KR20190048391A - Display device having a black matrix - Google Patents

Display device having a black matrix Download PDF

Info

Publication number
KR20190048391A
KR20190048391A KR1020170143312A KR20170143312A KR20190048391A KR 20190048391 A KR20190048391 A KR 20190048391A KR 1020170143312 A KR1020170143312 A KR 1020170143312A KR 20170143312 A KR20170143312 A KR 20170143312A KR 20190048391 A KR20190048391 A KR 20190048391A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
black matrix
substrate
layer
display device
color filter
Prior art date
Application number
KR1020170143312A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102511044B1 (en
Inventor
정호진
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020170143312A priority Critical patent/KR102511044B1/en
Publication of KR20190048391A publication Critical patent/KR20190048391A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102511044B1 publication Critical patent/KR102511044B1/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133514—Colour filters
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133514—Colour filters
    • G02F1/133519—Overcoatings
    • G02F2001/133519—
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/40—Arrangements for improving the aperture ratio

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

The present invention relates to a display device including a black matrix with a double layer structure, in order to prevent the color mixture from occurring between adjacent pixel areas. A lower black matrix located close to a lower substrate is formed to have a relatively thin thickness and thus reducing the overall thickness, and thus a deviation in thickness due to the lower black matrix can be prevented.

Description

블랙 매트릭스를 포함하는 디스플레이 장치{Display device having a black matrix}[0001] The present invention relates to a display device having a black matrix,

본 발명은 블랙 매트릭스를 이용한 인접한 화소 영역의 혼색을 방지하는 디스플레이 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a display device for preventing color mixing of adjacent pixel areas using a black matrix.

일반적으로 모니터, TV, 노트북, 디지털 카메라와 같은 전자 기기는 영상을 구현하기 위한 디스플레이 장치를 포함한다. 예를 들어, 상기 디스플레이 장치는 액정 표시 장치 및/또는 유기 발광 표시 장치를 포함할 수 있다.Generally, electronic devices such as a monitor, a TV, a notebook, and a digital camera include a display device for realizing an image. For example, the display device may include a liquid crystal display device and / or an organic light emitting display device.

상기 디스플레이 장치는 다양한 색을 구현하는 화소 영역들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 디스플레이 장치는 청색을 구현하는 청색 화소 영역, 녹색을 구현하는 녹색 화소 영역 및 적색을 구현하는 적색 화소 영역을 포함할 수 있다.The display device may include pixel regions that realize various colors. For example, the display device may include a blue pixel region for realizing blue, a green pixel region for realizing green, and a red pixel region for realizing red.

상기 디스플레이 장치는 컬러 필터를 이용하여 색을 구현할 수 있다. 예를 들어, 상기 디스플레이 장치는 하부 기판과 대향하는 상부 기판 상에 위치하는 청색 컬러 필터, 녹색 컬러 필터 및 적색 컬러 필터를 포함할 수 있다. 상기 청색 컬러 필터는 상기 청색 화소 영역과 중첩할 수 있다. 상기 녹색 컬러 필터는 상기 녹색 화소 영역과 중첩할 수 있다. 상기 적색 컬러 필터는 상기 적색 화소 영역과 중첩할 수 있다.The display device may implement colors using a color filter. For example, the display device may include a blue color filter, a green color filter, and a red color filter positioned on an upper substrate facing the lower substrate. The blue color filter may overlap the blue pixel region. The green color filter may overlap the green pixel region. The red color filter may overlap the red pixel region.

상기 디스플레이 장치는 인접한 화소 영역의 혼색을 방지하기 위하여, 블랙 매트릭스를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 블랙 매트릭스는 상기 컬러 필터들 사이에 위치할 수 있다. 상기 블랙 매트릭스는 각 컬러 필터의 단부와 중첩할 수 있다. 예를 들어, 상기 블랙 매트릭스는 하부 기판을 향한 상부 기판의 하부면 상에 상기 컬러 필터들의 단부들과 중첩하도록 위치할 수 있다. 상기 블랙 매트릭스는 저반사 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 블랙 매트릭스는 수지(resin)를 포함할 수 있다.The display device may further include a black matrix to prevent color mixture of adjacent pixel regions. For example, the black matrix may be located between the color filters. The black matrix may overlap the end of each color filter. For example, the black matrix may be positioned to overlap the ends of the color filters on the lower surface of the upper substrate toward the lower substrate. The black matrix may comprise a low reflective material. For example, the black matrix may include a resin.

상기 디스플레이 장치는 블랙 매트릭스에 의한 개구율의 저하를 최소화하기 위하여, 이중층 구조의 블랙 매트릭스를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 디스플레이 장치에서는 각각의 컬러 필터가 하부 블랙 매트릭스와 상부 블랙 매트릭스 사이에 위치하는 단부를 포함할 수 있다. 그러나, 이중층 구조의 블랙 매트릭스를 포함하는 상기 디스플레이 장치에서는 상기 하부 기판을 향한 상기 컬러 필터들의 하부면 상에 위치하는 상기 하부 블랙 매트릭스의 두께에 의해 전체적인 두께가 증가할 수 있다. 또한, 상기 디스플레이 장치에서는 상기 하부 블랙 매트릭스에 의한 두께 편차가 발생하여 합착 공정에서 압력 차에 의한 손상이 발생할 수 있으며, 액정의 왜곡이 발생할 가능성도 있다.The display device may include a black matrix of a bilayer structure in order to minimize degradation of the aperture ratio by the black matrix. For example, in the display device, each color filter may include an end located between the lower black matrix and the upper black matrix. However, in the display device including the black matrix of the bilayer structure, the overall thickness may be increased by the thickness of the lower black matrix located on the lower surface of the color filters toward the lower substrate. In addition, in the display device, a thickness variation due to the lower black matrix may occur, and damage due to a pressure difference may occur in a laminating process, and the liquid crystal may be distorted.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 블랙 매트릭스를 이용하여 혼색을 방지하며, 블랙 매트릭스에 의한 개구율의 저하 및 전체적인 두께의 증가를 최소화할 수 있는 디스플레이 장치를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a display device capable of preventing color mixing by using a black matrix and minimizing an increase in the aperture ratio and an increase in the overall thickness by the black matrix.

본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 이중층 구조의 블랙 매트릭스를 포함하되, 블랙 매트릭스에 의한 두께 편차를 최소화할 수 있는 디스플레이 장치를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a display device including a black matrix of a double-layer structure, wherein a thickness variation due to the black matrix can be minimized.

본 발명이 해결하고자 햐는 과제들은 앞서 언급한 과제들로 한정되지 않는다. 여기서 언급되지 않은 과제들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 것이다.The problems to be solved by the present invention are not limited to the above-mentioned problems. Tasks not mentioned here will be apparent to the ordinarily skilled artisan from the description below.

상기 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기술적 사상에 따른 디스플레이 장치는 하부 기판 상에 위치하는 상부 기판을 포함한다. 하부 기판을 향한 상부 기판의 하부면 상에는 상부 블랙 매트릭스가 위치한다. 하부 기판을 향한 상부 블랙 매트릭스의 하부면 상에는 하부 블랙 매트릭스가 위치한다. 상부 기판의 하부면 상에는 컬러 필터가 위치한다. 컬러 필터는 하부 블랙 매트릭스와 상부 블랙 매트릭스 사이에 위치하는 단부를 포함한다. 하부 블랙 매트릭스는 금속을 포함한다. 하부 블랙 매트릭스는 상부 블랙 매트릭스와 다른 크기를 가진다.According to an aspect of the present invention, there is provided a display device including an upper substrate positioned on a lower substrate. An upper black matrix is positioned on the lower surface of the upper substrate facing the lower substrate. A lower black matrix is positioned on the lower surface of the upper black matrix facing the lower substrate. A color filter is positioned on the lower surface of the upper substrate. The color filter includes an end positioned between the lower black matrix and the upper black matrix. The lower black matrix comprises a metal. The lower black matrix has a different size from the upper black matrix.

하부 기판을 향한 하부 블랙 매트릭스의 하부면 및 컬러 필터의 하부면 상에는 캡핑막이 위치할 수 있다. 하부 기판을 향한 캡핑막의 하부면은 평평한 평면(flat surface)일 수 있다.The capping film may be positioned on the lower surface of the lower black matrix toward the lower substrate and the lower surface of the color filter. The lower surface of the capping film towards the lower substrate may be a flat surface.

컬러 필터의 단부 상에서 하부 블랙 매트릭스의 두께는 상부 블랙 매트릭스의 두께보다 얇을 수 있다.The thickness of the lower black matrix on the end of the color filter may be thinner than the thickness of the upper black matrix.

하부 블랙 매트릭스의 수평 폭은 상부 블랙 매트릭스의 수평 폭보다 작을 수 있다.The horizontal width of the lower black matrix may be smaller than the horizontal width of the upper black matrix.

상부 블랙 매트릭스의 반사율은 하부 블랙 매트릭스의 반사율보다 낮을 수 있다.The reflectance of the upper black matrix may be lower than that of the lower black matrix.

상부 블랙 매트릭스는 수지(resin)를 포함할 수 있다.The upper black matrix may comprise a resin.

상기 해결하고자 하는 다른 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기술적 사상에 따른 디스플레이 장치는 하부 기판 상에 위치하는 상부 기판을 포함한다. 하부 기판을 향한 상부 기판의 하부면 상에는 컬러 필터가 위치한다. 하부 기판을 향한 컬러 필터의 하부면 상에는 하부 블랙 매트릭스가 위치한다. 하부 블랙 매트릭스는 컬러 필터의 단부와 중첩한다. 컬러 필터와 상부 기판 사이에는 상부 블랙 매트릭스가 위치한다. 상부 블랙 매트릭스는 하부 블랙 매트릭스와 중첩한다. 하부 블랙 매트릭스의 두께는 상부 블랙 매트릭스의 두께보다 얇을 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a display device including an upper substrate disposed on a lower substrate. A color filter is positioned on the lower surface of the upper substrate facing the lower substrate. A lower black matrix is located on the lower surface of the color filter toward the lower substrate. The lower black matrix overlaps the end of the color filter. An upper black matrix is located between the color filter and the upper substrate. The upper black matrix overlaps the lower black matrix. The thickness of the lower black matrix may be thinner than the thickness of the upper black matrix.

