KR20190116037A - 웨이퍼 척킹 장치 및 이를 포함하는 웨이퍼 테스트 장비 - Google Patents

웨이퍼 척킹 장치 및 이를 포함하는 웨이퍼 테스트 장비

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KR20190116037A
KR20190116037A KR1020180123255A KR20180123255A KR20190116037A KR 20190116037 A KR20190116037 A KR 20190116037A KR 1020180123255 A KR1020180123255 A KR 1020180123255A KR 20180123255 A KR20180123255 A KR 20180123255A KR 20190116037 A KR20190116037 A KR 20190116037A
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Abstract

본 발명의 실시 예에 따른 웨이퍼 척킹 장치는 웨이퍼를 지지하고, 그 상면에 복수의 제1 환형 진공 홈들이 형성된 척; 및 상기 척의 측면에 연결되고, 상기 웨이퍼의 하면에 흡착력을 제공하도록 구성된 진공 흡착부를 포함한다. 상기 척의 상면에는 상기 복수의 제1 환형 진공 홈들 중 최외측의 제1 환형 진공 홈의 외측을 둘러싸는 밀폐 부재가 배치된다.

Description

웨이퍼 척킹 장치 및 이를 포함하는 웨이퍼 테스트 장비{WAFER CHUNKING APPARATUS AND WAFER TEST EQUIPMENT HAVING THE SAME}
본 발명은 반도체 제조 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는, 웨이퍼 척킹 장치 및 이를 포함하는 웨이퍼 테스트 장비에 관한 것이다.
일반적으로 집적 회로 소자들과 같은 반도체 소자들은 반도체 웨이퍼 상에 일련의 반도체 공정들을 반복적으로 수행함으로써 형성될 수 있다. 예를 들면, 웨이퍼 상에 박막을 형성하는 증착 공정, 박막을 전기적 특성들을 갖는 패턴들로 형성하기 위한 식각 공정, 패턴들에 불순물들을 주입 또는 확산시키기 위한 이온 주입 공정 또는 확산 공정, 패턴들이 형성된 웨이퍼로부터 불순물을 제거하기 위한 세정 및 린스 공정 등을 반복적으로 수행함으로써 반도체 회로 소자들이 웨이퍼 상에 형성될 수 있다.
이러한 일련의 공정들을 통해 반도체 소자들을 형성한 후 반도체 소자들의 전기적인 특성을 검사하기 위한 검사 공정이 수행될 수 있다. 검사 공정은 복수의 탐침들을 갖는 프로브 카드를 포함하는 웨이퍼 테스트 장비와 전기적인 신호를 제공하기 위하여 프로브 카드와 연결된 테스터에 의해 수행될 수 있다.
검사 공정을 위해 검사 챔버의 상부에는 프로브 카드가 장착될 수 있으며, 프로브 카드의 하부에는 웨이퍼를 지지하기 위한 척이 배치될 수 있다. 척의 하부에는 척을 회전시키는 회전 구동부가 배치될 수 있으며, 회전 구동부의 하부에는 척을 수직 또는 수평 방향으로 이동시키는 수직/수평 구동부가 배치될 수 있다.
검사 공정을 수행하기 전에 프로브 카드의 탐침들이 반도체 소자들과 균일하게 도통될 수 있도록 웨이퍼와 프로브 카드를 정렬하는 정렬 단계가 수행될 수 있다.
그러나, 검사 공정에 투입되는 웨이퍼들은 반도체 소자들을 형성하는 공정 중 열 등에 의해 변형이 발생될 수 있다. 즉, 반도체 소자들이 형성된 웨이퍼들에는 위 또는 아래로 볼록하게 휘어지는 이른바 워피지(warpage)가 발생될 수 있다. 워피지(warpage)가 발생된 웨이퍼는 척 상에 균일하게 진공 흡착되지 못함에 따라 프로브 카드의 탐침들이 반도체 소자들에 균일하게 접촉되지 못하여 검사 신뢰도가 저하될 수 있고, 검사 시 웨이퍼 전체의 온도 분포가 불균일해질 수 있으며, 웨이퍼를 안정적으로 지지하지 못해 웨이퍼가 척으로부터 이탈되거나 위치가 변경될 수 있다.
이러한 문제들을 방지하기 위해 웨이퍼를 균일하게 진공 흡착하기 위한 웨이퍼 척킹 장치 및 척킹 방법에 대하여 지속적으로 연구되고 있다.
본 발명은 웨이퍼를 균일하게 진공 흡착할 수 있는 웨이퍼 척킹 장치 및 이를 포함하는 웨이퍼 테스트 장비를 제공하는 것이다.
본 발명의 실시 예에 따른 웨이퍼 척킹 장치는 웨이퍼를 지지하고, 그 상면에 복수의 제1 환형 진공 홈들이 형성된 척; 및 상기 척의 측면에 연결되고, 상기 웨이퍼의 하면에 흡착력을 제공하도록 구성된 진공 흡착부를 포함한다. 상기 척의 상면에는 상기 복수의 제1 환형 진공 홈들 중 최외측의 제1 환형 진공 홈의 외측을 둘러싸는 밀폐 부재가 배치된다.
본 발명의 실시 예에 따른 웨이퍼 테스트 장비는 테스트할 웨이퍼를 지지하고, 그 상면에 복수의 제1 환형 진공 홈들이 형성된 척; 및 상기 척의 상부에 배치되어 상기 웨이퍼의 전기적 특성을 테스트하기 위한 프로브 카드를 포함한다. 상기 척의 상면에는 상기 복수의 제1 환형 진공 홈들 중 최외측의 제1 환형 진공 홈의 외측을 둘러싸는 밀폐 부재가 배치된다.
본 실시 예에 따르면, 워피지(warpage)가 발생된 웨이퍼의 테두리와 척 사이로 진공이 누설되는 것을 방지하여 웨이퍼에 대한 흡착력을 향상시킬 수 있다. 그 결과, 워피지(warpage)가 발생된 웨이퍼를 척 상에 균일하게 진공 흡착할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 웨이퍼 테스트 장비의 구성을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2a는 본 발명의 일 실시 예에 따른 척의 상부 표면을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2b는 도 2a의 A1-A1′라인을 따라 절단한 척의 단면을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2c는 도 2a의 A2-A2′라인을 따라 절단한 척(210A)의 단면을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3a는 본 발명의 일 실시 예에 따른 척의 상부 표면을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3b는 도 3a의 B1-B1′라인을 따라 절단한 척의 단면을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3c는 도 3a의 B2-B2′라인을 따라 절단한 척의 단면을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 4a는 본 발명의 일 실시 예에 따른 척의 상부 표면을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 4b는 도 4a의 C1-C1′라인을 따라 절단한 척의 단면을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 4c는 도 4a의 C2-C2′라인을 따라 절단한 척의 단면을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 4d는 도 4a의 C3-C3′라인을 따라 절단한 척의 단면을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 5a는 본 발명의 일 실시 예에 따른 척의 상부 표면을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 5b는 도 5a의 D-D′라인을 따라 절단한 척의 단면을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 6a 및 도 6b는 본 발명의 실시 예에 따른 삽입 홈 및 삽입 홈에 장착된 밀폐 부재를 개략적으로 나타낸 도면들이다.
