CN110010440A - 基板处理装置和温度控制方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种基板处理装置和温度控制方法，对喷淋板和基底构件相分别地进行温度控制。基板处理装置(10)具有喷淋头(40)，所述喷淋头以与用于载置基板(S)的载置台(30)相向的方式配置在处理容器(20)内，用于喷出处理气体。喷淋头具有：喷淋板(41)，其以与载置台相向的方式配置，在所述喷淋板设置有加热器(50)，并且形成有用于向处理容器内喷出处理气体的多个气孔(43)；以及基底构件(42)，其与喷淋板的背面侧接合，该背面是与所述喷淋板的同载置台相向的面相向的面，在所述基底构件设置有流路(60)，并且形成有用于向多个气孔供给处理气体的空间。

Description

基板处理装置和温度控制方法
技术领域
本发明的各种方面和实施方式涉及一种基板处理装置和温度控制方法。
背景技术
以往以来，已知一种对配置在处理容器内的玻璃基板等基板供给处理气体来进行蚀刻处理等的基板处理的基板处理装置。作为这样的基板处理装置，例如已知一种等离子体处理装置。等离子体处理装置使以与基板相向的方式配置的喷淋头喷出处理气体，施加高频电力来使处理气体等离子体化，由此进行蚀刻处理。
另外，在等离子体处理装置中，当在蚀刻处理等中在喷淋头的表面产生堆积物时，成为微粒的产生源。因此，已知一种使喷淋头为高温以防产生堆积物的技术。例如，在专利文献1中提出有如下一种构造：将喷淋头设为将形成有气体扩散空间的基底构件与形成有用于喷出处理气体的多个气孔的喷淋板接合而成的结构，并且在基底构件形成冷却器流路来进行喷淋头的温度控制。
专利文献1：日本特开2008-177428号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而，在专利文献1所记载的构造中，在基底构件与喷淋板之间存在气体扩散空间，因此在喷淋板表面的温度控制这方面不够充分。另外，在为了使不产生堆积物而使整体为高温的情况下，喷淋头整体成为高温而膨胀，有时发生故障。例如在喷淋头整体膨胀的情况下，保持喷淋头的保持构件的密封件有时无法再维持真空。另外，在蚀刻金属膜的情况下，将氯等卤素气体作为处理气体来进行等离子体处理。在该情况下，对由铝等构成的基底构件实施铝阳极化处理，使得针对卤素气体的耐腐蚀性提高。在蚀刻金属膜的情况下，也能够通过使喷淋板为高温来抑制堆积物，但当基底构件的耐酸铝成为高温时，产生裂纹使得耐腐蚀性明显下降。因此，在金属膜蚀刻中难以同时实现针对喷淋板表面的堆积物抑制以及基底构件的耐腐蚀性。
用于解决问题的方案
在一个实施方式中，所公开的基板处理装置具有喷淋头，所述喷淋头以与用于载置基板的载置台相向的方式配置在处理容器内，用于喷出处理气体。喷淋头具有：喷淋板，其以与载置台相向的方式配置，在该喷淋板设置有加热单元，并且形成有用于向处理容器内喷出处理气体的多个气孔；以及基底构件，其与喷淋板的背面侧接合，该背面是与所述喷淋板的同载置台相向的面相向的面，在该基底构件设置有温度调整单元，并且形成有用于向所述多个气孔供给处理气体的空间。
发明的效果
根据公开的基板处理装置的一个方式，起到能够对喷淋板和基底构件分别进行温度控制的效果。
附图说明
图1是概要性地表示实施方式所涉及的基板处理装置的图。
图2A是表示第一实施方式所涉及的喷淋板的下表面侧的俯视图。
图2B是表示第一实施方式所涉及的喷淋板的截面的截面图。
图3A是表示向加热器供给电力的供电系统的结构的截面图。
图3B是表示向加热器供给电力的供电系统的结构的俯视图。
图4是说明绝缘膜蚀刻的处理条件的一例的图。
图5是说明金属层蚀刻的处理条件的一例的图。
图6是表示第二实施方式所涉及的喷淋板的下表面侧的俯视图。
图7是概要性地表示第三实施方式所涉及的喷淋头的结构的图。
附图标记说明
