KR102141082B1 - Organic light emitting diode display device and method of fabricating the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 유기발광다이오드 표시장치는 기판 상에 형성되는 광차단층과, 상기 광차단층의 상부에 중앙의 제1영역, 상기 제1영역의 양측에 제2영역과 제3영역을 포함하며 형성되는 산화물 반도체층과, 상기 산화물 반도체층 상부에 형성된 제1절연층과, 상기 제1절연층 상부에 이중층 구조로 형성된 게이트 전극과, 상기 게이트 전극 상부로 상기 제2영역과 제3영역을 노출시키는 제1 및 제2반도체콘택홀을 구비하며 형성된 제2절연층과, 상기 제1 및 제2반도체콘택홀을 통해 노출된 상기 산화물 반도체층에 각각 접촉하며 이중층 구조로 형성된 소스 및 드레인 전극과, 상기 드레인 전극과 접촉하는 하부의 제1전극과, 상부의 제2전극, 그리고 상기 제1전극과 제2전극의 사이에 형성된 유기발광층을 포함하며 상기 제1전극을 통해 빛을 방출하는 유기발광다이오드를 포함하고, 상기 게이트 전극과 상기 소스 및 드레인 전극은 금속산화물질을 포함하는 하부의 제1층과 도전물질로 이루어진 상부의 제2층을 포함하는 것을 특징으로 한다.The present invention relates to an organic light emitting diode display device and a method of manufacturing the same.
The organic light emitting diode display device according to the present invention includes a light blocking layer formed on a substrate, a first area in the center of the light blocking layer, and a second area and a third area on both sides of the first area. An oxide semiconductor layer, a first insulating layer formed on the oxide semiconductor layer, a gate electrode formed in a double layer structure on the first insulating layer, and a second electrode exposing the second region and the third region over the gate electrode A second insulating layer formed with first and second semiconductor contact holes, source and drain electrodes formed in a double layer structure in contact with the oxide semiconductor layers exposed through the first and second semiconductor contact holes, and the drain A lower first electrode in contact with an electrode, an upper second electrode, and an organic emission layer formed between the first and second electrodes, and an organic emission diode that emits light through the first electrode. And, the gate electrode and the source and drain electrodes are characterized in that it comprises a first layer at the bottom comprising a metal oxide material and a second layer at the top made of a conductive material.

Description

유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법 {ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}Organic light emitting diode display device and manufacturing method thereof {ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}

본 발명은 개구율을 증가시킬 수 있는 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
The present invention relates to an organic light emitting diode display device capable of increasing the aperture ratio and a manufacturing method thereof.

정보화 사회가 발전함에 따라 음극관(Cathode Ray Tube:CRT) 표시장치에서 플라즈마 표시패널(plasma display panel:PDP), 액정표시장치(liquid crystal display device:LCD), 유기발광다이오드 표시장치(organic light emitting diode display device:OLED)와 같은 평판표시장치가 널리 연구되며 사용되고 있는 추세이다.As the information society develops, a plasma display panel (PDP), a liquid crystal display device (LCD), an organic light emitting diode display in a cathode ray tube (CRT) display device Flat panel display devices such as display devices (OLED) have been widely studied and used.

이러한 평판표시장치 중에서 유기발광다이오드 표시장치는 자발광소자로서, 비발광소자인 액정표시장치에 사용되는 백라이트 유닛이 필요하지 않기 때문에 경량 박형이 가능한 특징을 가지며 TV, 모니터 등에 활발하게 이용되고 있다. Among these flat panel display devices, the organic light emitting diode display device is a self-luminous device, and since it does not require a backlight unit used for a liquid crystal display device, which is a non-light-emitting device, it has the feature of being lightweight and thin, and is actively used in TVs, monitors and the like.

또한, 유기발광다이오드 표시장치는 액정표시장치에 비해 시야각 및 대비비가 우수하며, 소비전력 측면에서도 유리하며, 직류 저전압 구동이 가능하고, 응답속도가 빠르며, 내부 구성요소가 고체이기 때문에 외부충격에 강하고, 사용 온도범위도 넓은 장점을 가지고 있다. In addition, the organic light emitting diode display device has an excellent viewing angle and contrast ratio compared to a liquid crystal display device, and is advantageous in terms of power consumption, DC low voltage driving is possible, response speed is fast, and internal components are solid, so it is strong against external shock. , The operating temperature range also has a wide advantage.

이와 같은 유기발광다이오드 표시장치는 제1전극과 제2전극 그리고 이들 전극 사이에 빛을 실질적으로 발광하는 유기발광층으로 구성된 유기발광다이오드와 다수의 화소영역 각각을 온(on) 또는 오프(off) 제어하기 위한 박막트랜지스터들을 필요로 한다. The organic light emitting diode display device controls on or off each of the plurality of pixel regions and the organic light emitting diode composed of the first electrode and the second electrode and an organic light emitting layer that substantially emits light between the electrodes. Thin film transistors are needed to do this.

일반적으로 사용되는 박막트랜지스터는 주로 비정질 실리콘(amorphous silicon) 등과 같은 반도체 물질을 이용하여 제작되었다. Generally used thin film transistors are mainly manufactured using semiconductor materials such as amorphous silicon.

그러나, 평판표시장치가 점점 대면적화 및 고해상도로 구현됨에 따라 보다 빠른 신호처리속도와 함께 안정된 작동 및 내구성이 확보된 박막트랜지스터가 요구되고 있으나, 비정질 실리콘 박막트랜지스터는 이동도(mobility)가 1cm2/Vsec 이하로 대면적 및 고해상도의 표시장치에 사용되기에는 한계가 있는 문제점이 있다. However, as the flat panel display device is increasingly implemented in a large area and a high resolution, a thin film transistor having a faster signal processing speed and a stable operation and durability is required, but an amorphous silicon thin film transistor has a mobility of 1 cm 2 / There is a problem in that it is limited to be used in a display device having a large area and a high resolution under Vsec.

이에 따라 뛰어난 이동도와 균일한 정전류 특성을 가지는 산화물 반도체 물질로 반도체층을 형성하는 산화물 박막트랜지스터를 이용하려는 연구가 활발히 진행되고 있다. Accordingly, research into using an oxide thin film transistor that forms a semiconductor layer with an oxide semiconductor material having excellent mobility and uniform constant current characteristics has been actively conducted.

한편, 유기발광다이오드 표시장치는 빛이 방출되는 방향에 따라 상부발광형과 하부발광형으로 구분할 수 있는데, 상부발광형은 제2전극을 거쳐 빛이 방출되고, 하부발광형은 제1전극을 거쳐 빛이 방출된다. On the other hand, the organic light emitting diode display device can be classified into an upper emission type and a lower emission type according to the direction in which light is emitted. The upper emission type emits light through the second electrode, and the lower emission type passes through the first electrode. Light is emitted.

이러한 유기발광다이오드 표시장치의 경우, 빛이 방출되는 쪽의 기판 외면에 외광의 난반사를 최소화할 수 있는 편광판을 부착시켜 시인성을 향상시킨다. In the case of such an organic light emitting diode display device, a polarizing plate capable of minimizing diffuse reflection of external light is attached to an outer surface of a substrate on which light is emitted, thereby improving visibility.

그러나, 상기 편광판은 제작비용이 만만치 않을 뿐만 아니라 편광판을 기판에 정렬 부착하기 위한 공정이 추가되며 공정비용을 증가시키는 문제점이 있다. However, the manufacturing cost of the polarizing plate is not only high, but a process for aligning and attaching the polarizing plate to the substrate is added and there is a problem of increasing the processing cost.

이에 따라, 최근에는 편광판을 삭제하고 기판 상에 광차단층을 형성하는 방법이 제시되고 있다.
Accordingly, recently, a method of removing the polarizing plate and forming a light blocking layer on the substrate has been proposed.

도 1은 종래 유기발광다이오드 표시장치에서 개구부와 비개구부를 개략적으로 보여주는 도면이다. 1 is a view schematically showing an opening and a non-opening portion in a conventional organic light emitting diode display device.

도 1에 도시된 바와 같이, 유기발광다이오드 표시장치(1)의 어레이기판(1a) 상에는 빛이 투과하는 적(R), 녹(G), 청색(B)의 컬러필터영역에 대응되는 적(R), 녹(G), 청색(B)의 개구부(10a, 10b, 10c)를 제외한 비개구부(20)에는 빛의 투과 및 반사를 최소화하기 위한 광차단층(20)이 형성된다. As shown in FIG. 1, on the array substrate 1a of the organic light emitting diode display device 1, the red light (R), green (G), and blue (B) color filter areas correspond to the red ( R), green (G), blue (B) of the opening (10a, 10b, 10c) except for the opening 20 is formed with a light blocking layer 20 for minimizing the transmission and reflection of light.

상기 광차단층(20)은 도전배선(예를 들어, 게이트 배선과 데이터 배선, 게이트전극과 소스 및 드레인 전극, 패드전극)에 의해 외부광이 반사되는 것을 최소화함과 더불어 박막트랜지스터의 산화물 반도체층이 외부광에 노출되어 특성이 저하되는 것을 방지하는 역할을 한다.The light blocking layer 20 minimizes reflection of external light by conductive wiring (eg, gate wiring and data wiring, gate electrode, source and drain electrodes, and pad electrodes), and the oxide semiconductor layer of the thin film transistor is minimized. It serves to prevent the characteristics from deteriorating by being exposed to external light.

그러나, 이와 같은 구조는 도전배선과 광차단층(20) 간의 얼라인 문제로 인해 개구부(10a, 10b, 10c)의 영역이 좁아짐에 따라 개구율이 감소되고, 광차단층(20)과 도전배선 간에 기생용량이 발생되어 RC 지연(RC delay)이 증가되는 문제점이 있다.
However, such a structure has an aperture ratio that decreases as the area of the openings 10a, 10b, and 10c narrows due to an alignment problem between the conductive wiring and the light blocking layer 20, and the parasitic capacitance between the light blocking layer 20 and the conductive wiring. This causes the RC delay (RC delay) is increased.

따라서, 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 도전배선에 의해 외부광이 반사되는 것을 방지하고 산화물 반도체층을 외부광으로부터 보호하면서 개구율을 증가시킴과 더불어 기생용량의 발생을 방지할 수 있는 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.
Accordingly, an object of the present invention for solving the above problems is to prevent external light from being reflected by the conductive wiring and protect the oxide semiconductor layer from external light while increasing the aperture ratio and preventing the generation of parasitic capacitance. An organic light emitting diode display device and a method of manufacturing the same are provided.

상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법은, 기판 상에 광차단층을 형성하는 단계와; 상기 광차단층의 상부에 중앙의 제1영역, 상기 제1영역의 양측에 제2영역과 제3영역을 포함하는 산화물 반도체층을 형성하는 단계와; 상기 산화물 반도체층의 상부에 제1절연층을 형성하는 단계와; 상기 제1절연층의 상부에 이중층의 게이트 전극을 형성하는 단계와; 상기 게이트 전극의 상부로 상기 제2영역과 제3영역을 각각 노출시키는 제1 및 제2반도체콘택홀을 구비하는 제2절연층을 형성하는 단계와; 상기 제1 및 제2반도체콘택홀을 통해 상기 제2영역과 제3영역에 각각 접촉하는 이중층의 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계와; 상기 드레인 전극과 접촉하는 제1전극과, 상기 제1전극의 상부로 빛을 방출하는 유기발광층 그리고 상기 유기발광층의 상부에 제2전극으로 이루어지며 상기 제1전극을 통해 빛을 방출하는 유기발광다이오드를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 게이트 전극과 상기 소스 및 드레인 전극은 금속산화물질을 포함하며 저반사특성을 가지는 하부의 제1층과 도전물질로 이루어진 상부의 제2층을 포함한다.A method of manufacturing an organic light emitting diode display device according to an exemplary embodiment of the present invention for achieving the above object includes forming a light blocking layer on a substrate; Forming an oxide semiconductor layer including a first region in the center and a second region and a third region on both sides of the first region on the light blocking layer; Forming a first insulating layer on the oxide semiconductor layer; Forming a double layer gate electrode on the first insulating layer; Forming a second insulating layer having first and second semiconductor contact holes exposing the second and third regions, respectively, over the gate electrode; Forming a double layer source and drain electrode contacting the second and third regions through the first and second semiconductor contact holes, respectively; An organic light emitting diode comprising a first electrode in contact with the drain electrode, an organic light emitting layer emitting light on top of the first electrode, and a second electrode on the organic light emitting layer and emitting light through the first electrode And forming the gate electrode, and the gate electrode and the source and drain electrodes include a metal oxide material and a lower first layer having low reflection characteristics and a second upper layer made of a conductive material.

상기 게이트 전극을 형성하는 단계와, 상기 소스 및 드레인 전극을 형성하는단계는, 각각 구리망간산화물(Cu-Mn-Ox) 타켓이 구비된 챔버 내에 상기 기판을 위치시킨 후, Ar 및 O2 분위기에서 리액티브(reactive) 스퍼터링 방식을 이용하여 제1금속산화막을 형성하는 단계와, 상기 제1금속산화막의 상부에 구리로 제1도전막을 형성하고 사진식각공정을 진행하여 상기 제1금속산화막과 상기 제1도전막을 패터닝하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. The step of forming the gate electrode and the step of forming the source and drain electrodes are performed in an Ar and O2 atmosphere after placing the substrate in a chamber equipped with a copper manganese oxide (Cu-Mn-Ox) target, respectively. Forming a first metal oxide film by using a reactive sputtering method, forming a first conductive film of copper on top of the first metal oxide film, and performing a photolithography process to perform the photolithography process to form the first metal oxide film and the first metal oxide film And patterning the conductive film.

