KR20190080128A - Reactive sputter apparatus with enhanced thin film uniformity - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a reactive sputter apparatus with increased thin film uniformity. According to the present invention, the reactive sputter apparatus with increased thin film uniformity comprises: a vacuum chamber having an inner vacuum space; a drum installed in the vacuum chamber to be rotated and fixing an object to be deposited on the outer circumferential surface thereof; a sputter unit disposed to face the drum and depositing a film on a surface of the object to be deposited by rotating along a predetermined path in accordance with rotation of the drum; and a sputter gun installed on the circumferential part of the drum. The sputter gun forming a plasma between the object to be deposited to ionize oxygen inputted from the outside with the formed plasma and apply the ionized oxygen to the object to be deposited, includes: a pair of magnetic field formation bodies spaced apart in parallel and facing the drum; a first magnet group fixed to one magnetic field formation body to output first polarity magnetic force to the front side of the one magnetic field formation body; a second magnet group fixed to the other magnetic field formation body to output second polarity magnetic force to the front side of the other magnetic field formation body; and first and second magnetic force control units controlling the magnetic force of the first and second magnet groups, respectively. Accordingly, the reactive sputter apparatus with increased thin film uniformity can provide a deposition film with good adhesion and excellent mechanical/chemical characteristics. Moreover, a constant magnetic field is formed on the entire part in the longitudinal direction of the magnetic field formation body, thereby increasing thickness uniformity of a thin film formed by the sputter apparatus.

Description

박막 균일성이 향상된 반응형 스퍼터장치{Reactive sputter apparatus with enhanced thin film uniformity}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a reactive sputter apparatus with enhanced thin film uniformity,

본 발명은 플라즈마를 이용하는 스퍼터장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 자력의 증가를 통해 스퍼터건 전방의 프라즈마영역을 확장하는 것은 물론, 일렬로 배열된 전자석들 각각의 자력을 미세 제어함으로써 상대적으로 긴 자계형성바디에 의해 형성되는 박막의 균일성을 향상시키는 박막 균일성이 향상된 반응형 스퍼터장치에 관한 것이다.The present invention relates to a sputtering apparatus using plasma, and more particularly, to a sputtering apparatus using a plasma to extend a plasma region in front of a sputtering gun through an increase in magnetic force, And more particularly, to a reactive sputtering apparatus with improved uniformity of thin film which improves the uniformity of a thin film formed by a forming body.

글래스기판 등의 대상물 표면에 박막을 적층하기 위한 적층방법으로서, CVD(Chemical Vapor Deposition), 증발법(Evaporation) 및 스퍼터링(Sputtering) 등이 알려져 있다. 상기한 적층방법은 각자의 특징이 있어 필요에 맞추어 적절히 선택된다.CVD (Chemical Vapor Deposition), evaporation, and sputtering are known as a lamination method for laminating a thin film on the surface of an object such as a glass substrate. The above-mentioned lamination method has its own characteristics and is appropriately selected in accordance with needs.

상기 CVD 방법은, 증착막이 균일하지 못하고 특성의 재현에 어려움이 있으며, 증착시 고온의 환경을 요구하므로 에너지 소모가 심하다는 단점이 있다. 또한, 증발법은 증착율이 높다는 장점이 있으나 증착막의 밀도나 밀착력이 떨어지는 불리한 점이 있다. The CVD method is disadvantageous in that it is difficult to reproduce characteristics because the deposition film is not uniform and requires a high temperature environment during deposition. In addition, the evaporation method has an advantage of high deposition rate, but there is a disadvantage that the density or adhesiveness of the evaporation film is low.

이에 비해, 스퍼터링 방식은, 증착 조건을 제어하기 쉽고 대면적의 기판 증착에 적합하며, 특히 박막의 두께나 밀도 등과 같은 박막 특성의 균일화를 용이하게 구현할 수 있다는 장점을 갖는다. 이러한 이유로 반도체 분야나 전기전자분야는 물론 디스플레이 분야에서 박막 형성을 위한 방법으로 스퍼터링 방식이 가장 널리 사용되고 있다. On the other hand, the sputtering method is advantageous in that it is easy to control deposition conditions and is suitable for large-area substrate deposition, and uniformity of thin film characteristics such as thickness and density of a thin film can be easily realized. For this reason, a sputtering method is widely used as a method for forming a thin film in the semiconductor field, the electric and electronic field as well as the display field.

상기 스퍼터링 증착방식은, 진공이 유지되는 진공챔버내에서 진행되는데, 자석을 이용해 타겟의 표면에 자기장을 유지한 상태로 챔버내에 불활성 기체인 아르곤(Ar)을 주입하고, 타겟에 음극 전력을 인가하여 플라즈마를 형성하는 과정을 포함한다. In the sputtering deposition method, argon (Ar), which is an inert gas, is injected into the chamber while keeping a magnetic field on the surface of the target by using a magnet, and negative electric power is applied to the target And forming a plasma.

상기 아르곤은 플라즈마에 의해 이온화 되고, 이온화된 아르곤의 양이온은 타겟에 고속으로 충돌하여 타겟을 이루는 원자에 충돌에너지를 가하여 타겟으로부터 원자들이 방출되게 한다. 타겟의 표면으로부터 방출된 타겟 물질은 전방에 대기하고 있는 증착대상물, 가령, 기판으로 날아가 기판에 증착되게 된다.The argon is ionized by the plasma, and the ionized argon cations collide with the target at a high speed, thereby applying the collision energy to the atoms forming the target, thereby releasing the atoms from the target. The target material ejected from the surface of the target is ejected onto an evaporation object, e.g., a substrate, which is waiting in front of the target, and is deposited on the substrate.

