KR20210078465A - Template for supporting mask and producing method of mask integrated frame - Google Patents

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KR20210078465A
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Abstract

The present invention relates to a mask support template and to a manufacturing method of a frame-integrated mask. The mask support template according to the present invention is a template which supports a mask for forming an OLED pixel to correspond to a frame, and includes a template, a temporary adhesive unit formed on the template, and a mask having a mask pattern formed thereon while being adhered to the template through the temporary adhesive unit. The temporary adhesive unit is formed on the entire surface of the template on one surface, and the entire surface of the mask corresponding to the temporary adhesive unit is adhered.

Description

마스크 지지 템플릿 및 프레임 일체형 마스크의 제조 방법 {TEMPLATE FOR SUPPORTING MASK AND PRODUCING METHOD OF MASK INTEGRATED FRAME}Manufacturing method of mask support template and frame-integrated mask {TEMPLATE FOR SUPPORTING MASK AND PRODUCING METHOD OF MASK INTEGRATED FRAME}

본 발명은 마스크 지지 템플릿 및 프레임 일체형 마스크의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 마스크의 변형없이 안정적으로 지지 및 이동이 가능하고, 마스크를 프레임과 일체를 이룰 시 마스크와 프레임의 밀착력을 향상시킬 수 있으며, 각 마스크 간의 얼라인(align)을 명확하게 할 수 있는 마스크 지지 템플릿 및 프레임 일체형 마스크의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a mask support template and a method of manufacturing a frame-integrated mask. More specifically, it is possible to stably support and move the mask without deformation, and when the mask is integrated with the frame, the adhesion between the mask and the frame can be improved, and the alignment between each mask can be made clear. It relates to a mask support template and a method for manufacturing a frame-integrated mask.

OLED 제조 공정에서 화소를 형성하는 기술로, 박막의 금속 마스크(Shadow Mask)를 기판에 밀착시켜서 원하는 위치에 유기물을 증착하는 FMM(Fine Metal Mask) 법이 주로 사용된다.As a technology for forming pixels in the OLED manufacturing process, the FMM (Fine Metal Mask) method is mainly used to deposit an organic material at a desired location by attaching a thin metal mask to the substrate.

기존의 OLED 제조 공정에서는 마스크를 스틱 형태, 플레이트 형태 등으로 제조한 후, 마스크를 OLED 화소 증착 프레임에 용접 고정시켜 사용한다. 마스크 하나에는 디스플레이 하나에 대응하는 셀이 여러개 구비될 수 있다. 또한, 대면적 OLED 제조를 위해서 여러 개의 마스크를 OLED 화소 증착 프레임에 고정시킬 수 있는데, 프레임에 고정하는 과정에서 각 마스크가 평평하게 되도록 인장을 하게 된다. 마스크의 전체 부분이 평평하게 되도록 인장력을 조절하는 것은 매우 어려운 작업이다. 특히, 각 셀들을 모두 평평하게 하면서, 크기가 수 내지 수십 ㎛에 불과한 마스크 패턴을 정렬하기 위해서는, 마스크의 각 측에 가하는 인장력을 미세하게 조절하면서, 정렬 상태를 실시간으로 확인하는 고도의 작업이 요구된다.In the existing OLED manufacturing process, the mask is manufactured in the form of a stick or plate, and then the mask is welded and fixed to the OLED pixel deposition frame. A plurality of cells corresponding to one display may be provided in one mask. In addition, for large-area OLED manufacturing, multiple masks can be fixed to the OLED pixel deposition frame, and in the process of fixing to the frame, each mask is stretched so that it is flat. Adjusting the tension so that the entire part of the mask is flat is a very difficult task. In particular, in order to align a mask pattern with a size of only a few to several tens of μm while flattening each cell, it is necessary to finely control the tensile force applied to each side of the mask and check the alignment state in real time. do.

그럼에도 불구하고, 여러 개의 마스크를 하나의 프레임에 고정시키는 과정에서 마스크 상호간에, 그리고 마스크 셀들의 상호간에 정렬이 잘 되지 않는 문제점이 있었다. 또한, 마스크를 프레임에 용접 고정하는 과정에서 마스크 막의 두께가 너무 얇고 대면적이기 때문에 하중에 의해 마스크가 쳐지거나 뒤틀어지는 문제점, 용접 과정에서 용접 부분에 발생하는 주름, 번짐(burr) 등에 의해 마스크 셀의 정렬이 엇갈리게 되는 문제점 등이 있었다.Nevertheless, in the process of fixing a plurality of masks to one frame, there is a problem in that the masks are not well aligned with each other and between the mask cells. In addition, in the process of welding and fixing the mask to the frame, since the thickness of the mask film is too thin and large, the mask is sagging or twisted by load, and wrinkles and burrs occurring in the welding part during the welding process. There were problems such as misalignment of the alignment.

초고화질의 OLED의 경우, 현재 QHD 화질은 500~600 PPI(pixel per inch)로 화소의 크기가 약 30~50㎛에 이르며, 4K UHD, 8K UHD 고화질은 이보다 높은 ~860 PPI, ~1600 PPI 등의 해상도를 가지게 된다. 이렇듯 초고화질의 OLED의 화소 크기를 고려하여 각 셀들간의 정렬 오차를 수 ㎛ 정도로 감축시켜야 하며, 이를 벗어나는 오차는 제품의 실패로 이어지게 되므로 수율이 매우 낮아지게 될 수 있다. 그러므로, 마스크가 쳐지거나 뒤틀리는 등의 변형을 방지하고, 정렬을 명확하게 할 수 있는 기술, 마스크를 프레임에 고정하는 기술 등의 개발이 필요한 실정이다.In the case of ultra-high-definition OLED, the current QHD image quality is 500-600 PPI (pixel per inch), with a pixel size of about 30-50 μm, and 4K UHD and 8K UHD high-definition are higher than this: ~860 PPI, ~1600 PPI has a resolution of As such, it is necessary to reduce the alignment error between cells by several μm in consideration of the pixel size of the ultra-high-definition OLED, and an error outside of this may lead to product failure, and thus the yield may be very low. Therefore, there is a need to develop a technology capable of preventing deformation such as sagging or twisting of the mask, and clarifying alignment, and a technology of fixing the mask to a frame.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 제반 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 마스크를 변형없이 안정적으로 지지 및 이동이 가능한 마스크 지지 템플을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a mask support temple capable of stably supporting and moving the mask without deformation as devised to solve the problems of the prior art as described above.

또한, 본 발명은 마스크를 프레임에 부착할 때, 마스크와 프레임의 밀착력을 향상시킬 수 있는 마스크 지지 템플릿을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a mask support template capable of improving adhesion between the mask and the frame when the mask is attached to the frame.

또한, 본 발명은 마스크를 프레임에 부착한 후에 반복 사용이 가능한 마스크 지지 템플릿을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a mask support template that can be used repeatedly after the mask is attached to a frame.

또한, 본 발명은 마스크와 프레임이 일체형 구조를 이룰 수 있는 프레임 일체형 마스크의 제조 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing a frame-integrated mask in which the mask and the frame can form an integrated structure.

또한, 본 발명은 마스크가 쳐지거나 뒤틀리는 등의 변형을 방지하고 정렬을 명확하게 할 수 있는 프레임 일체형 마스크의 제조 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing a frame-integrated mask capable of preventing deformation such as sagging or warping of the mask and clarifying alignment.

또한, 본 발명은 제조시간을 현저하게 감축시키고, 수율을 현저하게 상승시킨 프레임 일체형 마스크의 제조 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing a frame-integrated mask that significantly reduces manufacturing time and significantly increases yield.

본 발명의 상기의 목적은, OLED 화소 형성용 마스크를 지지하여 프레임에 대응시키는 템플릿(template)의 제조 방법으로서, (a) 마스크 금속막을 제공하는 단계; (b) 일면에 임시접착부가 형성된 템플릿 상에 마스크 금속막을 접착하는 단계; 및 (c) 마스크 금속막에 마스크 패턴을 형성하여 마스크를 제조하는 단계를 포함하는, 마스크 지지 템플릿의 제조 방법에 의해 달성된다.The above object of the present invention is to provide a method of manufacturing a template corresponding to a frame by supporting a mask for forming an OLED pixel, the method comprising the steps of: (a) providing a mask metal film; (b) adhering a mask metal film on a template having a temporary adhesive portion formed on one surface; and (c) manufacturing a mask by forming a mask pattern on the mask metal film.

(b) 단계와 (c) 단계 사이에, 템플릿에 접착된 마스크 금속막의 두께를 감축하는 단계를 더 포함할 수 있다.Between steps (b) and (c), the method may further include reducing the thickness of the mask metal film adhered to the template.

임시접착부는 열을 가함에 따라 분리가 가능한 접착제 또는 접착 시트, UV 조사에 의해 분리가 가능한 접착제 또는 접착시트일 수 있다.The temporary adhesive part may be an adhesive or an adhesive sheet that can be separated by applying heat, or an adhesive or an adhesive sheet that can be separated by UV irradiation.

임시접착부는 템플릿의 일면 전체에 형성되고, 임시접착부의 전면(全面)에 마스크 금속막이 접착될 수 있다.The temporary adhesive portion may be formed on the entire surface of the template, and a mask metal film may be adhered to the entire surface of the temporary adhesive portion.

그리고, 본 발명의 상기의 목적은, OLED 화소 형성용 마스크를 지지하여 프레임에 대응시키는 템플릿으로서, 템플릿; 템플릿 상에 형성된 임시접착부; 및 임시접착부를 개재하여 템플릿 상에 접착되고, 마스크 패턴이 형성된 마스크를 포함하는, 마스크 지지 템플릿에 의해 달성된다.In addition, the above object of the present invention is to support a mask for forming an OLED pixel to correspond to a frame, comprising: a template; a temporary adhesive formed on the template; and a mask adhered on the template via a temporary adhesive portion and having a mask pattern formed thereon.

임시접착부는 템플릿의 일면 전체에 형성되고, 임시접착부의 전면(全面)에 마스크 금속막이 접착될 수 있다.The temporary adhesive portion may be formed on the entire surface of the template, and a mask metal film may be adhered to the entire surface of the temporary adhesive portion.

그리고, 본 발명의 상기의 목적은, 적어도 하나의 마스크와 마스크를 지지하는 프레임이 일체로 형성된 프레임 일체형 마스크의 제조 방법으로서, (a) 적어도 하나의 마스크 셀 영역을 구비한 프레임 상에, 상기 템플릿을 로딩하여 마스크를 프레임의 마스크 셀 영역에 대응하는 단계; 및 (b) 마스크를 프레임에 부착하는 단계를 포함하는, 프레임 일체형 마스크의 제조 방법에 의해 달성된다.And, the above object of the present invention is a method for manufacturing a frame-integrated mask in which at least one mask and a frame supporting the mask are integrally formed, (a) on a frame having at least one mask cell region, the template loading a mask to correspond to the mask cell region of the frame; and (b) attaching the mask to the frame.

상기와 같이 구성된 본 발명에 따르면, 마스크를 변형없이 안정적으로 지지 및 이동이 가능한 효과가 있다.According to the present invention configured as described above, there is an effect that the mask can be stably supported and moved without deformation.

또한, 본 발명에 따르면, 마스크를 프레임에 부착할 때, 마스크와 프레임의 밀착력을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.In addition, according to the present invention, when the mask is attached to the frame, there is an effect that can improve the adhesion between the mask and the frame.

또한, 본 발명에 따르면, 마스크를 프레임에 부착한 후에 반복 사용이 가능한 효과가 있다. In addition, according to the present invention, there is an effect that can be used repeatedly after the mask is attached to the frame.

또한, 본 발명에 따르면, 마스크와 프레임이 일체형 구조를 이룰 수 있는 효과가 있다.In addition, according to the present invention, there is an effect that the mask and the frame can form an integrated structure.

또한, 본 발명에 따르면, 마스크가 쳐지거나 뒤틀리는 등의 변형을 방지하고 정렬을 명확하게 할 수 있는 효과가 있다.In addition, according to the present invention, there is an effect of preventing deformation such as sagging or twisting of the mask and clarifying alignment.

또한, 본 발명에 따르면, 제조시간을 현저하게 감축시키고, 수율을 현저하게 상승시킬 수 있는 효과가 있다.In addition, according to the present invention, there is an effect that can significantly reduce the manufacturing time and significantly increase the yield.

도 1은 종래의 OLED 화소 증착용 마스크를 나타내는 개략도이다.
도 2는 종래의 마스크를 프레임에 부착하는 과정을 나타내는 개략도이다.
도 3은 종래의 마스크를 인장하는 과정에서 셀들간의 정렬 오차가 발생하는 것을 나타내는 개략도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임 일체형 마스크를 나타내는 정면도 및 측단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임을 나타내는 정면도 및 측단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임의 제조 과정을 나타내는 개략도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 프레임의 제조 과정을 나타내는 개략도이다.
도 8은 종래의 고해상도 OLED 형성을 위한 마스크를 나타내는 개략도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크를 나타내는 개략도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 금속막을 압연(rolling) 방식으로 제조하는 과정을 나타내는 개략도이다.
도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 마스크 금속막을 전주 도금(electroforming) 방식으로 제조하는 과정을 나타내는 개략도이다.
도 12 내지 도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 템플릿 상에 마스크 금속막을 접착하고 마스크를 형성하여 마스크 지지 템플릿을 제조하는 과정을 나타내는 개략도이다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 임시접착부를 나타내는 확대 단면 개략도이다.
도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 지지 템플릿을 프레임 상에 로딩하는 과정을 나타내는 개략도이다.
도 16은 본 발명의 일 실시예에 따른 템플릿을 프레임 상에 로딩하여 마스크를 프레임의 셀 영역에 대응시키는 상태를 나타내는 개략도이다.
도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크를 프레임에 부착한 후 마스크와 템플릿을 분리하는 과정을 나타내는 개략도이다.
도 18은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크를 프레임에 부착한 상태를 나타내는 개략도이다.
도 19는 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임 일체형 마스크를 이용한 OLED 화소 증착 장치를 나타내는 개략도이다.1 is a schematic diagram showing a conventional mask for OLED pixel deposition.
2 is a schematic diagram illustrating a process of attaching a conventional mask to a frame.
3 is a schematic diagram illustrating that an alignment error occurs between cells in a process of tensioning a conventional mask.
4 is a front view and a side cross-sectional view showing a frame-integrated mask according to an embodiment of the present invention.
5 is a front view and a side cross-sectional view showing a frame according to an embodiment of the present invention.
6 is a schematic diagram illustrating a manufacturing process of a frame according to an embodiment of the present invention.
7 is a schematic diagram showing a manufacturing process of a frame according to another embodiment of the present invention.
8 is a schematic diagram illustrating a conventional mask for forming a high-resolution OLED.
9 is a schematic diagram illustrating a mask according to an embodiment of the present invention.
10 is a schematic diagram illustrating a process of manufacturing a mask metal film by a rolling method according to an embodiment of the present invention.
11 is a schematic diagram illustrating a process of manufacturing a mask metal film by an electroforming method according to another embodiment of the present invention.
12 to 13 are schematic views illustrating a process of manufacturing a mask support template by bonding a mask metal film on a template and forming a mask according to an embodiment of the present invention.
14 is an enlarged cross-sectional schematic view showing a temporary adhesive according to an embodiment of the present invention.
15 is a schematic diagram illustrating a process of loading a mask support template onto a frame according to an embodiment of the present invention.
16 is a schematic diagram illustrating a state in which a template is loaded onto a frame and a mask corresponds to a cell region of the frame according to an embodiment of the present invention.
17 is a schematic diagram illustrating a process of separating the mask and the template after attaching the mask to the frame according to an embodiment of the present invention.
18 is a schematic diagram illustrating a state in which a mask is attached to a frame according to an embodiment of the present invention.
19 is a schematic diagram illustrating an OLED pixel deposition apparatus using a frame-integrated mask according to an embodiment of the present invention.

후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있기에 충분하도록 상세히 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭하며, 길이 및 면적, 두께 등과 그 형태는 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS [0010] DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS [0010] DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS [0023] Reference is made to the accompanying drawings, which show by way of illustration specific embodiments in which the invention may be practiced. These embodiments are described in sufficient detail to enable those skilled in the art to practice the present invention. It should be understood that the various embodiments of the present invention are different but need not be mutually exclusive. For example, certain shapes, structures, and characteristics described herein with respect to one embodiment may be embodied in other embodiments without departing from the spirit and scope of the invention. In addition, it should be understood that the location or arrangement of individual components within each disclosed embodiment may be changed without departing from the spirit and scope of the present invention. Accordingly, the detailed description set forth below is not intended to be taken in a limiting sense, and the scope of the invention, if properly described, is limited only by the appended claims, along with all scope equivalents to those claimed. In the drawings, like reference numerals refer to the same or similar functions in various aspects, and the length, area, thickness, and the like may be exaggerated for convenience.

이하에서는, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위하여, 본 발명의 바람직한 실시예들에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings in order to enable those of ordinary skill in the art to easily practice the present invention.

도 1은 종래의 OLED 화소 증착용 마스크(10)를 나타내는 개략도이다.1 is a schematic diagram showing a conventional mask 10 for OLED pixel deposition.

도 1을 참조하면, 종래의 마스크(10)는 스틱형(Stick-Type) 또는 판형(Plate-Type)으로 제조될 수 있다. 도 1의 (a)에 도시된 마스크(10)는 스틱형 마스크로서, 스틱의 양측을 OLED 화소 증착 프레임에 용접 고정시켜 사용할 수 있다. 도 1의 (b)에 도시된 마스크(100)는 판형(Plate-Type) 마스크로서, 넓은 면적의 화소 형성 공정에서 사용될 수 있다.Referring to FIG. 1 , the conventional mask 10 may be manufactured in a stick-type or plate-type shape. The mask 10 shown in FIG. 1A is a stick-type mask, and can be used by welding and fixing both sides of the stick to the OLED pixel deposition frame. The mask 100 illustrated in FIG. 1B is a plate-type mask and may be used in a process of forming a large area pixel.

마스크(10)의 바디(Body)[또는, 마스크 막(11)]에는 복수의 디스플레이 셀(C)이 구비된다. 하나의 셀(C)은 스마트폰 등의 디스플레이 하나에 대응한다. 셀(C)에는 디스플레이의 각 화소에 대응하도록 화소 패턴(P)이 형성된다. 셀(C)을 확대하면 R, G, B에 대응하는 복수의 화소 패턴(P)이 나타난다. 일 예로, 셀(C)에는 70 X 140의 해상도를 가지도록 화소 패턴(P)이 형성된다. 즉, 수많은 화소 패턴(P)들은 군집을 이루어 셀(C) 하나를 구성하며, 복수의 셀(C)들이 마스크(10)에 형성될 수 있다.A plurality of display cells C are provided in the body of the mask 10 (or the mask film 11 ). One cell C corresponds to one display such as a smart phone. A pixel pattern P is formed in the cell C to correspond to each pixel of the display. When the cell C is enlarged, a plurality of pixel patterns P corresponding to R, G, and B appear. For example, a pixel pattern P is formed in the cell C to have a resolution of 70×140. That is, numerous pixel patterns P form a group to constitute one cell C, and a plurality of cells C may be formed on the mask 10 .

도 2는 종래의 마스크(10)를 프레임(20)에 부착하는 과정을 나타내는 개략도이다. 도 3은 종래의 마스크(10)를 인장(F1~F2)하는 과정에서 셀들간의 정렬 오차가 발생하는 것을 나타내는 개략도이다. 도 1의 (a)에 도시된 6개의 셀(C: C1~C6)을 구비하는 스틱 마스크(10)를 예로 들어 설명한다.2 is a schematic diagram illustrating a process of attaching the conventional mask 10 to the frame 20 . 3 is a schematic diagram illustrating that an alignment error occurs between cells in the process of stretching (F1 to F2) the conventional mask 10 . The stick mask 10 including six cells (C: C1 to C6) shown in FIG. 1A will be described as an example.

도 2의 (a)를 참조하면, 먼저, 스틱 마스크(10)를 평평하게 펴야한다. 스틱 마스크(10)의 장축 방향으로 인장력(F1~F2)을 가하여 당김에 따라 스틱 마스크(10)가 펴지게 된다. 그 상태로 사각틀 형태의 프레임(20) 상에 스틱 마스크(10)를 로딩한다. 스틱 마스크(10)의 셀(C1~C6)들은 프레임(20)의 틀 내부 빈 영역 부분에 위치하게 된다. 프레임(20)은 하나의 스틱 마스크(10)의 셀(C1~C6)들이 틀 내부 빈 영역에 위치할 정도의 크기일 수 있고, 복수의 스틱 마스크(10)의 셀(C1~C6)들이 틀 내부 빈 영역에 위치할 정도의 크기일 수도 있다.Referring to FIG. 2A , first, the stick mask 10 should be flattened. The stick mask 10 is unfolded as it is pulled by applying tensile forces F1 to F2 in the long axis direction of the stick mask 10 . In this state, the stick mask 10 is loaded on the frame 20 in the form of a square frame. The cells C1 to C6 of the stick mask 10 are located in the blank area inside the frame 20 of the frame 20 . The frame 20 may have a size such that the cells C1 to C6 of one stick mask 10 are located in an empty area inside the frame, and the cells C1 to C6 of the plurality of stick masks 10 are placed in the frame. It may be large enough to be located in the inner blank area.

도 2의 (b)를 참조하면, 스틱 마스크(10)의 각 측에 가하는 인장력(F1~F2)을 미세하게 조절하면서 정렬을 시킨 후, 스틱 마스크(10) 측면의 일부를 용접(W)함에 따라 스틱 마스크(10)와 프레임(20)을 상호 연결한다. 도 2의 (c)는 상호 연결된 스틱 마스크(10)와 프레임의 측단면을 나타낸다.Referring to Figure 2 (b), after aligning while finely adjusting the tensile force (F1 ~ F2) applied to each side of the stick mask 10, a part of the side of the stick mask 10 is welded (W) Accordingly, the stick mask 10 and the frame 20 are interconnected. FIG. 2(c) shows a cross-section of the stick mask 10 and the frame connected to each other.

도 3을 참조하면, 스틱 마스크(10)의 각 측에 가하는 인장력(F1~F2)을 미세하게 조절함에도 불구하고, 마스크 셀(C1~C3)들의 상호간에 정렬이 잘 되지 않는 문제점이 나타난다. 가령, 셀(C1~C3)들의 패턴(P)간에 거리(D1~D1", D2~D2")가 상호 다르게 되거나, 패턴(P)들이 비뚤어지는 것이 그 예이다. 스틱 마스크(10)는 복수(일 예로, 6개)의 셀(C1~C6)을 포함하는 대면적이고, 수십 ㎛ 수준의 매우 얇은 두께를 가지기 때문에, 하중에 의해 쉽게 쳐지거나 뒤틀어지게 된다. 또한, 각 셀(C1~C6)들을 모두 평평하게 하도록 인장력(F1~F2)을 조절하면서, 각 셀(C1~C6)들간의 정렬 상태를 현미경을 통해 실시간으로 확인하는 것은 매우 어려운 작업이다.Referring to FIG. 3 , in spite of finely adjusting the tensile forces F1 to F2 applied to each side of the stick mask 10 , there is a problem in that the mask cells C1 to C3 are not well aligned with each other. For example, the distances D1 to D1″ and D2 to D2″ between the patterns P of the cells C1 to C3 are different from each other, or the patterns P are skewed. Since the stick mask 10 has a large area including a plurality of (eg, six) cells C1 to C6 and has a very thin thickness of several tens of μm, it is easily sagged or twisted by a load. In addition, it is very difficult to check the alignment state between the cells C1 to C6 in real time through a microscope while adjusting the tensile force F1 to F2 to flatten all the cells C1 to C6.

따라서, 인장력(F1~F2)의 미세한 오차는 스틱 마스크(10) 각 셀(C1~C3)들이 늘어나거나, 펴지는 정도에 오차를 발생시킬 수 있고, 그에 따라 마스크 패턴(P)간에 거리(D1~D1", D2~D2")가 상이해지게 되는 문제점을 발생시킨다. 물론, 완벽하게 오차가 0이 되도록 정렬하는 것은 어려운 것이지만, 크기가 수 내지 수십 ㎛인 마스크 패턴(P)이 초고화질 OLED의 화소 공정에 악영향을 미치지 않도록 하기 위해서는, 정렬 오차가 3㎛를 초과하지 않는 것이 바람직하다. 이렇게 인접하는 셀 사이의 정렬 오차를 PPA(pixel position accuracy)라 지칭한다.Accordingly, a minute error in the tensile force F1 to F2 may cause an error in the extent to which each cell C1 to C3 of the stick mask 10 is stretched or unfolded, and accordingly, the distance D1 between the mask patterns P ~D1", D2~D2") causes a problem that becomes different. Of course, it is difficult to align perfectly so that the error is 0, but in order to prevent the mask pattern P having a size of several to several tens of μm from adversely affecting the pixel process of the ultra-high-definition OLED, the alignment error should not exceed 3 μm. It is preferable not to This alignment error between adjacent cells is referred to as pixel position accuracy (PPA).

이에 더하여, 대략 6~20개 정도의 복수의 스틱 마스크(10)들을 프레임(20) 하나에 각각 연결하면서, 복수의 스틱 마스크(10)들간에, 그리고 스틱 마스크(10)의 복수의 셀(C~C6)들간에 정렬 상태를 명확히 하는 것도 매우 어려운 작업이고, 정렬에 따른 공정 시간이 증가할 수밖에 없게 되어 생산성을 감축시키는 중대한 이유가 된다.In addition, approximately 6 to 20 of a plurality of stick masks 10 are connected to one frame 20 , respectively, between the plurality of stick masks 10 and a plurality of cells C of the stick mask 10 . It is also very difficult to clarify the alignment state between ~C6), and the processing time according to alignment is inevitably increased, which is a significant reason for reducing productivity.

한편, 스틱 마스크(10)를 프레임(20)에 연결 고정시킨 후에는, 스틱 마스크(10)에 가해졌던 인장력(F1~F2)이 프레임(20)에 역으로 작용할 수 있다. 즉, 인장력(F1~F2)에 의해 팽팽히 늘어났던 스틱 마스크(10)가 프레임(20)에 연결된 후에 프레임(20)에 장력(tension)을 작용할 수 있다. 보통 이 장력이 크지 않아서 프레임(20)에 큰 영향을 미치지 않을 수 있으나, 프레임(20)의 크기가 소형화되고 강성이 낮아지는 경우에는 이러한 장력이 프레임(20)을 미세하게 변형시킬 수 있다. 그리하면 복수의 셀(C~C6)들간에 정렬 상태가 틀어지는 문제가 발생할 수 있다.Meanwhile, after the stick mask 10 is connected and fixed to the frame 20 , the tensile forces F1 to F2 applied to the stick mask 10 may reversely act on the frame 20 . That is, after the stick mask 10 , which has been stretched taut by the tensile forces F1 to F2 , is connected to the frame 20 , a tension may be applied to the frame 20 . Usually, this tension is not large, so it may not have a significant effect on the frame 20 , but when the size of the frame 20 is reduced in size and rigidity is lowered, this tension may slightly deform the frame 20 . In this way, a problem in which the alignment state is misaligned among the plurality of cells C to C6 may occur.

이에, 본 발명은 마스크(100)가 프레임(200)과 일체형 구조를 이룰 수 있게 하는 프레임(200) 및 프레임 일체형 마스크를 제안한다. 프레임(200)에 일체로 형성되는 마스크(100)는 쳐지거나 뒤틀리는 등의 변형이 방지되고, 프레임(200)에 명확히 정렬될 수 있다. 마스크(100)가 프레임(200)에 연결될 때 마스크(100)에 어떠한 인장력도 가하지 않으므로, 마스크(100)가 프레임(200)에 연결된 후 프레임(200)이 변형될 정도의 장력을 가하지 않을 수 있다. 그리고, 마스크(100)를 프레임(200)에 일체로 연결하는 제조시간을 현저하게 감축시키고, 수율을 현저하게 상승시킬 수 있는 이점을 가진다.Accordingly, the present invention proposes a frame 200 and a frame-integrated mask that allows the mask 100 to form an integrated structure with the frame 200 . The mask 100 integrally formed with the frame 200 is prevented from being deformed such as sagging or twisting, and can be clearly aligned with the frame 200 . Since no tensile force is applied to the mask 100 when the mask 100 is connected to the frame 200, a tension sufficient to deform the frame 200 after the mask 100 is connected to the frame 200 may not be applied. . And, it has the advantage of significantly reducing the manufacturing time for integrally connecting the mask 100 to the frame 200 and significantly increasing the yield.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임 일체형 마스크를 나타내는 정면도[도 4의 (a)] 및 측단면도[도 4의 (b)]이고, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임을 나타내는 정면도[도 5의 (a)] 및 측단면도[도 5의 (b)]이다.4 is a front view [FIG. 4 (a)] and a side cross-sectional view [FIG. 4 (b)] showing a frame-integrated mask according to an embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a frame-integrated mask according to an embodiment of the present invention. It is a front view [FIG. 5(a)] and a side cross-sectional view [FIG. 5(b)] which show a frame.

도 4 및 도 5를 참조하면, 프레임 일체형 마스크는, 복수의 마스크(100) 및 하나의 프레임(200)을 포함할 수 있다. 다시 말해, 복수의 마스크(100)들을 각각 하나씩 프레임(200)에 부착한 형태이다. 이하에서는, 설명의 편의상 사각 형태의 마스크(100)를 예로 들어 설명하나, 마스크(100)들은 프레임(200)에 부착되기 전에는 양측에 클램핑되는 돌출부를 구비한 스틱 마스크 형태일 수 있으며, 프레임(200)에 부착된 후에 돌출부가 제거될 수 있다.4 and 5 , the frame-integrated mask may include a plurality of masks 100 and one frame 200 . In other words, a plurality of masks 100 are attached to the frame 200 one by one. Hereinafter, for convenience of explanation, the mask 100 having a rectangular shape will be described as an example, but the masks 100 may be in the form of a stick mask having protrusions clamped on both sides before being attached to the frame 200 , and the frame 200 . ) after being attached to the protrusion can be removed.

각각의 마스크(100)에는 복수의 마스크 패턴(P)이 형성되며, 하나의 마스크(100)에는 하나의 셀(C)이 형성될 수 있다. 하나의 마스크 셀(C)은 스마트폰 등의 디스플레이 하나에 대응할 수 있다.A plurality of mask patterns P may be formed on each mask 100 , and one cell C may be formed on one mask 100 . One mask cell C may correspond to one display such as a smart phone.

마스크(100)는 열팽창계수가 약 1.0 X 10-6/℃인 인바(invar), 약 1.0 X 10-7/℃ 인 슈퍼 인바(super invar) 재질일 수 있다. 이 재질의 마스크(100)는 열팽창계수가 매우 낮기 때문에 열에너지에 의해 마스크의 패턴 형상이 변형될 우려가 적어 고해상도 OLED 제조에서 있어서 FMM(Fine Metal Mask), 새도우 마스크(Shadow Mask)로 사용될 수 있다. 이 외에, 최근에 온도 변화값이 크지 않은 범위에서 화소 증착 공정을 수행하는 기술들이 개발되는 것을 고려하면, 마스크(100)는 이보다 열팽창계수가 약간 큰 니켈(Ni), 니켈-코발트(Ni-Co) 등의 재질일 수도 있다. 마스크(100)는 압연(rolling) 공정 또는 전주 도금(electroforming)으로 생성한 금속 시트(sheet)를 사용할 수 있다. 도 9 및 도 10을 통해 구체적으로 후술한다.Mask 100 may be a coefficient of thermal expansion of about 1.0 X 10 -6 / ℃ of invar (invar), about 1.0 X 10 -7 / ℃ Super Invar (super invar) material. Since the mask 100 made of this material has a very low coefficient of thermal expansion, there is little risk of the pattern shape of the mask being deformed by thermal energy, so it can be used as a fine metal mask (FMM) or a shadow mask in high-resolution OLED manufacturing. In addition, considering that technologies for performing a pixel deposition process in a range where the temperature change value is not large recently, the mask 100 may have a slightly larger coefficient of thermal expansion than nickel (Ni) and nickel-cobalt (Ni-Co). ) may be a material such as The mask 100 may use a metal sheet produced by a rolling process or electroforming. It will be described in detail later with reference to FIGS. 9 and 10 .

프레임(200)은 복수의 마스크(100)를 부착시킬 수 있도록 형성된다. 프레임(200)은 최외곽 테두리를 포함해 제1 방향(예를 들어, 가로 방향), 제2 방향(예를 들어, 세로 방향)으로 형성되는 여러 모서리를 포함할 수 있다. 이러한 여러 모서리들은 프레임(200) 상에 마스크(100)가 부착될 구역을 구획할 수 있다.The frame 200 is formed so that a plurality of masks 100 can be attached thereto. The frame 200 may include several corners formed in a first direction (eg, a horizontal direction) and a second direction (eg, a vertical direction) including an outermost edge. These various corners may define a region on the frame 200 to which the mask 100 is to be attached.

프레임(200)은 대략 사각 형상, 사각틀 형상의 테두리 프레임부(210)를 포함할 수 있다. 테두리 프레임부(210)의 내부는 중공 형태일 수 있다. 즉, 테두리 프레임부(210)는 중공 영역(R)을 포함할 수 있다. 프레임(200)은 인바, 슈퍼인바, 알루미늄, 티타늄 등의 금속 재질로 구성될 수 있으며, 열변형을 고려하여 마스크와 동일한 열팽창계수를 가지는 인바, 슈퍼 인바, 니켈, 니켈-코발트 등의 재질로 구성되는 것이 바람직하고, 이 재질들은 프레임(200)의 구성요소인 테두리 프레임부(210), 마스크 셀 시트부(220)에 모두 적용될 수 있다.The frame 200 may include an edge frame portion 210 having a substantially rectangular shape or a rectangular frame shape. The inside of the edge frame part 210 may have a hollow shape. That is, the edge frame portion 210 may include the hollow region (R). The frame 200 may be made of a metal material such as Invar, Super Invar, aluminum, or titanium, and is made of Invar, Super Invar, Nickel, Nickel-Cobalt, etc., having the same coefficient of thermal expansion as the mask in consideration of thermal deformation. Preferably, these materials may be applied to both the edge frame part 210 and the mask cell sheet part 220 that are components of the frame 200 .

이에 더하여, 프레임(200)은 복수의 마스크 셀 영역(CR)을 구비하며, 테두리 프레임부(210)에 연결되는 마스크 셀 시트부(220)를 포함할 수 있다. 마스크 셀 시트부(220)는 마스크(100)와 마찬가지로 압연으로 형성되거나, 전주도금과 같은 그 외의 막 형성 공정을 사용하여 형성될 수도 있다. 또한, 마스크 셀 시트부(220)는 평면의 시트(sheet)에 레이저 스크라이빙, 에칭 등을 통해 복수의 마스크 셀 영역(CR)을 형성한 후, 테두리 프레임부(210)에 연결할 수 있다. 또는, 마스크 셀 시트부(220)는 평면의 시트를 테두리 프레임부(210)에 연결한 후, 레이저 스크라이빙, 에칭 등을 통해 복수의 마스크 셀 영역(CR)을 형성할 수 있다. 본 명세서에서는 마스크 셀 시트부(220)에 먼저 복수의 마스크 셀 영역(CR)을 형성한 후, 테두리 프레임부(210)에 연결한 것을 주로 상정하여 설명한다.In addition, the frame 200 may include a plurality of mask cell regions CR, and may include a mask cell sheet unit 220 connected to the edge frame unit 210 . Like the mask 100 , the mask cell sheet part 220 may be formed by rolling, or may be formed using other film forming processes such as electroplating. In addition, the mask cell sheet unit 220 may be connected to the edge frame unit 210 after forming a plurality of mask cell regions CR on a flat sheet through laser scribing, etching, or the like. Alternatively, the mask cell sheet unit 220 may form a plurality of mask cell regions CR through laser scribing, etching, or the like after connecting a flat sheet to the edge frame unit 210 . In the present specification, it is mainly assumed that a plurality of mask cell regions CR are first formed on the mask cell sheet part 220 and then connected to the edge frame part 210 .

마스크 셀 시트부(220)는 테두리 시트부(221) 및 제1, 2 그리드 시트부(223, 225) 중 적어도 하나를 포함하여 구성될 수 있다. 테두리 시트부(221) 및 제1, 2 그리드 시트부(223, 225)는 동일한 시트에서 구획된 각 부분을 지칭하며, 이들은 상호간에 일체로 형성된다.The mask cell sheet part 220 may include at least one of the edge sheet part 221 and the first and second grid sheet parts 223 and 225 . The edge sheet portion 221 and the first and second grid sheet portions 223 and 225 refer to partitioned portions of the same sheet, and they are integrally formed with each other.

테두리 시트부(221)가 실질적으로 테두리 프레임부(210)에 연결될 수 있다. 따라서, 테두리 시트부(221)는 테두리 프레임부(210)와 대응하는 대략 사각 형상, 사각틀 형상을 가질 수 있다.The edge sheet part 221 may be substantially connected to the edge frame part 210 . Accordingly, the edge sheet part 221 may have a substantially rectangular shape or a rectangular frame shape corresponding to the edge frame part 210 .

또한, 제1 그리드 시트부(223)는 제1 방향(가로 방향)으로 연장 형성될 수 있다. 제1 그리드 시트부(223)는 직선 형태로 형성되어 양단이 테두리 시트부(221)에 연결될 수 있다. 마스크 셀 시트부(220)가 복수의 제1 그리드 시트부(223)를 포함하는 경우, 각각의 제1 그리드 시트부(223)는 동등한 간격을 이루는 것이 바람직하다.Also, the first grid sheet part 223 may be formed to extend in a first direction (horizontal direction). The first grid sheet part 223 may be formed in a straight shape so that both ends thereof may be connected to the edge sheet part 221 . When the mask cell sheet part 220 includes a plurality of first grid sheet parts 223 , it is preferable that each of the first grid sheet parts 223 form equal intervals.

또한, 이에 더하여, 제2 그리드 시트부(225)가 제2 방향(세로 방향)으로 연장 형성될 수 있다. 제2 그리드 시트부(225)는 직선 형태로 형성되어 양단이 테두리 시트부(221)에 연결될 수 있다. 제1 그리드 시트부(223)와 제2 그리드 시트부(225)는 서로 수직 교차될 수 있다. 마스크 셀 시트부(220)가 복수의 제2 그리드 시트부(225)를 포함하는 경우, 각각의 제2 그리드 시트부(225)는 동등한 간격을 이루는 것이 바람직하다.In addition, the second grid sheet part 225 may be formed to extend in the second direction (vertical direction). The second grid sheet part 225 may be formed in a straight shape so that both ends thereof may be connected to the edge sheet part 221 . The first grid sheet part 223 and the second grid sheet part 225 may vertically cross each other. When the mask cell sheet part 220 includes a plurality of second grid sheet parts 225 , it is preferable that the respective second grid sheet parts 225 form equal intervals.

한편, 제1 그리드 시트부(223)들 간의 간격과, 제2 그리드 시트부(225)들 간의 간격은 마스크 셀(C)의 크기에 따라서 동일하거나 상이할 수 있다.Meanwhile, the distance between the first grid sheet parts 223 and the distance between the second grid sheet parts 225 may be the same or different depending on the size of the mask cell C. As shown in FIG.

제1 그리드 시트부(223) 및 제2 그리드 시트부(225)는 박막 형태의 얇은 두께를 가지지만, 길이 방향에 수직하는 단면의 형상은 직사각형, 사다리꼴과 같은 사각형 형상, 삼각형 형상 등일 수 있고, 변, 모서리 부분이 일부 라운딩 될 수도 있다. 단면 형상은 레이저 스크라이빙, 에칭 등의 과정에서 조절 가능하다.Although the first grid sheet part 223 and the second grid sheet part 225 have a thin thickness in the form of a thin film, the shape of the cross-section perpendicular to the longitudinal direction may be a rectangle, a rectangular shape such as a trapezoid, a triangular shape, etc., The sides and corners may be partially rounded. The cross-sectional shape can be adjusted in the process of laser scribing, etching, etc.

테두리 프레임부(210)의 두께는 마스크 셀 시트부(220)의 두께보다 두꺼울 수 있다. 테두리 프레임부(210)는 프레임(200)의 전체 강성을 담당하기 때문에 수mm 내지 수cm의 두께로 형성될 수 있다.The thickness of the edge frame part 210 may be thicker than the thickness of the mask cell sheet part 220 . The edge frame portion 210 may be formed to a thickness of several mm to several cm because it is responsible for the overall rigidity of the frame (200).

마스크 셀 시트부(220)의 경우는, 실질적으로 두꺼운 시트를 제조하는 공정이 어렵고, 너무 두꺼우면 OLED 화소 증착 공정에서 유기물 소스(600)[도 19 참조]가 마스크(100)를 통과하는 경로를 막는 문제를 발생시킬 수 있다. 반대로, 두께가 너무 얇아지면 마스크(100)를 지지할 정도의 강성 확보가 어려울 수 있다. 이에 따라, 마스크 셀 시트부(220)는 테두리 프레임부(210)의 두께보다는 얇지만, 마스크(100)보다는 두꺼운 것이 바람직하다. 마스크 셀 시트부(220)의 두께는, 약 0.1mm 내지 1mm 정도로 형성될 수 있다. 그리고, 제1, 2 그리드 시트부(223, 225)의 폭은 약 1~5mm 정도로 형성될 수 있다.In the case of the mask cell sheet part 220 , the process of manufacturing a substantially thick sheet is difficult, and if it is too thick, the organic material source 600 (see FIG. 19 ) passes through the mask 100 in the OLED pixel deposition process. It may cause clogging problems. Conversely, if the thickness is too thin, it may be difficult to secure enough rigidity to support the mask 100 . Accordingly, the mask cell sheet portion 220 is thinner than the thickness of the edge frame portion 210 , but preferably thicker than the mask 100 . The thickness of the mask cell sheet part 220 may be about 0.1 mm to about 1 mm. In addition, the width of the first and second grid sheet parts 223 and 225 may be about 1 to 5 mm.

평면의 시트에서 테두리 시트부(221), 제1, 2 그리드 시트부(223, 225)가 점유하는 영역을 제외하여, 복수의 마스크 셀 영역(CR: CR11~CR56)이 제공될 수 있다. 다른 관점에서, 마스크 셀 영역(CR)이라 함은, 테두리 프레임부(210)의 중공 영역(R)에서 테두리 시트부(221), 제1, 2 그리드 시트부(223, 225)가 점유하는 영역을 제외한, 빈 영역을 의미할 수 있다.In the flat sheet, a plurality of mask cell regions CR: CR11 to CR56 may be provided except for regions occupied by the edge sheet part 221 and the first and second grid sheet parts 223 and 225 . From another point of view, the mask cell region CR refers to an area occupied by the edge sheet part 221 and the first and second grid sheet parts 223 and 225 in the hollow region R of the edge frame part 210 . , but may mean an empty area.

이 마스크 셀 영역(CR)에 마스크(100)의 셀(C)이 대응됨에 따라, 실질적으로 마스크 패턴(P)을 통해 OLED의 화소가 증착되는 통로로 이용될 수 있게 된다. 전술하였듯이 하나의 마스크 셀(C)은 스마트폰 등의 디스플레이 하나에 대응한다. 하나의 마스크(100)에는 하나의 셀(C)을 구성하는 마스크 패턴(P)들이 형성될 수 있다. 또는, 하나의 마스크(100)가 복수의 셀(C)을 구비하고 각각의 셀(C)이 프레임(200)의 각각의 셀 영역(CR)에 대응할 수도 있으나, 마스크(100)의 명확한 정렬을 위해서는 대면적 마스크(100)를 지양할 필요가 있고, 하나의 셀(C)을 구비하는 소면적 마스크(100)가 바람직하다. 또는, 프레임(200)의 하나의 셀 영역(CR)에 복수의 셀(C)을 가지는 하나의 마스크(100)가 대응할 수도 있다. 이 경우, 명확한 정렬을 위해서는 2-3개 정도의 소수의 셀(C)을 가지는 마스크(100)를 대응하는 것을 고려할 수 있다.As the cell C of the mask 100 corresponds to the mask cell region CR, it can be used as a path through which pixels of the OLED are deposited substantially through the mask pattern P. As described above, one mask cell C corresponds to one display such as a smart phone. Mask patterns P constituting one cell C may be formed on one mask 100 . Alternatively, one mask 100 may include a plurality of cells C, and each cell C may correspond to each cell region CR of the frame 200, but the mask 100 may be clearly aligned. For this, it is necessary to avoid the large-area mask 100 , and the small-area mask 100 including one cell C is preferable. Alternatively, one mask 100 having a plurality of cells C may correspond to one cell region CR of the frame 200 . In this case, it may be considered to correspond to the mask 100 having a small number of cells C of about 2-3 for clear alignment.

프레임(200)은 복수의 마스크 셀 영역(CR)을 구비하고, 각각의 마스크(100)는 각각 하나의 마스크 셀(C)이 마스크 셀 영역(CR)에 대응되도록 부착될 수 있다. 각각의 마스크(100)는 복수의 마스크 패턴(P)이 형성된 마스크 셀(C) 및 마스크 셀(C) 주변의 더미[셀(C)을 제외한 마스크 막(110) 부분에 대응]를 포함할 수 있다. 더미는 마스크 막(110)만을 포함하거나, 마스크 패턴(P)과 유사한 형태의 소정의 더미 패턴이 형성된 마스크 막(110)을 포함할 수 있다. 마스크 셀(C)은 프레임(200)의 마스크 셀 영역(CR)에 대응하고, 더미의 일부 또는 전부가 프레임(200)[마스크 셀 시트부(220)]에 부착될 수 있다. 이에 따라, 마스크(100)와 프레임(200)이 일체형 구조를 이룰 수 있게 된다.The frame 200 includes a plurality of mask cell regions CR, and each mask 100 may be attached such that one mask cell C corresponds to the mask cell region CR. Each mask 100 may include a mask cell C on which a plurality of mask patterns P are formed and a dummy (corresponding to a portion of the mask film 110 excluding the cell C) around the mask cell C. have. The dummy may include only the mask layer 110 or the mask layer 110 on which a predetermined dummy pattern similar to the mask pattern P is formed. The mask cell C corresponds to the mask cell region CR of the frame 200 , and a part or all of the dummy may be attached to the frame 200 (mask cell sheet unit 220 ). Accordingly, the mask 100 and the frame 200 can form an integrated structure.

한편, 다른 실시예에 따르면, 프레임은 테두리 프레임부(210)에 마스크 셀 시트부(220)를 부착하여 제조하지 않고, 테두리 프레임부(210)의 중공 영역(R) 부분에 테두리 프레임부(210)와 일체인 그리드 프레임[그리드 시트부(223, 225)에 대응]을 곧바로 형성한 프레임을 사용할 수도 있다. 이러한 형태의 프레임도 적어도 하나의 마스크 셀 영역(CR)을 포함하며, 마스크 셀 영역(CR)에 마스크(100)를 대응시켜 프레임 일체형 마스크를 제조할 수 있게 된다.Meanwhile, according to another embodiment, the frame is not manufactured by attaching the mask cell sheet unit 220 to the frame frame unit 210 , but the frame frame unit 210 is formed in the hollow region R of the frame frame unit 210 . ) and a grid frame (corresponding to the grid sheet portions 223 and 225) integrally formed thereon may be used. This type of frame also includes at least one mask cell region CR, and by matching the mask 100 to the mask cell region CR, a frame-integrated mask can be manufactured.

이하에서는, 프레임 일체형 마스크를 제조하는 과정에 대해 설명한다.Hereinafter, a process for manufacturing the frame-integrated mask will be described.

먼저, 도 4 및 도 5에서 상술한 프레임(200)을 제공할 수 있다. 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임(200)의 제조 과정을 나타내는 개략도이다.First, the frame 200 described above with reference to FIGS. 4 and 5 may be provided. 6 is a schematic diagram illustrating a manufacturing process of the frame 200 according to an embodiment of the present invention.

도 6의 (a)를 참조하면, 테두리 프레임부(210)를 제공한다. 테두리 프레임부(210)는 중공 영역(R)을 포함한 사각 틀 형상일 수 있다.Referring to (a) of FIG. 6 , an edge frame part 210 is provided. The edge frame part 210 may have a rectangular frame shape including the hollow region R.

다음으로, 도 6의 (b)를 참조하면, 마스크 셀 시트부(220)를 제조한다. 마스크 셀 시트부(220)는 압연, 전주도금 또는 그 외의 막 형성 공정을 사용하여 평면의 시트를 제조한 후, 레이저 스크라이빙, 에칭 등을 통해 마스크 셀 영역(CR) 부분을 제거함에 따라 제조할 수 있다. 본 명세서에서는 6 X 5의 마스크 셀 영역(CR: CR11~CR56)을 형성한 것을 예로 들어 설명한다. 5개의 제1 그리드 시트부(223) 및 4개의 제2 그리드 시트부(225)가 존재할 수 있다.Next, referring to FIG. 6B , the mask cell sheet part 220 is manufactured. The mask cell sheet part 220 is manufactured by manufacturing a flat sheet using rolling, electroplating, or other film forming process, and then removing the mask cell region CR part through laser scribing, etching, etc. can do. In the present specification, a case in which 6 X 5 mask cell regions CR: CR11 to CR56 are formed will be described as an example. Five first grid sheet parts 223 and four second grid sheet parts 225 may exist.

다음으로, 마스크 셀 시트부(220)를 테두리 프레임부(210)에 대응할 수 있다. 대응시키는 과정에서, 마스크 셀 시트부(220)의 모든 측을 인장(F1~F4)하여 마스크 셀 시트부(220)를 평평하게 편 상태로 테두리 시트부(221)를 테두리 프레임부(210)에 대응할 수 있다. 한 측에서도 여러 포인트[도 6의 (b)의 예로, 1~3포인트]로 마스크 셀 시트부(220)를 잡고 인장할 수 있다. 한편, 모든 측이 아니라, 일부 측 방향을 따라 마스크 셀 시트부(220)를 인장(F1, F2) 할 수도 있다.Next, the mask cell sheet part 220 may correspond to the edge frame part 210 . In the process of matching, all sides of the mask cell sheet part 220 are stretched (F1 to F4), and the edge sheet part 221 is attached to the edge frame part 210 in a state where the mask cell sheet part 220 is flattened. can respond. One side may also hold the mask cell sheet 220 at several points (eg, 1 to 3 points in FIG. 6(b) ) and tension it. Meanwhile, the mask cell sheet unit 220 may be stretched (F1, F2) along some lateral directions instead of all sides.

