KR20190114820A - Metal-clad laminate and circuit board - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은, 전자 재료 분야, 예를 들어 회로 기판을 형성하기 위해 사용되는 금속장 적층판 및 이것을 가공하여 이루어지는 회로 기판에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD This invention relates to the field of electronic materials, for example, the metal-clad laminated board used for forming a circuit board, and the circuit board formed by processing this.
플렉시블 회로 기판(Flexible Printed Circuit Board; FPC)의 제조에 사용되는 금속장 적층판은, 금속층과 절연 수지의 적층체이며, 미세한 회로 가공이 가능하고, 좁은 공간에서의 굽힘이 가능하기 때문에, 전자 기기의 소형화 및 경량화에 따라 그의 활용이 증대되고 있다.The metal-clad laminate used for the manufacture of a flexible printed circuit board (FPC) is a laminate of a metal layer and an insulating resin, which allows fine circuit processing and can be bent in a narrow space. Its use is increasing with the miniaturization and light weight.
플렉시블 금속장 적층판의 제조 방법으로서, 금속박 상에 폴리아미드산 용액을 도포·건조하는 것을 반복하여 제작한 적층체를, 고온에서 열 처리하여 이미드화함으로써, 폴리이미드층을 형성하는 제조 방법(캐스트법)이 알려져 있다. 캐스트법에서는, 용매의 비점을 초과하는 온도에서 열 처리가 행해진다는 점에서, 폴리아미드산층의 건조 상태나 잔류 용매량 등에 의해, 금속박과 접하는 폴리이미드층과, 인접하는 폴리이미드층의 사이에서, 기화된 용매나, 이미드화에 의해 발생한 물(이미드화수)의 부피 팽창에 기인하는 팽창이나 박리, 발포 등의 현상이 발생하는 경우가 있다.The manufacturing method of forming a polyimide layer by heat-processing and imidating the laminated body which produced and repeated applying and drying a polyamic-acid solution on metal foil as a manufacturing method of a flexible metal-clad laminate (casting method) Is known. In the cast method, since the heat treatment is performed at a temperature exceeding the boiling point of the solvent, between the polyimide layer in contact with the metal foil and the adjacent polyimide layer due to the dry state of the polyamic acid layer, the amount of the residual solvent, or the like, Phenomenon such as expansion, peeling, foaming due to the volume expansion of the vaporized solvent and water (imidized water) generated by imidization may occur.
캐스트법에 의해 폴리이미드층을 제조하는 종래 기술로서, 특허문헌 1에서는, 금속층과 접하는 폴리이미드층에 350℃에서 저장 탄성률이 1×108Pa 이하가 되는 열가소성 폴리이미드 수지층을 형성하는 것이 개시되어 있다. 이 경우, 열가소성 폴리이미드 수지층은 고온시에 탄성률이 낮아지기 때문에, 상기한 바와 같이 열 처리 중에 폴리이미드층간에서 팽창이나 박리, 발포가 발생한다는 문제가 염려된다.As a prior art for producing a polyimide layer by the casting method, Patent Document 1 discloses forming a thermoplastic polyimide resin layer having a storage modulus of 1 × 10 8 Pa or less at 350 ° C. in a polyimide layer in contact with a metal layer. It is. In this case, the thermoplastic polyimide resin layer has a low elastic modulus at high temperature, and as mentioned above, there is a concern that expansion, peeling, and foaming occur between the polyimide layers during the heat treatment.
또한, 특허문헌 2에서는, 반도체 소자의 고온에서의 실장에 견딜 수 있는 내열성을 확보하기 위해, 금속층과 접하는 폴리이미드층에, 350℃에서의 저장 탄성률이 1×108 내지 2×109Pa인 고탄성률의 폴리이미드 수지를 사용하는 것이 제안되어 있다. 단, 특허문헌 2의 실시예에서는, 상기 고탄성률의 폴리이미드층에 적층되는, 저열팽창성 폴리이미드층에 사용되는 원료 모노머 조성에 관한 구체적 개시는, 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐(m-TB)과 피로멜리트산 이무수물의 조합의 1종류밖에 기재되어 있지 않다.Moreover, in patent document 2, in order to ensure the heat resistance which can endure the mounting at the high temperature of a semiconductor element, the storage elastic modulus in 350 degreeC is 1 * 10 <8> -2 * 10 <9> Pa in the polyimide layer which contact | connects a metal layer. It is proposed to use high elastic modulus polyimide resin. However, in the Example of patent document 2, the specific disclosure regarding the raw material monomer composition used for the low thermally expandable polyimide layer laminated | stacked on the said high elastic modulus polyimide layer is 2,2'-dimethyl-4,4'- Only one type of the combination of diaminobiphenyl (m-TB) and pyromellitic dianhydride is described.
또한, 특허문헌 3, 특허문헌 4에서는, 흡습 팽창을 억제하고, 치수 안정성을 향상시키기 위해, 주된 폴리이미드층을 구성하는 폴리이미드로서, 불소 원자를 포함하는 폴리이미드를 사용하는 것이 제안되어 있다. 그러나, 특허문헌 3, 특허문헌 4에서는, 금속층과 접하는 폴리이미드층에 대해서는, 유리 전이 온도(Tg)가 낮은 열가소성 폴리이미드가 사용되고 있다.Moreover, in patent document 3 and patent document 4, in order to suppress moisture absorption and to improve dimensional stability, it is proposed to use the polyimide containing a fluorine atom as a polyimide which comprises a main polyimide layer. However, in patent document 3 and patent document 4, the thermoplastic polyimide with low glass transition temperature (Tg) is used about the polyimide layer which contact | connects a metal layer.
상기한 바와 같이, 캐스트법으로 폴리이미드층을 형성하는 경우, 폴리아미드산층의 건조 상태나 잔류 용매량에 의해, 고온에서의 열 처리에 의한 폴리이미드층간에서 팽창이나 박리, 발포(이하, 이들 「팽창이나 박리, 발포」를 총칭하여, 간단히 「발포」라 기재하는 경우가 있다)가 발생하는 경우가 있으며, 금속장 적층판 및 이것을 사용하는 회로 기판의 수율이나 신뢰성을 저하시키는 요인이 되고 있었다.As described above, when the polyimide layer is formed by the cast method, the polyimide layer is expanded, peeled and foamed between the polyimide layers by heat treatment at a high temperature depending on the dry state of the polyamic acid layer and the amount of residual solvent (hereinafter, these " Expansion, peeling, and foaming ”may be referred to collectively as“ foaming ”), which may cause a reduction in the yield and reliability of a metal-clad laminate and a circuit board using the same.
따라서, 본 발명의 목적은, 고온에서의 열 처리에 의한 발포의 발생이 억제된 금속장 적층판을 제공하는 데 있다.Therefore, the objective of this invention is providing the metal-clad laminated board by which generation | occurrence | production of foaming by the heat processing at high temperature was suppressed.
고온에 의한 열 처리 중에 폴리이미드층간에서 발포가 발생하는 원인은, 폴리아미드산층 중에 포함되는 용매나 이미드화수가 기화되어, 부피 팽창에 의해 폴리이미드층간에 있어서의 내압을 상승시키기 때문이다. 그래서, 주된 폴리이미드층의 가스 투과성을 높임과 함께, 금속층과 접하는 폴리이미드층의 유리 전이 온도(이하, 「Tg」라 기재하는 경우가 있다) 및 고온 영역(350℃)에 있어서의 저장 탄성률을 향상시켜 내열 특성과 강도를 향상시킴으로써, 발포의 발생을 효과적으로 억제할 수 있다는 것을 알아내어, 본 발명을 완성하였다.The reason that foaming occurs between the polyimide layers during the heat treatment at a high temperature is because the solvent and the imidized water contained in the polyamic acid layer are vaporized, thereby increasing the internal pressure between the polyimide layers due to volume expansion. Therefore, while improving the gas permeability of the main polyimide layer, the glass transition temperature (hereinafter may be described as "Tg") of the polyimide layer in contact with the metal layer and the storage elastic modulus in the high temperature region (350 ° C) By improving and improving heat resistance and strength, it discovered that foaming can be suppressed effectively, and completed this invention.
즉, 본 발명의 금속장 적층판은, 절연 수지층과, 상기 절연 수지층의 편면 또는 양면에 적층된 금속층을 갖는 금속장 적층판으로서, 상기 절연 수지층은, 주된 폴리이미드층 (A)와, 상기 폴리이미드층 (A)의 편면 또는 양면에 적층되며, 또한 상기 금속층과 접하는 폴리이미드층 (B)를 포함하는 복수의 폴리이미드 수지층을 갖고 있다.That is, the metal-clad laminate of this invention is a metal-clad laminated board which has an insulated resin layer and the metal layer laminated | stacked on the single side | surface or both surfaces of the said insulated resin layer, The said insulated resin layer is a main polyimide layer (A), and the said It has a some polyimide resin layer laminated | stacked on the single side | surface or both surfaces of a polyimide layer (A), and including the polyimide layer (B) which contact | connects the said metal layer.
본 발명의 금속장 적층판에 있어서, 상기 폴리이미드층 (A) 및 상기 폴리이미드층 (B)를 구성하고 있는 폴리이미드는, 각각 산 무수물 성분으로부터 유도되는 산 무수물 잔기와, 디아민 성분으로부터 유도되는 디아민 잔기를 함유하고 있다.In the metal-clad laminate of the present invention, the polyimide constituting the polyimide layer (A) and the polyimide layer (B) is an acid anhydride residue derived from an acid anhydride component and a diamine derived from a diamine component, respectively. It contains residues.
본 발명의 금속장 적층판에 있어서, 상기 폴리이미드층 (A)를 구성하고 있는 폴리이미드는, 불소 원자를 포함하는 방향족 디아민 화합물로부터 유도되는 디아민 잔기 및/또는 불소 원자를 포함하는 방향족 테트라카르복실산 무수물로부터 유도되는 산 무수물 잔기를 포함하고 있어도 된다.In the metal-clad laminate of the present invention, the polyimide constituting the polyimide layer (A) is an aromatic tetracarboxylic acid containing a diamine residue and / or a fluorine atom derived from an aromatic diamine compound containing a fluorine atom. The acid anhydride residue derived from anhydride may be included.
본 발명의 금속장 적층판에 있어서, 상기 폴리이미드층 (B)는, 350℃에서의 저장 탄성률이 1×108Pa 이상이며, 또한 유리 전이 온도(Tg)가 280℃ 이상인 폴리이미드로 구성되는 것이어도 된다.In the metal-clad laminate of the present invention, the polyimide layer (B) is composed of polyimide having a storage modulus at 350 ° C. of 1 × 10 8 Pa or more and a glass transition temperature (Tg) of 280 ° C. or more. You can do it.
본 발명의 금속장 적층판에 있어서, 상기 폴리이미드층 (A)를 구성하고 있는 폴리이미드는, 상기 디아민 잔기의 합계 100몰부에 대하여, 하기의 일반식 (A1)로 표시되는 디아민 화합물로부터 유도되는 디아민 잔기를 50몰부 이상 함유하는 것이어도 된다.In the metal-clad laminate of the present invention, the polyimide constituting the polyimide layer (A) is a diamine derived from a diamine compound represented by the following general formula (A1) with respect to a total of 100 mol parts of the diamine residues. It may contain 50 mol part or more of a residue.
일반식 (A1) 중, 치환기 X는 독립적으로 불소 원자로 치환되어 있는 탄소수 1 내지 3의 알킬기를 나타내고, m 및 n은 독립적으로 1 내지 4의 정수를 나타낸다.In general formula (A1), substituent X represents the C1-C3 alkyl group independently substituted by the fluorine atom, and m and n represent the integer of 1-4 independently.
본 발명의 금속장 적층판에 있어서, 상기 폴리이미드층 (A)를 구성하고 있는 폴리이미드는, 상기 디아민 잔기의 합계 100몰부에 대하여, 하기의 일반식 (A2)로 표시되는 디아민 화합물로부터 유도되는 디아민 잔기를 0 내지 50몰부의 범위 내에서 함유하는 것이어도 된다.In the metal-clad laminate of the present invention, the polyimide constituting the polyimide layer (A) is a diamine derived from a diamine compound represented by the following general formula (A2) with respect to a total of 100 mol parts of the diamine residues. The residue may be contained within the range of 0 to 50 molar parts.
일반식 (A2) 중, 치환기 Y는 독립적으로 탄소수 1 내지 3의 알킬기 혹은 알콕시기 또는 탄소수 2 내지 3의 알케닐기를 나타내고, p 및 q는 독립적으로 0 내지 4의 정수를 나타낸다.In general formula (A2), substituent Y independently represents a C1-C3 alkyl group or an alkoxy group, or a C2-C3 alkenyl group, and p and q represent the integer of 0-4 independently.
