KR20190070300A - 광전자 장치에 사용하기 위한 유기 분자 - Google Patents
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- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title claims abstract description 33
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 81
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 123
- -1 NR 5 Inorganic materials 0.000 claims description 96
- YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N Deuterium Chemical compound [2H] YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N 0.000 claims description 60
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 claims description 49
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 46
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 41
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 41
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 38
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 37
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 35
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 29
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 17
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 16
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 15
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 15
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 14
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 13
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 12
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 12
- 125000004648 C2-C8 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 10
- 125000004649 C2-C8 alkynyl group Chemical group 0.000 claims description 10
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 9
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 8
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 claims description 8
- 125000003367 polycyclic group Polymers 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- UQRONKZLYKUEMO-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-1-(2,4,6-trimethylphenyl)pent-4-en-2-one Chemical group CC(=C)CC(=O)Cc1c(C)cc(C)cc1C UQRONKZLYKUEMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 125000000040 m-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C(=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 4
- 125000003261 o-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 4
- 125000001037 p-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(=C([H])C([H])=C1*)C([H])([H])[H] 0.000 claims description 4
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 claims description 3
- 239000000975 dye Substances 0.000 claims description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 125000006729 (C2-C5) alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000006730 (C2-C5) alkynyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000003363 1,3,5-triazinyl group Chemical group N1=C(N=CN=C1)* 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000001207 fluorophenyl group Chemical class 0.000 claims description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000002950 monocyclic group Chemical group 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 125000000951 phenoxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(O*)C([H])=C1[H] 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 107
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 29
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 20
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 19
- 238000004776 molecular orbital Methods 0.000 description 19
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 16
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 16
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical compound C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 11
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 9
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 description 9
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 7
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 7
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 125000004076 pyridyl group Chemical group 0.000 description 6
- 125000000714 pyrimidinyl group Chemical group 0.000 description 6
- 241001655883 Adeno-associated virus - 1 Species 0.000 description 5
- 241000702423 Adeno-associated virus - 2 Species 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 5
- 239000012043 crude product Substances 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 5
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 5
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 5
- MMNNWKCYXNXWBG-UHFFFAOYSA-N 2,4,6-tris(3-phenylphenyl)-1,3,5-triazine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2N=C(N=C(N=2)C=2C=C(C=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 MMNNWKCYXNXWBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XESMNQMWRSEIET-UHFFFAOYSA-N 2,9-dinaphthalen-2-yl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC(C=2C=C3C=CC=CC3=CC=2)=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=C(C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)N=C21 XESMNQMWRSEIET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(4-carbazol-9-ylphenyl)phenyl]carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N Furan Chemical compound C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N Indole Chemical compound C1=CC=C2NC=CC2=C1 SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 4
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- HXITXNWTGFUOAU-UHFFFAOYSA-N phenylboronic acid Chemical compound OB(O)C1=CC=CC=C1 HXITXNWTGFUOAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- SCVFZCLFOSHCOH-UHFFFAOYSA-M potassium acetate Chemical compound [K+].CC([O-])=O SCVFZCLFOSHCOH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 4
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 238000001161 time-correlated single photon counting Methods 0.000 description 4
- LWIHDJKSTIGBAC-UHFFFAOYSA-K tripotassium phosphate Chemical compound [K+].[K+].[K+].[O-]P([O-])([O-])=O LWIHDJKSTIGBAC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 4
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ATTVYRDSOVWELU-UHFFFAOYSA-N 1-diphenylphosphoryl-2-(2-diphenylphosphorylphenoxy)benzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1P(C=1C(=CC=CC=1)OC=1C(=CC=CC=1)P(=O)(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)(=O)C1=CC=CC=C1 ATTVYRDSOVWELU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[3,4-b][1,4]dioxine Chemical compound O1CCOC2=CSC=C21 GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PWJYOTPKLOICJK-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-9h-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=C(C)C=C3NC2=C1 PWJYOTPKLOICJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000003775 Density Functional Theory Methods 0.000 description 3
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000002484 cyclic voltammetry Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- UZVGSSNIUNSOFA-UHFFFAOYSA-N dibenzofuran-1-carboxylic acid Chemical compound O1C2=CC=CC=C2C2=C1C=CC=C2C(=O)O UZVGSSNIUNSOFA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 3
- 238000003818 flash chromatography Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 3
- 238000000589 high-performance liquid chromatography-mass spectrometry Methods 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 3
- 239000011970 polystyrene sulfonate Substances 0.000 description 3
- 229960002796 polystyrene sulfonate Drugs 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 3
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 3
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Substances C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- CYPYTURSJDMMMP-WVCUSYJESA-N (1e,4e)-1,5-diphenylpenta-1,4-dien-3-one;palladium Chemical compound [Pd].[Pd].C=1C=CC=CC=1\C=C\C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1.C=1C=CC=CC=1\C=C\C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1.C=1C=CC=CC=1\C=C\C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1 CYPYTURSJDMMMP-WVCUSYJESA-N 0.000 description 2
- TXBFHHYSJNVGBX-UHFFFAOYSA-N (4-diphenylphosphorylphenyl)-triphenylsilane Chemical compound C=1C=CC=CC=1P(C=1C=CC(=CC=1)[Si](C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)(=O)C1=CC=CC=C1 TXBFHHYSJNVGBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FCEHBMOGCRZNNI-UHFFFAOYSA-N 1-benzothiophene Chemical compound C1=CC=C2SC=CC2=C1 FCEHBMOGCRZNNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XHCAGOVGSDHHNP-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-4-tert-butylbenzene Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=C(Br)C=C1 XHCAGOVGSDHHNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XOYZGLGJSAZOAG-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n,4-n-triphenyl-4-n-[4-[4-(n-[4-(n-phenylanilino)phenyl]anilino)phenyl]phenyl]benzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 XOYZGLGJSAZOAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SPDPTFAJSFKAMT-UHFFFAOYSA-N 1-n-[4-[4-(n-[4-(3-methyl-n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]anilino)phenyl]phenyl]-4-n,4-n-bis(3-methylphenyl)-1-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 SPDPTFAJSFKAMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NLAAIBGZDQFCAO-UHFFFAOYSA-N 2,4-bis(4-tert-butylphenyl)-6-chloro-1,3,5-triazine Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NC(Cl)=NC(C=2C=CC(=CC=2)C(C)(C)C)=N1 NLAAIBGZDQFCAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BFXSWDUFRGWPCA-UHFFFAOYSA-N 2-(5-chloro-2-fluorophenyl)-4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane Chemical compound O1C(C)(C)C(C)(C)OB1C1=CC(Cl)=CC=C1F BFXSWDUFRGWPCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(dicyanomethylidene)-2,3,5,6-tetrafluorocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene]propanedinitrile Chemical compound FC1=C(F)C(=C(C#N)C#N)C(F)=C(F)C1=C(C#N)C#N IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PHKYYUQQYARDIU-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-9h-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC(C)=CC=C3NC2=C1 PHKYYUQQYARDIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 4-carbazol-9-yl-n,n-bis(4-carbazol-9-ylphenyl)aniline Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDCGOANMDULRCW-UHFFFAOYSA-N 7H-purine Chemical compound N1=CNC2=NC=NC2=C1 KDCGOANMDULRCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FXKMXDQBHDTQII-UHFFFAOYSA-N 9-phenyl-3,6-bis(9-phenylcarbazol-3-yl)carbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=C(C=3C=C4C5=CC(=CC=C5N(C=5C=CC=CC=5)C4=CC=3)C=3C=C4C5=CC=CC=C5N(C=5C=CC=CC=5)C4=CC=3)C=C2C2=CC=CC=C21 FXKMXDQBHDTQII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 2
- 241000202702 Adeno-associated virus - 3 Species 0.000 description 2
- 0 C*c(c(*)c(*)c(-c(cc1)cc(-[n]2c3c(*)c(*)c(*=C)c(O*)c3c3c2c(*)c(*)c(C#*)c3*=I)c1-c1nc(-c2ccccc2)nc(-c2ccccc2)n1)c1*)c1[Si](*)(*)* Chemical compound C*c(c(*)c(*)c(-c(cc1)cc(-[n]2c3c(*)c(*)c(*=C)c(O*)c3c3c2c(*)c(*)c(C#*)c3*=I)c1-c1nc(-c2ccccc2)nc(-c2ccccc2)n1)c1*)c1[Si](*)(*)* 0.000 description 2
- 229910016460 CzSi Inorganic materials 0.000 description 2
- UOFDETICRHBRTF-UHFFFAOYSA-N FC1=C(C=C(C=C1)Cl)C1=NC(=NC(=N1)C1=CC=C(C=C1)C(C)(C)C)C1=CC=C(C=C1)C(C)(C)C Chemical compound FC1=C(C=C(C=C1)Cl)C1=NC(=NC(=N1)C1=CC=C(C=C1)C(C)(C)C)C1=CC=C(C=C1)C(C)(C)C UOFDETICRHBRTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101000837344 Homo sapiens T-cell leukemia translocation-altered gene protein Proteins 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101100156282 Neurospora crassa (strain ATCC 24698 / 74-OR23-1A / CBS 708.71 / DSM 1257 / FGSC 987) vib-1 gene Proteins 0.000 description 2
- PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N Phenazine Natural products C1=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3N=C21 PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N Pyrazine Chemical compound C1=CN=CC=N1 KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 102100028692 T-cell leukemia translocation-altered gene protein Human genes 0.000 description 2
- GWFGARXUJNKOMY-UHFFFAOYSA-N [3,5-di(carbazol-9-yl)phenyl]-triphenylsilane Chemical compound C1=CC=CC=C1[Si](C=1C=C(C=C(C=1)N1C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21)N1C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 GWFGARXUJNKOMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WIHKEPSYODOQJR-UHFFFAOYSA-N [9-(4-tert-butylphenyl)-6-triphenylsilylcarbazol-3-yl]-triphenylsilane Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1N1C2=CC=C([Si](C=3C=CC=CC=3)(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)C=C2C2=CC([Si](C=3C=CC=CC=3)(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=CC=C21 WIHKEPSYODOQJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N acridine Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3N=C21 DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001502 aryl halides Chemical class 0.000 description 2
- 238000000065 atmospheric pressure chemical ionisation Methods 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- IPWKHHSGDUIRAH-UHFFFAOYSA-N bis(pinacolato)diboron Chemical compound O1C(C)(C)C(C)(C)OB1B1OC(C)(C)C(C)(C)O1 IPWKHHSGDUIRAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZADPBFCGQRWHPN-UHFFFAOYSA-N boronic acid Chemical compound OBO ZADPBFCGQRWHPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005620 boronic acid group Chemical group 0.000 description 2
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- MGNCLNQXLYJVJD-UHFFFAOYSA-N cyanuric chloride Chemical compound ClC1=NC(Cl)=NC(Cl)=N1 MGNCLNQXLYJVJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 2
- IYYZUPMFVPLQIF-UHFFFAOYSA-N dibenzothiophene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3SC2=C1 IYYZUPMFVPLQIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DMBHHRLKUKUOEG-UHFFFAOYSA-N diphenylamine Chemical compound C=1C=CC=CC=1NC1=CC=CC=C1 DMBHHRLKUKUOEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DKHNGUNXLDCATP-UHFFFAOYSA-N dipyrazino[2,3-f:2',3'-h]quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile Chemical compound C12=NC(C#N)=C(C#N)N=C2C2=NC(C#N)=C(C#N)N=C2C2=C1N=C(C#N)C(C#N)=N2 DKHNGUNXLDCATP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 239000012065 filter cake Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000004128 high performance liquid chromatography Methods 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PZOUSPYUWWUPPK-UHFFFAOYSA-N indole Natural products CC1=CC=CC2=C1C=CN2 PZOUSPYUWWUPPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RKJUIXBNRJVNHR-UHFFFAOYSA-N indolenine Natural products C1=CC=C2CC=NC2=C1 RKJUIXBNRJVNHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 2
- AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N isoquinoline Chemical compound C1=NC=CC2=CC=CC=C21 AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000001280 n-hexyl group Chemical group C(CCCCC)* 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000012736 patent blue V Nutrition 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RDOWQLZANAYVLL-UHFFFAOYSA-N phenanthridine Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=NC2=C1 RDOWQLZANAYVLL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N quinoxaline Chemical compound N1=CC=NC2=CC=CC=C21 XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000005092 sublimation method Methods 0.000 description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940062627 tribasic potassium phosphate Drugs 0.000 description 2
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- BSNZNWMNMFUZAL-UHFFFAOYSA-N (2-triphenylsilylphenyl)boronic acid Chemical compound C1(=CC=CC=C1)[Si](C1=CC=CC=C1)(C1=CC=CC=C1)C1=C(C=CC=C1)B(O)O BSNZNWMNMFUZAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DXEFVYIOAJARJI-UHFFFAOYSA-N (3-triphenylgermylphenyl)boronic acid Chemical compound C1(=CC=CC=C1)[Ge](C=1C=C(C=CC=1)B(O)O)(C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1 DXEFVYIOAJARJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VESHSFVPYAHBNK-UHFFFAOYSA-N (3-triphenylsilylphenyl)boronic acid Chemical compound OB(O)C1=CC=CC([Si](C=2C=CC=CC=2)(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 VESHSFVPYAHBNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZPYGQFFRCFCPP-UHFFFAOYSA-N 1,1'-bis(diphenylphosphino)ferrocene Chemical compound [Fe+2].C1=CC=C[C-]1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=C[C-]1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KZPYGQFFRCFCPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FNQJDLTXOVEEFB-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-benzothiadiazole Chemical compound C1=CC=C2SN=NC2=C1 FNQJDLTXOVEEFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BBVIDBNAYOIXOE-UHFFFAOYSA-N 1,2,4-oxadiazole Chemical compound C=1N=CON=1 BBVIDBNAYOIXOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FKASFBLJDCHBNZ-UHFFFAOYSA-N 1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=NN=CO1 FKASFBLJDCHBNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JIHQDMXYYFUGFV-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-triazine Chemical compound C1=NC=NC=N1 JIHQDMXYYFUGFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NAXSBBMMIDFGHQ-UHFFFAOYSA-N 1,8-dimethyl-9h-carbazole Chemical compound N1C2=C(C)C=CC=C2C2=C1C(C)=CC=C2 NAXSBBMMIDFGHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MPZKLHXUDZMZGY-UHFFFAOYSA-N 1,8-diphenyl-9h-carbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC2=C1NC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CC=C12 MPZKLHXUDZMZGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RDIXEGJDKSBPEE-UHFFFAOYSA-N 1,8-ditert-butyl-9h-carbazole Chemical compound N1C2=C(C(C)(C)C)C=CC=C2C2=C1C(C(C)(C)C)=CC=C2 RDIXEGJDKSBPEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FLBAYUMRQUHISI-UHFFFAOYSA-N 1,8-naphthyridine Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CN=C21 FLBAYUMRQUHISI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HIAGSPVAYSSKHL-UHFFFAOYSA-N 1-methyl-9h-carbazole Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C2=C1C(C)=CC=C2 HIAGSPVAYSSKHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- BKPDQETYXNGMRE-UHFFFAOYSA-N 1-tert-butyl-9h-carbazole Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C2=C1C(C(C)(C)C)=CC=C2 BKPDQETYXNGMRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQRCTQVBZYBPQE-UHFFFAOYSA-N 189363-47-1 Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C3(C4=CC(=CC=C4C2=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC(=CC=C1C1=CC=C(C=C13)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 MQRCTQVBZYBPQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWENRTYMTSOGBR-UHFFFAOYSA-N 1H-1,2,3-Triazole Chemical compound C=1C=NNN=1 QWENRTYMTSOGBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC=NC2=C1 HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004206 2,2,2-trifluoroethyl group Chemical group [H]C([H])(*)C(F)(F)F 0.000 description 1
- VEPOHXYIFQMVHW-XOZOLZJESA-N 2,3-dihydroxybutanedioic acid (2S,3S)-3,4-dimethyl-2-phenylmorpholine Chemical compound OC(C(O)C(O)=O)C(O)=O.C[C@H]1[C@@H](OCCN1C)c1ccccc1 VEPOHXYIFQMVHW-XOZOLZJESA-N 0.000 description 1
- OTJZMNIBLUCUJZ-UHFFFAOYSA-N 2,4-diphenyl-1,3,5-triazine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NC=NC(C=2C=CC=CC=2)=N1 OTJZMNIBLUCUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ABYRPCUQHCOXMX-UHFFFAOYSA-N 2,7-dimethyl-9h-carbazole Chemical compound CC1=CC=C2C3=CC=C(C)C=C3NC2=C1 ABYRPCUQHCOXMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NWLCIOKUOGGKKK-UHFFFAOYSA-N 2,7-diphenyl-9h-carbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=C2C3=CC=C(C=4C=CC=CC=4)C=C3NC2=C1 NWLCIOKUOGGKKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YAWXNJICXSLGGQ-UHFFFAOYSA-N 2,7-ditert-butyl-9h-carbazole Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=C2C3=CC=C(C(C)(C)C)C=C3NC2=C1 YAWXNJICXSLGGQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MSSYUUNHVJMMEE-UHFFFAOYSA-N 2-(9,9'-spirobi[fluorene]-2-yl)-1,3,5-triazine Chemical compound C=1C=CC=C2C=1C1=CC=CC=C1C2(C1=C2)C3=CC=CC=C3C1=CC=C2C1=NC=NC=N1 MSSYUUNHVJMMEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 2-[3,5-bis(1-phenylbenzimidazol-2-yl)phenyl]-1-phenylbenzimidazole Chemical group C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2N=C1C1=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LYTMVABTDYMBQK-UHFFFAOYSA-N 2-benzothiophene Chemical compound C1=CC=CC2=CSC=C21 LYTMVABTDYMBQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004493 2-methylbut-1-yl group Chemical group CC(C*)CC 0.000 description 1
- IMLDYQBWZHPGJA-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-9h-carbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 IMLDYQBWZHPGJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUFORZIUGGNDKM-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butyl-9h-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=C(C(C)(C)C)C=C3NC2=C1 FUFORZIUGGNDKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHMICKWLTGFITH-UHFFFAOYSA-N 2H-isoindole Chemical compound C1=CC=CC2=CNC=C21 VHMICKWLTGFITH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HNACKJNPFWWEKI-UHFFFAOYSA-N 3,6-dimethyl-9h-carbazole Chemical compound C1=C(C)C=C2C3=CC(C)=CC=C3NC2=C1 HNACKJNPFWWEKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCMKGEAHIZDRFL-UHFFFAOYSA-N 3,6-diphenyl-9h-carbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=C(NC=2C3=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C3=C1 PCMKGEAHIZDRFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYFFSPILVQLRQA-UHFFFAOYSA-N 3,6-ditert-butyl-9h-carbazole Chemical group C1=C(C(C)(C)C)C=C2C3=CC(C(C)(C)C)=CC=C3NC2=C1 OYFFSPILVQLRQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LTBWKAYPXIIVPC-UHFFFAOYSA-N 3-bromo-9h-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC(Br)=CC=C3NC2=C1 LTBWKAYPXIIVPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IAWRFMPNMXEJCK-UHFFFAOYSA-N 3-phenyl-9h-carbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=C(NC=2C3=CC=CC=2)C3=C1 IAWRFMPNMXEJCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYXSZNGDCCGIBO-UHFFFAOYSA-N 3-tert-butyl-9h-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC(C(C)(C)C)=CC=C3NC2=C1 TYXSZNGDCCGIBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LZPWAYBEOJRFAX-UHFFFAOYSA-N 4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2$l^{2}-dioxaborolane Chemical compound CC1(C)O[B]OC1(C)C LZPWAYBEOJRFAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KKLCYBZPQDOFQK-UHFFFAOYSA-N 4,4,5,5-tetramethyl-2-phenyl-1,3,2-dioxaborolane Chemical compound O1C(C)(C)C(C)(C)OB1C1=CC=CC=C1 KKLCYBZPQDOFQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CQPALWJAYMSACG-UHFFFAOYSA-N 4-(4-aminophenyl)-3-(2-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=C(C=CC=C1)C1=C(C=CC(=C1)N)C1=CC=C(N)C=C1 CQPALWJAYMSACG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[1-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]cyclohexyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C1(CCCCC1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 4H-1,2,4-triazole Chemical compound C=1N=CNN=1 NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZYDBGLUVPLRKR-UHFFFAOYSA-N 9-(3-carbazol-9-ylphenyl)carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC(N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)=CC=C1 MZYDBGLUVPLRKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YEWVLWWLYHXZLZ-UHFFFAOYSA-N 9-(3-dibenzofuran-2-ylphenyl)carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC(C=4C=CC=C(C=4)N4C5=CC=CC=C5C5=CC=CC=C54)=CC=C3OC2=C1 YEWVLWWLYHXZLZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLHINBZEEMIWIR-UHFFFAOYSA-N 9-(3-dibenzothiophen-2-ylphenyl)carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC(C=4C=CC=C(C=4)N4C5=CC=CC=C5C5=CC=CC=C54)=CC=C3SC2=C1 ZLHINBZEEMIWIR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DVNOWTJCOPZGQA-UHFFFAOYSA-N 9-[3,5-di(carbazol-9-yl)phenyl]carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC(N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)=CC(N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)=C1 DVNOWTJCOPZGQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHMHUGLMCAFKFE-UHFFFAOYSA-N 9-[3,5-di(dibenzofuran-2-yl)phenyl]carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC(C=4C=C(C=C(C=4)N4C5=CC=CC=C5C5=CC=CC=C54)C4=CC=C5OC=6C(C5=C4)=CC=CC=6)=CC=C3OC2=C1 WHMHUGLMCAFKFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XVBYZOSXOUDFKJ-UHFFFAOYSA-N 9-[3,5-di(dibenzothiophen-2-yl)phenyl]carbazole Chemical compound C1=C(C=CC=2SC3=C(C=21)C=CC=C3)C=1C=C(C=C(C=1)C1=CC2=C(SC3=C2C=CC=C3)C=C1)N1C2=CC=CC=C2C=2C=CC=CC1=2 XVBYZOSXOUDFKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZSUIHUAFPHZSU-UHFFFAOYSA-N 9-ethyl-2,3-dihydro-1h-carbazol-4-one Chemical compound C12=CC=CC=C2N(CC)C2=C1C(=O)CCC2 GZSUIHUAFPHZSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGUUKVJNVYAFFI-UHFFFAOYSA-N 9h-carbazol-3-ylboronic acid Chemical compound C1=CC=C2C3=CC(B(O)O)=CC=C3NC2=C1 WGUUKVJNVYAFFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005964 Acibenzolar-S-methyl Substances 0.000 description 1
- 101001053401 Arabidopsis thaliana Acid beta-fructofuranosidase 3, vacuolar Proteins 0.000 description 1
- 101100132433 Arabidopsis thaliana VIII-1 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100459319 Arabidopsis thaliana VIII-2 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910016036 BaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- JZJNJOJVENBMMZ-UHFFFAOYSA-N C1(=CC=CC=2OC3=C(C=21)C=CC=C3)C=1C=C(C=CC=1)N1C2=CC=CC=C2C=2C=CC=CC1=2 Chemical compound C1(=CC=CC=2OC3=C(C=21)C=CC=C3)C=1C=C(C=CC=1)N1C2=CC=CC=C2C=2C=CC=CC1=2 JZJNJOJVENBMMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCFJQWUWYALMQK-UHFFFAOYSA-N C1=CC=C2N([SiH3])C3=CC=CC=C3C2=C1 Chemical compound C1=CC=C2N([SiH3])C3=CC=CC=C3C2=C1 PCFJQWUWYALMQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UEMHNJXHFBLTCA-UHFFFAOYSA-N CN1C(c2cc(-c3cccc([Si+](c4ccccc4)(c4ccccc4)c4ccccc4)c3)ccc2-[n]2c3ccccc3c3c2cccc3)=NC(c2ccccc2)=NC1c1ccccc1 Chemical compound CN1C(c2cc(-c3cccc([Si+](c4ccccc4)(c4ccccc4)c4ccccc4)c3)ccc2-[n]2c3ccccc3c3c2cccc3)=NC(c2ccccc2)=NC1c1ccccc1 UEMHNJXHFBLTCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108010078791 Carrier Proteins Proteins 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004057 DFT-B3LYP calculation Methods 0.000 description 1
- 108091006149 Electron carriers Proteins 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003820 Medium-pressure liquid chromatography Methods 0.000 description 1
- VZXTWGWHSMCWGA-UHFFFAOYSA-N Nc1ncnc(N)n1 Chemical compound Nc1ncnc(N)n1 VZXTWGWHSMCWGA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N Pyrimidine Chemical compound C1=CN=CN=C1 CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KEAYESYHFKHZAL-UHFFFAOYSA-N Sodium Chemical compound [Na] KEAYESYHFKHZAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DPOPAJRDYZGTIR-UHFFFAOYSA-N Tetrazine Chemical compound C1=CN=NN=N1 DPOPAJRDYZGTIR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000209140 Triticum Species 0.000 description 1
- 235000021307 Triticum Nutrition 0.000 description 1
- YZCKVEUIGOORGS-NJFSPNSNSA-N Tritium Chemical compound [3H] YZCKVEUIGOORGS-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXELGNKCCDGMMN-UHFFFAOYSA-N [F].[Cl] Chemical compound [F].[Cl] HXELGNKCCDGMMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 125000005073 adamantyl group Chemical group C12(CC3CC(CC(C1)C3)C2)* 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 150000001499 aryl bromides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001501 aryl fluorides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001503 aryl iodides Chemical class 0.000 description 1
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 125000004369 butenyl group Chemical group C(=CCC)* 0.000 description 1
- 125000000480 butynyl group Chemical group [*]C#CC([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000546 chi-square test Methods 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- WCZVZNOTHYJIEI-UHFFFAOYSA-N cinnoline Chemical compound N1=NC=CC2=CC=CC=C21 WCZVZNOTHYJIEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 1
- RNZVKHIVYDPSBI-UHFFFAOYSA-L copper 2,3,4,5,6-pentafluorobenzoate Chemical compound [Cu++].[O-]C(=O)c1c(F)c(F)c(F)c(F)c1F.[O-]C(=O)c1c(F)c(F)c(F)c(F)c1F RNZVKHIVYDPSBI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 125000001995 cyclobutyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001162 cycloheptenyl group Chemical group C1(=CCCCCC1)* 0.000 description 1
- 125000000582 cycloheptyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000596 cyclohexenyl group Chemical group C1(=CCCCC1)* 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000640 cyclooctyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000002433 cyclopentenyl group Chemical group C1(=CCCC1)* 0.000 description 1
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001559 cyclopropyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C1([H])* 0.000 description 1
- 238000007405 data analysis Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N dibenzofuran Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3OC2=C1 TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004987 dibenzofuryl group Chemical group C1(=CC=CC=2OC3=C(C21)C=CC=C3)* 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- ZOMNIUBKTOKEHS-UHFFFAOYSA-L dimercury dichloride Chemical class Cl[Hg][Hg]Cl ZOMNIUBKTOKEHS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001194 electroluminescence spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 239000003480 eluent Substances 0.000 description 1
- 238000004993 emission spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000000695 excitation spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- KTWOOEGAPBSYNW-UHFFFAOYSA-N ferrocene Chemical compound [Fe+2].C=1C=C[CH-]C=1.C=1C=C[CH-]C=1 KTWOOEGAPBSYNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- JKFAIQOWCVVSKC-UHFFFAOYSA-N furazan Chemical compound C=1C=NON=1 JKFAIQOWCVVSKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002390 heteroarenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006038 hexenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005980 hexynyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N lead oxide Chemical compound [O-2].[Pb+2] HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N lead(II) oxide Inorganic materials [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 description 1
- FQHFBFXXYOQXMN-UHFFFAOYSA-M lithium;quinolin-8-olate Chemical compound [Li+].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 FQHFBFXXYOQXMN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005244 neohexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001971 neopentyl group Chemical group [H]C([*])([H])C(C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007339 nucleophilic aromatic substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 125000005069 octynyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C#C* 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- AUONHKJOIZSQGR-UHFFFAOYSA-N oxophosphane Chemical compound P=O AUONHKJOIZSQGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 125000002255 pentenyl group Chemical group C(=CCCC)* 0.000 description 1
- 125000005981 pentynyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000008194 pharmaceutical composition Substances 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 125000002467 phosphate group Chemical group [H]OP(=O)(O[H])O[*] 0.000 description 1
- 238000001296 phosphorescence spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000000628 photoluminescence spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 235000011056 potassium acetate Nutrition 0.000 description 1
- 229910000160 potassium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011009 potassium phosphates Nutrition 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 125000004368 propenyl group Chemical group C(=CC)* 0.000 description 1
- 125000002568 propynyl group Chemical group [*]C#CC([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000000275 quality assurance Methods 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- JWVCLYRUEFBMGU-UHFFFAOYSA-N quinazoline Chemical compound N1=CN=CC2=CC=CC=C21 JWVCLYRUEFBMGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000012925 reference material Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 125000006413 ring segment Chemical group 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000012312 sodium hydride Substances 0.000 description 1
- 229910000104 sodium hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012265 solid product Substances 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- VNFWTIYUKDMAOP-UHFFFAOYSA-N sphos Chemical group COC1=CC=CC(OC)=C1C1=CC=CC=C1P(C1CCCCC1)C1CCCCC1 VNFWTIYUKDMAOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 150000003457 sulfones Chemical class 0.000 description 1
- 238000010189 synthetic method Methods 0.000 description 1
- 125000001973 tert-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 125000005309 thioalkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 1
- QHGNHLZPVBIIPX-UHFFFAOYSA-N tin(II) oxide Inorganic materials [Sn]=O QHGNHLZPVBIIPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000005259 triarylamine group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- WLPUWLXVBWGYMZ-UHFFFAOYSA-N tricyclohexylphosphine Chemical compound C1CCCCC1P(C1CCCCC1)C1CCCCC1 WLPUWLXVBWGYMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLAJUCLVZORTHN-UHFFFAOYSA-N triphenylgermanium Chemical compound C1=CC=CC=C1[Ge](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 SLAJUCLVZORTHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AKQNYQDSIDKVJZ-UHFFFAOYSA-N triphenylsilane Chemical compound C1=CC=CC=C1[SiH](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 AKQNYQDSIDKVJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052722 tritium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
- 239000003643 water by type Substances 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- OYQCBJZGELKKPM-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[O-2].[In+3] OYQCBJZGELKKPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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-
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- H01L51/5296—
-
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Abstract
본 발명은 유기 분자, 특히 유기 광전자 장치에 사용하기 위한 유기 분자에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 상기 유기 분자는
- 화학식 I의 구조를 갖는 하나의 제1 화학적 잔기,
및
- 화학식 II의 구조를 갖는 하나의 제2 화학적 잔기를 가지되,
제1 화학적 잔기는 단일 결합을 통해 제2 화학적 잔기에 연결되고,
T는 두 개의 제2 화학적 잔기 중 하나에 제1 화학적 잔기를 연결하는 단일 결합의 결합 자리이거나, R1 및 RT로 이루어지는 군으로부터 선택되고,
V는 두 개의 제2 화학적 잔기 중 하나에 제1 화학적 잔기를 연결하는 단일 결합의 결합 자리이거나 수소이고,
W는 두 개의 제2 화학적 잔기 중 하나에 제1 화학적 잔기를 연결하는 단일 결합의 결합 자리이거나, R1 및 RT로 이루어지는 군으로부터 선택되고,
X와 Y는 R1 및 RT로 이루어지는 군으로부터 선택되며,
T, W, X 및 Y로 이루어진 군으로부터 선택된 정확히 하나의 치환기는 RT이고, T, V 및 W로 이루어진 군으로부터 선택된 정확히 하나의 치환기는 제1 화학적 잔기와 제2 화학적 잔기를 연결하는 단일 결합의 결합 자리를 나타내며,
RI, RII 및 RIII으로 이루어지는 군으로부터 선택된 정확히 하나의 잔기는 L(RS)3이다(L은 Si와 Ge로 이루어지는 군으로부터 선택됨).
- 화학식 I의 구조를 갖는 하나의 제1 화학적 잔기,
및
- 화학식 II의 구조를 갖는 하나의 제2 화학적 잔기를 가지되,
제1 화학적 잔기는 단일 결합을 통해 제2 화학적 잔기에 연결되고,
T는 두 개의 제2 화학적 잔기 중 하나에 제1 화학적 잔기를 연결하는 단일 결합의 결합 자리이거나, R1 및 RT로 이루어지는 군으로부터 선택되고,
V는 두 개의 제2 화학적 잔기 중 하나에 제1 화학적 잔기를 연결하는 단일 결합의 결합 자리이거나 수소이고,
W는 두 개의 제2 화학적 잔기 중 하나에 제1 화학적 잔기를 연결하는 단일 결합의 결합 자리이거나, R1 및 RT로 이루어지는 군으로부터 선택되고,
X와 Y는 R1 및 RT로 이루어지는 군으로부터 선택되며,
T, W, X 및 Y로 이루어진 군으로부터 선택된 정확히 하나의 치환기는 RT이고, T, V 및 W로 이루어진 군으로부터 선택된 정확히 하나의 치환기는 제1 화학적 잔기와 제2 화학적 잔기를 연결하는 단일 결합의 결합 자리를 나타내며,
RI, RII 및 RIII으로 이루어지는 군으로부터 선택된 정확히 하나의 잔기는 L(RS)3이다(L은 Si와 Ge로 이루어지는 군으로부터 선택됨).
Description
본 발명은 유기 분자와 유기 발광 다이오드(OLED) 및 다른 광전자 장치에 있어서 상기 유기 분자의 용도에 관한 것이다.
본 발명의 목적은 광전자 장치에 사용하기에 적합한 분자를 제공하는 것이다.
본 발명의 목적은 새로운 종류의 유기 분자를 제공하는 본 발명에 의해 달성된다.
본 발명에 따르면, 상기 유기 분자는 순수 유기 분자로서, 즉 광전자 장치용으로 알려진 금속 착화합물과 달리 임의의 금속 이온을 함유하지 않는다.
본 발명에 따르면, 상기 유기 분자는 청색, 하늘색 또는 녹색의 스펙트럼 범위에서 최대 방출을 나타낸다. 특히, 상기 유기 분자는 420 내지 520 nm, 바람직하게는 440 내지 495 nm, 보다 바람직하게는 450 내지 470 nm 사이에서 최대 방출을 나타낸다. 본 발명에 따른 유기 분자의 광루미네선스 (photoluminescence) 양자 수율은 특히, 70% 이상이다. 본 발명에 따른 분자는 특히, 열활성 지연 형광(TADF)을 나타낸다. 본 발명에 따른 분자를 유기 발광 다이오드(OLED)와 같은 광전자 장치에 사용하면, 장치의 높은 효율이 더 높아진다. 이에 따른 OLED는 알려진 에미터(emitter) 재료 및 비슷한 색상을 갖는 OLED보다 더 높은 안정성을 가진다.
본 발명에 따른 상기 유기 발광 분자는, 화학식 I의 구조를 포함하거나 이로 이루어지는 하나의 제1 화학적 잔기(chemical moiety),
및
- 화학식 II의 구조를 포함하거나 이로 이루어지는 하나의 제2 화학적 잔기를 포함하되,
제1 화학적 잔기는 단일 결합을 통해 제2 화학적 잔기에 연결된다.
T는 제2 화학적 잔기에 제1 화학적 잔기를 연결하는 단일 결합의 결합 자리이거나, R1 및 RT로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
V는 제2 화학적 잔기에 제1 화학적 잔기를 연결하는 단일 결합의 결합 자리이거나, 또는 수소이다.
W는 제2 화학적 잔기에 제1 화학적 잔기를 연결하는 단일 결합의 결합 자리이거나, R1 및 RT로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
X는 R1 및 RT로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
Y는 R1 및 RT로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
#은 제2 화학적 잔기에 제1 화학적 잔기를 연결하는 단일 결합의 결합 자리를 나타낸다.
Z는 각각의 경우 직접 결합, CR3R4, C=CR3R4, C=O, C=NR3, NR3, O, SiR3R4, S, S(O) 및 S(O)2로 이루어지는 군으로부터 서로 독립적으로 선택된다.
RT는 2개의 치환기 RN과 치환된 1,3,5-트리아진일이다:
RN은 각각의 경우 서로 독립적으로
수소, 중수소,
C1-C5-알킬
(하나 이상의 수소 원자가 선택적으로 중수소로 치환됨),
C2-C8-알케닐
(하나 이상의 수소 원자가 선택적으로 중수소로 치환됨),
C2-C8-알키닐
(하나 이상의 수소 원자가 선택적으로 중수소로 치환됨),
C6-C18-아릴
(선택적으로 하나 이상의 치환기 R6과 치환됨), 및
C3-C17-헤테로아릴
(선택적으로 하나 이상의 치환기 R6과 치환됨)로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
RI, RII 및 RIII은 각각의 경우 서로 독립적으로
수소,
중수소,
L(RS)3,
C1-C5-알킬
(하나 이상의 수소 원자가 선택적으로 중수소로 치환됨),
C2-C8-알케닐
(하나 이상의 수소 원자가 선택적으로 중수소로 치환됨),
C2-C8-알키닐
(하나 이상의 수소 원자가 선택적으로 중수소로 치환됨), 및
C6-C18-아릴
(선택적으로 하나 이상의 치환기 R6과 치환됨)로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
L은 실리콘(Si) 및 게르마늄(Ge)로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
RIV 및 RV는 각각의 경우 서로 독립적으로
수소,
중수소,
C1-C5-알킬
(하나 이상의 수소 원자가 선택적으로 중수소로 치환됨),
C2-C8-알케닐
(하나 이상의 수소 원자가 선택적으로 중수소로 치환됨),
C2-C8-알키닐
(하나 이상의 수소 원자가 선택적으로 중수소로 치환됨), 및
C6-C18-아릴
(선택적으로 하나 이상의 치환기 R6과 치환됨)로 이루어지는 군으로부터 선택되고;
RS는 각각의 경우 서로 독립적으로
C1-C5-알킬
(하나 이상의 수소 원자가 선택적으로 중수소로 치환됨),
C2-C8-알케닐
(하나 이상의 수소 원자가 선택적으로 중수소로 치환됨),
C2-C8-알키닐
(하나 이상의 수소 원자가 선택적으로 중수소로 치환됨),
C6-C18-아릴
(선택적으로 하나 이상의 치환기 R6과 치환됨), 및
C3-C17-헤테로아릴
(선택적으로 하나 이상의 치환기 R6과 치환됨)로 이루어지는 군으로부터 선택되고;
R1은 각각의 경우 서로 독립적으로
수소,
중수소,
C1-C5-알킬
(하나 이상의 수소 원자가 선택적으로 중수소로 치환됨),
C2-C8-알케닐
(하나 이상의 수소 원자가 선택적으로 중수소로 치환됨),
C2-C8-알키닐
(하나 이상의 수소 원자가 선택적으로 중수소로 치환됨), 및
C6-C18-아릴
(선택적으로
C1-C5-알킬
(선택적으로 하나 이상의 수소 원자가 중수소, CN, CF3, 또는 F로 서로 독립적으로 치환됨),
및
C6-C18-아릴
(선택적으로 하나 이상의 C1-C5-알킬 치환기와 치환됨)로 이루어지는 군으로부터 선택된 하나 이상의 치환기와 서로 독립적으로 치환됨)로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
Ra, R3 및 R4는 각각의 경우 서로 독립적으로, 수소,
중수소,
N(R5)2,
OR5,
Si(R5)3,
Ge(R5)3,
B(OR5)2,
OSO2R5,
CF3,
CN,
F,
Br,
I,
C1-C40-알킬
(선택적으로 하나 이상의 치환기 R5로 치환되며,
하나 이상의 비인접 CH2-기는 선택적으로 R5C=CR5, C≡C, Si(R5)2, Ge(R5)2, Sn(R5)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR5, P(=O)(R5), SO, SO2, NR5, O, S 또는 CONR5로 치환됨),
C1-C40-알콕시
(선택적으로 하나 이상의 치환기 R5로 치환되며,
하나 이상의 비인접 CH2-기는 선택적으로 R5C=CR5, C≡C, Si(R5)2, Ge(R5)2, Sn(R5)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR5, P(=O)(R5), SO, SO2, NR5, O, S 또는 CONR5로 치환됨),
C1-C40-티오알콕시
(선택적으로 하나 이상의 치환기 R5로 치환되며,
하나 이상의 비인접 CH2-기는 선택적으로 R5C=CR5, C≡C, Si(R5)2, Ge(R5)2, Sn(R5)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR5, P(=O)(R5), SO, SO2, NR5, O, S 또는 CONR5로 치환됨),
C2-C40-알케닐
(선택적으로 하나 이상의 치환기 R5로 치환되며,
하나 이상의 비인접 CH2-기는 선택적으로 R5C=CR5, C≡C, Si(R5)2, Ge(R5)2, Sn(R5)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR5, P(=O)(R5), SO, SO2, NR5, O, S 또는 CONR5로 치환됨),
C2-C40-알키닐
(선택적으로 하나 이상의 치환기 R5로 치환되며,
하나 이상의 비인접 CH2-기는 선택적으로 R5C=CR5, C≡C, Si(R5)2, Ge(R5)2, Sn(R5)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR5, P(=O)(R5), SO, SO2, NR5, O, S 또는 CONR5로 치환됨),
C6-C60-아릴
(선택적으로 하나 이상의 치환기 R5로 치환됨), 및
C3-C57-헤테로아릴
(선택적으로 하나 이상의 치환기 R5로 치환됨)로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
R5은 각각의 경우 서로 독립적으로, 수소,
중수소,
N(R6)2,
OR6,
Si(R6)3,
B(OR6)2,
OSO2R6,
CF3,
CN,
F,
Br,
I,
C1-C40-알킬
(선택적으로 하나 이상의 치환기 R6과 치환되며,
하나 이상의 비인접 CH2-기는 선택적으로 R6C=CR6, C≡C, Si(R6)2, Ge(R6)2, Sn(R6)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR6, P(=O)(R6), SO, SO2, NR6, O, S 또는 CONR6로 치환됨),
C1-C40-알콕시
(선택적으로 하나 이상의 치환기 R6과 치환되며,
하나 이상의 비인접 CH2-기는 선택적으로 R6C=CR6, C≡C, Si(R6)2, Ge(R6)2, Sn(R6)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR6, P(=O)(R6), SO, SO2, NR6, O, S 또는 CONR6로 치환됨),
C1-C40-티오알콕시
(선택적으로 하나 이상의 치환기 R6과 치환되며,
하나 이상의 비인접 CH2-기는 선택적으로 R6C=CR6, C≡C, Si(R6)2, Ge(R6)2, Sn(R6)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR6, P(=O)(R6), SO, SO2, NR6, O, S 또는 CONR6로 치환됨),
C2-C40-알케닐
(선택적으로 하나 이상의 치환기 R6과 치환되며,
하나 이상의 비인접 CH2-기는 선택적으로 R6C=CR6, C≡C, Si(R6)2, Ge(R6)2, Sn(R6)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR6, P(=O)(R6), SO, SO2, NR6, O, S 또는 CONR6로 치환됨),
C2-C40-알키닐
(선택적으로 하나 이상의 치환기 R6과 치환되며,
하나 이상의 비인접 CH2-기는 선택적으로 R6C=CR6, C≡C, Si(R6)2, Ge(R6)2, Sn(R6)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR6, P(=O)(R6), SO, SO2, NR6, O, S 또는 CONR6로 치환됨),
C6-C60-아릴
(선택적으로 하나 이상의 치환기 R6과 치환됨), 및
C3-C57-헤테로아릴
(선택적으로 하나 이상의 치환기 R6과 치환됨)로 이루어지는 군으로부터 선택되고;
R6은 각각의 경우 서로 독립적으로, 수소,
중수소,
OPh,
CF3,
CN,
F,
C1-C5-알킬
(선택적으로 하나 이상의 수소 원자가 중수소, CN, CF3, 또는 F로 서로 독립적으로 치환됨),
C1-C5-알콕시
(선택적으로 하나 이상의 수소 원자가 중수소, CN, CF3, 또는 F로 서로 독립적으로 치환됨),
C1-C5-티오알콕시
(선택적으로 하나 이상의 수소 원자가 중수소, CN, CF3, 또는 F로 서로 독립적으로 치환됨),
C2-C5-알케닐
(선택적으로 하나 이상의 수소 원자가 중수소, CN, CF3, 또는 F로 서로 독립적으로 치환됨),
C2-C5-알키닐
(선택적으로 하나 이상의 수소 원자가 중수소, CN, CF3, 또는 F로 서로 독립적으로 치환됨),
C6-C18-아릴
(선택적으로 하나 이상의 C1-C5-알킬 치환기로 치환됨),
C3-C17-헤테로아릴
(선택적으로 하나 이상의 C1-C5-알킬 치환기로 치환됨),
N(C6-C18-아릴)2,
N(C3-C17-헤테로아릴)2, 및
N(C3-C17-헤테로아릴)(C6-C18-아릴)로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
치환기 Ra, R3, R4 또는 R5는 서로 독립적으로, 선택적으로, 하나 이상의 치환기 Ra, R3, R4 또는 R5를 갖는 모노-또는 폴리고리형, 지방족, 방향족 및/또는 벤젠-축합된(benzo-fused) 고리 시스템을 형성할 수 있다.
본 발명에 따르면, T, W, X 및 Y로 이루어지는 군으로부터 선택된 정확히 하나의 (유일한) 치환기는 RT이고, T, V 및 W로 이루어지는 군으로부터 선택된 정확히 하나의 치환기는 제1 화학적 잔기와 제2 화학적 잔기를 연결하는 단일 결합의 결합 자리를 나타낸다.
본 발명에 따르면, W가 RT이고 V가 제1 화학적 잔기와 제2 화학적 잔기를 연결하는 단일 결합의 결합 자리를 나타내는 경우, T는 수소이며;
T가 RT이고 V가 제1 화학적 잔기와 제2 화학적 잔기를 연결하는 단일 결합의 결합 자리를 나타내는 경우, W는 수소이다.
본 발명에 따르면, RI, RII 및 RIII으로 이루어지는 군으로부터 선택된 정확히 하나의 (유일한) 잔기는 L(RS)3이다(L은 Si와 Ge로 이루어지는 군으로부터 선택됨).
일 구현예에서, 본 발명에 따른 유기 발광 분자는, 화학식 I-Y의 구조를 포함하거나 이로 이루어지는 제1 화학적 잔기(chemical moiety)를 포함하거나 이로 이루어지되,
RI, RII, RIII, RIV, RV, 및 R1은 상기 정의된 바와 같고,
T#은 제2 화학적 잔기에 제1 화학적 잔기를 연결하는 단일 결합의 결합 자리이거나, R1이고,
V#은 제2 화학적 잔기에 제1 화학적 잔기를 연결하는 단일 결합의 결합 자리이거나, 수소이고,
W#은 제2 화학적 잔기에 제1 화학적 잔기를 연결하는 단일 결합의 결합 자리이거나, R1 및 RT로 이루어지는 군으로부터 선택되고,
X#은 R1 및 RT로 이루어지는 군으로부터 선택되고,
T#, V# 및 W#으로 이루어지는 군으로부터 선택된 정확히 하나의 치환기는 제2 화학적 잔기에 제1 화학적 잔기를 연결하는 단일 결합의 결합 자리를 나타내고,
W# 및 X#로 이루어지는 군으로부터 선택된 정확히 하나의 치환기는 RT이며,
RI, RII 및 RIII으로 이루어지는 군으로부터 선택된 정확히 하나의 치환기는 L(RS)3이다.
일 구현예에서, 본 발명에 따른 유기 발광 분자는, 화학식 I-YY의 구조를 포함하거나 이로 이루어지는 제1 화학적 잔기(chemical moiety)를 포함하거나 이로 이루어지되,
RI, RII, RIII, RIV, RV, 및 R1은 상기 정의된 바와 같고,
T##은 제2 화학적 잔기에 제1 화학적 잔기를 연결하는 단일 결합의 결합 자리이거나, R1이고,
W##은 제2 화학적 잔기에 제1 화학적 잔기를 연결하는 단일 결합의 결합 자리이거나, R1 및 RT로 이루어지는 군으로부터 선택되고,
X##은 R1 및 RT로 이루어지는 군으로부터 선택되고,
T## 및 W##으로 이루어지는 군으로부터 선택된 정확히 하나의 치환기는 제2 화학적 잔기에 제1 화학적 잔기를 연결하는 단일 결합의 결합 자리를 나타내고,
W## 및 X##으로 이루어지는 군으로부터 선택된 정확히 하나의 치환기는 RT이며,
RI, RII 및 RIII으로 이루어지는 군으로부터 선택된 정확히 하나의 치환기는 L(RS)3이다.
일 구현예에서, R1 및 RN은 각각의 경우에 수소, 메틸, 페닐, 메시틸, 톨릴, 3-(삼차-부틸)페닐, 4-(삼차-부틸)페닐, 2,6-디(삼차-부틸)페닐 및 3,5-디(삼차-부틸)페닐로 이루어지는 군으로부터 서로 독립적으로 선택되며(톨릴(tolyl)이라는 용어는 2-톨릴, 3-톨릴, 및 4-톨릴을 지칭함),
RS는 각각의 경우에 메틸, 삼차-부틸, 및 페닐로 이루어지는 군으로부터 서로 독립적으로 선택되며, 서로 독립적으로 Me, iPr, tBu, CN, CF3, 및 Ph로 이루어지는 군으로부터 선택된 하나 이상의 치환기로 선택적으로 치환된다.
일 구현예에서, R1은 각각의 경우 서로 독립적으로, 수소, 메틸, 페닐, 메시틸, 및 톨릴로 이루어지는 군으로부터 선택된다. 용어 톨릴은 2-톨릴, 3-톨릴, 및 4-톨릴을 지칭한다.
일 구현예에서, RN은 각각의 경우에 수소, 메틸, 페닐, 메시틸, 톨릴, 3-(삼차-부틸)페닐, 4-(삼차-부틸)페닐, 2,6-디(삼차-부틸)페닐 및 3,5-디(삼차-부틸)페닐로 이루어지는 군으로부터 서로 독립적으로 선택된다(톨릴이라는 용어는 2-톨릴, 3-톨릴, 및 4-톨릴을 지칭함).
본 발명의 일 구현예에서, RN은 각각의 경우 서로 독립적으로, 수소, 메틸,
페닐(Me, iPr, tBu, CN, CF3, Ph로 이루어지는 군으로부터 서로 독립적으로 선택된 하나 이상의 치환기로 선택적으로 치환됨), 및
삼차-부틸로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
일 구현예에서, RS는 메틸, 삼차-부틸,
페닐로 이루어지는 군으로부터 서로 독립적으로 선택되며, Me, iPr, tBu, CN, CF3, 및 Ph로 이루어지는 군으로부터 서로 독립적으로 선택되는 하나 이상의 치환기로 선택적으로 치환된다.
본 발명의 일 구현예에서, RS는 Ph이다.
일 구현예에서, RN은 Ph이다.
일 구현예에서, R1은 H 또는 Ph이다.
일 구현예에서, R1은 H이다.
일 구현예에서, X는 RT이고, T는 제1 화학적 잔기와 제2 화학적 잔기를 연결하는 단일 결합의 결합 자리를 나타낸다.
일 구현예에서, X는 RT이고, W는 제1 화학적 잔기와 제2 화학적 잔기를 연결하는 단일 결합의 결합 자리를 나타낸다.
일 구현예에서, W는 RT이고, V는 제1 화학적 잔기와 제2 화학적 잔기를 연결하는 단일 결합의 결합 자리를 나타낸다.
본 발명의 일 구현예에서, RII는 Si(RS)3 및 Ge(RS)3으로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
본 발명의 일 구현예에서, RII는 Si(RS)3이다.
본 발명의 일 구현예에서, RII는 Ge(RS)3이다.
본 발명의 일 구현예에서, RII는 Si(Ph)3이다.
본 발명의 일 구현예에서, RII는 Ge(Ph)3이다.
본 발명의 일 구현예에서, RI는 Si(RS)3 및 Ge(RS)3으로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
본 발명의 일 구현예에서, RI는 Ge(RS)3이다.
본 발명의 일 구현예에서, RI는 Ge(Ph)3이다.
본 발명의 일 구현예에서, RI는 Si(RS)3이다.
본 발명의 일 구현예에서, RI는 Si(Ph)3이다.
본 발명의 일 구현예에서, RIII은 Si(RS)3 및 Ge(RS)3으로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
본 발명의 일 구현예에서, RIII은 Ge(RS)3이다.
본 발명의 일 구현예에서, RIII은 Ge(Ph)3이다.
본 발명의 일 구현예에서, RIII은 Si(RS)3이다.
본 발명의 일 구현예에서, RIII은 Si(Ph)3이다.
본 발명의 일 구현예에서, X는 RT이다.
본 발명의 일 구현예에서, W는 RT이다.
본 발명의 일 구현예에서, T는 RT이다.
본 발명의 일 구현예에서, Y는 RT이다.
본 발명의 또 다른 구현예에서, 제2 화학적 잔기는 화학식 IIa의 구조를 포함하거나 이로 이루어지며:
#과 Ra는 상기 정의된 바와 같다.
본 발명의 또 다른 구현예에서, Ra은 각각의 경우 서로 독립적으로,
수소,
Me,
iPr,
tBu,
CN,
CF3,
SiPh3,
GePh3,
Ph(Me, iPr, tBu, CN, CF3, 및 Ph로 이루어지는 군으로부터 서로 독립적으로 선택되는 하나 이상의 치환기로 선택적으로 치환됨),
피리디닐(Me, iPr, tBu, CN, CF3, 및 Ph로 이루어지는 군으로부터 서로 독립적으로 선택되는 하나 이상의 치환기로 선택적으로 치환됨),
피리미디닐(Me, iPr, tBu, CN, CF3 및 Ph로 이루어지는 군으로부터 서로 독립적으로 선택되는 하나 이상의 치환기로 선택적으로 치환됨),
카바졸릴(Me, iPr, tBu, CN, CF3 및 Ph로 이루어지는 군으로부터 서로 독립적으로 선택되는 하나 이상의 치환기로 선택적으로 치환됨),
트리아진일(Me, iPr, tBu, CN, CF3 및 Ph로 이루어지는 군으로부터 서로 독립적으로 선택되는 하나 이상의 치환기로 선택적으로 치환됨),
및 N(Ph)2로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
본 발명의 또 다른 구현예에서, Ra은 각각의 경우 서로 독립적으로,
수소,
Me,
iPr,
tBu,
CN,
CF3,
SiPh3,
GePh3,
Ph(Me, iPr, tBu, CN, CF3, 및 Ph로 이루어지는 군으로부터 서로 독립적으로 선택되는 하나 이상의 치환기로 선택적으로 치환됨),
피리디닐(Me, iPr, tBu, CN, CF3, 및 Ph로 이루어지는 군으로부터 서로 독립적으로 선택되는 하나 이상의 치환기로 선택적으로 치환됨),
피리미디닐(Me, iPr, tBu, CN, CF3 및 Ph로 이루어지는 군으로부터 서로 독립적으로 선택되는 하나 이상의 치환기로 선택적으로 치환됨), 및
트리아진일(Me, iPr, tBu, CN, CF3 및 Ph로 이루어지는 군으로부터 서로 독립적으로 선택되는 하나 이상의 치환기로 선택적으로 치환됨)로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
본 발명의 또 다른 구현예에서, 제2 화학적 잔기는 화학식 IIb, 화학식 IIb-2, 화학식 IIb-3 또는 화학식 IIb-4의 구조를 포함하거나 이들로 이루어지며:
Rc은 각각의 경우 서로 독립적으로,
중수소,
N(R5)2,
OR5,
Si(R5)3,
Ge(R5)3,
B(OR5)2,
OSO2R5,
CF3,
CN,
F,
Br,
I,
C1-C40-알킬
(하나 이상의 치환기 R5와 선택적으로 치환되고,
하나 이상의 비인접 CH2-기는 선택적으로 R5C=CR5, C≡C, Si(R5)2, Ge(R5)2, Sn(R5)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR5, P(=O)(R5), SO, SO2, NR5, O, S 또는 CONR5로 치환됨),
C1-C40-알콕시
(하나 이상의 치환기 R5와 선택적으로 치환되고,
하나 이상의 비인접 CH2-기는 선택적으로 R5C=CR5, C≡C, Si(R5)2, Ge(R5)2, Sn(R5)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR5, P(=O)(R5), SO, SO2, NR5, O, S 또는 CONR5로 치환됨),
C1-C40-티오알콕시
(하나 이상의 치환기 R5와 선택적으로 치환되고,
하나 이상의 비인접 CH2-기는 선택적으로 R5C=CR5, C≡C, Si(R5)2, Ge(R5)2, Sn(R5)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR5, P(=O)(R5), SO, SO2, NR5, O, S 또는 CONR5로 치환됨),
C2-C40-알케닐
(하나 이상의 치환기 R5와 선택적으로 치환되고,
하나 이상의 비인접 CH2-기는 선택적으로 R5C=CR5, C≡C, Si(R5)2, Ge(R5)2, Sn(R5)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR5, P(=O)(R5), SO, SO2, NR5, O, S 또는 CONR5로 치환됨),
C2-C40-알키닐
(하나 이상의 치환기 R5와 선택적으로 치환되고,
하나 이상의 비인접 CH2-기는 선택적으로 R5C=CR5, C≡C, Si(R5)2, Ge(R5)2, Sn(R5)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR5, P(=O)(R5), SO, SO2, NR5, O, S 또는 CONR5로 치환됨),
C6-C60-아릴
(선택적으로 하나 이상의 치환기 R5로 치환됨), 및
C3-C57-헤테로아릴
(선택적으로 하나 이상의 치환기 R5로 치환됨)로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
그 외에는 앞서 언급된 정의가 적용된다.
본 발명의 또 다른 구현예에서, 제2 화학적 잔기는 화학식 IIc, 화학식 IIc-2, 화학식 IIc-3 또는 화학식 IIc-4의 구조를 포함하거나 이들로 이루어지며:
앞서 언급된 정의가 적용된다.
본 발명의 또 다른 구현예에서, Rb은 각각의 경우 서로 독립적으로,
Me,
iPr,
tBu,
CN,
CF3,
SiPh3,
GePh3,
Ph(Me, iPr, tBu, CN, CF3, 및 Ph로 이루어지는 군으로부터 서로 독립적으로 선택되는 하나 이상의 치환기로 선택적으로 치환됨),
피리디닐(Me, iPr, tBu, CN, CF3, 및 Ph로 이루어지는 군으로부터 서로 독립적으로 선택되는 하나 이상의 치환기로 선택적으로 치환됨),
피리미디닐(Me, iPr, tBu, CN, CF3 및 Ph로 이루어지는 군으로부터 서로 독립적으로 선택되는 하나 이상의 치환기로 선택적으로 치환됨),
카바졸릴(Me, iPr, tBu, CN, CF3 및 Ph로 이루어지는 군으로부터 서로 독립적으로 선택되는 하나 이상의 치환기로 선택적으로 치환됨),
트리아진일(Me, iPr, tBu, CN, CF3 및 Ph로 이루어지는 군으로부터 서로 독립적으로 선택되는 하나 이상의 치환기로 선택적으로 치환됨),
및 N(Ph)2로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
본 발명의 또 다른 구현예에서, Rb은 각각의 경우 서로 독립적으로,
Me,
iPr,
tBu,
CN,
CF3,
SiPh3,
GePh3,
Ph(Me, iPr, tBu, CN, CF3, 및 Ph로 이루어지는 군으로부터 서로 독립적으로 선택되는 하나 이상의 치환기로 선택적으로 치환됨),
피리디닐(Me, iPr, tBu, CN, CF3, 및 Ph로 이루어지는 군으로부터 서로 독립적으로 선택되는 하나 이상의 치환기로 선택적으로 치환됨),
피리미디닐(Me, iPr, tBu, CN, CF3 및 Ph로 이루어지는 군으로부터 서로 독립적으로 선택되는 하나 이상의 치환기로 선택적으로 치환됨), 및
트리아진일(Me, iPr, tBu, CN, CF3 및 Ph로 이루어지는 군으로부터 서로 독립적으로 선택되는 하나 이상의 치환기로 선택적으로 치환됨)로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
제2 화학적 잔기의 실시예를 다음에서 보여주고 있으며:
#, Z, Ra, R3, R4 및 R5에 앞서 언급된 정의가 적용된다.
일 구현예에서, Ra 및 R5은 각각의 경우 서로 독립적으로, 수소(H), 메틸(Me), i-프로필(CH(CH3)2)(iPr), t-부틸(tBu), 페닐(Ph),
트리아진일(Me, iPr, tBu, CN, CF3 및 Ph로 이루어지는 군으로부터 서로 독립적으로 선택되는 하나 이상의 치환기로 선택적으로 치환됨),
및 디페닐아민(NPh2)으로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 유기 분자는 화학식 III-1, III-2 또는 화학식 III-3의 구조를 포함하거나 이들로 이루어지고:
앞서 언급된 정의가 적용된다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 유기 분자는 화학식 III-1a 및 화학식 III-1b의 구조를 포함하거나 이들로 이루어지고:
앞서 언급된 정의가 적용된다.
본 발명의 또 다른 구현예에서, 상기 유기 분자는 화학식 IIIa-1, 화학식 IIIa-2, 화학식 IIIa-3, 화학식 IIIa-4, 화학식 IIIa-5 또는 화학식 IIIa-6의 구조를 포함하거나 이들로 이루어지며:
Rc는 각각의 경우 서로 독립적으로,
Me,
iPr,
tBu,
Ph(Me, iPr, tBu, CN, CF3, 및 Ph로 이루어지는 군으로부터 서로 독립적으로 선택되는 하나 이상의 치환기로 선택적으로 치환됨),
피리디닐(Me, iPr, tBu, CN, CF3 및 Ph로 이루어지는 군으로부터 서로 독립적으로 선택되는 하나 이상의 치환기로 선택적으로 치환됨),
피리미디닐(Me, iPr, tBu, CN, CF3 및 Ph로 이루어지는 군으로부터 서로 독립적으로 선택되는 하나 이상의 치환기로 선택적으로 치환됨),
카바졸릴(Me, iPr, tBu, CN, CF3 및 Ph로 이루어지는 군으로부터 서로 독립적으로 선택되는 하나 이상의 치환기로 선택적으로 치환됨),
트리아진일(Me, iPr, tBu, CN, CF3 및 Ph로 이루어지는 군으로부터 서로 독립적으로 선택되는 하나 이상의 치환기로 선택적으로 치환됨),
및 N(Ph)2로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
본 발명의 또 다른 구현예에서, 상기 유기 분자는 화학식 IIIa-1의 구조를 포함하거나 이로 이루어진다.
본 발명의 또 다른 구현예에서, 상기 유기 분자는 화학식 IIIb-1, 화학식 IIIb-2, 화학식 IIIb-3, 화학식 IIIb-4, 화학식 IIIb-5 또는 화학식 IIIb-6의 구조를 포함하거나 이들로 이루어지며:
앞서 언급된 정의가 적용된다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 유기 분자는 화학식 IV-1, 화학식 IV-2 또는 화학식 IV-3의 구조를 포함하거나 이들로 이루어지며:
앞서 언급된 정의가 적용된다.
본 발명의 바람직한 일 구현예에서, 상기 유기 분자는 화학식 IV-1a 및 화학식 IV-1b의 구조를 포함하거나 이들로 이루어지고:
앞서 언급된 정의가 적용된다.
본 발명의 또 다른 구현예에서, 상기 유기 분자는 화학식 IVa-1, 화학식 IVa-2, 화학식 IVa-3, 화학식 IVa-4, 화학식 IVa-5 또는 화학식 IVa-6의 구조를 포함하거나 이들로 이루어지며:
앞서 언급된 정의가 적용된다.
본 발명의 바람직한 일 구현예에서, 상기 유기 분자는 화학식 IVa-1의 구조를 포함하거나 이로 이루어진다.
본 발명의 추가적인 일 구현예에서, 상기 유기 분자는 화학식 IVb-1, 화학식 IVb-2, 화학식 IVb-3, 화학식 IVb-4, 화학식 IVb-5 또는 화학식 IVb-6의 구조를 포함하거나 이들로 이루어지며:
앞서 언급된 정의가 적용된다.
본 발명의 바람직한 일 구현예에서, 상기 유기 분자는 화학식 IVb-1의 구조를 포함하거나 이로 이루어진다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 유기 분자는 화학식 V-1, 화학식 V-2 또는 화학식 V-3의 구조를 포함하거나 이들로 이루어지며:
앞서 언급된 정의가 적용된다.
본 발명의 바람직한 일 구현예에서, 상기 유기 분자는 화학식 V-1a 및 화학식 V-1b의 구조를 포함하거나 이들로 이루어지고:
앞서 언급된 정의가 적용된다.
본 발명의 추가적인 구현예에서, 상기 유기 분자는 화학식 Va-1, 화학식 Va-2, 화학식 Va-3, 화학식 Va-4, 화학식 Va-5 또는 화학식 Va-6의 구조를 포함하거나 이들로 이루어지며:
앞서 언급된 정의가 적용된다.
본 발명의 바람직한 일 구현예에서, 상기 유기 분자는 화학식 Va-1의 구조를 포함하거나 이로 이루어진다.
본 발명의 추가적인 일 구현예에서, 상기 유기 분자는 화학식 Vb-1, 화학식 Vb-2, 화학식 Vb-3, 화학식 Vb-4, 화학식 Vb-5 또는 화학식 Vb-6의 구조를 포함하거나 이들로 이루어지며:
앞서 언급된 정의가 적용된다.
본 발명의 바람직한 일 구현예에서, 상기 유기 분자는 화학식 Vb-1의 구조를 포함하거나 이로 이루어진다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 유기 분자는 화학식 VI-1, 화학식 VI-2 또는 화학식 VI-3의 구조를 포함하거나 이들로 이루어지며:
앞서 언급된 정의가 적용된다.
본 발명의 바람직한 일 구현예에서, 상기 유기 분자는 화학식 VI-1a 및 화학식 VI-1b의 구조를 포함하거나 이들로 이루어지고:
앞서 언급된 정의가 적용된다.
본 발명의 추가적인 구현예에서, 상기 유기 분자는 화학식 VIa-1, 화학식 VIa-2, 화학식 VIa-3, 화학식 VIa-4, 화학식 VIa-5 또는 화학식 VIa-6의 구조를 포함하거나 이들로 이루어지며:
앞서 언급된 정의가 적용된다.
본 발명의 바람직한 일 구현예에서, 상기 유기 분자는 화학식 VIa-1의 구조를 포함하거나 이로 이루어진다.
본 발명의 추가적인 일 구현예에서, 상기 유기 분자는 화학식 VIb-1, 화학식 VIb-2, 화학식 VIb-3, 화학식 VIb-4, 화학식 VIb-5 또는 화학식 VIb-6의 구조를 포함하거나 이들로 이루어지며:
앞서 언급된 정의가 적용된다.
본 발명의 바람직한 일 구현예에서, 상기 유기 분자는 화학식 VIb-1의 구조를 포함하거나 이로 이루어진다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 유기 분자는 화학식 VII-1, 화학식 VII-2 또는 화학식 VII-3의 구조를 포함하거나 이들로 이루어지며:
앞서 언급된 정의가 적용된다.
본 발명의 바람직한 일 구현예에서, 상기 유기 분자는 화학식 VII-1a 및 화학식 VII-1b의 구조를 포함하거나 이들로 이루어지고:
앞서 언급된 정의가 적용된다.
본 발명의 추가적인 구현예에서, 상기 유기 분자는 화학식 VIIa-1, 화학식 VIIa-2, 화학식 VIIa-3, 화학식 VIIa-4, 화학식 VIIa-5 또는 화학식 VIIa-6의 구조를 포함하거나 이들로 이루어지며:
앞서 언급된 정의가 적용된다.
본 발명의 바람직한 일 구현예에서, 상기 유기 분자는 화학식 VIIa-1의 구조를 포함하거나 이로 이루어진다.
본 발명의 추가적인 일 구현예에서, 상기 유기 분자는 화학식 VIIb-1, 화학식 VIIb-2, 화학식 VIIb-3, 화학식 VIIb-4, 화학식 VIIb-5 또는 화학식 VIIb-6의 구조를 포함하거나 이들로 이루어지며:
앞서 언급된 정의가 적용된다.
본 발명의 바람직한 일 구현예에서, 상기 유기 분자는 화학식 VIIb-1의 구조를 포함하거나 이로 이루어진다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 유기 분자는 화학식 VIII-1, 화학식 VIII-2 또는 화학식 VIII-3의 구조를 포함하거나 이들로 이루어지며:
앞서 언급된 정의가 적용된다.
본 발명의 바람직한 일 구현예에서, 상기 유기 분자는 화학식 VIII-1a 및 화학식 VIII-1b의 구조를 포함하거나 이들로 이루어지고:
앞서 언급된 정의가 적용된다.
본 발명의 또 다른 구현예에서, 상기 유기 분자는 화학식 VIIIa-1, 화학식 VIIIa-2, 화학식 VIIIa-3, 화학식 VIIIa-4, 화학식 VIIIa-5 또는 화학식 VIIIa-6의 구조를 포함하거나 이들로 이루어지며:
앞서 언급된 정의가 적용된다.
본 발명의 바람직한 일 구현예에서, 상기 유기 분자는 화학식 VIIIa-1의 구조를 포함하거나 이로 이루어진다.
본 발명의 추가적인 일 구현예에서, 상기 유기 분자는 화학식 VIIIb-1, 화학식 VIIIb-2, 화학식 VIIIb-3, 화학식 VIIIb-4, 화학식 VIIIb-5 또는 화학식 VIIIb-6의 구조를 포함하거나 이들로 이루어지며:
앞서 언급된 정의가 적용된다.
본 발명의 바람직한 일 구현예에서, 상기 유기 분자는 화학식 VIIIb-1의 구조를 포함하거나 이로 이루어진다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 유기 분자는 화학식 IX-1, 화학식 IX-2 또는 화학식 IX-3의 구조를 포함하거나 이들로 이루어지며:
앞서 언급된 정의가 적용된다.
본 발명의 바람직한 일 구현예에서, 상기 유기 분자는 화학식 IX-1a 및 화학식 IX-1b의 구조를 포함하거나 이들로 이루어지고:
앞서 언급된 정의가 적용된다.
본 발명의 추가적인 구현예에서, 상기 유기 분자는 화학식 IXa-1, 화학식 IXa-2, 화학식 IXa-3, 화학식 IXa-4, 화학식 IXa-5 또는 화학식 IXa-6의 구조를 포함하거나 이들로 이루어지며:
앞서 언급된 정의가 적용된다.
본 발명의 바람직한 일 구현예에서, 상기 유기 분자는 화학식 IXa-1의 구조를 포함하거나 이로 이루어진다.
본 발명의 추가적인 일 구현예에서, 상기 유기 분자는 화학식 IXb-1, 화학식 IXb-2, 화학식 IXb-3, 화학식 IXb-4, 화학식 IXb-5 또는 화학식 IXb-6의 구조를 포함하거나 이들로 이루어지며:
앞서 언급된 정의가 적용된다.
본 발명의 바람직한 일 구현예에서, 상기 유기 분자는 화학식 IXb-1의 구조를 포함하거나 이로 이루어진다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 유기 분자는 화학식 X-1, 화학식 X-2 또는 화학식 X-3의 구조를 포함하거나 이들로 이루어지며:
앞서 언급된 정의가 적용된다.
본 발명의 바람직한 일 구현예에서, 상기 유기 분자는 화학식 X-1a 및 화학식 X-1b의 구조를 포함하거나 이들로 이루어지고:
앞서 언급된 정의가 적용된다.
본 발명의 추가적인 구현예에서, 상기 유기 분자는 화학식 Xa-1, 화학식 Xa-2, 화학식 Xa-3, 화학식 Xa-4, 화학식 Xa-5 또는 화학식 Xa-6의 구조를 포함하거나 이들로 이루어지며:
앞서 언급된 정의가 적용된다.
본 발명의 또 다른 구현예에서, 상기 유기 분자는 화학식 Xa-1의 구조를 포함하거나 이로 이루어진다.
본 발명의 추가적인 일 구현예에서, 상기 유기 분자는 화학식 Xb-1, 화학식 Xb-2, 화학식 Xb-3, 화학식 Xb-4, 화학식 Xb-5 또는 화학식 Xb-6의 구조를 포함하거나 이들로 이루어지며:
앞서 언급된 정의가 적용된다.
본 발명의 바람직한 일 구현예에서, 상기 유기 분자는 화학식 Xb-1의 구조를 포함하거나 이로 이루어진다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 유기 분자는 화학식 XI-1, 화학식 XI-2 또는 화학식 XI-3의 구조를 포함하거나 이들로 이루어지며:
앞서 언급된 정의가 적용된다.
본 발명의 바람직한 일 구현예에서, 상기 유기 분자는 화학식 XI-1a 및 화학식 XI-1b의 구조를 포함하거나 이들로 이루어지고:
앞서 언급된 정의가 적용된다.
본 발명의 추가적인 구현예에서, 상기 유기 분자는 화학식 XIa-1, 화학식 XIa-2, 화학식 XIa-3, 화학식 XIa-4, 화학식 XIa-5 또는 화학식 XIa-6의 구조를 포함하거나 이들로 이루어지며:
앞서 언급된 정의가 적용된다.
본 발명의 바람직한 일 구현예에서, 상기 유기 분자는 화학식 XIa-1의 구조를 포함하거나 이로 이루어진다.
본 발명의 추가적인 일 구현예에서, 상기 유기 분자는 화학식 XIb-1, 화학식 XIb-2, 화학식 XIb-3, 화학식 XIb-4, 화학식 XIb-5 또는 화학식 XIb-6의 구조를 포함하거나 이들로 이루어지며:
앞서 언급된 정의가 적용된다.
본 발명의 바람직한 일 구현예에서, 상기 유기 분자는 화학식 XIb-1의 구조를 포함하거나 이로 이루어진다.
본 발명의 일 구현예에서, Rc는 각각의 경우 서로 독립적으로,
Me,
iPr,
tBu,
CN,
CF3,
SiPh3,
GePh3,
Ph(Me, iPr, tBu, CN, CF3, 및 Ph로 이루어지는 군으로부터 서로 독립적으로 선택되는 하나 이상의 치환기로 선택적으로 치환됨),
피리디닐(Me, iPr, tBu, CN, CF3, 및 Ph로 이루어지는 군으로부터 서로 독립적으로 선택되는 하나 이상의 치환기로 선택적으로 치환됨),
피리미디닐(Me, iPr, tBu, CN, CF3 및 Ph로 이루어지는 군으로부터 서로 독립적으로 선택되는 하나 이상의 치환기로 선택적으로 치환됨), 및
트리아진일(Me, iPr, tBu, CN, CF3 및 Ph로 이루어지는 군으로부터 서로 독립적으로 선택되는 하나 이상의 치환기로 선택적으로 치환됨)로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
본 발명의 일 구현예에서, Rc는 각각의 경우 서로 독립적으로,
Me,
iPr,
tBu,
Ph(Me, iPr, tBu, CN, CF3 및 Ph로 이루어지는 군으로부터 서로 독립적으로 선택되는 하나 이상의 치환기로 선택적으로 치환됨), 및
트리아진일(Me, iPr, tBu, CN, CF3 및 Ph로 이루어지는 군으로부터 서로 독립적으로 선택되는 하나 이상의 치환기로 선택적으로 치환됨)로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
도 1
실시예 1 (PMMA에서 10 wt%)의 방출 스펙트럼.
도 2 실시예 2 (PMMA에서 10 wt%)의 방출 스펙트럼.
도 3 실시예 3 (PMMA에서 10 wt%)의 방출 스펙트럼.
도 4 실시예 4 (PMMA에서 10 wt%)의 방출 스펙트럼.
도 5 실시예 5 (PMMA에서 10 wt%)의 방출 스펙트럼.
도 2 실시예 2 (PMMA에서 10 wt%)의 방출 스펙트럼.
도 3 실시예 3 (PMMA에서 10 wt%)의 방출 스펙트럼.
도 4 실시예 4 (PMMA에서 10 wt%)의 방출 스펙트럼.
도 5 실시예 5 (PMMA에서 10 wt%)의 방출 스펙트럼.
본 명세서 전체에 걸쳐 사용된 "아릴"과 "방향족" 용어는 모노-, 바이- 또는 폴리- 고리형 방향족 잔기 중 임의의 것으로서 넓은 범위에서 이해될 수 있다. 따라서, 아릴기는 6 내지 60개의 방향족 고리 원자를 가지며, 헤테로아릴기는 적어도 하나의 고리 원자가 헤테로 원자인 5 내지 60개의 방향족 고리 원자를 가진다. 하지만, 본 명세서 전체에 걸쳐 방향족 고리 원자의 수는 특정 치환기의 정의에서 첨자로 주어질 수 있다. 특히, 헤테로방향족 고리는 1 내지 3개의 헤테로 원자를 포함한다. 마찬가지로, "헤테로아릴"과 "헤테로방향족" 용어는 적어도 하나의 헤테로 원자를 포함하는 모노-, 바이- 또는 폴리- 고리형 헤테로방향족 잔기 중 임의의 것으로서 넓은 범위에서 이해될 수 있다. 상기 헤테로 원자는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, N, O 및 S로 이루어지는 군으로부터 각각 선택된다. 그러므로, "아릴렌" 용어는 다른 분자 구조에 두 개의 결합 자리를 제공하는 2가 치환기를 의미하며, 따라서, 링커 구조로 작용한다. 실시예에서 '-기'가 본 명세서에서 주어진 정의와 상이하게 정의되는 경우, 예를 들면, 방향족 고리 원자의 수 또는 헤테로 원자의 수가 주어진 정의와 다르면, 실시예에서의 정의가 적용된다. 본 발명에 따르면, 축합된(annulated) 방향족 또는 헤테로방향족 폴리-고리형은 두 개 이상의 단일 방향족 또는 헤테로방향족 고리로 제조되며, 상기 고리들의 축합 반응을 통해 폴리-고리형이 형성된다.
본 명세서 전체에 걸쳐 사용된 "아릴"기 또는 "헤테로아릴"기 용어는, 방향족 또는 헤테로방향족-기의 임의의 한 위치를 통해서 연결될 수 있는 -기, 구체적으로, 벤젠, 나프탈린, 안트라센, 페난트렌, 피렌, 디하이드로피렌, 크리센, 페릴렌, 플루오란텐, 벤즈안트라센, 벤즈페난트렌, 테트라센, 펜타센, 벤즈피렌, 퓨란, 벤조퓨란, 이소벤조퓨란, 디벤조퓨란, 티오펜, 벤조티오펜, 이소벤조티오펜, 디벤조티오펜; 피롤, 인돌, 이소인돌, 카바졸, 피리딘, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 아크리딘, 페난트리딘, 벤조-5,6-퀴놀린, 벤조-6,7-퀴놀린, 벤조-7,8-퀴놀린, 페노티아진, 페녹사진, 피라졸, 인다졸, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 나프토이미다졸, 페난트로이미다졸, 피리도이미다졸, 피라지노이미다졸, 퀴녹살리노이미다졸, 옥사졸, 벤즈옥사졸, 나프토옥사졸, 안트록사졸, 페난트록사졸, 이소옥사졸, 1,2-티아졸, 1,3-티아졸, 벤조티아졸, 피리다진, 벤조피리다진, 피리미딘, 벤조피리미딘, 1,3,5-트리아진, 퀴녹살린, 피라진, 페나진, 나프티리딘, 카보린, 벤조카보린, 페난트롤린, 1,2,3-트리아졸, 1,2,4-트리아졸, 벤조트리아졸, 1,2,3-옥사디아졸, 1,2,4-옥사디아졸, 1,2,5-옥사디아졸, 1,2,3,4-테트라진, 퓨린, 프테리딘, 인돌진 및 벤조티아디아졸, 또는 상기 군의 조합으로부터 유래하는 -기를 포함한다.
본 명세서에 사용된 "고리형"-기 용어는 모노-, 바이- 또는 폴리- 고리형 잔기 중 임의의 것으로서 넓은 범위에서 이해될 수 있다.
본 명세서에 사용된 "알킬"기 용어는 선형, 분지형 또는 고리형 알킬 치환기 중 임의의 것으로서 넓은 범위에서 이해될 수 있다. 구체적으로, "알킬" 용어는 치환기 메틸 (Me), 에틸 (Et), n-프로필 (nPr), i-프로필 (iPr), 사이클로프로필, n-부틸 (nBu), i-부틸 (iBu), s-부틸 (sBu), t-부틸 (tBu), 사이클로부틸, 2-메틸부틸, n-펜틸, s-펜틸, t-펜틸, 2-펜틸, 네오-펜틸, 사이클로펜틸, n-헥실, s-헥실, t-헥실, 2-헥실, 3-헥실, 네오-헥실, 사이클로헥실, 1-메틸사이클로펜틸, 2-메틸펜틸, n-헵틸, 2-헵틸, 3-헵틸, 4-헵틸, 사이클로헵틸, 1-메틸사이클로헥실, n-옥틸, 2-에틸헥실, 사이클로옥틸, 1-바이사이클로[2,2,2]옥틸, 2-바이사이클로[2,2,2]-옥틸, 2-(2,6-디메틸)옥틸, 3-(3,7-디메틸)옥틸, 아다만틸, 2,2,2-트리플루오르에틸, 1,1-디메틸-n-헥스-1-일, 1,1-디메틸-n-헵트-1-일, 1,1-디메틸-n-옥트-1-일, 1,1-디메틸-n-데스-1-일, 1,1-디메틸-n-도데스-1-일, 1,1-디메틸-n-테트라데스-1-일, 1,1-디메틸-n-헥사데스-1-일, 1,1-디메틸-n-옥타데스-1-일, 1,1-디에틸-n-헥스-1-일, 1,1-디에틸-n-헵트-1-일, 1,1-디에틸-n-옥트-1-일, 1,1-디에틸-n-데스-1-일, 1,1-디에틸-n-도데스-1-일, 1,1-디에틸-n-테트라데스-1-일, 1,1-디에틸n-n-헥사데스-1-일, 1,1-디에틸-n-옥타데스-1-일, 1-(n-프로필)-사이클로헥스-1-일, 1-(n-부틸)-사이클로헥스-1-일, 1-(n-헥실)-사이클로헥스-1-일, 1-(n-옥틸)-하이클로헥스-1-일 및 1-(n-데실)-사이클로헥스-1-일을 포함한다..
본 명세서에 사용된 "알케닐" 용어는 선형, 분지형 및 고리형의 알케닐 치환기를 포함한다. 상기 "알케닐"기 용어는 예시적으로 치환기 에테닐, 프로페닐, 부테닐, 펜테닐, 사이클로펜테닐, 헥세닐, 사이클로헥세닐, 헵테닐, 사이클로헵테닐, 옥테닐, 사이클로옥테닐 또는 사이클로옥타디에닐기를 포함한다.
본 명세서에 사용된 "알키닐" 용어는 선형, 분지형 및 고리형의 알키닐 치환기를 포함한다. 상기 "알키닐"기 용어는 예시적으로 에티닐, 프로피닐, 부티닐, 펜티닐, 헥시닐, 펩티닐 또는 옥티닐을 포함한다.
본 명세서에 사용된 "알콕시" 용어는 선형, 분지형 및 고리형의 알콕시 치환기를 포함한다. 상기 "알콕시"기 용어는 예시적으로 메톡시, 에톡시, n-프로폭시, i-프로폭시, n-부톡시, i-부톡시, s-부톡시, t-부톡시 및 2-메틸부톡시를 포함한다.
본 명세서에 사용된 "티오알콕시" 용어는 예시적으로 알콕시기의 O가 S로 치환되는 선형, 분지형 및 고리형의 티오알콕시 치환기를 포함한다.
본 명세서에 사용된 "할로겐" 및 "할로" 용어는 바람직하게는 플루오린 클로린, 또는 아이오딘으로서 넓은 범위에서 이해될 수 있다.
여기서 수소를 언급할 때마다 각각의 경우 중수소로도 치환될 수 있다.
분자 일부가 치환기 또는 다른 잔기에 부착되는 것으로 설명될 때, 그 이름은 마치 일부(예: 나프틸, 디벤조퓨릴) 또는 전체 분자(예: 나프탈렌, 디벤조퓨란)인 것처럼 기재될 수 있다. 여기에 사용된, 치환기 또는 부착된 일부를 나타내는 이러한 여러 방법은 동일한 것으로 간주된다.
일 구현예에서, 본 발명에 따른 유기 분자는 실온에서 10 wt%의 유기 분자를 갖는 폴리(메틸 메타크릴레이트)(PMMA) 막 내에서 150 μs 이하, 100 μs 이하, 특히 50 μs 이하, 보다 바람직하게는 10 μs 이하 또는 7 μs 이하의 여기 상태 수명을 갖는다.
본 발명의 일 구현예에서, 본 발명에 따른 상기 유기 분자는 제1 여기 단일항 상태(S1)와 제1 여기 삼중항 상태(T1) 사이의 에너지 차이인 △EST 값을 보이는 열-활성 지연 형광(TADF) 에미터(emitter)를 나타내고, 그 값은 5000 cm-1 미만, 바람직하게는 3000 cm-1 미만, 보다 바람직하게는 1500 cm-1 미만, 보다 더 바람직하게는 1000 cm-1 미만 또는 심지어 500 cm-1 미만이다.
본 발명의 또 다른 구현예에서, 본 발명에 따른 유기 분자는 실온에서 10 wt%의 유기 분자를 갖는 폴리(메틸 메타크릴레이트)(PMMA) 막 내에서, 가시광선 또는 자외선 가까운 범위, 즉 380 내지 800 nm의 파장 범위에서 방출 피크를 보이며, 반치전폭은 0.50 eV 미만, 바람직하게는 0.48 eV 미만, 보다 바람직하게는 0.45 eV 미만, 보다 더 바람직하게는 0.43 eV 미만 또는 심지어 0.40 eV 미만이다.
본 발명의 또 다른 구현예에서, 본 발명에 따른 유기 분자는 % 단위의 광루미네선스 양자 수율(PLQY)을 방출된 빛의 CIEy 색 좌표로 나누어 계산한 "청색 원료 지수"(BMI)를 가지며, 그 값은 150 이상, 특히 200 이상, 바람직하게는 250 이상, 보다 바람직하게는 300 이상 또는 심지어 500 이상이다.
본 발명의 추가적인 구현예에서, 본 발명에 따른 유기 분자는 에너지 EHOMO를 갖는 최고준위 점유 분자 궤도를 갖는데, 그 에너지는 -6.1 eV보다 크고, 바람직하게는 -6.0 eV보다 크며, 보다 바람직하게는 내지 -5.9 eV 또는 심지어 -5.8 eV보다 크다.
궤도 및 여기 상태 에너지는 실험적 방법 또는 양자-화학적 방법을 이용하는 계산, 특히 밀도 함수 이론 계산에 의해 결정될 수 있다. 최고준위 점유 분자궤도 EHOMO의 에너지는 0.1 eV의 정확도를 갖는 순환 전압 전류법으로 측정하여 당업자에게 알려진 방법에 의해 결정된다. 최저준위 점유 분자궤도 ELUMO의 에너지는 흡수 스펙트럼의 시작으로서 결정된다.
흡수 스펙트럼의 시작은 흡수 스펙트럼의 접선과 x축의 교차점을 계산하여 결정된다. 흡수 스펙트럼의 접선은 흡수 대역의 저 에너지측 및 흡수 스펙트럼의 최고 강도의 반치 지점에서 설정된다.
첫 번째 여기된 삼중항 상태 T1의 에너지는 저온, 일반적으로 77 K에서 방출 스펙트럼의 시작으로부터 결정된다. 첫 번째 여기된 단일항 상태 및 최저준위 삼중항 상태가 > 0.4 eV만큼 에너지적으로 분리되는 호스트 화합물의 경우, 인광은 보통 2-Me-THF, 정상 상태 스펙트럼에서 보인다. 따라서, 상기 삼중항 에너지는 인광 스펙트럼의 시작에 따라 결정될 수 있다. TADF 에미터 분자의 경우, 첫 번째 여기된 삼중항 상태 T1의 에너지는 77 K에서 지연 방출 스펙트럼의 시작으로부터 결정되고, 만약 다른 언급이 없다면 에미터의 중량이 10%인 PMMA의 막에서 측정된다. 호스트 및 에미터 화합물 모두는, 첫 번째 여기된 단일항 상태 S1의 에너지는 방출 스펙트럼의 시작으로부터 결정되고, 만약 다른 언급이 없다면 호스트 또는 에미터 화합물의 중량이 10%인 PMMA의 막에서 측정된다. 방출 스펙트럼의 시작은 방출 스펙트럼의 접선과 x축의 교차점을 계산하여 결정된다. 상기 방출 스펙트럼의 접선은 방출 대역의 고에너지측, 즉 높은 에너지 값에서 낮은 에너지 값으로 이동함으로써 방출 대역이 상승하는 지점 및 방출 스펙트럼의 최대 에너지의 반값에서 설정된다.
본 발명의 또 다른 양태는, 2-(Hala-치환 플루오로페닐)-4,6-RN-1,3,5-트라아진이 다음과 같이 반응물로서 사용되는 본 발명에 따른 유기 분자를 제조하는 방법(임의적인 후속 반응 포함)에 관한 것이다:
본 발명에 따르면, 본 발명에 따른 유기 분자의 합성 반응에서 (임의의 후속 반응 포함) 보론산 에스테르(boronic acid ester)가 보론산 대신에 사용될 수 있다.
일반적으로, Pd2(dba)3 (트리스(디벤질리덴아세톤)디팔라듐(0))이 Pd 촉매로서 사용되지만, 대안들이 당업계에 알려져 있다. 예를 들어, 리간드는 에스-포스 ([2-디시클로헥실포시노-2',6'-디메톡시-1,1'-비페닐]; 또는 에스포스), 엑스-포스 (2-(디시클로헥실포스피노)-2'',4'',6''-트리이소프로필비페닐; 또는 엑스포스), 및 P(Cy)3 (트리시클로헥실포스핀)으로 이루어지는 군으로부터 선택될 수 있다. 염(salt)은, 예를 들어, 삼 염기성 인산 칼륨 및 아세트산 칼륨으로부터 선택되며, 용매는 톨루엔 또는 디옥산과 같은 순수 용매이거나 톨루엔/디옥산/물 또는 디옥산/톨루엔과 같은 혼합물일 수 있다. 당업자는 Pd 촉매, 리간드, 염 및 용매의 어떤 조합이 고 반응 수율을 생성하는지 결정할 수 있다.
E0-0을 상업적으로 이용할 수 없는 경우, 대응하는 보론산 피나콜 에스테르를 다음 반응식에 따라 합성할 수 있다:
E0은 다음의 합성 루트를 통해 합성할 수 있다:
대안적으로, 본 발명에 따른 유기 분자(임의의 후속 반응 포함)는 다음의 합성 루트를 통해 합성할 수 있다(E ALT 가 반응물로서 사용됨):
대안적으로, Z0은 다음의 합성 루트를 통해 합성할 수 있다((RS)3L-페닐보론산 또는 -에스테르가 반응물로서 사용됨):
대안적으로, 유기 분자는 다음과 같이 만들 수 있다:
다른 합성 방법은, 아릴 할라이드 또는 아릴 슈도할라이드, 바람직하게는 아릴 브로마이드, 아릴 아이오다이드, 아릴 트리플레이트 또는 아릴 토실레이트에 구리- 또는 팔라듐- 촉매 결합을 통한 질소 헤테로사이클의 도입을 포함한다.
친핵성 방향족 치환에서 질소 헤테로사이클을 아릴 할라이드, 바람직하게는 아릴 플루오라이드와 반응시킬 때의 전형적인 조건은, 디메틸 설폭사이드(DMSO) 또는 N,N-디메틸포름아미드(DMF)와 같은 비양성자성 극성용매 내에서 3염기 인산칼륨 또는 수소화나트륨과 같은 염기의 사용을 포함한다.
본 발명의 또 다른 양태는, 광전자 장치에서 발광 에미터 또는 흡수재 및/또는 호스트 재료 및/또는 전자 수송 재료 및/또는 홀정공 주입 재료 및/또는 홀정공 차단 재료로서 본 발명에 따른 유기 분자의 용도에 관한 것이다.
상기 광전자 장치는, 가장 넓은 의미로는, 가시광선 또는 자외선(UV) 가까운 범위, 즉 380 내지 800 nm의 파장 범위에서 빛을 방출하기에 적합한 유기 물질을 기초로 한 임의의 장치로서 이해될 수 있다. 더 바람직하게는, 광전자 장치는 400 내지 800 nm의 가시 범위에서 빛을 방출할 수 있다.
이러한 용도의 맥락에 있어서, 상기 광전자 장치는 특히,
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유기 발광 다이오드 (OLEDs),
·
발광 전기화학 전지,
·
OLED 센서(특히, 밀봉 차폐되지 않은 기체 및 증기 센서),
·
유기 다이오드,
·
유기 태양전지,
·
유기 트랜지스터,
·
유기 전계-효과 트랜지스터,
·
유기 레이저 및
·
하향-변환 소자로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
이와 같은 용도의 바람직한 구현예에서, 상기 광전자 장치는 유기 발광 다이오드(OLED), 발광 전기화학 전지(LEC) 및 발광 트랜지스터로 이루어지는 군으로부터 선택된 장치이다.
상기 용도의 경우, 광전자 장치, 특히 OLED에서의 방출층에서 본 발명에 따른 유기 분자의 분율은 1 내지 99 wt%, 보다 구체적으로 5 내지 80 wt%이다. 또 다른 구현예에서, 방출층에서의 상기 유기 분자의 분율은 100 wt%이다.
일 구현예에서, 상기 발광층은 본 발명에 따른 유기 분자뿐만 아니라 삼중항 (T1) 및 단일항 (S1) 에너지 준위가 상기 유기 분자의 삼중항 (T1) 및 단일항 (S1)보다 에너지적으로 더 높은 호스트 재료를 포함한다.
본 발명의 또 다른 양태는
(a)
본 발명에 따른 적어도 하나의 유기 분자(특히, 에미터 및/또는 호스트 형태의 유기 분자),
(b)
본 발명에 따른 유기 분자와 다른 하나 이상의 에미터 및/또는 호스트 재료, 및
(c)
선택적인 하나 이상의 염료 및/또는 하나 이상의 용매를 포함하거나 이들로 이루어지는 조성물에 관한 것이다.
일 구현예에서, 상기 발광층은
(a)
본 발명에 따른 적어도 하나의 유기 분자(특히, 에미터 및/또는 호스트 형태의 유기 분자),
(b)
본 발명에 따른 유기 분자와 다른 하나 이상의 에미터 및/또는 호스트 재료, 및
(c)
선택적인 하나 이상의 염료 및/또는 하나 이상의 용매를 포함하거나 이들로 이루어지는 조성물을 포함한다.
특히, 바람직하게는 상기 발광층 EML은
(i)
1 내지 50 wt%, 바람직하게는 5 내지 40 wt%, 보다 구체적으로는 10 내지 30 wt%의 본 발명에 따른 하나 이상의 유기 분자;
(ii)
5 내지 99 wt%, 바람직하게는 30 내지 94.9 wt%, 보다 구체적으로는 40 내지 89 wt%의 적어도 하나의 호스트 화합물 H;
(iii)
선택적으로, 0 내지 94 wt%, 바람직하게는 0.1 내지 65 wt%, 보다 구체적으로는 1 내지 50 wt%의 본 발명에 따른 분자의 구조와 상이한 구조를 갖는 적어도 하나의 추가적인 호스트 화합물 D;
(iv)
선택적으로, 0 내지 94 wt%, 바람직하게는 0 내지 65 wt%, 보다 구체적으로는 0 내지 50 wt%의 용매; 및
(v)
선택적으로 0 내지 30 wt%, 보다 구체적으로는 0 내지 20 wt%, 바람직하게는 0 내지 5 wt%의 본 발명에 따른 분자의 구조와 상이한 구조를 갖는 적어도 하나의 추가적인 에미터 분자 F를 갖거나 이로 이루어지는 조성물을 포함한다(또는 조성물로 (필수적으로) 이루어진다).
바람직하게는, 에너지는 호스트 화합물 H로부터 본 발명에 따른 하나 이상의 유기 분자로 이동될 수 있으며, 특히 호스트 화합물 H의 첫 번째 여기된 3중항 상태 T1(H)으로부터 본 발명에 따른 하나 이상의 유기 분자의 첫 번째 여기된 삼중항 상태 T1(E)으로, 및/또는 호스트 화합물 H의 첫 번째 여기된 단일항 상태 S1(H)으로부터 본 발명에 따른 하나 이상의 유기 분자의 첫 번째 여기된 단일항 상태 S1(E)으로 이동될 수 있다.
또 다른 구현예에서, 상기 발광층 EML은
(i)
1 내지 50 wt%, 바람직하게는 5 내지 40 wt%, 보다 구체적으로는 10 내지 30 wt%의 본 발명에 따른 하나 이상의 유기 분자;
(ii)
5 내지 99 wt%, 바람직하게는 30 내지 94.9 wt%, 보다 구체적으로는 40 내지 89 wt%의 하나의 호스트 화합물 H;
(iii)
선택적으로 0 내지 94 wt%, 바람직하게는 0.1 내지 65 wt%, 보다 구체적으로는 1 내지 50 wt%의 본 발명에 따른 분자의 구조와 상이한 구조를 갖는 적어도 하나의 추가적인 호스트 화합물 D;
(iv)
선택적으로, 0 내지 94 wt%, 바람직하게는 0 내지 65 wt%, 보다 구체적으로는 0 내지 50 wt%의 용매; 및
(v)
선택적으로 0 내지 30 wt%, 보다 구체적으로는 0 내지 20 wt%, 바람직하게는 0 내지 5 wt%의 본 발명에 따른 분자의 구조와 상이한 구조를 갖는 적어도 하나의 추가적인 에미터 분자 F를 갖거나 이로 이루어지는 조성물을 포함한다(또는 조성물로 (필수적으로) 이루어진다).
일 구현예에서, 상기 호스트 화합물 H는 -5 내지 -6.5 eV 범위에서 에너지 EHOMO (H)를 갖는 최고준위 점유 분자 궤도 HOMO(H)를 가지며, 적어도 하나의 추가적인 호스트 화합물 D는 에너지 EHOMO(D)를 갖는 최고준위 점유 분자 궤도 HOMO(D)를 가지며, 여기서 EHOMO(H) > EHOMO(D)이다.
또 다른 구현예에서, 상기 호스트 화합물 H는 에너지 ELUMO(H)를 갖는 최저준위 점유 분자 궤도 LUMO(H)를 가지며, 적어도 하나의 추가적인 호스트 화합물 D는 에너지 ELUMO(D)를 갖는 최저준위 점유 분자 궤도 LUMO(D)를 가지며, 여기서 ELUMO(H) > ELUMO(D)이다.
일 구현예에서, 상기 호스트 화합물 H는 에너지 EHOMO(H)를 갖는 최고준위 점유 분자 궤도 HOMO(H) 및 에너지 ELUMO(H)를 갖는 최저준위 점유 분자 궤도 LUMO(H)를 가지며,
적어도 하나의 추가적인 호스트 화합물 D는 에너지 EHOMO(D)를 갖는 최고준위 점유 분자 궤도 HOMO(D) 및 에너지 ELUMO(D)를 갖는 최저준위 점유 분자 궤도 LUMO(D)를 가지며,
본 발명에 따른 유기 분자는 에너지 EHOMO(E)를 갖는 최고준위 점유 분자 궤도 HOMO(E) 및 에너지 ELUMO(E)를 갖는 최저준위 점유 분자 궤도 LUMO(E)를 가지며,
EHOMO(H) > EHOMO(D)이고, 본 발명에 따른 유기 분자의 최고준위 점유 분자 궤도 HOMO(E)의 에너지 준위(EHOMO (E))와 호스트 화합물 H의 최고준위 점유 분자 궤도 HOMO(H)의 에너지 준위(EHOMO(H)) 사이의 에너지 차이는 -0.5 eV 내지 0.5 eV, 보다 바람직하게는 -0.3 eV 내지 0.3 eV, 보다 더 바람직하게는 -0.2 eV 내지 0.2 eV 또는 심지어 -0.1 eV 내지 0.1 eV 사이이며,
ELUMO(H) > ELUMO(D)이고, 본 발명에 따른 유기 분자의 최저준위 점유 분자 궤도 LUMO(E)의 에너지 준위(ELUMO(E))와 적어도 하나의 추가적인 호스트 화합물 D의 최저준위 점유 분자 궤도 LUMO(D)의 에너지 준위(ELUMO(D)) 사이의 에너지 차이는 -0.5 eV 내지 0.5 eV, 보다 바람직하게는 -0.3 eV 내지 0.3 eV, 더욱 바람직하게는 -0.2 eV 내지 0.2 eV 또는 심지어 -0.1 eV 내지 0.1 eV 사이이다.
또 다른 양태에서, 본 발명은 유기 분자 또는 여기서 기술한 타입의 조성물을 포함하는 광전자 장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 유기 발광 다이오드(OLED), 발광 전기화학 전지, OLED 센서(특히, 밀봉 차폐되지 않은 기체 및 증기 센서), 유기 다이오드, 유기 태양 전지, 유기 트랜지스터, 유기 전계-효과 트랜지스터, 유기 레이저 및 하향-변환 소자로 이루어지는 군으로부터 선택된 장치에 관한 것이다.
바람직한 구현예에 있어서, 상기 광전자 장치는 유기 발광 다이오드(OLED), 발광 전기화학 전지(LEC) 및 발광 트랜지스터로 이루어지는 군으로부터 선택된 장치이다.
본 발명의 광전자 장치의 일 구현예에서, 본 발명에 따른 유기 분자는 발광층 EML에서 방출 재료로서 사용된다.
본 발명의 광전자 장치의 일 구현예에서, 상기 발광층 EML은 여기서 기술한 본 발명에 따른 조성물로 이루어진다.
예시적으로, 상기 광전자 장치가 OLED일 때, 다음의 층 구조를 나타낼 수 있다:
1.
기판
2.
애노드(anode)층 A
3.
홀정공 주입층, HIL
4.
홀정공 수송층, HTL
5.
전자 차단층, EBL
6.
발광층, EML
7.
홀정공 차단층, HBL
8.
전자 수송층, ETL
9.
전자 주입층, EIL
10.
캐소드(cathode)층
(OLED는 HIL, HTL, EBL, HBL, ETL 및 EIL로 이루어지는 군으로부터 선택된 각각의 층을 포함하고, 단지 선택적으로는, 상이한 층이 병합될 수 있고, OLED는 상기 정의된 각각의 층으로 이루어진 하나 이상의 층을 포함할 수 있음).
또한, 상기 광전자 장치는, 예를 들어, 습기, 증기 및/또는 가스를 포함하는 환경에서 유해한 종으로부터 노출에 대한 손상을 방지하는 장치를 보호하기 위한, 하나 이상의 보호층을 선택적으로 포함할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 광전자 장치는 다음의 역전된 층 구조를 나타내는 OLED이다:
1.
기판
2.
캐소드(cathode)층
3.
전자 주입층, EIL
4.
전자 수송층, ETL
5.
홀정공 차단층, HBL
6.
발광층, EML
7.
전자 차단층, EBL
8.
홀정공 운반층, HTL
9.
홀정공 주입층, HIL
10.
애노드(anode)층 A
(역전된 층 구조를 갖는 OLED는 HIL, HTL, EBL, HBL, ETL 및 EIL로 이루어지는 군으로부터 선택된 각각의 층을 포함하고, 단지 선택적으로는, 상이한 층이 병합될 수 있고, OLED는 상기 정의된 각각의 층으로 이루어진 하나 이상의 층을 포함할 수 있음).
본 발명의 일 구현예에서, 상기 광전자 장치는 적층된 구조를 나타낼 수 있는 OLED이다. 이 구조에서, OLED가 옆으로 나란히 배치되는 전형적인 배열과 달리 각각의 소자는 서로 위아래로 적층된다. 혼합된 빛은 적층 구조를 나타내는 OLED로 생성될 수 있고, 특히 백색광은 청색, 녹색 및 적색 OLED를 적층하여 생성될 수 있다. 또한, 적층 구조를 나타내는 상기 OLED는 전형적으로 2개의 OLED 서브유닛들 사이에 위치하고, 전형적으로 애노드층에 더 가까이 위치하는 하나의 전하 생성층 CGL의 n-도핑된 층을 갖는 n-도핑 및 p-도핑된 층으로 이루어지는 전하 생성층(CGL)을 선택적으로 포함할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 광전자 장치는 애노드와 캐소드 사이에 2개 이상의 발광층을 포함하는 OLED이다. 특히, 소위 탠덤(tandem) OLED로 불리는 상기 OLED는 3개의 방출층(적색광을 방출하는 방출층, 녹색광을 방출하는 방출층 및 청색광을 방출하는 방출층)을 포함하고, 각각의 방출층 사이에서 전하 생성층, 차단층 또는 수송층과 같은 추가의 층을 선택적으로 포함할 수 있다. 또 다른 구현예에서, 상기 방출층은 인접하여 적층된다. 또 다른 구현예에서, 상기 탠덤 OLED는 각각의 두 방출층 사이에 전하 생성층을 포함한다. 또한, 전하 생성층에 의해 분리된 인접한 방출층 또는 각각의 방출층은 합쳐질 수 있다.
상기 기판은 임의의 재료 또는 재료의 조성물로 형성될 수 있다. 유리 슬라이드가 기판으로 가장 자주 사용된다. 대안으로, 박막 금속층(예를 들어, 구리, 금, 은 또는 알루미늄 막), 또는 플라스틱 막 또는 슬라이드가 사용될 수 있다. 이는 가요성을 향상시킨다. 상기 애노드층 A는 (필수적으로) 투명한 막을 수득할 수 있는 재료로 대부분 이루어진다. 상기 OLED에서 빛이 방출되기 위해서는, 두 전극 중 적어도 하나는 (필수적으로) 투명해야 하므로, 상기 애노드층 A 또는 상기 캐소드층 C 중 하나는 투명하다. 바람직하게, 상기 애노드층 A는 높은 함량의 투명 전도성 산화물(TCOs)을 포함하거나 또는 이로 이루어진다. 이러한 애노드층 A는, 예를 들어, 산화 인듐 주석, 산화 알루미늄 아연, 플루오린이 도핑된 산화 주석, 산화 인듐 아연, PbO, SnO, 산화 지르코늄, 산화 몰리브덴, 산화 바나듐, 산화 볼프람, 그레파이트, 도핑된 Si, 도핑된 Ge, 도핑된 GaAs, 도핑된 폴리아닐린, 도핑된 폴리피롤 및/또는 도핑된 폴리티오펜을 포함한다.
특히, 바람직하게는, 애노드층 A는 (필수적으로) 산화 인듐 주석(ITO)(예: (InO3)0.9(SnO2)0.1)로 이루어진다. 상기 투명 전도성 산화물(TCO)에 의한 애노드층 A의 거칠기는 홀정공 주입층 (HIL)을 사용하여 보완할 수 있다. 또한, 준 전하 캐리어의 TCO로부터 홀정공 수송층 (HTL)으로의 수송이 용이해진다는 점에서 상기 HIL은 준 전하 캐리어(즉, 홀정공)의 주입을 용이하게 할 수 있다. 상기 홀정공 주입층(HIL)은 폴리-3,4-에틸렌디옥시티오펜(PEDOT), 폴리스티렌설포네이트(PSS), MoO2, V2O5, CuPC 또는 CuI, 특히 PEDOT와 PSS의 혼합물을 포함할 수 있다. 상기 홀정공 주입층(HIL)은 또한 상기 애노드층 A로부터 홀정공 수송층(HTL) 내로의 금속 확산을 방지할 수 있다. 상기 HIL은, 예를 들어, PEDOT:PSS (폴리-3,4-에틸렌디옥시티오펜:폴리스티렌설포네이트), PEDOT (폴리-3,4-에틸렌디옥시티오펜), mMTDATA (4,4′,4′'′'-트리스[페닐(m-톨릴)아미노]트리페닐아민), 스피로-TAD (2,2′,7,7′'-테트라키스(n,n-디페닐아미노)-9,9'-스피로바이플루오렌), DNTPD (N1,N1'-(바이페닐-4,4'-다이일)비스(N1-페닐-N4,N4-다이-m-톨릴벤젠-1,4-다이아민), NPB (N,N'-비스-(1-나프탈레닐)-N,N'-비스-페닐-(1,1'-바이페닐)-4,4'-디아민), NPNPB (N,N'-디페닐-N,N'-디-[4-(N,N-디페닐-아미노)페닐]벤지딘), MeO-TPD (N,N,N′,N′'-테트라키스(4-메톡시페닐)벤지딘), HAT-CN (1,4,5,8,9,11-헥사아자트리페닐렌-헥사카보니트릴), 및/또는 스피로-NPD (N,N′'-디페닐-N,N′'-비스-(1-나프틸)-9,9′'-스피로바이플루오렌-2,7-디아민)을 포함한다.
상기 애노드층 A 또는 홀정공 주입층(HIL)에 인접하여 전형적으로 홀정공 수송층(HTL)이 위치한다. 여기서, 임의의 홀정공 수송 화합물이 사용될 수 있다. 예시적으로, 트리아릴아민 및/또는 카바졸과 같이 전자가 풍부한 헤테로방향족 화합물은 홀정공 수송 화합물로 사용될 수 있다. 상기 HTL은 상기 애노드층 A와 상기 발광층 EML 사이의 에너지 장벽을 감소시킬 수 있다. 상기 홀정공 수송층(HTL)은 또한 전자 차단층(EBL)일 수 있다. 바람직하게는, 홀정공 수송 화합물은 그것의 삼중항 상태 T1의 비교적 높은 에너지 준위를 갖는다. 예시적으로 상기 홀정공 운반층(HTL)은 트리스(4-카바졸일-9-일페닐)아민 (TCTA), 폴리-TPD (폴리(4-부틸페닐-디페닐-아민)), [알파]-NPD (폴리(4-부틸페닐-디페닐-아민)), TAPC (4,4'-사이클로헥실리덴-비스[N,N-비스(4-메틸페닐)벤젠아민]), 2-TNATA (4,4′,4′'′'-트리스[2-나프틸(페닐)아미노]트리페닐아민), 스피로-TAD, DNTPD, NPB, NPNPB, MeO-TPD, HAT-CN 및/또는 트리스Pcz (9,9'-디페닐-6-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)-9H,9'H-3,3'-바이카바졸)와 같은 별 모양의 헤테로사이클을 포함할 수 있다. 또한, 상기 HTL은 유기 홀정공 수송 매트릭스 내에서 무기 또는 유기 도펀트(dopant)로 이루어지는 p-도핑된 층을 포함할 수 있다. 산화 바나듐, 산화 몰리브덴 또는 산화 텅스텐과 같은 전이금속 산화물을 무기 도펀트의 예시로 사용할 수 있다. 테트라플루오로테트라사이아노퀴노디메탄(F4-TCNQ), 구리 펜타플루오로벤조에이트(Cu(I)pFBz) 또는 전이금속 복합체를 유기 도펀트의 예시로 사용할 수 있다.
상기 EBL은, mCP (1,3-비스 (카바졸-9-일)벤젠), TCTA, 2-TNATA, mCBP (3,3-디(9H-카바졸-9-일)비페닐), SiMCP (3,5-디(9H-카바졸-9-일)페닐]트리페닐실란), DPEPO, 트리스-Pcz, CzSi (9-(4-tert-부틸페닐)-3,6-비스(트리페닐실릴)-9H-카바졸) 및/또는 DCB (N,N'-디카바졸릴-1,4-디메틸벤젠)을 예시적으로 포함할 수 있다.
상기 홀정공 수송층(HTL)에 인접하여, 전형적으로, 상기 발광층 EML이 위치한다. 상기 발광층 EML은 적어도 하나의 발광 분자를 포함한다. 특히, 상기 EML은 본 발명에 따른 적어도 하나의 발광 분자를 포함한다. 일 구현예에서, 상기 발광층은 본 발명에 따른 상기 유기 분자만을 포함한다. 전형적으로, 상기 EML은 추가적으로 하나 이상의 호스트 재료를 포함한다. 예시적으로, 상기 호스트 재료는 CBP (4,4'-비스-(N-카바졸릴)-바이페닐), mCP, mCBP, Sif87 (디벤조[b,d]티오펜-2-일트리페닐실란), CzSi, SimCP ([3,5-디(9H-카바졸-9-yl)페닐]트리페닐실란), Sif88 (디벤조[b,d]티오펜-2-일)디페닐실란), DPEPO (비스[2-(디페닐포스피노)페닐] 에터 옥사이드), 9-[3-(디벤조퓨란-2-일)페닐]-9H-카바졸, 9-[3-(디벤조퓨란-2-일)페닐]-9H-카바졸, 9-[3-(디벤조티오펜-2-일)페닐]-9H-카바졸, 9-[3,5-비스(2-디벤조퓨라닐)페닐]-9H-카바졸, 9-[3,5-비스(2-디벤조티오페닐)페닐]-9H-카바졸, T2T (2,4,6-트리스(바이페닐-3-일)-1,3,5-트리아진), T3T (2,4,6-트리스(트리페닐-3-일)-1,3,5-트리아진) 및/또는 TST (2,4,6-트리스(9,9′'-스피로바이플루오렌-2-일)-1,3,5-트리아진)로부터 선택된다. 상기 호스트 재료는 상기 유기 분자의 제1 삼중항(T1) 및 제1 단일항(S1) 에너지 준위보다 에너지적으로 더 높은 제1 삼중항(T1) 및 제1 단일항(S1) 에너지 준위를 나타내기 위해 전형적으로 선택되어야 한다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 EML은 적어도 하나의 홀정공-우성 호스트 및 전자-우성 호스트를 갖는 소위 혼합-호스트 시스템(mixed-host system)을 포함한다. 특정 구현예에서, 상기 EML은 본 발명에 따른 정확히 하나의 발광 분자와, 전자-우성 호스트로서의 T2T, 및 홀정공-우성 호스트로서의 CBP, mCP, mCBP, 9-[3-(디벤조퓨란-2-일)페닐]-9H-카바졸, 9-[3-(디 벤조퓨란-2-일)페닐]-9H-카바졸, 9-[3-(디벤조티오펜-2-일)페닐]-9H-카바졸, 9-[3,5-비스(2-디벤조 퓨라닐)페닐]-9H-카바졸 및 9-[3,5-비스(2-디벤조티오페닐)페닐]-9H-카바졸로부터 선택된 호스트로 이루어지는 혼합-호스트 시스템을 포함한다. 또 다른 구현예에서, 상기 EML은 50 내지 80 wt%, 바람직하게는 60 내지 75 wt%의 CBP, mCP, mCBP, 9-[3-(디벤조퓨란-2-일)페닐]-9H-카바졸, 9-[3-(디벤조퓨란-2-일)페닐]-9H-카바졸, 9-[3-(디벤조티오펜-2-일)페닐]-9H-카바졸, 9-[3,5-비스(2-디벤조퓨라닐)페닐]-9H-카바졸 및 9-[3,5-비스(2-디벤조티오페닐)페닐]-9H-카바졸로부터 선택되는 호스트; 10 내지 45 wt%, 바람직하게는 15 내지 30 wt%의 T2T; 및 5 내지 40 wt%, 바람직하게는 10 내지 30 wt%의 본 발명에 따른 발광 분자를 포함한다.
상기 발광층 EML에 인접하여 전자 수송층(ETL)이 위치할 수 있다. 여기서, 임의의 전자 수송체가 사용될 수 있다. 예시적으로, 벤즈이미다졸, 피리딘, 트리아졸, 옥사디아졸 (예: 1,3,4- 옥사디아졸), 포스핀옥사이드 및 술폰과 같은 전자가 거의 없는 화합물이 사용될 수 있다. 전자 수송체는 또한 1,3,5-트리(1-페닐-1H-벤조[d]이미다졸-2-일)페닐(TPBi)과 같은 별 모양의 헤테로사이클 일 수 있다. 상기 ETL은 NBphen (2,9-비스(나프탈렌-2-일)-4,7-디페닐-1,10-페난트롤린), Alq3 (알루미늄-트리스(8-하이드록시퀴놀린)), TSPO1 (디페닐-4-트리페닐실릴페닐-포스피녹사이드), BPyTP2 (2,7-디(2,2'-바이피리딘-5-일)트리페닐), Sif87 (디벤조[b,d]티오펜-2-일트리페닐실란), Sif88 (디벤조[b,d]티오펜-2-일)디페닐실란), BmPyPhB (1,3-비스[3,5-디(피리딘-3-일)페닐]벤젠) 및/또는 BTB (4,4'-비스-[2-(4,6-디페닐-1,3,5-트리아진일)]-1,1'-바이페닐)을 포함할 수 있다. 선택적으로, 상기 ETL은 Liq와 같은 물질로 도핑될 수 있다. 상기 전자 수송층(ETL)은 또한 홀정공을 차단할 수 있거나 홀정공 차단층(HBL)이 도입될 수 있다.
상기 HBL은, BCP (2,9-디메틸-4,7-디페닐-1,10- 페난트롤린 = 바토커프로인), BAlq (비스(8-하이드록시-2-메틸퀴놀린)-(4-페닐페녹시)알루미늄), NBphen (2,9-비스(나프탈렌-2-일)-4,7-디페닐-1,10-페난트롤린), Alq3 (알루미늄-트리스(8-하이드록시퀴놀린)), TSPO1 (디페닐-4-트리페닐실릴페닐-포스피녹사이드), T2T (2,4,6-트리스(바이페닐-3-일)-1,3,5-트리아진), T3T (2,4,6-트리스(트리페닐-3-일)-1,3,5-트리아진), TST (2,4,6-트리스(9,9'-스피로바이플루오렌-2-일)-1,3,5-트리아진) 및/또는 TCB/TCP (1,3,5-트리스(N-카바졸릴)벤졸/1,3,5-트리스(카바졸)-9-일)벤젠)를 예시로 포함할 수 있다.
상기 전자 수송층(ETL)에 인접하여 캐소드층 C가 위치할 수 있다. 예시적으로, 상기 캐소드층 C는 금속(예: Al, Au, Ag, Pt, Cu, Zn, Ni, Fe, Pb, LiF, Ca, Ba, Mg, In, W, 또는 Pd) 또는 금속 합금을 포함하거나 이들로 이루어질 수 있다. 실질적인 이유로, 상기 캐소드층은 Mg, Ca 또는 Al과 같은 (필수적으로) 불투명 금속으로 이루어질 수도 있다. 대안적으로 또는 추가적으로, 상기 캐소드층 C는 흑연 및/또는 탄소 나노튜브(CNT)를 포함할 수도 있다. 대안적으로, 상기 캐소드층 C는 나노-스케일의 은 전선으로 이루어질 수도 있다.
OLED는 상기 전자 수송층(ETL)과 상기 캐소드층 C(전자 주입층(EIL)으로 지칭될 수 있음) 사이에 보호층을 선택적으로 더 포함할 수 있다. 이 층은 리튬 플루오라이드, 세슘 플루오라이드, 은, Liq(8-하이드록시퀴놀리놀라토리튬), Li2O, BaF2, MgO 및/또는 NaF를 포함할 수 있다.
선택적으로, 상기 전자 수송층(ETL) 및/또는 홀정공 차단층(HBL)은 하나 이상의 호스트 화합물을 포함할 수도 있다.
상기 발광층 EML의 방출 스펙트럼 및/또는 흡수 스펙트럼을 추가로 변경하기 위해, 상기 발광층 EML은 하나 이상의 추가 에미터 분자 F를 더 포함할 수 있다. 이러한 에미터 분자 F는 당업계에 알려진 임의의 에미터 분자 일 수 있다. 바람직하게는, 이러한 에미터 분자 F는 본 발명에 따른 분자의 구조와 다른 구조를 갖는 분자이다. 상기 에미터 분자 F는 선택적으로 TADF 에미터일 수 있다. 대안적으로, 상기 에미터 분자 F는 선택적으로 발광층 EML의 방출 스펙트럼 및/또는 흡수 스펙트럼을 변경할 수 있는 형광 및/또는 인광 에미터 분자 일 수 있다. 예시적으로, 상기 삼중항 및/또는 단일항 여기자(exciton)는 본 발명에 따른 에미터 분자로부터 에미터 분자 E에 의해 방출된 빛과 비교하여 전형적으로 적색-편이된(red-shifted) 빛을 방출함으로써 바닥 상태 S0로 완화되기 이전에 에미터 분자 F로 전달 될 수 있다. 선택적으로, 상기 에미터 분자 F는 또한 2-광자 효과(즉, 최대 흡수 에너지 절반의 광자 두 개의 흡수)를 유발할 수 있다.
선택적으로, 광전자 장치(예: OLED)는 필수적으로 백색 광전자 장치일 수 있다. 예를 들어, 이러한 백색 광전자 장치는 적어도 하나의 (진한) 청색 에미터 분자 및 녹색 및/또는 적색광을 방출하는 하나 이상의 에미터 분자를 포함할 수 있다. 이 때, 상기 기술한 바와 같이 둘 이상의 분자 사이에 선택적으로 에너지 투과가 있을 수도 있다.
여기서 사용된 바와 같이, 특정 맥락에서 좀 더 구체적으로 정의되지 않으면, 방출된 및/또는 흡수된 빛의 색 지정은 다음과 같다:
보라색:
>380-420 nm의 파장 범위;
진한 청색:
>420-480 nm의 파장 범위;
하늘색:
>480-500 nm의 파장 범위;
녹색:
>500-560 nm의 파장 범위;
노랑색:
>560-580 nm의 파장 범위;
주황색:
>580-620 nm의 파장 범위;
적색:
>620-800 nm의 파장 범위.
에미터 분자와 관련하여, 이러한 색은 최대 방출을 의미한다. 따라서, 예시적으로, 진한 청색 에미터는 >420 내지 480 nm의 범위에서 최대 방출을 보이며, 하늘색 에미터는 >480 내지 500 nm의 범위에서 최대 방출을 보이며, 녹색 에미터는 >500 내지 560 nm의 범위에서 최대 방출을 보이며, 적색 에미터는 >620 내지 800 nm의 범위에서 최대 방출을 보인다.
진한 청색 에미터는, 바람직하게는 480 nm 이하에서 최대 방출을 보일 수 있으며, 더 바람직하게는 470 nm 이하, 보다 더 바람직하게는 465 nm 또는 심지어 460 nm 이하에서 최대 방출을 할 수 있다. 또한, 진한 청색 에미터는 전형적으로는 420 nm 이상, 바람직하게는 430 nm 이상, 더 바람직하게는 440 nm 또는 심지어 450 nm 이상에서 최대 방출을 할 수 있다.
따라서, 본 발명의 또 다른 양태는 1000 cd/m2에서 외부 양자 효율이 8% 이상, 보다 바람직하게는 10% 이상, 보다 더 바람직하게는 13% 이상, 더욱 더 바람직하게는 15% 이상 또는 심지어 20% 이상을 나타내고/나타내거나, 420 nm 내지 500 nm, 바람직하게는 430 nm 내지 490 nm, 보다 바람직하게는 440 nm 내지 480 nm, 보다 더 바람직하게는 450 nm 내지 470 nm 사이에서 최대 방출을 나타내고/나타내거나, 500 cd/m2에서 LT80 값이 100 시간 이상, 바람직하게는 200 시간 이상, 보다 바람직하게는 400 시간 이상, 보다 더 바람직하게는 750 시간 이상 또는 심지어 1000 시간 이상을 나타내는 OLED에 관한 것이다. 따라서, 본 발명의 또 다른 양태는 0.45 미만, 바람직하게는 0.30 미만, 보다 바람직하게는 0.20 미만 또는 보다 더 바람직하게는 0.15 미만 또는 심지어 0.10 미만의 CIEy 색 좌표를 나타내는 OLED에 관한 것이다.
본 발명의 또 다른 양태는, 뚜렷한 색 점에서 빛을 방출하는 OLED에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 상기 OLED는 좁은 방출 대역(작은 반치전폭 (FWHM))을 갖는 빛을 방출한다. 일 양태에서, 본 발명에 따른 상기 OLED는 0.50 eV 미만, 바람직하게는 0.48 eV 미만, 보다 바람직하게는 0.45 eV 미만, 보다 더 바람직하게는 0.43 eV 미만 또는 심지어 0.40 eV 미만의 주 방출 피크의 반치전폭 FWHM을 갖는 빛을 방출한다.
본 발명의 또 다른 양태는, ITU-R 권장사항 BT.2020(Rec. 2020)에 정의되어 있는 파랑 원색(CIEx = 0.131, CIEy = 0.046)의 색 좌표 CIEx(= 0.131) 및 CIEy(= 0.046)에 가까운 색 좌표 CIEx 및 CIEy를 갖는 빛을 방출하고, 따라서 Ultra High Definition (UHD) 디스플레이(예: UHD-TV)에 사용하기에 적합한 OLED에 관한 것이다. 상업적 사용에 있어서, 전형적으로 상부-방출(상부-전극은 투명함) 장치가 사용되는 반면, 본 발명에서 사용되는 test용 장치는 하부-방출 장치(하부-전극 및 기판은 투명함)를 나타낸다. 청색 장치의 CIEy 색 좌표는 CIEx가 거의 변하지 않은 채로 하부-방출 장치에서 상부-방출 장치로 변할 때 2배까지 감소될 수 있다(Okinaka 외 (2015), 22.1: 초청 논문: OLED에서 저전압 달성을 위한 새로운 형광 청색 호스트 물질, SID Symposium Digest of Technical Papers, 46; doi:10.1002/sdtp.10480). 따라서, 본 발명의 또 다른 양태는 0.02 내지 0.30, 바람직하게는 0.03 내지 0.25, 보다 바람직하게는 0.05 내지 0.20 또는 보다 더 바람직하게는 0.08 내지 0.18 또는 심지어 0.10 내지 0.15 사이의 CIEx 색 좌표 및/또는 0.00 내지 0.45, 바람직하게는 0.01 내지 0.30, 보다 바람직하게는 0.02 내지 0.20 또는 보다 더 바람직하게는 0.03 내지 0.15 또는 심지어 0.04 내지 0.10 사이의 CIEy 색 좌표의 방출이 나타나는 OLED에 관한 것이다.
또 다른 양태에서, 본 발명은 광전자 소자의 제조 방법에 관한 것이다. 이 경우, 본 발명의 유기 분자가 사용된다.
상기 광전자 장치, 특히 본 발명에 따른 OLED는 증기 증착법 및/또는 액상 처리법 중 임의의 방법으로 생산될 수 있다. 따라서, 적어도 한 개의 층은
-
승화법에 의해 제조될 수 있고,
-
유기 기상증착법에 의해 제조될 수 있고,
-
수송체 기체 승화법에 의해 제조될 수 있고,
-
용액 처리법 또는 프린팅법에 의해 제조될 수 있다.
상기 광전자 장치, 특히 본 발명에 따른 OLED를 제조하기 위한 방법들은 당업계에 공지되어 있다. 상기 상이한 층들은 후속 증착 공정에 의해 적합한 기판 상에 각각 그리고 연속적으로 증착된다. 각각의 층들은 동일하거나 상이한 증착 방법을 이용하여 증착될 수 있다.
증기증착 공정은 예시적으로 열(공)증착법, 화학적 기상증착법 및 물리적 기상증착법을 포함한다. 능동형 OLED(AMOLED) 디스플레이의 경우, AMOLED 뒤판이 기판으로 사용된다. 각각의 층은 적절한 용매를 사용하는 용액 또는 분산액으로부터 처리될 수 있다. 용액침착법은 예시적으로 스핀 코팅법 (spin coating), 딥 코팅법 (dip coating) 및 제트 프린팅법 (jet printing)을 포함한다. 액상 처리법은 불활성 대기(예: 질소 대기)에서 선택적으로 수행될 수 있으며, 용매는 당업계에 알려진 방법에 의해 선택적으로 완전히 또는 부분적으로 제거될 수 있다.
실시예
일반적 합성의 개략도 I
AAV1 합성의 일반적 절차:
E0 (1 당량), 이에 대응하는 공여체 분자 D-H (1.00 당량) 및 3염기칼륨 (2.00 당량)을 질소 대기하에 DMSO 내에서 현탁시키고, 120℃(3~16 시간)에서 교반한다. 후속하여, 반응 혼합물을 과량의 물에 부어 생성물을 침전시킨다. 침전물을 걸러내고, 물로 세척한 후 진공 하에서 건조시킨다. 상기 조생성물을 재결정화에 의해서 또는 플래시 크로마토그래피에 의해 정제한다. 고체 생성물 Z0을 수득한다.
특히, 상기 공여체 분자 D-H는 3,6-치환된 카바졸 (예: 3,6-디메틸카바졸, 3,6-디페닐카바졸, 3,6-디-터트-부틸카바졸), 2,7-치환된 카바졸 (예: 2,7-디메틸카바졸, 2,7-디페닐카바졸, 2,7-디-터트-부틸카바졸), 1,8-치환된 카바졸 (예: 1,8-디메틸카바졸, 1,8-디페닐카바졸, 1,8-디-터트-부틸카바졸), 1-치환된 카바졸 (예: 1-메틸카바졸, 1-페닐카바졸, 1-터트-부틸카바졸), 2-치환된 카바졸 (예: 2-메틸카바졸, 2-페닐카바졸, 2-터트-부틸카바졸) 또는 3-치환된 카바졸 (예: 3-메틸카바졸, 3-페닐카바졸, 3-터트-부틸카바졸)이다.
예시적으로, 할로겐-치환된 카바졸, 특히 3-브로모카바졸이 D-H로 사용될 수 있다.
후속 반응에서, 보론산 에스터 작용기 또는 보론산 작용기는 D-H를 통해, 예를 들어, 비스(피나콜라토)디보론 (CAS No. 73183-34-3)과의 반응을 통해 도입된 하나 이상의 할로겐 치환기의 위치에 예시적으로 도입되어 상기 대응하는 카바졸-3-일보론산 에스터 또는 카바졸-3-일보론산을 생성할 수 있다. 이어서, 상기 대응하는 할로겐화 반응물 Ra-Hal, 바람직하게는 Ra-Cl 및 Ra-Br와의 커플링 반응을 통해 하나 이상의 치환기 Ra가 상기 보론산 에스터기 또는 보론산기 대신에 도입될 수 있다.
대안적으로는, 하나 이상의 치환기 Ra는 D-H를 통해, 즉 치환기 Ra [Ra-B(OH)2]의 보론산 또는 대응하는 보론산 에스터와의 반응을 통해 도입된 하나 이상의 할로겐 치환기의 위치에 도입될 수 있다.
AAV2 합성의 일반적 절차:
Z1 (1.00 당량), (트리페닐실릴)페닐보론산 (1.10 당량), Pd2(dba)3 (0.01 당량), 2-(디시클로헥실포스피노)-2′',4'',6'′'-트리이소프로필비페닐 (엑스-포스) (0.04 당량) 및 3염기 인산칼륨 (2.50 당량)을 질소 대기하에서 110℃의 진공의 톨루엔/물 (비율 10:1) 내에서 반응이 끝날 때까지 교반한다(GC/MS를 사용해 모니터링하며, 일반적으로 12 시간 내에 종료됨). 후속하여, 반응 혼합물에 셀라이트 및 활성탄을 첨가하고 110℃에서 10 분간 교반한다. 현탁액을 고온 여과하고, 필터 케이크를 뜨거운 톨루엔으로 세척한 다음, 여액을 농축한다. 수득한 조생성물을 플래스 크로마토그래피 또는 재결정화를 통해 정제하여 고체 Z1을 수득한다.
AAV3 합성의 일반적 절차:
Z1 (1.00 당량), 3-(트리페닐게르밀)페닐보론산 (1.10 당량), Pd2(dba)3 (0.01 당량), 2-(디시클로헥실포스피노)-2′',4'',6'′'-트리이소프로필비페닐 (엑스-포스) (0.04 당량) 및 3염기 인산칼륨 (2.50 당량)을 질소 대기하에서 110℃의 진공의 톨루엔/물 (비율 10:1) 내에서 반응이 끝날 때까지 교반한다(GC/MS를 사용해 모니터링하며, 일반적으로 12 시간 내에 종료됨). 후속하여, 반응 혼합물에 셀라이트 및 활성탄을 첨가하고 110℃에서 10 분간 교반한다. 현탁액을 고온 여과하고, 필터 케이크를 뜨거운 톨루엔으로 세척한 다음, 여액을 농축한다. 수득한 조생성물을 플래스 크로마토그래피 또는 재결정화를 통해 정제하여 고체 Z1을 수득한다.
HPLC-MS:
HPLC-MS 분광법은 MS-검출기(Thermo LTQ XL)가 있는 Agilent(1100 시리즈)에 의해 HPLC를 수행한다. 역상 컬럼 4,6 mm x 150 mm, Waters(프리-컬럼 없음)로부터의 입자 크기 5,0 μm가 HPLC에 사용된다. 상기 HPLC-MS 측정은 용매인 아세토나이트릴, 물 및 THF를 사용하여 실온(rt)에서 다음 농도로 수행된다:
측정을 위해 0.5 mg/ml의 농도의 용액에서 주입 부피 15 μL를 취한다. 다음의 기울기가 사용된다:
탐침의 이온화는 APCI (대기압 화학적 이온화법)에 의해 수행된다.
순환 전압-전류법 (cyclic voltammetry)
순환 전압-전류도(cyclic voltammogram)는 디클로로메탄 또는 적합한 용매와 적합한 전해질(예: 테트라부틸암모늄 헥사플루오로포스페이트 0.1 mol/l) 내에서 상기 유기 분자의 농도가 10-3 mol/l인 용액으로부터 측정된다. 상기 측정은 실온에서 3-전극접합체(작업 및 상대 전극: Pt 와이어, 기준 전극: Pt 와이어)를 사용하여 질소 대기하에서 수행하고, FeCp2/FeCp2 +를 내부 표준으로 사용하여 보정한다. 포화 칼로멜 전극(SCE)에 대한 내부 표준으로서 페로센(ferrocene)을 사용하여 HOMO 데이터를 보정하였다.
밀도 함수 이론 계산
분자 구조는 BP86 기능 및 동일성 접근법(RI)의 분해능을 이용하여 최적화된다. 여기 에너지는 시간-의존 DFT (Time-Dependent DFT; TD-DFT) 방법을 사용하여 상기 (BP86) 최적화된 구조를 이용함으로써 계산된다. 궤도 및 여기 상태 에너지는 B3LYP 기능으로 계산된다. Def2-SVP 기본 설정 및 수치 적분을 위한 m4-grid가 사용된다. Turbomole 프로그램 패키지는 모든 계산에 사용된다.
광물리적 측정
시료 전처리: 스핀 코팅법
장비 Spin150, SPS Euro.
상기 시료 농도는 10 mg/ml이고, 적합한 용매에 녹아 있다.
프로그램: 1) 400 U/min에서 3 초; 1000 U/min에서 1000 Upm/s으로 20 초. 3) 4000 U/min에서 1000 Upm/s으로 10 초. 코팅법 수행 후, 상기 막을 70°C에서 1분간 둔다.
광루미네선스 분광법 및 TCSPC (Time-correlated single-photon counting; 시간-상호 관련 단일-광자 계산법)
정상-상태 방출 분광법은 150W 크세논 아크 램프, 여기 및 방출 단색화 장치(monochromator) 및 Hamamatsu R928 광전자 증배관과 시간-상호 관련 단일-광자 계산법 옵션이 있는 Horiba Scientific, Modell FluoroMax-4를 사용하여 측정된다. 방출 및 여기 스펙트럼은 표준 교정 적합을 사용하여 교정된다.
여기 상태 수명은 FM-2013 장비 및 Horiba Yvon TCSPC 허브가 있는 TCSPC법을 사용하는 동일한 시스템을 이용하여 결정된다.
여기 원 (excitation source):
NanoLED 370 (파장: 371 nm, 펄스 폭: 1.1 ns)
NanoLED 290 (파장: 294 nm, 펄스 폭: <1 ns)
SpectraLED 310 (파장: 314 nm)
SpectraLED 355 (파장: 355 nm).
데이터 분석(지수 적합)은 DataStation 소프트웨어 묶음 및 DAS6 분석 소프트웨어를 사용하여 수행된다. 상기 적합은 카이-제곱-테스트를 사용하여 결정된다.
광루미네선스 광자 수율 측정
광루미네선스 광자 수율(PLQY) 측정을 위해 Absolute PL Quantum Yield Measurement C9920-03G 시스템(Hamamatsu Photonics)이 사용된다. 광자 수율과 CIE 좌표는 U6039-05 소프트웨어 버전 3.6.0을 사용하여 결정된다.
최대 방출은 nm 단위, 양자 수율 Φ는 % 단위, 그리고 CIE 좌표는 x,y 값으로 주어진다.
PLQY는 다음의 프로토콜을 사용하여 결정된다:
1) 품질 보증: 에탄올(알려진 농도) 내에서 안트라센이 기준 물질로 사용된다.
2) 여기 파장: 상기 유기 분자의 최대 흡수가 결정되고, 상기 분자는 이 파장을 이용하여 여기된다.
3) 측정
양자 수율은 질소 대기하에서 용액 또는 막의 시료에 대한 양자 수율을 계산한다. 상기 수율은 다음 식을 사용하여 계산된다:
여기서, nphoton은 광자 수 및 Int.는 강도를 나타낸다.
광전자 장치의 제조 및 특성화
본 발명에 따른 유기 분자를 포함하는 OLED 장치와 같은 광전자 장치는 진공-증착법을 통해 제조될 수 있다. 만약 한 층이 하나 이상의 화합물을 포함하면, 상기 하나 이상의 화합물의 중량-백분율은 % 단위로 나타낸다. 상기 총 중량-백분율 값은 100%에 해당하므로 값이 주어지지 않으면, 이 화합물의 비는 주어진 값과 100% 사이의 차와 같다.
완전하게 최적화되지 않은 OLED는 전기루미네선스 스펙트럼 표준 방법 및 측정, 광다이오드에 의해 검출된 빛을 사용하여 계산된 강도에 따른 외부 양자 효율 (% 단위), 그리고 전류를 사용하여 특징된다. 상기 OLED 장치의 수명은 일정한 전류 밀도에서 작동하는 동안 휘도의 변화로부터 결정된다. LT50 값은 측정된 휘도가 초반 휘도의 50%로 감소한 시간에 해당하며, 비슷하게 LT80은 측정된 휘도가 초반 휘도의 80%로 감소한 시간, LT95는 측정된 휘도가 초반 휘도의 95%로 감소한 시간에 해당한다.
가속 수명 측정이 수행된다(예: 증가한 전류 밀도를 적용). 예시적으로, 500 cd/m2에서 LT80의 값은 다음 식을 사용하여 결정된다.
여기서, L 0 는 인가된 전류 밀도에서 초반 휘도를 나타낸다.
상기 값은 몇 개의 픽셀(일반적으로는 2 내지 8개)의 평균에 해당하며, 이들 픽셀 사이의 표준 편차가 주어진다.
실시예 1은 2-(2-플루오로-5-클로로-페닐)-4,6-디페닐-1,3,5-트라아진을 반응물로서 사용한 AAV1 (75% 수율), 및 AAV2 (67% 수율)에 따라 합성하였다.
도 1은 실시예 1 (PMMA에서 10 wt%)의 방출 스펙트럼을 나타낸다. 최대 방출은 462 nm에서 이루어지고 반치전폭은 0.41 eV이다. 광루미네선스 양자 수율(PLQY)은 78%이고 방출 수명은 119 μs이다. CIEx 값은 0.16이고 CIEy 값은 0.18이다. 최고준위 점유 분자 궤도의 에너지(EHOMO)는 -5.96 eV이다.
실시예 2
실시예 2는, 2-(2-플루오로-5-클로로-페닐)-4,6-디페닐-1,3,5-트리아진을 반응물로서 사용한 AAV1 (75% 수율), 및 3-(트리페닐게르밀)페닐보론산 피나콜 에스테르를 3-(트리페닐게르밀)페닐보론산 대신에 사용한 AAV3 (23% 수율)에 따라 합성하였다.
도 2는 실시예 2 (PMMA에서 10 wt%)의 방출 스펙트럼을 나타낸다. 최대 방출은 461 nm에서 이루어지고 반치전폭은 0.41 eV이다. 광루미네선스 양자 수율(PLQY)은 75%이다. CIEx 값은 0.15이고 CIEy 값은 0.18이다. 최고준위 점유 분자 궤도의 에너지(EHOMO)는 -5.97 eV이다.
실시예 3은, 2-(2-플루오로-5-클로로-페닐)-4,6-디페닐-1,3,5-트리아진을 반응물로서 사용한 AAV1 (75% 수율), 및 3-(트리메틸실릴)페닐보론산을 3-(트리페닐실릴)페닐보론산 대신에 사용한 AAV2 (56% 수율)에 따라 합성하였다.
도 3은 실시예 3 (PMMA에서 10 wt%)의 방출 스펙트럼을 나타낸다. 최대 방출은 463 nm에서 이루어지고 반치전폭은 0.40 eV이다. 광루미네선스 양자 수율(PLQY)은 73%이다. CIEx 값은 0.15이고 CIEy 값은 0.19이다. 최고준위 점유 분자 궤도의 에너지(EHOMO)는 -5.96 eV이다.
실시예 4는, 제1 합성 단계가 AAV2에 의해 수행하고, 제2 단계는 AA1에 따라 수행되는 다음 합성을 통해 합성하였다:
도 4는 실시예 4 (PMMA에서 10 wt%)의 방출 스펙트럼을 나타낸다. 최대 방출은 452 nm에서 이루어지고 반치전폭은 0.42 eV이다. 광루미네선스 양자 수율(PLQY)은 73%이다. CIEx 값은 0.15이고 CIEy 값은 0.14이다. 최고준위 점유 분자 궤도의 에너지(EHOMO)는 -5.9 eV이다.
실시예 5는, 아래에 기술된 두 가지 단계에서 합성된 2-(2-플루오로-5-클로로-페닐)-4,6-디(4-삼차부틸페닐)-1,3,5-트리아진을 반응물로서 사용하는 AAV1 (75% 수율),
및 AAV2 (8% 수율)에 따라 합성하였다.
2-(2-플루오로-5-클로로-페닐)-4,6-디(4-삼차부틸페닐)-1,3,5-트리아진의 합성/
제1 단계 (2-클로로-4,6-디(4-삼차부틸페닐)-1,3,5-트리아진):
교반 막대 및 Mg 절단기[CAS 7439-95-4] (10.3 당량)가 장착된 2-목 플라스크를 진공하에 화염 건조시킨다. 후속하여, N2 역류하에, 소량의 요오드 및 건조 THF를 첨가한다. 최초의 자주색이 갈색으로 변할 때까지 생성 혼합물을 교반한다. 건조 THF 중 1-브로모-4-삼차-부틸벤젠 [CAS 3972-65-4] (2.5 당량)의 용액을 적가한다. 첨가가 완료된 후, 혼합물을 환류하에 3 시간 동안 가열한다. 실온(rt)까지 냉각한 후, 반응 혼합물을 운반 캐뉼라(cannula)를 사용하여 건조 톨루엔 중 시아누르산 염화물 [CAS 108-77-0] 용액으로 천천히 옮긴다. 후속하여, 생성 혼합물을 환류하에 16 시간 동안 가열한다. rt까지 냉각한 후, 물을 조심스럽게 첨가하여 반응물을 급냉(quenching)시킨다. 디클로로메탄으로 추출하고 용매를 증발시킨 후의 조생성물을, 시클로헥산/디클로로메탄 (10:1)을 용리제로 사용하여 MPLC에 의해 정제하였다. 원하는 생성물인, 2-클로로-4,6-디(4-삼차부틸페닐)-1,3,5-트리아진 고체를 65%의 수율로 수득하였다.
2 단계 (2-(2-플루오로-5-클로로-페닐)-4,6-디(4-삼차부틸페닐)-1,3,5-트리아진):
N2, 2-(5-클로로-2플루오로페닐)-4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보로란 [CAS 1190129-77-1] (1.2 당량), 2-클로로-4,6-디(4-삼차부틸페닐)-1,3,5-트리아진 (1.0 당량), Pd(dppf)Cl2 [CAS 72287-26-4] (0.05 당량) 및 KOAc [CAS 127-08-2] (3.0 당량)을 톨루엔/H2O (10:1) 중에 현탁시켰다. 생성 혼합물을 100℃에서 16 시간 동안 가열하였다. rt까지 냉각시킨 후, 물과 디클로로메탄을 첨가하여 상을 분리하였다. 결합된 유기층을 MgSO4 상에서 건조시키고, 여과한 다음, 여액을 진공하에 농축시켰다. 조생성물을 끓는 EtOH로 세척하였다. 원하는 생성물인, 2-(2-플루오로-5-클로로-페닐)-4,6-디(4-삼차부틸페닐)-1,3,5-트리아진 고체를 89%의 수율로 수득하였다.
도 5는 실시예 5 (PMMA에서 10 wt%)의 방출 스펙트럼을 나타낸다. 최대 방출은 458 nm에서 이루어지고 반치전폭은 0.41 eV이다. 광루미네선스 양자 수율(PLQY)은 64%이다. CIEx 값은 0.15이고 CIEy 값은 0.15이다. 최고준위 점유 분자 궤도의 에너지(EHOMO)는 -6.0 eV이다.
본 발명의 유기 분자의 추가적인 실시예들
Claims (15)
- - 화학식 I의 구조를 포함하는 제1 화학적 잔기(chemical moiety),
및
- 화학식 II의 구조를 갖는 하나의 제2 화학적 잔기를 포함하는 유기 분자로서,
상기 제1 화학적 잔기는 단일 결합을 통해 상기 제2 화학적 잔기에 연결되고,
T는 상기 제2 화학적 잔기에 상기 제1 화학적 잔기를 연결하는 단일 결합의 결합 자리이거나, R1 및 RT로 이루어지는 군으로부터 선택되고;
V는 상기 제2 화학적 잔기에 상기 제1 화학적 잔기를 연결하는 단일 결합의 결합 자리이거나, 수소이고;
W는 상기 제2 화학적 잔기에 상기 제1 화학적 잔기를 연결하는 단일 결합의 결합 자리이거나, R1 및 RT로 이루어지는 군으로부터 선택되고;
X는 R1 및 RT로 이루어지는 군으로부터 선택되고;
Y는 R1 및 RT로 이루어지는 군으로부터 선택되고;
#은 상기 제2 화학적 잔기에 상기 제1 화학적 잔기를 연결하는 단일 결합의 결합 자리를 나타내고;
Z는 각각의 경우 서로 독립적으로, 직접 결합, CR3R4, C=CR3R4, C=O, C=NR3, NR3, O, SiR3R4, S, S(O) 및 S(O)2로 이루어지는 군으로부터 선택되고;
RT는 2개의 치환기 RN과 치환된 1,3,5-트리아진일이며:
, (점선 결합은 상기 제1 화학적 잔기와 RT를 연결하는 단일 결합에 대한 RT의 결합 자리를 나타냄);
RN은 각각의 경우 서로 독립적으로
수소, 중수소,
C1-C5-알킬
(하나 이상의 수소 원자가 선택적으로 중수소로 치환됨),
C2-C8-알케닐
(하나 이상의 수소 원자가 선택적으로 중수소로 치환됨),
C2-C8-알키닐
(하나 이상의 수소 원자가 선택적으로 중수소로 치환됨),
C6-C18-아릴
(선택적으로 하나 이상의 치환기 R6과 치환됨), 및
C3-C17-헤테로아릴
(하나 이상의 잔기 R6와 선택적으로 치환됨)로 이루어지는 군으로부터 선택되고;
RI, RII 및 RIII은 각각의 경우 서로 독립적으로
수소,
중수소,
L(RS)3,
C1-C5-알킬
(하나 이상의 수소 원자가 선택적으로 중수소로 치환됨),
C2-C8-알케닐
(하나 이상의 수소 원자가 선택적으로 중수소로 치환됨),
C2-C8-알키닐
(하나 이상의 수소 원자가 선택적으로 중수소로 치환됨), 및
C6-C18-아릴
(하나 이상의 잔기 R6와 선택적으로 치환됨)로 이루어지는 군으로부터 선택되고;
L은 실리콘(Si) 및 게르마늄(Ge)으로 이루어지는 군으로부터 선택되고;
RIV 및 RV는 각각의 경우 서로 독립적으로
수소,
중수소,
C1-C5-알킬
(하나 이상의 수소 원자가 선택적으로 중수소로 치환됨),
C2-C8-알케닐
(하나 이상의 수소 원자가 선택적으로 중수소로 치환됨),
C2-C8-알키닐
(하나 이상의 수소 원자가 선택적으로 중수소로 치환됨), 및
C6-C18-아릴
(하나 이상의 잔기 R6와 선택적으로 치환됨)로 이루어지는 군으로부터 선택되고;
RS는 각각의 경우 서로 독립적으로
C1-C5-알킬
(하나 이상의 수소 원자가 선택적으로 중수소로 치환됨),
C2-C8-알케닐
(하나 이상의 수소 원자가 선택적으로 중수소로 치환됨),
C2-C8-알키닐
(하나 이상의 수소 원자가 선택적으로 중수소로 치환됨),
C6-C18-아릴
(선택적으로 하나 이상의 치환기 R6과 치환됨), 및
C3-C17-헤테로아릴
(선택적으로 하나 이상의 치환기 R6과 치환됨)로 이루어지는 군으로부터 선택되고;
R1은 각각의 경우 서로 독립적으로
수소,
중수소,
C1-C5-알킬
(하나 이상의 수소 원자가 선택적으로 중수소로 치환됨),
C2-C8-알케닐
(하나 이상의 수소 원자가 선택적으로 중수소로 치환됨),
C2-C8-알키닐
(하나 이상의 수소 원자가 선택적으로 중수소로 치환됨), 및
C6-C18-아릴
(서로 독립적으로,
C1-C5-알킬
(선택적으로 하나 이상의 수소 원자가 중수소, CN, CF3, 또는 F로 서로 독립적으로 치환됨),
및
C6-C18-아릴
(선택적으로 하나 이상의 C1-C5-알킬 치환기로 치환됨)로 이루어지는 군으로부터 선택된 하나 이상의 치환기와 선택적으로 치환됨)로 이루어지는 군으로부터 선택되고;
Ra, R3 및 R4는 각각의 경우 서로 독립적으로, 수소,
중수소,
N(R5)2,
OR5,
Si(R5)3,
Ge(R5)3,
B(OR5)2,
OSO2R5,
CF3,
CN,
F,
Br,
I,
C1-C40-알킬
(하나 이상의 치환기 R5와 선택적으로 치환되고,
하나 이상의 비인접 CH2-기는 선택적으로 R5C=CR5, C≡C, Si(R5)2, Ge(R5)2, Sn(R5)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR5, P(=O)(R5), SO, SO2, NR5, O, S 또는 CONR5로 치환됨),
C1-C40-알콕시
(하나 이상의 치환기 R5와 선택적으로 치환되고,
하나 이상의 비인접 CH2-기는 선택적으로 R5C=CR5, C≡C, Si(R5)2, Ge(R5)2, Sn(R5)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR5, P(=O)(R5), SO, SO2, NR5, O, S 또는 CONR5로 치환됨),
C1-C40-티오알콕시
(하나 이상의 치환기 R5와 선택적으로 치환되고,
하나 이상의 비인접 CH2-기는 선택적으로 R5C=CR5, C≡C, Si(R5)2, Ge(R5)2, Sn(R5)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR5, P(=O)(R5), SO, SO2, NR5, O, S 또는 CONR5로 치환됨),
C2-C40-알케닐
(하나 이상의 치환기 R5와 선택적으로 치환되고,
하나 이상의 비인접 CH2-기는 선택적으로 R5C=CR5, C≡C, Si(R5)2, Ge(R5)2, Sn(R5)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR5, P(=O)(R5), SO, SO2, NR5, O, S 또는 CONR5로 치환됨),
C2-C40-알키닐
(하나 이상의 치환기 R5와 선택적으로 치환되고,
하나 이상의 비인접 CH2-기는 선택적으로 R5C=CR5, C≡C, Si(R5)2, Ge(R5)2, Sn(R5)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR5, P(=O)(R5), SO, SO2, NR5, O, S 또는 CONR5로 치환됨),
C6-C60-아릴
(선택적으로 하나 이상의 치환기 R5로 치환됨), 및
C3-C57-헤테로아릴
(하나 이상의 치환기 R5와 선택적으로 치환됨)로 이루어지는 군으로부터 선택되고;
R5은 각각의 경우 서로 독립적으로 수소, 중수소, N(R6)2, OR6, Si(R6)3, B(OR6)2, OSO2R6, CF3, CN, F, Br, I,
C1-C40-알킬
(선택적으로 하나 이상의 치환기 R6과 치환되며,
하나 이상의 비인접 CH2-기는 선택적으로 R6C=CR6, C≡C, Si(R6)2, Ge(R6)2, Sn(R6)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR6, P(=O)(R6), SO, SO2, NR6, O, S 또는 CONR6로 치환됨),
C1-C40-알콕시
(선택적으로 하나 이상의 치환기 R6과 치환되며,
하나 이상의 비인접 CH2-기는 선택적으로 R6C=CR6, C≡C, Si(R6)2, Ge(R6)2, Sn(R6)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR6, P(=O)(R6), SO, SO2, NR6, O, S 또는 CONR6로 치환됨),
C1-C40-티오알콕시
(선택적으로 하나 이상의 치환기 R6과 치환되며,
하나 이상의 비인접 CH2-기는 선택적으로 R6C=CR6, C≡C, Si(R6)2, Ge(R6)2, Sn(R6)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR6, P(=O)(R6), SO, SO2, NR6, O, S 또는 CONR6로 치환됨),
C2-C40-알케닐
(선택적으로 하나 이상의 치환기 R6과 치환되며,
하나 이상의 비인접 CH2-기는 선택적으로 R6C=CR6, C≡C, Si(R6)2, Ge(R6)2, Sn(R6)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR6, P(=O)(R6), SO, SO2, NR6, O, S 또는 CONR6로 치환됨),
C2-C40-알키닐
(선택적으로 하나 이상의 치환기 R6과 치환되며,
하나 이상의 비인접 CH2-기는 선택적으로 R6C=CR6, C≡C, Si(R6)2, Ge(R6)2, Sn(R6)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR6, P(=O)(R6), SO, SO2, NR6, O, S 또는 CONR6로 치환됨),
C6-C60-아릴
(선택적으로 하나 이상의 치환기 R6과 치환됨), 및
C3-C57-헤테로아릴
(하나 이상의 잔기 R6와 선택적으로 치환됨)로 이루어지는 군으로부터 선택되고;
R6은 각각의 경우 서로 독립적으로 수소, 중수소, OPh, CF3, CN, F,
C1-C5-알킬
(하나 이상의 수소 원자가 서로 독립적으로, 중수소, CN, CF3, 또는 F에 의해 선택적으로 치환됨),
C1-C5-알콕시
(하나 이상의 수소 원자가 서로 독립적으로, 중수소, CN, CF3, 또는 F에 의해 선택적으로 치환됨),
C1-C5-티오알콕시
(하나 이상의 수소 원자가 서로 독립적으로, 중수소, CN, CF3, 또는 F에 의해 선택적으로 치환됨),
C2-C5-알케닐
(하나 이상의 수소 원자가 서로 독립적으로, 중수소, CN, CF3, 또는 F에 의해 선택적으로 치환됨),
C2-C5-알키닐
(하나 이상의 수소 원자가 서로 독립적으로, 중수소, CN, CF3, 또는 F에 의해 선택적으로 치환됨),
C6-C18-아릴
(선택적으로 하나 이상의 C1-C5-알킬 치환기로 치환됨),
C3-C17-헤테로아릴
(선택적으로 하나 이상의 C1-C5-알킬 치환기로 치환됨),
N(C6-C18-아릴)2,
N(C3-C17-헤테로아릴)2,
및 N(C3-C17-헤테로아릴)(C6-C18-아릴)로 이루어진 군으로부터 선택되며,
상기 치환기 Ra, R3, R4 또는 R5는 서로 독립적으로, 하나 이상의 치환기 Ra, R3, R4 또는 R5를 갖는 모노-또는 폴리고리형, 지방족, 방향족 및/또는 벤젠-축합된(benzo-fused) 고리 시스템을 선택적으로 형성할 수 있고,
T, W, X, 및 Y로 이루어지는 군으로부터 선택된 정확히 하나의 치환기는 RT이고,
T, V 및 W로 이루어지는 군으로부터 선택된 정확히 하나의 치환기는 상기 제2 화학적 잔기에 상기 제1 화학적 잔기를 연결하는 단일 결합의 상기 결합 자리를 나타내며;
W가 RT이고 V가 상기 제2 화학적 잔기에 상기 제1 화학적 잔기를 연결하는 단일 결합의 상기 결합 자리를 나타내는 경우, T는 수소이고,
T가 RT이고 V가 상기 제2 화학적 잔기에 상기 제1 화학적 잔기를 연결하는 단일 결합의 상기 결합 자리를 나타내는 경우, W는 수소이며,
RI, RII 및 RIII으로 이루어지는 군으로부터 선택된 정확히 하나의 치환기는 L(RS)3인, 유기 분자. - 제1항에 있어서, R1 및 RN은 각각의 경우에, 수소, 메틸, 페닐, 메시틸, 톨릴, 3-(삼차-부틸)페닐, 4-(삼차-부틸)페닐, 2,6-디(삼차-부틸)페닐 및 3,5-디(삼차-부틸)페닐로 이루어지는 군으로부터 서로 독립적으로 선택되는(톨릴은 2-톨릴, 3-톨릴, 및 4-톨릴을 지칭함), 유기 분자.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 유기 분자는 화학식 I-Y의 구조를 포함하는 제1 화학적 잔기를 포함하되,
RI, RII, RIII, RIV, RV, 및 R1은 제1항에서 정의된 바와 같고,
T#은 상기 제2 화학적 잔기에 상기 제1 화학적 잔기를 연결하는 단일 결합의 상기 결합 자리이거나, R1이고,
V#은 상기 제2 화학적 잔기에 상기 제1 화학적 잔기를 연결하는 단일 결합의 상기 결합 자리이거나, 수소이고,
W#은 상기 제2 화학적 잔기에 상기 제1 화학적 잔기를 연결하는 단일 결합의 상기 결합 자리이거나, R1 및 RT로 이루어지는 군으로부터 선택되고,
X#은 R1 및 RT로 이루어지는 군으로부터 선택되고,
T#, V# 및 W#으로 이루어지는 군으로부터 선택된 정확히 하나의 치환기는 상기 제2 화학적 잔기에 상기 제1 화학적 잔기를 연결하는 단일 결합의 상기 결합 자리를 나타내고,
W# 및 X#으로 이루어지는 군으로부터 선택된 정확히 하나의 치환기는 RT이며,
RI, RII 및 RIII으로 이루어지는 군으로부터 선택된 정확히 하나의 치환기는 L(RS)3인, 유기 분자. - 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2 화학적 잔기는 화학식 IIb의 구조를 포함하되,
Rb은 각각의 경우 서로 독립적으로, 중수소, N(R5)2, OR5, Si(R5)3, Ge(R5)3, B(OR5)2, OSO2R5, CF3, CN, F, Br, I,
C1-C40-알킬
(선택적으로 하나 이상의 치환기 R5로 치환되며,
하나 이상의 비인접 CH2-기는 선택적으로 R5C=CR5, C≡C, Si(R5)2, Ge(R5)2, Sn(R5)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR5, P(=O)(R5), SO, SO2, NR5, O, S 또는 CONR5로 치환됨),
C1-C40-알콕시
(선택적으로 하나 이상의 치환기 R5로 치환되며,
하나 이상의 비인접 CH2-기는 선택적으로 R5C=CR5, C≡C, Si(R5)2, Ge(R5)2, Sn(R5)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR5, P(=O)(R5), SO, SO2, NR5, O, S 또는 CONR5로 치환됨),
C1-C40-티오알콕시
(선택적으로 하나 이상의 치환기 R5로 치환되며,
하나 이상의 비인접 CH2-기는 선택적으로 R5C=CR5, C≡C, Si(R5)2, Ge(R5)2, Sn(R5)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR5, P(=O)(R5), SO, SO2, NR5, O, S 또는 CONR5로 치환됨),
C2-C40-알케닐
(선택적으로 하나 이상의 치환기 R5로 치환되며,
하나 이상의 비인접 CH2-기는 선택적으로 R5C=CR5, C≡C, Si(R5)2, Ge(R5)2, Sn(R5)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR5, P(=O)(R5), SO, SO2, NR5, O, S 또는 CONR5로 치환됨),
C2-C40-알키닐
(선택적으로 하나 이상의 치환기 R5로 치환되며,
하나 이상의 비인접 CH2-기는 선택적으로 R5C=CR5, C≡C, Si(R5)2, Ge(R5)2, Sn(R5)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR5, P(=O)(R5), SO, SO2, NR5, O, S 또는 CONR5로 치환됨),
C6-C60-아릴
(선택적으로 하나 이상의 치환기 R5로 치환됨), 및
C3-C57-헤테로아릴
(하나 이상의 치환기 R5와 선택적으로 치환됨)로 이루어지는 군으로부터 선택되고;
그 외에는 제1항의 정의가 적용되는, 유기 분자. - 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2 화학적 잔기는 화학식 IIc의 구조를 포함하되,
Rb은 각각의 경우 서로 독립적으로, 중수소, N(R5)2, OR5, Si(R5)3, Ge(R5)3, B(OR5)2, OSO2R5, CF3, CN, F, Br, I,
C1-C40-알킬
(선택적으로 하나 이상의 치환기 R5로 치환되며,
하나 이상의 비인접 CH2-기는 선택적으로 R5C=CR5, C≡C, Si(R5)2, Ge(R5)2, Sn(R5)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR5, P(=O)(R5), SO, SO2, NR5, O, S 또는 CONR5로 치환됨),
C1-C40-알콕시
(선택적으로 하나 이상의 치환기 R5로 치환되며,
하나 이상의 비인접 CH2-기는 선택적으로 R5C=CR5, C≡C, Si(R5)2, Ge(R5)2, Sn(R5)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR5, P(=O)(R5), SO, SO2, NR5, O, S 또는 CONR5로 치환됨),
C1-C40-티오알콕시
(선택적으로 하나 이상의 치환기 R5로 치환되며,
하나 이상의 비인접 CH2-기는 선택적으로 R5C=CR5, C≡C, Si(R5)2, Ge(R5)2, Sn(R5)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR5, P(=O)(R5), SO, SO2, NR5, O, S 또는 CONR5로 치환됨),
C2-C40-알케닐
(선택적으로 하나 이상의 치환기 R5로 치환되며,
하나 이상의 비인접 CH2-기는 선택적으로 R5C=CR5, C≡C, Si(R5)2, Ge(R5)2, Sn(R5)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR5, P(=O)(R5), SO, SO2, NR5, O, S 또는 CONR5로 치환됨),
C2-C40-알키닐
(선택적으로 하나 이상의 치환기 R5로 치환되며,
하나 이상의 비인접 CH2-기는 선택적으로 R5C=CR5, C≡C, Si(R5)2, Ge(R5)2, Sn(R5)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR5, P(=O)(R5), SO, SO2, NR5, O, S 또는 CONR5로 치환됨),
C6-C60-아릴
(선택적으로 하나 이상의 치환기 R5로 치환됨), 및
C3-C57-헤테로아릴
(하나 이상의 치환기 R5와 선택적으로 치환됨)로 이루어지는 군으로부터 선택되고;
그 외에는 제1항의 정의가 적용되는, 유기 분자. - 제5항 또는 제6항에 있어서, Rb은 각각의 경우 독립적으로,
- Me, iPr, tBu, CN, CF3, SiPh3, GePh3,
- Ph(Me, iPr, tBu, CN, CF3 및 Ph로 이루어진 군으로부터 서로 독립적으로 선택되는 하나 이상의 치환기로 선택적으로 치환됨),
- 피리디닐(Me, iPr, tBu, CN, CF3 및 Ph로 이루어진 군으로부터 서로 독립적으로 선택되는 하나 이상의 치환기로 선택적으로 치환됨),
- 피리미디닐(Me, iPr, tBu, CN, CF3 및 Ph로 이루어진 군으로부터 서로 독립적으로 선택되는 하나 이상의 치환기로 선택적으로 치환됨),
- 카바졸릴(Me, iPr, tBu, CN, CF3 및 Ph로 이루어진 군으로부터 서로 독립적으로 선택되는 하나 이상의 치환기로 선택적으로 치환됨),
- 트리아진일(Me, iPr, tBu, CN, CF3 및 Ph로 이루어진 군으로부터 서로 독립적으로 선택되는 하나 이상의 치환기로 선택적으로 치환됨),
및
- N(Ph)2로 이루어지는 군으로부터 선택되는, 유기 분자. - 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 따른 유기 분자를 제작하는 방법으로서, 2-(Hala-치환 플루오로페닐)-4,6-RN-1,3,5-트리아진이 반응물로서 사용되고, Hala는 Cl, Br, 및 I로 이루어진 군으로부터 선택되는, 방법.
- 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 따른 유기 분자의 용도로서, 광전자 장치에서 발광 에미터 및/또는 호스트 재료(host material) 및/또는 전자 수송 재료 및/또는 홀정공 주입 재료 및/또는 홀정공 차단 재료로서의, 용도.
- 제9항에 있어서, 상기 광전자 장치는
· 유기 발광 다이오드 (OLEDs),
· 발광 전기화학 전지,
· OLED-센서,
· 유기 다이오드,
· 유기 태양전지,
· 유기 트랜지스터,
· 유기 전계-효과 트랜지스터,
· 유기 레이저 및
· 하향-변환 소자로 이루어지는 군으로부터 선택되는, 용도. - (a) 제1항 내지 제7항 중 하나 이상에 따른 적어도 하나의 유기 분자 (특히, 에미터 및/또는 호스트 형태의 유기 분자),
(b) 제1항 내지 제7항 중 하나 이상에 따른 상기 유기 분자와 상이한, 하나 이상의 에미터 및/또는 호스트 재료, 및
(c) 선택적으로 하나 이상의 염료 및/또는 하나 이상의 용매를 포함하는, 조성물. - 제1항 내지 제7항 중 하나 이상에 따른 유기 분자 또는 제11항에 따른 조성물을 포함하는 광전자 장치로서, 특히 유기 발광 다이오드 (OLED), 발광 전기화학 전지, OLED 센서, 유기 다이오드, 유기 태양 전지, 유기 트랜지스터, 유기 전계-효과 트랜지스터, 유기 레이저, 및 하향-변환 소자로 이루어진 군으로부터 선택되는 장치의 형태인, 광전자 장치.
- 제12항에 있어서,
- 기판,
- 애노드,
- 캐소드 (상기 애노드 및 상기 캐소드는 상기 기판 상에 배치됨), 및
- 상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 배치되고, 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 따른 유기 분자 또는 제11항에 따른 조성물을 포함하는 적어도 하나의 발광층을 포함하는, 광전자 장치. - 광전자 장치의 제조 방법으로서, 제1항 내지 제7항 중 한 항에 따른 유기 분자 또는 제11항에 따른 조성물이 사용되는, 방법.
- 제14항에 있어서, 진공증착법에 의하거나 용액으로부터 상기 유기 분자를 처리하는 단계를 포함하는, 방법.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102017129616 | 2017-12-12 | ||
DE102017129616.6 | 2017-12-12 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20190070300A true KR20190070300A (ko) | 2019-06-20 |
KR102182416B1 KR102182416B1 (ko) | 2020-11-24 |
Family
ID=64664987
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020180159976A KR102182416B1 (ko) | 2017-12-12 | 2018-12-12 | 광전자 장치에 사용하기 위한 유기 분자 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11552262B2 (ko) |
EP (1) | EP3498703B1 (ko) |
JP (1) | JP6790047B2 (ko) |
KR (1) | KR102182416B1 (ko) |
CN (1) | CN109912637B (ko) |
TW (1) | TWI805661B (ko) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2024144206A1 (ko) * | 2022-12-27 | 2024-07-04 | 솔루스첨단소재 주식회사 | 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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KR102552269B1 (ko) * | 2020-05-14 | 2023-07-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 헤테로시클릭 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR20170030427A (ko) | 2015-09-09 | 2017-03-17 | 주식회사 엘지화학 | 유기전계발광소자 |
CN108349913B (zh) | 2015-10-27 | 2021-06-29 | 株式会社Lg化学 | 化合物和包含其的有机发光器件 |
JP6657895B2 (ja) | 2015-12-10 | 2020-03-04 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
CN105418486A (zh) | 2015-12-25 | 2016-03-23 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 有机电致发光化合物及其有机光电装置 |
-
2018
- 2018-12-10 US US16/214,484 patent/US11552262B2/en active Active
- 2018-12-12 EP EP18211874.5A patent/EP3498703B1/en active Active
- 2018-12-12 KR KR1020180159976A patent/KR102182416B1/ko active IP Right Grant
- 2018-12-12 JP JP2018232301A patent/JP6790047B2/ja active Active
- 2018-12-12 TW TW107144777A patent/TWI805661B/zh active
- 2018-12-12 CN CN201811515431.6A patent/CN109912637B/zh active Active
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Publication number | Publication date |
---|---|
TWI805661B (zh) | 2023-06-21 |
CN109912637A (zh) | 2019-06-21 |
JP6790047B2 (ja) | 2020-11-25 |
US20190181359A1 (en) | 2019-06-13 |
EP3498703B1 (en) | 2019-12-04 |
KR102182416B1 (ko) | 2020-11-24 |
EP3498703A1 (en) | 2019-06-19 |
CN109912637B (zh) | 2021-11-30 |
US11552262B2 (en) | 2023-01-10 |
JP2019116467A (ja) | 2019-07-18 |
TW201928010A (zh) | 2019-07-16 |
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