하부 블랙 매트릭스와 컬러 필터 사이에는 캡핑막이 위치할 수 있다.A capping film may be positioned between the lower black matrix and the color filter.

하부 기판을 향한 하부 블랙 매트릭스의 하부면 상에는 스페이서가 위치할 수 있다. 상부 기판을 향한 하부 기판의 상부면 상에는 범프 패턴이 위치할 수 있다. 범프 패턴은 스페이서와 중첩할 수 있다. 하부 기판과 컬러 필터 사이에는 액정층이 위치할 수 있다.Spacers may be located on the lower surface of the lower black matrix towards the lower substrate. A bump pattern may be located on the upper surface of the lower substrate facing the upper substrate. The bump pattern may overlap with the spacer. A liquid crystal layer may be positioned between the lower substrate and the color filter.

상부 블랙 매트릭스의 수평 폭은 하부 블랙 매트릭스의 수평 폭보다 작을 수 있다.The horizontal width of the upper black matrix may be smaller than the horizontal width of the lower black matrix.

본 발명의 기술적 사상에 따른 디스플레이 장치는 하부 기판을 향한 상부 기판의 하부면 상에 위치하는 하부 블랙 매트릭스 및 상기 하부 블랙 매트릭스와 상기 상부 기판 사이에 위치하는 상부 블랙 매트릭스를 포함하되, 상기 하부 블랙 매트릭스가 금속과 같이 가공이 상대적으로 쉬운 물질을 포함할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 기술적 사상에 따른 디스플레이 장치에서는 하부 블랙 매트릭스의 두께 및/또는 수평 폭이 최소화될 수 있다. 따라서, 본 발명의 기술적 사상에 따른 디스플레이 장치에서는 블랙 매트릭스에 의한 두께 증가 및 두께 편차가 최소화될 수 있다.A display device according to the technical idea of the present invention includes a lower black matrix positioned on a lower surface of an upper substrate toward a lower substrate and an upper black matrix positioned between the lower black matrix and the upper substrate, May include materials that are relatively easy to process, such as metals. Accordingly, in the display device according to the technical idea of the present invention, the thickness and / or the horizontal width of the lower black matrix can be minimized. Therefore, in the display device according to the technical idea of the present invention, thickness increase and thickness deviation by the black matrix can be minimized.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2a는 도 1의 P 영역을 확대한 도면이다.
도 2b는 도 1의 R 영역을 확대한 도면이다.
도 3 내지 7은 각각 본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치를 나타낸 도면들이다.1 is a schematic view of a display apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2A is an enlarged view of the P region in FIG.
FIG. 2B is an enlarged view of the R region of FIG. 1. FIG.
3 to 7 are views showing a display device according to another embodiment of the present invention.

본 발명의 상기 목적과 기술적 구성 및 이에 따른 작용 효과에 관한 자세한 사항은 본 발명의 실시 예를 도시하고 있는 도면을 참조한 이하 상세한 설명에 의해 더욱 명확하게 이해될 것이다. 여기서, 본 발명의 실시 예들은 당업자에게 본 발명의 기술적 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위하여 제공되는 것이므로, 본 발명은 이하 설명되는 실시 예들에 한정되지 않도록 다른 형태로 구체화될 수 있다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Reference will now be made in detail to the preferred embodiments of the present invention, examples of which are illustrated in the accompanying drawings, wherein like reference numerals refer to the like elements throughout. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following description, well-known functions or constructions are not described in detail since they would obscure the invention in unnecessary detail.

또한, 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조 번호로 표시된 부분들은 동일한 구성 요소들을 의미하며, 도면들에 있어서 층 또는 영역의 길이와 두께는 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 덧붙여, 제 1 구성 요소가 제 2 구성 요소 "상"에 있다고 기재되는 경우, 상기 제 1 구성 요소가 상기 제 2 구성 요소와 직접 접촉하는 상측에 위치하는 것뿐만 아니라, 상기 제 1 구성 요소와 상기 제 2 구성 요소 사이에 제 3 구성 요소가 위치하는 경우도 포함한다.In the drawings, the same reference numerals denote the same components throughout the specification. In the drawings, the lengths and the thicknesses of layers or regions may be exaggerated for convenience. In addition, when the first component is described as being on the second component, it is preferable that the first component is located on the upper side in direct contact with the second component, And the third component is located between the second components.

여기서, 상기 제 1, 제 2 등의 용어는 다양한 구성 요소를 설명하기 위한 것으로, 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로 사용된다. 다만, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위에서는 제 1 구성 요소와 제 2 구성 요소는 당업자의 편의에 따라 임의로 명명될 수 있다.Here, the terms first, second, etc. are used for describing various components and are used for the purpose of distinguishing one component from another component. However, the first component and the second component may be arbitrarily named according to the convenience of the person skilled in the art without departing from the technical idea of the present invention.

본 발명의 명세서에서 사용하는 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용되는 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 예를 들어, 단수로 표현된 구성 요소는 문맥상 명백하게 단수만을 의미하지 않는다면 복수의 구성 요소를 포함한다. 또한, 본 발명의 명세서에서, "포함하다"　또는 "가지다"등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.It is to be understood that the terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. For example, an element represented in singular form includes a plurality of elements unless the context clearly dictates a singular number. Also, in the specification of the present invention, the terms such as " comprises " or " having ", and the like, designate the presence of stated features, integers, steps, operations, elements, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

덧붙여, 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미가 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미가 있는 것으로 해석되어야 하며, 본 발명의 명세서에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.In addition, unless otherwise defined, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries are to be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the related art and, unless expressly defined in the specification of the present invention, are intended to mean either an ideal or an overly formal meaning It is not interpreted.

(실시 예)(Example)

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다. 도 2a는 도 1의 P 영역을 확대한 도면이다. 도 2b는 도 1의 R 영역을 확대한 도면이다.1 is a schematic view of a display apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 2A is an enlarged view of the P region in FIG. FIG. 2B is an enlarged view of the R region of FIG. 1. FIG.

도 1, 2a 및 2b를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 하부 기판(100)을 포함한다. 상기 하부 기판(100)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 하부 기판(100)은 유리 또는 플라스틱을 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 1, 2A and 2B, a display device according to an embodiment of the present invention includes a lower substrate 100. The lower substrate 100 may include an insulating material. For example, the lower substrate 100 may comprise glass or plastic.

상기 하부 기판(100)은 화소 영역들(BEA, GEA, REA) 및 비표시 영역들(NEA)을 포함할 수 있다. 상기 비표시 영역들(NEA)은 상기 화소 영역들(BEA, GEA, REA) 사이에 위치할 수 있다. 예를 들어, 상기 화소 영역들(BEA, GEA, REA)은 상기 비표시 영역들(NEA)에 의해 정의될 수 있다.The lower substrate 100 may include pixel regions BEA, GEA, REA and non-display regions NEA. The non-display areas NEA may be located between the pixel areas BEA, GEA, and REA. For example, the pixel regions BEA, GEA, and REA may be defined by the non-display regions NEA.

인접한 화소 영역들(BEA, GEA, REA)은 서로 다른 색을 구현할 수 있다. 예를 들어, 상기 화소 영역들(BEA, GEA, REA)은 청색을 구현하는 청색 화소 영역(BEA), 녹색을 구현하는 녹색 화소 영역(GEA) 및 적색을 구현하는 적색 화소 영역(REA)을 포함할 수 있다.Adjacent pixel regions BEA, GEA, and REA may implement different colors. For example, the pixel regions BEA, GEA, and REA include a blue pixel region BEA that implements blue, a green pixel region GEA that implements green, and a red pixel region REA that implements red. can do.

상기 하부 기판(100)의 상부면 상에는 박막 트랜지스터들(200)이 위치할 수 있다. 상기 화소 영역들(BEA, GEA, REA)은 해당 박막 트랜지스터(200)에 의해 제어될 수 있다. 각각의 박막 트랜지스터(200)는 반도체 패턴(210), 게이트 절연막(220), 게이트 전극(230), 층간 절연막(240), 소스 전극(250) 및 드레인 전극(260)을 포함할 수 있다.The thin film transistors 200 may be positioned on the upper surface of the lower substrate 100. The pixel regions BEA, GEA, and REA may be controlled by the thin film transistor 200. Each of the thin film transistors 200 may include a semiconductor pattern 210, a gate insulating film 220, a gate electrode 230, an interlayer insulating film 240, a source electrode 250 and a drain electrode 260.

상기 반도체 패턴(210)은 상기 하부 기판(100)에 가까이 위치할 수 있다. 상기 반도체 패턴(210)은 반도체 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 반도체 패턴(210)은 비정질 실리콘 또는 다결정 실리콘을 포함할 수 있다. 상기 반도체 패턴(210)은 산화물 반도체일 수 있다. 예를 들어, 상기 반도체 패턴(210)은 IGZO를 포함할 수 있다.The semiconductor pattern 210 may be positioned close to the lower substrate 100. The semiconductor pattern 210 may include a semiconductor material. For example, the semiconductor pattern 210 may include amorphous silicon or polycrystalline silicon. The semiconductor pattern 210 may be an oxide semiconductor. For example, the semiconductor pattern 210 may include IGZO.

상기 반도체 패턴(210)은 소스 영역, 드레인 영역 및 채널 영역을 포함할 수 있다. 상기 채널 영역은 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역 사이에 위치할 수 있다. 상기 채널 영역의 전도율(conductivity)은 상기 소스 영역의 전도율 및 상기 드레인 영역의 전도율보다 낮을 수 있다. 예를 들어, 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역은 도전성 불순물을 포함할 수 있다.The semiconductor pattern 210 may include a source region, a drain region, and a channel region. The channel region may be located between the source region and the drain region. The conductivity of the channel region may be lower than the conductivity of the source region and the conductivity of the drain region. For example, the source region and the drain region may comprise a conductive impurity.

상기 게이트 절연막(220)은 상기 반도체 패턴(210) 상에 위치할 수 있다. 상기 게이트 절연막(220)의 크기는 상기 반도체 패턴(210)의 크기보다 작을 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 절연막(220)은 상기 반도체 패턴(210)의 상기 채널 영역과 중첩할 수 있다.The gate insulating layer 220 may be located on the semiconductor pattern 210. The size of the gate insulating layer 220 may be smaller than the size of the semiconductor pattern 210. For example, the gate insulating layer 220 may overlap the channel region of the semiconductor pattern 210.

상기 게이트 절연막(220)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 절연막(220)은 실리콘 산화물 및/또는 실리콘 질화물을 포함할 수 있다. 상기 게이트 절연막(220)은 High-K 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 절연막(220)은 하프늄 산화물(HfO) 또는 티타늄 산화물(TiO)을 포함할 수 있다. 상기 게이트 절연막(220)은 다중층 구조일 수 있다.The gate insulating layer 220 may include an insulating material. For example, the gate insulating layer 220 may include silicon oxide and / or silicon nitride. The gate insulating layer 220 may include a high-K material. For example, the gate insulating layer 220 may include hafnium oxide (HfO) or titanium oxide (TiO). The gate insulating layer 220 may have a multi-layer structure.

상기 게이트 전극(230)은 상기 게이트 절연막(220) 상에 위치할 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 전극(230)은 상기 반도체 패턴(210)의 상기 채널 영역과 중첩할 수 있다. 상기 게이트 전극(230)은 상기 게이트 절연막(220)에 의해 상기 반도체 패턴(210)과 절연될 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 전극(230)의 측면은 상기 게이트 절연막(220)의 측면과 수직 정렬될 수 있다.The gate electrode 230 may be positioned on the gate insulating layer 220. For example, the gate electrode 230 may overlap the channel region of the semiconductor pattern 210. The gate electrode 230 may be insulated from the semiconductor pattern 210 by the gate insulating layer 220. For example, the side surface of the gate electrode 230 may be vertically aligned with the side surface of the gate insulating layer 220.

상기 게이트 전극(230)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 전극(230)은 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W)과 같은 금속을 포함할 수 있다.The gate electrode 230 may include a conductive material. For example, the gate electrode 230 may include a metal such as aluminum (Al), chrome (Cr), molybdenum (Mo), tungsten (W)

상기 층간 절연막(240)은 상기 반도체 패턴(210) 및 상기 게이트 전극(230) 상에 위치할 수 있다. 상기 층간 절연막(240)은 상기 반도체 패턴(210)의 외측으로 연장할 수 있다. 예를 들어, 상기 반도체 패턴(210)의 측면은 상기 층간 절연막(240)에 의해 덮일 수 있다.The interlayer insulating layer 240 may be located on the semiconductor pattern 210 and the gate electrode 230. The interlayer insulating layer 240 may extend outside the semiconductor pattern 210. For example, the side surface of the semiconductor pattern 210 may be covered with the interlayer insulating layer 240.

상기 층간 절연막(240)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 층간 절연막(240)은 실리콘 산화물을 포함할 수 있다.The interlayer insulating layer 240 may include an insulating material. For example, the interlayer insulating layer 240 may include silicon oxide.

상기 소스 전극(250)은 상기 층간 절연막(240) 상에 위치할 수 있다. 상기 소스 전극(250)은 상기 반도체 패턴(210)의 상기 소스 영역과 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 상기 소스 전극(250)은 상기 반도체 패턴(210)의 상기 소스 영역과 중첩할 수 있다. 상기 층간 절연막(240)은 상기 반도체 패턴(210)의 상기 소스 영역을 부분적으로 노출하는 컨택홀을 포함할 수 있다.The source electrode 250 may be located on the interlayer insulating layer 240. The source electrode 250 may be electrically connected to the source region of the semiconductor pattern 210. For example, the source electrode 250 may overlap the source region of the semiconductor pattern 210. The interlayer insulating layer 240 may include a contact hole partially exposing the source region of the semiconductor pattern 210.

상기 소스 전극(250)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 소스 전극(250)은 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W)과 같은 금속을 포함할 수 있다. 상기 소스 전극(250)은 상기 게이트 전극(230)과 다른 물질을 포함할 수 있다.The source electrode 250 may include a conductive material. For example, the source electrode 250 may include a metal such as aluminum (Al), chromium (Cr), molybdenum (Mo), and tungsten (W). The source electrode 250 may include a material different from the gate electrode 230.

상기 드레인 전극(260)은 상기 층간 절연막(240) 상에 위치할 수 있다. 상기 드레인 전극(260)은 상기 반도체 패턴(210)의 상기 드레인 영역과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 드레인 전극(260)은 상기 소스 전극(250)과 이격될 수 있다. 예를 들어, 상기 드레인 전극(260)은 상기 반도체 패턴(210)의 상기 드레인 영역과 중첩할 수 있다. 상기 층간 절연막(240)은 상기 반도체 패턴(210)의 상기 드레인 영역을 부분적으로 노출하는 컨택홀을 더 포함할 수 있다.The drain electrode 260 may be located on the interlayer insulating layer 240. The drain electrode 260 may be electrically connected to the drain region of the semiconductor pattern 210. The drain electrode 260 may be spaced apart from the source electrode 250. For example, the drain electrode 260 may overlap the drain region of the semiconductor pattern 210. The interlayer insulating layer 240 may further include a contact hole partially exposing the drain region of the semiconductor pattern 210.

상기 드레인 전극(260)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 드레인 전극(260)은 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W)과 같은 금속을 포함할 수 있다. 상기 드레인 전극(260)은 상기 게이트 전극(230)과 다른 물질을 포함할 수 있다. 상기 드레인 전극(260)은 상기 소스 전극(250)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.The drain electrode 260 may include a conductive material. For example, the drain electrode 260 may include a metal such as aluminum (Al), chromium (Cr), molybdenum (Mo), or tungsten (W). The drain electrode 260 may include a material different from the gate electrode 230. The drain electrode 260 may include the same material as the source electrode 250.

상기 하부 기판(100)과 상기 박막 트랜지스터들(200) 사이에는 버퍼층(110)이 위치할 수 있다. 예를 들어, 상기 버퍼층(110)은 상기 하부 기판(100)과 상기 반도체 패턴(210) 사이에 위치할 수 있다. 상기 버퍼층(110)은 상기 반도체 패턴(210)의 외측으로 연장할 수 있다. 예를 들어, 상기 반도체 패턴(210)의 외측에서 상기 버퍼층(110)은 상기 층간 절연막(240)과 직접 접촉할 수 있다. 상기 버퍼층(110)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 버퍼층(110)은 실리콘 산화물을 포함할 수 있다.The buffer layer 110 may be positioned between the lower substrate 100 and the TFTs 200. For example, the buffer layer 110 may be positioned between the lower substrate 100 and the semiconductor pattern 210. The buffer layer 110 may extend outside the semiconductor pattern 210. For example, the buffer layer 110 may be in direct contact with the interlayer insulating layer 240 outside the semiconductor pattern 210. The buffer layer 110 may include an insulating material. For example, the buffer layer 110 may comprise silicon oxide.

상기 박막 트랜지스터(200) 상에는 하부 보호막(120)이 위치할 수 있다. 상기 하부 보호막(120)은 외부 충격 및 수분으로부터 상기 박막 트랜지스터(200)를 보호할 수 있다. 예를 들어, 상기 하부 보호막(120)은 상기 소스 전극(250) 및 상기 드레인 전극(260)의 외측으로 연장할 수 있다. 상기 하부 보호막(120)은 상기 소스 전극(250) 및 상기 드레인 전극(260)의 외측에서 상기 층간 절연막(240)과 직접 접촉할 수 있다. 상기 하부 보호막(120)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 상기 하부 보호막(120)은 상기 층간 절연막(240)과 다른 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 하부 보호막(120)은 실리콘 질화물을 포함할 수 있다.The lower protective layer 120 may be located on the thin film transistor 200. The lower protective layer 120 may protect the thin film transistor 200 from external impact and moisture. For example, the lower protective layer 120 may extend outside the source electrode 250 and the drain electrode 260. The lower protective layer 120 may be in direct contact with the interlayer insulating layer 240 outside the source electrode 250 and the drain electrode 260. The lower protective film 120 may include an insulating material. The lower protective layer 120 may include a material different from that of the interlayer insulating layer 240. For example, the lower protective film 120 may include silicon nitride.

상기 하부 보호막(120) 상에는 오버 코트층(130)이 위치할 수 있다. 상기 오버 코트층(130)은 상기 박막 트랜지스터들(200)에 의한 단차를 제거할 수 있다. 예를 들어, 상기 하부 기판(100)과 대향하는 상기 오버 코트층(130)의 상부면은 평평한 평면(flat surface)일 수 있다.The overcoat layer 130 may be located on the lower protective layer 120. The overcoat layer 130 may remove a stepped portion by the thin film transistors 200. For example, the upper surface of the overcoat layer 130 facing the lower substrate 100 may be a flat surface.

상기 오버 코트층(130)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 상기 오버 코트층(130)은 상기 하부 보호막(120)과 다른 물질을 포함할 수 있다. 상기 오버 코트층(130)은 상대적으로 유동성이 높은 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 오버 코트층(130)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.The overcoat layer 130 may comprise an insulating material. The overcoat layer 130 may include a material different from the lower protective layer 120. The overcoat layer 130 may include a material having relatively high fluidity. For example, the overcoat layer 130 may comprise an organic insulating material.

상기 오버 코트층(130) 상에는 발광 구조체들(300B, 300G, 300R)이 위치할 수 있다. 상기 발광 구조체들(300B, 300G, 300R)은 각각 특정한 색을 나타내는 빛을 생성할 수 있다. 예를 들어, 각각의 발광 구조체(300B, 300G, 300R)는 상기 오버 코트층(130) 상에 순서대로 적층된 하부 전극(310), 발광층(320) 및 상부 전극(330)을 포함할 수 있다.On the overcoat layer 130, the light emitting structures 300B, 300G and 300R may be positioned. Each of the light emitting structures 300B, 300G and 300R may generate light representing a specific color. For example, each of the light emitting structures 300B, 300G, and 300R may include a lower electrode 310, a light emitting layer 320, and an upper electrode 330 sequentially stacked on the overcoat layer 130 .

상기 발광 구조체들(300B, 300G, 300R)은 상기 하부 기판(100)의 상기 화소 영역들(BEA, GEA, REA) 상에 위치할 수 있다. 각각의 발광 구조체(300B, 300G, 300R)는 상기 하부 기판(100)의 상기 화소 영역들(BEA, GEA, REA, GEA) 중 하나와 중첩할 수 있다. 예를 들어, 상기 발광 구조체들(300B, 300G, 300R)은 상기 하부 기판(100)의 상기 청색 화소 영역(BEA) 상에 위치하는 청색 발광 구조체(300B), 상기 하부 기판(100)의 상기 녹색 화소 영역(GEA) 상에 위치하는 녹색 발광 구조체(300G) 및 상기 하부 기판(100)의 상기 적색 화소 영역(REA) 상에 위치하는 적색 발광 구조체(300R)를 포함할 수 있다.The light emitting structures 300B, 300G, and 300R may be positioned on the pixel regions BEA, GEA, and REA of the lower substrate 100. Each of the light emitting structures 300B, 300G and 300R may overlap one of the pixel regions BEA, GEA, REA, and GEA of the lower substrate 100. For example, the light emitting structures 300B, 300G and 300R may include a blue light emitting structure 300B positioned on the blue pixel region BEA of the lower substrate 100, A green light emitting structure 300G positioned on the pixel region GEA and a red light emitting structure 300R located on the red pixel region REA of the lower substrate 100. [

상기 하부 전극(310)은 상기 오버 코트층(130)에 가까이 위치할 수 있다. 각각의 발광 구조체(300)는 해당 박막 트랜지스터(200)에 의해 제어될 수 있다. 예를 들어, 상기 하부 전극(310)은 해당 박막 트랜지스터(200)의 상기 드레인 전극(260)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 상기 하부 보호막(120)은 상기 박막 트랜지스터들(200) 각각의 상기 드레인 전극(260)을 부분적으로 노출하는 하부 컨택홀들을 포함할 수 있다. 상기 오버 코트층(130)은 상기 하부 컨택홀들과 중첩하는 상부 컨택홀들을 포함할 수 있다. 상기 하부 전극(310)은 해당 하부 컨택홀 및 해당 상부 컨택홀을 통해 해당 박막 트랜지스터(200)의 상기 드레인 전극(260)과 연결될 수 있다.The lower electrode 310 may be located close to the overcoat layer 130. Each of the light emitting structures 300 can be controlled by the corresponding thin film transistor 200. For example, the lower electrode 310 may be electrically connected to the drain electrode 260 of the thin film transistor 200. For example, the lower protective layer 120 may include lower contact holes that partially expose the drain electrode 260 of each of the thin film transistors 200. The overcoat layer 130 may include upper contact holes overlapping the lower contact holes. The lower electrode 310 may be connected to the drain electrode 260 of the thin film transistor 200 via the lower contact hole and the upper contact hole.

상기 하부 전극(310)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 하부 전극(310)은 Mo, Ti와 같은 금속을 포함할 수 있다. 상기 하부 전극(310)은 반사율이 높은 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 하부 전극(310)은 알루미늄(Al) 및 은(Ag)과 같은 금속을 포함할 수 있다. 상기 하부 전극(310)은 다중층 구조일 수 있다. 예를 들어, 상기 하부 전극(310)은 ITO 또는 IZO와 같은 투명 도전성 물질을 포함하는 투명 전극들 사이에 반사율이 높은 물질을 포함하는 반사 전극이 위치하는 구조일 수 있다.The lower electrode 310 may include a conductive material. For example, the lower electrode 310 may include a metal such as Mo and Ti. The lower electrode 310 may include a material having high reflectance. For example, the lower electrode 310 may include a metal such as aluminum (Al) and silver (Ag). The lower electrode 310 may have a multi-layer structure. For example, the lower electrode 310 may have a structure in which a reflective electrode including a material having a high reflectance is disposed between transparent electrodes including a transparent conductive material such as ITO or IZO.

각 발광 구조체(300B, 300G, 300R)의 하부 전극(310)은 인접한 발광 구조체(300B, 300G, 300R)의 하부 전극(310)과 절연될 수 있다. 예를 들어, 인접한 발광 구조체들(300B, 300G, 300R)의 하부 전극들(310) 사이에는 뱅크 절연막(140)이 위치할 수 있다. 상기 뱅크 절연막(140)은 해당 하부 전극(310)의 가장 자리를 덮을 수 있다. 상기 발광층(320) 및 상기 상부 전극(330)은 상기 뱅크 절연막(140)에 의해 노출된 해당 하부 전극(310)의 일부 영역의 표면 상에 적층될 수 있다. 예를 들어, 각 화소 영역(BEA, GEA, REA, WEA)의 면적은 상기 뱅크 절연막(140)에 의해 정의될 수 있다. 상기 뱅크 절연막(140)은 상기 하부 기판(100)의 상기 비표시 영역(NEA)과 중첩할 수 있다.The lower electrodes 310 of the respective light emitting structures 300B, 300G and 300R may be insulated from the lower electrodes 310 of the adjacent light emitting structures 300B, 300G and 300R. For example, the bank insulating layer 140 may be positioned between the lower electrodes 310 of the adjacent light emitting structures 300B, 300G, and 300R. The bank insulating layer 140 may cover the edge of the lower electrode 310. The light emitting layer 320 and the upper electrode 330 may be stacked on the surface of a part of the lower electrode 310 exposed by the bank insulating layer 140. For example, the area of each of the pixel regions BEA, GEA, REA, and WEA may be defined by the bank insulating film 140. The bank insulating layer 140 may overlap the non-display area NEA of the lower substrate 100. [

상기 뱅크 절연막(140)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 뱅크 절연막(140)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 상기 뱅크 절연막(140)은 상기 오버 코트층(130)과 다른 물질을 포함할 수 있다.The bank insulating layer 140 may include an insulating material. For example, the bank insulating layer 140 may include an organic insulating material. The bank insulating layer 140 may include a material different from the overcoat layer 130.

상기 발광층(320)은 해당 하부 전극(310)과 해당 상부 전극(143) 사이의 전압 차에 대응되는 휘도의 빛을 생성할 수 있다. 상기 발광층(320)은 발광 물질을 포함하는 발광 물질층(Emission Material Layer; EML)을 포함할 수 있다. 상기 발광 물질은 유기 물질, 무기 물질 또는 하이브리드 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 유기 물질의 발광층(320)을 포함하는 유기 발광 표시 장치일 수 있다.The light emitting layer 320 may generate light having a luminance corresponding to a voltage difference between the lower electrode 310 and the upper electrode 143. The light emitting layer 320 may include a light emitting material layer (EML) including a light emitting material. The light emitting material may include an organic material, an inorganic material, or a hybrid material. For example, the display device according to an embodiment of the present invention may be an organic light emitting display including a light emitting layer 320 of an organic material.

상기 발광층(320)은 발광 효율을 높이기 위하여, 다중층 구조일 수 있다. 예를 들어, 상기 발광층(320)은 정공 주입층(Hole Injection Layer; HIL), 정공 수송층(Hole Transporting Layer; HTL), 전자 수송층(Electron Transporting Layer; ETL) 및 전자 주입층(Electron Injection Layer; EIL) 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.The light emitting layer 320 may have a multi-layer structure in order to increase the light emitting efficiency. For example, the light emitting layer 320 may include a hole injection layer (HIL), a hole transporting layer (HTL), an electron transporting layer (ETL), and an electron injection layer ). ≪ / RTI >

상기 발광층(320)은 상기 뱅크 절연막(140) 상으로 연장할 수 있다. 각각의 발광 구조체(300B, 300G, 300R)는 동일한 색을 나타내는 빛을 생성하는 발광층(320)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 발광 구조체들(300B, 300G, 300R)은 백색을 나타내는 빛을 생성할 수 있다. 상기 발광 구조체들(300B, 300G, 300R)의 발광층(320)은 서로 연결될 수 있다.The light emitting layer 320 may extend over the bank insulating layer 140. Each of the light emitting structures 300B, 300G, and 300R may include a light emitting layer 320 that generates light having the same color. For example, the light emitting structures 300B, 300G and 300R may generate white light. The light emitting layers 320 of the light emitting structures 300B, 300G and 300R may be connected to each other.

상기 상부 전극(330)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 상기 상부 전극(330)은 상기 하부 전극(310)과 다른 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 상부 전극(330)은 ITO 또는 IZO와 같은 투명 도전성 물질을 포함하는 투명 전극일 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치에서는 상기 발광층(320)에 의해 생성된 빛이 상기 상부 전극(330)의 외측으로 방출될 수 있다.The upper electrode 330 may include a conductive material. The upper electrode 330 may include a material different from the lower electrode 310. For example, the upper electrode 330 may be a transparent electrode including a transparent conductive material such as ITO or IZO. Accordingly, in the OLED display according to the exemplary embodiment of the present invention, light generated by the light emitting layer 320 may be emitted to the outside of the upper electrode 330.

상기 상부 전극(330)은 상기 발광층(320)을 따라 연장할 수 있다. 예를 들어, 상기 상부 전극(330)은 상기 뱅크 절연막(140) 상으로 연장할 수 있다. 각각의 발광 구조체(300B, 300G, 300R)의 상부 전극(330)은 인접한 발광 구조체(300B, 300G, 300R)의 상부 전극(330)과 연결될 수 있다.The upper electrode 330 may extend along the light emitting layer 320. For example, the upper electrode 330 may extend over the bank insulating layer 140. The upper electrode 330 of each of the light emitting structures 300B, 300G and 300R may be connected to the upper electrode 330 of the adjacent light emitting structures 300B, 300G and 300R.

상기 발광 구조체들(300B, 300G, 300R) 상에는 상부 보호막(150)이 위치할 수 있다. 상기 상부 보호막(150)은 외부 충격 및 수분으로부터 상기 발광 구조체들(300B, 300G, 300R)을 보호할 수 있다. 상기 상부 보호막(150)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 상기 상부 보호막(150)은 다중층 구조일 수 있다. 예를 들어, 상기 상부 보호막(150)은 무기 절연 물질을 포함하는 무기 절연막들 사이에 유기 절연 물질을 포함하는 유기 절연막이 위치하는 구조일 수 있다.The upper protective layer 150 may be disposed on the light emitting structures 300B, 300G, and 300R. The upper protective layer 150 may protect the light emitting structures 300B, 300G, and 300R from external impact and moisture. The upper protective layer 150 may include an insulating material. The upper protective layer 150 may have a multi-layer structure. For example, the upper protective layer 150 may have a structure in which an organic insulating layer including an organic insulating material is disposed between inorganic insulating layers including an inorganic insulating layer.

상기 상부 보호막(150) 상에는 상부 기판(400)이 위치할 수 있다. 상기 상부 기판(400)은 상기 하부 기판(100)과 평행할 수 있다. 예를 들어, 상기 상부 기판(400)은 상기 하부 기판(100)의 상기 화소 영역들(BEA, GEA, REA) 및 상기 비표시 영역(NEA)과 중첩할 수 있다.The upper substrate 400 may be positioned on the upper protective layer 150. The upper substrate 400 may be parallel to the lower substrate 100. For example, the upper substrate 400 may overlap the pixel regions BEA, GEA, and REA of the lower substrate 100 and the non-display region NEA.

상기 상부 기판(400)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 상기 상부 기판(400)은 투명한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 상부 기판(400)은 유리 또는 플라스틱을 포함할 수 있다. 상기 상부 기판(400)은 상기 하부 기판(100)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 상기 상부 기판(400)의 외측에 상기 발광 구조체들(300B, 300G, 300R)에 의한 영상이 구현될 수 있다.The upper substrate 400 may include an insulating material. The upper substrate 400 may include a transparent material. For example, the upper substrate 400 may comprise glass or plastic. The upper substrate 400 may include the same material as the lower substrate 100. Accordingly, in the display device according to the exemplary embodiment of the present invention, an image formed by the light emitting structures 300B, 300G, and 300R may be formed outside the upper substrate 400. FIG.

상기 하부 기판(100)을 향한 상기 상부 기판(400)의 하부면 상에는 컬러 필터들(510B, 510G, 510R)이 위치할 수 있다. 상기 컬러 필터들(510B, 510G, 510R)은 상기 하부 기판(100)의 상기 화소 영역들(BEA, GEA, REA) 상에 위치할 수 있다. 각각의 컬러 필터(510B, 510G, 510R)는 상기 발광 구조체들(300B, 300G, 300R) 중 하나와 중첩할 수 있다. 예를 들어, 상기 컬러 필터들(510B, 510G, 510R)은 상기 청색 발광 구조체(300B) 상에 위치하는 청색 컬러 필터(510B), 상기 녹색 발광 구조체(300G) 상에 위치하는 녹색 컬러 필터(510G) 및 상기 적색 발광 구조체(300R) 상에 위치하는 적색 컬러 필터(510R)를 포함할 수 있다.The color filters 510B, 510G, and 510R may be positioned on the lower surface of the upper substrate 400 facing the lower substrate 100. The color filters 510B, 510G, and 510R may be positioned on the pixel regions BEA, GEA, and REA of the lower substrate 100. Each of the color filters 510B, 510G, and 510R may overlap one of the light emitting structures 300B, 300G, and 300R. For example, the color filters 510B, 510G and 510R may include a blue color filter 510B located on the blue light emitting structure 300B, a green color filter 510G located on the green light emitting structure 300G, And a red color filter 510R positioned on the red light emitting structure 300R.

상기 컬러 필터들(510B, 510G, 510R)은 해당 발광 구조체(300B, 300G, 300R)로부터 방출된 빛을 이용하여 특정한 색을 구현할 수 있다. 예를 들어, 상기 하부 기판(100)의 상기 청색 화소 영역(BEA)에서는 상기 청색 발광 구조체(300B) 및 상기 청색 컬러 필터(510B)에 의해 청색이 구현될 수 있다. 상기 하부 기판(100)의 상기 녹색 화소 영역(GEA)에서는 상기 녹색 발광 구조체(300G) 및 상기 녹색 컬러 필터(510G)에 의해 녹색이 구현될 수 있다. 상기 하부 기판(100)의 상기 적색 화소 영역(REA)에서는 상기 적색 발광 구조체(300R) 및 상기 적색 컬러 필터(510R)에 의해 적색이 구현될 수 있다.The color filters 510B, 510G, and 510R may implement a specific color using light emitted from the corresponding light emitting structures 300B, 300G, and 300R. For example, in the blue pixel region BEA of the lower substrate 100, a blue color may be realized by the blue light emitting structure 300B and the blue color filter 510B. In the green pixel region GEA of the lower substrate 100, green may be realized by the green light emitting structure 300G and the green color filter 510G. In the red pixel region REA of the lower substrate 100, red may be implemented by the red light emitting structure 300R and the red color filter 510R.

상기 컬러 필터들(510B, 510G, 510R)의 단부들 상에는 블랙 매트릭스(520)가 위치할 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(520)는 각 화소 영역(BEA, GEA, REA)의 발광층(320)에서 생성된 빛이 인접한 화소 영역(BEA, GEA, REA)의 컬러 필터(510B, 510G, 510R)를 통과하여 상기 상부 기판(400)의 외측으로 방출되는 것을 방지할 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(520)는 이중층 구조일 수 있다. 예를 들어, 상기 블랙 매트릭스(520)는 상기 하부 기판(100)을 향한 상기 컬러 필터들(510B, 510G, 510R)의 하부면 상에 위치하는 하부 블랙 매트릭스(521) 및 상기 컬러 필터들(510B, 510G, 510R)과 상기 상부 기판(400) 사이에 위치하는 상부 블랙 매트릭스(522)를 포함할 수 있다.A black matrix 520 may be positioned on the ends of the color filters 510B, 510G, and 510R. The black matrix 520 passes through the color filters 510B, 510G and 510R of the pixel regions BEA, GEA and REA adjacent to the light generated in the light emitting layer 320 of each pixel region BEA, GEA and REA And can be prevented from being discharged to the outside of the upper substrate 400. The black matrix 520 may have a double-layer structure. For example, the black matrix 520 may include a lower black matrix 521 positioned on the lower surface of the color filters 510B, 510G, 510R toward the lower substrate 100, , 510G, and 510R) and the upper substrate 400. The upper black matrix 522 may be disposed between the upper substrate 400 and the upper substrate 400, as shown in FIG.

상기 하부 블랙 매트릭스(521)는 상기 뱅크 절연막(140)과 중첩할 수 있다. 예를 들어, 상기 하부 블랙 매트릭스(521)는 상기 하부 기판(100)의 상기 비표시 영역(NEA)과 중첩할 수 있다. 상기 컬러 필터들(510B, 510G, 510R)의 단부들은 상기 하부 블랙 매트릭스(521)와 상기 상부 블랙 매트릭스(522) 사이에 위치할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 각 발광 구조체(300B, 300G, 300R)로부터 생성되어 빛이 인접한 화소 영역(BEA, GEA, REA)의 컬러 필터(510B, 510G, 510R)로 입사되는 것이 방지될 수 있다. 상기 하부 블랙 매트릭스(521)는 인접한 컬러 필터들(510B, 510G, 510R)의 단부들 사이의 공간을 채울 수 있다.The lower black matrix 521 may overlap with the bank insulating layer 140. For example, the lower black matrix 521 may overlap with the non-display area NEA of the lower substrate 100. The ends of the color filters 510B, 510G, and 510R may be positioned between the lower black matrix 521 and the upper black matrix 522. [ Accordingly, in the display device according to the embodiment of the present invention, light generated from each of the light emitting structures 300B, 300G, and 300R is incident on the color filters 510B, 510G, and 510R of adjacent pixel regions BEA, GEA, Can be prevented. The lower black matrix 521 may fill a space between the ends of adjacent color filters 510B, 510G, 510R.

상기 하부 블랙 매트릭스(521)는 차광 물질을 포함할 수 있다. 상기 하부 블랙 매트릭스(521)는 가공이 쉬운 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 하부 블랙 매트릭스(521)는 크롬(Cr)과 같은 금속을 포함할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 상기 컬러 필터들(510B, 510G, 510R)의 단부들 상에서 상기 하부 블랙 매트릭스(521)의 두께(t1)가 상기 상부 블랙 매트릭스(522)의 두께(t2)보다 얇을 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 상기 블랙 매트릭스(520)에 의한 두께 증가 및 두께 편차가 감소될 수 있다. 상기 하부 블랙 매트릭스(521)의 수평 폭(W1)은 상기 상부 블랙 매트릭스(522)의 수평 폭(W2)과 동일할 수 있다.The lower black matrix 521 may include a light shielding material. The lower black matrix 521 may include a material that is easy to process. For example, the lower black matrix 521 may include a metal such as chromium (Cr). The thickness t1 of the lower black matrix 521 on the ends of the color filters 510B, 510G and 510R is greater than the thickness t1 of the upper black matrix 522 (t2). Therefore, in the display device according to the embodiment of the present invention, the thickness increase and the thickness variation due to the black matrix 520 can be reduced. The horizontal width W1 of the lower black matrix 521 may be the same as the horizontal width W2 of the upper black matrix 522. [

상기 상부 블랙 매트릭스(522)는 상기 하부 기판(100)을 향한 상기 상부 기판(400)의 하부면 상에 위치할 수 있다. 예를 들어, 상기 상부 블랙 매트릭스(522)는 상기 컬러 필터들(510B, 510G, 510R)의 단부들과 상기 상부 기판(400) 사이에 위치할 수 있다. 상기 상부 블랙 매트릭스(522)는 상기 하부 블랙 매트릭스(521)와 중첩할 수 있다. 예를 들어, 상기 하부 블랙 매트릭스(521)는 상기 하부 기판(100)을 향한 상기 상부 블랙 매트릭스(522)의 하부면 상에 위치할 수 있다. 상기 상부 블랙 매트릭스(522)는 상기 하부 블랙 매트릭스(521)에 의해 차단되지 않았으나, 각 발광 구조체(300B, 300G, 300R)로부터 생성되어 인접한 화소 영역(BEA, GEA, REA)의 컬러 필터(510B, 510G, 510R) 방향으로 진행하는 빛을 차단할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 인접한 화소 영역(BEA, GEA, REA)의 혼색을 방지하기 위한 상기 하부 블랙 매트릭스(521)의 수평 폭(W1)이 최소화될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 상기 블랙 매트릭스(520)에 의한 개구율의 저하가 최소화되며, 인접한 화소 영역(BEA, GEA, REA)의 혼색이 효과적으로 방지될 수 있다.The upper black matrix 522 may be positioned on the lower surface of the upper substrate 400 facing the lower substrate 100. For example, the upper black matrix 522 may be positioned between the ends of the color filters 510B, 510G, and 510R and the upper substrate 400. [ The upper black matrix 522 may overlap the lower black matrix 521. For example, the lower black matrix 521 may be positioned on the lower surface of the upper black matrix 522 toward the lower substrate 100. The upper black matrix 522 is not blocked by the lower black matrix 521 but the color filters 510B and 510B of the adjacent pixel regions BEA, GEA, and REA generated from the respective light emitting structures 300B, 300G, 510G, and 510R, respectively. Accordingly, in the display device according to the exemplary embodiment of the present invention, the horizontal width W1 of the lower black matrix 521 for preventing the mixture of adjacent pixel regions BEA, GEA, and REA may be minimized. Therefore, in the display device according to the embodiment of the present invention, the drop of the aperture ratio by the black matrix 520 is minimized, and the color mixing of the adjacent pixel regions BEA, GEA, and REA can be effectively prevented.

상기 상부 블랙 매트릭스(522)는 상기 상부 기판(400)의 상기 하부면과 직접 접촉할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 외부로부터 입사한 빛이 상기 컬러 필터(510B, 510G, 510R)를 통과하지 않을 수 있따. 즉, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 상기 상부 블랙 매트릭스(522)에 의해 외광의 반사가 입사할 때와 다른 컬러 필터를 통과하는 것이 방지될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 외광 반사에 의한 혼색이 방지될 수 있다.The upper black matrix 522 may be in direct contact with the lower surface of the upper substrate 400. Accordingly, in the display device according to the embodiment of the present invention, light incident from the outside may not pass through the color filters 510B, 510G, and 510R. That is, in the display device according to the embodiment of the present invention, the upper black matrix 522 can prevent the reflection of the external light from passing through the color filter different from that of the incident light. Therefore, in the display device according to the embodiment of the present invention, color mixing due to reflection of external light can be prevented.

상기 상부 블랙 매트릭스(522)는 상기 하부 블랙 매트릭스(521)와 다른 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 상부 블랙 매트릭스(522)는 저반사 물질을 포함할 수 있다. 상기 상부 블랙 매트릭스(522)의 반사율은 상기 하부 블랙 매트릭스(521)의 반사율보다 낮을 수 있다. 예를 들어, 상기 상부 블랙 매트릭스(522)는 수지(resin)를 포함할 수 있다.The upper black matrix 522 may include a material different from the lower black matrix 521. For example, the upper black matrix 522 may comprise a low reflective material. The reflectance of the upper black matrix 522 may be lower than that of the lower black matrix 521. For example, the upper black matrix 522 may comprise a resin.

상기 하부 기판(100)을 향한 상기 컬러 필터들(510B, 510G, 510R)의 하부면 및 상기 하부 블랙 매트릭스(521)의 하부면 상에는 캡핑막(530)이 위치할 수 있다. 상기 컬러 필터들(510B, 510G, 510R) 및 상기 블랙 매트릭스(520)는 상기 캡핑막(530)과 상기 상부 기판(400) 사이에 위치할 수 있다. 상기 캡핑막(530)은 후속 공정에 의한 상기 컬러 필터들(510B, 510G, 510R) 및 상기 블랙 매트릭스(520)의 손상을 방지할 수 있다. 상기 캡핑막(530)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 캡핑막(530)은 실리콘 산화물을 포함할 수 있다.The capping layer 530 may be positioned on the lower surface of the color filters 510B, 510G, 510R toward the lower substrate 100 and on the lower surface of the lower black matrix 521. [ The color filters 510B, 510G, and 510R and the black matrix 520 may be positioned between the capping layer 530 and the upper substrate 400. FIG. The capping layer 530 may prevent the color filters 510B, 510G, and 510R and the black matrix 520 from being damaged by a subsequent process. The capping layer 530 may include an insulating material. For example, the capping layer 530 may include silicon oxide.

상기 캡핑막(530)은 상기 하부 블랙 매트릭스(521)에 의한 단차를 보상할 수 있다. 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 상기 하부 블랙 매트릭스(521)가 충분히 얇은 두께(t1)로 형성될 수 있으므로, 상기 캡핑막(530)에 의해 상기 하부 블랙 매트릭스(521)에 의한 두께 편차가 제거될 수 있다. 예를 들어, 상기 하부 기판(100)을 향한 상기 캡핑막(530)의 하부면은 평평한 평면(flat surface)일 수 있다. 상기 캡핑막(530)의 하부면은 상기 상부 기판(400)의 하부면과 평행할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 전체적인 두께의 증가가 최소화되며, 상기 블랙 매트릭스(520)에 의한 두께 편차가 제거될 수 있다.The capping layer 530 may compensate the stepped portion by the lower black matrix 521. Since the lower black matrix 521 can be formed to have a sufficiently thin thickness t1 in the display device according to the embodiment of the present invention, the thickness deviation of the lower black matrix 521 by the capping layer 530 Can be removed. For example, the lower surface of the capping layer 530 facing the lower substrate 100 may be a flat surface. The lower surface of the capping layer 530 may be parallel to the lower surface of the upper substrate 400. Accordingly, in the display device according to the embodiment of the present invention, the increase in the overall thickness is minimized, and the thickness variation due to the black matrix 520 can be eliminated.

본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 상기 하부 블랙 매트릭스(521)의 두께(t1)가 상기 상부 블랙 매트릭스(522)의 두께(t2)보다 얇은 것으로 설명된다. 그러나, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 상기 하부 블랙 매트릭스(521)가 상기 상부 블랙 매트릭스(522)와 다른 크기를 가질 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 하부 블랙 매트릭스(521)의 두께(t1)가 상기 상부 블랙 매트릭스(522)의 두께(t2)와 동일하고, 상기 하부 블랙 매트릭스(521)의 수평 폭(W1)이 상기 상부 블랙 매트릭스(522)의 수평 폭(W2)보다 작을 수 있다. 또는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 하부 블랙 매트릭스(521)의 두께(t1) 및 수평 폭(W1)이 상기 상부 블랙 매트릭스(522)의 두께(t2) 및 수평 폭(W2)보다 작은 값을 가질 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 상기 하부 블랙 매트릭스(521)에 의한 두께 편차의 정도 및 영역이 선택적으로 최소화될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 상기 하부 블랙 매트릭스(521)에 의한 두께 증가 및 두께 편차가 효율적으로 제어될 수 있다.The display device according to the embodiment of the present invention is described in which the thickness t1 of the lower black matrix 521 is thinner than the thickness t2 of the upper black matrix 522. [ However, in the display device according to another embodiment of the present invention, the lower black matrix 521 may have a different size from the upper black matrix 522. 3, the thickness t1 of the lower black matrix 521 is equal to the thickness t2 of the upper black matrix 522. In this case, And the horizontal width W1 of the lower black matrix 521 may be smaller than the horizontal width W2 of the upper black matrix 522. [ 4, the thickness t1 and the horizontal width W1 of the lower black matrix 521 may be equal to or greater than the thickness t2 of the upper black matrix 522. In other words, ) And the horizontal width W2. Accordingly, in the display device according to another embodiment of the present invention, the degree and the area of the thickness variation due to the lower black matrix 521 can be selectively minimized. Therefore, in the display device according to the embodiment of the present invention, thickness increase and thickness deviation by the lower black matrix 521 can be efficiently controlled.

상기 상부 보호막(150)과 상기 캡핑막(530) 사이에는 충진층(filling layer, 600)이 위치할 수 있다. 예를 들어, 상기 캡핑막(530)의 하부면은 상기 충진층(600)과 직접 접촉할 수 있다. 상기 충진층(600)은 접착성 물질을 포함할 수 있다. 상기 상부 기판(400)은 상기 충진층(600)에 의해 상기 발광 구조체들(300B, 300G, 300R)이 형성된 상기 하부 기판(100)과 결합될 수 있다. 상기 충진층(600)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 상기 충진층(600)은 투명한 물질을 포함할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 상기 충진층(600)에 의한 휘도 감소가 최소화될 수 있다.A filling layer 600 may be disposed between the upper protective layer 150 and the capping layer 530. For example, the lower surface of the capping layer 530 may be in direct contact with the filling layer 600. The filling layer 600 may comprise an adhesive material. The upper substrate 400 may be coupled to the lower substrate 100 formed with the light emitting structures 300B, 300G, and 300R by the filling layer 600. [ The filling layer 600 may include an insulating material. The filling layer 600 may include a transparent material. Accordingly, in the display device according to the embodiment of the present invention, the decrease in brightness due to the filling layer 600 can be minimized.

결과적으로, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 상대적으로 하부 기판(100)에 가까이 위치하는 하부 블랙 매트릭스(521)를 금속과 같이 상대적으로 가공이 쉬운 물질로 형성하여, 상기 하부 블랙 매트릭스(521)의 두께(t1) 및 수평 폭(W1) 중 적어도 하나가 상기 상부 블랙 매트릭스(522)의 두께(t2) 및 수평 폭(W2)보다 작은 값을 가질 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 상기 하부 블랙 매트릭스(521)에 의한 두께 증가 및 두께 편차가 최소화될 수 있다.As a result, the display device according to the embodiment of the present invention includes the lower black matrix 521 located relatively close to the lower substrate 100, and the upper black matrix 521 At least one of the thickness t1 and the horizontal width W1 of the upper black matrix 522 may be smaller than the thickness t2 and the horizontal width W2 of the upper black matrix 522. [ Therefore, in the display device according to the embodiment of the present invention, thickness increase and thickness variation caused by the lower black matrix 521 can be minimized.

본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 상기 상부 기판(400)을 향한 상기 하부 기판(100)의 상부면 상에 발광 구조체들(300B, 300G, 300R)이 위치하는 것으로 설명된다. 그러나, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 액정 표시 장치일 수 있다. 예를 들어, 도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 박막 트랜지스터(201)에 의한 단차를 제거하는 오버 코트층(130) 상에 공통 전극(301), 화소 보호막(170) 및 화소 전극(302)이 순서대로 적층될 수 있다. 상기 박막 트랜지스터(201)는 게이트 전극(211), 상기 게이트 전극(211) 상에 위치하는 게이트 절연막(221), 상기 게이트 절연막(221) 상에 위치하는 반도체 패턴(231), 상기 반도체 패턴(231)의 일측 영역과 연결되는 소스 전극(241) 및 상기 반도체 패턴(231)의 타측 영역과 연결되는 드레인 전극(251)을 포함할 수 있다. 상기 드레인 전극(251)은 상기 소스 전극(241)과 이격될 수 있다. 상기 드레인 전극(251)은 상기 오버 코트층(130)을 관통하는 컨택홀을 통해 상기 화소 전극(302)과 연결될 수 있다. 상기 화소 보호막(170)은 상기 공통 전극(301)과 상기 화소 전극(302) 사이를 절연할 수 있다. 예를 들어, 상기 화소 보호막(170)은 실리콘 질화물 및/또는 실리콘 산화물과 같은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 상기 공통 전극(301) 및 상기 화소 전극(302)은 ITO 및 IZO와 같은 투명한 도전성 물질을 포함할 수 있다. 상기 화소 전극(302)과 캡핑막(530) 사이에는 액정층(700)이 위치할 수 있다.The display device according to the embodiment of the present invention is described as having the light emitting structures 300B, 300G, and 300R positioned on the upper surface of the lower substrate 100 facing the upper substrate 400. FIG. However, the display device according to another embodiment of the present invention may be a liquid crystal display device. For example, as shown in FIG. 5, a display device according to another embodiment of the present invention includes a common electrode 301, The pixel electrode 170 and the pixel electrode 302 may be stacked in this order. The thin film transistor 201 includes a gate electrode 211, a gate insulating film 221 located on the gate electrode 211, a semiconductor pattern 231 located on the gate insulating film 221, a semiconductor pattern 231 A source electrode 241 connected to one side of the semiconductor pattern 231 and a drain electrode 251 connected to the other side of the semiconductor pattern 231. The drain electrode 251 may be spaced apart from the source electrode 241. The drain electrode 251 may be connected to the pixel electrode 302 through a contact hole passing through the overcoat layer 130. The pixel protection layer 170 may isolate the common electrode 301 from the pixel electrode 302. For example, the pixel protection layer 170 may include an insulating material such as silicon nitride and / or silicon oxide. The common electrode 301 and the pixel electrode 302 may include a transparent conductive material such as ITO and IZO. A liquid crystal layer 700 may be disposed between the pixel electrode 302 and the capping layer 530.

본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 액정층(700)의 수직 높이를 유지하기 위한 범프 패턴(190) 및 스페이서(540)를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 범프 패턴(190)은 상기 오버 코트층(130)을 관통하여 상기 드레인 전극(251)의 일부 영역을 노출하는 컨택홀 내로 연장할 수 있다. 상기 스페이서(540)는 상기 범프 패턴(190) 상에 위치할 수 있다. 예를 들어, 상기 범프 패턴(190) 및 상기 스페이서(540)는 하부 블랙 매트릭스(521)와 중첩할 수 있다. 상기 스페이서(540)는 상기 하부 블랙 매트릭스(521)의 하부면 상에 위치할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 인접한 공통 전극(301)과 화소 전극(302) 사이에 형성된 전계에 의한 액정층(700)의 오동작에도 혼색이 방지될 수 있다. 따라서, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 이중층의 블랙 매트릭스(520)를 이용하여 개구율 저하를 최소화하며, 혼색을 방지함과 동시에, 상기 블랙 매트릭스(520)에 의한 두께 증가 및 두께 편차를 최소화할 수 있다.The display device according to another embodiment of the present invention may further include a bump pattern 190 and a spacer 540 for maintaining the vertical height of the liquid crystal layer 700. [ For example, the bump pattern 190 may extend into the contact hole through the overcoat layer 130 to expose a portion of the drain electrode 251. The spacer 540 may be positioned on the bump pattern 190. For example, the bump pattern 190 and the spacer 540 may overlap the lower black matrix 521. [ The spacer 540 may be positioned on the lower surface of the lower black matrix 521. Accordingly, in the display device according to another embodiment of the present invention, color mixing can be prevented even when the liquid crystal layer 700 is erroneously operated due to an electric field formed between the adjacent common electrode 301 and the pixel electrode 302. Therefore, in the display device according to another embodiment of the present invention, the reduction of the aperture ratio is minimized by using the double-layered black matrix 520, the color mixing is prevented, and the thickness increase and the thickness deviation by the black matrix 520 Can be minimized.

본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 하부 블랙 매트릭스(521)가 상부 블랙 매트릭스(522)보다 얇은 두께를 가지되, 상기 하부 블랙 매트릭스(521)의 수평 폭이 상부 블랙 매트릭스(522)의 수평 폭과 동일한 것으로 설명된다. 그러나, 도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 또다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 하부 블랙 매트릭스(521)의 두께(t3)보다 상부 블랙 매트릭스(522)의 두께(t4)가 크되, 상기 하부 블랙 매트릭스(521)의 수평 폭(W3)보다 상기 상부 블랙 매트릭스(522)의 수평 폭(W4)이 작을 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 또다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 상기 하부 블랙 매트릭스(521)에 의한 외광 반사를 차단하는 상기 상부 블랙 매트릭스(522)의 시인성이 감소될 수 있다. 따라서, 본 발명의 또다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 블랙 매트릭스(520)에 의해 혼색이 방지되며, 영상의 시인성이 향상될 수 있다.The display device according to another embodiment of the present invention may have a structure in which the lower black matrix 521 has a thickness smaller than that of the upper black matrix 522 and the horizontal width of the lower black matrix 521 is smaller than the horizontal width of the upper black matrix 522 Width. 6, the thickness of the upper black matrix 522 is larger than the thickness t3 of the lower black matrix 521, and the thickness t4 of the upper black matrix 522 is larger than that of the lower black matrix 521. However, The horizontal width W4 of the upper black matrix 522 may be smaller than the horizontal width W3 of the black matrix 521. [ Accordingly, in the display device according to another embodiment of the present invention, the visibility of the upper black matrix 522 blocking the reflection of external light by the lower black matrix 521 may be reduced. Therefore, in the display device according to another embodiment of the present invention, color mixing is prevented by the black matrix 520, and the visibility of the image can be improved.

본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 상기 캡핑막(530)이 상기 스페이서(540)와 상기 하부 블랙 매트릭스(521) 사이에 위치하는 것으로 설명된다. 그러나, 도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명의 또다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 컬러 필터들(510B, 510G, 510R)의 하부면이 상기 캡핑막(530)과 직접 접촉할 수 있다. 즉, 본 발명의 또다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 하부 블랙 매트릭스(521)의 하부면이 스페이서(540)와 직접 접촉할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 또다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 상기 스페이서(540)의 분리가 방지될 수 있다. 따라서, 본 발명의 또다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 금속을 포함하는 상기 하부 블랙 매트릭스(521)에 의해 두께 증가 및 두께 편차가 방지되며, 스페이서(540)의 분리에 의한 불량이 감소될 수 있다.The display device according to another embodiment of the present invention is described in which the capping layer 530 is located between the spacer 540 and the lower black matrix 521. [ However, as shown in FIG. 7, in the display device according to another embodiment of the present invention, the lower surface of the color filters 510B, 510G, and 510R may directly contact the capping layer 530. Referring to FIG. That is, in the display device according to another embodiment of the present invention, the lower surface of the lower black matrix 521 may directly contact with the spacer 540. Accordingly, in the display device according to another embodiment of the present invention, separation of the spacer 540 can be prevented. Therefore, in the display device according to another embodiment of the present invention, the lower black matrix 521 including metal prevents the thickness increase and the thickness deviation, and the defect due to the separation of the spacer 540 can be reduced .