10：基板处理装置；20：处理容器；21：容器主体；22：上盖；30：载置台；31：支承部；40：喷淋头；41：喷淋板；42：基底构件；43：气孔；46：气体扩散空间；47：保持构件；50：加热器；50a：端子部；51：供电端子；52：连接器；53：加热器电源；60；流路；70：分割板；72：连接器；80：加热板；81；盖板；90：控制部；S：基板。
具体实施方式
下面，参照附图来详细地说明本申请所公开的基板处理装置和温度控制方法的实施方式。此外，在各附图中对相同或相当的部分标注相同的标记。另外，所公开的发明不限定于本实施方式。各实施方式在处理内容不相矛盾的范围内能够适当地进行组合。
(第一实施方式)
[基板处理装置的结构]
对实施方式所涉及的基板处理装置10的结构进行说明。图1是概要性地表示实施方式所涉及的基板处理装置的图。基板处理装置10为对基板进行规定的基板处理的装置。在本实施方式中，以将基板处理装置10设为对基板进行等离子体蚀刻的等离子体处理装置的情况为例进行说明。下面，关于基板处理装置10，主要图示与本发明关联的部分的结构来进行说明。在图1中概要性地示出基板处理装置10的纵截面的构造。
基板处理装置10具备方筒形状的处理容器20，在该处理容器20的内部对基板S实施蚀刻处理。该基板S例如为使用于FPD(Flat Panel Display：平板显示器)等的方形的玻璃基板。例如，基板S在为第十代的基板尺寸的情况下，形成为一边为2880mm、另一边为3080mm左右的大小的矩形状。因此，基板处理装置10与基板S的尺寸对应地变得大型化。处理容器20的平面形状构成为矩形状，并且具备顶板部开口的容器主体21和以将该容器主体21的顶板开口部封闭的方式设置的上盖22。容器主体21和上盖22由铝、不锈钢等金属构成，并且分别接地。
在容器主体21内的下部设置有用于载置基板S的载置台30。载置台30被配置在容器主体21内的底部的支承部31支承为水平。载置台30由铝、不锈钢等金属构成，从未图示的高频电力供给构件供给高频电力，该载置台30对基板S施加偏置电力来进行规定的等离子体处理。
另外，容器主体21的侧壁下部经由排气通路32而与例如由真空泵等构成的真空排气单元连接。真空排气单元构成为：从后述的控制部90接受控制信号，由此真空排气单元响应于该信号对处理容器20内进行真空排气，来将处理容器20内维持为期望的真空度。
另外，在处理容器20的载置台30的上方设置有用于向基板S供给处理气体的喷淋头40。
喷淋头40具备以与载置台30相向的方式设置的喷淋板41以及支承喷淋板41的基底构件42。
喷淋板41以与基板S相向的方式配置，在喷淋板41形成有用于向处理容器20内喷出处理气体的多个气孔43。
图2A是表示第一实施方式所涉及的喷淋板的下表面侧的俯视图。图2B是表示第一实施方式所涉及的喷淋板的截面的截面图。图2B表示图2A的A-A线的位置处的截面。如图2A所示，喷淋板41形成为方板状，在喷淋板41的中央部分41a沿厚度方向开设有多个气孔43。在中央部分41a，气孔43沿着基板S的边以规定的间隔排列成矩阵状。另外，在喷淋板41的包围中央部分41a的周边部分41b开设有多个贯通孔44。喷淋板41通过在各贯通孔44中插入的螺丝45而固定于基底构件42。
针对喷淋板41设置有能够将喷淋板41加热至期望的温度的加热单元。例如，喷淋板41构成为在内部埋设有加热器50的加热板。加热器50以如下方式弯折地配置在中央部分41a内：在气孔43之间通过，并且配置位置以规定的间隔遍布中央部分41a内地进行配置。在图2A中示出加热器50的配置的一例。此外，加热器50也可以不埋设在喷淋板41中。例如，加热器50也可以设置在喷淋板41的背面。例如，也可以在喷淋板41的基底构件42侧以与喷淋板41接触的方式配置设置有加热器50的加热器单元。
加热器50与设置在处理容器20的外部的后述的加热器电源电连接，通过从加热器电源供给的电力而发热。
