KR20190057733A - 양자점 소자와 표시 장치 - Google Patents

양자점 소자와 표시 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20190057733A
KR20190057733A KR1020170155034A KR20170155034A KR20190057733A KR 20190057733 A KR20190057733 A KR 20190057733A KR 1020170155034 A KR1020170155034 A KR 1020170155034A KR 20170155034 A KR20170155034 A KR 20170155034A KR 20190057733 A KR20190057733 A KR 20190057733A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
quantum dot
layer
electron
electrode
less
Prior art date
Application number
KR1020170155034A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102443644B1 (ko
Inventor
김성우
김태호
장은주
서홍규
이상진
정대영
조얼
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020170155034A priority Critical patent/KR102443644B1/ko
Priority to US16/034,442 priority patent/US20190157596A1/en
Priority to EP18202124.6A priority patent/EP3486964A1/en
Priority to CN201811275891.6A priority patent/CN109817815A/zh
Publication of KR20190057733A publication Critical patent/KR20190057733A/ko
Priority to US17/387,281 priority patent/US11793011B2/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102443644B1 publication Critical patent/KR102443644B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/70—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing phosphorus
    • C09K11/701—Chalcogenides
    • C09K11/703—Chalcogenides with zinc or cadmium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/88—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing selenium, tellurium or unspecified chalcogen elements
    • C09K11/881—Chalcogenides
    • C09K11/883—Chalcogenides with zinc or cadmium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/14—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H10K50/171—Electron injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/30—Highest occupied molecular orbital [HOMO], lowest unoccupied molecular orbital [LUMO] or Fermi energy values
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/40—Interrelation of parameters between multiple constituent active layers or sublayers, e.g. HOMO values in adjacent layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/331—Nanoparticles used in non-emissive layers, e.g. in packaging layer
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/351—Thickness
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/361—Temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/18—Carrier blocking layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
    • H10K85/1135—Polyethylene dioxythiophene [PEDOT]; Derivatives thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/115—Polyfluorene; Derivatives thereof

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

서로 마주하는 제1 전극과 제2 전극, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 양자점 층, 그리고 상기 양자점 층과 상기 제2 전극 사이에 위치하고 제1 나노입자 및 상기 제1 나노입자보다 큰 제2 나노입자를 포함하는 전자 보조층을 포함하고, 상기 제1 전극의 일 함수는 상기 제2 전극의 일 함수보다 높으며, 상기 양자점 층과 상기 전자 보조층의 LUMO 에너지 준위의 차이는 1.1eV보다 작은 양자점 소자 및 이를 포함하는 표시 장치에 관한 것이다.