또는, 상기 게이트 전극을 형성하는 단계와, 상기 소스 및 드레인 전극을 형성하는단계는, 각각 구리망간(Cu-Mn) 합금 타켓이 구비된 챔버 내에 상기 기판을 위치시킨 후, Ar 분위기 또는 Ar 및 O2 분위기에서 스터터링 방식을 이용하여 제1도전막을 형성하는 단계와, 상기 제1도전막의 상부에 구리로 제2도전막을 형성하고 사진식각공정을 진행하여 상기 제1도전막과 상기 제2도전막을 패터닝하는 단계와, 열처리를 진행함으로써 상기 패터닝된 제1도전막의 테두리를 따라서는 망간산화막(Mn-Ox)막이 형성되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.Alternatively, the step of forming the gate electrode and the step of forming the source and drain electrodes may be performed after arranging the substrate in a chamber equipped with a copper-manganese (Cu-Mn) alloy target, followed by Ar atmosphere or Ar and O2. Forming a first conductive film by using a stuttering method in an atmosphere, and forming a second conductive film with copper on top of the first conductive film, and performing a photolithography process to pattern the first conductive film and the second conductive film And a step of forming a manganese oxide film (Mn-Ox) film along an edge of the patterned first conductive film by performing heat treatment.

여기서, 상기 열처리는 250℃ 내지 450℃의 범위 내에서 이루어지는 것을 특징으로 한다. Here, the heat treatment is characterized in that made in the range of 250 ℃ to 450 ℃.

상기 테두리는 상기 제1도전막과 제2도전막 간의 경계부분을 제외한 부분인 것을 특징으로 한다.The rim is a portion except for a boundary portion between the first conductive film and the second conductive film.

상기 망간은 4 내지 50wt.%로 함유되는 것을 특징으로 한다.The manganese is characterized by being contained in 4 to 50wt.%.

그리고, 상기 게이트 전극을 형성하는 단계는, 상기 기판에 정의된 스토리지영역 상에 이중층 구조의 제1스토리지 전극을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계는, 상기 기판에 정의된 스토리지영역 상에 이중층 구조의 제2스토리지 전극을 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 제1스토리지 전극과 제2스토리지 전극은 금속산화물질을 포함하는 하부의 제1층과 도전물질로 이루어진 상부의 제2층을 포함하는 것을 특징으로 한다. The forming of the gate electrode may further include forming a first storage electrode having a double layer structure on a storage area defined on the substrate, and forming the source and drain electrodes may be performed on the substrate. The method further includes forming a second storage electrode having a double-layer structure on the defined storage area, wherein the first storage electrode and the second storage electrode are formed of a metal oxide and a lower first layer and a conductive material. It characterized in that it comprises a second layer of.

또한, 상기 게이트 전극을 형성하는 단계는, 상기 기판에 정의된 패드영역 상에 이중층 구조의 제1패드전극을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계는, 상기 기판에 정의된 패드영역 상에 이중층 구조의 제2패드전극을 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 제1패드전극과 제2패드전극은 금속산화물질을 포함하는 하부의 제1층과 도전물질로 이루어진 상부의 제2층을 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the forming of the gate electrode may further include forming a first pad electrode having a double layer structure on the pad region defined on the substrate, and forming the source and drain electrodes may include forming the substrate on the substrate. The method further includes forming a second pad electrode having a double layer structure on the defined pad region, wherein the first pad electrode and the second pad electrode are formed of a lower layer including a metal oxide material and an upper portion made of a conductive material. It characterized in that it comprises a second layer of.

상기 광차단층은 티타늄산화물(TiOx), 산화탄탈륨(TaOx), 구리산화물(CuOx), 질화실리콘(SiNx), 산화실리콘(SiOx) 중 하나로 이루어진 단일층 또는 둘 이상의다중층 구조를 가지고, 상기 산화물 반도체층과 같거나 이보다 큰 면적을 가지는 것을 특징으로 한다. The light blocking layer has a single layer or two or more multi-layer structures consisting of titanium oxide (TiOx), tantalum oxide (TaOx), copper oxide (CuOx), silicon nitride (SiNx), or silicon oxide (SiOx), and the oxide semiconductor It is characterized by having an area equal to or larger than a layer.

상기 기판의 전면에 제1버퍼층을 형성하는 단계와, 상기 광차단층이 형성된 기판 전면에 제2버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.The method may further include forming a first buffer layer on the front surface of the substrate and forming a second buffer layer on the front surface of the substrate on which the light blocking layer is formed.

한편, 본 발명에 따른 유기발광다이오드 표시장치는, 기판 상에 형성되는 광차단층과; 상기 광차단층의 상부에 중앙의 제1영역, 상기 제1영역의 양측에 제2영역과 제3영역을 포함하며 형성되는 산화물 반도체층과; 상기 산화물 반도체층 상부에 형성된 제1절연층과; 상기 제1절연층 상부에 이중층 구조로 형성된 게이트 전극과; 상기 게이트 전극 상부로 상기 제2영역과 제3영역을 노출시키는 제1 및 제2반도체콘택홀을 구비하며 형성된 제2절연층과; 상기 제1 및 제2반도체콘택홀을 통해 노출된 상기 산화물 반도체층에 각각 접촉하며 이중층 구조로 형성된 소스 및 드레인 전극과; 상기 드레인 전극과 접촉하는 하부의 제1전극과, 상부의 제2전극, 그리고 상기 제1전극과 제2전극의 사이에 형성된 유기발광층을 포함하며 상기 제1전극을 통해 빛을 방출하는 유기발광다이오드를 포함하고, 상기 게이트 전극과 상기 소스 및 드레인 전극은 금속산화물질을 포함하는 하부의 제1층과 도전물질로 이루어진 상부의 제2층을 포함한다. On the other hand, the organic light emitting diode display device according to the present invention, a light blocking layer formed on a substrate; An oxide semiconductor layer including a first region in the center and a second region and a third region on both sides of the first region; A first insulating layer formed on the oxide semiconductor layer; A gate electrode formed in a double layer structure on the first insulating layer; A second insulating layer formed with first and second semiconductor contact holes exposing the second and third regions over the gate electrode; Source and drain electrodes formed in a double layer structure in contact with the oxide semiconductor layers exposed through the first and second semiconductor contact holes, respectively; An organic light emitting diode including a first electrode at the bottom contacting the drain electrode, an upper second electrode, and an organic emission layer formed between the first electrode and the second electrode and emitting light through the first electrode. Including, the gate electrode and the source and drain electrodes include a first layer at the bottom including a metal oxide material and a second layer at the top made of a conductive material.

여기서, 상기 금속산화물질은 구리망간산화물이고, 상기 도전물질은 구리인 것을 특징으로 한다.Here, the metal oxide material is copper manganese oxide, and the conductive material is copper.

또는, 상기 제1층은 도전합금과 상기 도전합금을 테두리하는 상기 금속산화물질로 구성되되, 상기 도전합금은 구리망간 합금이고, 상기 금속산화물질은 망간산화물(Mn-Ox)인 것을 특징으로 한다. Alternatively, the first layer is composed of a conductive alloy and the metal oxide material surrounding the conductive alloy, wherein the conductive alloy is a copper manganese alloy, and the metal oxide material is manganese oxide (Mn-Ox). .

상기 망간은 4 wt.%보다 크고 50 wt.%보다 작은 양이 함유되는 것을 특징으로 한다. The manganese is characterized by containing more than 4 wt.% and less than 50 wt.%.

그리고, 상기 기판의 스토리지영역에는 상기 제2절연층을 사이에 두고 이중층 구조를 가지는 제1스토리지 전극과 제2스토리지 전극이 더 포함된 것을 특징으로 한다. The storage area of the substrate may further include a first storage electrode and a second storage electrode having a double layer structure with the second insulating layer interposed therebetween.

또한, 상기 기판의 패드영역에는 이중층 구조를 가지며 형성된 패드전극이 더 포함된 것을 특징으로 한다.In addition, the pad region of the substrate has a double layer structure and is characterized in that it further comprises a pad electrode formed.

상기 광차단층은 티타늄산화물(TiOx), 산화탄탈륨(TaOx), 구리산화물(CuOx), 질화실리콘(SiNx), 산화실리콘(SiOx) 중 하나로 이루어진 단일층 또는 둘 이상의다중층 구조를 가지고, 상기 산화물 반도체층과 같거나 이보다 큰 면적을 가지는 것을 특징으로 한다. The light blocking layer has a single layer or two or more multi-layer structures consisting of titanium oxide (TiOx), tantalum oxide (TaOx), copper oxide (CuOx), silicon nitride (SiNx), or silicon oxide (SiOx), and the oxide semiconductor It is characterized by having an area equal to or larger than a layer.

상기 기판의 전면에 형성된 제1버퍼층과, 상기 광차단층이 형성된 기판 전면에 형성된 제2버퍼층을 더 포함하는 것을 특징으로 한다. It characterized in that it further comprises a first buffer layer formed on the front surface of the substrate and a second buffer layer formed on the front surface of the substrate on which the light blocking layer is formed.

상기 기판의 외면에 부착된 눈부심방지필름을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
It characterized in that it further comprises an anti-glare film attached to the outer surface of the substrate.

이에 따라 본 발명에 따른 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법에 따르면, 종래 빛의 반사를 방지하기 위해 기판의 외면에 부착되던 편광판을 사용하지 않으면서 빛의 반사율을 최소화함으로써 편광판에 따른 재료비와 부품 수를 줄이고, 공정 및 공정 비용을 절감할 수 있는 효과가 있다. Accordingly, according to the organic light emitting diode display device and the manufacturing method according to the present invention, to minimize the reflectance of light without using the polarizing plate attached to the outer surface of the substrate to prevent the reflection of light, the material cost and parts according to the polarizing plate It has the effect of reducing the number and reducing the process and process cost.

특히, 광차단층을 종래와 같이 비개구부 전 영역에 형성할 필요없이 산화물 반도체층에 대응되는 영역에만 형성하고, 도전배선을 이중층으로 형성하여 하부층이 저반사 특성을 가지도록 함으로써 얼라인에 따른 마진 영역을 없애며 개구율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다. In particular, the light blocking layer is formed only in a region corresponding to the oxide semiconductor layer, without forming a light blocking layer in all regions of the non-opening portion as in the prior art, and the conductive wiring is formed as a double layer so that the lower layer has a low reflection property, thereby providing a margin region according to alignment. It has the effect of improving the aperture ratio while eliminating.

또한, 광차단층을 최소 면적으로 사용함에 따라 금속 배선과 광차단층 간에 발생되던 기생용량을 없앨 수 있는 이점이 있다.
In addition, as the light blocking layer is used as a minimum area, there is an advantage that the parasitic capacitance generated between the metal wiring and the light blocking layer can be eliminated.

도 1은 종래 유기발광다이오드 표시장치에서 개구부와 비개구부를 개략적으로 보여주는 도면.
도 2는 본 발명의 실시예에 따라 산화물 박막트랜지스터를 포함한 어레이기판 일부를 도시한 단면도.
도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 제1실시예에 따른 산화물 박막트랜지스터의 제조방법을 단계별로 도시한 공정 단면도.
도 4a 내지 도 4e는 본 발명의 제2실시예에 따른 산화물 박막트랜지스터의 제조방법을 단계별로 도시한 공정 단면도.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 일부를 도시한 단면도.
도 6a 및 도 6b는 비교예로서의 도전배선이고, 도 6c는 본 발명에 따라 이중층 구조를 가지는 도전배선을 일 예로 보여주는 도면.
도 7은 도전배선의 물질 종류에 따른 반사율을 그래프로 보여주는 도면. 1 is a view schematically showing openings and non-openings in a conventional organic light emitting diode display.
Figure 2 is a cross-sectional view showing a portion of the array substrate including an oxide thin film transistor according to an embodiment of the present invention.
3A to 3E are process cross-sectional views showing steps of a method of manufacturing an oxide thin film transistor according to a first embodiment of the present invention.
4A to 4E are process cross-sectional views showing steps of a method of manufacturing an oxide thin film transistor according to a second embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view showing a part of an organic light emitting diode display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
6A and 6B are conductive wirings as comparative examples, and FIG. 6C is a view showing a conductive wiring having a double layer structure according to the present invention as an example.
7 is a graph showing reflectance according to a material type of a conductive wiring.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

도 2는 본 발명의 실시예에 따라 산화물 박막트랜지스터를 포함하는 어레이기판의 일부를 도시한 단면도이다. 2 is a cross-sectional view showing a portion of an array substrate including an oxide thin film transistor according to an embodiment of the present invention.

도 2에 도시된 바와 같이, 어레이기판은 절연기판(100a) 상에 구동 박막트랜지스터가 형성되는 구동영역(DTr)과, 스토리지 캐패시터가 형성되는 스토리지 영역(Cst) 그리고 게이트패드가 형성되는 패드영역(PAD)을 포함한다. As shown in FIG. 2, the array substrate includes a driving area DTr in which a driving thin film transistor is formed on an insulating substrate 100a, a storage area Cst in which a storage capacitor is formed, and a pad area in which a gate pad is formed ( PAD).

여기서, 절연기판(100a)은 유리기판이며, 이러한 절연기판(100a) 상에는 무기절연물질, 예를들면 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)으로 이루어진 제1버퍼층(101)이 형성된다. Here, the insulating substrate 100a is a glass substrate, and a first buffer layer 101 made of an inorganic insulating material, for example, silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiNx) is formed on the insulating substrate 100a.

