KR20180079017A

KR20180079017A - Display device having emitting structures

Info

Publication number: KR20180079017A
Application number: KR1020160184368A
Authority: KR
Inventors: 지문배; 도의두
Original assignee: 엘지디스플레이 주식회사
Priority date: 2016-12-30
Filing date: 2016-12-30
Publication date: 2018-07-10

Abstract

The present invention relates to a display device which includes a light emitting structure positioned on a bottom substrate and comprising a lower light emitting electrode, a light emitting layer, and an upper light emitting electrode sequentially stacked; and a photochromic layer positioned between the bottom substrate and the lower light emitting electrode. The display device of the present invention is characterized in that the area of a light emitting region is increased as adjacent lower light emitting electrodes are insulated by a light emitting layer.

Description

[0001] The present invention relates to a display device having light emitting structures,

본 발명은 발광 구조물들을 이용하여 영상을 구현하는 디스플레이 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a display device that implements an image using light emitting structures.

일반적으로 모니터, TV, 노트북, 디지털 카메라 등과 같은 전자 기기는 영상을 구현하기 위한 디스플레이 장치를 포함한다. 예를 들어, 상기 디스플레이 장치는 액정 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치를 포함할 수 있다.2. Description of the Related Art Generally, electronic devices such as a monitor, a TV, a notebook, a digital camera, and the like include a display device for implementing an image. For example, the display device may include a liquid crystal display device and an organic light emitting display device.

상기 디스플레이 장치는 발광 영역들을 포함할 수 있다. 인접한 발광 영역들은 서로 다른 색을 나타낼 수 있다. 예를 들어, 상기 디스플레이 장치는 적색을 나타내는 적색 발광 영역, 청색을 나타내는 청색 발광 영역, 녹색을 나타내는 녹색 발광 영역 및 백색을 나타내는 백색 발광 영역을 포함할 수 있다.The display device may include light emitting regions. Adjacent light emitting regions may exhibit different colors. For example, the display device may include a red light emitting region representing red, a blue light emitting region representing blue, a green light emitting region representing green, and a white light emitting region representing white.

상기 디스플레이 장치의 각 발광 영역 내에는 발광 구조물 및 상기 발광 구조물을 제어하기 위한 회로부가 위치할 수 있다. 상기 발광 구조물은 특정 색을 나타낼 수 있다. 예를 들어, 상기 발광 구조물은 순서대로 적층된 하부 발광 전극, 발광층 및 상부 발광 전극을 포함할 수 있다.A light emitting structure and a circuit part for controlling the light emitting structure may be disposed in each light emitting area of the display device. The light emitting structure may exhibit a specific color. For example, the light emitting structure may include a lower light emitting electrode, a light emitting layer, and a top light emitting electrode sequentially stacked.

각 발광 영역은 독립적으로 제어될 수 있다. 예를 들어, 인접한 발광 영역들 상에 위치하는 발광 구조물들의 하부 발광 전극들은 서로 분리될 수 있다. 상기 분리된 하부 발광 전극들은 패터닝 공정에 의해 형성될 수 있다. 상기 패터닝 공정에 의해 형성된 하부 발광 전극들의 측면은 모서리를 포함하므로, 전계가 집중될 수 있다. 이에 따라 상기 디스플레이 장치는 각 하부 발광 전극의 가장 자리를 덮는 뱅크 절연막을 더 포함할 수 있다.Each luminescent region can be controlled independently. For example, the lower luminous electrodes of the luminous structures located on adjacent luminous regions can be separated from each other. The separated lower light emitting electrodes may be formed by a patterning process. Since the side surfaces of the lower light emitting electrodes formed by the patterning process include edges, the electric field can be concentrated. Accordingly, the display device may further include a bank insulating film covering the edge of each lower light emitting electrode.

그러나, 상기 뱅크 절연막을 포함하는 디스플레이 장치는 상기 뱅크 절연막에 의해 덮인 하부 발광 전극이 비발광 영역이 되므로, 발광 영역이 감소되는 문제점이 있다.However, in the display device including the bank insulating film, the lower light emitting electrode covered by the bank insulating film becomes a non-light emitting region, and thus the light emitting region is reduced.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 뱅크 절연막에 의한 발광 영역의 감소를 방지할 수 있는 디스플레이 장치를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a display device capable of preventing reduction of a light emitting region due to a bank insulating film.

본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 각 발광 구조물의 하부 전극의 측면이 모서리를 갖지 않는 디스플레이 장치를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a display device in which the side surfaces of the lower electrode of each light emitting structure do not have edges.

본 발명이 해결하고자 하는 과제들은 앞서 언급한 과제들로 한정되지 않는다. 여기서 언급되지 않은 과제들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 것이다.The problems to be solved by the present invention are not limited to the above-mentioned problems. Tasks not mentioned here will be apparent to the ordinarily skilled artisan from the description below.

상기 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기술적 사상에 따른 디스플레이 장치는 하부 기판을 포함한다. 하부 기판 상에는 발광 구조물이 위치한다. 발광 구조물은 순서대로 적층된 하부 발광 전극, 발광층 및 상부 발광 전극을 포함한다. 하부 기판과 하부 발광 전극 사이에는 포토 크로믹층(PhotoChromic)이 위치한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a display device including a lower substrate. A light emitting structure is located on the lower substrate. The light emitting structure includes a lower light emitting electrode, a light emitting layer, and a top light emitting electrode sequentially stacked. A photochromic layer is located between the lower substrate and the lower luminous electrode.

포토 크로믹층은 디아릴에텐(diarylene) 화합물을 포함할 수 있다.The photochromic layer may contain a diarylene compound.

포토 크로믹층은 일정한 색을 나타낼 수 있다.The photochromic layer can exhibit a certain color.

하부 발광 전극은 포토 크로믹층과 접촉하는 금속층을 포함할 수 있다.The lower luminous electrode may comprise a metal layer in contact with the photochromic layer.

하부 발광 전극의 수평 길이는 하부 기판으로부터 멀어질수록 작아질 수 있다.The horizontal length of the lower luminous electrode can be made smaller as the luminous efficiency increases from the lower substrate.

하부 발광 전극의 측면의 상단은 곡면 형상일 수 있다.The upper end of the side surface of the lower luminous electrode may be curved.

상기 해결하고자 하는 다른 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기술적 사상에 따른 디스플레이 장치는 하부 기판을 포함한다. 하부 기판 상에는 포토 크로믹층이 위치한다. 포토 크로믹층은 제 1 영역들 및 제 2 영역들을 포함한다. 제 2 영역들은 제 1 영역들 사이에 위치한다. 포토 크로믹층의 제 1 영역들 상에는 하부 발광 전극들이 위치한다. 하부 발광 전극들 상에는 발광층이 위치한다. 발광층은 포토 크로믹층의 제 2 영역들 상으로 연장한다. 발광층 상에는 상부 발광 전극이 위치한다. 포토 크로믹층의 제 1 영역들은 포토 크로믹층의 제 2 영역들보다 단단하다.According to another aspect of the present invention, there is provided a display device including a lower substrate. A photochromic layer is positioned on the lower substrate. The photochromic layer comprises first regions and second regions. The second regions are located between the first regions. On the first regions of the photochromic layer, the lower light emitting electrodes are located. A light emitting layer is disposed on the lower light emitting electrodes. The light emitting layer extends over the second regions of the photochromic layer. The upper light emitting electrode is located on the light emitting layer. The first areas of the photochromic layer are harder than the second areas of the photochromic layer.

포토 크로믹층의 제 2 영역들은 비정질 상태일 수 있다.The second regions of the photochromic layer may be in an amorphous state.

하부 발광 전극들의 측면은 포토 크로믹층의 제 1 영역들과 제 2 영역들 사이의 경계와 연속될 수 있다.The side surfaces of the lower luminous electrodes may be continuous with a boundary between the first and second regions of the photochromic layer.

하부 발광 전극들의 측면은 정 테이퍼를 가질 수 있다.The side surfaces of the lower light emitting electrodes may have a constant taper.

하부 기판과 대향하는 상부 기판 상에는 블랙 매트릭스가 위치할 수 있다. 블랙 매트릭스는 포토 크로믹층의 제 2 영역들과 중첩할 수 있다.A black matrix may be positioned on the upper substrate facing the lower substrate. The black matrix may overlap the second regions of the photochromic layer.

포토 크로믹층의 제 1 영역들과 중첩하는 컬러 필터들을 더 포함할 수 있다. 컬러 필터들의 수평 길이는 포토 크로믹층의 제 1 영역들의 수평 길이보다 길 수 있다.And color filters overlapping the first areas of the photochromic layer. The horizontal length of the color filters may be longer than the horizontal length of the first areas of the photochromic layer.

본 발명의 기술적 사상에 따른 디스플레이 장치는 측면의 상단이 곡면 형상인 하부 전극들을 포함할 수 있다. 이에 따라 본 발명의 기술적 사상에 따른 디스플레이 장치에서는 하부 전극들의 가장 자리를 덮는 뱅크 절연막이 형성되지 않을 수 있다. 따라서, 본 발명의 기술적 사상에 따른 디스플레이 장치에서는 공정 시간이 감소하고, 공정 효율 및 발광 효율이 향상될 수 있다.The display device according to the technical idea of the present invention may include lower electrodes whose upper side of the side is curved. Accordingly, in the display device according to the technical idea of the present invention, the bank insulating film covering the edge of the lower electrodes may not be formed. Therefore, in the display device according to the technical idea of the present invention, the process time can be reduced, and the process efficiency and the luminous efficiency can be improved.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2a는 도 1의 P 영역을 확대한 도면이다.
도 2b는 도 1의 R 영역을 확대한 도면이다.
도 3 및 4는 각각 본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치를 나타낸 도면들이다.
도 5a 내지 5c는 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치의 형성 방법을 순차적으로 나타낸 도면들이다.1 is a schematic view of a display apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2A is an enlarged view of the P region in FIG.
FIG. 2B is an enlarged view of the R region of FIG. 1. FIG.
3 and 4 are views showing a display device according to another embodiment of the present invention, respectively.
5A to 5C are views sequentially illustrating a method of forming a display device according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 상기 목적과 기술적 구성 및 이에 따른 작용 효과에 관한 자세한 사항은 본 발명의 실시 예를 도시하고 있는 도면을 참조한 이하 상세한 설명에 의해 더욱 명확하게 이해될 것이다. 여기서, 본 발명의 실시 예들은 당업자에게 본 발명의 기술적 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위하여 제공되는 것이므로, 본 발명은 이하 설명되는 실시 예들에 한정되지 않도록 다른 형태로 구체화될 수 있다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Reference will now be made in detail to the preferred embodiments of the present invention, examples of which are illustrated in the accompanying drawings, wherein like reference numerals refer to the like elements throughout. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following description, well-known functions or constructions are not described in detail since they would obscure the invention in unnecessary detail.

또한, 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조 번호로 표시된 부분들은 동일한 구성 요소들을 의미하며, 도면들에 있어서 층 또는 영역의 길이와 두께는 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 덧붙여, 제 1 구성 요소가 제 2 구성 요소 "상"에 있다고 기재되는 경우, 상기 제 1 구성 요소가 상기 제 2 구성 요소와 직접 접촉하는 상측에 위치하는 것뿐만 아니라, 상기 제 1 구성 요소와 상기 제 2 구성 요소 사이에 제 3 구성 요소가 위치하는 경우도 포함한다.In the drawings, the same reference numerals denote the same components throughout the specification. In the drawings, the lengths and the thicknesses of layers or regions may be exaggerated for convenience. In addition, when the first component is described as being on the second component, it is preferable that the first component is located on the upper side in direct contact with the second component, And the third component is located between the second components.

여기서, 상기 제 1, 제 2 등의 용어는 다양한 구성 요소를 설명하기 위한 것으로, 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로 사용된다. 다만, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위에서는 제 1 구성 요소와 제 2 구성 요소는 당업자의 편의에 따라 임의로 명명될 수 있다.Here, the terms first, second, etc. are used for describing various components and are used for the purpose of distinguishing one component from another component. However, the first component and the second component may be arbitrarily named according to the convenience of the person skilled in the art without departing from the technical idea of the present invention.

본 발명의 명세서에서 사용하는 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용되는 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 예를 들어, 단수로 표현된 구성 요소는 문맥상 명백하게 단수만을 의미하지 않는다면 복수의 구성 요소를 포함한다. 또한, 본 발명의 명세서에서, "포함하다"　또는 "가지다"등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.It is to be understood that the terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. For example, an element represented in singular form includes a plurality of elements unless the context clearly dictates a singular number. Also, in the specification of the present invention, the terms such as " comprises "or" having ", and the like, designate the presence of stated features, integers, steps, operations, elements, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

덧붙여, 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미가 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미가 있는 것으로 해석되어야 하며, 본 발명의 명세서에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.In addition, unless otherwise defined, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries are to be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the related art and, unless expressly defined in the specification of the present invention, are intended to mean either an ideal or an overly formal meaning It is not interpreted.

(실시 예)(Example)

도 1, 2a 및 2b를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 하부 기판(100), 박막 트랜지스터들(200), 발광 구조물들(300R, 300B, 300G, 300W) 및 포토 크로믹층(Photo-Chromic layer, 400)를 포함할 수 있다.1, 2A and 2B, a display device according to an embodiment of the present invention includes a lower substrate 100, thin film transistors 200, light emitting structures 300R, 300B, 300G, and 300W, and a photochromic layer Photo-Chromic layer, 400).

상기 하부 기판(100)은 상기 박막 트랜지스터들(200) 및 상기 발광 구조물들(300R, 300B, 300G, 300W)을 지지할 수 있다. 상기 하부 기판(100)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 하부 기판(100)은 유리 또는 플라스틱을 포함할 수 있다.The lower substrate 100 may support the thin film transistors 200 and the light emitting structures 300R, 300B, 300G, and 300W. The lower substrate 100 may include an insulating material. For example, the lower substrate 100 may comprise glass or plastic.

상기 하부 기판(100)은 발광 영역들(REA, BEA, GEA, WEA) 및 비발광 영역들(NEA)을 포함할 수 있다. 상기 비발광 영역들(NEA)은 상기 발광 영역들(REA, BEA, GEA, WEA) 사이에 위치할 수 있다. 상기 발광 영역들(REA, BEA, GEA, WEA)은 상기 비발광 영역들(NEA)에 의해 분리될 수 있다.The lower substrate 100 may include light emitting regions REA, BEA, GEA, WEA, and non-light emitting regions NEA. The non-emission regions NEA may be located between the emission regions REA, BEA, GEA, and WEA. The light emitting regions REA, BEA, GEA, and WEA may be separated by the non-light emitting regions NEA.

인접한 발광 영역들(REA, BEA, GEA, WEA)은 서로 다른 색을 나타낼 수 있다. 예를 들어, 상기 하부 기판(100)은 적색을 나타내는 적색 발광 영역(REA), 청색을 나타내는 청색 발광 영역(BEA), 녹색을 나타내는 녹색 발광 영역(GEA) 및 백색을 나타내는 백색 발광 영역(WEA)을 포함할 수 있다.Adjacent light emitting regions REA, BEA, GEA, and WEA may exhibit different colors. For example, the lower substrate 100 may include a red light emitting region REA for red, a blue light emitting region BEA for blue, a green light emitting region GEA for green, and a white light emitting region WEA for white, . &Lt; / RTI >

상기 박막 트랜지스터들(200)은 상기 하부 기판(100) 상에 위치할 수 있다. 상기 박막 트랜지스터들(200)은 동일한 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 각 박막 트랜지스터(200)는 반도체 패턴(210), 게이트 절연막(220), 게이트 전극(230), 층간 절연막(240), 소스 전극(250) 및 드레인 전극(260)을 포함할 수 있다.The thin film transistors 200 may be positioned on the lower substrate 100. The thin film transistors 200 may have the same structure. For example, each of the thin film transistors 200 may include a semiconductor pattern 210, a gate insulating film 220, a gate electrode 230, an interlayer insulating film 240, a source electrode 250 and a drain electrode 260 have.

상기 반도체 패턴(210)은 상기 하부 기판(100)에 가까이 위치할 수 있다. 상기 반도체 패턴(210)은 반도체 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 반도체 패턴(210)은 비정질 실리콘 또는 다결정 실리콘을 포함할 수 있다. 상기 반도체 패턴(210)은 산화물 반도체 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 반도체 패턴(210)은 IGZO를 포함할 수 있다.The semiconductor pattern 210 may be positioned close to the lower substrate 100. The semiconductor pattern 210 may include a semiconductor material. For example, the semiconductor pattern 210 may include amorphous silicon or polycrystalline silicon. The semiconductor pattern 210 may include an oxide semiconductor material. For example, the semiconductor pattern 210 may include IGZO.

상기 반도체 패턴(210)은 소스 영역, 드레인 영역 및 채널 영역을 포함할 수 있다. 상기 채널 영역은 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역 사이에 위치할 수 있다. 상기 채널 영역의 전도율(conductivity)은 상기 소스 영역의 전도율 및 상기 드레인 영역의 전도율보다 낮을 수 있다. 예를 들어, 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역은 도전형 불순물을 포함할 수 있다.The semiconductor pattern 210 may include a source region, a drain region, and a channel region. The channel region may be located between the source region and the drain region. The conductivity of the channel region may be lower than the conductivity of the source region and the conductivity of the drain region. For example, the source region and the drain region may comprise a conductive impurity.

본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 하부 기판(100)과 반도체 패턴(210) 사이에 위치하는 버퍼 절연막(110)을 더 포함할 수 있다. 상기 버퍼 절연막(110)은 상기 반도체 패턴(210)의 외측 방향으로 연장할 수 있다. 예를 들어, 상기 버퍼 절연막(110)은 상기 하부 기판(100)의 표면을 전체적으로 덮을 수 있다. 상기 버퍼 절연막(110)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 버퍼 절연막(110)은 실리콘 산화물을 포함할 수 있다.The display device according to the embodiment of the present invention may further include a buffer insulating layer 110 positioned between the lower substrate 100 and the semiconductor pattern 210. The buffer insulating layer 110 may extend outwardly of the semiconductor pattern 210. For example, the buffer insulating layer 110 may entirely cover the surface of the lower substrate 100. The buffer insulating layer 110 may include an insulating material. For example, the buffer insulating layer 110 may include silicon oxide.

상기 게이트 절연막(220)은 상기 반도체 패턴(210) 상에 위치할 수 있다. 상기 게이트 절연막(220)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 절연막(220)은 실리콘 산화물 및/또는 실리콘 질화물을 포함할 수 있다. 상기 게이트 절연막(220)은 다중층 구조일 수 있다. 상기 게이트 절연막(220)은 High-K 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 절연막(220)은 하프늄 산화물(HfO) 또는 티타늄 산화물(TiO)을 포함할 수 있다.The gate insulating layer 220 may be located on the semiconductor pattern 210. The gate insulating layer 220 may include an insulating material. For example, the gate insulating layer 220 may include silicon oxide and / or silicon nitride. The gate insulating layer 220 may have a multi-layer structure. The gate insulating layer 220 may include a high-K material. For example, the gate insulating layer 220 may include hafnium oxide (HfO) or titanium oxide (TiO).

상기 게이트 전극(230)은 상기 게이트 절연막(220) 상에 위치할 수 있다. 상기 게이트 전극(230)은 상기 반도체 패턴(210)의 상기 채널 영역과 중첩할 수 있다. 상기 게이트 전극(230)은 상기 게이트 절연막(220)에 의해 상기 반도체 패턴(210)과 절연될 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 절연막(220)은 상기 게이트 전극(230)의 측면과 수직 정렬되는 측면을 포함할 수 있다. 상기 게이트 절연막(220)의 측면은 상기 게이트 전극(230)의 측면과 연속될 수 있다.The gate electrode 230 may be positioned on the gate insulating layer 220. The gate electrode 230 may overlap the channel region of the semiconductor pattern 210. The gate electrode 230 may be insulated from the semiconductor pattern 210 by the gate insulating layer 220. For example, the gate insulating layer 220 may include a side surface that is vertically aligned with a side surface of the gate electrode 230. The side surface of the gate insulating layer 220 may be continuous with the side surface of the gate electrode 230.

상기 게이트 전극(230)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 전극(230)은 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 구리(Cu), 티타늄(Ti), 몰리브덴(Wo), 텅스텐(W)과 같은 금속을 포함할 수 있다. 상기 게이트 전극(230)은 다중층 구조일 수 있다.The gate electrode 230 may include a conductive material. For example, the gate electrode 230 may include a metal such as aluminum (Al), chrome (Cr), copper (Cu), titanium (Ti), molybdenum (Wo), and tungsten (W). The gate electrode 230 may have a multi-layer structure.

상기 층간 절연막(240)은 상기 반도체 패턴(210) 및 상기 게이트 전극(230) 상에 위치할 수 있다. 상기 층간 절연막(240)은 상기 반도체 패턴(210)의 외측 방향으로 연장할 수 있다. 예를 들어, 상기 반도체 패턴(210)의 외측에서 상기 층간 절연막(240)은 상기 버퍼 절연막(110)과 직접 접촉할 수 있다. 상기 층간 절연막(240)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 층간 절연막(240)은 실리콘 산화물을 포함할 수 있다.The interlayer insulating layer 240 may be located on the semiconductor pattern 210 and the gate electrode 230. The interlayer insulating layer 240 may extend outwardly of the semiconductor pattern 210. For example, the interlayer insulating layer 240 may be in direct contact with the buffer insulating layer 110 outside the semiconductor pattern 210. The interlayer insulating layer 240 may include an insulating material. For example, the interlayer insulating layer 240 may include silicon oxide.

상기 소스 전극(250)은 상기 층간 절연막(240) 상에 위치할 수 있다. 상기 소스 전극(250)은 상기 반도체 패턴(210)의 상기 소스 영역과 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 상기 층간 절연막(240)은 상기 반도체 패턴(210)의 상기 소스 영역을 노출하는 컨택홀을 포함할 수 있다.The source electrode 250 may be located on the interlayer insulating layer 240. The source electrode 250 may be electrically connected to the source region of the semiconductor pattern 210. For example, the interlayer insulating layer 240 may include a contact hole exposing the source region of the semiconductor pattern 210.

상기 소스 전극(250)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 소스 전극(250)은 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 텅스텐(W)과 같은 금속을 포함할 수 있다. 상기 소스 전극(250)은 다중층 구조를 포함할 수 있다. The source electrode 250 may include a conductive material. For example, the source electrode 250 may include a metal such as aluminum (Al), chromium (Cr), molybdenum (Mo), titanium (Ti), copper (Cu), and tungsten (W). The source electrode 250 may include a multi-layer structure.

상기 드레인 전극(260)은 상기 층간 절연막(240) 상에 위치할 수 있다. 상기 드레인 전극(260)은 상기 소스 전극(250)과 이격될 수 있다. 상기 드레인 전극(260)은 상기 반도체 패턴(210)의 상기 드레인 영역과 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 상기 층간 절연막(240)은 상기 반도체 패턴(210)의 상기 드레인 영역을 노출하는 컨택홀을 포함할 수 있다.The drain electrode 260 may be located on the interlayer insulating layer 240. The drain electrode 260 may be spaced apart from the source electrode 250. The drain electrode 260 may be electrically connected to the drain region of the semiconductor pattern 210. For example, the interlayer insulating layer 240 may include a contact hole exposing the drain region of the semiconductor pattern 210.

상기 드레인 전극(260)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 상기 드레인 전극(260)은 상기 소스 전극(250)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 드레인 전극(260)은 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 텅스텐(W)과 같은 금속을 포함할 수 있다. 상기 드레인 전극(260)의 구조는 상기 소스 전극(250)의 구조와 동일할 수 있다. 예를 들어, 상기 드레인 전극(260)은 다중층 구조일 수 있다.The drain electrode 260 may include a conductive material. The drain electrode 260 may include the same material as the source electrode 250. For example, the drain electrode 260 may include a metal such as aluminum (Al), chrome (Cr), molybdenum (Mo), titanium (Ti), copper (Cu), and tungsten (W). The structure of the drain electrode 260 may be the same as that of the source electrode 250. For example, the drain electrode 260 may have a multi-layer structure.

본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 각 박막 트랜지스터(200)의 반도체 패턴(210)이 하부 기판(100)에 가까이 위치하는 것으로 설명된다. 그러나, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 각 박막 트랜지스터(200)가 게이트 전극(230)과 소스 전극(250) 및 드레인 전극(260) 사이에 위치하는 반도체 패턴(210)을 포함할 수 있다.The display device according to the embodiment of the present invention is described in which the semiconductor pattern 210 of each thin film transistor 200 is located close to the lower substrate 100. However, the display device according to another embodiment of the present invention may include a semiconductor pattern 210 in which each thin film transistor 200 is located between the gate electrode 230 and the source electrode 250 and the drain electrode 260 have.

상기 발광 구조물들(300R, 300B, 300G, 300W)은 특정 색을 나타내는 빛을 생성할 수 있다. 상기 발광 구조물들(300R, 300B, 300G, 300W)은 동일한 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 각 발광 구조물(300R, 300B, 300G, 300W)은 순서대로 적층된 하부 발광 전극(310), 발광층(320) 및 상부 발광 전극(330)을 포함할 수 있다.The light emitting structures 300R, 300B, 300G, and 300W may generate light representing a specific color. The light emitting structures 300R, 300B, 300G, and 300W may have the same structure. For example, each of the light emitting structures 300R, 300B, 300G, and 300W may include a lower light emitting electrode 310, a light emitting layer 320, and an upper light emitting electrode 330 stacked in order.

각 발광 구조물(300R, 300B, 300G, 300W)은 상기 하부 기판(100)의 해당 발광 영역(REA, BEA, GEA, WEA) 상에 위치할 수 있다. 예를 들어, 상기 발광 구조물들(300R, 300B, 300G, 300W)은 상기 적색 발광 영역(REA) 상에 위치하는 적색 발광 구조물(300R), 상기 청색 발광 영역(BEA) 상에 위치하는 청색 발광 구조물(300B), 상기 녹색 발광 영역(GEA) 상에 위치하는 녹색 발광 구조물(300G) 및 상기 백색 발광 영역(WEA) 상에 위치하는 백색 발광 구조물(300W)을 포함할 수 있다.Each of the light emitting structures 300R, 300B, 300G and 300W may be positioned on the corresponding light emitting areas REA, BEA, GEA, and WEA of the lower substrate 100. For example, the light emitting structures 300R, 300B, 300G and 300W may include a red light emitting structure 300R located on the red light emitting region REA, a blue light emitting structure 300R located on the blue light emitting region BEA, A green light emitting structure 300G positioned on the green light emitting region GEA and a white light emitting structure 300W located on the white light emitting region WEA.

본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 박막 트랜지스터들(200)과 발광 구조물들(300R, 300B, 300G, 300W) 사이에 위치하는 오버 코트층(140)을 더 포함할 수 있다. 상기 오버 코트층(140)은 상기 박막 트랜지스터들(200)에 의한 단차를 제거할 수 있다. 예를 들어, 상기 하부 기판(100)과 대향하는 상기 오버 코트층(140)의 상부면은 평평한 평면(flat surface)일 수 있다. 상기 오버 코트층(140)의 상기 상부면은 상기 하부 기판(100)의 표면과 평행할 수 있다. 상기 오버 코트층(140)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 오버 코트층(140)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.The display device according to the embodiment of the present invention may further include an overcoat layer 140 positioned between the thin film transistors 200 and the light emitting structures 300R, 300B, 300G and 300W. The overcoat layer 140 may remove a stepped portion by the thin film transistors 200. For example, the upper surface of the overcoat layer 140 facing the lower substrate 100 may be a flat surface. The upper surface of the overcoat layer 140 may be parallel to the surface of the lower substrate 100. The overcoat layer 140 may include an insulating material. For example, the overcoat layer 140 may comprise an organic insulating material.

본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 박막 트랜지스터들(200)과 오버 코트층(140) 사이에 위치하는 하부 보호막(130)을 더 포함할 수 있다. 상기 하부 보호막(130)은 외부의 수분 또는 충격으로부터 상기 박막 트랜지스터들(200)을 보호할 수 있다. 상기 하부 보호막(130)은 각 박막 트랜지스터(200)의 외측 방향으로 연장할 수 있다. 예를 들어, 상기 하부 보호막(130)은 상기 박막 트랜지스터들(200)의 표면을 따라 상기 하부 기판(100)의 전체 표면 상으로 연장할 수 있다. 상기 하부 보호막(130)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 하부 보호막(130)은 실리콘 산화물 및/또는 실리콘 질화물을 포함할 수 있다. 상기 하부 보호막(130)은 다중층 구조일 수 있다.The display device according to the embodiment of the present invention may further include a lower protective layer 130 located between the thin film transistors 200 and the overcoat layer 140. The lower protective layer 130 may protect the thin film transistors 200 from external moisture or impact. The lower protective layer 130 may extend outwardly of the thin film transistors 200. For example, the lower protective layer 130 may extend on the entire surface of the lower substrate 100 along the surface of the thin film transistors 200. The lower protective layer 130 may include an insulating material. For example, the lower protective layer 130 may include silicon oxide and / or silicon nitride. The lower protective layer 130 may have a multi-layer structure.

상기 발광 구조물들(300R, 300B, 300G, 300W)은 해당 발광 영역(REA, BEA, GEA, WEA)과 관련된 박막 트랜지스터(200)에 의해 제어될 수 있다. 예를 들어, 각 발광 구조물(300R, 300B, 300G, 300W)의 상기 하부 발광 전극(310)은 해당 박막 트랜지스터(200)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 발광 구조물들(300R, 300B, 300G, 300W)은 상기 오버 코트층(140) 상에 위치할 수 있다. 예를 들어, 상기 오버 코트층(140)은 각 박막 트랜지스터(200)의 드레인 전극(260)을 부분적으로 노출하는 상부 컨택홀(141h)을 포함할 수 있다. 상기 하부 보호막(130)은 상기 상부 컨택홀(141h)과 중첩하는 하부 컨택홀(131h)을 포함할 수 있다. 각 발광 구조물(300R, 300B, 300G, 300W)의 하부 발광 전극(310)은 상기 하부 컨택홀(131h) 및 상기 상부 컨택홀(141h)을 통해 해당 박막 트랜지스터(200)의 드레인 전극(260)과 연결될 수 있다.The light emitting structures 300R, 300B, 300G, and 300W may be controlled by the thin film transistors 200 associated with the light emitting regions REA, BEA, GEA, and WEA. For example, the lower light emitting electrode 310 of each of the light emitting structures 300R, 300B, 300G, and 300W may be electrically connected to the corresponding thin film transistor 200. [ The light emitting structures 300R, 300B, 300G, and 300W may be positioned on the overcoat layer 140. Referring to FIG. For example, the overcoat layer 140 may include an upper contact hole 141h partially exposing the drain electrode 260 of each thin film transistor 200. [ The lower protective layer 130 may include a lower contact hole 131h overlapping the upper contact hole 141h. The lower light emitting electrode 310 of each of the light emitting structures 300R, 300B, 300G and 300W is connected to the drain electrode 260 of the corresponding thin film transistor 200 through the lower contact hole 131h and the upper contact hole 141h, Can be connected.

상기 하부 발광 전극(310)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 하부 발광 전극(310)은 반사율이 높은 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 하부 발광 전극(310)은 Al, Mg, Mn, Zn, Ag 등과 같은 금속으로 이루어진 금속층을 포함할 수 있다.The lower light emitting electrode 310 may include a conductive material. For example, the lower luminous electrode 310 may include a material having high reflectance. For example, the lower electrode 310 may include a metal layer made of a metal such as Al, Mg, Mn, Zn, or Ag.

상기 하부 발광 전극(310)의 수평 길이는 상기 하부 기판(100)으로부터 멀어질수록 작아질 수 있다. 상기 하부 기판(100)을 향한 상기 하부 발광 전극(310)의 하부면의 길이는 상기 발광층(320)을 향한 상기 하부 발광 전극(310)의 상부면의 길이보다 길 수 있다. 예를 들어, 상기 하부 발광 전극(310)의 측면(310S)은 정 테이퍼를 가질 수 있다. 상기 하부 발광 전극(310)의 측면(310S)은 상기 하부 기판(100)으로부터 멀어질수록 상기 하부 발광 전극(310)의 중심 영역으로 이동할 수 있다. 예를 들어, 상기 하부 발광 전극(310)의 상기 측면(310S)의 상단부는 곡면 형상일 수 있다. 이에 따라 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 하부 발광 전극(310)의 측면(310S)에서 전계 집중이 방지될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 하부 발광 전극(310)의 가장 자리를 덮는 뱅크 절연막이 형성되지 않을 수 있다.The horizontal length of the lower light emitting electrode 310 may be reduced as the distance from the lower substrate 100 is increased. The length of the lower surface of the lower luminous electrode 310 toward the lower substrate 100 may be greater than the length of the upper surface of the lower luminous electrode 310 toward the luminous layer 320. For example, the side surface 310S of the lower light emitting electrode 310 may have a constant taper. The side surface 310S of the lower luminous electrode 310 may move toward the center region of the lower luminous electrode 310 as the lower side luminous electrode 310 is away from the lower substrate 100. [ For example, the upper end of the side surface 310S of the lower luminous electrode 310 may be curved. Accordingly, in the display device according to the embodiment of the present invention, the electric field concentration at the side surface 310S of the lower light emitting electrode 310 can be prevented. Therefore, in the display device according to the embodiment of the present invention, the bank insulating film covering the edge of the lower luminous electrode 310 may not be formed.

상기 발광층(320)은 상기 하부 발광 전극(310)과 상기 상부 발광 전극(330) 사이의 전압 차에 대응하는 휘도의 빛을 생성할 수 있다. 상기 발광층(320)은 발광 물질을 포함하는 발광 물질층(Emitting Material Layer; EML)을 포함할 수 있다. 상기 발광 물질은 유기 발광 물질, 무기 발광 물질 또는 하이브리드 발광 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 유기 발광 물질의 발광층(320)을 포함하는 유기 발광 표시 장치일 수 있다.The light emitting layer 320 may generate light having a luminance corresponding to a voltage difference between the lower light emitting electrode 310 and the upper light emitting electrode 330. The light emitting layer 320 may include a light emitting material layer (EML) including a light emitting material. The light emitting material may include an organic light emitting material, an inorganic light emitting material, or a hybrid light emitting material. For example, the display device according to an embodiment of the present invention may be an organic light emitting display including a light emitting layer 320 of an organic light emitting material.

상기 발광층(320)은 다중층 구조일 수 있다. 예를 들어, 상기 발광층(320)은 정공 주입층(Hole Injection Layer; HIL), 정공 수송층(Hole Transport Layer; HTL), 전자 수송층(Electron Transport Layer; ETL) 및 전자 주입층(Electron Injection Layer; EIL)을 더 포함할 수 있다.The light emitting layer 320 may have a multi-layer structure. For example, the light emitting layer 320 may include a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), an electron transport layer (ETL), and an electron injection layer (EIL) ). &Lt; / RTI >

인접한 발광 구조물들(300R, 300B, 300G, 300W)은 동일한 색을 나타내는 빛을 생성할 수 있다. 각 발광 구조물들(300R, 300B, 300G, 300W)의 발광층(320)은 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 각 발광 구조물(300R, 300B, 300G, 300W)은 백색을 나타내는 빛을 생성하는 백색 발광층(320)을 포함할 수 있다. 인접한 발광 구조물들(300R, 300B, 300G, 300W)의 발광층(320)은 서로 연결될 수 있다. 예를 들어, 각 발광 구조물들(300R, 300B, 300G, 300W)의 발광층(320)은 인접한 비발광 영역들(NEA) 상으로 연장할 수 있다.Adjacent light emitting structures 300R, 300B, 300G, and 300W can generate light having the same color. The light emitting layer 320 of each of the light emitting structures 300R, 300B, 300G, and 300W may include the same material. For example, each of the light emitting structures 300R, 300B, 300G, and 300W may include a white light emitting layer 320 that generates white representing light. The light emitting layers 320 of the adjacent light emitting structures 300R, 300B, 300G, and 300W may be connected to each other. For example, the light emitting layer 320 of each of the light emitting structures 300R, 300B, 300G, and 300W may extend over adjacent non-light emitting regions NEA.

인접한 발광 영역들(REA, BEA, GEA, WEA) 상에 위치하는 하부 발광 전극들(310) 사이의 공간은 상기 발광층(320)에 의해 채워질 수 있다. 예를 들어, 각 하부 발광 전극들(310)의 측면(310S)은 상기 발광층(320)에 의해 덮일 수 있다. 이에 따라 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 각 발광 영역들(REA, BEA, GEA, WEA)에서 발광 영역의 크기가 해당 발광 영역(REA, BEA, GEA, WEA)의 하부 발광 전극의 수평 길이에 의해 결정될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 발광 영역이 최대화될 수 있다.The space between the lower light emitting electrodes 310 located on the adjacent light emitting regions REA, BEA, GEA, and WEA may be filled with the light emitting layer 320. For example, the side surfaces 310S of the lower light emitting electrodes 310 may be covered with the light emitting layer 320. Accordingly, in the display device according to the embodiment of the present invention, the size of the light emitting region in each of the light emitting regions REA, BEA, GEA, and WEA corresponds to the horizontal length of the light emitting regions REA, BEA, GEA, Lt; / RTI > Therefore, in the display device according to the embodiment of the present invention, the light emitting area can be maximized.

상기 상부 전극(330)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 상기 상부 전극(330)은 상기 하부 전극(310)과 다른 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 상부 전극(330)은 투명 전극일 수 있다. 이에 따라 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 각 발광 구조물(300R, 300B, 300G, 300W)의 발광층(320)에 의해 생성된 빛이 상부 발광 전극(330)을 통해 외부로 방출될 수 있다.The upper electrode 330 may include a conductive material. The upper electrode 330 may include a material different from the lower electrode 310. For example, the upper electrode 330 may be a transparent electrode. Accordingly, in the display device according to the embodiment of the present invention, light generated by the light emitting layer 320 of each of the light emitting structures 300R, 300B, 300G, and 300W may be emitted to the outside through the upper light emitting electrode 330. [

본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 하부 발광 전극(310)의 측면(310S)에서 전계 집중이 방지되므로, 인접한 하부 발광 전극들(310) 사이가 발광층(320)에 의해 절연될 수 있다. 이에 따라 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 하부 발광 전극들(310)의 가장 자리를 덮는 뱅크 절연막이 필요치 않아. 상기 뱅크 절연막에 의한 발광 영역의 손실이 방지될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 공정 시간이 단축되고, 공정 효율 및 발광 효율이 향상될 수 있다.The display device according to the exemplary embodiment of the present invention prevents electric field concentration at the side surface 310S of the lower electrode 310 so that the adjacent lower electrode 310 can be isolated by the light emitting layer 320. [ Accordingly, in the display device according to the embodiment of the present invention, a bank insulating film covering the edge of the lower light emitting electrodes 310 is not required. The loss of the light emitting region due to the bank insulating film can be prevented. Therefore, in the display device according to the embodiment of the present invention, the process time can be shortened, and the process efficiency and the luminous efficiency can be improved.

상기 포토 크로믹층(400)은 하부 기판(100)과 발광 구조물들(300R, 300B, 300G, 300W) 사이에 위치할 수 있다. 예를 들어, 상기 포토 크로믹층(400)은 상기 오버 코트층(140)의 상기 상부면 상에 위치할 수 있다. 상기 포토 크로믹층(400)은 상기 오버 코트층(140)의 표면을 따라 연장할 수 있다. 상기 포토 크로믹층(400)은 상기 하부 기판(100)의 상기 비발광 영역(NEA)과 중첩하는 영역을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 포토 크로믹층(400)은 상기 발광 영역들(REA, BEA, GEA, WEA)과 중첩하는 제 1 영역들(410) 및 상기 제 1 영역들(410) 사이에 위치하는 제 2 영역들(420)을 포함할 수 있다.The photochromic layer 400 may be positioned between the lower substrate 100 and the light emitting structures 300R, 300B, 300G, and 300W. For example, the photochromic layer 400 may be positioned on the upper surface of the overcoat layer 140. The photochromic layer 400 may extend along the surface of the overcoat layer 140. The photochromic layer 400 may include a region overlapping the non-emission region NEA of the lower substrate 100. For example, the photochromic layer 400 may include first regions 410 overlapping the light emitting regions REA, BEA, GEA, and WEA, and second regions 410 between the first regions 410. [ Regions 420. In one embodiment,

상기 포토 크로믹층(400)의 상기 제 1 영역들(410)은 상기 하부 발광 전극들(310)과 중첩할 수 있다. 예를 들어, 상기 하부 발광 전극들(310)의 상기 측면(310S)은 상기 포토 크로믹층(400)의 상기 제 1 영역들(410)과 상기 제 2 영역들(420) 사이의 경계와 연속될 수 있다. 각 하부 발광 전극(310)은 상기 포토 크로믹층(400)의 해당 제 1 영역(410)과 직접 접촉할 수 있다. 상기 하부 발광 전극들(310)은 상기 포토 크로믹층(400)의 해당 제 1 영역(410)을 통해 해당 박막 트랜지스터(200)와 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 상기 하부 기판(100)을 향한 상기 하부 발광 전극(310)의 하부면의 수평 길이는 해당 발광 구조물(300R, 300B, 300G, 300W)을 향한 상기 포토 크로믹층(400)의 상기 제 1 영역(410)의 상부면의 수평 길이와 동일할 수 있다.The first regions 410 of the photochromic layer 400 may overlap with the lower luminous electrodes 310. For example, the side surface 310S of the lower light emitting electrodes 310 may be continuous with the boundary between the first regions 410 and the second regions 420 of the photochromic layer 400 . Each lower luminous electrode 310 may directly contact the corresponding first region 410 of the photochromic layer 400. The lower light emitting electrodes 310 may be electrically connected to the corresponding thin film transistor 200 through the first region 410 of the photochromic layer 400. For example, the horizontal length of the lower surface of the lower luminous electrode 310 toward the lower substrate 100 is equal to the horizontal length of the lower luminous structure 300R, 300B, 300G, 1 region 410 of the first embodiment.

상기 포토 크로믹층(400)의 상기 제 1 영역들(410)은 특정 색을 나타낼 수 있다. 상기 포토 크로믹층(400)의 상기 제 1 영역들(410)은 상기 포토 크로믹층(400)의 상기 제 2 영역들(420)보다 단단할 수 있다. 예를 들어, 상기 포토 크로믹층(400)의 상기 제 2 영역들(420)은 비정질 상태일 수 있다.The first regions 410 of the photochromic layer 400 may exhibit a specific color. The first regions 410 of the photochromic layer 400 may be harder than the second regions 420 of the photochromic layer 400. For example, the second regions 420 of the photochromic layer 400 may be in an amorphous state.

상기 포토 크로믹층(400)은 빛에 따라 색 및 물성이 변하는 광호변성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 포토 크로믹층(400)은 디아릴 에텐(diarylene) 및/또는 이의 화학물을 포함할 수 있다. 상기 포토 크로믹층(400)의 저항은 상기 하부 발광 전극(310)의 저항보다 높을 수 있다. 이에 따라 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 포토 크로믹층(400)이 균일한 두께를 가질 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 포토 크로믹층(400)에 의해 박막 트랜지스터(200)와 하부 발광 전극(310) 사이의 저항이 증가하는 것을 최소화할 수 있다.The photochromic layer 400 may include a photochromic material whose color and physical properties vary depending on light. For example, the photochromic layer 400 may comprise a diarylene and / or a chemical thereof. The resistance of the photochromic layer 400 may be higher than the resistance of the lower luminous electrode 310. Accordingly, in the display device according to the embodiment of the present invention, the photochromic layer 400 can have a uniform thickness. Accordingly, in the display device according to the embodiment of the present invention, the increase in resistance between the thin film transistor 200 and the lower luminous electrode 310 can be minimized by the photochromic layer 400.

본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 하부 기판(100)과 대향하는 상부 기판(500)을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 상부 기판(500)은 상기 상부 발광 전극(330) 상에 위치할 수 있다. 상기 상부 기판(500)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 상기 상부 기판(500)은 투명한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 상부 기판(500)은 유리 또는 플라스틱을 포함할 수 있다.The display device according to an embodiment of the present invention may further include an upper substrate 500 facing the lower substrate 100. For example, the upper substrate 500 may be positioned on the upper light emitting electrode 330. The upper substrate 500 may include an insulating material. The upper substrate 500 may include a transparent material. For example, the upper substrate 500 may comprise glass or plastic.

본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 상부 기판(500) 상에 위치하는 블랙 매트릭스(610)를 더 포함할 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(610)는 상기 하부 기판(100)의 상기 비발광 영역들(NEA)과 중첩할 수 있다. 예를 들어, 상기 포토 크로믹층(400)의 상기 제 2 영역들(420)은 상기 블랙 매트릭스(610)와 중첩할 수 있다.The display device according to the embodiment of the present invention may further include a black matrix 610 located on the upper substrate 500. The black matrix 610 may overlap the non-luminescent regions NEA of the lower substrate 100. For example, the second regions 420 of the photochromic layer 400 may overlap the black matrix 610.

본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 블랙 매트릭스(610) 사이에 위치하는 컬러 필터들(620R, 620B, 620G)을 더 포함할 수 있다. 상기 컬러 필터들(620R, 620B, 620G)은 상기 블랙 매트릭스(610)에 의해 노출된 상기 상부 기판(500) 상에 위치할 수 있다. 이상기 컬러 필터들(620R, 620B, 620G)은 상기 하부 기판(100)의 상기 발광 영역들(REA, BEA, GEA, WEA)과 중첩할 수 있다. 상기 포토 크로믹층(400)의 상기 제 1 영역들(410)은 상기 컬러 필터들(620R, 620B, 620G)과 중첩할 수 있다. 예를 들어, 상기 컬러 필터들(620R, 620B, 620G)는 상기 블랙 매트릭스(610) 상으로 연장할 수 있다. 상기 컬러 필터들(620R, 620B, 620G)의 단부는 상기 블랙 매트릭스(610)와 중첩할 수 있다. 상기 컬러 필터들(620R, 620B, 620G)의 수평 길이는 상기 포토 크로믹층(400)의 상기 제 1 영역들(410)의 수평 길이보다 길 수 있다.The display device according to the embodiment of the present invention may further include color filters 620R, 620B, and 620G positioned between the black matrixes 610. [ The color filters 620R, 620B, and 620G may be positioned on the upper substrate 500 exposed by the black matrix 610. The phase shifter color filters 620R, 620B, and 620G may overlap the light emitting regions REA, BEA, GEA, and WEA of the lower substrate 100. The first regions 410 of the photochromic layer 400 may overlap the color filters 620R, 620B, and 620G. For example, the color filters 620R, 620B, and 620G may extend onto the black matrix 610. The ends of the color filters 620R, 620B, and 620G may overlap with the black matrix 610. [ The horizontal length of the color filters 620R, 620B, and 620G may be longer than the horizontal length of the first regions 410 of the photochromic layer 400.

상기 컬러 필터들(620R, 620B, 620G)은 상기 발광 구조물(300R, 300B, 300G, 300W)에 의해 생상된 빛을 해당 발광 영역(REA, BEA, GEA, WEA)에 맞춰 변환할 수 있다. 상기 발광층(320)과 동일한 색을 나타내는 발광 영역(REA, BEA, GEA, WEA) 상에는 상기 컬러 필터(620R, 620B, 620G)가 배치되지 않을 수 있다. 예를 들어, 상기 컬러 필터들(620R, 620B, 620G)은 상기 하부 기판(100)의 상기 적색 발광 영역(REA) 상에 위치하는 적색 컬러 필터(620R), 상기 하부 기판(100)의 상기 청색 발광 영역(BEA) 상에 위치하는 청색 컬러 필터(620B) 및 상기 하부 기판(100)의 상기 녹색 발광 영역(GEA) 상에 위치하는 녹색 컬러 필터(620G)를 포함할 수 있다.The color filters 620R, 620B, and 620G may convert light emitted by the light emitting structures 300R, 300B, 300G, and 300W into corresponding light emitting regions REA, BEA, GEA, and WEA. The color filters 620R, 620B, and 620G may not be disposed on the light emitting regions REA, BEA, GEA, and WEA having the same color as the light emitting layer 320. [ For example, the color filters 620R, 620B, and 620G may include a red color filter 620R positioned on the red light emitting region REA of the lower substrate 100, A blue color filter 620B located on the light emitting region BEA and a green color filter 620G located on the green light emitting region GEA of the lower substrate 100. [

본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 하부 기판(100)과 상부 기판(500) 사이에 위치하는 충진제(700)를 더 포함할 수 있다. 상기 충진제(700)는 외부 충격에 의한 상기 발광 구조물(300R, 300B, 300G, 300W)의 손상을 방지할 수 있다. 예를 들어, 상기 충진제(700)는 상기 발광 구조물들(300R, 300B, 300G, 300W)과 상기 상부 기판(500) 사이의 공간을 채울 수 있다.The display device according to an embodiment of the present invention may further include a filler 700 positioned between the lower substrate 100 and the upper substrate 500. The filler 700 can prevent damage to the light emitting structures 300R, 300B, 300G, and 300W due to an external impact. For example, the filler 700 may fill a space between the light emitting structures 300R, 300B, 300G, and 300W and the upper substrate 500. [

본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 발광 구조물들(300R, 300B, 300G, 300W)이 충진제(700)와 직접 접촉하는 것으로 설명된다. 그러나, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 발광 구조물들(300R, 300B, 300G, 300W)과 충진제(700) 사이에 위치하는 상부 보호막을 더 포함할 수 있다. 상기 상부 보호막은 외부 충격 및 수분으로부터 발광 구조물들(300R, 300B, 300G, 300W)을 보호할 수 있다. 상기 상부 보호막은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 상기 상부 보호막은 다중층 구조일 수 있다. 예를 들어, 상기 상부 보호막은 무기 물질을 포함하는 무기막들 사이에 유기 물질을 포함하는 유기막이 위치하는 구조일 수 있다.The display device according to the embodiment of the present invention is described in which the light emitting structures 300R, 300B, 300G, and 300W are in direct contact with the filler 700. However, the display device according to another embodiment of the present invention may further include a top protective layer disposed between the light emitting structures 300R, 300B, 300G, and 300W and the filler 700. FIG. The upper protective film may protect the light emitting structures 300R, 300B, 300G, and 300W from external impact and moisture. The upper protective film may include an insulating material. The upper protective film may have a multilayer structure. For example, the upper protective film may have a structure in which an organic film containing an organic material is positioned between inorganic films including an inorganic material.

결과적으로 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 포토 크로믹층(400)의 제 1 영역들(410) 상에 위치하는 하부 발광 전극들(310)의 측면(310S)이 모서리를 갖지 않아 전계 집중이 방지됨으로써, 발광층(320)을 통해 인접한 하부 발광 전극들(310) 사이를 절연할 수 있다. 이에 따라 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 하부 발광 전극들(310)의 측면(310S)을 덮는 뱅크 절연막이 필요치 않을 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 뱅크 절연막에 의한 발광 영역의 감소가 방지될 수 있다.As a result, in the display device according to the embodiment of the present invention, the side surfaces 310S of the lower light emitting electrodes 310 located on the first regions 410 of the photochromic layer 400 do not have edges, It is possible to isolate the adjacent lower luminous electrodes 310 through the luminous layer 320. [ Accordingly, in the display device according to the embodiment of the present invention, a bank insulating film covering the side surface 310S of the lower light emitting electrodes 310 may not be required. Therefore, in the display device according to the embodiment of the present invention, the reduction of the light emitting area due to the bank insulating film can be prevented.

본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 컬러 필터들(620R, 620B, 620G)이 상부 기판(500) 상에 위치하는 것으로 설명된다. 그러나, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 도 3에 도시된 바와 같이, 각 컬러 필터(620R, 620G, 620W)가 해당 발광 구조물(300R, 300B, 300G, 300W) 상에 위치할 수 있다. 상기 컬러 필터들(620R, 620B, 620G)의 단부는 포토 크로믹층(400)의 제 2 영역들(420)과 중첩할 수 있다. 이에 따라 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 뱅크 절연막에 의한 발광 영역의 감소가 효과적으로 방지될 수 있다.The display device according to the embodiment of the present invention is described as being positioned on the upper substrate 500 with the color filters 620R, 620B, and 620G. 3, the color filters 620R, 620G, and 620W may be disposed on the light emitting structures 300R, 300B, 300G, and 300W, respectively, . The ends of the color filters 620R, 620B, and 620G may overlap with the second regions 420 of the photochromic layer 400. Accordingly, in the display device according to the embodiment of the present invention, the reduction of the light emitting region due to the bank insulating film can be effectively prevented.

본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 상부 기판(500) 상에 위치하는 블랙 매트릭스(610)를 포함하는 것으로 설명된다. 그러나, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 블랙 매트릭스(610)를 포함하지 않을 수 있다. 예를 들어, 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 인접한 컬러 필터들(620R, 620G, 620W)의 단부가 하부 기판(100)의 비발광 영역들(NEA) 상에서 중첩될 수 있다. 이에 따라 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 뱅크 절연막 및 블랙 매트릭스가 필요치 않을 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 공정 효율 및 발광 효율이 효과적으로 향상될 수 있다.A display device according to an embodiment of the present invention is described as including a black matrix 610 located on an upper substrate 500. However, the display device according to another embodiment of the present invention may not include the black matrix 610. [ For example, as shown in FIG. 4, a display device according to another embodiment of the present invention includes a plurality of color filters 620R, 620G, and 620W, Lt; / RTI > Accordingly, in the display device according to the embodiment of the present invention, the bank insulating film and the black matrix may not be required. Therefore, in the display device according to the embodiment of the present invention, the process efficiency and the luminous efficiency can be effectively improved.

도 5a 내지 5c는 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치의 형성 방법을 순차적으로 나타낸 도면들이다.5A to 5C are views sequentially illustrating a method of forming a display device according to an embodiment of the present invention.

도 1, 2a, 2b 및 5a 내지 5c를 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치의 형성 방법을 설명한다. 먼저, 도 5a를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치의 형성 방법은 하부 기판(100) 상에 버퍼 절연막(110)을 형성하는 단계, 상기 버퍼 절연막(110) 상에 박막 트랜지스터들(200)을 형성하는 단계, 상기 박막 트랜지스터들(200) 상에 하부 보호막(130)을 형성하는 단계, 상기 하부 보호막(130) 상에 오버 코트층(140)을 형성하는 단계, 상기 오버 코트층(140)에 각 박막 트랜지스터(200)의 일부 영역과 중첩하는 상부 컨택홀들(141h)을 형성하는 단계, 상기 하부 보호막(130)에 상기 상부 컨택홀들(141h)과 중첩하는 하부 컨택홀들(131h)을 형성하는 단계 및 각 박막 트랜지스터(200)의 일부 영역을 노출하는 상기 오버 코트층(140) 상에 비정질 상태의 포토 크로믹층(400)을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.A method of forming a display device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to Figs. 1, 2A, 2B and 5A to 5C. 5A, a method of forming a display device according to an exemplary embodiment of the present invention includes forming a buffer insulating layer 110 on a lower substrate 100, forming thin film transistors (not shown) on the buffer insulating layer 110, 200, forming a lower protective layer 130 on the thin film transistors 200, forming an overcoat layer 140 on the lower protective layer 130, forming the overcoat layer 130, Forming upper contact holes 141h overlapping a portion of each of the thin film transistors 200 in the lower protective film 130 and lower contact holes 141h overlapping the upper contact holes 141h, And forming a photochromic layer 400 in an amorphous state on the overcoat layer 140 exposing a portion of each of the thin film transistors 200. In this case,

상기 포토 크로믹층(400)은 빛에 따라 색 및 물성이 변하는 광호변성 물질(photo-chromic material)로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 포토 크로믹층(400)은 디아릴 에텐(diarylene) 및/또는 이의 화합물로 형성될 수 있다. 상기 포토 크로믹층(400)을 형성하는 단계는 상기 오버 코트층(140) 상에 광호변성 물질을 증착하는 단계를 포함할 수 있다. 이에 따라 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치의 형성 방법에서는 포토 크로믹층(400)이 균일한 두께로 형성될 수 있다.The photochromic layer 400 may be formed of a photo-chromic material having a change in color and physical properties depending on light. For example, the photochromic layer 400 may be formed of a diarylene and / or a compound thereof. The step of forming the photochromic layer 400 may include depositing a photochromic material on the overcoat layer 140. Accordingly, in the method of forming a display device according to an embodiment of the present invention, the photochromic layer 400 can be formed with a uniform thickness.

도 5b에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 포토 크로믹층(400)의 일부 영역을 노광하는 단계를 포함할 수 있다.As shown in FIG. 5B, the display device according to the embodiment of the present invention may include a step of exposing a part of the photochromic layer 400.

상기 포토 크로믹층(400)의 일부 영역을 노광하는 단계는 마스크 패턴(900)을 이용할 수 있다. 상기 마스크 패턴(900)은 오픈 영역들(910) 및 차광 영역들(920)을 포함할 수 있다. 상기 마스크 패턴(900)의 상기 오픈 영역(910)에서는 조사되는 빛을 투과되어 상기 포토 크로믹층(400) 방향으로 진행될 수 있다. 상기 마스크 패턴(900)의 상기 차광 영역(920)에서는 조사되는 빛이 차단되어 상기 포토 크로믹층(400) 방향으로 진행되지 않을 수 있다. 예를 들어, 상기 마스크 패턴(900)을 이용한 상기 노광하는 단계에 의해 상기 포토 크로믹층(400)은 빛이 조사된 제 1 영역들(410) 및 빛이 조사되지 않은 제 2 영역들(420)을 포함할 수 있다. 상기 포토 크로믹층(400)의 상기 제 1 영역들(410)은 상기 마스크 패턴(900)의 상기 오픈 영역들(910)과 중첩할 수 있다. 상기 포토 크로믹층(400)의 상기 제 2 영역들(420)은 상기 마스크 패턴(900)의 상기 차광 영역들(920)과 중첩할 수 있다. 상기 포토 크로믹층(400)의 상기 제 2 영역들(420)은 상기 포토 크로믹층(400)의 상기 제 1 영역들(410) 사이에 위치할 수 있다.The step of exposing a part of the photochromic layer 400 may use a mask pattern 900. The mask pattern 900 may include open regions 910 and light shielding regions 920. In the open region 910 of the mask pattern 900, light can be transmitted through the open region 910 and travel in the direction of the photochromic layer 400. The light emitted from the light blocking region 920 of the mask pattern 900 may be cut off and may not travel toward the photochromic layer 400. For example, the photochromic layer 400 may include first regions 410 to which light is irradiated and second regions 420 to which light is not irradiated by the exposure using the mask pattern 900, . &Lt; / RTI > The first regions 410 of the photochromic layer 400 may overlap with the open regions 910 of the mask pattern 900. The second regions 420 of the photochromic layer 400 may overlap with the light shielding regions 920 of the mask pattern 900. The second regions 420 of the photochromic layer 400 may be positioned between the first regions 410 of the photochromic layer 400.

상기 포토 크로믹층(400)의 상기 제 1 영역들(410)은 조사되는 빛과 반응할 수 있다. 예를 들어, 상기 노광하는 단계는 자외선을 이용하여, 상기 포토 크로믹층(400)의 상기 제 1 영역들(410)이 특정 색을 나타내도록 하는 단계를 포함할 수 있다. 자외선 등의 빛이 조사된 상기 포토 크로믹층(400)의 상기 제 1 영역들(410)은 자외선 등의 빛이 조사되지 않은 상기 포토 크로믹층(400)의 상기 제 2 영역들(420)과 다른 물성을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 포토 크로믹층(400)의 상기 제 1 영역들(410)은 상대적으로 단단해질 수 있다. 상기 포토 크로믹층(400)의 상기 제 2 영역들(420)은 비정질 상태를 유지할 수 있다.The first regions 410 of the photochromic layer 400 may react with the irradiated light. For example, the step of exposing may include using ultraviolet light to cause the first areas 410 of the photochromic layer 400 to exhibit a particular color. The first regions 410 of the photochromic layer 400 irradiated with ultraviolet light or the like are irradiated with ultraviolet rays such as ultraviolet rays or the like from the second regions 420 of the photochromic layer 400, It can have physical properties. For example, the first regions 410 of the photochromic layer 400 may be relatively rigid. The second regions 420 of the photochromic layer 400 can maintain an amorphous state.

도 5c에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치의 형성 방법은 상기 제 1 영역들(410) 및 상기 제 2 영역들(420)을 포함하는 상기 포토 크로믹층(400) 상에 하부 발광 전극들(310)을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.5C, a method of forming a display device according to an exemplary embodiment of the present invention includes forming a first region 410 and a second region 420 on the photochromic layer 400 including the first regions 410 and the second regions 420 And forming the lower luminous electrodes 310.

상기 하부 발광 전극들(310)을 형성하는 단계는 증착 공정을 포함할 수 있다. 상기 하부 발광 전극들(310)은 반사율이 높은 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 하부 발광 전극들(310)을 형성하는 단계는 상기 포토 크로믹층(400) 상에 금속 물질을 공급하는 공정을 포함할 수 있다.The step of forming the lower light emitting electrodes 310 may include a deposition process. The lower light emitting electrodes 310 may be formed of a material having a high reflectivity. For example, the step of forming the lower light emitting electrodes 310 may include a step of supplying a metal material onto the photochromic layer 400.

상대적으로 단단한 상기 포토 크로믹층(400)의 상기 제 1 영역들(410) 상에 공급된 금속 물질은 상기 제 1 영역들(410) 상에 증착되어 상기 하부 발광 전극(310)을 형성할 수 있다. 비정질 상태인 상기 포토 크로믹층(400)의 상기 제 2 영역들(420) 상에 공급된 금속 물질은 초기에는 상기 제 2 영역들(420)의 표면에 흡착(adsorb)되지만, 시간이 지나면, 조금씩 이동하다가 상기 제 2 영역들(410)의 표면으로부터 탈착(desorb)될 수 있다. 이에 따라 상기 포토 크로믹층(400)의 상기 제 2 영역들(420) 상에는 금속 물질들이 증착되지 않아 하부 발광 전극(310)이 형성되지 않을 수 있다. 예를 들어, 상기 하부 발광 전극들(310)의 측면은 상기 포토 크로믹층(400)의 상기 제 1 영역들(410)과 상기 제 2 영역들(420) 사이의 경계와 연속될 수 있다.The metal material supplied on the first regions 410 of the relatively hard photochromic layer 400 may be deposited on the first regions 410 to form the lower luminous electrode 310 . The metal material supplied on the second regions 420 of the photochromic layer 400 in an amorphous state is initially adsorbed on the surface of the second regions 420. However, And may be desorbed from the surface of the second regions 410 while moving. Accordingly, metal materials are not deposited on the second regions 420 of the photochromic layer 400, so that the lower light emitting electrode 310 may not be formed. For example, the side surfaces of the lower light emitting electrodes 310 may be continuous with the boundaries between the first regions 410 and the second regions 420 of the photochromic layer 400.

상기 하부 발광 전극들(310)의 두께가 증가할수록 상기 포토 크로믹층(400)의 상기 제 1 영역들(410)의 영향을 작아질 수 있다. 이에 따라 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 도 2b에 도시된 바와 같이, 하부 발광 전극(310)의 측면(310S)이 정 테이퍼로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 하부 발광 전극(310)의 측면(310S)은 상기 하부 기판(100)으로부터 멀어질수록 상기 하부 발광 전극(310)의 중심 영역으로 휘어지는 곡면 형상으로 형성될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 포토 크로믹층(400)에 의해 하부 발광 전극들(310)의 측면(310S)이 모서리를 갖지 않을 수 있다.As the thickness of the lower light emitting electrodes 310 increases, the influence of the first regions 410 of the photochromic layer 400 can be reduced. Accordingly, in the display device according to the embodiment of the present invention, the side surface 310S of the lower light emitting electrode 310 may be formed as a constant taper, as shown in FIG. 2B. For example, the side surface 310S of the lower luminous electrode 310 may be curved so as to be curved toward the center of the lower luminous electrode 310 as the lower luminous electrode 310 is away from the lower substrate 100. [ Therefore, in the display device according to the embodiment of the present invention, the side surface 310S of the lower light emitting electrodes 310 may not have an edge due to the photochromic layer 400.

도 1, 2a 및 2b에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치의 형성 방법은 포토 크로믹층(400) 상에 하부 발광 전극들(310)을 덮는 발광층(320)을 형성하는 단계, 발광층(320) 상에 상부 발광 전극(330)을 형성하는 단계, 상부 발광 전극(330) 상에 블랙 매트릭스(610) 및 컬러 ?터들(620R, 620B, 620G)을 포함하는 상부 기판(500)을 배치하는 단계 및 상기 하부 기판(100)과 상기 상부 기판(500) 사이를 충진제(700)로 채우는 단계를 포함할 수 있다.1, 2A and 2B, a method of forming a display device according to an exemplary embodiment of the present invention includes forming a light emitting layer 320 covering a lower light emitting electrode 310 on a photochromic layer 400 The upper substrate 500 including the black matrix 610 and color gamers 620R, 620B, and 620G on the upper luminescent electrode 330, forming the upper luminescent electrode 330 on the luminescent layer 320, And filling the space between the lower substrate 100 and the upper substrate 500 with the filler 700. [

상기 발광층(320)을 형성하는 단계는 상기 하부 발광 전극들(310) 외측으로 상기 발광층(320)을 연장하는 단계를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 발광층(320)을 형성하는 단계는 열을 이용한 증착 공정(thermal evaporation process)을 포함할 수 있다. 상기 발광층(320)은 상기 포토 크로믹층(400)의 상기 제 2 영역들(420) 상으로 연장할 수 있다.The forming of the light emitting layer 320 may include extending the light emitting layer 320 to the outside of the lower light emitting electrodes 310. For example, the step of forming the light emitting layer 320 may include a thermal evaporation process. The light emitting layer 320 may extend onto the second regions 420 of the photochromic layer 400.

결과적으로 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치의 제조 방법은 포토 크로믹층(400)의 특성을 이용하여 하부 발광 전극들(310)을 패터닝 공정 없이 형성함으로써, 각 하부 발광 전극(310)의 측면(310S)이 전계가 집중되는 모서리를 포함하지 않도록 형성될 수 있다. 이에 따라 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치의 제조 방법은 전계 집중에 의한 발광층(320)의 손상을 방지하며, 발광층(320)으로 하부 발광 전극들(310)의 가장 자리를 덮을 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치의 제조 방법에서는 전계 집중을 방지하기 위한 뱅크 절연막이 형성되지 않아 공정 시간이 단축되고, 공정 효율 및 발광 효율이 향상될 수 있다.As a result, the manufacturing method of a display device according to an exemplary embodiment of the present invention includes forming the lower light emitting electrodes 310 without the patterning process by using the characteristics of the photochromic layer 400, 310S may be formed so as not to include the corners where the electric field is concentrated. Accordingly, the manufacturing method of the display device according to the embodiment of the present invention can prevent the damage of the light emitting layer 320 due to the concentration of the electric field and cover the edges of the lower light emitting electrodes 310 with the light emitting layer 320. Therefore, in the method of manufacturing a display device according to the embodiment of the present invention, since the bank insulating film for preventing the field concentration is not formed, the process time can be shortened, and the process efficiency and luminous efficiency can be improved.

100 : 하부 기판 130 : 하부 보호막
140 : 하부 오버 코트층 150 : 상부 오버 코트층
200 : 박막 트랜지스터 310 : 연결 전극
320 : 보조 전극 500 : 발광 구조물
600 : 캡핑 절연막100: lower substrate 130: lower protective film
140: lower overcoat layer 150: upper overcoat layer
200: thin film transistor 310: connection electrode
320: auxiliary electrode 500: light emitting structure
600: capping insulating film

Claims

A light emitting structure including a lower light emitting electrode, a light emitting layer, and an upper light emitting electrode, which are disposed on a lower substrate and are stacked in order; And
And a photochromic layer positioned between the lower substrate and the lower luminous electrode.

The method according to claim 1,
Wherein the photochromic layer comprises a diarylene compound.

The method according to claim 1,
Wherein the photochromic layer exhibits a constant color.

The method according to claim 1,
Wherein the lower luminous electrode comprises a metal layer in contact with the photochromic layer.

The method according to claim 1,
Wherein a length of a lower surface of the lower light emitting electrode toward the lower substrate is longer than a length of an upper surface of the lower light emitting electrode toward the light emitting layer.

6. The method of claim 5,
And the upper end of the side of the lower luminous electrode is curved.

A photochromic layer comprising first regions located on the lower substrate and second regions located between the first regions;
Lower light emitting electrodes positioned on the first regions of the photochromic layer;
A light emitting layer disposed on the lower light emitting electrodes and extending on the second regions of the photochromic layer; And
And an upper light emitting electrode disposed on the light emitting layer,
Wherein the first areas are harder than the second areas.

8. The method of claim 7,
Wherein the second regions of the photochromic layer are amorphous.

8. The method of claim 7,
Wherein a side of the lower luminous electrodes is continuous with a boundary between the first areas and the second areas of the photochromic layer.

10. The method of claim 9,
And the side surfaces of the lower light emitting electrodes have a constant taper.

8. The method of claim 7,
And a black matrix disposed on an upper substrate facing the lower substrate and overlapping with the second regions of the photochromic layer.

12. The method of claim 11,
Further comprising color filters overlapping the first areas of the photochromic layer,
Wherein a horizontal length of the color filters is longer than a horizontal length of the first areas of the photochromic layer.