KR102288368B1 - 크로스 토크 검출 - Google Patents

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Abstract

크로스 토크를 검출하는 방법으로서, 방법은 제1 경사 빔(oblique beam)으로 관심 영역(ROI: region of interest)을 조명함으로써 웨이퍼의 관심 영역의 제1 영상을 획득하는 동작과 관심 영역으로부터 반사된 광을 수집하는 동작, 제2 경사 빔으로 관심 영역을 조명함으로써 관심 영역의 제2 영상을 획득하는 동작과 관심 영역으로부터 반사된 광을 수집하는 동작 및 웨이퍼 상의 제1 경사 빔의 직각 투영(orthogonal projection)은 웨이퍼 상의 상기 제2 경사 빔의 직각 투영에 지향되고(oriented), 영역의 제1 영상 및 영역의 제2 영상 중 적어도 어느 하나에 나타나는 크로스 토크를 검출하는 동작을 포함하는 크로스 토크를 검출하는 방법.

Description

크로스 토크 검출{CROSS TALK DETECTION}
본 출원은 본원에 참고로 인용된 출원 일자 2018년 5월 15일인 미국 가출원 US 62/671,474호로부터 우선권을 주장한다.
웨이퍼는 서로를 향하여 빛을 반사할 수 있는 다수의 구조적 요소를 포함할 수 있으며, 그 결과 크로스 토크(cross talk)가 발생한다.
따라서, 첫 번째 구조적 요소가 조명될 때, 첫 번째 구조적 요소는 두 번째 구조적 요소를 향해 (직접 또는 간접적으로) 방사(radiation)를 반사할 수 있다. 두 번째 구조적 요소는 첫 번째 구조적 요소로부터 반사된 광만을 감지해야만 하는 센서를 향한 방사의 적어도 일부를 반사할 수 있으므로, 첫 번째 구조적 요소의 영상은 두 번째 구조적 요소에 대한 원하지 않는 정보를 또한 포함한다.
따라서, 크로스 토크(cross talk)를 감지할 필요성이 점점 커지고 있다.
크로스 토크(cross talk)를 검출하는 방법이 제공될 수 있다. 상기 방법은 제1 경사 빔(oblique beam)으로 관심 영역(ROI: region of interest)을 조명함으로써 웨이퍼의 관심 영역의 제1 영상을 획득하는 동작 및 상기 관심 영역으로부터 반사된 광을 수집하는 동작; 제2 경사 빔으로 상기 관심 영역을 조명함으로써 상기 관심 영역의 제2 영상을 획득하는 동작 및 상기 관심 영역으로부터 반사된 광을 수집하는 동작; 및 상기 웨이퍼 상의 상기 제1 경사 빔의 직각 투영(orthogonal projection)은 상기 웨이퍼 상의 상기 제2 경사 빔의 직각 투영에 지향되고(oriented), 상기 영역의 제1 영상 및 상기 영역의 제2 영상 중 적어도 어느 하나에 나타나는 크로스 토크를 검출하는 동작을 포함할 수 있다.
상기 크로스 토크를 검출하는 동작은 실질적으로 크로스 토크가 없는 제1 영상 및 제2 영상 중에서 영상을 탐색하는 동작을 포함할 수 있다.
상기 방법은 실질적으로 크로스 토크가 없는 영상을 발견할 때까지 상기 관심 영역의 추가 영상들을 획득하는 동작을 계속하는 동작을 포함하고, 상기 추가 영상들은 서로에게 지향되는 웨이퍼 상에 직각 투영을 갖는 경사 빔으로 상기 웨이퍼의 상기 관심 영역을 조명함으로써 얻어질 수 있다.
상기 크로스 토크를 검출하는 동작은 상기 제1 영상 및 상기 제2 영상 사이의 비교에 기반할 수 있다.
상기 비교는 상기 제1 영상 및 상기 제2 영상 내에서 실질적으로 동일한 값을 가진 픽셀들의 공간적인 분포 사이의 차이를 평가하는 동작을 포함할 수 있다.
상기 방법은 웨이퍼와 상기 제1 경사 빔 및 상기 제2 경사 빔을 생성하는 조명 유닛 사이에서 상기 웨이퍼에 지향되는 축에 대해 회전 동작을 도입하는 동작을 포함하고, 상기 회전 동작의 도입은 상기 관심 영역의 상기 제1 영상의 획득 후 및 상기 관심 영역의 상기 제2 영상의 획득 전에 실행될 수 있다.
상기 제1 경사 빔은 제1 조명 유닛에 의해 생성되고, 상기 제2 경사 빔은 제2 조명 유닛에 의해 생성될 수 있다.
상기 크로스 토크를 검출하는 동작은 상기 관심 영역의 참조 모델(reference model)에 기반할 수 있다.
상기 제1 영상 및 상기 제2 영상은 높이 정보를 포함하고, 상기 크로스 토크를 검출하는 동작은 상기 관심 영역의 구성 요소들의 예측 높이 값들에 기반할 수 있다.
상기 제1 경사 빔으로 상기 관심 영역을 조명하는 동작은 상기 제1 경사 빔으로 상기 관심 영역을 스캔하는 동작을 포함할 수 있다.
상기 방법은 상기 관심 영역 상에 스팟(spot)을 형성할 수 있다.
상기 방법은 상기 관심 영역 상에 라인(line)을 형성할 수 있다.
상기 제1 영상을 획득하는 동작은 삼각 측량 시스템을 이용할 수 있다.
상기 크로스 토크를 검출하는 동작 이후 상기 관심 영역의 추정을 생성하는 동작이 수반될 수 있다.
상기 크로스 토크를 검출하는 동작 이후 상기 관심 영역의 3차원 추정을 생성하는 동작이 수반될 수 있다.
명령어들을 저장하는 비 휘발성 컴퓨터 판독 가능한 매체로서, 상기 명령어들은 제1 경사 빔(oblique beam)으로 관심 영역(ROI: region of interest)을 조명함으로써 웨이퍼의 관심 영역의 제1 영상을 획득하는 동작 및 상기 관심 영역으로부터 반사된 광을 수집하는 동작; 제2 경사 빔으로 상기 관심 영역을 조명함으로써 상기 관심 영역의 제2 영상을 획득하는 동작 및 상기 관심 영역으로부터 반사된 광을 수집하는 동작; 및 상기 웨이퍼 상의 상기 제1 경사 빔의 직각 투영(orthogonal projection)은 상기 웨이퍼 상의 상기 제2 경사 빔의 직각 투영에 지향되고(oriented), 상기 영역의 제1 영상 및 상기 영역의 제2 영상 중 적어도 어느 하나에 나타나는 크로스 토크를 검출하는 동작을 수행하는 명령어들일 수 있다.
삭제
상기 비 휘발성 컴퓨터 판독 가능한 매체는 크로스 토크가 실질적으로 없는 영상을 발견할 때까지 상기 관심 영역의 추가 영상들을 획득하는 동작을 계속하는 동작을 위한 명령어들을 더 저장하고, 상기 추가 영상들은 서로에게 지향되는 상기 웨이퍼 상에 직각 투영들을 갖는 경사 빔들에 의해 상기 웨이퍼의 상기 관심 영역을 조명함으로써 획득될 수 있다.
상기 크로스 토크를 검출하는 동작은 상기 제1 영상 및 상기 제2 영상 사이의 비교에 기반할 수 있다.
상기 비교는 상기 제1 영상 내 및 상기 제2 영상 내에서 실질적으로 같은 값을 갖는 픽셀들의 공간적 분포들 사이의 비교를 평가하는 동작을 포함할 수 있다.
상기 비 휘발성 컴퓨터 판독 가능한 매체는 웨이퍼와 상기 제1 경사 빔 및 상기 제2 경사 빔을 생성하는 조명 유닛 사이에서 상기 웨이퍼에 지향되는 축에 대해 회전 동작을 도입하는 동작을 포함하고, 상기 회전 동작의 도입은 상기 관심 영역의 상기 제1 영상의 획득 후 및 상기 관심 영역의 상기 제1 영상의 획득 전에 실행될 수 있다.
상기 제1 경사 빔은 제1 조명 유닛에 의해 생성되고, 상기 제2 경사 빔은 제2 조명 유닛에 의해 생성될 수 있다.
상기 크로스 토크를 검출하는 동작은 상기 관심 영역의 참조 모델(reference model)에 기반할 수 있다.
상기 제1 영상 및 상기 제2 영상은 높이 정보를 포함하고, 상기 크로스 토크를 검출하는 동작은 상기 관심 영역의 구성 요소들의 예측 높이 값들에 기반할 수 있다.
상기 제1 경사 빔으로 상기 관심 영역을 조명하는 동작은 상기 제1 경사 빔으로 상기 관심 영역을 스캔하는 동작을 포함할 수 있다.
상기 제1 경사 빔은 상기 관심 영역 상에 스팟(spot)을 형성할 수 있다.
상기 제1 경사 빔은 상기 관심 영역 상에 라인(line)을 형성할 수 있다.
상기 제1 영상을 획득하는 동작은 삼각 측량 시스템을 이용하는 동작을 포함할 수 있다.
상기 크로스 토크를 검출하는 동작 이후 상기 관심 영역의 추정을 생성하는 동작이 수반될 수 있다.
상기 크로스 토크를 검출하는 동작 이후 상기 관심 영역의 3차원 추정을 생성하는 동작이 수반될 수 있다.
영상부(imager), 광학 유닛, 척(chuck) 및 프로세서를 포함하는 평가 시스템으로서, 상기 척은 웨이퍼를 지지하도록 설정되고, 상기 광학 유닛은 제1 경사 빔(oblique beam)으로 관심 영역(ROI: region of interest)을 조명함으로써 웨이퍼의 관심 영역의 제1 영상을 획득하고 상기 관심 영역으로부터 반사된 광을 수집하도록 설정되고, 상기 광학 유닛은 또한 제2 경사 빔으로 상기 관심 영역을 조명함으로써 상기 관심 영역의 제2 영상을 획득하고 상기 관심 영역으로부터 반사된 광을 수집하도록 설정되고, 상기 웨이퍼 상의 상기 제1 경사 빔의 직각 투영(orthogonal projection)은 상기 웨이퍼 상의 상기 제2 경사 빔의 직각 투영에 지향되고, 상기 프로세서는 상기 영역의 상기 제1 영상 및 상기 영역의 제2 영상 중 적어도 어느 한 영상에 나타나는 크로스 토크(cross talk)를 검출하도록 설정되는 평가 시스템이 제공될 수 있다.
상기 프로세서는 상기 실질적으로 크로스 토크가 없는 제1 영상 및 상기 제2 영상 중에서 영상을 탐색하여 상기 크로스 토크를 검출하도록 설정될 수 있다.
상기 평가 시스템은 실질적으로 크로스 토크가 없는 영상을 발견할 때까지 상기 관심 영역의 추가 영상들을 획득하는 동작을 계속하는 동작을 포함하고, 상기 추가 영상들은 서로에게 지향되는 웨이퍼 상에 직각 투영을 갖는 경사 빔으로 상기 웨이퍼의 상기 관심 영역을 조명함으로써 획득될 수 있다.
상기 프로세서는 상기 제1 영상 및 상기 제2 영상 사이의 비교에 기반하는 크로스 토크에 의해 상기 크로스 토크를 검출하도록 설정될 수 있다.
상기 비교는 상기 제1 영상 및 상기 제2 영상 내에서 실질적으로 동일한 값을 가진 픽셀들의 공간적인 분포 사이의 차이를 평가하는 것을 포함할 수 있다.
상기 척은 상기 웨이퍼와 상기 광학 유닛 사이에서 상기 웨이퍼에 지향되는 축을 중심으로 회전 동작을 도입하도록 설정된 스테이지(stage)에 의해 지지되고, 상기 회전 동작의 도입은 상기 관심 영역의 상기 제1 영상의 획득 후 및 상기 관심 영역의 상기 제2 영상의 획득 전에 실행될 수 있다.
상기 제1 경사 빔은 제1 조명 유닛에 의해 생성되고, 상기 제2 경사 빔은 제2 조명 유닛에 의해 생성될 수 있다.
상기 프로세서는 상기 관심 영역의 참조 모델(reference model)에 기반하는 크로스 토크에 의해 상기 크로스 토크를 검출하도록 설정될 수 있다.
상기 제1 영상 및 상기 제2 영상은 높이 정보를 포함하고, 상기 프로세서는 상기 관심 영역의 구성 요소들의 예측 높이 값들에 기반하는 크로스 토크에 의해 상기 크로스 토크를 검출하도록 설정될 수 있다.
상기 광학 유닛은 상기 제1 경사 빔으로 상기 관심 영역을 스캔함으로써 상기 제1 경사 빔으로 상기 관심 영역을 조명하도록 설정될 수 있다.
상기 제1 경사 빔은 상기 관심 영역 상에 스팟(spot)을 형성할 수 있다.
상기 제1 경사 빔은 상기 관심 영역 상에 라인(line)을 형성할 수 있다.
상기 평가 시스템은 삼각 측량 시스템일 수 있다.
상기 프로세서는 상기 관심 영역의 추정을 생성함으로써 상기 크로스 토크를 검출하도록 설정될 수 있다.
상기 프로세서는 상기 관심 영역의 3차원 추정을 생성함으로써 상기 크로스 토크를 검출하도록 설정될 수 있다.
본 발명은 도면과 관련하여 취해진 다음의 상세한 설명으로부터 보다 잘 이해되고 인식될 것이다.
도 1은 웨이퍼 및 평가 시스템의 구성 요소들 사이의 다양한 공간적 관계를 도시한다.
도 2는 웨이퍼 및 평가 시스템의 예를 도시한다.
도 3은 웨이퍼 및 평가 시스템의 예를 도시한다.
도 4는 웨이퍼 및 평가 시스템의 예를 도시한다.
도 5는 웨이퍼의 관심 영역(ROI), 스캔 패턴 및 크로스 토크가 없는 시나리오의 예를 도시한다.
도 6은 크로스 토크가 없는 시나리오의 예를 도시한다.
도 7은 크로스 토크가 없는 시나리오의 예를 도시한다.
도 8은 크로스 토크가 없는 시나리오의 예를 도시한다.
도 9는 2개의 구조적 특징들의 예시적인 이미지를 도시한다.
도 10은 스캔 패턴의 예를 도시한다.
도 11은 방법의 예를 도시한다.
본 발명을 구현하는 장치는 대부분 당업자에게 공지된 광학 구성 요소 및 회로로 구성되기 때문에, 본 발명의 기본 개념에 대한 이해를 위하고 본 발명의 교시를 혼란스럽게 하거나 흐트러뜨리지 않기 위해, 회로 상세는 설명된 바와 같이 필요한 것으로 여겨지는 것보다 더 큰 범위로 설명되지 않을 것이다.
다음의 명세서에서, 본 발명은 본 발명의 실시예에 대한 특정 예를 참조하여 설명될 것이다. 그러나, 첨부된 청구 범위에 설명된 바와 같이 본 발명의 더 넓은 사상 및 범위로부터 벗어남이 없이 다양한 수정 및 변경이 이루어질 수 있음이 명백할 것이다.
"포함하는"이라는 단어는 청구항에 나열된 요소들 또는 단계들의 존재를 배제하지 않는다. 그렇게 사용된 용어는 본 명세서에 기술된 본 발명의 실시예가 예를 들어 여기에 도시되거나 달리 설명된 것 이외의 다른 방향으로 작동할 수 있도록 적절한 환경 하에서 상호 교환 가능한 것으로 이해된다.
크로스 토크를 검출 및 / 또는 감소시키기위한 방법 및 시스템이 제공될 수 있다.
상기 시스템은 검사 유닛, 측량 시스템, 삼각 측량 유닛, 3D 이미징 유닛 등과 같은 평가 시스템일 수 있다.
간결한 설명을 위해, 상기 시스템은 삼각 측량 시스템으로 가정한다.
후술하는 텍스트(text)는 웨이퍼를 지칭하지만, 웨이퍼는 패널, 인쇄 회로 기판 (PCB) 등과 같은 대상의 비 제한적인 예 일뿐이다.
이 방법은 다음 단계들의 다수의 반복을 포함할 수있다.
a. 특정 방향으로부터 (조명 모듈을 사용하여) 웨이퍼의 관심 영역(region of interest: ROI)를 조명하고, 웨이퍼의 ROI로부터 반사된 광을 수집함으로써 웨이퍼의 ROI 영상을 획득하는 단계,
b. 웨이퍼와 조명 모듈 사이의 회전 운동을 도입함으로써 조명 모듈과 웨이퍼 ROI 사이의 각도(angular) 관계를 변경하는 단계 그리고 단계 (a)로 이동하는 단계.
ROI는 어떤 모양 및/또는 크기일 수 있다.
ROI는 평가 시스템의 단일 시야(field of view: FOV) 내에 위치할 수 있으며, 평가 시스템의 단일 FOV 외부로 확장될 수 있다. 전체 웨이퍼 (또는 오직 웨이퍼의 일부분)는 FOV 차례대로 영상화될 수 있다.
단계 (a) 및 (b)의 다수의 반복은 웨이퍼의 ROI에 대한 복수의(multiple) 영상들을 제공한다. 이러한 복수의 영상들은 서로 다른 각도 관계에서 수집된다. 각도 관계 중 일부는 크로스 토크가 줄어들거나 크로스 토크가 없는 영상들을 제공할 수 있다.
이들 영상들은 크로스 토크가 없는 영상들을 발견하기 위해 처리될 수 있다 (단계 (c). ROI가 다수의 구조적 요소들(structural elements)을 포함할 때 - (단계 (a) 및 (b)의 상이한 반복 동안 획득된) 상이한 영상들은 서로 다른 구조적 요소들에 대해 크로스 토크가 없는 정보를 포함할 수 있다.
단계 (c)는 영상들 간의 비교를 포함할 수 있고, 이는 영상에서 크로스 토크 정보를 찾는 데 도움을 줄 수 있으며, 임의의 이미지로부터 크로스 토크 정보를 제거하는 단계가 수반될 수 있다.
단계 (c)는 ROI의 임의의 특성 및 / 또는 파라미터 및 / 또는 예를 들어 형상 및 / 또는 크기 및 / 또는 치수 및 / 또는 ROI 내부의 구조적 요소들 사이의 공간적 관계들과 같은 특징들을 추정 또는 평가하기 위해 크로스 토크가 없는 정보를 사용하는 단계 (d) 이후일 수 있다.
회전 운동의 양은 미리 결정될 수 있고, 상이한 영상들을 획득함으로써 학습될 수 있고, 구조적 요소 사이의 형상, 크기, 반사율 및 공간적 관계 중 적어도 하나에 기반하여 추정될 수 있다.
검사 중 기판의 회전 각(x)은 180도 < x < 90도 또는 90도 < x < 0도 범위에서 선택될 수 있다는 것을 주목해야 한다. 어떤 면에서는, 선택된 회전 각이 180도, 90도, 0도의 정확한 각도 안으로 위치하거나(fall) 위치하지 않을 수 있다.
모든 회전 각은 0~360도 이내에서 사용될 수 있다는 것을 주목해야 한다.
도 1의 상부, 하부 및 우측 부분은 웨이퍼(100) 및 조명 유닛(20) 과 수집 유닛(30)을 포함하는 삼각 측량 시스템(10)을 도시한다. 도 1의 좌측 부분은 추가적인 조명 유닛(20') 및 추가적인 수집 유닛(30')을 도시한다. 도 1의 하부는 조명 유닛(20) 및 수집 유닛(30)이 웨이퍼(100)에 대해 회전된 것을 도시한다. 우측 부분은 웨이퍼(100)가 삼각 측량 시스템에 대해 회전된 것을 도시한다.
도 2는 삼각 측량 시스템(10) 및 웨이퍼(100)의 실시예를 도시한다.
삼각 측량 시스템(10)은,
a. 경사 빔(oblique beam)(110)으로 ROI를 조명하고 ROI로부터 반사된 반사 빔(120)을 감지할 수 있는 광학 헤드(11) (경사 빔(110) 및 반사 빔(120)은 도 2에 미 도시),
b. 베이스(12) (또는 다른 구조적 요소 또는 프레임)를 갖는 챔버(13),
c. 척(chuck) 및 웨이퍼(100)를 지지하고 이동시키는 기계적 스테이지(14)를 포함한다.
광학 헤드(11)는 회전 스테이지에 의해 회전될 수 있거나 광학 헤드 및 척 모두가 회전될 수 있음을 유의해야 한다. 웨이퍼는 챔버(13) 내에 배치되는 동안 평가된다. 챔버는 밀봉되거나 그렇지 않을 수 있다.
도 3은 삼각 측량 시스템(10) 및 웨이퍼(100)의 실시예를 도시한다.
삼각 측량 시스템(10)은 조명 유닛(20), 수집 유닛(30), 척 및 기계적 스테이지(14), 프레임 그래버(frame grabber)(56) 및 프로세서(90)를 포함한다.
척은 웨이퍼(100)를 지지하도록 구성되며, 기계적 스테이지가 척을 회전시키거나 및/또는 척의 임의의 다른 운동을 수행할 수 있다.
조명 유닛(20)은 웨이퍼(100)에 대해 경사진 광축을 가지며, 웨이퍼(100)의 ROI를 경사 빔으로 조명한다. 수집 유닛(30)은 ROI로부터 반사된 광을 수집하도록 구성된다.
조명 유닛 및 수집 유닛은 광학 헤드에 속할 수 있다.
삼각 측량 시스템(10)은 웨이퍼(100) 상의 궤적에 의해 서로 다른 경사에 의해 웨이퍼의 ROI를 조명함으로써 상이한 영상들을 수집할 수 있다. 특히, 서로 다른 경사 빔의 직각 투영(orthogonal projections)은 서로에 대해 평행하지 않을 수 있다.
프로세서(90)는 수집 유닛(30)에 의해 생성된 영상을 처리할 수 있다.
프로세서(90)는 영역의 제1 영상 및 영역의 제2 영상 중 적어도 하나에 나타나는 크로스 토크를 검출하도록 구성될 수 있다. 크로스 토크의 검출은 검출된 크로스 토크를 실질적으로 무시하면서 ROI의 구조적 요소들의 하나 이상의 특성 및/또는 파라미터 및/또는 특징을 계산함으로써 수행될 수 있다.
도 4는 삼각 측량 시스템(10)의 예를 도시한다.
삼각 측량 시스템(10)은 조명 유닛(20), 수집 유닛(30), (제1 카메라 광학 장치(52)가 선행되는) 제1 카메라(54), 척 및 기계적 스테이지(14), 프레임 그래버(56)를 포함한다.
조명 유닛(20)은 공간적으로 간섭하지 않을 수 있는 광 스트립 (도 5에서 115로 표시됨)을 웨이퍼(100)의 ROI 상에 형성하기 위해 경사 빔(110)으로 웨이퍼(100)를 조명하도록 구성된다. 웨이퍼(100)의 ROI는 표면(101) 및 미세한 범프(microscopic bump) (이에 한정되는 것은 아님)와 같은 다수의 구조적 요소들을 포함한다.
수집 유닛(30)은 대상으로부터 반사된 광을 모으고 제1 카메라(54)에 광을 분배하도록 구성된다.
제1 카메라(54)는 높이 측정 과정 중에 다수의 구조적 요소들의 높이를 지시하는 검출 신호를 생성하도록 구성된다.
기계적 스테이지는 높이 측정 과정 중에 표면과 조명 유닛(20) 및 수집 유닛(30) 각각 사이에서 이동을 도입하도록 구성된다.
프레임 그래버(56)는 카메라로부터 검출 신호를 획득하고 ROI의 영상들을 생성하도록 구성된다.
프로세서(90)는 다수의 구조적 요소들의 높이를 결정하기 위해 영상들을 처리하도록 구성된다. 상기 처리는 임의의 공지된 삼각 측량 과정을 적용하는 것을 포함할 수 있다. 예를 들어, 프로세서는 Ben-Levi의 미국 특허 US 8,363,229에 설명된 삼각 측량 과정을 적용할 수 있다. 프로세서(90)는 하나 이상의 범용 유닛 칩 또는 코어, 하나 이상의 이미지 프로세서 칩 또는 코어, 하나 이상의 FPGA, 하나 이상의 컴퓨터 등을 포함할 수 있다.
도 4는 샤임플러그(Scheimpflug) 원리 조명 유닛(24)에 광을 공급하기 위한 섬유(22)를 포함하는 조명 유닛(20)을 도시한다. 삼각 측량 시스템(10)은 다른 조명 유닛들을 포함할 수 있다. 삼각 측량 시스템(10)은 하나의 조명 유닛을 사용하여 삼각 측량 시스템의 비용을 감소시키고 간섭 패턴, 크로스 토크의 생성을 방지할 수 있음에도 불구하고 하나 또는 다수의 조명 유닛을 포함할 수 있고, 서로 다른 조명 유닛들에 의해 생성된 광 사이의 차이를 보상하기 위한 보상 프로세스를 사용하는 것을 방지할 수 있다.
도 4는 또한 수집 유닛(30)이 제1 카메라 광학 장치(52)가 수반되는 튜브 렌즈(34)가 수반되는 대물 렌즈(32)를 포함하는 것을 도시한다. 삼각 측량 시스템(10')은 다른 수집 유닛들을 포함할 수 있다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따라 웨이퍼(100), 경사 빔(110)(조명된 빔), 웨이퍼 상에 형성된 광 스트립(115) 및 수집된 빔(120)의 평면도 및 측면도를 포함한다.
도 5는 광 스트립(115)의 종축에 평행인 길이(320) 및 광 스트립(115)의 종축에 수직인 폭(220)을 갖는 길쭉한 수집 시야(FOV collection)를 갖는 수집 유닛(30)을 도시한다. 따라서, 수집 유닛(30)은 좁은 각도 범위 내에서 반사된 광을 수집한다.
도 5는 가늘고 길며, 광 스트립(115)의 종축에 평행한 길이(310) 및 광 스트립(115)의 종축에 수직인 폭(210)을 갖는 길쭉한 조명 시야(FOV illumination)를 갖는 조명 유닛(20)을 도시한다. 따라서, 조명 유닛(20)은 좁은 각도 범위에 걸쳐 대상을 조명한다.
도 5는 또한 스캔 패턴(141)의 실시예를 도시한다. 다른 스캔 패턴이 제공될 수도 있다.
도 5에서, 광 스트립은 제2 구조적 요소(1022)의 상부에 위치한다(그리고 상부로부터 반사된다). 크로스 토크는 예상되지 않는다.
도 6은 크로스 토크 시나리오의 실시예를 도시한다.
경사 빔(110)은 제2 구조 요소(1022)에 충돌하고, 웨이퍼의 표면(101) 쪽으로 반사되고(125), 제1 구조 요소(1021)를 향해 반사되고 최종적으로 제1 구조 요소(1021)로부터 반사된다.
크로스 토크의 결과는 잘못된 높이 판독 값을 나타내는 광학 경로를 가진 반사광이다.
또한, 도 6은 경사 빔(110)의 직각 투영이 제1 및 제2 구조적 요소들(1021 및 1022)의 중심 사이의 가상 축(미 도시)에 평행하고 가상의 종축(103)에 평행하고 횡축(105)에 수직하는 것을 도시한다.
도 6은 또한 웨이퍼의 표면과 경사 빔(110) 사이의 각도가 제1 충돌 각(A1)(91)이고, 반사 빔(120)과 웨이퍼 표면 사이의 반사각이 제1 반사 각도(B1)(81) 인 것을 도시한다.
도 7은 크로스 토크가 없는 실시예를 도시한다.
제2 구조적 요소(1022)에 충돌하는 경사 빔(110)은 웨이퍼의 표면(101) 쪽으로 반사된 후 수집 유닛 쪽으로 반사된다(125). 반사 빔(120)은 수집 유닛에 의해 검출되고 표면(101)의 높이를 반사한다. 웨이퍼의 회전으로 인해, 제2 구조적 요소는 경사 빔의 경로에 있지 않는다.
도 7은 또한 제1 경사 빔(110)의 직각 투영이 구조적 요소들(1021과 1022)의 중심들 사이의 가상 축(140)에 (각도(C2)(72)에 의해) 지향되고(oriented) 가상의 종축(103) 및 횡축(105)의 수직한 방향으로 지향되는 것을 도시한다.
도 7은 또한 웨이퍼의 표면과 경사 빔(110) 사이의 각도가 제2 충돌 각도(A2)(92)이고, 반사 빔(120)과 웨이퍼 표면 사이의 반사 각도가 제2 반사 각도(B2)(82)임을 도시한다.
제1 및 제2 충돌 각은 동일하거나 또는 서로 다를 수 있다. 제1 및 제2 반사각은 동일하거나 또는 서로 다를 수 있다.
도 8은 신호의 결핍에 대한 실시예를 도시한다.
도 7과 관련하여, 광학 헤드가 회전 되었다.
경사 빔(110)은 제2 구조적 요소(1022)에 부딪히고, 웨이퍼의 표면(101)쪽으로 반사된 후 수집 유닛으로부터 멀어 지므로 수집 유닛에 의해 어떠한 신호도 검출되지 않는다.
도 8은 또한 경사 빔(110)의 직각 투영이 구조적 요소들(1021과 1022)의 중심들 사이의 가상 축(140)에 (각도(C3)(73)에 의해) 지향되고 가상의 종축(103) 및 횡축(105)에 수직으로 지향되는 것을 도시한다.
도 8은 또한 웨이퍼의 표면과 경사 빔(110) 사이의 각도가 제3 충돌 각(A3)(92)이며, 반사 빔(120)과 웨이퍼 표면 사이의 반사 각도가 제3 반사 각도(B3)(83)임을 도시한다.
모든 관계는 제1, 제2 및 제3 충돌 각도 사이에 존재할 수 있다. 제 3 반사 각도는 제1 및 제2 반사 각도와 상이하다.
도 9는 제1 및 제2 구조적 요소들의 제1, 제2 및 제3 영상들(510, 520 및 530)의 실시예이다. 상기 영상들은 서로 다른 각도에서 촬영된다.
3개의 영상들 모두에서, 제1 구조 요소의 상부는 예상되는 상부 구조 요소 높이 범위의 범위 내에 있는 높이를 나타내는 밝은 픽셀화된 영역들(513, 523 및 533)로 나타내 진다. 예를 들어, 도 5를 참조할 수 있다.
3개의 영상들 모두에서, 제2 구조 요소의 상부는 예상되는 상부 구조 요소 높이 범위의 범위 내에 있는 높이를 나타내는 밝은 픽셀화된 영역들(514, 524 및 534)로 나타내 진다. 예를 들어, 도 5를 참조할 수 있다.
3개의 영상들 모두에서, 웨이퍼의 표면은 예상되는 표면 높이 범위의 범위 내에 있는 높이를 나타내는 밝은 회색 픽셀화된 영역들(517, 527 및 537)로 나타내진다. 예를 들어, 도 7을 참조할 수 있다.
3개의 영상들 모두에서, 제1 구조 요소의 측벽의 대부분은 신호 결핍을 나타내는 어두운 픽셀화된 영역들(511, 521, 531)로 나타내 진다. 예를 들어, 도 8을 참조할 수 있다.
3개의 영상들 모두에서, 제2 구조 요소의 측벽의 대부분은 신호 결핍을 나타내는 어두운 픽셀화된 영역들(512, 522 및 532)로 나타내 진다. 예를 들어, 도 8을 참조할 수 있다.
제1 및 제2 영상들에서, 크로스 토크 신호들은 어두운 픽셀화 영역들(511, 521, 512 및 522)로 각각 둘러싸인 회색 픽셀화된 영역들(515, 525, 516 및 526)로 나타내 진다. 이들 영역들은 구조적 요소들의 상단 및 웨이퍼 표면의 예상 높이 범위를 벗어나는 높이 판독 값을 나타낸다.
또한, 픽셀화된 회색 영역들(515, 525, 516 및 526)의 형상 및/또는 크기(공간적 분포)에서의 제1, 제2 및 제3 영상들 사이의 차이가 서로 다른 영역들 사이의 차이를 초과한다는 것을 또한 주목해야 한다.
도 10은 경사 빔이 ROI 상에 스팟(spot)(115')을 형성할 때 적용되는 ROI의 스캐닝 패턴(141')을 도시한다. 임의의 스캐닝 패턴이 사용될 수 있고, 경사 빔은 ROI에 충돌할 때 임의의 단면을 가질 수 있음에 유의해야 한다.
도 11은 방법(800)의 실시예를 도시한다.
방법(800)은 웨이퍼의 ROI의 복수의 영상들을 획득하는 단계를 포함할 수 있다. 서로에 대해 지향될 수 있는 웨이퍼 상에 직각 투영을 갖는 경사 빔들에 의해 ROI를 조명함으로써 복수의 이미지가 획득될 수 있다.
방법(800)은 다음 단계들을 포함할 수 있다.
a. ROI를 제1 경사 빔으로 조명하고 ROI로부터 반사된 광을 수집함으로써 웨이퍼의 관심 영역(ROI)의 제1 영상을 획득하는 단계(810).
b. ROI를 제2 경사 빔으로 조명하고 ROI로부터 반사된 광을 수집함으로써 ROI의 제2 영상을 획득하는 단계(820). 웨이퍼상의 제1 경사 빔의 직각 투영은 웨이퍼상의 제2 경사 빔의 직각 투영으로 지향될 수 있다.
c. 상기 영역의 제1 영상 및 상기 영역의 제2 영상 중 적어도 하나에 나타나는 크로스 토크를 검출하는 단계(830).
단계(830)는 제1 영상 및 제2 영상 중에서 영상을 검색하는 단계를 포함할 수 있으며, 실질적으로 크로스 토크가 존재하지 않을 수 있다. 일단 그러한 이미지가 발견되면, 상기 방법은 ROI의 하나 이상의 특징 및/또는 파라미터를 평가할 수 있다.
방법(800)은 실질적으로 크로스 토크가 없을 수 있는 영상을 발견할 때까지 ROI의 추가 영상의 획득을 계속하는 것을 포함할 수 있으며, 추가 영상들은 서로 지향된 웨이퍼 상에서 직각 투영을 갖는 경사 빔에 의해 웨이퍼의 관심 영역을 조명함으로써 획득될 수 있다. 다른 정지 조건이 적용될 수 있다. 예를 들어 반복 횟수가 미리 설정될 수 있다. 반복은 일정한 반복 횟수의 도달 및/또는 실질적으로 크로스 토크가 없는 크로스 토크 영상을 발견함으로써 조절될 수 있다.
단계(830)는 제1 영상과 제2 영상 간의 비교에 기초할 수 있다. 예를 들어, 한 영상과 다른 영상 사이에서 가장 많이 변화하는 영역, 어느 한 영상에만 나타나는 영역 등을 검색할 수 있다.
비교 단계는 제1 영상 및 제2 영상에서 실질적으로 동일한 값을 갖는 픽셀들의 공간적 분포 사이의 차이를 평가하는 단계를 포함할 수 있다. 예를 들어, 그림 9를 참조할 수 있다.
이 방법은 웨이퍼와 제1 및 제2 경사 빔들을 생성하는 조명 유닛 사이에서, 웨이퍼에 지향될 수 있는 축을 중심으로 회전 운동을 도입하는 단계(820)를 포함할 수 있다. 단계(820)는 단계(810)를 수행하고 단계(830)에 선행할 수 있다.
(단계(810)의) 제1 경사 빔은 제1 조명 유닛에 의해 생성될 수 있고 (단계(820)의) 제2 경사 빔은 제2 조명 유닛에 의해 생성될 수 있다.
크로스 토크의 검출은 ROI의 참조(reference) 모델에 기초할 수 있다. 예를 들어, 모델을 반영하지 않는 측정값을 검색한다. 예를 들어, 제1 영상 및 제2 영상은 높이 정보를 포함(embed)할 수 있고, 크로스 토크의 검출은 ROI의 요소들의 예상 높이 값들에 기반할 수 있다.
제1 경사 빔으로 ROI를 조명하는 것은 제1 경사 빔으로 ROI를 스캐닝하는 것을 포함할 수 있다.
방법(800)은 삼각 측량 시스템 또는 임의의 다른 3D 이미징 시스템에 의해 실행될 수 있다.
크로스 토크의 검출은 ROI의 추정치를 생성함으로써 수행될 수 있다. 따라서, 크로스 토크가 검출되면, ROI의 특징들의 임의의 파라미터가 발견될 수 있다.
크로스 토크의 검출은 ROI의 3 차원 추정치를 생성함으로써 수행될 수 있다.
특정 각도(예를 들어, 0도의 각도)에서 3D 참조를 생성하는 것을 포함할 수 있는 방법이 제공될 수 있다. 이것은 (영상이 크로스 토크를 포함할 수 있는) 특정 각도로부터 영상을 획득하는 단계 (예를 들어, 단계(810) 및 단계(820)를 반복적으로 실행함으로써) 크로스 토크가 없는 참조 이미지를 제공하기 위해 특정 영상으로부터 크로스 토크를 제거할 수 있다. 따라서, 크로스 토크의 제거는 실제 반사를 식별하고, 그 정보를 참조 영상에 통합하는 것을 포함할 수 있다.
이는 결함을 검출하기 위해 (크로스 토크로부터 제거된 후) 참조 영상을 사용하여 소정 각도(예를 들어, 0도)에서 (검사 동안) 스캔하도록 한다.
따라서, 상기 방법은 다음을 포함할 수 있다.
1. 크로스 토크와 함께 참조생성을 위해 특정 각도(예를 들어, 0도)로 스캔하는 것. 상기 각도는 대상체의 중심과의 관계에 대한 방사각(radial angle)이다.
2. 실제의 상부 반사를 단일화하기 위해, 다른 각도로 스캔하는 것.
3. 참조 영상에 맞추기 위해 치우친(angled) 영상을 회전시키는 것. 예를 들어, 정적(static)인 모든 반사는 실제이고, 나머지는 노이즈이다.
4. 일정 각도에서 웨이퍼를 청소하기 위해 스캔하는 것.
본 명세서에 사용된 용어 "하나" 또는 "한 개"는 하나 이상으로 정의된다. 또한 청구 범위에서 "적어도 하나" 및 "하나 이상"과 같은 도입 문구의 사용은 불명료한 한정사에 의한 다른 청구 구성 요소의 도입이 임의의 특정 청구항을 제한한다는 것을 의미하는 것으로 해석되어서는 안된다. 같은 청구항이 "하나 이상" 또는 "적어도 하나"라는 서론 문구와 "하나" 또는 "한 개"와 같은 불명확한 조항을 포함하는 경우에도 오직 하나의 그러한 요소만을 포함하는 발명에 대해 그러한 도입된 청구항 요소를 포함하는 청구항을 포함하는 임의의 청구항을 제한하는 것으로 해석되어서는 안된다. 명확한 문구의 사용에 대해서도 마찬가지이다. 달리 명시하지 않는 한, "제1" 및 "제2"와 같은 용어는 그러한 용어가 설명하는 요소를 임의로 구별하는 데 사용된다.
따라서, 이들 용어는 그러한 요소의 시간적 또는 다른 우선 순위를 나타내도록 반드시 의도되지는 않는다. 특정 조치가 서로 다른 주장에 열거되었다는 단순한 사실만으로 이러한 조치의 조합이 유용하게 사용될 수 없다는 것을 나타내지는 않는다.
전술한 명세서에서, 본 발명은 본 발명의 실시예에 대한 특정 예를 참조하여 설명되었다. 그러나, 첨부된 청구 범위에 설명된 바와 같은 본 발명의 더 넓은 사상 및 범위로부터 벗어남이 없이 다양한 수정 및 변경이 이루어질 수 있음이 명백할 것이다.
또한, 설명 및 청구 범위에서의 "앞", "뒤", "위", "밑", "위에", "아래" 등의 용어는 설명을 목적으로 사용되었지만 영구적인 상대 위치를 설명하기 위해서는 필수적이지 않다. 그렇게 사용된 용어들은 본 명세서에서 기술된 본 발명의 실시예가 예를 들어 여기에 도시되거나 달리 설명된 것 이외의 다른 방향으로 작동할 수 있도록 적절한 환경 하에서 상호 교환 가능하다는 것이 이해된다.
동일한 기능을 달성하기 위한 구성 요소의 배열은 효과적으로 "관련"되어 원하는 기능이 달성된다. 따라서, 특정 기능성을 달성하기 위해 결합된 임의의 2개의 구성 요소는 구조 또는 중간 매개 구성 요소와 관계 없이 원하는 기능이 달성되도록 서로 "관련된다"고 간주될 수 있다. 마찬가지로 이와 같이 연관된 두 개의 구성 요소는 원하는 기능을 달성하기 위해 "작동 가능하게 연결된" 또는 "작동 가능하게 결합 된" 것으로 볼 수 있다.
또한, 통상의 기술자는 전술한 동작들 사이의 경계가 단지 예시적인 것임을 인식할 것이다. 다중 동작은 단일 동작으로 결합될 수 있고, 단일 동작은 추가 동작으로 분산될 수 있고, 동작은 시간적으로 적어도 부분적으로 겹쳐서 실행될 수 있다. 또한, 대안적인 실시예는 특정 동작의 다수의 인스턴스를 포함할 수 있고, 동작의 순서는 다양한 다른 실시예에서 변경될 수 있다.
그러나, 다른 수정, 변형 및 대안이 또한 가능하다. 따라서, 상세한 설명 및 도면은 제한적인 의미가 아니라 예시적인 것으로 간주되어야 한다.
"X일 수 있다"는 문구는 조건 X가 충족될 수 있음을 나타낸다. 이 문구는 또한 조건 X가 충족되지 않을 수도 있음을 나타낸다. 예를 들어, 특정 구성 요소를 포함하는 시스템에 대한 참조는 시스템이 특정 구성 요소를 포함하지 않는 시나리오를 포함해야 한다. 예를 들어, 특정 단계를 포함하는 방법에 대한 참조는 해당 방법이 특정 구성 요소를 포함하지 않는 시나리오를 포함해야 한다. 그러나 또 다른 예를 들면, 특정 작업을 수행하도록 구성된 시스템에 대한 참조는 시스템이 특정 작업을 수행하도록 구성되지 않은 시나리오를 포함해야 한다.
용어 "포함하는", "갖는", "구성된" 및 "본질적으로 구성된"은 상호 교환적으로 사용된다. 예를 들어, 임의의 방법은 적어도 도면 및/또는 명세서에 포함된 단계를 포함할 수 있으며, 도면 및/또는 명세서에 포함된 단계만을 포함할 수 있다.
예시의 단순성 및 명료성을 위해, 도면들에 도시된 요소들은 반드시 일정한 비율로 그려진 것은 아니라는 것을 이해할 것이다. 예를 들어, 일부 요소의 치수는 명확성을 위해 다른 요소에 비해 과장될 수 있다. 또한, 적절한 것으로 고려되는 경우, 참조 부호는 대응하거나 유사한 요소를 나타내기 위해 도면들 사이에서 반복될 수 있다.
통상의 기술자라면 논리 블록들 사이의 경계가 단지 예시적인 것이며, 대안적인 실시예들이 논리 블록들 또는 회로 소자들을 병합하거나 또는 다양한 논리 블록들 또는 회로 소자들 상에 기능의 대안적인 분해를 부과할 수 있음을 인식할 것이다. 따라서, 여기에 도시된 아키텍처는 단지 예시적인 것이며, 사실 동일한 기능을 달성하는 많은 다른 아키텍처가 구현될 수 있다는 것을 이해해야 한다.
또한, 예를 들어, 일 실시예에서, 도시된 예들은 단일 집적 회로상에 또는 동일한 장치 내에 배치된 회로로서 구현될 수 있다. 대안적으로, 예들은 임의의 수의 개별적인 집적 회로들 또는 적절한 방식으로 서로 상호 접속된 개별 장치들로서 구현될 수 있다.
또한, 예를 들어 그 예들 또는 그 일부는 임의의 적절한 유형의 하드웨어 기술 언어와 같이 물리적 회로 또는 물리적 회로로 변환 가능한 논리적 표현의 소프트 또는 코드 표현으로서 구현될 수 있다.
또한, 본 발명은 비 프로그래머블 하드웨어로 구현된 물리적 장치 또는 유닛으로 제한되지 않지만, 메인 프레임, 미니 컴퓨터 등과 같은 적절한 프로그램 코드에 따라 동작함으로써 원하는 장치 기능을 수행할 수 있는 프로그램 가능한 장치 또는 유닛에도 적용될 수 있다. 개인용 컴퓨터, 개인용 정보 단말기, 전자 게임, 자동차 및 기타 임베디드 시스템, 휴대폰 및 다양한 다른 무선 장치(일반적으로 이 응용 프로그램에 '컴퓨터 시스템'으로 표시됨)과 같은 다양한 무선 장치를 포함한다.
그러나, 다른 수정, 변형 및 대안이 또한 가능하다. 따라서, 상세한 설명 및 도면은 제한적인 의미가 아니라 예시적인 것으로 간주되어야 한다.
이 특허 출원에 언급된 시스템, 장치 또는 디바이스는 적어도 하나의 하드웨어 구성 요소를 포함한다.
본 발명의 특정한 특징들이 본 명세서에 예시되고 기술되었지만, 많은 수정, 대체, 변경 및 등가물이 통상의 기술자에게 발생할 것이다. 그러므로, 첨부된 청구 범위는 본 발명의 진정한 사상 내에 있는 그러한 모든 수정 및 변경을 포함하도록 의도된 것으로 이해되어야 한다.

Claims (45)

  1. 크로스 토크(cross talk)를 검출하는 방법으로서, 상기 방법은,
    제1 경사 빔(oblique beam)으로 관심 영역(ROI: region of interest)을 조명함으로써 웨이퍼의 관심 영역의 제1 영상을 획득하는 동작 및 상기 관심 영역으로부터 반사된 광을 수집하는 동작;
    제2 경사 빔으로 상기 관심 영역을 조명함으로써 상기 관심 영역의 제2 영상을 획득하는 동작 및 상기 관심 영역으로부터 반사된 광을 수집하는 동작; 및
    상기 웨이퍼 상의 상기 제1 경사 빔의 직각 투영(orthogonal projection)은 상기 웨이퍼 상의 상기 제2 경사 빔의 직각 투영에 지향되고(oriented),
    상기 영역의 제1 영상 및 상기 영역의 제2 영상 중 적어도 어느 하나에 나타나는 크로스 토크를 검출하는 동작을 포함하는 크로스 토크를 검출하는 방법.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 크로스 토크를 검출하는 동작은 크로스 토크가 없는 제1 영상 및 제2 영상 중에서 영상을 탐색하는 동작을 포함하는 크로스 토크를 검출하는 방법.
  3. 제1 항에 있어서,
    크로스 토크가 없는 영상을 발견할 때까지 상기 관심 영역의 추가 영상들을 획득하는 동작을 계속하는 동작을 포함하고,
    상기 추가 영상들은 서로에게 지향되는 웨이퍼 상에 직각 투영을 갖는 경사 빔으로 상기 웨이퍼의 상기 관심 영역을 조명함으로써 얻어지는 상기 추가 영상들인 크로스 토크를 검출하는 방법.
  4. 제1 항에 있어서, 상기 크로스 토크를 검출하는 동작은 상기 제1 영상 및 상기 제2 영상 사이의 비교에 기반하는 크로스 토크를 검출하는 방법.
  5. 제4 항에 있어서, 상기 비교는 상기 제1 영상 및 상기 제2 영상 내에서 동일한 값을 가진 픽셀들의 공간적인 분포 사이의 차이를 평가하는 동작을 포함하는 크로스 토크를 검출하는 방법.
  6. 제1 항에 있어서, 웨이퍼와 상기 제1 경사 빔 및 상기 제2 경사 빔을 생성하는 조명 유닛 사이에서 상기 웨이퍼에 지향되는 축에 대해 회전 동작을 도입하는 동작을 포함하고, 상기 회전 동작의 도입은 상기 관심 영역의 상기 제2 영상의 획득 전 및 상기 관심 영역의 상기 제1 영상의 획득 후에 실행되는 크로스 토크를 검출하는 방법.
  7. 제1 항에 있어서, 상기 제1 경사 빔은 제1 조명 유닛에 의해 생성되고, 상기 제2 경사 빔은 제2 조명 유닛에 의해 생성되는 크로스 토크를 검출하는 방법.
  8. 제1 항에 있어서, 상기 크로스 토크를 검출하는 동작은 상기 관심 영역의 참조 모델(reference model)에 기반하는 크로스 토크를 검출하는 방법.
  9. 제1 항에 있어서, 상기 제1 영상 및 상기 제2 영상은 높이 정보를 포함하고, 상기 크로스 토크를 검출하는 동작은 상기 관심 영역의 구성 요소들의 예측 높이 값들에 기반하는 크로스 토크를 검출하는 방법.
  10. 제1 항에 있어서, 상기 제1 경사 빔으로 상기 관심 영역을 조명하는 동작은 상기 제1 경사 빔으로 상기 관심 영역을 스캔하는 동작을 포함하는 크로스 토크를 검출하는 방법.
  11. 제10 항에 있어서, 상기 제1 경사 빔은 상기 관심 영역 상에 스팟(spot)을 형성하는 크로스 토크를 검출하는 방법.
  12. 제10 항에 있어서, 상기 제1 경사 빔은 상기 관심 영역 상에 라인(line)을 형성하는 크로스 토크를 검출하는 방법.
  13. 제1 항에 있어서, 상기 제1 영상을 획득하는 동작은 삼각 측량 시스템을 이용하는 동작을 포함하는 크로스 토크를 검출하는 방법.
  14. 제1 항에 있어서, 상기 크로스 토크를 검출하는 동작 이후 상기 관심 영역의 추정을 생성하는 동작이 수반되는 크로스 토크를 검출하는 방법.
  15. 제1 항에 있어서, 상기 크로스 토크를 검출하는 동작 이후 상기 관심 영역의 3차원 추정을 생성하는 동작이 수반되는 크로스 토크를 검출하는 방법.
  16. 명령어들을 저장하는 비 휘발성 컴퓨터 판독 가능한 매체로서, 상기 명령어들은,
    제1 경사 빔(oblique beam)으로 관심 영역(ROI: region of interest)을 조명함으로써 웨이퍼의 관심 영역의 제1 영상을 획득하는 동작 및 상기 관심 영역으로부터 반사된 광을 수집하는 동작;
    제2 경사 빔으로 상기 관심 영역을 조명함으로써 상기 관심 영역의 제2 영상을 획득하는 동작 및 상기 관심 영역으로부터 반사된 광을 수집하는 동작; 및
    상기 웨이퍼 상의 상기 제1 경사 빔의 직각 투영(orthogonal projection)은 상기 웨이퍼 상의 상기 제2 경사 빔의 직각 투영에 지향되고(oriented),
    상기 영역의 제1 영상 및 상기 영역의 제2 영상 중 적어도 어느 하나에 나타나는 크로스 토크를 검출하는 동작을 수행하는 명령어들인 비 휘발성 컴퓨터 판독 가능한 매체.
  17. 제16 항에 있어서, 상기 크로스 토크를 검출하는 동작은 크로스 토크가 없는 상기 제1 영상 및 상기 제2 영상 중에서 영상을 탐색하는 동작을 포함하는 비 휘발성 컴퓨터 판독 가능한 매체.
  18. 제16 항에 있어서, 크로스 토크가 없는 영상을 발견할 때까지 상기 관심 영역의 추가 영상들을 획득하는 동작을 계속하는 동작을 위한 명령어들을 더 저장하고, 상기 추가 영상들은 서로에게 지향되는 상기 웨이퍼 상에 직각 투영들을 갖는 경사 빔들에 의해 상기 웨이퍼의 상기 관심 영역을 조명함으로써 획득되는 영상인 비 휘발성 컴퓨터 판독 가능한 매체.
  19. 제16 항에 있어서, 상기 크로스 토크를 검출하는 동작은 상기 제1 영상 및 상기 제2 영상 사이의 비교에 기반하는 비 휘발성 컴퓨터 판독 가능한 매체.
  20. 제19 항에 있어서, 상기 비교는 상기 제1 영상 내 및 상기 제2 영상 내에서 같은 값을 갖는 픽셀들의 공간적 분포들 사이의 비교를 평가하는 동작을 포함하는 비 휘발성 컴퓨터 판독 가능한 매체.
  21. 제16 항에 있어서, 웨이퍼와 상기 제1 경사 빔 및 상기 제2 경사 빔을 생성하는 조명 유닛 사이에서 상기 웨이퍼에 지향되는 축에 대해 회전 동작을 도입하는 동작을 포함하고, 상기 회전 동작의 도입은 상기 관심 영역의 상기 제2 영상의 획득 전 및 상기 관심 영역의 상기 제1 영상의 획득 후에 실행되는 비 휘발성 컴퓨터 판독 가능한 매체.
  22. 제16 항에 있어서, 상기 제1 경사 빔은 제1 조명 유닛에 의해 생성되고, 상기 제2 경사 빔은 제2 조명 유닛에 의해 생성되는 비 휘발성 컴퓨터 판독 가능한 매체.
  23. 제16 항에 있어서, 상기 크로스 토크를 검출하는 동작은 상기 관심 영역의 참조 모델(reference model)에 기반하는 비 휘발성 컴퓨터 판독 가능한 매체.
  24. 제16 항에 있어서, 상기 제1 영상 및 상기 제2 영상은 높이 정보를 포함하고, 상기 크로스 토크를 검출하는 동작은 상기 관심 영역의 구성 요소들의 예측 높이 값들에 기반하는 비 휘발성 컴퓨터 판독 가능한 매체.
  25. 제16 항에 있어서, 상기 제1 경사 빔으로 상기 관심 영역을 조명하는 동작은 상기 제1 경사 빔으로 상기 관심 영역을 스캔하는 동작을 포함하는 비 휘발성 컴퓨터 판독 가능한 매체.
  26. 제25 항에 있어서, 상기 제1 경사 빔은 상기 관심 영역 상에 스팟(spot)을 형성하는 비 휘발성 컴퓨터 판독 가능한 매체.
  27. 제25 항에 있어서, 상기 제1 경사 빔은 상기 관심 영역 상에 라인(line)을 형성하는 비 휘발성 컴퓨터 판독 가능한 매체.
  28. 제16 항에 있어서, 상기 제1 영상을 획득하는 동작은 삼각 측량 시스템을 이용하는 동작을 포함하는 비 휘발성 컴퓨터 판독 가능한 매체.
  29. 제16 항에 있어서, 상기 크로스 토크를 검출하는 동작 이후 상기 관심 영역의 추정을 생성하는 동작이 수반되는 비 휘발성 컴퓨터 판독 가능한 매체.
  30. 제16 항에 있어서, 상기 크로스 토크를 검출하는 동작 이후 상기 관심 영역의 3차원 추정을 생성하는 동작이 수반되는 비 휘발성 컴퓨터 판독 가능한 매체.
  31. 영상부(imager), 광학 유닛, 척(chuck) 및 프로세서를 포함하는 평가 시스템으로서,
    상기 척은 웨이퍼를 지지하도록 설정되고,
    상기 광학 유닛은 제1 경사 빔(oblique beam)으로 관심 영역(ROI: region of interest)을 조명함으로써 웨이퍼의 관심 영역의 제1 영상을 획득하고 상기 관심 영역으로부터 반사된 광을 수집하도록 설정되고,
    상기 광학 유닛은 또한 제2 경사 빔으로 상기 관심 영역을 조명함으로써 상기 관심 영역의 제2 영상을 획득하고 상기 관심 영역으로부터 반사된 광을 수집하도록 설정되고,
    상기 웨이퍼 상의 상기 제1 경사 빔의 직각 투영(orthogonal projection)은 상기 웨이퍼 상의 상기 제2 경사 빔의 직각 투영에 지향되고,
    상기 프로세서는 상기 영역의 상기 제1 영상 및 상기 영역의 제2 영상 중 적어도 어느 한 영상에 나타나는 크로스 토크(cross talk)를 검출하도록 설정되는 평가 시스템.
  32. 제31 항에 있어서, 상기 프로세서는 상기 크로스 토크를 검출하도록 설정되는 평가 시스템.
  33. 제31 항에 있어서, 크로스 토크가 없는 영상을 발견할 때까지 상기 관심 영역의 추가 영상들을 획득하는 동작을 계속하는 동작을 포함하고,
    상기 추가 영상들은 서로에게 지향되는 웨이퍼 상에 직각 투영들을 갖는 경사 빔으로 상기 웨이퍼의 상기 관심 영역을 조명함으로써 얻어지는 상기 추가 영상들인 평가 시스템.
  34. 제31 항에 있어서, 상기 프로세서는 상기 제1 영상 및 상기 제2 영상 사이의 비교에 기반하는 크로스 토크에 의해 상기 크로스 토크를 검출하도록 설정되는 평가 시스템.
  35. 제34 항에 있어서, 상기 비교는 상기 제1 영상 및 상기 제2 영상 내에서 동일한 값을 가진 픽셀들의 공간적인 분포 사이의 차이를 평가하는 것을 포함하는 평가 시스템.
  36. 제31 항에 있어서, 상기 척은 상기 웨이퍼와 상기 광학 유닛 사이에서 상기 웨이퍼에 지향되는 축을 중심으로 회전 동작을 도입하도록 설정된 스테이지(stage)에 의해 지지되고, 상기 회전 동작의 도입은 상기 관심 영역의 상기 제1 영상의 획득 후 및 상기 관심 영역의 상기 제2 영상의 획득 전에 실행되는 평가 시스템.
  37. 제31 항에 있어서, 상기 제1 경사 빔은 제1 조명 유닛에 의해 생성되고, 상기 제2 경사 빔은 제2 조명 유닛에 의해 생성되는 평가 시스템.
  38. 제31 항에 있어서, 상기 프로세서는 상기 관심 영역의 참조 모델(reference model)에 기반하는 크로스 토크에 의해 상기 크로스 토크를 검출하도록 설정되는 평가 시스템.
  39. 제31 항에 있어서, 상기 제1 영상 및 상기 제2 영상은 높이 정보를 포함하고, 상기 프로세서는 상기 관심 영역의 구성 요소들의 예측 높이 값들에 기반하는 크로스 토크에 의해 상기 크로스 토크를 검출하도록 설정되는 평가 시스템.
  40. 제31 항에 있어서, 상기 광학 유닛은 상기 제1 경사 빔으로 상기 관심 영역을 스캔함으로써 상기 제1 경사 빔으로 상기 관심 영역을 조명하도록 설정된 평가 시스템.
  41. 제40 항에 있어서, 상기 제1 경사 빔은 상기 관심 영역 상에 스팟(spot)을 형성하는 평가 시스템.
  42. 제40 항에 있어서, 상기 제1 경사 빔은 상기 관심 영역 상에 라인(line)을 형성하는 평가 시스템.
  43. 제31 항에 있어서, 상기 평가 시스템은 삼각 측량 시스템인 평가 시스템.
  44. 제31 항에 있어서, 상기 프로세서는 상기 관심 영역의 추정을 생성하는 동작이 수반되는 크로스 토크에 의해 상기 크로스 토크를 검출하도록 설정되는 평가 시스템.
  45. 제31 항에 있어서, 상기 프로세서는 상기 관심 영역의 3차원 추정을 생성하는 동작이 수반되는 크로스 토크에 의해 상기 크로스 토크를 검출하도록 설정되는 평가 시스템.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020021105A (ja) * 2018-07-30 2020-02-06 キヤノン株式会社 画像処理装置、画像処理方法及びプログラム
US11271865B1 (en) 2020-12-02 2022-03-08 Microsoft Technology Licensing, Llc Resource popularity assessment and utilization

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004515750A (ja) 2000-08-10 2004-05-27 ケーエルエー−テンカー・コーポレーション 複数ビーム検査装置および方法
JP2009080038A (ja) 2007-09-26 2009-04-16 Kobe Steel Ltd ヘテロダイン干渉測定方法，ヘテロダイン干渉装置，厚み測定装置，厚み測定方法
JP2015510126A (ja) 2012-02-21 2015-04-02 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 検査装置及び方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3406795B2 (ja) * 1997-03-05 2003-05-12 ペンタックス株式会社 光学部材検査装置
JP4207302B2 (ja) * 1999-04-06 2009-01-14 富士通株式会社 バンプ検査方法およびその検査装置
US7239399B2 (en) * 2001-11-13 2007-07-03 Cyberoptics Corporation Pick and place machine with component placement inspection
US7339661B2 (en) * 2002-09-30 2008-03-04 Doron Korngut Dark field inspection system
JP4529366B2 (ja) * 2003-03-26 2010-08-25 株式会社ニコン 欠陥検査装置、欠陥検査方法及びホールパターンの検査方法
US7092082B1 (en) * 2003-11-26 2006-08-15 Kla-Tencor Technologies Corp. Method and apparatus for inspecting a semiconductor wafer
US7417722B2 (en) * 2004-12-19 2008-08-26 Kla-Tencor Technologies Corporation System and method for controlling light scattered from a workpiece surface in a surface inspection system
CN201765193U (zh) * 2008-11-26 2011-03-16 康代有限公司 用于检查物体的系统
DE102009005092A1 (de) * 2009-01-19 2010-09-02 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Vorrichtung zur optischen Navigation und dessen Verwendung
CN102473663B (zh) * 2009-07-22 2016-11-09 克拉-坦科股份有限公司 用环形照射的暗场检查系统
FR2994734B1 (fr) * 2012-08-21 2017-08-25 Fogale Nanotech Dispositif et procede pour faire des mesures dimensionnelles sur des objets multi-couches tels que des wafers.
US9053527B2 (en) * 2013-01-02 2015-06-09 Kla-Tencor Corp. Detecting defects on a wafer
US9891175B2 (en) * 2015-05-08 2018-02-13 Kla-Tencor Corporation System and method for oblique incidence scanning with 2D array of spots

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004515750A (ja) 2000-08-10 2004-05-27 ケーエルエー−テンカー・コーポレーション 複数ビーム検査装置および方法
JP2009080038A (ja) 2007-09-26 2009-04-16 Kobe Steel Ltd ヘテロダイン干渉測定方法，ヘテロダイン干渉装置，厚み測定装置，厚み測定方法
JP2015510126A (ja) 2012-02-21 2015-04-02 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 検査装置及び方法

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