KR20190089565A - Producing method of mask integrated frame - Google Patents

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KR20190089565A
KR20190089565A KR1020180008257A KR20180008257A KR20190089565A KR 20190089565 A KR20190089565 A KR 20190089565A KR 1020180008257 A KR1020180008257 A KR 1020180008257A KR 20180008257 A KR20180008257 A KR 20180008257A KR 20190089565 A KR20190089565 A KR 20190089565A
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이병일
김봉진
이유진
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주식회사 티지오테크
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Abstract

The present invention relates to a method for manufacturing a frame-integrated mask, capable of increasing stability in pixel deposition. According to the present invention, the method for manufacturing a frame-integrated mask integrating a mask (100) and a frame (30) supporting the mask (100) comprises: a step (a) of preparing a conductive substrate (41); a step (b) of forming a patterned insulation part (45) on one surface of the conductive substrate (41) to make a mother plate (40); a step (c) of using the mother plate (40) as a cathodic body and forming a plating layer (100) on the mother plate (40) through electroforming; a step (d) of bonding at least a part of a border (100b) of the plating layer (100) to the frame (30); a step (e) of separating the plating layer (100) and the frame (30) from the mother plate (40); and a step (f) of heat-treating the plating layer (100).

Description

프레임 일체형 마스크의 제조 방법 및 마스크 제조 방법{PRODUCING METHOD OF MASK INTEGRATED FRAME}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a frame-

본 발명은 프레임 일체형 마스크의 제조 방법 및 마스크 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 전주 도금 방식을 이용하여 패턴을 가지는 마스크를 형성하고, 프레임과 마스크가 일체를 이루어 마스크의 변형을 방지하고 마스크 패턴의 얼라인(align)을 명확하게 할 수 프레임 일체형 마스크의 제조 방법 및 마스크 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a frame-integrated mask and a method of manufacturing a mask. More specifically, a mask having a pattern is formed by using the electroplating method, and a frame and a mask are integrally formed to prevent deformation of the mask and make alignment of the mask pattern clear. And a method of manufacturing a mask.

최근에 박판 제조에 있어서 전주 도금(Electroforming) 방법에 대한 연구가 진행되고 있다. 전주 도금 방법은 전해액에 양극체, 음극체를 침지하고, 전원을 인가하여 음극체의 표면상에 금속박판을 전착시키므로, 극박판을 제조할 수 있으며, 대량 생산을 기대할 수 있는 방법이다.Recently, electroforming methods have been studied in the manufacture of thin plates. In the electroplating method, an anode body and a cathode body are immersed in an electrolytic solution, and a power source is applied to electrodeposit a metal thin plate on the surface of the cathode body, so that an ultra thin plate can be manufactured and mass production can be expected.

한편, OLED 제조 공정에서 화소를 형성하는 기술로, 박막의 금속 마스크(Shadow Mask)를 기판에 밀착시켜서 원하는 위치에 유기물을 증착하는 FMM(Fine Metal Mask) 법이 주로 사용된다.On the other hand, FMM (Fine Metal Mask) method for depositing an organic material at a desired position by bringing a thin film metal mask (Shadow Mask) into close contact with a substrate is mainly used as a technique of forming a pixel in an OLED manufacturing process.

도 1 및 도 2는 종래의 FMM(Fine Metal Mask) 제조 과정을 나타내는 개략도이다.FIGS. 1 and 2 are schematic views showing a conventional FMM (Fine Metal Mask) manufacturing process.

도 1을 참조하면, 기존의 마스크 제조 방법은, 마스크로 사용될 금속 박판(1)을 마련하고[도 1의 (a)], 금속 박판(1) 상에 PR(Photoresist; 2) 코팅 후 패터닝을 하거나, 패턴을 가지도록 PR(2) 코팅한 후[도 1의 (b)], 식각을 통해 패턴(P)을 가지는 마스크(3)를 제조하였다.Referring to FIG. 1, a conventional mask manufacturing method includes: providing a thin metal plate 1 to be used as a mask (FIG. 1A); patterning PR (photoresist) 2 on a thin metal plate 1 (2) (FIG. 1 (b)) so as to have a pattern, and a mask 3 having a pattern P through etching is manufactured.

도 2를 참조하면, 도금을 이용한 기존의 마스크 제조 방법은, 기판(4)[도 2의 (a)]을 준비하고, 기판(4) 상에 소정의 패턴을 가지는 PR(2)을 코팅한다[도 2의 (b)]. 이어서, 기판(4) 상에 도금을 수행하여 금속 박판(3)을 형성한다[도 2의 (c)]. 이어서, PR(2)을 제거하고[도 2의 (d)], 기판(4)으로부터 패턴(P)이 형성된 마스크(3)[또는, 금속 박판(3)]을 분리한다[도 2의 (e)].Referring to FIG. 2, a conventional mask manufacturing method using plating includes preparing a substrate 4 (FIG. 2 (a)) and coating a PR 2 having a predetermined pattern on a substrate 4 (Fig. 2 (b)). Subsequently, plating is performed on the substrate 4 to form a thin metal plate 3 (Fig. 2 (c)). Next, the mask 3 (or the thin metal plate 3) on which the pattern P is formed is removed from the substrate 4 (Fig. 2 (d)) e).

위와 같은 종래의 FMM 제조 과정은, 매번 기판에 PR을 코팅하고, 식각하는 공정이 수반되므로, 공정 시간, 비용이 증가하고, 생산성이 낮아지는 문제점이 있었다.In the above-described conventional FMM manufacturing process, there is a problem that the process time and cost are increased and the productivity is lowered because the PR is coated on the substrate and the etching process is performed each time.

또한, 기존의 OLED 제조 공정에서는 마스크를 스틱 형태, 플레이트 형태 등으로 제조한 후, 마스크를 OLED 화소 증착 프레임에 용접 고정시켜 사용한다. 대면적 OLED 제조를 위해서 여러 개의 마스크를 OLED 화소 증착 프레임에 고정시킬 수 있는데, 마스크끼리의 정렬이 잘 되지 않는 문제점이 있었다. 또한, 프레임에 용접 고정하는 과정에서, 마스크 막의 두께가 너무 얇고 대면적이기 때문에 하중에 의해 마스크가 쳐지거나 뒤틀어지는 문제점이 있었다.In addition, in a conventional OLED manufacturing process, a mask is formed in a stick shape or a plate shape, and then a mask is welded and fixed to an OLED pixel deposition frame. In order to manufacture a large area OLED, a plurality of masks can be fixed to the OLED pixel deposition frame. Further, in the process of welding and fixing to the frame, there is a problem that the thickness of the mask film is too thin, and the mask is curved or warped due to the load.

또 한편, 초고화질의 OLED 제조 공정에서는 수 ㎛의 미세한 정렬의 오차도 화소 증착의 실패로 이어 질 수 있으므로, 화소 증착 공정에서 열에 의한 변형을 방지할 수 있도록, 열팽창계수가 낮은 FMM을 제조하는 기술이 필요한 실정이다.On the other hand, in an ultra-high-quality OLED manufacturing process, errors of fine alignment of several micrometers may lead to failure of pixel deposition. Therefore, in order to prevent deformation due to heat in a pixel deposition process, .

따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 제반 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 마스크와 프레임이 일체형 구조를 이루는 프레임 일체형 마스크의 제조 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, it is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a frame-integrated mask in which a mask and a frame have an integrated structure.

또한, 본 발명은 마스크와 프레임을 일체로 형성함에 따라, 마스크의 정렬을 명확하게 하여 화소 증착의 안정성을 향상시킬 수 있는 프레임 일체형 마스크의 제조 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.It is another object of the present invention to provide a method of manufacturing a frame-integrated mask capable of improving the stability of pixel deposition by clearly aligning the mask by integrally forming the mask and the frame.

또한, 본 발명은 도금 공정만으로 패턴을 가지는 마스크를 제조할 수 있는, 프레임 일체형 마스크의 제조 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing a frame-integrated mask capable of manufacturing a mask having a pattern only by a plating process.

또한, 본 발명은 열처리를 통해 낮은 열팽창계수를 가지는 마스크를 제조할 수 있고, 열처리 과정에서 마스크 패턴의 변형을 방지할 수 있는 프레임 일체형 마스크의 제조 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.It is another object of the present invention to provide a method of manufacturing a frame-integrated mask capable of manufacturing a mask having a low thermal expansion coefficient through heat treatment and preventing deformation of the mask pattern during a heat treatment process.

또한, 본 발명은 마스크 및 마스크 패턴의 변형이 없이, 열처리로 인한 열팽창계수가 낮아진 특성을 가지는 마스크의 제조 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.It is another object of the present invention to provide a method of manufacturing a mask having a characteristic that a thermal expansion coefficient due to heat treatment is lowered without deformation of the mask and the mask pattern.

본 발명의 상기의 목적은, 마스크와 마스크를 지지하는 프레임이 일체로 형성된 프레임 일체형 마스크의 제조 방법으로서, (a) 전도성 기재를 제공하는 단계; (b) 전도성 기재의 일면 상에 패턴화된 절연부를 형성하여 모판(Mother Plate)을 제조하는 단계; (c) 모판을 음극체(Cathode Body)로 사용하고, 전주 도금(Electroforming)으로 모판 상에 도금막을 형성하는 단계; (d) 도금막의 테두리의 적어도 일부를 프레임에 접착하는 단계; (e) 모판으로부터 도금막 및 프레임을 분리하는 단계; 및 (f) 도금막을 열처리하는 단계를 포함하는, 프레임 일체형 마스크의 제조 방법에 의해 달성된다.The above object of the present invention can be also achieved by a method of manufacturing a frame-integrated mask in which a mask and a frame for supporting a mask are integrally formed, the method comprising: (a) providing a conductive substrate; (b) forming a patterned insulating part on one surface of the conductive substrate to manufacture a mother plate; (c) forming a plated film on the base plate by electroforming using a base plate as a cathode body; (d) bonding at least a portion of the rim of the plated film to the frame; (e) separating the plated film and the frame from the base plate; And (f) heat treating the plated film.

전도성 기재는 도핑된 단결정 실리콘 재질, 또는 Ti, SUS, Cu, Ag, GaN, SiC, GaAs, GaP, AlN, InN, InP, Ge, Al2O3, 흑연(graphite), 그래핀(graphene), 페로브스카이트(perovskite) 구조의 세라믹, 단결정 초내열합금 중 어느 하나의 재질일 수 있다.The conductive substrate is a doped single-crystal silicon material, or Ti, SUS, Cu, Ag, GaN, SiC, GaAs, GaP, AlN, InN, InP, Ge, Al 2 O 3, graphite (graphite), graphene (graphene), A perovskite structure ceramic, and a single-crystal super-heat-resistant alloy.

절연부는 포토레지스트, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 중 어느 하나의 재질일 수 있다.The insulating portion may be made of any one of photoresist, silicon oxide, and silicon nitride.

절연부는 테이퍼 형상 또는 역테이퍼 형상을 가질 수 있다.The insulating portion may have a tapered shape or a reverse tapered shape.

열처리는 300℃ 내지 800℃로 수행할 수 있다.The heat treatment may be performed at 300 캜 to 800 캜.

도금막은 인바(Invar) 또는 슈퍼 인바(Super Invar) 재질이고, 프레임은 인바, 슈퍼 인바, Ti, Al, Ni, Ni-Co, Mo, W, SUS, SiC, 흑연 중 어느 하나의 재질일 수 있다.The plated film may be made of Invar or Super Invar and the frame may be made of Invar, Super Invar, Ti, Al, Ni, Ni-Co, Mo, W, SUS, SiC or graphite .

(c) 단계와 (d) 단계 사이에, 도금막의 테두리 영역을 제외한 나머지 영역 상에 제2 절연부를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.and forming a second insulating portion between the step (c) and the step (d) on the remaining region except the edge region of the plating film.

(d) 단계는, (d1) 프레임 상부의 적어도 일부에 접착부를 형성하고, 노출된 도금막의 테두리 영역 중 적어도 일부를 접착부에 접착하는 단계; 및 (d2) 접착부와 제2 절연부 사이에 노출된 도금막 및 프레임의 내측면 상에 전주 도금으로 접착 도금부를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.(d) comprises the steps of: (d1) forming an adhesive portion on at least a portion of the upper portion of the frame, and adhering at least a portion of the exposed edge portion of the plated film to the adhesive portion; And (d2) forming an adhesive plated portion by electroplating on the inner surface of the plated film and the frame exposed between the adhesive portion and the second insulating portion.

(d) 단계는, (d1) 프레임 상부와 노출된 도금막의 테두리 영역 중 적어도 일부를 맞닿게 하는 단계; 및 (d2) 프레임 내측면과 제2 절연부 사이에 노출된 도금막 및 프레임의 내측면 상에 전주 도금으로 접착 도금부를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.(d) comprises the steps of: (d1) abutting at least a part of the upper edge of the frame and the edge region of the exposed plated film; And (d2) forming an adhesive plating portion by electroplating on the inner surface of the frame and the plating film exposed between the inner side surface of the frame and the second insulating portion.

접착 도금부는 도금막의 일면 테두리에 연결되어 도금막과 일체화 될 수 있다.The adhesive plated portion may be connected to the edge of one surface of the plated film and integrated with the plated film.

접착 도금부는 도금막의 외측으로 인장력을 가하는 상태로, 프레임 내측면 상에 형성될 수 있다.The adhesive plated portion can be formed on the inner side surface of the frame in a state of applying a tensile force to the outside of the plated film.

(e) 단계와 (f) 단계 사이에, (e2) 접착부에 대응하는 도금막의 박리막 경계에 레이저를 조사하고, 접착부를 세정하는 단계; 및 (e3) 도금막의 박리막을 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.(e) between step (e) and step (f), (e2) irradiating a laser on the boundary of the release film of the plated film corresponding to the adhered part and cleaning the adhered part; And (e3) removing the peeling film of the plated film.

(f) 단계 이후, (g) 접착부에 대응하는 도금막의 박리막 경계에 레이저를 조사하고, 접착부를 세정하는 단계; 및 (h) 도금막의 박리막을 제거하는 단계를 포함할 수 있다.after the step (f), (g) irradiating a laser to the boundary of the peeling film of the plated film corresponding to the adhering part and cleaning the adhering part; And (h) removing the peeling film of the plated film.

(d) 단계는, (d) 프레임 상부의 적어도 일부에 접착부를 형성하고, 도금막의 테두리 중 적어도 일부를 접착부에 접착하는 단계; 이고, (e) 단계와 (f) 단계 사이에, (e2) 접착부가 형성된 영역보다 내측 영역의 적어도 일부 도금막을 프레임 상부에 레이저 용접하는 단계를 더 포함할 수 있다.(d) comprises the steps of: (d) forming an adhesive portion on at least a part of the upper portion of the frame and bonding at least a part of the edges of the plated film to the adhesive portion; (E) between step (e) and step (f), and (e2) laser welding at least a part of the plated film in the inner region to the upper part of the frame.

(f) 단계 이후에, (g) 접착부에 대응하는 도금막의 박리막 경계에 레이저를 조사하고, 접착부를 세정하는 단계; 및 (h) 도금막의 박리막을 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.(g) after the step (f), irradiating a laser to a boundary of the peeling film of the plated film corresponding to the adhering section to clean the adhering section; And (h) removing the peeling film of the plated film.

(d) 단계는, (d) 프레임 상부의 적어도 일부에 접착부를 형성하고, 도금막의 테두리 중 적어도 일부를 접착부에 접착하는 단계; 이고, (e) 단계와 (f) 단계 사이에, (e2) 접착부가 형성된 영역보다 내측 영역의 적어도 일부 도금막을 프레임 상부에 레이저 용접하는 단계; (e3) 접착부에 대응하는 도금막의 박리막 경계에 레이저를 조사하고, 접착부를 세정하는 단계; 및 (e4) 도금막의 박리막을 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.(d) comprises the steps of: (d) forming an adhesive portion on at least a part of the upper portion of the frame and bonding at least a part of the edges of the plated film to the adhesive portion; (E) between step (e) and step (f), (e2) laser welding at least a part of the plated film in the inner region to the upper part of the frame, (e3) irradiating a laser beam on a boundary of the peeling film of the plated film corresponding to the adhering portion, and cleaning the adhering portion; And (e4) removing the peeling film of the plated film.

레이저를 조사한 도금막의 부분이 일부 용융되어 도금막과 프레임 간에 용접부가 개재됨에 따라 레이저 용접이 수행될 수 있다.Laser welding can be performed as a portion of the plated film irradiated with the laser is partially melted and the welded portion is interposed between the plated film and the frame.

(d) 단계는, (d1) 프레임 상부의 적어도 일부분에 금속을 포함하는 접착부를 형성하고, 도금막의 테두리 중 적어도 일부를 접착부에 대응하는 단계; (d2) 접착부에 소정의 온도, 소정의 압력 중 적어도 어느 하나를 가하는 단계; 및 (d3) 소정의 온도, 소정의 압력 중 적어도 어느 하나의 인가를 해제하여, 도금막과 프레임을 접착하는 단계를 포함할 수 있다.(d) comprises the steps of: (d1) forming a bonding portion including a metal on at least a part of the upper portion of the frame, and at least a part of the rim of the plating film corresponding to the bonding portion; (d2) applying at least one of a predetermined temperature and a predetermined pressure to the bonding portion; And (d3) releasing the application of at least one of the predetermined temperature and the predetermined pressure to adhere the plated film to the frame.

(d2) 단계에서, 접착부의 적어도 일부가 고상(solid phase)에서 액상(liquid phase)으로 변하고, (d3) 단계에서, 접착부의 액상이 다시 고상으로 변하면서 도금막과 프레임을 접착할 수 있다.(d2), at least a part of the adhering portion changes from a solid phase to a liquid phase, and in the step (d3), the liquid film of the adhering portion changes into a solid phase again, thereby bonding the plated film and the frame.

접착부는 적어도 두 금속의 합금을 포함할 수 있다. The bond portion may comprise an alloy of at least two metals.

(d) 단계는, (d1) 프레임 상부와 도금막의 테두리 영역 중 적어도 일부를 맞닿게 하는 단계; (d2) 프레임의 적어도 외측면 상에 전주 도금으로 접착 도금부를 형성하는 단계; 및 (d3) 접착 도금부와 도금막의 테두리를 일체로 연결함에 따라 도금막과 프레임을 접착하는 단계를 포함할 수 있다.(d) comprises the steps of: (d1) abutting at least a portion of the frame top and the edge region of the plated film; (d2) forming an adhesive plated portion by electroplating on at least an outer surface of the frame; And (d3) bonding the plated film and the frame by integrally connecting the edges of the plated film and the bonded plated portion.

그리고, 본 발명의 상기의 목적은, 마스크의 제조 방법으로서, (a) 상기 프레임 일체형 마스크의 제조 방법을 이용하여 제조한 프레임 일체형 마스크를 제공하는 단계; (b) 프레임 일체형 마스크에서 마스크와 프레임 경계에 레이저를 조사하는 단계; 및 (c) 프레임 일체형 마스크로부터 마스크를 분리하는 단계를 포함하는, 마스크의 제조 방법에 의해 달성된다.The above object of the present invention can be also achieved by a method of manufacturing a mask, comprising the steps of: (a) providing a frame-integrated mask manufactured by using the method of manufacturing a frame-integrated mask; (b) irradiating a mask with a frame boundary with a laser in a frame-integrated mask; And (c) separating the mask from the frame-integrated mask.

상기와 같이 구성된 본 발명에 따르면, 마스크와 프레임이 일체형 구조를 이루는 효과가 있다.According to the present invention configured as described above, there is an effect that the mask and the frame form an integral structure.

또한, 본 발명에 따르면, 마스크의 정렬을 명확하게 하여 화소 증착의 안정성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.Further, according to the present invention, the alignment of the mask is clarified and the stability of the pixel deposition can be improved.

또한, 본 발명에 따르면, 도금 공정만으로 패턴을 가지는 마스크를 제조할 수 있는 효과가 있다.Further, according to the present invention, there is an effect that a mask having a pattern can be produced only by a plating process.

또한, 본 발명에 따르면, 열처리를 통해 낮은 열팽창계수를 가지는 마스크를 제조할 수 있고, 열처리 과정에서 마스크 패턴의 변형을 방지할 수 있는 효과가 있다.In addition, according to the present invention, a mask having a low thermal expansion coefficient can be manufactured through heat treatment, and deformation of a mask pattern can be prevented in a heat treatment process.

또한, 본 발명에 따르면, 마스크 및 마스크 패턴의 변형이 없이, 열처리로 인한 열팽창계수가 낮아진 특성을 가지는 효과가 있다.Further, according to the present invention, there is an effect that the thermal expansion coefficient due to the heat treatment is lowered without deformation of the mask and the mask pattern.

도 1 및 도 2는 종래의 FMM(Fine Metal Mask) 제조 과정을 나타내는 개략도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 FMM을 이용한 OLED 화소 증착 장치를 나타내는 개략도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 마스크를 나타내는 개략도이다.
도 5 내지 도 7은 본 발명의 제1 실시예에 따른 프레임 일체형 마스크를 제조하는 과정을 나타내는 개략도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시 예에 따른 열처리 후의 마스크의 열팽창계수(coefficient of expansion, CTE)를 나타내는 그래프이다.
도 9 내지 도 11은 본 발명의 제2 실시예에 따른 프레임 일체형 마스크를 제조하는 과정을 나타내는 개략도이다.
도 12은 본 발명의 제3 실시예에 따른 프레임 일체형 마스크를 제조하는 과정을 나타내는 개략도이다.
도 13 내지 도 14는 본 발명의 제4 실시예에 따른 프레임 일체형 마스크를 제조하는 과정을 나타내고, 본 발명의 일 실시예에 따라 프레임 일체형 마스크로부터 마스크를 제조하는 과정을 나타내는 개략도이다.
도 15는 본 발명의 다른 실시예들에 따라 프레임 일체형 마스크로부터 마스크를 제조하는 과정을 나타내는 개략도이다.
도 16은 도 12의 프레임 일체형 마스크를 적용한 OLED 화소 증착 장치를 나타내는 개략도이다.FIGS. 1 and 2 are schematic views showing a conventional FMM (Fine Metal Mask) manufacturing process.
3 is a schematic view showing an OLED pixel deposition apparatus using FMM according to an embodiment of the present invention.
4 is a schematic view showing a mask according to an embodiment of the present invention.
5 to 7 are schematic views showing a process of manufacturing a frame-integrated mask according to the first embodiment of the present invention.
8 is a graph showing a coefficient of expansion (CTE) of a mask after heat treatment according to an embodiment of the present invention.
9 to 11 are schematic views showing a process for manufacturing a frame-integrated mask according to a second embodiment of the present invention.
12 is a schematic view showing a process of manufacturing a frame-integrated mask according to a third embodiment of the present invention.
FIGS. 13 to 14 are schematic views showing a process of manufacturing a frame-integrated mask according to a fourth embodiment of the present invention, and a process of manufacturing a mask from a frame-integrated mask according to an embodiment of the present invention.
15 is a schematic view showing a process of manufacturing a mask from a frame-integrated mask according to another embodiment of the present invention.
FIG. 16 is a schematic view showing an OLED pixel deposition apparatus to which the frame-integrated mask of FIG. 12 is applied.

후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있기에 충분하도록 상세히 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭하며, 길이 및 면적, 두께 등과 그 형태는 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다.The following detailed description of the invention refers to the accompanying drawings, which illustrate, by way of illustration, specific embodiments in which the invention may be practiced. These embodiments are described in sufficient detail to enable those skilled in the art to practice the invention. It should be understood that the various embodiments of the present invention are different, but need not be mutually exclusive. For example, certain features, structures, and characteristics described herein may be implemented in other embodiments without departing from the spirit and scope of the invention in connection with an embodiment. It is also to be understood that the position or arrangement of the individual components within each disclosed embodiment may be varied without departing from the spirit and scope of the invention. The following detailed description is, therefore, not to be taken in a limiting sense, and the scope of the present invention is to be limited only by the appended claims, along with the full scope of equivalents to which such claims are entitled, if properly explained. In the drawings, like reference numerals refer to the same or similar functions throughout the several views, and length and area, thickness, and the like may be exaggerated for convenience.

이하에서는, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위하여, 본 발명의 바람직한 실시예들에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, so that those skilled in the art can easily carry out the present invention.

도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 FMM(100)을 이용한 OLED 화소 증착 장치(200)를 나타내는 개략도이다.3 is a schematic diagram showing an OLED pixel deposition apparatus 200 using an FMM 100 according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 일반적으로 OLED 화소 증착 장치(200)는, 마그넷(310)이 수용되고, 냉각수 라인(350)이 배설된 마그넷 플레이트(300)와, 마그넷 플레이트(300)의 하부로부터 유기물 소스(600)를 공급하는 증착 소스 공급부(500)를 포함한다.3, an OLED pixel deposition apparatus 200 generally includes a magnet plate 300 in which a magnet 310 is accommodated and a cooling water line 350 is disposed, And a deposition source supply part 500 for supplying a deposition source 600.

마그넷 플레이트(300)와 소스 증착부(500) 사이에는 유기물 소스(600)가 증착되는 유리 등의 대상 기판(900)이 개재될 수 있다. 대상 기판(900)에는 유기물 소스(600)가 화소별로 증착되게 하는 FMM(100)이 밀착되거나 매우 근접하도록 배치될 수 있다. 마그넷(310)이 자기장을 발생시키고 자기장에 의한 인력으로 FMM(100)이 대상 기판(900)에 밀착될 수 있다.A target substrate 900 such as a glass on which the organic material source 600 is deposited may be interposed between the magnet plate 300 and the source evaporator 500. The FMM 100 for causing the organic material source 600 to be deposited on a pixel-by-pixel basis may be closely adhered to the target substrate 900 or may be disposed in close proximity. The magnet 310 generates a magnetic field and the FMM 100 can be brought into close contact with the target substrate 900 by a magnetic field.

스틱형(Stick-Type) 마스크[도 4의 (a) 참조], 플레이트형(Plate-Type) 마스크[도 4의 (b) 참조]는 대상 기판(900)에 밀착되기 전에 얼라인(align)이 필요하다. 하나의 마스크 또는 복수의 마스크는 프레임(800)에 결합될 수 있다. 프레임(800)은 OLED 화소 증착 장치(200) 내에 고정 설치되고, 마스크는 별도의 부착, 용접 공정을 거쳐 프레임(800)에 결합될 수 있다.A stick-type mask (see FIG. 4A) and a plate-type mask (see FIG. 4B) are aligned before they are brought into close contact with the target substrate 900, Is required. One mask or a plurality of masks may be coupled to the frame 800. The frame 800 is fixedly installed in the OLED pixel deposition apparatus 200, and the mask can be coupled to the frame 800 via a separate attachment, welding process.

증착 소스 공급부(500)는 좌우 경로를 왕복하며 유기물 소스(600)를 공급할 수 있고, 증착 소스 공급부(500)에서 공급되는 유기물 소스(600)들은 FMM 마스크(100)에 형성된 패턴(PP)을 통과하여 대상 기판(900)의 일측에 증착될 수 있다. FMM 마스크(100)의 패턴을 통과한 증착된 유기물 소스(600)는 OLED의 화소(700)로서 작용할 수 있다.The deposition source supply unit 500 reciprocates in the right and left path and can supply the organic material source 600. The organic material sources 600 supplied from the deposition source supply unit 500 pass the pattern PP formed on the FMM mask 100 And may be deposited on one side of the target substrate 900. The deposited organic material source 600 that has passed through the pattern of the FMM mask 100 may act as the pixel 700 of the OLED.

새도우 이펙트(Shadow Effect)에 의한 화소(700)의 불균일 증착을 방지하기 위해, FMM 마스크(100)의 패턴(PP)은 경사지게 형성(S)[또는, 테이퍼 형상(S)으로 형성]될 수 있다. 경사진 면을 따라서 대각선 방향으로 패턴(PP)을 통과하는 유기물 소스(600)들도 화소(700)의 형성에 기여할 수 있으므로, 화소(700)는 전체적으로 두께가 균일하게 증착될 수 있다.The pattern PP of the FMM mask 100 may be formed obliquely S (or formed into a tapered shape S) in order to prevent non-uniform deposition of the pixel 700 by a shadow effect . The organic material sources 600 passing through the pattern PP in the diagonal direction along the inclined surface can also contribute to the formation of the pixel 700, so that the pixel 700 can be uniformly deposited in thickness as a whole.

본 발명의 일 실시 예에 따른 전주 도금 장치(미도시)는, 도금조, 음극체(Cathode Body), 양극체(Anode Body), 전원공급부를 포함한다. 이 외에, 음극체(40)[또는, 모판]를 이동시키기 위한 수단, 마스크(100)로 사용될 도금막(100)[또는, 금속 박판(100)]을 음극체(40)로부터 분리시키기 위한 수단, 커팅하기 위한 수단 등(미도시)을 더 포함할 수 있다.The electroplating apparatus (not shown) according to an embodiment of the present invention includes a plating bath, a cathode body, an anode body, and a power supply unit. A means for separating the plating film 100 (or the thin metal plate 100) to be used as the mask 100 from the negative electrode body 40, means for moving the negative electrode body 40 , Means for cutting (not shown), and the like.

도금조 내에는 도금액이 수용된다. 도금액은 전해액으로서, 마스크(100)로 사용될 도금막(100)의 재료가 될 수 있다. 일 실시 예로, 철니켈합금인 인바(Invar) 박판을 도금막(100)으로서 제조하는 경우, Ni 이온을 포함하는 용액 및 Fe 이온을 포함하는 용액의 혼합액을 도금액으로 사용할 수 있다. 다른 실시 예로, 철니켈코발트합금인 슈퍼 인바(Super Invar) 박판을 도금막(100)으로 제조하는 경우, 일 예로, Ni 이온을 포함하는 용액, Fe 이온을 포함하는 용액 및 Co 이온을 포함하는 용액의 혼합액을 도금액으로 사용할 수도 있다. 인바 박판, 슈퍼 인바 박판은 OLED의 제조에 있어서 FMM(Fine Metal Mask), 새도우 마스크(Shadow Mask)로 사용되며, 전자빔을 형광체에 정확하게 유도할 수 있는 역할을 한다. 그리고, 인바 박판은 열팽창계수가 약 약 1.0 X 10-6/℃, 슈퍼 인바 박판은 열팽창계수가 약 1.0 X 10-7/℃ 정도로 매우 낮기 때문에 열에너지에 의해 마스크의 패턴 형상이 변형될 우려가 적어 고해상도 OLED 제조에서 주로 사용된다. 이 외에도 목적하는 도금막(100)에 대한 도금액을 제한없이 사용할 수 있으며, 본 명세서에서는 인바 박판(100)[또는, 인바 마스크(100)]을 제조하는 것을 주된 예로 상정하여 설명하고, 도금막(100)과 마스크(100)을 병용하여 설명한다.The plating bath is accommodated in the plating bath. The plating liquid may be a material of the plating film 100 to be used as the mask 100 as an electrolytic solution. In one embodiment, when a thin plate of Invar, which is an iron nickel alloy, is produced as a plated film 100, a mixed solution of a solution containing Ni ions and a solution containing Fe ions may be used as a plating solution. In another embodiment, when a super Invar thin plate, which is an iron nickel cobalt alloy, is made of the plated film 100, for example, a solution containing Ni ions, a solution containing Fe ions, and a solution containing Co ions May be used as a plating solution. Inverted foil and Super Invarned foil are used as FMM (Fine Metal Mask) and Shadow Mask in the manufacture of OLED, and can play an important role in accurately guiding the electron beam to the phosphor. Then, the Invar sheet is from about from about 1.0 X the thermal expansion coefficient of 10 -6 / ℃, Super Invar sheet has a coefficient of thermal expansion of about 1.0 X 10 -7 / ℃ So that the pattern shape of the mask is not likely to be deformed due to heat energy, and thus it is mainly used in high-resolution OLED manufacturing. In addition, a plating solution for a target plating film 100 can be used without limitation. In this specification, it is assumed that the manufacturing of the thin insulating film 100 (or the invar mask 100) is described as a main example, 100 and the mask 100 are used together.