Description

양자점 소자와 표시 장치 {QUANTUM DOT DEVICE AND DISPLAY DEVICE}
양자점 소자와 표시 장치에 관한 것이다.
나노 입자는 벌크 물질과 달리 물질의 고유 특성이라 알려져 있는 물리적 특성(에너지 밴드갭, 녹는점 등)을 입자 크기에 따라 조절할 수 있다. 예를 들어, 양자점(quantum dot)이라고도 불리는 반도체 나노 결정은 광 에너지 또는 전기 에너지를 공급받아 양자점 크기에 대응하는 파장의 빛을 낼 수 있다. 이에 따라 양자점은 소정 파장의 빛을 내는 발광체로 사용될 수 있다.
근래, 양자점을 발광체로 사용하는 양자점 소자에 대한 연구가 진행되고 있다. 그러나 양자점은 기존 발광체와 다르므로 양자점 소자의 성능을 개선할 수 있는 새로운 방안이 요구되고 있다.
일 구현예는 개선된 성능을 구현할 수 있는 양자점 소자를 제공한다.
다른 구현예는 상기 양자점 소자를 포함하는 표시 장치를 제공한다.
일 구현예에 따르면, 서로 마주하는 제1 전극과 제2 전극, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 양자점 층, 그리고 상기 양자점 층과 상기 제2 전극 사이에 위치하고 제1 나노입자 및 상기 제1 나노입자보다 큰 제2 나노입자를 포함하는 전자 보조층을 포함하고, 상기 제1 전극의 일 함수는 상기 제2 전극의 일 함수보다 높으며, 상기 양자점 층과 상기 전자 보조층의 LUMO 에너지 준위의 차이는 1.1eV보다 작은 양자점 소자를 제공한다.
상기 제1 나노입자와 상기 제2 나노입자는 각각 아연(Zn)을 함유하는 산화물일 수 있다.
상기 제1 나노입자는 하기 화학식 1로 표현될 수 있고, 상기 제2 나노입자는 ZnO 일 수 있다.
[화학식 1]
Zn1 -x MxO
상기 화학식 1에서,
M은 Mg, Ca, Zr, W, Li, Ti 또는 이들의 조합이고,
0.01≤x<0.5이다.
상기 전자 보조층은 상기 제1 나노입자를 포함하고 상기 양자점 층에 가깝게 위치하는 제1 전자 보조층, 그리고 상기 제2 나노입자를 포함하고 상기 제2 전극에 가깝게 위치하는 제2 전자 보조층을 포함할 수 있다.
상기 제1 전자 보조층은 상기 양자점 층에 맞닿아 있을 수 있다.
상기 양자점 층과 상기 제1 전자 보조층의 LUMO 에너지 준위의 차이는 1.1eV 보다 작을 수 있고, 상기 제1 전자 보조층과 상기 제2 전자 보조층의 LUMO 에너지 준위의 차이는 약 0.5eV 이하일 수 있다.
상기 양자점 층의 LUMO 에너지 준위는 약 2.5 내지 3.6eV 일 수 있고, 상기 제1 전자 보조층의 LUMO 에너지 준위는 약 3.2eV 내지 4.0eV 일 수 있고, 상기 제2 전자 보조층의 LUMO 에너지 준위는 약 3.9eV 내지 4.3eV 일 수 있다.
상기 전자 보조층은 상기 제1 나노입자와 상기 제2 나노입자의 혼합층을 포함할 수 있다.
상기 제1 나노입자의 평균입자크기는 약 1.5nm 내지 3.3nm일 수 있고, 상기 제2 나노입자의 평균입자크기는 약 3.5nm 내지 5.0nm일 수 있다.
상기 양자점 층의 에너지 밴드갭은 약 2.4 eV 내지 2.9 eV 일 수 있다.
상기 양자점 층은 비카드뮴계 양자점을 포함할 수 있다.
상기 양자점 층은 약 470nm 이하의 피크 발광 파장(peak emission wavelength)을 가지는 청색 발광 양자점을 포함할 수 있다.
상기 양자점은 아연(Zn), 텔루리움(Te) 및 셀레늄(Se)을 포함할 수 있다.
상기 양자점은 아연(Zn), 텔루리움(Te) 및 셀레늄(Se)을 포함하는 코어와 상기 코어의 적어도 일부 위에 위치하고 상기 코어와 다른 조성을 가지는 쉘을 포함할 수 있다.
상기 쉘은 ZnSeS, ZnS 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
상기 양자점은 인듐(In), 아연(Zn) 및 인(P)을 포함할 수 있고, 상기 인듐(In)에 대한 상기 아연의 몰 비(mole ratio)는 약 25 이상일 수 있다.
상기 양자점은 인듐(In), 아연(Zn) 및 인(P)을 포함하는 코어와 상기 코어의 적어도 일부 위에 위치하고 상기 코어와 다른 조성을 가지는 쉘을 포함할 수 있다.
상기 쉘은 ZnSeS, ZnS 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
상기 제1 전극의 일 함수는 약 4.5eV 내지 5.0eV 일 수 있고, 상기 제2 전극의 일 함수는 약 4.0eV 이상 4.5eV 미만일 수 있다.
다른 구현예에 따르면, 상기 양자점 소자를 포함하는 표시 장치를 제공한다.
양자점 소자의 성능을 개선할 수 있다.
도 1은 일 구현예에 따른 양자점 소자를 개략적으로 도시한 단면도이고,
도 2는 다른 구현예에 따른 양자점 소자를 개략적으로 도시한 단면도이고,
도 3은 합성예 3에서 얻은 Zn0 .85 Mg0 .15O 나노입자의 XRD 그래프이고,
도 4는 합성예 3에서 얻은 Zn0 .85 Mg0 .15O 나노입자의 투과전자현미경(TEM) 사진이고,
도 5는 합성예 6에서 얻은 ZnO 나노입자의 TEM 사진이다.
이하, 구현예들에 대하여 본 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 권리 범위는 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 구현예에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우 뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
이하, 일 함수(workfunction) 또는 HOMO 에너지 준위의 값은 진공 레벨(vacuum level)로부터의 절대값으로 표시된다. 또한, 일 함수 또는 HOMO 에너지 레벨이 깊다, 높다 또는 크다는 것은 진공 레벨을 '0eV'로 하여 절대값이 큰 것을 의미하고 일 함수 또는 HOMO 에너지 레벨이 얕다, 낮다 또는 작다는 것은 진공 레벨을 '0eV'로 하여 절대값이 작은 것을 의미한다.
이하 도면을 참고하여 일 구현예에 따른 양자점 소자를 설명한다.
도 1은 일 구현예에 따른 양자점 소자를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 1을 참고하면, 일 구현예에 따른 양자점 소자(10)는 서로 마주하는 제1 전극(11)과 제2 전극(15), 제1 전극(11)과 제2 전극(15) 사이에 위치하는 양자점 층(13), 제1 전극(11)과 양자점 층(13) 사이에 위치하는 정공 보조층(12), 그리고 제2 전극(15)과 양자점 층(13) 사이에 위치하는 전자 보조층(14)을 포함한다.
기판(도시하지 않음)은 제1 전극(11) 측에 배치될 수도 있고 제2 전극(15) 측에 배치될 수 있다. 기판은 예컨대 유리와 같은 무기 물질; 폴리카보네이트, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리아미드, 폴리에테르술폰 또는 이들의 조합과 같은 유기 물질; 또는 실리콘웨이퍼 등으로 만들어질 수 있다. 기판은 생략될 수 있다.
제1 전극(11)과 제2 전극(15) 중 어느 하나는 애노드(anode)이고 다른 하나는 캐소드(cathode)이다. 일 예로, 제1 전극(11)은 애노드일 수 있고 제2 전극(15)은 캐소드일 수 있다.
제1 전극(11)은 높은 일 함수를 가지는 도전체로 만들어질 수 있으며, 예컨대 금속, 도전성 금속 산화물 또는 이들의 조합으로 만들어질 수 있다. 제1 전극(11)은 예컨대 니켈, 백금, 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연산화물, 인듐산화물, 주석산화물, 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO) 또는 불소 도핑된 주석 산화물과 같은 도전성 금속 산화물; 또는 ZnO와 Al 또는 SnO2와 Sb와 같은 금속과 산화물의 조합 등으로 만들어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
제2 전극(15)은 제1 전극(11)보다 낮은 일 함수를 가진 도전체로 만들어질 수 있으며, 예컨대 금속, 도전성 금속 산화물 및/또는 도전성 고분자로 만들어질 수 있다. 제2 전극(15)은 예컨대 알루미늄, 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 타이타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 은, 주석, 납, 세슘, 바륨 등과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al, LiO2/Al, Liq/Al, LiF/Ca 및 BaF2/Ca과 같은 다층 구조 물질을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
제1 전극(11)의 일 함수는 제2 전극(15)의 일 함수보다 높을 수 있으며, 예컨대 제1 전극(11)의 일 함수는 예컨대 약 4.5eV 내지 5.0eV 일 수 있고 제2 전극(15)의 일 함수는 예컨대 약 4.0eV 이상 4.5eV 미만일 수 있다. 상기 범위 내에서 제1 전극(11)의 일 함수는 예컨대 약 4.6eV 내지 4.9eV 일 수 있고 제2 전극(15)의 일 함수는 예컨대 약 4.0eV 내지 4.3eV 일 수 있다.
제1 전극(11)과 제2 전극(15) 중 적어도 하나는 투광 전극일 수 있으며, 투광 전극은 예컨대 아연산화물, 인듐산화물, 주석산화물, 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO) 또는 불소 도핑된 주석 산화물과 같은 도전성 금속 산화물, 또는 얇은 두께의 단일층 또는 복수층의 금속 박막으로 만들어질 수 있다. 제1 전극(11)과 제2 전극(15) 중 어느 하나가 불투광 전극인 경우 예컨대 알루미늄(Al), 은(Ag) 또는 금(Au)과 같은 불투명 도전체로 만들어질 수 있다.
양자점 층(13)은 양자점을 포함한다. 양자점은 넓은 의미의 반도체 나노결정을 의미하며, 예컨대 등방성 반도체 나노결정, 퀀텀 로드 및 퀀텀 플레이트 등 다양한 모양을 가질 수 있다. 여기서 퀀텀 로드는 종횡비가 1보다 큰, 예컨대 종횡비가 약 2 이상, 약 3 이상 또는 약 5 이상인 양자점을 의미할 수 있다. 일 예로, 퀀텀 로드의 종횡비는 약 50 이하, 약 30 이하 또는 약 20 이하일 수 있다.
양자점은 예컨대 약 1nm 내지 약 100nm의 입경(구형이 아닌 경우 가장 긴 부분의 크기)을 가질 수 있고, 예컨대 약 1nm 내지 80nm의 입경을 가질 수 있고, 예컨대 약 1nm 내지 50nm의 입경을 가질 수 있고, 예컨대 약 1nm 내지 20nm의 입경을 가질 수 있다.
양자점은 크기 및/또는 조성에 따라 에너지 밴드갭을 조절할 수 있으며, 이에 따라 발광 파장 또한 조절할 수 있다. 예컨대 양자점의 크기가 클수록 좁은 에너지 밴드갭을 가질 수 있으며 이에 따라 비교적 장파장 영역의 빛을 낼 수 있고, 양자점의 크기가 작을수록 넓은 에너지 밴드갭을 가지며 이에 따라 비교적 단파장 영역의 빛을 낼 수 있다.
일 예로, 양자점은 크기 및/또는 조성에 따라 예컨대 가시광선 영역 중 소정 파장 영역의 빛을 낼 수 있다. 예컨대 양자점은 청색 광, 적색 광 또는 녹색 광을 낼 수 있으며, 청색 광은 예컨대 약 430nm 내지 470nm에서 피크 발광 파장을 가질 수 있고 적색 광은 약 600nm 내지 650nm에서 피크 발광 파장을 가질 수 있고 녹색 광은 예컨대 약 520nm 내지 550nm에서 피크 발광 파장을 가질 수 있다. 일 예로, 양자점은 약 430nm 내지 470nm에서 피크 발광 파장을 가지는 청색 광을 낼 수 있다.
일 예로, 청색 광을 내는 양자점의 평균 크기는 예컨대 약 4.5nm 이하일 수 있으며, 예컨대 약 4.3nm 이하, 약 4.2nm 이하, 약 4.1nm 이하 또는 약 4.0nm 이하일 수 있다. 상기 범위 내에서 예컨대 약 2.0nm 내지 4.5nm일 수 있으며, 예컨대 약 2.0nm 내지 4.3nm, 약 2.0nm 내지 4.2nm, 약 2.0nm 내지 4.1nm, 약 2.0nm 내지 4.0nm 일 수 있다.
