KR20190042005A - 경질 재료 및 절삭 공구 - Google Patents

경질 재료 및 절삭 공구 Download PDF

Info

Publication number
KR20190042005A
KR20190042005A KR1020197004407A KR20197004407A KR20190042005A KR 20190042005 A KR20190042005 A KR 20190042005A KR 1020197004407 A KR1020197004407 A KR 1020197004407A KR 20197004407 A KR20197004407 A KR 20197004407A KR 20190042005 A KR20190042005 A KR 20190042005A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
powder
hard
hard phase
phase
less
Prior art date
Application number
KR1020197004407A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102331061B1 (ko
Inventor
마사토 미치우치
고스케 후카에
게이이치 즈다
Original Assignee
스미토모덴키고교가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 스미토모덴키고교가부시키가이샤 filed Critical 스미토모덴키고교가부시키가이샤
Publication of KR20190042005A publication Critical patent/KR20190042005A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102331061B1 publication Critical patent/KR102331061B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C29/00—Alloys based on carbides, oxides, nitrides, borides, or silicides, e.g. cermets, or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides
    • C22C29/02—Alloys based on carbides, oxides, nitrides, borides, or silicides, e.g. cermets, or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides based on carbides or carbonitrides
    • C22C29/04—Alloys based on carbides, oxides, nitrides, borides, or silicides, e.g. cermets, or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides based on carbides or carbonitrides based on carbonitrides
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F7/00—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression
    • B22F7/06—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite workpieces or articles from parts, e.g. to form tipped tools
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23B—TURNING; BORING
    • B23B27/00—Tools for turning or boring machines; Tools of a similar kind in general; Accessories therefor
    • B23B27/14—Cutting tools of which the bits or tips or cutting inserts are of special material
    • B23B27/148—Composition of the cutting inserts
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C29/00—Alloys based on carbides, oxides, nitrides, borides, or silicides, e.g. cermets, or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides
    • C22C29/005—Alloys based on carbides, oxides, nitrides, borides, or silicides, e.g. cermets, or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides comprising a particular metallic binder
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C29/00—Alloys based on carbides, oxides, nitrides, borides, or silicides, e.g. cermets, or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides
    • C22C29/02—Alloys based on carbides, oxides, nitrides, borides, or silicides, e.g. cermets, or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides based on carbides or carbonitrides
    • C22C29/06—Alloys based on carbides, oxides, nitrides, borides, or silicides, e.g. cermets, or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides based on carbides or carbonitrides based on carbides, but not containing other metal compounds
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F5/00—Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the special shape of the product
    • B22F2005/001—Cutting tools, earth boring or grinding tool other than table ware
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23B—TURNING; BORING
    • B23B2224/00—Materials of tools or workpieces composed of a compound including a metal
    • B23B2224/32—Titanium carbide nitride (TiCN)
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23B—TURNING; BORING
    • B23B2228/00—Properties of materials of tools or workpieces, materials of tools or workpieces applied in a specific manner
    • B23B2228/10—Coatings
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23C—MILLING
    • B23C2228/00—Properties of materials of tools or workpieces, materials of tools or workpieces applied in a specific manner
    • B23C2228/10—Coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C1/00—Making non-ferrous alloys
    • C22C1/04—Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
    • C22C1/05—Mixtures of metal powder with non-metallic powder
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/0664—Carbonitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/36—Carbonitrides

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)
  • Cutting Tools, Boring Holders, And Turrets (AREA)

Abstract

탄질화티탄을 주성분으로 하는 제1 경질상과, 철족 원소를 주성분으로 하는 결합상을 포함하는 경질 재료로서, 상기 제1 경질상은 그 경질 재료의 임의의 표면 또는 단면에 있어서, 면적 기준의 입도 분포에 있어서의 누적 50％의 입경(粒徑)(D50)이 1.0 ㎛ 이상이고, D50 이상의 입경을 갖는 제1 경질상의 평균 애스펙트비가 2.0 이하인 것인 경질 재료가 제공된다.

Description

경질 재료 및 절삭 공구
본 발명은 경질 재료 및 절삭 공구에 관한 것이다. 본 출원은 2016년 8월 22일 출원된 일본 출원 제2016-161987호에 기초한 우선권을 주장하며, 상기 일본 출원에 기재된 모든 기재 내용을 원용하는 것이다.
특허문헌 1에는 절삭 공구(경질 재료)의 원료로서 탄질화티탄 분말이 개시되어 있다. 이 탄질화티탄 분말의 제조 방법으로서, 수소화티탄과 탄소분을 원료로 하여, 이들을 볼 밀로 혼합 및 분쇄하고, 질소 함유 분위기 중에서 1400∼1700℃의 온도로 열처리하고, 그 후 3 ㎛ 이하(시험예에서는 1.5 ㎛ 이하)의 평균 입경(粒徑)까지 분쇄하는 것이 개시되어 있다.
특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2002-60802호 공보
본 개시에 따른 경질 재료는,
탄질화티탄을 주성분으로 하는 제1 경질상과, 철족 원소를 주성분으로 하는 결합상을 포함하는 경질 재료로서,
상기 제1 경질상은 그 경질 재료의 임의의 표면 또는 단면에 있어서,
면적 기준의 입도 분포에 있어서의 누적 50％의 입경(D50)이 1.0 ㎛ 이상이고,
D50 이상의 입경을 갖는 제1 경질상의 평균 애스펙트비가 2.0 이하이다.
본 개시에 따른 절삭 공구는, 상기 본 개시에 따른 경질 재료를 기재로서 이용한다.
도 1은 시험예 1에 있어서의 시료 No.1-1의 탄질화티탄 분말의 전계 방출형 주사 전자 현미경 사진이다.
도 2는 시험예 1에 있어서의 시료 No.1-11의 탄질화티탄 분말의 전계 방출형 주사 전자 현미경 사진이다.
도 3은 시험예 1에 있어서의 시료 No.1-12의 탄질화티탄 분말의 전계 방출형 주사 전자 현미경 사진이다.
도 4는 시험예 2에 있어서의 시료 No.2-1의 경질 재료의 단면의 전계 방출형 주사 전자 현미경 사진이다.
도 5는 시험예 2에 있어서의 시료 No.2-11의 경질 재료의 단면의 전계 방출형 주사 전자 현미경 사진이다.
도 6은 시험예 2에 있어서의 시료 No.2-12의 경질 재료의 단면의 전계 방출형 주사 전자 현미경 사진이다.
[본 개시가 해결하고자 하는 과제]
최근, 절삭 가공에 있어서 피삭재의 난삭화가 진행되어, 가공 형상도 더욱 복잡화하는 등, 절삭 공구의 사용 조건이 과혹해져 있어, 더욱 높은 파괴 인성 및 열전도율을 갖는 경질 재료가 요구되고 있다.
특허문헌 1에 개시되는 탄질화티탄 분말은 평균 입경이 비교적 작기 때문에, 이 분말을 원료로서 제조한 경질 재료는, 탄질화티탄을 주성분으로 하는 경질상이 미립이고, 경도가 우수한 한편, 파괴 인성의 저하를 초래하기 쉽다. 또한, 이 탄질화티탄 분말은 혼합과 함께 분쇄를 행하여 제조되고 있기 때문에, 분말의 입경에 편차가 생기기 쉽다. 분말의 입경에 편차가 있는 경우, 경질 재료의 제조 과정에 있어서 용해 재석출이 생기기 쉬워, 탄질화티탄과 부첨가 탄화물(예컨대, 탄화텅스텐이나 탄화니오븀 등)이 상호 고용한 주변 조직의 성장이 촉진되고, 이 주변 조직의 비대화에 의해 열전도율의 저하를 초래하기 쉽다.
그래서, 파괴 인성 및 열전도율이 우수한 경질 재료를 제공하는 것을 목적의 하나로 한다. 또한, 파괴 인성 및 열전도율이 우수한 절삭 공구를 제공하는 것을 별도의 목적의 하나로 한다.
[본 개시의 효과]
상기 경질 재료 및 상기 절삭 공구는 파괴 인성 및 열전도율이 우수하다.
[본 발명의 실시형태의 설명]
먼저, 본 발명의 실시형태의 내용을 열기하여 설명한다.
(1) 본 발명의 실시형태에 따른 경질 재료는,
탄질화티탄을 주성분으로 하는 제1 경질상과, 철족 원소를 주성분으로 하는 결합상을 포함하는 경질 재료로서,
상기 제1 경질상은 그 경질 재료의 임의의 표면 또는 단면에 있어서,
면적 기준의 입도 분포에 있어서의 누적 50％의 입경(D50)이 1.0 ㎛ 이상이고,
D50 이상의 입경을 갖는 제1 경질상의 평균 애스펙트비가 2.0 이하이다.
탄질화티탄을 주성분으로 하는 제1 경질상은 D50이 1.0 ㎛ 이상인, 즉 조립(粗粒)임으로써, 균열 진전의 억제 효과(크랙 우회 효과)에 의해 파괴 인성을 향상시킬 수 있다.
탄질화티탄을 주성분으로 하는 제1 경질상은 D50 이상의 입경을 갖는 조립의 제1 경질상의 평균 애스펙트비가 2.0 이하임으로써, 진전해 온 균열이 입자 내에 전파되는 것을 억제할 수 있다. 이 평균 애스펙트비가 2.0 이하인 조립의 제1 경질상, 즉 단면이 원형에 가까운 형상의 조립의 제1 경질상은, 예컨대 원료로서 균일한 입도 분포를 갖는 탄질화티탄 분말을 이용하고, 제조 과정에 있어서 과도한 분쇄를 행하지 않음으로써 얻어진다. 특허문헌 1에 개시되는 탄질화티탄 분말과 같이 입도 분포가 불균일한 경우, 소결성이 낮아, 소결성을 개선하기 위해 과도한 분쇄를 행할 필요가 있다. 그러나, 과도한 분쇄를 행하면, 탄질화티탄 분말이 미분쇄되어, 액상 소결 중에 오스트발트 성장(용해 재석출 현상)이 생기기 쉬워, 탄질화티탄과 부첨가 탄화물(예컨대, 탄화텅스텐이나 탄화니오븀 등)로 상호 고용체가 형성되기 쉽다. 이 상호 고용체는, 포논 산란에 의해 열전도율이 저하하는 경향이 있다. 또한, 과도한 분쇄를 행하면, 원료로서 단면 원형상의 것을 이용하였다고 해도, 분쇄에 의해 모난 이형 형상이 되고, 그대로 소결 후의 조직에 반영되기 때문에, 평균 애스펙트비가 2.0 초과인 경질상이 형성되기 쉽다. 즉, 조립의 제1 경질상의 평균 애스펙트비가 2.0 이하인 것에 의해, 그 제조 과정에 있어서 미분말의 발생과, 이 미분말에 수반되는 상기 상호 고용체의 형성을 억제할 수 있기 때문에, 경질 재료의 열전도율을 향상시킬 수 있다.
(2) 상기 경질 재료의 일례로서, 상기 제1 경질상은 상기 임의의 표면 또는 단면에 있어서, 면적 기준의 입도 분포에 있어서의 누적 20％의 입경(D20)이 0.7 ㎛ 이상인 것을 들 수 있다.
D20이 0.7 ㎛ 이상인, 즉 면적률 80％ 이상의 제1 경질상의 입경이 0.7 ㎛ 이상임으로써, 경질 재료의 파괴 인성 및 열전도율을 더욱 향상시킬 수 있다.
(3) 상기 경질 재료의 일례로서, 상기 임의의 표면 또는 단면에 있어서의 상기 제1 경질상의 면적 비율이 30％ 이상인 것을 들 수 있다.
제1 경질상의 면적 비율이 30％ 이상임으로써, 경질 재료의 열전도율을 더욱 향상시킬 수 있다.
(4) 상기 경질 재료의 일례로서, 주기표 4, 5, 6족 원소에서 선택되는 1종 이상의 금속 원소를 포함하는 탄화물, 질화물, 탄질화물 및 이들의 상호 고용체의 1종 이상(단, 탄질화티탄은 제외함)로 이루어지는 제2 경질상을 더 포함하는 것을 들 수 있다.
제2 경질상을 더 가짐으로써, 경도가 우수한 경질 재료로 할 수 있다.
(5) 본 발명의 실시형태에 따른 절삭 공구는 상기 (1) 내지 (4) 중 어느 하나에 기재된 경질 재료를 기재로서 이용한다.
상기 절삭 공구는 파괴 인성 및 열전도율이 우수한 경질 재료를 기재에 포함함으로써, 더욱 엄격한 절삭 조건에 대응한 가공이나, 장수명화 등을 실현할 수 있다.
(6) 상기 절삭 공구의 일례로서, 상기 기재의 표면의 적어도 일부에 피복된 경질막을 포함하는 것을 들 수 있다.
기재의 표면에 경질막을 포함함으로써, 절삭 공구의 내마모성 등을 개선할 수 있다. 따라서, 상기 절삭 공구는 더욱 엄격한 절삭 조건에의 대응이나, 추가적인 장수명화 등을 실현할 수 있다.
[본 발명의 실시형태의 상세]
본 발명의 실시형태의 상세를 이하에 설명한다. 또한, 본 발명은 이들 예시에 한정되는 것이 아니며, 청구범위에 의해 나타나고, 청구범위와 균등의 의미 및 범위 내에서의 모든 변경이 포함되는 것이 의도된다.
〔경질 재료〕
실시형태의 경질 재료는 경질상과, 경질상을 결합하는 결합상과, 불가피 불순물에 의해 구성된다. 경질상은 탄질화티탄(TiCN)을 주성분으로 하는 제1 경질상과, 필요에 따라 제1 경질상과는 상이한 제2 경질상을 포함한다. 불가피 불순물은 원료에 함유하거나, 제조 공정에서 혼입하거나 하는, 산소나 ppm 오더(질량 비율)의 금속 원소를 들 수 있다. 실시형태의 경질 재료는 제1 경질상이 조립 또한 단면 원형상인 것을 특징의 하나로 한다.
각 경질상의 조성은 경질 재료의 표면 또는 단면을 광학 현미경으로 관찰하거나, 경질 재료의 표면 또는 단면을 주사형 전자 현미경(SEM)으로 에너지 분산형 X선(EDS)에 의한 분석(EDS 면분석)을 이용한 화상 해석을 행하거나 함으로써, 용이하게 특정할 수 있다.
≪경질상≫
·제1 경질상
제1 경질상은 TiCN을 주성분으로 한다. 여기서, TiCN을 주성분으로 하는 제1 경질상이란, 실질적으로 TiCN만으로 구성되는 양태를 말한다. 물론, 제조 공정에서 혼입하거나 하는 수 질량％ 정도(0.01 질량％ 이상 2.0 질량％ 이하 정도)의 불가피 불순물(예컨대, 텅스텐)을 함유하고 있어도 좋다. 제1 경질상은 그 조직 형태로서, 경질 재료 중에 단독 석출 입자로서 존재하여도 좋고, 그 주위의 적어도 일부에 후술하는 제2 경질상이 피복된 소위 코어를 갖는 구조를 구성함으로써 존재하여도 좋다. 어느 형태라도, TiCN의 부분을 제1 경질상으로 한다.
제1 경질상은 경질 재료의 임의의 표면 또는 단면에 있어서, 면적 기준의 입도 분포에 있어서의 누적 50％의 입경(D50)이 1.0 ㎛ 이상을 만족시킨다. 즉, 제1 경질상은 조립이다. 제1 경질상이 조립임으로써, 균열 진전의 억제 효과(크랙 우회 효과)에 의해 경질 재료의 파괴 인성을 향상시킬 수 있다. 제1 경질상의 D50은, 더욱 1.2 ㎛ 이상, 특히 1.6 ㎛ 이상인 것이 바람직하다.
또한, 여기서 「입경」은 최대 페렛경(Feret diameter)이고, 경질 재료의 임의의 표면 또는 단면을 경면 가공하고, 그 가공면을 현미경으로 촬영하여, 그 촬영 화상을 화상 해석함으로써 구해진다. 측정하는 제1 경질상의 수는 적어도 100개 이상으로 하고, 더욱 200개 이상으로 하는 것이 바람직하다. 또한, 동일한 경질 재료에 있어서, 복수의 시야로 상기 화상 해석을 행하여, 그 평균값을 제1 경질상의 입경으로 하는 것이 바람직하다. 시야수는 5시야 이상, 7시야 이상으로 하는 것이 더욱 바람직하다.
경면 가공의 방법으로서는, 예컨대 다이아몬드 페이스트로 연마하는 방법, 크로스 섹션 폴리셔 장치(CP 장치)를 이용하는 방법 및 이들을 조합하는 방법 등을 들 수 있다. 현미경의 종류로서는 주사형 전자 현미경(SEM), 전계 방출형 주사 전자 현미경 사진(FE-SEM) 등을 들 수 있다. 현미경으로 촬영한 촬영 화상을 컴퓨터에 취입하고, 화상 해석 소프트웨어(예컨대 「ImageJ」)를 이용하여 해석하여, 입경 등의 각종 정보를 취득한다. 화상 해석 소프트웨어 「ImageJ」를 이용한 해석 방법은 후술하는 시험예에서 상세하게 서술한다.
제1 경질상은 D50 이상의 입경을 갖지만 평균 애스펙트비가 2.0 이하를 만족시킨다. 즉, 조립의 제1 경질상은 단면이 원형에 가까운 형상이다. 조립의 제1 경질상이 단면 원형상임으로써, 결과적으로 제1 경질상을 둘러싸는 주변 조직[탄질화티탄과 부첨가 탄화물(탄화텅스텐이나 탄화니오븀 등)의 상호 고용체]의 성장이 억제되어 열전도율을 향상시킬 수 있다. 제1 경질상의 애스펙트비는, 더욱 1.8 이하, 특히 1.7 이하인 것이 바람직하다.
또한, 여기서 「애스펙트비」는 경질 재료의 임의의 표면 또는 단면에 있어서의 제1 경질상의 형상을 타원에 근사하게 했을 때의 장축에 대한 단축의 비(장축/단축)이고, 전술한 입경과 마찬가지로, 경질 재료의 임의의 표면 또는 단면을 경면 가공하고, 그 가공면을 현미경으로 촬영하여, 그 촬영 화상을 화상 해석 소프트웨어에 의해 해석함으로써 구해진다.
제1 경질상은 경질 재료의 임의의 표면 또는 단면에 있어서, 면적 기준의 입도 분포에 있어서의 누적 20％의 입경(D20)이 0.7 ㎛ 이상을 만족시키는 것이 바람직하다. D20이 0.7 ㎛ 이상인, 즉 면적률 80％ 이상의 제1 경질상의 입경이 0.7 ㎛ 이상임으로써, 경질 재료의 파괴 인성 및 열전도율을 보다 향상시킬 수 있다. 제1 경질상의 D20은, 더욱 0.8 ㎛ 이상, 특히 1.0 ㎛ 이상인 것이 바람직하다.
제1 경질상은 경질 재료의 임의의 표면 또는 단면에 있어서의 면적 비율이 30％ 이상인 것이 바람직하다. 제1 경질상이 면적 비율로 30％ 이상 포함됨으로써, 경질 재료의 열전도율을 더욱 향상시킬 수 있다. 제1 경질상의 상기 면적 비율은, 더욱 35％ 이상, 특히 40％ 이상인 것이 바람직하다.
·제2 경질상
제2 경질상은 주기표 4, 5, 6족 원소에서 선택되는 1종 이상의 금속 원소를 포함하는 탄화물, 질화물, 탄질화물 및 이들의 상호 고용체의 1종 이상(단, 탄질화티탄을 제외함)으로 이루어진다. 주기표 4, 5, 6족 원소에서 선택되는 금속 원소로서는, 티탄(Ti), 텅스텐(W), 탄탈(Ta), 니오븀(Nb), 바나듐(V), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 지르코늄(Zr) 등을 들 수 있다.
구체적인 제2 경질상의 예로서는, 예컨대 WC, TiWC, TiWCN, TiWN, TiZrCN, TiTaCN, TiNbCN, TiVCN, TiCrCN, TiMoCN 등의 Ti를 함유하는 2원계의 복합 탄질화물 고용체, TiZrNbCN 등의 3원계의 복합 탄질화물 고용체, TiZrWNbCN, TiZrWTaNbCN 등의 다원계의 복합 탄질화물 고용체, 또한 Ti를 함유하지 않는 NbWC, NbWCN 등도 들 수 있다.
제2 경질상의 입경은 특별히 한정되지 않지만, 일례로서, 면적 기준의 입도 분포에 있어서의 누적 50％의 입경(D50)이 0.5 ㎛ 이상 3.0 ㎛ 이하인 것을 들 수 있다.
제2 경질상은 경질 재료의 임의의 표면 또는 단면에 대한 면적 비율이 20％ 이상 60％ 이하인 것을 들 수 있다. 제2 경질상이 면적 비율로 20％ 이상 포함됨으로써, 경도가 우수한 경질 재료로 할 수 있다. 한편, 제2 경질상의 면적 비율이 60％ 이하임으로써, 제1 경질상이 상대적으로 증가하기 때문에, 파괴 인성 및 열전도율이 우수한 경질 재료로 할 수 있다. 제2 경질상의 상기 면적 비율은, 더욱 25％ 이상 55％ 이하, 특히 25％ 이상 45％ 이하인 것을 들 수 있다.
경질 재료 중의 경질상의 비율은 경질 재료 전체의 80 체적％ 이상, 더욱 85 체적％ 이상으로 하는 것을 들 수 있다. 한편, 경질 재료 중의 경질상의 비율은 경질 재료 전체의 96 체적％ 이하, 더욱 90 체적％ 이하로 하는 것을 들 수 있다.
≪결합상≫
결합상은 철족 원소를 주성분으로 하여, 상기 경질상을 결합시킨다. 주성분이란, 결합상 전체의 50 질량％ 이상의 비율로 철족 원소를 포함하는 것을 말한다. 결합상을 구성하는 철족 원소로서는, 대표적으로는 니켈(Ni), 코발트(Co), 철(Fe) 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 이용하여도 좋고, 복수를 조합하여 이용하여도 좋다. 또한, 결합상은 경질상의 성분인 텅스텐이나 탄소, 그 외의 불가피한 성분을 포함하고 있어도 좋다.
또한, 결합상은 크롬(Cr) 및 바나듐(V) 중 적어도 한쪽을 포함하고 있어도 좋다. 이들 원소는 필요에 따라 경질 재료의 제조 과정에 있어서 이용되는 입성장 억제제 등에서 유래하여 포함될 수 있다. 이들 원소가 결합상 중에 존재하는 경우, 적어도 일부가 결합상에 고용된 상태로 존재한다고 생각된다.
결합상의 함유량은 경질 재료 전체에 대하여 4 체적％ 이상 20 체적％ 이하인 것이 바람직하다. 경질 재료 중의 결합상의 함유량이 4 체적％ 이상임으로써, 제조 시의 소결성의 악화를 방지하여, 결합상에 의해 경질상이 강고하게 결합되기 때문에, 강도가 높아, 결손이 생기기 어렵다. 또한, 경질 재료 중의 결합상의 함유량이 4 체적％ 이상임으로써, 경질 재료의 인성이 향상된다. 한편, 경질 재료 중의 결합상의 함유량이 20 체적％ 이하임으로써, 경질상이 상대적으로 감소하는 것에 따른 경질 재료의 경도의 저하를 억제하여, 내마모성이나 내소성 변형성의 저하를 억제할 수 있다. 경질 재료 중의 결합상의 함유량은, 더욱 10 체적％ 이상 20 체적％ 이하, 특히 10 체적％ 이상 15 체적％ 이하인 것이 바람직하다.
〔경질 재료의 제조 방법〕
전술한 경질 재료는 대표적으로는, 원료 분말의 준비⇒혼합⇒성형⇒소결이라고 하는 공정을 거쳐 제조할 수 있다. 이하, 각 공정에 대해서 자세히 설명한다.
≪준비 공정≫
준비 공정은 경질상 분말과 결합상 분말을 준비하는 공정이다. 경질상 분말로서, 제1 경질상이 되는 탄질화티탄(TiCN) 분말(제1 경질상 분말)을 준비한다. 또한, 필요에 따라, 경질상 분말로서, 주기표 4, 5, 6족 원소에서 선택되는 1종 이상의 금속 원소를 포함하는 탄화물, 질화물, 탄질화물 및 이들의 상호 고용체의 1종 이상(단, 탄질화티탄을 제외함)으로 이루어지는 분말(제2 경질상 분말)을 준비한다. 결합상 분말로서는, 결합상이 되는 철족 금속 분말을 준비한다.
경질 재료 중에 조립 또한 단면 원형상의 제1 경질상을 구성하는 조건의 하나로서, 조립 또한 균립(均粒)의 TiCN 분말을 이용하는 것을 들 수 있다. 또한, 각 입자의 형상이 구형상에 가까운 TiCN 분말을 이용하는 것을 들 수 있다. TiCN 분말은 체적 기준의 입도 분포에 있어서의 누적 50％의 입경을 D50, 누적 10％의 입경을 D10, 누적 90％의 입경을 D90으로 하였을 때, D50이 2.0 ㎛ 이상 6.0 ㎛ 이하를 만족시키우고(조립임), 또한 D10/D90이 0.20 이상 0.50 이하를 만족시키는(균립임) 것이 바람직하다. 이러한 조립·균립의 TiCN 분말은, 예컨대 이하와 같이 하여 얻어진다.
〈TiCN 분말의 제조 방법〉
TiCN 분말은 대표적으로는 원료 분말의 준비⇒혼합⇒조립⇒열처리⇒해쇄라고 하는 공정을 거쳐 제조할 수 있다.
(준비 공정)
분말 제조 시에 있어서의 준비 공정에서는, 산화티탄 분말과 탄소 분말을 포함하는 원료 분말을 준비한다. 원료 분말은 입도가 균질한 것을 이용함으로써, 후술하는 열처리 공정 후의 분말을 균립화하기 쉽다.
산화티탄 분말은 결정 구조가 아나타아제(anatase)형의 것이나 루틸(rutile)형의 것 등 어느 것이어도 좋고, 시판품을 이용할 수 있다. 산화티탄 분말의 평균 입경은 0.1 ㎛ 이상 1 ㎛ 이하인 것을 들 수 있다. 또한, 원료 분말의 평균 입경은 피셔 서브 시브 사이저(Fisher Sub-Sieve Sizer; FSSS)법에 따른 평균 입경(FSSS경)을 말한다. 산화티탄 분말의 평균 입경이 1 ㎛ 이하임으로써, 산화티탄 분말과 탄소 분말의 접촉 면적을 증대시킬 수 있어, 후술하는 열처리 공정에 있어서, 신속하게 환원·질화 반응을 행할 수 있다. 한편, 산화티탄 분말의 평균 입경이 0.1 ㎛ 이상임으로써, 원료 분말을 취급하기 쉽다. 산화티탄 분말의 평균 입경은, 더욱 0.3 ㎛ 이상 0.7 ㎛ 이하, 특히 0.45 ㎛ 이상 0.6 ㎛ 이하로 하는 것을 들 수 있다.
탄소 분말은 무정형 탄소(목탄, 철매, 코크스 등)를 이용할 수 있다. 탄소 분말의 평균 입경은 1 ㎛ 이하인 것을 들 수 있다. 탄소 분말의 평균 입경이 1 ㎛ 이하임으로써, 산화티탄 분말과 탄소 분말의 접촉 면적을 증대시킬 수 있어, 후술하는 열처리 공정에 있어서, 신속하게 환원·질화 반응을 행할 수 있다.
산화티탄 분말과 탄소 분말의 배합비는 후술하는 열처리 공정에 의해 얻어지는 TiCN 분말의 탄소와 질소의 비율에 맞추어 적절하게 선택할 수 있다. 산화티탄 분말과 탄소 분말의 배합비는, 예컨대 질량비로 74.3:25.7∼71.1:28.9, 더욱 73.5:26.5∼71.9:28.1, 특히 73.1:26.9∼72.3:27.7로 하는 것을 들 수 있다.
(혼합 공정)
분말 제조 시에 있어서의 혼합 공정에서는, 상기 준비 공정에서 준비한 원료 분말을 실질적으로 분쇄하는 일없이 혼합하여 혼합 분말을 얻는다. 조립·균립이며, 또한 각 입자의 형상이 구형상에 가까운 TiCN 분말로 하는 조건의 하나로서, 원료 분말이 분쇄되지 않는 혼합 조건으로 혼합하는 것을 들 수 있다. 원료 분말을 분쇄하는 일없이 혼합함으로써, 혼합 전의 원료 분말과 혼합 후의 혼합 분말에서 실질적으로 입도 및 형상에 변화가 없어, 원료 분말에 있어서의 균질한 입도 및 구형상을 유지한 채로 후술하는 열처리 공정을 행할 수 있다. 분말 제조 시에 있어서의 혼합 공정에 이용하는 장치로서는, 예컨대, 회전익에 의한 건식 기류 혼합기나, 초음파 습식 혼합기, 와류식 습식 혼합기 등을 이용할 수 있다. 예컨대, 헨쉘 믹서나 아트리토 등을 이용할 수 있다. 혼합 조건의 일례로서는, 헨쉘 믹서를 이용한 경우, 회전수: 1200 rpm 이상 1800 rpm 이하, 혼합 시간: 30분 이상 90분 이하로 하는 것을 들 수 있다.
(조립 공정)
분말 제조 시에 있어서의 조립 공정에서는, 상기 혼합 공정에서 얻은 혼합 분말을 조립 및 정립(整粒)하여 조립 분말을 얻는다. 조립에는 타정기나 압출 조립기 등을 이용한 공지의 조립 방법을 적용할 수 있다. 조립함으로써, 분말의 조작성을 향상시킬 수 있으며, 후술하는 열처리 공정 후의 분말의 품질 편차를 저감할 수 있다. 조립 바인더로서는, 특별히 한정되지 않고, 예컨대 덱스트린 등을 들 수 있다. 조립 분말의 형상도 특별히 한정되지 않고, 예컨대, φ3 ㎜∼5 ㎜ 정도의 구형이나, φ1 ㎜∼2 ㎜×길이 2 ㎜∼5 ㎜ 정도의 원기둥형, φ1 ㎜∼5 ㎜×높이 1 ㎜∼2 ㎜ 정도의 타블렛형으로 하는 것을 들 수 있다. 조립 분말이 지나치게 크면, 후술하는 열처리 공정에 있어서, 조립 분말의 중심부에 미반응 부분이 발생할 우려가 있기 때문에, 조립 분말의 중심부까지 질화 가능한 정도의 크기로 한다. 조립 및 정립한 후는 건조(150℃ 정도)시킨다.
(열처리 공정)
분말 제조 시에 있어서의 열처리 공정에서는, 상기 조립 공정에서 얻은 조립 분말을 질소 함유 분위기 중에서 가열하여 탄질화티탄 분말(조립물)을 얻는 공정이다. 조립의 TiCN 분말로 하는 조건의 하나로서, 열처리 온도를 2000℃ 초과 2500℃ 이하로 하는 것을 들 수 있다. 열처리 온도를 2000℃ 초과로 함으로써, 분말의 입성장을 촉진시킬 수 있어, 조립의 TiCN 분말을 얻을 수 있다. 한편, 열처리 온도를 2500℃ 이하로 함으로써, 과도한 입성장을 억제하여, 경질 재료를 제조할 때의 소결성을 확보할 수 있다. 열처리 온도는, 더욱 2050℃ 이상 2400℃ 이하, 특히 2150℃ 이상 2300℃ 이하로 하는 것이 바람직하다.
실온부터 상기 열처리 온도까지의 승온 속도는 5℃/min 이상으로 하는 것을 들 수 있다. 승온 속도를 5℃/min 이상으로 함으로써, 입성장에 따른 시간이 줄어들기 때문에, 이상한 입성장이 억제된다. 상기 열처리 온도까지의 승온 속도는, 더욱 10℃/min 이상, 특히 15℃/min 이상으로 하는 것이 바람직하다.
열처리 시간은 0.5시간 이상 2.0시간 이하로 하는 것을 들 수 있다. 열처리 시간을 0.5시간 이상으로 함으로써, 분말의 입성장을 촉진시키기 쉬워, 조립의 TiCN 분말을 얻을 수 있다. 한편, 열처리 시간을 2.0시간 이하로 함으로써, 분말끼리의 응집을 억제하기 쉽다. 열처리 시간은, 더욱 0.6시간 이상 1.5시간 이하, 특히 0.75시간 이상 1.25시간 이하로 하는 것이 바람직하다.
열처리의 분위기는 질소를 함유하는 분위기이고, 질소(N2)만인 단일 분위기, 또는 암모니아(NH3) 분위기, 또는 질소(N2)나 암모니아라고 하는 질소 원소를 포함하는 가스와 Ar이라고 하는 불활성 가스의 혼합 가스 분위기 등을 들 수 있다.
열처리에 사용하는 열처리 노로서는, 배치식의 진공 분위기로나, 연속식의 로터리 킬른로 등을 들 수 있다.
상기 열처리 온도에서의 가열 후는, 예컨대 5℃/min 이상 40℃/min 이하의 냉각 속도로 실온까지 냉각하는 것을 들 수 있다.
(해쇄 공정)
상기 열처리 공정에 의해 얻어지는 TiCN 분말은 조립물이다. 이 조립물을, 예컨대 유발에 의해 수해쇄(手解碎)함으로써, 입상의 TiCN 분말을 얻을 수 있다.
또한, 전술한 TiCN 분말의 제조 방법에 있어서, 조립 공정 및 해쇄 공정은 생략할 수 있다. 이 경우, 열처리 공정에서는, 혼합 공정에서 얻은 혼합 분말을 가열하면 좋다. 이 경우, 열처리 공정 후에 얻어지는 TiCN 분말은 입상이기 때문에, 해쇄 공정을 행할 필요는 없다.
〈TiCN 분말〉
전술한 TiCN 분말의 제조 방법에 따라 얻어진 TiCN 분말은, D50이 2.0 ㎛ 이상 6.0 ㎛ 이하를 만족시키고(조립임), 또한 D10/D90이 0.20 이상 0.50 이하를 만족시킨다(균립임). D50, D10, D90은 시판의 입도 분포 측정 장치(레이저 회절·산란식 입자경 분포 측정 장치)로 측정할 수 있다. 또한, 전술한 TiCN 분말의 제조 방법에 따라 얻어진 TiCN 분말은 구성하는 각 입자가 구형상에 가까운 형상을 갖는다.
TiCN 분말은 D50이 2.0 ㎛ 이상임으로써, 이 분말을 원료로서 제조한 경질 재료는 제1 경질상이 조립이며, 균열 진전의 억제 효과(크랙 우회 효과)에 의해 파괴 인성을 향상시킬 수 있다. TiCN 분말은 D50이 클수록, 얻어지는 경질 재료의 제1 경질상이 더욱 조대하지만, 경질 재료의 제조 과정에서의 소결성에 악영향을 끼친다. 따라서, TiCN 분말은 D50이 6.0 ㎛ 이하임으로써, 경질 재료를 제조할 때의 소결성을 확보할 수 있다. TiCN 분말은 D50이, 더욱 2.1 ㎛ 이상 4.0 ㎛ 이하, 특히 2.5 ㎛ 이상 3.5 ㎛ 이하인 것이 바람직하다.
TiCN 분말은 D10/D90이 0.20 이상임으로써, 입도 분포가 좁게 샤프하여, 이 분말을 원료로 하는 경질 재료의 제조 과정에서의 소결 시에 용해 재석출을 억제할 수 있다. 따라서, 이 분말을 원료로서 제조한 경질 재료는 제1 경질상이 균립화되어 있어, 제1 경질상을 둘러싸는 주변 조직의 성장이 억제되어 열전도율을 향상시킬 수 있다. 한편, TiCN 분말은 D10/D90이 0.50 이하임으로써, 경질 재료를 제조할 때의 소결성을 확보할 수 있다. TiCN 분말은 D10/D90이, 더욱 0.22 이상 0.45 이하, 특히 0.24 이상 0.40 이하인 것이 바람직하다.
TiCN 분말은 CuKαX선을 이용한 X선 회절에 의한 피크의 반치폭이 작은 것이 바람직하다. TiCN의 결정성은, 예컨대 반치폭에 의해 특정할 수 있다. TiCN의 결정성이 높을수록, 즉 TiCN의 결정 구조에 결함이 적을수록, 반치폭은 작고 날카로워지는 경향이 있다. TiCN의 결정성이 높을수록, 이 분말을 원료로서 제조한 경질 재료의 기계적 강도를 향상시킬 수 있다.
TiCN 분말은 (2,0,0)면, (2,2,0)면, (2,2,2)면의 각 피크의 반치폭이 모두 0.03° 이상 0.20° 이하인 것이 바람직하다. 상기 각 피크의 반치폭이 모두 0.03°이상 0.20°이하를 만족시킴으로써, TiCN의 결정성이 우수하고, 기계적 강도가 우수한 경질 재료를 얻을 수 있다. (2,0,0)면의 피크의 반치폭은, 더욱 0.06°이상 0.16°이하, 특히 0.09°이상 0.12°이하인 것이 바람직하다. (2,2,0)면의 피크의 반치폭은, 더욱 0.06°이상 0.16°이하, 특히 0.09°이상 0.12°이하인 것이 바람직하다. (2,2,2)면의 피크의 반치폭은, 더욱 0.05°이상 0.13°이하, 특히 0.07°이상 0.11°이하인 것이 바람직하다.
〈제2 경질상 분말〉
제2 경질상 분말은, 예컨대 탄화텅스텐(WC) 분말, 탄화탄탈(TaC) 분말, 탄화니오븀(NbC) 분말, 탄화바나듐(VC) 분말, 이탄화삼크롬(Cr3C2) 분말, 탄화이몰리브덴(Mo2C) 분말, 탄질화지르코늄(ZrCN) 분말 등을 들 수 있다. 제2 경질상 분말은 평균 입경이 0.2 ㎛ 이상 5.0 ㎛ 이하, 더욱 0.5 ㎛ 이상 2.0 ㎛ 이하로 하는 것을 들 수 있지만, 특별히 한정되지 않고, 경질 재료의 소결성을 저하시키지 않을 정도의 범위에서 적절하게 선택할 수 있다. 또한, 여기서 사용하는 제2 경질상 분말은 경질 재료의 소결 과정에 있어서 용해 재석출 반응에 의해 상호 고용체로 변화하는 경우가 있고, 경질 재료 중의 제2 경질상과, 원료로서의 제2 경질상 분말은 반드시 동일하지는 않다.
〈결합상 분말〉
결합상 분말은 코발트(Co) 분말이나 니켈(Ni) 분말 등을 들 수 있다. 결합상 분말은 평균 입경이 0.5 ㎛ 이상 2.0 ㎛ 이하, 더욱 0.8 ㎛ 이상 1.0 ㎛ 이하로 하는 것을 들 수 있지만, 특별히 한정되지 않고, 경질 재료의 소결성을 저하시키지 않을 정도의 범위에서 적절하게 선택할 수 있다.
≪혼합 공정≫
혼합 공정은 준비 공정에서 준비한 각 원료 분말을 혼합하는 공정이다. 경질 재료 중에 조립 또한 단면 원형상의 제1 경질상을 구성하는 조건의 하나로서, 준비한 원료 분말, 특히 TiCN 분말이 실질적으로 분쇄되지 않는 혼합 조건으로 혼합하는 것을 들 수 있다. 원료 분말을 분쇄하는 일없이 혼합함으로써, 혼합 전의 원료 분말과 혼합 후의 원료 분말에서 실질적으로 입도 및 형상에 변화가 없어, 원료 분말에 있어서의 균질한 입도 및 구형상을 유지한 채로 후술하는 소결 공정을 행할 수 있다. 혼합 공정에 이용하는 장치에는 공지의 장치를 이용할 수 있다. 예컨대, 아트리토, 회전 볼 밀 및 비드 밀 등을 이용할 수 있다. 혼합 조건은 습식 혼합이어도 건식 혼합이어도 좋다. 또한, 혼합은 물, 에탄올, 아세톤, 이소프로필알코올 등의 용매 중에서 행하여도 좋다.
≪성형 공정≫
성형 공정은 혼합 공정에서 얻어진 혼합 분말을 미리 정해진 형상으로 성형하여, 성형체를 얻는 공정이다. 성형 공정에 있어서의 성형 방법이나 성형 조건은 일반적인 방법이나 조건을 채용하면 좋고, 특별히 따지지 않는다. 미리 정해진 형상으로서는 예컨대 절삭 공구 형상으로 하는 것을 들 수 있다.
≪소결 공정≫
소결 공정은 성형 공정에서 얻어진 성형체를 소결하여, 소결체를 얻는 공정이다. 소결은 온도: 1400℃ 이상 1600℃ 이하, 시간: 0.25시간 이상 1.5시간 이하로 하는 것을 들 수 있다. 소결 시의 분위기는 특별히 한정되지 않고, N2 가스 분위기, Ar 등의 불활성 가스 분위기, 진공 분위기로 하는 것을 들 수 있다.
〔절삭 공구〕
≪기재≫
실시형태에 따른 절삭 공구는 경질 재료를 기재로서 이용한 절삭 공구이다. 본 실시형태의 절삭 공구는 전술한 경질 재료를 기재로서 이용한 것을 특징의 하나로 한다. 이에 의해, 피로 인성 및 내열충격성이 우수한 절삭 공구를 얻을 수 있다.
절삭 공구의 형상에 대해서는 특별히 한정되지 않는다. 절삭 공구의 일례로서는, 바이트, 볼 밀, 엔드 밀, 드릴 및 리머 등을 들 수 있다. 특히, 바이트 등으로서는, 날끝 교환형 절삭 칩을 들 수 있다.
≪경질막≫
절삭 공구는 상기 기재 상에 경질막을 포함해도 좋다. 경질막의 조성은 주기표 4, 5, 6족의 금속 원소, 알루미늄(Al) 및 실리콘(Si)에서 선택되는 1종 이상의 원소의 탄화물, 질화물, 산화물, 붕화물 및 이들의 고용체를 들 수 있다. 예컨대 Ti(C,N), Al2O3, (Ti,Al)N, TiN, TiC, (Al,Cr)N 등을 들 수 있다. 그 외에, 입방정 질화붕소(cBN)나 다이아몬드형 카본 등도 경질막의 조성으로서 적합하다. 이러한 경질막은 화학적 증착(CVD)법이나 물리적 증착(PVD)법 등의 기상법에 따라 형성할 수 있다. 경질막이 CVD법에 따라 형성되어 있으면, 기재와의 밀착성이 우수한 경질막을 얻기 쉽다. CVD법으로서는, 예컨대 열 CVD법 등을 들 수 있다. 경질막이 PVD법에 따라 형성되어 있으면, 압축 잔류 응력이 부여되어, 그 인성을 높이기 쉽다.
경질막은 기재에 있어서의 날끝이 되는 부분과 그 근방에 피복되어 있는 것이 바람직하고, 기재의 표면 전체에 피복되어 있어도 좋다. 또한, 경질막은 단층이어도 다층이어도 좋다. 경질막의 두께는 1 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하, 더욱 1.5 ㎛ 이상 15 ㎛ 이하인 것을 들 수 있다.
[시험예]
〔시험예 1〕
시험예 1에서는, 경질 재료의 원료 분말인 탄질화티탄 분말을 제작하여(시료 No.1-1∼1-5, 1-11, 1-12), 그 평가를 행하였다.
≪시료의 제작≫
·시료 No.1-1
원료 분말로서, 산화티탄 분말(평균 입경: 0.18 ㎛, 순도: 98％ 초과)과, 무정형 탄소 분말(평균 입경: 0.18 ㎛, 순도: 98％ 초과)을 준비하였다(준비 공정). 원료 분말의 평균 입경은 FSSS법에 따라 구한 평균 입경이다. 산화티탄 분말과 탄소 분말을 질량비 4:1로 배합하여, 헨쉘 믹서를 이용하여 분쇄하지 않고 혼합하여, 혼합 분말을 얻었다(혼합 공정). 혼합 조건은 회전수: 1500 rpm, 혼합 시간: 1시간, 건식 기류 혼합으로 하였다. 얻어진 혼합 분말을 바인더로서 덱스트린을 섞어 넣어, 직경: 약 2 ㎜×길이: 2∼5 ㎜의 펠릿형으로 조립하여 정립하고, 그 후 150℃의 온도에서 건조하여 조립 분말을 얻었다(조립 공정). 얻어진 조립 분말을 질소 기류 중(1 atm)에서 열처리 온도: 2200℃×열처리 시간: 1시간 가열하여 펠릿형의 탄질화티탄 분말을 얻었다(열처리 공정). 실온부터 2200℃까지의 승온 속도는 20℃/min으로 하고, 2200℃부터 실온까지의 냉각 속도는 20℃/min으로 하였다. 그 후, 펠릿형의 탄질화티탄 분말을 유발에 의해 수해쇄하여, 입자 상태의 탄질화티탄 분말을 얻었다(해쇄 공정).
·시료 No.1-2, 시료 No.1-3, 시료 No.1-11
열처리 공정에 있어서의 열처리 온도를 변경하여, 각 탄질화티탄 분말을 제작하였다. 열처리 온도는 시료 No.1-2: 2000℃, 시료 No.1-3: 2300℃, 시료 No.1-11: 1700℃로 하였다. 열처리 온도 이외의 조건은 시료 No.1과 동일하다.
·시료 No.1-4
열처리 공정에 있어서의 열처리 시간을 0시간으로 하여, 탄질화티탄 분말을 제작하였다. 즉, 시료 No.4에서는, 열처리 공정에 있어서, 실온부터 승온 속도: 20℃/min으로 2200℃까지 승온 후, 곧 냉각 속도: 20℃/min으로 실온까지 냉각하였다. 열처리 시간 이외의 조건은 시료 No.1과 동일하다.
·시료 No.1-5
혼합 공정에 있어서, 산화티탄 분말 및 탄소 분말에, 더욱 불순물로서 탄질화티탄 환산으로 각각 0.5 질량％의 텅스텐 분말 및 코발트 분말을 혼입시켜, 탄질화티탄 분말을 제작하였다. 그 이외의 조건은 시료 No.1과 동일하다.
·시료 No.1-12
비교품으로서, 특허문헌 1에 기재된 제조 방법으로 탄질화티탄 분말을 제작하였다. 구체적으로는, 원료 분말로서, 수소화티탄(평균 입경: 0.18 ㎛, 순도: 98％)과, 탄소 분말(평균 입경: 0.18 ㎛, 순도: 98％)을 준비하고, 더욱, 열처리 공정 후에 TiC0 . 5N0 .5 분말로 하였을 때의 텅스텐 순분 및 코발트 성분이 TiC0 . 5N0 .5 베이스에 대하여 각각 0.8 질량％ 및 0.3 질량％가 되도록 탄화텅스텐 분말 및 코발트 분말을 준비하였다. 이들 각 분말을 볼 밀로 혼합·분쇄한 혼합 분말을 질소 함유 분위기에서 1600℃×1.0시간 열처리하고, 그 후 1.2 ㎛가 될 때까지 분쇄 처리하였다.
≪입도 분포 측정≫
얻어진 각 시료의 탄질화티탄 분말에 대해서, 체적 기준의 입도 분포를 레이저 회절·산란식 입자경 분포 측정 장치(마이크로트랙·벨사 제조, 마이크로트랙)를 이용하여 측정하였다. 측정 조건은 습식 측정(용매: 에탄올)이며, 용매의 굴절률을 1.36으로 하고, 입자의 굴절률을 2.4로 하였다. 얻어진 입도 분포에 있어서의 누적 10％의 입경(D10), 누적 50％의 입경(D50), 누적 90％의 입경(D90) 및 산출한 D10/D90을 표 1에 나타낸다. 대표하여, 시료 No.1-1, 시료 No.1-11, 시료 No.1-12의 각 탄질화티탄 분말을 전계 방출형 주사 전자 현미경(FE-SEM, 배율: 5000배)으로 촬상한 사진을 도 1∼도 3에 나타낸다.
≪회절 피크의 반치폭 측정≫
또한, 얻어진 각 시료의 탄질화티탄 분말에 대해서, CuKαX선를 이용한 X선 회절에 의해, (2,0,0)면, (2,2,0)면, (2,2,2)면의 각 피크의 반치폭을 측정하였다. 그 결과를 표 1에 함께 나타낸다.
Figure pct00001
표 1로부터 산화티탄 분말과 탄소 분말을 분쇄하는 일없이 혼합⇒조립⇒질소 함유 분위기 중에서 2000℃ 초과 2500℃ 이하의 온도로 열처리한 시료 No.1-1∼No.1-5는 (A) D50이 2.0 ㎛ 이상 6.0 ㎛ 이하를 만족시키고, (B) D10/D90이 0.20 이상 0.50 이하를 만족시키고 있는 것을 알 수 있다. 즉, 시료 No.1-1∼No.1-5는 (A) 조립이며 (B) 균립인 것을 알 수 있다(도 1을 함께 참조). 한편, 1700℃의 온도에서 열처리한 시료 No.1-11은 (B) D10/D90이 0.20 이상 0.50 이하를 만족시키고 있지만, (A) D50이 2.0 ㎛ 미만이었다. 시료 No.1-11은 혼합 공정에 있어서 분쇄하는 일없이 혼합하고 있어, 원료 분말에 있어서의 입도를 유지한 채로 열처리 공정을 행할 수 있었기 때문에, (B) 균립이지만, 열처리 공정에 있어서 온도가 낮아, 입성장을 촉진시킬 수 없기 때문에, (A) 미립이 되었다(도 2를 함께 참조). 또한, 원료 분말을 볼밀로 혼합 및 분쇄한 후에 1600℃의 온도로 열처리하고, 더욱 분쇄 처리를 실시한 시료 No.1-12는 (A) D50이 2.0 ㎛ 이상 6.0 ㎛ 이하를 만족시키고 있지만, (B) D10/D90이 0.20 미만이었다. 시료 No.1-12는 혼합 공정에 있어서 분쇄를 행하고 있으며, 열처리 후에도 분쇄 처리를 실시하고 있기 때문에, 원료 분말에 있어서의 입도를 유지할 수 없어 미립이 되고, (B) 입도가 불균일해졌다(도 3을 더불어 참조).
〔시험예 2〕
시험예 2에서는 시험예 1에서 얻어진 각 시료의 탄질화티탄 분말을 이용하여 경질 재료를 제작하여(시료 No.2-1∼2-5, 2-11, 2-12), 그 평가를 행하였다.
≪시료의 제작≫
원료 분말로서, 시험예 1에서 얻어진 각 시료의 탄질화티탄 분말을 준비(시료 No.2-1∼2-5, 2-11, 2-12는 각각, 시료 No.1-1∼1-5, 1-11, 1-12를 이용함)하며, 시판하는 WC 분말(평균 입경: 1.0 ㎛), TaC 분말(평균 입경: 0.7 ㎛), Co 분말(평균 입경: 1.0 ㎛), Ni 분말(평균 입경: 1.5 ㎛)을 더욱 준비하였다(준비 공정). 원료 분말의 평균 입경은 FSSS법에 따라 구한 평균 입경이다. 이들 분말을 TiCN-20WC-7TaC-8Co-8Ni의 비율로 배합하며, 볼 밀로 분쇄하지 않고 혼합하여, 혼합 분말로 하였다(혼합 공정). 혼합은 용매를 물로 하여, φ5 ㎜의 초경 볼의 미디어를 이용하여 행하였다. 혼합 시간은 시료 No.2-1∼2-5, 2-11: 12시간, 시료 No.2-12: 120시간으로 하였다. 얻어진 혼합 분말을 98 ㎫로 프레스 성형하여 성형체로 하였다(성형 공정). 얻어진 성형체를 진공 분위기 중 1550℃×0.5시간 소결하여, 경질 재료를 얻었다(소결 공정).
≪조직의 관찰≫
얻어진 각 시료의 경질 재료를 다이아몬드 블레이드를 이용하여 절단 후, 절단면을 평면 연삭 및 #3000의 다이아몬드 페이스트로 경면 가공하여, 이 단면을 현미경용 관찰 시료로 하였다.
이 관찰 시료의 가공면을 전계 방출형 주사 전자 현미경(FE-SEM)을 사용하여 가속 전압: 15 ㎸, 작동 거리: 10.0 ㎜, 5000배의 조건으로 촬상하였다. 대표하여, 시료 No.2-1, 시료 No.2-11, 시료 No.2-12의 각 경질 재료의 사진을 도 4∼도 6에 나타낸다. 도 4∼도 6에 있어서, 흑색이 탄질화티탄으로 이루어지는 제1 경질상, 회색이 W나 Ta를 함유하는 제2 경질상, 이들 사이의 백색의 영역이 Co나 Ni를 주성분으로 하는 결합상을 나타낸다. 도 4에서는 제1 경질상이 조립이며, 또한 균립인 것을 알 수 있다. 한편, 도 5에서는 제1 경질상이 미립이며, 도 6에서는 제1 경질상은 미립이고, 그 입도에 편차가 보인다.
상기 관찰 시료에 있어서, 1시야에 대해 제1 경질상(TiCN) 입자 300개 이상에 대해서, 화상 해석 소프트웨어 「ImageJ」를 이용하여 이하의 순서로 해석하였다. 먼저, FE-SEM에서 촬상한 화상을 컴퓨터에 취입하여, Threshold 기능에 의해 화상으로부터 암색을 갖는 제1 경질상을 추출하여, 2진화 처리를 행하였다. 이때, 2진화 처리에 의해 근접한 제1 경질상끼리가 일체물로 보인 부분에 대해서는, 원화상을 참조하면서 별개의 제1 경질상이 되도록 수정하였다. 또한, 본래라면 하나의 제1 경질상이면서 의도하지 않은 분할이 이루어진 부분에 대해서는, 원화상을 참조하면서 하나의 제1 경질상이 되도록 수정하였다. 다음에, Analyze ㎩rticles 기능에 의해, 각 제1 경질상에 대해서 D50 및 D20(최대 페렛경), 애스펙트비(타원 근사하였을 때의 장축/단축) 및 면적을 구하였다. 또한, 화상 단부에 관한 제1 경질상은 입경(D50 및 D20) 및 애스펙트비의 해석 대상으로부터는 제외하고, 면적률의 해석 대상에는 포함시켰다. 제1 경질상의 입경(D20 및 D50), 애스펙트비 및 면적률의 결과를 표 2에 나타낸다.
≪기계적 특성≫
상기 관찰 시료의 가공면에 대하여, 비커스 경도(㎬) 및 파괴 인성(㎫·m0.5)을, 각각 JIS Z 2244(2009년) 및 JIS R 1607(1995년)에 준거하여 측정하였다. 그 결과를 표 2에 함께 나타낸다.
또한, 열 확산율 측정 장치(NETZSCH사 제조 LFA457), 비열 측정 장치(NETZSCH사 제조 STA449) 및 아르키메데스법에 따라, 실온(20∼22℃)에 있어서의 각 경질 재료의 열 확산율, 비열 및 비중을 측정하여, 이들을 곱하여 열전도율(W/mK)을 산출하였다. 또한, STA449에 의한 비열 측정은, 사파이어를 기준 시료로 하여 산출하였다. 그 결과를 표 2에 더불어 나타낸다.
Figure pct00002
표 2로부터 원료 분말로서 조립·균립의 TiCN 분말을 이용하여 얻어진 시료 No.2-1∼No.2-5는 D50이 1.0 ㎛ 이상 또한 D20이 0.7 ㎛ 이상으로 조립이며, 애스펙트비가 2.0 이하로 단면 원형상이었다. 그 결과, 시료 No.2-1∼No.2-5는 파괴 인성이 6.8 ㎫·m0.5 이상, 또한 열전도율이 18 W/m 이상이고, 미립자의 TiCN 분말을 이용하여 얻어진 시료 No.2-11, No.2-12에 비해서 파괴 인성 및 열전도율이 함께 향상하는 것을 알았다. 시료 No.2-11은 미립자의 TiCN 분말을 이용하였기 때문에, 제1 경질상의 D50이 미립이 되어, 파괴 인성 및 열전도율이 저하하였다고 생각된다. 또한, 시료 No.2-12는 이용한 TiCN 분말이 분쇄를 수반하는 혼합을 행하여 얻어진 것이며, TiCN 분말의 각 입자가 이형이기 때문에, 얻어진 경질 재료에 있어서도 그 이형이 반영되어, 애스펙트비가 2.0 초과가 되어, 파괴 인성 및 열전도율이 저하하였다고 생각된다. 경도에 관해서는, 탄질화티탄 분말이 조립이 됨에 따라 저하한다. 이것은 조립의 탄질화티탄 분말을 이용함으로써 조립의 경질상으로 할 수 있어, 균열 진전의 억제 효과(크랙 우회 효과)에 의해 파괴 인성을 향상시킬 수 있는 한편으로, 파괴 인성과 상반하는 물성인 경도가 저하한 것에 따른 것으로 생각된다.
〔시험예 3〕
시험예 3에서는, 시험예 1에서 제작한 TiCN 분말과 동일한 각종 TiCN 분말을 이용하여 경질 재료를 제작하고(시료 No.3-1∼3-8, 3-11∼3-14), 각 경질 재료의 절삭 성능을 조사하였다.
≪시료의 제작≫
원료 분말로서, 표 3에 나타내는 분말을 준비하였다(준비 공정). TiCN 분말은 시료 No.3-1∼3-8: 시료 No.1-1, 시료 No.3-11, No.3-12: 시료 No.1-11, 시료 No.3-13, No.3-14: 시료 No.1-12를 이용하였다. 그 외의 각 분말의 평균 입경은 WC 분말: 1.0 ㎛, TaC 분말: 0.7 ㎛, NbC 분말: 1.1 ㎛, Mo2C 분말: 2.0 ㎛, ZrCN 분말: 2.5 ㎛, VC: 0.5 ㎛, Cr3C2 분말: 1.6 ㎛, Co 분말: 1.0 ㎛, Ni 분말: 1.5 ㎛이다. 이들 분말을 표 3에 나타내는 비율로 배합하며, 볼 밀로 분쇄하지 않고 혼합하여, 혼합 분말로 하였다(혼합 공정). 혼합은 용매를 물로 하여, φ5 ㎜의 초경 볼의 미디어를 이용하여 행하였다. 혼합 시간은 시료 No.3-1∼3-8, 3-11, 3-12: 12시간, 시료 No.3-13, 3-14: 120시간으로 하였다. 얻어진 혼합 분말을 98 ㎫로 프레스 성형하여 성형체로 하였다(성형 공정). 얻어진 성형체를 진공 분위기(100 ㎩) 중, 1550℃×1.0시간 소결하여, 경질 재료를 얻었다(소결 공정).
≪조직의 관찰≫
얻어진 각 경질 재료에 대하여, 시험예 2와 동일하게, 제1 경질상의 입경(D20 및 D50), 애스펙트비 및 면적률을 구하였다. 그 결과를 표 3에 함께 나타낸다.
Figure pct00003
≪절삭 시험≫
각 시료의 경질 재료에 적절하게 호우닝 처리 등의 날끝 처리 가공을 실시하여 CNMA120404의 형상을 갖는 기재를 제작하였다. 그리고, 각 시료의 표면에 공지의 PVD법으로 TiAlN으로 이루어지는 경질 피막을 5 ㎛의 평균 두께가 되도록 피복하였다. 각 시료를 이용하여, 표 4에 나타내는 절삭 조건으로 실제로 절삭 시험을 행하였다. 그 결과를 표 5에 나타낸다.
Figure pct00004
Figure pct00005
표 5로부터 원료 분말로서 조립·균립의 TiCN 분말을 이용하여 제작한 시료 No.3-1∼No.3-8은 제1 경질상의 D50이 1.0 ㎛ 이상 또한 D20이 0.7 ㎛ 이상으로 조립이며, 애스펙트비가 2.0 이하인 단면 원형상으로서, 파괴 인성 및 내열충격성의 쌍방이 매우 우수한 것을 알았다.

Claims (6)

  1. 탄질화티탄을 주성분으로 하는 제1 경질상과, 철족 원소를 주성분으로 하는 결합상을 포함하는 경질 재료로서,
    상기 제1 경질상은 그 경질 재료의 임의의 표면 또는 단면에 있어서,
    면적 기준의 입도 분포에 있어서의 누적 50％의 입경(粒徑)(D50)이 1.0 ㎛ 이상이고,
    D50 이상의 입경을 갖는 제1 경질상의 평균 애스펙트비가 2.0 이하인 것인 경질 재료.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 경질상은 상기 임의의 표면 또는 단면에 있어서,
    면적 기준의 입도 분포에 있어서의 누적 20％의 입경(D20)이 0.7 ㎛ 이상인 것인 경질 재료.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 임의의 표면 또는 단면에 있어서의 상기 제1 경질상의 면적 비율이 30％ 이상인 것인 경질 재료.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 주기표 4, 5, 6족 원소에서 선택되는 1종 이상의 금속 원소를 포함하는 탄화물, 질화물, 탄질화물 및 이들의 상호 고용체의 1종 이상(단, 탄질화티탄은 제외함)으로 이루어지는 제2 경질상을 더 포함하는 경질 재료.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 경질 재료를 기재로서 이용하는 절삭 공구.
  6. 제5항에 있어서, 상기 기재의 표면 중 적어도 일부에 피복된 경질막을 포함하는 절삭 공구.
KR1020197004407A 2016-08-22 2017-05-29 경질 재료 및 절삭 공구 KR102331061B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016161987 2016-08-22
JPJP-P-2016-161987 2016-08-22
PCT/JP2017/019873 WO2018037651A1 (ja) 2016-08-22 2017-05-29 硬質材料、及び切削工具

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190042005A true KR20190042005A (ko) 2019-04-23
KR102331061B1 KR102331061B1 (ko) 2021-11-25

Family

ID=61245677

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020197004407A KR102331061B1 (ko) 2016-08-22 2017-05-29 경질 재료 및 절삭 공구

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11214853B2 (ko)
EP (1) EP3502290A4 (ko)
JP (1) JP6736034B2 (ko)
KR (1) KR102331061B1 (ko)
CN (1) CN109642277B (ko)
WO (1) WO2018037651A1 (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7092866B2 (ja) * 2018-03-20 2022-06-28 京セラ株式会社 インサート及びこれを備えた切削工具
EP3793606A4 (en) 2018-05-16 2022-08-31 Janssen Biotech, Inc. METHODS OF TREATMENT OF CANCER AND ENHANCEMENT OF THE EFFECTIVENESS OF T-CELL REFERRING THERAPEUTICS
KR102554677B1 (ko) * 2018-10-04 2023-07-11 스미또모 덴꼬오 하드메탈 가부시끼가이샤 초경합금, 이를 포함하는 절삭 공구 및 초경합금의 제조 방법
JP7392423B2 (ja) 2019-11-26 2023-12-06 住友電気工業株式会社 超硬合金及びそれを基材として含む切削工具

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002060802A (ja) 2000-06-06 2002-02-28 Allied Material Corp 硬質材料用炭窒化チタン粉末とその製造方法
JP2006131975A (ja) * 2004-11-08 2006-05-25 Sumitomo Electric Hardmetal Corp 鋸刃用サーメット
JP2015203118A (ja) * 2014-04-10 2015-11-16 住友電気工業株式会社 サーメット、および切削工具

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0681071A (ja) 1992-08-28 1994-03-22 Mitsubishi Materials Corp 靭性のすぐれた炭窒化チタン基サーメット
JPH07224346A (ja) 1994-02-10 1995-08-22 Mitsubishi Materials Corp 靭性のすぐれた炭窒化チタン系サーメット
JP5127264B2 (ja) 2007-02-23 2013-01-23 京セラ株式会社 ＴｉＣＮ基サーメット
JP5381616B2 (ja) 2009-10-27 2014-01-08 株式会社タンガロイ サーメットおよび被覆サーメット
US9970082B2 (en) * 2011-12-16 2018-05-15 A.L.M.T.Corp. Heat-resistant alloy and method of manufacturing the same
WO2015072250A1 (ja) 2013-11-15 2015-05-21 住友電工ハードメタル株式会社 ダイヤモンド接合体、それを備える工具、およびダイヤモンド接合体の製造方法
JP6442322B2 (ja) 2015-02-26 2018-12-19 エイブリック株式会社 基準電圧回路および電子機器
WO2017077884A1 (ja) * 2015-11-02 2017-05-11 住友電気工業株式会社 硬質合金および切削工具

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002060802A (ja) 2000-06-06 2002-02-28 Allied Material Corp 硬質材料用炭窒化チタン粉末とその製造方法
JP2006131975A (ja) * 2004-11-08 2006-05-25 Sumitomo Electric Hardmetal Corp 鋸刃用サーメット
JP2015203118A (ja) * 2014-04-10 2015-11-16 住友電気工業株式会社 サーメット、および切削工具

Also Published As

Publication number Publication date
WO2018037651A1 (ja) 2018-03-01
US11214853B2 (en) 2022-01-04
US20200391298A1 (en) 2020-12-17
CN109642277A (zh) 2019-04-16
EP3502290A1 (en) 2019-06-26
CN109642277B (zh) 2020-12-29
KR102331061B1 (ko) 2021-11-25
JP6736034B2 (ja) 2020-08-05
JPWO2018037651A1 (ja) 2019-06-20
EP3502290A4 (en) 2019-08-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6796266B2 (ja) 超硬合金、及び切削工具
EP3130686B1 (en) Cermet and cutting tool
JP2006299396A (ja) 固溶体粉末、この固溶体粉末の製造方法、この固溶体粉末を用いるセラミック、このセラミックの製造方法、この固溶体粉末を含むサーメット粉末、このサーメット粉末の製造方法、このサーメット粉末を用いるサーメット、及びこのサーメットの製造方法。
KR102331061B1 (ko) 경질 재료 및 절삭 공구
KR102441723B1 (ko) 서멧, 절삭 공구, 및 서멧의 제조 방법
EP2631027B1 (en) Cubic boron nitride sintered body and cubic boron nitride sintered body tool
WO2019138599A1 (ja) 超硬合金及び切削工具
EP3130685A1 (en) Cermet, method for producing cermet, and cutting tool
JP5348537B2 (ja) 超硬合金
WO2019116614A1 (ja) 超硬合金及び切削工具
TW201713606A (zh) 立方晶氮化硼燒結體，立方晶氮化硼燒結體之製造方法，工具及切削工具
JP6931202B2 (ja) 炭窒化チタン粉末、及び炭窒化チタン粉末の製造方法
JP7103565B1 (ja) 超硬合金およびそれを基材として含む切削工具
EP3674429A1 (en) Composite sintered compact
EP3597782A1 (en) Hard sintered body
WO2021106276A1 (ja) 超硬合金及びそれを基材として含む切削工具
JP5534567B2 (ja) 硬質材料、及び切削工具
JP2012077353A (ja) 超硬合金
JP2016030846A (ja) 超硬合金、および切削工具
JP2022108807A (ja) 切削工具

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant