KR20200040471A - Producing method of mask and producing method of mask integrated frame - Google Patents

Producing method of mask and producing method of mask integrated frame Download PDF

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Abstract

The present invention relates to a method for manufacturing a mask and a method for manufacturing a mask integrated with a frame. According to the present invention, the method of manufacturing the mask comprises the steps of: (a) providing a plated film (110) having a first insulating portion (23) formed on one surface thereof; (b) contacting the other surface facing the one surface of the first insulating portion (23) in contact with the plated film (110) to the upper surface of a template (50); (c) forming a patterned second insulating portion (25) on the other surface of the plated film (110); and (d) etching (WE) the plated film (110) through the space (26) between the patterns of the second insulating portion (25).

Description

마스크의 제조 방법 및 프레임 일체형 마스크의 제조 방법 {PRODUCING METHOD OF MASK AND PRODUCING METHOD OF MASK INTEGRATED FRAME}Method for manufacturing a mask and method for manufacturing a frame-integrated mask {PRODUCING METHOD OF MASK AND PRODUCING METHOD OF MASK INTEGRATED FRAME}

본 발명은 마스크의 제조 방법 및 프레임 일체형 마스크의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 마스크 패턴을 일면 방향을 통해서만 형성할 수 있고, 마스크의 변형없이 안정적으로 지지 및 이동이 가능하며, 마스크를 프레임과 일체를 이룰 시 각 마스크 간의 얼라인(align)을 명확하게 할 수 있는 마스크의 제조 방법 및 프레임 일체형 마스크의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a mask and a method of manufacturing a frame-integrated mask. More specifically, the mask pattern can be formed only through one surface direction, and can be stably supported and moved without deformation of the mask, and when the mask is integrated with the frame, the alignment between each mask can be clarified. It relates to a method for manufacturing a mask and a method for manufacturing a frame-integrated mask.

최근에 박판 제조에 있어서 전주 도금(Electroforming) 방법에 대한 연구가 진행되고 있다. 전주 도금 방법은 전해액에 양극체, 음극체를 침지하고, 전원을 인가하여 음극체의 표면상에 금속박판을 전착시키므로, 극박판을 제조할 수 있으며, 대량 생산을 기대할 수 있는 방법이다.Recently, studies on electroforming methods have been conducted in the manufacture of thin plates. The electroplating method is a method in which an anode and a cathode body are immersed in an electrolyte, and a metal thin plate is electrodeposited on the surface of the cathode body by applying a power source, and thus a mass production is expected.

한편, OLED 제조 공정에서 화소를 형성하는 기술로, 박막의 금속 마스크(Shadow Mask)를 기판에 밀착시켜서 원하는 위치에 유기물을 증착하는 FMM(Fine Metal Mask) 법이 주로 사용된다.On the other hand, as a technique for forming a pixel in the OLED manufacturing process, the FMM (Fine Metal Mask) method, which deposits an organic substance in a desired position by attaching a thin metal mask to a substrate, is mainly used.

기존의 OLED 제조 공정에서는 마스크를 스틱 형태, 플레이트 형태 등으로 제조한 후, 마스크를 OLED 화소 증착 프레임에 용접 고정시켜 사용한다. 마스크 하나에는 디스플레이 하나에 대응하는 셀이 여러개 구비될 수 있다. 또한, 대면적 OLED 제조를 위해서 여러 개의 마스크를 OLED 화소 증착 프레임에 고정시킬 수 있는데, 프레임에 고정하는 과정에서 각 마스크가 평평하게 되도록 인장을 하게 된다. 마스크의 전체 부분이 평평하게 되도록 인장력을 조절하는 것은 매우 어려운 작업이다. 특히, 각 셀들을 모두 평평하게 하면서, 크기가 수 내지 수십 ㎛에 불과한 마스크 패턴을 정렬하기 위해서는, 마스크의 각 측에 가하는 인장력을 미세하게 조절하면서, 정렬 상태를 실시간으로 확인하는 고도의 작업이 요구된다.In the conventional OLED manufacturing process, the mask is manufactured in a stick form, a plate form, etc., and then the mask is welded and fixed to the OLED pixel deposition frame. In one mask, a plurality of cells corresponding to one display may be provided. In addition, several masks can be fixed to the OLED pixel deposition frame for large-area OLED manufacturing. In the process of fixing to the frame, each mask is tensioned to be flat. Adjusting the tensile force so that the entire part of the mask is flat is a very difficult task. In particular, in order to align the mask patterns having a size of only a few to several tens of µm while all cells are flattened, a high-level operation to check the alignment state in real time while finely adjusting the tensile force applied to each side of the mask is required. do.

그럼에도 불구하고, 여러 개의 마스크를 하나의 프레임에 고정시키는 과정에서 마스크 상호간에, 그리고 마스크 셀들의 상호간에 정렬이 잘 되지 않는 문제점이 있었다. 또한, 마스크를 프레임에 용접 고정하는 과정에서 마스크 막의 두께가 너무 얇고 대면적이기 때문에 하중에 의해 마스크가 쳐지거나 뒤틀어지는 문제점, 용접 과정에서 용접 부분에 발생하는 주름, 번짐(burr) 등에 의해 마스크 셀의 정렬이 엇갈리게 되는 문제점 등이 있었다.Nevertheless, in the process of fixing several masks to one frame, there was a problem in that alignment between the masks and between the mask cells did not work well. In addition, because the thickness of the mask film is too thin and large area in the process of welding and fixing the mask to the frame, the mask cell may be damaged or warped by a load, or wrinkles or burrs generated in the welding part in the welding process. There were problems such as misalignment.

초고화질의 OLED의 경우, 현재 QHD 화질은 500~600 PPI(pixel per inch)로 화소의 크기가 약 30~50㎛에 이르며, 4K UHD, 8K UHD 고화질은 이보다 높은 ~860 PPI, ~1600 PPI 등의 해상도를 가지게 된다. 이렇듯 초고화질의 OLED의 화소 크기를 고려하여 각 셀들간의 정렬 오차를 수 ㎛ 정도로 감축시켜야 하며, 이를 벗어나는 오차는 제품의 실패로 이어지게 되므로 수율이 매우 낮아지게 될 수 있다. 그러므로, 마스크가 쳐지거나 뒤틀리는 등의 변형을 방지하고, 정렬을 명확하게 할 수 있는 기술, 마스크를 프레임에 고정하는 기술 등의 개발이 필요한 실정이다.In the case of ultra-high-definition OLED, the current QHD image quality is 500 ~ 600 pixel per inch (PPI), and the pixel size reaches about 30 ~ 50㎛, and 4K UHD, 8K UHD high image quality is higher than ~ 860 PPI, ~ 1600 PPI, etc. It has the resolution of. As described above, the alignment error between each cell should be reduced to a few μm in consideration of the pixel size of the ultra-high quality OLED, and an error out of this may lead to product failure, so the yield may be very low. Therefore, there is a need to develop a technique that prevents deformation such as a mask being crushed or distorted, a technique for making alignment clear, and a technique for fixing a mask to a frame.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 제반 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 마스크 패턴을 일면 방향을 통해서만 형성하여 명확한 패턴을 형성할 수 있는 마스크의 제조 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.Accordingly, the present invention has been made to solve the problems of the prior art as described above, and its object is to provide a method of manufacturing a mask capable of forming a clear pattern by forming a mask pattern only through one surface direction.

또한, 본 발명은 마스크를 변형없이 안정적으로 지지 및 이동이 가능한 프레임 일체형 마스크의 제조 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a frame-integrated mask capable of stably supporting and moving a mask without deformation.

또한, 본 발명은 마스크와 프레임이 일체형 구조를 이룰 수 있는 프레임 일체형 마스크의 제조 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide a method of manufacturing a frame-integrated mask in which the mask and the frame can form an integrated structure.

또한, 본 발명은 마스크가 쳐지거나 뒤틀리는 등의 변형을 방지하고 정렬을 명확하게 할 수 있는 프레임 일체형 마스크의 제조 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide a method of manufacturing a frame-integrated mask capable of preventing deformation such as a mask being struck or twisted and making alignment clear.

또한, 본 발명은 제조시간을 현저하게 감축시키고, 수율을 현저하게 상승시킨 프레임 일체형 마스크의 제조 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.In addition, it is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a frame-integrated mask in which the production time is significantly reduced and the yield is significantly increased.

본 발명의 상기의 목적은, (a) 제1 절연부가 일면 상에 형성된 도금막을 제공하는 단계; (b) 도금막과 접촉하는 제1 절연부의 일면에 대향하는 타면을 템플릿 상부면에 접촉시키는 단계; (c) 도금막의 타면 상에 패턴화된 제2 절연부를 형성하는 단계; 및 (d) 제2 절연부의 패턴 사이 공간을 통해 도금막을 식각하는 단계를 포함하는, 마스크의 제조 방법에 의해 달성된다.The above object of the present invention, (a) providing a plated film formed on one surface of the first insulating portion; (b) contacting the upper surface of the template with the other surface facing the one surface of the first insulating portion contacting the plating film; (c) forming a patterned second insulating portion on the other surface of the plated film; And (d) etching the plated film through the space between the patterns of the second insulating portion.

그리고, 본 발명의 상기의 목적은, (a) 전도성 기재의 상부면 및 적어도 측면 상에 도금막을 형성하는 단계; (b) 도금막의 일면 상에 패턴화된 제1 절연부를 형성하고, 제1 절연부의 패턴 사이 공간을 통해 도금막의 테두리의 적어도 일부를 제거하는 단계; (c) 전도성 기재와 도금막을 분리하는 단계; (d) 도금막과 접촉하는 제1 절연부의 일면에 대향하는 타면을 템플릿 상부면에 접촉시키는 단계; (e) 도금막의 타면 상에 패턴화된 제2 절연부를 형성하는 단계; 및 (f) 제2 절연부의 패턴 사이 공간을 통해 도금막을 식각하는 단계를 포함하는, 마스크의 제조 방법에 의해 달성된다.And, the above object of the present invention, (a) forming a plating film on the upper surface and at least the side surface of the conductive substrate; (b) forming a patterned first insulating portion on one surface of the plated film, and removing at least a portion of the rim of the plated film through a space between the patterns of the first insulating portion; (C) separating the conductive substrate and the plating film; (d) contacting the other surface opposite to one surface of the first insulating portion in contact with the plated film to the upper surface of the template; (e) forming a patterned second insulating portion on the other surface of the plated film; And (f) etching the plated film through the space between the patterns of the second insulating portion.

전도성 기재는 웨이퍼(wafer)일 수 있다.The conductive substrate may be a wafer.

(a) 단계와 (b) 단계 사이에, 도금막을 열처리하는 공정을 더 수행할 수 있다.Between steps (a) and (b), a process of heat-treating the plated film may be further performed.

템플릿의 상부면에 임시접착부가 형성되고, 임시접착부와 제1 절연부가 접촉할 수 있다.A temporary adhesive portion is formed on the upper surface of the template, and the temporary adhesive portion and the first insulating portion may contact each other.

임시접착부는 액체 왁스(liquid wax)일 수 있다.The temporary adhesive may be liquid wax.

액체 왁스는 85℃보다 낮은 온도에서 도금막과 템플릿을 고정 접착할 수 있다.The liquid wax can fix the plating film and the template at a temperature lower than 85 ° C.

도금막과 접촉하는 제1 절연부의 일면에 대향하는 타면을 템플릿 상부면에 접촉시키는 단계에서, 액체 왁스를 85℃ 이상으로 가열하고 제1 절연부를 템플릿에 접촉시킨 후, 도금막 및 템플릿을 롤러 사이에 통과시켜 접착을 수행할 수 있다.In the step of contacting the upper surface of the template with the other surface opposite to one surface of the first insulating portion contacting the plated film, the liquid wax is heated to 85 ° C. or higher and the first insulating portion is brought into contact with the template, and the plated film and the template between the rollers The adhesion can be performed by passing through.

템플릿은 투명한 재질일 수 있다.The template can be a transparent material.

템플릿은 글래스(glass), 실리카(silica), 내열유리, 석영(quartz), 알루미나(Al2O3), 붕규산유리(borosilicate glass) 중 어느 하나의 재질을 포함할 수 있다.The template may include any one of glass, silica, heat-resistant glass, quartz, alumina (Al 2 O 3 ), and borosilicate glass.

그리고, 본 발명의 상기의 목적은, 적어도 하나의 마스크와 마스크를 지지하는 프레임이 일체로 형성된 프레임 일체형 마스크의 제조 방법으로서, (a) 제1 절연부가 일면 상에 형성된 도금막을 제공하는 단계; (b) 도금막과 접촉하는 제1 절연부의 일면에 대향하는 타면을 템플릿 상부면에 접촉시키는 단계; (c) 도금막의 타면 상에 패턴화된 제2 절연부를 형성하는 단계; (d) 제2 절연부의 패턴 사이 공간을 통해 도금막을 식각하는 단계; (e) 적어도 하나의 마스크 셀 영역을 구비한 프레임을 제공하는 단계; (f) 프레임 상에 템플릿을 로딩하여 마스크를 프레임의 마스크 셀 영역에 대응하는 단계; 및 (g) 마스크의 용접부에 레이저를 조사하여 마스크를 프레임에 접착하는 단계를 포함하는, 프레임 일체형 마스크의 제조 방법에 의해 달성된다.And, the above object of the present invention is a method of manufacturing a frame-integrated mask in which at least one mask and a frame supporting a mask are integrally formed, comprising: (a) providing a plated film having a first insulating portion formed on one surface; (b) contacting the upper surface of the template with the other surface facing the one surface of the first insulating portion contacting the plating film; (c) forming a patterned second insulating portion on the other surface of the plated film; (d) etching the plated film through the space between the patterns of the second insulating portion; (e) providing a frame having at least one mask cell region; (f) loading a template on the frame to correspond the mask to the mask cell area of the frame; And (g) irradiating a laser to the welding portion of the mask to adhere the mask to the frame, which is achieved by a method of manufacturing a frame-integrated mask.

(e) 단계는, (e1) 중공 영역을 포함하는 테두리 프레임부를 제공하는 단계; (e2) 평면의 마스크 셀 시트부를 테두리 프레임부에 연결하는 단계; 및 (e3) 마스크 셀 시트부에 복수의 마스크 셀 영역을 형성하여 프레임을 제조하는 단계를 포함할 수 있다.Step (e) includes: (e1) providing a border frame portion including a hollow region; (e2) connecting the planar mask cell sheet portion to the border frame portion; And (e3) forming a frame by forming a plurality of mask cell regions in the mask cell sheet portion.

(e) 단계는, (e1) 중공 영역을 포함하는 테두리 프레임부를 제공하는 단계; 및 (e2) 복수의 마스크 셀 영역을 구비하는 마스크 셀 시트부를 테두리 프레임부에 연결하여 프레임을 제조하는 단계를 포함할 수 있다.Step (e) includes: (e1) providing a border frame portion including a hollow region; And (e2) manufacturing a frame by connecting a mask cell sheet portion having a plurality of mask cell regions to an edge frame portion.

임시접착부는 액체 왁스(liquid wax)일 수 있다.The temporary adhesive may be liquid wax.

액체 왁스는 85℃보다 낮은 온도에서 도금막과 템플릿을 고정 접착할 수 있다.The liquid wax can fix the plating film and the template at a temperature lower than 85 ° C.

(b) 단계에서, 액체 왁스를 85℃이상으로 가열하고 제1 절연부를 템플릿에 접촉시킨 후, 도금막 및 템플릿을 롤러 사이에 통과시켜 접착을 수행할 수 있다.In step (b), after heating the liquid wax to 85 ° C. or higher and contacting the first insulating portion with the template, adhesion may be performed by passing the plated film and the template between rollers.

템플릿은 투명한 재질일 수 있다.The template can be a transparent material.

템플릿은 글래스(glass), 실리카(silica), 내열유리, 석영(quartz), 알루미나(Al2O3), 붕규산유리(borosilicate glass) 중 어느 하나의 재질을 포함할 수 있다.The template may include any one of glass, silica, heat-resistant glass, quartz, alumina (Al 2 O 3 ), and borosilicate glass.

마스크의 용접부에 대응하는 템플릿의 부분에 레이저 통과공이 형성될 수 있다.A laser through hole may be formed in a portion of the template corresponding to the weld portion of the mask.

레이저가 조사된 용접부의 부분에 용접 비드(bead)가 형성되고, 용접 비드는 마스크와 프레임이 일체로 연결되도록 매개할 수 있다.A welding bead is formed in a portion of the welded portion where the laser is irradiated, and the welding bead can be mediated so that the mask and the frame are integrally connected.

(g) 단계 이후, 임시접착부에 열 인가, 화학적 처리, 초음파 인가 중 적어도 어느 하나를 수행하여, 마스크와 템플릿을 분리하는 단계를 더 포함할 수 있다.After the step (g), a step of separating the mask and the template may be further performed by performing at least one of heat application, chemical treatment, and ultrasonic application to the temporary adhesive portion.

마스크 셀 시트부는, 테두리 시트부; 및 제1 방향으로 연장 형성되고, 양단이 테두리 시트부에 연결되는 적어도 하나의 제1 그리드 시트부를 포함할 수 있다.The mask cell sheet portion includes a border sheet portion; And at least one first grid sheet portion extending in the first direction and having both ends connected to the edge sheet portion.

마스크 셀 시트부는, 제1 방향에 수직인 제2 방향으로 연장 형성되어 제1 그리드 시트부와 교차되고, 양단이 테두리 시트부에 연결되는 적어도 하나의 제2 그리드 시트부를 더 포함할 수 있다.The mask cell sheet portion may further include at least one second grid sheet portion formed to extend in a second direction perpendicular to the first direction to intersect the first grid sheet portion, and both ends of which are connected to the edge sheet portion.

마스크 및 프레임은 인바(invar), 슈퍼 인바(super invar), 니켈, 니켈-코발트 중 어느 하나의 재질일 수 있다.The mask and the frame may be made of any one of invar, super invar, nickel, and nickel-cobalt.

그리고, 본 발명의 상기의 목적은, (a) 제1 절연부가 일면 상에 형성된 압연막을 제공하는 단계; (b) 압연막과 접촉하는 제1 절연부의 일면에 대향하는 타면을 템플릿 상부면에 접촉시키는 단계; (c) 압연막의 타면 상에 패턴화된 제2 절연부를 형성하는 단계; 및 (d) 제2 절연부의 패턴 사이 공간을 통해 압역막을 식각하는 단계를 포함하는, 마스크의 제조 방법에 의해 달성된다.And, the above object of the present invention, (a) providing a rolled film formed on one surface of the first insulating portion; (b) contacting the other surface opposite to one surface of the first insulating portion contacting the rolled film to the upper surface of the template; (c) forming a patterned second insulating portion on the other surface of the rolled film; And (d) etching the pressed film through the space between the patterns of the second insulating portion.

그리고, 본 발명의 상기의 목적은, 적어도 하나의 마스크와 마스크를 지지하는 프레임이 일체로 형성된 프레임 일체형 마스크의 제조 방법으로서, (a) 제1 절연부가 일면 상에 형성된 압연막을 제공하는 단계; (b) 압연막과 접촉하는 제1 절연부의 일면에 대향하는 타면을 템플릿 상부면에 접촉시키는 단계; (c) 압연막의 타면 상에 패턴화된 제2 절연부를 형성하는 단계; (d) 제2 절연부의 패턴 사이 공간을 통해 압연막을 식각하는 단계; (e) 적어도 하나의 마스크 셀 영역을 구비한 프레임을 제공하는 단계; (f) 프레임 상에 템플릿을 로딩하여 마스크를 프레임의 마스크 셀 영역에 대응하는 단계; 및 (g) 마스크의 용접부에 레이저를 조사하여 마스크를 프레임에 접착하는 단계를 포함하는, 프레임 일체형 마스크의 제조 방법에 의해 달성된다.And, the above object of the present invention is a method of manufacturing a frame-integrated mask in which at least one mask and a frame supporting a mask are integrally formed, comprising: (a) providing a rolled film having a first insulating portion formed on one surface; (b) contacting the other surface opposite to one surface of the first insulating portion contacting the rolled film to the upper surface of the template; (c) forming a patterned second insulating portion on the other surface of the rolled film; (d) etching the rolled film through the space between the patterns of the second insulating portion; (e) providing a frame having at least one mask cell region; (f) loading a template on the frame to correspond the mask to the mask cell area of the frame; And (g) irradiating a laser to the welding portion of the mask to adhere the mask to the frame, which is achieved by a method of manufacturing a frame-integrated mask.

상기와 같이 구성된 본 발명에 따르면, 마스크 패턴을 일면 방향을 통해서만 형성하여 명확한 패턴을 형성할 수 있는 효과가 있다.According to the present invention configured as described above, there is an effect capable of forming a clear pattern by forming the mask pattern only through one surface direction.

또한, 본 발명에 따르면, 마스크를 변형없이 안정적으로 지지 및 이동이 In addition, according to the present invention, the mask can be stably supported and moved without deformation.

또한, 본 발명에 따르면, 마스크와 프레임이 일체형 구조를 이룰 수 있는 효과가 있다.In addition, according to the present invention, there is an effect that the mask and the frame can achieve an integral structure.

또한, 본 발명에 따르면, 마스크가 쳐지거나 뒤틀리는 등의 변형을 방지하고 정렬을 명확하게 할 수 있는 효과가 있다.In addition, according to the present invention, it is possible to prevent deformation such as a mask being struck or distorted and to make alignment clear.

또한, 본 발명에 따르면, 제조시간을 현저하게 감축시키고, 수율을 현저하게 상승시킬 수 있는 효과가 있다.In addition, according to the present invention, there is an effect that can significantly reduce the manufacturing time, and significantly increase the yield.

도 1은 종래의 OLED 화소 증착용 마스크를 나타내는 개략도이다.
도 2는 종래의 마스크를 프레임에 접착하는 과정을 나타내는 개략도이다.
도 3은 종래의 마스크를 인장하는 과정에서 셀들간의 정렬 오차가 발생하는 것을 나타내는 개략도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임 일체형 마스크를 나타내는 정면도 및 측단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임을 나타내는 정면도 및 측단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임의 제조 과정을 나타내는 개략도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 프레임의 제조 과정을 나타내는 개략도이다.
도 8 내지 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크의 제조 과정을 나타내는 개략도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크를 지지하는 템플릿을 나타내는 개략도이다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 템플릿을 프레임 상에 로딩하여 마스크를 프레임의 셀 영역에 대응시키는 상태를 나타내는 개략도이다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크를 프레임에 접착한 후 마스크와 템플릿을 분리하는 과정을 나타내는 개략도이다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크를 프레임에 접착한 상태를 나타내는 개략도이다.
도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임 일체형 마스크를 이용한 OLED 화소 증착 장치를 나타내는 개략도이다.
1 is a schematic view showing a conventional OLED pixel deposition mask.
2 is a schematic view showing a process of bonding a conventional mask to a frame.
3 is a schematic diagram showing that an alignment error occurs between cells in the process of stretching a conventional mask.
4 is a front view and a side cross-sectional view showing a frame-integrated mask according to an embodiment of the present invention.
5 is a front view and a side cross-sectional view showing a frame according to an embodiment of the present invention.
6 is a schematic diagram showing a manufacturing process of a frame according to an embodiment of the present invention.
7 is a schematic diagram showing a manufacturing process of a frame according to another embodiment of the present invention.
8 to 10 are schematic diagrams showing a manufacturing process of a mask according to an embodiment of the present invention.
11 is a schematic diagram showing a template for supporting a mask according to an embodiment of the present invention.
12 is a schematic diagram showing a state in which a template is loaded on a frame according to an embodiment of the present invention to associate a mask with a cell region of the frame.
13 is a schematic view showing a process of separating a mask and a template after adhering a mask according to an embodiment of the present invention to a frame.
14 is a schematic view showing a state in which a mask according to an embodiment of the present invention is attached to a frame.
15 is a schematic diagram showing an OLED pixel deposition apparatus using an integrated frame mask according to an embodiment of the present invention.

후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있기에 충분하도록 상세히 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭하며, 길이 및 면적, 두께 등과 그 형태는 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다.For a detailed description of the present invention, which will be described later, reference is made to the accompanying drawings that illustrate, by way of example, specific embodiments in which the present invention may be practiced. These examples are described in detail enough to enable those skilled in the art to practice the present invention. It should be understood that the various embodiments of the present invention are different, but need not be mutually exclusive. For example, certain shapes, structures, and properties described herein may be implemented in other embodiments without departing from the spirit and scope of the invention in relation to one embodiment. In addition, it should be understood that the location or placement of individual components within each disclosed embodiment can be changed without departing from the spirit and scope of the invention. Therefore, the following detailed description is not intended to be taken in a limiting sense, and the scope of the present invention, if appropriately described, is limited only by the appended claims, along with all ranges equivalent to those claimed. In the drawings, similar reference numerals refer to the same or similar functions across various aspects, and length, area, thickness, and the like may be exaggerated for convenience.

이하에서는, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위하여, 본 발명의 바람직한 실시예들에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings in order to enable those skilled in the art to easily implement the present invention.

도 1은 종래의 OLED 화소 증착용 마스크(10)를 나타내는 개략도이다.1 is a schematic diagram showing a conventional OLED pixel deposition mask 10.

도 1을 참조하면, 종래의 마스크(10)는 스틱형(Stick-Type) 또는 판형(Plate-Type)으로 제조될 수 있다. 도 1의 (a)에 도시된 마스크(10)는 스틱형 마스크로서, 스틱의 양측을 OLED 화소 증착 프레임에 용접 고정시켜 사용할 수 있다. 도 1의 (b)에 도시된 마스크(100)는 판형(Plate-Type) 마스크로서, 넓은 면적의 화소 형성 공정에서 사용될 수 있다.Referring to FIG. 1, the conventional mask 10 may be manufactured in a stick-type or plate-type. The mask 10 shown in (a) of FIG. 1 is a stick-shaped mask and can be used by welding and fixing both sides of the stick to an OLED pixel deposition frame. The mask 100 illustrated in FIG. 1B is a plate-type mask and may be used in a large area pixel formation process.

마스크(10)의 바디(Body)[또는, 마스크 막(11)]에는 복수의 디스플레이 셀(C)이 구비된다. 하나의 셀(C)은 스마트폰 등의 디스플레이 하나에 대응한다. 셀(C)에는 디스플레이의 각 화소에 대응하도록 화소 패턴(P)이 형성된다. 셀(C)을 확대하면 R, G, B에 대응하는 복수의 화소 패턴(P)이 나타난다. 일 예로, 셀(C)에는 70 X 140의 해상도를 가지도록 화소 패턴(P)이 형성된다. 즉, 수많은 화소 패턴(P)들은 군집을 이루어 셀(C) 하나를 구성하며, 복수의 셀(C)들이 마스크(10)에 형성될 수 있다.The body 10 of the mask 10 (or the mask film 11) is provided with a plurality of display cells C. One cell C corresponds to one display such as a smartphone. The pixel pattern P is formed in the cell C to correspond to each pixel of the display. When the cell C is enlarged, a plurality of pixel patterns P corresponding to R, G, and B appear. For example, the pixel pattern P is formed in the cell C to have a resolution of 70 X 140. That is, a number of pixel patterns P form a cluster to form one cell C, and a plurality of cells C may be formed on the mask 10.

도 2는 종래의 마스크(10)를 프레임(20)에 접착하는 과정을 나타내는 개략도이다. 도 3은 종래의 마스크(10)를 인장(F1~F2)하는 과정에서 셀들간의 정렬 오차가 발생하는 것을 나타내는 개략도이다. 도 1의 (a)에 도시된 6개의 셀(C: C1~C6)을 구비하는 스틱 마스크(10)를 예로 들어 설명한다.2 is a schematic view showing a process of bonding the conventional mask 10 to the frame 20. 3 is a schematic diagram showing that alignment errors between cells occur in the process of tensioning (F1 to F2) of the conventional mask 10. The stick mask 10 having six cells C: C1 to C6 shown in FIG. 1A will be described as an example.

도 2의 (a)를 참조하면, 먼저, 스틱 마스크(10)를 평평하게 펴야한다. 스틱 마스크(10)의 장축 방향으로 인장력(F1~F2)을 가하여 당김에 따라 스틱 마스크(10)가 펴지게 된다. 그 상태로 사각틀 형태의 프레임(20) 상에 스틱 마스크(10)를 로딩한다. 스틱 마스크(10)의 셀(C1~C6)들은 프레임(20)의 틀 내부 빈 영역 부분에 위치하게 된다. 프레임(20)은 하나의 스틱 마스크(10)의 셀(C1~C6)들이 틀 내부 빈 영역에 위치할 정도의 크기일 수 있고, 복수의 스틱 마스크(10)의 셀(C1~C6)들이 틀 내부 빈 영역에 위치할 정도의 크기일 수도 있다.Referring to (a) of FIG. 2, first, the stick mask 10 must be flattened. The stick mask 10 is stretched as it is pulled by applying tensile force F1 to F2 in the long axis direction of the stick mask 10. In this state, the stick mask 10 is loaded on the frame 20 in the form of a square frame. The cells C1 to C6 of the stick mask 10 are positioned in an empty area inside the frame of the frame 20. The frame 20 may be sized such that cells C1 to C6 of one stick mask 10 are positioned in an empty area inside the frame, and cells C1 to C6 of the plurality of stick masks 10 are framed. It may be large enough to be located in the interior empty area.

도 2의 (b)를 참조하면, 스틱 마스크(10)의 각 측에 가하는 인장력(F1~F2)을 미세하게 조절하면서 정렬을 시킨 후, 스틱 마스크(10) 측면의 일부를 용접(W)함에 따라 스틱 마스크(10)와 프레임(20)을 상호 연결한다. 도 2의 (c)는 상호 연결된 스틱 마스크(10)와 프레임의 측단면을 나타낸다.Referring to (b) of FIG. 2, after aligning while finely adjusting the tensile forces F1 to F2 applied to each side of the stick mask 10, a part of the side of the stick mask 10 is welded (W) to Accordingly, the stick mask 10 and the frame 20 are interconnected. Fig. 2 (c) shows a cross-section of a stick mask 10 and a frame connected to each other.

도 3을 참조하면, 스틱 마스크(10)의 각 측에 가하는 인장력(F1~F2)을 미세하게 조절함에도 불구하고, 마스크 셀(C1~C3)들의 상호간에 정렬이 잘 되지 않는 문제점이 나타난다. 가령, 셀(C1~C3)들의 패턴(P)간에 거리(D1~D1", D2~D2")가 상호 다르게 되거나, 패턴(P)들이 비뚤어지는 것이 그 예이다. 스틱 마스크(10)는 복수(일 예로, 6개)의 셀(C1~C6)을 포함하는 대면적이고, 수십 ㎛ 수준의 매우 얇은 두께를 가지기 때문에, 하중에 의해 쉽게 쳐지거나 뒤틀어지게 된다. 또한, 각 셀(C1~C6)들을 모두 평평하게 하도록 인장력(F1~F2)을 조절하면서, 각 셀(C1~C6)들간의 정렬 상태를 현미경을 통해 실시간으로 확인하는 것은 매우 어려운 작업이다.Referring to Figure 3, despite the fine adjustment of the tensile force (F1 ~ F2) applied to each side of the stick mask 10, there is a problem that the alignment between the mask cells (C1 ~ C3) does not work well. For example, the distances D1 to D1 "and D2 to D2" between the patterns P of the cells C1 to C3 are different from each other, or the patterns P are skewed. The stick mask 10 is a large area including a plurality of (for example, six) cells C1 to C6 and has a very thin thickness of several tens of μm, so it is easily struck or distorted by a load. In addition, it is very difficult to check in real time the alignment between the cells (C1 to C6) while adjusting the tensile force (F1 to F2) so that all the cells (C1 to C6) are flat.

따라서, 인장력(F1~F2)의 미세한 오차는 스틱 마스크(10) 각 셀(C1~C3)들이 늘어나거나, 펴지는 정도에 오차를 발생시킬 수 있고, 그에 따라 마스크 패턴(P)간에 거리(D1~D1", D2~D2")가 상이해지게 되는 문제점을 발생시킨다. 물론, 완벽하게 오차가 0이 되도록 정렬하는 것은 어려운 것이지만, 크기가 수 내지 수십 ㎛인 마스크 패턴(P)이 초고화질 OLED의 화소 공정에 악영향을 미치지 않도록 하기 위해서는, 정렬 오차가 3㎛를 초과하지 않는 것이 바람직하다. 이렇게 인접하는 셀 사이의 정렬 오차를 PPA(pixel position accuracy)라 지칭한다.Therefore, the fine error of the tensile force (F1 ~ F2) may cause an error in the degree of stretching or unfolding each cell (C1 ~ C3) of the stick mask 10, accordingly, the distance (D1) between the mask pattern (P) ~ D1 ", D2 ~ D2") causes a problem that is different. Of course, it is difficult to perfectly align the error to 0, but in order to prevent the mask pattern P having a size of several to several tens of µm from adversely affecting the pixel process of the ultra-high-definition OLED, the alignment error does not exceed 3 µm. It is desirable not to. The alignment error between adjacent cells is referred to as pixel position accuracy (PPA).

이에 더하여, 대략 6~20개 정도의 복수의 스틱 마스크(10)들을 프레임(20) 하나에 각각 연결하면서, 복수의 스틱 마스크(10)들간에, 그리고 스틱 마스크(10)의 복수의 셀(C~C6)들간에 정렬 상태를 명확히 하는 것도 매우 어려운 작업이고, 정렬에 따른 공정 시간이 증가할 수밖에 없게 되어 생산성을 감축시키는 중대한 이유가 된다.In addition, while connecting the plurality of stick masks 10 of approximately 6 to 20 to one of the frame 20, between the plurality of stick masks 10 and the plurality of cells C of the stick mask 10 It is also very difficult to clarify the alignment between ~ C6), and it is a significant reason to reduce productivity because the process time due to the alignment is forced to increase.

한편, 스틱 마스크(10)를 프레임(20)에 연결 고정시킨 후에는, 스틱 마스크(10)에 가해졌던 인장력(F1~F2)이 프레임(20)에 역으로 작용할 수 있다. 즉, 인장력(F1~F2)에 의해 팽팽히 늘어났던 스틱 마스크(10)가 프레임(20)에 연결된 후에 프레임(20)에 장력(tension)을 작용할 수 있다. 보통 이 장력이 크지 않아서 프레임(20)에 큰 영향을 미치지 않을 수 있으나, 프레임(20)의 크기가 소형화되고 강성이 낮아지는 경우에는 이러한 장력이 프레임(20)을 미세하게 변형시킬 수 있다. 그리하면 복수의 셀(C~C6)들간에 정렬 상태가 틀어지는 문제가 발생할 수 있다.On the other hand, after the stick mask 10 is connected and fixed to the frame 20, the tensile forces F1 to F2 applied to the stick mask 10 may act on the frame 20 in reverse. That is, after the stick mask 10, which has been stretched tightly by the tensile forces F1 to F2, is connected to the frame 20, tension may be applied to the frame 20. Usually this tension is not large, so it may not have a significant effect on the frame 20, but if the size of the frame 20 is small and the rigidity is low, this tension can deform the frame 20 finely. This may cause a problem that the alignment state is wrong between the plurality of cells C to C6.

