KR20190091015A - 집적회로 장치의 제조에 사용되는 화학 용액 필터 구조체 및 이를 포함하는 화학 용액 공급 장치 - Google Patents

집적회로 장치의 제조에 사용되는 화학 용액 필터 구조체 및 이를 포함하는 화학 용액 공급 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20190091015A
KR20190091015A KR1020180009935A KR20180009935A KR20190091015A KR 20190091015 A KR20190091015 A KR 20190091015A KR 1020180009935 A KR1020180009935 A KR 1020180009935A KR 20180009935 A KR20180009935 A KR 20180009935A KR 20190091015 A KR20190091015 A KR 20190091015A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chemical solution
electric field
membrane
polymer membrane
filter
Prior art date
Application number
KR1020180009935A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102505854B1 (ko
Inventor
고차원
올레그 페이젠슨
김중현
김현우
김은성
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020180009935A priority Critical patent/KR102505854B1/ko
Priority to US16/122,454 priority patent/US10688437B2/en
Priority to CN201811265066.8A priority patent/CN110075713B/zh
Publication of KR20190091015A publication Critical patent/KR20190091015A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102505854B1 publication Critical patent/KR102505854B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D61/00—Processes of separation using semi-permeable membranes, e.g. dialysis, osmosis or ultrafiltration; Apparatus, accessories or auxiliary operations specially adapted therefor
    • B01D61/42—Electrodialysis; Electro-osmosis ; Electro-ultrafiltration; Membrane capacitive deionization
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D61/00—Processes of separation using semi-permeable membranes, e.g. dialysis, osmosis or ultrafiltration; Apparatus, accessories or auxiliary operations specially adapted therefor
    • B01D61/58—Multistep processes
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D29/00—Filters with filtering elements stationary during filtration, e.g. pressure or suction filters, not covered by groups B01D24/00 - B01D27/00; Filtering elements therefor
    • B01D29/11—Filters with filtering elements stationary during filtration, e.g. pressure or suction filters, not covered by groups B01D24/00 - B01D27/00; Filtering elements therefor with bag, cage, hose, tube, sleeve or like filtering elements
    • B01D29/13—Supported filter elements
    • B01D29/15—Supported filter elements arranged for inward flow filtration
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D29/00—Filters with filtering elements stationary during filtration, e.g. pressure or suction filters, not covered by groups B01D24/00 - B01D27/00; Filtering elements therefor
    • B01D29/50—Filters with filtering elements stationary during filtration, e.g. pressure or suction filters, not covered by groups B01D24/00 - B01D27/00; Filtering elements therefor with multiple filtering elements, characterised by their mutual disposition
    • B01D29/56—Filters with filtering elements stationary during filtration, e.g. pressure or suction filters, not covered by groups B01D24/00 - B01D27/00; Filtering elements therefor with multiple filtering elements, characterised by their mutual disposition in series connection
    • B01D29/58—Filters with filtering elements stationary during filtration, e.g. pressure or suction filters, not covered by groups B01D24/00 - B01D27/00; Filtering elements therefor with multiple filtering elements, characterised by their mutual disposition in series connection arranged concentrically or coaxially
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Water Supply & Treatment (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Urology & Nephrology (AREA)
  • Separation Using Semi-Permeable Membranes (AREA)

Abstract

집적회로 장치의 제조에 사용되는 화학 용액 필터 구조체는 복수의 전계 멤브레인 유닛을 포함하는 전계 멤브레인 구조체와 상기 전계 멤브레인 구조체가 내부에 수용되는 필터 하우징을 포함한다. 상기 복수의 전계 멤브레인 유닛 각각은, 복수의 제1 개구부들을 포함하는 캐소드와, 복수의 제2 개구부들을 포함하는 애노드와, 상기 캐소드와 상기 애노드 사이에서 배치되는 절연층을 포함하고, 상기 필터 하우징은 화학 용액이 유입되는 입구와, 상기 화학 용액이 유출되는 출구를 구비한다.

Description

집적회로 장치의 제조에 사용되는 화학 용액 필터 구조체 및 이를 포함하는 화학 용액 공급 장치{Filter structure for chemical solutions used in manufacturing integrated circuits and apparatus for supplying chemical solutions including the same}
본 발명의 기술적 사상은 집적회로 장치의 제조에 사용되는 화학 용액 필터 구조체 및 이를 포함하는 화학 용액 공급 장치에 관한 것이다. 더욱 상세하게는, 포토레지스트 용액의 필터링을 위한 화학 용액 필터 구조체 및 이를 포함하는 화학 용액 공급 장치에 관한 것이다.
전자 제품의 경박 단소화 경향에 따라 집적회로 장치의 고집적화에 대한 요구가 증가하고 있다. 집적회로 장치의 다운스케일링에 따라 피쳐들의 선폭(line width)이 감소하므로, 피쳐들의 패터닝 공정에서 포토레지스트 용액 내에 함유된 미세 사이즈의 불순물에 의하여 패터닝 불량이 발생할 수 있다.
본 발명의 기술적 사상이 이루고자 하는 기술적 과제는 포토레지스트 용액 내에 함유된 미세 사이즈의 불순물을 필터링할 수 있고, 이에 의해 집적회로 장치의 패터닝 불량이 감소될 수 있는 화학 용액 필터 구조체 및 이를 포함하는 화학 용액 공급 장치를 제공하는 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 예시적인 실시예들에 따른 집적회로 장치의 제조에 사용되는 화학 용액 필터 구조체는, 복수의 전계 멤브레인 유닛을 포함하는 전계 멤브레인 구조체와 상기 전계 멤브레인 구조체가 내부에 수용되는 필터 하우징을 포함한다. 상기 복수의 전계 멤브레인 유닛 각각은, 복수의 제1 개구부들을 포함하는 캐소드와, 복수의 제2 개구부들을 포함하는 애노드와, 상기 캐소드와 상기 애노드 사이에서 배치되는 절연층을 포함하고, 상기 필터 하우징은 화학 용액이 유입되는 입구와, 상기 화학 용액이 유출되는 출구를 구비한다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 예시적인 실시예들에 따른 화학 용액 공급 장치는 제1 필터 구조체를 포함한다. 상기 제1 필터 구조체는, 화학 용액이 유입되는 입구와 상기 화학 용액이 유출되는 출구를 구비하는 제1 필터 하우징, 상기 제1 필터 하우징 내에 수용되는 전계 멤브레인 구조체를 포함한다. 상기 전계 멤브레인 구조체는 복수의 전계 멤브레인 유닛을 포함하고, 상기 복수의 전계 멤브레인 유닛 각각은, 캐소드와, 애노드와, 상기 캐소드와 상기 애노드 사이에서 배치되는 상기 캐소드와 상기 애노드와의 사이를 전기적으로 분리시키는 절연층을 포함한다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 예시적인 실시예들에 따른 화학 용액 공급 장치는 필터 구조체를 포함한다. 상기 필터 구조체는, 화학 용액이 유입되는 입구와 상기 화학 용액이 유출되는 출구를 구비하는 필터 하우징, 상기 필터 하우징 내에 수용되는 전계 멤브레인 구조체, 및 상기 필터 하우징 내에 수용되며 복수의 기공들을 포함하는 폴리머 멤브레인을 포함한다. 상기 전계 멤브레인 구조체는 복수의 전계 멤브레인 유닛을 포함하고, 상기 복수의 전계 멤브레인 유닛 각각은, 복수의 제1 개구부들을 포함하는 캐소드와, 복수의 제2 개구부들을 포함하는 애노드와, 상기 캐소드와 상기 애노드 사이에서 상기 캐소드와 상기 애노드와의 사이를 전기적으로 분리시키며 복수의 제3 개구부들을 포함하는 절연층을 포함한다.
본 발명의 기술적 사상에 따르면, 예를 들어 전하를 띤 금속 불순물 등의 미세 사이즈 불순물들이 상기 전계 멤브레인 구조체에 의해 트랩됨에 의해 미세 사이즈의 불순물을 효과적으로 필터링할 수 있고, 이에 따라 포토레지스트 용액을 사용한 패터닝 공정에서의 패터닝 불량을 방지할 수 있다.
도 1은 예시적인 실시예들에 따른 화학 용액 공급 장치를 나타내는 개략도이다.
도 2는 도 1의 필터 구조체를 나타내는 분해 사시도이고, 도 3은 도 2의 제1 레벨(LV1)에서의 수평 단면도이며, 도 4는 도 2의 IV-IV' 선을 따라 자른 단면도이다.
도 5는 도 2의 전계 멤브레인 구조체에 포함되는 복수의 전계 멤브레인 유닛 각각을 펼친 상태의 사시도이다.
도 6a 및 도 6b는 예시적인 실시예들에 따른 복수의 전계 멤브레인 유닛 각각의 사시도들이다.
도 7은 예시적인 실시예들에 따른 필터 구조체의 수평 단면도이고, 도 8은 필터 구조체의 수직 단면도이다.
도 9는 예시적인 실시예들에 따른 필터 구조체의 수평 단면도이고, 도 10은 필터 구조체의 수직 단면도이다.
도 11은 예시적인 실시예들에 따른 필터 구조체의 수평 단면도이고, 도 12는 필터 구조체의 수직 단면도이다.
도 13은 예시적인 실시예들에 따른 화학 용액 공급 장치를 나타내는 개략도이다.
도 14는 도 13의 제1 필터 구조체를 나타내는 단면도이고, 도 15는 도 13의 제2 필터 구조체를 나타내는 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 기술적 사상의 예시적인 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 예시적인 실시예들에 따른 화학 용액 공급 장치(100)를 나타내는 개략도이다. 도 2는 도 1의 필터 구조체(120)를 나타내는 분해 사시도이고, 도 3은 도 2의 제1 레벨(LV1)에서의 수평 단면도이며, 도 4는 도 2의 IV-IV' 선을 따라 자른 단면도이다. 도 5는 도 2의 전계 멤브레인 구조체(124)에 포함되는 복수의 전계 멤브레인 유닛(160) 각각을 펼친 상태의 사시도이다.
도 1 내지 도 5를 참조하면, 화학 용액 공급 장치(100)는 화학 용액 저장 탱크(110), 필터 구조체(120), 화학 용액 공급 라인(132), 화학 용액 배출 라인(134) 및 화학 용액 분사 유닛(150)을 포함할 수 있다.
예를 들어, 화학 용액 공급 장치(100)는 집적회로 장치의 제조를 위한 포토리소그래피 공정에서 사용되는 포토레지스트 용액을 기판(W) 상에 공급하도록 구성되는 장치일 수 있다. 화학 용액 공급 장치(100)는 화학 용액 저장 탱크(110)에 담긴 화학 용액(112)을 화학 용액 공급 라인(132)을 통해 필터 구조체(120) 내부로 유입시킨 후, 필터 구조체(120) 내부에서 화학 용액(112) 내에 함유된 불순물을 필터링하고, 불순물이 필터링된 화학 용액(112)이 화학 용액 배출 라인(134)을 경유하여 화학 용액 분사 유닛(150)에 의해 기판 지지대(152) 상에 놓여진 기판(W) 상으로 공급되도록 구성될 수 있다.
예시적인 실시예들에서, 화학 용액 저장 탱크(110)는 집적회로 장치의 제조 공정에서 사용될 수 있는 화학 용액, 예를 들어 포토레지스트 용액을 저장하기 위한 저장 탱크일 수 있다. 다른 실시예들에서, 화학 용액 저장 탱크(110)는 화학 기계적 연마(chemical mechanical polishing, CMP) 공정을 위한 슬러리 용액, 또는 물질층의 형성 공정에서 소스 물질로서 사용되는 전구체 용액을 저장하기 위한 저장 탱크일 수도 있다. 그러나, 화학 용액 저장 탱크(110) 내에 포함되는 화학 용액의 종류가 이에 한정되는 것은 아니다.
필터 구조체(120)는 화학 용액 공급 라인(132)을 통해 필터 구조체(120) 내에 유입된 화학 용액(112) 내의 불순물이 필터링되고, 필터 구조체(120)를 통과하여 불순물이 제거된 화학 용액(112)이 화학 용액 배출 라인(134)을 통해 유출되도록 구성될 수 있다. 필터 구조체(120)는 특히 입자 사이즈가 큰 불순물 및 입자 사이즈가 작은 전하 입자들(charged particles)을 모두 필터링할 수 있다. 예를 들어, 상기 전하 입자들은 예를 들어 극성을 띠는 유기물 입자, 극성을 띠는 무기물 입자, 금속 이온들을 포함할 수 있다.
필터 구조체(120)는 필터 하우징(122)과, 필터 하우징(122) 내에 배치되는 전계 멤브레인 구조체(124), 폴리머 멤브레인(126), 제1 지지부(holding portion)(129A), 및 제2 지지부(129B)와, 전계 멤브레인 구조체(124)에 전기적으로 연결되는 전압 인가부(128)를 포함할 수 있다.
필터 하우징(122)은 예를 들어 원통형 용기일 수 있고, 입구(122I) 및 출구(122O)를 구비할 수 있다. 입구(122I)는 화학 용액 공급 라인(132)에 연결될 수 있고, 출구(122O)는 화학 용액 배출 라인(134)에 연결될 수 있다. 필터 하우징(122)은 전계 멤브레인 구조체(124) 및/또는 폴리머 멤브레인(126)을 교체하거나 세척할 수 있도록 착탈식 덮개(removable lid)(122L)를 구비할 수 있다. 그러나 본 발명의 기술적 사상이 이에 한정되는 것은 아니며, 필터 하우징(122)은 착탈식 덮개(122L)를 포함하지 않는 일체형 용기일 수도 있다. 도 2 내지 도 5에서는 편의상 원통형 형상의 필터 하우징(122)의 길이 방향 또는 축 방향을 Z 방향으로, 필터 하우징(122) 바닥면의 중심으로부터 바닥면의 가장자리까지의 반지름 방향(radial direction)을 D1 방향으로, 필터 하우징(122)의 측벽을 따른 각방향(angular direction)을 D2 방향으로 지칭하도록 한다.
전계 멤브레인 구조체(124)는 필터 하우징(122) 내에서 속이 빈 실린더(hollow cylinder) 형상으로 배치될 수 있고, 폴리머 멤브레인(126)이 전계 멤브레인 구조체(124) 내측벽 상에서 속이 빈 실린더 형상으로 배치될 수 있다. 여기서는 전계 멤브레인 구조체(124)의 측벽들 중 필터 하우징(122)의 내벽과 더 가까운 측벽을 외측벽으로, 필터 하우징(122)의 내벽과 더 먼 측벽을 내측벽으로 지칭하도록 한다. 또한, 폴리머 멤브레인(126)의 측벽들 중 필터 하우징(122)의 내벽과 더 가까운 측벽을 외측벽으로, 필터 하우징(122)의 내벽과 더 먼 측벽을 내측벽으로 지칭하도록 한다.
전계 멤브레인 구조체(124)와 폴리머 멤브레인(126)은 모두 Z 방향으로 연장되는 속이 빈 실린더 형상을 가질 수 있고, 전계 멤브레인 구조체(124)가 폴리머 멤브레인(126)의 외측벽을 둘러싸고 Z 방향으로 연장될 수 있다. 전계 멤브레인 구조체(124)의 외측벽, 즉 필터 하우징(122)의 내벽을 바라보는 전계 멤브레인 구조체(124)의 외측벽 상에는 제1 지지부(129A)가 배치될 수 있고, 폴리머 멤브레인(126)의 내측벽 상에는 제2 지지부(129B)가 배치될 수 있다.
도 4 및 도 5에 예시적으로 도시된 바와 같이, 전계 멤브레인 구조체(124)는 복수의 전계 멤브레인 유닛(160)을 포함할 수 있고, 복수의 전계 멤브레인 유닛(160) 각각은 순차적으로 적층된 캐소드(162), 애노드(164), 및 캐소드(162)와 애노드(164) 사이의 절연층(166)을 포함할 수 있다. 도 4에는 네 개의 전계 멤브레인 유닛(160)이 적층되어 실린더 형상으로 배치된 것이 예시적으로 도시되었으나 이에 한정되는 것은 아니며, 복수의 전계 멤브레인 유닛(160)의 개수는 1 내지 1000개 중 임의의 수로 적절히 선택될 수 있다.
도 5에서는 복수의 전계 멤브레인 유닛(160) 각각을 펼친 상태에서의 평면도를 개략적으로 도시한다. 도 5에 예시적으로 도시된 바와 같이, 캐소드(162)는 복수의 제1 개구부들(162H)을 포함할 수 있고, 캐소드(162)는 복수의 제1 개구부들(162H)이 D2 방향 및 Z 방향을 따라 규칙적으로 배열되는 메쉬 형상을 가질 수 있다. 애노드(164)는 복수의 제2 개구부들(164H)을 포함할 수 있고, 애노드(164)는 복수의 제2 개구부들(164H)이 D2 방향 및 Z 방향을 따라 규칙적으로 배열되는 메쉬 형상을 가질 수 있다. 절연층(166)은 복수의 제3 개구부들(166H)을 포함할 수 있고, 절연층(166)은 복수의 제3 개구부들(166H)이 D2 방향 및 Z 방향을 따라 규칙적으로 배열되는 메쉬 형상을 가질 수 있다.
예시적인 실시예들에서, 캐소드(162), 애노드(164), 및 절연층(166) 각각은 약 5 nm 내지 약 1 cm의 두께를 가질 수 있고, 제1 내지 제3 개구부들(162H, 164H, 166H) 각각은 약 5 nm 내지 약 1 cm의 폭을 가질 수 있다. 또한 캐소드(162), 애노드(164), 및 절연층(166) 각각은 복수의 레인들(도시 생략)이 D2 방향 또는 Z 방향을 따라 연장되고 상기 복수의 레인들이 서로 교차하는 메쉬 형상을 가지며, 복수의 레인들 각각은 D2 방향 또는 Z 방향을 따라 약 5 nm 내지 약 0.3 cm의 폭을 가질 수 있다. 그러나, 캐소드(162), 애노드(164), 및 절연층(166) 각각의 치수들이 이에 한정되는 것은 아니다.
절연층(166)은 캐소드(162)와 애노드(164) 사이의 직접적 접촉을 방지하도록 캐소드(162)와 애노드(164) 사이에 배치될 수 있다. 도 5에는 캐소드(162), 애노드(164), 및 절연층(166)이 실질적으로 동일한 크기와, 동일한 직사각형 형상을 갖는 제1 내지 제3 개구부들(162H, 164H, 166H)을 각각 구비하는 것이 예시적으로 도시되었다. 그러나, 본 발명의 기술적 사상이 이에 한정되는 것은 아니며 절연층(166)의 제3 개구부들(166H)이 캐소드(162)의 제1 개구부들(162H) 및 애노드(164)의 제2 개구부들(164H)보다 더 작은 크기를 갖도록 형성되어, 캐소드(162) 및/또는 애노드(164)가 서로에 대하여 소정의 폭만큼 쉬프트되는 경우에도 캐소드(162)와 애노드(164)의 직접적 접촉을 방지할 수 있다.
예시적인 실시예들에서, 캐소드(162) 및 애노드(164)는 구리, 아연, 알루미늄, 마그네슘, 니켈, 은, 백금 등과 같은 금속 또는 이들의 합금들, 티타늄 산화물, 스칸듐 산화물, 바나듐 산화물, 아연 산화물, 갈륨 산화물, 이트륨 산화물, 지르코늄 산화물, 니오븀 산화물, 몰리브덴 산화물, 인듐 산화물, 주석 산화물, 란탄족 산화물, 텅스텐 산화물, 이리듐 산화물, 마그네슘 산화물, 스트론튬 산화물 등과 같은 금속 산화물 또는 이들의 조합들, 금속/카본 복합재, 금속/카본 파이버 복합재, 금속/그래핀 복합재 등과 같은 복합재료 전극, 및 전도성 고분자 전극 중 선택되는 적어도 하나를 포함할 수 있다. 그러나, 캐소드(162) 및 애노드(164)의 물질이 전술한 바에 한정되는 것은 아니다.
예시적인 실시예들에서, 절연층(166)은 폴리에틸렌(PE), 폴리테트라플루오르에틸렌(PTFE), PVDF(polyvinylidene fluoride), 나일론, 폴리프로필렌, 폴리에스터, 폴리카보네이트, 폴리에테르술폰, 셀룰로오스 아세테이트, 폴리이미드 등의 유기 물질을 포함할 수 있다. 다른 실시예들에서, 절연층(166)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 탄화산화물 등의 무기 물질을 포함할 수 있다.
캐소드 전계 인가 부재(128A)는 캐소드(162)에 연결되고, 애노드 전계 인가 부재(128B)는 애노드(164)에 연결될 수 있다. 캐소드 전계 인가 부재(128A) 및 애노드 전계 인가 부재(128B)는 필터 하우징(122)의 외부에 배치되는 전압 인가부(128)와 전기적으로 연결될 수 있고, 전압 인가부(128)로부터 제공되는 전압에 의해 캐소드(162)와 애노드(164) 사이에 전계를 인가하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 캐소드(162)와 애노드(164) 사이에 약 0 내지 약 10 kV/m의 전계가 인가되도록 전압 인가부(128)로부터 전압이 제공될 수 있으나, 전계 범위가 이에 한정되는 것은 아니다. 화학 용액(112) 내에 포함되는 전하 입자들의 종류 및 크기에 따라 전압 인가부(128)에 인가되는 전압은 달라질 수 있다. 캐소드(162)의 제1 개구부들(162H), 애노드(164)의 제2 개구부들(164H), 및 절연층(166)의 제3 개구부들(166H)을 통해 화학 용액(112)이 통과할 수 있고, 캐소드(162) 및 애노드(164)에 인가되는 전계에 의해 화학 용액(112) 내부의 전하 입자들을 포함하는 불순물들이 캐소드(162) 및 애노드(164)에 트랩될 수 있다. 특히, 화학 용액(112) 내부에 포함된 양전하를 띠는 양전하 입자들은 캐소드(162)에 부착되고, 음전하를 띠는 음전하 입자들은 애노드(164)에 부착될 수 있다. 따라서, 전계 멤브레인 구조체(124)는 양전하 입자들과 음전하 입자들을 동시에 필터링할 수 있다.
폴리머 멤브레인(126)은 전계 멤브레인 구조체(124)의 내측에 배치될 수 있다. 폴리머 멤브레인(126)은 화학 용액(112) 내에 함유된 불순물을 필터링할 수 있는 폴리머 필터일 수 있다. 폴리머 멤브레인(126)은 복수의 기공들(pores)(도시 생략)을 포함하며, 복수의 기공들의 직경보다 큰 사이즈를 갖는 입자들을 필터링할 수 있다. 예를 들어, 폴리머 멤브레인(126)의 복수의 기공들은 포토레지스트 용액 내에 함유된 포토레지스트 입자의 크기보다 큰 직경을 가질 수 있다. 이에 따라 포토레지스트 용액 내의 포토레지스트 입자는 폴리머 멤브레인(126)에 의해 필터링되지 않는 한편, 사이즈가 큰 불순물 입자들은 폴리머 멤브레인(126)에 의해 필터링될 수 있다.
예시적인 실시예들에서, 폴리머 멤브레인(126)은 폴리에틸렌(PE), 폴리테트라플루오르에틸렌(PTFE), PVDF(polyvinylidene fluoride), 나일론, 폴리프로필렌, 폴리에스터, 폴리카보네이트, 폴리에테르술폰, 셀룰로오스 아세테이트, 또는 폴리이미드와 같은 유기 물질을 포함할 수 있다.
도 4에 예시적으로 도시된 바와 같이, 전계 멤브레인 구조체(124)는 필터 하우징(122)의 내벽으로부터 이격되어 배치될 수 있고, 필터 하우징(122)의 내벽과 전계 멤브레인 구조체(124)의 외측벽 사이에 인렛부(120SI)가 정의될 수 있다. 또한 필터 구조체(120)의 중앙부에서 폴리머 멤브레인(126)의 내측벽 사이에는 Z 방향으로 연장되는 아웃렛부(120SO)가 정의될 수 있다. 인렛부(120SI)는 필터 하우징(122) 내벽과 전계 멤브레인 구조체(124) 외측벽 사이에서 정의되는 빈 공간을 가리키며, 아웃렛부(120SO)는 실린더 형상을 갖는 폴리머 멤브레인(126)의 내측벽에 의해 정의되는 빈 공간을 가리킬 수 있다. 인렛부(120SI)는 필터 하우징(122)의 입구(122I)와 연통되며 아웃렛부(120SO)는 필터 하우징(122)의 출구(122O)와 연통될 수 있다.
제1 지지부(129A)는 전계 멤브레인 구조체(124)의 외측벽 상에서 인렛부(120SI)에 의해 노출되도록 배치될 수 있고, 제2 지지부(129B)는 폴리머 멤브레인(126)의 내측벽 상에서 아웃렛부(120SO)에 의해 노출되도록 배치될 수 있다. 제1 지지부(129A) 및 제2 지지부(129B)는 전계 멤브레인 구조체(124)와 폴리머 멤브레인(126)을 구조적으로 지탱하는 한편, 화학 용액(112)이 제1 지지부(129A) 및 제2 지지부(129B)를 용이하게 통과할 수 있도록 복수의 기공들을 구비할 수 있다. 제1 지지부(129A) 및 제2 지지부(129B)는 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP) 등의 폴리머 물질을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에서, 제1 지지부(129A) 상에, 및/또는 제1 지지부(129A)와 전계 멤브레인 구조체(124)의 사이에 카본 커버층(도시 생략)이 더 형성될 수 있다. 상기 카본 커버층은 복수의 기공들을 포함하며, 상기 복수의 기공들을 통해 포토레지스트 입자가 통과할 수 있다. 상기 카본 커버층은 카본 나노시트(carbon nanosheet), 카본 클로스(carbon cloth) 등을 포함할 수 있다. 상기 카본 커버층은 포토레지스트 입자들이 전계 멤브레인 구조체(124)에 흡착되는 것을 방지하는 보호층으로 작용할 수 있다.
필터 구조체(120) 내에서의 화학 용액(112)의 흐름은 도 4의 화살표(D_112)에 의해 개략적으로 도시된다. 화학 용액(112)이 입구(122I)를 통해 필터 구조체(120) 내부로 유입될 때, 화학 용액(112)은 인렛부(120SI) 내부를 우선 채우며 전계 멤브레인 구조체(124)와 폴리머 멤브레인(126)을 순차적으로 통과하고 아웃렛부(120SO)를 거쳐 필터 구조체(120) 외부로 배출될 수 있다. 화학 용액(112)이 전계 멤브레인 구조체(124)를 통과할 때, 캐소드(162) 및 애노드(164) 사이에 인가된 전계에 의해 화학 용액(112) 내에 포함된 전하 입자들이 전계 멤브레인 구조체(124)에 트랩될 수 있다. 이후 화학 용액(112)이 폴리머 멤브레인(126)을 통과할 때, 화학 용액(112) 내에 포함된 사이즈가 큰 불순물들이 폴리머 멤브레인(126)에 트랩될 수 있다. 반면, 화학 용액(112)의 주요 구성 성분들, 예를 들어 포토레지스트 용액 내의 포토레지스트 입자들은 전계 멤브레인 구조체(124) 및 폴리머 멤브레인(126)을 통과하여 필터 구조체(120) 외부로 배출되며, 도 1에 도시된 바와 같이 분사 노즐과 같은 화학 용액 분사 유닛(150)을 통해 기판(W) 상으로 분사 또는 도포될 수 있다.
일반적으로 포토레지스트 용액 내에 불순물들이 포함되는 경우 포토레지스트 용액의 도포 공정 및 후속의 현상 공정에서 상기 불순물들이 응집되어 라인 패턴의 브릿지 불량 등이 발생될 수 있다. 이러한 패턴 불량을 방지하기 위하여, 포토레지스트 입자는 통과시키며 불순물 입자들은 통과시키지 못하는 기공 사이즈를 갖는 폴리머 멤브레인을 필터로 사용하여 포토레지스트 용액을 필터링한다.
그러나 집적회로 장치의 다운스케일링이 진행됨에 따라 패터닝될 피쳐 사이즈가 또한 감소되고, 피쳐 사이즈 감소에 대응하여 포토레지스트 입자의 크기 역시 감소해 왔으며, 이에 따라 미세 사이즈를 갖는 전하 입자들이 패터닝 불량을 유발할 위험성이 더욱 높아질 수 있다. 따라서, 화학 용액(112) 내의 포토레지스트 입자로부터 불순물 입자들, 특히 미세 사이즈를 갖는 전하 입자들을 완전히 제거할 필요가 있다. 그러나 포토레지스트 입자와 전하 입자들 사이의 크기 차이가 크지 않으므로(예를 들어, 포토레지스트 입자가 약 1 내지 약 5 nm의 직경을 가지고 전하 입자들이 약 0.2 내지 약 2 nm의 직경을 갖는 등 포토레지스트 입자와 전하 입자들 사이의 크기 차이가 크지 않을 수 있으므로), 작은 기공 사이즈를 갖는 폴리머 멤브레인을 사용하는 경우 전하 입자들뿐만 아니라 포토레지스트 입자들이 함께 필터링될 수 있다. 반면 큰 기공 사이즈를 갖는 폴리머 멤브레인을 사용하는 경우 작은 사이즈를 갖는 전하 입자들이 필터링되지 않고 패터닝 공정에서 불량을 유발할 수 있다.
그러나, 전술한 실시예들에 따른 필터 구조체(120)는 전계 멤브레인 구조체(124)과 폴리머 멤브레인(126)을 포함하고, 전계 멤브레인 구조체(124)의 캐소드(162) 및 애노드(164) 사이에 인가되는 전계에 의해 상대적으로 작은 사이즈를 갖는 전하 입자들이 트랩될 수 있고, 폴리머 멤브레인(126)에 의해 상대적으로 큰 사이즈를 갖는 불순물들이 필터링될 수 있다. 따라서 필터 구조체(120)는 포토레지스트 용액 내에 포함되는 불순물들을 효과적으로 필터링할 수 있고, 포토레지스트 용액을 사용한 패터닝 공정에서의 패터닝 불량을 방지할 수 있다.
전술한 필터 구조체(120)를 포함하는 화학 용액 공급 장치(100)가 집적회로 장치의 패터닝 공정을 위하여 사용되는 포토레지스트 용액의 필터링 및 공급을 위하여 사용되는 것으로 예시적으로 설명하였으나, 본 발명의 기술적 사상이 이에 한정되는 것은 아니다. 전술한 필터 구조체(120)를 포함하는 화학 용액 공급 장치(100)는 CMP 공정을 위한 슬러리 용액의 필터링 및 공급을 위하여 사용되거나, 집적회로 장치 내에 포함되는 물질층 또는 집적회로 장치의 제조 공정에서 사용되는 물질층을 형성하기 위한 소스 물질의 전구체 용액, 또는 전구체 가스의 필터링 및 공급을 위하여 사용될 수도 있다.
도 6a 및 도 6b는 예시적인 실시예들에 따른 복수의 전계 멤브레인 유닛(160A, 160B) 각각의 사시도들이다. 도 6a 및 도 6b에서, 도 1 내지 도 5에서와 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 의미한다.
도 6a을 참조하면, 캐소드(162A)의 복수의 제1 개구부들(162HA), 애노드(164A)의 복수의 제2 개구부들(164HA), 및 절연층(166A)의 복수의 제3 개구부들(166HA)은 D2 방향 및 Z 방향을 따라 규칙적으로 배열되며, 각각이 원형 또는 타원형 형상을 가질 수 있다.
예시적인 실시예들에서, 복수의 제1 내지 제3 개구부들(162HA, 164HA, 166HA)이 서로에 대하여 수직 오버랩되도록 배치될 수 있다. 다른 실시예들에서, 복수의 제1 내지 제3 개구부들(162HA, 164HA, 166HA)은 서로에 대하여 부분적으로 오버랩되도록 배치될 수도 있다. 예를 들어, 절연층(166A)은 캐소드(162A)에 대하여 D2 방향 또는 Z 방향으로 소정의 폭만큼 쉬프트될 수 있고, 애노드(164A)는 절연층(166A) 및/또는 캐소드(162A)에 대하여 D2 방향 또는 Z 방향으로 소정의 폭만큼 쉬프트될 수 있다.
또한 도 6a에서는 복수의 제1 내지 제3 개구부들(162HA, 164HA, 166HA)의 D2 방향 또는 Z 방향 폭이 동일한 것으로 예시적으로 도시되었으나, 이와는 달리 복수의 제1 내지 제3 개구부들(162HA, 164HA, 166HA)의 D2 방향 또는 Z 방향 폭이 서로 다를 수도 있다. 예를 들어, 캐소드(162A)의 복수의 제1 개구부들(162HA)의 D2 방향 또는 Z 방향 폭 및 애노드(164A)의 복수의 제2 개구부들(164HA)의 D2 방향 또는 Z 방향 폭이 절연층(166A)의 복수의 제3 개구부들(166HA)의 D2 방향 또는 Z 방향 폭보다 더 클 수 있고, 이러한 경우에 절연층(166A)을 통하여 캐소드(162A)와 애노드(164A) 사이의 직접적 접촉이 방지될 수 있다. 이와는 반대로, 캐소드(162A)의 복수의 제1 개구부들(162HA)의 D2 방향 또는 Z 방향 폭 및 애노드(164A)의 복수의 제2 개구부들(164HA)의 D2 방향 또는 Z 방향 폭이 절연층(166A)의 복수의 제3 개구부들(166HA)의 D2 방향 또는 Z 방향 폭보다 더 작을 수도 있다.
도 6b를 참조하면, 캐소드(164)의 하나의 제1 개구부(162H)와 절연층(166B)의 두 개의 제3 개구부(166HB)가 수직 오버랩되도록 배치될 수 있다. 또한 절연층(166B)의 복수의 제3 개구부들(166HB)의 D2 방향 또는 Z 방향 폭이 캐소드(162)의 복수의 제1 개구부들(162H)의 D2 방향 또는 Z 방향 폭 및 애노드(164)의 복수의 제2 개구부들(164H)(도 5 참조)의 D2 방향 또는 Z 방향 폭보다 더 작을 수 있다.
도 7은 예시적인 실시예들에 따른 필터 구조체(120A)의 수평 단면도이고, 도 8은 필터 구조체(120A)의 수직 단면도이다. 도 7은 도 2의 제1 레벨(LV1)에서의 수평 단면에 대응하는 수평 단면도이며, 도 8은 도 2의 IV-IV' 선을 따라 자른 단면에 대응하는 단면도이다. 도 7 및 도 8에서, 도 1 내지 도 6b에서와 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 나타낸다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 필터 하우징(122)의 내부에 속이 빈 실린더 형상의 폴리머 멤브레인(126)이 배치되고, 폴리머 멤브레인(126)의 내측벽 상에 전계 멤브레인 구조체(124)가 배치될 수 있다. 폴리머 멤브레인(126)의 외측벽과 필터 하우징(122) 내벽 사이에 인렛부(120SI)가 정의되며, 속이 빈 실린더 형상의 전계 멤브레인 구조체(124)의 내측벽 사이에 아웃렛부(120SO)가 정의될 수 있다. 이에 따라 화학 용액(112)(도 1 참조)이 입구(122I)를 통해 필터 구조체(120A) 내부로 유입될 때, 화학 용액(112)은 인렛부(120SI) 내부를 우선 채우며 폴리머 멤브레인(126)과 전계 멤브레인 구조체(124)를 순차적으로 통과하고 아웃렛부(120SO)를 거쳐 필터 구조체(120A) 외부로 배출될 수 있다.
제1 지지부(129A)는 폴리머 멤브레인(126)의 외측벽 상에서 인렛부(120SI)에 의해 노출되도록 배치될 수 있고, 제2 지지부(129B)는 전계 멤브레인 구조체(124)의 내측벽 상에서 아웃렛부(120SO)에 의해 노출되도록 배치될 수 있다. 제2 지지부(129B) 상에, 및/또는 제2 지지부(129B)와 전계 멤브레인 구조체(124)의 사이에 카본 커버층(도시 생략)이 더 형성될 수 있다. 상기 카본 커버층은 복수의 기공들을 포함하며, 상기 복수의 기공들을 통해 포토레지스트 입자가 통과할 수 있다. 상기 카본 커버층은 포토레지스트 입자들이 전계 멤브레인 구조체(124)에 흡착되는 것을 방지하는 보호층으로 작용할 수 있다.
전술한 실시예들에 따르면, 화학 용액(112)이 폴리머 멤브레인(126)을 통과할 때 사이즈가 큰 불순물 입자들이 필터링될 수 있고, 사이즈가 큰 불순물 입자들이 필터링된 화학 용액(112)이 전계 멤브레인 구조체(124)를 통과할 때 캐소드(162) 및 애노드(164) 사이에 인가된 전계에 의해 사이즈가 작은 전하 입자들이 필터링될 수 있다. 이에 따라 화학 용액(112) 내의 포토레지스트 입자는 필터링되지 않는 한편, 불순물 입자들이 효과적으로 필터링될 수 있다.
도 9는 예시적인 실시예들에 따른 필터 구조체(120B)의 수평 단면도이고, 도 10은 필터 구조체(120B)의 수직 단면도이다. 도 9는 도 2의 제1 레벨(LV1)에서의 수평 단면에 대응하는 수평 단면도이며, 도 10은 도 2의 IV-IV' 선을 따라 자른 단면에 대응하는 단면도이다. 도 9 및 도 10에서, 도 1 내지 도 8에서와 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 나타낸다.
도 9 및 도 10을 참조하면, 필터 하우징(122)의 내부에 속이 빈 실린더 형상의 전계 멤브레인 구조체(124)가 배치되고, 전계 멤브레인 구조체(124) 내측벽 상에 폴리머 멤브레인(126)이 배치될 수 있다. 전계 멤브레인 구조체(124)는 필터 하우징(122)의 내벽과 인접하게, 예를 들어 필터 하우징(122)의 내벽과 접촉하도록 배치될 수 있다. 이에 따라 필터 하우징(122)의 입구(122I)와 연통되는 인렛부(120SI) 내부 공간을 전계 멤브레인 구조체(124)가 채우도록 배치될 수 있다. 한편, 필터 하우징(122)의 출구(122O)와 연통되는 아웃렛부(120SO)는 폴리머 멤브레인(126) 내측벽 사이의 빈 공간을 가리킬 수 있다.
제1 지지부(129A1)는 전계 멤브레인 구조체(124)와 폴리머 멤브레인(126)의 사이에 배치될 수 있고, 제2 지지부(129B1)는 폴리머 멤브레인(126)의 내측벽 상에 배치될 수 있다.
화학 용액(112)(도 1 참조)이 입구(122I)를 통해 필터 구조체(120B) 내부로 유입될 때, 화학 용액(112)은 전계 멤브레인 구조체(124)를 통해 Z 방향을 따라 유입될 수 있다. 전계 멤브레인 구조체(124)는 적층된 복수의 전계 멤브레인 유닛(160)을 포함하고, 복수의 전계 멤브레인 유닛(160) 각각은 복수의 제1 개구부들(162H)(도 5 참조)을 갖는 캐소드(162), 복수의 제2 개구부들(164H)(도 5 참조)을 갖는 애노드(164)와, 캐소드(162) 및 애노드(164) 사이에 배치되며 복수의 제3 개구부들(166H)(도 5 참조)을 갖는 절연층(166)을 포함한다. 따라서, 전계 멤브레인 구조체(124) 내부의 제1 내지 제3 개구부들(162H, 164H, 166H)을 통해 화학 용액(112)이 Z 방향으로 이동하는 한편, 캐소드(162)와 애노드(164) 사이에 인가된 전계에 의해 화학 용액(112) 내부에 포함된 전하 입자들이 캐소드(162)와 애노드(164) 사이에 트랩될 수 있다.
전계 멤브레인 구조체(124)를 통과한 화학 용액(112)은 이후 폴리머 멤브레인(126)을 통과하고, 아웃렛부(120SO)를 거쳐 필터 구조체(120B) 외부로 배출될 수 있다.
전술한 실시예들에 따르면, 화학 용액(112)이 전계 멤브레인 구조체(124)를 통과할 때 캐소드(162) 및 애노드(164) 사이에 인가된 전계에 의해 사이즈가 작은 전하 입자들이 필터링될 수 있고, 사이즈가 작은 전하 입자들이 필터링된 화학 용액(112)이 폴리머 멤브레인(126)을 통과할 때 사이즈가 큰 불순물 입자들이 필터링될 수 있다. 이에 따라 화학 용액(112) 내의 포토레지스트 입자는 필터링되지 않는 한편, 불순물 입자들이 효과적으로 필터링될 수 있다.
도 11은 예시적인 실시예들에 따른 필터 구조체(120C)의 수평 단면도이고, 도 12는 필터 구조체(120C)의 수직 단면도이다. 도 11은 도 2의 제1 레벨(LV1)에서의 수평 단면에 대응하는 수평 단면도이며, 도 12는 도 2의 IV-IV' 선을 따라 자른 단면에 대응하는 단면도이다. 도 11 및 도 12에서, 도 1 내지 도 10에서와 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 나타낸다.
도 11 및 도 12를 참조하면, 필터 하우징(122)의 내부에 속이 빈 실린더 형상의 폴리머 멤브레인(126)이 배치되고, 폴리머 멤브레인(126) 내측벽 상에 전계 멤브레인 구조체(124)가 배치될 수 있다. 폴리머 멤브레인(126)의 외측벽과 필터 하우징(122)의 내벽 사이의 빈 공간은 인렛부(120SI)로 지칭될 수 있다. 전계 멤브레인 구조체(124)는 속이 빈 실린더 형상의 폴리머 멤브레인(126)의 내측벽 사이의 공간 중 실질적으로 전체 공간을 채울 수 있다. 예를 들어, 전계 멤브레인 구조체(124)는 원통형 형상을 가질 수 있다. 이에 따라 필터 하우징(122)의 출구(122O)와 연통되는 아웃렛부(120SO)의 내부 공간을 전계 멤브레인 구조체(124)가 채우도록 배치될 수 있다.
제1 지지부(129A2)는 폴리머 멤브레인(126)의 외측벽 상에 배치될 수 있고, 제2 지지부(129B2)는 전계 멤브레인 구조체(124)와 폴리머 멤브레인(126)의 사이에 배치될 수 있다.
화학 용액(112)(도 1 참조)이 입구(122I)를 통해 필터 구조체(120C) 내부로 유입될 때, 화학 용액(112)은 인렛부(120SI) 내부를 우선 채우며 폴리머 멤브레인(126)를 통과하고, 전계 멤브레인 구조체(124)를 통해 Z 방향으로 이동하여 필터 하우징(122) 외부로 배출될 수 있다. 전계 멤브레인 구조체(124) 내부의 제1 내지 제3 개구부들(162H, 164H, 166H)(도 5 참조)을 통해 화학 용액(112)이 Z 방향으로 이동하는 한편, 캐소드(162)와 애노드(164) 사이에 인가된 전계에 의해 화학 용액(112) 내부에 포함된 전하 입자들이 캐소드(162)와 애노드(164) 사이에 트랩될 수 있다.
도 13은 예시적인 실시예들에 따른 화학 용액 공급 장치(100A)를 나타내는 개략도이다. 도 14는 도 13의 제1 필터 구조체(120D)를 나타내는 단면도이고, 도 15는 도 13의 제2 필터 구조체(170)를 나타내는 단면도이다. 도 14 및 도 15는 도 2의 제1 레벨(LV1)에서의 수평 단면도에 대응하는 수평 단면도들이다. 도 13 내지 도 15에서, 도 1 내지 도 12에서와 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 나타낸다.
도 13 내지 도 15를 참조하면, 화학 용액 공급 장치(100A)는 화학 용액 저장 탱크(110)으로부터 화학 용액 공급 라인(132)을 통해 화학 용액(112)이 유입될 수 있는 제1 필터 구조체(120D)와, 제1 필터 구조체(120D)에서 필터링된 화학 용액(112)이 제1 필터 구조체(120D)로부터 필터 연결 라인(136)을 통해 유입될 수 있는 제2 필터 구조체(170)와, 제2 필터 구조체(170)로부터 화학 용액 배출 라인(134)을 경유하여 화학 용액(112)이 공급될 수 있는 화학 용액 분사 유닛(150)을 포함할 수 있다. 제1 필터 구조체(120D)와 제2 필터 구조체(170)는 직렬로 연결되어, 화학 용액(112)이 제1 필터 구조체(120D)와 제2 필터 구조체(170)를 순차적으로 통과하도록 구성될 수 있다.
제1 필터 구조체(120D)는 필터 하우징(122) 내에 배치되는 전계 멤브레인 구조체(124)를 포함할 수 있다. 전계 멤브레인 구조체(124)는 속이 빈 실린더 형상을 가지며, 전계 멤브레인 구조체(124)의 외측벽은 필터 하우징(122)의 내벽으로부터 이격되어 배치될 수 있고, 필터 하우징(122)의 내벽과 전계 멤브레인 구조체(124)의 외측벽 사이에 인렛부(120SI)가 정의될 수 있다. 또한 제1 필터 구조체(120D)의 중앙부에서 전계 멤브레인 구조체(124)의 내측벽 사이에는 Z 방향으로 연장되는 아웃렛부(120SO)가 정의될 수 있다. 전계 멤브레인 구조체(124)의 외측벽 상에는 제1 지지부(129A3)가 배치될 수 있고, 전계 멤브레인 구조체(124)의 내측벽 상에는 제2 지지부(129B3)가 배치될 수 있다.
제2 필터 구조체(170E)는 필터 하우징(172) 내에 배치되는 폴리머 멤브레인(176)을 포함할 수 있다. 폴리머 멤브레인(176)은 속이 빈 실린더 형상을 가지며, 폴리머 멤브레인(176)의 외측벽은 필터 하우징(172)의 내벽으로부터 이격되어 배치될 수 있고, 필터 하우징(172)의 내벽과 폴리머 멤브레인(176)의 외측벽 사이에 인렛부(170SI)가 정의될 수 있고, 인렛부(170SI)는 입구(172I)와 연통될 수 있다. 또한 제2 필터 구조체(170)의 중앙부에서 폴리머 멤브레인(176)의 내측벽 사이에는 Z 방향으로 연장되는 아웃렛부(170SO)가 정의될 수 있고, 아웃렛부(170SO)는 출구(172O)와 연통될 수 있다. 폴리머 멤브레인(176)의 외측벽 상에는 제3 지지부(129A4)가 배치될 수 있고, 폴리머 멤브레인(176)의 내측벽 상에는 제4 지지부(129B4)가 배치될 수 있다.
전술한 실시예들에 따르면, 제1 필터 구조체(120D)와 제2 필터 구조체(170)는 필터 연결 라인(136)에 의해 연결되어, 화학 용액(112)이 제1 필터 구조체(120D)와 제2 필터 구조체(170)를 순차적으로 통과하도록 구성될 수 있다. 화학 용액(112)이 제1 필터 구조체(120D)를 통과할 때, 제1 필터 구조체(120D) 내부에 배치되는 전계 멤브레인 구조체(124) 내에서 캐소드(162) 및 애노드(164) 사이에 인가된 전계에 의해 사이즈가 작은 전하 입자들이 필터링될 수 있다. 제1 필터 구조체(120D) 외부로 배출된 화학 용액(112)이 제2 필터 구조체(170)를 통과할 때, 제2 필터 구조체(170) 내부에 배치되는 폴리머 멤브레인(176)에 의해 사이즈가 큰 불순물 입자들이 필터링될 수 있다. 이에 따라 화학 용액(112) 내의 포토레지스트 입자는 필터링되지 않는 한편, 불순물 입자들이 효과적으로 필터링될 수 있다.
전술한 실시예에서는 화학 용액(112)이 전계 멤브레인 구조체(124)를 포함하는 제1 필터 구조체(120D)를 먼저 통과하고, 이후 폴리머 멤브레인(176)을 포함하는 제2 필터 구조체(170)를 통과하도록 제1 필터 구조체(120D)와 제2 필터 구조체(170)가 연결된 것이 설명되었다. 그러나 다른 실시예들에서는, 화학 용액(112)이 폴리머 멤브레인(176)을 포함하는 제2 필터 구조체(170)를 먼저 통과하고, 이후 전계 멤브레인 구조체(124)를 포함하는 제1 필터 구조체(120D)를 통과하도록 제1 필터 구조체(120D)와 제2 필터 구조체(170)가 연결될 수도 있다.
전술한 실시예에서는 화학 용액 공급 장치(100A)가 전계 멤브레인 구조체(124)를 포함하는 하나의 제1 필터 구조체(120D)를 구비하는 것으로 설명되었다. 그러나 다른 실시예들에서는, 화학 용액 공급 장치(100A)가 2개의 제1 필터 구조체(120D)를 구비하며, 상기 제1 필터 구조체(120D) 중 하나에 제1 전압이 인가되고 상기 제1 필터 구조체(120D) 중 다른 하나에 상기 제1 전계와 다른 제2 전압이 인가될 수도 있다.
이상에서와 같이 도면과 명세서에서 예시적인 실시예들이 개시되었다. 본 명세서에서 특정한 용어를 사용하여 실시예들을 설명되었으나, 이는 단지 본 개시의 기술적 사상을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 개시의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 개시의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
100: 화학 용액 공급 장치 112: 화학 용액
120: 필터 구조체 120SO: 아웃렛부
120SI: 인렛부 122: 필터 하우징
122I: 입구 122O: 출구
124: 전계 멤브레인 구조체 126: 폴리머 멤브레인
128: 전압 인가부 160: 전계 멤브레인 유닛
162: 캐소드 164: 애노드
166: 절연층

Claims (20)

  1. 복수의 전계 멤브레인 유닛을 포함하는 전계 멤브레인 구조체로서, 상기 복수의 전계 멤브레인 유닛 각각은, 복수의 제1 개구부들을 포함하는 캐소드와, 복수의 제2 개구부들을 포함하는 애노드와, 상기 캐소드와 상기 애노드 사이에서 배치되는 절연층을 포함하는, 상기 전계 멤브레인 구조체; 및
    상기 전계 멤브레인 구조체가 내부에 수용되며, 화학 용액이 유입되는 입구와, 상기 화학 용액이 유출되는 출구를 구비하는 필터 하우징을 포함하는 집적회로 장치의 제조에 사용되는 화학 용액 필터 구조체.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 절연층은 복수의 제3 개구부들을 포함하며,
    상기 절연층은 상기 캐소드와 상기 애노드와의 사이를 전기적으로 분리시키는 것을 특징으로 하는 집적회로 장치의 제조에 사용되는 화학 용액 필터 구조체.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 전계 멤브레인 구조체는, 상기 캐소드와 상기 애노드 사이에 전계가 인가되고, 상기 입구를 통해 유입되는 상기 화학 용액이 상기 전계 멤브레인 구조체를 통과하며 상기 화학 용액 내의 불순물이 상기 전계 멤브레인 구조체에 트랩되도록 구성되며,
    상기 전계 멤브레인 구조체에 트랩되는 상기 불순물은 전하 입자들인 것을 특징으로 하는 집적회로 장치의 제조에 사용되는 화학 용액 필터 구조체.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 필터 하우징 내에 수용되며, 복수의 기공들을 포함하는 폴리머 멤브레인을 더 포함하며,
    상기 폴리머 멤브레인은, 상기 입구를 통해 유입되는 상기 화학 용액이 상기 폴리머 멤브레인을 통과하며 상기 화학 용액 내의 불순물이 상기 폴리머 멤브레인에 의해 필터링되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 집적회로 장치의 제조에 사용되는 화학 용액 필터 구조체.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 전계 멤브레인 구조체는 속이 빈 실린더(hollow cylinder) 형상을 가지며,
    상기 폴리머 멤브레인이 상기 전계 멤브레인 구조체의 내측벽 상에 배치되는 것을 특징으로 하는 집적회로 장치의 제조에 사용되는 화학 용액 필터 구조체.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 전계 멤브레인 구조체는 상기 필터 하우징의 내벽과 이격되어 배치되고, 상기 전계 멤브레인 구조체의 외측벽과 상기 필터 하우징의 상기 내벽 사이에 인렛부가 정의되고,
    상기 폴리머 멤브레인은 속이 빈 실린더 형상을 가지며, 상기 폴리머 멤브레인의 내측벽 사이의 공간에 아웃렛부가 정의되는 것을 특징으로 하는 집적회로 장치의 제조에 사용되는 화학 용액 필터 구조체.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 화학 용액이 상기 입구로부터 상기 인렛부로 유입되고, 상기 전계 멤브레인 구조체와 상기 폴리머 멤브레인을 순차적으로 통과하여, 상기 아웃렛부를 통해 상기 출구로 배출되는 것을 특징으로 하는 집적회로 장치의 제조에 사용되는 화학 용액 필터 구조체.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 전계 멤브레인 구조체는 상기 필터 하우징의 내벽과 접촉하도록 배치되고,
    상기 폴리머 멤브레인은 속이 빈 실린더 형상을 가지며,
    상기 입구로부터 유입된 상기 화학 용액이 상기 전계 멤브레인 구조체를 통해 상기 필터 하우징의 길이 방향으로 통과하는 것을 특징으로 하는 집적회로 장치의 제조에 사용되는 화학 용액 필터 구조체.
  9. 제4항에 있어서,
    상기 폴리머 멤브레인은 속이 빈 실린더 형상을 가지며,
    상기 전계 멤브레인 구조체가 상기 폴리머 멤브레인의 내측벽 상에 배치되는 것을 특징으로 하는 집적회로 장치의 제조에 사용되는 화학 용액 필터 구조체.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 폴리머 멤브레인은 상기 필터 하우징의 내벽과 이격되어 배치되고, 상기 폴리머 멤브레인의 외측벽과 상기 필터 하우징의 상기 내벽 사이에 인렛부가 정의되고,
    상기 전계 멤브레인 구조체는 속이 빈 실린더 형상을 가지며, 상기 전계 멤브레인 구조체의 내측벽 사이의 공간에 아웃렛부가 정의되는 것을 특징으로 하는 집적회로 장치의 제조에 사용되는 화학 용액 필터 구조체.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 화학 용액이 상기 입구로부터 상기 인렛부로 유입되고, 상기 폴리머 멤브레인과 상기 전계 멤브레인 구조체를 순차적으로 통과하여, 상기 아웃렛부를 통해 상기 출구로 배출되는 것을 특징으로 하는 집적회로 장치의 제조에 사용되는 화학 용액 필터 구조체.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 전계 멤브레인 구조체는 원통형 형상을 가지며,
    상기 폴리머 멤브레인을 통과한 상기 화학 용액이 상기 전계 멤브레인 구조체를 통해 상기 필터 하우징의 길이 방향으로 통과하여 상기 출구로 배출되는 것을 특징으로 하는 집적회로 장치의 제조에 사용되는 화학 용액 필터 구조체.
  13. 제1 필터 구조체를 포함하는 화학 용액 공급 장치로서,
    상기 제1 필터 구조체는,
    화학 용액이 유입되는 입구와 상기 화학 용액이 유출되는 출구를 구비하는 제1 필터 하우징,
    상기 제1 필터 하우징 내에 수용되는 전계 멤브레인 구조체를 포함하고,
    상기 전계 멤브레인 구조체는 복수의 전계 멤브레인 유닛을 포함하고, 상기 복수의 전계 멤브레인 유닛 각각은, 캐소드와, 애노드와, 상기 캐소드와 상기 애노드 사이에서 배치되는 상기 캐소드와 상기 애노드와의 사이를 전기적으로 분리시키는 절연층을 포함하는 화학 용액 공급 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 캐소드는 복수의 제1 개구부들을 포함하고,
    상기 애노드는 복수의 제2 개구부들을 포함하며,
    상기 절연층은 복수의 제3 개구부들을 포함하며,
    상기 전계 멤브레인 구조체는, 상기 캐소드와 상기 애노드 사이에 전계가 인가되고, 상기 입구를 통해 유입되는 상기 화학 용액이 상기 복수의 제1 개구부들, 상기 복수의 제2 개구부들, 및 상기 복수의 제3 개구부들을 통과하며 상기 화학 용액 내의 불순물이 상기 전계 멤브레인 구조체에 트랩되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 화학 용액 공급 장치.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 제1 필터 구조체는, 상기 제1 필터 하우징 내에 수용되며 복수의 기공들을 포함하는 폴리머 멤브레인을 더 포함하며,
    상기 폴리머 멤브레인은, 상기 입구를 통해 유입되는 상기 화학 용액이 상기 폴리머 멤브레인을 통과하며 상기 화학 용액 내의 불순물이 상기 폴리머 멤브레인에 의해 필터링되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 화학 용액 공급 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 전계 멤브레인 구조체는 속이 빈 실린더 형상을 가지며,
    상기 폴리머 멤브레인이 상기 전계 멤브레인 구조체의 내측벽 상에 배치되는 것을 특징으로 하는 화학 용액 공급 장치.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 폴리머 멤브레인은 속이 빈 실린더 형상을 가지며,
    상기 전계 멤브레인 구조체가 상기 폴리머 멤브레인의 내측벽 상에 배치되는 것을 특징으로 하는 화학 용액 공급 장치.
  18. 제13항에 있어서,
    화학 용액이 유입되는 입구와 상기 화학 용액이 유출되는 출구를 구비하는 제2 필터 하우징, 및
    상기 제2 필터 하우징 내에 수용되며, 복수의 기공들을 포함하는 폴리머 멤브레인을 포함하는 제2 필터 구조체를 더 포함하고,
    상기 폴리머 멤브레인은, 상기 입구를 통해 유입되는 상기 화학 용액이 상기 폴리머 멤브레인을 통과하며 상기 기공의 크기보다 큰 크기를 갖는 불순물 입자들이 상기 폴리머 멤브레인에 의해 필터링되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 화학 용액 공급 장치.
  19. 필터 구조체를 포함하는 화학 용액 공급 장치로서,
    상기 필터 구조체는,
    화학 용액이 유입되는 입구와 상기 화학 용액이 유출되는 출구를 구비하는 필터 하우징,
    상기 필터 하우징 내에 수용되는 전계 멤브레인 구조체, 및
    상기 필터 하우징 내에 수용되며 복수의 기공들을 포함하는 폴리머 멤브레인을 포함하며,
    상기 전계 멤브레인 구조체는 복수의 전계 멤브레인 유닛을 포함하고, 상기 복수의 전계 멤브레인 유닛 각각은,
    복수의 제1 개구부들을 포함하는 캐소드와, 복수의 제2 개구부들을 포함하는 애노드와, 상기 캐소드와 상기 애노드 사이에서 상기 캐소드와 상기 애노드와의 사이를 전기적으로 분리시키며 복수의 제3 개구부들을 포함하는 절연층을 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 용액 공급 장치.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 전계 멤브레인 구조체는, 상기 캐소드와 상기 애노드 사이에 전계가 인가되고, 상기 입구를 통해 유입되는 상기 화학 용액이 상기 전계 멤브레인 구조체를 통과하며 상기 화학 용액 내의 제1 불순물 입자가 상기 전계 멤브레인 구조체에 트랩되도록 구성되며,
    상기 폴리머 멤브레인은, 상기 화학 용액이 상기 폴리머 멤브레인을 통과하며 상기 화학 용액 내의 제2 불순물 입자가 상기 폴리머 멤브레인에 의해 필터링되도록 구성되고,
    상기 제1 불순물 입자는 상기 화학 용액 내의 화학 물질보다 작은 입자 사이즈를 가지며, 상기 제1 불순물 입자는 전하 입자를 포함하고,
    상기 제2 불순물 입자는 상기 화학 용액 내의 상기 화학 물질보다 큰 입자 사이즈를 갖는 것을 특징으로 하는 화학 용액 공급 장치.
KR1020180009935A 2018-01-26 2018-01-26 집적회로 장치의 제조에 사용되는 화학 용액 필터 구조체 및 이를 포함하는 화학 용액 공급 장치 KR102505854B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180009935A KR102505854B1 (ko) 2018-01-26 2018-01-26 집적회로 장치의 제조에 사용되는 화학 용액 필터 구조체 및 이를 포함하는 화학 용액 공급 장치
US16/122,454 US10688437B2 (en) 2018-01-26 2018-09-05 Filter structure for chemical solution used in manufacturing integrated circuit and apparatus for supplying chemical solution including filter structure for chemical solution
CN201811265066.8A CN110075713B (zh) 2018-01-26 2018-10-29 过滤器结构以及包括过滤器结构的设备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180009935A KR102505854B1 (ko) 2018-01-26 2018-01-26 집적회로 장치의 제조에 사용되는 화학 용액 필터 구조체 및 이를 포함하는 화학 용액 공급 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190091015A true KR20190091015A (ko) 2019-08-05
KR102505854B1 KR102505854B1 (ko) 2023-03-03

Family

ID=67393079

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180009935A KR102505854B1 (ko) 2018-01-26 2018-01-26 집적회로 장치의 제조에 사용되는 화학 용액 필터 구조체 및 이를 포함하는 화학 용액 공급 장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10688437B2 (ko)
KR (1) KR102505854B1 (ko)
CN (1) CN110075713B (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112023131B (zh) * 2020-08-28 2023-08-18 杭州未名信科科技有限公司 电渗驱动模块、植入式电渗微泵装置及电引出方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009072778A (ja) * 2007-04-13 2009-04-09 Masaaki Arai 電解水の製造装置、電解水の製造方法および電解水
JP2016516577A (ja) * 2013-04-25 2016-06-09 ラディカル フィルトレーション リミテッドＲａｄｉｃａｌ Ｆｉｌｔｒａｔｉｏｎ Ｌｉｍｉｔｅｄ 電気化学的フィルタ装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5128041A (en) 1991-05-15 1992-07-07 Pall Corporation Microporous membrane, method of manufacture, and method of use
US6783937B1 (en) 1999-02-25 2004-08-31 Pall Corporation Negatively charged membrane
US6780327B1 (en) 1999-02-25 2004-08-24 Pall Corporation Positively charged membrane
KR20030006302A (ko) 2001-07-12 2003-01-23 삼성전자 주식회사 반도체 제조설비의 필터장치
KR100857995B1 (ko) 2003-11-03 2008-09-10 동부일렉트로닉스 주식회사 감광액 여과장치 및 그 불순물 제거방법
KR20080006262A (ko) 2006-07-12 2008-01-16 삼성전자주식회사 케미컬 용액 필터링 조립체 구조
CN101721914A (zh) * 2009-12-21 2010-06-09 同济大学 附加电场的中空纤维膜组件
EP2797105B1 (en) 2013-04-26 2018-08-15 Amsterdam Scientific Instruments Holding B.V. Detection of ions in an ion trap
KR20150006563A (ko) 2013-07-09 2015-01-19 삼성디스플레이 주식회사 파티클 제거 방법 및 이를 수행하기 위한 장치
KR20150021250A (ko) * 2013-08-20 2015-03-02 삼성전기주식회사 반도체 패키지, 반도체 패키지 제조 방법 및 적층형 반도체 패키지
US9360758B2 (en) 2013-12-06 2016-06-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor device process filter and method

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009072778A (ja) * 2007-04-13 2009-04-09 Masaaki Arai 電解水の製造装置、電解水の製造方法および電解水
JP2016516577A (ja) * 2013-04-25 2016-06-09 ラディカル フィルトレーション リミテッドＲａｄｉｃａｌ Ｆｉｌｔｒａｔｉｏｎ Ｌｉｍｉｔｅｄ 電気化学的フィルタ装置

Also Published As

Publication number Publication date
US10688437B2 (en) 2020-06-23
KR102505854B1 (ko) 2023-03-03
CN110075713A (zh) 2019-08-02
US20190232227A1 (en) 2019-08-01
CN110075713B (zh) 2022-11-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100380606C (zh) 等离子体处理系统
CN110711738B (zh) 等离子体发生器、清洗液处理设备和处理方法、清洗设备
KR102043263B1 (ko) 바이폴라 cdi 전극, 바이폴라 cdi 전극 모듈 및 이를 포함하는 수처리 장치
US20070120177A1 (en) Electrochemical cell structure and method of fabrication
CN101809719A (zh) 具有可调节电容的等离子体处理系统的方法和装置
KR102505854B1 (ko) 집적회로 장치의 제조에 사용되는 화학 용액 필터 구조체 및 이를 포함하는 화학 용액 공급 장치
US8796065B2 (en) Electrochemical cell structure and method of fabrication
KR20110027710A (ko) 슈퍼캐패시터, 슈퍼캐패시터 탈염 셀, 슈퍼캐패시터 탈염 장치 및 슈퍼캐패시터 제조 방법
JP2000091169A (ja) 通液型コンデンサおよびそれを用いた液体の処理方法
JP7467671B2 (ja) スラリー濾過装置及び塗布システム
KR20200109248A (ko) 헤드 유닛, 전계 방사 헤드, 및 전계 방사 장치
US6695962B2 (en) Anode designs for planar metal deposits with enhanced electrolyte solution blending and process of supplying electrolyte solution using such designs
CN1192418C (zh) 对物料层进行结构化的方法
US20210071319A1 (en) Electrospinning head and electrospinning apparatus
US5785834A (en) Electrostatic filter
WO2005003848A1 (en) The process for cleaning a glass surface in manufacturing lcd
JP5179310B2 (ja) 固体電解コンデンサの絶縁層形成装置及び固体電解コンデンサの絶縁層形成方法
KR102077538B1 (ko) 이차전지의 양극재에 적용되는 알루미늄 박막의 세척 장치, 이를 이용한 세척 방법 및 이를 이용하여 세척된 알루미늄 박막
JP7373478B2 (ja) 薬液供給装置、薬液のパーティクル除去方法、ノズルユニット、及び基板処理装置
KR20080023293A (ko) 습식 프로세싱 장치 및 디스플레이 패널 제조 방법
JP2009004409A (ja) 電解コンデンサ用エッチング箔の製造装置および製造方法
KR102234412B1 (ko) 연료전지용 양극 및 이의 제조방법
US12037273B2 (en) Ion removal apparatus
US20230398475A1 (en) Charged particle filter and removal system
KR101804729B1 (ko) 자동차용 연료 필터 유닛

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right