참고로, 충돌하는 입자들이 양이온이라면 음극 스퍼터링이라고 부르는데, 대부분의 스퍼터링은 음극 스퍼티링이다. 음극 스퍼터링이 많이 사용되는 이유는, 양이온이 가속되기 쉽고 또한 타겟에 충돌하기 직전 타겟으로부터 방출되는 전자에 의하여 중성화되어 중성 원자로 타겟에 충돌하기 때문이다. For reference, if the impinging particles are positive ions, they are called cathode sputtering, and most sputtering is cathodic sputtering. Cathode sputtering is often used because the positive ions tend to be accelerated and are neutralized by electrons emitted from the target just before colliding with the target and collide with the neutral atom target.

상기 증착과정에 있어서, 플라즈마 속에 존재하는 음이온에 의해 리스퍼터링(re-sputtering) 현상이 발생하기도 한다. 상기 리스퍼터링은 플라즈마 내부의 음이온이, 타겟이 아닌 증착대상물의 표면을 타격하여, 증착층에 손상을 주고 경우에 따라 증착물질을 증착대상로부터 다시 분리하는 현상이다.During the deposition process, re-sputtering may occur due to anions present in the plasma. The reputtering is a phenomenon in which the anions inside the plasma strike the surface of the object to be deposited, not the target, to damage the deposition layer and separate the deposition material from the object to be deposited as the case may be.

이러한 리스퍼터링은, 타겟의 후방에 배치되어 있는 자석의 배열이나 출력 자기력을 조절함으로써 해결할 수 있다. 발생된 플라즈마에 자기장을 인가하면 플라즈마 내의 음이온에 로렌쯔 힘을 가하여 플라즈마의 밀도 분포를 달리할 수 있기 때문이다.Such reputtering can be solved by adjusting the arrangement of the magnets arranged at the rear of the target and the output magnetic force. When the magnetic field is applied to the generated plasma, Lorentz force is applied to the anions in the plasma, so that the plasma density distribution can be different.

그런데, 도 2를 통해 후술되는 바와 같이, 스퍼터장치에 포함되는 자계형성바디는 대략적으로 직사각형의 형상을 가지며 직사각형의 장변의 길이가 길어짐에 따라서 전체 길이에 걸쳐 일정한 자계를 형성하는 것이 어려워진다. 자계형성바디에 의해 생성되는 자계가 일정하지 않으면 외부로부터 주입된 산소를 플라즈마를 이용하여 이온화시킬 때 이온화되는 정도가 달라진다. 따라서, 자계형성바디의 길이방향에 따른 자계의 균일도가 열화되고, 이것은 글래스기판 상에 형성되는 박막 두께의 균일성이 감소되는 결과를 가져 온다.As described later with reference to FIG. 2, the magnetic field forming body included in the sputtering apparatus has a roughly rectangular shape, and it becomes difficult to form a constant magnetic field over the entire length as the length of the long side of the rectangular becomes longer. If the magnetic field generated by the magnetic field forming body is not constant, the degree of ionization is different when the oxygen injected from the outside is ionized by plasma. Therefore, the uniformity of the magnetic field along the longitudinal direction of the magnetic field generating body is deteriorated, which results in a reduction in the uniformity of the thin film thickness formed on the glass substrate.

그러므로, 자계형성바디의 길이방향 전체에 걸쳐 일정한 자계가 형성되도록 자계형성바디에 형성된 자석들의 자력을 미세하게 조절하기 위한 기술이 절실히 요구된다.Therefore, a technique for finely adjusting the magnetic force of the magnets formed on the magnetic field generating body is required so that a constant magnetic field is formed over the entire longitudinal direction of the magnetic field generating body.

국내공개특허공보 제10-2011-0033362호 (고균일 박막제조를 위한 방전용 양전극을 구비하는 스퍼터 건)Korean Patent Laid-Open Publication No. 10-2011-0033362 (sputter gun having a discharging positive electrode for producing a uniform thin film) 국내등록특허공보 제10-0848851호 (플라즈마 데미지 프리 스퍼터 건 및 이를 구비한 스퍼터장치와 이를 이용한 플라즈마 처리장치 및 성막 방법)Korean Patent Registration No. 10-0848851 (Plasma Damage Free Sputter Gun, Sputtering Apparatus Including the Same, Plasma Treatment Apparatus Using the Same, and Coating Method) 국내등록특허공보 제10-0497933호 (요동자석방식 마그네트론 스퍼터링장치 및 방법)Korean Patent Registration No. 10-0497933 (Swinging magnet type magnetron sputtering apparatus and method)

본 발명은 상기 문제점을 해소하고자 창출한 것으로서, 플라즈마 영역이 크게 확대되어 증착막의 부착력이 뛰어나고 기계적 화학적 특성이 양호한 증착막을 제공할 수 있으며, 자계형성바디의 길이방향 전체에 걸쳐 일정한 자계가 형성되도록 자계형성바디의 중심부에 형성된 중심전자석들의 자력을 미세하게 조절하여 스퍼터장치에 의해 형성되는 박막 두께의 균일성을 향상시키는 반응형 스퍼터장치를 제공함에 목적이 있다.The present invention has been made in order to solve the above problems, and it is an object of the present invention to provide a vapor deposition film having a plasma region that is greatly enlarged to have excellent adhesion of a vapor deposition film and good mechanical and chemical characteristics, And to provide a reactive sputtering apparatus capable of finely adjusting the magnetic force of central electromagnets formed in the center of the forming body to improve the uniformity of the thickness of the thin film formed by the sputtering apparatus.

상기 목적을 달성하기 위한 스퍼터장치는, 진공을 유지할 수 있는 내부공간을 갖는 진공챔버와; 상기 진공챔버의 내부에 회전 가능하도록 설치되며 그 외주면에 증착대상물을 고정하는 드럼과; 상기 드럼을 바라보도록 배치되며, 상기 드럼의 회전에 따라 일정경로를 따라 공전하는 증착대상물의 표면에 막을 증착하는 스퍼터부와; 상기 드럼의 주연부에 설치되며, 상기 증착대상물과의 사이에 플라즈마를 형성하고, 외부로부터 주입된 산소를 형성된 플라즈마를 이용하여 이온화시켜 상기 증착대상물에 가하는 것으로서, 상호 나란하게 이격되며 상기 드럼을 바라보도록 배치되는 한 쌍의 자계형성바디와, 일측 자계형성바디에 고정되며 일측 자계형성바디의 전방으로 제1극성의 자기력을 생성하는 제1자석군과, 타측 자계형성바디에 고정되며 타측 자계형성바디의 전방으로 제2극성의 자기력을 생성하는 제2자석군과, 상기 양측 자계형성바디의 사이에 위치하며 양측 자계형성바디를 서로 연결하는 센터홀더와, 상기 제1자석군과 제2자석군의 자력을 각각 제어하는 제1자력제어부와 제2자력제어부를 포함하는 스퍼터건을 구비한다.To achieve the above object, a sputtering apparatus includes a vacuum chamber having an inner space capable of maintaining a vacuum; A drum rotatably installed in the vacuum chamber and fixing an object to be deposited on an outer circumferential surface thereof; A sputtering unit disposed to face the drum and depositing a film on a surface of the deposition target which revolves along a predetermined path in accordance with the rotation of the drum; A plasma is formed between the deposition object and the periphery of the drum, and oxygen is injected from the outside into the deposition target by ionizing the plasma using the plasma generated from the outside, and the deposition target is spaced apart from the deposition target, A first magnet group fixed to one body of the magnetic field generating body and generating a magnetic force of a first polarity in front of one body of the magnetic field generating body, a first magnet group fixed to the other magnetic body forming body, A center holder which is disposed between the two magnetic field generating bodies and connects the two magnetic field generating bodies to each other, and a second magnet group which generates magnetic force of the first magnet group and the second magnet group, And a sputter gun including a first magnetic force control unit and a second magnetic force control unit.

또한, 상기 제1자석군과 제2자석군은 상호대칭적인 구조를 가지고, 일렬로 배열된 다수의 전자석과 상기 전자석 주위에 배치된 영구자석을 각각 포함하며, 상기 제1자력제어부와 제2자력제어부는 상기 제1자석군과 제2자석군에 포함된 중심전자석을 각각 제어한다.The first magnet group and the second magnet group have mutually symmetrical structures and include a plurality of electromagnets arranged in a line and permanent magnets arranged around the electromagnets, The control unit controls the central electromagnets included in the first magnet group and the second magnet group, respectively.

아울러, 상기 일측 자계형성바디와 타측 자계형성바디에서 출력되는 자기력은, 상기 센터홀더를 기준으로 상호 대칭을 이룬다.In addition, the magnetic force output from the one side magnetic field forming body and the other side magnetic field forming body are mutually symmetrical with respect to the center holder.

또한, 상기 양측 자계형성바디는, 상기 드럼에 대향하는 대향면이 둔각의 사이각을 가지도록 배치된다.The two-sided magnetic field generating body is arranged such that the opposed faces opposed to the drums have an obtuse angle.

특히, 상기 스퍼터건은, 상기 한 쌍의 자계형성바디의 후방에 상기 제1,2자석군을 보호하는 하우징을 더 포함한다.In particular, the sputter gun further includes a housing for protecting the first and second magnet groups behind the pair of magnetic field generating bodies.

아울러, 상기 스퍼터부는; 그 내부에 실리콘 캐소오드를 갖는 제1스퍼터부와, 그 내부에 티타늄 캐소오드를 갖는 제2스퍼터부를 포함한다.In addition, the sputter part may include: A first sputtering portion having a silicon cathode inside thereof and a second sputtering portion having a titanium cathode in the inside thereof.

상기와 같이 이루어지는 본 발명의 박막 균일성이 향상된 반응형 스퍼터장치는, 상호 나란한 양측 자계형성바디에 배치된 자석의 극성을 자계형성바디 별로 동일하게 구성하여, 플라즈마 영역이 크게 확대되어 그만큼 에너지가 증가하므로, 증착막의 부착력이 양호하고 기계적 화학적 특성이 뛰어난 증착막을 제공할 수 있다.The reactive sputter apparatus with improved uniformity of the thin film uniformity of the present invention as described above has a structure in which the polarities of the magnets disposed on the mutually parallel side magnetic field forming bodies are the same for each magnetic field forming body so that the plasma region is greatly enlarged, Therefore, it is possible to provide a vapor deposition film having good adhesion of the vapor deposition film and excellent mechanical and chemical characteristics.

또한 자계형성바디의 길이방향 전체에 걸쳐 일정한 자계가 형성되도록 자계형성바디의 중심부에 형성된 중심전자석들의 자력을 미세하게 조절하기 때문에 스퍼터장치에 의해 형성되는 박막 두께의 균일성이 향상될 수 있다.In addition, since the magnetic force of the central electromagnets formed at the central portion of the magnetic field generating body is finely adjusted so that a constant magnetic field is formed throughout the longitudinal direction of the magnetic field forming body, uniformity of the thickness of the thin film formed by the sputtering apparatus can be improved.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 균일성이 향상된 반응형 스퍼터장치의 전체적인 구성을 나타내 보인 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시한 반응형 스퍼터장치에 포함된 스퍼터건(31)이 가지는 한 쌍의 자계형성바디(35)를 상세하게 도시하는 도면이다.
도 3은 도 1에 도시한 반응형 스퍼터장치에 포함된 스퍼터건(31)에 의해 형성되는 플라즈마 영역을 개념적으로 설명하는 도면이다.FIG. 1 is a plan view showing the overall structure of a reactive sputtering apparatus with improved thin film uniformity according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a view showing in detail a pair of magnetic field forming bodies 35 of the sputter gun 31 included in the reactive sputtering apparatus shown in FIG.
3 is a view for conceptually explaining a plasma region formed by the sputter gun 31 included in the reactive sputtering apparatus shown in Fig.

이하, 본 발명에 따른 하나의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, one embodiment according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 균일성이 향상된 반응형 스퍼터장치(10)의 전체적인 구성을 나타내 보인 평면도이고, 도 2는 도 1에 도시한 반응형 스퍼터장치에 포함된 스퍼터건(31)이 가지는 한 쌍의 자계형성바디(35)를 상세하게 도시하는 도면이다. 또한, 도 3은 도 1에 도시한 반응형 스퍼터장치에 포함된 스퍼터건(31)에 의해 형성되는 플라즈마 영역을 개념적으로 설명하는 도면이다. 이하 각 도면을 유기적으로 참조하여 본 발명에 의한 스퍼터장치(10)에 대해 설명한다.FIG. 1 is a plan view showing the overall structure of a reactive sputtering apparatus 10 having improved thin film uniformity according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view of a reactive sputtering apparatus 10 31 in detail in a pair of magnetic-field-forming bodies 35. FIG. 3 is a view for conceptually explaining a plasma region formed by the sputter gun 31 included in the reactive sputtering apparatus shown in Fig. Hereinafter, the sputtering apparatus 10 according to the present invention will be described with reference to the drawings.

기본적으로 본 실시예에 따른 박막 균일성이 향상된 반응형 스퍼터장치(10)는, 글래스기판(22)의 표면에 SiO2 또는 TiO2 층을 형성하기 위한 최적의 구조를 갖는다. 글래스기판(22)에 대한 Si의 증착은 제1스퍼터부(14)에 의해 이루어지고, Ti의 증착은 제2스퍼터부(16)에 의해 구현된다. 아울러, 상기 제1스퍼터부(14)와 제2스퍼터부(16)는 동시에 작동할 수도 있고, 필요에 따라 하나만 동작할 수도 있다.Basically, the reaction type sputtering apparatus 10 with improved thin film uniformity according to the present embodiment has an optimum structure for forming a SiO2 or TiO2 layer on the surface of the glass substrate 22. The deposition of Si on the glass substrate 22 is performed by the first sputtering section 14 and the deposition of Ti is realized by the second sputtering section 16. [ In addition, the first sputter part 14 and the second sputter part 16 may operate simultaneously, or may operate only one if necessary.

도시한 바와 같이, 본 실시예에 따른 스퍼터장치(10)는, 진공챔버(12), 드럼(20), 제1,2스퍼터부(14,16), 산소이온발생부(30), 진공펌프(18) 등을 포함하는 구성을 갖는다.As shown in the figure, the sputtering apparatus 10 according to the present embodiment includes a vacuum chamber 12, a drum 20, first and second sputtering units 14 and 16, an oxygen ion generating unit 30, (18), and the like.

상기 진공챔버(12)는, 다수의 진공펌프(18)에 의해 진공을 유지하는 내부공간(12a)을 갖는 챔버로서, 상기 드럼(20)을 회전 가능하게 수용한다. 이를 위해 진공챔버(12)의 하부에는 드럼 구동용 모터가 구비되어 있음은 물론이다. The vacuum chamber 12 is a chamber having an internal space 12a for holding a vacuum by a plurality of vacuum pumps 18 and rotatably accommodates the drum 20. It goes without saying that a drum driving motor is provided at a lower portion of the vacuum chamber 12 for this purpose.

상기 드럼(20)은 가령 60rpm 정도의 속도로 회전하는 부재로서 그 주연부에 글래스기판(22)을 갖는다. 상기 글래스기판(22)은 가령 SiO2나 TiO2를 증착할 증착대상물이다. 글래스기판(22)은 적절한 지그를 통해 드럼(20)의 주연부에 고정되며 드럼의 회전에 따라 일정경로를 공전한다. 말하자면 제1스퍼터부(14)와 스퍼터건(31)과 제2스퍼터부(16)의 앞을 스쳐 지나가는 것이다.The drum 20 is a member that rotates at a speed of, for example, about 60 rpm, and has a glass substrate 22 at its periphery. The glass substrate 22 is an object to be deposited such as SiO 2 or TiO 2. The glass substrate 22 is fixed to the periphery of the drum 20 through an appropriate jig and revolves a certain path in accordance with the rotation of the drum. That is to say, it passes in front of the first sputter part 14, the sputter gun 31 and the second sputter part 16.

상기 제1스퍼터부(14)는, 두 개의 실리콘캐소오드(14a)와, 아르곤가스를 주입하는 가스공급관(14b)을 포함하며, 공지의 방법에 따라 글래스기판(22)에 실리콘층을 증착한다. 이를테면, 내부공간(12a)에 주입된 아르곤가스가 플라즈마에 의해 이온화된 상태로 실리콘캐소오드(14a)를 타격하고, 타격에 의해 실리콘캐소오드(14a)에서 발생하는 실리콘 원자가 글래스기판(22)에 증착되는 것이다.The first sputter part 14 includes two silicon cathodes 14a and a gas supply pipe 14b for injecting argon gas and deposits a silicon layer on the glass substrate 22 according to a known method . For example, the argon gas injected into the inner space 12a strikes the silicon canister 14a in a state of being ionized by the plasma, and the silicon atoms generated in the silicon can 14a due to the impact are injected into the glass substrate 22 Lt; / RTI >

제2스퍼터부(16)는, 두 개의 티타늄캐소오드(16a)와, 아르곤가스를 주입하는 가스공급관(16b)을 구비한다. 가스공급관(16b)을 통해 내부공간(12a)으로 주입된 아르곤가스는 플라즈마 분위기에서 이온화되고, 아르곤가스의 양이온이 티타튬캐소오드(16a)를 타격한다. 상기 타격에 의해 발생한 티타늄 원자가 글래스기판(22)의 표면으로 이동하여 증착됨은 물론이다.The second sputter part 16 has two titanium cathodes 16a and a gas supply pipe 16b for injecting argon gas. The argon gas injected into the inner space 12a through the gas supply pipe 16b is ionized in a plasma atmosphere, and positive ions of the argon gas strike the titanium tetraoxide 16a. It goes without saying that the titanium atoms generated by the impact move to the surface of the glass substrate 22 and are deposited.

한편, 상기 스퍼터건(31)은 외부로부터 주입된 산소를 이온화시키는 산소이온발생부(30)의 역할을 한다. 산소이온발생부(30)의 기본 역할은, 외부로부터 공급된 산소를 플라즈마 환경을 통해 이온화시켜, 실리콘이나 티타늄이 증착되고 있는 글래스기판(22)에 가하는 것이다. The sputter gun 31 serves as an oxygen ion generating unit 30 for ionizing oxygen injected from the outside. The basic role of the oxygen ion generating portion 30 is to ionize the oxygen supplied from the outside through a plasma environment and apply it to the glass substrate 22 on which silicon or titanium is deposited.

경우에 따라, 스퍼터건(31)의 전면, 즉, 드럼(20)을 향하는 면(가령, 도 3의 커버 자리)에 타겟소스를 장착할 수도 있다. 타겟소스를 장착할 경우, 스퍼터건(31)을 통한 스퍼터링이 가능해짐은 물론이다. 상기 타겟소스를 사용하지 않는 경우에는 산소를 이온화시키거나, 산소나 복합가스를 사용하여 기판의 반응성 처리 및 표면 트리트먼트의 기능을 할 수 있다.In some cases, the target source may be mounted on the front surface of the sputter gun 31, that is, the surface facing the drum 20 (e.g., the cover seat in Fig. 3). It goes without saying that, when the target source is mounted, sputtering through the sputter gun 31 becomes possible. When the target source is not used, oxygen may be ionized, or oxygen or a composite gas may be used to perform reactive processing and surface treatment of the substrate.

스퍼터건(31)의 전방에는 플라즈마영역(P)이 형성된다. 상기 플라즈마영역(P)은 넓을수록 좋다. 글래스기판(22)과의 사이에 형성된 플라즈마를 이용하여 산소를 이온화시키기 때문이다. 플라즈마영역이 넓으면 그만큼 산소의 반응속도가 당연히 신속해진다.A plasma region P is formed in front of the sputter gun 31. The larger the plasma region P is, the better. This is because oxygen is ionized by using plasma formed between the glass substrate 22 and the glass substrate 22. If the plasma region is wide, the reaction rate of oxygen is naturally accelerated.

스퍼터건(31)은, 상기 진공챔버(12)에 고정되며 밀폐공간부(32a)를 갖는 하우징(32)과, 하우징(32)의 내부 중앙에 위치하는 센터홀더와, 상기 센터홀더의 양측에 대칭으로 구비된 자계형성바디(35)와, 상기 자계형성바디(35)의 배면에 구비되는 다수의 자석(37a,37b,37e)을 포함한다.The sputter gun 31 includes a housing 32 fixed to the vacuum chamber 12 and having a closed space portion 32a, a center holder located at the center of the interior of the housing 32, And a plurality of magnets 37a, 37b and 37e provided on the rear surface of the magnetic field generating body 35. The magnets 37a,

본 설명에서, 상기 제1영구자석(37a)은, 말하자면, N극이 드럼(20)을 향하도록 배치된 자석을 의미하고, 제2영구자석(37b)은 S극이 드럼(20)을 향하도록 위치된 자석을 의미한다.In the present description, the first permanent magnet 37a means a magnet arranged so that the N pole faces the drum 20, and the second permanent magnet 37b indicates a magnet having the S pole oriented toward the drum 20 ≪ / RTI >

상기 자계형성바디(35)는, 진공챔버(12)의 높이방향을 따라 수직으로 연장된 부재로서 그 전면에 보호용 커버(33)를 갖는다. 필요에 따라 상기 보호용 커버(33)를 분리하고 그 자리에 소스타겟을 장착할 수도 있음은 위에 언급한 바와 같다. 아울러, 자계형성바디(35)의 배면에는 자석(37a,37b,37e)이 삽입 고정되는 다수의 자석설치홈(35a)이 형성되어 있다.The magnetic field generating body 35 is a member vertically extending along the height direction of the vacuum chamber 12 and has a protective cover 33 on the entire surface thereof. As described above, the protective cover 33 may be separated as necessary and the source target may be mounted in its place. In addition, a plurality of magnet mounting grooves 35a through which the magnets 37a, 37b, and 37e are inserted and fixed are formed on the back surface of the magnetic field generating body 35. [

자석에 의해 형성되는 플라즈마영역은 자기력의 크기 및 범위와 관련되므로, 영구자석간에 작용하는 자기장의 범위가 작다면, 당연히 플라즈마 영역도 작다. 본 발명에 의한 스퍼터장치(10)에 포함되는 스퍼터건(31)은 각 자계형성바디(35)에 설치되는 자석들이 동일한 극성을 가지도록 배치된다. 말하자면, 도면상 좌측에 위치한 자계형성바디(35)에는 오로지 제1극성의 자석만이 배치되어 있고, 우측에 위치한 자계형성바디(35)에는 오로지 제2극성의 자석만이 배치되어 있는 것이다. 도 3에서 좌측의 자계형성바디(35)에는 N극의 자극을 가지는 자석들이 배치되고, 우측의 자계형성바디(35)에는 S극의 자극을 가지는 자석들이 배치되는 것으로 도시되었지만 이는 설명의 편의를 위한 것이고 본 발명을 한정하는 것이 아니다.Since the plasma region formed by the magnet is related to the magnitude and the range of the magnetic force, if the range of the magnetic field acting between the permanent magnets is small, the plasma region is naturally also small. The sputter gun 31 included in the sputtering apparatus 10 according to the present invention is arranged such that the magnets provided in the respective magnetic field forming bodies 35 have the same polarity. In other words, only the magnet of the first polarity is disposed in the magnetic field generating body 35 located on the left side in the drawing, and only the magnet of the second polarity is disposed in the magnetic field generating body 35 located on the right side. Although magnets having magnetic poles of the N pole are arranged in the left magnetic field generating body 35 in FIG. 3 and magnets having magnetic poles in the S pole are arranged in the right magnetic field generating body 35, And is not intended to limit the present invention.

따라서 좌측 자계형성바디(35)에서 발생한 자기력은, 센터홀더를 가로질러 반대편 자계형성장치(35)에 도달한다. 스퍼터건(31)의 전방 상대편에 자기력이 미치는 것이다. 상기한 바와 같이, 플라즈마 영역은 자기력의 범위와 관련되므로, 결국, 스퍼터건(31)의 전방에 플라즈마영역(P)이 넓게 분포하게 된다.Therefore, the magnetic force generated in the left magnetic field generating body 35 reaches the opposite magnetic field forming device 35 across the center holder. Magnetic force is applied to the front side of the sputter gun 31. [ As described above, since the plasma region is related to the range of the magnetic force, eventually, the plasma region P is widely distributed in front of the sputter gun 31.

한편, 상기 양측 자계형성바디(35)는 한 평면상에 위치하지 않고, 내측으로 꺾인 상태를 유지한다. 즉, 양측 자계형성바디(35)의 드럼을 향하는 대향면이 둔각의 사이각을 가지도록 배치된 것이다. 상기 사이각은 135도 내지 170도 일 수 있다.On the other hand, the both-side magnetic-field-forming bodies 35 are not positioned on one plane but are kept bent inward. That is, the opposing faces of the both magnetic field generating bodies 35 facing the drum are arranged so as to have an angle of obtuse angle. The angle may be between 135 degrees and 170 degrees.

도 3을 참조하면, 산소이온발생부(30)와 드럼(20)의 사이에 플라즈마영역(P)이 넓게 분포함을 알 수 있다. 외부로부터 주입된 산소분자가 플라즈마영역(P) 내부에 포함되어 에너지를 전달받기 용이하다. 산소는 상기 플라즈마영역(P) 내부로 유도되어 이온화 된 상태로, (실리콘이나 티타늄이 증착되고 있는) 글래스기판(22) 상에 가해져 글래스기판(22)상에 SiO2(이산화규소) 또는 TiO2(이산화티타늄)층을 형성한다.Referring to FIG. 3, it can be seen that the plasma region P is widely distributed between the oxygen ion generating portion 30 and the drum 20. The oxygen molecules injected from the outside are contained in the plasma region P, and it is easy to receive energy. Oxygen is introduced into the plasma region P and is ionized to be applied on a glass substrate 22 (on which silicon or titanium is deposited) to form SiO 2 (silicon dioxide) or TiO 2 Titanium) layer.

이제 각 자계형성바디(35)에 배치되는 자석의 구성에 대해서 도 2 를 참조하여 상세히 후술한다.Now, the configuration of the magnets arranged in the respective magnetic field forming bodies 35 will be described in detail with reference to FIG.

도 2를 참조하면, 좌측 자계형성바디(35)에는 중심전자석(37e)과 영구자석(37a)이 배치되고, 우측 자계형성바디(35)에는 중심전자석(37e)과 영구자석(37b)이 배치된다. 즉, 본 발명의 자계형성바디(35) 각각은 중심에 일렬로 배열된 전자석과 해당 전자석을 둘러싸도록 배치되는 영구자석을 포함한다.2, the center electromagnet 37e and the permanent magnet 37a are disposed in the left magnetic field generating body 35 and the center electromagnet 37e and the permanent magnet 37b are disposed in the right magnetic field forming body 35 do. That is, each of the magnetic-field-forming bodies 35 of the present invention includes an electromagnet arranged in a line at the center and a permanent magnet arranged to surround the electromagnet.

자계형성바디(35)는 경우에 따라 길이가 1m에 달할 정도로 긴 직사각형 형상을 가진다. 그런데 길이 방향으로 길게 배열된 자석의 자성을 일정하게 유지하는 것은 매우 어려운 일이다. 공장에서 제조할 때 길이방향 자성을 일정하게 세팅했다고 하더라도, 스퍼터장치(10)의 운용 중 여러 변수와 선택적 노화에 의하여 자계형성바디(35)가 생성하는 자성의 균일성은 열화되게 된다. 본 발명에 의한 스퍼터장치(10)에 포함되는 스퍼터건(31)은 이에 대비하여 자계형성바디(35)에 배치된 자석의 중심에 일련의 중심전자석(37e)을 배치하고, 중심전자석(37e)의 자력을 자력제어부(41)를 사용하여 제어한다. 도 3에 도시된 스퍼터건(31)은 하나의 자력제어부(41)를 포함하는 것으로 도시되었지만, 이는 본 발명을 제한하는 것이 아니고, 양측 자계형성바디(35)에 포함되는 중심전자석(37e) 각각을 제어하기 위한 별개의 자력제어부(41)가 존재할 수도 있다.The magnetic field generating body 35 has a rectangular shape that is long enough to reach a length of 1 m in some cases. However, it is very difficult to maintain the magnetism of the long magnet arranged in the longitudinal direction constant. Even when the longitudinal magnetism is constantly set at the factory, various factors during the operation of the sputtering apparatus 10 and the selective aging deteriorate the uniformity of the magnetic force generated by the magnetic field generating body 35. The sputter gun 31 included in the sputtering apparatus 10 according to the present invention has a series of central electromagnets 37e disposed at the center of the magnets disposed in the magnetic field forming body 35, The magnetic force control unit 41 controls the magnetic force of the motor. Although the sputter gun 31 shown in FIG. 3 is shown as including one magnetic force control unit 41, it is not limited to the present invention, but may be applied to the central electromagnets 37e included in the both- There may be a separate magnetic force control unit 41 for controlling the magnetic force.

자력제어부(41)에 의해 중심전자석(37e)의 자력이 제어되면, 길이 방향으로 긴 자계형성바디(35)에서 발생되는 자력이 자계형성바디(35) 전체에 걸쳐 일정하게 유지되도록 미세제어하는 것이 가능해진다. 그러므로, 스퍼터건(31)에 의해 증착되는 산소이온의 농도를 글래스기판(22) 전체에 걸쳐 일정하게 유지할 수 있기 때문에, 박막 두께의 균일성이 개선된다.When the magnetic force of the central electromagnet 37e is controlled by the magnetic force control unit 41, fine control is performed so that the magnetic force generated in the longitudinal magnetic field generating body 35 is constantly maintained throughout the magnetic field generating body 35 It becomes possible. Therefore, since the concentration of the oxygen ions deposited by the sputter gun 31 can be constantly maintained throughout the glass substrate 22, the uniformity of the thin film thickness is improved.

전술된 바와 같이, 도 3에 도시된 양측의 자계형성바디(35)에서 발생되는 자력은 센터홀더를 기준으로 상호대칭을 이뤄야 하므로, 자력제어부(41)는 좌측 자계형성바디(35)와 우측 자계형성바디(35)에 설치된 중심전자석(37e)의 자력을 상호 대칭이 되도록 제어하는 것이 바람직하다.As described above, since the magnetic forces generated in the magnetic field generating bodies 35 on both sides shown in FIG. 3 must be mutually symmetric with respect to the center holder, the magnetic force control unit 41 controls the left magnetic field generating body 35 and the right magnetic field generating body 35, It is preferable to control the magnetic forces of the central electromagnets 37e provided in the forming body 35 to be mutually symmetrical.

이상, 본 발명을 구체적인 실시예를 통하여 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정하지 않고, 본 발명의 기술적 사상의 범위내에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 변형이 가능하다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the appended claims.

10:스퍼터장치 12:진공챔버
12a:내부공간 14:제1스퍼터부
14a:실리콘캐소오드 14b:가스공급관
16:제2스퍼터부 16a:티타늄캐소오드
16b:가스공급관 18:진공펌프
20:드럼 22:글래스기판
31:스퍼터건 32:하우징
32a:밀폐공간부 33:커버
35:자계형성바디 35a:자석설치홈
37a:영구자석 37b:영구자석
37e: 중심전자석 30:산소이온발생부10: sputtering apparatus 12: vacuum chamber
12a: internal space 14: first sputter part
14a: silicon cathode 14b: gas supply pipe
16: second sputter part 16a: titanium cathode
16b: gas supply pipe 18: vacuum pump
20: drum 22: glass substrate
31: sputter gun 32: housing
32a: sealed space portion 33: cover
35: magnetic field forming body 35a: magnet mounting groove
37a: permanent magnet 37b: permanent magnet
37e: central electromagnet 30: oxygen ion generator

Claims (6)

진공을 유지할 수 있는 내부공간을 갖는 진공챔버와;
상기 진공챔버의 내부에 회전 가능하도록 설치되며 그 외주면에 증착대상물을 고정하는 드럼과;
상기 드럼을 바라보도록 배치되며, 상기 드럼의 회전에 따라 일정경로를 따라 공전하는 증착대상물의 표면에 막을 증착하는 스퍼터부와;
상기 드럼의 주연부에 설치되며, 상기 증착대상물과의 사이에 플라즈마를 형성하고, 외부로부터 주입된 산소를 형성된 플라즈마를 이용하여 이온화시켜 상기 증착대상물에 가하는 것으로서, 상호 나란하게 이격되며 상기 드럼을 바라보도록 배치되는 한 쌍의 자계형성바디와, 일측 자계형성바디에 고정되며 일측 자계형성바디의 전방으로 제1극성의 자기력을 생성하는 제1자석군과, 타측 자계형성바디에 고정되며 타측 자계형성바디의 전방으로 제2극성의 자기력을 생성하는 제2자석군과, 상기 양측 자계형성바디의 사이에 위치하며 양측 자계형성바디를 서로 연결하는 센터홀더와, 상기 제1자석군과 제2자석군의 자력을 각각 제어하는 제1자력제어부와 제2자력제어부를 포함하는 스퍼터건을 구비하는 박막 균일성이 향상된 반응형 스퍼터장치.A vacuum chamber having an inner space capable of maintaining a vacuum;
A drum rotatably installed in the vacuum chamber and fixing an object to be deposited on an outer circumferential surface thereof;
A sputtering unit disposed to face the drum and depositing a film on a surface of the deposition target which revolves along a predetermined path in accordance with the rotation of the drum;
A plasma is formed between the deposition object and the periphery of the drum, and oxygen is injected from the outside into the deposition target by ionizing the plasma using the plasma generated from the outside, and the deposition target is spaced apart from the deposition target, A first magnet group fixed to one body of the magnetic field generating body and generating a magnetic force of a first polarity in front of one body of the magnetic field generating body, a first magnet group fixed to the other magnetic body forming body, A center holder which is disposed between the two magnetic field generating bodies and connects the two magnetic field generating bodies to each other, and a second magnet group which generates magnetic force of the first magnet group and the second magnet group, And a second magnetic force control unit for controlling the first magnetic force control unit and the second magnetic force control unit, respectively. 제1항에 있어서,
상기 제1자석군과 제2자석군은 상호대칭적인 구조를 가지고, 일렬로 배열된 다수의 전자석과 상기 전자석 주위에 배치된 영구자석을 각각 포함하며,
상기 제1자력제어부와 제2자력제어부는 상기 제1자석군과 제2자석군에 포함된 중심전자석을 각각 제어하는 박막 균일성이 향상된 반응형 스퍼터장치.The method according to claim 1,
Wherein the first magnet group and the second magnet group have mutually symmetrical structures and include a plurality of electromagnets arranged in a line and permanent magnets arranged around the electromagnets,
Wherein the first magnetic force control unit and the second magnetic force control unit respectively control the central electromagnets included in the first magnet group and the second magnet group, respectively. 제2항에 있어서,
상기 일측 자계형성바디와 타측 자계형성바디에서 출력되는 자기력은, 상기 센터홀더를 기준으로 상호 대칭을 이루는 박막 균일성이 향상된 반응형 스퍼터장치.3. The method of claim 2,
Wherein the magnetic force output from the one magnetic field generating body and the other magnetic field generating body is mutually symmetric with respect to the center holder, wherein the thin film uniformity is improved. 제3항에 있어서,
상기 양측 자계형성바디는, 상기 드럼에 대향하는 대향면이 둔각의 사이각을 가지도록 배치된 박막 균일성이 향상된 반응형 스퍼터장치.The method of claim 3,
Wherein the both magnetic field generating bodies are arranged so that the opposing surfaces facing the drum have obtuse angle angles, wherein the thin film uniformity is improved. 제1항에 있어서,
상기 스퍼터건은, 상기 한 쌍의 자계형성바디의 후방에 상기 제1,2자석군을 보호하는 하우징을 더 포함하는 박막 균일성이 향상된 반응형 스퍼터장치.The method according to claim 1,
Wherein the sputter gun further comprises a housing for protecting the first and second magnet groups at the rear of the pair of magnetic field generating bodies. 제1항에 있어서,
상기 스퍼터부는;
그 내부에 실리콘 캐소오드를 갖는 제1스퍼터부와,
그 내부에 티타늄 캐소오드를 갖는 제2스퍼터부를 포함하는 박막 균일성이 향상된 반응형 스퍼터장치.
The method according to claim 1,
Wherein the sputtering portion comprises:
A first sputter portion having a silicon cathode in its interior,
And a second sputtering portion having a titanium cathode in the inside thereof, wherein the thin film uniformity is improved.
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09137270A (en) * 1995-11-10 1997-05-27 Asahi Glass Co Ltd Sputtering device
KR100497933B1 (en) 2003-01-09 2005-06-29 주식회사 선익시스템 apparatus and method for magnetron sputtering of rocking magnet type
KR20060033491A (en) * 2004-10-15 2006-04-19 (주)에스엔텍 Optical thin film deposition apparatus
KR100848851B1 (en) 2006-11-17 2008-07-30 주식회사 탑 엔지니어링 Plasma damage free sputter gun, sputter, plasma process apparatus and film-forming method
KR20110033362A (en) 2009-09-25 2011-03-31 (주)알파플러스 Sputter gun having discharge anode for high uniformity film fabrication
KR101147484B1 (en) * 2007-01-26 2012-05-22 가부시끼가이샤 오오사까 신꾸우기끼 세이사꾸쇼 Sputter method and sputter device

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09137270A (en) * 1995-11-10 1997-05-27 Asahi Glass Co Ltd Sputtering device
KR100497933B1 (en) 2003-01-09 2005-06-29 주식회사 선익시스템 apparatus and method for magnetron sputtering of rocking magnet type
KR20060033491A (en) * 2004-10-15 2006-04-19 (주)에스엔텍 Optical thin film deposition apparatus
KR100848851B1 (en) 2006-11-17 2008-07-30 주식회사 탑 엔지니어링 Plasma damage free sputter gun, sputter, plasma process apparatus and film-forming method
KR101147484B1 (en) * 2007-01-26 2012-05-22 가부시끼가이샤 오오사까 신꾸우기끼 세이사꾸쇼 Sputter method and sputter device
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