图3A是表示向加热器供给电力的供电系统的结构的截面图。图3B是表示向加热器供给电力的供电系统的结构的俯视图。
在喷淋板41的周边部设置有使加热器50的端部露出的端子部50a。另外，在上盖22的侧壁中的与端子部50a的位置对应的位置形成有供电端子导入孔54，在供电端子导入孔54中设置有供电端子51。端子部50a与供电端子51通过连接器52电连接。此外，图3A示出喷淋板41的端子部50a与供电端子51的连接部分的截面。图3B示出喷淋板41的端子部50a与供电端子51的连接部分的下表面侧。
供电端子51经由配线而与加热器电源53电连接，从加热器电源53供给电力。经由供电端子51和连接器52从加热器电源53向加热器50供给电力。加热器电源53能够通过从后述的控制部90接受控制信号来控制向加热器50供给的电力。控制部90能够通过控制向加热器50供给的电力来控制加热器50的温度。此外，通过与供电端子导入孔54相同的结构将热电偶、测温电阻体等温度传感器与连接加热器50，以进行加热器50的温度控制。
像这样，根据在喷淋板41设置加热器50并且在上盖22设置供电端子51来从供电端子51向加热器50供电的结构，即使在没有导入本实施方式的结构的现存的基板处理装置中，也能够通过对上盖22追加供电端子导入孔54并更换喷淋板41，来容易地导入本实施方式的基板处理装置10的结构。
在此，在基板处理装置10中进行蚀刻时，从喷淋头40喷出处理气体，并施加高频电力来使处理气体等离子体化，由此进行蚀刻处理。例如，在基板处理装置10中，经由未图示的配线从未图示的高频电源对喷淋板41施加规定的频率的高频电力，来使处理气体等离子体化，由此进行蚀刻处理。此外，设基板处理装置10具有对喷淋板41施加高频电力来进行等离子体化的电容耦合等离子体源，但并不限定于此。作为能够在基板处理装置10中采用的等离子体源，例如列举通过向天线施加高频电力来生成等离子体的电感耦合等离子体源等。
为了使处理气体等离子体化而施加的高频电力有时会以高频噪音的形式对加热器50的配线产生不良影响。
因此，在基板处理装置10中，在加热器50、端子部50a、供电端子51、连接器52的配线的周围设置有导电性的屏蔽体。例如，关于加热器50、端子部50a、供电端子51以及连接器52，使用不锈钢管来作为导电性的屏蔽体，在不锈钢管的内部对加热器50、端子部50a、供电端子51以及连接器52以绝缘的方式配置配线。另外，导电性屏蔽体的构件可以为铝。
能够在供电端子51与上盖22的供电端子导入孔54之间设置O形环等气密构件，来保持处理容器20内的气密性。另外，供电端子51在处理容器20的外部侧与设为接地电位的构件连接。例如，上盖22通过与接地的容器主体21接触而成为接地电位。供电端子51的导电性的屏蔽体在处理容器20的外部侧与上盖22电连接。由此，能够切断由于高频电力产生的高频噪音，能够稳定地控制针对加热器50的电力。
返回图1。基底构件42与喷淋板41的背面侧接合，该背面是与所述喷淋板41的同基板S相向的面相向的面。基底构件42通过设置于其上表面的外缘的保持构件47而固定于上盖22。保持构件47被气密构件密封，以维持处理容器20内的真空、抑制微粒的进入。在基底构件42的与喷淋板41相向的相向面形成有凹部，该凹部成为用于向多个气孔43供给处理气体的气体扩散空间46。气体扩散空间46与未图示的气体供给管连接，且经由气体供给管从气体供给部供给处理气体。
在基底构件42设置有用于将基底构件42调整为期望的温度的温度调整单元。例如，在基底构件42以按规定的间隔在内部往复的方式形成有流路60。另外，在容器主体21的与上盖22相连的侧壁部分以在壁面内绕转的方式形成有流路61。另外，在载置台30以按规定的间隔在内部往复的方式形成有流路62。流路60、61、62分别经由未图示的配管而与设置在处理容器20的外部的冷却装置连接，使流动性热介质独立地循环。即，在基底构件42构建有由流路60、配管、冷却装置等形成的热介质循环系统来作为温度调整单元。作为流动性热介质，例如列举热传导液等，但使用与控制范围的温度相适的液体即可。冷却装置能够通过从后述的控制部90接受控制信号来控制分别在流路60、61、62中流动的流动性热介质的温度、流量。控制部90控制从冷却装置流过来的流动性热介质的温度、流量，由此能够控制容器主体21、载置台30、喷淋板41的温度。
本实施方式所涉及的基板处理装置10能够使所设定的各个温度的流动性热介质分别单独地从冷却装置向流路60、61、62循环。另外，基板处理装置10通过利用加热器50进行加热能够进行喷淋板41的控制。由此，基板处理装置10能够对容器主体21、载置台30、喷淋板41、基底构件42的温度分别单独地进行控制。另外，喷淋板41与基底构件42的连接面为用于使得能够分别独立地进行温度控制的隔热构造，但未图示。具体地说，一边维持电连接一边使接触面积最小化来抑制界面的热传递。
上述结构的基板处理装置10的动作由控制部90统一进行控制。控制部90例如为计算机，对基板处理装置10的各部进行控制。例如，在控制部90设置有工艺控制器91、用户界面92以及存储部93，该工艺控制器91具备CPU并且对基板处理装置10的各部进行控制。
用户界面92包括键盘、显示器等，该键盘供工序管理者进行命令的输入操作以管理基板处理装置10，该显示器用于将基板处理装置10的工作状况可视化地显示。
在存储部93中保存有用于通过工艺控制器91的控制来实现由基板处理装置10执行的各种处理的控制程序(软件)、存储有基板处理的处理条件数据等的制程。而且，根据需要，基于来自用户界面92的指示等从存储部92调出任意的制程并且使工艺控制器91执行该制程，由此在工艺控制器91的控制下利用基板处理装置10进行期望的处理。另外，关于控制程序、处理条件数据等的制程，能够利用保存在可由计算机读取的计算机存储介质(例如硬盘、CD、软盘、半导体存储器等)等中的状态的制程，或者经由例如专用线路从其它装置随时进行传输来在线使用制程。
[动作流程]
接着，对基板处理装置10的具体的动作流程进行说明。首先，对基板处理装置10进行绝缘膜蚀刻的情况下的动作流程进行说明。图4是说明绝缘膜蚀刻的处理条件的一例的图。
基板处理装置10将作为绝缘膜蚀刻的处理对象的基板S载置于载置台30。
控制部90使真空排气单元进行动作来对处理容器20内进行真空排气，来将处理容器20内维持为期望的真空度。另外，控制部90使各个规定的温度的流动性热介质从冷却装置向流路60、61、62分别单独地进行循环，将容器主体21、载置台30、基底构件42的温度分别控制为各个规定的温度。另外，控制部90从加热器电源53供给规定的电力来将喷淋板41的温度控制为规定的温度。例如图4所示，将容器主体21控制为110℃，将载置台30控制为25℃，将基底构件42控制为110℃，将喷淋板41控制为150℃。
而且，控制部90控制气体供给部来使喷淋头40喷出含有氟碳化合物的处理气体，并施加高频电力来使处理气体等离子体化，由此进行蚀刻处理。例如图4所示，使喷淋头40喷出CHF3/CF4/Ar来作为处理气体，以所要求的与下层膜之间的选择比进行绝缘膜蚀刻。此外，也可以不在处理气体中添加Ar。
在此，一般来讲，在以所要求的与下层膜之间的选择比进行的绝缘膜蚀刻中，要抑制下层膜的蚀刻，因此使用氟碳化合物气体来进行生成CF系聚合物的等离子体处理。这些CF系聚合物的一部分在等离子体处理中以生成物的形式堆积于喷淋头40的喷淋板41的表面。以往，在基板处理装置10中，当继续进行连续处理时，堆积于喷淋板41的表面的生成物发生剥落等而落到基板S上，引起产品缺陷，因此在达到规定的处理个数的时间点，进行维护以去除所堆积的生成物。例如，在基板处理装置10中，将上盖22拆卸来使处理容器20内暴露于大气，进行喷淋板41的更换、清洗等维护。
另外，根据经验可知，由使用氟碳化合物气体得到的等离子体生成的CF系聚合物在低温下容易附着于壁面，但在高温下不再附着于壁面。另外，公知的是，通过将壁面保持为高温，与基底膜之间的选择比提高。即，在相对于基底膜想得到期望的选择比的情况下，需要根据壁面的温度来调整所投入的氟碳化合物气体量。具体地说，如果壁面为低温，则增多氟碳化合物气体，如果为高温，则减少氟碳化合物气体，由此能够满足所要求的蚀刻性能。当然，氟碳化合物气体的投入量越少，则堆积于喷淋板41等的生成物也变得越少，因此在以所要求的与基底膜之间的选择比进行的绝缘膜蚀刻中，在100℃以上的高温下进行处理。
因此，在基板处理装置10中，在进行绝缘膜蚀刻的情况下，将喷淋板41控制为150℃。由此，能够将氟碳化合物气体的投入量抑制到所需最小限度，来抑制CF系聚合物向喷淋板41的表面堆积。基板处理装置10像这样抑制CF系聚合物的堆积，由此能够延长维护的周期。
另外，在想要抑制CF系聚合物向喷淋板41的表面的堆积的情况下，考虑将喷淋头40整体控制为高温。例如，考虑将喷淋头40整体控制为150℃。
但是，在将喷淋头40整体控制为高温的情况下，喷淋头40整体成为高温而膨胀。在此，基板处理装置10会与基板S的尺寸对应地变得大型化，喷淋头40也变得大型化。因此，当喷淋头40整体成为高温而膨胀时，由于膨胀引起的尺寸变化也大。例如，基底构件42膨胀几毫米至几十毫米。在像这样喷淋头40整体发生了膨胀的情况下，有时会在基板处理装置10中产生故障。例如，保持喷淋头40的保持构件47的密封件有时会发生错位，无法再维持气密性。
因此，在本实施方式中，将基底构件42的温度控制为比喷淋板41的温度低的110℃。由此，能够抑制基底构件42的热膨胀，因此能够抑制保持构件47的密封件等无法再维持气密性。
接着，对基板处理装置10进行金属层蚀刻的情况下的动作流程进行说明。图5是说明金属层蚀刻的处理条件的一例的图。
基板处理装置10将作为金属层蚀刻的处理对象的基板S载置于载置台30。
控制部90使真空排气单元进行动作来对处理容器20内进行真空排气，来将处理容器20内维持为期望的真空度。另外，控制部90使规定的温度的流动性热介质从冷却装置向流路60、61、62分别独立地循环，来将容器主体21、载置台30、基底构件42的温度分别控制为规定的温度。另外，控制部90从加热器电源53供给规定的电力来将喷淋板41的温度控制为规定的温度。例如图5所示，将容器主体21控制为80℃，将载置台30控制为25℃，将基底构件42控制为40℃，将喷淋板41控制为80℃。
然后，控制部90控制气体供给部来使喷淋头40喷出含有氯的处理气体，并施加高频电力来使处理气体等离子体化，由此进行蚀刻处理。例如图5所示，从喷淋头40喷出Cl2/Ar作为处理气体来进行金属层蚀刻。此外，也可以不在处理气体中添加Ar。
在此，一般来讲，在金属层蚀刻中，生成氯化铝等生成物，生成物堆积于喷淋头40的喷淋板41的表面。以往，在基板处理装置10中，定期地进行维护，以去除堆积的生成物、更换消耗的部件。例如，在基板处理装置10中，将上盖22拆卸来使处理容器20内暴露于大气，进行喷淋板41的更换等维护。
另外，在进行蚀刻处理的压力区域中，根据蒸汽压曲线，氯化铝在60℃前后成为气体。
因此，在本实施方式中，将喷淋板41控制为80℃。由此，能够抑制氯化铝向喷淋板41的表面堆积。基板处理装置10像这样抑制氯化铝的堆积，由此能够延长维护的周期。
另外，在想要抑制氯化铝的堆积的情况下，考虑将喷淋头40整体控制为高温以防产生氯化铝。例如，考虑将包括基底构件42的喷淋头40整体控制为80℃。
在此，在基板处理装置10中，对配置在处理容器20内的构件进行铝阳极化处理等氧化处理，以使针对氯等卤素气体的耐腐蚀性提高。例如，对喷淋头40的喷淋板41、基底构件42的表面实施铝阳极化处理。
关于基板处理装置10，在将喷淋头40整体控制为高温的情况下，在进行了铝阳极化处理的表面产生裂纹。而且，处理气体中含有的氯侵入裂纹内。尤其是，在将喷淋头40整体控制为高温的情况下，很多铝侵入到基底构件42的与供给处理气体的气体扩散空间46相面对的表面中产生的裂纹中。
关于基板处理装置10，当在这样的状态下将上盖22拆卸来使处理容器20内暴露于大气以进行维护的情况下，侵入裂纹内的氯与大气中的水分发生反应而成为盐酸，由此容易发生腐蚀。例如，在基底构件42的与气体扩散空间46相面对的表面发生腐蚀。即，关于基板处理装置10，在处理气体中含有氯的情况下，当使喷淋头40整体成为高温时，容易引发基底构件42的腐蚀。喷淋板41也同样有被盐酸腐蚀的风险，但通过在暴露于大气后迅速地进行清洗，能够抑制盐酸的腐蚀。但是，基底构件42难以拆卸，因此在通常的维护中不能充分地清洗。
因此，在本实施方式中，将基底构件42的温度控制为比喷淋板41的温度低的40℃。由此，能够抑制基底构件42的耐酸铝裂纹，抑制腐蚀的发生。
[效果]
像这样，本实施方式所涉及的基板处理装置10具有喷出处理气体喷淋头40，该气体喷淋头40以与用于载置基板S的载置台30相向的方式配置在处理容器20内。喷淋头40具有：喷淋板41，其以与载置台30相向的方式配置，在该喷淋板41设置有加热器50，并且形成有用于向处理容器20内喷出处理气体的多个气孔43；以及基底构件42，其与喷淋板41的背面侧接合，该背面是与所述喷淋板41的同载置台30相向的面相向的面，在该基底构件42设置有流路60，并且形成有构成用于向多个气孔43供给处理气体的空间的凹部。由此，基板处理装置10能够对喷淋板41和基底构件42相分别地进行温度控制。
另外，在本实施方式所涉及的基板处理装置10中，通过具有导电性的外壳的供电端子51向加热器50供给电力。供电端子51设置于处理容器20的壁面且与加热器电源53连接，该供电端子51的外壳与被设为接地电位的上盖22接触。由此，基板处理装置10能够通过导电性的外壳来切断由于高频电力产生的高频噪音，从而能够稳定地控制针对加热器50的电力。
另外，本实施方式所涉及的基板处理装置10具有控制部90。控制部90控制加热器50，以使喷淋板41的温度成为比由处理气体生成的生成物的蒸发温度高的第一温度。另外，控制部90控制热介质循环系统，以使基底构件42的温度成为比第一温度低的第二温度。由此，基板处理装置10在利用含有氟碳化合物的处理气体对基板S进行绝缘膜蚀刻的情况下，通过使氟碳化合物气体的投入量最小化能够抑制CF系聚合物的堆积，从而能够延长维护的周期。另外，基板处理装置10能够抑制基底构件42的热膨胀，从而能够通过保持基底构件42的保持构件47的密封件等维持气密性。另外，基板处理装置10在利用含有氯系的处理气体对基板S进行金属层蚀刻的情况下，能够抑制氯化铝的堆积，从而能够延长维护的周期。另外，基板处理装置10能够抑制基底构件42的腐蚀。
(第二实施方式)
接着对第二实施方式进行说明。第二实施方式所涉及的基板处理装置10与图1所示的第一实施方式所涉及的基板处理装置10的结构大致相同，因此省略说明。
图6是表示第二实施方式所涉及的喷淋板的下表面侧的俯视图。如图6所示，喷淋板41被分割为多个分割板70。例如，图6所示的喷淋板41构成为被分割为六个分割板70，六个分割板70以2×3的形式配置。针对各分割板70分别设置有加热器50。此外，图6的例子为一例，构成喷淋板41的分割板70的个数、配置并不限定于此。
喷淋板41的多个分割板70被分为多个组。图6所示的喷淋板41的六个分割板70以每相邻的两个分割板70为一组的方式被分为三个组71a、71b、71c。在喷淋板41的每个组71a、71b、71c中，相邻的分割板70的加热器50的端子部50a之间通过具有导电性的外壳的连接器72连接。
针对每组71a、71b、71c，在上盖22的侧壁且与分割板70的位置对应的位置形成有供电端子导入孔，在供电端子导入孔中设置有供电端子51。位于各分割板70的靠上盖22的侧壁一侧的端子部50a与供电端子51通过连接器52电连接。
