KR20190097114A - 마이크로리소그래피용 광학 시스템의 이미징 특성을 변경하기 위한 방법 및 디바이스 - Google Patents

Abstract

본 발명은 마이크로리소그래피용 광학 시스템의 이미징 특성을 변경하기 위한 방법 및 디바이스에 관한 것이다. 본 발명에 따른 방법은 적어도 하나의 인터페이스를 통해 광학 시스템에 결합되는 제어 신호(A, B, C)에 의한 이미징 특성의 변경을 수반하고, 이미징 특성의 원하는 변경을 위한 제어에 결합된 이들 제어 신호의 각각의 값은 모델에 기초하여 결정되고, 이 모델은, 제어 신호의 상이한 값에 대해 얻어지는 이미징 특성의 각각의 변경이 결정되는 학습 단계에서, 광학 시스템으로의 모델의 연속적인 개별 적응이 발생하는 것에 의해 생성되고, 학습 단계는 광학 시스템 내의 내부 동작 메커니즘에 관한 명시적 정보의 제공 없이 수행된다.

Description

마이크로리소그래피용 광학 시스템의 이미징 특성을 변경하기 위한 방법 및 디바이스

본 출원은 2016년 12월 21일 출원된 독일 특허 출원 DE 10 2016 225 899.0호의 우선권을 주장한다. 이 DE 출원의 내용은 본 출원 명세서에 참조로서 합체되어 있다.

발명의 분야

본 발명은 마이크로리소그래피 광학 시스템의 이미징 특성을 변경하기 위한 방법 및 장치에 관한 것이다.

마이크로리소그래피가 예를 들어, 집적 회로 또는 LCD와 같은 마이크로구조화된 구성요소(microstructured component)를 제조하기 위해 사용된다. 마이크로리소그래피 프로세스는 조명 디바이스 및 투영 렌즈를 포함하는 소위 투영 노광 장치에서 수행된다. 조명 디바이스에 의해 조명되는 마스크(= 레티클)의 화상은, 기판의 감광 코팅에 마스크 구조를 전사하기 위해, 이 경우에 감광층(포토레지스트)으로 코팅된 기판(예를 들어, 실리콘 웨이퍼) 상에 투영 렌즈에 의해 투영되고 투영 렌즈의 화상 평면 내에 배열된다.

화상 위치 정확도 및 화상 품질(모두 광축을 따라, 또는 광 전파 방향으로, 그리고 측방향으로, 또는 광축 또는 광 전파 방향에 수직으로)을 증가시키기 위해, 특히 광학 시스템 내의 광학 요소(예를 들어, 미러)의 하나 이상을 적응성 또는 작동 가능 요소로서 구성하는 것이 알려져 있다.

단지 예시로서, 광학 시스템의 하나 이상의 미러를 압전 재료로 제조된 액추에이터 층으로 구성하는 것이 알려져 있으며, 여기서 국부적으로 변화하는 강도를 갖는 전기장이 압전층을 가로질러 생성되어 그 결과, 적응성 미러의 반사층 시스템이 압전층의 국부 변형과 함께 변형한다. 따라서, (가능하게는 또한 시간적으로 변하는) 이미징 수차는 전극을 적합하게 제어함으로써 적어도 부분적으로 보정될 수 있다. 그러나, 미러의 반사층 시스템의 변형 또는 렌즈 요소와 같은 다른 광학 요소의 작동이 또한 일반적으로 마이크로리소그래피 이미징 프로세스를 더욱 최적화하기 위해 사용될 수 있다.

관련 적응성 광학 요소의 표면 곡률의 설정을 실제로 가능한 정확하게 시간적으로 안정한 방식으로 허용하기 위해, 다양한 접근법이 종래 기술에서 알려져 있는데, 원리적으로 적응성 요소의 각각의 액추에이터의 모델-기반 개루프 제어와 액추에이터의 폐루프 제어 사이의 구별이 측정 데이터에 기초하여 이루어진다.

액추에이터의 모델-기반 개루프 제어를 실현하기 위한 공지된 접근법에서, 관련된 요소의 구성 및 통상적인 재료 특성에 관한 명시적인 지식 또는 정보를 채용하는 모델이 생성되어 각각의 얻어진 표면 곡률을 계산하는 데 사용되며, 액추에이터의 제어는 실제로 얻어진 표면 곡률의 지식 없이, 그리고 특히 대응하는 센서 시스템이 없이 또는 폐루프 제어 시스템이 없이 실행된다.

그러나 명시적 모델을 기초로 하는 이러한 개루프 제어에서, 실제로는 - 이하에 더 상세히 설명되는 바와 같이 - 구체적 광학 시스템의 특정 "고유" 특성(예를 들어, 개별 제조 에러로 인한 특정 이미징 거동)이 존재할 때 개루프 제어가 기초로 하는 명시적 모델의 유효성이 제한되는 문제점이 발생할 수도 있고, 여기서 적절한 보정 또는 모델 적응은 이 경우에 고려되어야 할 수도 있는 많은 수의 영향 파라미터의 견지에서 극단적으로 복잡한 것으로 입증될 수도 있다.

전술된 모델-기반 개루프 제어에 대한 대안으로서 마찬가지로 고려 가능한 측정 데이터(예를 들어, 각각의 요소의 실제로 얻어진 표면 곡률의 측정치)에 기초한 액추에이터의 폐루프 제어에 관해서는, 표면 곡률의 얻어질 수 있는 정확성이 실제로 이 관점에서 개선될 수 있지만, 이는 특히 이를 위해 요구되는 광학 측정 방법의 견지에서 구성 복잡성의 증가를 수반할 수 있다.

종래 기술과 관련하여, 단지 예로서, DE 10 2011 005 940 A1호를 참조한다.

본 발명의 목적은 비교적 적은 복잡성으로 가능한 한 정확하게 변경하는 것을 가능하게 하는 마이크로리소그래피 광학 시스템의 이미징 특성을 변경하기 위한 방법 및 장치를 제공하는 것이다.

이 목적은 독립 특허 청구항 1의 특징에 따른 방법 및 대안적인 독립 특허 청구항 9의 특징에 따른 디바이스에 의해 달성된다.

마이크로리소그래피 광학 시스템의 이미징 특성을 변경하기 위한 본 발명에 따른 방법에서,

- 이미징 특성은 적어도 하나의 인터페이스를 통해 광학 시스템에 결합되는 제어 신호에 의해 변경되고,

- 각각의 경우에 이미징 특성의 원하는 변경을 위해 제어하는 동안 결합된 상기 제어 신호의 값은 모델에 기초하여 확인되고,

- 상기 모델은, 각각의 경우에 제어 신호의 상이한 값에 대해 얻어지는 이미징 특성의 변경이 확인되는 학습 단계에서, 광학 시스템으로의 모델의 연속적인 개별 적응을 수행하는 것에 의해 생성되고;

- 학습 단계는 광학 시스템 내의 내부 동작 메커니즘에 관한 명시적 정보의 사전 지정 없이 수행된다.

실시예에 따르면, 광학 시스템의 적어도 하나의 요소는 이미징 특성을 변경하기 위해 작동되고, 상기 작동은 제어 신호에 기초하여 적어도 하나의 액추에이터를 제어함으로써 실행된다.

본 발명은 특히, 요소를 작동시키기 위한 액추에이터의 모델-기반 제어의 원리로부터 시작하여, 여기서 사용되는 모델이 예를 들어 관련 요소의 구성, 재료 특성 등에 관한 명시적 지식을 사용하여 도입부에서 설명된 종래의 접근법에서와 같이 생성되거나 지정되지 않고, 오히려 거기에 포함되는 모델 또는 지식이 실제 광학 시스템에 대한 훈련을 통해 학습 단계에서 암시적으로 산출되게 하는 개념에 기초한다.

달리 말하면, 본 발명에 따른 방법은 작동될 요소를 위한 또는 상기 요소를 포함하는 시스템을 위한 동작 또는 원인-효과 관계의 메커니즘을 미리 모델링하고 이들을 액추에이터를 제어하는 명시적 모델의 형태의 기초로서 사용하는 개념을 배제하고, 대신에, 구체적으로 이를 학습 단계에 위탁하여(정보 과학으로부터 자체로 공지된 인공 지능 또는 신경망의 개념에 따라) 상기 학습 단계에서 구체적 광학 시스템이 제어 신호의 상이한 허용 가능한 값 또는 이에 의해 야기된 각각의 요소의 작동(예를 들어, 적응성 미러의 얻어진 표면 곡률)에 대해 어떻게 반응하는지를 확인하는 것에 의해 자동으로 또는 자체적으로 상기 관계를 발견한다.

구체적 시스템 또는 요소의 특성의 명시적 지식에 기초하는 모델의 지정이 배제되는 사실에 기인하여, 이러한 명시적 지식을 설정하기 위해 필요한 (예를 들어, 개발) 동작이 요구되지 않아, 리소스의 상당한 보존을 야기한다.

더욱이, 본 발명에 따르면, 각각의 광학 요소의 개루프 제어가 실제 광학 시스템에서 학습 단계에서 기초하는 모델을 생성하는(즉, "암시적 모델링") 상당한 장점은, 여기서 암시적으로 생성된 모델이 구체적 시스템 또는 그 내에 장착된 적응성 요소에 미리 최적으로 맞춤화되어 있으며, 특히 임의의 프로세스 변동 또는 제조 공차가 부가의 복잡성 또는 특수 조치 없이 모델에서 자동으로 고려되는 사실에 있다. 그 결과, 비교적 낮은 복잡성으로 이미징 특성의 실제로 영향을 받은 변화에 대한 더 정확한 설명 또는 예측을 얻는 것이 따라서 가능하며(예를 들어, 요소의 각각의 얻어진 표면 곡률을 기술함으로써), 특히 명시적 모델링의 경우에서 전술된 시나리오에서와 같은 모델 구조의 변경이 임의의 시간에 요구되지 않는다.

더욱이, 동적 영향 또는 드리프트 효과는 본 발명에 따른 암시적 모델링에서 생성된 모델에 자동적으로 포함되거나 부가의 수단 없이 포함되고, 따라서 본 발명에 따른 방법에서 특정(가능하게 연장된) 시간 기간에 걸쳐 연장하는 학습 단계로 인해 마찬가지로 자동적으로 고려된다.

더욱이, 본 발명에 따라 생성된 모델의 품질의 개선이 훈련 또는 학습 단계의 시간 기간을 연장시킴으로써 달성될 수 있는 한, 이는 예를 들어 도입부에서 설명된 종래의 명시적 모델링의 증가된 개발 복잡성에 비교할 때 비교적 용이하고 비용 효과적으로 구현 가능하다.

원리적으로, 예를 들어 정보 과학의 분야로부터 자체로 공지되어 있는, 신경망의 형태인 인공 지능의 접근에 기초하는 본 발명에 따른 모델 생성은 아직 발생하지 않은 상황에 대해서도 예측의 계산을 가능하게 하고, 그 결과 특히 폐루프 제어의 능력 레벨에 도달할 수도 있는 본 발명에 따른 개루프 제어 능력의 증가된 레벨이 얻어질 수 있다.

측정 데이터에 기초한 폐루프 제어에 관한 도입부에 설명된 접근법과 비교할 때, 본 발명에 따른 방법은 특히 대응하는 광학 측정 시스템 및 연계된 구성 개발 복잡성을 배제하는 것을 가능하게 하는 장점을 갖는다.

그 결과, 실제 측정 결과에 기초한 폐루프 제어와 연계된 구성 복잡성이 따라서 본 발명에 따른 방법에서 회피될뿐만 아니라, 폐루프 제어에 의해 얻어질 수 있는 결과에 더 밀접하게 근접하고 명시적 모델링에 비교하여 비교적 정확한 광학 시스템의 이미징 특성의 변경의 개루프 제어가 또한 실현된다.

본 발명에 따른 암시적 모델링에 의해 설명된 구체적 광학 시스템의 거동과 관련하여, 본 발명은 시스템의 기계적 거동에 한정되지 않고, 열적 거동, 전달 거동, 및 전자 또는 전자기 거동을 포함하는 임의의 원하는 동작의 메커니즘에 적용 가능하다.

일 실시예에 따르면, 모델은 인공 지능의 방법을 사용하여 생성되고, 광학 시스템 내로의 제어 신호의 상이한 값의 결합에 의한 훈련은 학습 단계에서 수행된다.

일 실시예에 따르면, 인공 지능의 방법은 감독 학습, 무감독 학습 및 반감독 학습을 포함하는 그룹으로부터 선택된다. 예를 들어 신경망이 여기서 사용될 수 있다. 그러나, 본 발명은 인공 지능의 특정 방법의 적용에 한정되지 않고, 임의의 원하는 적합한 방법으로 실현될 수 있다. 이러한 맥락에서 [Stuart Russell, Peter Norvig: "Artificial Intelligence: A Modern Approach," Prentice Hall (ISBN-10: 0136042597)]을 종래 기술에 관하여 참조한다.

일 실시예에 따르면, 학습 단계에서 광학 시스템으로의 모델의 적응은 모델 구조의 변경 없이 발생한다.

일 실시예에 따르면, 모델은 광학 시스템의 외부로부터 관찰 가능한 이미징 특성과 광학 시스템의 외부로부터 가변적인 제어 신호들만을 상관시킨다.

일 실시예에 따르면, 광학 요소는 변형 가능한 광학 요소, 특히 변형 가능한 미러이다.

일 실시예에 따르면, 광학 시스템은, 조명 디바이스 및 투영 렌즈를 포함하는 마이크로리소그래피 투영 노광 장치이고, 조명 디바이스는, 투영 노광 장치의 동작 중에 동작 파장을 갖는 사용된 광으로 투영 렌즈의 대물 평면 내에 배열된 이미징될 구조를 갖는 마스크를 조명하고, 투영 렌즈는 투영 렌즈의 화상 평면에 배열된 기판 상에 상기 구조를 이미징한다.

본 발명은 또한 전술된 특징을 갖는 방법을 수행하도록 구성된 마이크로리소그래피 광학 시스템의 이미징 특성을 변경하기 위한 장치 및 이러한 장치를 구비한 마이크로리소그래피 투영 노광 장치에 관한 것이다. 장치의 장점 및 장치의 유리한 구성에 관하여, 본 발명에 따른 방법과 연계하여 상기 설명을 참조한다.

본 발명의 다른 구성은 상세한 설명 및 종속 청구항으로부터 취해질 수 있다.

본 발명은 첨부 도면에 나타낸 예시적인 실시예에 기초하여 이하에 더 상세히 설명된다.

도면에서:
도 1은 EUV 범위에서 동작을 위해 설계되고 본 발명이 예시적인 방식으로 실현되는 것이 가능한 마이크로리소그래피 투영 노광 장치의 투영 렌즈의 개략도를 도시하고 있다.
도 2는 DUV 범위에서 동작을 위해 설계되고 본 발명이 실현되는 것이 가능한 마이크로리소그래피 투영 노광 장치의 투영 렌즈의 개략도를 도시하고 있다.
도 3a 내지 도 3e는 본 발명을 사용하는 예를 설명하기 위한 개략도이다.

도 1은 먼저 EUV 범위에서 동작을 위해 설계되고 본 발명이 예시적인 방식으로 실현되는 것이 가능한 투영 노광 장치(100)의 개략도를 도시하고 있다.

도 1에 따르면, 투영 노광 장치(100)의 조명 디바이스는 필드 파셋 미러(103) 및 동공 파셋 미러(104)를 포함한다. 예에서 EUV 광원(플라즈마 광원)(101) 및 집광기 미러(102)를 포함하는 광원 유닛으로부터의 광은 필드 파셋 미러(103) 상에 지향된다. 제1 신축식 미러(105) 및 제2 신축식 미러(106)가 동공 파셋 미러(104)의 하류측에서 광로 내에 배열된다. 편향 미러(107)가 광로의 하류측에 배열되고, 상기 편향 미러는 그 위에 입사된 복사선을 6개의 미러(121 내지 126)를 포함하는 투영 렌즈의 대물 평면 내의 대물 필드 상에 지향한다. 대물 필드의 장소에서, 반사 구조체 지지 마스크(131)가 마스크 스테이지(130) 상에 배열되는데, 상기 마스크는 투영 렌즈의 보조로 화상 평면 내에 이미징되고, 이 화상 평면에는 감광층(포토레지스트)으로 코팅된 기판(141)이 웨이퍼 스테이지(140) 상에 위치되어 있다.

도 2는 DUV 범위(예를 들어, 대략 193 nm)의 파장에서 동작을 위해 설계되고 마찬가지로 조명 디바이스(201) 및 투영 렌즈(208)를 포함하는 마이크로리소그래피 투영 노광 장치(200)의 다른 가능한 구성의 개략도를 도시하고 있다.

조명 디바이스(201)는 광원(202) 및 렌즈 요소(203, 204) 및 조리개(205)에 의해 매우 단순화된 방식으로 상징화된 조명 광학 유닛을 포함한다. 도시된 예에서의 투영 노광 장치(200)의 동작 파장은, ArF 엑시머 레이저를 광원(202)으로 사용할 때 193 nm이다. 그러나, 동작 파장은 예를 들어, 광원(202)으로서 KrF 엑시머 레이저를 사용할 때 248 nm일 수도 있고, F2 레이저를 사용할 때 157 nm일 수도 있다. 마스크 홀더(206)를 사용하여 빔 경로 내에 유지된 마스크(207)가 조명 디바이스(201)와 투영 렌즈(208) 사이의 투영 렌즈(208)의 대물 평면(OP)에 배열되어 있다. 마스크(207)는 투영 렌즈(208)에 의해 투영 렌즈(208)의 화상 평면(IP) 상에 이미징되는, 예를 들어 4 또는 5배만큼 축소된 마이크로미터 내지 나노미터 범위의 구조를 갖는다. 투영 렌즈(208)는 광축(OA)이 정의되는 렌즈 배열을 포함하고, 상기 렌즈 배열은 마찬가지로 단지 렌즈 요소(209 내지 212)에 의해 매우 단순화된 방식으로 상징화된다. 감광층(215)을 구비하고 기판 홀더(218)를 통해 위치되는 기판(216) 또는 웨이퍼가 투영 렌즈(208)의 화상 평면(IP) 내에 유지된다. 예를 들어 탈이온수일 수도 있는 침지 매체(250)가 화상 평면측 상에 마지막에 위치된 투영 렌즈(208)의 광학 요소(220)와 감광층(215) 사이에 위치한다.

도 1 또는 도 2에 따른 투영 노광 장치의 동작 중에, 예를 들어, 열 관련 이미징 수차가 추가적인 조치 없이 다양한 원인으로 인해 발생할 수 있다. 이러한 이미징 수차를 보정하거나 또는 일반적으로 광학 특성을 최적화하기 위해, 광학 요소(예를 들어, 미러)의 하나 이상은 적응성 또는 작동 가능한 요소의 형태로 각각의 투영 노광 장치에 구체화될 수 있다.

이에 기초하여 계속하면, 본 발명의 특정 용례의 예가 도 3a 내지 도 3e를 참조하여 이하에 설명될 것이다. 이 특정 용례에서, 예를 들어 도 1 또는 도 2에 따른 투영 노광 장치의 동작 중에, 광원 또는 조명 디바이스(310)로부터 나와 각각의 투영 렌즈(도 3a 내지 도 3e에서 "320"으로 지시됨)를 통해 이동하는 광빔(S)(또는 x-방향 또는 y-방향에서의 광빔)은 제어 신호(A, B)를 통해 화상 평면(IP)에서 입사 지점의 x-y 좌표에 대해, 그리고 추가적인 제어 신호(C)에 의해 직경에 대해 조작될 수 있다. 화상 지점(p)은 여기서 p := [x, y, d]로서 기술될 수 있는데, 여기서 x는 x-방향에서의 화상 지점 좌표를 나타내고, y는 y-방향에서의 화상 지점 좌표를 나타내고, d는 화상 지점의 직경을 나타낸다.

제어 신호(A, B 및 C)는 대응하는 제어 입력(단지 예로서, 수치 인터페이스의 형태로 설계될 수 있음)을 통해 투영 렌즈로 공급된다. 개략도에서, 도 3b는 제어 신호(A)를 통해 y-방향에서 화상 평면(IP) 내의 광빔(S)의 입사 지점의 조작을 도시하고, 도 3c는 제어 신호(B)를 통해 x-방향에서 화상 평면(IP) 내의 광빔(S)의 입사 지점의 조작을 도시하고, 도 3d는 제어 신호(C)를 통해 화상 평면(IP) 내의 광빔(S)의 직경의 조작을 도시하고 있다.

단지 예시로서(그리고 본 발명을 이에 한정하지 않고), 상기 제어 신호들을 사용하여, 예를 들어 투영 렌즈 내에 존재하는 변형 가능한 미러를 제어하여 투영 렌즈의 이미징 특성을 변경하기 위한 목적으로 미러의 표면 곡률을 변경하는 것이 가능하다(예를 들어, 시스템에 존재하는 교란을 보상하기 위해).

이제 이하에서, 생성된 화상 지점(x-좌표 및 y-좌표 및 광빔(S)의 직경(d)을 통해 정의됨)과 제어 신호(A, B, C) 사이의 관계를 궁극적으로 기술하는, 즉 달리 말하면 제어 신호(A, B, C)의 특정 값에 대한 투영 렌즈(320)의 반응을 지시하는 모델에 기초하여, 대응 액추에이터가 마이크로리소그래피 노광 프로세스 중에 상기 미러의 변형을 위해 제어되어야 하는 것으로 가정된다.

본 발명에 따르면, 이 요구된 모델은 이제 명시적으로 지정되지 않고, 오히려 실제 시스템 또는 투영 렌즈에 대한 학습 단계 또는 훈련의 부분으로서 암시적으로 "산출"된다.

명시적 모델링 - 본 발명에 따라 회피되는 - 의 부분으로서, 예를 들어 화상 지점 p=[x, y, d]와 제어 신호(A, B, C) 사이의 관계가 이하와 같이 명시적 모델을 기초로서 사용하는 것이 가능할 것이다:

(1)

그러나, (1)에 따른 명시적 모델링은 예를 들어 관련 실제 시스템 또는 투영 렌즈(320)가 예를 들어 제조 에러, 부적절한 공차 상황 등으로 인해 특정 "고유 특성"을 나타낼 때 발생하는 것과 같이 더 복잡한 관계를 설명하는 데 이미 적합하지 않으며, 그 결과 화상 평면(IP) 내에서 생성된 화상 지점의 직경(d)은 제어 신호(C)에 의해서뿐만 아니라 부가적으로 제어 신호(A, B)를 통해 영향을 받는다. 이러한 시나리오는 도 3e에 도시되어 있고, 여기서 광빔(IP)의 직경의 조작을 위한 제어 신호(C)에 대해 C=0의 값 및 0이 아닌 제어 신호(A, B)의 값에도 불구하고 화상 평면(IP) 내의 광빔(S)의 직경이 변화한다.

전술된 시나리오를 고려하는 것은, 이하의 식에 따라, 명시적 모델링으로, 모델의 구조의 적응을 필요로 할 것이다.

(2)

화상 지점의 직경을 확인하기 위해, 제어 신호(C)에 추가하여, 제어 신호(A, B)에 관한 부가의 정보가 이 경우에 필요하다. 이는 이어서 상당한 경비를 수반할 수 있는데, 이는 실제로 모든 고려 가능한 영향 변수에 의존하는 실제 시스템 또는 투영 렌즈의 임의의 고려 가능한 거동이 언급되어야 할 것이기 때문이다.

본 발명에 따른 암시적 모델링으로 인해, 이제 특히 전술된 문제를 해결하는 것이 가능하다. 렌즈 거동의 형식적 설명을 지정하는 대신에, "비어 있는" 모델(즉, 상세히 지정되거나 미리결정되지 않은 모델)이 초기에 사용되는 점에서, 본 발명에 따른 "암시적 모델링"과 전술된 "명시적 모델링"사이에 구별이 여기서 이루어지는데, 여기서 제어 변수(A, B, C)에 대한 단지 각각의 허용 가능한 입력값만이 정의되고, 이 점에서 실제 시스템 또는 투영 렌즈의 대응 거동이 x, y 및 d(즉, 화상 평면 IP에서 생성된 화상 지점의 x-좌표 및 y-좌표 및 직경(d))에 대한 각각의 결과에 기초하여 평가된다.

상세히 지정되거나 미리결정되어 있지 않은 "비어 있는" 모델의 이 초기 사용은 이하와 같이 기입될 수 있다.

(3)

모델은 이어서 학습 단계의 과정에서 또는 각각의 경우 얻어진 x, y 및 d에 대한 결과에 따라 실제 시스템 또는 투영 렌즈에 대한 훈련에 의해 생성되고, 제어 변수(A, B, C)에 대한 허용 가능한 입력값의 상이한 조합을 위한 실제 시스템이 확인된다. 이를 위해, 광 강도의 공간적으로 분석된 결정을 위한 예를 들어 카메라 기반 검출기(예를 들어, CCD 카메라)가 화상 평면(IP) 내에 배치될 수 있다.

단순한 경우에, 제어 변수(A, B, C)에 대한 허용 가능한 입력값의 모든 조합이 미리 "시도될" 수 있고, 각각의 경우에, x, y 및 d에 대해 얻어진 결과가 확인될 수 있고, 그 결과 원하는 암시적 모델을 표현하는 3차원 테이블이 얻어진다. 이후에 수행되는 실제 리소그래피 프로세스에서 특정 값 조합 [x, y, d]가 이어서 요구되면, 이를 위해 적합한 제어 변수(A, B, C)의 선택이 관련 테이블 또는 모델로부터 판독될 수 있다.

암시적 모델은 인공 지능의 방법에 의해 효율적으로 생성될 수 있다. 본 발명에 따른 방법은 여기서 학습 단계 동안의 모델이 각각의 경우에 실제 시스템 또는 투영 렌즈에 대한 자동 적응을 통해 생성되고, 특히, 전술된 시나리오에서 명시적 모델링의 경우에서와 같이, 모델 구조의 변경이 한번도 요구되지 않는 장점을 갖는다.

본 발명이 특정 실시예에 기초하여 설명되었지만, 수많은 변형 및 대안 실시예가 예를 들어 개별 실시예의 특징의 조합 및/또는 교환에 의해 통상의 기술자에게 명백하다. 이에 따라, 이러한 변형 및 대안 실시예는 본 발명에 의해 또한 포함되고, 본 발명의 범주는 단지 첨부된 특허 청구범위 및 이들의 등가물의 의미 내에서만 한정된다는 것이 통상의 기술자에게 자명하다.

Claims (10)

1. 마이크로리소그래피 광학 시스템의 이미징 특성을 변경하기 위한 방법이며,
   · 상기 이미징 특성은 적어도 하나의 인터페이스를 통해 상기 광학 시스템에 결합되는 제어 신호(A, B, C)에 의해 변경되고,
   · 각각의 경우에 상기 이미징 특성의 원하는 변경을 위해 제어하는 동안 결합된 상기 제어 신호의 값은 모델에 기초하여 확인되고,
   · 상기 모델은, 각각의 경우에 상기 제어 신호의 상이한 값에 대해 얻어지는 이미징 특성의 변경이 확인되는 학습 단계에서, 상기 광학 시스템으로의 상기 모델의 연속적인 개별 적응을 수행하는 것에 의해 생성되고;
   · 상기 학습 단계는 상기 광학 시스템 내의 내부 동작 메커니즘에 관한 명시적 정보의 사전 지정 없이 수행되는 방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 모델은 인공 지능의 방법을 사용하여 생성되고, 상기 광학 시스템 내로의 상기 제어 신호의 상이한 값의 결합에 의한 훈련은 상기 학습 단계에서 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.
3. 제2항에 있어서, 상기 인공 지능의 방법은 감독 학습, 무감독 학습 및 반감독 학습을 포함하는 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 모델은 모델 구조의 변경 없이 상기 학습 단계에서 상기 광학 시스템에 적응되는 것을 특징으로 하는 방법.
5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 모델은 상기 광학 시스템의 외부로부터 관찰 가능한 이미징 특성과 상기 광학 시스템의 외부로부터 가변적인 제어 신호들만을 상관시키는 것을 특징으로 하는 방법.
6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 광학 시스템의 적어도 하나의 요소는 상기 이미징 특성을 변경하기 위해 작동되고, 상기 작동은 상기 제어 신호(A, B, C)에 기초하여 적어도 하나의 액추에이터를 제어함으로써 실행되는 것을 특징으로 하는 방법.
7. 제6항에 있어서, 광학 요소는 변형 가능한 광학 요소, 특히 변형 가능한 미러인 것을 특징으로 하는 방법.
8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 광학 시스템은, 조명 디바이스 및 투영 렌즈를 포함하는 마이크로리소그래피 투영 노광 장치이고, 상기 조명 디바이스는, 상기 투영 노광 장치의 동작 중에 동작 파장을 갖는 사용된 광으로 상기 투영 렌즈의 대물 평면 내에 배열된 이미징될 구조를 갖는 마스크를 조명하고, 상기 투영 렌즈는 상기 투영 렌즈의 화상 평면에 배열된 기판 상에 상기 구조를 이미징하는 것을 특징으로 하는 방법.
9. 마이크로리소그래피 광학 시스템의 이미징 특성을 변경하기 위한 장치이며, 상기 장치는 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따른 방법을 수행하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 장치.
10. 마이크로리소그래피 투영 노광 장치이며, 제9항에 따른 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 투영 노광 장치.

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