그리고, 제1버퍼층(101)의 상부로 광 차단층(103)이 형성되는데, 광 차단층(103)은 외부로부터 입사되는 빛을 차단하며 구동 박막트랜지스터(DTr)의 산화물 반도체층(113)을 보호하는 역할을 한다. In addition, the light blocking layer 103 is formed on the first buffer layer 101. The light blocking layer 103 blocks light incident from the outside and blocks the oxide semiconductor layer 113 of the driving thin film transistor DTr. It serves to protect.

이를 위한 광 차단층(103)은 산화물 반도체층(113)과 동일한 면적으로 형성되거나 또는 산화물 반도체층(113)의 면적보다 크게 형성될 수 있다. The light blocking layer 103 for this purpose may be formed in the same area as the oxide semiconductor layer 113 or may be formed larger than the area of the oxide semiconductor layer 113.

이때, 광 차단층(103)이 산화물 반도체층(113)의 면적보다 크게 형성되면, 절연기판(100a)을 통해 입사되는 빛 중 측면방향으로 입사되는 빛이 산화물 반도체층(113)에 도달되는 것을 방지할 수 있다. At this time, when the light blocking layer 103 is formed to be larger than the area of the oxide semiconductor layer 113, the light incident in the lateral direction among the light incident through the insulating substrate 100a reaches the oxide semiconductor layer 113. Can be prevented.

이러한 광차단층(103)은 티타늄산화물(TiOx), 산화탄탈륨(TaOx), 구리산화물(CuOx), 질화실리콘(SiNx), 산화실리콘(SiOx) 중 하나로 일층구조를 형성하거나 또는 하나 이상의 다층구조를 형성한다. The light blocking layer 103 is one of titanium oxide (TiOx), tantalum oxide (TaOx), copper oxide (CuOx), silicon nitride (SiNx), and silicon oxide (SiOx), or forms one or more multilayer structures. do.

그리고, 광 차단층(103)의 상부로 무기절연물질, 예를들면 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)으로 이루어진 제2버퍼층(105)이 형성된다. Then, a second buffer layer 105 made of an inorganic insulating material, for example, silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiNx), is formed on the light blocking layer 103.

전술한 제1 및 제2버퍼층(101, 105)은 표면 특성을 향상시켜 산화물 반도체층(113)의 박막 증착율을 개선시키는 역할을 하는데, 보다 상세하게는 산화물 반도체층(113)의 열처리시 유리기판인 절연기판(100a) 내부로부터 나오는 알카리 이온의 방출에 의한 산화물 반도체층(113)의 특성 저하를 방지하는 역할을 한다.The above-described first and second buffer layers 101 and 105 serve to improve the surface characteristics by improving the deposition rate of the thin film of the oxide semiconductor layer 113, and more specifically, the glass substrate during heat treatment of the oxide semiconductor layer 113. It serves to prevent the deterioration of the properties of the oxide semiconductor layer 113 due to the release of alkali ions from the phosphorus insulating substrate 100a.

상기 제2버퍼층(105)의 상부로 각 화소영역의 구동영역(DTr)에는 산화물 반도체층(113)이 형성된다. An oxide semiconductor layer 113 is formed on the driving region DTr of each pixel region above the second buffer layer 105.

상기 산화물 반도체층(113)은 중앙의 제1영역(113a)과, 제1영역(113a)의 양측면에 각각 위치하는 제2영역(113b) 및 제3영역(113c)으로 구성된다. The oxide semiconductor layer 113 is composed of a first region 113a in the center, and a second region 113b and a third region 113c respectively located on both sides of the first region 113a.

이러한 산화물 반도체층(113)은 AwBxOz 또는 AwBxCyOz의 형태를 가질 수 있는데, 여기서 A, B, C는 In, Ga, Zn, Al, Sn 등의 메탈(metal)원소이고, w, x, y, z는 1 내지 10인 복합체일 수 있다. The oxide semiconductor layer 113 may have the form of AwBxOz or AwBxCyOz, wherein A, B, and C are metal elements such as In, Ga, Zn, Al, Sn, and w, x, y, and z It may be a complex of 1 to 10.

이에 따라, 예를 들어 IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), IGO(Indium Gallium Oxide) 및 IAZO(Indium Aluminum Zinc Oxide) 중 하나의 산화물 반도체일 수 있는데, 일예로 In:Ga:Zn=1:1:1at% 비율을 가지는 IGZO의 형태는 In1Ga1Zn1O4 일 수 있다. Accordingly, for example, it may be an oxide semiconductor of one of Indium Gallium Zinc Oxide (IGZO), Indium Zinc Oxide (IZO), Indium Gallium Oxide (IZO), and Indium Aluminum Zinc Oxide (IAZO), for example, In:Ga: The form of IGZO having a Zn=1:1:1at% ratio may be In1Ga1Zn1O4.

그리고, 구동영역(DTr)에 형성된 산화물 반도체층(113)의 제1영역(113a)의 상부와 스토리지영역(Cst) 그리고 패드영역(PAD) 상의 제2버퍼층 상부(105)에는 제1절연층(116)이 형성된다. In addition, a first insulating layer () is formed on the upper portion 105 of the first region 113a and the storage region Cst and the second buffer layer on the pad region PAD of the oxide semiconductor layer 113 formed in the driving region DTr. 116) is formed.

또한, 구동영역(DTr)과 스토리지영역(Cst) 및 패드영역(PAD)에 각각 형성된 제1절연층(116)의 상부로는 이와 중첩되며 이중층 구조를 가지는 제1전극(120, 121, 122)이 형성된다. In addition, the upper portions of the first insulating layer 116 formed in the driving area DTr, the storage area Cst, and the pad area PAD, respectively, overlap with the first electrodes 120, 121, and 122 having a double layer structure. It is formed.

여기서, 구동영역(DTr) 상의 제1전극(120)은 게이트 전극으로 작용하고, 스토리지영역(Cst) 상의 제1전극(121)은 제1스토리지전극으로 작용하며, 패드영역(PAD) 상의 제1전극(122)은 패드전극으로 작용한다. 이때, 이때 도면에 도시하지는 않았지만, 게이트 전극으로 작용하는 제1전극(120)은 제1방향으로 연장되는 게이트 배선과 연결되며, 게이트 배선 또한 본 발명에 따른 이중층 구조를 가진다. Here, the first electrode 120 on the driving area DTr acts as a gate electrode, the first electrode 121 on the storage area Cst acts as a first storage electrode, and the first electrode on the pad area PAD. The electrode 122 serves as a pad electrode. At this time, although not shown in the figure, the first electrode 120 serving as the gate electrode is connected to the gate wiring extending in the first direction, and the gate wiring also has a double layer structure according to the present invention.

상기 제1전극(120, 121, 122)은 하부의 제1층(120a, 121a, 122a)과 상부의 제2층(120b, 121b, 122b)으로 구성된다. 이때, 하부의 제1층(120a, 121a, 122a)은 도면 상에는 구리망간산화물(Cu-Mn-Ox)을 도시하였지만, 이에 한정되지 않고 구리망간(Cu-Mn) 합금과 이를 테두리하는 망간산화물(Mn-Ox)로 이루어질 수 있다. 그리고, 상부의 제2층(120b, 121b, 122b)은 구리(Cu)의 도전물질로 이루어진다. The first electrodes 120, 121, and 122 are composed of the lower first layers 120a, 121a, and 122a, and the upper second layers 120b, 121b, and 122b. In this case, the lower first layers 120a, 121a, and 122a show copper manganese oxide (Cu-Mn-Ox) on the drawing, but are not limited thereto, and the copper manganese (Cu-Mn) alloy and the manganese oxide surrounding it ( Mn-Ox). In addition, the upper second layers 120b, 121b, and 122b are made of a conductive material of copper (Cu).

상기 제1층(120a, 121a, 122a)은 구리망간산화물(Cu-Mn-Ox)을 통해 형성하거나 또는 구리망간(Cu-Mn) 합금의 도전막을 열처리함으로써 형성할 수 있다. 이때, 망간(Mn)은 4 내지 50wt.%로 함유됨으로써 제1층(120a, 121a, 122a)의 반사율은 15% 미만이 된다. 상기 제1층에 대해서는 차후에 보다 상세히 설명한다. The first layers 120a, 121a, and 122a may be formed through copper manganese oxide (Cu-Mn-Ox) or by heat-treating a conductive film of a copper manganese (Cu-Mn) alloy. At this time, the manganese (Mn) is contained in 4 to 50wt.%, so that the reflectivity of the first layer (120a, 121a, 122a) is less than 15%. The first layer will be described in more detail later.

이러한 제1층(120a, 121a, 122a)은 외부광의 반사율을 최소화하며 상부의 제2층(120b, 121b, 122b)으로 빛이 투과되는 것을 방지하는 역할을 함과 동시에 하부의 제1절연층(116)과의 밀착성을 높여 접착특성을 향상시켜준다. The first layers 120a, 121a, and 122a minimize reflectance of external light and serve to prevent light from being transmitted to the upper second layers 120b, 121b, and 122b, and at the same time, the lower first insulating layer ( 116) to improve adhesion properties by increasing adhesion with.

상기 제1전극(120, 121, 122)이 형성된 절연기판(100a)의 전면에는 제2절연층(123)이 형성된다. A second insulating layer 123 is formed on the front surface of the insulating substrate 100a on which the first electrodes 120, 121, and 122 are formed.

상기 제2절연층(123)은 구동영역(DTr) 상의 산화물 반도체층(113)의 제2영역(113b)과 제3영역(113c)을 노출시키는 제1 및 제2반도체층 콘택홀(124, 125)과 패드영역(PAD) 상의 제1전극(120c)을 노출시키는 제1패드콘택홀(126)을 구비한다.The second insulating layer 123 may include first and second semiconductor layer contact holes 124 exposing the second region 113b and the third region 113c of the oxide semiconductor layer 113 on the driving region DTr. 125) and a first pad contact hole 126 exposing the first electrode 120c on the pad area PAD.

이러한 제2절연층(123)의 상부, 보다 구체적으로는 구동영역(DTr)과 스토리지영역(Cst) 및 패드영역(PAD)에 각각 형성된 제2절연층(123)의 상부로는 제2전극(130, 131, 132, 133)이 형성된다. The second electrode (at the top of the second insulating layer 123 formed on the second insulating layer 123, more specifically, the driving region DTr, the storage region Cst, and the pad region PAD, respectively. 130, 131, 132, 133) are formed.

여기서, 구동영역(DTr) 상의 제2전극(130, 131)은 제1 및 제2반도체층 콘택홀(124, 125)을 통해 노출된 제2영역(113b) 및 제3영역(113c)과 각각 접촉하며 소스 및 드레인 전극으로 작용하고, 스토리지영역(Cst) 상의 제2전극(132)은 제2스토리지전극으로 작용하며, 패드영역(PAD) 상의 제2전극(133)은 제1패드콘택홀(126)을 통해 노출된 제1전극(122)과 접촉하며 보조전극으로 작용한다. 이때 도시하지는 않았지만, 소스 전극으로 작용하는 제2전극(130)은 제1방향과 교차되는 제2방향을 따라 연장되는 데이터 배선과 연결되고, 데이터 배선 또한 본 발명에 따른 이중층 구조를 가진다. Here, the second electrodes 130 and 131 on the driving area DTr are respectively exposed to the second and third regions 113b and 113c exposed through the first and second semiconductor layer contact holes 124 and 125, respectively. In contact, acting as a source and drain electrode, the second electrode 132 on the storage area Cst acts as a second storage electrode, and the second electrode 133 on the pad area PAD includes a first pad contact hole ( 126) and acts as an auxiliary electrode in contact with the exposed first electrode 122. At this time, although not shown, the second electrode 130 serving as the source electrode is connected to the data line extending along the second direction crossing the first direction, and the data line also has a double layer structure according to the present invention.

상기 제2전극(130, 131, 132, 133)은 하부의 제1층(130a, 131a, 132a, 133a)과 상부의 제2층(130b, 131b, 132b, 133b)으로 구성된다. 이때, 하부의 제1층(130a, 131a, 132a, 133a)은 도면 상에는 구리망간산화물(Cu-Mn-Ox)을 도시하였지만, 이에 한정되지 않고 구리망간(Cu-Mn) 합금과 이를 테두리하는 망간산화물(Mn-Ox)로 이루어질 수 있다. 그리고, 상부의 제2층(130b, 131b, 132b, 133b)은 구리(Cu)의 도전물질로 이루어진다. The second electrode (130, 131, 132, 133) is composed of a lower first layer (130a, 131a, 132a, 133a) and a second upper layer (130b, 131b, 132b, 133b). In this case, the lower first layers 130a, 131a, 132a, and 133a show copper manganese oxide (Cu-Mn-Ox) on the drawing, but are not limited thereto, and the copper manganese (Cu-Mn) alloy and manganese surrounding the same It may be made of oxide (Mn-Ox). Further, the upper second layers 130b, 131b, 132b, and 133b are made of a conductive material of copper (Cu).

여기서, 제1층(130a, 131a, 132a, 133a)은 구리망간산화물(Cu-Mn-Ox)을 통해 형성하거나 또는 구리망간(Cu-Mn) 합금의 도전막을 열처리함으로써 형성할 수 있다. 이때, 망간(Mn)은 4 내지 50wt.%로 함유됨으로써 제1층(130a, 131a, 132a, 133a)의 반사율은 15% 미만이 되게 된다. 상기 제1층(130a, 131a, 132a, 133a)에 대해서는 차후에 보다 상세히 설명한다. Here, the first layers 130a, 131a, 132a, and 133a may be formed through copper manganese oxide (Cu-Mn-Ox) or by heat-treating a conductive film of copper manganese (Cu-Mn) alloy. At this time, the manganese (Mn) is contained in 4 to 50wt.%, so that the reflectivity of the first layer 130a, 131a, 132a, 133a is less than 15%. The first layers 130a, 131a, 132a, and 133a will be described in more detail later.