다음으로, 마스크 셀 시트부(220)를 테두리 프레임부(210)에 대응하면, 마스크 셀 시트부(220)의 테두리 시트부(221)를 용접(W)하여 부착할 수 있다. 마스크 셀 시트부(220)가 테두리 프레임부(220)에 견고하게 부착될 수 있도록, 모든 측을 용접(W)하는 것이 바람직하다. 용접(W)은 테두리 프레임부(210)의 모서리쪽에 최대한 가깝게 수행하여야 테두리 프레임부(210)와 마스크 셀 시트부(220) 사이의 들뜬 공간을 최대한 줄이고 밀착성을 높일 수 있게 된다. 용접(W) 부분은 라인(line) 또는 스팟(spot) 형태로 생성될 수 있으며, 마스크 셀 시트부(220)와 동일한 재질을 가지고 테두리 프레임부(210)와 마스크 셀 시트부(220)를 일체로 연결하는 매개체가 될 수 있다.Next, when the mask cell sheet part 220 corresponds to the edge frame part 210 , the edge sheet part 221 of the mask cell sheet part 220 may be attached by welding (W). It is preferable to weld (W) all sides so that the mask cell sheet part 220 can be firmly attached to the edge frame part 220 . Welding (W) should be performed as close to the edge of the edge frame part 210 as possible to reduce the floating space between the edge frame part 210 and the mask cell sheet part 220 as much as possible and increase adhesion. The weld (W) portion may be generated in the form of a line or a spot, and has the same material as the mask cell sheet 220 and integrates the edge frame 210 and the mask cell sheet 220 together. It can be a medium that connects

도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 프레임의 제조 과정을 나타내는 개략도이다. 도 6의 실시예는 마스크 셀 영역(CR)을 구비한 마스크 셀 시트부(220)를 먼저 제조하고 테두리 프레임부(210)에 부착하였으나, 도 7의 실시예는 평면의 시트를 테두리 프레임부(210)에 부착한 후에, 마스크 셀 영역(CR) 부분을 형성한다.7 is a schematic diagram showing a manufacturing process of a frame according to another embodiment of the present invention. In the embodiment of FIG. 6 , the mask cell sheet part 220 having the mask cell region CR is first manufactured and attached to the edge frame part 210 , but in the embodiment of FIG. 7 , a flat sheet is used as the edge frame part ( After attaching to 210 , a mask cell region CR portion is formed.

먼저, 도 6의 (a)처럼, 중공 영역(R)을 포함한 테두리 프레임부(210)를 제공한다.First, as shown in (a) of Figure 6, the frame portion 210 including the hollow region (R) is provided.

다음으로, 도 7의 (a)를 참조하면, 테두리 프레임부(210)에 평면의 시트[평면의 마스크 셀 시트부(220')]를 대응할 수 있다. 마스크 셀 시트부(220')는 아직 마스크 셀 영역(CR)이 형성되지 않은 평면 상태이다. 대응시키는 과정에서, 마스크 셀 시트부(220')의 모든 측을 인장(F1~F4)하여 마스크 셀 시트부(220')를 평평하게 편 상태로 테두리 프레임부(210)에 대응할 수 있다. 한 측에서도 여러 포인트[도 7의 (a)의 예로, 1~3포인트]로 마스크 셀 시트부(220')를 잡고 인장할 수 있다. 한편, 모든 측이 아니라, 일부 측 방향을 따라 마스크 셀 시트부(220')를 인장(F1, F2) 할 수도 있다.Next, referring to FIG. 7A , a flat sheet (planar mask cell sheet portion 220 ′) may correspond to the edge frame portion 210 . The mask cell sheet part 220 ′ is in a planar state in which the mask cell region CR is not yet formed. In the process of matching, all sides of the mask cell sheet part 220' may be stretched (F1 to F4) to correspond to the edge frame part 210 in a state in which the mask cell sheet part 220' is flattened. On one side, the mask cell sheet unit 220 ′ may be held and tensioned at several points (eg, 1 to 3 points in FIG. 7A ). Meanwhile, the mask cell sheet unit 220 ′ may be stretched (F1, F2) along some lateral directions instead of all sides.

다음으로, 마스크 셀 시트부(220')를 테두리 프레임부(210)에 대응하면, 마스크 셀 시트부(220')의 테두리 부분을 용접(W)하여 부착할 수 있다. 마스크 셀 시트부(220')가 테두리 프레임부(220)에 견고하게 부착될 수 있도록, 모든 측을 용접(W)하는 것이 바람직하다. 용접(W)은 테두리 프레임부(210)의 모서리쪽에 최대한 가깝게 수행하여야 테두리 프레임부(210)와 마스크 셀 시트부(220') 사이의 들뜬 공간을 최대한 줄이고 밀착성을 높일 수 있게 된다. 용접(W) 부분은 라인(line) 또는 스팟(spot) 형태로 생성될 수 있으며, 마스크 셀 시트부(220')와 동일한 재질을 가지고 테두리 프레임부(210)와 마스크 셀 시트부(220')를 일체로 연결하는 매개체가 될 수 있다.Next, when the mask cell sheet portion 220 ′ corresponds to the edge frame portion 210 , the edge portion of the mask cell sheet portion 220 ′ may be attached by welding (W). It is preferable to weld (W) all sides so that the mask cell sheet part 220 ′ can be firmly attached to the edge frame part 220 . Welding (W) should be performed as close as possible to the edge of the edge frame part 210, so that the floating space between the edge frame part 210 and the mask cell sheet part 220' can be reduced as much as possible and adhesion can be increased. The weld (W) portion may be formed in the form of a line or a spot, and has the same material as the mask cell sheet portion 220 ′, and includes the edge frame portion 210 and the mask cell sheet portion 220 ′. It can be a medium that connects them together.

다음으로, 도 7의 (b)를 참조하면, 평면의 시트[평면의 마스크 셀 시트부(220')]에 마스크 셀 영역(CR)을 형성한다. 레이저 스크라이빙, 에칭 등을 통해 마스크 셀 영역(CR) 부분의 시트를 제거함에 따라 마스크 셀 영역(CR)을 형성할 수 있다. 본 명세서에서는 6 X 5의 마스크 셀 영역(CR: CR11~CR56)을 형성한 것을 예로 들어 설명한다. 마스크 셀 영역(CR)을 형성하게 되면, 테두리 프레임부(210)와 용접(W)된 부분이 테두리 시트부(221)가 되고, 5개의 제1 그리드 시트부(223) 및 4개의 제2 그리드 시트부(225)를 구비하는 마스크 셀 시트부(220)가 구성될 수 있다.Next, referring to FIG. 7B , a mask cell region CR is formed on a flat sheet (planar mask cell sheet portion 220 ′). The mask cell region CR may be formed by removing the sheet of the mask cell region CR through laser scribing, etching, or the like. In the present specification, a case in which 6 X 5 mask cell regions CR: CR11 to CR56 are formed will be described as an example. When the mask cell region CR is formed, the edge frame portion 210 and the welded portion W become the edge sheet portion 221 , and five first grid sheet portions 223 and four second grids are formed. The mask cell sheet unit 220 including the sheet unit 225 may be configured.

도 8은 종래의 고해상도 OLED 형성을 위한 마스크를 나타내는 개략도이다.8 is a schematic diagram illustrating a conventional mask for forming a high-resolution OLED.

고해상도의 OLED를 구현하기 위해 패턴의 크기가 줄어들고 있으며, 이를 위해 사용되는 마스크 금속막의 두께도 얇아질 필요가 있다. 도 8의 (a)와 같이, 고해상도의 OLED 화소(6)를 구현하려면, 마스크(10')에서 화소 간격 및 화소 크기 등을 줄여야 한다(PD -> PD'). 또한, 새도우 이펙트에 의한 OLED 화소(6)가 불균일하게 증착되는 것을 막기 위하여, 마스크(10')의 패턴을 경사지게 형성(14)할 필요가 있다. 하지만, 약 30~50 ㎛정도의 두께(T1)를 가져 두꺼운 마스크(10')에 패턴을 경사지게 형성(14)하는 과정에서, 미세한 화소 간격(PD') 및 화소 크기에 맞는 패터닝(13)을 하기 어렵기 때문에 가공 공정에서 수율이 나빠지는 원인이 된다. 다시 말해, 미세한 화소 간격(PD')을 가지고 경사지게 패턴을 형성(14)하기 위해서는 얇은 두께의 마스크(10')를 사용하여야 한다.In order to realize a high-resolution OLED, the size of the pattern is being reduced, and for this, the thickness of the mask metal film used for this needs to be reduced. As shown in (a) of FIG. 8 , in order to implement the high-resolution OLED pixel 6 , the pixel interval and the pixel size in the mask 10' must be reduced (PD -> PD'). In addition, in order to prevent non-uniform deposition of the OLED pixels 6 due to the shadow effect, it is necessary to form the pattern 14 of the mask 10 ′ to be inclined. However, in the process of obliquely forming the pattern 14 on the thick mask 10' having a thickness T1 of about 30-50 μm, patterning 13 suitable for the fine pixel spacing PD' and the pixel size is performed. Since it is difficult to carry out, it becomes a cause of a yield deterioration in a processing process. In other words, in order to form the pattern 14 to be inclined with a fine pixel interval PD', a thin mask 10' must be used.

특히, UHD 수준의 고해상도를 위해서는, 도 8의 (b)와 같이, 20㎛ 이하 정도의 두께(T2)를 가지는 얇은 마스크(10')를 사용하여야 미세한 패터닝을 할 수 있게 된다. 또한, UHD 이상의 초고해상도를 위해서는 10㎛ 정도의 두께(T2)를 가지는 얇은 마스크(10')의 사용을 고려할 수 있다.In particular, for a high resolution of UHD level, as shown in FIG. 8B , a thin mask 10 ′ having a thickness T2 of about 20 μm or less must be used to perform fine patterning. In addition, for ultra-high resolution of UHD or higher, the use of a thin mask 10 ′ having a thickness T2 of about 10 μm may be considered.

도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크(100)를 나타내는 개략도이다.9 is a schematic diagram illustrating a mask 100 according to an embodiment of the present invention.

마스크(100)는 복수의 마스크 패턴(P)이 형성된 마스크 셀(C) 및 마스크 셀(C) 주변의 더미(DM)를 포함할 수 있다. 압연 공정, 전주 도금 등으로 생성한 금속 시트로 마스크(100)를 제조할 수 있고, 마스크(100)에는 하나의 셀(C)이 형성될 수 있음은 상술한 바 있다. 더미(DM)는 셀(C)을 제외한 마스크 막(110)[마스크 금속막(110)] 부분에 대응하고, 마스크 막(110)만을 포함하거나, 마스크 패턴(P)과 유사한 형태의 소정의 더미 패턴이 형성된 마스크 막(110)을 포함할 수 있다. 더미(DM)는 마스크(100)의 테두리에 대응하여 더미(DM)의 일부 또는 전부가 프레임(200)[마스크 셀 시트부(220)]에 부착될 수 있다.The mask 100 may include a mask cell C on which a plurality of mask patterns P are formed and a dummy DM around the mask cell C. It has been described above that the mask 100 can be manufactured from a metal sheet produced by a rolling process, electroplating, or the like, and that one cell C can be formed in the mask 100 . The dummy DM corresponds to a portion of the mask film 110 (mask metal film 110 ) excluding the cell C, and includes only the mask film 110 or a predetermined dummy having a shape similar to the mask pattern P. The patterned mask layer 110 may be included. A part or all of the dummy DM may be attached to the frame 200 (the mask cell sheet unit 220 ) corresponding to the edge of the mask 100 .

마스크 패턴(P)의 폭은 40㎛보다 작게 형성될 수 있고, 마스크(100)의 두께는 약 5~20㎛로 형성될 수 있다. 프레임(200)이 복수의 마스크 셀 영역(CR: CR11~CR56)을 구비하므로, 각각의 마스크 셀 영역(CR: CR11~CR56)에 대응하는 마스크 셀(C: C11~C56)을 가지는 마스크(100)도 복수개 구비할 수 있다.The width of the mask pattern P may be formed to be smaller than 40 μm, and the thickness of the mask 100 may be formed to be about 5 to 20 μm. Since the frame 200 includes a plurality of mask cell regions CR: CR11 to CR56, the mask 100 having mask cells C: C11 to C56 corresponding to each of the mask cell regions CR: CR11 to CR56. ) may also be provided in plurality.

마스크(100)의 일면(101)은 프레임(200)에 접촉하여 부착될 면이기 때문에 평평한 것이 바람직하다. 후술할 평탄화 공정으로 일면(101)이 평평해지면서 경면화 될 수 있다. 마스크(100)의 타면(102)은 후술할 템플릿(50)의 일면과 대향할 수 있다.Since one surface 101 of the mask 100 is a surface to be attached in contact with the frame 200, it is preferable that the mask 100 be flat. One surface 101 may be mirror-finished while being flattened by a planarization process to be described later. The other surface 102 of the mask 100 may face one surface of the template 50 to be described later.

이하에서는, 마스크 금속막(110')을 제조하고, 이를 템플릿(50)에 지지시켜 마스크(100)를 제조하며, 마스크(100)가 지지된 템플릿(50)을 프레임(200) 상에 로딩하고 마스크(100)를 프레임(200)에 부착함에 따라 프레임 일체형 마스크를 제조하는 일련의 공정을 설명한다.Hereinafter, the mask metal film 110 ′ is manufactured, the mask 100 is manufactured by supporting it on the template 50 , and the template 50 on which the mask 100 is supported is loaded on the frame 200 , A series of processes for manufacturing the frame-integrated mask by attaching the mask 100 to the frame 200 will be described.

도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 금속막을 압연(rolling) 방식으로 제조하는 과정을 나타내는 개략도이다. 도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 마스크 금속막을 전주 도금(electroforming) 방식으로 제조하는 과정을 나타내는 개략도이다.10 is a schematic diagram illustrating a process of manufacturing a mask metal film by a rolling method according to an embodiment of the present invention. 11 is a schematic diagram illustrating a process of manufacturing a mask metal film by an electroforming method according to another embodiment of the present invention.

먼저, 마스크 금속막(110)을 준비할 수 있다. 일 실시예로서, 압연 방식으로 마스크 금속막(110)을 준비할 수 있다.First, the mask metal layer 110 may be prepared. As an embodiment, the mask metal layer 110 may be prepared by a rolling method.

도 10의 (a)를 참조하면, 압연 공정으로 생성한 금속 시트를 마스크 금속막(110')으로 사용할 수 있다. 압연 공정으로 제조된 금속 시트는 제조 공정상 수십 내지 수백 ㎛의 두께를 가질 수 있다. 도 8에서 전술한 바와 같이, UHD 수준의 고해상도를 위해서는 20㎛ 이하 정도의 두께를 가지는 얇은 마스크 금속막(110)을 사용하여야 미세한 패터닝을 할 수 있고, UHD 이상의 초고해상도를 위해서는 10㎛ 정도의 두께를 가지는 얇은 마스크 금속막(110)을 사용하여야 한다. 하지만, 압연(rolling) 공정으로 생성한 마스크 금속막(110')은 약 25~500㎛ 정도의 두께를 가지므로, 두께가 더 얇게 해야할 필요가 있다.Referring to FIG. 10A , a metal sheet produced by a rolling process may be used as the mask metal layer 110 ′. The metal sheet manufactured by the rolling process may have a thickness of several tens to hundreds of μm in the manufacturing process. As described above in FIG. 8 , for a high resolution of UHD level, a thin mask metal film 110 having a thickness of about 20 μm or less can be used to perform fine patterning, and for an ultra high resolution of UHD or higher, a thickness of about 10 μm is used. A thin mask metal film 110 having However, since the mask metal layer 110 ′ produced by the rolling process has a thickness of about 25 μm to 500 μm, it is necessary to make the mask metal layer 110 ′ thinner.

따라서, 마스크 금속막(110')의 일면을 평탄화(PS)하는 공정을 더 수행할 수 있다. 여기서 평탄화(PS)는 마스크 금속막(110')의 일면(상면)을 경면화 하면서 동시에 마스크 금속막(110')의 상부를 일부 제거하여 두께를 얇게 감축시키는 것을 의미한다. 평탄화(PS)는 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 방법으로 수행할 수 있고, 공지의 CMP 방법을 제한없이 사용할 수 있다. 또한, 화학적 습식 식각(chemical wet etching) 또는 건식 식각(dry etching) 방법으로 마스크 금속막(110')의 두께를 감축시킬 수 있다. 이 외에도 마스크 금속막(110')의 두께를 얇게 하는 평탄화가 가능한 공정을 제한없이 사용할 수 있다.Accordingly, a process of planarizing (PS) one surface of the mask metal layer 110 ′ may be further performed. Here, the planarization PS refers to reducing the thickness of the mask metal layer 110 ′ to a thin layer by removing a portion of the upper portion of the mask metal layer 110 ′ while mirroring the one surface (top surface) of the mask metal layer 110 ′. The planarization (PS) may be performed by a chemical mechanical polishing (CMP) method, and a known CMP method may be used without limitation. In addition, the thickness of the mask metal layer 110 ′ may be reduced by a chemical wet etching or a dry etching method. In addition to this, a planarization process capable of reducing the thickness of the mask metal layer 110 ′ may be used without limitation.

평탄화(PS)를 수행하는 과정에서, 일 예로 CMP 과정에서, 마스크 금속막(110') 상부면의 표면 조도(Ra)가 제어될 수 있다. 바람직하게는, 표면 조도가 더 감소하는 경면화가 진행될 수 있다. 또는, 다른 예로, 화학적 습식 식각 또는 건식 식각 과정을 진행하여 평탄화(PS)를 수행한 후, 이후에 별개의 CMP 공정 등의 폴리싱 공정을 더하여 표면 조도(Ra)를 감소시킬 수도 있다.In the process of performing a flattening (PS), in the CMP process, For example, a mask, a metal film (110 '), the surface roughness of the top surface (R a) can be controlled. Preferably, mirror-finishing in which the surface roughness is further reduced may be performed. Alternatively, as another example, after performing planarization (PS) by performing a chemical wet etching or dry etching process, a polishing process such as a separate CMP process may be added thereafter to reduce the surface roughness (R a ).

이처럼, 마스크 금속막(110')의 두께를 약 50㎛ 이하로 얇게 만들 수 있다. 이에 따라 마스크 금속막(110)의 두께는 약 2㎛ 내지 50㎛ 정도로 형성되는 것이 바람직하며, 더 바람직하게는 두께는 약 5㎛ 내지 20㎛ 정도로 형성될 수 있다. 하지만, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다.As such, the thickness of the mask metal layer 110 ′ can be made as thin as about 50 μm or less. Accordingly, the thickness of the mask metal layer 110 is preferably formed to be about 2 μm to 50 μm, and more preferably, the thickness may be formed to about 5 μm to 20 μm. However, it is not necessarily limited thereto.

도 10의 (b)를 참조하면, 도 10의 (a)와 마찬가지로, 압연 공정으로 제조한 마스크 금속막(110')에 대해서 두께를 감축시켜 마스크 금속막(110)을 제조할 수 있다. 다만, 마스크 금속막(110')은 후술할 템플릿(50) 상에 임시접착부(55)를 개재하여 접착된 상태에서 평탄화(PS) 공정이 수행되어 두께가 감축될 수 있다.Referring to FIG. 10B , similarly to FIG. 10A , the mask metal layer 110 may be manufactured by reducing the thickness of the mask metal layer 110 ′ manufactured by the rolling process. However, the thickness of the mask metal film 110 ′ may be reduced by performing a planarization (PS) process in a state in which the mask metal film 110 ′ is adhered to the template 50 with a temporary adhesive portion 55 interposed therebetween.

다른 실시예로서, 전주 도금 방식으로 마스크 금속막(110)을 준비할 수 있다.As another embodiment, the mask metal layer 110 may be prepared by electroplating.

도 11의 (a)를 참조하면, 전도성 기재(21)를 준비한다. 전주 도금(electroforming)을 수행할 수 있도록, 모판의 기재(21)는 전도성 재질일 수 있다. 모판은 전주 도금에서 음극체(cathode) 전극으로 사용될 수 있다.Referring to FIG. 11A , a conductive substrate 21 is prepared. In order to perform electroforming, the substrate 21 of the mother plate may be made of a conductive material. The mother plate can be used as a cathode electrode in electroplating.

전도성 재질로서, 메탈의 경우에는 표면에 메탈 옥사이드들이 생성되어 있을 수 있고, 메탈 제조 과정에서 불순물이 유입될 수 있으며, 다결정 실리콘 기재의 경우에는 개재물 또는 결정립계(Grain Boundary)가 존재할 수 있으며, 전도성 고분자 기재의 경우에는 불순물이 함유될 가능성이 높고, 강도. 내산성 등이 취약할 수 있다. 메탈 옥사이드, 불순물, 개재물, 결정립계 등과 같이 모판(또는, 음극체)의 표면에 전기장이 균일하게 형성되는 것을 방해하는 요소를 "결함"(Defect)으로 지칭한다. 결함(Defect)에 의해, 상술한 재질의 음극체에는 균일한 전기장이 인가되지 못하여 도금막(110)[또는, 마스크 금속막(110)]의 일부가 불균일하게 형성될 수 있다.As a conductive material, in the case of a metal, metal oxides may be generated on the surface, impurities may be introduced during the metal manufacturing process, and in the case of a polycrystalline silicon substrate, inclusions or grain boundaries may exist, and a conductive polymer In the case of a base material, it is highly likely to contain impurities, and strength. Acid resistance, etc. may be weak. Elements that prevent the uniform formation of an electric field on the surface of the mother plate (or cathode body), such as metal oxides, impurities, inclusions, and grain boundaries, are referred to as “defects”. Due to the defect, a uniform electric field may not be applied to the cathode body made of the above-described material, so that a portion of the plating film 110 (or the mask metal film 110 ) may be non-uniformly formed.

UHD 급 이상의 초고화질 화소를 구현하는데 있어서 도금막 및 도금막 패턴[마스크 패턴(P)]의 불균일은 화소의 형성에 악영향을 미칠 수 있다. 예를 들어, 현재 QHD 화질의 경우는 500~600 PPI(pixel per inch)로 화소의 크기가 약 30~50㎛에 이르며, 4K UHD, 8K UHD 고화질의 경우는 이보다 높은 ~860 PPI, ~1600 PPI 등의 해상도를 가지게 된다. VR 기기에 직접 적용되는 마이크로 디스플레이, 또는 VR 기기에 끼워서 사용되는 마이크로 디스플레이는 약 2,000 PPI 이상급의 초고화질을 목표로 하고 있고, 화소의 크기는 약 5~10㎛ 정도에 이르게 된다. 이에 적용되는 FMM, 새도우 마스크의 패턴 폭은 수~수십㎛의 크기, 바람직하게는 30㎛보다 작은 크기로 형성될 수 있으므로, 수㎛ 크기의 결함조차 마스크의 패턴 사이즈에서 큰 비중을 차지할 정도의 크기이다. 또한, 상술한 재질의 음극체에서의 결함을 제거하기 위해서는 메탈 옥사이드, 불순물 등을 제거하기 위한 추가적인 공정이 수행될 수 있으며, 이 과정에서 음극체 재료가 식각되는 등의 또 다른 결함이 유발될 수도 있다.In realizing ultra-high-definition pixels of UHD level or higher, the non-uniformity of the plating film and the plating film pattern (mask pattern P) may adversely affect the formation of the pixel. For example, in the case of the current QHD image quality, the pixel size reaches about 30-50㎛ with 500-600 PPI (pixel per inch), and in the case of 4K UHD and 8K UHD high-definition, higher ~860 PPI, ~1600 PPI resolution, etc. A micro display applied directly to a VR device or a micro display used by inserting a VR device aims for an ultra-high resolution of about 2,000 PPI or higher, and the size of the pixel reaches about 5 to 10 μm. The pattern width of the FMM and shadow mask applied thereto can be formed in a size of several to several tens of μm, preferably smaller than 30 μm, so that even defects with a size of several μm occupy a large proportion in the pattern size of the mask. to be. In addition, in order to remove defects in the anode body made of the above material, an additional process for removing metal oxides, impurities, etc. may be performed, and in this process, other defects such as etching of the cathode body material may be induced. have.

따라서, 본 발명은 단결정 재질의 모판(또는, 음극체)을 사용할 수 있다. 특히, 단결정 실리콘 재질인 것이 바람직하다. 전도성을 가지도록, 단결정 실리콘 재질의 모판에는 1019/cm3이상의 고농도 도핑이 수행될 수 있다. 도핑은 모판의 전체에 수행될 수도 있으며, 모판의 표면 부분에만 수행될 수도 있다.Therefore, in the present invention, a single crystal material mother plate (or negative electrode body) may be used. In particular, it is preferable that the material is single-crystal silicon. To have conductivity, a high concentration doping of 10 19 /cm 3 or more may be performed on the mother plate made of single crystal silicon. The doping may be performed on the entire mother plate or only on the surface portion of the mother plate.

한편, 단결정 재질로는, Ti, Cu, Ag 등의 금속, GaN, SiC, GaAs, GaP, AlN, InN, InP, Ge 등의 반도체, 흑연(graphite), 그래핀(graphene) 등의 탄소계 재질, CH3NH3PbCl3, CH3NH3PbBr3, CH3NH3PbI3, SrTiO3 등을 포함하는 페로브스카이트(perovskite) 구조 등의 초전도체용 단결정 세라믹, 항공기 부품용 단결정 초내열합금 등이 사용될 수 있다. 금속, 탄소계 재질의 경우는 기본적으로 전도성 재질이다. 반도체 재질의 경우에는, 전도성을 가지도록 1019/cm3 이상의 고농도 도핑이 수행될 수 있다. 기타 재질의 경우에는 도핑을 수행하거나 산소 공공(oxygen vacancy) 등을 형성하여 전도성을 형성할 수 있다. 도핑은 모판의 전체에 수행될 수도 있으며, 모판의 표면 부분에만 수행될 수도 있다.On the other hand, as a single crystal material, metals such as Ti, Cu, Ag, semiconductors such as GaN, SiC, GaAs, GaP, AlN, InN, InP, Ge, and carbon-based materials such as graphite and graphene , CH 3 NH 3 PbCl 3, CH 3 NH 3 PbBr 3, CH 3 NH 3 PbI 3, SrTiO 3 , etc. page containing the perovskite (perovskite) superconductor single crystalline ceramic, aircraft single crystal second heat-resistant alloy for components for such structures etc. may be used. Metals and carbon-based materials are basically conductive materials. In the case of a semiconductor material, high-concentration doping of 10 19 /cm 3 or more may be performed to have conductivity. In the case of other materials, conductivity may be formed by doping or forming oxygen vacancies. The doping may be performed on the entire mother plate or only on the surface portion of the mother plate.

단결정 재질의 경우는 결함이 없기 때문에, 전주 도금 시에 표면 전부에서 균일한 전기장 형성으로 인한 균일한 도금막(110) 이 생성될 수 있는 이점이 있다. 균일한 도금막을 통해 제조하는 프레임 일체형 마스크(100, 200)는 OLED 화소의 화질 수준을 더욱 개선할 수 있다. 그리고, 결함을 제거, 해소하는 추가 공정이 수행될 필요가 없으므로, 공정비용이 감축되고, 생산성이 향상되는 이점이 있다.Since there is no defect in the case of a single crystal material, there is an advantage that a uniform plating film 110 can be generated due to the formation of a uniform electric field over the entire surface during electroplating. The frame-integrated masks 100 and 200 manufactured through a uniform plating film can further improve the quality of OLED pixels. And, since there is no need to perform an additional process for removing and resolving defects, there is an advantage in that process costs are reduced and productivity is improved.

도 10의 (a)를 다시 참조하면, 다음으로, 전도성 기재(21)를 모판[음극체(Cathode Body)]로 사용하고, 양극체(미도시)를 이격되게 배치하여 전도성 기재(21) 상에 전주 도금으로 도금막(110)[또는, 마스크 금속막(110)]을 형성할 수 있다. 도금막(110)은 양극체와 대향하고 전기장이 작용할 수 있는 전도성 기재(21)의 노출된 상부면 및 측면 상에서 형성될 수 있다. 전도성 기재(21)의 측면에 더하여 전도성 기재(21)의 하부면의 일부에까지도 도금막(110)이 생성될 수도 있다.Referring back to FIG. 10 (a), next, the conductive substrate 21 is used as a mother plate (cathode body), and the anode body (not shown) is disposed to be spaced apart on the conductive substrate 21 . The plating film 110 (or the mask metal film 110 ) may be formed by electroplating. The plating film 110 may be formed on the exposed upper surface and the side surface of the conductive substrate 21 facing the anode body and on which an electric field may act. In addition to the side surface of the conductive substrate 21 , the plating film 110 may be formed even on a portion of the lower surface of the conductive substrate 21 .

다음으로, 도금막(110)의 테두리 부분을 레이저로 커팅(D)하거나, 도금막(110) 상부에 포토레지스트층을 형성하고 노출된 도금막(110)의 부분만을 식각하여 제거(D)할 수 있다. 이에 따라, 도 10의 (b)와 같이, 전도성 기재(21)로부터 도금막(110)을 분리할 수 있다.Next, the edge portion of the plating film 110 is cut with a laser (D), or a photoresist layer is formed on the plating film 110 and removed (D) by etching only the exposed portion of the plating film 110 . can Accordingly, as shown in (b) of FIG. 10 , the plating film 110 may be separated from the conductive substrate 21 .

한편, 도금막(110)을 전도성 기재(21)로부터 분리하기 전에, 열처리(H)를 수행할 수 있다. 본 발명은 마스크(100)의 열팽창계수를 낮춤과 동시에 마스크(100) 및 마스크 패턴(P)의 열에 의한 변형을 방지하기 위해, 전도성 기재(21)[또는, 모판, 음극체]로부터 도금막(110)을 분리 전에 열처리(H)를 수행하는 것을 특징으로 한다. 열처리는 300℃ 내지 800℃의 온도로 수행할 수 있다.Meanwhile, before separating the plating film 110 from the conductive substrate 21 , a heat treatment (H) may be performed. The present invention lowers the coefficient of thermal expansion of the mask 100 and at the same time prevents deformation due to heat of the mask 100 and the mask pattern P, a plating film ( 110) is characterized in that heat treatment (H) is performed before separation. The heat treatment may be performed at a temperature of 300 °C to 800 °C.

일반적으로 압연으로 생성한 인바 박판에 비해, 전주 도금으로 생성한 인바 박판이 열팽창계수가 높다. 그리하여 인바 박판에 열처리를 수행함으로써 열팽창계수를 낮출 수 있는데, 이 열처리 과정에서 인바 박판에 박리, 변형 등이 생길 수 있다. 이는, 인바 박판만을 열처리 하거나, 전도성 기재(21)의 상부면에만 임시로 부착된 인바 박판을 열처리 하기 때문에 발생하는 현상이다. 하지만, 본 발명은 전도성 기재(21)의 상부면뿐만 아니라 측면 및 하부면 일부에까지 도금막(110)을 형성하기 때문에, 열처리(H)를 하여도 박리, 변형 등이 발생하지 않는다. 다시 말해, 전도성 기재(21)와 도금막(110)이 긴밀히 부착된 상태에서 열처리를 수행하므로, 열처리로 인한 박리, 변형 등을 방지하고 안정적으로 열처리를 할 수 있는 이점이 있다.In general, compared to the thin Invar plate produced by rolling, the thin Invar plate produced by electroplating has a higher coefficient of thermal expansion. Thus, by performing heat treatment on the thin Invar plate, the coefficient of thermal expansion can be lowered, and during this heat treatment process, peeling, deformation, etc. This is a phenomenon that occurs because only the thin Invar plate is heat-treated or the thin Invar plate temporarily attached only to the upper surface of the conductive substrate 21 is heat-treated. However, in the present invention, since the plating film 110 is formed not only on the upper surface of the conductive substrate 21 but also on a part of the side and lower surfaces, peeling, deformation, etc. do not occur even after heat treatment (H). In other words, since the heat treatment is performed in a state in which the conductive substrate 21 and the plating film 110 are closely attached, there is an advantage in that peeling and deformation due to heat treatment are prevented and heat treatment can be performed stably.

압연 공정보다 전주 도금 공정으로 생성한 마스크 금속막(110)의 두께가 얇을 수 있다. 이에 따라, 두께를 감축하는 평탄화(PS) 공정을 생략할 수도 있으나, 도금 마스크 금속막(110')의 표면층의 조성, 결정구조/미세구조에 따라 에칭 특성이 다를 수 있으므로, 평탄화(PS)를 통해 표면 특성, 두께를 제어할 필요가 있다.The thickness of the mask metal layer 110 produced by the electroplating process may be thinner than that of the rolling process. Accordingly, the planarization (PS) process for reducing the thickness may be omitted, but since etching characteristics may differ depending on the composition and crystal structure/microstructure of the surface layer of the plating mask metal film 110 ′, planarization (PS) may be performed. It is necessary to control the surface properties, thickness through

도 12 내지 도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 템플릿(50) 상에 마스크 금속막(110)을 접착하고 마스크(100)를 형성하여 마스크 지지 템플릿을 제조하는 과정을 나타내는 개략도이다.12 to 13 are schematic views illustrating a process of manufacturing a mask support template by bonding a mask metal film 110 on a template 50 and forming a mask 100 according to an embodiment of the present invention.

도 12의 (a)를 참조하면, 템플릿(template; 50)을 제공할 수 있다. 템플릿(50)은 마스크(100)가 일면 상에 부착되어 지지된 상태로 이동시킬 수 있는 매개체이다. 템플릿(50)의 일면은 평평한 마스크(100)를 지지하여 이동시킬 수 있도록 평평한 것이 바람직하다. 중심부(50a)는 마스크 금속막(110)의 마스크 셀(C)에 대응하고, 테두리부(50b)는 마스크 금속막(110)의 더미(DM)에 대응할 수 있다. 마스크 금속막(110)이 전체적으로 지지될 수 있도록 템플릿(50)의 크기는 마스크 금속막(110)보다 면적이 큰 평판 형상일 수 있다.Referring to FIG. 12A , a template 50 may be provided. The template 50 is a medium that can move the mask 100 in a supported state attached to one surface. One surface of the template 50 is preferably flat to support and move the flat mask 100 . The central part 50a may correspond to the mask cell C of the mask metal layer 110 , and the edge part 50b may correspond to the dummy DM of the mask metal layer 110 . The size of the template 50 may be a flat plate shape having a larger area than that of the mask metal layer 110 so that the mask metal layer 110 can be supported as a whole.

템플릿(50)은 마스크(100)를 프레임(200)에 정렬시키고 부착하는 과정에서 비전(vision) 등을 관측하기 용이하도록 투명한 재질인 것이 바람직하다. 또한, 투명한 재질인 경우 레이저가 관통할 수도 있다. 투명한 재질로서 글래스(glass), 실리카(silica), 내열유리, 석영(quartz), 알루미나(Al2O3), 붕규산유리(borosilicate glass), 지르코니아(zirconia) 등의 재질을 사용할 수 있다. 일 예로, 템플릿(50)은 붕규산유리 중 우수한 내열성, 화학적 내구성, 기계적 강도, 투명성 등을 가지는 BOROFLOAT® 33 재질을 사용할 수 있다. 또한, BOROFLOAT® 33은 열팽창계수가 약 3.3으로 인바 마스크 금속막(110)과 열팽창계수 차이가 적어 마스크 금속막(110)의 제어에 용이한 이점이 있다.The template 50 is preferably made of a transparent material so that vision can be easily observed in the process of aligning and attaching the mask 100 to the frame 200 . In addition, in the case of a transparent material, the laser may penetrate. As a transparent material, materials such as glass, silica, heat-resistant glass, quartz, alumina (Al 2 O 3 ), borosilicate glass, and zirconia can be used. As an example, the template 50 may use a material of BOROFLOAT ® 33 having excellent heat resistance, chemical durability, mechanical strength, transparency, etc. among borosilicate glass. In addition, BOROFLOAT ® 33 has a thermal expansion coefficient of about 3.3, which has a small difference between the thermal expansion coefficient and the invar mask metal film 110 , so that it is easy to control the mask metal film 110 .

한편, 템플릿(50)은 마스크 금속막(110)[또는, 마스크(100)]과의 계면 사이에서 에어갭(air gap)이 발생하지 않도록, 마스크 금속막(110)과 접촉하는 일면이 경면일 수 있다. 이를 고려하여, 템플릿(50)의 일면의 표면 조도(Ra)가 100nm 이하일 수 있다. 표면 조도(Ra)가 100nm 이하인 템플릿(50)을 구현하기 위해, 템플릿(50)은 웨이퍼(wafer)를 사용할 수 있다. 웨이퍼(wafer)는 표면 조도(Ra)가 약 10nm 정도이고, 시중의 제품이 많고 표면처리 공정들이 많이 알려져 있으므로, 템플릿(50)으로 사용할 수 있다. 템플릿(50)의 표면 조도(Ra)가 nm 스케일이기 때문에 에어갭이 없거나, 거의 없는 수준으로, 레이저 용접에 의한 용접 비드(WB)의 생성이 용이하여 마스크 패턴(P)의 정렬 오차에 영향을 주지 않을 수 있다.On the other hand, the template 50 has a mirror surface on one surface in contact with the mask metal film 110 so that an air gap does not occur between the interface with the mask metal film 110 (or the mask 100 ). can In consideration of this, the surface roughness Ra of one surface of the template 50 may be 100 nm or less. In order to implement the template 50 having a surface roughness Ra of 100 nm or less, the template 50 may use a wafer. A wafer has a surface roughness (Ra) of about 10 nm, and since there are many commercially available products and many surface treatment processes are known, it can be used as the template 50 . Since the surface roughness (Ra) of the template 50 is in the nm scale, there is no air gap or almost no air gap, and it is easy to generate the weld bead (WB) by laser welding, thereby affecting the alignment error of the mask pattern (P). may not give

템플릿(50)은 템플릿(50)의 상부에서 조사하는 레이저(L)가 마스크(100)의 용접부(용접을 수행할 영역)에까지 도달할 수 있도록, 템플릿(50)에는 레이저 통과공(51)이 형성될 수 있다. 레이저 통과공(51)은 용접부의 위치 및 개수에 대응하도록 템플릿(50)에 형성될 수 있다. 용접부는 마스크(100)의 테두리 또는 더미(DM) 부분에서 소정 간격을 따라 복수개 배치되어 있으므로, 레이저 통과공(51)도 이에 대응하도록 소정 간격을 따라 복수개 형성될 수 있다. 일 예로, 용접부는 마스크(100)의 양측(좌측/우측) 더미(DM) 부분에 소정 간격을 따라 복수개 배치되어 있으므로, 레이저 통과공(51)도 템플릿(50)이 양측(좌측/우측)에 소정 간격을 따라 복수개 형성될 수 있다.The template 50 has a laser passing hole 51 in the template 50 so that the laser L irradiated from the upper part of the template 50 can reach the welding part (the area to be welded) of the mask 100 . can be formed. The laser passing hole 51 may be formed in the template 50 to correspond to the position and number of welds. Since a plurality of welding portions are disposed along a predetermined interval in the edge or dummy DM portion of the mask 100 , a plurality of laser passage holes 51 may be formed along a predetermined interval to correspond thereto. For example, since a plurality of welding parts are disposed along a predetermined interval on both sides (left/right) dummy DM portions of the mask 100 , the laser passing hole 51 also includes the template 50 on both sides (left/right). A plurality may be formed along a predetermined interval.

레이저 통과공(51)은 반드시 용접부의 위치 및 개수에 대응될 필요는 없다. 예를 들어, 레이저 통과공(51) 중 일부에 대해서만 레이저(L)를 조사하여 용접을 수행할 수도 있다. 또한, 용접부에 대응되지 않는 레이저 통과공(51) 중 일부는 마스크(100)와 템플릿(50)을 정렬할 때 얼라인 마크를 대신하여 사용할 수도 있다. 만약, 템플릿(50)의 재질이 레이저(L) 광에 투명하다면 레이저 통과공(51)을 형성하지 않을 수도 있다.The laser passing hole 51 does not necessarily correspond to the position and number of the welding part. For example, welding may be performed by irradiating the laser L to only a part of the laser passing hole 51 . In addition, some of the laser passing holes 51 that do not correspond to the welding part may be used instead of the alignment mark when aligning the mask 100 and the template 50 . If the material of the template 50 is transparent to the laser (L) light, the laser passing hole 51 may not be formed.

템플릿(50)의 일면에는 임시접착부(55)가 형성될 수 있다. 임시접착부(55)는 템플릿(50)의 일면 전체에 형성될 수 있다. 임시접착부(55)의 전면(全面)에 마스크(100)[마스크 금속막(110)]가 접착될 수 있다. 임시접착부(55)는 마스크(100)가 프레임(200)에 부착되기 전까지 마스크(100)[또는, 마스크 금속막(110)]가 임시로 템플릿(50)의 일면에 접착되어 템플릿(50) 상에 지지되도록 할 수 있다.A temporary adhesive portion 55 may be formed on one surface of the template 50 . The temporary adhesive part 55 may be formed on the entire surface of the template 50 . The mask 100 (mask metal film 110 ) may be adhered to the entire surface of the temporary adhesive part 55 . The temporary adhesive part 55 is formed by temporarily adhering the mask 100 (or the mask metal film 110 ) to one surface of the template 50 until the mask 100 is attached to the frame 200 . can be supported on

임시접착부(55)는 열을 가함에 따라 분리가 가능한 접착제 또는 접착 시트, UV 조사에 의해 분리가 가능한 접착제 또는 접착시트를 사용할 수 있다.The temporary adhesive part 55 may use an adhesive or an adhesive sheet that can be separated by applying heat, an adhesive or an adhesive sheet that can be separated by UV irradiation.

일 예로, 임시접착부(55)는 액체 왁스(liquid wax)를 사용할 수 있다. 액체 왁스는 반도체 웨이퍼의 폴리싱 단계 등에서 이용되는 왁스와 동일한 것을 사용할 수 있고, 그 유형이 특별히 한정되지는 않는다. 액체 왁스는 주로 유지력에 관한 접착력, 내충격성 등을 제어하기 위한 수지 성분으로 아크릴, 비닐아세테이트, 나일론 및 다양한 폴리머와 같은 물질 및 용매를 포함할 수 있다. 일 예로, 임시접착부(55)는 수지 성분으로 아크릴로나이트릴 뷰타디엔 고무(ABR, Acrylonitrile butadiene rubber), 용매 성분으로 n-프로필알코올을 포함하는 SKYLIQUID ABR-4016을 사용할 수 있다. 액체 왁스는 스핀 코팅을 사용하여 임시접착부(55) 상에 형성할 수 있다.For example, the temporary adhesive part 55 may use liquid wax. As the liquid wax, the same wax used in the polishing step of the semiconductor wafer and the like may be used, and the type is not particularly limited. The liquid wax is a resin component for controlling adhesion, impact resistance, and the like with respect to holding power, and may include materials such as acrylic, vinyl acetate, nylon, and various polymers and solvents. For example, the temporary adhesive part 55 may use acrylonitrile butadiene rubber (ABR) as a resin component and SKYLIQUID ABR-4016 containing n-propyl alcohol as a solvent component. The liquid wax may be formed on the temporary adhesive portion 55 using spin coating.

액체 왁스인 임시접착부(55)는 85℃~100℃보다 높은 온도에서는 점성이 낮아지고, 85℃보다 낮은 온도에서 점성이 커지고 고체처럼 일부 굳을 수 있어, 마스크 금속막(110')과 템플릿(50)을 고정 접착할 수 있다.The temporary adhesive portion 55, which is a liquid wax, has a lower viscosity at a temperature higher than 85°C to 100°C, increases in viscosity at a temperature lower than 85°C, and may be partially solidified like a solid, so that the mask metal film 110 ′ and the template 50 ) can be fixedly attached.

다음으로, 도 12의 (b)를 참조하면, 템플릿(50) 상에 마스크 금속막(110')을 접착할 수 있다. 액체 왁스를 85℃이상으로 가열하고 마스크 금속막(110')을 템플릿(50)에 접촉시킨 후, 마스크 금속막(110') 및 템플릿(50)을 롤러 사이에 통과시켜 접착을 수행할 수 있다.Next, referring to FIG. 12B , the mask metal layer 110 ′ may be adhered on the template 50 . After the liquid wax is heated to 85° C. or higher and the mask metal film 110 ′ is brought into contact with the template 50 , the mask metal film 110 ′ and the template 50 are passed between rollers to perform adhesion. .

일 실시예에 따르면, 템플릿(50)에 약 120℃, 60초 동안 베이킹(baking)을 수행하여 임시접착부(55)의 솔벤트를 기화시키고, 곧바로, 마스크 금속막 라미네이션(lamination) 공정을 진행할 수 있다. 라미네이션은 임시접착부(55)가 일면에 형성된 템플릿(50) 상에 마스크 금속막(110')을 로딩하고, 약 100℃의 상부 롤(roll)과 약 0℃의 하부 롤 사이에 통과시켜 수행할 수 있다. 그 결과로, 마스크 금속막(110')이 템플릿(50) 상에서 임시접착부(55)를 개재하여 접촉될 수 있다.According to an embodiment, baking is performed on the template 50 at about 120° C. for 60 seconds to vaporize the solvent in the temporary adhesive part 55, and immediately, a mask metal film lamination process may be performed. . Lamination is performed by loading the mask metal film 110 ′ on the template 50 on which the temporary adhesive part 55 is formed on one surface, and passing it between the upper roll at about 100° C. and the lower roll at about 0° C. can As a result, the mask metal film 110 ′ may be in contact with the template 50 through the temporary adhesive portion 55 .

도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 임시접착부(55)를 나타내는 확대 단면 개략도이다. 또 다른 예로, 임시접착부(55)는 열박리 테이프(thermal release tape)를 사용할 수 있다. 열박리 테이프는 가운데에 PET 필름 등의 코어 필름(56)이 배치되고, 코어 필름(56)의 양면에 열박리가 가능한 점착층(thermal release adhesive; 57a, 57b)이 배치되며, 점착층(57a, 57b)의 외곽에 박리 필름/이형 필름(58a, 58b)이 배치된 형태일 수 있다. 여기서 코어 필름(56)의 양면에 배치되는 점착층(57a, 57b)은 상호 박리되는 온도가 상이할 수 있다.14 is an enlarged cross-sectional schematic view showing the temporary adhesive part 55 according to an embodiment of the present invention. As another example, the temporary adhesive part 55 may use a thermal release tape. In the heat release tape, a core film 56 such as a PET film is disposed in the center, thermal release adhesives 57a and 57b capable of thermal release are disposed on both sides of the core film 56, and an adhesive layer 57a , 57b) may be in a form in which release films/release films 58a and 58b are disposed on the periphery. Here, the pressure-sensitive adhesive layers 57a and 57b disposed on both surfaces of the core film 56 may have different temperatures at which they are peeled from each other.

일 실시예에 따르면, 박리 필름/이형 필름(58a, 58b)을 제거한 상태에서, 열박리 테이프의 하부면[제2 점착층(57b)]은 템플릿(50)에 접착되고, 열박리 테이프의 상부면[제1 점착층(57a)]은 마스크 금속막(110')에 접착될 수 있다. 제1 점착층(57a)과 제2 점착층(57b)은 상호 박리되는 온도가 상이하므로, 후술할 도 17에서 마스크(100)로부터 템플릿(50)을 분리할 때, 제1 점착층(57a)이 열박리 되는 열을 가함에 따라 마스크(100)는 템플릿(50) 및 임시접착부(55)로부터 분리가 가능해질 수 있다.According to one embodiment, with the release film/release film 58a, 58b removed, the lower surface of the heat release tape (the second adhesive layer 57b) is adhered to the template 50, and the top of the heat release tape The surface (the first adhesive layer 57a) may be adhered to the mask metal layer 110'. Since the temperature at which the first adhesive layer 57a and the second adhesive layer 57b are peeled from each other is different, when the template 50 is separated from the mask 100 in FIG. 17 to be described later, the first adhesive layer 57a As this heat-peelable heat is applied, the mask 100 may be detachable from the template 50 and the temporary adhesive part 55 .

이어서, 도 12의 (b)를 더 참조하면, 마스크 금속막(110')의 일면을 평탄화(PS) 할 수 있다. 도 10에서 상술한 바와 같이, 압연 공정으로 제조된 마스크 금속막(110')은 평탄화(PS) 공정으로 두께를 감축(110' -> 110)시킬 수 있다. 그리고, 전주 도금 공정으로 제조된 마스크 금속막(110)도 표면 특성, 두께의 제어를 위해 평탄화(PS) 공정이 수행될 수 있다.Then, referring further to FIG. 12B , one surface of the mask metal layer 110 ′ may be planarized (PS). As described above with reference to FIG. 10 , the thickness of the mask metal film 110 ′ manufactured by the rolling process may be reduced ( 110 ′ -> 110 ) by the planarization (PS) process. In addition, a planarization (PS) process may be performed on the mask metal film 110 manufactured by the electroplating process to control surface characteristics and thickness.

이에 따라, 도 12의 (c)와 같이, 마스크 금속막(110')의 두께가 감축(110' -> 110)됨에 따라, 마스크 금속막(110)은 두께가 약 5㎛ 내지 20㎛가 될 수 있다.Accordingly, as shown in (c) of FIG. 12 , as the thickness of the mask metal layer 110 ′ is reduced (110′ -> 110), the thickness of the mask metal layer 110 becomes about 5 μm to 20 μm. can

다음으로, 도 13의 (d)를 참조하면, 마스크 금속막(110) 상에 패턴화된 절연부(25)를 형성할 수 있다. 절연부(25)는 프린팅 법 등을 이용하여 포토레지스트 재질로 형성될 수 있다.Next, referring to FIG. 13D , a patterned insulating portion 25 may be formed on the mask metal layer 110 . The insulating part 25 may be formed of a photoresist material using a printing method or the like.

이어서, 마스크 금속막(110)의 식각을 수행할 수 있다. 건식 식각, 습식 식각 등의 방법을 제한없이 사용할 수 있고, 식각 결과 절연부(25) 사이의 빈 공간(26)으로 노출된 마스크 금속막(110)의 부분이 식각될 수 있다. 마스크 금속막(110)의 식각된 부분은 마스크 패턴(P)을 구성하고, 복수의 마스크 패턴(P)이 형성된 마스크(100)가 제조될 수 있다.Subsequently, the mask metal layer 110 may be etched. Methods such as dry etching and wet etching may be used without limitation, and as a result of the etching, a portion of the mask metal layer 110 exposed to the empty space 26 between the insulating portions 25 may be etched. The etched portion of the mask metal layer 110 constitutes the mask pattern P, and the mask 100 in which the plurality of mask patterns P are formed may be manufactured.

다음으로, 도 13의 (e)를 참조하면, 절연부(25)를 제거하여 마스크(100)를 지지하는 템플릿(50)의 제조를 완료할 수 있다.Next, referring to FIG. 13E , the manufacturing of the template 50 supporting the mask 100 may be completed by removing the insulating portion 25 .

프레임(200)이 복수의 마스크 셀 영역(CR: CR11~CR56)을 구비하므로, 각각의 마스크 셀 영역(CR: CR11~CR56)에 대응하는 마스크 셀(C: C11~C56)을 가지는 마스크(100)도 복수개 구비할 수 있다. 또한, 복수개의 마스크(100)의 각각을 지지하는 복수의 템플릿(50)을 구비할 수 있다.Since the frame 200 includes a plurality of mask cell regions CR: CR11 to CR56, the mask 100 having mask cells C: C11 to C56 corresponding to each of the mask cell regions CR: CR11 to CR56. ) may also be provided in plurality. In addition, a plurality of templates 50 supporting each of the plurality of masks 100 may be provided.

도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 지지 템플릿을 프레임 상에 로딩하는 과정을 나타내는 개략도이다.15 is a schematic diagram illustrating a process of loading a mask support template onto a frame according to an embodiment of the present invention.

도 15를 참조하면, 템플릿(50)은 진공 척(90)에 의해 이송될 수 있다. 진공 척(90)으로 마스크(100)가 접착된 템플릿(50) 면의 반대 면을 흡착하여 이송할 수 있다. 진공 척(90)은 x, y, z, θ축으로 이동되는 이동 수단(미도시)에 연결될 수 있다. 또한, 진공 척(90)은 템플릿(50)을 흡착하여 플립(flip)할 수 있는 플립 수단(미도시)에 연결될 수 있다. 도 15의 (b)에 도시된 바와 같이, 진공 척(90)이 템플릿(50)을 흡착하여 플립한 후, 프레임(200) 상으로 템플릿(50)을 이송하는 과정에서도, 마스크(100)의 접착 상태 및 정렬 상태에는 영향이 없게 된다.Referring to FIG. 15 , the template 50 may be transferred by the vacuum chuck 90 . The mask 100 may be transferred by adsorbing the opposite surface of the template 50 to which the mask 100 is attached with the vacuum chuck 90 . The vacuum chuck 90 may be connected to a moving means (not shown) that moves along the x, y, z, and θ axes. In addition, the vacuum chuck 90 may be connected to a flip means (not shown) capable of flipping the template 50 by adsorbing it. As shown in (b) of FIG. 15 , in the process of transferring the template 50 onto the frame 200 after the vacuum chuck 90 adsorbs the template 50 and flips it, the mask 100 Adhesion and alignment are not affected.

도 16은 본 발명의 일 실시예에 따른 템플릿을 프레임 상에 로딩하여 마스크를 프레임의 셀 영역에 대응시키는 상태를 나타내는 개략도이다. 도 16에는 하나의 마스크(100)를 셀 영역(CR)에 대응/부착하는 것이 예시되나, 복수의 마스크(100)를 동시에 각각 모든 셀 영역(CR)에 대응시켜서 마스크(100)를 프레임(200)에 부착하는 과정을 수행할 수도 있다. 이 경우, 복수개의 마스크(100)의 각각을 지지하는 복수의 템플릿(50)을 구비할 수 있다.16 is a schematic diagram illustrating a state in which a template is loaded onto a frame and a mask corresponds to a cell region of the frame according to an embodiment of the present invention. In FIG. 16 , one mask 100 is exemplified to correspond/attach to the cell region CR, but a plurality of masks 100 are simultaneously mapped to all the cell regions CR to form the mask 100 into the frame 200 . ) may be attached to the In this case, a plurality of templates 50 supporting each of the plurality of masks 100 may be provided.

다음으로, 도 16을 참조하면, 마스크(100)를 프레임(200)의 하나의 마스크 셀 영역(CR)에 대응할 수 있다. 템플릿(50)을 프레임(200)[또는, 마스크 셀 시트부(220)] 상에 로딩하는 것으로 마스크(100)를 마스크 셀 영역(CR)에 대응시킬 수 있다. 템플릿(50)/진공 척(90)의 위치를 제어하면서, 현미경을 통해 마스크(100)가 마스크 셀 영역(CR)에 대응하는지 살펴볼 수 있다. 템플릿(50)이 마스크(100)를 압착하므로, 마스크(100)와 프레임(200)은 긴밀히 맞닿을 수 있다.Next, referring to FIG. 16 , the mask 100 may correspond to one mask cell region CR of the frame 200 . By loading the template 50 on the frame 200 (or the mask cell sheet unit 220 ), the mask 100 may correspond to the mask cell region CR. While controlling the position of the template 50/vacuum chuck 90, it is possible to check whether the mask 100 corresponds to the mask cell region CR through a microscope. Since the template 50 compresses the mask 100 , the mask 100 and the frame 200 may be in close contact.

한편, 하부 지지체(70)를 프레임(200) 하부에 더 배치할 수도 있다. 하부 지지체(70)는 프레임 테두리부(210)의 중공 영역(R) 내에 들어갈 정도의 크기를 가지고 평판 형상일 수 있다. 또한, 하부 지지체(70)의 상부면에는 마스크 셀 시트부(220)의 형상에 대응하는 소정의 지지홈(미도시)이 형성될 수도 있다. 이 경우 테두리 시트부(221) 및 제1, 2 그리드 시트부(223, 225)가 지지홈에 끼워지게 되어, 마스크 셀 시트부(220)가 더욱 잘 고정될 수 있다.Meanwhile, the lower support 70 may be further disposed under the frame 200 . The lower support 70 may have a size sufficient to fit into the hollow region R of the frame edge portion 210 and may have a flat plate shape. In addition, a predetermined support groove (not shown) corresponding to the shape of the mask cell sheet part 220 may be formed on the upper surface of the lower support body 70 . In this case, the edge sheet part 221 and the first and second grid sheet parts 223 and 225 are fitted into the support grooves, so that the mask cell sheet part 220 can be better fixed.

하부 지지체(70)는 마스크(100)가 접촉하는 마스크 셀 영역(CR)의 반대면을 압착할 수 있다. 즉, 하부 지지체(70)는 마스크 셀 시트부(220)를 상부 방향으로 지지하여 마스크(100)의 접착과정에서 마스크 셀 시트부(220)가 하부 방향으로 처지는 것을 방지할 수 있다. 이와 동시에, 하부 지지체(70)와 템플릿(50)이 상호 반대되는 방향으로 마스크(100)의 테두리 및 프레임(200)[또는, 마스크 셀 시트부(220)]를 압착하게 되므로, 마스크(100)의 정렬 상태가 흐트러지지 않고 유지될 수 있게 된다.The lower support 70 may press the opposite surface of the mask cell region CR to which the mask 100 contacts. That is, the lower support 70 may support the mask cell sheet 220 in the upper direction to prevent the mask cell sheet 220 from sagging in the lower direction during the bonding process of the mask 100 . At the same time, since the lower support 70 and the template 50 press the edge and the frame 200 (or the mask cell sheet part 220) of the mask 100 in opposite directions, the mask 100 can be maintained without being disturbed.

이처럼, 템플릿(50) 상에 마스크(100)를 부착하고, 템플릿(50)을 프레임(200) 상에 로딩하는 것만으로 마스크(100)를 프레임(200)의 마스크 셀 영역(CR)에 대응하는 과정이 완료되므로, 이 과정에서 마스크(100)에 어떠한 인장력도 가하지 않을 수 있다.In this way, only by attaching the mask 100 on the template 50 and loading the template 50 on the frame 200 , the mask 100 is applied to the mask cell region CR of the frame 200 . Since the process is completed, no tensile force may be applied to the mask 100 during this process.

이어서, 마스크(100)에 레이저(L)를 조사하여 레이저 용접에 의해 마스크(100)를 프레임(200)에 부착할 수 있다. 레이저 용접된 마스크의 용접부 부분에는 용접 비드(WB)가 생성되고, 용접 비드(WB)는 마스크(100)/프레임(200)과 동일한 재질을 가지고 일체로 연결될 수 있다.Then, the mask 100 may be attached to the frame 200 by irradiating the laser L to the mask 100 by laser welding. A welding bead WB is generated in the welding portion of the laser-welded mask, and the welding bead WB may have the same material as that of the mask 100/frame 200 and may be integrally connected.

도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크(100)를 프레임(200)에 부착한 후 마스크(100)와 템플릿(50)을 분리하는 과정을 나타내는 개략도이다.17 is a schematic diagram illustrating a process of separating the mask 100 and the template 50 after attaching the mask 100 to the frame 200 according to an embodiment of the present invention.

도 17을 참조하면, 마스크(100)를 프레임(200)에 부착한 후, 마스크(100)와 템플릿(50)을 분리(debonding)할 수 있다. 마스크(100)와 템플릿(50)의 분리는 임시접착부(55)에 열 인가(ET), 화학적 처리(CM), 초음파 인가(US), UV 인가(UV) 중 적어도 어느 하나를 통해 수행할 수 있다. 마스크(100)는 프레임(200)에 부착된 상태를 유지하므로, 템플릿(50)만을 들어올릴 수 있다. 일 예로, 85℃~100℃보다 높은 온도의 열을 인가(ET)하면 임시접착부(55)의 점성이 낮아지게 되고, 마스크(100)와 템플릿(50)의 접착력이 약해지게 되어, 마스크(100)와 템플릿(50)이 분리될 수 있다. 다른 예로, IPA, 아세톤, 에탄올 등의 화학 물질에 임시접착부(55)를 침지(CM)함으로서 임시접착부(55)를 용해, 제거 등의 방식으로 마스크(100)와 템플릿(50)이 분리될 수 있다. 다른 예로, 초음파를 인가(US)하거나, UV를 인가(UV)하면 마스크(100)와 템플릿(50)의 접착력이 약해지게 되어, 마스크(100)와 템플릿(50)이 분리될 수 있다.Referring to FIG. 17 , after the mask 100 is attached to the frame 200 , the mask 100 and the template 50 may be debonded. Separation of the mask 100 and the template 50 may be performed through at least one of heat application (ET), chemical treatment (CM), ultrasonic application (US), and UV application (UV) to the temporary adhesive part 55 . have. Since the mask 100 remains attached to the frame 200 , only the template 50 can be lifted. For example, when heat of a temperature higher than 85° C. to 100° C. is applied (ET), the viscosity of the temporary adhesive part 55 is lowered, and the adhesive force between the mask 100 and the template 50 is weakened, so that the mask 100 ) and the template 50 may be separated. As another example, the mask 100 and the template 50 may be separated by dissolving or removing the temporary adhesive part 55 by immersing (CM) the temporary adhesive part 55 in a chemical substance such as IPA, acetone, or ethanol. have. As another example, when ultrasound is applied (US) or UV is applied (UV), the adhesive force between the mask 100 and the template 50 is weakened, so that the mask 100 and the template 50 may be separated.

더 설명하면, 마스크(100)와 템플릿(50)의 접착을 매개하는 임시접착부(55)는 TBDB 접착소재(temporary bonding&debonding adhesive)이므로, 여러가지 분리(debonding) 방법을 사용할 수 있다.More specifically, since the temporary adhesive part 55 mediating the adhesion between the mask 100 and the template 50 is a TBDB adhesive material (temporary bonding & debonding adhesive), various debonding methods can be used.

일 예로, 화학적 처리(CM)에 따른 용매 디본딩(Solvent Debonding) 방법을 사용할 수 있다. 용매(solvent)의 침투에 의해 임시접착부(55)가 용해됨에 따라해 디본딩이 이루어질 수 있다. 이때, 마스크(100)에 패턴(P)이 형성되어 있으므로, 마스크 패턴(P) 및 마스크(100)와 템플릿(50)의 계면을 통해 용매가 침투될 수 있다. 용매 디본딩은 상온(room temperature)에서 디본딩이 가능하고 별도의 고안된 복잡한 디본딩 설비가 필요하지 않기 때문에 다른 디본딩 방법에 비해 상대적으로 경제적이라는 이점이 있다.As an example, a solvent debonding method according to chemical treatment (CM) may be used. Debonding may be performed by dissolving the temporary adhesive portion 55 by penetration of a solvent. In this case, since the pattern P is formed on the mask 100 , the solvent may permeate through the mask pattern P and the interface between the mask 100 and the template 50 . Solvent debonding has the advantage of being relatively economical compared to other debonding methods because debonding is possible at room temperature and does not require a separately designed complex debonding equipment.

다른 예로, 열 인가(ET)에 따른 열 디본딩(Heat Debonding) 방법을 사용할 수 있다. 고온의 열을 이용해 임시접착부(55)의 분해를 유도하고, 마스크(100)와 템플릿(50) 간의 접착력이 감소되면 상하 방향 또는 좌우 방향로 디본딩이 진행될 수 있다.As another example, a heat debonding method according to heat application (ET) may be used. Decomposition of the temporary adhesive part 55 is induced by using high-temperature heat, and when the adhesive force between the mask 100 and the template 50 is reduced, debonding may proceed in the vertical direction or the left and right directions.

다른 예로, 열 인가(ET), UV 인가(UV) 등에 따른 박리 접착제 디본딩(Peelable Adhesive Debonding) 방법을 사용할 수 있다. 임시접착부(55)가 열박리 테이프인 경우에 박리 접착제 디본딩 방법으로 디본딩을 수행할 수 있으며, 이 방법은 열 디본딩 방법처럼 고온의 열처리 및 고가의 열처리 장비가 필요하지 않다는 점과 진행 프로세스가 상대적으로 단순한 이점이 있다.As another example, a peelable adhesive debonding method according to heat application (ET), UV application (UV), etc. may be used. When the temporary adhesive part 55 is a heat release tape, debonding may be performed by a release adhesive debonding method, which does not require high temperature heat treatment and expensive heat treatment equipment like the thermal debonding method, and the progress process has the advantage of being relatively simple.

다른 예로, 화학적 처리(CM), 초음파 인가(US), UV 인가(UV) 등에 따른 상온 디본딩(Room Temperature Debonding) 방법을 사용할 수 있다. 마스크(100) 또는 템플릿(50)의 일부(중심부)에 non-sticky 처리를 하면, 임시접착부(55)에 의해 테두리 부분만 접착이 될 수 있다. 그리고, 디본딩 시에는 테두리 부분에 용제가 침투하여 입시접착부(55)의 용해에 의해 디본딩이 이루어지게 된다. 이 방법은 본딩과 디본딩이 진행되는 동안 마스크(100), 템플릿(50)의 테두리 영역을 제외한 나머지 부분은 직접적인 손실이나 디본딩 시 접착소재 잔여물(residue)에 의한 결함 등이 발생하지 않는 이점이 있다. 또한 열 디본딩법과 달리 디본딩시 고온의 열처리 과정이 필요하지 않기 때문에 상대적으로 공정 비용을 감축할 수 있는 이점이 있다.As another example, a room temperature debonding method according to chemical treatment (CM), ultrasonic application (US), UV application (UV), etc. may be used. When a non-sticky process is performed on a part (center part) of the mask 100 or the template 50, only the edge part may be adhered by the temporary adhesive part 55. And, during debonding, the solvent penetrates into the edge portion and the debonding is performed by dissolution of the entrance examination adhesive part 55 . In this method, during bonding and debonding, the remaining parts except for the edge area of the mask 100 and the template 50 are not directly lost or defects due to adhesive material residues do not occur during debonding. There is this. In addition, unlike the thermal debonding method, since a high temperature heat treatment process is not required during debonding, there is an advantage in that the process cost can be relatively reduced.

도 18은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크(100)를 프레임(200)에 부착한 상태를 나타내는 개략도이다.18 is a schematic diagram illustrating a state in which the mask 100 is attached to the frame 200 according to an embodiment of the present invention.

도 18을 참조하면, 하나의 마스크(100)는 프레임(200)의 하나의 셀 영역(CR) 상에 부착될 수 있다Referring to FIG. 18 , one mask 100 may be attached on one cell region CR of the frame 200 .

프레임(200)의 마스크 셀 시트부(220)는 얇은 두께를 가지기 때문에, 마스크(100)에 인장력이 가해진 채로 마스크 셀 시트부(220)에 부착이 되면, 마스크(100)에 잔존하는 인장력이 마스크 셀 시트부(220) 및 마스크 셀 영역(CR)에 작용하게 되어 이들을 변형시킬 수도 있다. 따라서, 마스크(100)에 인장력을 가하지 않은 채로 마스크 셀 시트부(220)에 마스크(100)의 부착을 수행해야 한다. 본 발명은 템플릿(50) 상에 마스크(100)를 부착하고, 템플릿(50)을 프레임(200) 상에 로딩하는 것만으로 마스크(100)를 프레임(200)의 마스크 셀 영역(CR)에 대응하는 과정이 완료되므로, 이 과정에서 마스크(100)에 어떠한 인장력도 가하지 않을 수 있다. 그리하여, 마스크(100)에 가해진 인장력이 반대로 프레임(200)에 장력(tension)으로 작용하여 프레임(200)[또는, 마스크 셀 시트부(220)]을 변형시키는 것을 방지할 수 있게 된다.Since the mask cell sheet portion 220 of the frame 200 has a thin thickness, when it is attached to the mask cell sheet portion 220 while a tensile force is applied to the mask 100 , the tensile force remaining in the mask 100 is applied to the mask. It acts on the cell sheet part 220 and the mask cell region CR, and may deform them. Therefore, it is necessary to attach the mask 100 to the mask cell sheet 220 without applying a tensile force to the mask 100 . In the present invention, the mask 100 corresponds to the mask cell region CR of the frame 200 by attaching the mask 100 on the template 50 and loading the template 50 on the frame 200 . Since the process is completed, no tensile force may be applied to the mask 100 in this process. Thus, it is possible to prevent the frame 200 (or the mask cell sheet part 220 ) from being deformed by the tensile force applied to the mask 100 acting as tension on the frame 200 .

종래의 도 1의 마스크(10)는 셀 6개(C1~C6)를 포함하므로 긴 길이를 가지는데 반해, 본 발명의 마스크(100)는 셀 1개(C)를 포함하여 짧은 길이를 가지므로 PPA(pixel position accuracy)가 틀어지는 정도가 작아질 수 있다. 예를 들어, 복수의 셀(C1~C6, ...)들을 포함하는 마스크(10)의 길이가 1m이고, 1m 전체에서 10㎛의 PPA 오차가 발생한다고 가정하면, 본 발명의 마스크(100)는 상대적인 길이의 감축[셀(C) 개수 감축에 대응]에 따라 위 오차 범위를 1/n 할 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 마스크(100)의 길이가 100mm라면, 종래 마스크(10)의 1m에서 1/10로 감축된 길이를 가지므로, 100mm 길이의 전체에서 1㎛의 PPA 오차가 발생하게 되며, 정렬 오차가 현저히 감소하게 되는 효과가 있다.Since the conventional mask 10 of FIG. 1 includes six cells (C1 to C6), it has a long length, whereas the mask 100 of the present invention has a short length including one cell (C). The degree of distortion of pixel position accuracy (PPA) may be reduced. For example, assuming that the length of the mask 10 including the plurality of cells C1 to C6, ... is 1 m, and a PPA error of 10 μm occurs in the entire 1 m, the mask 100 of the present invention can make the above error range 1/n according to the relative length reduction [corresponding to the reduction in the number of cells (C)]. For example, if the length of the mask 100 of the present invention is 100 mm, since it has a length reduced from 1 m to 1/10 of the conventional mask 10, a PPA error of 1 μm occurs over the entire length of 100 mm. , there is an effect that the alignment error is significantly reduced.

한편, 마스크(100)가 복수의 셀(C)을 구비하고, 각각의 셀(C)이 프레임(200)의 각각의 셀 영역(CR)에 대응하여도 정렬 오차가 최소화되는 범위 내에서라면, 마스크(100)는 프레임(200)의 복수의 마스크 셀 영역(CR)에 대응할 수도 있다. 또는, 복수의 셀(C)을 가지는 마스크(100)가 하나의 마스크 셀 영역(CR)에 대응할 수도 있다. 이 경우에도, 정렬에 따른 공정 시간과 생산성을 고려하여, 마스크(100)는 가급적 적은 수의 셀(C)을 구비하는 것이 바람직하다.On the other hand, if the mask 100 includes a plurality of cells C, and each cell C corresponds to each cell region CR of the frame 200, within a range in which an alignment error is minimized, The mask 100 may correspond to a plurality of mask cell regions CR of the frame 200 . Alternatively, the mask 100 having a plurality of cells C may correspond to one mask cell region CR. Even in this case, in consideration of the process time and productivity according to the alignment, it is preferable that the mask 100 includes as few cells C as possible.

본 발명의 경우는, 마스크(100)의 하나의 셀(C)을 대응시키고 정렬 상태를 확인하기만 하면 되므로, 복수의 셀(C: C1~C6)을 동시에 대응시키고 정렬 상태를 모두 확인하여야 하는 종래의 방법[도 2 참조]보다, 제조시간을 현저하게 감축시킬 수 있다.In the case of the present invention, since it is only necessary to match one cell (C) of the mask 100 and check the alignment state, it is necessary to simultaneously correspond a plurality of cells (C: C1 to C6) and check the alignment state. Compared to the conventional method (see Fig. 2), the manufacturing time can be significantly reduced.

즉, 본 발명의 프레임 일체형 마스크 제조 방법은, 6개의 마스크(100)에 포함되는 각각의 셀(C11~C16)을 각각 하나의 셀 영역(CR11~CR16)에 대응시키고 각각 정렬 상태를 확인하는 6번의 과정을 통해, 6개의 셀(C1~C6)을 동시에 대응시키고 6개 셀(C1~C6)의 정렬 상태를 동시에 모두 확인해야 하는 종래의 방법보다 훨씬 시간이 단축될 수 있다.That is, the frame-integrated mask manufacturing method of the present invention corresponds to each of the cells C11 to C16 included in the six masks 100 to one cell region CR11 to CR16 and checks the alignment state, respectively. Through this process, the time can be significantly reduced compared to the conventional method of simultaneously matching the six cells C1 to C6 and checking the alignment status of the six cells C1 to C6 at the same time.

또한, 본 발명의 프레임 일체형 마스크 제조 방법은, 30개의 셀 영역(CR: CR11~CR56)에 30개의 마스크(100)를 각각 대응시키고 정렬하는 30번의 과정에서의 제품 수득률이, 6개의 셀(C1~C6)을 각각 포함하는 5개의 마스크(10)[도 2의 (a) 참조]를 프레임(20)에 대응시키고 정렬하는 5번의 과정에서의 종래의 제품 수득률보다 훨씬 높게 나타날 수 있다. 한번에 6개씩의 셀(C)이 대응하는 영역에 6개의 셀(C1~C6)을 정렬하는 종래의 방법이 훨씬 번거롭고 어려운 작업이므로 제품 수율이 낮게 나타나는 것이다.In addition, in the frame-integrated mask manufacturing method of the present invention, the product yield in the 30-step process of matching and aligning 30 masks 100 to 30 cell regions (CR: CR11 to CR56) is 6 cells (C1). ~C6) each containing 5 masks 10 (see Fig. 2 (a)) can be shown to be much higher than the conventional product yield in the process of 5 times to correspond and align with the frame 20. Since the conventional method of aligning six cells C1 to C6 in an area corresponding to six cells C at a time is much more cumbersome and difficult, the product yield appears low.

한편, 도 12의 (b) 단계에서 상술한 바와 같이, 라미네이션 공정으로 템플릿(50)에 마스크 금속막(110)을 접착할 때, 약 100℃의 온도가 마스크 금속막(110)에 가해질 수 있다. 이에 의해 마스크 금속막(110)에 일부 인장 장력이 걸린 상태로 템플릿(50)에 접착될 수 있다. 그 후, 마스크(100)가 프레임(200)에 부착되고, 템플릿(50)이 마스크(100)와 분리되면, 마스크(100)는 소정양 수축할 수 있다.Meanwhile, as described above in step (b) of FIG. 12 , when the mask metal layer 110 is adhered to the template 50 by a lamination process, a temperature of about 100° C. may be applied to the mask metal layer 110 . . Accordingly, the mask metal layer 110 may be adhered to the template 50 in a state in which a partial tensile tension is applied. After that, when the mask 100 is attached to the frame 200 and the template 50 is separated from the mask 100 , the mask 100 may be contracted by a predetermined amount.

각각의 마스크(100)들이 모두 대응되는 마스크 셀 영역(CR) 상에 부착된 후에 템플릿(50)과 마스크(100)들이 분리되면, 복수의 마스크(100)들이 상호 반대방향으로 수축되는 장력을 인가하기 때문에, 그 힘이 상쇄되어 마스크 셀 시트부(220)에는 변형이 일어나지 않게 된다. 예를 들어, CR11 셀 영역에 부착된 마스크(100)와 CR12 셀 영역에 부착된 마스크(100) 사이의 제1 그리드 시트부(223)는 CR11 셀 영역에 부착된 마스크(100)의 우측 방향으로 작용하는 장력과 CR12 셀 영역에 부착된 마스크(100)의 좌측 방향으로 작용하는 장력이 상쇄될 수 있다. 그리하여, 장력에 의한 프레임(200)[또는, 마스크 셀 시트부(220)]에는 변형이 최소화되어 마스크(100)[또는, 마스크 패턴(P)]의 정렬 오차가 최소화 될 수 있는 이점이 있다.When the template 50 and the masks 100 are separated after each mask 100 is attached on the corresponding mask cell region CR, a tension is applied to the plurality of masks 100 to contract in opposite directions. Therefore, the force is canceled so that deformation does not occur in the mask cell sheet part 220 . For example, the first grid sheet part 223 between the mask 100 attached to the CR11 cell area and the mask 100 attached to the CR12 cell area moves to the right of the mask 100 attached to the CR11 cell area. The tension acting and the tension acting in the left direction of the mask 100 attached to the CR12 cell region may be offset. Thus, the frame 200 (or the mask cell sheet portion 220) due to the tension is minimized deformation, there is an advantage that the alignment error of the mask 100 (or the mask pattern P) can be minimized.

도 19는 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임 일체형 마스크(100, 200)를 이용한 OLED 화소 증착 장치(1000)를 나타내는 개략도이다.19 is a schematic diagram illustrating an OLED pixel deposition apparatus 1000 using the frame-integrated masks 100 and 200 according to an embodiment of the present invention.

도 19를 참조하면, OLED 화소 증착 장치(1000)는, 마그넷(310)이 수용되고, 냉각수 라인(350)이 배설된 마그넷 플레이트(300)와, 마그넷 플레이트(300)의 하부로부터 유기물 소스(600)를 공급하는 증착 소스 공급부(500)를 포함한다.Referring to FIG. 19 , the OLED pixel deposition apparatus 1000 includes a magnet plate 300 in which a magnet 310 is accommodated and a coolant line 350 is disposed, and an organic material source 600 from a lower portion of the magnet plate 300 . ) and a deposition source supply unit 500 for supplying the .

마그넷 플레이트(300)와 소스 증착부(500) 사이에는 유기물 소스(600)가 증착되는 유리 등의 대상 기판(900)이 개재될 수 있다. 대상 기판(900)에는 유기물 소스(600)가 화소별로 증착되게 하는 프레임 일체형 마스크(100, 200)[또는, FMM]이 밀착되거나 매우 근접하도록 배치될 수 있다. 마그넷(310)이 자기장을 발생시키고 자기장에 의해 대상 기판(900)에 밀착될 수 있다.A target substrate 900 such as glass on which the organic source 600 is deposited may be interposed between the magnet plate 300 and the source deposition unit 500 . The frame-integrated masks 100 and 200 [or FMMs] that allow the organic material source 600 to be deposited for each pixel may be disposed in close contact with or very close to the target substrate 900 . The magnet 310 may generate a magnetic field and may be in close contact with the target substrate 900 by the magnetic field.

증착 소스 공급부(500)는 좌우 경로를 왕복하며 유기물 소스(600)를 공급할 수 있고, 증착 소스 공급부(500)에서 공급되는 유기물 소스(600)들은 프레임 일체형 마스크(100, 200)에 형성된 패턴(P)을 통과하여 대상 기판(900)의 일측에 증착될 수 있다. 프레임 일체형 마스크(100, 200)의 패턴(P)을 통과한 증착된 유기물 소스(600)는 OLED의 화소(700)로서 작용할 수 있다.The deposition source supply unit 500 may supply the organic material source 600 while reciprocating left and right paths, and the organic material sources 600 supplied from the deposition source supply unit 500 may include patterns P formed on the frame-integrated masks 100 and 200 . ) and may be deposited on one side of the target substrate 900 . The deposited organic material source 600 passing through the pattern P of the frame-integrated masks 100 and 200 may act as the pixel 700 of the OLED.

새도우 이펙트(Shadow Effect)에 의한 화소(700)의 불균일 증착을 방지하기 위해, 프레임 일체형 마스크(100, 200)의 패턴은 경사지게 형성(S)[또는, 테이퍼 형상(S)으로 형성]될 수 있다. 경사진 면을 따라서 대각선 방향으로 패턴을 통과하는 유기물 소스(600)들도 화소(700)의 형성에 기여할 수 있으므로, 화소(700)는 전체적으로 두께가 균일하게 증착될 수 있다.In order to prevent non-uniform deposition of the pixel 700 due to the shadow effect, the pattern of the frame-integrated masks 100 and 200 may be inclined (S) (or formed in a tapered shape (S)). . Since the organic material sources 600 passing through the pattern diagonally along the inclined surface may also contribute to the formation of the pixel 700 , the pixel 700 may be deposited to have a uniform thickness as a whole.

마스크(100)는 화소 증착 공정 온도보다 높은 제1 온도 상에서 프레임(200)에 부착 고정되므로, 화소 증착을 위한 공정 온도로 상승시킨다고 하더라도, 마스크 패턴(P)의 위치에는 영향이 거의 없게 되며, 마스크(100)와 이에 이웃하는 마스크(100) 사이의 PPA는 3㎛를 초과하지 않도록 유지될 수 있다.Since the mask 100 is attached and fixed to the frame 200 at a first temperature higher than the pixel deposition process temperature, even if the process temperature for pixel deposition is increased, the position of the mask pattern P has little effect, and the mask The PPA between 100 and the mask 100 adjacent thereto may be maintained so as not to exceed 3 μm.

본 발명은 상술한 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형과 변경이 가능하다. 그러한 변형예 및 변경예는 본 발명과 첨부된 특허청구범위의 범위 내에 속하는 것으로 보아야 한다.Although the present invention has been illustrated and described with reference to preferred embodiments as described above, it is not limited to the above-described embodiments and is not limited to the above-described embodiments, and various methods can be obtained by those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains within the scope of the present invention. Transformation and change are possible. Such modifications and variations are intended to fall within the scope of the present invention and the appended claims.

50: 템플릿(template)
51: 레이저 통과공
55: 임시접착부
70: 하부 지지체
100: 마스크
110: 마스크 막
200: 프레임
210: 테두리 프레임부
220: 마스크 셀 시트부
221: 테두리 시트부
223: 제1 그리드 시트부
225: 제2 그리드 시트부
1000: OLED 화소 증착 장치
C: 셀, 마스크 셀
CM: 화학적 처리
CR: 마스크 셀 영역
DM: 더미, 마스크 더미
ET: 열 인가
L: 레이저
R: 테두리 프레임부의 중공 영역
P: 마스크 패턴
US: 초음파 인가
UV: UV 인가
W: 용접
WB: 용접 비드50: template
51: laser passing hole
55: temporary adhesive
70: lower support
100: mask
110: mask film
200: frame
210: border frame portion
220: mask cell sheet portion
221: border sheet portion
223: first grid sheet portion
225: second grid sheet portion
1000: OLED pixel deposition device
C: cell, mask cell
CM: chemical treatment
CR: mask cell area
DM: dummy, mask dummy
ET: Apply heat
L: laser
R: Hollow area of the border frame part
P: mask pattern
US: Ultrasound Applied
UV: Apply UV
W: Weld
WB: Weld Bead

Claims (2)

OLED 화소 형성용 마스크를 지지하여 프레임에 대응시키는 템플릿으로서,
템플릿;
템플릿 상에 형성된 임시접착부; 및
임시접착부를 개재하여 템플릿 상에 접착된 상태에서 마스크 패턴이 형성된 마스크
를 포함하고,
임시접착부는 템플릿 일면 상에서 면 전체에 형성되어 임시접착부에 대응하는 마스크의 면 전체가 접착된, 마스크 지지 템플릿. As a template supporting a mask for forming OLED pixels to correspond to a frame,
template;
a temporary adhesive formed on the template; and
A mask on which a mask pattern is formed while being adhered to the template through a temporary adhesive
including,
A mask support template, wherein the temporary adhesive portion is formed on the entire surface on one side of the template and the entire surface of the mask corresponding to the temporary adhesive portion is adhered. 적어도 하나의 마스크와 마스크를 지지하는 프레임이 일체로 형성된 프레임 일체형 마스크의 제조 방법으로서,
(a) 적어도 하나의 마스크 셀 영역을 구비한 프레임 상에, 제1항의 템플릿을 로딩하여 마스크를 프레임의 마스크 셀 영역에 대응하는 단계; 및
(b) 마스크를 프레임에 부착하는 단계
를 포함하는, 프레임 일체형 마스크의 제조 방법.A method of manufacturing a frame-integrated mask in which at least one mask and a frame supporting the mask are integrally formed, the method comprising:
(a) loading the template of claim 1 on a frame having at least one mask cell region so that the mask corresponds to the mask cell region of the frame; and
(b) attaching the mask to the frame;
Including, a method of manufacturing a frame-integrated mask.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102371178B1 (en) * 2020-04-09 2022-03-08 주식회사 오럼머티리얼 Template for supporting mask and producing method thereof and producing method of mask and producing method of mask integrated frame
KR102371177B1 (en) * 2020-04-27 2022-03-08 주식회사 오럼머티리얼 Mask metal sheet and template for supporting mask metal sheet and mask intergrated frame

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050094150A (en) * 2004-03-22 2005-09-27 엘지전자 주식회사 Masking apparatus and method and apparatus for fabricating organic electro luminescence device using the same
KR20180087824A (en) * 2017-01-25 2018-08-02 주식회사 티지오테크 Frame integrated mask and producing method thereof

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100312541B1 (en) * 1992-12-08 2001-12-28 요트.게.아. 롤페즈 Semiconductor body work method and semiconductor device
KR200183547Y1 (en) * 1997-12-24 2000-06-01 김영환 Semiconductor die bonding apparatus
JP4072422B2 (en) * 2002-11-22 2008-04-09 三星エスディアイ株式会社 Deposition mask structure, method for producing the same, and method for producing organic EL element using the same
JP4832780B2 (en) 2005-03-25 2011-12-07 富士フイルム株式会社 Mask forming method, mask material, and pattern film forming system using the same
KR100745150B1 (en) * 2005-12-08 2007-08-01 주식회사 휘닉스 디지탈테크 Protect film remover for LCD
KR101052754B1 (en) * 2008-11-18 2011-08-01 세메스 주식회사 Substrate Transfer Device
CN102971673B (en) * 2010-07-09 2015-10-07 三井化学株式会社 Protective film assembly and the mask adhesive for protective film assembly
EP2666550A4 (en) * 2011-01-18 2014-10-29 Denki Kagaku Kogyo Kk Ultrasonic cleaning method and apparatus
KR101274155B1 (en) * 2012-02-09 2013-06-13 엘지디스플레이 주식회사 Method of fabricating metal mask
KR20140133105A (en) * 2013-05-09 2014-11-19 진중 김 Evaporation source transferring apparatus and fine accuracy aligning apparatus of substrate and shadow mask used in downward type OLED evaporator
KR102082784B1 (en) * 2014-12-11 2020-03-02 삼성디스플레이 주식회사 Mask frame assembly, manufacturing method of the same and manufacturing method of organic light emitting display device there used
KR101832988B1 (en) * 2016-08-04 2018-02-28 주식회사 티지오테크 Mother plate and producing method of the same, and producing method of the same
KR20180087537A (en) * 2017-01-24 2018-08-02 삼성디스플레이 주식회사 Electroforming mask, organic light emitting display apparatus manufactured using the same and method of manufacturing the same

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050094150A (en) * 2004-03-22 2005-09-27 엘지전자 주식회사 Masking apparatus and method and apparatus for fabricating organic electro luminescence device using the same
KR20180087824A (en) * 2017-01-25 2018-08-02 주식회사 티지오테크 Frame integrated mask and producing method thereof

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