KR102266250B1 - Producing method of mask integrated frame - Google Patents

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Abstract

본 발명은 프레임 일체형 마스크의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 프레임 일체형 마스크(10)의 제조 방법은, 마스크(20)와 마스크(20)를 지지하는 프레임(30)이 일체로 형성된 프레임 일체형 마스크(10)의 제조 방법으로서, (a) 일면 상에 패턴화된 절연부(45)가 형성된 전도성 기판(41) 상에 전주 도금으로 도금막(20: 20a, 20b)을 형성하는 단계, (b) 프레임(30) 상부의 적어도 일부에 접착부(50)를 형성하고, 도금막(20)의 테두리(20b) 중 적어도 일부를 접착부(50)에 접착하는 단계, (c) 전도성 기판(10)을 도금막(20)과 분리하는 단계, (d) 접착부(50)가 형성된 영역보다 내측 영역의 적어도 일부 도금막(20b)을 프레임(30) 상부에 레이저 용접(W)하는 단계, (e) 접착부(50)에 대응하는 도금막(20)의 박리막(20d) 경계에 레이저(L)를 조사하고, 접착부(50)를 세정(C)하는 단계, 및 (f) 도금막(20)의 박리막(20d)을 제거(P)하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.The present invention relates to a method of manufacturing a frame-integrated mask. The manufacturing method of the frame integrated mask 10 according to the present invention is a method of manufacturing the frame integrated mask 10 in which the mask 20 and the frame 30 supporting the mask 20 are integrally formed, (a) one surface Forming a plating film (20: 20a, 20b) by electroplating on the conductive substrate 41 on which the patterned insulating portion 45 is formed, (b) an adhesive portion on at least a portion of the upper portion of the frame 30 ( Forming 50), adhering at least a portion of the edge 20b of the plating film 20 to the adhesive part 50, (c) separating the conductive substrate 10 from the plating film 20, (d) ) laser welding (W) at least a portion of the plating film 20b in the inner region than the region where the bonding portion 50 is formed on the frame 30, (e) of the plating film 20 corresponding to the bonding portion 50 The steps of irradiating a laser (L) to the boundary of the release film 20d, cleaning (C) the adhesive portion 50, and (f) removing (P) the release film 20d of the plating film 20 characterized by including.

Description

프레임 일체형 마스크의 제조 방법{PRODUCING METHOD OF MASK INTEGRATED FRAME}Manufacturing method of a frame-integrated mask {PRODUCING METHOD OF MASK INTEGRATED FRAME}

본 발명은 프레임 일체형 마스크의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 프레임과 마스크가 일체를 이루어 마스크의 변형을 방지하고 얼라인(align)을 명확하게 할 수 있으며, 접착제에 의한 마스크의 변형, 오염 등을 방지하는 프레임 일체형 마스크의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a frame-integrated mask. More specifically, it relates to a method for manufacturing a frame-integrated mask in which the frame and the mask are integrally formed to prevent deformation of the mask and clarify alignment, and to prevent deformation and contamination of the mask by an adhesive will be.

최근에 박판 제조에 있어서 전주 도금(Electroforming) 방법에 대한 연구가 진행되고 있다. 전주 도금 방법은 전해액에 양극체, 음극체를 침지하고, 전원을 인가하여 음극체의 표면상에 금속박판을 전착시키므로, 극박판을 제조할 수 있으며, 대량 생산을 기대할 수 있는 방법이다.Recently, in the manufacture of thin plates, research on an electroforming method has been conducted. The electroplating method immerses the anode body and the cathode body in an electrolyte, and applies power to electrodeposit a thin metal plate on the surface of the cathode body, so that an ultra-thin plate can be manufactured and mass production can be expected.

한편, OLED 제조 공정에서 화소를 형성하는 기술로, 박막의 금속 마스크(Shadow Mask)를 기판에 밀착시켜서 원하는 위치에 유기물을 증착하는 FMM(Fine Metal Mask) 법이 주로 사용된다.On the other hand, as a technology for forming a pixel in the OLED manufacturing process, the FMM (Fine Metal Mask) method is mainly used to deposit an organic material at a desired position by attaching a thin metal mask to the substrate.

기존의 OLED 제조 공정에서는 마스크를 스틱 형태, 플레이트 형태 등으로 제조한 후, 마스크를 OLED 화소 증착 프레임에 용접 고정시켜 사용한다. 대면적 OLED 제조를 위해서 여러 개의 마스크를 OLED 화소 증착 프레임에 고정시킬 수 있는데, 마스크끼리의 정렬이 잘 되지 않는 문제점이 있었다. 또한, 프레임에 용접 고정하는 과정에서, 마스크 막의 두께가 너무 얇고 대면적이기 때문에 하중에 의해 마스크가 쳐지거나 뒤틀어지는 문제점이 있었다.In the existing OLED manufacturing process, the mask is manufactured in the form of a stick or plate, and then the mask is welded and fixed to the OLED pixel deposition frame. For large-area OLED manufacturing, several masks can be fixed to the OLED pixel deposition frame, but there is a problem that the masks are not well aligned. In addition, in the process of welding and fixing to the frame, since the thickness of the mask film is too thin and has a large area, there is a problem that the mask is sagged or twisted by a load.

초고화질의 OLED 제조 공정에서는 수 ㎛의 미세한 정렬의 오차도 화소 증착의 실패로 이어 질 수 있으므로, 마스크가 쳐지거나 뒤틀리는 등의 변형을 방지하고, 정렬을 명확하게 할 수 있는 기술, 마스크를 프레임에 고정하는 기술 등의 개발이 필요한 실정이다.In the ultra-high-definition OLED manufacturing process, even a fine alignment error of several μm can lead to the failure of pixel deposition. There is a need to develop technology for fixing.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 제반 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 마스크와 프레임이 일체형 구조를 이루는 프레임 일체형 마스크의 제조 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a method of manufacturing a frame-integrated mask in which the mask and the frame form an integrated structure, as devised to solve the problems of the prior art as described above.

또한, 본 발명은 마스크와 프레임을 일체로 형성함에 따라, 마스크를 프레임에 고정/정렬하는 과정을 생략하고, 마스크의 정렬을 명확하게 하여 화소 증착의 안정성을 향상시킬 수 있는 프레임 일체형 마스크의 제조 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.In addition, according to the present invention, as the mask and the frame are integrally formed, the process of fixing/aligning the mask to the frame is omitted, and the alignment of the mask is made clear to improve the stability of pixel deposition. Its purpose is to provide

또한, 본 발명은 도금 공정만으로 패턴을 가지는 마스크를 제조할 수 있는, 프레임 일체형 마스크의 제조 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing a frame-integrated mask capable of manufacturing a mask having a pattern only by a plating process.

본 발명의 상기의 목적은, 마스크와 마스크를 지지하는 프레임이 일체로 형성된 프레임 일체형 마스크의 제조 방법으로서, (a) 일면 상에 패턴화된 절연부가 형성된 전도성 기판 상에 전주 도금으로 도금막을 형성하는 단계; (b) 프레임 상부의 적어도 일부에 접착부를 형성하고, 도금막의 테두리 중 적어도 일부를 접착부에 접착하는 단계; (c) 전도성 기판을 도금막과 분리하는 단계; (d) 접착부가 형성된 영역보다 내측 영역의 적어도 일부 도금막을 프레임 상부에 레이저 용접하는 단계; (e) 접착부에 대응하는 도금막의 박리막 경계에 레이저를 조사하고, 접착부를 세정하는 단계; 및 (f) 도금막의 박리막을 제거하는 단계를 포함하는, 프레임 일체형 마스크의 제조 방법에 의해 달성된다.The above object of the present invention is a method of manufacturing a frame-integrated mask in which a mask and a frame supporting the mask are integrally formed, (a) forming a plating film by electroplating on a conductive substrate having an insulating portion patterned on one surface formed thereon step; (b) forming an adhesive portion on at least a portion of an upper portion of the frame, and bonding at least a portion of an edge of the plating film to the bonding portion; (c) separating the conductive substrate from the plating film; (d) laser welding at least a portion of the plating film in the inner region than the region in which the bonding portion is formed on the upper frame; (e) irradiating a laser to the peeling film boundary of the plating film corresponding to the bonding portion, and cleaning the bonding portion; and (f) removing the peeling film of the plating film.

모판은 단결정 실리콘 재질일 수 있다.The mother plate may be made of a single crystal silicon material.

절연부는 포토레지스트, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 재질 중 어느 하나일 수 있다.The insulating part may be made of any one of a photoresist, silicon oxide, and silicon nitride material.

프레임은 도금막을 둘러싸는 형상을 가질 수 있다.The frame may have a shape surrounding the plating layer.

(e) 단계에서, 도금막은 외측으로 인장력을 받는 상태로, 프레임 상부에 용접될 수 있다.In step (e), the plating film may be welded to the upper portion of the frame while receiving a tensile force to the outside.

(a) 단계에서, 제1 절연부 상에서 제1 도금막의 형성이 방지되어 제1 도금막이 패턴을 가지게 될 수 있다.In step (a), the formation of the first plating film on the first insulating portion may be prevented so that the first plating film may have a pattern.

(d) 단계에서, 레이저를 조사한 도금막의 부분이 일부 용융되어 도금막과 프레임 간에 용접부가 개재됨에 따라 레이저 용접이 수행될 수 있다.In step (d), a portion of the plating film irradiated with a laser is partially melted and laser welding may be performed as the welding portion is interposed between the plating film and the frame.

(a) 단계 이후, 도금막을 열처리하는 단계를 더 수행할 수 있다.After step (a), the step of heat-treating the plating film may be further performed.

열처리는 300℃ 내지 800℃로 수행할 수 있다.Heat treatment may be performed at 300 °C to 800 °C.

(b) 단계와 (c) 단계 사이에, 절연부를 제거하는 단계를 더 수행할 수 있다.Between steps (b) and (c), the step of removing the insulating portion may be further performed.

상기와 같이 구성된 본 발명에 따르면, 마스크와 프레임이 일체형 구조를 이루는 효과가 있다.According to the present invention configured as described above, there is an effect that the mask and the frame form an integrated structure.

또한, 본 발명에 따르면, 마스크의 정렬을 명확하게 하여 화소 증착의 안정성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.In addition, according to the present invention, it is possible to improve the stability of the pixel deposition by clarifying the alignment of the mask.

또한, 본 발명에 따르면, 도금 공정만으로 패턴을 가지는 마스크를 제조할 수 있는 효과가 있다.In addition, according to the present invention, there is an effect that a mask having a pattern can be manufactured only by a plating process.

또한, 본 발명에 따르면, 접착부를 완전히 제거하는 효과가 있다.In addition, according to the present invention, there is an effect of completely removing the adhesive portion.

도 1은 FMM을 이용한 OLED 화소 증착 장치를 나타내는 개략도이다.
도 2는 마스크를 나타내는 개략도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임 일체형 마스크를 나타내는 개략도이다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 3의 프레임 일체형 마스크를 제조하는 과정을 나타내는 개략도이다.
도 6은 도 3의 프레임 일체형 마스크를 적용한 OLED 화소 증착 장치를 나타내는 개략도이다.1 is a schematic diagram illustrating an OLED pixel deposition apparatus using an FMM.
2 is a schematic diagram showing a mask.
3 is a schematic diagram illustrating a frame-integrated mask according to an embodiment of the present invention.
4 and 5 are schematic views illustrating a process of manufacturing the frame-integrated mask of FIG. 3 according to an embodiment of the present invention.
6 is a schematic diagram illustrating an OLED pixel deposition apparatus to which the frame-integrated mask of FIG. 3 is applied.

후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있기에 충분하도록 상세히 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭하며, 길이 및 면적, 두께 등과 그 형태는 편의를 하여 과장되어 표현될 수도 있다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS [0010] DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS [0010] DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS [0023] Reference is made to the accompanying drawings, which show by way of illustration specific embodiments in which the invention may be practiced. These embodiments are described in sufficient detail to enable those skilled in the art to practice the present invention. It should be understood that the various embodiments of the present invention are different but need not be mutually exclusive. For example, certain shapes, structures, and characteristics described herein with respect to one embodiment may be embodied in other embodiments without departing from the spirit and scope of the invention. In addition, it should be understood that the location or arrangement of individual components within each disclosed embodiment may be changed without departing from the spirit and scope of the present invention. Accordingly, the detailed description set forth below is not intended to be taken in a limiting sense, and the scope of the invention, if properly described, is limited only by the appended claims, along with all scope equivalents to those claimed. In the drawings, like reference numerals refer to the same or similar functions in various aspects, and the length, area, thickness, and the like may be exaggerated for convenience.

이하에서는, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위하여, 본 발명의 바람직한 실시예들에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings in order to enable those of ordinary skill in the art to easily practice the present invention.

도 1은 FMM(100)을 이용한 OLED 화소 증착 장치(200)를 나타내는 개략도이다. 도 2는 마스크를 나타내는 개략도이다.1 is a schematic diagram illustrating an OLED pixel deposition apparatus 200 using an FMM 100 . 2 is a schematic diagram showing a mask.

도 1을 참조하면, 일반적으로 OLED 화소 증착 장치(200)는, 마그넷(310)이 수용되고, 냉각수 라인(350)이 배설된 마그넷 플레이트(300)와, 마그넷 플레이트(300)의 하부로부터 유기물 소스(600)를 공급하는 증착 소스 공급부(500)를 포함한다.Referring to FIG. 1 , in general, the OLED pixel deposition apparatus 200 includes a magnet plate 300 in which a magnet 310 is accommodated, a coolant line 350 is disposed, and an organic material source from a lower portion of the magnet plate 300 . and a deposition source supply unit 500 for supplying 600 .

마그넷 플레이트(300)와 소스 증착부(500) 사이에는 유기물 소스(600)가 증착되는 유리 등의 대상 기판(900)이 개재될 수 있다. 대상 기판(900)에는 유기물 소스(600)가 화소별로 증착되게 하는 FMM(100)이 밀착되거나 매우 근접하도록 배치될 수 있다. 마그넷(310)이 자기장을 발생시키고 자기장에 의한 인력으로 FMM(100)이 대상 기판(900)에 밀착될 수 있다.A target substrate 900 such as glass on which the organic source 600 is deposited may be interposed between the magnet plate 300 and the source deposition unit 500 . The FMM 100 , which causes the organic material source 600 to be deposited for each pixel, may be closely attached to the target substrate 900 or disposed very close to each other. The magnet 310 may generate a magnetic field, and the FMM 100 may be in close contact with the target substrate 900 by attractive force by the magnetic field.

스틱형(Stick-Type) 마스크[도 2의 (a) 참조], 플레이트형(Plate-Type) 마스크[도 2의 (b) 참조]는 대상 기판(900)에 밀착되기 전에 얼라인(align)이 필요하다. 하나의 마스크 또는 복수의 마스크는 프레임(800)에 결합될 수 있다. 프레임(800)은 OLED 화소 증착 장치(200) 내에 고정 설치되고, 마스크는 별도의 부착, 용접 공정을 거쳐 프레임(800)에 결합될 수 있다.A stick-type mask (refer to (a) of FIG. 2) and a plate-type mask (refer to (b) of FIG. 2) are aligned before being in close contact with the target substrate 900 I need this. One mask or a plurality of masks may be coupled to the frame 800 . The frame 800 may be fixedly installed in the OLED pixel deposition apparatus 200 , and the mask may be coupled to the frame 800 through a separate attachment and welding process.