양자점은 예컨대 약 10% 이상의 양자 수율(quantum yield)을 가질 수 있으며, 상기 범위 내에서 예컨대 약 30% 이상, 약 50% 이상, 약 60% 이상, 약 70% 이상 또는 약 90% 이상의 양자 수율을 가질 수 있다.
양자점은 비교적 좁은 반치폭(full width at half maximum, FWHM)을 가질 수 있다. 여기서 반치폭은 피크 발광 지점의 반(half)에 대응하는 파장의 폭(width)으로, 반치폭이 작으면 좁은 파장 영역의 빛을 내어 높은 색 순도를 나타낼 수 있는 것을 의미한다. 양자점은 예컨대 약 50nm 이하의 반치폭을 가질 수 있으며, 상기 범위 내에서 예컨대 약 49nm 이하, 약 48nm 이하, 약 47nm 이하, 약 46nm 이하, 약 45nm 이하, 약 44nm 이하, 약 43nm 이하, 약 42nm 이하, 약 41nm 이하, 약 40nm 이하, 약 39nm 이하, 약 38nm 이하, 약 37nm 이하, 약 36nm 이하, 약 35nm 이하, 약 34nm 이하, 약 33nm 이하, 약 32nm 이하, 약 31nm 이하, 약 30nm 이하, 약 29nm 이하 또는 약 28nm 이하의 반치폭을 가질 수 있다.
일 예로, 양자점은 II족-VI족 반도체 화합물, III족-V족 반도체 화합물, IV족- VI족 반도체 화합물, IV족 반도체 화합물, I-III-VI족 반도체 화합물, I-II-IV-VI족 반도체 화합물, II-III-V족 반도체 화합물 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. II-VI족 반도체 화합물은 예컨대 CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS 및 이들의 혼합물에서 선택되는 이원소 반도체 화합물; CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, MgZnSe, MgZnS 및 이들의 혼합물에서 선택되는 삼원소 반도체 화합물; 및 HgZnTeS, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe 및 이들의 혼합물에서 선택되는 사원소 반도체 화합물에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. III-V족 반도체 화합물은 예컨대 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb 및 이들의 혼합물에서 선택되는 이원소 반도체 화합물; GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP 및 이들의 혼합물에서 선택되는 삼원소 반도체 화합물; 및 GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb 및 이들의 혼합물에서 선택되는 사원소 반도체 화합물에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. IV-VI족 반도체 화합물은 예컨대 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe 및 이들의 혼합물에서 선택되는 이원소 반도체 화합물; SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe 및 이들의 혼합물에서 선택되는 삼원소 반도체 화합물; 및 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe 및 이들의 혼합물에서 선택되는 사원소 반도체 화합물에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. IV족 반도체 화합물은 예컨대 Si, Ge 및 이들의 혼합물에서 선택되는 단원소 반도체 화합물; 및 SiC, SiGe 및 이들의 혼합물에서 선택되는 이원소 반도체 화합물에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. I-III-VI족 반도체 화합물은 예컨대 CuInSe2, CuInS2, CuInGaSe, CuInGaS 및 이들의 혼합물에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. I-II-IV-VI족 반도체 화합물은 예컨대 CuZnSnSe 및 CuZnSnS에서 선택될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. II-III-V족 반도체 화합물은 예컨대 InZnP를 들 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
양자점은 상기 이원소 반도체 화합물, 삼원소 반도체 화합물 또는 사원소 반도체 화합물을 실질적으로 균일한 농도로 포함하거나, 농도 분포가 부분적으로 다른 상태로 나누어 포함할 수 있다.
일 예로, 양자점은 비카드뮴계 양자점을 포함할 수 있다. 카드뮴(Cd)은 심각한 환경/보건 문제를 야기할 수 있으며 다수의 국가들에서 유해물질 제한 지침(RoHS) 상 규제 대상 원소이므로, 비카드뮴계 양자점이 효과적으로 사용될 수 있다.
일 예로, 양자점은 예컨대 아연(Zn), 텔루리움(Te) 및 셀레늄(Se)을 포함하는 반도체 화합물일 수 있다. 예컨대 반도체 화합물에서 텔루리움(Te)의 함량은 셀레늄(Se)의 함량보다 작을 수 있다. 반도체 화합물은 약 470nm 이하의 파장 영역, 예컨대 약 430nm 내지 470nm 파장 영역에서 피크 발광 파장(peak emission wavelength)을 가지는 청색 광을 낼 수 있다.
일 예로, 양자점은 예컨대 인듐(In), 아연(Zn) 및 인(P)을 포함하는 반도체 화합물일 수 있다. 예컨대 상기 반도체 화합물에서 인듐(In)에 대한 아연의 몰 비(mole ratio)는 약 25 이상일 수 있다. 상기 반도체 화합물은 약 470nm 이하의 파장 영역, 예컨대 약 430nm 내지 470nm의 파장 영역에서 피크 발광 파장을 가지는 청색 광을 낼 수 있다.
양자점은 하나의 양자점을 다른 양자점이 둘러싸는 코어-쉘(core-shell) 구조를 가질 수도 있다. 예컨대 양자점의 코어와 쉘의 계면은 쉘에 존재하는 원소의 농도가 중심으로 갈수록 낮아지는 농도 구배(gradient)를 가질 수 있다. 예컨대 양자점의 쉘을 구성하는 물질 조성이 양자점의 코어를 이루는 물질 조성보다 높은 에너지 밴드갭을 가질 수 있으며, 이에 따라 양자 구속 효과(quantum confinement effect)를 가질 수 있다.
양자점은 하나의 양자점 코어와 이를 둘러싸는 다층의 양자점 쉘을 포함할 수 있다. 이때 다층의 쉘은 2층 이상의 쉘을 가지는 것으로 각각의 층은 독립적으로 단일 조성, 합금 및/또는 농도 구배를 가질 수 있다. 예컨대 다층의 쉘 중, 코어에서 먼 쪽에 위치하는 쉘이 코어에서 가깝게 위치하는 쉘보다 높은 에너지 밴드갭을 가질 수 있으며, 이에 따라 양자 구속 효과를 가질 수 있다.
일 예로, 코어-쉘 구조를 가지는 양자점은 예컨대 아연(Zn), 텔루리움(Te), 및 셀레늄(Se)을 포함하는 제1 반도체 화합물을 포함하는 코어와 상기 코어의 적어도 일부 위에 위치하고 상기 코어와 다른 조성을 가지는 제2 반도체 화합물을 포함하는 쉘(shell)을 포함할 수 있다.
Zn-Te-Se계의 제1 반도체 화합물은 예컨대 소량의 텔루리움(Te)을 포함하는 Zn-Se 기반의 반도체 화합물일 수 있으며, 예컨대 ZnTexSe1 - x (여기서, x는 0 보다 크고 0.05 이하임)로 표현되는 반도체 화합물일 수 있다.
예컨대 Zn-Te-Se계의 제1 반도체 화합물에서, 아연(Zn)의 몰 함량은 셀레늄(Se)의 몰 함량보다 많을 수 있고, 셀레늄(Se)의 몰 함량은 텔루리움(Te)의 몰 함량보다 많을 수 있다. 예컨대 제1 반도체 화합물에서, 셀레늄(Se)에 대한 텔루리움(Te)의 몰비는 약 0.05 이하, 약 0.049 이하, 약 0.048 이하, 약 0.047 이하, 약 0.045 이하, 약 0.044 이하, 약 0.043 이하, 약 0.042 이하, 약 0.041 이하, 약 0.04 이하, 약 0.039 이하, 약 0.035 이하, 약 0.03 이하, 약 0.029 이하, 약 0.025 이하, 약 0.024 이하, 약 0.023 이하, 약 0.022 이하, 약 0.021 이하, 약 0.02 이하, 약 0.019 이하, 약 0.018 이하, 약 0.017 이하, 약 0.016 이하, 약 0.015 이하, 약 0.014 이하, 약 0.013 이하, 약 0.012 이하, 약 0.011 이하 또는 약 0.01 이하일 수 있다. 예컨대 제1 반도체 화합물에서, 아연(Zn)에 대한 텔루리움(Te)의 몰비는 약 0.02 이하, 약 0.019 이하, 약 0.018 이하, 약 0.017 이하, 약 0.016 이하, 약 0.015 이하, 약 0.014 이하, 약 0.013 이하, 약 0.012 이하, 약 0.011 이하 또는 약 0.011 이하일 수 있다.
제2 반도체 화합물은 예컨대 II족-VI족 반도체 화합물, III족-V족 반도체 화합물, IV족- VI족 반도체 화합물, IV족 반도체 화합물, I족-III-VI족 반도체 화합물, I-II-IV-VI 족 반도체 화합물, II-III-V족 반도체 화합물 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. II족-VI족 반도체 화합물, III족-V족 반도체 화합물, IV족- VI족 반도체 화합물, IV족 반도체 화합물, I족-III-VI족 반도체 화합물, I-II-IV-VI족 반도체 화합물 및 II-III-V족 반도체 화합물의 예는 전술한 바와 같다.
예컨대, 제2 반도체 화합물은 아연(Zn), 셀레늄(Se) 및/또는 황(S)을 포함할 수 있다. 예컨대 쉘은 코어에 가깝게 위치하는 하나 이상의 내부 쉘과 양자점의 최외각에 위치하는 최외각 쉘을 포함할 수 있으며, 내부 쉘은 ZnSeS를 포함할 수 있고 최외각 쉘은 SnS를 포함할 수 있다. 예컨대 쉘은 일 성분에 대하여 농도 구배를 가질 수 있으며 예컨대 코어에서 멀어질수록 황(S)의 함량이 많아지는 농도 구배를 가질 수 있다.
일 예로, 코어-쉘 구조를 가지는 양자점은 예컨대 인듐(In), 아연(Zn) 및 인(P)을 포함하는 제3 반도체 화합물을 포함하는 코어와 상기 코어의 적어도 일부 위에 위치하고 상기 코어와 다른 조성을 가지는 제4 반도체 화합물을 포함하는 쉘을 포함할 수 있다.
In-Zn-P계의 제3 반도체 화합물에서 인듐(In)에 대한 아연(Zn)의 몰 비는 약 25 이상일 수 있다. 예컨대 In-Zn-P계의 제1 반도체 화합물에서 인듐(In)에 대한 아연(Zn)의 몰 비는 약 28 이상, 29 이상 또는 30 이상일 수 있다. 예컨대 In-Zn-P계의 제1 반도체 화합물에서 인듐(In)에 대한 아연(Zn)의 몰 비는 약 55 이하일 수 있으며, 예컨대 50 이하, 45 이하, 40 이하, 35 이하, 34 이하, 33 이하 또는 32 이하일 수 있다.
제4 반도체 화합물은 예컨대 II족-VI족 반도체 화합물, III족-V족 반도체 화합물, IV족- VI족 반도체 화합물, IV족 반도체 화합물, I족-III-VI족 반도체 화합물, I-II-IV-VI 족 반도체 화합물, II-III-V족 반도체 화합물 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. II족-VI족 반도체 화합물, III족-V족 반도체 화합물, IV족- VI족 반도체 화합물, IV족 반도체 화합물, I족-III-VI족 반도체 화합물, I-II-IV-VI족 반도체 화합물 및 II-III-V족 반도체 화합물의 예는 전술한 바와 같다.
예컨대 제4 반도체 화합물은 아연(Zn) 및 황(S)과 선택적으로 셀레늄(Se)을 포함할 수 있다. 예컨대 쉘은 코어에 가깝게 위치하는 하나 이상의 내부 쉘과 양자점의 최외각에 위치하는 최외각 쉘을 포함할 수 있으며, 내부 쉘 및 최외각 쉘 중 적어도 하나는 ZnS 또는 ZnSeS의 제4 반도체 화합물을 포함할 수 있다.
양자점 층(13)은 예컨대 약 5nm 내지 200nm의 두께를 가질 수 있으며, 상기 범위 내에서 예컨대 약 10nm 내지 150nm, 예컨대 약 10nm 내지 100nm, 예컨대 약 10nm 내지 50nm의 두께를 가질 수 있다.
양자점 층(13)은 비교적 높은 HOMO 에너지 준위를 가질 수 있으며, 예컨대 약 5.4eV 이상의 HOMO 에너지 준위를 가질 수 있고, 예컨대 약 5.6eV 이상의 HOMO 에너지 준위를 가질 수 있고, 상기 범위 내에서 예컨대 약 5.7eV 이상, 예컨대 약 5.8eV 이상, 예컨대 약 5.9eV 이상, 예컨대 약 6.0eV 이상의 HOMO 에너지 준위를 가질 수 있다. 양자점 층(13)의 HOMO 에너지 준위는 상기 범위 내에서 예컨대 약 5.4eV 내지 7.0eV, 예컨대 약 5.4eV 내지 6.8eV, 예컨대 약 5.4eV 내지 6.7eV, 예컨대 약 5.4eV 내지 6.5eV, 예컨대 약 5.4eV 내지 6.3eV, 예컨대 약 5.4eV 내지 6.2eV, 예컨대 약 5.4eV 내지 6.1eV의 HOMO 에너지 준위를 가질 수 있고, 상기 범위 내에서 예컨대 약 5.6eV 내지 7.0eV, 예컨대 약 5.6eV 내지 6.8eV, 예컨대 약 5.6eV 내지 6.7eV, 예컨대 약 5.6eV 내지 6.5eV, 예컨대 약 5.6eV 내지 6.3eV, 예컨대 약 5.6eV 내지 6.2eV, 예컨대 약 5.6eV 내지 6.1eV의 HOMO 에너지 준위를 가질 수 있고, 상기 범위 내에서 예컨대 약 5.7eV 내지 7.0eV, 예컨대 약 5.7eV 내지 6.8eV, 예컨대 약 5.7eV 내지 6.7eV, 예컨대 약 5.7eV 내지 6.5eV, 예컨대 약 5.7eV 내지 6.3eV, 예컨대 약 5.7eV 내지 6.2eV, 예컨대 약 5.7eV 내지 6.1eV의 HOMO 에너지 준위를 가질 수 있고, 상기 범위 내에서 예컨대 약 5.8eV 내지 7.0eV, 예컨대 약 5.8eV 내지 6.8eV, 예컨대 약 5.8eV 내지 6.7eV, 예컨대 약 5.8eV 내지 6.5eV, 예컨대 약 5.8eV 내지 6.3eV, 예컨대 약 5.8eV 내지 6.2eV, 예컨대 약 5.8eV 내지 6.1eV의 HOMO 에너지 준위를 가질 수 있고, 상기 범위 내에서 예컨대 약 6.0eV 내지 7.0eV, 예컨대 약 6.0eV 내지 6.8eV, 예컨대 약 6.0eV 내지 6.7eV, 예컨대 약 6.0eV 내지 6.5eV, 예컨대 약 6.0eV 내지 6.3eV, 예컨대 약 6.0eV 내지 6.2eV일 수 있다.
양자점 층(13)은 비교적 낮은 LUMO 에너지 준위를 가질 수 있으며, 예컨대 약 3.6eV 이하의 LUMO 에너지 준위를 가질 수 있고, 상기 범위 내에서 예컨대 약 3.5eV 이하, 예컨대 약 3.4eV 이하, 예컨대 약 3.3eV 이하, 예컨대 약 3.2eV 이하, 예컨대 약 3.0eV 이하의 LUMO 에너지 준위를 가질 수 있다. 양자점 층(13)의 LUMO 에너지 준위는 상기 범위 내에서 예컨대 약 2.5eV 내지 3.6eV, 예컨대 약 2.5eV 내지 3.5eV, 예컨대 약 2.5eV 내지 3.4eV, 예컨대 약 2.5eV 내지 3.3eV, 예컨대 약 2.5eV 내지 3.2eV, 예컨대 약 2.5eV 내지 3.1eV, 예컨대 약 2.5eV 내지 3.0eV일 수 있다.
양자점 층(13)은 약 2.4eV 내지 2.9eV의 에너지 밴드갭을 가질 수 있다. 상기 범위 내에서 예컨대 약 2.4eV 내지 2.8eV의 에너지 밴드갭을 가질 수 있으며, 상기 범위 내에서 예컨대 약 2.4eV 내지 2.78eV의 에너지 밴드갭을 가질 수 있다.
정공 보조층(12)은 제1 전극(11)과 양자점 층(13) 사이에 위치한다. 정공 보조층(12)은 1층 또는 2층 이상일 수 있으며, 예컨대 정공 주입층, 정공 수송층 및/또는 전자 차단층을 포함할 수 있다.
정공 보조층(12)의 HOMO 에너지 준위는 양자점 층(13)의 HOMO 에너지 준위와 매칭될 수 있도록 비교적 높은 HOMO 에너지 준위를 가질 수 있다. 이에 따라 정공 보조층(12)으로부터 양자점 층(13)으로 전달되는 정공의 이동성을 높일 수 있다.
정공 보조층(12)의 HOMO 에너지 준위는 양자점 층(13)의 HOMO 에너지 준위와 같거나 그보다 약 1.0eV 이하 범위 내에서 작을 수 있다. 예컨대 정공 보조층(12)과 양자점 층(13)의 HOMO 에너지 준위의 차이는 약 0eV 내지 1.0eV 일 수 있고, 상기 범위 내에서 예컨대 약 0.01eV 내지 0.8eV, 상기 범위 내에서 예컨대 약 0.01eV 내지 0.7eV, 상기 범위 내에서 예컨대 약 0.01eV 내지 0.5eV, 상기 범위 내에서 예컨대 약 0.01eV 내지 0.4eV, 예컨대 약 0.01eV 내지 0.3eV, 예컨대 약 0.01eV 내지 0.2eV, 예컨대 약 0.01eV 내지 0.1eV 일 수 있다.
정공 보조층(12)의 HOMO 에너지 준위는 예컨대 약 5.0eV 이상일 수 있고, 상기 범위 내에서 예컨대 약 5.2eV 이상일 수 있고, 상기 범위 내에서 예컨대 약 5.4eV 이상일 수 있고, 상기 범위 내에서 예컨대 약 5.6eV 이상일 수 있고, 상기 범위 내에서 예컨대 약 5.8eV 이상일 수 있다.
예컨대 정공 보조층(12)의 HOMO 에너지 준위는 약 5.0eV 내지 7.0eV일 수 있고, 상기 범위 내에서 예컨대 약 5.2eV 내지 6.8eV, 상기 범위 내에서 예컨대 약 5.4eV 내지 6.8eV, 예컨대 약 5.4eV 내지 6.7eV, 예컨대 약 5.4eV 내지 6.5eV, 예컨대 약 5.4eV 내지 6.3eV, 예컨대 약 5.4eV 내지 6.2eV, 예컨대 약 5.4eV 내지 6.1eV, 예컨대 약 5.6eV 내지 7.0eV, 예컨대 약 5.6eV 내지 6.8eV, 예컨대 약 5.6eV 내지 6.7eV, 예컨대 약 5.6eV 내지 6.5eV, 예컨대 약 5.6eV 내지 6.3eV, 예컨대 약 5.6eV 내지 6.2eV, 예컨대 약 5.6eV 내지 6.1eV, 예컨대 약 5.8eV 내지 7.0eV, 예컨대 약 5.8eV 내지 6.8eV, 예컨대 약 5.8eV 내지 6.7eV, 예컨대 약 5.8eV 내지 6.5eV, 예컨대 약 5.8eV 내지 6.3eV, 예컨대 약 5.8eV 내지 6.2eV, 예컨대 약 5.8eV 내지 6.1eV일 수 있다.
일 예로, 정공 보조층(12)은 제1 전극(11)에 가깝게 위치하는 정공 주입층과 양자점 층(13)에 가깝게 위치하는 정공 수송층을 포함할 수 있다. 이때, 정공 주입층의 HOMO 에너지 준위는 약 5.0eV 내지 6.0eV일 수 있고, 상기 범위 내에서 예컨대 약 5.0eV 내지 5.5eV일 수 있고, 상기 범위 내에서 예컨대 약 5.0eV 내지 5.4eV일 수 있고, 정공 수송층의 HOMO 에너지 준위는 약 5.2eV 내지 7.0eV일 수 있고 상기 범위 내에서 상기 범위 내에서 예컨대 약 5.4eV 내지 6.8eV, 예컨대 약 5.4eV 내지 6.7eV, 예컨대 약 5.4eV 내지 6.5eV, 예컨대 약 5.4eV 내지 6.3eV, 예컨대 약 5.4eV 내지 6.2eV, 예컨대 약 5.4eV 내지 6.1eV일 수 있다.
정공 보조층(12)은 상기 에너지 준위를 만족하는 재료이면 특별히 한정되지 않으며, 예컨대 폴리(9,9-디옥틸-플루오렌-코-N-(4-부틸페닐)-디페닐아민) (Poly(9,9-dioctyl-fluorene-co-N-(4-butylphenyl)-diphenylamine), TFB), 폴리아릴아민, 폴리(N-비닐카바졸)(poly(N-vinylcarbazole), 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜(poly(3,4-ethylenedioxythiophene), PEDOT), 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)폴리스티렌 설포네이트(poly(3,4-ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate, PEDOT:PSS), 폴리아닐린(polyaniline), 폴리피롤(polypyrrole), N,N,N',N'-테트라키스(4-메톡시페닐)-벤지딘(N,N,N',N'-tetrakis(4-methoxyphenyl)-benzidine, TPD), 4-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐-아미노]비페닐(4-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenyl-amino]biphenyl, α-NPD), m-MTDATA (4,4',4"-Tris[phenyl(m-tolyl)amino]triphenylamine), 4,4',4"-트리스(N-카바졸릴)-트리페닐아민(4,4',4"-tris(N-carbazolyl)-triphenylamine, TCTA), 1,1-비스[(디-4-토일아미노)페닐시클로헥산 (TAPC), p형 금속 산화물 (예를 들어, NiO, WO3, MoO3 등), 그래핀옥사이드 등 탄소 기반의 재료 및 이들의 조합에서 선택되는 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
전자 보조층(14)은 양자점 층(13)과 제2 전극(15) 사이에 위치하고, 양자점 층(13)에 가깝게 위치하는 제1 전자 보조층(14a)과 제2 전극(15)에 가깝게 위치하는 제2 전자 보조층(14b)을 포함한다. 일 예로, 제1 전자 보조층(14a)은 양자점 층(13)에 맞닿아 있을 수 있고 제2 전자 보조층(14b)은 제2 전극(15)에 맞닿아 있을 수 있다. 전자 보조층(14)은 예컨대 전자 주입층, 전자 수송층 및/또는 정공 차단층을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
제1 전자 보조층(14a)과 제2 전자 보조층(14b)은 각각 독립적으로 무기물 및/또는 유기물을 포함할 수 있으며, 예컨대 무기물을 포함할 수 있고, 예컨대 무기 나노 입자를 포함할 수 있다. 일 예로, 제1 전자 보조층(14a)과 제2 전자 보조층(14b)에 포함된 무기 나노 입자는 예컨대 각각 금속 산화물을 포함할 수 있다.
일 예로, 제1 전자 보조층(14a)은 금속 산화물을 포함하는 제1 나노 입자를 포함할 수 있고 제2 전자 보조층(14b)은 금속 산화물을 포함하는 제2 나노 입자를 포함할 수 있다.
일 예로, UV 흡광 스펙트럼에서, 제1 나노 입자의 제1 엑시톤 피크 파장(first exciton peak wavelength)은 제2 나노 입자의 제1 엑시톤 피크 파장보다 짧을 수 있으며, 이에 따라 제1 나노 입자를 포함하는 제1 전자 보조층(14a)의 에너지 밴드갭은 제2 나노 입자를 포함하는 제2 전자 보조층(14b)의 에너지 밴드갭보다 클 수 있다.
일 예로, 제1 전자 보조층(14a)에 포함된 제1 나노 입자와 제2 전자 보조층(14b)에 포함된 제2 나노 입자는 서로 다른 입자 크기를 가질 수 있고, 제2 전자 보조층(14b)에 포함된 제2 나노 입자의 평균입자크기는 제1 전자 보조층(14a)에 포함된 제1 나노 입자의 평균입자크기보다 클 수 있다.
제1 전자 보조층(14a)에 포함된 제1 나노 입자의 평균입자크기는 약 3.5nm 미만일 수 있고, 상기 범위 내에서 예컨대 약 3.4nm 이하일 수 있고, 상기 범위 내에서 예컨대 약 3.3nm 이하일 수 있고, 상기 범위 내에서 예컨대 약 3.2nm 이하일 수 있고, 상기 범위 내에서 예컨대 약 3.1nm 이하일 수 있고, 상기 범위 내에서 예컨대 약 3.0nm 이하일 수 있다. 제1 나노 입자의 평균입자크기는 상기 범위 내에서 예컨대 약 1.2nm 이상 3.5nm 미만일 수 있고, 상기 범위 내에서 예컨대 약 1.3nm 이상 3.4nm 미만일 수 있고, 상기 범위 내에서 예컨대 약 1.5nm 내지 3.3nm 일 수 있고, 상기 범위 내에서 예컨대 약 1.8nm 내지 3.3nm 일 수 있고, 상기 범위 내에서 예컨대 약 2.0nm 내지 3.3nm 일 수 있다.
제2 전자 보조층(14b)에 포함된 제2 나노 입자의 평균입자크기는 제1 나노 입자의 평균입자크기보다 클 수 있으며, 예컨대 약 3.5nm 이상일 수 있다. 제2 나노 입자의 평균입자크기는 상기 범위 내에서 예컨대 약 3.5nm 내지 7.0nm 일 수 있고, 상기 범위 내에서 예컨대 약 3.5nm 내지 6.0nm 일 수 있고, 상기 범위 내에서 약 3.5nm 내지 5.5nm 일 수 있고, 상기 범위 내에서 약 3.5nm 내지 5.0nm 일 수 있고, 상기 범위 내에서 약 4.0 내지 5.0nm 일 수 있고, 상기 범위 내에서 약 4.5nm 내지 5.0nm 일 수 있다.
일 예로, 제1 전자 보조층(14a)에 포함된 제1 나노 입자의 에너지 밴드갭은 제2 전자 보조층(14b)에 포함된 제2 나노 입자의 에너지 밴드갭보다 클 수 있다. 예컨대 제1 나노 입자의 에너지 밴드갭은 약 3.55eV 내지 3.65eV 일 수 있고, 제2 나노 입자의 에너지 밴드갭은 약 3.4eV 이상 약 3.55eV 미만일 수 있다.
일 예로, 제1 나노 입자와 제2 나노 입자는 각각 아연(Zn)을 함유하는 산화물일 수 있다.
일 예로, 제1 나노 입자는 아연(Zn)과 아연(Zn)을 제외한 금속 또는 반금속을 함유한 산화물일 수 있고 제2 나노 입자는 아연 산화물(ZnO)일 수 있다.
일 예로, 제1 나노 입자는 하기 화학식 1로 표현될 수 있고 제2 나노입자는 ZnO일 수 있다.
[화학식 1]
Zn1 -x MxO
상기 화학식 1에서,
M은 Mg, Ca, Zr, W, Li, Ti 또는 이들의 조합일 수 있고
0.01≤x<0.5 일 수 있다.
일 예로, 화학식 1에서 M은 마그네슘(Mg)일 수 있다.
일 예로, 화학식 1에서 0.01≤x≤0.3일 수 있고, 예컨대 0.01≤x≤0.15일 수 있다.
제1 전자 보조층(14a)의 LUMO 에너지 준위는 제2 전자 보조층(14b)의 LUMO 에너지 준위보다 작을 수 있다. 예컨대 제1 전자 보조층(14a)의 LUMO 에너지 준위는 약 3.2eV 내지 4.0eV 일 수 있고 상기 범위 내에서 예컨대 약 3.4eV 내지 4.0eV일 수 있고 상기 범위 내에서 예컨대 약 3.6eV 내지 4.0eV일 수 있다. 예컨대 제2 전자 보조층(14b)의 LUMO 에너지 준위는 약 3.9eV 내지 4.3eV 일 수 있고 상기 범위 내에서 예컨대 약 4.0eV 내지 4.3eV 일 수 있고 상기 범위 내에서 약 4.0eV 내지 4.2eV 일 수 있다.
제1 전자 보조층(14a)의 LUMO 에너지 준위는 양자점 층(13)의 LUMO 에너지 준위와 제2 전자 보조층(14b)의 LUMO 에너지 준위의 사이 값일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
제1 전자 보조층(14a)의 LUMO 에너지 준위는 양자점 층(13)의 LUMO 에너지 준위보다 크거나 작을 수 있으며, 양자점 층(13)과 제1 전자 보조층(14a)의 LUMO 에너지 준위의 차이는 약 1.1eV 보다 작을 수 있고 상기 범위 내에서 약 1.0eV 이하일 수 있고 상기 범위 내에서 약 0.9eV 이하일 수 있고 상기 범위 내에서 약 0.85eV 이하일 수 있다.
제1 전자 보조층(14a)의 LUMO 에너지 준위는 제2 전자 보조층(14b)의 에너지 준위보다 작을 수 있으며, 제1 전자 보조층(14a)과 제2 전자 보조층(14b)의 LUMO 에너지 준위의 차이는 예컨대 약 0.5eV 이하일 수 있고 상기 범위 내에서 예컨대 약 0.4eV 이하일 수 있고 상기 범위 내에서 예컨대 약 0.3eV 이하일 수 있다.
일 예로, 양자점 층(13)의 LUMO 에너지 준위는 약 2.5eV 내지 3.6eV 일 수 있고 제1 전자 보조층(14a)의 LUMO 에너지 준위는 약 3.2eV 내지 4.0eV 일 수 있고 제2 전자 보조층(14b)의 LUMO 에너지 준위는 약 3.9eV 내지 4.3eV 일 수 있다.
이와 같이 양자점 층(13)과 제2 전극(15) 사이에 전술한 제1 전자 보조층(14a)과 제2 전자 보조층(14b)을 포함함으로써 제2 전극(15)과 양자점 층(13) 사이에서 LUMO 에너지 준위의 단차로 인한 에너지 장벽을 줄여 전자의 주입 및 수송을 용이하게 할 수 있고 이에 따라 양자점 소자의 효율을 개선할 수 있다. 특히 기존의 카드뮴계 청색 양자점 소자 및/또는 기존의 적색 및 녹색 양자점 소자와 달리, 비교적 낮은 LUMO 에너지 준위를 가진 양자점 층(13)을 포함한 청색 발광 비카드뮴 양자점 소자에 효과적으로 적용될 수 있다.
또한, 입자 크기가 상이한 나노 입자를 포함한 제1 전자 보조층(14a)과 제2 전자 보조층(14b)을 포함함으로써 제1 전자 보조층(14a)과 제2 전자 보조층(14b)의 계면 및/또는 양자점 층(13)과 제1 전자 보조층(14a)의 계면에서 치밀한 막질을 형성할 수 있어서 누설 전류를 효과적으로 줄일 수 있다.
도 2는 다른 구현예에 따른 양자점 소자를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2를 참고하면, 본 구현예에 따른 양자점 소자(20)는 전술한 구현예와 마찬가지로 제1 전극(11), 정공 보조층(12), 양자점 층(13), 전자 보조층(14) 및 제2 전극(15)을 포함한다. 제1 전극(11), 정공 보조층(12), 양자점 층(13) 및 제2 전극(15)은 전술한 바와 같다. 그러나 본 구현예에 따른 양자점 소자(20)는 전술한 구현예와 달리, 전자 보조층(14)이 제1 전자 보조층(14a)과 제2 전자 보조층(14b)으로 분리되지 않고 단일의 전자 보조층(14)을 포함한다.
일 예로, 전자 보조층(14)의 일 면은 양자점 층(13)에 맞닿아 있을 수 있고 전자 보조층(14)의 다른 일 면은 제2 전극(15)에 맞닿아 있을 수 있다. 전자 보조층(14)은 예컨대 전자 주입층, 전자 수송층 및/또는 정공 차단층일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
전자 보조층(14)은 무기물 및/또는 유기물을 포함할 수 있으며, 예컨대 무기물을 포함할 수 있고, 예컨대 무기 나노 입자를 포함할 수 있고 예컨대 금속 산화물을 포함하는 나노 입자를 포함할 수 있다.
전자 보조층(14)은 서로 다른 에너지 준위와 입자 크기를 가진 복수의 나노 입자를 포함할 수 있으며, 예컨대 제1 나노 입자와 제2 나노 입자를 포함할 수 있다. 일 예로, 제1 나노 입자와 제2 나노 입자는 전자 보조층(14) 내에서 혼합되어 있을 수 있다. 여기서 제1 나노 입자와 제2 나노 입자는 약 1:9 내지 9:1의 중량비로 혼합될 수 있으며, 상기 범위 내에서 예컨대 약 2:8 내지 8:2, 예컨대 약 3:7 내지 7:3, 예컨대 약 4:6 내지 6:4, 예컨대 약 5:5의 중량비로 혼합될 수 있다.
일 예로, UV 흡광 스펙트럼에서, 제1 나노 입자의 제1 엑시톤 피크 파장은 제2 나노 입자의 제1 엑시톤 피크 파장보다 짧을 수 있다.
일 예로, 제1 나노 입자와 제2 나노 입자는 서로 다른 입자 크기를 가질 수 있고, 제2 나노 입자의 평균입자크기는 제1 나노 입자의 평균입자크기보다 클 수 있다.
제1 나노 입자의 평균입자크기는 약 3.5nm 미만일 수 있고, 상기 범위 내에서 예컨대 약 3.4nm 이하일 수 있고, 상기 범위 내에서 예컨대 약 3.3nm 이하일 수 있고, 상기 범위 내에서 예컨대 약 3.2nm 이하일 수 있고, 상기 범위 내에서 예컨대 약 3.1nm 이하일 수 있고, 상기 범위 내에서 예컨대 약 3.0nm 이하일 수 있다. 제1 나노 입자의 평균입자크기는 상기 범위 내에서 예컨대 약 1.2nm 이상 3.5nm 미만일 수 있고, 상기 범위 내에서 예컨대 약 1.3nm 이상 3.4nm 미만일 수 있고, 상기 범위 내에서 예컨대 약 1.5nm 내지 3.3nm 일 수 있고, 상기 범위 내에서 예컨대 약 1.8nm 내지 3.3nm 일 수 있고, 상기 범위 내에서 예컨대 약 2.0nm 내지 3.3nm 일 수 있다.
제2 나노 입자의 평균입자크기는 제1 나노 입자의 평균입자크기보다 클 수 있으며, 예컨대 약 3.5nm 이상일 수 있다. 제2 나노 입자의 평균입자크기는 상기 범위 내에서 예컨대 약 3.5nm 내지 7.0nm 일 수 있고, 상기 범위 내에서 예컨대 약 3.5nm 내지 6.0nm 일 수 있고, 상기 범위 내에서 약 3.5nm 내지 5.5nm 일 수 있고, 상기 범위 내에서 약 3.5nm 내지 5.0nm 일 수 있고, 상기 범위 내에서 약 4.0 내지 5.0nm 일 수 있고, 상기 범위 내에서 약 4.5nm 내지 5.0nm 일 수 있다.
일 예로, 제1 나노 입자와 제2 나노 입자는 각각 아연(Zn)을 함유하는 산화물일 수 있고, 예컨대 제1 나노 입자는 하기 화학식 1로 표현될 수 있고 제2 나노입자는 ZnO일 수 있다.
[화학식 1]
Zn1 -x MxO
상기 화학식 1에서,
M은 Mg, Ca, Zr, W, Li, Ti 또는 이들의 조합일 수 있고
0.01≤x<0.5일 수 있다.
일 예로, 화학식 1에서 M은 마그네슘(Mg)일 수 있다.
일 예로, 화학식 1에서 0.01≤x≤0.3일 수 있고, 예컨대 0.01≤x≤0.15일 수 있다.
전자 보조층(14)의 LUMO 에너지 준위는 양자점 층(13)의 LUMO 에너지 준위보다 크거나 작을 수 있으며, 양자점 층(13)과 전자 보조층(14)의 LUMO 에너지 준위의 차이는 약 1.1eV 보다 작을 수 있다. 양자점 층(13)과 전자 보조층(14)의 LUMO 에너지 준위의 차이는 상기 범위 내에서 약 1.0eV 이하일 수 있고 상기 범위 내에서 약 0.9eV 이하일 수 있고 상기 범위 내에서 약 0.85eV 이하일 수 있다.
일 예로, 양자점 층(13)의 LUMO 에너지 준위는 약 2.5 내지 3.6eV 일 수 있고 전자 보조층(14)의 LUMO 에너지 준위는 약 3.2eV 내지 4.3eV 일 수 있다.
이와 같이 양자점 층(13)과 제2 전극(15) 사이에 에너지 준위 및 입자 크기가 상이한 복수의 나노 입자들을 포함하는 전자 보조층(14)을 포함함으로써 제2 전극(15)으로부터 양자점 층(13)까지 전자의 주입 및 수송을 용이하게 하여 양자점 소자의 효율을 개선할 수 있다. 특히 기존의 카드뮴계 청색 양자점 소자 및/또는 기존의 적색 및 녹색 양자점 소자와 달리, 비교적 낮은 LUMO 에너지 준위를 가진 양자점 층(13)을 포함한 청색 발광 비카드뮴 양자점 소자에 효과적으로 적용될 수 있다.
또한, 전자 보조층(14)에 입자 크기가 상이한 복수의 나노 입자를 포함함으로써 전자 보조층(14) 내에서 나노 입자들 사이의 공극을 효과적으로 줄여 누설 전류를 효과적으로 줄일 수 있다.
전술한 정공 보조층(12), 양자점 층(13) 및 전자 보조층(14)은 예컨대 용액 공정으로 형성될 수 있으며, 예컨대 스핀 코팅, 슬릿 코팅, 잉크젯 인쇄, 노즐 인쇄, 분사 및/또는 닥터 블레이드 코팅에 의해 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
양자점 소자는 예컨대 표시 장치 또는 조명 장치 등의 다양한 전자 장치에 적용될 수 있다.
이하 실시예를 통하여 상술한 구현예를 보다 상세하게 설명한다. 다만, 하기의 실시예는 단지 설명의 목적을 위한 것이며 권리범위를 제한하는 것은 아니다.
합성예
합성예 1: ZnTeSe 코어의 합성
셀레늄(Se) 및 텔루리움(Te)을 트리옥틸포스핀(trioctylphosphine, TOP)에 분산시켜 2M의 Se/TOP stock solution 및 0.1 M 의 Te/TOP stock solution을 얻는다.
아연 아세테이트(zinc acetate) 0.125 mmol을 올레익산 (Oleic acid) 0.25 mmol 및 헥사데실아민 0.25 mmol 과 함께 트리옥틸아민 10mL를 반응기에 넣고 진공 하에 120도로 가열한다. 1시간 후 반응기 내 분위기를 질소로 전환한다.
300도로 가열한 후 위에서 준비한 Se/TOP stock solution 및 Te/TOP stock solution을 Te/Se 비율을 1/25으로 신속히 주입한다. 10분, 30분, 또는 60분 후, 상온으로 신속하게 식힌 반응 용액에 아세톤을 넣고 원심 분리하여 얻은 침전을 톨루엔에 분산시켜 ZnTeSe 양자점을 얻는다.
합성예 2: ZnTeSe 코어/ ZnSeS 쉘의 양자점 합성
Zinc acetate 1.8mmoL (0.336g), oleic acid 3.6mmol (1.134g) 및 trioctylamine 10mL를 플라스크에 넣고 120℃에서 10분간 진공처리한다. 질소(N2)로 상기 플라스크 내를 치환한 후 180℃로 승온한다. 여기에, 합성예 1에서 얻은 ZnTeSe 코어를 10초 내에 넣고, 이어서 Se/TOP 0.04mmol을 천천히 주입한 다음 280℃로 승온한다. 그 후 S/TOP 0.01mmol를 넣고 320℃로 승온하여 10분 반응한다. 연속하여, Se/TOP 0.02mmol 및 S/TOP 0.04 mmol　혼합용액을 천천히 주입하고 다시 20분 반응한다. 이후 Se과 S의 혼합비율을 바꾸어 주입하고 20분 반응시키는 단계를 반복하는데, 이때 사용하는 Se 및 S의 혼합용액은 Se/TOP 0.01mmol + S/TOP 0.05mmol의 혼합용액, Se/TOP 0.005mmol + S/TOP 0.1mmol의 혼합용액(B),　S/TOP 0.5mmol　용액이며, 이들을 순서대로 사용한다. 상기 반응이 모두 끝난 후 반응기를 냉각하고, 제조된 나노결정을 ethanol로 원심 분리하여 톨루엔에 분산시켜 ZnTeSe/ZnSeS 코어쉘 양자점을 얻는다.
합성예 3: Zn 0 . 85 Mg 0 .15 O 나노입자의 합성
아연 아세테이트 다이하이드레이트(zinc acetate dihydrate) 8.07 mmol, 마그네슘 아세테이트 테트라하이드레이트 (magnesium acetate tetrahydrate) 0.93 mmol 및 다이메틸설폭사이드 90mL를 반응기에 넣고 공기 중에서 60도로 가열한다. 이어서 테트라메틸암모늄 하이드록시드 펜타하이드레이트 (tetramethylammonium hydroxide pentahydrate) 15mmol을 30mL 에탄올에 녹인 후 분당 3mL씩 상기 반응기에 dropwise 한다. 1시간 교반 후 제조된 Zn0.85Mg0.15O 나노입자와 에틸 아세테이트 (ethyl acetate)를 1:9 (부피비)의 비율로 원심 분리하고 에탄올에 분산시켜 Zn0.85Mg0.15O 나노입자를 얻는다.
얻어진 Zn0.85Mg0.15O 나노입자를 Philips XPert PRO 기기를 사용하여 power 3kW로 XRD 분석을 수행하여 Zn0 . 85Mg0 .15O 나노결정의 결정 구조를 확인한다.
도 3은 합성예 3에서 얻은 Zn0 . 85Mg0 .15O 나노입자의 XRD 그래프이고, 도 4는 합성예 3에서 얻은 Zn0 . 85Mg0 .15O 나노입자의 투과전자현미경(TEM) 사진이다.
UT F30 Tecnai electron microscope 으로 측정된 Zn0 . 85Mg0 .15O 나노입자의 평균입경크기는 약 3.0nm 이다.
합성예 4: Zn 0 .9 Mg 0 .1 O 나노입자의 합성
아연 아세테이트 다이하이드레이트 8.55mmol과 마그네슘 아세테이트 테트라하이드레이트 0.45mmol을 사용한 것을 제외하고 합성예 3과 동일한 방법으로 합성하여 Zn0 . 9Mg0 .1O 나노입자를 얻는다.
Philips XPert PRO로 측정된 Zn0 . 9Mg0 .1O 나노입자의 평균입경크기는 2.5nm이다.
합성예 5: Zn 0 . 95 Mg 0 .05 O 나노입자의 합성
아연 아세테이트 다이하이드레이트 8.75 mmol과 마그네슘 아세테이트 테트라하이드레이트 0.25 mmol를 사용한 것을 제외하고 합성예 3과 동일한 방법으로 합성하여 Zn0 . 95Mg0 .05O 나노입자를 얻는다.
Philips XPert PRO로 측정된 Zn0 . 9Mg0 .1O 나노입자의 평균입경크기는 2.35nm 이다.
합성예 6: ZnO 합성
아연 아세테이트 다이하이드레이트(zinc acetate dihydrate) 9.00 mmol 및 다이메틸설폭사이드 (Dimethylsuloxide) 90mL를 반응기에 넣고 공기 중에서 60도로 가열한다. 이어서 테트라메틸암모늄 하이드록시드 펜타하이드레이트 (tetramethylammonium hydroxide pentahydrate) 15 mmol을 30mL 에탄올에 녹인 후 분당 3 mL씩 상기 반응기에 dropwise 한다. 1시간 교반 후 제조된 ZnO 나노입자와 에틸 아세테이트(ethyl acetate)를 1:9 (부피비)의 비율로 원심 분리하고 에탄올에 분산시켜 ZnO 나노입자를 얻는다.
도 5는 합성예 6에서 얻은 ZnO 나노입자의 TEM 사진이다.
UT F30 Tecnai electron microscope 으로 측정된 Zn0 . 95Mg0 .05O 나노입자의 평균입경크기는 4.0nm이다.
평가 I
합성예 3 내지 6에 따른 나노 입자의 에너지 밴드갭을 확인한다.
에너지 밴드갭은 UV band edge 접선으로 측정 및 확인한다(UV-2600, SHIMADZU).
그 결과는 표 1과 같다.
에너지 밴드갭(eV)
합성예 3 (Zn0 . 85Mg0 .15O) 3.62 eV
합성예 4 (Zn0 .9 Mg0 .1O) 3.60 eV
합성예 5 (Zn0 . 95Mg0 .05O) 3.58 eV
합성예 6 (ZnO) 3.52 eV
양자점 소자의 제조
실시예 1
ITO (WF: 4.8eV)가 증착된 유리기판에 UV-오존으로 표면 처리를 15분간 수행한 후, PEDOT:PSS 용액(H.C. Starks)을 스핀 코팅하고 Air 분위기에서 150도에서 10분간 열처리하고, 다시 N2 분위기에서 150도에서 10분간 열처리하여 25nm 두께의 정공 주입층(HOMO: 5.3eV, LUMO: 2.7eV)을 형성한다. 이어서 정공 주입층 위에 폴리[(9,9-디옥틸플루오레닐-2,7-디일-코(4,4'-(N-4-부틸페닐)디페닐아민] 용액 (TFB)(Sumitomo)을 스핀 코팅하고 150도에서 30분간 열처리하여 25nm 두께의 정공 수송층(HOMO: 5.6eV, LUMO: 2.69eV)을 형성한다. 이어서 정공수송층 위에 합성예 2에서 얻은 ZnTeSe/ZnSeS 코어쉘 양자점 (피크 발광 파장: 453nm)을 스핀 코팅하고 80도에서 30분간 열처리하여 25nm 두께의 양자점 층(HOMO: 5.7eV, LUMO: 2.97eV)을 형성한다. 이어서 양자점 층 위에 합성예 3에서 얻은 Zn0 . 85Mg0 .15O 나노입자 용액(용매: 에탄올, optical density: 0.5 a.u)을 스핀 코팅하고 80도에서 30분간 열처리하여 20nm 두께의 Zn0 . 85Mg0 .15O 전자 보조층(HOMO: 7.4eV, LUMO: 3.82eV)을 형성한다. 이어서 Zn0 . 85Mg0 .15O 전자 보조층 위에 합성예 6에서 얻은 ZnO 나노입자 용액(용매: 에탄올, optical density: 0.5 a.u)을 스핀 코팅하고 80도에서 30분간 열처리하여 20nm 두께의 ZnO 전자 보조층(HOMO: 7.54eV, LUMO: 4.11eV)을 형성한다. 이어서 ZnO 전자 보조층 위에 알루미늄(Al) 90nm를 진공 증착하여 제2 전극을 형성하여, 양자점 소자를 제조한다.
실시예 2
Zn0 . 85Mg0 .15O 전자 보조층과 ZnO 전자 보조층 대신 합성예 3에서 얻은 Zn0.85Mg0.15O 나노입자 용액과 합성예 6에서 얻은 ZnO 용액을 1:1의 중량비로 혼합한 혼합 용액을 사용하여 40nm 두께의 단일의 전자 보조층 (HOMO: 7.5eV, LUMO: 3.82eV)을 형성한 것을 제외하고 실시예 1과 동일한 방법으로 양자점 소자를 제조한다.
실시예 3
합성예 3에서 얻은 Zn0 . 85Mg0 .15O 나노입자 용액 대신 합성예 4에서 얻은 Zn0.9Mg0.1O 나노입자 용액을 사용하여 Zn0 . 9Mg0 .1O 전자 보조층(HOMO: 7.5eV, LUMO: 3.92eV)을 형성한 것을 제외하고 실시예 1과 동일한 방법으로 양자점 소자를 제조한다.
실시예 4
제1 전자 보조층과 제2 전자 보조층 대신 합성예 4에서 얻은 Zn0 . 9Mg0 .1O 나노입자 용액과 합성예 6에서 얻은 ZnO 용액을 1:1의 중량비로 혼합한 혼합 용액을 사용하여 40nm 두께의 단일의 전자 보조층(HOMO: 7.5eV, LUMO: 3.94eV)을 형성한 것을 제외하고 실시예 3과 동일한 방법으로 양자점 소자를 제조한다.
실시예 5
합성예 3에서 얻은 Zn0 . 85Mg0 .15O 나노입자 용액 대신 합성예 5에서 얻은 Zn0.95Mg0.05O 나노입자 용액을 사용하여 Zn0 . 95Mg0 .05O 전자 보조층(HOMO: 7.5eV, LUMO: 3.98eV)을 형성한 것을 제외하고 실시예 1과 동일한 방법으로 양자점 소자를 제조한다.
실시예 6
제1 전자 보조층과 제2 전자 보조층 대신 합성예 5에서 얻은 Zn0 . 95Mg0 .05O 나노입자 용액과 합성예 6에서 얻은 ZnO 용액을 1:1의 중량비로 혼합한 혼합 용액을 사용하여 40nm 두께의 단일의 전자 보조층 (HOMO: 7.5eV, LUMO: 3.97eV)을 형성한 것을 제외하고 실시예 5와 동일한 방법으로 양자점 소자를 제조한다.
비교예 1
Zn0 . 85Mg0 .15O 전자 보조층을 형성하지 않고 것을 40nm 두께의 단일의 ZnO 전자 보조층을 형성한 것을 제외하고 실시예 1과 동일한 방법으로 양자점 소자를 제조한다.
비교예 2
ZnO 전자 보조층을 형성하지 않고 40nm 두께의 단일의 Zn0 . 85Mg0 .15O 전자 보조층을 형성한 것을 제외하고 실시예 1과 동일한 방법으로 양자점 소자를 제조한다.
비교예 3
ZnO 전자 보조층을 형성하지 않고 40nm 두께의 단일의 Zn0 . 9Mg0 .1O 전자 보조층을 형성한 것을 제외하고 실시예 3과 동일한 방법으로 양자점 소자를 제조한다.
비교예 4
ZnO 전자 보조층을 형성하지 않고 40nm 두께의 단일의 Zn0 . 95Mg0 .05O 전자 보조층을 형성한 것을 제외하고 실시예 5와 동일한 방법으로 양자점 소자를 제조한다.
평가 II
실시예 1, 2와 비교예 1, 2에 따른 양자점 소자의 전류-전압-휘도 특성을 평가한다.
전류-전압-휘도 특성은 Keithley 220 current source 및 Minolta CS200 spectroradiometer를 사용하여 평가한다.
그 결과는 표 2와 같다.
실시예 1 실시예 2 비교예 1 비교예 2
EQEmax 4.976 3.149 0.979 2.212
EQE @ 100nit 3.901 3.147 0.799 2.148
Cd/A max 3.280 1.891 0.539 1.203
Cd/㎡ @ 5mA 112.301 94.231 22.924 57.797
V @ 5mA 5.675 5.385 4.556 5.726
λmax 454 454 454 454
반치폭 (nm) 26 26 26 26
CIE x 0.1448 0.1445 0.1460 0.1471
CIE y 0.0600 0.0594 0.0547 0.0517
* EQEmax: 최대 외부양자효율
* EQE@100nit: 100nit에서의 외부양자효율
* Cd/A max: 최대 전류 효율
* Cd/㎡ @ 5mA: 5mA에서의 휘도
표 2를 참고하면, 실시예 1, 2에 따른 양자점 소자는 비교예 1, 2에 따른 양자점 소자와 비교하여 누설전류는 줄고 효율 및 수명은 개선되는 것을 확인할 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구 범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
10: 양자점 소자
11: 제1 전극
12: 정공 보조층
13: 양자점 층
14: 전자 보조층
14a: 제1 전자 보조층
14b: 제2 전자 보조층
15: 제2 전극

Claims (20)

  1. 서로 마주하는 제1 전극과 제2 전극,
    상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 양자점 층, 그리고
    상기 양자점 층과 상기 제2 전극 사이에 위치하고 제1 나노입자 및 상기 제1 나노입자보다 큰 제2 나노입자를 포함하는 전자 보조층
    을 포함하고,
    상기 제1 전극의 일 함수는 상기 제2 전극의 일 함수보다 높으며,
    상기 양자점 층과 상기 전자 보조층의 LUMO 에너지 준위의 차이는 1.1eV보다 작은 양자점 소자.
  2. 제1항에서,
    상기 제1 나노입자와 상기 제2 나노입자는 각각 아연(Zn)을 함유하는 산화물인 양자점 소자.
  3. 제2항에서,
    상기 제1 나노입자는 하기 화학식 1로 표현되고,
    상기 제2 나노입자는 ZnO 인 양자점 소자:
    [화학식 1]
    Zn1 -x MxO
    상기 화학식 1에서,
    M은 Mg, Ca, Zr, W, Li, Ti 또는 이들의 조합이고
    0.01≤x<0.5이다.
  4. 제1항에서,
    상기 전자 보조층은
    상기 제1 나노입자를 포함하고 상기 양자점 층에 가깝게 위치하는 제1 전자 보조층, 그리고
    상기 제2 나노입자를 포함하고 상기 제2 전극에 가깝게 위치하는 제2 전자 보조층
    을 포함하는 양자점 소자.
  5. 제4항에서,
    상기 제1 전자 보조층은 상기 양자점 층에 맞닿아 있는 양자점 소자.
  6. 제4항에서,
    상기 양자점 층과 상기 제1 전자 보조층의 LUMO 에너지 준위의 차이는 1.1eV 보다 작고,
    상기 제1 전자 보조층과 상기 제2 전자 보조층의 LUMO 에너지 준위의 차이는 0.5eV 이하인 양자점 소자.
  7. 제6항에서,
    상기 양자점 층의 LUMO 에너지 준위는 2.5 내지 3.6eV이고,
    상기 제1 전자 보조층의 LUMO 에너지 준위는 3.2eV 내지 4.0eV이고,
    상기 제2 전자 보조층의 LUMO 에너지 준위는 3.9eV 내지 4.3eV인
    양자점 소자.
  8. 제1항에서,
    상기 전자 보조층은 상기 제1 나노입자와 상기 제2 나노입자의 혼합층을 포함하는 양자점 소자.
  9. 제1항에서,
    상기 제1 나노입자의 평균입자크기는 1.5nm 내지 3.3nm이고,
    상기 제2 나노입자의 평균입자크기는 3.5nm 내지 5.0nm인
    양자점 소자.
  10. 제1항에서,
    상기 양자점 층의 에너지 밴드갭은 2.4eV 내지 2.9eV인 양자점 소자.
  11. 제1항에서,
    상기 양자점 층은 비카드뮴계 양자점을 포함하는 양자점 소자.
  12. 제1항에서,
    상기 양자점 층은 470nm 이하의 피크 발광 파장(peak emission wavelength)을 가지는 청색 발광 양자점을 포함하는 양자점 소자.
  13. 제12항에서,
    상기 양자점은 아연(Zn), 텔루리움(Te) 및 셀레늄(Se)을 포함하는 양자점 소자.
  14. 제13항에서,
    상기 양자점은 아연(Zn), 텔루리움(Te) 및 셀레늄(Se)을 포함하는 코어와 상기 코어의 적어도 일부 위에 위치하고 상기 코어와 다른 조성을 가지는 쉘을 포함하는 양자점 소자.
  15. 제14항에서,
    상기 쉘은 ZnSeS, ZnS 또는 이들의 조합을 포함하는 양자점 소자.
  16. 제12항에서,
    상기 양자점은 인듐(In), 아연(Zn) 및 인(P)을 포함하고,
    상기 인듐(In)에 대한 상기 아연의 몰 비(mole ratio)는 25 이상인
    양자점 소자.
  17. 제16항에서,
    상기 양자점은 인듐(In), 아연(Zn), 및 인(P)을 포함하는 코어와 상기 코어의 적어도 일부 위에 위치하고 상기 코어와 다른 조성을 가지는 쉘을 포함하는 양자점 소자.
  18. 제17항에서,
    상기 쉘은 ZnSeS, ZnS 또는 이들의 조합을 포함하는 양자점 소자.
  19. 제1항에서,
    상기 제1 전극의 일 함수는 4.5eV 내지 5.0eV이고,
    상기 제2 전극의 일 함수는 4.0eV 이상 4.5eV 미만인 양자점 소자.
  20. 제1항 내지 제19항 중 어느 한 항에 따른 양자점 소자를 포함하는 표시 장치.


KR1020170155034A 2017-11-20 2017-11-20 양자점 소자와 표시 장치 KR102443644B1 (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170155034A KR102443644B1 (ko) 2017-11-20 2017-11-20 양자점 소자와 표시 장치
US16/034,442 US20190157596A1 (en) 2017-11-20 2018-07-13 Quantum dot device and display device
EP18202124.6A EP3486964A1 (en) 2017-11-20 2018-10-23 Quantum dot device and display device
CN201811275891.6A CN109817815A (zh) 2017-11-20 2018-10-30 量子点器件和显示设备
US17/387,281 US11793011B2 (en) 2017-11-20 2021-07-28 Quantum dot device and display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170155034A KR102443644B1 (ko) 2017-11-20 2017-11-20 양자점 소자와 표시 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190057733A true KR20190057733A (ko) 2019-05-29
KR102443644B1 KR102443644B1 (ko) 2022-09-14

Family

ID=63998503

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170155034A KR102443644B1 (ko) 2017-11-20 2017-11-20 양자점 소자와 표시 장치

Country Status (4)

Country Link
US (2) US20190157596A1 (ko)
EP (1) EP3486964A1 (ko)
KR (1) KR102443644B1 (ko)
CN (1) CN109817815A (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113106630A (zh) * 2020-09-30 2021-07-13 太原理工大学 一种光催化型环保自清洁纺织品及其制备方法
US12016241B2 (en) 2020-02-13 2024-06-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Quantum dot device, method of manufacturing the same, and electronic device

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102424444B1 (ko) 2017-08-14 2022-07-21 삼성전자주식회사 반도체 나노결정 입자 및 이를 포함하는 소자
US10954440B2 (en) * 2018-03-09 2021-03-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Quantum dots and devices including the same
KR102649296B1 (ko) * 2018-07-24 2024-03-18 삼성전자주식회사 양자점 소자와 표시 장치
CN109728179A (zh) * 2019-01-02 2019-05-07 京东方科技集团股份有限公司 量子点发光二极管器件及其制备方法
EP3787048A1 (en) * 2019-08-30 2021-03-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting device and display device including the same
EP3809474B1 (en) * 2019-10-18 2023-07-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Quantum dot light-emitting device and electronic device
KR20210090332A (ko) * 2020-01-09 2021-07-20 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 및 이를 포함한 장치
KR20220003356A (ko) * 2020-07-01 2022-01-10 삼성전자주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
CN113707821A (zh) * 2021-07-08 2021-11-26 合肥福纳科技有限公司 用于电子传输层的组合物及其制备方法和应用

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100071700A (ko) * 2008-12-19 2010-06-29 삼성전자주식회사 반도체 나노 결정 및 그 제조 방법
US20140302627A1 (en) * 2013-04-05 2014-10-09 Industry-Academia Cooperation Foundation, Hongik University Quantum dots, methods of manufacturing quantum dots and methods of manufacturing organic light emitting display devices using the same
US20170092890A1 (en) * 2015-09-30 2017-03-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-Emitting Element, Display Device, Electronic Device, and Lighting Device

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5537000A (en) 1994-04-29 1996-07-16 The Regents, University Of California Electroluminescent devices formed using semiconductor nanocrystals as an electron transport media and method of making such electroluminescent devices
WO2008073373A1 (en) * 2006-12-11 2008-06-19 Evident Technologies Nanostructured layers, method of making nanostructured layers, and application thereof
US9525148B2 (en) 2008-04-03 2016-12-20 Qd Vision, Inc. Device including quantum dots
KR101995371B1 (ko) * 2008-04-03 2019-07-02 삼성 리서치 아메리카 인코포레이티드 양자점들을 포함하는 발광 소자
KR101641367B1 (ko) * 2010-05-20 2016-07-21 엘지디스플레이 주식회사 양자점 발광 소자 및 이의 제조 방법
WO2012128173A1 (ja) * 2011-03-24 2012-09-27 株式会社 村田製作所 発光デバイス、及び該発光デバイスの製造方法
TW201248894A (en) * 2011-05-16 2012-12-01 Qd Vision Inc Device including quantum dots and method for making same
CN103931008A (zh) 2011-11-07 2014-07-16 吉坤日矿日石能源株式会社 光电转换元件及其制造方法
KR20130065320A (ko) 2011-12-09 2013-06-19 삼성전자주식회사 이종의 양자점층을 구비하는 양자점 소자
CN103022898B (zh) 2013-01-11 2015-02-25 吉林大学 一种硅衬底ZnO基低阈值电泵浦随机激光器件及其制备方法
JP6475909B2 (ja) 2013-10-16 2019-02-27 日本放送協会 有機電界発光素子
KR101539294B1 (ko) 2014-02-03 2015-07-24 한국해양대학교 산학협력단 ZnO/MgZnO 활성층 구조의 박막트랜지스터
KR101525525B1 (ko) 2014-02-05 2015-06-03 삼성전자주식회사 나노 결정 입자 및 그의 제조 방법
EP2918701A1 (en) 2014-03-14 2015-09-16 Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Method of manufacturing a stacked organic light emitting diode, stacked OLED device, and apparatus for manufacturing thereof
KR101626525B1 (ko) 2014-09-18 2016-06-01 홍익대학교 산학협력단 합금화된 나노입자 전자 수송층을 포함하는 양자점-발광 소자 및 그 제조방법
KR102447310B1 (ko) * 2015-12-28 2022-09-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
CN106601884B (zh) 2016-10-26 2019-06-21 中南民族大学 ZnO基纳米杆/量子阱复合紫外发光二极管及其制备方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100071700A (ko) * 2008-12-19 2010-06-29 삼성전자주식회사 반도체 나노 결정 및 그 제조 방법
US20140302627A1 (en) * 2013-04-05 2014-10-09 Industry-Academia Cooperation Foundation, Hongik University Quantum dots, methods of manufacturing quantum dots and methods of manufacturing organic light emitting display devices using the same
US20170092890A1 (en) * 2015-09-30 2017-03-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-Emitting Element, Display Device, Electronic Device, and Lighting Device

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Efficient Quantum Dot Light-Emitting Diodes with Zn0.85Mg0.15O Interfacial Modificaition Layer, Nanoscale, (2017.05.05.) *
Performance Improvement of Quantum Dot-Light-Emitting Diodes, Chemistry of Materials, (2014.12.09.) *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US12016241B2 (en) 2020-02-13 2024-06-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Quantum dot device, method of manufacturing the same, and electronic device
CN113106630A (zh) * 2020-09-30 2021-07-13 太原理工大学 一种光催化型环保自清洁纺织品及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN109817815A (zh) 2019-05-28
KR102443644B1 (ko) 2022-09-14
US11793011B2 (en) 2023-10-17
US20210359238A1 (en) 2021-11-18
US20190157596A1 (en) 2019-05-23
EP3486964A1 (en) 2019-05-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102443644B1 (ko) 양자점 소자와 표시 장치
KR102629349B1 (ko) 양자점 소자와 표시 장치
JP7199922B2 (ja) 量子ドット素子及び電子装置
KR102572134B1 (ko) 양자점 소자와 표시 장치
KR102649296B1 (ko) 양자점 소자와 표시 장치
EP3537491B1 (en) Quantum dot device and electronic device
KR102217328B1 (ko) 발광 소자와 이를 포함한 표시 장치
KR20190119433A (ko) 양자점 소자 및 전자 장치
CN112687817A (zh) 量子点发光器件和电子设备
KR20210034953A (ko) 발광소자, 발광소자의 제조 방법과 표시 장치
KR102673654B1 (ko) 양자점 소자 및 전자 장치
KR102673655B1 (ko) 양자점 소자 및 전자 장치
CN113410403A (zh) 量子点器件和电子设备
CN110783468B (zh) 量子点器件和显示设备
KR20210103419A (ko) 양자점 소자, 양자점 소자의 제조 방법과 전자 장치
KR20210046560A (ko) 양자점 발광 소자와 전자 장치
KR20240103709A (ko) 양자점 소자와 전자 장치
KR20210116320A (ko) 양자점 소자와 전자 장치
KR20230099278A (ko) 양자점 소자와 전자 장치
CN118265340A (en) Quantum dot device and electronic apparatus
CN113258012A (zh) 量子点器件、其制造方法和电子设备

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant