KR20190076872A - 기판 처리 장치 및 온도 제어 방법 - Google Patents

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Abstract

샤워 플레이트와 베이스 부재를 제각기 온도 제어한다.
기판 처리 장치(10)는, 기판(S)이 적재되는 적재대(30)에 대향하여 처리 용기(20) 내에 배치되고, 처리 가스를 분출하는 샤워 헤드(40)를 갖는다. 샤워 헤드(40)는, 적재대(30)에 대향하여 배치되고, 처리 용기(20) 내에 처리 가스를 분출하는 복수의 가스 구멍(43)이 형성되고, 히터(50)가 설치된 샤워 플레이트(41)와, 샤워 플레이트(41)의 적재대(30)와 대향하는 대향면의 이면측에 접합되고, 처리 가스를 복수의 가스 구멍(43)에 공급하기 위한 공간이 형성되고, 유로(60)가 설치된 베이스 부재(42)를 갖는다.

Description

기판 처리 장치 및 온도 제어 방법{SUBSTRATE TREATMENT APPARATUS AND TEMPERATURE CONTROL METHOD}
본 발명의 다양한 측면 및 실시 형태는, 기판 처리 장치 및 온도 제어 방법에 관한 것이다.
종래부터, 처리 용기 내에 배치된 유리 기판 등의 기판에 대해 처리 가스를 공급하여 에칭 처리 등의 기판 처리를 행하는 기판 처리 장치가 알려져 있다. 이러한 기판 처리 장치로서는, 예를 들어 플라스마 처리 장치가 알려져 있다. 플라스마 처리 장치는, 기판과 대향하도록 배치된 샤워 헤드로부터 처리 가스를 분출시키고, 고주파 전력을 인가하여 처리 가스를 플라스마화함으로써, 에칭 처리를 행한다.
그런데 플라스마 처리 장치에서는, 에칭 처리 등에 있어서 샤워 헤드의 표면에 퇴적물이 발생하면 파티클의 발생원이 된다. 이 때문에, 샤워 헤드를 고온으로 하여 퇴적물이 발생하지 않도록 하는 기술이 알려져 있다. 예를 들어, 특허문헌 1에는, 샤워 헤드를, 가스 확산 공간이 형성된 베이스 부재와, 처리 가스를 분출시키기 위한 복수의 가스 구멍이 형성된 샤워 플레이트를 접합한 구성으로 하고, 베이스 부재에 칠러 유로를 형성하여 샤워 헤드의 온도 제어를 행하는 구조가 제안되어 있다.
일본 특허 공개 제2008-177428호 공보
그러나 특허문헌 1에 기재된 구조는, 베이스 부재와 샤워 플레이트 사이에는 가스 확산 공간이 있기 때문에, 샤워 플레이트 표면의 온도 제어라고 하는 점에서는 충분하지 않다. 또한, 퇴적물이 발생하지 않도록 전체적으로 고온으로 한 경우에는, 샤워 헤드 전체가 고온이 되어 팽창되어, 문제가 발생하는 경우가 있다. 예를 들어, 샤워 헤드 전체가 팽창된 경우, 샤워 헤드를 보유 지지하는 보유 지지 부재의 시일이 진공을 유지할 수 없게 되는 경우가 있다. 또한, 금속막을 에칭하는 경우는, 염소 등의 할로겐계 가스를 처리 가스로 하여 플라스마 처리를 행한다. 이 경우, 알루미늄 등으로 구성되는 베이스 부재는 할로겐계 가스에 대해 내식성을 향상시키기 위해 알루마이트 처리가 실시된다. 금속막을 에칭하는 경우도 샤워 플레이트를 고온으로 함으로써 퇴적물을 억제할 수 있지만, 베이스 부재의 알루마이트는 고온이 되면 크랙을 발생하여 내식성이 현저하게 저하된다. 이 때문에, 금속막 에칭에 있어서 샤워 플레이트 표면에의 퇴적물 억제와 베이스 부재의 내식성을 양립시키는 것은 곤란하다.
개시하는 기판 처리 장치는, 하나의 실시 양태에 있어서, 기판이 적재되는 적재대에 대향하여 처리 용기 내에 배치되고, 처리 가스를 분출하는 샤워 헤드를 갖는다. 샤워 헤드는, 적재대에 대향하여 배치되고, 처리 용기 내에 처리 가스를 분출하는 복수의 가스 구멍이 형성되고, 가열 수단이 설치된 샤워 플레이트와, 샤워 플레이트의 적재대와 대향하는 대향면의 이면측에 접합되고, 처리 가스를 상기 복수의 가스 구멍에 공급하기 위한 공간이 형성되고, 온도 조정 수단이 설치된 베이스 부재를 갖는다.
개시하는 기판 처리 장치의 하나의 양태에 의하면, 샤워 플레이트와 베이스 부재를 제각기 온도 제어할 수 있다고 하는 효과를 나타낸다.
도 1은 실시 형태에 관한 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 2a는 제1 실시 형태에 관한 샤워 플레이트의 하면측을 나타낸 평면도이다.
도 2b는 제1 실시 형태에 관한 샤워 플레이트의 단면을 나타낸 단면도이다.
도 3a는 히터로 전력을 공급하는 급전 계통의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 3b는 히터로 전력을 공급하는 급전 계통의 구성을 나타낸 평면도이다.
도 4는 절연막 에칭의 처리 조건의 일례를 설명하는 도면이다.
도 5는 메탈층 에칭의 처리 조건의 일례를 설명하는 도면이다.
도 6은 제2 실시 형태에 관한 샤워 플레이트의 하면측을 나타낸 평면도이다.
도 7은 제3 실시 형태에 관한 샤워 헤드의 구성을 개략적으로 나타낸 도면이다.
이하, 도면을 참조하여 본원의 개시하는 기판 처리 장치 및 온도 제어 방법의 실시 형태에 대해 상세하게 설명한다. 또한, 각 도면에 있어서 동일 또는 상당하는 부분에 대해서는 동일한 부호를 붙이는 것으로 한다. 또한, 본 실시 형태에 의해 개시하는 발명이 한정되는 것은 아니다. 각 실시 형태는, 처리 내용을 모순시키지 않는 범위에서 적절하게 조합하는 것이 가능하다.
(제1 실시 형태)
[기판 처리 장치의 구성]
실시 형태에 관한 기판 처리 장치(10)의 구성에 대해 설명한다. 도 1은, 실시 형태에 관한 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다. 기판 처리 장치(10)는, 기판에 대해 소정의 기판 처리를 행하는 장치이다. 본 실시 형태에서는, 기판 처리 장치(10)를, 기판에 대해 플라스마 에칭을 행하는 플라스마 처리 장치로 한 경우를 예로 들어 설명한다. 이하에서는, 기판 처리 장치(10)에 대해, 주로 본 발명과 관련된 부분의 구성을 도시하여 설명한다. 도 1에는, 기판 처리 장치(10)의 종단면에 있어서의 구조가 개략적으로 나타나 있다.
기판 처리 장치(10)는, 그 내부에 있어서 기판(S)에 대해, 에칭 처리를 실시하기 위한 각통 형상의 처리 용기(20)를 구비하고 있다. 이 기판(S)은, 예를 들어 FPD(Flat Panel Display) 등에 사용되는 각형의 유리 기판이다. 예를 들어, 기판(S)은, 제10세대의 기판 사이즈의 경우, 한 변이 2,880㎜, 다른 변이 3,080㎜ 정도인 크기의 직사각 형상으로 형성되어 있다. 이 때문에, 기판 처리 장치(10)는, 기판(S)의 사이즈에 대응하여 대형화되어 있다. 처리 용기(20)는, 평면 형상이 직사각 형상으로 구성되고, 천장부가 개구되는 용기 본체(21)와, 이 용기 본체(21)의 천장 개구부를 폐색하도록 설치된 상부 덮개(22)를 구비하고 있다. 용기 본체(21) 및 상부 덮개(22)는, 알루미늄이나 스테인리스 등의 금속에 의해 구성되고, 각각 접지되어 있다.
용기 본체(21) 내의 하부에는, 기판(S)을 적재하기 위한 적재대(30)가 설치되어 있다. 적재대(30)는, 용기 본체(21) 내의 저부에 배치된 지지부(31)를 통해 수평으로 지지되어 있다. 적재대(30)는, 알루미늄이나 스테인리스 등의 금속에 의해 구성되고, 도시하지 않은 고주파 전력 공급 부재에 의해 고주파 전력이 공급되고, 기판(S)에 대해 바이어스 전력을 인가하여, 소정의 플라스마 처리를 행한다.
또한, 용기 본체(21)의 측벽 하부에는, 배기로(32)를 통해, 예를 들어 진공 펌프 등으로 이루어지는 진공 배기 수단이 접속되어 있다. 진공 배기 수단은, 후술하는 제어부(90)로부터의 제어 신호를 받음으로써, 진공 배기 수단이 그 신호에 따라서, 처리 용기(20) 내를 진공 배기하여 처리 용기(20) 내가 원하는 진공도로 유지되도록 구성되어 있다.
또한, 처리 용기(20)의 적재대(30)의 상방에는, 기판(S)에 처리 가스를 공급하기 위한 샤워 헤드(40)가 설치되어 있다.
샤워 헤드(40)는, 적재대(30)와 대향하도록 설치된 샤워 플레이트(41)와, 샤워 플레이트(41)를 지지하는 베이스 부재(42)를 구비하고 있다.
샤워 플레이트(41)는, 기판(S)에 대향하여 배치되고, 처리 용기(20) 내에 처리 가스를 분출하는 복수의 가스 구멍(43)이 형성되어 있다.
도 2a는, 제1 실시 형태에 관한 샤워 플레이트의 하면측을 나타낸 평면도이다. 도 2b는, 제1 실시 형태에 관한 샤워 플레이트의 단면을 나타낸 단면도이다. 도 2b는, 도 2a의 A-A선의 위치에서의 단면을 나타내고 있다. 도 2a에 나타낸 바와 같이, 샤워 플레이트(41)는, 각판 형상으로 형성되어 있고, 중앙 부분(41a)에, 두께 방향으로 다수의 가스 구멍(43)이 천공되어 있다. 가스 구멍(43)은, 기판(S)의 변을 따라, 중앙 부분(41a)에 소정의 간격으로 매트릭스 형상으로 배열되어 있다. 또한, 샤워 플레이트(41)는, 중앙 부분(41a)을 둘러싸는 주변 부분(41b)에, 복수의 관통 구멍(44)이 천공되어 있다. 샤워 플레이트(41)는, 각 관통 구멍(44)에 삽입된 나사(45)에 의해 베이스 부재(42)에 고정되어 있다.
샤워 플레이트(41)에는, 샤워 플레이트(41)를 원하는 온도로 가열 가능한 가열 수단이 설치되어 있다. 예를 들어, 샤워 플레이트(41)는, 히터(50)가 내부에 매설된 히터 플레이트로서 구성되어 있다. 히터(50)는, 가스 구멍(43)의 사이를 통과하고, 또한 배치 위치가 소정의 간격으로 망라적으로 배치되도록 중앙 부분(41a) 내를 만곡하여 배치되어 있다. 도 2a에는, 히터(50)의 배치의 일례가 나타나 있다. 또한, 히터(50)는, 샤워 플레이트(41)에 매설되어 있지 않아도 된다. 예를 들어, 히터(50)는 샤워 플레이트(41)의 이면에 설치해도 된다. 예를 들어, 샤워 플레이트(41)는 베이스 부재(42)측에, 히터(50)가 설치된 히터 유닛이 접촉 배치되어 있어도 된다.
히터(50)는, 처리 용기(20)의 외부에 설치된 후술하는 히터 전원에 전기적으로 접속되고, 히터 전원으로부터 공급되는 전력에 의해 발열한다.
도 3a는, 히터로 전력을 공급하는 급전 계통의 구성을 나타내는 단면도이다. 도 3b는, 히터로 전력을 공급하는 급전 계통의 구성을 나타낸 평면도이다.
샤워 플레이트(41)의 주변부에는, 히터(50)의 단부가 노출된 단자부(50a)가 설치되어 있다. 또한, 상부 덮개(22)의 측벽에는, 단자부(50a)의 위치에 대응하는 위치에 급전 단자 도입 구멍(54)이 형성되고, 급전 단자 도입 구멍(54)에 급전 단자(51)가 설치되어 있다. 단자부(50a)와 급전 단자(51)는, 커넥터(52)에 의해 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 도 3a는, 샤워 플레이트(41)의 단자부(50a)와 급전 단자(51)의 접속 부분의 단면을 나타내고 있다. 도 3b는, 샤워 플레이트(41)의 단자부(50a)와 급전 단자(51)의 접속 부분의 하면측을 나타내고 있다.
급전 단자(51)는, 배선을 통해 히터 전원(53)에 전기적으로 접속되고, 히터 전원(53)으로부터의 전력이 공급된다. 히터(50)는, 히터 전원(53)으로부터의 전력이 급전 단자(51) 및 커넥터(52)를 통해 공급된다. 히터 전원(53)은, 후술하는 제어부(90)로부터의 제어 신호를 받음으로써, 히터(50)로 공급하는 전력을 제어 가능하게 되어 있다. 제어부(90)는, 히터(50)로 공급하는 전력을 제어함으로써, 히터(50)의 온도를 제어 가능하게 되어 있다. 또한, 히터(50)의 온도 제어를 행하기 위해, 급전 단자 도입 구멍(54)과 마찬가지의 구성으로, 열전대나 측온 저항체 등의 온도 센서가 접속된다.
이와 같이, 샤워 플레이트(41)에 히터(50)를 설치하고, 상부 덮개(22)에 급전 단자(51)를 설치하여 급전 단자(51)로부터 히터(50)에 급전하는 구성으로 함으로써, 본 실시 형태의 구성이 도입되어 있지 않은 기존의 기판 처리 장치에 대해서도, 상부 덮개(22)에 급전 단자 도입 구멍(54)을 추가하고, 샤워 플레이트(41)를 교환함으로써, 본 실시 형태의 기판 처리 장치(10)의 구성을 용이하게 도입할 수 있다.
여기서, 기판 처리 장치(10)에서는, 에칭을 행할 때, 샤워 헤드(40)로부터 처리 가스를 분출시키고, 고주파 전력을 인가하여 처리 가스를 플라스마화함으로써, 에칭 처리를 행한다. 예를 들어, 기판 처리 장치(10)에서는, 샤워 플레이트(41)에 대해 도시하지 않은 배선을 통해 도시하지 않은 고주파 전원으로부터 소정의 주파수의 고주파 전력을 인가하여, 처리 가스를 플라스마화함으로써, 에칭 처리를 행한다. 또한, 기판 처리 장치(10)는, 샤워 플레이트(41)에 고주파 전력을 인가하여 플라스마화하는 용량 결합 플라스마원을 갖는 것으로 하였지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 기판 처리 장치(10)에 채용 가능한 플라스마원으로서는, 예를 들어 안테나에 고주파 전력을 인가함으로써 플라스마를 생성하는 유도 결합 플라스마원 등을 들 수 있다.
처리 가스를 플라스마화하기 위해 인가되는 고주파 전력은, 히터(50)의 배선에 고주파 노이즈로서 악영향을 미치는 경우가 있다.
그래서 기판 처리 장치(10)에서는, 히터(50), 단자부(50a), 급전 단자(51), 커넥터(52)의 배선 주위에 도전성 실드를 설치하고 있다. 예를 들어, 히터(50), 단자부(50a), 급전 단자(51) 및 커넥터(52)는 도전성의 실드로서, 스테인리스 관을 사용하고 있고, 스테인리스 관의 내부를 절연하여 배선을 배치하고 있다. 또한, 도전성 실드의 부재는, 알루미늄이어도 된다.
급전 단자(51)는, 상부 덮개(22)의 급전 단자 도입 구멍(54)과의 사이에, O링 등의 기밀 부재가 설치되어 처리 용기(20) 내의 기밀성을 유지하는 것이 가능하게 되어 있다. 또한, 급전 단자(51)는, 처리 용기(20)의 외부측에서 접지 전위로 된 부재에 접속되어 있다. 예를 들어, 상부 덮개(22)는, 접지되어 있는 용기 본체(21)와 접촉함으로써 접지 전위로 되어 있다. 급전 단자(51)는 처리 용기(20)의 외부측에서 도전성의 실드가 상부 덮개(22)에 전기적으로 접속되어 있다. 이에 의해, 고주파 전력에 의해 발생하는 고주파 노이즈를 차단할 수 있어, 히터(50)로의 전력을 안정적으로 제어할 수 있다.
도 1로 되돌아간다. 베이스 부재(42)는, 샤워 플레이트(41)의 기판(S)과 대향하는 대향면의 이면측에 접합되어 있다. 베이스 부재(42)는, 상면의 외연에 설치된 보유 지지 부재(47)에 의해 상부 덮개(22)에 고정되어 있다. 보유 지지 부재(47)는, 처리 용기(20) 내의 진공의 유지나 파티클의 진입 억제를 위해, 기밀 부재에 의해 시일되어 있다. 베이스 부재(42)는, 샤워 플레이트(41)와 대향하는 대향면에 오목부가 형성되어 있고, 당해 오목부가 처리 가스를 복수의 가스 구멍(43)에 공급하기 위한 가스 확산 공간(46)으로 되어 있다. 가스 확산 공간(46)에는, 도시하지 않은 가스 공급관이 접속되고, 가스 공급관을 통해 가스 공급부로부터 처리 가스가 공급된다.
베이스 부재(42)에는, 베이스 부재(42)를 원하는 온도로 조정하기 위한 온도 조정 수단이 설치되어 있다. 예를 들어, 베이스 부재(42)에는, 소정의 간격으로 내부를 왕복하도록 유로(60)가 형성되어 있다. 또한, 용기 본체(21)의 및 상부 덮개(22) 측벽 부분에는, 벽면 내를 주회하도록 유로(61)가 형성되어 있다. 또한, 적재대(30)에는, 소정의 간격으로 내부를 왕복하도록 유로(62)가 형성되어 있다. 유로(60, 61, 62)는, 각각 도시하지 않은 배관을 통해 처리 용기(20)의 외부에 설치된 칠러 유닛에 접속되고, 유동성 열매체가 개별로 순환된다. 즉, 베이스 부재(42)는, 온도 조정 수단으로서, 유로(60)나 배관, 칠러 유닛 등에 의한 열매체 순환 시스템이 구축되어 있다. 유동성 열매체로서는, 예를 들어 갈덴 등을 들 수 있지만, 제어 범위의 온도에 적합한 액체를 사용하면 된다. 칠러 유닛은, 후술하는 제어부(90)로부터의 제어 신호를 받음으로써, 유로(60, 61, 62)에 각각 흐르게 하는 유동성 열매체의 온도나 유량을 제어 가능하게 되어 있다. 제어부(90)는, 칠러 유닛으로부터 흐르게 하는 유동성 열매체의 온도나 유량을 제어함으로써, 용기 본체(21), 적재대(30), 샤워 플레이트(41)의 온도를 제어 가능하게 되어 있다.
본 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(10)는, 각각에 설정된 온도의 유동성 열매체가 개별로 칠러 유닛으로부터 유로(60, 61, 62)로 순환되는 것이 가능하게 되어 있다. 또한, 기판 처리 장치(10)는, 히터(50)로 가열함으로써 샤워 플레이트(41)의 제어가 가능하게 되어 있다. 이에 의해, 기판 처리 장치(10)는, 용기 본체(21), 적재대(30), 샤워 플레이트(41), 베이스 부재(42)의 온도를 개별로 제어 가능하게 되어 있다. 또한, 도시하지 않지만, 샤워 플레이트(41)와 베이스 부재(42)의 접속면은 각각 독립된 온도 제어를 가능하게 하기 위한 단열 구조로 되어 있다. 구체적으로는 전기적인 접속을 유지하면서, 접촉 면적을 최소화하여 계면의 열전달을 억제하고 있다.
상기 구성의 기판 처리 장치(10)는, 제어부(90)에 의해, 그 동작이 통괄적으로 제어된다. 제어부(90)는, 예를 들어 컴퓨터이며, 기판 처리 장치(10)의 각 부를 제어한다. 예를 들어, 제어부(90)에는, CPU를 구비하고 기판 처리 장치(10)의 각 부를 제어하는 프로세스 컨트롤러(91)와, 유저 인터페이스(92)와, 기억부(93)가 설치되어 있다.
유저 인터페이스(92)는, 공정 관리자가 기판 처리 장치(10)를 관리하기 위해 커맨드의 입력 조작을 행하는 키보드나, 기판 처리 장치(10)의 가동 상황을 가시화하여 표시하는 디스플레이 등으로 구성되어 있다.
기억부(93)에는, 기판 처리 장치(10)에서 실행되는 각종 처리를 프로세스 컨트롤러(91)의 제어로 실현하기 위한 제어 프로그램(소프트웨어)이나, 기판 처리의 처리 조건 데이터 등이 기억된 레시피가 저장되어 있다. 그리고 필요에 따라서, 유저 인터페이스(92)로부터의 지시 등으로 임의의 레시피를 기억부(93)로부터 불러내어 프로세스 컨트롤러(91)에 실행시킴으로써, 프로세스 컨트롤러(91)의 제어하에서, 기판 처리 장치(10)에서의 원하는 처리가 행해진다. 또한, 제어 프로그램이나 처리 조건 데이터 등의 레시피는, 컴퓨터로 판독 가능한 컴퓨터 기억 매체(예를 들어, 하드 디스크, CD, 플렉시블 디스크, 반도체 메모리 등) 등에 저장된 상태인 것을 이용하거나, 또는 다른 장치로부터, 예를 들어 전용 회선을 통해 수시 전송시켜 온라인으로 사용하거나 하는 것도 가능하다.
[동작의 흐름]
다음으로, 기판 처리 장치(10)의 구체적인 동작의 흐름에 대해 설명한다. 먼저, 기판 처리 장치(10)가 절연막 에칭을 행하는 경우의 동작의 흐름을 설명한다. 도 4는, 절연막 에칭의 처리 조건의 일례를 설명하는 도면이다.
기판 처리 장치(10)는, 절연막 에칭의 처리 대상이 된 기판(S)이 적재대(30)에 적재된다.
제어부(90)는, 진공 배기 수단을 동작시켜, 처리 용기(20) 내를 진공 배기하여 처리 용기(20) 내를 원하는 진공도로 유지한다. 또한, 제어부(90)는, 칠러 유닛으로부터 각각 소정의 온도의 유동성 열매체를 개별로 유로(60, 61, 62)에 순환시켜, 용기 본체(21), 적재대(30), 베이스 부재(42)의 온도를 각각 소정의 온도로 제어한다. 또한, 제어부(90)는 히터 전원(53)으로부터 소정의 전력을 공급하여 샤워 플레이트(41)의 온도를 소정의 온도로 제어한다. 예를 들어, 도 4에 나타낸 바와 같이, 용기 본체(21)를 110℃로 제어하고, 적재대(30)를 25℃로 제어하고, 베이스 부재(42)를 110℃로 제어하고, 샤워 플레이트(41)를 150℃로 제어한다.
그리고 제어부(90)는, 가스 공급부를 제어하여 샤워 헤드(40)로부터 플루오로카본을 포함한 처리 가스를 분출시키고, 고주파 전력을 인가하여 처리 가스를 플라스마화함으로써, 에칭 처리를 행한다. 예를 들어, 도 4에 나타낸 바와 같이, 처리 가스로서, CHF3/CF4/Ar을 샤워 헤드(40)로부터 분출시켜, 하층막과의 선택비를 요하는 절연막 에칭을 행한다. 또한, Ar은, 처리 가스에 첨가하지 않아도 된다.
여기서, 일반적으로, 하층막과의 선택비를 요하는 절연막 에칭에서는, 하층막의 에칭을 억제하기 위해, CF계 폴리머를 생성하는 플루오로카본 가스를 사용한 플라스마 처리를 행한다. 이들 CF계 폴리머의 일부는, 플라스마 처리 중에 샤워 헤드(40)의 샤워 플레이트(41)의 표면에 생성물로서 퇴적된다. 종래, 기판 처리 장치(10)에서는, 연속 처리를 계속하면 샤워 플레이트(41)의 표면에 퇴적된 생성물이 박리되어 떨어지거나 하여 기판(S)에 낙하하여, 제품 불량을 야기하기 때문에, 소정의 처리 매수에 도달한 시점에서, 퇴적된 생성물을 제거하기 위해 메인터넌스를 행한다. 예를 들어, 기판 처리 장치(10)에서는, 상부 덮개(22)를 떼어내어 처리 용기(20) 내를 대기 해방하고, 샤워 플레이트(41)의 교환, 세정 등의 메인터넌스를 행한다.
그런데 플루오로카본 가스를 사용한 플라스마에서 생성되는 CF계 폴리머는, 저온에서는 용이하게 벽면에 부착되지만, 고온에서는 벽면에 부착되지 않게 되는 것이 경험적으로 알려져 있다. 또한, 벽면을 고온으로 유지함으로써 하지막과의 선택비가 향상되는 것이 알려져 있다. 즉, 하지막에 대해 원하는 선택비를 얻는 경우, 벽면의 온도에 의해 투입하는 플루오로카본 가스양을 조정할 필요가 있다. 구체적으로는, 벽면이 저온이면 플루오로카본 가스를 많게, 고온이면 플루오로카본 가스를 적게 함으로써, 요구되는 에칭 성능을 만족시킬 수 있다. 당연히, 플루오로카본 가스의 투입량이 적을수록, 샤워 플레이트(41) 등에 퇴적되는 생성물도 적어지기 때문에, 하지막과의 선택비를 요하는 절연막 에칭에서는 100℃ 이상의 고온에서 처리된다.
그래서 기판 처리 장치(10)에서는, 절연막 에칭의 경우, 샤워 플레이트(41)를 150℃로 제어한다. 이에 의해, 플루오로카본 가스의 투입량을 필요 최소한으로 억제하여 샤워 플레이트(41)의 표면에 CF계 폴리머가 퇴적되는 것을 억제할 수 있다. 기판 처리 장치(10)는, 이와 같이 CF계 폴리머의 퇴적이 억제됨으로써, 메인터넌스의 주기를 길게 할 수 있다.
그런데 샤워 플레이트(41)의 표면에 CF계 폴리머의 퇴적을 억제하려고 하는 경우, 샤워 헤드(40)를 전체적으로 고온으로 제어하는 것을 생각할 수 있다. 예를 들어, 샤워 헤드(40)를 전체적으로 150℃로 제어하는 것을 생각할 수 있다.
그러나 샤워 헤드(40)를 전체적으로 고온으로 제어한 경우, 샤워 헤드(40) 전체가 고온으로 되어 팽창된다. 여기서, 기판 처리 장치(10)는, 기판(S)의 사이즈에 대응하여 대형화되어 있고, 샤워 헤드(40)도 대형화되어 있다. 이 때문에, 샤워 헤드(40) 전체가 고온으로 되어 팽창되면, 팽창에 의한 사이즈의 변화도 크게 되어 있다. 예를 들어, 베이스 부재(42)가 수 밀리미터 내지 수십 밀리미터 팽창된다. 이와 같이 샤워 헤드(40) 전체가 팽창된 경우, 기판 처리 장치(10)에는, 문제가 발생하는 경우가 있다. 예를 들어, 샤워 헤드(40)를 보유 지지하는 보유 지지 부재(47)의 시일에 어긋남이 발생하여, 기밀성을 유지할 수 없게 되는 경우가 있다.
그래서 본 실시 형태에서는, 베이스 부재(42)의 온도를 샤워 플레이트(41)의 온도보다 낮은 110℃로 제어하고 있다. 이에 의해, 베이스 부재(42)의 열팽창을 억제할 수 있으므로, 보유 지지 부재(47)의 시일 등으로 기밀성을 유지할 수 없게 되는 것을 억제할 수 있다.
다음으로, 기판 처리 장치(10)가 메탈층 에칭을 행하는 경우의 동작의 흐름을 설명한다. 도 5는 메탈층 에칭의 처리 조건의 일례를 설명하는 도면이다.
기판 처리 장치(10)는, 메탈층 에칭의 처리 대상으로 된 기판(S)이 적재대(30)에 적재된다.
제어부(90)는, 진공 배기 수단을 동작시켜, 처리 용기(20) 내를 진공 배기하여 처리 용기(20) 내를 원하는 진공도로 유지한다. 또한, 제어부(90)는, 칠러 유닛으로부터 각각 소정의 온도의 유동성 열매체를 개별로 유로(60, 61, 62)에 순환시켜, 용기 본체(21), 적재대(30), 베이스 부재(42)의 온도를 각각 소정의 온도로 제어한다. 또한, 제어부(90)는, 히터 전원(53)으로부터 소정의 전력을 공급하여 샤워 플레이트(41)의 온도를 소정의 온도로 제어한다. 예를 들어, 도 5에 나타낸 바와 같이, 용기 본체(21)를 80℃로 제어하고, 적재대(30)를 25℃로 제어하고, 베이스 부재(42)를 40℃로 제어하고, 샤워 플레이트(41)를 80℃로 제어한다.
그리고 제어부(90)는, 가스 공급부를 제어하여 샤워 헤드(40)로부터 염소를 포함한 처리 가스를 분출시키고, 고주파 전력을 인가하여 처리 가스를 플라스마화함으로써, 에칭 처리를 행한다. 예를 들어, 도 5에 나타낸 바와 같이, 처리 가스로서, Cl2/Ar을 샤워 헤드(40)로부터 분출시켜, 메탈층 에칭을 행한다. 또한, Ar은, 처리 가스에 첨가하지 않아도 된다.
여기서, 일반적으로, 메탈층 에칭에서는, 염화알루미늄 등의 생성물이 생성되고, 샤워 헤드(40)의 샤워 플레이트(41)의 표면에 생성물이 퇴적된다. 종래, 기판 처리 장치(10)에서는, 퇴적된 생성물의 제거나, 소모된 부품을 교환하기 위해, 정기적으로 메인터넌스를 행한다. 예를 들어, 기판 처리 장치(10)에서는, 상부 덮개(22)를 떼어내어 처리 용기(20) 내를 대기 해방하고, 샤워 플레이트(41)의 교환 등의 메인터넌스를 행한다.
그런데 염화알루미늄은, 에칭 처리를 행하는 압력 영역에 있어서 증기압 곡선으로부터 60℃ 전후에서 기체가 된다.
그래서 본 실시 형태에서는, 샤워 플레이트(41)를 80℃로 제어하고 있다. 이에 의해, 샤워 플레이트(41)의 표면에 염화알루미늄이 퇴적되는 것을 억제할 수 있다. 기판 처리 장치(10)는, 이와 같이 염화알루미늄의 퇴적이 억제됨으로써, 메인터넌스의 주기를 길게 할 수 있다.
그런데 염화알루미늄의 퇴적을 억제하려고 하는 경우, 염화알루미늄이 발생하지 않도록 샤워 헤드(40)를 전체적으로 고온으로 제어하는 것을 생각할 수 있다. 예를 들어, 베이스 부재(42)를 포함한 샤워 헤드(40)를 전체적으로, 80℃로 제어하는 것을 생각할 수 있다.
여기서, 기판 처리 장치(10)에서는, 염소 등의 할로겐계 가스에 대해 내식성을 향상시키기 위해, 처리 용기(20) 내에 배치되는 부재에 알루마이트 처리 등의 산화 처리가 행해진다. 예를 들어, 샤워 헤드(40)의 샤워 플레이트(41)나 베이스 부재(42)는 표면에 알루마이트 처리가 실시된다.
기판 처리 장치(10)는, 샤워 헤드(40)를 전체적으로 고온으로 제어한 경우, 알루마이트 처리된 표면에 크랙이 발생한다. 그리고 처리 가스에 포함되는 염소가, 크랙 내에 침입한다. 특히, 샤워 헤드(40)를 전체적으로 고온으로 제어한 경우, 베이스 부재(42)는 처리 가스가 공급되는 가스 확산 공간(46)과 면하는 표면에 발생한 크랙에 염소가 많이 침입한다.
기판 처리 장치(10)는, 이러한 상태에서, 메인터넌스를 위해, 상부 덮개(22)를 떼어내어 처리 용기(20) 내를 대기 해방한 경우, 크랙 내에 침입한 염소가 대기 중의 수분과 반응하여 염산으로 됨으로써 부식이 발생하기 쉬워진다. 예를 들어, 베이스 부재(42)의 가스 확산 공간(46)과 면하는 표면에 부식이 발생한다. 즉, 기판 처리 장치(10)는, 처리 가스에 염소가 포함되는 경우, 샤워 헤드(40)를 전체적으로 고온으로 하면, 베이스 부재(42)의 부식을 유발하기 쉬워진다. 샤워 플레이트(41)도 마찬가지로 염산에 의한 부식이 우려되지만, 대기 해방 후, 신속하게 세정함으로써 염산에 의한 부식을 억제할 수 있다. 그러나 베이스 부재(42)는 떼어내기가 곤란하기 때문에, 통상의 메인터넌스로는 충분히 세정할 수 없다.
그래서 본 실시 형태에서는, 베이스 부재(42)의 온도를 샤워 플레이트(41)의 온도보다 낮은 40℃로 제어하고 있다. 이에 의해, 베이스 부재(42)의 알루마이트 크랙을 억제하여, 부식의 발생을 억제할 수 있다.
[효과]
이와 같이, 본 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(10)는, 기판(S)이 적재되는 적재대(30)에 대향하여 처리 용기(20) 내에 배치되고, 처리 가스를 분출하는 샤워 헤드(40)를 갖는다. 샤워 헤드(40)는, 적재대(30)에 대향하여 배치되고, 처리 용기(20) 내에 처리 가스를 분출하는 복수의 가스 구멍(43)이 형성되고, 히터(50)가 설치된 샤워 플레이트(41)와, 샤워 플레이트(41)의 적재대(30)와 대향하는 대향면의 이면측에 접합되고, 처리 가스를 복수의 가스 구멍(43)에 공급하기 위한 공간을 구성하는 오목부가 형성되고, 유로(60)가 설치된 베이스 부재(42)를 갖는다. 이에 의해, 기판 처리 장치(10)는, 샤워 플레이트(41)와 베이스 부재(42)를 제각기 온도 제어할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(10)에서는, 히터(50)는, 도전성의 외장을 갖는 급전 단자(51)에 의해 전력이 공급되고 있다. 급전 단자(51)는, 처리 용기(20)의 벽면에 설치되고, 접지 전위가 된 상부 덮개(22)에 외장을 접촉하여, 히터 전원(53)에 접속되어 있다. 이에 의해, 기판 처리 장치(10)는, 고주파 전력에 의해 발생하는 고주파 노이즈를 도전성 외장으로 차단할 수 있어, 히터(50)에의 전력을 안정적으로 제어할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(10)는, 제어부(90)를 갖는다. 제어부(90)는, 샤워 플레이트(41)의 온도가 처리 가스에 의해 생성되는 생성물의 증발 온도보다 높은 제1 온도가 되도록 히터(50)를 제어한다. 또한, 제어부(90)는, 베이스 부재(42)의 온도가 제1 온도보다 낮은 제2 온도가 되도록 열매체 순환 시스템을 제어한다. 이에 의해, 기판 처리 장치(10)는, 플루오로카본을 포함한 처리 가스에 의해 기판(S)의 절연막 에칭을 행하는 경우, 플루오로카본 가스의 투입량을 최소화함으로써 CF계 폴리머의 퇴적을 억제할 수 있어, 메인터넌스의 주기를 길게 할 수 있다. 또한, 기판 처리 장치(10)는, 베이스 부재(42)의 열팽창을 억제할 수 있어, 베이스 부재(42)를 보유 지지하는 보유 지지 부재(47)의 시일 등으로 기밀성을 유지할 수 있다. 또한, 기판 처리 장치(10)는, 염소계를 포함한 처리 가스에 의해 기판(S)의 메탈층 에칭을 행하는 경우, 염화알루미늄의 퇴적을 억제할 수 있어, 메인터넌스의 주기를 길게 할 수 있다. 또한, 기판 처리 장치(10)는, 베이스 부재(42)의 부식을 억제할 수 있다.
(제2 실시 형태)
다음으로, 제2 실시 형태에 대해 설명한다. 제2 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(10)는, 도 1에 나타낸 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(10)의 구성과 대략 마찬가지이므로 설명을 생략한다.
도 6은, 제2 실시 형태에 관한 샤워 플레이트의 하면측을 나타낸 평면도이다. 도 6에 나타낸 바와 같이, 샤워 플레이트(41)는, 복수의 분할 플레이트(70)로 분할되어 있다. 예를 들어, 도 6에 나타낸 샤워 플레이트(41)는, 6개의 분할 플레이트(70)로 분할되어 있고, 6개의 분할 플레이트(70)를 2×3으로 배치하여 구성되어 있다. 각 분할 플레이트(70)는, 각각 히터(50)를 설치하고 있다. 또한, 도 6의 예는 일례이며, 샤워 플레이트(41)를 구성하는 분할 플레이트(70)의 매수, 배치는 이것에 한정되는 것은 아니다.
샤워 플레이트(41)는, 복수의 분할 플레이트(70)가 복수의 그룹으로 나누어져 있다. 도 6에 나타낸 샤워 플레이트(41)는, 6개의 분할 플레이트(70)가 인접한 2개씩의 3개의 그룹(71a, 71b, 71c)으로 나누어져 있다. 샤워 플레이트(41)는, 그룹(71a, 71b, 71c)마다, 인접한 분할 플레이트(70)의 히터(50)의 단자부(50a) 사이가 도전성 외장을 갖는 커넥터(72)로 접속되어 있다.
상부 덮개(22)의 측벽에는, 그룹(71a, 71b, 71c)마다, 분할 플레이트(70)의 위치에 대응하는 위치에 급전 단자 도입 구멍이 형성되고, 급전 단자 도입 구멍에 급전 단자(51)가 설치되어 있다. 각 분할 플레이트(70)의 상부 덮개(22)의 측벽측에 위치하는 단자부(50a)는, 커넥터(52)에 의해 급전 단자(51)와 전기적으로 접속되어 있다.
급전 단자(51)는, 그룹(71a, 71b, 71c)마다, 배선 계통을 나누어, 히터 전원(53)에 전기적으로 접속되어 있고, 히터 전원(53)으로부터의 전력이 공급된다. 히터 전원(53)은, 후술하는 제어부(90)로부터의 제어 신호를 받음으로써, 그룹(71a, 71b, 71c)마다, 히터(50)로 공급하는 전력을 제어 가능하게 되어 있다. 제어부(90)는, 그룹(71a, 71b, 71c)마다 히터(50)로 공급하는 전력을 제어함으로써, 그룹(71a, 71b, 71c)마다 히터(50)의 온도를 제어 가능하게 되어 있다. 이에 의해, 샤워 플레이트(41)는, 그룹(71a, 71b, 71c)의 분할 플레이트(70)의 에어리어마다, 온도를 개별로 제어 가능하게 되어 있다.
제어부(90)는, 에칭 처리 등의 기판 처리를 행할 때, 샤워 플레이트(41)의 그룹(71a, 71b, 71c)의 분할 플레이트(70)의 에어리어마다 온도를 개별로 제어한다. 예를 들어, 중앙의 에어리어의 분할 플레이트(70)는, 주위로부터 열이 전달되어 고온이 되기 쉽다. 또한, 주변의 에어리어의 분할 플레이트(70)는, 주위로부터 열의 전달이 적어 저온이 되기 쉽다. 이 때문에, 제어부(90)는, 중앙의 에어리어의 분할 플레이트(70)의 히터(50)의 온도를 낮게, 주변의 에어리어의 분할 플레이트(70)의 히터(50)의 온도를 높게 제어한다. 이에 의해, 기판 처리 장치(10)는, 샤워 플레이트(41)의 에어리어마다 온도차를 작게 할 수 있다.
[효과]
이와 같이, 본 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(10)는, 샤워 플레이트(41)가, 각각 히터(50)가 설치된 복수의 분할 플레이트(70)에 의해 구성되어 있다. 복수의 분할 플레이트(70)는, 히터(50) 사이가 도전성 외장을 갖는 커넥터(72)로 접속되어 있다. 이에 의해, 기판 처리 장치(10)는, 복수의 분할 플레이트(70)를 조합함으로써, 큰 사이즈의 샤워 플레이트(41)를 구성할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(10)는, 복수의 분할 플레이트(70)가, 복수의 그룹으로 나누어져, 그룹마다 히터로의 공급 전력을 조정 가능하게 되어 있다. 이에 의해, 기판 처리 장치(10)는, 각 그룹의 분할 플레이트(70)의 에어리어마다 온도를 개별로 제어할 수 있다.
(제3 실시 형태)
다음으로, 제3 실시 형태에 대해 설명한다. 제3 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(10)는, 도 1에 나타낸 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(10)의 구성과 대략 마찬가지이므로, 설명을 생략한다.
도 7은, 제3 실시 형태에 관한 샤워 헤드의 구성을 개략적으로 나타내는 도면이다. 제3 실시 형태에 관한 샤워 헤드(40)는, 도 1에 나타낸 제1 실시 형태 및 제2 실시 형태에 관한 샤워 헤드(40)와 일부가 마찬가지의 구성이므로, 동일한 부분에 대해서는 동일한 부호를 붙여 설명을 생략하고, 주로 상이한 부분에 대해 설명한다.
제3 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(10)는, 샤워 플레이트(41)가, 히터 플레이트(80)와, 커버 플레이트(81)에 의해 구성되어 있다.
히터 플레이트(80)는, 베이스 부재(42)에 면하고 있고, 복수의 가스 구멍(43a)이 천공되어 있다. 또한, 히터 플레이트(80)는, 가스 구멍(43a)의 사이를 통과하도록 히터(50)가 내부에 매설되어 있다.
커버 플레이트(81)는, 히터 플레이트(80)의 적재대(30)측에 접합되어 있고, 히터 플레이트(80)의 각 가스 구멍(43a)에 대응하는 위치에, 각각 가스 구멍(43b)이 천공되어 있다. 가스 구멍(43a) 및 가스 구멍(43b)은 연통되어 있고, 처리 용기(20) 내에 처리 가스를 분출하는 가스 구멍(43)으로서 기능한다.
커버 플레이트(81)는, 히터 플레이트(80)와 동일 정도의 사이즈, 또는 히터 플레이트(80)보다 큰 사이즈로 되어 있어, 히터 플레이트(80)의 적재대(30)측의 면을 덮고 있다. 이에 의해, 에칭 처리 등의 기판 처리를 행하였을 때에 생성되는 생성물(소위, 디포짓)은, 커버 플레이트(81)에 주로 퇴적된다. 또한, 샤워 플레이트(41)를 구성하는 부품 중, 주로 커버 플레이트(81)가 플라스마에 의해 소모되는 등의 대미지를 받는다.
기판 처리 장치(10)에서는, 퇴적된 생성물의 제거나, 소모된 부품을 교환하기 위해, 정기적으로 메인터넌스를 행한다. 예를 들어, 제3 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(10)에서는, 상부 덮개(22)를 떼어내어 처리 용기(20) 내를 대기 해방하고, 샤워 플레이트(41)를 구성하는 부품 중, 커버 플레이트(81)를 교환한다.
히터 플레이트(80)는, 히터(50)의 배선 등이 있기 때문에, 교환에 수고를 요하는 데다가, 히터(50)를 내장하고 있기 때문에 비용이 든다. 이와 같이 샤워 헤드(40)에 커버 플레이트(81)를 설치함으로써, 히터 플레이트(80)는 생성물의 퇴적이 억제되고, 또한 플라스마에 의한 소모도 억제된다. 이에 의해, 기판 처리 장치(10)는, 히터 플레이트(80)의 교환 주기를 연장시킬 수 있으므로, 메인터넌스의 수고와 비용을 저감시킬 수 있다.
[효과]
이와 같이, 본 실시 형태에 관한 샤워 플레이트(41)는, 히터(50)가 설치된 히터 플레이트(80)와, 히터 플레이트(80)의 적재대(30)측에 접합된 커버 플레이트(81)를 갖는다. 이에 의해, 기판 처리 장치(10)는, 메인터넌스의 수고와 비용을 저감시킬 수 있다.
이상, 본 발명을 실시 형태를 사용하여 설명하였지만, 본 발명의 기술적 범위는 상기 실시 형태에 기재된 범위에 한정되는 것은 아니다. 상기 실시 형태에 다양한 변경 또는 개량을 가하는 것이 가능한 것이 당업자에게는 명백하다. 또한, 그러한 변경 또는 개량을 가한 형태도 본 발명의 기술적 범위에 포함될 수 있는 것이, 청구범위의 기재로부터 명백하다.
예를 들어, 상기한 실시 형태에서는, 기판(S)을 유리 기판으로 하여 기판 처리를 행하는 경우를 예로 들어 설명하였지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 기판(S)은, 반도체 웨이퍼 등이어도 된다. 그 경우, 샤워 헤드나 처리 용기의 단면의 형상은, 반도체 웨이퍼의 형상에 맞추어 원형으로 해도 된다.
또한, 상기한 실시 형태에서는, 기판 처리로서, 플라스마 에칭을 행하는 경우를 예로 들어 설명하였지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 기판 처리는, 성막 처리 등, 처리 가스에 의한 생성물의 축적이 샤워 헤드(40)에 발생하는 처리이면 어느 것이어도 된다.
10 : 기판 처리 장치
20 : 처리 용기
21 : 용기 본체
22 : 상부 덮개
30 : 적재대
31 : 지지부
40 : 샤워 헤드
41 : 샤워 플레이트
42 : 베이스 부재
43 : 가스 구멍
46 : 가스 확산 공간
47 : 보유 지지 부재
50 : 히터
50a : 단자부
51 : 급전 단자
52 : 커넥터
53 : 히터 전원
60 : 유로
70 : 분할 플레이트
72 : 커넥터
80 : 히터 플레이트
81 : 커버 플레이트
90 : 제어부
S : 기판

Claims (9)

  1. 기판이 적재되는 적재대에 대향하여 처리 용기 내에 배치되고, 처리 가스를 분출하는 샤워 헤드를 갖는 기판 처리 장치이며,
    상기 샤워 헤드는,
    상기 적재대에 대향하여 배치되고, 상기 처리 용기 내에 상기 처리 가스를 분출하는 복수의 가스 구멍이 형성되고, 가열 수단이 설치된 샤워 플레이트와,
    상기 샤워 플레이트의 상기 적재대와 대향하는 대향면의 이면측에 접합되고, 상기 처리 가스를 상기 복수의 가스 구멍에 공급하기 위한 공간이 형성되고, 온도 조정 수단이 설치된 베이스 부재를 갖는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 가열 수단은, 내부에 히터가 매설된 히터 플레이트이며,
    상기 샤워 플레이트는, 적어도 상기 히터 플레이트에 의해 구성되는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 히터는, 도전성 외장을 갖는 급전 단자에 의해 전력이 공급되고,
    상기 급전 단자는, 상기 처리 용기의 벽면에 설치되고, 접지 전위로 된 부재에 외장이 접촉하여, 전력 공급부에 접속된 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 온도 조정 수단은, 상기 베이스 부재의 내부에 형성된 유로에 유동성 열매체를 순환시키는 열매체 순환 시스템인 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 샤워 플레이트는, 각각 상기 가열 수단이 설치된 복수의 분할 플레이트에 의해 구성되고, 상기 복수의 분할 플레이트의 히터 사이가 도전성 외장을 갖는 커넥터로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 복수의 분할 플레이트는, 복수의 그룹으로 나누어지고, 그룹마다 히터에의 공급 전력을 조정 가능하게 된 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 샤워 플레이트의 온도가 상기 처리 가스에 의해 생성되는 생성물의 증발 온도보다 높은 제1 온도가 되도록 상기 가열 수단을 제어함과 함께, 상기 베이스 부재의 온도가 상기 제1 온도보다 낮은 제2 온도가 되도록 상기 온도 조정 수단을 제어하는 제어부를 더 갖는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.
  8. 제2항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 샤워 플레이트는,
    상기 히터 플레이트의 상기 적재대측에 접합된 커버 플레이트를 더 갖는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.
  9. 기판이 적재되는 적재대에 대향하여 배치되고, 처리 용기 내에 처리 가스를 분출하는 복수의 가스 구멍이 형성되고, 가열 수단이 설치된 샤워 플레이트와, 샤워 플레이트의 상기 적재대와 대향하는 대향면의 이면측에 접합되고, 상기 처리 가스를 상기 복수의 가스 구멍에 공급하기 위한 공간이 형성되고, 온도 조정 수단이 설치된 베이스 부재를 갖는 샤워 헤드로부터, 상기 기판에 대해 상기 처리 가스를 분출하여 기판 처리를 행할 때, 상기 샤워 플레이트의 온도가 상기 처리 가스에 의해 생성되는 생성물의 증발 온도보다 높은 제1 온도가 되도록 상기 가열 수단을 제어하고,
    상기 베이스 부재의 온도가 제1 온도보다 낮은 제2 온도가 되도록 상기 온도 조정 수단을 제어하는 것을 특징으로 하는, 온도 제어 방법.
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