이에, 본 발명은 마스크(100)가 프레임(200)과 일체형 구조를 이룰 수 있게 하는 프레임(200) 및 프레임 일체형 마스크를 제안한다. 프레임(200)에 일체로 형성되는 마스크(100)는 쳐지거나 뒤틀리는 등의 변형이 방지되고, 프레임(200)에 명확히 정렬될 수 있다. 마스크(100)가 프레임(200)에 연결될 때 마스크(100)에 어떠한 인장력도 가하지 않으므로, 마스크(100)가 프레임(200)에 연결된 후 프레임(200)이 변형될 정도의 장력을 가하지 않을 수 있다. 그리고, 마스크(100)를 프레임(200)에 일체로 연결하는 제조시간을 현저하게 감축시키고, 수율을 현저하게 상승시킬 수 있는 이점을 가진다.Accordingly, the present invention proposes a frame 200 and a frame-integrated mask that enable the mask 100 to form an integral structure with the frame 200. The mask 100 integrally formed in the frame 200 is prevented from being deformed, such as being struck or twisted, and can be clearly aligned with the frame 200. When the mask 100 is connected to the frame 200, any tension is not applied to the mask 100, so that the tension of the frame 200 is not deformed after the mask 100 is connected to the frame 200. . In addition, the manufacturing time for integrally connecting the mask 100 to the frame 200 is significantly reduced, and the yield can be significantly increased.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임 일체형 마스크를 나타내는 정면도[도 4의 (a)] 및 측단면도[도 4의 (b)]이고, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임을 나타내는 정면도[도 5의 (a)] 및 측단면도[도 5의 (b)]이다.Figure 4 is a front view showing a frame-integrated mask according to an embodiment of the present invention [Fig. 4 (a)] and side cross-sectional view [Fig. 4 (b)], Figure 5 according to an embodiment of the present invention It is a front view (FIG. 5 (a)) and a side cross-sectional view (FIG. 5 (b)) showing the frame.

도 4 및 도 5를 참조하면, 프레임 일체형 마스크는, 복수의 마스크(100) 및 하나의 프레임(200)을 포함할 수 있다. 다시 말해, 복수의 마스크(100)들을 각각 하나씩 프레임(200)에 접착한 형태이다. 이하에서는, 설명의 편의상 사각 형태의 마스크(100)를 예로 들어 설명하나, 마스크(100)들은 프레임(200)에 접착되기 전에는 양측에 클램핑되는 돌출부를 구비한 스틱 마스크 형태일 수 있으며, 프레임(200)에 접착된 후에 돌출부가 제거될 수 있다.4 and 5, the frame-integrated mask may include a plurality of masks 100 and one frame 200. In other words, the plurality of masks 100 are bonded to the frame 200 one by one. Hereinafter, for convenience of explanation, the mask 100 having a square shape will be described as an example, but the masks 100 may be in the form of a stick mask having protrusions clamped on both sides before being adhered to the frame 200, and the frame 200 ), The protrusions can be removed.

각각의 마스크(100)에는 복수의 마스크 패턴(P)이 형성되며, 하나의 마스크(100)에는 하나의 셀(C)이 형성될 수 있다. 하나의 마스크 셀(C)은 스마트폰 등의 디스플레이 하나에 대응할 수 있다. 얇은 두께로 형성할 수 있도록, 마스크(100)는 전주도금(electroforming)으로 형성될 수 있다. 마스크(100)는 열팽창계수가 약 1.0 X 10-6/℃인 인바(invar), 약 1.0 X 10-7/℃ 인 슈퍼 인바(super invar) 재질일 수 있다. 이 재질의 마스크(100)는 열팽창계수가 매우 낮기 때문에 열에너지에 의해 마스크의 패턴 형상이 변형될 우려가 적어 고해상도 OLED 제조에서 있어서 FMM(Fine Metal Mask), 새도우 마스크(Shadow Mask)로 사용될 수 있다. 이 외에, 최근에 온도 변화값이 크지 않은 범위에서 화소 증착 공정을 수행하는 기술들이 개발되는 것을 고려하면, 마스크(100)는 이보다 열팽창계수가 약간 큰 니켈(Ni), 니켈-코발트(Ni-Co) 등의 재질일 수도 있다. 마스크의 두께는 약 2㎛ 내지 50㎛ 정도로 형성될 수 있다.A plurality of mask patterns P may be formed in each mask 100, and one cell C may be formed in one mask 100. One mask cell C may correspond to one display such as a smartphone. The mask 100 may be formed by electroforming to form a thin thickness. The mask 100 may be made of an invar having a coefficient of thermal expansion of about 1.0 X 10 -6 / ° C, and a super invar of about 1.0 X 10 -7 / ° C. Since the mask 100 of this material has a very low coefficient of thermal expansion, it is less likely that the pattern shape of the mask is deformed by thermal energy, and thus can be used as a fine metal mask (FMM) or shadow mask in manufacturing a high-resolution OLED. In addition, considering that technologies for performing a pixel deposition process in a range in which the temperature change value is not large recently, the mask 100 has nickel (Ni), nickel-cobalt (Ni-Co) having a slightly higher thermal expansion coefficient than this. ). The thickness of the mask may be formed about 2㎛ to 50㎛.

프레임(200)은 복수의 마스크(100)를 접착시킬 수 있도록 형성된다. 프레임(200)은 최외곽 테두리를 포함해 제1 방향(예를 들어, 가로 방향), 제2 방향(예를 들어, 세로 방향)으로 형성되는 여러 모서리를 포함할 수 있다. 이러한 여러 모서리들은 프레임(200) 상에 마스크(100)가 접착될 구역을 구획할 수 있다.The frame 200 is formed to allow the plurality of masks 100 to adhere. The frame 200 may include various edges formed in a first direction (for example, a horizontal direction) and a second direction (for example, a vertical direction) including the outermost border. These various corners may partition the region to which the mask 100 is to be adhered on the frame 200.

프레임(200)은 대략 사각 형상, 사각틀 형상의 테두리 프레임부(210)를 포함할 수 있다. 테두리 프레임부(210)의 내부는 중공 형태일 수 있다. 즉, 테두리 프레임부(210)는 중공 영역(R)을 포함할 수 있다. 프레임(200)은 인바, 슈퍼인바, 알루미늄, 티타늄 등의 금속 재질로 구성될 수 있으며, 열변형을 고려하여 마스크와 동일한 열팽창계수를 가지는 인바, 슈퍼 인바, 니켈, 니켈-코발트 등의 재질로 구성되는 것이 바람직하고, 이 재질들은 프레임(200)의 구성요소인 테두리 프레임부(210), 마스크 셀 시트부(220)에 모두 적용될 수 있다.The frame 200 may include a frame frame 210 having a substantially square shape or a square frame shape. The inside of the frame portion 210 may be hollow. That is, the border frame unit 210 may include a hollow region R. The frame 200 may be made of a metal material such as invar, super invar, aluminum, titanium, etc., and is composed of invar, super invar, nickel, nickel-cobalt, etc. having the same thermal expansion coefficient as the mask in consideration of thermal deformation. Preferably, these materials can be applied to both the frame portion 210 of the frame 200, the mask cell sheet portion 220.

이에 더하여, 프레임(200)은 복수의 마스크 셀 영역(CR)을 구비하며, 테두리 프레임부(210)에 연결되는 마스크 셀 시트부(220)를 포함할 수 있다. 마스크 셀 시트부(220)는 마스크(100)와 마찬가지로 전주도금으로 형성되거나, 그 외의 막 형성 공정을 사용하여 형성될 수 있다. 또한, 마스크 셀 시트부(220)는 평면의 시트(sheet)에 레이저 스크라이빙, 에칭 등을 통해 복수의 마스크 셀 영역(CR)을 형성한 후, 테두리 프레임부(210)에 연결할 수 있다. 또는, 마스크 셀 시트부(220)는 평면의 시트를 테두리 프레임부(210)에 연결한 후, 레이저 스크라이빙, 에칭 등을 통해 복수의 마스크 셀 영역(CR)을 형성할 수 있다. 본 명세서에서는 마스크 셀 시트부(220)에 먼저 복수의 마스크 셀 영역(CR)을 형성한 후, 테두리 프레임부(210)에 연결한 것을 주로 상정하여 설명한다.In addition to this, the frame 200 may include a plurality of mask cell regions CR, and may include a mask cell sheet portion 220 connected to the edge frame portion 210. The mask cell sheet portion 220 may be formed by electroplating as in the mask 100 or may be formed using other film forming processes. In addition, the mask cell sheet unit 220 may be connected to the edge frame unit 210 after forming a plurality of mask cell regions CR through laser scribing, etching, or the like on a flat sheet. Alternatively, the mask cell sheet unit 220 may form a plurality of mask cell regions CR through laser scribing, etching, or the like after connecting a planar sheet to the edge frame unit 210. In the present specification, a description will be mainly given of the formation of a plurality of mask cell regions CR in the mask cell sheet portion 220 and then connection to the frame portion 210.

마스크 셀 시트부(220)는 테두리 시트부(221) 및 제1, 2 그리드 시트부(223, 225) 중 적어도 하나를 포함하여 구성될 수 있다. 테두리 시트부(221) 및 제1, 2 그리드 시트부(223, 225)는 동일한 시트에서 구획된 각 부분을 지칭하며, 이들은 상호간에 일체로 형성된다.The mask cell sheet unit 220 may include at least one of the edge sheet unit 221 and the first and second grid sheet units 223 and 225. The border sheet portions 221 and the first and second grid sheet portions 223 and 225 refer to portions divided in the same sheet, and they are integrally formed with each other.

테두리 시트부(221)가 실질적으로 테두리 프레임부(210)에 연결될 수 있다. 따라서, 테두리 시트부(221)는 테두리 프레임부(210)와 대응하는 대략 사각 형상, 사각틀 형상을 가질 수 있다.The edge sheet portion 221 may be substantially connected to the edge frame portion 210. Therefore, the edge sheet portion 221 may have an approximately square shape and a square frame shape corresponding to the edge frame portion 210.

또한, 제1 그리드 시트부(223)는 제1 방향(가로 방향)으로 연장 형성될 수 있다. 제1 그리드 시트부(223)는 직선 형태로 형성되어 양단이 테두리 시트부(221)에 연결될 수 있다. 마스크 셀 시트부(220)가 복수의 제1 그리드 시트부(223)를 포함하는 경우, 각각의 제1 그리드 시트부(223)는 동등한 간격을 이루는 것이 바람직하다.In addition, the first grid sheet portion 223 may be formed to extend in the first direction (horizontal direction). The first grid sheet portion 223 is formed in a straight shape so that both ends may be connected to the edge sheet portion 221. When the mask cell sheet portion 220 includes a plurality of first grid sheet portions 223, it is preferable that each of the first grid sheet portions 223 has equal intervals.

또한, 이에 더하여, 제2 그리드 시트부(225)가 제2 방향(세로 방향)으로 연장 형성될 수 있다. 제2 그리드 시트부(225)는 직선 형태로 형성되어 양단이 테두리 시트부(221)에 연결될 수 있다. 제1 그리드 시트부(223)와 제2 그리드 시트부(225)는 서로 수직 교차될 수 있다. 마스크 셀 시트부(220)가 복수의 제2 그리드 시트부(225)를 포함하는 경우, 각각의 제2 그리드 시트부(225)는 동등한 간격을 이루는 것이 바람직하다.In addition, in addition to this, the second grid sheet portion 225 may be formed to extend in the second direction (vertical direction). The second grid sheet portion 225 may be formed in a straight line shape, and both ends may be connected to the edge sheet portion 221. The first grid sheet portion 223 and the second grid sheet portion 225 may cross each other vertically. When the mask cell sheet portion 220 includes a plurality of second grid sheet portions 225, it is preferable that each second grid sheet portion 225 has an equal interval.

한편, 제1 그리드 시트부(223)들 간의 간격과, 제2 그리드 시트부(225)들 간의 간격은 마스크 셀(C)의 크기에 따라서 동일하거나 상이할 수 있다.Meanwhile, an interval between the first grid sheet parts 223 and an interval between the second grid sheet parts 225 may be the same or different depending on the size of the mask cell C.

제1 그리드 시트부(223) 및 제2 그리드 시트부(225)는 박막 형태의 얇은 두께를 가지지만, 길이 방향에 수직하는 단면의 형상은 직사각형, 평행사변형과 같은 사각형 형상, 삼각형 형상 등일 수 있고, 변, 모서리 부분이 일부 라운딩 될 수도 있다. 단면 형상은 레이저 스크라이빙, 에칭 등의 과정에서 조절 가능하다.The first grid sheet portion 223 and the second grid sheet portion 225 have a thin thickness in the form of a thin film, but the shape of the cross section perpendicular to the longitudinal direction may be a rectangular shape, a rectangular shape such as a parallelogram, a triangular shape, or the like. , The sides and corners may be rounded. The cross-sectional shape can be adjusted in processes such as laser scribing and etching.

테두리 프레임부(210)의 두께는 마스크 셀 시트부(220)의 두께보다 두꺼울 수 있다. 테두리 프레임부(210)는 프레임(200)의 전체 강성을 담당하기 때문에 수mm 내지 수cm의 두께로 형성될 수 있다.The thickness of the frame portion 210 may be thicker than the thickness of the mask cell sheet portion 220. The border frame portion 210 may be formed to a thickness of several mm to several cm because it is responsible for the overall rigidity of the frame 200.

마스크 셀 시트부(220)의 경우는, 실질적으로 두꺼운 시트를 제조하는 공정이 어렵고, 너무 두꺼우면 OLED 화소 증착 공정에서 유기물 소스(600)[도 15 참조]가 마스크(100)를 통과하는 경로를 막는 문제를 발생시킬 수 있다. 반대로, 두께가 너무 얇아지면 마스크(100)를 지지할 정도의 강성 확보가 어려울 수 있다. 이에 따라, 마스크 셀 시트부(220)는 테두리 프레임부(210)의 두께보다는 얇지만, 마스크(100)보다는 두꺼운 것이 바람직하다. 마스크 셀 시트부(220)의 두께는, 약 0.1mm 내지 1mm 정도로 형성될 수 있다. 그리고, 제1, 2 그리드 시트부(223, 225)의 폭은 약 1~5mm 정도로 형성될 수 있다.In the case of the mask cell sheet portion 220, the process of manufacturing a substantially thick sheet is difficult, and if it is too thick, the path through which the organic material source 600 (see FIG. 15) passes through the mask 100 in the OLED pixel deposition process is difficult. This can cause clogging problems. Conversely, if the thickness is too thin, it may be difficult to secure rigidity sufficient to support the mask 100. Accordingly, the mask cell sheet portion 220 is thinner than the thickness of the frame portion 210, but is preferably thicker than the mask 100. The thickness of the mask cell sheet portion 220 may be formed about 0.1 mm to 1 mm. In addition, the widths of the first and second grid sheet portions 223 and 225 may be formed to about 1 to 5 mm.

평면의 시트에서 테두리 시트부(221), 제1, 2 그리드 시트부(223, 225)가 점유하는 영역을 제외하여, 복수의 마스크 셀 영역(CR: CR11~CR56)이 제공될 수 있다. 다른 관점에서, 마스크 셀 영역(CR)이라 함은, 테두리 프레임부(210)의 중공 영역(R)에서 테두리 시트부(221), 제1, 2 그리드 시트부(223, 225)가 점유하는 영역을 제외한, 빈 영역을 의미할 수 있다.A plurality of mask cell regions CR: CR11 to CR56 may be provided except for regions occupied by the border sheet portions 221 and the first and second grid sheet portions 223 and 225 in the planar sheet. In another aspect, the mask cell region CR is an area occupied by the border sheet portions 221 and the first and second grid sheet portions 223 and 225 in the hollow region R of the border frame portion 210. Except for, it may mean an empty area.

이 마스크 셀 영역(CR)에 마스크(100)의 셀(C)이 대응됨에 따라, 실질적으로 마스크 패턴(P)을 통해 OLED의 화소가 증착되는 통로로 이용될 수 있게 된다. 전술하였듯이 하나의 마스크 셀(C)은 스마트폰 등의 디스플레이 하나에 대응한다. 하나의 마스크(100)에는 하나의 셀(C)을 구성하는 마스크 패턴(P)들이 형성될 수 있다. 또는, 하나의 마스크(100)가 복수의 셀(C)을 구비하고 각각의 셀(C)이 프레임(200)의 각각의 셀 영역(CR)에 대응할 수도 있으나, 마스크(100)의 명확한 정렬을 위해서는 대면적 마스크(100)를 지양할 필요가 있고, 하나의 셀(C)을 구비하는 소면적 마스크(100)가 바람직하다. 또는, 프레임(200)의 하나의 셀 영역(CR)에 복수의 셀(C)을 가지는 하나의 마스크(100)가 대응할 수도 있다. 이 경우, 명확한 정렬을 위해서는 2-3개 정도의 소수의 셀(C)을 가지는 마스크(100)를 대응하는 것을 고려할 수 있다.As the cell C of the mask 100 corresponds to the mask cell region CR, it can be used as a passage through which the pixels of the OLED are substantially deposited through the mask pattern P. As described above, one mask cell C corresponds to one display such as a smartphone. Mask patterns P constituting one cell C may be formed in one mask 100. Alternatively, one mask 100 may include a plurality of cells C, and each cell C may correspond to each cell area CR of the frame 200, but the clear alignment of the mask 100 may be performed. For this, it is necessary to avoid the large area mask 100, and the small area mask 100 having one cell C is preferable. Alternatively, one mask 100 having a plurality of cells C may correspond to one cell region CR of the frame 200. In this case, for clear alignment, it may be considered to correspond to the mask 100 having a small number of cells C of 2-3.

프레임(200)은 복수의 마스크 셀 영역(CR)을 구비하고, 각각의 마스크(100)는 각각 하나의 마스크 셀(C)이 마스크 셀 영역(CR)에 대응되도록 접착될 수 있다. 각각의 마스크(100)는 복수의 마스크 패턴(P)이 형성된 마스크 셀(C) 및 마스크 셀(C) 주변의 더미[셀(C)을 제외한 마스크 막(110) 부분에 대응]를 포함할 수 있다. 더미는 마스크 막(110)만을 포함하거나, 마스크 패턴(P)과 유사한 형태의 소정의 더미 패턴이 형성된 마스크 막(110)을 포함할 수 있다. 마스크 셀(C)은 프레임(200)의 마스크 셀 영역(CR)에 대응하고, 더미의 일부 또는 전부가 프레임(200)[마스크 셀 시트부(220)]에 접착될 수 있다. 이에 따라, 마스크(100)와 프레임(200)이 일체형 구조를 이룰 수 있게 된다.The frame 200 includes a plurality of mask cell regions CR, and each of the masks 100 may be adhered so that one mask cell C corresponds to the mask cell region CR. Each mask 100 may include a mask cell C on which a plurality of mask patterns P are formed and a dummy around the mask cell C (corresponding to a portion of the mask film 110 excluding the cell C). have. The dummy may include only the mask film 110 or may include the mask film 110 on which a predetermined dummy pattern having a shape similar to the mask pattern P is formed. The mask cell C corresponds to the mask cell area CR of the frame 200, and a part or all of the dummy may be adhered to the frame 200 (mask cell sheet portion 220). Accordingly, the mask 100 and the frame 200 can achieve an integral structure.

한편, 다른 실시예에 따르면, 프레임은 테두리 프레임부(210)에 마스크 셀 시트부(220)를 접착하여 제조하지 않고, 테두리 프레임부(210)의 중공 영역(R) 부분에 테두리 프레임부(210)와 일체인 그리드 프레임[그리드 시트부(223, 225)에 대응]을 곧바로 형성한 프레임을 사용할 수도 있다. 이러한 형태의 프레임도 적어도 하나의 마스크 셀 영역(CR)을 포함하며, 마스크 셀 영역(CR)에 마스크(100)를 대응시켜 프레임 일체형 마스크를 제조할 수 있게 된다.On the other hand, according to another embodiment, the frame is not manufactured by adhering the mask cell sheet portion 220 to the border frame portion 210, the border frame portion 210 in the hollow region (R) portion of the border frame portion 210 ) And a frame in which a grid frame (corresponding to the grid sheet portions 223 and 225) integrally formed directly may be used. This type of frame also includes at least one mask cell region CR, and it is possible to manufacture a frame-integrated mask by matching the mask 100 to the mask cell region CR.

이하에서는, 프레임 일체형 마스크를 제조하는 과정에 대해 설명한다.Hereinafter, a process of manufacturing the frame-integrated mask will be described.

먼저, 도 4 및 도 5에서 상술한 프레임(200)을 제공할 수 있다. 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임(200)의 제조 과정을 나타내는 개략도이다.First, the frame 200 described above with reference to FIGS. 4 and 5 may be provided. 6 is a schematic diagram showing a manufacturing process of the frame 200 according to an embodiment of the present invention.

도 6의 (a)를 참조하면, 테두리 프레임부(210)를 제공한다. 테두리 프레임부(210)는 중공 영역(R)을 포함한 사각 틀 형상일 수 있다.Referring to (a) of FIG. 6, a border frame unit 210 is provided. The border frame part 210 may have a rectangular frame shape including the hollow region R.

다음으로, 도 6의 (b)를 참조하면, 마스크 셀 시트부(220)를 제조한다. 마스크 셀 시트부(220)는 전주도금 또는 그 외의 막 형성 공정을 사용하여 평면의 시트를 제조한 후, 레이저 스크라이빙, 에칭 등을 통해 마스크 셀 영역(CR) 부분을 제거함에 따라 제조할 수 있다. 본 명세서에서는 6 X 5의 마스크 셀 영역(CR: CR11~CR56)을 형성한 것을 예로 들어 설명한다. 5개의 제1 그리드 시트부(223) 및 4개의 제2 그리드 시트부(225)가 존재할 수 있다.Next, referring to FIG. 6B, a mask cell sheet portion 220 is manufactured. The mask cell sheet portion 220 may be manufactured by manufacturing a planar sheet using electroforming or other film forming process, and then removing the mask cell region CR portion through laser scribing, etching, or the like. have. In this specification, description will be given taking an example in which 6 X 5 mask cell regions CR: CR11 to CR56 are formed. Five first grid sheet portions 223 and four second grid sheet portions 225 may be present.

다음으로, 마스크 셀 시트부(220)를 테두리 프레임부(210)에 대응할 수 있다. 대응시키는 과정에서, 마스크 셀 시트부(220)의 모든 측을 인장(F1~F4)하여 마스크 셀 시트부(220)를 평평하게 편 상태로 테두리 시트부(221)를 테두리 프레임부(210)에 대응할 수 있다. 한 측에서도 여러 포인트[도 6의 (b)의 예로, 1~3포인트]로 마스크 셀 시트부(220)를 잡고 인장할 수 있다. 한편, 모든 측이 아니라, 일부 측 방향을 따라 마스크 셀 시트부(220)를 인장(F1, F2) 할 수도 있다.Next, the mask cell sheet portion 220 may correspond to the border frame portion 210. In the process of matching, by stretching (F1 to F4) all sides of the mask cell sheet portion 220, the mask cell sheet portion 220 is flattened and the border sheet portion 221 is attached to the border frame portion 210. You can respond. One side can hold and hold the mask cell sheet portion 220 with several points (eg, 1 to 3 points in FIG. 6 (b), for example). On the other hand, the mask cell sheet portion 220 may be tensioned (F1, F2) along some side directions rather than all sides.

다음으로, 마스크 셀 시트부(220)를 테두리 프레임부(210)에 대응하면, 마스크 셀 시트부(220)의 테두리 시트부(221)를 용접(W)하여 접착할 수 있다. 마스크 셀 시트부(220)가 테두리 프레임부(220)에 견고하게 접착될 수 있도록, 모든 측을 용접(W)하는 것이 바람직하다. 용접(W)은 테두리 프레임부(210)의 모서리쪽에 최대한 가깝게 수행하여야 테두리 프레임부(210)와 마스크 셀 시트부(220) 사이의 들뜬 공간을 최대한 줄이고 밀착성을 높일 수 있게 된다. 용접(W) 부분은 라인(line) 또는 스팟(spot) 형태로 생성될 수 있으며, 마스크 셀 시트부(220)와 동일한 재질을 가지고 테두리 프레임부(210)와 마스크 셀 시트부(220)를 일체로 연결하는 매개체가 될 수 있다.Next, when the mask cell sheet portion 220 corresponds to the edge frame portion 210, the edge sheet portion 221 of the mask cell sheet portion 220 may be welded (W) to be adhered. It is preferable to weld (W) all sides so that the mask cell sheet portion 220 can be firmly adhered to the frame portion 220. Welding (W) should be performed as close as possible to the edge of the edge frame portion 210 to reduce the excitation space between the edge frame portion 210 and the mask cell sheet portion 220 as much as possible to increase adhesion. The welding (W) portion may be generated in the form of a line or a spot, and has the same material as the mask cell sheet portion 220 and integrally forms the border frame portion 210 and the mask cell sheet portion 220. It can be a medium to connect to.

도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 프레임의 제조 과정을 나타내는 개략도이다. 도 6의 실시예는 마스크 셀 영역(CR)을 구비한 마스크 셀 시트부(220)를 먼저 제조하고 테두리 프레임부(210)에 접착하였으나, 도 7의 실시예는 평면의 시트를 테두리 프레임부(210)에 접착한 후에, 마스크 셀 영역(CR) 부분을 형성한다.7 is a schematic diagram showing a manufacturing process of a frame according to another embodiment of the present invention. In the embodiment of FIG. 6, the mask cell sheet portion 220 having the mask cell region CR is first manufactured and adhered to the border frame portion 210. However, in the embodiment of FIG. 7, the flat sheet of the border frame portion ( After adhesion to 210), a portion of the mask cell region CR is formed.

먼저, 도 6의 (a)처럼, 중공 영역(R)을 포함한 테두리 프레임부(210)를 제공한다.First, as illustrated in (a) of FIG. 6, a border frame portion 210 including a hollow region R is provided.

다음으로, 도 7의 (a)를 참조하면, 테두리 프레임부(210)에 평면의 시트[평면의 마스크 셀 시트부(220')]를 대응할 수 있다. 마스크 셀 시트부(220')는 아직 마스크 셀 영역(CR)이 형성되지 않은 평면 상태이다. 대응시키는 과정에서, 마스크 셀 시트부(220')의 모든 측을 인장(F1~F4)하여 마스크 셀 시트부(220')를 평평하게 편 상태로 테두리 프레임부(210)에 대응할 수 있다. 한 측에서도 여러 포인트[도 7의 (a)의 예로, 1~3포인트]로 마스크 셀 시트부(220')를 잡고 인장할 수 있다. 한편, 모든 측이 아니라, 일부 측 방향을 따라 마스크 셀 시트부(220')를 인장(F1, F2) 할 수도 있다.Next, referring to (a) of FIG. 7, a flat sheet (the flat mask cell sheet part 220 ′) may correspond to the border frame part 210. The mask cell sheet portion 220 ′ is in a planar state in which the mask cell region CR is not yet formed. In the process of matching, all sides of the mask cell sheet portion 220 'are tensioned (F1 to F4), so that the mask cell sheet portion 220' can be flattened to correspond to the border frame portion 210. One side can hold and hold the mask cell sheet portion 220 'with several points (for example, 1 to 3 points in FIG. 7 (a)). On the other hand, the mask cell sheet portion 220 'may be tensioned (F1, F2) along some side directions rather than all sides.

다음으로, 마스크 셀 시트부(220')를 테두리 프레임부(210)에 대응하면, 마스크 셀 시트부(220')의 테두리 부분을 용접(W)하여 접착할 수 있다. 마스크 셀 시트부(220')가 테두리 프레임부(220)에 견고하게 접착될 수 있도록, 모든 측을 용접(W)하는 것이 바람직하다. 용접(W)은 테두리 프레임부(210)의 모서리쪽에 최대한 가깝게 수행하여야 테두리 프레임부(210)와 마스크 셀 시트부(220') 사이의 들뜬 공간을 최대한 줄이고 밀착성을 높일 수 있게 된다. 용접(W) 부분은 라인(line) 또는 스팟(spot) 형태로 생성될 수 있으며, 마스크 셀 시트부(220')와 동일한 재질을 가지고 테두리 프레임부(210)와 마스크 셀 시트부(220')를 일체로 연결하는 매개체가 될 수 있다.Next, if the mask cell sheet portion 220 'corresponds to the edge frame portion 210, the edge portion of the mask cell sheet portion 220' may be welded (W) to adhere. It is preferable to weld (W) all sides so that the mask cell sheet portion 220 'can be firmly adhered to the edge frame portion 220. The welding (W) should be performed as close as possible to the edge of the edge frame portion 210 to minimize the excitation space between the edge frame portion 210 and the mask cell sheet portion 220 'and increase adhesion. The welding (W) portion may be generated in the form of a line or a spot, and has the same material as the mask cell sheet portion 220 ', and the frame portion 210 and the mask cell sheet portion 220'. It can be a medium to integrally connect.

다음으로, 도 7의 (b)를 참조하면, 평면의 시트[평면의 마스크 셀 시트부(220')]에 마스크 셀 영역(CR)을 형성한다. 레이저 스크라이빙, 에칭 등을 통해 마스크 셀 영역(CR) 부분의 시트를 제거함에 따라 마스크 셀 영역(CR)을 형성할 수 있다. 본 명세서에서는 6 X 5의 마스크 셀 영역(CR: CR11~CR56)을 형성한 것을 예로 들어 설명한다. 마스크 셀 영역(CR)을 형성하게 되면, 테두리 프레임부(210)와 용접(W)된 부분이 테두리 시트부(221)가 되고, 5개의 제1 그리드 시트부(223) 및 4개의 제2 그리드 시트부(225)를 구비하는 마스크 셀 시트부(220)가 구성될 수 있다.Next, referring to FIG. 7B, a mask cell region CR is formed on a planar sheet (planar mask cell sheet portion 220 '). The mask cell region CR may be formed by removing the sheet of the mask cell region CR portion through laser scribing, etching, or the like. In this specification, description will be given taking an example in which 6 X 5 mask cell regions CR: CR11 to CR56 are formed. When the mask cell region CR is formed, the edge frame portion 210 and the welded (W) portion become the edge sheet portion 221, and the five first grid sheet portions 223 and the four second grids The mask cell sheet portion 220 having the sheet portion 225 may be configured.

도 8 내지 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크의 제조 과정을 나타내는 개략도이다.8 to 10 are schematic diagrams showing a manufacturing process of a mask according to an embodiment of the present invention.

도 8의 (a)를 참조하면, 전도성 기재(21)를 준비한다. 전주 도금(electroforming)을 수행할 수 있도록, 모판의 기재(21)는 전도성 재질일 수 있다. 모판은 전주 도금에서 음극체(cathode) 전극으로 사용될 수 있다.Referring to (a) of FIG. 8, a conductive substrate 21 is prepared. In order to perform electroforming, the base material 21 of the mother plate may be a conductive material. The base plate can be used as a cathode electrode in electroplating.

전도성 재질로서, 메탈의 경우에는 표면에 메탈 옥사이드들이 생성되어 있을 수 있고, 메탈 제조 과정에서 불순물이 유입될 수 있으며, 다결정 실리콘 기재의 경우에는 개재물 또는 결정립계(Grain Boundary)가 존재할 수 있으며, 전도성 고분자 기재의 경우에는 불순물이 함유될 가능성이 높고, 강도. 내산성 등이 취약할 수 있다. 메탈 옥사이드, 불순물, 개재물, 결정립계 등과 같이 모판(또는, 음극체)의 표면에 전기장이 균일하게 형성되는 것을 방해하는 요소를 "결함"(Defect)으로 지칭한다. 결함(Defect)에 의해, 상술한 재질의 음극체에는 균일한 전기장이 인가되지 못하여 도금막(110)의 일부가 불균일하게 형성될 수 있다.As a conductive material, in the case of metal, metal oxides may be generated on the surface, impurities may be introduced in a metal manufacturing process, and in the case of a polycrystalline silicon substrate, inclusions or grain boundaries may exist, and a conductive polymer In the case of a substrate, there is a high likelihood that impurities are contained, and strength. Acid resistance may be vulnerable. Elements that prevent the electric field from being uniformly formed on the surface of the mother plate (or cathode body), such as metal oxides, impurities, inclusions, and grain boundaries, are referred to as "defects". Due to the defect, a uniform electric field is not applied to the cathode body of the above-described material, so that a part of the plating film 110 may be formed non-uniformly.

UHD 급 이상의 초고화질 화소를 구현하는데 있어서 도금막 및 도금막 패턴[마스크 패턴(P)]의 불균일은 화소의 형성에 악영향을 미칠 수 있다. 예를 들어, 현재 QHD 화질의 경우는 500~600 PPI(pixel per inch)로 화소의 크기가 약 30~50㎛에 이르며, 4K UHD, 8K UHD 고화질의 경우는 이보다 높은 ~860 PPI, ~1600 PPI 등의 해상도를 가지게 된다. VR 기기에 직접 적용되는 마이크로 디스플레이, 또는 VR 기기에 끼워서 사용되는 마이크로 디스플레이는 약 2,000 PPI 이상급의 초고화질을 목표로 하고 있고, 화소의 크기는 약 5~10㎛ 정도에 이르게 된다. 이에 적용되는 FMM, 새도우 마스크의 패턴 폭은 수~수십㎛의 크기, 바람직하게는 30㎛보다 작은 크기로 형성될 수 있으므로, 수㎛ 크기의 결함조차 마스크의 패턴 사이즈에서 큰 비중을 차지할 정도의 크기이다. 또한, 상술한 재질의 음극체에서의 결함을 제거하기 위해서는 메탈 옥사이드, 불순물 등을 제거하기 위한 추가적인 공정이 수행될 수 있으며, 이 과정에서 음극체 재료가 식각되는 등의 또 다른 결함이 유발될 수도 있다.In realizing ultra-high-definition pixels of UHD level or higher, non-uniformity of the plating film and the plating film pattern (mask pattern P) may adversely affect the formation of pixels. For example, the current QHD image quality is 500 to 600 PPI (pixel per inch), and the pixel size reaches about 30 to 50㎛, and for 4K UHD and 8K UHD high image quality, higher than ~ 860 PPI and ~ 1600 PPI It has the same resolution. A micro display applied directly to a VR device, or a micro display used to be inserted into a VR device, aims to achieve an ultra-high quality of about 2,000 PPI or higher, and the pixel size reaches about 5 to 10 μm. Since the pattern width of the FMM and shadow mask applied to it can be formed to a size of several to several tens of µm, preferably less than 30 µm, even a defect of several µm in size takes up a large portion of the pattern size of the mask. to be. In addition, in order to remove defects in the cathode body of the above-described material, an additional process for removing metal oxide, impurities, etc. may be performed, and in this process, other defects such as etching of the cathode body material may be caused. have.

따라서, 본 발명은 단결정 재질의 모판(또는, 음극체)를 사용할 수 있다. 특히, 단결정 실리콘 재질인 것이 바람직하다. 전도성을 가지도록, 단결정 실리콘 재질의 모판에는 1019/cm3이상의 고농도 도핑이 수행될 수 있다. 도핑은 모판의 전체에 수행될 수도 있으며, 모판의 표면 부분에만 수행될 수도 있다.Therefore, the present invention can use a mother board (or cathode body) of a single crystal material. In particular, it is preferably a single crystal silicon material. To have conductivity, a high concentration doping of 10 19 / cm 3 or more may be performed on the single crystal silicon base plate. Doping may be performed on the entire base plate, or may be performed only on the surface portion of the base plate.

한편, 단결정 재질로는, Ti, Cu, Ag 등의 금속, GaN, SiC, GaAs, GaP, AlN, InN, InP, Ge 등의 반도체, 흑연(graphite), 그래핀(graphene) 등의 탄소계 재질, CH3NH3PbCl3, CH3NH3PbBr3, CH3NH3PbI3, SrTiO3 등을 포함하는 페로브스카이트(perovskite) 구조 등의 초전도체용 단결정 세라믹, 항공기 부품용 단결정 초내열합금 등이 사용될 수 있다. 금속, 탄소계 재질의 경우는 기본적으로 전도성 재질이다. 반도체 재질의 경우에는, 전도성을 가지도록 1019 이상의 고농도 도핑이 수행될 수 있다. 기타 재질의 경우에는 도핑을 수행하거나 산소 공공(oxygen vacancy) 등을 형성하여 전도성을 형성할 수 있다. 도핑은 모판의 전체에 수행될 수도 있으며, 모판의 표면 부분에만 수행될 수도 있다.On the other hand, as a single crystal material, metals such as Ti, Cu, Ag, GaN, SiC, GaAs, GaP, AlN, InN, InP, Ge and other semiconductors, graphite (graphite), graphene (graphene), etc. , CH 3 NH 3 PbCl 3, CH 3 NH 3 PbBr 3, CH 3 NH 3 PbI 3, SrTiO 3 , etc. page containing the perovskite (perovskite) superconductor single crystalline ceramic, aircraft single crystal second heat-resistant alloy for components for such structures Etc. can be used. In the case of metal and carbon-based materials, they are basically conductive materials. In the case of a semiconductor material, doping with a high concentration of 1019 or more may be performed to have conductivity. For other materials, conductivity may be formed by performing doping or by forming oxygen vacancy. Doping may be performed on the entire base plate, or may be performed only on the surface portion of the base plate.

단결정 재질의 경우는 결함이 없기 때문에, 전주 도금 시에 표면 전부에서 균일한 전기장 형성으로 인한 균일한 도금막(110) 이 생성될 수 있는 이점이 있다. 균일한 도금막을 통해 제조하는 프레임 일체형 마스크(100, 200)는 OLED 화소의 화질 수준을 더욱 개선할 수 있다. 그리고, 결함을 제거, 해소하는 추가 공정이 수행될 필요가 없으므로, 공정비용이 감축되고, 생산성이 향상되는 이점이 있다.In the case of a single crystal material, since there are no defects, there is an advantage in that a uniform plating film 110 can be generated due to the formation of a uniform electric field on all surfaces during electroforming. The frame-integrated masks 100 and 200 manufactured through a uniform plating film can further improve the quality level of the OLED pixels. In addition, since there is no need to perform an additional process for removing and eliminating defects, there is an advantage in that the process cost is reduced and productivity is improved.

이하에서는, 전도성 기재(21)로 단결정 실리콘 웨이퍼를 사용하는 것을 상정하여 설명한다.Hereinafter, it is assumed and described that a single crystal silicon wafer is used as the conductive substrate 21.

도 8의 (a)를 다시 참조하면, 다음으로, 전도성 기재(21)를 모판[음극체(Cathode Body)]로 사용하고, 양극체(미도시)를 이격되게 배치하여 전도성 기재(21) 상에 전주 도금으로 도금막(110')을 형성할 수 있다. 도금막(110')은 양극체와 대향하고 전기장이 작용할 수 있는 전도성 기재(21)의 노출된 상부면 및 적어도 측면 상에서 형성될 수 있다. 전도성 기재(21)의 측면에 더하여 전도성 기재(21)의 하부면의 일부에까지도 도금막(110')이 생성될 수도 있다.Referring back to Figure 8 (a), next, using a conductive substrate 21 as a base plate (cathode body (Cathode Body)), the anode body (not shown) to be spaced apart on the conductive substrate 21 A plating film 110 'may be formed by electroplating. The plating film 110 ′ may be formed on the exposed upper surface and at least the side surface of the conductive substrate 21 facing the positive electrode body and having an electric field. In addition to the side surface of the conductive substrate 21, a plating film 110 'may be formed even on a part of the lower surface of the conductive substrate 21.

한편, 도 8의 (a)를 다시 참조하면, 전도성 기재(21) 상에 도금막(110')을 형성한 직후에 열처리(H)를 수행할 수 있다. 본 발명은 마스크(100)의 열팽창계수를 낮춤과 동시에 마스크(100) 및 마스크 패턴(P)의 열에 의한 변형을 방지하기 위해, 전도성 기재(21)[또는, 모판, 음극체]로부터 도금막(110')을 분리 전에 열처리(H)를 수행하는 것을 특징으로 한다. 열처리는 300℃ 내지 800℃의 온도로 수행할 수 있다.Meanwhile, referring back to FIG. 8 (a), a heat treatment (H) may be performed immediately after forming the plating film 110 'on the conductive substrate 21. The present invention is to reduce the thermal expansion coefficient of the mask 100 and at the same time to prevent deformation by the heat of the mask 100 and the mask pattern (P), the plating film from the conductive substrate 21 (or mother plate, cathode body) ( 110 ') is characterized by performing a heat treatment (H) before separation. The heat treatment may be performed at a temperature of 300 ° C to 800 ° C.

일반적으로 압연으로 생성한 인바 박판에 비해, 전주 도금으로 생성한 인바 박판이 열팽창계수가 높다. 그리하여 인바 박판에 열처리를 수행함으로써 열팽창계수를 낮출 수 있는데, 이 열처리 과정에서 인바 박판에 박리, 변형 등이 생길 수 있다. 이는, 인바 박판만을 열처리 하거나, 전도성 기재(21)의 상부면에만 임시로 접착된 인바 박판을 열처리 하기 때문에 발생하는 현상이다. 하지만, 본 발명은 전도성 기재(21)의 상부면뿐만 아니라 측면까지, 또는 더 추가하면 하부면 일부에까지 도금막(110)을 형성하기 때문에, 열처리(H)를 하여도 박리, 변형 등이 발생하지 않는다. 다시 말해, 전도성 기재(21)와 도금막(110')이 긴밀히 접착된 상태에서 열처리를 수행하므로, 열처리로 인한 박리, 변형 등을 방지하고 안정적으로 열처리를 할 수 있는 이점이 있다.Generally, the thermal expansion coefficient of the invar thin plate produced by electroforming is higher than that of the inba thin plate produced by rolling. Thus, the thermal expansion coefficient can be lowered by performing heat treatment on the thin film of Invar, and peeling, deformation, etc. may occur on the thin film of Invar during this heat treatment. This is a phenomenon that occurs because only the Inba thin plate is heat treated or the Inba thin plate temporarily adhered only to the upper surface of the conductive substrate 21 is heat treated. However, since the present invention forms the plated film 110 not only on the upper surface but also on the side of the conductive substrate 21, or on a portion of the lower surface, even when heat treatment (H) is performed, peeling, deformation, etc., do not occur. Does not. In other words, since the heat treatment is performed in a state where the conductive substrate 21 and the plating film 110 ′ are closely adhered, there is an advantage of preventing peeling, deformation, etc. due to heat treatment, and stably performing heat treatment.

다음으로, 도 8의 (b)를 참조하면, 도금막(110') 상부에 제1 절연부(23)를 형성할 수 있다. 제1 절연부(23)는 도금막(110') 테두리 부분에 패턴 사이 공간을 가지도록 형성할 수 있다. 제1 절연부(23)는 포토레지스트 재질인 것이 바람직하다. 이어서, 제1 절연부(23)의 패턴 사이 공간을 통해 노출된 도금막(110')의 부분만을 식각하여 제거(D)할 수 있다. 한편, 도금막(110)의 테두리 부분을 레이저로 커팅하여 제거(D)할 수도 있다.Next, referring to (b) of FIG. 8, the first insulating portion 23 may be formed on the plating layer 110 ′. The first insulating portion 23 may be formed to have a space between patterns on the edge portion of the plated film 110 ′. The first insulating portion 23 is preferably a photoresist material. Subsequently, only a portion of the plating layer 110 ′ exposed through the space between the patterns of the first insulating portion 23 may be etched to remove (D). Meanwhile, the edge portion of the plated film 110 may be removed (D) by laser cutting.

다음으로, 도 8의 (c)를 참조하면, 전도성 기재(21)로부터 도금막(110)을 분리할 수 있다. 도금막(110) 상에는 제1 절연부(23)가 잔존할 수 있다.Next, referring to (c) of FIG. 8, the plated film 110 may be separated from the conductive substrate 21. The first insulating portion 23 may remain on the plating layer 110.

한편, 반드시 전주도금으로 형성한 도금막(110)을 사용하지 않고, 압연(rolling)으로 생성한 막(110)을 사용할 수도 있다. 이 경우, 압연막(110)은 전주도금으로 형성한 도금막(110)보다 두께가 두꺼울 수 있다. 따라서, 후술할 마스크 패턴(P)을 미세하게 형성하기 위해, CMP 등의 방법을 사용하여 압연 막(110)의 두께는 약 20㎛ 이하로 얇게 만드는 공정을 더 수행할 수 있다. 그 후에, 도 8의 (c)와 같이, 두께를 얇게 만든 압연 막(110) 상에 제1 절연부(23)를 형성할 수 있다. 이때, 도 9 이하의 공정의 도금막(110)은 압연막(110)으로 대체할 수 있다.On the other hand, without necessarily using the plating film 110 formed by electroforming, it is also possible to use the film 110 produced by rolling (rolling). In this case, the rolled film 110 may be thicker than the plated film 110 formed by electroforming. Therefore, in order to finely form the mask pattern P to be described later, a process of thinning the thickness of the rolled film 110 to about 20 μm or less using a method such as CMP may be further performed. Thereafter, as shown in FIG. 8 (c), the first insulating portion 23 may be formed on the rolled film 110 made thin. At this time, the plating film 110 of the process of FIG. 9 or less can be replaced with a rolled film 110.

압연막(110)을 사용하는 경우에는, 전주도금으로 형성한 도금막(110)보다 두께면에서는 두꺼운 문제가 있지만, 열팽창계수(CTE)가 낮기 때문에 별도의 열처리(H) 공정을 수행할 필요가 없으며, 내부식성이 강한 이점이 있다.In the case of using the rolled film 110, there is a problem in that it is thicker in thickness than the plated film 110 formed of electroplating, but since the coefficient of thermal expansion (CTE) is low, it is necessary to perform a separate heat treatment (H) process. There is no strong corrosion resistance.

다음으로, 도 9의 (d)를 참조하면, 템플릿(template; 50)을 제공할 수 있다. 템플릿(50)은 마스크(100)가 일면 상에 부착되어 지지된 상태로 이동시킬 수 있는 매개체이다. 또는, 템플릿(50)은 도금막(110)에 마스크 패턴(P)을 형성하는 공정을 진행하기 위한 기판으로 사용될 수도 있다. 템플릿(50)은 도금막(110)를 평평하게 부착할 수 있도록, 평판 형상인 것이 바람직하다. 도금막(110)이 전체적으로 평평하게 부착될 수 있도록 템플릿(50)의 크기는 도금막(110)보다 큰 평판 형상일 수 있다.Next, referring to (d) of FIG. 9, a template 50 may be provided. The template 50 is a medium through which the mask 100 is attached on one surface and can be moved in a supported state. Alternatively, the template 50 may be used as a substrate for performing a process of forming a mask pattern P on the plating film 110. The template 50 is preferably in the form of a flat plate so that the plated film 110 can be attached flat. The size of the template 50 may be a flat plate shape larger than the plated film 110 so that the plated film 110 may be flatly attached as a whole.

템플릿(50)은 마스크(100)를 프레임(200)에 정렬시키고 접착하는 과정에서 비전(vision) 등을 관측하기 용이하도록 투명한 재질인 것이 바람직하다. 또한, 투명한 재질인 경우 레이저가 관통할 수도 있다. 투명한 재질로서 글래스(glass), 실리카(silica), 내열유리, 석영(quartz), 알루미나(Al2O3), 붕규산유리(borosilicate glass) 등의 재질을 사용할 수 있다. 일 예로, 템플릿(50)은 붕규산유리 중 우수한 내열성, 화학적 내구성, 기계적 강도, 투명성 등을 가지는 BOROFLOAT® 33 재질을 사용할 수 있다. 또한, BOROFLOAT® 33은 열팽창계수가 약 3.3으로 인바 도금막(110)과 열팽창계수 차이가 적어 도금막(110)의 제어에 용이한 이점이 있다.The template 50 is preferably a transparent material so that it is easy to observe vision and the like in the process of aligning and adhering the mask 100 to the frame 200. In addition, the laser may penetrate through a transparent material. As a transparent material, materials such as glass, silica, heat-resistant glass, quartz, alumina (Al 2 O 3 ), and borosilicate glass can be used. For example, the template 50 may be a BOROFLOAT ® 33 material having excellent heat resistance, chemical durability, mechanical strength, transparency, etc. among borosilicate glass. Also, BOROFLOAT ® 33 has the advantage of ease of the control of the thermal expansion coefficient of from about 3.3 Invar plating film 110 and the thermal expansion coefficient of the coating film 110 is less difference.

한편, 템플릿(50)은 도금막(110)[또는, 마스크(100)]과의 계면 사이에서 에어갭(air gap)이 발생하지 않도록, 도금막(110)과 접촉하는 일면이 경면일 수 있다. 이를 고려하여, 템플릿(50)의 일면의 표면 조도(Ra)가 100nm 이하일 수 있다. 표면 조도(Ra)가 100nm 이하인 템플릿(50)을 구현하기 위해, 템플릿(50)은 웨이퍼(wafer)를 사용할 수 있다. 웨이퍼(wafer)는 표면 조도(Ra)가 약 10nm 정도이고, 시중의 제품이 많고 표면처리 공정들이 많이 알려져 있으므로, 템플릿(50)으로 사용할 수 있다. 템플릿(50)의 표면 조도(Ra)가 nm 스케일이기 때문에 에어갭이 없거나, 거의 없는 수준으로, 레이저 용접에 의한 용접 비드(WB)의 생성이 용이하여 마스크 패턴(P)의 정렬 오차에 영향을 주지 않을 수 있다.On the other hand, in the template 50, one surface in contact with the plating film 110 may be a mirror surface so that an air gap does not occur between the interface with the plating film 110 (or the mask 100). . In consideration of this, the surface roughness (Ra) of one surface of the template 50 may be 100 nm or less. To implement the template 50 having a surface roughness (Ra) of 100 nm or less, the template 50 may use a wafer. The wafer has a surface roughness (Ra) of about 10 nm, and there are many commercial products and many surface treatment processes, so it can be used as a template 50. Since the surface roughness (Ra) of the template (50) is nm-scale, there is no or little air gap, and it is easy to generate the weld beads (WB) by laser welding, thereby affecting the alignment error of the mask pattern (P). May not give.

템플릿(50)의 일면에는 임시접착부(55)가 형성될 수 있다. 임시접착부(55)는 도금막(110)[또는, 마스크(100)]가 임시로 템플릿(50)의 일면에 접착되어 템플릿(50) 상에 지지되도록 할 수 있다. 일 예로, 마스크(100)가 프레임(200)에 접착되기 전까지 마스크(100)[또는, 도금막(110)]가 임시로 템플릿(50)의 일면에 접착되어 템플릿(50) 상에 지지되도록 할 수 있다.A temporary adhesive portion 55 may be formed on one surface of the template 50. The temporary adhesive portion 55 may be such that the plated film 110 (or the mask 100) is temporarily adhered to one surface of the template 50 to be supported on the template 50. For example, until the mask 100 is adhered to the frame 200, the mask 100 (or, the plating film 110) is temporarily adhered to one surface of the template 50 to be supported on the template 50. You can.

임시접착부(55)는 액체 왁스(liquid wax)를 사용할 수 있다. 액체 왁스는 반도체 웨이퍼의 폴리싱 단계 등에서 이용되는 왁스와 동일한 것을 사용할 수 있고, 그 유형이 특별히 한정되지는 않는다. 액체 왁스는 주로 유지력에 관한 접착력, 내충격성 등을 제어하기 위한 수지 성분으로 아크릴, 비닐아세테이트, 나일론 및 다양한 폴리머와 같은 물질 및 용매를 포함할 수 있다. 일 예로, 임시접착부(55)는 수지 성분으로 아크릴로나이트릴 뷰타디엔 고무(ABR, Acrylonitrile butadiene rubber), 용매 성분으로 n-프로필알코올을 포함하는 SKYLIQUID ABR-4016을 사용할 수 있다. 액체 왁스는 스핀 코팅을 사용하여 임시접착부(55)를 형성할 수 있다.The temporary adhesive portion 55 may use liquid wax. The liquid wax may be the same as the wax used in the polishing step of a semiconductor wafer or the like, and the type is not particularly limited. Liquid wax is a resin component for controlling adhesion, impact resistance, etc., mainly related to holding power, and may include materials and solvents such as acrylic, vinyl acetate, nylon, and various polymers. As an example, the temporary adhesive portion 55 may be SKYLIQUID ABR-4016 including acrylonitrile butadiene rubber (ABR) as a resin component and n-propyl alcohol as a solvent component. The liquid wax may form a temporary adhesive portion 55 using spin coating.

액체 왁스인 임시접착부(55)는 85℃~100℃보다 높은 온도에서는 점성이 낮아지고, 85℃보다 낮은 온도에서 점성이 커지고 고체처럼 일부 굳을 수 있어, 도금막(110)과 템플릿(50)을 고정 접착할 수 있다.The temporary adhesive portion 55, which is a liquid wax, has a low viscosity at a temperature higher than 85 ° C. to 100 ° C., a viscosity at a temperature lower than 85 ° C., and can be partially hardened like a solid, so that the plating film 110 and template 50 are Can be fixed.

다음으로, 도 9의 (e)를 참조하면, 템플릿(50) 상에 제1 절연부(23)가 일면 상에 있는 도금막(110)을 로딩할 수 있다. 도금막(110)을 뒤집어서 제1 절연부(23)가 템플릿(50)을 향하도록 할 수 있다. 그러면, 제1 절연부(23)와 템플릿(50) 상의 임시접착부(55)가 접촉할 수 있다.Next, referring to (e) of FIG. 9, the plating layer 110 having the first insulating portion 23 on one surface of the template 50 may be loaded. The plating layer 110 may be turned over so that the first insulating portion 23 faces the template 50. Then, the first insulating portion 23 and the temporary adhesive portion 55 on the template 50 may contact.

이어서, 템플릿(50) 상에 도금막(110)을 접착할 수 있다. 액체 왁스를 85℃ 이상으로 가열하고 도금막(110)을 템플릿(50)에 접촉시킨 후, 도금막(110) 및 템플릿(50)을 롤러 사이에 통과시켜 접착을 수행할 수 있다.Subsequently, the plating film 110 may be adhered to the template 50. After the liquid wax is heated to 85 ° C. or higher and the plating film 110 is brought into contact with the template 50, adhesion may be performed by passing the plating film 110 and the template 50 between rollers.

일 실시예에 따르면, 템플릿(50)에 약 120℃, 60초 동안 베이킹(baking)을 수행하여 임시접착부(55)의 솔벤트를 기화시키고, 곧바로, 도금막 라미네이션(lamination) 공정을 진행할 수 있다. 라미네이션은 임시접착부(55)가 일면에 형성된 템플릿(50) 상에 도금막(110)을 로딩하고, 약 100℃의 상부 롤(roll)과 약 0℃의 하부 롤 사이에 통과시켜 수행할 수 있다.According to one embodiment, the template 50 is vaporized for about 120 ° C. for 60 seconds to vaporize the solvent of the temporary adhesive portion 55, and immediately, a plating film lamination process may be performed. Lamination may be performed by loading the plating film 110 on the template 50 having the temporary adhesive portion 55 formed on one surface, and passing it between the upper roll at about 100 ° C and the lower roll at about 0 ° C. .

다음으로, 도 9의 (f)를 참조하면, 도금막(110) 상에, 구체적으로 제1 절연부(23)가 형성된 일면에 대향하는 타면 상에, 패턴화된 제2 절연부(25)를 형성할 수 있다. 제2 절연부(25)는 프린팅 법 등을 이용하여 포토레지스트 재질로 형성될 수 있다. 패턴화된 제2 절연부(25)의 패턴 사이 공간(26)으로는 도금막(110)이 노출될 수 있다.Next, referring to (f) of FIG. 9, the patterned second insulating portion 25 on the other surface opposite to one surface on which the first insulating portion 23 is formed, on the plated film 110 Can form. The second insulating portion 25 may be formed of a photoresist material using a printing method or the like. The plating layer 110 may be exposed as the space 26 between the patterns of the patterned second insulating portion 25.

다음으로, 도 10의 (g)를 참조하면, 도금막(110)의 식각을 수행할 수 있다. 건식 식각, 습식 식각 등의 방법을 제한없이 사용할 수 있고, 식각 결과 절연부(25) 사이의 빈 공간(26)으로 노출된 도금막(110)의 부분이 식각될 수 있다. 본 발명에서는 습식 식각(WE)을 수행하는 것을 상정하여 설명한다. 도금막(110)의 식각된 부분은 마스크 패턴(P)을 구성하고, 복수의 마스크 패턴(P)이 형성된 마스크(100)가 제조될 수 있다.Next, referring to (g) of FIG. 10, etching of the plating film 110 may be performed. Methods such as dry etching and wet etching may be used without limitation, and as a result of etching, a portion of the plated film 110 exposed as an empty space 26 between the insulating parts 25 may be etched. In the present invention, it is assumed and described to perform wet etching (WE). The etched portion of the plating layer 110 constitutes a mask pattern P, and the mask 100 on which a plurality of mask patterns P are formed may be manufactured.

한편, 식각을 수행할 때, 식각액이 도금막(110)의 일면(일 예로, 상면)으로만 진입(WE)하여 한쪽 방향을 기준으로만 식각(WE)하는 것이 유리할 수 있다. 양면에서 동시에 식각이 되면 도금막(110) 두께가 불균일하게 될 수 있고, 원하는 마스크 패턴(P)의 형태를 구현하기 어려울 수 있다. 따라서, 도금막(110)의 타면(일 예로, 하면)에서의 식각(WE')을 방지하는 것이 매우 중요하게 취급된다.On the other hand, when performing the etching, it may be advantageous for the etching solution to enter (WE) only on one side (for example, the top surface) of the plating film 110 to perform etching (WE) based only on one direction. When etching is performed on both sides at the same time, the thickness of the plating layer 110 may be non-uniform, and it may be difficult to realize the shape of the desired mask pattern P. Therefore, it is very important to prevent etching (WE ') on the other surface (eg, the lower surface) of the plating film 110.

본 발명에서는 도금막(110)의 타면 상에 제1 절연부(23)가 잔존한다. 또한, 도금막(110)과 템플릿(50) 사이에 임시접착부(55)까지 개재된다. 이에 따라, 식각액이 도금막(110)의 타면(후면)에 진입하는 것이 방지(WE')되고, 도금막(110)의 일면(상면)에서만 마스크 패턴(P)을 형성하는 식각(WE) 공정을 진행할 수 있는 이점이 있다.In the present invention, the first insulating portion 23 remains on the other surface of the plating film 110. In addition, a temporary adhesive portion 55 is interposed between the plating film 110 and the template 50. Accordingly, the etching solution is prevented (WE ') from entering the other surface (back surface) of the plating film 110, and an etching (WE) process of forming the mask pattern P on only one surface (upper surface) of the plating film 110 There is an advantage to proceed.

다음으로, 도 10의 (h)를 참조하면, 마스크(100)와 템플릿(50)을 분리(debonding)하기 위해, 임시접착부(55)에 열 인가(ET), 화학적 처리(CM), 초음파 인가(US) 중 적어도 어느 하나를 수행할 수 있다. 일 예로, 85℃~100℃보다 높은 온도의 열을 인가(ET)하면 임시접착부(55)의 점성이 낮아지게 되고, 마스크(100)와 템플릿(50)의 접착력이 약해지게 되어, 마스크(100)와 템플릿(50)이 분리될 수 있다. 다른 예로, IPA, 아세톤, 에탄올 등의 화학 물질에 임시접착부(55)를 침지(CM)함으로서 임시접착부(55)를 용해, 제거 등의 방식으로 마스크(100)와 템플릿(50)이 분리될 수 있다. 다른 예로, 초음파를 인가(US)하면 마스크(100)와 템플릿(50)의 접착력이 약해지게 되어, 마스크(100)와 템플릿(50)이 분리될 수 있다.Next, referring to (h) of FIG. 10, in order to debond the mask 100 and the template 50, heat is applied to the temporary adhesive part 55 (ET), chemical treatment (CM), and ultrasonic is applied. At least one of (US) may be performed. For example, when heat (ET) of a temperature higher than 85 ° C to 100 ° C is applied (ET), the viscosity of the temporary adhesive portion 55 is lowered, and the adhesive force between the mask 100 and the template 50 is weakened, and thus the mask 100 ) And the template 50 may be separated. As another example, the mask 100 and the template 50 may be separated by dissolving and removing the temporary adhesive portion 55 by immersing (CM) the temporary adhesive portion 55 in chemical substances such as IPA, acetone, and ethanol. have. As another example, when ultrasonic waves are applied (US), the adhesive force between the mask 100 and the template 50 is weakened, and the mask 100 and the template 50 may be separated.

도 10의 (i)는 마스크(100)와 템플릿(50)이 분리된 상태를 나타낸다. 여기에서, 마스크(100)의 양면에 잔존하는 제1, 2 절연부(23, 25)를 제거할 수 있다. 그리고, 세척 공정 등을 더 수행하면, 도 10의 (j)와 같이 마스크(100)의 제조를 완료할 수 있다.10 (i) shows a state in which the mask 100 and the template 50 are separated. Here, the first and second insulating portions 23 and 25 remaining on both surfaces of the mask 100 may be removed. And, if the washing process or the like is further performed, manufacturing of the mask 100 may be completed as shown in FIG. 10 (j).

도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크(100)를 지지하는 템플릿(50)을 나타내는 개략도이다. 도 11은 마스크(100)를 템플릿(50)이 지지한 상태로 프레임(200)에 이동하기 위한 것으로서, 도 10의 (g) 단계까지 수행한 상태에 대응할 수 있다. 다시 말해, 마스크(100)와 템플릿(50)의 분리는 수행되지 않은 상태이다.11 is a schematic diagram showing a template 50 for supporting the mask 100 according to an embodiment of the present invention. 11 is to move the mask 100 to the frame 200 in a state supported by the template 50, and may correspond to a state performed up to step (g) of FIG. 10. In other words, the separation of the mask 100 and the template 50 is not performed.

템플릿(50)의 상부에서 조사하는 레이저(L)가 마스크(100)의 용접부(용접을 수행할 영역)에까지 도달할 수 있도록, 템플릿(50)에는 레이저 통과공(51)이 형성될 수 있다. 레이저 통과공(51)은 용접부의 위치 및 개수에 대응하도록 템플릿(50)에 형성될 수 있다. 용접부는 마스크(100)의 테두리 또는 더미[도 12 참조] 부분에서 소정 간격을 따라 복수개 배치되어 있으므로, 레이저 통과공(51)도 이에 대응하도록 소정 간격을 따라 복수개 형성될 수 있다. 일 예로, 용접부는 마스크(100)의 양측(좌측/우측) 더미 부분에 소정 간격을 따라 복수개 배치되어 있으므로, 레이저 통과공(51)도 템플릿(50)의 양측(좌측/우측)에 소정 간격을 따라 복수개 형성될 수 있다.The laser passing hole 51 may be formed in the template 50 so that the laser L irradiated from the upper portion of the template 50 reaches the welding portion (the region to be welded) of the mask 100. The laser through hole 51 may be formed in the template 50 to correspond to the position and number of welds. Since a plurality of welding portions are disposed at predetermined intervals in the rim or dummy (see FIG. 12) portion of the mask 100, a plurality of laser passing holes 51 may also be formed at predetermined intervals to correspond thereto. As an example, since a plurality of welds are arranged along a predetermined distance on both sides (left / right) dummy portions of the mask 100, the laser through holes 51 also have predetermined intervals on both sides (left / right) of the template 50. Accordingly, a plurality may be formed.

레이저 통과공(51)은 반드시 용접부의 위치 및 개수에 대응될 필요는 없다. 예를 들어, 레이저 통과공(51) 중 일부에 대해서만 레이저(L)를 조사하여 용접을 수행할 수도 있다. 또한, 용접부에 대응되지 않는 레이저 통과공(51) 중 일부는 마스크(100)와 템플릿(50)을 정렬할 때 얼라인 마크를 대신하여 사용할 수도 있다. 만약, 템플릿(50)의 재질이 레이저(L) 광에 투명하다면 레이저 통과공(51)을 형성하지 않을 수도 있다.The laser through-hole 51 does not necessarily correspond to the position and number of welds. For example, it is also possible to perform welding by irradiating the laser L only on a part of the laser through holes 51. In addition, some of the laser through holes 51 that do not correspond to the welding portion may be used in place of the alignment marks when aligning the mask 100 and the template 50. If the material of the template 50 is transparent to the laser (L) light, the laser through hole 51 may not be formed.

또한, 마스크(100)를 프레임(200)에 이동한 후, 마스크(100)의 타면(상부면)이 프레임(200)에 접촉되기 때문에, 마스크(100)의 상부에 잔존하는 제2 절연부(25)는 제거하는 것이 바람직하다.In addition, since the other surface (upper surface) of the mask 100 is in contact with the frame 200 after the mask 100 is moved to the frame 200, the second insulating portion remaining on the upper portion of the mask 100 ( 25) is preferably removed.

마스크 패턴(P)의 폭은 40㎛보다 작게 형성될 수 있고, 마스크(100)의 두께는 약 2~50㎛로 형성될 수 있다. 프레임(200)이 복수의 마스크 셀 영역(CR: CR11~CR56)을 구비하므로, 각각의 마스크 셀 영역(CR: CR11~CR56)에 대응하는 마스크 셀(C: C11~C56)을 가지는 마스크(100)도 복수개 구비할 수 있다. 또한, 복수개의 마스크(100)의 각각을 지지하는 복수의 템플릿(50)을 구비할 수 있다.The width of the mask pattern P may be smaller than 40 μm, and the thickness of the mask 100 may be about 2 to 50 μm. Since the frame 200 includes a plurality of mask cell regions (CR: CR11 to CR56), a mask 100 having mask cells (C: C11 to C56) corresponding to each of the mask cell regions (CR: CR11 to CR56) ) Can also be provided in plural. In addition, a plurality of templates 50 supporting each of the plurality of masks 100 may be provided.

템플릿(50)은 진공 척(미도시)에 의해 이송될 수 있다. 진공 척으로 마스크(100)가 접착된 템플릿(50) 면의 반대 면을 흡착하여 이송할 수 있다. 진공 척은 x, y, z, θ축으로 이동되는 이동 수단(미도시)에 연결될 수 있다. 또한, 진공 척은 템플릿(50)을 흡착하여 플립(flip)할 수 있는 플립 수단(미도시)에 연결될 수 있다. 템플릿(50)에 마스크(100)가 입시접착부(55)를 개재하여 접착지지되므로, 진공 척이 템플릿(50)을 흡착하여 플립한 후 프레임(200) 상으로 템플릿(50)을 이송하는 과정에서도, 마스크(100)의 접착 상태 및 정렬 상태에는 영향이 없게 된다.The template 50 may be transported by a vacuum chuck (not shown). The surface of the template 50 to which the mask 100 is adhered can be adsorbed and transferred by a vacuum chuck. The vacuum chuck may be connected to a moving means (not shown) that moves in the x, y, z, and θ axes. Further, the vacuum chuck may be connected to a flip means (not shown) capable of adsorbing and flipping the template 50. In the process of transferring the template 50 onto the frame 200 after the vacuum chuck adsorbs the template 50 and flips it, since the mask 100 is attached to the template 50 via the entrance-adhesive portion 55. , The adhesive state and alignment state of the mask 100 are not affected.

도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 템플릿을 프레임 상에 로딩하여 마스크를 프레임의 셀 영역에 대응시키는 상태를 나타내는 개략도이다. 도 12에는 하나의 마스크(100)를 셀 영역(CR)에 대응/접착하는 것이 예시되나, 복수의 마스크(100)를 동시에 각각 모든 셀 영역(CR)에 대응시켜서 마스크(100)를 프레임(200)에 접착하는 과정을 수행할 수도 있다.12 is a schematic diagram showing a state in which a template is loaded on a frame according to an embodiment of the present invention to associate a mask with a cell region of the frame. In FIG. 12, it is illustrated that one mask 100 corresponds to / adhesively adheres to the cell region CR, but the mask 100 is framed 200 by simultaneously correlating the plurality of masks 100 to all the cell regions CR. ) May be performed.

다음으로, 도 12를 참조하면, 마스크(100)를 프레임(200)의 하나의 마스크 셀 영역(CR)에 대응할 수 있다. 템플릿(50)를 프레임(200)[또는, 마스크 셀 시트부(220)] 상에 로딩하는 것으로 마스크(100)를 마스크 셀 영역(CR)에 대응시킬 수 있다. 템플릿(50)/진공 척(미도시)의 위치를 제어하면서, 현미경을 통해 마스크(100)가 마스크 셀 영역(CR)에 대응하는지 살펴볼 수 있다. 템플릿(50)이 마스크(100)를 압착하므로, 마스크(100)와 프레임(200)은 긴밀히 맞닿을 수 있다.Next, referring to FIG. 12, the mask 100 may correspond to one mask cell area CR of the frame 200. By loading the template 50 on the frame 200 (or the mask cell sheet unit 220), the mask 100 may correspond to the mask cell area CR. While controlling the position of the template 50 / vacuum chuck (not shown), it can be seen whether the mask 100 corresponds to the mask cell region CR through a microscope. Since the template 50 compresses the mask 100, the mask 100 and the frame 200 can be in close contact.

한편, 하부 지지체(70)를 프레임(200) 하부에 더 배치할 수도 있다. 하부 지지체(70)는 프레임 테두리부(210)의 중공 영역(R) 내에 들어갈 정도의 크기를 가지고 평판 형상일 수 있다. 또한, 하부 지지체(70)의 상부면에는 마스크 셀 시트부(220)의 형상에 대응하는 소정의 지지홈(미도시)이 형성될 수도 있다. 이 경우 테두리 시트부(221) 및 제1, 2 그리드 시트부(223, 225)가 지지홈에 끼워지게 되어, 마스크 셀 시트부(220)가 더욱 잘 고정될 수 있다.Meanwhile, the lower support 70 may be further disposed under the frame 200. The lower support 70 may have a size sufficient to fit within the hollow region R of the frame edge portion 210 and may be flat. In addition, a predetermined support groove (not shown) corresponding to the shape of the mask cell sheet portion 220 may be formed on the upper surface of the lower support 70. In this case, the edge sheet portions 221 and the first and second grid sheet portions 223 and 225 are fitted into the support grooves, so that the mask cell sheet portion 220 can be more secured.

하부 지지체(70)는 마스크(100)가 접촉하는 마스크 셀 영역(CR)의 반대면을 압착할 수 있다. 즉, 하부 지지체(70)는 마스크 셀 시트부(220)를 상부 방향으로 지지하여 마스크(100)의 접착과정에서 마스크 셀 시트부(220)가 하부 방향으로 처지는 것을 방지할 수 있다. 이와 동시에, 하부 지지체(70)와 템플릿(50)이 상호 반대되는 방향으로 마스크(100)의 테두리 및 프레임(200)[또는, 마스크 셀 시트부(220)]를 압착하게 되므로, 마스크(100)의 정렬 상태가 흐트러지지 않고 유지될 수 있게 된다.The lower support 70 may compress the opposite surface of the mask cell region CR in contact with the mask 100. That is, the lower support 70 supports the mask cell sheet portion 220 in an upward direction to prevent the mask cell sheet portion 220 from sagging in the downward direction during the bonding process of the mask 100. At the same time, since the lower support 70 and the template 50 compress the frame and the frame 200 (or the mask cell sheet portion 220) of the mask 100 in opposite directions, the mask 100 The alignment state of can be maintained without being disturbed.

이처럼, 템플릿(50) 상에 마스크(100)를 부착하고, 템플릿(50)을 프레임(200) 상에 로딩하는 것만으로 마스크(100)를 프레임(200)의 마스크 셀 영역(CR)에 대응하는 과정이 완료되므로, 이 과정에서 마스크(100)에 어떠한 인장력도 가하지 않을 수 있다.As described above, the mask 100 corresponds to the mask cell area CR of the frame 200 by simply attaching the mask 100 on the template 50 and loading the template 50 on the frame 200. Since the process is complete, no tension may be applied to the mask 100 in this process.

이어서, 마스크(100)에 레이저(L)를 조사하여 레이저 용접에 의해 마스크(100)를 프레임(200)에 접착할 수 있다. 레이저 용접된 마스크의 용접부 부분에는 용접 비드(WB)가 생성되고, 용접 비드(WB)는 마스크(100)/프레임(200)과 동일한 재질을 가지고 일체로 연결될 수 있다.Subsequently, the laser 100 may be irradiated to the mask 100 to bond the mask 100 to the frame 200 by laser welding. A welding bead WB is generated in a welding portion of the laser-welded mask, and the welding bead WB may be integrally connected with the same material as the mask 100 / frame 200.

도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크(100)를 프레임(200)에 접착한 후 마스크(100)와 템플릿(50)을 분리하는 과정을 나타내는 개략도이다.13 is a schematic diagram showing a process of separating the mask 100 and the template 50 after adhering the mask 100 to the frame 200 according to an embodiment of the present invention.

도 13을 참조하면, 마스크(100)를 프레임(200)에 접착한 후, 마스크(100)와 템플릿(50)을 분리(debonding)할 수 있다. 마스크(100)와 템플릿(50)의 분리는 임시접착부(55)에 열 인가(ET), 화학적 처리(CM), 초음파 인가(US) 중 적어도 어느 하나를 통해 수행할 수 있다. 마스크(100)는 프레임(200)에 접착된 상태를 유지하므로, 템플릿(50)만을 들어올릴 수 있다. 일 예로, 85℃~100℃보다 높은 온도의 열을 인가(ET)하면 임시접착부(55)의 점성이 낮아지게 되고, 마스크(100)와 템플릿(50)의 접착력이 약해지게 되어, 마스크(100)와 템플릿(50)이 분리될 수 있다. 다른 예로, IPA, 아세톤, 에탄올 등의 화학 물질에 임시접착부(55)를 침지(CM)함으로서 임시접착부(55)를 용해, 제거 등의 방식으로 마스크(100)와 템플릿(50)이 분리될 수 있다. 다른 예로, 초음파를 인가(US)하면 마스크(100)와 템플릿(50)의 접착력이 약해지게 되어, 마스크(100)와 템플릿(50)이 분리될 수 있다.Referring to FIG. 13, after the mask 100 is adhered to the frame 200, the mask 100 and the template 50 may be debonded. Separation of the mask 100 and the template 50 may be performed by at least one of heat application (ET), chemical treatment (CM), and ultrasonic application (US) to the temporary adhesive portion 55. Since the mask 100 remains attached to the frame 200, only the template 50 can be lifted. For example, when heat (ET) of a temperature higher than 85 ° C to 100 ° C is applied (ET), the viscosity of the temporary adhesive portion 55 is lowered, and the adhesive force between the mask 100 and the template 50 is weakened, and thus the mask 100 ) And the template 50 may be separated. As another example, the mask 100 and the template 50 may be separated by dissolving and removing the temporary adhesive portion 55 by immersing (CM) the temporary adhesive portion 55 in chemical substances such as IPA, acetone, and ethanol. have. As another example, when ultrasonic waves are applied (US), the adhesive force between the mask 100 and the template 50 is weakened, and the mask 100 and the template 50 may be separated.

도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크(100)를 프레임(200)에 접착한 상태를 나타내는 개략도이다.14 is a schematic diagram showing a state in which the mask 100 according to an embodiment of the present invention is adhered to the frame 200.

도 14를 참조하면, 하나의 마스크(100)는 프레임(200)의 하나의 셀 영역(CR) 상에 접착될 수 있다Referring to FIG. 14, one mask 100 may be adhered to one cell area CR of the frame 200.

프레임(200)의 마스크 셀 시트부(220)는 얇은 두께를 가지기 때문에, 마스크(100)에 인장력이 가해진 채로 마스크 셀 시트부(220)에 접착이 되면, 마스크(100)에 잔존하는 인장력이 마스크 셀 시트부(220) 및 마스크 셀 영역(CR)에 작용하게 되어 이들을 변형시킬 수도 있다. 따라서, 마스크(100)에 인장력을 가하지 않은 채로 마스크 셀 시트부(220)에 마스크(100)의 접착을 수행해야 한다. 본 발명은 템플릿(50) 상에 마스크(100)를 부착하고, 템플릿(50)을 프레임(200) 상에 로딩하는 것만으로 마스크(100)를 프레임(200)의 마스크 셀 영역(CR)에 대응하는 과정이 완료되므로, 이 과정에서 마스크(100)에 어떠한 인장력도 가하지 않을 수 있다. 그리하여, 마스크(100)에 가해진 인장력이 반대로 프레임(200)에 장력(tension)으로 작용하여 프레임(200)[또는, 마스크 셀 시트부(220)]을 변형시키는 것을 방지할 수 있게 된다.Since the mask cell sheet portion 220 of the frame 200 has a thin thickness, when the mask cell sheet portion 220 is adhered with tensile force applied to the mask 100, the tensile force remaining in the mask 100 is masked. The cell sheet portion 220 and the mask cell region CR may be actuated to deform them. Therefore, it is necessary to perform adhesion of the mask 100 to the mask cell sheet portion 220 without applying a tensile force to the mask 100. The present invention corresponds to the mask cell region CR of the frame 200 by attaching the mask 100 on the template 50 and loading the template 50 on the frame 200. Since the process is completed, it is not possible to apply any tensile force to the mask 100 in this process. Thus, it is possible to prevent the frame 200 (or the mask cell sheet portion 220) from being deformed by the tension applied to the mask 100 acting as a tension on the frame 200.

종래의 도 1의 마스크(10)는 셀 6개(C1~C6)를 포함하므로 긴 길이를 가지는데 반해, 본 발명의 마스크(100)는 셀 1개(C)를 포함하여 짧은 길이를 가지므로 PPA(pixel position accuracy)가 틀어지는 정도가 작아질 수 있다. 예를 들어, 복수의 셀(C1~C6, ...)들을 포함하는 마스크(10)의 길이가 1m이고, 1m 전체에서 10㎛의 PPA 오차가 발생한다고 가정하면, 본 발명의 마스크(100)는 상대적인 길이의 감축[셀(C) 개수 감축에 대응]에 따라 위 오차 범위를 1/n 할 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 마스크(100)의 길이가 100mm라면, 종래 마스크(10)의 1m에서 1/10로 감축된 길이를 가지므로, 100mm 길이의 전체에서 1㎛의 PPA 오차가 발생하게 되며, 정렬 오차가 현저히 감소하게 되는 효과가 있다.The conventional mask 10 of FIG. 1 includes 6 cells (C1 to C6), and thus has a long length, whereas the mask 100 of the present invention includes a cell (C) and thus has a short length. The degree to which the pixel position accuracy (PPA) is distorted may be reduced. For example, assuming that the length of the mask 10 including a plurality of cells C1 to C6, ... is 1 m, and a PPA error of 10 μm is generated in 1 m as a whole, the mask 100 of the present invention Can be 1 / n of the above error range according to the relative length reduction (corresponding to the reduction in the number of cells (C)). For example, if the length of the mask 100 of the present invention is 100 mm, since it has a length reduced from 1 m to 1/10 of the conventional mask 10, a PPA error of 1 μm is generated over the entire length of 100 mm. , Alignment error is significantly reduced.

한편, 마스크(100)가 복수의 셀(C)을 구비하고, 각각의 셀(C)이 프레임(200)의 각각의 셀 영역(CR)에 대응하여도 정렬 오차가 최소화되는 범위 내에서라면, 마스크(100)는 프레임(200)의 복수의 마스크 셀 영역(CR)에 대응할 수도 있다. 또는, 복수의 셀(C)을 가지는 마스크(100)가 하나의 마스크 셀 영역(CR)에 대응할 수도 있다. 이 경우에도, 정렬에 따른 공정 시간과 생산성을 고려하여, 마스크(100)는 가급적 적은 수의 셀(C)을 구비하는 것이 바람직하다.On the other hand, if the mask 100 includes a plurality of cells C, and each cell C corresponds to each cell region CR of the frame 200, within the range in which the alignment error is minimized, The mask 100 may correspond to a plurality of mask cell areas CR of the frame 200. Alternatively, the mask 100 having a plurality of cells C may correspond to one mask cell area CR. Also in this case, considering the process time and productivity according to the alignment, it is preferable that the mask 100 has as few cells C as possible.

본 발명의 경우는, 마스크(100)의 하나의 셀(C)을 대응시키고 정렬 상태를 확인하기만 하면 되므로, 복수의 셀(C: C1~C6)을 동시에 대응시키고 정렬 상태를 모두 확인하여야 하는 종래의 방법[도 2 참조]보다, 제조시간을 현저하게 감축시킬 수 있다.In the case of the present invention, since only one cell C of the mask 100 needs to be matched and the alignment state is checked, it is necessary to simultaneously correspond to a plurality of cells C: C1 to C6 and check all of the alignment state. Compared to the conventional method (see Fig. 2), the manufacturing time can be significantly reduced.

즉, 본 발명의 프레임 일체형 마스크 제조 방법은, 6개의 마스크(100)에 포함되는 각각의 셀(C11~C16)을 각각 하나의 셀 영역(CR11~CR16)에 대응시키고 각각 정렬 상태를 확인하는 6번의 과정을 통해, 6개의 셀(C1~C6)을 동시에 대응시키고 6개 셀(C1~C6)의 정렬 상태를 동시에 모두 확인해야 하는 종래의 방법보다 훨씬 시간이 단축될 수 있다.That is, in the frame-integrated mask manufacturing method of the present invention, each cell C11 to C16 included in the six masks 100 corresponds to one cell region CR11 to CR16, respectively, and the alignment state is checked. Through the process, time can be significantly shortened compared to a conventional method in which six cells C1 to C6 are simultaneously mapped and all six cells C1 to C6 are aligned at the same time.

또한, 본 발명의 프레임 일체형 마스크 제조 방법은, 30개의 셀 영역(CR: CR11~CR56)에 30개의 마스크(100)를 각각 대응시키고 정렬하는 30번의 과정에서의 제품 수득률이, 6개의 셀(C1~C6)을 각각 포함하는 5개의 마스크(10)[도 2의 (a) 참조]를 프레임(20)에 대응시키고 정렬하는 5번의 과정에서의 종래의 제품 수득률보다 훨씬 높게 나타날 수 있다. 한번에 6개씩의 셀(C)이 대응하는 영역에 6개의 셀(C1~C6)을 정렬하는 종래의 방법이 훨씬 번거롭고 어려운 작업이므로 제품 수율이 낮게 나타나는 것이다.In addition, in the method for manufacturing a frame-integrated mask of the present invention, the product yield in 30 processes of 30 masks 100 corresponding to and aligned with 30 cell regions (CR: CR11 to CR56) is 6 cells (C1). ~ C6), each of the five masks 10 (see FIG. 2 (a)), which correspond to and align the frame 20, may appear to be much higher than the conventional product yield in the five steps. Since the conventional method of arranging six cells C1 to C6 in a region corresponding to six cells C at a time is a much cumbersome and difficult operation, the product yield is low.

한편, 도 9의 (e) 단계에서 상술한 바와 같이, 라미네이션 공정으로 템플릿(50)에 도금막(110)을 접착할 때, 약 100℃의 온도가 도금막(110)에 가해질 수 있다. 이에 의해 도금막(110)에 일부 인장 장력이 걸린 상태로 템플릿(50)에 접착될 수 있다. 그 후, 마스크(100)가 프레임(200)에 접착되고, 템플릿(50)이 마스크(100)와 분리되면, 마스크(100)는 소정양 수축할 수 있다.Meanwhile, as described above in step (e) of FIG. 9, when the plating film 110 is attached to the template 50 by a lamination process, a temperature of about 100 ° C. may be applied to the plating film 110. Accordingly, the plated film 110 may be adhered to the template 50 in a state where some tensile tension is applied. Thereafter, when the mask 100 is adhered to the frame 200 and the template 50 is separated from the mask 100, the mask 100 may shrink in a predetermined amount.

각각의 마스크(100)들이 모두 대응되는 마스크 셀 영역(CR) 상에 접착된 후에 템플릿(50)과 마스크(100)들이 분리되면, 복수의 마스크(100)들이 상호 반대방향으로 수축되는 장력을 인가하기 때문에, 그 힘이 상쇄되어 마스크 셀 시트부(220)에는 변형이 일어나지 않게 된다. 예를 들어, CR11 셀 영역에 부착된 마스크(100)와 CR12 셀 영역에 부착된 마스크(100) 사이의 제1 그리드 시트부(223)는 CR11 셀 영역에 부착된 마스크(100)의 우측 방향으로 작용하는 장력과 CR12 셀 영역에 부착된 마스크(100)의 좌측 방향으로 작용하는 장력이 상쇄될 수 있다. 그리하여, 장력에 의한 프레임(200)[또는, 마스크 셀 시트부(220)]에는 변형이 최소화되어 마스크(100)[또는, 마스크 패턴(P)]의 정렬 오차가 최소화 될 수 있는 이점이 있다.When the templates 50 and the masks 100 are separated after each of the masks 100 are adhered to the corresponding mask cell area CR, a tension is applied to the plurality of masks 100 contracting in opposite directions. Therefore, the force is canceled, so that the deformation does not occur in the mask cell sheet portion 220. For example, the first grid sheet portion 223 between the mask 100 attached to the CR11 cell area and the mask 100 attached to the CR12 cell area is directed to the right side of the mask 100 attached to the CR11 cell area. The acting tension and the tension acting in the left direction of the mask 100 attached to the CR12 cell region may be canceled. Thus, the deformation of the frame 200 (or the mask cell sheet part 220) due to tension is minimized, so that an alignment error of the mask 100 (or the mask pattern P) can be minimized.

도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임 일체형 마스크(100, 200)를 이용한 OLED 화소 증착 장치(1000)를 나타내는 개략도이다.15 is a schematic diagram illustrating an OLED pixel deposition apparatus 1000 using frame-integrated masks 100 and 200 according to an embodiment of the present invention.

도 15를 참조하면, OLED 화소 증착 장치(1000)는, 마그넷(310)이 수용되고, 냉각수 라인(350)이 배설된 마그넷 플레이트(300)와, 마그넷 플레이트(300)의 하부로부터 유기물 소스(600)를 공급하는 증착 소스 공급부(500)를 포함한다.Referring to FIG. 15, the OLED pixel deposition apparatus 1000 includes a magnet plate 300 in which a magnet 310 is accommodated, a coolant line 350 is disposed, and an organic material source 600 from the bottom of the magnet plate 300. It includes a deposition source supply unit 500 for supplying.

마그넷 플레이트(300)와 소스 증착부(500) 사이에는 유기물 소스(600)가 증착되는 유리 등의 대상 기판(900)이 개재될 수 있다. 대상 기판(900)에는 유기물 소스(600)가 화소별로 증착되게 하는 프레임 일체형 마스크(100, 200)[또는, FMM]이 밀착되거나 매우 근접하도록 배치될 수 있다. 마그넷(310)이 자기장을 발생시키고 자기장에 의해 대상 기판(900)에 밀착될 수 있다.Between the magnet plate 300 and the source deposition unit 500, a target substrate 900 such as glass on which the organic source 600 is deposited may be interposed. The target substrate 900 may be disposed such that the frame-integrated masks 100 and 200 (or FMM) that allow the organic material source 600 to be deposited on a pixel-by-pixel basis are in close contact or very close. The magnet 310 generates a magnetic field and can be in close contact with the target substrate 900 by the magnetic field.

증착 소스 공급부(500)는 좌우 경로를 왕복하며 유기물 소스(600)를 공급할 수 있고, 증착 소스 공급부(500)에서 공급되는 유기물 소스(600)들은 프레임 일체형 마스크(100, 200)에 형성된 패턴(P)을 통과하여 대상 기판(900)의 일측에 증착될 수 있다. 프레임 일체형 마스크(100, 200)의 패턴(P)을 통과한 증착된 유기물 소스(600)는 OLED의 화소(700)로서 작용할 수 있다.The deposition source supply unit 500 may supply the organic material source 600 while reciprocating the left and right paths, and the organic material sources 600 supplied from the deposition source supply unit 500 may include patterns P formed in the frame-integrated masks 100 and 200. ) To be deposited on one side of the target substrate 900. The deposited organic source 600 that has passed through the pattern P of the frame-integrated masks 100 and 200 may act as the pixel 700 of the OLED.

새도우 이펙트(Shadow Effect)에 의한 화소(700)의 불균일 증착을 방지하기 위해, 프레임 일체형 마스크(100, 200)의 패턴은 경사지게 형성(S)[또는, 테이퍼 형상(S)으로 형성]될 수 있다. 경사진 면을 따라서 대각선 방향으로 패턴을 통과하는 유기물 소스(600)들도 화소(700)의 형성에 기여할 수 있으므로, 화소(700)는 전체적으로 두께가 균일하게 증착될 수 있다.In order to prevent uneven deposition of the pixels 700 by the shadow effect, the patterns of the frame-integrated masks 100 and 200 may be inclined (S) (or formed in a tapered shape (S)). . Since the organic material sources 600 passing through the pattern in the diagonal direction along the inclined surface may also contribute to the formation of the pixel 700, the pixel 700 may be uniformly deposited with a thickness as a whole.

마스크(100)는 화소 증착 공정 온도보다 높은 제1 온도 상에서 프레임(200)에 접착 고정되므로, 화소 증착을 위한 공정 온도로 상승시킨다고 하더라도, 마스크 패턴(P)의 위치에는 영향이 거의 없게 되며, 마스크(100)와 이에 이웃하는 마스크(100) 사이의 PPA는 3㎛를 초과하지 않도록 유지될 수 있다.Since the mask 100 is adhesively fixed to the frame 200 at a first temperature higher than the pixel deposition process temperature, even if it is raised to the process temperature for pixel deposition, the position of the mask pattern P is hardly affected. The PPA between 100 and its neighboring mask 100 may be maintained so as not to exceed 3 μm.

본 발명은 상술한 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형과 변경이 가능하다. 그러한 변형예 및 변경예는 본 발명과 첨부된 특허청구범위의 범위 내에 속하는 것으로 보아야 한다.The present invention has been illustrated and described with reference to preferred embodiments, as described above, but is not limited to the above embodiments and is varied by those skilled in the art to which the present invention pertains without departing from the spirit of the present invention. Modifications and modifications are possible. Such modifications and variations are to be regarded as falling within the scope of the invention and appended claims.

21: 전도성 기재
23: 제1 절연부
25: 제2 절연부
50: 템플릿(template)
51: 레이저 통과공
55: 임시접착부
70: 하부 지지체
100: 마스크
110: 도금막, 마스크 막
200: 프레임
210: 테두리 프레임부
220: 마스크 셀 시트부
221: 테두리 시트부
223: 제1 그리드 시트부
225: 제2 그리드 시트부
1000: OLED 화소 증착 장치
C: 셀, 마스크 셀
CR: 마스크 셀 영역
L: 레이저
R: 테두리 프레임부의 중공 영역
P: 마스크 패턴
W: 용접
WB: 용접 비드
WE: 식각
21: conductive substrate
23: first insulation
25: second insulation
50: template
51: laser through hole
55: temporary adhesive
70: lower support
100: mask
110: plating film, mask film
200: frame
210: border frame
220: mask cell sheet portion
221: border sheet portion
223: first grid sheet portion
225: second grid sheet portion
1000: OLED pixel deposition device
C: cell, mask cell
CR: mask cell area
L: laser
R: Hollow area of the border frame
P: mask pattern
W: Welding
WB: welding bead
WE: Etch

Claims (26)

(a) 제1 절연부가 일면 상에 형성된 도금막을 제공하는 단계;
(b) 도금막과 접촉하는 제1 절연부의 일면에 대향하는 타면을 템플릿 상부면에 접촉시키는 단계;
(c) 도금막의 타면 상에 패턴화된 제2 절연부를 형성하는 단계; 및
(d) 제2 절연부의 패턴 사이 공간을 통해 도금막을 식각하는 단계
를 포함하는, 마스크의 제조 방법.
(A) providing a plated film formed on one surface of the first insulating portion;
(b) contacting the upper surface of the template with the other surface facing the one surface of the first insulating portion contacting the plating film;
(c) forming a patterned second insulating portion on the other surface of the plated film; And
(d) etching the plated film through the space between the patterns of the second insulating portion
The manufacturing method of a mask containing the.
(a) 전도성 기재의 상부면 및 적어도 측면 상에 도금막을 형성하는 단계;
(b) 도금막의 일면 상에 패턴화된 제1 절연부를 형성하고, 제1 절연부의 패턴 사이 공간을 통해 도금막의 테두리의 적어도 일부를 제거하는 단계;
(c) 전도성 기재와 도금막을 분리하는 단계;
(d) 도금막과 접촉하는 제1 절연부의 일면에 대향하는 타면을 템플릿 상부면에 접촉시키는 단계;
(e) 도금막의 타면 상에 패턴화된 제2 절연부를 형성하는 단계; 및
(f) 제2 절연부의 패턴 사이 공간을 통해 도금막을 식각하는 단계
를 포함하는, 마스크의 제조 방법.
(a) forming a plating film on the top surface and at least the side surface of the conductive substrate;
(b) forming a patterned first insulating portion on one surface of the plated film, and removing at least a portion of the rim of the plated film through a space between the patterns of the first insulating portion;
(C) separating the conductive substrate and the plating film;
(d) contacting the other surface opposite to one surface of the first insulating portion in contact with the plated film to the upper surface of the template;
(e) forming a patterned second insulating portion on the other surface of the plated film; And
(f) etching the plated film through the space between the patterns of the second insulating portion
The manufacturing method of a mask containing the.
제2항에 있어서,
전도성 기재는 웨이퍼(wafer)인, 마스크의 제조 방법.
According to claim 2,
The conductive substrate is a wafer, a method of manufacturing a mask.
제2항에 있어서,
(a) 단계와 (b) 단계 사이에, 도금막을 열처리하는 공정을 더 수행하는, 마스크의 제조 방법.
According to claim 2,
Between (a) step and (b) step, the method of manufacturing a mask, further performing a process of heat-treating the plating film.
제1항 또는 제2항에 있어서,
템플릿의 상부면에 임시접착부가 형성되고, 임시접착부와 제1 절연부가 접촉하는, 마스크의 제조 방법.
The method according to claim 1 or 2,
A method of manufacturing a mask, wherein a temporary adhesive portion is formed on the upper surface of the template, and the temporary adhesive portion and the first insulating portion contact each other.
제5항에 있어서,
임시접착부는 액체 왁스(liquid wax)인, 마스크의 제조 방법.
The method of claim 5,
The temporary adhesive is a liquid wax.
제6항에 있어서,
액체 왁스는 85℃보다 낮은 온도에서 도금막과 템플릿을 고정 접착하는, 마스크의 제조 방법.
The method of claim 6,
The method of manufacturing a mask, in which the liquid wax adheres the plating film and the template at a temperature lower than 85 ° C.
제7항에 있어서,
도금막과 접촉하는 제1 절연부의 일면에 대향하는 타면을 템플릿 상부면에 접촉시키는 단계에서,
액체 왁스를 85℃ 이상으로 가열하고 제1 절연부를 템플릿에 접촉시킨 후, 도금막 및 템플릿을 롤러 사이에 통과시켜 접착을 수행하는, 마스크의 제조 방법.
The method of claim 7,
In the step of contacting the other surface of the first insulating portion in contact with the plating film to the upper surface of the template,
A method of manufacturing a mask, wherein the liquid wax is heated to 85 ° C. or higher and the first insulating portion is brought into contact with the template, and then the plating film and the template are passed between rollers to perform adhesion.
제1항에 있어서,
템플릿은 투명한 재질인, 마스크의 제조 방법.
According to claim 1,
The template is a transparent material, the manufacturing method of the mask.
제9항에 있어서,
템플릿은 글래스(glass), 실리카(silica), 내열유리, 석영(quartz), 알루미나(Al2O3), 붕규산유리(borosilicate glass) 중 어느 하나의 재질을 포함하는, 마스크의 제조 방법.
The method of claim 9,
The template includes a material of any one of glass, silica, heat-resistant glass, quartz, alumina (Al 2 O 3 ), and borosilicate glass.
적어도 하나의 마스크와 마스크를 지지하는 프레임이 일체로 형성된 프레임 일체형 마스크의 제조 방법으로서,
(a) 제1 절연부가 일면 상에 형성된 도금막을 제공하는 단계;
(b) 도금막과 접촉하는 제1 절연부의 일면에 대향하는 타면을 템플릿 상부면에 접촉시키는 단계;
(c) 도금막의 타면 상에 패턴화된 제2 절연부를 형성하는 단계;
(d) 제2 절연부의 패턴 사이 공간을 통해 도금막을 식각하는 단계;
(e) 적어도 하나의 마스크 셀 영역을 구비한 프레임을 제공하는 단계;
(f) 프레임 상에 템플릿을 로딩하여 마스크를 프레임의 마스크 셀 영역에 대응하는 단계; 및
(g) 마스크의 용접부에 레이저를 조사하여 마스크를 프레임에 접착하는 단계
를 포함하는, 프레임 일체형 마스크의 제조 방법.
A method of manufacturing a frame-integrated mask in which at least one mask and a frame supporting the mask are integrally formed,
(A) providing a plated film formed on one surface of the first insulating portion;
(b) contacting the upper surface of the template with the other surface facing the one surface of the first insulating portion contacting the plating film;
(c) forming a patterned second insulating portion on the other surface of the plated film;
(d) etching the plated film through the space between the patterns of the second insulating portion;
(e) providing a frame having at least one mask cell region;
(f) loading a template on the frame to correspond the mask to the mask cell area of the frame; And
(g) attaching the mask to the frame by irradiating a laser to the welding portion of the mask
A method of manufacturing a frame-integrated mask comprising a.
제11항에 있어서,
(e) 단계는,
(e1) 중공 영역을 포함하는 테두리 프레임부를 제공하는 단계;
(e2) 평면의 마스크 셀 시트부를 테두리 프레임부에 연결하는 단계; 및
(e3) 마스크 셀 시트부에 복수의 마스크 셀 영역을 형성하여 프레임을 제조하는 단계
를 포함하는, 프레임 일체형 마스크의 제조 방법.
The method of claim 11,
Step (e),
(e1) providing a border frame portion including a hollow region;
(e2) connecting the planar mask cell sheet portion to the border frame portion; And
(e3) forming a frame by forming a plurality of mask cell regions on the mask cell sheet portion
A method of manufacturing a frame-integrated mask comprising a.
제11항에 있어서,
(e) 단계는,
(e1) 중공 영역을 포함하는 테두리 프레임부를 제공하는 단계; 및
(e2) 복수의 마스크 셀 영역을 구비하는 마스크 셀 시트부를 테두리 프레임부에 연결하여 프레임을 제조하는 단계
를 포함하는, 프레임 일체형 마스크의 제조 방법.
The method of claim 11,
Step (e),
(e1) providing a border frame portion including a hollow region; And
(e2) manufacturing a frame by connecting a mask cell sheet portion having a plurality of mask cell regions to an edge frame portion
A method of manufacturing a frame-integrated mask comprising a.
제11항에 있어서,
임시접착부는 액체 왁스(liquid wax)인, 프레임 일체형 마스크의 제조 방법.
The method of claim 11,
The temporary adhesive portion is a liquid wax (liquid wax), the method of manufacturing a frame-integrated mask.
제14항에 있어서,
액체 왁스는 85℃보다 낮은 온도에서 도금막과 템플릿을 고정 접착하는, 프레임 일체형 마스크의 제조 방법.
The method of claim 14,
The liquid wax is a method of manufacturing a frame-integrated mask in which a plating film and a template are fixedly adhered at a temperature lower than 85 ° C.
제15항에 있어서,
(b) 단계에서, 액체 왁스를 85℃이상으로 가열하고 제1 절연부를 템플릿에 접촉시킨 후, 도금막 및 템플릿을 롤러 사이에 통과시켜 접착을 수행하는, 프레임 일체형 마스크의 제조 방법.
The method of claim 15,
In the step (b), the liquid wax is heated to 85 ° C. or higher and the first insulating portion is brought into contact with the template, and then the plating film and the template are passed between the rollers to perform adhesion.
제11항에 있어서,
템플릿은 투명한 재질인, 프레임 일체형 마스크의 제조 방법.
The method of claim 11,
The template is a transparent material, the method of manufacturing a frame-integrated mask.
제17항에 있어서,
템플릿은 글래스(glass), 실리카(silica), 내열유리, 석영(quartz), 알루미나(Al2O3), 붕규산유리(borosilicate glass) 중 어느 하나의 재질을 포함하는, 프레임 일체형 마스크의 제조 방법.
The method of claim 17,
The template includes a material of any one of glass, silica, heat-resistant glass, quartz, alumina (Al 2 O 3 ), and borosilicate glass.
제11항에 있어서,
마스크의 용접부에 대응하는 템플릿의 부분에 레이저 통과공이 형성되는, 프레임 일체형 마스크의 제조 방법.
The method of claim 11,
A method of manufacturing a frame-integrated mask in which a laser through hole is formed in a portion of a template corresponding to a weld portion of the mask.
제11항에 있어서,
레이저가 조사된 용접부의 부분에 용접 비드(bead)가 형성되고, 용접 비드는 마스크와 프레임이 일체로 연결되도록 매개하는, 프레임 일체형 마스크의 제조 방법.
The method of claim 11,
A method of manufacturing a frame-integrated mask, wherein a weld bead is formed on a portion of the welded portion where the laser is irradiated, and the weld bead mediates the mask and the frame to be integrally connected.
제11항에 있어서,
(g) 단계 이후, 임시접착부에 열 인가, 화학적 처리, 초음파 인가 중 적어도 어느 하나를 수행하여, 마스크와 템플릿을 분리하는 단계
를 더 포함하는, 프레임 일체형 마스크의 제조 방법.
The method of claim 11,
After step (g), performing at least one of heat application, chemical treatment, and ultrasonic application to the temporary adhesive portion to separate the mask and the template.
The method of manufacturing a frame-integrated mask further comprising a.
제12항 또는 제13항에 있어서,
마스크 셀 시트부는,
테두리 시트부; 및
제1 방향으로 연장 형성되고, 양단이 테두리 시트부에 연결되는 적어도 하나의 제1 그리드 시트부를 포함하는, 프레임 일체형 마스크의 제조 방법.
The method of claim 12 or 13,
The mask cell sheet portion,
Border sheet portion; And
A method of manufacturing a frame-integrated mask comprising at least one first grid sheet portion extending in a first direction and having both ends connected to an edge sheet portion.
제22항에 있어서,
마스크 셀 시트부는, 제1 방향에 수직인 제2 방향으로 연장 형성되어 제1 그리드 시트부와 교차되고, 양단이 테두리 시트부에 연결되는 적어도 하나의 제2 그리드 시트부를 더 포함하는, 프레임 일체형 마스크의 제조 방법.
The method of claim 22,
The mask cell sheet portion is formed to extend in a second direction perpendicular to the first direction, intersects the first grid sheet portion, and further includes at least one second grid sheet portion having both ends connected to the edge sheet portion. Method of manufacture.
제11 항에 있어서,
마스크 및 프레임은 인바(invar), 슈퍼 인바(super invar), 니켈, 니켈-코발트 중 어느 하나의 재질인, 프레임 일체형 마스크의 제조 방법.
The method of claim 11,
The mask and frame are made of any one of invar, super invar, nickel, and nickel-cobalt.
(a) 제1 절연부가 일면 상에 형성된 압연막을 제공하는 단계;
(b) 압연막과 접촉하는 제1 절연부의 일면에 대향하는 타면을 템플릿 상부면에 접촉시키는 단계;
(c) 압연막의 타면 상에 패턴화된 제2 절연부를 형성하는 단계; 및
(d) 제2 절연부의 패턴 사이 공간을 통해 압역막을 식각하는 단계
를 포함하는, 마스크의 제조 방법.
(A) providing a rolled film formed on one surface of the first insulating portion;
(b) contacting the other surface opposite to one surface of the first insulating portion contacting the rolled film to the upper surface of the template;
(c) forming a patterned second insulating portion on the other surface of the rolled film; And
(d) etching the pressed film through the space between the patterns of the second insulating portion
The manufacturing method of a mask containing the.
적어도 하나의 마스크와 마스크를 지지하는 프레임이 일체로 형성된 프레임 일체형 마스크의 제조 방법으로서,
(a) 제1 절연부가 일면 상에 형성된 압연막을 제공하는 단계;
(b) 압연막과 접촉하는 제1 절연부의 일면에 대향하는 타면을 템플릿 상부면에 접촉시키는 단계;
(c) 압연막의 타면 상에 패턴화된 제2 절연부를 형성하는 단계;
(d) 제2 절연부의 패턴 사이 공간을 통해 압연막을 식각하는 단계;
(e) 적어도 하나의 마스크 셀 영역을 구비한 프레임을 제공하는 단계;
(f) 프레임 상에 템플릿을 로딩하여 마스크를 프레임의 마스크 셀 영역에 대응하는 단계; 및
(g) 마스크의 용접부에 레이저를 조사하여 마스크를 프레임에 접착하는 단계
를 포함하는, 프레임 일체형 마스크의 제조 방법.
A method of manufacturing a frame-integrated mask in which at least one mask and a frame supporting the mask are integrally formed,
(A) providing a rolled film formed on one surface of the first insulating portion;
(b) contacting the other surface opposite to one surface of the first insulating portion contacting the rolled film to the upper surface of the template;
(c) forming a patterned second insulating portion on the other surface of the rolled film;
(d) etching the rolled film through the space between the patterns of the second insulating portion;
(e) providing a frame having at least one mask cell region;
(f) loading a template on the frame to correspond the mask to the mask cell area of the frame; And
(g) attaching the mask to the frame by irradiating a laser to the welding portion of the mask
A method of manufacturing a frame-integrated mask comprising a.
KR1020180120430A 2018-10-10 2018-10-10 Producing method of mask and producing method of mask integrated frame KR102236538B1 (en)

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