증착 소스 공급부(500)는 좌우 경로를 왕복하며 유기물 소스(600)를 공급할 수 있고, 증착 소스 공급부(500)에서 공급되는 유기물 소스(600)들은 FMM 마스크(100)에 형성된 패턴(PP)을 통과하여 대상 기판(900)의 일측에 증착될 수 있다. FMM 마스크(100)의 패턴을 통과한 증착된 유기물 소스(600)는 OLED의 화소(700)로서 작용할 수 있다.The deposition source supply unit 500 may supply the organic material source 600 while reciprocating left and right paths, and the organic material sources 600 supplied from the deposition source supply unit 500 pass through the pattern PP formed on the FMM mask 100 . Thus, it may be deposited on one side of the target substrate 900 . The deposited organic material source 600 passing through the pattern of the FMM mask 100 may act as a pixel 700 of the OLED.

새도우 이펙트(Shadow Effect)에 의한 화소(700)의 불균일 증착을 방지하기 위해, FMM 마스크(100)의 패턴(PP)은 경사지게 형성(S)[또는, 테이퍼 형상(S)으로 형성]될 수 있다. 경사진 면을 따라서 대각선 방향으로 패턴(PP)을 통과하는 유기물 소스(600)들도 화소(700)의 형성에 기여할 수 있으므로, 화소(700)는 전체적으로 두께가 균일하게 증착될 수 있다.In order to prevent non-uniform deposition of the pixel 700 due to the shadow effect, the pattern PP of the FMM mask 100 may be formed to be inclined S (or formed to have a tapered shape S). . Since the organic material sources 600 passing through the pattern PP in a diagonal direction along the inclined surface may also contribute to the formation of the pixel 700 , the pixel 700 may be deposited with a uniform thickness as a whole.

도 2의 (a)에 도시된 마스크(100a)는 스틱형 마스크로서, 스틱의 양측을 OLED 화소 증착 프레임(800)에 용접 고정시켜 사용할 수 있다. 도 2의 (b)에 도시된 마스크(100b)는 플레이트형 마스크로서, 넓은 면적의 화소 형성 공정에서 사용할 수 있고, 플레이트의 테두리를 OLED 화소 증착 프레임(800)에 용접 고정시켜 사용할 수 있다. 도 2의 (c)는 도 2의 (a) 및 (b)의 A-A' 확대 측단면도이다.The mask 100a shown in FIG. 2A is a stick-type mask, and may be used by welding and fixing both sides of the stick to the OLED pixel deposition frame 800 . The mask 100b illustrated in FIG. 2B is a plate-type mask, which can be used in a large-area pixel formation process, and can be used by welding and fixing the edge of the plate to the OLED pixel deposition frame 800 . Figure 2 (c) is an enlarged cross-sectional view A-A' of Figure 2 (a) and (b).

마스크(100: 100a, 100b)의 바디(Body)에는 복수의 디스플레이 패턴(DP)이 형성될 수 있다. 디스플레이 패턴(DP)은 스마트폰 등의 디스플레이 하나에 대응하는 패턴이다. 디스플레이 패턴(DP)을 확대하면 R, G, B에 대응하는 복수의 화소 패턴(PP)을 확인할 수 있다. 화소 패턴(PP)들은 측부가 기울어진 형상, 테이퍼(Taper) 형상을 가질 수 있다[도 2의 (c) 참조]. 수많은 화소 패턴(PP)들은 군집을 이루어 디스플레이 패턴(DP) 하나를 구성하며, 복수의 디스플레이 패턴(DP)이 마스크(100: 100a, 100b)에 형성될 수 있다.A plurality of display patterns DP may be formed on the body of the mask 100: 100a, 100b. The display pattern DP is a pattern corresponding to one display such as a smartphone. When the display pattern DP is enlarged, a plurality of pixel patterns PP corresponding to R, G, and B may be identified. The pixel patterns PP may have an inclined side shape or a tapered shape (refer to FIG. 2(c) ). Numerous pixel patterns PP are grouped to form one display pattern DP, and a plurality of display patterns DP may be formed on the masks 100 ( 100a and 100b ).

즉, 본 명세서에서 디스플레이 패턴(DP)은 패턴 하나를 나타내는 개념은 아니며, 하나의 디스플레이에 대응하는 복수의 화소 패턴(PP)들이 군집된 개념으로 이해되어야 한다. 이하에서는 화소 패턴(PP)을 마스크 패턴(PP)과 혼용한다.That is, in the present specification, the display pattern DP is not a concept representing one pattern, and it should be understood as a concept in which a plurality of pixel patterns PP corresponding to one display are clustered. Hereinafter, the pixel pattern PP is mixed with the mask pattern PP.

도 1 및 도 2에 도시된 마스크(100)는 복수개의 마스크를 각각 프레임(800)에 용접 고정하는 과정에서 마스크들간의 정렬 오차가 발생할 수 있고, 특정 마스크가 쳐지거나 뒤틀리는 등의 변형이 발생하면 전체 마스크들의 정렬 오차를 유발할 수 있다.In the mask 100 shown in FIGS. 1 and 2 , an alignment error between the masks may occur in the process of welding and fixing a plurality of masks to the frame 800, respectively, and when a specific mask is deformed such as sagging or twisting occurs It may cause an alignment error of the entire masks.

따라서, 본 발명은 마스크를 프레임(30)에 용접하기 전에 접착부(50)를 이용하여 임시로 고정한 상태에서, 용접 고정하여 마스크의 정렬을 명확하게 할 수 있는 것을 특징으로 한다. 그리고, 접착부(50)를 완전히 제거함에 따라 화소 형성 공정에서 접착부(50)의 접착제가 악영향을 미치는 것을 방지하는 것을 특징으로 한다.Therefore, the present invention is characterized in that it is possible to clearly align the mask by welding and fixing the mask in a state in which it is temporarily fixed using the adhesive part 50 before welding to the frame 30 . And, as the adhesive part 50 is completely removed, it is characterized in that the adhesive of the adhesive part 50 is prevented from having a bad influence in the pixel forming process.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임 일체형 마스크(10)를 나타내는 개략도이다. 도 3의 (a)는 프레임 일체형 마스크(10)의 사시도, 도 3의 (b)는 도 3의 (a)의 B-B' 확대 측단면도이다.3 is a schematic diagram illustrating a frame-integrated mask 10 according to an embodiment of the present invention. Figure 3 (a) is a perspective view of the frame-integrated mask 10, Figure 3 (b) is an enlarged cross-sectional view B-B' of Figure 3 (a).

도 3을 참조하면, 프레임 일체형 마스크(10)는 마스크(20) 및 프레임(30)을 포함한다. 마스크(20)는 복수의 디스플레이 패턴(DP) 및 화소 패턴(PP)을 포함하는 부분의 도금막(20a) 및 테두리 부분의 도금막(20b) 및 도금막(20b)과 프레임(30) 간에 용접으로 연결된 부분인 용접부(20c)를 포함할 수 있다. 도금막(20a, 20b) 및 용접부(20c)는 동일한 재질을 가지고 일체로 연결될 수 있고, 프레임(30)도 도금막과 동일한 재질을 가지고 일체로 연결될 수 있다. 도 3에서는 설명의 편의를 위해 용접부(20c)의 두께 및 폭이 다소 과장되게 도시되었음을 밝혀두며, 실제로 용접부(20c)는 도금막(20)으로부터 거의 돌출되지 않고 도금막(20)에 포함된 상태로 프레임(30)을 연결하는 부분일 수 있다. 도금막(20)은 형성된 위치에 따라 20a, 20b로 부호를 달리 기재하였지만, 실제 전주 도금(Electroforming) 공정에서 전착 도금되는 도금막(20: 20a, 20b)[도 4 참조]의 각 부분으로, 전주 도금 공정에서 동시에 형성되는 구성이다.Referring to FIG. 3 , the frame-integrated mask 10 includes a mask 20 and a frame 30 . The mask 20 is welded between the plating film 20a of the portion including the plurality of display patterns DP and the pixel patterns PP, the plating film 20b of the edge portion, and the plating film 20b and the frame 30 . It may include a welding portion 20c that is connected to each other. The plating films 20a and 20b and the welding portion 20c may have the same material and may be integrally connected, and the frame 30 may also be integrally connected with the same material as the plating film. In FIG. 3 , it is revealed that the thickness and width of the welding portion 20c are somewhat exaggerated for convenience of explanation, and in fact, the welding portion 20c hardly protrudes from the plating film 20 and is included in the plating film 20 . It may be a part that connects the frame 30 to each other. Although the plating film 20 is denoted by 20a and 20b differently depending on the position where it is formed, the plating film 20: 20a, 20b (see Fig. 4) that is electrodeposited in the actual electroforming process is each part of, It is a configuration that is formed at the same time in the electroplating process.

마스크(10)에는 마스크 패턴(PP)이 형성될 수 있다. 마스크 패턴(PP)은 상부에서 하부로 갈수록 폭이 점점 넓어지거나, 점점 좁아지는 형상을 가지는, 대략 테이퍼 형상을 가지는 것이 바람직하며, 마스크(10)의 상부면이 대상 기판(900)[도 6 참조]에 밀착되므로, 마스크 패턴(PP)은 상부에서 하부로 갈수록 폭이 점점 넓어지는 형상인 것이 더 바람직하다.A mask pattern PP may be formed on the mask 10 . The mask pattern PP preferably has a substantially tapered shape, having a shape that is gradually widened or narrowed from the top to the bottom, and the upper surface of the mask 10 is the target substrate 900 (see FIG. 6 ). ], it is more preferable that the mask pattern PP has a shape that gradually increases in width from the top to the bottom.

패턴 폭은 수 내지 수십㎛의 크기, 바람직하게는 30㎛보다 작은 크기로 형성될 수 있다. 마스크 패턴(PP)은 절연부(45)에 의해 도금막(20')의 생성이 방지됨에 따라 형성될 수 있다. 구체적인 형성 과정은 도 4를 통해 후술한다. 마스크 패턴(PP)은 도 2에서 상술한 화소 패턴(PP)/디스플레이 패턴(DP)의 구성과 동일하다.The pattern width may be formed in a size of several to several tens of μm, preferably smaller than 30 μm. The mask pattern PP may be formed as the formation of the plating layer 20 ′ is prevented by the insulating portion 45 . A detailed formation process will be described later with reference to FIG. 4 . The mask pattern PP has the same configuration as the pixel pattern PP/display pattern DP described above with reference to FIG. 2 .

마스크(20)를 쳐지거나 뒤틀리지 않게 팽팽하게 지지할 수 있도록, 프레임(30)은 마스크(20)의 테두리를 둘러싸는 형상을 가지는 것이 바람직하다. 도 3에는 사각형의 프레임(30)이 도시되어 있으나, 폐쇄 형태인 원형, 다각형 등의 형태도 가능하다. 프레임(30)의 재질은 마스크(20)와 동일한 인바, 슈퍼 인바 등인 것이 바람직하다.The frame 30 preferably has a shape surrounding the rim of the mask 20 so that the mask 20 can be tightly supported without sagging or twisting. Although the rectangular frame 30 is illustrated in FIG. 3 , a closed shape such as a circular shape or a polygonal shape is also possible. The frame 30 is preferably made of the same material as the mask 20 , such as Invar or Super Invar.

위와 같이, 본 발명의 프레임 일체형 마스크(10)는, 마스크(20)가 프레임(30)과 일체로 연결되므로, 프레임(30)만을 OLED 화소 증착 장치(200)로 이동하고 설치하는 과정만으로 마스크 정렬을 수행할 수 있다.As described above, in the frame-integrated mask 10 of the present invention, since the mask 20 is integrally connected with the frame 30 , only the frame 30 is moved to the OLED pixel deposition apparatus 200 and the mask is aligned only by the process of installation. can be performed.

도 4 및 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 3의 프레임 일체형 마스크(100)를 제조하는 과정을 나타내는 개략도이다.4 and 5 are schematic diagrams illustrating a process of manufacturing the frame-integrated mask 100 of FIG. 3 according to an embodiment of the present invention.

도 4의 (a)를 참조하면, 전주 도금(electroforming)을 수행할 수 있도록, 전도성 기재(41)를 준비한다. 전도성 기재(41)를 포함하는 모판(mother plate; 40)은 전주 도금에서 음극체(cathode)로 사용될 수 있다.Referring to FIG. 4A , a conductive substrate 41 is prepared to perform electroforming. A mother plate 40 including a conductive substrate 41 may be used as a cathode in electroplating.

전도성 재질로서, 메탈의 경우에는 표면에 메탈 옥사이드들이 생성되어 있을 수 있고, 메탈 제조 과정에서 불순물이 유입될 수 있으며, 다결정 실리콘 기재의 경우에는 개재물 또는 결정립계(Grain Boundary)가 존재할 수 있으며, 전도성 고분자 기재의 경우에는 불순물이 함유될 가능성이 높고, 강도. 내산성 등이 취약할 수 있다. 메탈 옥사이드, 불순물, 개재물, 결정립계 등과 같이 모판(40)[또는, 기재(41)]의 표면에 전기장이 균일하게 형성되는 것을 방해하는 요소를 "결함"(Defect)으로 지칭한다. 결함(Defect)에 의해, 상술한 재질의 음극체에는 균일한 전기장이 인가되지 못하여 도금막의 일부가 불균일하게 형성될 수 있다.As a conductive material, in the case of a metal, metal oxides may be generated on the surface, impurities may be introduced during the metal manufacturing process, and in the case of a polycrystalline silicon substrate, inclusions or grain boundaries may exist, and a conductive polymer In the case of a base material, it is highly likely to contain impurities, and strength. Acid resistance, etc. may be weak. Elements that prevent the uniform formation of an electric field on the surface of the mother plate 40 (or the substrate 41), such as metal oxides, impurities, inclusions, and grain boundaries, are referred to as “defects”. Due to the defect, a uniform electric field may not be applied to the cathode body made of the above material, so that a portion of the plating layer may be non-uniformly formed.

UHD 급 이상의 초고화질 화소를 구현하는데 있어서 도금막 및 도금막 패턴(PP)의 불균일은 화소의 형성에 악영향을 미칠 수 있다. FMM, 새도우 마스크의 패턴 폭은 수 내지 수십㎛의 크기, 바람직하게는 30㎛보다 작은 크기로 형성될 수 있으므로, 수㎛ 크기의 결함조차 마스크의 패턴 사이즈에서 큰 비중을 차지할 정도의 크기이다.In realizing ultra-high-definition pixels of UHD level or higher, the non-uniformity of the plating film and the plating film pattern PP may adversely affect the formation of the pixel. Since the pattern width of the FMM and shadow mask can be formed in a size of several to several tens of μm, preferably smaller than 30 μm, even defects having a size of several μm are large enough to occupy a large proportion in the pattern size of the mask.

또한, 상술한 재질의 음극체에서의 결함을 제거하기 위해서는 메탈 옥사이드, 불순물 등을 제거하기 위한 추가적인 공정이 수행될 수 있으며, 이 과정에서 음극체 재료가 식각되는 등의 또 다른 결함이 유발될 수도 있다.In addition, in order to remove defects in the anode body made of the above material, an additional process for removing metal oxides, impurities, etc. may be performed, and in this process, other defects such as etching of the cathode body material may be induced. have.

따라서, 본 발명은 단결정 실리콘 재질의 기재(41)를 사용할 수 있다. 전도성을 가지도록, 기재(41)는 1019 이상의 고농도 도핑이 수행될 수 있다. 도핑은 기재(41)의 전체에 수행될 수도 있으며, 기재(41)의 표면 부분에만 수행될 수도 있다.Therefore, in the present invention, the substrate 41 made of single crystal silicon may be used. To have conductivity, the substrate 41 may be doped with a high concentration of 10 19 or more. Doping may be performed on the entire substrate 41 , or may be performed only on the surface portion of the substrate 41 .

도핑된 단결정 실리콘의 경우는 결함이 없기 때문에, 전주 도금 시에 표면 전부에서 균일한 전기장 형성으로 인한 균일한 도금막(20)이 생성될 수 있는 이점이 있다. 균일한 도금막(20)을 통해 제조하는 프레임 일체형 마스크(10)[또는, FMM]은 OLED 화소의 화질 수준을 더욱 개선할 수 있다. 그리고, 결함을 제거, 해소하는 추가 공정이 수행될 필요가 없으므로, 공정비용이 감축되고, 생산성이 향상되는 이점이 있다.In the case of doped single crystal silicon, since there is no defect, there is an advantage that a uniform plating film 20 can be generated due to the formation of a uniform electric field over the entire surface during electroplating. The frame-integrated mask 10 (or FMM) manufactured through the uniform plating film 20 may further improve the quality level of the OLED pixel. And, since there is no need to perform an additional process for removing and resolving defects, there is an advantage in that process costs are reduced and productivity is improved.

또한, 실리콘 재질의 기재(41)를 사용함에 따라서, 필요에 따라 기재(41)의 표면을 산화(Oxidation), 질화(Nitridation)하는 과정만으로 절연부(45)를 형성할 수 있는 이점이 있다. 절연부(45)는 도금막(20)의 전착을 방지하는 역할을 하여 도금막(20)에 패턴(PP)을 형성할 수 있다.In addition, as the silicon substrate 41 is used, there is an advantage in that the insulating portion 45 can be formed only by oxidizing and nitridation of the surface of the substrate 41 if necessary. The insulating portion 45 serves to prevent electrodeposition of the plating layer 20 , and thus the pattern PP may be formed on the plating layer 20 .

다음으로, 도 4의 (b)를 참조하면, 기재(41)의 적어도 일면 상에 절연부(45)를 형성할 수 있다. 절연부(45)는 패턴을 가지고 형성될 수 있고, 테이퍼 형상의 패턴을 가지는 것이 바람직하다. 절연부(45)는 전도성 기재(41)를 베이스로 하는 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 등일 수 있고, 포토레지스트를 사용할 수도 있다. 포토레지스트를 사용하여 테이퍼 형상의 패턴을 형성할 때에는 다중 노광 방법, 영역마다 노광 강도를 다르게 하는 방법 등을 사용할 수 있다. 이에 따라, 모판(40)이 제조될 수 있다.Next, referring to FIG. 4B , the insulating portion 45 may be formed on at least one surface of the substrate 41 . The insulating portion 45 may be formed to have a pattern, and preferably has a tapered pattern. The insulating portion 45 may be formed of silicon oxide or silicon nitride based on the conductive substrate 41 , or a photoresist may be used. When forming a tapered pattern using a photoresist, a multiple exposure method, a method of varying the exposure intensity for each area, or the like may be used. Accordingly, the mother plate 40 can be manufactured.

다음으로, 도 4의 (c)를 참조하면, 모판(40)[또는, 음극체(40)]과 대향하는 양극체(미도시)를 준비한다. 양극체(미도시)는 도금액(미도시)에 침지되어 있고, 모판(40)은 전부 또는 일부가 도금액(미도시)에 침지되어 있을 수 있다. 모판(40)[또는, 음극체(40)]과 대향하는 양극체 사이에 형성된 전기장으로 인해 도금막(20: 20a, 20b)이 모판(40)의 표면에서 전착되어 생성될 수 있다. 다만, 전도성 기재(41)의 노출된 표면(46)에서만 도금막(20)이 생성되며, 절연부(45) 표면에서는 도금막(20)이 생성되지 않으므로, 도금막(20)에 패턴(PP)[도 3의 (b) 참조]이 형성될 수 있다.Next, referring to FIG. 4C , an anode body (not shown) facing the mother plate 40 (or the cathode body 40 ) is prepared. The anode body (not shown) may be immersed in a plating solution (not shown), and the mother plate 40 may be fully or partially immersed in a plating solution (not shown). Due to the electric field formed between the mother plate 40 (or the cathode body 40 ) and the opposing anode body, the plating films 20 : 20a and 20b may be electrodeposited on the surface of the mother plate 40 . However, since the plating film 20 is generated only on the exposed surface 46 of the conductive substrate 41 and the plating film 20 is not formed on the surface of the insulating part 45 , the pattern PP is formed on the plating film 20 . ) [see Fig. 3 (b)] may be formed.

도금액은 전해액으로서, 마스크(20)를 구성할 도금막(20)의 재료가 될 수 있다. 일 실시예로, 철니켈합금인 인바(Invar) 박판을 도금막(20)으로서 제조하는 경우, Ni 이온을 포함하는 용액 및 Fe 이온을 포함하는 용액의 혼합액을 도금액으로 사용할 수 있다. 다른 실시예로, 철니켈코발트합금인 슈퍼 인바(Super Invar) 박판을 도금막(20)으로 제조하는 경우, Ni 이온을 포함하는 용액, Fe 이온을 포함하는 용액 및 Co 이온을 포함하는 용액의 혼합액을 도금액으로 사용할 수도 있다. 인바 박판, 슈퍼 인바 박판은 OLED의 제조에 있어서 FMM(Fine Metal Mask), 새도우 마스크(Shadow Mask)로 사용될 수 있다. 그리고, 인바 박판은 열팽창계수가 약 1.0 X 10-6/℃, 슈퍼 인바 박판은 열팽창계수가 약 1.0 X 10-7/℃ 정도로 매우 낮기 때문에 열에너지에 의해 마스크의 패턴 형상이 변형될 우려가 적어 고해상도 OLED 제조에서 주로 사용된다. 이 외에도 목적하는 도금막(20)에 대한 도금액을 제한없이 사용할 수 있으며, 본 명세서에서는 인바 박판(20)을 제조하는 것을 주된 예로 상정하여 설명한다.The plating liquid is an electrolyte, and may be a material of the plating film 20 that will constitute the mask 20 . In one embodiment, when an Invar thin plate, which is an iron-nickel alloy, is manufactured as the plating film 20 , a mixed solution of a solution containing Ni ions and a solution containing Fe ions may be used as a plating solution. In another embodiment, when a super Invar thin plate, which is an iron nickel cobalt alloy, is manufactured as the plating film 20 , a mixture solution of a solution containing Ni ions, a solution containing Fe ions, and a solution containing Co ions can also be used as a plating solution. Invar thin plate and Super Invar thin plate can be used as FMM (Fine Metal Mask) and shadow mask in OLED manufacturing. Invar thin plate has a coefficient of thermal expansion of about 1.0 X 10 -6 /℃, and super thin plate has a coefficient of thermal expansion of about 1.0 X 10 -7 /℃ Since it is very low, there is little concern that the pattern shape of the mask may be deformed by thermal energy, so it is mainly used in the manufacture of high-resolution OLEDs. In addition, a plating solution for the desired plating film 20 may be used without limitation, and in the present specification, the manufacturing of the thin Invar plate 20 will be described as a main example.

기재(41) 표면으로부터 도금막(20)이 전착되면서 두꺼워지기 때문에, 절연부(45)의 상단을 넘기 전까지만 도금막(20)을 형성하는 것이 바람직하다. 즉, 절연부(45)의 두께보다 도금막(20)의 두께가 더 작을 수 있다. 도금막(20)은 절연부(45)의 패턴 공간에 채워지며 전착되므로, 절연부(45)의 패턴과 역상을 가지는 테이퍼 형상을 가지며 생성될 수 있다.Since the plating film 20 becomes thick as it is electrodeposited from the surface of the substrate 41 , it is preferable to form the plating film 20 only until it exceeds the upper end of the insulating portion 45 . That is, the thickness of the plating layer 20 may be smaller than the thickness of the insulating portion 45 . Since the plating layer 20 is electrodeposited and filled in the pattern space of the insulating part 45 , it may be formed to have a tapered shape having an opposite phase to the pattern of the insulating part 45 .

한편, 도금막(20)을 형성한 후에 도금막(20)에 열처리를 수행할 수 있다. 열처리는 300℃ 내지 800℃의 온도로 수행할 수 있다. 일반적으로 압연으로 생성한 인바 박판에 비해, 전주 도금으로 생성한 인바 박판이 열팽창계수가 높다. 그리하여 인바 박판에 열처리를 수행함으로써 열팽창계수를 낮출 수 있는데, 이 열처리 과정에서 인바 박판에 약간의 변형이 생길 수 있다. 따라서, 모판(40)[또는, 기재(41)]과 마스크(20)가 접착된 상태에서 열처리를 수행하면, 모판(40)의 절연부(45)가 차지하는 공간 부분에 형성된 마스크 패턴(PP)의 형태가 일정하게 유지되고, 열처리로 인한 미세한 변형을 방지할 수 있는 이점이 있다. 또한, 도금막(20)으로부터 모판(40)[또는, 기재(41)]을 분리한 후, 마스크 패턴(PP)을 가지는 마스크(20)에 열처리를 수행하여도 인바 박판의 열팽창계수를 낮추는 효과가 있다.Meanwhile, after the plating film 20 is formed, heat treatment may be performed on the plating film 20 . The heat treatment may be performed at a temperature of 300 °C to 800 °C. In general, compared to the thin Invar plate produced by rolling, the thin Invar plate produced by electroplating has a higher coefficient of thermal expansion. Thus, it is possible to lower the coefficient of thermal expansion by performing heat treatment on the thin Invar plate, and a slight deformation may occur in the thin Invar plate during this heat treatment process. Therefore, when heat treatment is performed in a state in which the mother plate 40 (or the substrate 41 ) and the mask 20 are adhered, the mask pattern PP formed in the space occupied by the insulating portion 45 of the mother plate 40 . There is an advantage that the shape of the shape is kept constant and it is possible to prevent fine deformation due to heat treatment. In addition, the effect of lowering the coefficient of thermal expansion of the thin Invar plate even when heat treatment is performed on the mask 20 having the mask pattern PP after separating the mother plate 40 (or the substrate 41 ) from the plating film 20 . there is

다음으로, 도 5의 (a)를 참조하면, 모판(40)[또는, 음극체(40)]을 도금액(미도시) 바깥으로 들어올린다. 그리고, 프레임(30)의 상부에 도 4의 (c)의 구조물을 뒤집어서 배치한다. 반대로, 도 4의 (c) 구조물에 프레임(30)을 뒤집어서 배치할 수도 있다. 프레임(30)은 도금막(20)을 둘러싸는 형상을 가질 수 있다.Next, referring to FIG. 5A , the mother plate 40 (or the negative electrode body 40 ) is lifted out of the plating solution (not shown). Then, the structure of FIG. 4 ( c ) is turned over and disposed on the upper part of the frame 30 . Conversely, it is also possible to arrange the frame 30 upside down in the structure of (c) of FIG. 4 . The frame 30 may have a shape surrounding the plating film 20 .

도금막(20)이 접촉하는 프레임(30) 상부에는 접착부(50)가 형성될 수 있다. 접착부(50)의 접착제는 에폭시 수지계 접착제 등을 사용할 수 있다. 접착부(50)에 의해, 도금막(20)의 테두리 중 적어도 일부가 프레임(30) 상부에 접착 고정될 수 있다.An adhesive portion 50 may be formed on the upper portion of the frame 30 to which the plating film 20 is in contact. The adhesive of the adhesive part 50 may be an epoxy resin-based adhesive or the like. At least a portion of the edge of the plating film 20 may be adhesively fixed to the upper portion of the frame 30 by the adhesive part 50 .

다음으로, 도 5의 (b)를 참조하면, 절연부(45)를 제거할 수 있다. 포토레지스트, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 등의 절연부(45)만을 제거하고, 나머지 구성에는 영향을 주지 않는 공지의 기술을 제한없이 사용할 수 있다. 한편, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물로 절연부가 구성된 경우에는 이들을 제거하는 단계를 생략하고, 아래의 도 5의 (c) 공정을 곧바로 수행할 수도 있다. 전도성 기판(41)에 일체화되어 형성된 실리콘 산화물, 실리콘 질화물은 도 5의 (c)의 기판 분리 공정을 통해 같이 분리/제거 될 수 있다.Next, referring to FIG. 5B , the insulating portion 45 may be removed. A known technique in which only the insulating portion 45 made of photoresist, silicon oxide, silicon nitride, or the like is removed and does not affect the rest of the configuration may be used without limitation. On the other hand, when the insulating portion is formed of silicon oxide or silicon nitride, the step of removing them may be omitted, and the process of FIG. 5(c) below may be performed directly. Silicon oxide and silicon nitride formed integrally with the conductive substrate 41 may be separated/removed together through the substrate separation process of FIG. 5C .

다음으로, 도 5의 (c)를 참조하면, 도금막(20)으로부터 전도성 기판(41)을 분리할 수 있다. 전도성 기판(41)은 마스크(20) 및 프레임(30)의 상부 방향으로 분리할 수 있다. 전도성 기판(41)이 분리되면, 접착부(50)를 개재하여 프레임(30)에 접착된 마스크(20)의 형태가 나타난다.Next, referring to FIG. 5C , the conductive substrate 41 may be separated from the plating film 20 . The conductive substrate 41 may be separated in an upper direction of the mask 20 and the frame 30 . When the conductive substrate 41 is separated, the shape of the mask 20 adhered to the frame 30 through the adhesive part 50 appears.

한편, 도 5의 (c) 단계까지 수행한 구조체의 경우에는, 마스크(20)와 프레임(30)을 접착시키기 위해 접착부(50)가 필수적으로 잔존하게 된다. 접착부(50)의 접착제는 마스크(20)를 임시로 고정하는 효과는 있으나, 접착제와 인바 마스크(20)의 열팽창 계수가 상이하여, 화소 형성 공정에서 온도변화에 따라 접착제가 마스크(20)를 뒤틀리게 하는 문제가 발생할 수 있다. 또한, 접착제가 공정 가스와 반응하여 생성된 오염물질이 OLED의 화소에 악영향을 줄 수 있고, 접착제 자체에 포함된 유기 솔벤트 등의 아웃 가스가 화소 공정 챔버를 오염시키거나 불순물로서 OLED 화소에 증착되는 악영향을 유발할 수 있다. 또한, 접착제가 점차 제거됨에 따라 마스크(20)가 프레임(30)에서 이탈하게 되는 문제가 발생할 수 있다. 이에 따라, 접착부(50)를 세정할 필요가 있으나, 접착부(50)와 제1 도금막(20b)이 접착되어 있어 외부에서 접착부(50)를 세정하기 어렵고, 무리하게 접착부(50)를 세정하는 중에 도금막(20)에 변형이 발생할 가능성도 존재한다. 게다가, 접착부(50)를 세정하여 모두 제거하였을 경우, 마스크(20)와 프레임(30)을 일체로 접착시키기 위한 다른 방안이 강구된다.On the other hand, in the case of the structure performed up to step (c) of FIG. 5 , the adhesive part 50 essentially remains in order to adhere the mask 20 and the frame 30 . Although the adhesive of the adhesive part 50 has an effect of temporarily fixing the mask 20 , the thermal expansion coefficients of the adhesive and the invar mask 20 are different, so that the adhesive distorts the mask 20 according to the temperature change in the pixel formation process. problems may arise. In addition, contaminants generated by the reaction of the adhesive with the process gas may adversely affect the pixels of the OLED, and outgas such as organic solvents contained in the adhesive itself contaminate the pixel process chamber or are deposited on the OLED pixels as impurities. may cause adverse effects. In addition, as the adhesive is gradually removed, a problem in that the mask 20 is separated from the frame 30 may occur. Accordingly, it is necessary to clean the adhesive part 50, but it is difficult to clean the adhesive part 50 from the outside because the adhesive part 50 and the first plating film 20b are adhered. There is also a possibility that deformation occurs in the plating film 20 during the process. In addition, when all of the adhesive part 50 is cleaned and removed, another method for integrally bonding the mask 20 and the frame 30 is devised.

따라서, 본 발명은 도 5의 (d) 내지 (f)와 같은 공정을 수행하여, 도금막(20)에 영향을 주지 않고, 접착부(50)만을 완전히 제거하는 것을 특징으로 한다. 그리고, 접착부(50)를 대체하여 용접부(20c)를 도금막(20)과 프레임(30) 사이에 개재시켜, 마스크(20)와 프레임(30)을 일체로 접착시킨 프레임 일체형 마스크(10)를 제공하는 것을 특징으로 한다.Accordingly, the present invention is characterized in that only the adhesive part 50 is completely removed without affecting the plating film 20 by performing the same process as in FIGS. 5(d) to (f). In addition, a frame-integrated mask 10 in which the mask 20 and the frame 30 are integrally bonded to each other by interposing the welding portion 20c between the plating film 20 and the frame 30 by replacing the bonding portion 50 It is characterized by providing.

도 5의 (d)를 참조하면, 테두리 부분의 도금막(20b)을 이용하여 도금막(20b)과 프레임(30) 간에 레이저 용접(W)을 수행할 수 있다. 레이저를 테두리 부분의 도금막(20b) 상부에 조사하면, 도금막(20b)의 일부가 용융되어 용접부(20c)가 생성될 수 있다. 구체적으로 레이저는 접착부(50)가 형성된 영역보다 내측 영역에 조사될 필요가 있다. 이후 공정에서 프레임(30) 외측[또는, 도금막(20)의 외측면]으로부터 세정액을 침투하여 접착부(50)를 제거해야 하므로, 용접부(20c)는 접착부(50)보다 내측에 생성해야 한다. 또한, 프레임(30)의 모서리쪽에 가깝게 용접부(20c)를 형성해야 도금막(20)과 프레임(30) 사이의 들뜬 공간을 최대한 줄이고 밀착성을 높일 수 있게 된다. 용접부(20c)는 라인(line) 또는 스팟(spot) 형태로 생성될 수 있으며, 도금막(20b)과 동일한 재질을 가지고 도금막(20b)과 프레임(30)을 일체로 연결하는 매개체가 될 수 있다.Referring to FIG. 5D , laser welding W may be performed between the plating film 20b and the frame 30 by using the plating film 20b at the edge. When a laser is irradiated on the upper portion of the plating film 20b at the edge, a portion of the plating film 20b may be melted to form a welded portion 20c. Specifically, the laser needs to be irradiated to the inner region than the region where the adhesive part 50 is formed. In a subsequent process, since it is necessary to remove the adhesive part 50 by penetrating the cleaning solution from the outside of the frame 30 (or, the outer surface of the plating film 20 ), the welding part 20c should be generated inside the adhesive part 50 . In addition, when the welding portion 20c is formed close to the edge of the frame 30 , the floating space between the plating film 20 and the frame 30 can be reduced as much as possible and adhesion can be increased. The welding portion 20c may be formed in the form of a line or a spot, and may be a medium for integrally connecting the plating film 20b and the frame 30 with the same material as the plating film 20b. have.

도 5의 (a) 단계에서 접착부(50)에 도금막(20)이 접착될 때, 도금막(20)은 프레임(30) 방향, 또는 외측 방향으로 인장력을 받는 상태로 접착될 수 있다. 그리하여 팽팽하게 프레임(30) 측으로 당겨진 마스크(20)를 프레임(30)에 임시 접착하게 된다. 이 상태에서, 도 5의 (d)와 같은 레이저 용접(W)을 수행하면, 도금막(20)은 외측으로 인장력을 받는 상태로 프레임(30) 상부에 용접될 수 있게 된다. 따라서, 이후 공정에서 접착부(50)를 제거하더라도 외측 방향으로 인장력이 가해지며 팽팽하게 프레임(30) 측으로 당겨진 상태를 유지할 수 있게 된다.When the plating film 20 is adhered to the bonding unit 50 in the step (a) of FIG. 5 , the plating film 20 may be adhered in a state of receiving a tensile force in the frame 30 direction or the outside direction. Thus, the mask 20 pulled taut toward the frame 30 is temporarily adhered to the frame 30 . In this state, if laser welding W is performed as shown in FIG. 5( d ), the plating film 20 can be welded to the upper portion of the frame 30 while receiving a tensile force to the outside. Therefore, even if the adhesive part 50 is removed in a subsequent process, a tensile force is applied in the outward direction and it is possible to maintain a state in which it is tautly pulled toward the frame 30 .

다음으로, 도 5의 (e)를 참조하면, 접착부(50)에 대응하는 도금막(20)의 영역 경계에 레이저(L)를 조사하여 도금막(20b)과 박리막(20d) 사이에 분리 선을 형성할 수 있다. 즉, 도금막(20b)에서 박리막(20d)의 경계에 레이저(L)를 조사하여 레이저 트리밍(laser trimming) 함에 따라 도금막(20)으로부터 박리막(20d)을 분리할 수 있다. 하지만, 박리막(20d)이 곧바로 떼어져 나가는 것은 아니며 접착부(50)와 접착된 상태를 유지한다.Next, referring to FIG. 5E , the laser L is irradiated to the region boundary of the plating film 20 corresponding to the bonding portion 50 to separate the plating film 20b and the peeling film 20d. line can be formed. That is, the exfoliation layer 20d can be separated from the plating layer 20 by laser trimming by irradiating the laser L to the boundary between the exfoliation layer 20d from the plating layer 20b. However, the peeling film 20d does not come off immediately, but maintains an adhesive state with the adhesive part 50 .

다음으로, 도 5의 (f)를 참조하면, 접착부(50)를 세정(C)할 수 있다. 접착제에 따라 공지의 세정 물질을 제한없이 사용할 수 있고, 도금막(20)의 측면으로부터 세정액이 침투하여 접착부(50)를 세정(C)할 수 있다. 이에 따라 접착부(50)를 완전히 제거할 수 있다.Next, referring to FIG. 5F , the adhesive part 50 may be cleaned (C). A known cleaning material may be used without limitation depending on the adhesive, and the cleaning solution may penetrate from the side of the plating film 20 to clean (C) the adhesive part 50 . Accordingly, the adhesive part 50 can be completely removed.

이어서, 도금막(20)에서 분리된 박리막(20d)을 박리(P)한다. 박리막(20d)은 접착부(50)가 제거되어 프레임(30)과 접착된 상태가 아니고, 도금막(20)과 분리되어 있으므로, 곧바로 떼어질 수 있다.Next, the peeling film 20d separated from the plating layer 20 is peeled (P). Since the release film 20d is separated from the plating film 20 rather than being adhered to the frame 30 by removing the adhesive portion 50 , it can be immediately peeled off.

다음으로, 도 5의 (g)를 참조하면, 마스크(20)와 프레임(30)이 일체로 형성된 프레임 일체형 마스크(10)가 완성된다. 본 발명의 프레임 일체형 마스크(10)는 접착부(50)가 없고, 접착부(50)의 제거를 위해서 도금막(20)의 테두리(20b) 일부[박리막(20d)]만을 제거하므로, 화소 공정에 기여하는 도금막(20)에는 전혀 영향이 없게 된다.Next, referring to FIG. 5G , the frame-integrated mask 10 in which the mask 20 and the frame 30 are integrally formed is completed. Since the frame-integrated mask 10 of the present invention does not have an adhesive part 50 and removes only a part of the edge 20b of the plating film 20 (the peeling film 20d) in order to remove the adhesive part 50 , it is necessary for the pixel process. The contributing plating film 20 is not affected at all.

도 6은 도 3의 프레임 일체형 마스크(10)를 적용한 OLED 화소 증착 장치(200)를 나타내는 개략도이다.6 is a schematic diagram illustrating an OLED pixel deposition apparatus 200 to which the frame-integrated mask 10 of FIG. 3 is applied.

도 6을 참조하면, 프레임 일체형 마스크(10)를 대상 기판(900)과 밀착시키고, 프레임(30) 부분만을 OLED 화소 증착 장치(200)에 내부에 고정시키는 것만으로 마스크(10)의 정렬이 완료될 수 있다. 마스크(20)의 도금막(20: 20a, 20b)은 용접부(20c)와 일체로 연결되어 그 테두리가 팽팽하게 지지되고, 프레임(30)에 용접부(20c)가 결합되어 있으므로, 마스크(20)가 하중에 의해 쳐지거나 뒤틀리는 등의 변형이 방지될 수 있다. 이에 따라, 화소 증착에 필요한 마스크(10)의 정렬을 명확하게 할 수 있다.Referring to FIG. 6 , the alignment of the mask 10 is completed only by bringing the frame-integrated mask 10 into close contact with the target substrate 900 and fixing only the frame 30 to the OLED pixel deposition apparatus 200 inside. can be The plating film 20: 20a, 20b of the mask 20 is integrally connected with the welding portion 20c, the edge thereof is tightly supported, and the welding portion 20c is coupled to the frame 30, so the mask 20 Deformation such as sagging or twisting by the applied load can be prevented. Accordingly, it is possible to clarify the alignment of the mask 10 required for pixel deposition.

본 발명은 상술한 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형과 변경이 가능하다. 그러한 변형예 및 변경예는 본 발명과 첨부된 특허청구범위의 범위 내에 속하는 것으로 보아야 한다.Although the present invention has been illustrated and described with reference to preferred embodiments as described above, it is not limited to the above-described embodiments and is not limited to the above-described embodiments, and various methods can be obtained by those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains within the scope of the present invention. Transformation and change are possible. Such modifications and variations are intended to fall within the scope of the present invention and the appended claims.

10: 프레임 일체형 마스크
20: 마스크, 도금막
20c: 용접부
20d: 박리막
30: 프레임
40: 모판
41: 전도성 기재
45: 절연부
50: 접착부
100: 마스크, 새도우 마스크, FMM(Fine Metal Mask)
200: OLED 화소 증착 장치
DP: 디스플레이 패턴
PP: 화소 패턴, 마스크 패턴10: Frame-integrated mask
20: mask, plating film
20c: weld
20d: release film
30: frame
40: bed
41: conductive substrate
45: insulation
50: adhesive part
100: mask, shadow mask, FMM (Fine Metal Mask)
200: OLED pixel deposition device
DP: display pattern
PP: pixel pattern, mask pattern

Claims (10)

마스크와 마스크를 지지하는 프레임이 일체로 형성된 프레임 일체형 마스크의 제조 방법으로서,
(a) 일면 상에 패턴화된 절연부가 형성된 전도성 기판 상에 전주 도금으로 도금막을 형성하는 단계;
(b) 프레임 상부의 적어도 일부에 접착부를 형성하고, 도금막의 테두리 중 적어도 일부를 접착부에 접착하는 단계;
(c) 전도성 기판을 도금막과 분리하는 단계;
(d) 접착부가 형성된 영역보다 내측 영역의 적어도 일부 도금막을 프레임 상부에 레이저 용접하는 단계;
(e) 접착부가 형성된 영역과 도금막과 프레임이 레이저 용접된 영역 사이에 레이저를 조사하여 레이저 트리밍(laser trimming) 함에 따라, 도금막으로부터 접착부에 접착된 박리막을 분리하고, 접착부를 세정하는 단계; 및
(f) 도금막의 박리막을 제거하는 단계
를 포함하는, 프레임 일체형 마스크의 제조 방법.A method of manufacturing a frame-integrated mask in which a mask and a frame supporting the mask are integrally formed, the method comprising:
(a) forming a plating film by electroplating on a conductive substrate on which a patterned insulating portion is formed on one surface;
(b) forming an adhesive portion on at least a portion of an upper portion of the frame and bonding at least a portion of an edge of the plating film to the bonding portion;
(c) separating the conductive substrate from the plating film;
(d) laser welding at least a portion of the plating film in the inner region than the region in which the bonding portion is formed on the upper frame;
(e) separating the peeling film adhered to the bonding portion from the plating film and cleaning the bonding portion by laser trimming by irradiating a laser between the area where the bonding portion is formed and the area where the plating film and the frame are laser welded; and
(f) removing the peeling film of the plating film
Including, a method of manufacturing a frame-integrated mask. 제1항에 있어서,
모판은 단결정 실리콘 재질인, 프레임 일체형 마스크의 제조 방법.According to claim 1,
The mother plate is a single crystal silicon material, a method of manufacturing a frame-integrated mask. 삭제delete 제1항에 있어서,
프레임은 도금막을 둘러싸는 형상을 가지는, 프레임 일체형 마스크의 제조 방법.According to claim 1,
A method for manufacturing a frame-integrated mask, wherein the frame has a shape surrounding the plating film. 제1항에 있어서,
(e) 단계에서, 도금막은 외측으로 인장력을 받는 상태로, 프레임 상부에 용접되는, 프레임 일체형 마스크의 제조 방법.According to claim 1,
In step (e), the plating film is welded to the top of the frame while receiving a tensile force to the outside, a method of manufacturing a frame-integrated mask. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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