단일 측정은 예를 들어, 단일 지점에서의 포토레지스트 층의 두께의 측정, 단일의 전도성 구조 요소와 상기 전도성 구조 요소를 둘러싸는 포토레지스트 층 부분 사이의 높이 차이의 측정일 수 있다.
복수의 전도성 구조 요소들은 제2 복수의 전도성 구조 요소들일 수 있으며, 여기에서 상기 제2 복수의 개수는 상기 제1 복수의 개수를 초과할 수 있다. 따라서, 포토레지스트 층의 두께 측정은 높이 차이의 측정보다 적은 위치들에서 실행된다.
복수의 포토레지스트 층 부분들 중의 적어도 하나는 상기 제1 복수의 지점들 중 임의의 어느 지점도 포함하지 않을 수 있다.
복수의 포토레지스트 층 부분들의 바닥들과 복수의 전도성 구조 요소들의 바닥들이 동일한 평면에 위치할 수 있으며(도 2의 제1 평면(12)을 참조하라), 여기에서 상기 복수의 전도성 구조 요소들과 관련된 두께 값은 상기 복수의 전도성 구조 요소들 전체의 두께를 나타낼 수 있다.
복수의 포토레지스트 층 부분들의 바닥은 제1 평면(도 6의 제1 평면(12)을 참조하라)에 위치 할 수 있고, 복수의 전도성 구조 요소들의 바닥은 상기 제1 평면과 다른 제2 평면(도 6의 제2 평면(13)을 참조하라)에 위치할 수 있으며, 여기에서 두께 값(예를 들어, c'를 측정 할 때)은 복수의 전도성 구조 요소들 중의 부분들의 두께를 나타내는 복수의 전도성 구조 요소들과 관련될 수 있다.
도 6에서 알 수 있는 바와 같이, 포토레지스트 층의 두께 및 높이 차이는 전도성 구조 요소(10)의 꼭대기에서 제1 평면(12)까지 사이에서 측정된 바와 같이 전도성 구조 요소(10)의 두께(c로 표시됨)의 표시를 제공할 수 있다.
제1 평면(12)과 제2 평면(13) 사이의 높이 차이가 알려져 있다고 가정하면, 방법(100) 및/또는 방법(102)의 결과는 전도성 구조 요소(10)의 상부 표면과 전도성 구조 요소의 바닥(바닥은 제2 평면(13)에 위치함) 사이에서 측정된 전도성 구조 요소(10)의 두께일 수 있다.
포토레지스트 층의 영역은 임의의 형상 또는 크기일 수 있다. 하나 이상의 전도성 구조 요소는 단일의 포토레지스트 층으로 둘러싸일 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 대상물의 복수의 전도성 구조 요소들과 관련된 두께를 추정하는 방법(도 8 참조)이 제공될 수 있으며, 상기 방법은 (a) 조명 방사선으로, 상기 대상물의 포토레지스트 층에 속하는 복수의 포토레지스트 층 부분들 및 상기 복수의 전도성 구조 요소들을 조사하는 동작(810); 여기에서 상기 복수의 포토레지스트 층 부분들은 상기 복수의 전도성 요소들을 둘러싸고; (b) 방출된 방사선의 제1 부분 및 방출된 방사선의 제2 부분을 검출하는 동작(820), 여기에서 상기 방출된 방사선의 상기 제1 부분은 상기 복수의 포토레지스트 층 부분들의 상부 표면들로부터 방출되고 상기 복수의 전도성 구조 요소들의 상부 표면들로부터 방출되며, 상기 방출된 방사선의 상기 제2 부분은 상기 복수의 포토레지스트 층 부분들의 바닥들로부터 방출되고; (c) 복수의 높이 차이들을 제공하기 위하여, 각각의 전도성 구조 요소에 대해 그리고 상기 방출된 방사선의 상기 제1 부분에 기초하여, 상기 전도성 구조 요소의 상부 표면과 상기 전도성 구조 요소를 감싸는 포토레지스트 층 부분의 상부 표면 사이의 높이 차이를 추정하는 동작(830); (d) 적어도 상기 방출된 방사선의 상기 제2 부분에 기초하여 상기 복수의 포토레지스트 층 부분들의 두께들을 추정하는 동작(840); 및 (e) 상기 복수의 전도성 구조 요소들과 관련된 두께 값을 계산하는 동작(850)을 포함하되, 상기 계산하는 동작은 적어도 상기 복수의 높이 차이 및 상기 복수의 포토레지스트 층 부분들의 상기 추정된 두께에 기초할 수 있다.
상기 조명 방사선은 백색광일 수 있다.
상기 제2 부분은 상기 제1 부분보다 낮은 강도일 수 있다.
대상물의 복수의 전도성 구조 요소들과 관련된 두께를 추정하는 비 일시적(non-transitory) 컴퓨터 판독 가능 매체가 제공될 수 있으며, 상기 비 일시적인 컴퓨터 판독 가능 매체는, 조명 방사선으로 상기 대상물의 포토레지스트 층에 속하는 복수의 포토레지스트 층 부분들 및 상기 복수의 전도성 구조 요소들을 조사하는 동작; 여기에서, 상기 복수의 포토레지스트 층 부분들은 상기 복수의 전도성 요소들을 둘러싸고; 방출된 방사선의 제1 부분 및 방출된 방사선의 제2 부분을 검출하는 동작, 여기에서, 상기 방출된 방사선의 상기 제1 부분은 상기 복수의 포토레지스트 층 부분들의 상부 표면들로부터 방출되고 상기 복수의 전도성 구조 요소들의 상부 표면들로부터 방출되며, 상기 방출된 방사선의 상기 제2 부분은 상기 복수의 포토레지스트 층 부분들의 바닥들로부터 방출되고; 복수의 높이 차이들을 제공하기 위해, 각각의 전도성 구조 요소에 대해 그리고 상기 방출된 방사선의 상기 제1 부분에 기초하여, 상기 전도성 구조 요소의 상부 표면과 상기 전도성 구조 요소를 둘러싸는 포토레지스트 층 부분의 상부 표면 사이의 높이 차이를 추정하는 동작; 적어도 상기 방출된 방사선의 상기 제2 부분에 기초하여 상기 복수의 포토레지스트 층 부분들의 두께들을 추정하는 동작; 및 상기 복수의 전도성 구조 요소들과 관련된 두께 값을 계산하는 동작에 대한 명령들을 저장하되, 상기 계산하는 동작은 적어도 상기 복수의 높이 차이 및 상기 복수의 포토레지스트 층 부분들의 상기 추정된 두께에 기초할 수 있다.
상기 조명 방사선은 백색광일 수 있다.
조명 방사선으로, 대상물의 포토레지스트 층에 속하는 복수의 포토레지스트 층 부분들 및 복수의 전도성 구조 요소들을 조사하고, 상기 복수의 포토레지스트 층 부분들은 상기 복수의 전도성 요소들을 둘러싸며; 방출된 방사선의 제1 부분 및 방출된 방사선의 제2 부분을 검출하되, 상기 방출된 방사선의 상기 제1 부분은 상기 복수의 포토레지스트 층 부분들의 상부 표면들로부터 방출되고 상기 복수의 전도성 구조 요소들의 상부 표면들로부터 방출되며, 상기 방출된 방사선의 상기 제2 부분은 상기 복수의 포토레지스트 층 부분들의 바닥들로부터 방출되며; 복수의 높이 차이들을 제공하기 위해, 각각의 전도성 구조 요소에 대해 그리고 상기 방출된 방사선의 상기 제1 부분에 기초하여, 상기 전도성 구조 요소의 상부 표면과 상기 전도성 구조 요소를 둘러싸는 포토레지스트 층 부분의 상부 표면 사이의 높이 차이를 추정하고; 적어도 상기 방출된 방사선의 상기 제2 부분에 기초하여 상기 복수의 포토레지스트 층 부분들의 두께들을 추정하도록 구성될 수 있는 측정 유닛; 및 상기 복수의 전도성 구조 요소들에 관련된 두께 값을 계산하도록 구성될 수 있으며, 상기 계산은 적어도 상기 복수의 높이 차이 및 상기 복수의 포토레지스트 층 부분들의 상기 추정된 두께에 기초할 수 있는 처리 회로를 포함할 수 있는 측정 시스템이 제공될 수 있다.
각각의 추정은 상기 처리 회로에 의해 실행될 수 있다. 상기 두께의 계산은 상기 측정 유닛에 의해 실행될 수 있다.
본원에 사용된 용어 "하나"는 하나 이상으로 정의된다. 또한 청구 범위에서 "적어도 하나" 및 "하나 이상"과 같은 도입 문구의 사용은 불명료한 "하나"에 의한 다른 청구 구성 요소의 도입이 임의의 특정 청구항을 제한한다는 것을 의미하는 것으로 해석되어서는 안된다. 같은 청구항이 "하나 이상" 또는 "적어도 하나"라는 서론 문구와 "하나"와 같은 불명확한 조항을 포함하는 경우에도 마찬가지이다. 명확한 문장의 사용에 대해서도 마찬가지이다. 달리 명시하지 않는 한, "제1" 및 "제2"와 같은 용어는 그러한 용어가 기술하는 요소들을 임의로 구별하는 데 사용된다.
따라서, 이들 용어는 그러한 요소의 시간적 또는 다른 우선 순위를 나타내도록 반드시 의도되지는 않는다. 특정 조치가 서로 다른 주장에 인용되었다는 단순한 사실만으로 이러한 조치의 조합이 유용하게 사용될 수 없다는 것을 나타내지는 않는다.
전술한 명세서에서, 본 발명은 본 발명의 실시예에 대한 특정 예를 참조하여 설명되었다. 그러나, 첨부된 청구 범위에 설명된 바와 같은 본 발명의 더 넓은 사상 및 범위로부터 벗어남이 없이 다양한 수정 및 변경이 이루어질 수 있음이 명백할 것이다.
또한, 상세한 설명 및 청구 범위에서의 "앞", "뒤", "꼭대기", "상부", "밑", "바닥", "위에", "아래" 등의 용어는 설명을 목적으로 사용되었지만 영구적인 상대적 위치를 설명하는 데 반드시 사용되는 것은 아니다. 그렇게 사용되는 용어는 본 명세서에 기술된 본 발명의 실시예가 예를 들어 여기에 도시되거나 달리 설명된 것 이 외의 다른 방향으로 작동할 수 있도록 적절한 환경 하에서 상호 교환 가능하다는 것으로 이해된다.
동일한 기능을 달성하기 위한 구성 요소의 배열은 효과적으로 "관련"되어 원하는 기능이 달성된다. 따라서, 특정 기능성을 달성하기 위해 결합된 임의의 2 개의 구성 요소는 구조 또는 중개하는 구성 요소와 관계없이 원하는 기능이 달성되도록 서로 "관련"되는 것으로 간주될 수 있다. 마찬가지로 이와 같이 연관된 두 개의 구성 요소는 원하는 기능을 달성하기 위해 서로 "작동 가능하게 연결"되거나 "작동 가능하게 결합된" 것으로 간주될 수 있다.
또한, 통상의 기술자는 전술한 동작들의 기능성 사이의 경계가 단지 예시적인 것임을 인식할 것이다. 복수의 동작들은 단일 동작으로 결합될 수 있고, 단일 동작은 추가 동작들로 분산될 수 있으며, 동작들은 시간적으로 적어도 부분적으로 겹쳐서 실행될 수 있다. 또한, 대안적인 실시예들은 특정 동작에 대한 복수의 인스턴스들을 포함할 수 있고, 동작들의 순서는 다양한 다른 실시예에서 변경될 수 있다.
그러나, 다른 수정, 변형 및 대안이 또한 가능하다. 따라서, 상세한 설명 및 도면은 제한적인 의미가 아니라 예시적인 것으로 간주되어야 한다.
"X일 수 있다"는 문구는 조건 X가 충족될 수 있음을 나타낸다. 이 문구는 또한 조건 X가 충족되지 않을 수도 있음을 나타냅니다. 예를 들어, 특정 구성 요소를 포함하는 시스템에 대한 참조는 시스템이 특정 구성 요소를 포함하지 않는 시나리오도 포함해야 한다. 예를 들어, 특정 동작을 포함하는 방법에 대한 참조는 해당 방법이 특정 구성 요소를 포함하지 않는 시나리오도 포함해야 한다. 그러나 또 다른 예를 들면, 특정 동작을 수행하도록 구성된 시스템에 대한 참조는 시스템이 특정 작업을 수행하도록 구성되지 않은 시나리오도 포함해야 한다.
용어 "포함하는", "갖는", "구성된", "이루어진" 및 "본질적으로 이루어진(consisting essentially of )"은 상호 교환적으로 사용된다. 예를 들어, 임의의 방법은 적어도 도면 및/또는 명세서에 포함된 동작을 포함할 수 있으며, 도면 및/또는 명세서에 포함된 동작만을 포함할 수 있다.
도시의 단순성 및 명료성을 위해, 도면들에 도시된 요소들(요소)은 반드시 일정한 비율로 그려진 것은 아니라는 것으로 이해될 것이다. 예를 들어, 일부 요소들의 치수는 명확성을 위해 다른 요소들에 비해 과장될 수 있다. 또한, 적절한 것으로 고려되는 경우, 참조 번호들은 대응되거나 유사한 요소들을 나타내기 위해 도면들 사이에서 반복될 수 있다.
전술한 명세서에서, 본 발명은 본 발명의 실시예에 대한 특정 예를 참조하여 설명되었다. 그러나, 첨부된 청구 범위에 설명된 바와 같은 본 발명의 더 넓은 사상 및 범위로부터 벗어남이 없이 다양한 수정 및 변경이 이루어질 수 있음이 명백할 것이다.
또한, 상세한 설명 및 청구 범위에서의 "앞", "뒤", "꼭대기", "상부", "밑", "바닥", "위에", "아래" 등의 용어는 설명을 목적으로 사용되었지만 영구적인 상대적 위치를 설명하는 데 반드시 사용되는 것은 아니다. 그렇게 사용되는 용어는 본 명세서에 기술된 본 발명의 실시예가 예를 들어 여기에 도시되거나 달리 설명된 것 이 외의 다른 방향으로 작동할 수 있도록 적절한 환경 하에서 상호 교환 가능하다는 것으로 이해된다.
통상의 기술자는 논리 블록들 사이의 경계가 단지 예시적인 것이며, 대안적인 실시 예들이 논리 블록들 또는 회로 소자들을 병합하거나 또는 다양한 논리 블록들 또는 회로 소자들 상에 기능의 대체적인 분해를 부과할 수 있음을 인식할 것이다. 따라서, 여기에 도시된 아키텍처는 단지 예시적인 것이며, 사실 동일한 기능을 달성하는 많은 다른 아키텍처가 구현될 수 있다는 것으로 이해되어야 한다.
동일한 기능을 달성하기 위한 구성 요소의 배열은 효과적으로 "관련"되어 원하는 기능이 달성된다. 따라서, 특정 기능성을 달성하기 위해 결합된 임의의 2 개의 구성 요소는 구조 또는 중개하는 구성 요소와 관계없이 원하는 기능이 달성되도록 서로 "관련"되는 것으로 간주될 수 있다. 마찬가지로 이와 같이 연관된 두 개의 구성 요소는 원하는 기능을 달성하기 위해 서로 "작동 가능하게 연결"되거나 "작동 가능하게 결합된" 것으로 간주될 수 있다.
또한, 통상의 기술자는 전술한 동작들의 기능성 사이의 경계가 단지 예시적인 것임을 인식할 것이다. 복수의 동작들은 단일 동작으로 결합될 수 있고, 단일 동작은 추가 동작들로 분산될 수 있으며, 동작들은 시간적으로 적어도 부분적으로 겹쳐서 실행될 수 있다. 또한, 대안적인 실시예들은 특정 동작에 대한 복수의 인스턴스들을 포함할 수 있고, 동작들의 순서는 다양한 다른 실시예에서 변경될 수 있다.
또한, 예를 들어, 일 실시예에서, 도시된 예들은 단일 집적 회로 상에 또는 동일한 장치 내에 위치된 회로로서 구현될 수 있다. 대안적으로, 상기 예들은 임의의 수의 개별적인 집적 회로들 또는 적합한 방식으로 서로 상호 접속된 개별 장치들로서 구현될 수 있다.
또한, 예를 들어, 상기 예들 또는 그 일부는, 임의의 적절한 유형의 하드웨어 기술 언어와 같은, 물리적 회로 또는 물리적 회로로 변환 가능한 논리적 표현의 소프트웨어 또는 코드 표현으로서 구현될 수 있다.
또한, 본 발명은 비 프로그래머블 하드웨어로 구현된 물리적 장치 또는 유닛으로 제한되지 않지만, 일반적으로 본원에서는 '컴퓨터 시스템'으로 표시되는 메인 프레임, 미니 컴퓨터, 서버, 워크스테이션, 개인용 컴퓨터, 노트패드(notepad), 개인용 디지털 정보 단말기(PDA), 전자 게임(electronic games), 자동차 및 기타 임베디드 시스템, 휴대전화 및 다양한 다른 무선 장치 등과 같은, 적절한 프로그램 코드에 따라 동작함으로써 원하는 장치 기능을 수행할 수 있는 프로그램 가능한 장치 또는 유닛에도 적용될 수 있다.
그러나, 다른 변경, 수정, 변형 및 대안들이 또한 가능하다. 따라서, 명세서 및 도면은 제한적인 의미가 아니라 예시적인 것으로 간주되어야 한다.
청구항에서, 괄호 사이에 위치한 임의의 참조 부호는 청구항을 제한하는 것으로 해석되어서는 아니 된다. '포함하는'이라는 단어는 청구항에 나열된 요소들 또는 동작들의 존재를 배제하지 않는다. 또한, 본원에 사용된 용어 "하나"는 하나 또는 하나 이상으로 정의된다. 또한, 청구 범위에서 "적어도 하나" 및 "하나 이상"과 같은 도입 문구를 사용하는 것은, 동일한 청구항에 "적어도 하나" 및 "하나 이상"과 같은 도입 문구 및 "하나" 같은 불명료한 문구가 포함되어 있는 경우라 할지라도, 불명료한 문구 "하나"에 의한 다른 청구항 요소의 도입이 그러한 요소를 하나만을 포함하는 발명에 대해 그렇게 도입된 청구항 요소를 포함하는 임의의 특정 청구항을 제한한다는 것을 의미하는 것으로 해석되어서는 안된다. 명확한 문구의 사용에 대해서도 마찬가지이다. 달리 명시하지 않는 한, "제1" 및 "제2"와 같은 용어는 그러한 용어가 설명하는 요소들을 임의로 구별하는 데 사용된다. 따라서, 이들 용어는 그러한 요소들의 시간적 또는 다른 우선 순위를 나타내도록 반드시 의도된 것은 아니며, 특정 수단이 서로 다른 청구항들에 열거되어 있다는 단순한 사실만으로 이러한 수단들의 조합이 유리하게 사용될 수 없다는 것을 나타내는 것은 아니다.
이 특허 출원에 언급된 시스템, 장치 또는 디바이스는 적어도 하나의 하드웨어 구성 요소를 포함한다.
본 발명의 특정한 특징들이 본 명세서에 예시되고 기술되었지만, 많은 수정, 변형, 대체, 변경 및 등가물이 당업자에 의해 나타나고 이루어질 수 있다. 그러므로, 첨부된 청구 범위는 본 발명의 진정한 사상 내에 있는 그러한 모든 수정, 변형 및 변경을 포함하도록 의도된 것으로 이해되어야 한다.

Claims (24)

  1. 대상물의 복수의 전도성 구조 요소들(conductive structural elements)과 관련된 두께를 추정하는(estimating) 방법으로서, 상기 방법은,
    (a) 대상물의 포토레지스트 층에 속하는 복수의 포토레지스트 층 부분들 및 복수의 전도성 구조 요소들을 제1 조명 방사선으로 조사하는 동작; 여기에서 상기 복수의 포토레지스트 층 부분들은 상기 복수의 전도성 요소들을 둘러싸고;
    (b) 제1 방출된 방사선을 검출하는 동작, 여기에서 상기 제1 방출된 방사선은 상기 복수의 포토레지스트 층 부분들의 상부 표면으로부터 방출되고 상기 복수의 전도성 구조 요소들의 상부 표면으로부터 방출되고;
    (c) 복수의 높이 차이들을 제공하기 위하여, 각각의 전도성 구조 요소에 대해 그리고 상기 제1 방출된 방사선에 기초하여, 상기 전도성 구조 요소의 상부 표면과 상기 전도성 구조 요소를 둘러싸는 포토레지스트 층 부분의 상부 표면 사이의 높이 차이를 추정하는 동작;
    (d) 상기 포토레지스트 층 부분들의 제1 복수의 지점들을 제2 조명 방사선으로 조사하는 동작; 여기에서 상기 제2 조명 방사선은 상기 제1 조명 방사선과 적어도 파장의 차이가 있고;
    (e) 상기 복수의 포토레지스트 층 부분들의 적어도 바닥으로부터 방출된 제2 방출된 방사선을 검출하는 동작;
    (f) 적어도 상기 제2 방출된 방사선에 기초하여 상기 복수의 포토레지스트 층 부분들의 두께들을 추정하는 동작; 및
    (g) 상기 복수의 전도성 구조 요소들과 관련된 두께 값들을 계산하는 동작을 포함하되, 여기에서 상기 계산하는 동작은 적어도 상기 복수의 높이 차이들 및 상기 복수의 포토레지스트 층 부분들의 상기 추정된 두께에 기초하는 방법.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 제1 조명 방사선은 자외선 방사선인 방법.
  3. 제1 항에 있어서, 상기 제1 조명 방사선은 상기 포토레지스트 층을 통해 전파하지 않으며 상기 제2 조명 방사선은 상기 포토레지스트 층을 통해 전파하는 방법.
  4. 제1 항에 있어서, 동작 (d), (e) 및 (f)는 반사계(reflectometer)에 의해 실행되고, 동작 (a), (b) 및 (c)는 상기 반사계와 다른 장치에 의해 실행되는 방법.
  5. 제1 항에 있어서, 동작 (a), (b) 및 (c)는 제1 공정에 의해 실행되고, 동작 (d), (e) 및 (f)는 제2 공정에 의해 실행되되, 측정 당 상기 제1 공정은 상기 제2 공정보다 빠른 방법.
  6. 제1 항에 있어서, 상기 복수의 전도성 구조 요소들은 제2 복수의 전도성 구조 요소들이고, 상기 제2 복수의 개수는 상기 제1 복수의 개수를 초과하는 방법.
  7. 제1 항에 있어서, 상기 복수의 포토레지스트 층 부분들 중 적어도 하나는 상기 제1 복수의 지점들 중 어느 것도 포함하지 않는 방법.
  8. 제1 항에 있어서, 상기 복수의 포토레지스트 층 부분들의 바닥들과 상기 복수의 전도성 구조 요소들의 바닥들이 동일한 평면에 위치하고, 상기 복수의 전도성 구조 요소들과 관련된 두께 값들은 상기 복수의 전도성 구조 요소들 전체의 두께를 나타내는 방법.
  9. 제1 항에 있어서, 상기 복수의 포토레지스트 층 부분들의 바닥들이 제1 평면에 위치되고, 상기 복수의 전도성 구조 요소들의 바닥들이 상기 제1 평면과 다른 제2 평면에 위치되고, 상기 복수의 전도성 구조 요소들과 관련되는 상기 두께 값들은 상기 복수의 전도성 구조 요소들의 부분들의 두께를 나타내는 방법.
  10. 대상물의 복수의 전도성 구조 요소와 관련된 두께를 추정하는 비 일시적(non-transitory) 컴퓨터 판독 가능 매체로서, 상기 비 일시적 컴퓨터 판독 가능 매체는,
    (a) 상기 대상물의 포토레지스트 층에 속하는 복수의 포토레지스트 층 부분들 및 상기 복수의 전도성 구조 요소들을 제1 조명 방사선으로 조사하는 동작; 여기에서 상기 복수의 포토레지스트 층 부분들은 상기 복수의 전도성 요소들을 둘러싸고;
    (b) 제1 방출된 방사선을 검출하는 동작, 여기에서 상기 제1 방출된 방사선은 상기 복수의 포토레지스트 층 부분들의 상부 표면들로부터 방출되고 상기 복수의 전도성 구조 요소들의 상부 표면들로부터 방출되고;
    (c) 복수의 높이 차이들을 제공하기 위하여, 각각의 전도성 구조 요소에 대해 그리고 상기 제1 방출된 방사선에 기초하여, 상기 전도성 구조 요소의 상부 표면과 상기 전도성 구조 요소를 둘러싸는 포토레지스트 층 부분의 상부 표면 사이의 높이 차이를 추정하는 동작;
    (d) 상기 포토레지스트 층 부분들의 제1 복수의 지점들을 제2 조명 방사선으로 조사하는 동작; 여기에서 상기 제2 조명 방사선은 상기 제1 조명 방사선과 적어도 파장의 차이가 있고;
    (e) 상기 복수의 포토레지스트 층 부분들의 적어도 바닥들로부터 방출된 제2 방출된 방사선을 검출하는 동작;
    (f) 적어도 상기 제2 방출된 방사선에 기초하여 상기 복수의 포토레지스트 층 부분들의 두께들을 추정하는 동작; 및
    (g) 상기 복수의 전도성 구조 요소들과 관련된 두께 값들을 계산하는 동작을 포함하되, 여기에서 상기 계산하는 동작은 적어도 상기 복수의 높이 차이들 및 상기 복수의 포토레지스트 층 부분들의 상기 추정된 두께에 기초하는
    비 일시적 컴퓨터 판독 가능 매체.
  11. 제10 항에 있어서, 상기 제1 조명 방사선은 자외선 방사선인 비 일시적 컴퓨터 판독 가능 매체.
  12. 제10 항에 있어서, 상기 제1 조명 방사선은 상기 포토레지스트 층을 통해 전파되지 않고 상기 제2 조명 방사선은 상기 포토레지스트 층을 통해 전파하는 비 일시적 컴퓨터 판독 가능 매체.
  13. 제10 항에 있어서, 상기 동작 (d), (e) 및 (f)는 반사계에 의해 실행되고, 동작 (a), (b) 및 (c)는 상기 반사계와 다른 장치에 의해 실행되는 비 일시적 컴퓨터 판독 가능 매체.
  14. 제10 항에 있어서, 상기 동작 (a), (b) 및 (c)는 제1 공정에 의해 실행되고, 동작 (d), (e) 및 (f)는 제2 공정에 의해 실행되며, 측정 당, 상기 제1 공정은 상기 제2 공정보다 빠른 비 일시적 컴퓨터 판독 가능 매체.
  15. 제10 항에 있어서, 상기 복수의 전도성 구조 요소들은 제2 복수의 전도성 구조 요소들이고, 상기 제2 복수의 개수는 상기 제1 복수의 개수를 초과하는 비 일시적 컴퓨터 판독 가능 매체.
  16. 제10 항에 있어서, 상기 복수의 포토레지스트 층 부분들 중 적어도 하나는 상기 제1 복수의 지점들 중 어느 것도 포함하지 않는 비 일시적 컴퓨터 판독 가능 매체.
  17. 제10 항에 있어서, 상기 복수의 포토레지스트 층 부분들의 바닥들, 상기 복수의 전도성 구조 요소들의 바닥들은 동일 평면 상에 위치하며, 상기 복수의 전도성 구조 요소들과 관련된 상기 두께 값들은 상기 복수의 전도성 구조 요소들 전체의 두께를 나타내는 비 일시적 컴퓨터 판독 가능 매체.
  18. 제10 항에 있어서, 상기 복수의 포토레지스트 층 부분들의 바닥들은 제1 평면에 위치되고, 상기 복수의 전도성 구조 요소들의 바닥들은 상기 제1 평면과 다른 제2 평면에 위치하며, 여기에서 상기 복수의 전도성 구조 요소들과 관련된 상기 두께 값들은 상기 복수의 전도성 구조 요소들의 부분들의 두께를 나타내는 비 일시적 컴퓨터 판독 가능 매체.
  19. 측정 시스템으로서,
    제1 측정 유닛은:
    제1 조명 방사로, 대상물의 포토레지스트 층에 속하는 복수의 포토레지스트 층 부분들 및 복수의 전도성 구조 요소들을 조사하고; 여기에서 상기 복수의 포토레지스트 층 부분들은 상기 복수의 전도성 요소들을 둘러싸고;
    제1 방출된 방사선을 검출하고, 여기에서 상기 제1 방출된 방사선은 상기 복수의 포토레지스트 층 부분들의 상부 표면들로부터 방출되고 상기 복수의 전도성 구조 요소들의 상부 표면들로부터 방출되고; 및
    복수의 높이 차이들을 제공하기 위하여, 각각의 전도성 구조 요소에 대해 그리고 상기 제1 방출된 방사선에 기초하여, 상기 전도성 구조 요소의 상부 표면과 상기 전도성 구조 요소를 둘러싸는 포토레지스트 층 부분의 상부 표면 사이의 높이 차이를 추정하도록 구성되며;
    제2 측정 유닛은:
    상기 포토레지스트 층 부분들의 제1 복수의 지점들을 제2 조명 방사선으로 조사하고; 여기에서 상기 제2 조명 방사선은 상기 제1 조명 방사선과 적어도 파장의 차이가 있고;
    상기 복수의 포토레지스트 층 부분들의 적어도 바닥들로부터 방출된 제2 방출된 방사선을 검출하고; 및
    적어도 상기 제2 방출된 방사선에 기초하여 상기 복수의 포토레지스트 층 부분들의 두께들을 추정하도록 구성되며; 및
    상기 복수의 전도성 구조 요소들과 관련된 두께 값들을 계산하도록 구성된 처리 회로를 포함하되, 여기에서 상기 계산은 적어도 상기 복수의 높이 차이들 및 상기 복수의 포토레지스트 층 부분들의 상기 추정된 두께에 기초하는 측정 시스템.
  20. 대상물의 복수의 전도성 구조 요소들과 관련된 두께를 추정하는 방법으로서, 상기 방법은,
    상기 대상물의 포토레지스트 층에 속하는 복수의 포토레지스트 층 부분들 및 상기 복수의 전도성 구조 요소들을 조명 방사선으로 조사하는 동작; 여기에서 상기 복수의 포토레지스트 층 부분들은 상기 복수의 전도성 요소들을 둘러싸고;
    방출된 방사선의 제1 부분 및 방출된 방사선의 제2 부분을 검출하는 동작, 여기에서 상기 방출된 방사선의 상기 제1 부분은 상기 복수의 포토레지스트 층 부분들의 상부 표면들로부터 방출되고 상기 복수의 전도성 구조 요소들의 상부 표면들로부터 방출되고;
    여기에서 상기 방출된 방사선의 상기 제2 부분은 상기 복수의 포토레지스트 층 부분들의 바닥들로부터 방출되며;
    복수의 높이 차이들을 제공하기 위하여, 각각의 전도성 구조 요소에 대해 그리고 상기 방출된 방사선의 상기 제1 부분에 기초하여, 상기 전도성 구조 요소의 상부 표면과 상기 전도성 구조 요소를 둘러싸는 포토레지스트 층 부분의 상부 표면 사이의 높이 차이를 추정하는 동작;
    적어도 상기 방출된 방사선의 상기 제2 부분에 기초하여 상기 복수의 포토레지스트 층 부분들의 두께들을 추정하는 동작; 및
    상기 복수의 전도성 구조 요소들에 관련된 두께 값들을 계산하는 동작을 포함하되, 여기에서 상기 계산하는 동작은 적어도 상기 복수의 높이 차이들 및 상기 복수의 포토레지스트 층 부분들의 상기 추정된 두께에 기초하는 방법.
  21. 제20 항에 있어서, 상기 조명 방사선은 백색광인 방법.
  22. 대상물의 복수의 전도성 구조 요소들과 관련된 두께를 추정하는 비 일시적 컴퓨터 판독 가능 매체로서, 상기 비 일시적인 컴퓨터 판독 가능 매체는,
    상기 대상물의 포토레지스트 층에 속하는 복수의 포토레지스트 층 부분들 및 상기 복수의 전도성 구조 요소들을 조명 방사선으로 조사하는 동작; 여기에서 상기 복수의 포토레지스트 층 부분들은 상기 복수의 전도성 요소들을 둘러싸고;
    방출된 방사선의 제1 부분 및 방출된 방사선의 제2 부분을 검출하는 동작, 여기에서 상기 방출된 방사선의 상기 제1 부분은 상기 복수의 포토레지스트 층 부분들의 상부 표면들로부터 방출되고 상기 복수의 전도성 구조 요소들의 상부 표면들로부터 방출되며;
    여기에서 상기 방출된 방사선의 상기 제2 부분은 상기 복수의 포토레지스트 층 부분들의 바닥들로부터 방출되고;
    복수의 높이 차이들을 제공하기 위하여, 각각의 전도성 구조 요소에 대해 그리고 상기 방출된 방사선의 상기 제1 부분에 기초하여, 상기 전도성 구조 요소의 상부 표면과 상기 전도성 구조 요소를 둘러싸는 포토레지스트 층 부분의 상부 표면 사이의 높이 차이를 추정하는 동작;
    적어도 상기 방출된 방사선의 상기 제2 부분에 기초하여 상기 복수의 포토레지스트 층 부분들의 두께들을 추정하는 동작; 및
    상기 복수의 전도성 구조 요소들에 관련된 두께 값들을 계산하는 동작에 대한 명령들을 저장하되, 상기 계산하는 동작은 적어도 상기 복수의 높이 차이들 및 상기 복수의 포토레지스트 층 부분들의 상기 추정된 두께에 기초하는 비 일시적 컴퓨터 판독 가능 매체.
  23. 제22 항에 있어서, 상기 조명 방사선은 백색광인 비 일시적 컴퓨터 판독 가능 매체.
  24. 측정 시스템으로서,
    측정 유닛은,
    객체의 포토레지스트 층에 속하는 복수의 포토레지스트 층 부분들 및 복수의 전도성 구조 요소들을 조명 방사선으로 조사하고; 여기에서 상기 복수의 포토레지스트 층 부분들은 상기 복수의 전도성 요소들을 둘러싸고;
    방출된 방사선의 제1 부분 및 방출된 방사선의 제2 부분을 검출하고, 여기에서 상기 방출된 방사선의 상기 제1 부분은 상기 복수의 포토레지스트 층 부분들의 상부 표면들로부터 방출되고 상기 복수의 전도성 구조 요소들의 상부 표면들로부터 방출되며, 여기에서 상기 방출된 방사선의 상기 제2 부분은 상기 복수의 포토레지스트 층 부분들의 바닥들로부터 방출되고;
    복수의 높이 차이들을 제공하기 위하여, 각각의 전도성 구조 요소에 대해 그리고 상기 방출된 방사선의 상기 제1 부분에 기초하여, 상기 전도성 구조 요소의 상부 표면과 상기 전도성 구조 요소를 둘러싸는 포토레지스트 층 부분의 상부 표면 사이의 높이 차이를 추정하고; 및
    적어도 상기 방출된 방사선의 상기 제2 부분에 기초하여 상기 복수의 포토레지스트 층 부분들의 두께들을 추정하도록 구성되고; 및
    상기 복수의 전도성 구조 요소들과 관련된 두께 값들을 계산하도록 구성된 처리 회로를 포함하되, 여기에서 상기 계산은 적어도 상기 복수의 높이 차이들 및 상기 복수의 포토레지스트 층 부분들의 상기 추정된 두께에 기초하는 측정 시스템.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7083695B2 (ja) * 2018-05-11 2022-06-13 株式会社荏原製作所 バンプ高さ検査装置、基板処理装置、バンプ高さ検査方法、記憶媒体
CN116880137A (zh) * 2023-07-31 2023-10-13 苏州天准科技股份有限公司 一种掩膜支撑装置和非接触式曝光设备

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150092627A (ko) * 2014-02-05 2015-08-13 삼성전자주식회사 신호 공유를 이용한 다중 분석 알고리즘 및 관련된 장치
US20170221739A1 (en) * 2016-01-29 2017-08-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Metrology system and measurement method using the same
US20180108578A1 (en) * 2016-10-13 2018-04-19 Kla-Tencor Corporation Metrology Systems And Methods For Process Control

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IL123727A (en) * 1998-03-18 2002-05-23 Nova Measuring Instr Ltd Method and apparatus for measurement of patterned structures
US6563586B1 (en) * 1999-02-01 2003-05-13 Therma-Wave, Inc. Wafer metrology apparatus and method
JP6107353B2 (ja) * 2013-04-12 2017-04-05 株式会社島津製作所 表面処理状況モニタリング装置
US10935893B2 (en) * 2013-08-11 2021-03-02 Kla-Tencor Corporation Differential methods and apparatus for metrology of semiconductor targets
CN103471535A (zh) * 2013-09-06 2013-12-25 航天材料及工艺研究所 一种用底片黑度值测算匀质材料厚度的方法
US9441952B2 (en) * 2013-09-27 2016-09-13 Intel Corporation Metrology tool for electroless copper thickness measurement for BBUL process development monitoring
CN104266617A (zh) * 2014-09-28 2015-01-07 中国船舶重工集团公司第七二五研究所 一种无损检测lng气化器涂层厚度的方法
US20170059303A1 (en) * 2015-08-31 2017-03-02 Robert Alan May Nondestructive optical detection of trace undercut, width and thickness
CN108604065B (zh) * 2015-12-23 2021-10-26 Asml荷兰有限公司 量测方法、目标和衬底
US9728470B1 (en) * 2016-05-10 2017-08-08 Infineon Technologies Austria Ag Semiconductor structure and methods
CN106680821A (zh) * 2016-12-05 2017-05-17 南昌航空大学 NiCoCrAlYTa六元涂等离子喷涂涂层厚度超声无损检测方法
US10504761B2 (en) * 2017-02-08 2019-12-10 Semiconductor Technologies & Instruments Pte. Ltd. Method system for generating 3D composite images of objects and determining object properties based thereon
JP6956673B2 (ja) * 2018-04-09 2021-11-02 三菱電機株式会社 膜厚測定装置
JP7083695B2 (ja) * 2018-05-11 2022-06-13 株式会社荏原製作所 バンプ高さ検査装置、基板処理装置、バンプ高さ検査方法、記憶媒体

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150092627A (ko) * 2014-02-05 2015-08-13 삼성전자주식회사 신호 공유를 이용한 다중 분석 알고리즘 및 관련된 장치
US20170221739A1 (en) * 2016-01-29 2017-08-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Metrology system and measurement method using the same
US20180108578A1 (en) * 2016-10-13 2018-04-19 Kla-Tencor Corporation Metrology Systems And Methods For Process Control

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