본 발명의 금속장 적층판은, 상기 폴리이미드층 (A)를 구성하고 있는 폴리이미드가, 상기 산 무수물 잔기의 합계 100몰부에 대하여, 피로멜리트산 이무수물로부터 유도되는 산 무수물 잔기를 50몰부 이상 함유하는 것이어도 된다.In the metal-clad laminate of the present invention, the polyimide constituting the polyimide layer (A) contains 50 mol parts or more of acid anhydride residues derived from pyromellitic dianhydride with respect to 100 mol parts of the total acid anhydride residues. It may be done.
본 발명의 금속장 적층판은, 상기 폴리이미드층 (B)를 구성하고 있는 폴리이미드가, 상기 산 무수물 잔기의 합계 100몰부에 대하여, 피로멜리트산 이무수물로부터 유도되는 산 무수물 잔기를 60몰부 이상 함유하는 것이어도 된다.In the metal-clad laminate of the present invention, the polyimide constituting the polyimide layer (B) contains 60 moles or more of an acid anhydride residue derived from pyromellitic dianhydride with respect to 100 moles of the total of the acid anhydride residues. It may be done.
본 발명의 금속장 적층판은, 상기 폴리이미드층 (A)의 350℃에서의 저장 탄성률 EA와, 상기 폴리이미드층 (B)의 350℃에서의 저장 탄성률 EB가 0.5≤(EA/EB)≤100의 관계를 갖는 것이어도 된다.In the metal-clad laminate of the present invention, the storage modulus E A at 350 ° C. of the polyimide layer (A) and the storage modulus E B at 350 ° C. of the polyimide layer (B) are 0.5 ≦ (E A / E It may have a relationship of B ) ≤100.
본 발명의 금속장 적층판은, 상기 폴리이미드층 (A)의 열팽창 계수(CTE)가 30ppm/k 이하여도 되고, 상기 폴리이미드층 (B)의 열팽창 계수(CTE)가 0 내지 100의 범위 내여도 된다.In the metal-clad laminate of the present invention, the thermal expansion coefficient (CTE) of the polyimide layer (A) may be 30 ppm / k or less, and the thermal expansion coefficient (CTE) of the polyimide layer (B) may be in the range of 0 to 100. do.
본 발명의 회로 기판은, 절연 수지층과, 상기 절연 수지층의 편면 또는 양면에 적층된 금속 배선층을 갖는 회로 기판으로서, 상기 절연 수지층은, 주된 폴리이미드층 (A)와, 상기 폴리이미드층 (A)의 편면 또는 양면에 적층되며, 또한 상기 금속 배선층과 접하는 폴리이미드층 (B)를 포함하는 복수의 폴리이미드 수지층을 갖고 있다.The circuit board of this invention is a circuit board which has an insulated resin layer and the metal wiring layer laminated | stacked on the single side | surface or both surfaces of the said insulated resin layer, The said insulated resin layer is a main polyimide layer (A), and the said polyimide layer It has a some polyimide resin layer laminated | stacked on the single side | surface or both surfaces of (A), and including the polyimide layer (B) which contact | connects the said metal wiring layer.
본 발명의 회로 기판에 있어서, 상기 폴리이미드층 (A) 및 상기 폴리이미드층 (B)를 구성하고 있는 폴리이미드는, 각각 산 무수물 성분으로부터 유도되는 산 무수물 잔기와, 디아민 성분으로부터 유도되는 디아민 잔기를 함유하고 있다.In the circuit board of the present invention, the polyimide constituting the polyimide layer (A) and the polyimide layer (B) is an acid anhydride residue derived from an acid anhydride component and a diamine residue derived from a diamine component, respectively. It contains.
본 발명의 회로 기판에 있어서, 상기 폴리이미드층 (A)를 구성하고 있는 폴리이미드는, 불소 원자를 포함하는 방향족 디아민 화합물로부터 유도되는 디아민 잔기 및/또는 불소 원자를 포함하는 방향족 테트라카르복실산 무수물로부터 유도되는 산 무수물 잔기를 포함하고 있다.In the circuit board of the present invention, the polyimide constituting the polyimide layer (A) is an aromatic tetracarboxylic anhydride containing a diamine residue and / or a fluorine atom derived from an aromatic diamine compound containing a fluorine atom. Acid anhydride residues derived from
본 발명의 회로 기판에 있어서, 상기 폴리이미드층 (B)는, 350℃에서의 저장 탄성률이 1×108Pa 이상이며, 또한 유리 전이 온도(Tg)가 280℃ 이상인 폴리이미드로 구성된다.In the circuit board of the present invention, the polyimide layer (B) is composed of a polyimide having a storage modulus at 350 ° C. of 1 × 10 8 Pa or more, and a glass transition temperature (Tg) of 280 ° C. or more.
본 발명의 금속장 적층판은, 주된 층인 폴리이미드층 (A)가, 원료 모노머 유래의 불소 원자를 포함하는 잔기를 함유하는 가스 투과성이 높은 층임과 함께, 금속층과 접하는 폴리이미드층 (B)가 고Tg이면서 또한 고온 영역에서 고저장 탄성률의 폴리이미드에 의해 구성되어 있기 때문에, 발포의 발생이 효과적으로 억제된다. 따라서, 금속장 적층판 및 이것을 사용하는 FPC 등의 회로 기판의 수율이나 신뢰성을 향상시킬 수 있다.In the metal-clad laminate of the present invention, the polyimide layer (A) as the main layer is a high gas permeability layer containing a residue containing a fluorine atom derived from a raw material monomer, and the polyimide layer (B) in contact with the metal layer is high. Since it is Tg and is comprised by the polyimide of high storage elastic modulus in high temperature area | region, generation | occurrence | production of foaming is suppressed effectively. Therefore, the yield and reliability of a circuit board, such as a metal-clad laminated board and FPC using this, can be improved.
도 1은 합성예에서 제조한 폴리이미드의 저장 탄성률의 특성도이다.1 is a characteristic diagram of the storage modulus of the polyimide prepared in Synthesis Example.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대하여 상세하게 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described in detail.
본 실시 형태의 금속장 적층판은, 절연 수지층과, 절연 수지층의 편면 또는 양면에 적층된 금속층을 갖는다. 절연 수지층은, 주된 폴리이미드층 (A)와, 이 폴리이미드층 (A)의 편면 또는 양면에 적층되며, 또한 금속층과 접하는 폴리이미드층 (B)를 포함하는 복수의 폴리이미드 수지층을 갖고 있다. 폴리이미드층 (B)는, 폴리이미드층 (A)의 양측에 인접하여 마련되어 있는 것이 바람직하다. 절연 수지층의 CTE는, 금속층의 CTE에 대하여 바람직하게는 ±5ppm/K의 범위 내, 보다 바람직하게는 ±3ppm/K의 범위 내가 바람직하다. 절연 수지층과 금속층의 CTE차가 ±5ppm/K의 범위 내임으로써, 금속층과의 사이에서 내부 응력이 발생하기 어려워져, 예를 들어 금속층의 일부를 에칭 제거한 후의 금속층의 위치 정밀도나, 절연 수지층의 일부를 에칭 제거하여 개구부를 형성한 후의 절연 수지층에 있어서의 개구부의 위치 정밀도가 유지될 뿐만 아니라, 큰 휨도 억제할 수 있기 때문에 유리하다.The metal-clad laminate of this embodiment has an insulated resin layer and a metal layer laminated on one side or both sides of the insulated resin layer. The insulated resin layer has a plurality of polyimide resin layers including a main polyimide layer (A) and a polyimide layer (B) laminated on one side or both sides of the polyimide layer (A) and in contact with the metal layer. have. It is preferable that the polyimide layer (B) is provided adjacent to both sides of the polyimide layer (A). The CTE of the insulated resin layer is preferably within the range of ± 5 ppm / K, more preferably within the range of ± 3 ppm / K relative to the CTE of the metal layer. When the CTE difference between the insulating resin layer and the metal layer is within the range of ± 5 ppm / K, internal stress is less likely to occur between the metal layer, for example, the positional accuracy of the metal layer after etching part of the metal layer is removed, and It is advantageous because not only the positional accuracy of the opening part in the insulating resin layer after etching part removal and forming an opening part can be maintained, but large curvature can also be suppressed.
[폴리이미드층 (A)] [Polyimide Layer (A)]
폴리이미드층 (A)는, 주된 폴리이미드층이다. 여기서, 「주된」이란, 절연 수지층에 있어서 가장 큰 두께를 갖는 것을 의미하며, 바람직하게는 절연 수지층의 전체 두께에 대하여 50% 이상, 보다 바람직하게는 60% 이상의 두께를 갖는 것을 말한다.The polyimide layer (A) is a main polyimide layer. Here, "main" means having the largest thickness in an insulated resin layer, Preferably it means having a thickness of 50% or more, More preferably, 60% or more with respect to the total thickness of an insulated resin layer.
또한, 폴리이미드층 (A)는, 절연 수지층의 치수 안정성을 확보하기 위해, 열팽창 계수(CTE)가 30ppm/K 이하, 바람직하게는 -5 내지 25ppm/K의 범위 내의 저열팽창성 수지층이다.Moreover, in order to ensure the dimensional stability of an insulated resin layer, a polyimide layer (A) is a low thermal expansion resin layer in 30 ppm / K or less, Preferably it is -5-25 ppm / K in the range.
폴리이미드층 (A)를 구성하고 있는 폴리이미드는, 산 무수물 성분으로부터 유도되는 산 무수물 잔기와, 디아민 성분으로부터 유도되는 디아민 잔기를 함유하고 있으며, 특히, 불소 원자를 포함하는 방향족 디아민 화합물로부터 유도되는 디아민 잔기(불소 함유 디아민 잔기) 및/또는 불소 원자를 포함하는 방향족 테트라카르복실산 무수물로부터 유도되는 산 무수물 잔기(불소 함유 산 무수물 잔기)를 포함하고 있다. 폴리이미드는, 일반적으로 산 무수물 성분과 디아민 성분을 반응시켜 제조되기 때문에, 산 무수물과 디아민 화합물을 설명함으로써, 폴리이미드의 구체예가 이해된다. 이하, 폴리이미드층 (A)를 구성하기 위한 바람직한 폴리이미드를 산 무수물과 디아민 화합물에 의해 설명한다.The polyimide constituting the polyimide layer (A) contains an acid anhydride residue derived from an acid anhydride component and a diamine residue derived from a diamine component, and is particularly derived from an aromatic diamine compound containing a fluorine atom. Acid anhydride residues (fluorine-containing acid anhydride residues) derived from aromatic tetracarboxylic anhydrides containing diamine residues (fluorine-containing diamine residues) and / or fluorine atoms. Since a polyimide is generally manufactured by making an acid anhydride component and a diamine component react, the specific example of a polyimide is understood by demonstrating an acid anhydride and a diamine compound. Hereinafter, preferable polyimide for forming a polyimide layer (A) is demonstrated with an acid anhydride and a diamine compound.
또한, 본 발명에 있어서, 「디아민 성분」이나 「디아민 화합물」은, 말단의 2개의 아미노기에 있어서의 수소 원자가 치환되어 있어도 되고, 예를 들어 -NR2R3(여기서, R2, R3은, 독립적으로 알킬기 등의 임의의 치환기를 의미한다)이어도 된다. 또한, 본 발명에 있어서 「폴리이미드」는, 단독 중합체여도 공중합체여도 되고, 공중합체인 경우에는, 블록 공중합체여도 랜덤 공중합체여도 된다.In the present invention, the "diamine component" or "diamine compound" is a hydrogen atom and optionally substituted in the two amino groups of the terminal, such as -NR 2 R 3 (wherein, R 2, R 3 is And an arbitrary substituent such as an alkyl group independently). In addition, in this invention, a "polyimide" may be a homopolymer or a copolymer, and, in the case of a copolymer, may be a block copolymer or a random copolymer.