도 7a는 도 6a의 밀폐 부재 상에 웨이퍼가 로딩된 상태를 예시적으로 나타낸 도면이고, 도 7b는 웨이퍼가 진공 흡착된 상태를 예시적으로 나타낸 도면이다.
도 8a는 도 6b의 밀폐 부재 상에 웨이퍼가 로딩된 상태를 예시적으로 나타낸 도면이고, 도 8b는 웨이퍼가 진공 흡착된 상태를 예시적으로 나타낸 도면이다.
도 9a는 본 발명의 실시 예에 따른 삽입 홈 및 삽입 홈에 장착된 밀폐 부재를 개략적으로 나타낸 도면이고, 도 9b는 도 9a의 밀폐 부재 상에 웨이퍼가 로딩된 상태를 예시적으로 나타낸 도면이고, 도 9c는 웨이퍼가 진공 흡착된 상태를 예시적으로 나타낸 도면이다.
도 10a는 본 발명의 실시 예에 따른 삽입 홈 및 삽입 홈에 장착된 밀폐 부재를 개략적으로 나타낸 도면이고, 도 10b는 도 10a의 밀폐 부재 상에 웨이퍼가 로딩된 상태를 예시적으로 나타낸 도면이고, 도 10c는 웨이퍼가 진공 흡착된 상태를 예시적으로 나타낸 도면이다.
도 11a는 본 발명의 실시 예에 따른 삽입 홈 및 삽입 홈에 장착된 밀폐 부재를 개략적으로 나타낸 도면이고, 도 11b는 도 11a의 밀폐 부재 상에 웨이퍼가 로딩된 상태를 예시적으로 나타낸 도면이고, 도 11c는 웨이퍼가 진공 흡착된 상태를 예시적으로 나타낸 도면이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 도면에서 층 및 영역들의 크기 및 상대적인 크기는 설명의 명료성을 위해 과장된 것일 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 웨이퍼 테스트 장비(10)의 구성을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 웨이퍼 테스트 장비(10)는 프로브 카드(100) 및 웨이퍼 척킹 장치(200)를 포함할 수 있다.
프로브 카드(100)는 베이스 기판(110) 및 복수의 프로브 핀(120)을 포함할 수 있다. 베이스 기판(110)은 단층 또는 다층 인쇄회로기판일 수 있으나, 특별히 이에 한정되지는 않는다. 베이스 기판(110)은 복수의 프로브 핀(120)에 연결되는 도전성 와이어를 포함할 수 있으며, 프로브 카드(100)의 본체 구조 역할을 할 수 있다. 베이스 기판(110)은 웨이퍼(W)와 대응되는 원판 형상을 가질 수 있으나, 특별히 이에 한정되는 것은 아니다. 베이스 기판(110)은 검침 영역 및 검침 영역을 둘러싸는 주변 영역을 포함할 수 있다.
복수의 프로브 핀(120)은 베이스 기판(110)의 하부에 구비될 수 있다. 복수의 프로브 핀(120)은 베이스 기판(110)의 하부의 검침 영역 내에 구비될 수 있다. 복수의 프로브 핀(120)은 베이스 기판(110)의 하부 표면으로부터 하측으로 연장될 수 있다. 복수의 프로브 핀(120)의 하단은 웨이퍼(W)의 전기적 특성 검사를 위한 검사 신호를 웨이퍼(W)에 인가하기 위해 웨이퍼(W)에 접촉될 수 있다. 복수의 프로브 핀(120)은 웨이퍼(W)로 신호를 전달하기 위해 도전성 물질로 이루어질 수 있다.
도 1에 도시하지는 않았으나, 프로브 카드(100)는 웨이퍼(W)의 전기적 특성을 검사하기 위한 테스터(미도시)와 연결될 수 있다. 테스터는 프로브 카드(100)의 베이스 기판(110) 및 복수의 프로브 핀(120)을 통해 검사 신호를 웨이퍼(W)에 형성된 반도체 소자들에 인가하고, 반도체 소자들로부터 출력되는 신호들에 근거하여 웨이퍼(W)의 전기적 특성을 검사할 수 있다. 복수의 프로브 핀(120)은 테스터로부터 제공되는 검사 신호를 웨이퍼(W)에 형성된 반도체 소자들에 인가하고, 반도체 소자들로부터 출력되는 전기적 신호들이 테스터로 전달되도록 베이스 기판(110)과 전기적으로 연결될 수 있다.
프로브 카드(100)의 하부에는 웨이퍼 척킹 장치(200)가 배치될 수 있다. 웨이퍼 척킹 장치(200)는 웨이퍼(W)가 로딩되는 척(210) 및 척(210) 상에 로딩된 웨이퍼(W)를 진공 흡착하기 위한 진공 흡착부(250)를 포함할 수 있다. 웨이퍼 척킹 장치(200)는 척(210)과 웨이퍼(W) 사이에 형성되는 진공 상태를 센싱하기 위한 진공 센싱부(270) 및 진공 센싱부(270)의 센싱 결과에 따라 알람 신호를 생성 및 출력하는 알람 신호 생성부(280)를 포함할 수 있다. 도 1에 구체적으로 도시하지는 않았으나, 웨이퍼 척킹 장치(200)는 웨이퍼 척킹 장치(200)의 각 구성들의 동작을 제어하기 위한 제어부(미도시)를 포함할 수 있다.
예컨대, 척(210)은 원기둥 형상을 가질 수 있으나, 특별히 이에 한정되는 것은 아니다. 척(210)의 상부 표면은 웨이퍼(W)와 대응되는 원판 형상일 수 있으며, 척(210)의 상부 표면의 직경은 웨이퍼(W)의 직경보다 클 수 있다.
척(210)은 웨이퍼(W)를 지지하고, 회전 가능하도록 구성될 수 있다. 또한, 척(210)은 수평 방향 및 수직 방향으로 이동하도록 구성될 수 있다. 이를 위해, 도 1에 도시하지는 않았으나, 척(210)의 하부에는 척(210)을 회전시키기 위한 회전 구동부(미도시) 및 척(210)을 수평 방향 및 수직 방향으로 이동시키기 위한 수평/수직 구동부(미도시)가 배치될 수 있다. 수평/수직 구동부의 구동에 의해 척(210)의 수평 위치 및 수직 위치가 조절됨에 따라, 프로브 카드(100)와 척(210) 상에 로딩된 웨이퍼(W)가 정렬될 수 있다. 척(210)의 하부에 배치되는 회전 구동부 및 수평/수직 구동부는 제어부의 제어에 따라 구동될 수 있다.
도 1에 도시하지는 않았으나, 프로브 카드(100)의 일 측 및 척(210)의 일 측 에 각각 상부 비젼 장치(미도시) 및 하부 비젼 장치(미도시)가 배치될 수 있다. 상부 비젼 장치는 웨이퍼(W) 상에 형성된 패턴들에 대한 이미지를 획득하고, 하부 비젼 장치는 프로브 카드(100)의 복수의 프로브 핀(120)에 대한 이미지를 획득할 수 있다. 상부 비젼 장치 및 하부 비젼 장치에 의해 획득된 이미지들은 프로브 카드(100)와 웨이퍼(W)를 정렬하는데 사용될 수 있다. 예컨대, 웨이퍼 척킹 장치(200)의 제어부는 상부 비젼 장치 및 하부 비젼 장치에 의해 획득된 이미지들에 근거하여 척(210)의 하부에 배치된 수평/수직 구동부를 제어함으로써 프로브 카드(100)와 웨이퍼(W)를 정렬시킬 수 있다.
진공 흡착부(250)는 도 1에 도시한 것처럼 척(210)의 측면에 연결될 수 있으나, 특별히 이에 한정되는 것은 아니다. 진공 흡착부(250)는 척(210)의 내부에 형성된 진공 유로와 연결되는 펌핑 라인(251) 및 펌핑 라인(251)에 연결된 펌핑 장치(253)를 포함할 수 있다. 펌핑 장치(253)는 제어부로부터 제공되는 제어 신호에 따라 구동될 수 있다.
진공 센싱부(270)는 펌핑 라인(251)에 연결될 수 있다. 진공 센싱부(270)는 펌핑 라인(251)으로부터 측정된 압력 값에 근거하여 척(210)의 상면과 웨이퍼(W)의 하면 사이에 형성되는 진공 상태를 감지할 수 있다. 예컨대, 진공 센싱부(270)는 펌핑 라인(251)으로부터 측정된 압력 값을 제어부(미도시)로 제공하고, 제어부(미도시)는 진공 센싱부(270)로부터 제공된 압력 값과 기준 압력 값을 비교하여 척(210)의 상면과 웨이퍼(W)의 하면 사이의 공간이 완전히 진공 상태가 되었는지 또는 척(210)의 상면과 웨이퍼(W)의 하면 사이에서 진공이 누설되는지 여부를 판단할 수 있다. 척(210)의 상면과 웨이퍼(W)의 하면 사이에서 진공이 누설되는 것으로 판단되면, 제어부는 알람 신호를 생성 및 출력하도록 알람 신호 생성부(280)를 제어할 수 있다. 알람 신호는 경고음 또는 램프 등을 포함할 수 있으나, 특별히 이에 한정되는 것은 아니다.
알람 신호가 출력되면 작업자는 척(210)의 상면과 웨이퍼(W)의 하면 사이에서 진공이 누설되고 있는 것을 인지할 수 있으며, 대응하는 후속 조치를 취할 수 있다. 예컨대, 작업자는 웨이퍼 척킹 장치(200)의 동작을 중지시킨 후 척(210) 상에 장착된 밀폐 부재(213, 도 2a 참조)를 웨이퍼(W)의 하면에 닿을 수 있는 높이를 갖는 밀폐 부재(213)로 교체할 수 있다.
도 2a는 본 발명의 일 실시 예에 따른 척(210A)의 상부 표면을 개략적으로 나타낸 도면이고, 도 2b는 도 2a의 A1-A1′라인을 따라 절단한 척(210A)의 단면을 개략적으로 나타낸 도면이고, 도 2c는 도 2a의 A2-A2′라인을 따라 절단한 척(210A)의 단면을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2a를 참조하면, 척(210A)은 그 상부 표면에 형성된 복수의 제1 환형 진공 홈(211)을 포함할 수 있다. 복수의 제1 환형 진공 홈(211)은 서로 다른 직경을 가질 수 있다. 복수의 제1 환형 진공 홈(211)은 서로 일정 간격으로 이격되도록 형성될 수 있다.
척(210A)은 복수의 제1 환형 진공 홈(211) 각각의 바닥면에 형성된 복수의 제1 진공 홀(215a) 및 복수의 제2 진공 홀(215b)을 포함할 수 있다. 도 2a에 도시한 바와 같이, 복수의 제1 진공 홀(215a)은 제1 방향으로 연장하는 제1 직선상에 배치될 수 있으나, 특별히 이에 한정되는 것은 아니다. 복수의 제2 진공 홀(215b)은 상기 제1 방향으로 연장하는 제1 직선에 대하여 일정 각도로 기울어진 제2 방향으로 연장하는 제2 직선상에 배치될 수 있으나, 특별히 이에 한정되는 것은 아니다. 복수의 제1 진공 홀(215a)의 개수는 복수의 제2 진공 홀(215b)의 개수보다 많을 수 있으나, 특별히 이에 한정되는 것은 아니다.
척(210A)의 상부에는 복수의 제1 환형 진공 홈(211) 중 최외측에 배치된 제1 환형 진공 홈(211)을 둘러싸는 밀폐 부재(213)가 구비될 수 있다. 밀폐 부재(213)는 최외측의 제1 환형 진공 홈(211)으로부터 일정 간격으로 떨어지도록 배치될 수 있다. 밀폐 부재(213)는 척(210A)의 상면에 형성된 삽입 홈(미도시) 내에 삽입될 수 있다.
도 2b 및 도 2c를 참조하면, 척(210A)의 삽입 홈에 삽입된 밀폐 부재(213)의 최상단 레벨은 척(210A)의 상부 표면 레벨보다 높을 수 있다. 이에 따라, 밀폐 부재(213)의 일부는 척(210A)의 상면으로부터 돌출될 수 있다. 밀폐 부재(213)는 복수의 제1 환형 진공 홈(211)이 배치된 공간을 밀폐하는 기능을 할 수 있다. 밀폐 부재(213)는 탄성을 갖는 재질로 이루어질 수 있다. 이에 따라, 척(210A)의 상부 표면 상에 흡착되는 웨이퍼(W)의 가압에 의해 밀폐 부재(213)의 형태가 변형될 수 있다.
도 2b를 참조하면, 복수의 제1 환형 진공 홈(211)은 각각 척(210A)의 상부 표면으로부터 하부 표면을 향하여 연장하도록 형성될 수 있다. 복수의 제1 진공 홀(215a)은 각각 대응하는 제1 환형 진공 홈(211)의 바닥면으로부터 척(210A)의 하부 표면을 향하여 연장하도록 형성될 수 있다. 척(210A)의 내부에는 척(210A)의 상부 표면 및 하부 표면에 평행하도록 형성된 제1 진공 유로(217a)가 구비될 수 있다. 복수의 제1 진공 홀(215a)은 제1 진공 유로(217a)에 연결될 수 있다.
도 2c를 참조하면, 복수의 제2 진공 홀(215b)은 각각 복수의 제1 환형 진공 홈(211) 중 대응하는 일부 제1 환형 진공 홈(211)의 바닥면으로부터 척(210A)의 하부 표면을 향하여 연장하도록 형성될 수 있다. 예컨대, 복수의 제2 진공 홀(215b)은 복수의 제1 환형 진공 홈(211) 중 외측에 위치한 적어도 하나 이상의 제1 환형 진공 홈(211)의 바닥면으로부터 척(210A)의 하부 표면을 향하여 연장하도록 형성될 수 있다. 척(210A)의 내부에는 척(210A)의 상부 표면 및 하부 표면에 평행하도록 형성되고, 복수의 제2 진공 홀(215b)과 연통되는 제2 진공 유로(217b)가 구비될 수 있다. 제1 진공 유로(217a) 및 제2 진공 유로(217b)는 척(210A)의 내부에 서로 분리되도록 형성될 수 있다.
도 3a는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 척(210B)의 상부 표면을 개략적으로 나타낸 도면이고, 도 3b는 도 3a의 B1-B1′라인을 따라 절단한 척(210B)의 단면을 개략적으로 나타낸 도면이고, 도 3c는 도 3a의 B2-B2′라인을 따라 절단한 척(210B)의 단면을 개략적으로 나타낸 도면이다. 본 실시 예에 따른 척(210B)에 대하여 설명함에 있어서, 도 2a 내지 도 2c에 도시된 척(210A)과 중복되는 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 3a를 참조하면, 척(210B)은 그 상부 표면에 밀폐 부재(213)의 내측으로 형성된 복수의 제1 환형 진공 홈(211) 및 밀폐 부재(213)의 외측에 밀폐 부재(213)의 가장자리를 따라 형성된 제2 환형 진공 홈(219)을 포함할 수 있다. 제2 환형 진공 홈(219)은 밀폐 부재(213)로부터 이격되도록 형성될 수 있다.
도 3b 및 도 3c를 참조하면, 제2 환형 진공 홈(219)은 척(210B)의 상부 표면으로부터 하부 표면을 향하여 연장하도록 형성될 수 있다. 제2 환형 진공 홈(219)의 바닥면에는 제3 진공 홀(218a) 및 제4 진공 홀(218b)이 형성될 수 있다. 제3 진공 홀(218a) 및 제4 진공 홀(218b)은 제2 환형 진공 홈(219)의 바닥면으로부터 척(210B)의 하부 표면을 향하여 연장하도록 형성될 수 있다. 제3 진공 홀(218a) 및 제4 진공 홀(218b)은 각각 제1 진공 유로(217a) 및 제2 진공 유로(217b)에 연결될 수 있다.
도 4a는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 척(210C)의 상부 표면을 개략적으로 나타낸 도면이고, 도 4b는 도 4a의 C1-C1′라인을 따라 절단한 척(210C)의 단면을 개략적으로 나타낸 도면이고, 도 4c는 도 4a의 C2-C2′라인을 따라 절단한 척(210C)의 단면을 개략적으로 나타낸 도면이고, 도 4d는 도 4a의 C3-C3′라인을 따라 절단한 척(210C)의 단면을 개략적으로 나타낸 도면이다. 본 실시 예에 따른 척(210C)에 대하여 설명함에 있어서, 도 2a 내지 도 3c에 도시된 척(210A 및 210B)과 중복되는 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 4a를 참조하면, 척(210C)은 그 상부 표면에 밀폐 부재(213)의 내측으로 형성된 복수의 제3 환형 진공 홈(400)을 포함할 수 있다. 복수의 제3 환형 진공 홈(400)은 서로 이격되도록 형성될 수 있다. 복수의 제3 환형 진공 홈(400) 각각의 이격 거리는 서로 다를 수 있으나, 특별히 이에 한정되는 것은 아니다.
척(210C)은 그 상면에 형성된 복수의 제5 진공 홀 및 복수의 제3 환형 진공 홈(400)의 바닥면에 형성된 복수의 제6 진공 홀을 포함할 수 있다.
도 4a를 참조하면, 복수의 제5 진공 홀은 제1 방향으로 연장하는 제1 직선과 제1 방향에 수직하는 제2 방향으로 연장하는 제2 직선 상에 배치된 복수의 제5-1 진공 홀(401a) 및 제1 방향 및 제2 방향 사이의 제3 방향으로 연장하는 제3 직선과 제3 방향에 수직하는 제4 방향으로 연장하는 제4 직선 상에 배치된 복수의 제5-2 진공 홀(401b)을 포함할 수 있다.
또한, 복수의 제6 진공 홀은 제1 직선과 제2 직선 상에 배치된 복수의 제6-1 진공 홀(403a) 및 제1 방향과 제3 방향 사이의 제5 방향으로 연장하는 제5 직선 상에 배치된 복수의 제6-2 진공 홀(403b)을 포함할 수 있다. 복수의 제6-1 진공 홀(403a)은 복수의 제5-1 진공 홀(401a) 사이의 제3 환형 진공 홈(400)의 바닥면에 형성될 수 있다. 복수의 제6-2 진공 홀(403b)은 복수의 제6-1 진공 홀(403a)이 형성되지 않은 제3 환형 진공 홈(400)의 바닥면에 형성될 수 있다.
도 4a에서는 복수의 제3 환형 진공 홈(400) 중 외측에 배치된 제3 환형 진공 홈(400)의 바닥면에 복수의 제6-1 진공 홀(403a)이 형성되고, 내측에 배치된 제3 환형 진공 홈(400)의 바닥면에 복수의 제6-2 진공 홀(403b)이 형성된 것으로 도시하였으나, 특별히 이에 한정되는 것은 아니며, 복수의 제6-2 진공 홀(403b)이 외측의 제3 환형 진공 홈(400)의 바닥면에 형성되고, 복수의 제6-1 진공 홀(403a)이 내측의 제3 환형 진공 홈(400)의 바닥면에 형성될 수도 있다.
도 4b를 참조하면, 복수의 제3 환형 진공 홈(400)은 각각 척(210C)의 상부 표면으로부터 하부 표면을 향하여 연장하도록 형성될 수 있다. 복수의 제5-1 진공 홀(401a)은 각각 척(210C)의 상부 표면으로부터 하부 표면을 향하여 연장하도록 형성될 수 있다. 또한, 복수의 제6-1 진공 홀(403a)은 각각 대응하는 제3 환형 진공 홈(400)의 바닥면으로부터 척(210C)의 하부 표면을 향하여 연장하도록 형성될 수 있다. 복수의 제5-1 진공 홀(401a) 및 복수의 제6-1 진공 홀(403a)은 척(210C)의 상면 중심을 기준으로 서로 대칭적으로 형성될 수 있다.
척(210C)의 내부에는 척(210C)의 상부 표면 및 하부 표면에 평행하도록 형성된 제1 진공 유로(411) 및 제1 진공 유로(411)와 대칭적으로 분리된 제2 진공 유로(413)가 형성될 수 있다. 척(210C)의 상면 중심을 기준으로 일 측(예컨대, 우측)에 형성된 복수의 제5-1 진공 홀(401a)과 복수의 제6-1 진공 홀(403a)은 제1 진공 유로(411)에 연결되고, 타 측(예컨대, 좌측)에 형성된 복수의 제5-1 진공 홀(401a)과 복수의 제6-1 진공 홀(403a)은 제2 진공 유로(413)에 연결될 수 있다.
도 4c를 참조하면, 복수의 제5-2 진공 홀(401b)은 각각 척(210C)의 상부 표면으로부터 하부 표면을 향하여 연장하도록 형성될 수 있다. 복수의 제5-2 진공 홀(401b)은 척(210C)의 상면 중심을 기준으로 서로 대칭적으로 형성될 수 있다.
척(210C)의 내부에는 척(210C)의 상부 표면 및 하부 표면에 평행하도록 형성된 제3 진공 유로(415) 및 제3 진공 유로(415)와 대칭적으로 분리된 제4 진공 유로(417)가 형성될 수 있다. 척(210C)의 상면 중심을 기준으로 우측에 형성된 복수의 제5-2 진공 홀(401b)은 제3 진공 유로(415)에 연결되고, 좌측에 형성된 복수의 제5-2 진공 홀(401b)은 제4 진공 유로(417)에 연결될 수 있다.
도 4d를 참조하면, 복수의 제6-2 진공 홀(403b)은 각각 대응하는 제3 환형 진공 홈(400)의 바닥면으로부터 척(210C)의 하부 표면을 향하여 연장하도록 형성될 수 있다. 복수의 제6-2 진공 홀(403b)은 척(210C)의 상면 중심을 기준으로 일 측에만 형성될 수 있다.
척(210C)의 내부에는 척(210C)의 상부 표면 및 하부 표면에 평행하도록 형성된 제5 진공 유로(419)가 형성될 수 있다. 복수의 제6-2 진공 홀(403b)은 제5 진공 유로(419)에 연결될 수 있다.
도 5a는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 척(210D)의 상부 표면을 개략적으로 나타낸 도면이고, 도 5b는 도 5a의 D-D′라인을 따라 절단한 척(210D)의 단면을 개략적으로 나타낸 도면이다. 본 실시 예에 따른 척(210D)에 대하여 설명함에 있어서, 도 4a 내지 도 4d에 도시된 척(210C)과 중복되는 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 5a를 참조하면, 척(210D)은 그 상부 표면에 밀폐 부재(213)의 내측으로 형성된 복수의 제3 환형 진공 홈(400)을 포함할 수 있다. 복수의 제3 환형 진공 홈(400)은 서로 이격되도록 형성될 수 있다.
척(210D)은 그 상면에 형성된 복수의 제5 진공 홀 및 복수의 제3 환형 진공 홈(400)의 바닥면에 형성된 복수의 제6 진공 홀을 포함할 수 있다. 또한, 척(210D)은 복수의 제3 환형 진공 홈(400)의 바닥면으로부터 척(210D)의 상면 레벨과 동일한 레벨이 되도록 형성된 복수의 격리벽(405)을 포함할 수 있다.
도 5a를 참조하면, 복수의 제5 진공 홀은 제1 방향으로 연장하는 제1 직선과 제1 방향에 수직하는 제2 방향으로 연장하는 제2 직선 상에 배치된 복수의 제5-1 진공 홀(401a) 및 제1 방향 및 제2 방향 사이의 제3 방향으로 연장하는 제3 직선과 제3 방향에 수직하는 제4 방향으로 연장하는 제4 직선 상에 배치된 복수의 제5-2 진공 홀(401b)을 포함할 수 있다.
복수의 제6 진공 홀은 제1 직선 내지 제4 직선 상에 배치된 복수의 제6-1 진공 홀(403a) 및 제1 방향과 제3 방향 사이의 제5 방향으로 연장하는 제5 직선 상에 배치된 복수의 제6-2 진공 홀(403b)을 포함할 수 있다. 복수의 제6-1 진공 홀(403a)은 복수의 제5-1 진공 홀(401a) 사이 및 복수의 제5-2 진공 홀(401b) 사이의 제3 환형 진공 홈(400)의 바닥면에 형성될 수 있다. 복수의 제6-2 진공 홀(403b)은 복수의 제6-1 진공 홀(403a)이 형성되지 않은 제3 환형 진공 홈(400)의 바닥면에 형성될 수 있다.
복수의 격리벽(405)은 제1 직선 내지 제4 직선 각각에 대하여 일정 각도로 시프트된 제5 직선 내지 제8 직선 상에 배치될 수 있다. 복수의 격리벽(405)은 제5 직선 내지 제8 직선에 중첩하는 제3 환형 진공 홈(400) 내에 배치될 수 있다. 도 5a에서는, 복수의 격리벽(405)이 복수의 제3 환형 진공 홈(400) 중 외측에 배치된 제3 환형 진공 홈(400) 내에 배치된 것으로 도시하였으나, 특별히 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 복수의 격리벽(405)은 복수의 제3 환형 진공 홈(400) 중 복수의 제6-1 진공 홀(403a)이 형성된 제3 환형 진공 홈(400) 내에 형성되고, 복수의 제6-1 진공 홀(403a)로부터 일정 간격으로 이격될 수 있다.
복수의 격리벽(405)이 형성됨에 따라, 척(210D)의 상면은 부채꼴 형상을 갖는 복수의 영역들로 분리될 수 있다. 예를 들어, 도 5a에 도시한 바와 같이, 척(210D)의 상면은 부채꼴 형상인 8개의 영역들로 분리될 수 있으며, 각 영역 내에는 동일 선상에 배치된 제5 진공 홀들 및 제6-1 진공 홀들이 구비될 수 있다.
또한, 도 5a에는 도시하지 않았으나, 복수의 격리벽(405)에 의해 각 영역들이 분리됨에 따라, 각 영역 마다 진공 라인이 형성되고, 각 진공 라인에는 펌핑 라인이 연결될 수 있다. 도 5b에 도시한 척(210D)의 단면을 살펴보면, 격리벽(405)이 형성된 부분은 막혀 있고, 격리벽(405)이 형성되지 않은 진공 홈(400)은 개방된 것을 알 수 있다.
도 6a는 본 발명의 일 실시 예에 따른 삽입 홈(G1) 및 삽입 홈(G1)에 삽입된 밀폐 부재(213a)를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 6a를 참조하면, 본 실시 예에 따른 밀폐 부재(213a)는 단면이 막힌 구조일 수 있다. 밀폐 부재(213a)는 탄성 재질일 수 있다. 도 6a에 도시한 바와 같이, 척(210)의 상면에는 밀폐 부재(213a)가 삽입되는 삽입 홈(G1)이 형성될 수 있다. 삽입 홈(G1)은 입구부로부터 바닥면을 향하여 그 직경이 넓어지는 형태일 수 있다. 도 6a에서는 삽입 홈(G1)의 내부 측면이 커브 형태인 것을 예를 들어 도시하였으나, 삽입 홈(G1)의 내부 측면의 형태가 특별히 이에 한정되는 것은 아니다.
삽입 홈(G1)의 입구부의 직경(D1)과 바닥면의 직경(D2)은 서로 다를 수 있다. 예컨대, 삽입 홈(G1)의 입구부의 직경(D1)은 삽입 홈(G1)의 바닥면의 직경(D2)보다 작을 수 있다.
밀폐 부재(213a)의 일부는 삽입 홈(G1) 내에 위치하고 나머지 일부는 삽입 홈(G1) 상으로 돌출될 수 있다. 예를 들어, 밀폐 부재(213a)의 중심부 및 하부는 삽입 홈(G1) 내에 위치하고, 밀폐 부재(213a)의 상부는 삽입 홈(G1)의 입구부로부터 상측으로 돌출될 수 있다.
척(210)의 상부 표면에는 삽입 홈(G1)의 입구부를 둘러싸는 단턱부(S)가 형성될 수 있다. 삽입 홈(G1)의 입구부로부터 돌출된 밀폐 부재(213a)의 최상단은 단턱부(S)의 바닥면 및 척(210)의 상부 표면으로부터 돌출될 수 있으나 특별히 이에 한정되는 것은 아니다.
도 6b는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 삽입 홈(G2) 및 삽입 홈(G2)에 삽입된 밀폐 부재(213b)를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 6b를 참조하면, 본 실시 예에 따른 밀폐 부재(213b)는 중공을 갖는 튜브 형태의 몸체부 및 몸체부의 일부와 연결되는 꼬리부를 포함할 수 있다. 밀폐 부재(213b)는 탄성 재질일 수 있다. 척(210)의 상면에는 밀폐부재(213b)가 삽입되는 삽입 홈(G2)이 형성될 수 있다. 삽입 홈(G2)은 제1 단턱부(S1) 및 제2 단턱부(S2)를 포함할 수 있다. 제1 단턱부(S1)의 바닥면은 제2 단턱부(S2)의 바닥면 보다 낮은 레벨에 위치할 수 있다. 제1 단턱부(S1)의 바닥면 및 제2 단턱부(S2)의 바닥면은 척(210)의 상부 표면보다 낮은 레벨에 위치할 수 있다.
밀폐 부재(213b)는 척(210)의 제1 단턱부(S1)에 배치될 수 있다. 예를 들어, 밀폐 부재(213b)의 꼬리부는 제1 단턱부(S1)의 바닥면에 접하고, 밀폐 부재(213b)의 몸체부는 제1 단턱부(S1)의 측면과 제2 단턱부(S2)의 바닥면의 연결 부분에 접하도록 배치될 수 있다. 밀폐 부재(213b)의 꼬리부는 고정 부재(214)에 의해 제1 단턱부(S1)의 바닥면 상에 고정될 수 있다.
도 7a는 도 6a의 밀폐 부재(213a) 상에 웨이퍼(W)가 로딩된 상태를 예시적으로 나타낸 도면이고, 도 7b는 도 6a의 밀폐 부재(213a)를 구비한 척(210) 상에 웨이퍼(W)가 진공 흡착된 상태를 예시적으로 나타낸 도면이다. 설명의 편의를 위하여 웨이퍼(W)는 아래로 볼록한 워피지(warpage)가 발생한 것으로 가정한다. 아래로 볼록한 워피지(warpage)가 발생한 웨이퍼(W)는 테두리 부분이 위로 올라간 형태일 수 있다.
도 7a 및 도 7b를 참조하면, 척(210) 상에 로딩된 웨이퍼(W)의 테두리 일부가 밀폐 부재(213a)와 접함에 따라, 밀폐 부재(213a)의 내측으로 형성된 복수의 제1 환형 진공 홈(211)이 배치된 공간이 밀폐될 수 있다. 이에 따라, 복수의 제1 환형 진공 홈(211)이 배치된 공간 내에 형성된 진공이 웨이퍼(W)와 척(210) 사이로 누설되는 것이 방지될 수 있으므로, 웨이퍼(W)의 하면에 대한 흡착력이 증가할 수 있다. 웨이퍼(W)에 가해지는 흡착력으로 인해 웨이퍼(W)는 밀폐 부재(213a)를 가압하게 된다. 이에 따라, 도 7b에 도시한 바와 같이, 밀폐 부재(213a)가 웨이퍼(W)의 가압에 의해 삽입 홈(G1) 및 단턱부(S)에 대응되는 형태로 변형되어 웨이퍼(W)는 척(210) 상에 균일하게 흡착될 수 있다.
도 8a는 도 6b의 밀폐 부재(213b) 상에 웨이퍼(W)가 로딩된 상태를 예시적으로 나타낸 도면이고, 도 8b는 도 6b의 밀폐 부재(213b)를 구비한 척(210) 상에 웨이퍼(W)가 진공 흡착된 상태를 예시적으로 나타낸 도면이다.
도 8a 및 도 8b를 참조하면, 척(210) 상에 로딩된 웨이퍼(W)의 테두리 일부가 밀폐 부재(213b)와 접함에 따라, 밀폐 부재(213b)의 내측으로 형성된 복수의 제1 환형 진공 홈(211)이 배치된 공간이 밀폐될 수 있다. 그 결과, 진공 흡착부(250)의 구동에 의해 복수의 제1 환형 진공 홈(211)이 배치된 공간 내에 형성된 진공이 웨이퍼(W)와 척(210) 사이로 누설되는 것이 방지될 수 있으며, 웨이퍼(W)에 대한 흡착력이 증가할 수 있다. 이때, 웨이퍼(W)에 가해지는 흡착력으로 인해 웨이퍼(W)는 밀폐 부재(213b)의 몸체부를 가압하게 되고, 밀폐 부재(213b)의 몸체부는 웨이퍼(W)의 가압에 의해 접혀서 삽입 홈(G2)의 제2 단턱부(S2) 내에 삽입될 수 있다.
도 9a는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 삽입 홈(G3) 및 밀폐 부재(213c)를 개략적으로 나타낸 도면이고, 도 9b는 밀폐 부재(213c) 상에 웨이퍼(W)가 로딩된 상태를 나타낸 도면이고, 도 9c는 웨이퍼(W)가 진공 흡착된 상태를 나타낸 도면이다.
도 9a를 참조하면, 척(210)의 상면에는 밀폐 부재(213c)가 삽입되는 삽입 홈(G3)이 형성될 수 있다. 삽입 홈(G3)은 바닥면 및 바닥면으로부터 수직 방향으로 상승하는 내부 측면을 포함할 수 있다. 삽입 홈(G3)의 내부 측면은 상단으로부터 하단을 향해 직경이 증가하는 커브 형태일 수 있으나, 특별히 이에 한정되는 것은 아니다. 이에 따라, 삽입 홈(G3)의 바닥면의 직경(D2)이 삽입 홈(G3)의 입구부의 직경(D2)보다 클 수 있다.
삽입 홈(G3)에는 밀폐 부재(213c)가 삽입될 수 있다. 밀폐 부재(213c)는 탄성 재질로서 단면이 막힌 형태를 가질 수 있다. 밀폐 부재(213c)의 일부는 삽입 홈(G3) 내에 위치하고 나머지 일부는 삽입 홈(G3) 상으로 돌출될 수 있다. 예를 들어, 밀폐 부재(213c)의 최하단은 삽입 홈(G3)의 바닥면에 접하고, 밀폐 부재(213c)의 최상단의 레벨은 척(210)의 상면의 레벨보다 높을 수 있다.
도 9b를 참조하면, 척(210) 상에 로딩된 웨이퍼(W)의 테두리 일부가 밀폐 부재(213c)와 접함에 따라, 밀폐 부재(213c)의 내측으로 형성된 복수의 제1 환형 진공 홈(211)이 배치된 공간이 밀폐되므로, 웨이퍼(W)에 가해지는 흡착력이 증가할 수 있다. 이에 따라, 도 9c에 도시한 바와 같이, 증가된 흡착력으로 인한 웨이퍼(W)의 가압에 의해 밀폐 부재(213c)는 삽입 홈(G3)에 대응하는 형태로 변형되면서 삽입 홈(G3) 내로 모두 삽입되므로, 웨이퍼(W)는 척(210) 상에 균일하게 흡착될 수 있다.
도 10a는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 삽입 홈(G3) 및 밀폐 부재(213d)를 개략적으로 나타낸 도면이고, 도 10b는 밀폐 부재(213d) 상에 웨이퍼(W)가 로딩된 상태를 나타낸 도면이고, 도 10c는 웨이퍼(W)가 진공 흡착된 상태를 나타낸 도면이다. 본 실시 예에 따른 삽입 홈(G3) 및 밀폐 부재(213d)를 설명함에 있어서, 도 9a와 중복되는 구성에 대한 설명은 생략한다.
도 10a를 참조하면, 밀폐 부재(213d)는 탄성 재질로서 중공을 갖는 튜브 형태를 가질 수 있다. 밀폐 부재(213d)의 일부는 삽입 홈(G3) 내에 위치하고 나머지 일부는 삽입 홈(G3) 상으로 돌출될 수 있다. 밀폐 부재(213d)의 최하단은 삽입 홈(G3)의 바닥면에 접하고, 밀폐 부재(213d)의 최상단의 레벨은 척(210)의 상면의 레벨보다 높을 수 있다.
도 10b를 참조하면, 척(210) 상에 로딩된 웨이퍼(W)의 테두리 일부가 밀폐 부재(213d)와 접함에 따라, 밀폐 부재(213d)의 내측으로 형성된 복수의 제1 환형 진공 홈(211)이 배치된 공간이 밀폐되므로, 웨이퍼(W)에 가해지는 흡착력이 증가할 수 있다. 이에 따라, 도 10c에 도시한 바와 같이, 증가된 흡착력으로 인한 웨이퍼(W)의 가압에 의해 밀폐 부재(213d)는 삽입 홈(G3)에 대응하는 형태로 변형되면서 삽입 홈(G3) 내로 모두 삽입되므로 웨이퍼(W)는 척(210) 상에 균일하게 흡착될 수 있다.
도 11a는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 삽입 홈(G3) 및 밀폐 부재(213e)를 개략적으로 나타낸 도면이고, 도 11b는 밀폐 부재(213e) 상에 웨이퍼(W)가 로딩된 상태를 나타낸 도면이고, 도 11c는 웨이퍼(W)가 진공 흡착된 상태를 나타낸 도면이다. 본 실시 예에 따른 삽입 홈(G3) 및 밀폐 부재(213e)를 설명함에 있어서, 도 9a 및 도 10a와 중복되는 구성에 대한 설명은 생략한다.
도 11a를 참조하면, 밀폐 부재(213e)는 탄성 재질로서 일정 폭을 갖는 밴드 형태일 수 있다. 밀폐 부재(213e)의 일부는 삽입 홈(G3)의 내부 측면에 접하고, 나머지 일부는 삽입 홈(G3) 상으로 돌출되도록 삽입 홈(G3)에 끼워질 수 있다. 삽입 홈(G3) 상으로 돌출된 밀폐 부재(213e)는 끼워진 삽입 홈(G3)의 내부 측면에 마주하는 내부 측면에 가까워지는 방향으로 연장하도록 배치될 수 있다. 즉, 삽입 홈(G3)의 내부 측면은 상부로 갈수록 거리가 좁혀지는 경사진 형태이므로, 삽입 홈(G3)의 내부 측면의 일 측에 끼워진 밀폐 부재(213e)의 돌출된 부분은 척(210)의 상면으로부터는 멀어지고 삽입 홈(G3)의 내부 측면의 타 측에는 가까워지도록 배치될 수 있다.
도 11b를 참조하면, 척(210) 상에 로딩된 웨이퍼(W)의 테두리 일부가 밀폐 부재(213e)와 접함에 따라, 밀폐 부재(213e)의 내측으로 형성된 복수의 제1 환형 진공 홈(211)이 배치된 공간이 밀폐되므로, 웨이퍼(W)에 가해지는 흡착력이 증가할 수 있다. 이에 따라, 도 11c에 도시한 바와 같이, 증가된 흡착력으로 인한 웨이퍼(W)의 가압에 의해 밀폐 부재(213e)의 돌출된 부분은 삽입 홈(G3)의 내부 공간을 향하여 접히면서 웨이퍼(W)는 척(210) 상에 균일하게 흡착될 수 있다.
이상 본 발명을 바람직한 실시 예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시 예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 변형이 가능하다.
10: 웨이퍼 테스터 장비 100: 프로브 카드
110: 베이스 기판 120: 프로브 핀
200: 웨이퍼 척킹 장치 210: 척
211: 제1 환형 진공 홈 213: 밀폐 부재
214: 고정 부재 215a, 215b: 진공 홀
217a, 217b: 진공 유로 218a, 218b: 진공 홀
219: 제2 환형 진공 홈 250: 진공 흡착부
251: 펌핑 라인 253: 펌핑 장치
270: 진공 센싱부 280: 알람 신호 생성부

Claims (25)

  1. 웨이퍼를 지지하고, 그 상면에 복수의 제1 환형 진공 홈들이 형성된 척; 및
    상기 척의 측면에 연결되고, 상기 웨이퍼의 하면에 흡착력을 제공하도록 구성된 진공 흡착부
    를 포함하고,
    상기 척의 상면에는 상기 복수의 제1 환형 진공 홈들 중 최외측의 제1 환형 진공 홈의 외측을 둘러싸는 밀폐 부재가 배치되는 웨이퍼 척킹 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 밀폐 부재는 상기 최외측의 상기 제1 환형 진공 홈과 이격되도록 배치된 웨이퍼 척킹 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 척의 상면에는 상기 밀폐 부재의 일부가 삽입되는 삽입 홈이 형성된 웨이퍼 척킹 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 삽입 홈은 입구부로부터 바닥면으로 갈수록 직경이 증가하는 형태를 갖는 웨이퍼 척킹 장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 척의 상면에는 상기 삽입 홈의 입구부를 둘러싸는 단턱부가 형성되는 웨이퍼 척킹 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 밀폐 부재는 단면이 막힌 형태의 탄성 물질인 웨이퍼 척킹 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 밀폐 부재는 중공을 갖는 튜브 형태의 탄성 물질인 웨이퍼 척킹 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 밀폐 부재는 일정 폭을 갖는 밴드 형태인 웨이퍼 척킹 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 밀폐 부재는 튜브 형태의 몸체부 및 상기 몸체부에 연결된 꼬리부를 갖는 웨이퍼 척킹 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 척의 상면에는 상기 밀폐 부재의 상기 꼬리부가 배치되는 제1 단턱부 및 상기 제1 단턱부에 인접하게 배치된 제2 단턱부가 형성되는 웨이퍼 척킹 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 밀폐 부재의 상기 꼬리부 상에 배치되어 상기 꼬리부를 상기 제1 단턱부의 바닥면에 고정시키는 고정 부재를 더 포함하는 웨이퍼 척킹 장치.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 척의 상면에 상기 밀폐 부재로부터 이격되어 상기 밀폐 부재의 외측을 따라 형성된 제2 환형 진공 홈을 더 포함하는 웨이퍼 척킹 장치.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 제1 환형 진공 홈들 각각의 바닥면에 형성되는 복수의 진공 홀들; 및
    상기 척의 내부에 상기 척의 상면에 평행하게 형성되고 상기 복수의 진공 홀들과 연통되는 적어도 하나 이상의 진공 라인
    을 더 포함하는 웨이퍼 척킹 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 복수의 진공 홀들은,
    제1 방향으로 연장하는 제1 직선 상에 배치되는 복수의 제1 진공 홀들; 및
    상기 제1 직선에 대하여 일정 각도로 기울어진 제2 방향으로 연장하는 제2 직선 상에 배치되는 복수의 제2 진공 홀들
    을 포함하는 웨이퍼 척킹 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 적어도 하나 이상의 진공 라인은,
    상기 복수의 제1 진공 홀들과 연통하는 제1 진공 라인; 및
    상기 복수의 제2 진공 홀들과 연통하는 제2 진공 라인
    을 포함하는 웨이퍼 척킹 장치.
  16. 제14항에 있어서,
    상기 복수의 제1 진공 홀들의 개수는 상기 복수의 제2 진공 홀들의 개수보다 많은 웨이퍼 척킹 장치.
  17. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 제1 진공 홈들이 배치된 공간 내에 형성되는 진공 상태를 센싱하는 진공 센싱부; 및
    상기 진공 센싱부의 센싱 결과에 따라 알람 신호를 생성 및 출력하는 알람 신호 생성부
    를 더 포함하는 웨이퍼 척킹 장치.
  18. 제1항에 있어서,
    상기 척의 상부 표면 및 상기 복수의 제1 환형 진공 홈들의 바닥면들에 형성된 복수의 진공 홀들; 및
    상기 척의 내부에 상기 척의 상면에 평행하게 형성되고 상기 복수의 진공 홀들과 연통되는 적어도 하나 이상의 진공 라인
    을 더 포함하는 웨이퍼 척킹 장치.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 복수의 진공 홀들은,
    상기 척의 상부 표면에 형성되되, 제1 방향으로 연장하는 제1 직선과 상기 제1 방향에 수직하는 제2 방향으로 연장하는 제2 직선 상에 배치되는 복수의 제1 진공 홀들;
    상기 척의 상부 표면에 형성되되, 상기 제1 방향과 상기 제2 방향 사이의 제3 방향으로 연장하는 제3 직선과 상기 제3 방향에 수직하는 제4 방향으로 연장하는 제4 직선 상에 배치되는 복수의 제2 진공 홀들; 및
    상기 제1 직선과 상기 제2 직선 상에 배치되고, 상기 복수의 제1 진공 홀들 사이의 상기 제1 환형 진공 홈들의 바닥면들에 형성된 복수의 제3 진공 홀들
    을 포함하는 웨이퍼 척킹 장치.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 적어도 하나 이상의 진공 라인은,
    상기 복수의 제1 진공 홀들 및 상기 복수의 제3 진공 홀들과 연통하는 제1 진공 라인; 및
    상기 복수의 제2 진공 홀들과 연통하는 제2 진공 라인
    을 포함하는 웨이퍼 척킹 장치.
  21. 제19항에 있어서,
    상기 복수의 진공 홀들은,
    상기 제3 방향과 상기 제4 방향 사이의 제5 방향으로 연장하는 제5 직선 상에 배치되고, 상기 복수의 제3 진공 홀들이 형성되지 않은 상기 제1 환형 진공 홈들의 바닥면들에 형성된 복수의 제4 진공 홀들을 더 포함하는 웨이퍼 척킹 장치.
  22. 테스트할 웨이퍼를 지지하고, 그 상면에 복수의 제1 환형 진공 홈들이 형성된 척; 및
    상기 척의 상부에 배치되어 상기 웨이퍼의 전기적 특성을 테스트하기 위한 프로브 카드
    를 포함하고,
    상기 척의 상면에는 상기 복수의 제1 환형 진공 홈들 중 최외측에 배치된 제1 환형 진공 홈의 외측을 둘러싸는 밀폐 부재가 배치되는 웨이퍼 테스트 장비.
  23. 제22항에 있어서,
    상기 척의 상면에 상기 밀폐 부재와 이격되도록 상기 밀폐 부재의 외측을 따라 형성된 제2 환형 진공 홈을 더 포함하는 웨이퍼 테스트 장비.
  24. 제22항에 있어서,
    상기 척의 상면에는 상기 밀폐 부재의 일부가 삽입되는 삽입 홈 및 상기 삽입 홈의 입구부를 둘러싸는 단턱부가 형성되는 웨이퍼 테스트 장비.
  25. 제22항에 있어서,
    상기 척의 상면에는 상기 밀폐 부재의 일부가 고정되는 제1 단턱부 및 상기 제1 단턱부에 인접하게 위치하고 상기 밀폐 부재의 나머지 일부가 상기 웨이퍼의 가압에 의해 삽입되는 제2 단턱부가 형성되는 웨이퍼 테스트 장비.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113130365A (zh) * 2019-12-30 2021-07-16 上海微电子装备(集团)股份有限公司 一种吸盘
CN115083988A (zh) * 2022-07-12 2022-09-20 法特迪精密科技(苏州)有限公司 面向探针台的晶圆吸附台及其变径环槽和转动环槽

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110567986B (zh) * 2019-10-22 2020-11-17 苏州精濑光电有限公司 一种硅基oled面板点亮检查设备
CN115064479B (zh) * 2022-07-12 2023-02-24 法特迪精密科技(苏州)有限公司 面向探针台的晶圆吸附方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04122045A (ja) * 1990-09-12 1992-04-22 Fujitsu Ltd ウエーハのクランプ装置及びクランプ方法
DE102005001163B3 (de) * 2005-01-10 2006-05-18 Erich Reitinger Verfahren und Vorrichtung zum Testen von Halbleiterwafern mittels einer temperierbaren Aufspanneinrichtung
AT511627B1 (de) * 2011-07-01 2015-05-15 Mechatronic Systemtechnik Gmbh Vorrichtung zum halten eines flächigen substrats
CN202758864U (zh) * 2012-07-18 2013-02-27 胡孔佑 一种真空吸盘
US9355882B2 (en) * 2013-12-04 2016-05-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Transfer module for bowed wafers
CN107408530A (zh) * 2015-11-19 2017-11-28 日本特殊陶业株式会社 真空卡盘

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113130365A (zh) * 2019-12-30 2021-07-16 上海微电子装备(集团)股份有限公司 一种吸盘
CN115083988A (zh) * 2022-07-12 2022-09-20 法特迪精密科技(苏州)有限公司 面向探针台的晶圆吸附台及其变径环槽和转动环槽
CN115083988B (zh) * 2022-07-12 2023-01-31 法特迪精密科技(苏州)有限公司 面向探针台的晶圆吸附台及其变径环槽和转动环槽

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