KR20190079512A - 피가공물의 분할 방법 및 분할 장치 - Google Patents

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Abstract

(과제) 분할 후의 디바이스끼리가 닿는 것을 억제할 수 있는 것.
(해결 수단) 피가공물의 분할 방법은, 익스팬드 시트를 개재하여 피가공물을 유지 테이블의 유지면에 재치하고, 환상 프레임을 프레임 고정부에서 고정시키는 고정 스텝 ST1 과, 유지 테이블과 프레임 고정부를 피가공물과 직교하는 방향으로 상대적으로 이동시키고, 익스팬드 시트의 환상 영역을 확장하는 시트 확장 스텝 ST2 와, 익스팬드 시트를 개재하여 피가공물을 유지 테이블의 유지면에서 흡인 유지하고, 익스팬드 시트의 확장을 유지하는 흡인 유지 스텝 ST3 과, 흡인 유지 스텝 ST3 을 실시한 후, 확장된 익스팬드 시트의 환상 영역을 가열하여 수축시키는 가열 스텝 ST4 를 구비한다. 가열 스텝 ST4 에서는, 시트 확장 스텝 ST2 에서 멀어진 유지 테이블과 프레임 고정부를 근접시키면서 익스팬드 시트를 가열 유닛에서 가열 수축시킨다.

Description

피가공물의 분할 방법 및 분할 장치{DIVIDING METHOD OF WORKPIECE AND DIVIDING APPARATUS}
본 발명은, 피가공물의 분할 방법 및 분할 장치에 관한 것이다.
디바이스가 표면에 형성된 웨이퍼에 레이저 광선을 조사하고, 분할 예정 라인을 따라 내부에 개질층을 형성하고, 웨이퍼가 첩착 (貼着) 된 익스팬드 시트 (다이싱 테이프) 를 확장함으로써 개질층을 파단 기점 (基點) 으로 개개의 디바이스로 분할하는 가공 방법이 알려져 있다.
전술한 가공 방법은, 웨이퍼의 외주의 익스팬드 시트를 확장하기 때문에, 확장 후에 익스팬드 시트가 늘어지고, 서서히 확장된 디바이스 사이의 간격이 좁아지거나, 반송시에 익스팬드 시트가 흔들려 디바이스끼리의 닿음에 의한 결손의 원인이 된다. 그래서, 확장되어 늘어진 익스팬드 시트를 가열하여 수축시키는 가공 기술과 분할 장치 (예를 들어, 특허문헌 1 참조) 가 개발되었다.
일본 특허공보 제5791866호
그러나, 특허문헌 1 에 나타낸 분할 장치는, 익스팬드 시트에 따라서는 연장되기 매우 쉬움과 함께 늘어짐이 발생하기 쉽기 때문에, 밀어 올린 피가공물의 위치를 환상 (環狀) 프레임과 면일 (面一) 로 했을 때에 익스팬드 시트가 크게 융기하여 유지 테이블로부터 익스팬드 시트가 박리되어, 피가공물을 흡인 유지할 수 없고, 익스팬드 시트의 확장이 원래로 돌아가, 분할 후의 디바이스끼리가 닿는다는 과제가 있다.
본 발명은, 이러한 문제점을 감안하여 이루어진 것이며, 그 목적은, 분할 후의 디바이스끼리가 닿는 것을 억제할 수 있는 피가공물의 분할 방법 및 분할 장치를 제공하는 것이다.
상기 서술한 과제를 해결하고, 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 피가공물의 분할 방법은, 분할 예정 라인을 따라 분할 기점 (起點) 이 형성된 판상의 피가공물과, 그 피가공물이 첩착된 익스팬드 시트와, 그 익스팬드 시트의 외주가 첩착된 환상 프레임으로 이루어지는 피가공물 유닛의 그 익스팬드 시트를 확장하고 그 피가공물을 파단하는 피가공물의 분할 방법으로서, 그 익스팬드 시트를 개재하여 그 피가공물 유닛의 그 피가공물을 유지 테이블의 유지면에 재치 (載置) 하고, 그 환상 프레임을 프레임 고정부에서 고정시키는 고정 스텝과, 그 고정 스텝을 실시한 후, 그 유지 테이블과 그 프레임 고정부를 그 피가공물과 직교하는 방향으로 상대적으로 이동시키고, 그 피가공물의 외주와 그 환상 프레임의 내주의 그 익스팬드 시트의 환상 영역을 확장하는 시트 확장 스텝과, 그 시트 확장 스텝 후, 그 익스팬드 시트를 개재하여 그 피가공물을 그 유지 테이블의 그 유지면에서 흡인 유지하고, 그 익스팬드 시트의 확장을 유지하는 흡인 유지 스텝과, 그 흡인 유지 스텝을 실시한 후, 그 확장된 그 익스팬드 시트의 그 환상 영역을 가열하여 수축시키는 가열 스텝을 구비하고, 그 가열 스텝에서는, 그 시트 확장 스텝에서 멀어진 그 유지 테이블과 그 프레임 고정부를, 근접시키면서 그 익스팬드 시트를 가열 유닛에서 가열 수축시키고, 그 유지면으로부터 그 익스팬드 시트가 박리되고 그 유지면의 흡인력이 저하되는 것을 억제하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 분할 장치는, 상기 피가공물의 분할 방법에서 사용하는 분할 장치로서, 그 익스팬드 시트를 개재하여 그 피가공물 유닛의 그 피가공물을 흡인 유지하는 유지면을 구비하는 유지 테이블과, 그 피가공물 유닛의 그 환상 프레임을 고정시키는 프레임 고정부와, 그 유지 테이블을 그 유지면과 수직인 방향으로 이동시키는 테이블 이동 유닛과 그 프레임 고정부를 그 유지면과 수직인 방향으로 이동시키는 프레임 고정부 이동 유닛을 가지고 그 익스팬드 시트를 확장하는 시트 확장 유닛과, 그 확장된 그 익스팬드 시트의 그 환상 영역을 가열하여 수축시키는 가열 유닛과, 그 시트 확장 유닛과 그 가열 유닛을 제어하는 제어 유닛을 구비하고, 그 제어 유닛은, 그 유지 테이블과 그 프레임 고정부가 멀어지고 그 익스팬드 시트가 확장된 확장 위치로부터, 그 유지 테이블과 그 프레임 고정부가 근접한 근접 위치까지, 그 익스팬드 시트를 가열하면서 그 유지 테이블과 그 프레임 고정부의 거리를 가깝게 하는 거리 조정부를 구비하는 것을 특징으로 한다.
본원 발명은, 분할 후의 디바이스끼리가 닿는 것을 억제할 수 있다는 효과를 발휘한다.
도 1 은, 실시형태 1 에 관련된 피가공물의 분할 방법 및 분할 장치의 가공 대상의 피가공물의 일례를 나타내는 사시도이다.
도 2 는, 도 1 에 나타낸 피가공물을 구비하는 피가공물 유닛의 일례를 나타내는 사시도이다.
도 3 은, 실시형태 1 에 관련된 분할 장치의 구성예를 나타내는 사시도이다.
도 4 는, 실시형태 1 에 관련된 피가공물의 분할 방법의 흐름을 나타내는 플로 차트이다.
도 5 는, 도 4 에 나타낸 피가공물의 분할 방법의 고정 스텝 후의 분할 장치의 요부를 나타내는 단면도이다.
도 6 은, 도 4 에 나타낸 피가공물의 분할 방법의 시트 확장 스텝 후의 분할 장치의 요부를 나타내는 단면도이다.
도 7 은, 도 6 중의 VII 부를 확대하여 나타내는 단면도이다.
도 8 은, 도 4 에 나타낸 피가공물의 분할 방법의 가열 스텝 중의 분할 장치의 요부를 나타내는 단면도이다.
도 9 는, 도 8 중의 IX 부를 확대하여 나타내는 단면도이다.
도 10 은, 도 4 에 나타낸 피가공물의 분할 방법의 가열 스텝 후의 분할 장치의 요부를 나타내는 단면도이다.
도 11 은, 도 10 중의 XI 부를 확대하여 나타내는 단면도이다.
본 발명을 실시하기 위한 형태 (실시형태) 에 대해, 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다. 이하의 실시형태에 기재한 내용에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니다. 또, 이하에 기재한 구성 요소에는, 당업자가 용이하게 상정할 수 있는 것, 실질적으로 동일한 것이 포함된다. 또한, 이하에 기재한 구성은 적절히 조합하는 것이 가능하다. 또, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 구성의 여러 가지 생략, 치환 또는 변경을 실시할 수 있다.
[실시형태 1]
본 발명의 실시형태 1 에 관련된 피가공물의 분할 방법 및 분할 장치를 도면에 기초하여 설명한다. 도 1 은, 실시형태 1 에 관련된 피가공물의 분할 방법 및 분할 장치의 가공 대상의 피가공물의 일례를 나타내는 사시도이다. 도 2 는, 도 1 에 나타낸 피가공물을 구비하는 피가공물 유닛의 일례를 나타내는 사시도이다. 도 3 은, 실시형태 1 에 관련된 분할 장치의 구성예를 나타내는 사시도이다. 도 4 는, 실시형태 1 에 관련된 피가공물의 분할 방법의 흐름을 나타내는 플로 차트이다.
실시형태 1 에 관련된 피가공물의 분할 방법은, 도 1 에 나타내는 피가공물 (1) 의 분할 방법이다. 실시형태 1 에서는, 피가공물 (1) 은, 실리콘, 사파이어, 갈륨비소 또는 SiC (탄화 규소) 등을 기판 (2) 으로 하는 원판상의 반도체 웨이퍼나 광 디바이스 웨이퍼이다. 피가공물 (1) 은, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 표면 (5) 의 서로 교차하는 복수의 분할 예정 라인 (3) 으로 구획된 각 영역에 각각 디바이스 (4) 가 형성되어 있다. 피가공물 (1) 은, 표면 (5) 의 뒷측의 이면 (6) 에 익스팬드 시트 (7) 가 첩착되고, 익스팬드 시트 (7) 의 외주에 환상 프레임 (8) 이 첩착되고, 이면 (6) 측으로부터 기판 (2) 에 대해 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선이 분할 예정 라인 (3) 을 따라 조사되어, 기판 (2) 의 내부에 분할 예정 라인 (3) 을 따른 분할 기점인 개질층 (100) (도 2 중에 점선으로 나타낸다) 이 형성된다. 또한, 개질층 (100) 이란, 밀도, 굴절률, 기계적 강도나 그 밖의 물리적 특성이 주위의 그것과는 상이한 상태가 된 영역을 의미하고, 용융 처리 영역, 크랙 영역, 절연 파괴 영역, 굴절률 변화 영역, 및 이들 영역이 혼재된 영역 등을 예시할 수 있다.
도 2 에 나타내는 바와 같이, 분할 예정 라인 (3) 을 따라 개질층 (100) 이 형성된 피가공물 (1) 과, 피가공물 (1) 의 이면 (6) 에 첩착된 익스팬드 시트 (7) 와, 익스팬드 시트 (7) 의 외주가 첩착된 환상 프레임 (8) 은, 피가공물 유닛 (9) 을 구성한다. 즉, 피가공물 유닛 (9) 은, 피가공물 (1) 과, 익스팬드 시트 (7) 와, 환상 프레임 (8) 으로 이루어진다. 또한, 익스팬드 시트 (7) 는, 신축성을 갖는 수지로 구성되고, 가열되면 수축되는 열수축성을 갖는다.
실시형태 1 에 관련된 피가공물의 분할 방법은, 도 3 에 나타내는 분할 장치 (10) 를 사용한다. 즉, 도 3 에 나타내는 분할 장치 (10) 는, 실시형태 1 에 관련된 피가공물의 분할 방법에서 사용되는 장치로서, 개질층 (100) 이 형성된 피가공물 (1) 을 분할 예정 라인 (3) 을 따라 개개의 디바이스 (4) 로 분할하는 장치이다. 분할 장치 (10) 는, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 챔버 (20) 와, 유지 테이블 (30) 과, 프레임 고정부 (40) 와, 시트 확장 유닛 (50) 과, 가열 유닛 (60) 과, 제어 유닛 (70) 을 구비한다.
챔버 (20) 는, 상부가 개구된 박스상으로 형성되어 있다. 챔버 (20) 는, 유지 테이블 (30) 과, 프레임 고정부 (40) 의 프레임 재치 플레이트 (41) 와, 시트 확장 유닛 (50) 을 수용하고 있다.
유지 테이블 (30) 은, 익스팬드 시트 (7) 를 개재하여 피가공물 유닛 (9) 의 피가공물 (1) 을 흡인 유지하는 유지면 (31) 을 갖는 것이다. 유지 테이블 (30) 은, 원판 형상이고, 스테인리스강 등의 금속으로 이루어지는 원판상의 프레임체 (32) 와, 포러스 세라믹 등의 다공질재로 구성되고 또한 프레임체 (32) 에 의해 둘러싸인 원판상의 흡착부 (33) 를 구비한다. 프레임체 (32) 와 흡착부 (33) 의 상면은, 동일 평면 상에 배치되어, 피가공물 (1) 을 흡인 유지하는 유지면 (31) 을 구성하고 있다. 흡착부 (33) 는, 피가공물 (1) 과 대략 동일 직경이다.
유지 테이블 (30) 은, 유지면 (31) 에 반송 유닛 (80) 에 의해 반송되어 온 피가공물 유닛 (9) 의 익스팬드 시트 (7) 를 개재하여 피가공물 (1) 의 이면 (6) 측이 재치된다. 유지 테이블 (30) 은, 흡착부 (33) 가 진공 흡인원 (34) 과 접속되고, 진공 흡인원 (34) 에 의해 흡착부 (33) 가 흡인됨으로써, 피가공물 (1) 의 이면 (6) 측을 유지면 (31) 에 흡인 유지하는 것이 가능하다.
프레임 고정부 (40) 는, 피가공물 유닛 (9) 의 환상 프레임 (8) 을 고정시키는 것이다. 프레임 고정부 (40) 는, 프레임 재치 플레이트 (41) 와, 프레임 가압 플레이트 (42) 를 구비한다. 프레임 재치 플레이트 (41) 는, 평면 형상이 원형인 개구부 (411) 가 형성되고, 또한 상면 (412) 이 수평 방향과 평행하게 평탄하게 형성된 판상으로 형성되어 있다. 프레임 재치 플레이트 (41) 의 개구부 (411) 의 내경은, 환상 프레임 (8) 의 내경보다 약간 크게 형성되어 있다. 프레임 재치 플레이트 (41) 는, 개구부 (411) 내에 유지 테이블 (30) 을 배치하고, 개구부 (411) 가 유지 테이블 (30) 과 동축에 배치되어 있다. 프레임 재치 플레이트 (41) 는, 상면 (412) 의 네 모퉁이에 수평 방향으로 자유롭게 이동할 수 있도록 형성되고, 또한 수평 방향으로 이동함으로써 환상 프레임 (8) 의 위치를 조정하여, 피가공물 (1) 을 유지 테이블 (30) 의 흡착부 (33) 와 동축이 되는 위치에 위치 결정하는 센터링 가이드 (44) 가 형성되어 있다.
프레임 가압 플레이트 (42) 는, 프레임 재치 플레이트 (41) 와 거의 동일 치수의 판상으로 형성되고, 중앙에 개구부 (411) 와 동일 치수의 원형의 개구부 (421) 가 형성되어 있다. 프레임 가압 플레이트 (42) 는, 에어 실린더 (45) 의 피스톤 로드 (451) 의 선단에 장착되고, 피스톤 로드 (451) 가 신축함으로써, 프레임 재치 플레이트 (41) 의 상방의 위치와, 프레임 재치 플레이트 (41) 의 상방으로부터 퇴피한 위치에 걸쳐 자유롭게 이동할 수 있다. 프레임 가압 플레이트 (42) 는, 네 모퉁이에 센터링 가이드 (44) 가 침입 가능한 장공 (長孔) (422) 이 형성되어 있다.
프레임 고정부 (40) 는, 프레임 가압 플레이트 (42) 가 프레임 재치 플레이트 (41) 의 상방으로부터 퇴피한 위치에 위치 부여되고, 센터링 가이드 (44) 끼리가 서로 멀어진 상태에서, 프레임 재치 플레이트 (41) 의 상면 (412) 에 반송 유닛 (80) 에 의해 반송되어 온 피가공물 유닛 (9) 의 환상 프레임 (8) 이 재치된다. 프레임 고정부 (40) 는, 센터링 가이드 (44) 끼리를 가깝게 하여, 피가공물 유닛 (9) 의 피가공물 (1) 을 위치 결정한다. 프레임 고정부 (40) 는, 프레임 가압 플레이트 (42) 를 프레임 재치 플레이트 (41) 의 상방에 위치 부여하고, 에어 실린더 (43) 의 피스톤 로드 (431) 를 신장시켜, 프레임 재치 플레이트 (41) 가 시트 확장 유닛 (50) 의 후술하는 프레임 고정부 이동 유닛 (54) 에 의해 상승되어, 피가공물 유닛 (9) 의 환상 프레임 (8) 을 프레임 재치 플레이트 (41) 와 프레임 가압 플레이트 (42) 사이에 끼워 고정시킨다.
시트 확장 유닛 (50) 은, 유지 테이블 (30) 과 프레임 고정부 (40) 를 연직 방향을 따른 축심을 따라 서로 멀어지는 위치에 상대적으로 이동시키고, 익스팬드 시트 (7) 를 확장하는 것이다. 시트 확장 유닛 (50) 은, 테이블 이동 유닛 (53) 과, 프레임 고정부 이동 유닛 (54) 을 갖는다. 테이블 이동 유닛 (53) 은, 유지 테이블 (30) 을 유지면 (31) 과 수직의 방향인 연직 방향으로 이동시키는 것이다. 테이블 이동 유닛 (53) 은, 밀어올림 부재 (51) 와, 승강 유닛 (52) 을 구비한다.
밀어올림 부재 (51) 는, 원통상으로 형성되고, 외경이 프레임 재치 플레이트 (41) 의 상면 (412) 에 재치되는 환상 프레임 (11) 의 내경보다 작고, 내경이 익스팬드 시트 (7) 에 첩착되는 피가공물 (1) 및 유지 테이블 (30) 의 외경보다 크게 형성되어 있다. 밀어올림 부재 (51) 는, 내측에 유지 테이블 (30) 을 배치하고, 유지 테이블 (30) 과 동축에 배치되어 있다. 밀어올림 부재 (51) 의 상단에는, 유지 테이블 (30) 의 유지면 (31) 과 동일 평면 상에 배치된 롤러 부재 (511) (도 5 등에 나타낸다) 가 자유롭게 회전할 수 있도록 장착되어 있다.
승강 유닛 (52) 은, 모터 (521) 와, 볼 나사 (522) 를 구비한다. 모터 (521) 는, 챔버 (20) 의 바닥면 (21) 에 고정된 프레임 유닛 (22) 에 고정되어 있다. 볼 나사 (522) 는, 연직 방향과 평행하게 배치되고, 유지 테이블 (30) 과 밀어올림 부재 (51) 에 고정시킨 너트 (523) (도 5 등에 나타낸다) 에 나사 결합되어 있다. 볼 나사 (522) 는, 모터 (521) 에 의해 축심 둘레로 회전되면, 유지 테이블 (30) 과 밀어올림 부재 (51) 를 일체로 승강시킨다.
프레임 고정부 이동 유닛 (54) 은, 프레임 고정부 (40) 의 프레임 재치 플레이트 (41) 및 프레임 가압 플레이트 (42) 를 유지면 (31) 과 수직의 방향인 연직 방향으로 이동시키는 것이다. 프레임 고정부 이동 유닛 (54) 은, 볼 나사 (55) 와 모터 (56) 를 구비한다. 볼 나사 (55) 는, 연직 방향과 평행하게 배치되고, 프레임 재치 플레이트 (41) 의 네 모퉁이에 고정된 너트 (57) 에 나사 결합되어 있다. 모터 (56) 는, 볼 나사 (55) 와 1 대 1 로 대응하고, 챔버 (20) 의 바닥면 (21) 에 고정되어 있다. 모터 (56) 는, 대응하는 볼 나사 (55) 를 축심 둘레로 회전한다.
시트 확장 유닛 (50) 의 테이블 이동 유닛 (53) 은, 밀어올림 부재 (51) 의 상단에 장착된 롤러 부재 (511) 와 유지면 (31) 이 프레임 재치 플레이트 (41) 의 상면 (412) 과 동일 평면 상에 위치하는 상태로부터 승강 유닛 (52) 이 밀어올림 부재 (51) 와 유지 테이블 (30) 을 일체로 상승시킴으로써, 익스팬드 시트 (7) 를 면 방향으로 확장시킨다. 시트 확장 유닛 (50) 의 프레임 고정부 이동 유닛 (54) 은, 모터 (56) 가 대응하는 볼 나사 (55) 를 축심 둘레로 회전시킴으로써, 프레임 고정부 (40) 의 프레임 재치 플레이트 (41) 및 프레임 가압 플레이트 (42) 를 승강시킨다.
가열 유닛 (60) 은, 확장된 익스팬드 시트 (7) 의 환상 프레임 (8) 의 내주인 내연과 피가공물 (1) 의 외주인 외연 사이의 환상 영역 (101) (도 2 에 나타낸다) 을 가열하여 수축시키는 것이다. 가열 유닛 (60) 은, 원판상의 유닛 본체 (61) 와, 유닛 본체 (61) 에 장착된 복수의 발열체 (62) 를 구비한다.
유닛 본체 (61) 는, 유지 테이블 (30) 의 상방에서 또한 유지 테이블 (30) 과 동축에 배치되어 있다. 또, 유닛 본체 (61) 는, 도시되지 않은 이동 유닛에 의해 자유롭게 승강할 수 있도록 형성되고, 또한 연직 방향과 평행한 축심 둘레로 자유롭게 회전할 수 있도록 형성되어 있다.
발열체 (62) 는, 유닛 본체 (61) 의 외연부에 둘레 방향으로 등간격으로 배치되어 있다. 발열체 (62) 는, 유지 테이블 (30) 및 프레임 고정부 (40) 에 유지된 피가공물 유닛 (9) 의 익스팬드 시트 (7) 의 환상 영역 (101) 과 연직 방향으로 대향하는 위치에 배치되어 있다. 실시형태 1 에 있어서, 발열체 (62) 는, 4 개 형성되어 있지만, 본 발명에서는, 4 개로 한정되지 않는다. 발열체 (62) 는, 적외선을 하방에 조사하여, 익스팬드 시트 (7) 의 환상 영역 (101) 을 가열하는 형식의 것, 예를 들어 전압이 인가되면 가열되어, 적외선을 방사하는 적외선 세라믹 히터이다.
제어 유닛 (70) 은, 분할 장치 (10) 의 상기 서술한 구성 요소, 즉, 시트 확장 유닛 (50) 과 가열 유닛 (60) 등을 각각 제어하여, 피가공물 (1) 에 대한 가공 동작을 분할 장치 (10) 에 실시시키는 것이다. 또한, 제어 유닛 (70) 은 컴퓨터이다. 제어 유닛 (70) 은, 가공 동작의 상태나 화상 등을 표시하는 액정 표시 장치 등에 의해 구성되는 도시되지 않은 표시 유닛과, 오퍼레이터가 가공 내용 정보 등을 등록할 때에 사용하는 도시되지 않은 입력 유닛에 접속되어 있다. 입력 유닛은, 표시 유닛에 형성된 터치 패널과, 키보드 등의 외부 입력 장치 중 적어도 하나에 의해 구성된다.
제어 유닛 (70) 은, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 거리 조정부 (71) 를 구비한다. 거리 조정부 (71) 는, 유지 테이블 (30) 과 프레임 고정부 (40) 가 축심을 따라 멀어져, 익스팬드 시트 (7) 가 확장된 확장 위치로부터, 유지 테이블 (30) 과 프레임 고정부 (40) 가 근접한 근접 위치까지, 가열 유닛 (60) 으로 익스팬드 시트 (7) 를 가열하면서 시트 확장 유닛 (50) 에 유지 테이블 (30) 의 유지면 (31) 과 프레임 고정부 (40) 의 프레임 재치 플레이트 (41) 의 상면 (412) 의 축심 방향의 거리를 가깝게 하는 것이다. 또한, 확장 위치란, 유지 테이블 (30) 의 유지면 (31) 과 프레임 고정부 (40) 의 프레임 재치 플레이트 (41) 의 상면 (412) 이 축심 방향으로 멀어졌을 때의 유지 테이블 (30) 및 프레임 고정부 (40) 의 위치를 나타내고, 근접 위치란, 유지 테이블 (30) 의 유지면 (31) 과 프레임 고정부 (40) 의 프레임 재치 플레이트 (41) 의 상면 (412) 이 동일 평면 상에 위치 부여되었을 때의 유지 테이블 (30) 및 프레임 고정부 (40) 의 위치를 나타내고 있다.
실시형태 1 에 관련된 피가공물의 분할 방법은, 도 2 에 나타내는 피가공물 유닛 (9) 의 익스팬드 시트 (7) 를 확장하여, 피가공물 (1) 을 개질층 (100) 을 기점으로 파단하여, 개개의 디바이스 (4) 로 분할하는 방법이다. 피가공물의 분할 방법은, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 고정 스텝 ST1 과, 시트 확장 스텝 ST2 와, 흡인 유지 스텝 ST3 과, 가열 스텝 ST4 를 구비한다.
(고정 스텝)
도 5 는, 도 4 에 나타낸 피가공물의 분할 방법의 고정 스텝 후의 분할 장치의 요부를 나타내는 단면도이다. 고정 스텝 ST1 은, 익스팬드 시트 (7) 를 개재하여 피가공물 유닛 (9) 의 피가공물 (1) 을 유지 테이블 (30) 의 유지면 (31) 에 재치하고, 환상 프레임 (8) 을 프레임 고정부 (40) 에서 고정시키는 스텝이다.
고정 스텝 ST1 에서는, 제어 유닛 (70) 이, 프레임 고정부 (40) 의 프레임 가압 플레이트 (42) 를 퇴피 위치에 위치 부여하고, 시트 확장 유닛 (50) 의 테이블 이동 유닛 (53) 에 밀어올림 부재 (51) 와 유지 테이블 (30) 을 일체로 하강시킴과 함께, 프레임 고정부 이동 유닛 (54) 에 프레임 고정부 (40) 의 프레임 재치 플레이트 (41) 를 하강시킨다. 고정 스텝 ST1 에서는, 제어 유닛 (70) 이, 프레임 재치 플레이트 (41) 와 유지 테이블 (30) 을 하강시킨 상태로 근접 위치에 위치 부여한 상태에서, 반송 유닛 (80) 에 분할 예정 라인 (3) 을 따른 개질층 (100) 이 형성된 피가공물 유닛 (9) 을 유지 테이블 (30) 의 상방까지 반송시킨다. 고정 스텝 ST1 에서는, 제어 유닛 (70) 이, 반송 유닛 (80) 에 익스팬드 시트 (7) 를 개재하여 피가공물 (1) 의 이면 (6) 을 유지면 (31) 에 재치시킴과 함께, 환상 프레임 (8) 을 프레임 재치 플레이트 (41) 의 상면 (412) 에 재치시킨다.
고정 스텝 ST1 에서는, 제어 유닛 (70) 은, 프레임 고정부 (40) 의 센터링 가이드 (44) 끼리를 가깝게 하고, 피가공물 유닛 (9) 의 피가공물 (1) 을 위치 결정하여, 에어 실린더 (45) 의 피스톤 로드 (451) 를 신장시켜 프레임 가압 플레이트 (42) 를 프레임 재치 플레이트 (41) 의 상방에 위치 부여한다. 또, 고정 스텝 ST1 에서는, 제어 유닛 (70) 은, 프레임 고정부 이동 유닛 (54) 에 프레임 재치 플레이트 (41) 를 상승시킴과 함께, 테이블 이동 유닛 (53) 에 밀어올림 부재 (51) 와 유지 테이블 (30) 을 일체로 상승시킨다. 고정 스텝 ST1 에서는, 제어 유닛 (70) 이, 피가공물 유닛 (9) 의 환상 프레임 (8) 을 프레임 재치 플레이트 (41) 와 프레임 가압 플레이트 (42) 사이에 끼운다.
고정 스텝 ST1 에서는, 제어 유닛 (70) 은, 도 5 에 나타내는 바와 같이, 피가공물 유닛 (9) 의 환상 프레임 (8) 을 프레임 재치 플레이트 (41) 와 프레임 가압 플레이트 (42) 사이에 고정시킨다. 고정 스텝 ST1 에 있어서, 피가공물 유닛 (9) 의 환상 프레임 (8) 을 프레임 재치 플레이트 (41) 와 프레임 가압 플레이트 (42) 사이에 고정시키면, 프레임 재치 플레이트 (41) 와 유지 테이블 (30) 은, 상면 (412) 과 밀어올림 부재 (51) 의 상단에 장착된 롤러 부재 (511) 및 유지면 (31) 이 동일 평면 상에 위치하는 근접 위치에 위치하여, 밀어올림 부재 (51) 의 롤러 부재 (511) 가 익스팬드 시트 (7) 의 환상 영역 (101) 에 맞닿는다. 고정 스텝 ST1 에서는, 제어 유닛 (70) 이 피가공물 유닛 (9) 의 환상 프레임 (8) 을 고정시키면, 시트 확장 스텝 ST2 로 진행된다.
(시트 확장 스텝)
도 6 은, 도 4 에 나타낸 피가공물의 분할 방법의 시트 확장 스텝 후의 분할 장치의 요부를 나타내는 단면도이다. 도 7 은, 도 6 중의 VII 부를 확대하여 나타내는 단면도이다. 시트 확장 스텝 ST2 는, 고정 스텝 ST1 을 실시한 후, 유지 테이블 (30) 과 프레임 고정부 (40) 를 피가공물 (1) 의 표면과 직교하는 축심 방향으로 상대적으로 이동시키고, 익스팬드 시트 (7) 의 환상 영역 (101) 을 확장하는 스텝이다.
시트 확장 스텝 ST2 에서는, 제어 유닛 (70) 이, 시트 확장 유닛 (50) 의 테이블 이동 유닛 (53) 의 승강 유닛 (52) 의 모터 (521) 에 볼 나사 (522) 를 축심 둘레로 회전시켜, 밀어올림 부재 (51) 및 유지 테이블 (30) 을 일체로 상승시킨다. 그러면, 익스팬드 시트 (7) 의 환상 영역 (101) 에 밀어올림 부재 (51) 의 상단에 형성된 롤러 부재 (511) 가 맞닿아 있기 때문에, 익스팬드 시트 (7) 가 면 방향으로 확장된다. 시트 확장 스텝 ST2 에서는, 익스팬드 시트 (7) 의 확장의 결과, 익스팬드 시트 (7) 에 방사상으로 인장력이 작용한다.
이와 같이 피가공물 (1) 의 이면 (6) 에 첩착된 익스팬드 시트 (7) 에 방사상으로 인장력이 작용하면, 피가공물 (1) 은, 도 6 에 나타내는 바와 같이, 분할 예정 라인 (3) 을 따라 개질층 (100) 이 형성되어 있기 때문에, 개질층 (100) 을 기점으로 하여, 분할 예정 라인 (3) 을 따라 분할됨과 함께, 디바이스 (4) 사이가 벌어지고, 디바이스 (4) 사이에 간격이 형성된다. 또, 시트 확장 스텝 ST2 후에 있어서, 익스팬드 시트 (7) 의 환상 영역 (101) 은, 도 7 에 나타내는 바와 같이, 환상 영역 (101) 의 단면이 환상 프레임 (8) 의 하면으로부터 롤러 부재 (511) 의 상면을 향하여 직선상이 된다. 시트 확장 스텝 ST2 에서는, 제어 유닛 (70) 이 밀어올림 부재 (51) 및 유지 테이블 (30) 을 일체로 상승시키면, 흡인 유지 스텝 ST3 으로 진행된다.
(흡인 유지 스텝)
흡인 유지 스텝 ST3 은, 시트 확장 스텝 ST2 의 후, 익스팬드 시트 (7) 를 개재하여 피가공물 (1) 을 유지 테이블 (30) 의 유지면 (31) 에서 흡인 유지하고, 익스팬드 시트 (7) 의 확장을 유지하는 스텝이다. 흡인 유지 스텝 ST3 에서는, 제어 유닛 (70) 이, 진공 흡인원 (34) 을 구동하고, 진공 흡인원 (34) 에 의해 흡착부 (33) 를 흡인하고, 피가공물 (1) 의 이면 (6) 측을 익스팬드 시트 (7) 를 개재하여 유지면 (31) 에 흡인 유지하여, 디바이스 (4) 사이의 간격을 유지한다. 흡인 유지 스텝 ST3 에서는, 제어 유닛 (70) 이, 진공 흡인원 (34) 을 구동하면, 가열 스텝 ST4 로 진행된다.
(가열 스텝)
도 8 은, 도 4 에 나타낸 피가공물의 분할 방법의 가열 스텝 중의 분할 장치의 요부를 나타내는 단면도이다. 도 9 는, 도 8 중의 IX 부를 확대하여 나타내는 단면도이다. 도 10 은, 도 4 에 나타낸 피가공물의 분할 방법의 가열 스텝 후의 분할 장치의 요부를 나타내는 단면도이다. 도 11 은, 도 10 중의 XI 부를 확대하여 나타내는 단면도이다.
가열 스텝 ST4 는, 흡인 유지 스텝 ST3 을 실시한 후, 확장된 익스팬드 시트 (7) 의 환상 영역 (101) 을 가열하여 수축시키는 스텝이다. 가열 스텝 ST4 에서는, 제어 유닛 (70) 이, 가열 유닛 (60) 의 발열체 (62) 에 전압을 인가하는 것 등, 소정 온도까지 가열하여 발열체 (62) 로부터 적외선을 방사시킴과 함께, 도시되지 않은 이동 유닛에 가열 유닛 (60) 을 하강시켜, 도 8 에 나타내는 바와 같이, 발열체 (62) 를 환상 영역 (101) 에 가깝게 함과 함께, 가열 유닛 (60) 을 축심 둘레로 회전시킨다. 또, 가열 스텝 ST4 에서는, 도 8 에 나타내는 바와 같이, 제어 유닛 (70) 의 거리 조정부 (71) 가, 시트 확장 유닛 (50) 의 테이블 이동 유닛 (53) 의 승강 유닛 (52) 의 모터 (521) 를 구동하여, 밀어올림 부재 (51) 와 유지 테이블 (30) 을 일체로 하강시킴과 함께, 프레임 고정부 이동 유닛 (54) 의 모터 (47) 를 구동하여 프레임 재치 플레이트 (41) 와 프레임 가압 플레이트 (42) 를 유지 테이블 (30) 의 하강과 연동하여 상승시킨다.
이렇게 하여, 가열 스텝 ST4 에서는, 제어 유닛 (70) 의 거리 조정부 (71) 는, 시트 확장 스텝 ST2 에서 축심 방향으로 멀어진 유지 테이블 (30) 과 프레임 고정부 (40) 의 쌍방을 근접 위치를 향하여 이동시키면서 가열 유닛 (60) 으로 환상 영역 (101) 을 가열 수축시킨다. 그러면, 익스팬드 시트 (7) 는, 시트 확장 스텝 ST2 에 있어서 확장된 환상 영역 (101) 이 유지 테이블 (30) 등의 하강과 함께 늘어져, 유지면 (31) 으로부터 멀어지듯이 만곡되려고 하는데, 가열 유닛 (60) 에 의해 가열되어 수축되므로, 도 9 에 나타내는 바와 같이, 유지면 (31) 에 흡인된 상태가 된다. 이와 같이, 가열 스텝 ST4 에서는, 제어 유닛 (70) 은, 시트 확장 스텝 ST2 에서 축심 방향으로 멀어진 유지 테이블 (30) 과 프레임 고정부 (40) 의 프레임 재치 플레이트 (41) 를 근접시키면서 익스팬드 시트 (7) 의 환상 영역 (101) 을 가열 유닛 (60) 에서 가열 수축시키고, 유지면 (31) 으로부터 익스팬드 시트 (7) 의 환상 영역 (101) 이 박리되어, 유지면 (31) 의 흡인력이 저하되는 것을 억제할 수 있다.
또, 가열 스텝 ST4 에서는, 제어 유닛 (70) 의 거리 조정부 (71) 는, 프레임 재치 플레이트 (41) 의 상면 (412) 과 유지면 (31) 이 동일 평면 상의 근접 위치에 위치하면, 도 10 에 나타내는 바와 같이, 근접 위치를 유지한 채로 유지 테이블 (30) 과 프레임 고정부 (40) 를 고정 스텝 ST1 의 위치까지 하강시킨다.
가열 스텝 ST4 에서는, 제어 유닛 (70) 은, 도 10 에 나타내는 바와 같이, 유지 테이블 (30) 과 프레임 고정부 (40) 를 고정 스텝 ST1 의 위치까지 하강시켜, 프레임 재치 플레이트 (41) 와, 밀어올림 부재 (51) 및 유지 테이블 (30) 이 근접 위치에 위치하면, 발열체 (62) 의 가열 및 진공 흡인원 (34) 을 정지하고, 가열 유닛 (60) 을 상승시키고, 프레임 고정부 (40) 의 환상 프레임 (8) 의 고정을 해제하여, 피가공물의 분할 방법을 종료한다. 그러면, 피가공물 유닛 (9) 은, 도 11 에 나타내는 바와 같이, 확장된 익스팬드 시트 (7) 의 환상 영역 (101) 이 수축되어, 유지 테이블 (30) 의 흡착부 (33) 의 흡인을 해제해도, 디바이스 (4) 사이의 간격이 유지된다.
이상 설명한 바와 같이, 실시형태 1 에 관련된 피가공물의 분할 방법 및 분할 장치 (10) 는, 시트 확장 스텝 ST2 에서 축심 방향으로 멀어진 유지 테이블 (30) 과 프레임 고정부 (40) 의 프레임 재치 플레이트 (41) 를 근접시키면서 익스팬드 시트 (7) 의 환상 영역 (101) 을 가열 유닛 (60) 으로 가열 수축시킨다. 이 때문에, 실시형태 1 에 관련된 피가공물의 분할 방법 및 분할 장치 (10) 는, 시트 확장 스텝 ST2 에 있어서 확장된 환상 영역 (101) 이, 유지 테이블 (30) 등의 이동에 수반하여, 유지 테이블 (30) 의 유지면 (31) 으로부터 멀어지는 방향으로 만곡되는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 실시형태 1 에 관련된 피가공물의 분할 방법 및 분할 장치 (10) 는, 유지면 (31) 으로부터 익스팬드 시트 (7) 의 환상 영역 (101) 이 박리되어, 유지면 (31) 의 흡인력이 저하되는 것을 억제할 수 있고, 디바이스 (4) 사이의 간격을 유지할 수 있다. 따라서, 실시형태 1 에 관련된 피가공물의 분할 방법 및 분할 장치 (10) 는, 분할 후의 디바이스 (4) 끼리가 닿는 것을 억제할 수 있다.
또, 실시형태 1 에 관련된 피가공물의 분할 방법 및 분할 장치 (10) 는, 가열 스텝 ST4 에 있어서, 제어 유닛 (70) 은, 프레임 재치 플레이트 (41) 와 프레임 가압 플레이트 (42) 를 유지 테이블 (30) 의 하강과 연동하여 상승시킨다. 이 때문에, 실시형태 1 에 관련된 피가공물의 분할 방법 및 분할 장치 (10) 는, 확장 위치로부터 근접 위치에 유지 테이블 (30) 과 프레임 고정부 (40) 의 쌍방을 이동시키면서 익스팬드 시트 (7) 의 환상 영역 (101) 을 가열하므로, 환상 영역 (101) 이 늘어지면 즉시 가열 수축시킬 수 있다.
또, 실시형태 1 에 관련된 분할 장치 (10) 는, 프레임 고정부 (40) 와 밀어올림 부재 (51) 및 유지 테이블 (30) 을 각각 이동할 수 있음으로써, 가열 유닛 (60) 의 높이를 미 (微) 조정하지 않고, 융기되는 익스팬드 시트 (7) 와 가열 유닛 (60) 의 거리를 일정하게 조정할 수 있다.
전술한 실시형태 1 에 관련된 분할 장치 (10) 의 제어 유닛 (70) 은, CPU (central processing unit) 와 같은 마이크로 프로세서를 갖는 연산 처리 장치와, ROM (read only memory) 또는 RAM (random access memory) 과 같은 메모리를 갖는 기억 장치와, 입출력 인터페이스 장치를 갖는다. 제어 유닛 (70) 의 연산 처리 장치는, 기억 장치에 기억되어 있는 컴퓨터 프로그램에 따라 연산 처리를 실시하고, 분할 장치 (10) 를 제어하기 위한 제어 신호를, 입출력 인터페이스 장치를 개재하여 분할 장치 (10) 의 상기 서술한 구성 요소에 출력한다. 또, 거리 조정부 (71) 의 기능은, 연산 처리 장치가 기억 장치에 기억되어 있는 컴퓨터 프로그램을 실행함으로써 실현된다.
또한, 본 발명은, 상기 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 즉, 본 발명의 골자를 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지 변형하여 실시할 수 있다.
1 : 피가공물
3 : 분할 예정 라인
7 : 익스팬드 시트
8 : 환상 프레임
9 : 피가공물 유닛
10 : 분할 장치
30 : 유지 테이블
31 : 유지면
40 : 프레임 고정부
50 : 시트 확장 유닛
60 : 가열 유닛
70 : 제어 유닛
71 : 거리 조정부
100 : 개질층 (분할 기점)
101 : 환상 영역
ST1 : 고정 스텝
ST2 : 시트 확장 스텝
ST3 : 흡인 유지 스텝
ST4 : 가열 스텝

Claims (2)

  1. 분할 예정 라인을 따라 분할 기점이 형성된 판상의 피가공물과, 그 피가공물이 첩착된 익스팬드 시트와, 그 익스팬드 시트의 외주가 첩착된 환상 프레임으로 이루어지는 피가공물 유닛의 그 익스팬드 시트를 확장하고 그 피가공물을 파단하는 피가공물의 분할 방법으로서,
    그 익스팬드 시트를 개재하여 그 피가공물 유닛의 그 피가공물을 유지 테이블의 유지면에 재치하고, 그 환상 프레임을 프레임 고정부에서 고정시키는 고정 스텝과,
    그 고정 스텝을 실시한 후, 그 유지 테이블과 그 프레임 고정부를 그 피가공물과 직교하는 방향으로 상대적으로 이동시키고, 그 피가공물의 외주와 그 환상 프레임의 내주의 그 익스팬드 시트의 환상 영역을 확장하는 시트 확장 스텝과,
    그 시트 확장 스텝 후, 그 익스팬드 시트를 개재하여 그 피가공물을 그 유지 테이블의 그 유지면에서 흡인 유지하고, 그 익스팬드 시트의 확장을 유지하는 흡인 유지 스텝과,
    그 흡인 유지 스텝을 실시한 후, 그 확장된 그 익스팬드 시트의 그 환상 영역을 가열하여 수축시키는 가열 스텝을 구비하고,
    그 가열 스텝에서는,
    그 시트 확장 스텝에서 멀어진 그 유지 테이블과 그 프레임 고정부를, 근접시키면서 그 익스팬드 시트를 가열 유닛에서 가열 수축시키고, 그 유지면으로부터 그 익스팬드 시트가 박리되고 그 유지면의 흡인력이 저하되는 것을 억제하는, 피가공물의 분할 방법.
  2. 제 1 항에 기재된 피가공물의 분할 방법에서 사용하는 분할 장치로서,
    그 익스팬드 시트를 개재하여 그 피가공물 유닛의 그 피가공물을 흡인 유지하는 유지면을 구비하는 유지 테이블과, 그 피가공물 유닛의 그 환상 프레임을 고정시키는 프레임 고정부와, 그 유지 테이블을 그 유지면과 수직인 방향으로 이동시키는 테이블 이동 유닛과 그 프레임 고정부를 그 유지면과 수직인 방향으로 이동시키는 프레임 고정부 이동 유닛을 가지고 그 익스팬드 시트를 확장하는 시트 확장 유닛과, 그 확장된 그 익스팬드 시트의 그 환상 영역을 가열하여 수축시키는 가열 유닛과, 그 시트 확장 유닛과 그 가열 유닛을 제어하는 제어 유닛을 구비하고,
    그 제어 유닛은,
    그 유지 테이블과 그 프레임 고정부가 멀어지고 그 익스팬드 시트가 확장된 확장 위치로부터, 그 유지 테이블과 그 프레임 고정부가 근접한 근접 위치까지, 그 익스팬드 시트를 가열하면서 그 유지 테이블과 그 프레임 고정부의 거리를 가깝게 하는 거리 조정부를 구비하는, 분할 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006054246A (ja) * 2004-08-10 2006-02-23 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分離方法
JP2015204362A (ja) * 2014-04-14 2015-11-16 株式会社ディスコ チップ間隔維持方法
JP6618412B2 (ja) * 2016-04-01 2019-12-11 株式会社ディスコ 拡張装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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