<디아민 잔기> <Diamine residues>
폴리이미드층 (A)를 구성하고 있는 폴리이미드는, 불소 함유 디아민 잔기를 함유하는 것이 바람직하다. 불소 함유 디아민 잔기는, 부피가 큰 불소 원자를 함유하는 기를 갖기 때문에, 폴리이미드층 (A)의 가스 투과성을 향상시키고, 열 처리시에 기화된 용매나 이미드화수가, 폴리이미드층 (A)를 투과하여 외부로 제거되는 것을 촉진시키는 기능이 높다. 그 결과로서, 잔류 용매나 이미드화수의 기화에 의한 부피 팽창에 기인하는 폴리이미드층 (A)와 폴리이미드층 (B)의 사이의 급격한 내압 상승이 억제되어, 발포의 발생을 효과적으로 억제할 수 있다. 불소 함유 디아민 잔기로서는, 예를 들어 4,4'-디아미노-2,2'-비스(트리플루오로메틸)비페닐(TFMB), 1,4-비스(4-아미노-2-트리플루오로메틸페녹시)벤젠, 3,4-디아미노-2,2'-비스(트리플루오로메틸)비페닐, 4,4'-비스(2-(트리플루오로메틸)-4-아미노페녹시)비페닐, 2,2-비스(4-(2-(트리플루오로메틸)-4-아미노페녹시)페닐)헥사플루오로프로판, 4,4'-비스(3-(트리플루오로메틸)-4-아미노페녹시)비페닐, 4,4'-비스(3-(트리플루오로메틸)-4-아미노페녹시)비페닐, p-비스(2-트리플루오로메틸)-4-아미노페녹시]벤젠, 2,2-비스-[4-(3-아미노페녹시)페닐]헥사플루오로프로판 등의 디아민 화합물로부터 유도되는 디아민 잔기를 들 수 있다.It is preferable that the polyimide which comprises the polyimide layer (A) contains a fluorine-containing diamine residue. Since the fluorine-containing diamine residue has a group containing a bulky fluorine atom, the gas permeability of the polyimide layer (A) is improved, and the solvent or imidized water vaporized at the time of heat treatment is the polyimide layer (A). It has a high function of facilitating removal to the outside through the light. As a result, a rapid increase in internal pressure between the polyimide layer (A) and the polyimide layer (B) due to volume expansion due to vaporization of residual solvent or imidized water is suppressed, and the occurrence of foaming can be effectively suppressed. have. As a fluorine-containing diamine residue, it is 4,4'- diamino-2,2'-bis (trifluoromethyl) biphenyl (TFMB), 1, 4-bis (4-amino-2- trifluoro, for example). Methylphenoxy) benzene, 3,4-diamino-2,2'-bis (trifluoromethyl) biphenyl, 4,4'-bis (2- (trifluoromethyl) -4-aminophenoxy) Biphenyl, 2,2-bis (4- (2- (trifluoromethyl) -4-aminophenoxy) phenyl) hexafluoropropane, 4,4'-bis (3- (trifluoromethyl)- 4-aminophenoxy) biphenyl, 4,4'-bis (3- (trifluoromethyl) -4-aminophenoxy) biphenyl, p-bis (2-trifluoromethyl) -4-aminophenoxy And diamine residues derived from diamine compounds such as c] benzene, 2,2-bis- [4- (3-aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane.
불소 함유 디아민 잔기 중에서도, 하기의 일반식 (A1)로 표시되는 디아민 화합물로부터 유도되는 디아민 잔기(이하, 「A1 잔기」라 기재하는 경우가 있다)를 함유하는 것이 보다 바람직하다.Among the fluorine-containing diamine residues, it is more preferable to contain a diamine residue (hereinafter sometimes referred to as an "A1 residue") derived from the diamine compound represented by the following general formula (A1).
일반식 (A1) 중, 치환기 X는 독립적으로 불소 원자로 치환되어 있는 탄소수 1 내지 3의 알킬기를 나타내고, m 및 n은 독립적으로 1 내지 4의 정수를 나타낸다.In general formula (A1), substituent X represents the C1-C3 alkyl group independently substituted by the fluorine atom, and m and n represent the integer of 1-4 independently.
A1 잔기는, 부피가 큰 불소 원자를 함유하는 치환기 X를 갖기 때문에, 폴리이미드층 (A)의 가스 투과성을 향상시킨다. 그 때문에, 열 처리시에 기화된 용매나 이미드화수가, 폴리이미드층 (A)를 투과하여 외부로 제거되는 것을 촉진시키는 기능이 높다. 그 결과로서, 잔류 용매나 이미드화수의 기화에 의한 부피 팽창에 기인하는 폴리이미드층 (A)와 폴리이미드층 (B)의 사이의 급격한 내압 상승이 억제되어, 발포의 발생을 효과적으로 억제할 수 있다.Since the A1 residue has a substituent X containing a bulky fluorine atom, the gas permeability of the polyimide layer (A) is improved. Therefore, the function which promotes removal of the solvent and imidized water vaporized at the time of heat processing through the polyimide layer (A), and removing to the outside is high. As a result, a rapid increase in internal pressure between the polyimide layer (A) and the polyimide layer (B) due to volume expansion due to vaporization of residual solvent or imidized water is suppressed, and the occurrence of foaming can be effectively suppressed. have.
또한, A1 잔기는 방향족 디아민 잔기이며, 2개의 벤젠환이 단결합으로 접속된 비페닐 골격을 갖고 있기 때문에, 질서 구조를 형성하기 쉽고, 분자쇄의 면내 방향의 배향이 촉진되기 때문에, 주된 층인 폴리이미드층 (A)의 CTE의 증가를 억제하고, 치수 안정성을 높일 수 있다.In addition, the A1 residue is an aromatic diamine residue, and since the two benzene rings have a biphenyl skeleton connected by a single bond, it is easy to form an ordered structure, and the orientation of the in-plane direction of the molecular chain is promoted, so that the polyimide is the main layer. An increase in the CTE of the layer (A) can be suppressed and the dimensional stability can be enhanced.
이상의 관점에서, 폴리이미드층 (A)를 구성하는 폴리이미드는, 전체 디아민 잔기의 합계 100몰부에 대하여, A1 잔기를 50몰부 이상 함유하는 것이 바람직하고, 50 내지 100몰부의 범위 내에서 함유하는 것이 보다 바람직하다.From the above viewpoints, the polyimide constituting the polyimide layer (A) preferably contains 50 mole parts or more of the A1 residues relative to a total of 100 mole parts of the total diamine residues, and preferably within 50 to 100 mole parts. More preferred.
A1 잔기의 바람직한 구체예로서는, 4,4'-디아미노-2,2'-비스(트리플루오로메틸)비페닐(TFMB), 3,4-디아미노-2,2'-비스(트리플루오로메틸)비페닐 등의 디아민 화합물로부터 유도되는 디아민 잔기를 들 수 있다.Preferred embodiments of the A1 residue include 4,4'-diamino-2,2'-bis (trifluoromethyl) biphenyl (TFMB) and 3,4-diamino-2,2'-bis (trifluoro And diamine residues derived from diamine compounds such as methyl) biphenyl.
또한, 폴리이미드층 (A)를 구성하고 있는 폴리이미드는, 하기의 일반식 (A2)로 표시되는 디아민 화합물로부터 유도되는 디아민 잔기(이하, 「A2 잔기」라 기재하는 경우가 있다)를 함유하는 것이 바람직하다.In addition, the polyimide which comprises the polyimide layer (A) contains the diamine residue derived from the diamine compound represented by following General formula (A2) (Hereinafter, it may describe as "A2 residue.") It is preferable.
일반식 (A2) 중, 치환기 Y는 독립적으로 탄소수 1 내지 3의 알킬기 혹은 알콕시기 또는 탄소수 2 내지 3의 알케닐기를 나타내고, p 및 q는 독립적으로 0 내지 4의 정수를 나타낸다.In general formula (A2), substituent Y independently represents a C1-C3 alkyl group or an alkoxy group, or a C2-C3 alkenyl group, and p and q represent the integer of 0-4 independently.
A2 잔기는 비페닐 골격을 갖고 있기 때문에, 질서 구조를 형성하기 쉽고, 분자쇄의 면내 방향의 배향이 촉진되어, 폴리이미드층 (A)의 CTE의 증가를 억제할 수 있다.Since the A2 residue has a biphenyl skeleton, it is easy to form an ordered structure, the orientation of the in-plane direction of the molecular chain is promoted, and the increase in the CTE of the polyimide layer (A) can be suppressed.
이러한 관점에서, 폴리이미드층 (A)를 구성하는 폴리이미드는, 전체 디아민 잔기의 합계 100몰부에 대하여, A2 잔기를 0 내지 50몰부의 범위 내에서 함유하는 것이 바람직하고, 20 내지 50몰부의 범위 내에서 함유하는 것이 보다 바람직하다.From this viewpoint, it is preferable that the polyimide which comprises a polyimide layer (A) contains A2 residue within the range of 0-50 mol part with respect to 100 mol part of total diamine residues, and it is the range of 20-50 mol part It is more preferable to contain inside.
A2 잔기의 바람직한 구체예로서는, 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐(m-TB), 2,2'-디에틸-4,4'-디아미노비페닐(m-EB), 2,2'-디에톡시-4,4'-디아미노비페닐(m-EOB), 2,2'-디프로폭시-4,4'-디아미노비페닐(m-POB), 2,2'-n-프로필-4,4'-디아미노비페닐(m-NPB), 2,2'-디비닐-4,4'-디아미노비페닐(VAB), 4,4'-디아미노비페닐 등의 디아민 화합물로부터 유도되는 디아민 잔기를 들 수 있다. 이들 중에서도, 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐(m-TB)은 질서 구조를 형성하기 쉽고, CTE의 증가를 억제하는 효과가 크기 때문에 특히 바람직하다.Preferred examples of the A2 residue include 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl (m-TB) and 2,2'-diethyl-4,4'-diaminobiphenyl (m-EB ), 2,2'-diethoxy-4,4'-diaminobiphenyl (m-EOB), 2,2'-dipropoxy-4,4'-diaminobiphenyl (m-POB), 2 , 2'-n-propyl-4,4'-diaminobiphenyl (m-NPB), 2,2'-divinyl-4,4'-diaminobiphenyl (VAB), 4,4'-dia And diamine residues derived from diamine compounds such as minobiphenyl. Among them, 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl (m-TB) is particularly preferred because it is easy to form an ordered structure and has a great effect of suppressing an increase in CTE.
폴리이미드층 (A)를 구성하고 있는 폴리이미드는, 상기 이외의 디아민 잔기로서, 일반적으로 폴리이미드의 합성에 사용되는 디아민 성분으로부터 유도되는 디아민 잔기를 포함하고 있어도 된다.The polyimide which comprises the polyimide layer (A) may contain the diamine residue derived from the diamine component generally used for the synthesis | combination of a polyimide as a diamine residue of that excepting the above.
<산 무수물 잔기> <Acid anhydride residues>
폴리이미드층 (A)를 구성하고 있는 폴리이미드는, 불소 함유 산 무수물 잔기를 함유하는 것이 바람직하다. 불소 함유 산 무수물 잔기는, 부피가 큰 불소 원자를 함유하는 기를 갖기 때문에, 폴리이미드층 (A)의 가스 투과성을 향상시키고, 열 처리시에 기화된 용매나 이미드화수가, 폴리이미드층 (A)를 투과하여 외부로 제거되는 것을 촉진시키는 기능이 높다. 그 결과로서, 잔류 용매나 이미드화수의 기화에 의한 부피 팽창에 기인하는 폴리이미드층 (A)와 폴리이미드층 (B)의 사이의 급격한 내압 상승이 억제되어, 발포의 발생을 효과적으로 억제할 수 있다. 불소 함유 산 무수물 잔기로서는, 예를 들어 2,2'-비스(3,4-디카르복시페닐)헥사플루오로프로판 이무수물(6FDA) 등의 산 무수물 성분으로부터 유도되는 산 무수물 잔기를 들 수 있다.It is preferable that the polyimide which comprises the polyimide layer (A) contains a fluorine-containing acid anhydride residue. Since the fluorine-containing acid anhydride residue has a group containing a bulky fluorine atom, the gas permeability of the polyimide layer (A) is improved, and the solvent or imidized water vaporized at the time of heat treatment is a polyimide layer (A Has a high function of facilitating removal through the outside. As a result, a rapid increase in internal pressure between the polyimide layer (A) and the polyimide layer (B) due to volume expansion due to vaporization of residual solvent or imidized water is suppressed, and the occurrence of foaming can be effectively suppressed. have. Examples of the fluorine-containing acid anhydride residues include acid anhydride residues derived from acid anhydride components such as 2,2'-bis (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane dianhydride (6FDA).
또한, 폴리이미드층 (A)를 구성하고 있는 폴리이미드는, 폴리이미드층 (A)의 CTE를 상기 범위 내로 제어하기 위해, 하기의 식 (B1)로 표시되는, 피로멜리트산 이무수물(PMDA)로부터 유도되는 4가의 산 무수물 잔기(이하, 「PMDA 잔기」라 기재하는 경우가 있다)를 함유하는 것이 바람직하다. PMDA 잔기는, 전체 산 무수물 잔기의 합계 100몰부에 대하여, 50몰부 이상 함유하는 것이 바람직하고, 60 내지 100몰부의 범위 내에서 함유하는 것이 보다 바람직하다. PMDA 잔기가 50몰부 미만이면, 폴리이미드층 (A)의 CTE가 높아져 치수 안정성이 저하된다.In addition, the polyimide which comprises the polyimide layer (A) is pyromellitic dianhydride (PMDA) represented by following formula (B1), in order to control CTE of a polyimide layer (A) in the said range. It is preferable to contain tetravalent acid anhydride residues (hereinafter sometimes referred to as "PMDA residues") derived from. It is preferable to contain 50 mol part or more with respect to a total of 100 mol parts of all the acid anhydride residues, and, as for PMDA residue, it is more preferable to contain within 60-100 mol part. When PMDA residue is less than 50 mol part, CTE of a polyimide layer (A) becomes high and dimensional stability falls.
폴리이미드층 (A)를 구성하고 있는 폴리이미드는, 상기 이외의 산 무수물 잔기로서, 일반적으로 폴리이미드의 합성에 사용되는 산 무수물 성분으로부터 유도되는 산 무수물 잔기를 포함하고 있어도 된다. 그러한 산 무수물 잔기로서는, 방향족 테트라카르복실산 잔기가 바람직하다.The polyimide which comprises the polyimide layer (A) may contain the acid anhydride residue derived from the acid anhydride component generally used for the synthesis | combination of a polyimide as acid anhydride residue of that excepting the above. As such an acid anhydride residue, an aromatic tetracarboxylic acid residue is preferable.
<폴리이미드층 (A)의 두께> <Thickness of Polyimide Layer (A)>
폴리이미드층 (A)의 두께는 특별히 제한은 없으며, 예를 들어 3 내지 25㎛의 범위 내가 바람직하고, 8 내지 23㎛의 범위 내가 보다 바람직하다. 열 처리시에 기화된 용매나 이미드화수의 투과성 혹은 레이저 가공성이나 웨트 에칭성을 고려하면, 폴리이미드층 (A)의 두께는 얇은 편이 바람직하다. 그러나, 폴리이미드층 (A)는, 절연 수지층의 절연성과 강도를 유지하는 기능을 담당하는 주된 층이라는 점에서, 예를 들어 25 내지 50㎛의 범위 내의 비교적 두꺼운 막으로 하는 수요도 크다. 이와 같이, 폴리이미드층 (A)를 25㎛ 이상의 두꺼운 막으로 설계하는 경우에도, 상기 구성을 채용함으로써, 가스 투과성을 높이는 것이 가능하고, 후술하는 폴리이미드층 (B)와의 조합에 의해 발포의 발생이 억제된다.The thickness of a polyimide layer (A) does not have a restriction | limiting in particular, For example, the inside of the range of 3-25 micrometers is preferable, and the inside of the range of 8-23 micrometers is more preferable. In consideration of the permeability of the vaporized solvent and the imidized water during the heat treatment, or the laser processability and the wet etching property, the thickness of the polyimide layer (A) is preferably thinner. However, since a polyimide layer (A) is a main layer which is responsible for the function which maintains the insulation and strength of an insulated resin layer, the demand which makes a relatively thick film within the range of 25-50 micrometers is also large. As described above, even when the polyimide layer (A) is designed into a thick film having a thickness of 25 µm or more, by adopting the above configuration, it is possible to increase gas permeability, and foaming is generated by a combination with the polyimide layer (B) described later. This is suppressed.
[폴리이미드층 (B)] [Polyimide Layer (B)]
폴리이미드층 (B)는, 고탄성이면서 또한 고내열성의 수지층이며, 350℃에서의 저장 탄성률이 1×108Pa 이상, 바람직하게는 1×108 내지 1×1010Pa의 범위 내이고, 또한 Tg가 280℃ 이상, 바람직하게는 300 내지 500℃의 범위 내의 폴리이미드로 구성된다.The polyimide layer (B) is a highly elastic and high heat resistant resin layer, and the storage modulus at 350 ° C. is 1 × 10 8 Pa or more, preferably in the range of 1 × 10 8 to 1 × 10 10 Pa, Moreover, Tg is comprised with polyimide in the range of 280 degreeC or more, Preferably it is 300-500 degreeC.
폴리이미드층 (B)를 고탄성으로 함으로써, 열 처리시에 용매나 이미드화수가 기화되고, 부피 팽창하는 것에 기인하는 폴리이미드층 (A)와 폴리이미드층 (B) 사이의 내압의 상승에 견딜 수 있는 충분한 강도를 유지할 수 있기 때문에, 발포를 억제할 수 있다. 350℃에서의 저장 탄성률이 1×108Pa 미만이면, 폴리이미드층 (B)의 강도가 낮아지기 때문에, 열 처리시의 내압의 상승에 의해 폴리이미드층 (B)에 파단이 발생하기 쉬워져, 발포의 억제가 곤란해진다.By making the polyimide layer (B) highly elastic, the solvent and imidized water are vaporized at the time of heat treatment and withstand the increase in the internal pressure between the polyimide layer (A) and the polyimide layer (B) due to volume expansion. Since sufficient strength can be maintained, foaming can be suppressed. When the storage modulus at 350 ° C. is less than 1 × 10 8 Pa, the strength of the polyimide layer (B) is lowered, so that breakage is likely to occur in the polyimide layer (B) due to an increase in the internal pressure at the time of heat treatment, Inhibition of foaming becomes difficult.
또한, 폴리이미드층 (B)의 Tg를 높게 함으로써, 열 처리시에 파단되기 어려워져, 발포를 억제할 수 있다. Tg가 280℃ 미만이면, 폴리이미드층 (B)의 내열성이 저하되기 때문에, 발포의 억제가 곤란해진다. 한편, Tg가 500℃를 초과하면, 폴리이미드층 (B)와 금속층간의 양호한 접착성이 얻어지지 않는 경우가 있다.Moreover, by making Tg of a polyimide layer (B) high, it becomes difficult to break at the time of heat processing, and foaming can be suppressed. If Tg is less than 280 degreeC, since the heat resistance of a polyimide layer (B) falls, it becomes difficult to suppress foaming. On the other hand, when Tg exceeds 500 degreeC, favorable adhesiveness between a polyimide layer (B) and a metal layer may not be obtained.
이상과 같이, 폴리이미드층 (B)에서는, 350℃에서의 저장 탄성률과 Tg의 양쪽을 동시에 제어하고, 고탄성이면서 또한 고내열성으로 함으로써, 발포의 발생을 효과적으로 억제할 수 있다.As mentioned above, in a polyimide layer (B), generation | occurrence | production of foaming can be suppressed effectively by controlling both storage elastic modulus and Tg at 350 degreeC simultaneously, and making it high elasticity and high heat resistance.
폴리이미드층 (B)의 열팽창 계수(CTE)는 특별히 제한은 없지만, 예를 들어 0 내지 100ppm/K의 범위 내인 것이 바람직하고, 5 내지 80ppm/K의 범위 내가 보다 바람직하다.Although the thermal expansion coefficient (CTE) of a polyimide layer (B) does not have a restriction | limiting in particular, For example, it is preferable to exist in the range of 0-100 ppm / K, and the inside of the range of 5-80 ppm / K is more preferable.
폴리이미드층 (B)를 구성하고 있는 폴리이미드는, 산 무수물 성분으로부터 유도되는 산 무수물 잔기와, 디아민 성분으로부터 유도되는 디아민 잔기를 함유하고 있다. 이하, 바람직한 폴리이미드를 산 무수물과 디아민에 의해 설명한다.The polyimide which comprises the polyimide layer (B) contains the acid anhydride residue derived from an acid anhydride component, and the diamine residue derived from a diamine component. Hereinafter, preferable polyimide is demonstrated with an acid anhydride and diamine.
<디아민 잔기> <Diamine residues>
폴리이미드층 (B)를 구성하고 있는 폴리이미드는, 저장 탄성률과 Tg를 상기 범위 내로 하기 위해, 산 무수물 잔기인 PMDA 잔기의 존재 비율과, 상기 A1 잔기 및 A2 잔기 그리고 하기의 일반식 (A3) 내지 (A6)으로 표시되는 디아민 화합물로부터 유도되는 디아민 잔기(이하, 각각 「A3 잔기」, 「A4 잔기」, 「A5 잔기」, 「A6 잔기」라 기재하는 경우가 있다)의 존재 비율을 후술하는 범위 내로 하는 것이 바람직하다. 여기서, A1 잔기 및 A2 잔기에 대해서는, 상기한 바와 같다.The polyimide constituting the polyimide layer (B) has an abundance ratio of the PMDA residue, which is an acid anhydride residue, the A1 residue and the A2 residue, and the following general formula (A3) in order to keep the storage modulus and Tg within the above range. The abundance ratio of the diamine residue (Hereinafter, it may describe as "A3 residue", "A4 residue", "A5 residue", and "A6 residue" respectively) derived from the diamine compound represented by (A6) is mentioned later. It is preferable to carry out in a range. Here, the A1 residue and the A2 residue are as described above.
일반식 (A3) 내지 (A6) 중, 치환기 R1은 독립적으로 탄소수 1 내지 4의 1가의 탄화수소기 혹은 알콕시기를 나타내고, 연결기 A는 -O-, -S-, -CO-, -SO-, -SO2-, -COO-, -CH2-, -NH- 또는 -CONH-를 나타내고, 연결기 B는 -O-, -S-, -CO-, -SO-, -COO-, -CH2-, -NH-, -CONH- 또는 단결합을 나타내고, 연결기 C는 -C(CH3)2-를 나타내고, 연결기 D는 -C(CH3)2-, -SO2-, -C(CF3)2-를 나타내고, n1은 독립적으로 0 내지 4의 정수를 나타낸다.In general formula (A3)-(A6), substituent R <1> represents a C1-C4 monovalent hydrocarbon group or alkoxy group independently, and linking group A is -O-, -S-, -CO-, -SO-, -SO 2- , -COO-, -CH 2- , -NH- or -CONH- represents, and the linking group B is -O-, -S-, -CO-, -SO-, -COO-, -CH 2 -, -NH-, -CONH- or a single bond, the linking group C represents -C (CH 3 ) 2- , and the linking group D is -C (CH 3 ) 2- , -SO 2- , -C (CF 3 ) 2 -is represented, n1 independently represents an integer of 0 to 4;
일반식 (A3)으로 표시되는 디아민 잔기의 바람직한 구체예로서는, 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠(ABP), 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠(TPE-R), 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠(TPE-Q), 비스(4-아미노페녹시)-2,5-디-tert-부틸벤젠(DTBAB), 1,3-비스[2-(4-아미노페닐)-2-프로필]벤젠, 1,4-비스[2-(4-아미노페닐)-2-프로필]벤젠 등의 디아민 화합물로부터 유도되는 디아민 잔기를 들 수 있다.As a preferable specific example of the diamine residue represented by general formula (A3), 1, 3-bis (3-aminophenoxy) benzene (ABP), 1, 3-bis (4-aminophenoxy) benzene (TPE-R) , 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene (TPE-Q), bis (4-aminophenoxy) -2,5-di-tert-butylbenzene (DTBAB), 1,3-bis [2 And diamine residues derived from diamine compounds such as-(4-aminophenyl) -2-propyl] benzene and 1,4-bis [2- (4-aminophenyl) -2-propyl] benzene.
일반식 (A4)로 표시되는 디아민 잔기의 바람직한 구체예로서는, 4,4'-비스(4-아미노페녹시)비페닐(BAPB) 등의 디아민 화합물로부터 유도되는 디아민 잔기를 들 수 있다.As a preferable specific example of the diamine residue represented by general formula (A4), the diamine residue derived from diamine compounds, such as 4,4'-bis (4-aminophenoxy) biphenyl (BAPB), is mentioned.
일반식 (A5)로 표시되는 디아민 잔기의 바람직한 구체예로서는, 1,3-비스[2-(4-아미노페닐)-2-프로필]벤젠(비스아닐린 M)이나 α,α'-비스(4-아미노페닐)-1,4-디이소프로필벤젠(비스아닐린 P) 등의 디아민 화합물로부터 유도되는 디아민 잔기를 들 수 있다.As a preferable specific example of the diamine residue represented by general formula (A5), 1, 3-bis [2- (4-aminophenyl) -2-propyl] benzene (bisaniline M) and (alpha), (alpha) '-bis (4- And diamine residues derived from diamine compounds such as aminophenyl) -1,4-diisopropylbenzene (bisaniline P).
일반식 (A6)으로 표시되는 디아민 잔기의 바람직한 구체예로서는, 2,2-비스(4-아미노페녹시페닐)프로판(BAPP)이나 비스〔4-(4-아미노페녹시)페닐〕술폰(BAPS), 비스〔4-(3-아미노페녹시)페닐〕술폰(BAPS-M), 2,2-비스〔4-(4-아미노페녹시)페닐〕헥사플루오로프로판(HFBAPP) 등의 디아민 화합물로부터 유도되는 디아민 잔기를 들 수 있다.As a preferable specific example of the diamine residue represented by general formula (A6), 2, 2-bis (4-amino phenoxy phenyl) propane (BAPP) and bis [4- (4-amino phenoxy) phenyl] sulfone (BAPS) From diamine compounds such as bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] sulfone (BAPS-M) and 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane (HFBAPP) Derived diamine residues.
A2 잔기는, 상기한 바와 같이, A1 잔기와 공통되는 비페닐 골격을 갖고 있기 때문에, 질서 구조를 형성하기 쉽고, 폴리이미드층 (B)의 탄성률을 높이는 작용을 갖는다. 폴리이미드층 (B)를 고탄성으로 함으로써, 열 처리시에 폴리이미드층 (A)와 폴리이미드층 (B)의 사이의 내압 상승에 견딜 수 있는 충분한 강도를 부여할 수 있기 때문에, 발포를 억제할 수 있다.Since A2 residue has a biphenyl skeleton common to A1 residue as mentioned above, it is easy to form an order structure and has a function which raises the elasticity modulus of a polyimide layer (B). By making the polyimide layer (B) highly elastic, it is possible to impart sufficient strength to withstand the increase in the internal pressure between the polyimide layer (A) and the polyimide layer (B) during heat treatment, thereby suppressing foaming. Can be.
또한, A2 잔기는, 폴리이미드층 (A)에 필수적으로 포함되는 A1 잔기와 공통되는 비페닐 골격을 갖고 있기 때문에, 캐스트법에 의해 폴리이미드층 (B) 상에 적층되는 폴리이미드층 (A)에 있어서, 폴리이미드층 (B)와 마찬가지의 질서 구조의 형성이 보다 촉진된다. 즉, 폴리이미드층 (A)와 폴리이미드층 (B)가 유사한 질서 구조와 배향성을 가짐으로써, 이들 층간의 밀착성이 보다 강해지고, 층간에서의 발포가 발생하기 어려워진다. A2 잔기로서는, 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐(m-TB)로부터 유도되는 디아민 잔기가 가장 바람직하다.In addition, since the A2 residue has a biphenyl skeleton in common with the A1 residue essentially included in the polyimide layer (A), the polyimide layer (A) laminated on the polyimide layer (B) by the casting method WHEREIN: Formation of the order structure similar to a polyimide layer (B) is promoted more. That is, since polyimide layer (A) and polyimide layer (B) have similar order structure and orientation, the adhesiveness between these layers becomes stronger, and foaming between layers becomes less likely to occur. As the A2 residue, the diamine residue derived from 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl (m-TB) is most preferred.
한편, 금속층과의 필 강도의 향상과 저장 탄성률의 저하를 억제하는 관점에서, 전체 산 무수물 잔기 100몰부에 대하여, [1] PMDA 잔기를 85 내지 100몰부의 범위 내, 또는 [2] PMDA 잔기를 50 내지 85몰부의 범위 내로 하는 것이 바람직하다.On the other hand, from the viewpoint of improving the peel strength with the metal layer and suppressing the decrease in the storage elastic modulus, the [1] PMDA residue is in the range of 85 to 100 mol parts or [2] the PMDA residue relative to 100 mol parts of the total acid anhydride residue. It is preferable to carry out in 50-85 mol part.
[1] PMDA 잔기를 85 내지 100몰부의 범위 내로 하는 경우에는, 전체 디아민 잔기 100몰부에 대하여, A1 잔기, A2 잔기, A3 잔기 및 A4 잔기의 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 15 내지 80몰부의 범위 내로 하고, A5 잔기 및 A6 잔기의 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 20 내지 85몰부의 범위 내로 하는 것이 바람직하다. A5 잔기 및/또는 A6 잔기가 20몰부 미만이면, 금속층과의 필 강도가 저하되기 쉽고, 85몰부를 초과하면 350℃에서의 저장 탄성률이 저하되고, 고온에서의 땜납 내열성이 저하되는 경향이 된다. 또한, 상기 식 (A3) 또는/및 (A4)에 있어서의 연결기는 적어도 1개소 이상이 파라 위치에서 결합하고 있는 것이 바람직하고, 파라 위치의 결합 위치를 포함함으로써 350℃에서의 저장 탄성률의 저하를 억제하기 쉬워진다. A3 잔기로서는, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠(TPE-R), 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠(TPE-Q)으로부터 유도되는 디아민 잔기가 가장 바람직하다.[1] In the case where the PMDA residue is in the range of 85 to 100 moles, 15 to 80 moles of at least one selected from the group consisting of A1 residues, A2 residues, A3 residues and A4 residues relative to 100 moles of total diamine residues. It is preferable to set it in the range, and to make at least 1 sort (s) chosen from the group of A5 residue and A6 residue in 20-85 mol part. When the A5 residue and / or A6 residue is less than 20 mol parts, the peel strength with the metal layer tends to be lowered. When the A5 residue and / or A6 residue are more than 85 mol parts, the storage elastic modulus at 350 ° C. is lowered and the solder heat resistance at high temperature tends to be lowered. In addition, it is preferable that at least 1 or more linking groups in said formula (A3) or / and (A4) couple | bond at the para position, and the fall of the storage elastic modulus in 350 degreeC is included by including the coupling position of a para position. It becomes easy to suppress it. As the A3 residue, most preferred are diamine residues derived from 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene (TPE-R) and 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene (TPE-Q). .
또한, [2] PMDA 잔기를 50 내지 85몰부의 범위 내로 하는 경우에는, 전체 디아민 잔기 100몰부에 대하여, A1 잔기, A2 잔기, A3 잔기 및 A4 잔기의 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 50 내지 100몰부의 범위 내로 하고, A5 잔기 및 A6 잔기의 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 0 내지 50몰부의 범위 내로 하는 것이 바람직하다. A5 잔기 및/또는 A6 잔기가 50몰부를 초과하면, 350℃에서의 저장 탄성률이 저하되고, 고온에서의 땜납 내열성이 저하되는 경향이 된다.[2] When the PMDA residue is in the range of 50 to 85 mol parts, at least one selected from the group of A1 residue, A2 residue, A3 residue, and A4 residue is 50 to 100 based on 100 mol parts of the total diamine residue. It is preferable to set it in the range of mole parts, and to carry out at least 1 sort (s) chosen from the group of A5 residue and A6 residue in the range of 0-50 mole parts. When A5 residue and / or A6 residue exceeds 50 mol part, the storage elastic modulus in 350 degreeC will fall, and there exists a tendency for the solder heat resistance at high temperature to fall.
폴리이미드층 (B)를 구성하고 있는 폴리이미드는, 상기 이외의 디아민 잔기로서, 일반적으로 폴리이미드의 합성에 사용되는 디아민 성분으로부터 유도되는 디아민 잔기를 포함하고 있어도 된다. 그러한 디아민 잔기로서는, 방향족 디아민 잔기가 바람직하며, 특별히 제한은 없지만, 폴리이미드층 (B)의 금속층에 대한 접착성을 높이는 것에 기여하는 것으로서, 예를 들어 2,2'-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판(BAPP)으로부터 유도되는 테트라카르복실산 잔기를 바람직하게 들 수 있다.The polyimide which comprises the polyimide layer (B) may contain the diamine residue derived from the diamine component generally used for the synthesis | combination of a polyimide as diamine residue of that excepting the above. As such diamine residue, an aromatic diamine residue is preferable and there is no restriction | limiting in particular, Although it contributes to improving adhesiveness to the metal layer of a polyimide layer (B), it is 2,2'-bis [4- (4, for example). Tetracarboxylic acid residues derived from -aminophenoxy) phenyl] propane (BAPP) are preferable.
<산 무수물 잔기> <Acid anhydride residues>
폴리이미드층 (B)를 구성하는 폴리이미드는, 저장 탄성률과 Tg를 상기 범위 내로 제어하여 발포를 억제하기 위해, PMDA 잔기를 함유하는 것이 바람직하다. 폴리이미드 중에서, PMDA 잔기와, 상기한 A2 잔기 및/또는 A3 잔기의 조합에 의한 구조 단위를 형성하고 있음으로써, 폴리이미드층 (B)의 저장 탄성률과 Tg를 향상시킬 수 있다. 또한, PMDA 잔기를, 폴리이미드층 (A)와 폴리이미드층 (B)에 공통적으로 존재시킴으로써, 캐스트법에 의해 폴리이미드층 (B) 상에 적층되는 폴리이미드층 (A)에 있어서, 폴리이미드층 (B)와 마찬가지의 질서 구조의 형성이 보다 촉진된다. 즉, 폴리이미드층 (A)와 폴리이미드층 (B)가 유사한 질서 구조와 배향성을 가짐으로써, 이들 층간의 밀착성이 보다 강해지고, 층간에서의 발포가 발생하기 어려워진다.It is preferable that the polyimide which comprises a polyimide layer (B) contains PMDA residue in order to control storage elastic modulus and Tg in the said range, and to suppress foaming. In the polyimide, the storage elastic modulus and Tg of the polyimide layer (B) can be improved by forming the structural unit by a combination of the PMDA residue and the above-mentioned A2 residue and / or A3 residue. In addition, polyimide in the polyimide layer (A) laminated | stacked on the polyimide layer (B) by the casting method by having PMDA residue exist in common in a polyimide layer (A) and a polyimide layer (B) Formation of an ordered structure similar to that of the layer (B) is further promoted. That is, since polyimide layer (A) and polyimide layer (B) have similar order structure and orientation, the adhesiveness between these layers becomes stronger, and foaming between layers becomes less likely to occur.
이상의 관점에서, 폴리이미드층 (B)를 구성하는 폴리이미드는, 전체 산 무수물 잔기의 합계 100몰부에 대하여, PMDA 잔기를 50몰부 이상 함유하는 것이 바람직하고, 50 내지 100몰부의 범위 내에서 함유하는 것이 보다 바람직하다. PMDA 잔기가 50몰부 미만이면, 폴리이미드층 (B)의 저장 탄성률과 Tg를 상기 범위 내로 제어할 수 없으며, 질서 구조의 형성도 불충분해진다는 점에서, 발포의 억제가 곤란해진다.From the above viewpoints, it is preferable that the polyimide which comprises a polyimide layer (B) contains 50 mol part or more of PMDA residues with respect to a total of 100 mol parts of all the acid anhydride residues, and contains within 50-100 mol part. It is more preferable. If the PMDA residue is less than 50 molar parts, the storage elastic modulus and Tg of the polyimide layer (B) cannot be controlled within the above range, and the formation of an ordered structure is also insufficient, which makes it difficult to suppress foaming.
폴리이미드층 (B)를 구성하고 있는 폴리이미드는, 상기 이외의 산 무수물 잔기로서, 일반적으로 폴리이미드의 합성에 사용되는 산 무수물 성분으로부터 유도되는 산 무수물 잔기를 포함하고 있어도 된다. 그러한 산 무수물 잔기로서는, 제한은 없지만, 방향족 테트라카르복실산 잔기가 바람직하다. 특히, 비페닐 골격을 갖고, 질서 구조를 형성하기 쉽고, 폴리이미드층 (B)의 내열성에 기여하는 것으로서, 예를 들어 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물(BPDA), 2,3',3,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 2,2',3,3'-비페닐테트라카르복실산 이무수물 등으로부터 유도되는 테트라카르복실산 잔기를 바람직하게 들 수 있다.The polyimide which comprises the polyimide layer (B) may contain the acid anhydride residue derived from the acid anhydride component generally used for synthesis | combination of a polyimide as acid anhydride residue of that excepting the above. There is no restriction | limiting as such an acid anhydride residue, Aromatic tetracarboxylic-acid residue is preferable. In particular, it has a biphenyl skeleton, it is easy to form an order structure, and contributes to the heat resistance of a polyimide layer (B), For example, 3,3 ', 4,4'-biphenyl tetracarboxylic dianhydride ( BPDA), 2,3 ', 3,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2', 3,3'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, and the like. Preferred is mentioned.
<폴리이미드층 (B)의 두께> <Thickness of Polyimide Layer (B)>
폴리이미드층 (B)의 두께는 특별히 제한은 없으며, 예를 들어 0.5 내지 15㎛의 범위 내가 바람직하고, 1 내지 10㎛의 범위 내가 보다 바람직하다. 특허문헌 1의 금속장 적층판과 같이, 금속층에 접하는 폴리이미드층에 열가소성 폴리이미드를 채용하는 경우, 금속층과의 접착성을 유지함과 함께, 열 처리시의 잔류 용매나 이미드화수의 기화에 의한 내압 상승에 대하여 충분한 강도를 갖게 하는 관점에서, 폴리이미드층 (B)의 두께는 상기한 하한의 0.5㎛보다 큰2㎛ 이상으로 하는 것이 바람직하다. 그러나, 본 실시 형태의 금속장 적층판에서는, 폴리이미드층 (B)에 상기 고탄성률, 고Tg의 구성을 채용함과 함께, 가스 투과성이 높은 폴리이미드층 (A)와 조합하여 적층함으로써, 폴리이미드층 (B)의 두께의 하한을 2㎛보다도 얇은 0.5㎛까지 박층화하는 것이 가능해진다.The thickness of a polyimide layer (B) does not have a restriction | limiting in particular, For example, the inside of the range of 0.5-15 micrometers is preferable, and the inside of the range of 1-10 micrometers is more preferable. When the thermoplastic polyimide is employed in the polyimide layer in contact with the metal layer, as in the metal sheet laminate of Patent Literature 1, the adhesive pressure with the metal layer is maintained and the internal pressure due to vaporization of the residual solvent or imidized water during the heat treatment. From the viewpoint of providing sufficient strength against the rise, the thickness of the polyimide layer (B) is preferably 2 μm or more, which is larger than 0.5 μm of the above lower limit. However, in the metal-clad laminate of the present embodiment, the polyimide layer (B) adopts the above-described high modulus of elasticity and high Tg, and is laminated in combination with the polyimide layer (A) having high gas permeability. It is possible to thin the lower limit of the thickness of the layer (B) to 0.5 µm thinner than 2 µm.
[저장 탄성률의 관계] [Relation of Storage Modulus]
본 실시 형태의 금속장 적층판은, 폴리이미드층 (A)의 350℃에서의 저장 탄성률 EA와, 폴리이미드층 (B)의 350℃에서의 저장 탄성률 EB가 0.5≤(EA/EB)≤100의 관계를 갖는 것이 바람직하다. 저장 탄성률 EA와 저장 탄성률 EB의 관계를 상기와 같이 제어함으로써, 폴리이미드층 (A)와 폴리이미드층 (B)의 강도차가 작아지기 때문에, 열 처리시의 내압의 상승에 의한 응력이 폴리이미드층 (B)에 집중되는 것이 방지되어, 발포의 발생을 효과적으로 억제할 수 있다. 저장 탄성률 EA와 저장 탄성률 EB의 관계가 (EA/EB)>100인 경우에는, 폴리이미드층 (A)와 폴리이미드층 (B)의 강도차가 지나치게 커져, 열 처리시의 내압의 상승에 의한 응력이 폴리이미드층 (A)에 비해 막 두께가 얇고, 취약한 폴리이미드층 (B)에 집중되어버리기 때문에, 발포의 억제가 곤란해진다.In the metal-clad laminate of the present embodiment, the storage modulus E A at 350 ° C. of the polyimide layer (A) and the storage modulus E B at 350 ° C. of the polyimide layer (B) are 0.5 ≦ (E A / E B It is preferable to have a relationship of? By controlling the relationship between the storage modulus E A and the storage modulus E B as described above, the strength difference between the polyimide layer (A) and the polyimide layer (B) is reduced, so that the stress due to the increase in the internal pressure at the time of heat treatment is increased. Concentration on the mid layer (B) is prevented, and generation | occurrence | production of foaming can be suppressed effectively. When the relationship between the storage elastic modulus E A and the storage elastic modulus E B is (E A / E B )> 100, the difference in strength between the polyimide layer (A) and the polyimide layer (B) becomes too large, and the pressure resistance at the time of heat treatment Since the stress due to the rise is thinner than the polyimide layer (A) and is concentrated on the weak polyimide layer (B), suppression of foaming becomes difficult.
[폴리이미드의 합성] Synthesis of Polyimide
폴리이미드층 (A) 및 폴리이미드층 (B)를 구성하는 폴리이미드는, 산 무수물 성분과, 디아민 성분을 용매 중에서 반응시키고, 폴리아미드산을 생성한 후 가열 폐환시킴으로써 제조할 수 있다. 예를 들어, 산 무수물 성분과 디아민 성분을 거의 등몰로 유기 용매 중에 용해시켜, 0 내지 100℃의 범위 내의 온도에서 30분 내지 24시간 교반하여 중합 반응시킴으로써 폴리이미드의 전구체인 폴리아미드산이 얻어진다. 반응시에는, 생성되는 전구체가 유기 용매 중에 5 내지 30중량%의 범위 내, 바람직하게는 10 내지 20중량%의 범위 내가 되도록 반응 성분을 용해한다. 중합 반응에 사용하는 유기 용매로서는, 예를 들어 N,N-디메틸포름아미드(DMF), N,N-디메틸아세트아미드(DMAc), N,N-디에틸아세트아미드, N-메틸-2-피롤리돈(NMP), 2-부타논, 디메틸술폭시드(DMSO), 헥사메틸포스포르아미드, N-메틸카프로락탐, 황산디메틸, 시클로헥사논, 디옥산, 테트라히드로푸란, 디글라임, 트리글라임, 크레졸 등을 들 수 있다. 이들 용매를 2종 이상 병용하여 사용할 수도 있고, 나아가 크실렌, 톨루엔과 같은 방향족 탄화수소의 병용도 가능하다. 또한, 이러한 유기 용매의 사용량으로서는 특별히 제한되는 것은 아니지만, 중합 반응에 의해 얻어지는 폴리아미드산 용액의 농도가 5 내지 30중량% 정도가 되는 사용량으로 조정하여 사용하는 것이 바람직하다.The polyimide which comprises a polyimide layer (A) and a polyimide layer (B) can be manufactured by making an acid anhydride component and a diamine component react in a solvent, heat-closing after generating a polyamic acid. For example, the polyamic acid which is a precursor of a polyimide is obtained by dissolving an acid anhydride component and a diamine component in substantially equimolar in an organic solvent, stirring and reacting for 30 minutes to 24 hours at the temperature within the range of 0-100 degreeC. At the time of reaction, a reaction component is melt | dissolved so that the produced precursor may exist in the range of 5-30 weight% in the organic solvent, Preferably it is in the range of 10-20 weight%. As an organic solvent used for a polymerization reaction, for example, N, N-dimethylformamide (DMF), N, N-dimethylacetamide (DMAc), N, N-diethylacetamide, N-methyl-2-pi Ralidone (NMP), 2-butanone, dimethylsulfoxide (DMSO), hexamethylphosphoramide, N-methylcaprolactam, dimethyl sulfate, cyclohexanone, dioxane, tetrahydrofuran, diglyme, triglyme And cresols. Two or more types of these solvents may be used in combination, and further, combinations of aromatic hydrocarbons such as xylene and toluene may be used. The amount of the organic solvent is not particularly limited, but it is preferable to adjust the amount of the organic solvent to the amount of the polyamic acid solution obtained by the polymerization reaction to be about 5 to 30% by weight.
합성된 폴리아미드산은, 통상, 반응 용매 용액으로서 사용하는 것이 유리하지만, 필요에 따라 농축, 희석 또는 다른 유기 용매로 치환할 수 있다. 또한, 폴리아미드산은 일반적으로 용매 가용성이 우수하기 때문에, 유리하게 사용된다. 폴리아미드산의 용액 점도는, 500cps 내지 100,000cps의 범위 내인 것이 바람직하다. 이 범위를 벗어나면, 코터 등에 의한 도공 작업시에 필름에 두께 불균일, 줄무늬 등의 불량이 발생하기 쉬워진다. 폴리아미드산을 이미드화시켜 폴리이미드를 합성하는 방법은 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어 상기 용매 중에서, 80 내지 400℃의 범위 내의 온도 조건으로 1 내지 24시간에 걸쳐서 가열하는 열 처리가 적합하게 채용된다.The synthesized polyamic acid is usually advantageously used as a reaction solvent solution, but may be concentrated, diluted or substituted with another organic solvent as necessary. In addition, polyamic acids are advantageously used because they are generally excellent in solvent solubility. The solution viscosity of the polyamic acid is preferably in the range of 500 cps to 100,000 cps. If it is out of this range, defects, such as thickness nonuniformity and a stripe, will arise easily in a film at the time of coating work by a coater etc. The method for synthesizing the polyimide by imidating the polyamic acid is not particularly limited. For example, a heat treatment for heating for 1 to 24 hours at a temperature condition within the range of 80 to 400 ° C. is suitably employed. do.
<임의 성분> <Optional ingredient>
폴리이미드층 (A) 및 폴리이미드층 (B)를 구성하는 폴리이미드는, 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 예를 들어 난연화제, 충전재 등의 임의 성분을 함유할 수 있다.The polyimide which comprises a polyimide layer (A) and a polyimide layer (B) can contain arbitrary components, such as a flame retardant and a filler, in the range which does not impair the effect of this invention.
[금속층] [Metal layer]
금속층의 원료에는, 금속박을 사용하는 것이 바람직하다. 금속박을 구성하는 금속으로서, 예를 들어 구리, 알루미늄, 스테인리스, 철, 은, 팔라듐, 니켈, 크롬, 몰리브덴, 텅스텐, 지르코늄, 금, 코발트, 티타늄, 탄탈륨, 아연, 납, 주석, 실리콘, 비스무트, 인듐 또는 이들의 합금 등으로부터 선택되는 금속을 들 수 있다. 도전성의 관점에서 특히 바람직한 것은 구리박이다. 또한, 본 실시 형태의 금속장 적층판을 연속적으로 생산하는 경우에는, 금속박으로서, 소정의 두께인 것이 롤 형상으로 권취된 긴 형상의 금속박이 사용된다.It is preferable to use metal foil as a raw material of a metal layer. As the metal constituting the metal foil, for example, copper, aluminum, stainless steel, iron, silver, palladium, nickel, chromium, molybdenum, tungsten, zirconium, gold, cobalt, titanium, tantalum, zinc, lead, tin, silicon, bismuth, And metals selected from indium, alloys thereof, and the like. Particularly preferred from the viewpoint of conductivity is copper foil. In addition, when continuously producing the metal clad laminated board of this embodiment, as a metal foil, the elongate metal foil by which the thing of predetermined thickness was wound in roll shape is used.
또한, 금속박의 폴리이미드층 (B)와 직접 접하는 면의 표면 조도(Rz)는, 0.05 내지 3.5㎛의 범위 내인 것이 바람직하다. 이 범위 내이면, 폴리이미드층 (B)와의 접착력을 손상시키지 않고, 또한 열 처리시에 폴리이미드층 (A)와 폴리이미드층 (B)의 계면의 내압이 상승해도, 폴리이미드층 (B)의 파단이 발생하기 어려워, 발포가 억제되기 때문이다. 금속박의 Rz가 3.5㎛를 초과하면, 상기 내압의 상승에 의해, 폴리이미드층 (B)의 국소적인 파단이 발생하기 쉬워져, 발포의 원인이 된다. 여기서, Rz는, JIS B 0601(1994)에 규정되는 십점 평균 조도를 나타낸다.Moreover, it is preferable that the surface roughness Rz of the surface which directly contacts with the polyimide layer (B) of metal foil exists in the range of 0.05-3.5 micrometers. If it is in this range, even if the internal pressure of the interface of a polyimide layer (A) and a polyimide layer (B) raises, without damaging the adhesive force with a polyimide layer (B), a polyimide layer (B) This is because the fracture is unlikely to occur and foaming is suppressed. When Rz of metal foil exceeds 3.5 micrometers, local breakage of a polyimide layer (B) easily arises by the said internal pressure rise, and it causes foaming. Here, Rz represents the ten point average roughness prescribed | regulated to JISB0601 (1994).
[금속장 적층판의 제조] [Manufacture of Laminated Metal Sheets]
본 실시 형태의 금속장 적층판은, 예를 들어 이하의 방법으로 제조할 수 있다.The metal-clad laminate of the present embodiment can be produced, for example, by the following method.
우선, 금속층이 되는 금속박 상에, 폴리이미드층 (B)를 구성하는 폴리이미드의 전구체인 폴리아미드산을 함유하는 도포액을 캐스트하고, 건조하여 제1 도포막을 형성한다. 그 후, 제1 도포막 상에 주된 폴리이미드층 (A)를 구성하는 폴리이미드의 전구체인 폴리아미드산을 함유하는 도포액을 캐스트하고, 건조하여 제2 도포막을 형성한다. 도포액의 캐스트를 순차 반복함으로써, 도포막을 더 적층 형성해도 된다. 예를 들어, 폴리이미드층을 3층 구성으로 하는 경우에는, 제2 도포막 상에 폴리이미드층 (B)를 구성하는 폴리이미드의 전구체인 폴리아미드산을 더 함유하는 도포액을 캐스트하고, 건조하여 제3 도포막을 형성해도 된다. 도포하는 수단은 특별히 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 바 코트 방식, 그라비아 코트 방식, 롤 코트 방식, 다이 코트 방식 등 공지된 방법을 적절히 선택하여 채용할 수 있다.First, the coating liquid containing polyamic acid which is a precursor of the polyimide which comprises a polyimide layer (B) is cast on the metal foil used as a metal layer, and it dries and forms a 1st coating film. Then, the coating liquid containing polyamic acid which is a precursor of the polyimide which comprises the main polyimide layer (A) is cast on a 1st coating film, and it dries to form a 2nd coating film. You may further form a coating film by repeating the cast of a coating liquid one by one. For example, when making a polyimide layer three-layered constitution, the coating liquid further containing the polyamic acid which is a precursor of the polyimide which comprises a polyimide layer (B) is cast on a 2nd coating film, and it dries You may form a 3rd coating film. The means to apply | coat is not specifically limited, For example, well-known methods, such as a bar coat system, a gravure coat system, a roll coat system, and a die coat system, can be selected suitably and can be employ | adopted.
캐스트법에서는, 폴리아미드산과 용매를 함유하는 바니시의 상태에서 캐스트하는 것이 바람직하다. 용매로서는, 폴리아미드산의 중합 반응에 사용하는 상기 예시한 유기 용매를 들 수 있다. 용매는, 1종 혹은 2종 이상 병용하여 사용할 수도 있다.In the cast method, it is preferable to cast in the state of the varnish containing a polyamic acid and a solvent. As a solvent, the above-mentioned organic solvent used for the polymerization reaction of polyamic acid is mentioned. A solvent can also be used 1 type or in combination or 2 or more types.
도포막은, 용매를 포함하는 경우에는 적당한 범위까지 건조된다. 이 때의 건조 온도는, 폴리아미드산의 이미드화가 진행되지 않을 정도의 온도에서 행하는 것이 바람직하고, 구체적으로는 150℃ 이하인 것이 바람직하고, 110 내지 140℃의 범위 내가 바람직하다. 본 실시 형태의 금속장 적층판은, 폴리이미드층 (A) 및 폴리이미드층 (B)가 상기한 구성을 가짐으로써, 용매의 잔류량이 극단적으로 커지지 않는 한, 다음 공정의 이미드화를 위한 열 처리의 과정에서, 잔류하고 있는 용매가 기화되어도 발포의 발생이 억제된다.When a coating film contains a solvent, it dries to an appropriate range. The drying temperature at this time is preferably performed at a temperature at which the imidation of the polyamic acid does not proceed, specifically, it is preferably 150 ° C. or less, and preferably within the range of 110 to 140 ° C. In the metal-clad laminate of the present embodiment, since the polyimide layer (A) and the polyimide layer (B) have the above-described configuration, the heat treatment for imidization of the next step is carried out as long as the residual amount of the solvent does not become extremely large. In the process, generation of foaming is suppressed even if the remaining solvent is vaporized.
그 후, 금속층과 도포막을 포함하는 적층체를 열 처리하여 이미드화함으로써, 예를 들어 금속층/폴리이미드층 (B)/폴리이미드층 (A)의 적층 구조를 갖는 편면 금속장 적층판이나, 금속층/폴리이미드층 (B)/폴리이미드층 (A)/폴리이미드층 (B) 등의 적층 구조를 갖는 금속장 적층판을 형성할 수 있다. 후자의 경우, 또한, 폴리이미드층 (B) 상에 금속박을 열 압착 등의 방법으로 라미네이트함으로써, 금속층/폴리이미드층 (B)/폴리이미드층 (A)/폴리이미드층 (B)/금속층의 적층 구조를 갖는 양면 금속장 적층판을 형성할 수 있다.Then, the laminated body containing a metal layer and a coating film is heat-processed and imidated, for example, the single-sided metal sheet laminated board which has a laminated structure of a metal layer / polyimide layer (B) / polyimide layer (A), or a metal layer / A metal-clad laminate having a laminated structure such as polyimide layer (B) / polyimide layer (A) / polyimide layer (B) can be formed. In the latter case, the metal layer / polyimide layer (B) / polyimide layer (A) / polyimide layer (B) / metal layer is further laminated by laminating metal foil on the polyimide layer (B) by a method such as thermocompression bonding. A double-sided metal sheet laminate having a laminated structure can be formed.
<회로 기판> <Circuit board>
본 실시 형태의 금속장 적층판은, 주로 FPC 등의 회로 기판의 재료로서 유용하다. 즉, 본 실시 형태의 금속장 적층판의 금속층을 통상의 방법에 의해 패턴 형상으로 가공하여 배선층을 형성함으로써, 본 발명의 일 실시 형태인 FPC 등의 회로 기판을 제조할 수 있다.The metal-clad laminate of the present embodiment is mainly useful as a material for circuit boards such as FPC. That is, the circuit boards, such as FPC which is one Embodiment of this invention, can be manufactured by processing the metal layer of the metal-clad laminated board of this embodiment to a pattern shape by a conventional method, and forming a wiring layer.
[실시예]EXAMPLE
이하에 실시예를 나타내어, 본 발명의 특징을 보다 구체적으로 설명한다. 단, 본 발명의 범위는 실시예로 한정되지 않는다. 또한, 이하의 실시예에 있어서, 특별히 언급하지 않는 한 각종 측정, 평가는 하기에 의한 것이다.An Example is shown below and the characteristic of this invention is demonstrated more concretely. However, the scope of the present invention is not limited to the Example. In addition, in the following Examples, unless otherwise indicated, various measurements and evaluation are based on the following.
[유리 전이 온도(Tg)·저장 탄성률의 측정] [Measurement of Glass Transition Temperature (Tg) and Storage Modulus]
유리 전이 온도(Tg), 저장 탄성률은, 각 합성예의 폴리이미드 전구체 수지에 의해 얻어진 폴리이미드 필름을, 레오메트릭·사이언티픽사제의 동적 점탄성 측정 장치로, 5℃/min으로 승온시켰을 때의 동적 점탄성을 측정하여, Tg(tanδ의 극댓값) 및 350℃에서의 저장 탄성률을 구하였다.Glass transition temperature (Tg) and storage elastic modulus are the dynamics when the polyimide film obtained by the polyimide precursor resin of each synthesis example was heated up at 5 degree-C / min with the dynamic viscoelasticity measuring apparatus by the rheometric scientific company. Viscoelasticity was measured and Tg (maximum value of tan-delta) and storage elastic modulus at 350 degreeC were calculated | required.
[열팽창 계수(CTE)의 측정] [Measurement of coefficient of thermal expansion (CTE)]
3mm×20mm의 사이즈의 폴리이미드 필름을, 서모 메카니컬 애널라이저(Bruker사제, 상품명; 4000SA)를 사용하여, 5.0g의 하중을 가하면서 일정한 승온 속도로 30℃부터 250℃까지 승온시키고, 또한 이 온도에서 10분 유지한 후, 5℃/분의 속도로 냉각하여, 250℃부터 100℃까지의 평균 열팽창 계수(열팽창 계수)를 구하였다.The polyimide film of the size of 3mm x 20mm was heated up from 30 degreeC to 250 degreeC at a constant temperature increase rate, applying the load of 5.0g using a thermomechanical analyzer (Bruker make, brand name; 4000SA), and also at this temperature After holding for 10 minutes, the mixture was cooled at a rate of 5 ° C / min, and an average thermal expansion coefficient (thermal expansion coefficient) from 250 ° C to 100 ° C was obtained.
[필 강도의 측정] [Measurement of Peel Strength]
편면 동장 적층판(구리박/수지층)의 구리박을 폭 1.0mm로 회로 가공(배선 가공)한 후, 폭; 8cm×길이; 4cm로 절단하여, 측정 샘플 1을 제조하였다. 측정 샘플의 필 강도는, 텐실론 테스터(도요 세끼 세이사꾸쇼제, 상품명; 스트로그래프 VE-1D)를 사용하여, 측정 샘플의 구리박면을 양면 테이프에 의해 알루미늄판에 고정하고, 구리박을 180° 방향으로 50mm/분의 속도로, 수지 도공측의 구리박과 수지층으로부터 10mm 박리했을 때의 중앙값 강도를 구하였다.After the copper foil of a single-sided copper clad laminated board (copper foil / resin layer) was circuit-processed (wiring process) to 1.0 mm in width, width; 8 cm x length; Cutting to 4 cm, measurement sample 1 was prepared. The peel strength of the measurement sample fixed the copper foil surface of a measurement sample to an aluminum plate with a double-sided tape using a tensilon tester (Toyo Seiki Seisakusho make, brand name; strograph VE-1D), and copper foil 180 The median intensity | strength at the time of peeling 10 mm from the copper foil and resin layer on the resin coating side at the speed | rate of 50 mm / min in the direction of ° was calculated | required.
[제1층의 저장 탄성률의 측정] [Measurement of Storage Modulus of First Layer]
제1층의 저장 탄성률은, 5mm×20mm의 사이즈의 폴리이미드 필름을, 점탄성 측정 장치(DMA: TA 인스트루먼트사제, 상품명; RSA3)를 사용하여, 30℃부터 400℃까지의 승온 속도를 5℃/분, 주파수 1Hz의 조건으로 측정하였다.The storage elastic modulus of a 1st layer uses the polyimide film of the size of 5 mm x 20 mm, and uses the viscoelasticity measuring apparatus (DMA: TA Instruments Co., brand name; RSA3), The temperature increase rate from 30 degreeC to 400 degreeC is 5 degreeC / It measured on the conditions of minutes and the frequency of 1 Hz.
[발포의 평가] [Evaluation of foam]
폴리이미드층 (A) 및 폴리이미드층 (B)의 층간에서 박리가 확인되거나, 또는 폴리이미드층에 균열이 발생하는 경우를 「발포 있음」이라 하고, 박리나 균열이 없는 경우를 「발포 없음」이라 하였다.When peeling is confirmed between the layers of a polyimide layer (A) and a polyimide layer (B), or a crack generate | occur | produces in a polyimide layer, it is called "with foaming", and the case where there is no peeling or a crack is "no foaming" It was called.
[점도의 측정] [Measurement of viscosity]
점도의 측정은, E형 점도계(브룩필드사제, 상품명; DV-II+Pro)를 사용하여, 25℃에서의 점도를 측정하였다. 토크가 10% 내지 90%가 되도록 회전수를 설정하고, 측정을 개시하고 나서 2분 경과 후, 점도가 안정되었을 때의 값을 판독하였다.The measurement of the viscosity measured the viscosity in 25 degreeC using the E-type viscosity meter (the Brookfield company make, brand name; DV-II + Pro). The rotation speed was set so that torque might become 10%-90%, and the value when 2 minutes passed after starting a measurement and the viscosity was stabilized was read.
[폴리이미드의 중량 평균 분자량(Mw)의 측정] [Measurement of Weight Average Molecular Weight (Mw) of Polyimide]
중량 평균 분자량은, 겔 침투 크로마토그래프(도소 가부시키가이샤제, HLC-8220GPC를 사용)에 의해 측정하였다. 표준 물질로서 폴리스티렌을 사용하고, 전개 용매에 DMAc를 사용하였다.The weight average molecular weight was measured by the gel permeation chromatograph (made by Tosoh Corporation, HLC-8220GPC). Polystyrene was used as standard and DMAc was used as the developing solvent.
실시예 중에서의 약호를 설명한다.The symbol in an Example is demonstrated.
DMAc: N,N'-디메틸아세트아미드DMAc: N, N'-dimethylacetamide
PMDA: 피로멜리트산 이무수물PMDA: pyromellitic dianhydride
BPDA: 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물BPDA: 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride
6FDA: 2,2'-비스(3,4-디카르복시페닐)헥사플루오로프로판 이무수물6FDA: 2,2'-bis (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane dianhydride
ODA: 4,4'-디아미노디페닐에테르ODA: 4,4'-diaminodiphenyl ether
p-PDA: 파라페닐렌디아민p-PDA: paraphenylenediamine
TFMB: 4,4'-디아미노-2,2'-비스(트리플루오로메틸)비페닐TFMB: 4,4'-diamino-2,2'-bis (trifluoromethyl) biphenyl
m-TB: 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐m-TB: 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl
BAPP: 2,2'-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판BAPP: 2,2'-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane
TPE-R: 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠TPE-R: 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene
합성예 1 내지 18Synthesis Examples 1 to 18
질소 기류하에서, 표 1에 나타낸 디아민 화합물을 300ml의 세퍼러블 플라스크 중에서 교반하면서, 용매 DMAc 250 내지 300g 정도에 용해시켰다. 이어서, 표 1에 나타낸 테트라카르복실산 이무수물을 가하였다. 그 후, 용액을 실온에서 4시간 교반을 계속하여 중합 반응을 행하여, 점조한 폴리아미드산 용액 a 내지 r(고형분 농도; 15wt%)을 얻었다. 또한, 표 1 중의 수치는 원료의 몰비를 나타낸다.Under a nitrogen stream, the diamine compounds shown in Table 1 were dissolved in about 250 to 300 g of solvent DMAc while stirring in a 300 ml separable flask. Then, tetracarboxylic dianhydride shown in Table 1 was added. Thereafter, the solution was stirred at room temperature for 4 hours to carry out a polymerization reaction, thereby obtaining a viscous polyamic acid solution a to r (solid content concentration: 15 wt%). In addition, the numerical value of Table 1 shows the molar ratio of a raw material.