이러한 제1층(130a, 131a, 132a, 133a)은 외부광의 반사율을 최소화하며 상부의 제2층(120b, 121b, 122b)으로 빛이 투과되는 것을 방지하는 역할을 함과 동시에 제2전극(130, 131, 132, 133)과 산화물 반도체층(113)과의 컨택저항을 줄여주는 역할을 한다. The first layers 130a, 131a, 132a, and 133a minimize the reflectance of external light and serve to prevent light from being transmitted to the upper second layers 120b, 121b, and 122b, and at the same time, the second electrode 130 , 131, 132, 133) and the oxide semiconductor layer 113 serves to reduce the contact resistance.

앞서 전술한 구동영역에 형성된 산화물 반도체층(113)과, 제1절연막(116)과, 제1전극(120)과, 제2절연막(123) 그리고 제2전극(130, 131)은 구동 박막트랜지스터를 이룬다. 이때 도면에 도시하지는 않았지만, 스위칭 박막트랜지스터(미도시) 또한 구동 박막트랜지스터의 구성과 동일한 구성을 가진다. 한편, 스위칭 박막트랜지스터(미도시)의 제1전극(미도시)은 일방향으로 연장하는 게이트 배선(미도시)과 연결되고, 소스 전극으로 작용하는 제2전극(미도시)은 게이트 배선(미도시)과 교차하여 형성되는 데이터 배선(미도시)과 연결된다.The oxide semiconductor layer 113, the first insulating film 116, the first electrode 120, the second insulating film 123, and the second electrodes 130 and 131 formed in the aforementioned driving region are driven thin film transistors. Achieves. At this time, although not shown in the drawing, the switching thin film transistor (not shown) also has the same configuration as that of the driving thin film transistor. On the other hand, the first electrode (not shown) of the switching thin film transistor (not shown) is connected to the gate wiring (not shown) extending in one direction, and the second electrode (not shown) acting as the source electrode is the gate wiring (not shown) ) And is connected to a data line (not shown) formed by crossing.

이러한 제2전극(130, 131, 132, 133)이 형성된 절연기판(100a)의 전면에는 보호층(140)이 형성된다. A protective layer 140 is formed on the front surface of the insulating substrate 100a on which the second electrodes 130, 131, 132, and 133 are formed.

이때, 보호층(140)은 구동영역(DTr) 상의 드레인 전극으로 작용하는 제2전극(131)을 노출시키는 드레인 콘택홀(142)과 패드영역(PAD) 상의 제2전극(133)을 노출시키는 제2패드콘택홀(144)을 구비한다.In this case, the protective layer 140 exposes the drain contact hole 142 exposing the second electrode 131 serving as the drain electrode on the driving area DTr and the second electrode 133 on the pad area PAD. A second pad contact hole 144 is provided.

이러한 보호층(140)은 무기절연물질로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않고 유기절연물질로 이루어질 수 있으며, 하나의 층이 아닌 다층 구조로 이루어질 수도 있다. 일예로, 무기절연물질과 유기절연물질로 이루어진 보호층이 교대로 형성될 수 있다.The protective layer 140 may be made of an inorganic insulating material, but is not limited thereto, and may be made of an organic insulating material, and may be formed of a multi-layer structure rather than a single layer. For example, a protective layer made of an inorganic insulating material and an organic insulating material may be alternately formed.

상기 보호층(140)의 상부로는 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)와 같은 투명 도전성 물질로 이루어진 제3전극(150)이 형성된다. A third electrode 150 made of a transparent conductive material such as indium-tin-oxide (ITO) or indium-zinc-oxide (IZO) is formed on the protective layer 140.

전술한 바와 같은 구조를 가지는 본 발명에 따른 어레이기판은 도전배선(일예로, 게이트 배선과 데이터 배선, 게이트 전극과 소스 및 드레인 전극, 패드전극)을 이중층 구조로 형성하여 외부광의 반사를 최소화하며 시인성을 향상시킨다. 이를 보다 상세히 설명하면, 제1전극(120, 121, 122)과 제2전극(130, 131, 132, 133)은 금속산화물(Cu-Mn-Ox) 또는 도전합금(Cu-Mn)과 도전합금을 둘러싼 금속산화물(Cu-Mn-Ox)로 이루어진 하부의 제1층과, 도전물질(Cu)로 이루어진 상부의 제2층으로 구성됨으로써 어레이기판의 절연기판(100a)을 통해 입사되는 외부광의 반사를 제1층을 통해 방지할 수 있게 된다.
The array substrate according to the present invention having the structure as described above is formed of a conductive wiring (for example, gate wiring and data wiring, gate electrode and source and drain electrode, pad electrode) in a double layer structure to minimize reflection of external light and visibility. Improves. In more detail, the first electrode 120, 121, 122 and the second electrode 130, 131, 132, 133 are metal oxide (Cu-Mn-Ox) or conductive alloy (Cu-Mn) and conductive alloy. It consists of a first layer at the bottom made of a metal oxide (Cu-Mn-Ox) surrounding it, and a second layer at the top made of a conductive material (Cu), thereby reflecting external light incident through the insulating substrate 100a of the array substrate. It can be prevented through the first layer.

이하에서는, 본 발명에 따른 산화물 박막트랜지스터에서 이중층 구조를 가지는 도전배선을 형성하는 두 가지 방법에 대해 도면을 참조하여 상세히 설명한다. Hereinafter, two methods of forming a conductive wiring having a double layer structure in the oxide thin film transistor according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

<제1실시예에 따른 제조방법><Manufacturing method according to the first embodiment>

도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 제1실시예에 따른 산화물 박막트랜지스터의 제조방법을 단계별로 도시한 공정 단면도이다. 3A to 3E are process cross-sectional views showing steps of a method of manufacturing an oxide thin film transistor according to a first embodiment of the present invention.

도 3a에 도시된 바와 같이, 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)으로 이루어진 제1버퍼층(101)이 형성된 절연기판(100a)의 전면에 TiOx, TaOx, CuOx, SiNx, SiOx 중 하나로 단일층의 광차단막(미도시)을 형성하거나 또는 둘 이상으로 다중층의 광차단막(미도시)을 형성한 후, 사진식각공정을 진행하여 광차단막(미도시)을 선택적으로 제거(패터닝)함으로써 광차단층(103)을 형성한다. As shown in FIG. 3A, a single one of TiOx, TaOx, CuOx, SiNx, and SiOx is formed on the front surface of the insulating substrate 100a on which the first buffer layer 101 made of silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiNx) is formed. After forming a light blocking film (not shown) of a layer or forming a multi-layer light blocking film (not shown) with two or more layers, a photolithography process is performed to selectively remove (pattern) the light blocking film (not shown), thereby A single layer 103 is formed.

다음 도 3b를 참조하면, 광차단층(103)이 형성된 절연기판(100a) 전면에 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)으로 제2버퍼층(105)을 형성한다.Referring to FIG. 3B, a second buffer layer 105 is formed of silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiNx) on the entire surface of the insulating substrate 100a on which the light blocking layer 103 is formed.

그리고 제2버퍼층(105)이 형성된 절연기판(100a) 전면에 산화물 반도체물질, 일예로 IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide)나 IZO(Indium Zinc Oxide), IGO(Indium Gallium Oxide) 및 IAZO(Indium Aluminum Zinc Oxide) 중 하나로 산화물 반도체물질층(미도시)을 형성하고, 이를 사진식각공정을 진행하여 패터닝함으로써 구동영역(DTr) 상에 산화물 반도체층(113)을 형성한다. In addition, an oxide semiconductor material, for example, Indium Gallium Zinc Oxide (IGZO) or Indium Zinc Oxide (IZO), Indium Gallium Oxide (IZO), Indium Gallium Oxide (IZO), and Indium Aluminum Zinc Oxide (IAZO) are formed on the front surface of the insulating substrate 100a on which the second buffer layer 105 is formed. ) To form an oxide semiconductor material layer (not shown) and pattern it by performing a photolithography process to form an oxide semiconductor layer 113 on the driving area DTr.

이때, 산화물 반도체층(113)은 중앙의 제1영역(134a)과, 이(134a)의 양측면에 각각 위치하는 제2영역 및 제3영역(134b, 134c)으로 구분할 수 있다.At this time, the oxide semiconductor layer 113 may be divided into a first region 134a in the center, and second and third regions 134b and 134c located on both sides of the 134a.

이러한, 산화물 반도체층(113)은 스퍼터링(sputtering) 방법이나, 화학기상증착 또는 원자증착(automic layer deposition:ALD)과 같은 화학적 증착방법을 이용할 수 있다. The oxide semiconductor layer 113 may use a sputtering method or a chemical vapor deposition method such as chemical vapor deposition or atomic layer deposition (ALD).

다음 도 3c를 참조하면, 산화물 반도체층(113)이 형성된 절연기판(100a) 전면에 절연물질, 일예로 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)으로 제1절연막(미도시)을 형성한다. Referring to FIG. 3C, a first insulating film (not shown) is formed of an insulating material, for example, silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiNx), on the entire surface of the insulating substrate 100a on which the oxide semiconductor layer 113 is formed. .

그리고, 제1절연막(미도시) 상부에 제1금속산화물과 제1도전물로 제1금속산화물(미도시)과 제1도전막(미도시)을 형성하고, 사진식각공정을 진행하여 제1절연막(미도시)과 제1금속산화막(미도시) 및 제1도전막(미도시)을 일괄 패터닝함으로써 구동영역(DTr)과 스토리지영역(Cst) 및 패드영역(PAD)에 각각 제1절연층(116)과 이중층 구조를 가지는 제1전극(120, 121, 122)을 형성한다. Then, a first metal oxide (not shown) and a first conductive film (not shown) are formed of a first metal oxide and a first conductive material on the first insulating film (not shown), and a photolithography process is performed to perform the first process. The insulating film (not shown), the first metal oxide film (not shown), and the first conductive film (not shown) are collectively patterned to form a first insulating layer in the driving area DTr, the storage area Cst, and the pad area PAD, respectively. First electrodes 120, 121, and 122 having a double layer structure are formed.

상기 제1전극(120, 121, 122)은 하부의 제1층(120a, 121a, 122a)과 상부의 제2층(120b, 121b, 122b)으로 구성되며, 제1층을 이루는 제1도전물질은 구리망간산화물(Cu-Mn-Ox)이고, 제2층을 이루는 제2도전물질은 구리(Cu)이다.The first electrode (120, 121, 122) is composed of a first conductive material constituting the first layer (120a, 121a, 122a) and the second layer (120b, 121b, 122b) of the upper portion, forming the first layer Silver copper manganese oxide (Cu-Mn-Ox), and the second conductive material forming the second layer is copper (Cu).

여기서, 이중층의 제1전극(120, 121, 122)을 형성하는 방법을 보다 상세히 설명한다. Here, a method of forming the first electrodes 120, 121, and 122 of the double layer will be described in more detail.

우선, 타켓인 구리망간 합금이 구비된 밀폐된 챔버 내에 절연기판(100a)을 위치시킨 후, Ar 및 O2 분위기에서 리액티브(reactive) 스퍼터링 방식을 이용하여 기판 상에 구리망간산화막(Cu-Mn-Ox)의 제1금속산화막(미도시)을 형성한다. 이때, 망간(Mn)의 함량은 4 내지 50wt.%로 한다. 또한 Ar과 O2의 합(Ar + O2)과 O2 간의 비율(O2/(Ar + O2)*100)은 10 내지 80%로 하여 단위시간에 단위면적을 통과하는 기체의 용적을 나타내주는 가스유속을 조절할 수 있다. First, after placing the insulating substrate 100a in a closed chamber equipped with a target copper manganese alloy, a copper manganese oxide film (Cu-Mn-) is formed on a substrate using a reactive sputtering method in an Ar and O2 atmosphere. Ox) to form a first metal oxide film (not shown). At this time, the content of manganese (Mn) is 4 to 50wt.%. In addition, the ratio between the sum of Ar and O2 (Ar + O2) and O2 (O2/(Ar + O2)*100) is 10 to 80% to indicate the gas flow rate indicating the volume of gas passing through the unit area in unit time. Can be adjusted.

그리고, 동일 챔버에서 구리를 타켓으로 제1금속산화막(미도시)의 상부에 구리로 이루어진 제1도전막(미도시)을 형성한다. Then, in the same chamber, a first conductive film (not shown) made of copper is formed on the first metal oxide film (not shown) using copper as a target.

다음으로 챔버 외부로 절연기판(100a)을 취출하여 제1금속산화막(미도시)과 제1도전막(미도시)을 사진식각공정을 통해 일괄 패터닝을 진행함으로써 하부의 제1층과 상부의 제2층으로 구성된 이중층 구조의 제1전극(120, 121, 122)을 구동영역(DTr)과 스토리지영역(Cst) 및 패드영역(PAD)에 각각 형성한다. Next, by taking out the insulating substrate 100a out of the chamber, the first metal oxide film (not shown) and the first conductive film (not shown) are collectively patterned through a photolithography process to remove the first and lower layers from the bottom. First electrodes 120, 121, and 122 having a double layer structure formed of two layers are formed in the driving area DTr, the storage area Cst, and the pad area PAD, respectively.

여기서, 제1전극(120, 121, 122)의 제1층(120a, 121a, 122a)은 외부광에 의한 반사를 최소화하며 빛을 흡수하여 제2층(120b, 121b, 122b)에 의한 반사를 방지하는 역할을 한다. Here, the first layers 120a, 121a, and 122a of the first electrodes 120, 121, and 122 minimize reflection by external light and absorb light to reflect reflection by the second layers 120b, 121b, 122b. It serves to prevent.

다음 도 3d를 참조하면, 제1전극(120, 121, 122)이 형성된 절연기판(100a) 전면에 절연물질로 제2절연막(미도시)을 형성한 후, 사진식각공정을 진행하여 제2절연막(미도시)을 선택적으로 제거함으로써 제2절연층(123)을 형성한다. Referring to FIG. 3D, after forming a second insulating film (not shown) with an insulating material on the front surface of the insulating substrate 100a on which the first electrodes 120, 121, and 122 are formed, a photolithography process is performed to perform the second insulating film The second insulating layer 123 is formed by selectively removing (not shown).

이때, 제2절연층(123)은 구동영역(DTr) 상에 형성된 산화물 반도체층(131)의 제2영역(131b)과 제3영역(131c) 각각을 노출시키는 제1 및 제2반도체 콘택홀(124, 125)과 패드영역(PAD) 상의 제1전극(122)을 노출시키는 제1패드콘택홀(126)을 포함한다.At this time, the second insulating layer 123 is the first and second semiconductor contact holes exposing the second region 131b and the third region 131c of the oxide semiconductor layer 131 formed on the driving region DTr, respectively. (124, 125) and a first pad contact hole 126 exposing the first electrode 122 on the pad area PAD.

다음 도 3e를 참조하면, 제2절연층(123)이 형성된 절연기판(100a) 전면에 제2금속산화물과 제2도전물로 제2금속산화막(미도시)과 제2도전막(미도시)을 형성하고, 사진식각공정을 진행하여 제2금속산화막(미도시)과 제2도전막(미도시)을 선택적으로 제거함으로써 구동영역(DTr)과 스토리지영역(Cst) 및 패드영역(PAD)에 각각 이중층의 제2전극(130, 131, 132, 133)을 형성한다. Referring to FIG. 3E, a second metal oxide film (not shown) and a second conductive film (not shown) are formed of a second metal oxide and a second conductive material on the front surface of the insulating substrate 100a on which the second insulating layer 123 is formed. And selectively removing the second metal oxide film (not shown) and the second conductive film (not shown) by performing a photolithography process to the driving area DTr, the storage area Cst, and the pad area PAD. Each of the second electrodes 130, 131, 132, and 133 of the double layer is formed.

여기서, 제2전극(130, 131, 132, 133)은 제1전극(120, 121, 122)과 마찬가지로 리액티브 스퍼터링법에 의해 형성되며, 게이트 전극과 동일한 이중층 구조를 가지므로 이를 형성하는 상세한 설명은 생략한다. Here, the second electrodes 130, 131, 132, and 133 are formed by a reactive sputtering method, like the first electrodes 120, 121, and 122, and have the same double-layer structure as the gate electrode, thereby forming a detailed description Is omitted.

이때, 구동영역(DTr) 상의 제2전극(130, 131)은 제1 및 제2반도체 콘택홀(124, 125)을 통해 산화물 반도체층(134)의 제2영역(134b)과 제3영역(134c)에 각각 접촉하고, 패드영역(PAD) 상의 제2전극(133)은 제1패드콘택홀(126)을 통해 제1전극(122)과 접촉한다. At this time, the second electrodes 130 and 131 on the driving area DTr are provided through the first and second semiconductor contact holes 124 and 125, the second area 134b and the third area of the oxide semiconductor layer 134 ( 134c), and the second electrode 133 on the pad area PAD contacts the first electrode 122 through the first pad contact hole 126.

전술한 구조에서, 구동영역 상의 산화물 반도체층(113), 제1절연층(16), 제1전극(120) 그리고 제2전극(130, 131)은 구동 박막트랜지스터 또는 스위칭 박막트랜지스터를 이룬다. In the above-described structure, the oxide semiconductor layer 113, the first insulating layer 16, the first electrode 120, and the second electrodes 130, 131 on the driving region form a driving thin film transistor or a switching thin film transistor.

그리고 도면 상에 도시하지는 않았지만, 제2전극(130, 131, 132, 133)이 형성된 절연기판(100a)의 전면에 무기절연물질 또는 유기절연물질로 이루어진 보호층(도 2의 140)을 형성하고, 보호층(도 2의 140)의 상부로 제3전극(도 2의 150)을 형성할 수 있다.In addition, although not shown on the drawing, a protective layer (140 of FIG. 2) made of an inorganic insulating material or an organic insulating material is formed on the front surface of the insulating substrate 100a on which the second electrodes 130, 131, 132, and 133 are formed. , A third electrode (150 in FIG. 2) may be formed on the protective layer (140 in FIG. 2 ).

이때, 보호층(도 2의 140)은 구동영역(DTr) 상에서 드레인 전극으로 작용하는 제2전극(131)을 노출시키는 드레인 콘택홀(도 2의 142)과 패드영역(PAD) 상에서 제1전극을 노출시키는 제2패드콘택홀(도 2의 144)을 포함한다. At this time, the protective layer (140 in FIG. 2) includes a drain contact hole (142 in FIG. 2) exposing the second electrode 131 serving as a drain electrode on the driving area DTr and a first electrode on the pad area PAD. It includes a second pad contact hole (144 in Figure 2) to expose.

이에 따라, 구동영역 상에 형성되는 제3전극(도 2의 150)은 드레인 콘택홀(도2의 142)을 통해 제2전극(131)과 접촉한다.
Accordingly, the third electrode (150 in FIG. 2) formed on the driving region contacts the second electrode 131 through the drain contact hole (142 in FIG. 2).

<제2실시예에 따른 제조방법><Manufacturing method according to the second embodiment>

도 4a 내지 도 4e는 본 발명의 제2실시예에 따른 산화물 박막트랜지스터의 제조방법을 단계별로 도시한 공정 단면도이다. 4A to 4E are process cross-sectional views showing steps of a method of manufacturing an oxide thin film transistor according to a second embodiment of the present invention.

도 4a에 도시된 바와 같이, 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)으로 이루어진 제1버퍼층(101)이 형성된 절연기판(100a)의 전면에 TiOx, TaOx, CuOx, SiNx, SiOx 중 하나로 일층의 광차단막(미도시)을 형성하거나 또는 둘 이상으로 다층의 광차단막(미도시)을 형성한 후, 사진식각공정을 진행하여 광차단막(미도시)을 선택적으로 제거함으로써 광차단층(103)을 형성한다. As shown in FIG. 4A, one layer of TiOx, TaOx, CuOx, SiNx, or SiOx is formed on the front surface of the insulating substrate 100a on which the first buffer layer 101 made of silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiNx) is formed. The light blocking layer 103 is formed by selectively removing the light blocking film (not shown) by forming a light blocking film (not shown) or forming a multi-layer light blocking film (not shown) in two or more, and then selectively removing the light blocking film (not shown) by performing a photolithography process. Form.

다음 도 4b를 참조하면, 광차단층(103)이 형성된 절연기판(100a) 전면에 산화실리콘(SiO2)으로 제2버퍼층(105)을 형성한다.Referring to FIG. 4B, a second buffer layer 105 is formed of silicon oxide (SiO 2 ) on the entire surface of the insulating substrate 100a on which the light blocking layer 103 is formed.

그리고 제2버퍼층(105)이 형성된 절연기판(100a) 전면에 산화물 반도체물질, 일예로 IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide)나 IZO(Indium Zinc Oxide), IGO(Indium Gallium Oxide) 및 IAZO(Indium Aluminum Zinc Oxide) 중 하나로 산화물 반도체물질층(미도시)을 형성하고, 이를 사진식각공정을 진행하여 패터닝함으로써 구동영역(DTr) 상에 산화물 반도체층(113)을 형성한다. In addition, an oxide semiconductor material, for example, Indium Gallium Zinc Oxide (IGZO) or Indium Zinc Oxide (IZO), Indium Gallium Oxide (IZO), Indium Gallium Oxide (IZO), and Indium Aluminum Zinc Oxide (IAZO) are formed on the front surface of the insulating substrate 100a on which the second buffer layer 105 is formed. ) To form an oxide semiconductor material layer (not shown) and pattern it by performing a photolithography process to form an oxide semiconductor layer 113 on the driving area DTr.

이때, 산화물 반도체층(113)은 중앙의 제1영역(134a)과, 이(134a)의 양측면에 각각 위치하는 제2영역 및 제3영역(134b, 134c)으로 구분할 수 있다.At this time, the oxide semiconductor layer 113 may be divided into a first region 134a in the center, and second and third regions 134b and 134c located on both sides of the 134a.

이러한, 산화물 반도체층(113)은 스퍼터링(sputtering) 방법이나, 화학기상증착 또는 원자증착(automic layer deposition:ALD)과 같은 화학적 증착방법을 이용할 수 있다. The oxide semiconductor layer 113 may use a sputtering method or a chemical vapor deposition method such as chemical vapor deposition or atomic layer deposition (ALD).

다음 도 4c를 참조하면, 산화물 반도체층(113)이 형성된 절연기판(100a) 전면에 절연물질, 일예로 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)으로 제1절연막(미도시)을 형성한다. Referring to FIG. 4C, a first insulating film (not shown) is formed of an insulating material, for example, silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiNx), on the entire surface of the insulating substrate 100a on which the oxide semiconductor layer 113 is formed. .

그리고, 제1절연막(미도시) 상부에 제1도전물질과 제2도전물질로 제1도전막(미도시)과 제2도전막(미도시)을 형성하고, 사진식각공정을 진행하여 제1절연막(미도시)과 제1도전막(미도시) 및 제2도전막(미도시)을 일괄 패터닝함으로써 구동영역(DTr)과 스토리지영역(Cst) 및 패드영역(PAD)에 각각 제1절연층(116)과 이중층 구조를 가지는 제1전극(120, 121, 122)을 형성한다. Then, a first conductive film (not shown) and a second conductive film (not shown) are formed on the first insulating film (not shown) with a first conductive material and a second conductive material, and a photolithography process is performed to perform the first The insulating film (not shown), the first conductive film (not shown), and the second conductive film (not shown) are collectively patterned to form a first insulating layer in the driving area DTr, the storage area Cst, and the pad area PAD, respectively. First electrodes 120, 121, and 122 having a double layer structure are formed.

여기서, 이중층의 제1전극(120, 121, 122)을 형성하는 방법을 보다 상세히 설명한다. Here, a method of forming the first electrodes 120, 121, and 122 of the double layer will be described in more detail.

우선 타켓인 구리망간 합금이 구비된 밀폐된 챔버 내에 절연기판(100a)을 위치시킨 후, Ar 가스분위기에서 스퍼터링 방식을 이용하여 기판 상에 구리망간(Cu-Mn)의 제1도전막(미도시)을 형성한다. 이때, 망간(Mn)의 함량은 4 내지 50wt.%로 한다. 여기서, Ar 가스분위기에 한정되지 않고, 제1실시예서와 마찬가지로 Ar 및 O2 분위기에서 리액티브 스퍼터링 방식을 이용하여 기판 상에 구리망간(Cu-Mn)의 제1도전막(미도시)을 형성할 수도 있다.First, after placing the insulating substrate 100a in a closed chamber equipped with a target copper manganese alloy, a first conductive film (not shown) of copper manganese (Cu-Mn) on the substrate using a sputtering method in an Ar gas atmosphere. ). At this time, the content of manganese (Mn) is 4 to 50wt.%. Here, the first conductive film (not shown) of copper manganese (Cu-Mn) is formed on the substrate by using a reactive sputtering method in an Ar and O2 atmosphere, not limited to the Ar gas atmosphere, as in the first embodiment. It might be.

그리고, 동일 챔버에서 구리를 타켓으로 제1도전막(미도시)의 상부에 구리로 이루어진 제1도전막(미도시)을 형성한다. Then, a first conductive film (not shown) made of copper is formed on the first conductive film (not shown) using copper as a target in the same chamber.

다음으로 챔버 외부로 절연기판(100a)을 취출하여 제1도전막(미도시)과 제2도전막(미도시)을 사진식각공정을 통해 일괄 패터닝을 진행함으로써 하부의 제1층과 상부의 제2층으로 구성된 이중층 구조의 제1전극(120, 121, 122)을 구동영역(DTr)과 스토리지영역(Cst) 및 패드영역(PAD)에 각각 형성한다. Next, by taking out the insulating substrate 100a out of the chamber, the first conductive film (not shown) and the second conductive film (not shown) are collectively patterned through a photolithography process, thereby removing the first and lower layers of the lower layer. First electrodes 120, 121, and 122 having a double layer structure formed of two layers are formed in the driving area DTr, the storage area Cst, and the pad area PAD, respectively.

그리고, 도 4d에 도시된 바와 같이 열처리를 진행한다. 여기서, 열처리 온도는 250도 내지 450도의 범위 내에서 이루어지는데, 열처리에 의해 제1도전막의 구리망간 합금에서 망간과 제1절연층(113)으로부터의 산소가 결합하여 제1도전막의 테두리에 망간산화막(MnOX, 120c, 121c, 122c)이 형성된다. 이때, 망간산화막(120c, 121c, 122c)은 제1도전막과 제2도전막 간의 경계부분을 제외한 제1도전막의 테두리를 따라 형성된다. 그리고, 제1도전막의 테두리를 제외한 부분은 구리망간 합금이되, 구리에 거의 근접한 구리망간 합금이 된다. Then, heat treatment is performed as shown in FIG. 4D. Here, the heat treatment temperature is within the range of 250 degrees to 450 degrees, the manganese oxide film on the rim of the first conductive film by combining the manganese and oxygen from the first insulating layer 113 in the copper manganese alloy of the first conductive film by heat treatment (MnOX, 120c, 121c, 122c) are formed. At this time, the manganese oxide films 120c, 121c, and 122c are formed along the edge of the first conductive film except for the boundary between the first conductive film and the second conductive film. Then, the portion excluding the border of the first conductive film is a copper manganese alloy, and becomes a copper manganese alloy that is almost close to copper.

여기서, 제1층(120a, 121a, 122a)의 망간산화막(120c, 121c, 122c)은 외부광에 의한 반사를 최소화하며 빛을 흡수하여 제2층(120b, 121b, 122b) 에 의한 반사를 방지하는 역할을 한다. Here, the manganese oxide films 120c, 121c, and 122c of the first layers 120a, 121a, 122a minimize reflection by external light and absorb light to prevent reflection by the second layers 120b, 121b, 122b. Plays a role.

다음 도 4e를 참조하면, 제1전극(120, 121, 122)이 형성된 절연기판(100a) 전면에 절연물질로 제2절연막(미도시)을 형성한 후, 사진식각공정을 진행하여 제2절연막(미도시)을 선택적으로 제거함으로써 제2절연층(123)을 형성한다. Referring to FIG. 4E, a second insulating film (not shown) is formed of an insulating material on the front surface of the insulating substrate 100a on which the first electrodes 120, 121, and 122 are formed, and then a photo-etching process is performed to perform the second insulating film. The second insulating layer 123 is formed by selectively removing (not shown).

이때, 제2절연층(123)은 구동영역(DTr) 상에 형성된 산화물 반도체층(131)의 제2영역(131b)과 제3영역(131c) 각각을 노출시키는 제1 및 제2반도체 콘택홀(157, 158)과 패드영역(PAD) 상의 제1전극(122)을 노출시키는 제1패드콘택홀(126)을 포함한다.At this time, the second insulating layer 123 is the first and second semiconductor contact holes exposing the second region 131b and the third region 131c of the oxide semiconductor layer 131 formed on the driving region DTr, respectively. (157, 158) and a first pad contact hole 126 exposing the first electrode 122 on the pad area PAD.

다음 도 4f를 참조하면, 제2절연층(123)이 형성된 절연기판(100a) 전면에 제3도전물질과 제4도전물질로 제3도전막(미도시)과 제4도전막(미도시)을 형성하고, 사진식각공정을 진행하여 제3도전막(미도시)과 제4도전막(미도시)을 선택적으로 제거함으로써 구동영역(DTr)과 스토리지영역(Cst) 및 패드영역(PAD)에 각각 이중층의 제2전극(130, 131, 132, 133)을 형성한다. Referring to FIG. 4F, a third conductive film (not shown) and a fourth conductive film (not shown) are formed of a third conductive material and a fourth conductive material on the front surface of the insulating substrate 100a on which the second insulating layer 123 is formed. And selectively removing the third conductive film (not shown) and the fourth conductive film (not shown) by performing a photolithography process to the driving area DTr, the storage area Cst, and the pad area PAD. Each of the second electrodes 130, 131, 132, and 133 of the double layer is formed.

여기서 이중층의 제2전극은, 전술한 제1전극과 동일한 리액티브 스퍼터링법에의해 형성되는데, 열처리를 진행하면, 제3도전막의 구리망간 합금에서 망간과 산화물 반도체층(113)으로부터의 산소가 결합하여 제3도전막의 테두리에 망간산화막(MnOX, 120c, 121c, 122c)이 형성된다. 이때, 망간산화막(120c, 121c, 122c)은 제3도전막과 제4도전막 간의 경계부분을 제외한 제3도전막의 테두리를 따라 형성된다. 그리고, 제3도전막의 테두리를 제외한 부분은 구리망간 합금이되, 구리에 거의 근접한 구리망간 합금이 된다. Here, the second electrode of the double layer is formed by the same reactive sputtering method as the aforementioned first electrode. When heat treatment is performed, oxygen from the manganese and oxide semiconductor layer 113 is combined in the copper manganese alloy of the third conductive film. Thus, a manganese oxide film (MnOX, 120c, 121c, 122c) is formed on the rim of the third conductive film. At this time, the manganese oxide films 120c, 121c, and 122c are formed along the rim of the third conductive film except for the boundary between the third and fourth conductive films. In addition, the portion excluding the border of the third conductive film is a copper manganese alloy, and becomes a copper manganese alloy that is almost close to copper.

한편, 구동영역(DTr) 상의 제2전극(130, 131)은 제1 및 제2반도체 콘택홀(124, 125)을 통해 산화물 반도체층(134)의 제2영역(134b)과 제3영역(134c)에 각각 접촉하고, 패드영역(PAD) 상의 제2전극(133)은 제1패드콘택홀(126)을 통해 제1전극(122)과 접촉한다. On the other hand, the second electrodes 130 and 131 on the driving area DTr are formed through the first and second semiconductor contact holes 124 and 125, and the second area 134b and the third area of the oxide semiconductor layer 134 ( 134c), and the second electrode 133 on the pad area PAD contacts the first electrode 122 through the first pad contact hole 126.

전술한 구조에서, 구동영역 상의 산화물 반도체층(113), 제1절연층(16), 제1전극(120) 그리고 제2전극(130, 131)은 구동 박막트랜지스터 또는 스위칭 박막트랜지스터를 이룬다. In the above-described structure, the oxide semiconductor layer 113, the first insulating layer 16, the first electrode 120, and the second electrodes 130, 131 on the driving region form a driving thin film transistor or a switching thin film transistor.

그리고 도면 상에 도시하지는 않았지만, 제2전극(130, 131, 132, 133)이 형성된 절연기판(100a)의 전면에 무기절연물질 또는 유기절연물질로 이루어진 보호층을 형성하고, 보호층의 상부로 제3전극을 형성할 수 있다.
In addition, although not shown on the drawing, a protective layer made of an inorganic insulating material or an organic insulating material is formed on the front surface of the insulating substrate 100a on which the second electrodes 130, 131, 132, and 133 are formed. A third electrode can be formed.

한편, 이하에서는 전술한 어레이기판을 포함하는 유기발광다이오드 표시장치를 도면을 참조하여 설명한다. Meanwhile, hereinafter, an organic light emitting diode display device including the above-described array substrate will be described with reference to the drawings.

도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 도시한 단면도이다. 여기서, 유기발광다이오드 표시장치에는 산화물 박막트랜지스터가 구동을 위한 구동 박막트랜지스터와 스위칭을 위한 스위칭 박막트랜지스터로써 포함되는데, 도면 상에는 구동 박막트랜지스터의 구조를 도시하여 설명한다. 5 is a cross-sectional view showing an organic light emitting diode display device according to an exemplary embodiment of the present invention. Here, the organic light emitting diode display includes an oxide thin film transistor as a driving thin film transistor for driving and a switching thin film transistor for switching, and the structure of the driving thin film transistor is illustrated in the drawing.

도 5에 도시된 바와 같이, 유기발광다이오드 표시장치(100)는 다수의 화소영역에 각각 형성되는 구동 박막트랜지스터와 유기발광다이오드(E)가 형성된 제1기판(100a)과 제1기판(100a)의 외면에 부착된 눈부심방지필름(170)을 포함한다.As illustrated in FIG. 5, the organic light emitting diode display device 100 includes a first substrate 100a and a first substrate 100a in which driving thin film transistors and organic light emitting diodes E formed in a plurality of pixel regions are formed, respectively. It includes an anti-glare film 170 attached to the outer surface of the.

각 화소영역은 제1방향을 따라 형성되는 게이트 배선(미도시)과 이와 교차하는 제2방향을 따라 형성되는 데이터 배선(미도시)에 의해 정의된다. Each pixel area is defined by a gate line (not shown) formed along the first direction and a data line (not shown) formed along the second direction intersecting it.

그리고, 게이트 배선(미도시)과 데이터 배선(미도시)의 교차지점에는 스위칭 박막트랜지스터(미도시)와 스위칭 박막트랜지스터(미도시)와 전기적으로 연결되는 구동 박막트랜지스터가 형성된다.In addition, a driving thin film transistor is formed at the intersection of the gate wiring (not shown) and the data wiring (not shown) to be electrically connected to the switching thin film transistor (not shown) and the switching thin film transistor (not shown).

그리고 도면 상에 도시하지는 않았지만, 인캡슐레이션을 위한 제2기판이 더 포함될 수 있으며, 제1기판 및 제2기판은 서로 이격된 상태로 이의 가장자리부에 형성된 실패턴(seal pattern, 미도시)을 통해 봉지되어 합착되거나 또는 Face seal을 통해 전면 합착됨으로서 표시패널을 이룰 수 있다. In addition, although not shown on the drawing, a second substrate for encapsulation may be further included, and the first substrate and the second substrate may be separated from each other by a seal pattern (not shown) formed at the edge portion thereof. The display panel can be formed by being sealed and bonded or through front sealing through a face seal.

이때, 제1기판은 유리기판이고, 제2기판은 유리기판 또는 필름의 형태를 가지는 얇은 플렉서블(flexibility) 기판일 수 있다. In this case, the first substrate is a glass substrate, and the second substrate may be a thin flexible substrate having a glass substrate or film form.

여기서, 구동 박막트랜지스터의 구조는 앞서 설명하였으므로 이에 대한 상세한 설명은 생략한다. Here, since the structure of the driving thin film transistor has been described above, detailed description thereof will be omitted.

구동 영역 상의 제2전극(130, 131)의 상부에는 드레인 전극으로 작용하는 제2전극(131)을 노출시키는 드레인 콘택홀(142)을 포함하는 보호층(140)이 형성되고, 보호층(140)의 상부로는 드레인 콘택홀(142)을 통해 제2전극(131)과 접촉하는 제3전극(150)이 화소영역에 대응되어 형성된다. A protective layer 140 including a drain contact hole 142 exposing the second electrode 131 serving as a drain electrode is formed on the second electrodes 130 and 131 on the driving region, and the protective layer 140 ), a third electrode 150 contacting the second electrode 131 through the drain contact hole 142 is formed corresponding to the pixel area.

상기 제3전극(150)은 일함수 값이 비교적 큰 투명 도전성 물질, 예를 들면 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)로 이루어질 수 있다. The third electrode 150 may be made of a transparent conductive material having a relatively high work function value, for example, indium-tin-oxide (ITO) or indium-zinc-oxide (IZO).

이와 같은 제3전극(150)의 상부로 각 화소영역의 경계에는 각 화소영역을 둘러싸며 제3전극(150)의 테두리와 중첩하는 버퍼패턴(149)이 형성된다. A buffer pattern 149 that surrounds each pixel region and overlaps a border of the third electrode 150 is formed on the boundary of each pixel region to the upper portion of the third electrode 150.

여기서 버퍼패턴(149)은 일반적인 투명한 유기절연물질 예를들면 폴리이미드(poly imide), 포토아크릴(Photo acryl), 벤조사이클로뷰텐(BCB) 중 어느 하나로 이루어질 수도 있으며, 또는 블랙을 나타내는 물질 예를 들면 블랙수지로 이루어질 수도 있다. Here, the buffer pattern 149 may be made of any one of general transparent organic insulating materials, for example, polyimide, photo acryl, benzocyclobutene (BCB), or a material that exhibits black. It may be made of black resin.

그리고 제3전극(150)의 상부로는 유기발광층(155)이 형성되는데, 유기발광층(155)은 각 화소영역을 경계하는 버퍼패턴(149)을 통해 각 화소영역 별로 구분될 수 있게 된다. In addition, an organic emission layer 155 is formed on the third electrode 150, and the organic emission layer 155 can be classified for each pixel region through a buffer pattern 149 that borders each pixel region.

상기 유기발광층(155)은 적색, 녹색 및 청색을 각각 발광하는 발광패턴이 각 화소영역 별로 형성됨으로써 구성될 수 있으며, 화이트를 발광하는 발광패턴이 추가될 수도 있다. The organic light emitting layer 155 may be formed by forming red, green, and blue light emitting patterns for each pixel area, and a light emitting pattern for emitting white light may be added.

이때, 유기발광층(155)은 각 화소영역 별로 형성되는 적색, 녹색 및 청색 각각의 발광패턴 두께를 달리하여 형성할 수 있는데, 일예로 적색을 발광하는 적색 발광패턴의 경우 55nm 내지 65nm 정도의 두께를 가지고, 녹색 발광패턴의 경우 40nm 내지 50nm 정도의 두께를 가지며, 청색 발광패턴의 경우 35nm 내지 45nm 정도의 두께를 가지도록 형성함으로써 마이크로 캐비티(micro cavity) 효과를 가지도록 할 수 있다. At this time, the organic light emitting layer 155 may be formed by different thicknesses of red, green, and blue light emission patterns formed for each pixel area. For example, in the case of a red light emission pattern emitting red light, the thickness of about 55 nm to 65 nm is achieved. In addition, the green light emitting pattern has a thickness of about 40 nm to 50 nm, and the blue light emitting pattern has a thickness of about 35 nm to 45 nm, so that it can have a micro cavity effect.

또한, 이와 같은 유기발광층(155)은 단일층으로 구성될 수 있지만, 발광 효율을 높이기 위해 정공주입층(hole injection layer), 정공수송층(hole transporting layer), 발광물질층(emitting material layer), 전자수송층(electron transporting layer) 및 전자주입층(electron injection layer)의 다중층으로 구성될 수도 있다.In addition, the organic light emitting layer 155 may be composed of a single layer, but in order to increase luminous efficiency, a hole injection layer, a hole transporting layer, a emitting material layer, and electrons It may be composed of multiple layers of an electron transporting layer and an electron transporting layer.

이러한 유기 발광층(155) 상부로는 전면에 제4전극(158)이 형성된다. A fourth electrode 158 is formed on the entire surface of the organic emission layer 155.

상기 제4전극(158)은 캐소드(cathode) 전극 역할을 하도록 일함수 값이 비교적 낮은 금속물질, 일예로 알루미늄, 구리, 텅스텐, 몰리브덴 중 하나로 이루어질 수 있다.The fourth electrode 158 may be formed of a metal material having a relatively low work function value, such as aluminum, copper, tungsten, and molybdenum, so as to serve as a cathode electrode.

전술한 제3전극과 제4전극(150, 158)과 그 사이에 형성된 유기 발광층(155)은 유기발광다이오드(E)를 이룬다.The above-described third and fourth electrodes 150 and 158 and the organic emission layer 155 formed therebetween form an organic light emitting diode E.

이때, 유기발광다이오드(E)는 유기발광층(155)에서 발광된 빛이 제3전극(150)을 통해 방출되는 하부 발광방식(bottom emission type)으로 구동된다. In this case, the organic light emitting diode E is driven in a bottom emission type in which light emitted from the organic light emitting layer 155 is emitted through the third electrode 150.

다음으로 제4전극(158)이 형성된 제1기판(100a) 전면에 유기발광다이오드(E)를 밀봉하기 위한 봉지층(160)이 형성된다. Next, an encapsulation layer 160 for sealing the organic light emitting diode E is formed on the entire surface of the first substrate 100a on which the fourth electrode 158 is formed.

여기서, 봉지층(160)은 대기중의 수분, 산소, 먼지 등과 같은 이물질이 유기발광다이오드(E)로 침투하지 않도록 유기발광다이오드(E)를 보호하는 역할을 함과 동시에 표면을 평탄화하는 역할을 할 수 있다. Here, the encapsulation layer 160 serves to protect the organic light-emitting diode (E) so that foreign matter such as moisture, oxygen, dust, etc. in the atmosphere does not penetrate into the organic light-emitting diode (E), and at the same time serves to flatten the surface. can do.

이러한 봉지층(160)은 무기절연물질 예를들면 산화실리콘(SiO2), 질화실리콘(SiNx) 또는 산화알루미늄(Al2O3)으로 이루어질 수 있다. The encapsulation layer 160 may be made of an inorganic insulating material, for example, silicon oxide (SiO 2 ), silicon nitride (SiNx), or aluminum oxide (Al 2 O 3 ).

한편, 도면 상에는 일층 구조를 가지는 봉지층(160)이 도시되었지만, 이에 한정되지 않고 다층 구조로 형성될 수 있다. Meanwhile, although the encapsulation layer 160 having a single-layer structure is illustrated on the drawing, the present invention is not limited thereto, and may be formed in a multi-layer structure.

제1기판(100a)의 외면에 부착되는 눈부심방지필름(170)은 외부광이 제1기판(100a)에 의해 반사되는 것을 방지하여 시인성을 향상시키는 역할을 하는 구성으로, 생략 가능하다.
The anti-glare film 170 attached to the outer surface of the first substrate 100a is configured to prevent external light from being reflected by the first substrate 100a, thereby improving visibility, and can be omitted.

도 6a 및 도 6b는 비교예로서의 도전배선이고, 도 6c는 본 발명에 따라 이중층 구조를 가지는 도전배선을 일 예로 보여주는 도면이며, 도 7은 도전배선의 물질 종류에 따른 반사율을 그래프로 보여주는 도면이다. 6A and 6B are conductive wirings as comparative examples, FIG. 6C is a diagram showing a conductive wiring having a double layer structure according to the present invention as an example, and FIG. 7 is a graph showing reflectance according to the material type of the conductive wirings.

여기서, 도 6a에 도시된 제1도전배선(A)은 구리로 이루어진 것이고, 도 6b에 도시된 제2도전배선(B)은 몰리티타늄(Mo-Ti)으로 이루어진 하부의 제1층(b1)과 구리로 이루어진 상부의 제2층(b2)으로 구성된 경우이며, 도 6c에 도시된 제3도전배선(C)은 본 발명에 따라 구리망간산화막(Cu-Mn-Ox)으로 이루어진 하부의 제1층(c1)과 구리로 이루어진 상부의 제2층(c2)으로 구성된 경우이다. Here, the first conductive wiring (A) shown in FIG. 6A is made of copper, and the second conductive wiring (B) shown in FIG. 6B is a lower first layer (b1) made of molybdenum (Mo-Ti). And the upper second layer (b2) made of copper, and the third conductive wiring (C) shown in FIG. 6C is the first lower portion made of a copper manganese oxide film (Cu-Mn-Ox) according to the present invention. It is the case that it consists of a layer (c1) and the upper 2nd layer (c2) which consists of copper.

하기 표 1과 도 7을 살펴보면, 본 발명에 따른 제3도전배선(C)과 같이 하부의 제1층(c1)을 구리망간산화막으로 적용할 경우에 반사율이 가장 낮은 것을 알 수 있다. Referring to Table 1 and FIG. 7, it can be seen that the reflectivity is lowest when the lower first layer c1 is applied as a copper manganese oxide film, such as the third conductive wiring C according to the present invention.

반사율(%)reflectivity(%) 종류Kinds 두께(Å)Thickness 380nm380nm 550nm550nm 740nm740nm 380 내지 780nm AVG.380 to 780 nm AVG. 제1도전배선(Cu)First Conductive Wiring (Cu) 20002000 42.342.3 64.264.2 98.698.6 74.374.3 제2도전배선의 제1층(Mo-Ti)The first layer of the second conductive wiring (Mo-Ti) 300300 51.151.1 55.655.6 60.860.8 55.755.7 제3도전배선의 제1층
(Cu-Mn-Ox)1st floor of the 3rd conductive wiring
(Cu-Mn-Ox) 300300 22.622.6 12.412.4 9.29.2 13.213.2

이상과 같은 본 발명의 실시예는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속하는 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위 내에서 자유로운 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명의 보호범위는 첨부된 특허청구범위 및 이와 균등한 범위 내에서의 본 발명의 변형을 포함한다.
The embodiments of the present invention as described above are merely exemplary, and a person having ordinary skill in the art to which the present invention pertains can freely modify within the scope of the present invention. Accordingly, the protection scope of the present invention includes the appended claims and modifications of the present invention within the scope equivalent thereto.

120, 121, 122: 제1전극
120a, 121a, 122a: 제1전극의 제1층
120b, 121b, 122b: 제1전극의 제2층
130, 131, 132, 133: 제2전극
130a, 131a, 132a, 133a: 제2전극의 제1층
130b, 131b, 132b, 133b: 제2전극의 제2층120, 121, 122: first electrode
120a, 121a, 122a: first layer of first electrode
120b, 121b, 122b: second layer of first electrode
130, 131, 132, 133: second electrode
130a, 131a, 132a, 133a: first layer of second electrode
130b, 131b, 132b, 133b: second layer of second electrode

Claims (19)

