KR20190119301A - 고순도 인산의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 고순도 인산의 제조 방법에 관한 것이며, 보다 구체적으로 고순도 인산의 제조시 발생하는 저순도의 인산을 재사용함으로써 수율을 향상시키는 것이 가능한 고순도 인산의 제조 방법에 관한 것이다.
Description
본 발명은 고순도 인산의 제조 방법에 관한 것이며, 보다 구체적으로 고순도 인산의 제조시 발생하는 저순도의 인산을 재사용함으로써 수율을 향상시키는 것이 가능한 고순도 인산의 제조 방법에 관한 것이다.
인산의 제조방법은 크게 습식법(WET PROCESS ACID, WPA)과 건식법(THERMAL PROCESS ACID, TPA)으로 분류된다.
습식법은 인광석을 잘게 부숴 황산에 녹여 인산, 황산 혼합물을 생성한 뒤, 불순물과 황산을 제거하여 순수한 인산을 만드는 방법이다. 습식법은 인광석을 사용하기 때문에 공정이 단순하고 저렴한 장점이 있으나, 인광석 내 존재하는 다양한 종류의 불순물을 제거하기 어렵기 때문에 식품 첨가용 또는 비료용으로 많이 사용된다.
건식법은 인광석을 1차 정제하여 순도가 높은 황인(P4)을 원료로 사용한다. 황인을 연소로에서 연소시키면 오산화인(P2O5)이 생성되며, 오산화인을 물과 혼합시키면 인산이 만들어진다. 건식법은 원료로서 일차적으로 정제된 황인을 사용하기 때문에 습식법보다 높은 순도의 인산을 제조할 수 있으며, 제조된 인산을 후속 공정에서 추가적으로 정제할 경우 전자 및 반도체 분야에서 사용 가능한 고순도의 인산을 제조할 수 있다.
이 때, 고순도의 인산을 제조하기 위해서는 인산에 포함된 불순물을 농축시켜 불순물의 농도가 낮은 고순도의 인산과 불순물의 농도가 높은 저순도의 인산으로 분리한 후 저순도의 인산을 분리하는 방법이 사용되고 있다.
이 때, 저순도의 인산에는 불순물의 농도가 상당히 높아 공업용으로 사용될 수 밖에 없는 실정이다.
본 발명은 건식법을 기반으로 한 고순도 인산의 제조 방법에 관한 것으로서, 고순도 인산을 제조하기 위해 발생하는 저순도 인산을 고순도 인산을 제조하기 위한 원료로서 사용하는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
이에 따라, 결과적으로 본 발명은 고순도 인산의 제조시 저순도 인산의 발생량을 최소로 함으로써 고순도 인산의 제조 공정의 수율을 향상시키는 것이 가능한 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상술한 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 측면에 따르면, (a) 황인을 연소시켜 오산화인을 생성하는 단계, (b) 단계 (a)에서 생성된 오산화인과 물을 혼합하여 원료 인산을 생성하는 단계, (c) 단계 (b)에서 생성된 원료 인산을 정제하여 원료 인산을 고순도 인산과 저순도 인산으로 분리하는 단계, (d) 단계 (c)에서 분리된 저순도 인산을 희석한 후 정제하는 단계 및 (e) 단계 (d)에서 정제된 인산을 단계 (b)에 투입하는 단계를 포함하는 고순도 인산의 제조 방법이 제공된다.
또한, 본 발명의 다른 측면에 따르면, (a) 황인을 연소시켜 오산화인을 생성하는 단계, (b) 단계 (a)에서 생성된 오산화인과 물을 혼합하여 원료 인산을 생성하는 단계, (c) 단계 (b)에서 불순물이 제거된 원료 인산을 정제하여 원료 인산을 고순도 인산과 저순도 인산으로 분리하는 단계, (d) 단계 (c)에서 분리된 저순도 인산 중 일부를 희석한 후 정제하는 단계, (e) 단계 (c)에서 분리된 저순도 인산의 나머지를 정제하는 단계, (f) 단계 (d)에서 희석 및 정제된 인산을 단계 (b)에 투입하는 단계 및 (g) 단계 (e)에서 정제된 인산을 단계 (c)에 투입하는 단계를 포함하는 고순도 인산의 제조 방법이 제공된다.
아울러, 본 발명의 또 다른 측면에 따르면, (a) 황인을 연소시켜 오산화인을 생성하는 단계, (b) 단계 (a)에서 생성된 오산화인과 물을 혼합하여 원료 인산을 생성하는 단계, (c) 단계 (b)에서 불순물이 제거된 원료 인산을 정제하여 원료 인산을 고순도 인산과 저순도 인산으로 분리하는 단계, (d) 단계 (c)에서 분리된 저순도 인산을 정제하는 단계 및 (e) 단계 (d)에서 정제된 인산을 단계 (c)에 투입하는 단계를 포함하는 고순도 인산의 제조 방법이 제공된다.
본 발명에 따르면, 원료 인산의 정제시 발생하는 저순도 인산을 오산화인과 혼합하여 원료 인산의 제조에 재사용하는 것이 가능하다는 이점이 있다. 또한, 오산화인으로부터 원료 인산을 제조하기 위해 오산화인과 물을 혼합하는 과정이 필수적이나, 원료 인산의 정제시 발생하는 저순도 인산을 원료 인산의 제조에 사용할 경우 저순도 인산을 물 대신 사용할 수 있어 경제적이다.
또한, 본 발명에 따르면, 원료 인산의 정제시 발생하는 저순도 인산을 원료 인산과 혼합하여 재사용하는 것이 가능하다는 이점이 있다.
도 1은 종래의 일반적인 고순도 인산의 제조 방법의 순서도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 고순도 인산의 제조 방법의 순서도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 고순도 인산의 제조 방법의 순서도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 고순도 인산의 제조 방법의 순서도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 고순도 인산의 제조 방법의 순서도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 고순도 인산의 제조 방법의 순서도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 고순도 인산의 제조 방법의 순서도이다.
본 발명을 더 쉽게 이해하기 위해 편의상 특정 용어를 본원에 정의한다. 본원에서 달리 정의하지 않는 한, 본 발명에 사용된 과학 용어 및 기술 용어들은 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 의미를 가질 수 있다.
또한, 문맥상 특별히 지정하지 않는 한, 단수 형태의 용어는 그것의 복수 형태도 포함하는 것이며, 복수 형태의 용어는 그것의 단수 형태도 포함할 수 있다.
이하, 본원에 참조된 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시예에 따른 고순도 인산의 제조방법에 대하여 상세히 설명하도록 한다.
도 1은 종래의 일반적인 고순도 인산의 제조 방법의 순서도이다.
도 1을 참조하면, 종래의 제조 방법은 연소탑에서 황인을 연소시켜 오산화인을 생성한 후 냉각탑에서 가스 상(gas phase)의 오산화인과 물을 혼합하여 원료 인산을 생성하며, 원료 인산으로부터 가스 및 불순물을 제거한 후 원료 인산조에 저장하는 단계를 포함한다.
이어서, 원료 인산조에 저장된 원료 인산은 재결정, 흡착 또는 여과 등과 같은 다양한 정제 방식을 통해 금속 이온(Al, Fe, Sb 등) 등과 같은 불순물을 한쪽으로 몰아 불순물의 농도가 낮은 고순도 인산과 불순물의 농도가 높은 저순도 인산으로 분리된다. 여기서, 인산에 포함된 불순물의 함량, 즉 인산의 순도는 원료 황인의 순도에 따라 달라질 수 있으며, 이에 따라 다양한 정제 방식을 통해 정제된 고순도 인산과 저순도 인산에 포함된 불순물의 함량 역시 달라질 수 있다. 다만, 고순도 인산과 저순도 인산은 상대적인 개념으로서, 본원에서는 재결정, 흡착 또는 여과 등에 의해 상대적으로 불순물의 함량이 낮은 인산을 고순도 인산이라 정의하며, 고순도 인산에 비해 상대적으로 불순물의 함량이 높은 인산을 저순도 인산이라 정의한다.
여기서, 고순도 인산은 반도체 웨이퍼에 증착하는 실리콘 질화막 제거 또는 디스플레이 패널의 금속 배선 식각 등에 사용되는 반면, 저순도 인산은 식품 첨가용 또는 고순도의 인산을 필요로 하지 않는 용도로 사용될 수 밖에 없다. 이렇게 생산된 저순도의 인산은 습식 제조법에 의해 생산된 인산에 비해 제조단가가 월등히 높기 때문에 경제성이 떨어지는 문제가 있다
저순도 인산으로 분리되는 인산은 결국 황인 또는 원료 인산으로부터 고순도 인산을 제조하는 수율을 저하시키는 원인으로 작용할 수 있으므로, 본원에서는 이러한 저순도 인산으로 분리되는 인산을 고순도 인산으로 전환하기 위한 다양한 방법을 제공하는 것을 특징으로 한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 고순도 인산의 제조 방법의 순서도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 제조 방법은 종래의 제조 방법과 동일하게 연소탑에서 황인을 연소시켜 오산화인을 생성한 후 냉각탑에서 가스 상(gas phase)의 오산화인과 물을 혼합하여 원료 인산을 생성하며, 원료 인산으로부터 가스 및 불순물을 제거한 후 원료 인산조에 저장하는 단계를 포함한다.
연소탑에서는 황인을 연소시켜 가스 상의 오산화인을 생성하며, 이 때의 반응식은 다음과 같다(단계 (a)).
P4 + 5O2 → P4O10
(1)
연소탑에 황인이 투입된 후 황인이 완전 연소되기에 충분한 공기가 도입되며, 연소 온도는 500 내지 2,000℃일 수 있다.
이어서, 가스 상의 오산화인은 배기 가스와 함께 냉각탑으로 이송되고, 냉각탑 내 존재하는 물에 배기 가스 중의 오산화인이 용해되어 액상의 인산을 형성하며, 이 때의 반응식은 다음과 같다(단계 (b)).
P4O10 + 6H2O → 4H3PO4
(2)
냉각탑으로부터 가스를 제거하고, 액상의 인산으로부터 비소와 같은 불순물을 일차적으로 제거한 후 원료 인산조에 저장한다.
원료 인산조에 저장된 원료 인산은 재결정, 흡착 또는 여과 등과 같은 다양한 방식을 통해 금속 이온 등과 같은 불순물을 한쪽으로 몰아 불순물의 농도가 낮은 고순도 인산과 불순물의 농도가 높은 저순도 인산으로 분리된다(단계 (c)).
일 실시예에 있어서, 단계 (c)는 이온교환수지, 활성탄, 흡착 수지, 역삼투막 및 나노 필터막으로부터 선택되는 적어도 하나에 원료 인산을 통액시켜 금속 이온의 농도가 낮은 고순도 인산과 금속 이온의 농도가 높은 저순도 인산으로 분리하는 단계일 수 있다. 여기서, 단계 (c)의 정제 방법은 단계 (d)의 정제 방법과 동일할 수 있다.
또한, 다른 실시예에 있어서, 단계 (c)는 원료 인산의 재결정을 통해 금속 이온의 농도가 낮은 고순도 인산과 금속 이온의 농도가 높은 저순도 인산으로 분리하는 단계일 수 있다.
이 때, 단계 (c)에서 분리된 저순도 인산의 농도는 70% 내지 90%이며, 단계 (d)에서 저순도 인산은 냉각탑(단계 (b))에 재투입하기 위해 우선 50% 이하로 희석되는 것이 바람직하다. 여기서, 인산의 농도란 고순도 인산 또는 저순도 인산 중 인산이 차지하는 %를 의미하며, %는 중량%일 수 있다.
단계 (d)에서 저순도 인산은 불순물의 농도가 높기 때문에 50% 이하로 희석되지 않을 경우, 후속 정제 공정의 효율이 떨어질 수 있다. 또한, 저순도 인산의 정제시 사용될 수 있는 이온교환수지, 활성탄, 흡착수지, 역삼투막 또는 나노 필터막의 수명을 저하시킬 우려가 있다.
이어서, 50% 이하로 희석된 인산은 정제 과정을 거치게 되며, 단계 (d)의 정제는 희석된 인산을 이온교환수지, 활성탄, 흡착 수지, 역삼투막 및 나노 필터막으로부터 선택되는 적어도 하나에 통액시켜 수행될 수 있다.
이온교환수지, 활성탄 또는 흡착 수지를 이용한 인산의 정제는 염산 또는 황산 등과 같은 산을 이용해 전처리(활성화)된 수지에 인산 용액을 통액시켜 인산 용액 중 불순물을 수지에 흡착시키는 방법이다.
수지의 활성화를 위해 사용되는 산은 일반적으로 10% 이하의 농도를 가지는 것이 바람직하며, 보다 구체적으로, 알칼리 금속 및 알칼리 토금속의 농도가 10 ppb 이하이며 그 외 금속 이온의 농도는 1 ppb 이하인 산을 초순수에 희석하여 사용한다.
본원에서 사용 가능한 이온교환수지는 폴리스티렌계, 폴리아크릴릭계, 다이비닐벤젠계를 가지고 있는 양이온성 이온교환수지 및 킬레이트 수지이며, 양이온 이온교환수지의 경우 작용기로 술폰산 계열, 말단기로 Na+, H+ 형태를 가질 수 있다. 킬레이트 수지의 경우 작용기으로 GLUCAMINE, AMIDOXIME, THIOL, IMINODIACETIC, AMINOPHOSPHONIC, PHOSPHONIC/SULFONIC, PICOLYAMINE, POLYAMINE 계열을 가질 수 있으며, 말단기로 FREE BASE, H+, Na+, SO4 2- 등을 가질 수 있다.
보다 구체적으로, 이온교환수지로는 PUROLITE사 C100, C150, C160, C104, C106 등을 포함하는 양이온교환수지, NRW100, NRW160, NRW1000 등을 포함하는 NUCELAR GRADE 강산성 양이온 이온교환수지, S108, S110, S910, S930, S950, S957, S985 등의 킬레이트 수지가 사용될 수 있다. 또한, DOW사의 경우 AMBERLITE FPC, IR, IRN 계열, DOWEX MONOSPHERE 계열, DOWEX MARATHON계열, AMBERJET 1000H 등과 같은 양이온 교환수지가 있으며, AMBERLITE IRA743, IRC747, IRC748I, DOWEX XUS 계열의 킬레이트 수지가 사용될 수 있다. 또한, 강산성 양이온 이온교환 수지로 NAFION 구조를 가지고 있는 DUPONT사 NR-40, NR-50도 사용 가능하다.
본원에서 사용 가능한 활성탄은 인산 통액 시 불순물로 인산이 용출될 수 있는 공업용 등급의 활성탄은 사용할 수 없으며, 수십 ppb 이하의 불순물을 가지는 활성탄이 바람직하게 사용될 수 있다. 보다 구체적으로, KUREHA사 A-BAC SP, A-BAC MP, A-BAC LP, G-BAC G-70R등 BAC 시리즈, CABOT사 POWERED ACTIVATED CARBON(PAC) DARCO 시리즈가 사용될 수 있다.
또한, 본원에서 사용 가능한 흡착 수지는 폴리스티렌계, 폴리아크릴릭계, 다이비닐벤젠계를 가지고 NON-IONIC 작용기를 가지고 있는 수지이며, 말단기는 가지고 있지 않는 것이 바람직하다. 경우에 따라, 상술한 이온교환수지를 흡착 수지로서 사용할 수 있으며, 흡착 수지를 구성하는 고분자 사슬의 미세 구조에 불순물을 흡착시켜 인산을 정제할 수 있다. 흡착 수지로는 예를 들어, PUROLITE사의 PUROSORB 시리즈, DOW사 AMBERCHROM, ADSORBSIA 시리즈 등이 사용될 수 있다.
여기서, 역삼투막 또는 나노 필터막을 이용한 인산의 정제는 희석된 인산을 역삼투막 또는 나노 필터막에 통액시켜 통액한 부분은 고순도의 인산으로 수득하며, 나머지 불순물을 잔여 인산에 농축시키는 방법이다.
역삼투막 또는 나노 필터막은 건식과 습식으로 구분될 수 있다. 건식의 경우 건조된 상태로 소수성을 가지고 있으므로 IPA (ISOPROPYL ALCOHOL)을 이용하여 친수화시킨 후 초순수 세정하여 사용한다. 습식 의 경우 일반적으로 SODIUM BISULFITE SOLUTION에 전처리 되어있으므로 초순수 세정 후 사용한다. 인산을 통액하기 전 잔여 TOC를 모두 제거해야 하므로, 전처리 후 초순수를 다량으로 흘려보내 초기화시킨 후 사용하는 것이 바람직하다.
본원에서 사용 가능한 역삼투막은 기수용 및 해수용이 모두 가능하며, DOW, NITTO(HYDRANAUTICS), GE, TORAY, Koch사의 제품 등을 사용할 수 있다.
본원에서 사용 가능한 나노 필터막은 DOW - NF, NF90, NF270, NF345, SR90, GE - DK, DL 등이 있으며, NITTO - ESNA 제품도 사용 가능하다. 또한 Koch - SelRO, GE - Duracid. AMS - A3012, A3014 등과 같은 내산성 나노필터막을 사용할 수 있다.
상술한 다양한 방식으로 정제된 인산 중 금속 이온 등과 같은 불순물의 농도가 낮은 인산은 단계 (b)의 냉각탑에 투입되어 오산화인과 함께 원료 인산을 생성할 수 있다(단계 (e)).
이 때, 단계 (e)는 단계 (d)에서 분리된 금속 이온의 농도가 낮은 인산을 단계 (b)의 물 대신 투입하도록 수행될 수 있다. 즉, 물 대신 희석 및 정제된 인산 용액을 사용함으로써 이후 추가적인 농축 공정 없이도 어느 정도 농축된 인산을 원하는 것이 가능하다는 이점이 있다.
또한, 단계 (e)에 의해 금속 이온의 농도가 낮은 인산을 단계 (b)에 투입할 때, 추가되는 오산화인의 농도를 조절함으로써 고농도의 인산을 곧바로 생성하는 것이 가능할 수 있다.
특히, 단계 (d)에 따라 정제된 인산은 비록 불순물의 농도가 낮기는 하나, 상업적으로 사용하기 위해서는 인산의 농도가 70% 이상이 되도록 재농축하는 과정을 필요로 한다. 이 때, 인산을 고농도로 재농축하기 위해서는 다량의 에너지 및 공정 비용이 요구되기 때문에 저순도 인산을 재사용하는 실익이 낮다는 문제가 있다. 다만, 본원과 같이, 단계 (e)에 의해 금속 이온의 농도가 낮은 인산을 단계 (b)에 투입하여 재사용할 경우, 인산을 고농도로 재농축하기 위한 공정을 생략할 수 있으므로, 저순도 인산의 재사용을 위해 소요되는 공정 비용을 저감하는 것이 가능하다는 이점이 있다.
또한, 본 실시예에 따르면, 원료 인산의 정제를 통해 수득한 고순도의 인산을 단계 (b)로 순환시켜 재사용하는 것이 아니라, 원료 인산의 정제를 통해 분리된 저순도의 인산을 단계 (b)로 순환시킴으로써 최초 원료 인산 대비 생산되는 고순도 인산의 비율을 향상시키는 것이 가능하다는 이점이 있다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 고순도 인산의 제조 방법의 순서도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 제조 방법은 종래의 제조 방법과 동일하게 연소탑에서 황인을 연소시켜 오산화인을 생성한 후 냉각탑에서 가스 상(gas phase)의 오산화인과 물을 혼합하여 원료 인산을 생성하며, 원료 인산으로부터 가스 및 불순물을 제거한 후 원료 인산조에 저장하는 단계를 포함한다.
연소탑에서는 황인을 연소시켜 가스 상의 오산화인을 생성하며(단계 (a)), 가스 상의 오산화인은 배기 가스와 함께 냉각탑으로 이송되고, 냉각탑 내 존재하는 물에 배기 가스 중의 오산화인이 용해되어 액상의 인산을 형성한다(단계 (b)).
원료 인산조에 저장된 원료 인산은 재결정, 흡착 또는 여과 등과 같은 다양한 방식을 통해 금속 이온 등과 같은 불순물을 한쪽으로 몰아 불순물의 농도가 낮은 고순도 인산과 불순물의 농도가 높은 저순도 인산으로 분리된다(단계 (c)).
이 때, 단계 (c)에서 분리된 저순도 인산의 농도는 70% 내지 90%일 수 있다.
이어서, 단계 (c)에서 분리된 저순도 인산 중 일부는 희석된 후 정제되며(단계 (d)), 나머지 일부는 희석없이 곧바로 정제된다(단계 (e)). 단계 (d)와 단계 (e)는 개별적 또는 동시에 수행될 수 있으나, 단계 (d) 및 단계 (e)의 결과물은 각각 분리되어 저장된다.
여기서, 단계 (c), 단계 (d) 및 단계 (e)에서 수행되는 인산의 정제 방법은 동일할 수 있다. 단, 재결정을 통한 인산의 정제는 단계 (c) 및 단계 (e)에서만 수행될 수 있다.
이어서, 단계 (d)에서 희석 및 정제된 인산은 단계 (b)로 순환되어 재사용되며(단계 (f)), 단계 (e)에서 정제된 인산은 단계 (c)로 순환되어 재사용될 수 있다(단계 (g)). 마찬가지로, 단계 (f)와 단계 (g)는 개별적 또는 동시에 수행될 수 있다.
이 때, 단계 (f)는 단계 (d)에서 희석 및 정제된 인산을 단계 (b)의 물 대신 투입하도록 수행될 수 있다. 즉, 물 대신 희석 및 정제된 인산 용액을 사용함으로써 이후 추가적인 농축 공정없이도 어느 정도 농축된 인산을 원하는 것이 가능하다는 이점이 있다.
또한, 단계 (f)에 의해 금속 이온의 농도가 낮은 인산을 단계 (b)에 투입할 때, 추가되는 오산화인의 농도를 조절함으로써 고농도의 인산을 곧바로 생성하는 것이 가능할 수 있다.
아울러, 단계 (g)는 단계 (e)에서 정제된 인산을 원료 인산조로 재투입함으로써 저순도 인산의 이용율을 한층 더 높이는 것이 가능하다.
즉, 본 실시예에 따르면, 원료 인산의 정제를 통해 수득한 고순도의 인산을 단계 (b)의 냉각탑 또는 단계 (c)의 원료 인산조로 순환시켜 재사용하는 것이 아니라, 원료 인산의 정제를 통해 분리된 저순도의 인산을 단계 (b) 및 단계 (c)로 순환시킴으로써 최초 원료 인산 대비 생산되는 고순도 인산의 비율을 향상시키는 것이 가능하다는 이점이 있다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 고순도 인산의 제조 방법의 순서도이다.
도 4을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 제조 방법은 종래의 제조 방법과 동일하게 연소탑에서 황인을 연소시켜 오산화인을 생성한 후 냉각탑에서 가스 상(gas phase)의 오산화인과 물을 혼합하여 원료 인산을 생성하며, 원료 인산으로부터 가스 및 불순물을 제거한 후 원료 인산조에 저장하는 단계를 포함한다.
연소탑에서는 황인을 연소시켜 가스 상의 오산화인을 생성하며(단계 (a)), 가스 상의 오산화인은 배기 가스와 함께 냉각탑으로 이송되고, 냉각탑 내 존재하는 물에 배기 가스 중의 오산화인이 용해되어 액상의 인산을 형성한다(단계 (b)).
원료 인산조에 저장된 원료 인산은 재결정, 흡착 또는 여과 등과 같은 다양한 방식을 통해 금속 이온 등과 같은 불순물을 한쪽으로 몰아 불순물의 농도가 낮은 고순도 인산과 불순물의 농도가 높은 저순도 인산으로 분리된다(단계 (c)).
이어서, 단계 (c)에서 분리된 저순도 인산은 희석없이 곧바로 정제되며(단계 (d)), 정제된 인산은 단계 (c)로 순환되어 재사용될 수 있다(단계 (e)).
이하에서는 본 발명의 구체적인 실시예들을 제시한다. 다만, 하기에 기재된 실시예들은 본 발명을 구체적으로 예시하거나 설명하기 위한 것에 불과하며, 이로서 본 발명이 제한되어서는 아니된다.
실험 방법
모든 실시예 및 비교예에 사용된 황인은 한국등록특허 제10-1664625호에 개시된 산화제를 사용하여 1차적으로 금속 이온을 산화시킨 후 사용하였다.
실시예 1
(1) 단계 (a)
Lab scale연소탑 상부에 시간당 5kg의 황인과 시간당 25Nm3의 건조 공기를 투입하면서 자연발화시켜 황인을 연소시켰다.
(2) 단계 (b)
연소탑에서 황인은 연소되어 오산화인으로 전환되며, 생성된 오산화인을 냉각탑으로 이송시켰다. 냉각탑에서 오산화인을 증류수와 혼합하여 88%의 고농도 인산(원료 인산)을 제조하였다. 이어서, 냉각 및 수화된 원료 인산은 비소 제거 공정을 거쳐 원료 인산조에 저장되었다.
(3) 단계 (c)
원료 인산조에 들어있는 88% 인산 7kg을jacket flask에 투입한 후 고순도 인산 seed를 원료 인산 표면에 접촉시켰다. 온도를 0.5℃/min 속도로 12℃로 냉각시켰다. 인산이 완전히 얼면 얼지 않은 잔여 인산을 제거하고 온도를 1.0℃/min으로 18℃까지 승온시켰다. 부분적으로 녹기 시작한 인산을 모두 수거한 후 온도를 45℃로 올려 나머지는 모두 녹여 따로 수거하였다.
88% 인산을 원료로 하여 재결정을 수행할 경우 얼지 않은 잔여 인산과 부분 녹임된 인산의 총합의 농도는 83% 부근이 된다. 이 때, 수거한 인산을 각각 ICP-OES 및 ICP-MS를 통해 분석한 결과는 하기의 표 1과 같다.
| 구분 | 단위 | 원료 인산 |
얼지 않은 잔여인산 + 부분 녹임 인산 | 재결정 후 정제인산 |
| 질량 | kg | 7.00 | 1.34 | 5.66 |
| Al | ppb | 143 | 642 | 21 |
| Fe | ppb | 56 | 266 | 5 |
| Sb | ppb | 32 | 120 | 8 |
(4) 단계 (d)
83% 저순도 인산 1kg을 초순수로 희석하여 25% 농도의 인산으로 만들었다. 희석된 저순도 인산을 Dow사 IRC747UPS이온교환수지를 통과시켜 고순도의 희석 인산을 수거하였다. 이 때, 이온교환수지는 사용 전 10% 고순도 염산 용액으로 전처리한 후 초순수로 세정하여 활성화시켰다. 이온교환수지 통액 후 수거된 인산을 ICP-MS를 이용하여 분석한 결과는 하기의 표 2와 같다.
| 구분 | 단위 | 얼지 않은 잔여 인산 + 부분 녹임 인산 | 희석 인산 | 이온교환수지 정제 인산 |
| 농도 | % | 83% | 25% | 25% |
| Al | ppb | 642 | 183 | 5 |
| Fe | ppb | 266 | 85 | 3 |
| Sb | ppb | 120 | 46 | 6 |
(5) 단계 (e)
정제된 희석 인산을 냉각탑으로 재순환시키는 양에 따라 생산되는 원료 인산 농도와 불순물 수준을 조절할 수 있다. 본 실시예에서는 88% 인산 생산을 기준으로 평가하였으며, 물과 동일하게 25% 희석 및 정제 인산을 투입할 경우 약 10%의 생산량 증대 효과와 인산의 불순물 수준 감소를 동시에 얻을 수 있으며, 88% 인산 생산량 기준으로 희석 인산의 투입량을 조절할 경우 초기 소비되는 황인의 양을 10% 감소 시킬 수 있다.
하기의 표 3을 참조하면, 단계 (e) 없이 황인을 연소(5kg/hr)시켜 원료 인산을 생산하는 경우, 17.8kg의 인산을 수득한 반면, 단계 (e)를 통해 저순도의 인산을 정제 및 희석하여 냉각탑으로 재순환시킬 경우 19.6kg의 인산을 수득하는 것이 가능함을 확인할 수 있다. 즉, 동일한 양의 황인을 연소시켜 더 많은 양의 원료 인산을 수득하는 것이 가능하다. 또한, 단계 (e)를 통해 저순도의 인산을 희석 및 정제하여 냉각탑으로 재순환시킬 경우, 상대적으로 적은 양의 황인을 연소(4.4kg/hr)시키더라도 유사한 양의 원료 인산을 수득하는 것이 가능함을 확인할 수 있다.
단계 (e)에 의해 냉각탑으로 재순환되는 인산은 단계 (c)에서 분리된 저순도 인산을 희석 및 정제시킨 인산이다. 이러한 저순도 인산을 재사용하더라도 단계 (e)를 통해 수득된 원료 인산의 불순물 함량은 단계 (e)를 거치지 않은 원료 인산보다 낮거나 유사한 수준을 유지할 수 있음을 확인할 수 있다.
| 구분 | 단위 | 냉각탑에 물 투입시 |
냉각탑에 25% 희석 및 정제 인산 투입 시 |
냉각탑에 25% 희석 및 정제 인산 투입 시 |
| 생성된 원료 인산 농도 | % | 88% | 88% | 88% |
| 황인 연소량 | kg/hr | 5 | 5 | 4.4 |
| 물 또는희석 및 정제 인산 투입량 | kg | 6.51 | 6.51 | 6.51 |
| 인산 생산량 | kg | 17.8 | 19.6 | 17.7 |
| Al | ppb | 143 | 122 | 110 |
| Fe | ppb | 56 | 47 | 42 |
| Sb | ppb | 32 | 25 | 22 |
실시예 2
실시예 2에서는 실시예 1과 동일하게 단계 (a) 및 단계 (b)를 진행한 후 원료 인산조에 저장하였다.
(1) 단계 (c)
역삼투를 이용한 여과를 하기 위해 고압펌프와 역삼투 하우징을 준비하고 역삼투압 모듈을 용기에 설치하였다. Dow사 BW30을 사용하였으며, 6L/min, 15Kgf/cm2 압력으로 운전하였다. 농축 인산과 여과 인산의 비율을 수율로 정의하였다. 수율이 90%가 될 때까지 여과 인산을 모은 후 시료를 채취하여 품질을 ICP-MS를 통해 분석한 결과는 하기의 표 4와 같다.
| 구분 | 단위 | 원료 인산 | 역삼투 농축 인산 |
역삼투 여과 인산 |
| Al | ppb | 93 | 489 | 8 |
| Fe | ppb | 34 | 350 | 10 |
| Sb | ppb | 28 | 220 | 12 |
(2) 단계 (d)
불순물이 농축된 88% 인산을 희석시킨 후, 흡착 수지를 통과시켜 2차 정제를 진행하였다. 사용한 흡착 수지는 Dow XAD4이며 에탄올과 이소프로필알콜을 사용하여 전처리한 후 사용하였다.
전처리한 흡착 수지를 1/2인치 PFA tube에 채운 후 펌프를 통해 up-flow방식을 통해 통액시켰다. 통액 속도는 공간속도 기준 1.1 내지 3.3/hr 사이였으며, 통액시킨 인산을 ICP-OES 및 ICP-MS를 통해 분석한 결과는 하기의 표 5와 같다.
| 구분 | 단위 | 역삼투 농축인산 |
희석 인산 | 흡착수지 정제 인산 |
| 농도 | % | 88% | 25% | 25% |
| Al | ppb | 489 | 155 | 76 |
| Fe | ppb | 350 | 123 | 28 |
| Sb | ppb | 220 | 76 | 15 |
(3) 단계 (e)
희석 및 정제된 인산을 냉각탑으로 재순환 투입하였다. 투입한 후 생산된 인산의 품질 및 농도, 생산량은 하기의 표 6과 같다.
하기의 표 6을 참조하면, 단계 (e) 없이 황인을 연소(5kg/hr)시켜 원료 인산을 생산하는 경우, 17.6kg의 인산을 수득한 반면, 단계 (e)를 통해 저순도의 인산을 정제 및 희석하여 냉각탑으로 재순환시킬 경우 19.5kg의 인산을 수득하는 것이 가능함을 확인할 수 있다. 즉, 동일한 양의 황인을 연소시켜 더 많은 양의 원료 인산을 수득하는 것이 가능하다. 또한, 단계 (e)를 통해 저순도의 인산을 희석 및 정제하여 냉각탑으로 재순환시킬 경우, 상대적으로 적은 양의 황인을 연소(4.5kg/hr)시키더라도 유사한 양의 원료 인산을 수득하는 것이 가능함을 확인할 수 있다.
| 구분 | 단위 | 물 투입시 | 냉각탑에 25% 희석 및 정제 인산 투입 시 |
냉각탑에 25% 희석 및 정제 인산 투입 시 |
| 생성된 원료 인산농도 | % | 88% | 88% | 88% |
| 황인 연소량 | kg/hr | 5 | 5 | 4.5 |
| 물 또는 희석 및 정제 인산 투입량 | kg/hr | 6.51 | 6.51 | 6.51 |
| 인산 생산량 | kg | 17.6 | 19.5 | 17.7 |
| Al | ppb | 93 | 87 | 79 |
| Fe | ppb | 34 | 35 | 32 |
| Sb | ppb | 28 | 26 | 25 |
한편, 흡착 수지를 통해 정제한 인산을 냉각탑에 투입하여 재순환시킬 경우, 이온교환수지 대비 생산되는 원료 인산의 품질은 떨어지나 기존 원료 인산 수준의 품질은 수득이 가능하므로, 저순도의 인산 재사용에는 큰 문제가 없음을 확인할 수 있다.
실시예 3
실시예 3에서는 실시예 1과 동일하게 단계 (a) 및 단계 (b)를 진행한 후 원료 인산조에 저장하였다. 또한, 실시예 3에서는 실시예 2의 단계 (c)와 동일하게 역삼투막을 사용하여 원료 인산을 정제하여 농축 인산과 여과 인산을 확보하였다. 수율이 90%가 될 때까지 여과 인산을 모은 후 시료를 채취하여 품질을 ICP-MS를 통해 분석한 결과는 하기의 표 7과 같다.
| 구분 | 단위 | 원료 인산 | 역삼투 농축 인산 |
역삼투 여과 인산 |
| Al | ppb | 101 | 522 | 7 |
| Fe | ppb | 44 | 336 | 15 |
| Sb | ppb | 30 | 189 | 10 |
농축된 인산은 실시예 1의 단계 (d)와 동일하게 이온교환수지를 사용하여 희석 및 정제되었다. 농도가 88%이므로 희석 비율을 일부 수정하여 50% 인산을 만든 후 투입하였다. 이온교환수지를 통액시킨 인산을 ICP-OES 및 ICP-MS를 통해 분석한 결과는 하기의 표 8과 같다.
| 구분 | 단위 | 원료 인산 | 희석 인산 | 정제 인산 |
| 농도 | % | 88% | 50% | 50% |
| Al | ppb | 522 | 297 | 20 |
| Fe | ppb | 336 | 214 | 22 |
| Sb | ppb | 189 | 111 | 13 |
이 후, 실시예 1의 단계 (e)와 동일하게 희석 및 정제된 인산을 냉각탑으로 재순환시켜 원료 인산을 생산하였으며, 이 때 생산된 원료 인산의 품질, 농도, 생산량은 하기의 표 9와 같다.
| 구분 | 단위 | 물 투입시 | 냉각탑에 50% 희석 및 정제 인산 투입 시 | 냉각탑에 50% 희석 및 정제 인산 투입 시 |
| 생성된 원료 인산 농도 | % | 88% | 88% | 88% |
| 황인 연소량 | kg/hr | 5 | 5 | 3.9 |
| 물 또는 희석 및 정제 인산 투입량 | kg/hr | 6.51 | 6.51 | 6.51 |
| 인산 생산량 | kg | 17.8 | 23.5 | 17.7 |
| Al | ppb | 101 | 77 | 62 |
| Fe | ppb | 44 | 32 | 26 |
| Sb | ppb | 30 | 18 | 15 |
물과 동일하게 50% 희석 및 정제 인산을 투입할 경우 약 25%의 생산량 증대 효과와 인산의 불순물 수준 감소를 동시에 얻을 수 있으며, 88% 인산 생산량 기준으로 희석 및 정제 인산의 투입량을 조절할 경우 초기 소비되는 황인의 양을 20% 감소 시킬 수 있다. 저순도 인산의 재사용과 더불어 높은 생산성 향상이 있음을 확인할 수 있다.
실시예 4
실시예 4에서는 실시예 1과 동일하게 단계 (a) 및 단계 (b)를 진행한 후 원료 인산조에 저장하였다. 또한, 실시예 4에서는 실시예 1의 단계 (c)와 동일하게 재결정법을 통한 정제 과정을 수회 반복하여 9kg의 저순도 인산을 수득하였다. 수득한 저순도 인산 9kg 중 7kg은 다시 재결정 방법을 통해 2차 정제를 수행하였다. 2차 정제 후 얻은 얼지 않은 인산 및 부분 녹임 인산과 수거한 인산을 ICP-OES 및 ICP-MS를 통해 분석한 결과는 하기의 표 10과 같다.
| 구분 | 단위 | 원료 인산 | 얼지 않은 잔여 인산 + 부분 녹임 인산 | 정제 인산 |
| mass | kg | 7.00 | 2.1 | 4.8 |
| Al | ppb | 538 | 1382 | 88 |
| Fe | ppb | 243 | 621 | 65 |
| Sb | ppb | 112 | 257 | 40 |
재결정 결과 수거 된 인산의 양은 1차 정제에 비해 감소하며, 품질도 하락하는 것을 확인할 수 있으나, 단계 (c) 시작 전 원료 인산의 불순물 수준과 유사하여 저순도 인산의 재사용 면에서 충분히 사용이 가능하다.
저순도 83% 인산 중 나머지 2kg을 물로 희석하여 25% 인산 6.6kg을 제조하였다. 이 때, 2차 재결정 후 남은 녹지 않은 인산과 부분 녹임된 인산을 혼합하여 희석할 수도 있다. 이 후, 실시예 1의 단계 (d)와 동일하게 이온교환수지를 통해 정제하였다. 이온교환수지를 통액시킨 인산을 ICP-OES 및 ICP-MS를 통해 분석한 결과는 하기의 표 11과 같다.
| 구분 | 단위 | 얼지 않은 잔여 인산 + 부분 녹임 인산 | 희석 인산 | 이온교환수지 정제 인산 |
| 농도 | % | 83% | 25% | 25% |
| Al | ppb | 538 | 173 | 6 |
| Fe | ppb | 243 | 77 | 8 |
| Sb | ppb | 112 | 28 | 11 |
이 후, 실시예 1의 단계 (e)와 동일하게 희석 및 정제된 인산을 냉각탑으로 재순환시켜 원료 인산을 생산하였으며, 이 때 생산된 원료 인산의 품질, 농도, 생산량은 하기의 표 12와 같다.
| 구분 | 단위 | 물 투입시 | 2차 재결정 | 2차 재결정 + 냉각탑에 25% 희석 및 정제 인산 투입 시 |
| 생성된 원료 인산 농도 | % | 88% | 88% | 88% |
| 황인 연소량 | kg/hr | 5 | 5 | 5 |
| 물 또는 희석 및 정제 인산 투입량 | kg/hr | 6.51 | 6.51 | 6.51 |
| 2차 재결정 정제 인산 투입량 | kg | - | 4.8 | 4.83 |
| 인산 생산량 | kg | 17.8 | 22.8 | 24.7 |
| Al | ppb | 83 | 77 | 65 |
| Fe | ppb | 46 | 38 | 32 |
| Sb | ppb | 34 | 25 | 22 |
표 12를 참조하면, 저순도 인산을 원료 인산조로 재순환시켜 사용하지 않고 황인을 연소(5kg/hr)시켜 원료 인산을 생산하는 경우, 17.8kg의 인산을 수득한 반면, 저순도의 인산을 정제(재결정)하여 원료 인산조로 재순환시킬 경우 22.8kg의 인산을 수득하는 것이 가능함을 확인할 수 있다.
또한, 저순도 인산을 원료 인산조로 재순환함과 동시에 저순도 인산을 희석 및 정제하여 냉각탑으로 재순환시킬 경우, 24.7kg의 인산을 수득함으로써 동일한 양의 황인을 연소시켜 더 많은 양의 원료 인산을 수득하는 것이 가능함을 확인할 수 있다.
실시예 5
실시예 4에서는 실시예 1과 동일하게 단계 (a) 및 단계 (b)를 진행한 후 원료 인산조에 저장하였다. 또한, 실시예 4에서는 실시예 1의 단계 (c)와 동일한 재결정법을 통한 정제 과정을 수회 반복하여 9kg의 저순도 인산을 수득하였다. 이어서, 실시예 2의 단계 (c)에 개시된 역삼투 모듈을 이용하여 2차 정제를 수행하였다.
수율이 90%가 될 때까지 여과 인산을 모은 후 시료를 채취하여 품질을 ICP-MS 및 ICP-OES를 통해 분석한 결과는 하기의 표 13과 같다.
| 구분 | 단위 | 원료 인산 | 역삼투 농축 인산 |
역삼투 여과 인산 |
| Al | ppb | 538 | 1822 | 43 |
| Fe | ppb | 243 | 1088 | 24 |
| Sb | ppb | 112 | 264 | 17 |
불순물이 농축된 농축 인산을 희석시킨 후 흡착 수지를 통과시켜 3차 정제를 수행하였다. 사용한 흡착 수지는 Dow XAD4이며 에탄올과 이소프로필알콜을 사용하여 전처리 한 후 사용하였다.
전처리한 흡착 수지를 1/2인치 PFA tube에 채운 후 펌프를 통해 up-flow방식을 통해 통액시켰다. 통액 속도는 공간속도 기준 1.1~3.3/hr 사이였으며, 통액시킨 인산을 ICP-OES 및 ICP-MS를 통해 분석한 결과는 하기의 표 14와 같다.
| 구분 | 단위 | 역삼투 농축인산 |
희석 인산 | 정제 인산 |
| 농도 | % | 88% | 25% | 25% |
| Al | ppb | 1822 | 550 | 63 |
| Fe | ppb | 1088 | 321 | 58 |
| Sb | ppb | 264 | 93 | 42 |
이어서, 실시예 1의 단계 (e)와 동일하게 희석 및 정제된 인산을 냉각탑으로 재순환시켜 원료 인산을 생산하였으며, 이 때 생산된 원료 인산의 품질, 농도, 생산량은 하기의 표 15와 같다.
| 구분 | Unit | 물 투입시 | 역삼투 공정 | 25% 희석 및 정제 인산 투입 시 |
| 생산된 원료 인산 농도 | % | 88% | 88% | 88% |
| 황인 연소량 | Kg/hr | 5 | 5 | 5 |
| 물 또는 희석 및 정제 인산 투입량 | Kg/hr | 6.51 | 6.51 | 6.51 |
| 인산 생산량 | kg | 17.9 | 25.9 | 26.9 |
| Al | ppb | 83 | 65 | 71 |
| Fe | ppb | 46 | 32 | 37 |
| Sb | ppb | 34 | 18 | 26 |
표 15를 참조하면, 저순도 인산을 원료 인산조로 재순환시켜 사용하지 않고 황인을 연소(5kg/hr)시켜 원료 인산을 생산하는 경우, 17.9kg의 인산을 수득한 반면, 저순도의 인산을 정제(역삼투)하여 원료 인산조로 재순환시킬 경우 25.9kg의 인산을 수득하는 것이 가능함을 확인할 수 있다.
또한, 저순도 인산을 원료 인산조로 재순환함과 동시에 저순도 인산을 희석 및 정제하여 냉각탑으로 재순환시킬 경우, 26.9kg의 인산을 수득함으로써 동일한 양의 황인을 연소시켜 더 많은 양의 원료 인산을 수득하는 것이 가능함을 확인할 수 있다.
실시예 6
실시예 6에서는 실시예 1과 동일하게 단계 (a) 및 단계 (b)를 진행한 후 원료 인산조에 저장하였다. 또한, 실시예 6에서는 실시예 1의 단계 (c)와 동일하게 재결정법을 통한 정제 과정을 수회 반복하여 저순도 인산을 수득하였다. 수득한 저순도 인산은 각각 재결정, 흡착수지 또는 역삼투 방식을 이용하여 희석없이 정제되었다. 정제된 인산을 ICP-MS 및 ICP-OES를 통해 분석한 결과는 하기의 표 16과 같다.
| 구분 | 단위 | 얼지 않은 잔여 인산 + 부분 녹임 인산 | 2차정제 | ||
| 재결정 | 흡착수지 | 역삼투 | |||
| 농도 | % | 88% | 88% | 88% | 88% |
| Al | ppb | 1822 | 77 | 132 | 32 |
| Fe | ppb | 1088 | 62 | 108 | 16 |
| Sb | ppb | 264 | 45 | 84 | 18 |
이상, 본 발명의 일 실시예에 대하여 설명하였으나, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서, 구성 요소의 부가, 변경, 삭제 또는 추가 등에 의해 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있을 것이며, 이 또한 본 발명의 권리범위 내에 포함된다고 할 것이다.
Claims (9)
- (a) 황인을 연소시켜 오산화인을 생성하는 단계;
(b) 단계 (a)에서 생성된 오산화인과 물을 혼합하여 원료 인산을 생성하는 단계;
(c) 단계 (b)에서 생성된 원료 인산을 정제하여 원료 인산을 고순도 인산과 저순도 인산으로 분리하는 단계;
(d) 단계 (c)에서 분리된 저순도 인산을 희석한 후 정제하는 단계; 및
(e) 단계 (d)에서 정제된 인산을 단계 (b)에 투입하는 단계;
를 포함하는,
고순도 인산의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,
단계 (c)는 이온교환수지, 활성탄, 흡착 수지, 역삼투막 및 나노 필터막으로부터 선택되는 적어도 하나에 원료 인산을 통액시켜 금속 이온의 농도가 낮은 고순도 인산과 금속 이온의 농도가 높은 저순도 인산으로 분리하는 단계인,
고순도 인산의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,
단계 (c)는 원료 인산의 재결정을 통해 금속 이온의 농도가 낮은 고순도 인산과 금속 이온의 농도가 높은 저순도 인산으로 분리하는 단계인,
고순도 인산의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,
단계 (c)에서 분리된 저순도 인산의 농도는 70% 내지 90%이며, 단계 (d)에서 저순도 인산은 50% 이하로 희석된 후 정제되는,
고순도 인산의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,
단계 (d)는 희석된 인산을 이온교환수지, 활성탄, 흡착 수지, 역삼투막 및 나노 필터막으로부터 선택되는 적어도 하나에 통액시켜 금속 이온의 농도가 낮은 인산과 금속 이온의 농도가 높은 인산으로 분리하는 단계인,
고순도 인산의 제조 방법.
- 제5항에 있어서,
단계 (e)는 단계 (d)에서 분리된 금속 이온의 농도가 낮은 인산을 단계 (b)에 투입하는 단계인,
고순도 인산의 제조 방법.
- 제5항에 있어서,
단계 (e)는 단계 (d)에서 분리된 금속 이온의 농도가 낮은 인산을 단계 (b)의 물 대신 투입하는,
고순도 인산의 제조 방법.
- (a) 황인을 연소시켜 오산화인을 생성하는 단계;
(b) 단계 (a)에서 생성된 오산화인과 물을 혼합하여 원료 인산을 생성하는 단계;
(c) 단계 (b)에서 불순물이 제거된 원료 인산을 정제하여 원료 인산을 고순도 인산과 저순도 인산으로 분리하는 단계;
(d) 단계 (c)에서 분리된 저순도 인산 중 일부를 희석한 후 정제하는 단계;
(e) 단계 (c)에서 분리된 저순도 인산의 나머지를 정제하는 단계;
(f) 단계 (d)에서 희석 및 정제된 인산을 단계 (b)에 투입하는 단계; 및
(g) 단계 (e)에서 정제된 인산을 단계 (c)에 투입하는 단계;
를 포함하는,
고순도 인산의 제조 방법.
- (a) 황인을 연소시켜 오산화인을 생성하는 단계;
(b) 단계 (a)에서 생성된 오산화인과 물을 혼합하여 원료 인산을 생성하는 단계;
(c) 단계 (b)에서 불순물이 제거된 원료 인산을 정제하여 원료 인산을 고순도 인산과 저순도 인산으로 분리하는 단계;
(d) 단계 (c)에서 분리된 저순도 인산을 정제하는 단계; 및
(e) 단계 (d)에서 정제된 인산을 단계 (c)에 투입하는 단계;
를 포함하는,
고순도 인산의 제조 방법.
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2018
- 2018-04-12 KR KR1020180042569A patent/KR102633772B1/ko active IP Right Grant
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| CN117720079B (zh) * | 2023-12-11 | 2024-05-17 | 安徽金轩科技有限公司 | 一种磷酸的高效率除杂方法及除杂系统 |
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