按每组71a、71b、71c针对供电端子51分配配线系统，使各组71a、71b、71c与加热器电源53电连接，向各组71a、71b、71c供给来自加热器电源53的电力。加热器电源53从后述的控制部90接受控制，由此能够按每组71a、71b、71c控制向加热器50供给的电力。控制部90按每组71a、71b、71c控制向加热器50供给的电力，由此能够按每组71a、71b、71c控制加热器50的温度。由此，喷淋板41能够针对各组71a、71b、71c的每个分割板70的区域来单独地控制温度。
在进行蚀刻处理等基板处理时，控制部90针对喷淋板41的组71a、71b、71c的每个分割板70的区域单独地控制温度。例如，关于中央的区域的分割板70，容易从周围传递热而成为高温。另外，关于周边的区域的分割板70，从周围传递的热少而容易成为低温。因此，控制部90将中央的区域的分割板70的加热器50控制为低的温度，将周边的区域的分割板70的加热器50控制为高的温度。由此，基板处理装置10能够使喷淋板41的各区域的温度差减小。
[效果]
像这样，在本实施方式所涉及的基板处理装置10中，喷淋板41由分别设置有加热器50的多个分割板70构成。多个分割板70的加热器50之间通过具有导电性的外壳的连接器72连接。由此，基板处理装置10能够通过组合多个分割板70来构成大尺寸的喷淋板41。
另外，在本实施方式所涉及的基板处理装置10中，多个分割板70被分为多个组，能够按每组调整针对加热器的供给电力。由此，基板处理装置10能够针对各组的每个分割板70的区域单独地控制温度。
(第三实施方式)
接着，对第三实施方式进行说明。第三实施方式所涉及的基板处理装置10与图1所示的第一实施方式所涉及的基板处理装置10的结构大致相同，因此省略说明。
图7为概要性地表示第三实施方式所涉及的喷淋头的结构的图。第三实施方式所涉及的喷淋头40为与图1所示的第一实施方式及第二实施方式所涉及的喷淋头40部分相同的结构，因此对相同的部分标注相同的标记并且省略说明，主要对不同的部分进行说明。
在第三实施方式所涉及的基板处理装置10中，喷淋板41包括加热板80和盖板81。
加热板80与基底构件42相面对，在该加热板80开设有多个气孔43a。另外，在加热板80的内部以在气孔43a之间通过的方式埋设有加热器50。
盖板81与加热板80的靠载置台30的一侧接合，在盖板81的与加热板80的各气孔43a对应的位置分别开设有气孔43b。气孔43a与体孔43b连通，作为用于向处理容器20内喷出处理气体的气孔43发挥功能。
盖板81为与加热板80相同程度的尺寸，或者为比加热板80大的尺寸，盖板81覆盖加热板80的载置台30侧的面。由此，在进行蚀刻处理等基板处理时生成的生成物(所谓的沉积物)主要堆积于盖板81。另外，在构成喷淋板41的部件中，主要是盖板81受到如由于等离子体而消耗等损伤。
在基板处理装置10中，定期地进行维护，以使去除堆积的生成物、更换消耗的部件。例如，在第三实施方式所涉及的基板处理装置10中，将上盖22拆卸来使处理容器20内暴露于大气，更换构成喷淋板41的部件中的盖板81。
在加热板80设置有加热器50的配线等，因此进行更换时花费工时，并且在加热板80内置有加热器50，因此成本高。通过像这样在喷淋头40设置盖板81，关于加热板80能够抑制生成物的堆积，另外也能够抑制由于等离子体引起的消耗。由此，基板处理装置10能够延长加热板80的更换的周期，因此能够使维护的工时和成本降低。
[效果]
像这样，本实施方式所涉及的喷淋板41具有：加热板80，其设置有加热器50；以及盖板81，其与加热板80的靠载置台30的一侧接合。由此，基板处理装置10能够降低维护的工时和成本。
以上使用实施方式对本发明进行了说明，但本发明的技术范围不限定于上述实施方式所记载的范围。对于本领域人员来说显而易见的是，能够对上述实施方式加以多种变更或改进。另外，根据权利要求书的记载明确可知，加以这样的变更或改进所得的方式也能够包括在本发明的技术范围中。
例如，在上述的实施方式中，以将基板S设为玻璃基板来进行基板处理的情况为例进行了说明，但并不限定于此。基板S也可以为半导体晶圆等。在该情况下，可以根据半导体晶圆的形状将喷淋头、处理容器的截面形状设为圆形。
另外，在上述的实施方式中，以进行等离子体蚀刻来作为基板处理的情况为例进行了说明，但并不限定于此。基板处理只要是在喷淋头40产生由处理气体得到的生成物的蓄积的处理、例如成膜处理等即可，可以为任意的处理。

Claims (9)

1.一种基板处理装置，具有喷淋头，所述喷淋头以与用于载置基板的载置台相向的方式配置在处理容器内，用于喷出处理气体，所述基板处理装置的特征在于，
所述喷淋头具有：
喷淋板，其以与所述载置台相向的方式配置，在所述喷淋板设置有加热单元，并且形成有用于向所述处理容器内喷出所述处理气体的多个气孔；以及
基底构件，其与所述喷淋板的背面侧接合，该背面是与所述喷淋板的同所述载置台相向的面相向的面，在所述基底构件设置有温度调整单元，并且形成有用于向所述多个气孔供给所述处理气体的空间。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述加热单元为在内部埋设有加热器的加热板，
所述喷淋板至少由所述加热板构成。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
从具有导电性的外壳的供电端子向所述加热器供给电力，
所述供电端子设置于所述处理容器的壁面，且与电力供给部连接，所述供电端子的外壳与被设为接地电位的构件接触。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述温度调整单元为使流动性热介质向形成于所述基底构件的内部的流路循环的热介质循环系统。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述喷淋板由分别设置有所述加热单元的多个分割板构成，所述多个分割板的加热器之间通过具有导电性的外壳的连接器连接。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，
所述多个分割板被分为多个组，能够按每组调整向加热器供给的供给电力。
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
还具有控制部，所述控制部控制所述加热单元，以使所述喷淋板的温度成为比由所述处理气体生成的生成物的蒸发温度高的第一温度，并且所述控制部控制所述温度调整单元，以使所述基底构件的温度成为比所述第一温度低的第二温度。
8.根据权利要求2至7中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述喷淋板还具有盖板，该盖板与所述加热板的靠所述载置台的一侧接合。
9.一种温度控制方法，其特征在于，
在从喷淋头对基板喷出处理气体来进行基板处理时，使用该温度控制方法进行控制，所述喷淋头具有：喷淋板，其以与用于载置所述基板的载置台相向的方式配置，在所述喷淋板设置有加热单元，并且形成有用于向处理容器内喷出所述处理气体的多个气孔；以及基底构件，其与喷淋板的背面侧接合，该背面是与喷淋板的同所述载置台相向的面相向的面，在所述基底构件设置有温度调整单元，并且形成有用于向所述多个气孔供给所述处理气体的空间，
所述温度控制方法包括：
控制所述加热单元，以使所述喷淋板的温度成为比由所述处理气体生成的生成物的蒸发温度高的第一温度；以及
控制所述温度调整单元，以使所述基底构件的温度成为比第一温度低的第二温度。
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