기판 상에 광차단층을 형성하는 단계와;
상기 광차단층의 상부에 중앙의 제1영역, 상기 제1영역의 양측에 제2영역과 제3영역을 포함하는 산화물 반도체층을 형성하는 단계와;
상기 산화물 반도체층의 상부에 제1절연층을 형성하는 단계와;
상기 제1절연층의 상부에 이중층의 게이트 전극을 형성하는 단계와;
상기 게이트 전극의 상부로 상기 제2영역과 제3영역을 각각 노출시키는 제1 및 제2반도체콘택홀을 구비하는 제2절연층을 형성하는 단계와;
상기 제1 및 제2반도체콘택홀을 통해 상기 제2영역과 제3영역에 각각 접촉하는 이중층의 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계와;
상기 드레인 전극과 접촉하는 제1전극과, 상기 제1전극의 상부로 빛을 방출하는 유기발광층 그리고 상기 유기발광층의 상부에 제2전극으로 이루어지며 상기 제1전극을 통해 빛을 방출하는 유기발광다이오드를 형성하는 단계를 포함하고,
상기 게이트 전극과 상기 소스 및 드레인 전극은 금속산화물질을 포함하며 저반사특성을 가지는 하부의 제1층과 도전물질로 이루어진 상부의 제2층을 포함하며,
상기 게이트 전극을 형성하는 단계는,
상기 기판에 정의된 스토리지영역 상에 이중층 구조의 제1스토리지 전극을 형성하는 단계를 더 포함하고,
상기 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계는,
상기 기판에 정의된 스토리지영역 상에 이중층 구조의 제2스토리지 전극을 형성하는 단계를 더 포함하며,
상기 제1스토리지 전극과 제2스토리지 전극은 금속산화물질을 포함하는 하부의 제1층과 도전물질로 이루어진 상부의 제2층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법.
Forming a light blocking layer on the substrate;
Forming an oxide semiconductor layer including a first region in the center and a second region and a third region on both sides of the first region on the light blocking layer;
Forming a first insulating layer on the oxide semiconductor layer;
Forming a double layer gate electrode on the first insulating layer;
Forming a second insulating layer having first and second semiconductor contact holes exposing the second and third regions, respectively, over the gate electrode;
Forming a double layer source and drain electrode contacting the second and third regions through the first and second semiconductor contact holes, respectively;
An organic light emitting diode comprising a first electrode in contact with the drain electrode, an organic light emitting layer emitting light on top of the first electrode, and a second electrode on the organic light emitting layer and emitting light through the first electrode And forming a
The gate electrode and the source and drain electrodes include a metal oxide material and a lower first layer having low reflection characteristics and an upper second layer made of a conductive material,
The step of forming the gate electrode,
Forming a first storage electrode having a double layer structure on the storage area defined on the substrate,
The step of forming the source and drain electrodes,
The method further includes forming a second storage electrode having a double layer structure on the storage area defined on the substrate,
The first storage electrode and the second storage electrode manufacturing method of an organic light emitting diode display device, characterized in that it comprises a second layer on the top made of a conductive material and a lower first layer comprising a metal oxide.
제 1항에 있어서,
상기 게이트 전극을 형성하는 단계와, 상기 소스 및 드레인 전극을 형성하는단계는, 각각
구리망간산화물(Cu-Mn-Ox) 타켓이 구비된 챔버 내에 상기 기판을 위치시킨 후, Ar 및 O2 분위기에서 리액티브(reactive) 스퍼터링 방식을 이용하여 제1금속산화막을 형성하는 단계와,
상기 제1금속산화막의 상부에 구리로 제1도전막을 형성하고 사진식각공정을 진행하여 상기 제1금속산화막과 상기 제1도전막을 패터닝하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법.
According to claim 1,
The step of forming the gate electrode and the step of forming the source and drain electrodes are respectively
After placing the substrate in a chamber equipped with a copper manganese oxide (Cu-Mn-Ox) target, forming a first metal oxide film using a reactive sputtering method in an Ar and O2 atmosphere;
And forming a first conductive layer of copper on top of the first metal oxide layer and performing a photolithography process to pattern the first metal oxide layer and the first conductive layer, and manufacturing the organic light emitting diode display device. Way.
기판 상에 광차단층을 형성하는 단계와;
상기 광차단층의 상부에 중앙의 제1영역, 상기 제1영역의 양측에 제2영역과 제3영역을 포함하는 산화물 반도체층을 형성하는 단계와;
상기 산화물 반도체층의 상부에 제1절연층을 형성하는 단계와;
상기 제1절연층의 상부에 이중층의 게이트 전극을 형성하는 단계와;
상기 게이트 전극의 상부로 상기 제2영역과 제3영역을 각각 노출시키는 제1 및 제2반도체콘택홀을 구비하는 제2절연층을 형성하는 단계와;
상기 제1 및 제2반도체콘택홀을 통해 상기 제2영역과 제3영역에 각각 접촉하는 이중층의 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계와;
상기 드레인 전극과 접촉하는 제1전극과, 상기 제1전극의 상부로 빛을 방출하는 유기발광층 그리고 상기 유기발광층의 상부에 제2전극으로 이루어지며 상기 제1전극을 통해 빛을 방출하는 유기발광다이오드를 형성하는 단계를 포함하고,
상기 게이트 전극과 상기 소스 및 드레인 전극은 금속산화물질을 포함하며 저반사특성을 가지는 하부의 제1층과 도전물질로 이루어진 상부의 제2층을 포함하며,
상기 게이트 전극을 형성하는 단계와, 상기 소스 및 드레인 전극을 형성하는단계는, 각각
구리망간(Cu-Mn) 합금 타켓이 구비된 챔버 내에 상기 기판을 위치시킨 후, Ar 분위기 또는 Ar 및 O2 분위기에서 스퍼터링 방식을 이용하여 제1도전막을 형성하는 단계와,
상기 제1도전막의 상부에 구리로 제2도전막을 형성하고 사진식각공정을 진행하여 상기 제1도전막과 상기 제2도전막을 패터닝하는 단계와,
열처리를 진행함으로써 상기 패터닝된 제1도전막의 테두리를 따라서는 망간산화막(Mn-Ox)이 형성되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법.
Forming a light blocking layer on the substrate;
Forming an oxide semiconductor layer including a first region in the center and a second region and a third region on both sides of the first region on the light blocking layer;
Forming a first insulating layer on the oxide semiconductor layer;
Forming a double layer gate electrode on the first insulating layer;
Forming a second insulating layer having first and second semiconductor contact holes exposing the second and third regions, respectively, over the gate electrode;
Forming a double layer source and drain electrode contacting the second and third regions through the first and second semiconductor contact holes, respectively;
An organic light emitting diode comprising a first electrode in contact with the drain electrode, an organic light emitting layer emitting light on top of the first electrode, and a second electrode on the organic light emitting layer and emitting light through the first electrode And forming a
The gate electrode and the source and drain electrodes include a metal oxide material and a lower first layer having low reflection characteristics and an upper second layer made of a conductive material,
The step of forming the gate electrode and the step of forming the source and drain electrodes are respectively
After placing the substrate in a chamber equipped with a copper manganese (Cu-Mn) alloy target, forming a first conductive film by using a sputtering method in an Ar atmosphere or an Ar and O2 atmosphere,
Patterning the first conductive film and the second conductive film by forming a second conductive film with copper on top of the first conductive film and performing a photolithography process;
A method of manufacturing an organic light emitting diode display device comprising the step of forming a manganese oxide film (Mn-Ox) along the edge of the patterned first conductive film by performing heat treatment.
제 3항에 있어서,
상기 열처리는 250℃ 내지 450℃의 범위 내에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법.
According to claim 3,
The heat treatment is a method of manufacturing an organic light emitting diode display device, characterized in that made in the range of 250 ℃ to 450 ℃.
제 3항에 있어서,
상기 테두리는 상기 제1도전막과 제2도전막 간의 경계부분을 제외한 부분인 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법.
According to claim 3,
The edge is a method of manufacturing an organic light emitting diode display device, characterized in that the part except for the boundary between the first conductive film and the second conductive film.
제 2항 또는 제 3항에 있어서,
상기 타켓에는 상기 망간이 4 내지 50wt.%로 함유되는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법.
The method of claim 2 or 3,
Method of manufacturing an organic light emitting diode display device, characterized in that the target contains 4 to 50 wt.% of the manganese.
삭제delete 기판 상에 광차단층을 형성하는 단계와;
상기 광차단층의 상부에 중앙의 제1영역, 상기 제1영역의 양측에 제2영역과 제3영역을 포함하는 산화물 반도체층을 형성하는 단계와;
상기 산화물 반도체층의 상부에 제1절연층을 형성하는 단계와;
상기 제1절연층의 상부에 이중층의 게이트 전극을 형성하는 단계와;
상기 게이트 전극의 상부로 상기 제2영역과 제3영역을 각각 노출시키는 제1 및 제2반도체콘택홀을 구비하는 제2절연층을 형성하는 단계와;
상기 제1 및 제2반도체콘택홀을 통해 상기 제2영역과 제3영역에 각각 접촉하는 이중층의 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계와;
상기 드레인 전극과 접촉하는 제1전극과, 상기 제1전극의 상부로 빛을 방출하는 유기발광층 그리고 상기 유기발광층의 상부에 제2전극으로 이루어지며 상기 제1전극을 통해 빛을 방출하는 유기발광다이오드를 형성하는 단계를 포함하고,
상기 게이트 전극과 상기 소스 및 드레인 전극은 금속산화물질을 포함하며 저반사특성을 가지는 하부의 제1층과 도전물질로 이루어진 상부의 제2층을 포함하며,
상기 게이트 전극을 형성하는 단계는,
상기 기판에 정의된 패드영역 상에 이중층 구조의 제1패드전극을 형성하는 단계를 더 포함하고,
상기 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계는,
상기 기판에 정의된 패드영역 상에 이중층 구조의 제2패드전극을 형성하는 단계를 더 포함하며,
상기 제1패드전극과 제2패드전극은 금속산화물질을 포함하는 하부의 제1층과 도전물질로 이루어진 상부의 제2층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법.
Forming a light blocking layer on the substrate;
Forming an oxide semiconductor layer including a first region in the center and a second region and a third region on both sides of the first region on the light blocking layer;
Forming a first insulating layer on the oxide semiconductor layer;
Forming a double layer gate electrode on the first insulating layer;
Forming a second insulating layer having first and second semiconductor contact holes exposing the second and third regions, respectively, over the gate electrode;
Forming a double layer source and drain electrode contacting the second and third regions through the first and second semiconductor contact holes, respectively;
An organic light emitting diode comprising a first electrode in contact with the drain electrode, an organic light emitting layer emitting light on top of the first electrode, and a second electrode on the organic light emitting layer and emitting light through the first electrode And forming a
The gate electrode and the source and drain electrodes include a metal oxide material and a lower first layer having low reflection characteristics and an upper second layer made of a conductive material,
The step of forming the gate electrode,
The method further includes forming a first pad electrode having a double layer structure on the pad region defined on the substrate,
The step of forming the source and drain electrodes,
The method further includes forming a second pad electrode having a double layer structure on the pad area defined on the substrate,
The first pad electrode and the second pad electrode manufacturing method of an organic light emitting diode display device, characterized in that it comprises a second layer of the upper layer made of a conductive material and a lower first layer comprising a metal oxide.
제 1항에 있어서,
상기 광차단층은 티타늄산화물(TiOx), 산화탄탈륨(TaOx), 구리산화물(CuOx), 질화실리콘(SiNx), 산화실리콘(SiOx) 중 하나로 이루어진 단일층 또는 둘 이상의 다중층 구조를 가지고, 상기 산화물 반도체층과 같거나 이보다 큰 면적을 가지는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법.
According to claim 1,
The light blocking layer has a single layer or two or more multi-layer structures made of titanium oxide (TiOx), tantalum oxide (TaOx), copper oxide (CuOx), silicon nitride (SiNx), or silicon oxide (SiOx), and the oxide semiconductor A method of manufacturing an organic light emitting diode display device having an area equal to or larger than a layer.
제 1항에 있어서,
상기 기판의 전면에 제1버퍼층을 형성하는 단계와,
상기 광차단층이 형성된 기판 전면에 제2버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법.
According to claim 1,
Forming a first buffer layer on the front surface of the substrate;
And forming a second buffer layer in front of the substrate on which the light blocking layer is formed.
기판 상에 형성되는 광차단층과;
상기 광차단층의 상부에 중앙의 제1영역, 상기 제1영역의 양측에 제2영역과 제3영역을 포함하며 형성되는 산화물 반도체층과;
상기 산화물 반도체층 상부에 형성된 제1절연층과;
상기 제1절연층 상부에 이중층 구조로 형성된 게이트 전극과;
상기 게이트 전극 상부로 상기 제2영역과 제3영역을 노출시키는 제1 및 제2반도체콘택홀을 구비하며 형성된 제2절연층과;
상기 제1 및 제2반도체콘택홀을 통해 노출된 상기 산화물 반도체층에 각각 접촉하며 이중층 구조로 형성된 소스 및 드레인 전극과;
상기 드레인 전극과 접촉하는 하부의 제1전극과, 상부의 제2전극, 그리고 상기 제1전극과 제2전극의 사이에 형성된 유기발광층을 포함하며 상기 제1전극을 통해 빛을 방출하는 유기발광다이오드를 포함하고,
상기 게이트 전극과 상기 소스 및 드레인 전극은 금속산화물질을 포함하는 하부의 제1층과 도전물질로 이루어진 상부의 제2층을 포함하며,
상기 기판의 스토리지영역에는 상기 제2절연층을 사이에 두고 이중층 구조를 가지는 제1스토리지 전극과 제2스토리지 전극이 더 포함된 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
A light blocking layer formed on the substrate;
An oxide semiconductor layer including a first region in the center and a second region and a third region on both sides of the first region;
A first insulating layer formed on the oxide semiconductor layer;
A gate electrode formed in a double layer structure on the first insulating layer;
A second insulating layer formed with first and second semiconductor contact holes exposing the second and third regions over the gate electrode;
Source and drain electrodes formed in a double layer structure in contact with the oxide semiconductor layers exposed through the first and second semiconductor contact holes, respectively;
An organic light emitting diode including a first electrode at the bottom contacting the drain electrode, an upper second electrode, and an organic emission layer formed between the first electrode and the second electrode and emitting light through the first electrode. Including,
The gate electrode and the source and drain electrodes include a first layer at the bottom including a metal oxide material and a second layer at the top made of a conductive material,
An organic light emitting diode display device comprising a first storage electrode and a second storage electrode having a double layer structure with the second insulating layer interposed between the storage area of the substrate.
제 11항에 있어서,
상기 금속산화물질은 구리망간산화물이고, 상기 도전물질은 구리인 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
The method of claim 11,
The metal oxide material is copper manganese oxide, the conductive material is an organic light emitting diode display device, characterized in that the copper.
기판 상에 형성되는 광차단층과;
상기 광차단층의 상부에 중앙의 제1영역, 상기 제1영역의 양측에 제2영역과 제3영역을 포함하며 형성되는 산화물 반도체층과;
상기 산화물 반도체층 상부에 형성된 제1절연층과;
상기 제1절연층 상부에 이중층 구조로 형성된 게이트 전극과;
상기 게이트 전극 상부로 상기 제2영역과 제3영역을 노출시키는 제1 및 제2반도체콘택홀을 구비하며 형성된 제2절연층과;
상기 제1 및 제2반도체콘택홀을 통해 노출된 상기 산화물 반도체층에 각각 접촉하며 이중층 구조로 형성된 소스 및 드레인 전극과;
상기 드레인 전극과 접촉하는 하부의 제1전극과, 상부의 제2전극, 그리고 상기 제1전극과 제2전극의 사이에 형성된 유기발광층을 포함하며 상기 제1전극을 통해 빛을 방출하는 유기발광다이오드를 포함하고,
상기 게이트 전극과 상기 소스 및 드레인 전극은 금속산화물질을 포함하는 하부의 제1층과 도전물질로 이루어진 상부의 제2층을 포함하며,
상기 제1층은 도전합금과 상기 도전합금을 테두리하는 상기 금속산화물질로 구성되되, 상기 도전합금은 구리망간 합금이고, 상기 금속산화물질은 망간산화물(Mn-Ox)인 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
A light blocking layer formed on the substrate;
An oxide semiconductor layer including a first region in the center and a second region and a third region on both sides of the first region;
A first insulating layer formed on the oxide semiconductor layer;
A gate electrode formed in a double layer structure on the first insulating layer;
A second insulating layer formed with first and second semiconductor contact holes exposing the second and third regions over the gate electrode;
Source and drain electrodes formed in a double layer structure in contact with the oxide semiconductor layers exposed through the first and second semiconductor contact holes, respectively;
An organic light emitting diode including a first electrode at the bottom contacting the drain electrode, an upper second electrode, and an organic emission layer formed between the first electrode and the second electrode and emitting light through the first electrode. Including,
The gate electrode and the source and drain electrodes include a first layer at the bottom including a metal oxide material and a second layer at the top made of a conductive material,
The first layer is composed of a conductive alloy and the metal oxide material surrounding the conductive alloy, wherein the conductive alloy is a copper manganese alloy, and the metal oxide material is manganese oxide (Mn-Ox). Diode display.
제 12항 또는 제 13항에 있어서,
상기 금속산화물질에는 상기 망간이 4 wt.%보다 크고 50 wt.%보다 작은 양이 함유되는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
The method of claim 12 or 13,
The metal oxide material is an organic light emitting diode display device, characterized in that the manganese is contained in an amount greater than 4 wt.% and less than 50 wt.%.
삭제delete 제 11항에 있어서,
상기 기판의 패드영역에는 이중층 구조를 가지며 형성된 패드전극이 더 포함된 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
The method of claim 11,
An organic light emitting diode display device having a double layer structure and further comprising a pad electrode formed in the pad area of the substrate.
제 12항에 있어서,
상기 광차단층은 티타늄산화물(TiOx), 산화탄탈륨(TaOx), 구리산화물(CuOx), 질화실리콘(SiNx), 산화실리콘(SiOx) 중 하나로 이루어진 단일층 또는 둘 이상의 다중층 구조를 가지고, 상기 산화물 반도체층과 같거나 이보다 큰 면적을 가지는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
The method of claim 12,
The light blocking layer has a single layer or two or more multi-layer structures made of titanium oxide (TiOx), tantalum oxide (TaOx), copper oxide (CuOx), silicon nitride (SiNx), or silicon oxide (SiOx), and the oxide semiconductor An organic light emitting diode display device having an area equal to or larger than a layer.
제 11항에 있어서,
상기 기판의 전면에 형성된 제1버퍼층과,
상기 광차단층이 형성된 기판 전면에 형성된 제2버퍼층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
The method of claim 11,
A first buffer layer formed on the front surface of the substrate,
And a second buffer layer formed on the entire surface of the substrate on which the light blocking layer is formed.
제 11항에 있어서,
상기 기판의 외면에 부착된 눈부심방지필름을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.The method of claim 11,
An organic light emitting diode display device further comprising an anti-glare film attached to the outer surface of the substrate.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102517447B1 (en) * 2015-12-30 2023-04-03 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting display device and method for fabricating the same
KR102452050B1 (en) * 2015-12-31 2022-10-06 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting display device
KR102510566B1 (en) * 2015-12-31 2023-03-17 엘지디스플레이 주식회사 Mirror Type Display Device
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KR20180004488A (en) * 2016-07-04 2018-01-12 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting display and manufacturing method thereof
KR102556961B1 (en) * 2016-12-21 2023-07-20 엘지디스플레이 주식회사 Photo Mask and Display Panel using thereof and Method for Fabricating Display Panel using the thereof
KR102543167B1 (en) * 2017-09-15 2023-06-13 삼성디스플레이 주식회사 Wire substrate, display device including the same, and method of manufacturing wire substrate
KR20220077305A (en) 2020-12-01 2022-06-09 삼성디스플레이 주식회사 Display device and manufacturing method thereof

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101306563B1 (en) * 2012-04-18 2013-09-09 주식회사 엘지화학 Conductive structure body and method for manufacturing the same

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3582248B2 (en) * 1996-09-13 2004-10-27 富士通株式会社 Gas discharge display panel and method of manufacturing the same
KR100397877B1 (en) * 2001-08-14 2003-09-13 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Active-Matrix Organic Electroluminescent Device

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101306563B1 (en) * 2012-04-18 2013-09-09 주식회사 엘지화학 Conductive structure body and method for manufacturing the same

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