100 : 하부 기판 200 : 박막 트랜지스터
300B, 300G, 300R : 발광 구조체 400 : 상부 기판
510B, 510G, 510R : 컬러 필터 520 : 블랙 매트릭스
521 : 하부 블랙 매트릭스 522 : 상부 블랙 매트릭스
600 : 충진층100: lower substrate 200: thin film transistor
300B, 300G, 300R: light emitting structure 400: upper substrate
510B, 510G, 510R: color filter 520: black matrix
521: lower black matrix 522: upper black matrix
600: filling layer

Claims (10)

하부 기판 상에 위치하는 상부 기판;
상기 하부 기판을 향한 상기 상부 기판의 하부면 상에 위치하는 상부 블랙 매트릭스;
상기 하부 기판을 향한 상기 상부 블랙 매트릭스의 하부면 상에 위치하고, 상기 상부 블랙 매트릭스와 다른 크기를 갖는 하부 블랙 매트릭스; 및
상기 상부 기판의 상기 하부면 상에 위치하고, 상기 하부 블랙 매트릭스와 상기 상부 블랙 매트릭스 사이에 위치하는 단부를 포함하는 컬러 필터를 포함하되,
상기 하부 블랙 매트릭스는 금속을 포함하는 디스플레이 장치.An upper substrate positioned on the lower substrate;
An upper black matrix positioned on a lower surface of the upper substrate toward the lower substrate;
A lower black matrix located on a lower surface of the upper black matrix toward the lower substrate, the lower black matrix having a different size from the upper black matrix; And
And a color filter located on the lower surface of the upper substrate and including an end positioned between the lower black matrix and the upper black matrix,
Wherein the lower black matrix comprises a metal. 제 1 항에 있어서,
상기 하부 기판을 향한 상기 하부 블랙 매트릭스의 하부면 및 상기 컬러 필터의 하부면 상에 위치하는 캡핑막을 더 포함하되,
상기 하부 기판을 향한 상기 캡핑막의 하부면은 평평한 평면(flat surface)인 디스플레이 장치.The method according to claim 1,
Further comprising a capping layer located on a lower surface of the lower black matrix and a lower surface of the color filter toward the lower substrate,
Wherein the lower surface of the capping film toward the lower substrate is a flat surface. 제 1 항에 있어서,
상기 컬러 필터의 상기 단부 상에서 상기 하부 블랙 매트릭스의 두께는 상기 상부 블랙 매트릭스의 두께보다 얇은 디스플레이 장치.The method according to claim 1,
Wherein a thickness of the lower black matrix on the end of the color filter is thinner than a thickness of the upper black matrix. 제 1 항에 있어서,
상기 하부 블랙 매트릭스의 수평 폭은 상기 상부 블랙 매트릭스의 수평 폭보다 작은 디스플레이 장치.The method according to claim 1,
Wherein a horizontal width of the lower black matrix is smaller than a horizontal width of the upper black matrix. 제 1 항에 있어서,
상기 상부 블랙 매트릭스의 반사율은 상기 하부 블랙 매트릭스의 반사율보다 낮은 디스플레이 장치.The method according to claim 1,
Wherein the reflectance of the upper black matrix is lower than the reflectance of the lower black matrix. 제 5 항에 있어서,
상기 상부 블랙 매트릭스는 수지(resin)를 포함하는 디스플레이 장치.6. The method of claim 5,
Wherein the upper black matrix comprises a resin. 하부 기판 상에 위치하는 상부 기판;
상기 하부 기판을 향한 상기 상부 기판의 하부면 상에 위치하는 컬러 필터;
상기 하부 기판을 향한 상기 컬러 필터의 하부면 상에 위치하고, 상기 컬러 필터의 단부와 중첩하는 하부 블랙 매트릭스; 및
상기 컬러 필터와 상기 상부 기판 사이에 위치하고, 상기 하부 블랙 매트릭스와 중첩하는 상부 블랙 매트릭스를 포함하되,
상기 하부 블랙 매트릭스의 두께는 상기 상부 블랙 매트릭스의 두께보다 얇은 디스플레이 장치.An upper substrate positioned on the lower substrate;
A color filter positioned on a lower surface of the upper substrate facing the lower substrate;
A lower black matrix positioned on a lower surface of the color filter toward the lower substrate and overlapping an end of the color filter; And
And an upper black matrix positioned between the color filter and the upper substrate and overlapping the lower black matrix,
Wherein a thickness of the lower black matrix is thinner than a thickness of the upper black matrix. 제 7 항에 있어서,
상기 하부 블랙 매트릭스와 상기 컬러 필터 사이에 위치하는 캡핑막을 더 포함하는 디스플레이 장치.8. The method of claim 7,
And a capping film located between the lower black matrix and the color filter. 제 7 항에 있어서,
상기 하부 기판을 향한 상기 하부 블랙 매트릭스의 하부면 상에 위치하는 스페이서;
상기 상부 기판을 향한 상기 하부 기판의 상부면 상에 위치하고, 상기 스페이서와 중첩하는 범프 패턴; 및
상기 하부 기판과 상기 컬러 필터 사이에 위치하는 액정층을 포함하는 디스플레이 장치.8. The method of claim 7,
A spacer positioned on a lower surface of the lower black matrix toward the lower substrate;
A bump pattern located on an upper surface of the lower substrate facing the upper substrate and overlapping the spacer; And
And a liquid crystal layer disposed between the lower substrate and the color filter. 제 9 항에 있어서,
상기 상부 블랙 매트릭스의 수평 폭은 상기 하부 블랙 매트릭스의 수평 폭보다 작은 디스플레이 장치.10. The method of claim 9,
Wherein the horizontal width of the upper black matrix is smaller than the horizontal width of the lower black matrix.
KR1020170143312A 2017-10-31 2017-10-31 Display device having a black matrix KR102511044B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170143312A KR102511044B1 (en) 2017-10-31 2017-10-31 Display device having a black matrix

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170143312A KR102511044B1 (en) 2017-10-31 2017-10-31 Display device having a black matrix

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190048391A true KR20190048391A (en) 2019-05-09
KR102511044B1 KR102511044B1 (en) 2023-03-16

Family

ID=66546359

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170143312A KR102511044B1 (en) 2017-10-31 2017-10-31 Display device having a black matrix

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102511044B1 (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210070516A (en) * 2019-12-05 2021-06-15 엘지디스플레이 주식회사 Touch display device
US20220059805A1 (en) * 2020-08-19 2022-02-24 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of manufacturing the same
US11991904B2 (en) 2020-11-04 2024-05-21 Samsung Display Co., Ltd. Display device

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08234187A (en) * 1994-12-27 1996-09-13 Canon Inc Color liquid crystal panel
KR20150099751A (en) * 2012-12-27 2015-09-01 도판 인사츠 가부시키가이샤 Liquid crystal display device, color filter substrate, and color filter substrate production method
KR20150102033A (en) * 2012-12-27 2015-09-04 도판 인사츠 가부시키가이샤 Liquid crystal display device, liquid display device substrate, and production method for liquid crystal display device substrate
JP2017116881A (en) * 2015-12-25 2017-06-29 大日本印刷株式会社 Color filter substrate with optical functional layer
KR20170078424A (en) * 2015-12-29 2017-07-07 엘지디스플레이 주식회사 Liquid Crystal Display Device

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08234187A (en) * 1994-12-27 1996-09-13 Canon Inc Color liquid crystal panel
KR20150099751A (en) * 2012-12-27 2015-09-01 도판 인사츠 가부시키가이샤 Liquid crystal display device, color filter substrate, and color filter substrate production method
KR20150102033A (en) * 2012-12-27 2015-09-04 도판 인사츠 가부시키가이샤 Liquid crystal display device, liquid display device substrate, and production method for liquid crystal display device substrate
EP2940516A1 (en) * 2012-12-27 2015-11-04 Toppan Printing Co., Ltd. Liquid crystal display device, color filter substrate, and color filter substrate production method
JP2017116881A (en) * 2015-12-25 2017-06-29 大日本印刷株式会社 Color filter substrate with optical functional layer
KR20170078424A (en) * 2015-12-29 2017-07-07 엘지디스플레이 주식회사 Liquid Crystal Display Device

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210070516A (en) * 2019-12-05 2021-06-15 엘지디스플레이 주식회사 Touch display device
US11329260B2 (en) 2019-12-05 2022-05-10 Lg Display Co., Ltd. Touch display device
US11985848B2 (en) 2019-12-05 2024-05-14 Lg Display Co., Ltd. Touch display device
US20220059805A1 (en) * 2020-08-19 2022-02-24 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of manufacturing the same
US12022685B2 (en) * 2020-08-19 2024-06-25 Samsung Display Co., Ltd. Display device including upper and lower light-shielding layers
US11991904B2 (en) 2020-11-04 2024-05-21 Samsung Display Co., Ltd. Display device

Also Published As

Publication number Publication date
KR102511044B1 (en) 2023-03-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11437444B2 (en) Display device
KR101097338B1 (en) Organic light emitting display device
US20190043939A1 (en) Display unit, method of manufacturing display unit, and electronic apparatus
KR20180061903A (en) Display device having a plurality of insulating layer disposed between two electrodes
KR102448068B1 (en) Organic Light-Emitting Display apparatus having a black bank insulating layer
KR20150041511A (en) Display apparatus and method for manufacturing the same
US9178180B2 (en) Display device and electronic apparatus
KR102649202B1 (en) Organic Light Emitting Display device having an organic light emitting layer extending a non-display area
KR102141082B1 (en) Organic light emitting diode display device and method of fabricating the same
KR102447049B1 (en) Large area mirror display and method of manufacturing the same
KR20190036378A (en) Display device having a touch structure
CN108122949B (en) Display device with light emitting structure
KR20180062228A (en) Organic Light Emitting Display device having an organic light emitting layer
KR20190048391A (en) Display device having a black matrix
KR101957145B1 (en) Organic Light Emitting diode display and method of manufacturing the same
CN107452765B (en) Organic light emitting display device having bank insulating layer
US11751427B2 (en) Electronic device
CN111244139B (en) Display device having color filter and light shielding member
KR102634180B1 (en) Display device having a light-emitting element on an over-coat layer, and Method for fabricating the same
KR20180079017A (en) Display device having emitting structures
KR20180079013A (en) Organic Light Emitting Display device having stacked emitting structures displaying difference color each other
KR20180038170A (en) Display device having a light shielding pattern
KR102423864B1 (en) Display apparatus having a light-emitting device and a color filter
KR102680244B1 (en) Organic Light Emitting Display device having an emitting area and a transport area
KR20180061902A (en) Organic Light Emitting Display device having an emitting area and a transport area

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
X091 Application refused [patent]
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant