KR20190020623A - Resin composition - Google Patents

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Abstract

Provided is a resin composition capable of obtaining an insulating layer having a low dielectric constant and excellent temperature stability of a dielectric tangent. The resin composition comprises: (A) an epoxy resin; (B) a maleimide compound; (C) an inorganic filler; and (D) a fluorine-based filler, wherein the amount of the component (B) is 10-70 mass% relative to 100 mass% of the component (A).

Description

수지 조성물 {RESIN COMPOSITION}Resin composition {RESIN COMPOSITION}

본 발명은 수지 조성물, 시트상 적층 재료, 회로 기판 및 반도체 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a resin composition, a sheet-like laminated material, a circuit board and a semiconductor device.

회로 기판의 제조 기술로서는, 내층 기판에 절연층과 도체층을 교대로 적층하는 빌드업 방식에 의한 제조 방법이 알려져 있다. 절연층은, 일반적으로, 수지 조성물을 함유하는 수지 바니쉬의 도막으로서 수지 조성물층을 얻고, 이 수지 조성물층을 경화시킴으로써 형성된다. 예를 들면, 특허문헌 1에는, 에폭시 수지와, 경화제와, 불소 수지 필러를 함유하는 수지 조성물로서, 이러한 불소 수지 필러의 함유량이 상기 수지 조성물의 고형분에 대해 50 내지 85질량%인 것을 특징으로 하는 수지 조성물이 기재되어 있다.BACKGROUND ART [0002] As a manufacturing technique of a circuit board, a manufacturing method by a build-up method in which an insulating layer and a conductor layer are alternately laminated on an inner layer substrate is known. The insulating layer is generally formed by obtaining a resin composition layer as a coating film of a resin varnish containing a resin composition and curing the resin composition layer. For example, Patent Document 1 discloses a resin composition containing an epoxy resin, a curing agent, and a fluorine resin filler, wherein the content of the fluorine resin filler is 50 to 85% by mass with respect to the solid content of the resin composition A resin composition is described.

일본 공개특허공보 제2016-166347호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2016-166347

절연층을 형성하기 위한 수지 조성물은, 높은 절연 성능을 달성하는 관점에서, 일반적으로, 열경화성 수지를 많이 포함한다. 이 열경화성 수지로서는, 에폭시 수지를 사용하는 것이 일반적이었다. 이에 대해, 본 발명자는 유전율이 낮은 절연층을 개발하기 위해, 에폭시 수지를 포함하는 수지 조성물에 불소계 충전재를 적용하는 것을 검토하였다.The resin composition for forming the insulating layer generally contains a large amount of thermosetting resin from the viewpoint of achieving high insulation performance. As this thermosetting resin, an epoxy resin was generally used. On the contrary, the present inventors studied the application of a fluorine-based filler to a resin composition containing an epoxy resin in order to develop an insulating layer having a low dielectric constant.

본 발명자는 또한, 상기한 바와 같이 에폭시 수지 및 불소계 충전재를 포함하는 수지 조성물을, 레이더의 안테나 회로 기판의 절연층에 적용하는 것을 시도하였다. 그런데, 이 안테나 회로 기판을 구비한 레이더는 온도에 의해 검출 가능 범위가 변화하는 것으로 판명되었다. 예를 들면, 어느 온도에서의 검출 가능 범위가 20m으로 넓은 레이더라도, 별도의 온도에서의 검출 가능 범위가 5m으로 좁아지는 경우가 있을 수 있었다.The present inventor has also attempted to apply a resin composition containing an epoxy resin and a fluorine-based filler to an insulating layer of an antenna circuit board of a radar as described above. It has been found that the range of detectability of the radar equipped with this antenna circuit board varies depending on the temperature. For example, even if the detectable range at a certain temperature is as wide as 20 m, the detectable range at a different temperature may be narrowed to 5 m.

본 발명은 상기 과제를 감안하여 창안된 것으로, 레이더의 안테나 회로 기판에 설치한 경우에 레이더의 검출 가능 범위의 온도에 의한 변화를 억제 가능하며 또한 유전율이 낮은 절연층을 수득할 수 있는 수지 조성물; 상기 수지 조성물을 포함하는 시트상 적층 재료; 상기 수지 조성물의 경화물로 이루어진 절연층을 포함하는 회로 기판 및 반도체 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been devised in view of the above problems, and it is an object of the present invention to provide a resin composition capable of suppressing a change in the detectable range of a radar by temperature when installed on an antenna circuit board of a radar, A sheet-like laminate material comprising the resin composition; And a circuit board and a semiconductor device including an insulating layer made of a cured product of the resin composition.

본 발명자는 상기 과제를 해결하기 위해 예의 검토하였다. 그 결과, 본 발명자는, 레이더의 검출 가능 범위의 온도에 의한 변화의 원인이 절연층의 유전 정접의 온도 안정성에 있다는 지견을 얻었다. 구체적으로는, 레이더의 안테나 회로 기판의 절연층의 유전 정접이 온도에 의해 변화되면, 그 안테나 회로 기판의 손실 크기가 온도에 의해 변화되므로, 그 안테나 회로 기판의 감도가 온도에 의해 변화되고, 그 결과, 검출 가능 범위의 온도에 의한 변화가 생기고 있었다. 그래서, 본 발명자는 유전 정접의 온도 안정성이 우수한 절연층을 수득할 수 있는 수지 조성물에 의해, 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 발견하여 본 발명을 완성시켰다.Means for Solving the Problems The present inventors have conducted intensive studies to solve the above problems. As a result, the inventor of the present invention has obtained the knowledge that the cause of the change in temperature of the radar detectable range is the temperature stability of the dielectric tangent of the insulating layer. Specifically, when the dielectric loss tangent of the insulating layer of the antenna circuit board of the radar is changed by the temperature, the loss magnitude of the antenna circuit board is changed by the temperature, so that the sensitivity of the antenna circuit board is changed by temperature, As a result, a change was caused by the temperature of the detectable range. Therefore, the present inventors have found that the above problems can be solved by a resin composition capable of obtaining an insulating layer having excellent dielectric stability of dielectric loss tangent, and completed the present invention.

즉, 본 발명은 이하의 것을 포함한다.That is, the present invention includes the following.

〔1〕(A) 에폭시 수지, (B) 말레이미드 화합물, (C) 무기 충전재, 및 (D) 불소계 충전재를 포함하는 수지 조성물로서, (B) 성분의 양이 (A) 성분 100질량%에 대해 10질량% 내지 70질량%인, 수지 조성물.[1] A resin composition comprising (A) an epoxy resin, (B) a maleimide compound, (C) an inorganic filler, and (D) a fluorine-based filler, wherein the amount of the component (B) By mass to 10% by mass to 70% by mass.

〔2〕(A) 에폭시 수지 및 (D) 불소계 충전재를 포함하는 수지 조성물로서, 수지 조성물을 200℃에서 90분간 열처리하여 수득되는 경화물의 -10℃, 25℃ 및 100℃에서의 유전 정접을, 각각 Df(-10℃), Df(25℃) 및 Df(100℃)로 한 경우, Df(25℃)에 대한 Df(-10℃)의 비율 Df(-10℃)/Df(25℃)가 85% 내지 115%이고, Df(25℃)에 대한 Df(100℃)의 비율 Df(100℃)/Df(25℃)가 85% 내지 115%인, 수지 조성물.(2) A resin composition comprising (A) an epoxy resin and (D) a fluorine-based filler, wherein the dielectric tangent at -10 ° C, 25 ° C and 100 ° C of the cured product obtained by heat- (-10 ° C) / Df (25 ° C) of Df (-10 ° C) relative to Df (25 ° C) when Df (-10 ° C), Df Is 85% to 115%, and the ratio Df (100 占 폚) / Df (25 占 폚) of Df (100 占 폚) to Df (25 占 폚) is 85% to 115%.

〔3〕(B) 말레이미드 화합물을 포함하는, 〔2〕에 기재된 수지 조성물.[3] The resin composition according to [2], which comprises (B) a maleimide compound.

〔4〕(D) 성분이 불소계 중합체 입자인, 〔1〕내지〔3〕중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[4] The resin composition according to any one of [1] to [3], wherein the component (D) is a fluorine-based polymer particle.

〔5〕(D) 성분이 폴리테트라플루오로에틸렌 입자인, 〔1〕내지〔4〕중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[5] The resin composition according to any one of [1] to [4], wherein the component (D) is a polytetrafluoroethylene particle.

〔6〕(E) 불포화 탄화수소기를 갖는 수지를 포함하는, 〔1〕내지〔5〕중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[6] A resin composition according to any one of [1] to [5], which comprises a resin having (E) an unsaturated hydrocarbon group.

〔7〕(E) 성분이 아크릴기, 메타크릴기, 스티릴기, 알릴기, 비닐기 및 프로페닐기로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1 이상의 불포화 탄화수소기를 갖는, 〔6〕에 기재된 수지 조성물.[7] The resin composition according to [6], wherein the component (E) has at least one unsaturated hydrocarbon group selected from the group consisting of an acrylic group, a methacrylic group, a styryl group, an allyl group, a vinyl group and a propenyl group.

〔8〕(E) 성분이 비닐기를 갖고, 또한 5원환 이상의 환상 에테르 구조를 갖는,〔6〕또는〔7〕에 기재된 수지 조성물.[8] The resin composition according to [6] or [7], wherein the component (E) has a vinyl group and has a cyclic ether structure having five or more ring members.

〔9〕회로 기판의 절연층 형성용인, [1] 내지〔8〕중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[9] The resin composition according to any one of [1] to [8], which is for forming an insulating layer of a circuit board.

〔10〕〔1〕내지〔9〕중 어느 하나에 기재된 수지 조성물을 포함하는 시트상 적층 재료.[10] A sheet-like laminated material comprising the resin composition according to any one of [1] to [9].

〔11〕〔1〕내지〔9〕중 어느 하나에 기재된 수지 조성물의 경화물로 이루어진 절연층을 포함하는 회로 기판.[11] A circuit board comprising an insulating layer made of a cured product of the resin composition according to any one of [1] to [9].

〔12〕〔11〕에 기재된 회로 기판을 구비하는 반도체 장치.[12] A semiconductor device comprising the circuit board according to [11].

본 발명에 의하면, 레이더의 안테나 회로 기판에 설치한 경우에 레이더의 검출 가능 범위의 온도에 의한 변화를 억제 가능하며 또한 유전율이 낮은 절연층을 수득할 수 있는 수지 조성물; 상기 수지 조성물을 포함하는 시트상 적층 재료; 상기 수지 조성물의 경화물로 이루어진 절연층을 포함하는 회로 기판 및 반도체 장치를 제공할 수 있다.According to the present invention, there is provided a resin composition capable of suppressing changes in the detectable range of a radar due to temperature when installed on an antenna circuit board of a radar and obtaining an insulating layer with a low dielectric constant; A sheet-like laminate material comprising the resin composition; A circuit board and a semiconductor device including the insulating layer made of the cured product of the resin composition can be provided.

이하, 실시형태 및 예시물을 개시하여 본 발명에 대해 상세하게 설명한다. 다만, 본 발명은 이하에 개시하는 실시형태 및 예시물에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 청구범위 및 그 균등한 범위를 일탈하지 않는 범위에서 임의로 변경하여 실시할 수 있다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to embodiments and examples. It should be noted, however, that the present invention is not limited to the embodiments and examples described below, and can be arbitrarily changed without departing from the scope of the present invention and its equivalent scope.

이하의 설명에서, 수지 조성물 중의 각 성분의 양은 별도 명시가 없는 한 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100질량%에 대한 값이다.In the following description, the amount of each component in the resin composition is a value relative to 100 mass% of the nonvolatile component in the resin composition unless otherwise specified.

이하의 설명에서, 용어 「유전율」이란, 별도 명시가 없는 한 비유전율을 나타낸다.In the following description, the term " dielectric constant " refers to a dielectric constant unless otherwise specified.

[1. 제1 실시형태에 따른 수지 조성물][One. Resin composition according to the first embodiment]

[1.1. 수지 조성물의 개요][1.1. Outline of resin composition]

본 발명의 제1 실시형태에 따른 수지 조성물은 (A) 에폭시 수지, (B) 말레이미드 화합물, (C) 무기 충전재, 및 (D) 불소계 충전재를 포함한다. 여기서, 용어 「불소계」란, 불소 원자를 포함하는 것을 말한다. 또한, 용어 「불소계 충전재」란, 불소 원자를 포함하는 화합물을 재료로서 포함하는 충전재를 말한다. 또한, 이 수지 조성물에 있어서, (B) 말레이미드 화합물의 양은 소정의 범위에 있다.The resin composition according to the first embodiment of the present invention comprises (A) an epoxy resin, (B) a maleimide compound, (C) an inorganic filler, and (D) a fluorine-based filler. Here, the term " fluorine-based " means a fluorine-containing one. The term " fluorine-based filler " refers to a filler containing a fluorine-containing compound as a material. Further, in this resin composition, the amount of the maleimide compound (B) is within a predetermined range.

이러한 수지 조성물의 경화물은 유전율이 낮다. 또한, 이러한 수지 조성물의 경화물은 유전 정접의 온도 안정성이 우수하다. 따라서, 상기 수지 조성물을 사용함으로써, 유전 정접의 온도 안정성이 우수하여 레이더의 안테나 회로 기판에 설치한 경우에 레이더의 검출 가능 범위의 온도에 의한 변화를 억제 가능하며, 또한 유전율이 낮은 절연층을 수득할 수 있는 수지 조성물을 실현할 수 있다는, 본 발명이 원하는 효과를 얻을 수 있다.The cured product of such a resin composition has a low dielectric constant. Further, the cured product of such a resin composition has excellent temperature stability of dielectric tangent. Therefore, by using the above resin composition, it is possible to obtain an insulating layer having a low dielectric constant, which is excellent in temperature stability of dielectric loss tangent and can suppress changes in temperature of the radar detectable range in the case where it is provided on an antenna circuit board of a radar, A desired effect of the present invention can be obtained.

[1.2. (A) 에폭시 수지][1.2. (A) epoxy resin]

(A) 성분으로서의 에폭시 수지로서는, 예를 들면, 비크실레놀형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 트리스페놀형 에폭시 수지, 나프톨노볼락형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, tert-부틸-카테콜형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 선상 지방족 에폭시 수지, 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 복소환식 에폭시 수지, 스피로환 함유 에폭시 수지, 사이클로헥산형 에폭시 수지, 사이클로헥산디메탄올형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 트리메틸올형 에폭시 수지, 테트라페닐에탄형 에폭시 수지를 들 수 있다. 에폭시 수지는 1종류 단독으로 사용해도 좋고 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.Examples of the epoxy resin as the component (A) include epoxy resins such as a bicyclanol type epoxy resin, a bisphenol A type epoxy resin, a bisphenol F type epoxy resin, a bisphenol S type epoxy resin, a bisphenol AF type epoxy resin, a dicyclopentadiene type epoxy resin , Trisphenol type epoxy resin, naphthol novolak type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, tert-butyl-catechol type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, naphthol type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, glycidyl amine type Epoxy resins, glycidyl ester type epoxy resins, cresol novolak type epoxy resins, biphenyl type epoxy resins, linear aliphatic epoxy resins, epoxy resins having a butadiene structure, alicyclic epoxy resins, heterocyclic epoxy resins, A resin, a cyclohexane type epoxy resin, a cyclohexane dimethanol type epoxy resin, a naphthylene ether Epoxy resins, there may be mentioned trimethyl olhyeong epoxy resin, tetraphenyl ethane epoxy resin. The epoxy resin may be used singly or in combination of two or more kinds.

(A) 에폭시 수지로서는, 온도에 의한 특성의 변화가 작기 때문에, 에폭시기 이외에 지환식 구조 및 방향환 구조 등의 환상 구조를 갖는 에폭시 수지가 바람직하다. 그 중에서도, 절연층의 평균 선열팽창율을 저하시키는 관점에서, 방향족계의 에폭시 수지가 바람직하다. 여기서, 방향족계의 에폭시 수지란, 그 분자가 방향족 골격을 함유하는 에폭시 수지를 말한다. 또한, 방향족 골격이란, 일반적으로 방향족으로 정의되는 화학 구조이고, 벤젠환 등의 단환 구조뿐만 아니라, 나프탈렌환 등의 다환 방향족 구조 및 방향족 복소환 구조도 포함한다. 그 중에서도, 본 발명이 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, (A) 에폭시 수지는 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비크실레놀형 에폭시 수지, 비페닐아랄킬형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 나프탈렌형 4관능 에폭시 수지 및 나프톨형 에폭시 수지로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종류 이상의 에폭시 수지인 것이 바람직하고, 비크실레놀형 에폭시 수지가 특히 바람직하다.As the epoxy resin (A), an epoxy resin having a cyclic structure such as an alicyclic structure and an aromatic cyclic structure in addition to an epoxy group is preferable because a change in characteristics due to temperature is small. Among them, an aromatic epoxy resin is preferable from the viewpoint of lowering the average linear thermal expansion coefficient of the insulating layer. Here, the aromatic epoxy resin refers to an epoxy resin whose molecule contains an aromatic skeleton. The aromatic skeleton is a chemical structure generally defined as an aromatic group, and includes not only a monocyclic structure such as a benzene ring, but also a polycyclic aromatic structure such as a naphthalene ring and an aromatic heterocyclic structure. Among them, the epoxy resin (A) is preferably a bisphenol A type epoxy resin, a biquilene type epoxy resin, a biphenyl aralkyl type epoxy resin, a naphthylene ether type epoxy resin, a naphthalene type 4 Functional epoxy resin and naphthol-type epoxy resin, and a biscylenol-type epoxy resin is particularly preferable.

수지 조성물은 (A) 에폭시 수지로서, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 수지를 포함하는 것이 바람직하다. 본 발명이 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, (A) 에폭시 수지의 불휘발 성분 100질량%에 대해, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 수지의 비율은, 바람직하게는 50질량% 이상, 보다 바람직하게는 60질량% 이상, 특히 바람직하게는 70질량% 이상이다.The resin composition preferably contains, as the epoxy resin (A), an epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule. From the viewpoint of obtaining a desired effect of the present invention, the ratio of the epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule to (A) 100% by mass of the nonvolatile component of the epoxy resin is preferably 50% by mass or more, More preferably not less than 60% by mass, particularly preferably not less than 70% by mass.

에폭시 수지로는, 온도 20℃에서 액상의 에폭시 수지(이하 「액상 에폭시 수지」라고 하는 경우가 있다)와, 온도 20℃에서 고체상의 에폭시 수지(이하 「고체상 에폭시 수지」라고 하는 경우가 있다)가 있다. 수지 조성물은 (A) 에폭시 수지로서, 액상 에폭시 수지만을 포함하고 있어도 좋고, 고체상 에폭시 수지만을 포함하고 있어도 좋고, 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지를 조합하여 포함하고 있어도 좋다. (A) 에폭시 수지로서, 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지를 조합하여 사용함으로써 수지 조성물층의 가요성을 향상시키거나, 수지 조성물의 경화물의 파단 강도를 향상시킬 수 있다.As the epoxy resin, a liquid epoxy resin (hereinafter sometimes referred to as " liquid epoxy resin ") and a solid epoxy resin (hereinafter sometimes referred to as " solid epoxy resin " have. As the resin composition (A), an epoxy resin may contain only liquid epoxy resin, may contain only solid epoxy resin, and may contain a combination of liquid epoxy resin and solid epoxy resin. (A) By using a combination of a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin as the epoxy resin, it is possible to improve the flexibility of the resin composition layer or to improve the fracture strength of the cured product of the resin composition.

액상 에폭시 수지로서는, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 액상 에폭시 수지가 바람직하고, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 방향족계의 액상 에폭시 수지가 보다 바람직하다.As the liquid epoxy resin, a liquid epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule is preferable, and an aromatic liquid epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule is more preferable.

액상 에폭시 수지로서는, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 에스테르 골격을 갖는 지환식 에폭시 수지, 사이클로헥산형 에폭시 수지, 사이클로헥산디메탄올형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 및 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지가 바람직하고, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지 및 나프탈렌형 에폭시 수지가 보다 바람직하고, 비스페놀 A형 에폭시 수지가 특히 바람직하다.Examples of the liquid epoxy resin include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, glycidyl ester type epoxy resin, glycidylamine type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin , An alicyclic epoxy resin having an ester skeleton, a cyclohexane-type epoxy resin, a cyclohexane dimethanol-type epoxy resin, a glycidylamine-type epoxy resin, and an epoxy resin having a butadiene structure are preferable, and a glycidylamine type epoxy resin , A bisphenol A type epoxy resin, a bisphenol F type epoxy resin, a bisphenol AF type epoxy resin and a naphthalene type epoxy resin are more preferable, and a bisphenol A type epoxy resin is particularly preferable.

액상 에폭시 수지의 구체예로서는, DIC사 제조의 「HP4032」, 「HP4032D」, 「HP4032SS」(나프탈렌형 에폭시 수지); 미쓰비시케미컬사 제조의 「828US」, 「jER828US」, 「jER828EL」, 「825」, 「에피코트 828EL」(비스페놀 A형 에폭시 수지); 미쓰비시케미컬사 제조의 「jER807」, 「1750」(비스페놀 F형 에폭시 수지); 미쓰비시케미컬사 제조의 「jER152」(페놀노볼락형 에폭시 수지); 미쓰비시케미컬사 제조의 「630」, 「630LSD」(글리시딜아민형 에폭시 수지); 신닛데츠스미킨카가쿠사 제조의 「ZX1059」(비스페놀 A형 에폭시 수지와 비스페놀 F형 에폭시 수지의 혼합품); 나가세켐텍스사 제조의 「EX-721」(글리시딜에스테르형 에폭시 수지); 다이셀사 제조의 「셀록사이드 2021P」(에스테르 골격을 갖는 지환식 에폭시 수지); 다이셀사 제조의 「PB-3600」(부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지); 신닛데츠스미킨카가쿠사 제조의 「ZX1658」, 「ZX1658GS」(액상 1,4-글리시딜사이클로헥산형 에폭시 수지) 등을 들 수 있다. 이들은 1종류 단독으로 사용해도 좋고 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.Specific examples of the liquid epoxy resin include " HP4032 ", " HP4032D ", " HP4032SS " (naphthalene type epoxy resin) manufactured by DIC Corporation; "828US", "jER828US", "jER828EL", "825", "Epikote 828EL" (bisphenol A type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; "JER807" and "1750" (bisphenol F type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; &Quot; jER152 " (phenol novolak type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; 630 ", " 630LSD " (glycidylamine type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; ZX1059 " (a mixture of a bisphenol A type epoxy resin and a bisphenol F type epoxy resin) manufactured by Shinnitetsu Sumikin Kagaku Co., Ltd.; EX-721 " (glycidyl ester type epoxy resin) manufactured by Nagase ChemteX Corporation; &Quot; Celloxide 2021P " (an alicyclic epoxy resin having an ester skeleton) manufactured by Daicel Company; &Quot; PB-3600 " (epoxy resin having a butadiene structure) manufactured by Daicel Company; ZX1658 " and " ZX1658GS " (liquid 1,4-glycidyl cyclohexane type epoxy resin) manufactured by Shinnitetsu Sumikin Kagaku Co., Ltd., and the like. These may be used singly or in combination of two or more.

고체상 에폭시 수지로서는, 1분자 중에 3개 이상의 에폭시기를 갖는 고체상 에폭시 수지가 바람직하고, 1분자 중에 3개 이상의 에폭시기를 갖는 방향족계의 고체상 에폭시 수지가 보다 바람직하다.As the solid epoxy resin, a solid epoxy resin having three or more epoxy groups in one molecule is preferable, and an aromatic solid epoxy resin having three or more epoxy groups in one molecule is more preferable.

고체상 에폭시 수지로서는, 비크실레놀형 에폭시 수지, 비페닐아랄킬형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 나프탈렌형 4관능 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 트리스페놀형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 테트라페닐에탄형 에폭시 수지가 바람직하고, 비크실레놀형 에폭시 수지, 비페닐아랄킬형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 나프탈렌형 4관능 에폭시 수지 및 나프톨형 에폭시 수지가 보다 바람직하고, 비크실레놀형 에폭시 수지가 특히 바람직하다.Examples of the solid epoxy resin include a biscylenol type epoxy resin, a biphenyl aralkyl type epoxy resin, a naphthalene type epoxy resin, a naphthalene type tetrafunctional epoxy resin, a cresol novolak type epoxy resin, a dicyclopentadiene type epoxy resin, a trisphenol type epoxy resin , Naphthol type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, naphthylene ether type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin and tetraphenylethane type epoxy resin are preferable, A naphthalene ether type epoxy resin, a naphthalene type tetrafunctional epoxy resin and a naphthol type epoxy resin are more preferable, and a biscylenol type epoxy resin is particularly preferable.

고체상 에폭시 수지의 구체예로서는, DIC사 제조의 「HP4032H」(나프탈렌형 에폭시 수지); DIC사 제조의 「HP-4700」, 「HP-4710」(나프탈렌형 4관능 에폭시 수지); DIC사 제조의 「N-690」(크레졸노볼락형 에폭시 수지); DIC사 제조의 「N-695」(크레졸노볼락형 에폭시 수지); DIC사 제조의 「HP-7200」(디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지); DIC사 제조의 「HP-7200HH」, 「HP-7200H」, 「EXA-7311」, 「EXA-7311-G3」, 「EXA-7311-G4」, 「EXA-7311-G4S」, 「HP6000」(나프틸렌에테르형 에폭시 수지); 니혼카야쿠사 제조의 「EPPN-502H」(트리스페놀형 에폭시 수지); 니혼카야쿠사 제조의 「NC7000L」(나프톨노볼락형 에폭시 수지); 니혼카야쿠사 제조의 「NC3000H」, 「NC3000」, 「NC3000L」, 「NC3100」(비페닐아랄킬형 에폭시 수지); 신닛데츠스미킨카가쿠사 제조의 「ESN475V」(나프톨형 에폭시 수지); 신닛데츠스미킨카가쿠사 제조의 「ESN485」(나프톨노볼락형 에폭시 수지); 미쓰비시케미컬사 제조의 「YX4000H」, 「YX4000」, 「YL6121」(비페닐형 에폭시 수지); 미쓰비시케미컬사 제조의 「YX4000HK」(비크실레놀형 에폭시 수지); 미쓰비시케미컬사 제조의 「YX8800」(안트라센형 에폭시 수지); 오사카가스케미컬사 제조의 「PG-100」, 「CG-500」(비스페놀 AF형 에폭시 수지); 미쓰비시케미컬사 제조의 「YL7760」(비스페놀 AF형 에폭시 수지); 미쓰비시케미컬사 제조의 「YL7800」(플루오렌형 에폭시 수지); 미쓰비시케미컬사 제조의 「jER1010」(고체상 비스페놀 A형 에폭시 수지); 미쓰비시케미컬사 제조의 「jER1031S」(테트라페닐에탄형 에폭시 수지)를 들 수 있다. 이들은 1종류 단독으로 사용해도 좋고 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.Specific examples of the solid epoxy resin include " HP4032H " (naphthalene type epoxy resin) manufactured by DIC Corporation; HP-4700 ", " HP-4710 " (naphthalene type tetrafunctional epoxy resin) manufactured by DIC Corporation; "N-690" (cresol novolak type epoxy resin) manufactured by DIC Corporation; "N-695" (cresol novolak type epoxy resin) manufactured by DIC Corporation; HP-7200 " (dicyclopentadiene type epoxy resin) manufactured by DIC Corporation; EXA-7311-G4 "," EXA-7311-G4S ", and" HP6000 "(manufactured by DIC Corporation," HP-7200HH "," HP-7200H "," EXA-7311 " Naphthylene ether type epoxy resin); "EPPN-502H" (trisphenol type epoxy resin) manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.; NC7000L " (naphthol novolak type epoxy resin) manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.; Quot; NC3000H ", " NC3000 ", " NC3000L ", and " NC3100 " (biphenyl aralkyl type epoxy resin) manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.; &Quot; ESN475V " (naphthol type epoxy resin) manufactured by Shinnitetsu Sumikin Kagaku Co., Ltd.; ESN485 " (naphthol novolac type epoxy resin) manufactured by Shinnitetsu Sumikin Kagaku Co., Ltd.; YX4000H ", " YX4000 ", and " YL6121 " (biphenyl type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; &Quot; YX4000HK " (biquileneol type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; "YX8800" (anthracene type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; &Quot; PG-100 ", " CG-500 " (Bisphenol AF type epoxy resin) manufactured by Osaka Gas Chemical Co., Ltd.; &Quot; YL7760 " (bisphenol AF type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; &Quot; YL7800 " (fluorene type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; &Quot; jER1010 " (solid bisphenol A type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; Quot; jER1031S " (tetraphenyl ethane type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation. These may be used singly or in combination of two or more.

(A) 에폭시 수지로서, 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지를 조합하여 사용하는 경우, 그들의 질량비(액상 에폭시 수지:고체상 에폭시 수지)는, 바람직하게는 1:0.1 내지 1:15, 보다 바람직하게는 1:0.5 내지 1:10, 특히 바람직하게는 1:1 내지 1:8이다. 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지의 질량비가 상기 범위에 있음으로써, 접착 필름의 형태로 사용하는 경우에, 바람직한 점착성을 얻을 수 있다. 또한, 접착 필름의 형태로 사용하는 경우에, 충분한 가요성을 얻을 수 있어, 취급성을 향상시킬 수 있다. 또한, 수지 조성물의 경화물의 파단 강도를 효과적으로 높일 수 있다.(A) When the liquid epoxy resin and the solid epoxy resin are used in combination as the epoxy resin, their mass ratio (liquid epoxy resin: solid epoxy resin) is preferably 1: 0.1 to 1:15, more preferably 1 : 0.5 to 1:10, particularly preferably 1: 1 to 1: 8. When the mass ratio of the liquid epoxy resin to the solid epoxy resin is in the above range, favorable tackiness can be obtained when used in the form of an adhesive film. In addition, when used in the form of an adhesive film, sufficient flexibility can be obtained and handling properties can be improved. Further, the breaking strength of the cured product of the resin composition can be effectively increased.

(A) 에폭시 수지의 에폭시 당량은, 바람직하게는 50 내지 5000, 보다 바람직하게는 50 내지 3000, 더욱 바람직하게는 80 내지 2000, 특히 바람직하게는 110 내지 1000이다. (A) 에폭시 수지의 에폭시 당량이 상기 범위에 있음으로써, 수지 조성물의 경화물의 가교 밀도가 충분해지고, 표면 거칠기가 작은 절연층을 수득할 수 있다. 또한, 에폭시 당량은 1당량의 에폭시기를 포함하는 수지의 질량이고, JIS K7236D에 따라 측정할 수 있다.The epoxy equivalent of the epoxy resin (A) is preferably 50 to 5000, more preferably 50 to 3000, still more preferably 80 to 2000, still more preferably 110 to 1000. When the epoxy equivalent of the epoxy resin (A) is in the above range, the crosslinked density of the cured product of the resin composition becomes sufficient, and an insulating layer having a small surface roughness can be obtained. The epoxy equivalent is a mass of a resin containing one equivalent of an epoxy group and can be measured in accordance with JIS K7236D.

(A) 에폭시 수지의 중량 평균 분자량은 본 발명이 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 바람직하게는 100 내지 5000이고, 보다 바람직하게는 250 내지 3000이고, 더욱 바람직하게는 400 내지 1500이다. 에폭시 수지 등의 수지의 중량 평균 분자량은 겔 침투 크로마토그래피(GPC)법에 의해 측정되는 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량이다.The weight-average molecular weight of the epoxy resin (A) is preferably 100 to 5000, more preferably 250 to 3000, and still more preferably 400 to 1500, from the viewpoint of achieving the desired effect of the present invention. The weight average molecular weight of a resin such as an epoxy resin is a weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by a gel permeation chromatography (GPC) method.

수지 조성물에서의 (A) 에폭시 수지의 양은 양호한 기계 강도 및 절연 신뢰성을 나타내는 절연층을 수득하는 관점에서, 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100질량%에 대해, 바람직하게는 3질량% 이상, 보다 바람직하게는 5질량% 이상, 특히 바람직하게는 9질량% 이상이고, 바람직하게는 70질량% 이하, 보다 바람직하게는 50질량% 이하, 특히 바람직하게는 30질량% 이하이다.The amount of the epoxy resin (A) in the resin composition is preferably 3% by mass or more, more preferably 3% by mass or more, more preferably 100% by mass or less, Is not less than 5% by mass, particularly preferably not less than 9% by mass, preferably not more than 70% by mass, more preferably not more than 50% by mass, particularly preferably not more than 30% by mass.

[1.3. (B) 말레이미드 화합물][1.3. (B) maleimide compound]

(B) 성분으로서의 말레이미드 화합물은 하기 화학식 (B1)로 표시되는 말레이미드기를 분자 중에 함유하는 화합물이다.The maleimide compound as the component (B) is a compound containing a maleimide group represented by the following formula (B1) in the molecule.

화학식 (B1)(B1)

Figure pat00001
Figure pat00001

(B) 말레이미드 화합물의 1분자당 말레이미드기의 수는 1개라도 좋지만, 바람직하게는 2개 이상이고, 바람직하게는 10개 이하, 보다 바람직하게 6개 이하, 특히 바람직하게는 3개 이하이다. 1분자당 2개 이상의 말레이미드기를 갖는 (B) 말레이미드 화합물을 사용함으로써, 본 발명이 원하는 효과를 현저하게 얻을 수 있고, 특히, 경화물의 유전 정접의 온도 안정성을 효과적으로 개선할 수 있다.The number of maleimide groups per molecule of the maleimide compound (B) may be one, but is preferably 2 or more, preferably 10 or less, more preferably 6 or less, particularly preferably 3 or less to be. By using the maleimide compound (B) having two or more maleimide groups per molecule, the desired effect of the present invention can be remarkably obtained, and in particular, the temperature stability of the dielectric tangent of the cured product can be effectively improved.

(B) 말레이미드 화합물은 말레이미드기에 조합하여 방향족 골격을 함유하는 것이 바람직하다. 방향족 골격을 함유하는 (B) 말레이미드 화합물을 사용함으로써, 본 발명이 원하는 효과를 현저하게 얻을 수 있고, 특히, 경화물의 유전 정접의 온도 안정성을 효과적으로 개선할 수 있다. 특히, (B) 말레이미드 화합물은 방향족 골격으로서 벤젠환을 함유하는 것이 바람직하다.The maleimide compound (B) preferably contains an aromatic skeleton in combination with a maleimide group. By using the maleimide compound (B) containing an aromatic skeleton, the desired effect of the present invention can be remarkably obtained, and in particular, the temperature stability of the dielectric tangent of the cured product can be effectively improved. In particular, the maleimide compound (B) preferably contains a benzene ring as an aromatic skeleton.

(B) 말레이미드 화합물로서는, 예를 들면, 4,4'-디페닐메탄비스말레이미드, 폴리페닐메탄말레이미드, 페닐렌비스말레이미드, 비스페놀 A 디페닐에테르비스말레이미드, 3,3'-디메틸-5,5'-디에틸-4,4'-디페닐메탄비스말레이미드, 4-메틸-1,3-페닐렌비스말레이미드, 1,6'-비스말레이미드-(2,2,4-트리메틸)헥산, 4,4'-디페닐에테르비스말레이미드, 4,4'-디페닐설폰비스말레이미드, 1,3-비스(3-말레이미드페녹시)벤젠, 1,3-비스(4-말레이미드페녹시)벤젠 등을 들 수 있다.Examples of the maleimide compound (B) include 4,4'-diphenylmethane bismaleimide, polyphenylmethane maleimide, phenylene bismaleimide, bisphenol A diphenyl ether bismaleimide, 3,3'- Diethyl-4,4'-diphenylmethane bismaleimide, 4-methyl-1,3-phenylene bismaleimide, 1,6'-bismaleimide- (2,2,2- 4-trimethylhexane, 4,4'-diphenyl ether bismaleimide, 4,4'-diphenylsulfone bismaleimide, 1,3-bis (3-maleimidophenoxy) benzene, (4-maleimidophenoxy) benzene, and the like.

본 발명이 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, (B) 말레이미드 화합물로서는, 화학식 (B2)로 표시되는 폴리페닐메탄말레이미드, 및 화학식 (B3)으로 표시되는 페닐렌비스말레이미드가 특히 바람직하다. 화학식 (B2)에서, n은 0 이상의 정수를 나타낸다.As the maleimide compound (B), polyphenylmethane maleimide represented by the formula (B2) and phenylenebismaleimide represented by the formula (B3) are particularly preferable from the viewpoint of obtaining the desired effect of the present invention remarkably . In the formula (B2), n represents an integer of 0 or more.

화학식 (B2)(B2)

Figure pat00002
Figure pat00002

화학식 (B3)(B3)

Figure pat00003
Figure pat00003

(B) 말레이미드 화합물의 구체예로서는, 다이와카세이코교사 제조 「BMI-1000」, 케이·아이카세이사 제조 「BMI」(4,4'-디페닐메탄비스말레이미드); 다이와카세이코교사 제조 「BMI-2000」(폴리페닐메탄말레이미드); 다이와카세이코교사 제조 「BMI-3000」(m-페닐렌비스말레이미드); 다이와카세이코교사 제조 「BMI-4000」, 케이·아이카세이사 제조 「BMI-80」(비스페놀 A 디페닐에테르비스말레이미드); 다이와카세이코교사 제조 「BMI-5100」, 케이·아이카세이사 제조 「BMI-70」(3,3'-디메틸-5,5'-디에틸-4,4'-디페닐메탄비스말레이미드); 다이와카세이코교사 제조 「BMI-7000」(4-메틸-1,3-페닐렌비스말레이미드); 다이와카세이코교사 제조 「BMI-TMH」(1,6'-비스말레이미드(2,2,4-트리메틸)헥산); 다이와카세이코교사 제조 「BMI-6000」(4,4'-디페닐에테르비스말레이미드); 다이와카세이코교사 제조 「BMI-8000」(4,4'-디페닐설폰비스말레이미드); 다이와카세이코교사 제조의 1,3-비스(3-말레이미드페녹시)벤젠; 다이와카세이코교사 제조의 1,3-비스(4-말레이미드페녹시)벤젠; 미쯔이카가쿠파인사 제조 「ANILIX-MI」 등을 들 수 있다. 또한, (B) 말레이미드 화합물은 1종류를 단독으로 사용해도 좋고 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.Specific examples of the (B) maleimide compound include "BMI-1000" manufactured by Daisuke Seiko Co., "BMI" (4,4'-diphenylmethane bismaleimide) manufactured by K. &Quot; BMI-2000 " (polyphenylmethane maleimide) manufactured by Daiwa Kasei Kogyo Co., Ltd.; &Quot; BMI-3000 " (m-phenylenebismaleimide) manufactured by Daiwa Kasei Kogyo Co., Ltd.; BMI-4000 " manufactured by Daiwa Kasei Kogyo Co., Ltd., " BMI-80 " (bisphenol A diphenyl ether bismaleimide) BMI-5100 "manufactured by Daiwa Kasei Kogyo Co., Ltd.," BMI-70 "(3,3'-dimethyl-5,5'-diethyl-4,4'-diphenylmethane bismaleimide) ; BMI-7000 " (4-methyl-1,3-phenylenebismaleimide) manufactured by Daikin Industries, Ltd.; &Quot; BMI-TMH " (1,6'-bismaleimide (2,2,4-trimethyl) hexane) manufactured by Daiwa Kasei Corporation; &Quot; BMI-6000 " (4,4'-diphenyl ether bismaleimide) manufactured by Daikin Industries, Ltd.; &Quot; BMI-8000 " (4,4'-diphenyl sulfone bismaleimide) manufactured by Daiwa Kasei Kogyo Co., Ltd.; 1,3-bis (3-maleimidophenoxy) benzene manufactured by Daiwa Kasei Kogyo Co., Ltd.; 1,3-bis (4-maleimidophenoxy) benzene manufactured by Daiwa Kasei Kogyo Co., Ltd.; &Quot; ANILIX-MI " manufactured by Mitsui Kagaku Co., Ltd., and the like. The maleimide compound (B) may be used singly or in combination of two or more.

(B) 말레이미드 화합물은, 예를 들면, 무수 말레산과 적절한 아민 화합물을 반응시켜 제조할 수 있다.The maleimide compound (B) can be prepared, for example, by reacting maleic anhydride with a suitable amine compound.

수지 조성물에서의 (B) 말레이미드 화합물의 양은 (A) 에폭시 수지 100질량%에 대해, 바람직하게는 10질량% 이상, 보다 바람직하게는 11질량% 이상, 특히 바람직하게는 12질량% 이상이고, 바람직하게는 70질량% 이하, 보다 바람직하게는 69질량% 이하, 특히 바람직하게는 68질량% 이하이다. (B) 말레이미드 화합물의 양이 상기 범위에 있음으로써, 수지 조성물의 경화물의 유전 정접의 온도 안정성을 양호하게 할 수 있다.The amount of the maleimide compound (B) in the resin composition is preferably 10% by mass or more, more preferably 11% by mass or more, particularly preferably 12% by mass or more, relative to 100% by mass of the epoxy resin (A) Preferably 70 mass% or less, more preferably 69 mass% or less, and particularly preferably 68 mass% or less. When the amount of the (B) maleimide compound is in the above range, the temperature stability of the dielectric loss tangent of the cured product of the resin composition can be improved.

수지 조성물에서의 (B) 말레이미드 화합물의 양은 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100질량%에 대해, 바람직하게는 0.5질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.8질량% 이상, 특히 바람직하게는 1.0질량% 이상이고, 바람직하게는 7.0질량% 이하, 보다 바람직하게는 6.7질량% 이하, 특히 바람직하게는 6.2질량% 이하이다. (B) 말레이미드 화합물의 양이 상기 범위에 있음으로써, 본 발명이 원하는 효과를 현저하게 얻을 수 있고, 특히, 경화물의 유전 정접의 온도 안정성을 효과적으로 개선할 수 있다.The amount of the maleimide compound (B) in the resin composition is preferably 0.5% by mass or more, more preferably 0.8% by mass or more, particularly preferably 1.0% by mass or more based on 100% by mass of the nonvolatile component in the resin composition , Preferably 7.0 mass% or less, more preferably 6.7 mass% or less, particularly preferably 6.2 mass% or less. When the amount of the (B) maleimide compound is in the above range, the desired effect of the present invention can be obtained remarkably, and the temperature stability of the dielectric loss tangent of the cured product can be effectively improved.

[1.4. (C) 무기 충전재][1.4. (C) inorganic filler]

(C) 성분으로서의 무기 충전재의 재료로서는, 예를 들면, 실리카, 알루미나, 유리, 코디에라이트, 실리콘 산화물, 황산바륨, 탄산바륨, 활석, 클레이, 운모분, 산화아연, 하이드로탈사이트, 베마이트, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 산화마그네슘, 질화붕소, 질화알루미늄, 질화망간, 붕산알루미늄, 탄산스트론튬, 티탄산스트론튬, 티탄산칼슘, 티탄산마그네슘, 티탄산비스무스, 산화티탄, 산화지르코늄, 티탄산바륨, 티탄산-지르콘산바륨, 지르콘산바륨, 지르콘산칼슘, 인산지르코늄, 및 인산-텅스텐산지르코늄을 들 수 있다. 이들 중에서도, 본 발명이 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 실리카가 특히 적합하다. 실리카로서는, 예를 들면, 무정형 실리카, 용융 실리카, 결정 실리카, 합성 실리카, 중공 실리카 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 구형 실리카가 바람직하다. (C) 무기 충전재는 1종류 단독으로 사용해도 좋고 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.As the material of the inorganic filler as the component (C), for example, silica, alumina, glass, cordierite, silicon oxide, barium sulfate, barium carbonate, talc, clay, mica powder, zinc oxide, hydrotalcite, , Aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, magnesium oxide, boron nitride, aluminum nitride, manganese nitride, aluminum borate, strontium carbonate, strontium titanate, calcium titanate, magnesium titanate, bismuth titanate, titanium oxide, zirconium oxide, Barium titanate, barium titanate zirconate, barium zirconate, calcium zirconate, zirconium phosphate, and zirconium tungstate phosphate. Of these, silica is particularly suitable from the viewpoint of obtaining a desired effect of the present invention remarkably. Examples of the silica include amorphous silica, fused silica, crystalline silica, synthetic silica, hollow silica and the like. Among them, spherical silica is preferable. The inorganic filler (C) may be used singly or in combination of two or more kinds.

통상, (C) 무기 충전재는 입자의 상태로 수지 조성물에 포함된다. (C) 무기 충전재의 평균 입자 직경은 본 발명이 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 바람직하게는 0.01㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.05㎛ 이상, 특히 바람직하게는 0.1㎛ 이상이고, 바람직하게는 5.0㎛ 이하, 보다 바람직하게는 2.0㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 1.0㎛ 이하이다. 또한, (C) 무기 충전재의 평균 입자 직경이 상기 범위에 있음으로써, 통상 수지 조성물층의 회로 매립성을 향상시키거나, 절연층의 표면 거칠기를 작게 할 수 있다.Usually, the inorganic filler (C) is contained in the resin composition in the form of particles. The average particle diameter of the inorganic filler (C) is preferably 0.01 占 퐉 or more, more preferably 0.05 占 퐉 or more, particularly preferably 0.1 占 퐉 or more, and preferably 5.0 占 or more, from the viewpoint of achieving a desired effect of the present invention remarkably. Mu m or less, more preferably 2.0 mu m or less, and further preferably 1.0 mu m or less. When the average particle diameter of the inorganic filler (C) is in the above range, the circuit filling property of the resin composition layer can be improved or the surface roughness of the insulating layer can be reduced.

(C) 무기 충전재의 시판품으로서는, 예를 들면, 신닛데츠스미킨 머티리얼즈사 제조의 「SP60-05」, 「SP507-05」; 아도마텍스사 제조의 「YC100C」, 「YA050C」, 「YA050C-MJE」, 「YA010C」; 덴카사 제조의 「UFP-30」; 도쿠야마사 제조의 「실필 NSS-3N」, 「실필 NSS-4N」, 「실필 NSS-5N」; 아도마텍스사 제조의 「SC2500SQ」, 「SO-C4」, 「SO-C2」, 「SO-C1」 등을 들 수 있다.(C) Examples of commercially available inorganic fillers include " SP60-05 " and " SP507-05 " manufactured by Shinnitetsu Sumikin Materials Company; "YC100C", "YA050C", "YA050C-MJE" and "YA010C" manufactured by Adomatex Co., "UFP-30" manufactured by Denka Corporation; Quot; NSS-3N ", " NSS-4N ", and " NSS-5N " manufactured by Tokuyama Corporation; "SC2500SQ", "SO-C4", "SO-C2" and "SO-C1" manufactured by Adomatex Co., Ltd.

(C) 무기 충전재 등의 입자의 평균 입자 직경은 미(Mie) 산란 이론에 기초한 레이저 회절·산란법에 의해 측정할 수 있다. 구체적으로는, 레이저 회절 산란식 입경 분포 측정 장치에 의해, 입자의 입경 분포를 체적 기준으로 측정하고, 그 입경 분포로부터 메디안 직경으로서 평균 입자 직경을 얻을 수 있다. 측정 샘플은 입자를 초음파에 의해 물 등의 용제 중에 분산시킨 것을 바람직하게 사용할 수 있다. 레이저 회절 산란식 입경 분포 측정 장치로서는 호리바세이사쿠쇼사 제조의 「LA-500」 등을 사용할 수 있다.(C) The average particle diameter of particles such as inorganic fillers can be measured by a laser diffraction / scattering method based on the Mie scattering theory. Specifically, the particle size distribution of the particles can be measured on the volume basis using a laser diffraction scattering particle size distribution measuring apparatus, and the average particle diameter can be obtained as the median diameter from the particle size distribution. The sample to be measured can be preferably those obtained by dispersing particles in a solvent such as water by ultrasonic waves. As the laser diffraction scattering type particle diameter distribution measuring apparatus, "LA-500" manufactured by Horiba Seisakusho Co., Ltd. and the like can be used.

(C) 무기 충전재의 비표면적은 본 발명이 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 바람직하게는 1㎡/g 이상, 보다 바람직하게는 2㎡/g 이상, 특히 바람직하게는 3㎡/g 이상이다. 상한에 특별한 제한은 없지만, 바람직하게는 60㎡/g 이하, 50㎡/g 이하 또는 40㎡/g 이하이다. 비표면적은 BET법에 따라, 비표면적 측정 장치(마운텍사 제조 Macsorb HM-1210)를 사용하여 시료 표면에 질소 가스를 흡착시키고, BET 다점법을 사용하여 비표면적을 산출함으로써 얻을 수 있다.The specific surface area of the inorganic filler (C) is preferably not less than 1 m 2 / g, more preferably not less than 2 m 2 / g, particularly preferably not less than 3 m 2 / g, from the viewpoint of achieving a desired effect of the present invention . The upper limit is not particularly limited, but is preferably 60 m 2 / g or less, 50 m 2 / g or less, or 40 m 2 / g or less. The specific surface area can be obtained by adsorbing nitrogen gas on the sample surface using a specific surface area measuring apparatus (Macsorb HM-1210, manufactured by Mountain Tex) according to the BET method, and calculating the specific surface area using the BET multi-point method.

(C) 무기 충전재는 임의의 표면 처리제로 표면 처리되어 있어도 좋다. 표면 처리제로서는, 예를 들면, 아미노실란계 커플링제, 에폭시실란계 커플링제, 머캅토실란계 커플링제, 티타네이트계 커플링제 등의 커플링제; 알콕시실란 화합물; 오르가노실라잔 화합물 등을 들 수 있다. 이들의 표면 처리제로 표면 처리됨으로써, (C) 무기 충전재의 내습성 및 분산성을 높일 수 있다.(C) The inorganic filler may be surface-treated with any surface-treating agent. Examples of the surface treatment agent include coupling agents such as amino silane coupling agents, epoxy silane coupling agents, mercaptosilane coupling agents and titanate coupling agents; Alkoxysilane compounds; Organosilazane compounds, and the like. The surface treatment with these surface treatment agents can improve the moisture resistance and dispersibility of the inorganic filler (C).

표면 처리제의 시판품으로서는, 예를 들면, 신에츠카가쿠코교사 제조 「KBM403」(3-글리시독시프로필트리메톡시실란), 신에츠카가쿠코교사 제조 「KBM803」(3-머캅토프로필트리메톡시실란), 신에츠카가쿠코교사 제조 「KBE903」(3-아미노프로필트리에톡시실란), 신에츠카가쿠코교사 제조 「KBM573」(N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란), 신에츠카가쿠코교사 제조 「SZ-31」(헥사메틸디실라잔), 신에츠카가쿠코교사 제조 「KBM-103」(페닐트리메톡시실란), 신에츠카가쿠코교사 제조 「KBM-4803」(장쇄 에폭시형 실란커플링제) 등을 들 수 있다. 또한, 표면 처리제는 1종류 단독으로 사용해도 좋고 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.Examples of commercial products of surface treatment agents include KBM403 (3-glycidoxypropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., KBM803 (3-mercaptopropyltrimethoxy Silane), KBE903 (3-aminopropyltriethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., KBM573 (N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin- KBM-4803 " manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) (long-chain epoxy type Silane coupling agents). The surface treatment agent may be used singly or in combination of two or more kinds.

표면 처리제에 의한 표면 처리의 정도는 (C) 무기 충전재의 단위 표면적당 카본량에 의해 평가할 수 있다. (C) 무기 충전재의 단위 표면적당 카본량은 (C) 무기 충전재의 분산성 향상의 관점에서, 바람직하게는 0.02mg/㎡ 이상, 보다 바람직하게는 0.1mg/㎡ 이상, 특히 바람직하게는 0.2mg/㎡ 이상이다. 한편, 수지 바니쉬의 용융 점도 및 시트 형태에서의 용융 점도의 상승을 억제하는 관점에서, 상기 카본량은, 바람직하게는 1mg/㎡ 이하, 보다 바람직하게는 0. 8mg/㎡ 이하, 특히 바람직하게는 0.5mg/㎡ 이하이다.The degree of the surface treatment by the surface treatment agent can be evaluated by the carbon amount per unit surface area (C) of the inorganic filler. From the viewpoint of improving the dispersibility of the inorganic filler (C), the carbon content per unit surface area of the inorganic filler (C) is preferably 0.02 mg / m 2 or more, more preferably 0.1 mg / Or more, particularly preferably 0.2 mg / m 2 or more. On the other hand, the amount of carbon is preferably 1 mg / m 2 or less, more preferably 0.8 mg / m 2 or less from the viewpoint of suppressing the melt viscosity of the resin varnish and the increase of the melt viscosity in the sheet form, And not more than 0.5 mg / m 2.

(C) 무기 충전재의 단위 표면적당 카본량은 표면 처리 후의 (C) 무기 충전재를 용제(예를 들면, 메틸에틸케톤(이하 「MEK」라고 약칭하는 경우가 있다))에 의해 세정 처리한 후에 측정할 수 있다. 구체적으로는, 충분한 양의 MEK와, 표면 처리제로 표면 처리된 (C) 무기 충전재를 혼합하여, 25℃에서 5분간, 초음파 세정한다. 이어서, 상청액을 제거하고, 불휘발 성분을 건조시킨 후, 카본 분석계를 사용하여, (C) 무기 충전재의 단위 표면적당 카본량을 측정할 수 있다. 카본 분석계로서는, 호리바세이사쿠쇼사 제조 「EMIA-320V」를 사용할 수 있다.The amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler (C) can be measured by washing the surface-treated inorganic filler (C) with a solvent (for example, methyl ethyl ketone (hereinafter may be abbreviated as "MEK" can do. Specifically, a sufficient amount of MEK and inorganic filler (C) surface-treated with a surface treatment agent are mixed and ultrasonically cleaned at 25 占 폚 for 5 minutes. Subsequently, the supernatant liquid is removed and the nonvolatile component is dried, and then the amount of carbon per unit surface area (C) of the inorganic filler can be measured using a carbon analyzer. As the carbon analyzer, "EMIA-320V" manufactured by Horiba Seisakusho Co., Ltd. can be used.

수지 조성물에서의 (C) 무기 충전재의 양은 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100질량%에 대해, 바람직하게는 5질량% 이상, 보다 바람직하게는 10질량% 이상, 더욱 바람직하게는 15질량% 이상, 특히 바람직하게는 20질량% 이상이고, 바람직하게는 80질량% 이하, 보다 바람직하게는 70질량% 이하, 더욱 바람직하게는 60질량% 이하, 특히 바람직하게는 50질량% 이하이다. (C) 무기 충전재의 양이 상기 범위의 하한값 이상임으로써, 수지 조성물의 경화물의 열팽창율을 낮게 할 수 있으므로, 절연층의 휘어짐을 억제할 수 있다. 또한, (C) 무기 충전재의 양이 상기 범위의 상한값 이하임으로써, 수지 조성물의 경화물의 기계적 강도를 향상시킬 수 있고, 특히 신장(伸張)에 대한 내성을 높일 수 있다.The amount of the inorganic filler (C) in the resin composition is preferably 5% by mass or more, more preferably 10% by mass or more, further preferably 15% by mass or more, and particularly preferably 10% by mass or more based on 100% by mass of the non- Preferably 20 mass% or more, preferably 80 mass% or less, more preferably 70 mass% or less, further preferably 60 mass% or less, particularly preferably 50 mass% or less. (C) Since the amount of the inorganic filler is the lower limit value or more of the above range, the thermal expansion rate of the cured product of the resin composition can be lowered, and warping of the insulating layer can be suppressed. Further, when the amount of the inorganic filler (C) is not more than the upper limit of the above range, the mechanical strength of the cured product of the resin composition can be improved, and the resistance to elongation can be increased.

[1.5. (D) 불소계 충전재][1.5. (D) Fluorine-based filler]

(D) 성분으로서의 불소계 충전재는 불소 원자를 포함하는 화합물을 재료로서 포함하는 충전재이다. 불소계 충전재는 일반적으로 입자로 되어 있다. 따라서, (D) 불소계 충전재로서, 통상 불소 원자를 포함하는 화합물을 재료로서 포함하는 입자를 사용한다.The fluorine-based filler as the component (D) is a filler containing a compound containing a fluorine atom as a material. The fluorine-based filler is generally in the form of particles. Therefore, as the fluorine-based filler (D), particles containing a compound containing a fluorine atom as a material are generally used.

(D) 불소계 충전재의 재료로서는, 예를 들면, 불소계 중합체, 불소계 고무 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 절연층의 유전율을 저감하는 관점에서, 불소계 중합체가 바람직하다. 따라서, (D) 불소계 충전재로서는 불소계 중합체 입자가 바람직하다.Examples of the material of the fluorine-based filler (D) include a fluorine-based polymer and a fluorine-based rubber. Of these, a fluorine-based polymer is preferable from the viewpoint of reducing the dielectric constant of the insulating layer. Therefore, fluorine-based polymer particles are preferable as the fluorine-based filler (D).

불소계 중합체로서는, 예를 들면, 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE), 퍼플루오로알콕시알칸(PFA), 퍼플루오로에틸렌프로펜 공중합체(FEP), 에틸렌·테트라플루오로에틸렌 공중합체(ETFE), 테트라플루오로에틸렌-퍼플루오로디옥솔 공중합체(TFE/PDD), 폴리불화비닐리덴(PVDF), 폴리클로로트리플루오로에틸렌(PCTFE), 에틸렌-클로로트리플루오로에틸렌 공중합체(ECTFE), 폴리불화비닐(PVF)을 들 수 있다. 이들은 1종류 단독으로 사용해도 좋고 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.Examples of the fluorine-based polymer include polytetrafluoroethylene (PTFE), perfluoroalkoxyalkane (PFA), perfluoroethylene propene copolymer (FEP), ethylene / tetrafluoroethylene copolymer (ETFE) (TFE / PDD), polyvinylidene fluoride (PVDF), polychlorotrifluoroethylene (PCTFE), ethylene-chlorotrifluoroethylene copolymer (ECTFE), polyfluorinated Vinyl (PVF). These may be used singly or in combination of two or more.

이들 중에서도, 절연층의 유전율을 특히 저감하는 관점에서, 불소계 중합체로서는 폴리테트라플루오로에틸렌이 바람직하다. 따라서, (D) 불소계 충전재로서는, 폴리테트라플루오로에틸렌을 포함하는 입자로서의 폴리테트라플루오로에틸렌 입자가 바람직하다.Of these, polytetrafluoroethylene is preferable as the fluorine-based polymer from the viewpoint of particularly reducing the dielectric constant of the insulating layer. Therefore, as the fluorine-based filler (D), polytetrafluoroethylene particles as particles containing polytetrafluoroethylene are preferable.

불소계 중합체의 중량 평균 분자량은 본 발명이 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 바람직하게는 5000000 이하, 보다 바람직하게는 4000000 이하, 특히 바람직하게는 3000000 이하이다.The weight average molecular weight of the fluorine-based polymer is preferably 5,000,000 or less, more preferably 4,000,000 or less, and particularly preferably 3,000,000 or less, from the viewpoint of achieving the desired effect of the present invention.

(D) 불소계 충전재의 평균 입자 직경은, 바람직하게는 0.05㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.08㎛ 이상, 특히 바람직하게는 0.10㎛ 이상이고, 바람직하게는 10㎛ 이하, 보다 바람직하게는 5㎛ 이하, 특히 바람직하게는 4㎛ 이하이다. (D) 불소계 충전재의 평균 입자 직경이 상기 범위에 있음으로써, 본 발명이 원하는 효과를 현저하게 얻을 수 있고, 또한 통상 수지 조성물 중에서의 (D) 불소계 충전재의 분산성을 양호하게 할 수 있다. (D) 불소계 충전재의 평균 입자 직경은 (C) 무기 충전재와 마찬가지로, 미(Mie) 산란 이론에 기초한 레이저 회절·산란법에 의해 측정할 수 있다.The average particle diameter of the fluorine-based filler (D) is preferably 0.05 μm or more, more preferably 0.08 μm or more, particularly preferably 0.10 μm or more, preferably 10 μm or less, more preferably 5 μm or less, And particularly preferably 4 mu m or less. When the average particle diameter of the fluorine-based filler (D) is in the above range, the desired effect of the present invention can be obtained remarkably and the dispersibility of the fluorine-based filler (D) in the resin composition can be improved. The average particle diameter of the fluorine-containing filler (D) can be measured by a laser diffraction / scattering method based on the (Mie) scattering theory, similarly to (C) inorganic filler.

(D) 불소계 충전재의 시판품으로서는, 예를 들면, 다이킨코교사 제조의 「루브론 L-2」, 「루브론 L-5」, 「루브론 L-5F」; 아사히가라스사 제조의 「FluonPTFE L-170JE」, 「FluonPTFEL-172JE」, 「FluonPTFE L-173JE」; 기타무라사 제조의 「KTL-500F」, 「KTL-2N」, 「KTL-1N」; 미쯔이-듀폰 플루오로케미컬사 제조의 「TLP10F-1」 등을 들 수 있다.Examples of commercially available products of the fluorine-based filler (D) include "Lubron L-2", "Lubron L-5", "Lubron L-5F" manufactured by Daikenko; "FluonPTFE L-170JE", "FluonPTFEL-172JE" and "FluonPTFE L-173JE" manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.; "KTL-500F", "KTL-2N" and "KTL-1N" manufactured by Kitamura Co., Ltd.; And " TLP10F-1 " manufactured by Mitsui-DuPont Fluorochemicals.

(D) 불소계 충전재는 표면 처리되어 있어도 좋다. 예를 들면(D) 불소계 충전재는 임의의 표면 처리제로 표면 처리되어 있어도 좋다. 표면 처리제로서는, 예를 들면, 비이온성 계면활성제, 양성 계면활성제, 양이온 계면활성제, 음이온 계면활성제 등의 계면활성제; 무기 미립자 등을 들 수 있다. 친화성의 관점에서, 표면 처리제로서는 불소계의 계면활성제를 사용하는 것이 바람직하다. 불소계의 계면활성제의 구체예로서는, AGC 세이미케미컬사 제조의 「서프론 S-243」(퍼플루오로알킬 에틸렌옥시드 부가물); DIC사 제조의 「메가팍 F-251」, 「메가팍 F-477」, 「메가팍 F-553」, 「메가팍 R-40」, 「메가팍 R-43」, 「메가팍 R-94」; 네오스사 제조의 「FTX-218」, 「후타젠트 610FM」을 들 수 있다.The fluorine-based filler (D) may be surface-treated. For example, the fluorine-based filler (D) may be surface-treated with an optional surface treatment agent. Examples of the surface treatment agent include surfactants such as nonionic surfactants, amphoteric surfactants, cationic surfactants and anionic surfactants; Inorganic fine particles, and the like. From the viewpoint of affinity, it is preferable to use a fluorine-based surfactant as the surface treatment agent. Specific examples of the fluorine-based surfactant include "Surflon S-243" (perfluoroalkyl ethylene oxide adduct) manufactured by AGC Seiyam Chemical Co., Ltd.; Megapak F-251 "," Megapack F-477 "," Megapack F-553 "," Megapark R-40 "," Megapark R-43 " "; FTX-218 " and " Futagent 610FM " manufactured by NEOS.

수지 조성물에서의 (D) 불소계 충전재의 양은 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100질량%에 대해, 바람직하게는 10질량% 이상, 보다 바람직하게는 15질량% 이상, 특히 바람직하게는 20질량% 이상이고, 바람직하게는 80질량% 이하, 보다 바람직하게는 60질량% 이하, 특히 바람직하게는 40질량% 이하이다. (D) 불소계 충전재의 양이 상기 범위에 있음으로써, 본 발명이 원하는 효과를 현저하게 얻을 수 있고, 특히, 수지 조성물의 경화물의 유전율을 효과적으로 저감할 수 있다.The amount of the fluorine-based filler (D) in the resin composition is preferably 10% by mass or more, more preferably 15% by mass or more, and particularly preferably 20% by mass or more based on 100% by mass of the nonvolatile component in the resin composition, Preferably 80 mass% or less, more preferably 60 mass% or less, particularly preferably 40 mass% or less. When the amount of the fluorine-based filler (D) is in the above range, the desired effect of the present invention can be obtained remarkably, and the dielectric constant of the cured product of the resin composition can be effectively reduced.

수지 조성물에서의 (D) 불소계 충전재의 양은, (C) 무기 충전재 및 (D) 불소계 충전재의 합계 100질량%에 대해, 바람직하게는 20질량% 이상, 보다 바람직하게는 30질량% 이상, 특히 바람직하게는 35질량% 이상이고, 바람직하게는 90질량% 이하, 보다 바람직하게는 70질량% 이하, 특히 바람직하게는 50질량% 이하이다. (D) 불소계 충전재의 양이 상기 범위에 있음으로써, 본 발명이 원하는 효과를 현저하게 얻을 수 있고, 특히, 수지 조성물의 경화물의 유전율을 효과적으로 저감할 수 있다.The amount of the fluorine-based filler (D) in the resin composition is preferably 20% by mass or more, more preferably 30% by mass or more, particularly preferably 100% by mass or more, based on the total 100% by mass of the inorganic filler (D) Is not less than 35 mass%, preferably not more than 90 mass%, more preferably not more than 70 mass%, particularly preferably not more than 50 mass%. When the amount of the fluorine-based filler (D) is in the above range, the desired effect of the present invention can be obtained remarkably, and the dielectric constant of the cured product of the resin composition can be effectively reduced.

[1.6. (E) 불포화 탄화수소기를 갖는 수지][1.6. (E) Resin Having an Unsaturated Hydrocarbon Group]

수지 조성물은 상기한 성분 이외에, 임의의 성분으로서 (E) 불포화 탄화수소기를 갖는 수지를 포함하고 있어도 좋다. 이하의 설명에서, (E) 성분으로서의 「불포화 탄화수소기를 갖는 수지」를, 「불포화 수지」라고 하는 경우가 있다. 탄소-탄소 불포화 결합은 (E) 불포화 수지의 1분자 중에, 1개만 포함되어 있어도 좋고, 복수개 포함되어 있어도 좋다. (E) 불포화 수지를 포함하는 수지 조성물의 경화물은 통상, (E) 불포화 수지의 불포화 결합 부위가 반응하여 형성되는 분자 구조 부위를 포함한다. 이로써, 상기 경화물의 극성이 작아져, 유전 정접의 값을 작게 할 수 있다. 또한, (E) 불포화 수지에 의해, 통상 (D) 불소계 충전재의 분산성을 향상시킬 수 있다. 그러므로, 수지 조성물의 조성의 균일성이 향상되므로, 경화물의 도체층에 대한 밀착성을 보다 향상시킬 수 있다.The resin composition may contain, as optional components, a resin having an unsaturated hydrocarbon group (E) in addition to the above components. In the following description, the "resin having an unsaturated hydrocarbon group" as the component (E) is sometimes referred to as "unsaturated resin". The carbon-carbon unsaturated bond may be contained in only one molecule of the unsaturated resin (E), or a plurality of carbon-carbon unsaturated bonds may be contained. The cured product of the resin composition comprising (E) the unsaturated resin usually includes a molecular structure moiety in which the unsaturated bond of the unsaturated resin (E) is formed by the reaction. Thereby, the polarity of the cured product becomes small, and the value of the dielectric loss tangent can be reduced. In addition, the dispersibility of the fluorine-based filler (D) can be improved by the unsaturated resin (E). Therefore, since the uniformity of the composition of the resin composition is improved, the adhesion of the cured product to the conductor layer can be further improved.

(E) 불포화 수지는 당해 (E) 불포화 수지의 분자 중에 불포화 탄화수소기를 함유한다. 불포화 탄화수소기는 아크릴기, 메타크릴기, 스티릴기 및 올레핀기로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1 이상의 기인 것이 바람직하다. 여기서, 「올레핀기」란, 분자 중에 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 지방족 탄화수소기를 말한다. 올레핀기의 바람직한 예로서는, 알릴기, 비닐기, 프로페닐기를 들 수 있다. 따라서, (E) 불포화 수지는 아크릴기, 메타크릴기, 스티릴기, 알릴기, 비닐기 및 프로페닐기로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1 이상의 불포화 탄화수소기를 갖는 것이 바람직하다.The unsaturated (E) resin contains an unsaturated hydrocarbon group in the molecule of the (E) unsaturated resin. The unsaturated hydrocarbon group is preferably at least one group selected from the group consisting of an acrylic group, a methacrylic group, a styryl group and an olefin group. Here, the "olefin group" refers to an aliphatic hydrocarbon group having a carbon-carbon double bond in the molecule. Preferable examples of the olefin group include an allyl group, a vinyl group, and a propenyl group. Accordingly, it is preferable that the unsaturated resin (E) has at least one unsaturated hydrocarbon group selected from the group consisting of an acryl group, a methacryl group, a styryl group, an allyl group, a vinyl group and a propenyl group.

(E) 불포화 수지는 5원환 이상의 환상 에테르 구조를 갖는 화합물인 것이 바람직하다. 이하의 설명에서, 상기 「5원환 이상의 환상 에테르 구조를 갖는 화합물」을, 「불포화 환상 에테르 화합물」이라고 하는 경우가 있다. 불포화 환상 에테르 화합물은 통상, 분자의 움직임이 제한되어 있으므로, 유전 정접을 효과적으로 낮게 할 수 있다.The unsaturated resin (E) is preferably a compound having a cyclic ether structure having five or more ring members. In the following description, the "compound having a cyclic ether structure having five or more ring members" is sometimes referred to as "unsaturated cyclic ether compound". The unsaturated cyclic ether compound usually has a limited movement of molecules, so that the dielectric tangent can be effectively lowered.

불포화 환상 에테르 화합물은 탄소-탄소 불포화 결합을, 환상 에테르 구조 내에 포함하고 있어도 좋고, 환상 에테르 구조 외에 포함하고 있어도 좋다. The unsaturated cyclic ether compound may contain a carbon-carbon unsaturated bond in the cyclic ether structure or may include a cyclic ether structure.

불포화 환상 에테르 화합물은 환상 에테르 구조를 1개만 포함하고 있어도 좋고, 복수개 포함하고 있어도 좋다.The unsaturated cyclic ether compound may contain only one cyclic ether structure or a plurality of unsaturated cyclic ether compounds.

환상 에테르 구조는 1개의 환만을 포함하는 단환 구조를 갖고 있어도 좋고, 2 이상의 환을 포함하는 다환 구조를 갖고 있어도 좋고, 축합환을 포함하는 축합환 구조를 갖고 있어도 좋다.The cyclic ether structure may have a monocyclic structure containing only one ring, a polycyclic structure containing two or more rings, or a condensed ring structure containing a condensed ring.

1개의 환상 에테르 구조에 포함되는 산소 원자수는 본 발명이 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 바람직하게는 1 이상, 보다 바람직하게는 2 이상이고, 바람직하게는 5 이하, 보다 바람직하게는 4 이하, 더욱 바람직하게는 3 이하이다.The number of oxygen atoms contained in one cyclic ether structure is preferably 1 or more, more preferably 2 or more, preferably 5 or less, more preferably 4 or less, from the viewpoint of obtaining a desired effect of the present invention remarkably. , And more preferably 3 or less.

환상 에테르 구조는 5 내지 10원환인 것이 바람직하고, 5 내지 8원환인 것이 보다 바람직하고, 5 내지 6원환인 것이 더욱 바람직하다. 5원환 이상의 환상 에테르 구조의 구체예로서는, 퓨란 구조, 테트라하이드로퓨란 구조, 디옥소란 구조, 피란 구조, 디하이드로피란 구조, 테트라하이드로피란 구조, 디옥산 구조를 들 수 있다. 그 중에서도, 상용성을 향상시키는 관점에서, 디옥산 구조가 바람직하다. 디옥산 구조에는 1,2-디옥산 구조, 1,3-디옥산 구조 및 1,4-디옥산 구조가 포함되며, 1,3-디옥산 구조가 바람직하다.The cyclic ether structure is preferably a 5- to 10-membered ring, more preferably a 5- to 8-membered ring, and even more preferably a 5- to 6-membered ring. Specific examples of the cyclic ether structure having five or more ring members include a furan structure, a tetrahydrofuran structure, a dioxolane structure, a pyran structure, a dihydropyran structure, a tetrahydropyran structure, and a dioxane structure. Among them, a dioxane structure is preferable from the viewpoint of improving compatibility. The dioxane structure includes a 1,2-dioxane structure, a 1,3-dioxane structure and a 1,4-dioxane structure, and a 1,3-dioxane structure is preferable.

환상 에테르 구조에는 알킬기, 알콕시기 등의 치환기가 결합하고 있어도 좋다. 이러한 치환기의 탄소 원자수는 통상 1 내지 6이고, 바람직하게는 1 내지 3이다.A substituent such as an alkyl group or an alkoxy group may be bonded to the cyclic ether structure. The number of carbon atoms of such a substituent is usually 1 to 6, preferably 1 to 3.

상기한 불포화 환상 에테르 화합물 중에서도 비닐기를 갖는 것이 바람직하다. 비닐기를 갖는 불포화 환상 에테르 화합물(즉, 비닐기를 갖고, 또한 5원환 이상의 환상 에테르 구조를 갖는 화합물)을 (E) 불포화 수지로서 사용함으로써, 본 발명이 원하는 효과를 현저하게 얻을 수 있다. 또한 통상 수지 조성물의 유전 정접을 효과적으로 낮게 할 수 있다.Among the above-mentioned unsaturated cyclic ether compounds, those having a vinyl group are preferable. By using an unsaturated cyclic ether compound having a vinyl group (that is, a compound having a vinyl group and having a cyclic ether structure having five or more rings) as the unsaturated resin (E), the desired effect of the present invention can be obtained remarkably. In addition, dielectric tangent of the resin composition can be effectively lowered.

(E) 불포화 수지의 바람직한 예를 들면, 하기 화학식 (E1)로 표시되는 화합물, 하기 화학식 (E6)으로 표시되는 화합물, 및 하기 화학식 (E7)로 표시되는 화합물을 들 수 있다. 그 중에서도, 화학식 (E7)로 표시되는 화합물은 불포화 환상 에테르 화합물이고, 특히 바람직하다.Preferable examples of the unsaturated (E) unsaturated resin include a compound represented by the following formula (E1), a compound represented by the following formula (E6), and a compound represented by the following formula (E7). Among them, the compound represented by the formula (E7) is preferably an unsaturated cyclic ether compound.

화학식 (E1)(E1)

Figure pat00004
Figure pat00004

화학식 (E1)에서, R1 내지 R6은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소 원자수 1 내지 4의 알킬기를 나타내고, 바람직하게는 수소 원자를 나타낸다. 화학식 (E1)에서, A는 하기 화학식 (E2) 또는 하기 화학식 (E3)로 표시되는 2가의 기를 나타낸다.In the formula (E1), each of R 1 to R 6 independently represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, preferably a hydrogen atom. In the formula (E1), A represents a bivalent group represented by the following formula (E2) or the following formula (E3).

화학식 (E2)(E2)

Figure pat00005
Figure pat00005

화학식 (E2) 중, B는 하기 화학식 (E2-1), (E2-2) 또는 (E2-3)으로 표시되는 2가의 기를 나타낸다.In the formula (E2), B represents a divalent group represented by the following formula (E2-1), (E2-2) or (E2-3).

화학식 (E2-1)(E2-1)

Figure pat00006
Figure pat00006

화학식 (E2-2)(E2-2)

Figure pat00007
Figure pat00007

화학식 (E2-3)(E2-3)

Figure pat00008
Figure pat00008

화학식 (E2-1)에서, R15 내지 R18은 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소 원자수 6 이하의 알킬기 또는 페닐기를 나타내고, 바람직하게는 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다.In formula (E2-1), R 15 to R 18 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group or a phenyl group of 6 or less carbon atoms, preferably a hydrogen atom or a methyl group.

화학식 (E2-2)에서, R19 내지 R26은 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소 원자수 6 이하의 알킬기 또는 페닐기를 나타내고, 바람직하게는 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다.In formula (E2-2), R 19 to R 26 each independently represents an alkyl group or a phenyl group of a hydrogen atom, the number of carbon atoms not more than 6, and preferably represents a hydrogen atom or a methyl group.

화학식 (E2-3)에서, R27 내지 R34는 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소 원자수 6 이하의 알킬기 또는 페닐기를 나타내고, 바람직하게는 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다. 또한, 화학식 (E2-3)에서, E는 탄소 원자수 20 이하의 직쇄상, 분기상 또는 환상의 2가의 탄화수소기를 나타낸다.In the formula (E2-3), R 27 to R 34 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 6 or less carbon atoms or a phenyl group, preferably a hydrogen atom or a methyl group. In the formula (E2-3), E represents a linear, branched or cyclic divalent hydrocarbon group having 20 or less carbon atoms.

화학식 (E3)(E3)

Figure pat00009
Figure pat00009

화학식 (E3)에서, D는 하기 화학식 (E4)로 표시되는 2가의 기를 나타낸다.In the formula (E3), D represents a divalent group represented by the following formula (E4).

화학식 (E4)(E4)

Figure pat00010
Figure pat00010

화학식 (E4)에서, R7 내지 R14는 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소 원자수 6 이하의 알킬기 또는 페닐기를 나타내고, 바람직하게는 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다. 특히, R7, R8, R13 및 R14는, 보다 바람직하게는 메틸기를 나타낸다. 화학식 (E4)에서, a 및 b는 적어도 한쪽이 0이 아닌, 0 이상 100 이하의 정수이다. 화학식 (E4)에서, B는 상기 화학식 (E2-1), (E2-2) 또는 (E2-3)으로 표시되는 2가의 기를 나타낸다.In the formula (E4), each of R 7 to R 14 independently represents a hydrogen atom, an alkyl group having 6 or less carbon atoms or a phenyl group, preferably a hydrogen atom or a methyl group. In particular, R 7 , R 8 , R 13 and R 14 more preferably represent a methyl group. In the formula (E4), a and b are integers of not less than 0 but not more than 100, at least one of which is not 0. In the formula (E4), B represents a divalent group represented by the above formula (E2-1), (E2-2) or (E2-3).

상기 화학식 (E1)로 표시되는 화합물은, 바람직하게는 하기 화학식 (E5)로 표시되는 화합물이다.The compound represented by the above formula (E1) is preferably a compound represented by the following formula (E5).

화학식 (E5)(E5)

Figure pat00011
Figure pat00011

화학식 (E5)에서, R1 내지 R6은 상기 화학식 (E1) 중의 R1 내지 R6과 동일한 의미이고, B는 상기 화학식 (E2)의 B와 동일한 의미이고, a 및 b는 상기 화학식 (E4)의 a 및 b와 동일한 의미이다.And in the formula (E5), R 1 to R 6 denotes the same as R 1 to R 6 in the formula (E1), B is the same meaning as B in the formula (E2), a and b have the above formula (E4 Quot; a " and " b "

화학식 (E6)(E6)

Figure pat00012
Figure pat00012

화학식 (E7)(E7)

Figure pat00013
Figure pat00013

화학식 (E7)에서, 환 F는 5원환 이상의 환상 에테르 구조를 갖는 2가의 기를 나타낸다. 환상 에테르 구조의 범위는 상기한 바와 같다. 또한, 환상 에테르 구조에는 상기한 바와 같이 치환기가 결합하고 있어도 좋다.In the formula (E7), the ring F represents a divalent group having a cyclic ether structure having five or more ring members. The range of the cyclic ether structure is as described above. The cyclic ether structure may have a substituent bonded thereto as described above.

5원환 이상의 환상 에테르 구조를 갖는 2가의 기로서는, 예를 들면, 퓨란-2,5-디일기, 테트라하이드로퓨란-2,5-디일기, 디옥소란-2,5-디일기, 피란-2,5-디일기, 디하이드로피란-2,5-디일기, 테트라하이드로피란-2,5-디일기, 1,2-디옥산-3,6-디일기, 1,3-디옥산-2,5-디일기, 1,4-디옥산-2,5-디일기, 5-에틸-1,3-디옥산-2,5-디일기를 들 수 있다. 그 중에서도, 5-에틸-1,3-디옥산-2,5-디일기가 바람직하다.Examples of the divalent group having a cyclic ether structure having five or more ring members include a furan-2,5-diyl group, a tetrahydrofuran-2,5-diyl group, a dioxolane-2,5-diyl group, A dihydropyran-2,5-diyl group, a tetrahydropyran-2,5-diyl group, a 1,2-dioxane-3,6-diyl group, a 1,3- A 2,5-diyl group, a 1,4-dioxane-2,5-diyl group, and a 5-ethyl-1,3-dioxane-2,5-diyl group. Among them, 5-ethyl-1,3-dioxane-2,5-diyl group is preferable.

화학식 (E7)에서, B1 및 B2는 각각 독립적으로 단결합 또는 2가의 연결기를 나타낸다. B1 및 B2는 2가의 연결기인 것이 바람직하다. 2가의 연결기로서는, 예를 들면, 치환기를 갖고 있어도 좋는 알킬렌기, 치환기를 갖고 있어도 좋는 알키닐렌기, 치환기를 갖고 있어도 좋는 아릴렌기, 치환기를 갖고 있어도 좋는 헤테로아릴렌기, -COO-로 표시되는 기, -CO-로 표시되는 기, -CONH-로 표시되는 기, -NHCONH-로 표시되는 기, -NHCOO-로 표시되는 기, -C(=O)-로 표시되는 기, -S-로 표시되는 기, -SO-로 표시되는 기, -NH-로 표시되는 기, 및 이들의 기를 복수 조합한 기를 들 수 있다.In the formula (E7), B 1 and B 2 each independently represent a single bond or a divalent linking group. B 1 and B 2 are preferably divalent linking groups. Examples of the divalent linking group include an alkylene group which may have a substituent, an alkynylene group which may have a substituent, an arylene group which may have a substituent, a heteroarylene group which may have a substituent, a group represented by -COO- , A group represented by -CO-, a group represented by -CONH-, a group represented by -NHCONH-, a group represented by -NHCOO-, a group represented by -C (= O) -, a group represented by -S- , A group represented by -SO-, a group represented by -NH-, and a group obtained by combining a plurality of these groups.

치환기로서는, 예를 들면, 할로겐 원자, -OH, -O-C1-6 알킬기, -N(C1-6 알킬기)2, C1-6 알킬기, C6-10 아릴기, -NH2, -CN, -C(O)O-C1-6 알킬기, -COOH, -C(O)H, -NO2 등을 들 수 있다. 여기서, 「Cp-q」(p 및 q는 양의 정수이고, p<q를 충족시킴)라는 용어는, 이 용어의 직후에 기재된 유기기의 탄소 원자수가 p 내지 q인 것을 나타낸다. 예를 들면, 「C1-6 알킬기」라는 표현은 탄소 원자수 1 내지 6의 알킬기를 나타낸다.Examples of the substituent include a halogen atom, -OH, -OC 1-6 alkyl group, -N (C 1-6 alkyl group) 2 , C 1-6 alkyl group, C 6-10 aryl group, -NH 2 , -CN , -C (O) OC 1-6 alkyl group, -COOH, -C (O) H, -NO 2 and the like. Here, the term &quot; C pq &quot; (p and q are positive integers and satisfying p &lt; q) indicates that the number of carbon atoms of the organic group described immediately after this term is p to q. For example, the expression &quot; C 1-6 alkyl group &quot; represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.

치환기는 추가로 치환기(이하 「2차 치환기」라고 하는 경우가 있다)를 갖고 있어도 좋다. 2차 치환기로서는, 예를 들면, 이미 설명한 치환기와 같은 기를 들 수 있다.The substituent may further have a substituent (hereinafter may be referred to as &quot; secondary substituent &quot;). As the secondary substituent, for example, there can be mentioned a group such as the substituent already described.

이들 중에서도, B1 및 B2는 치환기를 갖고 있어도 좋는 알킬렌기, 치환기를 갖고 있어도 좋는 알키닐렌기, -COO-로 표시되는 기, 및 -O-로 표시되는 기로 이루어진 그룹으로부터 2개 이상의 기를 선택하여 조합한 기가 바람직하다. 특히, B1 및 B2는 치환기를 갖고 있어도 좋는 알킬렌기, 및 -COO-로 표시되는 기로 이루어진 그룹으로부터 2개 이상의 기를 선택하여 조합한 기가 보다 바람직하다.Among them, B 1 and B 2 are selected from two or more groups selected from the group consisting of an alkylene group which may have a substituent, an alkynylene group which may have a substituent, a group represented by -COO-, and a group represented by -O- Is preferable. In particular, B 1 and B 2 are more preferably a group in which two or more groups are selected from the group consisting of an alkylene group which may have a substituent and a group represented by -COO-.

화학식 (E7)에서, C1 및 C2는 각각 독립적으로 관능기를 나타낸다. 관능기로서는, 예를 들면, 비닐기, 메타크릴기, 아크릴기, 알릴기, 스티릴기, 프로페닐기, 에폭시기를 들 수 있다. 관능기로서는 비닐기가 바람직하다.In the formula (E7), C 1 and C 2 each independently represent a functional group. Examples of the functional group include a vinyl group, a methacrylic group, an acrylic group, an allyl group, a styryl group, a propenyl group, and an epoxy group. The functional group is preferably a vinyl group.

화학식 (E7)로 표시되는 화합물의 구체예로서는 하기 화학식 (E8)로 표시되는 화합물을 들 수 있다.Specific examples of the compound represented by the formula (E7) include a compound represented by the following formula (E8).

화학식 (E8)(E8)

Figure pat00014
Figure pat00014

(E) 불포화 수지로서는, 예를 들면, 미쓰비시가스카가쿠사 제조 「OPE-2St 1200」(스티렌 변성 폴리페닐렌에테르 수지, 수 평균 분자량 1200, 상기 화학식 (E5) 상당), 미쓰비시케미컬사 제조 「YL7776」(비크실레놀디알릴에테르 수지, 수 평균 분자량 331, 상기 화학식 (E6) 상당), 신나카무라카가쿠코교사 제조 「A-DOG」(디옥산아크릴모노머 글리콜 디아크릴레이트, 수 평균 분자량 326, 상기 화학식 (E8) 상당), 니혼카야쿠사 제조 「KAYARAD R-604」(상기 화학식 (E8) 상당)를 들 수 있다. 또한, (E) 불포화 수지는 1종류 단독으로 사용해도 좋고 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.Examples of the unsaturated (E) unsaturated resin include "OPE-2St 1200" (styrene-modified polyphenylene ether resin, number average molecular weight: 1200, equivalent to the above formula (E5)) manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Quot; A-DOG &quot; (dioxane acrylic monomer glycol diacrylate, number average molecular weight: 326, manufactured by Shin Nakamura Kagaku Ko), YL7776 (biquilene diallyl ether resin, number average molecular weight: 331, (Corresponding to the above formula (E8)) and "KAYARAD R-604" (corresponding to the above formula (E8)) manufactured by Nippon Kayaku Co., The unsaturated resin (E) may be used singly or in combination of two or more kinds.

(E) 불포화 수지의 수 평균 분자량은, 바람직하게는 100 이상, 보다 바람직하게는 200 이상이고, 바람직하게는 10000 이하, 보다 바람직하게는 3000 이하이다. (E) 불포화 수지의 수 평균 분자량이 상기 범위에 있음으로써, 수지 바니쉬의 건조시의 휘발을 억제하거나, 수지 조성물의 용융 점도가 과대하게 되는 것을 억제할 수 있다. 수 평균 분자량은 겔 침투 크로마토그래피(GPC)법에 의해, 폴리스티렌 환산의 값으로 측정할 수 있다. GPC법에 의한 수 평균 분자량의 측정은, 예를 들면, 측정 장치로서 시마즈세이사쿠쇼사 제조 「LC-9A/RID-6A」를 사용하고, 칼럼으로서 쇼와덴코사 제조 「Shodex K-800P/K-804L/K-804L」을 사용하고, 이동상으로서 클로로포름을 사용하여, 칼럼 온도 40℃에서 측정할 수 있다.The number average molecular weight of the unsaturated (E) unsaturated resin is preferably 100 or more, more preferably 200 or more, preferably 10000 or less, more preferably 3000 or less. When the number average molecular weight of the unsaturated (E) unsaturated resin falls within the above range, it is possible to suppress the volatilization of the resin varnish during drying or to prevent the resin composition from having an excessive melt viscosity. The number average molecular weight can be measured by a gel permeation chromatography (GPC) method in terms of polystyrene conversion. The measurement of the number average molecular weight by the GPC method can be carried out by, for example, using "LC-9A / RID-6A" manufactured by Shimadzu Corporation as a measuring apparatus and "Shodex K-800P / K -804L / K-804L &quot; and using chloroform as the mobile phase at a column temperature of 40 占 폚.

수지 조성물에서의 (E) 불포화 수지의 양은 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100질량%에 대해, 바람직하게는 1질량% 이상, 보다 바람직하게는 3질량% 이상이고, 바람직하게는 15질량% 이하, 보다 바람직하게는 10질량% 이하이다. (E) 불포화 수지의 양이 상기 범위의 하한값 이상임으로써, 수지 조성물의 경화물의 유전 정접을 효과적으로 낮게 할 수 있고, 상기 범위의 상한값 이하임으로써, 수지 바니쉬의 상용성을 향상시킬 수 있다.The amount of the unsaturated resin (E) in the resin composition is preferably not less than 1% by mass, more preferably not less than 3% by mass, and preferably not more than 15% by mass with respect to 100% by mass of the nonvolatile component in the resin composition. Preferably 10 mass% or less. The amount of the unsaturated resin (E) is at least the lower limit of the above range, the dielectric tangent of the cured product of the resin composition can be effectively lowered, and the compatibility of the resin varnish can be improved.

(A) 에폭시 수지와 (E) 불포화 수지의 질량비((A) 에폭시 수지의 질량:(E) 불포화 수지의 질량)는 1:0.01 내지 1:100의 범위인 것이 바람직하고, 1:0.1 내지 1:90의 범위인 것이 보다 바람직하고, 1:0.2 내지 1:80의 범위인 것이 보다 바람직하다. (A) 에폭시 수지와 (E) 불포화 수지의 질량비가 상기 범위에 있음으로써, 수지 조성물의 상용성을 향상시킬 수 있다.The mass ratio of the epoxy resin (A) and the unsaturated resin (E) (the mass of the epoxy resin (A) to the mass of the unsaturated resin (E)) is preferably in the range of 1: 0.01 to 1: 100, : 90, and more preferably in the range of 1: 0.2 to 1: 80. When the mass ratio of the epoxy resin (A) and the unsaturated resin (E) is in the above range, the compatibility of the resin composition can be improved.

[1.7. (F) 경화제][1.7. (F) Curing agent]

수지 조성물은 상기한 성분 이외에, 임의의 성분으로서 (F) 경화제를 포함하고 있어도 좋다. (F) 성분으로서의 경화제는 통상, (A) 에폭시 수지와 반응하여 수지 조성물을 경화시키는 기능을 갖는다. 이러한 (F) 경화제로서는, 예를 들면, 활성 에스테르계 경화제, 페놀계 경화제, 나프톨계 경화제, 벤조옥사진계 경화제, 시아네이트에스테르계 경화제, 및 카보디이미드계 경화제 등을 들 수 있다. 또한, 경화제는 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 또는 2종류 이상을 병용해도 좋다.The resin composition may contain (F) a curing agent as an optional component in addition to the above components. The curing agent as the component (F) generally has a function of reacting with the epoxy resin (A) to cure the resin composition. Examples of such a (C) curing agent include an active ester type curing agent, a phenol type curing agent, a naphthol type curing agent, a benzoxazine type curing agent, a cyanate ester type curing agent, and a carbodiimide type curing agent. The curing agent may be used singly or in combination of two or more kinds.

활성 에스테르계 경화제로서는, 1분자 중에 1개 이상의 활성 에스테르기를 갖는 화합물을 사용할 수 있다. 그 중에서도, 활성 에스테르계 경화제로서는 페놀 에스테르류, 티오페놀에스테르류, N-하이드록시아민에스테르류, 복소환 하이드록시 화합물의 에스테르류 등의, 반응 활성이 높은 에스테르기를 1분자 중에 2개 이상 갖는 화합물이 바람직하다. 당해 활성 에스테르계 경화제는, 카복실산 화합물 및/또는 티오카복실산 화합물과 하이드록시 화합물 및/또는 티올 화합물과의 축합 반응에 의해 수득되는 것이 바람직하다. 특히, 내열성 향상의 관점에서, 카복실산 화합물과 하이드록시 화합물로부터 수득되는 활성 에스테르계 경화제가 바람직하고, 카복실산 화합물과 페놀 화합물 및/또는 나프톨 화합물로부터 수득되는 활성 에스테르계 경화제가 보다 바람직하다.As the active ester type curing agent, a compound having at least one active ester group in one molecule can be used. Among them, examples of the active ester curing agent include compounds having two or more ester groups having high reactivity, such as phenol esters, thiophenol esters, N-hydroxyamine esters, and esters of heterocyclic hydroxy compounds, . It is preferable that the active ester-based curing agent is obtained by a condensation reaction of a carboxylic acid compound and / or a thiocarboxylic acid compound with a hydroxy compound and / or a thiol compound. Particularly, from the viewpoint of improving the heat resistance, active ester type curing agents obtained from carboxylic acid compounds and hydroxy compounds are preferable, and active ester type curing agents obtained from carboxylic acid compounds and phenol compounds and / or naphthol compounds are more preferable.

카복실산 화합물로서는, 예를 들면, 벤조산, 아세트산, 석신산, 말레산, 이타콘산, 프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산, 피로멜리트산 등을 들 수 있다.Examples of the carboxylic acid compound include benzoic acid, acetic acid, succinic acid, maleic acid, itaconic acid, phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid and pyromellitic acid.

페놀 화합물 또는 나프톨 화합물로서는, 예를 들면, 하이드로퀴논, 레조르신, 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 S, 페놀프탈린, 메틸화 비스페놀 A, 메틸화 비스페놀 F, 메틸화 비스페놀 S, 페놀, o-크레졸, m-크레졸, p-크레졸, 카테콜, α-나프톨, β-나프톨, 1,5-디하이드록시나프탈렌, 1,6-디하이드록시나프탈렌, 2,6-디하이드록시나프탈렌, 디하이드록시벤조페논, 트리하이드록시벤조페논, 테트라하이드록시벤조페논, 플로로글루신, 벤젠트리올, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 화합물, 페놀노볼락 등을 들 수 있다. 여기서, 「디사이클로펜타디엔형 디페놀 화합물 」이란, 디사이클로펜타디엔 1분자에 페놀 2분자가 축합하여 수득되는 디페놀 화합물을 말한다.Examples of the phenol compound or naphthol compound include hydroquinone, resorcin, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, phenolphthalein, methylated bisphenol A, methylated bisphenol F, methylated bisphenol S, phenol, o- Cresol, catechol, alpha -naphthol, beta -naphthol, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dihydroxybenzophenone, Trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, fluoroglucine, benzene triol, dicyclopentadiene type diphenol compounds, phenol novolak, and the like. Here, the "dicyclopentadiene type diphenol compound" refers to a diphenol compound obtained by condensing two molecules of phenol in one dicyclopentadiene molecule.

활성 에스테르계 경화제의 바람직한 구체예로서는, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물, 나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물, 페놀노볼락의 아세틸화물을 포함하는 활성 에스테르 화합물, 페놀노볼락의 벤조일화물을 포함하는 활성 에스테르 화합물을 들 수 있다. 그 중에서도, 나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물이 보다 바람직하다. 「디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조」란, 페닐렌-디사이클로펜틸렌-페닐렌으로 이루어진 2가의 구조 단위를 나타낸다.Specific preferred examples of the active ester-based curing agent include active ester compounds containing a dicyclopentadiene type diphenol structure, active ester compounds containing a naphthalene structure, active ester compounds containing an acetylated phenol novolac, And an active ester compound including a benzoylate. Of these, active ester compounds containing a naphthalene structure and active ester compounds containing a dicyclopentadiene type diphenol structure are more preferable. The "dicyclopentadiene-type diphenol structure" refers to a divalent structural unit consisting of phenylene-dicyclopentylene-phenylene.

활성 에스테르계 경화제의 시판품으로서는, 예를 들면, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물로서, 「EXB9451」, 「EXB9460」, 「EXB9460S」, 「HPC-8000-65T」, 「HPC-8000H-65TM」, 「EXB-8000L-65TM」, 「EXB-8150-65T」(DIC사 제조); 나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물로서 「EXB9416-70BK」(DIC사 제조); 페놀노볼락의 아세틸화물을 포함하는 활성 에스테르 화합물로서 「DC808」(미쓰비시케미컬사 제조); 페놀노볼락의 벤조일화물을 포함하는 활성 에스테르 화합물로서 「YLH1026」(미쓰비시케미컬사 제조); 페놀노볼락의 아세틸화물인 활성 에스테르계 경화제로서 「DC808」(미쓰비시케미컬사 제조); 페놀노볼락의 벤조일화물인 활성 에스테르계 경화제로서 「YLH1026」(미쓰비시케미컬사 제조), 「YLH1030」(미쓰비시케미컬사 제조), 「YLH1048」(미쓰비시케미컬사 제조) 등을 들 수 있다.EXB9451 "," EXB9460 "," EXB9460S "," HPC-8000-65T "," HPC-8000-65T ", and" HPC-8000-65T "as active ester compounds containing a dicyclopentadiene type diphenol structure as commercial products of the active ester- -8000H-65TM, EXB-8000L-65TM and EXB-8150-65T (manufactured by DIC); EXB9416-70BK &quot; (manufactured by DIC) as an active ester compound containing a naphthalene structure; &Quot; DC808 &quot; (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) as an active ester compound containing acetylated phenol novolak; &Quot; YLH1026 &quot; (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) as an active ester compound containing a benzoylate of phenol novolak; &Quot; DC808 &quot; (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) as an active ester-based curing agent which is acetylated phenol novolak; YLH1026 &quot; (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), &quot; YLH1030 &quot; (manufactured by Mitsubishi Chemical Corp.), and YLH1048 (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) as the benzoylates of phenol novolak.

페놀계 경화제 및 나프톨계 경화제로서는 내열성 및 내수성의 관점에서, 노볼락 구조를 갖는 것이 바람직하다. 또한, 절연층과 도체층의 밀착성의 관점에서, 함질소 페놀계 경화제가 바람직하고, 트리아진 골격 함유 페놀계 경화제가 보다 바람직하다.As the phenol-based curing agent and naphthol-based curing agent, those having a novolak structure are preferable from the viewpoints of heat resistance and water resistance. From the viewpoint of adhesion between the insulating layer and the conductor layer, a nitrogen-containing phenol-based curing agent is preferable, and a phenazine-based curing agent containing a triazine skeleton is more preferable.

페놀계 경화제 및 나프톨계 경화제의 구체예로서는, 예를 들면, 메이와카세이사 제조의 「MEH-7700」, 「MEH-7810」, 「MEH-7851」; 니혼카야쿠사 제조의 「NHN」, 「CBN」, 「GPH」; 신닛데츠스미킨카가쿠사 제조의 「SN170」, 「SN180」, 「SN190」, 「SN475」, 「SN485」, 「SN495」, 「SN-495V」 「SN375」; DIC사 제조의 「TD-2090」, 「LA-7052」, 「LA-7054」, 「LA-1356」, 「LA-3018-50P」, 「EXB-9500」 등을 들 수 있다.Specific examples of the phenol-based curing agent and naphthol-based curing agent include "MEH-7700", "MEH-7810" and "MEH-7851" manufactured by Meiwa Kasei; NHN &quot;, &quot; CBN &quot;, &quot; GPH &quot;, manufactured by Nippon Kayaku Co., "SN170", "SN180", "SN190", "SN475", "SN485", "SN495", "SN-495V" and "SN375" manufactured by Shinnitetsu Sumi- TD-2090 "," LA-7052 "," LA-7054 "," LA-1356 "," LA-3018-50P "and" EXB-9500 "manufactured by DIC Corporation.

벤조옥사진계 경화제의 구체예로서는, 쇼와코분시사 제조의 「HFB2006M」, 시코쿠카세이코교사 제조의 「P-d」, 「F-a」를 들 수 있다.Specific examples of the benzoxazine type curing agent include "HFB2006M" manufactured by Showa Kobunshi Co., Ltd., "P-d" manufactured by Shikoku Kasei Corporation, and "F-a".

시아네이트에스테르계 경화제로서는, 예를 들면, 비스페놀 A 디시아네이트, 폴리페놀시아네이트, 올리고(3-메틸렌-1,5-페닐렌시아네이트), 4,4'-메틸렌비스(2,6-디메틸페닐시아네이트), 4,4'-에틸리덴디페닐디시아네이트, 헥사플루오로비스페놀 A 디시아네이트, 2,2-비스(4-시아네이트)페닐프로판, 1,1-비스(4-시아네이트페닐메탄), 비스(4-시아네이트-3,5-디메틸페닐)메탄, 1,3-비스(4-시아네이트페닐-1-(메틸에틸리덴))벤젠, 비스(4-시아네이트페닐)티오에테르, 및 비스(4-시아네이트페닐)에테르 등의 2관능 시아네이트 수지; 페놀노볼락 및 크레졸노볼락 등으로부터 유도되는 다관능 시아네이트 수지; 이들 시아네이트 수지가 일부 트리아진화된 프레폴리머 등을 들 수 있다. 시아네이트에스테르계 경화제의 구체예로서는, 론자재팬사 제조의 「PT30」및 「PT60」(페놀노볼락형 다관능 시아네이트에스테르 수지), 「ULL-950S」(다관능 시아네이트에스테르 수지), 「BA230」, 「BA230S75」(비스페놀 A 디시아네이트의 일부 또는 전부가 트리아진화되어 3량체가 된 프레폴리머) 등을 들 수 있다.Examples of the cyanate ester curing agent include bisphenol A dicyanate, polyphenol cyanate, oligo (3-methylene-1,5-phenylene cyanate), 4,4'- Dimethylphenyl cyanate), 4,4'-ethylidenediphenyl dicyanate, hexafluorobisphenol A dicyanate, 2,2-bis (4-cyanate) phenylpropane, 1,1- Cyanate phenylmethane), bis (4-cyanate-3,5-dimethylphenyl) methane, 1,3-bis Naphthyl phenyl) thioether, and bis (4-cyanate phenyl) ether; Polyfunctional cyanate resins derived from phenol novolak and cresol novolak; And prepolymerized prepolymers of these cyanate resins. Specific examples of the cyanate ester curing agent include "PT30" and "PT60" (phenol novolac type polyfunctional cyanate ester resin), "ULL-950S" (multifunctional cyanate ester resin), "BA230 BA230S75 &quot; (a prepolymer obtained by trimerizing a part or all of bisphenol A dicyanate to form a trimer), and the like.

카보디이미드계 경화제의 구체예로서는, 닛신보케미컬사 제조의 「V-03」, 「V-07」 등을 들 수 있다.Specific examples of the carbodiimide-based curing agent include "V-03" and "V-07" manufactured by Nisshinbo Chemical Co.,

상기한 중에서도, 본 발명이 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, (F) 경화제로서는 활성 에스테르계 경화제가 바람직하다. 활성 에스테르계 경화제를 사용하는 경우, (F) 경화제 100질량%에 대한 활성 에스테르계 경화제의 양은, 바람직하게는 10질량% 이상, 보다 바람직하게는 20질량% 이상, 더욱 바람직하게는 30질량% 이상이고, 바람직하게는 100질량% 이하이다. 활성 에스테르계 경화제의 양이 상기 범위에 있음으로써, 본 발명이 원하는 효과를 현저하게 얻을 수 있고, 특히 수지 조성물의 경화물의 유전율을 효과적으로 내릴 수 있다.Among the above, as the curing agent (F), an active ester curing agent is preferable from the viewpoint of obtaining a desired effect of the present invention remarkably. When the active ester type curing agent is used, the amount of the active ester type curing agent relative to 100 mass% of the (C) curing agent is preferably 10 mass% or more, more preferably 20 mass% or more, still more preferably 30 mass% , And preferably not more than 100 mass%. When the amount of the active ester type curing agent is in the above range, the desired effect of the present invention can be obtained remarkably, and the dielectric constant of the cured product of the resin composition can be effectively reduced.

수지 조성물에서의 (F) 경화제의 양은 본 발명이 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100질량%에 대해, 바람직하게는 0.1질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.5질량% 이상, 더욱 바람직하게는 1질량% 이상이고, 바람직하게는 40질량% 이하, 보다 바람직하게는 30질량% 이하, 더욱 바람직하게는 20질량% 이하이다.The amount of the curing agent (F) in the resin composition is preferably 0.1% by mass or more, more preferably 0.5% by mass or more, based on 100% by mass of the nonvolatile component in the resin composition, , More preferably not less than 1% by mass, preferably not more than 40% by mass, more preferably not more than 30% by mass, further preferably not more than 20% by mass.

(A) 에폭시 수지의 에폭시기수를 1로 한 경우, (F) 경화제의 활성기수는, 바람직하게는 0.1 이상, 보다 바람직하게는 0.2 이상, 더욱 바람직하게는 0.3 이상이고, 바람직하게는 1.5 이하, 보다 바람직하게는 1.2 이하, 더욱 바람직하게는 1이하이다. 여기서, 「(A) 에폭시 수지의 에폭시기수」란, 수지 조성물 중에 존재하는 (A) 에폭시 수지의 불휘발 성분의 질량을 에폭시 당량으로 나눈 값을 모두 합계한 값이다. 또한, 「(F) 경화제의 활성기수」란, 수지 조성물 중에 존재하는 (F) 경화제의 불휘발 성분의 질량을 활성기 당량으로 나눈 값을 모두 합계한 값이다. (A) 에폭시 수지의 에폭시기수를 1로 한 경우의 (F) 경화제의 활성기수가 상기 범위에 있음으로써, 본 발명이 원하는 효과를 현저하게 얻을 수 있고, 또한 통상 수지 조성물의 경화물의 내열성이 보다 향상된다.When the epoxy group number of the epoxy resin (A) is 1, the number of active groups of the (F) curing agent is preferably 0.1 or more, more preferably 0.2 or more, further preferably 0.3 or more, preferably 1.5 or less, More preferably 1.2 or less, and further preferably 1 or less. Here, the "epoxy group number of the epoxy resin (A)" is a value obtained by adding up the values obtained by dividing the mass of the nonvolatile component (A) of the epoxy resin present in the resin composition by the epoxy equivalent. The "number of active groups of the (F) curing agent" is a value obtained by summing the values obtained by dividing the mass of the nonvolatile component of the (C) curing agent present in the resin composition by the equivalent weight of the active agent. When the number of epoxy groups in the epoxy resin (A) is 1 and the number of active groups of the (F) curing agent is in the above range, the desired effect of the present invention can be remarkably obtained and the heat resistance of the cured product do.

[1.8. (G) 경화 촉진제][1.8. (G) Curing accelerator]

수지 조성물은 상기한 성분 이외에, 임의의 성분으로서 (G) 경화 촉진제를 포함하고 있어도 좋다. (G) 경화 촉진제를 사용함으로써 수지 조성물을 경화시킬 때에 경화를 촉진할 수 있다.The resin composition may contain a curing accelerator (G) as an optional component in addition to the above components. By using the (G) curing accelerator, curing can be promoted when the resin composition is cured.

(G) 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 인계 경화 촉진제, 아민계 경화 촉진제, 이미다졸계 경화 촉진제, 구아니딘계 경화 촉진제, 금속계 경화 촉진제, 과산화물계 경화 촉진제를 들 수 있다. 그 중에서도, 아민계 경화 촉진제 및 과산화물계 경화 촉진제가 특히 바람직하다. (G) 경화 촉진제는 1종류 단독으로 사용해도 좋고 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.Examples of the (G) curing accelerator include phosphorus hardening accelerators, amine hardening accelerators, imidazole hardening accelerators, guanidine hardening accelerators, metal hardening accelerators and peroxide hardening accelerators. Among them, an amine-based curing accelerator and a peroxide-based curing accelerator are particularly preferable. The (G) curing accelerator may be used singly or in combination of two or more kinds.

인계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 트리페닐포스핀, 포스포늄보레이트 화합물, 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트, n-부틸포스포늄테트라페닐보레이트, 테트라부틸포스포늄데칸산염, (4-메틸페닐)트리페닐포스포늄티오시아네이트, 테트라페닐포스포늄티오시아네이트, 부틸트리페닐포스포늄티오시아네이트를 들 수 있다. 그 중에서도, 트리페닐포스핀, 테트라부틸포스포늄데칸산염이 바람직하다.Examples of phosphorus hardening accelerators include triphenylphosphine, phosphonium borate compounds, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, n-butylphosphonium tetraphenylborate, tetrabutylphosphonium decanoate, (4-methylphenyl) triphenyl Phosphonium thiocyanate, tetraphenylphosphonium thiocyanate, and butyltriphenylphosphonium thiocyanate. Among them, triphenylphosphine and tetrabutylphosphonium decanoate are preferable.

아민계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 트리에틸아민, 트리부틸아민 등의 트리알킬아민, 4-디메틸아미노피리딘, 벤질디메틸아민, 2,4,6,-트리스(디메틸아미노 메틸)페놀, 1,8-디아자비사이클로(5,4,0)-운데센을 들 수 있다. 그 중에서도, 4-디메틸아미노피리딘, 1,8-디아자비사이클로(5,4,0)-운데센이 바람직하다.Examples of amine curing accelerators include trialkylamines such as triethylamine and tributylamine; amines such as 4-dimethylaminopyridine, benzyldimethylamine, 2,4,6-tris (dimethylaminomethyl) phenol, 8-diazabicyclo (5,4,0) -undecene. Among them, 4-dimethylaminopyridine and 1,8-diazabicyclo (5,4,0) -undecene are preferable.

이미다졸계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 2-메틸이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸, 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸륨트리멜리테이트, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸륨트리멜리테이트, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-운데실이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-에틸-4'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진이소시아눌산 부가물, 2-페닐이미다졸이소시아눌산 부가물, 2-페닐-4,5-디하이드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-하이드록시메틸이미다졸, 2,3-디하이드로-1H-피롤로[1,2-a]벤즈이미다졸, 1-도데실-2-메틸-3-벤질이미다졸륨클로라이드, 2-메틸이미다졸린, 2-페닐이미다졸린 등의 이미다졸 화합물; 및, 이미다졸 화합물과 에폭시 수지와의 어덕트체를 들 수 있다. 그 중에서도, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸이 바람직하다.Examples of the imidazole-based curing accelerator include 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, Imidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl- Benzyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl- 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazolium trimellitate, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium Trimellitate, 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1 ')] -ethyl-s-triazine, 2,4- diamino-6- [ Imidazolyl- (1 ')] - ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2'-ethyl-4'-methylimidazolyl- Triazine, 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1 ')] - ethyl- , 2-phenylimidazole isocyanuric acid adduct, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, 2,3- Dihydro-1H-pyrrolo [1,2-a] benzimidazole, 1-dodecyl-2-methyl-3-benzylimidazolium chloride, 2-methylimidazoline and 2-phenylimidazoline Imidazole compounds; And adducts of an imidazole compound and an epoxy resin. Among them, 2-ethyl-4-methylimidazole and 1-benzyl-2-phenylimidazole are preferable.

이미다졸계 경화 촉진제로서는 시판품을 사용해도 좋고, 예를 들면, 미쓰비시케미컬사 제조의 「P200-H50」을 들 수 있다.As the imidazole-based curing accelerator, a commercially available product may be used, and for example, &quot; P200-H50 &quot; manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation may be mentioned.

구아니딘계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 디시안디아미드, 1-메틸구아니딘, 1-에틸구아니딘, 1-사이클로헥실구아니딘, 1-페닐구아니딘, 1-(o-톨릴)구아니딘, 디메틸구아니딘, 디페닐구아니딘, 트리메틸구아니딘, 테트라메틸구아니딘, 펜타메틸구아니딘, 1,5,7-트리아자비사이클로[4.4.0]데카-5-엔, 7-메틸-1,5,7-트리아자비사이클로[4.4.0]데카-5-엔, 1-메틸비구아니드, 1-에틸비구아니드, 1-n-부틸비구아니드, 1-n-옥타데실비구아니드, 1,1-디메틸비구아니드, 1,1-디에틸비구아니드, 1-사이클로헥실비구아니드, 1-알릴비구아니드, 1-페닐비구아니드, 1-(o-톨릴)비구아니드를 들 수 있다. 그 중에서도, 디시안디아미드, 1,5,7-트리아자비사이클로[4.4.0]데카-5-엔이 바람직하다.Examples of the guanidine curing accelerator include dicyandiamide, 1-methylguanidine, 1-ethylguanidine, 1-cyclohexylguanidine, 1-phenylguanidine, 1- (o-tolyl) guanidine, dimethylguanidine, , Trimethylguanidine, tetramethylguanidine, pentamethylguanidine, 1,5,7-triazabicyclo [4.4.0] deca-5-ene, 7-methyl-1,5,7-triazabicyclo [ 1-n-butylbiguanide, 1-n-octadecylbiguanide, 1,1-dimethylbiguanide, 1, 1-cyclohexylbiguanide, 1-allylbiguanide, 1-phenylbiguanide, and 1- (o-tolyl) biguanide. Among them, dicyandiamide and 1,5,7-triazabicyclo [4.4.0] deca-5-ene are preferable.

금속계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 코발트, 동, 아연, 철, 니켈, 망간, 주석 등의 금속의, 유기 금속 착체 또는 유기 금속염을 들 수 있다. 유기 금속 착체의 구체예로서는, 코발트(II)아세틸아세토네이트, 코발트(III)아세틸아세토네이트 등의 유기 코발트 착체, 동(II)아세틸아세토네이트 등의 유기 동 착체, 아연(II)아세틸아세토네이트 등의 유기 아연 착체, 철(III)아세틸아세토네이트 등의 유기 철 착체, 니켈(II)아세틸아세토네이트 등의 유기 니켈 착체, 망간(II)아세틸아세토네이트 등의 유기 망간 착체를 들 수 있다. 유기 금속염으로서는, 예를 들면, 옥틸산 아연, 옥틸산 주석, 나프텐산 아연, 나프텐산 코발트, 스테아르산 주석, 스테아르산 아연을 들 수 있다.Examples of the metal-based curing accelerator include organic metal complexes or organic metal salts of metals such as cobalt, copper, zinc, iron, nickel, manganese and tin. Specific examples of the organometallic complexes include organic cobalt complexes such as cobalt (II) acetylacetonate and cobalt (III) acetylacetonate, organic copper complexes such as copper (II) acetylacetonate, and zinc An organic iron complex such as an organic zinc complex and iron (III) acetylacetonate, an organic nickel complex such as nickel (II) acetylacetonate, and an organic manganese complex such as manganese (II) acetylacetonate. Examples of the organic metal salt include zinc octylate, tin octylate, zinc naphthenate, cobalt naphthenate, tin stearate, and zinc stearate.

과산화물계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 사이클로헥산온퍼옥사이드, tert-부틸퍼옥시벤조에이트, 메틸에틸케톤퍼옥사이드, 디쿠밀퍼옥사이드, tert-부틸쿠밀퍼옥사이드, 디-tert-부틸퍼옥시드, 디이소프로필벤젠하이드로퍼옥사이드, 쿠멘하이드로퍼옥사이드, tert-부틸하이드로퍼옥사이드를 들 수 있다.Examples of the peroxide-based curing accelerator include cyclohexanone peroxide, tert-butylperoxy benzoate, methyl ethyl ketone peroxide, dicumyl peroxide, tert-butyl cumyl peroxide, di- Propylbenzene hydroperoxide, cumene hydroperoxide, and tert-butyl hydroperoxide.

과산화물계 경화 촉진제로서는 시판품을 사용할 수 있고, 예를 들면, 니찌유사 제조의 「퍼쿠밀 D」를 들 수 있다.As the peroxide-based curing accelerator, a commercially available product can be used, and for example, &quot; PERCUMIL D &quot;

(G) 경화 촉진제를 사용하는 경우, 수지 조성물에서의 (G) 경화 촉진제의 양은 본 발명이 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100질량%에 대해, 바람직하게는 0.01질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.02질량% 이상, 특히 바람직하게는 0.03질량% 이상이고, 바람직하게는 3질량% 이하, 보다 바람직하게는 2질량% 이하, 특히 바람직하게는 1질량% 이하이다.When the (G) curing accelerator is used, the amount of the (C) curing accelerator in the resin composition is preferably 0.01 mass% or more, more preferably 0.01 mass% or less More preferably not less than 0.02% by mass, particularly preferably not less than 0.03% by mass, preferably not more than 3% by mass, more preferably not more than 2% by mass, particularly preferably not more than 1% by mass.

[1.9. (H) 첨가제][1.9. (H) Additive]

수지 조성물은 상기한 성분 이외에, 임의의 성분으로서 추가로 첨가제를 포함하고 있어도 좋다. 이러한 첨가제로서는, 예를 들면, 유기 동 화합물, 유기 아연 화합물 및 유기 코발트 화합물 등의 유기 금속 화합물; 증점제; 소포제; 레벨링제; 밀착성 부여제; 착색제; 난연제; 열가소성 수지 등을 들 수 있다. 또한, 첨가제는 1종류 단독으로 사용해도 좋고 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.In addition to the above-mentioned components, the resin composition may further contain additives as optional components. Examples of such additives include organic metal compounds such as organic copper compounds, organic zinc compounds and organic cobalt compounds; Thickener; Defoamer; Leveling agents; An adhesion imparting agent; coloring agent; Flame retardant; Thermoplastic resins and the like. The additives may be used singly or in combination of two or more kinds.

[1.10. 수지 조성물의 제조 방법][1.10. Method of producing resin composition]

수지 조성물은, 예를 들면, 배합 성분을 필요에 의해 용제와 혼합하고, 회전 믹서 등의 교반 장치를 사용하여 교반하는 방법에 의해 제조할 수 있다.The resin composition can be produced, for example, by mixing a compounding component with a solvent as required and stirring by using a stirring device such as a rotary mixer.

[1.11. 수지 조성물의 특성][1.11. Characteristics of Resin Composition]

상기한 수지 조성물의 경화물은 그 유전율을 낮게 할 수 있다. 따라서, 이 수지 조성물의 경화물에 의해, 유전율이 낮은 절연층을 수득할 수 있다. 예를 들면, 실시예에 기재된 방법으로 수지 조성물을 경화시켜 경화물을 수득한 경우, 당해 경화물의 유전율을, 바람직하게는 3.0 이하, 보다 바람직하게는 2.9 이하로 할 수 있다. 여기서, 경화물의 유전율은 실시예에 기재된 방법으로 측정할 수 있다.The cured product of the above resin composition can lower its dielectric constant. Therefore, an insulating layer having a low dielectric constant can be obtained by the cured product of the resin composition. For example, when a cured product is obtained by curing the resin composition by the method described in the examples, the dielectric constant of the cured product is preferably 3.0 or less, more preferably 2.9 or less. Here, the dielectric constant of the cured product can be measured by the method described in the embodiment.

상기한 수지 조성물의 경화물은 그 유전 정접의 온도 안정성이 우수하다. 구체적으로는, 이 수지 조성물의 경화물은 상온에서의 유전 정접의 값과 고온에서의 유전 정접의 값과의 차이를 작게 할 수 있고, 또한, 상온에서의 유전 정접의 값과 저온에서의 유전 정접의 값과의 차이를 작게 할 수 있다.The above cured product of the resin composition is excellent in the temperature stability of the dielectric loss tangent. Specifically, the cured product of the resin composition can reduce the difference between the value of the dielectric loss tangent at room temperature and the value of dielectric loss tangent at high temperature, and the value of the dielectric loss tangent at room temperature and the dielectric loss tangent Can be made small.

따라서, 이 수지 조성물의 경화물에 의해, 유전 정접의 온도 안정성이 우수한 절연층을 수득할 수 있다. 구체적으로는, 수지 조성물을 200℃에서 90분간 열처리하여 수득되는 경화물의 -10℃, 25℃ 및 100℃에서의 유전 정접을, 각각 Df(-10℃), Df(25℃) 및 Df(100℃)로 한 경우, Df(25℃)에 대한 Df(-10℃)의 비율 Df(-10℃)/Df(25℃), 및 Df(25℃)에 대한 Df(100℃)의 비율 Df(100℃)/Df(25℃)는 하기의 범위가 된다.Therefore, an insulating layer excellent in the temperature stability of the dielectric loss tangent can be obtained by the cured product of the resin composition. Specifically, the dielectric loss tangent at -10 ° C, 25 ° C and 100 ° C of the cured product obtained by heat-treating the resin composition at 200 ° C for 90 minutes is Df (-10 ° C), Df (25 ° C) and Df The ratio Df (-10 ° C) to Df (25 ° C) of Df (-10 ° C) relative to Df (25 ° C) (100 deg. C) / Df (25 deg. C) is in the following range.

즉, 유전 정접의 비율 Df(-10℃)/Df(25℃)는 통상 85% 이상, 바람직하게는 87% 이상, 특히 바람직하게는 90% 이상이고, 통상 115% 이하, 바람직하게는 114% 이하, 특히 바람직하게는 113% 이하이다.That is, the ratio of dielectric loss tangent Df (-10 ° C) / Df (25 ° C) is usually 85% or more, preferably 87% or more, particularly preferably 90% or more, Or less, particularly preferably 113% or less.

또한, 유전 정접의 비율 Df(100℃)/Df(25℃)는 통상 85% 이상, 바람직하게는 90% 이상, 보다 바람직하게는 95% 이상이고, 통상 115% 이하, 바람직하게는 114% 이하, 특히 바람직하게는 113% 이하이다.The ratio of dielectric loss tangent Df (100 占 폚) / Df (25 占 폚) is usually 85% or more, preferably 90% or more, more preferably 95% or more and usually 115% or less, preferably 114% , Particularly preferably not more than 113%.

상기 유전 정접 Df(-10℃), Df(25℃) 및 Df(100℃)는 실시예에 기재된 방법으로 측정할 수 있다.The dielectric loss tangent Df (-10 ° C), Df (25 ° C) and Df (100 ° C) can be measured by the methods described in the examples.

상기한 바와 같이 유전 정접의 온도 안정성이 우수한 구조를, 본 발명자는 아래와 같이 추측한다. 다만, 본 발명의 기술적 범위는 하기에 설명하는 구조에 의해 제한되는 것이 아니다.As described above, the inventor of the present invention conjectures that the structure exhibiting excellent temperature stability of dielectric tangent is as follows. However, the technical scope of the present invention is not limited by the structure described below.

본 발명자의 검토에 의하면, (A) 에폭시 수지 및 (D) 불소계 충전재를 포함하는 수지 조성물의 경화물의 유전 정접은, -10℃에서 100℃까지의 실용적인 온도 범위에 있어서, 저온일수록 작고, 고온일수록 큰 경향이 있는 것으로 판명되었다. 반대로, (B) 말레이미드 화합물의 중합체의 유전 정접은 싱기의 실용적인 온도 범위에 있어서, 말레이미드기의 작용에 의해, 저온일수록 크고, 고온일수록 작은 경향이 있다. 이렇게, (A) 에폭시 수지 및 (D) 불소계 충전재를 포함하는 수지 조성물의 경화물의 유전 정접의 온도 의존성과, (B) 말레이미드 화합물의 중합체의 유전 정접의 온도 의존성은, 반대이다. 따라서, (A) 에폭시 수지 및 (D) 불소계 충전재와, (B) 말레이미드 화합물을 조합하면, 양자의 유전 정접의 온도 의존성이 서로 상쇄하여, 저온 및 고온 중 어디에서도 같은 정도의 유전 정접 Df를 얻을 수 있다. 따라서, (A) 에폭시 수지, (B) 말레이미드 화합물 및 (D) 불소계 충전재를 포함하는 수지 조성물의 경화물의 유전 정접은 온도 안정성이 양호해져 있다.According to the study by the present inventors, the dielectric loss tangent of the cured product of the resin composition containing the epoxy resin (A) and the fluorine-containing filler (D) is lower in a practical temperature range from -10 ° C to 100 ° C, It turned out to be a big trend. On the other hand, the dielectric tangent of the polymer of the maleimide compound (B) tends to be larger at lower temperatures and smaller at higher temperatures due to the action of the maleimide group in the practical temperature range of the extruder. Thus, the temperature dependence of the dielectric loss tangent of the cured product of the resin composition containing the epoxy resin (A) and the fluorine-containing filler (D) and the temperature dependence of the dielectric tangent of the polymer of the maleimide compound (B) are opposite. Therefore, when the epoxy resin (A), the fluorine-containing filler (D) and the maleimide compound (B) are combined, the temperature dependency of the dielectric tangent of the two is canceled each other, and the dielectric tangent Df Can be obtained. Therefore, the dielectric loss tangent of the cured product of the resin composition containing the epoxy resin (A), the (B) maleimide compound and the (D) fluorine-based filler has good temperature stability.

상기한 수지 조성물의 경화물은 통상, 25℃에서의 유전 정접이 작다. 예를 들면, 수지 조성물을 200℃에서 90분간 열처리하여 수득되는 경화물의 25℃에서의 유전 정접 Df(25℃)는 바람직하게는 0.020 이하, 보다 바람직하게는 0.010 이하, 더욱 바람직하게는 0.009 이하, 특히 바람직하게는 0.008 이하, 0.007 이하, 또는 0.006 이하이다. 하한에는 특별히 제한은 없지만, 통상 0.001 이상이다.The cured product of the above resin composition usually has a small dielectric loss tangent at 25 占 폚. For example, the dielectric loss tangent Df (25 DEG C) at 25 DEG C of the cured product obtained by heat-treating the resin composition at 200 DEG C for 90 minutes is preferably 0.020 or less, more preferably 0.010 or less, more preferably 0.009 or less, Particularly preferably 0.008 or less, 0.007 or less, or 0.006 or less. The lower limit is not particularly limited, but is usually 0.001 or more.

[2. 제2 실시형태에 따른 수지 조성물][2. Resin composition according to the second embodiment]

본 발명의 제2 실시형태에 따른 수지 조성물은 (A) 에폭시 수지 및 (D) 불소계 충전재를 포함한다. 또한, 제2 실시형태에 따른 수지 조성물을 200℃에서 90분간 열처리하여 수득되는 경화물의 -10℃, 25℃ 및 100℃에서의 유전 정접을, 각각 Df(-10℃), Df(25℃) 및 Df(100℃)로 한 경우, Df(25℃)에 대한 Df(-10℃)의 비율 Df(-10℃)/Df(25℃)가 85% 내지 115%이고, 또한, Df(25℃)에 대한 Df(100℃)의 비율 Df(100℃)/Df(25℃)가 85% 내지 115%이다.The resin composition according to the second embodiment of the present invention comprises (A) an epoxy resin and (D) a fluorine-based filler. The dielectric loss tangent at -10 占 폚, 25 占 폚 and 100 占 폚 of the cured product obtained by heat-treating the resin composition according to the second embodiment at 200 占 폚 for 90 minutes is Df (-10 占 폚), Df (25 占 폚) (-10 ° C) / Df (25 ° C) of Df (-10 ° C) relative to Df (25 ° C) is 85% to 115%, and Df (100 deg. C) / Df (25 deg. C) of Df (100 deg. C) to 85 deg.

이러한 수지 조성물의 경화물은 (D) 불소계 충전재의 작용에 의해, 유전율이 낮다. 또한, 유전 정접의 비율 Df(-10℃)/Df(25℃) 및 Df(100℃)/Df(25℃)가 85% 내지 115%라는 소정의 범위에 들어가 있기 때문에, 이 수지 조성물의 경화물은 유전 정접의 온도 안정성이 우수하다. 따라서, 제2 실시형태에 따른 수지 조성물에 의하면, 유전 정접의 온도 안정성이 우수함으로써 레이더의 안테나 회로 기판에 설치한 경우에 레이더의 검출 가능 범위의 온도에 의한 변화를 억제 가능하며, 또한 유전율이 낮은 절연층을 수득할 수 있는 수지 조성물을 실현할 수 있다는, 본 발명이 원하는 효과를 얻을 수 있다. 또한, 제2 실시형태에 따른 수지 조성물에 의하면, 제1 실시형태에 따른 수지 조성물과 같은 이점을 얻을 수 있다.The cured product of such a resin composition has a low dielectric constant due to the action of the (D) fluorine-based filler. Further, since the ratio of dielectric loss tangent Df (-10 ° C) / Df (25 ° C) and Df (100 ° C) / Df (25 ° C) fall within a predetermined range of 85% to 115% Cargo has excellent temperature stability of dielectric tangent. Therefore, according to the resin composition of the second embodiment, the temperature stability of the dielectric loss tangent is excellent, so that it is possible to suppress the change in temperature of the radar detectable range when it is provided on the antenna circuit board of the radar, It is possible to realize a resin composition capable of obtaining an insulating layer, and the desired effect of the present invention can be obtained. Further, according to the resin composition of the second embodiment, the same advantages as those of the resin composition of the first embodiment can be obtained.

제2 실시형태에 따른 수지 조성물의 (A) 에폭시 수지 및 (D) 불소계 충전재에 대해서는, 제1 실시형태에서 설명한 사항을 제1 실시형태와 같이 적용할 수 있다.With respect to the epoxy resin (A) and the fluorine-based filler (D) of the resin composition according to the second embodiment, the matters described in the first embodiment can be applied as in the first embodiment.

제2 실시형태에 따른 수지 조성물은, 유전 정접의 비율 Df(-10℃)/Df(25℃) 및 Df(100℃)/Df(25℃)를 소정의 범위에 들어가게 하는 관점에서, (B) 말레이미드 화합물을 포함하는 것이 바람직하다. 통상, (B) 말레이미드 화합물의 양을 조정함으로써, 비율 Df(-10℃)/Df(25℃) 및 Df(100℃)/Df(25℃)를 소정의 범위에 들어가게 할 수 있다. 제2 실시형태에 따른 수지 조성물의 (B) 말레이미드 화합물에 대해서는, 제1 실시형태에서 설명한 사항을 제1 실시형태와 같이 적용할 수 있다.The resin composition according to the second embodiment is preferably such that the ratio of the dielectric loss tangent Df (-10 DEG C) / Df (25 DEG C) and Df (100 DEG C) / Df (25 DEG C) ) Maleimide compounds. Usually, the ratio Df (-10 캜) / Df (25 캜) and Df (100 캜) / Df (25 캜) can be set within a predetermined range by adjusting the amount of the maleimide compound (B). With respect to the maleimide compound (B) of the resin composition according to the second embodiment, the matters described in the first embodiment can be applied as in the first embodiment.

제2 실시형태에 따른 수지 조성물은 상기한 성분 이외에, 임의의 성분으로서 (C) 무기 충전재, (E) 불포화 수지, (F) 경화제, (G) 경화 촉진제, 및 (H) 첨가제 중 1개 또는 2개 이상을 포함하고 있어도 좋다. 제2 실시형태에 따른 수지 조성물의 (C) 무기 충전재, (E) 불포화 수지, (F) 경화제, (G) 경화 촉진제, 및 (H) 첨가제에 대해서는, 제1 실시형태에서 설명한 사항을 제1 실시형태와 같이 적용할 수 있다.The resin composition according to the second embodiment may contain, as optional components, at least one of (C) an inorganic filler, (E) an unsaturated resin, (F) a curing agent, (G) a curing accelerator, and Two or more of them may be included. Regarding the inorganic filler (C), the unsaturated resin (E), the curing agent (G), the curing accelerator and the additive (H) in the resin composition according to the second embodiment, The present invention is not limited thereto.

제2 실시형태에 따른 수지 조성물은 통상, 제1 실시형태에 따른 수지 조성물과 같은 제조 방법으로 제조할 수 있다.The resin composition according to the second embodiment can be usually produced by the same production method as the resin composition according to the first embodiment.

제2 실시형태에 따른 수지 조성물은 통상, 제1 실시형태에 따른 수지 조성물과 같은 특성을 갖는다. 따라서, 제2 실시형태에 따른 수지 조성물의 경화물은 유전율을 낮고, 유전 정접의 온도 안정성이 우수하며, 또한 통상 25℃에서의 유전 정접이 작다.The resin composition according to the second embodiment usually has the same properties as the resin composition according to the first embodiment. Therefore, the cured product of the resin composition according to the second embodiment has a low dielectric constant, excellent temperature stability of dielectric tangent, and a small dielectric loss tangent at 25 占 폚.

[3. 수지 조성물의 용도][3. Use of Resin Composition]

상기한 수지 조성물은 프린트 회로 기판 등의 회로 기판의 절연층 형성용 수지 조성물로서 사용할 수 있다. 상기 절연층에는, 그 절연층 위에 도체층(재배선층을 포함한다)을 형성되기 위한 절연층이 포함된다. 따라서, 수지 조성물은 도체층을 형성하기 위한 절연층 형성용의 수지 조성물로서 사용해도 좋다. 그 중에서도, 수지 조성물은, 빌드업 방식에 의한 회로 기판의 제조에 있어서 절연층을 형성하기 위한 빌드업 절연층 형성용의 수지 조성물로서 사용하는 것이 바람직하다.The above-mentioned resin composition can be used as a resin composition for forming an insulating layer of a circuit board such as a printed circuit board. The insulating layer includes an insulating layer for forming a conductor layer (including a rewiring layer) on the insulating layer. Therefore, the resin composition may be used as a resin composition for forming an insulating layer for forming a conductor layer. Among them, the resin composition is preferably used as a resin composition for forming a build-up insulating layer for forming an insulating layer in the production of a circuit board by a build-up method.

특히, 유전율이 낮은 절연층을 수득할 수 있다는 이점을 활용하여, 이 수지 조성물은, 고주파 회로 기판의 절연층을 형성하기 위한 수지 조성물(고주파 회로 기판의 절연층 형성용 수지 조성물)로서 적합하게 사용할 수 있다. 그 중에서도, 이 수지 조성물은, 고주파 회로 기판의 층간 절연층을 형성하기 위한 수지 조성물(고주파 회로 기판의 층간 절연층 형성용 수지 조성물)로서 더 적합하게 사용할 수 있다. 여기서, 「고주파 회로 기판」이란, 고주파 대역의 전기 신호라도 동작시킬 수 있는 회로 기판을 의미한다. 또한, 「고주파 대역」이란, 통상 1GHz 이상의 대역을 의미하고, 상기 수지 조성물은 특히 28GHz 내지 150GHz의 대역에서 유효하다.In particular, taking advantage of the fact that an insulating layer with a low dielectric constant can be obtained, the resin composition is preferably used as a resin composition (resin composition for forming an insulating layer of a high-frequency circuit substrate) for forming an insulating layer of a high- . Among them, the resin composition can be more suitably used as a resin composition (a resin composition for forming an interlayer insulating layer of a high-frequency circuit substrate) for forming an interlayer insulating layer of a high-frequency circuit board. Here, the &quot; high frequency circuit board &quot; means a circuit board capable of operating even an electric signal of a high frequency band. The term &quot; high-frequency band &quot; means a band of 1 GHz or higher, and the resin composition is particularly effective in a band of 28 GHz to 150 GHz.

또한, 유전 정접의 온도 안정성이 양호하다는 이점을 활용하여, 이 수지 조성물은, 레이더용의 안테나 회로 기판의 절연층용 수지 조성물로서 사용하는 것이 바람직하다. 이 안테나 회로 기판의 절연층으로서는, 예를 들면, 배선 형성층 등을 들 수 있다. 상기한 바와 같이 유전 정접의 온도 안정성이 양호한 경화물을 절연층의 재료로서 사용함으로써, 안테나 회로 기판에서의 손실의 크기의 온도에 의한 변화를 작게 할 수 있으므로, 사용 온도에 따르지 않는 고감도의 레이더를 실현할 수 있다.Further, taking advantage of the excellent temperature stability of dielectric loss tangent, the resin composition is preferably used as a resin composition for an insulating layer of an antenna circuit board for radar. As the insulating layer of the antenna circuit board, for example, a wiring forming layer and the like can be given. As described above, by using the cured product having good dielectric stability and temperature stability as the material of the insulating layer, it is possible to reduce the change in the size of the loss in the antenna circuit board due to the temperature, Can be realized.

또한, 유전율이 낮은 절연층은 회로 기판의 저배화(低背化)에 공헌할 수 있으므로, 얇은 회로 기판이 요구되는 용도에 적합하다. 또한, 유전율이 낮은 절연층은 회로 기판의 임피던스 컨트롤을 용이하게 하기 때문에, 회로 기판의 설계 자유도를 높이기 위해 적합하다. 이러한 관점에서, 수지 조성물의 적합한 용도를 들면, 예를 들면, 휴대 기기에 사용되는 마더보드, IC 패키지 기판, 카메라 모듈 기판, 지문 인증 센서용 기판 등의 회로 기판을 들 수 있다. 구체적인 예를 들면, 지문 인증 센서는 회로 기판에 포함되는 절연층과, 상기 절연층 위에 형성된 복수의 전극과, 절연 피막을 이 순차로 구비하는 경우가 있다. 이 지문 인증 센서에서는, 절연 피막 위에 놓인 손가락과 전극과 절연 피막에 의해 형성되는 콘덴서의 용량값이, 지문의 오목부와 볼록부에서 다른 것을 이용하여 지문의 인증이 행하여진다. 이러한 지문 인증 센서에서, 절연층을 얇게 할 수 있으면, 센서 자체의 소형화가 가능하다.In addition, the insulating layer having a low dielectric constant contributes to lowering the height of the circuit board, which is suitable for applications requiring a thin circuit board. Further, the insulating layer having a low dielectric constant facilitates impedance control of the circuit board, which is suitable for increasing the degree of freedom in designing the circuit board. From such a viewpoint, a suitable use of the resin composition is, for example, a circuit board such as a mother board, an IC package substrate, a camera module substrate, and a substrate for a fingerprint authentication sensor used in portable equipment. Specifically, for example, the fingerprint authentication sensor may include an insulating layer included in a circuit board, a plurality of electrodes formed on the insulating layer, and an insulating film in this order. In this fingerprint authentication sensor, the authentication of the fingerprint is performed by using the capacitance value of the capacitors formed by the finger, the electrode, and the insulating film on the insulating film different from the concave portion and the convex portion of the fingerprint. In such a fingerprint authentication sensor, if the insulating layer can be made thinner, the size of the sensor itself can be reduced.

또한, 상기한 수지 조성물은 접착 필름, 프리프레그 등의 시트상 적층 재료, 솔더 레지스트, 언더필재, 다이본딩재, 반도체 밀봉재, 구멍 메움 수지, 부품 매립 수지 등 수지 조성물이 사용되는 광범한 용도에 사용할 수 있다.In addition, the above-mentioned resin composition can be used for a wide range of applications in which a resin composition such as a sheet-like laminate material such as an adhesive film and a prepreg, a solder resist, an underfill material, a die bonding material, a semiconductor sealing material, a hole filling resin, .

[4. 시트상 적층 재료][4. Sheet laminated material]

상기한 수지 조성물은 바니쉬 상태로 도포하여 절연층의 형성에 사용할 수 있다. 그러나, 공업적으로는, 이 수지 조성물을 포함하는 시트상 적층 재료의 형태로 사용하는 것이 바람직하다. 시트상 적층 재료의 바람직한 예로서는, 접착 필름, 프리프레그를 들 수 있다.The above-mentioned resin composition can be applied in the form of a varnish to form an insulating layer. However, it is industrially preferable to use it in the form of a sheet-like laminate material containing the resin composition. Preferable examples of the sheet-like laminated material include an adhesive film and a prepreg.

일 실시형태에 있어서, 접착 필름은 지지체와, 당해 지지체 위에 설치된 수지 조성물층을 포함한다. 수지 조성물층은 상기한 수지 조성물로 형성된 층이고, 「접착층」으로 불리는 경우가 있다.In one embodiment, the adhesive film comprises a support and a resin composition layer disposed on the support. The resin composition layer is a layer formed of the resin composition described above and may be referred to as an &quot; adhesive layer &quot;.

수지 조성물층의 두께는 박형화의 관점에서, 바람직하게는 100㎛ 이하, 보다 바람직하게는 80㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 60㎛ 이하, 그 중에서도 바람직하게는 50㎛ 이하이다. 수지 조성물층의 두께의 하한은 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 1㎛ 이상, 5㎛ 이상, 10㎛ 이상 등일 수 있다.The thickness of the resin composition layer is preferably 100 占 퐉 or less, more preferably 80 占 퐉 or less, still more preferably 60 占 퐉 or less, and most preferably 50 占 퐉 or less, from the viewpoint of thinning. The lower limit of the thickness of the resin composition layer is not particularly limited and may be, for example, 1 占 퐉 or more, 5 占 퐉 or more, 10 占 퐉 or more and the like.

지지체로서는, 예를 들면, 플라스틱 재료로 이루어진 필름, 금속박, 이형지를 들 수 있다. 지지체로서는 플라스틱 재료로 이루어진 필름, 금속박이 바람직하다.As the support, for example, a film made of a plastic material, a metal foil, and a release paper can be given. As the support, a film or a metal foil made of a plastic material is preferable.

지지체로서 플라스틱 재료로 이루어진 필름을 사용하는 경우, 플라스틱 재료로서는, 예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트(이하 「PET」라고 하는 경우가 있다), 폴리에틸렌나프탈레이트(이하 「PEN」이라고 하는 경우가 있다) 등의 폴리에스테르; 폴리카보네이트(이하 「PC」라고 하는 경우가 있다); 폴리메틸메타크릴레이트(이하 「PMMA」라고 하는 경우가 있다) 등의 아크릴 중합체; 환상 폴리올레핀; 트리아세틸셀룰로오스(이하 「TAC」라고 하는 경우가 있다); 폴리에테르설파이드 (이하 「PES」라고 하는 경우가 있다); 폴리에테르케톤; 폴리이미드를 들 수 있다. 그 중에서도, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트가 바람직하고, 저렴하고 입수성이 우수하기 때문에 폴리에틸렌테레프탈레이트가 특히 바람직하다.When a film made of a plastic material is used as the support, examples of the plastic material include polyethylene terephthalate (hereinafter sometimes referred to as "PET"), polyethylene naphthalate (hereinafter sometimes referred to as "PEN") Of polyester; Polycarbonate (hereinafter sometimes referred to as &quot; PC &quot;); Acrylic polymers such as polymethyl methacrylate (hereinafter sometimes referred to as &quot; PMMA &quot;); Cyclic polyolefin; Triacetyl cellulose (hereinafter sometimes referred to as &quot; TAC &quot;); Polyether sulfide (hereinafter sometimes referred to as &quot; PES &quot;); Polyether ketones; Polyimide. Of these, polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate are preferable, and polyethylene terephthalate is particularly preferable because it is inexpensive and excellent in availability.

지지체로서 금속박을 사용하는 경우, 금속박으로서는, 예를 들면, 동박, 알루미늄박 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 동박이 바람직하다. 동박으로서는, 동의 단금속으로 이루어진 박을 사용해도 좋고, 동과 다른 금속(예를 들면, 주석, 크롬, 은, 마그네슘, 니켈, 지르코늄, 규소, 티탄 등)과의 합금으로 이루어진 박을 사용해도 좋다.In the case of using a metal foil as a support, examples of the metal foil include copper foil and aluminum foil. Among them, a copper foil is preferable. As the copper foil, a foil made of a copper single metal may be used, or a foil made of an alloy of copper and another metal (for example, tin, chromium, silver, magnesium, nickel, zirconium, silicon, titanium, etc.) .

지지체는 수지 조성물층과 접합하는 면에 매트 처리, 코로나 처리, 대전 방지 처리 등의 처리가 실시되어 있어도 좋다.The support may be subjected to a treatment such as a mat treatment, a corona treatment, and an antistatic treatment on the surface to be bonded to the resin composition layer.

또한, 지지체로서는 수지 조성물층과 접합하는 면에 이형층을 갖는 이형층 부착 지지체를 사용해도 좋다. 이형층 부착 지지체의 이형층에 사용할 수 있는 이형제로서는, 예를 들면, 알키드 수지, 폴리올레핀 수지, 우레탄 수지, 및 실리콘 수지로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종류 이상의 이형제를 들 수 있다. 이형제의 시판품으로서는, 예를 들면, 알키드 수지계 이형제인 린텍사 제조의 「SK-1」, 「AL-5」, 「AL-7」 등을 들 수 있다. 또한, 이형층 부착 지지체로서는, 예를 들면, 도레이사 제조의 「루미러 T60」; 데이진사 제조의 「퓨렉스」; 유니치카사 제조의 「유니필」 등을 들 수 있다.As the support, a support having a release layer having a release layer on the surface to be bonded to the resin composition layer may be used. Examples of the release agent that can be used for the release layer of the release layer-adhered support include one or more types of release agents selected from the group consisting of an alkyd resin, a polyolefin resin, a urethane resin, and a silicone resin. Examples of commercially available products of the release agent include "SK-1", "AL-5", and "AL-7" manufactured by Lin Tec Corporation, an alkyd resin type release agent. As the release layer-adhered support, for example, &quot; Lumirror T60 &quot; "Purex" manufactured by Dejin Corporation; And &quot; Unipyl &quot; manufactured by Uni-Chika Corporation.

지지체의 두께는 5㎛ 내지 75㎛의 범위가 바람직하고, 10㎛ 내지 60㎛의 범위가 보다 바람직하다. 또한, 이형층 부착 지지체를 사용하는 경우, 이형층 부착 지지 전체의 두께가 상기 범위인 것이 바람직하다.The thickness of the support is preferably in the range of 5 탆 to 75 탆, more preferably in the range of 10 탆 to 60 탆. When a release layer-adhered support is used, it is preferable that the thickness of the entirety of the release layer-adhered support is in the above range.

접착 필름은, 예를 들면, 유기 용제 및 수지 조성물을 포함하는 수지 바니쉬를 조제하고, 이 수지 바니쉬를, 다이코터 등의 도포 장치를 사용하여 지지체에 도포하고, 더 건조시켜 수지 조성물층을 형성시킴으로써 제조할 수 있다.The adhesive film can be formed, for example, by preparing a resin varnish containing an organic solvent and a resin composition, applying the resin varnish to a support using a coating apparatus such as a die coater, and further drying the resin varnish to form a resin composition layer Can be manufactured.

유기 용제로서는, 예를 들면, 아세톤, 메틸에틸케톤(MEK) 및 사이클로헥산온 등의 케톤 용제; 아세트산에틸, 아세트산부틸, 셀로솔브아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 및 카비톨아세테이트 등의 아세트산에스테르 용제; 셀로솔브 및 부틸카비톨 등의 카비톨 용제; 톨루엔 및 크실렌 등의 방향족 탄화수소 용제; 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드(DMAc) 및 N-메틸피롤리돈 등의 아미드계 용제를 들 수 있다. 유기 용제는 1종류 단독으로 사용해도 좋고 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.Examples of the organic solvent include ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone (MEK) and cyclohexanone; Acetic acid ester solvents such as ethyl acetate, butyl acetate, cellosolve acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate and carbitol acetate; Carbitol solvents such as cellosolve and butyl carbitol; Aromatic hydrocarbon solvents such as toluene and xylene; And amide solvents such as dimethylformamide, dimethylacetamide (DMAc) and N-methylpyrrolidone. The organic solvent may be used singly or in combination of two or more kinds.

건조는 가열, 열풍 분무 등의 공지된 방법에 의해 실시할 수 있다. 건조 조건은 수지 조성물층 중의 유기 용제의 함유량이 통상 10질량% 이하, 바람직하게는 5질량% 이하가 되도록 설정한다. 수지 바니쉬 중의 유기 용제의 비점에 따라서도 다르지만, 예를 들면 30질량% 내지 60질량%의 유기 용제를 포함하는 수지 바니쉬를 사용하는 경우, 50℃ 내지 150℃에서 3분간 내지 10분간 건조시킴으로써, 수지 조성물층을 형성할 수 있다. 통상, 수지 조성물층은 수지 바니쉬의 도막을 반경화한 막으로서 수득된다.The drying can be carried out by a known method such as heating or hot air spraying. The drying conditions are set so that the content of the organic solvent in the resin composition layer is usually 10 mass% or less, preferably 5 mass% or less. When a resin varnish containing an organic solvent of 30% by mass to 60% by mass, for example, is used, it is dried at 50 to 150 ° C for 3 minutes to 10 minutes to obtain a resin A composition layer can be formed. Usually, the resin composition layer is obtained as a film obtained by partially curing the coating film of the resin varnish.

접착 필름은 필요에 따라 지지체 및 수지 조성물층 이외의 임의의 층을 포함하고 있어도 좋다. 예를 들면, 접착 필름에 있어서, 수지 조성물층의 지지체와는 접합하고 있지 않은 면(즉, 지지체와는 반대측의 면)에는, 지지체에 준한 보호 필름이 설치되어 있어도 좋다. 보호 필름의 두께는, 예를 들면, 1㎛ 내지 40㎛이다. 보호 필름에 의해, 수지 조성물층의 표면으로의 먼지 등의 부착이나 흠집을 억제할 수 있다. 접착 필름이 보호 필름을 갖는 경우, 통상, 접착 필름은 보호 필름을 벗김으로써 사용 가능해진다. 또한, 접착 필름은 롤 형상으로 말아서 보존하는 것이 가능하다.The adhesive film may optionally include a layer other than the support and the resin composition layer. For example, a protective film according to a support may be provided on the surface of the adhesive film which is not bonded to the support of the resin composition layer (that is, the surface opposite to the support). The thickness of the protective film is, for example, 1 占 퐉 to 40 占 퐉. By the protective film, adhesion and scratches of dust or the like to the surface of the resin composition layer can be suppressed. When the adhesive film has a protective film, the adhesive film is usually usable by peeling the protective film. Further, the adhesive film can be rolled and stored.

일 실시형태에 있어서, 프리프레그는 시트상 섬유 기재에 수지 조성물을 함침시켜 형성할 수 있다.In one embodiment, the prepreg can be formed by impregnating a sheet-like fibrous substrate with a resin composition.

프리프레그에 사용되는 시트상 섬유 기재는 특별히 한정되지 않는다. 시트상 섬유 기재로서는, 예를 들면, 글라스 클로스, 아라미드 부직포, 액정 폴리머 부직포 등의, 프리프레그용 기재로서 사용되는 임의의 섬유 기재를 사용할 수 있다. 박형화의 관점에서, 시트상 섬유 기재의 두께는, 바람직하게는 900㎛ 이하, 보다 바람직하게는 800㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 700㎛ 이하, 특히 바람직하게는 600㎛ 이하이다. 도체층의 형성에 걸리는 도금의 잠김 깊이를 작게 억제하는 관점에서, 시트상 섬유 기재의 두께는 30㎛ 이하가 바람직하고, 20㎛ 이하가 보다 바람직하고, 10㎛ 이하가 특히 바람직하다. 시트상 섬유 기재의 두께의 하한은 통상 1㎛ 이상이고, 1.5㎛ 이상 또는 2㎛ 이상으로 해도 좋다.The sheet-like fibrous substrate used in the prepreg is not particularly limited. As the sheet-like fiber base material, any fiber base material used as a base material for a prepreg, such as glass cloth, aramid nonwoven fabric, and liquid crystal polymer nonwoven fabric, can be used. From the viewpoint of thinning, the thickness of the sheet-like fiber base material is preferably 900 占 퐉 or less, more preferably 800 占 퐉 or less, further preferably 700 占 퐉 or less, particularly preferably 600 占 퐉 or less. The thickness of the sheet-like fiber base material is preferably 30 占 퐉 or less, more preferably 20 占 퐉 or less, and particularly preferably 10 占 퐉 or less from the viewpoint of suppressing the depth of immersion of the plating in forming the conductor layer. The lower limit of the thickness of the sheet-like fibrous base material is usually 1 占 퐉 or more, 1.5 占 퐉 or more, or 2 占 퐉 or more.

프리프레그는 핫멜트법, 솔벤트법 등의 방법에 의해 제조할 수 있다. 프리프레그의 두께는 상기 접착 필름에서의 수지 조성물층과 같은 범위일 수 있다.The prepreg can be produced by a method such as a hot melt method or a solvent method. The thickness of the prepreg may be the same as that of the resin composition layer in the adhesive film.

[5. 회로 기판][5. Circuit board]

본 발명의 회로 기판은 상기한 수지 조성물의 경화물로 형성된 절연층을 포함한다. 일 실시형태에 있어서, 회로 기판은 내층 기판과, 이 내층 기판에 설치된 절연층을 구비한다.The circuit board of the present invention includes an insulating layer formed of a cured product of the above resin composition. In one embodiment, the circuit board includes an inner layer substrate and an insulating layer provided on the inner layer substrate.

「내층 기판」이란, 회로 기판의 기재가 되는 부재이다. 내층 기판으로서는, 예를 들면, 유리 에폭시 기판, 금속 기판, 폴리에스테르 기판, 폴리이미드기판, BT 레진 기판, 열경화형 폴리페닐렌에테르 기판 등의 코어 기판을 포함하는 것을 들 수 있다. 또한, 통상, 내층 기판은 코어 기재의 한면 또는 양면에, 직접적 또는 간접적으로 형성된 도체층을 구비한다. 이 도체층은, 예를 들면 전기적인 회로로서 기능시키기 위해서, 패턴 가공되어 있어도 좋다. 코어 기판의 한면 또는 양면에 회로로서 도체층이 형성된 내층 기판은 「내층 회로 기판」이라고 불리는 경우가 있다. 또한, 회로 기판을 제조하기 위해서 추가로 절연층 및 도체층의 적어도 어느 하나가 형성되어야 할 중간 제조물도, 용어 「내층 기판」에 포함된다. 회로 기판이 부품을 내장하는 경우, 부품을 내장한 내층 기판을 사용해도 좋다.The &quot; inner layer substrate &quot; is a member serving as a substrate of a circuit substrate. Examples of the inner-layer substrate include a core substrate such as a glass epoxy substrate, a metal substrate, a polyester substrate, a polyimide substrate, a BT resin substrate, and a thermosetting polyphenylene ether substrate. Further, usually, the inner layer substrate has a conductor layer formed directly or indirectly on one or both surfaces of the core substrate. The conductor layer may be patterned to function as, for example, an electric circuit. An inner layer substrate on which a conductor layer is formed as a circuit on one side or both sides of the core substrate is sometimes referred to as an &quot; inner layer circuit substrate &quot;. Further, an intermediate product to which at least one of the insulating layer and the conductor layer is to be further formed for manufacturing a circuit board is also included in the term "inner layer substrate". In the case where the circuit board incorporates a component, an inner-layer board containing components may be used.

내층 기판 두께는 통상 50㎛ 내지 4000㎛이고, 회로 기판의 기계적 강도의 향상 및 저배화(두께의 저감)의 관점에서, 바람직하게는 200㎛ 내지 3200㎛이다.The thickness of the inner layer substrate is usually from 50 mu m to 4000 mu m and preferably from 200 mu m to 3200 mu m from the standpoint of improvement of the mechanical strength of the circuit board and reduction in thickness (reduction in thickness).

내층 기판에는, 그 양측의 도체층을 서로 전기적으로 접속하기 위해서, 한쪽의 면에서 다른 쪽의 면에 이르는 1개 이상의 스루 홀이 설치되어 있어도 좋다. 또한, 내층 기판은 수동 소자 등의 추가 구성 요소를 구비하고 있어도 좋다.The inner layer substrate may be provided with one or more through holes extending from one surface to the other surface in order to electrically connect the conductor layers on both sides thereof. Further, the inner-layer substrate may have additional components such as passive elements.

절연층은 수지 조성물의 경화물의 층이다. 이 경화물로 형성된 절연층은 특히 빌드업 방식에 의한 회로 기판용, 고주파 회로 기판용, 레이더의 안테나 회로 기판용, 및 휴대 기기에 사용되는 마더보드, IC 패키지 기판, 카메라 모듈 기판, 및 지문 인증 센서용 기판 등의 회로 기판용 절연층에 적합하게 적용할 수 있다.The insulating layer is a layer of a cured product of the resin composition. The insulating layer formed of the cured product is particularly suitable for use in a build-up type circuit board, a high frequency circuit board, a radar antenna circuit board, and a mother board, an IC package substrate, a camera module substrate, It can be suitably applied to an insulating layer for a circuit board such as a substrate for a sensor.

회로 기판은 절연층을 1층만 갖고 있어도 좋고, 2층 이상 갖고 있어도 좋다. 회로 기판이 2층 이상인 절연층을 갖는 경우에는, 도체층과 절연층이 교대로 적층된 빌드업층으로서 설치할 수 있다.The circuit board may have only one insulating layer or two or more insulating layers. When the circuit board has an insulating layer having two or more layers, it can be provided as a build-up layer in which a conductor layer and an insulating layer are alternately stacked.

절연층의 두께는 통상 20㎛ 내지 200㎛이고, 전기적 특성의 향상과 회로 기판의 저배화의 관점에서, 바람직하게는 50㎛ 내지 150㎛이다.The thickness of the insulating layer is usually 20 占 퐉 to 200 占 퐉, preferably 50 占 퐉 to 150 占 퐉, from the viewpoints of improvement of electrical characteristics and lowering of the circuit board.

절연층에는, 회로 기판이 갖는 도체층끼리를 전기적으로 접속하기 위한 1개 이상의 비아 홀이 설치되어 있어도 좋다.The insulating layer may be provided with one or more via holes for electrically connecting the conductor layers of the circuit board to each other.

상기 절연층은, 상기한 수지 조성물의 경화물에 의해 형성된 층이므로, 상기한 수지 조성물의 경화물이 우수한 특성을 발휘할 수 있다. 따라서, 회로 기판의 절연층은, 바람직하게는 절연층의 유전율, 유전 정접의 비율 Df(-10℃)/Df(25℃), 유전 정접의 비율 Df(100℃)/Df(25℃), 및 25℃에서의 유전 정접 Df(25℃)와 같은 특성을, 상기 수지 조성물의 항에서 설명한 것과 같은 범위로 조정할 수 있다. 또한, 이러한 특성은 실시예에 기재된 방법으로 측정할 수 있다.Since the insulating layer is a layer formed by the cured product of the resin composition described above, the cured product of the resin composition can exert excellent properties. Therefore, the dielectric layer of the circuit board preferably has a dielectric constant, a dielectric loss tangent Df (-10 캜) / Df (25 캜), a dielectric loss tangent Df (100 캜) / Df (25 캜) And the dielectric loss tangent Df (25 占 폚) at 25 占 폚 can be adjusted to the range as described in the section of the resin composition. These properties can also be measured by the methods described in the examples.

회로 기판은, 예를 들면, 접착 필름을 사용하여, 하기 공정 (I) 및 공정 (II)를 포함하는 제조 방법에 의해 제조할 수 있다.The circuit board can be manufactured by a manufacturing method including the following steps (I) and (II) using, for example, an adhesive film.

(I) 내층 기판에, 접착 필름을, 당해 접착 필름의 수지 조성물층이 내층 기판과 접합하도록 적층하는 공정.(I) A step of laminating an adhesive film on the inner layer substrate and a resin composition layer of the adhesive film to be bonded to the inner layer substrate.

(II) 수지 조성물층을 열경화하여 절연층을 형성하는 공정.(II) A step of thermally curing the resin composition layer to form an insulating layer.

내층 기판과 접착 필름의 적층은, 예를 들면, 지지체 측으로부터 접착 필름을 내층 기판에 가압하면서 가열하는 가열 압착 공정에 의해 행할 수 있다. 가열 압착 공정을 위한 부재(「가열 압착 부재」라고도 한다)로서는, 예를 들면, 가열된 금속판(SUS 경판 등) 또는 금속 롤(SUS 롤)을 들 수 있다. 또한, 가열 압착 부재를 접착 필름의 지지체에 직접적으로 가압하여 프레스하는 것이 아니라, 내층 기판의 표면의 요철에 접착 필름이 충분히 추종하도록, 내열 고무 등의 탄성재를 통하여 프레스하는 것이 바람직하다.The lamination of the inner layer substrate and the adhesive film can be performed, for example, by a heat pressing process in which the adhesive film is heated while being pressed against the inner layer substrate from the support side. Examples of members (also referred to as &quot; hot pressed members &quot;) for a hot pressing process include a heated metal plate (SUS hard plate) or a metal roll (SUS roll). Further, it is preferable to press the hot pressing member through an elastic material such as heat-resistant rubber so that the adhesive film sufficiently follows the unevenness of the surface of the inner layer substrate, instead of directly pressing the hot pressing member against the support of the adhesive film.

내층 기판과 접착 필름의 적층은, 예를 들면, 진공 라미네이트법에 의해 실시할 수 있다. 진공 라미네이트법에 있어서 가열 압착의 온도는, 바람직하게는 60℃ 내지 160℃, 보다 바람직하게는 80℃ 내지 140℃이다. 가열 압착의 압력은, 바람직하게는 0.098MPa 내지 1.77MPa, 보다 바람직하게는 0.29MPa 내지 1.47MPa이다. 가열 압착의 시간은, 바람직하게는 20초간 내지 400초간, 보다 바람직하게는 30초간 내지 300초간이다. 적층은, 바람직하게는 압력 26.7hPa 이하의 감압 조건하에서 실시한다.The lamination of the inner layer substrate and the adhesive film can be carried out, for example, by a vacuum laminating method. The temperature of the hot pressing in the vacuum laminating method is preferably 60 ° C to 160 ° C, more preferably 80 ° C to 140 ° C. The pressure of the hot pressing is preferably 0.098 MPa to 1.77 MPa, more preferably 0.29 MPa to 1.47 MPa. The time for hot pressing is preferably 20 seconds to 400 seconds, more preferably 30 seconds to 300 seconds. The lamination is preferably performed under a reduced pressure of 26.7 hPa or less.

적층은 시판의 진공 라미네이터에 의해 행할 수 있다. 시판의 진공 라미네이터로서는, 예를 들면, 메이키세이사쿠쇼사 제조의 진공 가압식 라미네이터, 닛코·머티리얼즈사 제조의 배큠 어플리케이터, 배치식 진공 가압 라미네이터 등을 들 수 있다.The lamination can be performed by a commercially available vacuum laminator. As a commercially available vacuum laminator, for example, a vacuum pressurized laminator manufactured by Meiji Seisakusho Co., Ltd., a vacuum applicator manufactured by Nikko Material Co., Ltd., and a batch type vacuum pressure laminator can be given.

적층 후에, 상압하(대기압하), 예를 들면, 가열 압착 부재로 지지체 측으로부터 프레스함으로써, 적층된 수지 조성물층의 평활화 처리를 행해도 좋다. 평활화 처리의 프레스 조건은 상기 적층의 가열 압착의 조건과 같은 조건으로 할 수 있다. 평활화 처리는 시판의 라미네이터에 의해 행할 수 있다. 또한, 적층 및 평활화 처리는 상기한 시판의 진공 라미네이터를 사용하여 연속적으로 행해도 좋다.After lamination, the laminated resin composition layer may be subjected to smoothing treatment by pressing under atmospheric pressure (at atmospheric pressure), for example, from a support side by a hot pressing member. The pressing condition of the smoothing process can be the same as the condition of the hot pressing of the lamination. The smoothing process can be performed by a commercially available laminator. The lamination and smoothing process may be performed continuously using the commercially available vacuum laminator described above.

지지체는 공정 (I)과 공정 (II) 사이에 제거해도 좋고, 공정 (II) 후에 제거해도 좋다.The support may be removed between the step (I) and the step (II) or may be removed after the step (II).

공정 (II)에서, 수지 조성물층을 열경화하여 절연층을 형성한다. 수지 조성물층의 열경화의 조건은 특별히 한정되지 않고, 회로 기판의 절연층을 형성함에 있어서 채용되는 조건을 임의로 채용할 수 있다.In the step (II), the resin composition layer is thermally cured to form an insulating layer. The conditions of the thermosetting of the resin composition layer are not particularly limited, and the conditions employed in forming the insulating layer of the circuit board can be arbitrarily adopted.

수지 조성물층의 열경화 조건은, 예를 들면 수지 조성물의 종류에 따라서도 다르다. 수지 조성물층의 경화 온도는 통상 120℃ 내지 240℃의 범위(바람직하게는 150℃ 내지 220℃의 범위, 보다 바람직하게는 170℃ 내지 200℃의 범위)이다. 또한, 경화 시간은 통상 5분간 내지 120분간의 범위(바람직하게는 10분간 내지 100분간, 보다 바람직하게는 15분간 내지 90분간)이다.The thermosetting condition of the resin composition layer varies depending on, for example, the type of the resin composition. The curing temperature of the resin composition layer is usually in the range of 120 캜 to 240 캜 (preferably in the range of 150 캜 to 220 캜, more preferably in the range of 170 캜 to 200 캜). The curing time is usually in the range of 5 minutes to 120 minutes (preferably 10 minutes to 100 minutes, more preferably 15 minutes to 90 minutes).

수지 조성물층을 열경화시키기 전에, 수지 조성물층을 경화 온도보다도 낮은 온도로 예비 가열해도 좋다. 예를 들면, 수지 조성물층을 열경화시키기에 앞서, 통상 50℃ 이상 120℃ 미만(바람직하게는 60℃ 이상 110℃이하, 보다 바람직하게는 70℃ 이상 100℃이하)의 온도로, 수지 조성물층을 통상 5분간 이상(바람직하게는 5분간 내지 150분간, 보다 바람직하게는 15분간 내지 120분간) 예비 가열해도 좋다.The resin composition layer may be preheated to a temperature lower than the curing temperature before thermosetting the resin composition layer. For example, before the resin composition layer is thermally cured, the resin composition layer is heated to a temperature of generally 50 ° C or more and less than 120 ° C (preferably 60 ° C or more and 110 ° C or less, more preferably 70 ° C or more and 100 ° C or less) May be preliminarily heated for usually 5 minutes or more (preferably 5 minutes to 150 minutes, more preferably 15 minutes to 120 minutes).

회로 기판의 제조 방법은 또한 (III) 절연층에 천공하는 공정, (IV) 절연층에 조화(粗化) 처리를 실시하는 공정, 및 (V) 도체층을 형성하는 공정을 포함하고 있어도 좋다. 이들 공정 (III) 내지 공정 (V)는 회로 기판의 제조에 사용되는 적절한 방법에 따라 실시할 수 있다. 또한, 지지체를 공정 (II) 후에 제거하는 경우, 당해 지지체의 제거는 공정 (II)와 공정 (III) 사이, 공정 (III)과 공정 (IV) 사이, 또는 공정 (IV)와 공정 (V) 사이 중 어느 시점에서 실시해도 좋다.The manufacturing method of the circuit board may further include (III) a step of piercing the insulating layer, (IV) a step of roughening the insulating layer, and (V) a step of forming a conductor layer. These steps (III) to (V) may be carried out according to a suitable method used in the production of a circuit board. When the support is removed after the step (II), the removal of the support is carried out between the steps (II) and (III), between the steps (III) and (IV) May be performed at any point in time.

공정 (III)은 절연층에 천공하는 공정이다. 천공에 의해, 절연층에 비아 홀, 스루 홀 등의 홀을 형성할 수 있다. 공정 (III)은 절연층의 형성에 사용한 수지 조성물의 조성 등에 따라, 예를 들면, 드릴, 레이저, 플라즈마 등의 방법으로 실시할 수 있다. 홀의 치수 및 형상은 회로 기판의 디자인에 따라 적절에 결정할 수 있다.Step (III) is a step of perforating the insulating layer. Through holes, holes such as via holes and through holes can be formed in the insulating layer. The step (III) can be carried out by, for example, a method such as drilling, laser or plasma, depending on the composition of the resin composition used for forming the insulating layer. The dimensions and shape of the holes can be determined appropriately according to the design of the circuit board.

공정 (IV)는 절연층에 조화 처리를 실시하는 공정이다. 조화 처리의 순서 및 조건은 특별히 한정되지 않고, 회로 기판의 절연층을 형성함에 있어서 사용되는 임의의 순서 및 조건을 채용할 수 있다. 예를 들면, 팽윤액에 의한 팽윤 처리, 산화제에 의한 조화 처리, 중화액에 의한 중화 처리를 이 순차로 실시하여 절연층을 조화 처리할 수 있다.Step (IV) is a step of applying a roughening treatment to the insulating layer. The order and conditions of the harmonic treatment are not particularly limited, and any order and conditions used in forming the insulating layer of the circuit board can be employed. For example, swelling treatment with a swollen liquid, coarsening treatment with an oxidizing agent, and neutralization treatment with a neutralizing liquid can be carried out in this order to roughen the insulating layer.

팽윤액으로서는, 예를 들면, 알칼리 용액, 계면활성제 용액을 들 수 있고, 바람직하게는 알칼리 용액을 들 수 있다. 알칼리 용액으로서는 수산화나트륨 용액, 수산화칼륨 용액이 보다 바람직하다. 시판되고 있는 팽윤액으로서는, 예를 들면, 아토텍재팬사 제조의 「스웰링·딥·시큐리간스 P」, 「스웰링·딥·시큐리간스 SBU」를 들 수 있다. 또한, 팽윤액은 1종류를 단독으로 사용해도 좋고 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다. 팽윤액에 의한 팽윤 처리는 특별히 한정되지 않는다. 팽윤 처리는, 예를 들면, 30℃ 내지 90℃의 팽윤액에 절연층을 1분간 내지 20분간 침지시킴으로써 행할 수 있다. 절연층의 수지의 팽윤을 적당한 레벨로 억제하는 관점에서, 40℃ 내지 80℃의 팽윤액에 절연층을 5분간 내지 15분간 침지시키는 것이 바람직하다.The swelling liquid includes, for example, an alkali solution and a surfactant solution, and preferably an alkali solution. As the alkali solution, a sodium hydroxide solution or a potassium hydroxide solution is more preferable. Examples of commercially available swelling liquids include Swelling Dip Siculgans P and Swelling Dip Siculgans SBU manufactured by Atotech Japan Co., Ltd. The swelling liquid may be used alone or in combination of two or more. The swelling treatment by the swelling liquid is not particularly limited. The swelling treatment can be performed, for example, by immersing the insulating layer in a swelling solution at 30 캜 to 90 캜 for 1 minute to 20 minutes. From the viewpoint of suppressing the swelling of the resin in the insulating layer to an appropriate level, it is preferable to immerse the insulating layer in the swelling liquid at 40 占 폚 to 80 占 폚 for 5 minutes to 15 minutes.

산화제로서는, 예를 들면, 수산화나트륨의 수용액에 과망간산칼륨 또는 과망간산나트륨을 용해한 알칼리성 과망간산 용액을 들 수 있다. 또한, 산화제는 1종류를 단독으로 사용해도 좋고 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다. 알칼리성 과망간산 용액 등의 산화제에 의한 조화 처리는, 60℃ 내지 80℃로 가열한 산화제 용액에 절연층을 10분간 내지 30분간 침지시켜 행하는 것이 바람직하다. 또한, 알칼리성 과망간산 용액에서의 과망간산염의 농도는 5질량% 내지 10질량%가 바람직하다. 시판되고 있는 산화제로서는, 예를 들면, 아토텍재팬사 제조의 「콘센트레이트·컴팩트 CP」, 「도징솔루션·시큐리간스 P」 등의 알칼리성 과망간산 용액을 들 수 있다.As the oxidizing agent, there can be mentioned, for example, an alkaline permanganic acid solution obtained by dissolving potassium permanganate or sodium permanganate in an aqueous solution of sodium hydroxide. The oxidizing agent may be used singly or in combination of two or more kinds. The roughening treatment with an oxidizing agent such as an alkaline permanganic acid solution is preferably carried out by immersing the insulating layer in an oxidizing agent solution heated at 60 캜 to 80 캜 for 10 minutes to 30 minutes. The concentration of the permanganate in the alkaline permanganic acid solution is preferably 5% by mass to 10% by mass. Examples of commercially available oxidizing agents include alkaline permanganic acid solutions such as "Concentrate Compact CP" manufactured by Atotech Japan Co., Ltd. and "Dozing Solution · Securigans P".

중화액으로서는 산성의 수용액이 바람직하다. 중화액의 시판품으로서는, 예를 들면, 아토텍재팬사 제조의 「리덕션 솔루션·시큐리간스 P」를 들 수 있다. 또한, 중화액은 1종류를 단독으로 사용해도 좋고 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다. 중화액에 의한 처리는, 산화제에 의한 조화 처리가 이루어진 절연층의 처리면을 30℃ 내지 80℃의 중화액에 5분간 내지 30분간 침지시킴으로써 행할 수 있다. 작업성 등의 점에서, 산화제에 의한 조화 처리가 이루어진 절연층을, 40℃ 내지 70℃의 중화액에 5분간 내지 20분간 침지하는 방법이 바람직하다.As the neutralizing solution, an acidic aqueous solution is preferable. As a commercial product of the neutralization liquid, for example, "Reduction Solution · Securigans P" manufactured by Atotech Japan Co., Ltd. can be mentioned. The neutralizing liquid may be used singly or in combination of two or more kinds. The treatment with the neutralizing liquid can be performed by immersing the treated surface of the insulating layer subjected to the roughening treatment with an oxidizing agent in a neutralizing solution at 30 ° C to 80 ° C for 5 minutes to 30 minutes. It is preferable to immerse the insulating layer subjected to the roughening treatment with an oxidizing agent in a neutralizing solution at 40 캜 to 70 캜 for 5 minutes to 20 minutes in terms of workability and the like.

공정 (V)는 도체층을 형성하는 공정이다. 도체층에 사용되는 재료는 특별히 한정되지 않는다. 적합한 실시형태에서는, 도체층은 금, 백금, 팔라듐, 은, 동, 알루미늄, 코발트, 크롬, 아연, 니켈, 티탄, 텅스텐, 철, 주석 및 인듐으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 금속을 포함한다. 도체층은 단금속층이라도 좋고, 합금층이라도 좋다. 합금층으로서는, 예를 들면, 상기 그룹으로부터 선택되는 2종 이상의 금속의 합금(예를 들면, 니켈·크롬 합금, 동·니켈 합금 및 동·티탄 합금)으로 형성된 층을 들 수 있다. 그 중에서도, 도체층의 형성의 범용성, 비용, 패터닝의 용이성 등의 관점에서, 크롬, 니켈, 티탄, 알루미늄, 아연, 금, 팔라듐, 은 또는 동의 단금속층; 또는 니켈·크롬 합금, 동·니켈 합금, 동·티탄 합금의 합금층이 바람직하다. 또한, 크롬, 니켈, 티탄, 알루미늄, 아연, 금, 팔라듐, 은 또는 동의 단금속층; 또는, 니켈·크롬 합금의 합금층;이 보다 바람직하고, 동의 단금속층이 더욱 바람직하다.Step (V) is a step of forming a conductor layer. The material used for the conductor layer is not particularly limited. In a preferred embodiment, the conductor layer comprises at least one metal selected from the group consisting of gold, platinum, palladium, silver, copper, aluminum, cobalt, chromium, zinc, nickel, titanium, tungsten, iron, tin and indium . The conductor layer may be a single metal layer or an alloy layer. Examples of the alloy layer include a layer formed of an alloy of two or more metals selected from the above-mentioned group (for example, a nickel-chromium alloy, a copper-nickel alloy, and a copper-titanium alloy). Among them, chromium, nickel, titanium, aluminum, zinc, gold, palladium, silver or a copper single metal layer is preferable from the viewpoints of versatility, cost and ease of patterning of the conductor layer. Or an alloy layer of a nickel-chromium alloy, a copper-nickel alloy, or a copper-titanium alloy. In addition, chromium, nickel, titanium, aluminum, zinc, gold, palladium, silver or copper single metal layers; Alternatively, an alloy layer of nickel-chromium alloy is more preferable, and a metal layer of copper is more preferable.

도체층은 단층 구조를 갖고 있어도 좋고, 다른 종류의 금속 또는 합금으로 이루어진 단금속층 또는 합금층을 2층 이상 포함하는 복층 구조를 갖고 있어도 좋다. 도체층이 복층 구조인 경우, 절연층과 접하는 층은 크롬, 아연 또는 티탄의 단금속층, 또는 니켈·크롬 합금의 합금층인 것이 바람직하다.The conductor layer may have a single-layer structure or may have a multi-layer structure including two or more single metal layers or alloy layers made of different kinds of metals or alloys. When the conductor layer is a multilayer structure, the layer in contact with the insulating layer is preferably a single metal layer of chromium, zinc or titanium, or an alloy layer of nickel-chromium alloy.

도체층의 두께는 통상 3㎛ 내지 200㎛이고, 바람직하게는 10㎛ 내지 100㎛이다.The thickness of the conductor layer is usually from 3 to 200 mu m, preferably from 10 to 100 mu m.

도체층은, 예를 들면, 접착 필름의 지지체로서 사용된 금속박을 이용하여, 이를 직접적으로 패터닝하여 형성할 수 있다. 또한, 도체층은, 예를 들면, 도금에 의해 형성할 수 있다. 도금에 의한 형성 방법으로서는, 예를 들면, 세미 애디티브법, 풀 애디티브법 등의 방법에 의해 절연층의 표면에 도금하여, 원하는 배선 패턴을 갖는 도체층을 형성할 수 있다. 그 중에서도, 제조의 간편성의 관점에서, 세미 애디티브법에 의해 형성하는 것이 바람직하다.The conductor layer can be formed, for example, by directly patterning it using a metal foil used as a support for an adhesive film. The conductor layer can be formed by, for example, plating. As a forming method by plating, a conductor layer having a desired wiring pattern can be formed by plating the surface of the insulating layer by a method such as a semiadditive method or a pull additive method. Above all, from the viewpoint of simplicity of production, it is preferable to form it by the semi-additive method.

이하, 도체층을 세미 애디티브법에 의해 형성하는 예를 설명한다. 우선, 절연층의 표면에, 무전해 도금에 의해 도금 시드층을 형성한다. 이어서, 형성된 도금 시드층 위에, 원하는 배선 패턴에 대응하도록 도금 시드층의 일부분을 노출시키는 마스크 패턴을 형성한다. 노출된 도금 시드층 위에, 전해 도금에 의해 금속층을 형성한 후, 마스크 패턴을 제거한다. 그 후, 불필요한 도금 시드층을 에칭 등에 의해 제거하여, 원하는 배선 패턴을 갖는 도체층을 형성할 수 있다.Hereinafter, an example of forming the conductor layer by the semi-additive method will be described. First, a plating seed layer is formed on the surface of the insulating layer by electroless plating. Subsequently, a mask pattern is formed on the formed plating seed layer to expose a part of the plating seed layer so as to correspond to the desired wiring pattern. A metal layer is formed on the exposed plating seed layer by electrolytic plating, and then the mask pattern is removed. Thereafter, an unnecessary plating seed layer is removed by etching or the like, and a conductor layer having a desired wiring pattern can be formed.

도체층은, 예를 들면, 금속박을 사용하여 형성해도 좋다. 금속박을 사용하여 도체층을 형성하는 경우, 공정 (V)는 공정 (I)과 공정 (II) 사이에 실시하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 공정 (I) 후, 지지체를 제거하고, 노출된 수지 조성물층의 표면에 금속박을 적층한다. 수지 조성물층과 금속박의 적층은 진공 라미네이트법에 의해 실시할 수 있다. 적층의 조건은 공정 (I)에서의 내층 기판과 접착 필름의 적층 조건과 같게 해도 좋다. 이어서, 공정 (II)를 실시하여 절연층을 형성한다. 그 후, 절연층 위의 금속박을 이용하여, 서브트랙티브법, 모디파이드 세미 애디티브법 등의 방법에 의해, 원하는 배선 패턴을 갖는 도체층을 형성할 수 있다. 금속박은, 예를 들면, 전해법, 압연법 등의 방법에 의해 제조할 수 있다. 금속박의 시판품으로서는, 예를 들면, JX닛코닛세키긴조크사 제조의 HLP박, JXUT-III박, 미쯔이긴조크코우잔사 제조의 3EC-III박, TP-III박 등을 들 수 있다.The conductor layer may be formed using, for example, a metal foil. In the case of forming the conductor layer using a metal foil, it is preferable that the step (V) is carried out between the step (I) and the step (II). For example, after the step (I), the support is removed and a metal foil is laminated on the surface of the exposed resin composition layer. The lamination of the resin composition layer and the metal foil can be carried out by a vacuum laminating method. The lamination conditions may be the same as the lamination conditions of the inner layer substrate and the adhesive film in the step (I). Subsequently, an insulating layer is formed by carrying out the step (II). Thereafter, the metal layer on the insulating layer can be used to form a conductor layer having a desired wiring pattern by a subtractive method, a modified semi-additive method or the like. The metal foil can be produced by, for example, an electrolytic method, a rolling method, or the like. Examples of commercial products of metal foil include HLP foil, JXUT-III foil, 3EC-III foil, and TP-III foil manufactured by JX Nikkosuke Kikuchi Kogyo Co., Ltd., and the like.

회로 기판이 2층 이상의 절연층 및 도체층(빌드업층)을 구비하는 경우에는 상기한 절연층의 형성 공정 및 도체층의 형성 공정을 추가로 1회 이상 반복하여 실시함으로써, 회로로서 기능할 수 있는 다층 배선 구조를 구비한 회로 기판을 제조할 수 있다.When the circuit board has two or more insulating layers and a conductor layer (build-up layer), the above-described step of forming the insulating layer and the step of forming the conductor layer are repeated one or more times, A circuit board having a multilayer wiring structure can be manufactured.

다른 실시형태에 있어서, 회로 기판은 접착 필름 대신에 프리프레그를 사용하여 제조할 수 있다. 프리프레그를 사용하는 제조 방법은 기본적으로 접착 필름을 사용하는 경우와 같다.In another embodiment, the circuit board can be made using a prepreg instead of an adhesive film. The manufacturing method using the prepreg is basically the same as the case of using the adhesive film.

[6. 반도체 장치][6. Semiconductor device]

반도체 장치는 상기 회로 기판을 구비한다. 이 반도체 장치는 회로 기판을 사용하여 제조할 수 있다.The semiconductor device includes the circuit board. This semiconductor device can be manufactured by using a circuit board.

반도체 장치로서는, 전기 제품(예를 들면, 컴퓨터, 휴대전화, 디지털 카메라 및 텔레비전 등) 및 탈것(예를 들면, 자동 이륜차, 자동차, 전차, 선박 및 항공기 등) 등에 제공되는 각종 반도체 장치를 들 수 있다.Examples of the semiconductor device include various semiconductor devices provided in an electric product (such as a computer, a mobile phone, a digital camera and a television) and a vehicle (such as a motorcycle, a car, a train, have.

반도체 장치는, 예를 들면, 회로 기판의 도통 개소에, 부품(반도체 칩)을 실장함으로써 제조할 수 있다. 「도통 개소」란, 「회로 기판에서의 전기 신호를 전달하는 개소」이고, 그 개소는 회로 기판의 표면이라도, 회로 기판 내에 매립된 개소라도 상관없다. 또한, 반도체 칩은 반도체를 재료로 하는 전기 회로 소자를 임의로 사용할 수 있다.The semiconductor device can be manufactured, for example, by mounting a component (semiconductor chip) in a conductive portion of a circuit board. The &quot; conduction point &quot; is a &quot; position for transmitting an electrical signal on a circuit board &quot;, and the position may be a surface of the circuit board or a portion embedded in the circuit board. Further, the semiconductor chip can be arbitrarily used as an electric circuit element made of a semiconductor.

반도체 장치를 제조할 때의 반도체 칩의 실장 방법은 반도체 칩이 유효하게 기능하는 임의의 방법을 채용할 수 있다. 반도체 칩의 실장 방법으로서는, 예를 들면, 와이어 본딩 실장 방법, 플립 칩 실장 방법, 범프리스 빌드업층(BBUL)에 의한 실장 방법, 이방성 도전 필름(ACF)에 의한 실장 방법, 비도전성 필름(NCF)에 의한 실장 방법을 들 수 있다. 여기서, 「범프리스 빌드업층(BBUL)에 의한 실장 방법」이란, 「반도체 칩을 회로 기판에 직접적으로 매립하여, 반도체 칩과 회로 기판의 배선을 접속시키는 실장 방법」을 의미한다.The semiconductor chip mounting method in manufacturing the semiconductor device can employ any method in which the semiconductor chip effectively functions. Examples of the semiconductor chip mounting method include a wire bonding mounting method, a flip chip mounting method, a mounting method using a bumpless buildup layer (BBUL), a mounting method using an anisotropic conductive film (ACF) As shown in Fig. Here, the &quot; mounting method using the bumpless buildup layer (BBUL) &quot; means a mounting method in which &quot; the semiconductor chip is directly buried in the circuit board to connect the semiconductor chip and the circuit board wiring.

실시예Example

이하, 실시예를 개시하여 본 발명을 구체적으로 설명한다. 다만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다. 또한, 이하의 기재에서 「부」 및 「%」는 별도 명시가 없는 한 각각 「질량부」 및 「질량%」를 의미한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to examples. However, the present invention is not limited to these examples. In the following description, "part" and "%" mean "part by mass" and "% by mass", respectively, unless otherwise specified.

[실시예 1][Example 1]

비크실레놀형 에폭시 수지(미쓰비시케미컬사 제조 「YX4000HK」, 에폭시 당량 약 185) 20부, 및 페닐메탄말레이미드 수지(다이와카세이코교사 제조 「BMI-2000」) 2.5부를, 솔벤트 나프타 20부에 교반하면서 가열 용해하고, 그 후, 실온까지 냉각하여 수지 용액을 수득하였다., 20 parts of biscylenol type epoxy resin ("YX4000HK" manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd., epoxy equivalent: about 185) and 2.5 parts of phenylmethanemaleimide resin ("BMI-2000" manufactured by Daikase Seiko) were added to 20 parts of solvent naphtha The solution was heated and dissolved, and then cooled to room temperature to obtain a resin solution.

이 수지 용액에, 무기 충전재(아도마텍스사 제조 「SO-C2」, 평균 입자 직경 0.5㎛, 비표면적 5.9㎡/g, 단위 표면적당 카본량 0.38mg/㎡) 100부, 및 폴리테트라플루오로에틸렌 입자(다이킨코교사 제조 「루브론 L-2」, 평균 입자 직경 3㎛) 55부를 혼합하고, 3본 롤로 혼련하여 분산시켰다.100 parts of an inorganic filler (&quot; SO-C2 &quot; manufactured by Adomex Co., Ltd., average particle diameter 0.5 占 퐉, specific surface area 5.9 m2 / g, carbon amount per unit surface area 0.38 mg / m2) and polytetrafluoro And 55 parts of ethylene particles ("Lubron L-2" manufactured by Daikin Industries, Ltd., average particle diameter 3 μm) were mixed and kneaded by a three-roll mill and dispersed.

또한, 이 수지 용액에, 활성 에스테르계 경화제(DIC사 제조 「HPC-8000-65T」, 활성기 당량 약 223의 불휘발분 65%의 톨루엔 용액) 31부, 아크릴 수지(신나카무라카가쿠코교사 제조 「A-DOG」) 10부, 경화 촉진제(4-디메틸아미노피리딘(DMAP)의 5% 메틸에틸케톤 용액) 2부, 및 경화 촉진제(니찌유사 제조의 디쿠밀퍼옥사이드 「퍼쿠밀 D」) 0.13부를 혼합하고, 회전 믹서로 균일하게 분산하여 수지 바니쉬 1을 제작하였다.31 parts of an active ester type curing agent (&quot; HPC-8000-65T &quot;, manufactured by DIC Co., Ltd., a toluene solution of 65% of nonvolatile matter having an equivalent weight of about 223 as an activating group equivalent), 30 parts of an acrylic resin (Shin Nakamura Kagakuko Co., , 2 parts of a hardening accelerator (5% methyl ethyl ketone solution of 4-dimethylaminopyridine (DMAP)) and 0.13 parts of a curing accelerator (Dicumylperoxide "Percumyl D" And uniformly dispersed in a rotary mixer to prepare a resin varnish 1.

[실시예 2][Example 2]

페닐메탄말레이미드 수지(다이와카세이코교사 제조 「BMI-2000」)의 양을 10부로 변경하였다. 또한, 아크릴 수지(신나카무라카가쿠코교사 제조 「A-DOG」), 및 디쿠밀퍼옥사이드(니찌유사 제조 「퍼쿠밀 D」)를 사용하지 않았다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 동일한 조작을 행하여 수지 바니쉬 2를 제작하였다.Phenylmethane maleimide resin (&quot; BMI-2000 &quot;, manufactured by TAIWA SEIKO CO., LTD.) Was changed to 10 parts. In addition, acrylic resin ("A-DOG" manufactured by Shin Nakamura Kagakuko Co., Ltd.) and dicumyl peroxide ("Percumyl D" manufactured by Nichi- The resin varnish 2 was produced in the same manner as in Example 1 except for the above.

[실시예 3][Example 3]

페닐메탄말레이미드 수지(다이와카세이코교사 제조 「BMI-2000」)의 양을 13.5부로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 동일한 조작을 행하여 수지 바니쉬 3을 제작하였다.Phenylmethane maleimide resin (&quot; BMI-2000 &quot; manufactured by Daicel Chemical Industries Ltd.) was changed to 13.5 parts. A resin varnish 3 was produced in the same manner as in Example 1 except for the above.

[실시예 4][Example 4]

페닐메탄말레이미드 수지(다이와카세이코교사 제조 「BMI-2000」) 2.5부를, m-페닐렌비스말레이미드 수지(다이와카세이코교사 제조 「BMI-3000」) 2.5부로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 동일한 조작을 행하여 수지 바니쉬 4를 제작하였다.2.5 parts of phenylmethane maleimide resin ("BMI-2000" manufactured by Daicel Chemical Industries Ltd.) was changed to 2.5 parts of m-phenylene bismaleimide resin ("BMI-3000" manufactured by Daikase Seiko). The resin varnish 4 was produced in the same manner as in Example 1 except for the above.

[실시예 5][Example 5]

페닐메탄말레이미드 수지(다이와카세이코교사 제조 「BMI-2000」) 2.5부를, m-페닐렌비스말레이미드 수지(다이와카세이코교사 제조 「BMI-3000」) 10부로 변경하였다. 또한, 아크릴 수지(신나카무라카가쿠코교사 제조 「A-DOG」), 및 디쿠밀퍼옥사이드(니찌유사 제조 「퍼쿠밀 D」)를 사용하지 않았다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 동일한 조작을 행하여 수지 바니쉬 5를 제작하였다.2.5 parts of phenylmethane maleimide resin ("BMI-2000" manufactured by Daicel Chemical Industries Ltd.) was changed to 10 parts of m-phenylene bismaleimide resin ("BMI-3000" manufactured by TAIWA SEIKO CO., LTD.). In addition, acrylic resin ("A-DOG" manufactured by Shin Nakamura Kagakuko Co., Ltd.) and dicumyl peroxide ("Percumyl D" manufactured by Nichi- A resin varnish 5 was produced in the same manner as in Example 1 except for the above.

[실시예 6][Example 6]

페닐메탄말레이미드 수지(다이와카세이코교사 제조 「BMI-2000」) 2.5부를, m-페닐렌비스말레이미드 수지(다이와카세이코교사 제조 「BMI-3000」) 13.5부로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 동일한 조작을 행하여 수지 바니쉬 6을 제작하였다.2.5 parts of phenylmethane maleimide resin ("BMI-2000" manufactured by Daicel Chemical Industries Ltd.) was changed to 13.5 parts of m-phenylene bismaleimide resin ("BMI-3000" manufactured by Daikase Seiko). The resin varnish 6 was produced in the same manner as in Example 1 except for the above.

[비교예 1][Comparative Example 1]

페닐메탄말레이미드 수지(다이와카세이코교사 제조 「BMI-2000」)의 양을 1부로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 동일한 조작을 행하여 수지 바니쉬 7을 제작하였다.Phenylmethane maleimide resin (&quot; BMI-2000 &quot; manufactured by Daicel Chemical Industries Ltd.) was changed to 1 part. A resin varnish 7 was produced in the same manner as in Example 1 except for the above.

[비교예 2][Comparative Example 2]

페닐메탄말레이미드 수지(다이와카세이코교사 제조 「BMI-2000」)의 양을 16부로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 동일한 조작을 행하여 수지 바니쉬 8을 제작하였다.Phenylmethane maleimide resin (&quot; BMI-2000 &quot;, manufactured by TAIWA SEIKO CO., LTD.) Was changed to 16 parts. The resin varnish 8 was produced in the same manner as in Example 1 except for the above.

[비교예 3][Comparative Example 3]

페닐메탄말레이미드 수지(다이와카세이코교사 제조 「BMI-2000」) 2.5부를, m-페닐렌비스말레이미드 수지(다이와카세이코교사 제조 「BMI-3000」) 1부로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 동일한 조작을 행하여 수지 바니쉬 9를 제작하였다.2.5 parts of phenylmethanemaleimide resin ("BMI-2000" manufactured by Daicel Chemical Industries Ltd.) was changed to 1 part of m-phenylene bismaleimide resin ("BMI-3000" manufactured by Daikase Seiko). A resin varnish 9 was produced in the same manner as in Example 1 except for the above.

[비교예 4][Comparative Example 4]

페닐메탄말레이미드 수지(다이와카세이코교사 제조 「BMI-2000」) 2.5부를, m-페닐렌비스말레이미드 수지(다이와카세이코교사 제조 「BMI-3000」) 16부로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 동일한 조작을 행하여 수지 바니쉬 10을 제작하였다.2.5 parts of phenylmethane maleimide resin ("BMI-2000" manufactured by Daicel Chemical Industries Ltd.) was changed to 16 parts of m-phenylene bismaleimide resin ("BMI-3000" manufactured by Daikase Seiko). The resin varnish 10 was produced in the same manner as in Example 1 except for the above.

[평가 방법][Assessment Methods]

(경화물의 평가 샘플의 제작)(Preparation of Evaluation Sample of Cured Product)

표면에 이형 처리가 실시된 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(린텍사 제조 「PET501010」)을, 지지체로서 준비하였다. 이 지지체 위에, 실시예 및 비교예에서 수득한 수지 바니쉬를, 건조 후의 수지 조성물층의 두께가 40㎛이 되도록, 다이코터를 사용하여 균일하게 도포하였다. 도포된 수지 바니쉬를, 80℃ 내지 110℃(평균 95℃)에서 6분간 건조하여, 수지 조성물층을 수득하였다. 그 후, 수지 조성물층을 200℃에서 90분간 열처리하여 경화시키고, 지지체를 박리함으로써, 수지 조성물의 경화물로 형성된 경화물 필름을 수득하였다. 이 경화물 필름을 길이 80mm, 폭 2mm으로 잘라, 평가 샘플을 수득하였다.A polyethylene terephthalate film ("PET501010" manufactured by Lynchtech Co., Ltd.) having a surface subjected to release treatment was prepared as a support. On this support, resin varnishes obtained in Examples and Comparative Examples were uniformly coated using a die coater so that the thickness of the resin composition layer after drying was 40 占 퐉. The applied resin varnish was dried at 80 ° C to 110 ° C (average 95 ° C) for 6 minutes to obtain a resin composition layer. Thereafter, the resin composition layer was heat-treated at 200 캜 for 90 minutes to cure, and the support was peeled off to obtain a cured film formed of the cured product of the resin composition. This cured film was cut into a length of 80 mm and a width of 2 mm to obtain an evaluation sample.

(유전율(Dk) 및 유전 정접(Df)의 측정)(Measurement of dielectric constant (Dk) and dielectric tangent (Df)

이 평가 샘플에 대해, 측정 장치(애질런트 테크놀로지스(Agilent Technologies)사 제조 「HP8362B」)를 사용한 공동 공진 섭동법에 의해, 측정 주파수 10GHz로 유전 정접 및 유전율을 측정하였다. 유전 정접의 측정은 -10℃, 25℃ 및 100℃에서 행하였다. 또한, 유전율의 측정은 25℃에서 행하였다.The dielectric loss tangent and dielectric constant of the evaluation sample were measured at a measurement frequency of 10 GHz by a cavity resonance perturbation method using a measuring device ("HP8362B" manufactured by Agilent Technologies). The dielectric loss tangent was measured at -10 캜, 25 캜 and 100 캜. The measurement of the dielectric constant was carried out at 25 占 폚.

(유전율(Dk)의 평가)(Evaluation of dielectric constant (Dk)) [

유전율(Dk)이 3.0 이하인 경우를 「양호」라고 평가하였다. 또한, 유전율(Dk)이 3.0을 초과한 경우를 「불량」이라고 평가하였다.And a case where the dielectric constant Dk was 3.0 or less was evaluated as &quot; good &quot;. The case where the dielectric constant Dk exceeded 3.0 was evaluated as &quot; defective &quot;.

(유전 정접의 온도 안정성의 평가)(Evaluation of Temperature Stability of Dielectric Tangent)

25℃에서의 유전 정접(Df)(25℃)에 대한 -10℃에서의 유전 정접(Df)(-10℃)의 비율 Df(-10℃)/Df(25℃)를 계산하였다. 이 비율 Df(-10℃)/Df(25℃)가 85% 내지 115%의 범위에 있는 경우에, 저온에서의 온도 안정성을 「양호」라고 판정하였다. 또한, 비율 Df(-10℃)/Df(25℃)가 85% 내지 115%의 범위에 없는 경우에, 저온에서의 온도 안정성을 「불량」이라고 판정하였다.The ratio Df (-10 캜) / Df (25 캜) of the dielectric loss tangent (Df) (-10 캜) at -10 캜 to the dielectric loss tangent (Df) at 25 캜 at 25 캜 was calculated. When the ratio Df (-10 DEG C) / Df (25 DEG C) was in the range of 85% to 115%, the temperature stability at low temperature was judged as &quot; good &quot;. Further, when the ratio Df (-10 ° C) / Df (25 ° C) was not within the range of 85% to 115%, the temperature stability at low temperature was judged as "poor".

25℃에서의 유전 정접(Df)(25℃)에 대한 100℃에서의 유전 정접(Df)(100℃)의 비율 Df(100℃)/Df(25℃)를 계산하였다. 이 비율 Df(100℃)/Df(25℃)가 85% 내지 115%의 범위에 있는 경우에, 고온에서의 온도 안정성을 「양」으로 판정하였다. 또한, 비율 Df(100℃)/Df(25℃)가 85% 내지 115%의 범위에 없는 경우에, 고온에서의 온도 안정성을 「불량」으로 판정하였다.A ratio Df (100 占 폚) / Df (25 占 폚) of the dielectric loss tangent (Df) (100 占 폚) at 100 占 폚 to the dielectric loss tangent (Df) at 25 占 폚 at 25 占 폚 was calculated. When the ratio Df (100 占 폚) / Df (25 占 폚) was in the range of 85% to 115%, the temperature stability at high temperature was judged as "positive". Further, when the ratio Df (100 deg. C) / Df (25 deg. C) was not within the range of 85% to 115%, the temperature stability at high temperature was judged as &quot; defective &quot;.

[결과][result]

상기한 실시예 및 비교예의 결과를 하기의 표에 나타낸다. 하기의 표에서, 각 성분의 양은 불휘발 성분의 질량부를 나타낸다. 또한, 하기의 표에서, 약칭의 의미는 하기와 같다.The results of the above-described examples and comparative examples are shown in the following table. In the following table, the amount of each component represents the mass part of the non-volatile component. In the following table, the abbreviations have the following meanings.

(B)/(A): (A) 성분 100질량%에 대한 (B) 성분의 질량 비율.(B) / (A): the mass ratio of the component (B) to the component (A) of 100 mass%.

Figure pat00015
Figure pat00015

[검토][Review]

표 1에서 알 수 있는 바와 같이, 실시예에서는 낮은 유전율이 얻어지고 있다. 또한, 실시예에서는, 유전 정접의 비율 Df(100℃)/Df(25℃)가 100%에 가까운 소정의 범위(100%±15%)에 들어가 있고, 고온에서의 유전 정접의 온도 안정성이 양호하다. 또한, 실시예에서는, 유전 정접의 비율 Df(-10℃)/Df(25℃)가 100%에 가까운 소정의 범위(100%±15%)에 들어가 있고, 저온에서의 유전 정접의 온도 의존성이 양호하다. 따라서, 이 결과로, 본 발명에 의해, 유전율이 낮고, 유전 정접의 온도 안정성이 우수한 절연층을 수득할 수 있는 수지 조성물을 실현할 수 있는 것이 확인되었다. 또한, 이렇게 유전 정접의 온도 안정성이 우수한 절연층을 레이더의 안테나 회로 기판에 적용한 경우, 그 레이더의 검출 가능 범위의 온도에 의한 변화를 억제할 수 있는 것은 당업자가 명확하게 이해할 수 있다.As can be seen from Table 1, low dielectric constant is obtained in the examples. Further, in the examples, the ratio of the dielectric loss tangent Df (100 ° C) / Df (25 ° C) falls within a predetermined range (100% ± 15%) close to 100% and the temperature stability of the dielectric loss tangent at a high temperature is satisfactory Do. Further, in the examples, the temperature dependency of the dielectric loss tangent at low temperature is within a predetermined range (100% ± 15%) in which the ratio of dielectric loss tangent Df (-10 ° C) / Df Good. As a result, it has been confirmed that the present invention can realize a resin composition capable of obtaining an insulating layer having a low dielectric constant and excellent temperature stability of dielectric tangent. It is also understood by those skilled in the art that when an insulation layer having excellent dielectric stability of dielectric loss tangent is applied to an antenna circuit board of a radar device, a change in temperature of the radar detectable range can be suppressed.

상기 실시예에서, (E) 성분 내지 (G) 성분을 사용하지 않은 경우라도, 정도에 차이는 있지만, 상기 실시예와 같은 결과에 귀착하는 것을 확인하였다.In the above examples, even when the components (E) to (G) were not used, it was confirmed that the results were the same as those of the above-mentioned examples although there were differences in the degree.

Claims (12)

(A) 에폭시 수지, (B) 말레이미드 화합물, (C) 무기 충전재, 및 (D) 불소계 충전재를 포함하는 수지 조성물로서, (B) 성분의 양이 (A) 성분 100질량%에 대해 10질량% 내지 70질량%인, 수지 조성물.A resin composition comprising (A) an epoxy resin, (B) a maleimide compound, (C) an inorganic filler, and (D) a fluorine-based filler, wherein the amount of the component (B) % To 70% by mass. (A) 에폭시 수지 및 (D) 불소계 충전재를 포함하는 수지 조성물로서, 수지 조성물을 200℃에서 90분간 열처리하여 수득되는 경화물의 -10℃, 25℃ 및 100℃에서의 유전 정접을, 각각 Df(-10℃), Df(25℃) 및 Df(100℃)로 한 경우, Df(25℃)에 대한 Df(-10℃)의 비율 Df(-10℃)/Df(25℃)가 85% 내지 115%이고, Df(25℃)에 대한 Df(100℃)의 비율 Df(100℃)/Df(25℃)가 85% 내지 115%인, 수지 조성물.(A) an epoxy resin and (D) a fluorine-based filler, the dielectric loss tangent at -10 ° C, 25 ° C and 100 ° C of the cured product obtained by heat-treating the resin composition at 200 ° C for 90 minutes is represented by Df (-10 占 폚) / Df (25 占 폚) ratio of Df (-10 占 폚) to Df (25 占 폚) is 85% when Df And the ratio Df (100 DEG C) / Df (25 DEG C) of Df (100 DEG C) to Df (25 DEG C) is 85% to 115%. 제2항에 있어서, (B) 말레이미드 화합물을 포함하는, 수지 조성물.The resin composition according to claim 2, which comprises (B) a maleimide compound. 제1항 또는 제2항에 있어서, (D) 성분이 불소계 중합체 입자인, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1 or 2, wherein the component (D) is a fluorine-based polymer particle. 제1항 또는 제2항에 있어서, (D) 성분이 폴리테트라플루오로에틸렌 입자인, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1 or 2, wherein the component (D) is polytetrafluoroethylene particles. 제1항 또는 제2항에 있어서, (E) 불포화 탄화수소기를 갖는 수지를 포함하는, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1 or 2, wherein the resin composition comprises (E) a resin having an unsaturated hydrocarbon group. 제6항에 있어서, (E) 성분이 아크릴기, 메타크릴기, 스티릴기, 알릴기, 비닐기 및 프로페닐기로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1 이상의 불포화 탄화수소기를 갖는, 수지 조성물.The resin composition according to claim 6, wherein the component (E) has at least one unsaturated hydrocarbon group selected from the group consisting of an acryl group, a methacryl group, a styryl group, an allyl group, a vinyl group and a propenyl group. 제6항에 있어서, (E) 성분이 비닐기를 갖고, 또한 5원환 이상의 환상 에테르 구조를 갖는, 수지 조성물.The resin composition according to claim 6, wherein the component (E) has a vinyl group and further has a cyclic ether structure having five or more ring members. 제1항 또는 제2항에 있어서, 회로 기판의 절연층 형성용인, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1 or 2, which is used for forming an insulating layer of a circuit board. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물을 포함하는 시트상 적층 재료.10. A sheet-like laminated material comprising the resin composition according to any one of claims 1 to 9. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물의 경화물로 이루어진 절연층을 포함하는 회로 기판.A circuit board comprising an insulating layer made of a cured product of the resin composition according to any one of claims 1 to 9. 제11항에 기재된 회로 기판을 구비하는 반도체 장치.A semiconductor device comprising the circuit board according to claim 11.
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