또한, 합성예 1, 2, 3, 4, 5, 6 및 7에서 제조한 폴리아미드산을 이미드화하여 얻어지는 폴리이미드의 저장 탄성률의 측정 결과를 도 1에 도시하였다. 또한, 도 1에 있어서의 부호 a, b, c, d, e, f, g는, 표 1에 나타낸 폴리아미드산 용액에 대응한다.In addition, the measurement result of the storage elastic modulus of the polyimide obtained by imidating the polyamic acid manufactured by the synthesis examples 1, 2, 3, 4, 5, 6, and 7 is shown in FIG. In addition, the code | symbol a, b, c, d, e, f, g in FIG. 1 respond | corresponds to the polyamic-acid solution shown in Table 1. As shown in FIG.
[실시예 1] Example 1
두께 12㎛, 표면 조도 Rz 0.5㎛의 구리박 상에 합성예 3에서 제조한 폴리아미드산 용액 c를 경화 후의 두께가 2㎛가 되도록 도포하고, 140℃ 미만에서 30분간 건조하였다. 이 위로부터, 합성예 1에서 제조한 폴리아미드산 용액 a를 경화 후의 두께가 21㎛가 되도록 도포하고, 140℃ 미만에서 1.5분간 건조하였다. 또한, 이들 2층의 폴리아미드산층 상에, 합성예 3에서 제조한 폴리아미드산 용액 c를 경화 후의 두께가 2㎛가 되도록 도포하고, 140℃ 미만에서 30분간 건조한 후, 150 내지 360℃의 온도 범위에서 몇 단계로 나누어, 단계적으로 승온 가열하여, 절연 수지층의 편면에 구리박을 갖는 금속장 적층판을 얻었다. 절연 수지층을 구성하는 폴리이미드층은, 구리박에 접하고 있는 측으로부터 순서대로 폴리이미드층 (B)인 제1층, 폴리이미드층 (A)인 제2층, 폴리이미드층 (B)인 제3층으로 하였다. 얻어진 금속장 적층판에 대하여, 제1층의 350℃에서의 저장 탄성률 및 Tg를 측정함과 함께, 필 강도 및 발포의 유무를 평가하였다. 평가 결과를 표 2에 나타낸다.The polyamic acid solution c prepared in Synthesis Example 3 was applied onto a copper foil having a thickness of 12 µm and a surface roughness Rz of 0.5 µm so as to have a thickness of 2 µm after curing, and dried at less than 140 ° C for 30 minutes. From this, the polyamic acid solution a prepared in Synthesis Example 1 was applied so that the thickness after curing was 21 μm, and dried at less than 140 ° C. for 1.5 minutes. Furthermore, on these two layers of polyamic acid layers, the polyamic acid solution c prepared in Synthesis Example 3 was applied so that the thickness after curing was 2 μm, and dried at less than 140 ° C. for 30 minutes, followed by a temperature of 150 to 360 ° C. It divided into several steps within the range, and it heated up step by step, and obtained the metal-clad laminated board which has copper foil on the single side | surface of the insulated resin layer. The polyimide layer which comprises an insulated resin layer is a 1st layer which is a polyimide layer (B), the 2nd layer which is a polyimide layer (A), and a polyimide layer (B) in order from the side which contact | connects copper foil. It was set as three layers. About the obtained metal-clad laminate, while measuring the storage elastic modulus and Tg in 350 degreeC of a 1st layer, the peeling strength and the presence or absence of foaming were evaluated. The evaluation results are shown in Table 2.
[실시예 2 내지 8 및 비교예 1 내지 7] [Examples 2 to 8 and Comparative Examples 1 to 7]
제1층, 제2층 및 제3층의 폴리이미드층을 형성하기 위한 폴리아미드산 용액의 종류를 표 2 및 표 3에 나타내는 것으로 변경한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 금속장 적층판을 제작하고, 제1층의 350℃에서의 저장 탄성률 및 Tg를 측정함과 함께, 필 강도 및 발포의 유무를 평가하였다. 평가 결과를 표 2 및 표 3에 나타낸다.The metal-clad laminate was made in the same manner as in Example 1 except that the kind of the polyamic acid solution for forming the polyimide layer of the first layer, the second layer, and the third layer was changed to those shown in Tables 2 and 3. It produced and measured the storage elastic modulus and Tg in 350 degreeC of a 1st layer, and evaluated the presence or absence of peeling strength and foaming. The evaluation results are shown in Tables 2 and 3.
[실시예 9] Example 9
제1층, 제2층 및 제3층의 두께를 각각 6㎛, 21㎛, 6㎛로 한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 금속장 적층판을 얻었지만, 발포는 확인되지 않았다.A metal-clad laminate was obtained in the same manner as in Example 1 except that the thicknesses of the first layer, the second layer, and the third layer were 6 µm, 21 µm, and 6 µm, respectively, but foaming was not confirmed.
[비교예 8] Comparative Example 8
제1층, 제2층 및 제3층의 두께를 각각 6㎛, 21㎛, 6㎛로 한 것 이외는, 비교예 5와 마찬가지로 하여 금속장 적층판을 제작한 바, 발포가 확인되었다.Foaming was confirmed when a metal-clad laminate was produced in the same manner as in Comparative Example 5 except that the thicknesses of the first layer, the second layer, and the third layer were 6 µm, 21 µm, and 6 µm, respectively.
[비교예 9] Comparative Example 9
제1층, 제2층 및 제3층의 두께를 각각 6㎛, 21㎛, 6㎛로 한 것 이외는, 비교예 6과 마찬가지로 하여 금속장 적층판을 제작한 바, 발포가 확인되었다.Foaming was confirmed when a metal-clad laminate was produced in the same manner as in Comparative Example 6 except that the thicknesses of the first layer, the second layer, and the third layer were 6 µm, 21 µm, and 6 µm, respectively.
[비교예 10] Comparative Example 10
제1층, 제2층 및 제3층의 두께를 각각 6㎛, 21㎛, 6㎛로 한 것 이외는, 비교예 7과 마찬가지로 하여 금속장 적층판을 제작한 바, 발포가 확인되었다.Foaming was confirmed when a metal-clad laminate was produced in the same manner as in Comparative Example 7 except that the thicknesses of the first layer, the second layer, and the third layer were 6 µm, 21 µm, and 6 µm, respectively.
이상, 본 발명의 실시 형태를 예시한 목적으로 상세하게 설명했지만, 본 발명은 상기 실시 형태로 제약되지 않는다.As mentioned above, although embodiment of this invention was described in detail for the objective which illustrated, this invention is not restrict | limited to the said embodiment.
Claims (8)
상기 절연 수지층은, 주된 폴리이미드층 (A)와, 상기 폴리이미드층 (A)의 편면 또는 양면에 적층되며, 또한 상기 금속층과 접하는 폴리이미드층 (B)를 포함하는 복수의 폴리이미드 수지층을 갖고,
상기 폴리이미드층 (A) 및 상기 폴리이미드층 (B)를 구성하고 있는 폴리이미드는, 각각 산 무수물 성분으로부터 유도되는 산 무수물 잔기와, 디아민 성분으로부터 유도되는 디아민 잔기를 함유하고 있고,
상기 폴리이미드층 (A)를 구성하고 있는 폴리이미드는, 불소 원자를 포함하는 방향족 디아민 화합물로부터 유도되는 디아민 잔기 및/또는 불소 원자를 포함하는 방향족 테트라카르복실산 무수물로부터 유도되는 산 무수물 잔기를 포함하고,
상기 폴리이미드층 (B)는, 350℃에서의 저장 탄성률이 1×108Pa 이상이며, 또한 유리 전이 온도가 280℃ 이상인 폴리이미드로 구성되는 것을 특징으로 하는 금속장 적층판.As a metal-clad laminated board which has an insulated resin layer and the metal layer laminated | stacked on the single side | surface or both surfaces of the said insulated resin layer,
The said insulated resin layer is laminated | stacked on the single side | surface or both surfaces of the main polyimide layer (A) and the said polyimide layer (A), and the some polyimide resin layer containing the polyimide layer (B) which contact | connects the said metal layer. With
The polyimide which comprises the said polyimide layer (A) and the said polyimide layer (B) contains the acid anhydride residue derived from an acid anhydride component, and the diamine residue derived from a diamine component, respectively,
The polyimide which comprises the said polyimide layer (A) contains the diamine residue derived from the aromatic diamine compound containing a fluorine atom, and / or the acid anhydride residue derived from the aromatic tetracarboxylic anhydride containing a fluorine atom. and,
The said polyimide layer (B) is a metal clad laminated board characterized by the storage elastic modulus in 350 degreeC being 1 * 10 <8> Pa or more, and the glass transition temperature being comprised by polyimide whose 280 degreeC or more.
[일반식 (A1) 중, 치환기 X는 독립적으로 불소 원자로 치환되어 있는 탄소수 1 내지 3의 알킬기를 나타내고, m 및 n은 독립적으로 1 내지 4의 정수를 나타낸다.]The polyimide of claim 1, wherein the polyimide constituting the polyimide layer (A) has a diamine residue derived from a diamine compound represented by the following general formula (A1) with respect to a total of 100 mol parts of the diamine residue: Metal-clad laminate containing more than mole parts.
[In general formula (A1), substituent X represents the C1-C3 alkyl group independently substituted by the fluorine atom, and m and n represent the integer of 1-4 independently.]
[일반식 (A2) 중, 치환기 Y는 독립적으로 탄소수 1 내지 3의 알킬기 혹은 알콕시기 또는 탄소수 2 내지 3의 알케닐기를 나타내고, p 및 q는 독립적으로 0 내지 4의 정수를 나타낸다.] The polyimide which comprises the said polyimide layer (A) is a diamine residue derived from the diamine compound represented by following General formula (A2) with respect to a total of 100 mol part of the said diamine residues, 0. Metal-clad laminated sheet containing within the range of -50 mol part.
[In general formula (A2), substituent Y independently represents a C1-C3 alkyl group or an alkoxy group, or a C2-C3 alkenyl group, and p and q represent the integer of 0-4 independently.]
상기 절연 수지층은, 주된 폴리이미드층 (A)와, 상기 폴리이미드층 (A)의 편면 또는 양면에 적층되며, 또한 상기 금속 배선층과 접하는 폴리이미드층 (B)를 포함하는 복수의 폴리이미드 수지층을 갖고,
상기 폴리이미드층 (A) 및 상기 폴리이미드층 (B)를 구성하고 있는 폴리이미드는, 각각 산 무수물 성분으로부터 유도되는 산 무수물 잔기와, 디아민 성분으로부터 유도되는 디아민 잔기를 함유하고 있고,
상기 폴리이미드층 (A)를 구성하고 있는 폴리이미드는, 불소 원자를 포함하는 방향족 디아민 화합물로부터 유도되는 디아민 잔기 및/또는 불소 원자를 포함하는 방향족 테트라카르복실산 무수물로부터 유도되는 산 무수물 잔기를 포함하고,
상기 폴리이미드층 (B)는, 350℃에서의 저장 탄성률이 1×108Pa 이상이며, 또한 유리 전이 온도가 280℃ 이상인 폴리이미드로 구성되는 것을 특징으로 하는 회로 기판.As a circuit board which has an insulated resin layer and the metal wiring layer laminated | stacked on the single side | surface or both surfaces of the said insulated resin layer,
The said insulated resin layer is laminated | stacked on the single side | surface or both surfaces of the main polyimide layer (A), and the said polyimide layer (A), and the several polyimide number containing the polyimide layer (B) which contact | connects the said metal wiring layer. Have strata,
The polyimide which comprises the said polyimide layer (A) and the said polyimide layer (B) contains the acid anhydride residue derived from an acid anhydride component, and the diamine residue derived from a diamine component, respectively,
The polyimide which comprises the said polyimide layer (A) contains the diamine residue derived from the aromatic diamine compound containing a fluorine atom, and / or the acid anhydride residue derived from the aromatic tetracarboxylic anhydride containing a fluorine atom. and,
The said polyimide layer (B) is a circuit board characterized by being made from polyimide whose storage elastic modulus in 350 degreeC is 1 * 10 <8> Pa or more, and glass transition temperature is 280 degreeC or more.
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