도금액이 외부의 도금액 공급수단(미도시)으로부터 도금조로 공급될 수 있으며, 도금조내에는 도금액을 순환시키는 순환 펌프(미도시), 도금액의 불순물을 제거하는 필터(미도시) 등이 더 구비될 수 있다.(Not shown) for supplying the plating solution to the plating bath from an external plating solution supply means (not shown), a circulation pump (not shown) for circulating the plating solution in the plating bath, a filter (not shown) for removing impurities of the plating solution .

음극체(40)는 일측이 평평한 평판 형상 등을 가지며, 도금액 내에 음극체(40)의 전부가 침지될 수 있다. 음극체(40) 및 양극체가 수직 또는 수평으로 배치될 수 있고, 도금액 내에 음극체(40), 양극체의 적어도 일부 또는 전부가 침지될 수 있다.The negative electrode body 40 has a flat plate shape or the like on one side, and the whole of the negative electrode body 40 can be immersed in the plating liquid. The negative electrode body 40 and the positive electrode body can be arranged vertically or horizontally and at least a part or all of the negative electrode body 40 and the positive electrode body can be immersed in the plating liquid.

음극체(40)의 표면 상에 도금막(100)이 전착되고, 도금막(100)에 음극체(40)의 절연부(45)와 대응하는 패턴이 형성될 수 있다. 본 발명의 음극체(40)는 도금막(100)의 생성 과정에서 패턴까지 형성할 수 있으므로, 음극체(40)를 "모판"(Mother Plate; 40) 또는 "몰드"라고 표현하고 병기하여 사용한다. 모판(40)[또는, 음극체(40)] 표면의 구체적인 구성은 후술한다.The plating film 100 may be deposited on the surface of the anode body 40 and a pattern corresponding to the insulating portion 45 of the anode body 40 may be formed on the plating film 100. [ The negative electrode body 40 of the present invention can be formed up to a pattern in the process of forming the plating film 100. Therefore, the negative electrode body 40 is referred to as a " mother plate " do. The specific configuration of the surface of the base plate 40 (or the anode body 40) will be described later.

양극체는 음극체와 대향하도록 소정 간격 이격 설치되고, 음극체에 대응하는 일측이 평평한 평판 형상 등을 가지며, 도금액(12) 내에 양극체의 전체가 침지될 수 있다. 양극체는 티타늄(Ti), 이리듐(Ir), 루테늄(Ru) 등과 같은 불용성 재료로 구성될 수 있다. 음극체(40)와 양극체는 수cm 정도로 이격 설치될 수 있다.The anode body is provided at a predetermined distance so as to face the anode body, has a flat plate shape or the like, flat on one side corresponding to the anode body, and the entire anode body can be immersed in the plating liquid. The anode may be made of an insoluble material such as titanium (Ti), iridium (Ir), ruthenium (Ru), or the like. The anode 40 and the anode may be spaced apart by several centimeters.

전원공급부는 음극체(40)와 양극체에 전기 도금에 필요한 전류를 공급할 수 있다. 전원공급부의 (-) 단자는 음극체(20), (+) 단자는 양극체에 연결될 수 있다.The power supply unit can supply the anode 40 and the anode with current necessary for electroplating. The (-) terminal of the power supply unit may be connected to the anode body 20, and the (+) terminal may be connected to the anode body.

도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 마스크(100: 100a, 100b)를 나타내는 개략도이다.4 is a schematic diagram illustrating a mask 100 (100a, 100b) according to an embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 본 발명의 모판(40)[또는, 음극체(40)]을 포함하는 전주 도금 장치(미도시)를 사용하여 제조된 마스크(100: 100a, 100b)가 도시되어 있다. 도 4의 (a)에 도시된 마스크(100a)는 스틱형(Stick-Type) 마스크로서, 스틱의 양측을 OLED 화소 증착 프레임(800)에 용접 고정시켜 사용할 수 있다. 도 4의 (b)에 도시된 마스크(100b)는 판형(Plate-Type) 마스크로서, 넓은 면적의 화소 형성 공정에서 사용할 수 있고, 플레이트의 테두리를 OLED 화소 증착 프레임(800)에 용접 고정시켜 사용할 수 있다. 도 4의 (c)는 도 4의 (a) 및 (b)의 A-A' 확대 측단면도이다.4, there is shown a mask 100 (100a, 100b) manufactured using a electroplating apparatus (not shown) comprising a base plate 40 (or a cathode body 40) of the present invention. The mask 100a shown in FIG. 4 (a) is a stick-type mask, and both sides of the stick can be welded and fixed to the OLED pixel deposition frame 800. The mask 100b shown in FIG. 4B is a plate-type mask, which can be used in a pixel forming process in a large area, and the edge of the plate is welded to the OLED pixel deposition frame 800 to be used . 4 (c) is an enlarged cross-sectional view along the line A-A 'in (a) and (b) of FIG.

마스크(100: 100a, 100b)의 바디(Body)에는 복수의 디스플레이 패턴(DP)이 형성될 수 있다. 디스플레이 패턴(DP)은 스마트폰 등의 디스플레이 하나에 대응하는 패턴이다. 디스플레이 패턴(DP)을 확대하면 R, G, B에 대응하는 복수의 화소 패턴(PP)을 확인할 수 있다. 화소 패턴(PP)들은 측부가 기울어진 형상, 테이퍼(Taper) 형상을 가질 수 있다[도 4의 (c) 참조]. 수많은 화소 패턴(PP)들은 군집을 이루어 디스플레이 패턴(DP) 하나를 구성하며, 복수의 디스플레이 패턴(DP)이 마스크(100: 100a, 100b)에 형성될 수 있다.A plurality of display patterns DP may be formed on the body of the mask 100 (100a, 100b). The display pattern DP is a pattern corresponding to one display such as a smart phone. When the display pattern DP is enlarged, a plurality of pixel patterns PP corresponding to R, G, and B can be confirmed. The pixel patterns PP may have a tapered shape or a tapered shape (see Fig. 4 (c)). A large number of pixel patterns PP constitute one display pattern DP and a plurality of display patterns DP may be formed on the mask 100 (100a, 100b).

본 발명의 마스크(100)는 별도의 패터닝 공정을 거칠 필요 없이, 곧바로 복수의 디스플레이 패턴(DP) 및 화소 패턴(PP)을 가지며 제조되는 것을 특징으로 한다. 다시 말해, 전주 도금 장치에서 모판(20)[또는, 음극체(20)]의 표면에 전착되는 도금막(100)은 디스플레이 패턴(DP) 및 화소 패턴(PP)이 형성되면서 전착될 수 있다. 이하에서, 디스플레이 패턴(DP) 및 화소 패턴(PP)은 마스크 패턴으로 혼용되어 사용될 수 있다.The mask 100 of the present invention is characterized in that it is directly manufactured with a plurality of display patterns DP and pixel patterns PP without having to undergo a separate patterning process. In other words, the plating film 100 electrodeposited on the surface of the base plate 20 (or the cathode body 20) in the electroplating apparatus can be electrodeposited while the display pattern DP and the pixel pattern PP are formed. Hereinafter, the display pattern DP and the pixel pattern PP may be used in combination as a mask pattern.

마스크 패턴(PP)은 상부에서 하부로 갈수록 폭이 점점 넓어지거나, 점점 좁아지는 형상을 가지는, 대략 테이퍼 형상 또는 역 테이퍼 형상을 가지는 것이 바람직하며, 마스크(100)의 상부면이 대상 기판(900)[도 3 참조]에 밀착되므로, 마스크 패턴(PP)은 상부에서 하부로 갈수록 폭이 점점 넓어지는 형상인 것이 더 바람직하다.It is preferable that the mask pattern PP has a roughly tapered shape or a reverse tapered shape having a shape gradually becoming narrower or wider toward the lower portion from the upper portion to the lower portion, (See FIG. 3), it is more preferable that the mask pattern PP has a shape gradually widening from the upper portion to the lower portion.

패턴 폭은 수 내지 수십㎛의 크기, 바람직하게는 30㎛보다 작은 크기로 형성될 수 있다. 마스크 패턴(PP)은 절연부(45)에 의해 도금막(100)의 생성이 방지됨에 따라 형성될 수 있다. 구체적인 형성 과정은 이하에서 설명한다.The pattern width may be formed to a size of several to several tens of micrometers, preferably to a size of less than 30 micrometers. The mask pattern PP can be formed as the generation of the plated film 100 is prevented by the insulating portion 45. The concrete formation process will be described below.

도 5 내지 도 7은 본 발명의 제1 실시예에 따른 프레임 일체형 마스크(10)를 제조하는 과정을 나타내는 개략도이다. 일 실시예로, 접착 도금부(150)를 마스크(100)와 프레임(30) 사이에 형성하여 접착을 수행할 수 있다.5 to 7 are schematic views showing a process of manufacturing the frame-integrated mask 10 according to the first embodiment of the present invention. In one embodiment, the adhesive plated portion 150 may be formed between the mask 100 and the frame 30 to perform adhesion.

도 5의 (a)를 참조하면, 전주 도금(electroforming)을 수행할 수 있도록, 전도성 기재(41)를 준비한다. 전도성 기재(41)를 포함하는 모판(mother plate; 40)은 전주 도금에서 음극체(cathode)로 사용될 수 있다.Referring to FIG. 5A, a conductive base material 41 is prepared so that electroforming can be performed. The mother plate 40 including the conductive substrate 41 may be used as a cathode in electroplating.

전도성 재질로서, 메탈의 경우에는 표면에 메탈 옥사이드들이 생성되어 있을 수 있고, 메탈 제조 과정에서 불순물이 유입될 수 있으며, 다결정 실리콘 기재의 경우에는 개재물 또는 결정립계(Grain Boundary)가 존재할 수 있으며, 전도성 고분자 기재의 경우에는 불순물이 함유될 가능성이 높고, 강도. 내산성 등이 취약할 수 있다. 메탈 옥사이드, 불순물, 개재물, 결정립계 등과 같이 모판(40)[또는, 기재(41)]의 표면에 전기장이 균일하게 형성되는 것을 방해하는 요소를 "결함"(Defect)으로 지칭한다. 결함(Defect)에 의해, 상술한 재질의 음극체에는 균일한 전기장이 인가되지 못하여 도금막[마스크(100)]의 일부가 불균일하게 형성될 수 있다.In the case of a metal, metal oxide may be generated on the surface, impurities may be introduced in the course of metal production, and in the case of a polycrystalline silicon substrate, an inclusion or a grain boundary may exist. In the case of the substrate, there is a high possibility that impurities are contained, and strength. Acid resistance may be weak. An element that interferes with the uniform formation of an electric field on the surface of the base plate 40 (or the base material 41) such as metal oxide, impurities, inclusions, grain boundaries and the like is referred to as "Defect ". Due to the defect, a uniform electric field is not applied to the negative electrode of the above-described material, so that a part of the plating film (mask 100) can be formed non-uniformly.

UHD 급 이상의 초고화질 화소를 구현하는데 있어서 도금막 및 도금막 패턴[마스크 패턴(P)]의 불균일은 화소의 형성에 악영향을 미칠 수 있다. FMM, 새도우 마스크의 패턴 폭은 수 내지 수십㎛의 크기, 바람직하게는 30㎛보다 작은 크기로 형성될 수 있으므로, 수㎛ 크기의 결함조차 마스크의 패턴 사이즈에서 큰 비중을 차지할 정도의 크기이다.Unevenness of the plated film and the plated film pattern [mask pattern (P)] in the realization of UHD class or higher ultra high image quality may adversely affect pixel formation. Since the pattern width of the FMM and the shadow mask can be formed to a size of several to several tens of micrometers, preferably less than 30 micrometers, even a defect of a few micrometers in size occupies a large proportion in the pattern size of the mask.

또한, 상술한 재질의 음극체에서의 결함을 제거하기 위해서는 메탈 옥사이드, 불순물 등을 제거하기 위한 추가적인 공정이 수행될 수 있으며, 이 과정에서 음극체 재료가 식각되는 등의 또 다른 결함이 유발될 수도 있다.Further, in order to remove defects in the cathode body made of the above-mentioned material, an additional process for removing metal oxide, impurities and the like may be performed. In this process, another defect such as etching of the cathode body material may be caused have.

따라서, 본 발명은 단결정 실리콘 재질의 기재(41)를 사용할 수 있다. 전도성을 가지도록, 기재(41)는 1019 이상의 고농도 도핑이 수행될 수 있다. 도핑은 기재(41)의 전체에 수행될 수도 있으며, 기재(41)의 표면 부분에만 수행될 수도 있다.Therefore, the present invention can use a base material 41 made of a single crystal silicon material. The substrate 41 may be doped with a high concentration of 10 < 19 > or more so as to have conductivity. The doping may be performed on the entire surface of the substrate 41 or may be performed only on the surface portion of the substrate 41.

도핑된 단결정 실리콘의 경우는 결함이 없기 때문에, 전주 도금 시에 표면 전부에서 균일한 전기장 형성으로 인한 균일한 도금막[마스크(100)]이 생성될 수 있는 이점이 있다. 균일한 도금막을 통해 제조하는 프레임 일체형 마스크(10)는 OLED 화소의 화질 수준을 더욱 개선할 수 있다. 그리고, 결함을 제거, 해소하는 추가 공정이 수행될 필요가 없으므로, 공정비용이 감축되고, 생산성이 향상되는 이점이 있다.Since there is no defect in the case of doped single crystal silicon, there is an advantage that a uniform plating film (mask 100) due to the formation of a uniform electric field on the entire surface at the time of electroplating can be produced. A frame-integrated mask 10 manufactured through a uniform plating film can further improve the picture quality level of OLED pixels. Further, since there is no need to carry out an additional process for removing and eliminating defects, there is an advantage that the process cost is reduced and the productivity is improved.

또한, 실리콘 재질의 기재(41)를 사용함에 따라서, 필요에 따라 기재(41)의 표면을 산화(Oxidation), 질화(Nitridation)하는 과정만으로 절연부(45)를 형성할 수 있는 이점이 있다. 절연부(45)는 도금막[마스크(100)]의 전착을 방지하는 역할을 하여 도금막에 패턴[마스크 패턴(PP)]을 형성할 수 있다.In addition, when the base material 41 made of a silicon material is used, there is an advantage that the insulating part 45 can be formed only by a process of oxidizing and nitriding the surface of the base material 41, if necessary. The insulating portion 45 serves to prevent the electrodeposition of the plated film (the mask 100) to form a pattern (mask pattern PP) on the plated film.

한편, 도핑된 단결정 실리콘 외에도, 단결정 재질의 전도성 기재(41)를 사용할 수 있다. 단결정 재질로는, Ti, Cu, Ag 등의 금속, GaN, SiC, GaAs, GaP, AlN, InN, InP, Ge 등의 반도체, 흑연(graphite), 그래핀(graphene) 등의 탄소계 재질, CH3NH3PbCl3, CH3NH3PbBr3, CH3NH3PbI3, SrTiO3 등을 포함하는 페로브스카이트(perovskite) 구조 등의 초전도체용 단결정 세라믹, 항공기 부품용 단결정 초내열합금 등이 사용될 수 있다. 금속, 탄소계 재질의 경우는 기본적으로 전도성 재질이다. 반도체 재질의 경우에는, 전도성을 가지도록 1019 이상의 고농도 도핑이 수행될 수 있다. 기타 재질의 경우에는 도핑을 수행하거나 산소 공공(oxygen vacancy) 등을 형성하여 전도성을 형성할 수 있다.On the other hand, in addition to the doped single crystal silicon, a conductive base material 41 made of a single crystal material can be used. Examples of the monocrystalline material include metals such as Ti, Cu and Ag; carbon-based materials such as semiconductors such as GaN, SiC, GaAs, GaP, AlN, InN, InP and Ge; graphite and graphene; 3 include NH 3 PbCl 3, CH 3 NH 3 PbBr 3, CH 3 NH 3 PbI 3, SrTiO 3, etc. page containing the perovskite single crystal ceramic, aircraft single crystal second heat-resistant alloy for components for a superconductor, such as (perovskite) structure Can be used. In the case of metal and carbon materials, it is basically a conductive material. In the case of a semiconductor material, high concentration doping of 1019 or more can be performed so as to have conductivity. In the case of other materials, doping may be performed or oxygen vacancy may be formed to form conductivity.

다음으로, 도 5의 (b)를 참조하면, 기재(41)의 적어도 일면 상에 절연부(45)를 형성할 수 있다. 절연부(45)는 패턴을 가지고 형성될 수 있고, 테이퍼 형상, 역테이퍼 형상의 패턴을 가지는 것이 바람직하다. 절연부(45)는 전도성 기재(41)를 베이스로 하는 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 등일 수 있고, 포토레지스트를 사용할 수도 있다. 포토레지스트를 사용하여 테이퍼 형상, 역테이퍼 형상의 패턴을 형성할 때에는 다중 노광 방법, 영역마다 노광 강도를 다르게 하는 방법 등을 사용할 수 있다. 이에 따라, 모판(40)이 제조될 수 있다.Next, referring to FIG. 5 (b), an insulating portion 45 may be formed on at least one surface of the substrate 41. The insulating portion 45 may be formed with a pattern, and preferably has a tapered or inverted tapered pattern. The insulating portion 45 may be made of silicon oxide, silicon nitride, or the like based on the conductive base 41, or may be a photoresist. When a tapered or inverted tapered pattern is formed using a photoresist, a multiple exposure method, a method of varying the exposure intensity for each region, or the like can be used. Thus, the base plate 40 can be manufactured.

다음으로, 도 5의 (c)를 참조하면, 모판(40)[또는, 음극체(40)]과 대향하는 양극체(미도시)를 준비한다. 양극체(미도시)는 도금액(미도시)에 침지되어 있고, 모판(40)은 전부 또는 일부가 도금액(미도시)에 침지되어 있을 수 있다. 모판(40)[또는, 음극체(40)]과 대향하는 양극체 사이에 형성된 전기장으로 인해 도금막[마스크(100)]이 모판(40)의 표면에서 전착되어 생성될 수 있다. 다만, 전도성 기재(41)의 노출된 표면(46)에서만 도금막(100)이 생성되며, 절연부(45) 표면에서는 도금막(100)이 생성되지 않으므로, 도금막(100)에 패턴[마스크 패턴(PP)[도 4 참조]이 형성될 수 있다.Next, referring to FIG. 5C, an anode body (not shown) facing the base plate 40 (or the anode body 40) is prepared. An anode body (not shown) is immersed in a plating liquid (not shown), and all or a part of the base plate 40 may be immersed in a plating liquid (not shown). The plating film (mask 100) may be formed by electrodeposition on the surface of the base plate 40 due to the electric field formed between the base plate 40 (or the anode body 40) and the anode body facing the anode plate. Since the plating film 100 is formed only on the exposed surface 46 of the conductive substrate 41 and the plating film 100 is not formed on the surface of the insulating portion 45, A pattern PP (see FIG. 4) may be formed.

기재(41) 표면으로부터 도금막(100)이 전착되면서 두꺼워지기 때문에, 절연부(45)의 상단을 넘기 전까지만 도금막(100)을 형성하는 것이 바람직하다. 즉, 절연부(45)의 두께보다 도금막(100)의 두께가 더 작을 수 있다. 도금막(100)은 절연부(45)의 패턴 공간(46)에 채워지며 전착되므로, 절연부(45)의 패턴과 역상의 형상을 가지며 생성될 수 있다.It is preferable to form the plated film 100 only until the upper end of the insulating portion 45 is turned over since the plated film 100 is thickened by electrodeposition from the surface of the substrate 41. [ That is, the thickness of the plating film 100 may be smaller than the thickness of the insulating portion 45. The plated film 100 is filled in the pattern space 46 of the insulating portion 45 and is electrodeposited, so that the plating film 100 can be formed having a shape opposite to that of the pattern of the insulating portion 45.

다음으로, 도 5의 (d)를 참조하면, 모판(40)[또는, 음극체(40)]을 도금액(미도시) 바깥으로 들어올린다. 그리고, 제2 절연부(47)를 형성할 수 있다. 절연부(47)는 절연부(45)와 동일한 재질인 것이 바람직하다. 제2 절연부(47)는 도금막(100)의 테두리 영역(48)을 제외한 나머지 영역 상에 형성할 수 있다. 즉, 제2 절연부(47)는 절연부(45)와 도금막(100a)을 전부 커버하고, 도금막 테두리(100b)의 일부를 커버할 수 있다. 도금막(100)의 테두리 영역(48)은 노출될 수 있다.5 (d), the base plate 40 (or the anode body 40) is lifted out of the plating liquid (not shown). Then, the second insulating portion 47 can be formed. The insulating portion 47 is preferably made of the same material as the insulating portion 45. The second insulating portion 47 may be formed on the remaining region except for the rim region 48 of the plating film 100. That is, the second insulating portion 47 covers the insulating portion 45 and the plating film 100a entirely, and can cover a part of the plating film rim 100b. The rim region 48 of the plated film 100 may be exposed.

다음으로, 도 6의 (a)를 참조하면, 프레임(30)의 상부에 도 5의 (d)의 구조물을 뒤집어서 배치한다. 반대로, 도 5의 (d) 구조물에 프레임(30)을 뒤집어서 배치할 수도 있다.Next, referring to Fig. 6 (a), the structure of Fig. 5 (d) is arranged on the top of the frame 30 in an inverted position. Conversely, the frame 30 may be arranged on the structure in Fig. 5 (d).

프레임(30)은 도금막[마스크(100)]을 둘러싸는 형상을 가질 수 있다. 바람직하게는 프레임(30)은 마스크(100)의 노출 영역(49)을 제외한 나머지 테두리 영역(48)에 대응하는 형상을 가질 수 있다. 프레임(30)은 사각형, 다각형, 원형 테두리 형상을 가질 수 있다. 프레임(30)은 인바, 슈퍼 인바, Ti, Al, Ni, Ni-Co, Mo, W, SUS, SiC, 흑연 등의 재질로 구성될 수 있으며, 열변형을 고려하여 마스크(100)와 동일한 열팽창계수를 가지는 인바, 슈퍼 인바, 니켈, 니켈-코발트 등의 재질로 구성되는 것이 바람직하다.The frame 30 may have a shape that surrounds the plated film (mask 100). Preferably, the frame 30 may have a shape corresponding to the remaining rim area 48 except for the exposed area 49 of the mask 100. The frame 30 may have a rectangular, polygonal, or circular rim shape. The frame 30 may be made of a material such as Invar, Super Invar, Ti, Al, Ni, Ni-Co, Mo, W, SUS, SiC, graphite, Super-invar, nickel, nickel-cobalt, or the like having a coefficient.

도금막(100)이 접촉하는 프레임(30) 상부에는 접착부(TA)가 형성될 수 있다. 접착부(TA)의 접착제는 에폭시 수지계 접착제 등을 사용할 수 있다. 접착부(TA)에 의해, 도금막(100)의 테두리가 프레임(30) 상부에 접착 고정될 수 있다. 접착부(TA)와 접착되는 도금막(100)의 테두리 부분은 추후에 제거되므로, 박리막(100c)[도 10의 (f) 참고]이라고 지칭한다. 또한, 설명의 편의를 위해 접착부(TA)와 박리막(100c)의 폭이 다소 과장되게 도시되었음을 밝혀둔다. 접착부(TA)는 접착 도금부(150)를 형성하기 전에 마스크(100)를 프레임(30)에 임시로 접착 고정할 정도의 범위에 코팅하면 충분하다.A bonding portion TA may be formed on the upper surface of the frame 30 on which the plated film 100 contacts. As the adhesive for the adhesive portion TA, an epoxy resin adhesive or the like can be used. The edge of the plated film 100 can be adhesively fixed to the upper portion of the frame 30 by the adhering portion TA. The edge portion of the plated film 100 adhered to the adhering portion TA is removed later, and thus the release film 100c (refer to FIG. 10 (f)) is referred to. It is to be noted that the widths of the bonding portion TA and the peeling film 100c are exaggerated for convenience of explanation. It is sufficient that the adhesive portion TA is coated to such an extent that the mask 100 is temporarily adhered and fixed to the frame 30 before the adhesive plating portion 150 is formed.

다음으로, 도 6의 (b)를 참조하면, 전주 도금을 수행하여, 접착 도금부(150)를 전착할 수 있다. 접착 도금부(150)는 제2 절연부(47)와 접착부(TA) 사이에 노출된 도금막(100))의 표면(49) 및 프레임(30)의 내측면 상에서 전착될 수 있다. 도금막(100)의 노출된 표면(49)으로부터 접착 도금부(150)가 전착되면서 두꺼워지기 때문에, 제2 절연부(47)의 상단을 넘기 전까지만 접착 도금부(150)를 형성하는 것이 바람직하다. 즉, 제2 절연부(47)의 두께보다 접착 도금부(150)의 두께가 더 작을 수 있다. 접착 도금부(150)가 도금막(100)의 노출된 표면(49) 및 프레임(30)의 내측면 상에서 전착되면서, 도금막(100)과 프레임(30)을 일체로 연결하는 매개체가 될 수 있다. 이때, 접착 도금부(150)는 도금막(100)의 테두리(100b)에 일체로 연결되며 전착되므로, 프레임(30) 방향[프레임(30) 내측 방향], 또는 외측 방향으로 인장력을 가하는 상태를 가지며 도금막(100)을 지지할 수 있다. 그리하여, 별도로 마스크를 인장하고 정렬하는 과정을 수행할 필요없이, 팽팽하게 프레임(30) 측으로 당겨진 도금막(100)[또는, 마스크(100)]을 프레임(30)과 일체로 형성할 수 있게 된다.Next, referring to FIG. 6 (b), the adhesive plating unit 150 can be electrodeposited by carrying out electroplating. The adhesive plated portion 150 can be electrodeposited on the surface 49 of the plated film 100 exposed between the second insulating portion 47 and the adhering portion TA and the inner surface of the frame 30. [ It is preferable to form the adhesive plated portion 150 only until the top of the second insulating portion 47 is turned over since the adhesive plated portion 150 is thickened by electrodeposition from the exposed surface 49 of the plated film 100 Do. That is, the thickness of the adhesive coated portion 150 may be smaller than the thickness of the second insulating portion 47. The adhesive plated portion 150 is electrodeposited on the exposed surface 49 of the plated film 100 and the inner surface of the frame 30 so that the plated film 100 can be a medium have. Since the adhesive plated portion 150 is integrally connected to the frame 100b of the plated film 100 and is electrodeposited, the state of applying the tensile force in the direction of the frame 30 (inward direction of the frame 30) And can support the plated film 100. Thus, the plated film 100 (or the mask 100) stretched tightly toward the frame 30 can be integrally formed with the frame 30 without having to separately perform a process of stretching and aligning the mask .

다음으로, 도 6의 (c)를 참조하면, 절연부(45) 및 제2 절연부(47)를 제거할 수 있다. 포토레지스트, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 등의 절연부(45) 및 제2 절연부(47)만을 제거하고, 나머지 구성에는 영향을 주지 않는 공지의 기술을 제한없이 사용할 수 있다. 한편, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물로 절연부가 구성된 경우에는 이들을 제거하는 단계를 생략하고, 아래의 도 6의 (d) 공정을 곧바로 수행할 수도 있다. 전도성 기판(41)에 일체화되어 형성된 실리콘 산화물, 실리콘 질화물은 도 6의 (d)의 기판 분리 공정을 통해 같이 분리/제거 될 수 있다.6 (c), the insulating portion 45 and the second insulating portion 47 can be removed. A known technique that removes only the insulating portion 45 and the second insulating portion 47 such as photoresist, silicon oxide, and silicon nitride and does not affect the rest of the structure can be used without limitation. On the other hand, if the insulating portion is formed of silicon oxide or silicon nitride, the step of removing them may be omitted, and the following process of FIG. 6D may be performed immediately. The silicon oxide and silicon nitride formed integrally with the conductive substrate 41 can be removed / removed together through the substrate separation process shown in FIG. 6 (d).

다음으로, 도 6의 (d)를 참조하면, 도금막(100)[또는, 마스크(100)]으로부터 전도성 기판(41)을 분리할 수 있다. 전도성 기판(41)은 도금막(100) 및 프레임(30)의 상부 방향으로 분리할 수 있다. 전도성 기판(41)이 분리되면, 마스크(100)와 마스크(100)를 지지하는 프레임(30)이 일체로 형성된 형태가 나타난다.Next, referring to FIG. 6D, the conductive substrate 41 can be separated from the plating film 100 (or the mask 100). The conductive substrate 41 can be separated in the upper direction of the plating film 100 and the frame 30. When the conductive substrate 41 is separated, a form in which the mask 100 and the frame 30 supporting the mask 100 are integrally formed appears.

다음으로, 도 7의 (e)를 참조하면, 도금막(100)[또는, 마스크(100)]을 모판(40)으로부터 분리한 후, 열처리(H)를 수행할 수 있다. 본 발명은 마스크(100)의 열팽창계수를 낮춤과 동시에 마스크(100) 및 마스크 패턴(PP)의 열에 의한 변형을 방지하기 위해 열처리(H)를 수행하는 것을 특징으로 한다. 열처리는 300℃ 내지 800℃의 온도로 수행할 수 있다[도 8 참조].Next, referring to FIG. 7E, after the plating film 100 (or the mask 100) is separated from the base plate 40, a heat treatment (H) can be performed. The present invention is characterized in that a heat treatment (H) is performed to lower the thermal expansion coefficient of the mask (100) and to prevent deformation of the mask (100) and the mask pattern (PP) by heat. The heat treatment can be carried out at a temperature of 300 ° C to 800 ° C (see FIG. 8).

일반적으로 압연으로 생성한 인바 박판에 비해, 전주 도금으로 생성한 인바 박판이 열팽창계수가 높다. 그리하여 인바 박판에 열처리를 수행함으로써 열팽창계수를 낮출 수 있는데, 이 열처리 과정에서 인바 박판에 약간의 변형이 생길 수 있다. 만약, 마스크(100)와 모판(20)이 분리된 후에, 마스크(100) 그 자체에 대해서만 열처리를 수행한다면 마스크 패턴(PP)에 일부 변형이 생길 수도 있다. 하지만, 본 발명은 마스크(100)를 프레임(30)에 접착하고, 마스크(100)와 프레임(30)이 일체인 구조물을 모판(20)과 분리한 상태에서 열처리를 수행하기 때문에, 열처리 과정에서도 마스크(100)의 형태와 마스크 패턴(PP)의 형태가 일정하게 유지되고, 열처리로 인한 미세한 변형을 방지할 수 있는 이점이 있다.In general, the invar sheet produced by electroplating is higher in thermal expansion coefficient than the invar sheet produced by rolling. Thus, the thermal expansion coefficient can be lowered by performing the heat treatment on the thinned plate, which may cause slight deformation of the thinned plate. If the heat treatment is performed only on the mask 100 itself after the mask 100 and the base plate 20 are separated from each other, some deformation of the mask pattern PP may occur. However, since the present invention attaches the mask 100 to the frame 30 and performs the heat treatment in a state where the structure in which the mask 100 and the frame 30 are integrated is separated from the base plate 20, There is an advantage that the shape of the mask 100 and the shape of the mask pattern PP are kept constant and the minute deformation due to the heat treatment can be prevented.

도 8은 본 발명의 일 실시 예에 따른 열처리 후의 마스크의 열팽창계수(coefficient of expansion, CTE)를 나타내는 그래프이다. 80 X 200mm의 샘플에 대해서, 300℃, 350℃, 400℃, 450℃, 500℃, 550℃, 800℃의 7가지의 온도 구간에서 열처리를 수행한 인바 박판의 열팽창계수를 측정하였다. 도 8의 (a)는 상온(25℃)에서 약 240℃까지 온도를 올리면서 각 샘플의 열팽창계수를 측정한 결과를 나타내고, 도 8의 (b)는 약 240℃에서 상온(25℃)까지 온도를 하강하면서 각 샘플의 열팽창계수를 측정한 결과를 나타낸다. 도 8의 (a) 및 도 7의 (8)를 참조하면, 열처리 온도에 따라 전주 도금으로 생성한 인바박판[또는, 마스크(100)]의 열팽창계수가 변화하며, 특히, 800℃의 열처리에서 가장 열팽창계수가 낮게 나타남을 확인할 수 있다.8 is a graph showing a coefficient of expansion (CTE) of a mask after heat treatment according to an embodiment of the present invention. The thermal expansion coefficient of an InVa thin plate subjected to heat treatment in seven temperature ranges of 300 캜, 350 캜, 400 캜, 450 캜, 500 캜, 550 캜 and 800 캜 was measured for a sample of 80 x 200 mm. 8 (a) shows the result of measuring the thermal expansion coefficient of each sample while raising the temperature from room temperature (25 캜) to about 240 캜, and Fig. 8 (b) The results of measuring the thermal expansion coefficient of each sample while lowering the temperature are shown. 8 (a) and 7 (8), the thermal expansion coefficient of the invar sheet (or mask 100) produced by electroplating varies depending on the heat treatment temperature, and in particular, It can be confirmed that the coefficient of thermal expansion is the lowest.

따라서, 마스크(100)의 열팽창계수를 더 낮춤에 따라, ㎛ 스케일의 패턴(PP)의 변형을 방지하고, 초고화질의 OLED 화소를 증착할 수 있는 마스크(100)를 제조할 수 있다.Accordingly, as the coefficient of thermal expansion of the mask 100 is further lowered, it is possible to manufacture the mask 100 capable of preventing deformation of the pattern PP in the 탆 scale and depositing ultra-high-resolution OLED pixels.

한편, 도 7의 (e) 단계까지 수행한 프레임 일체형 마스크에는 접착부(TA)가 잔존하게 된다. 접착부(TA)의 접착제는 마스크(100)를 임시로 고정하는 효과는 있으나, 접착제와 인바 마스크(100)의 열팽창 계수가 상이하여, 화소 형성 공정에서 온도변화에 따라 접착제가 마스크(100)를 뒤틀리게 하는 문제가 발생할 수 있다. 또한, 접착제가 공정 가스와 반응하여 생성된 오염물질이 OLED의 화소에 악영향을 줄 수 있고, 접착제 자체에 포함된 유기 솔벤트 등의 아웃 가스가 화소 공정 챔버를 오염시키거나 불순물로서 OLED 화소에 증착되는 악영향을 유발할 수 있다. 또한, 접착제가 점차 제거됨에 따라 마스크(100)가 프레임(30)에서 이탈하게 되는 문제가 발생할 수 있다. 이에 따라, 접착부(TA)를 세정할 필요가 있으나, 접착부(TA)와 마스크(100)가 접착되어 있어 외부에서 접착부(TA)를 세정하기 어렵고, 무리하게 접착부(TA)를 세정하는 중에 마스크(100)에 변형이 발생할 가능성도 존재한다.On the other hand, in the frame-integrated mask performed up to the step (e) in FIG. 7, the adhesion portion TA remains. The adhesive of the adhesive portion TA has an effect of temporarily fixing the mask 100. However, since the thermal expansion coefficient of the adhesive and the inv mask 100 are different from each other, the adhesive may twist the mask 100 according to the temperature change in the pixel forming process May cause problems. In addition, contaminants generated by the reaction of the adhesive with the process gas may adversely affect the pixels of the OLED, and outgas such as organic solvents contained in the adhesive itself may contaminate the pixel processing chamber or may be deposited on the OLED pixels as impurities Adverse effects can be caused. Also, as the adhesive is gradually removed, a problem that the mask 100 is detached from the frame 30 may occur. It is therefore necessary to clean the adhering portion TA but it is difficult to clean the adhering portion TA from the outside because the adhering portion TA and the mask 100 are adhered to each other. 100) may also occur.

따라서, 도 7의 (f) 및 (g)와 같은 공정을 수행하여, 도금막(100)에 영향을 주지 않고, 접착부(TA)만을 완전히 제거할 수 있다.7 (f) and (g) can be performed to completely remove only the adhered portion TA without affecting the plated film 100. As shown in FIG.

도 7의 (f)를 참조하면, 접착부(TA)에 대응하는 마스크(100)의 영역 경계에 레이저(L)를 조사하여 마스크(100)와 박리막(100c) 사이에 분리 선을 형성할 수 있다. 즉, 마스크(100)에서 박리막(100c)의 경계에 레이저(L)를 조사하여 레이저 트리밍(laser trimming) 함에 따라 마스크(100)로부터 박리막(100c)을 분리할 수 있다. 하지만, 박리막(100c)이 곧바로 떼어져 나가는 것은 아니며 접착부(TA)와 접착된 상태를 유지한다.7 (f), a dividing line can be formed between the mask 100 and the peeling film 100c by irradiating the laser L to the region boundary of the mask 100 corresponding to the adhering portion TA have. That is, the laser (L) is irradiated to the boundary of the peeling film 100c in the mask 100, and the peeling film 100c can be separated from the mask 100 by laser trimming. However, the peeling film 100c is not immediately peeled off but remains adhered to the adhering portion TA.

다음으로, 도 7의 (g)를 참조하면, 접착부(TA)를 세정(C)할 수 있다. 접착제에 따라 공지의 세정 물질을 제한없이 사용할 수 있고, 도금막(100)의 측면으로부터 세정액이 침투하여 접착부(TA)를 세정(C)할 수 있다. 이에 따라 접착부(TA)를 완전히 제거할 수 있다.7 (g), the bonding portion TA can be cleaned (C). A known cleaning material can be used without limitation according to the adhesive, and the cleaning liquid can penetrate from the side of the plated film 100 to clean (C) the adhered portion TA. Thus, the adhering portion TA can be completely removed.

이어서, 마스크(100)에서 분리된 박리막(100c)을 박리(peel off; PO)한다. 박리막(100c)은 접착부(TA)가 제거되어 프레임(30)과 접착된 상태가 아니고, 마스크(100)와 분리되어 있으므로, 곧바로 떼어질 수 있다.Then, the peeling film 100c separated from the mask 100 is peel off (PO). The peeling film 100c can be immediately peeled off because the peeling film 100c is separated from the mask 100 instead of being adhered to the frame 30 by removing the adhering portion TA.

다음으로, 도 7의 (h)를 참조하면, 마스크(100)와 프레임(30)이 일체로 형성된 프레임 일체형 마스크(10)가 완성된다. 본 발명의 프레임 일체형 마스크(10)는 접착부(TA)가 없고, 접착부(TA)의 제거를 위해서 마스크(100)의 테두리(100b) 일부[박리막(100c)]만을 제거하므로, 화소 공정에 기여하는 마스크(100a, 100b) 및 접착 도금부(150)에는 전혀 영향이 없게 된다. 그리고, 마스크(100)와 프레임(30)이 일체인 상태에서 열처리(H)를 수행하므로, 마스크(100)가 프레임(30)에 단단히 지지되어 마스크(100) 및 마스크 패턴(PP)의 변형을 방지할 수 있다.7 (h), the frame-integrated mask 10 in which the mask 100 and the frame 30 are integrally formed is completed. The frame-integrated mask 10 of the present invention does not have the adhesion portion TA and removes only a part of the rim 100b of the mask 100 (the separation film 100c) for removing the adhesion portion TA, The masks 100a and 100b and the adhesive plating unit 150 are not affected at all. Since the mask 100 is subjected to the heat treatment H in a state where the frame 100 and the frame 30 are integrated with each other, the mask 100 is firmly supported on the frame 30 to deform the mask 100 and the mask pattern PP .

한편, 열처리(H)는 도 7의 (e) 단계에서 수행하지 않고, 도 7의 (h) 단계까지 완료한 후에 수행할 수도 있다.Meanwhile, the heat treatment H may be performed after completion of the step (h) of FIG. 7, instead of the step of FIG. 7 (e).

한편, 접착부(TA)를 사용하지 않고, 도 6 내지 도 7의 공정을 수행할 수도 있다. 이 경우, 도 6의 (a) 단계에서, 마스크(100) 및 프레임(30)이 맞닿은 상태에서 고정될 필요가 있다. 모판(40) 또는 프레임(200)의 하중에 의해 마스크(100)와 프레임(30)이 맞닿은 상태에서 고정될 수 있으며, 마스크(100)와 프레임(200)을 상호 고정하는 별도의 고정 수단(미도시)을 더 사용할 수도 있다.On the other hand, the processes of Figs. 6 to 7 may be performed without using the bonding portion TA. In this case, in the step (a) of Fig. 6, it is necessary that the mask 100 and the frame 30 are fixed in contact with each other. It is possible to fix the mask 100 and the frame 30 in contact with each other by the load of the base plate 40 or the frame 200 and to separate the mask 100 and the frame 200 from each other Hour) may be used.

도 6의 (b) 단계에서, 마스크(100)와 프레임(30)이 맞닿은 상태로 접착 도금부(150)가 전착될 수 있다. 접착 도금부(150)가 도금막(100)의 노출된 표면(49) 및 프레임(30)의 내측면 상에서 전착되면서, 도금막(100)과 프레임(30)을 일체로 연결하는 매개체가 될 수 있다.In the step (b) of FIG. 6, the adhesive plating unit 150 may be electrodeposited with the mask 100 and the frame 30 in contact with each other. The adhesive plated portion 150 is electrodeposited on the exposed surface 49 of the plated film 100 and the inner surface of the frame 30 so that the plated film 100 can be a medium have.

그리고, 도 7의 (f) 단계에서 박리막(100c)의 경계에 레이저(L)를 조사하여 레이저 트리밍 함에 따라 마스크(100)로부터 박리막(100c)을 분리할 수 있다. 접착부(TA)를 사용하지 않게 때문에, 별도의 세정(C) 공정이 필요 없으며, 레이저 트리밍 만으로 도 7의 (h) 단계의 프레임 일체형 마스크(10)의 제조를 완료할 수 있다.Then, in the step (f) of FIG. 7, the laser L is irradiated to the boundary of the peeling film 100c, and the peeling film 100c can be separated from the mask 100 by laser trimming. Since the bonding portion TA is not used, a separate cleaning (C) step is not necessary, and the manufacture of the frame-integrated mask 10 in the step (h) in FIG. 7 can be completed by laser trimming alone.

도 9 내지 도 11은 본 발명의 제2 실시예에 따른 프레임 일체형 마스크(10)를 제조하는 과정을 나타내는 개략도이다. 일 실시예로, 마스크(100)를 용접(W)하여 프레임(30)과 접착을 수행할 수 있다.9 to 11 are schematic views showing a process of manufacturing the frame-integrated mask 10 according to the second embodiment of the present invention. In one embodiment, the mask 100 may be welded (W) to perform adhesion with the frame 30.

도 9의 (a) 내지 (c) 단계는 도 5의 (a) 내지 (c) 단계와 동일하므로, 구체적인 설명을 생략한다.The steps (a) to (c) of FIG. 9 are the same as those of steps (a) to (c) of FIG. 5, and a detailed description thereof will be omitted.

다음으로, 도 10의 (a)를 참조하면, 모판(40)[또는, 음극체(40)]을 도금액(미도시) 바깥으로 들어올린다. 그리고, 프레임(30)의 상부에 도 9의 (c)의 구조물을 뒤집어서 배치한다. 반대로, 도 9의 (c) 구조물에 프레임(30)을 뒤집어서 배치할 수도 있다.Next, referring to Fig. 10A, the base plate 40 (or the anode body 40) is lifted out of the plating liquid (not shown). Then, the structure shown in Fig. 9 (c) is arranged on the upper side of the frame 30 in an inverted position. Conversely, it is also possible to dispose the frame 30 on the structure in Fig. 9 (c).

하나의 마스크 셀(C) 영역을 구성하는 프레임(30)의 구성[테두리 프레임부(210), 제1, 2 그리드 프레임부(220, 230)]들은 도금막[마스크(100)]을 둘러싸는 형상을 가질 수 있다.The configuration of the frame 30 (frame frame part 210, first and second grid frame parts 220 and 230) constituting one mask cell area C is the same as that of the first embodiment Shape.

프레임(30)은 도금막[마스크(100)]을 둘러싸는 형상을 가질 수 있다. 접착부(TA)의 접착제는 에폭시 수지계 접착제 등을 사용할 수 있다. 접착부(TA)에 의해, 마스크(100)의 테두리 중 적어도 일부가 프레임(30) 상부에 접착 고정될 수 있다.The frame 30 may have a shape that surrounds the plated film (mask 100). As the adhesive for the adhesive portion TA, an epoxy resin adhesive or the like can be used. At least a part of the rim of the mask 100 can be adhesively fixed to the upper portion of the frame 30 by the adhesive portion TA.

다음으로, 도 10의 (b)를 참조하면, 절연부(45)를 제거할 수 있다. 포토레지스트, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 등의 절연부(45)만을 제거하고, 나머지 구성에는 영향을 주지 않는 공지의 기술을 제한없이 사용할 수 있다. 한편, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물로 절연부가 구성된 경우에는 이들을 제거하는 단계를 생략하고, 아래의 도 10의 (c) 공정을 곧바로 수행할 수도 있다. 전도성 기판(41)에 일체화되어 형성된 실리콘 산화물, 실리콘 질화물은 도 10의 (c)의 기판 분리 공정을 통해 같이 분리/제거 될 수 있다.Next, referring to FIG. 10 (b), the insulating portion 45 can be removed. A known technique that removes only the insulating portion 45 such as a photoresist, silicon oxide, or silicon nitride and does not affect the rest of the structure can be used without limitation. On the other hand, if the insulating portion is formed of silicon oxide or silicon nitride, the step of removing them may be omitted and the following process of FIG. 10 (c) may be performed immediately. Silicon oxide and silicon nitride formed integrally with the conductive substrate 41 can be removed / removed together through the substrate separation process of FIG. 10 (c).

다음으로, 도 10의 (c)를 참조하면, 도금막(100[또는, 마스크(100)]으로부터 전도성 기판(41)을 분리할 수 있다. 전도성 기판(41)은 도금막(100) 및 프레임(30)의 상부 방향으로 분리할 수 있다. 전도성 기판(41)이 분리되면, 접착부(TA)를 개재하여 프레임(30)에 접착된 마스크(100)의 형태가 나타난다.10 (c), the conductive substrate 41 can be separated from the plating film 100 (or the mask 100). The conductive substrate 41 is formed of the plating film 100 and the frame 100, When the conductive substrate 41 is detached, the shape of the mask 100 adhered to the frame 30 through the adhesion portion TA appears.

한편, 도 10의 (c) 단계까지 수행한 구조체의 경우에는, 마스크(100)와 프레임(30)을 접착시키기 위해 접착부(TA)가 필수적으로 잔존하게 된다. 접착부(TA)의 기능, 문제점 등은 도 7의 (e)에서 상술한 내용과 같다. 따라서, 도 10의 (d) 내지 도 11의 (g)와 같은 공정을 수행하여, 도금막(100)에 영향을 주지 않고, 접착부(TA)만을 완전히 제거할 수 있다. 그리고, 접착부(TA)를 대체하여 용접부(100c)를 마스크(100)와 프레임(30) 사이에 개재시켜, 마스크(100)와 프레임(30)을 일체로 접착시킬 수 있다.On the other hand, in the case of the structure performed up to the step (c) in FIG. 10, the bonding portion TA necessarily remains for bonding the mask 100 and the frame 30. The functions, problems, and the like of the adhesion portion TA are the same as those described in (e) of FIG. Therefore, it is possible to completely remove only the adhered portion TA without affecting the plated film 100 by performing the same processes as shown in FIGS. 10 (d) to 11 (g). The mask 100 and the frame 30 can be integrally adhered by interposing the welded portion 100c between the mask 100 and the frame 30 in place of the adhesion portion TA.

도 10의 (d)를 참조하면, 테두리 부분의 마스크(100b)를 이용하여 마스크(100b)와 프레임(30) 간에 레이저 용접(W)을 수행할 수 있다. 레이저를 테두리 부분의 마스크(100b) 상부에 조사하면, 마스크(100b)의 일부가 용융되어 용접부(100c)가 생성될 수 있다. 구체적으로 레이저는 접착부(TA)가 형성된 영역보다 내측 영역에 조사될 필요가 있다. 이후 공정에서 프레임(30) 외측[또는, 마스크(100)의 외측면]으로부터 세정액을 침투하여 접착부(TA)를 제거해야 하므로, 용접부(100c)는 접착부(TA)보다 내측에 생성해야 한다. 또한, 프레임(30)의 모서리쪽에 가깝게 용접부(100c)를 형성해야 마스크(100)와 프레임(30) 사이의 들뜬 공간을 최대한 줄이고 밀착성을 높일 수 있게 된다. 용접부(100c)는 라인(line) 또는 스팟(spot) 형태로 생성될 수 있으며, 마스크(100b)와 동일한 재질을 가지고 마스크(100b)와 프레임(30)을 일체로 연결하는 매개체가 될 수 있다.Referring to FIG. 10 (d), laser welding W can be performed between the mask 100b and the frame 30 by using the mask 100b at the rim portion. When the laser is irradiated on the upper portion of the mask 100b at the rim portion, a part of the mask 100b is melted and the welded portion 100c can be generated. Specifically, the laser needs to be irradiated on the inner region of the region where the bonding portion TA is formed. The welding portion 100c must be formed on the inner side of the bonding portion TA since the cleaning portion must be penetrated from the outer side of the frame 30 (or the outer surface of the mask 100) in the subsequent process to remove the bonding portion TA. In addition, the welding portion 100c should be formed close to the corner of the frame 30, so that the exciting space between the mask 100 and the frame 30 can be minimized and the adhesion can be enhanced. The welded portion 100c may be formed in the form of a line or a spot and may be a medium for integrally connecting the mask 100b and the frame 30 with the same material as the mask 100b.

도 10의 (a) 단계에서 접착부(TA)에 마스크(100)가 접착될 때, 마스크(100)는 프레임(30) 방향, 또는 외측 방향으로 인장력을 받는 상태로 접착될 수 있다. 그리하여 팽팽하게 프레임(30) 측으로 당겨진 마스크(100)를 프레임(30)에 임시 접착하게 된다. 이 상태에서, 도 10의 (d)와 같은 레이저 용접(W)을 수행하면, 마스크(100)는 외측으로 인장력을 받는 상태로 프레임(30) 상부에 용접될 수 있게 된다. 따라서, 이후 공정에서 접착부(TA)를 제거하더라도 외측 방향으로 인장력이 가해지며 팽팽하게 프레임(30) 측으로 당겨진 상태를 유지할 수 있게 된다.When the mask 100 is adhered to the adhering portion TA in the step (a) of FIG. 10, the mask 100 can be adhered with a tensile force in the direction of the frame 30 or the outward direction. Thus, the mask 100 stretched tightly toward the frame 30 is temporarily bonded to the frame 30. 10 (d), the mask 100 can be welded to the upper portion of the frame 30 in a state of receiving the tensile force to the outside. Therefore, even if the adhesive portion TA is removed in the subsequent process, a tensile force is exerted in the outward direction, and the pulled-up state of the frame 30 can be maintained.

다음으로, 도 11의 (e)를 참조하면, 프레임(30)에 부착된 도금막(100)[또는, 마스크(100)]에 열처리(H)를 수행할 수 있다. 본 발명은 마스크(100)의 열팽창계수를 낮춤과 동시에 마스크(100) 및 마스크 패턴(PP)의 열에 의한 변형을 방지하기 위해 열처리(H)를 수행하는 것을 특징으로 한다. 열처리는 300℃ 내지 800℃의 온도로 수행할 수 있다[도 8 참조]. 열처리(H)에 대한 사항은 도 7의 (e)에서 상술한 내용과 같다.11 (e), heat treatment (H) can be performed on the plated film 100 (or the mask 100) attached to the frame 30. Next, as shown in FIG. The present invention is characterized in that a heat treatment (H) is performed to lower the thermal expansion coefficient of the mask (100) and to prevent deformation of the mask (100) and the mask pattern (PP) by heat. The heat treatment can be carried out at a temperature of 300 ° C to 800 ° C (see FIG. 8). The matters concerning the heat treatment (H) are the same as those described in (e) of FIG.

다음으로, 도 11의 (f)를 참조하면, 접착부(TA)에 대응하는 마스크(100)의 영역 경계에 레이저(L)를 조사하여 마스크(100b)와 박리막(100d) 사이에 분리 선을 형성할 수 있다. 즉, 마스크(100b)에서 박리막(100d)의 경계에 레이저(L)를 조사하여 레이저 트리밍(laser trimming) 함에 따라 마스크(100)으로부터 박리막(100d)을 분리할 수 있다. 하지만, 박리막(100d)이 곧바로 떼어져 나가는 것은 아니며 접착부(TA)와 접착된 상태를 유지한다.11 (f), a laser beam L is irradiated to the boundary of the region of the mask 100 corresponding to the adhering portion TA, and a separation line is formed between the mask 100b and the peeling film 100d . That is, the laser (L) is irradiated to the boundary of the peeling film 100d in the mask 100b, and the peeling film 100d can be separated from the mask 100 by laser trimming. However, the peeling film 100d is not directly peeled off but remains adhered to the bonding portion TA.

다음으로, 도 11의 (g)를 참조하면, 접착부(TA)를 세정(C)할 수 있다. 접착제에 따라 공지의 세정 물질을 제한없이 사용할 수 있고, 마스크(100)의 측면으로부터 세정액이 침투하여 접착부(TA)를 세정(C)할 수 있다. 이에 따라 접착부(TA)를 완전히 제거할 수 있다.Next, referring to Fig. 11 (g), the bonding portion TA can be cleaned (C). A known cleaning material can be used without limitation according to the adhesive, and the cleaning liquid can penetrate from the side surface of the mask 100 to clean (C) the adhered portion TA. Thus, the adhering portion TA can be completely removed.

이어서, 마스크(100)에서 분리된 박리막(100d)을 박리(peel off; PO)한다. 박리막(100d)은 접착부(TA)가 제거되어 프레임(30)과 접착된 상태가 아니고, 마스크(100)과 분리되어 있으므로, 곧바로 떼어질 수 있다.Then, the peeling film 100d separated from the mask 100 is peel off (PO). The peeling film 100d can be immediately peeled off because the peeling film 100d is separated from the mask 100, not in a state in which the peeling film TA is removed and adhered to the frame 30. [

다음으로, 도 11의 (h)를 참조하면, 마스크(100)와 프레임(30)이 일체로 형성된 프레임 일체형 마스크(10)가 완성된다. 본 발명의 프레임 일체형 마스크는 접착부(TA)가 없고, 접착부(TA)의 제거를 위해서 마스크(100)의 테두리(100b) 일부[박리막(100d)]만을 제거하므로, 화소 공정에 기여하는 마스크(100)에는 전혀 영향이 없게 된다. 그리고, 마스크(100)와 프레임(30)이 일체인 상태에서 열처리(H)를 수행하므로, 마스크(100)가 프레임(30)에 단단히 지지되어 마스크(100) 및 마스크 패턴(PP)의 변형을 방지할 수 있다.11 (h), the frame-integrated mask 10 in which the mask 100 and the frame 30 are integrally formed is completed. The frame-integrated mask of the present invention does not have the adhering portion TA and removes only a part of the rim 100b of the mask 100 (the peeling film 100d) in order to remove the adhering portion TA, 100). Since the mask 100 is subjected to the heat treatment H in a state where the frame 100 and the frame 30 are integrated with each other, the mask 100 is firmly supported on the frame 30 to deform the mask 100 and the mask pattern PP .

한편, 열처리(H)는 도 11의 (e) 단계에서 수행하지 않고, 도 11의 (h) 단계까지 완료한 후에 수행할 수도 있다.On the other hand, the heat treatment H may be performed after the step (h) of FIG. 11 is completed, instead of the step of FIG. 11 (e).

도 12는 본 발명의 제3 실시예에 따른 프레임 일체형 마스크(10)를 제조하는 과정을 나타내는 개략도이다. 일 실시예로, 유테틱(eutectic) 재질의 접착부(EM)를 마스크(100)와 프레임(30) 사이에 개재하여 접착을 수행할 수 있다.12 is a schematic view showing a process of manufacturing the frame-integrated mask 10 according to the third embodiment of the present invention. In one embodiment, an adhesive portion EM of an eutectic material may be interposed between the mask 100 and the frame 30 to perform adhesion.

도 9의 (a) 내지 (c) 단계와 같이 모판(40) 및 모판(40) 상에 마스크(100)를 형성할 수 있다.The mask 100 may be formed on the base 40 and the base 40 as shown in FIGS. 9 (a) to 9 (c).

다음으로, 도 12의 (a)를 참조하면, 프레임(30)의 상부에 도 9의 (c)의 구조물을 뒤집어서 배치한다.Next, referring to Fig. 12 (a), the structure of Fig. 9 (c) is arranged on the top of the frame 30 in the upside down position.

마스크(100)가 접촉하는 프레임(30) 상부에는 유테틱 재질의 접착부(EA)가 형성될 수 있다. 유테틱 재질의 접착부(EA)는 In, Sn, Bi, Au 등의 그룹과 Sn, Bi, Ag, Zn, Cu, Sb, Ge 등의 그룹에서 적어도 하나의 금속을 포함하는 접착제로서, 필름, 선, 다발 형태 등의 다양한 모양을 가질 수 있고, 약 10 ~ 30㎛의 얇은 두께를 가질 수 있다. 유테틱 재질의 접착부(EA)는 적어도 두 개의 금속 고체상(solid phase)을 포함하고, 특정 온도/압력의 유테틱 포인트(eutectic point)에서는 두 개의 금속 고체상이 모두 액체상(liquid phase)이 될 수 있다. 그리고 유테틱 포인트를 벗어나면 다시 두 개의 금속 고체상이 될 수 있다. 이에 따라, 고체상 -> 액체상 -> 고체상의 상변화를 통해 접착제로서의 역할을 수행할 수 있는 것이다.The eutectic bonding portion EA may be formed on the upper side of the frame 30 on which the mask 100 contacts. The adhesive portion EA of the ertic material is an adhesive containing at least one metal selected from the group consisting of In, Sn, Bi and Au and Sn, Bi, Ag, Zn, Cu, Sb and Ge. , A bundle shape, and the like, and may have a thin thickness of about 10 to 30 탆. The eutectic bond (EA) comprises at least two metal solid phases, and at a particular temperature / pressure eutectic point, both metal solid phases can be in a liquid phase . And if it leaves the eutectic point, it can be again two metal solid phase. As a result, it can act as an adhesive through a phase change from a solid phase to a liquid phase to a solid phase.

다음으로, 도 12의 (b)를 참조하면, 유테틱 접착부(EA)에 소정의 온도/압력(HP)을 가할 수 있다. 공공(void)이 생기지 않도록 소정의 압력을 가할 수 있고, 유테틱 산화방지를 위해서 산화방지 가스(inert gas, 진공)를 흐르게 하는 별도의 장치(미도시)를 마련할 수 있다. 소정의 온도/압력(HP) 하에서 고체인 유테틱 접착부(EA)는 녹으면서 액체로 변할 수 있다.Next, referring to FIG. 12B, a predetermined temperature / pressure (HP) may be applied to the eutectic bonding portion EA. A predetermined pressure may be applied to prevent voids from occurring and a separate device (not shown) may be provided to flow an antioxidant gas (vacuum) to prevent eutectic oxidation. Under a certain temperature / pressure (HP), the solid eutectic bonding part (EA) can be converted into a liquid while melting.

다음으로, 도 12의 (c)를 참조하면, 소정의 온도/압력(HP)을 해제한 후, 유테틱 접착부(EA)가 다시 고체(EM)로 변하면서 마스크(100)와 프레임(30)을 접착시킬 수 있다. 즉, 마스크(100)와 프레임(30)을 접착하는 고체의 유테틱 접착부(EM)로서 기능할 수 있게 된다.12 (c), after the predetermined temperature / pressure HP is released, the eutectic bonding portion EA is again turned into a solid EM, and the mask 100 and the frame 30 are separated from each other, . In other words, it becomes possible to function as a solid, eutectic bonding portion EM for bonding the mask 100 and the frame 30 together.

유테틱 접착부(EM)는 일반적인 유기 접착제(TA)와 다르게 휘발성 유기물을 전혀 포함하고 있지 않다. 따라서, 접착제(TA)의 휘발성 유기물질이 공정 가스와 반응하여 OLED의 화소에 악영향을 주거나, 접착제(TA) 자체에 포함된 유기물질 등의 아웃 가스가 화소 공정 챔버를 오염시키거나 불순물로서 OLED 화소에 증착되는 악영향을 방지할 수 있게 된다. 또한, 유테틱 접착부(EM)는 고체이므로, OLED 유기물 세정액에 의해서 세정되지 않고 내식성을 가질 수 있게 된다. 또한, 두가지 이상의 금속을 포함하고 있으므로, 유기 접착제(TA)에 비해서 동일한 금속 재질인 마스크(100), 프레임(30)과 높은 접착성을 가지고 연결될 수 있고, 금속 재질이므로 변형 가능성이 낮은 이점이 있다.Unlike conventional organic adhesives (TA), the eutectic bonding part (EM) contains no volatile organic compounds at all. Accordingly, the volatile organic material of the adhesive TA may react with the process gas to adversely affect the pixels of the OLED, or outgas such as the organic material included in the adhesive TA may contaminate the pixel processing chamber, It is possible to prevent an adverse effect of deposition on the substrate. Further, since the eutectic bonding portion (EM) is a solid, it is not cleaned by the OLED organic cleaning liquid and can have corrosion resistance. In addition, since it includes two or more metals, it can be connected to the mask 100 and the frame 30, which are the same metal as the organic adhesive TA, with high adhesiveness. .

다음으로, 도 12의 (d)를 참조하면, 전도성 기판(41)을 마스크(100) 및 프레임(30)의 상부 방향으로 분리할 수 있다. 전도성 기판(41)이 분리되면, 접착부(EM)를 개재하여 프레임(30)에 접착된 마스크(100)의 형태가 나타난다.Next, referring to FIG. 12D, the conductive substrate 41 can be separated in the upper direction of the mask 100 and the frame 30. When the conductive substrate 41 is detached, the shape of the mask 100 adhered to the frame 30 through the adhesive portion EM appears.

다음으로, 도 12의 (e)를 참조하면, 프레임(30)에 부착된 도금막(100)[또는, 마스크(100)]에 열처리(H)를 수행할 수 있다. 본 발명은 마스크(100)의 열팽창계수를 낮춤과 동시에 마스크(100) 및 마스크 패턴(PP)의 열에 의한 변형을 방지하기 위해 열처리(H)를 수행하는 것을 특징으로 한다. 열처리는 300℃ 내지 800℃의 온도로 수행할 수 있으며[도 8 참조], 다만, 접착부(EM)에 영향이 없는 온도 범위 내에서 열처리 하는 것이 바람직하다. 열처리(H)에 대한 사항은 도 7의 (e)에서 상술한 내용과 같다.Next, referring to FIG. 12E, the plating process 100 (or the mask 100) attached to the frame 30 can be subjected to the heat treatment (H). The present invention is characterized in that a heat treatment (H) is performed to lower the thermal expansion coefficient of the mask (100) and to prevent deformation of the mask (100) and the mask pattern (PP) by heat. The heat treatment can be performed at a temperature of 300 ° C to 800 ° C (see FIG. 8), but it is preferable that the heat treatment is performed within a temperature range that does not affect the bonding portion EM. The matters concerning the heat treatment (H) are the same as those described in (e) of FIG.

도 13 내지 도 14는 본 발명의 제4 실시예에 따른 프레임 일체형 마스크를 제조하는 과정을 나타내고, 본 발명의 일 실시예에 따라 프레임 일체형 마스크로부터 마스크를 제조하는 과정을 나타내는 개략도이다. 일 실시예로, 접착 도금부(150)를 마스크(100)와 프레임(30) 사이에 형성하여 접착을 수행할 수 있다. 도 5 내지 도 7의 제1 실시예와 비교하면, 제4 실시예에서는 접착 도금부(150)가 프레임(30)의 외측면 상의 적어도 일부에 형성되는 차이가 있다.FIGS. 13 to 14 are schematic views showing a process of manufacturing a frame-integrated mask according to a fourth embodiment of the present invention, and a process of manufacturing a mask from a frame-integrated mask according to an embodiment of the present invention. In one embodiment, the adhesive plated portion 150 may be formed between the mask 100 and the frame 30 to perform adhesion. In comparison with the first embodiment of Figs. 5 to 7, in the fourth embodiment, there is a difference that the adhesive plating portion 150 is formed on at least a part of the outer surface of the frame 30. Fig.

먼저, 도 13의 (a)의 전 단계로서, 도 5의 (a) 내지 (d) 단계를 수행한다. 다만, 제2 절연부(47)는 절연부(45)와 도금막(100)을 전부 커버하도록 형성할 수 있다.First, the steps (a) to (d) of FIG. 5 are performed as the previous step of FIG. 13 (a). However, the second insulation portion 47 may be formed to cover the insulation portion 45 and the plated film 100 entirely.

다음으로, 도 13의 (a)를 참조하면, 프레임(30)의 상부에 도 5의 (d)의 구조물[단, 제2 절연부(47)는 절연부(45)와 도금막(100)을 전부 커버하도록 형성한 구조물]을 뒤집어서 배치한다.5 (d), the second insulation portion 47 is formed on the upper surface of the frame 30 with the insulating portion 45 and the plated film 100 interposed therebetween, (A structure in which it covers the entire surface)].

프레임(30)은 도금막[마스크(100)]을 둘러싸는 형상을 가질 수 있다. 또한, 프레임(30)은 외측면이 경사진 형상을 가질 수 있다. 그리하여, 접착 도금부(150)가 형성될 때, 프레임(30)의 경사진 외측면과 보다 강한 접착력을 가질 수 있고, 도금막(100)과 보다 강한 접착력을 가질 수 있다.The frame 30 may have a shape that surrounds the plated film (mask 100). Further, the frame 30 may have a shape whose outer surface is inclined. Thus, when the adhesive plated portion 150 is formed, it can have a stronger adhesive force with the inclined outer surface of the frame 30, and can have a stronger adhesion force with the plated film 100.

다음으로, 도 13의 (b)를 참조하면, 전주 도금을 수행하여, 접착 도금부(150)를 전착할 수 있다. 접착 도금부(150)는 프레임(30)의 적어도 외측면 상에서 전착될 수 있다. 물론, 접착 도금부(150)는 프레임(30)의 외측면에 이어서 내측면에까지 전착될 수도 있다.Next, referring to FIG. 13 (b), electroplating may be performed to electrodeposit the adhesive plated portion 150. The adhesive plating portion 150 can be electrodeposited on at least the outer surface of the frame 30. [ Of course, the adhesive plating portion 150 may be electrodeposited to the inner side surface subsequent to the outer side surface of the frame 30.

접착 도금부(150)가 프레임(30)의 외측면 상에서 전착되면서, 도금막(100)과 프레임(30)을 일체로 연결하는 매개체가 될 수 있다. 접착 도금부(150)가 전착되면서 도금막(100)과 일체로 연결되고, 접착 도금부(150)는 프레임(30)에 연결되어 있으므로, 프레임(30)과 도금막(100)이 일체로 연결되는 결과가 나타난다. 이때, 접착 도금부(150)는 도금막(100)의 테두리(100b)에 일체로 연결되며 전착되므로, 프레임(30)의 외측 방향으로 인장력을 가하는 상태를 가지며 도금막(100)을 지지할 수 있다. 그리하여, 별도로 마스크를 인장하고 정렬하는 과정을 수행할 필요없이, 팽팽하게 프레임(30) 측으로 당겨진 도금막(100)[또는, 마스크(100)]을 프레임(30)과 일체로 형성할 수 있게 된다.The adhesive plating unit 150 may be a medium for integrally connecting the plating film 100 and the frame 30 while being electrodeposited on the outer surface of the frame 30. [ Since the adhesive plated portion 150 is integrally connected to the plated film 100 while the bonded plated portion 150 is attached and the bonded plated portion 150 is connected to the frame 30, the frame 30 and the plated film 100 are integrally connected . Since the adhesive plated portion 150 is integrally connected to the rim 100b of the plated film 100 and is electrodeposited, the plated film 100 can be supported with a tensile force in the outward direction of the frame 30 have. Thus, the plated film 100 (or the mask 100) stretched tightly toward the frame 30 can be integrally formed with the frame 30 without having to separately perform a process of stretching and aligning the mask .

다음으로, 도 13의 (c)를 참조하면, 절연부(45) 및 제2 절연부(47)를 제거할 수 있다.Next, referring to FIG. 13C, the insulating portion 45 and the second insulating portion 47 can be removed.

다음으로, 도 13의 (d)를 참조하면, 도금막(100)[또는, 마스크(100)]으로부터 전도성 기판(41)을 분리할 수 있다. 전도성 기판(41)은 도금막(100) 및 프레임(30)의 상부 방향으로 분리할 수 있다. 전도성 기판(41)이 분리되면, 마스크(100)와 마스크(100)를 지지하는 프레임(30)이 일체로 형성된 형태가 나타난다.Next, referring to FIG. 13D, the conductive substrate 41 can be separated from the plating film 100 (or the mask 100). The conductive substrate 41 can be separated in the upper direction of the plating film 100 and the frame 30. When the conductive substrate 41 is separated, a form in which the mask 100 and the frame 30 supporting the mask 100 are integrally formed appears.

다음으로, 도 14의 (e)를 참조하면, 도금막(100)[또는, 마스크(100)]을 모판(40)으로부터 분리한 후, 열처리(H)를 수행할 수 있다. 본 발명은 마스크(100)의 열팽창계수를 낮춤과 동시에 마스크(100) 및 마스크 패턴(PP)의 열에 의한 변형을 방지하기 위해 열처리(H)를 수행하는 것을 특징으로 한다. 열처리는 300℃ 내지 800℃의 온도로 수행할 수 있다[도 8 참조]. ]. 열처리(H)에 대한 사항은 도 7의 (e)에서 상술한 내용과 같다.14 (e), after the plating film 100 (or the mask 100) is separated from the base plate 40, a heat treatment (H) can be performed. The present invention is characterized in that a heat treatment (H) is performed to lower the thermal expansion coefficient of the mask (100) and to prevent deformation of the mask (100) and the mask pattern (PP) by heat. The heat treatment can be carried out at a temperature of 300 ° C to 800 ° C (see FIG. 8). ]. The matters concerning the heat treatment (H) are the same as those described in (e) of FIG.

열처리(H)를 완료하면, 마스크(100)와 프레임(30)이 일체로 형성된 프레임 일체형 마스크(10)가 완성된다. 본 발명의 프레임 일체형 마스크(10)는 마스크(100)와 프레임(30)이 일체인 상태에서 열처리(H)를 수행하므로, 마스크(100)가 프레임(30)에 단단히 지지되어 마스크(100) 및 마스크 패턴(PP)의 변형을 방지할 수 있다.When the heat treatment H is completed, the frame-integrated mask 10 in which the mask 100 and the frame 30 are integrally formed is completed. Since the mask 100 is firmly supported on the frame 30 and the mask 100 and the frame 30 are integrally formed, the mask 100 and the frame 30 perform the heat treatment H in a state where the mask 100 and the frame 30 are integrated. It is possible to prevent deformation of the mask pattern PP.

한편, 본 발명은 제조된 프레임 일체형 마스크(10)로부터 마스크(100)만을 분리하는 것을 특징으로 한다. 프레임 일체형 마스크(10)의 마스크(100) 부분은 프레임(30)에 지지된 상태로 열처리(H)가 된 상태이므로, 마스크(100) 및 마스크 패턴(PP)의 변형이 없이, 열처리(H)로 인한 열팽창계수가 낮아진 특성을 가진다. 열처리(H)로 인한 열팽창계수가 낮아진 마스크(100)를 제조하는 과정은 이하와 같다.On the other hand, the present invention is characterized in that only the mask 100 is separated from the produced frame-integrated mask 10. The mask 100 of the frame-integrated mask 10 is in the state of being subjected to the heat treatment H in a state of being supported by the frame 30 so that the heat treatment H can be performed without deformation of the mask 100 and the mask pattern PP. And the coefficient of thermal expansion is lowered. The process of manufacturing the mask 100 having a lower thermal expansion coefficient due to the heat treatment H is as follows.

도 14의 (f)를 참조하면, 먼저, 제조된 프레임 일체형 마스크(10)를 준비한다.Referring to FIG. 14 (f), first, the prepared frame-integrated mask 10 is prepared.

다음으로, 마스크(100)[또는, 도금막(100)]과 프레임(30)의 경계 부분에 레이저(L)를 조사하여 마스크(100b)와 접착 도금부(150) 사이에 분리 선을 형성할 수 있다. 즉, 마스크(100b)에서 접착 도금부(150)의 경계에 레이저(L)를 조사하여 레이저 트리밍(laser trimming) 할 수 있다.Next, a laser beam L is irradiated to the boundary portion between the mask 100 (or the plated film 100) and the frame 30 to form a separation line between the mask 100b and the adhering plating portion 150 . That is, laser trimming can be performed by irradiating a laser L on the boundary of the adhesive plating unit 150 in the mask 100b.

다음으로, 마스크(100)를 프레임 일체형 마스크(10)로부터 분리할 수 있다. 프레임 일체형 마스크(10)에 레이저(L) 조사에 따른 분리 선이 형성되어 있으므로, 이 분리 선을 따라 마스크(100)가 곧바로 떼어질 수 있다. 따라서, 마스크(100) 및 마스크 패턴(PP)의 변형이 없이, 열처리(H)로 인한 열팽창계수가 낮아진 특성을 가지는 마스크(100)를 획득할 수 있게 된다.Next, the mask 100 can be separated from the frame-integrated mask 10. Since the frame-integrated mask 10 is provided with the separation line according to the irradiation of the laser L, the mask 100 can be immediately separated along the separation line. Therefore, it becomes possible to obtain the mask 100 having the characteristic that the coefficient of thermal expansion due to the heat treatment H is lowered without deformation of the mask 100 and the mask pattern PP.

도 15는 본 발명의 다른 실시예들에 따라 프레임 일체형 마스크로부터 마스크를 제조하는 과정을 나타내는 개략도이다. 도 15의 (a)는 제1 실시예, 도 15의 (b)는 제2 실시예, 도 15의 (c)는 제3 실시예로 상술한 프레임 일체형 마스크(10)로부터 마스크(100)를 제조하는 것을 나타낸다.15 is a schematic view showing a process of manufacturing a mask from a frame-integrated mask according to another embodiment of the present invention. 15 (a) shows the first embodiment, FIG. 15 (b) shows the second embodiment, and FIG. 15 (c) shows the mask 100 from the frame- .

도 15의 (a)를 참조하면, 도 7의 (h) 단계에서 완성한 프레임 일체형 마스크(10)를 준비하고, 마스크(100b)와 프레임(30) 경계에 레이저(L)를 조사하여 레이저 트리밍 할 수 있다.15A, the frame-integrated mask 10 completed in the step (h) of FIG. 7 is prepared and the laser L is irradiated to the boundary between the mask 100b and the frame 30 to perform laser trimming .

도 15의 (b)를 참조하면, 도 11의 (h) 단계에서 완성한 프레임 일체형 마스크(10)를 준비하고, 마스크(100b)와 프레임(30) 경계[또는, 마스크(100b)와 용접부(100c) 경계]에 레이저(L)를 조사하여 레이저 트리밍 할 수 있다.15 (b), the frame-integrated mask 10 completed in the step (h) of FIG. 11 is prepared and the boundary between the mask 100b and the frame 30 (or between the mask 100b and the welds 100c ) Boundary with a laser L to perform laser trimming.

도 15의 (c)를 참조하면, 도 12의 (e) 단계에서 완성한 프레임 일체형 마스크(10)를 준비하고, 마스크(100b)와 프레임(30) 경계에 레이저(L)를 조사하여 레이저 트리밍 할 수 있다.15 (c), the frame-integrated mask 10 completed in the step (e) of FIG. 12 is prepared and the laser L is irradiated to the boundary between the mask 100b and the frame 30 to perform laser trimming .

레이저 트리밍 후에 분리 선을 따라 마스크(100)를 떼어내면, 도 15의 (d)와 같이 마스크 패턴(PP)을 그대로 유지하고, 열처리(H)로 인한 열팽창계수가 낮아진 특성을 가지는 마스크(100)를 획득할 수 있게 된다.When the mask 100 is removed along the separation line after the laser trimming, the mask 100 having the characteristic that the mask pattern PP is maintained as it is and the thermal expansion coefficient is lowered due to the heat treatment H as shown in FIG. 15 (d) . ≪ / RTI >

도 16은 일 실시예에 따른 도 12의 프레임 일체형 마스크(10)를 적용한 OLED 화소 증착 장치를 나타내는 개략도이다.16 is a schematic view showing an OLED pixel deposition apparatus to which the frame-integrated mask 10 of FIG. 12 according to an embodiment is applied.

도 16을 참조하면, 프레임 일체형 마스크(10)를 대상 기판(900)과 밀착시키고, 프레임(30) 부분만을 OLED 화소 증착 장치(200)에 내부에 고정시키는 것만으로 마스크(100)의 정렬이 완료될 수 있다. 마스크(100)는 프레임(30)과 일체로 연결되어 그 테두리가 팽팽하게 지지되므로, 마스크(100)가 하중에 의해 쳐지거나 뒤틀리는 등의 변형이 방지될 수 있다. 이에 따라, 화소 증착에 필요한 프레임 일체형 마스크(10)의 정렬을 명확하게 할 수 있다.16, alignment of the mask 100 is completed only by bringing the frame-integrated mask 10 into close contact with the target substrate 900 and fixing only the frame 30 portion inside the OLED pixel deposition apparatus 200 . Since the mask 100 is integrally connected to the frame 30 so that its rim is tightly supported, deformation such as striking or twisting of the mask 100 by a load can be prevented. Thus, alignment of the frame-integrated mask 10 necessary for pixel deposition can be clarified.

본 발명은 상술한 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형과 변경이 가능하다. 그러한 변형예 및 변경예는 본 발명과 첨부된 특허청구범위의 범위 내에 속하는 것으로 보아야 한다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken in conjunction with the present invention. Variations and changes are possible. Such variations and modifications are to be considered as falling within the scope of the invention and the appended claims.

10: 프레임 일체형 마스크
30: 프레임
40: 모판
41: 전도성 기재
45: 절연부
100: 마스크, 새도우 마스크, FMM(Fine Metal Mask)
200: OLED 화소 증착 장치
DP: 디스플레이 패턴
H: 열처리
PP: 화소 패턴, 마스크 패턴10: Frame-integrated mask
30: Frame
40:
41: Conductive substrate
45:
100: mask, shadow mask, FMM (Fine Metal Mask)
200: OLED pixel deposition apparatus
DP: Display pattern
H: Heat treatment
PP: pixel pattern, mask pattern

Claims (22)

마스크와 마스크를 지지하는 프레임이 일체로 형성된 프레임 일체형 마스크의 제조 방법으로서,
(a) 전도성 기재를 제공하는 단계;
(b) 전도성 기재의 일면 상에 패턴화된 절연부를 형성하여 모판(Mother Plate)을 제조하는 단계;
(c) 모판을 음극체(Cathode Body)로 사용하고, 전주 도금(Electroforming)으로 모판 상에 도금막을 형성하는 단계;
(d) 도금막의 테두리의 적어도 일부를 프레임에 접착하는 단계;
(e) 모판으로부터 도금막 및 프레임을 분리하는 단계; 및
(f) 도금막을 열처리하는 단계
를 포함하는, 프레임 일체형 마스크의 제조 방법.A method of manufacturing a frame-integrated mask in which a mask and a frame for supporting the mask are integrally formed,
(a) providing a conductive substrate;
(b) forming a patterned insulating part on one surface of the conductive substrate to manufacture a mother plate;
(c) forming a plated film on the base plate by electroforming using a base plate as a cathode body;
(d) bonding at least a portion of the rim of the plated film to the frame;
(e) separating the plated film and the frame from the base plate; And
(f) heat treating the plating film
Wherein the frame-integrated mask comprises a plurality of mask patterns. 제1항에 있어서,
전도성 기재는 도핑된 단결정 실리콘 재질, 또는 Ti, SUS, Cu, Ag, GaN, SiC, GaAs, GaP, AlN, InN, InP, Ge, Al2O3, 흑연(graphite), 그래핀(graphene), 페로브스카이트(perovskite) 구조의 세라믹, 단결정 초내열합금 중 어느 하나의 재질인, 프레임 일체형 마스크의 제조 방법.The method according to claim 1,
The conductive substrate is a doped single-crystal silicon material, or Ti, SUS, Cu, Ag, GaN, SiC, GaAs, GaP, AlN, InN, InP, Ge, Al 2 O 3, graphite (graphite), graphene (graphene), A method for manufacturing a frame-integrated mask, which is made of any one of a ceramic of a perovskite structure and a single-crystal super-heat-resistant alloy. 제1항에 있어서,
절연부는 포토레지스트, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 중 어느 하나의 재질인, 프레임 일체형 마스크의 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein the insulating portion is made of any one of photoresist, silicon oxide, and silicon nitride. 제1항에 있어서,
절연부는 테이퍼 형상 또는 역테이퍼 형상을 가지는, 프레임 일체형 마스크의 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein the insulating portion has a tapered shape or a reverse tapered shape. 제1항에 있어서,
열처리는 300℃ 내지 800℃로 수행하는, 프레임 일체형 마스크의 제조 방법.The method according to claim 1,
And the heat treatment is performed at 300 캜 to 800 캜. 제1항에 있어서,
도금막은 인바(Invar) 또는 슈퍼 인바(Super Invar) 재질이고,
프레임은 인바, 슈퍼 인바, Ti, Al, Ni, Ni-Co, Mo, W, SUS, SiC, 흑연 중 어느 하나의 재질인, 프레임 일체형 마스크의 제조 방법.The method according to claim 1,
The plated film is made of Invar or Super Invar,
Wherein the frame is made of any one of Invar, Super Invar, Ti, Al, Ni, Ni-Co, Mo, W, SUS, SiC and graphite. 제1항에 있어서,
(c) 단계와 (d) 단계 사이에,
도금막의 테두리 영역을 제외한 나머지 영역 상에 제2 절연부를 형성하는 단계
를 더 포함하는, 프레임 일체형 마스크의 제조 방법.The method according to claim 1,
Between step (c) and step (d)
Forming a second insulating portion on the remaining region except the edge region of the plated film
Further comprising the steps of: 제7항에 있어서,
(d) 단계는,
(d1) 프레임 상부의 적어도 일부에 접착부를 형성하고, 노출된 도금막의 테두리 영역 중 적어도 일부를 접착부에 접착하는 단계; 및
(d2) 접착부와 제2 절연부 사이에 노출된 도금막 및 프레임의 내측면 상에 전주 도금으로 접착 도금부를 형성하는 단계;
를 포함하는, 프레임 일체형 마스크의 제조 방법.8. The method of claim 7,
(d)
(d1) forming an adhesive portion on at least a part of an upper portion of the frame, and adhering at least a part of the edge region of the exposed plated film to the adhesive portion; And
(d2) forming a plated film exposed between the bonding portion and the second insulating portion and an adhesive plating portion by electroplating on the inner surface of the frame;
Wherein the frame-integrated mask comprises a plurality of mask patterns. 제7항에 있어서,
(d) 단계는,
(d1) 프레임 상부와 노출된 도금막의 테두리 영역 중 적어도 일부를 맞닿게 하는 단계; 및
(d2) 프레임 내측면과 제2 절연부 사이에 노출된 도금막 및 프레임의 내측면 상에 전주 도금으로 접착 도금부를 형성하는 단계;
를 포함하는, 프레임 일체형 마스크의 제조 방법.8. The method of claim 7,
(d)
(d1) abutting at least a portion of an upper edge of the frame and an edge region of the exposed plated film; And
(d2) forming an adhesive plating portion by electroplating on the plating film exposed on the inner side of the frame and the second insulating portion and on the inner surface of the frame;
Wherein the frame-integrated mask comprises a plurality of mask patterns. 제8항 또는 제9항에 있어서,
접착 도금부는 도금막의 일면 테두리에 연결되어 도금막과 일체화되는, 프레임 일체형 마스크의 제조 방법.10. The method according to claim 8 or 9,
Wherein the adhesive plated portion is connected to the edge of one side of the plated film and is integrated with the plated film. 제8항 또는 제9항에 있어서,
접착 도금부는 도금막의 외측으로 인장력을 가하는 상태로, 프레임 내측면 상에 형성되는, 프레임 일체형 마스크의 제조 방법.10. The method according to claim 8 or 9,
Wherein the adhesive plated portion is formed on the inner side surface of the frame in a state of applying tensile force to the outside of the plated film. 제8항에 있어서,
(e) 단계와 (f) 단계 사이에,
(e2) 접착부에 대응하는 도금막의 박리막 경계에 레이저를 조사하고, 접착부를 세정하는 단계; 및
(e3) 도금막의 박리막을 제거하는 단계
를 더 포함하는, 프레임 일체형 마스크의 제조 방법.9. The method of claim 8,
Between steps (e) and (f)
(e2) irradiating a laser beam on the boundary of the peeling film of the plated film corresponding to the adhered portion, and cleaning the adhered portion; And
(e3) removing the peeling film of the plated film
Further comprising the steps of: 제8항에 있어서,
(f) 단계 이후,
(g) 접착부에 대응하는 도금막의 박리막 경계에 레이저를 조사하고, 접착부를 세정하는 단계; 및
(h) 도금막의 박리막을 제거하는 단계
를 포함하는, 프레임 일체형 마스크의 제조 방법.9. The method of claim 8,
After step (f)
(g) irradiating a laser beam on the boundary of the peeling film of the plated film corresponding to the adhering portion, and cleaning the adhering portion; And
(h) removing the peeling film of the plated film
Wherein the frame-integrated mask comprises a plurality of mask patterns. 제1항에 있어서,
(d) 단계는, (d) 프레임 상부의 적어도 일부에 접착부를 형성하고, 도금막의 테두리 중 적어도 일부를 접착부에 접착하는 단계; 이고,
(e) 단계와 (f) 단계 사이에,
(e2) 접착부가 형성된 영역보다 내측 영역의 적어도 일부 도금막을 프레임 상부에 레이저 용접하는 단계;
를 더 포함하는, 프레임 일체형 마스크의 제조 방법.The method according to claim 1,
(d) comprises the steps of: (d) forming an adhesive portion on at least a part of the upper portion of the frame and bonding at least a part of the edges of the plated film to the adhesive portion; ego,
Between steps (e) and (f)
(e2) laser welding at least a part of the plated film in the inner region to the upper portion of the frame in a region where the bonding portion is formed;
Further comprising the steps of: 제14항에 있어서,
(f) 단계 이후에,
(g) 접착부에 대응하는 도금막의 박리막 경계에 레이저를 조사하고, 접착부를 세정하는 단계; 및
(h) 도금막의 박리막을 제거하는 단계
를 더 포함하는, 프레임 일체형 마스크의 제조 방법.15. The method of claim 14,
After step (f)
(g) irradiating a laser beam on the boundary of the peeling film of the plated film corresponding to the adhering portion, and cleaning the adhering portion; And
(h) removing the peeling film of the plated film
Further comprising the steps of: 제1항에 있어서,
(d) 단계는, (d) 프레임 상부의 적어도 일부에 접착부를 형성하고, 도금막의 테두리 중 적어도 일부를 접착부에 접착하는 단계; 이고,
(e) 단계와 (f) 단계 사이에,
(e2) 접착부가 형성된 영역보다 내측 영역의 적어도 일부 도금막을 프레임 상부에 레이저 용접하는 단계;
(e3) 접착부에 대응하는 도금막의 박리막 경계에 레이저를 조사하고, 접착부를 세정하는 단계; 및
(e4) 도금막의 박리막을 제거하는 단계
를 더 포함하는, 프레임 일체형 마스크의 제조 방법.The method according to claim 1,
(d) comprises the steps of: (d) forming an adhesive portion on at least a part of the upper portion of the frame and bonding at least a part of the edges of the plated film to the adhesive portion; ego,
Between steps (e) and (f)
(e2) laser welding at least a part of the plated film in the inner region to the upper portion of the frame in a region where the bonding portion is formed;
(e3) irradiating a laser beam on a boundary of the peeling film of the plated film corresponding to the adhering portion, and cleaning the adhering portion; And
(e4) removing the peeling film of the plated film
Further comprising the steps of: 제14항 또는 제16항에 있어서,
레이저를 조사한 도금막의 부분이 일부 용융되어 도금막과 프레임 간에 용접부가 개재됨에 따라 레이저 용접이 수행되는, 프레임 일체형 마스크의 제조 방법.17. The method according to claim 14 or 16,
Wherein laser welding is performed as a portion of the plated film irradiated with the laser is partially melted and a weld portion is interposed between the plated film and the frame. 제1항에 있어서,
(d) 단계는,
(d1) 프레임 상부의 적어도 일부분에 금속을 포함하는 접착부를 형성하고, 도금막의 테두리 중 적어도 일부를 접착부에 대응하는 단계;
(d2) 접착부에 소정의 온도, 소정의 압력 중 적어도 어느 하나를 가하는 단계; 및
(d3) 소정의 온도, 소정의 압력 중 적어도 어느 하나의 인가를 해제하여, 도금막과 프레임을 접착하는 단계
를 포함하는, 프레임 일체형 마스크의 제조 방법.The method according to claim 1,
(d)
(d1) forming a bonding portion including a metal on at least a portion of an upper portion of the frame, and at least a part of the rim of the plating film corresponding to the bonding portion;
(d2) applying at least one of a predetermined temperature and a predetermined pressure to the bonding portion; And
(d3) releasing the application of at least one of a predetermined temperature and a predetermined pressure to adhere the plated film to the frame
Wherein the frame-integrated mask comprises a plurality of mask patterns. 제18항에 있어서,
(d2) 단계에서, 접착부의 적어도 일부가 고상(solid phase)에서 액상(liquid phase)으로 변하고,
(d3) 단계에서, 접착부의 액상이 다시 고상으로 변하면서 도금막과 프레임을 접착하는, 프레임 일체형 마스크의 제조 방법.19. The method of claim 18,
(d2), at least a part of the adhesive portion changes from a solid phase to a liquid phase,
(d3), the liquid phase of the adhering portion is again solidified, and the plated film and the frame are bonded to each other. 제18항에 있어서,
접착부는 적어도 두 금속의 합금을 포함하는, 프레임 일체형 마스크의 제조 방법. 19. The method of claim 18,
Wherein the bonding portion comprises an alloy of at least two metals. 제1항에 있어서,
(d) 단계는,
(d1) 프레임 상부와 도금막의 테두리 영역 중 적어도 일부를 맞닿게 하는 단계;
(d2) 프레임의 적어도 외측면 상에 전주 도금으로 접착 도금부를 형성하는 단계; 및
(d3) 접착 도금부와 도금막의 테두리를 일체로 연결함에 따라 도금막과 프레임을 접착하는 단계
를 포함하는, 프레임 일체형 마스크의 제조 방법.The method according to claim 1,
(d)
(d1) abutting at least a portion of the upper portion of the frame and the edge region of the plated film;
(d2) forming an adhesive plated portion by electroplating on at least an outer surface of the frame; And
(d3) bonding the plated film to the frame by integrally connecting the edges of the plated film with the bonded plated portion
Wherein the frame-integrated mask comprises a plurality of mask patterns. 마스크의 제조 방법으로서,
(a) 제1항 내지 제21항 중 어느 하나의 프레임 일체형 마스크의 제조 방법을 이용하여 제조한 프레임 일체형 마스크를 제공하는 단계;
(b) 프레임 일체형 마스크에서 마스크와 프레임 경계에 레이저를 조사하는 단계; 및
(c) 프레임 일체형 마스크로부터 마스크를 분리하는 단계
를 포함하는, 마스크의 제조 방법.A method of manufacturing a mask,
(a) providing a frame-integrated mask manufactured by using the frame-integrated mask manufacturing method according to any one of claims 1 to 21;
(b) irradiating a mask with a frame boundary with a laser in a frame-integrated mask; And
(c) separating the mask from the frame-integrated mask
≪ / RTI >
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